WO2022172575A1

WO2022172575A1 - 回路基板

Info

Publication number: WO2022172575A1
Application number: PCT/JP2021/045751
Authority: WO
Inventors: 恒亮西尾
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2021-02-12
Filing date: 2021-12-13
Publication date: 2022-08-18
Anticipated expiration: 2023-08-12
Also published as: JP7574868B2; US20240008168A1; US12439508B2; JPWO2022172575A1; CN220776134U

Abstract

第１線状リファレンス導体層は、上下方向に見て、第１線状リファレンス導体層の一部分と第１信号導体層の一部分とが重なるように、第１信号導体層に沿って延びる線状を有している。第１線状リファレンス導体層は、上下方向に見て、第１信号導体層に対して第１直交方向に突出する第１突出部分と第１信号導体層に対して第２直交方向に突出する第２突出部分とが伝送方向に交互に並ぶように蛇行している。隣り合う１つの第１突出部分と１つの第２突出部分との組を第１突出部分ペアと定義する。少なくとも１以上の第１突出部分ペアにおける両端を除く区間は、少なくとも１以上の第１突出ペアに含まれる第１突出部分及び第２突出部分以外の導体層に接続されていない。

Description

回路基板

　本発明は、信号導体層とリファレンス導体層とを備える回路基板に関する。

　従来の回路基板に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の信号線路が知られている。この信号線路は、素体、第１グランド導体、第２グランド導体及び信号ライン用導体を備えている。素体は、可撓性を有する複数の基材層が上下方向に積層された構造を有している。第１グランド導体、第２グランド導体及び信号ライン用導体は、素体に設けられている。信号ライン用導体は、前後方向に延びている。第１グランド導体は、信号ライン用導体の上に位置している。第２グランド導体は、信号ライン用導体の下に位置している。

　第２グランド導体は、第１面状導体、第２面状導体及び連結導体を含んでいる。信号ライン用導体は、上下方向に見て、第１面状導体及び第２面状導体と重なっている。連結導体は、上下方向に見て、第１面状導体と第２面状導体との間に位置している。連結導体は、第１面状導体と第２面状導体とを接続している。連結導体は、上下方向に見て、信号ライン用導体と重なっていない。連結導体は、蛇行した形状を有している。

　以上のような回路基板は、連結導体が設けられている区間において折り曲げられる。連結導体は、蛇行した形状を有しているので、前後方向に伸縮しやすい。そのため、回路基板が折り曲げられたときに、連結導体が破損することが抑制される。

国際公開第２０１５／１０８０９４号公報

　ところで、特許文献１に記載の回路基板では、不要輻射が発生する場合がある。より詳細には、回路基板において、第１面状導体及び第２面状導体が設けられている区間では、信号ライン用導体はストリップライン構造を形成している。そこで、第１面状導体及び第２面状導体が設けられている区間をストリップライン区間と呼ぶ。一方、連結導体が設けられている区間では、信号ライン用導体はマイクロストリップライン構造を形成している。そこで、連結導体が設けられている区間をマイクロストリップライン区間と呼ぶ。

　ストリップライン区間における伝搬モードは、マイクロストリップライン区間における伝搬モードと異なる。このようにストリップライン区間における伝搬モードとマイクロストリップライン区間における伝搬モードとが異なると、ストリップライン区間とマイクロストリップライン区間との境界において高周波信号の反射が発生する。

　ここで、マイクロストリップライン区間は、回路基板を折り曲げることができるように、十分な長さを有している。そのため、マイクロストリップライン区間は、例えば、信号ライン用導体を伝送される高周波信号の波長の１／４の整数倍に近い長さを有する場合がある。この場合、信号ライン用導体を伝送される高周波信号は、ストリップライン区間とマイクロストリップライン区間との境界において反射する。これにより、信号ライン用導体を伝送される高周波信号の定在波が信号ライン用導体に発生する場合がある。その結果、信号ライン用導体から不要輻射が放射される場合がある。

　そこで、本発明の目的は、回路基板を容易に折り曲げることができると共に、不要輻射を低減できる回路基板を提供することである。

　本発明の一形態に係る回路基板は、
　上主面及び下主面を有する素体であって、前記上主面の法線は、上下方向に延びている、素体と、
　前記素体に設けられ、かつ、線状を有している第１信号導体層と、
　前記第１信号導体層より上に位置するように前記素体に設けられ、かつ、線状を有している第１線状リファレンス導体層と、
　を備えており、
　前記第１信号導体層が延びる方向を伝送方向と定義し、
　前記上下方向及び前記伝送方向と直交する方向を直交方向と定義し、
　前記直交方向は、第１直交方向及び前記第１直交方向の反対方向である第２直交方向を含んでおり、
　前記第１線状リファレンス導体層は、上下方向に見て、前記第１線状リファレンス導体層の一部分と前記第１信号導体層の一部分とが重なるように、前記第１信号導体層に沿って延びており、
　前記第１線状リファレンス導体層は、上下方向に見て、前記第１信号導体層に対して前記第１直交方向に突出する第１突出部分と前記第１信号導体層に対して前記第２直交方向に突出する第２突出部分とが前記伝送方向に交互に並ぶように蛇行しており、
　隣り合う１つの前記第１突出部分と１つの前記第２突出部分との組を第１突出部分ペアと定義し、
　少なくとも１以上の前記第１突出部分ペアにおける前記少なくとも１以上の第１突出部分ペアの両端を除く区間は、前記少なくとも１以上の第１突出ペアに含まれる前記第１突出部分及び前記第２突出部分以外の導体層に接続されていない。

　本発明に係る回路基板によれば、回路基板を容易に折り曲げることができると共に、不要輻射を低減できる。

図１は、回路基板１０の分解斜視図である。図２は、回路基板１０の前後方向の中央近傍の上面図である。図３は、回路基板１０を備える電子機器１の内部構造の一部の左面図である。図４は、回路基板１０ａの前後方向の中央近傍の上面図である。図５は、回路基板１０ｂの前後方向の中央近傍の上面図である。図６は、回路基板１０ｂを備える電子機器１ｂの内部構造の一部の左面図である。図７は、回路基板１０ｃの前後方向の中央近傍の上面図である。図８は、回路基板１０ｄの前後方向の中央近傍の上面図である。図９は、回路基板１０ｅの前後方向の中央近傍の上面図である。図１０は、回路基板１０ｆの前後方向の中央近傍の上面図である。図１１は、回路基板１０ｇの前後方向の中央近傍の上面図である。図１２は、回路基板１０ｈの前後方向の中央近傍の上面図である。図１３は、回路基板１０ｉの分解斜視図である。

（実施形態）
［回路基板１０の構造］
　以下に、本発明の実施形態に係る回路基板１０の構造について図面を参照しながら説明する。図１は、回路基板１０の分解斜視図である。図２は、回路基板１０の前後方向の中央近傍の上面図である。図２では、回路基板１０の内部を透視した。

　本明細書において、方向を以下のように定義する。回路基板１０の素体１２の積層方向を上下方向と定義する。また、回路基板１０の第１信号導体層２２ａが延びる方向を前後方向（伝送方向）と定義する。また、上下方向及び前後方向（伝送方向）と直交する方向を左右方向（直交方向）と定義する。左右方向は、第１信号導体層２２ａの線幅方向である。左右方向（直交方向）は、左方向（第１直交方向）、及び、左方向（第１直交方向）の反対方向である右方向（第２直交方向）を含んでいる。上下方向、前後方向及び左右方向は、互いに直交している。なお、本明細書の上下方向、前後方向及び左右方向は、回路基板１０の実使用時の上下方向、前後方向及び左右方向と一致していなくてもよい。

　以下では、Ｘ及びＹは、回路基板１０の部品又は部材である。本明細書において、「ＸとＹとが電気的に接続される」とは、ＸとＹとの間で電気が導通していることを意味する。従って、ＸとＹとが接触していてもよいし、ＸとＹとが接触していなくてもよい。ＸとＹとが接触していない場合には、ＸとＹとの間に導電性を有するＺが配置されている。一方、本明細書において、「ＸとＹとが接続される」とは、ＸとＹとが接触した状態で繋がっていることを意味する。

　本明細書において、特に断りのない場合には、Ｘの各部について以下のように定義する。Ｘの前部とは、Ｘの前半分を意味する。Ｘの後部とは、Ｘの後半分を意味する。Ｘの左部とは、Ｘの左半分を意味する。Ｘの右部とは、Ｘの右半分を意味する。Ｘの上部とは、Ｘの上半分を意味する。Ｘの下部とは、Ｘの下半分を意味する。Ｘの前端とは、Ｘの前方向の端を意味する。Ｘの後端とは、Ｘの後方向の端を意味する。Ｘの左端とは、Ｘの左方向の端を意味する。Ｘの右端とは、Ｘの右方向の端を意味する。Ｘの上端とは、Ｘの上方向の端を意味する。Ｘの下端とは、Ｘの下方向の端を意味する。Ｘの前端部とは、Ｘの前端及びその近傍を意味する。Ｘの後端部とは、Ｘの後端及びその近傍を意味する。Ｘの左端部とは、Ｘの左端及びその近傍を意味する。Ｘの右端部とは、Ｘの右端及びその近傍を意味する。Ｘの上端部とは、Ｘの上端及びその近傍を意味する。Ｘの下端部とは、Ｘの下端及びその近傍を意味する。

　まず、図１を参照しながら、回路基板１０の構造について説明する。回路基板１０は、高周波信号を伝送する。高周波信号は、例えば、１ＧＨｚ以上の周波数を有する信号である。回路基板１０は、スマートフォン等の電子機器において、２つの回路を電気的に接続するために用いられる。回路基板１０は、図１に示すように、前後方向に延びる帯形状を有している。

　回路基板１０は、図１に示すように、素体１２、第１信号導体層２２ａ、第１線状リファレンス導体層２４ａ、第１リファレンス導体層２４ｂ，２４ｃ、第２リファレンス導体層２６、信号電極２８ａ，２８ｂ、複数の層間接続導体ｖ１、複数の層間接続導体ｖ２、複数の層間接続導体ｖ３、複数の層間接続導体ｖ４及び層間接続導体ｖ５，ｖ６を備えている。図１では、複数の層間接続導体ｖ１、複数の層間接続導体ｖ２、複数の層間接続導体ｖ３及び複数の層間接続導体ｖ４の内の代表的な層間接続導体ｖ１～ｖ４のみに参照符号を付した。

　素体１２は、板形状を有している。従って、素体１２は、上主面及び下主面を有している。素体１２の上主面及び下主面の法線は、上下方向に延びている。素体１２の上主面及び下主面は、前後方向に延びる帯形状を有している。従って、素体１２の前後方向の長さは、素体１２の左右方向の長さより長い。

　素体１２は、図１に示すように、絶縁体層１６ａ～１６ｃ及び保護層２０を含んでいる。素体１２は、絶縁体層１６ａ～１６ｃ及び保護層２０が上下方向に積層された構造を有している。保護層２０及び絶縁体層１６ａ～１６ｃは、上から下へとこの順に並んでいる。絶縁体層１６ａ～１６ｃは、上下方向に見て、素体１２と同じ帯形状を有している。絶縁体層１６ａ～１６ｃは、可撓性を有する誘電体シートである。絶縁体層１６ａ～１６ｃ（素体１２）の材料は、熱可塑性樹脂を含んでいる。熱可塑性樹脂は、例えば、液晶ポリマー、ＰＴＦＥ（ポリテトラフロオロエチレン）等である。また、絶縁体層１６ａ～１６ｃの材料は、ポリイミドであってもよい。これにより、素体１２は、可撓性を有する。保護層２０の詳細については後述する。

　第１信号導体層２２ａは、素体１２に設けられている。本実施形態では、第１信号導体層２２ａは、絶縁体層１６ｂの上主面に設けられている。第１信号導体層２２ａは、線状を有している。第１信号導体層２２ａは、前後方向に延びている。

　第１線状リファレンス導体層２４ａは、第１信号導体層２２ａより上に位置するように素体１２に設けられている。本実施形態では、第１線状リファレンス導体層２４ａは、絶縁体層１６ａの上主面に設けられている。第１線状リファレンス導体層２４ａは、線状を有している。第１線状リファレンス導体層２４ａは、前後方向に延びていると共に、蛇行している。本実施形態では、第１線状リファレンス導体層２４ａは、正弦波形状を有している。より詳細には、図２に示すように、第１線状リファレンス導体層２４ａは、上下方向に見て、第１線状リファレンス導体層２４ａの一部分と第１信号導体層２２ａの一部分とが重なるように、第１信号導体層２２ａに沿って延びる線状を有している。更に、第１線状リファレンス導体層２４ａは、第１突出部分２４０ａ，２４０ｂ，２４０ｃ及び第２突出部分２４２ａ，２４２ｂ，２４２ｃ，２４２ｄを含んでいる。第１線状リファレンス導体層２４ａは、上下方向に見て、第１信号導体層２２ａに対して左方向（第１直交方向）に突出する第１突出部分２４０ａ，２４０ｂ，２４０ｃと第１信号導体層２２ａに対して右方向（第２直交方向）に突出する第２突出部分２４２ａ，２４２ｂ，２４２ｃ，２４２ｄとが前後方向（伝送方向）に交互に並ぶように蛇行している。これにより、第１線状リファレンス導体層２４ａは、上下方向に見て、第１信号導体層２２ａと複数回にわたって交差している。本実施形態では、第１線状リファレンス導体層２４ａは、第１信号導体層２２ａと６回にわたって交差している。

　以下に、第１突出部分２４０ａ～２４０ｃ及び第２突出部分２４２ａ～２４２ｄについて説明する。図２に示すように、第２突出部分２４２ａ、第１突出部分２４０ａ、第２突出部分２４２ｂ、第１突出部分２４０ｂ、第２突出部分２４２ｃ、第１突出部分２４０ｃ及び第２突出部分２４２ｄは、前後方向において、前から後へとこの順に並んでいる。第２突出部分２４２ａ，２４２ｄの前後方向の長さＬ１は、正弦波の波長の１／４波長である。第１突出部分２４０ａ～２４０ｃ及び第２突出部分２４２ｂ，２４２ｃの前後方向の長さＬ２は、正弦波の波長の１／２である。左右方向（直交方向）における第１突出部分２４０ａ～２４０ｃの第１信号導体層２２ａに対する突出量Ｄ１は、左右方向（直交方向）における第２突出部分２４２ａ～２４２ｄの第１信号導体層２２ａに対する突出量Ｄ２と実質的に等しい。従って、第１信号導体層２２ａは、上下方向に見て、左右方向における第１線状リファレンス導体層２４ａの中央ＬＣと重なっている。なお、実質的に等しいとは、完全一致していること、及び、製造誤差程度の差異が発生していることを意味する。

　また、前後方向（伝送方向）における第１突出部分２４０ａ～２４０ｃの長さＬ１、及び、前後方向（伝送方向）における第２突出部分２４２ｂ，２４２ｃの長さＬ１は、第１信号導体層２２ａを伝送される高周波信号の波長の１／４以下である。前後方向（伝送方向）における第２突出部分２４２ａ，２４２ｄの長さは、第１信号導体層２２ａを伝送される高周波信号の波長の１／８以下である。

　ここで、第１線状リファレンス導体層２４ａは、第１線状リファレンス導体層２４ａが形成している正弦波の１波長分の長さにおいて、他の導体層に接続されていない。すなわち、隣り合う１つの第１突出部分と１つの第２突出部分との組を第１突出部分ペアと定義する。このとき、少なくとも１以上の第１突出部分ペアにおいて少なくとも１以上の第１突出部分ペアの両端を除く区間は、少なくとも１以上の第１突出ペアに含まれる第１突出部分及び第２突出部分以外の導体層に接続されていない。本実施形態では、第１線状リファレンス導体層２４ａの前端は、後述する第１リファレンス導体層２４ｂに接続されている。第１線状リファレンス導体層２４ａの後端は、後述する第１リファレンス導体層２４ｃに接続されている。従って、第１突出部分２４０ａ～２４０ｃ及び第２突出部分２４２ｂ，２４２ｃにおいて第１突出部分２４０ａの前端及び第１突出部分２４０ｃの後端を除く区間は、第１突出部分２４０ａ～２４０ｃ及び第２突出部分２４２ｂ，２４２ｃ以外の導体層に接続されていない。よって、第１線状リファレンス導体層２４ａは、第１線状リファレンス導体層２４ａが形成している正弦波の少なくとも２波長分の長さにおいて、第１線状リファレンス導体層２４ａ以外の導体層に接続されていない。すなわち、第１線状リファレンス導体層２４ａは、枝分かれした構造を有していない。換言すれば、第１線状リファレンス導体層２４ａは、特許文献１の図３に記載されているような位相が１８０°異なる２本の正弦波形状の線状導体層が組み合わさった形状の連結導体を含まない。

　第１リファレンス導体層２４ｂは、図１に示すように、第１信号導体層２２ａより上に位置するように素体１２に設けられている。本実施形態では、第１リファレンス導体層２４ｂは、絶縁体層１６ａの上主面に設けられている。第１リファレンス導体層２４ｂは、第１線状リファレンス導体層２４ａの端に接続されている。本実施形態では、第１リファレンス導体層２４ｂは、第１線状リファレンス導体層２４ａの前端に接続されている。第１リファレンス導体層２４ｂは、上下方向に見て、長方形状を有している。そして、上下方向に見て、前後方向の単位長さの素体１２の面積に占める第１リファレンス導体層２４ｂの面積の割合は、前後方向の単位長さの素体１２の面積に占める第１線状リファレンス導体層２４ａの面積の割合より高い。更に、左右方向（直交方向）における第１リファレンス導体層２４ｂの幅は、左右方向（直交方向）における第１線状リファレンス導体層２４ａの幅以上である。すなわち、左右方向における第１リファレンス導体層２４ｂの幅は、第１突出部分２４０ａ～２４０ｃの左端と第２突出部分２４２ａ～２４２ｄの右端との左右方向における距離以上である。換言すれば、左右方向における第１リファレンス導体層２４ｂの幅は、第１線状リファレンス導体層２４ａの振幅以上である。このように、第１リファレンス導体層２４ｂが左右方向に大きな幅を有することにより、第１リファレンス導体層２４ｂは、上下方向に見て、第１信号導体層２２ａと重なっている。第１信号導体層２２ａが第１リファレンス導体層２４ｂと重なっている区間は、連続して一つに繋がっている。以上のような第１リファレンス導体層２４ｂは、リファレンス電位に接続される。リファレンス電位は、例えば、グランド電位である。なお、第１リファレンス導体層２４ｃは、第１リファレンス導体層２４ｂと前後対称な構造を有する。従って、第１リファレンス導体層２４ｃの説明を省略する。

　第２リファレンス導体層２６は、図１に示すように、第１信号導体層２２ａより下に位置するように素体１２に設けられている。本実施形態では、第２リファレンス導体層２６は、絶縁体層１６ｃの上主面に設けられている。第２リファレンス導体層２６は絶縁体層１６ｃの大部分を覆っている。そのため、第２リファレンス導体層２６は、上下方向に見て、第１信号導体層２２ａの全体と重なっている。以上のような第２リファレンス導体層２６は、リファレンス電位に接続される。リファレンス電位は、例えば、グランド電位である。これにより、第１信号導体層２２ａ、第１リファレンス導体層２４ｂ，２４ｃ及び第２リファレンス導体層２６は、ストリップライン構造を有している。

　複数の層間接続導体ｖ１及び複数の層間接続導体ｖ２は、図１に示すように、第１リファレンス導体層２４ｂと第２リファレンス導体層２６とを電気的に接続している。より詳細には、複数の層間接続導体ｖ１及び複数の層間接続導体ｖ２は、絶縁体層１６ａ，１６ｂを上下方向に貫通している。複数の層間接続導体ｖ１の上端及び複数の層間接続導体ｖ２の上端は、第１リファレンス導体層２４ｂに接続されている。複数の層間接続導体ｖ１の下端及び複数の層間接続導体ｖ２の下端は、第２リファレンス導体層２６に接続されている。複数の層間接続導体ｖ１は、第１信号導体層２２ａの左に設けられている。本明細書において、層間接続導体ｖ１が第１信号導体層２２ａの左に設けられるとは、以下の状態を指す。層間接続導体ｖ１の少なくとも一部は、第１信号導体層２２ａが左方向に平行移動するときに通過する領域内に配置されている。よって、層間接続導体ｖ１は、第１信号導体層２２ａが左方向に平行移動するときに通過する領域内に収まっていてもよいし、第１信号導体層２２ａが左方向に平行移動するときに通過する領域から突出していてもよい。複数の層間接続導体ｖ１は、前後方向において等間隔に一列に並んでいる。複数の層間接続導体ｖ２は、第１信号導体層２２ａの右に設けられている。複数の層間接続導体ｖ２は、前後方向において等間隔に一列に並んでいる。なお、複数の層間接続導体ｖ３及び複数の層間接続導体ｖ４は、複数の層間接続導体ｖ１及び複数の層間接続導体ｖ２と前後対称な構造を有する。従って、複数の層間接続導体ｖ３及び複数の層間接続導体ｖ４の説明を省略する。

　信号電極２８ａは、図１に示すように、絶縁体層１６ａの上主面に設けられている。より詳細には、信号電極２８ａは、絶縁体層１６ａの上主面の前端部に設けられている。信号電極２８ａは、上下方向に見て、長方形状を有している。信号電極２８ａは、上下方向に見て、第１信号導体層２２ａの前端部と重なっている。信号電極２８ａと第１リファレンス導体層２４ｂとが短絡しないように、第１リファレンス導体層２４ｂが信号電極２８ａに接していない。信号電極２８ｂは、信号電極２８ａと前後対称な構造を有している。

従って、信号電極２８ｂの説明を省略する。

　層間接続導体ｖ５は、図１に示すように、第１信号導体層２２ａと信号電極２８ａとを電気的に接続している。層間接続導体ｖ５は、絶縁体層１６ａを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ５の上端は、信号電極２８ａに接続されている。層間接続導体ｖ５の下端は、第１信号導体層２２ａの前端部に接続されている。なお、層間接続導体ｖ６は、層間接続導体ｖ５と前後対称な構造を有している。従って、層間接続導体ｖ６の説明を省略する。

　保護層２０は、絶縁体層である。ただし、保護層２０の材料は、絶縁体層１６ａ～１６ｃの材料と異なる。保護層２０は、レジスト層である。従って、保護層２０は、樹脂シートが絶縁体層１６ａの上主面に貼り付けられることにより形成されてもよいし、液体状の樹脂が絶縁体層１６ａの上主面に塗布されることにより形成されてもよい。保護層２０は、図１に示すように、第１線状リファレンス導体層２４ａ及び第１リファレンス導体層２４ｂ，２４ｃを覆っている。ただし、保護層２０には、開口ｈａ～ｈｆが設けられている。開口ｈａは、上下方向に見て、信号電極２８ａと重なっている。これにより、信号電極２８ａは、開口ｈａを介して回路基板１０から外部に露出している。開口ｈｂは、開口ｈａの左に設けられている。開口ｈｃは、開口ｈａの右に設けられている。これにより、第１リファレンス導体層２４ｂは、開口ｈｂ，ｈｃを介して回路基板１０から外部に露出している。なお、開口ｈｄ～ｈｆはそれぞれ、開口ｈａ～ｈｃと前後対称な構造を有する。従って、開口ｈｄ～ｈｆの説明を省略する。

　第１信号導体層２２ａ、第１線状リファレンス導体層２４ａ、第１リファレンス導体層２４ｂ，２４ｃ、第２リファレンス導体層２６、信号電極２８ａ，２８ｂは、絶縁体層１６ａ～１６ｃの上主面に貼り付けられた金属箔にパターニングが施されることにより形成される。金属箔は、例えば、銅箔である。層間接続導体ｖ１～ｖ６は、絶縁体層１６ａ，１６ｂに貫通孔が形成され、貫通孔に導電性ペーストが充填され、導電性ペーストが加熱により固化されることにより形成される。

［電子機器１の構造］
　次に、回路基板１０を備える電子機器１の構造について図面を参照しながら説明する。

図３は、回路基板１０を備える電子機器１の内部構造の一部の左面図である。電子機器１は、例えば、携帯無線通信端末である。電子機器１は、例えば、スマートフォンである。

　回路基板１０は、図３に示すように、折れ曲がっている。「回路基板１０が折れ曲がる」とは、回路基板１０に外力が加えられることにより回路基板１０が変形して曲がっていることを意味する。「回路基板１０が折れ曲がる」態様には、２種類が存在する。具体的には、「回路基板１０が折れ曲がる」態様の内の第１態様は、回路基板１０が塑性変形して折れ曲がっている態様である。回路基板１０が加熱されて折り曲げられることにより、回路基板１０が塑性変形しやすい。この場合、絶縁体層１６ａ～１６ｃの材料は、熱可塑性樹脂である。「回路基板１０が折れ曲がる」態様の内の第２態様は、回路基板１０が弾性変形して折れ曲がっている態様である。

　以下では、回路基板１０が折れ曲がっている区間を湾曲区間Ａ２と呼ぶ。回路基板１０が折れ曲がっていない区間を非湾曲区間Ａ１，Ａ３と呼ぶ。そして、電子機器１におけるｘ軸、ｙ軸及びｚ軸を以下の様に定義する。ｘ軸は、非湾曲区間Ａ１での前後方向である。ｙ軸は、非湾曲区間Ａ１での左右方向である。ｚ軸は、非湾曲区間Ａ１での上下方向である。湾曲区間Ａ２は、非湾曲区間Ａ１と非湾曲区間Ａ３との間に位置している。

　図３に示すように、回路基板１０は、湾曲区間Ａ２及び非湾曲区間Ａ１，Ａ３を有している。非湾曲区間Ａ１，Ａ３では、回路基板１０は、平坦な形状を有している。すなわち、非湾曲区間Ａ１，Ａ３は、折れ曲がっていない。一方、湾曲区間Ａ２は、ｚ軸方向（非湾曲区間における上下方向）に非湾曲区間Ａ１に対して折れ曲がっている。本実施形態では、湾曲区間Ａ２は、ｚ軸の正方向（非湾曲区間における上方向）に非湾曲区間Ａ１に対して折れ曲がっている。従って、上下方向及び前後方向は、図３に示すように、回路基板１０の位置によって異なる。回路基板１０が折れ曲がっていない非湾曲区間Ａ１では、上下方向及び前後方向のそれぞれは、ｚ軸方向及びｘ軸方向と一致する。一方、回路基板１０が折れ曲がっている湾曲区間Ａ２では、上下方向及び前後方向のそれぞれは、ｚ軸方向及びｘ軸方向と一致しない。

　また、第１線状リファレンス導体層２４ａの少なくとも一部は、図１に示すように、湾曲区間Ａ２に位置している。本実施形態では、第１線状リファレンス導体層２４ａの全体は、湾曲区間Ａ２に位置している。

　電子機器１は、図３に示すように、回路基板１０、コネクタ３０ａ，３０ｂ，１１０，２１０、回路基板１００，２００を備えている。

　回路基板１００，２００は、板形状を有している。回路基板１００は、主面Ｓ５，Ｓ６を有している。主面Ｓ５は、主面Ｓ６よりｚ軸の負方向側に位置する。回路基板２００は、主面Ｓ１１，Ｓ１２を有している。主面Ｓ１１は、主面Ｓ１２よりｘ軸の正方向側に位置する。回路基板１００，２００は、図示しない配線導体層やリファレンス導体層、電極等を含んでいる。

　コネクタ３０ａ，３０ｂのそれぞれは、非湾曲区間Ａ１及び非湾曲区間Ａ３において素体１２の上主面に実装されている。より詳細には、コネクタ３０ａは、開口ｈａ～ｈｃから露出している信号電極２８ａ及び第１リファレンス導体層２４ｂに実装される。コネクタ３０ｂは、開口ｈｄ～ｈｆから露出している信号電極２８ｂ及び第１リファレンス導体層２４ｃに実装される。コネクタ３０ａ，３０ｂの実装には、半田や導電性接着剤等の導電性接合材が用いられる。

　コネクタ１１０，２１０のそれぞれは、回路基板１００の主面Ｓ５及び回路基板２００の主面Ｓ１１に実装されている。コネクタ１１０，２１０のそれぞれは、コネクタ３０ａ，３０ｂに接続されている。これにより、回路基板１０は、回路基板１００と回路基板２００とを電気的に接続している。

（効果）
　回路基板１０によれば、回路基板１０を容易に折り曲げることができる。より詳細には、湾曲区間Ａ２がｚ軸の正方向に非湾曲区間Ａ１に対して折れ曲がると、第１線状リファレンス導体層２４ａは、前後方向に圧縮される。湾曲区間Ａ２がｚ軸の負方向に非湾曲区間Ａ１に対して折れ曲がると、第１線状リファレンス導体層２４ａは、前後方向に伸張される。そのため、第１線状リファレンス導体層２４ａが伸び縮みしやすい構造を有していれば、回路基板１０を容易に折り曲げることができる。そこで、回路基板１０では、第１線状リファレンス導体層２４ａは、蛇行する線状を有している。第１線状リファレンス導体層２４ａが線状を有することにより、第１線状リファレンス導体層２４ａの前後方向のばね係数が小さくなる。すなわち、第１線状リファレンス導体層２４ａが伸び縮みしやすくなる。更に、第１線状リファレンス導体層２４ａが蛇行することにより、第１線状リファレンス導体層２４ａが長くなる。従って、第１線状リファレンス導体層２４ａの前後方向のばね係数が更に小さくなる。第１線状リファレンス導体層２４ａが更に伸び縮みしやすくなる。その結果、回路基板１０によれば、回路基板１０を容易に折り曲げることができる。

　回路基板１０によれば、不要輻射を低減できる。より詳細には、回路基板１０では、第１線状リファレンス導体層２４ａは、上下方向に見て、第１信号導体層２２ａに対して左方向に突出する第１突出部分２４０ａ～２４０ｃと第１信号導体層２２ａに対して右方向に突出する第２突出部分２４２ａ～２４２ｄとが前後方向に交互に並ぶように蛇行している。これにより、第１線状リファレンス導体層２４ａは、上下方向に見て、第１信号導体層２２ａと複数回にわたって交差している。第１信号導体層２２ａが第１線状リファレンス導体層２４ａと重なる部分（以下、重複部分と呼ぶ）の伝送モードは、第１信号導体層２２ａが第１線状リファレンス導体層２４ａと重ならない部分（以下、非重複部分と呼ぶ）の伝送モードと異なる。そのため、重複部分と非重複部分との境界において高周波信号の反射が発生しやすい。

　しかしながら、回路基板１０では、第１線状リファレンス導体層２４ａが形成する正弦波の１波長の長さを調整することが容易である。そのため、第１信号導体層２２ａを伝送される高周波信号の波長に比べて隣り合う重複部分の間隔を十分に短く設計することが容易である。その結果、第１信号導体層２２ａの隣り合う重複部分間において発生しうる定在波の周波数が、第１信号導体層２２ａを伝送される高周波信号の周波数よりも十分に高くなる。その結果、第１信号導体層２２ａを伝送される高周波信号によって、第１信号導体層２２ａの隣り合う重複部分間に定在波が発生することが抑制される。その結果、回路基板１０によれば、不要輻射を低減できる。特に、回路基板１０では、前後方向における第１突出部分２４０ａ～２４０ｃの長さ、及び、前後方向における第２突出部分２４２ｂ，２４２ｃの長さは、第１信号導体層２２ａを伝送される高周波信号の波長の１／４以下である。従って、隣り合う重複部分間の距離は、第１信号導体層２２ａを伝送される高周波信号の波長の１／４以下となる。その結果、第１信号導体層２２ａを伝送される高周波信号によって、第１信号導体層２２ａの隣り合う重複部分間に定在波が発生することがより抑制される。以上より、回路基板１０によれば、不要輻射をより低減できる。

　回路基板１０によれば、左右方向における第１線状リファレンス導体層２４ａの幅を小さくすることができる。より詳細には、左右方向における第１突出部分２４０ａ～２４０ｃの第１信号導体層２２ａに対する突出量Ｄ１は、左右方向における第２突出部分２４２ａ～２４２ｄの第１信号導体層２２ａに対する突出量Ｄ２と実質的に等しい。従って、第１信号導体層２２ａは、上下方向に見て、左右方向における第１線状リファレンス導体層２４ａの中央ＣＬと重なっている。これにより、第１信号導体層２２ａは、上下方向に見て、第１線状リファレンス導体層２４ａから左右方向にはみ出しにくくなる。その結果、回路基板１０によれば、左右方向における第１線状リファレンス導体層２４ａの幅を小さくすることができる。

　回路基板１０によれば、第１信号導体層２２ａに発生している特性インピーダンスが、素体１２の積層ずれによって、所望の特性インピーダンス（例えば、１００Ω）から変動することが抑制される。より詳細には、左右方向における第１突出部分２４０ａ～２４０ｃの第１信号導体層２２ａに対する突出量Ｄ１は、左右方向における第２突出部分２４２ａ～２４２ｄの第１信号導体層２２ａに対する突出量Ｄ２と実質的に等しい。従って、第１信号導体層２２ａは、上下方向に見て、左右方向における第１線状リファレンス導体層２４ａの中央ＣＬと重なっている。これにより、素体１２に積層ずれが発生したとしても、第１信号導体層２２ａは、上下方向に見て、第１線状リファレンス導体層２４ａから左右方向にはみ出しにくくなる。その結果、第１信号導体層２２ａと第１線状リファレンス導体層２４ａとの間に発生する容量が設計値から変動しにくくなる。以上より、回路基板１０によれば、第１信号導体層２２ａに発生している特性インピーダンスが、素体１２の積層ずれによって、所望の特性インピーダンス（例えば、１００Ω）から変動することが抑制される。

（第１変形例）
　以下に、第１変形例に係る回路基板１０ａについて図面を参照しながら説明する。図４は、回路基板１０ａの前後方向の中央近傍の上面図である。

　回路基板１０では、第１線状リファレンス導体層２４ａが形成する正弦波の波長は、一定である。一方、回路基板１０ａでは、第１線状リファレンス導体層２４ａが形成する正弦波の波長は、一定ではない。より詳細には、第１線状リファレンス導体層２４ａの前後方向の中央近傍における正弦波の波長は、第１線状リファレンス導体層２４ａの前後方向の前端近傍及び後端近傍における正弦波の波長より長い。これにより、第１信号導体層２２ａの前後方向（伝送方向）の中央に最も近い第１突出部分２４０ｂの前後方向（伝送方向）における長さＬａは、第１信号導体層２２ａの前後方向（伝送方向）の端に最も近い第１突出部分２４０ａ，２４０ｃの前後方向（伝送方向）における長さＬｂより長い。そして、第１突出部分２４０ｂの前後方向における長さＬａは、第１突出部分２４０ａ～２４０ｃの内で前後方向の長さが最も長い。このとき、第１突出部分２４０ｂの前後方向における長さＬａは、第１信号導体層２２ａを伝送される高周波信号の波長の１／４より短い。以上のような回路基板１０ａでは、図３に示すように、湾曲区間Ａ２は、ｚ軸の正方向（非湾曲区間における上方向）に非湾曲区間Ａ１に対して折れ曲がっている。なお、回路基板１０ａのその他の構造は、回路基板１０と同じであるので説明する。

　回路基板１０ａによれば、回路基板１０と同じ作用効果を奏することができる。更に、回路基板１０ａによれば、第１信号導体層２２ａに発生する特性インピーダンスが所望の特性インピーダンスから変動することが抑制される。より詳細には、回路基板１０ａでは、図３に示すように、湾曲区間Ａ２は、ｚ軸の正方向に非湾曲区間Ａ１に対して折れ曲がっている。この場合、第１線状リファレンス導体層２４ａの前後方向の中央部分は、第１線状リファレンス導体層２４ａの前端近傍及び後端近傍より、前後方向に大きく圧縮される。そこで、第１信号導体層２２ａの前後方向（伝送方向）の中央に最も近い第１突出部分２４０ｂの前後方向（伝送方向）における長さＬａは、第１信号導体層２２ａの前後方向（伝送方向）の端に最も近い第１突出部分２４０ａ，２４０ｃの前後方向（伝送方向）における長さＬｂより長い。これにより、湾曲区間Ａ２がｚ軸の正方向に非湾曲区間Ａ１に対して折れ曲がったときに、第１突出部分２４０ｂの前後方向における長さＬａが、第１突出部分２４０ａ，２４０ｂの前後方向における長さＬｂに近づくようになる。その結果、第１信号導体層２２ａが第１線状リファレンス導体層２４ａと重なる部分（重複部分）が、等間隔近い間隔で並ぶようになる。その結果、第１信号導体層２２ａと第１線状リファレンス導体層２４ａとの間に発生する容量は、第１信号導体層２２ａの全体に均一に発生しやすくなる。その結果、回路基板１０ａによれば、第１信号導体層２２ａに発生する特性インピーダンスが所望の特性インピーダンスから変動することが抑制される。

（第２変形例）
　以下に、第２変形例に係る回路基板１０ｂについて図面を参照しながら説明する。図５は、回路基板１０ａの前後方向の中央近傍の上面図である。図６は、回路基板１０ｂを備える電子機器１ｂの内部構造の一部の左面図である。

　回路基板１０では、第１線状リファレンス導体層２４ａが形成する正弦波の波長は、一定である。一方、回路基板１０ｂでは、第１線状リファレンス導体層２４ａが形成する正弦波の波長は、一定ではない。より詳細には、第１線状リファレンス導体層２４ａの前後方向の中央近傍における正弦波の波長は、第１線状リファレンス導体層２４ａの前後方向の前端近傍及び後端近傍における正弦波の波長より短い。これにより、第１信号導体層２２ａの前後方向（伝送方向）の中央に最も近い第１突出部分２４０ｂの前後方向（伝送方向）における長さＬａは、第１信号導体層２２ａの前後方向（伝送方向）の端に最も近い第１突出部分２４０ａ，２４０ｃの前後方向（伝送方向）における長さＬｂより短い。そして、第１突出部分２４０ａ，２４０ｃの前後方向における長さＬｂは、第１突出部分２４０ａ～２４０ｃの内で前後方向の長さが最も長い。このとき、第１突出部分２４０ａ，２４０ｃの前後方向における長さＬａｂ、第１信号導体層２２ａを伝送される高周波信号の波長の１／４より短い。以上のような回路基板１０ｂでは、図６に示すように、湾曲区間Ａ２は、ｚ軸の負方向（非湾曲区間における下方向）に非湾曲区間Ａ１に対して折れ曲がっている。なお、回路基板１０ｂのその他の構造は、回路基板１０と同じであるので説明する。

　回路基板１０ｂによれば、回路基板１０と同じ作用効果を奏することができる。更に、回路基板１０ｂによれば、第１信号導体層２２ａに発生する特性インピーダンスが所望の特性インピーダンスから変動することが抑制される。より詳細には、回路基板１０ｂでは、図６に示すように、湾曲区間Ａ２は、ｚ軸の負方向に非湾曲区間Ａ１に対して折れ曲がっている。この場合、第１線状リファレンス導体層２４ａの前後方向の中央部分は、第１線状リファレンス導体層２４ａの前端近傍及び後端近傍より、前後方向に大きく伸張される。そこで、第１信号導体層２２ａの前後方向（伝送方向）の中央に最も近い第１突出部分２４０ｂにおける前後方向（伝送方向）の長さＬａは、第１信号導体層２２ａの前後方向（伝送方向）の端に最も近い第１突出部分２４０ａ，２４０ｃの前後方向（伝送方向）における長さＬｂより短い。これにより、湾曲区間Ａ２がｚ軸の正方向に非湾曲区間Ａ１に対して折れ曲がったときに、第１突出部分２４０ｂの前後方向における長さＬａが、第１突出部分２４０ａ，２４０ｂの前後方向における長さＬｂに近づくようになる。その結果、第１信号導体層２２ａが第１線状リファレンス導体層２４ａと重なる部分が、等間隔近い間隔で並ぶようになる。その結果、第１信号導体層２２ａと第１線状リファレンス導体層２４ａとの間に発生する容量は、第１信号導体層２２ａの全体に均一に発生しやすくなる。その結果、回路基板１０ｂによれば、第１信号導体層２２ａに発生する特性インピーダンスが所望の特性インピーダンスから変動することが抑制される。

（第３変形例）
　以下に、第３変形例に係る回路基板１０ｃについて図面を参照しながら説明する。図７は、回路基板１０ｃの前後方向の中央近傍の上面図である。

　回路基板１０ｃは、第１信号導体層２２ａの形状において、回路基板１０と相違する。より詳細には、第１信号導体層２２ａと第１線状リファレンス導体層２４ａとが並走している区間を第１区間Ａ１１と定義する。第１信号導体層２２ａと第１リファレンス導体層２４ｂとが並走している区間を第２区間Ａ１２と定義する。第１信号導体層２２ａと第１リファレンス導体層２４ｃとが並走している区間を第２区間Ａ１３と定義する。第１区間Ａ１１での左右方向（直交方向）における第１信号導体層２２ａの幅は、第２区間Ａ１２，Ａ１３での左右方向（直交方向）における第１信号導体層２２ａの幅より大きい。回路基板１０ｃのその他の構造は、回路基板１０と同じであるので説明を省略する。

　回路基板１０ｃによれば、回路基板１０と同じ作用効果を奏することができる。更に、回路基板１０ｃによれば、第１信号導体層２２ａに発生する特性インピーダンスが所望の特性インピーダンスから変動することが抑制される。より詳細には、第１区間Ａ１１において単位長さの第１信号導体層２２ａが第１線状リファレンス導体層２４ａに対向する面積は、第２区間Ａ１２，Ａ１３において単位長さの第１信号導体層２２ａが第１リファレンス導体層２４ｂ，２４ｃに対向する面積より小さくなりやすい。よって、第１区間Ａ１１において単位長さの第１信号導体層２２ａと第１線状リファレンス導体層２４ａとの間に容量が発生しにくい。そのため、第１区間Ａ１１において第１信号導体層２２ａに発生する特性インピーダンスは、第２区間Ａ１２，Ａ１３において第１信号導体層２２ａに発生する特性インピーダンスより大きくなりやすい。

　そこで、回路基板１０ｃでは、第１区間Ａ１１での左右方向（直交方向）における第１信号導体層２２ａの幅は、第２区間Ａ１２，Ａ１３での左右方向（直交方向）における第１信号導体層２２ａの幅より大きい。これにより、第１区間Ａ１１において単位長さの第１信号導体層２２ａが第１線状リファレンス導体層２４ａに対向する面積は、第２区間Ａ１２，Ａ１３において単位長さの第１信号導体層２２ａが第１リファレンス導体層２４ｂ，２４ｃに対向する面積に近づくようになる。その結果、第１区間Ａ１１において単位長さの第１信号導体層２２ａと第１線状リファレンス導体層２４ａとの間に発生する容量は、第２区間Ａ１２，Ａ１３において単位長さの第１信号導体層２２ａと第１リファレンス導体層２４ｂ，２４ｃとの間に発生する容量に近づくようになる。そのため、第１区間Ａ１１において第１信号導体層２２ａに発生する特性インピーダンスは、第２区間Ａ１２，Ａ１３において第１信号導体層２２ａに発生する特性インピーダンスに近づくようになる。その結果、回路基板１０ｃによれば、第１信号導体層２２ａに発生する特性インピーダンスが所望の特性インピーダンスから変動することが抑制される。

（第４変形例）
　以下に、第４変形例に係る回路基板１０ｄについて図面を参照しながら説明する。図８は、回路基板１０ｄの前後方向の中央近傍の上面図である。

　回路基板１０ｄは、第２信号導体層２２ｂ及び第２線状リファレンス導体層２４ｄを更に備えている点において、回路基板１０と相違する。第２信号導体層２２ｂ及び第２線状リファレンス導体層２４ｄのそれぞれは、第１信号導体層２２ａ及び第１線状リファレンス導体層２４ａと同じ構造を有する。より詳細には、第２信号導体層２２ｂは、素体１２に設けられている。本実施形態では、第２信号導体層２２ｂは、絶縁体層１６ｂの上主面に設けられている。第２信号導体層２２ｂは、第１信号導体層２２ａの左に位置している。第２信号導体層２２ｂは、線状を有している。そのため、第２信号導体層２２ｂは、第１信号導体層２２ａと並走している。

　第２線状リファレンス導体層２４ｄは、素体１２に設けられている。本実施形態では、第２線状リファレンス導体層２４ｄは、絶縁体層１６ａの上主面に設けられている。第２線状リファレンス導体層２４ｄは、第１線状リファレンス導体層２４ａの左に位置している。第２線状リファレンス導体層２４ｄは、線状を有している。

　また、第２線状リファレンス導体層２４ｄは、上下方向に見て、第２線状リファレンス導体層２４ｄの一部分と第２信号導体層２２ｂとが重なるように、第２信号導体層２２ｂに沿って延びている。そして、第２線状リファレンス導体層２４ｄは、上下方向に見て、第２信号導体層２２ｂに対して左方向（第１直交方向）に突出する第３突出部分２５０ａ～２５０ｃと第２信号導体層２２ｂに対して右方向（第２直交方向）に突出する第４突出部分２５２ａ～２５２ｄとが前後方向（伝送方向）に交互に並ぶように蛇行している。

　更に、第１線状リファレンス導体層２４ａの位相と第２線状リファレンス導体層２４ｄの位相とが一致している。第１突出部分２４０ａと第３突出部分２５０ａとが左右方向（直交方向）に並ぶ。第１突出部分２４０ｂと第３突出部分２５０ｂとが左右方向（直交方向）に並ぶ。第１突出部分２４０ｃと第３突出部分２５０ｃとが左右方向（直交方向）に並ぶ。第２突出部分２４２ａと第４突出部分２５２ａとが左右方向（直交方向）に並ぶ。第２突出部分２４２ｂと第４突出部分２５２ｂとが左右方向（直交方向）に並ぶ。第２突出部分２４２ｃと第４突出部分２５２ｃとが左右方向（直交方向）に並ぶ。第２突出部分２４２ｄと第４突出部分２５２ｄとが左右方向（直交方向）に並ぶ。

　更に、第２線状リファレンス導体層２４ｄは、第２線状リファレンス導体層２４ｄが形成している正弦波の１波長分の長さにおいて、他の導体層に接続されていない。すなわち、隣り合う１つの第３突出部分と１つの第４突出部分との組を第２突出部分ペアと定義する。このとき、第２線状リファレンス導体層２４ｄは、少なくとも１以上の第２突出部分ペアにおいて、他の導体層に接続されていない。回路基板１０ｄのその他の構造は、回路基板１０と同じであるので説明を省略する。

　回路基板１０ｄは、回路基板１０と同じ作用効果を奏することができる。更に、回路基板１０ｄによれば、湾曲区間Ａ２が折れ曲がったときに、第１線状リファレンス導体層２４ａ及び第２線状リファレンス導体層２４ｄに応力集中が発生することが抑制される。より詳細には、第１線状リファレンス導体層２４ａと第２線状リファレンス導体層２４ｄとが近づきすぎる部分が発生すると、この部分において回路基板が硬くなる。そのため、湾曲区間Ａ２が折れ曲がったときに、この部分において第１線状リファレンス導体層２４ａ及び第２線状リファレンス導体層２４ｄに応力集中が発生しやすい。

　そこで、第１突出部分２４０ａと第３突出部分２５０ａとが左右方向（直交方向）に並ぶ。第１突出部分２４０ｂと第３突出部分２５０ｂとが左右方向（直交方向）に並ぶ。第１突出部分２４０ｃと第３突出部分２５０ｃとが左右方向（直交方向）に並ぶ。第２突出部分２４２ａと第４突出部分２５２ａとが左右方向（直交方向）に並ぶ。第２突出部分２４２ｂと第４突出部分２５２ｂとが左右方向（直交方向）に並ぶ。第２突出部分２４２ｃと第４突出部分２５２ｃとが左右方向（直交方向）に並ぶ。第２突出部分２４２ｄと第４突出部分２５２ｄとが左右方向（直交方向）に並ぶ。従って、第１線状リファレンス導体層２４ａの位相と第２線状リファレンス導体層２４ｄの位相とが一致している。そのため、第１線状リファレンス導体層２４ａと第２線状リファレンス導体層２４ｄとの距離は、第１線状リファレンス導体層２４ａの全長及び第２線状リファレンス導体層２４ｄの全長において大きく変化しない。よって、第１線状リファレンス導体層２４ａと第２線状リファレンス導体層２４ｄとが近づきすぎる部分が発生しにくい。その結果、回路基板１０ｄによれば、湾曲区間Ａ２が折れ曲がったときに、第１線状リファレンス導体層２４ａ及び第２線状リファレンス導体層２４ｄに応力集中が発生することが抑制される。

（第５変形例）
　以下に、第５変形例に係る回路基板１０ｅについて図面を参照しながら説明する。図９は、回路基板１０ｅの前後方向の中央近傍の上面図である。

　回路基板１０ｅは、第２信号導体層２２ｂを更に備えている点において、回路基板１０と相違する。第１信号導体層２２ａと第２信号導体層２２ｂとは、差動伝送線路を形成している。すなわち、第１信号導体層２２ａを伝送される高周波信号の位相は、第２信号導体層２２ｂを伝送される高周波信号の位相の逆である。より詳細には、第２信号導体層２２ｂは、素体１２に設けられている。本実施形態では、第２信号導体層２２ｂは、絶縁体層１６ｂの上主面に設けられている。第２信号導体層２２ｂは、第１信号導体層２２ａの左（第１直交方向）に位置している。第２信号導体層２２ｂは、線状を有している。第２信号導体層２２ｂは、第１信号導体層２２ａに対して左（第１直交方向）において、第１信号導体層２２ａと並走している。

　第１信号導体層２２ａは、上下方向に見て、左右方向における第１線状リファレンス導体層２４ａの中央ＬＣの僅かに右に位置している。第２信号導体層２２ｂは、上下方向に見て、左右方向における第１線状リファレンス導体層２４ａの中央ＬＣの僅かに左に位置している。第１信号導体層２２ａは、中央ＬＣに関して第２信号導体層２２ｂと線対称の関係を有している。そして、第１信号導体層２２ａの一部分及び第２信号導体層２２ｂの一部分は、上下方向に見て、第１線状リファレンス導体層２４ａの一部分と重なっている。これにより、第１突出部分２４０ａ～２４０ｃは、第２信号導体層２２ｂに対して左方向（第１直交方向）に突出してる。第２突出部分２４２ａ～２４２ｄは、第１信号導体層２２ａに対して右方向（第２直交方向）に突出している。そして、左方向（第１直交方向）における第１突出部分２４０ａ～２４０ｃの第２信号導体層２２ｂに対する突出量Ｄ３は、右方向（第２直交方向）における第２突出部分２４２ａ～２４２ｄの第１信号導体層２２ａに対する突出量Ｄ４と実質的に等しい。

　以上のような回路基板１０ｅは、回路基板１０と同じ作用効果を奏することができる。更に、回路基板１０ｅによれば、第１信号導体層２２ａを伝送される高周波信号及び第２信号導体層２２ｂを伝送される高周波信号のロスが低減される。より詳細には、第１信号導体層２２ａと第２信号導体層２２ｂとは、差動伝送線路を形成している。これにより、第１信号導体層２２ａを流れる電流の方向は、第２信号導体層２２ｂを流れる電流の方向の逆になる。この場合、上下方向に見て、第１線状リファレンス導体層２４ａにおいて第１信号導体層２２ａと第２信号導体層２２ｂとの間に位置する区間では、第１信号導体層２２ａを流れる電流の電磁誘導により発生する電流と、第２信号導体層２２ｂを流れる電流の電磁誘導により発生する電流とが打ち消しあうようになる。すなわち、第１線状リファレンス導体層２４ａにおいて第１信号導体層２２ａと第２信号導体層２２ｂとの間に位置する区間に、電流が殆ど流れなくなる。従って、第１線状リファレンス導体層２４ａにおいて共振が発生しにくくなる。第１線状リファレンス導体層２４ａにおいて共振が発生しにくくなると、第１線状リファレンス導体層２４ａにおいて定在波が発生しにくくなる。その結果、第１線状リファレンス導体層２４ａから不要輻射が発生しにくくなる。以上より、第１信号導体層２２ａを伝送される高周波信号及び第２信号導体層２２ｂを伝送される高周波信号が、不要輻射に利用されにくくなる。回路基板１０ｅによれば、第１信号導体層２２ａを伝送される高周波信号及び第２信号導体層２２ｂを伝送される高周波信号のロスが低減される。

　回路基板１０ｅによれば、第１信号導体層２２ａに発生している特性インピーダンス及び第２信号導体層２２ｂに発生している特性インピーダンスが、素体１２の積層ずれによって、所望の特性インピーダンス（例えば、１００Ω）から変動することが抑制される。より詳細には、左右方向における第１突出部分２４０ａ～２４０ｃの第２信号導体層２２ｂに対する突出量Ｄ３は、左右方向における第２突出部分２４２ａ～２４２ｄの第１信号導体層２２ａに対する突出量Ｄ４と実質的に等しい。従って、第１信号導体層２２ａ及び第２信号導体層２２ｂは、上下方向に見て、左右方向における第１線状リファレンス導体層２４ａの中央近傍と重なっている。これにより、素体１２に積層ずれが発生したとしても、第１信号導体層２２ａ及び第２信号導体層２２ｂは、上下方向に見て、第１線状リファレンス導体層２４ａから左右方向にはみ出しにくくなる。その結果、第１信号導体層２２ａと第１線状リファレンス導体層２４ａとの間に発生する容量が設計値から変動しにくくなる。第２信号導体層２２ｂと第１線状リファレンス導体層２４ａとの間に発生する容量が設計値から変動しにくくなる。以上より、回路基板１０ｅによれば、第１信号導体層２２ａに発生している特性インピーダンス及び第２信号導体層２２ｂに発生している特性インピーダンスが、素体１２の積層ずれによって、所望の特性インピーダンス（例えば、１００Ω）から変動することが抑制される。

（第６変形例）
　以下に、第６変形例に係る回路基板１０ｆについて図面を参照しながら説明する。図１０は、回路基板１０ｆの前後方向の中央近傍の上面図である。

　回路基板１０ｆは、第１線状リファレンス導体層２４ａが矩形波形状を有している点において、回路基板１０と相違する。すなわち、第１線状リファレンス導体層２４ａは、前後方向に延びる複数の直線状の線状導体層と左右方向に延びる複数の直線状の線状導体層とが組み合わされた構造を有している。回路基板１０ｆのその他の構造は、回路基板１０と同じであるので説明を省略する。回路基板１０ｆは、回路基板１０と同じ作用効果を奏することができる。また、第１線状リファレンス導体層２４ａが左右方向に延びる線状導体層を有する。そのため、素体１２の積層ずれによって第１信号導体層２２ａが左右方向にずれたとしても、第１信号導体層２２ａと第１線状リファレンス導体層２４ａとが重なる部分の面積が変動しにくい。その結果、素体１２の積層ずれによって第１信号導体層２２ａに発生している特性インピーダンスが所望の特性インピーダンスから変動することが抑制される。

（第７変形例）
　以下に、第７変形例に係る回路基板１０ｇについて図面を参照しながら説明する。図１１は、回路基板１０ｇの前後方向の中央近傍の上面図である。

　回路基板１０ｇは、第１線状リファレンス導体層２４ａが複数の直線状の線状導体層と複数の半円形状の線状導体層とが組み合わされた構造を有している点において、回路基板１０ｆと相違する。すなわち、回路基板１０ｇの第１線状リファレンス導体層２４ａは、回路基板１０ｆの第１線状リファレンス導体層２４ａの角に面取りが施された形状を有する。回路基板１０ｇは、回路基板１０ｆと同じ作用効果を奏することができる。また、回路基板１０ｇでは、第１線状リファレンス導体層２４ａに角がなくなる。そのため、第１線状リファレンス導体層２４ａにおいて応力集中が発生しにくい。その結果、第１線状リファレンス導体層２４ａの破損が抑制される。

（第８変形例）
　以下に、第８変形例に係る回路基板１０ｈについて図面を参照しながら説明する。図１２は、回路基板１０ｈの前後方向の中央近傍の上面図である。

　回路基板１０ｈは、第１線状リファレンス導体層２４ａが複数の直線状の線状導体層と複数の円弧形状の線状導体層とが組み合わされた構造を有している点において、回路基板１０ｇと相違する。円弧形状の線状導体層は、１８０°以上の中心角を有している。回路基板１０ｈは、回路基板１０ｇと同じ作用効果を奏することができる。また、回路基板１０ｈでは、第１線状リファレンス導体層２４ａが１８０°以上の中心角を有する円弧形状の線状導体層を含んでいる。そのため、円弧形状の線状導体層の半径が大きくなる。その結果、第１線状リファレンス導体層２４ａにおいて応力集中が発生しにくい。その結果、第１線状リファレンス導体層２４ａの破損が抑制される。

（第９変形例）
　以下に、第９変形例に係る回路基板１０ｉについて図面を参照しながら説明する。図１３は、回路基板１０ｉの分解斜視図である。

　回路基板１０ｉは、第３線状リファレンス導体層２６ａを備えている点において回路基板１０と相違する。第３線状リファレンス導体層２６ａは、第１線状リファレンス導体層２４ａと左右対称な形状を有する。このように、第２リファレンス導体層２６の代わりに第３線状リファレンス導体層２６ａが設けられることにより、回路基板１０ｉをより容易に折り曲げることができる。

　なお、第３線状リファレンス導体層２６ａは、第１線状リファレンス導体層２４ａと左右対称な形状を有しているが、第１線状リファレンス導体層２４ａと同じ形状を有していてもよい。ただし、第３線状リファレンス導体層２６ａが、第１線状リファレンス導体層２４ａと左右対称な形状を有していると、上下方向に見て、第１線状リファレンス導体層２４ａの全体と第３線状リファレンス導体層２６ａの全体とが重ならない。よって、回路基板１０ｉをより容易に折り曲げることができる。

　なお、第３線状リファレンス導体層２６ａは、絶縁体層１６ｃの下主面に位置してもよい。この場合、絶縁体層１６ｃの下主面は、保護層により覆われてもよい。

（その他の実施形態）
　本発明に係る回路基板は、回路基板１０，１０ａ～１０ｉに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。なお、回路基板１０，１０ａ～１０ｉの構成を任意に組み合わせてもよい。

　なお、回路基板１０，１０ａ～１０ｈにおいて、第１リファレンス導体層２４ｂ，２４ｃ及び第２リファレンス導体層２６は、必須の構成ではない。回路基板１０，１０ａ～１０ｈが第２リファレンス導体層２６を備えていない場合、回路基板１０，１０ａ～１０ｈは、マイクロストリップライン構造を有する。

　なお、回路基板１０，１０ａ～１０ｉにおいて、保護層２０は、必須の構成ではない。

　なお、回路基板１０，１０ａ～１０ｉでは、第１線状リファレンス導体層２４ａの全体が湾曲区間Ａ２に位置している。しかしながら、第１線状リファレンス導体層２４ａの少なくとも一部が湾曲区間Ａ２に位置していてもよい。

　なお、回路基板１０，１０ａ～１０ｈは、第２リファレンス導体層２６の代わりに、第１線状リファレンス導体層２４ａと同じ形状を有する第３リファレンス導体層を備えていてもよい。この場合、第３線状リファレンス導体層の位相は、第１線状リファレンス導体層２４ａの位相に対して第１線状リファレンス導体層２４ａが形成する正弦波の波長の１／２だけずれていてもよい。また、第３線状リファレンス導体層の位相は、第１線状リファレンス導体層２４ａの位相と一致していてもよい。

　なお、回路基板１０，１０ａ～１０ｉにおいて、前後方向における第１突出部分２４０ａ～２４０ｃの長さ、及び、前後方向における第２突出部分２４２ｂ，２４２ｃの長さは、第１信号導体層２２ａを伝送される高周波信号の波長の１／４より長くてもよい。

　なお、回路基板１０，１０ａ～１０ｄ、１０ｆ～１０ｉにおいて、左右方向における第１突出部分２４０ａ～２４０ｃの第１信号導体層２２ａに対する突出量Ｄ１は、左右方向における第２突出部分２４２ａ～２４２ｄの第１信号導体層２２ａに対する突出量Ｄ２と実質的に等しくなくてもよい。

　なお、回路基板１０ｄにおいて、第１線状リファレンス導体層２４ａの位相と第２線状リファレンス導体層２４ｄの位相とが一致していなくてもよい。

　なお、回路基板１０ｄにおいて、第１線状リファレンス導体層２４ａが形成する正弦波の波長と第２線状リファレンス導体層２４ｄが形成する正弦波の波長とが異なっていてもよい。

　なお、回路基板１０ｅにおいて、左方向における第１突出部分２４０ａ～２４０ｃの第２信号導体層２２ｂに対する突出量Ｄ３は、右方向における第２突出部分２４２ａ～２４２ｄの第１信号導体層２２ａに対する突出量Ｄ４と実質的に等しくなくてもよい。

　なお、回路基板１０，１０ａ～１０ｉにおいて、絶縁体層１６ａ～１６ｃの材料は、熱可塑性樹脂を含んでいなくてもよい。

　なお、回路基板１０，１０ａ～１０ｉは、上下方向に見て、前後方向に延びている。しかしながら、回路基板１０，１０ａ～１０ｉは、曲がっていてもよい。ここでの「回路基板１０，１０ａ～１０ｉが曲がっている」とは、回路基板１０，１０ａ～１０ｉに外力を加えない状態で曲がった形状を有していることを意味する。

　なお、回路基板１０，１０ａ～１０ｉにおいて、第１線状リファレンス導体層２４ａ、第１リファレンス導体層２４ｂ，２４ｃ及び第２リファレンス導体層２６は、グランド電位以外のリファレンス電位に接続されてもよい。リファレンス電位は、電子機器において基準となる電位である。

　なお、回路基板１０，１０ａ～１０ｄ，１０ｆ～１０ｉは、回路基板１０ｅと同様に、第２信号導体層２２ｂを更に備えていてもよい。

　なお、回路基板１０，１０ａ～１０ｃ，１０ｅ～１０ｉは、回路基板１０ｄと同様に、第２信号導体層２２ｂ及び第２線状リファレンス導体層２４ｄを更に備えていてもよい。

　なお、回路基板１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｄ～１０ｉにおいて、回路基板１０ｄと同様に、第１区間Ａ１１での左右方向（直交方向）における第１信号導体層２２ａの幅は、第２区間Ａ１２，Ａ１３での左右方向（直交方向）における第１信号導体層２２ａの幅より大きくてもよい。また、回路基板１０ｄ，１０ｅにおいて、第１区間Ａ１１での左右方向（直交方向）における第２信号導体層２２ｂの幅は、第２区間Ａ１２，Ａ１３での左右方向（直交方向）における第２信号導体層２２ｂの幅より大きくてもよい。

　なお、回路基板１０，１０ｃ～１０ｉにおいて、第１線状リファレンス導体層２４ａが形成する波形の波長は、回路基板１０ａ，１０ｂのように、一定でなくてもよい。また、回路基板１０ｄにおいて、第２線状リファレンス導体層２４ｄが形成する波形の波長は、回路基板１０ａ，１０ｂのように、一定でなくてもよい。

　なお、回路基板１０，１０ｃ～１０ｉにおいて、第１リファレンス導体層２４ｂ，２４ｃ及び第２リファレンス導体層２６は、メッシュ構造を有していてもよい。

　なお、回路基板１０，１０ａ～１０ｉにおいて、層間接続導体ｖ１～ｖ６は、スルーホール導体であってもよい。スルーホール導体は、絶縁体層１６ａ～１６ｃに貫通孔を形成し、貫通孔の内周面にメッキを施すことにより形成される。

　なお、回路基板１０，１０ａ～１０ｅの第１信号導体層２２ａ及び第２信号導体層２２ｂは、回路基板１０ｆ～１０ｉの第１信号導体層２２ａと同じ形状を有していてもよいし、回路基板１０ｆ～１０ｉの第１信号導体層２２ａの形状が組み合わされた形状を有していてもよい。

　なお、回路基板１０，１０ａ～１０ｉにおいて、素体１２は、積層構造を有していなくてもよい。すなわち、素体１２は、単一の絶縁体層を含んでいてもよい。

　なお、回路基板１０，１０ａ～１０ｉにおいて、第１線状リファレンス導体層２４ａは、少なくとも１つの第１突出部及び少なくとも１つの第２突出部を含んでいればよい。

　なお、回路基板１０，１０ａ～１０ｉにおいて、非湾曲区間Ａ１，Ａ３は、僅かに折れ曲がっていてもよい。この場合、非湾曲区間Ａ１，Ａ３の曲率半径は、湾曲区間Ａ２の曲率半径より大きい。

１，１ｂ：電子機器
１０，１０ａ～１０ｉ：回路基板
１２：素体
１６ａ～１６ｃ：絶縁体層
２０：保護層
２２ａ：第１信号導体層
２２ｂ：第２信号導体層
２４ａ：第１線状リファレンス導体層
２４ｂ，２４ｃ：第１リファレンス導体層
２４ｄ：第２線状リファレンス導体層
２６：第２リファレンス導体層
２６ａ：第３線状リファレンス導体層
２８ａ，２８ｂ：信号電極
３０ａ，３０ｂ，１１０，２１０：コネクタ
１００，２００：回路基板
２１０：コネクタ
２４０ａ～２４０ｃ：第１突出部分
２４２ａ～２４２ｄ：第２突出部分
２５０ａ～２５０ｃ：第３突出部分
２５２ａ～２５２ｄ：第４突出部分
Ａ１，Ａ３：非湾曲区間
Ａ１１：第１区間
Ａ１２，Ａ１３：第２区間
Ａ２：湾曲区間

Claims

　上主面及び下主面を有する素体であって、前記上主面の法線は、上下方向に延びている、素体と、
　前記素体に設けられ、かつ、線状を有している第１信号導体層と、
　前記第１信号導体層より上に位置するように前記素体に設けられ、かつ、線状を有している第１線状リファレンス導体層と、
　を備えており、
　前記第１信号導体層が延びる方向を伝送方向と定義し、
　前記上下方向及び前記伝送方向と直交する方向を直交方向と定義し、
　前記直交方向は、第１直交方向及び前記第１直交方向の反対方向である第２直交方向を含んでおり、
　前記第１線状リファレンス導体層は、上下方向に見て、前記第１線状リファレンス導体層の一部分と前記第１信号導体層の一部分とが重なるように、前記第１信号導体層に沿って延びており、
　前記第１線状リファレンス導体層は、上下方向に見て、前記第１信号導体層に対して前記第１直交方向に突出する第１突出部分と前記第１信号導体層に対して前記第２直交方向に突出する第２突出部分とが前記伝送方向に交互に並ぶように蛇行しており、
　隣り合う１つの前記第１突出部分と１つの前記第２突出部分との組を第１突出部分ペアと定義し、
　少なくとも１以上の前記第１突出部分ペアにおける前記少なくとも１以上の第１突出部分ペアの両端を除く区間は、前記少なくとも１以上の第１突出ペアに含まれる前記第１突出部分及び前記第２突出部分以外の導体層に接続されていない、
　回路基板。
　前記回路基板は、湾曲区間及び非湾曲区間を有しており、
　前記第１線状リファレンス導体層の少なくとも一部は、前記湾曲区間に位置しており、
　前記非湾曲区間では、前記回路基板は、平坦な形状を有しており、
　前記湾曲区間は、前記非湾曲区間における上下方向に前記非湾曲区間に対して折れ曲がっている、
　請求項１に記載の回路基板。
　前記伝送方向における前記第１突出部分の長さ、及び、前記伝送方向における前記第２突出部分の長さは、前記第１信号導体層を伝送される高周波信号の波長の１／４以下である、
　請求項１又は請求項２に記載の回路基板。
　前記直交方向における前記第１突出部分の前記第１信号導体層に対する突出量は、前記直交方向における前記第２突出部分の前記第１信号導体層に対する突出量と等しい、
　請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の回路基板。
　前記回路基板は、
　前記素体に設けられ、かつ、線状を有している第２線状リファレンス導体層と、
　前記素体に設けられ、かつ、線状を有している第２信号導体層と、
　を更に備えており、
　前記第２信号導体層は、前記第１信号導体層と並走しており、
　前記第２線状リファレンス導体層は、上下方向に見て、前記第２線状リファレンス導体層の一部分と前記第２信号導体層とが重なるように、前記第２信号導体層に沿って延びており、
　前記第２線状リファレンス導体層は、上下方向に見て、前記第２信号導体層に対して前記第１直交方向に突出する第３突出部分と前記第２信号導体層に対して前記第２直交方向に突出する第４突出部分とが前記伝送方向に交互に並ぶように蛇行しており、
　隣り合う１つの前記第３突出部分と１つの前記第４突出部分との組を第２突出部分ペアと定義し、
　前記第２線状リファレンス導体層は、少なくとも１以上の前記第２突出部分ペアにおいて、他の導体層に接続されていない、
　前記第１突出部分と前記第３突出部分とが前記直交方向に並び、
　前記第２突出部分と前記第４突出部分とが前記直交方向に並ぶ、
　請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の回路基板。
　前記回路基板は、
　前記素体に設けられ、かつ、線状を有している第２信号導体層と、
　を更に備えており、
　前記第２信号導体層は、前記第１信号導体層の前記第１直交方向に位置しており、
　前記第２信号導体層は、前記第１信号導体層に対して前記第１直交方向において、前記第１信号導体層と並走しており、
　前記第１突出部分は、前記第２信号導体層に対して前記第１直交方向に突出しており、
　前記第２突出部分は、前記第１信号導体層に対して前記第２直交方向に突出している、
　請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の回路基板。
　前記第１信号導体層と前記第２信号導体層とは、差動伝送線路を形成している、
　請求項６に記載の回路基板。
　前記第１直交方向における前記第１突出部分の前記第２信号導体層に対する突出量は、前記第２直交方向における前記第２突出部分の前記第１信号導体層に対する突出量と等しい、
　請求項６又は請求項７に記載の回路基板。
　前記回路基板は、
　前記第１信号導体層より上に位置するように前記素体に設けられ、かつ、前記第１線状リファレンス導体層の端に接続され、かつ、上下方向に見て、前記第１信号導体層と重なっている第１リファレンス導体層を、
　更に含んでおり、
　前記直交方向における前記第１リファレンス導体層の幅は、前記直交方向における前記第１線状リファレンス導体層の幅以上である、
　請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の回路基板。
　前記第１信号導体層と前記第１線状リファレンス導体層とが並走している区間を第１区間と定義し、
　前記第１信号導体層と前記第１リファレンス導体層とが並走している区間を第２区間と定義し、
　前記第１区間での前記直交方向における前記第１信号導体層の幅は、前記第２区間での前記直交方向における前記第１信号導体層の幅より大きい、
　請求項９に記載の回路基板。
　前記第１信号導体層は、複数の前記第１突出部分を含んでおり、
　前記第１信号導体層の前記伝送方向の中央に最も近い前記第１突出部分の前記伝送方向における長さは、前記第１信号導体層の前記伝送方向の端に最も近い前記第１突出部分の前記伝送方向における長さより短い、
　請求項１ないし請求項１０のいずれかに記載の回路基板。
　前記回路基板は、湾曲区間及び非湾曲区間を有しており、
　前記第１線状リファレンス導体層の少なくとも一部は、前記湾曲区間に位置しており、
　前記非湾曲区間では、前記回路基板は、平坦な形状を有しており、
　前記湾曲区間は、前記非湾曲区間における下方向に前記非湾曲区間に対して折れ曲がっている、
　請求項１１に記載の回路基板。
　前記第１信号導体層は、複数の前記第１突出部分を含んでおり、
　前記第１信号導体層の前記伝送方向の中央に最も近い前記第１突出部分の前記伝送方向における長さは、前記第１信号導体層の前記伝送方向の端に最も近い前記第１突出部分の前記伝送方向における長さより長い、
　請求項１ないし請求項１０のいずれかに記載の回路基板。
　前記回路基板は、湾曲区間及び非湾曲区間を有しており、
　前記第１線状リファレンス導体層の少なくとも一部は、前記湾曲区間に位置しており、
　前記非湾曲区間では、前記回路基板は、平坦な形状を有しており、
　前記湾曲区間は、前記非湾曲区間における上方向に前記非湾曲区間に対して折れ曲がっている、
　請求項１３に記載の回路基板。
　前記素体の材料は、熱可塑性樹脂を含んでいる、
　請求項１ないし請求項１４のいずれかに記載の回路基板。