WO2023052893A1 - 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

表示品位の高い表示装置を提供する。 第１の発光デバイスと、第２の発光デバイスと、第１の絶縁層と、充填層と、を有する表示装置とする。第１の発光デバイスは、第１の電極と、第１の電極上の第１の半導体層と、第１の半導体層上の共通電極と、を有する。第２の発光デバイスは、第２の電極と、第２の電極上の第２の半導体層と、第２の半導体層上の共通電極と、を有する。第１の絶縁層は、第１の半導体層の側面、及び第２の半導体層の側面と接する領域を有する。充填層は、第１の絶縁層を介して、第１の半導体層の側面、及び第２の半導体層の側面と重畳する領域を有する。共通電極は、充填層の上面と接する領域を有する。

Description

表示装置、表示モジュール、及び電子機器

　本発明の一態様は、表示装置、表示モジュール、及び、電子機器に関する。本発明の一態様は、表示装置の作製方法に関する。

　なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本発明の一態様の技術分野として、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置（例えば、タッチセンサ）、入出力装置（例えば、タッチパネル）、それらの駆動方法、またはそれらの製造方法を一例として挙げることができる。

　近年、仮想現実（ＶＲ：Ｖｉｒｔｕａｌ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、拡張現実（ＡＲ：Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、代替現実（ＳＲ：Ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｉｏｎａｌ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、または複合現実（ＭＲ：Ｍｉｘｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）に適用可能な表示装置が求められている。

　ＶＲ、ＡＲ、ＳＲ、及びＭＲは総称してｘＲ（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）とも呼ばれる。ｘＲ向けの表示装置は、現実感、及び没入感を高めるために、精細度の高いこと、及び色再現性の高いことが望まれている。当該表示装置に適用可能な表示素子（表示デバイスもいう）として、例えば、液晶デバイス、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）デバイス、発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）デバイス等の発光デバイスが挙げられる。

　特許文献１には、マイクロＬＥＤを用いた表示装置が開示されている。

国際公開第２０１９／２２０２６７号

　本発明の一態様は、表示品位の高い表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、精細度の高い表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、解像度の高い表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、輝度の高い表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、コントラストの高い表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、新規な表示装置を提供することを課題の一つとする。

　本発明の一態様は、表示品位の高い表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、精細度の高い表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、解像度の高い表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、輝度の高い表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、コントラストの高い表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、新規な表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。

　なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

　本発明の一態様は、第１の発光デバイスと、第２の発光デバイスと、第１の絶縁層と、充填層と、を有する表示装置である。第１の発光デバイスは、第１の電極と、第１の電極上の第１の半導体層と、第１の半導体層上の共通電極と、を有する。第２の発光デバイスは、第２の電極と、第２の電極上の第２の半導体層と、第２の半導体層上の共通電極と、を有する。第１の絶縁層は、第１の半導体層の側面、及び第２の半導体層の側面と接する領域を有する。充填層は、第１の絶縁層を介して、第１の半導体層の側面、及び第２の半導体層の側面と重畳する領域を有する。共通電極は、充填層の上面と接する領域を有する。

　前述の表示装置において、着色層と、色変換層と、を有し、着色層は、色変換層を介して、第１の発光デバイスと重畳する領域を有し、色変換層は、蛍光体または量子ドットを有する表示装置である。

　前述の表示装置において、充填層の端部は、第１の半導体層上及び第２の半導体層上に位置し、充填層の端部は、断面視において、テーパ形状を有する表示装置である。

　前述の表示装置において、第１の絶縁層の端部は、第１の半導体層上及び第２の半導体層上に位置し、第１の絶縁層の端部は、断面視において、テーパ形状を有する表示装置である。

　前述の表示装置において、充填層の端部は、第１の絶縁層の端部よりも外側に位置する表示装置である。

　前述の表示装置において、充填層は、断面視において、上面に凸曲面形状を有する表示装置である。

　前述の表示装置において、反射層を有し、反射層は、第１の絶縁層と充填層の間に位置し、反射層は、第１の絶縁層を介して、第１の半導体層及び第２の半導体層の側面と重畳する領域を有する表示装置である。

　前述の表示装置において、第２の絶縁層を有し、第２の絶縁層は、第１の半導体層の上面と接する領域を有し、充填層は、第２の絶縁層を介して、第１の半導体層の上面と重畳する領域を有する表示装置である。

　前述の表示装置において、断面視において、第２の絶縁層の端部は、テーパ形状を有する表示装置である。

　前述の表示装置において、第１の絶縁層は、無機材料を有し、充填層は、有機材料を有する表示装置である。

　前述の表示装置において、充填層は、絶縁性である表示装置である。

　前述の表示装置において、充填層は、導電性である表示装置である。

　前述の表示装置において、第１の半導体層及び第２の半導体層はそれぞれ、第１３族元素および第１５族元素を含む化合物である表示装置である。

　前述の表示装置において、層を有する。層は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有する。第１の発光デバイス及び第２の発光デバイスは、層上に設けられる。第１の発光デバイスは、第１のトランジスタと電気的に接続される。第２の発光デバイスは、第２のトランジスタと電気的に接続される。

　本発明の一態様は、前述の表示装置と、コネクタ及び集積回路のうち少なくとも一方と、を有する表示モジュールである。

　本発明の一態様は、前述の表示モジュールと、筐体、バッテリ、カメラ、スピーカ、及びマイクのうち少なくとも一つと、を有する電子機器である。

　本発明の一態様により、表示品位の高い表示装置を提供できる。本発明の一態様により、精細度の高い表示装置を提供できる。本発明の一態様により、解像度の高い表示装置を提供できる。本発明の一態様により、輝度の高い表示装置を提供できる。本発明の一態様により、コントラストの高い表示装置を提供できる。本発明の一態様により、信頼性の高い表示装置を提供できる。本発明の一態様により、新規な表示装置を提供できる。

　本発明の一態様により、表示品位の高い表示装置の作製方法を提供できる。本発明の一態様により、精細度の高い表示装置の作製方法を提供できる。本発明の一態様により、解像度の高い表示装置の作製方法を提供できる。本発明の一態様により、輝度の高い表示装置の作製方法を提供できる。本発明の一態様により、コントラストの高い表示装置の作製方法を提供できる。本発明の一態様により、信頼性の高い表示装置の作製方法を提供できる。本発明の一態様により、新規な表示装置の作製方法を提供できる。

　なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

図１Ａは、表示装置の一例を示す上面図である。図１Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図２Ａ及び図２Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図３Ａ及び図３Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図４Ａ及び図４Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図５Ａ及び図５Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図６Ａ及び図６Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図７Ａ及び図７Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図８は、表示装置の一例を示す断面図である。
図９Ａ及び図９Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図１０は、表示装置の一例を示す断面図である。
図１１Ａ及び図１１Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図１２Ａ及び図１２Ｂは、表示装置の作製方法の一例を示す斜視図である。
図１３Ａ及び図１３Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図１４Ａ及び図１４Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図１５Ａ及び図１５Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図１６Ａは、表示装置の一例を示す上面図である。図１６Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図１７Ａ乃至図１７Ｄは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図１８Ａ乃至図１８Ｃは、表示装置の作製方法の一例を示す斜視図である。
図１９Ａ及び図１９Ｂは、表示装置の作製方法の一例を示す斜視図である。
図２０Ａ乃至図２０Ｄは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図２１Ａ乃至図２１Ｄは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図２２Ａ乃至図２２Ｄは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図２３Ａ乃至図２３Ｃは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図２４Ａ及び図２４Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図２５Ａ及び図２５Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図２６Ａ乃至図２６Ｄは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図２７Ａ乃至図２７Ｃは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図２８Ａ乃至図２８Ｄは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図２９Ａ乃至図２９Ｃは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図３０Ａ及び図３０Ｂは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図３１Ａ乃至図３１Ｇは、画素の一例を示す図である。
図３２Ａ乃至図３２Ｋは、画素の一例を示す図である。
図３３Ａ及び図３３Ｂは、表示装置の一例を示す斜視図である。
図３４は、表示装置の一例を示す断面図である。
図３５は、表示装置の一例を示す断面図である。
図３６は、表示装置の一例を示す断面図である。
図３７は、表示装置の一例を示す断面図である。
図３８は、表示装置の一例を示す断面図である。
図３９は、表示装置の一例を示す断面図である。
図４０は、表示装置の一例を示す斜視図である。
図４１Ａは、表示装置の一例を示す断面図である。図４１Ｂ及び図４１Ｃは、トランジスタの一例を示す断面図である。
図４２は、表示装置の一例を示す断面図である。
図４３は、表示装置の一例を示す断面図である。
図４４Ａ乃至図４４Ｄは、電子機器の一例を示す図である。
図４５Ａ乃至図４５Ｆは、電子機器の一例を示す図である。
図４６Ａ乃至図４６Ｇは、電子機器の一例を示す図である。

　実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

　なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチングパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

　図面において示す各構成の、位置、大きさ、及び、範囲などは、理解の簡単のため、実際の位置、大きさ、及び、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面に開示された位置、大きさ、及び、範囲などに限定されない。

　「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、または、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能である。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能である。

（実施の形態１）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について、図１乃至図２３を用いて説明する。

　本発明の一態様は、第１の発光デバイスと、第２の発光デバイスと、第１の絶縁層と、充填層と、を有する表示装置である。第１の発光デバイス及び第２の発光デバイスは、発光ダイオード（ＬＥＤ）を用いることができる。発光ダイオードが有する発光材料に無機材料を用いることが好ましい。第１の発光デバイスは、第１の電極と、共通電極と、第１の電極及び共通電極に挟持される島状の第１の半導体層を有する。第２の発光デバイスは、第２の電極と、共通電極と、第２の電極及び共通電極に挟持される島状の第２の半導体層を有する。

　なお、本明細書等において、島状とは、同一工程で形成された同一材料を用いた２以上の層が、物理的に分離されている状態であることを示す。例えば、島状の半導体層とは、当該半導体層と、隣の半導体層が、物理的に分離されている状態であることを示す。

　第１の絶縁層は、第１の半導体層の側面、及び第２の半導体層の側面と接する領域を有する。第１の絶縁層を設けることにより、第１の半導体層及び第２の半導体層に不純物が拡散することを抑制でき、信頼性の高い表示装置とすることができる。

　第１の絶縁層上に充填層が設けられる。充填層上に共通電極が設けられる。充填層を設けることにより、第１の発光デバイスと第２の発光デバイスの間に生じる段差を小さくし、共通電極の被覆性を高めることができる。充填層は、第１の発光デバイスと第２の発光デバイスとの間を埋め、平坦にする機能（ＬＦＰ（Ｌｏｃａｌ　Ｆｉｌｌｉｎｇ　Ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ）ともいう）を有する。

　本発明の一態様の表示装置は、フォトリソグラフィ法を用いて発光デバイスが有する半導体層及び電極を形成することができる。表示装置をガラス基板上に作製する場合、隣り合う発光デバイス間の間隔をそれぞれ、例えば、１０μｍ未満、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、１．５μｍ以下、１μｍ以下、または、０．５μｍ以下にまで狭めることができる。表示装置を単結晶基板上に作製する場合、ＬＳＩ向けの露光装置を用いることで、隣り合う発光デバイスの間隔を、例えば、５００ｎｍ以下、２００ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、さらには５０ｎｍ以下にまで狭めることもできる。これにより、２つの発光デバイス間に存在しうる非発光領域の面積を大幅に縮小することができ、開口率を１００％に近づけることが可能となる。例えば、本発明の一態様の表示装置においては、開口率を、４０％以上、５０％以上、６０％以上、７０％以上、８０％以上、さらには９０％以上であって、１００％未満を実現することもできる。また、発光デバイスが有する半導体層及び電極のサイズも極めて小さくすることができるため、高い精細度と高い開口率を兼ね備えた表示装置を作製することができる。また、小型、かつ軽量の表示装置を実現することができる。

　具体的には、本発明の一態様の表示装置の精細度は、例えば、２０００ｐｐｉ以上、好ましくは３０００ｐｐｉ以上、より好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以上であって、２００００ｐｐｉ以下、または３００００ｐｐｉ以下とすることができる。

　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成及び作製方法について、説明する。

＜構成例１−１＞
　本発明の一態様である表示装置１００の上面図を、図１Ａに示す。表示装置１００は、複数の画素１１０がマトリクス状に配置された表示部と、表示部の外側の接続部１４０と、を有する。画素１１０はそれぞれ、複数の副画素を有する。図１Ａは、２行２列の画素１１０を示している。また、それぞれの画素１１０が３つの副画素（副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃ）を有する構成として、２行６列分の副画素を示している。接続部１４０は、カソードコンタクト部と呼ぶこともできる。

　副画素はそれぞれ、発光デバイスを有する。発光デバイスとして、発光ダイオード（ＬＥＤ）を用いることができる。発光ダイオードが有する発光材料に無機材料を用いることが好ましい。発光材料に無機材料を用いることで、表示装置の寿命を長くし、信頼性を高めることができる。また、発光ダイオードは自発光デバイスであるため、表示デバイスとして発光ダイオードを用いる場合、表示装置にはバックライトが不要であり、また偏光板を設けなくてもよい。したがって、表示装置の消費電力を低減することができ、また、薄型、かつ軽量の表示装置を実現することができる。また、発光ダイオードを用いた表示装置は、高い輝度（例えば、５０００ｃｄ／ｍ^２以上、好ましくは１００００ｃｄ／ｍ^２以上）、高いコントラスト、及び広い視野角を得られるため、高い表示品位を実現することができる。

　図１Ａに示す副画素の上面形状は、発光デバイスの発光領域の上面形状に相当する。なお、副画素の上面形状は、例えば、三角形、四角形（長方形、及び正方形を含む）、五角形などの多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形とすることができる。

　副画素はそれぞれ、発光デバイスを制御する機能を有する画素回路を有する。画素回路は、図１Ａに示す副画素の範囲に限定されず、その外側に配置されていてもよい。例えば、副画素１１０ａの画素回路が有するトランジスタは、図１Ａに示す副画素１１０ｂの範囲内に位置してもよく、一部または全てが副画素１１０ａの範囲外に位置してもよい。

　図１Ａでは、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃの開口率（サイズ、発光領域のサイズともいえる）を等しくまたは概略等しく示すが、本発明の一態様はこれに限定されない。副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃの開口率は、それぞれ適宜決定することができる。副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃの開口率はそれぞれ、異なっていてもよく、２つ以上が等しいまたは概略等しくてもよい。

　図１Ａに示す画素１１０には、ストライプ配列が適用されている。図１Ａに示す画素１１０は、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃの、３つの副画素から構成される。副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃは、それぞれ発光色の異なる発光デバイスを有する。副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、及び副画素１１０ｃとして、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色の副画素、黄（Ｙ）、シアン（Ｃ）、及びマゼンタ（Ｍ）の３色の副画素が挙げられる。また、副画素の色の種類は３つに限られず、４つ以上としてもよい。４色の副画素として、例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白（Ｗ）の４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色の副画素、及びＲ、Ｇ、Ｂ、赤外光（ＩＲ）の４色の副画素が挙げられる。

　本明細書等において、行方向をＸ方向、列方向をＹ方向という場合がある。Ｘ方向とＹ方向は交差し、例えば、垂直に交差する（図１Ａ参照）。図１Ａでは、異なる色の副画素がＸ方向に並べて配置されており、同じ色の副画素が、Ｙ方向に並べて配置されている例を示す。

　図１Ａにおける一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間、及び一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面図を、図１Ｂに示す。図１Ｂに示す断面図の一部の拡大図を、図２Ａ及び図２Ｂに示す。

　図１Ｂに示すように、表示装置１００は、層１０１上に発光デバイス１３０が設けられ、発光デバイス１３０を覆うように保護層１３１が設けられる。保護層１３１上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされる。

　発光デバイス１３０は、導電層１３２と、導電層１３２上のＬＥＤ層１３４と、ＬＥＤ層１３４上の導電層１１５とを有する。導電層１３２及び導電層１１５はそれぞれ、発光デバイス１３０の電極として機能する。一対の電極（導電層１３２及び導電層１１５）に挟持されるＬＥＤ層１３４は、少なくとも発光層を有する。図１Ｂに示す発光デバイス１３０は、ＬＥＤ層１３４の一方の面に導電層１３２を有し、反対側の面に導電層１１５を有する、いわゆる垂直構造の発光ダイオードということができる。

　次に、発光デバイス１３０の構成について、図２Ａを用いて説明する。図２Ａは、隣り合う２つの発光デバイス１３０とその周辺を含む領域の断面拡大図である。

　発光デバイス１３０は、導電層１３２と、導電層１１５と、導電層１３２と導電層１１５に挟持されるＬＥＤ層１３４を有する。ＬＥＤ層１３４は、半導体層１８６、発光層１８４、及び半導体層１８２をこの順に積層された積層構造を有する。なお、ＬＥＤ層１３４は、半導体層１８６、発光層１８４、及び半導体層１８２以外の層を有してもよい。

　発光層１８４は、半導体層１８６と半導体層１８２に挟持される。発光層１８４では、電子と正孔が結合することにより光を発する。半導体層１８６及び半導体層１８２の一方はｎ型の半導体層を用いることができ、他方はｐ型の半導体層を用いることができる。発光層１８４は、ｎ型、ｉ型、またはｐ型の半導体層を用いることができる。半導体層１８６、発光層１８４、及び半導体層１８２はいずれも半導体層を用いることができる。したがって、ＬＥＤ層は半導体層ということができる。

　ＬＥＤ層１３４は、赤色光、黄色光、緑色光、青色光、または紫外光などの光を呈するように形成される。ＬＥＤ層１３４の構成は特に限定されず、ｐｎ接合又はｐｉｎ接合を有するホモ構造、ヘテロ構造、又はダブルヘテロ構造であってもよく、ＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）接合であってもよい。ＬＥＤ層１３４は、超格子構造、単一量子井戸構造、又は多重量子井戸（ＭＱＷ：Ｍｕｌｔｉ　Ｑｕａｎｔｕｍ　Ｗｅｌｌ）構造であってもよい。また、ＬＥＤ層１３４は、ナノコラムを用いてもよい。

　ＬＥＤ層１３４は、例えば、第１３族元素及び第１５族元素を含む化合物を用いることができる。第１３族元素として、アルミニウム、ガリウム、及びインジウムが挙げられる。第１５族元素として、窒素、リン、ヒ素、及びアンチモンが挙げられる。ＬＥＤ層１３４は、例えば、ガリウム・リン化合物、ガリウム・ヒ素化合物、ガリウム・アルミニウム・ヒ素化合物、アルミニウム・ガリウム・インジウム・リン化合物、窒化ガリウム（ＧａＮ）、インジウム・窒化ガリウム化合物、またはセレン・亜鉛化合物を用いることができる。

　例えば、紫外から青の波長域の光を発するＬＥＤ層１３４には、窒化ガリウムを用いることができる。紫外から緑の波長域の光を発するＬＥＤ層１３４には、インジウム・窒化ガリウム化合物を用いることができる。緑から赤の波長域の光を発するＬＥＤ層１３４には、アルミニウム・ガリウム・インジウム・リン化合物、またはガリウム・ヒ素化合物を用いることができる。赤外の波長域の光を発するＬＥＤ層１３４には、ガリウム・ヒ素化合物を用いることができる。

　層１０１は、発光デバイス１３０を制御する機能を有する画素回路を含むことが好ましい。画素回路は、例えば、トランジスタ、容量素子、及び配線を有する構成とすることができる。図１Ｂは、画素回路を構成するトランジスタとして、トランジスタ１０５を示している。

　層１０１は、半導体基板または絶縁性基板上に画素回路が設けられた構成とすることができる。半導体基板として、シリコンまたは炭化シリコンを材料とした単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、またはＳＯＩ基板などを用いることができる。絶縁性基板として、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、または有機樹脂基板を用いることができる。なお、半導体基板、及び絶縁性基板の形状は円形であってもよく、角形であってもよい。半導体基板、及び絶縁性基板は、少なくとも後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する基板を用いることができる。

　層１０１は、例えば、複数のトランジスタが設けられた基板と、これらのトランジスタを覆う絶縁層との積層構造を適用することができる。トランジスタ上の絶縁層は、単層構造であってもよく、積層構造であってもよい。

　なお、層１０１は画素回路に加えて、ゲート線駆動回路（ゲートドライバ）、及びソース線駆動回路（ソースドライバ）の一方または双方を有してもよい。さらに、演算回路、及び記憶回路の一方または双方を有してもよい。

　層１０１上に、導電層１１１が設けられる。導電層１１１は、トランジスタ１０５と電気的に接続され、画素電極として機能する。導電層１１１上に、接続層１４４が設けられ、接続層１４４上に発光デバイス１３０が設けられる。接続層１４４は、導電性の材料を用いることができる。導電性の材料として、例えば、金、銀、及び錫などの金属、これらの金属を有する合金、導電性フィルム、または導電性ペーストを用いることができる。接続層１４４は、例えば、金を好適に用いることができる。接続層１４４の形成は、印刷法、転写法、または吐出法を用いることができる。発光デバイス１３０が有する導電層１３２は、接続層１４４を介して導電層１１１と電気的に接続される。導電層１３２、接続層１４４、及び導電層１１１はまとめて画素電極として機能するということができる。なお、接続層１４４を設けず、導電層１１１と導電層１３２が直接接して電気的に接続される構成してもよい。

　図１Ｂは、ＬＥＤ層１３４、導電層１３２、接続層１４４、及び導電層１１１の端部が揃っている、または概略揃っている、つまり、ＬＥＤ層１３４、導電層１３２、接続層１４４、及び導電層１１１の上面形状が一致、または概略一致する例を示している。例えば、ＬＥＤ層１３４、導電層１３２、接続層１４４、及び導電層１１１は同じマスクを用いて形成することができる。少なくとも、ＬＥＤ層１３４と導電層１３２の端部が揃っている、または概略揃っていることが好ましい。このような構成とすることで、導電層１３２が設けられている領域全体を発光デバイス１３０の発光領域として用いることができ、画素の開口率を高めることができる。なお、ＬＥＤ層１３４、導電層１３２、接続層１４４、及び導電層１１１の一部の端部が揃っていなくてもよい。

　なお、端部が揃っている、または概略揃っている場合、及び、上面形状が一致または概略一致している場合、上面視において、積層した層と層との間で少なくとも輪郭の一部が重なっているといえる。例えば、上層と下層とが、同一のマスクパターン、または一部が同一のマスクパターンにより加工された場合を含む。ただし、厳密には輪郭が重なり合わず、上層が下層の内側に位置すること、または、上層が下層の外側に位置することもあり、この場合も端部が概略揃っている、または、上面形状が概略一致している、という。

　ＬＥＤ層１３４上に設けられる導電層１１５は、複数の発光デバイス１３０に共通して設けられ、共通電極として機能する。

　導電層１１５は、接続部１４０に設けられた導電層１２３と電気的に接続される。導電層１２３は、導電層１１１と同じ材料を用いることができる。また、導電層１２３は、導電層１１１と同じ工程で形成することができる。

　図１Ａでは、上面視において、接続部１４０が表示部の下側に位置する例を示すが、接続部の位置は特に限定されない。接続部１４０は、上面視で、表示部の上側、右側、左側、下側の少なくとも一箇所に設けられていればよく、表示部の四辺を囲むように設けられていてもよい。接続部１４０の上面形状も特に限定されず、帯状、Ｌ字状、Ｕ字状、または枠状とすることができる。また、接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。

　図１Ｂ及び図２Ａに示すように、隣り合う発光デバイス１３０の間に、絶縁層１２５と、絶縁層１２５上の充填層１２７と、が設けられる。絶縁層１２５は、ＬＥＤ層１３４、導電層１３２、接続層１４４、及び導電層１１１の側面、並びに層１０１の上面に接して設けられる。さらに、絶縁層１２５は、ＬＥＤ層１３４の上面の一部と接する領域を有することが好ましい。充填層１２７は、絶縁層１２５に形成された凹部を充填するように、絶縁層１２５上に設けられる。充填層１２７は、絶縁層１２５の側面の少なくとも一部を覆うことが好ましい。充填層１２７は、絶縁層１２５を介して、ＬＥＤ層１３４の側面と重畳する領域を有する構成とすることができる。充填層１２７上に、導電層１１５が設けられる。

　絶縁層１２５及び充填層１２７を設けることにより、発光デバイス１３０が設けられる領域と、発光デバイス１３０が設けられない領域の間に生じる段差を小さくすることができる。したがって、共通電極として機能する導電層１１５の被形成面の凹凸が低減し、導電層１１５の被覆性を高めることができる。したがって、導電層１１５の段切れによる接続不良を抑制することができる。また、段差によって導電層１１５が局所的に薄くなり、電気抵抗が上昇することを抑制することができる。

　なお、本明細書等において、段切れとは、層、膜、または電極が、被形成面の形状（例えば、段差）に起因して分断されてしまう現象を示す。

　充填層１２７は、上面の高さがＬＥＤ層１３４の上面の高さより高い領域を有することが好ましい。充填層１２７の上面はより平坦性の高い形状を有することが好ましいが、凸部、凸曲面、凹曲面、または凹部を有していてもよい。例えば、充填層１２７の上面は、平坦性の高い、滑らかな凸曲面形状を有することが好ましい。

　ＬＥＤ層１３４の上面の一部及び側面は、絶縁層１２５に覆われている。充填層１２７は、絶縁層１２５を介して、ＬＥＤ層１３４の上面の一部及び側面と重畳する領域を有する。ＬＥＤ層１３４の上面の一部及び側面が、絶縁層１２５、及び充填層１２７の少なくとも一つに覆われていることで、不純物の混入を抑制することができる。したがって、発光デバイス１３０の劣化を抑制することができ、発光デバイス１３０の信頼性を高めることができる。

　導電層１３２、接続層１４４、及び導電層１１１の側面は、絶縁層１２５に覆われている。充填層１２７は、絶縁層１２５を介して、導電層１３２、接続層１４４、及び導電層１１１の側面と重畳する領域を有する。導電層１３２、接続層１４４、及び導電層１１１の側面が、絶縁層１２５、及び充填層１２７の少なくとも一つに覆われていることで、導電層１１５が、導電層１３２、接続層１４４、及び導電層１１１の一以上と接することを抑制することができる。したがって、発光デバイス１３０のショートを抑制することができ、発光デバイス１３０の信頼性を高めることができる。

　絶縁層１２５は、ＬＥＤ層１３４の側面と接することが好ましい。絶縁層１２５がＬＥＤ層１３４と接する構成とすることで、ＬＥＤ層１３４の膜剥がれを抑制することができる。絶縁層１２５とＬＥＤ層１３４が密着することで、隣り合うＬＥＤ層１３４が絶縁層１２５によって固定される、または、接着される効果を奏する。これにより、発光デバイス１３０の信頼性を高めることができる。また、発光デバイス１３０の作製歩留まりを高めることができる。

　例えば、接続層１４４に密着性が低い、または機械的強度が低い材料を用いる場合であっても、絶縁層１２５をＬＥＤ層１３４の側面、導電層１３２の側面、導電層１１１の側面、及び層１０１の上面の一部と接する構成とすることにより、接続層１４４が固定されるため、接続層１４４の膜剥がれを抑制することができ、また機械的強度を高めることができる。

　絶縁層１２５及び充填層１２７が、ＬＥＤ層１３４の上面の一部及び側面の双方を覆うことで、ＬＥＤ層１３４の膜剥がれをより抑制することができ、発光デバイス１３０の信頼性を高めることができる。また、発光デバイス１３０の作製歩留まりをより高めることができる。

　図１Ｂでは、絶縁層１２５及び充填層１２７の断面が複数示されているが、上面視において、絶縁層１２５及び充填層１２７はそれぞれ１つに繋がっている。つまり、表示装置１００は、例えば、絶縁層１２５及び充填層１２７を１つずつ有する構成とすることができる。なお、表示装置１００は、互いに分離された複数の絶縁層１２５を有してもよく、また互いに分離された複数の充填層１２７を有してもよい。

　次に、絶縁層１２５及び充填層１２７に用いることができる材料について、説明する。

　絶縁層１２５は、無機材料を有する絶縁層とすることができる。絶縁層１２５には、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜等の無機絶縁膜を用いることができる。絶縁層１２５は単層構造であってもよく積層構造であってもよい。酸化絶縁膜として、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化マグネシウム膜、インジウムガリウム亜鉛酸化物膜、酸化ガリウム膜、酸化ゲルマニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ランタン膜、酸化ネオジム膜、酸化ハフニウム膜、及び酸化タンタル膜等が挙げられる。窒化絶縁膜として、窒化シリコン膜及び窒化アルミニウム膜等が挙げられる。酸化窒化絶縁膜として、酸化窒化シリコン膜、及び酸化窒化アルミニウム膜等が挙げられる。窒化酸化絶縁膜として、窒化酸化シリコン膜、及び窒化酸化アルミニウム膜等が挙げられる。特に、酸化アルミニウムは、エッチングにおいて、ＬＥＤ層１３４との選択比が高く、充填層１２７の形成において、ＬＥＤ層１３４を保護する機能を有するため、好ましい。特に、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成した酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、または酸化シリコン膜等の無機絶縁膜を絶縁層１２５に適用することで、ピンホールが少なく、ＬＥＤ層１３４を保護する機能に優れた絶縁層１２５を形成することができる。また、絶縁層１２５は、ＡＬＤ法により形成した膜と、スパッタリング法により形成した膜と、の積層構造としてもよい。絶縁層１２５は、例えば、ＡＬＤ法によって形成された酸化アルミニウム膜と、スパッタリング法によって形成された窒化シリコン膜と、の積層構造であってもよい。

　なお、本明細書等において、酸化窒化物とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化物とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。例えば、酸化窒化シリコンと記載した場合は、その組成として窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化シリコンと記載した場合は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を示す。

　絶縁層１２５は、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア絶縁層としての機能を有することが好ましい。また、絶縁層１２５は、水及び酸素の少なくとも一方の拡散を抑制する機能を有することが好ましい。また、絶縁層１２５は、水及び酸素の少なくとも一方を捕獲、または固着する（ゲッタリングともいう）機能を有することが好ましい。

　なお、本明細書等において、バリア絶縁層とは、バリア性を有する絶縁層のことを示す。また、本明細書等において、バリア性とは、対応する物質の拡散を抑制する機能（透過性が低いともいう）とする。または、対応する物質を、捕獲、または固着する（ゲッタリングともいう）機能とする。

　絶縁層１２５が、バリア絶縁層としての機能、またはゲッタリング機能を有することで、外部から各発光デバイスに拡散しうる不純物（代表的には、水及び酸素の少なくとも一方）の侵入を抑制することが可能な構成となる。当該構成とすることで、信頼性の高い発光デバイス、さらには、信頼性の高い表示装置を提供することができる。

　絶縁層１２５は、不純物濃度が低いことが好ましい。これにより、絶縁層１２５からＬＥＤ層１３４に不純物が混入し、ＬＥＤ層１３４が劣化することを抑制することができる。また、絶縁層１２５において、不純物濃度を低くすることで、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア性を高めることができる。例えば、絶縁層１２５は、水素濃度及び炭素濃度の一方、好ましくは双方が十分に低いことが望ましい。

　絶縁層１２５上に設けられる充填層１２７は、隣り合う発光デバイス１３０間に形成された絶縁層１２５の凹凸を小さくする機能を有する。換言すると、充填層１２７を有することで導電層１１５の被形成面の平坦性を高める効果を奏する。

　充填層１２７は、有機材料を有する絶縁層を好適に用いることができる。有機材料は、感光性の樹脂を用いることが好ましく、例えば、感光性のアクリル樹脂を用いることが好ましい。なお、本明細書などにおいて、アクリル樹脂とは、ポリメタクリル酸エステル、またはメタクリル樹脂だけを指すものではなく、広義のアクリル系ポリマー全体を指す場合がある。

　充填層１２７として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シリコーン樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等を用いてもよい。また、充填層１２７として、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、またはアルコール可溶性のポリアミド樹脂等の有機材料を用いてもよい。また、感光性の樹脂はフォトレジストを用いてもよい。感光性の樹脂として、ポジ型の材料及びネガ型の材料のどちらを用いてもよい。

　充填層１２７に光の透過率が低い材料を用い、充填層１２７が遮光性を有する構成とすることが好ましい。充填層１２７は、可視光を吸収する材料を用いてもよい。充填層１２７が発光デバイス１３０から射出される光を遮ることで、発光デバイス１３０から充填層１２７を介して他の副画素に漏れる光（迷光）を抑制することができる。これにより、表示装置の表示品位を高めることができる。また、表示装置に偏光板を用いなくても、表示品位を高めることができるため、軽量、かつ薄型の表示装置を実現できる。

　可視光を吸収する材料として、黒色などの顔料を含む材料、染料を含む材料、光吸収性を有する樹脂材料（例えばポリイミドなど）、及び、カラーフィルタに用いることのできる樹脂材料（カラーフィルタ材料）が挙げられる。２色、または３色以上のカラーフィルタ材料を積層または混合した樹脂材料を用いると、可視光の遮蔽効果を高めることができるため好ましい。特に、３色以上のカラーフィルタ材料を混合させることで、黒色または黒色近傍の樹脂層とすることが可能となる。

　充填層１２７に用いる材料は体積収縮率が低いことが好ましい。これにより、充填層１２７を所望の形状で形成することが容易となる。また、充填層１２７は硬化後の体積収縮率が低いことが好ましい。これにより、充填層１２７を形成した後の各種工程にて充填層１２７の形状を保ちやすくなる。具体的には、熱硬化後、光硬化後、または、光硬化及び熱硬化後の充填層１２７の体積収縮率は、それぞれ、１０％以下が好ましく、５％以下がより好ましく、１％以下がさらに好ましい。ここで、体積収縮率として、光照射による体積収縮率及び加熱による体積収縮率の一方の値、または、双方の和を用いることができる。

　充填層１２７に適用できる材料として、絶縁性の材料を例に挙げて説明したが、充填層１２７の導電性は特に限定されない。充填層１２７に半導体の材料を適用してもよく、または導電性の材料を適用してもよい。例えば、充填層１２７に導電性の材料を適用することにより、静電気放電（ＥＳＤ：Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｓｔａｔｉｃ　Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）によって発生する過電流に対する表示装置の耐性を高めることができる。充填層１２７は、例えば、金属粒子を分散させた樹脂を用いることができる。

　充填層１２７に導電性の材料を適用する場合、充填層１２７と、導電層１３２、接続層１４４、及び導電層１１１との間に絶縁層１２５を設けることが好ましい。導電層１３２、接続層１４４、及び導電層１１１の側面が絶縁層１２５に覆われていることにより、充填層１２７を介して、導電層１１５が導電層１３２、接続層１４４、及び導電層１１１の一以上と接することを抑制することができる。したがって、発光デバイス１３０のショートを抑制することができ、発光デバイス１３０の信頼性を高めることができる。

　次に、図２Ａ及び図２Ｂを用いて、充填層１２７とその近傍の構造について説明する。図２Ｂは、図２Ａに示すＬＥＤ層１３４上の充填層１２７の端部とその近傍の断面拡大図である。

　図２Ａ及び図２Ｂに示すように、充填層１２７の端部は、絶縁層１２５の端部よりも外側に位置することが好ましい。これにより、導電層１１５の被形成面（ここでは、充填層１２７及びＬＥＤ層１３４）の凹凸を低減し、導電層１１５の被覆性を高めることができる。さらに、図２Ｂに示すように、断面視において、充填層１２７の端部はテーパ形状であることが好ましい。

　本明細書等において、テーパ形状とは、構造の側面の少なくとも一部が、基板面または被形成面に対して傾斜して設けられている形状のことを指す。例えば、傾斜した側面と基板面または被形成面とがなす角（テーパ角ともいう）が９０°未満である領域を有すると好ましい。なお、構造の側面、基板面及び被形成面は、必ずしも完全に平坦である必要はなく、微小な曲率を有する略平面状、または微細な凹凸を有する略平面状であってもよい。

　充填層１２７の側面と被形成面（ここでは、ＬＥＤ層１３４）のなす角θ１は、９０°未満が好ましく、さらには６０°以下が好ましく、さらには４５°以下が好ましく、さらには２０°以下が好ましい。充填層１２７の端部をテーパ形状にすることで、充填層１２７上に設けられる導電層１１５を被覆性高く成膜でき、段切れ、または局所的に膜厚が薄くなることを抑制できる。これにより、導電層１１５の膜厚、及び抵抗の面内均一性が高まり、表示装置の表示品位を高めることができる。

　図２Ａに示すように、断面視において、充填層１２７の上面は凸曲面形状を有することが好ましい。充填層１２７の上面の凸曲面形状は、中心に向かってなだらかに膨らんだ形状であることが好ましい。また、充填層１２７上面の中心部の凸曲面部が、端部のテーパ部に連続的に接続される形状であることが好ましい。充填層１２７をこのような形状にすることで、充填層１２７上全体で導電層１１５を被覆性高く成膜することができる。

　図２Ｂに示すように、断面視において、絶縁層１２５の端部はテーパ形状であることが好ましい。絶縁層１２５の側面と被形成面（ここでは、ＬＥＤ層１３４）のなす角θ２は、９０°未満が好ましく、さらには６０°以下が好ましく、さらには４５°以下が好ましく、さらには２０°以下が好ましい。絶縁層１２５の端部をテーパ形状にすることで、絶縁層１２５上に設けられる充填層１２７を被覆性高く成膜することができる。充填層１２７を被覆性高く成膜することにより、さらに充填層１２７上に設けられる導電層１１５を被覆性高く成膜することができる。

　なお、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、充填層１２７の端部は、絶縁層１２５の端部よりも内側に位置してもよい。また、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、充填層１２７の端部は、絶縁層１２５の端部と揃っている、または概略揃っていてもよい。

　図５Ａに示すように、絶縁層１２５及び充填層１２７はそれぞれ、ＬＥＤ層１３４の上面と接する領域を有さなくてもよい。また、図５Ｂに示すように、絶縁層１２５、充填層１２７、及びＬＥＤ層１３４の上面の高さが互いに揃っている、または概略揃っていてもよい。または、図６Ａに示すように、充填層１２７は、上面の高さがＬＥＤ層１３４の上面の高さより低い領域を有してもよい。図６Ａは、充填層１２７が、上面が凹部を有する例を示している。

　図６Ｂに示すように、絶縁層１２５及び充填層１２７はそれぞれ、ＬＥＤ層１３４の側面全体を覆っていなくてもよい。なお、絶縁層１２５は、少なくとも発光層１８４の側面全体を覆っていることが好ましい。

　充填層１２７の上面は、滑らかな形状を有することが好ましい。例えば、図７Ａに示すように、断面視において、充填層１２７の上面は凹曲面形状を有してもよい。図７Ａは、充填層１２７の上面が、中心に向かってなだらかに膨らんだ形状、つまり凸曲面を有し、かつ、中央及びその近傍が窪んだ形状、つまり凹曲面を有する例を示している。また、充填層１２７上面の凸曲面部は、端部のテーパ部に連続的に接続される形状である。充填層１２７がこのような形状であっても、充填層１２７上全体で、導電層１１５を被覆性高く成膜することができる。なお、充填層１２７の上面はこれに限定されず、例えば、図７Ｂに示すように充填層１２７は上面が平坦、または概略平坦の領域を有してもよい。充填層１２７が、上面が平坦、または概略平坦の領域を有することで、例えば、他の基板と貼り合わせを行う場合に、貼り合わせた面の接合強度を高めることができる。また、凹凸に起因する接合不良が抑制され、生産性を高めることができる。

　本発明の一態様の表示装置１００は、発光デバイス１３０の被形成面（ここでは、層１０１）とは反対方向に光を射出する上面射出型（トップエミッション型）、発光デバイス１３０の被形成面側に光を射出する下面射出型（ボトムエミッション型）、両面に光を射出する両面射出型（デュアルエミッション型）のいずれであってもよい。図１Ｂ等は、上面射出型（トップエミッション型）の例として、基板１２０側から射出される光を白抜き矢印で模式的に示している。上面射出型（トップエミッション型）を適用する場合は、基板１２０は可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。導電層１３２、及び導電層１１１の一方または双方は光を反射する材料を用い、導電層１１５は光を透過する材料を用いる構成とすることが好ましい。

　光が射出される面（ここでは、基板１２０）と発光デバイス１３０との間に、着色層１０７ａ、着色層１０７ｂ、及び着色層１０７ｃが設けられている。着色層１０７ａ、着色層１０７ｂ、及び着色層１０７ｃはそれぞれ、例えば、赤色光、緑色光、または青色光を透過するカラーフィルタとして機能する。着色層１０７ａ、着色層１０７ｂ、及び着色層１０７ｃは、金属材料、樹脂材料、顔料又は染料が含まれた樹脂材料を用いることができる。なお、着色層１０７ａ、着色層１０７ｂ、及び着色層１０７ｃをまとめて着色層１０７と記す場合がある。

　着色層１０７ａ、着色層１０７ｂ、及び着色層１０７ｃと、発光デバイス１３０との間に、色変換層１０９が設けられている。色変換層１０９は、例えば、色変換材料が混合された樹脂層を用いることができる。色変換材料は、例えば、蛍光体または量子ドット（ＱＤ：Ｑｕａｎｔｕｍ　ｄｏｔ）を用いることができる。特に、量子ドット（ＱＤ）は、発光スペクトルのピーク幅が狭く、色純度の高い発光を得ることができる。これにより、表示装置の表示品位を高めることができる。なお、色変換材料に、蛍光体及び量子ドット（ＱＤ）の双方を用いてもよい。

　量子ドット（ＱＤ）を構成する材料は特に限定は無く、例えば、第１４族元素、第１５族元素、第１６族元素、複数の第１４族元素からなる化合物、第４族から第１４族に属する元素と第１６族元素との化合物、第２族元素と第１６族元素との化合物、第１３族元素と第１５族元素との化合物、第１３族元素と第１７族元素との化合物、第１４族元素と第１５族元素との化合物、第１１族元素と第１７族元素との化合物、酸化鉄類、酸化チタン類、カルコゲナイドスピネル類、各種半導体クラスターなどが挙げられる。

　量子ドット（ＱＤ）を構成する材料として、具体的には、セレン化カドミウム、硫化カドミウム、テルル化カドミウム、セレン化亜鉛、酸化亜鉛、硫化亜鉛、テルル化亜鉛、硫化水銀、セレン化水銀、テルル化水銀、砒化インジウム、リン化インジウム、砒化ガリウム、リン化ガリウム、窒化インジウム、窒化ガリウム、アンチモン化インジウム、アンチモン化ガリウム、リン化アルミニウム、砒化アルミニウム、アンチモン化アルミニウム、セレン化鉛、テルル化鉛、硫化鉛、セレン化インジウム、テルル化インジウム、硫化インジウム、セレン化ガリウム、硫化砒素、セレン化砒素、テルル化砒素、硫化アンチモン、セレン化アンチモン、テルル化アンチモン、硫化ビスマス、セレン化ビスマス、テルル化ビスマス、ケイ素、炭化ケイ素、ゲルマニウム、錫、セレン、テルル、ホウ素、炭素、リン、窒化ホウ素、リン化ホウ素、砒化ホウ素、窒化アルミニウム、硫化アルミニウム、硫化バリウム、セレン化バリウム、テルル化バリウム、硫化カルシウム、セレン化カルシウム、テルル化カルシウム、硫化ベリリウム、セレン化ベリリウム、テルル化ベリリウム、硫化マグネシウム、セレン化マグネシウム、硫化ゲルマニウム、セレン化ゲルマニウム、テルル化ゲルマニウム、硫化錫、セレン化錫、テルル化錫、酸化鉛、フッ化銅、塩化銅、臭化銅、ヨウ化銅、酸化銅、セレン化銅、酸化ニッケル、酸化コバルト、硫化コバルト、酸化鉄、硫化鉄、酸化マンガン、硫化モリブデン、酸化バナジウム、酸化タングステン、酸化タンタル、酸化チタン、酸化ジルコニウム、窒化ケイ素、窒化ゲルマニウム、酸化アルミニウム、チタン酸バリウム、セレンと亜鉛とカドミウムの化合物、インジウムと砒素とリンの化合物、カドミウムとセレンと硫黄の化合物、カドミウムとセレンとテルルの化合物、インジウムとガリウムと砒素の化合物、インジウムとガリウムとセレンの化合物、インジウムとセレンと硫黄の化合物、銅とインジウムと硫黄の化合物、およびこれらの組み合わせなどが挙げられる。また、組成が任意の比率で表される、いわゆる合金型量子ドットを用いてもよい。

　量子ドット（ＱＤ）の構造として、コア型、コア−シェル型、及びコア−マルチシェル型が挙げられる。また、量子ドットは（ＱＤ）、表面原子の割合が高いことから、反応性が高く、凝集が起こりやすい。そのため、量子ドット（ＱＤ）の凝集を防ぎ、分散媒への分散性を高めるため、量子ドットの表面には保護剤が付着している、または保護基が設けられていることが好ましい。また、これにより、反応性を低減させ、電気的安定性を向上させることもできる。

　量子ドット（ＱＤ）は、サイズが小さくなるに従いバンドギャップが大きくなるため、所望の波長の光が得られるように、そのサイズを適宜調整する。結晶のサイズが小さくなるにつれて、量子ドット（ＱＤ）の発光は短波長側へ、つまり、高エネルギー側へシフトするため、量子ドットのサイズを変更させることにより、紫外、可視、及び赤外の波長領域にわたって、その発光波長を調整することができる。量子ドットのサイズ（直径）は、例えば、０．５ｎｍ以上２０ｎｍ以下、好ましくは１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。量子ドットはそのサイズ分布が狭いほど、発光スペクトルがより狭線化し、色純度の良好な発光を得ることができる。また、量子ドット（ＱＤ）の形状は特に限定されず、球状、棒状、円盤状、その他の形状であってもよい。棒状の量子ロッドは、指向性を有する光を呈する機能を有する。

　色変換層１０９が有する色変換材料は、発光デバイス１３０が射出する光によって励起されることにより、光を射出する材料を用いることができる。例えば、色変換材料が射出する光の色を、発光デバイス１３０が射出する光の色の補色とすることにより、色変換層１０９から白色光を射出することができる。

　例えば、色変換層１０９が黄色光を射出する色変換材料を有し、発光デバイス１３０が青色光を射出する構成とすることにより、色変換層１０９から白色光が射出される。また、赤色光を透過する着色層１０７ａが設けられた副画素１１０ａにおいて、発光デバイス１３０が射出する光は色変換層１０９及び着色層１０７ａを透過することにより、赤色光が射出される。同様に、緑色光を透過する着色層１０７ｂが設けられた副画素１１０ｂにおいて、発光デバイス１３０が射出する光は色変換層１０９及び着色層１０７ｂを透過することにより、緑色光が射出される。青色光を透過する着色層１０７ｃが設けられた副画素１１０ｃにおいて、発光デバイス１３０が射出する光は色変換層１０９及び着色層１０７ｃを透過することにより、青色光が射出される。

　本発明の一態様である表示装置は、１種類の発光デバイス１３０を用いてカラー表示を行うことができる。また、表示装置に用いられる発光デバイス１３０は１種類であるため、製造プロセスを簡略にできる。したがって、本発明の一態様により、製造コストが低く、輝度が高く、コントラストが高く、応答速度が速く、かつ消費電力が低い表示装置とすることができる。

　なお、色変換層１０９が有する色変換材料から射出される光の色と、発光デバイス１３０が射出する光の色の組み合わせは特に限定されない。例えば、色変換層１０９が赤色光を射出する色変換材料を有し、発光デバイス１３０が青緑色光を射出する構成とすることにより、色変換層１０９から白色光を射出させてもよい。また、色変換層１０９が赤色光を射出する色変換材料、緑色光を射出する色変換材料、及び青色光を射出する色変換材料を有し、発光デバイス１３０が近紫外光または紫色光を射出する構成とすることにより、色変換層１０９から白色光を射出させてもよい。

　発光デバイス１３０上に保護層１３１を有することが好ましい。保護層１３１を設けることで、発光デバイス１３０の信頼性を高めることができる。保護層１３１は単層構造でもよく、２層以上の積層構造であってもよい。

　保護層１３１の導電性は問わない。保護層１３１は、絶縁膜、半導体膜、及び導電膜の少なくとも一種を用いることができる。

　保護層１３１が無機膜を有することで、導電層１１５が酸化されること、及び発光デバイス１３０に不純物（水分及び酸素等）が入り込むことを抑制することができる。したがって、発光デバイス１３０の劣化が抑制され、表示装置の信頼性を高めることができる。

　保護層１３１は、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜等の無機絶縁膜を用いることができる。これらの無機絶縁膜の具体例は、絶縁層１２５の説明で挙げた通りである。特に、保護層１３１は、窒化絶縁膜または窒化酸化絶縁膜を有することが好ましく、窒化絶縁膜を有することがより好ましい。

　保護層１３１には、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＯともいう）、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ａｌ−Ｚｎ酸化物、またはインジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、ＩＧＺＯともいう）等を含む無機膜を用いることもできる。当該無機膜は、高抵抗であることが好ましく、具体的には、導電層１１５よりも高抵抗であることが好ましい。当該無機膜は、さらに窒素を含んでいてもよい。

　発光デバイス１３０の発光を、保護層１３１を介して取り出す場合、保護層１３１は、可視光に対する透過性が高いことが好ましい。例えば、ＩＴＯ、ＩＧＺＯ、及び、酸化アルミニウムは、それぞれ、可視光に対する透過性が高い無機材料であるため、好ましい。

　保護層１３１は、例えば、酸化アルミニウム膜と、酸化アルミニウム膜上の窒化シリコン膜と、の積層構造、または、酸化アルミニウム膜と、酸化アルミニウム膜上のＩＧＺＯ膜と、の積層構造等を用いることができる。当該積層構造を用いることで、ＬＥＤ層１３４側へ不純物（例えば、水及び酸素）が拡散することを抑制することができる。

　保護層１３１は、さらに有機膜を有していてもよい。例えば、保護層１３１は、有機膜と無機膜の双方を有していてもよい。保護層１３１に用いることができる有機材料として、例えば、充填層１２７に用いることができる有機絶縁材料などが挙げられる。

　保護層１３１は、異なる成膜方法を用いて形成された２層構造であってもよい。具体的には、ＡＬＤ法を用いて保護層１３１の第１層目を形成し、スパッタリング法を用いて保護層１３１の第２層目を形成してもよい。

　基板１２０の樹脂層１２２側の面には、遮光層を設けてもよい。また、基板１２０の外側には各種光学部材を配置することができる。光学部材として、偏光板、位相差板、光拡散層（拡散フィルムなど）、反射防止層、及び集光フィルム等が挙げられる。また、基板１２０の外側には、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜、衝撃吸収層等の表面保護層を配置してもよい。例えば、表面保護層として、ガラス層またはシリカ層（ＳｉＯ_ｘ層）を設けることで、表面汚染及び傷の発生を抑制することができ、好ましい。また、表面保護層は、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、酸化アルミニウム（ＡｌＯ_ｘ）、ポリエステル系材料、またはポリカーボネート系材料などを用いてもよい。なお、表面保護層には、可視光に対する透過率が高い材料を用いることが好ましい。また、表面保護層には、硬度が高い材料を用いることが好ましい。

　基板１２０は、ガラス、石英、セラミックス、サファイア、樹脂、金属、合金、または半導体を用いることができる。発光デバイス１３０からの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。基板１２０に可撓性を有する材料を用いると、表示装置の可撓性を高め、フレキシブルディスプレイを実現することができる。また、基板１２０として偏光板を用いてもよい。

　基板１２０は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、アラミド等）、ポリシロキサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ＡＢＳ樹脂、またはセルロースナノファイバーを用いることができる。基板１２０に、可撓性を有する程度の厚さのガラスを用いてもよい。

　なお、表示装置に円偏光板を重ねる場合、表示装置が有する基板には、光学等方性の高い基板を用いることが好ましい。光学等方性が高い基板は、複屈折が小さい（複屈折量が小さい、ともいえる）。

　光学等方性が高い基板のリタデーション（位相差）値の絶対値は、３０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以下がさらに好ましい。

　光学等方性が高いフィルムとして、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ、セルローストリアセテートともいう）フィルム、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）フィルム、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）フィルム、及びアクリルフィルムが挙げられる。

　基板１２０にフィルムを用いる場合、フィルムが吸水することで、表示装置にしわが発生するなどの形状変化が生じる恐れがある。そのため、基板１２０は、吸水率の低いフィルムを用いることが好ましい。例えば、吸水率が１％以下のフィルムを用いることが好ましく、０．１％以下のフィルムを用いることがより好ましく、０．０１％以下のフィルムを用いることがさらに好ましい。

　樹脂層１２２は、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤として、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラール）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。

　以下では、前述の＜構成例１−１＞と異なる構成例について、説明する。なお、＜構成例１−１＞と重複する部分は説明を省略する場合がある。また、以下で示す図面において、＜構成例１−１＞と同様の機能を有する部分についてはハッチングパターンを同じくし、符号を付さない場合もある。

＜構成例１−２＞
　本発明の一態様である表示装置の断面図を、図８に示す。上面図は、図１Ａを参照できる。図８に示す断面図の一部の拡大図を、図９Ａ及び図９Ｂに示す。

　図８に示す表示装置は、絶縁層１２５と充填層１２７との間に反射層１２１を有する点で、＜構成例１−１＞に示す表示装置と主に異なる。反射層１２１は、ＬＥＤ層１３４の側面と重畳する領域を有することが好ましい。反射層１２１は、ＬＥＤ層１３４から射出される光を反射する機能を有する。反射層１２１を設けることで、ＬＥＤ層１３４の側面から射出される光を導電層１１５側または導電層１３２側に反射させることができる。これにより、表示装置１００の輝度を高めることができる。また、反射層１２１を設けることで、絶縁層１２５及び充填層１２７を介して隣の副画素に漏れる光（迷光ともいう）を抑制することができる。これにより、表示装置１００の表示品位を高めることができる。図９Ａは、ＬＥＤ層１３４から隣の副画素側に射出された光を矢印で模式的に示している。図９Ａに示すように、ＬＥＤ層１３４から隣の副画素側に射出された光を反射層１２１で反射させることにより、隣の副画素に漏れる光（迷光ともいう）を抑制することができる。

　反射層１２１は、発光デバイス１３０が発する光の反射率が高い材料で形成することが好ましい。反射層１２１は、例えば、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、スズ、亜鉛、銀、白金、金、モリブデン、タンタル、またはタングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金（例えば、銀とパラジウムと銅の合金（ＡＰＣ：Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ））を用いることができる。反射層１２１は、前述の２つ以上の材料の積層であってもよい。

　反射層１２１を設ける場合、反射層１２１と、導電層１３２、接続層１４４、及び導電層１１１との間に絶縁層１２５を設けることが好ましい。導電層１３２、接続層１４４、及び導電層１１１の側面が絶縁層１２５に覆われていることにより、反射層１２１を介して、導電層１１５が導電層１３２、接続層１４４、及び導電層１１１の一以上と接することを抑制することができる。したがって、発光デバイス１３０のショートを抑制することができ、発光デバイス１３０の信頼性を高めることができる。

　反射層１２１を設ける場合、充填層１２７に光の透過率が高い材料を用い、充填層１２７が遮光性を有さない構成としてもよい。反射層１２１を設けることにより、隣の副画素に漏れる光（迷光）を抑制することができる。なお、反射層１２１を設け、かつ充填層１２７が遮光性を有する構成としてもよい。

　図９Ｂに示すように、断面視において、反射層１２１の端部はテーパ形状を有することが好ましい。反射層１２１の側面と被形成面（ここでは、絶縁層１２５）のなす角θ３は、９０°未満が好ましく、さらには６０°以下が好ましく、さらには４５°以下が好ましく、さらには２０°以下が好ましい。マスク層１１８をテーパ形状にすることで、反射層１２１上に設けられる充填層１２７を被覆性高く成膜することができる。充填層１２７を被覆性高く成膜することにより、さらに充填層１２７上に設けられる導電層１１５を被覆性高く成膜することができる。

＜構成例１−３＞
　本発明の一態様である表示装置の断面図を、図１０に示す。上面図は、図１Ａを参照できる。図１０に示す断面図の一部の拡大図を、図１１Ａ及び図１１Ｂに示す。

　図１０に示す表示装置は、絶縁層１２５とＬＥＤ層１３４との間にマスク層１１８を有する点で、＜構成例１−１＞に示す表示装置と主に異なる。マスク層１１８は、ＬＥＤ層１３４上に設けられる。マスク層１１８は、ＬＥＤ層１３４を形成する際にＬＥＤ層１３４の上面に接して設けたマスク層の一部が残存しているものである。本発明の一態様の表示装置は、その作製時にＬＥＤ層１３４を保護するために用いるマスク層が一部残存していてもよい。なお、図１０は、接続部１４０において、導電層１２３上にマスク層１１８が設けられない例を示している。

　本明細書等において、マスク膜及びマスク層とはそれぞれ、少なくともＬＥＤ層の上方に位置し、製造工程中において、ＬＥＤ層を保護する機能を有する。ＬＥＤ層上にマスク層を設けることで、表示装置の作製工程中にＬＥＤ層が受けるダメージを低減し、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　マスク層１１８の一方の端部は、ＬＥＤ層１３４の端部と揃っている、または概略揃っており、マスク層１１８の他方の端部は、ＬＥＤ層１３４上に位置する。マスク層１１８は、例えば、島状のＬＥＤ層１３４の上面と、絶縁層１２５との間に位置する。

　ＬＥＤ層１３４の上面の一部は、マスク層１１８によって覆われている。絶縁層１２５及び充填層１２７は、マスク層１１８を介して、ＬＥＤ層１３４の上面の一部と重畳する領域を有する。

　なお、絶縁層１２５とマスク層１１８には同じ材料を用いることができる。この場合、マスク層１１８と絶縁層１２５との境界が不明瞭となり区別できない場合がある。よって、マスク層１１８と絶縁層１２５が、１つの層として観察される場合がある。つまり、１つの層が、ＬＥＤ層１３４の上面の一部及び側面に接して設けられ、充填層１２７が、当該１つの層の側面の少なくとも一部を覆っているように観察される場合がある。

　図１１Ａに示すように、ＬＥＤ層１３４の上面の一部に接してマスク層１１８が設けられる。マスク層１１８の上面及び側面、ＬＥＤ層１３４の側面、導電層１３２の側面、接続層１４４の側面、導電層１１１の側面、並びに層１０１の上面に接して、絶縁層１２５が設けられる。絶縁層１２５の上面に接して、充填層１２７が設けられる。また、充填層１２７は、マスク層１１８と接する領域を有してもよい。さらに、充填層１２７は、ＬＥＤ層１３４と接する領域を有してもよい。ＬＥＤ層１３４、マスク層１１８、絶縁層１２５、及び充填層１２７を覆って導電層１１５が設けられる。

　図１１Ｂに示すように、断面視において、マスク層１１８の端部はテーパ形状を有することが好ましい。マスク層１１８の側面と被形成面（ここでは、ＬＥＤ層１３４）のなす角θ４は、９０°未満が好ましく、さらには６０°以下が好ましく、さらには４５°以下が好ましく、さらには２０°以下が好ましい。マスク層１１８をテーパ形状にすることで、マスク層１１８上に設けられる充填層１２７を被覆性高く成膜することができる。充填層１２７を被覆性高く成膜することにより、さらに充填層１２７上に設けられる導電層１１５を被覆性高く成膜することができる。

　マスク層１１８の端部は、絶縁層１２５の端部よりも外側に位置することが好ましい。これにより、導電層１１５の被形成面の凹凸を低減し、導電層１１５の被覆性を高めることができる。

　なお、図１２Ａに示すように、接続部１４０において、導電層１２３上に導電層１２３及び接続層１４４を有してもよい。導電層１２３は、導電層１２３及び接続層１４４を介して、導電層１１５と電気的に接続される。また、図１２Ｂに示すように、接続層１４４を設けなくてもよい。発光デバイス１３０が有する導電層１３２が、導電層１１１と直接接して電気的に接続される構成とすることもできる。

＜構成例１−４＞
　本発明の一態様である表示装置の断面図を、図１３Ａ及び図１３Ｂに示す。上面図は、図１Ａを参照できる。

　図１３Ａに示すように、発光デバイス１３０上にレンズ１３３を設けてもよい。図１３Ａは、発光デバイス１３０上に、保護層１３１を介してレンズ１３３を設ける例を示している。発光デバイス１３０を形成した基板に、直接、レンズ１３３を形成することにより、発光デバイス１３０とレンズ１３３との位置合わせの精度を高めることができる。

　図１３Ｂに示すように、発光デバイス１３０上に、保護層１３１及び樹脂層１２２を介してレンズ１３３を設けてもよい。レンズ１３３が設けられた基板１２０を、樹脂層１２２によって保護層１３１上に貼り合わせることができる。基板１２０にレンズ１３３を設けることで、これらの形成工程における加熱処理の温度を高めることができる。

　レンズ１３３は、凸面が基板１２０側を向いていてもよく、発光デバイス１３０側を向いていてもよい。

　レンズ１３３は、無機材料及び有機材料の少なくとも一方を用いて形成することができる。例えば、樹脂を含む材料を用いることができる。また、酸化物及び硫化物の少なくとも一方を含む材料を用いることができる。レンズ１３３は、例えば、マイクロレンズアレイを用いることができる。レンズ１３３は、基板上または発光デバイス上に直接形成してもよく、別途形成されたレンズアレイを貼り合わせてもよい。

＜構成例１−５＞
　本発明の一態様である表示装置の断面図を、図１４Ａに示す。上面図は、図１Ａを参照できる。

　図１４Ａに示すように、遮光層１３５を設けてもよい。遮光層１３５は、隣り合う着色層１０７の間に設けられる。また、遮光層１３５は、発光デバイス１３０と重畳する領域に開口部を有している。遮光層１３５を設けることにより、隣の発光デバイス１３０から射出される光が遮られ、混色を抑制することができる。ここで、着色層１０７の端部を遮光層１３５と重畳するように設けることにより、光漏れを抑制できる。遮光層１３５は、透過率が低い材料を用いることができ、例えば、金属材料、または顔料もしくは染料を含む樹脂材料を用いることができる。

　図１４Ｂに示すように、隣り合う着色層１０７の一部が重畳する構成としてもよい。着色層１０７が重畳する領域は、遮光層としての機能を有する。なお、図１４Ｂでは、基板１２０上に着色層１０７ａ、着色層１０７ｂ、及び着色層１０７ｃをこの順に形成する例を示しているが、各着色層１０７の形成順は特に限定されない。

＜構成例１−６＞
　本発明の一態様である表示装置の断面図を、図１５Ａに示す。上面図は、図１Ａを参照できる。

　図１５Ａに示すように、色変換層１０９を有さない副画素を設けてもよい。最も短い波長域の色の光を射出させる副画素が、色変換層１０９を有さない構成とすることができる。図１５Ａに示す副画素１１０ｃは色変換層１０９を有さず、発光デバイス１３０から射出される光は着色層１０７ｃを透過して表示装置の外に射出される。

　例えば、副画素１１０ａから赤色光を射出し、副画素１１０ｂから緑色光を射出し、副画素１１０ｃから青色光を射出する構成とする場合、副画素１１０ｃに色変換層１０９を設けなくてもよい。また、副画素１１０ａ、及び副画素１１０ｂに設ける色変換層１０９が黄色光を射出する色変換材料を有する構成とすればよい。赤色光を透過する着色層１０７ａが設けられた副画素１１０ａにおいて、発光デバイス１３０が射出する光は色変換層１０９及び着色層１０７ａを透過することにより、赤色光が射出される。同様に、緑色光を透過する着色層１０７ｂが設けられた副画素１１０ｂにおいて、発光デバイス１３０が射出する光は色変換層１０９及び着色層１０７ｂを透過することにより、緑色光が射出される。青色光を透過する着色層１０７ｃが設けられた副画素１１０ｃにおいて、発光デバイス１３０が射出する光は着色層１０７ｃを透過することにより、青色光が射出される。

　隣り合う着色層１０７の間に、遮光層１３５を設けることが好ましい。遮光層１３５を設けることにより、隣の発光デバイス１３０から射出される光が遮られ、混色を抑制することができる。

　なお、図１５Ｂに示すように、副画素１１０ｃは、色変換層及び着色層を設けない構成としてもよい。

＜構成例１−７＞
　図１Ａとは異なる表示装置１００の上面図を、図１６Ａに示す。図１６Ａにおける一点鎖線Ｘ３−Ｘ４間の断面図を、図１６Ｂに示す。一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面図は、図１Ｂを参照できる。

　図１６Ａ及び図１６Ｂに示すように、画素１１０は、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ、及び副画素１１０ｄの４種類の副画素から構成される。副画素１１０ｄは、着色層１０７を有さない構成とすることができる。

　例えば、色変換層１０９が黄色光を射出する色変換材料を有し、発光デバイス１３０が青色光を射出する構成とすることにより、色変換層１０９から白色光が射出される。また、赤色光を透過する着色層１０７ａが設けられた副画素１１０ａにおいて、発光デバイス１３０が射出する光は色変換層１０９及び着色層１０７ａを透過することにより、赤色光が射出される。同様に、緑色光を透過する着色層１０７ｂが設けられた副画素１１０ｂにおいて、発光デバイス１３０が射出する光は色変換層１０９及び着色層１０７ｂを透過することにより、緑色光が射出される。青色光を透過する着色層１０７ｃが設けられた副画素１１０ｃにおいて、発光デバイス１３０が射出する光は色変換層１０９及び着色層１０７ｃを透過することにより、青色光が射出される。着色層が設けられない副画素１１０ｄにおいて、発光デバイス１３０が射出する光は色変換層１０９を透過することにより、白色光が射出される。

　副画素１１０ｄから白色光を射出する構成とすることで、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｗ（白）の４色の副画素で１つの色を表現できる。これにより、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色の副画素で１つの色を表現する構成より発光デバイス１３０に流す電流を少なくでき、消費電力が低い表示装置とすることができる。

　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。また、本明細書において、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。

　本発明の一態様の表示装置の作製方法について、説明する。

＜作製方法例１＞
　ここでは、図１２Ａに示した表示装置の作製方法について、図１７Ａ乃至図２３Ｃを用いて説明する。図１７Ｂ乃至図１７Ｄ、及び図２０Ａ乃至図２３Ｃは、図１２Ａに示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図と、一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面図を並べて示す。なお、図１７Ａ乃至図２３Ｃでは、図１２Ａに示すトランジスタ１０５を省略している。

　表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜等）は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ　Ｌａｓｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原子層堆積（ＡＬＤ）法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法として、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　ＣＶＤ）法、及び熱ＣＶＤ法が挙げられる。また、熱ＣＶＤ法のひとつに、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　ＣＶＤ）法がある。

　表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、またはナイフコート等の湿式の成膜方法により形成することができる。

　表示装置を構成する薄膜を加工する際には、フォトリソグラフィ法を用いることができる。ナノインプリント法、サンドブラスト法、またはリフトオフ法により薄膜を加工してもよい。また、メタルマスクなどの遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を直接形成してもよい。

　フォトリソグラフィ法は、代表的には以下の２つの方法がある。１つは、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法である。もう１つは、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法である。

　フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線、ＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ）光、またはＸ線を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。

　薄膜のエッチングには、例えば、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、またはサンドブラスト法を用いることができる。

　まず、図１７Ａ及び図１８Ａに示すＬＥＤ基板１８８の形成について、説明する。図１７ＡはＬＥＤ基板１８８の断面図を示し、図１８ＡはＬＥＤ基板１８８の斜視図を示している。ＬＥＤ基板１８８は、ＬＥＤ層１３４となるＬＥＤ膜１３４ｆ、及び導電層１３２となる導電膜１３２ｆを有する。

　基板１８０上に、半導体層１８２となる半導体膜１８２ｆ、発光層１８４となる発光膜１８４ｆ、および半導体層１８６となる半導体膜１８６ｆを形成する。半導体膜１８２ｆ、発光膜１８４ｆ、および半導体膜１８６ｆはそれぞれ、例えば、エピタキシャル成長を用いて形成することができる。エピタキシャル成長には、固相エピタキシャル成長（ＳＰＥ：Ｓｏｌｉｄ　Ｐｈａｓｅ　Ｅｐｉｔａｘｙ）法、液相エピタキシャル成長（ＬＰＥ：Ｌｉｑｕｉｄ　Ｐｈａｓｅ　Ｅｐｉｔａｘｙ）法、及び気相エピタキシャル成長（ＶＰＥ：Ｖａｐｏｒ　Ｐｈａｓｅ　Ｅｐｉｔａｘｙ）法がある。気相エピタキシャル成長（ＶＰＥ）法を用いる場合は、例えば、ＭＯＣＶＤ法を用いて半導体膜１８２ｆ、発光膜１８４ｆ、および半導体膜１８６ｆを形成することができる。

　基板１８０は、サファイア、炭化シリコン、シリコン、または化合物半導体の単結晶基板を用いることができる。当該化合物半導体は、前述した第１３族元素および第１５族元素を含む化合物を用いることができる。基板１８０は、ＬＥＤ膜１３４ｆをエピタキシャル成長させるにあたって、ＬＥＤ膜１３４ｆを構成する膜と格子定数が同じ、またはわずかに異なる程度の材料で構成されていることが好ましい。なお、基板１８０とＬＥＤ膜１３４ｆとの間に、基板１８０とＬＥＤ膜１３４ｆの格子歪みを緩和する層（バッファ層ともいう）を設けてもよい。なお、図１８Ａは、基板１８０を円形で示しているが、基板１８０の形状は特に限定されない。

　例えば、青色の光を発する発光デバイス１３０を形成する場合は、ＬＥＤ膜１３４ｆを構成する膜に窒化ガリウム（ＧａＮ）を用いることができる。この場合、基板１８０には、例えば、サファイア基板を用いることができる。

　例えば、赤色の光を発する発光デバイス１３０を形成する場合は、ＬＥＤ膜１３４ｆを構成する膜にヒ化ガリウムアルミニウム（ＡｌＧａＡｓ）を用いることができる。この場合、基板１８０には、例えば、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）基板を用いることができる。

　続いて、半導体膜１８６ｆ上に、導電膜１３２ｆを形成する。導電膜１３２ｆの形成は、例えば、スパッタリング法または真空蒸着法を用いることができる。または、蒸着法で形成した膜と、スパッタリング法で形成した膜を積層させてもよい。

　次に、トランジスタを有する層１０１上に、発光デバイス１３０等を形成する方法について、説明する。

　トランジスタを含む層１０１上に、導電層１１１となる導電膜１１１ｆを形成する（図１７Ｂ）。導電膜１１１ｆの形成は、例えば、スパッタリング法または真空蒸着法を用いることができる。なお、図１７Ｂ以降において、層１０１が含むトランジスタを省略している。

　続いて、導電膜１１１ｆ上に、接続層１４４を形成する（図１７Ｃ）。

　続いて、接続層１４４上に、前述のＬＥＤ基板１８８を貼り合わせる（図１７Ｄ）。接続層１４４と導電膜１３２ｆが接するように貼り合わせる。ＬＥＤ基板１８８の全面にＬＥＤ膜１３４ｆ及び導電膜１３２ｆを設けた状態で層１０１と貼り合わせることにより、ＬＥＤ基板１８８と層１０１の位置合わせに高い精度は必要とせず、生産性を高めることができる。また、位置合わせ用のマーカーの形成を不要とすることができる。

　ここでは、接続層１４４を介して、導電膜１３２ｆと導電膜１１１ｆが電気的に接続される構成を示したが、本発明の一態様はこれに限られない。導電膜１３２ｆと導電膜１１１ｆは直接接合する構成としてもよい。例えば、導電膜１３２ｆと導電膜１１１ｆに銅を用いることが好ましい。これにより、Ｃｕ−Ｃｕ直接接合技術（銅同士を接続することで電気的導通を図る技術）を適用することができる。

　図１８Ｂ及び図１８Ｃに示すように、ＬＥＤ基板１８８と層１０１の形状及びサイズを同じとすることにより、ＬＥＤ基板１８８と層１０１の貼り合わせを容易にすることができる。また、ＬＥＤ基板１８８の作製後にＬＥＤ基板１８８を分断し、分断したＬＥＤ基板１８８を貼り合わせてもよい。

　図１８Ｂでは、接続層１４４上に、表示装置となる領域を破線で示している。図１８Ｂに示すように、１つの層１０１に複数の表示装置を設けることができる。また、これらの表示装置に設けられる複数の発光デバイスを、１つのＬＥＤ基板１８８を貼り合わせることで形成できるため、表示装置の生産性を高めることができる。なお、層１０１に設けられる表示装置の数、形状及び位置は、図１８Ｂに示す領域に限定されない。

　ＬＥＤ基板１８８と層１０１の形状及びサイズが異なってもよい。図１９Ａ及び図１９Ｂは、ＬＥＤ基板１８８が円形、層１０１が矩形であり、かつ層１０１のサイズがＬＥＤ基板１８８のサイズより大きい例を示している。ＬＥＤ基板１８８と層１０１の形状及びサイズが異なる場合においても、１つの表示装置の領域を包含するサイズのＬＥＤ基板１８８を用いることにより、ＬＥＤ基板１８８と層１０１の位置合わせに高い精度は必要とせず、生産性を高めることができる。なお、図１９Ａ及び図１９Ｂは、１つのＬＥＤ基板１８８で、１つの表示装置に設けられる発光デバイスを形成する例を示しているが、本発明の一態様はこれに限られない。１つのＬＥＤ基板１８８で、複数の表示装置に設けられる発光デバイスを形成してもよい。

　続いて、基板１８０を剥離し、ＬＥＤ膜１３４ｆを露出させる（図２０Ｂ）。基板１８０の剥離方法に限定は無く、例えば、レーザリフトオフ（ＬＬＯ：Ｌａｓｅｒ　Ｌｉｆｔ　Ｏｆｆ）法を用いることができる。図２０Ａは、基板１８０に照射されるレーザを矢印で模式的に示している。

　なお、基板１８０とＬＥＤ膜１３４ｆとの間に剥離層を設け、当該剥離層を用いてＬＥＤ膜１３４ｆから基板１８０を剥離してもよい。例えば、剥離層にウェットエッチング法で除去できる材料を用いることができる。剥離層は、例えば、ヒ化アルミニウム（ＡｌＡｓ）を用いることができる。

　続いて、ＬＥＤ膜１３４ｆ上に、マスク層１１８となるマスク膜１１８ｆを形成する（図２０Ｃ）。なお、ここではマスク膜１１８ｆが単層である例を示すが、２層以上の積層構造であってもよい。

　ＬＥＤ膜１３４ｆ上にマスク膜１１８ｆを設けることで、表示装置の作製工程中にＬＥＤ膜１３４ｆが受けるダメージを低減し、発光デバイス１３０の信頼性を高めることができる。

　マスク膜１１８ｆには、ＬＥＤ膜１３４ｆの加工条件に対する耐性の高い膜、具体的には、ＬＥＤ膜１３４ｆとのエッチングの選択比が大きい膜を用いることが好ましい。

　マスク膜１１８ｆは、ウェットエッチング法により除去できる膜を用いることが好ましい。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、マスク膜１１８ｆの加工時に、ＬＥＤ膜１３４ｆが受けるダメージを低減することができる。

　マスク膜１１８ｆの形成は、例えば、スパッタリング法、ＡＬＤ法、ＣＶＤ法、または真空蒸着法を用いることができる。ＡＬＤ法として、例えば、熱ＡＬＤ法、またはＰＥＡＬＤ法を用いることができる。マスク膜１１８ｆの形成は、ＡＬＤ法を好適に用いることができる。ＡＬＤ法を用いることにより、マスク膜１１８ｆの形成時にＬＥＤ膜１３４ｆが受けるダメージを少なくすることができる。また、マスク膜１１８ｆの形成は、湿式の成膜方法を用いてもよい。

　マスク膜１１８ｆは、例えば、金属膜、合金膜、金属酸化物膜、半導体膜、有機絶縁膜、及び、無機絶縁膜等のうち一種または複数種を用いることができる。

　マスク膜１１８ｆは、例えば、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、チタン、アルミニウム、イットリウム、ジルコニウム、及びタンタル等の金属材料、または該金属材料を含む合金材料を用いることができる。特に、アルミニウムまたは銀等の低融点材料を用いることが好ましい。マスク膜１１８ｆに紫外光を遮蔽することが可能な金属材料を用いることで、製造工程において、ＬＥＤ膜１３４ｆに紫外光が入射することを抑制でき、ＬＥＤ膜１３４ｆの劣化を抑制できるため、好ましい。

　マスク膜１１８ｆは、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、酸化インジウム、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物、インジウムチタン酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ酸化物）、インジウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムチタン亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ−Ｚｎ酸化物）、インジウムガリウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）、シリコンを含むインジウムスズ酸化物等の金属酸化物を用いることができる。

　なお、上記ガリウムに代えて元素Ｍ（Ｍは、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムから選ばれた一種または複数種）を用いてもよい。

　マスク膜１１８ｆとして、光、特に紫外光に対して遮光性を有する材料を含む膜を用いることができる。例えば、紫外光に対して反射性を有する膜、または紫外光を吸収する膜を用いることができる。遮光性を有する材料として、紫外光に対して遮光性のある金属、絶縁体、半導体、及び半金属など、様々な材料を用いることができるが、当該マスク膜の一部または全部は、後の工程で除去するため、エッチングによる加工が可能である膜であることが好ましく、特に加工性が良好であることが好ましい。

　例えば、半導体の製造プロセスと親和性の高い材料として、シリコンまたはゲルマニウムなどの半導体材料を用いることができる。または、上記半導体材料の酸化物または窒化物を用いることができる。または、炭素などの非金属材料、またはその化合物を用いることができる。または、チタン、タンタル、タングステン、クロム、アルミニウムなどの金属、またはこれらの一以上を含む合金が挙げられる。または、酸化チタンもしくは酸化クロムなどの上記金属を含む酸化物、または窒化チタン、窒化クロム、もしくは窒化タンタルなどの窒化物を用いることができる。

　マスク膜１１８ｆに、紫外光に対して遮光性を有する材料を含む膜を用いることで、露光工程などでＬＥＤ膜１３４ｆに紫外光が入射することを抑制できる。ＬＥＤ膜１３４ｆが紫外光によってダメージを受けることを抑制することで、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　なお、紫外光に対して遮光性を有する材料を含む膜は、後述する絶縁膜１２５ｆの材料として用いても、同様の効果を奏する。

　マスク膜１１８ｆは、保護層１３１に用いることができる無機絶縁膜を用いることができる。特に、酸化絶縁膜は、窒化絶縁膜に比べてＬＥＤ膜１３４ｆとの密着性が高く好ましい。例えば、マスク膜１１８ｆは、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、または酸化シリコンを好適に用いることができる。マスク膜１１８ｆは、例えば、ＡＬＤ法を用いて、酸化アルミニウム膜を形成することができる。ＡＬＤ法を用いることで、下地（特にＬＥＤ膜１３４ｆ）へのダメージを低減できるため好ましい。

　なお、マスク膜１１８ｆと、後に形成する絶縁層１２５との双方に、同じ無機絶縁膜を用いることができる。例えば、マスク膜１１８ｆと絶縁層１２５との双方に、ＡＬＤ法を用いて形成した酸化アルミニウム膜を用いることができる。ここで、マスク膜１１８ｆと、絶縁層１２５とで、同じ成膜条件を適用してもよく、互いに異なる成膜条件を適用してもよい。例えば、マスク膜１１８ｆを、絶縁層１２５と同様の条件で成膜することで、マスク膜１１８ｆを、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア性の高い絶縁層とすることができる。一方で、マスク膜１１８ｆは後の工程で大部分または全部を除去する層であるため、加工が容易であることが好ましい。そのため、マスク膜１１８ｆは、絶縁層１２５と比べて、成膜時の基板温度が低い条件で成膜することが好ましい。

　マスク膜１１８ｆに、有機材料を用いてもよい。例えば、有機材料として、少なくともＬＥＤ膜１３４ｆの最上部に位置する膜に対して化学的に安定な溶媒に、溶解しうる材料を用いてもよい。特に、水またはアルコールに溶解する材料を好適に用いることができる。このような材料の成膜の際には、水またはアルコール等の溶媒に溶解させた状態で、湿式の成膜方法で塗布した後に、溶媒を蒸発させるための加熱処理を行うことが好ましい。このとき、減圧雰囲気下での加熱処理を行うことで、低温且つ短時間で溶媒を除去できるため、ＬＥＤ膜１３４ｆへの熱的なダメージを低減することができ、好ましい。

　マスク膜１１８ｆは、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、アルコール可溶性のポリアミド樹脂、または、パーフルオロポリマーなどのフッ素樹脂等の樹脂を用いてもよい。

　なお、実施の形態１で説明した通り、本発明の一態様の表示装置には、マスク膜１１８ｆの一部がマスク層１１８として残存する場合がある。

　続いて、マスク膜１１８ｆ上にレジストマスク１９０Ａを形成する（図２０Ｄ）。レジストマスク１９０Ａは、ＬＥＤ層１３４を設ける領域に形成する。レジストマスク１９０Ａは、感光性の樹脂（フォトレジスト）を塗布し、露光及び現像を行うことで形成することができる。レジストマスク１９０Ａは、ポジ型のレジスト材料及びネガ型のレジスト材料のどちらを用いて作製してもよい。

　続いて、レジストマスク１９０Ａをマスクに用いて、マスク膜１１８ｆの一部を除去し、マスク層１１８Ａを形成する（図２１Ａ）。マスク層１１８Ａは、ＬＥＤ層１３４を設ける領域に形成され、ＬＥＤ層１３４の形成の際にハードマスクとして機能する。その後、レジストマスク１９０Ａを除去する。

　マスク膜１１８ｆは、ウェットエッチング法またはドライエッチング法により加工することができる。マスク膜１１８ｆの加工は、異方性エッチングを好適に用いることができる。

　マスク膜１１８ｆの加工にウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、マスク膜１１８ｆの加工時に、ＬＥＤ膜１３４ｆが受けるダメージを低減することができる。ウェットエッチング法を用いる場合、例えば、現像液、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液、希フッ酸、シュウ酸、リン酸、酢酸、硝酸、またはこれらの混合液体を用いた薬液等を用いることが好ましい。

　マスク膜１１８ｆの加工においてドライエッチング法を用いる場合は、エッチングガスに酸素を含むガスを用いないことで、ＬＥＤ膜１３４ｆの劣化を抑制することができる。ドライエッチング法を用いる場合、例えば、ＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、Ｃｌ_２、Ｈ_２Ｏ、ＢＣｌ_３、またはＨｅ等の貴ガス（希ガスともいう）を含むガスをエッチングガスに用いることが好ましい。

　例えば、マスク膜１１８ｆとして、ＡＬＤ法を用いて形成した酸化アルミニウム膜を用いる場合、ＣＨＦ_３とＨｅ、または、ＣＨＦ_３とＨｅとＣＨ_４を用いて、ドライエッチング法によりマスク膜１１８ｆを加工することができる。また、マスク膜１１８ｆとして、スパッタリング法を用いて形成したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜を用いる場合、希釈リン酸を用いて、ウェットエッチング法によりマスク膜１１８ｆを加工することができる。または、ＣＨ_４とＡｒを用いて、ドライエッチング法により加工してもよい。または、希釈リン酸を用いて、ウェットエッチング法によりマスク膜１１８ｆを加工することができる。また、マスク膜１１８ｆとして、スパッタリング法を用いて形成したタングステン膜を用いる場合、ＳＦ_６、ＣＦ_４とＯ_２、またはＣＦ_４とＣｌ_２とＯ_２を用いて、ドライエッチング法によりマスク膜１１８ｆを加工することができる。

　レジストマスク１９０Ａは、例えば、酸素プラズマを用いたアッシング等により除去することができる。または、酸素ガスと、ＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、Ｃｌ_２、Ｈ_２Ｏ、ＢＣｌ_３、またはＨｅ等の貴ガスと、を用いてもよい。または、ウェットエッチングにより、レジストマスク１９０Ａを除去してもよい。このとき、マスク層１１８Ａが形成されている領域においては、ＬＥＤ膜１３４ｆは露出していないため、レジストマスク１９０Ａの除去工程において、ＬＥＤ膜１３４ｆにダメージが加わることを抑制することができる。また、レジストマスク１９０Ａの除去方法の選択の幅を広げることができる。なお、レジストマスク１９０Ａを除去せずに残存させてもよい。

　続いて、マスク層１１８Ａをマスクに用いて、ＬＥＤ膜１３４ｆの一部を除去し、ＬＥＤ層１３４を形成するとともに、導電膜１３２ｆを露出させる（図２１Ｂ）。

　ＬＥＤ膜１３４ｆは、ウェットエッチング法またはドライエッチング法の一または双方により加工することができる。ＬＥＤ膜１３４ｆの加工は、異方性エッチングを好適に用いることができる。異方性エッチングを用いることにより、隣り合うＬＥＤ層１３４の間隔を小さくすることができる。層１０１の上面と、ＬＥＤ層１３４の側面のなす角は、垂直または概略垂直であることが好ましい。層１０１の上面と、ＬＥＤ層１３４の側面のなす角は、６０°以上９０°以下が好ましく、さらには７０°以上９０°以下が好ましく、さらには８０°以上９０°以下が好ましい。層１０１の上面と、ＬＥＤ層１３４の側面のなす角を垂直または概略垂直とすることにより、画素の開口率を高めることができる。

　続いて、導電膜１３２ｆ上に、レジストマスク１９０Ｂを形成する（図２１Ｃ）。レジストマスク１９０Ｂは、導電層１２３を設ける領域に形成する。レジストマスク１９０Ｂの形成については、レジストマスク１９０Ａの形成に係る記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。

　続いて、マスク層１１８Ａ及びレジストマスク１９０Ｂをマスクに用いて、導電膜１３２ｆ、接続層１４４及び導電膜１１１ｆの一部を除去し、導電層１３２、接続層１４４、導電層１１１及び導電層１２３を形成する。その後、レジストマスク１９０Ｂを除去する（図２１Ｄ）。レジストマスク１９０Ｂの除去は、ウェットエッチング法及びドライエッチング法の一方または双方を用いることができる。

　これにより、導電層１１１上に、接続層１４４、導電層１３２、ＬＥＤ層１３４、及びマスク層１１８Ａの積層構造が形成される。また、導電層１２３上に、接続層１４４、及び導電層１３２の積層構造が形成される。なお、マスク層１１８Ａを除去してもよい。

　ＬＥＤ層１３４、導電層１３２、接続層１４４、及び導電層１１１の端部が揃っている、または概略揃っていることが好ましい。少なくとも、ＬＥＤ層１３４と導電層１３２の端部が揃っている、または概略揃っていることが好ましい。図２１Ｄでは、ＬＥＤ層１３４、導電層１３２、接続層１４４、及び導電層１１１の端部が、マスク層１１８Ａの端部と揃っている例を示している。このような構成とすることで、画素の開口率を高くすることができる。なお、ＬＥＤ層１３４、導電層１３２、接続層１４４、及び導電層１１１の一以上の端部が、マスク層１１８Ａの端部より外側に位置してもよく、また、マスク層１１８Ａの端部より内側に位置してもよい。また、図示していないが、上記エッチング処理によって、層１０１の、導電層１１１または導電層１２３と重畳しない領域に凹部が形成される場合がある。

　ＬＥＤ層１３４の側面は、層１０１の上面に対して垂直または概略垂直であることが好ましい。例えば、層１０１の上面とＬＥＤ層１３４の側面との成す角度を、６０°以上９０°以下とすることが好ましい。

　上記のように、フォトリソグラフィ法を用いて形成した隣り合う２つのＬＥＤ層１３４間の距離は、８μｍ以下、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、または、１μｍ以下にまで狭めることができる。ここで、当該距離は、例えば、隣り合う２つのＬＥＤ層１３４の対向する端部の間の距離で規定することができる。このように、島状のＬＥＤ層１３４の間の距離を狭めることで、高い精細度と、高い開口率を有する表示装置とすることができる。

　続いて、導電層１１１、接続層１４４、導電層１３２、ＬＥＤ層１３４、及びマスク層１１８Ａを覆うように、絶縁層１２５となる絶縁膜１２５ｆを形成する（図２２Ａ）。

　続いて、絶縁膜１２５ｆ上に、充填層１２７となる充填膜１２７ｆを形成する（図２２Ｂ）。

　絶縁膜１２５ｆ及び充填膜１２７ｆは、ＬＥＤ層１３４へのダメージが少ない形成方法で成膜されることが好ましい。特に、絶縁膜１２５ｆは、ＬＥＤ層１３４の側面に接して形成されるため、充填膜１２７ｆよりも、ＬＥＤ層１３４へのダメージが少ない形成方法で成膜されることが好ましい。

　絶縁膜１２５ｆ及び充填膜１２７ｆはそれぞれ、層１０１を構成する要素、導電層１１１、接続層１４４、導電層１３２、及びＬＥＤ層１３４の耐熱温度よりも低い温度で形成する。無機材料を用いるＬＥＤ層１３４の耐熱温度は高いため、層１０１を構成する要素、導電層１１１、接続層１４４、及び導電層１３２の耐熱温度より低い温度で、絶縁膜１２５ｆ及び充填膜１２７ｆを形成すればよい。また、絶縁膜１２５ｆは成膜する際の基板温度を高くすることで、膜厚が薄くても、不純物濃度が低く、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア性の高い膜とすることができる。

　絶縁膜１２５ｆ及び充填膜１２７ｆを形成する際の基板温度はそれぞれ、６０℃以上、１００℃以上、２００℃以上、２５０℃以上、または３００℃以上、かつ、６００℃以下、５５０℃以下、５００℃以下、または４５０℃以下であることが好ましい。

　絶縁膜１２５ｆは、上記の基板温度の範囲で、３ｎｍ以上、５ｎｍ以上、または、１０ｎｍ以上、かつ、２００ｎｍ以下、１５０ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、または、５０ｎｍ以下の厚さの絶縁膜を形成することが好ましい。

　絶縁膜１２５ｆは、例えば、ＡＬＤ法を用いて形成することが好ましい。ＡＬＤ法を用いることで、成膜ダメージを小さくすることができ、また、被覆性の高い膜を成膜可能なため好ましい。絶縁膜１２５ｆは、例えば、ＡＬＤ法を用いて、酸化アルミニウム膜を形成することが好ましい。

　そのほか、絶縁膜１２５ｆは、ＡＬＤ法よりも成膜速度が速いスパッタリング法、ＣＶＤ法、または、ＰＥＣＶＤ法を用いて形成してもよい。これにより、信頼性の高い表示装置を生産性高く作製することができる。

　充填膜１２７ｆは、前述の湿式の成膜方法を用いて形成することが好ましい。充填膜１２７ｆは、例えば、スピンコートにより、感光性の樹脂を用いて形成することが好ましく、より具体的には、感光性のアクリル樹脂を用いて形成することが好ましい。

　充填膜１２７ｆの形成後に加熱処理（プリベークともいう）を行うことが好ましい。当該加熱処理は、充填膜１２７ｆの耐熱温度よりも低い温度とすればよい。加熱処理の際の基板温度は、５０℃以上２００℃以下が好ましく、６０℃以上１５０℃以下がより好ましく、７０℃以上１２０℃以下がさらに好ましい。これにより、充填膜１２７ｆ中に含まれる溶媒を除去することができる。

　続いて、露光を行い、充填膜１２７ｆの一部に可視光線または紫外線を感光させる。ここで、充填膜１２７ｆにポジ型のアクリル樹脂を用いる場合、充填層１２７を形成しない領域に可視光線または紫外線を照射する。図２２Ｃは、露光に用いる光を矢印で模式的に示している。

　なお、ここで感光させる領域によって、形成される充填層１２７の幅を制御することができる。本実施の形態では、充填層１２７がＬＥＤ層１３４の上面と重畳する部分を有するように露光を行う。充填層１２７は、ＬＥＤ層１３４の上面と重畳する部分を有していなくてもよい。

　露光に用いる光は、ｉ線（波長３６５ｎｍ）を含むことが好ましい。また、露光に用いる光は、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、及びｈ線（波長４０５ｎｍ）の少なくとも一方を含んでいてもよい。

　なお、ここでは充填膜１２７ｆにポジ型の感光性の樹脂を用い、充填層１２７が形成されない領域に、可視光線または紫外線を照射する例を示したが、本発明の一態様はこれに限られない。例えば、充填膜１２７ｆにネガ型の感光性の樹脂を用いる構成にしてもよい。この場合、充填層１２７が形成される領域に可視光線または紫外線を照射する。

　続いて、現像を行い、充填膜１２７ｆの露光させた領域を除去し、充填層１２７を形成する（図２２Ｄ）。充填層１２７は、２つのＬＥＤ層１３４に挟まれる領域、及び、導電層１２３の周囲に形成される。充填膜１２７ｆにアクリル樹脂を用いる場合、現像液はアルカリ性の溶液を用いることが好ましく、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液を用いることができる。

　続いて、現像時の残渣（いわゆるスカム）を除去してもよい。例えば、酸素プラズマを用いたアッシングを行うことで、残渣を除去することができる。

　ここで、エッチングを行い、充填層１２７の表面の高さを調整してもよい。充填層１２７は、例えば、酸素プラズマを用いたアッシングにより加工してもよい。また、充填膜１２７ｆに非感光性の材料を用いる場合においても、当該アッシング等により、充填層１２７の表面の高さを調整することができる。

　続いて、基板全体に露光を行い、可視光線または紫外光線を充填層１２７に照射してもよい。当該露光のエネルギー密度は、０ｍＪ／ｃｍ^２より大きく、８００ｍＪ／ｃｍ^２以下とすることが好ましく、０ｍＪ／ｃｍ^２より大きく、５００ｍＪ／ｃｍ^２以下とすることがより好ましい。現像後にこのような露光を行うことで、充填層１２７の透明度を向上させることができる場合がある。また、後の工程における、充填層１２７をテーパ形状に変形させる加熱処理に必要とされる基板温度を低下させることができる場合がある。

　一方、後述するように、充填層１２７に対する露光を行わないことで、後の工程において、充填層１２７の形状を変化させること、または、充填層１２７をテーパ形状に変形させることが容易となる場合がある。したがって、現像後に充填層１２７に対して露光を行わないことが好ましい場合がある。

　例えば、充填層１２７の材料として光硬化性の樹脂を用いる場合、充填層１２７に対する露光を行うことで、重合が開始され、充填層１２７を硬化させることができる。なお、この段階では充填層１２７に対して露光を行わず、充填層１２７が比較的形状変化しやすい状態を保ったまま、後述する第１のエッチング処理、ポストベーク、及び第２のエッチング処理の少なくとも一つを行ってもよい。これにより、導電層１１５を形成する面に凹凸が生じることを抑制でき、また、導電層１１５が段切れすることを抑制できる。なお、後述する第１のエッチング処理、ポストベーク、及び第２のエッチング処理のうちいずれかの後に、充填層１２７に対する露光を行ってもよい。

　続いて、充填層１２７をマスクに用いて、エッチング処理を行って、絶縁膜１２５ｆ及びマスク層１１８Ａの一部を除去し、絶縁層１２５及びマスク層１１８を形成する（図２３Ａ）。これにより、ＬＥＤ層１３４の上面が露出する。

　エッチング処理は、ドライエッチング法またはウェットエッチング法を用いることができる。なお、絶縁膜１２５ｆに、マスク層１１８Ａと同様の材料を適用する場合、絶縁膜１２５ｆとマスク層１１８Ａのエッチング処理を一括で行うことができるため、好ましい。

　図２３Ａに示すように、側面がテーパ形状である充填層１２７をマスクに用いてエッチングを行うことで、絶縁層１２５の側面、及びマスク層１１８の側面上端部を比較的容易にテーパ形状にすることができる。

　絶縁層１２５及びマスク層１１８の形成にドライエッチングを用いる場合、塩素系のガスを用いることが好ましい。塩素系ガスとして、Ｃｌ_２、ＢＣｌ_３、ＳｉＣｌ_４、及びＣＣｌ_４の１種以上のガスを混合して用いることができる。また、上記塩素系ガスに、酸素ガス、水素ガス、ヘリウムガス、及びアルゴンガスの１種以上のガスを混合することができる。ドライエッチングを用いることにより、マスク層１１８の膜厚が薄い領域を、良好な面内均一性で形成することができる。

　ドライエッチング装置として、高密度プラズマ源を有するドライエッチング装置を用いることができる。高密度プラズマ源を有するドライエッチング装置は、例えば、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）エッチング装置などを用いることができる。または、平行平板型電極を有する容量結合型プラズマ（ＣＣＰ：Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）エッチング装置を用いることができる。平行平板型電極を有する容量結合型プラズマエッチング装置は、平行平板型電極の一方の電極に高周波電圧を印加する構成でもよい。または平行平板型電極の一方の電極に複数の異なった高周波電圧を印加する構成でもよい。または平行平板型電極それぞれに同じ周波数の高周波電圧を印加する構成でもよい。または平行平板型電極それぞれに周波数の異なる高周波電圧を印加する構成でもよい。

　ドライエッチングを行う場合、ドライエッチングで生じた副生成物などが、充填層１２７の上面及び側面などに堆積する場合がある。このため、エッチングガスに含まれる成分、絶縁層１２５に含まれる成分、マスク層１１８に含まれる成分などが、作製後の表示装置の充填層１２７に含まれる場合がある。

　絶縁層１２５及びマスク層１１８の形成は、ウェットエッチング法を用いることが好ましい。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、ＬＥＤ層１３４が受けるダメージを低減することができる。例えば、ウェットエッチングは、アルカリ溶液などを用いて行うことができる。例えば、酸化アルミニウム膜のウェットエッチングには、アルカリ溶液である水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液を用いることが好ましい。この場合、パドル方式でウェットエッチングを行うことができる。なお、絶縁膜１２５ｆに、マスク層１１８Ａと同様の材料を適用する場合、絶縁膜１２５ｆとマスク層１１８Ａのエッチング処理を一括で行うことができるため、好ましい。

　続いて、加熱処理（ポストベークともいう）を行う。加熱処理を行うことで、充填層１２７側面をテーパ形状に変形させることができる（図２３Ｂ）。加熱処理は、基板温度として５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、より好ましくは７０℃以上１３０℃以下の温度で行うことができる。加熱雰囲気は、大気雰囲気であってもよく、不活性ガス雰囲気であってもよい。また、加熱雰囲気は、大気圧雰囲気であってもよく、減圧雰囲気であってもよい。減圧雰囲気とすることで、より低温で乾燥が可能であるため好ましい。本工程の加熱処理は、充填膜１２７ｆの形成後の加熱処理（プリベーク）よりも、基板温度を高くすることが好ましい。これにより、充填層１２７と絶縁層１２５との密着性を高め、充填層１２７の耐食性も高めることができる。

　ＬＥＤ層１３４の一部を露出した後に加熱処理を行うことにより、ＬＥＤ層１３４に含まれる水、及びＬＥＤ層１３４表面に吸着する水を除去することができる。加熱処理を減圧雰囲気で行うことにより、より低温で水を除去することができる。

　上記のように、充填層１２７、絶縁層１２５、及びマスク層１１８を設けることにより、各発光デバイス１３０間において、導電層１１５が分断された箇所に起因する接続不良、及び局所的に導電層１１５の膜厚が薄い箇所に起因する電気抵抗の上昇を抑制できる。これにより、表示品位の高い表示装置とすることができる。

　続いて、充填層１２７及びＬＥＤ層１３４上に、導電層１１５及び保護層１３１をこの順で形成する（図２３Ｃ）。

　導電層１１５の形成は、例えば、スパッタリング法または真空蒸着法を用いることができる。または、蒸着法で形成した膜と、スパッタリング法で形成した膜を積層させてもよい。

　保護層１３１の形成は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、またはＡＬＤ法を用いることができる。

　続いて、着色層１０７及び色変換層１０９を設けた基板１２０を、樹脂層１２２を用いて、保護層１３１上に貼り合わせることで、表示装置を作製することができる（図１２Ａ）。

　着色層１０７の形成は、例えば、リソグラフィ法を用いることができる。リソグラフィ法を用いて感光性の樹脂を加工することにより、着色層１０７を形成することができる。

　色変換層１０９の形成は、液滴吐出法（例えば、インクジェット法）、塗布法、インプリント法、または印刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷）を用いることができる。色変換層１０９に、色変換フィルム（例えば、量子ドットフィルム）を用いてもよい。

　色変換層１０９の形成は、リソグラフィ法を用いてもよい。例えば、色変換層１０９となる膜上にレジストマスクを形成して、エッチング等により当該膜を加工し、レジストマスクを除去する方法を用いることができる。または、感光性を有する膜を成膜した後に、露光、及び現像を行うことにより、所望の形状の色変換層１０９を形成してもよい。例えば、色変換材料を混合した感光性材料を用いて膜を成膜し、リソグラフィ法を用いて当該膜を加工することで、島状の色変換層１０９を形成することができる。

　以上のように、本実施の形態の表示装置の作製方法では、ＬＥＤ層１３４となる膜を表示領域の一面に形成した後に、島状のＬＥＤ層１３４に加工するため、高精細な表示装置、または高開口率の表示装置を実現することができる。また、精細度または開口率が高く、副画素間の距離が極めて短くても、隣り合う副画素において、ＬＥＤ層１３４が接することを抑制できる。したがって、副画素間にリーク電流が発生することを抑制することができる。これにより、意図しない発光に起因したクロストークを防ぐことができ、コントラストの極めて高い表示装置を実現できる。

　隣り合う島状のＬＥＤ層１３４の間に、端部にテーパ形状を有する充填層１２７を設けることで、導電層１１５の形成時に段切れが生じることを抑制し、また、導電層１１５に局所的に膜厚が薄い箇所が形成されることを防ぐことができる。これにより、導電層１１５において、分断された箇所に起因する接続不良、及び局所的に膜厚が薄い箇所に起因する電気抵抗の上昇が発生することを抑制できる。したがって、本発明の一態様の表示装置は、高い精細化と高い表示品位の両立が可能となる。

　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
　先の実施の形態で示した表示装置と異なる構成の例について、図２４乃至図３０を用いて説明する。以下では、先の実施の形態と重複する部分は説明を省略する場合がある。また、以下で示す図面において、先の実施の形態と同様の機能を有する部分についてはハッチングパターンを同じくし、符号を付さない場合もある。

＜構成例２−１＞
　本発明の一態様である表示装置の断面図を、図２４Ａに示す。上面図は、図１Ａを参照できる。図２４Ａに示す断面図の一部の拡大図を、図２４Ｂに示す。

　図２４Ａ等に示す表示装置は、導電層１１１と導電層１１５との間に、一対の電極を有する発光ダイオード（以下、ＬＥＤチップとも記す）が設けられる点で実施の形態１に示す表示装置と主に異なる。導電層１１１と導電層１１５との間に設けられるＬＥＤチップ１３６は、導電層１３２と、導電層１３２上のＬＥＤ層１３４と、ＬＥＤ層１３４上の導電層１３７と、接続層１３８と、基板１３９と、を有する。導電層１３２及び導電層１３７はそれぞれ、ＬＥＤチップ１３６の電極として機能する。ＬＥＤ層１３４は、一対の電極（導電層１３２及び導電層１３７）に挟持される。ＬＥＤチップ１３６は、ＬＥＤ層１３４の一方の面に導電層１３２を有し、反対側の面に導電層１３７を有する、いわゆる垂直構造の発光ダイオードということができる。

　接続層１３８、及び基板１３９はそれぞれ、導電性の材料を用いることができる。導電層１３２は、接続層１３８を介して基板１３９と電気的に接続される。接続層１３８は、接続層１４４に用いることができる材料を用いることができる。基板１３９は、例えば、導電性のシリコン基板、炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）基板、金属基板、または合金基板を用いることができる。金属基板として、タングステン、銅、金、ニッケル、及びチタンの一以上を含む基板が挙げられる。合金基板として、Ｓｉ−Ａｌ合金基板が挙げられる。基板１３９は、接続層１４４を介して導電層１１１と電気的に接続される。導電層１３２、接続層１３８、基板１３９、接続層１４４、及び導電層１１１はまとめて画素電極として機能するということができる。なお、接続層１４４を設けず、導電層１１１と基板１３９が直接接して電気的に接続される構成としてもよい。

　導電層１３７上に、導電層１１５が設けられる。なお、図２４Ａ及び図２４Ｂは、導電層１３７の端部が、ＬＥＤ層１３４の端部より内側に位置する例を示している。導電層１１１は、導電層１３７の上面及び側面、並びにＬＥＤ層１３４の上面と接する領域を有する。絶縁層１２５は、導電層１３７の上面及び側面の一部、並びにＬＥＤ層１３４の上面の一部及び側面と接する領域を有する。絶縁層１２５は、導電層１３７の端部、及びＬＥＤ層１３４の端部を覆い、充填層１２７は、絶縁層１２５上に設けられる。導電層１１５は、ＬＥＤチップ１３６及び充填層１２７上に設けられる。

　絶縁層１２５及び充填層１２７を設けることにより、ＬＥＤチップ１３６が設けられる領域と、ＬＥＤチップ１３６が設けられない領域の間に生じる段差を小さくすることができる。したがって、共通電極として機能する導電層１１５の被形成面の凹凸が低減し、導電層１１５の被覆性を高めることができる。したがって、導電層１１５の段切れによる接続不良を抑制することができる。また、段差によって導電層１１５が局所的に薄くなり、電気抵抗が上昇することを抑制することができる。

　なお、絶縁層１２５は、導電層１３７の端部を覆わない構成としてもよい。絶縁層１２５は、少なくともＬＥＤ層１３４の側面を覆うことが好ましい。

　導電層１３２または基板１３９の一以上に光の透過率が低い材料を用いる場合、ＬＥＤチップ１３６は、導電層１３７側に光が射出される。つまり、図２４Ａ及び図２４Ｂに示す表示装置は、上面射出型（トップエミッション型）とすることができる。導電層１１５は、光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。図２４Ａは、上面射出型（トップエミッション型）の例として、基板１２０側から射出される光を白抜き矢印で模式的に示している。なお、導電層１３７に光の透過率が低い材料を用いる場合、導電層１３７が設けられる領域は発光への寄与が小さくなる。したがって、導電層１３７が設けられる領域の面積は小さいことが好ましい。なお、図２４Ａ等では、１つの導電層１３７を示しているが、導電層１３７の数、形状及びサイズは特に限定されない。

＜構成例２−２＞
　本発明の一態様である表示装置の断面図を、図２５Ａに示す。上面図は、図１Ａを参照できる。図２５Ａに示す断面図の一部の拡大図を、図２５Ｂに示す。

　図２５Ａ及び図２５Ｂに示す表示装置は、ＬＥＤチップ１３６が有する導電層１３７が接続層１４４上に設けられ、基板１３９上に導電層１１５が設けられる点で、＜構成例２−１＞に示す表示装置と主に異なる。

　層１０１のＬＥＤチップ１３６が設けられる面と反対側の面に、基板１２０ａが接着層１２２ａを介して接着されている。導電層１１５、基板１２０及び接着層１２２ａはそれぞれ、光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。基板１２０ａには、着色層１０７及び色変換層１０９が設けられる。ＬＥＤチップ１３６から射出される光は、層１０１、接着層１２２ａ、色変換層１０９、着色層１０７、及び基板１２０ａを透過する。図２５Ａ及び図２５Ｂに示す表示装置は、下面射出型（ボトムエミッション型）とすることができる。図２５Ａは、下面射出型（ボトムエミッション型）の例として、基板１２０ａ側から射出される光を白抜き矢印で模式的に示している。

　層１０１には、遮光層１１７が設けられることが好ましい。基板１２０ａとトランジスタ１０５との間に遮光層１１７を設け、表示装置の外からトランジスタ１０５に到達する光を遮ることで、トランジスタ１０５の光による劣化を抑制することができ、信頼性の高い表示装置とすることができる。

＜作製方法例２＞
　図２４Ａに示した表示装置の作製方法について、説明する。

　まず、ＬＥＤチップ１３６の形成について、図２６Ａ乃至図２７Ｃを用いて説明する。図２６Ａ乃至図２７Ｃはそれぞれ、ＬＥＤチップ１３６の形成に係る断面図を示している。

　基板１８０上に、ＬＥＤ膜１３４ｆを形成する。ＬＥＤ膜１３４ｆの形成については、図１７Ａに係る記載を参照できるため、詳細な説明は省略する。

　続いて、ＬＥＤ膜１３４ｆ上に、レジストマスク１９０Ａを形成する（図２６Ａ）。

　続いて、レジストマスク１９０Ａをマスクに用いて、ＬＥＤ膜１３４ｆの一部を除去し、島状のＬＥＤ層１３４を形成する。レジストマスク１９０Ａを除去し、ＬＥＤ層１３４上に導電層１３２を形成する（図２６Ｂ）。

　続いて、接続層１３８を形成した基板１３９を、導電層１３２上に貼り合わせる（図２６Ｃ）。

　続いて、基板１８０を剥離し、ＬＥＤ層１３４を露出させる（図２７Ａ）。基板１８０の剥離方法に限定は無く、例えば、レーザリフトオフ（ＬＬＯ）法を用いることができる。図２６Ｄは、基板１８０に照射されるレーザを矢印で模式的に示している。

　続いて、ＬＥＤ層１３４上に、導電層１３７を形成する（図２７Ｂ）。

　続いて、接続層１３８及び基板１３９を分断し、個々のＬＥＤチップ１３６に分離する（図２７Ｃ）。接続層１３８及び基板１３９の分断方法に限定はなく、例えば、ダイシング法、またはスクライビング法を用いることができる。なお、図２７Ｃ等では、１つの基板１８０から形成される４つのＬＥＤチップ１３６を示しているが、１つの基板１８０に形成されるＬＥＤチップ１３６の数は特に限定されない。

　ＬＥＤチップ１３６の光を射出する領域の面積は、１ｍｍ^２以下が好ましく、１００００μｍ^２以下がより好ましく、３０００μｍ^２以下がより好ましく、７００μｍ^２以下がさらに好ましい。また、当該領域の面積は、１μｍ^２以上が好ましく、１０μｍ^２以上がより好ましく、１００μｍ^２以上がさらに好ましい。なお、本明細書等において、光を射出する領域の面積が１００００μｍ^２以下の発光ダイオードをマイクロＬＥＤと記す場合がある。

　なお、本発明の一態様の表示装置に用いることのできるＬＥＤチップは、上記のマイクロＬＥＤに限定されない。例えば、光を射出する領域の面積が１００００μｍ^２より大きいＬＥＤチップ（ミニＬＥＤともいう）を用いてもよい。

　次に、ＬＥＤチップ１３６を有する表示装置の作製方法について、図２８Ａ乃至図３０Ｂを用いて説明する。図２８Ａ乃至図３０Ｂは、図２４Ａに示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図と、一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面図を並べて示す。なお、図２８Ａ乃至図３０Ｂでは、図２４Ａに示すトランジスタ１０５を省略している。

　層１０１上に、導電層１１１を形成する。導電層１１１上に、接続層１１６を形成する（図２８Ａ）。

　続いて、接続層１１６上に、ＬＥＤチップ１３６を設ける（図２８Ｂ）。ＬＥＤチップ１３６は、例えば、ピックアンドプレイス方式を用いて接続層１１６上に設けることができる。ここでは、接続層１１６上に基板１３９が接するように、ＬＥＤチップ１３６を配置する。

　続いて、導電層１１１、接続層１１６、及びＬＥＤチップ１３６を覆うように、絶縁層１２５となる絶縁膜１２５ｆを形成する（図２８Ｃ）。

　続いて、絶縁膜１２５ｆ上に、充填層１２７となる充填膜１２７ｆを形成する（図２８Ｄ）。

　続いて、露光を行い、充填膜１２７ｆの一部に可視光線または紫外線を感光させる。図２９Ａは、露光に用いる光を矢印で模式的に示している。

　続いて、現像を行い、充填膜１２７ｆの露光させた領域を除去し、充填層１２７を形成する（図２９Ｂ）。充填層１２７は、２つのＬＥＤチップ１３６に挟まれる領域、及び導電層１２３の周囲に形成される。

　続いて、充填層１２７をマスクに用いて、エッチング処理を行って、絶縁膜１２５ｆの一部を除去し、絶縁層１２５を形成する（図２９Ｃ）。これにより、導電層１３７及びＬＥＤ層１３４の上面が露出する。

　続いて、加熱処理（ポストベークともいう）を行う。加熱処理を行うことで、充填層１２７側面をテーパ形状に変形させることができる（図３０Ａ）。

　続いて、充填層１２７、導電層１３７及びＬＥＤ層１３４上に、導電層１１５及び保護層１３１をこの順で形成する（図３０Ｂ）。

　続いて、着色層１０７及び色変換層１０９を設けた基板１２０を、樹脂層１２２を用いて、保護層１３１上に貼り合わせることで、表示装置を作製することができる（図２４Ａ）。

　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態３）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について、図３１及び図３２を用いて説明する。

　本実施の形態では、主に、図１Ａとは異なる画素レイアウトについて説明する。副画素の配列に特に限定はなく、様々な方法を適用することができる。副画素の配列として、例えば、ストライプ配列、Ｓストライプ配列、マトリクス配列、デルタ配列、ベイヤー配列、ペンタイル配列などが挙げられる。

　本実施の形態で図に示す副画素の上面形状は、発光領域の上面形状に相当する。

　なお、副画素の上面形状として、例えば、三角形、四角形（長方形、正方形を含む）、五角形などの多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などが挙げられる。

　なお、副画素を構成する回路レイアウトは、画素レイアウトと同じであってもよく、異なってもよい。また、回路レイアウトは、図に示す副画素の範囲に限定されず、その外側に配置されていてもよい。

　図３１Ａに示す画素１１０には、Ｓストライプ配列が適用されている。図３１Ａに示す画素１１０は、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃの、３つの副画素から構成される。

　図３１Ｂに示す画素１１０は、角が丸い略台形の上面形状を有する副画素１１０ａと、角が丸い略三角形の上面形状を有する副画素１１０ｂと、角が丸い略四角形または略六角形の上面形状を有する副画素１１０ｃと、を有する。また、副画素１１０ａは、副画素１１０ｂよりも発光面積が広い。このように、各副画素の形状及びサイズはそれぞれ独立に決定することができる。例えば、信頼性の高い発光デバイスを有する副画素ほど、サイズを小さくすることができる。

　図３１Ｃに示す画素１２４ａ、１２４ｂには、ペンタイル配列が適用されている。図３１Ｃでは、副画素１１０ａ及び副画素１１０ｂを有する画素１２４ａと、副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｃを有する画素１２４ｂと、が交互に配置されている例を示す。

　図３１Ｄ乃至図３１Ｆに示す画素１２４ａ、１２４ｂは、デルタ配列が適用されている。画素１２４ａは上の行（１行目）に、２つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｃ）を有する。画素１２４ｂは上の行（１行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、２つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ）を有する。

　図３１Ｄは、各副画素が、角が丸い略四角形の上面形状を有する例であり、図３１Ｅは、各副画素が、円形の上面形状を有する例であり、図３１Ｆは、各副画素が、角が丸い略六角形の上面形状を有する例である。

　図３１Ｇは、各色の副画素がジグザグに配置されている例である。具体的には、上面視において、行方向に並ぶ２つの副画素（例えば、副画素１１０ａと副画素１１０ｂ、または、副画素１１０ｂと副画素１１０ｃ）の上辺の位置がずれている。

　図３１Ａ乃至図３１Ｇに示す各画素において、例えば、副画素１１０ａを赤色の光を呈する副画素Ｒとし、副画素１１０ｂを緑色の光を呈する副画素Ｇとし、副画素１１０ｃを青色の光を呈する副画素Ｂとすることが好ましい。なお、副画素の構成はこれに限定されず、副画素が呈する色とその並び順は適宜決定することができる。例えば、副画素１１０ｂを赤色の光を呈する副画素Ｒとし、副画素１１０ａを緑色の光を呈する副画素Ｇとしてもよい。

　フォトリソグラフィ法では、加工するパターンが微細になるほど、光の回折の影響を無視できなくなるため、露光によりフォトマスクのパターンを転写する際に忠実性が損なわれ、レジストマスクを所望の形状に加工することが困難になる。そのため、フォトマスクのパターンが矩形であっても、角が丸まったパターンが形成されやすい。したがって、副画素の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などになることがある。

　なお、ＬＥＤ層の上面形状を所望の形状とするために、設計パターンと、転写パターンとが、一致するように、あらかじめマスクパターンを補正する技術（ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ　Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：光近接効果補正）技術）を用いてもよい。具体的には、ＯＰＣ技術では、マスクパターン上の図形コーナー部などに補正用のパターンを追加する。

　図３２Ａ乃至図３２Ｉに示すように、画素は副画素を４種類有する構成とすることができる。

　図３２Ａ乃至図３２Ｃに示す画素１１０は、ストライプ配列が適用されている。

　図３２Ａは、各副画素が、長方形の上面形状を有する例であり、図３２Ｂは、各副画素が、２つの半円と長方形をつなげた上面形状を有する例であり、図３２Ｃは、各副画素が、楕円形の上面形状を有する例である。

　図３２Ｄ乃至図３２Ｆに示す画素１１０は、マトリクス配列が適用されている。

　図３２Ｄは、各副画素が、正方形の上面形状を有する例であり、図３２Ｅは、各副画素が、角が丸い略正方形の上面形状を有する例であり、図３２Ｆは、各副画素が、円形の上面形状を有する例である。

　図３２Ｇ及び図３２Ｈでは、１つの画素１１０が、２行３列で構成されている例を示す。

　図３２Ｇに示す画素１１０は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｄ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０ｂを有し、右の列（３列目）に副画素１１０ｃを有し、さらに、この３列にわたって、副画素１１０ｄを有する。

　図３２Ｈに示す画素１１０は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、３つの副画素１１０ｄを有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａ及び副画素１１０ｄを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｄを有し、右の列（３列目）に副画素１１０ｃ及び副画素１１０ｄを有する。図３２Ｈに示すように、上の行と下の行との副画素の配置を揃える構成とすることで、製造プロセスで生じうるゴミなどを効率よく除去することが可能となる。したがって、表示品位の高い表示装置を提供することができる。

　図３２Ｉでは、１つの画素１１０が、３行２列で構成されている例を示す。

　図３２Ｉに示す画素１１０は、上の行（１行目）に、副画素１１０ａを有し、中央の行（２行目）に、副画素１１０ｂを有し、１行目から２行目にわたって副画素１１０ｃを有し、下の行（３行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｄ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａ、１１０ｂを有し、右の列（２列目）に副画素１１０ｃを有し、さらに、この２列にわたって、副画素１１０ｄを有する。

　図３２Ａ乃至図３２Ｉに示す画素１１０は、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄの、４つの副画素から構成される。

　副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄは、それぞれ発光色の異なる発光デバイスを有する構成とすることができる。副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄとして、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白色（Ｗ）の４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色の副画素、または、Ｒ、Ｇ、Ｂ、赤外光（ＩＲ）の副画素などが挙げられる。

　図３２Ａ乃至図３２Ｉに示す各画素１１０において、例えば、副画素１１０ａを赤色の光を呈する副画素Ｒとし、副画素１１０ｂを緑色の光を呈する副画素Ｇとし、副画素１１０ｃを青色の光を呈する副画素Ｂとし、副画素１１０ｄを白色の光を呈する副画素Ｗ、黄色の光を呈する副画素Ｙ、または近赤外光を呈する副画素のいずれかとすることが好ましい。このような構成とする場合、図３２Ｇ及び図３２Ｈに示す画素１１０では、Ｒ、Ｇ、Ｂのレイアウトがストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。また、図３２Ｉに示す画素１１０では、Ｒ、Ｇ、ＢのレイアウトがいわゆるＳストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。

　図３２Ｊ及び図３２Ｋに示すように、画素は副画素を５種類有する構成とすることができる。

　図３２Ｊでは、１つの画素１１０が、２行３列で構成されている例を示す。

　図３２Ｊに示す画素１１０は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、２つの副画素（副画素１１０ｄ、１１０ｅ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａ、１１０ｄを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０ｂを有し、右の列（３列目）に副画素１１０ｃを有し、さらに、２列目から３列目にわたって、副画素１１０ｅを有する。

　図３２Ｋでは、１つの画素１１０が、３行２列で構成されている例を示す。

　図３２Ｋに示す画素１１０は、上の行（１行目）に、副画素１１０ａを有し、中央の行（２行目）に、副画素１１０ｂを有し、１行目から２行目にわたって副画素１１０ｃを有し、下の行（３行目）に、２つの副画素（副画素１１０ｄ、１１０ｅ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｄを有し、右の列（２列目）に副画素１１０ｃ、１１０ｅを有する。

　図３２Ｊ及び図３２Ｋに示す各画素１１０において、例えば、副画素１１０ａを赤色の光を呈する副画素Ｒとし、副画素１１０ｂを緑色の光を呈する副画素Ｇとし、副画素１１０ｃを青色の光を呈する副画素Ｂとすることが好ましい。このような構成とする場合、図３２Ｊに示す画素１１０では、Ｒ、Ｇ、Ｂのレイアウトがストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。また、図３２Ｋに示す画素１１０では、Ｒ、Ｇ、ＢのレイアウトがいわゆるＳストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。

　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態４）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図３３乃至図３５を用いて説明する。

　本実施の形態の表示装置は、高精細な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、腕時計型、及び、ブレスレット型などの情報端末機（ウェアラブル機器）の表示部、並びに、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）などのＶＲ向け機器、及び、メガネ型のＡＲ向け機器などの頭部に装着可能なウェアラブル機器の表示部に用いることができる。

　本実施の形態の表示装置は、高解像度の表示装置または大型な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、及び、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、及び、音響再生装置の表示部に用いることができる。

＜表示モジュール＞
　図３３Ａに、表示モジュール２８０の斜視図を示す。表示モジュール２８０は、表示装置１００Ａと、ＦＰＣ２９０と、を有する。なお、表示モジュール２８０が有する表示装置は表示装置１００Ａに限られず、後述する表示装置１００Ｂ乃至表示装置１００Ｆのいずれかであってもよい。

　表示モジュール２８０は、基板２９１及び基板２９２を有する。表示モジュール２８０は、表示部２８１を有する。表示部２８１は、表示モジュール２８０における画像を表示する領域であり、後述する画素部２８４に設けられる各画素からの光を視認できる領域である。

　図３３Ｂに、基板２９１側の構成を模式的に示した斜視図を示している。基板２９１上には、回路部２８２と、回路部２８２上の画素回路部２８３と、画素回路部２８３上の画素部２８４と、が積層されている。また、基板２９１上の画素部２８４と重ならない部分に、ＦＰＣ２９０と接続するための端子部２８５が設けられている。端子部２８５と回路部２８２とは、複数の配線により構成される配線部２８６により電気的に接続されている。

　画素部２８４は、マトリクス状に配置された複数の画素２８４ａを有する。図３３Ｂの右側に、１つの画素２８４ａの拡大図を示している。画素２８４ａには、先の実施の形態で説明した各種構成を適用することができる。図３３Ｂでは、図１Ａに示す画素１１０と同様の構成を有する場合を例に示す。

　画素回路部２８３は、マトリクス状に配置された複数の画素回路２８３ａを有する。

　１つの画素回路２８３ａは、１つの画素２８４ａが有する複数の素子の駆動を制御する回路である。１つの画素回路２８３ａは、１つの発光デバイスの発光を制御する回路が３つ設けられる構成とすることができる。例えば、画素回路２８３ａは、１つの発光デバイスにつき、１つの選択トランジスタと、１つの電流制御用トランジスタ（駆動トランジスタ）と、容量と、を少なくとも有する構成とすることができる。このとき、選択トランジスタのゲートにはゲート信号が、ソースにはソース信号が、それぞれ入力される。これにより、アクティブマトリクス型の表示装置が実現されている。

　回路部２８２は、画素回路部２８３の各画素回路２８３ａを駆動する回路を有する。例えば、ゲート線駆動回路、及び、ソース線駆動回路の一方または双方を有することが好ましい。このほか、演算回路、メモリ回路、及び電源回路等の少なくとも一つを有していてもよい。

　ＦＰＣ２９０は、外部から回路部２８２にビデオ信号または電源電位等を供給するための配線として機能する。また、ＦＰＣ２９０上にＩＣが実装されていてもよい。

　表示モジュール２８０は、画素部２８４の下側に画素回路部２８３及び回路部２８２の一方または双方が重ねて設けられた構成とすることができるため、表示部２８１の開口率（有効表示面積比）を極めて高くすることができる。例えば表示部２８１の開口率は、４０％以上１００％未満、好ましくは５０％以上９５％以下、より好ましくは６０％以上９５％以下とすることができる。また、画素２８４ａを極めて高密度に配置することが可能で、表示部２８１の精細度を極めて高くすることができる。例えば、表示部２８１には、２０００ｐｐｉ以上、好ましくは３０００ｐｐｉ以上、より好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以上であって、２００００ｐｐｉ以下、または３００００ｐｐｉ以下の精細度で、画素２８４ａが配置されることが好ましい。

　このような表示モジュール２８０は、極めて高精細であることから、ＨＭＤなどのＶＲ向け機器またはメガネ型のＡＲ向け機器に好適に用いることができる。例えば、レンズを通して表示モジュール２８０の表示部を視認する構成の場合であっても、表示モジュール２８０は極めて高精細な表示部２８１を有するためにレンズで表示部を拡大しても画素が視認されず、没入感の高い表示を行うことができる。また、表示モジュール２８０はこれに限られず、比較的小型の表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。例えば腕時計などの装着型の電子機器の表示部に好適に用いることができる。

＜表示装置１００Ａ＞
　図３４に示す表示装置１００Ａは、基板３０１、発光デバイス１３０、容量２４０、及びトランジスタ３１０を有する。

　基板３０１は、図３３Ａ及び図３３Ｂにおける基板２９１に相当する。基板３０１から絶縁層２５５ｃまでの積層構造が、実施の形態１におけるトランジスタを含む層１０１に相当する。

　トランジスタ３１０は、基板３０１にチャネル形成領域を有するトランジスタである。基板３０１は、例えば、単結晶シリコン基板などの半導体基板を用いることができる。トランジスタ３１０は、基板３０１の一部、導電層３１１、低抵抗領域３１２、絶縁層３１３、及び、絶縁層３１４を有する。導電層３１１は、ゲート電極として機能する。絶縁層３１３は、基板３０１と導電層３１１の間に位置し、ゲート絶縁層として機能する。低抵抗領域３１２は、基板３０１に不純物がドープされた領域であり、ソースまたはドレインの一方として機能する。絶縁層３１４は、導電層３１１の側面を覆って設けられる。

　基板３０１に埋め込まれるように、隣り合う２つのトランジスタ３１０の間に素子分離層３１５が設けられている。

　トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に容量２４０が設けられている。

　容量２４０は、導電層２４１と、導電層２４５と、これらの間に位置する絶縁層２４３を有する。導電層２４１は、容量２４０の一方の電極として機能し、導電層２４５は、容量２４０の他方の電極として機能し、絶縁層２４３は、容量２４０の誘電体として機能する。

　導電層２４１は絶縁層２６１上に設けられ、絶縁層２５４に埋め込まれている。導電層２４１は、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２４３は導電層２４１を覆って設けられる。導電層２４５は、絶縁層２４３を介して導電層２４１と重畳する領域に設けられている。

　容量２４０を覆って、絶縁層２５５ａが設けられ、絶縁層２５５ａ上に絶縁層２５５ｂが設けられ、絶縁層２５５ｂ上に絶縁層２５５ｃが設けられている。絶縁層２５５ｃ上に発光デバイス１３０が設けられている。図３４では、発光デバイス１３０が図１Ｂに示す積層構造を有する例を示す。隣り合う発光デバイス１３０の間の領域には、絶縁物が設けられる。図３４は、当該領域に絶縁層１２５と、絶縁層１２５上の充填層１２７と、が設けられる構成を示している。

　絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂ、及び絶縁層２５５ｃの一以上は、隣り合う発光デバイスの間に凹部を有していてもよい。図３４では、絶縁層２５５ｃに凹部が設けられている例を示している。

　絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂ、及び絶縁層２５５ｃはそれぞれ、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜などの各種無機絶縁膜を好適に用いることができる。絶縁層２５５ａ及び絶縁層２５５ｃはそれぞれ、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などの酸化絶縁膜または酸化窒化絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層２５５ｂは、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの窒化絶縁膜または窒化酸化絶縁膜を用いることが好ましい。より具体的には、絶縁層２５５ａ及び絶縁層２５５ｃに酸化シリコン膜を用い、絶縁層２５５ｂに窒化シリコン膜を用いることが好ましい。絶縁層２５５ｂは、エッチング保護膜としての機能を有することが好ましい。

　発光デバイス１３０が有するＬＥＤ層１３４上には、マスク層１１８が位置する。

　導電層１１１は、絶縁層２４３、絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂ、及び絶縁層２５５ｃに埋め込まれたプラグ２５６、絶縁層２５４に埋め込まれた導電層２４１、及び、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２５５ｃの上面の高さと、プラグ２５６の上面の高さは、一致または概略一致している。プラグには各種導電材料を用いることができる。図３４等では、画素電極が反射電極と、反射電極上の透明電極と、の２層構造である例を示す。

　発光デバイス１３０上には保護層１３１が設けられている。保護層１３１上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。発光デバイスから基板１２０までの構成要素についての詳細は、実施の形態１を参照することができる。基板１２０は、図３３Ａにおける基板２９２に相当する。

＜表示装置１００Ｂ＞
　図３５に示す表示装置１００Ｂは、それぞれ半導体基板にチャネルが形成されるトランジスタ３１０Ａと、トランジスタ３１０Ｂとが積層された構成を有する。なお、以降の表示装置の説明では、先に説明した表示装置と同様の部分については説明を省略することがある。

　表示装置１００Ｂは、トランジスタ３１０Ｂ、容量２４０、発光デバイスが設けられた基板３０１Ｂと、トランジスタ３１０Ａが設けられた基板３０１Ａとが、貼り合された構成を有する。

　ここで、基板３０１Ｂの下面に絶縁層３４５を設けることが好ましい。また、基板３０１Ａ上に設けられた絶縁層２６１の上に絶縁層３４６を設けることが好ましい。絶縁層３４５、３４６は、保護層として機能する絶縁層であり、基板３０１Ｂ及び基板３０１Ａに不純物が拡散することを抑制できる。絶縁層３４５、３４６は、保護層１３１または絶縁層３３２に用いることができる無機絶縁膜を用いることができる。

　基板３０１Ｂには、基板３０１Ｂ及び絶縁層３４５を貫通するプラグ３４３が設けられる。ここで、プラグ３４３の側面を覆って絶縁層３４４を設けることが好ましい。絶縁層３４４は、保護層として機能する絶縁層であり、基板３０１Ｂに不純物が拡散することを抑制できる。絶縁層３４４は、保護層１３１に用いることができる無機絶縁膜を用いることができる。

　基板３０１Ｂの裏面（基板１２０側とは反対側の表面）側、絶縁層３４５の下に、導電層３４２が設けられる。導電層３４２は、絶縁層３３５に埋め込まれるように設けられることが好ましい。また、導電層３４２と絶縁層３３５の下面は平坦化されていることが好ましい。ここで、導電層３４２はプラグ３４３と電気的に接続されている。

　一方、基板３０１Ａには、絶縁層３４６上に導電層３４１が設けられている。導電層３４１は、絶縁層３３６に埋め込まれるように設けられることが好ましい。また、導電層３４１と絶縁層３３６の上面は平坦化されていることが好ましい。

　導電層３４１と、導電層３４２とが接合されることで、基板３０１Ａと基板３０１Ｂとが電気的に接続される。ここで、導電層３４２と絶縁層３３５で形成される面と、導電層３４１と絶縁層３３６で形成される面の平坦性を向上させておくことで、導電層３４１と導電層３４２の貼り合わせを良好にすることができる。

　導電層３４１及び導電層３４２は、同じ導電材料を用いることが好ましい。例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を含む金属膜、又は上述した元素を成分とする金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）等を用いることができる。特に、導電層３４１及び導電層３４２に、銅を用いることが好ましい。これにより、Ｃｕ−Ｃｕ（カッパー・カッパー）直接接合技術（Ｃｕ（銅）のパッド同士を接続することで電気的導通を図る技術）を適用することができる。

＜表示装置１００Ｃ＞
　図３６に示す表示装置１００Ｃは、導電層３４１と導電層３４２を、バンプ３４７を介して接合する構成を有する。

　図３６に示すように、導電層３４１と導電層３４２の間にバンプ３４７を設けることで、導電層３４１と導電層３４２を電気的に接続することができる。バンプ３４７は、例えば、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）などを含む導電材料を用いて形成することができる。また例えば、バンプ３４７として半田を用いる場合がある。また、絶縁層３４５と絶縁層３４６の間に、接着層３４８を設けてもよい。また、バンプ３４７を設ける場合、絶縁層３３５及び絶縁層３３６を設けない構成にしてもよい。

＜表示装置１００Ｄ＞
　図３７に示す表示装置１００Ｄは、トランジスタの構成が異なる点で、表示装置１００Ａと主に相違する。

　トランジスタ３２０は、チャネルが形成される半導体層に、半導体特性を示す金属酸化物（酸化物半導体ともいう）が適用されたトランジスタ（ＯＳトランジスタ）である。

　トランジスタ３２０は、半導体層３２１、絶縁層３２３、導電層３２４、一対の導電層３２５、絶縁層３２６、及び、導電層３２７を有する。

　基板３３１は、図３３Ａ及び図３３Ｂにおける基板２９１に相当する。基板３３１から絶縁層２５５ｃまでの積層構造が、実施の形態１におけるトランジスタを含む層１０１に相当する。基板３３１は、絶縁性基板または半導体基板を用いることができる。

　基板３３１上に、絶縁層３３２が設けられている。絶縁層３３２は、基板３３１から水または水素などの不純物がトランジスタ３２０に拡散すること、及び半導体層３２１から絶縁層３３２側に酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３３２は、例えば、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、窒化シリコン膜などの、酸化シリコン膜よりも水素または酸素が拡散しにくい膜を用いることができる。

　絶縁層３３２上に導電層３２７が設けられ、導電層３２７を覆って絶縁層３２６が設けられている。導電層３２７は、トランジスタ３２０の第１のゲート電極として機能し、絶縁層３２６の一部は、第１のゲート絶縁層として機能する。絶縁層３２６の少なくとも半導体層３２１と接する部分には、酸化シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層３２６の上面は、平坦化されていることが好ましい。

　半導体層３２１は、絶縁層３２６上に設けられる。半導体層３２１は、酸化物半導体を有することが好ましい。一対の導電層３２５は、半導体層３２１上に接して設けられ、ソース電極及びドレイン電極として機能する。

　一対の導電層３２５の上面及び側面、並びに半導体層３２１の側面等を覆って絶縁層３２８が設けられ、絶縁層３２８上に絶縁層２６４が設けられている。絶縁層３２８は、半導体層３２１に絶縁層２６４等から水または水素などの不純物が拡散すること、及び半導体層３２１から酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２８は、上記絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。

　絶縁層３２８及び絶縁層２６４に、半導体層３２１に達する開口が設けられている。当該開口の内部において、絶縁層２６４、絶縁層３２８、及び導電層３２５の側面、並びに半導体層３２１の上面に接する絶縁層３２３と、導電層３２４とが埋め込まれている。導電層３２４は、第２のゲート電極として機能し、絶縁層３２３は第２のゲート絶縁層として機能する。

　導電層３２４の上面、絶縁層３２３の上面、及び絶縁層２６４の上面は、それぞれ高さが一致または概略一致するように平坦化処理され、これらを覆って絶縁層３２９及び絶縁層２６５が設けられている。

　絶縁層２６４及び絶縁層２６５は、層間絶縁層として機能する。絶縁層３２９は、トランジスタ３２０に絶縁層２６５等から水または水素などの不純物が拡散することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２９は、上記絶縁層３２８及び絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。

　一対の導電層３２５の一方と電気的に接続するプラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、及び絶縁層２６４に埋め込まれるように設けられている。ここで、プラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、絶縁層２６４、及び絶縁層３２８のそれぞれの開口の側面、及び導電層３２５の上面の一部を覆う導電層２７４ａと、導電層２７４ａの上面に接する導電層２７４ｂとを有することが好ましい。このとき、導電層２７４ａとして、水素及び酸素が拡散しにくい導電材料を用いることが好ましい。

＜表示装置１００Ｅ＞
　図３８に示す表示装置１００Ｅは、それぞれチャネルが形成される半導体層に酸化物半導体を有するトランジスタ３２０Ａと、トランジスタ３２０Ｂとが積層された構成を有する。

　トランジスタ３２０Ａ、トランジスタ３２０Ｂ、及びその周辺の構成については、上記表示装置１００Ｄに係る記載を参照することができる。

　なお、ここでは、酸化物半導体を有するトランジスタを２つ積層する構成としたが、これに限られない。例えば３つ以上のトランジスタを積層する構成としてもよい。

＜表示装置１００Ｆ＞
　図３９に示す表示装置１００Ｆは、基板３０１にチャネルが形成されるトランジスタ３１０と、チャネルが形成される半導体層に酸化物半導体を含むトランジスタ３２０とが積層された構成を有する。

　トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に導電層２５１が設けられている。また導電層２５１を覆って絶縁層２６２が設けられ、絶縁層２６２上に導電層２５２が設けられている。導電層２５１及び導電層２５２は、それぞれ配線として機能する。また、導電層２５２を覆って絶縁層２６３及び絶縁層３３２が設けられ、絶縁層３３２上にトランジスタ３２０が設けられている。また、トランジスタ３２０を覆って絶縁層２６５が設けられ、絶縁層２６５上に容量２４０が設けられている。容量２４０とトランジスタ３２０とは、プラグ２７４により電気的に接続されている。

　トランジスタ３２０は、画素回路を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０は、画素回路を構成するトランジスタ、または当該画素回路を駆動するための駆動回路（ゲート線駆動回路、ソース線駆動回路）を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０及びトランジスタ３２０は、演算回路または記憶回路などの各種回路を構成するトランジスタとして用いることができる。

　このような構成とすることで、発光デバイスの直下に画素回路だけでなく駆動回路等を形成することができるため、表示領域の周辺に駆動回路を設ける場合に比べて、表示装置を小型化することが可能となる。

＜表示装置１００Ｇ＞
　図４０に、表示装置１００Ｇの斜視図を示し、図４１Ａに、表示装置１００Ｇの断面図を示す。

　表示装置１００Ｇは、基板１５２と基板１５１とが貼り合わされた構成を有する。図４０では、基板１５２を破線で示している。

　表示装置１００Ｇは、表示部１６２、接続部１４０、回路１６４、配線１６５等を有する。図４０では表示装置１００ＧにＩＣ１７３及びＦＰＣ１７２が実装されている例を示している。そのため、図４０に示す構成は、表示装置１００Ｇと、ＩＣ（集積回路）と、ＦＰＣと、を有する表示モジュールということもできる。

　接続部１４０は、表示部１６２の外側に設けられる。接続部１４０は、表示部１６２の一辺または複数の辺に沿って設けることができる。接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。図４０では、表示部の四辺を囲むように接続部１４０が設けられている例を示す。接続部１４０では、発光デバイスの共通電極と、導電層とが電気的に接続されており、共通電極に電位を供給することができる。

　回路１６４として、例えば、走査線駆動回路を用いることができる。

　配線１６５は、表示部１６２及び回路１６４に信号及び電力を供給する機能を有する。当該信号及び電力は、外部からＦＰＣ１７２を介して配線１６５に入力されるか、またはＩＣ１７３から配線１６５に入力される。

　図４０では、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　ｏｎ　Ｆｉｌｍ）方式等により、基板１５１にＩＣ１７３が設けられている例を示す。ＩＣ１７３は、例えば走査線駆動回路または信号線駆動回路などを有するＩＣを適用できる。なお、表示装置１００Ｇ及び表示モジュールは、ＩＣを設けない構成としてもよい。また、ＩＣを、ＣＯＦ方式等により、ＦＰＣに実装してもよい。

　図４１Ａに、表示装置１００Ｇの、ＦＰＣ１７２を含む領域の一部、回路１６４の一部、表示部１６２の一部、接続部１４０の一部、及び、端部を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。

　図４１Ａに示す表示装置１００Ｇは、基板１５１と基板１５２の間に、トランジスタ２０１、トランジスタ２０５、及び発光デバイス１３０等を有する。

　発光デバイス１３０は、画素電極の構成が異なる点以外は図１Ｂに示す積層構造と同様の構成を有する。発光デバイスの詳細は実施の形態１を参照できる。

　発光デバイス１３０は、導電層１１２と、導電層１１２上の導電層１２６と、導電層１２６上の導電層１２９と、を有する。導電層１１２、導電層１２６、及び導電層１２９をまとめて画素電極と呼ぶこともでき、一部を画素電極と呼ぶこともできる。

　導電層１１２は、絶縁層２１４に設けられた開口を介して、トランジスタ２０５が有する導電層２２２ｂと接続されている。導電層１１２の端部よりも外側に導電層１２６の端部が位置している。導電層１２６の端部と導電層１２９の端部は揃っている、または概略揃っている。例えば、導電層１１２及び導電層１２６に反射電極として機能する導電層を用い、導電層１２９に、透明電極として機能する導電層を用いることができる。

　導電層１１２は、絶縁層２１４に設けられた開口を覆うように形成される。導電層１１２の凹部には、層１２８が埋め込まれている。

　層１２８は、導電層１１２の凹部を平坦化する機能を有する。導電層１１２及び層１２８上には、導電層１１２と電気的に接続される導電層１２６が設けられている。したがって、導電層１１２の凹部と重畳する領域も発光領域として使用でき、画素の開口率を高めることができる。

　層１２８は、絶縁層であってもよく、導電層であってもよい。層１２８には、各種無機絶縁材料、有機絶縁材料、及び導電材料を適宜用いることができる。特に、層１２８は、絶縁材料を用いて形成されることが好ましく、有機絶縁材料を用いて形成されることが特に好ましい。層１２８には、例えば、前述の充填層１２７に用いることができる有機絶縁材料を適用することができる。

　図４１Ａでは、層１２８の上面が平坦部を有する例を示すが、層１２８の形状は特に限定されない。層１２８の上面は、断面視において、中央及びその近傍が窪んだ形状、つまり、凹曲面を有する形状を有する構成とすることができる。または、層１２８の上面は、断面視において、中央及びその近傍が膨らんだ形状、つまり、凸曲面を有する形状を有する構成とすることができる。または、層１２８の上面は、凸曲面及び凹曲面の一方または双方を有していてもよい。また、層１２８の上面が有する凸曲面及び凹曲面の数はそれぞれ限定されず、一つまたは複数とすることができる。

　層１２８の上面の高さと、導電層１１２の上面の高さは一致または概略一致していてもよく、互いに異なっていてもよい。例えば、層１２８の上面の高さは、導電層１１２の上面の高さより低くてもよく、高くてもよい。

　導電層１２６、導電層１２９、及びＬＥＤ層１３４の端部は揃っている、または概略揃っている。したがって、導電層１２６が設けられている領域全体を発光デバイス１３０の発光領域として用いることができるため、画素の開口率を高めることができる。

　ＬＥＤ層１３４の上面の一部及び側面は、絶縁層１２５、及び充填層１２７によって覆われている。ＬＥＤ層１３４と絶縁層１２５との間にはマスク層１１８が位置する。ＬＥＤ層１３４、及び絶縁層１２５、及び充填層１２７上に、に導電層１１５が設けられている。導電層１１５はそれぞれ、複数の発光デバイスに共通して設けられるひと続きの膜である。

　発光デバイス１３０上には保護層１３１が設けられている。保護層１３１と基板１５２は接着層１４２を介して接着されている。基板１５２には、遮光層１１７が設けられている。発光デバイスの封止には、固体封止構造または中空封止構造などが適用できる。図４１Ａでは、基板１５２と基板１５１との間の空間が、接着層１４２で充填されており、固体封止構造が適用されている。または、当該空間を不活性ガス（窒素またはアルゴンなど）で充填し、中空封止構造を適用してもよい。このとき、接着層１４２は、発光デバイスと重ならないように設けられていてもよい。また、当該空間を、枠状に設けられた接着層１４２とは異なる樹脂で充填してもよい。

　接続部１４０においては、絶縁層２１４上に導電層１２３が設けられている。導電層１２３は、導電層１１２と同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２６と同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２９と同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、の積層構造である例を示す。導電層１２３の端部は、マスク層１１８、絶縁層１２５、及び、充填層１２７によって覆われている。また、導電層１２３上には導電層１１５が設けられている。なお、接続部１４０は、導電層１２３と導電層１１５とが直接接して電気的に接続される。

　表示装置１００Ｇは、トップエミッション型である。発光デバイスが発する光は、基板１５２側に射出される。基板１５２には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。画素電極は光を反射する材料を含み、対向電極（導電層１１５）は光を透過する材料を含む。

　基板１５１から絶縁層２１４までの積層構造が、先の実施の形態に示すトランジスタを含む層１０１に相当する。

　トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、いずれも基板１５１上に形成されている。これらのトランジスタは、同一の材料及び同一の工程により作製することができる。

　基板１５１上には、絶縁層２１１、絶縁層２１３、絶縁層２１５、及び絶縁層２１４がこの順で設けられている。絶縁層２１１は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１３は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１５は、トランジスタを覆って設けられる。絶縁層２１４は、トランジスタを覆って設けられ、平坦化層としての機能を有する。なお、ゲート絶縁層の数及びトランジスタを覆う絶縁層の数は限定されず、それぞれ単層であっても２層以上であってもよい。

　トランジスタを覆う絶縁層の少なくとも一層に、水及び水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。これにより、絶縁層をバリア層として機能させることができる。このような構成とすることで、トランジスタに外部から不純物が拡散することを効果的に抑制でき、表示装置の信頼性を高めることができる。

　絶縁層２１１、絶縁層２１３、及び絶縁層２１５はそれぞれ、無機絶縁膜を用いることが好ましい。無機絶縁膜として、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などを用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。

　平坦化層として機能する絶縁層２１４には、有機絶縁層が好適である。有機絶縁層に用いることができる材料として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等が挙げられる。また、絶縁層２１４を、有機絶縁層と、無機絶縁層との積層構造にしてもよい。絶縁層２１４の最表層は、エッチング保護層としての機能を有することが好ましい。これにより、導電層１１２、導電層１２６、または導電層１２９などの加工時に、絶縁層２１４に凹部が形成されることを抑制することができる。または、絶縁層２１４には、導電層１１２、導電層１２６、または導電層１２９などの加工時に、凹部が設けられてもよい。

　トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、ソース及びドレインとして機能する導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂ、半導体層２３１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１３、並びに、ゲートとして機能する導電層２２３を有する。ここでは、同一の導電膜を加工して得られる複数の層に、同じハッチングパターンを付している。絶縁層２１１は、導電層２２１と半導体層２３１との間に位置する。絶縁層２１３は、導電層２２３と半導体層２３１との間に位置する。

　本実施の形態の表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタ、スタガ型のトランジスタ、逆スタガ型のトランジスタ等を用いることができる。また、トップゲート型またはボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルが形成される半導体層の上下にゲートが設けられていてもよい。

　トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５には、チャネルが形成される半導体層を２つのゲートで挟持する構成が適用されている。２つのゲートを接続し、これらに同一の信号を供給することによりトランジスタを駆動してもよい。または、２つのゲートのうち、一方に閾値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタの閾値電圧を制御してもよい。

　トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、または一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

　トランジスタの半導体層は、酸化物半導体を有することが好ましい。つまり、本実施の形態の表示装置は、ＯＳトランジスタを用いることが好ましい。

　結晶性を有する酸化物半導体として、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）−ＯＳ、ｎｃ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）−ＯＳ等が挙げられる。

　または、シリコンをチャネル形成領域に用いたトランジスタ（Ｓｉトランジスタ）を用いてもよい。シリコンとして、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコン等が挙げられる。特に、半導体層に低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｐｏｌｙ　Ｓｉｌｉｃｏｎ））を有するトランジスタ（以下、ＬＴＰＳトランジスタともいう）を用いることができる。ＬＴＰＳトランジスタは、電界効果移動度が高く、周波数特性が良好である。

　ＬＴＰＳトランジスタ等のＳｉトランジスタを適用することで、高周波数で駆動する必要のある回路（例えばソースドライバ回路）を表示部と同一基板上に作り込むことができる。これにより、表示装置に実装される外部回路を簡略化でき、部品コスト及び実装コストを削減することができる。

　ＯＳトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して電界効果移動度が極めて高い。また、ＯＳトランジスタは、オフ状態におけるソース−ドレイン間のリーク電流（オフ電流ともいう）が著しく小さく、当該トランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。また、ＯＳトランジスタを適用することで、表示装置の消費電力を低減することができる。

　画素回路に含まれる発光デバイスの発光輝度を高くする場合、発光デバイスに流す電流量を大きくする必要がある。そのためには、画素回路に含まれている駆動トランジスタのソース−ドレイン間電圧を高くする必要がある。ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタと比較して、ソース−ドレイン間において耐圧が高いため、ＯＳトランジスタのソース−ドレイン間には高い電圧を印加することができる。したがって、画素回路に含まれる駆動トランジスタをＯＳトランジスタとすることで、発光デバイスに流れる電流量を大きくし、発光デバイスの発光輝度を高くすることができる。

　トランジスタが飽和領域で動作する場合において、ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタよりも、ゲート−ソース間電圧の変化に対して、ソース−ドレイン間電流の変化を小さくすることができる。このため、画素回路に含まれる駆動トランジスタとしてＯＳトランジスタを適用することによって、ゲート−ソース間電圧の変化によって、ソース−ドレイン間に流れる電流を細かく定めることができるため、発光デバイスに流れる電流量を制御することができる。このため、画素回路における階調数を多くすることができる。

　トランジスタが飽和領域で動作するときに流れる電流の飽和特性において、ＯＳトランジスタは、ソース−ドレイン間電圧が徐々に高くなった場合においても、Ｓｉトランジスタよりも安定した電流（飽和電流）を流すことができる。そのため、ＯＳトランジスタを駆動トランジスタとして用いることで、例えば、ＥＬデバイスの電流−電圧特性にばらつきが生じた場合においても、発光デバイスに安定した電流を流すことができる。つまり、ＯＳトランジスタは、飽和領域で動作する場合において、ソース−ドレイン間電圧を高くしても、ソース−ドレイン間電流がほぼ変化しないため、発光デバイスの発光輝度を安定させることができる。

　上記のとおり、画素回路に含まれる駆動トランジスタにＯＳトランジスタを用いることで、「黒浮きの抑制」、「発光輝度の上昇」、「多階調化」、「発光デバイスのばらつきの抑制」などを図ることができる。

　半導体層に用いる金属酸化物は、例えば、インジウムと、元素Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、及びマグネシウムから選ばれた一種または複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。特に、元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、及びスズから選ばれた一種または複数種であることが好ましい。

　特に、半導体層として、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。または、インジウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。または、インジウム、ガリウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。または、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＺＯとも記す）を用いることが好ましい。または、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。

　半導体層がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、当該Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物におけるＩｎの原子数比はＭの原子数比以上であることが好ましい。このようなＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：４またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝６：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：２：５またはその近傍の組成、等が挙げられる。なお、近傍の組成とは、所望の原子数比の±３０％の範囲を含む。

　例えば、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを４としたとき、Ｇａが１以上３以下であり、Ｚｎが２以上４以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを５としたときに、Ｇａが０．１より大きく２以下であり、Ｚｎが５以上７以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを１としたときに、Ｇａが０．１より大きく２以下であり、Ｚｎが０．１より大きく２以下である場合を含む。

　回路１６４が有するトランジスタと、表示部１６２が有するトランジスタは、同じ構造であってもよく、異なる構造であってもよい。回路１６４が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。同様に、表示部１６２が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。

　表示部１６２が有するトランジスタの全てをＯＳトランジスタとしてもよく、表示部１６２が有するトランジスタの全てをＳｉトランジスタとしてもよく、表示部１６２が有するトランジスタの一部をＯＳトランジスタとし、残りをＳｉトランジスタとしてもよい。

　例えば、表示部１６２にＬＴＰＳトランジスタとＯＳトランジスタとの双方を用いることで、消費電力が低く、駆動能力の高い表示装置を実現することができる。また、ＬＴＰＳトランジスタと、ＯＳトランジスタとを、組み合わせる構成をＬＴＰＯと呼称する場合がある。なお、より好適な例として、配線間の導通、非導通を制御するためのスイッチとして機能するトランジスタ等にＯＳトランジスタを適用し、電流を制御するトランジスタ等にＬＴＰＳトランジスタを適用する構成が挙げられる。

　例えば、表示部１６２が有するトランジスタの一は、発光デバイスに流れる電流を制御するためのトランジスタとして機能し、駆動トランジスタとも呼ぶことができる。駆動トランジスタのソース及びドレインの一方は、発光デバイスの画素電極と電気的に接続される。当該駆動トランジスタには、ＬＴＰＳトランジスタを用いることが好ましい。これにより、画素回路において発光デバイスに流れる電流を大きくできる。

　一方、表示部１６２が有するトランジスタの他の一は、画素の選択、非選択を制御するためのスイッチとして機能し、選択トランジスタとも呼ぶことができる。選択トランジスタのゲートはゲート線と電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は、ソース線（信号線）と電気的に接続される。選択トランジスタには、ＯＳトランジスタを適用することが好ましい。これにより、フレーム周波数を著しく小さく（例えば１ｆｐｓ以下）しても、画素の階調を維持することができるため、静止画を表示する際にドライバを停止することで、消費電力を低減することができる。

　このように本発明の一態様の表示装置は、高い開口率と、高い精細度と、高い表示品位と、低い消費電力と、を兼ね備えることができる。

　本発明の一態様の表示装置は、前述したようにトランジスタに流れうるリーク電流、及び隣り合う発光デバイス間に流れうるリーク電流（横リーク電流、サイドリーク電流などともいう）を、極めて低くすることができる。また、表示装置に画像を表示した場合に、観察者が画像のきれ、画像のするどさ、高い彩度、及び高いコントラスト比のいずれか一または複数を観測できる。なお、トランジスタに流れうるリーク電流、及び発光デバイス間の横リーク電流が極めて低い構成とすることで、黒表示時に生じうる光漏れ（いわゆる黒浮き）などが限りなく少ない表示とすることができる。

　図４１Ｂ及び図４１Ｃに、トランジスタの他の構成例を示す。

　トランジスタ２０９及びトランジスタ２１０は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、チャネル形成領域２３１ｉ及び一対の低抵抗領域２３１ｎを有する半導体層２３１、一対の低抵抗領域２３１ｎの一方と接続する導電層２２２ａ、一対の低抵抗領域２３１ｎの他方と接続する導電層２２２ｂ、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２２５、ゲートとして機能する導電層２２３、並びに、導電層２２３を覆う絶縁層２１５を有する。絶縁層２１１は、導電層２２１とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。絶縁層２２５は、少なくとも導電層２２３とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。さらに、トランジスタを覆う絶縁層２１８を設けてもよい。

　図４１Ｂに示すトランジスタ２０９では、絶縁層２２５が半導体層２３１の上面及び側面を覆う例を示す。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、それぞれ、絶縁層２２５及び絶縁層２１５に設けられた開口を介して低抵抗領域２３１ｎと接続される。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂのうち、一方はソースとして機能し、他方はドレインとして機能する。

　一方、図４１Ｃに示すトランジスタ２１０では、絶縁層２２５は、半導体層２３１のチャネル形成領域２３１ｉと重なり、低抵抗領域２３１ｎとは重ならない。例えば、導電層２２３をマスクに用いて絶縁層２２５を加工することで、図４１Ｃに示す構造を作製できる。図４１Ｃでは、絶縁層２２５及び導電層２２３を覆って絶縁層２１５が設けられ、絶縁層２１５の開口を介して、導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂがそれぞれ低抵抗領域２３１ｎと接続されている。

　基板１５１の、基板１５２が重ならない領域には、接続部２０４が設けられている。接続部２０４では、配線１６５が導電層１６６及び接続層２４２を介してＦＰＣ１７２と電気的に接続されている。導電層１６６は、導電層１１２と同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２６と同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２９と同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、の積層構造である例を示す。接続部２０４の上面では、導電層１６６が露出している。これにより、接続部２０４とＦＰＣ１７２とを接続層２４２を介して電気的に接続することができる。

　基板１５２の基板１５１側の面には、遮光層１１７を設けることが好ましい。遮光層１１７は、隣り合う発光デバイスの間、接続部１４０、及び、回路１６４などに設けることができる。また、基板１５２の外側には各種光学部材を配置することができる。

　基板１５１及び基板１５２はそれぞれ、基板１２０に用いることができる材料を適用することができる。

　接着層１４２は、樹脂層１２２に用いることができる材料を適用することができる。

　接続層２４２は、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ）、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。

＜表示装置１００Ｈ＞
　図４２に示す表示装置１００Ｈは、図４１で示した基板１５１に代えて、支持基板７４５、接着層７４２、樹脂層７４３、及び絶縁層７４４の積層体を有し、基板１５２に代えて保護層７４０を有する。トランジスタ２０５等は、樹脂層７４３上に設けられた絶縁層７４４上に設けられている。

　支持基板７４５は、有機樹脂またはガラス等を含み、可撓性を有する程度に薄い基板である。樹脂層７４３は、ポリイミド樹脂、またはアクリル樹脂などの有機樹脂を含む層である。絶縁層７４４は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン等の無機絶縁膜を含む。樹脂層７４３と支持基板７４５とは、接着層７４２によって貼り合わされている。樹脂層７４３は、支持基板７４５よりも薄いことが好ましい。

　保護層１３１と保護層７４０は接着層１４２によって貼り合わされている。保護層７４０は、ガラス基板、または樹脂フィルムを用いることができる。保護層７４０として、偏光板、散乱板などの光学部材、タッチセンサパネルなどの入力装置、またはこれらを２つ以上積層した構成を適用してもよい。

　表示装置１００Ｈは、フレキシブルディスプレイとして好適に用いることができる。図４３は、湾曲させた状態の表示装置１００Ｈを示している。なお、図４３は、光の射出する面（ここでは、保護層７４０）側に凸状に湾曲している様子を示しているが、本発明の一態様はこれに限られない。光の射出する面側に凹状に湾曲させてもよい。または、光の射出する面側に凸状に湾曲する領域と、凹状に湾曲する領域を有してもよい。

　図４２及び図４３に示すように、支持基板７４５、及び接着層７４２を設けない領域Ｐ２を有してもよい。領域Ｐ２は、支持基板７４５を設けないことで、極めて小さい曲率半径で曲げることができる。例えば、領域Ｐ２で裏側に折り返すことにより、ＦＰＣ１７２を表示部１６２の裏側に重ねて配置することができる。これにより、表示装置１００Ｈを実装した電子機器を小型にすることができる。

　領域Ｐ２は、絶縁層７４４等の無機絶縁膜を設けない構成としてもよい。領域Ｐ２に無機絶縁膜をできるだけ設けず、且つ金属または合金を含む導電層と、有機材料を含む層のみを積層する構成とすることで、曲げた際にクラックが生じることを防ぐことができる。

　接続部２０４において、配線７６０が接続層１４４、導電層１３２及び接続層２４２を介してＦＰＣ１７２と電気的に接続されている。配線７６０は、導電層１１２と同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２６と同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２９と同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、の積層構造である例を示す。配線７６０は、トランジスタ２０１と電気的に接続される。

　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態５）
　本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について、図４４乃至図４６を用いて説明する。

　本実施の形態の電子機器は、表示部に本発明の一態様の表示装置を有する。本発明の一態様の表示装置は、高精細化及び高解像度化が容易である。したがって、様々な電子機器の表示部に用いることができる。

　電子機器として、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、などが挙げられる。

　特に、本発明の一態様の表示装置は、精細度を高めることが可能なため、比較的小さな表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。このような電子機器として、例えば、腕時計型及びブレスレット型の情報端末機（ウェアラブル機器）、並びに、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、メガネ型のＡＲ向け機器、及び、ＭＲ向け機器など、頭部に装着可能なウェアラブル機器等が挙げられる。

　本発明の一態様の表示装置は、ＨＤ（画素数１２８０×７２０）、ＦＨＤ（画素数１９２０×１０８０）、ＷＱＨＤ（画素数２５６０×１４４０）、ＷＱＸＧＡ（画素数２５６０×１６００）、４Ｋ（画素数３８４０×２１６０）、８Ｋ（画素数７６８０×４３２０）といった極めて高い解像度を有していることが好ましい。特に４Ｋ、８Ｋ、またはそれ以上の解像度とすることが好ましい。また、本発明の一態様の表示装置における画素密度（精細度）は、１００ｐｐｉ以上が好ましく、３００ｐｐｉ以上がより好ましく、５００ｐｐｉ以上がより好ましく、１０００ｐｐｉ以上がより好ましく、２０００ｐｐｉ以上がより好ましく、３０００ｐｐｉ以上がより好ましく、５０００ｐｐｉ以上がより好ましく、７０００ｐｐｉ以上がさらに好ましい。このように高い解像度及び高い精細度の一方または双方を有する表示装置を用いることで、携帯型または家庭用途などのパーソナルユースの電子機器において、臨場感及び奥行き感などをより高めることが可能となる。また、本発明の一態様の表示装置の画面比率（アスペクト比）については、特に限定はない。例えば、表示装置は、１：１（正方形）、４：３、１６：９、１６：１０など様々な画面比率に対応することができる。

　本実施の形態の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）を有していてもよい。

　本実施の形態の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す機能等を有することができる。

　図４４Ａ乃至図４４Ｄを用いて、頭部に装着可能なウェアラブル機器の一例を説明する。これらウェアラブル機器は、ＡＲのコンテンツを表示する機能、ＶＲのコンテンツを表示する機能、ＳＲのコンテンツを表示する機能、ＭＲのコンテンツを表示する機能のうち少なくとも一つを有する。電子機器が、ＡＲ、ＶＲ、ＳＲ、及びＭＲなどの少なくとも一つのコンテンツを表示する機能を有することで、使用者の没入感を高めることが可能となる。

　図４４Ａに示す電子機器７００Ａ、及び、図４４Ｂに示す電子機器７００Ｂは、それぞれ、一対の表示パネル７５１と、一対の筐体７２１と、通信部（図示しない）と、一対の装着部７２３と、制御部（図示しない）と、撮像部（図示しない）と、一対の光学部材７５３と、フレーム７５７と、一対の鼻パッド７５８と、を有する。

　表示パネル７５１には、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。したがって極めて精細度の高い表示が可能な電子機器とすることができる。

　電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、光学部材７５３の表示領域７５６に、表示パネル７５１で表示した画像を投影することができる。光学部材７５３は透光性を有するため、使用者は光学部材７５３を通して視認される透過像に重ねて、表示領域に表示された画像を見ることができる。したがって、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、ＡＲ表示が可能な電子機器である。

　電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、撮像部として、前方を撮像することのできるカメラが設けられていてもよい。また、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、ジャイロセンサなどの加速度センサを備えることで、使用者の頭部の向きを検知して、その向きに応じた画像を表示領域７５６に表示することもできる。

　通信部は無線通信機を有し、当該無線通信機により映像信号等を供給することができる。なお、無線通信機に代えて、または無線通信機に加えて、映像信号及び電源電位が供給されるケーブルを接続可能なコネクタを備えていてもよい。

　電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、バッテリが設けられており、無線及び有線の一方または双方によって充電することができる。

　筐体７２１には、タッチセンサモジュールが設けられていてもよい。タッチセンサモジュールは、筐体７２１の外側の面がタッチされることを検出する機能を有する。タッチセンサモジュールにより、使用者のタップ操作またはスライド操作などを検出し、様々な処理を実行することができる。例えば、タップ操作によって動画の一時停止または再開などの処理を実行することが可能となり、スライド操作により、早送りまたは早戻しの処理を実行することなどが可能となる。また、２つの筐体７２１のそれぞれにタッチセンサモジュールを設けることで、操作の幅を広げることができる。

　タッチセンサモジュールとして、様々なタッチセンサを適用することができる。例えば、静電容量方式、抵抗膜方式、赤外線方式、電磁誘導方式、表面弾性波方式、光学方式等、種々の方式を採用することができる。特に、静電容量方式または光学方式のセンサを、タッチセンサモジュールに適用することが好ましい。

　光学方式のタッチセンサを用いる場合には、受光デバイスとして、光電変換デバイス（光電変換素子ともいう）を用いることができる。光電変換デバイスの活性層には、無機半導体及び有機半導体の一方または双方を用いることができる。

　図４４Ｃに示す電子機器８００Ａ、及び、図４４Ｄに示す電子機器８００Ｂは、それぞれ、一対の表示部８２０と、筐体８２１と、通信部８２２と、一対の装着部８２３と、制御部８２４と、一対の撮像部８２５と、一対のレンズ８３２と、を有する。

　表示部８２０には、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。したがって極めて精細度の高い表示が可能な電子機器とすることができる。これにより、使用者に高い没入感を感じさせることができる。

　表示部８２０は、筐体８２１の内部の、レンズ８３２を通して視認できる位置に設けられる。また、一対の表示部８２０に異なる画像を表示させることで、視差を用いた３次元表示を行うこともできる。

　電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、ＶＲ向けの電子機器ということができる。電子機器８００Ａまたは電子機器８００Ｂを装着した使用者は、レンズ８３２を通して、表示部８２０に表示される画像を視認することができる。

　電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、レンズ８３２及び表示部８２０が、使用者の目の位置に応じて最適な位置となるように、これらの左右の位置を調整可能な機構を有していることが好ましい。また、レンズ８３２と表示部８２０との距離を変えることで、ピントを調整する機構を有していることが好ましい。

　装着部８２３により、使用者は電子機器８００Ａまたは電子機器８００Ｂを頭部に装着することができる。なお、図４４Ｃなどにおいては、メガネのつる（テンプルともいう）のような形状として例示しているがこれに限定されない。装着部８２３は、使用者が装着できればよく、例えば、ヘルメット型またはバンド型の形状としてもよい。

　撮像部８２５は、外部の情報を取得する機能を有する。撮像部８２５が取得したデータは、表示部８２０に出力することができる。撮像部８２５には、イメージセンサを用いることができる。また、望遠、広角などの複数の画角に対応可能なように複数のカメラを設けてもよい。

　なお、ここでは撮像部８２５を有する例を示したが、対象物の距離を測定することのできる測距センサ（以下、検知部ともよぶ）を設ければよい。すなわち、撮像部８２５は、検知部の一態様である。検知部は、例えば、イメージセンサ、または、ライダー（ＬＩＤＡＲ：Ｌｉｇｈｔ　Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ　ａｎｄ　Ｒａｎｇｉｎｇ）などの距離画像センサを用いることができる。カメラによって得られた画像と、距離画像センサによって得られた画像とを用いることにより、より多くの情報を取得し、より高精度なジェスチャー操作を可能とすることができる。

　電子機器８００Ａは、骨伝導イヤフォンとして機能する振動機構を有していてもよい。例えば、表示部８２０、筐体８２１、及び装着部８２３のいずれか一または複数に、当該振動機構を有する構成を適用することができる。これにより、別途、ヘッドフォン、イヤフォン、またはスピーカなどの音響機器を必要とせず、電子機器８００Ａを装着しただけで映像と音声を楽しむことができる。

　電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、入力端子を有していてもよい。入力端子には映像出力機器等からの映像信号、及び、電子機器内に設けられるバッテリを充電するための電力等を供給するケーブルを接続することができる。

　本発明の一態様の電子機器は、イヤフォン７５０と無線通信を行う機能を有していてもよい。イヤフォン７５０は、通信部（図示しない）を有し、無線通信機能を有する。イヤフォン７５０は、無線通信機能により、電子機器から情報（例えば音声データ）を受信することができる。例えば、図４４Ａに示す電子機器７００Ａは、無線通信機能によって、イヤフォン７５０に情報を送信する機能を有する。また、例えば、図４４Ｃに示す電子機器８００Ａは、無線通信機能によって、イヤフォン７５０に情報を送信する機能を有する。

　電子機器がイヤフォン部を有していてもよい。図４４Ｂに示す電子機器７００Ｂは、イヤフォン部７２７を有する。例えば、イヤフォン部７２７と制御部とは、互いに有線接続されている構成とすることができる。イヤフォン部７２７と制御部とをつなぐ配線の一部は、筐体７２１または装着部７２３の内部に配置されていてもよい。

　同様に、図４４Ｄに示す電子機器８００Ｂは、イヤフォン部８２７を有する。例えば、イヤフォン部８２７と制御部８２４とは、互いに有線接続されている構成とすることができる。イヤフォン部８２７と制御部８２４とをつなぐ配線の一部は、筐体８２１または装着部８２３の内部に配置されていてもよい。また、イヤフォン部８２７と装着部８２３とがマグネットを有していてもよい。これにより、イヤフォン部８２７を装着部８２３に磁力によって固定することができ、収納が容易となり好ましい。

　なお、電子機器は、イヤフォンまたはヘッドフォンなどを接続することができる音声出力端子を有していてもよい。また、電子機器は、音声入力端子及び音声入力機構の一方または双方を有していてもよい。音声入力機構として、例えば、マイクなどの集音装置を用いることができる。電子機器が音声入力機構を有することで、電子機器に、いわゆるヘッドセットとしての機能を付与してもよい。

　このように、本発明の一態様の電子機器は、メガネ型（電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂなど）と、ゴーグル型（電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂなど）とのどちらも好適である。

　本発明の一態様の電子機器は、有線または無線によって、イヤフォンに情報を送信することができる。

　図４５Ａに示す電子機器６５００は、スマートフォンとして用いることのできる携帯情報端末機である。

　電子機器６５００は、筐体６５０１、表示部６５０２、電源ボタン６５０３、ボタン６５０４、スピーカ６５０５、マイク６５０６、カメラ６５０７、及び光源６５０８等を有する。表示部６５０２はタッチパネル機能を備える。

　表示部６５０２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

　図４５Ｂは、筐体６５０１のマイク６５０６側の端部を含む断面概略図である。

　筐体６５０１の表示面側には透光性を有する保護部材６５１０が設けられ、筐体６５０１と保護部材６５１０に囲まれた空間内に、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、タッチセンサパネル６５１３、プリント基板６５１７、バッテリ６５１８等が配置されている。

　保護部材６５１０には、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、及びタッチセンサパネル６５１３が接着層（図示しない）により固定されている。

　表示部６５０２よりも外側の領域において、表示パネル６５１１の一部が折り返されており、当該折り返された部分にＦＰＣ６５１５が接続されている。ＦＰＣ６５１５には、ＩＣ６５１６が実装されている。ＦＰＣ６５１５は、プリント基板６５１７に設けられた端子に接続されている。

　表示パネル６５１１には本発明の一態様のフレキシブルディスプレイを適用することができる。そのため、極めて軽量な電子機器を実現できる。また、表示パネル６５１１が極めて薄いため、電子機器の厚さを抑えつつ、大容量のバッテリ６５１８を搭載することもできる。また、表示パネル６５１１の一部を折り返して、画素部の裏側にＦＰＣ６５１５との接続部を配置することにより、狭額縁の電子機器を実現できる。

　図４５Ｃにテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７１０３により筐体７１０１を支持した構成を示している。

　表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

　図４５Ｃに示すテレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチ、及び、別体のリモコン操作機７１１１により行うことができる。または、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることでテレビジョン装置７１００を操作してもよい。リモコン操作機７１１１は、当該リモコン操作機７１１１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７１１１が備える操作キーまたはタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作することができる。

　なお、テレビジョン装置７１００は、受信機及びモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者同士など）の情報通信を行うことも可能である。

　図４５Ｄに、ノート型パーソナルコンピュータの一例を示す。ノート型パーソナルコンピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイス７２１３、外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、表示部７０００が組み込まれている。

　表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

　図４５Ｅ及び図４５Ｆに、デジタルサイネージの一例を示す。

　図４５Ｅに示すデジタルサイネージ７３００は、筐体７３０１、表示部７０００、及びスピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。

　図４５Ｆは円柱状の柱７４０１に取り付けられたデジタルサイネージ７４００である。デジタルサイネージ７４００は、柱７４０１の曲面に沿って設けられた表示部７０００を有する。

　図４５Ｅ及び図４５Ｆにおいて、表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

　表示部７０００が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示部７０００が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることができる。

　表示部７０００にタッチパネルを適用することで、表示部７０００に画像または動画を表示するだけでなく、使用者が直感的に操作することができ、好ましい。また、路線情報もしくは交通情報などの情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユーザビリティを高めることができる。

　図４５Ｅ及び図４５Ｆに示すように、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００は、使用者が所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１または情報端末機７４１１と無線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示部７０００に表示される広告の情報を、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面に表示させることができる。また、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１を操作することで、表示部７０００の表示を切り替えることができる。

　デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００に、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面を操作手段（コントローラ）としたゲームを実行させることもできる。これにより、不特定多数の使用者が同時にゲームに参加し、楽しむことができる。

　図４６Ａ乃至図４６Ｇに示す電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有する。

　図４６Ａ乃至図４６Ｇに示す電子機器は、様々な機能を有する。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して処理する機能、等を有することができる。なお、電子機器の機能はこれらに限られず、様々な機能を有することができる。電子機器は、複数の表示部を有していてもよい。また、電子機器にカメラ等を設け、静止画または動画を撮影し、記録媒体（外部またはカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。

　図４６Ａ乃至図４６Ｇに示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。

　図４６Ａは、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。携帯情報端末９１０１は、例えばスマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、スピーカ９００３、接続端子９００６、センサ９００７等を設けてもよい。また、携帯情報端末９１０１は、文字及び画像情報をその複数の面に表示することができる。図４６Ａでは３つのアイコン９０５０を表示した例を示している。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面に表示することもできる。情報９０５１の一例として、電子メール、ＳＮＳ、電話などの着信の通知、電子メールまたはＳＮＳなどの題名、送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、電波強度などがある。または、情報９０５１が表示されている位置にはアイコン９０５０などを表示してもよい。

　図４６Ｂは、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。携帯情報端末９１０２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状態で、携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位置に表示された情報９０５３を確認することもできる。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく表示を確認し、例えば電話を受けるか否かを判断できる。

　図４６Ｃは、タブレット端末９１０３を示す斜視図である。タブレット端末９１０３は、一例として、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲーム等の種々のアプリケーションの実行が可能である。タブレット端末９１０３は、筐体９０００の正面に表示部９００１、カメラ９００２、マイクロフォン９００８、スピーカ９００３を有し、筐体９０００の左側面には操作用のボタンとしての操作キー９００５、底面には接続端子９００６を有する。

　図４６Ｄは、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末９２００は、例えばスマートウォッチ（登録商標）として用いることができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００は、例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６により、他の情報端末と相互にデータ伝送を行うこと、及び、充電を行うこともできる。なお、充電動作は無線給電により行ってもよい。

　図４６Ｅ乃至図４６Ｇは、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図である。また、図４６Ｅは携帯情報端末９２０１を展開した状態、図４６Ｇは折り畳んだ状態、図４６Ｆは図４６Ｅと図４６Ｇの一方から他方に変化する途中の状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。例えば、表示部９００１は、曲率半径０．１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。

　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

１００Ａ：表示装置、１００Ｂ：表示装置、１００Ｃ：表示装置、１００Ｄ：表示装置、１００Ｅ：表示装置、１００Ｆ：表示装置、１００Ｇ：表示装置、１００Ｈ：表示装置、１００：表示装置、１０１：層、１０５：トランジスタ、１０７ａ：着色層、１０７ｂ：着色層、１０７ｃ：着色層、１０７：着色層、１０９：色変換層、１１０ａ：副画素、１１０ｂ：副画素、１１０ｃ：副画素、１１０ｄ：副画素、１１０ｅ：副画素、１１０：画素、１１１ｆ：導電膜、１１１：導電層、１１２：導電層、１１５：導電層、１１６：接続層、１１７：遮光層、１１８Ａ：マスク層、１１８ｆ：マスク膜、１１８：マスク層、１２０ａ：基板、１２０：基板、１２１：反射層、１２２ａ：接着層、１２２：樹脂層、１２３：導電層、１２４ａ：画素、１２４ｂ：画素、１２５ｆ：絶縁膜、１２５：絶縁層、１２６：導電層、１２７ｆ：充填膜、１２７：充填層、１２８：層、１２９：導電層、１３０：発光デバイス、１３１：保護層、１３２ｆ：導電膜、１３２：導電層、１３３：レンズ、１３４ｆ：ＬＥＤ膜、１３４：ＬＥＤ層、１３５：遮光層、１３６：ＬＥＤチップ、１３７：導電層、１３８：接続層、１３９：基板、１４０：接続部、１４２：接着層、１４４：接続層、１５１：基板、１５２：基板、１６２：表示部、１６４：回路、１６５：配線、１６６：導電層、１７２：ＦＰＣ、１７３：ＩＣ、１８０：基板、１８２ｆ：半導体膜、１８２：半導体層、１８４ｆ：発光膜、１８４：発光層、１８６ｆ：半導体膜、１８６：半導体層、１８８：ＬＥＤ基板、１９０Ａ：レジストマスク、１９０Ｂ：レジストマスク、２０１：トランジスタ、２０４：接続部、２０５：トランジスタ、２０９：トランジスタ、２１０：トランジスタ、２１１：絶縁層、２１３：絶縁層、２１４：絶縁層、２１５：絶縁層、２１８：絶縁層、２２１：導電層、２２２ａ：導電層、２２２ｂ：導電層、２２３：導電層、２２５：絶縁層、２３１ｉ：チャネル形成領域、２３１ｎ：低抵抗領域、２３１：半導体層、２４０：容量、２４１：導電層、２４２：接続層、２４３：絶縁層、２４５：導電層、２５１：導電層、２５２：導電層、２５４：絶縁層、２５５ａ：絶縁層、２５５ｂ：絶縁層、２５５ｃ：絶縁層、２５６：プラグ、２６１：絶縁層、２６２：絶縁層、２６３：絶縁層、２６４：絶縁層、２６５：絶縁層、２７１：プラグ、２７４ａ：導電層、２７４ｂ：導電層、２７４：プラグ、２８０：表示モジュール、２８１：表示部、２８２：回路部、２８３ａ：画素回路、２８３：画素回路部、２８４ａ：画素、２８４：画素部、２８５：端子部、２８６：配線部、２９０：ＦＰＣ、２９１：基板、２９２：基板、３０１Ａ：基板、３０１Ｂ：基板、３０１：基板、３１０Ａ：トランジスタ、３１０Ｂ：トランジスタ、３１０：トランジスタ、３１１：導電層、３１２：低抵抗領域、３１３：絶縁層、３１４：絶縁層、３１５：素子分離層、３２０Ａ：トランジスタ、３２０Ｂ：トランジスタ、３２０：トランジスタ、３２１：半導体層、３２３：絶縁層、３２４：導電層、３２５：導電層、３２６：絶縁層、３２７：導電層、３２８：絶縁層、３２９：絶縁層、３３１：基板、３３２：絶縁層、３３５：絶縁層、３３６：絶縁層、３４１：導電層、３４２：導電層、３４３：プラグ、３４４：絶縁層、３４５：絶縁層、３４６：絶縁層、３４７：バンプ、３４８：接着層、７００Ａ：電子機器、７００Ｂ：電子機器、７２１：筐体、７２３：装着部、７２７：イヤフォン部、７４０：保護層、７４２：接着層、７４３：樹脂層、７４４：絶縁層、７４５：支持基板、７５０：イヤフォン、７５１：表示パネル、７５３：光学部材、７５６：表示領域、７５７：フレーム、７５８：鼻パッド、７６０：配線、８００Ａ：電子機器、８００Ｂ：電子機器、８２０：表示部、８２１：筐体、８２２：通信部、８２３：装着部、８２４：制御部、８２５：撮像部、８２７：イヤフォン部、８３２：レンズ、６５００：電子機器、６５０１：筐体、６５０２：表示部、６５０３：電源ボタン、６５０４：ボタン、６５０５：スピーカ、６５０６：マイク、６５０７：カメラ、６５０８：光源、６５１０：保護部材、６５１１：表示パネル、６５１２：光学部材、６５１３：タッチセンサパネル、６５１５：ＦＰＣ、６５１６：ＩＣ、６５１７：プリント基板、６５１８：バッテリ、７０００：表示部、７１００：テレビジョン装置、７１０１：筐体、７１０３：スタンド、７１１１：リモコン操作機、７２００：ノート型パーソナルコンピュータ、７２１１：筐体、７２１２：キーボード、７２１３：ポインティングデバイス、７２１４：外部接続ポート、７３００：デジタルサイネージ、７３０１：筐体、７３０３：スピーカ、７３１１：情報端末機、７４００：デジタルサイネージ、７４０１：柱、７４１１：情報端末機、９０００：筐体、９００１：表示部、９００２：カメラ、９００３：スピーカ、９００５：操作キー、９００６：接続端子、９００７：センサ、９００８：マイクロフォン、９０５０：アイコン、９０５１：情報、９０５２：情報、９０５３：情報、９０５４：情報、９０５５：ヒンジ、９１０１：携帯情報端末、９１０２：携帯情報端末、９１０３：タブレット端末、９２００：携帯情報端末、９２０１：携帯情報端末

Claims (16)

1. 　第１の発光デバイスと、第２の発光デバイスと、第１の絶縁層と、充填層と、を有し、
   　前記第１の発光デバイスは、第１の電極と、前記第１の電極上の第１の半導体層と、前記第１の半導体層上の共通電極と、を有し、
   　前記第２の発光デバイスは、第２の電極と、前記第２の電極上の第２の半導体層と、前記第２の半導体層上の前記共通電極と、を有し、
   　前記第１の絶縁層は、前記第１の半導体層の側面、及び前記第２の半導体層の側面と接する領域を有し、
   　前記充填層は、前記第１の絶縁層を介して、前記第１の半導体層の側面、及び前記第２の半導体層の側面と重畳する領域を有し、
   　前記共通電極は、前記充填層の上面と接する領域を有する表示装置。
2. 　第１の発光デバイスと、第２の発光デバイスと、第１の絶縁層と、充填層と、着色層と、色変換層と、を有し、
   　前記第１の発光デバイスは、第１の電極と、前記第１の電極上の第１の半導体層と、前記第１の半導体層上の共通電極と、を有し、
   　前記第２の発光デバイスは、第２の電極と、前記第２の電極上の第２の半導体層と、前記第２の半導体層上の前記共通電極と、を有し、
   　前記第１の絶縁層は、前記第１の半導体層の側面、及び前記第２の半導体層の側面と接する領域を有し、
   　前記充填層は、前記第１の絶縁層を介して、前記第１の半導体層の側面、及び前記第２の半導体層の側面と重畳する領域を有し、
   　前記共通電極は、前記充填層の上面と接し、
   　前記着色層は、前記色変換層を介して、前記第１の発光デバイスと重畳する領域を有し、
   　前記色変換層は、蛍光体または量子ドットを有する表示装置。
3. 　請求項１または請求項２において、
   　前記充填層の端部は、前記第１の半導体層上及び前記第２の半導体層上に位置し、
   　前記充填層の端部は、断面視において、テーパ形状を有する表示装置。
4. 　請求項１または請求項２において、
   　前記第１の絶縁層の端部は、前記第１の半導体層上及び前記第２の半導体層上に位置し、
   　前記第１の絶縁層の端部は、断面視において、テーパ形状を有する表示装置。
5. 　請求項１または請求項２において、
   　前記充填層の端部は、前記第１の絶縁層の端部よりも外側に位置する表示装置。
6. 　請求項１または請求項２において、
   　前記充填層は、断面視において、上面に凸曲面形状を有する表示装置。
7. 　請求項１または請求項２において、
   　反射層を有し、
   　前記反射層は、前記第１の絶縁層と前記充填層の間に位置し、
   　前記反射層は、前記第１の絶縁層を介して、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層の側面と重畳する領域を有する表示装置。
8. 　請求項１または請求項２において、
   　第２の絶縁層を有し、
   　前記第２の絶縁層は、前記第１の半導体層の上面と接する領域を有し、
   　前記充填層は、前記第２の絶縁層を介して、前記第１の半導体層の上面と重畳する領域を有する表示装置。
9. 　請求項１または請求項２において、
   　第２の絶縁層を有し、
   　前記第２の絶縁層は、前記第１の半導体層の上面と接する領域を有し、
   　前記充填層は、前記第２の絶縁層を介して、前記第１の半導体層の上面と重畳する領域を有し、
   　断面視において、前記第２の絶縁層の端部は、テーパ形状を有する表示装置。
10. 　請求項１または請求項２において、
    　前記第１の絶縁層は、無機材料を有し、
    　前記充填層は、有機材料を有する表示装置。
11. 　請求項１または請求項２において、
    　前記第１の絶縁層は、無機材料を有し、
    　前記充填層は、有機材料を有し、
    　前記充填層は、絶縁性である表示装置。
12. 　請求項１または請求項２において、
    　前記第１の絶縁層は、無機材料を有し、
    　前記充填層は、有機材料を有し、
    　前記充填層は、導電性である表示装置。
13. 　請求項１または請求項２において、
    　前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層はそれぞれ、第１３族元素および第１５族元素を含む化合物である表示装置。
14. 　請求項１または請求項２において、
    　層を有し、
    　前記層は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
    　前記第１の発光デバイス及び前記第２の発光デバイスは、前記層上に設けられ、
    　前記第１の発光デバイスは、前記第１のトランジスタと電気的に接続され、
    　前記第２の発光デバイスは、前記第２のトランジスタと電気的に接続される表示装置。
15. 　請求項１または請求項２に記載の表示装置と、コネクタ及び集積回路のうち少なくとも一方と、を有する表示モジュール。
16. 　請求項１５に記載の表示モジュールと、筐体、バッテリ、カメラ、スピーカ、及びマイクのうち少なくとも一つと、を有する電子機器。

Images