WO2023026591A1

WO2023026591A1 - 絶縁電線

Info

Publication number: WO2023026591A1
Application number: PCT/JP2022/019515
Authority: WO
Inventors: 昂大岩本; 雅晃山内; 博紹持田
Original assignee: 住友電気工業株式会社; 住友電工ウインテック株式会社
Priority date: 2021-08-24
Filing date: 2022-05-02
Publication date: 2023-03-02
Also published as: US20240145116A1; JPWO2023026591A1; CN117280429A

Abstract

絶縁電線は、線状の導体と、前記導体の外周面を被覆する絶縁層とを含む絶縁電線であって、前記絶縁層は、残留溶剤として比誘電率１５以上の第１溶剤と、比誘電率１５未満の第２溶剤とを含み、前記絶縁層に含まれる前記第１溶剤および前記第２溶剤の合計含有量に対する前記第２溶剤の含有量の比率である第１比率は、５０質量％以上であり、前記絶縁電線を３５０℃で１分間加熱する加熱処理後の前記絶縁層に含まれる前記第１溶剤および前記第２溶剤の合計含有量に対する前記第２溶剤の含有量の比率である第２比率は、前記第１比率に比べて高い。

Description

絶縁電線

　本開示は、絶縁電線に関する。本出願は、２０２１年８月２４日に出願した日本特許出願である特願２０２１－１３６３３２号に基づく優先権を主張する。当該日本特許出願に記載された全ての記載内容は、参照によって本明細書に援用される。

　従来から線状の導体と、上記導体の外周面を被覆する絶縁層とを備える絶縁電線が公知である。上記絶縁電線は、たとえばモータ、トランス等のコイルとして好適に使用されている。特開２００４－２６９７７０号公報（特許文献１）は、絶縁皮膜中の残留溶剤量を極めて少なくすることによって、絶縁特性に優れた絶縁電線を製造することが可能なポリウレタン系絶縁電線用塗料を開示している。

特開２００４－２６９７７０号公報

　本開示の絶縁電線は、線状の導体と、上記導体の外周面を被覆する絶縁層とを含む絶縁電線であって、上記絶縁層は、残留溶剤として比誘電率１５以上の第１溶剤と、比誘電率１５未満の第２溶剤とを含み、上記絶縁層に含まれる上記第１溶剤および上記第２溶剤の合計含有量に対する上記第２溶剤の含有量の比率である第１比率は、５０質量％以上であり、上記絶縁電線を３５０℃で１分間加熱する加熱処理後の上記絶縁層に含まれる上記第１溶剤および上記第２溶剤の合計含有量に対する上記第２溶剤の含有量の比率である第２比率は、上記第１比率に比べて高い。

　［本開示が解決しようとする課題］
　製造コスト低減の観点から、導体の外周面に塗布および焼付けした絶縁ワニスを短時間かつ低温で乾燥させることにより、上記導体の外周面を絶縁層で被覆することが要請されている。この場合、絶縁層中に絶縁ワニス由来の極性溶剤が残留しやすく、上記絶縁層の誘電率が上昇することによって絶縁特性が阻害される傾向がある。一方、極性溶剤は、樹脂の保存安定性等の観点から絶縁ワニスに所定量含有させる必要がある。したがって、絶縁ワニスを短時間かつ低温で乾燥させることによって絶縁層を形成する絶縁電線において、極性溶剤を所定量含むことによって上記絶縁ワニスの保存安定性を維持しつつも、上記絶縁層の誘電率を低減することができ、もって絶縁特性を向上させることができる絶縁電線の開発が切望されている。

　上記実情に鑑み、本開示は、絶縁層の誘電率が低減された絶縁電線を提供することを目的とする。

　［本開示の効果］
　本開示によれば、絶縁層の誘電率が低減された絶縁電線を提供することができる。

　［本開示の実施形態の説明］
　本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を重ね、本開示を完成させた。具体的には、絶縁層を形成するための絶縁ワニスに低誘電率溶剤を極性溶剤（以下、「高誘電率溶剤」とも記す）とともに添加することによって、絶縁層中の高誘電率溶剤の残留量を低減させることに注目した。その結果、驚くべきことに、沸点が高誘電率溶剤のそれよりも高い低誘電率溶剤を添加した絶縁ワニスを用いて導体の外周面に絶縁層を形成した場合、上記絶縁層の誘電率を低減することができ、もって絶縁特性を向上できることを知見し、本開示に到達した。

　最初に本開示の実施態様を列記して説明する。
　［１］本開示の一態様に係る絶縁電線は、線状の導体と、上記導体の外周面を被覆する絶縁層とを含む絶縁電線であって、上記絶縁層は、残留溶剤として比誘電率１５以上の第１溶剤と、比誘電率１５未満の第２溶剤とを含み、上記絶縁層に含まれる上記第１溶剤および上記第２溶剤の合計含有量に対する上記第２溶剤の含有量の比率である第１比率は、５０質量％以上であり、上記絶縁電線を３５０℃で１分間加熱する加熱処理後の上記絶縁層に含まれる上記第１溶剤および上記第２溶剤の合計含有量に対する上記第２溶剤の含有量の比率である第２比率は、上記第１比率に比べて高い。このような特徴を有する絶縁電線は、絶縁層の誘電率を低減することができ、もって絶縁特性を向上させることができる。

　［２］上記絶縁層は、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステルイミド樹脂およびポリエーテルイミド樹脂からなる群より選択される１以上の樹脂を含むことが好ましい。これにより、絶縁電線にて汎用される樹脂を含む絶縁層において誘電率を低減することができる。

　［３］上記絶縁層は、上記第１溶剤および上記第２溶剤を合計で０．２質量％以上１０質量％以下含むことが好ましい。これにより、絶縁層の誘電率をより一層低減することができる。

　［４］上記絶縁層は、上記第１溶剤を５質量％以下含み、上記絶縁層は、上記第２溶剤を０．１質量％以上５質量％以下含むことが好ましい。これにより、絶縁層の誘電率をより一層低減することができる。

　［５］上記絶縁層は、硬化剤を含有し、上記硬化剤は、脂環式酸無水物、脂肪族酸無水物、芳香族酸無水物イミダゾール、トリエチルアミン、チタン系化合物、イソシアネート系化合物、ブロックイソシアネート、尿素、メラミン、メラミン化合物およびアセチレン誘導体からなる群より選択される１種以上を含むことが好ましい。これにより絶縁ワニスから、上記の特徴を備えた絶縁層の形成を促進することができる。

　［本開示の実施形態の詳細］
　以下、本開示の実施形態（以下、「本実施形態」とも記す）についてさらに詳細に説明する。ここで本明細書において「Ａ～Ｂ」という形式の表記は、範囲の上限下限（すなわちＡ以上Ｂ以下）を意味し、Ａにおいて単位の記載がなく、Ｂにおいてのみ単位が記載されている場合、Ａの単位とＢの単位とは同じである。さらに本明細書において「誘電率」および「比誘電率」の用語は、いずれも媒質の導電性を表す指標として同じ文脈で用いられる。本明細書において「高誘電率」とは、比誘電率が１５以上であることを意味し、「低誘電率」とは、比誘電率が１５未満であることを意味する。また本明細書において「溶剤」とは、他の物質を溶解させるのに用いる物質を意味する。このため本明細書において「溶剤」の範疇には、他の物質を溶解させるのに用いる材料である限り、室温において液体である材料はもちろん、固体である材料も含まれるものとする。

　〔絶縁電線〕
　本実施形態に係る絶縁電線は、線状の導体と、上記導体の外周面を被覆する絶縁層とを含む絶縁電線である。上記絶縁層は、残留溶剤として比誘電率１５以上の第１溶剤と、比誘電率１５未満の第２溶剤とを含む。上記絶縁層に含まれる上記第１溶剤および上記第２溶剤の合計含有量に対する上記第２溶剤の含有量の比率である第１比率は、５０質量％以上である。さらに上記絶縁電線を３５０℃で１分間加熱する加熱処理後の上記絶縁層に含まれる上記第１溶剤および上記第２溶剤の合計含有量に対する上記第２溶剤の含有量の比率である第２比率は、上記第１比率に比べて高い。このような特徴を有する絶縁電線は、上記絶縁層の誘電率を低減することができ、もって絶縁特性を向上させることができる。

　上記絶縁電線が絶縁層の誘電率を低減することができ、もって絶縁特性を向上させることができる理由は、詳細は不明ながら次のとおりであると推定される。

　すなわち本実施形態に係る絶縁電線は、上記絶縁層中に残留溶剤として比誘電率１５以上の第１溶剤だけでなく、比誘電率１５未満の第２溶剤を含む。さらに、上記絶縁層に含まれる上記第１溶剤および上記第２溶剤の合計含有量に対する上記第２溶剤の含有量の比率である第１比率は、５０質量％以上である。第１溶剤は、比誘電率１５以上であるので高誘電率溶剤であり、第２溶剤は、比誘電率１５未満であるので低誘電率溶剤であるため、残留溶剤の半分以上が第２溶剤である絶縁層は、誘電率が低く抑えられると考えられる。

　さらに本実施形態において、上記絶縁電線を３５０℃で１分間加熱する加熱処理を行った場合、上記絶縁層に含まれる上記第１溶剤および上記第２溶剤の合計含有量に対する上記第２溶剤の含有量の比率（第２比率）は、上記第１比率に比べて高い。第２比率が第１比率に比べて高いことは、当該加熱処理において上記絶縁層から第２溶剤よりも第１溶剤が積極的に揮発することを意味する。ここで上記の加熱処理は、絶縁電線の製造工程にて行う乾燥工程の一部を模擬しているため、上記絶縁電線の製造工程においては第１溶剤よりも第２溶剤が上記絶縁層に優先して残留することが理解される。これにより、絶縁ワニスにおいて第２溶剤の含有量を些少とし、かつ第１溶剤の含有量を十分とすることによって樹脂の保存安定性を維持しつつ、上記絶縁電線においては上記絶縁層に含まれる残留溶剤の半分以上を第２溶剤とすることができ、もって上述のように上記絶縁層の誘電率を低減することができると理解される。以上から、本実施形態に係る絶縁電線は、上記絶縁ワニスの保存安定性を維持しつつも上記絶縁層の誘電率を低減することができ、もって絶縁特性を向上させることができると推定される。

　＜導体＞
　本実施形態に係る絶縁電線は、上述のように線状の導体を含む。上記導体は、導電体である。導体の材料としては、導電性が高くかつ機械的強度の高い金属が好ましい。具体的には、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、銀、軟鉄、鋼、ステンレス鋼などが挙げられる。導体は、これらの金属を線状に形成した素線であってもよく、素線の表面を他の金属で被覆した被覆線であってもよく、複数の素線を撚り合わせた撚線であってもよい。上記被覆線としては、ニッケル被覆銅線、銀被覆銅線、銀被覆アルミニウム線、銅被覆鋼線などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。

　上記導体の形状は、特に限定されず、絶縁電線の使用用途、電気特性などに応じて、丸線、角線などを適宜選択することができる。すなわち絶縁電線をその長手方向に対して垂直となる面で切断することにより現れる断面において、導体の断面形状は、円であってもよく、平角であってもよい。導体の径または外周の長さなども特に制限されず、絶縁電線の使用用途、電気特性などに応じて適宜選択することができる。

　ここで本明細書において、導体の断面形状の一つである「平角」には、長方形および正方形が含まれ、かつこれらの長方形および正方形の四隅が面取りされ形状、ならびにアール形状（Ｒ形状）を有する形状等も含まれる。

　導体の断面積の下限値は０．０１ｍｍ²が好ましく、０．１ｍｍ²がより好ましく、上限値は２０ｍｍ²が好ましく、１０ｍｍ²がより好ましい。導体の断面積が０．０１ｍｍ²に満たない場合、導体に対する絶縁層の体積の割合が大きくなり、たとえば、絶縁電線を用いて形成されるコイルの体積効率が低下するおそれがある。導体の断面積が２０ｍｍ²を超える場合、絶縁電線の絶縁性を十分に高めるために、絶縁層を厚くする必要が生じ、結果的に、絶縁電線が大径化し、コアに高密度で捲付けることが困難となる傾向がある。

　＜絶縁層＞
　本実施形態に係る絶縁電線は、上述のように導体の外周面を被覆する絶縁層を含む。上記絶縁層は、この種の絶縁電線において絶縁層を構成するために採用される従来公知の樹脂をいずれも含むことができる。

　具体的には、絶縁層に含まれる樹脂としては、ポリビニルホルマール樹脂、ポリウレタン樹脂、アルキル樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、ポリエステルアミドイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、およびポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱可塑性樹脂を例示することができる。これらの樹脂を、それぞれ１つ単独で、あるいは２つ以上を混合して含むことができる。

　特に上記絶縁層は、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステルイミド樹脂およびポリエーテルイミド樹脂からなる群より選択される１以上の樹脂を含むことが好ましい。これにより、絶縁電線にて汎用される樹脂を含む絶縁層において誘電率を低減することができる。上記絶縁層は、強度および耐熱性を向上させる観点から、熱硬化性のポリイミド樹脂を含むことがより好ましい。

　さらに上記絶縁層は、ポリイミド樹脂を含む場合、上記ポリイミド樹脂は、ポリイミド以外のモノマーを少量含む、あるいは官能基を導入したポリイミド樹脂であっても好ましい。

　絶縁層の厚みの下限値は５μｍが好ましく、上限値は２００μｍが好ましい。絶縁層の厚みが５μｍに満たないと、絶縁層に破れが生じ易い傾向があり、導体の絶縁が不十分となるおそれがある。絶縁層の厚みが２００μｍを超えると、絶縁電線を用いて形成されるコイルなどの体積効率が低くなる傾向がある。

　上記導体の断面形状が平角である場合、絶縁層の厚みは、絶縁電線をその長手方向に対して垂直となる面で切断することにより現れた断面において、導体の外周面のうち２対の正対する面（上面、下面、左面および右面）を被覆している絶縁層の厚みの平均値を意味する。具体的には、絶縁電線をその長手方向に対して垂直となる面で切断することにより現れた断面を研磨することにより測定対象面を作製する。次いで、上記測定対象面をデジタルマイクロスコープＶＨＸ－７０００（株式会社キーエンス製）を用いて撮像することにより画像を得る。最後に上記画像中の導体の外周面のうち２対の正対する面を被覆している絶縁層の厚みとして、たとえば導体の上面、下面、左面および右面から各１箇所を選択し、これら合計４箇所における絶縁層の厚みを測定することにより求めた値から平均値を算出し、これを絶縁層の厚みとすることができる。上記導体の断面形状が円である場合の絶縁層の厚みは、上記デジタルマイクロスコープで撮像した上記測定対象面の画像中の環状の絶縁層において、等間隔に４つの測定箇所を選択し、次いで当該４つの測定箇所における上記絶縁層の厚みを測定し、その厚みの平均値として求めることができる。

　（残留溶剤）
　上記絶縁層は、残留溶剤として比誘電率１５以上の第１溶剤と、比誘電率１５未満の第２溶剤とを含む。本明細書において「残留溶剤」とは、絶縁電線の製造過程において導体の外周に塗布される絶縁ワニスに含まれる溶剤成分のうち、当該絶縁ワニスが導体に焼付けられることによって絶縁層が形成された後にも上記絶縁層中に残留する溶剤成分を意味する。上記絶縁ワニスは、上述した樹脂、またはその樹脂前駆体が少なくとも第１溶剤および第２溶剤を含む有機溶剤によって希釈されることにより準備される場合がある。上記有機溶剤は、上述した第１溶剤および第２溶剤からなることができる。

　１）　第１溶剤
　第１溶剤は、比誘電率１５以上の高誘電率溶剤である。第１溶剤としては、比誘電率１５以上の高誘電率溶剤である限り、従来公知の有機溶剤および室温において固体となる材料をいずれも用いることができる。第１溶剤としては、具体的には、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、ヘキサエチルリン酸トリアミド、γ－ブチロラクトンなどの極性有機溶剤、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系有機溶剤などを例示することができる。第１溶剤としては、これらの有機溶剤をそれぞれ１種単独で用いることができ、あるいは２種以上を混合して用いることができる。

　２）　第２溶剤
　第２溶剤は、比誘電率１５未満の低誘電率溶剤である。第２溶剤としては、比誘電率１５未満の低誘電率溶剤であって、かつ第１溶剤との関係において後述する条件を満たす従来公知の有機溶剤および室温において固体となる材料をいずれも用いることができる。第２溶剤としては、具体的には、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、シュウ酸ジエチルなどのエステル系有機溶剤、ジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル（ブチルセロソルブ）、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル系有機溶剤、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ナフサなどの炭化水素系有機溶剤、ジクロロメタン、クロロベンゼンなどのハロゲン系有機溶剤、クレゾール、クロルフェノールなどのフェノール系有機溶剤、ピリジンなどのアミン系有機溶剤などを例示することができる。第２溶剤の室温において固体となる材料としては、パラフィンワックスなどを例示することができる。第２溶剤としては、これらの有機溶剤および室温において固体となる材料をそれぞれ１種単独で用いることができ、あるいは２種以上を混合して用いることができる。

　本明細書において、第２溶剤がナフサまたはパラフィンワックスである場合、当該第２溶剤の「沸点」とは、当該第２溶剤に含まれる最も高い沸点を有する化合物の沸点（所謂「乾点」）を意味するものとする。

　ここで第２溶剤として用いることができる低誘電率溶剤は、第１溶剤（高誘電率溶剤）との関係で、次の２つの条件を満たす。すなわち第１の条件は、上記絶縁電線の絶縁層に含まれる上記第１溶剤および上記第２溶剤の合計含有量に対する上記第２溶剤の含有量の比率である第１比率が、５０質量％以上であることである。したがって第２溶剤は、上記絶縁層に含まれる残留溶剤として、第１溶剤に対し質量換算で同量か、それ以上となる関係を有する。

　さらに第２の条件は、上記絶縁電線を３５０℃で１分間加熱する加熱処理後の上記絶縁層に含まれる上記第１溶剤および上記第２溶剤の合計含有量に対する上記第２溶剤の含有量の比率である第２比率が、上記第１比率よりも高いことである。この場合、本実施形態に係る絶縁電線の絶縁層では、上記加熱処理において第２溶剤よりも第１溶剤が積極的に揮発することとなるため、第２溶剤が第１溶剤よりも沸点が高いことが理解される。すなわち第２溶剤は、上記絶縁層に含まれる残留溶剤として、沸点が上記第１溶剤のそれよりも高いことが好ましいという関係を有する。本実施形態に係る絶縁電線は、上述した第１の条件および第２の条件を満たすことにより、絶縁ワニスにおいて第２溶剤の含有量を些少とし、かつ第１溶剤の含有量を十分とすることによって樹脂の保存安定性を維持しつつ、上記絶縁電線の上記絶縁層に含まれる残留溶剤の半分以上を第２溶剤として絶縁層の誘電率を低く抑えることができる。

　上記第１比率に関し、上記絶縁層の誘電率をより一層低減する観点から、その値は７０質量％以上であることが好ましく、８０質量％以上であることがより好ましい。上記１比率の上限値は、上記第２比率が１００質量％となり得ることを考慮すれば、９９．９９質量％である。上記第２比率の値は、上記第１比率の値より高くなる限り、特に限定されない。上記第２比率の値は、絶縁層の誘電率をより一層低減する観点から、第１比率の値との差（第２比率－第１比率）が５以上であることが好ましく、１０以上であることがより好ましい。なお上記第２比率の上限値も、理想値としての１００質量％である。

　３）　絶縁電線の絶縁層中の第１溶剤および第２溶剤の各含有量および合計含有量等
　上記絶縁層は、上記第１溶剤および上記第２溶剤を合計で０．２質量％以上１０質量％以下含むことが好ましい。これにより、上記絶縁層の誘電率をより一層低減することができる。

　上記絶縁層において上記第１溶剤および上記第２溶剤の含有量が合計で０．２質量％に満たない場合、上記第２溶剤の含有による誘電率低減効果が十分に確認できない可能性がある。上記絶縁層において上記第１溶剤および上記第２溶剤の含有量が合計で１０質量％を超える場合、第１溶剤に基づく誘電率の上昇と絶縁層の強度低下とが懸念される可能性がある。上記絶縁層は、上記第１溶剤および上記第２溶剤を合計で０．５質量％以上５質量％以下含むことがより好ましく、１質量％以上４質量％以下含むことがさらに好ましい。

　さらに上記絶縁層は、上記第１溶剤を５質量％以下含み、上記絶縁層は、上記第２溶剤を０．１質量％以上５質量％以下含むことが好ましい。この場合においても上記絶縁層の誘電率をより一層低減することができる。

　上記絶縁層は、上記第１溶剤の含有量が５質量％を超える場合、第１溶剤に基づく誘電率の上昇が懸念される可能性がある。一方、上記絶縁層は、上記第１溶剤の含有量の下限値は、０．０２質量％とすることができる。上記加熱処理前の上記絶縁層は、上記第２溶剤の含有量が０．１質量％に満たない場合、第２溶剤に基づいた誘電率を低減させる効果が不十分となる可能性がある。上記加熱処理前の上記絶縁層は、上記第２溶剤の含有量が５質量％を超える場合、絶縁層の強度が損なわれる可能性がある。上記加熱処理前の上記絶縁層は、上記第１溶剤を３質量％以下含むことがより好ましく、１．５質量％以下含むことがさらに好ましい。上記絶縁層は、上記第２溶剤を０．５質量％以上４．５質量％以下含むことがより好ましく、１．５質量％以上４質量％以下含むことがさらに好ましい。

　（測定方法）
　絶縁電線の絶縁層中の上記第１溶剤および上記第２溶剤の各含有量は、たとえば熱分解ガスクロマトグラフィー質量分析計（Ｐｙ－ＧＣ／ＭＳ、商品名：「６８９０Ｎ／５９７３Ｎｅｔｗｏｒｋ」、Ａｇｉｌｅｎｔ　ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製）を用いることにより求めることができる。この場合において、雰囲気はＨｅガスであり、流量は１ｍＬ／ｍｉｎである。さらに熱分解温度については、残留溶剤が全て揮発するのに十分な条件となる５００℃×１ｍｉｎ．とする。

　上記Ｐｙ－ＧＣ／ＭＳを用いた絶縁層中の第１溶剤および上記第２溶剤の各含有量の測定条件の詳細を、以下に示す。
熱分解装置：　ダブルショット・パイロライザー（商品名：「ＰＹ－２０２０ｉＤ」、フロンティアラボ社製）およびマイクロジェット・クライオトラップ（（商品名：ＭＪＴ－１０３０Ｅ、フロンティアラボ社製）
カラム：　ＵＡ－５（内径０．２５ｍｍ×長さ３０ｍ、膜厚０．２５μｍ、フロンティアラボ社製）
熱分解（温度×時間）：　５００℃×１ｍｉｎ．
注入口：　３００℃、スプリット比１００：１
トラップ：　－１５０℃
オーブン：　５０℃→（２５℃／ｍｉｎ.）→３２０℃（５ｍｉｎ．）
イオン化法：　電子イオン化法（ＥＩ）
ＭＳ温度：　２３０℃（イオン源）,１５０℃(四重極)
質量範囲：　３３～５５０ａ．ｍ．ｕ．。

　さらに絶縁電線を３５０℃で１分間加熱する加熱処理後の絶縁層に残存する上記第１溶剤および上記第２溶剤の各含有量（各残存量）は、上述した絶縁電線の絶縁層の上記第１溶剤および上記第２溶剤の各含有量の測定方法と同様に、雰囲気をＨｅガス（流量１ｍＬ／ｍｉｎ）とした上記の熱分解ガスクロマトグラフィー質量分析計を用いることにより求めることができる。すなわち、絶縁層に残存する上記第１溶剤および上記第２溶剤の各含有量から、上述した測定条件のうち熱分解温度を、３５０℃×１ｍｉｎ．に変更した条件で測定して発生した溶剤量を差し引くことで、加熱処理後の各残存量を求めることができる。

　（硬化剤）
　上記絶縁層は、硬化剤を含有することが好ましい。この場合において、硬化剤は、脂環式酸無水物、脂肪族酸無水物、芳香族酸無水物イミダゾール、トリエチルアミン、チタン系化合物、イソシアネート系化合物、ブロックイソシアネート、尿素、メラミン、メラミン化合物およびアセチレン誘導体からなる群より選択される１種以上を含むことが好ましい。これにより絶縁ワニスから、誘電率が低減された絶縁層を形成することを促進することができる。これらの硬化剤は、絶縁ワニス中の樹脂または樹脂前駆体の種類に応じて適宜選択されるが、たとえばイミダゾール、メラミン、メラミン化合物などが好ましく用いられる。

　〔絶縁電線の製造方法〕
　本実施形態に係る絶縁電線は、第１溶剤および第２溶剤を少なくとも含む所定の絶縁ワニスを準備すること以外については、この種の絶縁電線に関する従来公知の製造方法を適用することにより得ることができる。本実施形態に係る絶縁電線は、たとえば歩留まり良く製造する観点から、以下の絶縁電線の製造方法を用いて得ることが好ましい。

　すなわち本実施形態に係る絶縁電線の製造方法は、導体および絶縁ワニスを準備する工程（第１工程）と、上記外周面に絶縁層を被覆する工程（第２工程）とを含むことが好ましい。さらに上記被覆する工程（第２工程）は、外周面に絶縁ワニスを塗布する工程（Ａ工程）と、上記絶縁ワニスを導体に焼付ける工程（Ｂ工程）とを含むことが好ましい。以下、本実施形態に係る絶縁電線の製造方法に含まれる各工程について説明する。

　＜第１工程＞
　第１工程は、導体および絶縁ワニスを準備する工程である。導体は、たとえば市販品を入手することによって準備することができる。また導体の材料として上述した金属を鋳造し、延伸し、線状に伸線し、さらに軟化させることによって準備することもできる。

　絶縁ワニスは、絶縁層の材料として上述した樹脂、またはその樹脂前駆体を、少なくとも上述した第１溶剤および第２溶剤を含む有機溶剤で希釈することにより準備することができる。上記絶縁ワニスにおける樹脂固形分濃度は、たとえば下限値としては１５質量％が好ましく、２０質量％がより好ましく、上限値としては５０質量％が好ましく、３０質量％がより好ましい。絶縁ワニスに樹脂前駆体が含まれる場合、上記の樹脂固形分濃度とは、上記樹脂前駆体の濃度を意味するものとする。さらに絶縁ワニスは、第１溶剤および第２溶剤、ならびに樹脂またはその樹脂前駆体に加え、硬化剤を含むことができ、さらにフィラー、各種の添加剤などを含んでいてもよい。絶縁ワニスは、上述した第１溶剤および第２溶剤とは別の溶剤をさらに含むこともできる。

　ここで絶縁ワニスに含まれる第１溶剤および第２溶剤に関し、第１溶剤または第２溶剤として用いるのに必要となる溶剤の条件（比誘電率、沸点、および加熱処理前後の残存量等）、および具体的な溶剤名等の重複する説明は繰り返さない。さらに絶縁ワニスに含まれる樹脂または樹脂前駆体の具体的な樹脂名等の重複する説明も繰り返さない。絶縁ワニスに含まれる第１溶剤および第２溶剤の量比については、質量比で第１溶剤：第２溶剤＝９９．８：０．２～７０：３０とすることが好ましい。絶縁ワニスに含まれる第１溶剤の含有量は、５５～９７質量％とすることができ、絶縁ワニスに含まれる第２溶剤の含有量は、０．１～３０質量％とすることができる。

　絶縁ワニスに含み得る硬化剤としては、樹脂を硬化させる機能、または樹脂前駆体の重合を促進させる機能を有するものを用いることができる。具体的には、メチルテトラヒドロ無水フタル酸などの脂環式酸無水物、脂肪族酸無水物、芳香族酸無水物イミダゾール、トリエチルアミン、チタン系化合物、イソシアネート系化合物、ブロックイソシアネート、尿素、メラミン化合物およびアセチレン誘導体などが挙げられる。これらの硬化剤は、絶縁ワニス中の樹脂または樹脂前駆体の種類に応じて適宜選択される。たとえば絶縁ワニスに熱硬化ポリイミド前駆体が含まれる場合、硬化剤としてイミダゾールなどが好ましく用いられる。

　上記チタン系化合物としては、テトラプロピルチタネート、テトライソプロピルチタネート、テトラメチルチタネート、テトラブチルチタネート、テトラヘキシルチタネートなどが挙げられる。上記イソシアネート系化合物としては、トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）、ジフェニルメタンジイソシアネート（ＭＤＩ）、ｐ－フェニレンジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネートなどの芳香族ジイソシアネート；ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＤＩ）、２，２，４－トリメチルヘキサンジイソシアネート、リジンジイソシアネートなどの炭素数３～１２の脂肪族ジイソシアネート；１，４－シクロヘキサンジイソシアネート（ＣＤＩ）、イソホロンジイソシアネート（ＩＰＤＩ）、４，４’－ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート（水添ＭＤＩ）、メチルシクロヘキサンジイソシアネート、イソプロピリデンジシクロヘキシル－４，４’－ジイソシアネート、１，３－ジイソシアナトメチルシクロヘキサン（水添ＸＤＩ）、水添ＴＤＩ、２，５－ビス（イソシアナートメチル）－ビシクロ［２，２，１］ヘプタン、２，６－ビス（イソシアナートメチル）－ビシクロ［２，２，１］ヘプタンなどの炭素数５～１８の脂環式イソシアネート；キシリレインジイソシアネート（ＸＤＩ）、テトラメチルキシリレンジイソシアネート（ＴＭＸＤＩ）などの芳香環を有する脂肪族ジイソシアネート；これらの変性物などが例示される。

　上記ブロックイソシアネートとしては、ジフェニルメタン－４，４’－ジイソシアネート（ＭＤＩ）、ジフェニルメタン－３，３’－ジイソシアネート、ジフェニルメタン－３，４’－ジイソシアネート、ジフェニルエーテル－４，４’－ジイソシアネート、ベンゾフェノン－４，４’－ジイソシアネート、ジフェニルスルホン－４，４’－ジイソシアネート、トリレン－２，４－ジイソシアネート、トリレン－２，６－ジイソシアネート、ナフチレン－１，５－ジイソシアネート、ｍ－キシリレンジイソシアネート、ｐ－キシリレンジイソシアネートなどが例示される。上記メラミン化合物としては、メラミン、メチル化メラミン、ブチル化メラミン、メチロール化メラミン、ブチロール化メラミンなどが例示される。上記アセチレン誘導体としては、エチニルアニリン、エチニルフタル酸無水物などが例示される。

　＜第２工程＞
　第２工程は、導体の外周面に絶縁層を被覆する工程である。第２工程は、導体の外周面に絶縁ワニスを塗布する工程（Ａ工程）と、上記絶縁ワニスを導体に焼付ける工程（Ｂ工程）とを含むことができる。

　（Ａ工程）
　Ａ工程は、導体の外周面に第１工程により準備された絶縁ワニスを塗布する工程である。Ａ工程は、具体的には、上記絶縁ワニスを塗布した上記導体をダイスの開口部に通過させることにより実行することができる。Ａ工程では、開口部を有するダイスを用いることにより、導体の外周面に絶縁ワニスを均一な厚さで塗布することが好ましい。

　（Ｂ工程）
　Ｂ工程は、上記絶縁ワニスを導体に焼付ける工程である。Ｂ工程では、具体的には、Ａ工程を経ることによって絶縁ワニスが塗布された導体を焼付け炉内に配置し、上記絶縁ワニスを導体に焼付けることにより実行することができる。これにより絶縁ワニス中の溶剤がガス化するとともに樹脂が固化し、もって導体の外周面に絶縁層を形成することができる。

　上記焼付け炉における絶縁ワニスの焼付温度および時間は、この種の絶縁電線の製造する場合に知られた温度条件および時間条件の中から、絶縁ワニス中の樹脂および有機溶媒の種類に応じて適宜選択することができる。具体的には、まず上記樹脂の種類に応じて導体の外周面に絶縁層を形成するために十分であって、かつ残留溶剤が所望量となるような熱量を求め、続いて当該熱量に応じて焼付温度および時間を決定すればよい。上記熱量は、焼付温度および時間の積に対応させることができる。上記熱量は、焼付温度が高温であれば、時間を短くすることにより対応することができ、焼付温度が低温であれば、時間を長くすることにより対応することができる。

　さらに第２工程では、上記絶縁ワニスの塗布および上記絶縁ワニスの焼付けを繰り返すことによって絶縁層を１層または複数層積層し、絶縁層を所定の厚みとすることが好ましい。絶縁ワニスの塗布方法および焼付け方法は、従来公知の方法を用いることができる。その後、従来公知の方法により絶縁層を乾燥させることにより絶縁電線を得ることができる。

　ここで本明細書においては、１回の絶縁ワニスの塗布および当該絶縁ワニスの焼付けを行うことによって得られる絶縁層を「１層」の絶縁層といい、複数回の絶縁ワニスの塗布および当該絶縁ワニスの焼付けを行うことによって得られる絶縁層を「複数層」の絶縁層というものとする。

　＜作用効果＞
　以上により、本実施形態に係る絶縁電線を製造することができる。上述した製造方法により製造された絶縁電線は、絶縁層の誘電率が低減されるため、絶縁特性を向上させることができる。

　〔付記〕
　以上の説明は、以下に付記する実施形態を含む。

　＜付記１＞
　線状の導体と、前記導体の外周面を被覆する絶縁層とを含む絶縁電線であって、
　前記絶縁層は、残留溶剤として比誘電率１５以上の第１溶剤と、比誘電率１５未満の第２溶剤とを含み、
　前記絶縁層に含まれる前記第１溶剤および前記第２溶剤の合計含有量に対する前記第２溶剤の含有量の比率である第１比率は、５０質量％以上であり、
　前記第２溶剤の沸点は、前記第１溶剤の沸点よりも高い、絶縁電線。

　＜付記２＞
　前記絶縁層は、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステルイミド樹脂およびポリエーテルイミド樹脂からなる群より選択される１以上の樹脂を含む、付記１に記載の絶縁電線。

　＜付記３＞
　前記絶縁層は、前記第１溶剤および前記第２溶剤を合計で０．２質量％以上１０質量％以下含む、付記１または付記２に記載の絶縁電線。

　＜付記４＞
　前記絶縁層は、前記第１溶剤を５質量％以下含み、
　前記絶縁層は、前記第２溶剤を０．１質量％以上５質量％以下含む、付記１から付記３のいずれか１項に記載の絶縁電線。

　以下、実施例を挙げて本開示をより詳細に説明するが、本開示はこれらに限定されるものではない。後述する試料２、試料４、試料６、試料８、試料１０および試料１２の絶縁電線が実施例であり、試料１、試料３、試料５、試料７、試料９、試料１１、試料１３および試料１４の絶縁電線が比較例である。

　〔測定評価方法〕
　はじめに、本実施例において行なった評価項目およびその測定方法について説明する。

　＜絶縁層の厚み＞
　実施例および比較例の各絶縁電線に対し、上述した測定方法に基づき、デジタルマイクロスコープＶＨＸ－７０００（株式会社キーエンス製）を用いることによって、絶縁層の厚み（単位はμｍ）を求めた。

　＜絶縁電線の絶縁層中の第１溶剤および第２溶剤の各含有量、第１比率＞
　実施例および比較例の各絶縁電線に対し、上述した測定方法に基づき、熱分解ガスクロマトグラフィー質量分析計（Ｐｙ－ＧＣ／ＭＳ、商品名：「６８９０Ｎ／５９７３Ｎｅｔｗｏｒｋ」、Ａｇｉｌｅｎｔ　ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製）を用いることによって、絶縁層中の第１溶剤および第２溶剤の各含有量（単位はｐｐｍ）を求めた。当該各含有量の合計から第２溶剤の含有量の比率（第１比率）についても算出した。

　＜加熱処理後の絶縁層に残存する第１溶剤および第２溶剤の各含有量、第２比率＞
　実施例および比較例の各絶縁電線に対し、上述した測定方法に基づき熱分解ガスクロマトグラフィー質量分析計（Ｐｙ－ＧＣ／ＭＳ、商品名：「６８９０Ｎ／５９７３Ｎｅｔｗｏｒｋ」、Ａｇｉｌｅｎｔ　ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製）を用いることにより加熱処理を行うと共に、加熱処理後に絶縁層に残存する第１溶剤および第２溶剤の各含有量（各残存量、単位はｐｐｍ）を求めた。さらに当該各含有量の合計から、加熱処理後の絶縁層に残存する第２溶剤の含有量の比率（第２比率）についても算出した。ここで上記加熱処理の条件については上述のとおり、加熱温度３５０℃、加熱時間１分、圧力１ａｔｏｍ、およびＨｅ雰囲気（流量：１ｍＬ／ｍｉｎ．）とした。

　＜誘電率の測定＞
　実施例および比較例の各絶縁電線に対し、インピーダンスアナライザ（商品名（型番）：「ＺＡ５４０５」、株式会社エヌエフ回路設計ブロック製）を用いることによって、絶縁層における誘電率を求めた。さらに後述する各試験において試料間の絶縁層における誘電率の差についても算出した。

　〔第１試験〕
　＜試料の作製＞
　（試料１）
　１）　第１工程
　銅合金からなり、断面形状が平角形状（断面積：５ｍｍ²）を有する線状の市販の導体
を準備した。さらにＮ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ、比誘電率：３２．２、沸点：２０４℃）からなる第１溶剤に、テトラカルボン酸二無水物およびジアミンを等モル比で溶解させた後、縮合重合反応を促進することにより絶縁ワニスであるポリアミック酸（ポリアミド前駆体）を調製した。テトラカルボン酸二無水物についてはピロメリット酸二無水物を用いた。ジアミンについては４,４’－ジアミノジフェニルエーテルを用いた。当該絶縁ワニスに第２溶剤は含まれていない。

　２）　第２工程
　第１工程にて調製した絶縁ワニスに第１工程にて準備した導体を浸漬させることにより、上記導体の外周面に上記絶縁ワニスを塗布した。次いで導体の断面形状と相似形状を有する塗布ダイスの開口部に、上述した絶縁ワニスを塗布した導体を通過させた（Ａ工程）。さらに上記Ａ工程を経ることによって絶縁ワニスが均一に塗布された導体に対し、焼付け炉において焼付け処理を実行することにより、導体の外周面を絶縁層で被覆した（Ｂ工程）。上記焼付け処理においては、絶縁層を形成するのに十分な所定の熱量（＋＋＋）を算出し、当該熱量（＋＋＋）を付与できる焼付温度および時間を決定した。

　次に、第２工程にて形成した絶縁層に対し、当該絶縁層上で上述した絶縁ワニスの塗布および絶縁ワニスの焼付けを繰り返すことによって、複数層の絶縁層を有する試料１の絶縁電線を得た。

　（試料２）
　第１工程において、第１溶剤に対し、第２溶剤としてナフサ（比誘電率：１．８、沸点：２４７℃）を、第１溶剤および第２溶剤の量比が質量比で第１溶剤：第２溶剤＝９：１となるように添加することによって絶縁ワニスを調製したこと以外、試料１と同じ要領とすることにより試料２の絶縁電線を得た。

　＜絶縁電線の評価＞
　試料１および試料２の各絶縁電線に対し、絶縁層の材料名および厚みと、絶縁層の誘電率と、絶縁電線の絶縁層中の第１溶剤および第２溶剤の各含有量の合計基づく第２溶剤の含有量の比率（第１比率）と、加熱処理後の絶縁層に残存する第１溶剤および第２溶剤の各残存量、ならびに上記各残存量に基づく第２溶剤の残存量の比率（第２比率）とをそれぞれ求めた。結果を表１に示す。表１では、第１溶剤として用いたＮＭＰの誘電率および沸点、ならびに第２溶剤として用いたナフサの誘電率および沸点についても示した。

　〔第２試験〕
　＜試料の作製＞
　（試料３）
　第２工程中のＢ工程において、焼付け処理を実行するために用いる熱量を試料１の３分の２の熱量（＋＋）としたこと以外、試料１と同じ要領とすることにより試料３の絶縁電線を得た。

　（試料４）
　第１工程において、第１溶剤に対し、第２溶剤としてナフサ（比誘電率：１．８、沸点：２４７℃）を、第１溶剤および第２溶剤の量比が質量比で第１溶剤：第２溶剤＝９：１となるように添加することによって絶縁ワニスを調製したこと以外、試料３と同じ要領とすることにより試料４の絶縁電線を得た。

　＜絶縁電線の評価＞
　試料３および試料４の各絶縁電線に対し、上述した第１試験と同じ評価項目について各種の測定を行った。結果を表１に示す。

　〔第３試験〕
　＜試料の作製＞
　（試料５）
　第２工程中のＢ工程において、焼付け処理を実行するために用いる熱量を試料１の３分の１の熱量（＋）としたこと以外、試料１と同じ要領とすることにより試料５の絶縁電線を得た。

　（試料６）
　第１工程において、第１溶剤に対し、第２溶剤としてナフサ（比誘電率：１．８、沸点：２４７℃）を、第１溶剤および第２溶剤の量比が質量比で第１溶剤：第２溶剤＝９：１となるように添加することによって絶縁ワニスを調製したこと以外、試料５と同じ要領とすることにより試料６の絶縁電線を得た。

　＜絶縁電線の評価＞
　試料５および試料６の各絶縁電線に対し、上述した第１試験と同じ評価項目について各種の測定を行った。結果を表１に示す。

　〔第４試験〕
　＜試料の作製＞
　（試料７）
　第１工程において、ＮＭＰに代えてＮ，Ｎ－ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ、比誘電率：３７．８、沸点：１６５℃）からなる第１溶剤を用いて絶縁ワニスを調製したこと以外、試料５と同じ要領とすることにより試料７の絶縁電線を得た。当該絶縁ワニスに第２溶剤は含まれていない。

　（試料８）
　第１工程において、第１溶剤に対し、第２溶剤としてナフサ（比誘電率：１．８、沸点：２４７℃）を、第１溶剤および第２溶剤の量比が質量比で第１溶剤：第２溶剤＝９：１となるように添加することによって絶縁ワニスを調製したこと以外、試料７と同じ要領とすることにより試料８の絶縁電線を得た。

　＜絶縁電線の評価＞
　試料７および試料８の各絶縁電線に対し、上述した第１試験と同じ評価項目について各種の測定を行った。結果を表２に示す。表２では、第１溶剤として用いたＤＭＡｃおよびＮＭＰの誘電率および沸点、ならびに第２溶剤として用いたナフサの誘電率および沸点についても示した。

　〔第５試験〕
　＜試料の作製＞
　（試料９）
　試料５と同じ絶縁電線を準備することにより、試料９の絶縁電線を得た。

　（試料１０）
　第１溶剤に対し、第２溶剤としてナフサ（比誘電率：１．８、沸点：２４７℃）を、第１溶剤および第２溶剤の量比が質量比で第１溶剤：第２溶剤＝８．５：１．５となるように添加することによって絶縁ワニスを調製したこと以外、試料９と同じ要領とすることにより試料１０の絶縁電線を得た。

　＜絶縁電線の評価＞
　試料９および試料１０の各絶縁電線に対し、上述した第１試験と同じ評価項目について各種の測定を行った。結果を表２に示す。

　〔第６試験〕
　＜試料の作製＞
　（試料１１）
　第１工程において、ポリアミド酸の原料となるテトラカルボン酸二無水物としてピロメリット酸二無水物及び３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸を３：７のモル比率で使用することによって絶縁ワニスを調製したこと以外、試料３と同じ要領とすることにより試料１１の絶縁電線を得た。当該絶縁ワニスに第２溶剤は含まれていない。

　（試料１２）
　第１工程において、第１溶剤に対し、第２溶剤としてナフサ（比誘電率：１．８、沸点：２４７℃）を、第１溶剤および第２溶剤の量比が質量比で第１溶剤：第２溶剤＝９：１となるように添加することによって絶縁ワニスを調製したこと以外、試料１１と同じ要領とすることにより試料１２の絶縁電線を得た。

　＜絶縁電線の評価＞
　試料１１および試料１２の各絶縁電線に対し、上述した第１試験と同じ評価項目について各種の測定を行った。結果を表２に示す。

　〔第７試験〕
　＜試料の作製＞
　（試料１３）
　試料５と同じ絶縁電線を準備することにより、試料１３の絶縁電線を得た。

　（試料１４）
　第１工程において、第１溶剤に対し、第２溶剤としてナフサ（比誘電率：１．８、沸点：１７５℃）を、第１溶剤および第２溶剤の量比が質量比で第１溶剤：第２溶剤＝８：２となるように添加することによって絶縁ワニスを調製したこと以外、試料１３と同じ要領とすることにより試料１４の絶縁電線を得た。

　＜絶縁電線の評価＞
　試料１３および試料１４の各絶縁電線に対し、上述した第１試験と同じ評価項目について各種の測定を行った。結果を表２に示す。

　＜考察＞
　表１によれば、絶縁層が残留溶剤として第１溶剤および第２溶剤を含み、絶縁層に含まれる第１溶剤および第２溶剤の合計含有量に対する第２溶剤の含有量の比率である第１比率が５０質量％以上であり、かつ絶縁電線を３５０℃で１分間加熱する加熱処理後の絶縁層に残存する第１溶剤および第２溶剤の合計残存量に対する第２溶剤の残存量の比率である第２比率が第１比率に比べて高い場合、誘電率が低減する効果が確認された。すなわち第１試験においては試料２が試料１に比して絶縁層における誘電率が低減し、第２試験においては試料４が試料３に比して絶縁層における誘電率が低減し、第３試験においては試料６が試料５に比して絶縁層における誘電率が低減した。同様に、第４試験においては試料８が試料７に比して絶縁層における誘電率が低減し、第５試験においては試料１０が試料９に比して絶縁層における誘電率が低減し、第６試験においては試料１２が試料１１に比して絶縁層における誘電率が低減した。

　一方、第７試験において試料１４は、第２溶剤としてのナフサの沸点が１７５℃であって、第１溶剤としてのＮＭＰの沸点（２０４℃）よりも低く、上記第２工程においてナフサ（第２溶剤）がＮＭＰ（第１溶剤）に比して大量に揮発した。これにより試料１４の絶縁電線は、第１比率が５０質量％未満となり、かつ第２比率が第１比率に比べて低くなり、もって試料１３に比して誘電率が低減しなかった。以上から試料２、試料４、試料６、試料８、試料１０および試料１２の絶縁電線は、絶縁層の誘電率が低減し、もって絶縁特性を向上させることができると理解される。

　以上のように本開示の実施の形態および実施例について説明を行ったが、上述の各実施の形態および実施例の構成を適宜組み合わせることも当初から予定している。

　今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態および実施例ではなく請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

Claims

　線状の導体と、前記導体の外周面を被覆する絶縁層とを含む絶縁電線であって、
　前記絶縁層は、残留溶剤として比誘電率１５以上の第１溶剤と、比誘電率１５未満の第２溶剤とを含み、
　前記絶縁層に含まれる前記第１溶剤および前記第２溶剤の合計含有量に対する前記第２溶剤の含有量の比率である第１比率は、５０質量％以上であり、
　前記絶縁電線を３５０℃で１分間加熱する加熱処理後の前記絶縁層に含まれる前記第１溶剤および前記第２溶剤の合計含有量に対する前記第２溶剤の含有量の比率である第２比率は、前記第１比率に比べて高い、絶縁電線。
　前記絶縁層は、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステルイミド樹脂およびポリエーテルイミド樹脂からなる群より選択される１以上の樹脂を含む、請求項１に記載の絶縁電線。
　前記絶縁層は、前記第１溶剤および前記第２溶剤を合計で０．２質量％以上１０質量％以下含む、請求項１または請求項２に記載の絶縁電線。
　前記絶縁層は、前記第１溶剤を５質量％以下含み、
　前記絶縁層は、前記第２溶剤を０．１質量％以上５質量％以下含む、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の絶縁電線。
　前記絶縁層は、硬化剤を含有し、
　前記硬化剤は、脂環式酸無水物、脂肪族酸無水物、芳香族酸無水物イミダゾール、トリエチルアミン、チタン系化合物、イソシアネート系化合物、ブロックイソシアネート、尿素、メラミン、メラミン化合物およびアセチレン誘導体からなる群より選択される１種以上を含む、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の絶縁電線。