WO2022224811A1

WO2022224811A1 - 半導体装置、および半導体装置の製造方法

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Publication number: WO2022224811A1
Application number: PCT/JP2022/017044
Authority: WO
Inventors: 光俊齊藤
Original assignee: ローム株式会社
Priority date: 2021-04-19
Filing date: 2022-04-04
Publication date: 2022-10-27
Also published as: CN117121191A; US20230395451A1; DE112022001601T5; JPWO2022224811A1

Abstract

半導体装置は、第１リード、第２リード、第３リード、半導体素子、封止樹脂および被覆層を備える。前記封止樹脂は、底面および外側面を有する。前記封止樹脂の前記底面には、内側面を有する凹部が形成されている。前記第２リードは、前記底面から露出する裏面と、前記外側面から露出する側面とを有する。前記被覆層は、金属元素を含有し、前記裏面および前記側面を覆っている。前記凹部は、前記第１リードと第２リードとの間にある。前記第２リードと、前記第１リードおよび前記第３リードの少なくともいずれかとは、前記凹部の前記内側面から露出する内方端面を有する。

Description

半導体装置、および半導体装置の製造方法

　本開示は、半導体装置およびその製造方法に関する。

　特許文献１には、半導体装置の一例が開示されている。当該半導体装置は、半導体素子に導通する柱状導電体を備える。柱状導電体は、封止樹脂から露出する裏面側露出面および側面側露出面を有する。さらに当該半導体装置は、裏面側露出面および側面側露出面を覆う外部電極を備える。当該半導体装置が本構成をとることにより、当該半導体装置を配線基板に実装した際、側面側露出面を覆う外部電極の部位にハンダが這い上がる。このため、配線基板に対する当該半導体装置の接合状態を目視により容易に確認することができる。

　特許文献１に開示されている半導体装置の外部電極の形成にあたっては、柱状導電体の側面側露出面を封止樹脂から露出させる工程が必要である。このため、当該半導体装置の製造効率が低下するという課題がある。さらに外部電極は無電解めっきにより形成されるため、外部電極となる金属層の析出に比較的長い時間を要する。このことは、当該半導体装置の製造効率の低下をさらに招く要因となる。

特開２０２０－２７８５０号公報

　本開示は上記事情に鑑み、封止樹脂から露出したリードの裏面および側面を覆う被覆層がより効率的に形成されたものとすることが可能な半導体装置およびその製造方法を提供することをその一の課題とする。

　本開示の第１の側面によって提供される半導体装置は、第１リードと、前記第１リードの厚さ方向に対して直交する方向おいて前記第１リードの隣に位置する第２リードと、前記厚さ方向に対して直交する方向において前記第２リードの隣に位置する第３リードと、前記第１リードに搭載され、かつ前記第２リードに導通する第１半導体素子と、前記第１リード、前記第２リードおよび前記第３リードの各々の一部と、前記第１半導体素子と、を覆う封止樹脂と、金属元素を含有する被覆層と、を備える。前記封止樹脂は、前記厚さ方向を向く底面と、前記底面につながり、かつ前記厚さ方向に対して直交する方向において前記封止樹脂の外方を向く外側面と、を有する。前記封止樹脂には、前記底面から凹む凹部が形成され、前記凹部は、前記底面につながり、かつ前記厚さ方向に対して直交する方向において前記封止樹脂の内方を向く内側面を有する。前記第２リードは、前記底面から露出する裏面と、前記裏面につながり、かつ前記外側面から露出する側面と、を有する。前記被覆層は、前記裏面および前記側面を覆う。前記凹部は、前記第１リードと前記第２リードとの間にある。前記第２リードと、前記第１リードおよび前記第３リードの少なくともいずれかとは、前記内側面から露出する内方端面を有する。

　本開示の第２の側面によって提供される半導体装置の製造方法は、裏面と、前記裏面につながる側面と、を各々が有する複数のリードのいずれかに半導体素子を搭載する工程と、前記複数のリードの各々の一部と、前記半導体素子と、を覆う封止樹脂を形成する工程と、を備える。前記封止樹脂を形成する工程では、前記複数のリードの少なくともいずれかの前記裏面および前記側面を前記封止樹脂から露出させる。前記複数のリードのうち少なくともいずれか２つのリードは、前記複数のリードと同一の組成を含む連結帯により互いにつながっている。また、当該製造方法は、前記封止樹脂を形成する工程の後に、前記封止樹脂から露出した前記裏面および前記側面を覆い、かつ金属元素を含有する被覆層を電解めっきにより形成する工程と、前記被覆層を形成する工程の後に、前記裏面が露出する側から前記封止樹脂の一部を除去することにより、前記連結帯を切断する工程と、を備える。

　本開示にかかる上記構成によれば、封止樹脂から露出したリードの裏面および側面を覆う被覆層がより効率的に形成されたものとすることが可能となる。

　本開示のその他の特徴および利点は、添付図面に基づき以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

図１は、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置の斜視図である。図２は、図１に示す半導体装置の平面図であり、封止樹脂を透過している。図３は、図１に示す半導体装置の底面図である。図４は、図１に示す半導体装置の右側面図である。図５は、図１に示す半導体装置の左側面図である。図６は、図１に示す半導体装置の背面図である。図７は、図２のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。図８は、図２のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。図９は、図２のＩＸ－ＩＸ線に沿う断面図である。図１０は、図７の部分拡大図である。図１１は、図９の部分拡大図である。図１２は、図１に示す半導体装置の製造工程を説明する平面図である。図１３は、図１に示す半導体装置の製造工程を説明する平面図である。図１４は、図１に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。図１５は、図１に示す半導体装置の製造工程を説明する平面図である。図１６は、図１に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。図１７は、図１に示す半導体装置の製造工程を説明する底面図である。図１８は、図１に示す半導体装置の製造工程を説明する部分拡大断面図である。図１９は、図１に示す半導体装置の製造工程を説明する部分拡大断面図である。図２０は、図１に示す半導体装置の製造工程を説明する平面図である。図２１は、図１に示す半導体装置の第１変形例の部分拡大断面図である。図２２は、図１に示す半導体装置の第２変形例の部分拡大断面図である。図２３は、図１に示す半導体装置の第３変形例の部分拡大断面図である。図２４は、図２３に示す半導体装置の製造工程を説明する部分拡大断面図である。図２５は、本開示の第２実施形態にかかる半導体装置の平面図であり、封止樹脂を透過している。図２６は、図２５に示す半導体装置の底面図である。図２７は、図２５に示す半導体装置の右側面図である。図２８は、図２５に示す半導体装置の背面図である。図２９は、図２５のＸＸＩＸ－ＸＸＩＸ線に沿う断面図である。図３０は、図２９の部分拡大図である。図３１は、図２５に示す半導体装置の製造工程を説明する平面図である。図３２は、図２５に示す半導体装置の製造工程を説明する平面図である。図３３は、図２５に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。図３４は、図２５に示す半導体装置の製造工程を説明する底面図である。図３５は、図２５に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。図３６は、図２５に示す半導体装置の製造工程を説明する底面図である。図３７は、図２５に示す半導体装置の製造工程を説明する断面図である。図３８は、本開示の第３実施形態にかかる半導体装置の平面図であり、封止樹脂を透過している。図３９は、図３８に示す半導体装置の底面図である。図４０は、図３８のＸＬ－ＸＬ線に沿う断面図である。図４１は、図３８のＸＬＩ－ＸＬＩ線に沿う断面図である。図４２は、図３８のＸＬＩＩ－ＸＬＩＩ線に沿う断面図である。図４３は、図４０の部分拡大図である。図４４は、本開示の第４実施形態にかかる半導体装置の平面図であり、封止樹脂を透過している。図４５は、図４４に示す半導体装置の底面図である。図４６は、本開示の第５実施形態にかかる半導体装置の底面図である。図４７は、図４６に示す半導体装置の断面図である。図４８は、図４６に示す半導体装置の断面図である。図４９は、図４８の部分拡大図である。

　本開示を実施するための形態について、添付図面に基づいて説明する。

　図１～図１１に基づき、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０について説明する。半導体装置Ａ１０は、配線基板に表面実装される。半導体装置Ａ１０は、複数のリード１０、複数の半導体素子２０、複数の導通部材３０、封止樹脂４０および被覆層５０を備える。ここで、図２は、理解の便宜上、封止樹脂４０を透過しており、想像線（二点鎖線）で示している。

　半導体装置Ａ１０の説明においては、便宜上、複数のリード１０（延いては任意の１つのリード１０）の厚さ方向を「厚さ方向ｚ」と呼ぶ。厚さ方向ｚに対して直交する１つの方向を「第１方向ｘ」と呼ぶ。厚さ方向ｚおよび第１方向ｘに対して直交する方向を「第２方向ｙ」と呼ぶ。半導体装置Ａ１０は、厚さ方向ｚに視て矩形状である。

　複数のリード１０は、図２に示すように、複数の半導体素子２０を搭載するとともに、半導体装置Ａ１０が実装される配線基板と複数の半導体素子２０との導電経路の一部をなしている。複数のリード１０は、いずれも共通のリードフレームからなる。したがって、複数のリード１０の組成は、いずれも同一である。複数のリード１０の組成は、銅（Ｃｕ）を含む（すなわち、各リード１０は銅を含有する）。複数のリード１０は、第１リード１０１、第２リード１０２、第３リード１０３および第４リード１０４を含む。

　図２に示すように、第２リード１０２は、第１方向ｘにおいて第１リード１０１の隣に位置する。第３リード１０３は、第２方向ｙにおいて第２リード１０２の隣に位置する。第４リード１０４は、第１方向ｘにおいて第３リード１０３の隣に位置し、かつ第２方向ｙにおいて第１リード１０１の隣に位置する。

　図２、図３、図７および図９に示すように、第２リード１０２および第３リード１０３は、主面１１２、２つの裏面１２２、２つの側面１３、第１外方端面１４１、内方端面１５、内周面１６、庇部１７、外方凸部１８および内方凸部１９を有する。

　図７および図９に示すように、主面１１２は、厚さ方向ｚを向く。主面１１２は、封止樹脂４０に覆われている。２つの裏面１２２は、厚さ方向ｚにおいて主面１１２とは反対側を向く。２つの主面１１２は、第２方向ｙにおいて互いに離れて位置する。２つの裏面１２２は、封止樹脂４０から露出している。図３および図７に示すように、２つの側面１３は、２つの裏面１２２に個別につながり、かつ第１方向ｘを向く。２つの側面１３は、封止樹脂４０から露出している。

　図２、図３、図６および図９に示すように、第１外方端面１４１は、第２方向ｙにおいて封止樹脂４０の外方を向く。第１外方端面１４１は、封止樹脂４０から露出している。第１外方端面１４１の面積は、２つの側面１３の各々の面積よりも小である。第１外方端面１４１は、主面１１２につながり、かつ２つの裏面１２２から離れて位置する。

　図２、図３および図１１に示すように、内方端面１５は、第２方向ｙにおいて封止樹脂４０の内方を向く。内方端面１５は、封止樹脂４０から露出している。内方端面１５の面積は、２つの側面１３の各々の面積よりも小である。内方端面１５は、主面１１２につながり、かつ２つの裏面１２２、および２つの側面１３から離れて位置する。

　図２、図３、図７および図９に示すように、内周面１６は、２つの裏面１２２につながり、かつ厚さ方向ｚに対して直交する方向を向く。内周面１６は、封止樹脂４０に覆われている。

　図２、図３、図７および図９に示すように、庇部１７は、内周面１６から厚さ方向ｚに対して直交する方向に突出している。庇部１７は、主面１１２を含む。庇部１７は、厚さ方向ｚにおいて主面１１２とは反対側を向く張出面１７１を有する。張出面１７１は、内周面１６につながり、かつ厚さ方向ｚにおいて主面１１２と２つの裏面１２２との間に位置する。庇部１７は、封止樹脂４０に覆われている。

　図２、図３および図９に示すように、外方凸部１８は、庇部１７から第２方向ｙにおいて封止樹脂４０の外方に突出している。外方凸部１８は、主面１１２および第１外方端面１４１を含む。厚さ方向ｚにおいて２つの裏面１２２と同じ側を向く外方凸部１８の下面は、庇部１７の張出面１７１と面一である。

　図２、図３および図１１に示すように、内方凸部１９は、庇部１７から第２方向ｙにおいて封止樹脂４０の内方に突出している。内方凸部１９は、主面１１２および内方端面１５を含む。厚さ方向ｚにおいて２つの裏面１２２と同じ側を向く内方凸部１９の下面は、庇部１７の張出面１７１と面一である。

　図２、図３、図７および図８に示すように、第１リード１０１および第４リード１０４は、搭載面１１１、実装面１２１、第１外方端面１４１、２つの第２外方端面１４２、内方端面１５、内周面１６、庇部１７、外方凸部１８および内方凸部１９を有する。これらのうち内方端面１５、内周面１６、庇部１７、外方凸部１８および内方凸部１９の構成は、第２リード１０２および第３リード１０３の内方端面１５、内周面１６、庇部１７、外方凸部１８および内方凸部１９の構成と同様であるため、ここでの説明は省略する。

　図７に示すように、搭載面１１１は、厚さ方向ｚにおいて第２リード１０２および第３リード１０３の主面１１２と同じ側を向く。搭載面１１１は、封止樹脂４０に覆われている。搭載面１１１には、複数の半導体素子２０のいずれかが搭載される。実装面１２１は、厚さ方向ｚにおいて搭載面１１１とは反対側を向く。実装面１２１は、封止樹脂４０から露出している。図３に示すように、実装面１２１の面積は、第２リード１０２および第３リード１０３の２つの裏面１２２の各々の面積よりも小である。

　図２、図３、図６および図８に示すように、第１リード１０１および第４リード１０４の第１外方端面１４１は、第２方向ｙにおいて封止樹脂４０の外方を向く。したがって、第１外方端面１４１が向く方向は、第２リード１０２および第３リード１０３の２つの側面１３が向く方向と異なる。第１外方端面１４１は、封止樹脂４０から露出している。第１外方端面１４１の面積は、２つの側面１３の各々の面積よりも小である。第１外方端面１４１は、搭載面１１１につながり、かつ実装面１２１から離れて位置する。

　図３および図７に示すように、２つの第２外方端面１４２は、実装面１２１につながり、かつ第１方向ｘを向く。２つの第２外方端面１４２は、第２リード１０２および第３リード１０３の２つの側面１３が向く方向と同一であり、かつ２つの側面１３とは反対側を向く。２つの第２外方端面１４２は、第２方向ｙにおいて互いに離れて位置する。２つの第２外方端面１４２は、封止樹脂４０から露出している。２つの第２外方端面１４２の各々の面積は、第１リード１０１および第４リード１０４の第１外方端面１４１の面積よりも大である。

　複数の半導体素子２０は、図２および図８に示すように、第１リード１０１の搭載面１１１と、第４リード１０４の搭載面１１１とに個別に搭載されている。半導体装置Ａ１０においては、複数の半導体素子２０は、ダイオードである。

　図１０に示すように、複数の半導体素子２０は、第１電極２１および第２電極２２を有する。第１電極２１は、第１リード１０１の搭載面１１１が向く側に設けられている。第１電極２１は、アノード電極に相当する。

　図４２に示すように、第２電極２２は、厚さ方向ｚにおいて第１電極２１とは反対側に設けられている。第２電極２２は、第１リード１０１の搭載面１１１、および第４リード１０４の搭載面１１１のいずれかに対向している。第２電極２２は、カソード電極に相当する。

　図２および図８に示すように、複数の半導体素子２０は、第１半導体素子２０１および第２半導体素子２０２を含む。第１半導体素子２０１は、第１リード１０１の搭載面１１１に搭載されている。図１０に示すように、第１半導体素子２０１の第２電極２２は、接合層２９を介して第１リード１０１の搭載面１１１に接合されている。接合層２９は、導電性を有する。接合層２９は、たとえばハンダである。この他、接合層２９は、銀（Ａｇ）などを含む焼結金属でもよい。これにより、第１半導体素子２０１の第２電極２２は、第１リード１０１に導通している。第２半導体素子２０２の第２電極２２は、接合層２９を解して第４リード１０４の搭載面１１１に接合されている。これにより、第２半導体素子２０２の第２電極２２は、第４リード１０４に導通している。

　複数の導通部材３０は、図２に示すように、２つの第１部材３１を含む。２つの第１部材３１のうち一方の第１部材３１は、第１半導体素子２０１の第１電極２１と、第２リード１０２の主面１１２とにそれぞれ接合層２９を介して接合されている。これにより、第１半導体素子２０１の第１電極２１は、第２リード１０２に導通している。２つの第１部材３１のうち他方の第１部材３１は、第２半導体素子２０２の第１電極２１と、第３リード１０３の主面１１２とにそれぞれ接合層２９を介して接合されている。これにより、第２半導体素子２０２の第１電極２１は、第３リード１０３に導通している。２つの第１部材３１は、金属クリップである。２つの第１部材３１の組成は、銅を含む。この他、２つの第１部材３１は、ワイヤでもよい。

　封止樹脂４０は、図７～図９に示すように、複数のリード１０の各々の一部と、複数の半導体素子２０、および複数の導通部材３０とを覆っている。封止樹脂４０は、電気絶縁性を有する。封止樹脂４０は、たとえば黒色のエポキシ樹脂を含む材料からなる。図４および図５に示すように、封止樹脂４０は、頂面４１、底面４２、外側面４３および凹部４４を有する。

　図７～図９に示すように、頂面４１および底面４２は、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側を向く。これらのうち底面４２は、厚さ方向ｚにおいて第２リード１０２および第３リード１０３の２つの裏面１２２と同じ側を向く。底面４２から２つの裏面１２２と、第１リード１０１および第４リード１０４の実装面１２１とが露出している。

　図３～図５に示すように、外側面４３は、頂面４１および底面４２につながり、かつ厚さ方向ｚに対して直交する方向において封止樹脂４０の外方を向く。外側面４３は、一対の第１面４３１、および一対の第２面４３２を含む。

　図３に示すように、一対の第１面４３１は、第１方向ｘにおいて互いに反対側を向く。図４および図７に示すように、一対の第１面４３１のうち一方の第１面４３１から、第２リード１０２および第３リード１０３の２つの側面１３が露出している。図５および図７に示すように、一対の第１面４３１のうち他方の第１面４３１から、第１リード１０１および第４リード１０４の２つの第２外方端面１４２が露出している。

　図３に示すように、一対の第２面４３２は、第２方向ｙにおいて互いに反対側を向く。図１、図８および図９に示すように、一対の第２面４３２のうち一方の第２面４３２から、第１リード１０１の第１外方端面１４１、および第２リード１０２の第１外方端面１４１が露出している。図６、図８および図９に示すように、一対の第２面４３２のうち他方の第２面４３２から、第４リード１０４の第１外方端面１４１、および第３リード１０３の第１外方端面１４１が露出している。

　図３～図５に示すように、凹部４４は、底面４２から厚さ方向ｚに凹んでいる。凹部４４は、厚さ方向ｚに対して直交する方向に延びる溝である。半導体装置Ａ１０においては、凹部４４は、第１方向ｘに延びている。凹部４４の第１方向ｘの両側は、外側面４３のうち一対の第１面４３１につながっている。これにより、底面４２は、凹部４４により２つの領域に分断されている。

　図３に示すように、第４リード１０４は、凹部４４を挟んで第１リード１０１の隣に位置する。第３リード１０３は、凹部４４を挟んで第２リード１０２の隣に位置する。図１１に示すように、凹部４４は、内側面４４１を有する。内側面４４１は、底面４２につながり、かつ厚さ方向ｚに対して直交する方向において封止樹脂４０の内方を向く。さらに内側面４４１は、厚さ方向ｚおよび凹部４４が延びる方向に対して直交する方向（半導体装置Ａ１０では第２方向ｙ）に互いに離れて位置する一対の領域を含む。当該一対の領域から、第１リード１０１および第４リード１０４の内方端面１５と、第２リード１０２および第３リード１０３の内方端面１５とが露出している。

　図１１に示すように、凹部４４は、中間面４４２を有する。中間面４４２は、厚さ方向ｚにおいて底面４２と同じ側を向き、かつ内側面４４１につながっている。半導体装置Ａ１０においては、厚さ方向ｚにおいて、中間面４４２は、第２リード１０２および第３リード１０３の主面１１２よりも底面４２から離れて位置する。

　被覆層５０は、図２、図３および図７に示すように、第２リード１０２および第３リード１０３の２つの裏面１２２、および２つの側面１３を覆っている。さらに被覆層５０は、第１リード１０１および第４リード１０４の実装面１２１、および２つの第２外方端面１４２を覆っている。複数のリード１０の第１外方端面１４１および内方端面１５は、被覆層５０に覆われていない。被覆層５０の組成は、金属元素を含む。当該金属元素は、たとえば錫（Ｓｎ）である。この他、当該金属元素は、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）および金（Ａｕ）の少なくともいずれかを含むものでもよい。被覆層５０に含まれる金属元素は、半導体装置Ａ１０を配線基板に実装する際に用いられるハンダの濡れ性を改善する性質を有する元素が望ましい。

　次に、図１２～図２０に基づき、半導体装置Ａ１０の製造方法の一例について説明する。ここで、図１４および図１６の断面位置は、図７の断面位置と同一である。図１８および図１９の断面位置は、図１１の断面位置と同一である。

　最初に、図１２に示すように、複数のリード１０のうち第１リード１０１および第４リード１０４の搭載面１１１に複数の半導体素子２０を個別に搭載する。搭載面１１１は、複数のリード１０のうち第２リード１０２および第３リード１０３の裏面１２２とは厚さ方向ｚにおいて反対側に位置する。その後、複数の半導体素子２０の第１電極２１と、第２リード１０２および第３リード１０３の主面１１２とに複数の導通部材３０を個別に接合する。

　図１２に示すように、複数のリード１０は、タイバー８１を介して枠体８０につながっている。さらに、複数のリード１０のうち少なくともいずれかの２つのリード１０は、連結帯８２により互いにつながっている。半導体装置Ａ１０においては、第１リード１０１および第４リード１０４と、第２リード１０２および第３リード１０３とが、それぞれ連結帯８２により互いにつながっている。枠体８０、タイバー８１および連結帯８２は、複数のリード１０と同一の組成からなる。したがって、枠体８０、タイバー８１および連結帯８２は、いずれも導電性を有する。

　次いで、図１３および図１４に示すように、複数のリード１０の各々の一部と、複数の半導体素子２０、および複数の導通部材３０とを覆う封止樹脂４０を形成する。封止樹脂４０は、トランスファモールド成形により形成される。本工程では、複数のリード１０（第２リード１０２および第３リード１０３）の少なくともいずれかの裏面１２２および側面１３を封止樹脂４０から露出させる。さらに本工程では、第１リード１０１および第４リード１０４の各々の実装面１２１、および２つの第２外方端面１４２も封止樹脂４０から露出させる。

　次いで、図１５および図１６に示すように、封止樹脂４０から露出した裏面１２２および側面１３を覆い、かつ組成に金属元素を含む被覆層５０を電解めっきにより形成する。被覆層５０は、たとえば錫めっき層である。本工程では、第１リード１０１および第４リード１０４の各々の実装面１２１、および２つの第２外方端面１４２も被覆層５０に覆われる。

　次いで、図１７に示すように、厚さ方向ｚにおいて裏面１２２が露出する側から封止樹脂４０の一部を除去することにより、連結帯８２を切断する。連結帯８２の切断は、ダイシングブレード、またはレーザなどの切断装置が用いられる。図１８は、連結帯８２を切断する前の２つのリード１０の状態を示している。図１９は、連結帯８２を切断した後の２つのリード１０の状態を示している。図１９に示すように、本工程によって、封止樹脂４０には凹部４４が形成され、かつ連結帯８２によりつながっていた２つのリード１０から内方端面１５が現れる。

　最後に、図２０に示すように、タイバー８１を切断することにより、複数のリード１０を枠体８０から切り離す。本工程によって、タイバー８１によりつながっていた複数のリード１０から第１外方端面１４１が現れる。以上の工程を経ることによって、半導体装置Ａ１０が得られる。

　次に、図２１に基づき、半導体装置Ａ１０の第１変形例である半導体装置Ａ１１について説明する。ここで、図２１の断面位置は、図１１の断面位置と同一である。

　図２１に示すように、半導体装置Ａ１１においては、第２リード１０２および第３リード１０３の内方端面１５および内方凸部１９の構成が、半導体装置Ａ１０と異なる。厚さ方向ｚにおいて裏面１２２と同じ側を向く内方凸部１９の下面は、庇部１７の張出面１７１から厚さ方向ｚにおいて主面１１２が位置する側に離れている。厚さ方向ｚにおいて主面１１２と同じ側を向く内方凸部１９の上面は、主面１１２に相当する。内方端面１５は、主面１１２につながっている。これにより、内方端面１５の面積は、半導体装置Ａ１０における第２リード１０２および第３リード１０３の各々の内方端面１５の面積よりも小である。第１リード１０１および第４リード１０４の内方端面１５および内方凸部１９の構成も本構成と同様である。

　次に、図２２に基づき、半導体装置Ａ１０の第２変形例である半導体装置Ａ１２について説明する。ここで、図２２の断面位置は、図１１の断面位置と同一である。

　図２２に示すように、半導体装置Ａ１２においては、第２リード１０２および第３リード１０３の内方端面１５および内方凸部１９の構成と、封止樹脂４０の凹部４４の構成とが、半導体装置Ａ１０と異なる。厚さ方向ｚにおいて主面１１２と同じ側を向く内方端面１５の上面は、主面１１２から厚さ方向ｚにおいて裏面１２２が位置する側に離れている。厚さ方向ｚにおいて裏面１２２と同じ側を向く内方凸部１９の下面は、庇部１７の張出面１７１に相当する。内方端面１５は、張出面１７１につながっている。これにより、内方端面１５の面積は、半導体装置Ａ１０における第２リード１０２および第３リード１０３の各々の内方端面１５の面積よりも小である。第１リード１０１および第４リード１０４の内方端面１５および内方凸部１９の構成も本構成と同様である。

　図２２に示すように、厚さ方向ｚにおいて、凹部４４の中間面４４２は、主面１１２と裏面１２２との間に位置する。このため、凹部４４の深さは、半導体装置Ａ１０の凹部４４の深さよりも小である。

　次に、図２３および図２４に基づき、半導体装置Ａ１０の第３変形例である半導体装置Ａ１３について説明する。ここで、図２３および図２４の断面位置は、図１１の断面位置と同一である。

　図２３に示すように、半導体装置Ａ１３においては、第２リード１０２および第３リード１０３の内方端面１５および内方凸部１９の構成が、半導体装置Ａ１０と異なる。厚さ方向ｚにおいて裏面１２２と同じ側を向く内方凸部１９の下面は、裏面１２２と面一である。内方凸部１９の下面は、被覆層５０に覆われている。厚さ方向ｚにおいて主面１１２と同じ側を向く内方凸部１９の上面は、主面１１２に相当する。内方端面１５は、主面１１２につながっている。

　図２４は、半導体装置Ａ１３の製造工程のうち図１７に示す連結帯８２を切断する工程において、連結帯８２を切断する前の状態を示している。連結帯８２は、第２リード１０２の庇部１７と、第３リード１０３の庇部１７とにつながっている。連結帯８２を切断する際、庇部１７につながる連結帯８２の両端を残存させることによって、半導体装置Ａ１３が得られる。このため、内方端面１５の長辺の寸法（厚さ方向ｚの寸法）は、第２リード１０２の２つの側面１３と、第３リード１０３の２つの側面１３との各々の長辺の寸法と等しい。したがって、内方端面１５の面積は、半導体装置Ａ１０における第２リード１０２および第３リード１０３の各々の内方端面１５の面積よりも大である。ただし、内方端面１５の短辺の寸法は、２つの側面１３の各々の短辺の寸法よりも小である。このため、半導体装置Ａ１３においては、内方端面１５の面積は、２つの側面１３の各々の面積よりも小である。第１リード１０１および第４リード１０４の内方端面１５および内方凸部１９の構成も本構成と同様である。

　次に、半導体装置Ａ１０の作用効果について説明する。

　半導体装置Ａ１０は、封止樹脂４０から露出する裏面１２２および側面１３を有する第２リード１０２と、裏面１２２および側面１３を覆う被覆層５０とを備える。封止樹脂４０には、内側面４４１を有し、かつ底面４２から凹む凹部４４が形成されている。第２リード１０２と、第２リード１０２との間に凹部４４を間に挟んで位置する第１リード１０１および第３リード１０３の少なくともいずれかとは、内側面４４１から露出する内方端面１５を有する。

　ここで、半導体装置Ａ１０の製造工程のうち図１３および図１４に示す封止樹脂４０を形成する工程においては、第２リード１０２の裏面１２２および側面１３が封止樹脂４０から露出するように封止樹脂４０が形成される。その後、図１５および図１６に示す被覆層５０を形成する工程においては、電解めっきにより被覆層５０を形成することができる。本工程の段階では、複数のリード１０と同一の組成を含む、すなわち導電性を有する連結帯８２によって第２リード１０２を含む少なくとも２つのリード１０がつながっている構成をとる。本構成をとると、タイバー８１により枠体８０につながっていないリード１０であっても枠体８０に導通することが可能となる。その後、図１７に示す連結帯８２を切断する工程を経ることによって、連結帯８２によってつながれた２つのリード１０との間には電気絶縁がなされたものとなる。半導体装置Ａ１０の内方端面１５および凹部４４は、本工程によって得られる痕跡である。さらにその後、図２０に示すタイバー８１を切断する工程を経ることによって、複数のリード１０の全てが互いに電気絶縁がなされたものとなる。

　したがって、半導体装置Ａ１０においては、第２リード１０２の裏面１２２および側面１３を覆う被覆層５０を電解めっきにより容易に形成することができる。このため、半導体装置Ａ１０においては、封止樹脂４０を形成した後に側面１３を封止樹脂４０から露出させる工程は不要である。さらに被覆層５０を無電解めっきにより形成する場合と比較して、被覆層５０の形成効率を向上させることができる。以上により、半導体装置Ａ１０およびその製造方法によれば、封止樹脂４０から露出したリード１０（第２リード１０２）の裏面１２２および側面１３を覆う被覆層５０がより効率的に形成されたものとすることが可能となる。

　封止樹脂４０の凹部４４は、厚さ方向ｚに対して直交する方向に延びる溝である。凹部４４の内側面４４１は、厚さ方向ｚおよび凹部４４が延びる方向に対して直交する方向に互いに離れて位置する一対の領域を含む。本構成の凹部４４は、半導体装置Ａ１０の製造工程のうち図１７に示す連結帯８２を切断する工程においてダイシングブレードなどの切断装置を用いることによって得られる。このような切断装置を用いることによって、連結帯８２を効率よく切断することができる。さらに封止樹脂４０の底面４２が凹部４４により複数の領域に分断されたものとなると、切断速度を緩めることなく連結帯８２を円滑に切断できるため半導体装置Ａ１０の製造効率の低下を抑制できる。

　第２リード１０２の内方端面１５は、側面１３から離れて位置する。これにより、半導体装置Ａ１０の製造工程のうち図１７に示す連結帯８２を切断する工程において、側面１３を覆う被覆層５０の部位に連結帯８２の切断に起因した欠損が発生することを防止できる。

　第２リード１０２の内方端面１５の面積は、側面１３の面積よりも小である。これにより、半導体装置Ａ１０の製造工程のうち図１７に示す連結帯８２を切断する工程において、内方端面１５の縁に発生する金属バリを抑制することができる。さらに当該内方端面１５は、裏面１２２から離れて位置する。これにより、半導体装置Ａ１０を配線基板に実装する際、当該金属バリに起因した配線基板に対する半導体装置Ａ１０の接合強度の低下を防止できる。

　第２リード１０２の内方端面１５は、主面１１２につながっている。本構成において、封止樹脂４０の凹部４４の中間面４４２は、主面１１２よりも凹部４４の底面４２から離れて位置することが望ましい。これにより、半導体装置Ａ１０の製造工程のうち図１７に示す連結帯８２を切断する工程において、連結帯８２を確実に切断することができる。

　第１リード１０１は、第２リード１０２の側面１３が向く方向と異なり、かつ封止樹脂４０の外側面４３から露出した第１外方端面１４１を有する。外側面４３は、半導体装置Ａ１０の製造工程のうち図２０に示すタイバー８１を切断する工程によって得られる痕跡である。これにより、本工程において側面１３を覆う被覆層５０の部位にタイバー８１の切断に起因した欠損が発生することを防止できる。

　第１リード１０１の第１外方端面１４１は、実装面１２１から離れて位置する。ここで、半導体装置Ａ１０の製造工程のうち図２０に示すタイバー８１を切断する工程において、第１外方端面１４１の縁には金属バリが発生する。そこで本構成をとることにより、半導体装置Ａ１０を配線基板に実装する際、当該金属バリに起因した配線基板に対する半導体装置Ａ１０の接合強度の低下を防止できる。

　第１リード１０１は、実装面１２１につながり、かつ封止樹脂４０の外側面４３から露出した第２外方端面１４２を有する。第１リード１０１が少なくとも第１外方端面１４１を有する構成であれば、半導体装置Ａ１０の製造工程のうち図１５および図１６に示す被覆層５０を形成する工程において、実装面１２１および第２外方端面１４２を覆う被覆層５０を電解めっきにより容易に形成することができる。これにより、半導体装置Ａ１０を配線基板に実装する際、第２リード１０２のみならず第１リード１０１においても、配線基板に対する接合状態を目視により容易に確認することができる。

　第１リード１０１の実装面１２１の面積は、第２リード１０２の裏面１２２の面積よりも大である。第１リード１０１には、第１半導体素子２０１が搭載される。これにより、第１半導体素子２０１から発生した熱を、より効率よく外部に放出することができる。

　半導体装置Ａ１０は、第２半導体素子２０２を搭載する第４リード１０４をさらに備える。封止樹脂４０の凹部４４は、第１リード１０１と第４リード１０４との間にも位置する。第１リード１０１および第４リード１０４は、凹部４４の内側面４４１から露出する内方端面１５を有する。これにより、半導体装置Ａ１０の製造工程のうち図１５および図１６に示す被覆層５０を形成する工程において、第１リード１０１のみならず第４リード１０４の実装面１２１および第２外方端面１４２を覆う被覆層５０を電解めっきにより容易に形成することができる。

　半導体装置Ａ１１および半導体装置Ａ１２においては、第２リード１０２の内方端面１５は、半導体装置Ａ１０における第２リード１０２の内方端面１５の面積よりも小である。これにより、半導体装置Ａ１０の製造工程のうち図１７に示す連結帯８２を切断する工程において、内方端面１５の縁に発生する金属バリを抑制することができる。さらに半導体装置Ａ１２においては、封止樹脂４０の凹部４４の深さは、半導体装置Ａ１０の凹部４４の深さよりも小である。これにより、半導体装置Ａ１０の製造工程のうち図１７に示す連結帯８２を切断する工程において、封止樹脂４０の除去体積を削減することができる。このことは、封止樹脂４０の強度低下の抑制に寄与する。

　図２５～図３０に基づき、本開示の第２実施形態にかかる半導体装置Ａ２０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一、または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図２５は、理解の便宜上、封止樹脂４０を透過しており、想像線で示している。

　半導体装置Ａ２０においては、複数のリード１０、および封止樹脂４０の構成が、先述した半導体装置Ａ１０の当該構成と異なる。

　図２６～図２８に示すように、封止樹脂４０の外側面４３の一対の第１面４３１は、第１領域４３１Ａ、第２領域４３１Ｂおよび第３領域４３１Ｃを有する。第１領域４３１Ａは、封止樹脂４０の頂面４１につながっている。第２領域４３１Ｂは、封止樹脂４０の底面４２につながり、かつ第１領域４３１Ａよりも封止樹脂４０の内方に位置する。一対の第１面４３１の第２領域４３１Ｂのうち一方の第２領域４３１Ｂから、第２リード１０２および第３リード１０３の２つの側面１３が露出している。一対の第１面４３１の第２領域４３１Ｂのうち他方の第２領域４３１Ｂから、第１リード１０１および第４リード１０４の２つの第２外方端面１４２が露出している。第３領域４３１Ｃは、厚さ方向ｚにおいて頂面４１と底面４２との間に位置し、かつ第１領域４３１Ａおよび第２領域４３１Ｂにつながっている。第３領域４３１Ｃは、厚さ方向ｚにおいて底面４２と同じ側を向く。

　図２９および図３０に示すように、被覆層５０は、外側面４３の一対の第１面４３１の第１領域４３１Ａよりも封止樹脂４０の内方に位置する。図２６に示すように、厚さ方向ｚに視て、一対の第１面４３１の第３領域４３１Ｃは、被覆層５０に重なっている。第３領域４３１Ｃは、厚さ方向ｚにおいて第２リード１０２および第３リード１０３の主面１１２よりも頂面４１に寄って位置する。

　次に、図３１～図３７に基づき、半導体装置Ａ２０の製造方法の一例について説明する。ここで、図３３、図３５および図３７は、図２９の断面位置と同一である。

　最初に、図３１に示すように、複数のリード１０のうち第１リード１０１および第４リード１０４の搭載面１１１に複数の半導体素子２０を個別に搭載する。その後、複数の半導体素子２０の第１電極２１と、複数のリード１０のうち第２リード１０２および第３リード１０３の主面１１２とに複数の導通部材３０を個別に接合する。

　図３１に示すように、枠体８０は、複数の第１枠部８０１、および複数の第２枠部８０２を有する。複数の第１枠部８０１は、第１方向ｘに沿って延び、かつ第２方向ｙにおいて互いに離れて位置する。複数の第２枠部８０２は、第２方向ｙに沿って延び、かつ第１方向ｘにおいて互いに離れて位置する。複数の第２枠部８０２の各々の両端は、第２方向ｙにおいて互いに隣り合う２つの第１枠部８０１につながっている。タイバー８１は、複数の第１枠部８０１につながっている。半導体装置Ａ２０においては、複数のリード１０の各々が、第１方向ｘにおいて互いに隣り合う２つの第２枠部８０２のいずれかにつながっている。

　次いで、図３２および図３３に示すように、複数のリード１０の各々の一部と、複数の半導体素子２０、および複数の導通部材３０とを覆う封止樹脂４０を形成する。封止樹脂４０は、コンプレッション成形により枠体８０の全体にわたって形成される。本工程では、複数のリード１０（第２リード１０２および第３リード１０３）の少なくともいずれかの裏面１２２を封止樹脂４０から露出させる。さらに本工程では、第１リード１０１および第４リード１０４の実装面１２１も封止樹脂４０から露出させる。

　次いで、図３４および図３５に示すように、厚さ方向ｚにおいて裏面１２２が露出する側から複数の第２枠部８０２を除去する。複数の第２枠部８０２の除去は、ハーフカットダイシングによりなされる。この際、複数の第２枠部８０２との境界に位置する複数のリード１０の各々の一部と、複数の第２枠部８０２との境界に位置する封止樹脂４０の一部とがあわせて除去される。本工程を経ることにより、封止樹脂４０には、厚さ方向ｚに凹み、かつ第２方向ｙに沿って延びる複数の溝８３が形成される。複数の溝８３のうち第１方向ｘにおいて互いに隣り合う２つの溝８３から、第２リード１０２および第３リード１０３の各々の２つの側面１３と、第１リード１０１および第４リード１０４の各々の２つの第２外方端面１４２とが現れる。

　次いで、図３６および図３７に示すように、封止樹脂４０から露出した裏面１２２および側面１３を覆う被覆層５０を電解めっきにより形成する。本工程では、第１リード１０１および第４リード１０４の各々の実装面１２１、および２つの第２外方端面１４２も被覆層５０に覆われる。その後、厚さ方向ｚにおいて裏面１２２が露出する側から封止樹脂４０の一部を除去することにより、連結帯８２を切断する。連結帯８２の切断方法は、図１７～図１９に示す半導体装置Ａ１０の製造工程における切断方法と同様である。

　最後に、第１方向ｘおよび第２方向ｙに沿った格子状に封止樹脂４０およびタイバー８１を切断することにより、複数のリード１０を枠体８０から切り離す。以上の工程を経ることによって、半導体装置Ａ２０が得られる。

　次に、半導体装置Ａ２０の作用効果について説明する。

　半導体装置Ａ２０は、封止樹脂４０から露出する裏面１２２および側面１３を有する第２リード１０２と、裏面１２２および側面１３を覆う被覆層５０とを備える。封止樹脂４０には、内側面４４１を有し、かつ底面４２から凹む凹部４４が形成されている。第２リード１０２と、第２リード１０２との間に凹部４４を間に挟んで位置する第１リード１０１および第３リード１０３の少なくともいずれかとは、内側面４４１から露出する内方端面１５を有する。したがって、半導体装置Ａ２０によっても、封止樹脂４０から露出したリード１０（第２リード１０２）の裏面１２２および側面１３を覆う被覆層５０がより効率的に形成されたものとすることが可能となる。さらに半導体装置Ａ２０が半導体装置Ａ１０と同様の構成を具備することによって、半導体装置Ａ２０においても当該構成にかかる作用効果を奏する。

　半導体装置Ａ２０においては、封止樹脂４０の外側面４３の一対の第１面４３１は、第１領域４３１Ａ、第２領域４３１Ｂおよび第３領域４３１Ｃを有する。本構成は、半導体装置Ａ２０の製造において封止樹脂４０を形成した後に複数の第２枠部８０２を除去することにより得られる。複数の第２枠部８０２を除去するまでは、複数のリード１０の各々は、複数の第２枠部８０２のいずれかにつながっている。これにより、封止樹脂４０をコンプレッション成形により枠体８０の全体にわたって形成できる。したがって、半導体装置Ａ１０の場合よりも封止樹脂４０の形成が容易となる。

　図３８～図４３に基づき、本開示の第３実施形態にかかる半導体装置Ａ３０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一、または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図３８は、理解の便宜上、封止樹脂４０を透過している。図３８では、透過した封止樹脂４０を想像線で示している。

　半導体装置Ａ３０においては、複数のリード１０、複数の半導体素子２０、複数の導通部材３０、および封止樹脂４０の構成が、先述した半導体装置Ａ１０の当該構成と異なる。

　図３８および図３９に示すように、複数のリード１０は、第１リード１０１、第２リード１０２、第３リード１０３および第４リード１０４に加えて、第５リード１０５および第６リード１０６をさらに含む。第５リード１０５は、第２方向ｙにおいて第２リード１０２の隣に位置し、かつ第２方向ｙにおいて第２リード１０２に対して第３リード１０３とは反対側に位置する。第６リード１０６は、第２方向ｙにおいて第３リード１０３の隣に位置し、かつ第２方向ｙにおいて第３リード１０３に対して第２リード１０２とは反対側に位置する。

　図３８、図３９および図４１に示すように、第５リード１０５および第６リード１０６は、主面１１２、裏面１２２、側面１３、第１外方端面１４１、内周面１６、庇部１７および外方凸部１８を有する。

　図３８および図３９に示すように、第２リード１０２および第３リード１０３は、主面１１２、裏面１２２、側面１３、内方端面１５、内周面１６、庇部１７および内方凸部１９を有する。さらに第２リード１０２の内方端面１５は、第１方向ｘにおいて封止樹脂４０の内方を向く領域と、第２方向ｙにおいて封止樹脂４０の内方を向く領域とを含む。これに伴い、第２リード１０２の内方凸部１９は、庇部１７から第１方向ｘにおいて封止樹脂４０の内方に突出した領域と、庇部１７から第２方向ｙにおいて封止樹脂４０の内方に突出した領域とを含む。

　図３８および図３９に示すように、第１リード１０１は、搭載面１１１、実装面１２１、第１外方端面１４１、２つの第２外方端面１４２、内方端面１５、内周面１６、庇部１７、外方凸部１８および内方凸部１９を有する。第１リード１０１の内方端面１５は、第１方向ｘにおいて封止樹脂４０の内方を向く領域と、第２方向ｙにおいて封止樹脂４０の内方を向く領域とを含む。これに伴い、第１リード１０１の内方凸部１９は、庇部１７から第１方向ｘにおいて封止樹脂４０の内方に突出した領域と、庇部１７から第２方向ｙにおいて封止樹脂４０の内方に突出した領域とを含む。第４リード１０４の構成は、半導体装置Ａ１０の第４リード１０４の構成と同様であるため、ここでの説明は省略する。

　半導体装置Ａ３０においては、複数の半導体素子２０は、ｎチャンネル型であり、かつ縦型構造のＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）である。複数の半導体素子２０は、化合物半導体基板を含む。当該化合物半導体基板の主材料は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）である。この他、当該化合物半導体基板の主材料として、ケイ素（Ｓｉ）を用いてもよい。この他、複数の半導体素子２０は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）などの他のスイッチング素子でもよい。半導体装置Ａ３０においても、複数の半導体素子２０は、第１半導体素子２０１および第２半導体素子２０２を含む。

　図４２に示すように、複数の半導体素子２０は、第１電極２１、第２電極２２およびゲート電極２３を有する。第１電極２１は、第１リード１０１の搭載面１１１が向く側に設けられている。第１電極２１には、半導体素子２０により変換された後の電力に対応する電流が流れる。すなわち、第１電極２１は、ソース電極に相当する。

　図４２に示すように、第２電極２２は、厚さ方向ｚにおいて第１電極２１とは反対側に設けられている。第２電極２２は、第１リード１０１の搭載面１１１、および第４リード１０４の搭載面１１１のいずれかに対向している。第２電極２２には、半導体素子２０により変換される前の電力に対応する電流が流れる。すなわち、第２電極２２は、ドレイン電極に相当する。

　図４２に示すように、ゲート電極２３は、厚さ方向ｚにおいて第１電極２１と同じ側に設けられ、かつ第１電極２１から離れて位置する。ゲート電極２３には、半導体素子２０が駆動するためのゲート電圧が印加される。図３８に示すように、厚さ方向ｚに視て、ゲート電極２３の面積は、第１電極２１の面積よりも小である。

　複数の導通部材３０は、図３８に示すように、２つの第１部材３１、２つの第２部材３２を含む。２つの第１部材３１のうち一方の第１部材３１は、第１半導体素子２０１の第１電極２１と、第５リード１０５の主面１１２とにそれぞれ接合層２９を介して接合されている。これにより、第１半導体素子２０１の第１電極２１は、第５リード１０５に導通している。２つの第１部材３１のうち他方の第１部材３１は、第２半導体素子２０２の第１電極２１と、第６リード１０６の主面１１２とにそれぞれ接合層２９を介して接合されている。これにより、第２半導体素子２０２の第１電極２１は、第６リード１０６に導通している。

　図３８に示すように、２つの第２部材３２のうち一方の第２部材３２は、第１半導体素子２０１のゲート電極２３と、第２リード１０２の主面１１２とに接合されている。これにより、第１半導体素子２０１のゲート電極２３は、第２リード１０２に導通している。２つの第２部材３２のうち他方の第２部材３２は、第２半導体素子２０２のゲート電極２３と、第３リード１０３の主面１１２とに接合されている。これにより、第２半導体素子２０２のゲート電極２３は、第３リード１０３に導通している。２つの第２部材３２は、ワイヤである。２つの第２部材３２の組成は、金を含む。この他、２つの第２部材３２の組成は、アルミニウム（Ａｌ）、または銅を含む場合でもよい。

　図３８に示すように、厚さ方向ｚに視て、複数の導通部材３０は、複数のリード１０（第１リード１０１、第２リード１０２および第３リード１０３）の内方端面１５から離れて位置する。

　封止樹脂４０の凹部４４は、図３９～図４１に示すように、第１溝４４Ａおよび第２溝４４Ｂを含む。第１溝４４Ａは、第１方向ｘに延びている。第１溝４４Ａの第１方向ｘの両側は、外側面４３の一対の第１面４３１につながっている。第２溝４４Ｂは、第２方向ｙに延びている。第２溝４４Ｂの第２方向ｙの両側は、外側面４３の一対の第２面４３２につながっている。第２溝４４Ｂは、第１溝４４Ａに交差している。封止樹脂４０の底面４２は、凹部４４により４つの領域に分断されている。

　図３９に示すように、第４リード１０４は、第１溝４４Ａを間に挟んで第１リード１０１の隣に位置する。第３リード１０３は、第１溝４４Ａを間に挟んで第２リード１０２の隣に位置する。第１溝４４Ａの内側面４４１から、第１リード１０１の内方端面１５のうち第２方向ｙを向く領域と、第４リード１０４の内方端面１５と、第２リード１０２の内方端面１５のうち第２方向ｙを向く領域と、第３リード１０３の内方端面１５とが露出している。図３９および図４３に示すように、第１リード１０１は、第２溝４４Ｂを間に挟んで第２リード１０２の隣に位置する。第２溝４４Ｂの内側面４４１から、第１リード１０１の内方端面１５のうち第１方向ｘを向く領域と、第２リード１０２のうち第１方向ｘを向く領域とが露出している。

　次に、半導体装置Ａ３０の作用効果について説明する。

　半導体装置Ａ３０は、封止樹脂４０から露出する裏面１２２および側面１３を有する第２リード１０２と、裏面１２２および側面１３を覆う被覆層５０とを備える。封止樹脂４０には、内側面４４１を有し、かつ底面４２から凹む凹部４４が形成されている。第２リード１０２と、第２リード１０２との間に凹部４４を間に挟んで位置する第１リード１０１および第３リード１０３の少なくともいずれかとは、内側面４４１から露出する内方端面１５を有する。したがって、半導体装置Ａ３０によっても、封止樹脂４０から露出したリード１０（第２リード１０２）の裏面１２２および側面１３を覆う被覆層５０がより効率的に形成されたものとすることが可能となる。さらに半導体装置Ａ３０が半導体装置Ａ１０と同様の構成を具備することによって、半導体装置Ａ３０においても当該構成にかかる作用効果を奏する。

　半導体装置Ａ３０においては、封止樹脂４０の凹部４４は、第１方向ｘに延びる第１溝４４Ａと、第２方向ｙに延びる第２溝４４Ｂとを含む。これにより、第２リード１０２の内方端面１５は、第１方向ｘを向く領域と、第２方向ｙを向く領域とを含む。本構成をとると、第２リード１０２および第３リード１０３が第１外方端面１４１を有しない構成であっても、第２リード１０２および第３リード１０３の裏面１２２および側面１３を覆う被覆層５０を電解めっきにより容易に形成することができる。

　厚さ方向ｚに視て、複数の導通部材３０は、複数のリード１０の内方端面１５から離れて位置する。これにより、半導体装置Ａ３０の製造工程のうち連結帯８２を切断する工程（図１７参照）において、連結帯８２とともに複数の導通部材３０が切断されるリスクを低減することができる。

　図４４および図４５に基づき、本開示の第４実施形態にかかる半導体装置Ａ４０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一、または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図４４は、理解の便宜上、封止樹脂４０を透過している。図４４では、透過した封止樹脂４０を想像線で示している。

　半導体装置Ａ４０においては、複数のリード１０、複数の導通部材３０、および封止樹脂４０の構成が、先述した半導体装置Ａ１０の当該構成と異なる。さらに半導体装置Ａ４０においては、半導体素子２０は、１つの第１半導体素子２０１から構成される。

　図４４および図４５に示すように、複数のリード１０は、第１リード１０１、第２リード１０２、第３リード１０３および第５リード１０５を含む。半導体装置Ａ４０においては、第４リード１０４を含まない。第１リード１０１は、搭載面１１１、実装面１２１、２つの第１外方端面１４１、４つの第２外方端面１４２、内方端面１５、内周面１６、庇部１７、２つの外方凸部１８、および内方凸部１９を有する。第１リード１０１の内方端面１５は、第１方向ｘにおいて封止樹脂４０の内方を向く。これに伴い、第１リード１０１の内方凸部１９は、庇部１７から第１方向ｘにおいて封止樹脂４０の内方に突出している。第１リード１０１の構成は、半導体装置Ａ１０の第１リード１０１および第４リード１０４が一体となったものである。

　図４４および図４５に示すように、第２リード１０２は、主面１１２、裏面１２２、側面１３、内方端面１５、内周面１６、庇部１７および内方凸部１９を有する。第２リード１０２の内方端面１５は、第１方向ｘを向く。これに伴い、第２リード１０２の内方凸部１９は、庇部１７から第１方向ｘに突出している。第３リード１０３の構成は、半導体装置Ａ１０の第３リード１０３の構成と同様であるため、ここでの説明は省略する。さらに第５リード１０５の構成は、半導体装置Ａ３０の第５リード１０５の構成と同様であるため、ここでの説明は省略する。

　半導体装置Ａ４０においては、第１半導体素子２０１（半導体素子２０）は、半導体装置Ａ３０と同様に、ｎチャンネル型であり、かつ縦型構造のＭＯＳＦＥＴである。

　複数の導通部材３０は、図４４に示すように、第１部材３１、第２部材３２および第３部材３３を含む。第１部材３１は、第１半導体素子２０１の第１電極２１と、第３リード１０３の主面１１２とにそれぞれ接合層２９を介して接合されている。これにより、第１半導体素子２０１の第１電極２１は、第３リード１０３に導通している。第２部材３２は、第１半導体素子２０１のゲート電極２３と、第５リード１０５の主面１１２とに接合されている。これにより、第１半導体素子２０１のゲート電極２３は、第５リード１０５に導通している。第３部材３３は、第１半導体素子２０１の第１電極２１と、第２リード１０２の主面１１２とに接合されている。これにより、第１半導体素子２０１の第１電極２１は、第２リード１０２に導通している。第３部材３３は、ワイヤである。第３部材３３の組成は、金を含む。この他、第３部材３３の組成は、アルミニウム、または銅を含む場合でもよい。

　封止樹脂４０の凹部４４は、図４５に示すように、第２方向ｙに延びる溝である。凹部４４の第２方向ｙの両側は、外側面４３の一対の第２面４３２につながっている。第１リード１０１は、凹部４４を間に挟んで第２リード１０２の隣に位置する。凹部４４の内側面４４１から、第１リード１０１の内方端面１５と、第２リード１０２の内方端面１５とが露出している。

　次に、半導体装置Ａ４０の作用効果について説明する。

　半導体装置Ａ４０は、封止樹脂４０から露出する裏面１２２および側面１３を有する第２リード１０２と、裏面１２２および側面１３を覆う被覆層５０とを備える。封止樹脂４０には、内側面４４１を有し、かつ底面４２から凹む凹部４４が形成されている。第２リード１０２と、第２リード１０２との間に凹部４４を間に挟んで位置する第１リード１０１および第３リード１０３の少なくともいずれかとは、内側面４４１から露出する内方端面１５を有する。したがって、半導体装置Ａ４０によっても、封止樹脂４０から露出したリード１０（第２リード１０２）の裏面１２２および側面１３を覆う被覆層５０がより効率的に形成されたものとすることが可能となる。さらに半導体装置Ａ４０が半導体装置Ａ１０と同様の構成を具備することによって、半導体装置Ａ４０においても当該構成にかかる作用効果を奏する。

　半導体装置Ａ４０においては、半導体素子２０は、１つの第１半導体素子２０１から構成される。したがって、本開示は、半導体素子２０の個数にかかわらず適用することができる。

　図４６～図４９に基づき、本開示の第５実施形態にかかる半導体装置Ａ５０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一、または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図４６は、理解の便宜上、封止樹脂４０を透過している。図４６では、透過した封止樹脂４０を想像線で示している。図４７の断面位置は、半導体装置Ａ１０を示す図８の断面位置と同一である。図４８の断面位置は、半導体装置Ａ１０を示す図９の断面位置と同一である。

　半導体装置Ａ５０においては、絶縁体６０をさらに備えることが先述した半導体装置Ａ１０と異なる。

　絶縁体６０は、図４６～図４９に示すように、封止樹脂４０の凹部４４に充填されている。絶縁体６０は、たとえばアンダーフィルに用いられる樹脂である。複数のリード１０の各々の内方端面１５は、絶縁体６０に覆われている。絶縁体６０は、凹部４４の中間面４４２に接している。ただし、絶縁体６０が凹部４４を間に挟んで互いに対向する２つの内方端面１５を覆う構成であれば、絶縁体６０が中間面４４２から離れていてもよい。

　半導体装置Ａ５０は、封止樹脂４０から露出する裏面１２２および側面１３を有する第２リード１０２と、裏面１２２および側面１３を覆う被覆層５０とを備える。封止樹脂４０には、内側面４４１を有し、かつ底面４２から凹む凹部４４が形成されている。第２リード１０２と、第２リード１０２との間に凹部４４を間に挟んで位置する第１リード１０１および第３リード１０３の少なくともいずれかとは、内側面４４１から露出する内方端面１５を有する。したがって、半導体装置Ａ５０によっても、封止樹脂４０から露出したリード１０（第２リード１０２）の裏面１２２および側面１３を覆う被覆層５０がより効率的に形成されたものとすることが可能となる。さらに半導体装置Ａ５０が半導体装置Ａ１０と同様の構成を具備することによって、半導体装置Ａ５０においても当該構成にかかる作用効果を奏する。

　半導体装置Ａ５０は、封止樹脂４０の凹部４４に充填された絶縁体６０をさらに備える。これにより、半導体装置Ａ５０を配線基板に実装する際、凹部４４を間に挟んで隣り合う２つのリード１０の内方端面１５にハンダが付着しなくなる。したがって、凹部４４を間に挟んで隣り合う２つのリード１０の短絡が防止できる。

　本開示は、先述した実施形態に限定されるものではない。本開示の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

　本開示は、以下の付記に記載された実施形態を含む。

　付記１．
　第１リードと、
　前記第１リードの厚さ方向に対して直交する方向おいて前記第１リードの隣に位置する第２リードと、
　前記厚さ方向に対して直交する方向において前記第２リードの隣に位置する第３リードと、
　前記第１リードに搭載され、かつ前記第２リードに導通する第１半導体素子と、
　前記第１リード、前記第２リードおよび前記第３リードの各々の一部と、前記第１半導体素子と、を覆う封止樹脂と、
　金属元素を含有する被覆層と、
を備え、
　前記封止樹脂は、前記厚さ方向を向く底面と、前記底面につながり、かつ前記厚さ方向に対して直交する方向において前記封止樹脂の外方を向く外側面と、を有し、
　前記封止樹脂には、前記底面から凹む凹部が形成され、
　前記凹部は、前記底面につながり、かつ前記厚さ方向に対して直交する方向において前記封止樹脂の内方を向く内側面を有し、
　前記第２リードは、前記底面から露出する裏面と、前記裏面につながり、かつ前記外側面から露出する側面と、を有し、
　前記被覆層は、前記裏面および前記側面を覆い、
　前記凹部は、前記第１リードと前記第２リードとの間にあり、
　前記第２リードと、前記第１リードおよび前記第３リードの少なくともいずれかとは、前記内側面から露出する内方端面を有する、半導体装置。
　付記２．
　前記凹部は、前記厚さ方向に対して直交する方向に延びる溝であり、
　前記内側面は、前記厚さ方向および前記凹部が延びる方向に対して直交する方向に互いに離れて位置する一対の領域を含み、
　前記一対の領域から前記内方端面が露出している、付記１に記載の半導体装置。
　付記３．
　前記底面は、前記凹部により複数の領域に分断されている、付記２に記載の半導体装置。
　付記４．
　前記凹部は、第１溝および第２溝を含み、
　前記第２溝は、前記第１溝に交差している、付記３に記載の半導体装置。
　付記５．
　前記第２リードの前記内方端面は、前記側面から離れて位置する、付記１ないし４のいずれかに記載の半導体装置。
　付記６．
　前記第２リードの前記内方端面の面積は、前記側面の面積よりも小である、付記５に記載の半導体装置。
　付記７．
　前記第２リードの前記内方端面は、前記裏面から離れて位置する、付記６に記載の半導体装置。
　付記８．
　前記第２リードは、前記厚さ方向において前記裏面とは反対側を向く主面を有し、
　前記内方端面は、前記主面につながっている、付記６または７に記載の半導体装置。
　付記９．
　前記凹部は、前記厚さ方向において前記底面と同じ側を向き、かつ前記内側面につながる中間面を有し、
　前記厚さ方向において、前記中間面は、前記主面よりも前記底面から離れて位置する、付記８に記載の半導体装置。
　付記１０．
　前記第１リードは、前記外側面から露出する第１外方端面を有し、
　前記第１外方端面が向く方向は、前記側面が向く方向と異なる、付記１ないし９のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１１．
　前記第１リードは、前記底面から露出する実装面を有し、
　前記第１外方端面は、前記実装面から離れて位置する、付記１０に記載の半導体装置。
　付記１２．
　前記実装面の面積は、前記裏面の面積よりも大である、付記１１に記載の半導体装置。
　付記１３．
　前記第１リードは、前記実装面につながり、かつ前記外側面から露出する第２外方端面を有し、
　前記被覆層は、前記実装面および前記第２外方端面を覆っている、付記１１または１２に記載の半導体装置。
　付記１４．
　前記第２外方端面が向く方向は、前記側面が向く方向と同一であり、
　前記第２外方端面は、前記側面とは反対側を向く、付記１３に記載の半導体装置。
　付記１５．
　前記第２外方端面の面積は、前記第１外方端面の面積よりも大である、付記１４に記載の半導体装置。
　付記１６．
　前記厚さ方向に対して直交する方向において前記第１リードの隣に位置する第４リードと、
　前記第４リードに搭載され、かつ前記第３リードに導通する第２半導体素子と、をさらに備え、
　前記封止樹脂は、前記第４リードの一部と、前記第２半導体素子と、を覆っており、
　前記凹部は、前記第１リードと前記第４リードとの間にも位置しており、
　前記第１リードおよび前記第４リードは、前記内方端面を有する、付記１ないし１５のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１７．
　裏面と、前記裏面につながる側面と、を各々が有する複数のリードのいずれかに半導体素子を搭載する工程と、
　前記複数のリードの各々の一部と、前記半導体素子と、を覆う封止樹脂を形成する工程と、を備え、
　前記封止樹脂を形成する工程では、前記複数のリードの少なくともいずれかの前記裏面および前記側面を前記封止樹脂から露出させ、
　前記複数のリードのうち少なくともいずれか２つのリードは、前記複数のリードと同一の組成からなる連結帯により互いにつながっており、
　前記封止樹脂を形成する工程の後に、前記封止樹脂から露出した前記裏面および前記側面を覆い、かつ金属元素を含有する被覆層を電解めっきにより形成する工程と、
　前記被覆層を形成する工程の後に、前記裏面が露出する側から前記封止樹脂の一部を除去することにより、前記連結帯を切断する工程と、をさらに備える、半導体装置の製造方法。

Ａ１０，Ａ２０，Ａ３０：半導体装置　　　１０：リード
１０１：第１リード　　　１０２：第２リード
１０３：第３リード　　　１０４：第４リード
１０５：第５リード　　　１０６：第６リード
１１１：搭載面　　　１１２：主面
１２１：実装面　　　１２２：裏面
１３：側面　　　１４１：第１外方端面
１４２：第２外方端面　　　１５：内方端面
１６：内周面　　　１７：庇部
１７１：張出面　　　１８：外方凸部
１９：内方凸部　　　２０：半導体素子
２０１：第１半導体素子　　　２０２：第２半導体素子
２１：第１電極　　　２２：第２電極
２３：ゲート電極　　　２９：接合層
３０：導通部材　　　３１：第１部材
３２：第２部材　　　３３：第３部材
４０：封止樹脂　　　４１：頂面
４２：底面　　　４３：外側面
４３１：第１面　　　４３１Ａ：第１領域
４３１Ｂ：第２領域　　　４３１Ｃ：第３領域
４３２：第２面　　　４４：凹部
４４１：内側面　　　４４２：中間面
５０：被覆層　　　６０：絶縁体
８０：枠体　　　８０１：第１枠部
８０２：第２枠部　　　８１：タイバー
８２：連結帯　　　８３：溝
ｚ：厚さ方向　　　ｘ：第１方向　　　ｙ：第２方向

Claims

　第１リードと、
　前記第１リードの厚さ方向に対して直交する方向おいて前記第１リードの隣に位置する第２リードと、
　前記厚さ方向に対して直交する方向において前記第２リードの隣に位置する第３リードと、
　前記第１リードに搭載され、かつ前記第２リードに導通する第１半導体素子と、
　前記第１リード、前記第２リードおよび前記第３リードの各々の一部と、前記第１半導体素子と、を覆う封止樹脂と、
　金属元素を含有する被覆層と、
を備え、
　前記封止樹脂は、前記厚さ方向を向く底面と、前記底面につながり、かつ前記厚さ方向に対して直交する方向において前記封止樹脂の外方を向く外側面と、を有し、
　前記封止樹脂には、前記底面から凹む凹部が形成され、
　前記凹部は、前記底面につながり、かつ前記厚さ方向に対して直交する方向において前記封止樹脂の内方を向く内側面を有し、
　前記第２リードは、前記底面から露出する裏面と、前記裏面につながり、かつ前記外側面から露出する側面と、を有し、
　前記被覆層は、前記裏面および前記側面を覆い、
　前記凹部は、前記第１リードと前記第２リードとの間にあり、
　前記第２リードと、前記第１リードおよび前記第３リードの少なくともいずれかとは、前記内側面から露出する内方端面を有する、半導体装置。
　前記凹部は、前記厚さ方向に対して直交する方向に延びる溝であり、
　前記内側面は、前記厚さ方向および前記凹部が延びる方向に対して直交する方向に互いに離れて位置する一対の領域を含み、
　前記一対の領域から前記内方端面が露出している、請求項１に記載の半導体装置。
　前記底面は、前記凹部により複数の領域に分断されている、請求項２に記載の半導体装置。
　前記凹部は、第１溝および第２溝を含み、
　前記第２溝は、前記第１溝に交差している、請求項３に記載の半導体装置。
　前記第２リードの前記内方端面は、前記側面から離れて位置する、請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体装置。
　前記第２リードの前記内方端面の面積は、前記側面の面積よりも小である、請求項５に記載の半導体装置。
　前記第２リードの前記内方端面は、前記裏面から離れて位置する、請求項６に記載の半導体装置。
　前記第２リードは、前記厚さ方向において前記裏面とは反対側を向く主面を有し、
　前記内方端面は、前記主面につながっている、請求項６または７に記載の半導体装置。
　前記凹部は、前記厚さ方向において前記底面と同じ側を向き、かつ前記内側面につながる中間面を有し、
　前記厚さ方向において、前記中間面は、前記主面よりも前記底面から離れて位置する、請求項８に記載の半導体装置。
　前記第１リードは、前記外側面から露出する第１外方端面を有し、
　前記第１外方端面が向く方向は、前記側面が向く方向と異なる、請求項１ないし９のいずれかに記載の半導体装置。
　前記第１リードは、前記底面から露出する実装面を有し、
　前記第１外方端面は、前記実装面から離れて位置する、請求項１０に記載の半導体装置。
　前記実装面の面積は、前記裏面の面積よりも大である、請求項１１に記載の半導体装置。
　前記第１リードは、前記実装面につながり、かつ前記外側面から露出する第２外方端面を有し、
　前記被覆層は、前記実装面および前記第２外方端面を覆っている、請求項１１または１２に記載の半導体装置。
　前記第２外方端面が向く方向は、前記側面が向く方向と同一であり、
　前記第２外方端面は、前記側面とは反対側を向く、請求項１３に記載の半導体装置。
　前記第２外方端面の面積は、前記第１外方端面の面積よりも大である、請求項１４に記載の半導体装置。
　前記厚さ方向に対して直交する方向において前記第１リードの隣に位置する第４リードと、
　前記第４リードに搭載され、かつ前記第３リードに導通する第２半導体素子と、をさらに備え、
　前記封止樹脂は、前記第４リードの一部と、前記第２半導体素子と、を覆っており、
　前記凹部は、前記第１リードと前記第４リードとの間にも位置しており、
　前記第１リードおよび前記第４リードは、前記内方端面を有する、請求項１ないし１５のいずれかに記載の半導体装置。
　裏面と、前記裏面につながる側面と、を各々が有する複数のリードのいずれかに半導体素子を搭載する工程と、
　前記複数のリードの各々の一部と、前記半導体素子と、を覆う封止樹脂を形成する工程と、を備え、
　前記封止樹脂を形成する工程では、前記複数のリードの少なくともいずれかの前記裏面および前記側面を前記封止樹脂から露出させ、
　前記複数のリードのうち少なくともいずれか２つのリードは、前記複数のリードと同一の組成を含む連結帯により互いにつながっており、
　前記封止樹脂を形成する工程の後に、前記封止樹脂から露出した前記裏面および前記側面を覆い、かつ金属元素を含有する被覆層を電解めっきにより形成する工程と、
　前記被覆層を形成する工程の後に、前記裏面が露出する側から前記封止樹脂の一部を除去することにより、前記連結帯を切断する工程と、をさらに備える、半導体装置の製造方法。