WO2023008281A1 - 蛍光体を含む樹脂組成物 - Google Patents

蛍光体を含む樹脂組成物 Download PDF

Info

Publication number
WO2023008281A1
WO2023008281A1 PCT/JP2022/028201 JP2022028201W WO2023008281A1 WO 2023008281 A1 WO2023008281 A1 WO 2023008281A1 JP 2022028201 W JP2022028201 W JP 2022028201W WO 2023008281 A1 WO2023008281 A1 WO 2023008281A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
group
phosphor
meth
light
resin composition
Prior art date
Application number
PCT/JP2022/028201
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
翔太 内藤
健太郎 岩▲崎▼
正樹 神波
Original Assignee
住友化学株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 住友化学株式会社 filed Critical 住友化学株式会社
Publication of WO2023008281A1 publication Critical patent/WO2023008281A1/ja

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/01—Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00—Use of pretreated ingredients
    • C08K9/04—Ingredients treated with organic substances
    • C08K9/06—Ingredients treated with organic substances with silicon-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L101/00—Compositions of unspecified macromolecular compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/64—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing aluminium
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • H01L33/50—
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Definitions

  • the present invention relates to a phosphor-containing resin composition used in light-emitting devices and the like.
  • Some white-emitting LED devices have a structure in which a blue LED that emits blue light is used as a light source, and the light source is covered with a phosphor that emits green or red light mixed with a transparent resin material. .
  • blue light emitted from the blue LED is mixed with red and green light emitted from the phosphor to generate white light. Therefore, in order to improve the emission intensity of the white light emitting LED device, it is necessary to improve the emission intensity of the resin layer containing the phosphor.
  • Patent Document 1 describes a Mn-doped MgAl 2 O 4 -based spinel-type oxide fluorescent emitter.
  • the phosphor of Patent Document 1 contains an excessive amount of Mg.
  • Patent Document 2 a rare earth-activated alkaline earth metal fluorohalide-based stimulable phosphor is surface-treated with a silane coupling agent in the presence of at least one or more metal oxide particles. A method of forming phosphor particles is described.
  • the object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and to provide a phosphor that does not increase light absorption in the visible region at 630 nm and that does not reduce light emission characteristics even when dispersed in a resin composition. It is an object of the present invention to provide a resin composition containing an excellent luminescence intensity.
  • M represents at least one metal element selected from the group consisting of manganese, strontium, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, thulium and ytterbium, and x represents 0.001 ⁇ x ⁇ 0.3, a is 0 ⁇ a ⁇ 1.0 ⁇ x, y is 1.2 ⁇ y ⁇ 11.3, and z is 2.8 ⁇ z ⁇ 18 Yes, and w is 0 ⁇ w ⁇ 1.0.
  • a resin composition comprising
  • the silane coupling agent has the formula
  • R 1 is a saturated or unsaturated hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms which may be substituted with a (meth)acryloyloxy group, an amino group, an alkylamino group having 1 to 20 carbon atoms or a mercapto group
  • R 2 is a hydrogen atom or a saturated or unsaturated C 1-20 optionally substituted by a (meth)acryloyloxy group, an amino group, an alkylamino group having 1 to 20 carbons or a mercapto group.
  • the Hansen solubility parameter distance between the silane coupling agent and the matrix resin is less than 7.06.
  • the matrix resin is a silicone resin or an acrylic resin.
  • R 1 includes an alkyl group having 8 to 12 carbon atoms, a cycloalkyl group having 4 to 6 carbon atoms, or a vinyl group.
  • M represents at least one metal element selected from the group consisting of manganese, strontium, europium and terbium.
  • x is 0.05 ⁇ x ⁇ 0.15
  • a is 0 ⁇ a ⁇ 0.95
  • y is 1.5 ⁇ y ⁇ 2.5
  • z is 3 .5 ⁇ z ⁇ 4.5
  • w is 0 ⁇ w ⁇ 1.0.
  • the crystal phase contains crystallites, and the crystallites have a spinel crystal structure.
  • the present invention also provides a film comprising any of the resin compositions described above.
  • the present invention also provides a light-emitting device comprising any one of the resin compositions described above.
  • the present invention also provides a light-emitting device comprising the light-emitting element.
  • the present invention also provides a display comprising the light emitting element.
  • a resin composition having excellent luminescence intensity which contains a phosphor that does not increase light absorption in the visible range, particularly around 630 nm, and does not reduce luminescence characteristics even when dispersed in a resin composition. be done.
  • the resin composition of the present invention is used in a white light LED device in combination with a phosphor that emits red light (630 nm light emission), it is possible to suppress a decrease in the emission intensity of the red component.
  • the phosphor used in the present invention is a phosphor having a core portion made of a crystalline phase and a shell portion formed on at least part of the surface of the core portion.
  • the shell is generally an oxide containing at least one element selected from the group consisting of boron and silicon.
  • the core part has the formula MxMgaAlyOzNw (A) [In the formula (A), M represents a metal element constituting the emission center ion, and x, a, y, z and w represent the composition ratio of the elements. ] It contains a crystal phase of an inorganic compound having an elemental composition represented by.
  • the metal element M include at least one metal element selected from the group consisting of manganese, strontium, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, thulium and ytterbium, manganese, strontium , europium and terbium, preferably at least one metal element selected from the group consisting of manganese and strontium, more preferably manganese.
  • manganese constitutes the luminescence center ion and can become a green-emitting phosphor that emits green light.
  • the luminescence center ion contained in the phosphor absorbs the excitation light, and electrons at the ground level transition to the excitation level.
  • the excited electron returns from the excited level to the ground level, the energy corresponding to the energy level difference is emitted as fluorescence.
  • the transition probability of electrons from the ground level to the excited level varies depending on the electronic arrangement of the emission center ion, and if the transition probability is small, the forbidden transition has a low absorbance and an apparent low emission intensity. On the other hand, if the transition probability is high, the absorbance is high and the emission intensity is apparently high.
  • Divalent manganese (Mn 2+ ) has five electrons in the 3d orbital, and the transition to the excited level by light irradiation is a forbidden transition because it is between homogeneous orbitals (dd), and the absorbance is small and the emission intensity is low. small.
  • divalent europium (Eu 2+ ) has seven electrons in the 4f orbital, and the transition to the excited level by light irradiation is an allowable transition because it is between heterogeneous orbitals (f ⁇ d), and the absorbance is It is large and has a high emission intensity.
  • the emission intensity of a compound changes depending on the absorbance (number of absorbed photons) of the compound.
  • the absorbance number of absorbed photons
  • the luminescence properties of compounds having different absorbances can be appropriately compared by using, for example, the luminescence intensity corrected for the difference in absorbance, that is, the quantum efficiency.
  • Quantum efficiency emission intensity (number of fluorescence photons) / absorbance (number of absorption photons)
  • the phosphor used in the present invention exhibits an excitation wavelength near 450 nm in a preferred embodiment.
  • a green emission spectrum having an emission peak in the wavelength range of 510 nm to 550 nm can be obtained.
  • the half width of the emission peak is preferably less than 50 nm, more preferably 45 nm or less, and even more preferably 40 nm or less.
  • the composition ratio x of the metal element M is 0.001 ⁇ x ⁇ 0.3, for example 0.005 ⁇ x ⁇ 0.3, preferably 0.01 ⁇ x ⁇ 0.2, more preferably 0.05 ⁇ x. ⁇ 0.15, more preferably 0.05 ⁇ x ⁇ 0.1, and particularly preferably 0.05 ⁇ x ⁇ 0.08.
  • x is less than 0.001
  • the amount of the metal element M constituting the luminescence center ion is small, and the luminescence intensity tends to decrease.
  • concentration quenching when x is greater than 0.3, the emission intensity tends to decrease due to an interference phenomenon between the metal elements M called concentration quenching.
  • the composition ratio a of Mg is 0 ⁇ a ⁇ 1.0-x, for example, 0 ⁇ a ⁇ 0.95.
  • the Al composition ratio y is 1.2 ⁇ y ⁇ 11.3, for example 1.3 ⁇ y ⁇ 8.5, preferably 1.4 ⁇ y ⁇ 5.5, more preferably 1.5 ⁇ y ⁇ 2. .5, particularly preferably 1.5 ⁇ y ⁇ 2.3.
  • the composition ratio z of O is 2.8 ⁇ z ⁇ 18, for example 3.0 ⁇ z ⁇ 13.0, preferably 3.3 ⁇ z ⁇ 8.5, more preferably 3.5 ⁇ z ⁇ 4.5. , particularly preferably 3.5 ⁇ z ⁇ 4.0.
  • the composition ratio w of N satisfies 0 ⁇ w ⁇ 1.0. If the composition ratios y, z, and w are not within these ranges, the host crystal of the phosphor will have an unstable structure, and the quenching process will increase, resulting in a decrease in emission intensity.
  • the composition ratio a of Mg is 0.1 ⁇ a ⁇ 0.98, for example 0.3 ⁇ a ⁇ 0.95, preferably 0.5 ⁇ a ⁇ 0.94, more preferably 0.5 ⁇ a ⁇ 0.94. 7 ⁇ a ⁇ 0.93, more preferably 0.8 ⁇ a ⁇ 0.93, particularly preferably 0.85 ⁇ a ⁇ 0.93, and the Al composition ratio y is 1.25 ⁇ y ⁇ 10 .3, for example 1.35 ⁇ y ⁇ 7.0, preferably 1.45 ⁇ y ⁇ 3.5, more preferably 1.65 ⁇ y ⁇ 2.4, even more preferably 1.85 ⁇ y ⁇ 2. 2. Particularly preferably, 1.95 ⁇ y ⁇ 2.1, and the O composition ratio z is 2.9 ⁇ z ⁇ 15.0, for example, 3.15 ⁇ z ⁇ 10.5, preferably 3.4. ⁇ z ⁇ 6.5, more preferably 3.6 ⁇ z ⁇ 4.0, still more preferably 3.7 ⁇ z ⁇ 4.0.
  • the upper and lower limits of the numerical values of x, a, y, and z can be appropriately selected from among the values within the ranges described above in order to obtain the desired phosphor.
  • the core portion preferably has the formula MxMg(1-x)AlyOz (B) [In the formula, M, x, y and z have the same meanings as defined above. ] It contains a crystal phase of an inorganic compound having an elemental composition represented by.
  • the phosphor used in the present invention is sintered particles obtained by heating raw materials.
  • the sintered particles contain a crystal phase.
  • a crystalline phase is a solid phase in which atoms are regularly arranged.
  • a phase that is not a crystalline phase is an amorphous state in which atoms are not regularly arranged.
  • the crystalline phase includes crystallites composed of single crystals. Phosphors that are sintered particles are generally polycrystalline. In such a case, the crystal phase of the phosphor contains a plurality of crystallites, and the crystal phase is composed of, for example, a collection of a plurality of crystallites.
  • the emission intensity of the phosphor is improved by increasing the crystallite size.
  • the area of the interface between the crystallites decreases.
  • the reflection and/or scattering of light at the grain boundaries of the crystallites is suppressed, and the emission intensity is considered to be improved.
  • the effect of improving the emission intensity of the phosphor by increasing the size of the crystallite is due to the mechanism that improves the efficiency of the emitted light to exit the crystallite. This mechanism does not increase the amount of light produced by optimizing the elemental composition of the crystalline phase. Therefore, it is considered that the effects of the present invention are achieved regardless of the elemental composition of the crystal phase.
  • the average size of crystallites contained in the phosphor is, for example, 2 ⁇ m to 100 ⁇ m, preferably 3 ⁇ m to 80 ⁇ m, more preferably 4 ⁇ m to 50 ⁇ m, still more preferably 5 ⁇ m to 30 ⁇ m. If the average crystallite size is less than 2 ⁇ m, the improvement in luminescence intensity is insufficient, and if the average crystallite size is greater than 100 ⁇ m, it becomes difficult to use it as a raw material for members such as films and devices.
  • the average crystallite size can be determined by observing the cross section of the phosphor.
  • the size of the crystallites is determined by observing the cross section of the phosphor and analyzing the image of the crystallites observed there.
  • the size here means an equivalent circle diameter.
  • the phosphor is processed to obtain a cross section of the phosphor.
  • methods for obtaining a cross section of the phosphor include a method of processing with a focused ion beam (FIB) processing device, a method of processing with an ion milling device, and a method of processing by polishing.
  • the method of processing with an FIB processing apparatus is preferable from the viewpoint of easily obtaining a highly accurate image because the processing position can be accurately determined in addition to less damage to the sample.
  • a cross section of the phosphor obtained by the processing is observed with an electron microscope.
  • electron microscopes include a transmission electron microscope (TEM), a scanning electron microscope (SEM), and a scanning transmission electron microscope (STEM). Since the spatial resolution is high, the method of observing with a TEM is preferable from the viewpoint of easily obtaining a highly accurate image.
  • Electron diffraction patterns represent information about the arrangement of atoms, and if the patterns are the same, it is recognized that the arrangement of atoms is the same, that is, the crystallites are the same.
  • the obtained TEM image is loaded into a computer, and the equivalent circle diameter of one crystallite is calculated.
  • the equivalent circle diameter is calculated by the area-weighted average of one crystallite defined by the method described above. Note that the equivalent circle diameter refers to the diameter of a perfect circle corresponding to the area of the corresponding region.
  • Image analysis software may be used to calculate the equivalent circle diameter. Image analysis software such as Image J or Photoshop can be selected as appropriate.
  • the crystallites of the phosphor used in the present invention have a spinel crystal structure.
  • a spinel-type crystal structure is a crystal structure belonging to a cubic system, and is represented by the chemical formula: AB 2 X 4 .
  • the A-site in the spinel crystal structure is surrounded by four X-site anions, forming an isolated tetrahedron.
  • the B-site in the spinel crystal structure is surrounded by six X-site anions to form an edge-sharing octahedron. It is found in oxides in which A is a divalent metal element, B is a trivalent metal element, and X is oxygen. Since the crystallites contained in the phosphor have a spinel crystal structure, they are protected from external influences such as heat, ion bombardment, and vacuum ultraviolet irradiation, and at the same time, the emission intensity of the phosphor can be enhanced.
  • the shell portion is preferably an oxide containing boron, more preferably containing boron oxide B 2 O 3 .
  • the shell portion contains the metal element M.
  • the amount of the shell part is 30% by weight or less, preferably 0.01 to 20% by weight, more preferably 0.05 to 10% by weight, based on the core part.
  • the amount of the shell portion is more than 30% by weight based on the core portion, the ratio of the core portion to the total weight of the phosphor decreases, and the luminous intensity of the phosphor tends to decrease.
  • the crystal structure of the crystalline phase surface is likely to collapse, defects that do not have luminescence are formed.
  • the metal element M constitutes the emission center ion
  • the metal element M on the surface of the crystal phase is thought to form defects and reduce the emission intensity.
  • the metal element M forming the defect portion on the crystal layer surface migrates to the shell portion, thereby reducing the defect portion of the crystal phase and increasing the emission intensity. be done.
  • the effect of improving the emission intensity of the phosphor by forming the shell on the surface of the crystalline phase is due to the mechanism of improving the efficiency of the emitted light exiting the crystallite. This mechanism does not increase the amount of light produced by optimizing the elemental composition of the crystalline phase. Therefore, it is considered that the effects of the present invention are achieved regardless of the elemental composition of the crystal phase.
  • the shell portion present on the surface of the crystal phase contained in the phosphor used in the present invention is analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) or energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX). , by composition analysis such as inductively coupled plasma atomic emission spectroscopy (ICP-AES), the presence of boron and/or silicon constituting the shell portion can be detected.
  • XPS X-ray photoelectron spectroscopy
  • EDX energy dispersive X-ray spectroscopy
  • composition analysis such as inductively coupled plasma atomic emission spectroscopy (ICP-AES)
  • ICP-AES inductively coupled plasma atomic emission spectroscopy
  • the core-shell structure of the phosphor used in the present invention can be confirmed by performing EDX measurement of the cross section of the phosphor and obtaining an elemental mapping image.
  • the region where the metal element M and boron and/or silicon coexist is the shell portion.
  • the ratio Y/X of the peak area value Y of boron or silicon to the peak area value X of the metal element M present in the shell can be calculated.
  • the ratio Y (B)/X or the ratio Y (Si )/X is used as the ratio Y/X.
  • the method for calculating the peak area value of each element from the results of EDX measurement will be described.
  • the peak with the highest characteristic X-ray intensity in the element of interest that is, the peak detected with the highest intensity among the peaks derived from the element of interest is selected.
  • the point where the peak rises is determined on each of the high energy side and the low energy side.
  • the point at which the peak rises refers to the point at which it continues to monotonically increase toward the top of the peak.
  • a point with a low intensity is selected from these two starting points, and the intensity at that point is set as the background, ie, 0, and the peaks are accumulated between the two points where the peak rises with reference to the background.
  • the calculated integrated value is taken as the peak area value of the element.
  • two points of 5.66 keV and 6.15 keV are used as the points where the peak rises, and the point with the lowest intensity among these two points is set to 0, and the peaks are integrated between the two points.
  • this integrated value be the peak area value of manganese.
  • two points of 0.14 keV and 0.23 keV are set as points where the peak rises, and the point with the lowest intensity among these two points is set to 0, and peaks are integrated between the two points. This integrated value is taken as the boron peak area value.
  • two points of 1.60 keV and 1.95 keV are set as points where the peak rises, and the point with the lowest intensity among these two points is set to 0, and the peaks are integrated between the two points. This integrated value is taken as the silicon peak area value.
  • Y/X in the phosphor used in the present invention is, for example, 0 ⁇ Y/X ⁇ 0.095, preferably 0 ⁇ Y/X ⁇ 0.06, more preferably 0 ⁇ Y/X ⁇ 0.05.
  • Y/X the metal element M on the surface of the crystal phase forms defects, and the emission intensity tends to decrease.
  • Y/X is larger than 0.095, the metal element M is excessively transferred to the shell portion, so that the metal element in the core portion decreases, and the emission intensity tends to decrease.
  • EDX measurement a suitable measurement method can be selected according to the thickness of the sample to be measured. Examples of measurement methods include SEM-EDX, TEM-EDX, and STEM-EDX. In order to accurately detect boron by EDX measurement, it is preferable to use windowless EDX.
  • the phosphor is processed with an ion milling device to obtain a cross section of the phosphor, and then the cross section of the obtained phosphor is subjected to SEM.
  • a method of EDX measurement is preferred. In calculating Y/X using this method, it is preferable to analyze 20 or more shell portions and use the average value from the viewpoint of improving accuracy. Moreover, from the viewpoint of improving the shape of the spectrum, it is preferable to set the acceleration voltage of the SEM to 20 kV.
  • the phosphor used in the present invention has a median particle size of the particle size distribution, that is, D50, is usually 0.1 ⁇ m or more, may be 1 to 500 ⁇ m, may be 1 to 200 ⁇ m, may be 1 to 100 ⁇ m may be
  • D50 is usually 0.1 ⁇ m or more
  • the D50 of the particle size distribution is less than 0.1 ⁇ m, the emission intensity tends to decrease due to an increase in reflection on the outermost surface of the phosphor, and when the D50 of the particle size distribution is greater than 500 ⁇ m, the film And it becomes difficult to use it as a raw material for members such as elements.
  • the particle size distribution of the phosphor can be measured, for example, with a laser diffraction particle size analyzer.
  • the D50 of the particle size distribution is the particle size corresponding to 50% of the cumulative under-sieve distribution on a volume basis.
  • the phosphor used in the present invention has a modified silane coupling agent containing no halogen atoms on the surface of the shell.
  • a silane coupling agent is an organosilicon compound having a functional group that reacts and bonds with an organic material and a functional group that reacts and bonds with an inorganic material in its molecule.
  • the silane coupling agent reacts with hydroxyl groups and the like present on the surface of the shell portion at the stage of mixing the phosphor and the silane coupling agent, bonds with them, and is modified.
  • the phosphor surface is modified by the modified silane coupling agent.
  • Some silane coupling agents exist as modifiers in which functional groups are siloxane-bonded on the surface of the shell portion, and others exist as unreacted compounds.
  • silane coupling agent includes modified silane coupling agents.
  • modified silane coupling agent refers to Si—O—Si bonds generated by hydrolysis of the silane coupling agent, or Si—O— bonded to boron oxide on the surface of the phosphor. A silicon compound having a B bond.
  • the modified silane coupling agent can be prepared by known methods such as a method of irradiating the silane coupling agent with ultraviolet rays and a method of reacting the silane coupling agent with water vapor.
  • the compatibility with the matrix resin is improved, and the dispersibility of the phosphor in the matrix resin is improved. do.
  • the number of voids in the resin composition is reduced, the absorptivity of light at 630 nm is lowered, and the effect of improving the emission intensity is obtained.
  • the modified silane coupling agent does not contain halogen atoms, the adhesiveness between the resin, the phosphor, and the phosphor shell portion is improved, and voids in the resin composition are reduced.
  • silane compound Specific examples of the silane coupling agent used in the present invention include the formula
  • R 1 is a saturated or unsaturated hydrocarbon group which may have a substituent
  • R 2 is a hydrogen atom or a saturated or unsaturated hydrocarbon group which may have a substituent
  • a is an integer from 1 to 3
  • a silane compound represented by is mentioned.
  • Silane compounds that are readily available on the market are, for example, those in which the hydrocarbon group has 1 to 20 carbon atoms.
  • Substituents of the hydrocarbon group can be appropriately changed in consideration of the polarity of the bonding target and the like. Generally, it is appropriately selected from a (meth)acryloyloxy group, an amino group, an alkylamino group having 1 to 20 carbon atoms, a mercapto group, and the like.
  • alkylamino groups having 1 to 20 carbon atoms include methylamino, ethylamino, propylamino and butylamino groups.
  • the saturated or unsaturated hydrocarbon group is methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n- pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, tert-pentyl group, 1-methylbutyl group, n-hexyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 2,2-dimethylbutyl group, 2,3-dimethylbutyl group, n-heptyl group, 2-methylhexyl group, 3-methylhexyl group, 2,2-dimethylpentyl group, 2,3-dimethylpentyl group, 2,4-dimethylpentyl group, 3,3-dimethylpentyl group , 3-ethylpentyl group, 2,2,3-trimethylbutyl group,
  • preferred alkyl groups have 1 to 12 carbon atoms, more preferably 8 to 12 carbon atoms.
  • the saturated or unsaturated hydrocarbon group is a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a cyclononyl group, a cyclodecyl group, a norbornyl group, an isobornyl group, -adamantyl group, 2-adamantyl group, tricyclodecyl group and other cycloalkyl groups.
  • preferred cycloalkyl groups have 4 to 6 carbon atoms, more preferably 6 carbon atoms.
  • the saturated or unsaturated hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms includes unsaturated alkyl groups such as vinyl groups and allyl groups.
  • the saturated or unsaturated hydrocarbon group includes an aryl group such as a phenyl group, a benzyl group, a tolyl group and an o-xylyl group.
  • R 1 contains an alkyl group having 8 to 12 carbon atoms, a cycloalkyl group having 4 to 6 carbon atoms, or a vinyl group.
  • silane compound used in the present invention examples include 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, trimethoxyphenylsilane, ethoxytriethylsilane, methoxytrimethylsilane, methoxydimethyl(phenyl)silane, and pentafluoro.
  • Phenylethoxydimethylsilane trimethylethoxysilane, diethoxydimethylsilane, dimethoxydimethylsilane, dimethoxydiphenylsilane, dimethoxymethylphenylsilane, diethoxydiphenylsilane, dimethoxymethylvinylsilane, diethoxy(methyl)phenylsilane, allyltriethoxysilane, allyltri methoxysilane, dodecyltriethoxysilane, dodecyltrimethoxysilane, triethoxyethylsilane, decyltrimethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, hexyltriethoxysilane, hexyltrimethoxysilane, hexadecyltrimethoxysilane, trimethoxy(methyl)silane, triethoxymethylsilane, n-oc
  • Preferred silane compounds among these are dimethoxydiphenylsilane, dodecyltrimethoxysilane, trimethoxyphenylsilane, n-octyltriethoxysilane, and vinyltrimethoxysilane, and more preferred are dodecyltrimethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, trimethoxyphenylsilane, more preferably trimethoxyphenylsilane.
  • the compatibility of the phosphor with the resin is likely to be improved, and effects such as reduction of light absorption in the visible range by the resin composition containing the phosphor are likely to be obtained.
  • silane coupling agent used in the present invention is a silazane compound having a Si—N—Si bond.
  • the silazane compound may be linear, branched, or cyclic.
  • the silazane compound may be a low-molecular-weight silazane or a high-molecular-weight silazane.
  • silazane compound is not particularly limited as long as it is a type normally used for modifying the surface of inorganic substances such as phosphors. Specific examples of such silazane compounds are described, for example, in paragraphs 0148 to 0197 of JP-A-2020-66725, and the description of this part is incorporated herein by reference. However, for the same reason as the silane compound, the silazane compound is also halogen-free.
  • low-molecular-weight silazane compound used in the present invention examples include 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisilazane, 1,3-diphenyltetramethyldisilazane, 1,1,1,3 ,3,3-hexamethyldisilazane octamethylcyclotetrasilazane, 2,2,4,4,6,6-hexamethylcyclotrisilazane and 2,4,6-trimethyl-2,4,6-trivinylcyclo and trisilazane.
  • polymer silazane compound commercially available products may be used, such as NN120-10, NN120-20, NAX120-20, NN110, NAX120, NAX110, NL120A, NL110A, NL150A, NP110, NP140 (manufactured by AZ Electronic Materials Co., Ltd.). and AZNN-120-20, Durazane (registered trademark) 1500 Slow Cure, Durazane 1500 Rapid Cure, Durazane 1800, and Durazane 1033 (manufactured by Merck Performance Materials Co., Ltd.).
  • a compound or simple substance containing at least a metal element or aluminum constituting the luminescence center ion is used as a raw material for the crystalline phase.
  • a compound or simple substance containing M element, Al, Mg, oxygen or nitrogen is used as the raw material of the crystal phase.
  • Such raw material compounds include oxides, hydroxides, carbonates, acetates, nitrates, fluorides, chlorides or nitrides containing element M, Al or Mg.
  • raw material compounds containing the M element include manganese oxide, manganese carbonate, manganese acetate, manganese nitrate, manganese fluoride, manganese chloride, and manganese nitride; raw material compounds containing Mg include magnesium oxide, magnesium hydroxide, magnesium carbonate, and acetic acid. magnesium, magnesium nitrate, magnesium fluoride, magnesium chloride, magnesium nitride; mentioned.
  • the raw material compound containing aluminum is not particularly limited, but from the viewpoint of increasing the crystallite size of the phosphor, the specific surface area should be 0.01 to 15 m 2 /g, preferably 0.1 to 10 m 2 /g, or more. Preferably 0.6 to 6 m 2 /g, more preferably 4 to 6 m 2 /g is used.
  • the specific surface area of the raw material compound containing aluminum can be measured by the BET method.
  • the BET method is one of methods for measuring the surface area of powder by a vapor phase adsorption method. From the adsorption isotherm, the total surface area per 1 g of sample, that is, the specific surface area can be obtained. Nitrogen gas is usually used as the adsorbed gas, and the amount of adsorption is measured from changes in the pressure or volume of the gas to be adsorbed. The amount of adsorption can be determined based on the BET formula, and the surface area can be obtained by multiplying the area occupied by one adsorbed molecule on the surface.
  • the raw material compound containing aluminum has a particle size distribution D50 of 0.2 ⁇ m to 90 ⁇ m, preferably 0.2 to 21 ⁇ m, more preferably 0.2 to 10 ⁇ m. More preferably, it is 0.2 to 1 ⁇ m.
  • the raw material for the shell portion is the group consisting of boron and silicon.
  • a compound containing at least one element selected from can be used.
  • the crystallite size of the phosphor is increased by using the raw material of the crystalline phase and the raw material of the shell portion.
  • raw materials for the shell include boron oxide, boron nitride, boric acid, and glass frit.
  • Glass frit is powdered glass made by crushing glass.
  • the main component is silicon dioxide, but it may contain aluminum oxide, bismuth oxide, calcium oxide, boron oxide, barium oxide, strontium oxide, calcium oxide, sodium oxide, zinc oxide, lithium oxide, potassium oxide, zirconium oxide, and the like.
  • lithium fluoride may be added as a raw material other than the raw material compounds described above from the viewpoint of improving crystallinity.
  • the phosphor used in the present invention can be produced, for example, by the following method. That is, first, raw materials for the crystalline phase are weighed and mixed so that the M element, Mg, Al, O and N have a predetermined molar ratio defined by the formula (A) or (B). At this time, the raw material for the shell portion may be weighed in a predetermined ratio with respect to the total amount and mixed with the raw material for the crystal phase. Mixing can be performed using a mixing device such as a ball mill, sand mill, pico mill, or the like.
  • the prepared raw material mixture is heated.
  • the heating is carried out at a temperature at which the raw material of the shell portion is liquefied but the host crystals of the resulting phosphor can be maintained.
  • the desired crystal structure can be obtained without the host crystal of the phosphor collapsing.
  • the heating temperature is, for example, 1250 to 1700°C, preferably 1300 to 1650°C, more preferably 1350 to 1600°C, still more preferably 1400 to 1600°C.
  • the host crystal is a crystal having the crystal structure of the core portion of the resulting phosphor.
  • the heating atmosphere is preferably a mixed atmosphere of hydrogen and nitrogen.
  • the mixed atmosphere used for the heating atmosphere preferably has a hydrogen to nitrogen ratio of 1:99 to 100:0, more preferably a hydrogen to nitrogen ratio of 5:95 to 10:90.
  • the heating time is not a problem as long as it is an industrially realistic time.
  • the heating temperature is within the above range, it is 1 to 10 hours, preferably 2 to 8 hours.
  • the phosphor used in the present invention may be produced using the solid phase reaction method, or may be synthesized using other production methods such as a solution method and a melt synthesis method.
  • the obtained phosphor having a core-shell structure is surface-treated with a silane coupling agent.
  • the surface treatment of the phosphor is performed by mixing phosphor particles with a silane coupling agent.
  • the atmosphere at the time of mixing may be air or an inert atmosphere such as nitrogen, but the reaction in air is preferable from the viewpoint of promoting the surface treatment by reacting with oxygen and moisture in the air.
  • water or water vapor may be added after the phosphor particles and the silane coupling agent are mixed.
  • Mixing of the phosphor and the silane coupling agent may be performed in the presence of a coexistent solvent.
  • the amount of the silane coupling agent used is 0.1-50% by weight, preferably 1-30% by weight, more preferably 5-20% by weight, based on the phosphor.
  • the phosphor surface-treated with a silane coupling agent used in the present invention can be used as a composition by dispersing it in a resin, a monomer, or a mixture of a monomer and a resin.
  • the term "phosphor” means a phosphor surface-treated with a silane coupling agent.
  • the phosphor forms the domains and the resin forms the matrix in the composition.
  • Such compositions are referred to herein as resin compositions.
  • the concentration of the phosphor in the composition is changed according to the use of the composition. Generally, the concentration of phosphor in the composition is 5-90%, preferably 15-85%, more preferably 25-70% by weight based on the composition. If the concentration of the phosphor in the composition is too low, the emission intensity of the composition tends to be insufficient.
  • Acrylic resin, styrene resin, epoxy resin, urethane resin, silicone resin, etc. can be used as the resin. Among them, acrylic resins and silicone resins are preferable, and acrylic resins are more preferable, from the viewpoint of improving the emission intensity and suppressing the absorption of light of 630 nm.
  • silicone resins include addition-polymerizable silicones that polymerize by addition polymerization reaction of silyl groups and vinyl groups, and condensation-polymerizable silicones that polymerize by condensation polymerization of alkoxysilanes. From the viewpoint of improving strength, addition-polymerizable silicone is preferred.
  • silicone resin those in which an organic group is bonded to the Si element in silicone are preferable, and examples thereof include functional groups such as alkyl groups such as methyl group, ethyl group and propyl group, phenyl group and epoxy group.
  • a phenyl group is preferred from the viewpoint of improving water resistance, light resistance and luminous intensity.
  • silicone resins examples include KE-108 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), KE-1031 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), KE-109E (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), KE-255 (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), KR-112 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), KR-251 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), and KR-300 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).
  • These silicones may be used alone or in combination of multiple types.
  • Acrylic resins are, for example, homopolymers or copolymers of two or more of (meth)acrylic monomers such as (meth)acrylic acid esters and (meth)acrylonitrile, or copolymers of acrylic monomers and other monomers.
  • (meth)acrylic monomers such as (meth)acrylic acid esters and (meth)acrylonitrile, or copolymers of acrylic monomers and other monomers.
  • a polymer etc. are mentioned.
  • the term "(meth)acryl means "acryl” or "methacryl”.
  • (Meth)acrylic resin is a polymer obtained by polymerizing a monomer mainly composed of (meth)acrylic acid ester (alkyl (meth)acrylate). Copolymers of (polyalkyl methacrylate) and (meth)acrylic esters, copolymers of 50% by weight or more of (meth)acrylic esters and 50% by weight or less of monomers other than (meth)acrylic esters Amalgamation etc. are mentioned.
  • the (meth)acrylic acid ester is preferably 70% by weight or more based on the total amount of the monomers, and the other The content of monomers is 30% by weight or less, and more preferably 90% by weight or more of (meth)acrylic acid ester and 10% by weight or less of other monomers.
  • (meth)acrylic acid esters include methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, n-propyl (meth)acrylate, isopropyl (meth)acrylate, and n (meth)acrylate.
  • Monomers other than (meth)acrylate include acrylic ester (alkyl acrylate) monomers, aromatic vinyl monomers, unsaturated nitrile monomers, ethylenically unsaturated ether monomers, halogen vinyl chloride-based monomers, aliphatic conjugated diene-based monomers, etc., among which acrylic acid esters are preferably used.
  • Monomers other than the (meth)acrylic acid ester may be used alone, or two or more of them may be used in combination.
  • aromatic vinyl monomers examples include styrene, ⁇ -methylstyrene, o-methylstyrene, p-methylstyrene, o-ethylstyrene, p-ethylstyrene, o-chlorostyrene, p-chlorostyrene, p- methoxystyrene, p-acetoxystyrene, ⁇ -vinylnaphthalene, 2-vinylfluorene and the like.
  • styrene is more preferable.
  • unsaturated nitrile monomers examples include acrylonitrile, ⁇ -chloroacrylonitrile, ⁇ -methoxyacrylonitrile, methacrylonitrile, and vinylidene cyanide.
  • ethylenically unsaturated ether monomers include methyl vinyl ether, ethyl vinyl ether, n-propyl vinyl ether, isopropyl vinyl ether, methyl allyl ether, and ethyl allyl ether.
  • vinyl halide monomers examples include vinyl chloride, vinylidene chloride, 1,2-dichloroethylene, vinyl bromide, vinylidene bromide, and 1,2-dibromoethylene.
  • Aliphatic conjugated diene-based monomers include, for example, 1,3-butadiene, 2-methyl-1,3-butadiene, 2,3-dimethyl-1,3-butadiene, 2-neopentyl-1,3-butadiene , 2-chloro-1,3-butadiene, 1,2-dichloro-1,3-butadiene, 2,3-dichloro-1,3-butadiene, 2-bromo-1,3-butadiene, 2-cyano-1, 3-butadiene, substituted linear conjugated pentadienes, linear and side chain conjugated hexadienes, and the like.
  • the acrylic resin is obtained by subjecting the above-mentioned monomers to polymerization methods such as emulsion polymerization, suspension polymerization, bulk polymerization, and injection polymerization (cast polymerization).
  • Polymerization is carried out using light irradiation or a polymerization initiator, and azo initiators (e.g., 2,2′-azobisisobutyronitrile, 2,2′-azobis(2,4-dimethylvaleronitrile), etc. ), peroxide-based initiators (lauroyl peroxide, benzoyl peroxide, etc.), and redox-based initiators combining organic peroxides and amines.
  • azo initiators e.g., 2,2′-azobisisobutyronitrile, 2,2′-azobis(2,4-dimethylvaleronitrile), etc.
  • peroxide-based initiators laauroyl peroxide, benzoyl peroxide, etc.
  • the polymerization initiator is usually used in a proportion of 0.01 to 1 part by mass, preferably 0.01 to 0.5 part by mass, per 100 parts by mass of monomers constituting the acrylic resin.
  • a chain transfer agent linear or branched alkyl mercaptan compounds such as methyl mercaptan, n-butyl mercaptan, t-butyl mercaptan, etc.
  • a cross-linking agent, etc. may be added for molecular weight control.
  • the acrylic resin preferably has a viscosity average molecular weight of 50,000 to 300,000, more preferably 70,000 to 2,000,000.
  • Examples of monomers used in the composition include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, methoxyethyl (meth) acrylate, ethoxyethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylates, n-butyl (meth)acrylate, isobutyl (meth)acrylate, tert-butyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, cyclohexyl (meth)acrylate, heptyl (meth)acrylate, octyl (meth)acrylate, nonyl (meth)acrylate, dodecyl (meth)acrylate, lauryl (meth)acrylate, stearyl (meth)acrylate, cyclopentyl (meth)acrylate, cyclohexyl (meth)acrylate,
  • Preferred (meth)acrylates from the viewpoint of improving heat resistance, water resistance, light resistance and luminous intensity include isobornyl (meth)acrylate, stearyl (meth)acrylate, methyl (meth)acrylate, cyclohexyl (meth)acrylate, di Cyclopentanyl (meth)acrylate can be mentioned.
  • the ratio of the monomer component and/or the resin component contained in the composition is not particularly limited, but is 10 wt% or more and 99 wt% or less, preferably 20 wt% or more and 80 wt% or less, more preferably. is 30 wt % or more and 70 wt % or less.
  • the composition may contain a curing agent from the viewpoint of curing the monomer component and/or the resin component and improving heat resistance, water resistance, light resistance and luminescence intensity.
  • Curing agents include curing agents having multiple functional groups. Curing agents having multiple functional groups include trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, ditrimethylolpropane tetraacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, and mercapto compounds containing thiol groups.
  • the ratio of the curing agent contained in the composition is not particularly limited, but is 0.1 wt% or more and 20 wt% or less, preferably 1 wt% or more and 10 wt% or less, more preferably 2 wt%. % or more and 7 wt % or less.
  • the composition may contain an initiator from the viewpoint of improving heat resistance, water resistance, light resistance and luminous intensity by polymerizing the monomer component and/or the resin component.
  • the initiator may be a photopolymerization initiator or a thermal polymerization initiator.
  • the thermal polymerization initiator used in the present invention is not particularly limited, but includes azo initiators, peroxides, persulfate acids, and redox initiators.
  • the azo initiator is not particularly limited, but 2,2′-azobis(4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2′-azobis(2-amidinopropane) dihydrochloride, 2 , 2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2'-azobis (isobutyronitrile), 2,2'-azobis-2-methylbutyronitrile, 1,1-azobis (1- cyclohexanecarbonitrile), 2,2'-azobis(2-cyclopropylpropionitrile), and 2,2'-azobis(methyl isobutyrate).
  • the peroxide initiator is not particularly limited, but benzoyl peroxide, acetyl peroxide, lauroyl peroxide, decanoyl peroxide, dicumyl peroxide, dicetylperoxydicarbonate, t-butylperoxyisopropylmonocarbonate, di(4-t-butylcyclohexyl)peroxydicarbonate, di(2-ethylhexyl)peroxydicarbonate, t-butylperoxypivalate, t-butylperoxy-2-ethylhexanoate and the like.
  • the persulfate initiator is not particularly limited, and includes potassium persulfate, sodium persulfate, and ammonium persulfate.
  • Redox initiators include, but are not limited to, combinations of the persulfate initiators with reducing agents such as sodium metabisulfite and sodium bisulfite; organic peroxides and tertiary amines; based systems, such as those based on benzoyl peroxide and dimethylaniline; and systems based on organic hydroperoxides and transition metals, such as systems based on cumene hydroperoxide and cobalt naphthate.
  • reducing agents such as sodium metabisulfite and sodium bisulfite
  • organic peroxides and tertiary amines such as those based on benzoyl peroxide and dimethylaniline
  • systems based on organic hydroperoxides and transition metals such as systems based on cumene hydroperoxide and cobalt naphthate.
  • initiators include, but are not particularly limited to, pinacol such as tetraphenyl 1,1,2,2-ethanediol.
  • thermal polymerization initiator azo initiators and peroxide initiators are preferred, and 2,2′-azobis(methyl isobutyrate), t-butyl peroxypivalate, and di(4- t-butyl cyclohexyl)peroxydicarbonate, t-butyl peroxyisopropyl monocarbonate, benzoyl peroxide.
  • the photopolymerization initiator is not particularly limited, but includes oxime compounds such as O-acyl oxime compounds, alkylphenone compounds, acylphosphine oxide compounds, and the like.
  • O-acyloxime compounds include N-benzoyloxy-1-(4-phenylsulfanylphenyl)butan-1-one-2-imine, N-benzoyloxy-1-(4-phenylsulfanylphenyl)octane-1- On-2-imine, N-benzoyloxy-1-(4-phenylsulfanylphenyl)-3-cyclopentylpropan-1-one-2-imine, N-acetoxy-1-[9-ethyl-6-(2- methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]ethan-1-imine, N-acetoxy-1-[9-ethyl-6- ⁇ 2-methyl-4-(3,3-dimethyl-2,4-di Oxacyclopentanylmethyloxy)benzoyl ⁇ -9H-carbazol-3-yl]ethan-1-imine, N-acetoxy-1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9
  • Alkylphenone compounds include 2-methyl-2-morpholino-1-(4-methylsulfanylphenyl)propan-1-one, 2-dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)-2-benzylbutane-1- one, 2-(dimethylamino)-2-[(4-methylphenyl)methyl]-1-[4-(4-morpholinyl)phenyl]butan-1-one, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl Propan-1-one, 2-hydroxy-2-methyl-1-[4-(2-hydroxyethoxy)phenyl]propan-1-one, 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1- (4-isopropenylphenyl)propan-1-one oligomers, ⁇ , ⁇ -diethoxyacetophenone, benzyl dimethyl ketal and the like.
  • Omnirad trademark 369, 907 and 379 (manufactured by IGM Resins B.V.) may also be used.
  • Acylphosphine oxide compounds include phenylbis(2,4,6-trimethylbenzoyl)phosphine oxide (for example, trade name "omnirad 819" (manufactured by IGM Resins B.V.)), 2,4,6-trimethylbenzoyl diphenylphosphine oxide and the like.
  • photoinitiators include benzoin compounds such as benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether; benzophenone, methyl o-benzoylbenzoate, 4-phenylbenzophenone, 4-benzoyl- 4'-methyldiphenyl sulfide, 3,3',4,4'-tetra(tert-butylperoxycarbonyl)benzophenone, 2,4,6-trimethylbenzophenone, 4,4'-di(N,N'-dimethyl benzophenone compounds such as amino)-benzophenone; xanthone compounds such as 2-isopropylthioxanthone and 2,4-diethylthioxanthone; 9,10-dimethoxyanthracene, 2-ethyl-9,10-dimethoxyanthracene, 9,10-diethoxyanthracene
  • the composition may contain an antioxidant from the viewpoint of suppressing oxidation of the composition and improving heat resistance, water resistance, light resistance, and luminescence intensity.
  • antioxidants include amine-based antioxidants, sulfur-based antioxidants, phenol-based antioxidants, phosphorus-based antioxidants, phosphorus-phenol-based antioxidants, and metal compound-based antioxidants. , preferably contains at least one selected from the group consisting of amine antioxidants, sulfur antioxidants, phenol antioxidants and phosphorus antioxidants, more preferably sulfur antioxidants, phenol at least one selected from the group consisting of antioxidants and phosphorus antioxidants.
  • Amine-based antioxidants are antioxidants that have an amino group in the molecule.
  • Amine antioxidants include, for example, 1-naphthylamine, phenyl-1-naphthylamine, p-octylphenyl-1-naphthylamine, p-nonylphenyl-1-naphthylamine, p-dodecylphenyl-1-naphthylamine, phenyl-2 - naphthylamine-based antioxidants such as naphthylamine; N,N'-diisopropyl-p-phenylenediamine, N,N'-diisobutyl-p-phenylenediamine, N,N'-diphenyl-p-phenylenediamine, N,N' -di- ⁇ -naphthyl-p-phenylenediamine, N-phenyl-N'-isopropyl-p
  • a sulfur-based antioxidant is an antioxidant that has a sulfur atom in its molecule.
  • Sulfur-based antioxidants include, for example, dilauryl thiodipropionate, dialkyl thiodipropionate compounds such as dimyristyl and distearyl ("Sumilizer TPM" (trade name, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.), etc.), tetrakis [methylene (3-dodecylthio)propionate]methane, tetrakis[methylene(3-laurylthio)propionate]methane, ⁇ -alkylmercaptopropionate ester compounds of polyols, 2-mercaptobenzimidazole and the like.
  • a phenolic antioxidant is an antioxidant that has a phenolic hydroxy group in the molecule.
  • Phosphorus-phenolic antioxidants having both a phenolic hydroxy group and a phosphate or phosphite structure are classified as phenolic antioxidants herein.
  • Phenolic antioxidants include, for example, 1,1,3-tris(2-methyl-4-hydroxy-5-tert-butylphenyl)butane, 4,4′-butylidene-bis(3-methyl-6- tert-butylphenol), 1,3,5-trimethyl-2,4,6-tris(3,5-di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl)benzene, 2-tert-butyl-6-(3-tert -butyl-2-hydroxy-5-methylbenzyl)-4-methylphenyl acrylate, (tetrakis[methylene-3-(3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate]methane, pentaerythritol tetrakis [3-(3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate], octadecyl-3-(3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl)prop
  • Phosphorus-phenol antioxidants include, for example, 2,10-dimethyl-4,8-di-tert-butyl-6-[3-(3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl)propoxy ]-12H-dibenzo[d,g][1,3,2]dioxaphosphosine, 2,4,8,10-tetra-tert-butyl-6-[3-(3,5-di-tert- Butyl-4-hydroxyphenyl)propoxy]dibenzo[d,f][1,3,2]dioxaphosphepin, 2,4,8,10-tetra-tert-butyl-6-[3-(3, 5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl)propionyloxy]-dibenzo[d,f][1,3,2]dioxaphosphepine (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., trade name "Sumilizer GP
  • a phosphorus antioxidant is an antioxidant that has a phosphate ester structure or a phosphite ester structure.
  • Phosphorus-based antioxidants include, for example, diphenylisooctylphosphite, 2,2′-methylenebis(4,6-di-tert-butylphenyl)octylphosphite, diphenylisodecylphosphite, diphenylisodecylphosphite, triphenyl phosphate, tributyl phosphate, diisodecyl pentaerythritol diphosphite, distearyl pentaerythritol diphosphite, cyclic neopentanetetraylbis(2,4-di-tert-butylphenyl) phosphite, cyclic neopentane Tetraylbis(2,6-di-tert-buty
  • the proportion of the antioxidant contained in the composition is not particularly limited, but is 0.1 wt% or more and 20 wt% or less, preferably 1 wt% or more and 10 wt% or less, more preferably It is 2 wt % or more and 7 wt % or less.
  • the composition may contain a light scattering material from the viewpoint of scattering light passing through the composition to improve the amount of light absorbed by the composition and to improve the emission intensity.
  • the light-scattering material is not particularly limited, but may be polymer fine particles or inorganic fine particles. Examples of polymers used for polymer fine particles include acrylic resins, epoxy resins, silicone resins, and urethane resins.
  • Inorganic fine particles used for light scattering materials include fine particles containing known inorganic compounds such as oxides, hydroxides, sulfides, nitrides, carbides, chlorides, bromides, iodides and fluorides.
  • oxides contained in the inorganic fine particles include silicon oxide, aluminum oxide, zinc oxide, niobium oxide, zirconium oxide, titanium oxide, magnesium oxide, cerium oxide, yttrium oxide, strontium oxide, barium oxide, oxide
  • oxides such as calcium, tungsten oxide, indium oxide and gallium oxide, titanium oxide, or mixtures thereof, preferably aluminum oxide, zinc oxide and niobium oxide, more preferably aluminum oxide and niobium oxide, niobium oxide is most preferred.
  • the aluminum oxide contained in the inorganic fine particles includes known aluminum oxides such as ⁇ -alumina, ⁇ -alumina, ⁇ -alumina, ⁇ -alumina, ⁇ -alumina, ⁇ -alumina and ⁇ -alumina.
  • Alumina is preferred, and alpha alumina is more preferred.
  • aluminum oxide may be a commercially available product, and alumina may be obtained by firing raw materials such as aluminum nitrate, aluminum chloride, and aluminum alkoxide.
  • Examples of commercially available aluminum oxide include AKP-20 (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.), AKP-30 (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.), AKP-50 (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.), AKP-53 (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.), AKP- 3000 (Sumitomo Chemical Co., Ltd.), AA-02 (Sumitomo Chemical Co., Ltd.), AA-03 (Sumitomo Chemical Co., Ltd.), AA-04 (Sumitomo Chemical Co., Ltd.), AA-05 (Sumitomo Chemical Co., Ltd.), AA- 07 (manufactured by Sumitomo Chemical Co.
  • the hydroxides contained in the inorganic fine particles include aluminum hydroxide, zinc hydroxide, magnesium hydroxide, cerium hydroxide, yttrium hydroxide, strontium hydroxide, barium hydroxide, calcium hydroxide, and water.
  • Examples include known oxides such as indium oxide and gallium hydroxide, and mixtures thereof, with aluminum hydroxide and zinc hydroxide being preferred.
  • the sulfides contained in the inorganic fine particles include silicon sulfide, aluminum sulfide, zinc sulfide, niobium sulfide, zirconium sulfide, titanium sulfide, magnesium sulfide, cerium sulfide, yttrium sulfide, strontium sulfide, barium sulfide, and sulfide.
  • sulfides such as calcium, tungsten sulfide, indium sulfide, and gallium sulfide, or mixtures thereof, preferably aluminum sulfide, zinc sulfide, and niobium sulfide, more preferably zinc sulfide and niobium sulfide, most preferably niobium sulfide. preferable.
  • the nitrides contained in the inorganic fine particles include silicon nitride, aluminum nitride, zinc nitride, niobium nitride, zirconium nitride, titanium nitride, magnesium nitride, cerium nitride, yttrium nitride, strontium nitride, barium nitride, and nitride.
  • nitrides such as calcium, tungsten nitride, indium nitride, and gallium nitride, or mixtures thereof, with aluminum nitride, zinc nitride, and niobium nitride being preferred, aluminum nitride and niobium nitride being more preferred, and niobium nitride being most preferred; preferable.
  • the carbides contained in the inorganic fine particles include silicon carbide, aluminum carbide, zinc carbide, niobium carbide, zirconium carbide, titanium carbide, magnesium carbide, cerium carbide, yttrium carbide, strontium carbide, barium carbide, and calcium carbide.
  • known sulfides such as tungsten carbide, indium carbide, and gallium carbide, or mixtures thereof, preferably aluminum carbide, zinc carbide, and niobium carbide, more preferably aluminum carbide and niobium carbide, and most preferably niobium carbide.
  • chlorides contained in the inorganic fine particles include silicon chloride, aluminum chloride, zinc chloride, niobium chloride, zirconium chloride, titanium chloride, magnesium chloride, cerium chloride, yttrium chloride, strontium chloride, barium chloride, and chloride.
  • Known chlorides such as calcium, tungsten chloride, indium chloride and gallium chloride, or mixtures thereof, preferably aluminum chloride, zinc chloride and niobium chloride, more preferably aluminum chloride and niobium chloride, most preferably niobium chloride.
  • the bromide contained in the inorganic fine particles includes silicon bromide, aluminum bromide, zinc bromide, niobium bromide, zirconium bromide, titanium bromide, magnesium bromide, cerium bromide, and yttrium bromide. , strontium bromide, barium bromide, calcium bromide, tungsten bromide, indium bromide and gallium bromide, or mixtures thereof; and aluminum bromide, zinc bromide, niobium bromide. Preferred are aluminum bromide and niobium bromide, and most preferred is niobium bromide.
  • the iodides contained in the inorganic fine particles include silicon iodide, aluminum iodide, zinc iodide, niobium iodide, zirconium iodide, titanium iodide, magnesium iodide, gallium iodide, and iodide.
  • iodides such as cerium iodide, yttrium iodide, strontium iodide, barium iodide, calcium iodide, tungsten iodide, indium iodide, or mixtures thereof, aluminum iodide, zinc iodide, iodide Niobium is preferred, aluminum iodide and niobium iodide are more preferred, and niobium iodide is most preferred.
  • the fluoride contained in the inorganic fine particles includes silicon fluoride, aluminum fluoride, zinc fluoride, niobium fluoride, zirconium fluoride, titanium fluoride, magnesium fluoride, cerium fluoride, and fluoride.
  • known fluorides such as yttrium fluoride, strontium fluoride, barium fluoride, calcium fluoride, tungsten fluoride, indium fluoride, and gallium fluoride, or mixtures thereof;
  • Niobium chloride is preferred, aluminum fluoride and niobium fluoride are more preferred, and niobium fluoride is most preferred.
  • the light scattering material aluminum oxide, silicon oxide, zinc oxide, titanium oxide, and niobium oxide are used from the viewpoint of scattering light that has passed through the composition to improve the amount of light absorbed by the composition and to improve the emission intensity.
  • zirconium oxide is preferred, and aluminum oxide is preferred.
  • the particle size of the light scattering material contained in the composition is not particularly limited, but is 0.1 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less, preferably 0.3 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less, more preferably 0 .5 ⁇ m or more and 5 ⁇ m or less.
  • the ratio of the light scattering material contained in the composition is not particularly limited, but is 0.1 wt% or more and 20 wt% or less, preferably 1 wt% or more and 10 wt% or less, more preferably It is 2 wt % or more and 7 wt % or less.
  • the composition may contain another luminescent material other than the phosphor used in the present invention from the viewpoint of adjusting the luminescent color emitted by the composition and achieving a wide color gamut.
  • Other luminescent materials other than the phosphor used in the present invention contained in the composition include phosphors other than the phosphor used in the present invention and quantum dots.
  • the quantum dots contained in the composition are not particularly limited as long as they are quantum dot particles capable of emitting fluorescence in the visible light wavelength region, for example, II-VI group semiconductor compounds; III-V group semiconductor compounds; IV - Group VI semiconductor compounds; Group IV elements or compounds containing them; and combinations thereof. These can be used alone or in combination of two or more.
  • II-VI semiconductor compounds are binary compounds selected from the group consisting of CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe and mixtures thereof; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe , ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe and mixtures thereof; , CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe and mixtures thereof.
  • the III-V group semiconductor compound is a binary compound selected from the group consisting of GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb and mixtures thereof; ternary compounds selected from the group consisting of GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP and mixtures thereof; It can be selected from the group consisting of quaternary compounds selected from the group consisting of GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb and mixtures thereof.
  • the group IV-VI semiconductor compound is a binary compound selected from the group consisting of SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe and mixtures thereof; ternary compounds selected from the group consisting of SnPbTe and mixtures thereof; and quaternary compounds selected from the group consisting of SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe and mixtures thereof.
  • the group IV element or the compound containing it is selected from the group consisting of elemental compounds selected from the group consisting of Si, Ge and mixtures thereof; and binary compounds selected from the group consisting of SiC, SiGe and mixtures thereof.
  • Quantum dots can be homogeneous single structures; dual structures such as core-shell, gradient structures, etc.; or mixed structures thereof.
  • the core is one selected from the group consisting of CdSe, CdS, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdTe, CdSeTe, CdZnS, PbSe, AgInZnS, HgS, HgSe, HgTe, GaN, GaP, GaAs, InP, InAs and ZnO. It can include, but is not limited to, one or more substances.
  • the shell may include, but is not limited to, one or more materials selected from the group consisting of CdSe, ZnSe, ZnS, ZnTe, CdTe, PbS, TiO, SrSe and HgSe.
  • quantum dots are preferably InP or CdSe.
  • the diameter of the quantum dot is not particularly limited, but the red, green, and blue quantum dot particles can be classified according to particle size, with the particle size decreasing in order of red, green, and blue.
  • the red quantum dot particles have a particle size of 5 nm or more and 10 nm or less
  • the green quantum dot particles have a particle size of more than 3 nm and 5 nm or less
  • the blue quantum dot particles have a particle size of 1 nm or more and 3 nm or less.
  • red quantum dot particles emit red light
  • green quantum dot particles emit green light
  • blue quantum dot particles emit blue light.
  • the phosphor other than the phosphor used in the present invention contained in the composition is not particularly limited, but examples include sulfide phosphors, oxide phosphors, nitride phosphors, and fluoride phosphors. , etc. These may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
  • Examples of the sulfide phosphor include CaS:Eu, SrS:Eu, SrGa2S4 :Eu, CaGa2S4 : Eu , Y2O2S : Eu , La2O2S : Eu , Gd 2 O 2 S:Eu, and the like.
  • oxide-based phosphor examples include (Ba, Sr) 3 SiO 5 :Eu, (Ba, Sr) 2 SiO 4 :Eu, Tb 3 Al 5 O 12 :Ce, and Ca 3 Sc 2 Si. 3 O 12 :Ce, and the like.
  • nitride phosphor examples include CaSi5N8 : Eu , Sr2Si5N8 : Eu , Ba2Si5N8 : Eu , ( Ca, Sr , Ba) 2Si5N .
  • fluoride-based phosphors are not particularly limited, and include K 2 TiF 6 :Mn 4+ , Ba 2 TiF 6 :Mn 4+ , Na 2 TiF 6 :Mn 4+ , K 3 ZrF 7 :Mn 4+ . , K 2 SiF 6 :Mn 4+ , and the like.
  • Al) 12 (O, N) 16 SiAlON-based phosphors such as Eu; perovskite phosphors also having a perovskite structure;
  • the phosphor other than the phosphor used in the present invention contained in the composition is preferably a red phosphor, and preferably K 2 SiF 6 :Mn 4+ .
  • the ratio of the luminescent material other than the phosphor used in the present invention contained in the composition is not particularly limited, but is 0.1 wt% or more and 90 wt% or less, preferably 1 wt% or more and 80 wt% or less. and more preferably 5 wt % or more and 60 wt % or less.
  • HSP Hansen Solubility Parameter
  • ⁇ d Energy due to intermolecular dispersion force
  • ⁇ p Energy due to intermolecular dipole interaction
  • ⁇ h Energy due to intermolecular hydrogen bonding
  • HSPs of two substances can be regarded as coordinates in a three-dimensional space (Hansen space). And when the HSPs of two substances are placed in the Hansen space, the closer the distance between the two points, the easier it is to dissolve each other.
  • the distance between the two points of the Hansen Solubility Parameter between the silane coupling agent and the matrix resin is calculated using the Hansen Solubility Parameter software (HSPiP ver5.3.05, Charles M. Hansen, Y-MB method).
  • HSPiP ver5.3.05 Hansen Solubility Parameter software
  • Y-MB method Hansen Solubility Parameter software
  • the distance between two points of the Hansen solubility parameter between the silane coupling agent and the matrix resin is ( ⁇ d of matrix resin- ⁇ d of silane coupling agent) 2 , ( ⁇ p of matrix resin- ⁇ p of silane coupling agent) 2 ; ( ⁇ h of the matrix resin- ⁇ h of the silane coupling agent) 2 , is the square root of the sum (D).
  • the distance between the two points of the Hansen solubility parameter between the silane coupling agent and the matrix resin is preferably less than 7.06 from the viewpoint of improving the emission intensity of the composition of the present invention and reducing the absorptance of light at 630 nm. , is more preferably 6.00 or less, more preferably 0 to 4.97, and most preferably 3.24 to 4.97.
  • the distance between the two points of the Hansen solubility parameter between the silane coupling agent and the matrix resin is within the above range, the compatibility of the phosphor with the resin is easily improved, and the visible range of the resin composition containing the phosphor is improved. Effects such as reduction in light absorption can be easily obtained.
  • the composition of the invention can be used in film form.
  • the shape of the film is not particularly limited, and may be any shape such as sheet-like or bar-like.
  • the term “bar-shaped” means, for example, a strip-shaped shape extending in one direction in a plan view.
  • Examples of the belt-like shape in plan view include a plate-like shape in which each side has a different length.
  • the thickness of the film may be from 0.01 ⁇ m to 1000 mm, from 0.1 ⁇ m to 10 mm, or from 1 ⁇ m to 1 mm.
  • the thickness of the film refers to the distance between the front surface and the back surface in the thickness direction of the film when the side with the smallest value among the length, width, and height of the film is defined as the “thickness direction”. point to distance. Specifically, the thickness of the film is measured at three arbitrary points on the film using a micrometer, and the average value of the measured values at the three points is taken as the thickness of the film.
  • the film may be a single layer or multiple layers. In the case of multiple layers, each layer may be composed of the same type of embodiment composition, or may be composed of different types of embodiment compositions.
  • the composition of the present invention may be in the form of a laminate by forming a film on a substrate.
  • the substrate may be a resin substrate such as PET or PEN, or may be a metal substrate such as aluminum foil.
  • the composition of the present invention can constitute a light-emitting device in combination with a light source.
  • a light source an LED can be used which emits UV or visible light, in particular including wavelengths between 350 nm and 500 nm.
  • the phosphor of the present invention is irradiated with light having the above wavelength, the phosphor emits green light having a peak wavelength of 510 nm to 550 nm.
  • the phosphor of the present invention can constitute a white light emitting device by using, for example, an ultraviolet LED or a blue LED as a light source and combining it with another red phosphor.
  • the phosphor of the present invention can constitute a white light-emitting element, and the white light-emitting element can be used as a member of a light-emitting device.
  • a light-emitting element is irradiated with light from a light source, the irradiated light-emitting element emits light, and the light is extracted.
  • a light-emitting device comprising the composition of the present invention and a light source can be used in displays.
  • An example of such a display is a liquid crystal display in which the transmittance of light from light-emitting elements can be controlled by liquid crystal, and the transmitted light can be selectively extracted as red light, blue light, or green light using a color filter. be done.
  • Emission intensities of the phosphors of Production Examples 1 and 2 were measured using an absolute PL quantum yield measuring device (manufactured by Hamamatsu Photonics, “C9920-02” (trade name)). The measurement conditions were a powder sample of 150 mg, an excitation wavelength of 450 nm, room temperature, and the atmosphere.
  • the luminescence intensity of green luminescence is in the range of 470 to 800, and the luminescence intensity value of the luminescence peak with the strongest luminescence was used.
  • the phosphor was confirmed to be a green-emitting phosphor exhibiting a maximum emission peak in the range of 510 nm to 550 nm when the emission at 470 to 800 nm was measured.
  • the emission peak was determined from the measured spectrum, and the emission peak intensity of the wavelength with the highest emission intensity in Production Example 2 was converted to 100 to calculate the relative emission intensity of Production Example 1. Table 1 shows the results.
  • a methacrylic resin (“Sumipex” (trade name) manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., grade: MH, molecular weight of about 120,000, specific gravity of 1.2 g/ml) was mixed with toluene in an amount to give a concentration of 20% by mass, and heated at 60°C for 3 hours. After heating for hours, a resin solution was obtained.
  • Example 2 A phosphor-containing resin composition and a measurement sample were prepared in the same manner as in Example 1, except that trimethoxyphenylsilane was used instead of vinyltrimethoxysilane.
  • Example 3 A phosphor-containing resin composition and a measurement sample were prepared in the same manner as in Example 1, except that dodecyltrimethoxysilane was used instead of vinyltrimethoxysilane.
  • Example 1 A phosphor-containing resin composition and a measurement sample were prepared in the same manner as in Example 1, except that trimethoxy(1H,1H,2H,2H-nonafluorohexyl)silane was used instead of vinyltrimethoxysilane. bottom.
  • ⁇ Reference example 2> A phosphor-containing resin composition and a measurement sample were prepared in the same manner as in Example 1, except that neither boron oxide nor vinyltrimethoxysilane was used as the starting material for the crystal phase.
  • Emission intensities of the resin compositions of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2 were measured using a spectrofluorophotometer (“FP-6500” (trade name) manufactured by JASCO Corporation). The measurement conditions were set with the main surface of the measurement sample facing the light source, an excitation wavelength of 450 nm, room temperature, and the atmosphere.
  • FP-6500 spectrofluorophotometer
  • the emission intensity of green emission is in the range of 485 to 627 nm, and the emission intensity value of the emission peak with the strongest emission was used. All of the phosphors were confirmed to be green-emitting phosphors exhibiting a maximum emission peak in the range of 510 nm to 550 nm when the emission at 470 to 800 nm was measured.
  • the emission peak was determined from the measured spectrum, the emission peak intensity at the wavelength with the highest emission intensity in Comparative Example 2 was converted to 100, and the relative emission intensities of Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 were calculated.
  • the evaluation criteria for the relative emission intensity were as follows.
  • Visible light absorption of the resin compositions of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2 was measured using an ultraviolet-visible-near-infrared spectrophotometer (“V-670” (trade name, integrating sphere unit) manufactured by JASCO Corporation). That is, the main surface of the measurement sample was placed facing the light source, and the reflectance (%R) of light at 630 nm was measured at an irradiation wavelength of 630 nm, at room temperature, in the atmosphere, in a reflection spectrum measurement mode.
  • V-670 ultraviolet-visible-near-infrared spectrophotometer
  • the absorbance of 630 nm light in Comparative Example 2 was converted to 100, and the relative absorbances of Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 were calculated.
  • the evaluation criteria for the relative absorbance were as follows.
  • Example 4 After mixing 0.5 g of the phosphor obtained in Production Example 1 and 0.05 g of dodecyltrimethoxysilane as a silane coupling agent, 1 g of silicone resin (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KE-109E-A” (trade name): 0.5 g and the same "KE-109E-B” (trade name): 0.5 g) were added and mixed uniformly. By reacting the mixture at 100° C. for 1 hour, a resin composition having a phosphor concentration of 32.3% by weight was obtained. A resin composition containing a phosphor was molded into a plate-like body having a length of 2 cm, a width of 2 cm, and a width of 300 ⁇ m to prepare a measurement sample.
  • silicone resin manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KE-109E-A" (trade name): 0.5 g and the same "KE-109E-B” (trade name): 0.5
  • Example 5 A phosphor-containing resin composition and a measurement sample were prepared in the same manner as in Example 4, except that trimethoxyphenylsilane was used instead of dodecyltrimethoxysilane.
  • Comparative Example 3 A phosphor-containing resin composition and a measurement sample were prepared in the same manner as in Example 4, except that trimethoxy(1H,1H,2H,2H-nonafluorohexyl)silane was used instead of dodecyltrimethoxysilane. .
  • Emission intensities of the resin compositions of Examples 4 and 5 and Comparative Examples 3 and 4 were measured using a spectrofluorophotometer (“FP-6500” (trade name) manufactured by JASCO Corporation). The measurement conditions were set with the main surface of the measurement sample facing the light source, with an excitation wavelength of 450 nm, at room temperature, and in the atmosphere.
  • FP-6500 spectrofluorophotometer
  • the emission intensity of green emission is in the range of 485 to 627 nm, and the emission intensity value of the emission peak with the strongest emission was used. All of the phosphors were confirmed to be green-emitting phosphors exhibiting a maximum emission peak in the range of 510 nm to 550 nm when the emission at 470 to 800 nm was measured.
  • the emission peak was determined from the measured spectrum, and the emission peak intensity at the wavelength with the highest emission intensity in Comparative Example 4 was converted to 100 to calculate the relative emission intensity of Examples 4 and 5 and Comparative Example 3.
  • the evaluation criteria for the relative emission intensity were as follows.
  • Visible light absorption of the resin compositions of Examples 4 and 5 and Comparative Examples 3 and 4 was measured using an ultraviolet-visible-near-infrared spectrophotometer (“V-670” (trade name, integrating sphere unit) manufactured by JASCO Corporation). That is, the main surface of the measurement sample was placed facing the light source, and the reflectance (%R) of light at 630 nm was measured at an irradiation wavelength of 630 nm, at room temperature, in the atmosphere, in a reflection spectrum measurement mode.
  • V-670 ultraviolet-visible-near-infrared spectrophotometer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

式ＭｘＭｇａＡｌｙＯｚＮｗ　（Ａ）［式（Ａ）中、Ｍは、マンガン等の金属元素を表し、ｘは０．００１≦ｘ≦０．３であり、ａは０≦ａ≦１．０－ｘであり、ｙは１．２≦ｙ≦１１．３であり、ｚは２．８≦ｚ≦１８であり、ｗは０≦ｗ≦１．０である。］で表される元素組成を有する無機化合物の結晶相からなるコア部と、ホウ素又はケイ素を含む、該コア部の表面の少なくとも一部に形成されたシェル部とを有する、コアシェル構造を有する蛍光体；該シェル部の表面に存在する、ハロゲン原子を含まないシランカップリング剤の改質体；及びマトリックス樹脂；を含む樹脂組成物。

Description

蛍光体を含む樹脂組成物
　本発明は発光装置等に使用される、蛍光体を含む樹脂組成物に関する。
　白色発光ＬＥＤ装置には、青色光を発光する青色ＬＥＤを光源として使用して、この光源を、透明な樹脂材料に混ぜた緑色乃至赤色を発光する蛍光体で覆う構造になっているものがある。かかる発光装置では、青色ＬＥＤから発光される青色光と、蛍光体から発光される赤色及び緑色が混合されて、白色光が生成される。それゆえ、白色発光ＬＥＤ装置の発光強度を向上させるためには、蛍光体を含む樹脂層の発光強度を向上させる必要がある。
　特許文献１には、ＭｎがドープされたＭｇＡｌ２Ｏ４系スピネル型酸化物蛍光発光体が記載されている。特許文献１の蛍光体には、過剰量のＭｇが含まれている。特定範囲内のＭｎのドープ量及び過剰量のＭｇを有するＭｇＡｌ２Ｏ４系酸化物蛍光発光体は、高輝度の赤色を発光することができる。
　特許文献２には、希土類付活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系輝尽性蛍光体を、少なくとも１種以上の金属酸化物粒子の存在下にシランカップリング剤で表面処理することを含む、蛍光体粒子の形成方法が記載されている。
　特許文献２の方法では、蛍光体粒子に金属酸化物粒子を被覆した後、シランカップリング剤で表面処理が行われる。表面処理で形成される、シランカップリング剤による珪素含有被膜は、蛍光体粒子上に分散する金属酸化物粒子の周囲を埋めて、連続相を形成する。つまり、輝尽性蛍光体粒子表面には、直接シランカップリング剤による珪素含有被膜が形成される。ここでは、その結果、耐湿性に劣っていた前記輝尽性蛍光体の耐湿性が向上することが、記載されている。
特開２０１６－１７１２５号公報 特開２００１－８１４５７号公報
　白色発光ＬＥＤ装置に使用される、赤色乃至緑色を発光する蛍光体に関しては、樹脂組成物中に分散させた場合に、可視域、特に６３０ｎｍ付近の光吸収が増加することで、発光特性が低下するものがあることが、見出された。
　本発明は前記課題を解決するものであり、その目的とするところは、樹脂組成物中に分散させた場合でも、６３０ｎｍの可視域の光吸収が増加せず、発光特性が低下しない蛍光体を含む、発光強度に優れた樹脂組成物を提供することである。
　本発明は、式
　　　　　ＭｘＭｇａＡｌｙＯｚＮｗ　　（Ａ）
［式（Ａ）中、Ｍは、マンガン、ストロンチウム、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ツリウム及びイッテルビウムからなる群から選択される少なくとも一つの金属元素を表し、ｘは０．００１≦ｘ≦０．３であり、ａは０≦ａ≦１．０－ｘであり、ｙは１．２≦ｙ≦１１．３であり、ｚは２．８≦ｚ≦１８であり、ｗは０≦ｗ≦１．０である。］
で表される元素組成を有する無機化合物の結晶相からなるコア部と、
　ホウ素及びケイ素からなる群から選択される少なくとも一つの元素を含む、該コア部の表面の少なくとも一部に形成されたシェル部とを有する、コアシェル構造を有する蛍光体；
　該シェル部の表面に存在する、ハロゲン原子を含まないシランカップリング剤の改質体；及び
　マトリックス樹脂；
を含む樹脂組成物を提供する。
　ある一形態においては、前記シランカップリング剤は、式
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
［式中、
　Ｒ１は、（メタ）アクリロイルオキシ基、アミノ基、炭素数１～２０のアルキルアミノ基又はメルカプト基で置換されていてもよい、炭素数１～２０の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、
　Ｒ２は、水素原子、又は、（メタ）アクリロイルオキシ基、アミノ基、炭素数１～２０のアルキルアミノ基又はメルカプト基で置換されていてもよい、炭素数１～２０の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、
　Ｒ１又はＲ２は、複数存在する場合は、異なる基であってよく、
　ａは１～３の整数である。］
で表される化合物である。
　ある一形態においては、前記シランカップリング剤とマトリックス樹脂とのハンセン溶解度パラメータの距離は７．０６未満である。
　ある一形態においては、前記マトリックス樹脂はシリコーン樹脂又はアクリル系樹脂である。
　ある一形態においては、前記Ｒ１は炭素数８～１２のアルキル基、炭素数４～６のシクロアルキル基又はビニル基を含む。
　ある一形態においては、前記Ｍはマンガン、ストロンチウム、ユウロピウム及びテルビウムからなる群から選択される少なくとも一つの金属元素を表す。
　ある一形態においては、前記ｘは０．０５≦ｘ≦０．１５であり、ａは０≦ａ≦０．９５であり、ｙは１．５≦ｙ≦２．５であり、ｚは３．５≦ｚ≦４．５であり、ｗは０≦ｗ≦１．０である。
　ある一形態においては、前記結晶相は結晶子を含み、該結晶子はスピネル型結晶構造を有する。
　また、本発明は、前記いずれかの樹脂組成物を含む、フィルムを提供する。
　また、本発明は、前記いずれかの樹脂組成物を含む、発光素子を提供する。
　また、本発明は、前記発光素子を備える、発光装置を提供する。
　また、本発明は、前記発光素子を備える、ディスプレイを提供する。
　本発明によれば、樹脂組成物中に分散させた場合でも可視域、特に６３０ｍｎ付近の光吸収が増加せず、発光特性が低下しない蛍光体を含む、発光強度に優れた樹脂組成物が提供される。本発明の樹脂組成物は、赤色発光（６３０ｎｍ発光）を有する蛍光体と組み合わせて白色光ＬＥＤ装置に使用する場合に、赤色成分の発光強度の低下を抑制することができる。
＜蛍光体＞
　本発明に用いる蛍光体は、結晶相からなるコア部と、コア部の表面の少なくとも一部に形成されたシェル部とを、有する蛍光体である。シェル部は、一般に、ホウ素及びケイ素からなる群から選択される少なくとも一つの元素を含む酸化物である。
　コアシェル構造を有する蛍光体においては、樹脂組成物中に分散させた場合に、可視域の光吸収が増加し、発光特性が低下する問題が確認されている。その原因は、シェル部による被覆に起因して、蛍光体表面の樹脂に対する親和性が低下し、蛍光体と樹脂との界面に空隙が多数発生し、迷光による可視域の吸収が強くなるからと考えられる。
　コア部は、式
　　　　　ＭｘＭｇａＡｌｙＯｚＮｗ　　（Ａ）
［式（Ａ）中、Ｍは発光中心イオンを構成する金属元素を表し、ｘ、ａ、ｙ、ｚ及びｗは元素の組成比率を表す。］
で表される元素組成を有する無機化合物の結晶相を含むものである。
　金属元素Ｍとしては、例えば、マンガン、ストロンチウム、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ツリウム及びイッテルビウムからなる群から選択される少なくとも一つの金属元素が挙げられ、マンガン、ストロンチウム、ユウロピウム及びテルビウムからなる群から選択される少なくとも一つの金属元素が好ましく、マンガン及びストロンチウムから選択される少なくとも一つの金属元素がより好ましく、マンガンがさらに好ましい。
　金属元素Ｍがマンガンの場合には、マンガンが発光中心イオンを構成し、緑色発光する緑色発光蛍光体となることができる。
　蛍光体は、励起光を照射すると、蛍光体中に含まれる発光中心イオンが励起光を吸収し、基底準位にある電子が励起準位へと遷移する。該励起された電子が、励起準位から基底準位へと再び戻る際、エネルギー準位の差に相当する分のエネルギーが蛍光として放出される。基底準位から励起準位への電子の遷移確率は、発光中心イオンの電子配置により異なり、遷移確率の小さい禁制遷移であれば、吸光度は小さく発光強度は見かけ上小さくなる。他方、遷移確率の大きい許容遷移であれば、吸光度は大きく発光強度は見かけ上大きくなる。
　２価のマンガン（Ｍｎ２＋）は３ｄ軌道に５個の電子を持ち、光照射による励起準位への遷移は同種軌道間（ｄ－ｄ）のため禁制遷移であり、吸光度は小さく発光強度も小さい。他方、例えば、２価のユウロピウム（Ｅｕ２＋）は４ｆ軌道に７個の電子を持ち、光照射による励起準位への遷移は異種軌道間（ｆ－ｄ）のため許容遷移であり、吸光度は大きく発光強度も大きい。
　化合物の発光強度は、化合物の吸光度（吸収フォトン数）に依存して変化する。金属元素Ｍがマンガンの化合物とユウロピウムの化合物を比較する場合のように、吸光度の異なる化合物間で発光強度を比較する時は、発光強度を比較して、発光特性の優劣を決定することは不適切である。吸光度の異なる化合物間の発光特性は、例えば、吸光度の相違を補正した発光強度、即ち、量子効率を用いることで、適切に比較することができる。
　定義：「量子効率（量子収率）＝発光強度（蛍光フォトン数）／吸光度（吸収フォトン数）」
　本発明に用いる蛍光体は、好ましい実施形態において、４５０ｎｍ付近に励起波長を示す。４５０ｎｍの励起波長で蛍光体を励起することで、５１０ｎｍ～５５０ｎｍの波長範囲に発光ピークを持つ緑色の発光スペクトルを得ることができる。発光の色純度を向上させる観点から、発光ピークの半値幅は５０ｎｍ未満が好ましく、４５ｎｍ以下がより好ましく、４０ｎｍ以下がさらに好ましい。
　金属元素Ｍの組成比率ｘは、０．００１≦ｘ≦０．３、例えば０．００５≦ｘ≦０．３、好ましくは０．０１≦ｘ≦０．２、より好ましくは０．０５≦ｘ≦０．１５、さらに好ましくは０．０５≦ｘ≦０．１、特に好ましくは０．０５≦ｘ≦０．０８である。ｘが０．００１より小さい場合には、発光中心イオンを構成する金属元素Ｍが少なく、発光強度が減少し易くなる。また、ｘが０．３より大きい場合には、濃度消光と呼ばれる金属元素Ｍ同士の干渉現象により、発光強度が減少し易くなる。Ｍｇの組成比率ａは、０≦ａ≦１．０－ｘ、例えば０≦ａ≦０．９５である。
　Ａｌの組成比率ｙは、１．２≦ｙ≦１１．３、例えば１．３≦ｙ≦８．５、好ましくは１．４≦ｙ≦５．５、より好ましくは１．５≦ｙ≦２．５、特に好ましくは１．５≦ｙ≦２．３である。Ｏの組成比率ｚは、２．８≦ｚ≦１８、例えば３．０≦ｚ≦１３．０、好ましくは３．３≦ｚ≦８．５、より好ましくは３．５≦ｚ≦４．５、特に好ましくは３．５≦ｚ≦４．０である。Ｎの組成比率ｗは、０≦ｗ≦１．０である。組成比率ｙ、ｚ及びｗがこれらの範囲にない場合、蛍光体の母体結晶が不安定な構造となり、また、消光過程が増加して、発光強度が減少し易くなる。
　ある一形態において、Ｍｇの組成比率ａは、０．１≦ａ≦０．９８、例えば０．３≦ａ≦０．９５、好ましくは０．５≦ａ≦０．９４、より好ましくは０．７≦ａ≦０．９３、さらに好ましくは０．８≦ａ≦０．９３、特に好ましくは０．８５≦ａ≦０．９３であり、Ａｌの組成比率ｙは、１．２５≦ｙ≦１０．３、例えば１．３５≦ｙ≦７．０、好ましくは１．４５≦ｙ≦３．５、より好ましくは１．６５≦ｙ≦２．４、さらに好ましくは１．８５≦ｙ≦２．２、特に好ましくは１．９５≦ｙ≦２．１であり、Ｏの組成比率ｚは、２．９≦ｚ≦１５．０、例えば３．１５≦ｚ≦１０．５、好ましくは３．４≦ｚ≦６．５、より好ましくは３．６≦ｚ≦４．０、さらに好ましくは３．７≦ｚ≦４．０である。
　前記ｘ、ａ、ｙ及びｚのそれぞれの数値の上限及び下限は、所望の蛍光体を得るために、前記範囲の値の中から適宜組み合わせて選択することができる。
　前記コア部は、好ましくは、式
　　　　　ＭｘＭｇ（１－ｘ）ＡｌｙＯｚ　　（Ｂ）
［式中、Ｍ、ｘ、ｙ及びｚは前記と同意義である。］
で表される元素組成を有する無機化合物の結晶相を含むものである。
　本発明に用いる蛍光体は、原料を加熱することによって得られる焼結体粒子である。該焼結体粒子は結晶相を含む。結晶相は、原子が規則正しく配列している固体の相である。一方、結晶相でない相は、アモルファス（非晶質）の状態で、原子が規則正しく配列していない状態である。蛍光体をＸ線構造回折で分析し、原子の規則配列を検出することで、結晶相を含むことが確認できる。
　結晶相は、単結晶から成る結晶子を含む。焼結体粒子である蛍光体は、一般に多結晶体である。かかる場合、蛍光体の結晶相には複数の結晶子が含まれ、結晶相は、例えば、複数の結晶子が集まって構成されている。
　前記蛍光体は、結晶子のサイズを増大させることで、発光強度が向上することが見出された。結晶子のサイズを増大させた場合、結晶子間の界面の面積は減少する。その結果、結晶子の粒界における光の反射および／または散乱が抑制されて、発光強度が向上すると考えられる。
　結晶子のサイズの増大による蛍光体の発光強度向上効果は、発生した光が結晶子の外部に出る効率を向上する機構によるものである。この機構は、結晶相の元素組成を最適化することで光の発生量を増大させるものではない。それゆえ、前記本発明の効果は、結晶相の元素組成にかかわらず達成されると考えられる。
　蛍光体に含まれる結晶子の平均サイズは、例えば２μｍ～１００μｍ、好ましくは３μｍ～８０μｍ、より好ましくは４μｍ～５０μｍ、さらに好ましくは５μｍ～３０μｍである。結晶子の平均サイズが２μｍより小さい場合、発光強度の向上が不十分になり、結晶子の平均サイズが１００μｍより大きい場合、フィルム及び素子等の部材の原料として使用することが困難になる。
　結晶子の平均サイズは、蛍光体の断面を観察することによって決定できる。つまり、蛍光体の断面を観察し、そこに認められる結晶子の画像を解析することで、結晶子のサイズを決定する。ここでいうサイズは円相当径を意味する。
　まず、蛍光体を加工して蛍光体の断面を得る。蛍光体の断面を得る方法としては、例えば、集束イオンビーム（ＦＩＢ：Ｆｏｃｕｓｅｄ　Ｉｏｎ　Ｂｅａｍ）加工装置で加工する方法やイオンミリング装置で加工する方法、研磨で加工する方法等が挙げられる。試料へのダメージが少ないうえに加工位置を正確に決められるため、精度の高い画像が得られ易くなる観点から、ＦＩＢ加工装置で加工する方法が好ましい。
前記加工によって得た蛍光体の断面を電子顕微鏡で観察する。電子顕微鏡としては、例えば、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）や走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）、走査透過型電子顕微鏡（ＳＴＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）等が挙げられる。空間分解能が高いため、精度の高い画像が得られ易くなる観点から、ＴＥＭで観察する方法が好ましい。
前記加工によって得た蛍光体の断面に電子線を照射すると、原子の配列に依存して電子の散乱度合いが変化するため、取得するＴＥＭ像のコントラストは結晶子毎に変化する。このようにして１つ１つの結晶子を認識する。ＴＥＭ像のコントラストが弱い場合は、より正確に結晶子を認識するために、電子回折（ＥＤ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）図形を取得する。電子回折図形は原子の配列に関する情報を表しており、この図形が同等の場合は、原子の配列が同等、つまり同じ結晶子であると認識する。
得られたＴＥＭ像をコンピュータに取り込み、１つの結晶子の円相当径を算出する。円相当径は、前記の方法で定義された１つの結晶子の面積加重平均により算出する。なお、円相当径とは、該当する領域の面積に相当する真円の直径のことを指す。円相当径を算出するにあたり、画像解析ソフトを用いても良い。画像解析ソフトは、Ｉｍａｇｅ　ＪやＰｈｏｔｏｓｈｏｐ等を適宜選択することができる。
　なお、本手法を用いた結晶子の平均サイズの算出では、精度を高める観点から、５０個以上の結晶子について解析を行い、その平均値を用いた平均円相当径を用いることが好ましい。
　本発明に用いる蛍光体は、好ましい実施形態において、結晶子がスピネル型結晶構造を取る。スピネル型結晶構造とは、立方晶系に属する結晶構造であり、化学式：ＡＢ２Ｘ４で表される。スピネル型結晶構造におけるＡサイトは、４つのＸサイトの陰イオンに囲まれており、孤立した四面体を形成している。スピネル型結晶構造におけるＢサイトは、６つのＸサイトの陰イオンに囲まれ、辺を共有した八面体を形成している。Ａが２価の金属元素、Ｂが３価の金属元素、Ｘが酸素で表される酸化物に見られる。蛍光体に含まれる結晶子がスピネル型結晶構造となることで、熱、イオン衝撃、及び真空紫外線照射等の外部の影響から保護され、同時に、蛍光体の発光強度を増強させることができる。
　前記シェル部は、好ましくは、ホウ素を含む酸化物であり、より好ましくは酸化ホウ素Ｂ２Ｏ３を含むものである。また、本発明に用いる蛍光体は、好ましい実施形態において、シェル部は金属元素Ｍを含む。
　シェル部の量は、コア部を基準にして、３０重量％以下、好ましくは０．０１～２０重量％、より好ましくは０．０５～１０重量％である。シェル部の量がコア部を基準にして３０重量％より大きくなると、蛍光体全重量に対するコア部の割合が少なくなり、蛍光体として発光強度が減少し易くなる。
　結晶相表面は結晶構造が崩れやすいため、発光性を有さない欠陥部が形成される。たとえば金属元素Ｍが発光中心イオンを構成する場合、結晶相表面の金属元素Ｍは欠陥部を形成して発光強度を低下させると考えられる。一方、結晶相表面をシェル部で被覆した場合、結晶層表面において欠陥部を形成している金属元素Ｍがシェル部に移行することで結晶相の欠陥部が減少し、発光強度が増大すると考えられる。
　結晶相表面にシェル部を形成することによる蛍光体の発光強度向上効果は、発生した光が結晶子の外部に出る効率を向上する機構によるものである。この機構は、結晶相の元素組成を最適化することで光の発生量を増大させるものではない。それゆえ、前記本発明の効果は、結晶相の元素組成にかかわらず達成されると考えられる。
　本発明に用いる蛍光体に含まれる結晶相表面に存在するシェル部は、Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ：Ｘ－ｒａｙ　Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）やエネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ　ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ　Ｘ－ｒａｙ　ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）、誘導結合プラズマ発光分析（ＩＣＰ－ＡＥＳ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　ｃｏｕｐｌｅｄ　ｐｌａｓｍａ　ａｔｏｍｉｃ　ｅｍｉｓｓｉｏｎ　ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）などの組成分析によって、シェル部を構成するホウ素または／かつケイ素が検出されることで確認することができる。
　本発明に用いる蛍光体のコアシェル構造は、蛍光体の断面のＥＤＸ測定を行い、元素マッピング像を得ることで確認することができる。元素マッピング像において、金属元素Ｍと、ホウ素または／かつケイ素が共存する領域がシェル部となる。ＥＤＸ測定の結果から、シェル部に存在する金属元素Ｍのピーク面積値Ｘに対するホウ素またはケイ素のピーク面積値Ｙの比率Ｙ／Ｘを計算することができる。シェル部にホウ素及びケイ素をともに含む場合は、ホウ素のピーク面積値Ｙ（Ｂ）とケイ素のピーク面積値Ｙ（Ｓｉ）を基にして計算した、比率Ｙ（Ｂ）／Ｘもしくは比率Ｙ（Ｓｉ）／Ｘのいずれか一方を比率Ｙ／Ｘとして用いる。
　ＥＤＸ測定の結果から各元素のピーク面積値を算出する方法について述べる。着目する元素において特性Ｘ線の強度が最も高くなるピーク、すなわち、着目する元素に由来するピークのうち、最も強度が高く検出されるピークを選ぶ。当該ピークにおいて、エネルギーの高い側、低い側それぞれにおいて、ピークが立ち上がる点を定める。ピークが立ち上がる点とは、ピークトップに向かって単調増加し続ける始点のことを指す。この２つの始点のうち強度の低い点を選び、その点の強度をバックグラウンド、つまり０として、ピークが立ち上がる２点間でバックグラウンドを基準にピークを積算する。算出された積分値をその元素のピーク面積値とする。特に、マンガンは５．６６ｋｅＶと６．１５ｋｅＶの２点をピークが立ち上がる点とし、この２点のうち強度の低い点を０として、２点間でピークを積算する。この積分値をマンガンのピーク面積値とする。ホウ素は０．１４ｋｅＶと０．２３ｋｅＶの２点をピークが立ち上がる点とし、この２点のうち強度の低い点を０として、２点間でピークを積算する。この積分値をホウ素のピーク面積値とする。ケイ素は１．６０ｋｅＶと１．９５ｋｅＶの２点をピークが立ち上がる点とし、この２点のうち強度の低い点を０として、２点間でピークを積算する。この積分値をケイ素のピーク面積値とする。
　本発明に用いる蛍光体におけるＹ／Ｘは、例えば０＜Ｙ／Ｘ≦０．０９５、好ましくは０＜Ｙ／Ｘ≦０．０６、より好ましくは０＜Ｙ／Ｘ≦０．０５である。Ｙ／Ｘが０である場合、結晶相表面の金属元素Ｍが欠陥部を形成して発光強度が低下し易くなる。また、Ｙ／Ｘが０．０９５より大きい場合、シェル部に金属元素Ｍが過剰に移行することでコア部の金属元素が減少し、発光強度が低下し易くなる。
　本発明に用いる蛍光体はシェル部の原料が液化する際に、金属元素Ｍがシェル部を構成する元素と中間体を形成する。そのため、コアシェル構造のシェル部には金属元素Ｍが存在し、Ｘは０にはならない。つまり、本発明に用いる蛍光体は、シェル部から金属元素Ｍが検出されないことはない。ホウ素及びケイ素がともに検出されない場合は、Ｙ／Ｘ＝０と定義する。
　ＥＤＸ測定は、測定する試料の厚さに応じて、適した測定方法を選択することができる。測定方法としては、例えば、ＳＥＭ－ＥＤＸやＴＥＭ－ＥＤＸ、ＳＴＥＭ－ＥＤＸ等が挙げられる。なお、ＥＤＸ測定でホウ素を正確に検出するためには、ウィンドウレス型ＥＤＸを用いることが好ましい。
空間分解能が高く、かつ、一度に多くの蛍光体の断面を観察できる観点から、蛍光体をイオンミリング装置で加工して蛍光体の断面を得て、その後、得られた蛍光体の断面をＳＥＭ－ＥＤＸ測定する方法が好ましい。なお、本手法を用いたＹ／Ｘの算出では、精度を高める観点から、２０ヶ所以上のシェル部について解析を行い、その平均値を用いることが好ましい。また、スペクトルの形状を良くする観点から、ＳＥＭの加速電圧は２０ｋＶに設定することが好ましい。
　本発明に用いる蛍光体は、粒度分布の中心粒径、即ち、Ｄ５０が、通常、０．１μｍ以上であり、１～５００μｍであってもよく、１～２００μｍであってもよく、１～１００μｍであってもよい。前記粒度分布のＤ５０が０．１μｍ未満の場合には、蛍光体の最表面での反射が増加することで発光強度が低下し易くなり、前記粒度分布のＤ５０が５００μｍより大きい場合には、フィルム及び素子等の部材の原料として使用することが困難になる。
　蛍光体の粒度分布は、例えばレーザー回折式粒子径分析装置により測定することができる。粒度分布のＤ５０は、体積基準で積算ふるい下分布５０％に相当する粒径である。
＜シランカップリング剤＞
　本発明に用いる蛍光体は、シェル部の表面に、ハロゲン原子を含まないシランカップリング剤の改質体を有する。シランカップリング剤とは、分子内に有機材料と反応結合する官能基、および無機材料と反応結合する官能基を有する有機ケイ素化合物をいう。シランカップリング剤は、蛍光体とシランカップリング剤とを混合した段階で、シェル部の表面に存在する水酸基などと反応し、結合し、改質される。その結果、蛍光体の表面は改質されたシランカップリング剤によって修飾される。シランカップリング剤は、シェル部の表面上で、官能基同士がシロキサン結合した改質体として存在するものがあり、未反応の化合物として存在するものもある。本明細書でいうシランカップリング剤という文言の意味には、シランカップリング剤の改質体が含まれる。
　本明細書において「シランカップリング剤の改質体」とは、シランカップリング剤が加水分解して生成する、Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ結合、または蛍光体表面の酸化ホウ素と結合したＳｉ－Ｏ－Ｂ結合を有するケイ素化合物をいう。シランカップリング剤の改質体は、シランカップリング剤に対し紫外線を照射する方法、及び、シランカップリング剤と水蒸気とを反応させる方法等の公知の方法により調製することができる。
　蛍光体のシェル部を、樹脂と親和性の高いシランカップリング剤の改質体で表面修飾することで、マトリックス樹脂との相溶性が向上し、マトリックス樹脂中での蛍光体の分散性が向上する。その結果、樹脂組成物中の空隙が減少して、６３０ｎｍ光の吸収率が低下し、発光強度が向上する等の効果が得られる。また、シランカップリング剤の改質体は、ハロゲン原子を含まないことで、樹脂と蛍光体と蛍光体シェル部それぞれとの密着性が向上し、樹脂組成物中の空隙が減少する。
　（シラン化合物）
　本発明に用いるシランカップリング剤の具体例としては、式
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
［式中、
　Ｒ１は、置換基を有してよい飽和又は不飽和の炭化水素基であり、
　Ｒ２は、水素原子、又は、置換基を有してよい飽和又は不飽和の炭化水素基であり、
　ａは１～３の整数である。］
で表されるシラン化合物が挙げられる。
　市場から入手しやすいシラン化合物は、例えば、前記炭化水素基が１～２０の炭素数を有するものである。炭化水素基の置換基は、結合対象の極性等を考慮して適宜変更することができる。一般には、（メタ）アクリロイルオキシ基、アミノ基、炭素数１～２０のアルキルアミノ基及びメルカプト基等の中から適宜選択される。炭素数１～２０のアルキルアミノ基の具体例としては、メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基及びブチルアミノ基等が挙げられる。
　ある一形態において、前記飽和または不飽和の炭化水素基は、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、１－メチルブチル基、ｎ－ヘキシル基、２－メチルペンチル基、３－メチルペンチル基、２，２－ジメチルブチル基、２，３－ジメチルブチル基、ｎ－ヘプチル基、２－メチルヘキシル基、３－メチルヘキシル基、２，２－ジメチルペンチル基、２，３－ジメチルペンチル基、２，４－ジメチルペンチル基、３，３－ジメチルペンチル基、３－エチルペンチル基、２，２，３－トリメチルブチル基、ｎ－オクチル基、イソオクチル基、２－エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基等のアルキル基を含む。
　中でも好ましいアルキル基は、炭素数１～１２、より好ましくは炭素数８～１２を有するものである。
　ある一形態において、前記飽和または不飽和の炭化水素基は、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１－アダマンチル基、２－アダマンチル基、トリシクロデシル基等のシクロアルキル基を含む。
　中でも好ましいシクロアルキル基は、炭素数４～６、より好ましくは炭素数６を有するものである。
　ある一形態において、炭素数１～２０の飽和または不飽和の炭化水素基は、ビニル基、アリル基等の不飽和アルキル基を含む。
　ある一形態において、前記飽和または不飽和の炭化水素基は、フェニル基、ベンジル基、トリル基及びｏ－キシリル基等のアリール基を含む。
　好ましい一形態において、前記Ｒ１は炭素数８～１２のアルキル基、炭素数４～６のシクロアルキル基又はビニル基を含む。
　本発明に用いるシラン化合物の具体例としては、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシフェニルシラン、エトキシトリエチルシラン、メトキシトリメチルシラン、メトキシジメチル（フェニル）シラン、ペンタフルオロフェニルエトキシジメチルシラン、トリメチルエトキシシラン、ジエトキシジメチルシラン、ジメトキシジメチルシラン、ジメトキシジフェニルシラン、ジメトキシメチルフェニルシラン、ジエトキシジフェニルシラン、ジメトキシメチルビニルシラン、ジエトキシ（メチル）フェニルシラン、アリルトリエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、トリエトキシエチルシラン、デシルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、トリメトキシ（メチル）シラン、トリエトキシメチルシラン、ｎ－オクチルトリエトキシシラン、３－（メタクリロイルオキシ）プロピルトリメトキシシラン、（３－メルカプトプロピル）トリエトキシシラン及びビニルトリメトキシシラン等が挙げられる。
　これらの中でも好ましいシラン化合物は、ジメトキシジフェニルシラン、ドデシルトリメトキシシラン、トリメトキシフェニルシラン、ｎ－オクチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシランであり、より好ましくは、ドデシルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、トリメトキシフェニルシランであり、さらに好ましくはトリメトキシフェニルシランである。かかるシラン化合物を使用することで、蛍光体の樹脂に対する相溶性が向上しやすく、蛍光体を含む樹脂組成物の可視域の光吸収が減少する等の効果が得られやすくなる。
　（シラザン化合物）
　本発明に用いるシランカップリング剤の他の例として、Ｓｉ－Ｎ－Ｓｉ結合を有するシラザン化合物が挙げられる。シラザン化合物は、直鎖状、分岐鎖状、又は環状のいずれであってもよい。シラザン化合物は、低分子シラザンであっても、高分子シラザンであってもよい。
　シラザン化合物の種類は、蛍光体等の無機物質の表面を改質するために通常使用される種類のものであれば特に限定されない。かかるシラザン化合物の具体例は、例えば、特開２０２０－６６７２５号公報の第０１４８～０１９７段落に記載されており、この部分の記載は、本明細書に援用する。但し、シラン化合物と同様の理由から、シラザン化合物もハロゲンを含有しないものを使用する。
　本発明に用いる低分子シラザン化合物の具体例としては、１，３－ジビニル－１，１，３，３－テトラメチルジシラザン、１，３－ジフェニルテトラメチルジシラザン、１，１，１，３，３，３－ヘキサメチルジシラザンオクタメチルシクロテトラシラザン、２，２，４，４，６，６－ヘキサメチルシクロトリシラザン及び２，４，６－トリメチル－２，４，６－トリビニルシクロトリシラザン等が挙げられる。
　高分子シラザン化合物として、市販品を使用してよく、ＮＮ１２０－１０、ＮＮ１２０－２０、ＮＡＸ１２０－２０、ＮＮ１１０、ＮＡＸ１２０、ＮＡＸ１１０、ＮＬ１２０Ａ、ＮＬ１１０Ａ、ＮＬ１５０Ａ、ＮＰ１１０、ＮＰ１４０（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製）並びに、ＡＺＮＮ－１２０－２０、Ｄｕｒａｚａｎｅ（登録商標）１５００　Ｓｌｏｗ　Ｃｕｒｅ、Ｄｕｒａｚａｎｅ１５００　Ｒａｐｉｄ　Ｃｕｒｅ、Ｄｕｒａｚａｎｅ１８００、及びＤｕｒａｚａｎｅ１０３３（メルクパフォーマンスマテリアルズ株式会社製）等が挙げられる。
＜蛍光体の原料＞
　本発明に用いる蛍光体を製造する原料は、結晶相の原料として、少なくとも、発光中心イオンを構成する金属元素又はアルミニウムを含む化合物、又は単体を用いる。ある一形態において、結晶相の原料には、Ｍ元素、Ａｌ、Ｍｇ、酸素又は窒素を含む化合物、又は単体を用いる。かかる原料化合物としては、Ｍ元素、Ａｌ又はＭｇを含む酸化物、水酸化物、炭酸塩、酢酸塩、硝酸塩、フッ化物、塩化物又は窒化物等が挙げられる。例えば、Ｍ元素を含む原料化合物として、酸化マンガン、炭酸マンガン、酢酸マンガン、硝酸マンガン、フッ化マンガン、塩化マンガン、窒化マンガン；Ｍｇを含む原料化合物として、酸化マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、酢酸マグネシウム、硝酸マグネシウム、フッ化マグネシウム、塩化マグネシウム、窒化マグネシウム；及びＡｌを含む原料化合物として、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、炭酸アルミニウム、酢酸アルミニウム、硝酸アルミニウム、フッ化アルミニウム、塩化アルミニウム、窒化アルミニウム等が挙げられる。
　アルミニウムを含む原料化合物は、特に制限はないが、蛍光体の結晶子のサイズを増大させる観点から、比表面積が０．０１～１５ｍ２／ｇ、好ましくは０．１～１０ｍ２／ｇ、より好ましくは０．６～６ｍ２／ｇ、さらに好ましくは４～６ｍ２／ｇであるものを使用するとよい
　アルミニウムを含む原料化合物の比表面積は、ＢＥＴ法により測定することができる。ＢＥＴ法とは、気相吸着法による粉体の表面積測定法の一つである。吸着等温線から試料１ｇ当たりの総表面積、すなわち比表面積を求めることができる。吸着気体としては、通常窒素ガスが用いられ、被吸着気体の圧力又は容積の変化から吸着量を測定する。吸着量はＢＥＴ式に基づいて求め、吸着分子１個が表面で占める面積を乗じて表面積を得ることができる。
　また、アルミニウムを含む原料化合物は、蛍光体の結晶子のサイズを増大させる観点から、粒度分布のＤ５０が０．２μｍ～９０μｍ、好ましくは０．２～２１μｍ、より好ましくは０．２～１０μｍ、さらに好ましくは０．２～１μｍである。
　本発明に用いる蛍光体が、結晶相からなるコア部と、該コア部の表面の少なくとも一部を覆うシェル部とを有するコアシェル構造を有する場合、シェル部の原料として、ホウ素及びケイ素からなる群から選択される少なくとも一つの元素を含む化合物を用いることができる。加熱時に、結晶相の原料とシェル部の原料とを使用することで、蛍光体の結晶子のサイズが増大する。シェル部の原料としては、例えば酸化ホウ素、窒化ホウ素、ホウ酸、ガラスフリット等が挙げられる。
　ガラスフリットとは、ガラスを粉砕した粉末ガラスである。主成分は二酸化ケイ素であるが、酸化アルミニウム、酸化ビスマス、酸化カルシウム、酸化ホウ素、酸化バリウム、酸化ストロンチウム、酸化カルシウム、酸化ナトリウム、酸化亜鉛、酸化リチウム、酸化カリウム、酸化ジルコニウム等を含んでもよい。
　本発明に用いる蛍光体を製造する際に、上述の原料化合物以外の原料として、結晶性を高める観点から、フッ化リチウムを添加してもよい。
＜蛍光体の製造方法＞
　本発明に用いる蛍光体は、例えば、次の方法によって製造することができる。即ち、まず、結晶相の原料を、Ｍ元素、Ｍｇ、Ａｌ、Ｏ及びＮが式（Ａ）又は（Ｂ）に規定された所定のモル比率になるように秤量し、それらを混合する。この際、前記合計量に対して所定の比率のシェル部の原料を秤量し、結晶相の原料とともに混合してもよい。混合は、混合装置、例えばボールミル、サンドミル、ピコミル等を用いて行うことができる。
　次いで、調製された原料混合物を加熱する。加熱は、シェル部の原料は液化するが、得られる蛍光体の母体結晶を維持することができる温度で行う。例えば、加熱温度が１７００℃以下である場合には、蛍光体の母体結晶が崩壊することなく、所望の結晶構造を得ることができる。加熱温度は、例えば、１２５０～１７００℃、好ましくは１３００℃～１６５０℃、より好ましくは１３５０℃～１６００℃、さらに好ましくは１４００℃～１６００℃で行うことができる。本発明の製造方法において、母体結晶とは、得られる蛍光体のコア部の結晶構造を有する結晶である。
　加熱雰囲気は、好ましくは水素と窒素の混合雰囲気である。加熱雰囲気に使用する混合雰囲気は、好ましくは水素と窒素の比が１：９９～１００：０であり、より好ましくは水素と窒素の比が５：９５～１０：９０である。
　加熱時間は、工業的に現実的な時間であれば問題ないが、たとえば加熱温度が前記範囲にある場合、１～１０時間、好ましくは２～８時間である。加熱時間がこの範囲にあることで、蛍光体の母体結晶が崩壊することなく、所望の結晶構造を得ることができる。本発明に用いる蛍光体は、前記固相反応法を用いて製造してもよいし、他の製造方法、例えば溶液法、溶融合成法等を用いて合成してもよい。
　次いで、得られたコアシェル構造を有する蛍光体を、シランカップリング剤で表面処理する。
　蛍光体の表面処理は、蛍光体の粒子をシランカップリング剤と混合することにより行う。混合時の雰囲気は空気中でもよく、窒素などの不活性雰囲気中でもよいが、空気中の酸素や水分と反応させて、表面処理を促進させる観点から、空気中での反応が好ましい。蛍光体の粒子をシランカップリング剤と反応させ、表面処理を促進させる観点から、蛍光体の粒子とシランカップリング剤とを混合した後に、水や水蒸気を添加してもよい。蛍光体とシランカップリング剤との混合は、共存することが可能な溶媒の存在下に行ってもよい。使用するシランカップリング剤の量は、蛍光体を基準にして、０．１～５０重量％、好ましくは１～３０重量％、更に好ましくは、５～２０重量％である。
＜組成物＞
　本発明に用いる、シランカップリング剤で表面処理された蛍光体は、樹脂、モノマー、又はモノマーと樹脂との混合物の中に分散させて、組成物として使用することができる。以下、「蛍光体」という文言は、シランカップリング剤で表面処理された蛍光体を意味する。蛍光体を樹脂の中に分散させる場合、組成物において、蛍光体はドメインを形成し、樹脂はマトリックスを形成する。本明細書においては、かかる組成物を樹脂組成物という。
　組成物中の蛍光体の濃度は、組成物の用途に応じて変化させる。一般には、組成物中の蛍光体の濃度は、組成物を基準にして５～９０重量％、好ましくは１５～８５重量％、より好ましくは２５～７０重量％である。組成物中の蛍光体の濃度が小さすぎると、組成物の発光強度が不十分になり易く、大きすぎると、樹脂の成型性が悪化することがある。
　前記樹脂には、アクリル系樹脂、スチレン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂及びシリコーン樹脂等を使用することができる。中でも、発光強度を向上させ、６３０ｎｍ光の吸収を抑制する観点から、アクリル樹脂、シリコーン樹脂が好ましく、アクリル樹脂がより好ましい。
　シリコーン樹脂としては、シリル基とビニル基の付加重合反応で重合する付加重合性シリコーンや、アルコキシシランの縮合重合で重合する縮合重合性のシリコーンが挙げられ、耐熱性、耐水性、耐光性や発光強度を向上させる観点から、付加重合性のシリコーンが好ましい。
　シリコーン樹脂としては、シリコーン中のＳｉ元素に有機基が結合しているものが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基、フェニル基、エポキシ基等の官能基が挙げられ、耐熱性、耐水性、耐光性や発光強度を向上させる観点から、フェニル基が好ましい。
　シリコーン樹脂としては、ＫＥ－１０８（信越化学工業株式会社製）、ＫＥ－１０３１（信越化学工業株式会社製）、ＫＥ－１０９Ｅ（信越化学工業株式会社製）、ＫＥ－２５５（信越化学工業株式会社製）、ＫＲ－１１２（信越化学工業株式会社製）、ＫＲ－２５１（信越化学工業株式会社製）、ＫＲ－３００（信越化学工業株式会社製）が挙げられる。
　これらのシリコーンは単独で使用しても複数種類を混合して使用してもよい。
　アクリル系樹脂は、例えば、（メタ）アクリル酸エステル、（メタ）アクリロニトリルなどの（メタ）アクリル系モノマーの単独重合体または２種以上の共重合体、又はアクリル系モノマーとその他のモノマーとの共重合体などが挙げられる。なお、本明細書において、用語「（メタ）アクリル」は、「アクリル」または「メタクリル」を意味する。
　（メタ）アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステル（（メタ）アクリル酸アルキル）を主体とする単量体を重合して得られる重合体であり、例えば、（メタ）アクリル酸エステルの単独重合体（ポリアルキルメタクリレート）や（メタ）アクリル酸エステルの共重合体、５０重量％以上の（メタ）アクリル酸エステルと５０重量％以下の（メタ）アクリル酸エステル以外の単量体との共重合体などが挙げられる。（メタ）アクリル酸エステルと（メタ）アクリル酸エステル以外の単量体との共重合体の場合、単量体総量に対して、好ましくは（メタ）アクリル酸エステルが７０重量％以上、他の単量体が３０重量％以下であり、より好ましくは（メタ）アクリル酸エステルが９０重量％以上、他の単量体が１０重量％以下である。
（メタ）アクリル酸エステルとしては、具体的には、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ－プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ｎ－ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸２－エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸ｎ－オクチル、（メタ）アクリル酸ｎ－ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ｎ－アミル、（メタ）アクリル酸イソアミル、（メタ）アクリル酸ラウリル、（メタ）アクリル酸ベンジル、（メタ）アクリル酸フェニル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル酸メトキシエチル、（メタ）アクリル酸エトキシエチル、（メタ）アクリル酸２－ナフチル、（メタ）アクリル酸フェノキシメチルなどが挙げられる。これらの中でも、アルキル基部分の炭素数が１～８個の（メタ）アクリル酸アルキルが好ましく、（メタ）アクリル酸メチルがより好ましい。
（メタ）アクリル酸エステル以外の単量体としては、アクリル酸エステル（アクリル酸アルキル）単量体、芳香族ビニル単量体、不飽和ニトリル単量体、エチレン性不飽和エーテル単量体、ハロゲン化ビニル系単量体、脂肪族共役ジエン系単量体などが挙げられ、中でも、アクリル酸エステルが好ましく用いられる。なお、（メタ）アクリル酸エステル以外の単量体は単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
　芳香族ビニル単量体としては、例えば、スチレン、α－メチルスチレン、ｏ－メチルスチレン、ｐ－メチルスチレン、ｏ－エチルスチレン、ｐ－エチルスチレン、ｏ－クロロスチレン、ｐ－クロロスチレン、ｐ－メトキシスチレン、ｐ－アセトキシスチレン、α－ビニルナフタレン、２－ビニルフルオレンなどが挙げられる。この中でも、スチレンがより好ましい。
　不飽和ニトリル単量体としては、例えば、アクリロニトリル、α－クロロアクリロニトリル、α－メトキシアクリロニトリル、メタクリロニトリル、シアン化ビニリデンなどが挙げられる。
　エチレン性不飽和エーテル単量体としては、例えば、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、ｎ－プロピルビニルエーテル、イソプロピルビニルエーテル、メチルアリルエーテル、エチルアリルエーテルなどが挙げられる。
　ハロゲン化ビニル単量体としては、例えば、塩化ビニル、塩化ビニリデン、１，２－ジクロロエチレン、臭化ビニル、臭化ビニリデン、１，２－ジブロモエチレンなどが挙げられる。
　脂肪族共役ジエン系単量体としては、例えば、１，３－ブタジエン、２－メチル－１，３－ブタジエン、２，３－ジメチル－１，３－ブタジエン、２－ネオペンチル－１，３－ブタジエン、２－クロロ－１，３－ブタジエン、１，２ジクロロ－１，３－ブタジエン、２，３－ジクロロ－１，３－ブタジエン、２－ブロモ－１，３－ブタジエン、２－シアノ－１，３－ブタジエン、置換直鎖共役ペンタジエン類、直鎖および側鎖共役ヘキサジエンなどが挙げられる。
　アクリル系樹脂は、上述の単量体を、例えば、乳化重合法、懸濁重合法、塊状重合法、注液重合法（キャスト重合法）などの重合方法に供することによって得られる。重合は、光照射や重合開始剤を用いて行われ、アゾ系開始剤（例えば、２，２'－アゾビスイソブチロニトリル、２，２'－アゾビス（２，４－ジメチルバレロニトリル）など）、過酸化物系開始剤（ラウロイルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイドなど）、有機過酸化物とアミン類とを組み合わせたレドックス系開始剤などの重合開始剤を用いることが好ましい。重合開始剤は、アクリル樹脂を構成する単量体１００質量部に対して、通常０．０１～１質量部、好ましくは０．０１～０．５質量部の割合で用いられる。さらに、分子量制御のための連鎖移動剤（メチルメルカプタン、ｎ－ブチルメルカプタン、ｔ－ブチルメルカプタンのような直鎖または分岐したアルキルメルカプタン化合物など）、架橋剤などを添加してもよい。
　アクリル系樹脂は、粘度平均分子量が、好ましくは５００００～３０００００であり、より好ましくは７００００～２００００００である。
　前記組成物に使用するモノマーとしては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、メトキシエチル（メタ）アクリレート、エトキシエチル（メタ）アクリレート、ｎ－プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ－ブチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、シクロペンチル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、２－メチルシクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、アダマンチル（メタ）アクリレート、アリル（メタ）アクリレート、プロパルギル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、ナフチル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、ノニルフェニルカルビトル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－フェノキシプロピル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシルカルビトル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，７－ヘプタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，８－オクタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９－ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、１，１０－デカンジオールジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡのビス［（メタ）アクリロイルオキシエチル］エーテル、３－エチルペンタンジオールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、トリペンタエリスリトールオクタ（メタ）アクリレート、トリペンタエリスリトールヘプタ（メタ）アクリレート、テトラペンタエリスリトールデカ（メタ）アクリレート、テトラペンタエリスリトールノナ（メタ）アクリレート、エチレングリコール変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、プロピレングリコール変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エチレングリコール変性ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、プロピレングリコール変性ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、エチレングリコール変性ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、プロピレングリコール変性ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレートコハク酸モノエステル、トリス（２－（メタ）アクリロイルオキシエチル）イソシアヌレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　耐熱性、耐水性、耐光性や発光強度を向上させる観点から、好ましい（メタ）アクリレートとしては、イソボルニル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、メチル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレートが挙げられる。
　これらのモノマーは単独で使用しても複数種類を混合して使用してもよい。
　前記組成物中に含まれるモノマー成分及び／又は樹脂成分の割合としては、特に制限はないが、１０ｗｔ％以上、９９ｗｔ％以下であり、好ましくは、２０ｗｔ％以上、８０ｗｔ％以下であり、より好ましくは、３０ｗｔ％以上、７０ｗｔ％以下である。
　前記組成物は、モノマー成分及び／又は樹脂成分を硬化させ、耐熱性、耐水性、耐光性や発光強度を向上させる観点から、硬化剤を含んでいてもよい。硬化剤としては、複数の官能基を有する硬化剤が挙げられる。複数の官能基を有する硬化剤としては、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、チオール基を含有するメルカプト化合物等が挙げられる。
　前記組成物中に含まれる硬化剤の割合としては、特に制限はないが、０．１ｗｔ％以上、２０ｗｔ％以下であり、好ましくは、１ｗｔ％以上、１０ｗｔ％以下であり、より好ましくは、２ｗｔ％以上、７ｗｔ％以下である。
　前記組成物は、モノマー成分及び／又は樹脂成分を重合させて、耐熱性、耐水性、耐光性や発光強度を向上させる観点から、開始剤を含んでいてもよい。開始剤としては、光重合性の開始剤でもよく、熱重合性の開始剤でもよい。
　本発明に用いられる熱重合開始剤としては特に制限はないが、アゾ系開始剤、過酸化物、過硫酸酸、及びレドックス開始剤が挙げられる。
　アゾ系開始剤としては、特に制限はないが、２，２’－アゾビス（４－メトキシ－２，４－ジメチルバレロニトリル）、２，２’－アゾビス（２－アミジノプロパン）二塩酸塩、２，２’－アゾビス（２，４－ジメチルバレロニトリル）、２，２’－アゾビス（イソブチロニトリル）、２，２’－アゾビス－２－メチルブチロニトリル、１，１－アゾビス（１－シクロヘキサンカルボニトリル）、２，２’－アゾビス（２－シクロプロピルプロピオニトリル）、及び２，２’－アゾビス（メチルイソブチレ－ト）等が挙げられる。
　過酸化物開始剤としては、特に制限はないが、過酸化ベンゾイル、過酸化アセチル、過酸化ラウロイル、過酸化デカノイル、過酸化ジクミル、ジセチルパーオキシジカーボネート、ｔ－ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ジ（４－ｔ－ブチルシクロヘキシル）パーオキシジカーボネート、ジ（２－エチルヘキシル）パーオキシジカーボネート、ｔ－ブチルパーオキシピバレート、ｔ－ブチルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート等が挙げられる。
　過硫酸塩開始剤としては、特に制限はないが、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム、及び過硫酸アンモニウムが挙げられる。
　レドックス（酸化還元）開始剤としては、特に制限はないが、前記過硫酸塩開始剤のメタ亜硫酸水素ナトリウム及び亜硫酸水素ナトリウムのような還元剤との組み合わせ；有機過酸化物と第３級アミンに基づく系、例えば過酸化ベンゾイルとジメチルアニリンに基づく系；並びに有機ヒドロパーオキシドと遷移金属に基づく系、例えばクメンヒドロパーオキシドとコバルトナフテートに基づく系等が挙げられる。
　他の開始剤としては、特に制限はないが、テトラフェニル１，１，２，２－エタンジオールのようなピナコール等が挙げられる。
　熱重合開始剤としては、アゾ系開始剤、過酸化物系開始剤が好ましく、より好ましくは、２，２’－アゾビス（メチルイソブチレ－ト）、ｔ－ブチルパーオキシピバレート、及びジ（４－ｔ－ブチルシクロヘキシル）パーオキシジカーボネート、ｔ－ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、過酸化ベンゾイルが挙げられる。
　光重合開始剤としては、特に制限されないが、Ｏ－アシルオキシム化合物等のオキシム系化合物、アルキルフェノン化合物、アシルホスフィンオキサイド化合物等が挙げられる。
　Ｏ－アシルオキシム化合物としては、Ｎ－ベンゾイルオキシ－１－（４－フェニルスルファニルフェニル）ブタン－１－オン－２－イミン、Ｎ－ベンゾイルオキシ－１－（４－フェニルスルファニルフェニル）オクタン－１－オン－２－イミン、Ｎ－ベンゾイルオキシ－１－（４－フェニルスルファニルフェニル）－３－シクロペンチルプロパン－１－オン－２－イミン、Ｎ－アセトキシ－１－［９－エチル－６－（２－メチルベンゾイル）－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］エタン－１－イミン、Ｎ－アセトキシ－１－［９－エチル－６－｛２－メチル－４－（３，３－ジメチル－２，４－ジオキサシクロペンタニルメチルオキシ）ベンゾイル｝－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］エタン－１－イミン、Ｎ－アセトキシ－１－［９－エチル－６－（２－メチルベンゾイル）－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］－３－シクロペンチルプロパン－１－イミン、Ｎ－ベンゾイルオキシ－１－［９－エチル－６－（２－メチルベンゾイル）－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］－３－シクロペンチルプロパン－１－オン－２－イミン、Ｎ－アセチルオキシ－１－［４－（２－ヒドロキシエチルオキシ）フェニルスルファニルフェニル］プロパン－１－オン－２－イミン、Ｎ－アセチルオキシ－１－［４－（１－メチル－２－メトキシエトキシ）－２－メチルフェニル］－１－（９－エチル－６－ニトロ－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）メタン－１－イミン等が挙げられる。
　イルガキュア（商品名）ＯＸＥ０１、同ＯＸＥ０２、同ＯＸＥ０３（以上、ＢＡＳＦ社製）、Ｎ－１９１９、ＮＣＩ－９３０、ＮＣＩ－８３１（以上、ＡＤＥＫＡ社製）等の市販品を用いてもよい。
　アルキルフェノン化合物としては、２－メチル－２－モルホリノ－１－（４－メチルスルファニルフェニル）プロパン－１－オン、２－ジメチルアミノ－１－（４－モルホリノフェニル）－２－ベンジルブタン－１－オン、２－（ジメチルアミノ）－２－［（４－メチルフェニル）メチル］－１－［４－（４－モルホリニル）フェニル］ブタン－１－オン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニルプロパン－１－オン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－〔４－（２－ヒドロキシエトキシ）フェニル〕プロパン－１－オン、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－（４－イソプロペニルフェニル）プロパン－１－オンのオリゴマー、α，α－ジエトキシアセトフェノン、ベンジルジメチルケタール等が挙げられる。
　Ｏｍｎｉｒａｄ（商品名）３６９、同９０７、同３７９（以上、ＩＧＭ　Ｒｅｓｉｎｓ　Ｂ．Ｖ．社製）等の市販品を用いてもよい。
　アシルホスフィンオキサイド化合物としては、フェニルビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）ホスフィンオキサイド（例えば、商品名「ｏｍｎｉｒａｄ　８１９」（ＩＧＭ　Ｒｅｓｉｎｓ　Ｂ．Ｖ．社製））、２，４，６－トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド等が挙げられる。光重合開始剤のさらなる例としては、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾイン化合物；ベンゾフェノン、ｏ－ベンゾイル安息香酸メチル、４－フェニルベンゾフェノン、４－ベンゾイル－４’－メチルジフェニルサルファイド、３，３’，４，４’－テトラ（ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、２，４，６－トリメチルベンゾフェノン、４，４’－ジ（Ｎ，Ｎ’－ジメチルアミノ）－ベンゾフェノン等のベンゾフェノン化合物；２－イソプロピルチオキサントン、２，４－ジエチルチオキサントン等のキサントン化合物；９，１０－ジメトキシアントラセン、２－エチル－９，１０－ジメトキシアントラセン、９，１０－ジエトキシアントラセン、２－エチル－９，１０－ジエトキシアントラセン等のアントラセン化合物；９，１０－フェナンスレンキノン、２－エチルアントラキノン、カンファーキノン等のキノン化合物；ベンジル、フェニルグリオキシル酸メチル、チタノセン化合物等が挙げられる。
　前記組成物は、組成物の酸化を抑制し、耐熱性、耐水性、耐光性や発光強度を向上させる観点から、酸化防止剤を含んでいてもよい。酸化防止剤としては、例えば、アミン系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、リン－フェノール系酸化防止剤、金属化合物系酸化防止剤等が挙げられ、好ましくは、アミン系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤、フェノール系酸化防止剤及びリン系酸化防止剤からなる群より選ばれる少なくとも一つを含み、より好ましくは、硫黄系酸化防止剤、フェノール系酸化防止剤及びリン系酸化防止剤からなる群より選ばれる少なくとも一つを含む。
　アミン系酸化防止剤とは、分子内にアミノ基を有する酸化防止剤である。アミン系酸化防止剤としては、例えば、１－ナフチルアミン、フェニル－１－ナフチルアミン、ｐ－オクチルフェニル－１－ナフチルアミン、ｐ－ノニルフェニル－１－ナフチルアミン、ｐ－ドデシルフェニル－１－ナフチルアミン、フェニル－２－ナフチルアミン等のナフチルアミン系酸化防止剤；Ｎ，Ｎ’－ジイソプロピル－ｐ－フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’－ジイソブチル－ｐ－フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－ｐ－フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’－ジ－β－ナフチル－ｐ－フェニレンジアミン、Ｎ－フェニル－Ｎ’－イソプロピル－ｐ－フェニレンジアミン、Ｎ－シクロヘキシル－Ｎ’－フェニル－ｐ－フェニレンジアミン、Ｎ－１，３－ジメチルブチル－Ｎ’－フェニル－ｐ－フェニレンジアミン、ジオクチル－ｐ－フェニレンジアミン、フェニルヘキシル－ｐ－フェニレンジアミン、フェニルオクチル－ｐ－フェニレンジアミン等のフェニレンジアミン系酸化防止剤；ジピリジルアミン、ジフェニルアミン、ｐ，ｐ’－ジ－ｎ－ブチルジフェニルアミン、ｐ，ｐ’－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルジフェニルアミン、ｐ，ｐ’－ジ－ｔｅｒｔ－ペンチルジフェニルアミン、ｐ，ｐ’－ジオクチルジフェニルアミン、ｐ，ｐ’－ジノニルジフェニルアミン、ｐ，ｐ’－ジデシルジフェニルアミン、ｐ，ｐ’－ジドデシルジフェニルアミン、ｐ，ｐ’－ジスチリルジフェニルアミン、ｐ，ｐ’－ジメトキシジフェニルアミン、４，４’－ビス（４－α，α－ジメチルベンゾイル）ジフェニルアミン、ｐ－イソプロポキシジフェニルアミン、ジピリジルアミン等のジフェニルアミン系酸化防止剤；フェノチアジン、Ｎ－メチルフェノチアジン、Ｎ－エチルフェノチアジン、３，７－ジオクチルフェノチアジン、フェノチアジンカルボン酸エステル、フェノセレナジン等のフェノチアジン系酸化防止剤；セバシン酸ビス（２，２，６，６－テトラメチル－４－ピペリジニル）（ＢＡＳＦ社製　商品名「Ｔｉｎｕｖｉｎ　７７０」）；マロン酸［（４－メトキシフェニル）－メチレン］－ビス（１，２，２，６，６－ペンタメチル－４－ピペリジニル）（クラリアント社製　商品名「Ｈｏｓｔａｖｉｎ　ＰＲ３１」）等が挙げられる。
　硫黄系酸化防止剤とは、分子内に硫黄原子を有する酸化防止剤である。硫黄系酸化防止剤としては、例えば、チオジプロピオン酸ジラウリル、ジミリスチル又はジステアリル等のジアルキルチオジプロピオネート化合物（「スミライザー　ＴＰＭ」（商品名、住友化学（株）製）等）、テトラキス［メチレン（３－ドデシルチオ）プロピオネート］メタン、テトラキス［メチレン（３－ラウリルチオ）プロピオネート］メタン等のポリオールのβ－アルキルメルカプトプロピオン酸エステル化合物、２－メルカプトベンズイミダゾール等が挙げられる。
　フェノール系酸化防止剤とは、分子内にフェノール性ヒドロキシ基を有する酸化防止剤である。本明細書では、フェノール性ヒドロキシ基とリン酸エステル構造又は亜リン酸エステル構造とをともに有するリン－フェノール系酸化防止剤は、フェノール系酸化防止剤として分類する。フェノール系酸化防止剤としては、例えば、１，１，３－トリス（２－メチル－４－ヒドロキシ－５－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ブタン、４、４’－ブチリデン－ビス（３－メチル－６－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール）、１，３，５－トリメチル－２，４，６－トリス（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシベンジル）ベンゼン、２－ｔｅｒｔ－ブチル－６－（３－ｔｅｒｔ－ブチル－２－ヒドロキシ－５－メチルベンジル）－４－メチルフェニルアクリレート、（テトラキス［メチレン－３－（３，５－ジ゛－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、ペンタエリスリトールテトラキス［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、オクタデシル－３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート（「Ｉｒｇａｎｏｘ　１０７６」（商品名、ＢＡＳＦ社製））、３，３’，３’’，５，５’，５’’－ヘキサ－ｔｅｒｔ－ブチル－ａ，ａ’，ａ’’－（メシチレン－２，４，６－トリイル）トリ－ｐ－クレゾール、１，３，５－トリス（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（（４－ｔｅｒｔ－ブチル－３－ヒドロキシ－２，６－キシリル）メチル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、チオジエチレンビス［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、ベンゼンプロパン酸、３，５－ビス（１，１－ジメチルエチル）－４－ヒドロキシＣ７－Ｃ９側鎖アルキルエステル、４，６－ビス（オクチルチオメチル）－ｏ－クレゾール、２，４－ビス（ｎ－オクチルチオ）－６－（４－ヒドロキシ３’，５’－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルアニリノ）－１，３，５－トリアジン、３，９－ビス（２－（３－（３－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）プロピオニルオキシ）－１，１－ジメチルエチル）－２，４，８，１０－テトラオキサスピロ（５，５）ウンデカン（（株）ＡＤＥＫＡ製　商品名「アデカスタブ　ＡＯ－８０」）、トリエチレングリコール－ビス［３－（３－ｔｅｒｔ－ブチル－５－メチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、４，４’－チオビス（６－ｔｅｒｔ－ブチル－３－メチルフェノール）、トリス－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシベンジル）－イソシアヌレート、１，３，５－トリス（４－ｔｅｒｔ－ブチル－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル）－イソシアヌレート、１，６－ヘキサンジオール－ビス［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、Ｎ，Ｎ’－ヘキサメチレンビス（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－ヒドロシンナムアミド）、１，３，５－トリメチル－２，４，６－トリス（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシベンジル）ベンゼン、１，６－ヘキサンジオール－ビス－［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、２，２’－メチレンビス（４－メチル－６－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール）、１，３，５－トリス（４－ヒドロキシベンジル）ベンゼン、６，６’－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４，４’－ブチリデンジ－ｍ－クレゾール（（株）ＡＤＥＫＡ製　商品名「アデカスタブ　ＡＯ－４０」）、「Ｉｒｇａｎｏｘ　３１２５」（商品名、ＢＡＳＦ社製）、「スミライザー　ＢＨＴ」（商品名、住友化学（株）製）、「スミライザー　ＧＡ－８０」（商品名、住友化学（株）製）、「スミライザー　ＧＳ」（商品名、住友化学（株）製）、「シアノックス　１７９０」（商品名、（株）サイテック製）、ビタミンＥ（エーザイ（株）製)等が挙げられる。
　リン－フェノール系酸化防止剤としては、例えば、２，１０－ジメチル－４，８－ジ－ｔｅｒｔ－ブチ－６－［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロポキシ］－１２Ｈ－ジベンゾ［ｄ，ｇ］［１，３，２］ジオキサホスホシン、２，４，８，１０－テトラ－ｔｅｒｔ－ブチル－６－［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロポキシ］ジベンゾ［ｄ，ｆ］［１，３，２］ジオキサホスフェピン、２，４，８，１０－テトラ－ｔｅｒｔ－ブチル－６－［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ］－ジベンゾ［ｄ，ｆ］［１，３，２］ジオキサホスフェピン（住友化学（株）製　商品名「スミライザー　ＧＰ」）等が挙げられる。
　リン系酸化防止剤とは、リン酸エステル構造又は亜リン酸エステル構造を有する酸化防止剤である。リン系酸化防止剤としては、例えば、ジフェニルイソオクチルフォスファイト、２，２’－メチレンビス（４，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）オクチルフォスファイト、ジフェニルイソデシルフォスファイト、ジフェニルイソデシルフォスファイト、トリフェニルフォスフェート、トリブチルフォスフェート、ジイソデシルペンタエリスリトールジフォスファイト、ジステアリルペンタエリスリトールジフォスファイト、サイクリックネオペンタンテトライルビス（２，４－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）フォスファイト、サイクリックネオペンタンテトライルビス（２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）フォスファイト、サイクリックネオペンタンテトライルビス（２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－メチルフェニル）フォスファイト、６－［３－（３－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）プロポキシ］－２，４，８，１０－テトラ－ｔｅｒｔ－ブチルベンゾ［ｄ，ｆ］［１，３，２］ジオキサフォスフェピン、トリス（ノニルフェニル）フォスファイト（（株）ＡＤＥＫＡ製　商品名「アデカスタブ　１１７８」）、トリス（モノ－＆ジノニルフェニルミックスド）フォスファイト、ジフェニルモノ（トリデシル）フォスファイト、２，２’－エチリデンビス（４，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール）フルオロフォスファイト、フェニルジイソデシルフォスファイト、トリス（２－エチルヘキシル）フォスファイト、トリス（イソデシル）フォスファイト、トリス（トリデシル）フォスファイト、トリス（２，４－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）フォスファイト、テトラキス（２，４－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４，４’－ビフェニレン－ジ－フォスフォナイト、４，４’－イソプロピリデンジフェニルテトラアルキル（Ｃ１２－Ｃ１５）ジフォスファイト、４，４’－ブチリデンビス（３－メチル－６－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－ジトリデシルフォスファイト、ビス（ノニルフェニル）ペンタエリトリトールジフォスファイト、ビス（２，４－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ペンタエリトリトール－ジ－フォスファイト、シクリックネオペンタンテトライルビス（２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－メチルフェニル－フォスファイト）、１，１，３－トリス（２－メチル－４－ジトリデシルフォスファイト－５－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ブタン、テトラキス（２，４－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－５－メチルフェニル）－４，４’－ビフェニルエンジフォスフォナイト、トリ－２－エチルヘキシルフォスファイト、トリイソデシルフォスファイト、トリステアリルフォスファイト、フェニルジイソデシルフォスファイト、トリラウリルトリチオフォスファイト、ジステアリルペンタエリトリトールジフォスファイト、トリス（ノニルアテドフェニル）フォスファイトトリス［２－［［２，４，８，１０－テトラ－ｔｅｒｔ－ブチルジベンゾ［ｄ，ｆ］［１，３，２］ジオキサフォスフィン－６－イル］オキシ］エチル］アミン、ビス（２，４－ビス（１，１－ジメチルエチル）－６－メチルフェニル）エチルエステル亜リン酸、３，９－ビス（２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－メチルフェノキシ）－２，４，８，１０－テトラオキサ－３，９－ジホスファスピロ［５．５］ウンデカン、ビス（２，４－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、２，２’－メチレンビス（４，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－１－フェニルオキシ）（２－エチルヘキシルオキシ）ホスホラス、トリフェニルホスファイト、４，４’－ブチリデン－ビス（３－メチル－６－ｔｅｒｔ－ブチルフェニルジトリデシル）ホスファイト、オクタデシルホスファイト、９，１０－ジヒドロ－９－オキサ－１０－ホスファフェナントレン－１０－オキサイド、１０－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシベンジル）－９，１０－ジヒドロ－９－オキサ－１０－ホスファフェナントレン－１０－オキサイド、１０－デシルオキシ－９，１０－ジヒドロ－９－オキサ－１０－ホスファフェナントレン－１０－オキサイド、２，２－メチレンビス（４，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）オクチルホスファイト、テトラキス（２，４－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）［１，１－ビフェニル］－４，４’－ジイルビスホスホナイト、ビス［２，４－ビス（１，１－ジメチルエチル）－６－メチルフェニル］エチルエステル、ホスホン酸、「アデカスタブ　３２９Ｋ」（商品名、（株）ＡＤＥＫＡ製）、「アデカスタブ　ＰＥＰ３６」（商品名、（株）ＡＤＥＫＡ製）、「アデカスタブ　ＰＥＰ－８」（商品名、（株）ＡＤＥＫＡ製）、「Ｓａｎｄｓｔａｂ　Ｐ－ＥＰＱ」（商品名、クラリアント社製）、「ウェストン　６１８」（商品名、ＧＥ社製）、「ウェストン　６１９Ｇ」（商品名、ＧＥ社製）、「ウルトラノックス　６２６」（商品名、ＧＥ社製）等が挙げられる。
　前記組成物中に含まれる酸化防止剤の割合としては、特に制限はないが、０．１ｗｔ％以上、２０ｗｔ％以下であり、好ましくは、１ｗｔ％以上、１０ｗｔ％以下であり、より好ましくは、２ｗｔ％以上、７ｗｔ％以下である。
　前記組成物は、組成物中を通過した光を散乱させて組成物の光の吸収量を向上させ、発光強度を向上させる観点から、光散乱材を含んでいてもよい。光散乱材としては、特に制限はないが、ポリマー微粒子や無機微粒子が挙げられる。ポリマー微粒子に使用されるポリマーとしては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂が挙げられる。
　光散乱材に使用される無機微粒子としては、酸化物、水酸化物、硫化物、窒化物、炭化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物及びフッ化物等の公知の無機化合物を含む微粒子が挙げられる。
　前記光散乱材において、無機微粒子に含まれる酸化物としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化セリウム、酸化イットリウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウム、酸化カルシウム、酸化タングステン、酸化インジウム及び酸化ガリウム、酸化チタン等の公知の酸化物、又はそれらの混合物が挙げられ、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化ニオブが好ましく、酸化アルミニウム、酸化ニオブがさらに好ましい、酸化ニオブがもっとも好ましい。
　前記光散乱材において、無機微粒子に含まれる酸化アルミニウムとしては、αアルミナ、γアルミナ、θアルミナ、δアルミナ、ηアルミナ、κアルミナ及びχアルミナ等の公知の酸化アルミニウムが挙げられ、αアルミナ、γアルミナが好ましく、αアルミナがより好ましい。
　前記光散乱材において、酸化アルミニウムは、市販品であってよく、硝酸アルミニウム、塩化アルミニウム、及びアルミニウムアルコキシド等の原料を焼成して、アルミナを得てもよい。市販品の酸化アルミニウムとしては、ＡＫＰ－２０（住友化学社製）、ＡＫＰ－３０（住友化学社製）、ＡＫＰ－５０（住友化学社製）、ＡＫＰ－５３（住友化学社製）、ＡＫＰ－３０００（住友化学社製）、ＡＡ－０２（住友化学社製）、ＡＡ－０３（住友化学社製）、ＡＡ－０４（住友化学社製）、ＡＡ－０５（住友化学社製）、ＡＡ－０７（住友化学社製）、ＡＡ－１．５（住友化学社製）、ＡＡ－３（住友化学社製）、及びＡＡ－１８（住友化学社製）が挙がられ、吸光度の観点から、ＡＡ－０２（住友化学社製）、ＡＡ－３（住友化学社製）、ＡＡ－１８（住友化学社製）、ＡＫＰ－２０（住友化学社製）、ＡＫＰ－３０００（住友化学社製）、ＡＫＰ－５３（住友化学社製）、ＡＫＰ－３０（住友化学社製）、ＡＫＰ－５０（住友化学社製）、が好ましく、ＡＡ－０２（住友化学社製）、ＡＡ－３（住友化学社製）、ＡＫＰ－５３（住友化学社製）、ＡＫＰ－３０００（住友化学社製）、ＡＫＰ－３０（住友化学社製）、ＡＫＰ－５０（住友化学社製）、がさらに好ましい。
　前記光散乱材において、無機微粒子に含まれる水酸化物としては、水酸化アルミニウム、水酸化亜鉛、水酸化マグネシウム、水酸化セリウム、水酸化イットリウム、水酸化ストロンチウム、水酸化バリウム、水酸化カルシウム、水酸化インジウム及び水酸化ガリウム等の公知の酸化物、又はそれらの混合物が挙げられ、水酸化アルミニウム、水酸化亜鉛が好ましい。
　前記光散乱材において、無機微粒子に含まれる硫化物としては、硫化ケイ素、硫化アルミニウム、硫化亜鉛、硫化ニオブ、硫化ジルコニウム、硫化チタン、硫化マグネシウム、硫化セリウム、硫化イットリウム、硫化ストロンチウム、硫化バリウム、硫化カルシウム、硫化タングステン、硫化インジウム、及び硫化ガリウム等の公知の硫化物、又はそれらの混合物が挙げられ、硫化アルミニウム、硫化亜鉛、硫化ニオブが好ましく、硫化亜鉛、硫化ニオブがさらに好ましく、硫化ニオブがもっとも好ましい。
　前記光散乱材において、無機微粒子に含まれる窒化物としては、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化亜鉛、窒化ニオブ、窒化ジルコニウム、窒化チタン、窒化マグネシウム、窒化セリウム、窒化イットリウム、窒化ストロンチウム、窒化バリウム、窒化カルシウム、窒化タングステン、窒化インジウム、及び窒化ガリウム等の公知の窒化物、又はそれらの混合物が挙げられ、窒化アルミニウム、窒化亜鉛、窒化ニオブが好ましく、窒化アルミニウム、窒化ニオブがさらに好ましく、窒化ニオブがもっとも好ましい。
　前記光散乱材において、無機微粒子に含まれる炭化物としては、炭化ケイ素、炭化アルミニウム、炭化亜鉛、炭化ニオブ、炭化ジルコニウム、炭化チタン、炭化マグネシウム、炭化セリウム、炭化イットリウム、炭化ストロンチウム、炭化バリウム、炭化カルシウム、炭化タングステン、炭化インジウム、及び炭化ガリウム等の公知の硫化物、又はそれらの混合物が挙げられ、炭化アルミニウム、炭化亜鉛、炭化ニオブが好ましく、炭化アルミニウム、炭化ニオブがさらに好ましく、炭化ニオブがもっとも好ましい。
　前記光散乱材において、無機微粒子に含まれる塩化物としては、塩化ケイ素、塩化アルミニウム、塩化亜鉛、塩化ニオブ、塩化ジルコニウム、塩化チタン、塩化マグネシウム、塩化セリウム、塩化イットリウム、塩化ストロンチウム、塩化バリウム、塩化カルシウム、塩化タングステン、塩化インジウム及び塩化ガリウム等の公知の塩化物、又はそれらの混合物が挙げられ、塩化アルミニウム、塩化亜鉛、塩化ニオブが好ましく、塩化アルミニウム、塩化ニオブがさらに好ましく、塩化ニオブがもっとも好ましい。
　前記光散乱材において、無機微粒子に含まれる臭化物としては、臭化ケイ素、臭化アルミニウム、臭化亜鉛、臭化ニオブ、臭化ジルコニウム、臭化チタン、臭化マグネシウム、臭化セリウム、臭化イットリウム、臭化ストロンチウム、臭化バリウム、臭化カルシウム、臭化タングステン、臭化インジウム及び臭化ガリウム等の公知の臭化物、又はそれらの混合物が挙げられ、臭化アルミニウム、臭化亜鉛、臭化ニオブが好ましく、臭化アルミニウム、臭化ニオブがさらに好ましく、臭化ニオブがもっとも好ましい。
　前記光散乱材において、無機微粒子に含まれるヨウ化物としては、ヨウ化ケイ素、ヨウ化アルミニウム、ヨウ化亜鉛、ヨウ化ニオブ、ヨウ化ジルコニウム、ヨウ化チタン、ヨウ化マグネシウム、及びヨウ化ガリウム、ヨウ化セリウム、ヨウ化イットリウム、ヨウ化ストロンチウム、ヨウ化バリウム、ヨウ化カルシウム、ヨウ化タングステン、ヨウ化インジウム等の公知のヨウ化物、又はその混合物が挙げられ、ヨウ化アルミニウム、ヨウ化亜鉛、ヨウ化ニオブが好ましく、ヨウ化アルミニウム、ヨウ化ニオブがさらに好ましく、ヨウ化ニオブがもっとも好ましい。
　前記光散乱材において、無機微粒子に含まれるフッ化物としては、フッ化ケイ素、フッ化アルミニウム、フッ化亜鉛、フッ化ニオブ、フッ化ジルコニウム、フッ化チタン、フッ化マグネシウム、フッ化セリウム、フッ化イットリウム、フッ化ストロンチウム、フッ化バリウム、フッ化カルシウム、フッ化タングステン、フッ化インジウム、及びフッ化ガリウム等の公知のフッ化物、又はそれらの混合物が挙げられ、フッ化アルミニウム、フッ化亜鉛、フッ化ニオブが好ましく、フッ化アルミニウム、フッ化ニオブがさらに好ましく、フッ化ニオブがもっとも好ましい。
　光散乱材としては、組成物中を通過した光を散乱させて組成物の光の吸収量を向上させ、発光強度を向上させる観点から、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化ジルコニウムが好ましく、酸化アルミニウムが好ましい。
　前記組成物中に含まれる光散乱材の粒径としては、特に制限はないが、０．１μｍ以上、５０μｍ以下であり、好ましくは、０．３μｍ以上、１０μｍ以下であり、より好ましくは、０．５μｍ以上、５μｍ以下である。
　前記組成物中に含まれる光散乱材の割合としては、特に制限はないが、０．１ｗｔ％以上、２０ｗｔ％以下であり、好ましくは、１ｗｔ％以上、１０ｗｔ％以下であり、より好ましくは、２ｗｔ％以上、７ｗｔ％以下である。
　前記組成物は、組成物が発する発光色を調整し、高色域化を図る得る観点から、本発明に用いる蛍光体以外に別の発光材料を含んでいてもよい。前記組成物に含まれる本発明に用いる蛍光体以外の別の発光材料としては、本発明に用いる蛍光体以外の蛍光体や量子ドットが挙げられる。
　前記組成物中に含まれる量子ドットは、可視光波長領域において蛍光を発することができる量子ドット粒子であれば特に限定されず、例えば、ＩＩ－ＶＩ族半導体化合物；ＩＩＩ－Ｖ族半導体化合物；ＩＶ－ＶＩ族半導体化合物；ＩＶ族元素又はこれを含む化合物；及びこれらの組み合わせからなる群より選択できる。これらは、単独又は２種以上を混合して使用することができる。
　ＩＩ－ＶＩ族半導体化合物は、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ及びこれらの混合物からなる群より選ばれる二元化合物；ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｇＺｎＳｅ、ＨｇＺｎＴｅ及びこれらの混合物からなる群より選ばれる三元化合物；並びにＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅ及びこれらの混合物からなる群より選ばれる四元化合物からなる群より選択されることができる。
　前記ＩＩＩ－Ｖ族半導体化合物は、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ及びこれらの混合物からなる群より選ばれる二元化合物；ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＮＳｂ、ＧａＰＡｓ、ＧａＰＳｂ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＮＳｂ、ＡｌＰＡｓ、ＡｌＰＳｂ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＮＳｂ、ＩｎＰＡｓ、ＩｎＰＳｂ、ＧａＡｌＮＰ及びこれらの混合物からなる群より選ばれる三元化合物；並びにＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＮＳｂ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＡｌＰＳｂ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＳｂ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＧａＩｎＰＳｂ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＩｎＡｌＮＳｂ、ＩｎＡｌＰＡｓ、ＩｎＡｌＰＳｂ及びこれらの混合物からなる群より選ばれる四元化合物からなる群より選択されることができる。
　前記ＩＶ－ＶＩ族半導体化合物は、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ及びこれらの混合物からなる群より選ばれる二元化合物；ＳｎＳｅＳ、ＳｎＳｅＴｅ、ＳｎＳＴｅ、ＰｂＳｅＳ、ＰｂＳｅＴｅ、ＰｂＳＴｅ、ＳｎＰｂＳ、ＳｎＰｂＳｅ、ＳｎＰｂＴｅ及びこれらの混合物からなる群より選ばれる三元化合物；並びにＳｎＰｂＳＳｅ、ＳｎＰｂＳｅＴｅ、ＳｎＰｂＳＴｅ及びこれらの混合物からなる群より選ばれる四元化合物からなる群より選択されることができる。
　前記ＩＶ族元素又はこれを含む化合物は、Ｓｉ、Ｇｅ及びこれらの混合物からなる群より選ばれる元素化合物；並びにＳｉＣ、ＳｉＧｅ及びこれらの混合物からなる群より選ばれる二元化合物からなる群より選択されることができる。
　量子ドットは、均質の（ｈｏｍｏｇｅｎｅｏｕｓ）単一構造；コア－シェル（ｃｏｒｅ－ｓｈｅｌｌ）、勾配（ｇｒａｄｉｅｎｔ）構造等のような二重構造；又はこれらの混合構造であることができる。
　コア－シェル（ｃｏｒｅ－ｓｈｅｌｌ）の二重構造において、各々のコア（ｃｏｒｅ）とシェル（ｓｈｅｌｌ）を構成する物質は、前記言及された互いに相異なっている半導体化合物からなることができる。例えば、前記コアは、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＰｂＳｅ、ＡｇＩｎＺｎＳ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ及びＺｎＯからなる群より選ばれる一つ以上の物質を含むことができるが、これに限定されるものではない。例えば、前記シェルは、ＣｄＳｅ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＺｎＴｅ、ＣｄＴｅ、ＰｂＳ、ＴｉＯ、ＳｒＳｅ及びＨｇＳｅからなる群より選ばれる一つ以上の物質を含むことができるが、これに限定されるものではない。
　白色光を得る観点から、量子ドットはＩｎＰやＣｄＳｅが好ましい。
　量子ドットの直径は、特に限定されないが、赤色、緑色及び青色の量子ドット粒子は、粒径によって分類されることができ、赤色、緑色、青色の順に粒径が小さくなる。具体的には、赤色量子ドット粒子は、粒径が５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、緑色量子ドット粒子は、粒径が３ｎｍ超５ｎｍ以下、青色量子ドット粒子は、粒径が１ｎｍ以上３ｎｍ以下であることができる。光の照射時に、赤色量子ドット粒子は赤色光を放出し、緑色量子ドット粒子は緑色光を放出し、青色量子ドット粒子は青色光を放出する。
　前記組成物に含まれる本発明に用いる蛍光体以外の蛍光体としては、特に制限はないが、例えば、硫化物系蛍光体、酸化物系蛍光体、窒化物系蛍光体、フッ化物系蛍光体、等が挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
　前記硫化物系蛍光体としては、例えば、ＣａＳ：Ｅｕ、ＳｒＳ：Ｅｕ、ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕ、ＣａＧａ２Ｓ４：Ｅｕ、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、等が挙げられる。
　前記酸化物系蛍光体の具体例としては、例えば、（Ｂａ，Ｓｒ）３ＳｉＯ５：Ｅｕ、（Ｂａ，Ｓｒ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ、Ｔｂ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、Ｃａ３Ｓｃ２Ｓｉ３Ｏ１２：Ｃｅ、等が挙げられる。
　前記窒化物系蛍光体の具体例としては、例えば、ＣａＳｉ５Ｎ８：Ｅｕ、Ｓｒ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ、Ｂａ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ、Ｃａｘ（Ａｌ，Ｓｉ）１２（Ｏ，Ｎ）１６：Ｅｕ（０＜ｘ≦１．５）、ＣａＳｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ、ＳｒＳｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ、ＢａＳｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）Ｓｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ、ＣａＡｌ２Ｓｉ４Ｎ８：Ｅｕ、ＣａＳｉＮ２：Ｅｕ、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、等が挙げられる。
　前記フッ化物系蛍光体の具体例としては、特に制限はなく、例えば、Ｋ２ＴｉＦ６：Ｍｎ４＋、Ｂａ２ＴｉＦ６：Ｍｎ４＋、Ｎａ２ＴｉＦ６：Ｍｎ４＋、Ｋ３ＺｒＦ７：Ｍｎ４＋、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ４＋、等が挙げられる。
　前記その他の蛍光体の具体例としては、特に制限はなく、例えば、（Ｙ，Ｇｄ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ（ＹＡＧ：Ｃｅ）等のＹＡＧ系蛍光体；Ｌｕ（Ｓｉ，Ａｌ）１２（Ｏ，Ｎ）１６：Ｅｕ等のサイアロン系蛍光体；ペロブスカイト構造も持つペロブスカイト蛍光体等が挙げられる。
　前記組成物に含まれる本発明に用いる蛍光体以外の蛍光体としては、白色光を得る観点から、赤色蛍光体であることが好ましく、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ４＋が好ましい。
　前記組成物中に含まれる本発明に用いる蛍光体以外の発光材料の割合としては、特に制限はないが、０．１ｗｔ％以上、９０ｗｔ％以下であり、好ましくは、１ｗｔ％以上、８０ｗｔ％以下であり、より好ましくは、５ｗｔ％以上、６０ｗｔ％以下である。
＜ハンセン溶解度パラメータ＞
　ハンセン溶解度パラメータ（ＨＳＰ）は、分子間の相互作用が似ている２つの物質は、互いに溶解しやすい、という考えに基づいている。ＨＳＰは以下の３つのパラメーターで構成されている。
　δｄ：分子間の分散力によるエネルギー
　δｐ：分子間の双極子相互作用によるエネルギー
　δｈ：分子間の水素結合によるエネルギー
　これら３つのパラメーターは３次元空間（ハンセン空間）における座標とみなすことができる。そして２つの物質のＨＳＰをハンセン空間内に置いたとき、２点間の距離が近ければ近いほど互いに溶解しやすいことを示している。
　シランカップリング剤とマトリックス樹脂とのハンセン溶解度パラメータの２点間の距離は、ハンセン溶解度パラメータソフト（ＨＳＰｉＰ　ｖｅｒ５．３．０５、Ｃｈａｒｌｅｓ　Ｍ．　Ｈａｎｓｅｎ、Ｙ－ＭＢ法）を用いて、分子間の分散力に由来するエネルギーδｄ、分子間の極性力に由来するエネルギーδｐ、及び分子間の水素結合力に由来するエネルギーδｈを算出した後、下記の式（Ｄ）に当てはめることで算出することができる。
　シランカップリング剤とマトリックス樹脂とのハンセン溶解度パラメータの２点間の距離は、
（マトリックス樹脂のδｄ－シランカップリング剤のδｄ）２と、
（マトリックス樹脂のδｐ－シランカップリング剤のδｐ）２と、
（マトリックス樹脂のδｈ－シランカップリング剤のδｈ）２との、
和の平方根（Ｄ）である。
　シランカップリング剤とマトリックス樹脂とのハンセン溶解度パラメータの２点間の距離は、本発明の組成物の発光強度を向上させ、６３０ｎｍの光の吸収率を低減させる観点から、７．０６未満が好ましく、６．００以下がより好ましく、０～４．９７がさらに好ましく、３．２４～４．９７が最も好ましい。
　シランカップリング剤とマトリックス樹脂とのハンセン溶解度パラメータの２点間の距離が前記の範囲であることで、蛍光体の樹脂に対する相溶性が向上しやすく、蛍光体を含む樹脂組成物の可視域の光吸収が減少する等の効果が得られやすくなる。
＜フィルム＞
　本発明の組成物は、フィルム形状として使用することができる。フィルム形状は特に限定されるものではなく、シート状、バー状等の任意の形状であることができる。本明細書において「バー状の形状」とは、例えば、一方向に延在する平面視帯状の形状を意味する。平面視帯状の形状としては、例えば各辺の長さが異なる板状の形状が挙げられる。フィルムの厚さは、０．０１μｍ～１０００ｍｍであってよく、０．１μｍ～１０ｍｍであってよく、１μｍ～１ｍｍであってもよい。本明細書においてフィルムの厚さは、フィルムの縦、横、高さの中で最も値の小さい辺を「厚さ方向」としたときの、フィルムの厚さ方向の表面と裏面との間の距離を指す。具体的には、マイクロメータを用い、フィルムの任意の３点においてフィルムの厚さを測定し、３点の測定値の平均値を、フィルムの厚さとする。また、フィルムは、単層であってよく、複層であってもよい。複層の場合、各層は同一の種類の実施形態の組成物から構成されていてよく、互いに異なる種類の実施形態の組成物から構成されていてもよい。
　本発明の組成物は基材上に製膜して、積層体の形態にしてもよい。基材はＰＥＴ、ＰＥＮなどの樹脂基材であってよく、アルミ箔などの金属基材であってもよい。
＜発光素子＞
　本発明の組成物は、光源と併せて、発光素子を構成することができる。光源としては、特に３５０ｎｍ～５００ｎｍの波長を含む紫外光又は可視光を放射するＬＥＤが用いることができる。本発明の蛍光体に前記波長の光を照射すると、蛍光体は波長５１０ｎｍ～５５０ｎｍにピークを有する緑色光を発する。このため、本発明の蛍光体は、例えば紫外ＬＥＤや青色ＬＥＤを光源として用い、他の赤色蛍光体とも組み合わせて、白色発光素子を構成することができる。
＜発光装置＞
　本発明の蛍光体は、前記のように、白色発光素子を構成することができ、該白色発光素子は、発光装置の部材として使用することができる。発光装置では、光源からの光は発光素子に照射され、照射された発光素子は発光して、該光が取り出される。
＜ディスプレイ＞
　本発明の組成物と光源とを含む発光素子は、ディスプレイに使用することができる。かかるディスプレイの例としては、発光素子由来の光の透過率を液晶でコントロールし、カラーフィルタにより透過光を赤色光、青色光、及び緑色光と選択して取り出すことができる、液晶ディスプレイ等が挙げられる。
　以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
＜製造例１＞
　（コアシェル構造を有する蛍光体の製造）
　蛍光体の結晶相の原料として、酸化アルミニウム粉末（グレード：ＡＡ１８（純度：９９．９９％、Ｄ５０：２０．３μｍ、比表面積：０．２ｍ２／ｇ）、住友化学株式会社製）、酸化マグネシウム粉末（ＭｇＯ（純度：４Ｎ）、関東化学株式会社製）、炭酸マンガン粉末（ＭｎＣＯ３（純度：９９．９％）、シグマアルドリッチジャパン合同会社製）を用い、焼成後に炭酸塩の炭酸が二酸化炭素（ＣＯ２）として脱離することを考慮して、焼成後の組成がＭｎ：Ｍｇ：Ａｌ：Ｏ＝０．０７：０．９３：２：４となるモル比率となるように各原料を秤量し、次に酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３（純度：９９．９９５％）、株式会社高純度化学研究所製）を前記原料の合計重量の１重量％となるように秤量し、前記原料に加えて３分間乾式混合した。次に混合物を容器に充填した。続いて、容器を電気炉内にセットし、水素：窒素＝１０：９０の混合ガスを導入した。電気炉を１５５０℃まで昇温し、４時間加熱を行い、その後放冷した。容器から加熱品を回収して解砕を行い、粉末状の蛍光体を得た。
　（蛍光体のコアシェル構造の確認）
　得られた蛍光体粉末と、主剤（Ｂｕｅｈｌｅｒ製「ＥｐｏｘｉＣｕｒｅ　２　Ｒｅｓｉｎ」（商品名））と硬化剤（Ｂｕｅｈｌｅｒ製「ＥｐｏｘｉＣｕｒｅ　２　Ｈａｒｄｅｎｅｒ」（商品名））を４：１の割合で混合したエポキシ樹脂とを、重量比１：１０にて混合して、大気中で一日間乾燥させることにより成型体を得た。得られた成型体をイオンミリング装置（株式会社日立ハイテク製「ＩＭ４０００」（商品名））で加工して蛍光体の断面を得た。走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）（株式会社日立ハイテク製「Ｓ－４８００」（商品名））を用いて、加速電圧を２０ｋＶとして、得られた蛍光体の断面を観察した。視野・倍率を適宜調整し、ウィンドウレス型ＥＤＸ（オックスフォード・インストゥルメンツ株式会社製「Ｘ－ｍａｘ　８０」（商品名））による元素マッピング像を得た。前記手法で得られた元素マッピング像から、前記蛍光体は、結晶相からなるコア部と、ホウ素が存在するシェル部とを有していることが確認された。
＜製造例２＞
　（コアシェル構造を有しない蛍光体の製造）
　結晶相の原料として酸化ホウ素を使用しないこと以外は製造例１と同様にして、コアシェル構造を有しない蛍光体を得た。
＜製造例の蛍光体の発光強度の測定＞
　絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス製、「Ｃ９９２０－０２」（商品名））を用いて、製造例１及び２の蛍光体の発光強度を測定した。測定条件は、粉末試料１５０ｍｇ、励起波長４５０ｎｍ、室温、大気下とした。
　緑発光の発光強度は４７０～８００の範囲で、最も発光の強い発光ピークの発光強度の値を用いた。蛍光体は、４７０～８００ｎｍの発光を測定した際に、５１０ｎｍ～５５０ｎｍの範囲に極大の発光ピークを示す緑色発光の蛍光体であることを確認した。
　測定したスペクトルから発光ピークを決定し、製造例２の最も発光強度が強い波長の発光ピーク強度を１００として換算し、製造例１の相対発光強度を算出した。結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
＜実施例１＞
　メタクリル樹脂（住友化学社製「スミペックス」（商品名）、グレード：ＭＨ、分子量約１２万、比重１．２ｇ／ｍｌ）を、濃度２０質量％になる量でトルエンと混合し、６０℃、３時間加熱して、樹脂溶液を得た。
　製造例１で得た蛍光体０．５ｇと、シランカップリング剤としてビニルトリメトキシシラン０．０５ｇとを混合した後、これに前記樹脂溶液２ｇを加えて均一に混合した。その後、トルエンを自然乾燥させ、蛍光体濃度５２．６重量％の樹脂組成物を得た。蛍光体を含む樹脂組成物を、縦２ｃｍ横２ｃｍ幅３００μｍの板状体に成形して、測定用試料とした。
＜実施例２＞
　ビニルトリメトキシシランの代わりにトリメトキシフェニルシランを使用すること以外は実施例１と同様にして、蛍光体を含む樹脂組成物及び測定用試料を作製した。
＜実施例３＞
　ビニルトリメトキシシランの代わりにドデシルトリメトキシシランを使用すること以外は実施例１と同様にして、蛍光体を含む樹脂組成物及び測定用試料を作製した。
＜比較例１＞
　ビニルトリメトキシシランの代わりに、トリメトキシ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ノナフルオロヘキシル）シランを使用すること以外は実施例１と同様にして、蛍光体を含む樹脂組成物及び測定用試料を作製した。
＜比較例２＞
　ビニルトリメトキシシランを使用しないこと以外は実施例１と同様にして、蛍光体を含む樹脂組成物及び測定用試料を作製した。
＜参考例１＞
　結晶相の原料として酸化ホウ素を使用しないこと以外は実施例１と同様にして、蛍光体を含む樹脂組成物及び測定用試料を作製した。
＜参考例２＞
　結晶相の原料として酸化ホウ素を使用せず、また、ビニルトリメトキシシランも使用しないこと以外は実施例１と同様にして、蛍光体を含む樹脂組成物及び測定用試料を作製した。
＜ハンセン溶解度パラメータの２点間距離＞
　明細書中に記載の方法に従って、実施例及び比較例で使用したメタクリル樹脂とシランカップリング剤との間について、ハンセン溶解度パラメータの距離を算出した。結果を表２に示す。
＜実施例及び比較例の樹脂組成物の発光強度の測定＞
　分光蛍光光度計（日本分光社製「ＦＰ－６５００」（商品名））を用いて、実施例１～３、及び比較例１及び２の樹脂組成物の発光強度を測定した。測定条件は、測定用試料の主表面を光源に向けて設置、励起波長４５０ｎｍ、室温、大気下とした。
　緑発光の発光強度は４８５～６２７ｎｍの範囲で、最も発光の強い発光ピークの発光強度の値を用いた。いずれの蛍光体も４７０～８００ｎｍの発光を測定した際に、５１０ｎｍ～５５０ｎｍの範囲に極大の発光ピークを示す緑色発光の蛍光体であることを確認した。
　測定したスペクトルから発光ピークを決定し、比較例２の最も発光強度が強い波長の発光ピーク強度を１００として換算し、実施例１～３及び比較例１の相対発光強度を算出した。相対発光強度の評価基準は次の通りとした。
　Ａ：１５０以上（良好）
　Ｂ：１１６以上（可）
　Ｃ：１１５以下（不可）
＜実施例及び比較例の樹脂組成物の可視光吸収率の測定＞
　紫外可視近赤外分光光度計（日本分光株式会社製「V-670」（商品名、積分球ユニット）を用いて、実施例１～３、比較例１及び２の樹脂組成物の可視光吸収率を測定した。即ち、測定用試料の主表面を光源に向けて設置し、照射波長６３０ｎｍ、室温、大気下、反射スペクトル測定モードにて、６３０ｎｍ光の反射率（％Ｒ）を測定した。
　吸収率は、前記で測定した反射率（％Ｒ）の値を用いて、下記の式を用いて算出した。
６３０ｎｍ光の吸収率＝１００―６３０ｎｍ光の反射率（％Ｒ）
　比較例２の６３０ｎｍ光の吸収率を１００として換算し、実施例１～３、及び比較例１の相対吸収率を算出した。相対吸収率の評価基準は次の通りとした。
　Ａ：４８未満（良好）
　Ｂ：１００未満（可）
　Ｃ：１００以上（不可）
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
＜参考例の樹脂組成物の評価＞
　前記と同様にして、参考例で使用したメタクリル樹脂とシランカップリング剤との間のハンセン溶解度パラメータの距離を算出し、発光強度及び可視光吸収率を測定した。結果を表３に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
＜実施例４＞
　製造例１で得た蛍光体０．５ｇと、シランカップリング剤としてドデシルトリメトキシシラン０．０５ｇとを混合した後、これにシリコーン樹脂１ｇ（信越化学工業株式会社製「KE-109E-A」（商品名）：０．５ｇ、及び同「KE-109E-B」（商品名）：０．５ｇ）を加えて均一に混合した。混合物を１００℃にて１時間反応させることで、蛍光体濃度３２．３重量％の樹脂組成物を得た。蛍光体を含む樹脂組成物を、縦２ｃｍ横２ｃｍ幅３００μｍの板状体に成形して、測定用試料とした。
＜実施例５＞
　ドデシルトリメトキシシランの代わりにトリメトキシフェニルシランを使用すること以外は実施例４と同様にして、蛍光体を含む樹脂組成物及び測定用試料を作製した。
＜比較例３＞
　ドデシルトリメトキシシランの代わりにトリメトキシ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ－ノナフルオロヘキシル）シランを使用すること以外は実施例４と同様にして、蛍光体を含む樹脂組成物及び測定用試料を作製した。
＜比較例４＞
　ドデシルトリメトキシシランを使用しないこと以外は実施例４と同様にして、蛍光体を含む樹脂組成物及び測定用試料を作製した。
＜実施例及び比較例の樹脂組成物の発光強度の測定＞
　分光蛍光光度計（日本分光社製「ＦＰ－６５００」（商品名））を用いて、実施例４及び５、及び比較例３及び４の樹脂組成物の発光強度を測定した。測定条件は、測定用試料の主表面を光源に向けて設置し、励起波長４５０ｎｍ、室温、大気下とした。
　緑発光の発光強度は４８５～６２７ｎｍの範囲で、最も発光の強い発光ピークの発光強度の値を用いた。いずれの蛍光体も４７０～８００ｎｍの発光を測定した際に、５１０ｎｍ～５５０ｎｍの範囲に極大の発光ピークを示す緑色発光の蛍光体であることを確認した。
　測定したスペクトルから発光ピークを決定し、比較例４の最も発光強度が強い波長の発光ピーク強度を１００として換算し、実施例４、５及び比較例３の相対発光強度を算出した。相対発光強度の評価基準は次の通りとした。
　Ａ：１５０以上（良好）
　Ｂ：１０１以上（可）
　Ｃ：１００以下（不可）
＜実施例及び比較例の樹脂組成物の可視光吸収率の測定＞
　紫外可視近赤外分光光度計（日本分光株式会社製「V-670」（商品名、積分球ユニット）を用いて、実施例４及び５、比較例３及び４の樹脂組成物の可視光吸収率を測定した。即ち、測定用試料の主表面を光源に向けて設置し、照射波長６３０ｎｍ、室温、大気下、反射スペクトル測定モードにて、６３０ｎｍ光の反射率（％Ｒ）を測定した。
　吸収率は、前記で測定した反射率（％Ｒ）の値を用いて、下記の式を用いて算出した。
６３０ｎｍ光の吸収率＝１００―６３０ｎｍ光の反射率（％Ｒ）
　比較例４の６３０ｎｍ光の吸収率を１００として換算し、実施例４、５及び比較例３の相対吸収率を算出した。相対吸収率の評価基準は次の通りとした。
　Ａ：９０未満（良好）
　Ｂ：１００未満（可）
　Ｃ：１００以上（不可）
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007

Claims (12)

  1. 　式
    　　　　　ＭｘＭｇａＡｌｙＯｚＮｗ　　（Ａ）
    ［式（Ａ）中、Ｍは、マンガン、ストロンチウム、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ツリウム及びイッテルビウムからなる群から選択される少なくとも一つの金属元素を表し、ｘは０．００１≦ｘ≦０．３であり、ａは０≦ａ≦１．０－ｘであり、ｙは１．２≦ｙ≦１１．３であり、ｚは２．８≦ｚ≦１８であり、ｗは０≦ｗ≦１．０である。］
    で表される元素組成を有する無機化合物の結晶相からなるコア部と、
    　ホウ素及びケイ素からなる群から選択される少なくとも一つの元素を含む、該コア部の表面の少なくとも一部に形成されたシェル部とを有する、コアシェル構造を有する蛍光体；
    　該シェル部の表面に存在する、ハロゲン原子を含まないシランカップリング剤の改質体；及び
    　マトリックス樹脂；
    を含む樹脂組成物。
  2. 　前記シランカップリング剤は、式
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     ［式中、
    　Ｒ１は、（メタ）アクリロイルオキシ基、アミノ基、炭素数１～２０のアルキルアミノ基又はメルカプト基で置換されていてもよい、炭素数１～２０の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、
    　Ｒ２は、水素原子、又は、（メタ）アクリロイルオキシ基、アミノ基、炭素数１～２０のアルキルアミノ基又はメルカプト基で置換されていてもよい、炭素数１～２０の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、
    　Ｒ１又はＲ２は、複数存在する場合は、異なる基であってよく、
    　ａは１～３の整数である。］
    で表される化合物である、請求項１に記載の樹脂組成物。
  3. 　前記シランカップリング剤とマトリックス樹脂とのハンセン溶解度パラメータの距離が、７．０６未満である請求項１又は２に記載の樹脂組成物。
  4. 　前記マトリックス樹脂がシリコーン樹脂又はアクリル系樹脂である請求項１～３のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
  5. 　前記Ｒ１が炭素数８～１２のアルキル基、炭素数４～６のシクロアルキル基又はビニル基を含む請求項２～４のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
  6. 　前記Ｍがマンガン、ストロンチウム、ユウロピウム及びテルビウムからなる群から選択される少なくとも一つの金属元素を表す、請求項１～５のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
  7. 　前記ｘは０．０５≦ｘ≦０．１５であり、ａは０≦ａ≦０．９５であり、ｙは１．５≦ｙ≦２．５であり、ｚは３．５≦ｚ≦４．５であり、ｗは０≦ｗ≦１．０である、請求項１～６のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
  8. 　前記結晶相は結晶子を含み、該結晶子はスピネル型結晶構造を有する、請求項１～７のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
  9. 　請求項１～８のいずれか一項に記載の樹脂組成物を含む、フィルム。
  10. 　請求項１～８のいずれか一項に記載の樹脂組成物を含む、発光素子。
  11. 　請求項１０に記載の発光素子を備える、発光装置。
  12. 　請求項１０に記載の発光素子を備える、ディスプレイ。
PCT/JP2022/028201 2021-07-29 2022-07-20 蛍光体を含む樹脂組成物 WO2023008281A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021-124554 2021-07-29
JP2021124554A JP2023019650A (ja) 2021-07-29 2021-07-29 蛍光体を含む樹脂組成物

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2023008281A1 true WO2023008281A1 (ja) 2023-02-02

Family

ID=85086811

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2022/028201 WO2023008281A1 (ja) 2021-07-29 2022-07-20 蛍光体を含む樹脂組成物

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2023019650A (ja)
TW (1) TW202321417A (ja)
WO (1) WO2023008281A1 (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011504544A (ja) * 2007-11-22 2011-02-10 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 表面修飾された変換発光物質
JP2015086345A (ja) * 2013-11-01 2015-05-07 堺化学工業株式会社 疎水性応力発光材料、疎水性応力発光材料の製造方法、応力発光性塗料組成物、樹脂組成物及び応力発光体
JP2017525801A (ja) * 2014-08-04 2017-09-07 ローディア オペレーションズ 改質リン光体およびその組成物
JP2018109081A (ja) * 2016-12-28 2018-07-12 デンカ株式会社 緑色蛍光体、発光素子及び発光装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011504544A (ja) * 2007-11-22 2011-02-10 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 表面修飾された変換発光物質
JP2015086345A (ja) * 2013-11-01 2015-05-07 堺化学工業株式会社 疎水性応力発光材料、疎水性応力発光材料の製造方法、応力発光性塗料組成物、樹脂組成物及び応力発光体
JP2017525801A (ja) * 2014-08-04 2017-09-07 ローディア オペレーションズ 改質リン光体およびその組成物
JP2018109081A (ja) * 2016-12-28 2018-07-12 デンカ株式会社 緑色蛍光体、発光素子及び発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2023019650A (ja) 2023-02-09
TW202321417A (zh) 2023-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101900056B1 (ko) 양자점 폴리머 필름 제조 방법
US11732188B2 (en) Composition comprising a semiconducting light emitting nanoparticle
WO2023008281A1 (ja) 蛍光体を含む樹脂組成物
WO2022102408A1 (ja) 蛍光体
WO2022102407A1 (ja) 蛍光体
WO2022102409A1 (ja) 蛍光体
WO2022168705A1 (ja) 蛍光体及び蛍光体の製造方法
WO2022168704A1 (ja) 蛍光体の製造方法及び蛍光体
WO2022014521A1 (ja) 蛍光体
WO2022220171A1 (ja) 蛍光体
WO2022014522A1 (ja) 蛍光体
WO2023008280A1 (ja) 蛍光体
JP2022019600A (ja) 蛍光体
JP2022019599A (ja) 蛍光体

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 22849343

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 22849343

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1