WO2022070712A1 - 近接センサ、制御システム及び機器 - Google Patents

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Abstract

本開示は、検知対象に対する検知感度を向上させることを目的とする。近接センサ(1)は、導体(3)と、受信電極(4)と、第1送信電極(51)と、を備える。導体(3)は、上面(3U)を有する。受信電極(4)は、導体(3)の上面(3U)から上方向に離れており、第1方向に沿って延びる。第1方向は、上方向と直交する。第1送信電極(51)は、導体(3)の上面(3U)から上方向に離れており、第1方向に沿って延びる。第1送信電極(51)と受信電極(4)とは、第2方向に並んでいる。第2方向は、上方向及び第1方向の両方と直交する。第1方向と直交する断面において第1送信電極(51)の上面(5U)は上方向に膨らんだ形状である。

Description

近接センサ、制御システム及び機器
 本開示は一般に近接センサ、制御システム及び機器に関し、より詳細には、相互容量式の近接センサ、この近接センサを備える制御システム及び機器に関する。
 特許文献1に記載の近接センサ装置は、被検出体(検知対象)との間に静電容量を形成する検出電極と、検出電極を装着するベース板と、静電容量を検出する検出部とを具備する。ベース板は、押ボタン型スイッチ又は圧力センサに支持される。被検出体が検出電極に接近したとき、静電容量が変化し、静電容量の変化により被検出体の接近を検知することができる。
 特許文献1に記載されたような近接センサ装置において、検知対象に対する検知感度の向上を望まれることがあった。
国際公開第2018/079771号
 本開示は、検知対象に対する検知感度を向上させることができる近接センサ、この近接センサを備える制御システム及び機器を提供することを目的とする。
 本開示の一態様に係る近接センサは、相互容量式の近接センサである。前記近接センサは、導体と、受信電極と、第1送信電極と、を備える。前記導体は、上面を有する。前記受信電極は、前記導体の前記上面から上方向に離れており、第1方向に沿って延びる。前記第1方向は、前記上方向と直交する。前記第1送信電極は、前記導体の前記上面から前記上方向に離れており、前記第1方向に沿って延びる。前記第1送信電極と前記受信電極とは、第2方向に並んでいる。前記第2方向は、前記上方向及び前記第1方向の両方と直交する。前記第1方向と直交する断面において前記第1送信電極の上面は前記上方向に膨らんだ形状である。
 本開示の別の一態様に係る近接センサは、相互容量式の近接センサである。前記近接センサは、導体と、受信電極と、第1送信電極と、第2送信電極と、を備える。前記導体は、上面を有する。前記受信電極は、前記導体の前記上面から上方向に離れており、第1方向に沿って延びる。前記第1方向は、前記上方向と直交する。前記第1送信電極は、前記導体の前記上面から前記上方向に離れており、前記第1方向に沿って延びる。前記第2送信電極は、前記導体の前記上面から前記上方向に離れており、前記第1方向に沿って延びる。前記第1送信電極は、前記受信電極に対して、第2方向と平行な両方向のうち一方向の側に配置されている。前記第2方向は、前記上方向及び前記第1方向の両方と直交する。前記第2送信電極は、前記受信電極に対して、前記第2方向と平行な前記両方向のうち他方向の側に配置されている。前記導体の前記上面は、第1凸状領域と、第2凸状領域と、凹状領域と、を有する。前記第1凸状領域は、前記第1方向に沿って延びて前記上方向に膨らんだ形状である。前記第2凸状領域は、前記第1方向に沿って延びて前記上方向に膨らんだ形状である。前記凹状領域は、前記第2方向における前記第1凸状領域の上端と前記第2凸状領域の上端との間の位置であって、前記受信電極の下に設けられており、前記第1方向に沿って延びて下方向に膨らんだ形状である。上から見て、前記第1凸状領域の前記上端は、前記第1送信電極と前記受信電極との間に位置する。上から見て、前記第2凸状領域の前記上端は、前記第2送信電極と前記受信電極との間に位置する。前記第1方向と直交する断面において前記第1送信電極の上面は前記上方向に膨らんだ形状である。前記第1方向と直交する前記断面において前記第2送信電極の上面は前記上方向に膨らんだ形状である。
 本開示の一態様に係る制御システムは、上記のいずれかの態様に係る前記近接センサと、出力部と、を備える。前記出力部は、前記近接センサからの出力に応じて機器を制御する制御信号を出力する。
 本開示の一態様に係る機器は、上記のいずれかの態様に係る前記近接センサと、機能部と、を備える。前記機能部は、前記近接センサからの出力に応じて動作する。
図1は、一実施形態に係る近接センサの斜視図である。 図2は、同上の近接センサの断面図である。 図3は、同上の近接センサの平面図である。 図4は、同上の近接センサを備える機器のブロック図である。 図5は、比較例に係る近接センサの正面図である。 図6は、変形例1に係る近接センサの正面図である。 図7は、変形例2に係る近接センサの正面図である。 図8は、変形例3に係る近接センサの正面図である。 図9は、一実施形態に係る近接センサの送信電極及び受信電極の配置と検知感度との関係を表すグラフである。 図10は、同上の近接センサの導体の曲率半径と検知感度との関係を表すグラフである。 図11は、同上の近接センサの電極の表面積の比と検知感度との関係を表すグラフである。 図12は、変形例4に係る近接センサの正面図である。 図13は、変形例5に係る近接センサの正面図である。 図14は、変形例6に係る近接センサの正面図である。 図15は、変形例7に係る近接センサの正面図である。 図16は、変形例8に係る近接センサの正面図である。 図17は、変形例9に係る近接センサの正面図である。 図18は、変形例10に係る近接センサの正面図である。
 (実施形態)
 以下、実施形態に係る近接センサ、制御システム及び機器について、図面を用いて説明する。ただし、下記の実施形態は、本開示の様々な実施形態の1つに過ぎない。下記の実施形態は、本開示の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。また、下記の実施形態において説明する各図は、模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさ及び厚さそれぞれの比が必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。また、実施形態及び各変形例において、共通する構成要素には同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略している。
 (1)概要
 図1~図3に示すように、本実施形態の近接センサ1は、相互容量式の近接センサである。近接センサ1は、導体3と、受信電極4と、送信電極5と、を備える。導体3は、上面3Uを有する。受信電極4は、導体3の上面3Uから上方向に離れており、第1方向に沿って延びる。第1方向は、上方向と直交する。送信電極5は、導体3の上面3Uから上方向に離れており、第1方向に沿って延びる。送信電極5と受信電極4とは、第2方向に並んでいる。第2方向は、上方向及び第1方向の両方と直交する。第1方向と直交する断面において送信電極5の上面5Uは上方向に膨らんだ形状である。
 送信電極5には、所定の電圧が印加される。これにより、送信電極5が駆動され、空間に信号(電界)を出力する。受信電極4は、空間を介して送信電極5からの信号を受信する。これにより、受信電極4は、送信電極5と受信電極4との間に形成される静電容量の大きさに応じた出力を得る。近接センサ1から見て上方向の空間において、検知対象が近接センサ1に近づくほど、送信電極5と受信電極4との容量結合状態が阻害されるため、上記静電容量が減少する。そのため、近接センサ1により、近接センサ1から見て上方向に位置する検知対象を検知することができる。検知対象は、例えば、人である。なお、導体3は、静電シールドとして機能する。
 本実施形態によれば、送信電極5の上面5Uが平面である場合と比較して、送信電極5の上面5Uの面積が大きくなる。そのため、近接センサ1に検知対象が接近したときの上記静電容量の変化量が増加し、これにより、検知対象に対する検知感度を向上させることができる。また、比較的遠くの検知対象を検知することができる。
 本実施形態では、第1方向、第2方向及び上方向を、互いに直交するX軸、Y軸及びZ軸(図1等を参照)を用いて、次のように規定する。すなわち、X軸方向を第1方向と規定し、Y軸方向を第2方向と規定し、Z軸方向を上下方向と規定し、Z軸の正の方向を上方向と規定する。また、Z軸の負の方向を下方向と規定する。なお、本開示で言う「直交」とは、厳密に90度の角度で交差する場合だけに限定されず、90度から多少(数度程度)ずれていても「直交」と言う。また、図面中のX軸、Y軸及びZ軸を表す矢印は説明のために表記しているに過ぎず、実体を伴わない。
 本開示で言う「上方向」とは、導体3から見て受信電極4及び送信電極5が位置する側を意味するに過ぎない。本開示で言う「上方向」が、例えば、下方向、前方向、後ろ方向、左方向又は右方向となる向きで、近接センサ1が使用されてもよい。
 本開示で言う「下方向」とは、受信電極4及び送信電極5から見て導体3が位置する側を意味するに過ぎない。本開示で言う「下方向」が、例えば、上方向、前方向、後ろ方向、左方向又は右方向となる向きで、近接センサ1が使用されてもよい。
 部材について、本開示で言う「上面」とは、部材のうち上方向に向いた面を意味する。部材について、本開示で言う「下面」とは、部材のうち下方向に向いた面を意味する。本実施形態では、送信電極5の形状は円柱状であって、送信電極5の側面のうち上方向における先端と、上方向と直交する方向(Y軸方向)における先端とが、上記側面を構成する曲面によりつながっている。このような場合、送信電極5の上面5Uとは、送信電極5の側面のうち、送信電極5の上下方向における中心よりも上の領域である。
 本開示で言う「上端」とは、上方向における先端を意味する。
 本実施形態の近接センサ1は、送信電極5を複数(図1では2つ)備える。以下では、2つの送信電極5を区別するために、一方の送信電極5を第1送信電極51と称し、他方の送信電極5を第2送信電極52と称することがある。
 (2)制御システム及び機器
 図4に示すように、機器10は、制御システム8と、機能部9と、を備える。機能部9は、例えば、モータ91と、モータ91の動作を制御するモータ制御回路92と、を含む。制御システム8は、機能部9の動作を制御する。
 制御システム8は、近接センサ1と、駆動回路81と、制御回路82と、を備える。制御回路82は、出力部821と、駆動制御部822と、演算部823と、を有する。
 機器10は、例えば、ロボットアームである。近接センサ1は、ロボットアームの構造部分に取り付けられる。機能部9のモータ91は、ロボットアームを機械的に駆動する駆動力を発生させる。
 制御回路82は、1以上のプロセッサ及びメモリを有するコンピュータシステムを含んでいる。コンピュータシステムのメモリに記録されたプログラムを、コンピュータシステムのプロセッサが実行することにより、制御回路82の少なくとも一部の機能が実現される。プログラムは、メモリに記録されていてもよいし、インターネット等の電気通信回線を通して提供されてもよく、メモリカード等の非一時的記録媒体に記録されて提供されてもよい。
 駆動回路81は、発振回路を備える。駆動回路81は、近接センサ1の第1送信電極51とグランド(基準電位)との間、及び第2送信電極52とグランド(基準電位)との間に駆動電圧を印加する。駆動電圧は、例えば、矩形波である。
 駆動制御部822は、駆動回路81を制御する。これにより、駆動制御部822は、駆動回路81が第1送信電極51とグランドとの間、及び第2送信電極52とグランドとの間に駆動電圧を印加するタイミングを制御する。第1送信電極51への駆動電圧の印加のタイミングと第2送信電極52への駆動電圧の印加のタイミングとは同じタイミングであることが好ましい。
 送信電極5(第1送信電極51及び第2送信電極52)とグランドとの間に駆動電圧が印加されると、近接センサ1の受信電極4には、第1送信電極51及び第2送信電極52の両方との間の静電容量の大きさに応じた出力が生じる。上記出力は、例えば、上記静電容量に比例した振幅の電圧信号である。受信電極4の出力は、制御回路82の検出回路を通じて検出され、近接センサ1からの出力として得られる。以下では、第1送信電極51と受信電極4との間の静電容量の大きさを、「静電容量C1」と表記し、第2送信電極52と受信電極4との間の静電容量の大きさを、「静電容量C2」と表記し、静電容量C1、C2の合成容量を「静電容量C3」(C3=C1+C2)と表記して説明する。受信電極4の出力は、静電容量C3の大きさに応じた出力である。
 制御回路82の演算部823は、近接センサ1の受信電極4から得られた出力に応じて、制御信号を生成する。出力部821は、演算部823で生成された制御信号を、機器10の機能部9へ出力する。これにより、機能部9が制御信号に応じた動作をする。すなわち、出力部821は、制御信号を出力することで、機器10を制御する。このように、機能部9は、近接センサ1からからの出力に応じて動作する。
 演算部823は、静電容量C3を、従来周知の様々な方法(スイッチドキャパシタ方式等)により検知できる。演算部823は、検知した静電容量C3に基づいて、制御信号を生成する。具体的には、演算部823は、静電容量C3に基づいて、検知対象と近接センサ1との間の距離を算出する。演算部823は、算出した距離の値が所定の閾値以下であると、機能部9の動作を抑制するための制御信号を生成する。また、演算部823は、算出した距離の値が所定の閾値より大きいと、制御信号を生成しない。機能部9の動作を抑制するとは、例えば、機能部9のモータ91の速度を低下させる、又は、機能部9の動作を停止させることである。
 ここで、機器10がロボットアームであるとして、近接センサ1の用途の一例を説明する。ロボットアームの近接センサ1に対して人(検知対象)が接近すると、演算部823が近接センサ1を用いて検知する静電容量C3が変化する。演算部823は、検知した静電容量C3に基づいて、ロボットアームと人との間の距離を算出する。出力部821は、演算部823で算出された距離の値が所定の閾値以下である場合、ロボットアームの動作を抑制するための制御信号を、機能部9へ出力する。機能部9のモータ制御回路92は、制御信号に応じて、モータ91の速度を低下させる、又は、モータ91を停止させる。
 (3)静電容量及び位置の検知
 演算部823は、静電容量C3を、例えば、スイッチドキャパシタ方式により検知する。スイッチドキャパシタ方式では、静電容量が検知される対象である対象コンデンサに蓄積される電荷の量に基づいて、対象コンデンサの静電容量(の変化)を検知する。ここでは、対象コンデンサは、第1送信電極51及び受信電極4を一対の対向電極とするコンデンサと、第2送信電極52及び受信電極4を一対の対向電極とするコンデンサと、である。
 例えば、スイッチドキャパシタ方式は、所定時間の間、対象コンデンサを充電する充電処理と、対象コンデンサを放電させて対象コンデンサに蓄えられた電荷で判定用のコンデンサを充電する放電処理とを交互に繰り返し行う。判定用のコンデンサの両端電圧が規定値に達すると、放電処理を終了して充電処理を開始する。つまり、対象コンデンサの静電容量が大きいほど所定時間内に判定用のコンデンサの両端電圧が規定値に達した回数が増える。したがって、所定時間内に判定用のコンデンサの両端電圧が規定値に達した回数に基づいて、対象コンデンサの静電容量を検知できる。
 次に、検知対象の位置の検知について説明する。
 各送信電極5は、電界を放射する。各送信電極5から放射された電界の少なくとも一部は、受信電極4に向かう。制御回路82は、受信電極4から得た出力に基づいて、検知対象と近接センサ1との間の距離を検知する。
 検知対象が第1送信電極51に近づくと、第1送信電極51と受信電極4との間に形成される電気力線のうち、検知対象に吸収される割合が大きくなり、第1送信電極51と受信電極4との間の結合容量が小さくなるので、静電容量C1が減少する。検知対象が第1送信電極51から離れると、第1送信電極51と受信電極4との間に形成される電気力線のうち、検知対象に吸収される割合が小さくなり、静電容量C1が増加する。
 検知対象が第2送信電極52に近づくと、第2送信電極52と受信電極4との間に形成される電気力線のうち、検知対象に吸収される割合が大きくなり、第2送信電極52と受信電極4との間の結合容量が小さくなるので、静電容量C2が減少する。検知対象が第2送信電極52から離れると、第2送信電極52と受信電極4との間に形成される電気力線のうち、検知対象に吸収される割合が小さくなり、静電容量C2が増加する。
 そのため、検知対象が近接センサ1に近づくほど、静電容量C3が減少し、検知対象が近接センサ1から離れるほど、静電容量C3が増加する。
 そこで、演算部823は、静電容量C3に基づいて、検知対象と近接センサ1との間の距離を算出する。静電容量C3が小さいほど、演算部823が算出する上記距離は短くなる。
 (4)近接センサの構成
 図2に示すように、近接センサ1は、第1送信電極51、第2送信電極52、受信電極4及び導体3に加えて、基体2を更に備える。図3では、基体2の図示を省略している。
 基体2の材料は、例えば、合成樹脂である。基体2は、電気絶縁性を有する。基体2は、下面2Lと、上面2Uと、を含む。下面2Lには、導体3が配置されている。より詳細には、下面2Lは、導体3の上面3Uと接触している。上面2Uには、第1送信電極51、第2送信電極52及び受信電極4が配置されている。
 基体2は、その全体に亘って、略一定の厚さを有する。基体2の上面2U及び下面2Lは、基体2の厚さ方向の両側の面である。導体3は、基体2の下面2Lの全体を覆っている。導体3は、その全体に亘って、略一定の厚さを有する。これにより、導体3は、基体2に沿った形状に形成されている。
 導体3の厚さは、基体2の厚さよりも小さい。導体3の形状は、基体2を厚さ方向に圧縮したような形状である。
 導体3の材料は、金属である。導体3は、グランドに(電気的に)接続される。導体3は、静電シールドとして機能する。
 図2に示すように、導体3の上面3Uは、第1凸状領域31と、第2凸状領域32と、凹状領域33と、を有する。第1凸状領域31は、X軸方向(第1方向)に沿って延びて上方向に膨らんだ形状である。第2凸状領域32は、X軸方向(第1方向)に沿って延びて上方向に膨らんだ形状である。つまり、第1凸状領域31及び第2凸状領域32は、上に凸の曲線をX軸方向に沿って動かしてできる軌跡(柱面)の形状である。凹状領域33は、Y軸方向(第2方向)における第1凸状領域31の上端310と第2凸状領域32の上端320との間の位置であって、受信電極4の下に設けられている。凹状領域33は、X軸方向(第1方向)に沿って延びて下方向に凹んだ形状である。つまり、凹状領域33は、下に凸の曲線をX軸方向に沿って動かしてできる軌跡(柱面)の形状である。
 以下では、第1凸状領域31と第2凸状領域32とをそれぞれ、凸状領域30と称することがある。
 図2に示すように、X軸方向(第1方向)と直交する断面において、第1凸状領域31及び第2凸状領域32の各々は円弧状の形状である。第1凸状領域31の形状は、第2凸状領域32の形状に等しい。第1凸状領域31の曲率中心Q1のZ座標は、第2凸状領域32の曲率中心Q2のZ座標に等しい。位置、物の寸法及び形状に関して、本開示で言う「等しい」とは、完全に等しい状態に限定されず、実用上問題ない範囲で異なっている場合も含む。例えば、2つの値の差が5%未満の範囲なら「等しい」とみなして本開示を適用してもよい。
 凹状領域33の一部は、Y軸の正の方向における第1凸状領域31の一端T1付近の部位を兼ねている。凹状領域33の別の一部は、Y軸の負の方向における第2凸状領域32の一端T2付近の部位を兼ねている。X軸方向(第1方向)と直交する断面において、凹状領域33の形状は、第1凸状領域31の上記一端T1付近の部位と、第2凸状領域32の上記一端T2付近の部位と、により形成されるU字状又はV字状の形状である。図2では、説明の便宜上、一端T1、T2を図示するが、これにより厳密に一端T1、T2の位置を規定するものではない。
 図3に示すように、上から見て、第1凸状領域31の上端310は、第1送信電極51と受信電極4との間に位置する。上から見て、第2凸状領域32の上端320は、第2送信電極52と受信電極4との間に位置する。上から見て、導体3の形状は、矩形状である。「矩形」とは、長方形と正方形とを含む概念である。本実施形態では、X軸方向における導体3の長さは、Y軸方向における導体3の長さよりも長い。
 図2に示すように、第1送信電極51は、第1芯材511と、第1導電層512と、を含む。受信電極4は、第2芯材41と、第2導電層42と、を含む。第2送信電極52は、第3芯材521と、第3導電層522と、を含む。
 第1芯材511、第2芯材41及び第3芯材521はそれぞれ、例えば、電気絶縁性を有する。第1芯材511、第2芯材41及び第3芯材521の材料は、例えば、合成樹脂である。第1導電層512は、第1芯材511を覆っている。第2導電層42は、第2芯材41を覆っている。第3導電層522は、第3芯材521を覆っている。第1導電層512、第2導電層42及び第3導電層522の材料は、金属である。
 第1送信電極51、第2送信電極52及び受信電極4の構造及び寸法は、互いに同じである。
 第1送信電極51の第1芯材511の形状は、円柱状である。第1芯材511の軸方向は、X軸方向に沿っている。第1導電層512は、第1芯材511の側面を覆っている。これにより、第1送信電極51は、円柱状に形成されている。
 受信電極4の第2芯材41の形状は、円柱状である。第2芯材41の軸方向は、X軸方向に沿っている。第2導電層42は、第2芯材41の側面を覆っている。これにより、受信電極4は、円柱状に形成されている。
 第2送信電極52の第3芯材521の形状は、円柱状である。第3芯材521の軸方向は、X軸方向に沿っている。第3導電層522は、第3芯材521の側面を覆っている。これにより、第2送信電極52は、円柱状に形成されている。
 第1送信電極51、第2送信電極52及び受信電極4の軸方向は、X軸方向に沿っている。上から見て、第1送信電極51、第2送信電極52及び受信電極4の各々の第1端は、X軸方向における導体3の第1端に重なっている。上から見て、第1送信電極51、第2送信電極52及び受信電極4の各々の第2端は、X軸方向における導体3の第2端に重なっている。
 図2に示すように、X軸方向(第1方向)と直交する断面において、第1送信電極51の上面51U及び第2送信電極52の上面52Uは、上方向に膨らんだ形状である。より詳細には、X軸方向(第1方向)と直交する断面において、第1送信電極51の上面51U及び第2送信電極52の上面52Uは円弧状の形状である。
 また、上述の通り、第1送信電極51及び第2送信電極52の形状は円柱状である。そのため、X軸方向(第1方向)と直交する断面において、第1送信電極51及び第2送信電極52の各々は円状の形状である。
 第1送信電極51及び第2送信電極52の各々は、導体3の上面3Uから上方向に離れている。言い換えると、第1送信電極51及び第2送信電極52の各々は、導体3の上面3Uに対して所定の距離をあけて配置されている。より詳細には、第1送信電極51及び第2送信電極52の各々と、導体3の上面3Uとの間には、基体2が挟まれており、少なくとも基体2の厚さ分の距離があいている。
 第1送信電極51及び第2送信電極52の各々は、X軸方向(第1方向)に沿って延びている。第1送信電極51は、受信電極4に対して、Y軸方向(第2方向)と平行な両方向のうち一方向の側(Y軸の負の方向の側)に配置されている。第2送信電極52は、受信電極4に対して、Y軸方向(第2方向)と平行な両方向のうち他方向の側(Y軸の正の方向の側)に配置されている。
 X軸方向(第1方向)と直交する断面において、受信電極4の上面4Uは、上方向に膨らんだ形状である。より詳細には、X軸方向(第1方向)と直交する断面において、受信電極4の上面4Uは円弧状の形状である。
 また、上述の通り、受信電極4の形状は円柱状である。そのため、X軸方向(第1方向)と直交する断面において、受信電極4は円状の形状である。
 そして、第1送信電極51、第2送信電極52及び受信電極4について、直径は互いに等しく、第1方向に沿った長さは互いに等しい。このため、第1送信電極51の外周面の表面積、第2送信電極52の外周面の表面積及び受信電極4の外周面の表面積は等しい。
 受信電極4は、導体3の上面3Uから上方向に離れている。より詳細には、受信電極4と、導体3の上面3Uとの間には、基体2が挟まれており、少なくとも基体2の厚さ分の距離があいている。
 X軸方向(第1方向)と直交する断面において、第1凸状領域31の曲率中心Q1と受信電極4とを結ぶ第1線分J1と、第1凸状領域31の曲率中心Q1と第1送信電極51とを結ぶ第2線分J2と、がなす角θ1の大きさは、60度以上180度以下であることが好ましい。本実施形態では、角θ1は、約70度である。また、角θ1は、第1凸状領域31の上端310と曲率中心Q1とを結ぶ線分により2等分される。ここで、第1線分J1は、曲率中心Q1と、受信電極4の中心と、を結ぶ線分として規定される。第2線分J2は、曲率中心Q1と、第1送信電極51の中心と、を結ぶ線分として規定される。
 X軸方向(第1方向)と直交する断面において、第2凸状領域32の曲率中心Q2と受信電極4とを結ぶ線分J3と、第2凸状領域32の曲率中心Q2と第2送信電極52とを結ぶ線分J4と、がなす角θ2の大きさは、60度以上180度以下であることが好ましい。本実施形態では、角θ2は、約70度である。また、角θ2は、第2凸状領域32の上端320と曲率中心Q2とを結ぶ線分により2等分される。ここで、線分J3は、曲率中心Q2と、受信電極4の中心と、を結ぶ線分として規定される。線分J4は、曲率中心Q2と、第2送信電極52の中心と、を結ぶ線分として規定される。
 X軸方向(第1方向)と直交する断面において、第1凸状領域31の曲率半径R1は、Y軸方向(第2方向)における第1送信電極51の幅W1(第1送信電極51の直径)の1/4倍以上4倍以下であることが好ましい。本実施形態では、曲率半径R1は、幅W1の約3.5倍である。また、上記断面において、曲率半径R1は、Y軸方向(第2方向)における受信電極4の幅W2(受信電極4の直径)の1/4倍以上4倍以下であることが好ましい。
 また、上記断面において、第2凸状領域32の曲率半径R2は、Y軸方向(第2方向)における第2送信電極52の幅W3の1/4倍以上4倍以下であることが好ましい。また、上記断面において、曲率半径R2は、Y軸方向(第2方向)における受信電極4の幅W2(受信電極4の直径)の1/4倍以上4倍以下であることが好ましい。本実施形態では、曲率半径R1は、曲率半径R2に等しい。また、幅W1、W2、W3は等しい。
 (5)利点
 図5に、比較例に係る近接センサ1Pを示す。近接センサ1Pは、送信電極5Pと、受信電極4Pと、導体3Pと、基体2Pと、を備える。送信電極5Pは平板状に形成されており、送信電極5Pの上面50Pは平面状である。受信電極4Pは平板状に形成されており、受信電極4Pの上面40Pは平面状である。
 これに対して、実施形態の近接センサ1では、X軸方向(第1方向)と直交する断面において送信電極5の上面5Uは上方向に膨らんだ形状である。そのため、Y軸方向における送信電極5の幅W1と、同方向における送信電極5Pの幅W1とが等しいとすると、実施形態の送信電極5の上面5Uの面積は、比較例の送信電極5Pの上面50Pの面積よりも大きい。よって、実施形態では、近接センサ1の上に位置する検知対象が近接センサ1に接近したときの送信電極5と受信電極4との間の静電容量の変化量が、比較例の近接センサ1Pと比較して増加する。つまり、実施形態では、比較例と比較して、検知対象のより微小な移動を検知することができる。言い換えると、実施形態では、比較例と比較して、検知対象に対する検知感度が高い。また、これにより、実施形態では、比較例と比較して、より遠くの検知対象を検知することができる。
 (6)変形例1~3
 以下、実施形態の変形例1~3に係る近接センサ1A~1Cについて説明する。近接センサ1A~1Cは、送信電極5を1つのみ備えているとする。
 図6に、実施形態の変形例1に係る近接センサ1Aと、近接センサ1Aにおける電気力線(点線で示す)の分布と、を図示する。変形例1の近接センサ1Aは、導体3の形状が、実施形態の近接センサ1における導体3の形状と異なる。すなわち、変形例1の導体3は、平板状である。そのため、変形例1の導体3の上面3Uは、平面状である。また、変形例1の基体2は、平板状である。
 変形例1の近接センサ1Aでは、実施形態の近接センサ1と同様に、X軸方向(第1方向)と直交する断面において送信電極5の上面5Uは上方向に膨らんだ形状である。そのため、比較例に係る近接センサ1Pよりも、検知対象に対する検知感度が高い。
 図7に、実施形態の変形例2に係る近接センサ1Bと、近接センサ1Bにおける電気力線(点線で示す)の分布と、を図示する。図7では、図2とは送信電極5及び受信電極4の配置が若干異なるが、上から見て、第1凸状領域31の上端310が送信電極5と受信電極4との間に位置する点では、図2と共通している。
 図7では、図6と比較して、送信電極5のうち下側の領域から出た複数の電気力線のうち、導体3に向かう電気力線の本数が少ない。これは、導体3に第1凸状領域31が設けられているためである。すなわち、導体3のうち送信電極5との間の距離が最短である点を除いた任意の点(以下、「基準点」と称す)と、送信電極5の中心と、の間の距離(以下、「対象距離」と称す)は、図6よりも図7の方が長い。より詳細には、基準点が送信電極5から遠いほど、図6における対象距離と図7における対象距離との差は大きい。このように、図7では、導体3の一部の部位が送信電極5から比較的遠くに設けられているので、送信電極5から導体3に向かう電気力線の本数が少ない。
 特に、図7では、図6と比較して、送信電極5のうち下側の領域から出た複数の電気力線のうち、Y軸の負の方向(受信電極4がある側とは反対側)に出て受信電極4に向かう電気力線(以下、「第1電気力線」と称す)の本数が多い。第1電気力線は、送信電極5のうち下側の領域からY軸の正の方向に出て受信電極4に向かう電気力線と比較して、近接センサ1に接近した検知対象に吸収される可能性が高いので、検知対象に対する検知感度への寄与が大きい。
 このように、図7では、図6と比較して、送信電極5のうち下側の領域から出た複数の電気力線のうち、導体3に向かう電気力線の本数が少なく、受信電極4に向かう第1電気力線の本数が多い。そのため、送信電極5と受信電極4との間の静電容量に着目すると、図7の近接センサ1Bでは、図6の近接センサ1Aと比較して、検知対象の移動に応じた静電容量の変化量が大きい。つまり、図7の近接センサ1Bでは、図6の近接センサ1Aと比較して、検知対象に対する検知感度が高い。同じ理由により、実施形態の近接センサ1では、図6の近接センサ1Aと比較して、検知対象に対する検知感度が高い。
 図8に、実施形態の変形例3に係る近接センサ1Cと、近接センサ1Cにおける電気力線(点線で示す)の分布と、を図示する。近接センサ1Cは、図7に示す近接センサ1Bよりも、第1凸状領域31の曲率半径が小さい。よって、図8の近接センサ1Cでは、図7の近接センサ1Bと比較して、送信電極5のうち下側の領域から出た複数の電気力線のうち、受信電極4に向かう電気力線の本数が更に多い。そのため、図8の近接センサ1Cは、図7の近接センサ1Bと比較して、検知対象に対する検知感度が更に高い。
 (7)送信電極及び受信電極の配置と検知感度との関係
 図9は、角θ1(図2参照)の大きさと、近接センサ1の検知感度と、の関係を表すグラフである。角θ1は、X軸方向(第1方向)と直交する断面において、第1凸状領域31の曲率中心Q1と受信電極4とを結ぶ第1線分J1と、第1凸状領域31の曲率中心Q1と第1送信電極51とを結ぶ第2線分J2と、がなす角である。図9に示す例では、近接センサ1は、第1送信電極51と第2送信電極52とのうち、第1送信電極51のみを備えているとする。
 第1送信電極51と受信電極4との間の静電容量C1は、近接センサ1と検知対象との間の距離に応じて変化する。交点容量とは、検知対象が存在しない状態、又は、検知対象が近接センサ1の検知範囲外に配置されている状態における、第1送信電極51と受信電極4との間の静電容量C1である。Δ容量(デルタ容量)とは、所定の検知対象を、近接センサ1の検知範囲内であって近接センサ1に対して一定距離だけ離れた所定の位置に配置した場合の静電容量C1を、交点容量から引いた値である。シミュレーションにより、交点容量及びΔ容量を求めた。基体2及び導体3の断面形状を半円弧状とし、第1送信電極51及び受信電極4の位置を変更することで、角θ1を6通りに変化させ、角θ1の大きさを変化させるごとに、交点容量及びΔ容量を求めた。図9において、交点容量のスケールはΔ容量のスケールとは異なる。
 図9に示すように、角θ1が40度以上180度以下の範囲では、交点容量は、角θ1が大きいほど小さい。また、Δ容量は、角θ1が120度のとき最大である。角θ1と120度との差の絶対値が大きいほど、Δ容量は小さい。
 Δ容量が大きいほど、検知対象のより微小な移動を検知することができる。言い換えると、Δ容量が大きいほど、検知対象に対する検知感度が高い。また、交点容量が小さいほど、近接センサ1から制御回路82(図4参照)に入力される信号(例えば、電圧信号)の大きさが小さいので、制御回路82として入力レンジが比較的狭い回路を採用できる。そこで、図9に基づいて、Δ容量が比較的大きく交点容量が比較的小さい範囲を特定すると、角θ1は120度程度が適当である。また、角θ1が60度以上180度以下の範囲も適当である。
 (8)導体の曲率半径と検知感度との関係
 図10は、導体3の凸状領域30の曲率半径R1と交点容量との関係、及び、曲率半径R1とΔ容量との関係を表すグラフである。シミュレーションにより、交点容量及びΔ容量を求めた。図10において、交点容量のスケールはΔ容量のスケールとは異なる。
 図10に示す例では、近接センサ1は、第1送信電極51と第2送信電極52とのうち、第1送信電極51のみを備えているとする。図10の折れ線H1は、曲率半径R1が有限の値の場合のΔ容量を表し、点H2は、曲率半径R1が無限大の場合、すなわち、導体3が平板状であって凸状領域30を有していない場合のΔ容量を表す。
 図10に示すように、導体3が凸状領域30を有することにより、凸状領域30を有していない場合と比較して、Δ容量が大きいので、近接センサ1の検知感度が向上している。
 交点容量が所定の大きさよりも小さく、かつ、Δ容量が比較的大きくなるように、例えば、曲率半径R1をR1=r10(図10参照)となるように導体3を設計することが好ましい。
 曲率半径R1は、Y軸方向(第2方向)における第1送信電極51の幅W1(図2参照)の1/4倍以上4倍以下であることが好ましい。
 (9)電極の表面積の比と検知感度との関係
 図11に示す例では、近接センサ1は、第1送信電極51と第2送信電極52とのうち、第1送信電極51のみを備えているとする。図11は、面積比とΔ容量との関係を示すグラフである。シミュレーションにより、Δ容量を求めた。上記面積比は、第1送信電極51のうち第1方向に沿って延びる外周面510(図1参照)の表面積(以下、「表面積S51」と表記する)と、受信電極4のうち第1方向に沿って延びる外周面400(図1参照)の表面積(以下、「表面積S4」と表記する)と、の比である。外周面510は上面51Uを含み、外周面400は上面4Uを含む。以下では、上記面積比を「面積比r1」と表記する。S51<S4の場合は、面積比r1=S51/S4として求め、S4<S51の場合は、面積比r1=S4/S51として求め、いずれの場合も同じ結果が得られた。なお、図11におけるΔ容量は、特定の値を1.0として上記特定の値との比を表した相対値である。
 図11に示すように、面積比r1が1.0に近いほど、Δ容量が大きくなるので、近接センサ1の検知感度が向上する。近接センサ1として必要な感度仕様に応じて、表面積S4、S51を適宜設定すればよい。すなわち、第1送信電極51のうち第1方向に沿って延びる表面の面積(表面積S51)と、受信電極4のうち第1方向に沿って延びる表面の面積(表面積S4)との比は、感度に応じて設定されていることが好ましい。
 近接センサ1が2つの送信電極5(第1送信電極51及び第2送信電極52)及び1つの受信電極4を備える場合は、表面積S51、S4と、第2送信電極52のうち第1方向に沿って延びる外周面520(図1参照。外周面520は上面52Uを含む。)の表面積(以下、「表面積S52」と表記する)とを、次のように設定すればよい。すなわち、面積比r1を再定義し、(S51+S52)<S4の場合は、面積比r1=(S51+S52)/S4として求め、S4<(S51+S52)の場合は、面積比r1=S4/(S51+S52)として求める。この場合も、面積比r1が1.0に近いほど、Δ容量が大きくなるので、近接センサ1として必要な感度仕様に応じて、表面積S4、S51、S52を適宜設定すればよい。面積比r1が0.7以上の範囲が実用的である。例えば、S4:S51:S52=1.3:0.5:0.5としてもよい。あるいは、S4:S51:S52=1.0:0.35:0.35としてもよい。このように、第2送信電極52のうち第1方向に沿って延びる表面の面積(表面積S52)と、受信電極4のうち第1方向に沿って延びる表面の面積(表面積S4)との比は、感度に応じて設定されていることが好ましい。
 近接センサ1が1以上の受信電極4と1以上の送信電極5とを備える場合に上記の知見を適用できるように一般化すると、次のようにすればよい。すなわち、1以上の受信電極4の側面の表面積の総和と、1以上の送信電極5の側面の表面積の総和と、の比を、感度に応じて設定すればよい。上記比が1.0に近いほど、Δ容量が大きくなると考えられる。上記比が、例えば0.7以上となるように近接センサ1を構成することが好ましい。
 なお、1以上の受信電極4及び1以上の送信電極5のうち一部の電極の形状が、別の一部の電極の形状と異なる場合であっても同様に、各電極のうち第1方向に沿って延びる表面の面積の比が、感度に応じて設定されることが好ましい。
 (10)変形例4~6
 以下、図12~図14を参照して、実施形態の変形例4~6に係る近接センサ1D~1Fについて説明する。近接センサ1D~1Fは、送信電極5を1つのみ備えているとする。近接センサ1D~1Fは、X軸方向(第1方向)と直交する断面における送信電極5及び受信電極4の形状において、実施形態と相違する。また、近接センサ1D~1Fは、導体3及び基体2の形状が平板状である点でも、実施形態と相違する。
 近接センサ1Dでは、上記断面における送信電極5及び受信電極4の形状は、円を、円周上の2点を結ぶ線分で2つの図形に分割した場合の、面積が大きい方の図形の形状である。送信電極5及び受信電極4のうち、上記線分を含む下面が、基体2と接触している。
 近接センサ1Eでは、上記断面における送信電極5及び受信電極4の形状は、半円と、上記半円の直径を上底とする等脚台形と、を組み合わせた形状である。上記等脚台形の上底は、下底よりも長い。送信電極5及び受信電極4のうち、上記等脚台形の下底を含む下面が、基体2と接触している。
 近接センサ1Fでは、上記断面における送信電極5及び受信電極4の形状は、半円と、上記半円の直径を一辺とする長方形と、を組み合わせた形状である。送信電極5及び受信電極4は、上記長方形のうち上記一辺と対向する辺を含む下面を有し、当該下面が、基体2と接触している。
 (11)変形例7~9
 以下、図15~図17を参照して、実施形態の変形例7~9に係る近接センサ1G~1Iについて説明する。近接センサ1G~1Iでは、X軸方向(第1方向)と直交する断面における基体2及び導体3の形状は、弧状である。
 近接センサ1Gは、図12における送信電極5及び受信電極4を、弧状の基体2及び導体3を備える近接センサに配置した構成である。
 近接センサ1Hは、図13における送信電極5及び受信電極4を、弧状の基体2及び導体3を備える近接センサに配置した構成である。
 近接センサ1Iは、図14における送信電極5及び受信電極4を、弧状の基体2及び導体3を備える近接センサに配置した構成である。
 (12)変形例10
 次に、図18を参照して、変形例10に係る近接センサ1Jについて説明する。
 近接センサ1Jは、複数(図18では4つ)の送信電極5と、複数(図18では3つ)の受信電極4と、を備える。X軸方向(第1方向)と直交する断面において、複数の送信電極5及び複数の受信電極4は、円弧状に並んでいる。
 導体3は、複数(図18では6つ)の凸状領域30を有する。X軸方向(第1方向)と直交する断面において、複数の凸状領域30の各々の形状は、円弧状である。複数の凸状領域30は、円弧状に並んでいる。また、導体3は、互いに隣り合う2つの凸状領域30の間に、凹状領域33を有する。つまり、導体3は、複数(図18では7つ)の凹状領域33を有する。各凹状領域33に対して基体2を介して対向する領域には、対応する送信電極5又は受信電極4が配置されている。これにより、導体3に沿って、送信電極5と受信電極4とが交互に並んでいる。
 複数の受信電極4のうち特定の受信電極4を、受信電極4bと称す。また、複数の送信電極5のうち受信電極4bと隣り合う2つの送信電極5をそれぞれ、送信電極5a、5cと称す。送信電極5aと受信電極4bとが並んでいる方向に沿った方向を第2方向(Y軸方向)と規定すると、少なくとも、送信電極5aと受信電極4bと送信電極5cとは、第2方向に沿って並んでいる。また、少なくとも、送信電極5aと受信電極4bと送信電極5cとは、対応する凹状領域33に対して上(Z軸の正の方向)に配置されている。
 近接センサ1Jは、カバー6を更に備える。カバー6は、電気絶縁性を有する。カバー6は、基体2及び導体3を保持している。X軸方向(第1方向)と直交する断面において、カバー6の形状は、半円弧状である。上記断面におけるカバー6の両端には、カバー6の内側に向かって延びる爪部61が設けられている。すなわち、カバー6は、2つの爪部61を有する。2つの爪部61には、基体2及び導体3が保持されている。カバー6は、X軸方向に沿って延びている。
 複数の送信電極5及び複数の受信電極4は、基体2とカバー6との間に配置されている。これにより、複数の送信電極5及び複数の受信電極4は、外部に露出しない状態にされている。
 このように構成された近接センサ1Jでは、カバー6の径方向における外側に位置する検知対象の移動に応じて、各送信電極5と、これに隣り合う受信電極4との間の静電容量が変化するので、近接センサ1Jにより、検知対象を検知することができる。
 X軸方向(第1方向)と直交する断面において、カバー6の形状は、半円弧状に限定されず、例えば、半円弧よりも長い若しくは短い円弧状、又は、円環状であってもよい。
 なお、実施形態のように送信電極5と受信電極4とがY軸方向に並んで配置される場合(図2参照)であっても、複数の送信電極5及び複数の受信電極4が交互に並んで配置されてもよい。
 (13)その他の変形例
 以下、実施形態のその他の変形例を列挙する。以下の変形例は、適宜組み合わせて実現されてもよい。また、以下の変形例は、上述の各変形例と適宜組み合わせて実現されてもよい。
 機器10は、ロボットアームに限定されない。機器10は、例えば、他のロボット、ラジコン、照明器具、パーソナルコンピュータ、ディスプレイ、音響機器又は家電機器等であってもよい。さらに、近接センサ1は、機器10の機能部9の動作を制御するためのユーザの操作を受け付ける操作デバイスの一構成であってもよい。この場合、ユーザが手又は身体等を操作デバイスに接近させること、又は、所定の動きをすることが操作に相当し、近接センサ1が操作を検知し、これに応じて機能部9が所定の動作をする。
 機器10に、複数の近接センサ1を設置してもよい。例えば、複数の近接センサ1を所定間隔をあけて一列に並べて設置し、複数の近接センサ1を同期して駆動させる(駆動電圧を印加する)ことによって、複数の近接センサ1が一列に並んでいる方向への検知対象の移動を検出することもできる。この検出状況に応じて、機器10側の所定の制御を行うこともできる。例えば、表示部付きの機器10であれば、表示部の画面内での選択位置を、複数の近接センサ1の検出状況に応じて移動させたり、画面をスクロールさせたりする等の制御を行うようにしてもよい。
 制御システム8と機能部9とが、1つの装置(機器10)に集約されていることは必須ではなく、制御システム8を備える装置と、機能部9を備える装置と、がそれぞれ設けられてもよい。
 受信電極4及び複数の送信電極5の第1芯材511、第2芯材41及び第3芯材521は、導電性を有していてもよい。第1芯材511、第2芯材41及び第3芯材521の材料は、導電性の材質であってもよい。第1芯材511、第2芯材41及び第3芯材521の材料は、金属(例えば銅など)であってもよい。
 導電性の材質の第1芯材511と第1導電層512とは異なる材質でもよいし、または同じ材質であってもよい。例えば導電性の円柱状の棒状材を用いて第1送信電極51を構成する場合、第1導電層512を無くしてもよい。詳細な記載は省略するが、第2芯材41及び第3芯材521についても同様である。
 送信電極5の個数は、2つに限定されず、1つ又は3つ以上であってもよい。受信電極4の個数は、1つに限定されず、2つ以上であってもよい。例えば、近接センサ1は、2つの受信電極4と、2つの受信電極4の間に配置された1つの送信電極5と、を備えていてもよい。
 (まとめ)
 以上説明した実施形態等から、以下の態様が開示されている。
 第1の態様に係る近接センサ(1、1A~1J)は、相互容量式の近接センサである。近接センサ(1、1A~1J)は、導体(3)と、受信電極(4)と、第1送信電極(51)と、を備える。導体(3)は、上面(3U)を有する。受信電極(4)は、導体(3)の上面(3U)から上方向に離れており、第1方向に沿って延びる。第1方向は、上方向と直交する。第1送信電極(51)は、導体(3)の上面(3U)から上方向に離れており、第1方向に沿って延びる。第1送信電極(51)と受信電極(4)とは、第2方向に並んでいる。第2方向は、上方向及び第1方向の両方と直交する。第1方向と直交する断面において第1送信電極(51)の上面(51U)は上方向に膨らんだ形状である。
 上記の構成によれば、第1送信電極(51)の上面(51U)が平面である場合と比較して、第1送信電極(51)の上面(51U)の面積が大きくなる。そのため、近接センサ(1、1A~1J)に検知対象が接近したときの第1送信電極(51)と受信電極(4)との間の静電容量の変化量が増加し、これにより、検知対象に対する検知感度を向上させることができる。
 また、第2の態様に係る近接センサ(1、1A~1J)では、第1の態様において、第1方向と直交する断面において、第1送信電極(51)の上面(51U)は円弧状の形状である。
 上記の構成によれば、第1送信電極(51)の上面(51U)の面積を大きくすることができる。
 また、第3の態様に係る近接センサ(1、1A~1C、1J)では、第2の態様において、第1方向と直交する断面において、第1送信電極(51)は円状の形状である。
 上記の構成によれば、第1送信電極(51)の指向性を低くできる。
 また、第4の態様に係る近接センサ(1、1B~1C、1G~1J)では、第1~3の態様のいずれか1つにおいて、導体(3)の上面(3U)は、凸状領域(30)を有する。凸状領域(30)は、第1方向に沿って延びて上方向に膨らんだ形状である。上から見て、凸状領域(30)の上端(310)は、第1送信電極(51)と受信電極(4)との間に位置する。
 上記の構成によれば、凸状領域(30)が無い場合と比較して、検知対象に対する検知感度を向上させることができる。
 また、第5の態様に係る近接センサ(1、1B~1C、1G~1J)では、第4の態様において、第1方向と直交する断面において、凸状領域(30)は円弧状の形状である。
 上記の構成によれば、検知対象に対する検知感度を更に向上させることができる。
 また、第6の態様に係る近接センサ(1、1B~1C、1G~1J)では、第5の態様において、第1方向と直交する断面において、凸状領域(30)の曲率半径(R1)は、第2方向における第1送信電極(51)の幅(W1)の1/4倍以上4倍以下である。
 上記の構成によれば、検知対象に対する検知感度を更に向上させることができる。
 また、第7の態様に係る近接センサ(1、1B~1C、1G~1J)では、第5又は6の態様において、第1方向と直交する断面において、凸状領域(30)の曲率中心(Q1)と受信電極(4)とを結ぶ第1線分(J1)と、凸状領域(30)の曲率中心(Q1)と第1送信電極(51)とを結ぶ第2線分(J2)と、がなす角(θ1)の大きさは、60度以上180度以下である。
 上記の構成によれば、検知対象に対する検知感度を更に向上させることができる。
 また、第8の態様に係る近接センサ(1、1A~1J)は、第1~7の態様のいずれか1つにおいて、第1送信電極(51)のうち第1方向に沿って延びる表面の面積と、受信電極(4)のうち第1方向に沿って延びる表面の面積との比は、感度に応じて設定されている。
 上記の構成によれば、近接センサ(1、1A~1J)の感度として、所望の感度を得られる。
 また、第9の態様に係る近接センサ(1、1J)は、第1~8の態様のいずれか1つにおいて、第2送信電極(52)を更に備える。第2送信電極(52)は、導体(3)の上面(3U)から上方向に離れており、第1方向に沿って延びる。第1送信電極(51)は、受信電極(4)に対して、第2方向と平行な両方向のうち一方向の側に配置されている。第2送信電極(52)は、受信電極(4)に対して、第2方向と平行な両方向のうち他方向の側に配置されている。
 上記の構成によれば、第2送信電極(52)が無い場合と比較して、より広い空間範囲内の検知対象を検知できる。
 また、第10の態様に係る近接センサ(1、1J)では、第9の態様において、第1方向と直交する断面において、第2送信電極(52)の上面(52U)は上方向に膨らんだ形状である。
 上記の構成によれば、第2送信電極(52)の上面(52U)が平面である場合と比較して、第2送信電極(52)の上面(52U)の面積が大きくなる。そのため、近接センサ(1J)に検知対象が接近したときの第2送信電極(52)と受信電極(4)との間の静電容量の変化量が増加し、これにより、検知対象に対する検知感度を向上させることができる。
 また、第11の態様に係る近接センサ(1、1J)では、第10の態様において、第1方向と直交する断面において、第2送信電極(52)は円状の形状である。
 上記の構成によれば、第2送信電極(52)の指向性を低くできる。
 また、第12の態様に係る近接センサ(1、1J)では、第9~11の態様のいずれか1つにおいて、導体(3)の上面(3U)は、第1凸状領域(31)と、第2凸状領域(32)と、凹状領域(33)と、を有する。第1凸状領域(31)は、第1方向に沿って延びて上方向に膨らんだ形状である。第2凸状領域(32)は、第1方向に沿って延びて上方向に膨らんだ形状である。凹状領域(33)は、第2方向における第1凸状領域(31)の上端(310)と第2凸状領域(32)の上端(320)との間の位置であって、受信電極(4)の下に設けられており、第1方向に沿って延びて下方向に凹んだ形状である。上から見て、第1凸状領域(31)の上端(310)は、第1送信電極(51)と受信電極(4)との間に位置する。上から見て、第2凸状領域(32)の上端(320)は、第2送信電極(52)と受信電極(4)との間に位置する。
 上記の構成によれば、第1凸状領域(31)及び第2凸状領域(32)が無い場合と比較して、検知対象に対する検知感度を向上させることができる。
 また、第13の態様に係る近接センサ(1、1J)では、第12の態様において、第1方向と直交する断面において、第1凸状領域(31)及び第2凸状領域(32)の各々は円弧状の形状である。
 上記の構成によれば、検知対象に対する検知感度を更に向上させることができる。
 また、第14の態様に係る近接センサ(1、1J)は、第9~13の態様のいずれか1つにおいて、第2送信電極(52)のうち第1方向に沿って延びる表面の面積と、受信電極(4)のうち第1方向に沿って延びる表面の面積との比は、感度に応じて設定されている。
 上記の構成によれば、近接センサ(1、1J)の感度として、所望の感度を得られる。
 また、第15の態様に係る近接センサ(1、1A~1J)では、第1~14の態様のいずれか1つにおいて、導体(3)はグランドに接続される。
 上記の構成によれば、静電シールドとしての導体(3)が接地されるため、近接センサ(1、1A~1J)の耐ノイズ性能を向上させることができる。
 また、第16の態様に係る近接センサ(1、1A~1J)では、第1~15の態様のいずれか1つにおいて、第1送信電極(51)は、電気絶縁性を有する第1芯材(511)と、第1芯材(511)を覆う第1導電層(512)と、を含む。受信電極(4)は、電気絶縁性を有する第2芯材(41)と、第2芯材(41)を覆う第2導電層(42)と、を含む。
 上記の構成によれば、第1送信電極(51)及び受信電極(4)を簡素な構成とすることができる。
 また、第17の態様に係る近接センサ(1、1A~1J)は、第1~16の態様のいずれか1つにおいて、電気絶縁性を有する基体(2)を更に備える。基体(2)は、導体(3)の上面(3U)と接触している下面(2L)と、第1送信電極(51)及び受信電極(4)が配置された上面(2U)と、を含む。
 上記の構成によれば、第1送信電極(51)及び受信電極(4)と導体(3)との間に基体(2)が挟まれているので、第1送信電極(51)及び受信電極(4)と導体(3)との間の距離を確保できる。
 また、第18の態様に係る近接センサ(1、1J)は、相互容量式の近接センサである。近接センサ(1、1J)は、導体(3)と、受信電極(4)と、第1送信電極(51)と、第2送信電極(52)と、を備える。導体(3)は、上面(3U)を有する。受信電極(4)は、導体(3)の上面(3U)から上方向に離れており、第1方向に沿って延びる。第1方向は、上方向と直交する。第1送信電極(51)は、導体(3)の上面(3U)から上方向に離れており、第1方向に沿って延びる。第2送信電極(52)は、導体(3)の上面(3U)から上方向に離れており、第1方向に沿って延びる。第1送信電極(51)は、受信電極(4)に対して、第2方向と平行な両方向のうち一方向の側に配置されている。第2方向は、上方向及び第1方向の両方と直交する。第2送信電極(52)は、受信電極(4)に対して、第2方向と平行な両方向のうち他方向の側に配置されている。導体(3)の上面(3U)は、第1凸状領域(31)と、第2凸状領域(32)と、凹状領域(33)と、を有する。第1凸状領域(31)は、第1方向に沿って延びて上方向に膨らんだ形状である。第2凸状領域(32)は、第1方向に沿って延びて上方向に膨らんだ形状である。凹状領域(33)は、第2方向における第1凸状領域(31)の上端(310)と第2凸状領域(32)の上端(320)との間の位置であって、受信電極(4)の下に設けられており、第1方向に沿って延びて下方向に膨らんだ形状である。上から見て、第1凸状領域(31)の上端(310)は、第1送信電極(51)と受信電極(4)との間に位置する。上から見て、第2凸状領域(32)の上端(320)は、第2送信電極(52)と受信電極(4)との間に位置する。第1方向と直交する断面において第1送信電極(51)の上面(51U)は上方向に膨らんだ形状である。第1方向と直交する断面において第2送信電極(52)の上面(52U)は上方向に膨らんだ形状である。
 上記の構成によれば、第1送信電極(51)の上面(51U)及び第2送信電極(52)の上面(52U)が平面である場合と比較して、各上面(51U、52U)の面積が大きくなる。そのため、近接センサ(1、1J)に検知対象が接近したときの第1送信電極(51)及び第2送信電極(52)と受信電極(4)との間の静電容量の変化量が増加し、これにより、検知対象に対する検知感度を向上させることができる。
 また、第19の態様に係る近接センサ(1、1J)では、第18の態様において、第1方向と直交する断面において、第1凸状領域(31)及び第2凸状領域(32)の各々は円弧状の形状である。
 上記の構成によれば、検知対象に対する検知感度を更に向上させることができる。
 また、第20の態様に係る近接センサ(1、1J)では、第19の態様において、第1方向と直交する断面において、第1凸状領域(31)の曲率中心(Q1)と受信電極(4)とを結ぶ第1線分(J1)と、第1凸状領域(31)の曲率中心(Q1)と第1送信電極(51)とを結ぶ第2線分(J2)と、がなす角(θ1)の大きさは、60度以上180度以下である。
 上記の構成によれば、検知対象に対する検知感度を更に向上させることができる。
 また、第21の態様に係る近接センサ(1、1J)では、第19又は20の態様において、第1方向と直交する断面において、第2凸状領域(32)の曲率中心(Q2)と受信電極(4)とを結ぶ線分(J3)と、第2凸状領域(32)の曲率中心(Q2)と第2送信電極(52)とを結ぶ線分(J4)と、がなす角(θ2)の大きさは、60度以上180度以下である。
 上記の構成によれば、検知対象に対する検知感度を更に向上させることができる。
 また、第22の態様に係る近接センサ(1、1J)は、第18~21の態様のいずれか1つにおいて、第1送信電極(51)のうち第1方向に沿って延びる表面の面積と、受信電極(4)のうち第1方向に沿って延びる表面の面積との比は、感度に応じて設定されている。
 上記の構成によれば、近接センサ(1、1J)の感度として、所望の感度を得られる。
 また、第23の態様に係る近接センサ(1、1J)では、第18~22の態様のいずれか1つにおいて、導体(3)はグランドに接続される。
 上記の構成によれば、静電シールドとしての導体(3)が接地されるため、近接センサ(1、1J)の耐ノイズ性能を向上させることができる。
 また、第24の態様に係る近接センサ(1、1J)では、第18~23の態様のいずれか1つにおいて、第1送信電極(51)は、電気絶縁性を有する第1芯材(511)と、第1芯材(511)を覆う第1導電層(512)と、を含む。受信電極(4)は、電気絶縁性を有する第2芯材(41)と、第2芯材(41)を覆う第2導電層(42)とを含む。第2送信電極(52)は、電気絶縁性を有する第3芯材(521)と、第3芯材(521)を覆う第3導電層(522)と、を含む。
 上記の構成によれば、第1送信電極(51)、第2送信電極(52)及び受信電極(4)を簡素な構成とすることができる。
 また、第25の態様に係る近接センサ(1、1J)は、第18~24の態様のいずれか1つにおいて、電気絶縁性を有する基体(2)を更に備える。基体(2)は、導体(3)の上面(3U)と接触している下面(2L)と、第1送信電極(51)、第2送信電極(52)及び受信電極(4)が配置された上面(2U)と、を含む。
 上記の構成によれば、第1送信電極(51)及び第2送信電極(52)及び受信電極(4)と導体(3)との間に基体(2)が挟まれているので、第1送信電極(51)、第2送信電極(52)及び受信電極(4)と導体(3)との間の距離を確保できる。
 第1の態様以外の構成については、近接センサ(1、1A~1J)に必須の構成ではなく、適宜省略可能である。
 また、第26の態様に係る制御システムは、第1~25の態様のいずれか1つに係る近接センサ(1、1A~1J)と、出力部(821)と、を備える。出力部(821)は、近接センサ(1、1A~1J)からの出力に応じて機器(10)を制御する制御信号を出力する。
 上記の構成によれば、近接センサ(1、1A~1J)の検知感度が比較的高いので、近接センサ(1、1A~1J)の検知結果に基づいてなされる機器(10)に対する制御の精度を高められる。
 また、第27の態様に係る機器(10)は、第1~25の態様のいずれか1つに係る近接センサ(1、1A~1J)と、機能部(9)と、を備える。機能部(9)は、近接センサ(1、1A~1J)からの出力に応じて動作する。
 上記の構成によれば、近接センサ(1、1A~1J)の検知感度が比較的高いので、近接センサ(1、1A~1J)から出力される信号に基づいてなされる機能部(9)に対する制御の精度を高められる。
1、1A~1J 近接センサ
2 基体
2L 下面
2U 上面
3 導体
3U 上面
4 受信電極
9 機能部
10 機器
30 凸状領域
31 第1凸状領域
32 第2凸状領域
33 凹状領域
41 第2芯材
42 第2導電層
51 第1送信電極
51U 上面
52 第2送信電極
52U 上面
310、320 上端
511 第1芯材
512 第1導電層
521 第3芯材
522 第3導電層
821 出力部
J1 第1線分
J2 第2線分
J3、J4 線分
Q1、Q2 曲率中心
R1、R2 曲率半径
W1 幅
θ1、θ2 角

Claims (27)

  1.  上面を有する導体と、
     前記導体の前記上面から上方向に離れており、前記上方向と直交する第1方向に沿って延びる受信電極と、
     前記導体の前記上面から前記上方向に離れており、前記第1方向に沿って延びる第1送信電極と、を備える相互容量式の近接センサであって、
     前記第1送信電極と前記受信電極とは、前記上方向及び前記第1方向の両方と直交する第2方向に並んでおり、
     前記第1方向と直交する断面において前記第1送信電極の上面は前記上方向に膨らんだ形状である、
     近接センサ。
  2.  前記第1方向と直交する前記断面において、前記第1送信電極の前記上面は円弧状の形状である、
     請求項1に記載の近接センサ。
  3.  前記第1方向と直交する前記断面において、前記第1送信電極は円状の形状である、
     請求項2に記載の近接センサ。
  4.  前記導体の前記上面は、前記第1方向に沿って延びて前記上方向に膨らんだ形状である凸状領域を有し、
     上から見て、前記凸状領域の上端は、前記第1送信電極と前記受信電極との間に位置する、
     請求項1~3のいずれか一項に記載の近接センサ。
  5.  前記第1方向と直交する前記断面において、前記凸状領域は円弧状の形状である、
     請求項4に記載の近接センサ。
  6.  前記第1方向と直交する前記断面において、前記凸状領域の曲率半径は、前記第2方向における前記第1送信電極の幅の1/4倍以上4倍以下である、
     請求項5に記載の近接センサ。
  7.  前記第1方向と直交する前記断面において、前記凸状領域の曲率中心と前記受信電極とを結ぶ第1線分と、前記凸状領域の前記曲率中心と前記第1送信電極とを結ぶ第2線分と、がなす角の大きさは、60度以上180度以下である、
     請求項5又は6に記載の近接センサ。
  8.  前記第1送信電極のうち前記第1方向に沿って延びる表面の面積と、前記受信電極のうち前記第1方向に沿って延びる表面の面積との比は、感度に応じて設定されている、
     請求項1~7のいずれか一項に記載の近接センサ。
  9.  前記導体の前記上面から前記上方向に離れており、前記第1方向に沿って延びる第2送信電極を更に備え、
     前記第1送信電極は、前記受信電極に対して、前記第2方向と平行な両方向のうち一方向の側に配置されており、
     前記第2送信電極は、前記受信電極に対して、前記第2方向と平行な前記両方向のうち他方向の側に配置されている、
     請求項1~8のいずれか一項に記載の近接センサ。
  10.  前記第1方向と直交する前記断面において、前記第2送信電極の上面は前記上方向に膨らんだ形状である、
     請求項9に記載の近接センサ。
  11.  前記第1方向と直交する前記断面において、前記第2送信電極は円状の形状である、
     請求項10に記載の近接センサ。
  12.  前記導体の前記上面は、
      前記第1方向に沿って延びて前記上方向に膨らんだ形状である第1凸状領域と、
      前記第1方向に沿って延びて前記上方向に膨らんだ形状である第2凸状領域と、
      前記第2方向における前記第1凸状領域の上端と前記第2凸状領域の上端との間の位置であって、前記受信電極の下に設けられており、前記第1方向に沿って延びて下方向に凹んだ形状である凹状領域と、を有し、
     上から見て、前記第1凸状領域の前記上端は、前記第1送信電極と前記受信電極との間に位置し、
     上から見て、前記第2凸状領域の前記上端は、前記第2送信電極と前記受信電極との間に位置する、
     請求項9~11のいずれか一項に記載の近接センサ。
  13.  前記第1方向と直交する前記断面において、前記第1凸状領域及び前記第2凸状領域の各々は円弧状の形状である、
     請求項12に記載の近接センサ。
  14.  前記第2送信電極のうち前記第1方向に沿って延びる表面の面積と、前記受信電極のうち前記第1方向に沿って延びる表面の面積との比は、感度に応じて設定されている、
     請求項9~13のいずれか一項に記載の近接センサ。
  15.  前記導体はグランドに接続される、
     請求項1~14のいずれか一項に記載の近接センサ。
  16.  前記第1送信電極は、電気絶縁性を有する第1芯材と、前記第1芯材を覆う第1導電層と、を含み、
     前記受信電極は、電気絶縁性を有する第2芯材と、前記第2芯材を覆う第2導電層と、を含む、
     請求項1~15のいずれか一項に記載の近接センサ。
  17.  電気絶縁性を有する基体を更に備え、
     前記基体は、前記導体の前記上面と接触している下面と、前記第1送信電極及び前記受信電極が配置された上面と、を含む、
     請求項1~16のいずれか一項に記載の近接センサ。
  18.  上面を有する導体と、
     前記導体の前記上面から上方向に離れており、前記上方向と直交する第1方向に沿って延びる受信電極と、
     前記導体の前記上面から前記上方向に離れており、前記第1方向に沿って延びる第1送信電極と、
     前記導体の前記上面から前記上方向に離れており、前記第1方向に沿って延びる第2送信電極と、を備える相互容量式の近接センサであって、
     前記第1送信電極は、前記受信電極に対して、前記上方向及び前記第1方向の両方と直交する第2方向と平行な両方向のうち一方向の側に配置されており、
     前記第2送信電極は、前記受信電極に対して、前記第2方向と平行な前記両方向のうち他方向の側に配置されており、
     前記導体の前記上面は、
      前記第1方向に沿って延びて前記上方向に膨らんだ形状である第1凸状領域と、
      前記第1方向に沿って延びて前記上方向に膨らんだ形状である第2凸状領域と、
      前記第2方向における前記第1凸状領域の上端と前記第2凸状領域の上端との間の位置であって、前記受信電極の下に設けられており、前記第1方向に沿って延びて下方向に膨らんだ形状である凹状領域と、を有し、
     上から見て、前記第1凸状領域の前記上端は、前記第1送信電極と前記受信電極との間に位置し、
     上から見て、前記第2凸状領域の前記上端は、前記第2送信電極と前記受信電極との間に位置し、
     前記第1方向と直交する断面において前記第1送信電極の上面は前記上方向に膨らんだ形状であり、
     前記第1方向と直交する前記断面において前記第2送信電極の上面は前記上方向に膨らんだ形状である、
     近接センサ。
  19.  前記第1方向と直交する前記断面において、前記第1凸状領域及び前記第2凸状領域の各々は円弧状の形状である、
     請求項18に記載の近接センサ。
  20.  前記第1方向と直交する前記断面において、前記第1凸状領域の曲率中心と前記受信電極とを結ぶ第1線分と、前記第1凸状領域の前記曲率中心と前記第1送信電極とを結ぶ第2線分と、がなす角の大きさは、60度以上180度以下である、
     請求項19に記載の近接センサ。
  21.  前記第1方向と直交する前記断面において、前記第2凸状領域の曲率中心と前記受信電極とを結ぶ線分と、前記第2凸状領域の前記曲率中心と前記第2送信電極とを結ぶ線分と、がなす角の大きさは、60度以上180度以下である、
     請求項19又は20に記載の近接センサ。
  22.  前記第1送信電極のうち前記第1方向に沿って延びる表面の面積と、前記受信電極のうち前記第1方向に沿って延びる表面の面積との比は、感度に応じて設定されている、
     請求項18~21のいずれか一項に記載の近接センサ。
  23.  前記導体はグランドに接続される、
     請求項18~22のいずれか一項に記載の近接センサ。
  24.  前記第1送信電極は、電気絶縁性を有する第1芯材と、前記第1芯材を覆う第1導電層と、を含み、
     前記受信電極は、電気絶縁性を有する第2芯材と、前記第2芯材を覆う第2導電層とを含み、
     前記第2送信電極は、電気絶縁性を有する第3芯材と、前記第3芯材を覆う第3導電層と、を含む、
     請求項18~23のいずれか一項に記載の近接センサ。
  25.  電気絶縁性を有する基体を更に備え、
     前記基体は、前記導体の前記上面と接触している下面と、前記第1送信電極、前記第2送信電極及び前記受信電極が配置された上面と、を含む、
     請求項18~24のいずれか一項に記載の近接センサ。
  26.  請求項1~25のいずれか一項に記載の近接センサと、
     前記近接センサからの出力に応じて機器を制御する制御信号を出力する出力部と、を備える、
     制御システム。
  27.  請求項1~25のいずれか一項に記載の近接センサと、
     前記近接センサからの出力に応じて動作する機能部と、を備える、
     機器。
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