WO2022185695A1

WO2022185695A1 - 高周波回路

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Publication number: WO2022185695A1
Application number: PCT/JP2021/048525
Authority: WO
Inventors: 俊五十嵐; 宏上田; 傑山岸; 一郎桑山
Original assignee: 住友電気工業株式会社
Priority date: 2021-03-03
Filing date: 2021-12-27
Publication date: 2022-09-09
Also published as: JPWO2022185695A1; CN116918462A; DE112021007188T5

Abstract

高周波回路は、第１絶縁層と、第１絶縁層に直接、又は、１若しくは複数の中間層を挟んで積層される第２絶縁層と、第１絶縁層の両面を形成する第１面及び第２面のうち、第２絶縁層に対向しない第１面上に配置される第１グラウンドと、第１絶縁層及び第２絶縁層の間に配置され、第１の交流信号が供給される第１端部を有する第１配線、及び、第２の交流信号が供給される第２端部を有する第２配線と、第２絶縁層の両面を形成する第３面及び第４面のうち、第１絶縁層に対向しない第３面上に配置される第２グラウンドと、第４面に沿う方向に相互に離隔して配置された第１端部及び第２端部の間に位置し、第１絶縁層及び第２絶縁層を貫通して第１グラウンド及び第２グラウンドに接続される導電性の第１シールドビアとを含み、第１シールドビアの第２面に平行な断面は、直交する長辺及び短辺を有する仮想的な第１長方形に内接する。

Description

高周波回路

　本開示は、高周波回路に関する。本出願は、２０２１年３月３日出願の日本出願第２０２１－０３３１２２号に基づく優先権を主張し、前記日本出願に記載された全ての記載内容を援用するものである。

　特許文献１は、誘電体基板の表面グラウンド及び裏面グラウンドに電気的に接続された多数のシールドビアを備えた構造を開示している。

特開平８－２７４５１３号公報

　本開示のある局面に係る高周波回路は、第１絶縁層と、第１絶縁層に直接、又は、１若しくは複数の中間層を挟んで積層される第２絶縁層と、第１絶縁層の両面を形成する第１面及び第２面のうち、第２絶縁層に対向しない第１面上に配置される第１グラウンドと、第１絶縁層及び第２絶縁層の間に配置され、第１の交流信号が供給される第１端部を有する第１配線、及び、第２の交流信号が供給される第２端部を有する第２配線と、第２絶縁層の両面を形成する第３面及び第４面のうち、第１絶縁層に対向しない第３面上に配置される第２グラウンドと、第４面に沿う方向に相互に離隔して配置された第１端部及び第２端部の間に位置し、第１絶縁層及び第２絶縁層を貫通して第１グラウンド及び第２グラウンドに接続される導電性の第１シールドビアとを含み、第１シールドビアの第２面に平行な断面は、直交する長辺及び短辺を有する仮想的な第１長方形に内接する。

　本開示の別の局面に係る高周波回路は、第１絶縁層と、第１絶縁層に直接、又は、１若しくは複数の中間層を挟んで積層される第２絶縁層と、第１絶縁層の両面を形成する第１面及び第２面のうち、第２絶縁層に対向しない第１面上に配置される第１グラウンドと、第１絶縁層及び第２絶縁層の間に配置され、第１の交流信号が供給される第１端部を有する第１配線、及び、第２の交流信号が供給される第２端部を有する第２配線と、第２絶縁層の両面を形成する第３面及び第４面のうち、第１絶縁層に対向しない第３面上に配置される第２グラウンドと、第１絶縁層及び第２絶縁層の間に配置される第３グラウンドと、第４面に沿う方向に相互に離隔して配置された第１端部及び第２端部の間に位置し、第１絶縁層及び第２絶縁層の少なくとも一方の絶縁層を貫通して、第１グラウンド及び第２グラウンドのうち、第１端部及び第２端部を基準として、少なくとも一方の絶縁層と同じ側に位置するグラウンドと、第３グラウンドとに接続される導電性の第１シールドビアとを含み、第１シールドビアの第２面に平行な断面は、直交する長辺及び短辺を有する仮想的な第１長方形に内接する。

図１は、従来のシールドビアを示す平面図である。図２は、本開示の実施形態に係る高周波回路の概略構成を示す斜視図である。図３Ａは、図２に示した高周波回路の第１導電層を示す平面図である。図３Ｂは、図２に示した高周波回路の第２導電層を示す平面図である。図３Ｃは、図２に示した高周波回路の第３導電層を示す平面図である。図４は、実施形態に係る高周波回路のパッド付近を示す斜視図である。図５は、図２に示したＶ－Ｖ線で切断した断面図である。図６は、中間層のグラウンドとシールドビアとを示す斜視図である。図７は、パッド、配線及び接続ビアを分離して示す斜視図である。図８は、第１絶縁層を取除いてパッド付近を示す平面図である。図９は、第１変形例に係る高周波回路を示す断面図である。図１０は、第１変形例に係る高周波回路を示す斜視図である。図１１は、図１０に示したＸＩ－ＸＩ線で切断した断面図である。図１２は、第３変形例に係る高周波回路を示す斜視図である。図１３は、第４変形例に係る高周波回路を示す斜視図である。図１４は、６層構造の高周波回路を示す断面図である。図１５は、図１４とは別の６層構造の高周波回路を示す断面図である。図１６は、７層構造の高周波回路を示す断面図である。図１７は、図１６とは別の７層構造の高周波回路を示す断面図である。図１８は、第１のシミュレーション結果を示すグラフである。図１９は、第２のシミュレーション結果を示すグラフである。図２０は、第２のシミュレーション結果を示すグラフである。図２１は、第３のシミュレーションに関する細長いシールドビアの条件を示す平面図である。図２２は、第３のシミュレーションに関する円柱シールドビアの条件を示す平面図である。図２３は、第３のシミュレーション結果を示すグラフである。図２４は、第４のシミュレーションの条件を示す平面図である。図２５は、第４のシミュレーション結果を示すグラフである。

　［発明が解決しようとする課題］
　ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　Ｐｒｉｎｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）の回路基板の内部層に形成されるパターン配線に信号を供給する方法として、垂直給電が知られている。以下、回路基板の内部層に形成される配線を内部配線という。垂直給電においては、例えば、基板表面に形成されたパッドと、内部配線とをビアにより接続する構造を採用し、パッドに同軸コネクタを接触させて信号を供給する。隣接する配線パターンに高周波信号を流すと、クロストークが発生する。これを防止するために、配線に沿って、シールドスルーホール又はシールドビアを配置することが行われている。以下においては、「シールドビア」の用語はシールドスルーホールをも含む意味で使用する。シールドビアは、誘電体基板の厚さ方向に貫通する平面視円形の穴を誘電体基板に多数形成し、各穴内に銅等の導電体を設けることによって形成される。図１には、信号伝送路９０２を有する高周波回路９００において、信号伝送路９０２を囲むように多数のシールドビア９０４が形成された構造の例を示している。

　隣接する複数の内部配線に垂直給電する場合には、特に、内部配線への信号供給経路間における電磁波の漏洩によるクロストークが問題となる。ここで、「信号供給経路」とは、パッド、接続ビア及び配線端部を意味する。クロストークの対策として、隣接する信号供給経路間に、図１に示したような円柱状のシールドビア９０４を多数配置することが考えられる。しかし、隣接する信号供給経路の間隔が狭い場合には、図１に示すようにパッドの周囲に多数のビアを形成することはできない。例えば、基板が厚さ寸法０．３ｍｍと薄く、配線幅０．１ｍｍ程度、配線間ピッチ１ｍｍ未満であれば、φ０．１ｍｍオーダの細いビアを形成する必要があり、製造が困難である。また、端部間に一列に円柱状のシールドビアを形成しただけでは、シールドビア間の間隔部分により、隣接する端部間のクロストークを抑制できない問題がある。また、製造精度の影響を受けやすい問題もある。即ち、クロストークを抑制するために端部間に円柱状のシールドビアを配置する場合、シールドビアの位置がずれると十分にクロストークを抑制できない。

　したがって、本開示は、隣接する配線に交流信号を供給するための信号供給経路に発生する電磁波の漏洩によるクロストークを抑制した高周波回路を提供することを目的とする。

　［発明の効果］
　本開示によれば、隣接する配線に交流信号を供給するための信号供給経路において発生する電磁波の漏洩によるクロストークを抑制した高周波回路を提供できる。

　［本開示の実施形態の説明］
　本開示の実施形態の内容を列記して説明する。以下に記載する実施形態の少なくとも一部を任意に組合せてもよい。

　（１）本開示の第１の局面に係る高周波回路は、第１絶縁層と、第１絶縁層に直接、又は、１若しくは複数の中間層を挟んで積層される第２絶縁層と、第１絶縁層の両面を形成する第１面及び第２面のうち、第２絶縁層に対向しない第１面上に配置される第１グラウンドと、第１絶縁層及び第２絶縁層の間に配置され、第１の交流信号が供給される第１端部を有する第１配線、及び、第２の交流信号が供給される第２端部を有する第２配線と、第２絶縁層の両面を形成する第３面及び第４面のうち、第１絶縁層に対向しない第３面上に配置される第２グラウンドと、第４面に沿う方向に相互に離隔して配置された第１端部及び第２端部の間に位置し、第１絶縁層及び第２絶縁層を貫通して第１グラウンド及び第２グラウンドに接続される導電性の第１シールドビアとを含み、第１シールドビアの第２面に平行な断面は、直交する長辺及び短辺を有する仮想的な第１長方形に内接する。これにより、配線の端部付近における電磁波の漏洩により第１配線及び第２配線間に発生するクロストークを抑制できる。

　（２）本開示の第２の局面に係る高周波回路は、第１絶縁層と、第１絶縁層に直接、又は、１若しくは複数の中間層を挟んで積層される第２絶縁層と、第１絶縁層の両面を形成する第１面及び第２面のうち、第２絶縁層に対向しない第１面上に配置される第１グラウンドと、第１絶縁層及び第２絶縁層の間に配置され、第１の交流信号が供給される第１端部を有する第１配線、及び、第２の交流信号が供給される第２端部を有する第２配線と、第２絶縁層の両面を形成する第３面及び第４面のうち、第１絶縁層に対向しない第３面上に配置される第２グラウンドと、第１絶縁層及び第２絶縁層の間に配置される第３グラウンドと、第４面に沿う方向に相互に離隔して配置された第１端部及び第２端部の間に位置し、第１絶縁層及び第２絶縁層の少なくとも一方の絶縁層を貫通して、第１グラウンド及び第２グラウンドのうち、第１端部及び第２端部を基準として、少なくとも一方の絶縁層と同じ側に位置するグラウンドと、第３グラウンドとに接続される導電性の第１シールドビアとを含み、第１シールドビアの第２面に平行な断面は、直交する長辺及び短辺を有する仮想的な第１長方形に内接する。これにより、配線の端部付近における電磁波の漏洩により第１配線及び第２配線間に発生するクロストークを抑制できる。

　（３）好ましくは、第２面に平行な１つの平面内において、第１長方形の長辺と、第１端部及び第２端部を結ぶ直線とにより形成される鋭角は４５度以上である。これにより、第１配線及び第２配線間に発生するクロストークを効果的に抑制できる。また、クロストークの抑制効果への製造精度の影響を低減できる。

　（４）より好ましくは、第１絶縁層には、第１端部及び第２端部を露出させる開口が形成されている。これにより、第１配線及び第２配線間に発生するクロストークを効果的に抑制できる。また、片面から、即ち第２絶縁層側からの穴開け加工により、配線端部における電磁波の漏洩が原因となるクロストークを抑制した高周波回路を製造できる。

　（５）さらに好ましくは、高周波回路は、第１グラウンドから離隔されて第１面上にそれぞれ配置される導電性の第１パッド及び第２パッドと、第１絶縁層を貫通し、第１パッド及び第１端部を接続する導電性の第１接続ビアと、第１絶縁層を貫通し、第２パッド及び第２端部を接続する導電性の第２接続ビアとをさらに含み、第１シールドビアは、第１絶縁層及び第２絶縁層を貫通して第１グラウンド及び第２グラウンドに接続する。これにより、第１配線及び第２配線間に発生するクロストークをより効果的に抑制できる。

　（６）好ましくは、高周波回路は、第１絶縁層及び第２絶縁層のうち第１シールドビアにより貫通される絶縁層を貫通して、第１グラウンド及び第２グラウンドのうち第１シールドビアが接続されるグラウンドに接続され、第１端部を挟んで第１シールドビアに対向する導電性の第２シールドビアをさらに含み、第２シールドビアの第２面に平行な断面は、直交する長さが異なる２辺を有する仮想的な第２長方形に内接する。これにより、第１配線及び第２配線間に発生するクロストークを効果的に抑制できる。また、第１端部の側に存在する回路と、第１配線及び第２配線とのクロストークを抑制できる。

　（７）より好ましくは、高周波回路は、第１シールドビアにより貫通される絶縁層を貫通してグラウンドに接続され、第２端部を挟んで第１シールドビアに対向する導電性の第３シールドビアをさらに含み、第３シールドビアの第２面に平行な断面は、直交する長さが異なる２辺を有する仮想的な第３長方形に内接する。これにより、第１配線及び第２配線間に発生するクロストークを効果的に抑制できる。また、第２端部の側に存在する回路と、第１配線及び第２配線とのクロストークを抑制できる。

　（８）さらに好ましくは、高周波回路は、第２面上において、第１配線に対して第１シールドビアの反対側に配置され、第３の交流信号が供給される第３端部を有する第３配線をさらに含み、第１の交流信号及び第３の交流信号は、差動信号である。これにより、差動信号を伝送する配線ペア、即ち第１配線及び第３配線と第２配線との間に発生するクロストークを抑制できる。

　（９）好ましくは、高周波回路は、第２面上において、第２配線に対して第１シールドビアの反対側に配置され、第４の交流信号が供給される第４端部を有する第４配線をさらに含み、第２の交流信号及び第４の交流信号は、差動信号である。これにより、差動信号を伝送する２組の配線ペア間、即ち、第１配線及び第３配線と第２配線及び第４配線との間に発生するクロストークを抑制できる。

　（１０）より好ましくは、第１シールドビアは、第１端部及び第２端部間の中央を含むように配置される。これにより、第１配線及び第２配線間に発生するクロストークを効果的に抑制できる。

　（１１）さらに好ましくは、第１長方形の中心は、第１端部及び第２端部間の中央よりも、第１配線及び第２配線が存在する側に位置する。これにより、第１配線及び第２配線間に発生するクロストークをより効果的に抑制できる。

　（１２）好ましくは、第１長方形の長辺の長さは、第１長方形の短辺の長さの１．５倍以上である。これにより、第１配線及び第２配線間に発生するクロストークを確実に抑制できる。

　（１３）より好ましくは、第１長方形の長辺の長さは、第１端部及び第２端部間の距離の１／２以上である。これにより、第１配線及び第２配線間に発生するクロストークをより確実に抑制できる。

　［本開示の実施形態の詳細］
　以下の実施形態においては、同一の部品には同一の参照番号を付してある。それらの名称及び機能も同一である。したがって、それらについての詳細な説明は繰返さない。

　図２を参照して本開示の実施形態に係る高周波回路１００は、相互に積層される２層の絶縁層と、３層の導電層とを含む。高周波回路１００の内部には配線が配置されており、その内部配線に対する外部からの交流信号の供給は、第１コネクタ２００及び第２コネクタ２０２を用いた垂直給電により行われる。第１コネクタ２００及び第２コネクタ２０２の各々は、交流信号を伝送する中心導体２０４と外導体２０６とを含む。交流信号は、例えば周波数１０ｋＨｚ以上の高周波信号を含む。図２において、１点鎖線の楕円内に高周波回路１００の主たる構成要素を分解して示している。即ち、高周波回路１００は、第１絶縁層１０２及び第２絶縁層１０４と、第１導電層１０６、第２導電層１０８及び第３導電層１１０と、複数のビア１１２とを含む。第１導電層１０６は第１絶縁層１０２の上側に積層される。第２導電層１０８は第２絶縁層１０４の下側に積層される。第３導電層１１０は第１絶縁層１０２及び第２絶縁層１０４の間に積層される。複数のビア１１２は、後述するように２種類のシールドビアを含む。ビア１１２は、第３導電層１１０の表面及び裏面から突出している。第１導電層１０６の上側及び第２導電層１０８の下側には、図示していない保護用の絶縁部材が配置されていてもよい。便宜上、図２に示したように、直交するＸＹＺ軸を設定する。

　第１絶縁層１０２及び第２絶縁層１０４は、所定厚さの誘電体により形成されている。誘電体は、例えば、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、ＰＰＥ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅｅｔｈｅｒ）、ポリイミド又はＬＣＰ（Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｐｏｌｙｍｅｒ）等を含む。誘電体は、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、ＰＰＥ及びポリイミド等のうちのいずれかとガラスクロスとを含むＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒ　Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ　Ｐｌａｓｔｉｃｓ）であってもよい。第１絶縁層１０２及び第２絶縁層１０４は、同じ誘電体により形成されていても、異なる誘電体により形成されていてもよい。第１導電層１０６、第２導電層１０８、第３導電層１１０及びビア１１２は、所定厚さの銅等の導電部材により形成されている。高周波回路１００は、例えば、リジッドなＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ　Ｂｏａｒｄ）又はＦＰＣ等である。

　図３Ａを参照して、第１導電層１０６は、第１グラウンド１２０、第１パッド１３０及び第２パッド１３２を含む。第１パッド１３０及び第２パッド１３２の各々の周りには離隔領域１３４が形成されており、第１パッド１３０、第２パッド１３２及び第１グラウンド１２０は相互に離隔され、電気的に絶縁されている。図２に示した第１コネクタ２００の中心導体２０４は第１パッド１３０に接触し、第１コネクタ２００の外導体２０６は第１パッド１３０の周囲の第１グラウンド１２０に接触する。同様に、図２に示した第２コネクタ２０２の中心導体２０４は第２パッド１３２に接触し、第２コネクタ２０２の外導体２０６は第２パッド１３２の周囲の第１グラウンド１２０に接触する。第１パッド１３０及び第２パッド１３２の各々は、所定厚さの１辺の長さＬ１の正方形である。離隔領域１３４の各々の外周形状は１辺の長さＬ２の正方形である。Ｌ２はＬ１よりも大きい。第１パッド１３０の中心及び第２パッド１３２の中心は相互に、Ｘ軸方向に間隔Ｐ１で離隔されている。例えば、第１グラウンド１２０、第１パッド１３０及び第２パッド１３２の厚さは等しい。図３Ｂを参照して、第２導電層１０８は、所定厚さの第２グラウンド１２２を含む。第１導電層１０６及び第２導電層１０８には、後述する第３導電層１１０に形成される各孔と同じ形状及び大きさの孔が、対応する位置に形成されている。即ち、第１導電層１０６、第２導電層１０８及び第３導電層１１０が積層された場合、それらに形成された対応する孔は重なる。

　図３Ｃを参照して、第３導電層１１０は、所定厚さの第３グラウンド１２４と、第１配線１３６及び第２配線１３８とを含む。第１配線１３６及び第２配線１３８は、それぞれ第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅを含む。図３Ａに示した第１グラウンド１２０、図３Ｂに示した第２グラウンド１２２及び第３グラウンド１２４は後述するシールドビアを介して相互に接続され、同電位になる。第１配線１３６及び第２配線１３８の各々の周りには離隔領域１４４が形成されており、第１配線１３６、第２配線１３８及び第３グラウンド１２４は相互に電気的に絶縁されている。第３グラウンド１２４において、第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅの間、並びに、第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅの両側に長孔１４０が形成されている。また、第３グラウンド１２４において、Ｙ軸方向に延伸する第１配線１３６及び第２配線１３８に沿って、長孔１４０と共に３列を構成する複数の円形孔１４２が形成されている。各列において、長孔１４０及び複数の円形孔１４２は相互に、Ｙ軸方向の間隔Ｐ２で等間隔に配置されている。第１配線１３６及び第２配線１３８の各々は、幅Ｗ１を有している。長孔１４０及び円形孔１４２により形成される３列、並びに、第１配線１３６及び第２配線１３８は、間隔Ｐ３で等間隔に配置されている。第１配線１３６及び第２配線１３８により、高周波回路１００とは別の目的の回路に交流信号が伝達される。別の目的の回路は、信号処理回路又はアンテナ等を含んでいてもよい。

　第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅの各々は、直交する２辺の長さＬ３及びＬ４が異なる長方形である。本開示において長方形とは、正方形を含まない狭義の長方形を意味する。第１配線１３６及び第２配線１３８各々の延伸部分の周りに形成されている離隔領域１４４は、幅Ｗ２を有する。第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅの周りの各離隔領域１４４は、長さＬ５及びＬ６の直交する２辺を有する。Ｌ５はＬ３よりも大きく、Ｌ６はＬ４よりも大きい。

　各長孔１４０は、細長い形状であり、直交する２辺の長さが異なる仮想的な長方形に内接する。図３Ｃには、仮想的な長方形を図示していない。長孔１４０に外接する仮想的な長方形の直交する２辺は、長さＬ７及びＬ８である。Ｌ７はＬ８よりも大きい。長孔１４０に外接する仮想的な長方形の長辺は、第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅを結ぶ直線に垂直である。第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅを結ぶ直線は、例えば、第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅの中心間を結ぶ直線である。３つの長孔１４０、第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅの各々の中心の位置は、Ｙ座標が同じである。具体的には、長孔１４０は、長手方向の両端部が半円であり、半円の直径は長さＬ８であり、２つの半円の対向する２組の端点が長さＬ７－Ｌ８の２本の線分でそれぞれ接続された形状である。以下、長孔１４０の形状を角丸長方形ともいう。各円形孔１４２は、直径Ｄ１の円である。後述するように、長孔１４０及び円形孔１４２にはシールドビアが配置される。シールドビアは筒状又は柱状であり、第３導電層１１０から突出する所定高さを有している。シールドビアのＺ軸に垂直な断面の外形は、対応する長孔１４０又は円形孔１４２と同じ形状及び同じ大きさである。以下、Ｚ軸に垂直な断面をＸＹ断面という。

　図４及び図５を参照して、第１絶縁層１０２上には、図３Ａに示した第１導電層１０６に含まれる第１パッド１３０、第２パッド１３２及び第１グラウンド１２０が配置されている。第１絶縁層１０２及び第２絶縁層１０４の間には、図３Ｃに示した第３導電層１１０に含まれる第１配線１３６、第２配線１３８及び第３グラウンド１２４が配置されている。第２絶縁層１０４の下側の面である裏面には、図３Ｂに示した第２導電層１０８に含まれる第２グラウンド１２２が配置されている。積層された５層構造を貫通して、第１シールドビア１５０、第２シールドビア１５２、第３シールドビア１５４及び複数の円筒シールドビア１６０が配置されている。図６を参照して、第１シールドビア１５０は、第１パッド１３０及び第２パッド１３２の間に位置し、積層された５層構造をＺ軸方向に貫通する筒状に形成されている。第１シールドビア１５０のＸＹ断面の外形は、角丸長方形である。第１シールドビア１５０の側面は、第１グラウンド１２０、第２グラウンド１２２及び第３グラウンド１２４に接続している。第２シールドビア１５２及び第３シールドビア１５４も同様に形成されている。

　なお、図４及び図５に示した構成には限定されない。例えば、第１シールドビア１５０は、第２絶縁層１０４を貫通せずに、第１絶縁層１０２を貫通して第１グラウンド１２０と第３グラウンド１２４とに接続する構成であってもよい。また、第１シールドビア１５０は、第１絶縁層１０２を貫通せずに、第２絶縁層１０４を貫通して第２グラウンド１２２と第３グラウンド１２４とに接続する構成であってもよい。第２シールドビア１５２及び第３シールドビア１５４に関しても同様である。

　各円筒シールドビア１６０は、積層された５層構造をＺ軸方向に貫通する円筒状に形成されており、複数の円筒シールドビア１６０は第１配線１３６及び第２配線１３８に平行に配置されている。円筒シールドビア１６０の側面は、第１グラウンド１２０、第２グラウンド１２２及び第３グラウンド１２４に接続している。なお、図４～６及び後述の図７においては、後述する製造方法に依存して付随的に形成される部材に関しては図示していない。

　図５を参照して、上記したように、第１コネクタ２００及び第２コネクタ２０２の中心導体２０４は、それぞれ第１パッド１３０及び第２パッド１３２に接触し、外導体２０６は第１グラウンド１２０に接触している。図５及び図７を参照して、第１パッド１３０及び第２パッド１３２はそれぞれ、第１絶縁層１０２を貫通する第１接続ビア１６２及び第２接続ビア１６４を介して第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅに接続している。第１接続ビア１６２及び第２接続ビア１６４の各々は、例えば、直径Ｄ２の円柱状に形成されている。

　図３Ａ～３Ｃを参照して上記したように、第１シールドビア１５０、第２シールドビア１５２及び第３シールドビア１５４の各々の長手方向は、第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅを結ぶ直線に垂直である。なお、第１シールドビア１５０、第２シールドビア１５２及び第３シールドビア１５４の各々の長手方向とは、各々のＸＹ断面に外接する仮想的な長方形の長辺方向を意味する。第１シールドビア１５０、第２シールドビア１５２及び第３シールドビア１５４の各々のＹＺ平面への正射影は、第１接続ビア１６２及び第２接続ビア１６４のＹＺ平面への正射影と重なる。第１配線１３６及び第２配線１３８に平行に、第１シールドビア１５０及び複数の円筒シールドビア１６０により構成される列が形成される。同様に、第１配線１３６及び第２配線１３８に平行に、第２シールドビア１５２及び複数の円筒シールドビア１６０により構成される列、並びに、第３シールドビア１５４及び複数の円筒シールドビア１６０により構成される列が形成される。それら３列と、第１配線１３６と、第２配線１３８とは、図３Ｃに示した間隔Ｐ３で等間隔に配置されている。

　以上により、高周波回路１００は、第１コネクタ２００及び第１絶縁層１０２からそれぞれ第１パッド１３０及び第２パッド１３２に供給される高周波信号を、第１配線１３６及び第２配線１３８により目的の回路まで伝送する。第１配線１３６への信号供給経路を構成する第１パッド１３０、第１接続ビア１６２及び第１配線端部１３６Ｅと、第２配線１３８への信号供給経路を構成する第２パッド１３２、第２接続ビア１６４及び第２配線端部１３８Ｅとの間に、電磁波の漏洩が発生し得る。しかし、第１シールドビア１５０が第１接続ビア１６２及び第２接続ビア１６４の間に配置されているので、漏洩した電磁波は第１シールドビア１５０により遮蔽される。したがって、第１配線１３６及び第２配線１３８間のクロストークを抑制できる。なお、第２絶縁層１０４上に配置された第１配線１３６及び第２配線１３８の直線部分間のクロストークは、第１配線１３６及び第２配線１３８の間に配置された複数の円筒シールドビア１６０により抑制される。

　また、第１配線１３６への信号供給経路を構成する第１パッド１３０、第１接続ビア１６２及び第１配線端部１３６Ｅから漏洩した電磁波は、第２シールドビア１５２によっても遮蔽される。第２配線１３８への信号供給経路を構成する第２パッド１３２、第２接続ビア１６４及び第２配線端部１３８Ｅから漏洩した電磁波は、第３シールドビア１５４によっても遮蔽される。したがって、第１配線１３６及び第２配線１３８の両側に、高周波信号が伝送される回路が存在していても、それらの回路と第１配線１３６及び第２配線１３８への信号供給経路とのクロストークを抑制できる。なお、第２絶縁層１０４上の第１配線１３６及び第２配線１３８の直線部分と、第１配線１３６及び第２配線１３８の両側に存在する回路とのクロストークは、第１配線１３６及び第２配線１３８の両側に配置された複数の円筒シールドビア１６０により抑制される。

　第１配線１３６及び第２配線１３８への信号供給経路間のクロストークを抑制するには、第１シールドビア１５０の長さ、即ち第１シールドビア１５０のＸＹ断面に外接する仮想的な長方形の長辺の長さＬ７は、短辺の長さＬ８の１．５倍以上であることが好ましい。また、第１シールドビア１５０の長さＬ７は、短辺の長さＬ８の３倍以上であることがより好ましい。これにより、第１配線１３６及び第２配線１３８への信号供給経路間のクロストークを確実に抑制できる。

　第１配線１３６及び第２配線１３８への信号供給経路間のクロストークを十分に抑制するには、第１シールドビア１５０の長さＬ７は、第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅの間隔以上、即ち２×Ｐ３の１／２以上であることが好ましい。また、第１シールドビア１５０の長さＬ７は、第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅの間隔以上であることがより好ましい。これにより、第１配線１３６及び第２配線１３８への信号供給経路間のクロストークをより確実に抑制できる。

　第１配線１３６及び第２配線１３８への信号供給経路間のクロストークを抑制するために、第２シールドビア１５２及び第３シールドビア１５４の各々も、第１シールドビア１５０と同様の形状及び寸法に形成されることが好ましい。これにより、第１配線１３６及び第２配線１３８と、それらの両側に配置された回路とのクロストークを抑制できる。

　上記では、第１シールドビア１５０、第２シールドビア１５２及び第３シールドビア１５４の長手方向が、第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅを結ぶ直線に垂直である場合を説明した。また、シールドビアにより構成される３列と、第１配線１３６と第２配線１３８とが等間隔に配列される場合を説明した。そのように構成されることが好ましいが、製造誤差等を考慮して、第１シールドビア１５０、第２シールドビア１５２及び第３シールドビア１５４の形状及び位置には任意性がある。

　例えば、図８を参照して、第１配線１３６及び第２配線１３８間のクロストークを抑制するために望ましい第１シールドビア１５０を実線で示し、第１シールドビア１５０から変位して形成された第１シールドビア１５０Ａを点線で示す。ＸＹ平面内において、第１シールドビア１５０及び１５０Ａは、同じ大きさの仮想的な長方形に内接するが、長辺が相互に傾いており、中心が相互にずれている。即ち、ＸＹ平面内において、第１シールドビア１５０Ａの長手方向と第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅを結ぶ直線との成す角度θは９０度未満であり、第１シールドビア１５０Ａの中心Ｏ２は、第１シールドビア１５０の中心Ｏ１から右上にずれている。しかし、θ≧４５（度）であり、第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅの中心間を結ぶ直線に垂直な平面を射影面として、第１シールドビア１５０Ａの正射影が、第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅの正射影を含んでいればよい。第１シールドビア１５０Ａの正射影のＹ軸方向の長さは、Ｌ７×ｓｉｎθである。そのような位置関係にあれば、第１シールドビア１５０Ａは、第１接続ビア１６２及び第２接続ビア１６４の間、並びに、第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅの間に位置する。このとき、第１シールドビア１５０Ａは、第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅの中心間の中央を含むように配置される。即ち、第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅの中心間の中央は、第１シールドビア１５０Ａの内部に位置する。なお、筒状のシールドビアの内部とは、筒の肉厚内に限らず、筒により取り囲まれる空間をも含む意味である。したがって、第１シールドビア１５０Ａは、第１接続ビア１６２及び第１配線端部１３６Ｅからの電磁波の漏洩、並びに、第２接続ビア１６４及び第２配線端部１３８Ｅからの電磁波の漏洩を遮蔽できる。即ち、第１配線１３６及び第２配線１３８の間のクロストークを抑制できる。したがって、第１シールドビア１５０Ａの位置が設計位置、例えば第１シールドビア１５０の位置からずれても、クロストークを十分に抑制でき、クロストークの抑制効果への製造精度の影響を低減できる。

　第２シールドビア１５２及び第３シールドビア１５４に関しても、第１接続ビア１６２、第２接続ビア１６４、第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅとの位置関係は、第１シールドビア１５０Ａと同様であればよい。

　高周波回路１００の形成方法に関して説明する。樹脂基板の両面に銅箔が積層された基板と、別の樹脂基板の両面のうちの片面にのみ銅箔が積層された基板とを準備する。以下、両面に銅箔が積層された基板、及び、片面にのみ銅箔が積層された基板を、それぞれ第１基板及び第２基板という。第１基板の１つの面の銅箔をエッチングして回路を形成する。即ち、第１配線端部１３６Ｅを有する第１配線１３６、第２配線端部１３８Ｅを有する第２配線１３８、及び第３グラウンド１２４を形成する。続いて、第１基板において、ドリル又はレーザーによる加工により、第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅを通り、第１基板をその厚さ方向に貫通する穴を開け、その穴を銅でメッキする。これにより、第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅにそれぞれ接続する第１接続ビア１６２及び第２接続ビア１６４が形成される。続いて、ボンディングシート等の接着剤を用いて、第２基板の銅箔が積層されていない面を、第１基板の回路が形成された面に接着する。続いて、ドリル又はレーザーによる加工により、積層された第１基板及び第２基板を貫通する孔を形成する。これにより、第２基板に積層された銅箔が第２グラウンド１２２となる。貫通孔を銅でメッキすることにより、後の工程により第１グラウンド１２０となる銅箔、第２グラウンド１２２及び第３グラウンド１２４を接続する第１シールドビア１５０、第２シールドビア１５２、第３シールドビア１５４及び円筒シールドビア１６０を形成できる。最後に、第１基板の露出している銅箔をエッチングして、第１接続ビア１６２及び第２接続ビア１６４にそれぞれ接続する第１パッド１３０及び第２パッド１３２と、第１グラウンド１２０とを形成する。

　また、別の形成方法として、第１基板において、第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅに対応する部分に穴を開ける前に、第２基板の銅箔が積層されていない面を、第１基板の回路が形成された面に接着してもよい。その場合、上記したように積層された第１基板及び第２基板に貫通孔を形成するのに加えて、レーザーにより、第１パッド１３０及び第２パッド１３２のそれぞれから第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅまで至る穴を開け、それらの穴及び貫通孔を銅でメッキすればよい。なお、銅でメッキする工程により、第１グラウンド１２０の露出面及び第２グラウンド１２２の露出面にも銅が形成される。即ち、図４及び図５等に示した構成において、第１グラウンド１２０及び第２グラウンド１２２の各々の露出面に、第１シールドビア１５０、第２シールドビア１５２、第３シールドビア１５４及び円筒シールドビア１６０と連続して銅が形成される。また、メッキ厚を厚くすることにより、第１シールドビア１５０、第２シールドビア１５２、第３シールドビア１５４及び円筒シールドビア１６０は中実に形成され、柱状に形成され得る。なお、円筒シールドビア１６０は、円筒の内部が樹脂で充填されていてもよい。

（第１変形例）
　上記では、第１シールドビア１５０、第２シールドビア１５２、第３シールドビア１５４及び複数の円筒シールドビア１６０の各々が、第１グラウンド１２０及び第２グラウンド１２２を貫通して第１グラウンド１２０及び第２グラウンド１２２に接続している場合を説明した。しかし、これに限定されない。図９を参照して、第１変形例に係る高周波回路２２０の各シールドビアは、第１グラウンド１２０及び第２グラウンド１２２を貫通せずに第１グラウンド１２０及び第２グラウンド１２２を接続する。

　図９を参照して、高周波回路２２０においては、図５の高周波回路１００と比較して、第１シールドビア１５０、第２シールドビア１５２及び第３シールドビア１５４がそれぞれ第１シールドビア２５０、第２シールドビア２５２及び第３シールドビア２５４で代替されている。第１シールドビア２５０、第２シールドビア２５２及び第３シールドビア２５４の各々は、ＸＹ断面が角丸長方形の柱状であり、第１グラウンド１２０及び第２グラウンド１２２を貫通せず、上下の端面が第１グラウンド１２０及び第２グラウンド１２２に接触している。また、図示していないが、高周波回路２２０は、高周波回路１００の円筒シールドビア１６０に代替して、第１グラウンド１２０及び第２グラウンド１２２を貫通せず、それらに接続する円柱状のシールドビアを含む。それ以外の高周波回路２２０の構成は高周波回路１００と同じである。これにより、第１配線１３６及び第２配線１３８への信号供給経路間に発生するクロストークを抑制できる。

（第２変形例）
　上記では、第１配線１３６及び第２配線１３８に、それぞれ第１コネクタ２００及び第２コネクタ２０２から第１パッド１３０及び第２パッド１３２を介して高周波信号である交流信号が供給される場合を説明したが、これに限定されない。第２変形例の高周波回路は、差動信号を供給する２つのパッドを１組として、複数組のパッドが隣接する場合に、それらの間でのクロストークを抑制することを目的とする。以下、差動信号を供給する２つのパッドをパッドペアという。

　図１０及び図１１を参照して、第２変形例に係る高周波回路２２２は、図４に示した高周波回路１００と同様に、第１絶縁層１０２及び第２絶縁層１０４と、第１導電層１０６、第２導電層１０８及び第３導電層１１０とを含む。第１絶縁層１０２、第２絶縁層１０４、第１導電層１０６、第２導電層１０８及び第３導電層１１０は、相互に積層される。以下においては、重複説明を繰返さず、主として、高周波回路２２２が高周波回路１００と異なる点に関して説明する。

　高周波回路２２２には、図４に示した高周波回路１００の第１パッド１３０及び第２パッド１３２に代えて、第１絶縁層１０２の上に第１パッドペア２３０及び第２パッドペア２３２が形成されている。第１パッドペア２３０は、パッド２３０Ａ及びパッド２３０Ｂを含み、第２パッドペア２３２は、パッド２３２Ａ及びパッド２３２Ｂを含む。第１パッドペア２３０及び第２パッドペア２３２の周りには、離隔領域２３４が形成されている。

　第３導電層１１０は、図４に示した高周波回路１００の第１配線１３６及び第２配線１３８に代えて、第２絶縁層１０４の上に形成された第１配線ペア２３６及び第２配線ペア２３８を含む。第１配線ペア２３６は、配線２３６Ａ及び配線２３６Ｂを含み、第２配線ペア２３８は、配線２３８Ａ及び配線２３８Ｂを含む。第１配線ペア２３６及び第２配線ペア２３８の周りには、離隔領域２４４が形成されている。パッド２３０Ａ及びパッド２３０Ｂはそれぞれ、高周波回路１００と同様に、接続ビア２６２Ａ及び接続ビア２６２Ｂを介して、配線２３６Ａの端部２３６ＥＡ及び配線２３６Ｂの端部２３６ＥＢに接続されている。また、パッド２３２Ａ及びパッド２３２Ｂはそれぞれ、接続ビア２６４Ａ及び接続ビア２６４Ｂを介して、配線２３８Ａの端部２３８ＥＡ及び配線２３８Ｂの端部２３８ＥＢに接続されている。

　第１パッドペア２３０及び第２パッドペア２３２の間、並びに、それらに対応する接続ビア間には、第１シールドビア１５０が配置されている。第１パッドペア２３０及び第２パッドペア２３２の両側には、第２シールドビア１５２及び第３シールドビア１５４が配置されている。また、高周波回路２２２は、複数の円筒シールドビア１６０を含む。第１シールドビア１５０、第２シールドビア１５２、第３シールドビア１５４及び複数の円筒シールドビア１６０は、図４に示した高周波回路１００と同様に、第１配線ペア２３６及び第２配線ペア２３８の延伸方向に平行に、３列に配列されている。

　第１配線ペア２３６及び第２配線ペア２３８への信号供給経路間のクロストークを抑制するために、高周波回路２２２の第１シールドビア１５０に要求される条件は、上記と同様にして得られる。即ち、図３Ａ～７において、第１パッド１３０及び第２パッド１３２をそれぞれパッド２３０Ａ及びパッド２３２Ａとし、第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅをそれぞれ端部２３６ＥＡ及び端部２３８ＥＡとすることにより得られる。例えば、第１シールドビア１５０の長さは、端部２３６ＥＡ及び端部２３８ＥＡ間の距離の１／２倍以上であることが好ましい。第１配線ペア２３６及び第２配線ペア２３８への信号供給経路間のクロストークを抑制するために、第２シールドビア１５２及び第３シールドビア１５４の各々も、第１シールドビア１５０と同様の形状及び寸法に形成されることが好ましい。これにより、第１配線ペア２３６及び第２配線ペア２３８と、それらの両側に配置された回路とのクロストークを抑制できる。

　また、高周波回路２２２の第１シールドビア１５０の配置は、図８において、第１パッド１３０及び第２パッド１３２をそれぞれパッド２３０Ａ及びパッド２３２Ａとし、第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅをそれぞれ端部２３６ＥＡ及び端部２３８ＥＡとした場合と同じであればよい。即ち、ＸＹ平面内において、第１シールドビア１５０の長手方向と端部２３６ＥＡ及び端部２３８ＥＡを結ぶ直線との成す角度は４５度以上であればよい。また、端部２３６ＥＡ及び端部２３８ＥＡの中心間を結ぶ直線に垂直な平面を射影面として、第１シールドビア１５０の正射影が、端部２３６ＥＡ及び端部２３８ＥＡの正射影を含んでいればよい。そのような位置関係にあれば、第１シールドビア１５０は、端部２３６ＥＡ及びパッド２３０Ａを接続する接続ビア２６２Ａと、端部２３８ＥＡ及びパッド２３２Ａを接続する接続ビア２６４Ａとの間、並びに、端部２３６ＥＡ及び端部２３８ＥＡの間に位置する。このとき、第１シールドビア１５０は、端部２３６ＥＡ及び端部２３８ＥＡの中心間の中央を含むように配置される。即ち、端部２３６ＥＡ及び端部２３８ＥＡの中心間の中央が第１シールドビア１５０の内部に位置する。したがって、第１シールドビア１５０は、第１配線ペア２３６及び第２配線ペア２３８への信号供給経路間のクロストークを抑制できる。

（第３変形例）
　上記では、第１絶縁層１０２の表面に、内部配線に交流電力を垂直給電するためのパッドを設け、接続ビアを介して内部配線とパッドとを接続する場合を説明したが、これに限定されない。第３変形例に係る高周波回路は、パッドを設けず、内部配線の端部が露出された状態に形成される。

　図１２を参照して、第３変形例に係る高周波回路２２４は、第１シールドビア２７０、第２シールドビア２７２及び第３シールドビア２７４と、それらの上に形成された円筒シールドビア２７８と、円筒シールドビア２７６とを含む。高周波回路２２４においては、図５に示した高周波回路１００と比較して、第１パッド１３０、第２パッド１３２、第１接続ビア１６２及び第２接続ビア１６４が取除かれ、第１絶縁層１０２及び第１導電層１０６の一部が取除かれている。また、高周波回路２２４においては、図５に示した高周波回路１００と比較して、第１シールドビア１５０、第２シールドビア１５２及び第３シールドビア１５４がそれぞれ第１シールドビア２７０、第２シールドビア２７２及び第３シールドビア２７４で代替されている。したがって、高周波回路２２４には離隔領域１３４は形成されておらず、第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅは露出している。それ以外の高周波回路２２４の構成は、図５に示した高周波回路１００と同じである。なお、高周波回路２２４において、図５に示した高周波回路１００と同様に、各シールドビアは筒状に形成されているが、図１２においては便宜上、柱状の外形を示している。以下、図５に示した高周波回路１００の構成を参照しつつ、高周波回路２２４の構成を説明する。

　第１シールドビア２７０、第２シールドビア２７２、第３シールドビア２７４及び各円筒シールドビア２７６は、第２絶縁層１０４、第２導電層１０８及び第３導電層１１０を貫通して、第２グラウンド１２２と第３グラウンド１２４とを接続している。各々の円筒シールドビア２７８は、第１絶縁層１０２及び第１導電層１０６を貫通して第１グラウンド１２０と第３グラウンド１２４とを接続している。第１配線１３６及び第２配線１３８への交流信号の供給は、図５に示した第１コネクタ２００及び第２コネクタ２０２の中心導体２０４をそれぞれ第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅに接触させることにより行われる。したがって、第１コネクタ２００及び第２コネクタ２０２の中心導体２０４がそれぞれ第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅに接触するように、第１絶縁層１０２が形成されていればよい。即ち、第１絶縁層１０２及び第１導電層１０６は、図１２に示したように広い範囲で除去されなくてもよい。少なくとも、第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅの上方の所定の領域に第１絶縁層１０２及び第１導電層１０６が存在しなければよい。

　第１シールドビア２７０、第２シールドビア２７２及び第３シールドビア２７４は、図５に示した高周波回路１００の第１シールドビア１５０、第２シールドビア１５２及び第３シールドビア１５４とは高さが異なるが、同様の形状に形成されている。第１シールドビア２７０、第２シールドビア２７２及び第３シールドビア２７４と、第１配線端部１３６Ｅ、第２配線端部１３８Ｅ及び円筒シールドビア１６０との、ＸＹ平面内における位置関係は、図５に示した高周波回路１００と同様である。即ち、第１シールドビア２７０は、第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅの間に配置され、第２シールドビア２７２及び第３シールドビア２７４は、第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅの両側に配置されている。したがって、第１シールドビア２７０により、第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅにおける電磁波の漏洩を遮蔽でき、第１配線１３６及び第２配線１３８間のクロストークを抑制できる。また、第２シールドビア２７２及び第３シールドビア２７４により、第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅの両側に回路が存在しても、それらと第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅとの間のクロストークを抑制できる。

　これにより、第１絶縁層１０２、第２絶縁層１０４及び第３導電層１１０を積層した基板の両面から穴開け加工によりシールドビアを形成する場合、配線の端部付近においては、一方の側、即ち第１絶縁層１０２側からの穴開け加工が不要になる。また、配線の端部付近で一方の側、即ち第１絶縁層１０２側からの穴開け加工が困難である場合にも、配線の端部における電磁波の漏洩が原因となるクロストークを抑制した高周波回路を製造できる。

（第４変形例）
　第３変形例として示した、パッド及び接続ビアを設けない構成は、差動信号を伝送する高周波回路にも適用できる。第４変形例に係る高周波回路は、パッドを設けず、内部配線の端部が露出した状態に形成され、差動信号を伝送する。

　図１３を参照して、第４変形例に係る高周波回路２２６は、第１シールドビア２８０、第２シールドビア２８２及び第３シールドビア２８４を含む。高周波回路２２６においては、図１０に示した高周波回路２２２と比較して、第１パッドペア２３０、第２パッドペア２３２、第１接続ビアペア２６２及び第２接続ビアペア２６４が取除かれ、第１絶縁層１０２及び第１導電層１０６の一部が取除かれている。また、高周波回路２２６においては、図１０に示した高周波回路２２２と比較して、第１シールドビア２５０、第２シールドビア２５２及び第３シールドビア２５４がそれぞれ第１シールドビア２８０、第２シールドビア２８２及び第３シールドビア２８４で代替されている。したがって、高周波回路２２６には離隔領域２３４は形成されていない。それ以外の高周波回路２２６の構成は、図１０に示した高周波回路２２２と同じである。なお、高周波回路２２６において、図１０に示した高周波回路２２２と同様に、各シールドビアは筒状に形成されているが、図１３においては便宜上、柱状の外形を示している。以下、図１０に示した高周波回路２２２の構成を参照しつつ、高周波回路２２６の構成を説明する。

　第１シールドビア２８０、第２シールドビア２８２、第３シールドビア２８４及び各円筒シールドビア２８６は、第２絶縁層１０４、第２導電層１０８及び第３導電層１１０を貫通して、第２グラウンド１２２と第３グラウンド１２４とを接続している。差動の交流信号の供給は、４つのコネクタの中心導体をそれぞれ端部２３６ＥＡ、端部２３６ＥＢ、端部２３８ＥＡ及び端部２３８ＥＢに接触させることにより行われる。したがって、４つのコネクタの中心導体がそれぞれ端部２３６ＥＡ、端部２３６ＥＢ、端部２３８ＥＡ及び端部２３８ＥＢに接触するように、第１絶縁層１０２が形成されていればよい。即ち、第１絶縁層１０２及び第１導電層１０６は、図１３に示したように広い範囲で除去されなくてもよい。少なくとも、端部２３６ＥＡ、端部２３６ＥＢ、端部２３８ＥＡ及び端部２３８ＥＢの上方の所定の領域に第１絶縁層１０２及び第１導電層１０６が存在しなければよい。

　第１シールドビア２８０、第２シールドビア２８２及び第３シールドビア２８４は、図１０に示した高周波回路２２２の第１シールドビア１５０、第２シールドビア１５２及び第３シールドビア１５４とは高さが異なるが、同様の形状に形成されている。第１シールドビア２８０、第２シールドビア２８２及び第３シールドビア２８４と、端部２３６ＥＡ、端部２３６ＥＢ、端部２３８ＥＡ、端部２３８ＥＢ及び円筒シールドビア１６０との、ＸＹ平面内における位置関係は、図１０に示した高周波回路２２２と同様である。即ち、第１シールドビア２８０は、端部２３６ＥＡ及び端部２３８ＥＡの間に配置され、第２シールドビア２８２及び第３シールドビア２８４は、端部２３６ＥＢ及び端部２３８ＥＢの両側に配置されている。したがって、第１シールドビア２８０により、端部２３６ＥＡ及び端部２３８ＥＡにおける電磁波の漏洩を遮蔽でき、第１配線ペア２３６及び第２配線ペア２３８間のクロストークを抑制できる。また、第２シールドビア２８２及び第３シールドビア２８４により、端部２３６ＥＢ及び端部２３８ＥＢの両側に回路が存在しても、それらの回路と端部２３６ＥＢ及び端部２３８ＥＢとの間のクロストークを抑制できる。

　上記では、基板の表面にパッドを設け、接続ビアによりパッドと基板内部の配線とを接続する場合、又は、基板内部の配線の端部を露出する場合を説明したが、これに限定されない。基板表面にパッドを設けず、接続ビアが露出された構成であってもよい。交流信号を供給するコネクタの中心導体を、露出した接続ビアの端部に接触させることにより、基板内部の配線に交流信号を供給できる。また、パッドと接続ビアとが一体に形成されてもよい。

　上記では、１本の配線で交流信号を伝送する配線間、又は、差動信号を伝送する配線ペア間におけるクロストークを抑制する場合を説明したが、これに限定されない。交流信号を伝送する１つの配線と、差動信号を伝送する配線ペアとの間のクロストークを抑制してもよい。即ち、交流信号を伝送する１つの配線の端部と、差動信号を伝送する１組の配線ペアの端部との間に、上記したように、ＸＹ断面の外形が角丸長方形の筒状又は柱状のシールドビアを配置する。例えば、図１０に示した高周波回路２２２において、第２配線ペア２３８、第２接続ビアペア２６４及び第２パッドペア２３２の構成を、図４の第２配線１３８、第２接続ビア１６４及び第２パッド１３２の構成で代替することにより高周波回路を構成できる。そのような高周波回路であれば、第１配線ペア２３６への信号供給経路と、代替した第２配線１３８への信号供給経路との間のクロストークを抑制できる。

　上記では、２つの配線又は２組の配線ペアがパッドから所定の範囲内において、平行に延伸している場合を説明したが、これに限定されない。２つのパッド又は２組のパッドペアの各々に接続されている配線が平行ではなく、所定の角度、例えば９０度を成す場合、又は、２つの配線が逆方向に延伸する場合であっても、パッド間でのクロストークが発生し得る。したがって、上記したように、２つのパッド間又は２組のパッドペア間に、基板面に平行な断面が角丸長方形のシールドビアを設ければ、配線の端部における電磁波の漏洩に起因するクロストークを抑制できる。

　なお、パッド、配線端部、及び、それらの周囲の離隔領域の形状は上記した形状に限定されず、任意である。例えば、図２～５に示した高周波回路１００の第１パッド１３０、第２パッド１３２及び離隔領域１３４の形状は、円形、又は隣接する２辺の長さが異なる長方形であってもよい。第１配線端部１３６Ｅ、第２配線端部１３８Ｅ及び離隔領域１４４の形状は、正方形又は円形であってもよい。また、交流信号を供給するためのコネクタである図２の第１コネクタ２００及び第２コネクタ２０２の形状は矩形の筒状に限らず、任意である。第１コネクタ２００及び第２コネクタ２０２は、例えば、円筒状であってもよい。図１０等に示した、差動信号を伝送する高周波回路に関しても同様である。

　上記では、配線が配置された第３導電層１１０において、図３Ｃの第１配線１３６及び第２配線１３８等の周囲に第３グラウンド１２４を配置する場合を説明したが、これに限定されない。第３グラウンド１２４が設けられていなくてもよい。例えば、図４に示した高周波回路１００において、第１シールドビア１５０、第２シールドビア１５２、第３シールドビア１５４及び円筒シールドビア１６０が、第１グラウンド１２０及び第２グラウンド１２２に接続されている。したがって、パッド、接続ビア及び端部により構成される信号供給経路間のクロストーク及び配線間のクロストークを抑制できる。

　上記では、高周波回路が、２層の絶縁層及び３層の導電層により構成される５層を含む場合を説明したが、これに限定されない。６層以上を含む回路であってもよい。例えば、図５に示した５層構造において、第１絶縁層１０２及び第２絶縁層１０４の間に、１又は複数の中間層が配置されていてもよい。中間層は、絶縁層であっても、導電層であってもよい。例えば、図１４を参照して、図５に示した５層構造において、第３導電層１１０と第２絶縁層１０４との間に、第２絶縁層１０４とは別の材質の絶縁層３００が配置されていてもよい。別の材質は接着剤等である。また、図１５を参照して、図５に示した５層構造において、第１絶縁層１０２と第３導電層１１０との間に、第１絶縁層１０２とは別の材質の絶縁層３０２が配置されていてもよい。また、図１６を参照して、図５に示した５層構造において、第１絶縁層１０２と第３導電層１１０との間に、絶縁層３０４及び導電層３０６が配置されていてもよい。図１６に示した積層構造においては、第１接続ビア１６２及び第２接続ビア１６４が、導電層３０６に接触しないように、それぞれ離隔領域３０８及び３１０が形成されている。

　なお、５層構造の外側に、絶縁層、又は、絶縁層及び導電層が配置されてもよい。例えば、図１７を参照して、図５に示した５層構造において、第２導電層１０８に、絶縁層３１２及び導電層３１４が積層されていてもよい。図１４～１７のいずれに示した積層構造においても、第１シールドビア１５０により第１配線１３６及び第２配線１３８の端部間のクロストークを抑制できる。また、第２シールドビア１５２及び第３シールドビア１５４により、第１配線１３６及び第２配線１３８の両側に存在する配線とのクロストークを抑制できる。

　上記では、第１～第３シールドビアの各々のＸＹ断面の外形形状、即ち長孔１４０が角丸長方形である場合を説明したが、これに限定されない。第１～第３シールドビアの各々のＸＹ断面の外形形状は、直交する２辺の長さが異なる仮想的な長方形に内接する形状であればよく、任意である。例えば、楕円形又は楕円形に類似する形状であってもよい。楕円形に類似する形状には、例えば、涙滴形及び雨滴形等が含まれる。

　以下に、シミュレーション結果を示すことにより、本開示の有効性を示す。
（第１のシミュレーション）
　図３Ａ～３Ｃ及び図４に示した構成及び形状を用いたシミュレーション結果を示す。採用した第１パッド１３０、第２パッド１３２、第１シールドビア１５０、第２シールドビア１５２、第３シールドビア１５４、円筒シールドビア１６０、第１配線１３６、第２配線１３８、第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅに関する寸法を表１に示す。表１には、ｍｍ単位で数値を示している。シールドビアは全て柱状とした。変数名は、図３Ａ～３Ｃ及び図８に示したものである。第１パッド１３０、第２パッド１３２及び離隔領域１３４は正方形とした。第１シールドビア１５０、第２シールドビア１５２、第３シールドビア１５４、第１パッド１３０及び第２パッド１３２の各々のＸＹ平面における中心は、Ｙ座標の値が同じであるとした。第１絶縁層１０２及び第２絶縁層１０４の各々は、厚さ０．１ｍｍ、比誘電率２．２とした。

　上記の構成の基板に対して、図２に示した第１コネクタ２００から第１配線１３６に供給する高周波信号の周波数を変化させ、第２配線１３８に流れる信号を数値計算した。また、比較のために、Ｌ７＝０．２（ｍｍ）とし、その他の変数値は表１の値を用い、シールドビアは全て円柱として、同様に、第２配線１３８に流れる信号を数値計算した。

　図１８に計算結果を示す。縦軸は、ＦＥＸＴ値であり、第１配線１３６に供給した信号強度に対する第２配線１３８の信号強度の値、即ち電圧振幅の比をｄＢ単位で表す。ＦＥＸＴ値は、図２に示した第１コネクタ２００から第１配線１３６に入力した高周波信号が、第２配線１３８から出ていくクロストークの程度を表す。横軸は、供給した交流信号の周波数であり、横軸の単位はＧＨｚである。実線は、表１の値を用いた結果であり、点線はＬ７＝０．２（ｍｍ）とした比較例の結果である。図１８のグラフから、配線端部付近に、基板に平行な断面が細長い形状、例えば角丸長方形のシールドビアを配置することにより、断面円形のシールドビアを配置する場合よりも、クロストークを約２０ｄＢ抑制でき、電力強度に換算すると１／１００にできることが分かる。

（第２のシミュレーション）
　第１のシミュレーションと同様に、図３Ａ～３Ｃ及び図４に示した構成を用い、第１シールドビア１５０、第２シールドビア１５２及び第３シールドビア１５４の長さＬ７の値を変化させて、クロストークを評価した。シールドビアは全て柱状である。その他の変数値には表１の値を用いて、第１コネクタ２００から第１配線１３６に供給する交流信号の周波数を変化させ、第２配線１３８に流れる信号を数値計算した。

　図１９に、長さＬ７を、０．３ｍｍから２．１ｍｍまで０．２ｍｍ間隔で変化させて計算した結果を実線で示す。縦軸及び横軸の意味は、図１８と同じである。参考に、図１８に示した点線のグラフを、図１９においても点線で示している。図１９のグラフから、配線端部付近に設けたシールドビアの長さＬ７を長くするほど、クロストークの抑制効果が大きくなることが分かる。一方、Ｌ７＝１．９及びＬ＝２．１のグラフは、周波数が約１５ＧＨｚ以上において、ほぼ同じになっている。図２０は、図１９において周波数３０ＧＨｚのときのＦＥＸＴ値を、シールドビアの長さＬ７に対してプロットしたものである。図２０において、シールドビアの長さＬ７をある程度以上に大きくしても、ＦＥＸＴ値の減少が見られなくなる。したがって、伝送する信号の周波数によっては、シールドビアの長さＬ７は、所定値までに留めておけばよいことが分かる。

（第３のシミュレーション）
　図３Ａ～３Ｃ及び図４に示した構成と表１に示した値とを用い、第１シールドビア１５０、第２シールドビア１５２及び第３シールドビア１５４の位置を第１パッド１３０及び第２パッド１３２からシフトして、第１のシミュレーションと同様にクロストークを評価した。具体的には図２１に示すように、第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅの各々の中心に対してＹ軸方向に、第１シールドビア１５０、第２シールドビア１５２及び第３シールドビア１５４の各々の中心をシフト量Ｓ（ｍｍ）だけ移動させて、数値計算を実行した。第１シールドビア１５０、第２シールドビア１５２及び第３シールドビア１５４の移動に応じて、円柱シールドビア１６６の位置も移動させた。Ｓ（ｍｍ）は、－０．２５≦Ｓ≦０．２５の範囲で変化させた。Ｙ軸の正方向への移動量を正の値で表し、Ｙ軸の負方向への移動量を負の値で表す。比較のために、図２２に示すように、Ｌ７＝０．２（ｍｍ）、即ち第１～第３シールドビアは全て円柱であるとして、それら円柱シールドビア１６８の各々の中心を、上記と同様にシフト量Ｓ（ｍｍ）だけ移動させて、数値計算を実行した。

　図２３に、供給した交流信号の周波数を３０ＧＨｚとした計算結果を示す。実線は図２１に示した構成の計算結果を示し、点線は図２２に示した構成の計算結果を示す。縦軸は、図１８と同様にＦＥＸＴ値である。横軸は、シフト量Ｓ（ｍｍ）である。図２３から、第１シールドビア１５０、第２シールドビア１５２及び第３シールドビア１５４の位置が、第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅからずれても、全て円柱シールドビア１６８を用いた場合よりも約１０ｄＢ以上クロストークを抑制できることが分かる。なお、第１シールドビア１５０、第２シールドビア１５２及び第３シールドビア１５４を最大に移動させた場合、即ちＳ＝±０．２５でも、第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅの間には第１シールドビア１５０が位置している。また、第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅの両側には、第２シールドビア１５２及び第３シールドビア１５４が位置している。即ち、第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅの中心間を結ぶ線に垂直な射影面への第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅの正射影は、同射影面への第１シールドビア１５０、第２シールドビア１５２及び第３シールドビア１５４の正射影に含まれる。第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅと、第１シールドビア１５０、第２シールドビア１５２及び第３シールドビア１５４とが、このような位置関係にあれば、隣接する配線への信号供給経路間のクロストークを十分に抑制できる。したがって、第１シールドビア１５０、第２シールドビア１５２及び第３シールドビア１５４の位置が設計位置から多少ずれても、クロストークを十分に抑制でき、クロストークの抑制効果への製造精度の影響を低減できる。

　なお、図２３に示した実線のグラフの最小値は、Ｓ＝０の点ではなく、それよりもシフト量Ｓの負側にずれている。これは、第１配線１３６及び第２配線１３８がＹ軸の負側に延伸していることによるものと考えられる。したがって、第１シールドビア１５０、第２シールドビア１５２及び第３シールドビア１５４の各々の中心は、第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅの各々の中心よりも、配線が延伸するＹ軸の負方向に少しずれた位置にあることが最も好ましい。

（第４のシミュレーション）
　配線の端部間に配置したシールドビアの効果を確認するためのシミュレーションを行った。具体的には、図２４に示すように、図３Ａ～３Ｃ及び図４に示した構成において、図２１に示した第２シールドビア１５２及び第３シールドビア１５４を、円柱シールドビア１６６と同じ寸法の円柱シールドビア１７０で代替した。各変数値には表１の値を用いた。このような条件で、第１のシミュレーションと同様に、第１コネクタ２００から第１配線１３６に供給する高周波信号の周波数を変化させ、第２配線１３８に流れる信号を数値計算した。

　図２５に計算結果を破線で示す。参考に、図１８に示した点線及びＬ７＝０．７の実線を、図２５にも示す。図２５において、破線のＦＥＸＴ値は、実線のＦＥＸＴ値よりも少し大きいが、点線のＦＥＸＴ値よりも十分に小さい。したがって、第１配線端部１３６Ｅ及び第２配線端部１３８Ｅの間に設けるシールドビアのみを、例えば角丸長方形のようなＸＹ断面形状が細長い形状とすれば、第１配線１３６及び第２配線１３８への信号供給経路間のクロストークの十分な抑制効果が得られる。

　以上、実施の形態を説明することにより本開示を説明したが、上記した実施の形態は例示であって、本開示は上記した実施の形態のみに制限されるわけではない。本開示の範囲は、発明の詳細な説明の記載を参酌した上で、請求の範囲の各請求項によって示され、そこに記載された文言と均等の意味及び範囲内での全ての変更を含む。

１００、２２０、２２２、２２４、２２６、９００　　高周波回路
１０２　　第１絶縁層
１０４　　第２絶縁層
１０６　　第１導電層
１０８　　第２導電層
１１０　　第３導電層
１１２　　ビア
１２０　　第１グラウンド
１２２　　第２グラウンド
１２４　　第３グラウンド
１３０　　第１パッド
１３２　　第２パッド
１３４、１４４、２３４、２４４、３０８、３１０　　離隔領域
１３６　　第１配線
１３８　　第２配線
１３６Ｅ　　第１配線端部
１３８Ｅ　　第２配線端部
１４０　　長孔
１４２　　円形孔
１５０、１５０Ａ、２５０、２７０、２８０　　第１シールドビア
１５２、２５２、２７２、２８２　　第２シールドビア
１５４、２５４、２７４、２８４　　第３シールドビア
１６０、２７６、２７８、２８６　　円筒シールドビア
１６２　　第１接続ビア
１６４　　第２接続ビア
１６６、１６８、１７０　　円柱シールドビア
２００　　第１コネクタ
２０２　　第２コネクタ
２０４　　中心導体
２０６　　外導体
２３０　　第１パッドペア
２３０Ａ、２３０Ｂ、２３２Ａ、２３２Ｂ　　パッド
２３２　　第２パッドペア
２３６　　第１配線ペア
２３６Ａ、２３６Ｂ、２３８Ａ、２３８Ｂ　　配線
２３６ＥＡ、２３６ＥＢ、２３８ＥＡ、２３８ＥＢ　　端部
２３８　　第２配線ペア
２６２　　第１接続ビアペア
２６２Ａ、２６２Ｂ、２６４Ａ、２６４Ｂ　　接続ビア
２６４　　第２接続ビアペア
３００、３０２、３０４、３１２　　絶縁層
３０６、３１４　　導電層
９０２　　信号伝送路
９０４　　シールドビア
Ｄ１、Ｄ２　　直径
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６、Ｌ７、Ｌ８　　長さ
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３　　間隔
Ｓ　　シフト量
Ｗ１、Ｗ２　　幅
θ　　角度

Claims

　第１絶縁層と、
　前記第１絶縁層に直接、又は、１若しくは複数の中間層を挟んで積層される第２絶縁層と、
　前記第１絶縁層の両面を形成する第１面及び第２面のうち、前記第２絶縁層に対向しない前記第１面上に配置される第１グラウンドと、
　前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層の間に配置され、第１の交流信号が供給される第１端部を有する第１配線、及び、第２の交流信号が供給される第２端部を有する第２配線と、
　前記第２絶縁層の両面を形成する第３面及び第４面のうち、前記第１絶縁層に対向しない前記第３面上に配置される第２グラウンドと、
　前記第４面に沿う方向に相互に離隔して配置された前記第１端部及び前記第２端部の間に位置し、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層を貫通して前記第１グラウンド及び前記第２グラウンドに接続される導電性の第１シールドビアとを含み、
　前記第１シールドビアの前記第２面に平行な断面は、直交する長辺及び短辺を有する仮想的な第１長方形に内接する、高周波回路。
　第１絶縁層と、
　前記第１絶縁層に直接、又は、１若しくは複数の中間層を挟んで積層される第２絶縁層と、
　前記第１絶縁層の両面を形成する第１面及び第２面のうち、前記第２絶縁層に対向しない前記第１面上に配置される第１グラウンドと、
　前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層の間に配置され、第１の交流信号が供給される第１端部を有する第１配線、及び、第２の交流信号が供給される第２端部を有する第２配線と、
　前記第２絶縁層の両面を形成する第３面及び第４面のうち、前記第１絶縁層に対向しない前記第３面上に配置される第２グラウンドと、
　前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層の間に配置される第３グラウンドと、
　前記第４面に沿う方向に相互に離隔して配置された前記第１端部及び前記第２端部の間に位置し、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層の少なくとも一方の絶縁層を貫通して、前記第１グラウンド及び前記第２グラウンドのうち、前記第１端部及び前記第２端部を基準として、前記少なくとも一方の絶縁層と同じ側に位置するグラウンドと、前記第３グラウンドとに接続される導電性の第１シールドビアとを含み、
　前記第１シールドビアの前記第２面に平行な断面は、直交する長辺及び短辺を有する仮想的な第１長方形に内接する、高周波回路。
　前記第２面に平行な１つの平面内において、前記第１長方形の前記長辺と、前記第１端部及び前記第２端部を結ぶ直線とにより形成される鋭角は４５度以上である、請求項１又は請求項２に記載の高周波回路。
　前記第１絶縁層には、前記第１端部及び前記第２端部を露出させる開口が形成されている、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の高周波回路。
　前記第１グラウンドから離隔されて前記第１面上にそれぞれ配置される導電性の第１パッド及び第２パッドと、
　前記第１絶縁層を貫通し、前記第１パッド及び前記第１端部を接続する導電性の第１接続ビアと、
　前記第１絶縁層を貫通し、前記第２パッド及び前記第２端部を接続する導電性の第２接続ビアとをさらに含む、請求項１から請求項４のいずれか1項に記載の高周波回路。
　前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層のうち前記第１シールドビアにより貫通される絶縁層を貫通して、前記第１グラウンド及び前記第２グラウンドのうち前記第１シールドビアが接続されるグラウンドに接続され、前記第１端部を挟んで前記第１シールドビアに対向する導電性の第２シールドビアをさらに含み、
　前記第２シールドビアの前記第２面に平行な断面は、直交する長さが異なる２辺を有する仮想的な第２長方形に内接する、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の高周波回路。
　前記第１シールドビアにより貫通される前記絶縁層を貫通して前記グラウンドに接続され、前記第２端部を挟んで前記第１シールドビアに対向する導電性の第３シールドビアをさらに含み、
　前記第３シールドビアの前記第２面に平行な断面は、直交する長さが異なる２辺を有する仮想的な第３長方形に内接する、請求項６に記載の高周波回路。
　前記第２面上において、前記第１配線に対して前記第１シールドビアの反対側に配置され、第３の交流信号が供給される第３端部を有する第３配線をさらに含み、
　前記第１の交流信号及び前記第３の交流信号は、差動信号である、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の高周波回路。
　前記第２面上において、前記第２配線に対して前記第１シールドビアの反対側に配置され、第４の交流信号が供給される第４端部を有する第４配線をさらに含み、
　前記第２の交流信号及び前記第４の交流信号は、差動信号である、請求項８に記載の高周波回路。
　前記第１シールドビアは、前記第１端部及び前記第２端部間の中央を含むように配置される、請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の高周波回路。
　前記第１長方形の中心は、前記第１端部及び前記第２端部間の中央よりも、前記第１配線及び前記第２配線が存在する側に位置する、請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の高周波回路。
　前記第１長方形の前記長辺の長さは、前記第１長方形の前記短辺の長さの１．５倍以上である、請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の高周波回路。
　前記第１長方形の前記長辺の長さは、前記第１端部及び前記第２端部間の距離の１／２以上である、請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の高周波回路。