WO2022147686A1 - 发光二极管、显示面板和显示装置 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 114
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims abstract description 94
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 35
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 claims abstract description 33
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 35
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 claims description 14
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 claims description 10
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 claims description 9
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 6
- 125000000609 carbazolyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 claims description 4
- 125000003983 fluorenyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 claims description 4
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000000446 sulfanediyl group Chemical group *S* 0.000 claims description 4
- TZMSYXZUNZXBOL-UHFFFAOYSA-N 10H-phenoxazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3OC2=C1 TZMSYXZUNZXBOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical class [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 claims description 3
- -1 aromatic amine compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000001769 aryl amino group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 claims description 3
- JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N benzonitrile Chemical compound N#CC1=CC=CC=C1 JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical class [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 3
- BSIZUMJRKYHEBR-QGZVFWFLSA-N n-hydroxy-2(r)-[[(4-methoxyphenyl)sulfonyl](3-picolyl)amino]-3-methylbutanamide hydrochloride Chemical class C1=CC(OC)=CC=C1S(=O)(=O)N([C@H](C(C)C)C(=O)NO)CC1=CC=CN=C1 BSIZUMJRKYHEBR-QGZVFWFLSA-N 0.000 claims description 3
- 125000001181 organosilyl group Chemical group [SiH3]* 0.000 claims description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 3
- 125000003373 pyrazinyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000003226 pyrazolyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000002098 pyridazinyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical class [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 3
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000000335 thiazolyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- BVCRYZCZHIUGTH-UHFFFAOYSA-N triazine-4-carbonitrile Chemical compound N#CC1=CC=NN=N1 BVCRYZCZHIUGTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 9
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 229940126214 compound 3 Drugs 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 5
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 5
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 3
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005110 aryl thio group Chemical group 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229940125898 compound 5 Drugs 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000002866 fluorescence resonance energy transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- AICOOMRHRUFYCM-ZRRPKQBOSA-N oxazine, 1 Chemical compound C([C@@H]1[C@H](C(C[C@]2(C)[C@@H]([C@H](C)N(C)C)[C@H](O)C[C@]21C)=O)CC1=CC2)C[C@H]1[C@@]1(C)[C@H]2N=C(C(C)C)OC1 AICOOMRHRUFYCM-ZRRPKQBOSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007725 thermal activation Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
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- H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/10—Triplet emission
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/20—Delayed fluorescence emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/18—Carrier blocking layers
- H10K50/181—Electron blocking layers
Abstract
一种发光二极管、显示面板和显示装置。发光二极管包括：阳极(300,300A,300B,300C)；空穴传输层(400)，空穴传输层(400)中具有空穴传输类材料，空穴传输类材料包括分子量小于4000的有机小分子材料，空穴传输类材料的空穴迁移率不小于1×E -5cm 2/(V·S)；发光层(200,200A,200B,200C)，发光层(200,200A,200B,200C)位于空穴传输层(400)远离阳极(300,300A,300B,300C)的一侧，发光层(200,200A,200B,200C)中具有量子点材料；电子缓冲层(500,500A,500B,500C)，电子缓冲层(500,500A,500B,500C)位于发光层(200,200A,200B,200C)远离空穴传输层(400)的一侧，电子缓冲层(500,500A,500B,500C)中具有热活化延迟荧光材料；阴极(100)，阴极(100)位于电子缓冲层(500,500A,500B,500C)远离发光层(200,200A,200B,200C)的一侧。
Description
本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及发光二极管、显示面板和显示装置。
量子点有机发光器件(QLED)由于具有高量子效率、高色纯度、加工性好且成本较低以及易于调节发射波长等优点得到了广泛的关注。与传统的发光二极管类似的，为了进一步提高QLED的性能，除阳极、阴极以及发光层之外，QLED也会设置注入空穴传输层等结构。目前的量子点有机发光器件的空穴传输层(HTL)大都是使用聚合物材料。然而，由于聚合物材料自身结构的原因，导致空穴传输层的空穴迁移率偏低，最终导致QLED器件中存在电子和空穴注入不平衡的问题。
因此，目前的发光二极管、显示面板和显示装置仍有待改进。
发明内容
本发明旨在至少一定程度上缓解或解决上述提及问题中至少一个。
在本发明的一个方面，本发明提出了一种发光二极管。该发光二极管包括：阳极；空穴传输层，所述空穴传输层位于所述阳极的一侧，所述空穴传输层中具有空穴传输类材料，所述空穴传输类材料包括分子量小于4000的有机小分子材料，空穴传输类材料的空穴迁移率不小于1×E
-5cm
2/(V·S)；发光层，所述发光层位于所述空穴传输层远离所述阳极的一侧，所述发光层中具有量子点材料；电子缓冲层，所述电子缓冲层位于所述发光层远离所述空穴传输层的一侧，所述电子缓冲层中具有热活化延迟荧光材料；阴极，所述阴极位于所述电子缓冲层远离所述发光层的一侧。由此，该发光二极管可利用空穴传输层提高空穴传输性能，并利用电子缓冲层缓解电子注入过速的问题，从而可改善该发光二极管的空穴电子注入平衡，进而有利于提高器件性能并延长器件寿命。
根据本发明的实施例，所述有机小分子材料包括芳胺类化合物、咔唑类化合物、芴类化合物及其衍生物的至少之一。由此，可进一步提高空穴传输层的空穴传输性能。
根据本发明的实施例，基于形成所述空穴传输层的材料的总质量，所述空穴传输层中所述空穴传输类材料的含量为0.1～70重量份。由此，可进一步提高空穴传输层的空穴传输性能。
根据本发明的实施例，所述热活化延迟荧光材料的第一单线态能级与第一三线态能级之间的差值小于等于0.3eV。由此，可防止过剩的电子发生非辐射俄歇复合，导致器件发光效率降低以及寿命缩短。
根据本发明的实施例，所述热活化延迟荧光材料为式I所示出的：
D—L—A (I)，
其中，所述D包括供电子基团，所述A包括吸电子基团，所述L为单键，苯基，联苯基或者芴基。由此，可进一步提高该发光二极管的性能。
根据本发明的实施例，所述D包括选自咔唑基、芳基氨基、烷基氨基、甲硅烷基、烷氧基、芳氧基、硫基、烷基硫基、芳基硫基、吖啶基、吩噁嗪、噻吩嗪及其衍生物中的一种或几种；所述A包括选自氟、氰基、三嗪、氰基苯、吡啶、膦氧基、酮羰基、砜基、吡咯基、噻吩基、吡唑基、噻唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、亚非那烯基及其衍生物中的一种或几种。由此，可进一步提高该发光二极管的性能。
根据本发明的实施例，所述热活化延迟荧光材料的发射光谱与所述量子点材料的吸收光谱的重叠部分的面积，不小于所述热活化延迟荧光材料的发射光谱面积的50％。由此，可进一步提高该发光二极管的性能。
根据本发明的实施例，所述电子缓冲层的厚度为1～20nm。由此，可进一步提高该发光二极管的性能。
根据本发明的实施例，所述量子点材料包括InP类量子点、ZnSe类量子点、CGS类量子点、CdSe类量子点、CdZn类量子点、CIS类量子点、CGS类量子点中的一种或几种。由此，可进一步提高该发光二极管的性能。
根据本发明的实施例，进一步包括：空穴注入层，所述空穴注入层位于所述阳极以及所述空穴传输层之间；电子注入层，所述电子注入层位于所述电子缓冲层和所述阴极之间。由此，可进一步提高该发光二极管的性能。
在本发明的另一方面，本发明提出了一种显示面板。根据本发明的实施例，该显示面板包括：衬底；多个发光二极管，所述多个发光二极管位于所述衬底上，多个所述发光二极管中的至少一部分是前面所述的发光二极管。由此，该显示面板具有前面所述的发光二极管所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该显示面板具有发光效率高、寿命较长等优点的至少之一。
根据本发明的实施例，所述多个发光二极管包括多种发光颜色，每一种发光颜色的所述发光二极管的电子缓冲层中的热活化延迟荧光材料的发射光谱与该发光二极管的发光层中量子点材料的吸收光谱的重叠部分的面积，均不小于所述热活化延迟荧光材料的发射光谱面积的50％。
在本发明的另一方面，本发明提出了一种显示装置，其特征在于，包括前面所述的显示面板。由此，该显示装置具有前面所述的显示面板所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该显示装置具有发光效率高、寿命较长等优点的至少之一。
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1显示了根据本发明一个实施例的发光二极管的结构示意图；
图2显示了根据本发明另一个实施例的发光二极管的结构示意图；
图3显示了根据本发明示例1的发光二极管的能级结构示意图；
图4显示了本发明示例1以及比较例1、2、3的电流效率测试结果图；
图5显示了本发明示例1以及比较例1、2、3的发光亮度衰减测试结果图；
图6显示了本发明示例1以及比较例1、2、3的J-V曲线；
图7显示了本发明示例6以及比较例4的电流密度测试结果；
图8显示了根据本发明一个实施例的显示面板的结构示意图。
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的一个方面，本发明提出了一种发光二极管。参考图1，该发光二极管包括：阳极300，空穴传输层400，发光层200以及电子缓冲层500和阴极100。其中，空穴传输层400位于阳极100的一侧，空穴传输层中具有空穴传输类材料，空穴传输类材料包括分子量小于4000的有机小分子材料。发光层200位于空穴传输层400远离阳极300的一侧，发光层200中具有量子点材料。其中，空穴传输类材料的空穴迁移率不小于1×E
-5cm
2/(V·S)。电子缓冲层500位于发光层200远离空穴传输层400的一侧，电子缓冲层中具有热活化延迟荧光材料，阴极100位于电子缓冲层500远离发光层200的一侧。由此，该发光二极管可利用空穴传输层提高空穴传输性能，并利用电子缓冲层缓解电子注入过速的问题，从而可改善该发光二极管的空穴电子注入平衡，进而有利于提高器件性能并延长器件寿命。
为了方便理解，下面首先对该有机发光二级管能够实现上述有益效果的原理进行简单说明：
如前所述，采用聚合物材料的空穴传输层往往由于聚合物自身的结构的原因，空穴迁移率偏低，特别是当器件中具有电子迁移率较高的结构(例如地电子传输层，多采用金属氧化物)则发光层另一侧的电子迁移率较高，因此，容易导致发光层两侧的空穴电子注入不平衡，器件存在电子注入较多的情况。此时空穴传输特性相对低效的空穴传输层将会导 致发光层中电子和空穴之间不平衡，因此阻碍了QLED性能的提升。并且，由于过剩的电子会导致激子复合区域偏向空穴传输层与发光层的界面处，且过剩的电子会造成非辐射的俄歇复合，同时过多的电子相对会漂移到空穴传输层内，造成空穴传输材料的裂解，因此导致器件效率偏低，寿命缩短。根据本发明实施例的发光二极管通过在形成空穴传输层的材料中加入一定量的具有空穴传输性质的有机小分子，可提升空穴传输层的空穴传输性能，同时在发光层另一侧增加含有热活化延迟荧光材料(TADF)的电子缓解层用于缓冲电子的传输，从调整电子空穴的平衡。并且TADF材料能够有效的将三线态激子转换为单线态激子，并通过Forster荧光共振能量转移将单线态激子传递到量子点上，激发量子点发光，从而提高量子点电致发光器件的电流效率，进而提升器件的效率，并增加寿命。
根据本发明的实施例，空穴传输层中可含有一种或多种空穴传输材料，其中至少有一种为前述的有机小分子材料即可。例如，可采用空穴传输层常用的聚合物材料，并在其中通过包括但不限于共混的方式加入有机小分子材料。由此，可简便地获得根据本发明实施例的空穴传输层400。具体地，有机小分子材料的具体种类不受特别限制，例如可以包括芳胺类化合物、咔唑类化合物、芴类化合物及其衍生物的至少之一。具有上述结构的有机小分子材料具有较好的空穴传输性能，且分子量较小，有利于提高空穴传输层的空穴传输能力，进而缓解发光二极管中空穴和电子注入不平衡的问题。
需要特别说明的是，在本发明中，术语“衍生物”应做广义理解，即前述的化合物除去前述特征官能团之外，还可在包括但不限于烷基环、芳环上具有一个或多个取代基，取代基可为包括但不限于烷基、羟基、羧基、氨基、卤素等基团，或含有上述特征官能团的稠环化合物。
根据本发明的实施例，空穴传输层400中空穴传输类材料，即前述的有机小分子材料的含量不受特别限制，本领域技术人员可以根据发光二极管的整体情况进行调整，例如基于形成空穴传输层的材料的总质量，空穴传输类材料的含量可以为0.1～70重量份。由此，可进一步提高空穴传输层的空穴传输性能。
根据本发明的实施例，热活化延迟荧光材料的第一单线态能级(S1)与第一三线态能级(T1)之间的差值小于等于0.3eV。由此，可防止过剩的电子发生非辐射俄歇复合，导致器件发光效率降低以及寿命缩短。
根据本发明的实施例，空穴传输层中的空穴传输类材料的具体空穴迁移率不受特别限制，例如可以为不小于1×E
-5cm
2/(V·S)。更具体地，有机小分子材料的空穴迁移率优选的不小于1×E
-4cm
2/(V·S)。空穴传输层中的高分子材料空穴传输类材料和有机小分子材料的空穴迁移率之间优选地相差1个数量级。由此，可以更好地调节空穴传输的速率。
热活化延迟荧光(TADF)材料是一类新型低成本高效率的有机发光材料,被称为第三世代 有机发光材料。该材料通过巧妙的分子设计，使得分子具有较小的最低单三重能级差(ΔEST)，能够将三线态激子通过热激发反系间穿越转化为单线态激子辐射发光，从而突破传统荧光材料激子利用率25％的理论极限。发明人发现，通过在电子缓冲层中添加该类型材料，可以在不影响电子注入的前提下适当调节电子传输速率，从而缓解电子注入过剩的问题，且该类型材料还可以激发量子点发光，提升器件效率，缓解过剩电子造成非辐射的俄歇复合对器件效率的负面影响。根据本发明的实施例，热活化延迟荧光材料的具体类型不受特别限制，为式I所示出的：
D—L—A (I)，
其中，所述D包括供电子基团，所述A包括吸电子基团，所述L为单键，苯基，联苯基、芴基中的至少之一。由此，可进一步提高该发光二极管的性能。更具体地，上述D包括选自咔唑基、芳基氨基、烷基氨基、甲硅烷基、烷氧基、芳氧基、硫基、烷基硫基、芳基硫基、吖啶基、吩噁嗪、噻吩嗪及其衍生物中的一种或几种，上述A可以包括选自氟、氰基、三嗪、氰基苯、吡啶、膦氧基、酮羰基、砜基、吡咯基、噻吩基、吡唑基、噻唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、亚非那烯基及其衍生物中的一种或几种。由此，可进一步提高该发光二极管的性能。
根据本发明的实施例，热活化延迟荧光材料的发射光谱与量子点材料的吸收光谱的重叠部分的面积，不小于热活化延迟荧光材料的发射光谱面积的50％。由此，热活化荧光材料的发射光谱与量子点吸收光谱重叠面积占热活化延迟荧光材料发射光谱的面积较大，即发光层中的量子点材料可以较好地与热活化延迟荧光材料的光谱进行匹配，从而提高该器件的发光效率。
根据本发明的实施例，电子缓冲层的厚度不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际情况进行选择。例如，电子缓冲层中可含有用于分散热活化延迟荧光材料的主体材料，形成的电子缓冲层的厚度可以为1～20nm。由此，可进一步提高该发光二极管的性能。
根据本发明的实施例，发光层中的量子点材料不受特别限制，本领域技术人员可根据实际需要选择适当的量子点材料。例如，具体地，本发明中发光层中的量子点材料可以包括InP类量子点、ZnSe类量子点、CGS类量子点、CdSe类量子点、CdZn类量子点、CIS类量子点、CGS类量子点中的一种或几种。由此，可进一步提高该发光二极管的性能。
根据本发明的实施例，为了进一步提高该发光二极管的性能，参考图2，该发光二极管可以进一步包括空穴注入层600，电子注入层700等结构。空穴注入层600位于阳极300以及空穴传输层400之间，以进一步提升空穴注入能力。电子传输层700可以位于电子缓冲层500远离发光层的一侧，电子注入层800可以位于电子缓冲层500和阴极100之间，具体可位于电子传输层700远离电子缓冲层500的一侧。由此，可进一步提高该发光二极管 的性能。
此处需要特别说明的是，制备上述发光二极管的方法不受特别限制，本领域技术人员可根据实际情况进行选择。例如，可以通过包括但不限于蒸镀、溅射沉积导电材料等方式形成阳极、阴极的电极结构，具体可在形成有导电材料(例如可以为ITO)的基板上通过旋涂的方式形成空穴注入层、空穴传输层以及发光层的结构，然后通过真空蒸镀形成电子缓冲层。电子注入层可采用沉积、蒸镀的方式形成，最后通过蒸镀形成金属阴极。具体地，上述各层结构的厚度不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际情况进行选择。例如，空穴注入层的厚度可以为10-30nm，空穴传输层的厚度可为30-40nm，发光层的厚度可以为20-30nm。本领域技术人员可以根据各层的具体材料确定上述各层的具体厚度。
例如，根据本发明的一个具体的实施例，该发光二极管具体可以由以下结构构成：阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子缓冲层、电子注入层和阴极，其中空穴注入层位于阳极的一侧，空穴传输层位于空穴注入层远离阳极的一侧，发光层位于空穴传输层远离阳极的一侧，发光层中具有量子点材料。电子缓冲层位于发光层远离空穴传输层的一侧，所述电子缓冲层中具有热活化延迟荧光材料，阴极位于电子缓冲层远离发光层的一侧，电子注入层位于所述电子缓冲层和所述阴极之间。由此，可进一步提高该发光二极管的性能。
在本发明的另一方面，本发明提出了一种显示面板。根据本发明的实施例，该显示面板包括：衬底，以及多个发光二极管。该多个发光二极管位于所述衬底上，多个所述发光二极管中的至少一部分是前面所述的发光二极管。由此，该显示面板具有前面所述的发光二极管所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该显示面板具有发光效率高、寿命较长等优点的至少之一。
根据本发明的实施例，多个发光二极管包括多种发光颜色。例如，根据本发明的一些具体的实施例，可以包括红色、绿色和蓝色发光二极管。其中，每一种发光颜色的所述发光二极管的电子缓冲层中的热活化延迟荧光材料的发射光谱与该发光二极管的发光层中量子点材料的吸收光谱的重叠部分的面积，均不小于所述热活化延迟荧光材料的发射光谱面积的50％。也即是说，对于红色发光二极管而言，红色发光二极管中的电子缓冲层中的热活化延迟荧光材料的发射光谱，与红色发光二极管的量子点材料的吸收光谱的重叠部分的面积，不小于红色发光二极管中热活化延迟荧光材料的发射光谱面积的50％。类似地，蓝色、绿色等颜色的发光二极管中的热活化延迟荧光材料的发射光谱，与和其颜色对应的发光层中固定量子点材料的吸收光谱的重叠部分也满足前述要求。由此，可进一步提高该显示面板的性能。
具体地，参考图8，该显示面板可具有基板10，以及位于基板10一侧，用于限定出多 个发光二极管区域的像素界定层20，多个发光二极管彼此间隔设置，如图中所示出的红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)发光二极管。具体地，阳极300A、空穴传输层400、发光层200A以及电子缓冲层500A可位于一个发光二极管区域中，多个发光二极管可以共用阴极100。多个发光二极管的阳极(如图中所示出的300A、300B和300C)的材料可以相同，空穴传输层(如图中所示出的400)的材料可以相同，也可以不相同，即多个发光二极管可以共用一层材料作为空穴传输层。发光层(如图中所示出的200A、200B、200C)中的量子点材料不相同，以形成不同的发光颜色。位于发光层源极基板一侧的电子缓冲层(如图中所示出的500A、500B和500C)的材料也不相同，如前所述，电子缓冲层中的热活化延迟荧光材料需要根据发光层中量子点材料的情况进行调节，以保证不同发光颜色的二极管的发光效率。并且，在阴极100远离基板10的一侧，还可以具有封装结构600，以将发光二极管密封在基板10上，从而避免外界水氧对发光二极管造成侵蚀。封装结构600可具体包括多层无机-有机材料堆叠形成的叠层结构，进而可更好地实现封装。
在本发明的另一方面，本发明提出了一种显示装置，该显示装置包括前面所述的显示面板。由此，该显示装置具有前面所述的显示面板所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该显示装置具有发光效率高、寿命较长等优点的至少之一。
下面通过具体的示例对本申请进行说明，本领域技术人员能够理解的是，下面的具体的示例仅仅是为了说明的目的，而不以任何方式限制本申请的范围。另外，在下面的示例中，除非特别说明，所采用的材料和设备均是市售可得的。如果在后面的示例中，未对具体的处理条件和处理方法进行明确描述，则可以采用本领域中公知的条件和方法进行处理。
实施例1：
器件结构：阳极ITO/空穴注入层HIL(20nm)/空穴传输层HTL:化合物1(22nm,30％)/发光层：EML(12nm)/电子缓冲层：化合物2：化合物3(5nm，70％：30％)/电子注入层：ET-1:LIQ(30nm，1:1)/LIF(0.5nm)/阴极：Al(100nm)。
其中，化合物1为小分子有机材料，化合物3为热活化延迟荧光材料，化合物2为用于分散化合物2的主体材料。
首先，对形成有ITO(阳极)的玻璃基板进行清洗，在清洗后在玻璃基板上具有ITO的一侧旋涂一层HIL材料，之后140℃下烘烤30min，形成的HIL厚度为20nm。之后在HIL 上旋涂预混好的HTL材料，即含有下式示出的化合物1(含量为30wt％)的溶液，在140℃下烘烤30min，形成HTL，然后在其上面旋涂CGS/ZnS量子点，60℃下退火15min，形成发光层，厚度为12nm。之后采用真空蒸镀的方式，在低于4×10
-4Pa的真空度下，沉积化合物2和化合物3(含量分别为70wt％和30wt％)，具体可分别从不同的蒸发源蒸镀至相应的膜层厚度(5nm)作为电子缓冲层，之后沉积ET-1和LiQ，二者混合的质量分数比为50％：50％，具体可以分别从不同的蒸镀源蒸镀至相应的膜层的厚度(30nm)之后，在其上方蒸镀LiF(氟化锂，0.5nm)作为电子注入层，之后蒸镀铝(Al)作为阴极。
实施例1获得的器件的能级结构示意图如图3所示。由图3可知，上述器件的各层之间能级匹配情况良好。
实施例2：
器件制备方法同实施例1类似，所不同的是，用化合物4替换对应的化合物1，化合物5替换对应的化合物2，化合物6替换对应的化合物3。
实施例3：
器件制备方法同实施例1类似，所不同的是，用化合物7替换对应的化合物1，仍使用分散热活化延迟荧光材料的主体材料化合物2，化合物8替换对应的化合物3。
实施例4
其余结构同实施例1，所不同的是，阳极采用ITO/Ag/ITO。
实施例5
其余结构同实施例1，所不同的是，阴极采用MgAg共蒸层，且Mg和Ag的比例为1:1。
比较例1
其余参数同实施例1，所不同的是，比较例1中的空穴传输层中不含有化合物1，也未设置电子缓冲层。
比较例2
其余参数同实施例1，所不同的是，比较例2中的空穴传输层中不含有化合物1。
比较例3
其余参数同实施例1，所不同的是，比较例3中未设置电子缓冲层。
对实施例1以及比较例1-3形成的器件进行测试，测试数据均是在电流密度J＝15毫安每平方厘米下获得的。测试结果见下表1：
表1
由上表1以及图4-6可知，实施例1的器件具有最优的器件性能，电流效率较高，且发光峰波长无明显偏移。并且，参考图5，相对于比较例1-3，本发明的实施例1随着时间的延长，亮度衰减最小，具有较好的寿命。
实施例4以及5的测试性能与实施例1相似。
为了更好地评价前述化合物1对空穴迁移能力的影响，制备了单载流子器件以进行对比说明：
实施例6制备单载流子器件HOD-1
器件结构：:ITO/HIL(20nm)/HTL：化合物1(50nm，30％)/Al(100nm)
在清洗后的载有ITO的玻璃基板上，旋涂一层HIL，之后140℃下烘烤30min形成HIL， 之后在HIL上旋涂预混好的HTL和化合物1的溶液，在140℃下烘烤30min，形成HTL，之后采用真空蒸镀的方式，在低于4×10
-4Pa的真空度下，蒸镀铝(Al)作为阴极。
比较例4制备单载流子器件HOD-2
其余结构同实施例6，所不同的是，HTL中并未添加化合物1。
参考图7，由实施例6以及比较例4的J-V曲线可知，添加有化合物1的实施例6具有更高的空穴迁移率。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“另一个实施例”等的描述意指结合该实施例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (13)
- 一种发光二极管，包括：阳极；空穴传输层，所述空穴传输层位于所述阳极的一侧，所述空穴传输层中具有空穴传输类材料，所述空穴传输类材料包括分子量小于4000的有机小分子材料，所述空穴传输类材料的空穴迁移率不小于1×E -5cm 2/(V·S)；发光层，所述发光层位于所述空穴传输层远离所述阳极的一侧，所述发光层中具有量子点材料；电子缓冲层，所述电子缓冲层位于所述发光层远离所述空穴传输层的一侧，所述电子缓冲层中具有热活化延迟荧光材料；阴极，所述阴极位于所述电子缓冲层远离所述发光层的一侧。
- 根据权利要求1所述的发光二极管，所述有机小分子材料包括芳胺类化合物、咔唑类化合物、芴类化合物及其衍生物的至少之一。
- 根据权利要求2所述的发光二极管，基于形成所述空穴传输层的材料的总质量，所述空穴传输层中所述空穴传输类材料的含量为0.1～70重量份。
- 根据权利要求1所述的发光二极管，所述热活化延迟荧光材料的第一单线态能级与第一三线态能级之间的差值小于等于0.3eV。
- 根据权利要求4所述的发光二极管，所述热活化延迟荧光材料为式I所示出的：D—L—A (I)，其中，所述D包括供电子基团，所述A包括吸电子基团，所述L为单键，苯基，联苯基以及芴基中的至少之一。
- 根据权利要求5所述的发光二极管，所述D包括选自咔唑基、芳基氨基、烷基氨基、甲硅烷基、烷氧基、芳氧基、硫基、烷基硫基、芳基硫基、吖啶基、吩噁嗪、噻吩嗪及其衍生物中的一种或几种；所述A包括选自氟、氰基、三嗪、氰基苯、吡啶、膦氧基、酮羰基、砜基、吡咯基、噻吩基、吡唑基、噻唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、亚非那烯基及其衍生物中的一种或几种。
- 根据权利要求1所述的发光二极管，所述热活化延迟荧光材料的发射光谱与所述量子点材料的吸收光谱的重叠部分的面积，不小于所述热活化延迟荧光材料的发射光谱面积的50％。
- 根据权利要求1所述的发光二极管，所述电子缓冲层的厚度为1～20nm。
- 根据权利要求1所述的发光二极管，所述量子点材料包括InP类量子点、ZnSe类量子点、CGS类量子点、CdSe类量子点、CdZn类量子点、CIS类量子点、CGS类量子点中的一种或几种。
- 根据权利要求1所述的发光二极管，进一步包括：空穴注入层，所述空穴注入层位于所述阳极以及所述空穴传输层之间；电子注入层，所述电子注入层位于所述电子缓冲层和所述阴极之间。
- 一种显示面板，包括：衬底；多个发光二极管，所述多个发光二极管位于所述衬底上，多个所述发光二极管中的至少一部分是权利要求1-10任一项所述的发光二极管。
- 根据权利要求11所述的显示面板，所述多个发光二极管包括多种发光颜色，每一种发光颜色的所述发光二极管的电子缓冲层中的热活化延迟荧光材料的发射光谱与该发光二极管的发光层中量子点材料的吸收光谱的重叠部分的面积，均不小于所述热活化延迟荧光材料的发射光谱面积的50％。
- 一种显示装置，包括权利要求11或12所述的显示面板。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US18/027,500 US20230380278A1 (en) | 2021-01-06 | 2021-01-06 | Light-emitting diode, display panel, and display device |
| PCT/CN2021/070483 WO2022147686A1 (zh) | 2021-01-06 | 2021-01-06 | 发光二极管、显示面板和显示装置 |
| CN202180000025.XA CN115315825A (zh) | 2021-01-06 | 2021-01-06 | 发光二极管、显示面板和显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/CN2021/070483 WO2022147686A1 (zh) | 2021-01-06 | 2021-01-06 | 发光二极管、显示面板和显示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2022147686A1 true WO2022147686A1 (zh) | 2022-07-14 |
Family
ID=82356987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/CN2021/070483 WO2022147686A1 (zh) | 2021-01-06 | 2021-01-06 | 发光二极管、显示面板和显示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230380278A1 (zh) |
| CN (1) | CN115315825A (zh) |
| WO (1) | WO2022147686A1 (zh) |
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- 2021-01-06 US US18/027,500 patent/US20230380278A1/en active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN115315825A (zh) | 2022-11-08 |
| US20230380278A1 (en) | 2023-11-23 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| NENP | Non-entry into the national phase |
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