WO2022168998A1 - 반도체 발광소자의 전사용 롤러부의 전극구조 및 이를 포함하는 지능형 조립전사 통합장치 - Google Patents

반도체 발광소자의 전사용 롤러부의 전극구조 및 이를 포함하는 지능형 조립전사 통합장치 Download PDF

Info

Publication number
WO2022168998A1
WO2022168998A1 PCT/KR2021/001407 KR2021001407W WO2022168998A1 WO 2022168998 A1 WO2022168998 A1 WO 2022168998A1 KR 2021001407 W KR2021001407 W KR 2021001407W WO 2022168998 A1 WO2022168998 A1 WO 2022168998A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
assembly
roller
semiconductor light
light emitting
emitting device
Prior art date
Application number
PCT/KR2021/001407
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
안기태
심봉주
전진형
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to US18/275,548 priority Critical patent/US20240120218A1/en
Priority to PCT/KR2021/001407 priority patent/WO2022168998A1/ko
Priority to KR1020237022955A priority patent/KR20230122053A/ko
Priority to DE112021006742.7T priority patent/DE112021006742T5/de
Publication of WO2022168998A1 publication Critical patent/WO2022168998A1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/951—Supplying the plurality of semiconductor or solid-state bodies
    • H01L2224/95101—Supplying the plurality of semiconductor or solid-state bodies in a liquid medium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination

Definitions

  • the embodiment relates to a device for assembling, transferring, and integrating a semiconductor light emitting device. Specifically, the embodiment relates to an electrode structure of a roller portion for transfer of a semiconductor light emitting device and an intelligent assembly transfer integration device including the same.
  • the large-area display technology includes a liquid crystal display (LCD), an OLED display, or a micro-LED display.
  • LCD liquid crystal display
  • OLED organic light-emitting diode
  • micro-LED display is a display using a micro-LED, which is a semiconductor light emitting device having a diameter or cross-sectional area of 100 ⁇ m or less, as a display device.
  • Micro-LED display has excellent performance in contrast ratio, response speed, color gamut, viewing angle, brightness, resolution, lifespan, luminous efficiency, and luminance because micro-LED is used as a display element.
  • the micro-LED display has the advantage of being able to separate and combine the screens in a modular way, so that the size or resolution can be freely adjusted, and it also has the advantage of being able to implement a flexible display.
  • micro-LED display requires millions of semiconductor light emitting devices, there is a technical problem in that it is difficult to quickly and accurately transfer the semiconductor light emitting devices to the display panel.
  • Transfer technologies that have been recently developed include a pick and place process, a laser lift-off method, or a self-assembly method.
  • the self-assembly method is a technology in which a semiconductor light emitting device finds an assembly position by itself in a fluid, and is advantageous for realization of a large-screen display device.
  • US Patent No. 9,825,202 has proposed a micro-LED structure suitable for self-assembly, but research on a technology for manufacturing a display by self-assembly of micro-LED is still insufficient.
  • the transfer speed can be improved, but the transfer error rate can be high, so that the transfer yield is lowered. there is a problem.
  • the transfer speed is lowered, which is a technical contradiction problem.
  • One of the technical tasks of the embodiment is to provide an intelligent assembly transfer integration device capable of simultaneously improving a transfer speed and a transfer yield in transferring semiconductor light emitting devices to a display panel.
  • an intelligent assembly transcription unit is being researched and developed as an undisclosed internal technology.
  • the assembly board mounted on the rotating part of the self-assembly roller comes in contact with the O-ring of the bath, and the electrode on the assembly board is damaged by mutual frictional force.
  • one of the technical problems of the embodiment is to provide an electrode structure of a roller part for a transfer of a semiconductor light emitting device capable of preventing the problem of damage to the electrode of the assembling substrate, and an intelligent assembly transfer integration device including the same.
  • the electrode structure of the transfer roller of the semiconductor light emitting device includes a roller rotating unit, an assembly substrate mounted on the roller rotating unit, an adhesive film disposed between the roller rotating unit and the assembling substrate, and penetrating through the assembly substrate It may include an electrode and a roller pad electrode disposed on the roller rotating part and electrically connected to the through electrode.
  • the assembly substrate may include a base portion, a plurality of assembly electrodes and assembly pad electrodes disposed on the base portion, and a dielectric layer on the base portion.
  • the through electrode may pass through the base portion and the adhesive film to be electrically connected to the assembly pad electrode.
  • the roller pad electrode includes a first pad electrode disposed on a first surface of the roller rotating part, a second pad electrode disposed on a side surface of the roller rotating part, and a third pad electrode disposed on a second surface of the roller rotating part.
  • the roller pad electrode includes a first pad electrode disposed on a first surface on the adhesive film, a second pad electrode and a fourth pad electrode disposed on a side surface of the roller rotating unit, and a second surface of the roller rotating unit. It may include a third pad electrode that becomes
  • the through electrode may pass through the base portion to be electrically connected to the assembly pad electrode.
  • the assembly substrate may include a base portion, a plurality of assembly electrodes and assembly pad electrodes disposed on the base portion, and a dielectric layer on the base portion, and the dielectric layer may be disposed to cover the plurality of assembly electrodes. .
  • the dielectric layer may be disposed to cover the plurality of assembly electrodes and the assembly pad electrode.
  • the roller pad electrode may include a 2-1 pad electrode disposed on the first surface of the roller rotating part, a 2-3 pad electrode disposed on the second surface of the roller rotating part, and the 2-1 pad electrode and the A 2-2 th pad electrode disposed between the 2-3 th pad electrode may be included.
  • the 2-2 pad electrode may pass through the roller rotating part.
  • Intelligent assembly transfer integration device a fluid chamber for accommodating semiconductor light emitting devices, a roller unit on which the assembly substrate on which the semiconductor light emitting device is assembled is mounted and rotated, and the semiconductor light emitting device assembled on the assembly substrate to inspect and an assembly inspection unit, wherein the roller unit may include an electrode structure of a roller unit for transfer of any one of the semiconductor light emitting devices.
  • the intelligent assembly transfer integration device includes a fluid chamber 300 accommodating the semiconductor light emitting devices 150 and the roller unit 200 on which the assembly substrate 210 on which the semiconductor light emitting device 150 is assembled is mounted and rotated. ) and an assembly inspection unit 500 for inspecting the semiconductor light emitting device 150 assembled on the assembly substrate 210 .
  • the roller unit 200 includes a roller rotating unit 220 on which the assembly substrate 210 is mounted and rotated, a roller driving unit 230 for rotatingly driving the roller rotating unit 220 and the semiconductor light emitting device 150 . It may include a magnet head 400 to be assembled to the assembly substrate 210 by applying a magnetic force.
  • the assembly inspection unit 500 may inspect the assembly state for each line in the width direction of the assembly substrate 210 to control the transfer process not to proceed to the panel substrate 910 in the case of unassembled or defective assembly.
  • a predetermined panel chuck moves the panel substrate 910 to the assembly substrate 210 ) and the panel substrate 910 , it is possible to control so that the semiconductor light emitting device 150 at an error position is not transferred to the panel substrate 910 .
  • the panel chuck may be disposed on a side surface, an upper surface, or a bottom surface of the panel substrate 910 to separate the panel substrate 910 from the assembly substrate 210 .
  • the magnetic head 400 may evenly apply a magnetic force to the semiconductor light emitting device 150 by rotating or horizontally moving.
  • the panel chuck may have a function of rotating the panel substrate 910 so that the second panel substrate 912 is moved in an inclined state.
  • the panel driving unit 920B includes a 2-1 panel driving unit 920b1 and a 2-2 panel driving unit 920b2, wherein the 2-1 panel driving unit 920b1 includes the 2-2 panel driving unit ( 920b2) and may be disposed at a different height.
  • the roller unit may have a triangular shape or a round shape.
  • the area of the 1-1 roller part assembled between the semiconductor light emitting device 150 and the assembly substrate 210 is larger than the area of the 1-2 roller part where the semiconductor light emitting device 150 is transferred to the panel substrate 910 . can be wide
  • the fluid chamber 300 may further include a second magnet head portion 420 disposed below.
  • the intelligent assembly and transfer integration apparatus of the semiconductor light emitting device there is a technical effect of simultaneously improving the transfer speed and the transfer yield in transferring the semiconductor light emitting devices to the display panel.
  • the semiconductor light emitting device 150 is assembled on a transfer substrate 210 , and the assembled semiconductor light emitting device 150 is in-line to the panel substrate 110 . Immediate transfer can significantly improve the transfer speed.
  • the transfer yield can be significantly increased by selectively transferring the semiconductor light emitting devices 150 assembled on the transfer substrate 210 to the panel substrate 910 only when they are normal after performing real-time inspection. . Accordingly, according to the embodiment, there is a special technical effect that can solve a problem in which a technical contradiction between the transfer speed and the transfer yield occurs by simultaneously increasing the transfer rate and the transfer yield.
  • a portion where the assembly substrate 210 and the flat panel substrate 910 on the roller unit 200 meet may be line-transferred in the width direction of the roller unit 200 .
  • 100% transfer yield can be realized.
  • the embodiment even if there is a defect in the assembly substrate or a defect in the semiconductor light emitting device, it is possible to avoid the transfer, thereby minimizing the dependence on the quality of the semiconductor light emitting device.
  • roller unit is configured as a multi, high-speed transfer can be realized.
  • the second roller pad electrode is not disposed on the side of the roller rotating part, the fear of receiving electrical damage from the fluid, etc. is prevented, so that the electrical reliability is remarkably improved, and the overall size of the water tank and the rotating part is reduced This has the effect of increasing the degree of spatial freedom.
  • FIG. 1 is an exemplary view in which a display device 100 according to an embodiment is disposed in a living room together with a washing machine 10, a robot cleaner 20, an air purifier 30, and the like.
  • FIG. 2A is an enlarged view of area A1 in FIG. 1 ;
  • Fig. 2B is an enlarged view of area A2 in Fig. 2A;
  • FIG. 2C is a cross-sectional view of the semiconductor light emitting device 150 of FIG. 2B.
  • FIG. 3 is a conceptual diagram of an intelligent assembly transcription unit 1000 according to an embodiment.
  • FIG. 4 is an enlarged view of the area B1 of the assembly substrate 210 in the intelligent assembly transfer integration apparatus 1000 according to the embodiment shown in FIG. 3 .
  • 5A and 5B are perspective views of the magnet head unit 400 in the intelligent assembly transfer integration apparatus 1000 according to the embodiment shown in FIG. 3 .
  • Figure 6 is an operational example of the intelligent assembly transcription unit 1000 according to the embodiment.
  • FIG. 7 is a conceptual diagram of a tilting of the panel substrate 110 in the embodiment.
  • FIG. 8 is a conceptual diagram of an intelligent assembly transcription unit 1000 according to an embodiment.
  • FIG. 9 is an enlarged view of the first roller part electrode structure (C1) in the intelligent assembly transfer integration apparatus 1000 according to the embodiment shown in FIG.
  • FIG. 10 is an enlarged view of the second roller part electrode structure C2 in the intelligent assembly transfer integration apparatus 1000 according to the embodiment shown in FIG. 8 .
  • FIG. 11 is a conceptual diagram of an intelligent assembly transcription unit 1002 according to a second embodiment.
  • FIG. 12 is an enlarged view of a third roller part electrode structure C3 in the intelligent assembly transfer integration apparatus 1002 according to the second embodiment shown in FIG. 11 .
  • FIG. 13 is an enlarged view of the fourth roller part electrode structure (C4) in the intelligent assembly transfer integration apparatus 1002 according to the second embodiment shown in FIG.
  • the display device described in this specification includes a digital TV, a mobile phone, a smart phone, a laptop computer, a digital broadcasting terminal, a personal digital assistant (PDA), a portable multimedia player (PMP), a navigation system, a slate ) PCs, Tablet PCs, Ultra-Books, desktop computers, and the like.
  • PDA personal digital assistant
  • PMP portable multimedia player
  • a navigation system a slate
  • Tablet PCs Ultra-Books
  • desktop computers and the like.
  • the embodiments described in the present specification may be applied to devices capable of displaying even in a new product form to be developed later.
  • FIG. 1 is an exemplary view in which a display device 100 according to an embodiment is disposed in a living room together with a washing machine 10 , a robot cleaner 20 , an air purifier 30 , and the like.
  • the display device 100 of the embodiment may display the status of various electronic products such as the air purifier 30 , the robot cleaner 20 , and the washing machine 10 , and may communicate with each electronic product based on IOT, and a user It is possible to control each electronic product based on the setting data of .
  • the display apparatus 100 may include a flexible display manufactured on a thin and flexible substrate.
  • the flexible display may be bent or rolled like paper while maintaining characteristics of a conventional flat panel display.
  • visual information may be implemented by independently controlling light emission of unit pixels arranged in a matrix form.
  • the unit pixel means a minimum unit for realizing one color.
  • the unit pixel of the flexible display may be implemented by a semiconductor light emitting device.
  • the semiconductor light emitting device may be a Micro-LED.
  • FIG. 2A is an enlarged view of area A1 in FIG. 1
  • FIG. 2B is an enlarged view of area A2 in FIG. 2A
  • FIG. 2C is a cross-sectional view of the semiconductor light emitting device 150 in FIG. 2B .
  • the display device 100 may drive the semiconductor light emitting device by an active matrix (AM) method, but is not limited thereto. can also be driven
  • AM active matrix
  • the display device 100 includes a panel substrate 910 , a first panel electrode 920 , a second panel electrode (not shown), an insulating layer 930 , and a plurality of semiconductor light emitting devices. (150).
  • Each of the semiconductor light emitting devices 150 may include red, green, and blue semiconductor light emitting devices to form a sub-pixel, but is not limited thereto. and green can also be implemented.
  • the panel substrate 910 may be formed of glass or polyimide.
  • the panel substrate 910 may include a flexible material such as polyethylene naphthalate (PEN) or polyethylene terephthalate (PET).
  • PEN polyethylene naphthalate
  • PET polyethylene terephthalate
  • the panel substrate 910 may be made of a transparent material, but is not limited thereto.
  • the insulating layer 930 may include an insulating and flexible material such as polyimide, PEN, PET, etc., and may be integrally formed with the panel substrate 910 to form a single substrate.
  • the insulating layer 930 may be a conductive adhesive layer having adhesiveness and conductivity, and the conductive adhesive layer may have flexibility to enable a flexible function of the display device.
  • the insulating layer 930 may be an anisotropy conductive film (ACF) or a conductive adhesive layer such as an anisotropic conductive medium or a solution containing conductive particles.
  • the conductive adhesive layer may be a layer that is electrically conductive in a direction perpendicular to the thickness, but has electrically insulating properties in a horizontal direction with respect to the thickness.
  • FIG. 2C is a cross-sectional view of a vertical type semiconductor light emitting device as an example of the semiconductor light emitting device 150 applied to the display device 100 according to the embodiment.
  • the semiconductor light emitting device that may be employed in the embodiment is not limited to the vertical type semiconductor light emitting device, and may include a lateral type semiconductor light emitting device or a flip type light emitting device.
  • the semiconductor light emitting device employed in the embodiment is a p-n junction diode in which electric energy is converted into light energy, and may be made of a compound semiconductor including elements of groups III and V on the periodic table, and a band gap by adjusting the composition ratio of the compound semiconductor By controlling the energy, it is possible to realize various colors such as red, green and blue.
  • the semiconductor light emitting device 150 may include a light emitting structure 151 , a first electrode 152a , and a second electrode 152b .
  • the light emitting structure 151 may include a first conductivity type semiconductor layer 151a, an active layer 151b, and a second conductivity type semiconductor layer 151c.
  • a pad electrode (not shown) may be further formed on the first electrode 152a or the second electrode 152b, but is not limited thereto.
  • At least one of the first electrode 152a or the second electrode 152b may include a magnetic layer (not shown).
  • the first conductivity type may be an n-type, and the second conductivity type may be a p-type, but is not limited thereto.
  • the magnetic layer may include at least one of Ni, samarium-cobalt (SmCo), Gd-based, La-based, and Mn-based material.
  • the magnetic layer may be disposed in a mesh shape or a dot shape to have excellent light transmittance.
  • One of the technical tasks of the embodiment is to provide an intelligent assembly and transfer integration device for semiconductor light emitting devices that can simultaneously improve the transfer speed and the transfer yield in transferring the semiconductor light emitting devices to the display panel.
  • FIG. 3 is a conceptual diagram of an intelligent assembly transcription unit 1000 according to an embodiment.
  • 4 is an enlarged view of the area B1 of the assembly substrate 210 in the intelligent assembly transfer integration device 1000 according to the embodiment shown in FIG. It is a perspective view of the magnet head unit 400 in the assembly transfer integration device (1000).
  • 6 is an exemplary operation view of the intelligent assembly transcription unit 1000 according to the embodiment.
  • the intelligent assembly transfer integration apparatus 1000 may include a hydrophilic treatment unit 600 , a cleaning unit 700 , a drying unit 800 , and the like.
  • the intelligent assembly transfer integration apparatus 1000 may include a panel driver 920 for horizontally moving the display panel substrate 910 and a panel chuck (not shown) for vertically moving the panel substrate 910 . .
  • the semiconductor light emitting device 150 is assembled on a transfer substrate 210 , and the assembled semiconductor light emitting device 150 is transferred by being immediately transferred to the panel substrate 910 in-line.
  • the speed can be significantly improved.
  • the transfer yield can be significantly increased by selectively transferring the semiconductor light emitting devices 150 assembled on the transfer substrate 210 to the panel substrate 910 only when they are normal after performing real-time inspection. . Accordingly, according to the embodiment, there is a special technical effect that can solve a problem in which a technical contradiction between the transfer speed and the transfer yield occurs by simultaneously increasing the transfer rate and the transfer yield.
  • the intelligent assembly transfer integration apparatus 1000 may include a fluid chamber 300 accommodating a plurality of semiconductor light emitting devices 150 , a hydrophilic treatment unit 600 , and the like.
  • the fluid chamber 300 may be a water tank, and may be an open type or a closed type.
  • the fluid chamber 300 may be filled with an assembly solution such as deionized water, but is not limited thereto.
  • the hydrophilic treatment unit 600 may perform a hydrophilic treatment for wetting before the assembly substrate 210 receives the fluid.
  • the embodiment may include a flexible assembly substrate 210 mounted on the roller unit 200 .
  • the assembly substrate 210 may be referred to as a carrier substrate or a first transfer substrate.
  • the assembly substrate 210 may be a flexible substrate that may be mounted on the roller rotating unit 220 .
  • the assembly substrate 210 may be a flexible material that can be rolled like a roll, and may be a polymer such as polyimide or a thin metal substrate, but is not limited thereto.
  • FIG. 4 is an enlarged view of region B1 of the assembly substrate 210 in the intelligent assembly transfer integration apparatus 1000 according to the embodiment shown in FIG. 3 .
  • the assembly substrate 210 may include a base portion 210a, a dielectric layer 210b, and a plurality of assembly electrodes 210c to form an electric field.
  • the base part 210a is made of an insulating material, and the plurality of assembly electrodes 210c may be thin or thick bi-planar electrodes patterned on one surface of the base part 210a.
  • the assembly electrode 210c may be formed of a stack of Ti/Cu/Ti, Ag paste, ITO, or the like.
  • the dielectric layer 210b is made of an inorganic material such as SiO 2 , SiNx, SiON, Al 2 O 3 , TiO 2 , HfO 2 .
  • the dielectric layer 210b may be formed as a single layer or a multi-layer as an organic insulator.
  • the assembly substrate 210 may include a plurality of cells 210d partitioned by the partition wall 210e.
  • the cells 210d may be sequentially arranged in one direction.
  • the partition walls 210e constituting the cells 210d may be shared with the neighboring cells 210d.
  • the partition wall 210e may protrude upward from the base part 210a, and the cells 210d may be sequentially disposed along one direction by the partition wall 210e.
  • the cells 210d are sequentially arranged in the column and row directions, respectively, and may have a matrix structure.
  • the interior of the cells 210d may be an assembly groove for accommodating the semiconductor light emitting device 150 , and the assembly groove may be a space partitioned by the partition wall 210e.
  • the shape of the assembly groove may be the same as or similar to the outer shape of the semiconductor light emitting device 150 .
  • the assembly groove may have a rectangular shape.
  • the assembly groove may be circular.
  • one semiconductor light emitting device 150 may be accommodated in each cell.
  • the plurality of assembly electrodes 210c may include a plurality of electrode lines disposed at the bottom of each of the cells 210d, and the plurality of electrode lines may extend to neighboring cells.
  • the plurality of assembly electrodes 210c may be disposed below the cells 210d, and different polarities may be applied to each other to generate an electric field in the cells 210d.
  • a dielectric layer 210b may cover the plurality of assembly electrodes 210c, and the dielectric layer 210b may form the bottom of the cells 210d.
  • roller rotating part roller rotating part, roller driving part, magnet head part>
  • the intelligent assembly transfer integration apparatus 1000 may include a roller unit 200 for rotating the assembly substrate 210 .
  • the roller unit 200 may include a roller rotating unit 220 , a roller driving unit 230 , and a magnetic head unit 400 .
  • the roller unit 200 includes a roller rotating unit 220 on which the assembly substrate 210 is mounted and rotated, a roller driving unit 230 driving the roller rotating unit 220 to rotate, and a semiconductor light emitting device 150 .
  • a magnetic force to the assembly substrate 210 may include a magnet head unit 400 to be assembled.
  • the roller unit 200 connects the assembly substrate 210 and the panel substrate 910 in one line or a plurality of lines.
  • the semiconductor light emitting devices 150 may be transferred.
  • the roller driving unit 230 may rotate the roller rotating unit 220 on which the assembly substrate 210 is mounted using the roller driving unit 230, and the roller driving unit 230 may include a single or a plurality of motors. may be, but is not limited thereto.
  • the roller rotating unit 220 may be formed of a flexible material so that the mounted assembly substrate 210 rotates efficiently.
  • the roller rotating part 220 may be in the form of a belt, but is not limited thereto.
  • the roller rotating unit 220 may have a thickness of 5 mm or less so that the magnetic force of the magnet head unit 400 can be well transmitted to the semiconductor light emitting device 150 in a state in which the assembly substrate 210 is mounted, but is not limited thereto.
  • the roller unit 200 may include a magnet head unit 400 that applies a magnetic force so that the semiconductor light emitting device 150 is attached to the assembly substrate 210 .
  • Figure 5a is a perspective view of the magnet head unit 400 in the intelligent assembly transcription integration device 1000 according to the embodiment shown in Fig. 3
  • Fig. 5b is a 180 degree inversion of the magnet head unit 400 shown in Fig. 5a is a perspective view.
  • the magnet head part 400 may be positioned inside the roller part 200 to guide the semiconductor light emitting device 150 in the fluid chamber 300 toward the assembly electrode 210c of the assembly substrate 210 .
  • the magnet head 400 may be one or plural.
  • the magnet head 400 of the embodiment may include a plurality of magnets 410 .
  • the magnet 410 is spaced apart from the fluid chamber 300 to apply a magnetic force to the semiconductor light emitting device 150 , and the position is controlled by a position controller (not shown) connected to the magnet 410 .
  • the magnet 410 may be a permanent magnet or an electromagnet.
  • the embodiment is provided with a magnet handler (not shown) capable of automatically or manually moving the magnet head unit 400, or provided with a motor (not shown) capable of rotating the magnet head unit 400;
  • the head unit 400 may be rotated in a clockwise or counterclockwise direction (Z), and the magnet head unit 400 may be horizontally driven (X-Y) in a direction perpendicular to the rotation direction of the assembly substrate 210 .
  • the magnet head 400 may be rotated to evenly distribute the magnetic force applied to the semiconductor light emitting device 150 to improve the assembly speed.
  • the magnetic head part 400 more evenly distributes the magnetic force as it rotates while moving a predetermined section in a direction perpendicular to the rotation direction of the assembly substrate 210 to improve the assembly speed of the semiconductor light emitting device 150 and to assemble it at the same time. It can be uniformly assembled to the substrate 210 .
  • the intelligent assembly transfer integration apparatus 1000 may include a cleaning unit 700 , a drying unit 800 , and an assembly inspection unit 500 .
  • the cleaning unit 700 may remove the semiconductor light emitting device 150 attached to the outside of the assembly area of the assembly substrate 210 by spraying a solution onto an area other than the assembly area of the assembly substrate 210 , It can be sprayed to cover the whole.
  • the drying unit 800 may apply hot air or heat to the semiconductor light emitting device 150 so that the assembly solution is evaporated before transfer.
  • the assembly inspection unit 500 may inspect whether the semiconductor light emitting device 150 is assembled on the assembly substrate 210 or whether it is correctly assembled.
  • the assembly inspection unit 500 may perform a line scan assembly inspection, and it may be possible to cover the entire line at once.
  • the assembly inspection unit 500 may include a CCD image sensor, transmit an inspection result to a controller (not shown), and determine whether to transfer to the panel substrate 910 according to the inspection result.
  • FIG. 6 is an exemplary operation view of the intelligent assembly transcription unit 1000 according to the embodiment.
  • the intelligent assembly transfer integration apparatus 1000 may include a panel driver 920 for horizontally moving the display panel substrate 910 and a panel chuck (not shown) for vertically moving the panel substrate 910 .
  • the panel driving unit 920 may be provided singly or in plurality, and two are illustrated in FIG. 6 , but the present invention is not limited thereto.
  • the panel driving unit 920 may be driven by a motor, but is not limited thereto.
  • the panel chuck may be disposed on a side surface, an upper surface, or a bottom surface of the panel substrate 910 to separate the panel substrate 910 from the assembly substrate 210 .
  • the transfer process is performed on the panel substrate 910 by inspecting the assembly state for each line in the width direction of the assembly substrate 210 and transmitting line position information such as unassembled or defective assembly to the system controller (not shown). You can control it not to happen.
  • the semiconductor light emitting device 150 when the semiconductor light emitting device 150 is not assembled or is not properly assembled among the pixels for each line on the assembly substrate 210, the semiconductor light emitting device 150 on the corresponding line is transferred so that it is not transferred to the panel substrate 910 .
  • the semiconductor light emitting device 150 on the corresponding line is transferred so that it is not transferred to the panel substrate 910 .
  • FIG. 7 is a conceptual diagram of a tilting of the panel substrate 910 in the embodiment.
  • the panel chuck may have a fine rotation function of the panel substrate 910 so that the semiconductor light emitting device 150 may be more transferred from the assembly substrate 210 to the panel substrate 910 .
  • the panel driving unit 920 may include a 1-1 panel driving unit 920a1 and a 1-2 panel driving unit 920a2 .
  • the height of the first-first panel driver 920a1 and the first-second panel driver 920a2 may be the same, and accordingly, the panel substrate 910 moves while maintaining the horizontal position of the semiconductor light emitting device 150 . The war can proceed.
  • the second panel driving unit 920B includes a 2-1 panel driving unit 920b1 and a 2-2 panel driving unit 920b2, but the second- The one-panel driver 920b1 may be disposed at a different height from the second-second panel driver 920b2.
  • the 2-1 th panel driving unit 920b1 may be disposed lower than the 2-2nd panel driving unit 920b2 . Accordingly, the front end 912b1 of the second panel substrate 912 may be disposed lower than the rear end 912b2. As the second panel substrate 912 is moved in a tilted state, the semiconductor light emitting device 150 may be transferred. Accordingly, the transfer of the semiconductor light emitting device 150 from the assembly substrate 210 to the second panel substrate 912 may be more effectively performed.
  • a portion where the assembly substrate 210 and the flat panel substrate 910 on the roller unit 200 meet may be line-transferred in the width direction of the roller unit 200 .
  • 100% transfer yield can be realized.
  • the embodiment even if there is a defect in the assembly substrate or a defect in the semiconductor light emitting device, it is possible to avoid the transfer, thereby minimizing the dependence on the quality of the semiconductor light emitting device.
  • roller unit is configured as a multi, high-speed transfer can be realized.
  • the semiconductor light emitting device 150 is put into the fluid chamber 300 , and the assembly substrate 210 is mounted on the roller unit 200 .
  • a magnetic force is applied to the semiconductor light emitting device 150 using the magnet head unit 400 so that the semiconductor light emitting device 150 floats in the vertical direction in the fluid chamber 300 .
  • the separation distance between the assembly surface of the assembly substrate 210 and the semiconductor light emitting device 150 may be controlled by adjusting the magnitude of the magnetic force.
  • the separation distance may be controlled using the weight, buoyancy, and magnetic force of the semiconductor light emitting device 150 .
  • a magnetic force is applied to the semiconductor light emitting device 150 so that the semiconductor light emitting device 150 moves in one direction in the fluid chamber 300 .
  • the magnet of the magnet head 400 may be rotated in a clockwise or counterclockwise direction while moving in a direction perpendicular to the rotation direction of the assembly substrate 210 .
  • an electric field is applied to the semiconductor light emitting device 150 so as to be seated at the assembly position of the assembly substrate 210 to guide the semiconductor light emitting device 150 to the assembly position.
  • the semiconductor light emitting device 150 moves along the assembly substrate 210 , it moves in a direction perpendicular or horizontal to the assembly substrate 210 by an electric field to the assembly position of the assembly substrate 210 .
  • the semiconductor light emitting device 150 is self-assembled at the assembly position of the assembly substrate 210 .
  • the cleaning unit 700 can remove the semiconductor light emitting device 150 attached to the outside of the assembly area of the assembly substrate 210 by spraying the solution into an area other than the assembly area, and cover the entire line at once.
  • the solution can be sprayed.
  • the drying unit 800 may apply hot air or heat to the assembled semiconductor light emitting device 150 so that the assembly solution is evaporated before transfer.
  • the assembly inspection unit 500 may inspect whether the semiconductor light emitting device 150 is assembled on the assembly substrate 210 or whether the assembly is defective.
  • the assembly inspection unit 500 may perform a line scan assembly inspection, and may cover the entire line at once.
  • the assembly inspection unit 500 may include a CCD image sensor, transmit the inspection result to the control unit, and determine whether to transfer to the panel substrate 910 according to the inspection result.
  • line position information in the case of non-assembly or defective assembly by inspecting the assembly state for each line in the width direction of the assembly board 210 can be transmitted to the system controller to control the transfer process not to proceed to the panel substrate 910 .
  • the semiconductor light emitting device 150 when the semiconductor light emitting device 150 is not assembled or is not properly assembled among the pixels for each line on the assembly substrate 210, the semiconductor light emitting device 150 on the corresponding line is transferred so that it is not transferred to the panel substrate 910 .
  • the semiconductor light emitting device 150 on the corresponding line is transferred so that it is not transferred to the panel substrate 910 .
  • a post-process for implementing a display device may be performed on the semiconductor light emitting device 150 transferred to the panel substrate 910 .
  • FIG. 8 is a conceptual diagram of the intelligent assembly transcription unit 1000 according to the embodiment.
  • the assembly substrate 210 is mounted on the roller rotating unit 220 , and the semiconductor light emitting device 150 is put into the fluid chamber 300 .
  • a magnetic force is applied to the semiconductor light emitting device 150 in the fluid chamber 300 using the magnet head unit 400 .
  • an electric field is applied to the semiconductor light emitting device 150 so as to be seated at the assembly position of the assembly substrate 210 to guide the semiconductor light emitting device 150 to the assembly position.
  • the assembly substrate 210 may include an active region in which the semiconductor light emitting device 150 is assembled and a pad region (not shown) for applying power to the assembly substrate 210 .
  • the fluid chamber 300 may include a water tank frame 310 to prevent the fluid from flowing out.
  • the O-ring 320 may be disposed between the water tank frame 310 and the assembly substrate 210 to prevent external leakage of the fluid.
  • the fluid flows out of the water tank frame 310, the fluid comes into contact with a pad region (not shown) other than the active region where the semiconductor light emitting device is assembled among the assembly substrate 210, thereby causing electrical and structural damage to the pad region. .
  • the intelligent assembly transfer integration device 1000 in the undisclosed internal technology has the assembly substrate 210 mounted on the roller rotating unit 220 for self-assembly in contact with the O-ring 320 of the bath. There is a problem in that the electrodes in the pad area on the assembly substrate 210 are damaged by the mutual frictional force.
  • one of the technical problems of the embodiment is to provide an electrode structure of a roller unit for transfer of a semiconductor light emitting device capable of preventing the problem of damage to the electrode of the assembling substrate, and an intelligent assembly transfer integration device including the same.
  • FIG. 9 is an enlarged view of the first roller part electrode structure (C1) developed to solve the above technical problem in the intelligent assembly transfer integration apparatus 1000 according to the embodiment shown in FIG. 8 .
  • the first roller part electrode structure C1 includes the roller rotating part 220 , the adhesive film 215 , the assembly substrate 210 , the through electrode 217a penetrating the assembly substrate 210 , and the roller pad electrode ( 217b).
  • the assembly substrate 210 may include a base portion 210a, a dielectric layer 210b, a plurality of assembly electrodes 210c, an assembly pad electrode 210c2, and a barrier rib 210e.
  • the base part 210a is made of an insulating material, and the plurality of assembly electrodes 210c may be thin or thick bi-planar electrodes patterned on one surface of the base part 210a.
  • the dielectric layer 210b is made of an inorganic material such as SiO 2 , SiNx, SiON, Al 2 O 3 , TiO 2 , HfO 2 .
  • the assembly substrate 210 may include a plurality of cells partitioned by the partition wall 210e. The partition wall 210e may protrude upward from the base portion 210a.
  • the glass substrate may be removed by an LLO process, but is not limited thereto.
  • the assembly substrate 210 may be mounted on the roller rotating unit 220 by an adhesive film 215 .
  • the adhesive film 215 may include a first adhesive layer 215a, an intermediate layer 215b, and a second adhesive layer 215c.
  • the second adhesive layer 215c may be in contact with the assembly substrate 210
  • the first adhesive layer 215a may be in contact with the roller rotating unit 220 .
  • the first and second adhesive layers 215a and 215c are UV film, PC (Polycarbonate), acrylic (PMMA, PolyMethyl MethAcrylate), polyethylene terephthalate (Polyethylene terephthalate), polyethylene (Polyethylene), polypropylene (Polypropylene), It may include at least one of polyester, but is not limited thereto.
  • the intermediate layer 215b may be formed of an insulating material and may function as a base film.
  • the first roller part electrode structure C1 may include a through electrode 217a penetrating through the assembly substrate 210 and a roller pad electrode 217b disposed on the roller rotating part 220 . .
  • the embodiment may prevent the electrodes in the roller part electrode structure C1 from contacting the O-ring 320 by the above-mentioned national structure. Accordingly, according to the embodiment, there is a technical effect of preventing electrode damage due to friction by having a rear electrode structure in which the electrode portion in direct contact with the O-ring moves to the rear during self-assembly.
  • the through electrode 217a may be formed before the assembly substrate 210 is mounted on the roller rotating unit 220 .
  • a through hole (not shown) is formed in the adhesive film 215 , and then the adhesive film 215 may be formed by solder paste or the like, but is not limited thereto.
  • the roller pad electrode 217b may include a first pad electrode 217b1 , a second pad electrode 217b2 , and a third pad electrode 217b3 .
  • the first pad electrode 217b1 may be formed on the assembly substrate 210 or on the roller rotating unit 220, but is not limited thereto.
  • the second pad electrode 217b2 may be disposed on a side surface of the roller rotating part 220
  • the third pad electrode 217b3 may be disposed on the rear surface of the roller rotating part 220 , but is not limited thereto.
  • a release film 322 is formed on the assembly substrate 210 to reduce frictional force with the O-ring 320 .
  • FIG. 10 is an enlarged view of the second roller part electrode structure C2 in the intelligent assembly transfer integration apparatus 1000 according to the embodiment shown in FIG. 8 .
  • the second roller part electrode structure (C2) may employ the technical characteristics of the first roller part electrode structure (C1).
  • the second roller part electrode structure C2 may include a second through electrode 217a2 penetrating through the assembly substrate 210 and a roller pad electrode 217b disposed on the roller rotating part 220 .
  • the roller pad electrode 217b may include a first pad electrode 217b1 , a second pad electrode 217b2 , a third pad electrode 217b3 , and a fourth pad electrode 217b4 .
  • the second pad electrode 217b2 may be disposed on a side surface of the roller rotating part 220
  • the fourth pad electrode 217b4 may be disposed on a side surface of the adhesive film 215 .
  • the second pad electrode 217b2 and the fourth pad electrode 217b4 may be formed respectively, or may be formed integrally.
  • the fourth pad electrode 217b4 may be formed on a side surface of the adhesive film 215 to be electrically connected to the first pad electrode 217b1
  • the second pad electrode 217b2 may be formed on the roller It may be formed on the side surface of the rotating part 220 to be electrically connected to the third pad electrode 217b3.
  • the first pad electrode 217b1 may be formed on the assembly substrate 210 .
  • the third pad electrode 217b3 may be formed on the roller rotating part 220 . Thereafter, the assembly substrate 210 provided with the first pad electrode 217b1 may be mounted on the roller rotating unit 220 provided with the third pad electrode 217b3 using the adhesive film 215 .
  • the second pad electrode 217b2 and the fourth pad electrode 217b4 may be integrally formed at once to electrically connect the first pad electrode 217b1 and the third pad electrode 217b3. have.
  • the second through electrode 217a2 may be formed to penetrate the base portion 210a of the assembly substrate 210 without penetrating the adhesive film 215 .
  • the electrode structure of the transfer roller of the semiconductor light emitting device According to the electrode structure of the transfer roller of the semiconductor light emitting device according to the embodiment and the intelligent assembly transfer integration device including the same, there is a technical effect that can prevent the electrode of the assembly substrate from being damaged.
  • FIG. 11 is a conceptual diagram of the intelligent assembly transfer integration apparatus 1002 according to the second embodiment
  • FIG. 12 is a third roller unit in the intelligent assembly transfer integration apparatus 1002 according to the second embodiment shown in FIG. 11 . It is an enlarged view of the electrode structure (C3).
  • the intelligent assembly transcription integration device 1002 according to the second embodiment may employ the technical features of the intelligent assembly transcription integration device 1000 according to the first embodiment, and the following description will focus on the technical features of the second embodiment do it with
  • the intelligent assembly transfer integration device 1002 has a special technical effect that can omit the O-ring itself.
  • the third roller part electrode structure C3 in the second embodiment may adopt the technical characteristics of the first roller part electrode structure C1 in the first embodiment.
  • the third roller part electrode structure C3 has a through electrode penetrating the roller rotating part 220 , the adhesive film 215 , the assembly substrate 210 , and the assembly substrate 210 . 217a and a roller pad electrode 217b may be included.
  • the assembly substrate 210 may include a base portion 210a, a second dielectric layer 210b2, a plurality of assembly electrodes 210c, an assembly pad electrode 210c2, and a barrier rib 210e.
  • the second dielectric layer 210b2 is made of an inorganic material such as SiO 2 , SiNx, SiON, Al 2 O 3 , TiO 2 , HfO 2 .
  • the second dielectric layer 210b2 may be formed as a single layer or a multi-layer as an organic insulator.
  • the second dielectric layer 210b2 may be disposed to cover not only the plurality of assembly electrodes 210c but also the assembly pad electrode 210c2 .
  • the assembly substrate 210 may be mounted on the roller rotating unit 220 by an adhesive film 215 .
  • the roller pad electrode 217b may include a first pad electrode 217b1 , a second pad electrode 217b2 , and a third pad electrode 217b3 .
  • the first pad electrode 217b1 may be formed on the assembly substrate 210 or on the roller rotating part 220, but is not limited thereto.
  • the second dielectric layer 210b2 is formed to cover the plurality of assembly electrodes 210c as well as the assembly pad electrode 210c2, it is not necessary to use the O-ring itself, and the overall size of the water tank and the rotating part is reduced. There is a special technical effect of increasing the degree of spatial freedom by reducing it.
  • FIG. 13 is an enlarged view of the fourth roller part electrode structure C4 in the intelligent assembly transfer integration apparatus 1002 according to the second embodiment shown in FIG. 11 .
  • the fourth roller part electrode structure (C4) may employ the technical characteristics of the third roller part electrode structure (C3), and below, the technical characteristics of the fourth roller part electrode structure (C4) will be mainly described. .
  • the fourth roller part electrode structure C4 has a through electrode penetrating the roller rotating part 220 , the adhesive film 215 , the assembly substrate 210 , and the assembly substrate 210 . 217a and a second roller pad electrode 218b may be included.
  • the second dielectric layer 210b2 may be formed to cover the assembly pad electrode 210c2 as well as the plurality of assembly electrodes 210c.
  • the second roller pad electrode 218b includes a 2-1 th pad electrode 218b1, a 2-2 pad electrode 218b2, and a 2-3 th pad electrode 218b3 disposed on the roller rotating part 220 .
  • the second-second pad electrode 218b2 may be a pad electrode penetrating the roller rotating part 220 .
  • the second roller pad electrode 218b is not disposed on the side surface of the roller rotating part 220, the possibility of receiving electrical damage from the fluid is prevented, and electrical reliability is remarkably improved. , it is possible to reduce the overall size of the tank and the rotating part, thereby increasing the degree of freedom of space.
  • the intelligent assembly, transfer and integration apparatus of the semiconductor light emitting device there is a technical effect of simultaneously improving the transfer speed and the transfer yield in transferring the semiconductor light emitting devices to the display panel.
  • the semiconductor light emitting device 150 is assembled on a transfer substrate 210 , and the assembled semiconductor light emitting device 150 is in-line to the panel substrate 110 . Immediate transfer can significantly improve the transfer speed.
  • the transfer yield can be significantly increased by selectively transferring the semiconductor light emitting devices 150 assembled on the transfer substrate 210 to the panel substrate 910 only when they are normal after performing real-time inspection. . Accordingly, according to the embodiment, there is a special technical effect that can solve a problem in which a technical contradiction between the transfer speed and the transfer yield occurs by simultaneously increasing the transfer rate and the transfer yield.
  • a portion where the assembly substrate 210 and the flat panel substrate 910 on the roller unit 200 meet may be line-transferred in the width direction of the roller unit 200 .
  • 100% transfer yield can be realized.
  • the embodiment even if there is a defect in the assembly substrate or a defect in the semiconductor light emitting device, it is possible to avoid the transfer, thereby minimizing the dependence on the quality of the semiconductor light emitting device.
  • roller unit is configured as a multi, high-speed transfer can be realized.
  • the second roller pad electrode is not disposed on the side of the roller rotating part, the fear of receiving electrical damage from the fluid, etc. is prevented, so that the electrical reliability is remarkably improved, and the overall size of the water tank and the rotating part is reduced This has the effect of increasing the degree of spatial freedom.
  • the electrode structure of the transfer roller of the semiconductor light emitting device according to the embodiment and the intelligent assembly transfer integration device including the same may be used in the manufacture of a display device.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

실시예는 반도체 발광소자의 전사용 롤러부의 전극구조 및 이를 포함하는 지능형 조립전사 통합장치에 관한 것이다. 실시예에 따른 반도체 발광소자의 전사용 롤러부의 전극구조는, 롤러 회전부, 상기 롤러 회전부 상에 장착되는 조립 기판, 상기 롤러 회전부와 상기 조립 기판 사이에 배치되는 점착필름, 상기 조립 기판을 관통하는 관통 전극 및 상기 롤러 회전부 상에 배치되며 상기 관통 전극과 전기적을 연결되는 롤러 패드전극을 포함할 수 있다.

Description

반도체 발광소자의 전사용 롤러부의 전극구조 및 이를 포함하는 지능형 조립전사 통합장치
실시예는 반도체 발광소자의 조립전사 통합장치에 관한 것이다. 구체적으로, 실시예는 반도체 발광소자의 전사용 롤러부의 전극구조 및 이를 포함하는 지능형 조립전사 통합장치에 관한 것이다.
대면적 디스플레이 기술은 액정 디스플레이(LCD), OLED 디스플레이 또는 마이크로-LED 디스플레이(Micro-LED display) 등이 있다. 마이크로-LED 디스플레이는 100㎛ 이하의 직경 또는 단면적을 가지는 반도체 발광소자인 마이크로-LED를 표시소자로 사용하는 디스플레이이다.
마이크로-LED 디스플레이는 마이크로-LED를 표시소자로 사용하기 때문에 명암비, 응답속도, 색 재현률, 시야각, 밝기, 해상도, 수명, 발광효율, 휘도 등에서 우수한 성능을 가지고 있다.
특히 마이크로-LED 디스플레이는 화면을 모듈 방식으로 분리, 결합할 수 있어 크기나 해상도 조절이 자유로운 장점이 있고, 플렉서블 디스플레이 구현이 가능한 장점도 있다.
그러나 마이크로-LED 디스플레이에는 수백만 개 이상의 반도체 발광소자가 필요로 하기 때문에 반도체 발광소자를 디스플레이 패널에 신속하고 정확하게 전사하기 어려운 기술적 문제가 있다.
최근 개발되고 있는 전사기술에는 픽앤-플레이스 공법(pick and place process), 레이저 리프트 오프법(Laser Lift-off method) 또는 자가조립 방식(self-assembly method) 등이 있다.
이 중에서, 자가조립 방식은 유체 내에서 반도체 발광소자가 스스로 조립위치를 찾아가는 기술이며 대화면의 디스플레이 장치의 구현에 유리하다.
최근에 미국등록특허 제9,825,202호에서 자가조립에 적합한 마이크로-LED 구조를 제시한 바 있으나, 아직 마이크로-LED를 자가조립에 의해 디스플레이를 제조하는 기술에 대한 연구가 미비한 실정이다.
특히 종래기술에서 대형 디스플레이에 수백만 개 이상의 반도체 발광소자를 신속하게 전사하는 경우 전사 속도(transfer speed)는 향상시킬 수 있으나 전사 불량률(transfer error rate)이 높아질 수 있어 전사 수율(transfer yield)이 낮아지는 문제가 있다. 반면, 전사 불량률을 낮추어 전사 수율을 높이고자 하는 경우 전사 속도가 저하되는 기술적 모순의 문제에 직면하고 있다.
본 항목에 기재된 것은 선행기술이 아니며, 실시예에 따른 발명을 이해하기 위한 목적일 뿐이다.
실시예의 기술적 과제 중의 하나는 디스플레이 패널에 반도체 발광소자들을 전사함에 있어서 전사속도(transfer speed)와 전사수율(transfer yield)을 동시 향상시킬 수 있는 지능형 조립전사 통합장치를 제공하고자 함이다.
한편, 비공개 내부기술로 지능형 조립전사 통합장치가 연구 개발되고 있다. 비공개 내부기술에서의 지능형 조립전사 통합장치는 자가조립용 롤러 회전부에 장착된 조립기판이 수조(bath)의 오링과 맞닿게 되어 상호 마찰력에 의해 조립기판 상의 전극이 손상하는 문제가 발생되고 있다.
이에 실시예의 기술적 과제 중의 하나는 조립기판의 전극이 손상되는 문제를 방지할 수 있는 반도체 발광소자의 전사용 롤러부의 전극구조 및 이를 포함하는 지능형 조립전사 통합장치를 제공하고자 함이다.
실시예의 기술적 과제는 본 항목에 기재된 것에 한정되는 것이 아니며, 발명의 설명을 통해 파악될 수 있는 것을 포함한다.
실시예에 따른 반도체 발광소자의 전사용 롤러부의 전극구조는, 롤러 회전부, 상기 롤러 회전부 상에 장착되는 조립 기판, 상기 롤러 회전부와 상기 조립 기판 사이에 배치되는 점착필름, 상기 조립 기판을 관통하는 관통 전극 및 상기 롤러 회전부 상에 배치되며 상기 관통 전극과 전기적을 연결되는 롤러 패드전극을 포함할 수 있다.
상기 조립 기판은, 베이스부와, 상기 베이스부 상에 배치되는 복수의 조립전극과 조립 패드전극 및 상기 베이스부 상에 유전체층을 포함할 수 있다.
상기 관통 전극은, 상기 베이스부와 상기 접착필름을 관통하여 상기 조립 패드전극과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 롤러 패드전극은, 상기 롤러 회전부의 제1 면에 배치되는 제1 패드전극과, 상기 롤러 회전부의 측면에 배치되는 제2 패드전극 및 상기 롤러 회전부의 제2 면에 배치되는 제3 패드전극을 포함할 수 있다.
상기 롤러 패드전극은, 상기 접착필름 상에 제1 면에 배치되는 제1 패드전극과, 상기 롤러 회전부의 측면에 배치되는 제2 패드전극, 제4 패드전극 및 상기 롤러 회전부의 제2 면에 배치되는 제3 패드전극을 포함할 수 있다.
상기 관통 전극은, 상기 베이스부를 관통하여 상기 조립 패드전극과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 조립 기판은, 베이스부와, 상기 베이스부 상에 배치되는 복수의 조립전극과 조립 패드전극 및 상기 베이스부 상에 유전체층을 포함하며, 상기 유전체층은 상기 복수의 조립전극을 덮도록 배치될 수 있다.
상기 유전체층은 상기 복수의 조립전극 및 상기 조립 패드전극을 덮도록 배치될 수 있다.
상기 롤러 패드전극은, 상기 롤러 회전부의 제1 면에 배치되는 제2-1 패드전극, 상기 롤러 회전부의 제2 면에 배치되는 제2-3 패드전극, 및 상기 제2-1 패드전극과 상기 제2-3 패드전극 사이에 배치되는 제2-2 패드전극을 포함할 수 있다.
상기 제2-2 패드전극은, 상기 롤러 회전부를 관통할 수 있다.
실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치는, 반도체 발광소자들을 수용하는 유체 챔버, 상기 반도체 발광소자가 조립되는 조립 기판이 장착되어 회전되는 롤러부 및 상기 조립 기판에 조립된 상기 반도체 발광소자를 검사하는 조립 검사부를 포함하며, 상기 롤러부는, 상기 어느 하나의 반도체 발광소자의 전사용 롤러부의 전극구조를 포함할 수 있다.
실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치는 반도체 발광소자(150)들을 수용하는 유체 챔버(300)와, 상기 반도체 발광소자(150)가 조립되는 조립 기판(210)이 장착되어 회전되는 롤러부(200) 및 상기 조립 기판(210)에 조립된 상기 반도체 발광소자(150)를 검사하는 조립 검사부(500)를 포함할 수 있다.
상기 롤러부(200)는, 상기 조립 기판(210)이 장착되고 회전되는 롤러 회전부(220)와, 상기 롤러 회전부(220)를 회전구동시키는 롤러 구동부(230) 및 상기 반도체 발광소자(150)에 자력을 가하여 상기 조립 기판(210)에 조립되도록 하는 자석헤드부(400)를 포함할 수 있다.
상기 조립 검사부(500)는 상기 조립 기판(210)의 폭 방향으로 라인별 조립 상태를 검사하여 미조립이나 불량조립이 있는 경우의 패널 기판(910)으로 전사공정이 진행되지 않도록 제어할 수 있다.
상기 조립 기판(210)의 폭 방향으로 라인별 조립 상태를 검사하여 미조립이나 불량 조립의 에러위치(E)가 있는 경우 소정의 패널 척이 상기 패널 기판(910)을 이동하여 상기 조립 기판(210)과 상기 패널기판(910)을 이격시킴으로써 에러위치의 반도체 발광소자(150)가 상기 패널기판(910)으로 전사되지 않도록 제어할 수 있다.
상기 패널 척은 상기 패널 기판(910)의 측면, 상면 또는 저면에 배치되어 상기 패널 기판(910)을 상기 조립 기판(210)과 이격시킬 수 있다.
상기 자석 헤드부(400)는 회전 또는 수평 이동함으로써 상기 반도체 발광소자(150)에 자력을 고르게 가할 수 있다.
상기 패널 척은 상기 제2패널 기판(912)이 기울어진 상태에서 이동되도록 상기 패널 기판(910)의 회전기능을 가질 수 있다.
상기 패널 기판(910)을 이동하도록 구동하는 패널 구동부를 더 포함할 수 있다.
상기 패널 구동부(920B)는, 제2-1패널 구동부(920b1)와 제2-2패널 구동부(920b2)를 포함하되, 상기 제2-1패널 구동부(920b1)가 상기 제2-2패널 구동부(920b2)와 서로 다른 높이에 배치될 수 있다.
상기 롤러부는 삼각형 형태 또는 라운드 형태를 포함할 수 있다.
상기 반도체 발광소자(150)와 상기 조립 기판(210)간의 조립되는 제1-1 롤러부의 면적이 상기 반도체 발광소자(150)가 상기 패널 기판(910)으로 전사되는 제1-2 롤러부의 면적보다 넓을 수 있다.
상기 유체 챔버(300) 하측에 배치되는 제2 자석 헤드부(420)를 더 포함할 수 있다.
실시예에 따른 반도체 발광소자의 지능형 조립전사 통합장치에 의하면, 디스플레이 패널에 반도체 발광소자들을 전사함에 있어서 전사속도와 전사수율을 동시에 향상시킬 수 있는 기술적 효과가 있다.
예를 들어, 실시예에 의하면 반도체 발광소자(150)가 전사 기판(transfer substrate)(210)에 조립되고, 조립된 반도체 발광소자(150)들이 인 라인으로 패널 기판(panel substrate)(110)으로 즉시 전사됨으로써 전사 속도를 현저히 향상시킬 수 있다. 또한 실시예에 의하면 전사 기판(210)에 조립된 반도체 발광소자(150)들에 대해 실시간으로 검사를 진행 후 정상인 경우에만 선택적으로 패널 기판(910)에 전사를 진행함으로써 전사 수율을 현저히 높일 수 있다. 이에 따라 실시예에 의하면 전사 속도를 높임과 동시에 전사 수율을 동시에 높임으로써 전사 속도와 전사 수율 간의 기술적 모순이 발생하는 문제를 해결할 수 있는 특별한 기술적 효과가 있다.
구체적으로 실시예에 의하면 롤러부(200) 상의 조립 기판(210)과 평평한 패널 기판(910)이 만나는 부분은 롤러부(200)의 폭 방향으로 라인(line) 전사를 할 수 있다. 또한 실시예에 의하면 조립 검사를 통해 선별된 불량 없는 완전 조립된 라인 상의 반도체 발광소자만 전사하기 때문에 100% 전사 수율 구현이 가능하다.
이에 따라 실시예에 의하면 조립기판 불량이나 반도체 발광소자의 불량이 있더라도 이를 피해 전사할 수 있어 반도체 발광소자의 품질에 대한 의존성을 최소화할 수 있다.
또한 실시예에 의하면 조립공정과 전사공정을 분리하되 인라인으로 연결하였기 때문에 조립 시스템의 크기에 따른 전사 면적의 제한이 없는 효과가 있다.
또한 실시예에 의하면 패널 기판의 에지부분에 조립을 위한 별도 공간이 필요하지 않기 때문에 대면적 공정 후 소면적으로 면취할 때 높은 면취율의 확보가 가능한 효과가 있다.
또한 실시예에 의하면 롤러부를 멀티로 구성하면 고속 전사 구현이 가능한 효과가 있다.
또한 실시예에 따른 반도체 발광소자의 전사용 롤러부의 전극구조 및 이를 포함하는 지능형 조립전사 통합장치에 의하면, 조립기판의 전극이 손상되는 문제를 방지할 수 있는 기술적 효과가 있다.
예를 들어, 실시예에 의하면, 자가조립 진행 시 오링과 직접 맞닿은 전극 부분을 배면으로 이동하는 배면전극 구조에 의해 마찰에 의한 전극 손상을 방지하는 기술적 효과가 있다.
또한 실시예에 의하면 배면 전극 적용시 오링 자체를 사용하지 않아도 되며, 수조 및 회전부의 전체적인 사이즈를 줄일 수 있어 공간 자유도가 커지는 효과가 있다.
또한 실시예에 의하면, 제2 롤러 패드전극이 롤러 회전부의 측면에 배치되지 않음으로써 유체로부터의 전기적 손상 등을 받을 우려가 방지됨에 따라 전기적 신뢰성이 획기적으로 향상되며, 수조 및 회전부의 전체적인 사이즈를 줄일 수 있어 공간 자유도가 커지는 효과가 있다.
실시예의 기술적 효과는 본 항목에 기재된 것에 한정되는 것이 아니며, 발명의 설명을 통해 파악될 수 있는 것을 포함한다.
도 1은 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)가 세탁기(10), 로봇 청소기(20), 공기청정기(30) 등과 함께 거실에 배치된 예시도.
도 2a는 도 1에서 A1 영역의 확대도.
도 2b는 도 2a에서 A2 영역의 확대도.
도 2c는 도 2b에서 반도체 발광소자(150)의 단면도.
도 3은 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1000)의 개념도.
도 4는 도 3에 도시된 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1000)에서 조립기판(210)의 B1 영역의 확대도.
도 5a와 도 5b는 도 3에 도시된 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1000)에서 자석헤드부(400)의 사시도.
도 6은 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1000)의 작동 예시도.
도 7은 실시예에서 패널 기판(110)의 틸팅 개념도.
도 8은 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1000)의 개념도.
도 9는 도 8에 도시된 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1000)에서 제1 롤러부 전극구조(C1)의 확대도.
도 10은 도 8에 도시된 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1000)에서 제2 롤러부 전극구조(C2)의 확대도.
도 11은 제2 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1002)의 개념도.
도 12는 도 11에 도시된 제2 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1002)에서 제3 롤러부 전극구조(C3)의 확대도.
도 13은 도 11에 도시된 제2 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1002)에서 제4 롤러부 전극구조(C4)의 확대도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 기재된 실시예를 상세히 설명하기로 하며, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되는 것은 아니다. 또한 어느 구성이 다른 구성요소 '상(on)'에 배치되는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 배치되거나 또는 그 사이에 다른 구성이 추가로 배치될 수도 있다.
본 명세서에서 설명되는 디스플레이 장치에는 디지털 TV, 휴대폰, 스마트 폰(smart phone), 노트북 컴퓨터(laptop computer), 디지털방송용 단말기, PDA(personal digital assistants), PMP(portable multimedia player), 네비게이션, 슬레이트(Slate) PC, 태블릿(Tablet) PC, 울트라 북(Ultra-Book), 데스크탑 컴퓨터 등이 포함될 수 있다. 또한, 본 명세서에 기재된 실시예는 추후 개발되는 새로운 제품형태이라도 디스플레이가 가능한 장치에도 적용될 수 있다.
실시예에 따른 반도체 발광소자의 지능형 조립전사 통합장치를 설명하기에 앞서, 실시예에서 적용되는 반도체 발광소자 및 이를 이용한 디스플레이 장치에 대해 설명한다.
도 1은 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)가 세탁기(10), 로봇 청소기(20), 공기청정기(30) 등과 함께 거실에 배치된 예시도이다.
실시예의 디스플레이 장치(100)는 공기청정기(30), 로봇 청소기(20), 세탁기(10) 등의 각종 전자제품의 상태를 표시할 수 있고, 각 전자 제품들과 IOT 기반으로 통신할 수 있으며 사용자의 설정 데이터에 기초하여 각 전자 제품들을 제어할 수 있다.
실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는 얇고 유연한 기판 위에 제작되는 플렉서블 디스플레이(flexible display)를 포함할 수 있다. 상기 플렉서블 디스플레이는 기존의 평판 디스플레이의 특성을 유지하면서, 종이와 같이 휘어지거나 말릴 수 있다.
상기 플렉서블 디스플레이에서 시각정보는 매트릭스 형태로 배치되는 단위 화소(unit pixel)의 발광이 독자적으로 제어됨에 의하여 구현될 수 있다. 상기 단위 화소는 하나의 색을 구현하기 위한 최소 단위를 의미한다. 상기 플렉서블 디스플레이의 단위 화소는 반도체 발광소자(semiconductor light emitting device)에 의하여 구현될 수 있다. 실시예에서 반도체 발광소자는 Micro-LED일 수 있다.
다음으로 도 2a는 도 1에서 A1 영역의 확대도이고, 도 2b는 도 2a에서 A2 영역의 확대도이고, 도 2c는 도 2b에서 반도체 발광소자(150)의 단면도이다.
도 2a와 같이 실시예의 디스플레이 장치(100)는 액티브 매트릭스(AM, Active Matrix)방식에 의해 반도체 발광소자를 구동될 수 있으나 이에 한정되지 않으며, 패시브 매트릭스(PM, Passive Matrix) 방식으로 반도체 발광소자를 구동할 수도 있다.
다음으로 도 2b를 참조하면, 실시예의 디스플레이 장치(100)는 패널 기판(910), 제1 패널 전극(920), 제2 패널 전극(미도시), 절연층(930) 및 복수의 반도체 발광소자(150)를 포함할 수 있다.
각각의 반도체 발광소자(150)는 각각 단위 화소(sub-pixel)를 이루기 위하여 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광소자를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 적색 형광체와 녹색 형광체 등을 구비하여 각각 적색과 녹색을 구현할 수도 있다.
상기 패널 기판(910)은 유리나 폴리이미드(Polyimide)로 형성될 수 있다. 또한 상기 패널 기판(910)은 PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate) 등의 유연성 있는 재질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 패널 기판(910)은 투명한 재질일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 절연층(930)은 폴리이미드, PEN, PET 등과 같이 절연성과 유연성 있는 재질을 포함할 수 있으며, 상기 패널 기판(910)과 일체로 이루어져 하나의 기판을 형성할 수도 있다.
상기 절연층(930)은 접착성과 전도성을 가지는 전도성 접착층일 수 있고, 전도성 접착층은 연성을 가져서 디스플레이 장치의 플렉서블 기능을 가능하게 할 수 있다. 예를 들어, 상기 절연층(930)은 이방성 전도성 필름(ACF, anisotropy conductive film)이거나 이방성 전도매질, 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등의 전도성 접착층일 수 있다. 상기 전도성 접착층은 두께에 대해 수직방향으로는 전기적으로 전도성이나, 두께에 대해 수평방향으로는 전기적으로 절연성을 가지는 레이어일 수 있다.
다음으로 도 2c는 실시예의 디스플레이 장치(100)에 적용되는 반도체 발광소자(150)의 예시로서 수직형 반도체 발광소자(vertical type semiconductor light emitting device)의 단면도이다. 실시예에서 채용될 수 있는 반도체 발광소자는 수직형 반도체 발광소자에 한정되는 것은 아니며, 수평형 발광소자(lateral type semiconductor light emitting device) 또는 플립형 발광소자를 포함할 수 있다.
실시예에서 채용되는 반도체 발광소자는 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 p-n 접합 다이오드로서 주기율표 상의 Ⅲ족과 Ⅴ족의 원소를 포함하는 화합물 반도체로 제조될 수 있고, 화합물 반도체의 조성비를 조절하여 밴드 갭 에너지를 제어함으로써 적색, 녹색 및 청색 등의 다양한 색상구현이 가능하다.
도 2c를 참조하면, 실시예의 반도체 발광소자(150)는 발광구조물(light emitting structure)(151), 제1전극(152a) 및 제2전극(152b)을 포함할 수 있다. 상기 발광구조물(151)은 제1도전형 반도체층(151a), 활성층(151b) 및 제2도전형 반도체층(151c)을 포함할 수 있다. 상기 제1전극(152a) 또는 상기 제2전극(152b) 상에 패드전극(미도시)이 더 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1전극(152a) 또는 제2전극(152b) 중 적어도 하나는 자성체층(미도시)을 포함할 수 있다. 상기 제1도전형은 n형이고, 제2도전형은 p형일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 자성체층은 Ni, SmCo(samarium-cobalt), Gd 계, La계 및 Mn계 중 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. 상기 자성체층은 메쉬형태로 배치되거나 도트 형태로 배치되어 광투광성이 우수할 수 있다.
실시예의 기술적 과제 중의 하나는 디스플레이 패널에 반도체 발광소자들을 전사함에 있어서 전사속도와 전사수율을 동시에 향상시킬 수 있는 반도체 발광소자의 지능형 조립전사 통합장치를 제공하고자 함이다.
도 3은 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1000)의 개념도이다. 도 4는 도 3에 도시된 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1000)에서 조립 기판(210)의 B1 영역의 확대도이며, 도 5a와 도 5b는 도 3에 도시된 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1000)에서 자석헤드부(400)의 사시도이다. 도 6은 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1000)의 작동 예시도이다.
또한 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1000)는 친수처리 유닛(600), 세정 유닛(700), 건조 유닛(800) 등을 포함할 수 있다.
또한 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1000)는 디스플레이 패널 기판(910)을 수평 이동시키는 패널 구동부(920)와 패널 기판(910)을 상하 이동시키는 패널 척(미도시)을 포함할 수 있다.
실시예에 의하면 반도체 발광소자(150)가 전사 기판(transfer substrate)(210)에 조립되고, 조립된 반도체 발광소자(150)들이 인 라인으로 패널 기판(panel substrate)(910)으로 즉시 전사됨으로써 전사 속도를 현저히 향상시킬 수 있다. 또한 실시예에 의하면 전사 기판(210)에 조립된 반도체 발광소자(150)들에 대해 실시간으로 검사를 진행 후 정상인 경우에만 선택적으로 패널 기판(910)에 전사를 진행함으로써 전사 수율을 현저히 높일 수 있다. 이에 따라 실시예에 의하면 전사 속도를 높임과 동시에 전사 수율을 동시에 높임으로써 전사 속도와 전사 수율 간의 기술적 모순이 발생하는 문제를 해결할 수 있는 특별한 기술적 효과가 있다.
이하 도 3 내지 도 6을 참조하여 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1000)를 상세히 설명하기로 한다.
<유체 챔버, 친수처리 유닛>
도 3을 참조하면, 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1000)는 복수의 반도체 발광소자(150)들을 수용하는 유체 챔버(300), 친수처리 유닛(600) 등을 포함할 수 있다.
상기 유체 챔버(300)는 수조일 수 있으며, 오픈형 또는 클로즈형일 수 있다. 상기 유체 챔버(300)에는 초순수(deionized water) 등의 조립용액이 채워질 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 친수처리 유닛(600)은 조립 기판(210)이 유체에 입수하기 전에 웨팅(wetting)을 위한 친수 처리를 할 수 있다.
<조립 기판>
실시예는 롤러부(200)에 장착되는 유연성 조립 기판(210)을 포함할 수 있다. 상기 조립 기판(210)은 캐리어 기판, 제1 전사 기판으로 칭해질 수 있다.
예를 들어, 조립 기판(210)은 롤러 회전부(220)에 장착될 수 있는 유연성 기판일 수 있다. 예를 들어, 조립 기판(210)은 롤(roll)처럼 말수 있는 유연성 재질일 수 있으며, 폴리이미드(Polyimide) 등의 폴리머나 얇은 메탈 기판(metal substrate) 등일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
도 4는 도 3에 도시된 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1000)에서 조립 기판(210)의 B1 영역의 확대도이다.
상기 조립 기판(210)은 베이스부(210a), 유전체층(210b) 및 복수의 조립전극(210c)을 포함하여 전기장 형성이 가능할 수 있다.
상기 베이스부(210a)는 절연성 있는 재질로 이루어지며, 상기 복수의 조립전극(210c)은 상기 베이스부(210a)의 일면에 패턴된 박막 또는 후막의 bi-planar 전극이 될 수 있다. 상기 조립전극(210c)은 Ti/Cu/Ti의 적층, Ag 페이스트 및 ITO 등으로 형성될 수 있다.
상기 유전체층(210b)은 SiO 2, SiNx, SiON, Al 2O 3, TiO 2, HfO 2 등의 무기 물질로 이루어질 있다. 또한 상기 유전체층(210b)은 유기 절연체로서 단일층이거나 멀티층으로 형성될 수 있다.
또한 상기 조립 기판(210)은 격벽(210e)에 의하여 구획되는 복수의 셀들(210d)을 포함할 수 있다. 상기 셀들(210d)은 일방향을 따라 순차적으로 배치될 수 있다. 또한, 상기 셀들(210d)을 이루는 격벽(210e)은 이웃하는 셀들(210d)과 공유될 수 있다.
상기 격벽(210e)은 상기 베이스부(210a)에서 상측방향으로 돌출될 수 있으며, 상기 격벽(210e)에 의하여 상기 셀들(210d)이 일방향을 따라 순차적으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 셀들(210d)은 열과 행 방향으로 각각 순차적으로 배치되며, 매트릭스 구조일 수 있다.
상기 셀들(210d)의 내부는 반도체 발광소자(150)를 수용하는 조립 홈이 될 수 있으며, 상기 조립 홈은 상기 격벽(210e)에 의하여 구획되는 공간이 될 수 있다.
상기 조립 홈의 형상은 반도체 발광소자(150)의 외곽 형상과 동일 또는 유사할 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 발광소자(150)가 사각형상인 경우, 조립 홈은 사각형상일 수 있다. 또한, 상기 반도체 발광소자(150)가 원형인 경우, 상기 조립 홈은 원형일 수 있다. 또한 각각 하나의 셀에는 하나의 반도체 발광소자(150)가 수용될 수 있다.
한편, 복수의 조립전극(210c)은 각각의 셀들(210d)의 바닥에 배치되는 복수의 전극라인을 구비하며, 상기 복수의 전극라인은 이웃한 셀로 연장될 수 있다.
상기 복수의 조립전극(210c)은 상기 셀들(210d)의 하측에 배치되며, 서로 다른 극성이 각각 인가되어 상기 셀들(210d) 내에 전기장을 생성할 수 있다. 상기 전기장 형성을 위하여, 상기 복수의 조립전극(210c)을 유전체층(210b)이 덮으면서, 상기 유전체층(210b)이 셀들(210d)의 바닥을 형성할 수 있다. 각 셀들(210d)의 하측에서 한 쌍의 조립전극(210c)에 전원공급부(미도시)에 의해 서로 다른 극성의 전원이 인가되면 전기장이 형성되고, 상기 전기장에 의하여 상기 셀들(210d) 내부로 상기 반도체 발광소자(150)가 수용되어 조립될 수 있다.
<롤러부: 롤러 회전부, 롤러 구동부, 자석 헤드부>
실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1000)는 조립 기판(210)을 회전시키는 롤러부(200)를 포함할 수 있다. 상기 롤러부(200)는 롤러 회전부(220), 롤러 구동부(230), 자석 헤드부(400)를 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 롤러부(200)는 조립 기판(210)이 장착되고 회전되는 롤러 회전부(220)와, 상기 롤러 회전부(220)가 회전하도록 구동시키는 롤러 구동부(230), 반도체 발광소자(150)에 자력을 가하여 조립 기판(210)에 조립되도록 하는 자석헤드부(400)를 포함할 수 있다.
상기 롤러부(200)는 조립 기판(210)에 조립된 반도체 발광소자(150)들이 패널 기판(910)에 전사될 때 조립 기판(210)과 패널 기판(910)이 한 라인 또는 복수의 라인에서 만나서 반도체 발광소자(150)들이 전사되도록 할 수 있다.
상기 롤러 구동부(230)는 조립 기판(210)이 장착된 롤러 회전부(220)를 롤러 구동부(230)를 이용하여 회전 구동시킬 수 있으며, 상기 롤러 구동부(230)는 단일 또는 복수로 모터를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 롤러 회전부(220)는 장착된 조립 기판(210)이 효율적으로 회전되도록 유연성 재질로 형성될 수 있다. 또한 상기 롤러 회전부(220)는 벨트 형태로 형태일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 롤러 회전부(220)는 조립 기판(210)이 장착된 상태에서 자석 헤드부(400)의 자력이 반도체 발광소자(150)에 잘 전달될 수 있도록 두께가 5mm이하일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 롤러부(200)는 반도체 발광소자(150)가 조립 기판(210)에 부착되도록 자력을 가하는 자석 헤드부(400)를 포함할 수 있다.
도 5a는 도 3에 도시된 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1000)에서 자석헤드부(400)의 사시도이며, 도 5b는 도 5a에 도시된 자석헤드부(400)의 180도 반전된 사시도이다.
상기 자석 헤드부(400)는 롤러부(200) 내측에 위치하여 유체 챔버(300) 내의 반도체 발광소자(150)가 조립 기판(210)의 조립 전극(210c) 쪽으로 유도하는 기능을 할 수 있다. 상기 자석 헤드부(400)는 하나 또는 복수일 수 있다.
도 5a를 참조하면, 실시예의 자석 헤드부(400)는 복수의 자석(410)을 구비할 수 있다. 상기 자석(410)은 상기 유체 챔버(300)와 이격 배치되어 상기 반도체 발광소자(150)에 자기력을 가할 수 있고, 상기 자석(410)과 연결되는 위치 제어부(미도시)에 의해 위치가 제어될 수 있다. 상기 자석(410)은 영구 자석이거나 전자석일 수 있다.
실시예는 상기 자석 헤드부(400)를 자동 또는 수동으로 움직일 수 있는 자석 핸 들러(미도시)를 구비하거나, 상기 자석 헤드부(400)를 회전시킬 수 있는 모터(미도시)를 구비하여 자석 헤드부(400)를 시계방향 또는 반시계방향으로 회전구동(Z)할 수 있으며, 조립 기판(210)의 회전방향과 수직방향으로 자석 헤드부(400)를 수평구동(X-Y)할 수 있다.
실시예에서 상기 자석 헤드부(400)는 회전함으로써 반도체 발광소자(150)에 가해지는 자력을 고르게 분산시켜서 조립 속도를 향상시킬 수 있다.
또한 상기 자석 헤드부(400)는 상기 조립 기판(210)의 회전방향에 수직방향으로 일정구간을 움직이면서 회전함에 따라 자력을 더욱 고르게 분산시켜서 반도체 발광소자(150)의 조립 속도를 향상시킴과 동시에 조립 기판(210)에 고르게 조립되도록 할 수 있다.
<세정 유닛, 건조 유닛, 조립 검사부, 패널 구동부, 패널 척>
다시 도 3을 참조하면, 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1000)는 세정 유닛(700), 건조 유닛(800) 및 조립 검사부(500)를 포함할 수 있다.
상기 세정 유닛(700)은 조립 기판(210)의 조립 영역 이외의 영역에 용액을 분사하여 조립 기판(210)의 조립 영역 외에 부착된 반도체 발광소자(150)를 떼어낼 수 있고, 한 번에 라인 전체를 커버할 수 있도록 분사할 수 있다.
상기 건조 유닛(800)은 반도체 발광소자(150)에 열풍이나 열을 가하여 전사되기 전에 조립용액이 증발되도록 할 수 있다.
상기 조립 검사부(500)는 상기 조립 기판(210)에 반도체 발광소자(150)가 조립되었는지 여부 또는 정확히 조립되었는지 여부를 검사할 수 있다.
상기 조립 검사부(500)는 라인 스캔 조립검사를 진행할 수 있고, 한번에 라인 전체의 커버가 가능할 수 있다. 상기 조립 검사부(500)는 CCD 이미지 센서를 포함할 수 있고, 검사 결과를 제어부(미도시)에 전송할 수 있으며, 검사 결과에 따라 패널 기판(910)으로 전사여부를 결정할 수 있다.
도 6은 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1000)의 작동 예시도이다.
실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1000)는 디스플레이 패널 기판(910)을 수평 이동시키는 패널 구동부(920)와 패널 기판(910)을 상하 이동시키는 패널 척(미도시)을 포함할 수 있다.
상기 패널 구동부(920)는 단일 또는 복수로 구비될 수 있으며, 도 6에서는 2개로 도시되어 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 패널 구동부(920)는 모터를 통해 구동될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 패널 척은 상기 패널 기판(910)의 측면, 상면 또는 저면에 배치되어 상기 패널 기판(910)을 상기 조립 기판(210)과 이격시킬 수 있다.
실시예에 의하면 조립 기판(210)의 폭 방향으로 라인별 조립 상태를 검사하여 미조립이나 불량 조립 등의 라인 위치 정보를 시스템 제어부(미도시)에 전달하여 패널 기판(910)에 전사공정이 진행되지 않도록 제어할 수 있다.
예를 들어, 조립 기판(210)의 폭 방향으로 라인별 조립 상태를 검사하여 미조립이나 불량 조립 등 에러위치(E)가 있는 경우의 패널 척을 통해 패널 기판(910)을 상측으로 이동되게 함으로써 조립 기판(210)과 패널기판(910)을 이격시킴으로써 패널 기판(910)에 에러위치 라인 상의 반도체 발광소자(150)가 전사되지 않도록 제어할 수 있는 특별한 기술적 효과가 있다.
실시예에 의하면 조립 기판(210)에 라인별 픽셀 중에 반도체 발광소자(150)가 조립되지 않거나 제대로 조립되지 않는 경우 해당 라인 상의 반도체 발광소자(150)는 패널 기판(910)에 전사되지 않도록 하여 전사 속도 및 전사 수율을 동시에 높일 수 있는 특별한 기술적 효과가 있다.
도 7은 실시예에서 패널 기판(910)의 틸팅 개념도이다.
실시예에서 패널 척은 조립 기판(210)에서 패널 기판(910)으로 반도체 발광소자(150)가 보다 잘 전사될 수 있도록 패널 기판(910)의 미세 회전기능을 가질 수 있다.
도 7의 (A)를 참조하면 실시예에서 패널 구동부(920)는 제1-1패널 구동부(920a1)와 제1-2 패널 구동부(920a2)를 포함할 수 있다. 상기 제1-1 패널 구동부(920a1)와 상기 제1-2 패널 구동부(920a2)의 높이는 같을 수 있으며, 이에 따라 패널 기판(910)은 수평을 유지한 상태에서 이동되면서 반도체 발광소자(150)의 전사가 진행될 수 있다.
한편, 도 7의 (B)를 참조하면, 실시예에서 제2패널 구동부(920B)는 제2-1패널 구동부(920b1)와 제2-2패널 구동부(920b2)를 포함하되, 상기 제2-1패널 구동부(920b1)가 상기 제2-2패널 구동부(920b2)와 서로 다른 높이에 배치될 수 있다.
예를 들어, 상기 제2-1패널 구동부(920b1)가 상기 제2-2패널 구동부(920b2)보다 낮게 배치될 수 있다. 이에 따라 제2패널 기판(912)의 전단(912b1)은 후단(912b2)에 비해 낮게 배치될 수 있다. 상기 제2패널 기판(912)이 기울어진 상태에서 이동되면서 반도체 발광소자(150)의 전사가 진행될 수 있다. 이에 따라 반도체 발광소자(150)가 상기 조립 기판(210)에서 상기 제2 패널 기판(912)으로 전사가 보다 효과적으로 진행될 수 있다.
실시예에 따른 반도체 발광소자의 전사용 롤러부의 전극구조 및 이를 포함하는 지능형 조립전사 통합장치에 의하면, 디스플레이 패널에 반도체 발광소자들을 전사함에 있어서 전사속도와 전사수율을 동시 향상시킬 수 있는 기술적 효과가 있다.
구체적으로 실시예에 의하면 롤러부(200) 상의 조립 기판(210)과 평평한 패널 기판(910)이 만나는 부분은 롤러부(200)의 폭 방향으로 라인(line) 전사를 할 수 있다. 또한 실시예에 의하면 조립 검사를 통해 선별된 불량 없는 완전 조립된 라인 상의 반도체 발광소자만 전사하기 때문에 100% 전사 수율의 구현이 가능하다.
이에 따라 실시예에 의하면 조립기판 불량이나 반도체 발광소자의 불량이 있더라도 이를 피해 전사할 수 있어 반도체 발광소자의 품질에 대한 의존성을 최소화할 수 있다.
또한 실시예에 의하면 조립공정과 전사공정을 분리하되 인라인으로 연결하였기 때문에 조립 시스템의 크기에 따른 전사 면적의 제한이 없는 효과가 있다.
또한 실시예에 의하면 패널 기판의 에지부분에 조립을 위한 별도 공간이 필요하지 않기 때문에 대면적 공정 후 소면적으로 면취할 때 높은 면취율의 확보가 가능한 효과가 있다.
또한 실시예에 의하면 롤러부를 멀티로 구성하면 고속 전사 구현이 가능한 효과가 있다.
<조립, 검사, 전사 공정>
이하 도 3과 도 6을 참조하여 따른 반도체 발광소자의 지능형 조립전사 통합장치(1000)를 이용한 조립, 검사 및 전사 공정을 설명하기로 한다.
우선 반도체 발광소자(150)를 유체 챔버(300)에 투입하고, 조립 기판(210)을 롤러부(200)에 장착한다.
다음으로, 유체 챔버(300) 내에서 상기 반도체 발광소자(150)가 수직방향으로 떠오르도록 반도체 발광소자(150)에 자석 헤드부(400)를 이용하여 자기력을 가한다.
상기 자석 헤드부(400)가 전자석인 경우 자기력의 크기를 조절하면 상기 조립 기판(210)의 조립면과 반도체 발광소자(150)의 이격거리가 제어될 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 발광소자(150)의 무게, 부력 및 자기력을 이용하여 이격거리를 제어할 수 있다.
다음으로, 상기 유체 챔버(300) 내에서 상기 반도체 발광소자(150)가 일방향을 따라 이동하도록 상기 반도체 발광소자(150)에 자기력을 가한다. 예를 들어, 상기 자석 헤드부(400)의 자석을 조립 기판(210)의 회전방향과 수직한 방향으로 이동시키면서 시계방향 또는 반시계방향으로 회전구동할 수 있다.
다음으로, 상기 반도체 발광소자(150)의 이동과정에서 조립 기판(210)의 조립위치에 안착되도록 상기 반도체 발광소자(150)에 전기장을 가하여 조립위치로 유도하는 단계가 진행된다. 예를 들어, 상기 반도체 발광소자(150)가 상기 조립 기판(210)을 따라 이동하는 도중에 전기장에 의하여 상기 조립 기판(210)과 수직 또는 수평한 방향으로 이동하여 상기 조립 기판(210)의 조립위치에 안착시킬 수 있다.
예를 들어, 상기 조립 기판(210)의 bi-planar 전극에 전원을 공급하여 전기장을 생성하고, 이를 이용하여 조립위치에서만 조립이 되도록 제어할 수 있다. 즉 선택적으로 생성한 전기장을 이용하여, 반도체 발광소자(150)가 상기 조립 기판(210)의 조립위치에 스스로 조립되도록 한다.
다음으로 세정 유닛(700)은 조립영역 외의 영역에 용액을 분사하여 조립 기판(210)의 조립영역 외에 부착된 반도체 발광소자(150)를 떼어낼 수 있고, 한 번에 라인 전체를 커버할 수 있도록 용액을 분사할 수 있다.
다음으로 건조 유닛(800)은 조립된 반도체 발광소자(150)에 열풍이나 열을 가하여 전사 전에 조립용액이 증발되도록 할 수 있다.
다음으로 조립 검사부(500)는 반도체 발광소자(150)의 조립 기판(210)에 조립 여부, 불량 조립여부를 검사할 수 있다. 상기 조립 검사부(500)는 라인 스캔 조립검사를 진행할 수 있고, 한번에 라인 전체 커버가능할 수 있다. 상기 조립 검사부(500)는 CCD 이미지 센서를 포함할 수 있고, 검사 결과를 제어부에 전송할 수 있으며, 검사 결과에 따라 패널 기판(910)으로 전사여부를 결정할 수 있다.
다음으로 도 6을 참조하면, 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1000)에 의하면 조립 기판(210)의 폭 방향으로 라인별 조립 상태를 검사하여 미조립이나 불량 조립이 있는 경우의 라인 위치 정보를 시스템 제어부에 전달하여 패널 기판(910)에 전사공정이 진행되지 않도록 제어할 수 있다.
예를 들어, 조립 기판(210)의 폭 방향으로 라인별 조립 상태를 검사하여 미조립이나 불량 조립 등 에러위치(E)가 있는 경우의 패널 척을 통해 패널 기판(910)을 상측으로 이동되게 함으로써 조립 기판(210)과 이격시킴으로써 패널 기판(910)에 전사공정이 진행되지 않도록 제어할 수 있는 특별한 기술적 효과가 있다.
실시예에 의하면 조립 기판(210)에 라인별 픽셀 중에 반도체 발광소자(150)가 조립되지 않거나 제대로 조립되지 않는 경우 해당 라인 상의 반도체 발광소자(150)가 패널 기판(910)에 전사되지 않도록 하여 전사 속도 및 전사 수율을 동시에 높일 수 있는 특별한 기술적 효과가 있다.
다시 도 3을 참조하면, 패널 기판(910)으로 전사된 반도체 발광소자(150)에 대해 디스플레이 장치를 구현하기 위한 후공정이 진행될 수 있다.
다음으로 도 8은 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1000)의 개념도이다.
도 8을 참조하면, 실시예에서 조립 기판(210)을 롤러 회전부(220)에 장착하고, 반도체 발광소자(150)를 유체 챔버(300)에 투입한다.
이후 유체 챔버(300) 내에서 반도체 발광소자(150)에 자석 헤드부(400)를 이용하여 자기력을 가한다. 다음으로, 상기 반도체 발광소자(150)의 이동과정에서 조립 기판(210)의 조립위치에 안착되도록 상기 반도체 발광소자(150)에 전기장을 가하여 조립위치로 유도하는 단계가 진행된다.
상기 조립 기판(210)은 반도체 발광소자(150)가 조립되는 활성영역과 조립 기판(210)에 전원을 인가하기 위한 패드 영역(미도시)을 포함할 수 있다.
한편, 실시예에서 유체 챔버(300)는 수조 프레임(310)을 구비하여 유체가 외부로 유출되지 않도록 할 수 있다. 또한 실시예는 수조 프레임(310)과 조립 기판(210) 사이에 오링(320)을 배치하여 유체의 외부 유출을 방지할 수 있다. 상기 유체가 수조 프레임(310)의 외부로 유출 시 조립 기판(210) 중 반도체 발광소자가 조립되는 활성영역 외의 패드영역(미도시)에 유체가 접촉되어 패드영역의 전기적, 구조적 손상이 발생할 수 있다.
앞서 기술한 바와 같이, 비공개 내부기술에서의 지능형 조립전사 통합장치(1000)는 자가조립용 롤러 회전부(220)에 장착된 조립기판(210)이 수조(bath)의 오링(320)과 맞닿게 되어 상호 마찰력에 의해 조립기판(210) 상의 패드 영역의 전극이 손상되는 문제가 발생되고 있다.
이에 실시예의 기술적 과제 중의 하나는 조립기판의 전극이 손상되는 문제를 방지할 수 있는 반도체 발광소자의 전사용 롤러부의 전극구조 및 이를 포함하는 지능형 조립전사 통합장치를 제공하고자 함이다.
도 9는 도 8에 도시된 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1000)에서 위 기술적 과제를 해결하기 위해 개발된 제1 롤러부 전극구조(C1)의 확대도이다.
실시예에서 제1 롤러부 전극구조(C1)는, 롤러 회전부(220), 점착필름(215), 조립 기판(210), 조립 기판(210)을 관통하는 관통 전극(217a), 롤러 패드전극(217b)을 포함할 수 있다.
상기 조립 기판(210)은 베이스부(210a), 유전체층(210b), 복수의 조립전극(210c), 조립 패드전극(210c2), 격벽(210e)을 포함할 수 있다.
상기 베이스부(210a)는 절연성 있는 재질로 이루어지며, 상기 복수의 조립전극(210c)은 상기 베이스부(210a)의 일면에 패턴된 박막 또는 후막의 bi-planar 전극이 될 수 있다. 상기 유전체층(210b)은 SiO 2, SiNx, SiON, Al 2O 3, TiO 2, HfO 2 등의 무기 물질로 이루어질 있다. 또한 상기 조립 기판(210)은 격벽(210e)에 의하여 구획되는 복수의 셀들을 포함할 수 있다. 상기 격벽(210e)은 상기 베이스부(210a)에서 상측방향으로 돌출될 수 있다.
상기 조립 기판(210)은 소정의 글라스 기판(미도시) 상에서 제조된 후 글라스 기판은 LLO공정 등에 의해 제거될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
상기 조립 기판(210)은 점착필름(215)에 의해 상기 롤러 회전부(220)에 장착될 수 있다.
상기 점착필름(215)은, 제1 점착층(215a), 중간층(215b), 제2 점착층(215c)을 포함할 수 있다. 상기 제2 점착층(215c)은 상기 조립 기판(210)과 접하는 층이며, 상기 제1 점착층(215a)은 상기 롤러 회전부(220)와 접하는 층일 수 있다. 상기 제1, 제2 점착층들(215a, 215c)은 UV필름, PC(Polycarbonate), 아크릴(PMMA, PolyMethyl MethAcrylate), 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate), 폴리에틸렌(Polyethylene), 폴리프로필렌(Polypropylene), 폴리에스터(Polyester) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 중간층(215b)은 절연물질로 형성될 수 있으며 베이스 필름 기능을 할 수 있다.
한편, 실시예에서 제1 롤러부 전극구조(C1)는, 조립 기판(210)을 관통하는 관통 전극(217a), 롤러 회전부(220) 상에 배치되는 롤러 패드전극(217b)을 포함할 수 있다.
실시예는 위 전국구조에 의해 롤러부 전극구조(C1)에서의 전극들이 오링(320)과 접하지 않도록 할 수 있다. 이에 따라 실시예에 의하면 자가조립 진행 시 오링과 직접 맞닿은 전극 부분을 배면으로 이동하는 배면전극 구조를 구비함으로써 마찰에 의한 전극 손상을 방지하는 기술적 효과가 있다.
상기 관통 전극(217a)은 상기 조립 기판(210)이 롤러 회전부(220)에 장착되기 전에 형성될 수 있다. 예를 들어, 조립 기판(210)에 점착필름(215)이 접착된 후 점착필름(215)에 관통홀(미도시)을 형성한 후 솔더 페이스트 등에 의해 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 롤러 패드전극(217b)은 제1 패드전극(217b1), 제2 패드전극(217b2) 및 제3 패드전극(217b3)을 포함할 수 있다.
상기 제1 패드전극(217b1)는 조립 기판(210) 상에 형성되거나 롤러 회전부(220) 상에 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제2 패드전극(217b2)은 롤러 회전부(220)의 측면에 배치될 수 있고, 상기 제3 패드전극(217b3)은 상기 롤러 회전부(220)의 배면에 배치될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예에서 상기 제3 패드전극(217b3)에 전원이 인가됨에 따라 전기장에 의한 자가 조립이 진행될 수 있다.
실시예에 의하면, 상기 조립 기판(210) 상에는 이형필름(322)이 형성되어 오링(320)과의 마찰력을 저감시킬 수 있다.
다음으로 도 10은 도 8에 도시된 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1000)에서 제2 롤러부 전극구조(C2)의 확대도이다.
제2 롤러부 전극구조(C2)는 제1 롤러부 전극구조(C1)의 기술적 특징을 채용할 수 있다.
예를 들어, 제2 롤러부 전극구조(C2)는, 조립 기판(210)을 관통하는 제2 관통 전극(217a2), 상기 롤러 회전부(220) 상에 배치되는 롤러 패드전극(217b)을 포함할 수 있다.
이하 제2 롤러부 전극구조(C2)의 주된 기술적 특징을 중심으로 설명하기로 한다.
상기 롤러 패드전극(217b)은 제1 패드전극(217b1), 제2 패드전극(217b2), 제3 패드전극(217b3) 및 제4 패드전극(217b4)을 포함할 수 있다.
상기 제2 패드전극(217b2)은 상기 롤러 회전부(220)의 측면에 배치될 수 있으며, 상기 제4 패드전극(217b4)은 점착필름(215) 측면에 배치될 수 있다.
상기 제2 패드전극(217b2)과 상기 제4 패드전극(217b4)은 각각 형성될 수 있으며, 일체로 형성될 수도 있다.
예를 들어, 상기 제4 패드전극(217b4)은 상기 점착필름(215) 측면에 상기 제1 패드전극(217b1)과 전기적으로 연결되도록 형성될 수 있으며, 상기 제2 패드전극(217b2)은 상기 롤러 회전부(220) 측면 상에 상기 제3 패드전극(217b3)과 전기적으로 연결되도록 형성될 수 있다.
또는 제1 패드전극(217b1)이 조립 기판(210)에 형성될 수 있다. 또한 제3 패드전극(217b3)이 롤러 회전부(220)에 형성될 수 있다. 이후 상기 점착필름(215)을 이용하여 상기 제1 패드전극(217b1)이 구비된 조립 기판(210)을 제3 패드전극(217b3)이 구비된 롤러 회전부(220)에 장착할 수 있다.
그 이후 상기 제2 패드전극(217b2)과 상기 제4 패드전극(217b4)이 일체로 한번에 형성하여 상기 제1 패드전극(217b1)과 상기 제3 패드전극(217b3)이 전기적으로 연결되도록 형성할 수도 있다.
실시예에 의하면, 상기 제2 관통 전극(217a2)은 상기 점착필름(215)을 관통하지 않고, 상기 조립 기판(210)의 베이스부(210a)를 관통하도록 형성될 수 있다.
실시예에 따른 반도체 발광소자의 전사용 롤러부의 전극구조 및 이를 포함하는 지능형 조립전사 통합장치에 의하면, 조립기판의 전극이 손상되는 문제를 방지할 수 있는 기술적 효과가 있다.
예를 들어, 실시예에 의하면, 자가조립 진행 시 오링과 직접 맞닿은 전극 부분을 배면으로 이동하는 배면전극 구조에 의해 마찰에 의한 전극 손상을 방지하는 기술적 효과가 있다.
다음으로 도 11은 제2 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1002)의 개념도이며, 도 12는 도 11에 도시된 제2 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1002)에서 제3 롤러부 전극구조(C3)의 확대도이다.
제2 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1002)는 제1 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1000)의 기술적 특징을 채용할 수 있으며, 이하 제2 실시예의 기술적 특징을 중심으로 기술하기로 한다.
제2 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1002)는 제1 실시예와 달리 오링 자체를 생략할 수 있는 특별한 기술적 효과가 있다.
제2 실시예에서 제3 롤러부 전극구조(C3)는 제1 실시예에서 제1 롤러부 전극구조(C1)의 기술적 특징을 채용할 수 있다.
이하 도 12를 참조하여 제3 롤러부 전극구조(C3)의 기술적 특징을 중심으로 기술하기로 한다.
도 12를 참조하면, 제2 실시예에서 제3 롤러부 전극구조(C3)는, 롤러 회전부(220), 점착필름(215), 조립 기판(210), 조립 기판(210)을 관통하는 관통 전극(217a), 롤러 패드전극(217b)을 포함할 수 있다.
상기 조립 기판(210)은 베이스부(210a), 제2 유전체층(210b2), 복수의 조립전극(210c), 조립 패드전극(210c2), 격벽(210e)을 포함할 수 있다. 상기 제2 유전체층(210b2)은 SiO 2, SiNx, SiON, Al 2O 3, TiO 2, HfO 2 등의 무기 물질로 이루어질 있다. 또한 상기 제2 유전체층(210b2)은 유기 절연체로서 단일층이거나 멀티층으로 형성될 수 있다.
이때 제2 실시예에서 상기 제2 유전체층(210b2)은 상기 복수의 조립전극(210c) 뿐만 아니라 조립 패드전극(210c2)를 덮도록 배치될 수 있다.
상기 조립 기판(210)은 점착필름(215)에 의해 상기 롤러 회전부(220)에 장착될 수 있다.
상기 롤러 패드전극(217b)은 제1 패드전극(217b1), 제2 패드전극(217b2) 및 제3 패드전극(217b3)을 포함할 수 있다.
상기 제1 패드전극(217b1)는 조립 기판(210) 상에 형성되거나 롤러 회전부(220) 상에 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 실시예에 의하면 상기 제2 유전체층(210b2)이 상기 복수의 조립전극(210c) 뿐만 아니라 조립 패드전극(210c2)를 덮도록 형성됨으로써 오링 자체를 사용하지 않아도 되며, 수조 및 회전부의 전체적인 사이즈를 줄일 수 있어 공간 자유도가 커지는 특별한 기술적 효과가 있다.
다음으로 도 13은 도 11에 도시된 제2 실시예에 따른 지능형 조립전사 통합장치(1002)에서 제4 롤러부 전극구조(C4)의 확대도이다.
상기 제4 롤러부 전극구조(C4)는, 제3 롤러부 전극구조(C3)의 기술적 특징을 채용할 수 있으며, 이하 제4 롤러부 전극구조(C4)의 기술적 특징을 중심으로 기술하기로 한다.
도 13을 참조하면, 제2 실시예에서 제4 롤러부 전극구조(C4)는, 롤러 회전부(220), 점착필름(215), 조립 기판(210), 조립 기판(210)을 관통하는 관통 전극(217a), 제2 롤러 패드전극(218b)을 포함할 수 있다.
상기 제2 유전체층(210b2)은 상기 복수의 조립전극(210c) 뿐만 아니라 조립 패드전극(210c2)를 덮도록 형성될 수 있다.
또한 상기 제2 롤러 패드전극(218b)은 상기 롤러 회전부(220)에 배치되는 제2-1 패드전극(218b1), 제2-2 패드전극(218b2) 및 제2-3 패드전극(218b3)을 포함할 수 있다.
이때 상기 제2-2 패드전극(218b2)은 상기 롤러 회전부(220)를 관통하는 패드전극일 수 있다.
제2 실시예에 의하면, 상기 제2 롤러 패드전극(218b)이 상기 롤러 회전부(220)의 측면에 배치되지 않음으로써 유체로부터의 전기적 손상 등을 받을 우려가 방지됨에 따라 전기적 신뢰성이 획기적으로 향상되며, 수조 및 회전부의 전체적인 사이즈를 줄일 수 있어 공간 자유도가 커지는 효과가 있다.
실시예에 따른 반도체 발광소자의 지능형 조립전사 통합장치에 의하면, 디스플레이 패널에 반도체 발광소자들을 전사함에 있어서 전사속도와 전사수율을 동시에 향상시킬 수 있는 기술적 효과가 있다.
예를 들어, 실시예에 의하면 반도체 발광소자(150)가 전사 기판(transfer substrate)(210)에 조립되고, 조립된 반도체 발광소자(150)들이 인 라인으로 패널 기판(panel substrate)(110)으로 즉시 전사됨으로써 전사 속도를 현저히 향상시킬 수 있다. 또한 실시예에 의하면 전사 기판(210)에 조립된 반도체 발광소자(150)들에 대해 실시간으로 검사를 진행 후 정상인 경우에만 선택적으로 패널 기판(910)에 전사를 진행함으로써 전사 수율을 현저히 높일 수 있다. 이에 따라 실시예에 의하면 전사 속도를 높임과 동시에 전사 수율을 동시에 높임으로써 전사 속도와 전사 수율 간의 기술적 모순이 발생하는 문제를 해결할 수 있는 특별한 기술적 효과가 있다.
구체적으로 실시예에 의하면 롤러부(200) 상의 조립 기판(210)과 평평한 패널 기판(910)이 만나는 부분은 롤러부(200)의 폭 방향으로 라인(line) 전사를 할 수 있다. 또한 실시예에 의하면 조립 검사를 통해 선별된 불량 없는 완전 조립된 라인 상의 반도체 발광소자만 전사하기 때문에 100% 전사 수율 구현이 가능하다.
이에 따라 실시예에 의하면 조립기판 불량이나 반도체 발광소자의 불량이 있더라도 이를 피해 전사할 수 있어 반도체 발광소자의 품질에 대한 의존성을 최소화할 수 있다.
또한 실시예에 의하면 조립공정과 전사공정을 분리하되 인라인으로 연결하였기 때문에 조립 시스템의 크기에 따른 전사 면적의 제한이 없는 효과가 있다.
또한 실시예에 의하면 패널 기판의 에지부분에 조립을 위한 별도 공간이 필요하지 않기 때문에 대면적 공정 후 소면적으로 면취할 때 높은 면취율의 확보가 가능한 효과가 있다.
또한 실시예에 의하면 롤러부를 멀티로 구성하면 고속 전사 구현이 가능한 효과가 있다.
또한 실시예에 따른 반도체 발광소자의 전사용 롤러부의 전극구조 및 이를 포함하는 지능형 조립전사 통합장치에 의하면, 조립기판의 전극이 손상되는 문제를 방지할 수 있는 기술적 효과가 있다.
예를 들어, 실시예에 의하면, 자가조립 진행 시 오링과 직접 맞닿은 전극 부분을 배면으로 이동하는 배면전극 구조에 의해 마찰에 의한 전극 손상을 방지하는 기술적 효과가 있다.
또한 실시예에 의하면 배면 전극 적용시 오링 자체를 사용하지 않아도 되며, 수조 및 회전부의 전체적인 사이즈를 줄일 수 있어 공간 자유도가 커지는 효과가 있다.
또한 실시예에 의하면, 제2 롤러 패드전극이 롤러 회전부의 측면에 배치되지 않음으로써 유체로부터의 전기적 손상 등을 받을 우려가 방지됨에 따라 전기적 신뢰성이 획기적으로 향상되며, 수조 및 회전부의 전체적인 사이즈를 줄일 수 있어 공간 자유도가 커지는 효과가 있다.
이상의 설명은 실시예의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 실시예의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다.
따라서, 실시예에 개시된 실시예들은 실시예의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 실시예의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다.
실시예의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 실시예의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
실시예에 따른 반도체 발광소자의 전사용 롤러부의 전극구조 및 이를 포함하는 지능형 조립전사 통합장치는 디스플레이 장치의 제조에 이용될 수 있다.

Claims (10)

  1. 롤러 회전부;
    상기 롤러 회전부 상에 장착되는 조립 기판;
    상기 롤러 회전부와 상기 조립 기판 사이에 배치되는 점착필름;
    상기 조립 기판을 관통하는 관통 전극; 및
    상기 롤러 회전부 상에 배치되며 상기 관통 전극과 전기적을 연결되는 롤러 패드전극;을 포함하는 반도체 발광소자의 전사용 롤러부의 전극구조.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 조립 기판은,
    베이스부와, 상기 베이스부 상에 배치되는 복수의 조립전극과 조립 패드전극 및 상기 베이스부 상에 유전체층을 포함하며,
    상기 관통 전극은, 상기 베이스부와 상기 접착필름을 관통하여 상기 조립 패드전극과 전기적으로 연결되는 반도체 발광소자의 전사용 롤러부의 전극구조.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 롤러 패드전극은,
    상기 롤러 회전부의 제1 면에 배치되는 제1 패드전극과, 상기 롤러 회전부의 측면에 배치되는 제2 패드전극 및 상기 롤러 회전부의 제2 면에 배치되는 제3 패드전극을 포함하는 반도체 발광소자의 전사용 롤러부의 전극구조.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 롤러 패드전극은,
    상기 접착필름 상에 제1 면에 배치되는 제1 패드전극과, 상기 롤러 회전부의 측면에 배치되는 제2 패드전극, 제4 패드전극 및 상기 롤러 회전부의 제2 면에 배치되는 제3 패드전극을 포함하는 반도체 발광소자의 전사용 롤러부의 전극구조.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 관통 전극은, 상기 베이스부를 관통하여 상기 조립 패드전극과 전기적으로 연결되는 반도체 발광소자의 전사용 롤러부의 전극구조.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 조립 기판은,
    베이스부와, 상기 베이스부 상에 배치되는 복수의 조립전극과 조립 패드전극 및 상기 베이스부 상에 유전체층을 포함하며,
    상기 유전체층은 상기 복수의 조립전극을 덮도록 배치되는 반도체 발광소자의 전사용 롤러부의 전극구조.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 유전체층은 상기 복수의 조립전극 및 상기 조립 패드전극을 덮도록 배치되는 반도체 발광소자의 전사용 롤러부의 전극구조.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 롤러 패드전극은,
    상기 롤러 회전부의 제1 면에 배치되는 제2-1 패드전극, 상기 롤러 회전부의 제2 면에 배치되는 제2-3 패드전극, 및 상기 제2-1 패드전극과 상기 제2-3 패드전극 사이에 배치되는 제2-2 패드전극을 포함하는 반도체 발광소자의 전사용 롤러부의 전극구조.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제2-2 패드전극은, 상기 롤러 회전부를 관통하는 반도체 발광소자의 전사용 롤러부의 전극구조.
  10. 반도체 발광소자들을 수용하는 유체 챔버;
    상기 반도체 발광소자가 조립되는 조립 기판이 장착되어 회전되는 롤러부; 및
    상기 조립 기판에 조립된 상기 반도체 발광소자를 검사하는 조립 검사부;를 포함하며,
    상기 롤러부는,
    제1항 내지 제9항 중 어느 하나의 반도체 발광소자의 전사용 롤러부의 전극구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 지능형 조립전사 통합장치.
PCT/KR2021/001407 2021-02-03 2021-02-03 반도체 발광소자의 전사용 롤러부의 전극구조 및 이를 포함하는 지능형 조립전사 통합장치 WO2022168998A1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US18/275,548 US20240120218A1 (en) 2021-02-03 2021-02-03 Electrode structure of roller unit for transferring semiconductor light-emitting element and intelligent integrated assembling and transferring device comprising same
PCT/KR2021/001407 WO2022168998A1 (ko) 2021-02-03 2021-02-03 반도체 발광소자의 전사용 롤러부의 전극구조 및 이를 포함하는 지능형 조립전사 통합장치
KR1020237022955A KR20230122053A (ko) 2021-02-03 2021-02-03 반도체 발광소자의 전사용 롤러부의 전극구조 및 이를포함하는 지능형 조립전사 통합장치
DE112021006742.7T DE112021006742T5 (de) 2021-02-03 2021-02-03 Elektrodenstruktur einer Rolleneinheit zum Übertragen eines lichtemittierenden Halbleiterelements und intelligente integrierte Montage- und Übertragungsvorrichtung einschließlich derselben

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/KR2021/001407 WO2022168998A1 (ko) 2021-02-03 2021-02-03 반도체 발광소자의 전사용 롤러부의 전극구조 및 이를 포함하는 지능형 조립전사 통합장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2022168998A1 true WO2022168998A1 (ko) 2022-08-11

Family

ID=82742162

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2021/001407 WO2022168998A1 (ko) 2021-02-03 2021-02-03 반도체 발광소자의 전사용 롤러부의 전극구조 및 이를 포함하는 지능형 조립전사 통합장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20240120218A1 (ko)
KR (1) KR20230122053A (ko)
DE (1) DE112021006742T5 (ko)
WO (1) WO2022168998A1 (ko)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008516415A (ja) * 2004-09-03 2008-05-15 イーストマン コダック カンパニー 熱制御型流体内自動集積法
US9418979B2 (en) * 2012-04-20 2016-08-16 Renssealer Polytechnic Institute Light emitting diodes and a method of packaging the same
KR102037226B1 (ko) * 2016-09-15 2019-10-28 일룩스 아이엔씨. 발광 표시 장치의 유체 조립 시스템 및 방법
KR20200103973A (ko) * 2019-02-26 2020-09-03 (주) 에이프로 마이크로 엘이디의 자가 조립 장치
KR102162739B1 (ko) * 2018-04-19 2020-10-07 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자의 자가조립 장치 및 방법

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9825202B2 (en) 2014-10-31 2017-11-21 eLux, Inc. Display with surface mount emissive elements

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008516415A (ja) * 2004-09-03 2008-05-15 イーストマン コダック カンパニー 熱制御型流体内自動集積法
US9418979B2 (en) * 2012-04-20 2016-08-16 Renssealer Polytechnic Institute Light emitting diodes and a method of packaging the same
KR102037226B1 (ko) * 2016-09-15 2019-10-28 일룩스 아이엔씨. 발광 표시 장치의 유체 조립 시스템 및 방법
KR102162739B1 (ko) * 2018-04-19 2020-10-07 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자의 자가조립 장치 및 방법
KR20200103973A (ko) * 2019-02-26 2020-09-03 (주) 에이프로 마이크로 엘이디의 자가 조립 장치

Also Published As

Publication number Publication date
DE112021006742T5 (de) 2023-10-19
US20240120218A1 (en) 2024-04-11
KR20230122053A (ko) 2023-08-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2021066221A1 (ko) 마이크로 led를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
WO2021054549A1 (en) Device for self-assembling semiconductor light-emitting diodes
WO2020117032A2 (ko) 반도체 발광소자의 자가조립용 기판 척
WO2021060577A1 (ko) 마이크로 led를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
WO2021015350A1 (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
WO2021054507A1 (ko) 반도체 발광소자의 자가조립 장치
WO2021162158A1 (ko) 자가 조립용 칩 트레이 및 반도체 발광소자의 공급 방법
WO2021054550A1 (en) Device for self-assembling semiconductor light-emitting diodes
WO2021054548A1 (en) Substrate chuck for self-assembling semiconductor light-emitting diodes
WO2021215692A1 (ko) 잉크젯 프린팅 장치 및 이를 이용한 쌍극성 소자의 프린팅 방법
WO2021020714A1 (ko) 쌍극자 정렬 장치, 쌍극자 정렬 방법 및 표시 장치의 제조 방법
WO2021162160A1 (ko) 자가 조립용 칩 디스펜서
WO2021054508A1 (ko) 반도체 발광소자의 자가조립 장치
WO2023106861A1 (ko) 화소용 반도체 발광소자의 전사를 위한 기판 구조 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
WO2022168998A1 (ko) 반도체 발광소자의 전사용 롤러부의 전극구조 및 이를 포함하는 지능형 조립전사 통합장치
WO2023068407A1 (ko) 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 장치
WO2021225341A1 (ko) 측면 배선이 형성된 글라스 기판을 구비한 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법
WO2021054547A1 (ko) 자가 조립용 칩 트레이 및 반도체 발광소자의 공급 방법
WO2023191159A1 (ko) 반도체 발광소자의 지능형 조립전사 통합 장치
WO2023106455A1 (ko) 반도체 발광소자 디스플레이 장치의 조립기판 구조 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
WO2024063181A1 (ko) 디스플레이 장치
WO2022124455A1 (ko) 자석 모듈 및 이를 구비한 자가조립장치
WO2024122682A1 (ko) 반도체 발광 소자 및 디스플레이 장치
WO2024048804A1 (ko) 이물 제거 장치
WO2023176994A1 (ko) 반도체 발광 소자 및 디스플레이 장치

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 21924900

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20237022955

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 18275548

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 112021006742

Country of ref document: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 21924900

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1