WO2023074767A1 - アミン化合物およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

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WO2023074767A1
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unsubstituted
phenyl
amine
substituted
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幸喜 加瀬
炳善 梁
文チャン 黄
淳一 泉田
雄太 平山
秀一 林
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保土谷化学工業株式会社
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    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/02Details
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices

Definitions

  • the present invention provides compounds suitable for self-luminous electronic devices suitable for various display devices, particularly compounds suitable for organic electroluminescence devices (hereinafter abbreviated as organic EL devices), organic EL devices using the compounds, electronic devices and It relates to electronic equipment.
  • organic EL devices organic electroluminescence devices
  • organic EL elements are self-luminous elements, they are brighter than liquid crystal elements, have excellent visibility, and are capable of displaying clear images, which has led to active research.
  • a metal with a high work function is used for the anode and light is emitted from above.
  • the bottom emission structure in which light is extracted from the bottom of the pixel circuit, the area of the light emitting part is limited. Therefore, there is an advantage that the light emitting portion can be widened.
  • a semi-transparent electrode such as LiF/Al/Ag (see, for example, Non-Patent Document 2), Ca/Mg (see, for example, Non-Patent Document 3), or LiF/MgAg is used for the cathode.
  • the effect of the capping layer in the light-emitting device of the top emission structure is that the current efficiency of the light-emitting device using Ir(ppy) 3 as the light-emitting material was 38 cd/A without the capping layer. In the light-emitting element using ZnSe with a thickness of 60 nm, the efficiency was improved to 64 cd/A, which is about 1.7 times. In addition, it is shown that the maximum transmittance of the semi-transparent electrode and the capping layer does not always coincide with the maximum efficiency, and that the maximum light extraction efficiency is determined by the interference effect. (For example, see Non-Patent Document 3).
  • Alq 3 tris(8-hydroxyquinoline)aluminum
  • Alq 3 is a green light-emitting material or electron
  • organic EL material that is commonly used as a transport material
  • it has a weak absorption around 450 nm, which is used for blue light emitting materials.
  • devices manufactured with a conventional capping layer transmit light with a wavelength of 400 nm to 410 nm, which affects the materials inside the device, resulting in a decrease in color purity and light extraction efficiency. rice field.
  • the organic EL device In order to improve the device characteristics of the organic EL device, in particular, to absorb light with a wavelength of 400 nm to 410 nm of sunlight without affecting the material inside the device, and to significantly improve the light extraction efficiency.
  • a material for the capping layer a material having a high absorption coefficient, a high refractive index, and excellent thin film stability and durability is desired.
  • An object of the present invention is to improve the device characteristics of an organic EL device, in particular, to absorb light with a wavelength of 400 nm to 410 nm of sunlight without affecting the material inside the device, and to improve the device characteristics of the organic EL device. It is an object of the present invention to provide a compound having a high refractive index, and to provide an organic EL device in which the deterioration of the inside of the device is prevented and the light extraction efficiency is greatly improved by using such a compound.
  • Physical properties of capping layer materials suitable for organic EL devices include (1) high absorption coefficient, (2) high refractive index, (3) vapor deposition capability, and (4) thin film. (5) high glass transition temperature;
  • the physical properties of the compound suitable for the present invention include (1) absorption of light of 400 nm to 410 nm, (2) high light extraction efficiency, and (3) no reduction in color purity. , (4) transmit light without aging, and (5) have a long life.
  • the present inventors focused on the fact that arylamine-based materials are excellent in thin film stability and durability. From the compounds, materials with high absorbance at wavelengths of 400 nm to 410 nm in the absorption spectrum at a concentration of 10 ⁇ 5 mol/L were selected, and organic EL devices were produced using these materials as materials constituting the capping layer, and the characteristics of the devices were carefully evaluated. As a result, the present invention was completed.
  • Ar represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group, a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group, or a substituted or unsubstituted condensed polycyclic aromatic group
  • L 1 to L 5 may be the same or different from each other and may be a single bond, an unsubstituted divalent aromatic hydrocarbon group, an unsubstituted divalent aromatic heterocyclic group or an unsubstituted divalent represents a condensed polycyclic aromatic group
  • X 1 and X 2 may be the same or different and each represents an oxygen atom or a sulfur atom.
  • L 2 to L 5 in the general formula (a) are a single bond, an unsubstituted 1,4-phenylene group, an unsubstituted 4,4′-biphenylene group, an unsubstituted 2,6-naphthylene group, Or the amine compound according to 3) above, which is an unsubstituted 2,7-naphthylene group.
  • Ar in the general formula (a) is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted phenanthrenyl group, or a substituted or unsubstituted pyridyl a substituted or unsubstituted quinolyl group, a substituted or unsubstituted benzofuranyl group, a substituted or unsubstituted benzothienyl group, a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group, or a substituted or unsubstituted dibenzothienyl group, 1) The amine compound as described in 1).
  • Ar in the general formula (a) is an unsubstituted phenyl group, an unsubstituted 4-biphenyl group, an unsubstituted 2-naphthyl group, an unsubstituted 2-phenanthrenyl group, an unsubstituted 3-phenanthrenyl group, Unsubstituted 9-phenanthrenyl group, unsubstituted 3-pyridyl group, unsubstituted 3-quinolyl group, unsubstituted 2-benzofuranyl group, unsubstituted 2-benzothienyl group, unsubstituted 2-dibenzofuranyl group , an unsubstituted 3-dibenzofuranyl group, an unsubstituted 2-dibenzothienyl group, or an unsubstituted 3-dibenzothienyl group, the amine compound according to 5) above.
  • the capping layer is the capping layer according to any one of 1) to 6) above.
  • An organic EL device containing an amine compound is the capping layer according to any one of 1) to 6) above.
  • the extinction coefficient of the capping layer is 0.2 or more in the wavelength range of 400 nm to 410 nm, and the absorbance in the absorption spectrum at a concentration of 10 ⁇ 5 mol/L of the amine compound is the wavelength of 400 nm to 410 nm. 7) above, wherein the range is 0.2 or more.
  • the capping layer is a laminate of two or more layers made of different compounds or a mixed layer containing two or more kinds of compounds, and contains the amine compound according to any one of 1) to 6) above.
  • An electronic device having a pair of electrodes and an organic layer sandwiched therebetween, wherein the organic layer contains the amine compound according to any one of 1) to 6) above.
  • Substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group "substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group” or “substituted or unsubstituted condensed polycyclic aromatic group” represented by Ar in the general formula (a)
  • substituted aromatic hydrocarbon group substituted aromatic heterocyclic group
  • substituted condensed polycyclic aromatic group represented by Ar in the general formula (a)
  • deuterium atom include Specifically, deuterium atom; cyano group, nitro group; halogen atom such as fluorine atom, chlorine atom, bromine atom and iodine atom; silyl group such as trimethylsilyl group and triphenylsilyl group; linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms; straight or branched alkyloxy group having 1 to 6 carbon atoms such as methyloxy group, ethyloxy group, propyloxy group; vinyl group , alkenyl groups such as allyl groups; aryloxy groups such as phenyloxy groups and tolyloxy groups; arylalkyloxy groups such as benzyloxy groups and phenethyloxy groups; pheny
  • substituents may be further substituted with the substituents exemplified above.
  • substituents and substituted benzene rings, or multiple substituted substituents on the same benzene ring are bonded to each other through a single bond, a substituted or unsubstituted methylene group, an oxygen atom, or a sulfur atom. may form a ring.
  • Ar in the general formula (a) is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted phenanthrenyl group, a substituted or unsubstituted pyridyl group, substituted or unsubstituted quinolyl group, substituted or unsubstituted benzofuranyl group, substituted or unsubstituted benzothienyl group, substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group, substituted or unsubstituted dibenzothienyl group , a phenanthrolinyl group, a benzoxazolyl group, or a benzothiazolyl group.
  • Ar in the general formula (a) is an unsubstituted phenyl group, an unsubstituted 4-biphenyl group, an unsubstituted 2-naphthyl group, an unsubstituted 2-phenanthrenyl group, an unsubstituted 3-phenanthrenyl group, unsubstituted 9-phenanthrenyl group, unsubstituted 3-pyridyl group, unsubstituted 3-quinolyl group, unsubstituted 2-benzofuranyl group, unsubstituted 2-benzothienyl group, unsubstituted 2 -Dibenzofuranyl group, unsubstituted 3-dibenzofuranyl group, unsubstituted 2-dibenzothienyl group, unsubstituted 3-dibenzothienyl group, unsubstituted 1,10-phenanthrolin-2-yl group, unsubstitute
  • Unsubstituted divalent aromatic hydrocarbon group “unsubstituted divalent aromatic heterocyclic group” or “unsubstituted 2
  • the “divalent aromatic hydrocarbon group”, “divalent aromatic heterocyclic group” or “divalent condensed polycyclic aromatic group” in the “valent condensed polycyclic aromatic group” has the general formula (a ) in the “substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group”, “substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group” or “substituted or unsubstituted condensed polycyclic aromatic group” represented by Ar Examples thereof include groups obtained by removing one hydrogen atom from the groups shown as "aromatic hydrocarbon group”, “aromatic heterocyclic group” or “condensed polycyclic aromatic group”.
  • L 1 in the general formula (a) is preferably an unsubstituted 1,4-phenylene group.
  • L 2 to L 5 in the general formula (a) are preferably single bonds, unsubstituted phenylene groups, or unsubstituted naphthylene groups, and single bonds or unsubstituted phenylene groups. , an unsubstituted biphenylene group, or an unsubstituted naphthylene group.
  • L 2 to L 5 in the general formula (a) are a single bond, an unsubstituted 1,4-phenylene group, an unsubstituted 4,4'-biphenylene group, an unsubstituted 2, A 6-naphthylene group or an unsubstituted 2,7-naphthylene group is more preferred.
  • the thickness of the capping layer is preferably in the range of 30 nm to 120 nm, more preferably in the range of 40 nm to 80 nm.
  • the capping layer preferably has a refractive index of 1.85 or more, more preferably 1.90 or more, within a wavelength range of 450 nm to 750 nm.
  • the capping layer may be produced using two or more different constituent materials. Specifically, it may be formed as a laminate of two or more layers composed of different compounds, or may be formed as a mixed layer containing two or more types of compounds.
  • the capping layer contains at least one kind of amine compound represented by the general formula (a).
  • the amine compound represented by the general formula (a) of the present invention (1) has a high absorption coefficient, (2) has a high refractive index in the wavelength range of 450 nm to 750 nm, (3) can be vapor-deposited, and ( 4) It is stable in a thin film state, and (5) it has high heat resistance. Therefore, by using the amine compound of the present invention in a capping layer having a higher refractive index than the semi-transparent electrode provided outside the transparent or semi-transparent electrode of the organic EL device, the light extraction efficiency is greatly improved. It is possible to obtain an organic EL device in which deterioration of the material inside the device is suppressed.
  • FIG. 1 shows the structures of compounds (1) to (12) as examples of the compounds of the present invention.
  • FIG. 1 shows the structures of compounds (13) to (24) as examples of compounds of the present invention.
  • FIG. 2 shows the structures of compounds (25) to (36) as examples of the compounds of the present invention.
  • FIG. 2 shows the structures of compounds (37) to (48) as examples of the compounds of the present invention.
  • FIG. 2 shows the structures of compounds (49) to (60) as examples of the compounds of the present invention.
  • FIG. 2 shows the structures of compounds (61) to (72) as examples of the compounds of the present invention.
  • FIG. 2 shows the structures of compounds (73) to (84) as examples of the compounds of the present invention.
  • FIG. 2 shows the structures of compounds (85) to (96) as examples of the compounds of the present invention.
  • FIG. 1 shows the structures of compounds (1) to (12) as examples of the compounds of the present invention.
  • FIG. 2 shows the structures of compounds (25) to (36) as examples of the compounds of the present invention.
  • FIG. 2 shows
  • FIG. 2 shows the structures of compounds (97) to (106) as examples of the compounds of the present invention.
  • FIG. 2 shows the structures of compounds (107) to (116) as examples of the compounds of the present invention.
  • FIG. 1 shows the structures of compounds (117) to (128) as examples of the compounds of the present invention.
  • FIG. 2 shows the structures of compounds (129) to (140) as examples of the compounds of the present invention.
  • FIG. 2 shows the structures of compounds (141) to (155) as examples of the compounds of the present invention.
  • FIG. 2 shows the structures of compounds (156) to (165) as examples of the compounds of the present invention.
  • FIG. 2 shows the structures of compounds (166) to (173) as examples of the compounds of the present invention.
  • FIG. 1 shows the structures of compounds (174) to (184) as examples of the compounds of the present invention.
  • FIG. 2 shows the structures of compounds (185) to (196) as examples of the compounds of the present invention.
  • FIG. 2 shows the structures of compounds (197) to (206) as examples of the compounds of the present invention.
  • FIG. 2 shows the structures of compounds (207) to (209) as examples of the compounds of the present invention. It is a figure which shows an example of a structure of the organic EL element of this invention.
  • the amine compounds represented by the general formula (a) of the present invention are novel compounds, but the benzazole derivatives that are the main skeleton of these compounds can be synthesized by methods known per se (for example, non-patented Reference 4). Subsequently, the synthesized halogenated benzazole derivative and arylamine are subjected to a coupling reaction using a copper catalyst, a palladium catalyst, or the like to synthesize the amine compound represented by the general formula (a) of the present invention. can be done.
  • the amine compound represented by the general formula (a) of the present invention can be similarly synthesized by a coupling reaction with a halogenated arylamine. (For example, see Non-Patent Document 5 and Non-Patent Document 6).
  • Purification of the amine compound represented by the general formula (a) is not particularly limited.
  • a known method used for purification of organic compounds, such as a sublimation purification method, can be used. Further, identification of the compound can be performed by NMR analysis or the like.
  • As physical properties it is preferable to measure melting point and glass transition point (Tg), refractive index and extinction coefficient, absorbance and extinction coefficient.
  • the melting point is an index of vapor deposition properties
  • the glass transition point (Tg) is an index of the stability of the thin film state
  • the refractive index and extinction coefficient are indices of improvement in light extraction efficiency
  • the absorbance and extinction coefficient are indices of This is an index for suppressing deterioration inside the element.
  • the melting point and glass transition point (Tg) can be measured using powder with a high-sensitivity differential scanning calorimeter (DSC3100SA, manufactured by Bruker AXS).
  • the refractive index and extinction coefficient can be measured by preparing a thin film of 80 nm on a silicon substrate and using a spectrometer (F10-RT-UV, manufactured by Filmetrics).
  • the absorbance was adjusted to a concentration of 10 ⁇ 5 mol/L with a toluene solvent, and the extinction coefficients were adjusted to concentrations of 5.0 ⁇ 10 ⁇ 6 mol/L, 1.0 ⁇ 10 ⁇ 5 mol/L and 1.5 with a toluene solution.
  • ⁇ 10 -5 mol / L, 2.0 ⁇ 10 -5 mol / L adjusted to four concentrations, each measured using a UV-visible near-infrared spectrophotometer (manufactured by JASCO Corporation, V-650) can do.
  • an anode, a hole-transporting layer, a light-emitting layer, an electron-transporting layer, a cathode and a capping layer are sequentially formed on a glass substrate. mentioned. Further, a hole injection layer is provided between the anode and the hole transport layer, an electron blocking layer is provided between the hole transport layer and the light emitting layer, and a hole blocking layer is provided between the light emitting layer and the electron transport layer. Also included are those having an electron-injecting layer between the electron-transporting layer and the cathode.
  • one organic layer can serve multiple functions, for example, a structure that serves as both a hole injection layer and a hole transport layer, a structure that serves as both a hole transport layer and an electron blocking layer, It is also possible to employ a structure that serves both as a hole-blocking layer and an electron-transporting layer, a structure that serves as both an electron-transporting layer and an electron-injecting layer, and the like. In addition, it is also possible to have a structure in which two or more organic layers having the same function are stacked, such as a structure in which two hole transport layers are stacked, a structure in which two light emitting layers are stacked, and a structure in which two electron transport layers are stacked. A laminated structure, a structure in which two capping layers are laminated, and the like are also possible.
  • the total thickness of each layer of the organic EL element is preferably about 200 nm to 750 nm, more preferably about 350 nm to 600 nm.
  • the film thickness of the capping layer is, for example, preferably 30 nm to 120 nm, more preferably 40 nm to 80 nm. In this case, good light extraction efficiency can be obtained.
  • the thickness of the capping layer can be appropriately changed according to the type of light-emitting material used in the light-emitting element, the thickness of the organic EL element other than the capping layer, and the like.
  • an electrode material with a large work function such as ITO or gold is used.
  • an arylamine compound having a structure in which three or more triphenylamine structures are linked by a single bond or a heteroatom-free divalent group in the molecule such as a star Materials such as burst-type triphenylamine derivatives, various triphenylamine tetramers, porphyrin compounds represented by copper phthalocyanine, acceptor heterocyclic compounds such as hexacyanoazatriphenylene, and coating-type polymer materials are used. be able to.
  • Thin films of these materials can be formed by known methods such as a spin coating method and an ink jet method in addition to the vapor deposition method.
  • N,N'-diphenyl-N,N'-di(m-tolyl)benzidine hereinafter abbreviated as TPD
  • N,N'-diphenyl-N benzidine derivatives such as N'-di( ⁇ -naphthyl)benzidine, N,N,N',N'-tetrabiphenylylbenzidine, 1,1-bis[4-(di-4-tolylamino)phenyl]cyclohexane, especially Arylamine compounds having a structure in which two triphenylamine structures are linked via a single bond or a heteroatom-free divalent group in the molecule, such as N,N,N',N'-tetrabiphenylylbenzidine, etc.
  • arylamine compounds having a structure in which three or more triphenylamine structures are linked by a single bond or a heteroatom-free divalent group in the molecule such as various triphenylamine trimers and tetramers It is preferable to use the body or the like. These may be formed alone, or may be used as a single layer formed by mixing with other materials, layers formed by themselves, layers formed by mixing, or A laminated structure of a layer formed by mixing with a layer formed independently may be used. Also, a coating type polymer material such as poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(styrene sulfonate) can be used as the hole injection/transport layer. Thin films of these materials can be formed by known methods such as a spin coating method and an ink jet method in addition to the vapor deposition method.
  • P-doped materials such as trisbromophenylamine hexachloroantimony and radialene derivatives (see, for example, Patent Document 3) are used for the layers,
  • a polymer compound having a structure of a benzidine derivative such as TPD in its partial structure can be used.
  • TCTA 4,4′,4′′-tri(N-carbazolyl)triphenylamine
  • mCP 9,9-bis[4-(carbazole- 9-yl)phenyl]fluorene
  • mCP 1,3-bis(carbazol-9-yl)benzene
  • carbazole derivatives such as 2,2-bis(4-carbazol-9-yl-phenyl)adamantane , 9-[4-(carbazol-9-yl)phenyl]-9-[4-(triphenylsilyl)phenyl]-9H-fluorene and compounds having a triphenylsilyl group and a triarylamine structure
  • a compound having an electron blocking action can be used.
  • Thin films of these materials can be formed by known methods such as a spin coating method and an ink jet method in addition to the vapor deposition method.
  • the light-emitting layer of the organic EL device of the present invention can be used.
  • the light-emitting layer may be composed of a host material and a dopant material, and an anthracene derivative is preferably used as the host material.
  • a compound, a heterocyclic compound having a carbazole ring as a condensed ring partial structure, a carbazole derivative, a thiazole derivative, a benzimidazole derivative, a polydialkylfluorene derivative, and the like can be used.
  • Quinacridone, coumarin, rubrene, perylene and their derivatives, benzopyran derivatives, rhodamine derivatives, aminostyryl derivatives and the like can be used as dopant materials. These may be deposited alone, or may be used as a single layer deposited by mixing with other materials, layers deposited alone, layers deposited by mixing, or A laminated structure of a layer formed independently and a layer formed by mixing may be employed.
  • a phosphorescent emitter As the luminescent material, a phosphorescent emitter of a metal complex such as iridium or platinum can be used. For example, green phosphorescent emitters such as Ir(ppy) 3 , blue phosphorescent emitters such as FIrpic and FIr6, and red phosphorescent emitters such as Btp 2 Ir(acac) can be used. As a material, 4,4′-di(N-carbazolyl)biphenyl and carbazole derivatives such as TCTA and mCP can be used as a hole-injecting/transporting host material.
  • electron-transporting host materials examples include p-bis(triphenylsilyl)benzene and 2,2′,2′′-(1,3,5-phenylene)-tris(1-phenyl-1H-benzimidazole). can be used.
  • the host material is preferably doped with a phosphorescent light-emitting material in the range of 1 to 30% by weight with respect to the entire light-emitting layer by co-evaporation.
  • Non-Patent Document 7 Materials that emit delayed fluorescence, such as CDCB derivatives such as PIC-TRZ, CC2TA, PXZ-TRZ, and 4CzIPN, as light-emitting materials (see, for example, Non-Patent Document 7). Thin films of these materials can be formed by known methods such as a spin coating method and an ink jet method in addition to the vapor deposition method.
  • phenanthroline derivatives such as bathocuproine, aluminum (III) bis(2-methyl-8-quinolinato)-4-phenylphenolate (hereinafter abbreviated as BAlq), etc.
  • BAlq aluminum (III) bis(2-methyl-8-quinolinato)-4-phenylphenolate
  • Compounds having a hole-blocking action can be used, such as metal complexes of quinolinol derivatives, various rare earth complexes, triazole derivatives, triazine derivatives, pyrimidine derivatives, oxadiazole derivatives, and benzazole derivatives. These materials may also serve as materials for the electron transport layer.
  • Thin films of these materials can be formed by known methods such as a spin coating method and an ink jet method in addition to the vapor deposition method.
  • various metal complexes such as Alq 3 and BAlq, various metal complexes, triazole derivatives, triazine derivatives, pyrimidine derivatives, oxadiazole derivatives, pyridine derivatives, benz Imidazole derivatives, benzazole derivatives, thiadiazole derivatives, anthracene derivatives, carbodiimide derivatives, quinoxaline derivatives, pyridoindole derivatives, phenanthroline derivatives, silole derivatives and the like can be used.
  • Thin films of these materials can be formed by known methods such as a spin coating method and an ink jet method in addition to the vapor deposition method.
  • alkali metal salts such as lithium fluoride and cesium fluoride
  • alkaline earth metal salts such as magnesium fluoride
  • metal complexes of quinolinol derivatives such as lithium quinolinol
  • metal oxides or metals such as ytterbium (Yb), samarium (Sm), calcium (Ca), strontium (Sr), and cesium (Cs)
  • Yb ytterbium
  • Sm samarium
  • Ca calcium
  • Cs cesium
  • a material that is N-doped with a metal such as cesium can be used for the material normally used for the layer.
  • an electrode material with a low work function such as aluminum, an alloy with a lower work function such as magnesium silver alloy, magnesium calcium alloy, magnesium indium alloy, aluminum magnesium alloy, ITO, IZO or the like is used as an electrode material.
  • the amine compound represented by the general formula (a) is preferably used as the capping layer of the organic EL device of the present invention. These may be deposited alone, or may be used as a single layer deposited by mixing with other materials, layers deposited alone, layers deposited by mixing, or A laminated structure of a layer formed by mixing with a layer formed by a single film may be used. Thin films of these materials can be formed by well-known methods such as a spin coating method and an inkjet method in addition to the vapor deposition method.
  • the present invention is not limited to this, and the organic EL element with the bottom emission structure or the dual emission structure that emits light from both the top and the bottom.
  • the same can be applied to organic EL elements.
  • the electrodes in the direction in which light is extracted from the light-emitting element should be transparent or translucent.
  • the refractive index of the material forming the capping layer is preferably higher than the refractive index of the adjacent electrodes. That is, although the capping layer improves the light extraction efficiency of the organic EL element, the effect of light interference is greater when the reflectance at the interface between the capping layer and the material in contact with the capping layer is higher. effective for Therefore, the refractive index of the material forming the capping layer is preferably higher than that of the adjacent electrode, and is preferably 1.70 or more, more preferably 1.80 or more. 0.85 or greater is particularly preferred.
  • Example 8 ⁇ (4-Benzothiophen-2-yl-phenyl)-(4-benzothiazol-2-yl-phenyl)-(4-dibenzofuran-3-yl-phenyl)amine: synthesis of compound (43)> (4-benzothiazol-2-yl-phenyl)-(4-dibenzofuran-3-yl-phenyl)-amine: 5.0 g, 2-(4-bromo-phenyl)benzothiophene: 3.4 g, tris(dibenzylideneacetone) dipalladium (0): 0.2 g, tri-t-butylphosphine: 0.2 g, t-butoxysodium: 1.5 g were charged and refluxed overnight under toluene solvent.
  • 10-phenanthroline 11.9 g, tris(dibenzylideneacetone) dipalladium (0): 0.3 g, tri-t-butylphosphine: 0.3 g, sodium t-butoxy: 5.4 g, under a xylene solvent. was stirred at reflux for 4 hours. After standing to cool, methanol was added to the system, and the precipitated solid was collected by filtration to obtain a crude product.
  • Example 30 ⁇ (4-benzothiophen-2-yl-phenyl)-(4-benzothiazol-2-yl-phenyl)-(7-dibenzothiophen-2-yl-naphthalen-2-yl)amine: of compound (191) Synthesis> (4-benzothiazol-2-yl-phenyl)-(4-benzothiophen-2-yl-phenyl)amine: 9.0 g, 2-(2-bromo-naphthalen-7-yl ) Dibenzothiophene: 8.9 g, tris(dibenzylideneacetone) dipalladium (0): 0.2 g, tri-t-butylphosphine: 0.1 g, t-butoxysodium: 3.1 g were charged and placed under toluene solvent.
  • Acetone)dipalladium(0): 0.2 g, tri-t-butylphosphine: 0.1 g, and t-butoxysodium: 2.5 g were charged and stirred under reflux overnight in a xylene solvent. After standing to cool, methanol was added to the system, and the precipitated solid was collected by filtration to obtain a crude product. The resulting crude product is purified by recrystallization using a monochlorobenzene solvent to give (7-benzothiophen-2-yl-naphthalen-2-yl)-(bis-(4-benzoxazol-2-yl-phenyl ) Amine: A yellow powder of compound (201): 6.8 g (yield: 59.1%) was obtained.
  • Example 40 ⁇ (7-benzothiophen-2-yl-naphthalen-2-yl)-(4-benzothiazol-2-yl-phenyl)-(4-benzoxazol-2-yl-phenyl)amine: of compound (203) Synthesis> (4-benzothiazol-2-yl-phenyl)-(4-benzoxazol-2-yl-phenyl)amine: 10.0 g, 2-(2-bromo-naphthalen-7-yl ) 8.9 g of benzothiophene, 0.7 g of tris(dibenzylideneacetone) dipalladium (0), 0.6 g of tri-t-butylphosphine, and 3.5 g of t-butoxysodium were placed in a toluene solvent.
  • Example 47 The melting points and glass transition points of the compounds obtained in the above Examples were measured with a high-sensitivity differential scanning calorimeter (DSC3100SA, manufactured by Bruker AXS). The measurement results are summarized in Tables 1 and 2.
  • the compounds obtained in Examples have a glass transition point of 100°C or higher, which indicates that the thin film state is stable.
  • Example 48 Using the compound obtained in the above example, a deposited film with a thickness of 80 nm was prepared on a silicon substrate, and a spectrometer (F10-RT-UV manufactured by Filmetrics) was used to measure the refractive index at wavelengths of 450 nm and 750 nm. n and the extinction coefficient k at wavelengths of 400 nm and 410 nm were measured. For comparison, comparative compound (2-1) having the following structural formula and Alq 3 (see, for example, Patent Document 4) were also measured. The measurement results are summarized in Tables 3-5.
  • the refractive index from 450 nm to 750 nm is 1.73 to 1.93 for the comparative compound (2-1) and Alq 3 , while the compound of the present invention is 1.90 to 1.93. was 2.59. This indicates that an improvement in the light extraction efficiency of the organic EL element can be expected.
  • the extinction coefficient at wavelengths from 400 nm to 410 nm is 0.33 to 1.22 for the compounds of the present invention, while the comparative compound (2-1) and Alq3 are 0.06 to 0.16. rice field. This indicates that the light with a wavelength of 400 nm to 410 nm of sunlight is well absorbed and the material inside the device is not affected.
  • Example 49 Using the compound obtained in the above example, the concentration was adjusted to 10 ⁇ 5 mol/L with a toluene solution, and the absorbance at wavelengths of 400 nm and 410 nm was measured. The concentration was adjusted to 4 types of 10 ⁇ 5 mol/L, 1.5 ⁇ 10 ⁇ 5 mol/L and 2.0 ⁇ 10 ⁇ 5 mol/L, and an ultraviolet-visible near-infrared spectrophotometer (manufactured by JASCO Corporation) was used. , V-650), and the extinction coefficient was calculated from the calibration curve. For comparison, the compound (2-1) and Alq3 were also measured. The measurement results are summarized in Tables 6-8.
  • the absorbance at a wavelength of 400 nm to 410 nm is 0.02 to 0.07 for the comparative compound (2-1) and Alq 3 , while the compounds of the present invention are 0.20 to 0.07. It was a large value of 1.16. This indicates that the compound of the present invention well absorbs sunlight with a wavelength of 400 nm to 410 nm. In addition, the compound of the present invention also had a value of 70,000 or more with respect to the extinction coefficient. That is, it can be seen that the compounds of the present invention absorb light under the same concentration conditions. In addition, the compound of the present invention absorbs light even in a thin film, indicating that it is a material with excellent light resistance.
  • Example 50 An organic EL device was produced using the compound obtained in Example 1, and its characteristics were evaluated. As shown in FIG. 20, the organic EL device comprises a glass substrate 1 on which a reflective ITO electrode is formed in advance as a metal anode 2, a hole injection layer 3, a hole transport layer 4, a light emitting layer 5, an electron transport layer 5 and an electron transport layer. A layer 6, an electron injection layer 7, a cathode 8, and a capping layer 9 were deposited in this order.
  • a glass substrate 1 on which ITO with a film thickness of 50 nm, a silver alloy reflective film with a film thickness of 100 nm, and an ITO film with a film thickness of 5 nm are formed in this order was subjected to ultrasonic cleaning in isopropyl alcohol for 20 minutes. Drying was performed for 10 minutes on a hot plate heated to 250°C. Then, after performing UV ozone treatment for 2 minutes, this ITO-attached glass substrate was mounted in a vacuum deposition machine, and the pressure was reduced to 0.001 Pa or less.
  • an electron acceptor (Acceptor-1) having the following structural formula and a compound (3-1) having the following structural formula were deposited at a deposition rate ratio of Acceptor-1: compound (3-1)
  • Two-source vapor deposition was performed at a vapor deposition rate of 3:97 to form a film having a thickness of 10 nm.
  • a compound (3-1) having the following structural formula was formed as a hole transport layer 4 on the hole injection layer 3 so as to have a film thickness of 140 nm.
  • a compound (3-2) of the following structural formula and a compound (3-3) of the following structural formula are deposited as a light-emitting layer 5 at a vapor deposition rate ratio of (3-2):(3- 3) Binary vapor deposition was performed at a vapor deposition rate of 5:95 to form a film having a thickness of 20 nm.
  • Lithium fluoride was formed as an electron injection layer 7 on the electron transport layer 6 so as to have a thickness of 1 nm.
  • a magnesium-silver alloy was formed as a cathode 8 so as to have a film thickness of 12 nm.
  • the compound (54) of Example 1 was formed as a capping layer 9 so as to have a film thickness of 60 nm.
  • the organic EL device thus produced was subjected to measurement of luminescence characteristics by applying a DC voltage in the atmosphere at room temperature.
  • Example 50 the organic EL was prepared under the same conditions except that the compounds obtained in Examples 2 to 46 were formed as the capping layer 9 in place of the compound (54) of Example 1 so as to have a film thickness of 60 nm. A device was produced. The luminous properties of the produced organic EL devices were measured by applying a DC voltage in the air at room temperature, and the results are summarized in Tables 9 to 11.
  • Example 1 For comparison, an organic EL device was fabricated under the same conditions as in Example 50, except that Alq 3 was formed to a thickness of 60 nm instead of the compound (54) of Example 1 as the capping layer 9. . The organic EL device thus produced was subjected to measurement of light emission characteristics by applying a DC voltage at room temperature in the atmosphere.
  • Example 50 an organic An EL device was produced.
  • the organic EL device thus produced was subjected to measurement of light emission characteristics by applying a DC voltage at room temperature in the atmosphere.
  • Tables 9 to 11 summarize the results of measuring the device lifetime using the organic EL devices produced in the above examples and comparative examples.
  • the device life was measured as the time required for the brightness to decay to 95% when the device was driven at a constant current of 10 mA/cm 2 and the initial brightness was taken as 100%.
  • the devices of Comparative Examples 1 and 2 and the devices of Examples 50 to 95 had substantially the same drive voltage at a current density of 10 mA/cm 2 , whereas the luminance and light emission
  • the devices of Examples 50 to 95 were improved over the devices of Comparative Examples 1 and 2 in terms of efficiency, power efficiency, and life. This indicates that the light extraction efficiency can be greatly improved by including a material suitable for use in the organic EL device of the present invention, which has a high refractive index, in the capping layer.
  • the amine compound represented by the general formula (a) of the present invention has a high absorption coefficient and a high refractive index, can greatly improve the light extraction efficiency, and is stable in a thin film state. Excellent as By using this compound to prepare the capping layer of an organic EL device, high efficiency can be obtained, and durability and light resistance are improved so as not to affect the material inside the device by absorbing sunlight. can be improved, it has become possible to develop applications for home appliances and lighting.

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Abstract

本発明の目的は、有機EL素子の素子内部の劣化を防ぎ、光取り出し効率を大幅に改善させるために、太陽光の波長400nmから410nmの光を吸光し、素子内部の材料に影響を与えず、波長450nmから750nmにおける範囲の屈折率が高い化合物を提供することにある。 本発明は、屈折率が高い特定のベンゾアゾール環構造を有するアミン化合物である。本発明の化合物をキャッピング層の構成材料として用いることにより、発光効率に優れた有機EL素子が得られる。

Description

アミン化合物およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
 本発明は、各種の表示装置に好適な自発光電子素子に適する化合物、特に有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子と略称する)に適する化合物、および該化合物を用いた有機EL素子、電子素子および電子機器に関するものである。
 有機EL素子は自発光性素子であるため、液晶素子に比べて明るく視認性に優れ、鮮明な表示が可能であることから、活発な研究がなされてきた。
 1987年にイーストマン・コダック社のC.W.Tangらは、各種の役割を各材料に分担した積層構造素子を開発することにより、有機材料を用いた有機EL素子を実用的なものにした。彼らは電子を輸送することのできる蛍光体と正孔を輸送することのできる有機物とを積層し、両方の電荷を蛍光体の層の中に注入して発光させることにより、10V以下の電圧で1000cd/m以上の高輝度を得ている(例えば、特許文献1および特許文献2参照)。
 現在まで、有機EL素子の実用化のために多くの改良がなされ、積層構造の各種の役割をさらに細分化して、基板上に順次に、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極を設けた電界発光素子において、底部から発光するボトムエミッション構造の発光素子とすることによって高効率と耐久性が達成されるようになってきた(例えば、非特許文献1参照)。
 近年、高い仕事関数を持った金属を陽極に用い、上部から発光するトップエミッション構造の発光素子が用いられるようになってきた。画素回路を有する底部から光を取り出すボトムエミッション構造では、発光部の面積が制限されてしまうのに対して、トップエミッション構造の発光素子では、上部から光を取り出すことで画素回路が遮ることがないため発光部を広くとれる利点がある。トップエミッション構造の発光素子では、陰極にLiF/Al/Ag(例えば、非特許文献2参照)、Ca/Mg(例えば、非特許文献3参照)、LiF/MgAgなどの半透明電極が用いられる。
 このような発光素子では、発光層で発光した光が他の膜に入射する場合に、ある角度以上で入射すると、発光層と他の膜との界面で全反射されてしまう。このため、発光した光の一部しか利用できていなかった。近年、光の取り出し効率を向上させるために、屈折率の低い半透明電極の外側に、屈折率の高い「キャッピング層」を設けた発光素子が提案されている(例えば、非特許文献2および非特許文献3参照)。
 トップエミッション構造の発光素子におけるキャッピング層の効果はIr(ppy)を発光材料に用いた発光素子において、キャッピング層が無い場合は電流効率が38cd/Aであったものに対し、キャッピング層として膜厚60nmのZnSeを使用した発光素子では、64cd/Aと約1.7倍の効率向上が認められた。また、半透明電極とキャッピング層の透過率の極大点と効率の極大点とが必ずしも一致しないことが示されており、光の取り出し効率の最大点は干渉効果によって決められることが示されている(例えば、非特許文献3参照)。
 従来、キャッピング層の形成には、精細度の高いメタルマスクを用いることが提案されているが、高温条件下での使用ではメタルマスクに熱による歪みが生じることで位置合わせ精度が低下する問題点があった。上述のZnSeは、融点が1100℃以上と高く(例えば、非特許文献3参照)、精細度の高いメタルマスクでは正確な位置に蒸着することができず、発光素子そのものにも影響を与える可能性がある。更に、スパッタ法による成膜でも、発光素子に影響を与えてしまうことから、無機物を構成材料とするキャッピング層は使用に適していない。
 その他、屈折率を調整するキャッピング層として、トリス(8-ヒドロキシキノリン)アルミニウム(以下、Alqと省略する)を使用する場合(例えば、非特許文献2参照)、Alqは緑色発光材料または電子輸送材料として一般的に使用される有機EL材料として知られているが、青色発光材料に使用される450nm付近に弱い吸収を持つため、青色発光素子の場合、色純度の低下および光の取り出し効率が低下する問題点もあった。
 また、従来のキャッピング層で作製した素子は、太陽光の波長400nmから410nmの光を透過するため素子内部の材料に影響を与え、色純度の低下および光の取り出し効率が低下する問題点もあった。
 有機EL素子の素子特性を改善させるために、特に、太陽光の波長400nmから410nmの光を吸収して素子内部の材料に影響を与えないため、また光の取り出し効率を大幅に改善させるために、キャッピング層の材料として、吸光係数が高く、屈折率が高く、薄膜の安定性や耐久性に優れた材料が求められている。
US5792557 US5639914 国際公開第2014/009310号 US2014/0225100 A1
応用物理学会第9回講習会予稿集55~61ページ(2001) Appl.Phys.Let.,78,544(2001) Appl.Phys.Let.,82,466(2003) J.Org.Chem.,71,1802(2006) Chem.Rev.2016,116,12564 Tetrahedron,58,(2002),9633 Appl.Phys.Lett.,98,083302(2011)
 本発明の目的は、有機EL素子の素子特性を改善させるために、特に、太陽光の波長400nmから410nmの光を吸光して素子内部の材料に影響を与えず、波長450nmから750nmにおける範囲の屈折率が高い化合物を提供することであり、このような化合物を用いることで、素子内部の劣化を防ぎ、光取り出し効率を大幅に改善させた有機EL素子を提供することにある。
 有機EL素子に適したキャッピング層の材料における物理的な特性としては、(1)吸光係数が高いこと、(2)屈折率が高いこと、(3)蒸着が可能であること、(4)薄膜状態が安定であること、(5)ガラス転移温度が高いことを挙げることができる。また、本発明に適した化合物の物理的な特性としては、(1)400nmから410nmの光を吸収すること、(2)光の取り出し効率が高いこと、(3)色純度の低下が無いこと、(4)経時変化することなく光を透過すること、(5)長寿命であることを挙げることができる。
 そこで本発明者らは上記の目的を達成するために、アリールアミン系材料が薄膜の安定性や耐久性に優れていることに着目して、屈折率が高い特定のベンゾアゾール環構造を有するアミン化合物から、濃度10-5mol/Lの吸収スペクトルにおいて波長400nmから410nmにおける吸光度が高い材料を選別し、キャッピング層を構成する材料として用いた有機EL素子を作製し、素子の特性評価を鋭意行った結果、本発明を完成するに至った。
 すなわち、本発明によれば、以下の下記一般式(a)で表される化合物および有機EL素子が提供される。
1)下記一般式(a)で表されるアミン化合物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
 式中、Arは、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、または置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基を表し、
 L~Lは、相互に同一でも異なっていてもよく、単結合、無置換の2価の芳香族炭化水素基、無置換の2価の芳香族複素環基または無置換の2価の縮合多環芳香族基を表し、
 XおよびXは各々、相互に同一でも異なっていてもよく、酸素原子または硫黄原子を表す。
2)前記一般式(a)おけるLが、無置換の1,4-フェニレン基である、上記1)に記載の化合物。
3)前記一般式(a)おけるL~Lが、単結合、無置換のフェニレン基、無置換のビフェニレン基、または無置換のナフチレン基である、上記1に)記載のアミン化合物。
4)前記一般式(a)おけるL~Lが、単結合、無置換の1,4-フェニレン基、無置換の4,4’-ビフェニレン基、無置換の2,6-ナフチレン基、または無置換の2,7-ナフチレン基である、上記3)に記載のアミン化合物。
5)前記一般式(a)おけるArが、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のビフェニル基、置換もしくは無置換のナフチル基、置換もしくは無置換のフェナントレニル基、置換もしくは無置換のピリジル基、置換もしくは無置換のキノリル基、置換もしくは無置換のベンゾフラニル基、置換もしくは無置換のベンゾチエニル基、置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基、または置換もしくは無置換のジベンゾチエニル基である、上記1)に記載のアミン化合物。
6)前記一般式(a)おけるArが、無置換のフェニル基、無置換の4-ビフェニル基、無置換の2-ナフチル基、無置換の2-フェナントレニル基、無置換の3-フェナントレニル基、無置換の9-フェナントレニル基、無置換の3-ピリジル基、無置換の3-キノリル基、無置換の2-ベンゾフラニル基、無置換の2-ベンゾチエニル基、無置換の2-ジベンゾフラニル基、無置換の3-ジベンゾフラニル基、無置換の2-ジベンゾチエニル基、または無置換の3-ジベンゾチエニル基である、上記5)に記載のアミン化合物。
7)少なくとも陽極電極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、陰極電極およびキャッピング層をこの順に有する有機EL素子において、前記キャッピング層が上記1)~6)のいずれか1項に記載のアミン化合物を含有する有機EL素子。
8)前記キャッピング層の消衰係数が、400nmから410nmの波長範囲で0.2以上であり、かつ、前記アミン化合物の濃度10-5mol/Lの吸収スペクトルにおける吸光度が、400nmから410nmの波長範囲で0.2以上である、上記7)に記載の有機EL素子。
9)前記キャッピング層の屈折率が、波長が450nm~750nmの範囲内において、1.85以上である、上記7)に記載の有機EL素子。
10)前記キャッピング層が異なる化合物からなる2層以上の積層または2種類以上の化合物を含む混合層であり、上記1)~6)のいずれか1項に記載のアミン化合物を含有する、上記7)に記載の有機EL素子。
11)一対の電極とその間に挟まれた有機層を有する電子素子において、前記有機層が上記1)~6)のいずれか1項に記載のアミン化合物を含有する電子素子。
12)前記(11に記載の電子素子を含む電子機器。
 前記一般式(a)中のArで表される「置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基」、「置換もしくは無置換の芳香族複素環基」または「置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基」における「芳香族炭化水素基」、「芳香族複素環基」または「縮合多環芳香族基」としては、具体的に、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、ペリレニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、フリル基、ピロリル基、チエニル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、イミダゾピリジル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、ナフチリジニル基、フェナントロリニル基、アクリジニル基、およびカルボリニル基などの他に、炭素数6~30のアリール基、および炭素数2~20のヘテロアリール基から選択される基が挙げられる。
 前記一般式(a)中のArで表される「置換芳香族炭化水素基」、「置換芳香族複素環基」、または「置換縮合多環芳香族基」における「置換基」としては、具体的に、重水素原子;シアノ基、ニトロ基;フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子;トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などのシリル基;メチル基、エチル基、プロピル基などの炭素原子数1~6の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基;メチルオキシ基、エチルオキシ基、プロピルオキシ基などの炭素原子数1~6の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基;ビニル基、アリル基などのアルケニル基;フェニルオキシ基、トリルオキシ基などのアリールオキシ基;ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基などのアリールアルキルオキシ基;フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、ペリレニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基などの芳香族炭化水素基もしくは縮合多環芳香族基;ピリジル基、チエニル基、フリル基、ピロリル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、イミダゾピリジル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、カルボリニル基などの他に、炭素数6~30のアリール基、および炭素数2~20のヘテロアリール基から選択される基などを挙げることができる。
 これらの置換基はさらに、前記例示した置換基が置換していてもよい。また、これらの置換基と置換したベンゼン環が、または同一のベンゼン環に複数置換された置換基同士が、単結合、置換もしくは無置換のメチレン基、酸素原子または硫黄原子を介して互いに結合して環を形成していてもよい。
 本発明の化合物においては、前記一般式(a)おけるArが、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のビフェニル基、置換もしくは無置換のナフチル基、置換もしくは無置換のフェナントレニル基、置換もしくは無置換のピリジル基、置換もしくは無置換のキノリル基、置換もしくは無置換のベンゾフラニル基、置換もしくは無置換のベンゾチエニル基、置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基、置換もしくは無置換のジベンゾチエニル基、フェナントロリニル基、ベンゾオキサゾリル基、またはベンゾチアゾリル基であることが好ましい。
 本発明の化合物においては、前記一般式(a)おけるArが、無置換のフェニル基、無置換の4-ビフェニル基、無置換の2-ナフチル基、無置換の2-フェナントレニル基、無置換の3-フェナントレニル基、無置換の9-フェナントレニル基、無置換の3-ピリジル基、無置換の3-キノリル基、無置換の2-ベンゾフラニル基、無置換の2-ベンゾチエニル基、無置換の2-ジベンゾフラニル基、無置換の3-ジベンゾフラニル基、無置換の2-ジベンゾチエニル基、無置換の3-ジベンゾチエニル基、無置換の1,10-フェナントロリン-2-イル基、無置換の2-ベンゾオキサゾリル基、または無置換の2-ベンゾチアゾリル基であることがより好ましい。
 前記一般式(a)中のL~Lで表される「無置換の2価の芳香族炭化水素基」、「無置換の2価の芳香族複素環基」または「無置換の2価の縮合多環芳香族基」における「2価の芳香族炭化水素基」、「2価の芳香族複素環基」または「2価の縮合多環芳香族基」としては、一般式(a)中のArで表される「置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基」、「置換もしくは無置換の芳香族複素環基」または「置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基」における「芳香族炭化水素基」、「芳香族複素環基」または「縮合多環芳香族基」として示した基から水素原子を1つ除いた基を挙げることができる。
 本発明の化合物においては、前記一般式(a)中のLが、無置換の1,4-フェニレン基であることが好ましい。
 本発明の化合物においては、前記一般式(a)におけるL~Lが、単結合、無置換のフェニレン基、または無置換のナフチレン基であることが好ましく、単結合、無置換のフェニレン基、無置換のビフェニレン基、または無置換のナフチレン基であることが好ましい。
 本発明の化合物においては、前記一般式(a)おけるL~Lが、単結合、無置換の1,4-フェニレン基、無置換の4,4’-ビフェニレン基、無置換の2,6-ナフチレン基、または無置換の2,7-ナフチレン基であることがより好ましい。
 本発明の有機EL素子において、前記キャッピング層の厚さは、30nmから120nmの範囲であることが好ましく、40nmから80nmの範囲であることがより好ましい。
 本発明の有機EL素子において、前記キャッピング層の波長が450nmから750nmの範囲以内における屈折率が、1.85以上であることが好ましく、1.90以上であることがより好ましい。
 本発明の有機EL素子において、前記キャッピング層を2種類以上の異なる構成材料を用いて作製してもよい。具体的には、異なる化合物からなる2層以上の積層として形成してもよく、2種類以上の化合物を含む混合層として形成してもよい。なお、前記キャッピング層は、少なくとも1種類の前記一般式(a)で表されるアミン化合物を含有する。
 本発明の前記一般式(a)で表されるアミン化合物は、(1)吸光係数が高く、(2)波長450nm~750nmの範囲における屈折率が高く、(3)蒸着が可能であり、(4)薄膜状態が安定であり、(5)耐熱性が高いという特徴を有する。そのため、本発明の前記アミン化合物を、有機EL素子の透明または半透明電極の外側に設けた、半透明電極よりも屈折率の高いキャッピング層に使用することで、光の取り出し効率を大幅に向上することができ、素子内部の材料劣化が抑制された有機EL素子を得ることが可能である。
本発明の化合物の例示として、化合物(1)~(12)の構造を示す図である。 本発明の化合物の例示として、化合物(13)~(24)の構造を示す図である。 本発明の化合物の例示として、化合物(25)~(36)の構造を示す図である。 本発明の化合物の例示として、化合物(37)~(48)の構造を示す図である。 本発明の化合物の例示として、化合物(49)~(60)の構造を示す図である。 本発明の化合物の例示として、化合物(61)~(72)の構造を示す図である。 本発明の化合物の例示として、化合物(73)~(84)の構造を示す図である。 本発明の化合物の例示として、化合物(85)~(96)の構造を示す図である。 本発明の化合物の例示として、化合物(97)~(106)の構造を示す図である。 本発明の化合物の例示として、化合物(107)~(116)の構造を示す図である。 本発明の化合物の例示として、化合物(117)~(128)の構造を示す図である。 本発明の化合物の例示として、化合物(129)~(140)の構造を示す図である。 本発明の化合物の例示として、化合物(141)~(155)の構造を示す図である。 本発明の化合物の例示として、化合物(156)~(165)の構造を示す図である。 本発明の化合物の例示として、化合物(166)~(173)の構造を示す図である。 本発明の化合物の例示として、化合物(174)~(184)の構造を示す図である。 本発明の化合物の例示として、化合物(185)~(196)の構造を示す図である。 本発明の化合物の例示として、化合物(197)~(206)の構造を示す図である。 本発明の化合物の例示として、化合物(207)~(209)の構造を示す図である。 本発明の有機EL素子の構成の一例を示す図である。
 本発明の前記一般式(a)で表されるアミン化合物は新規化合物であるが、これら化合物の主骨格であるベンゾアゾール誘導体は、それ自体公知の手法により合成することができる(例えば、非特許文献4参照)。
 続いて、合成したハロゲン化ベンゾアゾール誘導体とアリールアミンとの、銅触媒やパラジウム触媒などによるカップリング反応を行うことで、本発明の前記一般式(a)で表されるアミン化合物を合成することができる。その他、ハロゲン化ベンゾアゾール誘導体をボロン酸エステル誘導体にした後に、ハロゲン化アリールアミンとのカップリング反応により、同様に本発明の前記一般式(a)で表されるアミン化合物を合成することができる(例えば、非特許文献5および非特許文献6参照)。
 本発明の有機EL素子に好適に用いられる、前記一般式(a)で表されるアミン化合物の例示を図1~図19に示すが、これらの化合物に限定されるものではない。
 前記一般式(a)で表されるアミン化合物の精製は、特に限定されず、カラムクロマトグラフによる精製、シリカゲル、活性炭、活性白土等による吸着精製、溶媒による再結晶精製法や晶析精製法、昇華精製法など、有機化合物の精製に用いられる公知の方法で行うことができる。また、化合物の同定は、NMR分析などで行なうことができる。物性値として、融点およびガラス転移点(Tg)、屈折率および消衰係数、並びに吸光度および吸光係数の測定を行うことが好ましい。融点は蒸着性の指標となるものであり、ガラス転移点(Tg)は薄膜状態の安定性の指標となり、屈折率および消衰係数は光の取り出し効率の向上に関する指標となり、吸光度および吸光係数は素子内部の劣化抑制に関する指標となるものである。
 融点とガラス転移点(Tg)は、粉体を用いて高感度示差走査熱量計(ブルカー・エイエックスエス製、DSC3100SA)によって測定することができる。
 屈折率と消衰係数は、シリコン基板上に80nmの薄膜を作製して、分光測定装置(フィルメトリクス社製、F10-RT-UV)を用いて測定することができる。
 吸光度はトルエン溶媒で濃度10-5mol/Lに調節して、また吸光係数はトルエン溶液で濃度5.0×10-6mol/L、1.0×10-5mol/L、1.5×10-5mol/L、2.0×10-5mol/Lの4種類の濃度に調節して、それぞれ紫外可視近赤外分光光度計(日本分光製、V-650)を用いて測定することができる。
 本発明の有機EL素子の構造としては、例えば、トップエミッション構造の発光素子の場合、ガラス基板上に順次、陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、陰極およびキャッピング層からなるものが挙げられる。また、陽極と正孔輸送層の間に正孔注入層を有するもの、正孔輸送層と発光層の間に電子阻止層を有するもの、発光層と電子輸送層の間に正孔阻止層を有するもの、電子輸送層と陰極の間に電子注入層を有するものも挙げられる。これらの多層構造においては1つの有機層が複数の機能を兼ねることが可能であり、例えば正孔注入層と正孔輸送層を兼ねた構成、正孔輸送層と電子阻止層を兼ねた構成、正孔阻止層と電子輸送層を兼ねた構成、電子輸送層と電子注入層を兼ねた構成とすること、などもできる。また、同一の機能を有する有機層を2層以上積層した構成とすることも可能であり、正孔輸送層を2層積層した構成、発光層を2層積層した構成、電子輸送層を2層積層した構成、キャッピング層を2層積層した構成、などもできる。
 有機EL素子の各層の膜厚の合計は、200nm~750nm程度が好ましく、350nm~600nm程度がより好ましい。また、キャッピング層の膜厚は、例えば、30nm~120nmが好ましく、40nm~80nmがより好ましい。この場合、良好な光の取り出し効率が得られる。なお、キャッピング層の膜厚は、発光素子に使用する発光材料の種類、キャッピング層以外の有機EL素子の厚さなどに応じて、適宜変更することができる。
 本発明の有機EL素子の陽極としては、ITOや金のような仕事関数の大きな電極材料が用いられる。
 本発明の有機EL素子の正孔注入層として、分子中に、3個以上のトリフェニルアミン構造を単結合またはヘテロ原子を含まない2価基で連結した構造を有するアリールアミン化合物、例えば、スターバースト型のトリフェニルアミン誘導体、種々のトリフェニルアミン4量体などの材料や銅フタロシアニンに代表されるポルフィリン化合物、ヘキサシアノアザトリフェニレンのようなアクセプター性の複素環化合物や塗布型の高分子材料を用いることができる。これらは、単独で成膜してもよいが、他材料と共に混合して成膜した単層として使用してもよく、単独で成膜した層同士、混合して成膜した層同士、または単独で成膜した層と混合して成膜した層の積層構造としてもよい。これらの材料は蒸着法の他、スピンコート法やインクジェット法などの公知の方法によって薄膜形成を行うことができる。
 本発明の有機EL素子の正孔輸送層として、N,N’-ジフェニル-N,N’-ジ(m-トリル)ベンジジン(以後、TPDと略称する)やN,N’-ジフェニル-N,N’-ジ(α-ナフチル)ベンジジン、N,N,N’,N’-テトラビフェニリルベンジジンなどのベンジジン誘導体、1,1-ビス[4-(ジ-4-トリルアミノ)フェニル]シクロヘキサン、特に分子中に、2個のトリフェニルアミン構造を単結合またはヘテロ原子を含まない2価基で連結した構造を有するアリールアミン化合物、例えば、N、N、N’、N’-テトラビフェニリルベンジジンなどを用いるのが好ましい。また、分子中に、3個以上のトリフェニルアミン構造を単結合、またはヘテロ原子を含まない2価基で連結した構造を有するアリールアミン化合物、例えば、種々のトリフェニルアミン3量体および4量体などを用いるのが好ましい。これらは、単独で成膜しても良いが、他の材料とともに混合して成膜した単層として使用しても良く、単独で成膜した層同士、混合して成膜した層同士、または単独で成膜した層と混合して成膜した層の積層構造としても良い。また、正孔の注入・輸送層として、ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルフォネート)などの塗布型の高分子材料を用いることができる。これらの材料は蒸着法の他、スピンコート法やインクジェット法などの公知の方法によって薄膜形成を行うことができる。
 また、正孔注入層あるいは正孔輸送層において、該層に通常使用される材料に対し、トリスブロモフェニルアミンヘキサクロルアンチモン、ラジアレン誘導体(例えば、特許文献3参照)などをPドーピングしたものや、TPDなどのベンジジン誘導体の構造をその部分構造に有する高分子化合物などを用いることができる。
 本発明の有機EL素子の電子阻止層として、4,4’,4’’-トリ(N-カルバゾリル)トリフェニルアミン(以後、TCTAと略称する)、9,9-ビス[4-(カルバゾール-9-イル)フェニル]フルオレン、1,3-ビス(カルバゾール-9-イル)ベンゼン(以後、mCPと略称する)、2,2-ビス(4-カルバゾール-9-イルーフェニル)アダマンタンなどのカルバゾール誘導体、9-[4-(カルバゾール-9-イル)フェニル]-9-[4-(トリフェニルシリル)フェニル]-9H-フルオレンに代表されるトリフェニルシリル基とトリアリールアミン構造を有する化合物などの電子阻止作用を有する化合物を用いることができる。これらは、単独で成膜しても良いが、他の材料とともに混合して成膜した単層として使用しても良く、単独で成膜した層同士、混合して成膜した層同士、または単独で成膜した層と混合して成膜した層の積層構造としても良い。これらの材料は蒸着法の他、スピンコート法やインクジェット法などの公知の方法によって薄膜形成を行うことができる。
 本発明の有機EL素子の発光層として、Alqをはじめとするキノリノール誘導体の金属錯体の他、各種の金属錯体、アントラセン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、ピレン誘導体、オキサゾール誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体などを用いることができる。また、発光層をホスト材料とドーパント材料とで構成してもよく、ホスト材料として、アントラセン誘導体が好ましく用いられるが、そのほか、前記発光材料に加え、インドール環を縮合環の部分構造として有する複素環化合物、カルバゾール環を縮合環の部分構造として有する複素環化合物、カルバゾール誘導体、チアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、ポリジアルキルフルオレン誘導体などを用いることができる。またドーパント材料としては、キナクリドン、クマリン、ルブレン、ペリレンおよびそれらの誘導体、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、アミノスチリル誘導体などを用いることができる。これらは、単独で成膜してもよいが、他の材料とともに混合して成膜した単層として使用してもよく、単独で成膜した層同士、混合して成膜した層同士、または単独で成膜した層と混合して成膜した層の積層構造としてもよい。
 また、発光材料として燐光発光体を使用することも可能である。燐光発光体としては、イリジウムや白金などの金属錯体の燐光発光体を使用することができる。例えば、Ir(ppy)などの緑色の燐光発光体、FIrpic、FIr6などの青色の燐光発光体、BtpIr(acac)などの赤色の燐光発光体などを用いることができ、このときのホスト材料としては正孔注入・輸送性のホスト材料として4,4’-ジ(N-カルバゾリル)ビフェニルやTCTA、mCPなどのカルバゾール誘導体を用いることができる。電子輸送性のホスト材料として、p-ビス(トリフェニルシリル)ベンゼンや2,2’,2’’-(1,3,5-フェニレン)-トリス(1-フェニル-1H-ベンズイミダゾール)などを用いることができる。
 燐光性の発光材料のホスト材料へのドープは、濃度消光を避けるため、発光層全体に対して1~30重量パーセントの範囲で、共蒸着によって行うことが好ましい。
 また、発光材料としてPIC-TRZ、CC2TA、PXZ-TRZ、4CzIPNなどのCDCB誘導体などの遅延蛍光を放射する材料を使用することも可能である(例えば、非特許文献7参照)。これらの材料は蒸着法の他、スピンコート法やインクジェット法などの公知の方法によって薄膜形成を行うことができる。
 本発明の有機EL素子の正孔阻止層として、バソクプロインなどのフェナントロリン誘導体や、アルミニウム(III)ビス(2-メチル-8-キノリナート)-4-フェニルフェノレート(以後、BAlqと省略する)などのキノリノール誘導体の金属錯体、各種の希土類錯体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、ピリミジン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ベンゾアゾール誘導体など、正孔阻止作用を有する化合物を用いることができる。これらの材料は電子輸送層の材料を兼ねてもよい。これらは、単独で成膜しても良いが、他の材料とともに混合して成膜した単層として使用しても良く、単独で成膜した層同士、混合して成膜した層同士、または単独で成膜した層と混合して成膜した層の積層構造としても良い。これらの材料は蒸着法の他、スピンコート法やインクジェット法などの公知の方法によって薄膜形成を行うことができる。
 本発明の有機EL素子の電子輸送層として、Alq、BAlqをはじめとするキノリノール誘導体の金属錯体のほか、各種金属錯体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、ピリミジン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピリジン誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、ベンゾアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、アントラセン誘導体、カルボジイミド誘導体、キノキサリン誘導体、ピリドインドール誘導体、フェナントロリン誘導体、シロール誘導体などを用いることができる。これらは、単独で成膜しても良いが、他の材料とともに混合して成膜した単層として使用しても良く、単独で成膜した層同士、混合して成膜した層同士、または単独で成膜した層と混合して成膜した層の積層構造としても良い。これらの材料は蒸着法の他、スピンコート法やインクジェット法などの公知の方法によって薄膜形成を行うことができる。
 本発明の有機EL素子の電子注入層として、フッ化リチウム、フッ化セシウムなどのアルカリ金属塩、フッ化マグネシウムなどのアルカリ土類金属塩、リチウムキノリノールなどのキノリノール誘導体の金属錯体、酸化アルミニウムなどの金属酸化物、あるいはイッテルビウム(Yb)、サマリウム(Sm)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、セシウム(Cs)などの金属などを用いることができるが、電子輸送層と陰極の好ましい選択においては、これを省略することができる。
 さらに、電子注入層あるいは電子輸送層において、該層に通常使用される材料に対し、セシウムなどの金属をNドーピングしたものを用いることができる。
 本発明の有機EL素子の陰極として、アルミニウムのような仕事関数の低い電極材料や、マグネシウム銀合金、マグネシウムカルシウム合金、マグネシウムインジウム合金、アルミニウムマグネシウム合金のような、より仕事関数の低い合金やITO、IZOなどが電極材料として用いられる。
 本発明の有機EL素子のキャッピング層として、前記一般式(a)で表されるアミン化合物を用いることが好ましい。これらは、単独で成膜してもよいが、他の材料と共に混合して成膜した単層として使用してもよく、単独で成膜した層同士、混合して成膜した層同士、または単独江成膜した層と混合して成膜した層の積層構造としてもよい。これらの材料は蒸着法の他に、スピンコート法やインクジェット法などの高知の方法によって薄膜形成を行うことができる。
 なお、上記では、トップエミッション構造の有機EL素子について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ボトムエミッション構造の有機EL素子や、上部および底部の両方から発光するデュアルエミッション構造の有機EL素子についても、同様に適用することができる。これらの場合、光が発光素子から外部に取り出される方向にある電極は、透明または半透明である必要がある。
 キャッピング層を構成する材料の屈折率は、隣接する電極の屈折率よりも大きいことが好ましい。すなわち、キャッピング層によって、有機EL素子における光の取り出し効率は向上するが、その効果はキャッピング層とキャッピング層に接している材料との界面での反射率が大きい方が、光干渉の効果が大きいために有効である。そのため、キャッピング層を構成する材料の屈折率は、隣接する電極の屈折率よりも大きい方が好ましく、屈折率が1.70以上あればよいが、1.80以上であることがより好ましく、1.85以上であることが特に好ましい。
 以下、本発明の実施の形態について、実施例により具体的に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
[実施例1]
<(4-ベンゾフラン-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ナフタレン-2-イル-フェニル)アミン:化合物(54)の合成>
 窒素置換した反応容器に、4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル-アミン:30.0g、2-(4-ブロモフェニル)-ナフタレ:19.9g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.6g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.8g、t-ブトキシナトリウム:9.6gを仕込み、キシレン溶媒下にて一晩還流撹拌した。放冷した後、系内にメタノールを加えて析出した固体を濾過して取り出して粗生成物を得た。得られた粗生成物をクロロベンゼン/アセトン混合溶媒によって晶析精製を行うことで、(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ナフタレン-2-イル-フェニル)アミン:26.8g(収率:88.9%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
 続いて、窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ナフタレン-2-イル-フェニル)-アミン:13.4g、2-(4-ブロモフェニル)-ベンゾフラン:9.0g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.3g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.1g、t-ブトキシナトリウム:4.5gを仕込み、トルエン溶媒下にて3時間還流撹拌した。放冷した後、系内にクロロベンゼンを加えて濾過し、濾液を濃縮して粗生成物を得た。得られた粗生成物をTHF/アセトン混合溶媒によって晶析精製を行うことで、(4-ベンゾフラン-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ナフタレン-2-イル-フェニル)-アミン:化合物(54)の黄色粉体:11.2g(収率:57.7%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(DMSO-d)で以下の28個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.25(1H),8.12(1H),8.06(2H),8.02(3H),7.94(3H),7.89(3H),7.66(1H),7.63(1H),7.59-7.50(3H),7.44(1H),7.38(1H),7.35-7.25(6H),7.23(2H).
[実施例2]
<(4’-ベンゾチオフェン-2-イル-ビフェニル-4-イル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾフラン-3-イル-フェニル)アミン:化合物(80)の合成>
 窒素置換した反応容器に、4-ジベンゾフラン-3-イル-フェニル-アミン:30.0g、2-(4-ブロモフェニル)-ベンゾオキサゾール:34.1g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):2.5g、2,2’-ビス(ジフェニルホスフィノ)-1,1’-ビナフチル:4.1g、t-ブトキシナトリウム:13.7gを仕込み、トルエン溶媒下にて3時間還流撹拌した。放冷した後、系内にメタノールを加えて析出した固体を濾過して取り出して粗生成物を得た。得られた粗生成物を1,2-ジクロロベンゼン溶媒によって再結晶精製を行うことで、(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾフラン-3-イル-フェニル)-アミン:41.5g(収率:83.8%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
 続いて、窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾフラン-3-イル-フェニル)-アミン:9.0g、2-(4’-クロロ-ビフェニル-4-イル)ベンゾチオフェン:7.0g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.4g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.2g、t-ブトキシナトリウム:3.8gを仕込み、キシレン溶媒下にて一晩還流撹拌した。放冷した後、系内にメタノールを加えて析出した固体を濾過して取り出して粗生成物を得た。得られた粗生成物をクロロベンゼン溶媒によって再結晶精製を行うことで、(4’-ベンゾチオフェン-2-イル-ビフェニル-4-イル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾフラン-3-イル-フェニル)アミン:化合物(80)の黄色粉体:8.7g(収率:59.2%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(DMSO-d)で以下の32個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.21(2H),8.15(2H),8.00(4H),7.94-7.68(12H),7.55(1H),7.49-7.28(9H),7.24(2H).
[実施例3]
<(4-ベンゾフラン-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾフラン-3-イル-フェニル)アミン:化合物(8)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾフラン-3-イル-フェニル)-アミン:7.5g、2-(4-ブロモ-フェニル)ベンゾフラン:4.8g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.2g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.1g、t-ブトキシナトリウム:2.4gを仕込み、トルエン溶媒下にて2時間還流撹拌した。放冷した後、濾過して得られた濾液を濃縮して粗生成物を得た。得られた粗生成物をトルエン/アセトン混合溶媒によって晶析精製を行うことで、(4-ベンゾフラン-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾフラン-3-イル-フェニル)アミン:化合物(8)の黄色粉体:6.6g(収率:61.7%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の28個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.15(2H),8.00(1H),7.97(1H),7.83(2H),7.80(1H),7,75(1H),7.67(2H),7.59(4H),7.52(1H),7.47(1H),7.39-7.26(10H),7.23(1H),6.98(1H).
[実施例4]
<(4-ベンゾフラン-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4’-ナフタレン-2-イル-ビフェニル-4-イル)アミン:化合物(25)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾフラン-2-イル-フェニル)アミン:9.0g、2-(4’-ブロモ-ビフェニル-4-イル)ナフタレン:8.8g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.6g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.4g、t-ブトキシナトリウム:3.2gを仕込み、トルエン溶媒下にて一晩還流撹拌した。放冷した後、系内にメタノールを加えて析出した固体を濾過して取り出して粗生成物を得た。得られた粗生成物をモノクロロベンゼン溶媒によって再結晶精製を行うことで、(4-ベンゾフラン-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4’-ナフタレン-2-イル-ビフェニル-4-イル)アミン:化合物(25)の黄色粉体:14.2g(収率:93.4%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の32個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.15(2H),8.10(1H),7.94(1H),7.92(1H),7.88(1H),7.82(4H),7.80(1H),7.75(1H),7.73(2H),7.65(2H),7.58(1H),7.56(1H),7.51(3H),7.33(2H),7.31-7.26(7H),7.23(1H),6.98(1H).
[実施例5]
<(4-ベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾフラン-3-イル-フェニル)アミン:化合物(28)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾフラン-3-イル-フェニル)-アミン:7.5g、2-(4-ブロモ-フェニル)ベンゾチオフェン:5.0g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.2g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.1g、t-ブトキシナトリウム:2.4gを仕込み、トルエン溶媒下にて3時間還流撹拌した。放冷した後、濾過して得られた濾液を濃縮して粗生成物を得た。得られた粗生成物をトルエン/アセトン混合溶媒によって晶析精製を行うことで、(4-ベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾフラン-3-イル-フェニル)アミン:化合物(28)の黄色粉体:5.7g(収率:51.8%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の28個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.15(2H),8.00(1H),7.97(1H),7.83(1H),7.80(1H),7.76(2H),7.67(4H),7.59(3H),7.51(1H),7.47(1H),7.39-7.25(11H).
[実施例6]
<(4-ベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4’-ナフタレン-2-イル-ビフェニル-4-イル)アミン:化合物(36)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)アミン:9.0g、2-(4’-ブロモ-ビフェニル-4-イル)ナフタレン:8.5g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.6g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.4g、t-ブトキシナトリウム:3.1gを仕込み、トルエン溶媒下にて一晩還流撹拌した。放冷した後、系内にメタノールを加えて析出した固体を濾過して取り出して粗生成物を得た。得られた粗生成物をモノクロロベンゼン溶媒によって再結晶精製を行うことで、(4-ベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4’-ナフタレン-2-イル-ビフェニル-4-イル)アミン:化合物(36)の黄色粉体:8.7g(収率:58.0%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の32個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.15(2H),8.10(1H),7.94(1H),7.91(1H),7.88(1H),7.84-7.71(8H),7.68(2H),7.65(2H),7.56(1H),7.50(3H),7.34(3H),7.30(3H),7.26(4H).
[実施例7]
<(4-ベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ナフタレン-2-イル-フェニル)アミン:化合物(40)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ナフタレン-2-イル-フェニル)-アミン:13.4g、2-(4-ブロモ-フェニル)ベンゾチオフェン:9.5g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.3g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.1g、t-ブトキシナトリウム:4.5gを仕込み、トルエン溶媒下にて5時間還流撹拌した。放冷した後、濾過して得られた濾液を濃縮して粗生成物を得た。得られた粗生成物をTHF/アセトン混合溶媒によって晶析精製を行うことで、(4-ベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ナフタレン-2-イル-フェニル)アミン:化合物(40)の黄色粉体:13.2g(収率:66.3%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の28個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.05(1H),8.04(1H),8.00(2H),7.91(2H),7.88(2H),7.82(1H),7.76(2H),7.70(2H),7.67(2H),7.51(1H),7.49(3H),7.36(2H),7.31(3H),7.26(2H),7.24(2H).
[実施例8]
<(4-ベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾフラン-3-イル-フェニル)アミン:化合物(43)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾフラン-3-イル-フェニル)-アミン:5.0g、2-(4-ブロモ-フェニル)ベンゾチオフェン:3.4g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.2g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.2g、t-ブトキシナトリウム:1.5gを仕込み、トルエン溶媒下にて一晩還流撹拌した。放冷した後、系内にメタノールを加えて析出した固体を濾過して取り出して粗生成物を得た。得られた粗生成物をモノクロロベンゼン/アセトン混合溶媒によって晶析精製を行うことで、(4-ベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾフラン-3-イル-フェニル)アミン:化合物(43)の黄色粉体:5.8g(収率:78.9%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の28個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.04(1H),8.00(3H),7.97(1H),7.89(1H),7.83(1H),7.80(1H),7.77(1H),7.67(4H),7.60(2H),7.51(1H),7.48(2H),7.40-7.28(6H),7.27(2H),7.24(2H).
[実施例9]
<(4-ベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)アミン:化合物(44)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)-アミン:5.0g、2-(4-ブロモ-フェニル)ベンゾチオフェン:3.3g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.2g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.2g、t-ブトキシナトリウム:1.5gを仕込み、トルエン溶媒下にて一晩還流撹拌した。放冷した後、系内にメタノールを加えて析出した固体を濾過して取り出して粗生成物を得た。得られた粗生成物をトルエン溶媒によって再結晶精製を行うことで、(4-ベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)アミン:化合物(44)の黄色粉体:6.1g(収率:83.9%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の28個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.36(1H),8.23(1H),8.05(1H),8.00(2H),7.92(1H),7.89(2H),7.83(1H),7.77(1H),7.71(1H),7.68(4H),7.51(1H),7.48(3H),7.36(2H),7.32(3H),7.27(4H).
[実施例10]
<(4-ベンゾフラン-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾフラン-3-イル-フェニル)アミン:化合物(55)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾフラン-3-イル-フェニル)-アミン:5.0g、2-(4-ブロモ-フェニル)ベンゾフラン:3.2g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.2g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.2g、t-ブトキシナトリウム:1.5gを仕込み、トルエン溶媒下にて一晩還流撹拌した。放冷した後、系内にメタノールを加えて析出した固体を濾過して取り出して粗生成物を得た。得られた粗生成物をトルエン/アセトン混合溶媒によって晶析精製を行うことで、(4-ベンゾフラン-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾフラン-3-イル-フェニル)アミン:化合物(55)の黄色粉体:6.2g(収率:87.9%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の28個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.04(1H),8.01(3H),7.98(1H),7.89(1H),7.82(2H),7.80(1H),7.66(2H),7.60(2H),7.58(1H),7.52(1H),7.48(2H),7.37(2H),7.33-7.26(6H),7.24(2H),6.98(1H).
[実施例11]
<(4-ベンゾフラン-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)アミン:化合物(59)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)-アミン:5.0g、2-(4-ブロモ-フェニル)ベンゾフラン:3.1g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.2g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.2g、t-ブトキシナトリウム:1.5gを仕込み、トルエン溶媒下にて一晩還流撹拌した。放冷した後、系内にメタノールを加えて析出した固体を濾過して取り出して粗生成物を得た。得られた粗生成物をトルエン/アセトン混合溶媒によって晶析精製を行うことで、(4-ベンゾフラン-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)アミン:化合物(59)の黄色粉体:5.4g(収率:77.4%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の28個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.37(1H),8.24(1H),8.05(1H),8.01(2H),7.93(1H),7.89(2H),7.82(2H),7.72(1H),7.69(2H),7.58(1H),7.53(1H),7.49(3H),7.37(1H),7.32(2H),7.29(2H),7.27(3H),7.24(1H),6.98(1H).
[実施例12]
<(4’-ベンゾフラン-2-イル-ビフェニル-4-イル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ナフタレン-2-イル-フェニル)アミン:化合物(69)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ナフタレン-2-イル-フェニル)-アミン:9.0g、2-(4’-クロロ-ビフェニル-4-イル)ベンゾフラン:7.3g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.4g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.2g、t-ブトキシナトリウム:4.2gを仕込み、キシレン溶媒下にて一晩還流撹拌した。放冷した後、系内にメタノールを加えて析出した固体を濾過して取り出して粗生成物を得た。得られた粗生成物をTHF/アセトン混合溶媒によって晶析精製を行うことで、(4’-ベンゾフラン-2-イル-ビフェニル-4-イル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ナフタレン-2-イル-フェニル)アミン:化合物(69)の黄色粉体:9.8g(収率:65.8%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の32個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.14(2H),8.06(1H),7.94(3H),7.91(1H),7.87(1H),7.76(2H),7.71(4H),7.64(2H),7.60(1H),7.58-7.46(4H),7.33(5H),7.29(3H),7.25(2H),7.07(1H).
[実施例13]
<(4’-ベンゾフラン-2-イル-ビフェニル-4-イル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-フェナントレン-9-イル-フェニル)アミン:化合物(70)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-フェナントレン-9-イル-フェニル)-アミン:10.0g、2-(4’-クロロ-ビフェニル-4-イル)ベンゾフラン:7.2g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.4g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.2g、t-ブトキシナトリウム:3.1gを仕込み、キシレン溶媒下にて一晩還流撹拌した。放冷した後、系内にメタノールを加えて析出した固体を濾過して取り出して粗生成物を得た。得られた粗生成物をモノクロロベンゼン溶媒によって再結晶精製を行うことで、(4’-ベンゾフラン-2-イル-ビフェニル-4-イル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-フェナントレン-9-イル-フェニル)アミン:化合物(70)の黄色粉体:13.2g(収率:83.5%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の34個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.80(1H),8.74(1H),8.18(2H),8.07(1H),7.96(2H),7.92(1H),7.75(5H),7.67(3H),7.60(4H),7.55(3H),7.37(4H),7.32(4H)7.29(1H),7.25(1H),7.08(1H).
[実施例14]
<(4’-ベンゾフラン-2-イル-ビフェニル-4-イル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾフラン-3-イル-フェニル)アミン:化合物(72)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾフラン-3-イル-フェニル)-アミン:10.0g、2-(4’-クロロ-ビフェニル-4-イル)ベンゾフラン:7.4g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.4g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.2g、t-ブトキシナトリウム:4.3gを仕込み、キシレン溶媒下にて一晩還流撹拌した。放冷した後、系内にメタノールを加えて析出した固体を濾過して取り出して粗生成物を得た。得られた粗生成物をTHF/アセトン混合溶媒によって晶析精製を行うことで、(4’-ベンゾフラン-2-イル-ビフェニル-4-イル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾフラン-3-イル-フェニル)アミン:化合物(72)の黄色粉体:10.3g(収率:66.0%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の32個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.14(2H),8.00(1H),7.97(1H),7.95(2H),7.80(1H),7.75(1H),7.69(4H),7.62(4H),7.58(3H),7.47(1H),7.40-7.26(10H),7.24(1H),7.07(1H).
[実施例15]
<(4’-ベンゾフラン-2-イル-ビフェニル-4-イル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾフラン-2-イル-フェニル)アミン:化合物(73)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾフラン-2-イル-フェニル)-アミン:9.0g、2-(4’-クロロ-ビフェニル-4-イル)ベンゾフラン:6.7g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.4g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.2g、t-ブトキシナトリウム:2.9gを仕込み、キシレン溶媒下にて一晩還流撹拌した。放冷した後、系内にメタノールを加えて析出した固体を濾過して取り出して粗生成物を得た。得られた粗生成物をモノクロロベンゼン溶媒によって再結晶精製を行うことで、(4’-ベンゾフラン-2-イル-ビフェニル-4-イル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾフラン-2-イル-フェニル)アミン:化合物(73)の黄色粉体:12.0g(収率:83.6%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の32個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.17(1H),8.15(2H),8.01(1H),7.95(2H),7.75(1H),7.70(3H),7.66(2H),7.63(3H),7.60(2H),7.56(1H),7.54(1H),7.49(1H),7.37(1H),7.35-7.26(9H),7.24(1H),7.07(1H).
[実施例16]
<(4’-ベンゾフラン-2-イル-ビフェニル-4-イル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)アミン:化合物(74)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)-アミン:10.0g、2-(4’-クロロ-ビフェニル-4-イル)ベンゾフラン:7.2g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.4g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.2g、t-ブトキシナトリウム:3.1gを仕込み、キシレン溶媒下にて一晩還流撹拌した。放冷した後、系内にメタノールを加えて析出した固体を濾過して取り出して粗生成物を得た。得られた粗生成物をモノクロロベンゼン溶媒によって再結晶精製を行うことで、(4’-ベンゾフラン-2-イル-ビフェニル-4-イル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)アミン:化合物(74)の黄色粉体:14.6g(収率:92.8%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の32個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.37(1H),8.23(1H),8.15(2H),7.95(2H),7.92(1H),7.88(1H),7.75(1H),7.71(5H),7.64(2H),7.60(1H),7.57(1H),7.54(1H),7.49(2H),7.37-7.26(9H),7.24(1H),7.07(1H).
[実施例17]
<(4’-ベンゾチオフェン-2-イル-ビフェニル-4-イル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ナフタレン-2-イル-フェニル)アミン:化合物(76)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ナフタレン-2-イル-フェニル)-アミン:10.0g、2-(4’-クロロ-ビフェニル-4-イル)ベンゾチオフェン:8.6g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.5g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.2g、t-ブトキシナトリウム:4.7gを仕込み、キシレン溶媒下にて一晩還流撹拌した。放冷した後、系内にメタノールを加えて析出した固体を濾過して取り出して粗生成物を得た。得られた粗生成物をTHF/アセトン混合溶媒によって晶析精製を行うことで、(4’-ベンゾチオフェン-2-イル-ビフェニル-4-イル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ナフタレン-2-イル-フェニル)アミン:化合物(76)の黄色粉体:11.1g(収率:65.7%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の32個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.15(2H),8.06(1H),7.92(2H),7.86(2H),7.82-7.73(5H),7.71(2H),7.68(2H),7.63(1H),7.61(2H),7.57(1H),7.50(2H),7.40-7.26(10H).
[実施例18]
<(4’-ベンゾチオフェン-2-イル-ビフェニル-4-イル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-フェナントレン-9-イル-フェニル)アミン:化合物(78)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-フェナントレン-9-イル-フェニル)-アミン:10.0g、2-(4’-クロロ-ビフェニル-4-イル)ベンゾチオフェン:7.6g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.4g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.2g、t-ブトキシナトリウム:3.1gを仕込み、キシレン溶媒下にて一晩還流撹拌した。放冷した後、系内にメタノールを加えて析出した固体を濾過して取り出して粗生成物を得た。得られた粗生成物をモノクロロベンゼン溶媒によって再結晶精製を行うことで、(4’-ベンゾチオフェン-2-イル-ビフェニル-4-イル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-フェナントレン-9-イル-フェニル)アミン:化合物(78)の黄色粉体:13.1g(収率:81.1%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の34個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=7.88-7.83(4H),7.79(6H),7.66(4H),7.59-7.55(8H),7.47(1H),7.38-7.30(6H),7.26-7.23(5H).
[実施例19]
<(4’-ベンゾチオフェン-2-イル-ビフェニル-4-イル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾフラン-2-イル-フェニル)アミン:化合物(81)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾフラン-2-イル-フェニル)-アミン:9.0g、2-(4’-クロロ-ビフェニル-4-イル)ベンゾチオフェン:7.0g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.4g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.2g、t-ブトキシナトリウム:2.9gを仕込み、キシレン溶媒下にて一晩還流撹拌した。放冷した後、系内にメタノールを加えて析出した固体を濾過して取り出して粗生成物を得た。得られた粗生成物をモノクロロベンゼン溶媒によって再結晶精製を行うことで、(4’-ベンゾチオフェン-2-イル-ビフェニル-4-イル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾフラン-2-イル-フェニル)アミン:化合物(81)の黄色粉体:7.5g(収率:51.2%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の32個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.17(1H),8.15(2H),8.01(1H),7.84(1H),7.79(3H),7.75(1H),7.72-7.53(11H),7.49(1H),7.37(2H),7.36-7.29(9H).
[実施例20]
<(4’-ベンゾチオフェン-2-イル-ビフェニル-4-イル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)アミン:化合物(82)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)-アミン:10.0g、2-(4’-クロロ-ビフェニル-4-イル)ベンゾチオフェン:7.5g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.4g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.2g、t-ブトキシナトリウム:3.1gを仕込み、キシレン溶媒下にて一晩還流撹拌した。放冷した後、系内にメタノールを加えて析出した固体を濾過して取り出して粗生成物を得た。得られた粗生成物をモノクロロベンゼン溶媒によって再結晶精製を行うことで、(4’-ベンゾチオフェン-2-イル-ビフェニル-4-イル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)アミン:化合物(82)の黄色粉体:15.1g(収率:93.8%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の32個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.37(1H)、8.23(1H)、8.15(2H)、7.92(1H)、7.88(1H)、7.84(1H)、7.79(3H)、7.75(1H)、7.72(1H)、7.69(4H)、7.64(1H)、7.61(2H)、7.57(1H)、7.49(2H)、7.39-7.26(10H).
[実施例21]
<(4-ベンゾフラン-2-イル-フェニル)-(4’-ベンゾオキサゾール-2-イル-ビフェニル-4-イル)-(4-ジベンゾフラン-3-イル-フェニル)アミン:化合物(86)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4’-ベンゾオキサゾール-2-イル-ビフェニル-4-イル)-(4-ジベンゾフラン-3-イル-フェニル)アミン:7.0g、2-(4-ブロモ-フェニル)ベンゾフラン:5.3g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.5g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.6g、t-ブトキシナトリウム:2.3gを仕込み、トルエン溶媒下にて一晩還流撹拌した。放冷した後、濾過して得た濾液を濃縮して粗生成物を得た。得られた粗生成物をトルエン/アセトン混合溶媒によって晶析精製を行うことで、(4-ベンゾフラン-2-イル-フェニル)-(4’-ベンゾオキサゾール-2-イル-ビフェニル-4-イル)-(4-ジベンゾフラン-3-イル-フェニル)アミン:化合物(86)の黄色粉体:7.2g(収率:64.8%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の32個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.32(2H),7.99(1H),7.96(1H),7.80(2H),7.78(2H),7.77(2H),7.67-7.55(8H),7.51(1H),7.46(1H),7.38(1H),7.36(2H),7.29(4H),7.26(3H),7.22(1H),6.95(1H).
[実施例22]
<(4-ベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)-(4’-ベンゾオキサゾール-2-イル-ビフェニル-4-イル)-(4-ジベンゾフラン-3-イル-フェニル)アミン:化合物(93)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4’-ベンゾオキサゾール-2-イル-ビフェニル-4-イル)-(4-ジベンゾフラン-3-イル-フェニル)アミン:8.5g、2-(4-ブロモ-フェニル)ベンゾチオフェン:5.3g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.5g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.6g、t-ブトキシナトリウム:2.3gを仕込み、キシレン溶媒下にて一晩還流撹拌した。放冷した後、濾過して得た濾液を濃縮して粗生成物を得た。得られた粗生成物をトルエン/アセトン混合溶媒によって晶析精製を行うことで、(4-ベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)-(4’-ベンゾオキサゾール-2-イル-ビフェニル-4-イル)-(4-ジベンゾフラン-3-イル-フェニル)アミン:化合物(93)の黄色粉体:6.6g(収率:55.6%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000026
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の32個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.31(2H),7.98(1H),7.95(1H),7.81(1H),7.79(2H),7.75(3H),7.65(2H),7.63(3H),7.60(3H),7.57(1H),7.48(1H),7.46(1H),7.39-7.25(9H),7.23(2H).
[実施例23]
<(7-ベンゾチオフェン-2-イル-ナフタレン-2-イル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾフラン-3-イル-フェニル)アミン:化合物(130)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾフラン-3-イル-フェニル)-アミン:6.0g、2-(2-ブロモ-ナフタレン-7-イル)ベンゾチオフェン:5.0g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.4g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.3g、t-ブトキシナトリウム:1.9gを仕込み、トルエン溶媒下にて7時間還流撹拌した。放冷した後、系内にメタノールを加えて析出した固体を濾過して取り出して粗生成物を得た。得られた粗生成物をモノクロロベンゼン溶媒によって再結晶精製を行うことで、(7-ベンゾチオフェン-2-イル-ナフタレン-2-イル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾフラン-3-イル-フェニル)アミン:化合物(130)の黄色粉体:8.5g(収率:90.1%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000027
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の30個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.16(2H),8.01(1H),7.98(1H),7.97(1H),7.88-7.77(6H),7.75(1H),7.68(2H),7.66(2H),7.63(1H),7.58(2H),7.47(1H),7.42-7.31(8H),7.29(2H).
[実施例24]
<(4-ベンゾフラン-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4’-ジベンゾフラン-3-イル-ビフェニル-4-イル)アミン:化合物(182)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾフラン-2-イル-フェニル)アミン:9.0g、3-(4’-ブロモ-ビフェニル-4-イル)ジベンゾフラン:9.8g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.6g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.5g、t-ブトキシナトリウム:3.2gを仕込み、トルエン溶媒下にて一晩還流撹拌した。放冷した後、系内にメタノールを加えて析出した固体を濾過して取り出して粗生成物を得た。得られた粗生成物をモノクロロベンゼン溶媒によって再結晶精製を行うことで、(4-ベンゾフラン-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4’-ジベンゾフラン-3-イル-ビフェニル-4-イル)アミン:化合物(182)の黄色粉体:9.9g(収率:61.5%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000028
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の32個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.15(2H),8.01(1H),7.97(1H),7.84(1H),7.82(2H),7.78(2H),7.74(1H),7.72(2H),7.64(3H),7.58(3H),7.52(1H),7.47(1H),7.36(1H),7.33(2H),7.31-7.26(7H),7.23(1H),6.97(1H).
[実施例25]
<(4-ベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4’-ジベンゾフラン-3-イル-ビフェニル-4-イル)アミン:化合物(183)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)アミン:9.0g、3-(4’-ブロモ-ビフェニル-4-イル)ジベンゾフラン:9.4g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.6g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.4g、t-ブトキシナトリウム:3.1gを仕込み、トルエン溶媒下にて一晩還流撹拌した。放冷した後、系内にメタノールを加えて析出した固体を濾過して取り出して粗生成物を得た。得られた粗生成物をモノクロロベンゼン溶媒によって再結晶精製を行うことで、(4-ベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4’-ジベンゾフラン-3-イル-ビフェニル-4-イル)アミン:化合物(183)の黄色粉体:15.0g(収率:95.0%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000029
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の32個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.15(2H),8.01(1H),7.98(1H),7.84(1H),7.82(1H),7.80-7.70(6H),7.68(2H),7.64(3H),7.60(1H),7.56(1H),7.51(1H),7.47(1H),7.39-7.29(6H),7.29-7.23(5H).
[実施例26]
<(4-ベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4’-ナフタレン-1-イル-ビフェニル-4-イル)アミン:化合物(186)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4’-ナフタレン-1-イル-ビフェニル-4-イル)アミン:5.0g、2-(4-ブロモ-フェニル)ベンゾチオフェン:3.2g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.2g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.2g、t-ブトキシナトリウム:1.4gを仕込み、トルエン溶媒下にて一晩還流撹拌した。放冷した後、系内にメタノールを加えて析出した固体を濾過して取り出して粗生成物を得た。得られた粗生成物をトルエン/アセトン混合溶媒によって晶析精製を行うことで、(4-ベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4’-ナフタレン-1-イル-ビフェニル-4-イル)アミン:化合物(186)の黄色粉体:6.0g(収率:85.0%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の32個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.05(1H),8.01(2H),7.99(1H),7.93(1H),7.89(2H),7.83(1H),7.77(1H),7.74(2H),7.68(2H),7.66(2H),7.60(1H),7.58(1H),7.54(1H),7.53-7.44(5H),7.36(2H),7.31(3H),7.26(4H).
[実施例27]
<(4-ベンゾフラン-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4’-ナフタレン-1-イル-ビフェニル-4-イル)アミン:化合物(187)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4’-ナフタレン-1-イル-ビフェニル-4-イル)アミン:5.0g、2-(4-ブロモ-フェニル)ベンゾフラン:3.0g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.2g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.2g、t-ブトキシナトリウム:1.4gを仕込み、トルエン溶媒下にて一晩還流撹拌した。放冷した後、系内にメタノールを加えて析出した固体を濾過して取り出して粗生成物を得た。得られた粗生成物をトルエン/アセトン混合溶媒によって晶析精製を行うことで、(4-ベンゾフラン-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4’-ナフタレン-1-イル-ビフェニル-4-イル)アミン:化合物(187)の黄色粉体:6.0g(収率:87.0%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000031
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の32個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.05(1H),8.01(2H),7.99(1H),7.93(1H),7.89(2H),7.82(2H),7.74(2H)7.67(2H),7.60(1H),7.58(2H),7.53(3H),7.49(1H),7.47(2H),7.37(1H),7.30(4H),7.27(3H),7.24(1H),6.98(1H).
[実施例28]
<(4-ベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-{4-(1,10-フェナントロリン-2-イル)-フェニル}アミン:化合物(188)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)-アミン:7.5g、2-(4-クロロ-フェニル)-1,10-フェナントロリン:5.7g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.2g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.1g、t-ブトキシナトリウム:2.6gを仕込み、キシレン溶媒下にて4時間還流撹拌した。放冷した後、系内にメタノールを加えて析出した固体を濾過して取り出して粗生成物を得た。得られた粗生成物をトルエン/アセトン混合溶媒によって晶析精製を行うことで、(4-ベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-{4-(1,10-フェナントロリン-2-イル)-フェニル}アミン:化合物(188)の黄色粉体:2.8g(収率:23.0%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000032
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の28個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=9.23(1H),8.32(1H),8.30(2H),8.27(1H),8.17(2H),8.08(1H),7.83(1H),7.81(1H),7.77(3H),7.70(2H),7.64(1H),7.58(1H),7.54(1H),7.37(2H),7.34(4H),7.30(2H),7.27(2H).
[実施例29]
<(4-ベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-{4-(1,10-フェナントロリン-2-イル)-フェニル}アミン:化合物(189)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)-アミン:16.2g、2-(4-クロロ-フェニル)-1,10-フェナントロリン:11.9g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.3g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.3g、t-ブトキシナトリウム:5.4gを仕込み、キシレン溶媒下にて4時間還流撹拌した。放冷した後、系内にメタノールを加えて析出した固体を濾過して取り出して粗生成物を得た。得られた粗生成物をモノクロロベンゼン溶媒によって再結晶精製を行うことで、(4-ベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-{4-(1,10-フェナントロリン-2-イル)-フェニル}アミン:化合物(189)の黄色粉体:13.0g(収率:51.0%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000033
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の28個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=9.23(1H),8.27(1H),8.30(3H),8.08(1H),8.05(1H),8.02(2H),7.90(1H),7.83(2H),7.78(2H),7.68(2H),7.64(1H),7.53(1H),7.49(1H),7.40-7.26(9H).
[実施例30]
<(4-ベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(7-ジベンゾチオフェン-2-イル-ナフタレン-2-イル)アミン:化合物(191)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)アミン:9.0g、2-(2-ブロモ-ナフタレン-7-イル)ジベンゾチオフェン:8.9g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.2g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.1g、t-ブトキシナトリウム:3.1gを仕込み、トルエン溶媒下にて一晩還流撹拌した。放冷した後、系内にメタノールを加えて析出した固体を濾過して取り出して粗生成物を得た。得られた粗生成物をモノクロロベンゼン溶媒によって再結晶精製を行うことで、(4-ベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4’-ジベンゾフラン-3-イル-ビフェニル-4-イル)アミン:化合物(191)の黄色粉体:15.0g(収率:95.0%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000034
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の30個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.44(1H),8.24(1H),8.04(1H),8.00(2H),7.99(1H),7.93(2H),7.90-7.77(6H),7.76(1H),7.68(1H),7.66(2H),7.50(1H),7.47(3H),7.40-7.29(4H),7.26(4H).
[実施例31]
<(4’-ベンゾチオフェン-2-イル-ビフェニル-4-イル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾチオフェン-4-イル-フェニル)アミン:化合物(192)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾチオフェン-4-イル-フェニル)-アミン:10.0g、2-(4’-クロロ-ビフェニル-4-イル)ベンゾチオフェン:7.5g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.4g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.2g、t-ブトキシナトリウム:3.1gを仕込み、キシレン溶媒下にて一晩還流撹拌した。放冷した後、系内にメタノールを加えて析出した固体を濾過して取り出して粗生成物を得た。得られた粗生成物をモノクロロベンゼン溶媒によって再結晶精製を行うことで、(4’-ベンゾチオフェン-2-イル-ビフェニル-4-イル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾチオフェン-4-イル-フェニル)アミン:化合物(192)の黄色粉体:13.0g(収率:80.9%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000035
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の32個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.22-8.16(4H),7.88-7.73(8H),7.69(2H),7.65(2H),7.61-7.48(6H),7.37-7.30(10H).
[実施例32]
<(4’-ベンゾフラン-2-イル-ビフェニル-4-イル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾチオフェン-4-イル-フェニル)アミン:化合物(193)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾチオフェン-4-イル-フェニル)-アミン:10.0g、2-(4’-クロロ-ビフェニル-4-イル)ベンゾフラン:7.2g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.4g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.2g、t-ブトキシナトリウム:3.1gを仕込み、キシレン溶媒下にて一晩還流撹拌した。放冷した後、系内にメタノールを加えて析出した固体を濾過して取り出して粗生成物を得た。得られた粗生成物をモノクロロベンゼン溶媒によって再結晶精製を行うことで、(4’-ベンゾフラン-2-イル-ビフェニル-4-イル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾチオフェン-4-イル-フェニル)アミン:化合物(193)の黄色粉体:13.0g(収率:82.7%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000036
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の32個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.21-8.15(4H),7.95(2H),7.86(1H),7.77-7.70(5H),7.65(2H),7.61-7.52(5H),7.48(2H),7.36-7.22(10H),7.07(1H).
[実施例33]
<(4’-ベンゾフラン-2-イル-ビフェニル-4-イル)-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ナフタレン-1-イル-フェニル)アミン:化合物(194)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ナフタレン-1-イル-フェニル)アミン:10.0g、2-(4’-クロロ-ビフェニル-4-イル)ベンゾフラン:7.8g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.6g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.5g、t-ブトキシナトリウム:3.4gを仕込み、トルエン溶媒下にて一晩還流撹拌した。放冷した後、濾過して得た濾液を濃縮して粗生成物を得た。得られた粗生成物をトルエン溶媒によって再結晶精製を行うことで、(4’-ベンゾフラン-2-イル-ビフェニル-4-イル)-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ナフタレン-1-イル-フェニル)アミン:化合物(194)の黄色粉体:4.0g(収率:24.6%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000037
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の32個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.03(2H),8.01(2H),7.93(3H),7.88(2H),7.71(2H),7.64(2H),7.59(1H),7.57-7.44(8H),7.36(1H),7.35(2H),7.32(2H),7.29(3H),7.24(1H),7.06(1H).
[実施例34]
<(4’-ベンゾチオフェン-2-イル-ビフェニル-4-イル)-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ナフタレン-1-イル-フェニル)アミン:化合物(195)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ナフタレン-1-イル-フェニル)アミン:10.0g、2-(4’-クロロ-ビフェニル-4-イル)ベンゾチオフェン:8.2g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.6g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.5g、t-ブトキシナトリウム:3.4gを仕込み、トルエン溶媒下にて一晩還流撹拌した。放冷した後、濾過して得た濾液を濃縮して粗生成物を得た。得られた粗生成物をモノクロロベンゼン溶媒によって再結晶精製を行うことで、(4’-ベンゾチオフェン-2-イル-ビフェニル-4-イル)-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ナフタレン-1-イル-フェニル)アミン:化合物(195)の黄色粉体:5.8g(収率:35.0%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000038
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の32個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.04(2H),8.01(2H),7.92(1H),7.88(1H),7.86(1H),7.84(1H),7.79(3H),7.67(2H),7.63(2H),7.59(1H),7.53(1H),7.51-7.44(6H),7.39-7.31(7H),7.29(2H).
[実施例35]
<(4’-ベンゾフラン-2-イル-ビフェニル-4-イル)-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4’-ナフタレン-1-イル-ビフェニル-4-イル)アミン:化合物(196)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4’-ナフタレン-1-イル-ビフェニル-4-イル)アミン:2.4g、2-(4’-クロロ-ビフェニル-4-イル)ベンゾフラン:2.9g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.1g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.1g、t-ブトキシナトリウム:0.7gを仕込み、トルエン溶媒下にて5時間還流撹拌した。放冷した後、系内にメタノールを加えて析出した固体を濾過して取り出して粗生成物を得た。得られた粗生成物をモノクロロベンゼン/アセトン混合溶媒によって晶析精製を行うことで、(4’-ベンゾフラン-2-イル-ビフェニル-4-イル)-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4’-ナフタレン-1-イル-ビフェニル-4-イル)アミン:化合物(196)の黄色粉体:3.4g(収率:92.4%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000039
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の36個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.04(1H),8.00(3H),7.94(2H),7.92(1H),7.88(2H),7.74(1H),7.71(2H),7.68(2H),7.63(2H),7.62-7.56(4H),7.54(2H),7.47(4H),7.36(1H),7.33-7.21(8H),7.05(1H).
[実施例36]
<(7-ベンゾチオフェン-2-イル-ナフタレン-2-イル)-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾフラン-3-イル-フェニル)アミン:化合物(197)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾフラン-3-イル-フェニル)-アミン:10.0g、2-(2-ブロモ-ナフタレン-7-イル)ベンゾチオフェン:8.0g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.6g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.5g、t-ブトキシナトリウム:3.1gを仕込み、トルエン溶媒下にて一晩還流撹拌した。放冷した後、系内にメタノールを加えて析出した固体を濾過して取り出して粗生成物を得た。得られた粗生成物をモノクロロベンゼン溶媒によって再結晶精製を行うことで、(7-ベンゾチオフェン-2-イル-ナフタレン-2-イル)-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾフラン-3-イル-フェニル)アミン:化合物(197)の黄色粉体:7.3g(収率:46.9%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000040
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の30個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.05(1H),8.01(1H),8.00(4H),7.89(1H),7.85(2H),7.80(4H),7.67(2H),7.65(2H),7.63(1H),7.59(1H),7.48(2H),7.37(4H),7.33(3H),7.28(2H).
[実施例37]
<(7-ベンゾチオフェン-2-イル-ナフタレン-2-イル)-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)アミン:化合物(198)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)-アミン:10.0g、2-(2-ブロモ-ナフタレン-7-イル)ベンゾチオフェン:7.7g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.2g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.1g、t-ブトキシナトリウム:3.0gを仕込み、トルエン溶媒下にて一晩還流撹拌した。放冷した後、系内にメタノールを加えて析出した固体を濾過して取り出して粗生成物を得た。得られた粗生成物をモノクロロベンゼン溶媒によって再結晶精製を行うことで、(7-ベンゾチオフェン-2-イル-ナフタレン-2-イル)-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ジベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)アミン:化合物(198)の黄色粉体:10.0g(収率:65.4%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000041
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の30個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.37(1H),8.24(1H),8.05(1H),8.01(2H),7.98(1H),7.92(1H),7.90-7.76(7H),7.72(1H),7.69(2H),7.66(1H),7.65(1H),7.48(3H),7.40(1H),7.39-7.31(5H),7.28(2H).
[実施例38]
<(7-ベンゾチオフェン-2-イル-ナフタレン-2-イル)-{ビス-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)}アミン:化合物(201)の合成>
 窒素置換した反応容器に、ビス(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)アミン:7.0g、2-(2-ブロモ-ナフタレン-7-イル)ベンゾチオフェン:6.5g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.2g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.1g、t-ブトキシナトリウム:2.5gを仕込み、キシレン溶媒下にて一晩還流撹拌した。放冷した後、系内にメタノールを加えて析出した固体を濾過して取り出して粗生成物を得た。得られた粗生成物をモノクロロベンゼン溶媒によって再結晶精製を行うことで、(7-ベンゾチオフェン-2-イル-ナフタレン-2-イル)-(ビス-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)アミン:化合物(201)の黄色粉体:6.8g(収率:59.1%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000042
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の27個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.20(4H),7.99(1H),7.87(2H),7.83(2H),7.79(1H),7.76(2H),7.68(1H),7.66(1H),7.58(1H),7.56(1H),7.39-7.28(11H).
[実施例39]
<(7-ベンゾチオフェン-2-イル-ナフタレン-2-イル)-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)アミン:化合物(202)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)アミン:7.0g、2-(2-ブロモ-ナフタレン-7-イル)ベンゾチオフェン:6.1g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.4g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.4g、t-ブトキシナトリウム:2.3gを仕込み、トルエン溶媒下にて一晩還流撹拌した。放冷した後、系内にメタノールを加えて析出した固体を濾過して取り出して粗生成物を得た。得られた粗生成物をモノクロロベンゼン溶媒によって再結晶精製を行うことで、(7-ベンゾチオフェン-2-イル-ナフタレン-2-イル)-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)アミン:化合物(202)の黄色粉体:7.4g(収率:66.4%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000043
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の28個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.04(1H),8.01(2H),7.97(1H),7.89(1H),7.87-7.75(7H),7.68(2H),7.66(1H),7.63(1H),7.52(1H),7.49(1H),7.40-7.29(6H),7.26(4H).
[実施例40]
<(7-ベンゾチオフェン-2-イル-ナフタレン-2-イル)-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)アミン:化合物(203)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)アミン:10.0g、2-(2-ブロモ-ナフタレン-7-イル)ベンゾチオフェン:8.9g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.7g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.6g、t-ブトキシナトリウム:3.5gを仕込み、トルエン溶媒下にて一晩還流撹拌した。放冷した後、系内にメタノールを加えて析出した固体を濾過して取り出して粗生成物を得た。得られた粗生成物をモノクロロベンゼン溶媒によって再結晶精製を行うことで、(7-ベンゾチオフェン-2-イル-ナフタレン-2-イル)-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)アミン:化合物(203)の黄色粉体:9.9g(収率:61.3%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000044
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の27個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.18(2H),8.05(1H),8.04(2H),7.99(1H),7.93-7.73(7H),7.67(2H),7.57(1H),7.49(1H),7.41-7.27(10H).
[実施例41]
<ビス(7-ベンゾチオフェン-2-イル-ナフタレン-2-イル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)アミン:化合物(204)の合成>
 窒素置換した反応容器に、4-ベンゾオキサゾール-2-イル-アニリン:4.5g、2-(2-ブロモ-ナフタレン-7-イル)ベンゾチオフェン:15.2g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.2g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.1g、t-ブトキシナトリウム:5.1gを仕込み、キシレン溶媒下にて一晩還流撹拌した。放冷した後、系内にメタノールを加えて析出した固体を濾過して取り出して粗生成物を得た。得られた粗生成物をモノクロロベンゼン溶媒によって再結晶精製を行うことで、ビス{(7-ベンゾチオフェン-2-イル-ナフタレン-2-イル)}-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)アミン:化合物(204)の黄色粉体:5.5g(収率:35.3%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000045
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の30個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.17(2H),7.97(2H),7.89-7.72(11H),7.65(4H),7.57(1H),7.40(2H),7.38-7.28(8H).
[実施例42]
<{7-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-ナフタレン-2-イル}-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)アミン:化合物(205)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)アミン:7.3g、2-{4-(2-ブロモ-ナフタレン-7-イル)-フェニル}ベンゾオキサゾール:7.4g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.5g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.4g、t-ブトキシナトリウム:2.5gを仕込み、トルエン溶媒下にて一晩還流撹拌した。放冷した後、系内にメタノールを加えて析出した固体を濾過して取り出して粗生成物を得た。得られた粗生成物をモノクロロベンゼン溶媒によって再結晶精製を行うことで、{7-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)-ナフタレン-2-イル}-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)アミン:化合物(205)の黄色粉体:4.5g(収率:35.7%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000046
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の31個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.35(2H),8.05(1H),8.01(2H),7.96(1H),7.93(1H),7.90(1H),7.87(2H),7.84(2H),7.81(1H),7.77(1H),7.75(1H),7.68(2H),7.66(1H),7.60(1H),7.52(1H),7.49(1H),7.43-7.33(5H),7.32(1H),7.27(4H).
[実施例43]
<{4-(7-ベンゾチオフェン-2-イル-ナフタレン-2-イル)-フェニル}-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)アミン:化合物(206)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)アミン:12.7g、2-{2-(4-クロロ-フェニル)-ナフタレン-7-イル}ベンゾチオフェン:12.4g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.3g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.1g、t-ブトキシナトリウム:4.4gを仕込み、トルエン溶媒下にて一晩還流撹拌した。放冷した後、系内にメタノールを加えて析出した固体を濾過して取り出して粗生成物を得た。得られた粗生成物をモノクロロベンゼン溶媒によって再結晶精製を行うことで、{4-(7-ベンゾチオフェン-2-イル-ナフタレン-2-イル)-フェニル}-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)アミン:化合物(206)の黄色粉体:7.8g(収率:34.2%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000047
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の31個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.22(1H),8.19(2H),8.12(1H),8.06(1H),8.05(2H),7.93(2H),7.91(1H),7.87(2H),7.82(1H),7.78(1H),7.75(3H),7.71(1H),7.58(1H),7.50(1H),7.38(2H),7.37-7.28(9H).
[実施例44]
<{4-(7-ベンゾチオフェン-2-イル-ナフタレン-2-イル)-フェニル}-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾフラン-2-イル-フェニル)アミン:化合物(207)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾフラン-2-イル-フェニル)アミン:8.5g、2-{2-(4-クロロ-フェニル)-ナフタレン-7-イル}ベンゾチオフェン:8.3g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.2g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.1g、t-ブトキシナトリウム:2.9gを仕込み、トルエン溶媒下にて一晩還流撹拌した。放冷した後、系内にメタノールを加えて析出した固体を濾過して取り出して粗生成物を得た。得られた粗生成物をо-ジクロロベンゼン溶媒によって再結晶精製を行うことで、{4-(7-ベンゾチオフェン-2-イル-ナフタレン-2-イル)-フェニル}-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾフラン-2-イル-フェニル)アミン:化合物(207)の黄色粉体:7.8g(収率:51.0%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000048
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の32個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.21(1H),8.11(1H),8.05(1H),8.01(2H),7.90(5H),7.83(3H),7.77(1H),7.73(2H),7.71(1H),7.59(1H),7.53(1H),7.49(1H),7.41-7.27(10H),7.23(1H),6.99(1H).
[実施例45]
<{4-(7-ベンゾチオフェン-2-イル-ナフタレン-2-イル)-フェニル}-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)アミン:化合物(208)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)アミン:7.3g、2-{2-(4-クロロ-フェニル)-ナフタレン-7-イル}ベンゾチオフェン:6.9g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.2g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.1g、t-ブトキシナトリウム:2.4gを仕込み、トルエン溶媒下にて一晩還流撹拌した。放冷した後、系内にメタノールを加えて析出した固体を濾過して取り出して粗生成物を得た。得られた粗生成物をо-ジクロロベンゼン溶媒によって再結晶精製を行うことで、{4-(7-ベンゾチオフェン-2-イル-ナフタレン-2-イル)-フェニル}-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾチオフェン-2-イル-フェニル)アミン:化合物(208)の黄色粉体:6.0g(収率:46.5%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000049
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の32個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.22(1H),8.11(1H),8.06-8.00(3H),7.95-7.68(15H),7.53-7.47(2H),7.40-7.31(7H),7.28-7.26(3H).
[実施例46]
<{4-(1-ベンゾチオフェン-2-イル-ナフタレン-4-イル)-フェニル}-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)アミン:化合物(209)の合成>
 窒素置換した反応容器に、(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)アミン:7.3g、2-{1-(4-ブロモ-フェニル)-ナフタレン-4-イル}ベンゾチオフェン:8.0g、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0):0.2g、トリ-t-ブチルホスフィン:0.1g、t-ブトキシナトリウム:2.5gを仕込み、トルエン溶媒下にて一晩還流撹拌した。放冷した後、系内にメタノールを加えて析出した固体を濾過して取り出して粗生成物を得た。得られた粗生成物をо-ジクロロベンゼン溶媒によって再結晶精製を行うことで、{4-(1-ベンゾチオフェン-2-イル-ナフタレン-4-イル)-フェニル}-(4-ベンゾチアゾール-2-イル-フェニル)-(4-ベンゾオキサゾール-2-イル-フェニル)アミン:化合物(209)の黄色粉体:3.1g(収率:23.3%)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000050
 得られた黄色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。
 H-NMR(CDCl)で以下の31個の水素のシグナルを検出した。
δ(ppm)=8.39(1H),8.21(2H),8.10(1H),8.07(2H),8.06(1H),7.92(1H),7.90(1H),7.88(1H),7.77(1H),7.73(1H),7.61(1H),7.47(7H),7.47-7.32(11H).
[実施例47]
 前記実施例で得た化合物について、高感度示差走査熱量計(ブルカー・エイエックスエス製、DSC3100SA)によって融点とガラス転移点を測定した。測定結果を表1および表2にまとめて示した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000051

 
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000052
 前記結果から、実施例で得た化合物は100℃以上のガラス転移点を有しており、これは薄膜状態が安定であることを示すものである。
[実施例48]
 前記実施例で得た化合物を用いて、シリコン基板上に膜厚80nmの蒸着膜を作製し、分光測定装置(フィルメトリクス社製、F10-RT-UV)を用いて波長450nmおよび750nmにおける屈折率nと波長400nmおよび410nmにおける消衰係数kを測定した。比較のために、下記構造式の比較化合物(2-1)およびAlq(例えば、特許文献4参照)についても測定した。測定結果を表3~5にまとめて示した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000053
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000054

 
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000055

 
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000056
 表3~5に示した通り、450nmから750nmでの屈折率が比較化合物(2-1)およびAlqは1.73から1.93であるのに対し、本発明の化合物は1.90から2.59であった。このことは有機EL素子における光の取出し効率の向上が期待できることを示すものである。また、波長400nmから410nmでの消衰係数が比較化合物(2-1)およびAlqは0.06から0.16であるのに対し、本発明の化合物は0.33から1.22であった。このことは太陽光の波長400nmから410nmの光をよく吸光し素子内部の材料に影響を与えないことを示すものである。
[実施例49]
 前記実施例で得た化合物を用いて、トルエン溶液で濃度10-5mol/Lに調節して波長400nmおよび410nmにおける吸光度を測定し、トルエン溶液で濃度5×10-6mol/L、1×10-5mol/L、1.5×10-5mol/Lおよび2.0×10-5mol/Lの4種類の濃度に調節して、紫外可視近赤外分光光度計(日本分光製、V-650)を用いて吸収スペクトルを測定し、検量線から吸光係数を算出した。比較のために、上記化合物(2-1)およびAlqについても測定した。測定結果を表6~8にまとめて示した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000057

 
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000058
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000059
 表6~8に示した通り、波長400nmから410nmでの吸光度が比較化合物(2-1)およびAlqは0.02から0.07であるのに対し、本発明の化合物は0.20から1.16の大きな値であった。このことは、本発明の化合物は太陽光の波長400nmから410nmの光をよく吸光することを示すものである。また、吸光係数に関しても本発明の化合物は70000以上の値を有していた。すなわち、本発明の化合物は同じ濃度条件であればよく光を吸光することがわかる。また、本発明の化合物は、薄膜であってもよく吸光し、耐光性に優れた材料であることを示している。
[実施例50]
 前記実施例1で得た化合物を用いて有機EL素子を作製し、特性を評価した。
 有機EL素子は、図20に示すように、ガラス基板1上に金属陽極2として反射ITO電極をあらかじめ形成したものの上に、正孔注入層3、正孔輸送層4、発光層5、電子輸送層6、電子注入層7、陰極8、キャッピング層9の順に蒸着して作製した。
 具体的には、膜厚50nmのITO、膜厚100nmの銀合金の反射膜、膜厚5nmのITOを順に成膜したガラス基板1をイソプロピルアルコール中にて超音波洗浄を20分間行った後、250℃に加熱したホットプレート上にて10分間乾燥を行った。その後、UVオゾン処理を2分間行った後、このITO付きガラス基板を真空蒸着機内に取り付け、0.001Pa以下まで減圧した。
 続いて、透明陽極2を覆うように正孔注入層3として、下記構造式の電子アクセプター(Acceptor-1)と下記構造式の化合物(3-1)を、蒸着速度比がAcceptor-1:化合物(3-1)=3:97となる蒸着速度で二元蒸着を行い、膜厚10nmとなるように形成した。
 この正孔注入層3の上に、正孔輸送層4として下記構造式の化合物(3-1)を膜厚140nmとなるように形成した。
 この正孔輸送層4の上に、発光層5として下記構造式の化合物(3-2)と下記構造式の化合物(3-3)を、蒸着速度比が(3-2):(3-3)=5:95となる蒸着速度で二元蒸着を行い、膜厚20nmとなるように形成した。
 この発光層5の上に、電子輸送層6として下記構造式の化合物(3-4)と下記構造式の化合物(3-5)を、蒸着速度比が(3-4):(3-5)=50:50となる蒸着速度で二元蒸着を行い、膜厚30nmとなるように形成した。
 この電子輸送層6の上に、電子注入層7としてフッ化リチウムを膜厚1nmとなるように形成した。
 この電子注入層7の上に、陰極8としてマグネシウム銀合金を膜厚12nmとなるように形成した。
 最後に、キャッピング層9として実施例1の化合物(54)を膜厚60nmとなるように形成した。
 作製した有機EL素子について、大気中、常温で直流電圧を印加した発光特性の測定し、結果を表9に示した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000060
[実施例51~95]
 実施例50において、キャッピング層9として実施例1の化合物(54)の代わりにそれぞれ実施例2~46で得られた化合物を膜厚60nmとなるように形成した以外は、同様の条件で有機EL素子を作製した。作製した有機EL素子について、大気中、常温で直流電圧を印加した発光特性の測定し、結果を表9~11にまとめて示した。
[比較例1]
 比較のために、実施例50において、キャッピング層9として実施例1の化合物(54)の代わりにAlqを膜厚60nmとなるように形成した以外は、同様の条件で有機EL素子を作製した。作製した有機EL素子について、大気中、常温で直流電圧を印加した発光特性の測定し、結果を表11にまとめて示した。
[比較例2]
 比較のために、実施例50において、キャッピング層9として実施例1の化合物(54)の代わりに比較化合物(2-1)を膜厚60nmとなるように形成した以外は、同様の条件で有機EL素子を作製した。作製した有機EL素子について、大気中、常温で直流電圧を印加した発光特性の測定し、結果を表11にまとめて示した。
 上記実施例および比較例で作製した有機EL素子を用いて、素子寿命を測定した結果を表9~11にまとめて示した。素子寿命は、10mA/cmの定電流駆動を行い、初期輝度を100%としたときに輝度が95%まで減衰する時間として測定した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000061
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000062
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000063
 表4に示すように、電流密度10mA/cm時における駆動電圧は、比較例1および比較例2の素子と実施例50から実施例95の素子ではほぼ同等であるのに対し、輝度、発光効率、電力効率、寿命においては、比較例1および比較例2の素子に対し実施例50から実施例95の素子は向上した。このことは、キャッピング層に屈折率の高い、本発明の有機EL素子に好適に用いられる材料を含むことにより、光の取出し効率を大幅に改善できることを示している。
 本発明の一般式(a)で表されるアミン化合物は、吸光係数が高く、屈折率が高く、光の取出し効率を大幅に改善でき、薄膜状態が安定であるため、有機EL素子用の化合物として優れている。該化合物を用いて有機EL素子のキャッピング層を作製することにより、高い効率を得ることができるとともに、太陽光の光を吸光し素子内部の材料に影響を与えないように、耐久性や耐光性を改善させることができるので、家庭電化製品や照明の用途への展開が可能となった。
1 ガラス基板
2 透明陽極
3 正孔注入層
4 正孔輸送層
5 発光層
6 電子輸送層
7 電子注入層
8 陰極
9 キャッピング層
 

Claims (12)

  1.  下記一般式(a)で表されるアミン化合物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     式中、Arは、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基または置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基を表し、
     L~Lは、相互に同一でも異なっていてもよく、単結合、無置換の2価の芳香族炭化水素基、無置換の2価の芳香族複素環基または無置換の2価の縮合多環芳香族基を表し、
     XおよびXは、相互に同一でも異なっていてもよく、酸素原子または硫黄原子を表す。
  2.  前記一般式(a)おけるLが、無置換の1,4-フェニレン基である、請求項1に記載のアミン化合物。
  3.  前記一般式(a)おけるL~Lが、単結合、無置換のフェニレン基、無置換のビフェニレン基、または無置換のナフチレン基である、請求項1に記載のアミン化合物。
  4.  前記一般式(a)おけるL~Lが、単結合、無置換の1,4-フェニレン基、無置換の4,4’-ビフェニレン基、無置換の2,6-ナフチレン基、または無置換の2,7-ナフチレン基である、請求項3に記載のアミン化合物。
  5.  前記一般式(a)おけるArが、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のビフェニル基、置換もしくは無置換のナフチル基、置換もしくは無置換のフェナントレニル基、置換もしくは無置換のピリジル基、置換もしくは無置換のキノリル基、置換もしくは無置換のベンゾフラニル基、置換もしくは無置換のベンゾチエニル基、置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基、または置換もしくは無置換のジベンゾチエニル基である、請求項1に記載のアミン化合物。
  6.  前記一般式(a)おけるArが、無置換のフェニル基、無置換の4-ビフェニル基、無置換の2-ナフチル基、無置換の2-フェナントレニル基、無置換の3-フェナントレニル基、無置換の9-フェナントレニル基、無置換の3-ピリジル基、無置換の3-キノリル基、無置換の2-ベンゾフラニル基、無置換の2-ベンゾチエニル基、無置換の2-ジベンゾフラニル基、無置換の3-ジベンゾフラニル基、無置換の2-ジベンゾチエニル基、または無置換の3-ジベンゾチエニル基である、請求項5に記載のアミン化合物。
  7.  少なくとも陽極電極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、陰極電極およびキャッピング層をこの順に有する有機EL素子において、前記キャッピング層が請求項1~6のいずれか1項に記載のアミン化合物を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
  8.  前記キャッピング層の消衰係数が、400nmから410nmの波長範囲で0.2以上であり、かつ、前記アミン化合物の濃度10-5mol/Lの吸収スペクトルにおける吸光度が、400nmから410nmの波長範囲で0.2以上である、請求項7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  9.  前記キャッピング層の屈折率が、波長が450nm~750nmの範囲内において、1.85以上である、請求項7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  10.  前記キャッピング層が異なる化合物からなる2層以上の積層または2種類以上の化合物を含む混合層であり、請求項1~6のいずれか1項に記載のアミン化合物を含有する、請求項7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  11.  一対の電極とその間に挟まれた有機層を有する電子素子において、前記有機層が請求項1~6のいずれか1項に記載のアミン化合物を含有する電子素子。
  12.  請求項11に記載の電子素子を含む電子機器。
     
     
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