WO2022090446A1 - Verfahren zum herstellen eines halbleiterkörpers und halbleiteranordnung - Google Patents

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porous
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semiconductor
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PCT/EP2021/080087
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Adrian Avramescu
Norwin Von Malm
Peter Stauss
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Ams-Osram International Gmbh
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Definitions

  • the present invention relates to a method for producing a semiconductor body, in particular an optoelectronic component.
  • the invention also relates to a semiconductor arrangement, in particular an optoelectronic component.
  • InGaN quantum wells which emit at wavelengths of more than 600 nm, causes difficulties, for example due to the increased indium content (more than 30%). The reason for this is the increased lattice spacing, which increases with increasing In content.
  • InGaN-rich alloys have a large lattice. When depositing such a material on a GaN buffer layer, the different lattice constants generally result in a constant mismatch to the underlying GaN layers, which causes a higher defect density and/or phase separation with different In concentrations.
  • the inventors propose a method for producing a semiconductor body which, in a first step, provides for the provision of an auxiliary carrier.
  • a layer sequence is then deposited on the carrier, comprising a first layer with a doped semiconductor material, in particular a II-V semiconductor material, and a second layer with an undoped semiconductor material on the first layer.
  • the first layer is porosified electrochemically, the degree of porosity being at least 20% by volume.
  • the inventors now also propose an optional formation of mesa structures in the first porous first layer and in the second layer.
  • a functional layer sequence is then produced on the second layer.
  • the functional layer sequence has at least one planar third layer which is applied to the second layer provided with mesa structures, the at least one planar third layer having a different specific lattice constant than the second layer.
  • a degree of porosity can also be between 50% by volume and 90% by volume.
  • porosification By means of porosification, intermediate or inserted cavities. These cavities make it possible to compensate for tension without getting in an increased number of defects occur in a layer applied to this porous layer. In other words, the porosification can compensate for stresses due to different lattice constants in such a way that no lattice effects occur. This effect is further intensified by means of an optional additional mesa structure. In some material systems, mesa structuring with porosification of the first layer is particularly suitable for compensating for larger differences in the lattice constants.
  • a lattice constant is understood to mean the length of a unit cell in a defined material system.
  • the material system is uniform and contains no defects or lattice errors. So it's unstressed.
  • the lattice constant is a characteristic variable for each material system and is also referred to as the specific lattice constant in relation to the unstressed material system.
  • Different material systems can therefore have different specific lattice constants, as shown in the link above. Therefore, if material systems with different lattice constants are brought together, a strain occurs in a border area of these systems, i. H . the lattice constants change. This change decreases with increasing distance from the boundary area.
  • the differences in the lattice constants are too large, there may be gaps or defects. This effect can be exploited in a targeted manner with the proposed method and also the embodiments according to the invention.
  • a functional semiconductor layer sequence or a functional semiconductor body designates a layer sequence which is structured in such a way that it can assume an electrical function as a finished component.
  • a functional semiconductor layer sequence can be isolated, with each individual element then having the desired functionality having .
  • An example of a functional semiconductor layer sequence would be a layer sequence which, for example, has a region suitable for light emission.
  • Another example would be an npn junction, which has a transistor function.
  • the layer sequence can also combine several functions with one another.
  • An auxiliary carrier is a carrier made of an inert material, which serves as a basis for later methods, in particular an epitaxial deposition of semiconductor materials.
  • a material for an auxiliary carrier is, for example, sapphire (Al2O3), but also silicon nitride or another material. It may be desirable for the material to be inert to various etching processes used in the creation of semiconductor devices.
  • the auxiliary carrier remains on the component and becomes part of it; in this case, the auxiliary carrier is also simply referred to as the carrier substrate. In other cases, a component produced on the auxiliary carrier is detached (as explained further below).
  • a semiconductor material is generally understood to be an undoped compound semiconductor material, unless this is explicitly mentioned otherwise.
  • the term “undoped” means in this case that a dedicated, conscious and intentional doping with another element or material is not made. Defects or impurities, which are always present in practice, do not fall under doping within the meaning of this application
  • Compound semiconductor material is a combination of two , 3 or more elements that are created in a crystal structure so that a band structure is formed and that the resulting element has electrical semiconductor properties .
  • a typical compound semiconductor is a so-called II IV compound semiconductor , which consists of one or more elements of the fifth and one or more elements of the third main group. Examples of compound semiconductor material are GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN, InGaN, GaP, InGaP, AlGaP, AlInGaN, AlInGaP, and others mentioned here.
  • a doped semiconductor is a semiconductor material into which a dopant has been introduced.
  • the dopant can be Si, Te, Se, Ge or Ge for an n-doping and, for example, Mg, Be or C for a p-doping in the case of an I II-V compound semiconductor.
  • Other dopants are listed in this application.
  • the dopant is introduced during an epitaxial deposition of the II-IV compound semiconductor material, but the doping can also take place afterwards using various methods.
  • the doping concentration is several orders of magnitude lower than the concentration of the atoms in the starting or base material. For example, the concentration is in the range from 1*10 17 doping atoms/cm 3 to 5*10 21 doping atoms/cm 3 .
  • Electrochemical decomposition or electrochemical etching is a process in which a semiconductor material is dissolved with the help of an electrical voltage and current. This allows a layer of semiconductor material to be dissolved or etch . However, this process does not take place evenly, but unevenly z. B. due to misalignments or material defects. This can be achieved with a suitable choice of parameters, e.g. B. exploit applied voltage and concentration of a dopant and the semiconductor material to be etched. For example, a different speed and porosity of the material to be etched can be achieved.
  • electrochemical porosification is thus understood to mean an electrochemical process that selectively dissolves material out of a body, leaving a porous or spongy structure.
  • a porous semiconductor body or a semiconductor layer thus produces a network framework structure similar to a Schwann or a bone, which has sufficient stability while at the same time having a low mass or material volume.
  • a layer can be subjected to a selective porosification process in which a structured mask is applied before the process. This reduces or prevents a current flow in areas of the layer due to so-called shadowing, so that no or only very little porosification takes place in areas over which a mask is arranged.
  • a non-porous semiconductor body does not show any net-like or spongy structure, although it can nevertheless have various defects or lattice defects.
  • effects can occur in some versions in the border area, in which a section of an area that is not porous per se shows a low level of porosification, in particular at the edges of such an area, with the so-called degree of porosity (see below) increasing with increasing distance decreases from the edges.
  • the area is not porous, it is more difficult or impossible for an electrolyte to penetrate under the shaded areas during the electrochemical etching process. also prevented, so that no further etching channels can form there, or. existing channels are not widened by the electrolyte. As a result, the removal rate is significantly lower under the shaded areas, so that the material there is significantly less porous or not porous at all.
  • degree of porosity describes the ratio of material volume to the total volume of the layer. A degree of porosity in the region of 30% thus means that 30% of the material has been removed compared to the original volume. With a degree of porosity of 90%, 90% of the material is dissolved out by the electrochemical deposition process and only 10% of the material remains.
  • the functional layer sequence can be detached from the first layer, with the second layer optionally remaining on the functional layer sequence.
  • the functional layer sequence can also be detached from the auxiliary carrier in such a way that the porous first layer remains on the functional semiconductor layer sequence and can optionally be used as a coupling-out structure for electromagnetic radiation.
  • the porous first layer can also be further processed. For example, contact areas can be applied to this.
  • the mesa structures are formed by first applying a patterned mask to the second layer. Then the second and the porosified first layer are etched to form depressions. In some examples, these are designed as trenches in the porous first layer.
  • the mesa structures are formed after porosification of the first layer. However, depending on the material system used, it is probably also possible to form the mesa structures before the electrochemical porosification step.
  • the first layer is applied in partial steps, with application being interrupted after the first partial step and a thin separating layer, in particular an undoped separating layer, being deposited.
  • the epitaxial deposition of the first layer is then continued.
  • the first layer is divided into an area facing the wearer and an area remote from the wearer.
  • this also includes the doping level between the regions of the first layer different, or a different material system for the separating layer is possible.
  • Different degrees of porosity can be achieved by producing the first layer with dopings that differ in strength in some areas and/or thin separating layers. In this way, the degree of porosity can be adapted both for the entire wafer and locally to the needs for the growth of further layers.
  • the step of creating a layer sequence includes creating non-porous iced areas. This is done by applying a structured mask to the second layer of the layer sequence in order to produce areas below the structured mask that are not to be porous and then removing the structured mask after electrochemically porosifying the first layer. This means that areas of the first layer remain below “shaded" areas, i.e. they are not porous or only to a very small extent. These areas now show other mechanical and electrical properties Application of the third layer creates stresses in this In some aspects, this is exploited to form, for example, active regions that emit light with different wavelengths.
  • the functional layer sequence can be designed with an active area designed to emit light of a first wavelength over a porous area and an active area for emitting light of a second wavelength over a non-porous area.
  • the different wavelengths are caused, among other things, by the stresses due to different lattice constants over the porous or non-porousif ed area.
  • the dimensions in the structured mask may be expedient in some aspects to choose the dimensions in the structured mask somewhat larger than the region or regions of the first layer that are not to be porous below the structured mask.
  • the shading of the mask prevents or reduces current flow along and below these areas in the first layer in the electrochemical process. This leaves the material of the first layer essentially intact.
  • the slightly larger dimensions of the mask also compensate for any slight undercutting that may be present.
  • a mesa structure can be performed before or after the selective porosification described above. This also allows porosification to be at least partially controlled.
  • a combination of structured mask and mesa structuring can thus be provided, so that after the individual method steps, a structure results in which porous areas and non-porous areas of the first layer alternate, separated by a trench.
  • the depressions in particular in the form of trenches, have a width in the range from 5 nm to 500 nm, in particular in the range from 20 nm to 300 nm and more particularly less than 200 nm.
  • the trenches can extend as far as the auxiliary carrier, but can also end in front of it, or if there is a separating layer in the first layer, end there.
  • the mesa structures designed as trenches or depressions should not be too large. Experiments have shown that the above values are appropriate. However, the distance between mesa structures should not be too large either, so that stresses caused by the trenches or depressions are compensated for can become .
  • a ratio between a width of a mesa structure and a distance between 2 mesa structures can be defined. This can be in the range from 4 to 15, in particular in the range from 8 to 12, and in particular 9.5 to 10.5.
  • a further aspect relates to a deviation in the lattice constants, in particular between the second layer and the third layer, which forms part of the functional layer sequence.
  • the lattice constant of the planar third layer can be increased by at most 20%, in particular in the range of approx. 0.4% to 3%, in particular in the range from 0.5% to 2.7%, from a lattice constant of the second layer.
  • Materials based on GaN or GaAs can be used as the material for the various layers, which in turn can be doped with Si, C, Ge or also Mg.
  • the third layer of the functional layer sequence can in particular comprise an indium-containing layer.
  • the layer can also be in the form of a superlattice or itself can comprise a layer sequence.
  • the indium content can be in the range from 0.0001% to 25%, for example in the range from 2% to 20%.
  • the layer can also be in the form of a superlattice or itself can comprise a layer sequence.
  • Subsequent layers of the second semiconductor layer sequence in particular those that contribute to an optical functionality, can have an indium content of at least 20%, in particular at least 40% and in particular in the range from 30% to 60%. In some designs, the indium content can also be up to 100%.
  • Alternative base materials are listed above. Doping can take place during the epitaxial deposition. This also allows the doping concentration to be adjusted continuously.
  • the second layer has undoped GaN and the planar third layer has an indium-containing material, for example InGaN.
  • the Indium Portion The first layer is formed from doped GaN, with the doping concentration being in the range from 1*10 17 atoms/cm 3 to 5*10 21 atoms/cm 3 .
  • coalescence planes should be oriented perpendicular to the a-axis [1120].
  • the epitaxial creation of a functional layer sequence includes creation of a multiple quantum well structure. This is designed to emit light of one wavelength.
  • the multiple quantum well structure can extend over at least one mesa structure.
  • the multiple quantum well structure extends over both porous and non-porous areas of the first layer.
  • the Ga/In ratio is shifted in the direction of indium and thus to longer wavelengths as the lattice constant increases. This allows light of different wavelengths to be generated.
  • the inventors have recognized that, contrary to an obvious assumption, when the third layer is deposited on the mesa-structured second layer, material of the third layer does not get into the trenches, or only very little. In particular, the material of the third layer does not fill up these trenches, but rather forms a bridge across the trenches, leaving a cavity.
  • the mesa structure in combination with the porous first layer, compensates for the stresses due to the changed lattice constant.
  • this comprises an auxiliary carrier and a layer sequence with a first layer having a doped semiconductor material and a second layer applied thereon.
  • This has an undoped semiconductor material, with the first layer comprising at least one porous region whose degree of porosity is at least 20 by volume 5
  • a mesa structure made up of a number of depressions is introduced into the first and second layers.
  • a functional layer sequence with at least one planar third layer is applied to the second layer provided with the mesa structure, the at least one planar third layer having a different lattice constant than the second layer.
  • the introduced mesa structure in combination with the porous first layer reduces or eliminates tension in the third flat layer. even prevented.
  • material systems with a different lattice constant can also be used, with the third layer and the functional layer sequence being able to relax as a result of the porosification.
  • the width of the pit or even a trench is less than 200 nm, the distance between two Pits is less than 2000 nm. Other dimensions for trenches and the distances between them are given above. In some examples, a width of the indentation is approx. a 1/5 to 1/20 of the distance between two adjacent wells.
  • the first layer is not porous throughout. Rather, at least one non-porosified area can be provided, which is at least partially surrounded by a porous area.
  • the at least one non-porousified region can be designed as a holding structure for a functional semiconductor body later to be seated thereon.
  • the non-porousified area could be used to locally introduce a strain in further layers and thus to realize a change in a band gap or a change in electrical properties.
  • the at least one non-porosified area is separated from the porous area by a trench forming the mesa structure.
  • a further aspect relates to an embodiment of the functional layer sequence.
  • the functional layer sequence is formed with a multiple quantum well structure, which is applied to the third layer.
  • a first region of the multiple quantum well structure overlying a porous region of the first layer is configured to emit light of a first wavelength and a second region of the multiple quantum well structure overlying a nonporous region of the first layer is configured to emit light of a second, shorter wavelength .
  • the first layer can have a first portion with a first porosity level and a comprise a second partial region separated by a separating layer and having a second degree of porosity.
  • various applications can be implemented which, for example, require locally separate different lattice constants.
  • a defect density in the third layer can also be further reduced by an additional separating layer.
  • the first layer includes n-doping while the second layer is undoped, with the first and second layers having the same base material.
  • the second layer can comprise an undoped GaN layer and the third layer can be formed with InGaN having an indium content in the range from 0.0001% to 25%, in particular less than 15%.
  • the third layer can also be in the form of a superlattice or itself can comprise a layer sequence.
  • Subsequent layers of the second semiconductor layer sequence in particular those that contribute to an optical functionality, can have an indium content of at least 20%, in particular at least 40% and in particular in the range from 30% to 60%. In some versions, an indium content of 100% can also be used, especially if the indium layer is very thin.
  • stress causes a local change in the lattice constant, so that the stoichiometric composition of the grown material changes during a growth process.
  • the indium content in the growing material system can be varied locally, which changes the band gap.
  • areas can be created that generate light of different wavelengths in one operation.
  • FIGS. 1 and 2 show several steps in a method for producing a functional semiconductor body, which implements some aspects of the proposed principle
  • FIGS. 3A and 3B some aspects of a further exemplary embodiment according to the proposed principle
  • FIGS. 4 and 5 show a further exemplary embodiment with a number of method steps for producing a functional semiconductor body, which implement some aspects of the proposed principle
  • FIG. 6 shows an embodiment of a possible mesa structure for a material system with a litter structure
  • FIG. 7 shows a further embodiment of a possible mesa structure for a material system with a litter structure
  • FIG. 8 shows a further exemplary embodiment with a number of method steps for producing a functional semiconductor body which implement a number of aspects of the proposed principle
  • FIG. 9 shows two plan views of emission areas of optoelectronic components that can be produced using the method according to FIG.
  • the inventors have recognized that the partial electrochemical decomposition (referred to here as porosification) of a precisely defined layer containing GaN leads to a strong reduction in the holding force of a GaN epitaxial stack to the epitaxial substrate (sapphire or also Si, GaN) or to others growing layers causes .
  • Very uniform pores in the range from 20 nm to 100 nm) - homogeneously distributed - are etched into the specific GaN layer.
  • the selectivity of the "porosification" can be achieved by high n-doping (Si) of the GaN layer.
  • Si n-doping
  • D. H only sufficiently highly doped layers are made porous. In addition to a reduced adhesive force, improved relaxation is also achieved.
  • the indium proportion is incorporated with a different stoichiometric composition depending on the existing strain and thus the different lattice constants.
  • the band gap is changed by the now local change in the indium proportion in the material system.
  • this effect can also be achieved with Al or another material, which is incorporated in a stoichiometrically modified manner depending on the lattice constant and thus causes a change in the band gap.
  • the layer to be porous can be buried under further GaN or other material layers.
  • a laterally selective etching attack can be carried out by partially passivating the surface during the “porosification”.
  • the buried areas in the first layer to be porousized below the masked surface areas are not porous laterally in the plane, or only slightly porous, or etched, like that that these have different chemical and mechanical properties in subsequent process steps.
  • an additional second layer can be inserted between the first layer to be porosified and the further layers forming the semiconductor component, so that this additional layer can serve as a mechanical fracture point in a further process step. In this way, depending on the application and design, different areas can have different degrees of porosity laterally or vertically.
  • FIGS. 1 and 2 show an exemplary first embodiment of a method according to the proposed principle for producing a semiconductor body in which the lattice stresses are reduced and which can be removed particularly easily from a carrier by means of a porous separating layer.
  • a carrier substrate 1 is provided as an auxiliary carrier in a first step S1.
  • this is a sapphire carrier substrate, but a carrier substrate with a different material system can also be used.
  • carrier substrates based on silicon, silicon nitrite, or, as shown, sapphire are possible.
  • the auxiliary carrier is also selected according to the material system later used, among other things.
  • a first layer 2 of the layer sequence 4 is applied to the auxiliary carrier 1 .
  • This first layer 2 is also provided with a dopant during the epitaxial deposition on the substrate of the auxiliary carrier 1 .
  • the thickness of the layer is in the range between 500 nm and 3 ⁇ m, for example 1.5 ⁇ m.
  • the material can be GaN or AlInGaP or AlGaAs can be used as a further material system, the latter for the production of red LEDs.
  • GaN is used as the material for the first layer, which with silicon Si as a dopant on the Auxiliary carrier 1 is deposited epitaxially.
  • the doping concentration of the silicon atoms is in the range of 10*10 19 atoms/cm 3 .
  • one or more thin buffer layers in the range from less than 10 nm to 100 nm can also be applied to the material of the auxiliary carrier 1. These are not shown separately in step S2, but can be used for further planarization of the auxiliary carrier 1.
  • the additional buffer layers also serve as an etch stop or lattice matching structure or as a current spreading layer for the subsequent electrochemical dissolution process.
  • an undoped GaN layer 3 is applied to the doped, epitaxially deposited GaN layer 2 .
  • AlInGaP can also be used if layer 2 consists of doped AlGaAs or AlInGaP.
  • the thickness of the layer 3 is, for example, 100 nm (range from 20 nm to 150 nm) and is designed to be significantly thinner than the doped GaN layer 2 in terms of its dimensions. As a result, layer 3 also shows different mechanical, chemical and electrical properties compared to this layer.
  • the undoped GaN layer 3 and the doped GaN layer 2 together form the layer sequence 4 .
  • step S4 the wafer produced in this way is now subjected to an electrochemical detachment process.
  • This is also referred to as the porosification process or porosification process.
  • a voltage is applied to the formed wafer structure and the layer sequence 4 so that a current flows through the undoped GaN layer 3 and the doped GaN layer 2 .
  • the current flow causes a partial chemical decomposition of the doped GaN layer.
  • This process is called porosification.
  • pores with a size are uniform in the doped GaN layer 2 by the electrochemical process etched in the range from a few 10 nm to 100 nm. It has been found that the distribution of the pores is essentially homogeneous and is mainly perpendicular to the sapphire surface.
  • the etching rate as well as the pore size and the material removal associated therewith is dependent on the applied voltage, the current flow during the electrochemical process, the electrolyte used and a concentration of the doping atoms in the GaN layer 2 .
  • the undoped GaN layer 3 is basically also attacked by the electrochemical process. Material is removed in both layers, since these are not electrically insulating. However, the conductivity of the undoped GaN layer is significantly lower, so that doping with silicon in layer 2 achieves selectivity during the porosification process.
  • the doped GaN layer 2 is attacked, etched and thus material is dissolved to a significantly greater extent during the electrochemical process than is the case in the undoped GaN layer 3 . Since the current is introduced over the entire surface of the wafer during the porosification in the present example, the electrochemical process in the layer stack 4 follows over the entire surface. The layer 2a made porous in this way in step S4 is thus buried under the non-doped GaN layer 3.
  • the amount of material removed by the porosification can be adjusted by the duration and the parameters described above.
  • the inventors propose a degree of porosity of at least 20% by volume. It was found that up to a degree of porosity of approximately 90% by volume to 95% by volume, the mechanical stability of the remaining material is still sufficient to enable the further production steps. Nevertheless, due to the high level of material removal an adhesive force between the carrier 1 and the porosif iced GaN layer 2a or 2a. greatly reduced between this and the undoped GaN layer 3 . In this respect, therefore, a degree of porosity between 40% by volume and 90% by volume is considered expedient.
  • the wafer produced in this way can be further processed in order to prepare it for the application of further layers which have a different lattice constant.
  • a structured mask is applied to the undoped GaN layer 3 in step S5.
  • this is designed as a multiplicity of strips in plan view.
  • a ratio of the strip width to the distance between two adjacent strips is approx. 10 .
  • the distance between 2 strips is in the range from 1 pm to 2 pm.
  • Such a distance and a width of approx. 100 nm to 200 nm can still be produced lithographically with current technologies.
  • a selective etching process then takes place in step S6, in which etching takes place through the undoped GaN layer and the porous layer up to just before the auxiliary carrier.
  • step S6 in which etching takes place through the undoped GaN layer and the porous layer up to just before the auxiliary carrier.
  • a depth to width ratio of a trench is in the range of 5 to 14, and in particular in the range of 10.
  • the mesa-structured, porous layer 2a is tensed, so that a further layer can be grown without major tensing on its part.
  • a layer that has grown on the mesa-structured porousized layer can be produced without major defects and in an essentially planar manner, and this can thus serve as a base layer for a functional semiconductor body or a functional semiconductor layer sequence.
  • step S7 in FIG. 2 shows such a first step of growing an n-doped indium-containing layer 10, for example an InGaN layer, whose lattice constant is greater than the lattice constant of the layer sequence 4.
  • the growth process of the n-doped InGaN layer 10 results in strains in the layer sequence 4, which are compensated for by the porous regions 2a and the mesa structure in the layer sequence 4.
  • the InGaN layer 10 grows essentially free of errors and defects.
  • bridges of material are formed during the growth process that span the trenches 20 .
  • the InGaN material of the layer 10 grows only slightly into the trenches 20 essentially in the surface area of the undoped GaN layer 3, but does not fill up these trenches.
  • step S7 This creates cavities, as shown in step S7, which can absorb the crystal strains in the layer sequence 4.
  • step S7 By varying the degree of porosity over the layer 2 c across or more lithographic or. A large degree of relaxation in the layer sequence 4 can be achieved by epitaxial measures, so that the defect density in the layer 10 remains low.
  • the layer 10 that has been grown on has an essentially planar and defect-free surface, so that further layers of a functional semiconductor or a functional layer sequence 6 can be deposited with high quality.
  • Step S8 shows the production of such a layer sequence 6, in which the layer is n-doped during the growth process. Further layers 11 and 12 are deposited on this n-doped layer 10 .
  • the layer 11 forms a multiple quantum well for emitting light of a defined wavelength.
  • the layer 12 is formed by a p-doped GaN or formed a p-doped AlInGaP layer.
  • the use of a GaN layer is particularly easy to perform.
  • layer combinations z. B. form p-doped InGaN / AlGaN / GaN layers.
  • the layer sequence 6 thus forms a component which, when current flows through it during operation, generates light of a defined wavelength.
  • the wavelength is given by the band structure of the multiple quantum well, which in turn is dependent on possible strains in the underlying layer 10 . Due to the low defect density and the essentially planar surface, the defect density of the multiple quantum well is also low in this example, so that a high radiating recombination rate can be achieved.
  • step S9 the component produced in this way is the components are applied from the auxiliary carrier 1 to a final carrier substrate 5 .
  • the end carrier substrate 5 is covered with a metallization layer 70 which forms the p-contact for making contact with the functional layer sequence 6 .
  • the p-doped layer 12 is attached to the metallization layer 70 by means of a solder.
  • the auxiliary carrier 1 is then removed by means of a laser lift-off or another method. Due to the porosification of the areas 2a, the adhesive force between the auxiliary carrier 1 and the porous areas 2a is greatly reduced. As a result, the energy input that is necessary for a laser lift-off process is also lower, so that only minor damage develops in the surface.
  • step S10 structures of the layer sequence 4 that are left over after a laser lift-off can be removed, so that the planar layer 10 is exposed.
  • step S10 structures of the layer sequence 4 that are left over after a laser lift-off can be removed, so that the planar layer 10 is exposed.
  • step S10 structures of the layer sequence 4 that are left over after a laser lift-off can be removed, so that the planar layer 10 is exposed.
  • step S10 structures of the layer sequence 4 that are left over after a laser lift-off can be removed, so that the planar layer 10 is exposed.
  • On the- Another metallized contact area 7 is applied on top of this, so that the resulting component is now in the form of a vertical light-emitting diode. This structure is shown as a result for a single diode in step S10.
  • the mesa-structured and porous layer 2a can also remain on the component and serve both for electrical contacting and as a decoupling structure.
  • step S10' of FIG. metallic contacts 7a are deposited on the porous areas 2a. Since the porous areas and the underlying layer 3 are conductive, current also flows through the various layers 2a, 3, 10 and 12 in this example, so that charge carriers recombine in the multiple quantum well 11 .
  • the porous areas 2a are used as a decoupling structure, since they form a refractive index transition between the layer 3 and the air medium.
  • an additional roughening of the layer 10 or further outcoupling structures and measures could be dispensed with.
  • FIG. 3A shows such an example, in which differently doped areas are proposed for producing different degrees of porosity.
  • FIG. 3A shows the result of the first steps of a manufacturing process of a semiconductor component.
  • a first layer 2 was deposited on an auxiliary carrier 1, which layer comprises an area 2′, adjacent to the auxiliary carrier 1, and an area 2′′.
  • the areas 2' and 2'' are separated from one another by a thin separating layer 3b.
  • Separating layer 3b serves on the one hand as a predetermined breaking point and includes AlGaInN or silicon nitride, SiN, the latter for example as a monolayer.
  • the layer 3b separates different doping concentrations from one another.
  • the degree of doping of the areas 2' and 2'' differs, so that different degrees of porosity are also achieved during a later electrochemical process.
  • the doping in region 2' is selected to be significantly higher than in region 2''. As a result, significantly more material is removed and decomposed during the electrochemical process in area 2' than in area 2'', which is closer to the undoped GaN layer 3.
  • the structure produced in this way is particularly suitable, for example, as a decoupling structure.
  • the auxiliary carrier is separated from the material 2' and the separating layer 3b.
  • the predetermined breaking point 3b can also be removed in a further step, so that only the porous area 2'' of the first layer remains on the component.
  • the degree of porosity of this porosified layer is selected in such a way that layer 2'' serves as a decoupling structure, since its pore structure forms a suitable jump in refractive index. Subsequent roughening with KOH or other measures is therefore unnecessary.
  • FIG. 3B shows the structure of FIG. 3A after a mesa structure, as was carried out, for example, in the previous example of FIG. 1 in steps S5 and S6.
  • the etching process has penetrated the two partial areas 2′ and 2′′ as well as through the thin separating layer 3b and extends to just before the auxiliary carrier 1.
  • FIG. 4 and 5 show various steps of a further embodiment of the proposed principle, in which additional measures and structuring of the layer sequence 4 are carried out before a mesa structure is formed. This allows further applications to be implemented.
  • Steps S1 and S2 are the same as in the exemplary embodiment in FIGS.
  • a doped GaN layer 2 is again grown epitaxially.
  • a thin sol breaking or separating layer 3a is now deposited. This can be formed, for example, from AlGaInN or also from intrinsic silicon nitrite, for example a monolayer SiN, and in the present exemplary embodiment also extends over the entire wafer.
  • the undoped GaN layer 3 is in turn applied epitaxially over the thin predetermined breaking layer 3a.
  • the resulting layer sequence 4 on the carrier substrate 1 is shown in FIG. 4 in step S3.
  • a structured mask 8 is then applied to 2 locations on the undoped GaN layer 3, for example.
  • the mask 8 is chemically inert with respect to the following electrochemical porosification step and is listed, for example, as a hard mask.
  • the electrochemical porosification is carried out. In this case, however, the structure of the mask 8 acts as a shadow, so that areas below the mask 8 in the first layer 2a are not made porous or etched, but remain as non-porousified areas 2b. In the example of steps S3 and S4 in FIG. 4, these are 2 areas that are a few ⁇ m wide and essentially form squares when viewed from above.
  • the shape can also be designed differently, for example as polygons or also as circles or rectangles.
  • the background for such a selective porosification is the fact that a current flow is largely prevented due to the insulating behavior of the mask 8 through the layer 3 , the layer 3a and the first layer 2 .
  • the current always seeks the path of least resistance (and thus usually the shortest path if the specific resistance is constant) and would therefore not flow below the area covered or covered by the mask 8 during the electrochemical process. shaded areas flow .
  • porosification takes place because of the current flow, primarily in the non-shaded areas of the first layer, so that porosified areas 2c form there.
  • penetration of an electrolyte during the electrochemical etching process under the shaded areas is made more difficult or impossible. also prevented, so that no further etching channels can form there, or. existing channels are not widened by the electrolyte.
  • the dimensions of the mask 8 are adapted to the dimensions of the later non-porous area 2b. Although the surface resistance below the mask is greater and the current flow there is significantly smaller, slight undercutting occurs within a small frame in the edge area. Due to the undercutting during the electrochemical porosification, it is expedient to design the dimensions of the lacquer mask 8 somewhat larger than the later non-porosification area should be. This compensates for slight undercutting below the mask and thus in the shaded area. For nitrides, this undercutting can range from 200 nm to approx. 800 nm, for materials based on GaAs or GaP the undercut can also be larger than 1000 nm. The dimension and lateral extent must be selected accordingly. In the subsequent process step S5, the mask 8 is removed again and, instead, the mask 8a is applied to the surface of the layer 3 to produce the mesa structure.
  • the mask is designed in such a way that parts of the non-porous areas 2b are covered by the mask structure. Recesses are provided in the mask only at the edges between the porous areas and the non-porous areas of layer 2 .
  • a mask structure is also arranged over the remaining modified areas 2c, which has recesses at periodic intervals. This creates a mask structure 8a, with the aid of which the mesa structure described in the previous examples can be etched.
  • Process step S 6 in FIG. 5 shows the result after such a selective etching process, in which trenches 20 are etched into the layer sequence 4 at regular intervals.
  • trenches 20 are etched into the layer sequence 4 at regular intervals.
  • two trenches 20 are provided adjacent to the non-porousified areas, so that in each case one trench 20 separates a porous area 2c from a non-porousified area 2b.
  • the AlInGaN layer 10 is then applied to the structure produced in this way. As in the previous examples, depending on the application and the desired design of the component, this is p- or n- or also undoped.
  • the additional mesa structures reduce stress in the layer 10 so that it grows as planarly and free of defects as possible.
  • a multiple quantum well 11 is deposited on the grown layer 10, followed by a further doped layer 12.
  • the layers 10, 11 and 12 form the layer sequence 6 of the functional semiconductor layer sequence.
  • a structured mask 8 b is then arranged on the deposited layer 12 . In this case, mask components cover the non-porosified areas 2b and the neighboring trenches 20 and part of the subsequent porosified areas 2c. Parts of the surface of the layer 12 are still exposed between the individual masks 8b.
  • step S7 of FIG. 5 the free areas of the layer 12 and the underlying areas of the multiple quantum well structure 11 of the layer 10 and the layer sequence 4 are etched.
  • the semiconductor layer sequence is subdivided into individual functional components.
  • the etched trench 20' extends from the surface of the semiconductor layer sequence 6 to approximately the carrier 1.
  • contact regions 7A and 7 are also provided in the respective components.
  • the contact region 7a is electrically insulated from the layer 12 and from the multiple quantum well 11 and makes contact with the doped buried layer 10 .
  • the contact area 7 directly electrically connects the layer 12 .
  • the porous regions 2c can be reached and removed with a wet-chemical and selective etching process.
  • the columnar structures 20b made of non-porous material, shown in process step S8 remain and thus form a holding structure for the components located thereon.
  • the layer 3a and the layer 3 are slightly roughened by the selective process, so that they can serve as a decoupling structure for the light generated in the multiple quantum well.
  • These pillars can take different forms depending on the design.
  • the support structure may form a truncated cone, truncated pyramid, or trapezoid, with the smaller base of this body being connected to the building element.
  • the diameter decreases towards the component.
  • This decrease in the diameter, or more generally a change in the diameter is achieved by a different doping during the epitaxial deposition of the first layer reached .
  • the doping also controls the rate of porosification, among other things, so that undercutting under the shaded areas is also influenced.
  • a stamp pad 30 is applied selectively to the functional semiconductor body 60 and then by means of a mechanical method or. Laser lift-off process separated the functional semiconductor body from the column and support structure 20b. Semiconductor body 60 now adheres to stamp pad 30 and can be transferred for further process management or processing.
  • the still existing, caused by the structuring depressions in the layer 3a or. 3 can serve as a further decoupling structure or can also be filled with a suitable material.
  • the height of the layer to be porosified later, and thus also the height of the trenches, should not exceed a few micrometers, so that adequate stress compensation is still ensured.
  • a trench would not be able to be etched uniformly if the ratio between depth and trench width was too large, so that instead of an essentially rectangular progression as shown in the cross-sectional illustration, a depression with a triangular cross-section is formed.
  • a height of the layer 2 to be made porous according to the previous examples should therefore be approximately 1 ⁇ m to 2 ⁇ m, possibly only 500 nm.
  • the width of the trenches can be chosen to be approximately ten times smaller than the width of the respective section of layer 2 to be porous. This results in the square cross-sectional area shown in FIG. 1 in step S6.
  • the trenches should be as narrow as possible, but large enough to allow relaxation, d. H . to ensure stress compensation of the stressed layer applied to the layer sequence 4 .
  • etching and masking steps are achieved by different lithographic processes.
  • a wet-chemical, but also a dry-chemical etching process for layer 2a can be implemented for the formation of the mesa structure.
  • FIGS. 6 and 7 show different geometries for such a mesa structure in plan view.
  • the trenches of the mesa structure are also etched parallel to the coalescence surfaces, and the structures shown in FIG. 6 are produced, for example.
  • FIG. 7 shows another embodiment in which mesa structures are designed as periodic hexagons.
  • the trenches and the coalescing areas 21 are designed in such a way that they form polygons and, in particular, a hexagonal structure.
  • the edge length of this hexagonal structure is, as shown, less than 2 pm, the width of a trench is essentially a tenth less, i. H . in the range of 200 nm or less.
  • FIG. 8 shows a further exemplary embodiment and an application in which porous areas and non-porous areas are used to produce a light-emitting semiconductor body, which emits light of different wavelengths.
  • an auxiliary carrier 1 is provided, to which a doped GaN layer 2 is applied.
  • An undoped layer of the same material system is in turn deposited on this, resulting in the layer sequence 4 shown in process step S1.
  • a mask structure 8 is first deposited on the surface of the undoped GaN layer 3 .
  • the structure obtained in this way is then subjected to an electrochemical detachment and decomposition process, so that primarily non-shaded areas of the doped layer 2 are made porous.
  • the Mas ke 8 covers the layer 2 takes place through the reduced or.
  • there is no dedicated porosification leaving these areas essentially with continuous doped GaN material. This means that no subsequent reduction in the stresses due to the porosification is to be expected in the areas 2b.
  • the mask 8 is now removed and the mask 8b is applied to the layer 3 again.
  • the mask structuring takes place in such a way that part of the mask 8b is arranged over the non-porous areas 2b.
  • mask sections are deposited over the porous areas 2c. In this case, it is provided that a small part remains open between the individual mask sections, so that the layer 3 underneath is exposed. The position of this free part is chosen so that it is essentially along the interface between the porous areas 2c or . the non-porosified areas 2b takes place.
  • a selective etching process can then in turn be carried out, which produces trenches at the interfaces between the regions 2b and 2c down to the auxiliary carrier 1 .
  • a structuring is thus carried out, which separates the porous areas 2c from the non-porous areas 2b by a trench.
  • the mesa structure contained in this way is overgrown with an indium-containing layer, in the embodiment with a GaN layer 10, see step S4 in FIG.
  • the InGaN layer forms bridges between the individual trenches 20, so that the trenches essentially remain as cavities and are not overgrown.
  • the InGaN material can at least partially get into the upper region of the trenches between the undoped layer 3 .
  • the deposited material of the layer 10 is strained over these areas, which is noticeable in a change and straining of the lattice structure. Whether this strain now leads to additional lattice defects depends on the design of the dimensioning and the difference in the two lattice constants between the doped InGaN layer 10 and the undoped layer 3 .
  • layer 12 is now deposited on layer 10 with another multiple quantum well contained therein.
  • the layer 12 comprises AlInGaN, which is doped or also provided with a doping gradient, depending on the configuration. Due to the strains introduced by the non-porous areas 2b, the band structure and thus also the band gap of the multiple quantum well 11 changes. This is caused by the stresses propagating through layer 10 and into layer 12 and reach into the multiple quantum well 11 . To do this, it is necessary to design the InGaN layer 10 as thinly as possible, but planar, in order to conduct the strain through the layer 10 into the layer 11 . As a result, the tension leads to the emission of light of different wavelengths. It was achieved that a wide range of possible wavelengths can be reached by a suitable choice of the tension and the material system.
  • FIG. 9 An electronic component produced in this way is shown in various alternative configurations in FIG. 9 in a plan view.
  • the emission surfaces can be seen, with the multiple quantum well and any porosified areas of different degrees of porosity below them.
  • a suitable porosification and the introduction of a mesa structure different stresses can be generated in the material arranged above.
  • the different band gaps resulting from the strain due to a changed proportion of indium now causes light to be emitted with different wavelengths.
  • a suitable material system for example the AlInGaN mentioned above, light emission in the blue, green and red range can be achieved by the strain.
  • area b shows the greatest stresses at the top left, for example a non-porous layer 2b is arranged there.
  • the region r in turn is much less strained, so that the result is that the multiple quantum well emits essentially red light there.
  • the two lower regions g are provided with a degree of porosity that lies between the blue and the red region b, r, so that the multiple quantum well is slightly strained here and thus emits light in the green region.
  • a pixel with a blue, red and green emitter surface can also be arranged next to one another.
  • Such an embodiment is shown in the right part of FIG. are designed in which differently porous areas are designed to generate light in the blue, red and green spectrum.
  • a different degree of porosity provision is made, for example, for the individual masks 8 to be selectively removed, as shown in step S2 of FIG. 8 above, and then for the electrochemical deposition process to be continued.
  • a shadow mask 8 can be applied to the subsequent blue and green emitter surface. The red area remains free.
  • a first electrochemical detachment process is then carried out and a first porosification is produced for the red emitter surface. Then this electrochemical detachment process is stopped, the mask is removed over the green area and then the electrochemical detachment process continues. Accordingly, the red and the green area (or the layer 2, which later lies under the multiple quantum well) is further porosified. This allows a different degree of porosity to be achieved in the respective areas.
  • additional layers can be provided which produce differences in the porosification and can thus be used to form the differently colored areas.

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterkörper, bei dem ein Hilfsträger bereitgestellt wird. Auf diesem wird eine Schichtenfolge mit einer ein dotiertes Halbleitermaterial aufweisenden ersten Schicht und einer darauf aufgebrachten zweiten Schicht erzeugt, welche ein undotiertes Halbleitermaterial aufweist. Die erste Schicht der Schichtenfolge wird elektrochemisch porösifiziert, wobei ein Porositätsgrad wenigstens 20 Volumen-% beträgt. Sodann werden Mesa-Strukturen in der ersten porösifizerten ersten Schicht und der zweiten Schicht ausgebildet und eine funktionelle Schichtenfolge mit wenigstens einer flächigen dritten Schicht erzeugt, die auf der mit Mesa-Strukturen versehenen zweiten Schicht aufgebracht ist. Die wenigstens eine flächige dritte Schicht weist eine gegenüber der zweiten Schicht unterschiedliche Gitterkonstante auf.

Description

VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES HALBLEITERKÖRPERS UND HALBLEITERANORDNUNG
Die vorliegende Anmeldung nimmt die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE10 2020 128 680 . 5 vom 30 . Oktober 2020 in Anspruch, deren Inhalt hiermit durch Rückbezug in seiner Gesamtheit auf genommen wird .
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterkörpers , insbesondere eines optoelektronischen Bauelements . Die Erfindung betrifft ebenso eine Halbleiteranordnung, insbesondere ein optoelektronisches Bauelement .
Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen werden oftmals verschiedene oder zumindest abgewandelte Materialsysteme verwendet , um die notwendige Funktionalität zu erzeugen . Diese Materialsysteme können dabei eine unterschiedliche Gitterkonstante aufweisen, d . h . die Atome in ihrer Gitterstruktur besitzen in dem j eweiligen Materialsystem unterschiedliche Abstände . Neben dem Gitterabstand ändern sich auch elektrische Eigenschaften . Eine bekannte Darstellung , welche die Beziehung zwischen Bandlücke und Gitterkonstante zeigt , ist unter der folgenden Adresse https : / /de . wikipedia . org/wiki/I II-V-Verbin- dungshalbleiter#/media/Datei : II I-V-Halbleiter . png zu finden . Es zeigt die Bandlücke über die Gitterkonstante in einer Wurtzit- sowie einer Zinkblendestruktur aufgetragen . Die Linien zwischen den Elementen stellen die ternären Verbindungen dar . Die Wurtzit-Kristallisationen besitzt 2 Gitterkonstanten a und c , die Zinkblende nur eine einzige .
Bei optoelektronischen Bauelementen bereitet beispielsweise aufgrund des erhöhten Indiumgehalts (mehr als 30% ) das Wachstum von InGaN-Quantentöpf en, die bei Wellenlängen von mehr als 600 nm emittieren, Schwierigkeiten . Grund dafür ist der vergrößerte Gitterabstand, der mit zunehmenden In-Anteil zunimmt . Solche InGaN-reichen Legierungen haben ein großes Gitter . Die verschiedenen Gitterkonstanten führen beim Abscheiden eines solchen Materials auf einer GaN Pufferschicht im Allgemeinen zu einer konstanten Fehlanpassung an die darunter liegenden GaN- Schichten, was eine höhere Defektdichte und/oder Phasenseparation mit unterschiedlichen In-Konzentrationen bedingt .
Ein ähnliches Problem stellt sich auch ein im Fall von InGaAIP- Bauteilen mit besserer Temperaturstabilität und/oder besserer Effizienz . Bei diesem Materialsystem würde das Wachstum von trägerbegrenzenden Barrieren auf beiden Seiten eines Mehrfach- quantenwells zur Lichterzeugung, ein Material mit direkter Bandlücke mit einer größeren Bandlücke , begünstigt werden . Ein solches Material würde j edoch eine signifikante Gitterfehlanpassung zum GaAs-Substrat aufweisen und kann nicht mit einer guten kristallinen Qualität gezüchtet werden .
Im Allgemeinen ist somit das Wachstum von spezifischen Verbindungshalbleitern mit einer hohen Gitterkonstanten-Fehlanpassung zu den darunter liegenden Schichten schwierig, wenn eine hohe kristalline Qualität erforderlich ist .
Zur Vermeidung oder zumindest einer Reduktion dieser Probleme werden beispielsweise sehr dicke , allmählich angepasste Puffer, Gitterrelaxation durch Defektinduktion, kleine Musterung und Mas kierung mit dielektrischen Mas ken verwendet . Jedoch sind beispielsweise dicke Schichten, oder auch allmählich angepasste Pufferschichten bei einigen Anwendungen in ihren elektrischen Eigenschaften nachteilhaf t . Zudem ist der Herstellungsaufwand und die Kontrolle der Herstellungsbedingungen erhöht .
Es besteht somit das Bedürfnis , ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements anzugeben, bei der die oben genannten Probleme reduziert werden können .
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG Im Folgenden wird ein Verfahren vorgestellt , bei dem die Haltekraft zwischen dem Saphirsubstrat und den Schichten, welche Teil des Bauelements sind, verringert ist . Dadurch wirken sich verschiedene Gitterkonstanten aufgrund unterschiedlicher Materialsysteme weniger stark aus . Insbesondere lassen sich so Verspannungen reduzieren, wodurch epitaktisches Wachstum auch bei geringer Anpassung der Gitterkonstanten möglich ist . Dies wird erreicht durch eine Veränderung einzelner Schichten mittels eines elektrochemischen Auf löseprozesses .
Hierzu schlagen die Erfinder ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterkörpers vor , das in einem ersten Schritt ein Bereitstellen eines Hilfsträgers vorsieht . Anschließend wird eine Schichtenfolge auf dem Träger aufweisend eine erste Schicht mit einem dotierten Halbleitermaterial , insbesondere einem I II-V Halbleitermaterial sowie eine zweite Schicht mit einem undotierten Halbleitermaterial auf der ersten Schicht abgeschieden . Die erste Schicht wird in einem folgenden Schritt elektrochemisch porösif iziert , wobei ein Porositätsgrad wenigstens 20 Volumen-% beträgt .
Die Erfinder schlagen nun weiterhin ein optionales Ausbilden von Mesa-Strukturen in der ersten porösif izierten ersten Schicht und in der zweiten Schicht vor . Anschließend wird eine funktionelle Schichtenfolge auf der zweiten Schicht erzeugt . Die funktionelle Schichtenfolge weist hierzu wenigstens eine flächige dritte Schicht auf , die auf der mit Mesa-Strukturen versehenen zweiten Schicht aufgebracht ist , wobei die wenigstens eine flächige dritte Schicht eine gegenüber der zweiten Schicht unterschiedliche spezifische Gitterkonstante umfasst . Ebenso kann ein Porösitätsgrad zwischen 50 Volumen-% und 90 Volumen-% liegen .
Durch eine Porösif izierung wird in die Struktur der ersten Schicht Zwischen- bzw . Hohlräume eingefügt . Diese Hohlräume ermöglichen Verspannungen zu kompensieren, ohne dass dabei in einer auf dieser porösif izierten Schicht aufgebrachten Schicht Defekte in erhöhter Zahl auftreten . Mit anderen Worten können durch die Porösif izierung Verspannungen aufgrund unterschiedlicher Gitterkonstante so ausgeglichen werden, dass keine Gittereffekte auftreten . Mittels einer optionalen zusätzlichen Mesastruktur wird dieser Effekt noch zusätzlich verstärkt . In einigen Materialsystemen ist eine Mesa-Strukturierung mit einer Porösif ikation der ersten Schicht besonders geeignet , auch größere Unterschiede in der Gitterkonstanten auszugleichen .
Unter einer Gitterkonstante wird in diesem Zusammenhang die Länge einer Einheitszelle in einem definierten Materialsystem verstanden . Dabei ist das Materialsystem einheitlich und enthält keine Defekte oder Gitterfehler . Es ist also unverspannt . Die Gitterkonstante ist eine charakteristische Größe für j edes Materialsystem und wird bezogen auf das unverspannte Materialsystem auch als spezifische Gitterkonstante bezeichnet . Unterschiedliche Materialsysteme können demnach eine unterschiedliche spezifische Gitterkonstanten besitzen, wie dies in dem obigen Link dargestellt ist . Werden daher Materialsysteme mit verschiedener Gitterkonstanten zusammengebracht , entsteht in einem Grenzbereich dieser Systeme eine Verspannung, d . h . die Gitterkonstanten verändern sich . Diese Änderung wird mit zunehmender Entfernung zu dem Grenzbereich geringer . Zudem kann es bei zu großen Unterschieden in der Gitterkonstanten zu Fehlstellen oder Defekten kommen . Durch das vorgeschlagenen Verfahren und auch die erfindungsgemäßen Ausführungen kann dieser Effekt gezielt ausgenutzt werden .
Im Folgenden bezeichnet eine funktionelle Halbleiterschichtenfolge oder ein funktioneller Halbleiterkörper eine Schichtenfolge , die derart strukturiert ist , dass sie als fertiges Bauelement eine elektrische Funktion übernehmen kann . Dabei kann eine funktionelle Halbleiterschichtenfolge vereinzelt werden, wobei j edes Einzelelement , dann die gewünschte Funktionalität aufweist . Ein Beispiel für eine funktionelle Halbleiterschichtenfolge wäre eine Schichtenfolge , die beispielsweise einen zur Lichtemission geeigneten Bereich aufweist . Ein anderes Beispiel wäre ein npn-Übergang, welcher eine Transistorfunktion hat . Die Schichtenfolge kann auch mehrere Funktionen miteinander kombinieren .
Ein Hilfsträger ist ein Träger aus einem inerten Material , welches als Basis für spätere Verfahren insbesondere ein epitaktisches Abscheiden von Halbleitermaterialien dient . Ein Material für einen Hilfsträger ist beispielsweise Saphir (AI2O3 ) , aber auch Siliziumnitrid oder ein anderes Material . Es kann zweckmäßig sein, dass das Material inert gegenüber verschiedenen Ätzprozessen ist , die bei der Erzeugung von Halbleiterbauelementen verwendet werden . In einigen Fällen verbleibt der Hilfsträger an dem Bauelement und wird Teil von diesem, in diesem Fall wird der Hilfsträger auch vereinfacht als Trägersubstrat bezeichnet . In anderen Fällen erfolgt ein Ablösen (wie weiter unten dargelegt ) eines auf dem Hilfsträger hergestellten Bauelements .
Unter einem Halbleitermaterial wird generell ein undotiertes Verbindungshalbleitermaterial verstanden, es sei denn dies wird explizit anders erwähnt . Der Ausdruck „undotiert" bedeutet in diesem Fall , dass eine dedizierte , bewusste und absichtliche Dotierung mit einem anderen Element oder Material nicht vorgenommen wird . Defekte oder Verunreinigungen, die in der Praxis immer vorliegen, fallen nicht unter eine Dotierung im Sinne dieser Anmeldung . Ein Verbindungshalbleitermaterial ist eine Kombination aus zwei , 3 oder mehr Elementen, die in einer Kristallstruktur erzeugt werden, so dass sich eine Bandstruktur ausbildet , und dass sich ergebende Element elektrische Halbleitereigenschaften aufweist . Ein typischer Verbindungshalbeiter ist ein sogenannter II I-V Verbindungshalbleiter , der aus einem oder mehreren Elementen der fünften und einem oder mehreren Elementen der dritten Hauptgruppe besteht . Beispiele für Verbindungshalbleitermaterial sind GaAs , AlGaAs , GaN, AlGaN, InGaN, GaP, InGaP , AlGaP, AlInGaN, AlInGaP, und weitere hier genannte .
Ein dotierter Halbleiter ist ein Halbleitermaterial , in das ein Dotierstoff eingebracht ist . Der Dotierstoff kann j e nach gewünschter Dotierung bei einem I II-V Verbindungshalbleiter Si , Te , Se , Ge oder Ge für eine n-Dotierung und beispielsweise Mg, Be oder C für eine p-Dotierung sein . Weitere Dotierstoffe sind in dieser Anmeldung auf geführt . Der Dotierstoff wird während eines epitaktischen Abscheidens des II I-V Verbindungshalbleitermaterials eingebracht , die Dotierung kann aber auch nachträglich durch verschiedene Verfahren erfolgen . Die Dotierkonzentration liegt um einige Größenordnungen niedriger als die Konzentration der Atome des Ausgangs- oder Basismaterials . Beispielsweise liegt die Konzentration im Bereich von l*1017 Dotieratome/cm3 bis 5 * 1021 Dotieratome/cm3 .
Elektrochemisches Zersetzen oder elektrochemisches Ätzen ist ein Prozess , bei dem mit Hilfe einer elektrischen Spannung und Stromes ein Halbleitermaterial aufgelöst wird . Damit lässt sich eine Schicht eines Halbleitermaterials auflösen bzw . ätzen . Jedoch erfolgt dieser Prozess nicht gleichmäßig, sondern ungleichmäßig z . B . aufgrund von Versetzungen oder Materialfehlern . Dies lässt sich bei einer geeigneten Parameterwahl , z . B . angelegter Spannung und Konzentration eines Dotierstoffes sowie des zu ätzenden Halbleitermaterials ausnutzen . So ist beispielsweise eine unterschiedliche Geschwindigkeit und auch Porosität des zu ätzenden Materials erreichbar . Unter dem Begriff elektrochemisches Porösif izieren wird somit ein elektrochemischer Prozess verstanden, der Material selektiv aus einem Körper herauslöst , so dass eine poröse oder schwammartige Struktur zurückbleibt . Ein porösif izierter Halbleiterkörper oder eine Halbleiterschicht erzeugt somit eine Netzgerüststruktur ähnlich einem Schwann oder einem Knochen, der eine ausreichende Stabilität bei gleichzeitig geringer Masse oder Materialvolumen aufweist . Eine Schicht kann einem selektiven Porösif izierungsprozess unterworfen werfen, in dem vor dem Prozess eine strukturierte Mas ke aufgebracht wird . Durch diese wird ein Stromfluss in Bereichen der Schicht aufgrund einer sogenannten Abschattung reduziert oder verhindert , so dass in Bereichen, über denen eine Mas ke angeordnet ist , keine oder nur eine sehr geringe Porösi- fikation stattfindet . Entsprechend zeigt ein nicht porösif i- zierter Halbleiterkörper keine netz- oder schwammartige Struktur , obwohl dieser trotzdem verschiedene Defekte oder Gitterfehler aufweisen kann . Zudem kann es in einigen Ausführungen im Grenzbereich zu Effekten kommen, bei der ein Abschnitt eines an sich nicht porösif izierten Bereichs eine geringe Porö- sifikation zeigt , insbesondere an den Rändern eines derartigen Bereichs , wobei der sogenannte Porositätsgrad ( siehe weiter unten ) mit zunehmendem Abstand von den Rändern abnimmt .
Bei einem nicht porösif izierten Bereich wird ein Eindringen eines Elektrolyten während des elektrochemischen Ätzprozesses unter die abgeschatteten Bereiche erschwert bzw . ebenfalls verhindert , so dass sich dort keine weiteren Ätzkanäle ausbilden können, bzw . vorhandene Kanäle durch den Elektrolyten nicht erweitert werden . Im Ergebnis wird unter den abgeschatteten Bereichen die Abtragerate deutlich geringer , so dass das Material dort deutlich weniger bis gar nicht porösif iziert wird .
Der Begriff Porositätsgrad beschreibt das Verhältnis von Materialvolumen zu dem gesamten Volumen der Schicht . Ein Porositätsgrad im Bereich von 30% bedeutet somit , dass gegenüber dem ursprünglichen Volumen 30% Material entfernt wurde . Bei einem Porositätsgrad von 90% sind 90% des Material durch den elektrochemischen Abscheideprozess herausgelöst und nur 10% des Materials verbleiben . Nach einer Herstellung der funktionellen Halbleiterschichtenfolge ist in einigen Aspekten vorgesehen, die funktionelle Schichtenfolge von der ersten Schicht abzulösen, wobei optional die zweite Schicht an der funktionellen Schichtenfolge verbleibt . Alternativ kann auch die funktionelle Schichtenfolge von dem Hilfsträger so abgelöst werden, dass die porösif izierte erste Schicht an der funktionellen Halbleiterschichtenfolge verbleibt und optional als Auskoppelstruktur für elektromagnetische Strahlung verwendbar ist . In derartigen Ausführungen kann die porösif izierte erste Schicht auch weiter prozessiert werden . Beispielsweise können Kontaktbereiche auf dieser aufgebracht werden .
In einigen Aspekten werden die Mesa-Strukturen ausgebildet , indem in einem ersten Schritt eine strukturierte Mas ke auf der zweiten Schicht aufgebracht wird . Anschließend werden die zweite sowie die porösif izierte erste Schicht zur Ausbildung von Vertiefungen geätzt . Diese sind in einigen Beispielen als Gräben in der porösif izierten ersten Schicht ausgeführt .
In einigen Aspekten werden die Mesa-Strukturen nach einer Porösif ikation der ersten Schicht gebildet . Es ist aber wohl j e nach verwendetem Materialsystem auch möglich, die Mesa-Struk- turen vor dem Schritt des elektrochemischen Porösif izierens aus zubilden .
Ein anderer Aspekt beschäftigt sich mit der Ausgestaltung der ersten Schicht . In einigen Ausführungen wird die erste Schicht in Teilschritte aufgebracht , wobei nach dem ersten Teilschritt , das Aufbringen unterbrochen wird und eine dünne Trennschicht , insbesondere eine undotierte Trennschicht abgeschieden wird . Anschließend wird mit dem epitaktischen Abscheiden der ersten Schicht fortgefahren . Dadurch wird die erste Schicht in einen dem Träger zugewandten Bereich und in einen dem Träger abgewandten Bereich unterteilt . In einigen Aspekten ist hier auch der Dotierungsgrad zwischen den Bereichen der ersten Schicht unterschiedlich, oder auch ein anderes Materialsystem für die Trennschicht ist möglich . Durch die Erzeugung der ersten Schicht mit bereichsweise unterschiedlich starken Dotierungen, und/oder dünnen Trennschichten sind verschiedene Porositätsgrade erreichbar . Dadurch kann der Porositätsgrad sowohl für den ganzen Wafer als auch lokal an die Bedürfnisse für das Wachsen weiterer Schichten angepasst werden .
Ein anderer Aspekt betrifft die Herstellung weiterer Strukturen in der ersten Schicht . In einem Aspekt umfasst der Schritt des Erzeugens einer Schichtenfolge ein Erzeugen nicht porösif izier- ter Bereiche . Dies erfolgt , indem eine strukturierte Mas ke auf die zweite Schicht der Schichtenfolge zur Erzeugung von nicht zu porösif izierenden Bereichen unterhalb der strukturierten Mas ke aufgebracht wird und anschließend die strukturierte Mas ke nach einem elektrochemischen Porösif izieren der ersten Schicht entfernt wird . Damit bleiben Bereiche der ersten Schicht unterhalb „abgeschatteter" Bereiche stehen, d . h . sie werden nicht oder nur in sehr geringem Maße porösif iziert . Diese Bereiche zeigen nun andere mechanische und elektrische Eigenschaften . So kann ein nicht oder nur gering porösif izierter Bereich bei Aufträgen der dritten Schicht in dieser Verspannungen erzeugen . In einigen Aspekten wird dies ausgenutzt , um beispielweise aktive Bereiche zu bilden, die Licht mit unterschiedlicher Wellenlänge emittieren .
So kann die funktionelle Schichtenfolge mit einem aktiven zur Emission von Licht einer ersten Wellenlänge ausgeführten Bereich über einem porösif izierten Bereich und einem aktiven Bereich zur Emission von Licht einer zweiten Wellenlänge über einem nicht porösif izierten Bereich ausgeführt sein . Die unterschiedlichen Wellenlängen werden unter anderem durch die Verspannungen aufgrund unterschiedlicher Gitterkonstante über dem porösif izierten bzw . nicht porösif izierten Bereich verursacht . - ID
Es mag in einigen Aspekten zweckmäßig sein, die Abmessungen in der strukturierten Maske etwas größer zu wählen, als der oder die nicht zu porösif izierenden Bereiche der ersten Schicht unterhalb der strukturierten Mas ke . Die Abschattung der Maske verhindert , bzw . reduziert bei dem elektrochemischen Prozess einen Stromfluss entlang und unterhalb dieser Bereich in der ersten Schicht . Dadurch bleibt das Material der ersten Schicht im Wesentlichen intakt . Die leicht größere Abmessung der Mas ke kompensiert auch eine möglicherweise vorhandene leichte Unterätzung .
In einigen Aspekten kann eine Mesastruktur vor oder nach der oben beschriebenen selektiven Porösif ikation durchgeführt werden . Auch damit lässt sich eine Porösif ikation zumindest teilweise steuern . Es kann somit eine Kombination aus strukturierter Mas ke und Mesa-Strukturierung vorgesehen sein, so dass sich nach den einzelnen Verfahrensschritten eine Struktur ergibt , in der sich porösif izierte Bereiche und nicht porösif izierte Bereiche der ersten Schicht durch einen Graben getrennt abwechseln .
Die Vertiefungen, insbesondere in Form von Gräben, weisen in einigen Ausführungen eine Breite im Bereich von 5 nm bis 500 nm, insbesondere im Bereich von 20 nm bis 300 nm und weiter insbesondere kleiner als 200 nm auf . Dabei können die Gräben sich bis zu dem Hilfsträger erstrecken, aber auch davor enden, oder falls eine Trennschicht in der ersten Schicht vorhanden ist dort enden .
Um mögliche Verspannungen aufgrund von Unterschiede in der Gitterkonstanten aufnehmen zu können, sollten zum einen die als Graben oder Vertiefungen ausgebildeten Mesa-Strukturen nicht zu groß sein . Die oben genannten Werte haben sich im Experiment als zweckmäßig herausgestellt . Allerdings sollte auch der Abstand zwischen Mesa-Strukturen nicht allzu groß sein, damit Verspannungen durch die Gräben oder Vertiefungen kompensiert werden können . Als Abstand zwischen 2 benachbarten Mesa-Struk- turen wird ein Bereich von 400 nm bis 4 m, insbesondere ein Bereich von 800 nm bis 2 , 5 pm und insbesondere kleiner als 2 pm vorgeschlagen . In einigen Aspekten kann ein Verhältnis zwischen einer Breite einer Mesa-Struktur und einem Abstand zwischen 2 Mesa-Strukturen definiert werden . Dieser kann im Bereich von 4 bis 15 , insbesondere im Bereich von 8 bis 12 , und insbesondere 9 , 5 bis 10 , 5 liegen .
Ein weiterer Aspekt betrifft eine Abweichung der Gitterkonstan- ten, insbesondere zwischen der zweiten Schicht und der dritten Schicht , die Teil der funktionellen Schichtenfolge bildet . Dabei kann die Gitterkonstante der flächigen dritten Schicht um höchstens 20% , insbesondere im Bereich von ca . 0 , 4% bis 3% , insbesondere im Bereich von 0 , 5% bis 2 , 7% von einer Gitterkonstante der zweiten Schicht abweichen . Als Material der verschiedenen Schichten können Materialien auf GaN oder GaAs Basis verwendet werden, die wiederum mit Si , C, Ge oder auch Mg dotiert sein können . Die dritte Schicht der funktionelle Schichtenfolge kann insbesondere ein Indium-haltige Schicht umfassen . Die Schicht kann auch als Übergitter ausgebildet sein oder ihrerseits eine Schichtenfolge umfassen . Der Indiumanteil kann dabei im Bereich von 0 , 0001% bis 25% liegen, beispielsweise im Bereich von 2% bis 20% . Die Schicht kann auch als Übergitter ausgebildet sein oder ihrerseits eine Schichtenfolge umfassen . Spätere Schichten der zweiten Halbleiterschichtenfolge , insbesondere solche , die zu einer optischen Funktionalität beitragen, können ein Indiumgehalt von mindestens 20% , insbesondere von mindestens 40% und insbesondere im Bereich von 30% bis 60% aufweisen . In einigen Ausführungen kann der Indiumgehalt auch bis zu 100% betragen . Alternative Basismaterialien sind weiter oben auf geführt . Eine Dotierung kann während des epitaktischen Abscheidens erfolgen . Dies erlaubt auch die Dotierkonzentration kontinuierlich anzupassen . In einem Ausführungsbeispiel weist die zweite Schicht undotiertes GaN auf und die flächige dritten Schicht ein Indium-haltiges Material , beispielsweise InGaN . Der Indium-Anteil Die erste Schicht ist aus dotiertem GaN gebildet , wobei die Dotierkonzentration im Bereich von l *1017 Atome/cm3 bis 5 *1021 Atome/cm3 liegt .
Die Erfinder haben erkannt , dass die Ausrichtung der Kristallstruktur, insbesondere bei der Mesa-Strukturierung ein relevanter Faktor ist , die Defektdichte weiter zu reduzieren und eine glatte Oberfläche während der Abscheide- und Wachstumsprozesse zu erhalten . Daher wird in einigen Aspekten vorgeschlagen, in Materialien mit einer Wurtzitstruktur Koales zenzf lächen so auszurichten, dass diese senkrecht zur a-Achse [ 1120 ] stehen .
Ein anderer Aspekt betrifft die verschiedenen Ausgestaltungen der funktionellen Schichtenfolge . In einigen Ausführungen umfasst das epitaktisches Erzeugen einer funktionellen Schichtenfolge ein Erzeugen einer Mehrfachquantenwellstruktur . Diese ist zu einer Emission von Licht einer Wellenlänge ausgeführt . Dabei kann sich die Mehrfachquantenwellstruktur über wenigstens eine Mesa-Struktur erstrecken . In einigen Aspekten erstreckt sich die Mehrfachquantenwellstruktur sowohl über porösif izierte Bereiche als auch nicht porösif izierte Bereiche der ersten Schicht . Dadurch wird aufgrund vorhandener Verspannungen ein unterschiedlicher Bandverlauf in der Mehrfachquantenwellstruktur über den j eweiligen Bereichen in der ersten Schicht erzeugt . Dies wird erreicht , da durch eine Verspannung lokal die Gitterkonstante verändert wird, so dass sich während eines Aufwachsprozesses die stöchiometrische Zusammensetzung des aufgewachsenen Materials ändert , wodurch sich wiederum die Bandlücke ändert . Diesen Effekt kann man beispielsweise bei Indium-haltigen Materialsystemen ausnutzen, da mit steigender Gitterkonstante das Verhältnis von Ga/ In in Richtung Indium und damit zu längeren Wellenlängen verschoben wird . Dadurch kann Licht verschiedener Wellenlänge erzeugt werden . Die Erfinder haben erkannt , dass im Gegensatz zu einer offensichtlichen Vermutung bei Abscheiden der dritten Schicht auf der mesa-strukturierten zweiten Schicht , Material der dritten Schicht gerade nicht oder nur sehr wenig in die Gräben gelangt . Insbesondere füllt das Material der dritten Schicht diese Gräben nicht auf , sondern bildet eine Brücke über die Gräben, so dass ein Hohlraum verbleibt . Gleichzeitig kompensiert die Mesa- struktur in Kombination mit der porösif izierten ersten Schicht die Verspannungen aufgrund der veränderten Gitterkonstante .
Ein anderer Aspekt beschäftigt sich mit einer Halbleiteranordnung oder einem Halbleiterkörper . In einigen Aspekten umfasst dieser einen Hilfsträgers und eine Schichtenfolge mit einer ein dotiertes Halbleitermaterial aufweisenden ersten Schicht und einer darauf aufgebrachten zweiten Schicht . Diese weist ein undotiertes Halbleitermaterial auf , wobei die erste Schicht wenigstens einen porösif izierten Bereich umfasst , deren Porositätsgrad wenigstens 20 Volumen5» beträgt . Des Weiteren ist in der ersten und zweiten Schicht eine Mesastruktur aus mehreren Vertiefungen eingebracht . Eine funktionelle Schichtenfolge mit wenigstens einer flächigen dritten Schicht ist auf der mit der Mesa-Struktur versehenen zweiten Schicht aufgebracht , wobei die wenigstens eine flächige dritte Schicht eine gegenüber der zweiten Schicht unterschiedliche Gitterkonstante aufweist .
Durch die eingebrachte Mesa-Struktur in Kombination mit den porösif izierten ersten Schicht wird eine Verspannung in der dritten flächigen Schicht reduziert bzw . sogar verhindert . Dadurch können auch Materialsysteme mit einer unterschiedlichen Gitterkonstante verwendet werden, wobei durch die Porösifika- tion eine Relaxierung der dritten Schicht sowie der funktionellen Schichtenfolge möglich ist .
In einigen Aspekten ist die Breite der Vertiefung oder auch eines Grabens kleiner als 200 nm, der Abstand zwischen zwei Vertiefungen beträgt weniger als 2000 nm. Weitere Dimensionen für Gräben und die Abstände zwischen diesen sind weiter oben angegeben . In einigen Beispielen ist eine Breite der Vertiefung ca . ein 1 /5 bis 1/20 des Abstandes zwischen zwei benachbarten Vertiefungen .
In einigen weiteren Aspekten ist die erste Schicht nicht durchgehend porösif iziert . Vielmehr kann zumindest ein nicht porö- sifizierter Bereich vorgesehen sein, der von einem porösifi- zierten Bereich wenigstens teilweise umgeben ist . Dadurch sind verschiedene Anwendungen möglich . Beispielweise kann der zumindest eine nicht porösif izierten Bereich eine Haltestruktur für einen später darauf sitzenden funktionellen Halbleiterkörper ausgeführt sein . Ebenso könnte der nicht porösif izierten Bereich dazu dienen, in weiteren Schichten eine Verspannung örtlich gezielt einzubringen und so eine Änderung einer Bandlücke oder eine Änderung elektrischer Eigenschaften zu realisieren .
Es kann vorgesehen werden, dass der zumindest eine nicht porö- sifizierte Bereich von dem porösif izierten Bereich durch einen die Mesastruktur bildenden Graben getrennt ist .
Ein weiterer Aspekt betrifft eine Ausgestaltung der funktionellen Schichtenfolge . So ist in einigen Ausführungen die funktionelle Schichtenfolge mit einer Mehrfachquantenwellstruktur ausgebildet , die auf der dritten Schicht aufgebracht ist . In einigen Aspekten ist ein erster über einem porösif izierten Bereich der ersten Schicht liegender Bereich der Mehrfachquantenwellstruktur zur Emission von Licht einer ersten Wellenlänge und ein zweiter über einem nicht porösif izierten Bereich der ersten Schicht liegender Bereich der Mehrfachquantenwellstruktur zur Emission von Licht einer zweiten kürzeren Wellenlänge ausgebildet .
In einigen anderen Aspekten kann die erste Schicht einen ersten Teilbereich mit einem ersten Porositätsgrad aufweisen und einen durch eine Trennschicht getrennten zweiten Teilbereich mit einem zweiten Porositätsgrad umfassen . Dadurch lassen sich verschiedene Anwendungen implementieren, die beispielsweise örtlich getrennte unterschiedliche Gitterkonstanten benötigen . Auch kann durch eine zusätzliche Trennschicht eine Defektdichte in der dritten Schicht weiter reduziert werden .
In einer Ausführung umfasst die erste Schicht eine n-Dotierung während die zweite Schicht undotiert ist , wobei die erste und die zweite Schicht das gleiche Basismaterial aufweisen . Beispielsweise kann die zweite Schicht eine undotierte GaN Schicht umfassen und die dritte Schicht mit InGaN mit einem Indium Anteil im Bereich von 0 , 0001% bis 25 % , insbesondere kleiner als 15% gebildet werden . Die dritte Schicht kann auch als Übergitter ausgebildet sein oder ihrerseits eine Schichtenfolge umfassen . Spätere Schichten der zweiten Halbleiterschichtenfolge , insbesondere solche , die zu einer optischen Funktionalität beitragen, können ein Indiumgehalt von mindestens 20% , insbesondere von mindestens 40% und insbesondere im Bereich von 30% bis 60% aufweisen . In einigen Ausführungen kann auch ein Indiumanteil von 100% verwendet werden, vor allem wenn die Indiumschicht sehr dünn ausgeführt ist . Während eines epitaktischen Aufwachsprozesses kommt es durch eine Verspannung zu einer lokalen Änderung der Gitterkonstante , so dass sich während eines Aufwachsprozesses die stöchiometrische Zusammensetzung des auf gewachsenen Materials ändert . Dadurch kann beispielsweise der Indium-Anteil im aufwachsendem Materialsystem lokal variiert werden, wodurch sich die Bandlücke ändert . Dadurch lassen sich Bereiche erzeugen, die in einem Betrieb Licht unterschiedlicher Wellenlänge erzeugen .
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Weitere Aspekte und Ausführungsformen nach dem vorgeschlagenen Prinzip werden sich in Bezug auf die verschiedenen Ausführungs- formen und Beispiele offenbaren, die in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen ausführlich beschrieben werden . So zeigen :
Figuren 1 und 2 mehrere Schritte eines Verfahrens zur Herstellung eines funktionellen Halbleiterkörpers , die einige Aspekte des vorgeschlagenen Prinzips verwirklicht ;
Figuren 3A und 3B einige Aspekte eines weiteren Ausführungsbeispiels nach dem vorgeschlagenen Prinzip ;
Figur 4 und 5 ein weiteres Ausführungsbeispiel mit mehreren Verfahrensschritten zur Herstellung eines funktionellen Halbleiterkörpers , die einige Aspekte des vorgeschlagenen Prinzips realisieren;
Figur 6 eine Ausgestaltung einer möglichen Mesastruktur für ein Materialsystem mit Wurf zitstruktur ;
Figur 7 eine weitere Ausgestaltung einer möglichen Mesastruktur für ein Materialsystem mit Wurf zitstruktur ;
Figur 8 ein weiteres Ausführungsbeispiel mit einigen Verfahrensschritten zur Herstellung eines funktionellen Halbleiterkörpers , die einige Aspekte des vorgeschlagenen Prinzips realisieren;
Figur 9 zwei Draufsichten auf Emissionsflächen von optoelektronischen Bauelemente , die mit dem Verfahren nach Figur 8 herstellbar sind .
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
Die folgenden Ausführungsformen und Beispiele zeigen verschiedene Aspekte und ihre Kombinationen nach dem vorgeschlagenen Prinzip . Die Ausführungsformen und Beispiele sind nicht immer maßstabsgetreu . Ebenso können verschiedene Elemente vergrößert oder verkleinert dargestellt werden, um einzelne Aspekte hervorzuheben . Es versteht sich von selbst , dass die einzelnen Aspekte und Merkmale der in den Abbildungen gezeigten Ausführungsformen und Beispiele ohne weiteres miteinander kombiniert werden können, ohne dass dadurch das erfindungsgemäße Prinzip beeinträchtigt wird . Einige Aspekte weisen eine regelmäßige Struktur oder Form auf . Es ist zu beachten, dass in der Praxis geringfügige Abweichungen von der idealen Form auftreten können, ohne j edoch der erfinderischen Idee zu widersprechen .
Außerdem sind die einzelnen Figuren, Merkmale und Aspekte nicht unbedingt in der richtigen Größe dargestellt , und auch die Proportionen zwischen den einzelnen Elementen müssen nicht grundsätzlich richtig sein . Einige Aspekte und Merkmale werden hervorgehoben, indem sie vergrößert dargestellt werden . Begriffe wie "oben" , "oberhalb" , "unten" , "unterhalb" , "größer" , "kleiner" und dergleichen werden j edoch in Bezug auf die Elemente in den Figuren korrekt dargestellt . So ist es möglich, solche Beziehungen zwischen den Elementen anhand der Abbildungen abzuleiten .
Die Erfinder haben erkannt , dass die teilweise elektrochemische Zersetzung ( hier Porösif ikation genannt ) einer genau definierten GaN-haltigen Schicht eine starke Reduzierung einer Haltekraft eines GaN-Epitaxiestapels zum Epitaxie-Substrat ( Saphir oder auch Si , GaN) oder auch zu anderen noch zu wachsenden Schichten bewirkt . Dabei werden sehr gleichmäßige Poren ( im Bereich 20 nm bis 100 nm) -homogen verteilt- in die spezifische GaN Schicht geätzt . Die Selektivität der "Porösif ikation" kann durch eine hohe n-Dotierung ( Si ) der GaN-Schicht erreicht werden . D . h . nur ausreichend hoch dotierte Schichten werden porösif iziert . Neben einer verringerten Haftkraft wird zudem eine verbesserte Relaxierung erreicht . Das bedeutet , dass durch Po- rösifikation auch eine Kraft zwischen der porösif izierten Schicht und noch weiteren auf zuwachsenden Schichten reduziert ist . Bei unterschiedlichen Gitterkonstanten werden somit durch die Porösif ikation die Verspannungen in der zu wachsenden Schicht stark reduziert , so dass diese im Wesentlichen Ohne Gitterfehler aufwachsen können . Dieser Effekt kann man sich zunutze machen, einerseits indem man porösif izierte und nicht porösif izierte Bereiche abwechselnd herstellt und so lokale Verspannungen erzeugt . Andererseits kann der Effekt einer Verspannungs kompensation auch verstärkt werden, indem zusätzliche Mesastrukturen mit Gräben eingebracht wird, die wenn Überwachsen relaxieren können und so zu einer Reduzierung der Verspannungen aufgrund unterschiedlicher Gitterkonstanten beitragen .
Durch die unterschiedliche Gitterkonstante in der so aufgewachsenen Schicht wird bei einem epitaktischen Abscheiden eines Indium-haltigen Materials , der Indium-Anteil abhängig von der vorhandenen Verspannung und damit der unterschiedlichen Gitterkonstante mit unterschiedlicher stöchiometrische Zusammensetzung eingebaut . Durch die nunmehr lokale Änderung des Indiumanteils im Materialsystem wird die Bandlücke verändert . Neben Indium lässt sich dieser Effekt auch mit Al oder einem anderen Material erreichen, welches abhängig von der Gitterkonstante stöchiometrisch verändert eingebaut wird und so eine Änderung der Bandlücke bewirkt .
Da ein chemischer Ätzangriff über die vertikale Durchstoffversetzung in dem GaN-Epitaxieschichtstapel über die gesamte Oberfläche erfolgt , kann eine "Porösif ikation" über den kompletten Wafer erfolgen . Dabei kann die zu porösif izierende Schicht unter weiteren GaN- oder auch anderen Material-Schichten vergraben sein .
Alternativ dazu kann durch eine teilweise Passivierung der Oberfläche bei der "Porösif ikation" ein lateral selektiver Ätzangriff erfolgen . Durch eine aufgebrachte Mas ke werden die vergrabenen Bereiche in der zu porösif izierenden ersten Schicht unterhalb der mas kierten Oberflächenbereiche lateral in der Ebene nicht oder nur geringfügig porösif iziert , bzw . geätzt , so dass diese in anschließenden Prozessschritten andere chemische und mechanische Eigenschaften aufweisen . Optional kann eine zusätzliche zweite Schicht zwischen der zu porösif izierenden ersten Schicht und der den das Halbleiterbauelement bildenden weiteren Schichten eingefügt sein, sodass diese zusätzliche Schicht in einem weiteren Prozessschritt als mechanische Bruchstelle dienen kann . Auf diese Weise können j e nach Anwendung und Design unterschiedliche Bereiche lateral oder vertikal unterschiedliche Porositätsgrade aufweisen .
Figuren 1 und 2 zeigen eine beispielhafte erste Ausgestaltung eines Verfahrens nach dem vorgeschlagenen Prinzip zur Herstellung eines Halbleiterkörpers , bei dem die Gitterspannungen reduziert sind und der mittels einer porösen Trennschicht besonders einfach von einem Träger entfernt werden kann .
Hierzu wird in einem ersten Schritt S1 ein Trägersubstrat 1 als Hilfsträger bereitgestellt . Dieses ist in den vorliegenden Ausführungsformen ein Saphirträgersubstrat , es kann j edoch auch ein Trägersubstrat mit einem anderen Materialsystem verwendet werden . Infrage kommen beispielsweise Trägersubstrate auf Siliziumbasis , Siliziumnitritbasis , oder wie dargestellt Saphirbasis . Dabei wird der Hilfsträger unter anderem auch nach dem späteren verwendeten Materialsystem ausgewählt .
In einem nächsten Schritt S2 wird auf dem Hilfsträger 1 eine erste Schicht 2 der Schichtenfolge 4 aufgebracht . Diese erste Schicht 2 wird während des epitaktischen Abscheidens auf dem Substrat des Hilfsträgers 1 zudem mit einem Dotierstoff versehen . Die Dicke der Schicht liegt im Bereich zwischen 500 nm und 3 pm, beispielsweise bei l , 5pm. Als Material kann GaN oder auch AlInGaP bzw . als weiteres Materialsystem AlGaAs verwendet werden, letzteres für die Herstellung roter LEDs . Im vorliegenden Ausführungsbeispiel wird als Material für die erste Schicht GaN verwendet , welches mit Silizium Si als Dotierstoff auf dem Hilfsträger 1 epitaktisch abgeschieden wird . Die Dotierkonzent- ration der Siliziumatome ist dabei im Bereich von 10 * 1019 Atome/cm3 . Zusätzlich kann vor dem epitaktischen Aufwachsen der GaN-Schicht 2 auch eine oder mehrere dünne Bufferschichten im Bereich weniger 10 nm bis 100 nm auf dem Material des Hilfsträgers 1 aufgebracht werden . Diese sind in Schritt S2 nicht extra dargestellt , können j edoch zur weiteren Planarisierung des Hilfsträgers 1 verwendet werden . Darüber hinaus dienen die zusätzlichen Pufferschichten j e nach verwendetem Materialsystem auch als Ätzstopp- oder Gitteranpassungsstruktur oder auch als Stromaufweitungsschicht für den späteren elektrochemischen Auflöseprozess .
In einem folgenden Schritt S3 wird auf der dotierten, epitaktisch abgeschiedenen GaN-Schicht 2 eine undotierte GaN-Schicht 3 aufgebracht . Alternativ kann auch AlInGaP benutzt werden, wenn Schicht 2 aus dotiertem AlGaAs oder AlInGaP besteht . Die Dicke der Schicht 3 beträgt beispielsweise 100 nm ( Bereich von 20 nm bis 150 nm) und ist hinsichtlich ihrer Dimension deutlich dünner ausgeführt als die dotierte GaN-Schicht 2 . Dadurch zeigt Schicht 3 gegenüber dieser auch unterschiedliche mechanische , chemische und elektrische Eigenschaften . Die undotierte GaN- Schicht 3 sowie die dotierte GaN-Schicht 2 bilden gemeinsam die Schichtenfolge 4 .
In Schritt S4 wird nun der so hergestellte Wafer einem elektrochemischen Ablöseprozess unterworfen . Dieser wird auch als Porösif izierungsprozess oder Porösif ikationsprozess bezeichnet . Dazu wird eine Spannung an die gebildete Waferstruktur und die Schichtenfolge 4 angelegt , sodass ein Stromfluss durch die undotierte GaN-Schicht 3 sowie die dotierte GaN-Schicht 2 fließt . Der Stromfluss bedingt eine teilweise chemische Zersetzung der dotierten GaN-Schicht . Dieser Prozess wird als Porösif ikation bezeichnet . Dabei werden in der dotierten GaN-Schicht 2 durch den elektrochemischen Prozess gleichmäßig Poren mit einer Größe im Bereich von wenigen 10 nm bis 100 nm geätzt . Es wurde festgestellt , dass die Verteilung der Poren im Wesentlichen homogen ist und hauptsächlich senkrecht zur Saphiroberfläche erfolgt . Die Ätzrate wie auch die Porengröße und die damit verbundene Materialabtragung ist von der angelegten Spannung , dem Stromfluss während des elektrochemischen Prozess , dem verwendeten Elektrolyten sowie einer Konzentration der Dotieratome in der GaN-Schicht 2 abhängig . Dabei sei angemerkt , dass durch den elektrochemischen Prozess grundsätzlich auch die undotierte GaN-Schicht 3 angegriffen wird . Es erfolgt eine Materialabtragung in beiden Schichten, da diese elektrisch nicht isolierend sind . Jedoch ist die Leitfähigkeit der undotierten GaN-Schicht deutlich geringer , so dass durch die Dotierung mit Silizium in der Schicht 2 eine Selektivität während des Porösif izierungs- prozesses erreicht wird .
Mit anderen Worten wird die dotierte GaN-Schicht 2 während des elektrochemischen Prozesses deutlich stärker angegriffen, geätzt und damit Material herausgelöst , als dies in der undotierten GaN-Schicht 3 der Fall ist . Da der Strom im vorliegenden Beispiel während der Porösif ikation über die gesamte Fläche des Wafers eingebracht wird, folgt der elektrochemische Prozess in dem Schichtenstapel 4 über die gesamte Oberfläche hinweg . Die so porösif izierte Schicht 2a in Schritt S4 ist somit unter der nicht dotierten GaN-Schicht 3 vergraben .
Die dabei durch die Porösif ikation abgetragene Materialmenge ist durch die Dauer und die weiter oben beschriebenen Parameter einstellbar . Um eine spätere gute Ablösung durch ein Laser- Lift-Off oder ein anderes mechanisches Verfahren zu gewährleisten, wird von den Erfindern ein Porositätsgrad von wenigstens 20 Volumen-% vorgeschlagen . Dabei wurde festgestellt , dass bis zu einem Porositätsgrad von in etwa 90 Volumen-% bis 95 Volumen- % eine mechanische Stabilität des übrig gebliebenen Materials dennoch ausreichend ist , um die weiteren Herstellungsschritte zu ermöglichen . Dennoch wird durch die hohe Materialabtragung eine Haftkraft zwischen dem Träger 1 und der porösif izierten GaN-Schicht 2a bzw . zwischen dieser und der undotierten GaN- Schicht 3 stark reduziert . Insofern wird daher ein Porositätsgrad zwischen 40 Volumen-% und 90 Volumen-% als zweckmäßig angesehen .
Nach einer Porösif ikation der ersten Schicht 2 der Schichtenfolge 4 kann der so hergestellte Wafer weiter prozessiert werden, um ihn für das Aufbringen von weiteren Schichten vorzubereiten, die eine andere Gitterkonstante aufweisen . Zu diesem Zweck wird in Schritt S5 auf die undotierte GaN-Schicht 3 eine strukturierte Mas ke aufgebracht . Diese ist in dem Ausführungsbeispiel in Draufsicht als eine Vielzahl von Streifen ausgeführt . Dabei beträgt ein Verhältnis der Streifenbreite zu dem Abstand zweier benachbarter Streifen ca . 10 . Der Abstand zwischen 2 Streifen liegt in dieser Ausführung im Bereich von Ipm bis 2 pm . Ein derartiger Abstand und eine Breite von ca . 100 nm bis 200 nm kann mit gegenwärtigen Technologien noch lithographisch hergestellt werden .
Anschließend erfolgt in Schritt S6 ein selektiver Ätzprozess , bei dem durch die undotierte GaN-Schicht , und die porösif izierte Schicht bis kurz vor den Hilfsträger geätzt wird . Auf diese Weise wird eine Mesastruktur mit schmalen, j edoch tiefen Gräben erzeugt . Ein Verhältnis von Tiefe zu Breite eines Grabens liegt im Bereich von 5 bis 14 , und insbesondere im Bereich von 10 . Die so hergestellte Struktur bietet durch eine Kombination mit der mesa-strukturierten porösif izierten Schicht die besondere Eigenschaft , dass sie Verspannungen durch nicht angepasste Gitterkonstante aufnehmen kann . Mit anderen Worten ist diese Schicht geeignet , auch mit einem Materialsystem unterschiedlicher Gitterkonstante überwachsen zu werden, ohne dass es in dieser zu Verspannungen und damit zu Fehlern in der Kristallstruktur kommt . Vielmehr verspannt sich die mesa-strukturierte porösif izierte Schicht 2a , so dass dadurch eine weitere Schicht ohne größere Verspannungen ihrerseits gewachsen werden kann . Dadurch lässt sich eine auf der mesa-strukturierten porösifi- zierten Schicht gewachsenen Schicht ohne größere Defekte und im wesentlichen planar herstellen und diese kann somit als Basisschicht für einen funktionellen Halbleiterkörper oder eine funktionelle Halbleiterschichtenfolge dienen .
Die Abbildung des Schrittes S7 in Figur 2 zeigt einen derartigen ersten Schritt eines Aufwachsens einer n-dotierten Indium-haltigen Schicht 10 , beispielsweise einer InGaN Schicht , deren Gitterkonstante größer ist als die Gitterkonstante der Schichtenfolge 4 . Durch den Aufwachsprozess der n-dotierten InGaN Schicht 10 entstehen Verspannungen in der Schichtenfolge 4 , die durch die porösif izierten Bereiche 2a sowie die Mesastruktur in der Schichtenfolge 4 kompensiert werden . Dadurch wächst die InGaN-Schicht 10 im Wesentlichen fehler- und defektfrei auf . Zusätzlich werden während des Wachstumsprozess Materialbrücken gebildet , welche die Gräben 20 Überspannen . Mit anderen Worten wächst somit das Material InGaN der Schicht 10 lediglich geringfügig in die Gräben 20 im Wesentlichen im Oberflächenbereich der undotierten GaN Schicht 3 hinein, füllt diese Gräben j edoch nicht auf .
Dadurch entstehen wie im Schritt S7 dargestellt Hohlräume , welche die Kristallverspannungen in der Schichtenfolge 4 aufnehmen können . Durch eine Variation des Porositätsgrads über die Schicht 2 c hinweg oder weitere lithografische bzw . epitaktische Maßnahmen kann ein große Relaxationsgrad in der Schichtenfolge 4 erreicht werden, sodass die Defektdichte in der Schicht 10 gering bleibt . Die auf gewachsene Schicht 10 besitzt damit nach dem Wachstumsprozess eine im Wesentlichen planare und defektfreie Oberfläche , sodass auf dieser weitere Schichten eines funktionellen Halbleiters bzw . einer funktionellen Schichtenfolge 6 mit hoher Qualität abgeschieden werden können . Schritt S8 zeigt die Herstellung einer derartigen Schichtenfolge 6 , bei der die Schicht während des Aufwachsprozesses n-dotiert wird . Auf dieser n-dotierten Schicht 10 sind weitere Schichten 11 und 12 abgeschieden . Die Schicht 11 bildet einen Mehrf achquanten- well zur Emission von Licht einer definierten Wellenlänge . Die Schicht 12 wird durch eine p-dotierte GaN- bzw . eine p-dotierte AlInGaP-Schicht gebildet . Die Verwendung einer GaN-Schicht ist dabei besonders einfach aus zuführen . Alternative j edoch lassen sich auch Schichtkombinationen z . B . aus p-dotierten InGaN / AlGaN / GaN Schichten bilden . Damit bildet Schichtenfolge 6 ein Bauelement , welches , in einem Betrieb von Strom durchflossen, Licht einer definierten Wellenlänge erzeugt . Die Wellenlänge ist durch die Bandstruktur des Mehrf achquantenwells gegeben, welcher wiederum von möglichen Verspannungen in der darunterliegenden Schicht 10 abhängig ist . Durch die geringe Defektdichte und die im Wesentlichen planare Oberfläche , ist in diesem Beispiel auch die Defektdichte des Mehrf achquantenwells gering , sodass eine hohe strahlende Rekombinationsrate erreichbar ist .
In Schritt S9 wird nun das so hergestellte Bauelement bzw . die Bauelemente von dem Hilfsträger 1 auf ein Endträgersubstrat 5 aufgebracht . Zu diesem Zweck ist das Endträgersubstrat 5 mit einer Metallisierungsschicht 70 bedeckt , welches den p-Kontakt zur Kontaktierung der funktionellen Schichtenfolge 6 bildet . Die p-dotierte Schicht 12 wird mittels eines Lot auf der Metallisierungsschicht 70 befestigt . Anschließend wird mittels eines Laser-Lift-Off oder eines anderen Verfahrens der Hilfsträger 1 entfernt . Durch die Porösif ikation der Bereiche 2a ist hierbei die Haftkraft zwischen dem Hilfsträger 1 und den porösif izierten Bereichen 2a stark reduziert . Dadurch wird auch der Energieeintrag, der für ein Laser-Lift-Off Verfahren notwendig ist , geringer, sodass sich in der Oberfläche nur geringe Beschädigungen ausbilden .
In einem weiteren Verfahrensschritt S10 können nach einem Laser- Lift-Off übrig gebliebene Strukturen der Schichtenfolge 4 entfernt werden, sodass die planare Schicht 10 freiliegt . Auf die- ser wird ein weiterer metallisierter Kontaktbereich 7 aufgetragen, sodass das entstehende Bauelement nun als vertikale Leuchtdiode ausgebildet ist . Diese Struktur ist für eine einzelne Diode in Schritt S10 als Ergebnis dargestellt .
Alternativ kann die mesa-strukturierte und porösif izierte Schicht 2a auch auf dem Bauelement verbleiben und sowohl zur elektrischen Kontaktierung als auch als Aus koppelstruktur dienen . Ein derartiges Ausführungsbeispiel ist in Schritt S10 ' der Figur 2 gezeigt . Dabei werden auf den porösif izierten Bereichen 2a metallische Kontakte 7a abgeschieden . Da die porösif izierten Bereiche sowie die darunterliegende Schicht 3 leitfähig ist , erfolgt auch in diesem Beispiel ein Stromfluss durch die verschiedenen Schichten 2a, 3 , 10 und 12 , sodass eine Rekombination von Ladungsträger in dem Mehrf achquantenwell 11 stattfindet . Zudem werden die porösif izierten Bereiche 2a als Aus koppelstruktur verwendet , da diese einen Brechungsindexübergang zwischen der Schicht 3 und dem Luftmedium bilden . Somit könnte in diesem Ausführungsbeispiel auf eine zusätzliche Aufrauhung der Schicht 10 oder weitere Aus koppelstrukturen und Maßnahmen verzichtet werden .
Je nach Anwendungsfall sind nun verschiedene Variationen des vorgeschlagenen Prinzips , d . h . einer Porösif ikation einer ersten Schicht einer Schichtenfolge möglich .
Figur 3A zeigt ein solches Beispiel , bei dem unterschiedlich dotierte Bereiche zur Erzeugung unterschiedlicher Porositätsgrade vorgeschlagen werden . Figur 3A zeigt dabei das Ergebnis der ersten Schritte eines Herstellungsprozesses eines Halbleiterbauelements . Auf einem Hilfsträger 1 wurde dabei eine erste Schicht 2 abgeschieden, die einen Bereich 2 ' , benachbart zum Hilfsträger 1 , sowie einen Bereich 2 ' ' umfasst . Die Bereiche 2 ' und 2 ' ' sind durch eine dünne Trennschicht 3b voneinander getrennt . Trennschicht 3b dient einerseits als Sollbruchstelle und umfasst , AlGalnN oder Siliziumnitrid, SiN, letztere beispielsweise als Monolage . Weiterhin trennt die Schicht 3b unterschiedliche Dotierkonzentrationen voneinander . So ist der Dotierungsgrad der Bereiche 2 ' und 2 ' 'unterschiedlich, sodass damit während eines späteren elektrochemischen Prozesses auch unterschiedliche Porositätsgrade erreicht werden . Im vorliegenden Ausführungsbeispiel ist die Dotierung im Bereich 2 ' deutlich höher gewählt als im Bereich 2 ' ' . Dadurch wird während des elektrochemischen Prozesses in dem Bereich 2 ' deutlich mehr Material abgetragen und zersetzt als im Bereich 2 ' ' , welcher näher an der der undotierten GaN-Schicht 3 liegt .
Die so hergestellte Struktur eignet sich beispielsweise vor allem als Aus koppelstruktur . Nach einem Ausbilden eines funktionellen Halbleiterkörpers , der zur Lichtemission konfiguriert ist , wird der Hilfsträger von dem Material 2 ' und der Trennschicht 3b abgetrennt . Hierzu kann in einem weiteren Schritt auch die Sollbruchstelle 3b entfernt werden, sodass lediglich der porösif izierte Bereich 2 ' ' der ersten Schicht auf dem Bauelement verbleibt . Der Porositätsgrad dieser porösif izierten Schicht ist so gewählt , dass Schicht 2 ' ' als Aus koppelstruktur dient , da deren Porenstruktur einen geeigneten Brechungsindexsprung bilden . Eine nachträgliche Aufrauhung mittels KOH oder andere Maßnahmen ist demnach unnötig .
In Figur 3B zeigt die Struktur der Figur 3A nach einer Mesas- trukturierung , wie sie beispielsweise im vorangegangenen Beispiel der Figur 1 in den Schritten S5 und S 6 durchgeführt wurde . Der Ätzprozess hat die beiden Teilbereiche 2 ' und 2 ' ' sowie durch die dünne Trennschicht 3b durchstoßen und reicht bis kurz vor den Hilfsträger 1 . Die so hergestellte Struktur kann wie auch in dem vorangegangenen Beispiel mit einem weiteren Materialsystem unterschiedlicher Gitterkonstante überwachsen werden, ohne dass es in dieser zu Verspannungen und Defekten kommt . Figuren 4 und 5 zeigen verschiedene Schritte einer weiteren Ausgestaltungsform des vorgeschlagenen Prinzips , bei dem zusätzliche Maßnahmen und eine Strukturierung der Schichtenfolge 4 vor der Ausbildung einer Mesastruktur vorgenommen werden . Dadurch lassen sich weitere Anwendungen realisieren .
Die Schritte S1 und S2 sind die gleichen wie im Ausführungsbeispiel der Figuren 1 oder 2 . So wird nach einem Bereitstellen eines Hilfsträgers 1 wiederum eine dotierte GaN-Schicht 2 epitaktisch auf gewachsen . Auf der dotierten GaN-Schicht 2 wird nun zu dem eine dünne Solbruch- oder -trennschicht 3a abgeschieden . Diese kann beispielsweise aus AlGalnN oder auch aus intrinsischen Siliziumnitrit , beispielsweise einer Monolage SiN gebildet werden und erstreckt sich im vorliegenden Ausführungsbeispiel ebenfalls über den kompletten Wafer . Über der dünnen Sollbruchschicht 3a wird wiederum die undotierte GaN-Schicht 3 epitaktisch aufgebracht . Die sich ergebende Schichtenfolge 4 auf dem Trägersubstrat 1 ist in Figur 4 in Schritt S3 dargestellt .
In Schritt S3 wird nun auf der undotierten GaN-Schicht 3 weiterhin eine strukturierte Maske 8 beispielhaft auf 2 Stellen aufgebracht . Die Maske 8 ist chemisch inert gegenüber dem folgenden elektrochemischen Porösif izierungsschritt und beispielsweise als Hartmas ke auf geführt . Wie in Schritt S4 dargestellt , wird nach dem Aufbringen der strukturierten Maske 8 die elektrochemische Porösif ikation durchgeführt . Dabei wirkt j edoch die Struktur der Maske 8 als Abschattung , sodass Bereiche unterhalb der Maske 8 in der ersten Schicht 2a eben nicht porösif iziert oder geätzt werden, sondern als nicht porösif izierte Bereiche 2b stehen bleiben . Im Beispiel der Schritte S3 und S4 der Figur 4 sind dies 2 Bereiche , die einige pm breit sind und in Draufsicht im wesentlichen Quadrate bilden . Es können j edoch auch andere Dimensionen und oder eine andere Anzahl derartiger Bereiche vorgesehen werden . Ebenso kann die Form anders gestaltet sein, beispielsweise als Vielecke oder auch als Kreise oder Rechtecke . Hintergrund für eine derartige selektive Porösif ikation ist die Tatsache , dass ein Stromfluss aufgrund des isolierenden Verhaltens der Mas ke 8 durch die Schicht 3 , die Schicht 3a und die erste Schicht 2 weitgehend verhindert wird . Mit anderen Worten sucht sich der Strom immer den Weg des geringsten Widerstands ( und damit meist der kürzeste Weg , wenn der spezifische Widerstand konstant ist ) und würde daher während des elektrochemischen Prozesses nicht unterhalb der durch die Mas ke 8 abgedeckten bzw . abgeschatteten Bereiche fließen . Dadurch erfolgt eine Porösif ikation wegen des Stromflusses vor allem in den nicht abgeschatteten Bereichen der ersten Schicht , sodass sich porö- sifizierte Bereiche 2 c dort ausbilden . Ebenso wird ein Eindringen eines Elektrolyten während des elektrochemischen Ätzprozesses unter die abgeschatteten Bereiche erschwert bzw . ebenfalls verhindert , so dass sich dort keine weiteren Ätzkanäle ausbilden können, bzw . vorhandene Kanäle durch den Elektrolyten nicht erweitert werden .
Die Dimension der Maske 8 ist an die Dimension des späteren nicht porösif izierten Bereiches 2b angepasst . Obwohl der Flächenwiderstand unterhalb der Maske größer ist und der Stromfluss dort signifikant kleiner, erfolgt doch in einem geringen Rahmen im Randbereich ein leichtes Unterätzen . Durch das Unterätzen während der elektrochemischen Porösif ikation ist es zweckmäßig, die Lackmas ke 8 hinsichtlich ihrer Dimension etwas größer auszugestalten als der spätere nicht porösif izierte Bereich sein sollte . Dadurch wird ein leichtes Unterätzen unterhalb der Maske und damit in den abgeschatteten Bereich kompensiert . Für Nitride kann diese Unterätzung im Bereich von 200 nm bis ca . 800 nm liegen, für Materialien basierend auf GaAs oder GaP kann die Unterätzung auch größer als 1000 nm sein . Entsprechend muss die Dimension und laterale Erstreckung gewählt werden . In dem darauf folgenden Prozessschritt S5 wird die Mas ke 8 wieder entfernt und anstatt dessen die Mas ke 8a zur Erzeugung der Mesastruktur auf die Oberfläche der Schicht 3 aufgebracht .
Die Mas ke ist so ausgeführt , dass Teile der nicht porösif izier- ten Bereiche 2b von der Maskenstruktur bedeckt sind . Lediglich an den Rändern zwischen den porösif izierten Bereichen und den nicht porösif izierten Bereichen der Schicht 2 sind in der Maske Aussparungen vorgesehen . Darüber hinaus ist auch eine Mas kenstruktur über den restlichen modifizierten Bereichen 2c angeordnet , die in periodischen Abständen Ausnehmungen aufweist . Dadurch ist eine Mas kenstruktur 8a geschaffen, mit dessen Hilfe die in den vorangegangenen Beispielen beschriebene Mesa-Struk- tur geätzt werden kann .
Prozessschritt S6 der Figur 5 zeigt das Ergebnis nach einem derartigen selektiven Ätzprozess , bei dem in regelmäßigen Abständen Gräben 20 in die Schichtenfolge 4 geätzt werden . Im Besonderen sind dabei j eweils zwei Gräben 20 benachbart von den nicht porösif izierten Bereichen vorgesehen, sodass j eweils ein Graben 20 einen porösif izierten Bereich 2 c von einem nicht porösif izierten Bereich 2b trennt .
Auf die so hergestellte Struktur wird im Folgenden die AlInGaN Schicht 10 aufgebracht . Diese ist , wie in den vorangegangenen Beispielen auch j e nach Anwendungsfall und gewünschtem Design des Bauelements p- bzw . n- oder auch undotiert . Durch die zusätzlichen Mesastrukturen wird eine Verspannung in der Schicht 10 reduziert , sodass diese möglichst defektfrei und planar aufwächst . Auf der auf gewachsenen Schicht 10 wird ein Mehrfach- quantenwell 11 abgeschieden, an denen sich eine weiterhin dotierte Schicht 12 anschließt . Die Schichten 10 , 11 und 12 bilden die Schichtenfolge 6 der funktionellen Halbleiterschichtenfolge . Anschließend wird auf der abgeschiedenen Schicht 12 eine strukturierte Mas ke 8b angeordnet . Dabei überdecken Maskenbestandteile die nicht porösif izierten Bereichen 2b und die be- nachbarten Gräben 20 sowie einem Teil der anschließenden porö- sifizierten Bereiche 2c . Zwischen den einzelnen Mas ken 8b liegen weiterhin Teile der Oberfläche der Schicht 12 frei .
In einem folgenden selektiven Ätzprozess , in Schritt S7 der Figur 5 dargestellt , werden die freien Bereiche der Schicht 12 sowie die darunterliegenden Bereiche der Mehrfachquantenwellstruktur 11 der Schicht 10 sowie der Schichtenfolge 4 geätzt . Dadurch wird die Halbleiterschichtenfolge in einzelne funktionelle Bauelemente unterteilt . Der Ätzgraben 20 ' reicht von der Oberfläche der Halbleiterschichtenfolge 6 bis in etwa auf den Träger 1 . Nach einem derartigen Ätzschritt werden weiterhin Kontaktbereiche 7A und 7 in den j eweiligen Bauelementen vorgesehen . Dabei ist der Kontaktbereiche 7a elektrisch zu der Schicht 12 sowie zu dem Mehrf achquantenwell 11 elektrisch isoliert , und kontaktiert die dotierte vergrabene Schicht 10 . Der Kontaktbereich 7 schließt direkt elektrisch die Schicht 12 an .
Durch die mittels des selektiven Ätzprozesses erzeugten Gräben 20 ' können die porösif izierten Bereiche 2c mit einem nass-chemischen und selektiven Ätzprozess erreicht und entfernt werden . Dadurch bleiben die in dem Prozessschritt S8 dargestellten säulenartigen Strukturen 20b aus nicht porösif iziertem Material stehen und bilden damit eine Haltestruktur für die darauf befindlichen Bauelemente aus . Durch den selektiven Prozess wird zudem die Schicht 3a sowie die Schicht 3 leicht aufgeraut , sodass diese als Aus koppelstruktur für das in dem Mehrf achquan- tenwell erzeugte Licht dienen können . Diese Säulen können j e nach Design unterschiedliche Formen annehmen . In einigen Aspekten kann die Haltestruktur einen Kegelstumpf , Pyramidenstumpf oder ein Trapez bilden, wobei die kleinere Grundfläche dieses Körpers mit dem Bauelement verbunden ist . Mit anderen Worten nimmt der Durchmesser zu dem Bauelement hinweg ab . Erreicht wird diese Abnahme des Durchmessers , oder allgemeiner formuliert eine Veränderung des Durchmessers durch eine unterschiedliche Dotierung während des epitaktischen Abscheidens der ersten Schicht erreicht . Durch die Dotierung wird unter anderem auch die Rate der Porösif ikation gesteuert , so dass damit auch die Unterätzung unter die abgeschatteten Bereiche beeinflusst wird .
In einem oder mehreren weiteren Verfahrensschritten, dargestellt in Figur 5 in Schritt S 9 , wird ein Stempelkissen 30 selektiv auf den funktionellen Halbleiterkörper 60 aufgebracht und anschließend mittels eines mechanischen Verfahrens bzw . La- ser-Lift-Off Verfahrens der funktionelle Halbleiterkörper von der Säule und Haltestruktur 20b abgetrennt . Halbleiterkörper 60 haftet nun an dem Stempelkissen 30 und kann für eine weitere Prozessführung oder Verarbeitung transferiert werden . Die noch vorhandenen, durch die Strukturierung hervorgerufenen Vertiefungen in der Schicht 3a bzw . 3 können als weitere Auskoppelstruktur dienen oder auch mit einem geeigneten Material verfüllt werden .
Zu der Herstellung einer Mesastruktur zur Reduzierung möglicher Verspannung von darauf gewachsenen Schichten sind j e nach Materialsystem eventuell verschiedene Voraussetzungen notwendig bzw . zu beachten .
Zum einen sollte die Höhe der später zu porösif izierenden Schicht und damit auch die Höhe der Gräben einige wenige Mikrometern nicht überschreiten, damit eine noch ausreichende Verspannungs kompensation gewährleistet ist . Zudem würde ein Graben bei einem zu großen Verhältnis zwischen Tiefe und Grabenbreite nicht gleichmäßig geätzt werden können, sodass sich anstatt eines im wesentlichen rechtecksförmigen Verlauf wie in der Querschnittsdarstellung gezeigt , eine im Querschnitt dreiecksförmige Vertiefung ausbildet . Eine Höhe der zu porösif izierenden Schicht 2 entsprechend der vorangegangenen Beispiele , sollte daher in etwa 1 pm bis 2 pm eventuell lediglich 500 nm betragen .
Bei einer Breite in der gleichen Größenordnung wie die Höhe der Schicht 2 , beispielsweise in Schritt S6 der Figur 1 gezeigt , kann die Breite der Gräben in etwa um das Zehnfache geringer gewählt werden als die Breite des j eweiligen zu porösif izieren- den Abschnitts der Schicht 2 . Dadurch ergibt sich die in Schritt S6 der in Figur 1 dargestellten quadratischen Querschnittsfläche . Generell sollten die Gräben dabei so schmal wie möglich sein, j edoch ausreichend groß , um eine Relaxierung , d . h . eine Verspannungskompensation der auf der Schichtenfolge 4 aufgebrachten verspannten Schicht zu gewährleisten .
Die verschiedenen Ätz- und Maskierungsschritte werden durch verschiedene Lithographieverfahren erreicht . Hierbei ist für die Ausbildung der Mesa-Struktur ein nass-chemischer, aber auch ein trocken-chemischer Ätzprozess zur Schicht 2a realisierbar .
Die Figuren 6 und 7 zeigen in Draufsicht verschiedene Geometrien für eine derartige Mesa-Struktur . Je nach Materialsystem ist es erforderlich, die Mesa-Strukturen entlang einer vorgegebenen Achse bzw . einer vorgegebenen Orientierung auszubilden . In den Figuren 6 und 7 ist dies anhand einer Wurtzitstruktur für Materialsysteme auf Nitritbasis dargestellt . Bei einer Wurtzitstruktur ist es zweckmäßig , die Koales zenzf lachen 21 so aus zurichten, dass sie im Wesentlichem senkrecht zur a-Achse [ 1120 ] liegen . Dadurch werden die Gräben der Mesa-Struktur ebenfalls parallel zu den Koaleszenzf lächen geätzt , und es entstehen beispielsweise die in der Figur 6 dargestellten Strukturen .
Eine andere Ausgestaltungsform, bei der Mesa-Strukturen als periodische Sechsecke ausgeführt sind, zeigt Figur 7 . Dabei sind die Gräben und die Koaleszenzf lächen 21 so ausgestaltet , dass sie Vielecke und im Besonderen eine Sechseckstruktur bilden . Die Kantenlänge dieser Sechseckstruktur ist dabei wie dargestellt kleiner als 2 pm, die Breite eines Grabens im Wesentlichen um ein Zehntel niedriger, d . h . im Bereich von 200 nm oder weniger . Figur 8 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel sowie einen Anwendungsfall , bei dem porösif izierte Bereiche und nicht porö- sifizierte Bereiche zur Erzeugung von einem Licht emittierenden Halbleiterkörper verwendet werden, wobei dieser Licht unterschiedlicher Wellenlänge emittiert . In dem ersten dargestellten Prozessschritt wird wie bereits in den vorangegangenen Beispielen erläutert ein Hilfsträger 1 bereitgestellt , auf den eine dotierte GaN-Schicht 2 aufgebracht wird . Auf dieser wird wiederum eine undotierte Schicht des gleichen Materialsystems abgeschieden, sodass sich die in dem Prozessschritt S1 dargestellte Schichtenfolge 4 ergibt .
In nachfolgenden Prozessschritten wird nun als erstes eine Maskenstruktur 8 auf der Oberfläche der undotierten GaN-Schicht 3 abgeschieden . Anschließend wird die so erhaltene Struktur einem elektrochemischen Ablöse- und Zersetzungsprozess unterworfen, sodass vor allem nicht abgeschattete Bereiche der dotierten Schicht 2 porösif iziert werden . An den Stellen, an denen die Mas ke 8 die Schicht 2 überdeckt , erfolgt durch den verringerten bzw . nicht vorhandenen Stromfluss wie oben erläutert keine dedizierte Porösif ikation, sodass diese Bereiche im Wesentlichen mit durchgängigem Material aus dotiertem GaN stehen bleiben . Damit ist in den Bereichen 2b auch keine spätere Verringerung der Verspannungen aufgrund der Porösif ikation zu erwarten .
In einem weiteren Prozessschritt dargestellt in S3 der figur 8 , wird nun die Maske 8 entfernt und die Mas ke 8b erneut auf die Schicht 3 aufgetragen . Hierbei erfolgt die Maskenstrukturierung j edoch derart , dass ein Teil der Maske 8b über den nicht porö- sifizierten Bereichen 2b angeordnet wird . Ebenso werden Mas kenabschnitte über den porösif izierten Bereichen 2 c abgeschieden . Dabei ist vorgesehen, dass zwischen den einzelnen Maskenabschnitten ein kleiner Teil offen verbleibt , so dass die Schicht 3 darunter freiliegt . Die Position dieses freien Teils ist so gewählt , dass dieser im Wesentlichen entlang der Grenzfläche zwischen den porösif izierten Bereichen 2c bzw . den nicht porö- sifizierten Bereichen 2b erfolgt . Anschließend kann wiederum ein selektiver Ätzprozess durchgeführt werden, der Gräben an den Grenzflächen zwischen den Bereichen 2b und 2 c bis hinunter zu dem Hilfsträger 1 erzeugt . Damit wird eine Strukturierung vorgenommen, welche die porösif izierten Bereiche 2c von den nicht porösif izierten Bereichen 2b durch einen Graben trennt .
Anschließend wird die so enthaltene Mesa-Struktur mit einer Indium-haltigen Schicht , in der Ausführung mit einer GaN Schicht 10 überwachsen, siehe Schritt S4 in Figur 8 . Wie auch in den vorangegangenen Beispielen bildet die InGaN-Schicht Brücken zwischen den einzelnen Gräben 20 aus , sodass die Gräben im Wesentlichen als Hohlräume bestehen bleiben und nicht zugewachsen werden . Jedoch kann das InGaN Material mindestens teilweise in die in den oberen Bereich der Gräben zwischen der undotierten Schicht 3 hineingelangen .
Aufgrund der nicht porösif izierten Bereiche 2b ist das abgeschiedenen Material der Schicht 10 über diesen Bereichen verspannt , die sich in einer Veränderung und Verspannung der Gitterstruktur bemerkbar macht . Ob diese Verspannung nun zu zusätzlichen Gitterdefekten führt , liegt an der Ausgestaltung der Dimensionierung sowie dem Unterschied der beiden Gitterkonstan- ten zwischen der dotierten InGaN-Schicht 10 und der undotierten Schicht 3 .
In weiteren Abscheidungsprozessen wird nun die Schicht 12 mit einem anderen enthaltenen Mehrf achquantenwell auf der Schicht 10 abgeschieden . Dabei umfasst die Schicht 12 AlInGaN, welches j e nach Ausgestaltung dotiert oder auch mit einem Dotiergradienten versehen ist . Aufgrund der durch die nicht porösif izierten Bereiche 2b eingebrachten Verspannungen ändert sich die Bandstruktur und damit auch die Bandlücke des Mehrf achquantenwell 11 . Dies wird dadurch bewirkt , indem sich die Verspannungen durch die Schicht 10 fortsetzen und bis in die Schicht 12 und den Mehrf achquantenwell 11 hineinreichen . Dazu ist es notwendig , die in InGaN-Schicht 10 möglichst dünn, j edoch planar auszugestalten, um die Verspannung durch die Schicht 10 in die Schicht 11 zu führen . Im Ergebnis führen die Verspannungen so zu einer Emission von Licht unterschiedlicher Wellenlänge . Dabei wurde erreicht , dass durch eine geeignete Wahl der Verspannung und des Materialsystems ein weiter Bereich möglicher Wellenlängen erreichbar ist .
Ein auf diese Weise hergestelltes elektronisches Bauelement ist in verschiedenen alternativen Ausgestaltung in Figur 9 in Draufsicht dargestellt . Zu sehen sind die Emissionsflächen, wobei sich unterhalb dieser der Mehrf achquantenwell sowie eventuelle porösif izierte Bereiche unterschiedlichen Porositätsgrades befinden . Durch eine geeignete Porösif ikation und Einbringung einer Mesastruktur lassen sich unterschiedliche Verspannungen im darüber angeordneten Material erzeugen . Die sich durch die Verspannungen ergebende unterschiedliche Bandlücke aufgrund eines veränderten Indiumanteils bewirkt nun eine Emission von Licht mit unterschiedlichen Wellenlängen . Auf diese Weise kann in einem geeigneten Materialsystem, beispielsweise dem oben angeführten AlInGaN durch die Verspannung eine Lichtemission im blauen, grünen und roten Bereich erreicht werden .
In der linken Teilfigur der Figur 9 zeigt der Bereich b links oben die größten Verspannungen, beispielsweise ist dort eine nicht porösif izierte Schicht 2b angeordnet . Der Bereich r wiederum ist deutlich geringer verspannt , sodass der Mehrf achquantenwell dort im Ergebnis im wesentlichen rotes Licht emittiert . Die beiden unteren Bereiche g sind mit einem Porositätsgrad versehen, der zwischen dem blauen und dem roten Bereich b , r liegt , sodass der Mehrf achquantenwell hier leicht verspannt ist und somit Licht im grünen Bereich emittiert . Alternativ dazu kann ein derartiges Pixel mit einer blauen, roten und grünen Emitterfläche auch nebeneinander angeordnet sein . Eine derartige Ausführung ist im rechten Teil der Figur 9 dargestellt , bei der verschieden stark porösif izierte Bereiche zur Erzeugung von Licht im blauen, roten und grünen Spektrum ausgestaltet sind .
Zur Erzeugung eines unterschiedlichen Porositätsgrades ist beispielsweise vorgesehen, die einzelnen Mas ken 8 wie in Schritt S2 der Figur 8 oben dargestellt , selektiv zu entfernen und danach den elektrochemischen Abscheidungsprozess fortzusetzen . Beispielsweise kann zur Erzeugung eines unterschiedlichen Porositätsgrades zur Bildung einer blauen, roten und grünen Emitterfläche eine Schattenmaske 8 auf die spätere blaue und grüne Emitterfläche aufgetragen werden . Die rote Fläche bleibt dabei frei .
Anschließend wird ein erster elektrochemischer Ablöseprozess durchgeführt und eine erste Porösif izierung für die rote Emitterfläche erzeugt . Dann wird dieser elektrochemische Ablöseprozess gestoppt , die Maske über dem grünen Bereich entfernt und dann der elektrochemische Ablöseprozess fortgesetzt . Entsprechend wird nun die rote und die grüne Fläche (bzw . die Schicht 2 , die später unter dem Mehrf achquantenwell liegt weiter porösif iziert . Dadurch lässt sich ein unterschiedlicher Porositätsgrad in den j eweiligen Flächen erreichen . Alternativ kann auch wie beispielsweise in den Figuren 3A und 3B zusätzliche Schichten vorgesehen werden, die Unterschiede in der Porösif ikation erzeugen und damit zur Ausbildung der unterschiedlich farblichen Bereiche verwendet werden können .
BEZUGSZEICHENLISTE Hilfsträger erste dotierte Schicht ' , 2 ' ' Bereiche der ersten dotierten Schichta porösif izierte erste Schicht b nicht porösif izierter Bereichc porösif izierter Bereich zweite undotierte Schicht a, 3b Trennschicht Schichtenfolge Träger funktioneller Halbleiterkörper , 7a Kontaktbereiche , 8a , 8b Lackmaske 0 Schicht 1 Mehrf achquantenwell 2 Schicht 0 ' Graben 0 Mesastruktur 0b Haltestruktur 1 Koales zenzf läche 0 Stempel 0 funktionelle Halbleiterkörper 0 Kontaktbereich

Claims

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PATENTANS PRÜCHE Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterkörper umfassend :
- Bereitstellen eines Hilfsträgers ;
- Erzeugen einer Schichtenfolge mit einer ein dotiertes Halbleitermaterial aufweisenden ersten Schicht und einer darauf aufgebrachten zweiten Schicht , welche ein undotiertes Halbleitermaterial aufweist ;
- elektrochemisches Porösif izieren der ersten Schicht der Schichtenfolge , wobei ein Porositätsgrad wenigstens 20 Vo- lumen-% beträgt ;
- Ausbilden von Mesa-Strukturen in der zweiten Schicht und zumindest teilweise in der porösif izerten ersten Schicht ;
- epitaktisches Erzeugen einer funktionellen Schichtenfolge mit wenigstens einer flächigen dritten Schicht , die auf der mit Mesa-Strukturen versehenen zweiten Schicht aufgebracht ist , wobei die wenigstens eine flächige dritte Schicht eine gegenüber der zweiten Schicht unterschiedliche spezifische Gitterkonstante aufweist . Verfahren nach Anspruch 1 , weiter umfassend einen der folgenden Schritte :
- Ablösen der funktionellen Schichtenfolge von der ersten Schicht , wobei optional die zweite Schicht an der funktionellen Schichtenfolge verbleibt ; oder
- Ablösen der funktionellen Schichtenfolge von dem Hilfsträger , wobei die porösif izierte erste Schicht an der funktionellen Halbleiterschichtenfolge verbleibt und optional als Auskoppelstruktur für elektromagnetische Strahlung ausgeführt ist . Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche , bei dem die funktionelle Schichtenfolge wenigstens einen aktiven zur Lichtemission ausgeführten Bereich umfasst . - 39 - Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche , bei dem das Ausbilden von Mesa-Strukturen umfasst :
Erzeugen einer strukturierten Mas ke auf der zweiten Schicht ;
- Ätzen der zweiten und der porösif izierten ersten Schicht zur Ausbildung von Vertiefungen, insbesondere in Form von Gräben in der ersten porösif izierten ersten Schicht . Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche , bei dem im Schritt des Erzeugens einer Schichtenfolge während eines epitaktische Abscheidens der ersten Schicht , eine dünne Trennschicht , insbesondere eine undotierte Trennschicht abgeschieden wird, so dass die erste Schicht in einen dem Träger zugewandten Bereich und in einen dem Träger abgewandten Bereich unterteilt wird . Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche , bei dem im Schritt des Erzeugens einer Schichtenfolge während eines epitaktische Abscheidens der ersten Schicht ein Dotierstoff mit wenigstens 2 verschiedene Dotierstoffkonzentrationen in die erste Schicht eingebracht wird . Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche , bei dem der Schritt des Erzeugens einer Schichtenfolge ein Erzeugen nicht porösif izierter Bereiche umfasst , indem :
- eine strukturierte Mas ke auf die zweite Schicht der Schichtenfolge zur Erzeugung von nicht zu porösif izieren- den Bereichen unterhalb der strukturierten Maske aufgebracht wird; und
- die strukturierte Maske nach einem elektrochemischen Porösif izieren der ersten Schicht entfernt wird . Verfahren nach Anspruch 7 , wobei Abmessungen in der strukturierten Mas ke etwas größer gewählt sind als der oder die nicht zu porösif izierenden Bereiche der ersten Schicht unterhalb der strukturierten Maske . - 40 - Verfahren nach einem der Ansprüche 7 oder 8 , bei dem die funktionelle Schichtenfolge mit einem aktiven zur Emission von Licht einer ersten Wellenlänge ausgeführten Bereich über einem porösif izierten Bereich und einem aktiven zur Emission von Licht einer zweiten Wellenlänge über einem nicht porösif izierten Bereich ausgeführt ist . Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 9 , wobei die Vertiefungen, insbesondere in Form von Gräben, eine Breite im Bereich von 5 nm bis 500nm, insbesondere im Bereich von 20 nm bis 300 nm und weiter insbesondere kleiner als 200 nm aufweisen, wobei die Gräben sich optional bis zu dem Hilfsträger erstrecken . Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 10 , bei dem zwei einander benachbarte Gräben einen Abstand im Bereich von 400 nm bis 4 pm, insbesondere im Bereich von 800 nm bis 2 , 5 pm und insbesondere kleiner als 2 pm aufweisen . Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 11 , bei dem ein Verhältnis zwischen einer Breite einer Mesa-Struktur und der Breite eines Grabens im Bereich von 4 bis 15 , insbesondere im Bereich von 8 bis 12 , und insbesondere 9 , 5 bis 10 , 5 liegt . Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche , bei dem die Gitterkonstante der flächigen dritten Schicht im Bereich zwischen 0 , 2 % und 3% , insbesondere im Bereich von 0 , 5 % bis 2 , 7% von einer Gitterkonstante der zweiten Schicht abweicht . Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche , bei dem die erste und die zweite Schicht wenigstens eines der folgenden Materialien aufweist :
- GaN;
GaP - AlGaN;
- InGaN
- Al InGaN;
- AlInGaP; and
- AlGaAs ; und die erste Schicht während eines epitaktischen Abscheidens mit einem Dotierstoff versehen wird . Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche , wobei die zweite Schicht undotiertes GaN aufweist und die flächige dritten Schicht ein Indium-haltiges Material umfasst , mit einem Indium Anteil im Bereich zwischen 0 , 0001% bis 25% . Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche , bei dem in Materialien mit einer Wurtzitstruktur Koales zenzf lächen so ausgerichtet sind, dass diese senkrecht zur a-Achse stehen [ 1120 ] stehen . Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche , bei dem das epitaktisches Erzeugen einer funktionellen Schichtenfolge umfasst :
- Erzeugen einer Mehrfachquantenwellstruktur, welche zu Emission von Licht einer Wellenlänge ausgeführt ist , wobei sich die Mehrfachquantenwellstruktur über wenigstens eine Mesa-Struktur erstreckt . Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche , bei dem das epitaktisches Erzeugen einer funktionellen Schichtenfolge umfasst :
- Abscheiden einer flächigen dritten Schicht auf der mesa- strukturierten zweiten Schicht , wobei die Mesastruktur im wesentlichen unauf gefüllt verbleibt . Verfahren nach Anspruch 18 , bei dem Material der dritten Schicht eine Brücke über die einem dem Träger abgewandten Endbereich der Mesastruktur bildet . albleiteranordnung, umfassend :
- einen Hilfsträgers ;
- eine Schichtenfolge mit einer ein dotiertes Halbleitermaterial aufweisenden ersten Schicht und einer darauf aufgebrachten zweiten Schicht , welche ein undotiertes Halbleitermaterial aufweist ; wobei
- die erste Schicht wenigstens einen porösif izierten Bereich umfasst , deren Porositätsgrad wenigstens 20 Volumen! beträgt ; und
- in der ersten und zweiten Schicht eine Mesastruktur aus mehreren Vertiefungen eingebracht ist ;
- eine funktionelle Schichtenfolge mit wenigstens einer flächigen dritten Schicht , die auf der mit der Mesastruktur versehenen zweiten Schicht aufgebracht ist , wobei die wenigstens eine flächige dritte Schicht eine gegenüber der zweiten Schicht unterschiedliche Gitterkonstante aufweist . Halbleiteranordnung nach Anspruch 20 , bei dem eine Breite der Vertiefung in etwa 1/5 bis 1/20 des Abstands zwischen zwei benachbarten Vertiefungen beträgt . Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 20 bis 21 , wobei die erste Schicht zumindest einen nicht porösifi- zierten Bereich umfasst , der von einem porösif izierten Bereich wenigstens teilweise umgeben ist . albleiteranordnung nach Anspruch 22 , bei dem der zumindest eine nicht porösif izierte Bereich von dem porösif izierten Bereich durch einen die Mesastruktur bildenden Graben getrennt ist . albleiteranordnung nach einem der Ansprüche 20 bis 23 , bei dem die funktionelle Schichtenfolge eine Mehrfachquantenwellstruktur umfasst , die auf der dritten Schicht aufgebracht ist . - 43 - albleiteranordnung nach einem der Ansprüche 20 bis 24 , bei der ein erster über einem porösif izierten Bereich der ersten Schicht liegender Bereich der Mehrfachquantenwellstruktur zur Emission von Licht einer ersten Wellenlänge und ein zweiter über einem nicht porösif izierten Bereich der ersten Schicht liegender Bereich der Mehrfachquantenwellstruktur zur Emission von Licht einer zweiten kürzeren Wellenlänge ausgebildet ist . albleiteranordnung nach einem der Ansprüche 20 bis 25 , bei dem die erste Schicht einen ersten Teilbereich mit einem ersten Porositätsgrad aufweist und einen zweiten Teilbereich mit einem zweiten Porositätsgrad umfasst , wobei der erste Teilbereich von dem zweiten Teilbereich durch eine optionale Trennschicht getrennt ist . albleiteranordnung nach einem der Ansprüche 20 bis 26 , bei der die erste Schicht eine n-Dotierung umfasst und die zweite Schicht undotiert ist , wobei die erste und die zweite Schicht das gleiche Basismaterial aufweisen . albleiteranordnung nach einem der Ansprüche 20 bis 27 , bei der die zweite Schicht eine undotierte GaN Schicht umfasst und die dritte Schicht InGaN mit einem Indium Anteil im Bereich von 0 , 0001% bis 25% , insbesondere im Bereich von 5% bis 20% umfasst .
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