WO2022196640A1 - 電子部品および通信機器 - Google Patents

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WO2022196640A1
WO2022196640A1 PCT/JP2022/011348 JP2022011348W WO2022196640A1 WO 2022196640 A1 WO2022196640 A1 WO 2022196640A1 JP 2022011348 W JP2022011348 W JP 2022011348W WO 2022196640 A1 WO2022196640 A1 WO 2022196640A1
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capacitor
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inductor
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慎一郎 戸田
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Tdk株式会社
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/48Networks for connecting several sources or loads, working on the same frequency or frequency band, to a common load or source
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
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    • H03H7/01Frequency selective two-port networks
    • H03H7/0115Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
    • HELECTRICITY
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    • H01P5/00Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/12Coupling devices having more than two ports
    • HELECTRICITY
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    • H03H7/01Frequency selective two-port networks
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    • H03H7/1741Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
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    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
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    • HELECTRICITY
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    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40Circuits
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H1/00Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
    • H03H2001/0021Constructional details
    • H03H2001/0085Multilayer, e.g. LTCC, HTCC, green sheets
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y02DCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D30/00Reducing energy consumption in communication networks
    • Y02D30/70Reducing energy consumption in communication networks in wireless communication networks

Definitions

  • the present invention relates to electronic components used in communication equipment and communication equipment.
  • Some communication devices with wireless communication functions and broadcast reception functions are equipped with multiple antennas to stabilize wireless communication and broadcast reception.
  • One of the electronic components used in communication equipment with multiple antennas is a divider and combiner. Dividers and combiners are used to distribute signals to multiple antennas or to combine multiple signals received by multiple antennas.
  • Japanese Patent Laid-Open No. 7-106898 Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2001-94316 and Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2008-172358 describe dividers and combiners for dividing and combining high-frequency signals.
  • Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2000-77873 describes a high power divider/combiner for dividing and combining high power high frequency signals.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-77873 describes widening the bandwidth of a large power divider/combiner by cascade-connecting eight Wilkinson circuits each having two distributed constant lines and resistors.
  • the present invention has been made in view of such problems, and its object is to provide electronic components and communication equipment that can be used in a wide frequency band.
  • the electronic component of the present invention is provided between a first input/output port, a second input/output port, a third input/output port, and between the first input/output port and the second input/output port.
  • a first circuit that is a characteristic impedance conversion circuit a second circuit that is a characteristic impedance conversion circuit provided between the first input/output port and the third input/output port, and a second input/output
  • a third circuit is provided between the port and the third input/output port and has a circuit configuration that is in a complex conjugate relationship with each of the first and second circuits.
  • each of the first to third circuits may include at least one inductor and at least one capacitor.
  • at least one inductor of the third circuit may be provided in the third circuit so as to be in a complex conjugate relationship with respect to at least one capacitor of each of the first and second circuits.
  • at least one capacitor of the third circuit may be provided in the third circuit so as to have a complex conjugate relationship with at least one inductor of each of the first and second circuits.
  • the first circuit includes at least one inductor and at least one capacitor as the first input/output port.
  • a first inductor provided on a first path connecting the second input/output port and a first capacitor provided between the first path and the ground may be included.
  • the second circuit includes a second inductor provided as at least one inductor and at least one capacitor on a second path connecting the first input/output port and the third input/output port; A second capacitor may be included between the second path and ground.
  • the third circuit includes at least one inductor and at least one capacitor, a third capacitor connected in series with the first inductor, and a third capacitor connected in series with the second inductor. 4 capacitors and a third inductor.
  • the third circuit may further include a resistive element.
  • a third inductor and a resistive element may be provided in parallel between the third capacitor and the fourth capacitor.
  • each of the first to third circuits includes at least one inductor and at least one capacitor
  • the first circuit includes at least one inductor and at least one capacitor as the first input/output
  • a first inductor and a first capacitor provided on a first path connecting the port and the second input/output port may be included.
  • the second circuit includes a second inductor provided as at least one inductor and at least one capacitor on a second path connecting the first input/output port and the third input/output port; and a second capacitor.
  • the first capacitor and the second capacitor may be connected together.
  • the third circuit includes at least one inductor and at least one capacitor, a third capacitor connected in series with the first inductor, and a third capacitor connected in series with the second inductor. 4 capacitors and a third inductor.
  • the third circuit may further include a resistive element.
  • a third inductor and a resistive element may be provided in parallel between the third capacitor and the fourth capacitor.
  • the circuit configuration of the third circuit is symmetrical about the third inductor and the resistive element. It may be a configuration.
  • the first circuit is provided as at least one inductor and at least one capacitor on the first path connecting the first input/output port and the second input/output port. and a first inductor between the first path and ground.
  • the second circuit includes a second capacitor provided as at least one inductor and at least one capacitor on a second path connecting the first input/output port and the third input/output port; A second inductor may be included between the second path and ground.
  • the third circuit includes at least one inductor and at least one capacitor, a third inductor connected in series with the first capacitor and a third inductor connected in series with the second capacitor. 4 inductors and a third capacitor.
  • the third circuit may further include a resistive element.
  • a third capacitor and a resistive element may be provided in parallel between the third inductor and the fourth inductor. In this case, the circuit configuration of the third circuit may be symmetrical with respect to the third capacitor and resistor element.
  • the first circuit and the second circuit may each be connected to the ground.
  • the first circuit and the second circuit may be connected by a plurality of paths that do not pass through the third circuit. In this case, neither the first circuit nor the second circuit need be grounded.
  • the electronic component of the present invention further comprises a fourth input/output port, and a fourth circuit which is a characteristic impedance conversion circuit provided between the first input/output port and the fourth input/output port. , and a fifth circuit provided between the third input/output port and the fourth input/output port and having a circuit configuration having a complex conjugate relationship with each of the second and fourth circuits. good too.
  • the second circuit is connected to the first circuit through a plurality of paths that do not pass through the third circuit, and is connected to the fourth circuit through a plurality of paths that do not pass through the fifth circuit. good too.
  • the electronic component of the present invention may further include a matching circuit provided between the first input/output port and the first and second circuits.
  • the first circuit, the second circuit and the matching circuit may branch from one node.
  • the matching circuit includes at least one matching-circuit capacitor provided on a third path connecting the first input/output port and the node, and at least one matching-circuit capacitor provided between the third path and the ground. matching circuit inductors.
  • the electronic component of the present invention may be a distributor and combiner.
  • a communication device of the present invention comprises the electronic component of the present invention and at least one antenna connected to the electronic component.
  • the first circuit is provided between the first input/output port and the second input/output port
  • the second circuit is provided between the first input/output port and the third input/output port
  • a third circuit having a circuit configuration having a complex conjugate relationship with each of the first and second circuits is provided between the second input/output port and the third input/output port there is
  • FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of an electronic component according to a first embodiment of the invention
  • FIG. 1 is a circuit diagram showing a circuit configuration of an electronic component according to a first embodiment of the invention
  • FIG. 1 is a block diagram showing a first example of communication equipment according to a first embodiment of the present invention
  • FIG. FIG. 4 is a block diagram showing a second example of communication equipment according to the first embodiment of the present invention
  • 1 is a perspective view showing an electronic component according to a first embodiment of the invention
  • FIG. 6 is a perspective view showing the inside of the main body of the electronic component shown in FIG. 5
  • FIG. FIG. 6 is a perspective view showing dielectric layers, conductor layers, and through holes of the main body of the electronic component shown in FIG.
  • FIG. 5 is a plan view showing the pattern formation surface of the first dielectric layer of the body portion of the electronic component shown in FIG. 5;
  • FIG. FIG. 6 is a plan view showing the pattern formation surface of the second dielectric layer of the body portion of the electronic component shown in FIG. 5 ;
  • 6 is a plan view showing a pattern formation surface of a third dielectric layer of the body portion of the electronic component shown in FIG. 5;
  • FIG. FIG. 6 is a plan view showing a terminal forming surface of a third dielectric layer of the body portion of the electronic component shown in FIG. 5 ;
  • It is a circuit diagram which shows the circuit structure of the electronic component of a comparative example.
  • FIG. 10 is a characteristic diagram showing isolation frequency characteristics of a model of a comparative example;
  • FIG. 10 is a characteristic diagram showing isolation frequency characteristics of a model of a comparative example;
  • FIG. 10 is a characteristic diagram showing isolation frequency characteristics of a model of a comparative example;
  • FIG. 10 is a
  • FIG. 5 is a characteristic diagram showing frequency characteristics of insertion loss of a model of a comparative example
  • FIG. 10 is a characteristic diagram showing the frequency characteristics of the return loss of the first input/output terminal of the model of the comparative example
  • FIG. 10 is a characteristic diagram showing the frequency characteristic of the return loss of the second input/output terminal of the model of the comparative example
  • FIG. 4 is a characteristic diagram showing frequency characteristics of isolation of the model of the first embodiment
  • FIG. 4 is a characteristic diagram showing frequency characteristics of insertion loss of the model of the first embodiment
  • FIG. 4 is a characteristic diagram showing frequency characteristics of return loss of the first input/output terminal of the model of the first embodiment
  • FIG. 5 is a characteristic diagram showing frequency characteristics of reflection loss of the second input/output terminal of the model of the first embodiment; It is a block diagram which shows the structure of the electronic component which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. It is a circuit diagram showing a circuit configuration of an electronic component according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a characteristic diagram showing isolation frequency characteristics of the model of the second embodiment;
  • FIG. 10 is a characteristic diagram showing frequency characteristics of insertion loss of the model of the second embodiment;
  • FIG. 11 is a characteristic diagram showing the frequency characteristics of the return loss of the first input/output terminal of the model of the second embodiment;
  • FIG. 11 is a characteristic diagram showing the frequency characteristic of the return loss of the second input/output terminal of the model of the second embodiment; It is a circuit diagram which shows the circuit structure of the electronic component which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. It is a block diagram which shows the structure of the electronic component which concerns on the 4th Embodiment of this invention. It is a circuit diagram which shows the circuit structure of the electronic component which concerns on the 4th Embodiment of this invention.
  • FIG. 11 is a characteristic diagram showing isolation frequency characteristics of the model of the third embodiment;
  • FIG. 11 is a characteristic diagram showing frequency characteristics of insertion loss of the model of the third embodiment;
  • FIG. 11 is a characteristic diagram showing the frequency characteristics of the return loss of the first input/output terminal of the model of the third embodiment;
  • FIG. 11 is a characteristic diagram showing the frequency characteristic of the return loss of the second input/output terminal of the model of the third embodiment;
  • It is a block diagram which shows the structure of the electronic component which concerns on the 5th Embodiment of this invention.
  • It is a circuit diagram which shows the circuit structure of the electronic component which concerns on the 5th Embodiment of this invention.
  • FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of an electronic component according to this embodiment.
  • FIG. 2 is a circuit diagram showing the circuit configuration of the electronic component according to this embodiment.
  • Electronic component 1 according to the present embodiment includes first input/output port 11, second input/output port 12, third input/output port 13, first circuit 21, and second circuit 22. and a third circuit 23 .
  • the first circuit 21 is provided between the first input/output port 11 and the second input/output port 12 in terms of circuit configuration.
  • the second circuit 22 is provided between the first input/output port 11 and the third input/output port 13 in terms of circuit configuration.
  • the third circuit 23 is provided between the second input/output port 12 and the third input/output port 13 in terms of circuit configuration.
  • the first and second circuits 21, 22 are each connected to ground.
  • the expression "on the circuit configuration" is used to refer to the placement on the circuit diagram rather than the placement on the physical configuration.
  • the electronic component 1 is a distributor and combiner that distributes or combines a plurality of signals.
  • the first and second circuits 21 and 22 are characteristic impedance conversion circuits used to adjust the impedance of each of the first to third input/output ports 11-13 to a predetermined value (eg 50 ⁇ ).
  • the third circuit 23 switches the other of the second input/output port 12 and the third input/output port 13 when a signal is input to one of the second input/output port 12 and the third input/output port 13 .
  • the third circuit 23 has a circuit configuration that is in a complex conjugate relationship with each of the first and second circuits 21 and 22 .
  • a circuit configuration having a complex conjugate relationship with each of the first and second circuits 21 and 22 is a circuit configuration having a sign of the imaginary part of the impedance opposite to that of each of the first and second circuits 21 and 22. is.
  • the path connecting the first input/output port 11 and the second input/output port 12 is called a first path P1, and the first input/output port 11 and the third input/output port 13 are connected.
  • a path that follows is referred to as a second path P2.
  • the element of the first circuit 21 provided on the first path P1 is called a series element of the first circuit 21, and the element of the first circuit 21 provided between the first path P1 and the ground.
  • the elements are referred to as parallel elements of the first circuit 21 .
  • the element of the second circuit 22 provided on the second path P2 is called a series element of the second circuit 22, and the element of the second circuit 22 provided between the second path P2 and the ground.
  • the elements are referred to as parallel elements of the second circuit 22 .
  • the elements forming the third circuit 23 are in a complex conjugate relationship with the elements forming each of the first and second circuits 21 and 22. It is provided in the third circuit 23 .
  • an element having the imaginary part of the impedance opposite in sign to the series element of the first circuit 21 is connected in series with the series element of the first circuit 21 .
  • An element having the imaginary part of the impedance opposite in sign to the series element of the second circuit 22 is connected in series with the series element of the second circuit 22 .
  • an element whose imaginary part of impedance is opposite in sign to the parallel element of each of the first and second circuits 21 and 22 has an imaginary part of impedance opposite in sign to the series element of the first circuit 21. and the series element of the second circuit 22 are provided between the element whose imaginary part of the impedance has the opposite sign.
  • Each of the first through third circuits 21-23 includes at least one inductor and at least one capacitor. At least one inductor of the third circuit 23 is provided in the third circuit 23 in a complex conjugate relationship with at least one capacitor of each of the first and second circuits 21, 22 . At least one capacitor of the third circuit 23 is provided in the third circuit 23 in a complex conjugate relationship with at least one inductor of each of the first and second circuits 21, 22. .
  • the first circuit 21 includes at least one first inductor provided on the first path P1 and at least one first inductor provided between the first path P1 and ground. 1 capacitor.
  • the second circuit 22 includes at least one second inductor provided on the second path P2 and at least one second capacitor provided between the second path P2 and ground.
  • the third circuit 23 comprises at least one third capacitor connected in series with at least one first inductor and at least one second capacitor connected in series with at least one second inductor. 4 capacitors and at least one third inductor.
  • the third circuit 23 further includes a resistive element R31. At least one third inductor and resistive element R31 are provided in parallel between the at least one third capacitor and the at least one fourth capacitor.
  • the circuit configuration of the third circuit 23 is symmetrical with respect to at least one third inductor and resistor R31.
  • the electronic component 1 further includes a matching circuit 24.
  • the matching circuit 24 is provided between the first input/output port 11 and the first and second circuits 21 and 22 in terms of circuit configuration.
  • the matching circuit 24 is connected to ground.
  • the first circuit 21, the second circuit 22 and the matching circuit 24 are branched from one node ND.
  • the matching circuit 24 is provided between at least one matching circuit capacitor provided on the third path P3 connecting the first input/output port 11 and the node ND and between the third path P3 and the ground. and at least one matching circuit inductor.
  • the first path P1 connects the first input/output port 11 and the second input/output port 12 via the third path P3.
  • the second path P2 connects the first input/output port 11 and the third input/output port 13 via the third path P3.
  • the first circuit 21 includes two first inductors L11, L12 and one first capacitor C11.
  • One end of the first inductor L11 is connected to the node ND.
  • the other end of the first inductor L11 is connected to one end of the first inductor L12 and one end of the first capacitor C11.
  • the other end of the first inductor L12 is connected to the second input/output port 12 .
  • the other end of the first capacitor C11 is connected to ground.
  • the configuration of the second circuit 22 is the same as the configuration of the first circuit 21. That is, the second circuit 22 includes two second inductors L21, L22 and one second capacitor C21. One end of the second inductor L21 is connected to the node ND. The other end of the second inductor L21 is connected to one end of the second inductor L22 and one end of the second capacitor C21. The other end of the second inductor L22 is connected to the third input/output port 13. The other end of the second capacitor C21 is connected to ground.
  • the third circuit 23 includes two third capacitors C31, C32 connected in series with the first inductors L11, L12, and two capacitors C31, C32 connected in series with the second inductors L21, L22. It includes fourth capacitors C33, C34 and one third inductor L31.
  • One end of the third capacitor C31 is connected to the other end of the first inductor L12 and the second input/output port 12 .
  • the other end of the third capacitor C31 is connected to one end of the third capacitor C32 and one end of the third inductor L31.
  • One end of the fourth capacitor C33 is connected to the other end of the second inductor L22 and the third input/output port 13 .
  • the other end of the fourth capacitor C33 is connected to one end of the fourth capacitor C34 and the other end of the third inductor L31.
  • the other end of the third capacitor C32 is connected to one end of the resistance element R31.
  • the other end of the fourth capacitor C34 is connected to the other end of the resistance element R31.
  • the impedance of the third circuit 23 is adjusted to match the characteristic impedance of the second input/output port 12 or the characteristic impedance of the third input/output port 13 .
  • the resistance value of the resistance element R31 is adjusted so that the third circuit 23 matches the second input/output port 12 or the third input/output port 13.
  • the matching circuit 24 includes one matching circuit capacitor C41 and two matching circuit inductors L41 and L42.
  • One end of the matching circuit capacitor C41 is connected to the first input/output port 11 and one end of the matching circuit inductor L41.
  • the other end of the matching circuit capacitor C41 is connected to the node ND and one end of the matching circuit inductor L42.
  • the other end of each of the matching circuit inductors L41 and L42 is connected to the ground.
  • Communication device 100 includes electronic component 1 according to this embodiment and at least one antenna connected to electronic component 1 .
  • communication device 100 includes electronic component 1 , one antenna 2 and signal processing circuit 3 .
  • Antenna 2 is connected to first input/output port 11 of electronic component 1 .
  • Signal processing circuit 3 is connected to second and third input/output ports 12 and 13 of electronic component 1 .
  • the signal processing circuit 3 is a circuit for realizing predetermined functions of the communication device 100 .
  • Signal processing circuitry 3 may include at least one of an application specific integrated circuit (ASIC), a digital signal processor (DSP) and a microcomputer.
  • the signal processing circuit 3 may further include analog circuitry.
  • the electronic component 1 can distribute the received signal received by the antenna 2 to the second input/output port 12 and the third input/output port 13 .
  • the two distributed received signals are input to the signal processing circuit 3 through the second and third input/output ports 12 and 13 and subjected to predetermined processing.
  • the electronic component 1 can synthesize two transmission signals output from the signal processing circuit 3 .
  • the combined signal is supplied to antenna 2 via first input/output port 11 .
  • communication device 100 includes electronic component 1 , two antennas 2 A and 2 B, and signal processing circuit 3 .
  • Antenna 2A is connected to second input/output port 12 of electronic component 1 .
  • Antenna 2B is connected to third input/output port 13 of electronic component 1 .
  • the signal processing circuit 3 is connected to the first input/output port 11 of the electronic component 1 .
  • the electronic component 1 can combine two received signals received by the antennas 2A and 2B.
  • the synthesized signal is input to the signal processing circuit 3 through the first input/output port 11 and subjected to predetermined processing.
  • the electronic component 1 can distribute the transmission signal output from the signal processing circuit 3 to the second input/output port 12 and the third input/output port 13 .
  • the two distributed transmission signals are supplied to antennas 2A and 2B via second and third input/output ports 12 and 13, respectively.
  • FIG. 5 is a perspective view of the electronic component 1.
  • FIG. FIG. 6 is a perspective view showing the inside of the main body of the electronic component 1.
  • FIG. 7 is a perspective view showing dielectric layers, conductor layers and through-holes of the main body of the electronic component 1.
  • the electronic component 1 further includes a laminate 30 for integrating the first to third input/output ports 11 to 13, the first to third circuits 21 to 23 and the matching circuit 24 together.
  • the laminate 30 includes a plurality of laminated dielectric layers and a plurality of conductor layers.
  • the laminate 30 has a rectangular parallelepiped shape.
  • the laminate 30 has a top surface 30a, a bottom surface 30b, and four side surfaces 30c to 30f, which form the outer periphery of the laminate 30.
  • the upper surface 30a and the bottom surface 30b face opposite sides
  • the side faces 30c and 30d face opposite sides
  • the side faces 30e and 30f also face opposite sides.
  • Sides 30c-30f are perpendicular to top surface 30a and bottom surface 30b.
  • the direction perpendicular to the top surface 30a and the bottom surface 30b is the stacking direction of the plurality of dielectric layers and the plurality of conductor layers. In FIGS. 5 and 6, this stacking direction is indicated by an arrow with a symbol T.
  • FIG. The top surface 30a and the bottom surface 30b are located at both ends in the stacking direction T. As shown in FIG.
  • the laminate 30 includes a body portion 30A that constitutes the main portion of the electronic component 1, and a support substrate 30B that supports the body portion 30A.
  • the body portion 30A and the support substrate 30B are arranged in the stacking direction T.
  • the main body portion 30A has a top surface, a bottom surface, and four side surfaces that constitute the outer peripheral portion of the main body portion 30A.
  • the support substrate 30B has a top surface, a bottom surface, and four side surfaces that constitute the outer periphery of the support substrate 30B.
  • the upper surface of the main body part 30A and the bottom surface of the support substrate 30B face each other.
  • the bottom surface of the body portion 30A constitutes the bottom surface 30b of the laminate 30.
  • the upper surface of the support substrate 30B constitutes the upper surface 30a of the laminate 30.
  • the electronic component 1 further includes first to fifth terminals 41, 42, 43, 44, and 45 provided on the body portion 30A.
  • the first to fifth terminals 41 to 45 are arranged on the bottom surface of the main body 30A, that is, on the bottom surface 30b of the laminate 30.
  • a first terminal 41 corresponds to the first input/output port 11 .
  • a second terminal 42 corresponds to the second input/output port 12 .
  • a third terminal 43 corresponds to the third input/output port 13 .
  • the fourth and fifth terminals 44, 45 are each connected to ground.
  • FIG. The body portion 30A includes three laminated dielectric layers. Hereinafter, these three dielectric layers are referred to as the first to third dielectric layers in order from the upper surface side of the body portion 30A. Reference numerals 31 to 33 denote the first to third dielectric layers. In FIG. 7, the first to third dielectric layers 31 to 33 are drawn apart from each other along the stacking direction T (see FIGS. 5 and 6).
  • Each of the first to third dielectric layers 31 to 33 has a pattern formation surface.
  • the third dielectric layer 33 has a terminal forming surface located opposite to the pattern forming surface.
  • FIG. 8 shows the pattern formation surface of the first dielectric layer 31 .
  • FIG. 9 shows the patterned surface of the second dielectric layer 32 .
  • FIG. 10 shows the pattern formation surface of the third dielectric layer 33 .
  • FIG. 11 shows the terminal forming surface of the third dielectric layer 33 .
  • conductor layers 101 , 102 , 103 , 104 and 105 and conductor layers 111 , 112 and 113 for the first circuit 21 are formed on the pattern formation surface of the first dielectric layer 31 .
  • conductor layers 121, 122, and 123 for the second circuit 22 conductor layers 131, 132, and 135 for the third circuit 23, a conductor layer 136 for the resistive element, and a conductor layer for the matching circuit 24.
  • 141, 142, 143 are formed.
  • Each of the conductor layers 111, 112, 121, 122, 135, 136, 141, 142 has a first end and a second end located on opposite sides.
  • a first end of each of conductor layers 111 and 112 is connected to conductor layer 113 .
  • a first end of each of conductor layers 121 and 122 is connected to conductor layer 123 .
  • a first end of the conductor layer 135 is connected to the conductor layer 131 .
  • a first end of the conductor layer 141 is connected to the conductor layer 104 .
  • a first end of the conductor layer 142 is connected to the conductor layer 143 .
  • T101, T102, T103, T104, T105, T106, T107, T109, T110, T112, T115, T118, T119, T120, T121, T122, and T123 are formed in the dielectric layer 31.
  • the through holes T101-T105 are connected to the conductor layers 101-105, respectively.
  • the through hole T106 is connected to a portion of the conductor layer 111 near the second end.
  • the through hole T107 is connected to a portion of the conductor layer 112 near the second end.
  • the through hole T109 is connected to a portion of the conductor layer 121 near the second end.
  • the through hole T110 is connected to a portion of the conductor layer 122 near the second end.
  • Through hole T112 is connected to conductor layer 131 .
  • Through hole T115 is connected to conductor layer 132 .
  • the through hole T118 is connected to a portion of the conductor layer 135 near the second end.
  • the through hole T119 is connected to a portion of the conductor layer 136 near the first end.
  • the through hole T120 is connected to a portion of the conductor layer 136 near the second end.
  • the through hole T121 is connected to a portion of the conductor layer 141 near the second end.
  • the through hole T122 is connected to a portion of the conductor layer 142 near the second end.
  • the through hole T123 is connected to a portion of the conductor layer 142 near the first end.
  • the pattern formation surface of the second dielectric layer 32 includes a conductor layer 213 for the first circuit 21, a conductor layer 223 for the second circuit 22, and a third conductor layer 213. Conductive layers 231, 232, 233, 234 for the circuit 23 and a conductive layer 243 for the matching circuit 24 are formed.
  • T201, T202, T203, T204, T205, T206, T207, T208, T209, T210, T211, T212, T213, T214, T215, T216, T217, T218, T219, T220 are provided in the dielectric layer 32.
  • T221, T222, T223 and T224 are formed.
  • the through holes T201 to T207, T209, T210, T212, T215, T218 to T223 are connected to the through holes T101 to T107, T109, T110, T112, T115, T118 to T123 formed in the first dielectric layer 31, respectively. It is connected.
  • the through hole T208 is connected to the conductor layer 213.
  • Through hole T211 is connected to conductor layer 223 .
  • Through hole T213 is connected to conductor layer 231 .
  • Through hole T214 is connected to conductor layer 232 .
  • Through hole T216 is connected to conductor layer 233 .
  • Through hole T217 is connected to conductor layer 234 .
  • Through hole T224 is connected to conductor layer 243 .
  • conductor layers 301 , 302 , 303 , 304 and 305 and conductor layers 311 , 312 and 313 for the first circuit 21 are formed on the pattern formation surface of the third dielectric layer 33 .
  • the conductor layer 314, the conductor layers 321, 322, 323 for the second circuit 22, the conductor layers 331, 332, 333, 334, 335 for the third circuit 23, the conductor layer 337, and the matching circuit 24 conductor layers 341, 342, and 343 are formed.
  • Conductor layers 313 and 323 are connected to conductor layer 305 .
  • the conductor layer 331 is connected to the conductor layer 302 .
  • the conductor layer 333 is connected to the conductor layer 303 .
  • the conductor layer 343 is connected to the conductor layer 301 .
  • Each of the conductor layers 311, 312, 314, 321, 322, 335, 341, 342 has a first end and a second end located on opposite sides.
  • a first end of the conductor layer 311 is connected to a first end of the conductor layer 321 .
  • a first end of the conductor layer 312 is connected to the conductor layer 331 .
  • a first end of the conductor layer 314 is connected to the conductor layer 313 .
  • a second end of the conductor layer 314 is connected to a portion of the conductor layer 342 near the first end.
  • a first end of the conductor layer 322 is connected to the conductor layer 333 .
  • a first end of the conductor layer 341 is connected to the conductor layer 301 .
  • a first end of the conductor layer 342 is connected to the conductor layer 304 .
  • the through holes T201-T205 formed in the second dielectric layer 32 are connected to the conductor layers 301-305, respectively.
  • broken lines indicate connection positions of through holes T206 to T224 formed in the dielectric layer 32 of the second layer.
  • the through hole T206 is connected to a portion of the conductor layer 311 near the second end.
  • the through hole T207 is connected to a portion of the conductor layer 312 near the second end.
  • Through hole T208 is connected to conductor layer 313 .
  • the through hole T209 is connected to a portion of the conductor layer 321 near the second end.
  • the through hole T210 is connected to a portion of the conductor layer 322 near the second end.
  • Through hole T211 is connected to conductor layer 323 .
  • the through hole T212 is connected to the conductor layer 337.
  • Through hole T213 is connected to conductor layer 331 .
  • the through holes T214 and T219 are connected to the conductor layer 332 at positions different from each other.
  • the through hole T215 is connected to a portion of the conductor layer 335 near the first end.
  • Through hole T216 is connected to conductor layer 333 .
  • the through holes T217 and T220 are connected to the conductor layer 334 at positions different from each other.
  • the through hole T218 is connected to a portion of the conductor layer 335 near the second end.
  • the through hole T221 is connected to a portion of the conductor layer 341 near the second end.
  • the through hole T222 is connected to a portion of the conductor layer 342 near the second end.
  • the through hole T223 is connected to a portion of the conductor layer 311 near the second end.
  • Through hole T224 is connected to conductor layer 343 .
  • Through holes T301, T302, T303, T304, and T305 are formed in the dielectric layer 33.
  • the through holes T301-T305 are connected to the conductor layers 301-305, respectively.
  • the first to fifth terminals 41 to 45 are formed on the terminal forming surface of the third dielectric layer 33 .
  • dashed lines indicate connection positions of the through holes T301 to T305.
  • the through holes T301-T305 are connected to the first to fifth terminals 41-45, respectively.
  • the laminate 30 shown in FIG. 5 is supported by the first to third dielectric layers 31 to 33 so that the terminal forming surface of the third dielectric layer 33 is the bottom surface 30b of the laminate 30. It is laminated on the bottom surface of the substrate 30B.
  • the electronic component 1 may include an insulating layer (not shown) interposed between the first dielectric layer 31 of the main body portion 30A and the support substrate 30B.
  • the first inductor L11 is composed of conductor layers 111 and 311 connected to each other by through holes T106 and T206.
  • the first inductor L12 is composed of conductor layers 112 and 312 connected to each other by through holes T107 and T207.
  • the first capacitor C11 is composed of conductor layers 113 and 213 and a dielectric layer 31 between the conductor layers 113 and 213. As shown in FIG.
  • the second inductor L21 is composed of conductor layers 121 and 321 connected to each other by through holes T109 and T209.
  • the second inductor L22 is composed of conductor layers 122 and 322 connected to each other by through holes T110 and T210.
  • the second capacitor C21 is composed of the conductor layers 123 and 223 and the dielectric layer 31 between the conductor layers 123 and 223. As shown in FIG.
  • the third capacitor C31 is composed of conductor layers 131 and 231 and a dielectric layer 31 between the conductor layers 131 and 231.
  • the third capacitor C32 is composed of the conductor layers 131 and 232 and the dielectric layer 31 between the conductor layers 131 and 232.
  • the fourth capacitor C33 is composed of the conductor layers 132 and 233 and the dielectric layer 31 between the conductor layers 132 and 233.
  • the fourth capacitor C34 is composed of the conductor layers 132 and 234 and the dielectric layer 31 between the conductor layers 132 and 234.
  • the third inductor L31 is composed of conductor layers 135 and 335 connected to each other by through holes T118 and T228.
  • the resistance element R31 is composed of the conductor layer 136. As shown in FIG.
  • the matching circuit capacitor C41 is composed of the conductor layers 143 and 243 and the dielectric layer 31 between the conductor layers 143 and 243 .
  • the matching circuit inductor L41 is composed of conductor layers 141 and 341 connected to each other by through holes T121 and T221.
  • the matching circuit inductor L42 is composed of conductor layers 142 and 342 connected to each other by through holes T122 and T222.
  • Electronic component 1 is a distributor and combiner.
  • One of the key parameters characterizing splitters and combiners is isolation.
  • the definition of the isolation of the electronic component 1 is as follows. Let P23 be the power of the signal output from the third input/output port 13 when a high-frequency signal of power P20 is input to the second input/output port 12 . Isolation I is defined by the following equation (1).
  • the isolation I is preferably -10 dB or less, for example.
  • a circuit configuration having a complex conjugate relationship with each of the first and second circuits 21 and 22 is provided between the second input/output port 12 and the third input/output port 13 .
  • 3 circuits 23 are provided.
  • the effects of the present embodiment will be described below with reference to simulation results.
  • the model of the first example is a model of the electronic component 1 according to this embodiment.
  • the comparative model is a model of the comparative electronic component 51, which is a typical Wilkinson type divider and combiner.
  • FIG. 12 is a circuit diagram showing the circuit configuration of the electronic component 51 of the comparative example.
  • the electronic component 51 of the comparative example includes a first input/output port 11, a second input/output port 12, a third input/output port 13, inductors L51 and L52, a capacitor C51, and a resistance element R51.
  • I have.
  • Inductor L51 is provided between first input/output port 11 and second input/output port 12 .
  • Inductor L52 is provided between first input/output port 11 and third input/output port 13 .
  • a resistance element R51 is provided between the second input/output port 12 and the third input/output port 13 .
  • Capacitor C51 has one end connected to one end of each of inductor L51 and resistance element R51, and the other end connected to the other end of each of inductor L51 and resistance element R51.
  • the isolation, the insertion loss, the reflection loss of the first input/output port 11, and the reflection loss of the second input/output port 12 were calculated for each of the model of the first embodiment and the model of the comparative example. asked.
  • the definitions of the insertion loss and reflection loss of the electronic component 1 are as follows.
  • P11 is the power of the signal reflected by the first input/output port 11
  • P11 is the power of the signal output from the second input/output port 12.
  • P12 the power of the signal reflected by the second input/output port 12
  • the power of the signal reflected by the second input/output port 12 is output from the first input/output port 11 with power P22.
  • the insertion loss IL, the return loss RL1 of the first input/output port 11, and the return loss RL2 of the second input/output port 12 are defined by the following equations (2) to (4), respectively.
  • the definitions of the isolation and insertion loss of the electronic component 51 of the comparative example, the return loss of the first input/output port 11 and the return loss of the second input/output port 12 are the isolation I of the electronic component 1, the insertion loss IL, It is the same as the definition of the return loss RL1 of the first input/output port 11 and the return loss RL2 of the second input/output port 12 .
  • FIG. 13 is a characteristic diagram showing frequency characteristics of isolation in the model of the comparative example.
  • the horizontal axis is frequency and the vertical axis is isolation.
  • the isolation was -10 dB or less when the frequency was within the range of 4729 to 5304 MHz. Therefore, the bandwidth at which the isolation was -10 dB or less was 575 MHz. Also, the relative bandwidth, which is the value obtained by dividing the bandwidth by the center frequency, was 11.5%.
  • FIG. 14 is a characteristic diagram showing frequency characteristics of insertion loss in the model of the comparative example.
  • the horizontal axis is frequency and the vertical axis is insertion loss. Denoting the insertion loss as -x (dB), the value of x was 3.54 at 5000 MHz.
  • FIG. 15 is a characteristic diagram showing frequency characteristics of return loss of the first input/output port 11 in the model of the comparative example.
  • FIG. 16 is a characteristic diagram showing frequency characteristics of return loss of the second input/output port 12 in the model of the comparative example.
  • the horizontal axis is frequency
  • the vertical axis is reflection loss.
  • the value of r1 was 9.56 at 2400 MHz, 9.52 at 5000 MHz, and 9.50 at 6000 MHz.
  • the reflection loss of the second input/output port 12 is expressed as ⁇ r2 (dB)
  • the value of r2 is 9.66 at 2400 MHz, 15.28 at 5000 MHz, and 11.1 at 6000 MHz. rice field.
  • FIG. 17 is a characteristic diagram showing frequency characteristics of isolation in the model of the first embodiment.
  • the horizontal axis is frequency and the vertical axis is isolation.
  • the isolation was -10 dB or less when the frequency ranged from 2015 to 8228 MHz. Therefore, the bandwidth at which the isolation was -10 dB or less was 6213 MHz. Also, the relative bandwidth, which is the value obtained by dividing the bandwidth by the center frequency, was 121.3%.
  • FIG. 18 is a characteristic diagram showing frequency characteristics of insertion loss in the model of the first embodiment.
  • the horizontal axis is frequency and the vertical axis is insertion loss.
  • the value of x was 3.52 at 2400 MHz and 3.34 at 6000 MHz.
  • FIG. 19 is a characteristic diagram showing frequency characteristics of return loss of the first input/output port 11 in the model of the first embodiment.
  • FIG. 20 is a characteristic diagram showing frequency characteristics of return loss of the second input/output port 12 in the model of the first embodiment.
  • the horizontal axis is frequency and the vertical axis is reflection loss. Denoting the return loss of the first input/output port 11 as -r1 (dB), the value of r1 was 18.05 at 2400 MHz, 19.27 at 5000 MHz, and 29.86 at 6000 MHz.
  • the reflection loss of the second input/output port 12 is represented as -r2 (dB)
  • the value of r2 is 19.27 at 2400 MHz, 29.41 at 5000 MHz, and 28.93 at 6000 MHz. rice field.
  • the bandwidth at which the isolation is ⁇ 10 dB or less in the model of the first embodiment is 10.8 times the bandwidth at which the isolation is ⁇ 10 dB or less in the model of the comparative example. I know it will double.
  • the frequency band in which the isolation is equal to or less than a predetermined magnitude.
  • the model of the first embodiment has practically sufficient characteristics in a wide frequency band of, for example, 2400 to 6000 MHz.
  • electronic component 1 can be used in a wide frequency band.
  • the electronic component 51 of the comparative example as a method of making the bandwidth at which the isolation is ⁇ 10 dB or less equal to the width of the electronic component 1 according to the present embodiment, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-77873 As described in the publication, it is conceivable to connect a plurality of stages (for example, 10 stages or more) of circuit portions composed of inductors L51 and L52, capacitor C51 and resistance element R51 in cascade connection. However, if it does so, the electronic component 51 will become large. In contrast, according to the present embodiment, it is possible to widen the frequency band in which the isolation is equal to or less than a predetermined level without increasing the size of the electronic component 1 .
  • FIG. 21 is a block diagram showing the configuration of the electronic component according to this embodiment.
  • FIG. 22 is a circuit diagram showing the circuit configuration of the electronic component according to this embodiment.
  • the configuration of the electronic component 61 according to the present embodiment is the same as the configuration of the electronic component 1 according to the first embodiment, except that the matching circuit 24 is not provided.
  • the first input/output port 11 is connected to the node ND.
  • isolation, insertion loss, reflection loss of the first input/output port 11, and second A return loss of the input/output port 12 was obtained.
  • the definitions of the isolation and insertion loss of the electronic component 61 according to the present embodiment, the return loss of the first input/output port 11 and the return loss of the second input/output port 12 are the same as in the first embodiment.
  • the definitions of the isolation I, the insertion loss IL, the return loss RL1 of the first input/output port 11, and the return loss RL2 of the second input/output port 12 of the electronic component 1 are the same.
  • FIG. 23 is a characteristic diagram showing frequency characteristics of isolation in the model of the second embodiment.
  • the horizontal axis is frequency and the vertical axis is isolation.
  • the isolation was -10 dB or less when the frequency was within the range of 1805 to 7983 MHz. Therefore, the bandwidth at which the isolation was -10 dB or less was 6178 MHz. Also, the relative bandwidth, which is the value obtained by dividing the bandwidth by the center frequency, was 126.2%.
  • FIG. 24 is a characteristic diagram showing frequency characteristics of insertion loss in the model of the second embodiment.
  • the horizontal axis is frequency and the vertical axis is insertion loss.
  • the value of x was 3.57 at 2400 MHz and 3.28 at 6000 MHz.
  • FIG. 25 is a characteristic diagram showing frequency characteristics of return loss of the first input/output port 11 in the model of the second embodiment.
  • FIG. 26 is a characteristic diagram showing frequency characteristics of return loss of the second input/output port 12 in the model of the second embodiment.
  • the horizontal axis is frequency and the vertical axis is reflection loss. Denoting the return loss of the first input/output port 11 as ⁇ r1 (dB), the value of r1 was 10.66 at 2400 MHz, 17.03 at 5000 MHz, and 39.21 at 6000 MHz.
  • the reflection loss of the second input/output port 12 is represented as -r2 (dB)
  • the value of r2 is 11.62 at 2400 MHz, 22.65 at 5000 MHz, and 29.34 at 6000 MHz. rice field.
  • the bandwidth at which the isolation is -10 dB or less in the model of the second embodiment is - It can be seen that it is almost the same as the bandwidth of 10 dB or less.
  • the model of the second embodiment has practically sufficient characteristics in a wide frequency band of 2400 to 6000 MHz, for example.
  • electronic component 61 can be used in a wide frequency band.
  • An electronic component 71 according to the present embodiment differs from electronic component 61 according to the second embodiment in the following points.
  • An electronic component 71 according to the present embodiment includes a first circuit 26, a second circuit 27 and a third circuit 28 instead of the first to third circuits 21 to 23 in the second embodiment. I have it.
  • the circuit configuration arrangement of the first to third circuits 26 to 28 in the electronic component 71 corresponds to the circuit configuration arrangement of the first to third circuits 21 to 23 in the electronic component 61 according to the second embodiment. is the same as
  • the third circuit 28 has a circuit configuration that has a complex conjugate relationship with each of the first and second circuits 26 and 27 .
  • the functions of the first through third circuits 26-28 are the same as the functions of the first through third circuits 21-23 in the second embodiment, respectively.
  • the first circuit 26 includes at least one first capacitor provided on a first path P1 connecting the first input/output port 11 and the second input/output port 12, and the first path P1. and at least one first inductor coupled to ground.
  • the second circuit 27 includes at least one second capacitor provided on a second path P2 connecting the first input/output port 11 and the third input/output port 13, and the second path P2. and at least one second inductor coupled to ground.
  • the third circuit 23 comprises at least one third inductor connected in series with at least one first capacitor and at least one second inductor connected in series with at least one second capacitor. 4 inductors and at least one third capacitor.
  • the third circuit 23 further includes a resistive element R81. At least one third capacitor and resistive element R81 are provided in parallel between the at least one third inductor and the at least one fourth inductor.
  • the circuit configuration of the third circuit 28 is symmetrical about at least one third capacitor and resistor element R81.
  • the first circuit 26 includes two first capacitors C61 and C62 and one first inductor L61.
  • One end of the first capacitor C61 is connected to the node ND.
  • the other end of the first capacitor C61 is connected to one end of the first capacitor C62 and one end of the first inductor L61.
  • the other end of the first capacitor C62 is connected to the second input/output port 12 .
  • the other end of the first inductor L61 is connected to the ground.
  • the configuration of the second circuit 27 is the same as the configuration of the first circuit 26. That is, the second circuit 27 includes two second capacitors C71 and C72 and one second inductor L71. One end of the second capacitor C71 is connected to the node ND. The other end of the second capacitor C71 is connected to one end of the second capacitor C72 and one end of the second inductor L71. The other end of the second capacitor C72 is connected to the third input/output port 13. The other end of the second inductor L71 is connected to the ground.
  • the third circuit 28 includes two third inductors L81, L82 connected in series with the first capacitors C61, C62 and two inductors L81, L82 connected in series with the second capacitors C71, C72. It includes fourth inductors L83, L84 and one third capacitor C81.
  • One end of the third inductor L81 is connected to the other end of the first capacitor C62 and the second input/output port 12 .
  • the other end of the third inductor L81 is connected to one end of the third inductor L82 and one end of the third capacitor C81.
  • One end of the fourth inductor L83 is connected to the other end of the second capacitor C72 and the third input/output port 13 .
  • the other end of the fourth inductor L83 is connected to one end of the fourth inductor L84 and the other end of the third capacitor C81.
  • the other end of the third inductor L82 is connected to one end of the resistance element R81.
  • the other end of the fourth inductor L84 is connected to the other end of the resistive element R81.
  • the electronic component 71 is provided between the first input/output port 11 and the first and second circuits 26 and 27 in terms of circuit configuration, similarly to the electronic component 1 according to the first embodiment.
  • a matching circuit may be provided.
  • Other configurations, functions and effects of this embodiment are the same as those of the first or second embodiment.
  • FIG. 28 is a block diagram showing the configuration of an electronic component according to this embodiment.
  • FIG. 29 is a circuit diagram showing the circuit configuration of the electronic component according to this embodiment.
  • the configuration of electronic component 401 according to the present embodiment is basically the same as the configuration of electronic component 1 according to the first embodiment. Specifically, the electronic component 401 includes first to third input/output ports 11 to 13, first to third circuits 21 to 23, and a matching circuit 24. FIG.
  • the configurations of the first to third circuits 21 to 23 and matching circuit 24 are the same as in the first embodiment except for the following points.
  • the first circuit 21 and the second circuit 22 are connected by a plurality of paths that do not pass through the third circuit 23 .
  • the first circuit 21 and the second circuit 22 are connected by one path that passes through the node ND and another path that does not pass through the node ND and the third circuit 23.
  • the first capacitor C11 of the first circuit 21 and the second capacitor C21 of the second circuit 22 are connected to each other.
  • a path connecting the first capacitor C11 and the second capacitor C21 corresponds to the above-described "another path that does not pass through the node ND and the third circuit 23".
  • the third circuit 23 includes two inductors L31A and L31B connected in series and two resistors connected in series instead of the third inductor L31 and the resistor element R31 in the first embodiment. It includes elements R31A and R31B. One end of the inductor L31A is connected to one end of each of the third capacitors C31 and C32. One end of the inductor L31B is connected to one end of each of the fourth capacitors C33 and C34. The other ends of inductors L31A and L31B are connected to each other.
  • One end of the resistance element R31A is connected to the other end of the third capacitor C32.
  • One end of the resistance element R31B is connected to the other end of the fourth capacitor C34.
  • the other ends of the resistance elements R31A and R31B are connected to each other.
  • isolation, insertion loss, reflection loss of the first input/output port 11, and second A return loss of the input/output port 12 was obtained.
  • the definitions of isolation, insertion loss, reflection loss of the first input/output port 11, and reflection loss of the second input/output port 12 of the electronic component 1 according to the present embodiment are the same as those of the first embodiment.
  • the definitions of the isolation I, the insertion loss IL, the return loss RL1 of the first input/output port 11, and the return loss RL2 of the second input/output port 12 of the electronic component 1 are the same.
  • FIG. 30 is a characteristic diagram showing frequency characteristics of isolation in the model of the third embodiment.
  • the horizontal axis is frequency and the vertical axis is isolation.
  • the isolation was -10 dB or less when the frequency was in the range of 3574 to 5719 MHz. Therefore, the bandwidth at which the isolation was -10 dB or less was 2145 MHz. Also, the relative bandwidth, which is the value obtained by dividing the bandwidth by the center frequency, was 46.2%.
  • FIG. 31 is a characteristic diagram showing frequency characteristics of insertion loss in the model of the third embodiment.
  • the horizontal axis is frequency and the vertical axis is insertion loss.
  • the value of x was 3.62 at 3574 MHz and 3.55 at 5179 MHz.
  • FIG. 32 is a characteristic diagram showing frequency characteristics of return loss of the first input/output port 11 in the model of the third embodiment.
  • FIG. 33 is a characteristic diagram showing frequency characteristics of return loss of the second input/output port 12 in the model of the third embodiment.
  • the horizontal axis is frequency and the vertical axis is reflection loss. Denoting the return loss of the first input/output port 11 as -r1 (dB), the value of r1 was 13.17 at 3574 MHz and 11.13 at 5179 MHz. Also, if the reflection loss of the second input/output port 12 is expressed as -r2 (dB), the value of r2 was 20.09 at 3574 MHz and 21.83 at 5179 MHz.
  • the bandwidth at which the isolation is -10 dB or less in the model of the third embodiment is the same as the bandwidth at which the isolation is -10 dB or less in the model of the comparative example described in the first embodiment. It can be seen that the bandwidth is wider than the As described above, according to the present embodiment, it is possible to widen the frequency band in which the isolation is equal to or less than a predetermined magnitude. Also, from the results shown in FIGS. 31 to 33, it can be seen that the model of the third embodiment has practically sufficient characteristics in a wide frequency band of 3574 to 5719 MHz, for example. Thus, according to this embodiment, electronic component 401 can be used in a wide frequency band.
  • the electronic component 401 according to the present embodiment does not need to be provided with the matching circuit 24, like the electronic component 61 according to the second embodiment.
  • Other configurations, functions and effects of this embodiment are the same as those of the first or second embodiment.
  • FIG. 34 is a block diagram showing the configuration of the electronic component according to this embodiment.
  • FIG. 35 is a circuit diagram showing the circuit configuration of the electronic component according to this embodiment.
  • the configuration of the electronic component 501 according to this embodiment differs from the configuration of the electronic component 401 according to the fourth embodiment in the following points.
  • Electronic component 501 includes first to third input/output ports 11 to 13, first to third circuits 21 to 23 and matching circuit 24, as well as fourth input/output port 14 and fourth circuit 524. and a fifth circuit 525 .
  • the fourth circuit 524 is provided between the first input/output port 11 and the fourth input/output port 14 in terms of circuit configuration.
  • the fourth circuit 524 is a characteristic impedance conversion circuit used to adjust the impedance of the fourth circuit 524 to a predetermined value (eg, 50 ⁇ ) like the first to third circuits 21-23.
  • the second circuit 22 is connected to the first circuit 21 by a plurality of paths that do not pass through the third circuit 23, and is connected to the fourth circuit 21 by a plurality of paths that do not pass through the fifth circuit 525. is connected to the circuit 524 of the Especially in this embodiment, the second circuit 22 and the fourth circuit 524 are connected by one path that passes through the node ND and another path that does not pass through the node ND and the fifth circuit 525. There is None of the first, second and fourth circuits 21, 22, 524 are connected to ground.
  • the configuration of the fourth circuit 524 is similar to the configuration of the first and second circuits 21 and 22. That is, the fourth circuit 524 includes two inductors L241 and L242 and one capacitor C241. One end of the inductor L241 is connected to the node ND. The other end of the inductor L241 is connected to one end of the inductor L242 and one end of the capacitor C241. The other end of inductor L242 is connected to fourth input/output port 14 . The other end of the capacitor C241 is connected to the connection point between the first capacitor C11 of the first circuit 21 and the second capacitor C21 of the second circuit 22 .
  • the second capacitor C21 of the second circuit 22 and the capacitor C241 of the fourth circuit 524 are connected to each other.
  • a path connecting the second capacitor C21 and the capacitor C241 corresponds to the above-described "another path that does not pass through the node ND and the fifth circuit 525".
  • the fifth circuit 525 is provided between the third input/output port 13 and the fourth input/output port 14 in terms of circuit configuration. As with the third circuit 23, the fifth circuit 525 operates when a signal is input to one of the third input/output port 13 and the fourth input/output port 14. It is a signal absorption circuit for absorbing the signal flowing through the other of the fourth input/output ports 14 .
  • the fifth circuit 525 has a circuit configuration that has a complex conjugate relationship with each of the second and fourth circuits 22 and 524 . That is, the elements forming the fifth circuit 525 are provided in the fifth circuit 525 so as to have a complex conjugate relationship with the elements forming each of the second and fourth circuits 22 and 524. there is
  • the electronic component 1 further comprises a first subcircuit 511, a second subcircuit 512, and a third subcircuit 513.
  • the first through third subcircuits 511-513 are connected together.
  • the third circuit 23 is composed of first and second subcircuits 511 and 512 .
  • the fifth circuit 525 is made up of second and third subcircuits 512,513.
  • a second sub-circuit 512 is used for both the third circuit 23 and the fifth circuit 525 .
  • the first subcircuit 511 includes two capacitors C311 and C312 connected in series with the first inductors L11 and L12, an inductor L31A, and a resistive element R31A.
  • the second subcircuit 512 includes two capacitors C321, C322 connected in series with second inductors L21, L22, an inductor L31B, and a resistive element R31B.
  • the third subcircuit 513 includes two capacitors C331, C332 connected in series with inductors L241, L242, an inductor L31C, and a resistive element R31C.
  • Capacitors C311 and C312 correspond to the third capacitors C31 and C32 in the fourth embodiment, respectively, and capacitors C321 and C322 correspond to the fourth capacitors C33 and C34 in the fourth embodiment, respectively. do.
  • One end of the capacitor C311 is connected to the first inductor L12 and the second input/output port 12.
  • the other end of the capacitor C311 is connected to one end of the capacitor C312 and one end of the inductor L31A.
  • One end of the capacitor C321 is connected to the second inductor L22 and the third input/output port 13 .
  • the other end of the capacitor C321 is connected to one end of the capacitor C322 and one end of the inductor L31B.
  • One end of the capacitor C331 is connected to the inductor L242 and the fourth input/output port 14 .
  • the other end of the capacitor C331 is connected to one end of the capacitor C332 and one end of the inductor L31C.
  • the other ends of inductors L31A, L31B, and L341C are connected to each other.
  • the other end of the capacitor C312 is connected to one end of the resistance element R31A.
  • the other end of the capacitor C322 is connected to one end of the resistance element R31B.
  • the other end of the capacitor C332 is connected to one end of the resistance element R31C.
  • the other ends of the resistance elements R31A, R31B, and R31C are connected to each other.
  • the third circuit 23 includes capacitors C311, C312, C321, C322, inductors L31A, L31B, and resistance elements R31A, R31B.
  • the fifth circuit 525 includes capacitors C321, C322, C331, C332, inductors L31B, L31C, and resistive elements R31B, R31C. Capacitors C321 and C322, inductor L31B and resistive element R31B are used in both third circuit 23 and fifth circuit 525.
  • electronic component 501 according to the present embodiment includes second circuit 22, fourth circuit 524, and fifth circuit 525.
  • Second circuit 22 is the "first circuit” of the present invention.
  • the fourth circuit 524 corresponds to the other of the "first circuit” and the “second circuit” of the present invention
  • the fifth circuit 525 corresponds to the "second circuit” of the present invention. It can also be regarded as corresponding to the "third circuit”.
  • the electronic component 501 according to the present embodiment includes two one of the "first circuit” and the "second circuit”, and the other of the "first circuit” and the “second circuit” is It can be regarded as an electronic component with one and two "third circuits”.
  • the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications are possible.
  • the number of input/output ports on the branch side and the number and arrangement of inductors and capacitors in each circuit are not limited to the examples shown in the respective embodiments, and are arbitrary as long as the requirements of the claims are satisfied.
  • the number of input/output ports on the branch side is not limited to two or three, and may be four or more.
  • the electronic component of the present invention may include other circuits such as filters in addition to the configuration shown in FIG. 1 or FIG.
  • at least one of the first to third input/output ports 11 to 13 may be provided inside the laminate 30 .
  • first to third circuits of the present invention are not limited to distributors and combiners, but can be applied to electronic components having various functions such as splitters, shunts, mixers, splitters, dividers, combiners, 3 dB hybrids, and the like. can be applied.
  • the electronic component of the present invention is not limited to the laminate 30 described with reference to FIGS. It can be constructed using discrete elements, namely chip capacitors, chip inductors and chip resistors.
  • the first circuit 26 and the second circuit 27 replace the third circuit 28 in the same manner as the first and second circuits 21 and 22 in the fourth embodiment. It may be connected by multiple routes that do not go through. Specifically, the first inductor L61 of the first circuit 27 and the second inductor L71 of the second circuit 27 may be connected to each other. Neither the first circuit 26 nor the second circuit 27 need be grounded.
  • the first, second and fourth circuits 21, 22, 524 are all similar to the first and second circuits 21, 22 in the first embodiment. May be connected to ground. In this case, the first capacitor C11 of the first circuit 21, the second capacitor C21 of the second circuit 22, and the capacitor C241 of the fourth circuit 524 may not be connected to each other.

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Abstract

電子部品1は、第1の入出力ポート11と、第2の入出力ポート12と、第3の入出力ポート13と、第1の入出力ポート11と第2の入出力ポート12との間に設けられた特性インピーダンス変換回路である第1の回路21と、第1の入出力ポート11と第3の入出力ポート13との間に設けられた特性インピーダンス変換回路である第2の回路22と、第2の入出力ポート12と第3の入出力ポート13との間に設けられ、第1および第2の回路21,22の各々と複素共役の関係になる回路構成を有する第3の回路23とを備えている。

Description

電子部品および通信機器
 本発明は、通信機器に用いられる電子部品、ならびに通信機器に関する。
 近年、携帯電話機、携帯型情報端末および人体装着型端末等の携帯型の無線通信機器に限らず、自動車、飛翔体およびその他の輸送用機器、ならびに、交通信号装置、家庭用電気機器、産業用装置、測定装置等、様々な機器が無線通信機能を有するようになっている。このような機器の普及によって、機器、装置およびセンサ等の様々な物が無線通信を介して接続されるようになっている。また、このような機器の中には、放送受信機能を有する機器もある。
 無線通信機能と放送受信機能を有する通信機器には、無線通信の安定化および放送受信の安定化のために、複数のアンテナを備えたものがある。複数のアンテナを備えた通信機器に用いられる電子部品の1つに、分配および合成器がある。分配および合成器は、信号を複数のアンテナに分配するために用いられたり、複数のアンテナが受信した複数の信号を合成するために用いられたりする。
 日本国特開平7-106898号公報、日本国特開2001-94316号公報および日本国特開2008-172358号公報には、高周波信号を分配および合成する分配および合成器が記載されている。日本国特開2000-77873号公報には、大電力の高周波信号を分配および合成する大電力分配・合成器が記載されている。また、日本国特開2000-77873号公報には、2つの分布定数線路と抵抗とを備えるウィルキンソン回路を8段縦続接続することによって、大電力分配・合成器を広帯域化することが記載されている。
 無線通信機能と放送受信機能を有する通信機器には、小型化、薄形化、高性能化の要求が強く、通信機器に用いられる電子部品にも、小型化、薄形化、高性能化が要求されている。一方、無線通信の高速化および高機能化、ならびに放送の高速化および高機能化のために、信号の帯域幅を従来よりも拡張した無線通信方式および放送方式の開発が進められている。そのため、通信機器ならびに通信機器に用いられる電子部品には、複数の無線通信方式および複数の放送方式への対応と、広帯域化が要求されている。
 従来の分配および合成器では、例えば、日本国特開2000-77873号公報に記載されているように、多段化することで広帯域化を実現することができる。しかし、そうすると、分配および合成器が大型化してしまう。
 本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、広い周波数帯域において使用可能な電子部品および通信機器を提供することにある。
 本発明の電子部品は、第1の入出力ポートと、第2の入出力ポートと、第3の入出力ポートと、第1の入出力ポートと第2の入出力ポートとの間に設けられた特性インピーダンス変換回路である第1の回路と、第1の入出力ポートと第3の入出力ポートとの間に設けられた特性インピーダンス変換回路である第2の回路と、第2の入出力ポートと第3の入出力ポートとの間に設けられ、第1および第2の回路の各々と複素共役の関係になる回路構成を有する第3の回路とを備えている。
 本発明の電子部品において、第1ないし第3の回路の各々は、少なくとも1つのインダクタと少なくとも1つのキャパシタとを含んでいてもよい。この場合、第3の回路の少なくとも1つのインダクタは、第1および第2の回路の各々の少なくとも1つのキャパシタに対して複素共役の関係になるように第3の回路に設けられていてもよい。また、第3の回路の少なくとも1つのキャパシタは、第1および第2の回路の各々の少なくとも1つのインダクタに対して複素共役の関係になるように第3の回路に設けられていてもよい。
 第1ないし第3の回路の各々が少なくとも1つのインダクタと少なくとも1つのキャパシタとを含んでいる場合、第1の回路は、少なくとも1つのインダクタおよび少なくとも1つのキャパシタとして、第1の入出力ポートと第2の入出力ポートとを接続する第1の経路に設けられた第1のインダクタと、第1の経路とグランドとの間に設けられた第1のキャパシタとを含んでいてもよい。また、第2の回路は、少なくとも1つのインダクタおよび少なくとも1つのキャパシタとして、第1の入出力ポートと第3の入出力ポートとを接続する第2の経路に設けられた第2のインダクタと、第2の経路とグランドとの間に設けられた第2のキャパシタとを含んでいてもよい。また、第3の回路は、少なくとも1つのインダクタおよび少なくとも1つのキャパシタとして、第1のインダクタに対して直列に接続された第3のキャパシタと、第2のインダクタに対して直列に接続された第4のキャパシタと、第3のインダクタとを含んでいてもよい。また、第3の回路は、更に、抵抗素子を含んでいてもよい。第3のインダクタおよび抵抗素子は、第3のキャパシタと第4のキャパシタとの間に並列に設けられていてもよい。
 また、第1ないし第3の回路の各々が少なくとも1つのインダクタと少なくとも1つのキャパシタとを含んでいる場合、第1の回路は、少なくとも1つのインダクタおよび少なくとも1つのキャパシタとして、第1の入出力ポートと第2の入出力ポートとを接続する第1の経路に設けられた第1のインダクタと、第1のキャパシタとを含んでいてもよい。また、第2の回路は、少なくとも1つのインダクタおよび少なくとも1つのキャパシタとして、第1の入出力ポートと第3の入出力ポートとを接続する第2の経路に設けられた第2のインダクタと、第2のキャパシタとを含んでいてもよい。第1のキャパシタと第2のキャパシタは、互いに接続されていてもよい。また、第3の回路は、少なくとも1つのインダクタおよび少なくとも1つのキャパシタとして、第1のインダクタに対して直列に接続された第3のキャパシタと、第2のインダクタに対して直列に接続された第4のキャパシタと、第3のインダクタとを含んでいてもよい。また、第3の回路は、更に、抵抗素子を含んでいてもよい。第3のインダクタおよび抵抗素子は、第3のキャパシタと第4のキャパシタとの間に並列に設けられていてもよい。
 第3の回路が、第3のキャパシタ、第4のキャパシタ、第3のインダクタおよび抵抗素子を含んでいる場合、第3の回路の回路構成は、第3のインダクタおよび抵抗素子を中心として対称な構成であってもよい。
 また、本発明の電子部品において、第1の回路は、少なくとも1つのインダクタおよび少なくとも1つのキャパシタとして、第1の入出力ポートと第2の入出力ポートとを接続する第1の経路に設けられた第1のキャパシタと、第1の経路とグランドとの間に設けられた第1のインダクタとを含んでいてもよい。また、第2の回路は、少なくとも1つのインダクタおよび少なくとも1つのキャパシタとして、第1の入出力ポートと第3の入出力ポートとを接続する第2の経路に設けられた第2のキャパシタと、第2の経路とグランドとの間に設けられた第2のインダクタとを含んでいてもよい。また、第3の回路は、少なくとも1つのインダクタおよび少なくとも1つのキャパシタとして、第1のキャパシタに対して直列に接続された第3のインダクタと、第2のキャパシタに対して直列に接続された第4のインダクタと、第3のキャパシタとを含んでいてもよい。また、第3の回路は、更に、抵抗素子を含んでいてもよい。第3のキャパシタと抵抗素子は、第3のインダクタと第4のインダクタとの間に並列に設けられていてもよい。この場合、第3の回路の回路構成は、第3のキャパシタおよび抵抗素子を中心として対称な構成であってもよい。
 また、本発明の電子部品において、第1の回路と第2の回路は、それぞれ、グランドに接続されていてもよい。
 また、本発明の電子部品において、第1の回路と第2の回路は、第3の回路を経由しない複数の経路によって接続されていてもよい。この場合、第1の回路と第2の回路は、いずれも、グランドに接続されていなくてもよい。
 また、本発明の電子部品は、更に、第4の入出力ポートと、第1の入出力ポートと第4の入出力ポートとの間に設けられた特性インピーダンス変換回路である第4の回路と、第3の入出力ポートと第4の入出力ポートとの間に設けられ、第2および第4の回路の各々と複素共役の関係になる回路構成を有する第5の回路とを備えていてもよい。この場合、第2の回路は、第3の回路を経由しない複数の経路によって第1の回路に接続されると共に、第5の回路を経由しない複数の経路によって第4の回路に接続されていてもよい。
 また、本発明の電子部品は、更に、第1の入出力ポートと第1および第2の回路との間に設けられた整合回路を備えていてもよい。この場合、第1の回路、第2の回路および整合回路は、1つの節点から分岐してもよい。また、整合回路は、第1の入出力ポートと節点とを接続する第3の経路に設けられた少なくとも1つの整合回路用キャパシタと、第3の経路とグランドとの間に設けられた少なくとも1つの整合回路用インダクタとを含んでいてもよい。
 また、本発明の電子部品は、分配および合成器であってもよい。
 本発明の通信機器は、本発明の電子部品と、電子部品に接続される少なくとも1つのアンテナとを備えている。
 本発明の電子部品では、第1の入出力ポートと第2の入出力ポートとの間に第1の回路を設け、第1の入出力ポートと第3の入出力ポートとの間に第2の回路を設け、第2の入出力ポートと第3の入出力ポートとの間に、第1および第2の回路の各々と複素共役の関係になる回路構成を有する第3の回路を設けている。これにより、本発明によれば、広い周波数帯域において使用可能な電子部品および通信機器を実現することができるという効果を奏する。
本発明の第1の実施の形態に係る電子部品の構成を示すブロック図である。 本発明の第1の実施の形態に係る電子部品の回路構成を示す回路図である。 本発明の第1の実施の形態に係る通信機器の第1の例を示すブロック図である。 本発明の第1の実施の形態に係る通信機器の第2の例を示すブロック図である。 本発明の第1の実施の形態に係る電子部品を示す斜視図である。 図5に示した電子部品の本体部の内部を示す斜視図である。 図5に示した電子部品の本体部の誘電体層、導体層およびスルーホールを示す斜視図である。 図5に示した電子部品の本体部の1層目の誘電体層のパターン形成面を示す平面図である。 図5に示した電子部品の本体部の2層目の誘電体層のパターン形成面を示す平面図である。 図5に示した電子部品の本体部の3層目の誘電体層のパターン形成面を示す平面図である。 図5に示した電子部品の本体部の3層目の誘電体層の端子形成面を示す平面図である。 比較例の電子部品の回路構成を示す回路図である。 比較例のモデルのアイソレーションの周波数特性を示す特性図である。 比較例のモデルの挿入損失の周波数特性を示す特性図である。 比較例のモデルの第1の入出力端子の反射損失の周波数特性を示す特性図である。 比較例のモデルの第2の入出力端子の反射損失の周波数特性を示す特性図である。 第1の実施例のモデルのアイソレーションの周波数特性を示す特性図である。 第1の実施例のモデルの挿入損失の周波数特性を示す特性図である。 第1の実施例のモデルの第1の入出力端子の反射損失の周波数特性を示す特性図である。 第1の実施例のモデルの第2の入出力端子の反射損失の周波数特性を示す特性図である。 本発明の第2の実施の形態に係る電子部品の構成を示すブロック図である。 本発明の第2の実施の形態に係る電子部品の回路構成を示す回路図である。 第2の実施例のモデルのアイソレーションの周波数特性を示す特性図である。 第2の実施例のモデルの挿入損失の周波数特性を示す特性図である。 第2の実施例のモデルの第1の入出力端子の反射損失の周波数特性を示す特性図である。 第2の実施例のモデルの第2の入出力端子の反射損失の周波数特性を示す特性図である。 本発明の第3の実施の形態に係る電子部品の回路構成を示す回路図である。 本発明の第4の実施の形態に係る電子部品の構成を示すブロック図である。 本発明の第4の実施の形態に係る電子部品の回路構成を示す回路図である。 第3の実施例のモデルのアイソレーションの周波数特性を示す特性図である。 第3の実施例のモデルの挿入損失の周波数特性を示す特性図である。 第3の実施例のモデルの第1の入出力端子の反射損失の周波数特性を示す特性図である。 第3の実施例のモデルの第2の入出力端子の反射損失の周波数特性を示す特性図である。 本発明の第5の実施の形態に係る電子部品の構成を示すブロック図である。 本発明の第5の実施の形態に係る電子部品の回路構成を示す回路図である。
[第1の実施の形態]
 以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図1および図2を参照して、本発明の第1の実施の形態に係る電子部品の構成について説明する。図1は、本実施の形態に係る電子部品の構成を示すブロック図である。図2は、本実施の形態に係る電子部品の回路構成を示す回路図である。本実施の形態に係る電子部品1は、第1の入出力ポート11と、第2の入出力ポート12と、第3の入出力ポート13と、第1の回路21と、第2の回路22と、第3の回路23とを備えている。
 第1の回路21は、回路構成上、第1の入出力ポート11と第2の入出力ポート12との間に設けられている。第2の回路22は、回路構成上、第1の入出力ポート11と第3の入出力ポート13との間に設けられている。第3の回路23は、回路構成上、第2の入出力ポート12と第3の入出力ポート13との間に設けられている。第1および第2の回路21,22は、それぞれ、グランドに接続される。なお、本出願において、「回路構成上」という表現は、物理的な構成における配置ではなく、回路図上での配置を指すために用いている。
 本実施の形態では特に、電子部品1は、複数の信号を分配または合成する分配および合成器である。第1および第2の回路21,22は、第1ないし第3の入出力ポート11~13の各々のインピーダンスを所定の値(例えば50Ω)に調整するために用いられる特性インピーダンス変換回路である。
 第3の回路23は、第2の入出力ポート12と第3の入出力ポート13の一方に信号が入力された場合に、第2の入出力ポート12と第3の入出力ポート13の他方に流れる信号を吸収するための信号吸収回路である。本実施の形態では、第3の回路23は、第1および第2の回路21,22の各々と複素共役の関係になる回路構成を有している。第1および第2の回路21,22の各々と複素共役の関係になる回路構成とは、第1および第2の回路21,22の各々とはインピーダンスの虚数部の符号が反対になる回路構成である。
 ここで、第1の入出力ポート11と第2の入出力ポート12とを接続する経路を第1の経路P1と言い、第1の入出力ポート11と第3の入出力ポート13とを接続する経路を第2の経路P2と言う。また、第1の経路P1に設けられた第1の回路21の素子を第1の回路21の直列要素と言い、第1の経路P1とグランドとの間に設けられた第1の回路21の素子を第1の回路21の並列要素と言う。また、第2の経路P2に設けられた第2の回路22の素子を第2の回路22の直列要素と言い、第2の経路P2とグランドとの間に設けられた第2の回路22の素子を第2の回路22の並列要素と言う。
 本実施の形態では、以下のように、第3の回路23を構成する素子が、第1および第2の回路21,22の各々を構成する素子に対して複素共役の関係になるように、第3の回路23に設けられている。第3の回路23では、第1の回路21の直列要素とはインピーダンスの虚数部の符号が反対になる素子が、第1の回路21の直列要素に対して直列に接続されている。また、第2の回路22の直列要素とはインピーダンスの虚数部の符号が反対になる素子が、第2の回路22の直列要素に対して直列に接続されている。また、第1および第2の回路21,22の各々の並列要素とはインピーダンスの虚数部の符号が反対になる素子が、第1の回路21の直列要素とはインピーダンスの虚数部の符号が反対になる素子と第2の回路22の直列要素とはインピーダンスの虚数部の符号が反対になる素子との間に設けられている。
 インダクタとキャパシタは、インピーダンスの虚数部の符号が互いに反対になる素子である。第1ないし第3の回路21~23の各々は、少なくとも1つのインダクタと少なくとも1つのキャパシタとを含んでいる。第3の回路23の少なくとも1つのインダクタは、第1および第2の回路21,22の各々の少なくとも1つのキャパシタに対して複素共役の関係になるように第3の回路23に設けられている。第3の回路23の少なくとも1つのキャパシタは、第1および第2の回路21,22の各々の少なくとも1つのインダクタに対して複素共役の関係になるように第3の回路23に設けられている。
 本実施の形態では特に、第1の回路21は、第1の経路P1に設けられた少なくとも1つの第1のインダクタと、第1の経路P1とグランドとの間に設けられた少なくとも1つの第1のキャパシタとを含んでいる。第2の回路22は、第2の経路P2に設けられた少なくとも1つの第2のインダクタと、第2の経路P2とグランドとの間に設けられた少なくとも1つの第2のキャパシタとを含んでいる。
 第3の回路23は、少なくとも1つの第1のインダクタに対して直列に接続された少なくとも1つの第3のキャパシタと、少なくとも1つの第2のインダクタに対して直列に接続された少なくとも1つの第4のキャパシタと、少なくとも1つの第3のインダクタとを含んでいる。第3の回路23は、更に、抵抗素子R31を含んでいる。少なくとも1つの第3のインダクタおよび抵抗素子R31は、少なくとも1つの第3のキャパシタと少なくとも1つの第4のキャパシタとの間に並列に設けられている。第3の回路23の回路構成は、少なくとも1つの第3のインダクタおよび抵抗素子R31を中心として対称な構成である。
 電子部品1は、更に、整合回路24を備えている。整合回路24は、回路構成上、第1の入出力ポート11と第1および第2の回路21,22との間に設けられている。整合回路24は、グランドに接続される。第1の回路21、第2の回路22および整合回路24は、1つの節点NDから分岐している。
 整合回路24は、第1の入出力ポート11と節点NDとを接続する第3の経路P3に設けられた少なくとも1つの整合回路用キャパシタと、第3の経路P3とグランドとの間に設けられた少なくとも1つの整合回路用インダクタとを含んでいる。なお、第1の経路P1は、第3の経路P3を介して第1の入出力ポート11と第2の入出力ポート12とを接続している。また、第2の経路P2は、第3の経路P3を介して第1の入出力ポート11と第3の入出力ポート13とを接続している。
 以下、図2を参照して、本実施の形態に係る電子部品1の具体的な回路構成について説明する。図2に示したように、第1の回路21は、2つの第1のインダクタL11,L12と、1つの第1のキャパシタC11とを含んでいる。第1のインダクタL11の一端は、節点NDに接続されている。第1のインダクタL11の他端は、第1のインダクタL12の一端と第1のキャパシタC11の一端に接続されている。第1のインダクタL12の他端は、第2の入出力ポート12に接続されている。第1のキャパシタC11の他端は、グランドに接続される。
 第2の回路22の構成は、第1の回路21の構成と同様である。すなわち、第2の回路22は、2つの第2のインダクタL21,L22と、1つの第2のキャパシタC21とを含んでいる。第2のインダクタL21の一端は、節点NDに接続されている。第2のインダクタL21の他端は、第2のインダクタL22の一端と第2のキャパシタC21の一端に接続されている。第2のインダクタL22の他端は、第3の入出力ポート13に接続されている。第2のキャパシタC21の他端は、グランドに接続される。
 第3の回路23は、第1のインダクタL11,L12に対して直列に接続された2つの第3のキャパシタC31,C32と、第2のインダクタL21,L22に対して直列に接続された2つの第4のキャパシタC33,C34と、1つの第3のインダクタL31とを含んでいる。第3のキャパシタC31の一端は、第1のインダクタL12の他端と第2の入出力ポート12に接続されている。第3のキャパシタC31の他端は、第3のキャパシタC32の一端と第3のインダクタL31の一端に接続されている。第4のキャパシタC33の一端は、第2のインダクタL22の他端と第3の入出力ポート13に接続されている。第4のキャパシタC33の他端は、第4のキャパシタC34の一端と第3のインダクタL31の他端に接続されている。
 第3のキャパシタC32の他端は、抵抗素子R31の一端に接続されている。第4のキャパシタC34の他端は、抵抗素子R31の他端に接続されている。第3の回路23のインピーダンスは、第2の入出力ポート12の特性インピーダンスまたは第3の入出力ポート13の特性インピーダンスに整合するように調整される。具体的には、第3の回路23が第2の入出力ポート12または第3の入出力ポート13と整合するように、抵抗素子R31の抵抗値が調整される。
 整合回路24は、1つの整合回路用キャパシタC41と、2つの整合回路用インダクタL41,L42とを含んでいる。整合回路用キャパシタC41の一端は、第1の入出力ポート11と整合回路用インダクタL41の一端に接続されている。整合回路用キャパシタC41の他端は、節点NDと整合回路用インダクタL42の一端に接続されている。整合回路用インダクタL41,L42の各々の他端は、グランドに接続される。
 次に、本実施の形態に係る通信機器について説明する。本実施の形態に係る通信機器100は、本実施の形態に係る電子部品1と、電子部品1に接続される少なくとも1つのアンテナとを備えている。
 始めに、図3を参照して、通信機器100の第1の例について説明する。第1の例では、通信機器100は、電子部品1と、1つのアンテナ2と、信号処理回路3とを備えている。アンテナ2は、電子部品1の第1の入出力ポート11に接続されている。信号処理回路3は、電子部品1の第2および第3の入出力ポート12,13に接続されている。
 信号処理回路3は、通信機器100の所定の機能を実現するための回路である。信号処理回路3は、特定用途向け集積回路(ASIC)、デジタルシグナルプロセッサ(DSP)およびマイクロコンピュータのうちの少なくとも1つを含んでいてもよい。信号処理回路3は、更に、アナログ回路を含んでいてもよい。
 第1の例では、電子部品1は、アンテナ2によって受信した受信信号を、第2の入出力ポート12と第3の入出力ポート13に分配することができる。分配された2つの受信信号は、第2および第3の入出力ポート12,13を介して信号処理回路3に入力されて所定の処理が施される。また、第1の例では、電子部品1は、信号処理回路3から出力された2つの送信信号を合成することができる。合成された信号は、第1の入出力ポート11を介してアンテナ2に供給される。
 次に、図4を参照して、通信機器100の第2の例について説明する。第2の例では、通信機器100は、電子部品1と、2つのアンテナ2A,2Bと、信号処理回路3とを備えている。アンテナ2Aは、電子部品1の第2の入出力ポート12に接続されている。アンテナ2Bは、電子部品1の第3の入出力ポート13に接続されている。信号処理回路3は、電子部品1の第1の入出力ポート11に接続されている。
 第2の例では、電子部品1は、アンテナ2A,2Bによって受信した2つの受信信号を合成することができる。合成された信号は、第1の入出力ポート11を介して信号処理回路3に入力されて所定の処理が施される。また、第2の例では、電子部品1は、信号処理回路3から出力された送信信号を第2の入出力ポート12と第3の入出力ポート13に分配することができる。分配された2つの送信信号は、第2および第3の入出力ポート12,13を介してアンテナ2A,2Bに供給される。
 次に、図5ないし図7を参照して、電子部品1の構造の一例について説明する。図5は、電子部品1の斜視図である。図6は、電子部品1の本体部の内部を示す斜視図である。図7は、電子部品1の本体部の誘電体層、導体層およびスルーホールを示す斜視図である。電子部品1は、更に、第1ないし第3の入出力ポート11~13、第1ないし第3の回路21~23ならびに整合回路24を一体化するための積層体30を備えている。後で詳しく説明するが、積層体30は、積層された複数の誘電体層と複数の導体層とを含んでいる。
 積層体30は、直方体形状をなしている。積層体30は、積層体30の外周部を構成する上面30a、底面30bおよび4つの側面30c~30fを有している。上面30aと底面30bは互いに反対側を向き、側面30c,30dも互いに反対側を向き、側面30e,30fも互いに反対側を向いている。側面30c~30fは、上面30aおよび底面30bに対して垂直になっている。積層体30において、上面30aおよび底面30bに垂直な方向が、複数の誘電体層および複数の導体層の積層方向である。図5および図6では、この積層方向を、記号Tを付した矢印で示している。上面30aと底面30bは、積層方向Tの両端に位置する。
 積層体30は、電子部品1の主要部分を構成する本体部30Aと、本体部30Aを支持する支持基板30Bとを含んでいる。本体部30Aと支持基板30Bは、積層方向Tに並んでいる。本体部30Aは、本体部30Aの外周部を構成する上面、底面および4つの側面を有している。支持基板30Bは、支持基板30Bの外周部を構成する上面、底面および4つの側面を有している。本体部30Aの上面と支持基板30Bの底面は、互いに対向している。本体部30Aの底面は、積層体30の底面30bを構成している。支持基板30Bの上面は、積層体30の上面30aを構成している。
 電子部品1は、更に、本体部30Aに設けられた第1ないし第5の端子41,42,43,44,45を備えている。図5に示したように、第1ないし第5の端子41~45は、本体部30Aの底面すなわち積層体30の底面30bに配置されている。第1の端子41は、第1の入出力ポート11に対応している。第2の端子42は、第2の入出力ポート12に対応している。第3の端子43は、第3の入出力ポート13に対応している。第4および第5の端子44,45は、それぞれグランドに接続される。
 次に、図7ないし図11を参照して、本体部30Aについて詳しく説明する。本体部30Aは、積層された3層の誘電体層を含んでいる。以下、この3層の誘電体層を、本体部30Aの上面側から順に1層目ないし3層目の誘電体層と呼ぶ。また、1層目ないし3層目の誘電体層を、符号31~33で表す。図7では、1層目ないし3層目の誘電体層31~33を、積層方向T(図5および図6参照)に沿って互いに離して描いている。
 1層目ないし3層目の誘電体層31~33の各々は、パターン形成面を有している。3層目の誘電体層33は、パターン形成面とは反対側に位置する端子形成面を有している。図8は、1層目の誘電体層31のパターン形成面を示している。図9は、2層目の誘電体層32のパターン形成面を示している。図10は、3層目の誘電体層33のパターン形成面を示している。図11は、3層目の誘電体層33の端子形成面を示している。
 図8に示したように、1層目の誘電体層31のパターン形成面には、導体層101,102,103,104,105と、第1の回路21用の導体層111,112,113と、第2の回路22用の導体層121,122,123と、第3の回路23用の導体層131,132,135と、抵抗素子用の導体層136と、整合回路24用の導体層141,142,143とが形成されている。
 導体層111,112,121,122,135,136,141,142の各々は、互いに反対側に位置する第1端と第2端を有している。導体層111,112の各々の第1端は、導体層113に接続されている。導体層121,122の各々の第1端は、導体層123に接続されている。導体層135の第1端は、導体層131に接続されている。導体層141の第1端は、導体層104に接続されている。導体層142の第1端は、導体層143に接続されている。
 また、誘電体層31には、スルーホールT101,T102,T103,T104,T105,T106,T107,T109,T110,T112,T115,T118,T119,T120,T121,T122,T123が形成されている。スルーホールT101~T105は、それぞれ導体層101~105に接続されている。
 スルーホールT106は、導体層111の第2端の近傍部分に接続されている。スルーホールT107は、導体層112の第2端の近傍部分に接続されている。スルーホールT109は、導体層121の第2端の近傍部分に接続されている。スルーホールT110は、導体層122の第2端の近傍部分に接続されている。スルーホールT112は、導体層131に接続されている。スルーホールT115は、導体層132に接続されている。スルーホールT118は、導体層135の第2端の近傍部分に接続されている。スルーホールT119は、導体層136の第1端の近傍部分に接続されている。スルーホールT120は、導体層136の第2端の近傍部分に接続されている。スルーホールT121は、導体層141の第2端の近傍部分に接続されている。スルーホールT122は、導体層142の第2端の近傍部分に接続されている。スルーホールT123は、導体層142の第1端の近傍部分に接続されている。
 図9に示したように、2層目の誘電体層32のパターン形成面には、第1の回路21用の導体層213と、第2の回路22用の導体層223と、第3の回路23用の導体層231,232,233,234と、整合回路24用の導体層243とが形成されている。
 また、誘電体層32には、スルーホールT201,T202,T203,T204,T205,T206,T207,T208,T209,T210,T211,T212,T213,T214,T215,T216,T217,T218,T219,T220,T221,T222,T223,T224が形成されている。スルーホールT201~T207,T209,T210,T212,T215,T218~T223は、それぞれ1層目の誘電体層31に形成されたスルーホールT101~T107,T109,T110,T112,T115,T118~T123に接続されている。
 スルーホールT208は、導体層213に接続されている。スルーホールT211は、導体層223に接続されている。スルーホールT213は、導体層231に接続されている。スルーホールT214は、導体層232に接続されている。スルーホールT216は、導体層233に接続されている。スルーホールT217は、導体層234に接続されている。スルーホールT224は、導体層243に接続されている。
 図10に示したように、3層目の誘電体層33のパターン形成面には、導体層301,302,303,304,305と、第1の回路21用の導体層311,312,313と、導体層314と、第2の回路22用の導体層321,322,323と、第3の回路23用の導体層331,332,333,334,335と、導体層337と、整合回路24用の導体層341,342,343とが形成されている。導体層313,323は、導体層305に接続されている。導体層331は、導体層302に接続されている。導体層333は、導体層303に接続されている。導体層343は、導体層301に接続されている。
 導体層311,312,314,321,322,335,341,342の各々は、互いに反対側に位置する第1端と第2端を有している。導体層311の第1端は、導体層321の第1端に接続されている。導体層312の第1端は、導体層331に接続されている。導体層314の第1端は、導体層313に接続されている。導体層314の第2端は、導体層342の第1端の近傍部分に接続されている。導体層322の第1端は、導体層333に接続されている。導体層341の第1端は、導体層301に接続されている。導体層342の第1端は、導体層304に接続されている。
 2層目の誘電体層32に形成されたスルーホールT201~T205は、それぞれ導体層301~305に接続されている。また、図10において、破線は、2層目の誘電体層32に形成されたスルーホールT206~T224の接続位置を示している。スルーホールT206は、導体層311の第2端の近傍部分に接続されている。スルーホールT207は、導体層312の第2端の近傍部分に接続されている。スルーホールT208は、導体層313に接続されている。スルーホールT209は、導体層321の第2端の近傍部分に接続されている。スルーホールT210は、導体層322の第2端の近傍部分に接続されている。スルーホールT211は、導体層323に接続されている。
 スルーホールT212は、導体層337に接続されている。スルーホールT213は、導体層331に接続されている。スルーホールT214,T219は、互いに異なる位置において導体層332に接続されている。スルーホールT215は、導体層335の第1端の近傍部分に接続されている。スルーホールT216は、導体層333に接続されている。スルーホールT217,T220は、互いに異なる位置において導体層334に接続されている。スルーホールT218は、導体層335の第2端の近傍部分に接続されている。スルーホールT221は、導体層341の第2端の近傍部分に接続されている。スルーホールT222は、導体層342の第2端の近傍部分に接続されている。スルーホールT223は、導体層311の第2端の近傍部分に接続されている。スルーホールT224は、導体層343に接続されている。
 また、誘電体層33には、スルーホールT301,T302,T303,T304,T305が形成されている。スルーホールT301~T305は、それぞれ導体層301~305に接続されている。
 図11に示したように、3層目の誘電体層33の端子形成面には、第1ないし第5の端子41~45が形成されている。また、図11において、破線は、スルーホールT301~T305の接続位置を示している。スルーホールT301~T305は、それぞれ第1ないし第5の端子41~45に接続されている。
 図5に示した積層体30は、3層目の誘電体層33の端子形成面が積層体30の底面30bになるように、1層目ないし3層目の誘電体層31~33が支持基板30Bの底面の上に積層されて構成される。なお、電子部品1は、本体部30Aの第1の誘電体層31と支持基板30Bとの間に介在する図示しない絶縁層を備えていてもよい。
 以下、電子部品1の構成要素と、図7ないし図11に示した本体部30Aの内部の構成要素との対応関係について説明する。まず、第1の回路21について説明する。第1のインダクタL11は、スルーホールT106,T206によって互いに接続された導体層111,311によって構成されている。第1のインダクタL12は、スルーホールT107,T207によって互いに接続された導体層112,312によって構成されている。第1のキャパシタC11は、導体層113,213と、導体層113,213の間の誘電体層31とによって構成されている。
 次に、第2の回路22について説明する。第2のインダクタL21は、スルーホールT109,T209によって互いに接続された導体層121,321によって構成されている。第2のインダクタL22は、スルーホールT110,T210によって互いに接続された導体層122,322によって構成されている。第2のキャパシタC21は、導体層123,223と、導体層123,223の間の誘電体層31とによって構成されている。
 次に、第3の回路23について説明する。第3のキャパシタC31は、導体層131,231と、導体層131,231の間の誘電体層31とによって構成されている。第3のキャパシタC32は、導体層131,232と、導体層131,232の間の誘電体層31とによって構成されている。第4のキャパシタC33は、導体層132,233と、導体層132,233の間の誘電体層31とによって構成されている。第4のキャパシタC34は、導体層132,234と、導体層132,234の間の誘電体層31とによって構成されている。第3のインダクタL31は、スルーホールT118,T228によって互いに接続された導体層135,335によって構成されている。抵抗素子R31は、導体層136によって構成されている。
 次に、整合回路24について説明する。整合回路用キャパシタC41は、導体層143,243と、導体層143,243の間の誘電体層31とによって構成されている。整合回路用インダクタL41は、スルーホールT121,T221によって互いに接続された導体層141,341によって構成されている。整合回路用インダクタL42は、スルーホールT122,T222によって互いに接続された導体層142,342によって構成されている。
 次に、本実施の形態に係る電子部品1および通信機器100の作用および効果について説明する。本実施の形態係る電子部品1は、分配および合成器である。分配および合成器の特性を表す主要なパラメータの1つに、アイソレーションがある。電子部品1のアイソレーションの定義は、以下の通りである。第2の入出力ポート12に電力P20の高周波信号が入力された場合に、第3の入出力ポート13から出力される信号の電力をP23とする。アイソレーションIは、以下の式(1)で定義される。
 I=10log(P23/P20)  …(1)
 アイソレーションIは、例えば-10dB以下であることが好ましい。本実施の形態では、第2の入出力ポート12と第3の入出力ポート13との間に、第1および第2の回路21,22の各々と複素共役の関係になる回路構成を有する第3の回路23が設けられている。これにより、本実施の形態によれば、アイソレーションIが所定の大きさ以下になる周波数帯域を広くすることができる。
 以下、シミュレーションの結果を参照して、本実施の形態の効果について説明する。始めに、シミュレーションで用いた第1の実施例のモデルと比較例のモデルについて説明する。第1の実施例のモデルは、本実施の形態に係る電子部品1のモデルである。比較例のモデルは、一般的なウィルキンソン型の分配および合成器である比較例の電子部品51のモデルである。
 図12は、比較例の電子部品51の回路構成を示す回路図である。比較例の電子部品51は、第1の入出力ポート11と、第2の入出力ポート12と、第3の入出力ポート13と、インダクタL51,L52と、キャパシタC51と、抵抗素子R51とを備えている。インダクタL51は、第1の入出力ポート11と第2の入出力ポート12との間に設けられている。インダクタL52は、第1の入出力ポート11と第3の入出力ポート13との間に設けられている。抵抗素子R51は、第2の入出力ポート12と第3の入出力ポート13との間に設けられている。キャパシタC51は、その一端がインダクタL51および抵抗素子R51の各々の一端に接続され、その他端がインダクタL51および抵抗素子R51の各々の他端に接続されている。
 シミュレーションでは、第1の実施例のモデルと比較例のモデルの各々について、アイソレーションと、挿入損失と、第1の入出力ポート11の反射損失と、第2の入出力ポート12の反射損失を求めた。なお、電子部品1の挿入損失と反射損失の定義は、以下の通りである。第1の入出力ポート11に電力P10の電力が入力された場合に、第1の入出力ポート11で反射される信号の電力をP11、第2の入出力ポート12から出力される信号の電力をP12とする。また、第2の入出力ポート12に電力P20の高周波信号が入力された場合に、第2の入出力ポート12で反射される信号の電力をP22、第1の入出力ポート11から出力される信号の電力をP21とする。挿入損失ILと、第1の入出力ポート11の反射損失RL1と、第2の入出力ポート12の反射損失RL2は、それぞれ下記の式(2)~(4)で定義される。
  IL=10log(P12/P10)  …(2)
 RL1=10log(P11/P10)  …(3)
 RL2=10log(P22/P20)  …(4)
 比較例の電子部品51のアイソレーション、挿入損失、第1の入出力ポート11の反射損失および第2の入出力ポート12の反射損失の定義は、電子部品1のアイソレーションI、挿入損失IL、第1の入出力ポート11の反射損失RL1および第2の入出力ポート12の反射損失RL2の定義と同じである。
 図13は、比較例のモデルにおけるアイソレーションの周波数特性を示す特性図である。図13において、横軸は周波数、縦軸はアイソレーションである。比較例のモデルでは、周波数が4729~5304MHzの範囲内の場合に、アイソレーションが-10dB以下になった。従って、アイソレーションが-10dB以下になる帯域幅は、575MHzであった。また、帯域幅を中心周波数で割った値である比帯域幅は、11.5%であった。
 図14は、比較例のモデルにおける挿入損失の周波数特性を示す特性図である。図14において、横軸は周波数、縦軸は挿入損失である。挿入損失を-x(dB)と表すと、xの値は、5000MHzにおいて、3.54であった。
 図15は、比較例のモデルにおける第1の入出力ポート11の反射損失の周波数特性を示す特性図である。図16は、比較例のモデルにおける第2の入出力ポート12の反射損失の周波数特性を示す特性図である。図15および図16の各々において、横軸は周波数、縦軸は反射損失である。第1の入出力ポート11の反射損失を-r1(dB)と表すと、r1の値は、2400MHzにおいて9.56であり、5000MHzにおいて9.52であり、6000MHzにおいて9.50であった。また、第2の入出力ポート12の反射損失を-r2(dB)と表すと、r2の値は、2400MHzにおいて9.66であり、5000MHzにおいて15.28であり、6000MHzにおいて11.1であった。
 図17は、第1の実施例のモデルにおけるアイソレーションの周波数特性を示す特性図である。図17において、横軸は周波数、縦軸はアイソレーションである。第1の実施例のモデルでは、周波数が2015~8228MHzの範囲の場合に、アイソレーションが-10dB以下になった。従って、アイソレーションが-10dB以下になる帯域幅は、6213MHzであった。また、帯域幅を中心周波数で割った値である比帯域幅は、121.3%であった。
 図18は、第1の実施例のモデルにおける挿入損失の周波数特性を示す特性図である。図18において、横軸は周波数、縦軸は挿入損失である。挿入損失を-x(dB)と表すと、xの値は、2400MHzにおいて3.52であり、6000MHzにおいて3.34であった。
 図19は、第1の実施例のモデルにおける第1の入出力ポート11の反射損失の周波数特性を示す特性図である。図20は、第1の実施例のモデルにおける第2の入出力ポート12の反射損失の周波数特性を示す特性図である。図19および図20の各々において、横軸は周波数、縦軸は反射損失である。第1の入出力ポート11の反射損失を-r1(dB)と表すと、r1の値は、2400MHzにおいて18.05であり、5000MHzにおいて19.27であり、6000MHzにおいて29.86であった。また、第2の入出力ポート12の反射損失を-r2(dB)と表すと、r2の値は、2400MHzにおいて19.27であり、5000MHzにおいて29.41であり、6000MHzにおいて28.93であった。
 図13および図17に示した結果から、第1の実施例のモデルにおいてアイソレーションが-10dB以下になる帯域幅は、比較例のモデルにおいてアイソレーションが-10dB以下になる帯域幅の10.8倍になることが分かる。このように、本実施の形態によれば、アイソレーションが所定の大きさ以下になる周波数帯域を広くすることができる。また、図18ないし図20に示した結果から、第1の実施例のモデルでは、例えば2400~6000MHzの広い周波数帯域において、実用上、十分な特性を有することが分かる。このように、本実施の形態によれば、広い周波数帯域において電子部品1を使用することができる。
 なお、比較例の電子部品51において、アイソレーションが-10dB以下になる帯域幅を、本実施の形態に係る電子部品1と同等の幅にする方法としては、例えば、日本国特開2000-77873号公報に記載されているように、インダクタL51,L52、キャパシタC51および抵抗素子R51からなる回路部分を複数段(例えば10段以上)縦続接続することが考えられる。しかし、そうすると、電子部品51が大型化してしまう。これに対し、本実施の形態によれば、電子部品1を大型化することなく、アイソレーションが所定の大きさ以下になる周波数帯域を広くすることができる。
[第2の実施の形態]
 次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。始めに、図21および図22を参照して、本実施の形態に係る電子部品の構成について説明する。図21は、本実施の形態に係る電子部品の構成を示すブロック図である。図22は、本実施の形態に係る電子部品の回路構成を示す回路図である。
 本実施の形態に係る電子部品61の構成は、整合回路24が設けられていない点を除いて、第1の実施の形態に係る電子部品1の構成と同じである。本実施の形態では、第1の入出力ポート11は、節点NDに接続されている。
 次に、シミュレーションの結果を参照して、本実施の形態に係る電子部品61の特性の一例について説明する。シミュレーションでは、本実施の形態に係る電子部品61のモデルである第2の実施例のモデルを用いて、アイソレーションと、挿入損失と、第1の入出力ポート11の反射損失と、第2の入出力ポート12の反射損失を求めた。なお、本実施の形態に係る電子部品61のアイソレーション、挿入損失、第1の入出力ポート11の反射損失および第2の入出力ポート12の反射損失の定義は、第1の実施の形態に係る電子部品1のアイソレーションI、挿入損失IL、第1の入出力ポート11の反射損失RL1および第2の入出力ポート12の反射損失RL2の定義と同じである。
 図23は、第2の実施例のモデルにおけるアイソレーションの周波数特性を示す特性図である。図23において、横軸は周波数、縦軸はアイソレーションである。第2の実施例のモデルでは、周波数が1805~7983MHzの範囲内の場合に、アイソレーションが-10dB以下になった。従って、アイソレーションが-10dB以下になる帯域幅は、6178MHzであった。また、帯域幅を中心周波数で割った値である比帯域幅は、126.2%であった。
 図24は、第2の実施例のモデルにおける挿入損失の周波数特性を示す特性図である。図24において、横軸は周波数、縦軸は挿入損失である。挿入損失を-x(dB)と表すと、xの値は、2400MHzにおいて3.57であり、6000MHzにおいて3.28であった。
 図25は、第2の実施例のモデルにおける第1の入出力ポート11の反射損失の周波数特性を示す特性図である。図26は、第2の実施例のモデルにおける第2の入出力ポート12の反射損失の周波数特性を示す特性図である。図25および図26の各々において、横軸は周波数、縦軸は反射損失である。第1の入出力ポート11の反射損失を-r1(dB)と表すと、r1の値は、2400MHzにおいて10.66であり、5000MHzにおいて17.03であり、6000MHzにおいて39.21であった。また、第2の入出力ポート12の反射損失を-r2(dB)と表すと、r2の値は、2400MHzにおいて11.62であり、5000MHzにおいて22.65であり、6000MHzにおいて29.34であった。
 図25に示した結果から、第2の実施例のモデルにおいてアイソレーションが-10dB以下になる帯域幅は、第1の実施の形態で説明した、第1の実施例のモデルにおいてアイソレーションが-10dB以下になる帯域幅とほぼ同じであることが分かる。このように、本実施の形態によれば、アイソレーションが所定の大きさ以下になる周波数帯域を広くすることができる。また、図24ないし図26に示した結果から、第2の実施例のモデルでは、例えば2400~6000MHzの広い周波数帯域において、実用上、十分な特性を有することが分かる。このように、本実施の形態によれば、広い周波数帯域において電子部品61を使用することができる。
 本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第1の実施の形態と同様である。
[第3の実施の形態]
 次に、図27を参照して、本発明の第3の実施の形態について説明する。本実施の形態に係る電子部品71は、以下の点で、第2の実施の形態に係る電子部品61と異なっている。本実施の形態に係る電子部品71は、第2の実施の形態における第1ないし第3の回路21~23の代わりに、第1の回路26、第2の回路27および第3の回路28を備えている。電子部品71における第1ないし第3の回路26~28の回路構成上の配置は、第2の実施の形態に係る電子部品61における第1ないし第3の回路21~23の回路構成上の配置と同じである。第3の回路28は、第1および第2の回路26,27の各々と複素共役の関係になる回路構成を有している。第1ないし第3の回路26~28の機能は、それぞれ、第2の実施の形態における第1ないし第3の回路21~23の機能と同じである。
 第1の回路26は、第1の入出力ポート11と第2の入出力ポート12とを接続する第1の経路P1に設けられた少なくとも1つの第1のキャパシタと、第1の経路P1とグランドとの間に設けられた少なくとも1つの第1のインダクタとを含んでいる。第2の回路27は、第1の入出力ポート11と第3の入出力ポート13とを接続する第2の経路P2に設けられた少なくとも1つの第2のキャパシタと、第2の経路P2とグランドとの間に設けられた少なくとも1つの第2のインダクタとを含んでいる。
 第3の回路23は、少なくとも1つの第1のキャパシタに対して直列に接続された少なくとも1つの第3のインダクタと、少なくとも1つの第2のキャパシタに対して直列に接続された少なくとも1つの第4のインダクタと、少なくとも1つの第3のキャパシタとを含んでいる。第3の回路23は、更に、抵抗素子R81を含んでいる。少なくとも1つの第3のキャパシタおよび抵抗素子R81は、少なくとも1つの第3のインダクタと少なくとも1つの第4のインダクタとの間に並列に設けられている。第3の回路28の回路構成は、少なくとも1つの第3のキャパシタおよび抵抗素子R81を中心として対称な構成である。
 以下、図27を参照して、本実施の形態に係る電子部品71の具体的な回路構成について説明する。図27に示したように、第1の回路26は、2つの第1のキャパシタC61,C62と、1つの第1のインダクタL61とを含んでいる。第1のキャパシタC61の一端は、節点NDに接続されている。第1のキャパシタC61の他端は、第1のキャパシタC62の一端と第1のインダクタL61の一端に接続されている。第1のキャパシタC62の他端は、第2の入出力ポート12に接続されている。第1のインダクタL61の他端は、グランドに接続される。
 第2の回路27の構成は、第1の回路26の構成と同様である。すなわち、第2の回路27は、2つの第2のキャパシタC71,C72と、1つの第2のインダクタL71とを含んでいる。第2のキャパシタC71の一端は、節点NDに接続されている。第2のキャパシタC71の他端は、第2のキャパシタC72の一端と第2のインダクタL71の一端に接続されている。第2のキャパシタC72の他端は、第3の入出力ポート13に接続されている。第2のインダクタL71の他端は、グランドに接続される。
 第3の回路28は、第1のキャパシタC61,C62に対して直列に接続された2つの第3のインダクタL81,L82と、第2のキャパシタC71,C72に対して直列に接続された2つの第4のインダクタL83,L84と、1つの第3のキャパシタC81とを含んでいる。第3のインダクタL81の一端は、第1のキャパシタC62の他端と第2の入出力ポート12に接続されている。第3のインダクタL81の他端は、第3のインダクタL82の一端と第3のキャパシタC81の一端に接続されている。第4のインダクタL83の一端は、第2のキャパシタC72の他端と第3の入出力ポート13に接続されている。第4のインダクタL83の他端は、第4のインダクタL84の一端と第3のキャパシタC81の他端に接続されている。
 第3のインダクタL82の他端は、抵抗素子R81の一端に接続されている。第4のインダクタL84の他端は、抵抗素子R81の他端に接続されている。
 なお、電子部品71は、第1の実施の形態に係る電子部品1と同様に、回路構成上、第1の入出力ポート11と第1および第2の回路26,27との間に設けられた整合回路を備えていてもよい。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第1または第2の実施の形態と同様である。
[第4の実施の形態]
 次に、本発明の第4の実施の形態について説明する。始めに、図28および図29を参照して、本実施の形態に係る電子部品の構成について説明する。図28は、本実施の形態に係る電子部品の構成を示すブロック図である。図29は、本実施の形態に係る電子部品の回路構成を示す回路図である。
 本実施の形態に係る電子部品401の構成は、基本的には、第1の実施の形態に係る電子部品1の構成と同じである。すなわち、電子部品401は、第1ないし第3の入出力ポート11~13と、第1ないし第3の回路21~23と、整合回路24とを備えている。
 第1ないし第3の回路21~23および整合回路24の構成は、以下の点を除いて、第1の実施の形態と同じである。本実施の形態では、第1の回路21と第2の回路22は、第3の回路23を経由しない複数の経路によって接続されている。本実施の形態では特に、第1の回路21と第2の回路22は、節点NDを経由する1つの経路と、節点NDおよび第3の回路23を経由しない他の1つの経路によって接続されている。第1の回路21と第2の回路22は、いずれも、グランドに接続されていない。
 図29に示したように、本実施の形態では、第1の回路21の第1のキャパシタC11と、第2の回路22の第2のキャパシタC21が、互いに接続されている。第1のキャパシタC11と第2のキャパシタC21を接続する経路は、上述の「節点NDおよび第3の回路23を経由しない他の1つの経路」に対応する。
 また、第3の回路23は、第1の実施の形態における第3のインダクタL31および抵抗素子R31の代わりに、直列に接続された2つのインダクタL31A,L31Bと、直列に接続された2つの抵抗素子R31A,R31Bとを含んでいる。インダクタL31Aの一端は、第3のキャパシタC31,C32の各一端に接続されている。インダクタL31Bの一端は、第4のキャパシタC33,C34の各一端に接続されている。インダクタL31A,L31Bのそれぞれの他端は、互いに接続されている。
 抵抗素子R31Aの一端は、第3のキャパシタC32の他端に接続されている。抵抗素子R31Bの一端は、第4のキャパシタC34の他端に接続されている。抵抗素子R31A,R31Bのそれぞれの他端は、互いに接続されている。
 次に、シミュレーションの結果を参照して、本実施の形態に係る電子部品401の特性の一例について説明する。シミュレーションでは、本実施の形態に係る電子部品401のモデルである第3の実施例のモデルを用いて、アイソレーションと、挿入損失と、第1の入出力ポート11の反射損失と、第2の入出力ポート12の反射損失を求めた。なお、本実施の形態に係る電子部品1のアイソレーション、挿入損失、第1の入出力ポート11の反射損失および第2の入出力ポート12の反射損失の定義は、第1の実施の形態に係る電子部品1のアイソレーションI、挿入損失IL、第1の入出力ポート11の反射損失RL1および第2の入出力ポート12の反射損失RL2の定義と同じである。
 図30は、第3の実施例のモデルにおけるアイソレーションの周波数特性を示す特性図である。図30において、横軸は周波数、縦軸はアイソレーションである。第3の実施例のモデルでは、周波数が3574~5719MHzの範囲内の場合に、アイソレーションが-10dB以下になった。従って、アイソレーションが-10dB以下になる帯域幅は、2145MHzであった。また、帯域幅を中心周波数で割った値である比帯域幅は、46.2%であった。
 図31は、第3の実施例のモデルにおける挿入損失の周波数特性を示す特性図である。図24において、横軸は周波数、縦軸は挿入損失である。挿入損失を-x(dB)と表すと、xの値は、3574MHzにおいて3.62であり、5179MHzにおいて3.55であった。
 図32は、第3の実施例のモデルにおける第1の入出力ポート11の反射損失の周波数特性を示す特性図である。図33は、第3の実施例のモデルにおける第2の入出力ポート12の反射損失の周波数特性を示す特性図である。図32および図33の各々において、横軸は周波数、縦軸は反射損失である。第1の入出力ポート11の反射損失を-r1(dB)と表すと、r1の値は、3574MHzにおいて13.17であり、5179MHzにおいて11.13であった。また、第2の入出力ポート12の反射損失を-r2(dB)と表すと、r2の値は、3574MHzにおいて20.09であり、5179MHzにおいて21.83であった。
 図30に示した結果から、第3の実施例のモデルにおいてアイソレーションが-10dB以下になる帯域幅は、第1の実施の形態で説明した、比較例のモデルにおいてアイソレーションが-10dB以下になる帯域幅よりも広いことが分かる。このように、本実施の形態によれば、アイソレーションが所定の大きさ以下になる周波数帯域を広くすることができる。また、図31ないし図33に示した結果から、第3の実施例のモデルでは、例えば3574~5719MHzの広い周波数帯域において、実用上、十分な特性を有することが分かる。このように、本実施の形態によれば、広い周波数帯域において電子部品401を使用することができる。
 なお、本実施の形態に係る電子部品401は、第2の実施の形態に係る電子部品61と同様に、整合回路24が設けられていなくてもよい。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第1または第2の実施の形態と同様である。
[第5の実施の形態]
 次に、図34および図35を参照して、本発明の第5の実施の形態について説明する。図34は、本実施の形態に係る電子部品の構成を示すブロック図である。図35は、本実施の形態に係る電子部品の回路構成を示す回路図である。
 本実施の形態に係る電子部品501の構成は、以下の点で、第4の実施の形態に係る電子部品401の構成と異なっている。電子部品501は、第1ないし第3の入出力ポート11~13、第1ないし第3の回路21~23および整合回路24に加えて、第4の入出力ポート14と、第4の回路524と、第5の回路525とを備えている。
 第4の回路524は、回路構成上、第1の入出力ポート11と第4の入出力ポート14との間に設けられている。第4の回路524は、第1ないし第3の回路21~23と同様に、第4の回路524のインピーダンスを所定の値(例えば50Ω)に調整するために用いられる特性インピーダンス変換回路である。
 本実施の形態では、第2の回路22は、第3の回路23を経由しない複数の経路によって第1の回路21に接続されると共に、第5の回路525を経由しない複数の経路によって第4の回路524に接続されている。本実施の形態では特に、第2の回路22と第4の回路524は、節点NDを経由する1つの経路と、節点NDおよび第5の回路525を経由しない他の1つの経路によって接続されている。第1、第2および第4の回路21,22,524は、いずれも、グランドに接続されていない。
 図35に示したように、第4の回路524の構成は、第1および第2の回路21,22の構成と同様である。すなわち、第4の回路524は、2つのインダクタL241,L242と、1つのキャパシタC241とを含んでいる。インダクタL241の一端は、節点NDに接続されている。インダクタL241の他端は、インダクタL242の一端とキャパシタC241の一端に接続されている。インダクタL242の他端は、第4の入出力ポート14に接続されている。キャパシタC241の他端は、第1の回路21の第1のキャパシタC11と第2の回路22の第2のキャパシタC21との接続点に接続されている。
 図35に示したように、第2の回路22の第2のキャパシタC21と、第4の回路524のキャパシタC241は、互いに接続されている。第2のキャパシタC21とキャパシタC241を接続する経路は、上述の「節点NDおよび第5の回路525を経由しない他の1つの経路」に対応する。
 第5の回路525は、回路構成上、第3の入出力ポート13と第4の入出力ポート14との間に設けられている。第5の回路525は、第3の回路23と同様に、第3の入出力ポート13と第4の入出力ポート14の一方に信号が入力された場合に、第3の入出力ポート13と第4の入出力ポート14の他方に流れる信号を吸収するための信号吸収回路である。第5の回路525は、第2および第4の回路22,524の各々と複素共役の関係になる回路構成を有している。すなわち、第5の回路525を構成する素子が、第2および第4の回路22,524の各々を構成する素子に対して複素共役の関係になるように、第5の回路525に設けられている。
 電子部品1は、更に、第1の副回路511と、第2の副回路512と、第3の副回路513とを備えている。第1ないし第3の副回路511~513は、互いに接続されている。第3の回路23は、第1および第2の副回路511,512によって構成されている。第5の回路525は、第2および第3の副回路512,513によって構成されている。第2の副回路512は、第3の回路23と第5の回路525の両方に用いられている。
 第1の副回路511は、第1のインダクタL11,L12に対して直列に接続された2つのキャパシタC311,C312と、インダクタL31Aと、抵抗素子R31Aとを含んでいる。第2の副回路512は、第2のインダクタL21,L22に対して直列に接続された2つのキャパシタC321,C322と、インダクタL31Bと、抵抗素子R31Bとを含んでいる。第3の副回路513は、インダクタL241,L242に対して直列に接続された2つのキャパシタC331,C332と、インダクタL31Cと、抵抗素子R31Cとを含んでいる。キャパシタC311,C312は、それぞれ、第4の実施の形態における第3のキャパシタC31,C32に相当し、キャパシタC321,C322は、それぞれ、第4の実施の形態における第4のキャパシタC33,C34に相当する。
 キャパシタC311の一端は、第1のインダクタL12と第2の入出力ポート12に接続されている。キャパシタC311の他端は、キャパシタC312の一端とインダクタL31Aの一端に接続されている。キャパシタC321の一端は、第2のインダクタL22と第3の入出力ポート13に接続されている。キャパシタC321の他端は、キャパシタC322の一端とインダクタL31Bの一端に接続されている。キャパシタC331の一端は、インダクタL242と第4の入出力ポート14に接続されている。キャパシタC331の他端は、キャパシタC332の一端とインダクタL31Cの一端に接続されている。インダクタL31A,L31B,L341Cのそれぞれの他端は、互いに接続されている。
 キャパシタC312の他端は、抵抗素子R31Aの一端に接続されている。キャパシタC322の他端は、抵抗素子R31Bの一端に接続されている。キャパシタC332の他端は、抵抗素子R31Cの一端に接続されている。抵抗素子R31A,R31B,R31Cのそれぞれの他端は、互いに接続されている。
 本実施の形態では、第3の回路23は、キャパシタC311,C312,C321,C322と、インダクタL31A,L31Bと、抵抗素子R31A,R31Bとを含んでいる。第5の回路525は、キャパシタC321,C322,C331,C332と、インダクタL31B,L31Cと、抵抗素子R31B,R31Cとを含んでいる。キャパシタC321,C322、インダクタL31Bおよび抵抗素子R31Bは、第3の回路23と第5の回路525の両方に用いられている。
 なお、本実施の形態に係る電子部品501は、第2の回路22、第4の回路524および第5の回路525に注目すると、第2の回路22が本発明の「第1の回路」と「第2の回路」の一方に対応し、第4の回路524が本発明の「第1の回路」と「第2の回路」の他方に対応し、第5の回路525が本発明の「第3の回路」に対応するとみなすこともできる。この場合、本実施の形態に係る電子部品501は、「第1の回路」と「第2の回路」の一方を2つ備え、「第1の回路」と「第2の回路」の他方を1つ備え、「第3の回路」を2つ備えた電子部品とみなすことができる。
 本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第4の実施の形態と同様である。
 なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、請求の範囲の要件を満たす限り、分岐側の入出力ポートの数と、各回路のインダクタおよびキャパシタの数および配置は、各実施の形態に示した例に限られず、任意である。分岐側の入出力ポートの数は、2つまたは3つに限らず、4つ以上であってもよい。
 また、本発明の電子部品は、図1または図21に示した構成に加えて、フィルタ等の他の回路を含んでいてもよい。この場合、第1ないし第3の入出力ポート11~13のうち少なくとも1つは、積層体30の内部に設けられていてもよい。
 また、本発明の第1ないし第3の回路は、分配および合成器に限らず、分岐器、分路器、混合器、スプリッタ、デバイダ、コンバイナ、3dBハイブリッド等の種々の機能を有する電子部品に適用することができる。
 また、本発明の電子部品は、請求の範囲を満たす回路構成を有する限り、図5ないし図11を参照して説明した積層体30に限らず、低温同時焼成セラミック(LTCC)多層基板を用いて構成したり、ディスクリート素子、すなわちチップキャパシタ、チップインダクタおよびチップ抵抗を用いて構成したりすることができる。
 また、第3の実施の形態において、第1の回路26と第2の回路27は、第4の実施の形態における第1および第2の回路21,22と同様に、第3の回路28を経由しない複数の経路によって接続されていてもよい。具体的には、第1の回路27の第1のインダクタL61と、第2の回路27の第2のインダクタL71が、互いに接続されていてもよい。第1の回路26と第2の回路27は、いずれも、グランドに接続されていなくてもよい。
 また、第5の実施の形態において、第1、第2および第4の回路21,22,524は、第1の実施の形態における第1および第2の回路21,22と同様に、いずれもグランドに接続されていてもよい。この場合、第1の回路21の第1のキャパシタC11と、第2の回路22の第2のキャパシタC21と、第4の回路524のキャパシタC241は、互いに接続されていなくてもよい。

Claims (16)

  1.  第1の入出力ポートと、
     第2の入出力ポートと、
     第3の入出力ポートと、
     前記第1の入出力ポートと前記第2の入出力ポートとの間に設けられた特性インピーダンス変換回路である第1の回路と、
     前記第1の入出力ポートと前記第3の入出力ポートとの間に設けられた特性インピーダンス変換回路である第2の回路と、
     前記第2の入出力ポートと前記第3の入出力ポートとの間に設けられ、前記第1および第2の回路の各々と複素共役の関係になる回路構成を有する第3の回路とを備えたことを特徴とする電子部品。
  2.  前記第1ないし第3の回路の各々は、少なくとも1つのインダクタと少なくとも1つのキャパシタとを含み、
     前記第3の回路の前記少なくとも1つのインダクタは、前記第1および第2の回路の各々の前記少なくとも1つのキャパシタに対して複素共役の関係になるように前記第3の回路に設けられ、
     前記第3の回路の前記少なくとも1つのキャパシタは、前記第1および第2の回路の各々の前記少なくとも1つのインダクタに対して複素共役の関係になるように前記第3の回路に設けられていることを特徴とする請求項1記載の電子部品。
  3.  前記第1の回路は、前記少なくとも1つのインダクタおよび前記少なくとも1つのキャパシタとして、前記第1の入出力ポートと前記第2の入出力ポートとを接続する第1の経路に設けられた第1のインダクタと、前記第1の経路とグランドとの間に設けられた第1のキャパシタとを含み、
     前記第2の回路は、前記少なくとも1つのインダクタおよび前記少なくとも1つのキャパシタとして、前記第1の入出力ポートと前記第3の入出力ポートとを接続する第2の経路に設けられた第2のインダクタと、前記第2の経路と前記グランドとの間に設けられた第2のキャパシタとを含み、
     前記第3の回路は、前記少なくとも1つのインダクタおよび前記少なくとも1つのキャパシタとして、前記第1のインダクタに対して直列に接続された第3のキャパシタと、前記第2のインダクタに対して直列に接続された第4のキャパシタと、第3のインダクタとを含み、
     前記第3の回路は、更に、抵抗素子を含み、
     前記第3のインダクタおよび前記抵抗素子は、前記第3のキャパシタと前記第4のキャパシタとの間に並列に設けられていることを特徴とする請求項2記載の電子部品。
  4.  前記第1の回路は、前記少なくとも1つのインダクタおよび前記少なくとも1つのキャパシタとして、前記第1の入出力ポートと前記第2の入出力ポートとを接続する第1の経路に設けられた第1のインダクタと、第1のキャパシタとを含み、
     前記第2の回路は、前記少なくとも1つのインダクタおよび前記少なくとも1つのキャパシタとして、前記第1の入出力ポートと前記第3の入出力ポートとを接続する第2の経路に設けられた第2のインダクタと、第2のキャパシタとを含み、
     前記第1のキャパシタと前記第2のキャパシタは、互いに接続され、
     前記第3の回路は、前記少なくとも1つのインダクタおよび前記少なくとも1つのキャパシタとして、前記第1のインダクタに対して直列に接続された第3のキャパシタと、前記第2のインダクタに対して直列に接続された第4のキャパシタと、第3のインダクタとを含み、
     前記第3の回路は、更に、抵抗素子を含み、
     前記第3のインダクタおよび前記抵抗素子は、前記第3のキャパシタと前記第4のキャパシタとの間に並列に設けられていることを特徴とする請求項2記載の電子部品。
  5.  前記第3の回路の前記回路構成は、前記第3のインダクタおよび前記抵抗素子を中心として対称な構成である特徴とする請求項3または4記載の電子部品。
  6.  前記第1の回路は、前記少なくとも1つのインダクタおよび前記少なくとも1つのキャパシタとして、前記第1の入出力ポートと前記第2の入出力ポートとを接続する第1の経路に設けられた第1のキャパシタと、前記第1の経路とグランドとの間に設けられた第1のインダクタとを含み、
     前記第2の回路は、前記少なくとも1つのインダクタおよび前記少なくとも1つのキャパシタとして、前記第1の入出力ポートと前記第3の入出力ポートとを接続する第2の経路に設けられた第2のキャパシタと、前記第2の経路と前記グランドとの間に設けられた第2のインダクタとを含み、
     前記第3の回路は、前記少なくとも1つのインダクタおよび前記少なくとも1つのキャパシタとして、前記第1のキャパシタに対して直列に接続された第3のインダクタと、前記第2のキャパシタに対して直列に接続された第4のインダクタと、第3のキャパシタとを含み、
     前記第3の回路は、更に、抵抗素子を含み、
     前記第3のキャパシタと前記抵抗素子は、前記第3のインダクタと前記第4のインダクタとの間に並列に設けられていることを特徴とする請求項2記載の電子部品。
  7.  前記第3の回路の前記回路構成は、前記第3のキャパシタおよび前記抵抗素子を中心として対称な構成であることを特徴とする請求項6記載の電子部品。
  8.  前記第1の回路と前記第2の回路は、それぞれ、グランドに接続されていることを特徴とする請求項1または2記載の電子部品。
  9.  前記第1の回路と前記第2の回路は、前記第3の回路を経由しない複数の経路によって接続されていることを特徴とする請求項1または2記載の電子部品。
  10.  前記第1の回路と前記第2の回路は、いずれも、グランドに接続されていないことを特徴とする請求項9記載の電子部品。
  11.  更に、第4の入出力ポートと、
     前記第1の入出力ポートと前記第4の入出力ポートとの間に設けられた特性インピーダンス変換回路である第4の回路と、
     前記第3の入出力ポートと前記第4の入出力ポートとの間に設けられ、前記第2および第4の回路の各々と複素共役の関係になる回路構成を有する第5の回路とを備えたことを特徴とする請求項1ないし10のいずれかに記載の電子部品。
  12.  前記第2の回路は、前記第3の回路を経由しない複数の経路によって前記第1の回路に接続されると共に、前記第5の回路を経由しない複数の経路によって前記第4の回路に接続されていることを特徴とする請求項11記載の電子部品。
  13.  更に、前記第1の入出力ポートと前記第1および第2の回路との間に設けられた整合回路を備えたことを特徴とする請求項1ないし12のいずれかに記載の電子部品。
  14.  前記第1の回路、前記第2の回路および前記整合回路は、1つの節点から分岐し、
     前記整合回路は、前記第1の入出力ポートと前記節点とを接続する第3の経路に設けられた整合回路用キャパシタと、前記第3の経路とグランドとの間に設けられた整合回路用インダクタとを含むことを特徴とする請求項13記載の電子部品。
  15.  前記電子部品は、分配および合成器であることを特徴とする請求項1ないし14のいずれかに記載の電子部品。
  16.  請求項1ないし15のいずれかに記載の電子部品と、
     前記電子部品に接続される少なくとも1つのアンテナとを備えたことを特徴とする通信機器。
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