WO2023027140A1 - 磁気ディスク用基板及びその製造方法並びに磁気ディスク - Google Patents

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英之 畠山
浩一郎 滝口
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Definitions

  • the present invention relates to a magnetic disk substrate, its manufacturing method, and a magnetic disk. More specifically, the present invention relates to a magnetic disk substrate, a method for manufacturing the same, and a magnetic disk, which are thin yet maintain high flatness even after long-term use, can cope with high-capacity hard disks, and improve long-term reliability.
  • a thin substrate with a thickness of less than 0.50 mm may have a higher flatness than a thick substrate with a thickness of 0.50 mm or more, which adversely affects long-term use of the hard disk. have a nature.
  • Patent Document 1 To date, several studies have been conducted on flattening technology to reduce physical errors in hard disks (for example, Patent Document 1). However, all of these focus only on flatness after precision polishing, and such conventional flattened substrates have room for improvement in terms of long-term reliability in actual use environments.
  • the present invention provides a magnetic disk substrate that is thin yet maintains high flatness even after long-term use, is compatible with high-capacity hard disks, and can improve long-term reliability, a method for manufacturing the same, and a magnetic disk. intended to provide
  • the inventors of the present invention have found that by improving the flatness of the substrate after a thermal shock test, which is an accelerated test that simulates the actual usage environment, it is possible to increase the capacity of hard disks and achieve high long-term reliability.
  • the inventors have found that a magnetic disk substrate and a magnetic disk having properties can be obtained, and have completed the present invention.
  • the gist and configuration of the present invention are as follows.
  • a substrate for a magnetic disk where one cycle is a process of heating the substrate at 120° C. for 30 minutes and then cooling it at ⁇ 40° C. for 30 minutes, and this cycle is repeated 200 times.
  • the magnetic disk substrate according to (1) above which has a thickness of less than 0.50 mm.
  • the magnetic disk substrate according to (1) or (2) above which has an outer diameter dimension of 95 mm or more.
  • the magnetic disk substrate according to any one of the above (1) to (4) which is for a thermally-assisted magnetic recording (HAMR) or microwave-assisted magnetic recording (MAMR) magnetic disk.
  • HAMR thermally-assisted magnetic recording
  • MAMR microwave-assisted magnetic recording
  • a magnetic disk When the magnetic disk is heated at 120° C. for 30 minutes and then cooled at ⁇ 40° C. for 30 minutes as one cycle, the magnetic disk after the thermal shock test is repeated for 200 cycles.
  • the above (1) to (5) including a rough polishing step of roughly polishing both surfaces of a disk-shaped blank substrate, and a precision polishing step of precisely polishing both surfaces of the roughly-polished blank substrate.
  • a method for manufacturing a magnetic disk substrate according to any one of the above Prior to the rough polishing step, at least one surface of the blank substrate after rough polishing in the rough polishing step with a polishing pad used in the rough polishing step on a dummy substrate manufactured under the same conditions as the blank substrate. , by polishing the dummy substrate until the arithmetic mean waviness Wa measured at a cutoff wavelength of 0.4 to 5.0 mm is less than 2.5 nm, thereby improving the surface of the polishing pad used in the rough polishing step. further including a dummy polishing step to adjust, The manufacturing method, wherein in the rough polishing step, the front and back surfaces of the blank substrate are reversed during rough polishing of the blank substrate.
  • a magnetic disk substrate and a magnetic disk that are thin yet retain high flatness even after long-term use, can be adapted to high-capacity hard disks, and can improve long-term reliability.
  • FIG. 1 is a flowchart showing an example of a manufacturing process of a magnetic disk (aluminum alloy substrate for magnetic disk) according to the present invention
  • FIG. 2 is a flowchart showing an example of a manufacturing process of a magnetic disk (glass substrate for magnetic disk) according to the present invention.
  • the magnetic disk substrate and the magnetic disk according to the present invention will be described in detail below.
  • the substrate is heated at 120° C. for 30 minutes and then cooled at ⁇ 40° C. for 30 minutes, and this cycle is repeated 200 times.
  • the flatness PV measured at 25° C. on the surface of the substrate after the thermal shock test is 12 ⁇ m or less.
  • the "flatness PV” is a value representing the difference between the highest point (Peak) and the lowest point (Valley) of the substrate.
  • the flatness can be measured by, for example, an interferometric flatness measuring machine and a phase measurement interferometry (phase shift method) at a predetermined measurement wavelength.
  • the flatness of the substrate may be measured by a phase measurement interferometry (phase shift method) using a light source with a measurement wavelength of 680 nm.
  • one of the main surfaces (usually, the main surface on which the magnetic head is arranged to face) satisfies the flatness after the above thermal shock test, and two of which satisfy the flatness after the thermal shock test described above.
  • the mode in which both main surfaces satisfy the flatness PV after the thermal shock test is preferable. Therefore, the flatness may be measured on both main surfaces, and the higher value may be taken as the flatness of the measured substrate.
  • the flatness PV represents the flatness of the entire disk surface including not only the surface roughness of the substrate but also the undulations and unevenness of the substrate itself. Therefore, the PV value of the substrate is important for improving the reliability of the hard disk, but the flatness PV after the thermal shock test as described above has not been examined so far.
  • the magnetic disk substrate of the present invention may be formed of any known substrate, and its size and material are not particularly limited.
  • the effect of the present invention is particularly remarkable in a thin magnetic disk substrate having a thickness of less than 0.5 mm. This is because such a thin substrate has low rigidity, and if the flatness after long-term use is high, the reliability of the hard disk is greatly affected.
  • the effect of the present invention is remarkable with a magnetic disk substrate having an outer diameter of 95 mm or more.
  • the material of the magnetic disk substrate of the present invention can be appropriately selected from conventionally used materials, and examples thereof include aluminum alloys and glass.
  • a magnetic disk substrate made of an aluminum alloy, glass, or the like is suitable as the magnetic disk substrate of the present invention because it is less prone to defects and has good mechanical properties and workability.
  • the magnetic disk substrate of the present invention can be used as a magnetic disk substrate for any recording system. It is preferably used as a substrate. When it is used as a magnetic disk substrate for HAMR, it is preferable to use a glass substrate having excellent heat resistance. When used as a magnetic disk substrate for MAMR, either a glass substrate or an aluminum alloy substrate can be used.
  • a substrate made of an aluminum alloy (in this specification, it may be simply referred to as an "aluminum alloy substrate") is less susceptible to defects, has good mechanical properties and workability, and is low in cost. It is suitable as The material of the aluminum alloy substrate is not particularly limited, and various known materials can be used. An alloy containing elements such as Elements such as iron (Fe), manganese (Mn), and nickel (Ni) that can improve rigidity can also be contained. More preferably, alloys in the A5000 series or A8000 series, especially A5086, are used. With such an alloy, defects are less likely to occur in the substrate, and sufficient mechanical properties can be imparted.
  • A5086 has Mg: 3.5 to 4.5%, Fe: 0.50% or less, Si: 0.40% or less, Mn: 0.20 ⁇ 0.7%, Cr: 0.05 to 0.25%, Cu: 0.10% or less, Ti: 0.15% or less, and Zn: 0.25% or less, the balance being Al and unavoidable consists of organic impurities.
  • composition of the aluminum alloy Mg: 1.0 to 6.5%, Cu: 0 to 0.070%, Zn: 0 to 0.60%, Fe: 0 to 0 .50%, Si: 0-0.50%, Cr: 0-0.20%, Mn: 0-0.50%, Zr: 0-0.20%, Be: 0-0.0020%
  • the balance may be aluminum and inevitable impurities.
  • components other than the above may be contained, for example, 0.1% or less for each element, and 0.3% or less in total.
  • “%” means “% by mass”.
  • a glass substrate is suitable as a substrate for a magnetic disk because it is less prone to defects, has good mechanical properties and workability, and is less likely to be plastically deformed.
  • the material of the glass substrate is also not particularly limited, and glass ceramics such as amorphous glass and crystallized glass can be used.
  • Amorphous glass is preferably used from the viewpoint of substrate flatness, moldability, and workability.
  • There are no particular restrictions on the material and examples include aluminosilicate glass (aluminosilicate glass), soda lime glass, soda aluminosilicate glass, aluminoborosilicate glass, borosilicate glass (borosilicate glass), air cooling, liquid cooling, etc.
  • Examples include, but are not limited to, physically strengthened glass and chemically strengthened glass. Among them, aluminosilicate glass, particularly amorphous aluminosilicate glass is preferred. Substrates made of such materials are excellent in terms of flatness and strength, and can have good long-term reliability.
  • aluminosilicate glass for example, SiO 2 : 55 to 75% as a main component, Al 2 O 3 : 0.7 to 25%, Li 2 O: 0.01 to 6%, Na 2 O: 0.7 to 12%, K 2 O: 0-8%, MgO: 0-7%, CaO: 0-10%, ZrO 2 : 0-10%, TiO 2 : 0-1%, especially SiO 2 : 60-70%, Al 2 O 3 : 10-25%, Li 2 O: 1-6%, Na 2 O: 0.7-3%, K 2 O: 0-3%, MgO: 0-3% , CaO: 1-7%, ZrO 2 : 0.1-3%, and TiO 2 : 0-1%, and substrates made of these materials can also be used in the present invention.
  • "%" means "% by mass”.
  • SiO2 is the main component forming the skeleton of the glass.
  • the content is 55% or more, high chemical durability is likely to be exhibited, and when the content is 75% or less, the melting temperature is not too high and molding tends to be easy.
  • Al 2 O 3 is a component that has the effect of improving ion exchangeability and chemical durability, and in order to exhibit such effect, the Al 2 O 3 content is preferably 0.7% or more. Also, if the Al 2 O 3 content is 25% or less, there is no possibility that the solubility and devitrification resistance will be lowered. Therefore, the content of Al 2 O 3 is preferably 0.7 to 25%.
  • Li 2 O is a component that functions to chemically strengthen glass by exchanging with Na ions, improve meltability and moldability, and improve Young's modulus.
  • the content of Li 2 O is preferably 0.01% or more. Also, if the content of Li 2 O is 6% or less, there is no possibility that devitrification resistance and chemical durability will be lowered. Therefore, the content of Al 2 O 3 is preferably 0.01 to 6%.
  • Na 2 O is a component that chemically strengthens glass by exchanging with K ions, lowers high-temperature viscosity, improves meltability and moldability, and improves devitrification resistance.
  • the content of Na 2 O is preferably 0.7% or more.
  • the content of Na 2 O is 12% or less, it is preferable because there is no risk of deterioration in chemical durability and Knoop hardness.
  • K 2 O, MgO, CaO, ZrO 2 and TiO 2 are optional additive components that can be contained as necessary.
  • K 2 O is a component that has the effect of lowering the high-temperature viscosity, improving the meltability, improving the moldability, and improving the devitrification resistance.
  • the low-temperature viscosity tends to decrease, the coefficient of thermal expansion increases, and the impact resistance tends to decrease. Therefore, the K 2 O content is preferably 0 to 8%.
  • MgO and CaO are components that reduce high-temperature viscosity, improve dissolution, clarification, and moldability, and have the effect of improving Young's modulus
  • CaO in particular is contained as an essential component in soda lime glass.
  • MgO and CaO can be expected to reduce high-temperature viscosity, improve dissolution, clarification, and moldability, and also improve Young's modulus. If the rate exceeds 10%, there is a tendency to lower ion exchange performance and devitrification resistance. Therefore, the MgO content is preferably 7% or less, and the CaO content is preferably 10% or less.
  • ZrO2 is a component that has the effect of increasing Knoop hardness and improving chemical durability and heat resistance, but if the content of ZrO2 exceeds 10%, meltability and devitrification resistance are reduced tend to Therefore, the content of ZrO 2 is preferably 0 to 10%.
  • TiO2 is a component that has the effects of lowering high-temperature viscosity, improving meltability, stabilizing structure, and improving durability. It tends to reduce devitrification. Therefore, the content of TiO 2 is preferably 0 to 1%.
  • the glass of the above composition also contains B 2 O 3 , which has the action of lowering the viscosity and enhancing the solubility and clarity, and the action of lowering the high-temperature viscosity, improving the dissolution, clarity, and moldability, and improving the Young's modulus.
  • SrO and BaO having a 2 O 3 and the like, and further As 2 O 3 and Sb 2 O 3 may be included as clarifiers.
  • trace elements may include oxides such as lanthanum (La), phosphorus (P), cerium (Ce), antimony (Sb), hafnium (Hf), rubididium (Rb), yttrium (Y), and the like.
  • B 2 O 3 is contained as an essential component in aluminoborosilicate glass and borosilicate glass.
  • the glass also contains SiO 2 : 45-60%, Al 2 O 3 : 7-20%, B 2 O 3 : 1-8%, P 2 O 5 : 0.5-7%, CaO: 0-3 %, TiO 2 : 1 to 15%, BaO: 0 to 4%, and other oxides such as MgO: 5 to 35%.
  • An aluminum alloy substrate or a glass substrate having the composition described above exhibits high flatness and is resistant to thermal deformation.
  • the flatness PV after a thermal shock test performed by repeating this cycle 200 times can be 12 ⁇ m or less, particularly 10 ⁇ m or less.
  • FIG. 1 is a flowchart showing an example of a manufacturing process of an aluminum alloy substrate for a magnetic disk and a magnetic disk according to the present invention.
  • an aluminum alloy component preparation step (step S101), an aluminum alloy casting step (step S102), a homogenization treatment step (step S103), a hot rolling step (step S104), and a cold rolling step (step S105).
  • step S101 an aluminum alloy component preparation step
  • step S102 an aluminum alloy casting step
  • step S103 a homogenization treatment step
  • step S104 a hot rolling step
  • step S105 a cold rolling step
  • a disk blank made of an aluminum alloy is manufactured by a blanking/pressure flattening process (step S106).
  • the manufactured disk blank is subjected to pretreatment such as cutting and grinding (step S107) to produce an annular aluminum alloy plate.
  • This substrate is subjected to a zincate treatment step (step S108) and an electroless Ni--P plating treatment step (step S109) to manufacture an aluminum alloy substrate for a magnetic disk.
  • the manufactured aluminum alloy substrate for a magnetic disk (blank substrate) is subjected to a rough polishing step (step S110) and a fine polishing step (step S111), and becomes a magnetic disk by a magnetic substance attaching step (step S112). The details of each step will be described below in accordance with the flow of FIG.
  • a molten metal of an aluminum alloy material having the above composition is prepared by heating and melting according to a conventional method (step S101).
  • the prepared molten metal of the aluminum alloy material is cast by a semi-continuous casting (DC casting) method, a continuous casting (CC casting) method, or the like to cast the aluminum alloy material (step S102).
  • a DC casting method particularly a vertical semi-continuous casting method is preferable.
  • the manufacturing conditions and the like of the aluminum alloy material in the DC casting method and the CC casting method are as follows.
  • the molten metal poured through the spout is cooled by cooling water discharged directly to the bottom block, the water-cooled wall of the mold, and the outer periphery of the ingot (ingot). Then, it is drawn downward as an aluminum alloy ingot.
  • molten metal is supplied through a casting nozzle between a pair of rolls (or belt caster, block caster), and heat is removed from the rolls to directly cast a thin aluminum alloy plate.
  • the big difference between the DC casting method and the CC casting method is the cooling rate during casting.
  • CC casting which has a high cooling rate, is characterized by a smaller size of second phase particles than DC casting.
  • the DC cast aluminum alloy ingot is subjected to homogenization treatment as necessary (step S103).
  • the heat treatment is preferably performed at 280 to 620° C. for 0.5 to 30 hours, more preferably at 300 to 620° C. for 1 to 24 hours. If the heating temperature during the homogenization treatment is less than 280° C. or the heating time is less than 0.5 hours, the homogenization treatment is insufficient, and there is a risk that the loss factor of each aluminum alloy plate will vary greatly. If the heating temperature during the homogenization treatment exceeds 620°C, there is a risk that the aluminum alloy ingot will melt. Even if the heating time in the homogenization process exceeds 30 hours, the effect is saturated, and no further remarkable improvement effect can be obtained.
  • the aluminum alloy ingot (DC casting), which has been subjected to homogenization treatment or has not been subjected to homogenization treatment, is hot-rolled into a plate material (step S104).
  • the conditions for hot rolling are not particularly limited, but the hot rolling start temperature is preferably 250 to 600°C, and the hot rolling end temperature is preferably 230 to 450°C.
  • the hot-rolled rolled plate or the cast plate cast by the CC casting method is cold-rolled into an aluminum alloy plate of, for example, about 0.30 to 0.60 mm (step S105).
  • the cold rolling conditions are not particularly limited, and may be determined according to the required product plate strength and plate thickness, and the rolling reduction is preferably 10 to 95%.
  • the temperature during the annealing treatment is preferably 250 to 500°C, particularly 300 to 450°C.
  • More specific annealing conditions include, for example, batch heating at 300 to 450° C. and holding for 0.1 to 10 hours, and continuous heating at 400 to 500° C. and holding for 0 to 60 seconds. can.
  • the holding time of 0 seconds means cooling immediately after reaching the desired holding temperature.
  • the annular aluminum alloy plate obtained by cold rolling is punched into an annular shape to form an annular aluminum alloy plate.
  • the annular aluminum alloy plate is preferably made into a disc blank by blanking and pressure flattening (step S106).
  • the blanking/pressure flattening treatment (also referred to as “pressure annealing”) is preferably performed at a temperature equal to or higher than the recrystallization temperature of the aluminum alloy and applying a pressure of about 30 to 60 kg/cm 2 .
  • a flattened blank is produced by holding in the air at a temperature of 250 to 500° C., especially 300 to 400° C. for 0.5 to 10 hours, especially 1 to 5 hours.
  • the disk blank Prior to the next zincate treatment, etc., the disk blank is subjected to cutting/grinding (step S107) and, if necessary, heat treatment.
  • the inner and outer peripheral end faces may be chamfered.
  • the disk blank surface is degreased, etched, and subjected to zincate treatment (Zn replacement treatment) (step S108).
  • Degreasing can be performed using, for example, a commercially available AD-68F (manufactured by Uyemura & Co., Ltd.) degreasing solution under conditions of a concentration of 200 to 800 mL/L, a temperature of 40 to 70° C., and a treatment time of 3 to 10 minutes.
  • etching for example, using a commercially available AD-107F (manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) etchant, acid etching is performed under the conditions of a concentration of 20 to 100 mL / L, a temperature of 50 to 75 ° C., and a processing time of 0.5 to 5 minutes. You can go by
  • a zincate film is formed on the disk blank surface.
  • a commercially available zincate treatment solution can be used for the zincate treatment, and is preferably carried out under conditions of a concentration of 100 to 500 mL/L, a temperature of 10 to 35° C., and a treatment time of 0.1 to 5 minutes.
  • the zincate treatment is performed at least once, and may be performed twice or more. By performing the zincate treatment multiple times, fine Zn can be precipitated to form a uniform zincate film. When the zincate treatment is performed twice or more, the Zn stripping treatment may be performed in between.
  • the Zn stripping treatment is preferably performed using an HNO 3 solution under conditions of a concentration of 10 to 60%, a temperature of 15 to 40° C., and a treatment time of 10 to 120 seconds (therefore, it is also called “nitric acid stripping treatment”).
  • the second and subsequent zincate treatments are preferably carried out under the same conditions as the first zincate treatment.
  • the zincate-treated disk blank surface is subjected to, for example, electroless Ni--P plating (step S109) as a base treatment for adhering the magnetic material.
  • the electroless Ni-P plating process uses a commercially available plating solution such as Nimden (registered trademark) HDX manufactured by Uyemura & Co., Ltd., Ni concentration: 3 to 10 g / L, temperature: 80 to 95 ° C., treatment time: It is preferable to carry out under the conditions of 30 to 180 minutes.
  • a magnetic disk such as a hard disk can be manufactured by attaching a magnetic material to this substrate (step S112) and laminating them as desired.
  • FIG. 2 is a flowchart showing an example of a manufacturing process of a glass substrate for a magnetic disk and a magnetic disk according to the present invention.
  • a glass plate having a predetermined thickness is prepared (steps S201 and S202).
  • the prepared glass plate is subjected to coring, and inner and outer peripheral end faces are polished to form and process an annular glass substrate (steps S203 and S204).
  • the molded glass substrate is optionally subjected to a lapping process (step S205) using diamond pellets or the like.
  • step S204 the glass substrates are collectively pressed from above and below with polishing pads, and a rough polishing step is performed in which a plurality of glass substrates are simultaneously polished with, for example, cerium oxide abrasive grains (step S206).
  • step S207 a precision polishing step using, for example, colloidal silica abrasive grains is performed (step S208).
  • step S209 the contents of each step will be described in detail according to the flow of FIG.
  • a melt of a glass material having the above composition is prepared by heating and melting according to a conventional method (step S201).
  • the prepared melt of the glass material is formed into a glass plate by a known manufacturing method such as the float method, down-draw method, direct press method, redraw method, and phase method (step S202).
  • a redraw method is used in which a base glass plate manufactured using a float method or the like is heated and softened and stretched to a desired thickness, a glass plate having a small variation in thickness can be manufactured relatively easily. Therefore, it is preferable.
  • an annular glass substrate is formed by a coring process (step S203).
  • the inner and outer peripheral end faces may be polished by cutting and grinding (step S204).
  • the molded glass substrate (glass blank) becomes an annular plate having two main surfaces and a circular hole formed in the center.
  • Annealing treatment may be performed on the obtained glass blank.
  • Annealing treatment can be performed, for example, by holding the glass blank at a temperature near the strain point for about 15 minutes or longer and slowly cooling it over about 3 to 12 hours.
  • the temperature during the annealing treatment is preferably 250 to 750°C, more preferably 500 to 700°C, depending on the glass material.
  • More specific annealing conditions include, for example, batch heating at 500 to 650° C. and holding for 0.1 to 10 hours, and continuous heating at 500 to 750° C. and holding for 0 to 60 seconds. can.
  • the holding time of 0 seconds means cooling immediately after reaching the desired holding temperature.
  • the glass substrate of the present invention can also be produced, for example, by forming a commercially available glass plate having the composition described above into an annular shape and annealing it.
  • step S205 the plate thickness is adjusted by optionally performing a lapping process on the formed annular plate.
  • the lapping step S205 may be omitted and the following polishing step may be performed.
  • a glass plate manufactured by a redraw method generally has a small variation in thickness, so the lapping step S205 may not be performed.
  • the lapping process can be performed, for example, using a batch-type double-sided polishing machine using diamond pellets.
  • the surface of the glass substrate (blank substrate) obtained as described above is subjected to a polishing treatment as described below (steps S206 to S208) to obtain a magnetic disk substrate.
  • a magnetic disk such as a hard disk can be manufactured by attaching a magnetic material to this substrate (step S209) and laminating them as desired.
  • step S207 it is preferable to chemically strengthen the glass substrate (step S207) between rough polishing (step S206) and precision polishing (step S208).
  • step S208 By chemical strengthening, the lithium ions and sodium ions on the surface of the glass substrate are replaced with sodium ions and potassium ions having relatively large ionic radii in the chemical strengthening liquid, respectively.
  • the substrate can be reinforced.
  • the chemical strengthening treatment method is not particularly limited, and for example, the glass substrate can be immersed in a chemical strengthening solution heated to 300 to 400° C. for about 3 to 4 hours.
  • the chemical strengthening liquid is not particularly limited, and for example, a mixed liquid of potassium nitrate (60% by weight) and sodium sulfate (40% by weight) can be used.
  • the glass substrate is preferably washed and preheated to about 200 to 300° C. before the chemical strengthening treatment. Further, the chemically strengthened glass substrate is preferably subjected to cleaning treatment. For example, after washing with an acid such as sulfuric acid, it may be further washed with pure water or the like.
  • a magnetic disk substrate is generally subjected to a polishing process for planarization prior to attaching a magnetic material, regardless of the material of the substrate.
  • this polishing step it is preferable to perform polishing in a plurality of stages with the diameter of the abrasive grains being adjusted.
  • it is preferable to perform rough polishing and fine polishing using a double-sided simultaneous polishing machine and the magnetic disk substrate of the present invention can also be polished using a commercially available batch-type simultaneous double-sided polishing machine.
  • Prior to rough polishing it is preferable to control the surface of the polishing pad by performing dummy polishing.
  • a double-side polishing machine is usually equipped with cast iron upper and lower surface plates, a carrier that holds multiple substrates between the upper and lower surface plates, and substrate contact surfaces of the upper and lower surface plates. and a polishing pad.
  • a plurality of substrates are usually held between an upper surface plate and a lower surface plate by a carrier, and each substrate is pressed under a predetermined processing pressure between the upper surface plate and the lower surface plate. Then, each substrate is collectively pressed by the polishing pads from above and below.
  • the upper surface plate and the lower surface plate are rotated in different directions. At this time, since the carrier also rotates by the sun gear, the substrate undergoes planetary motion. Thereby, the substrate slides on the surface of the polishing pad and both surfaces are polished simultaneously.
  • polishing There is no particular limitation on the method of rough polishing treatment, and it can be carried out under arbitrary conditions depending on the material of the substrate.
  • rough polishing of an aluminum alloy plate can be performed using a polishing liquid containing alumina having a particle size of 0.1 to 1.0 ⁇ m and a polishing pad made of hard or soft polyurethane or the like.
  • Rough polishing of the glass substrate can be performed using a polishing liquid containing cerium oxide with a particle size of 0.1 to 1.0 ⁇ m and a polishing pad made of hard polyurethane or the like.
  • the conditions for rough polishing treatment are not limited to these, and desired conditions can be selected from known polishing treatment conditions.
  • abrasive grains of desired grain size such as silica, zirconium oxide, SiC, diamond, etc. may be used.
  • the term “hard” refers to those having a hardness (Asker C) of 85 or more as measured by the standard of the Japan Rubber Association (compliant standard: SRIS0101), and the term “soft” refers to those having a hardness of 60 to 80.
  • Specific rough polishing conditions are also influenced by the material of the substrate used and the steps up to rough polishing (for example, steps S101 to S109 in the production of aluminum alloy substrates, steps S201 to S205 in the production of glass substrates), and are unambiguous. difficult to determine definitively. Moreover, it is not limited to a specific condition.
  • the conditions for rough polishing of an aluminum alloy substrate are as follows: polishing time 2 to 5 minutes, polishing surface plate rotation speed 10 to 35 rpm, sun gear rotation speed 5 to 15 rpm, polishing liquid supply rate 1000 to 5000 mL/min, particularly 2000 mL/min. Up to 4000 mL/min, a processing pressure of 20 to 250 g/cm 2 , preferably 20 to 120 g/cm 2 , and a polishing amount of 2.5 to 3.5 ⁇ m.
  • the conditions for rough polishing of the glass substrate are not particularly limited either.
  • the rotational speed of the polishing surface plate is 10 to 35 rpm
  • the rotational speed of the sun gear is 5 to 15 rpm
  • the polishing liquid supply rate is 1000 to 5000 mL/min
  • the processing pressure is 20 to 250 g. /cm 2 , preferably 20 to 120 g/cm 2 , and a polishing time of 2 to 10 minutes.
  • the dummy polishing process uses a dummy substrate and is preferably performed under the same conditions as in the rough polishing process.
  • the dummy substrate to be used is not particularly limited.
  • dummy polishing can be performed using an aluminum alloy substrate before rough polishing of a glass substrate. It is preferable to use a blank substrate manufactured under these conditions.
  • At least one surface of the blank substrate (as a dummy substrate) has an arithmetic mean waviness Wa of less than 2.5 nm when measured at a cutoff wavelength of 0.4 to 5.0 mm. It is preferable to polish the dummy substrate until it becomes .
  • the arithmetic mean waviness Wa can be measured by a conventional method.
  • the surface of the polishing pad used in the rough polishing process can be adjusted to a suitable state.
  • the dummy polishing is an optional step, and may be omitted if the polishing pad surface is adjusted and managed. For example, dummy polishing can be performed prior to the start of a rough polishing lot, and multiple batches of rough polishing of product blank substrates can be repeatedly performed with the adjusted polishing pad.
  • precision polishing The precision polishing method is also not particularly limited, and various known methods can be used. For example, precision polishing of an aluminum alloy substrate can be performed using a polishing liquid containing colloidal silica having a particle size of about 0.01 to 0.10 ⁇ m and a soft polishing pad. Further, precision polishing of a glass substrate is performed using a polishing liquid containing colloidal silica with a particle size of about 0.01 to 0.10 ⁇ m, particularly about 10 to 50 nm, and a softer polishing pad made of urethane foam or the like. be able to. Of course, the conditions for precision polishing are not limited to these.
  • Abrasive grains of cerium oxide, zirconium oxide, SiC, diamond, etc., having a desired grain size may be used. Further, by such treatment, the main surface of the substrate is polished to a mirror surface, and a magnetic disk substrate is manufactured.
  • the magnetic disk substrate of the present invention that has undergone the above-described polishing step has good flatness even after the thermal shock test, and exhibits a specified PV value.
  • the substrate after polishing is preferably washed with a neutral detergent, pure water, IPA, or the like.
  • the specific conditions for precision polishing are also affected by the material of the substrate used and the steps up to rough polishing, so it is difficult to determine them unambiguously, and they are not limited to specific conditions.
  • the polishing time is 2 to 5 minutes
  • the rotation speed of the polishing platen is 10 to 35 rpm
  • the rotation speed of the sun gear is 5 to 15 rpm
  • the polishing liquid supply rate is 1000 to 5000 mL/min. 2000 to 4000 mL/min
  • a processing pressure of, for example, 10 to 200 g/cm 2 , particularly 20 to 100 g/cm 2
  • a polishing amount 1.0 to 1.5 ⁇ m.
  • the conditions for precision polishing of the glass substrate are also not particularly limited.
  • a soft polishing pad having a hardness of 75 to 77 is used, the number of rotations of the polishing surface plate is 10 to 35 rpm, the number of rotations of the sun gear is 5 to 15 rpm, and the polishing liquid supply rate is 1000 to 5000 mL/minute, particularly 2000 to 4000 mL/minute.
  • the processing pressure is preferably 10 to 200 g/cm 2 , particularly 20 to 100 g/cm 2 , and the polishing time is preferably 2 to 12 minutes.
  • flipping In manufacturing the magnetic disk substrate of the present invention, it is preferable to reverse (flip) the front and back surfaces of the substrate during the polishing process. This makes it easier for the substrate after polishing to retain good flatness even during long-term use. More preferably, flipping is performed during the rough polishing process. Even in double-side polishing, the thickness of the layer removed by polishing tends to be different between the upper surface plate side and the lower surface plate side of the substrate. Especially in rough polishing, this tendency is high. When a magnetic disk is manufactured from a substrate thus polished, deformation such as undulation may occur after long-term use, resulting in deterioration of flatness. By performing flipping during the polishing process, especially the rough polishing process, the risk of deformation of the magnetic disk is reduced.
  • flipping may be performed once during the polishing process, but may be performed twice or more. Moreover, it is preferable to perform flipping so that both surfaces of the substrate come into contact with the respective polishing pads on the upper surface plate side and the lower surface plate side under the same conditions. For example, when flipping is performed once, the polishing rate and polishing time are the same before and after flipping, and when flipping is performed multiple times, the total time for each surface to be on the upper side and the total time for each surface to be on the lower side are set. Just align and polish.
  • the present invention also provides a magnetic disk substrate manufacturing method including a rough polishing step of roughly polishing both surfaces of a disk-shaped blank substrate, and a precision polishing step of precisely polishing both surfaces of the rough-polished blank substrate. Prior to the rough polishing step, a dummy substrate manufactured under the same conditions as the blank substrate is roughly polished in the rough polishing step with a polishing pad used in the rough polishing step.
  • the manufacturing method further includes a polishing step, wherein the rough polishing step reverses the front and back surfaces of the blank substrate during the rough polishing of the blank substrate.
  • the magnetic disk substrate of the present invention can be manufactured by the method described above.
  • the magnetic disk substrate of the present invention is resistant to deformation even during long-term use, and can maintain good flatness.
  • the process of heating the substrate at 120 ° C. for 30 minutes and then cooling it at -40 ° C. for 30 minutes is one cycle, after the thermal shock test in which this cycle is repeated for 200 cycles, the surface of the substrate
  • the flatness PV measured at 25° C. becomes 12 ⁇ m or less. Despite its thinness, it maintains high flatness even after long-term use, for example, after 1,000,000 to 1,500,000 hours of use, so scanning is possible without interference between the main surface and the magnetic head, high capacity and excellent long-term reliability.
  • a hard disk can be formed.
  • the magnetic disk substrate of the present invention is particularly useful for thermally-assisted magnetic recording (HAMR) or microwave-assisted magnetic recording (MAMR) magnetic disks.
  • ⁇ Magnetic disk> when the process of heating at 120 ° C. for 30 minutes and cooling at -40 ° C. for 30 minutes is set as one cycle, this cycle is repeated for 200 cycles. It also includes a magnetic disk having a flatness PV of 12 ⁇ m or less as measured by a magnetic disk.
  • the magnetic disk of the present invention may be formed of any known substrate, and its size and material are not particularly limited. However, it is preferable to use a magnetic disk based on an aluminum alloy substrate or a glass alloy substrate in order to obtain a magnetic disk with higher flatness. Moreover, in order to make the effect of the present invention particularly remarkable, it is preferably based on a substrate having a thickness of less than 0.5 mm or an outer diameter of 95 mm or more. More preferably, it is formed of the magnetic disk substrate of the present invention, and particularly preferably of the magnetic disk substrate of the above material obtained by the above manufacturing method.
  • the magnetic disk substrate of the present invention is provided with a magnetic layer and optionally a protective film layer and a lubricating film layer on its surface, the flatness after the thermal shock test is substantially affected.
  • the object of the present application is achieved by maintaining high flatness even after long-term use.
  • Example 1 A5086 alloy (aluminum alloy A) was melted according to a conventional method and then DC cast to prepare a slab having a length of 7600 mm, a width of 1310 mm and a plate thickness of 500 mm.
  • the front and back surfaces of the prepared slab were chamfered by 10 mm each, homogenized at 540° C. for 6 hours, and then hot rolled at a hot rolling start temperature of 540° C. and a hot rolling end temperature of 350° C.,
  • the plate thickness was 3.0 mm. This hot-rolled sheet was cold-rolled to a sheet thickness of 0.48 mm.
  • This cold-rolled sheet was punched out by a press to have an inner diameter of ⁇ 24 mm and an outer diameter of ⁇ 98 mm, and was flattened by pressure annealing at 320° C. for 3 hours under a pressure of 30 kgf/cm 2 . Furthermore, by cutting the inner and outer circumferences, the inner diameter was ⁇ 25 mm and the outer diameter was ⁇ 97 mm. At this time, the inner and outer peripheral end surfaces were chamfered at the same time.
  • This substrate was ground with a No. 4000 SiC grindstone to a thickness of 0.46 mm.
  • This substrate was subjected to degreasing treatment and acid etching treatment in sequence, and then to zincate treatment.
  • the degreasing treatment was performed using, for example, AD-68F degreasing liquid manufactured by Uyemura & Co., Ltd. under conditions of concentration: 500 mL/L, temperature: 45° C., and treatment time: 3 minutes.
  • the acid etching treatment was performed using, for example, AD-107F etchant manufactured by Uyemura & Co., Ltd. under conditions of concentration: 50 mL/L, temperature: 60° C., and treatment time: 2 minutes.
  • the zincate treatment was performed twice with a nitric acid stripping treatment interposed therebetween. Specifically, the first zincate treatment, the pure water cleaning, the nitric acid stripping treatment, the pure water cleaning, and the second zincate treatment were performed in this order. .
  • the first zincate treatment was carried out, for example, using a zincate treatment solution AD-301F-3X manufactured by Uyemura & Co., Ltd. under conditions of a concentration of 200 mL/L, a temperature of 20° C., and a treatment time of 1 minute.
  • the nitric acid stripping treatment was performed under the conditions of nitric acid concentration: 30% by volume, temperature: 25° C., and treatment time: 1 minute.
  • the second zincate treatment was performed under the same conditions as the first zincate treatment.
  • electroless Ni-P plating was performed.
  • the electroless Ni-P plating treatment uses Nimden (registered trademark) HDX electroless plating solution manufactured by Uyemura & Co., Ltd. under the conditions of Ni concentration: 6 g/L, temperature: 88°C, and treatment time: 130 minutes. , an electroless plated film having a thickness of 13 ⁇ m was formed on each side.
  • Both surfaces (front and back surfaces) of the substrate after the electroless Ni--P plating were rough-polished.
  • Rough polishing was performed by double-sided polishing using a hard urethane polishing pad with a hardness of 87 and alumina abrasive grains with a particle size of 0.4 ⁇ m.
  • the rotational speed of the polishing surface plate was 30 rpm
  • the rotational speed of the sun gear was 10 rpm
  • the polishing liquid supply rate was 3500 cc/min
  • the processing pressure was 100 g/cm 2 .
  • the front and back surfaces of the substrate were reversed (flipped) during the rough polishing process.
  • dummy polishing was performed prior to the rough polishing treatment described above.
  • another substrate after electroless Ni—P plating which was produced in the same manner as described above, was used as a dummy substrate.
  • the Optiflat Wa of the dummy substrate at the sixth time (arithmetic mean waviness when measured at a cutoff wavelength of 0.4 to 5.0 mm: long wavelength waviness ) became less than 2.5 nm (2.19 nm), and dummy polishing was terminated at this point.
  • the arithmetic mean waviness Wa of the dummy substrate was measured using Optiflat (trade name) manufactured by Phase Shift Technology Co., Ltd., and was performed on the entire single surface of the dummy substrate after rough polishing.
  • the substrate was washed with pure water and then subjected to precision polishing to produce a magnetic disk substrate having a thickness (thickness dimension) of 0.48 mm.
  • a soft urethane polishing pad with a hardness of 76 and colloidal silica abrasive grains with a particle size of 0.08 ⁇ m were used, the polishing time was 5 minutes, and the processing pressure was 50 to 100 g/cm 2 . It was performed under the same conditions as polishing. That is, precision polishing was performed with the rotation speed of the polishing surface plate at 30 rpm, the rotation speed of the sun gear at 10 rpm, and the polishing liquid supply rate at 3500 cc/min.
  • the magnetic disk substrate produced above was subjected to a thermal shock test to measure the flatness.
  • Table 1 shows the measurement results.
  • the thermal shock test and flatness measurement were performed under the following conditions.
  • Thermal shock test Using a small environmental tester SH-261 manufactured by Espec Co., Ltd., the process of heating at 120 ° C for 30 minutes and cooling at -40 ° C for 30 minutes is set as one cycle, and this cycle is repeated 200 cycles. An impact test was performed.
  • Example 1 A magnetic disk substrate having a thickness of 0.48 mm was produced in the same manner as in Example 1, except that the pressure annealing was performed at 200° C. for 3 hours and no flipping was performed during the rough polishing treatment.
  • the flatness measurement results are shown in Table 1 below.
  • SiO2 65% by mass, Al2O3 : 18% by mass, Li2O : 4% by mass, Na2O : 1% by mass, K2O : 0.2% by mass, CaO: 4% by mass, ZrO2
  • a glass material was prepared by heating and melting a glass material melt having a component composition containing : 0.8% by mass at 1600 to 1700° C. (step S201).
  • the prepared melt of the glass material was formed into an aluminosilicate glass plate of 100 mm and 10 m in length using the redraw method (step S202).
  • a glass plate with a thickness close to 0.6 mm is selected, and coring and polishing of the inner and outer peripheral edges (cutting of the inner and outer diameters of the glass disc, dimensional adjustment, chamfering, grinding of the chamfered part) are performed.
  • an annular glass substrate having an outer diameter of 97 mm and a circular hole with an inner diameter of 25 mm (steps S203 and S204).
  • the molded glass substrate was set in a double-side polishing machine and subjected to rough polishing treatment and fine polishing treatment to produce a magnetic disk substrate having a thickness of 0.48 mm.
  • the blank substrate was produced by the redraw method, and the thickness variation was negligible, so the lapping step of S205 was omitted.
  • the polishing pad was kept in a suitable state, no dummy polishing was performed.
  • a hard urethane polishing pad having a hardness of 87 and a polishing liquid containing cerium oxide polishing grains having an average grain size of 0.19 ⁇ m and pure water added to make free grains are used.
  • the rotation speed was 25 rpm
  • the sun gear rotation speed was 10 rpm
  • the polishing liquid supply rate was 1500 cc/min
  • the processing pressure was 120 g/cm 2 .
  • a soft urethane polishing pad with a hardness of 76 and a polishing liquid obtained by adding pure water to colloidal silica with an average particle size of 0.08 ⁇ m to form free abrasive grains were used, and the polishing time was 8.5 minutes.
  • the processing pressure was set to 50 to 120 g/cm 2 in the same manner as in Example 1. That is, precision polishing was performed with the rotation speed of the polishing surface plate at 30 rpm, the rotation speed of the sun gear at 10 rpm, and the polishing liquid supply rate at 3500 cc/min.
  • the thickness dimension of the obtained substrate was 0.48 mm. Table 1 shows the flatness measurement results.
  • Example 2 A magnetic disk substrate was produced in the same manner as in Example 2, except that flipping was not performed during rough polishing. The flatness measurement results are shown in Table 1 below.
  • a process of heating at 120° C. for 30 minutes and then cooling at -40° C. for 30 minutes is set as one cycle, and this cycle is repeated for 200 cycles.
  • a magnetic disk substrate having a flatness PV of 12 ⁇ m or less is provided.
  • the aluminum alloy substrate of Example 1 had a PV value of 3.7 ⁇ m after the thermal shock test, which was significantly below 12 ⁇ m. In other words, it has been found that the magnetic disk substrate is thin yet retains high flatness even after long-term use, can be adapted to high-capacity hard disks, and can improve long-term reliability.
  • the aluminum alloy substrate of Comparative Example 1 had a PV value of 15.1 ⁇ m after the thermal shock test, which was larger than 12 ⁇ m.
  • the glass substrate of Example 2 had a PV value of 7.6 ⁇ m after the thermal shock test, which was significantly lower than 12 ⁇ m.
  • the glass substrate of Comparative Example 2 had a PV value of 14.7 ⁇ m after the thermal shock test, which was larger than 12 ⁇ m. From the above, in the case of aluminum alloy substrates, the pressure annealing temperature should be raised above the recrystallization temperature, and flipping should be performed during the rough polishing process. It can be seen that the PV value after the thermal shock test can be reduced by performing flipping on the way.

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Abstract

本発明は、薄肉でありながら長期使用後も高い平坦度が保持され、ハードディスクの高容量化に対応でき、かつ長期信頼性を向上させ得る磁気ディスク用基板及びその製造方法並びに磁気ディスクを提供することを目的とする。　本発明は、磁気ディスク用基板であって、前記基板に対し、１２０℃にて３０分間加熱後、－４０℃にて３０分間冷却する過程を１サイクルとするとき、このサイクルを２００サイクル繰り返して行う熱衝撃試験後の、前記基板の表面で２５℃にて測定した平坦度ＰＶが１２μｍ以下である、磁気ディスク用基板である。本発明はまた、同一条件で同様の平坦度ＰＶを有する磁気ディスクを包含する。本発明はさらに、それら磁気ディスク用基板の製造方法も包含する。

Description

磁気ディスク用基板及びその製造方法並びに磁気ディスク
　本発明は、磁気ディスク用基板及びその製造方法並びに磁気ディスクに関する。より詳しくは薄肉でありながら長期使用後も高い平坦度が保持され、ハードディスクの高容量化に対応でき、長期信頼性を向上させ得る磁気ディスク用基板及びその製造方法並びに磁気ディスクに関する。
　近年、クラウドコンピューティングの急速な普及のため、データセンターで用いられるハードディスクに対し、高容量化が求められている。それに応じて、磁気ディスク用基板の大径化や、薄肉化による基板積載枚数の増加などの対策が行われているが、ハードディスク用筐体のサイズは規格化されているため、これ以上の大径化は難しい状態である。そのため、磁気ディスク用基板の薄肉化が強く要望されている。しかし、薄肉化した基板は、剛性が低下するため、長期間ハードディスクを使用する際にヘッドクラッシュなどの物理的なエラーを生じ易くなる傾向がある。このため、例えば、厚さ０．５０ｍｍ未満の薄肉基板は、厚さ０．５０ｍｍ以上の厚肉基板と比較して、長期間ハードディスクを使用する際に悪影響を及ぼす基板の平坦度が高くなる可能性がある。
　これまでにも、ハードディスクにおける物理的エラー低減のため、平坦化技術に関する検討がいくつかなされている（例えば特許文献１）。しかし、これらはいずれも精密研磨加工後の平坦度にのみ着目したものであり、こうした従来の平坦化基板は、実使用環境における長期信頼性の点で改善の余地がある。
特開２０１５－１３５７２０号公報
　本発明は、薄肉でありながら長期使用後も高い平坦度が保持され、ハードディスクの高容量化に対応でき、かつ長期信頼性を向上させ得る磁気ディスク用基板、及びその製造方法、並びに磁気ディスクを提供することを目的とする。
　本発明者らは鋭意検討の結果、実際の使用環境を模擬した加速試験として行われる熱衝撃試験後の基板の平坦度を改善することにより、ハードディスクの高容量化に対応可能で、高い長期信頼性を備えた磁気ディスク用基板及び磁気ディスクが得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
　上記目的を達成するため、本発明の要旨構成は、以下のとおりである。
　（１）　磁気ディスク用基板であって、前記基板に対し、１２０℃にて３０分間加熱後、－４０℃にて３０分間冷却する過程を１サイクルとするとき、このサイクルを２００サイクル繰り返して行う熱衝撃試験後の、前記基板の表面で２５℃にて測定した平坦度ＰＶが１２μｍ以下である、磁気ディスク用基板。
　（２）　厚さ寸法が０．５０ｍｍ未満である、上記（１）に記載の磁気ディスク用基板。
　（３）　外径寸法が９５ｍｍ以上である、上記（１）又は（２）に記載の磁気ディスク用基板。
　（４）　前記基板の材質が、ガラス又はアルミニウム合金である、上記（１）～（３）のいずれかに記載の磁気ディスク用基板。
　（５）　熱アシスト磁気記録方式（ＨＡＭＲ）又はマイクロ波アシスト磁気記録方式（ＭＡＭＲ)の磁気ディスク用である、上記（１）～（４）のいずれかに記載の磁気ディスク用基板。
　（６）　磁気ディスクであって、
　前記磁気ディスクに対し、１２０℃にて３０分間加熱後、－４０℃にて３０分間冷却する過程を１サイクルとするとき、このサイクルを２００サイクル繰り返して行う熱衝撃試験後の、前記磁気ディスクの表面で２５℃にて測定した平坦度ＰＶが１２μｍ以下である、磁気ディスク。
　（７）　ディスク状のブランク基板の両表面を粗研磨する粗研磨工程と、粗研磨された前記ブランク基板の両表面を精密研磨する精密研磨工程とを含む、上記（１）～（５）のいずれかに記載の磁気ディスク用基板の製造方法であって、
　前記粗研磨工程に先立ち、前記ブランク基板と同じ条件で製造したダミー基板に対し、前記粗研磨工程で使用する研磨パッドで、前記粗研磨工程で粗研磨した後の前記ブランク基板の少なくとも一方の表面における、カットオフ波長０．４～５．０ｍｍで測定したときの算術平均うねりＷａが２．５ｎｍ未満となるまで、前記ダミー基板を研磨することにより、前記粗研磨工程で用いる研磨パッドの表面を調整するダミー研磨工程をさらに含み、
　前記粗研磨工程では、前記ブランク基板の粗研磨の途中で、前記ブランク基板の表裏面を反転させることを特徴とする製造方法。
　本発明によれば、薄肉でありながら長期使用後も高い平坦度が保持され、ハードディスクの高容量化に対応でき、かつ長期信頼性を向上させ得る磁気ディスク用基板及び磁気ディスクが提供される。
本発明に従う磁気ディスク（用アルミニウム合金基板）の製造工程の一例を示すフロー図である。 本発明に従う磁気ディスク（用ガラス基板）の製造工程の一例を示すフロー図である。
　以下、本発明に従う磁気ディスク用基板及び磁気ディスクについて詳記する。
　本発明の磁気ディスク用基板及び磁気ディスクは、基板に対し、１２０℃にて３０分間加熱後、－４０℃にて３０分間冷却する過程を１サイクルとするとき、このサイクルを２００サイクル繰り返して行う熱衝撃試験後の、基板の表面で２５℃にて測定した平坦度ＰＶが１２μｍ以下である。
　なお、「平坦度ＰＶ」とは、基板のうち、一番高い所（Ｐｅａｋ）と一番低い所（Ｖａｌｌｅｙ）との、差を表す値である。平坦度の測定は、例えば、干渉式平坦度測定機を使用し、所定の測定波長で位相測定干渉法（フェイズシフト法）により行うことができる。具体的には、例えば測定波長６８０ｎｍの光源を用いて位相測定干渉法（フェイズシフト法）により、基板の平坦度を測定すればよい。ここで、本発明の磁気ディスク用基板及び磁気ディスクは、主面の一方（通常 、磁気ヘッドが対面配置される主面）が上記熱衝撃試験後の平坦度を満足する態様と、主面の２つが上記熱衝撃試験後の平坦度を満足する態様とを含む。これらの内、両主面が上記熱衝撃試験後の平坦度ＰＶを満足する態様が、好ましい。そのため、平坦度は両主表面において測定し、高い方の値を測定した基板の平坦度としてもよい。
　平坦度ＰＶによって、基板の表面粗さだけでなく、基板本体のうねりや凹凸等も含んだ、ディスク全面の平坦さが表される。そのため、基板のＰＶ値はハードディスクの信頼性を高める上で重要であるが、上記のような熱衝撃試験後の平坦度ＰＶについては、これまでは検討されていなかった。
＜基板＞
　本発明の磁気ディスク用基板は、公知のどのような基板で形成されていても良く、そのサイズや材質に特に制限はない。しかしながら、本発明の効果は、特に厚さ寸法が０．５ｍｍ未満である薄肉の磁気ディスク用基板で顕著となる。こうした薄肉の基板では、剛性が低いため、長期使用後の平坦度が大きいと、ハードディスクの信頼性に大きく影響するためである。同様の理由から、外径寸法が９５ｍｍ以上である磁気ディスク用基板で、本発明の効果は顕著となる。
　本発明の磁気ディスク用基板の材質は、従来から使用されている材質の中から適宜選択することができ、例えば、アルミニウム合金、ガラス等が挙げられる。アルミニウム合金、ガラス等からなる磁気ディスク用基板は、欠陥が発生し難く、機械的特性や加工性も良好なので、本発明の磁気ディスク用基板として好適である。
　本発明の磁気ディスク用基板は、どのような記録方式用の磁気ディスク用基板として用いることもできるが、ＨＡＭＲ（熱アシスト磁気記録方式）及びＭＡＭＲ（マイクロ波アシスト磁気記録方式）用の磁気ディスク用基板として用いることが好ましい。ＨＡＭＲ用の磁気ディスク用基板とする場合には、耐熱性に優れるガラス基板を使用することが好ましい。ＭＡＭＲ用の磁気ディスク用基板とする場合には、ガラス基板、アルミニウム合金基板のいずれの基板も使用可能である。
＜アルミニウム合金基板＞
　アルミニウム合金からなる基板（本願明細書では、単に「アルミニウム合金基板」という場合がある。）は、欠陥が発生し難く、機械的特性や加工性も良好で低コストであるため、磁気ディスク用基板として好適である。アルミニウム合金基板の材質にも特に制限はなく、種々の公知のものを使用することができるが、従来から使用されているマグネシウム（Ｍｇ）や銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、クロム（Ｃｒ）等の元素を含有する合金が好ましい。また、剛性を向上させ得る鉄（Ｆｅ）やマンガン（Ｍｎ）、ニッケル（Ｎｉ）等の元素を含有することもできる。より好ましくは、Ａ５千番台又はＡ８千番台の合金、特にＡ５０８６を使用する。こうした合金であれば、基板に欠陥が発生し難く、また十分な機械的特性を付与することができる。
　上記アルミニウム合金の具体的な組成の例を挙げると、例えばＡ５０８６では、Ｍｇ：３．５～４．５％、Ｆｅ：０．５０％以下、Ｓｉ：０．４０％以下、Ｍｎ：０．２０～０．７％、Ｃｒ：０．０５～０．２５％、Ｃｕ：０．１０％以下、Ｔｉ：０．１５％以下、及びＺｎ：０．２５％以下を含有し、残部はＡｌ及び不可避的不純物からなる。また、アルミニウム合金の具体的な他の組成の例としては、Ｍｇ：１．０～６．５％、Ｃｕ：０～０．０７０％、Ｚｎ：０～０．６０％、Ｆｅ：０～０．５０％、Ｓｉ：０～０．５０％、Ｃｒ：０～０．２０％、Ｍｎ：０～０．５０％、Ｚｒ：０～０．２０％、Ｂｅ：０～０．００２０％を含有し、残部がアルミニウムと不可避不純物からなる場合が挙げられる。また、上記以外の成分を、例えば、各元素について０．１％以下、合計で０．３％以下含有していても良い。なお、上記の組成において、「％」は全て「質量％」を意味する。
＜ガラス基板＞
　ガラス基板は、欠陥が発生し難く、機械的特性や加工性も良好という特徴と共に、塑性変形し難い利点も有するので、磁気ディスク用基板として好適である。ガラス基板の材料にも特に制限はなく、アモルファスガラスや結晶化ガラスなどのガラスセラミックスを用いることができる。なお、基板の平坦度や成形性、加工性の観点から、アモルファスガラスを用いることが好ましい。材質にも特に制限はなく、例としてアルミノシリケートガラス（アルミノケイ酸ガラス）、ソーダライムガラス、ソーダアルミノケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、ボロシリケートガラス（ホウケイ酸ガラス）、さらには風冷又は液冷等の処理を施した物理強化ガラスや、化学強化ガラス等が挙げられるが、これらに限定されない。中でも、アルミノシリケートガラス、特にアモルファスのアルミノシリケートガラスが好ましい。こうした材質の基板は、平坦度や強度の点で優れ、長期信頼性も良好となり得る。
　アルミノシリケートガラスとしては、例えばＳｉＯ２：５５～７５％を主成分とし、Ａｌ２Ｏ３：０．７～２５％、Ｌｉ２Ｏ：０．０１～６％、Ｎａ２Ｏ：０．７～１２％、Ｋ２Ｏ：０～８％、ＭｇＯ：０～７％、ＣａＯ：０～１０％、ＺｒＯ２：０～１０％、ＴｉＯ２：０～１％を含有するもの、特にＳｉＯ２：６０～７０％、Ａｌ２Ｏ３：１０～２５％、Ｌｉ２Ｏ：１～６％、Ｎａ２Ｏ：０．７～３％、Ｋ２Ｏ：０～３％、ＭｇＯ：０～３％、ＣａＯ：１～７％、ＺｒＯ２：０．１～３％、ＴｉＯ２：０～１％を含有するものが知られており、本発明においてもこうした材質の基板を用いることができる。なお、上記及び以下の組成において、「％」は全て「質量％」を意味する。
　上記ガラス組成において、ＳｉＯ２は、ガラスの骨格を形成する主要成分である。この含有率が５５％以上であれば、高い化学的耐久性が発現し易く、７５％以下であれば溶融温度が高過ぎず、成形も容易となる傾向がある。
　Ａｌ２Ｏ３は、イオン交換性と化学的耐久性を向上させる作用を有する成分であり、かかる作用を発揮するため、Ａｌ２Ｏ３含有率を０．７％以上とすることが好ましい。また、Ａｌ２Ｏ３含有率は、２５％以下であれば溶解性及び耐失透性が低下するおそれがない。このため、Ａｌ２Ｏ３の含有率は０．７～２５％とすることが好ましい。
　Ｌｉ２Ｏは、Ｎａイオンと交換してガラスを化学強化すると共に、溶融性、成形性を向上させ、かつヤング率を向上させる作用を有する成分である。かかる作用を発揮するため、Ｌｉ２Ｏの含有率は、０．０１％以上とすることが好ましい。また、Ｌｉ２Ｏの含有率は、６％以下であれば、耐失透性と化学的耐久性が低下するおそれがない。このため、Ａｌ２Ｏ３の含有率は０．０１～６％とすることが好ましい。
　Ｎａ２Ｏは、Ｋイオンと交換してガラスを化学強化すると共に、高温粘性を低下させ、溶融性、成形性を向上させ、耐失透性を改善させる作用を有する成分である。かかる作用を発揮するため、Ｎａ２Ｏの含有率は、０．７％以上とすることが好ましい。また、Ｎａ２Ｏの含有率が１２％以下であれば、化学的耐久性とヌープ硬さが低下するおそれがないため好ましい。
　さらに、Ｋ２Ｏ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２は、必要に応じて含有させることができる任意添加成分である。
　Ｋ２Ｏは、高温粘性を低下させ、溶融性の改善、成形性向上、耐失透性の改善効果を有する作用を有する成分であるが、Ｋ２Ｏの含有率が８％超えだと、低温粘性が低下するとともに熱膨張率が増加し、耐衝撃性が低下する傾向がある。このため、Ｋ２Ｏの含有率は０～８％とすることが好ましい。
　ＭｇＯ及びＣａＯは高温粘性を低下させ、溶解及び清澄性、成形性を向上すると共に、ヤング率を向上させる作用を有する成分であり、特にＣａＯは、ソーダライムガラスに必須成分として含有される。ここで、ＭｇＯ及びＣａＯは、高温粘性を低下させ、溶解及び清澄性、成形性を向上させると共に、ヤング率の向上効果も期待できるが、ＭｇＯの含有率が７％超え及び／又はＣａＯの含有率が１０％超えだと、イオン交換性能及び耐失透性を低下させる傾向がある。このため、ＭｇＯの含有率は７％以下、ＣａＯの含有率は１０％以下とすることが好ましい。
　ＺｒＯ２は、ヌープ硬さを増加させ、化学的耐久性や耐熱性を向上させる作用を有する成分であるが、ＺｒＯ２の含有率が１０％超えだと、溶融性及び耐失透性が低下する傾向がある。このため、ＺｒＯ２の含有率は０～１０％とすることが好ましい。
　ＴｉＯ２は、高温粘性を低下させ、溶融性を改善し、構造安定化、耐久性を向上させる作用を有する成分であるが、ＴｉＯ２の含有率が１％超えだと、イオン交換性能及び耐失透性を低下させる傾向がある。このため、ＴｉＯ２の含有率は０～１％とすることが好ましい。
　上記組成のガラスはまた、粘性を下げ、溶解性と清澄性を高める作用を有するＢ２Ｏ３、高温粘性を低下させ、溶解及び清澄性、成形性を向上すると共に、ヤング率を向上させる作用を有するＳｒＯやＢａＯ、イオン交換性能を向上させると共に低温粘性を低下させることなく高温粘性を低下させ得るＺｎＯ、清澄性とイオン交換性能を向上させる作用を有するＳｎＯ２、着色剤として機能し得るＦｅ２Ｏ３などの他、さらには清澄剤としてＡｓ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３を含んでも良い。また、微量元素として、ランタン（Ｌａ）、リン（Ｐ）、セリウム（Ｃｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ルビジジウム（Ｒｂ）、イットリウム（Ｙ）などの酸化物を含んでも良い。なお、Ｂ２Ｏ３は、アルミノボロシリケートガラスやボロシリケートガラスに、必須成分として含有される。上記ガラスはまた、ＳｉＯ２：４５～６０％、Ａｌ２Ｏ３：７～２０％、Ｂ２Ｏ３：１～８％、Ｐ２Ｏ５：０．５～７％、ＣａＯ：０～３％、ＴｉＯ２：１～１５％、ＢａＯ：０～４％、その他ＭｇＯ等の酸化物：５～３５％を含有する組成であっても良い。
　上記のような組成のアルミニウム合金基板又はガラス基板であれば、高い平坦度を発現すると共に熱変形し難く、１２０℃にて３０分間加熱後、－４０℃にて３０分間冷却する過程を１サイクルとするとき、このサイクルを２００サイクル繰り返して行う熱衝撃試験後の平坦度ＰＶが１２μｍ以下、特に１０μｍ以下となり得る。以下ではまず、そうした平坦度を示すアルミニウム合金基板及びガラス基板（並びに磁気ディスク）を、上記のようなアルミニウム合金やガラスから製造する方法について、代表的な態様を例に説明する。
＜アルミニウム合金基板の製造方法＞
　図１は、本発明に従う磁気ディスク用アルミニウム合金基板及び磁気ディスクの製造工程の一例を示すフロー図である。図１において、アルミニウム合金成分の調製工程（ステップＳ１０１）、アルミニウム合金の鋳造工程（ステップＳ１０２）、均質化処理工程（ステップＳ１０３）、熱間圧延工程（ステップＳ１０４）、冷間圧延（ステップＳ１０５）は、溶解鋳造でアルミニウム合金素材を製造し、これをアルミニウム合金板にする工程である。次いで、ブランキング・加圧平坦化処理工程（ステップＳ１０６）によって、アルミニウム合金からなるディスクブランクが製造される。そして、製造したディスクブランクに対して切削加工・研削加工工程（ステップＳ１０７）等の前処理を行い、円環状のアルミニウム合金板を作製する。この基板にジンケート処理工程（ステップＳ１０８）及び無電解Ｎｉ－Ｐめっき処理工程（ステップＳ１０９）を行い、磁気ディスク用アルミニウム合金基板が製造される。製造された磁気ディスク用アルミニウム合金基板（ブランク基板）は、粗研磨工程（ステップＳ１１０）及び精密研磨工程（ステップＳ１１１）に付され、磁性体の付着工程（ステップＳ１１２）によって磁気ディスクとなる。以下、この図１のフローに従いつつ、各工程の内容を詳細に説明する。
　まず、上述の成分組成を有するアルミニウム合金素材の溶湯を、常法に従って加熱・溶融することによって調製する（ステップＳ１０１）。次に、調製されたアルミニウム合金素材の溶湯を、半連続鋳造（ＤＣ鋳造）法や連続鋳造（ＣＣ鋳造）法等により鋳造して、アルミニウム合金素材を鋳造する（ステップＳ１０２）。鋳造法としては、ＤＣ鋳造法、特に竪型半連続鋳造法が好ましい。ＤＣ鋳造法及びＣＣ鋳造法における、アルミニウム合金素材の製造条件等は、以下のとおりとなる。
　ＤＣ鋳造法においては、スパウトを通して注がれた溶湯が、ボトムブロックと、水冷されたモールドの壁、ならびに、インゴット（鋳塊）の外周部に直接吐出される冷却水で熱を奪われ、凝固し、アルミニウム合金の鋳塊として下方に引き出される。
　一方、ＣＣ鋳造法では、一対のロール（又は、ベルトキャスタ、ブロックキャスタ）の間に鋳造ノズルを通して溶湯を供給し、ロールからの抜熱でアルミニウム合金の薄板を直接鋳造する。
　ＤＣ鋳造法とＣＣ鋳造法との大きな相違点は、鋳造時の冷却速度にある。冷却速度が大きいＣＣ鋳造法では、第二相粒子のサイズがＤＣ鋳造に比べ小さいのが特徴である。
　ＤＣ鋳造されたアルミニウム合金鋳塊については、必要に応じて均質化処理を実施する（ステップＳ１０３）。均質化処理を行う場合は、２８０～６２０℃で０．５～３０時間の加熱処理を行うことが好ましく、３００～６２０℃で１～２４時間の加熱処理を行うことがより好ましい。均質化処理時の加熱温度が２８０℃未満又は加熱時間が０．５時間未満の場合は、均質化処理が不十分で、アルミニウム合金板毎の損失係数のバラツキが大きくなる虞がある。均質化処理時の加熱温度が６２０℃を超えると、アルミニウム合金鋳塊に溶融が発生する虞がある。均質化処理時の加熱時間が３０時間を超えてもその効果は飽和し、それ以上の顕著な改善効果が得られない。
　次に、必要に応じて均質化処理を施した、又は均質化処理を施していないアルミニウム合金鋳塊（ＤＣ鋳造）を熱間圧延し、板材とする（ステップＳ１０４）。熱間圧延するに当たっては、特にその条件は限定されるものではないが、熱間圧延開始温度を好ましくは２５０～６００℃とし、熱間圧延終了温度を好ましくは２３０～４５０℃とする。
　次いで、熱間圧延した圧延板、又はＣＣ鋳造法で鋳造した鋳造板を冷間圧延して、例えば０．３０～０．６０ｍｍ程度のアルミニウム合金板とする（ステップＳ１０５）。冷間圧延の条件は特に限定されるものではなく、必要な製品板強度や板厚に応じて定めれば良く、圧延率を１０～９５％とするのが好ましい。
　なお、冷間圧延の前、あるいは冷間圧延の途中において、冷間圧延加工性を確保するために焼鈍処理を施すことが好ましい。焼鈍処理時の温度は、２５０～５００℃、特に３００～４５０℃とするのが好ましい。こうした条件で焼鈍処理を施すことにより、長期使用時にも変形を来し難くなり、良好な平坦度が保持され得る。より具体的な焼鈍条件として、例えばバッチ式の加熱ならば３００～４５０℃で０．１～１０時間保持、連続式の加熱ならば４００～５００℃で０～６０秒間保持の条件で行うことができる。ここで、保持時間が０秒とは、所望の保持温度に到達後直ちに冷却することを意味する。
　そして、冷間圧延により得られたアルミニウム合金板を円環状に打ち抜き、円環状アルミニウム合金板とする。円環状アルミニウム合金板は、ブランキング・加圧平坦化処理（ステップＳ１０６）によってディスクブランクとすることが好ましい。ブランキング・加圧平坦化処理（「加圧焼鈍」ともいう。）は、アルミニウム合金の再結晶温度以上の温度で、３０～６０ｋｇ／ｃｍ２程度の圧を加えて行うことが好ましい。例えば、大気中で２５０～５００℃、特に３００～４００℃の温度で０．５～１０時間、特に１～５時間程度保持することにより、平坦化したブランクが作製される。
　ディスクブランクには、次のジンケート処理等に先立ち、切削加工・研削加工（ステップＳ１０７）と必要に応じて加熱処理を行う。この工程において、さらに内外周端面へチャンファー加工を施してもよい。
　次に、ディスクブランク表面を脱脂、エッチングして、ジンケート処理（Ｚｎ置換処理）を施す（ステップＳ１０８）。脱脂は、例えば市販のＡＤ－６８Ｆ（上村工業株式会社製）脱脂液などを用い、濃度２００～８００ｍＬ／Ｌ、温度４０～７０℃、処理時間３～１０ｍｉｎの条件で行うことができる。エッチングは、例えば、市販のＡＤ－１０７Ｆ（上村工業株式会社製）エッチング液などを用い、濃度２０～１００ｍＬ／Ｌ、温度５０～７５℃、処理時間０．５～５ｍｉｎの条件で酸エッチングすることにより行っても良い。
　ジンケート処理では、ディスクブランク表面にジンケート皮膜が形成される。ジンケート処理は、市販のジンケート処理液を用いることができ、濃度１００～５００ｍＬ／Ｌ、温度１０～３５℃、処理時間０．１～５分間の条件で行うことが好ましい。ジンケート処理は、少なくとも１回なされ、２回以上行っても良い。ジンケート処理を複数回行うことで、微細なＺｎを析出させて均一なジンケート皮膜を形成することができる。ジンケート処理を２回以上行う場合、その合間にＺｎ剥離処理を行っても良い。Ｚｎ剥離処理は、ＨＮＯ３溶液を用い、濃度１０～６０％、温度１５～４０℃、処理時間１０～１２０秒の条件で行うことが好ましい（そのため、「硝酸剥離処理」とも呼ばれる。）。また、２回目以降のジンケート処理は、最初のジンケート処理と同様の条件で実施することが好ましい。
　さらに、ジンケート処理したディスクブランク表面に、磁性体付着の下地処理として例えば無電解Ｎｉ－Ｐめっき処理（ステップＳ１０９）を施す。無電解Ｎｉ－Ｐめっき処理工程は、市販のめっき液、例えば上村工業株式会社製のニムデン（登録商標）ＨＤＸを用い、Ｎｉ濃度：３～１０ｇ／Ｌ、温度：８０～９５℃、処理時間：３０～１８０分間の条件で行うことが好ましい。
　無電解Ｎｉ－Ｐめっき処理後のめっき表面に、後記するような研磨処理を行い（ステップＳ１１０～Ｓ１１１）、磁気ディスク用基板とする。この基板に磁性体を付着させ（ステップＳ１１２）、所望により積層することにより、ハードディスク等の磁気ディスクを製造することができる。
＜ガラス基板の製造方法＞
　図２は、本発明に従う磁気ディスク用ガラス基板及び磁気ディスクの製造工程の一例を示すフロー図である。はじめに、所定の厚さのガラス板を準備する（ステップＳ２０１～Ｓ２０２）。次に、準備したガラス板をコアリングして、内外周の端面研磨加工を行うことで、円環状のガラス基板を成形・加工する（ステップＳ２０３～Ｓ２０４）。次に、成形したガラス基板を、所望によりダイヤモンドペレット等を用いたラッピング工程（ステップＳ２０５）に付す。続いて、あるいはステップＳ２０４の後に、ガラス基板を上下から一括して研磨パッドで挟圧し、複数のガラス基板を例えば酸化セリウム砥粒により、同時に研磨する粗研磨工程を行い（ステップＳ２０６）、所望により化学強化処理（ステップＳ２０７）を施した後、例えばコロイダルシリカ砥粒による精密研磨工程を行う（ステップＳ２０８）。次いで、磁性体の付着工程（ステップＳ２０９）によって磁気ディスクを製造する。以下、この図２のフローに従いつつ、各工程の内容を詳細に説明する。
　以下、各工程について具体的に説明する。
　まず、上述の成分組成を有するガラス素材の融液を、常法に従って加熱・溶融することによって調製する（ステップＳ２０１）。次に、調製されたガラス素材の融液を、フロート法、ダウンドロー法、ダイレクトプレス法、リドロー法、フェージョン法などの公知の製造方法により、ガラス板へと成形する（ステップＳ２０２）。ここで、フロート法等を用いて製造した母材ガラス板を加熱して軟化し、所望の厚さに延伸するリドロー法を用いれば、厚さのばらつきが小さいガラス板を比較的容易に製造できるので好ましい。
　次に、ステップＳ２０２で得られたガラス板から、コアリング工程によって円環状のガラス基板を成形する（ステップＳ２０３）。切削・研削加工（ステップＳ２０４）によって、内外周の端面を研磨しても良い。成形したガラス基板（ガラスブランク）は、２面の主表面を有し、中央部に円孔が形成された円環状の板となる。
　得られたガラスブランクに、焼鈍処理（アニール処理）を施しても良い。焼鈍処理は例えば、ガラスブランクを歪点付近の温度に１５分間程度以上保持し、３～１２時間程度かけて徐冷することによって行うことができる。焼鈍処理時の温度は、ガラス材質にもよるが、２５０～７５０℃、特に５００～７００℃とするのが好ましい。こうした条件で焼鈍処理を施すことにより、長期使用時にも変形を来し難くなり、良好な平坦度が保持され得る。より具体的な焼鈍条件として、例えばバッチ式の加熱ならば５００～６５０℃で０．１～１０時間保持、連続式の加熱ならば５００～７５０℃で０～６０秒間保持の条件で行うことができる。ここで、保持時間が０秒とは、所望の保持温度に到達後直ちに冷却することを意味する。本発明のガラス基板はまた、例えば上記したような組成の市販のガラス板を、円環状に成形し、焼鈍処理して製造することも可能である。
　次に、ステップＳ２０５において、形成した円環状の板に対し任意的にラッピング工程を実施することで、板厚を調整する。なお、ステップＳ２０４までの工程で得られたガラス基板の板厚次第では、ラッピング工程Ｓ２０５を省略し、下記の研磨工程に移ってもよい。例えば、リドロー法により製造されたガラス板は、一般に厚さばらつきが小さいので、ラッピング工程Ｓ２０５を実施しなくてもよい。ガラス板をフロート法やダイレクトプレス法で製造した場合は、ラッピング工程Ｓ２０５を行うことが望ましい。ラッピング工程は、例えばダイヤモンドペレットを用いたバッチ式の両面研磨機を用いて実施することができる。
　上記のようにして得られたガラス基板（ブランク基板）の表面に、後記のような研磨処理を行い（ステップＳ２０６～Ｓ２０８）、磁気ディスク用基板とする。この基板に磁性体を付着させ（ステップＳ２０９）、所望により積層することにより、ハードディスク等の磁気ディスクを製造することができる。
　上記研磨処理においては、粗研磨（ステップＳ２０６）と精密研磨（ステップＳ２０８）の間に、ガラス基板に化学強化処理（ステップＳ２０７）を施すことが好ましい。化学強化によって、ガラス基板表層のリチウムイオン及びナトリウムイオンが、化学強化液中のイオン半径が相対的に大きいナトリウムイオン及びカリウムイオンにそれぞれ置換される結果、表層部分に圧縮応力層が形成され、ガラス基板が強化され得る。化学強化処理法に特に制限はなく、例えばガラス基板を、３００～４００℃に加熱した化学強化液に３～４時間程度浸漬することによって行うことができる。ここで、化学強化液にも特に制限はなく、例えば硝酸カリウム（６０重量％）と硫酸ナトリウム（４０重量％）の混合液等を用いることができる。なお、ガラス基板は化学強化処理前に洗浄し、２００～３００℃程度に予熱しておくことが好ましい。また、化学強化処理されたガラス基板は洗浄処理に付されることが好ましい。例えば、硫酸等の酸で洗浄した後に、さらに純水等で洗浄すればよい。
＜研磨処理＞
　磁気ディスク用基板は一般に、基板の材質がどのようなものであっても、磁性体を付着させるに先立ち、平坦化のための研磨処理に付される。この研磨工程では、研磨砥粒の径を調整した複数段階での研磨を行うことが好ましい。一般に、両面同時研磨機を用いて、粗研磨及び精密研磨を行うことが好ましく、本発明の磁気ディスク用基板も、市販のバッチ式の両面同時研磨機を用いて研磨することができる。なお、粗研磨に先立ち、ダミー研磨を行って研磨パッドの表面を管理しておくことが好ましい。
　（両面研磨機）
　両面同時研磨機は通常、鋳鉄製の上定盤及び下定盤、複数の基板を上定盤と下定盤との間に保持するキャリア、並びに、上定盤及び下定盤の基板接触面に取り付けられた研磨パッドとを備える。研磨処理においては通常、キャリアによって上定盤と下定盤との間に複数の基板を保持し、上定盤と下定盤とによって各基板を所定の加工圧力で挟圧する。すると、各基板は上下から一括して研磨パッドによって挟圧される。次に、研磨パッドと各基板との間に研磨液を所定の供給量で供給しながら、上定盤と下定盤とを互いに異なる向きに回転させる。この際、キャリアもサンギアによって自転するため、基板は遊星運動を行う。これによって、基板は研磨パッドの表面を摺動し、両表面が同時に研磨される。
　（粗研磨）
　粗研磨処理の方法に特に制限はなく、基板の材質に応じた任意の条件で行うことができる。例えば、アルミニウム合金板の粗研磨は、粒径が０．１～１．０μｍのアルミナを含む研磨液と、硬質又は軟質のポリウレタン等からなる研磨パッドとを用いて行うことができる。また、ガラス基板の粗研磨は、粒径が０．１～１．０μｍの酸化セリウムを含む研磨液と、硬質のポリウレタン等からなる研磨パッドとを用いて行うことができる。しかしながら粗研磨処理の条件はこれらに限定されず、公知の研磨処理条件から所望のものを選定することができる。例えば、上記のアルミナや酸化セリウムの代わりに、所望の粒径のシリカ、酸化ジルコニウム、ＳｉＣ、ダイヤモンド等の砥粒を使用しても良い。なお、硬質とは日本ゴム協会標準規格(準拠規格：ＳＲＩＳ０１０１）に定める測定方法で測定した硬度（アスカーＣ）が８５以上のもの、軟質とは硬度が６０～８０のものをいう。
　具体的な粗研磨条件は、用いた基板の材質や粗研磨に付すまでの工程（例えばアルミニウム合金基板の製造におけるステップＳ１０１～Ｓ１０９、ガラス基板の製造におけるステップＳ２０１～Ｓ２０５）によっても影響され、一義的に決定することが難しい。また、特定の条件に限定されるものでもない。例えばアルミニウム合金基板の粗研磨条件は、研磨時間２～５分、研磨定盤の回転数を１０～３５ｒｐｍ、サンギアの回転数を５～１５ｒｐｍ、研磨液供給速度を１０００～５０００ｍＬ／分、特に２０００～４０００ｍＬ／分、加工圧力を２０～２５０ｇ／ｃｍ２、好ましくは２０～１２０ｇ／ｃｍ２、研磨量を２．５～３．５μｍとすることができる。
　ガラス基板の粗研磨の条件も、特に限定されない。例えば硬度８６～８８の硬質の研磨パッドを用い、研磨定盤の回転数を１０～３５ｒｐｍ、サンギアの回転数を５～１５ｒｐｍ、研磨液供給速度を１０００～５０００ｍＬ／分、加工圧力を２０～２５０ｇ／ｃｍ２、好ましくは２０～１２０ｇ／ｃｍ２、研磨時間２～１０分とすることが好ましい。
　（ダミー研磨）
　研磨処理の際には、上記のような粗研磨に先立ち、ダミー研磨を行って研磨パッドの表面を管理しておくことが好ましい。一般にダミー研磨工程は、ダミー基板を使用し、粗研磨工程と同様、好ましくは同一の条件で行う。使用するダミー基板は、特に制限はなく、例えばガラス基板の粗研磨の前にアルミニウム合金基板を用いてダミー研磨を行うこともできるが、製品のブランク基板と同種、特に製品のブランク基板と同様の条件で製造したブランク基板を用いることが好ましい。本発明におけるダミー研磨工程においては、前記の（ダミー基板としての）ブランク基板の少なくとも一方の表面における、カットオフ波長０．４～５．０ｍｍで測定したときの算術平均うねりＷａが２．５ｎｍ未満となるまで、ダミー基板を研磨することが好ましい。
　ダミー研磨工程において、算術平均うねりＷａは慣用の方法で測定することができ、例えばＰｈａｓｅ　Ｓｈｉｆｔ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製Ｏｐｔｉｆｌａｔ（商品名）を使用して、ダミー基板の主面の片面全面を測定すればよい。こうしたダミー研磨によって、上記の粗研磨工程で用いる研磨パッドの表面を好適な状態に調整することができる。なお、ダミー研磨は任意的な工程であり、研磨パッド表面が調整・管理されていれば省略してもよい。例えば粗研磨ロットの開始に先立ってダミー研磨を行い、調整後の研磨パッドで製品用ブランク基板の粗研磨を複数バッチ繰り返して行うことが可能である。
　（精密研磨）
　精密研磨の方法にも特に制限はなく、種々の公知の方法で行うことができる。例えばアルミニウム合金基板の精密研磨は、粒径が０．０１～０．１０μｍ程度のコロイダルシリカを含む研磨液と軟質の研磨パッドを用いて行うことができる。また、ガラス基板の精密研磨は、粒径が０．０１～０．１０μｍ程度、特に１０～５０ｎｍ程度のコロイダルシリカを含む研磨液と、発泡ウレタン等からなるより軟質の研磨パッドとを用いて行うことができる。勿論、精密研磨の条件もこれらに限定されない。所望の粒径の酸化セリウム、酸化ジルコニウム、ＳｉＣ、ダイヤモンド等の砥粒を使用しても良い。また、こうした処理によって、基板の主表面が鏡面に研磨され、磁気ディスク用基板が製造される。上記研磨工程を経た本発明の磁気ディスク用基板は、熱衝撃試験後も平坦度が良好で、規定のＰＶ値を示す。なお、研磨後の基板は、中性洗剤、純水、ＩＰＡ等を用いて洗浄することが好ましい。
　精密研磨の具体的な条件も、用いた基板の材質や粗研磨までの工程により影響されるため一義的に決定することが難しく、また、特定の条件に限定されるものでもない。例えばアルミニウム合金基板の精密研磨においては、研磨時間を２～５分、研磨定盤の回転数を１０～３５ｒｐｍ、サンギアの回転数を５～１５ｒｐｍ、研磨液供給速度を１０００～５０００ｍＬ／分、特に２０００～４０００ｍＬ／分、加工圧力を例えば１０～２００ｇ／ｃｍ２、特に２０～１００ｇ／ｃｍ２、研磨量を１．０～１．５μｍとすることができる。
　ガラス基板の精密研磨の条件も、特に限定されない。例えば、硬度７５～７７の軟質の研磨パッドを用い、研磨定盤の回転数を１０～３５ｒｐｍ、サンギアの回転数を５～１５ｒｐｍ、研磨液供給速度を１０００～５０００ｍＬ／分、特に２０００～４０００ｍＬ／分、加工圧力を例えば１０～２００ｇ／ｃｍ２、特に２０～１００ｇ／ｃｍ２、研磨時間を２～１２分とすることが好ましい。
　（フリッピング）
　ここで、本発明の磁気ディスク用基板を製造するに当たり、研磨処理の途中で基板の表裏面を反転（フリッピング）させることが好ましい。これによって、研磨後の基板は、長期使用時にも、良好な平坦度がさらに保持され易くなる。より好ましくは、粗研磨処理の途中でフリッピングを行う。両面研磨においても、研磨により削り取られる層厚は、基板の上定盤側と下定盤側とで相違しがちである。特に粗研磨においては、その傾向が高い。そうして研磨された基板で磁気ディスクを作製すると、長期使用後にうねり等の変形を生じて、平坦度が悪化する場合がある。研磨処理、特に粗研磨処理の途中でフリッピングを行うことにより、磁気ディスクが変形するリスクが低減される。
　なお、フリッピングは研磨処理中に１回行えば良いが、２回以上行っても良い。また、基板の両面がそれぞれ、上定盤側と下定盤側の各研磨パッドに対して同一の条件で接触するようフリッピングを行うことが好ましい。例えば、フリッピングを１回行う場合は、研磨速度や研磨時間をフリッピングの前後で同一とし、フリッピングを複数回行う場合は、各面が上側になる時間の合計と下側になる時間の合計とを揃えて研磨すれば良い。
　こうした研磨工程を経ることにより、熱衝撃試験後にも規定のＰＶ値を示す磁気ディスク用基板を製造することができる。本発明はまた、ディスク状のブランク基板の両表面を粗研磨する粗研磨工程と、粗研磨された前記ブランク基板の両表面を精密研磨する精密研磨工程とを含む磁気ディスク用基板の製造方法であって、粗研磨工程に先立ち、前記ブランク基板と同じ条件で製造したダミー基板に対し、粗研磨工程で使用する研磨パッドで、粗研磨工程で粗研磨した後のブランク基板の少なくとも一方の表面における、カットオフ波長０．４～５．０ｍｍで測定したときの算術平均うねりＷａが２．５ｎｍ未満となるまで、ダミー基板を研磨することにより、粗研磨工程で用いる研磨パッドの表面を調整するダミー研磨工程をさらに含み、粗研磨工程では、前記ブランク基板の粗研磨の途中で、ブランク基板の表裏面を反転させることを特徴とする製造方法をも包含する。
＜磁気ディスク用基板＞
　上記のような方法により、本発明の磁気ディスク用基板を製造することができる。本発明の磁気ディスク用基板は、長期使用時にも変形を来し難く、良好な平坦度が保持され得る。また、基板に対し、１２０℃にて３０分間加熱後、－４０℃にて３０分間冷却する過程を１サイクルとするとき、このサイクルを２００サイクル繰り返して行う熱衝撃試験後の、基板の表面で２５℃にて測定した平坦度ＰＶが１２μｍ以下となる。薄肉でありながら長期使用後、例えば１００万～１５０万時間使用後にも高い平坦度が保持されるため、主面と磁気ヘッドが干渉することなく走査可能であり、高容量で長期信頼性に優れるハードディスクを形成することができる。本発明の磁気ディスク用基板は、熱アシスト磁気記録方式（ＨＡＭＲ）又はマイクロ波アシスト磁気記録方式（ＭＡＭＲ)の磁気ディスク用として、特に有用である。
＜磁気ディスク＞
　本発明はまた、１２０℃にて３０分間加熱後、－４０℃にて３０分間冷却する過程を１サイクルとするとき、このサイクルを２００サイクル繰り返して行う熱衝撃試験後の、表面で２５℃にて測定した平坦度ＰＶが１２μｍ以下である、磁気ディスクも包含する。
　本発明の磁気ディスクは、公知のどのような基板で形成されていても良く、そのサイズや材質に特に制限はない。しかしながら、より高い平坦度の磁気ディスクとする上で、アルミニウム合金基板又はガラス合金基板に基づく磁気ディスクであることが好ましい。また、本発明の効果を特に顕著とする上で、厚さ寸法が０．５ｍｍ未満又は外径寸法が９５ｍｍ以上の基板に基づくことが好ましい。より好ましくは、上記本発明の磁気ディスク用基板で、特に好ましくは上記の製造方法により得られた上記材質の磁気ディスク用基板で形成されているのがよい。
　本発明の磁気ディスク用基板では、その表面上に磁性体層、さらには所望により保護膜層や潤滑膜層が備えられていても、熱衝撃試験後の平坦度に実質的に影響することがなく、長期使用後も高い平坦度が保持され、本願の課題が達成される。
　以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の概念及び特許請求の範囲に含まれるあらゆる態様を含み、本発明の範囲内で種々に改変することができる。
　以下に、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。
［実施例１］
　Ａ５０８６合金（アルミニウム合金Ａ）を常法に従って溶解した後にＤＣ鋳造し、長さ７６００ｍｍ、幅１３１０ｍｍ、板厚５００ｍｍのスラブを作製した。この作製したスラブの表裏面を各１０ｍｍずつ面削し、５４０℃で６時間の均質化処理を行った後、熱間圧延開始温度５４０℃、熱間圧延終了温度３５０℃で熱間圧延し、板厚３．０ｍｍとした。この熱間圧延板を冷間圧延し、板厚０．４８ｍｍとした。この冷間圧延板を、内径φ２４ｍｍ×外径φ９８ｍｍにプレスで打抜き、３０ｋｇｆ／ｃｍ２の加圧下で３２０℃、３時間の加圧焼鈍を行って平坦化した。さらに、内外周を切削加工することで内径φ２５ｍｍ×外径φ９７ｍｍとした。この際、同時に内外周端面へチャンファー加工を施した。
　この基板を４０００番ＳｉＣ砥石で表面研削し、板厚０．４６ｍｍとした。この基板に、脱脂処理、酸エッチング処理を順次行った後にジンケート処理を施した。
　脱脂処理は、例えば上村工業株式会社製のＡＤ－６８Ｆの脱脂液を用い、濃度：５００ｍＬ／Ｌ、温度：４５℃、処理時間：３分間の条件で行った。酸エッチング処理は、例えば上村工業株式会社製のＡＤ－１０７Ｆのエッチング液を用い、濃度：５０ｍＬ／Ｌ、温度：６０℃、処理時間：２分間の条件で行った。ジンケート処理は、硝酸剥離処理を挟んだ２回のジンケート処理で行い、具体的には、第１ジンケート処理、純水洗浄、硝酸剥離処理、純水洗浄、及び第２ジンケート処理の順で行った。第１ジンケート処理は、例えば、上村工業株式会社製のＡＤ－３０１Ｆ－３Ｘのジンケート処理液を用い、濃度：２００ｍＬ／Ｌ、温度：２０℃、処理時間：１分間の条件で行った。硝酸剥離処理は、硝酸濃度：３０体積％、温度：２５℃、処理時間：１分間の条件で行った。第２ジンケート処理は、第１ジンケート処理と同一の条件で行った。
　その後、無電解Ｎｉ－Ｐめっき処理を行った。無電解Ｎｉ－Ｐめっき処理は、上村工業株式会社製のニムデン（登録商標）ＨＤＸの無電解めっき液を用い、Ｎｉ濃度：６ｇ／Ｌ、温度：８８℃、処理時間：１３０分間の条件で行い、各１３μｍ厚の無電解めっき皮膜を両面に形成した。
　無電解Ｎｉ－Ｐめっき後の基板の両面（表裏面）に粗研磨処理を施した。粗研磨処理は、硬度が８７の硬質ウレタン研磨パッドと、粒径０．４μｍのアルミナ砥粒とを用い、両面研磨により行った。なお、粗研磨工程においては、研磨定盤の回転数を３０ｒｐｍ、サンギアの回転数を１０ｒｐｍ、研磨液供給速度を３５００ｃｃ／ｍｉｎ、加工圧力を１００ｇ／ｃｍ２とした。また、粗研磨処理の途中で、基板の表裏面を反転（フリッピング）させた。
　なお、上記の粗研磨処理に先立ち、ダミー研磨を行った。ダミー研磨には、上記と同様にして作製した、無電解Ｎｉ－Ｐめっき後の別の基板をダミー基板として使用した。上記粗研磨条件と同一の条件でダミー研磨を複数回行ったところ、６回目でダミー基板のＯｐｔｉｆｌａｔ　Ｗａ（カットオフ波長が０．４～５．０ｍｍで測定したときの算術平均うねり：長波長うねり）が２．５ｎｍ未満（２．１９ｎｍ）となったため、これをもってダミー研磨を終了した。なお、ダミー基板の算術平均うねりＷａの測定は、Ｏｐｔｉｆｌａｔ　Ｗａは、Ｐｈａｓｅ　Ｓｈｉｆｔ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製Ｏｐｔｉｆｌａｔ（商品名）を使用し、粗研磨後におけるダミー基板の片面全体について行った。
　粗研磨後の基板を純水で洗浄後、精密研磨を施して、板厚（厚さ寸法）０．４８ｍｍの磁気ディスク用基板を作製した。精密研磨は、硬度７６の軟質ウレタン研磨パッドと、粒径０．０８μｍのコロイダルシリカ砥粒とを用い、研磨時間を５分間とし、加工圧力を５０～１００ｇ／ｃｍ２としたこと以外は、粗研磨と同様の条件で行った。すなわち、研磨定盤の回転数を３０ｒｐｍ、サンギアの回転数を１０ｒｐｍ、研磨液供給速度を３５００ｃｃ／ｍｉｎとして精密研磨を行った。
　上記で作製した磁気ディスク用基板を熱衝撃試験に付し、平坦度を測定した。測定結果を、表１に示す。なお、熱衝撃試験及び平坦度測定は、以下の条件で行った。
（熱衝撃試験）
　エスペック株式会社製の小型環境試験器ＳＨ－２６１を使用し、１２０℃にて３０分間加熱後、－４０℃にて３０分間冷却する過程を１サイクルとして、このサイクルを２００サイクル繰り返し行うことにより熱衝撃試験を実施した。
（平坦度測定）
　ＺＹＧＯ社製のＭＥＳＡ　Ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌを用いて測定した。測定範囲はディスクの両主面全面とした。測定は２５℃でｎ＝３にて行い、平均値を採用した。
［比較例１］
　加圧焼鈍の条件を２００℃×３時間とし、粗研磨処理中にフリッピングを行わなかった以外は、実施例１と同様の操作を行い、板厚０．４８ｍｍの磁気ディスク用基板を作製した。平坦度の測定結果を、後記する表１に示す。
［実施例２］
　ＳｉＯ２：６５質量％、Ａｌ２Ｏ３：１８質量％、Ｌｉ２Ｏ：４質量％、Ｎａ２Ｏ：１質量％、Ｋ２Ｏ：０．２質量％、ＣａＯ：４質量％、ＺｒＯ２：０．８質量％を含有する成分組成を有するガラス素材の融液を、１６００～１７００℃で加熱・溶融することによってガラス素材を調製した（ステップＳ２０１）。次に、調製されたガラス素材の融液を、リドロー法を用いて、１００ｍｍ、長さ１０ｍのアルミノシリケートガラス板へと成形した（ステップＳ２０２）。その後、厚さが０．６ｍｍに近いガラス板を選別してコアリング及び内外周の端面研磨（ガラスディスク内外径の切削、寸法調整、チャンファー加工、チャンファー加工部の研削加工）を行って、外径が９７ｍｍ、円孔の内径が２５ｍｍの円環状のガラス基板を成形した（ステップＳ２０３～Ｓ２０４）。
　その後、成形したガラス基板を両面研磨機にセットし、粗研磨処理及び精密研磨処理を施して、板厚０．４８ｍｍの磁気ディスク基板を作製した。なお、本実施例においてはブランク基板をリドロー法により作製し、板厚ばらつきは無視し得たため、Ｓ２０５のラッピング工程は省略した。また、研磨パッドも好適な状態に管理されていたので、ダミー研磨も不実施とした。粗研磨処理は、硬度が８７の硬質ウレタン研磨パッドと、平均粒径が０．１９μｍの酸化セリウム研磨砥粒に純水を加えて遊離砥粒とした研磨液とを使用し、研磨定盤の回転数を２５ｒｐｍ、サンギアの回転数を１０ｒｐｍ、研磨液供給速度を１５００ｃｃ／ｍｉｎ、加工圧力を１２０ｇ／ｃｍ２とした上で、粗研磨処理の途中で基板の表裏面を反転（フリッピング）して、実施例１と同様に行った。
　精密研磨処理は、硬度が７６の軟質ウレタン研磨パッドと、平均粒径が０．０８μｍのコロイダルシリカに純水を加えて遊離砥粒とした研磨液とを使用し、研磨時間を８．５分間、加工圧力を５０～１２０ｇ／ｃｍ２として、実施例１と同様に行った。すなわち、研磨定盤の回転数を３０ｒｐｍ、サンギアの回転数を１０ｒｐｍ、研磨液供給速度を３５００ｃｃ／ｍｉｎとして精密研磨を行った。得られた基板の厚さ寸法は、０．４８ｍｍであった。平坦度の測定結果を、表１に示す。
［比較例２］
　粗研磨処理中にフリッピングを行わなかった以外は、実施例２と同様の操作を行い、磁気ディスク用基板を作製した。平坦度の測定結果を、後記する表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　本発明に従い、１２０℃にて３０分間加熱後、－４０℃にて３０分間冷却する過程を１サイクルとして、このサイクルを２００サイクル繰り返して行う熱衝撃試験後に、基板の表面で２５℃にて測定した平坦度ＰＶが１２μｍ以下である、磁気ディスク用基板が提供された。実施例１のアルミニウム合金基板は、熱衝撃試験後のＰＶ値が３．７μｍであり、１２μｍを大きく下回っていた。すなわち、薄肉でありながら長期使用後も高い平坦度が保持され、ハードディスクの高容量化に対応でき、かつ長期信頼性を向上させ得る磁気ディスク用基板であることが判明した。一方、比較例１のアルミニウム合金基板は、熱衝撃試験後のＰＶ値が１５．１μｍであり、１２μｍよりも大きかった。また、実施例２のガラス基板は、熱衝撃試験後のＰＶ値が７．６μｍであり、１２μｍを大きく下回った。一方、比較例２のガラス基板は、熱衝撃試験後のＰＶ値が１４．７μｍであり、１２μｍよりも大きかった。以上のことから、アルミニウム合金基板の場合は加圧焼鈍温度を再結晶温度以上に高くすること、及び、粗研磨処理の途中でフリッピングを行うことにより、また、ガラス基板の場合は粗研磨処理の途中でフリッピングを行うことにより、熱衝撃試験後のＰＶ値を低減し得ることがわかる。
　Ｓ１０１　アルミニウム合金成分の調製
　Ｓ１０２　アルミニウム合金の鋳造
　Ｓ１０３　均質化処理
　Ｓ１０４　熱間圧延
　Ｓ１０５　冷間圧延
　Ｓ１０６　ブランキング・加熱平坦化処理
　Ｓ１０７　切削・研削加工
　Ｓ１０８　ジンケート処理
　Ｓ１０９　Ｎｉ－Ｐめっき処理
　Ｓ１１０　粗研磨
　Ｓ１１１　精密研磨
　Ｓ１１２　磁性体の付着
　Ｓ２０１　ガラス素材の調製
　Ｓ２０２　ガラス板の成形
　Ｓ２０３　円環状ガラス基板の成形
　Ｓ２０４　切削・研削加工
　Ｓ２０５　ラッピング
　Ｓ２０６　粗研磨
　Ｓ２０７　化学強化処理
　Ｓ２０８　精密研磨
　Ｓ２０９　磁性体の付着

Claims (7)

  1. 　磁気ディスク用基板であって、
    　前記基板に対し、１２０℃にて３０分間加熱後、－４０℃にて３０分間冷却する過程を１サイクルとするとき、このサイクルを２００サイクル繰り返して行う熱衝撃試験後の、前記基板の表面で２５℃にて測定した平坦度ＰＶが１２μｍ以下である、磁気ディスク用基板。
  2. 　厚さ寸法が０．５０ｍｍ未満である、請求項１に記載の磁気ディスク用基板。
  3. 　外径寸法が９５ｍｍ以上である、請求項１又は２に記載の磁気ディスク用基板。
  4. 　前記基板の材質が、ガラス又はアルミニウム合金である、請求項１又は２に記載の磁気ディスク用基板。
  5. 　熱アシスト磁気記録方式（ＨＡＭＲ）又はマイクロ波アシスト磁気記録方式（ＭＡＭＲ)の磁気ディスク用である、請求項１又は２に記載の磁気ディスク用基板。
  6. 　磁気ディスクであって、
    　前記磁気ディスクに対し、１２０℃にて３０分間加熱後、－４０℃にて３０分間冷却する過程を１サイクルとするとき、このサイクルを２００サイクル繰り返して行う熱衝撃試験後の、前記磁気ディスクの表面で２５℃にて測定した平坦度ＰＶが１２μｍ以下である、磁気ディスク。
  7. 　ディスク状のブランク基板の両表面を粗研磨する粗研磨工程と、粗研磨された前記ブランク基板の両表面を精密研磨する精密研磨工程とを含む、請求項１又は２に記載の磁気ディスク用基板の製造方法であって、
    　前記粗研磨工程に先立ち、前記ブランク基板と同じ条件で製造したダミー基板に対し、前記粗研磨工程で使用する研磨パッドで、前記粗研磨工程で粗研磨した後の前記ブランク基板の少なくとも一方の表面における、カットオフ波長０．４～５．０ｍｍで測定したときの算術平均うねりＷａが２．５ｎｍ未満となるまで、前記ダミー基板を研磨することにより、前記粗研磨工程で用いる研磨パッドの表面を調整するダミー研磨工程をさらに含み、
    　前記粗研磨工程では、前記ブランク基板の粗研磨の途中で、前記ブランク基板の表裏面を反転させることを特徴とする製造方法。
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