WO2022209381A1 - 半導体装置 - Google Patents

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WO2022209381A1
WO2022209381A1 PCT/JP2022/006175 JP2022006175W WO2022209381A1 WO 2022209381 A1 WO2022209381 A1 WO 2022209381A1 JP 2022006175 W JP2022006175 W JP 2022006175W WO 2022209381 A1 WO2022209381 A1 WO 2022209381A1
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WO
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terminal
main surface
bolt
external terminal
semiconductor device
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PCT/JP2022/006175
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English (en)
French (fr)
Inventor
洋 江草
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住友電気工業株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N

Definitions

  • the present disclosure relates to semiconductor devices.
  • Patent Document 1 A semiconductor device has been proposed for the purpose of reducing the inductance of internal wiring.
  • a semiconductor device of the present disclosure has a first main surface and a second main surface opposite to the first main surface, and has first internal terminals to which first external terminals are connected, and a third main surface. and a fourth main surface opposite to the third main surface, a second internal terminal to which the second external terminal is connected, and a connection between the first internal terminal and the second internal terminal.
  • the first main surface and the third main surface are parallel, and at least a portion of the first main surface and at least a portion of the third main surface face each other.
  • FIG. 1 is a top view showing the semiconductor device according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a front view showing the semiconductor device according to the first embodiment;
  • FIG. 3 is a top view showing the relationship between the P terminal and N terminal and the circuit pattern in the semiconductor device according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing the relationship between the P terminal and N terminal and the circuit pattern in the semiconductor device according to the first embodiment.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view (part 1) showing the terminal fixture in the semiconductor device according to the first embodiment.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view (part 2) showing the terminal fixture in the semiconductor device according to the first embodiment.
  • FIG. 7 is a circuit diagram showing the semiconductor device according to the first embodiment.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing a terminal fixture to which first external terminals and second external terminals are fixed in the first embodiment.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing the semiconductor device according to the second embodiment.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing the semiconductor device according to the second embodiment.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a semiconductor device according to the third embodiment.
  • FIG. 12 is a top view showing the semiconductor device according to the fourth embodiment.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view (part 1) showing a terminal fixture for an O terminal in a semiconductor device according to a fourth embodiment;
  • FIG. 14 is a cross-sectional view (part 2) showing the terminal fixture for the O terminal in the semiconductor device according to the fourth embodiment.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view showing a terminal fixture in a semiconductor device according to the fifth embodiment.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view showing a terminal fixture to which first external terminals and second external terminals are fixed in the fifth embodiment.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view showing a terminal fixture in a semiconductor device according to the sixth embodiment.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view showing a terminal fixture to which first external terminals and second external terminals are fixed in the sixth embodiment.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view showing a terminal fixture in a semiconductor device according to the seventh embodiment.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view showing a terminal fixture to which first external terminals and second external terminals are fixed in the seventh embodiment.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view showing a terminal fixture in a semiconductor device according to the eighth embodiment.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view showing a terminal fixture to which first external terminals and second external terminals are fixed in
  • An object of the present disclosure is to provide a semiconductor device capable of reducing inductance in internal terminals.
  • the inductance at the internal terminals can be reduced.
  • a semiconductor device has a first main surface and a second main surface opposite to the first main surface, and has a first internal terminal to which a first external terminal is connected. a second internal terminal having a terminal, a third main surface, and a fourth main surface opposite to the third main surface, to which the second external terminal is connected; a semiconductor element connected between two internal terminals; a first pressing member pressing the first external terminal against the second principal surface; and a second pressing member pressing the second external terminal against the fourth principal surface. and a member, wherein the first main surface and the third main surface are parallel, and at least a portion of the first main surface and at least a portion of the third main surface face each other.
  • the first main surface and the third main surface are parallel, and at least part of the first main surface and at least part of the third main surface face each other. Therefore, the current flowing through the flat plate portion of the first internal terminal and the current flowing through the flat plate portion of the second internal terminal flow in directions opposite to each other. The magnetic field around the flat plate portion of the internal terminal cancels each other out. Therefore, the difference in inductance between the P terminal and the N terminal is almost eliminated, and the inductance at the internal terminals can be reduced.
  • the second main surface and the fourth main surface may be parallel to each other.
  • the first external terminals and the second external terminals can be pressed from opposite directions, the first external terminals can be easily pressed against the second main surface and the second external terminals can be easily pressed against the fourth main surface.
  • a circuit pattern provided with the semiconductor element is provided, and the first principal surface, the second principal surface, the third principal surface and the fourth principal surface are the It may be perpendicular to the circuit pattern. In this case, it is easy to bring the first external terminal and the second external terminal into contact with the first internal terminal and the second internal terminal from a direction perpendicular to the circuit pattern.
  • a circuit pattern provided with the semiconductor element is provided, and the first principal surface, the second principal surface, the third principal surface and the fourth principal surface are the It may be parallel to the circuit pattern. In this case, it is easy to bring the first external terminal and the second external terminal into contact with the first internal terminal and the second internal terminal from a direction parallel to the circuit pattern.
  • the first pressing member has a first bolt that presses the first external terminal against the second principal surface
  • the second pressing member has the fourth
  • a second bolt for pressing the second external terminal may be provided on the main surface. In this case, by tightening the first bolt and the second bolt, the first external terminal can be pressed against the second principal surface and the second external terminal can be pressed against the fourth principal surface.
  • the first pressing member has a first cushioning member sandwiched between the first bolt and the first external terminal, and the second pressing member includes the second bolt and the second external terminal.
  • the pressure applied from the first bolt to the first external terminal is dispersed by the first cushioning member
  • the pressure applied from the second bolt to the second external terminal is dispersed by the second cushioning member.
  • the first cushioning member has a first detent on the surface facing the second main surface
  • the second cushioning member has a surface facing the fourth main surface. It may have a second detent.
  • the adhesion strength between the first cushioning member and the second main surface and the adhesion strength between the second cushioning member and the fourth main surface can be improved.
  • the first internal terminal has a first concave portion on the second main surface
  • the second internal terminal has a second concave portion on the fourth main surface
  • the first cushioning member may have a first projection that fits into the first recess
  • the second cushioning member may have a second projection that fits into the second recess.
  • the first protrusion fits into the first recess and the second protrusion fits into the second recess, whereby the first external terminal and the second external terminal are separated from the first internal terminal and the second internal terminal, respectively. It can be done easily.
  • an insulating member is provided between the first internal terminal and the second internal terminal, and the first bolt penetrates the first internal terminal.
  • a through hole may be formed, and a hole into which the first bolt passing through the through hole is fitted may be formed in the insulating member.
  • the first bolt penetrates the through hole and fits into the hole of the insulating member, thereby making it difficult for the first external terminal to come off from the first internal terminal.
  • a first through hole is formed in the first internal terminal
  • a second through hole is formed in the second internal terminal
  • the first pressing member A through hole and a bolt passing through the second through hole may be provided, and the second pressing member may have a nut fitted to the bolt.
  • the bolt passes through the first through hole and the second through hole, and the nut is fitted to the bolt, so that the first external terminal and the second external terminal are not easily separated from the first internal terminal and the second internal terminal, respectively. can.
  • the first pressing member may have a first leaf spring
  • the second pressing member may have a second leaf spring.
  • the first external terminal and the second external terminal can be connected to the semiconductor device by simple work.
  • a third internal terminal having a fifth main surface and a sixth main surface opposite to the fifth main surface, to which a third external terminal is connected; and a third pressing member that presses the third external terminal on the sixth main surface, and the plurality of semiconductor elements are connected in series between the first internal terminal and the second internal terminal.
  • the third internal terminal may be connected between two semiconductor elements of the plurality of semiconductor elements.
  • the configuration around the third internal terminal becomes similar to the configuration around the first internal terminal and the second internal terminal, which facilitates the work of connecting the third external terminal to the third internal terminal.
  • the semiconductor element may contain silicon, silicon carbide, or gallium nitride.
  • a power module or the like can be configured by using a semiconductor element containing silicon, silicon carbide, or gallium nitride.
  • a plane including the X1-X2 direction and the Y1-Y2 direction is the XY plane
  • a plane including the Y1-Y2 direction and the Z1-Z2 direction is the YZ plane
  • a plane including the Z1-Z2 direction and the X1-X2 direction is the ZX plane.
  • the Z1 direction is defined as the upward direction
  • the Z2 direction is defined as the downward direction.
  • planar viewing means viewing an object from the Z1 side.
  • FIG. 1 is a top view showing the semiconductor device according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a front view showing the semiconductor device according to the first embodiment;
  • FIG. 1 is a top view showing the semiconductor device according to the first embodiment.
  • a semiconductor device 100 mainly has a P terminal 110, an N terminal 120, an O terminal 130, a base plate 140, a case 150, and a terminal fixture 160.
  • the P terminal 110 is a positive power supply terminal
  • the N terminal 120 is a negative power supply terminal
  • the O terminal 130 is an output terminal.
  • P terminal 110 , N terminal 120 , and O terminal 130 are attached to case 150 .
  • the P terminal 110 is an example of a first internal terminal
  • the N terminal 120 is an example of a second internal terminal
  • the O terminal is an example of a third internal terminal.
  • the X1-X2 direction is the direction along the long sides of the rectangular base plate 140 and the case 150 in plan view
  • the Y1-Y2 direction is the direction along the short sides of the base plate 140 and the case 150
  • the Z1-Z2 direction is the direction along the normal to the base plate 140 and the case 150 .
  • the base plate 140 is, for example, a plate-like body that is rectangular in plan view and has a uniform thickness.
  • the base plate 140 has a major surface 141 .
  • the material of the base plate 140 is a metal having high thermal conductivity, such as copper (Cu), copper alloy, aluminum (Al), or the like.
  • the base plate 140 is fixed to a cooler or the like using a thermal interface material (TIM) or the like.
  • the case 150 is, for example, frame-shaped in plan view.
  • the material of the case 150 is an insulator such as resin.
  • the case 150 has a pair of side wall portions 151 and 152 facing each other, and a pair of end wall portions 153 and 154 connecting both ends of the side wall portions 151 and 152 .
  • the side wall portions 151 and 152 are arranged parallel to the ZX plane, and the end wall portions 153 and 154 are arranged parallel to the YZ plane.
  • the side wall portion 152 is arranged on the Y2 side of the side wall portion 151
  • the end wall portion 154 is arranged on the X2 side of the end wall portion 153 .
  • An insulating substrate 170 is arranged on the Z1 side of the base plate 140 . That is, the insulating substrate 170 is arranged on the main surface 141 of the base plate 140 .
  • the insulating substrate 170 has a first circuit pattern 171, a second circuit pattern 172 and a third circuit pattern 173 on the Z1 side surface, and a conductive layer 179 on the Z2 side surface (see FIGS. 4 and 6).
  • the first circuit pattern 171, the second circuit pattern 172 and the third circuit pattern 173 are parallel to the XY plane.
  • a conductive layer 179 is bonded to the base plate 140 with a bonding material such as solder.
  • a plurality of first transistors 11 and a plurality of first diodes 21 are mounted on the first circuit pattern 171 .
  • a plurality of second transistors 12 and a plurality of second diodes 22 are mounted on the second circuit pattern 172 .
  • the first transistor 11, the first diode 21, the second transistor 12 and the second diode 22 are examples of semiconductor elements.
  • the first transistor 11 has a first gate electrode, a first source electrode and a first drain electrode.
  • the first gate electrode and the first source electrode are arranged on the main surface of the first transistor 11 on the Z1 side, and the first drain electrode is arranged on the main surface on the Z2 side of the first transistor 11 .
  • the first drain electrode is bonded to the first circuit pattern 171 with a bonding material such as solder.
  • the first diode 21 has a first anode electrode and a first cathode electrode.
  • the first anode electrode is arranged on the main surface of the first diode 21 on the Z1 side, and the first cathode electrode is arranged on the main surface on the Z2 side of the first diode 21 .
  • the first cathode electrode is joined to the first circuit pattern 171 with a joining material such as solder.
  • the second transistor 12 has a second gate electrode, a second source electrode and a second drain electrode.
  • the second gate electrode and the second source electrode are arranged on the main surface of the second transistor 12 on the Z1 side, and the second drain electrode is arranged on the main surface on the Z2 side of the second transistor 12 .
  • a second drain electrode is joined to the second circuit pattern 172 by a joining material such as solder.
  • the second diode 22 has a second anode electrode and a second cathode electrode.
  • the second anode electrode is arranged on the main surface of the second diode 22 on the Z1 side, and the second cathode electrode is arranged on the main surface on the Z2 side of the second diode 22 .
  • a second cathode electrode is joined to the second circuit pattern 172 with a joining material such as solder.
  • the semiconductor device 100 has multiple wires 31 , multiple wires 32 , multiple wires 41 , and multiple wires 42 .
  • a wire 31 connects the first source electrode of the first transistor 11 and the second circuit pattern 172 .
  • a wire 32 connects the first source electrode of the first transistor 11 and the first anode electrode of the first diode 21 .
  • a wire 41 connects the second source electrode of the second transistor 12 and the third circuit pattern 173 .
  • a wire 42 connects the second source electrode of the second transistor 12 and the second anode electrode of the second diode 22 .
  • the semiconductor device 100 includes gate terminals, auxiliary source terminals, gate wires, auxiliary source wires, circuit patterns connecting the gate wires, circuit patterns connecting the auxiliary source wires, etc., but descriptions thereof will be omitted for convenience.
  • illustration of the gate electrode is omitted in FIG. 1 and the like.
  • FIG. 3 is a top view showing the relationship between the P terminal 110 and the N terminal 120 and the first circuit pattern 171 and the third circuit pattern 173 in the semiconductor device according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing the relationship between the P terminal 110 and N terminal 120 and the first circuit pattern 171 and third circuit pattern 173 in the semiconductor device according to the first embodiment.
  • FIG. 4 corresponds to a cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG. 3 and 4, the case 150 is omitted.
  • the P terminal 110 has a flat plate portion 111 and a contact portion 112 .
  • the flat plate portion 111 has a first principal surface 111A and a second principal surface 111B opposite to the first principal surface 111A.
  • the first main surface 111A and the second main surface 111B are surfaces parallel to the YZ plane and perpendicular to the X1-X2 direction.
  • the first main surface 111A and the second main surface 111B are surfaces perpendicular to the first circuit pattern 171, the second circuit pattern 172, and the third circuit pattern 173, respectively.
  • the first main surface 111A is on the X1 side of the second main surface 111B.
  • the flat plate portion 111 is separated from the first circuit pattern 171 and the third circuit pattern 173 on the Z1 side.
  • the contact portion 112 extends from the Z2 side end of the flat plate portion 111 and is bent toward the X2 side.
  • the contact portion 112 is connected to the first circuit pattern 171 via a bonding material such
  • the N terminal 120 has a flat plate portion 121 and a contact portion 122 .
  • the flat plate portion 121 has a third principal surface 121A and a fourth principal surface 121B opposite to the third principal surface 121A.
  • the third main surface 121A and the fourth main surface 121B are surfaces parallel to the YZ plane and perpendicular to the X1-X2 direction.
  • the third main surface 121A and the fourth main surface 121B are surfaces perpendicular to the first circuit pattern 171, the second circuit pattern 172, and the third circuit pattern 173, respectively.
  • the third main surface 121A is on the X2 side of the fourth main surface 121B.
  • the flat plate portion 121 is separated from the first circuit pattern 171 and the third circuit pattern 173 on the Z1 side.
  • the contact portion 122 extends from the Z2 side end portion of the flat plate portion 121 and is bent toward the X2 side.
  • the contact portion 122 is connected to the third circuit pattern 173 via a bonding material
  • the flat plate portion 111 of the P terminal 110 is on the X2 side of the flat plate portion 121 of the N terminal 120 .
  • 111 A of 1st main surfaces and 121 A of 3rd main surfaces are parallel, and 111 A of 1st main surfaces and 121 A of 3rd main surfaces mutually oppose.
  • the flat plate portion 111 and the flat plate portion 121 overlap each other on the Z1 side of the insulating substrate 170 when viewed from the X1-X2 direction.
  • the distance between the first major surface 111A and the third major surface 121A is preferably 5 mm or less, more preferably 3 mm or less.
  • the O terminal 130 is connected to the second circuit pattern 172 via a bonding material such as solder.
  • the O terminal 130 extends to the X2 side of the case 150 through the Z1 side of the end wall portion 154, for example.
  • FIG. 5 and 6 are cross-sectional views showing the terminal fixture 160 in the semiconductor device according to the first embodiment.
  • FIG. 5 corresponds to a cross-sectional view taken along line V-V in FIG.
  • FIG. 6 corresponds to a cross-sectional view taken along line VI-VI in FIG.
  • the case 150 is omitted.
  • the terminal fixture 160 mainly has a housing 61 , a partition wall 62 , a first bolt 63 , a first pressing terminal 64 , a second bolt 65 and a second pressing terminal 66 .
  • the housing 61 is fixed to the case 150, for example.
  • the housing 61 is in contact with, for example, the side wall portion 151 , the side wall portion 152 and the end wall portion 153 and is separated from the end wall portion 154 .
  • the housing 61 has a rectangular parallelepiped external shape including a lower wall portion 61A, an upper wall portion 61B, a side wall portion 61C, a side wall portion 61D, a side wall portion 61E, and a side wall portion 61F.
  • the lower wall portion 61A and upper wall portion 61B are parallel to the XY plane
  • the side wall portions 61C and 61D are parallel to the YZ plane
  • the side wall portions 61E and 61F are parallel to the ZX plane.
  • the upper wall portion 61B is located on the Z1 side of the lower wall portion 61A.
  • the side wall portion 61C is located on the X2 side of the side wall portion 61D.
  • the side wall portion 61E is on the Y2 side of the side wall portion 61F.
  • An opening 71 is formed in the center of the lower wall portion 61A in the X1-X2 direction.
  • a flat plate portion 111 of the P terminal 110 and a flat plate portion 121 of the N terminal 120 extend through the opening 71 into the housing 61 .
  • Partition wall 62 is provided between flat plate portion 111 and flat plate portion 121 .
  • the partition wall 62 is connected to the side wall portion 61E and the side wall portion 61F.
  • a metal plate 62A is provided on the surface of the partition wall 62 facing the upper end of the flat plate portion 111, and a metal plate 62B is provided on the surface of the partition wall 62 facing the upper end of the flat plate portion 121. As shown in FIG.
  • the metal plate 62A and the metal plate 62B are made of metal having high buckling strength such as steel.
  • a surface 62C of the metal plate 62A facing the first main surface 111A of the flat plate portion 111 may be subjected to anti-rotation processing such as knurling.
  • a surface 62D of the metal plate 62B facing the third main surface 121A of the flat plate portion 121 may be subjected to anti-rotation processing such as knurling.
  • An opening 72 is formed in the center of the upper wall portion 61B in the X1-X2 direction.
  • a first external terminal 51 connected to the P terminal 110 and a second external terminal 52 connected to the N terminal 120 are inserted into the housing 61 through the opening 72 .
  • the shape of the first external terminal 51 and the second external terminal 52 is, for example, a plate shape.
  • a first bolt hole 81A is formed in the side wall portion 61C, and a first female screw 82A is provided in the first bolt hole 81A.
  • the first female screw 82A is made of a metal having high buckling strength such as steel.
  • the first bolt 63 is fitted into the first female thread 82A so that the head of the first bolt 63 is located on the X2 side of the side wall portion 61C.
  • a tip surface 63X of the first bolt 63 faces the second main surface 111B of the flat plate portion 111. As shown in FIG.
  • the metal plate 62A is provided so as to overlap the tip surface 63X of the first bolt 63 when viewed from the X1-X2 direction.
  • the first bolt 63 is, for example, a hexagon socket bolt.
  • a first pressing terminal 64 is arranged between the tip surface 63X of the first bolt 63 and the second main surface 111B of the flat plate portion 111 .
  • the first pressing terminal 64 is provided so as to be movable in the X1-X2 direction as the first bolt 63 is tightened and loosened.
  • the first pressing terminal 64 is sandwiched between the first bolt 63 and the first external terminal 51 when the first external terminal 51 is inserted into the housing 61 .
  • the first pressing terminal 64 is made of a metal having high buckling strength, such as steel.
  • the first pressing terminal 64 is made of, for example, a metal plate.
  • the surface 64X of the first pressing terminal 64 facing the second main surface 111B of the flat plate portion 111 may be subjected to anti-rotation processing such as knurling.
  • the first pressing terminal 64 may have a first detent 91 on the surface 64X.
  • the first pressing terminal 64 is provided at the end on the Z1 side so as to guide the tip of the first external terminal 51 between the tip end surface 63X of the first bolt 63 and the second main surface 111B of the flat plate portion 111 . You may have the inclined surface 64Y inclined from the main surface 111B.
  • the first pressing terminal 64 is an example of a first cushioning member.
  • a first pressing member 67 includes a first bolt 63 and a first pressing terminal 64 .
  • a plurality of sets, for example two sets, of the first bolt 63, the first bolt hole 81A and the first female screw 82A may be provided.
  • a plurality of first pressing terminals 64 may be provided so as to correspond to each of the plurality of sets, or only one may be provided in common to the plurality of sets.
  • a second bolt hole 81B is formed in the side wall portion 61D, and a second female screw 82B is provided in the second bolt hole 81B.
  • the second female screw 82B is made of a metal having high buckling strength such as steel.
  • the second bolt 65 is fitted into the second female thread 82B so that the head of the second bolt 65 is positioned on the X1 side of the side wall portion 61D.
  • a tip surface 65X of the second bolt 65 faces the fourth main surface 121B of the flat plate portion 121.
  • the metal plate 62B is provided so as to overlap the tip surface 65X of the second bolt 65 when viewed from the X1-X2 direction.
  • the second bolt 65 is, for example, a hexagon socket bolt.
  • An opening (not shown) for tightening and loosening the second bolt 65 is formed in the end wall portion 153 .
  • a second pressing terminal 66 is arranged between the tip end surface 65X of the second bolt 65 and the fourth main surface 121B of the flat plate portion 121 .
  • the second pressing terminal 66 is provided so as to be movable in the X1-X2 direction as the second bolt 65 is tightened and loosened.
  • the second pressing terminal 66 is sandwiched between the second bolt 65 and the second external terminal 52 when the second external terminal 52 is inserted into the housing 61 .
  • the second pressing terminal 66 is made of metal such as steel having high buckling strength.
  • the second pressing terminal 66 is made of, for example, a metal plate.
  • the surface 66X of the second pressing terminal 66 facing the fourth main surface 121B of the flat plate portion 121 may be subjected to anti-rotation processing such as knurling.
  • the second push terminal 66 may have a second detent 92 on the surface 66X.
  • the second pressing terminal 66 is provided at the end on the Z1 side so as to guide the tip of the second external terminal 52 between the tip surface 65X of the second bolt 65 and the fourth main surface 121B of the flat plate portion 121. You may have the inclined surface 66Y inclined from the main surface 121B.
  • the second pressing terminal 66 is an example of a second cushioning member.
  • a second bolt 65 and a second pressing terminal 66 are included in the second pressing member 68 .
  • a plurality of sets, for example two sets, of the second bolt 65, the second bolt hole 81B and the second female screw 82B may be provided.
  • a plurality of second pressing terminals 66 may be provided so as to correspond to each of the plurality of sets, or only one second pressing terminal 66 may be provided in common to the plurality of sets.
  • the housing 61 and the partition wall 62 are made of resin such as polyphenylene sulfide (PPS), and may be resin molded products.
  • the metal plate 62A and the metal plate 62B may be insert-molded in the partition wall 62 .
  • FIG. 7 is a circuit diagram showing the semiconductor device according to the first embodiment.
  • the first drain electrode of the first transistor 11 and the first cathode electrode of the first diode 21 are connected to the P terminal 110 via the first circuit pattern 171 .
  • the source electrode of the first transistor 11 is connected to the O terminal 130 via the second circuit pattern 172 and the wire 31 , and the first anode electrode of the first diode 21 is connected via the wire 32 .
  • the first drain electrode of the first transistor 11 and the first cathode electrode of the first diode 21 are commonly connected to the P terminal 110, and the first source electrode of the first transistor 11 and the first cathode electrode of the first diode 21 are connected in common.
  • 1 anode electrode is commonly connected to the O terminal 130 . That is, the first transistor 11 and the first diode 21 are connected in parallel between the P terminal 110 and the O terminal 130 .
  • a second drain electrode of the second transistor 12 and a second cathode electrode of the second diode 22 are connected to the O terminal 130 via the second circuit pattern 172 .
  • the source electrode of the second transistor 12 is connected to the N terminal 120 via the third circuit pattern 173 and the wire 41
  • the second anode electrode of the second diode 22 is connected via the wire 42 .
  • the second drain electrode of the second transistor 12 and the second cathode electrode of the second diode 22 are commonly connected to the O terminal 130
  • the second source electrode of the second transistor 12 and the second cathode electrode of the second diode 22 are connected in common.
  • 2 anode electrodes are commonly connected to the N terminal 120 . That is, the second transistor 12 and the second diode 22 are connected in parallel between the O terminal 130 and the N terminal 120 .
  • the upper arm 1 includes a first transistor 11 and a first diode 21.
  • Lower arm 2 includes second transistor 12 and second diode 22 .
  • Upper arm 1 and lower arm 2 are connected in series between P terminal 110 and N terminal 120 .
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing the terminal fixture 160 to which the first external terminal 51 and the second external terminal 52 are fixed in the first embodiment.
  • the first bolt 63 is loosened, and a gap between the surface 64X of the first pressing terminal 64 and the second main surface 111B is secured. , form a gap larger than the thickness of the first external terminal 51 .
  • the second bolt 65 is loosened to form a gap larger than the thickness of the second external terminal 52 between the surface 66X of the second pressing terminal 66 and the fourth main surface 121B.
  • the first bolt 63 is inserted between the surface 64X of the first pressing terminal 64 and the second main surface 111B of the flat plate portion 111 while the first external terminal 51 is aligned along the inclined surface 64Y of the first pressing terminal 64. is inserted up to the Z2 side of the tip end surface 63X.
  • the second bolt 65 is inserted between the surface 66X of the second pressing terminal 66 and the fourth main surface 121B of the flat plate portion 121 while the second external terminal 52 is aligned along the inclined surface 66Y of the second pressing terminal 66. is inserted up to the Z2 side of the tip end surface 65X.
  • the first external terminal 51 is pressed against the flat plate portion 111 via the first pressing terminal 64 .
  • the second external terminal 52 is pressed against the flat plate portion 121 via the second pressing terminal 66 .
  • the first external terminal 51 is fixed to the P terminal 110
  • the second external terminal 52 is fixed to the N terminal 120
  • the first external terminal 51 and the second external terminal 52 can be connected to the semiconductor device 100.
  • the current flowing through the flat plate portion 111 of the P terminal 110 and the current flowing through the flat plate portion 121 of the N terminal 120 flow in opposite directions. Therefore, the magnetic field around the flat plate portion 111 and the magnetic field around the flat plate portion 121 cancel each other out. Therefore, according to the present embodiment, the magnetic fields cancel each other over a wide range of the P terminal 110 and the N terminal 120, and the inductance at the P terminal 110 and the N terminal 120 can be reduced.
  • first main surface 111A, the second main surface 111B, the third main surface 121A and the fourth main surface 121B are perpendicular to the first circuit pattern 171 and the third circuit pattern 173, they are perpendicular to the main surface 141 of the base plate 140.
  • the first external terminal 51 and the second external terminal 52 can be inserted into the terminal fixture 160 from any direction. Therefore, it is easy to bring the first external terminal 51 and the second external terminal 52 into contact with the P terminal 110 and the N terminal 120, respectively.
  • the first pressing member 67 includes the first bolt 63 and the second pressing member 68 includes the second bolt 65
  • the second main surface 111B is provided with the first external force.
  • the terminal 51 can be firmly pressed, and the second external terminal 52 can be firmly pressed against the fourth main surface 121B.
  • the second main surface 111B and the fourth main surface 121B are parallel to each other, the first external terminal 51 and the second external terminal 52 can be pressed from opposite directions. Therefore, the first external terminal 51 can be easily pressed against the second main surface 111B, and the second external terminal 52 can be easily pressed against the fourth main surface 121B.
  • the first pressing terminal 64 is sandwiched between the first bolt 63 and the first external terminal 51
  • the second pressing terminal 66 is sandwiched between the second bolt 65 and the second external terminal 52 . Therefore, the pressure applied from the first bolt 63 to the first external terminal 51 is dispersed by the first pressing terminal 64
  • the pressure applied from the second bolt 65 to the second external terminal 52 is dispersed by the second pressing terminal 66 .
  • the current tends to concentrate in areas where the contact pressure is strong, but by dispersing the pressure by the first pressing terminals 64 and the second pressing terminals 66, the concentration of the current can be alleviated and the heat generated due to the concentration of the current can be suppressed.
  • the adhesion strength between the first pressing terminal 64 and the second main surface 111B can be improved.
  • the adhesion strength between the second pressing terminal 66 and the fourth main surface 121B can be improved.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing the semiconductor device according to the second embodiment.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing the semiconductor device according to the second embodiment.
  • FIG. 9 corresponds to a cross-sectional view at a position in the Z1-Z2 direction similar to FIG.
  • FIG. 10 corresponds to a cross-sectional view taken along line XX in FIG.
  • the housing 61, the partition wall 62, the metal plate 62A and the metal plate 62B are omitted.
  • the case 150 is omitted.
  • the first main surface 111A and the second main surface 111B of the P terminal 110 are surfaces parallel to the ZX plane and perpendicular to the Y1-Y2 direction.
  • the first main surface 111A and the second main surface 111B are surfaces perpendicular to the first circuit pattern 171, the second circuit pattern 172, and the third circuit pattern 173, respectively.
  • the first main surface 111A is on the Y2 side of the second main surface 111B.
  • the flat plate portion 111 is separated from the first circuit pattern 171 on the Z1 side.
  • the contact portion 112 extends from the Z2 side end portion of the flat plate portion 111 and is bent toward the Y1 side.
  • the contact portion 112 is connected to the first circuit pattern 171 via a bonding material such as solder.
  • the third main surface 121A and the fourth main surface 121B of the N terminal 120 are surfaces parallel to the ZX plane and perpendicular to the Y1-Y2 direction.
  • the third main surface 121A and the fourth main surface 121B are surfaces perpendicular to the first circuit pattern 171, the second circuit pattern 172, and the third circuit pattern 173, respectively.
  • the third main surface 121A is on the Y1 side of the fourth main surface 121B.
  • the flat plate portion 121 is separated from the third circuit pattern 173 on the Z1 side.
  • the contact portion 122 extends from the Z2 side end of the flat plate portion 121 and is bent toward the Y2 side.
  • the contact portion 122 is connected to the third circuit pattern 173 via a bonding material such as solder.
  • the flat plate portion 111 of the P terminal 110 is on the Y1 side of the flat plate portion 121 of the N terminal 120 .
  • 111 A of 1st main surfaces and 121 A of 3rd main surfaces are parallel, and 111 A of 1st main surfaces and 121 A of 3rd main surfaces mutually oppose.
  • the flat plate portion 111 and the flat plate portion 121 overlap each other on the Z1 side of the insulating substrate 170 when viewed from the Y1-Y2 direction.
  • the flat plate portion 111 and the flat plate portion 121 are arranged in the X1-X2 direction, whereas in the second embodiment, the flat plate portion 111 and the flat plate portion 121 are arranged in the Y1-Y2 direction. I'm in. Along with this, the orientation of the terminal fixture 160 is rotated by 90° within the XY plane from that of the first embodiment.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a semiconductor device according to the third embodiment.
  • FIG. 11, like FIG. 5, corresponds to a cross-sectional view taken along line VV in FIG. In FIG. 10, the case 150 is omitted.
  • a semiconductor device 300 according to the third embodiment has a P terminal 310 instead of the P terminal 110 and an N terminal 320 instead of the N terminal 120 .
  • the P terminal 310 has a flat plate portion 311 , a contact portion 312 and a connecting portion 313 .
  • the flat plate portion 311 has a first principal surface 311A and a second principal surface 311B opposite to the first principal surface 311A.
  • the first main surface 311A and the second main surface 311B are surfaces parallel to the XY plane and perpendicular to the Z1-Z2 direction.
  • the first main surface 311A and the second main surface 311B are surfaces parallel to the first circuit pattern 171 , the second circuit pattern 172 and the third circuit pattern 173 .
  • the first main surface 311A is on the Z2 side of the second main surface 311B.
  • the flat plate portion 311 is separated from the first circuit pattern 171 and the third circuit pattern 173 on the Z1 side.
  • the contact portion 312 is connected to the first circuit pattern 171 via a bonding material such as solder.
  • the connecting portion 313 extends from the X2 side end of the flat plate portion 311 to the Z2 side, and extends from the X1 side end of the contact portion 312 to the Z1 side.
  • the connecting portion 313 connects the flat plate portion 311 and the contact portion 312 .
  • the N terminal 320 has a flat plate portion 321 , a contact portion 322 and a connecting portion 323 .
  • the flat plate portion 321 has a third principal surface 321A and a fourth principal surface 321B opposite to the third principal surface 321A.
  • the third main surface 321A and the fourth main surface 321B are surfaces parallel to the XY plane and perpendicular to the Z1-Z2 direction.
  • the third main surface 321A and the fourth main surface 321B are surfaces parallel to the first circuit pattern 171, the second circuit pattern 172 and the third circuit pattern 173. As shown in FIG.
  • the third main surface 321A is on the Z1 side of the fourth main surface 321B.
  • the flat plate portion 321 is separated from the first circuit pattern 171 and the third circuit pattern 173 on the Z1 side.
  • the contact portion 322 is connected to the third circuit pattern 173 via a bonding material such as solder.
  • the connecting portion 323 extends from the X2 side end of the flat plate portion 321 to the Z2 side, and extends from the X1 side end of the contact portion 322 to the Z1 side.
  • the connecting portion 323 connects the flat plate portion 321 and the contact portion 322 .
  • the flat plate portion 111 and the flat plate portion 121 are arranged in the X1-X2 direction, whereas in the third embodiment, the flat plate portion 111 and the flat plate portion 121 are arranged in the Z1-Z2 direction. I'm in. Along with this, the orientation of the terminal fixture 160 is rotated by 90° within the ZX plane from that of the first embodiment.
  • the same effect as the first embodiment can be obtained by the third embodiment.
  • the first principal surface 111A, the second principal surface 111B, the third principal surface 121A and the fourth principal surface 121B are parallel to the first circuit pattern 171 and the third circuit pattern 173, the principal surface 141 of the base plate 140
  • the first external terminal 51 and the second external terminal 52 can be inserted into the terminal fixture 160 from a direction parallel to . Therefore, it is easy to bring the first external terminal 51 and the second external terminal 52 into contact with the P terminal 110 and the N terminal 120, respectively.
  • FIG. 12 is a top view showing the semiconductor device according to the fourth embodiment.
  • 13 and 14 are cross-sectional views showing a terminal fixture for an O terminal in a semiconductor device according to the fourth embodiment.
  • FIG. 13 corresponds to a cross-sectional view taken along line VV in FIG.
  • FIG. 14 corresponds to a cross-sectional view at a position in the Z1-Z2 direction similar to FIG. In FIG. 13, the case 150 is omitted.
  • a semiconductor device 400 according to the fourth embodiment mainly has a P terminal 110, an N terminal 120, an O terminal 130, a base plate 140, a case 150, a terminal fixture 160, and a terminal fixture 460. .
  • the O terminal 130 has a flat plate portion 131 and a contact portion 132 .
  • the flat plate portion 131 has a fifth main surface 131A and a sixth main surface 131B opposite to the fifth main surface 131A.
  • the fifth main surface 131A and the sixth main surface 131B are surfaces parallel to the YZ plane and perpendicular to the X1-X2 direction.
  • the fifth main surface 131A and the sixth main surface 131B are surfaces perpendicular to the first circuit pattern 171, the second circuit pattern 172, and the third circuit pattern 173, respectively.
  • the fifth main surface 131A is on the X1 side of the sixth main surface 131B.
  • the flat plate portion 131 is separated from the second circuit pattern 172 on the Z1 side.
  • the contact portion 132 extends from the Z2 side end of the flat plate portion 131 and is bent toward the X1 side.
  • the contact portion 132 is connected to the second circuit pattern 172 via a bonding material such as solder.
  • the terminal fixture 460 mainly has a housing 461 , a third bolt 463 and a third pressing terminal 464 .
  • the housing 461 is fixed to the case 150, for example.
  • the housing 461 is in contact with, for example, the side wall portion 151 , the side wall portion 152 , and the end wall portion 154 and is separated from the end wall portion 153 .
  • the housing 461 has a rectangular parallelepiped external shape including a lower wall portion 461A, an upper wall portion 461B, a side wall portion 461C, a side wall portion 461D, a side wall portion 461E, and a side wall portion 461F.
  • the lower wall portion 461A and the upper wall portion 461B are parallel to the XY plane, the side wall portions 461C and 461D are parallel to the YZ plane, and the side wall portions 461E and 461F are parallel to the ZX plane.
  • the upper wall portion 461B is located on the Z1 side of the lower wall portion 461A.
  • the side wall portion 461C is on the X2 side of the side wall portion 461D.
  • the side wall portion 461E is on the Y2 side of the side wall portion 461F.
  • An opening 471 is formed in the lower wall portion 461A.
  • a flat plate portion 131 of the O terminal 130 extends to the inside of the housing 461 through the opening 471 .
  • a metal plate 462A is provided on a surface of the side wall portion 461D that faces the upper end of the flat plate portion 131 .
  • the metal plate 462A is made of a metal having high buckling strength such as steel.
  • a surface 462C of the metal plate 462A facing the fifth main surface 131A of the flat plate portion 131 may be subjected to anti-rotation processing such as knurling.
  • An opening 472 is formed in the upper wall portion 461B.
  • a third external terminal 53 connected to the O terminal 130 is inserted into the housing 461 through the opening 472 .
  • the shape of the third external terminal 53 is, for example, a plate shape.
  • a third bolt hole 481A is formed in the side wall portion 461C, and a third female screw 482A is provided in the third bolt hole 481A.
  • the third female screw 482A is made of a metal having high buckling strength such as steel.
  • the third bolt 463 is fitted into the third female screw 482A so that the head of the third bolt 463 is positioned on the X2 side of the side wall portion 461C.
  • a tip surface 463X of the third bolt 463 faces the sixth main surface 131B of the flat plate portion 131 .
  • the metal plate 462A is provided so as to overlap the tip surface 463X of the third bolt 463 when viewed from the X1-X2 direction.
  • the third bolt 463 is, for example, a hexagon socket bolt. An opening (not shown) for tightening and loosening the third bolt 463 is formed in the end wall portion 154 .
  • a third pressing terminal 464 is arranged between the tip surface 463X of the third bolt 463 and the sixth main surface 131B of the flat plate portion 131 .
  • the third pressing terminal 464 is provided so as to be movable in the X1-X2 direction as the third bolt 463 is tightened and loosened.
  • the third pressing terminal 464 is sandwiched between the third bolt 463 and the third external terminal 53 when the third external terminal 53 is inserted into the housing 61 .
  • the third pressing terminal 464 is made of metal such as steel having high buckling strength.
  • the third pressing terminal 464 is made of, for example, a metal plate.
  • a surface 464X of the third pressing terminal 464 facing the sixth main surface 131B of the flat plate portion 131 may be subjected to anti-rotation processing such as knurling.
  • the third push terminal 464 may have a third detent 93 on the surface 464X.
  • the third pressing terminal 464 is provided at the end on the Z1 side so as to guide the tip of the third external terminal 53 between the tip surface 463X of the third bolt 463 and the sixth main surface 131B of the flat plate portion 131 . It may have an inclined surface 464Y inclined from the main surface 131B.
  • the third pressing terminal 464 is an example of a third cushioning member.
  • a third bolt 463 and a third pressing terminal 464 are included in the third pressing member 467 .
  • a plurality of sets, for example two sets, of the third bolt 463, the third bolt hole 481A and the third female screw 482A may be provided.
  • a plurality of third pressing terminals 464 may be provided so as to correspond to each of the plurality of sets, or only one third pressing terminal 464 may be provided in common to the plurality of sets.
  • the housing 461 is made of resin such as polyphenylene sulfide (PPS), and may be a resin molded product.
  • the metal plate 462A may be insert-molded into the side wall portion 461D.
  • the third bolt 463 is tightened between the surface 464X of the third pressing terminal 464 and the sixth main surface 131B of the flat plate portion 131. is pushed to the Z2 side of the tip surface 463X.
  • the third external terminal 53 can be fixed to the O terminal 130 and connected to the semiconductor device 100 .
  • the configuration around the O terminal 130 becomes similar to the configuration around the P terminal 110 and the N terminal 120, so that the work of connecting the third external terminal 53 to the O terminal 130 can be facilitated.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view showing a terminal fixture in a semiconductor device according to the fifth embodiment.
  • the first pressing terminal 64 has a columnar first protrusion 64Z that protrudes from the surface 64X toward the X1 side.
  • the second pressing terminal 66 has a columnar second protrusion 66Z that protrudes from the surface 66X toward the X2 side.
  • the flat plate portion 111 is formed with a first concave portion 111X into which the first convex portion 64Z is fitted, and the first external terminal 51 is formed with a through hole 51X through which the first convex portion 64Z penetrates.
  • the flat plate portion 131 is formed with a second concave portion 121X into which the second convex portion 66Z is fitted, and the second external terminal 52 is formed with a through hole 52X through which the second convex portion 66Z penetrates.
  • the length of the first protrusion 64Z that is, the dimension in the X1-X2 direction is approximately the same as the sum of the thickness of the first external terminal 51 and the depth of the first recess 111X.
  • the length of the second protrusion 66Z that is, the dimension in the X1-X2 direction is approximately the same as the sum of the thickness of the second external terminal 52 and the depth of the second recess 121X.
  • the metal plate 62A and the metal plate 62B may not be provided on the partition wall 62.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view showing the terminal fixture 160 to which the first external terminals 51 and the second external terminals 52 are fixed in the fifth embodiment.
  • the first bolt 63 is loosened, and the first protrusion 64Z of the first pressing terminal 64 and the second main surface 111B are aligned. A gap larger than the thickness of the first external terminal 51 is formed between them.
  • the second bolt 65 is loosened to form a gap larger than the thickness of the second external terminal 52 between the second projection 66Z of the second pressing terminal 66 and the fourth main surface 121B.
  • the first external terminal 51 is inserted between the first projection 64Z and the second main surface 111B of the flat plate portion 111 so that the through hole 51X is aligned with the first recess 111X in the X1-X2 direction.
  • the second external terminal 52 is inserted between the second convex portion 66Z and the fourth main surface 121B of the flat plate portion 121 so that the through hole 52X is aligned with the second concave portion 121X in the X1-X2 direction.
  • Alignment portions such as spacers may be provided in the housing 61 so that the through holes 51X are aligned with the first recesses 111X and the through holes 52X are aligned with the second recesses 121X in a self-aligning manner.
  • the first protrusion 64Z is inserted into the through-hole 51X and fitted into the first recess 111X. Press to 111.
  • the second protrusion 66Z is inserted into the through hole 52X, and while being fitted into the second recess 121X, the second external terminal 52 is attached to the flat plate portion via the second pressing terminal 66. Press 121.
  • the first external terminal 51 is fixed to the P terminal 110
  • the second external terminal 52 is fixed to the N terminal 120
  • the first external terminal 51 and the second external terminal 52 can be connected to the semiconductor device 100.
  • the same effect as the first embodiment can be obtained by the fifth embodiment. Further, since the movement of the first external terminal 51 and the second external terminal 52 in the Z1-Z2 direction is restrained, the first external terminal 51 and the second external terminal 52 are removed from the P terminal 110 and the N terminal 120, respectively. It can be done easily.
  • first recess 111X may be a through hole penetrating the flat plate portion 111
  • second recess 121X may be a through hole penetrating the flat plate portion 121.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view showing a terminal fixture in a semiconductor device according to the sixth embodiment.
  • a through hole 61X having a size through which the head of the first bolt 63 can pass is formed in the side wall portion 61C instead of the first bolt hole 81A, and the first female screw 82A is provided.
  • a through hole 64 ⁇ /b>A through which the shaft portion of the first bolt 63 passes is formed in the first pressing terminal 64 .
  • a through hole 111Y through which the shaft portion of the first bolt 63 passes is formed in the flat plate portion 111, and a through hole 51Y through which the shaft portion of the first bolt 63 passes is formed in the first external terminal 51.
  • a bolt hole 62X is formed in the partition wall 62, and a female screw 62Y is provided in the bolt hole 62X.
  • the internal thread 32Y is made of a metal having high buckling strength such as steel.
  • An insulating paper 69 is arranged between the bolt hole 62X and the female screw 62Y and the flat plate portion 121.
  • the partition wall 62 is not provided with the metal plate 62A and the metal plate 62B.
  • the partition wall 62 is an example of an insulating member
  • the bolt hole 62X is an example of a hole into which a first bolt is fitted.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view showing the terminal fixture 160 to which the first external terminals 51 and the second external terminals 52 are fixed in the sixth embodiment.
  • the first bolt 63 is removed from the female screw 62Y, and the surface 64X of the first pressing terminal 64 and the second pressing terminal 64 are separated from each other.
  • a gap larger than the thickness of the first external terminal 51 is formed between the principal surface 111B.
  • the second bolt 65 is loosened to form a gap larger than the thickness of the second external terminal 52 between the surface 66X of the second pressing terminal 66 and the fourth main surface 121B.
  • the X1-X2 direction is inserted so that the through hole 51Y is aligned with the through hole 111Y.
  • the second external terminal 52 is aligned with the inclined surface 66Y of the second pressing terminal 66
  • the second bolt 65 is inserted between the surface 66X of the second pressing terminal 66 and the fourth main surface 121B of the flat plate portion 121. Insert up to the Z2 side of the tip surface 65X.
  • a positioning portion such as a spacer may be provided in the housing 61 so that the through hole 51Y is aligned with the through hole 111Y in a self-aligning manner.
  • the first bolt 63 is inserted into the through hole 64A, the through hole 51Y, and the through hole 111Y.
  • the first external terminal 51 is pressed against the flat plate portion 111 .
  • the second external terminal 52 is pressed against the flat plate portion 121 via the second pressing terminal 66 .
  • the first external terminal 51 is fixed to the P terminal 110
  • the second external terminal 52 is fixed to the N terminal 120
  • the first external terminal 51 and the second external terminal 52 can be connected to the semiconductor device 100.
  • the insulating paper 69 is provided, the first bolt 63 is electrically insulated from the N terminal 120 .
  • an electrically insulating material such as resin or ceramic may be used as the material of the first bolt 63 while keeping the female screw 62Y from contacting the flat plate portion 121 .
  • the insulating paper 69 may not be provided.
  • the configuration on the P terminal 110 side and the configuration on the N terminal 120 side may be interchanged.
  • the second external terminal 52 can be made difficult to come off from the N terminal 120 .
  • FIG. 19 is a cross-sectional view showing a terminal fixture in a semiconductor device according to the seventh embodiment.
  • a through hole 61X having a size through which the head of the first bolt 63 can pass is formed in the side wall portion 61C instead of the first bolt hole 81A, and the first female screw 82A is provided.
  • a through hole 64A through which the shaft portion of the first bolt 63 passes is formed in the first pressing terminal 64.
  • a through hole 111Y through which the shaft portion of the first bolt 63 passes is formed in the flat plate portion 111, and a through hole 51Y through which the shaft portion of the first bolt 63 passes is formed in the first external terminal 51.
  • FIG. A through hole 62Z through which the shaft portion of the first bolt 63 passes is formed in the partition wall 62 .
  • a through hole 121Y through which the shaft of the first bolt 63 passes is formed in the flat plate portion 121, and a through hole 52Y through which the shaft of the first bolt 63 passes is formed in the second external terminal 52.
  • a through hole 66A through which the shaft portion of the first bolt 63 passes is formed in the second pressing terminal 66.
  • the partition wall 62 is not provided with the metal plate 62A and the metal plate 62B.
  • the through-hole 111Y is an example of a first through-hole
  • the through-hole 121Y is an example of a second through-hole.
  • a nut 75 into which the first bolt 63 is fitted is arranged on the X1 side of the second pressing terminal 66 .
  • the side wall portion 61D is formed with a through hole 61Y having a size through which the nut 75 can pass, and the second female screw 82B is not provided.
  • the nut 75 is an example of a second pressing member.
  • the material of the first bolt 63 is an electrically insulating material such as resin or ceramic.
  • the material of the nut 75 may be the same material as the material of the first bolt 63 .
  • FIG. 20 is a cross-sectional view showing the terminal fixture 160 to which the first external terminals 51 and the second external terminals 52 are fixed in the seventh embodiment.
  • the first bolt 63 is removed from the nut 75, and the surface 64X of the first pressing terminal 64 and the second A gap larger than the thickness of the first external terminal 51 is formed between the main surface 111B and a gap larger than the thickness of the second external terminal 52 between the surface 66X of the second pressing terminal 66 and the fourth main surface 121B. form a large gap.
  • the X1-X2 direction is inserted so that the through hole 51Y is aligned with the through hole 111Y.
  • the second external terminal 52 is aligned with the inclined surface 66Y of the second pressing terminal 66
  • a contact is placed between the surface 66X of the second pressing terminal 66 and the fourth main surface 121B of the flat plate portion 121 in the X1-X2 direction.
  • the through hole 52Y is inserted so as to line up with the through hole 121Y.
  • Alignment portions such as spacers may be provided in the housing 61 so that the through holes 51Y are aligned with the through holes 111Y and the through holes 52Y are aligned with the through holes 121Y in a self-aligning manner.
  • the first bolt 63 is inserted into the through hole 64A, the through hole 51Y, the through hole 111Y, the through hole 62Z, the through hole 121Y, and the through hole 66A, and the first bolt 63 and the nut 75 are screwed together.
  • the first external terminal 51 is pressed against the flat plate portion 111 via the first pressing terminal 64
  • the second external terminal 52 is pressed against the flat plate portion 121 via the second pressing terminal 66 .
  • the first external terminal 51 is fixed to the P terminal 110
  • the second external terminal 52 is fixed to the N terminal 120
  • the first external terminal 51 and the second external terminal 52 can be connected to the semiconductor device 100.
  • the seventh embodiment also provides the same effects as the first embodiment. Further, since the movement of the first external terminal 51 and the second external terminal 52 in the Z1-Z2 direction is restrained, the first external terminal 51 and the second external terminal 52 are removed from the P terminal 110 and the N terminal 120, respectively. It can be done easily.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view showing a terminal fixture in a semiconductor device according to the eighth embodiment.
  • openings 871 and 873 are formed in the lower wall portion 61A instead of the opening 71.
  • Flat plate portion 111 of P terminal 110 extends into housing 61 through opening 871
  • flat plate portion 121 of N terminal 120 extends into housing 61 through opening 873 .
  • An opening 872 and an opening 874 are formed instead of the opening 72 in the upper wall portion 61B. In the Z1-Z2 direction, the openings 871 and 872 overlap, and the openings 873 and 874 overlap.
  • the partition wall 62 is not provided with the metal plate 62A and the metal plate 62B. Also, the first bolt 63, the first pressing terminal 64, the first bolt hole 81A, the first female screw 82A, the second bolt 65, the second pressing terminal 66, the second bolt hole 81B and the second female screw 82B are not provided. .
  • a leaf spring 801, a leaf spring 802, a leaf spring 803, and a leaf spring 804 are arranged between the partition wall 62 and the side wall portion 61C.
  • Leaf springs 801 and 802 extend from the lower wall portion 61A toward the Z1 side.
  • the leaf springs 803 and 804 extend from the upper wall portion 61B to the Z2 side.
  • the leaf springs 801 and 803 are arranged closer to the partition wall 62 than the openings 871 and 872, contact the first main surface 111A of the flat plate portion 111, and bias the flat plate portion 111 toward the X2 side.
  • the leaf springs 802 and 804 are arranged closer to the side wall portion 61C than the openings 871 and 872, and the distance between the leaf springs 802 and 804 and the second main surface 111B of the flat plate portion 111 in a natural state is It is smaller than the thickness of the first external terminal 51 .
  • Leaf springs 801 to 804 are examples of first leaf springs.
  • a leaf spring 805, a leaf spring 806, a leaf spring 807, and a leaf spring 808 are arranged between the partition wall 62 and the side wall portion 61D.
  • Leaf springs 805 and 806 extend from the lower wall portion 61A to the Z1 side.
  • Leaf springs 807 and 808 extend from the upper wall portion 61B toward the Z2 side.
  • the plate springs 805 and 807 are arranged closer to the partition wall 62 than the openings 873 and 874, contact the third main surface 121A of the flat plate portion 121, and bias the flat plate portion 121 toward the X1 side.
  • the leaf springs 806 and 807 are arranged closer to the side wall portion 61D than the openings 873 and 874, and in a natural state, the distance between the leaf springs 806 and 808 and the fourth main surface 121B of the flat plate portion 121 is It is smaller than the thickness of the second external terminal 52 .
  • Leaf springs 805 to 808 are examples of second leaf springs.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view showing the terminal fixture 160 to which the first external terminals 51 and the second external terminals 52 are fixed in the eighth embodiment.
  • the first external terminal 51 is connected to the leaf springs 804 and 802 and the second main surface 111B of the flat plate portion 111 through the opening 872. insert between Similarly, the second external terminal 52 is inserted through the opening 874 between the plate spring 804 and between the plate spring 802 and the fourth main surface 121B of the flat plate portion 121 .
  • the plate spring 804 and the plate spring 802 are deformed toward the X2 side and bias the first external terminal 51 toward the X1 side. That is, leaf springs 801 to 804 press first external terminal 51 against flat plate portion 111 .
  • the leaf springs 808 and 806 are deformed toward the X1 side and bias the second external terminal 52 toward the X2 side. That is, leaf springs 805 to 808 press second external terminal 52 against flat plate portion 121 .
  • the first external terminal 51 is fixed to the P terminal 110
  • the second external terminal 52 is fixed to the N terminal 120
  • the first external terminal 51 and the second external terminal 52 can be connected to the semiconductor device 100.
  • the first external terminal 51 and the second external terminal 52 can be connected to the semiconductor device 100 by a simple operation.
  • semiconductor elements include, for example, silicon, silicon carbide, or gallium nitride.
  • a power module or the like can be configured by using a semiconductor element containing silicon, silicon carbide, or gallium nitride.
  • semiconductor devices containing silicon carbide are suitable for high withstand voltage power modules.

Abstract

半導体装置は、第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面とを有し、第１外部端子が接続される第１内部端子と、第３主面と、前記第３主面とは反対側の第４主面とを有し、第２外部端子が接続される第２内部端子と、前記第１内部端子及び前記第２内部端子の間に接続された半導体素子と、前記第２主面に前記第１外部端子を押圧する第１押圧部材と、前記第４主面に前記第２外部端子を押圧する第２押圧部材と、を有し、前記第１主面と前記第３主面とが平行であり、前記第１主面の少なくとも一部と、前記第３主面の少なくとも一部とが互いに対向する。

Description

半導体装置
　本開示は、半導体装置に関する。
　本出願は、２０２１年４月１日出願の日本出願第２０２１－０６２７２６号に基づく優先権を主張し、前記日本出願に記載された全ての記載内容を援用するものである。
　内部配線のインダクタンスの低減を目的とした半導体装置が提案されている（特許文献１）。
日本国特開２０１９－２２０７１９号公報
　本開示の半導体装置は、第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面とを有し、第１外部端子が接続される第１内部端子と、第３主面と、前記第３主面とは反対側の第４主面とを有し、第２外部端子が接続される第２内部端子と、前記第１内部端子及び前記第２内部端子の間に接続された半導体素子と、前記第２主面に前記第１外部端子を押圧する第１押圧部材と、前記第４主面に前記第２外部端子を押圧する第２押圧部材と、を有し、前記第１主面と前記第３主面とが平行であり、前記第１主面の少なくとも一部と、前記第３主面の少なくとも一部とが互いに対向する。
図１は、第１実施形態に係る半導体装置を示す上面図である。 図２は、第１実施形態に係る半導体装置を示す正面図である。 図３は、第１実施形態に係る半導体装置におけるＰ端子及びＮ端子と回路パターンとの関係を示す上面図である。 図４は、第１実施形態に係る半導体装置におけるＰ端子及びＮ端子と回路パターンとの関係を示す断面図である。 図５は、第１実施形態に係る半導体装置における端子固定具を示す断面図（その１）である。 図６は、第１実施形態に係る半導体装置における端子固定具を示す断面図（その２）である。 図７は、第１実施形態に係る半導体装置を示す回路図である。 図８は、第１実施形態において第１外部端子及び第２外部端子が固定された端子固定具を示す断面図である。 図９は、第２実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。 図１０は、第２実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。 図１１は、第３実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。 図１２は、第４実施形態に係る半導体装置を示す上面図である。 図１３は、第４実施形態に係る半導体装置におけるＯ端子用の端子固定具を示す断面図（その１）である。 図１４は、第４実施形態に係る半導体装置におけるＯ端子用の端子固定具を示す断面図（その２）である。 図１５は、第５実施形態に係る半導体装置における端子固定具を示す断面図である。 図１６は、第５実施形態において第１外部端子及び第２外部端子が固定された端子固定具を示す断面図である。 図１７は、第６実施形態に係る半導体装置における端子固定具を示す断面図である。 図１８は、第６実施形態において第１外部端子及び第２外部端子が固定された端子固定具を示す断面図である。 図１９は、第７実施形態に係る半導体装置における端子固定具を示す断面図である。 図２０は、第７実施形態において第１外部端子及び第２外部端子が固定された端子固定具を示す断面図である。 図２１は、第８実施形態に係る半導体装置における端子固定具を示す断面図である。 図２２は、第８実施形態において第１外部端子及び第２外部端子が固定された端子固定具を示す断面図である。
　［本開示が解決しようとする課題］
　従来の半導体装置によっても、内部端子におけるインダクタンスを十分に低減することは困難である。
　本開示は、内部端子におけるインダクタンスを低減できる半導体装置を提供することを目的とする。
　［本開示の効果］
　本開示によれば、内部端子におけるインダクタンスを低減できる。
　実施するための形態について、以下に説明する。
　［本開示の実施形態の説明］
　最初に本開示の実施態様を列記して説明する。以下の説明では、同一または対応する要素には同一の符号を付し、それらについて同じ説明は繰り返さない。
　〔１〕　本開示の一態様に係る半導体装置は、第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面とを有し、第１外部端子が接続される第１内部端子と、第３主面と、前記第３主面とは反対側の第４主面とを有し、第２外部端子が接続される第２内部端子と、前記第１内部端子及び前記第２内部端子の間に接続された半導体素子と、前記第２主面に前記第１外部端子を押圧する第１押圧部材と、前記第４主面に前記第２外部端子を押圧する第２押圧部材と、を有し、前記第１主面と前記第３主面とが平行であり、前記第１主面の少なくとも一部と、前記第３主面の少なくとも一部とが互いに対向する。
　第１主面と第３主面とが平行であり、第１主面の少なくとも一部と、第３主面の少なくとも一部とが互いに対向している。このため、第１内部端子の平板部を流れる電流と、第２内部端子の平板部を流れる電流とは、互いに逆方向に流れることとなり、第１内部端子の平板部の周囲の磁界と第２内部端子の平板部の周囲の磁界とが互いに相殺される。従って、Ｐ端子とＮ端子との間のインダクタンスの差がほとんどなくなり、内部端子におけるインダクタンスを低減できる。
　〔２〕　〔１〕において、前記第２主面と前記第４主面とが互いに平行であってもよい。この場合、互いに逆方向から第１外部端子及び第２外部端子を押圧できるため、第２主面に第１外部端子を押圧しやすく、第４主面に第２外部端子を押圧しやすくできる。
　〔３〕　〔１〕又は〔２〕において、前記半導体素子が設けられた回路パターンを有し、前記第１主面、前記第２主面、前記第３主面及び前記第４主面が前記回路パターンに垂直であってもよい。この場合、第１外部端子及び第２外部端子を回路パターンに垂直な方向から第１内部端子及び第２内部端子に接触させやすい。
　〔４〕　〔１〕又は〔２〕において、前記半導体素子が設けられた回路パターンを有し、前記第１主面、前記第２主面、前記第３主面及び前記第４主面が前記回路パターンに平行であってもよい。この場合、第１外部端子及び第２外部端子を回路パターンに平行な方向から第１内部端子及び第２内部端子に接触させやすい。
　〔５〕　〔１〕～〔４〕において、前記第１押圧部材は、前記第２主面に前記第１外部端子を押圧する第１ボルトを有し、前記第２押圧部材は、前記第４主面に前記第２外部端子を押圧する第２ボルトを有してもよい。この場合、第１ボルト及び第２ボルトを締めることで、第２主面に第１外部端子を押圧し、第４主面に第２外部端子を押圧できる。
　〔６〕　〔５〕において、前記第１押圧部材は、前記第１ボルトと前記第１外部端子との間に挟まれる第１緩衝部材を有し、前記第２押圧部材は、前記第２ボルトと前記第２外部端子との間に挟まれる第２緩衝部材を有してもよい。この場合、第１ボルトから第１外部端子にかかる圧力が第１緩衝部材により分散され、第２ボルトから第２外部端子にかかる圧力が第２緩衝部材により分散される。このため、圧力の集中に伴う電流の集中が緩和され、電流の集中に伴う発熱を抑制できる。
　〔７〕　〔６〕において、前記第１緩衝部材は、前記第２主面に対向する面に第１回り止めを有し、前記第２緩衝部材は、前記第４主面に対向する面に第２回り止めを有してもよい。この場合、第１緩衝部材と第２主面との間の密着強度及び第２緩衝部材と第４主面との間の密着強度を向上できる。
　〔８〕　〔６〕又は〔７〕において、前記第１内部端子が前記第２主面に第１凹部を有し、前記第２内部端子が前記第４主面に第２凹部を有し、前記第１緩衝部材が前記第１凹部に嵌る第１凸部を有し、前記第２緩衝部材が前記第２凹部に嵌る第２凸部を有してもよい。この場合、第１凸部が第１凹部に嵌り、第２凸部が第２凹部に嵌ることで、第１外部端子及び第２外部端子を、それぞれ第１内部端子及び第２内部端子から外れにくくできる。
　〔９〕　〔５〕～〔８〕において、前記第１内部端子と前記第２内部端子との間に設けられた絶縁部材を有し、前記第１内部端子に、前記第１ボルトが貫通する貫通孔が形成され、前記絶縁部材に、前記貫通孔を貫通した前記第１ボルトが嵌る孔が形成されていてもよい。この場合、第１ボルトが貫通孔を貫通して絶縁部材の孔に嵌ることで、第１外部端子を第１内部端子から外れにくくできる。
　〔１０〕　〔１〕～〔４〕において、前記第１内部端子に第１貫通孔が形成され、前記第２内部端子に第２貫通孔が形成され、前記第１押圧部材は、前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔を貫通するボルトを有し、前記第２押圧部材は、前記ボルトに嵌るナットを有してもよい。この場合、ボルトが第１貫通孔及び第２貫通孔を貫通し、ナットがボルトに嵌ることで、第１外部端子及び第２外部端子を、それぞれ第１内部端子及び第２内部端子から外れにくくできる。
　〔１１〕　〔１〕～〔４〕において、前記第１押圧部材は、第１板ばねを有し、前記第２押圧部材は、第２板ばねを有してもよい。この場合、簡易な作業によって第１外部端子及び第２外部端子を半導体装置に接続できる。
　〔１２〕　〔１〕～〔１１〕において、第５主面と、前記第５主面とは反対側の第６主面とを有し、第３外部端子が接続される第３内部端子と、前記第６主面に第３外部端子を押圧する第３押圧部材と、を有し、前記第１内部端子と前記第２内部端子との間に、複数の前記半導体素子が直列に接続され、前記第３内部端子は、複数の前記半導体素子のうちの２つの半導体素子の間に接続されてもよい。この場合、第３内部端子の周囲の構成が第１内部端子及び第２内部端子の周囲の構成と同様になり、第３外部端子を第３内部端子に接続する作業を行いやすくできる。
　〔１３〕　〔１〕～〔１２〕において、前記半導体素子は、シリコン、炭化珪素又は窒化ガリウムを含んでもよい。シリコン、炭化珪素又は窒化ガリウムを含む半導体素子を用いることでパワーモジュール等を構成できる。
　［本開示の実施形態の詳細］
　以下、本開示の実施形態について詳細に説明するが、本実施形態はこれらに限定されるものではない。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省くことがある。本明細書及び図面において、Ｘ１－Ｘ２方向、Ｙ１－Ｙ２方向、Ｚ１－Ｚ２方向を相互に直交する方向とする。Ｘ１－Ｘ２方向及びＹ１－Ｙ２方向を含む面をＸＹ面とし、Ｙ１－Ｙ２方向及びＺ１－Ｚ２方向を含む面をＹＺ面とし、Ｚ１－Ｚ２方向及びＸ１－Ｘ２方向を含む面をＺＸ面とする。便宜上、Ｚ１方向を上方向、Ｚ２方向を下方向とする。また、本開示において平面視とは、Ｚ１側から対象物を視ることをいう。
　（第１実施形態）
　まず、第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る半導体装置を示す上面図である。図２は、第１実施形態に係る半導体装置を示す正面図である。
　第１実施形態に係る半導体装置１００は、主として、Ｐ端子１１０と、Ｎ端子１２０と、Ｏ端子１３０と、ベース板１４０と、ケース１５０と、端子固定具１６０とを有する。Ｐ端子１１０は正極側の電源端子であり、Ｎ端子１２０は負極側の電源端子であり、Ｏ端子１３０は出力端子である。Ｐ端子１１０、Ｎ端子１２０、Ｏ端子１３０はケース１５０に組み付けられている。Ｐ端子１１０は第１内部端子の一例であり、Ｎ端子１２０は第２内部端子の一例であり、Ｏ端子は第３内部端子の一例である。Ｘ１－Ｘ２方向は平面視で矩形状のベース板１４０及びケース１５０の長辺に沿う方向であり、Ｙ１－Ｙ２方向はベース板１４０及びケース１５０の短辺に沿う方向であり、Ｚ１－Ｚ２方向はベース板１４０及びケース１５０の法線に沿う方向である。
　ベース板１４０は、例えば平面視で矩形状の厚さが一様の板状体である。ベース板１４０は、主面１４１を備える。ベース板１４０の材料は、熱伝導率の高い素材である金属、例えば銅（Ｃｕ）、銅合金、アルミニウム（Ａｌ）等である。ベース板１４０は、熱界面材料（thermal interface material：ＴＩＭ）等を用いて冷却器等に固定される。
　ケース１５０は、例えば平面視において枠状に形成されている。ケース１５０の材料は樹脂等の絶縁体である。ケース１５０は、互いに対向する一対の側壁部１５１及び側壁部１５２と、側壁部１５１及び側壁部１５２の両端をつなぐ一対の端壁部１５３及び端壁部１５４とを有する。側壁部１５１及び側壁部１５２はＺＸ平面に平行に配置され、端壁部１５３及び端壁部１５４はＹＺ平面に平行に配置されている。側壁部１５２は側壁部１５１のＹ２側に配置され、端壁部１５４は端壁部１５３のＸ２側に配置されている。
　ベース板１４０のＺ１側に、絶縁基板１７０が配置されている。つまり、ベース板１４０の主面１４１に絶縁基板１７０が配置されている。絶縁基板１７０は、Ｚ１側の面に第１回路パターン１７１、第２回路パターン１７２及び第３回路パターン１７３を有し、Ｚ２側の面に導電層１７９を有する（図４及び図６参照）。第１回路パターン１７１、第２回路パターン１７２及び第３回路パターン１７３は、ＸＹ平面に平行である。導電層１７９が、はんだ等の接合材によりベース板１４０に接合されている。
　第１回路パターン１７１の上に複数の第１トランジスタ１１及び複数の第１ダイオード２１が実装されている。第２回路パターン１７２の上に複数の第２トランジスタ１２及び複数の第２ダイオード２２が実装されている。第１トランジスタ１１、第１ダイオード２１、第２トランジスタ１２及び第２ダイオード２２は半導体素子の一例である。
　第１トランジスタ１１は、第１ゲート電極と、第１ソース電極と、第１ドレイン電極とを有する。第１ゲート電極及び第１ソース電極は第１トランジスタ１１のＺ１側の主面に配置され、第１ドレイン電極は第１トランジスタ１１のＺ２側の主面に配置されている。第１ドレイン電極がはんだ等の接合材により第１回路パターン１７１に接合されている。
　第１ダイオード２１は、第１アノード電極と、第１カソード電極とを有する。第１アノード電極は第１ダイオード２１のＺ１側の主面に配置され、第１カソード電極は第１ダイオード２１のＺ２側の主面に配置されている。第１カソード電極がはんだ等の接合材により第１回路パターン１７１に接合されている。
　第２トランジスタ１２は、第２ゲート電極と、第２ソース電極と、第２ドレイン電極とを有する。第２ゲート電極及び第２ソース電極は第２トランジスタ１２のＺ１側の主面に配置され、第２ドレイン電極は第２トランジスタ１２のＺ２側の主面に配置されている。第２ドレイン電極がはんだ等の接合材により第２回路パターン１７２に接合されている。
　第２ダイオード２２は、第２アノード電極と、第２カソード電極とを有する。第２アノード電極は第２ダイオード２２のＺ１側の主面に配置され、第２カソード電極は第２ダイオード２２のＺ２側の主面に配置されている。第２カソード電極がはんだ等の接合材により第２回路パターン１７２に接合されている。
　半導体装置１００は、複数のワイヤ３１と、複数のワイヤ３２と、複数のワイヤ４１と、複数のワイヤ４２とを有する。ワイヤ３１は、第１トランジスタ１１の第１ソース電極と第２回路パターン１７２とを接続する。ワイヤ３２は、第１トランジスタ１１の第１ソース電極と第１ダイオード２１の第１アノード電極とを接続する。ワイヤ４１は、第２トランジスタ１２の第２ソース電極と第３回路パターン１７３とを接続する。ワイヤ４２は、第２トランジスタ１２の第２ソース電極と第２ダイオード２２の第２アノード電極とを接続する。
　なお、半導体装置１００は、ゲート端子、補助ソース端子、ゲートワイヤ、補助ソースワイヤ、ゲートワイヤを繋ぐ回路パターン、補助ソースワイヤを繋ぐ回路パターン等も含むが、便宜上、それらについての説明を省略する。また、図１等では、ゲート電極の図示を省略している。
　ここで、Ｐ端子１１０及びＮ端子１２０について詳細に説明する。図３は、第１実施形態に係る半導体装置におけるＰ端子１１０及びＮ端子１２０と第１回路パターン１７１及び第３回路パターン１７３との関係を示す上面図である。図４は、第１実施形態に係る半導体装置におけるＰ端子１１０及びＮ端子１２０と第１回路パターン１７１及び第３回路パターン１７３との関係を示す断面図である。図４は、図３中のIV-IV線に沿った断面図に相当する。図３及び図４では、ケース１５０を省略している。
　Ｐ端子１１０は、平板部１１１と、コンタクト部１１２とを有する。平板部１１１は、第１主面１１１Ａと、第１主面１１１Ａとは反対側の第２主面１１１Ｂとを有する。第１主面１１１Ａ及び第２主面１１１Ｂは、ＹＺ平面に平行、かつＸ１－Ｘ２方向に垂直な面である。第１主面１１１Ａ及び第２主面１１１Ｂは、第１回路パターン１７１、第２回路パターン１７２及び第３回路パターン１７３に垂直な面である。第１主面１１１Ａが第２主面１１１ＢのＸ１側にある。平板部１１１は、第１回路パターン１７１及び第３回路パターン１７３からＺ１側に離れている。コンタクト部１１２は、平板部１１１のＺ２側の端部から延び、Ｘ２側に屈曲されている。コンタクト部１１２は、はんだ等の接合材を介して第１回路パターン１７１に接続されている。
　Ｎ端子１２０は、平板部１２１と、コンタクト部１２２とを有する。平板部１２１は、第３主面１２１Ａと、第３主面１２１Ａとは反対側の第４主面１２１Ｂとを有する。第３主面１２１Ａ及び第４主面１２１Ｂは、ＹＺ平面に平行、かつＸ１－Ｘ２方向に垂直な面である。第３主面１２１Ａ及び第４主面１２１Ｂは、第１回路パターン１７１、第２回路パターン１７２及び第３回路パターン１７３に垂直な面である。第３主面１２１Ａが第４主面１２１ＢのＸ２側にある。平板部１２１は、第１回路パターン１７１及び第３回路パターン１７３からＺ１側に離れている。コンタクト部１２２は、平板部１２１のＺ２側の端部から延び、Ｘ２側に屈曲されている。コンタクト部１２２は、はんだ等の接合材を介して第３回路パターン１７３に接続されている。
　Ｐ端子１１０の平板部１１１はＮ端子１２０の平板部１２１のＸ２側にある。第１主面１１１Ａと第３主面１２１Ａとが平行であり、第１主面１１１Ａと第３主面１２１Ａとが互いに対向する。Ｘ１－Ｘ２方向から見たときに、絶縁基板１７０のＺ１側において、平板部１１１と平板部１２１とが重なり合っている。第１主面１１１Ａと第３主面１２１Ａとの間の距離は、好ましくは５ｍｍ以下であり、より好ましくは３ｍｍ以下である。
　Ｏ端子１３０は、はんだ等の接合材を介して第２回路パターン１７２に接続されている。Ｏ端子１３０は、例えば端壁部１５４のＺ１側を通じてケース１５０のＸ２側に延びる。
　ここで、端子固定具１６０について詳細に説明する。図５及び図６は、第１実施形態に係る半導体装置における端子固定具１６０を示す断面図である。図５は、図１中のV-V線に沿った断面図に相当する。図６は、図２中のVI-VI線に沿った断面図に相当する。図５では、ケース１５０を省略している。
　端子固定具１６０は、主として、筐体６１と、隔壁６２と、第１ボルト６３と、第１押圧端子６４と、第２ボルト６５と、第２押圧端子６６とを有する。
　筐体６１は、例えばケース１５０に固定されている。筐体６１は、例えば側壁部１５１と、側壁部１５２と、端壁部１５３とに接し、端壁部１５４から離れている。筐体６１は、下壁部６１Ａと、上壁部６１Ｂと、側壁部６１Ｃと、側壁部６１Ｄと、側壁部６１Ｅと、側壁部６１Ｆとを備えた直方体状の外形を有する。下壁部６１Ａ及び上壁部６１ＢはＸＹ平面に平行であり、側壁部６１Ｃ及び側壁部６１ＤはＹＺ平面に平行であり、側壁部６１Ｅ及び側壁部６１ＦはＺＸ平面に平行である。上壁部６１Ｂは下壁部６１ＡのＺ１側にある。側壁部６１Ｃは側壁部６１ＤのＸ２側にある。側壁部６１Ｅは側壁部６１ＦのＹ２側にある。
　下壁部６１ＡのＸ１－Ｘ２方向の中央に開口７１が形成されている。Ｐ端子１１０の平板部１１１及びＮ端子１２０の平板部１２１が開口７１を通じて筐体６１の内部まで延びている。隔壁６２は、平板部１１１と平板部１２１との間に設けられている。隔壁６２は側壁部６１Ｅ及び側壁部６１Ｆに連結されている。隔壁６２の平板部１１１の上端に対向する面に金属板６２Ａが設けられ、隔壁６２の平板部１２１の上端に対向する面に金属板６２Ｂが設けられている。金属板６２Ａ及び金属板６２Ｂは、例えば鉄鋼等の座屈強度が高い金属製である。金属板６２Ａの平板部１１１の第１主面１１１Ａに対向する面６２Ｃにローレット加工等の回り止め加工が施されていてもよい。金属板６２Ｂの平板部１２１の第３主面１２１Ａに対向する面６２Ｄにローレット加工等の回り止め加工が施されていてもよい。
　上壁部６１ＢのＸ１－Ｘ２方向の中央に開口７２が形成されている。開口７２を通じて、Ｐ端子１１０に接続される第１外部端子５１と、Ｎ端子１２０に接続される第２外部端子５２とが筐体６１内に挿入される。第１外部端子５１及び第２外部端子５２の形状は、例えば板状である。Ｚ２側から筐体６１を見たときに、平板部１１１の第２主面１１１Ｂと開口７２のＸ２側の縁との間の距離は第１外部端子５１の厚さより大きく、平板部１２１の第４主面１２１Ｂと開口７２のＸ１側の縁との間の距離は第２外部端子５２の厚さより大きい。
　側壁部６１Ｃに、第１ボルト孔８１Ａが形成され、第１ボルト孔８１Ａ内に第１雌ねじ８２Ａが設けられている。第１雌ねじ８２Ａは、例えば鉄鋼等の座屈強度が高い金属製である。第１ボルト６３は、第１ボルト６３の頭部が側壁部６１ＣのＸ２側に位置するようにして第１雌ねじ８２Ａに嵌まっている。第１ボルト６３の先端面６３Ｘが平板部１１１の第２主面１１１Ｂに対向する。金属板６２Ａは、Ｘ１－Ｘ２方向から見たときに、第１ボルト６３の先端面６３Ｘと重なるように設けられている。第１ボルト６３は、例えば六角穴付きボルトである。
　第１ボルト６３の先端面６３Ｘと平板部１１１の第２主面１１１Ｂとの間に第１押圧端子６４が配置されている。第１押圧端子６４は、第１ボルト６３の締め及び緩めに付随してＸ１－Ｘ２方向に移動可能に設けられている。第１押圧端子６４は、第１外部端子５１が筐体６１内に挿入された時に、第１ボルト６３と第１外部端子５１との間に挟まれる。第１押圧端子６４は、例えば鉄鋼等の座屈強度が高い金属製である。第１押圧端子６４は、例えば、金属板から構成される。第１押圧端子６４の平板部１１１の第２主面１１１Ｂに対向する面６４Ｘに、ローレット加工等の回り止め加工が施されていてもよい。例えば、第１押圧端子６４は面６４Ｘに第１回り止め９１を有してもよい。第１押圧端子６４は、第１ボルト６３の先端面６３Ｘと平板部１１１の第２主面１１１Ｂとの間に第１外部端子５１の先端を案内するように、Ｚ１側の端部に第２主面１１１Ｂから傾斜した傾斜面６４Ｙを有してもよい。第１押圧端子６４は第１緩衝部材の一例である。第１ボルト６３及び第１押圧端子６４が第１押圧部材６７に含まれる。
　第１ボルト６３、第１ボルト孔８１Ａ及び第１雌ねじ８２Ａの組は複数組、例えば２組設けられていてもよい。第１押圧端子６４は、これら複数組のそれぞれに対応するように複数個設けられていてもよく、これら複数組に対して共通に１個のみ設けられていてもよい。
　側壁部６１Ｄに、第２ボルト孔８１Ｂが形成され、第２ボルト孔８１Ｂ内に第２雌ねじ８２Ｂが設けられている。第２雌ねじ８２Ｂは、例えば鉄鋼等の座屈強度が高い金属製である。第２ボルト６５は、第２ボルト６５の頭部が側壁部６１ＤのＸ１側に位置するようにして第２雌ねじ８２Ｂに嵌まっている。第２ボルト６５の先端面６５Ｘが平板部１２１の第４主面１２１Ｂに対向する。金属板６２Ｂは、Ｘ１－Ｘ２方向から見たときに、第２ボルト６５の先端面６５Ｘと重なるように設けられている。第２ボルト６５は、例えば六角穴付きボルトである。端壁部１５３に、第２ボルト６５の締め及び緩めを行うための開口（図示せず）が形成されている。
　第２ボルト６５の先端面６５Ｘと平板部１２１の第４主面１２１Ｂとの間に第２押圧端子６６が配置されている。第２押圧端子６６は、第２ボルト６５の締め及び緩めに付随してＸ１－Ｘ２方向に移動可能に設けられている。第２押圧端子６６は、第２外部端子５２が筐体６１内に挿入された時に、第２ボルト６５と第２外部端子５２との間に挟まれる。第２押圧端子６６は、例えば鉄鋼等の座屈強度が高い金属製である。第２押圧端子６６は、例えば、金属板から構成される。第２押圧端子６６の平板部１２１の第４主面１２１Ｂに対向する面６６Ｘに、ローレット加工等の回り止め加工が施されていてもよい。例えば、第２押圧端子６６は面６６Ｘに第２回り止め９２を有してもよい。第２押圧端子６６は、第２ボルト６５の先端面６５Ｘと平板部１２１の第４主面１２１Ｂとの間に第２外部端子５２の先端を案内するように、Ｚ１側の端部に第４主面１２１Ｂから傾斜した傾斜面６６Ｙを有してもよい。第２押圧端子６６は第２緩衝部材の一例である。第２ボルト６５及び第２押圧端子６６が第２押圧部材６８に含まれる。
　第２ボルト６５、第２ボルト孔８１Ｂ及び第２雌ねじ８２Ｂの組は複数組、例えば２組設けられていてもよい。第２押圧端子６６は、これら複数組のそれぞれに対応するように複数個設けられていてもよく、これら複数組に対して共通に１個のみ設けられていてもよい。
　筐体６１及び隔壁６２は、例えばポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）等の樹脂から構成され、樹脂成型品であってもよい。金属板６２Ａ及び金属板６２Ｂは隔壁６２にインサート成形されていてもよい。
　次に、第１実施形態に係る半導体装置１００の回路構成について説明する。図７は、第１実施形態に係る半導体装置を示す回路図である。
　Ｐ端子１１０に、第１回路パターン１７１を介して第１トランジスタ１１の第１ドレイン電極及び第１ダイオード２１の第１カソード電極が接続される。Ｏ端子１３０に、第２回路パターン１７２と、ワイヤ３１とを介して第１トランジスタ１１のソース電極が接続され、更にワイヤ３２を介して第１ダイオード２１の第１アノード電極が接続される。このように、第１トランジスタ１１の第１ドレイン電極と第１ダイオード２１の第１カソード電極とがＰ端子１１０に共通に接続され、第１トランジスタ１１の第１ソース電極と第１ダイオード２１の第１アノード電極とがＯ端子１３０に共通に接続される。つまり、第１トランジスタ１１及び第１ダイオード２１はＰ端子１１０とＯ端子１３０との間に並列に接続される。
　Ｏ端子１３０に、第２回路パターン１７２を介して第２トランジスタ１２の第２ドレイン電極及び第２ダイオード２２の第２カソード電極が接続される。Ｎ端子１２０に、第３回路パターン１７３と、ワイヤ４１とを介して第２トランジスタ１２のソース電極が接続され、更にワイヤ４２を介して第２ダイオード２２の第２アノード電極が接続される。このように、第２トランジスタ１２の第２ドレイン電極と第２ダイオード２２の第２カソード電極とがＯ端子１３０に共通に接続され、第２トランジスタ１２の第２ソース電極と第２ダイオード２２の第２アノード電極とがＮ端子１２０に共通に接続される。つまり、第２トランジスタ１２及び第２ダイオード２２はＯ端子１３０とＮ端子１２０との間に並列に接続される。
　上アーム１は、第１トランジスタ１１と、第１ダイオード２１とを含む。下アーム２は、第２トランジスタ１２と、第２ダイオード２２とを含む。Ｐ端子１１０とＮ端子１２０との間に上アーム１と下アーム２とが直列に接続されている。
　ここで、第１外部端子５１及び第２外部端子５２を端子固定具１６０に固定する方法について説明する。図８は、第１実施形態において第１外部端子５１及び第２外部端子５２が固定された端子固定具１６０を示す断面図である。
　第１外部端子５１及び第２外部端子５２を端子固定具１６０に固定する際には、まず、第１ボルト６３を緩め、第１押圧端子６４の面６４Ｘと第２主面１１１Ｂとの間に、第１外部端子５１の厚さよりも大きい隙間を形成する。同様に、第２ボルト６５を緩め、第２押圧端子６６の面６６Ｘと第４主面１２１Ｂとの間に、第２外部端子５２の厚さよりも大きい隙間を形成する。
　次に、第１外部端子５１を第１押圧端子６４の傾斜面６４Ｙに沿わせながら、第１押圧端子６４の面６４Ｘと平板部１１１の第２主面１１１Ｂとの間に、第１ボルト６３の先端面６３ＸよりもＺ２側まで挿入する。同様に、第２外部端子５２を第２押圧端子６６の傾斜面６６Ｙに沿わせながら、第２押圧端子６６の面６６Ｘと平板部１２１の第４主面１２１Ｂとの間に、第２ボルト６５の先端面６５ＸよりもＺ２側まで挿入する。
　次に、第１ボルト６３を締めることで、第１押圧端子６４を介して第１外部端子５１を平板部１１１に押圧する。同様に、第２ボルト６５を締めることで、第２押圧端子６６を介して第２外部端子５２を平板部１２１に押圧する。
　このようにして、第１外部端子５１をＰ端子１１０に固定し、第２外部端子５２をＮ端子１２０に固定し、第１外部端子５１及び第２外部端子５２を半導体装置１００に接続できる。
　ここで、半導体装置１００の動作について説明する。
　半導体装置１００では、上アーム１の第１トランジスタ１１がターンオフに転じると、電流は下アーム２の第２ダイオード２２に転流し、電流が減少する。また、下アーム２の第２トランジスタ１２がターンオフに転じると、電流は上アーム１の第１ダイオード２１に転流し、電流が減少する。そのため、Ｐ端子１１０からＮ端子１２０に至り、Ｐ端子１１０とＮ端子１２０との間に接続されたコンデンサ（図示せず）へと戻る経路における単位時間当たりの電流の変化（ｄｉ／ｄｔ）は大きなものとなる。Ｐ端子１１０からＮ端子１２０に至る経路のインダクタンスが大きい場合、ΔＶ＝Ｌ・ｄｉ／ｄｔで表されるサージ電圧が大きくなる。ここで、ΔＶはサージ電圧、Ｌはインダクタンス、ｉは電流、ｔは時間である。
　本実施形態では、Ｐ端子１１０の平板部１１１を流れる電流と、Ｎ端子１２０の平板部１２１を流れる電流との間では、流れる方向が逆方向である。このため、平板部１１１の周囲の磁界と平板部１２１の周囲の磁界とが互いに相殺される。従って、本実施形態によれば、Ｐ端子１１０及びＮ端子１２０の広範囲にわたって、磁界が打ち消し合い、Ｐ端子１１０及びＮ端子１２０におけるインダクタンスを低減できる。
　第１主面１１１Ａ、第２主面１１１Ｂ、第３主面１２１Ａ及び第４主面１２１Ｂが第１回路パターン１７１及び第３回路パターン１７３に垂直であるため、ベース板１４０の主面１４１に垂直な方向から第１外部端子５１及び第２外部端子５２を端子固定具１６０に挿入できる。このため、第１外部端子５１及び第２外部端子５２を、それぞれＰ端子１１０及びＮ端子１２０に接触させやすい。
　第１押圧部材６７が第１ボルト６３を含み、第２押圧部材６８が第２ボルト６５を含むため、第１ボルト６３及び第２ボルト６５を締めることで、第２主面１１１Ｂに第１外部端子５１を強固に押圧し、第４主面１２１Ｂに第２外部端子５２を強固に押圧できる。また、第２主面１１１Ｂと第４主面１２１Ｂとが互いに平行であるため、互いに逆方向から第１外部端子５１及び第２外部端子５２を押圧できる。このため、第２主面１１１Ｂに第１外部端子５１を押圧しやすく、第４主面１２１Ｂに第２外部端子５２を押圧しやすくできる。
　第１押圧端子６４が第１ボルト６３と第１外部端子５１との間に挟まれ、第２押圧端子６６が第２ボルト６５と第２外部端子５２との間に挟まれる。このため、第１ボルト６３から第１外部端子５１にかかる圧力が第１押圧端子６４により分散され、第２ボルト６５から第２外部端子５２にかかる圧力が第２押圧端子６６により分散される。電流は、接触圧力が強い領域に集中しやすいが、第１押圧端子６４及び第２押圧端子６６による圧力の分散により電流の集中を緩和し、電流の集中に伴う発熱を抑制できる。
　第１押圧端子６４の面６４Ｘにローレット加工等の回り止め加工が施されていると、第１押圧端子６４と第２主面１１１Ｂとの間の密着強度を向上できる。同様に、第２押圧端子６６の面６６Ｘにローレット加工等の回り止め加工が施されていると、第２押圧端子６６と第４主面１２１Ｂとの間の密着強度を向上できる。
　（第２実施形態）
　次に、第２実施形態について説明する。図９は、第２実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。図１０は、第２実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。図９は、図６と同様のＺ１－Ｚ２方向の位置での断面図に相当する。図１０は、図９中のX-X線に沿った断面図に相当する。図９では、筐体６１、隔壁６２、金属板６２Ａ及び金属板６２Ｂを省略している。図１０では、ケース１５０を省略している。
　第２実施形態に係る半導体装置２００では、Ｐ端子１１０の第１主面１１１Ａ及び第２主面１１１Ｂは、ＺＸ平面に平行、かつＹ１－Ｙ２方向に垂直な面である。第１主面１１１Ａ及び第２主面１１１Ｂは、第１回路パターン１７１、第２回路パターン１７２及び第３回路パターン１７３に垂直な面である。第１主面１１１Ａが第２主面１１１ＢのＹ２側にある。平板部１１１は、第１回路パターン１７１からＺ１側に離れている。コンタクト部１１２は、平板部１１１のＺ２側の端部から延び、Ｙ１側に屈曲されている。コンタクト部１１２は、はんだ等の接合材を介して第１回路パターン１７１に接続されている。
　また、Ｎ端子１２０の第３主面１２１Ａ及び第４主面１２１Ｂは、ＺＸ平面に平行、かつＹ１－Ｙ２方向に垂直な面である。第３主面１２１Ａ及び第４主面１２１Ｂは、第１回路パターン１７１、第２回路パターン１７２及び第３回路パターン１７３に垂直な面である。第３主面１２１Ａが第４主面１２１ＢのＹ１側にある。平板部１２１は、第３回路パターン１７３からＺ１側に離れている。コンタクト部１２２は、平板部１２１のＺ２側の端部から延び、Ｙ２側に屈曲されている。コンタクト部１２２は、はんだ等の接合材を介して第３回路パターン１７３に接続されている。
　Ｐ端子１１０の平板部１１１はＮ端子１２０の平板部１２１のＹ１側にある。第１主面１１１Ａと第３主面１２１Ａとが平行であり、第１主面１１１Ａと第３主面１２１Ａとが互いに対向する。Ｙ１－Ｙ２方向から見たときに、絶縁基板１７０のＺ１側において、平板部１１１と平板部１２１とが重なり合っている。
　このように、第１実施形態では、平板部１１１及び平板部１２１がＸ１－Ｘ２方向に並んでいるのに対し、第２実施形態では、平板部１１１及び平板部１２１がＹ１－Ｙ２方向に並んでいる。また、これに伴って、端子固定具１６０の向きが第１実施形態からＸＹ平面内で９０°回転した向きとなっている。
　他の構成は第１実施形態と同様である。
　第２実施形態によっても第１実施形態と同様の効果が得られる。
　（第３実施形態）
　次に、第３実施形態について説明する。図１１は、第３実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。図１１は、図５と同様に、図１中のV-V線に沿った断面図に相当する。図１０では、ケース１５０を省略している。
　第３実施形態に係る半導体装置３００は、Ｐ端子１１０に代えてＰ端子３１０を有し、Ｎ端子１２０に代えてＮ端子３２０を有する。
　Ｐ端子３１０は、平板部３１１と、コンタクト部３１２と、連結部３１３とを有する。平板部３１１は、第１主面３１１Ａと、第１主面３１１Ａとは反対側の第２主面３１１Ｂとを有する。第１主面３１１Ａ及び第２主面３１１Ｂは、ＸＹ平面に平行、かつＺ１－Ｚ２方向に垂直な面である。第１主面３１１Ａ及び第２主面３１１Ｂは、第１回路パターン１７１、第２回路パターン１７２及び第３回路パターン１７３に平行な面である。第１主面３１１Ａが第２主面３１１ＢのＺ２側にある。平板部３１１は、第１回路パターン１７１及び第３回路パターン１７３からＺ１側に離れている。コンタクト部３１２は、はんだ等の接合材を介して第１回路パターン１７１に接続されている。連結部３１３は、平板部３１１のＸ２側の端部からＺ２側に延び、かつコンタクト部３１２のＸ１側の端部からＺ１側に延びる。連結部３１３は、平板部３１１とコンタクト部３１２とを連結する。
　Ｎ端子３２０は、平板部３２１と、コンタクト部３２２と、連結部３２３とを有する。平板部３２１は、第３主面３２１Ａと、第３主面３２１Ａとは反対側の第４主面３２１Ｂとを有する。第３主面３２１Ａ及び第４主面３２１Ｂは、ＸＹ平面に平行、かつＺ１－Ｚ２方向に垂直な面である。第３主面３２１Ａ及び第４主面３２１Ｂは、第１回路パターン１７１、第２回路パターン１７２及び第３回路パターン１７３に平行な面である。第３主面３２１Ａが第４主面３２１ＢのＺ１側にある。平板部３２１は、第１回路パターン１７１及び第３回路パターン１７３からＺ１側に離れている。コンタクト部３２２は、はんだ等の接合材を介して第３回路パターン１７３に接続されている。連結部３２３は、平板部３２１のＸ２側の端部からＺ２側に延び、かつコンタクト部３２２のＸ１側の端部からＺ１側に延びる。連結部３２３は、平板部３２１とコンタクト部３２２とを連結する。
　このように、第１実施形態では、平板部１１１及び平板部１２１がＸ１－Ｘ２方向に並んでいるのに対し、第３実施形態では、平板部１１１及び平板部１２１がＺ１－Ｚ２方向に並んでいる。また、これに伴って、端子固定具１６０の向きが第１実施形態からＺＸ平面内で９０°回転した向きとなっている。
　他の構成は第１実施形態と同様である。
　第３実施形態によっても第１実施形態と同様の効果が得られる。また、第１主面１１１Ａ、第２主面１１１Ｂ、第３主面１２１Ａ及び第４主面１２１Ｂが第１回路パターン１７１及び第３回路パターン１７３に平行であるため、ベース板１４０の主面１４１に平行な方向から第１外部端子５１及び第２外部端子５２を端子固定具１６０に挿入できる。このため、第１外部端子５１及び第２外部端子５２を、それぞれＰ端子１１０及びＮ端子１２０に接触させやすい。
　（第４実施形態）
　次に、第４実施形態について説明する。図１２は、第４実施形態に係る半導体装置を示す上面図である。図１３及び図１４は、第４実施形態に係る半導体装置におけるＯ端子用の端子固定具を示す断面図である。図１３は、図１２中のV-V線に沿った断面図に相当する。図１４は、図６と同様のＺ１－Ｚ２方向の位置での断面図に相当する。図１３では、ケース１５０を省略している。
　第４実施形態に係る半導体装置４００は、主として、Ｐ端子１１０と、Ｎ端子１２０と、Ｏ端子１３０と、ベース板１４０と、ケース１５０と、端子固定具１６０と、端子固定具４６０とを有する。
　半導体装置４００においては、Ｏ端子１３０が平板部１３１と、コンタクト部１３２とを有する。平板部１３１は、第５主面１３１Ａと、第５主面１３１Ａとは反対側の第６主面１３１Ｂとを有する。第５主面１３１Ａ及び第６主面１３１Ｂは、ＹＺ平面に平行、かつＸ１－Ｘ２方向に垂直な面である。第５主面１３１Ａ及び第６主面１３１Ｂは、第１回路パターン１７１、第２回路パターン１７２及び第３回路パターン１７３に垂直な面である。第５主面１３１Ａが第６主面１３１ＢのＸ１側にある。平板部１３１は、第２回路パターン１７２からＺ１側に離れている。コンタクト部１３２は、平板部１３１のＺ２側の端部から延び、Ｘ１側に屈曲されている。コンタクト部１３２は、はんだ等の接合材を介して第２回路パターン１７２に接続されている。
　ここで、端子固定具４６０について詳細に説明する。端子固定具４６０は、主として、筐体４６１と、第３ボルト４６３と、第３押圧端子４６４とを有する。
　筐体４６１は、例えばケース１５０に固定されている。筐体４６１は、例えば側壁部１５１と、側壁部１５２と、端壁部１５４に接し、端壁部１５３から離れている。筐体４６１は、下壁部４６１Ａと、上壁部４６１Ｂと、側壁部４６１Ｃと、側壁部４６１Ｄと、側壁部４６１Ｅと、側壁部４６１Ｆとを備えた直方体状の外形を有する。下壁部４６１Ａ及び上壁部４６１ＢはＸＹ平面に平行であり、側壁部４６１Ｃ及び側壁部４６１ＤはＹＺ平面に平行であり、側壁部４６１Ｅ及び側壁部４６１ＦはＺＸ平面に平行である。上壁部４６１Ｂは下壁部４６１ＡのＺ１側にある。側壁部４６１Ｃは側壁部４６１ＤのＸ２側にある。側壁部４６１Ｅは側壁部４６１ＦのＹ２側にある。
　下壁部４６１Ａに開口４７１が形成されている。Ｏ端子１３０の平板部１３１が開口４７１を通じて筐体４６１の内部まで延びている。側壁部４６１Ｄの平板部１３１の上端に対向する面に金属板４６２Ａが設けられている。金属板４６２Ａは、例えば鉄鋼等の座屈強度が高い金属製である。金属板４６２Ａの平板部１３１の第５主面１３１Ａに対向する面４６２Ｃにローレット加工等の回り止め加工が施されていてもよい。
　上壁部４６１Ｂに開口４７２が形成されている。開口４７２を通じて、Ｏ端子１３０に接続される第３外部端子５３が筐体４６１内に挿入される。第３外部端子５３の形状は、例えば板状である。Ｚ２側から筐体４６１を見たときに、平板部１３１の第６主面１３１Ｂと開口４７２のＸ２側の縁との間の距離は第３外部端子５３の厚さより大きい。
　側壁部４６１Ｃに、第３ボルト孔４８１Ａが形成され、第３ボルト孔４８１Ａ内に第３雌ねじ４８２Ａが設けられている。第３雌ねじ４８２Ａは、例えば鉄鋼等の座屈強度が高い金属製である。第３ボルト４６３は、第３ボルト４６３の頭部が側壁部４６１ＣのＸ２側に位置するようにして第３雌ねじ４８２Ａに嵌まっている。第３ボルト４６３の先端面４６３Ｘが平板部１３１の第６主面１３１Ｂに対向する。金属板４６２Ａは、Ｘ１－Ｘ２方向から見たときに、第３ボルト４６３の先端面４６３Ｘと重なるように設けられている。第３ボルト４６３は、例えば六角穴付きボルトである。端壁部１５４に、第３ボルト４６３の締め及び緩めを行うための開口（図示せず）が形成されている。
　第３ボルト４６３の先端面４６３Ｘと平板部１３１の第６主面１３１Ｂとの間に第３押圧端子４６４が配置されている。第３押圧端子４６４は、第３ボルト４６３の締め及び緩めに付随してＸ１－Ｘ２方向に移動可能に設けられている。第３押圧端子４６４は、第３外部端子５３が筐体６１内に挿入された時に、第３ボルト４６３と第３外部端子５３との間に挟まれる。第３押圧端子４６４は、例えば鉄鋼等の座屈強度が高い金属製である。第３押圧端子４６４は、例えば、金属板から構成される。第３押圧端子４６４の平板部１３１の第６主面１３１Ｂに対向する面４６４Ｘに、ローレット加工等の回り止め加工が施されていてもよい。例えば、第３押圧端子４６４は面４６４Ｘに第３回り止め９３を有してもよい。第３押圧端子４６４は、第３ボルト４６３の先端面４６３Ｘと平板部１３１の第６主面１３１Ｂとの間に第３外部端子５３の先端を案内するように、Ｚ１側の端部に第６主面１３１Ｂから傾斜した傾斜面４６４Ｙを有してもよい。第３押圧端子４６４は第３緩衝部材の一例である。第３ボルト４６３及び第３押圧端子４６４が第３押圧部材４６７に含まれる。
　第３ボルト４６３、第３ボルト孔４８１Ａ及び第３雌ねじ４８２Ａの組は複数組、例えば２組設けられていてもよい。第３押圧端子４６４は、これら複数組のそれぞれに対応するように複数個設けられていてもよく、これら複数組に対して共通に１個のみ設けられていてもよい。
　筐体４６１は、例えばポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）等の樹脂から構成され、樹脂成型品であってもよい。金属板４６２Ａは側壁部４６１Ｄにインサート成形されていてもよい。
　他の構成は第１実施形態と同様である。
　第３外部端子５３を端子固定具４６０に固定する際には、まず、第３ボルト４６３を緩め、第３押圧端子４６４の面４６４Ｘと第６主面１３１Ｂとの間に、第３外部端子５３の厚さよりも大きい隙間を形成する。
　次に、第３外部端子５３を第３押圧端子４６４の傾斜面４６４Ｙに沿わせながら、第３押圧端子４６４の面４６４Ｘと平板部１３１の第６主面１３１Ｂとの間で、第３ボルト４６３の先端面４６３ＸよりもＺ２側まで押し込む。
　次に、第３ボルト４６３を締めることで、第３押圧端子４６４を介して第３外部端子５３を平板部１３１に押圧する。
　このようにして、第３外部端子５３をＯ端子１３０に固定し、第３外部端子５３を半導体装置１００に接続できる。
　第４実施形態によっても第１実施形態と同様の効果が得られる。また、Ｏ端子１３０の周囲の構成がＰ端子１１０及びＮ端子１２０の周囲の構成と同様になり、第３外部端子５３をＯ端子１３０に接続する作業を行いやすくできる。
　（第５実施形態）
　次に、第５実施形態について説明する。図１５は、第５実施形態に係る半導体装置における端子固定具を示す断面図である。
　第５実施形態に係る半導体装置では、第１押圧端子６４が、面６４ＸからＸ１側に突出する柱状の第１凸部６４Ｚを有する。第２押圧端子６６が、面６６ＸからＸ２側に突出する柱状の第２凸部６６Ｚを有する。
　平板部１１１に、第１凸部６４Ｚが嵌る第１凹部１１１Ｘが形成され、第１外部端子５１に、第１凸部６４Ｚが貫通する貫通孔５１Ｘが形成されている。平板部１３１に、第２凸部６６Ｚが嵌る第２凹部１２１Ｘが形成され、第２外部端子５２に、第２凸部６６Ｚが貫通する貫通孔５２Ｘが形成されている。
　第１凸部６４Ｚの長さ、すなわちＸ１－Ｘ２方向の寸法は、第１外部端子５１の厚さと第１凹部１１１Ｘの深さとの和と同程度である。第２凸部６６Ｚの長さ、すなわちＸ１－Ｘ２方向の寸法は、第２外部端子５２の厚さと第２凹部１２１Ｘの深さとの和と同程度である。
　隔壁６２に金属板６２Ａ及び金属板６２Ｂが設けられていなくてよい。
　他の構成は第１実施形態と同様である。
　ここで、第１外部端子５１及び第２外部端子５２を端子固定具１６０に固定する方法について説明する。図１６は、第５実施形態において第１外部端子５１及び第２外部端子５２が固定された端子固定具１６０を示す断面図である。
　第１外部端子５１及び第２外部端子５２を端子固定具１６０に固定する際には、まず、第１ボルト６３を緩め、第１押圧端子６４の第１凸部６４Ｚと第２主面１１１Ｂとの間に、第１外部端子５１の厚さよりも大きい隙間を形成する。同様に、第２ボルト６５を緩め、第２押圧端子６６の第２凸部６６Ｚと第４主面１２１Ｂとの間に、第２外部端子５２の厚さよりも大きい隙間を形成する。
　次に、Ｘ１－Ｘ２方向で貫通孔５１Ｘが第１凹部１１１Ｘに並ぶように、第１外部端子５１を第１凸部６４Ｚと平板部１１１の第２主面１１１Ｂとの間に挿入する。同様に、Ｘ１－Ｘ２方向で貫通孔５２Ｘが第２凹部１２１Ｘに並ぶように、第２外部端子５２を第２凸部６６Ｚと平板部１２１の第４主面１２１Ｂとの間に挿入する。自己整合的に、貫通孔５１Ｘが第１凹部１１１Ｘに並び、貫通孔５２Ｘが第２凹部１２１Ｘに並ぶように、筐体６１内にスペーサ等の位置合わせ部を設けておいてもよい。
　次に、第１ボルト６３を締めることで、第１凸部６４Ｚを貫通孔５１Ｘ内に挿入し、第１凹部１１１Ｘに嵌めながら、第１押圧端子６４を介して第１外部端子５１を平板部１１１に押圧する。同様に、第２ボルト６５を締めることで、第２凸部６６Ｚを貫通孔５２Ｘ内に挿入し、第２凹部１２１Ｘに嵌めながら、第２押圧端子６６を介して第２外部端子５２を平板部１２１に押圧する。
　このようにして、第１外部端子５１をＰ端子１１０に固定し、第２外部端子５２をＮ端子１２０に固定し、第１外部端子５１及び第２外部端子５２を半導体装置１００に接続できる。
　第５実施形態によっても第１実施形態と同様の効果が得られる。また、第１外部端子５１及び第２外部端子５２のＺ１－Ｚ２方向での移動が拘束されるため、第１外部端子５１及び第２外部端子５２を、それぞれＰ端子１１０及びＮ端子１２０から外れにくくできる。
　なお、第１凹部１１１Ｘが平板部１１１を貫通する貫通孔であってもよく、第２凹部１２１Ｘが平板部１２１を貫通する貫通孔であってもよい。
　（第６実施形態）
　次に、第６実施形態について説明する。図１７は、第６実施形態に係る半導体装置における端子固定具を示す断面図である。
　第６実施形態に係る半導体装置では、側壁部６１Ｃに、第１ボルト孔８１Ａに代えて第１ボルト６３の頭部が通過できる大きさの貫通孔６１Ｘが形成され、第１雌ねじ８２Ａが設けられていない。第１押圧端子６４に第１ボルト６３の軸部が貫通する貫通孔６４Ａが形成されている。また、平板部１１１に第１ボルト６３の軸部が貫通する貫通孔１１１Ｙが形成され、第１外部端子５１に第１ボルト６３の軸部が貫通する貫通孔５１Ｙが形成されている。隔壁６２にボルト孔６２Ｘが形成され、ボルト孔６２Ｘ内に雌ねじ６２Ｙが設けられている。雌ねじ３２Ｙは、例えば鉄鋼等の座屈強度が高い金属製である。また、ボルト孔６２Ｘ及び雌ねじ６２Ｙと平板部１２１との間に絶縁紙６９が配置されている。隔壁６２に金属板６２Ａ及び金属板６２Ｂが設けられていない。本実施形態において、隔壁６２は絶縁部材の一例であり、ボルト孔６２Ｘは第１ボルトが嵌る孔の一例である。
　他の構成は第１実施形態と同様である。
　ここで、第１外部端子５１及び第２外部端子５２を端子固定具１６０に固定する方法について説明する。図１８は、第６実施形態において第１外部端子５１及び第２外部端子５２が固定された端子固定具１６０を示す断面図である。
　第１外部端子５１及び第２外部端子５２を端子固定具１６０に固定する際には、まず、第１ボルト６３が雌ねじ６２Ｙから外された状態で、第１押圧端子６４の面６４Ｘと第２主面１１１Ｂとの間に、第１外部端子５１の厚さよりも大きい隙間を形成する。また、第２ボルト６５を緩め、第２押圧端子６６の面６６Ｘと第４主面１２１Ｂとの間に、第２外部端子５２の厚さよりも大きい隙間を形成する。
　次に、第１外部端子５１を第１押圧端子６４の傾斜面６４Ｙに沿わせながら、第１押圧端子６４の面６４Ｘと平板部１１１の第２主面１１１Ｂとの間に、Ｘ１－Ｘ２方向で貫通孔５１Ｙが貫通孔１１１Ｙに並ぶように挿入する。また、第２外部端子５２を第２押圧端子６６の傾斜面６６Ｙに沿わせながら、第２押圧端子６６の面６６Ｘと平板部１２１の第４主面１２１Ｂとの間に、第２ボルト６５の先端面６５ＸよりもＺ２側まで挿入する。自己整合的に、貫通孔５１Ｙが貫通孔１１１Ｙに並ぶように、筐体６１内にスペーサ等の位置合わせ部を設けておいてもよい。
　次に、第１ボルト６３を貫通孔６４Ａ、貫通孔５１Ｙ及び貫通孔１１１Ｙ内に挿入し、ボルト孔６２Ｘ内の雌ねじ６２Ｙに第１ボルト６３を螺合しながら、第１押圧端子６４を介して第１外部端子５１を平板部１１１に押圧する。また、第２ボルト６５を締めることで、第２押圧端子６６を介して第２外部端子５２を平板部１２１に押圧する。
　このようにして、第１外部端子５１をＰ端子１１０に固定し、第２外部端子５２をＮ端子１２０に固定し、第１外部端子５１及び第２外部端子５２を半導体装置１００に接続できる。なお、絶縁紙６９が設けられているため、第１ボルト６３は電気的にＮ端子１２０から絶縁される。
　第６実施形態によっても第１実施形態と同様の効果が得られる。また、第１外部端子５１のＺ１－Ｚ２方向での移動が拘束されるため、第１外部端子５１をＰ端子１１０から外れにくくできる。
　なお、雌ねじ６２Ｙを平板部１２１に接触しないようにしながら、第１ボルト６３の材料として樹脂、セラミック等の電気的に絶縁体を用いてもよい。この場合、絶縁紙６９が設けられていなくてもよい。
　また、Ｐ端子１１０側の構成とＮ端子１２０側の構成とが入れ替わっていてもよい。この場合、第２外部端子５２をＮ端子１２０から外れにくくできる。
　（第７実施形態）
　次に、第７実施形態について説明する。図１９は、第７実施形態に係る半導体装置における端子固定具を示す断面図である。
　第７実施形態に係る半導体装置では、側壁部６１Ｃに、第１ボルト孔８１Ａに代えて第１ボルト６３の頭部が通過できる大きさの貫通孔６１Ｘが形成され、第１雌ねじ８２Ａが設けられていない。
　第１押圧端子６４に第１ボルト６３の軸部が貫通する貫通孔６４Ａが形成されている。また、平板部１１１に第１ボルト６３の軸部が貫通する貫通孔１１１Ｙが形成され、第１外部端子５１に第１ボルト６３の軸部が貫通する貫通孔５１Ｙが形成されている。隔壁６２に第１ボルト６３の軸部が貫通する貫通孔６２Ｚが形成されている。また、平板部１２１に、第１ボルト６３の軸部が貫通する貫通孔１２１Ｙが形成され、第２外部端子５２に、第１ボルト６３の軸部が貫通する貫通孔５２Ｙが形成されている。更に、第２押圧端子６６に第１ボルト６３の軸部が貫通する貫通孔６６Ａが形成されている。隔壁６２に金属板６２Ａ及び金属板６２Ｂが設けられていない。本実施形態において、貫通孔１１１Ｙは第１貫通孔の一例であり、貫通孔１２１Ｙは第２貫通孔の一例である。
　第２押圧端子６６のＸ１側に第１ボルト６３が嵌るナット７５が配置されている。側壁部６１Ｄに、第２ボルト孔８１Ｂに代えてナット７５が通過できる大きさの貫通孔６１Ｙが形成され、第２雌ねじ８２Ｂが設けられていない。ナット７５は第２押圧部材の一例である。
　第１ボルト６３の材料は樹脂、セラミック等の電気的に絶縁体である。ナット７５の材料は、第１ボルト６３の材料と同じ材料であってもよい。
　他の構成は第１実施形態と同様である。
　ここで、第１外部端子５１及び第２外部端子５２を端子固定具１６０に固定する方法について説明する。図２０は、第７実施形態において第１外部端子５１及び第２外部端子５２が固定された端子固定具１６０を示す断面図である。
　第１外部端子５１及び第２外部端子５２を端子固定具１６０に固定する際には、まず、第１ボルト６３がナット７５から外された状態で、第１押圧端子６４の面６４Ｘと第２主面１１１Ｂとの間に、第１外部端子５１の厚さよりも大きい隙間を形成し、第２押圧端子６６の面６６Ｘと第４主面１２１Ｂとの間に、第２外部端子５２の厚さよりも大きい隙間を形成する。
　次に、第１外部端子５１を第１押圧端子６４の傾斜面６４Ｙに沿わせながら、第１押圧端子６４の面６４Ｘと平板部１１１の第２主面１１１Ｂとの間に、Ｘ１－Ｘ２方向で貫通孔５１Ｙが貫通孔１１１Ｙに並ぶように挿入する。また、第２外部端子５２を第２押圧端子６６の傾斜面６６Ｙに沿わせながら、第２押圧端子６６の面６６Ｘと平板部１２１の第４主面１２１Ｂとの間に、Ｘ１－Ｘ２方向で貫通孔５２Ｙが貫通孔１２１Ｙに並ぶように挿入する。自己整合的に、貫通孔５１Ｙが貫通孔１１１Ｙに並び、貫通孔５２Ｙが貫通孔１２１Ｙに並ぶように、筐体６１内にスペーサ等の位置合わせ部を設けておいてもよい。
　次に、第１ボルト６３を貫通孔６４Ａ、貫通孔５１Ｙ、貫通孔１１１Ｙ、貫通孔６２Ｚ、貫通孔１２１Ｙ及び貫通孔６６Ａ内に挿入し、第１ボルト６３とナット７５とを螺合しながら、第１押圧端子６４を介して第１外部端子５１を平板部１１１に押圧し、第２押圧端子６６を介して第２外部端子５２を平板部１２１に押圧する。
　このようにして、第１外部端子５１をＰ端子１１０に固定し、第２外部端子５２をＮ端子１２０に固定し、第１外部端子５１及び第２外部端子５２を半導体装置１００に接続できる。
　第７実施形態によっても第１実施形態と同様の効果が得られる。また、第１外部端子５１及び第２外部端子５２のＺ１－Ｚ２方向での移動が拘束されるため、第１外部端子５１及び第２外部端子５２を、それぞれＰ端子１１０及びＮ端子１２０から外れにくくできる。
　（第８実施形態）
　次に、第８実施形態について説明する。図２１は、第８実施形態に係る半導体装置における端子固定具を示す断面図である。
　第８実施形態に係る半導体装置では、下壁部６１Ａに、開口７１に代えて開口８７１及び開口８７３が形成されている。Ｐ端子１１０の平板部１１１が開口８７１を通じて筐体６１の内部まで延びており、Ｎ端子１２０の平板部１２１が開口８７３を通じて筐体６１の内部まで延びている。上壁部６１Ｂに、開口７２に代えて開口８７２及び開口８７４が形成されている。Ｚ１－Ｚ２方向において、開口８７１と開口８７２とが重なり、開口８７３と開口８７４とが重なる。
　隔壁６２に金属板６２Ａ及び金属板６２Ｂが設けられていない。また、第１ボルト６３、第１押圧端子６４、第１ボルト孔８１Ａ、第１雌ねじ８２Ａ、第２ボルト６５、第２押圧端子６６、第２ボルト孔８１Ｂ及び第２雌ねじ８２Ｂも設けられていない。
　隔壁６２と側壁部６１Ｃとの間に、板ばね８０１と、板ばね８０２と、板ばね８０３と、板ばね８０４とが配置されている。板ばね８０１及び板ばね８０２は下壁部６１ＡからＺ１側に延びる。板ばね８０３及び板ばね８０４は上壁部６１ＢからＺ２側に延びる。板ばね８０１及び板ばね８０３は開口８７１及び開口８７２よりも隔壁６２側に配置され、平板部１１１の第１主面１１１Ａに接触して、平板部１１１をＸ２側に付勢する。板ばね８０２及び板ばね８０４は開口８７１及び開口８７２よりも側壁部６１Ｃ側に配置され、自然状態で、板ばね８０２及び板ばね８０４と平板部１１１の第２主面１１１Ｂとの間の距離が第１外部端子５１の厚さよりも小さい。板ばね８０１～８０４は第１板ばねの一例である。
　隔壁６２と側壁部６１Ｄとの間に、板ばね８０５と、板ばね８０６と、板ばね８０７と、板ばね８０８とが配置されている。板ばね８０５及び板ばね８０６は下壁部６１ＡからＺ１側に延びる。板ばね８０７及び板ばね８０８は上壁部６１ＢからＺ２側に延びる。板ばね８０５及び板ばね８０７は開口８７３及び開口８７４よりも隔壁６２側に配置され、平板部１２１の第３主面１２１Ａに接触して、平板部１２１をＸ１側に付勢する。板ばね８０６及び板ばね８０７は開口８７３及び開口８７４よりも側壁部６１Ｄ側に配置され、自然状態で、板ばね８０６及び板ばね８０８と平板部１２１の第４主面１２１Ｂとの間の距離が第２外部端子５２の厚さよりも小さい。板ばね８０５～８０８は第２板ばねの一例である。
　他の構成は第１実施形態と同様である。
　ここで、第１外部端子５１及び第２外部端子５２を端子固定具１６０に固定する方法について説明する。図２２は、第８実施形態において第１外部端子５１及び第２外部端子５２が固定された端子固定具１６０を示す断面図である。
　第１外部端子５１及び第２外部端子５２を端子固定具１６０に固定する際には、開口８７２を通じて第１外部端子５１を板ばね８０４及び板ばね８０２と平板部１１１の第２主面１１１Ｂとの間に挿入する。同様に、開口８７４を通じて第２外部端子５２を板ばね８０４及び板ばね８０２と平板部１２１の第４主面１２１Ｂとの間に挿入する。
　第１外部端子５１の挿入により、板ばね８０４及び板ばね８０２がＸ２側に変形し、第１外部端子５１をＸ１側に付勢するようになる。つまり、板ばね８０１～８０４が第１外部端子５１を平板部１１１に押圧するようになる。同様に、第２外部端子５２の挿入により、板ばね８０８及び板ばね８０６がＸ１側に変形し、第２外部端子５２をＸ２側に付勢するようになる。つまり、板ばね８０５～８０８が第２外部端子５２を平板部１２１に押圧するようになる。
　このようにして、第１外部端子５１をＰ端子１１０に固定し、第２外部端子５２をＮ端子１２０に固定し、第１外部端子５１及び第２外部端子５２を半導体装置１００に接続できる。
　第８実施形態によっても第１実施形態と同様の効果が得られる。また、簡易な作業によって第１外部端子５１及び第２外部端子５２を半導体装置１００に接続できる。
　本開示において、半導体素子は、例えば、シリコン、炭化珪素又は窒化ガリウムを含む。シリコン、炭化珪素又は窒化ガリウムを含む半導体素子を用いることでパワーモジュール等を構成できる。特に炭化珪素を含む半導体装置は、高耐圧のパワーモジュールに好適である。
　以上、実施形態について詳述したが、特定の実施形態に限定されるものではなく、請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。
１：上アーム
２：下アーム
１１：第１トランジスタ（半導体素子）
１２：第２トランジスタ（半導体素子）
２１：第１ダイオード（半導体素子）
２２：第２ダイオード（半導体素子）
３１、３２、４１、４２：ワイヤ
５１：第１外部端子
５１Ｘ、５１Ｙ：貫通孔
５２：第２外部端子
５２Ｘ、５２Ｙ：貫通孔
５３：第３外部端子
６１：筐体
６１Ａ：下壁部
６１Ｂ：上壁部
６１Ｃ、６１Ｄ、６１Ｅ、６１Ｆ：側壁部
６１Ｘ、６１Ｙ：貫通孔
６２：隔壁（絶縁部材）
６２Ａ、６２Ｂ：金属板
６２Ｃ、６２Ｄ：面
６２Ｘ：ボルト孔
６２Ｙ：雌ねじ
６２Ｚ：貫通孔
６３：第１ボルト
６３Ｘ：先端面
６４：第１押圧端子（第１緩衝部材）
６４Ａ：貫通孔
６４Ｘ：面
６４Ｙ：傾斜面
６４Ｚ：第１凸部
６５：第２ボルト
６５Ｘ：先端面
６６：第２押圧端子（第２緩衝部材）
６６Ａ：貫通孔
６６Ｘ：面
６６Ｙ：傾斜面
６６Ｚ：第２凸部
６７：第１押圧部材
６８：第２押圧部材
６９：絶縁紙
７１、７２：開口
７５：ナット
８１Ａ：第１ボルト孔
８１Ｂ：第２ボルト孔
８２Ａ：第１雌ねじ
８２Ｂ：第２雌ねじ
９１：第１回り止め
９２：第２回り止め
９３：第３回り止め
１００：半導体装置
１１０：Ｐ端子（第１内部端子）
１１１：平板部
１１１Ａ：第１主面
１１１Ｂ：第２主面
１１１Ｘ：第１凹部
１１１Ｙ：貫通孔
１１２：コンタクト部
１２０：Ｎ端子（第２内部端子）
１２１：平板部
１２１Ａ：第３主面
１２１Ｂ：第４主面
１２１Ｘ：第２凹部
１２１Ｙ：貫通孔
１２２：コンタクト部
１３０：Ｏ端子（第３内部端子）
１３１：平板部
１３１Ａ：第５主面
１３１Ｂ：第６主面
１３２：コンタクト部
１４０：ベース板
１４１：主面
１５０：ケース
１５１、１５２：側壁部
１５３、１５４：端壁部
１６０：端子固定具
１７０：絶縁基板
１７１：第１回路パターン
１７２：第２回路パターン
１７３：第３回路パターン
１７９：導電層
２００、半導体装置
３００：半導体装置
３１０：Ｐ端子（第１内部端子）
３１１：平板部
３１１Ａ：第１主面
３１１Ｂ：第２主面
３１２：コンタクト部
３１３：連結部
３２０：Ｎ端子（第２内部端子）
３２１：平板部
３２１Ａ：第３主面
３２１Ｂ：第４主面
３２２：コンタクト部
３２３：連結部
４００：半導体装置
４６０：端子固定具
４６１：筐体
４６１Ａ：下壁部
４６１Ｂ：上壁部
４６１Ｃ、４６１Ｄ、４６１Ｅ、４６１Ｆ：側壁部
４６２Ａ：金属板
４６２Ｃ：面
４６３：第３ボルト
４６３Ｘ：先端面
４６４：第３押圧端子
４６４Ｘ：面
４６４Ｙ：傾斜面
４６７：第３押圧部材
４７１、４７２：開口
４８１Ａ：第３ボルト孔
４８２Ａ：第３雌ねじ
８０１、８０２、８０３、８０４：板ばね（第１板ばね）
８０５、８０６、８０７、８０８：板ばね（第２板ばね）
８７１、８７２、８７３、８７４：開口

Claims (13)

  1. 　第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面とを有し、第１外部端子が接続される第１内部端子と、
    　第３主面と、前記第３主面とは反対側の第４主面とを有し、第２外部端子が接続される第２内部端子と、
    　前記第１内部端子及び前記第２内部端子の間に接続された半導体素子と、
    　前記第２主面に前記第１外部端子を押圧する第１押圧部材と、
    　前記第４主面に前記第２外部端子を押圧する第２押圧部材と、
    　を有し、
    　前記第１主面と前記第３主面とが平行であり、
    　前記第１主面の少なくとも一部と、前記第３主面の少なくとも一部とが互いに対向する半導体装置。
  2. 　前記第２主面と前記第４主面とが互いに平行である請求項１に記載の半導体装置。
  3. 　前記半導体素子が設けられた回路パターンを有し、
    　前記第１主面、前記第２主面、前記第３主面及び前記第４主面が前記回路パターンに垂直である請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
  4. 　前記半導体素子が設けられた回路パターンを有し、
    　前記第１主面、前記第２主面、前記第３主面及び前記第４主面が前記回路パターンに平行である請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
  5. 　前記第１押圧部材は、前記第２主面に前記第１外部端子を押圧する第１ボルトを有し、
    　前記第２押圧部材は、前記第４主面に前記第２外部端子を押圧する第２ボルトを有する請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置。
  6. 　前記第１押圧部材は、前記第１ボルトと前記第１外部端子との間に挟まれる第１緩衝部材を有し、
    　前記第２押圧部材は、前記第２ボルトと前記第２外部端子との間に挟まれる第２緩衝部材を有する請求項５に記載の半導体装置。
  7. 　前記第１緩衝部材は、前記第２主面に対向する面に第１回り止めを有し、
    　前記第２緩衝部材は、前記第４主面に対向する面に第２回り止めを有する請求項６に記載の半導体装置。
  8. 　前記第１内部端子が前記第２主面に第１凹部を有し、
    　前記第２内部端子が前記第４主面に第２凹部を有し、
    　前記第１緩衝部材が前記第１凹部に嵌る第１凸部を有し、
    　前記第２緩衝部材が前記第２凹部に嵌る第２凸部を有する請求項６または請求項７に記載の半導体装置。
  9. 　前記第１内部端子と前記第２内部端子との間に設けられた絶縁部材を有し、
    　前記第１内部端子に、前記第１ボルトが貫通する貫通孔が形成され、
    　前記絶縁部材に、前記貫通孔を貫通した前記第１ボルトが嵌る孔が形成されている請求項５から請求項８のいずれか１項に記載の半導体装置。
  10. 　前記第１内部端子に第１貫通孔が形成され、
    　前記第２内部端子に第２貫通孔が形成され、
    　前記第１押圧部材は、前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔を貫通するボルトを有し、
    　前記第２押圧部材は、前記ボルトに嵌るナットを有する請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置。
  11. 　前記第１押圧部材は、第１板ばねを有し、
    　前記第２押圧部材は、第２板ばねを有する請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置。
  12. 　第５主面と、前記第５主面とは反対側の第６主面とを有し、第３外部端子が接続される第３内部端子と、
    　前記第６主面に第３外部端子を押圧する第３押圧部材と、
    　を有し、
    　前記第１内部端子と前記第２内部端子との間に、複数の前記半導体素子が直列に接続され、
    　前記第３内部端子は、複数の前記半導体素子のうちの２つの半導体素子の間に接続される請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の半導体装置。
  13. 　前記半導体素子は、シリコン、炭化珪素又は窒化ガリウムを含む請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の半導体装置。
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