WO2022210070A1 - 固体撮像素子 - Google Patents

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基範 石井
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    • H04N25/773Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising A/D, V/T, V/F, I/T or I/F converters comprising photon counting circuits, e.g. single photon detection [SPD] or single photon avalanche diodes [SPAD]
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    • H04N25/58Control of the dynamic range involving two or more exposures
    • H04N25/587Control of the dynamic range involving two or more exposures acquired sequentially, e.g. using the combination of odd and even image fields

Definitions

  • the present disclosure relates to solid-state imaging devices.
  • the pixel cell array 20 is formed by arranging the pixel cells 10 in rows and columns. As will be described in detail later, the pixel cell 10 is composed of an APD1 (avalanche photodiode 1) and a plurality of transistors electrically connected to the APD1.
  • APD1 active photodiode 1
  • the pixel cell 10 has an APD 1, a transfer transistor 3 (hereinafter sometimes referred to as TRN-TR3), and a reset transistor 4 (hereinafter sometimes referred to as RST-TR4). is doing. Further, the pixel cell 10 includes a floating diffusion portion 2 (hereinafter sometimes referred to as an FD portion 2), a count transistor 7 (hereinafter sometimes called a CNT-TR7) and a capacitor 8 (hereinafter sometimes called an MIM8). ) and The pixel cell 10 further has an amplification transistor 5 (hereinafter sometimes called SF-TR5) and a selection transistor 6 (hereinafter sometimes called SEL-TR6). Note that in the following description, when focusing on the circuit operation, each element in the pixel cell 10 may be generically called a pixel circuit.
  • the TRN-TR3 is a field effect transistor (hereinafter sometimes referred to as a MISFET) whose source is connected to the cathode of the APD1 and whose drain is connected to the FD section 2.
  • the drain of the TRN-TR3 and the FD section 2 is a common area.
  • TRN-TR3 are N-channel MISFETs. That is, the source and drain are n-type impurity regions, and the region immediately below the gate is a p-type impurity region. Gates of TRN-TR3 are connected to the vertical scanning circuit 40 .
  • SEL-TR6 is a MISFET whose drain is connected to the source of SF-TR5 and whose source is connected to VSL9. A gate of SEL-TR6 is connected to the vertical scanning circuit 40 . When the drive signal SEL is supplied from the vertical scanning circuit 40, the SEL-TR6 is turned on, and the output signal of the SF-TR5 is transferred to the VSL9 and further output to the readout circuit 50.
  • FIG. 1 When the drive signal SEL is supplied from the vertical scanning circuit 40, the SEL-TR6 is turned on, and the output signal of the SF-TR5 is transferred to the VSL9 and further output to the readout circuit 50.
  • Ec and EFN are displayed in each figure for reference.
  • Ec indicates the lower end level of the conduction band of the semiconductor layer forming each part in the pixel cell 10 .
  • E FN indicates the Fermi level of the n-type semiconductor layer forming each part.
  • the vertical axis also shows the potential energy of electrons in each part in the pixel cell 10 . Since the potential energy of an electron is opposite to the magnitude relationship of the potential, the relationship of P3>P2>P1 is satisfied in each figure.
  • the drive signal TRN is lowered to 0V, TRN-TR3 is turned off, and the exposure ends (period IV shown in FIG. 4).
  • the driving signal CNT is lowered to 0V to turn off CNT-TR7 (period XI shown in FIG. 4).
  • a voltage signal based on the amount of charge accumulated in the FD section 2 is output from the SF-TR5 and transferred to the VSL9 via the SEL-TR6.
  • FIG. 7 shows an example of the relationship between the photon count number and the capacitor voltage in the exposure step.
  • the potential VFD of the FD section 2 is adjusted to a predetermined level for each exposure period. . That is, when photons are incident on the APD 1 during one exposure period, the charge amount accumulated in the FD portion 2 is constant.
  • the charge accumulated in the FD section 2 is redistributed to the MIM 8 according to the ratio between the capacitance CFD of the FD section 2 and the capacitance CMIM of the MIM 8. .
  • the pixel cell 10 has at least a CNT-TR7 connected to the FD section 2 and an MIM8 having one terminal connected to the front CNT-TR7.
  • the number of elements in the pixel cell 10 can be reduced by one compared to the conventional configuration disclosed in Patent Document 2.
  • the first reset transistor in Patent Document 2 can be omitted.
  • the size of the pixel cell 10 can be reduced, and the solid-state imaging device 100 with higher integration than the conventional configuration disclosed in Patent Document 2 can be realized.
  • the number of transistors directly connected to the APD 1 can be reduced compared to the conventional configuration disclosed in Patent Document 2.
  • the first reset transistor in Patent Document 2 can be omitted.
  • the number of transistors directly connected to the APD 1 can be reduced, so the amount of dark current flowing into the APD 1 can be reduced compared to the conventional configuration disclosed in Patent Document 2. This makes it possible to suppress deterioration in image quality.
  • the potentials of the terminals of the MIM 8 connected to the capacitor signal line 42 can be changed to different levels.
  • the difference between the reset level and the signal level can be increased, noise components can be removed, and a large-amplitude photodetection signal can be obtained. This makes it possible to accurately detect the number of photons incident on the APD 1 .
  • the vertical scanning circuit 40 is configured to be able to apply voltages of three or more different levels to the gate of the RST-TR4. By doing so, the potential VFD of the FD section 2 is adjusted, and the amount of charge accumulated in the FD section 2 when photons are incident during one exposure period, and thus the charge accumulated in the MIM 8 Amount can be constant. As a result, the number of incident photons to the APD 1 can be detected without providing a dedicated circuit such as an analog-digital conversion circuit. That is, it is possible to accurately detect the number of times that photons are incident on the APD 1 while configuring the solid-state imaging device 100 with a simple configuration.
  • the charges generated by the APD 1 are accumulated in the MIM 8 via the FD section 2 during the exposure period.
  • the vertical scanning circuit 40 causes the VSL 9 to read out a photodetection signal based on the charge amount accumulated in the MIM 8 . By doing so, the number of times photons are incident on the APD 1 can be accurately detected.
  • the magnitude of the photodetection signal output from the solid-state imaging device 100 corresponds to the number of exposure periods during which photons are incident on the APD1.
  • the number of times photons are incident on the APD 1 can be accurately detected without providing a dedicated circuit such as an analog-digital conversion circuit.
  • the level changing circuit sets the voltage of the power supply 11 so that the APD 1 operates in the linear multiplication mode.
  • the determination circuit and the level change circuit may be provided outside the solid-state imaging device 100 .

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Abstract

固体撮像素子100は、複数の画素セル10と垂直走査回路40とを少なくとも備えている。画素セル10は、アバランシェフォトダイオード1とフローティングディフュージョン部2と転送トランジスタ3とリセットトランジスタ4と増幅トランジスタ5と選択トランジスタ6とカウントトランジスタ7とキャパシタ8とを有している。増幅トランジスタ5は、フローティングディフュージョン部2に蓄積された電荷量に応じた電圧信号を出力する。キャパシタ8の一方の端子はカウントトランジスタ7に接続されている。垂直走査回路40は、キャパシタ8の他方の端子に互いに異なるレベルの電圧を供給可能に構成されている。

Description

固体撮像素子
 本開示は、固体撮像素子に関する。
 従来、出力のダイナミックレンジを拡大するため、画素セル毎に電荷蓄積用のキャパシタを有する固体撮像素子が知られている(例えば、特許文献1参照)。また、微弱な光を検出し、フォトンカウント機能を有する固体撮像素子において、画素セル毎にキャパシタを備え、キャパシタに蓄積された電荷量に基づいて、所定の期間に入射されたフォトン数をカウント可能な固体撮像素子が知られている(例えば、特許文献2参照)。
特開2008-085861号公報 国際公開第2018/216400号
 特許文献2に開示された従来の固体撮像素子は、画素セル内にアバランシェフォトダイオード(以下、APDと呼ぶことがある。)と6つのトランジスタとメモリ部であるキャパシタとを備えており、フォトンカウント機能を有しつつ、画素セルの小型化が図られている。
 一方、近年、当該機能を有する固体撮像素子のさらなる高集積化や小型化が求められてきている。
 本開示はかかる点に鑑みてなされたもので、その目的は、フォトンカウント機能を有し、かつさらなる高集積化がなされた固体撮像素子を提供することにある。
 上記目的を達成するため、本開示に係る固体撮像素子は、行列状に配置された複数の画素セルと、前記複数の画素セルの動作を制御する行制御回路とを少なくとも備えた固体撮像素子であって、前記画素セルは、受光した光を電荷に変換するアバランシェフォトダイオードと、前記アバランシェフォトダイオードで生成された電荷を蓄積するフローティングディフュージョン部と、前記アバランシェフォトダイオードと前記フローティングディフュージョン部とにそれぞれ接続された転送トランジスタと、第1電源と前記フローティングディフュージョン部とにそれぞれ接続されたリセットトランジスタと、第2電源と前記フローティングディフュージョン部とにそれぞれ接続され、前記フローティングディフュージョン部に蓄積された電荷量に応じた電圧信号を出力する増幅トランジスタと、前記増幅トランジスタに接続され、前記増幅トランジスタの出力信号を垂直信号線に転送する選択トランジスタと、前記フローティングディフュージョン部に接続されたカウントトランジスタと、一方の端子が前記カウントトランジスタに接続されたキャパシタと、を少なくとも有し、前記行制御回路は、前記キャパシタの他方の端子に互いに異なるレベルの電圧を供給可能に構成されていることを特徴とする。
 本開示によれば、画素セル内の素子数を低減して画素セルのサイズを小さくできる。このことにより、フォトンカウント機能を有し、かつ高集積化された固体撮像素子を提供できる。
図1は、実施形態に係る固体撮像素子の概略構成図である。 図2は、画素セル内の回路の概略構成図である。 図3は、画素セルとキャパシタへの電圧印加回路との接続関係を示す概略構成図である。 図4は、画素回路の動作タイミングを示すタイミングチャートである。 図5Aは、図4の期間Iにおける画素セル内の電位及びポテンシャルの模式図である。 図5Bは、図4の期間IIにおける画素セル内の電位及びポテンシャルの模式図である。 図5Cは、図4の期間IIIにおける画素セル内の電位及びポテンシャルの模式図である。 図5Dは、図4の期間IVにおける画素セル内の電位及びポテンシャルの模式図である。 図5Eは、図4の期間Vにおける画素セル内の電位及びポテンシャルの模式図である。 図5Fは、図4の期間VIにおける画素セル内の電位及びポテンシャルの模式図である。 図5Gは、図4の期間VIIにおける画素セル内の電位及びポテンシャルの模式図である。 図5Hは、図4の期間VIIIにおける画素セル内の電位及びポテンシャルの模式図である。 図6Aは、図4の期間IXにおける画素セル内の電位及びポテンシャルの模式図である。 図6Bは、図4の期間Xにおける画素セル内の電位及びポテンシャルの模式図である。 図6Cは、図4の期間XIにおける画素セル内の電位及びポテンシャルの模式図である。 図6Dは、図4の期間XIIにおける画素セル内の電位及びポテンシャルの模式図である。 図6Eは、図4の期間XIIIにおける画素セル内の電位及びポテンシャルの模式図である。 図6Fは、図4の期間XIVにおける画素セル内の電位及びポテンシャルの模式図である。 図6Gは、図4の期間XVにおける画素セル内の電位及びポテンシャルの模式図である。 図7は、露光ステップでのフォトンカウント数とキャパシタ電圧との関係を示す一例である。 図8は、露光ステップでのフォトンカウント数とキャパシタへの移動電荷とキャパシタ蓄積電位との関係を示す別の一例である。 図9は、露光ステップでのフォトンカウント数とキャパシタ蓄積電位との関係を示す一例である。
 以下、本開示の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。以下の好ましい実施形態の説明は、本質的に例示に過ぎず、本開示、その適用物或いはその用途を制限することを意図するものでは全くない。
 (実施形態)
 [固体撮像素子の構成]
 図1は、本実施形態に係る固体撮像素子の平面図を示す。なお、説明の便宜上、図1において、画素セル10内の回路構成及び画素セルアレイ20と周辺回路部30との接続関係の図示を省略している。また、図1において、周辺回路部30の一部のみを図示している。
 図1に示すように、固体撮像素子100は、画素セルアレイ20と周辺回路部30とを備えている。なお、図示しないが、固体撮像素子100は、単結晶シリコンからなる半導体基板上に形成されている。
 画素セルアレイ20は、画素セル10が行列状に配列されてなる。また、後で詳しく述べるように、画素セル10は、APD1(アバランシェフォトダイオード1)とAPD1に電気的に接続された複数のトランジスタ等で構成される。
 周辺回路部30は、画素セルアレイ20の周囲に配置されており、垂直走査回路40と読み出し回路50と水平走査回路60とバッファアンプ70とを有している。周辺回路部30は、これら以外の回路を含んでいてもよい。
 垂直走査回路40は、選択した行に含まれる画素セル10の内部回路を動作させるように構成された行選択回路である。垂直走査回路40により、選択された行に含まれるAPD1で生成された電荷に基づいた信号を垂直信号線9(図2参照。以下、VSL9と呼ぶことがある。)を介して読み出し回路50に出力させる。
 読み出し回路50は、入力された信号に含まれるノイズ成分を除去する相関二重サンプリング(Correlated Double Sampling)回路(以下、CDS回路と呼ぶことがある。)を含んでいる。読み出し回路50は他の回路を組み込んでいてもよい。
 読み出し回路50に転送され、さらにノイズ成分が除去された信号は、水平走査回路60を駆動することでバッファアンプ70に転送され、図示しない後段の信号処理回路に出力される。信号処理回路でホワイトバランス等の信号処理が施された後にディスプレイ(図示せず)、メモリ(図示せず)等に転送され、画素セルアレイ20で受光された光が、例えば、画像化される。
 [画素セルの構成]
 図2は、画素セル内の回路の概略構成図を示し、図3は、画素セルとキャパシタへの電圧印加回路との接続関係の概略構成図を示す。
 図2に示すように、画素セル10は、APD1と転送トランジスタ3(以下、TRN-TR3と呼ぶことがある。)とリセットトランジスタ4(以下、RST-TR4と呼ぶことがある。)とを有している。また、画素セル10は、フローティングディフュージョン部2(以下、FD部2と呼ぶことがある。)とカウントトランジスタ7(以下、CNT-TR7と呼ぶことがある。)とキャパシタ8(以下、MIM8と呼ぶことがある。)とを有している。画素セル10は、さらに増幅トランジスタ5(以下、SF-TR5と呼ぶことがある。)と選択トランジスタ6(以下、SEL-TR6と呼ぶことがある。)とを有している。なお、以降の説明において、回路動作に着目してみる場合、画素セル10内の各素子を総称して、画素回路と呼ぶことがある。
 APD1は、内部にpn接合を有するシリコンダイオードであり、アノードに電源11から電圧VSUBを印加した状態で動作させる。APD1は、電圧VSUBを負電圧にすることで、pn接合が逆バイアス状態となるように構成されている。電圧VSUBの絶対値が所定値よりも小さい場合(例えば-25V程度)は、APD1に入射したフォトンの数に略比例した電荷が、光電変換によりAPD1で発生する。つまり、この場合、APD1は、通常のイメージセンサと同様に動作する。
 一方、電圧VSUBの絶対値が所定値よりも大きい場合(例えば-27V程度)、光電変換により発生した電荷は、ドリフトによってpn接合部分に到達すると、アバランシェ増倍により、キャリア数が増倍される。増倍率は、通常、数倍~10万倍程度に設定される。
 前者の動作モードをリニア増倍モードと呼び、後者の動作モードをガイガー増倍モードと呼ぶことがある。ガイガー増倍モードは、微弱光を高感度で検出するのにより適している。したがって、以降の説明では、APD1の動作モードが、ガイガー増倍モードである場合を例に取って説明する。なお、リニア増倍モードとガイガー増倍モードとが切り替わる場合の電圧VSUBの絶対値は、前述した値に特に限定されない。当該絶対値は、APD1の内部の不純物濃度やサイズ等に応じて適宜変更されうる。また、後で述べるように、APD1の動作モードをリニア増倍モードとしてもよい。
 TRN-TR3は、ソースがAPD1のカソードに、ドレインがFD部2にそれぞれ接続された電界効果型トランジスタ(以下、MISFETと呼ぶことがある。)本実施形態では、TRN-TR3のドレインとFD部2とは共通した領域である。また、TRN-TR3はNチャネルMISFETである。つまり、ソース及びドレインがn型不純物領域であり、ゲート直下の領域がp型不純物領域である。TRN-TR3のゲートは、垂直走査回路40に接続されている。垂直走査回路40から駆動信号TRNが供給されることで、TRN-TR3はオン状態となり、TRN-TR3のソースとドレインとは導通状態となる。このことにより、APD1で発生した電荷をFD部2に転送することが可能となる。なお、この場合にAPD1で発生した電荷は、光電変換により発生した電荷がさらにアバランシェ増倍により増倍された電荷である。
 FD部2は、TRN-TR3のドレイン及びRST-TR4のソースに相当する領域である。図示しないが、FD部2は、p型ウェルの表面に部分的に形成されたn型不純物領域である。p型ウェルの電位は通常、固定されているため、FD部2の電位は、FD部2に蓄積された電荷量に応じて変化する。
 RST-TR4は、ドレインがリセットドレイン電源12(以下、第1電源12と呼ぶことがある。)に、ソースがFD部2にそれぞれ接続されたNチャネルMISFETである。RST-TR4のゲートは、垂直走査回路40に接続されている。垂直走査回路40から駆動信号RSTが供給されることで、RST-TR4はオン状態となる。RST-TR4をオン状態にすることで、FD部2と第1電源12とが導通状態となり、FD部2の電位は、第1電源12より印加された固定電圧RSDに初期化される。つまり、FD部2の電位は、固定電圧RSDにリセットされる。なお、後で述べるように、垂直走査回路40からRST-TR4のゲートに印加される駆動信号RSTは、3つの異なるレベルの電圧値を取りうる。また、第1電源12の電源電圧は、画素セルアレイ20内の各RST-TR4に共通に印加されている。
 SF-TR5は、ドレインがドレイン電源13(以下、第2電源13と呼ぶことがある。)に、ゲートがFD部2にそれぞれ接続されたMISFETである。APD1から転送されてFD部2に蓄積された電荷量に応じた電圧信号が、SF-TR5のソースに出力される。なお、FD部2に蓄積された電荷は、CNT-TR7を介してMIM8に蓄積される。後で述べる読み出しステップにおいて、SF-TR5からVSL9に出力される信号の大きさは、FD部2及びCNT-TR7を介して、後で述べる露光ステップでMIM8に蓄積された電荷量に略比例する。なお、第2電源13の電源電圧は、画素セルアレイ20内の各SF-TR5に共通に印加されている。
 SEL-TR6は、ドレインがSF-TR5のソースに、ソースがVSL9にそれぞれ接続されたMISFETである。SEL-TR6のゲートは、垂直走査回路40に接続されている。垂直走査回路40から駆動信号SELが供給されることで、SEL-TR6はオン状態となり、SF-TR5の出力信号がVSL9に転送され、さらに読み出し回路50に出力される。
 CNT-TR7は、ドレインがFD部2に、ソースがMIM8の一方の端子にそれぞれ接続されたNチャネルMISFETである。また、CNT-TR7はエンハンスメントタイプのMISFETである。CNT-TR7のゲートは、垂直走査回路40に接続されている。垂直走査回路40から駆動信号CNTが供給されることで、CNT-TR7はオン状態となり、FD部2に蓄積された電荷がCNT-TR7を介してMIM8に蓄積される。
 MIM8は、上部電極(図示せず)と下部電極(図示せず)とこれらに挟まれた誘電体膜(図示せず)とからなるキャパシタ素子である。図3に示すように、MIM8は、一方の端子がCNT-TR7のソースに接続され、他方の端子が、キャパシタ信号線42にそれぞれ接続されている。ここで、一方の端子が下部電極に相当し、他方の端子が上部電極に相当する。
 同じ行に含まれるMIM8は、それぞれ同じキャパシタ信号線42に接続されている。キャパシタ信号線42にはアンプ41が接続されている。アンプ41は、垂直走査回路40の内部回路であり、所定の入力信号に応じて、互いに異なるレベルの電圧信号を発生させる。アンプ41からの出力信号である駆動信号CSWが、MIM8の他方の端子に印加される。例えば、駆動信号CSWが、グラウンド電位に相当する電圧信号であるLo信号と、Lo信号よりも高電圧のHi信号の2つのレベルを取りうるようにアンプ41が構成される。また、MIM8の他方の端子にHi信号が印加されると、MIM8の一方の端子に接続されたCNT-TR7のソースの電位(VMIM)は低下する(図6E参照)。
 なお、図示しないが、同じ行に含まれるTRN-TR3のゲートは、それぞれ転送行信号線(図示せず)に接続され、当該転送行信号線を介して同じタイミングで駆動信号TRNが供給される。同様に、同じ行に含まれるRST-TR4のゲートは、それぞれリセット行信号線(図示せず)に接続され、当該リセット行信号線を介して同じタイミングで駆動信号RSTが供給される。同じ行に含まれるSEL-TR6のゲートは、それぞれ選択行信号線(図示せず)に接続され、当該選択行信号線を介して同じタイミングで駆動信号SELが供給される。同じ行に含まれるCNT-TR7のゲートは、それぞれカウント行信号線(図示せず)に接続され、当該カウント行信号線を介して同じタイミングで駆動信号CNTが供給される。
 [光検出時の固体撮像素子の駆動方法]
 図4は、光検出時の画素回路の動作タイミングチャートを示す。図5A~5Hは、露光時の画素セル内の電位及びポテンシャルを模式的に示す。図6A~6Gは、信号読み出し時の画素セル内の電位及びポテンシャルを模式的に示す。なお、図5A~5H及び図6A~6Gのそれぞれにおいて、上側の図が、図2に示すA-A線に沿った電位及びポテンシャルを模式的に示し、下側の図が、図2に示すB-B線に沿ったポテンシャルを模式的に示している。また、図5A~5Hに示す電位及びポテンシャルは、図4に示す期間I~VIIIにそれぞれ対応し、図6A~6Gに示す電位及びポテンシャルは、図4に示す期間IX~XVにそれぞれ対応している。
 なお、図5A~5H及び図6A~6Gにおいて、画素セル10内の各部のポテンシャルを電位で表示している。この場合、電位がV1>V2>V3の関係を満たすように、図5A~5H及び図6A~6Gをそれぞれ図示している。本実施形態において、電位V1=+3V、電位V2=0V、電位V3=-1.1Vであるが、特にこれに限定されない。これらの値は、第1電源12や第2電源13の電源電圧や画素セル10内の各素子の仕様、特に各トランジスタのサイズに応じて適宜変更されうる。
 また、本実施形態では、APD1で発生し、FD部2に転送される主な電荷は電子である。よって、参考のために、各図において、Ec及びEFNを表示している。Ecは、画素セル10内の各部を構成する半導体層の伝導帯の下端レベルを示す。EFNは、当該各部を構成するn型半導体層のフェルミ準位を示す。また、縦軸には画素セル10内の各部の電子のポテンシャルエネルギーも併せて示している。電子のポテンシャルエネルギーは電位の大小関係と反対であるから、各図において、P3>P2>P1の関係を満たしている。
 なお、図5A~5H及び図6A~6Gにおいて、VAPDは、APD1のカソードの電位またはポテンシャル(図2参照)を示す。VFDは、FD部2の電位またはポテンシャル(図2参照)を示す。VMIMは、MIM8の端子のうち、CNT-TR7のソースに接続された端子の電位またはポテンシャル(図2参照)を示す。また、P-wellは、FD部2を囲むp型ウェル(図示せず)の電位またはポテンシャルを示し、当該電位は、V3(=-1.1V)に固定されている。RSDは、RSD-TRのドレインの電位またはポテンシャルを示し、当該電位は、第1電源12の電源電圧、この場合は、+3Vに固定されている。
 TRNは、TRN-TR3のゲートの電位を示し、その値は、駆動信号TRNの電圧値に相当する。CNTは、CNT-TR7のゲートの電位を示し、その値は、駆動信号CNTの電圧値に相当する。RSTは、RST-TR4のゲートの電位を示し、その値は、駆動信号RSTの電圧値に相当する。
 図4に示すように、露光ステップとこれに続く読み出しステップとを実行することで、APD1に入射されるフォトンに基づいた信号が固体撮像素子100から出力される。別の見方をすると、APD1にフォトンが入射された回数が検出される。露光ステップは、所定の長さの露光期間を複数回繰り返して実行される。後で詳しく述べるように、最終的に固体撮像素子100から出力される出力信号の大きさは、APD1にフォトンが入射された露光期間の回数に比例する。また、読み出しステップでは、画素セルアレイ20の1行毎に信号が順次読み出される、いわゆるローリング読み出しが実行される。
 一の露光期間、例えば、図4に示す光パルス期間1において、APD1にフォトンが入射した場合に着目してみる。まず、図5Aに示すように、RST-TR4のゲートに駆動信号RST(=+4V)を印加して、RST-TR4をオン状態にする(図4に示す期間I)。これと同時に、TRN-TR3のゲートに駆動信号TRN(=+3V)を印加して、TRN-TR3をオン状態にする。このようにすることで、APD1のソース及びFD部2には、第1電源12の電源電圧RSD(=+3V)が印加され、VAPD及びVFDは初期化電位(+3V)にそれぞれリセットされる。
 次に、図5Bに示すように、駆動信号RSTを0Vに低下させ、RST-TR4をオフ状態にする(図4に示す期間II)。一方、TRN-TR3はオン状態を維持しており、画素セル10は、露光状態となる。アバランシェ増倍によりAPD1で発生した電子により、電位VAPDは低下(ポテンシャルは上昇)し、さらにTRN-TR3を介して、電子がFD部2に流入するため、電位VFDも低下(ポテンシャルは上昇)する(図5C参照;図4に示す期間III)。
 図5Dに示すように、駆動信号TRNを0Vに低下させ、TRN-TR3をオフ状態にして露光を終了する(図4に示す期間IV)。
 次に、図5Eに示すように、電位RSTが、V1とV2との間の値になるように、駆動信号RSTをRST-TR4のゲートに印加する(図4に示す期間V)。この場合の駆動信号RSTの大きさは、+2.5Vである。このようにすることで、RST-TR4のゲート直下のポテンシャルをRSTのソースのポテンシャルとドレインのポテンシャルの間のレベルにすることができる。この場合、RST-TR4は、完全なオン状態にはならないものの、FD部2から第1電源12へ電子が流れるようにすることができる。APD1で発生した電荷量のばらつきに応じて、FD部2に蓄積される電荷量、ひいては電位VFDもばらつきを生じる。一方、図5Eに示すステップを行い、FD部2と第1電源12との導通状態を確保することで、電位VFDを調整して、所定のレベルに揃えることができる。さらに、図5Fに示すように、駆動信号RSTを0Vに低下させ、RST-TR4をオフ状態にして、電位VFDの調整を終了する(図4に示す期間VI)。
 図5Gに示すように、CNT-TR7のゲートに駆動信号CNT(=+3V)を印加して、CNT-TR7をオン状態にする(図4に示す期間VII)。このようにすることで、FD部2に蓄積された電子がMIM8に流れ込む。
 最後に、図5Hに示すように、駆動信号CNTを0Vに低下させ、CNT-TR7をオフ状態にして光パルス期間1を終了する(図4に示す期間VIII)。この状態で、MIM8に所定量の電子が蓄積し保持されている。
 図4に示すように、次の光パルス期間2、さらに光パルス期間2に続く露光期間でも、図5A~5Gに示すシーケンスが繰り返し実行される。ただし、1つの露光期間中にAPD1にフォトンが入射されない場合は、APD1でアバランシェ増倍により電子が発生しない。このため、当該露光期間では、MIM8に電子は蓄積されない。なお、露光ステップにおいて、駆動信号CSWはHi信号に固定される。
 所定回数の露光期間が繰り返された後、固体撮像素子100から光検出信号が読み出される。まず、図4に示すように、SEL-TR6のゲートに駆動信号SELを印加して、SEL-TR6をオン状態にする。次に、図6Aに示すように、RST-TR4のゲートに駆動信号RST(=+4V)を印加して、RST-TR4をオン状態にし、電位VFDを初期化電位(+3V)にリセットする(図4に示す期間IX)。
 次に、図6Bに示すように、駆動信号RSTを0Vに低下させ、RST-TR4をオフ状態にする。同時に、CNT-TR7のゲートに駆動信号CNT(=+3V)を印加して、CNT-TR7をオン状態にする(図4に示す期間X)。このようにすることで、MIM8に蓄積された電荷がFD部2に転送される。
 さらに、図6Cに示すように、駆動信号CNTを0Vに低下させ、CNT-TR7をオフ状態にする(図4に示す期間XI)。このようにすることで、FD部2に蓄積された電荷量に基づいた電圧信号がSF-TR5から出力され、SEL-TR6を介してVSL9に転送される。
 次に、図6Dに示すように、駆動信号CSWをLo信号に変化させる(図4に示す期間XII)。このようにすることで、電位VMIMを低下させる(ポテンシャルは上昇させる。)。
 図6Eに示すように、CNT-TR7のゲートに駆動信号CNT(=+3V)を印加して、CNT-TR7をオン状態にする。同時に、RST-TR4のゲートに駆動信号RST(=+4V)を印加して、RST-TR4をオン状態にする(図4に示す期間XII)。このようにすることで、電位VMIM及び電位VFDを初期化してリセットする。
 図6Fに示すように、駆動信号CNTを0Vに低下させ、CNT-TR7をオフ状態にし(図4に示す期間XIII)、電位VMIM及び電位VFDのリセットを終了する。
 図6Gに示すように、駆動信号CSWをHi信号に変化させる(図4に示す期間XIV)。この時点で、FD部2に蓄積された電荷量に基づいた電圧信号がSF-TR5から出力され、SEL-TR6を介してVSL9に転送される。
 期間XIでVSL9に出力された電圧信号を信号レベルとし、期間XIVでVSL9に出力された電圧信号をリセットレベルとする。この2つの信号が、VSL9に接続されたCDS回路に順次入力されて、ノイズ成分が除去された光検出信号が生成される。
 [カウント数とキャパシタ蓄積電位との関係について]
 図7は、露光ステップでのフォトンカウント数とキャパシタ電圧との関係の一例を示す
 前述したように、1回の露光期間毎に、FD部2の電位VFDを所定のレベルに調整している。つまり、1回の露光期間でAPD1にフォトンが入射した場合、FD部2に蓄積される電荷量は一定となる。また、FD部2とMIM8とを導通状態にした場合、FD部2に蓄積された電荷は、FD部2の容量CFDとMIM8の容量CMIMとの比に応じてMIM8に再分配される。
 したがって、露光ステップでフォトンが入射される露光期間の回数をiカウント(iは整数で、1≦i≦(n-1);nは露光ステップで設定された露光期間の回数)とすると、フォトンを(i+1)カウントした後のMIM8の端子間電圧VMIM(i+1)は、式(1)に示す関係を満たす。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
 ここで、VFDAは、図4に示す期間IVにおけるFD部2の電位である。つまり、RST-TR4のゲートを中間電位にして、電位VFDを調整した後の値である。VFDBは、図4に示す期間VIIにおけるFD部2の電位である。つまり、FD部2に蓄積された電子をMIM8に転送した後のFD部2の電位である。図7に示すように、カウント数iに比例して、電圧VMIM(i)は低下する。なお、図7に示す例では、カウント数を24回まで増加させると、電圧VMIM(i)は3Vから1.6Vまで段階的に低下する。一方、カウント数を25回以上に増やしても、電圧VMIM(i)は1.6Vから変化しない。これは、MIM8に蓄積された電荷量が飽和値に足したためである。つまり、電圧VMIM(i)の変化量は、MIM8の容量CMIMに依存している。さらに言うと、FD部2の容量CFDとMIM8の容量CMIMとの比にも依存している。
 図8は、露光ステップでのフォトンカウント数とキャパシタへの移動電荷とキャパシタ蓄積電位との関係の別の一例を示し、図9は、露光ステップでのフォトンカウント数とキャパシタ蓄積電位との関係の一例を示す。なお、図9に示すグラフは、図8に示した数値に基づいている。
 図8,9に示す例では、電位RSDを+3V、容量CFDを1.6fF、容量CMIMを16fFとしている。また、電位VFDAを2.0V、電位VFDBを2.5Vとしている。
 図8,9に示す例では、1回の露光期間でフォトンが入射する毎に、MIM8に0.8C(クーロン)の電荷が蓄積され、前述の電圧VMIM(i)に相当するMIM蓄積電位は、0.05Vずつ低下する。また、露光ステップでのフォトンカウント数、つまり、積算数が10回に達するまで、MIM蓄積電位は0.05Vずつ低下し、積算数が10回で飽和値に達する。つまり、図8,9に示す例では、露光ステップにおいて、10回までのフォトン入射をカウントできる。
 [効果等]
 以上説明したように、本実施形態に係る固体撮像素子100は、行列状に配置された複数の画素セル10と、複数の画素セル10の動作を制御する垂直走査回路(行制御回路)40とを少なくとも備えている。
 画素セル10は、受光した光(フォトン)を電荷に変換するAPD1と、APD1で生成された電荷を蓄積するFD部2と、APD1とFD部2とにそれぞれ接続されたTRN-TR3と、を少なくとも有している。
 また、画素セル10は、第1電源12とFD部2とにそれぞれ接続されたRST-TR4と、第2電源13とFD部2とにそれぞれ接続され、FD部2に蓄積された電荷量に応じた電圧信号を出力するSF-TR5と、SF-TR5に接続され、SF-TR5の出力信号をVSL9に転送するSEL-TR6と、を少なくとも有している。
 画素セル10は、FD部2に接続されたCNT-TR7と、一方の端子が前CNT-TR7に接続されたMIM8と、を少なくとも有している。
 垂直走査回路(行制御回路)40は、MIM8の他方の端子に互いに異なるレベルの電圧を供給可能に構成されている。具体的には、垂直走査回路40に設けられたアンプ41からキャパシタ信号線42に接続されたMIM8の端子に電圧信号が供給される。アンプ41に所定の選択信号が供給されることで、グラウンド電位に相当するLo信号か、またはLo信号よりも高電圧のHi信号がMIM8に印加される。
 本実施形態によれば、まず、特許文献2に開示された従来の構成に比べて、画素セル10内の素子を1個減らすことができる。具体的には、特許文献2における第1リセットトランジスタを省略できる。このことにより、画素セル10のサイズを小さくでき、特許文献2に開示された従来の構成に比べて、高集積化された固体撮像素子100を実現できる。
 また、本実施形態によれば、APD1に直接接続されるトランジスタの数を特許文献2に開示された従来の構成に比べて、減らすことができる。具体的には、特許文献2における第1リセットトランジスタを省略できる。
 トランジスタで発生した暗電流が、当該トランジスタに接続された受光素子に流れ込むことで、受光信号にノイズ成分が重畳し、ひいては、取得された画像の画質が劣化してしまうことはよく知られている。特に、APD1をガイガー増倍モードで動作させている場合、流れ込む暗電流量が大きくなると、画質が大幅に劣化してしまう。
 一方、本実施形態によれば、APD1に直接接続されるトランジスタの数を減らすことができるため、特許文献2に開示された従来の構成に比べて、APD1に流れ込む暗電流量を小さくできる。このことにより、画質の劣化を抑制することができる。
 また、本実施形態によれば、キャパシタ信号線42に接続されたMIM8の端子の電位を互いに異なるレベルに変更することができる。このことにより、読み出しステップにおいて、前述したリセットレベルと信号レベルとの差を大きくでき、ノイズ成分が除去され、かつ大振幅の光検出信号を得ることができる。このことにより、APD1にフォトンが入射される回数を正確に検出することができる。
 また、垂直走査回路40は、RST-TR4のゲートに3つ以上の互いに異なるレベルの電圧を印加可能に構成されている。このようにすることで、FD部2の電位VFDを調整して、1回の露光期間中にフォトンが入射した場合の、FD部2に蓄積される電荷量、ひいてはMIM8に蓄積される電荷量を一定にすることができる。このことにより、アナログ―デジタル変換回路等の専用回路を設けることなく、APD1にフォトンが入射される回数を検出することができる。つまり、簡便な構成で固体撮像素子100を構成しつつ、APD1にフォトンが入射される回数を正確に検出することができる。
 フォトン検出にあたって、露光期間では、APD1で発生した電荷をFD部2を経由してMIM8に蓄積している。垂直走査回路40は、露光期間を所定回数繰り返し実行した後に、MIM8に蓄積された電荷量に基づいた光検出信号をVSL9に読み出させる。このようにすることで、APD1にフォトンが入射される回数を正確に検出することができる。
 固体撮像素子100から出力される光検出信号の大きさは、APD1にフォトンが入射された露光期間の回数に対応している。
 本実施形態によれば、アナログ―デジタル変換回路等の専用回路を設けることなく、APD1にフォトンが入射される回数を正確に検出することができる。
 (その他の実施形態)
 以上のように、本出願において開示する技術の例示として、実施形態について説明した。しかしながら、本開示による技術は、これらに限定されず、本開示の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更、置き換え、付加、省略等を行った実施形態にも適用可能である。
 また、被写体の照度が高照度、例えば0.1ルクスよりも明るい場合、APD1をリニア増倍モードで動作させてもよい。この場合、フォトカウント機能を使用せず、通常のイメージセンサと同様に1回の露光期間で出力された光検出信号を用いてもよい。つまり、FD部2に蓄積された電荷を必ずしもMIM8に蓄積させる必要は無い。なお、露光期間は、公知の電子シャッター動作を行うことで調整しうる。具体的には、露光期間中に所定のタイミングでRST-TR4をオン状態にすることで、露光期間を調整しうる。
 また、固体撮像素子100の出力信号か、または当該出力信号をさらに信号処理した後の信号に基づいて、被写体の照度を判定する判定回路(図示せず)を周辺回路部30に設けてもよい。また、当該判定回路の判定結果に基づいて、APD1に接続される電源11の電圧レベルを変更するレベル変更回路(図示せず)を周辺回路部30にさらに設けてもよい。例えば、被写体の照度が所定値以下であれば、レベル変更回路は、APD1がガイガー増倍モードで動作するように電源11の電圧を設定する。一方、被写体の照度が所定値よりも高ければ、レベル変更回路は、APD1がリニア増倍モードで動作するように電源11の電圧を設定する。なお、当該判定回路及びレベル変更回路は、固体撮像素子100の外部に設けられていてもよい。
 本開示の固体撮像素子は、微弱光を検出でき、かつ高集積化が図れるため、有用である。
1   アバランシェフォトダイオード(APD)
2   フローティングディフュージョン部(FD部)
3   転送トランジスタ(TRN-TR)
4   リセットトランジスタ(RST-TR)
5   増幅トランジスタ(SF-TR)
6   選択トランジスタ(SEL-TR)
7   カウントトランジスタ(CNT-TR7)
8   キャパシタ(MIM)
9   垂直信号線(VSL)
10  画素セル
11  電源
12  リセットドレイン電源(第1電源)
13  ドレイン電源(第2電源)
11  電源(第2電源)
20  画素セルアレイ
30  周辺回路部
40  垂直走査回路(行制御回路)
41  アンプ
42  キャパシタ信号線
50  読み出し回路
60  水平走査回路
70  バッファアンプ
100 固体撮像素子

Claims (4)

  1.  行列状に配置された複数の画素セルと、前記複数の画素セルの動作を制御する行制御回路とを少なくとも備えた固体撮像素子であって、
     前記画素セルは、
      受光した光を電荷に変換するアバランシェフォトダイオードと、
      前記アバランシェフォトダイオードで生成された電荷を蓄積するフローティングディフュージョン部と、
      前記アバランシェフォトダイオードと前記フローティングディフュージョン部とにそれぞれ接続された転送トランジスタと、
      第1電源と前記フローティングディフュージョン部とにそれぞれ接続されたリセットトランジスタと、
      第2電源と前記フローティングディフュージョン部とにそれぞれ接続され、前記フローティングディフュージョン部に蓄積された電荷量に応じた電圧信号を出力する増幅トランジスタと、
      前記増幅トランジスタに接続され、前記増幅トランジスタの出力信号を垂直信号線に転送する選択トランジスタと、
      前記フローティングディフュージョン部に接続されたカウントトランジスタと、
      一方の端子が前記カウントトランジスタに接続されたキャパシタと、
    を少なくとも有し、
     前記行制御回路は、前記キャパシタの他方の端子に互いに異なるレベルの電圧を供給可能に構成されていることを特徴とする固体撮像素子。
  2.  請求項1に記載の固体撮像素子において、
     前記行制御回路は、さらに前記リセットトランジスタのゲートに3つ以上の互いに異なるレベルの電圧を印加可能に構成されていることを特徴とする固体撮像素子。
  3.  請求項1または2に記載の固体撮像素子において、
     露光期間では、前記アバランシェフォトダイオードで発生した電荷を前記フローティングディフュージョン部を経由して前記キャパシタに蓄積し、
     前記行制御回路は、前記露光期間を所定回数繰り返し実行した後に、前記キャパシタに蓄積された電荷量に基づいた光検出信号を垂直信号線に読み出させることを特徴とする固体撮像素子。
  4.  請求項3に記載の固体撮像素子において、
     前記光検出信号の大きさは、前記アバランシェフォトダイオードにフォトンが入射された前記露光期間の回数に対応していることを特徴とする固体撮像素子。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018216400A1 (ja) * 2017-05-25 2018-11-29 パナソニックIpマネジメント株式会社 固体撮像素子、及び撮像装置
WO2019186838A1 (ja) * 2018-03-28 2019-10-03 パナソニックIpマネジメント株式会社 固体撮像素子、固体撮像装置、固体撮像システム、固体撮像素子の駆動方法
WO2021044770A1 (ja) * 2019-09-06 2021-03-11 パナソニックIpマネジメント株式会社 撮像装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018216400A1 (ja) * 2017-05-25 2018-11-29 パナソニックIpマネジメント株式会社 固体撮像素子、及び撮像装置
WO2019186838A1 (ja) * 2018-03-28 2019-10-03 パナソニックIpマネジメント株式会社 固体撮像素子、固体撮像装置、固体撮像システム、固体撮像素子の駆動方法
WO2021044770A1 (ja) * 2019-09-06 2021-03-11 パナソニックIpマネジメント株式会社 撮像装置

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