WO2022070712A1 - 近接センサ、制御システム及び機器 - Google Patents
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Abstract
Description
以下、実施形態に係る近接センサ、制御システム及び機器について、図面を用いて説明する。ただし、下記の実施形態は、本開示の様々な実施形態の1つに過ぎない。下記の実施形態は、本開示の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。また、下記の実施形態において説明する各図は、模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさ及び厚さそれぞれの比が必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。また、実施形態及び各変形例において、共通する構成要素には同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略している。
図1~図3に示すように、本実施形態の近接センサ1は、相互容量式の近接センサである。近接センサ1は、導体3と、受信電極4と、送信電極5と、を備える。導体3は、上面3Uを有する。受信電極4は、導体3の上面3Uから上方向に離れており、第1方向に沿って延びる。第1方向は、上方向と直交する。送信電極5は、導体3の上面3Uから上方向に離れており、第1方向に沿って延びる。送信電極5と受信電極4とは、第2方向に並んでいる。第2方向は、上方向及び第1方向の両方と直交する。第1方向と直交する断面において送信電極5の上面5Uは上方向に膨らんだ形状である。
図4に示すように、機器10は、制御システム8と、機能部9と、を備える。機能部9は、例えば、モータ91と、モータ91の動作を制御するモータ制御回路92と、を含む。制御システム8は、機能部9の動作を制御する。
演算部823は、静電容量C3を、例えば、スイッチドキャパシタ方式により検知する。スイッチドキャパシタ方式では、静電容量が検知される対象である対象コンデンサに蓄積される電荷の量に基づいて、対象コンデンサの静電容量(の変化)を検知する。ここでは、対象コンデンサは、第1送信電極51及び受信電極4を一対の対向電極とするコンデンサと、第2送信電極52及び受信電極4を一対の対向電極とするコンデンサと、である。
図2に示すように、近接センサ1は、第1送信電極51、第2送信電極52、受信電極4及び導体3に加えて、基体2を更に備える。図3では、基体2の図示を省略している。
図5に、比較例に係る近接センサ1Pを示す。近接センサ1Pは、送信電極5Pと、受信電極4Pと、導体3Pと、基体2Pと、を備える。送信電極5Pは平板状に形成されており、送信電極5Pの上面50Pは平面状である。受信電極4Pは平板状に形成されており、受信電極4Pの上面40Pは平面状である。
以下、実施形態の変形例1~3に係る近接センサ1A~1Cについて説明する。近接センサ1A~1Cは、送信電極5を1つのみ備えているとする。
図9は、角θ1(図2参照)の大きさと、近接センサ1の検知感度と、の関係を表すグラフである。角θ1は、X軸方向(第1方向)と直交する断面において、第1凸状領域31の曲率中心Q1と受信電極4とを結ぶ第1線分J1と、第1凸状領域31の曲率中心Q1と第1送信電極51とを結ぶ第2線分J2と、がなす角である。図9に示す例では、近接センサ1は、第1送信電極51と第2送信電極52とのうち、第1送信電極51のみを備えているとする。
図10は、導体3の凸状領域30の曲率半径R1と交点容量との関係、及び、曲率半径R1とΔ容量との関係を表すグラフである。シミュレーションにより、交点容量及びΔ容量を求めた。図10において、交点容量のスケールはΔ容量のスケールとは異なる。
図11に示す例では、近接センサ1は、第1送信電極51と第2送信電極52とのうち、第1送信電極51のみを備えているとする。図11は、面積比とΔ容量との関係を示すグラフである。シミュレーションにより、Δ容量を求めた。上記面積比は、第1送信電極51のうち第1方向に沿って延びる外周面510(図1参照)の表面積(以下、「表面積S51」と表記する)と、受信電極4のうち第1方向に沿って延びる外周面400(図1参照)の表面積(以下、「表面積S4」と表記する)と、の比である。外周面510は上面51Uを含み、外周面400は上面4Uを含む。以下では、上記面積比を「面積比r1」と表記する。S51<S4の場合は、面積比r1=S51/S4として求め、S4<S51の場合は、面積比r1=S4/S51として求め、いずれの場合も同じ結果が得られた。なお、図11におけるΔ容量は、特定の値を1.0として上記特定の値との比を表した相対値である。
以下、図12~図14を参照して、実施形態の変形例4~6に係る近接センサ1D~1Fについて説明する。近接センサ1D~1Fは、送信電極5を1つのみ備えているとする。近接センサ1D~1Fは、X軸方向(第1方向)と直交する断面における送信電極5及び受信電極4の形状において、実施形態と相違する。また、近接センサ1D~1Fは、導体3及び基体2の形状が平板状である点でも、実施形態と相違する。
以下、図15~図17を参照して、実施形態の変形例7~9に係る近接センサ1G~1Iについて説明する。近接センサ1G~1Iでは、X軸方向(第1方向)と直交する断面における基体2及び導体3の形状は、弧状である。
次に、図18を参照して、変形例10に係る近接センサ1Jについて説明する。
以下、実施形態のその他の変形例を列挙する。以下の変形例は、適宜組み合わせて実現されてもよい。また、以下の変形例は、上述の各変形例と適宜組み合わせて実現されてもよい。
以上説明した実施形態等から、以下の態様が開示されている。
2 基体
2L 下面
2U 上面
3 導体
3U 上面
4 受信電極
9 機能部
10 機器
30 凸状領域
31 第1凸状領域
32 第2凸状領域
33 凹状領域
41 第2芯材
42 第2導電層
51 第1送信電極
51U 上面
52 第2送信電極
52U 上面
310、320 上端
511 第1芯材
512 第1導電層
521 第3芯材
522 第3導電層
821 出力部
J1 第1線分
J2 第2線分
J3、J4 線分
Q1、Q2 曲率中心
R1、R2 曲率半径
W1 幅
θ1、θ2 角
Claims (27)
- 上面を有する導体と、
前記導体の前記上面から上方向に離れており、前記上方向と直交する第1方向に沿って延びる受信電極と、
前記導体の前記上面から前記上方向に離れており、前記第1方向に沿って延びる第1送信電極と、を備える相互容量式の近接センサであって、
前記第1送信電極と前記受信電極とは、前記上方向及び前記第1方向の両方と直交する第2方向に並んでおり、
前記第1方向と直交する断面において前記第1送信電極の上面は前記上方向に膨らんだ形状である、
近接センサ。 - 前記第1方向と直交する前記断面において、前記第1送信電極の前記上面は円弧状の形状である、
請求項1に記載の近接センサ。 - 前記第1方向と直交する前記断面において、前記第1送信電極は円状の形状である、
請求項2に記載の近接センサ。 - 前記導体の前記上面は、前記第1方向に沿って延びて前記上方向に膨らんだ形状である凸状領域を有し、
上から見て、前記凸状領域の上端は、前記第1送信電極と前記受信電極との間に位置する、
請求項1~3のいずれか一項に記載の近接センサ。 - 前記第1方向と直交する前記断面において、前記凸状領域は円弧状の形状である、
請求項4に記載の近接センサ。 - 前記第1方向と直交する前記断面において、前記凸状領域の曲率半径は、前記第2方向における前記第1送信電極の幅の1/4倍以上4倍以下である、
請求項5に記載の近接センサ。 - 前記第1方向と直交する前記断面において、前記凸状領域の曲率中心と前記受信電極とを結ぶ第1線分と、前記凸状領域の前記曲率中心と前記第1送信電極とを結ぶ第2線分と、がなす角の大きさは、60度以上180度以下である、
請求項5又は6に記載の近接センサ。 - 前記第1送信電極のうち前記第1方向に沿って延びる表面の面積と、前記受信電極のうち前記第1方向に沿って延びる表面の面積との比は、感度に応じて設定されている、
請求項1~7のいずれか一項に記載の近接センサ。 - 前記導体の前記上面から前記上方向に離れており、前記第1方向に沿って延びる第2送信電極を更に備え、
前記第1送信電極は、前記受信電極に対して、前記第2方向と平行な両方向のうち一方向の側に配置されており、
前記第2送信電極は、前記受信電極に対して、前記第2方向と平行な前記両方向のうち他方向の側に配置されている、
請求項1~8のいずれか一項に記載の近接センサ。 - 前記第1方向と直交する前記断面において、前記第2送信電極の上面は前記上方向に膨らんだ形状である、
請求項9に記載の近接センサ。 - 前記第1方向と直交する前記断面において、前記第2送信電極は円状の形状である、
請求項10に記載の近接センサ。 - 前記導体の前記上面は、
前記第1方向に沿って延びて前記上方向に膨らんだ形状である第1凸状領域と、
前記第1方向に沿って延びて前記上方向に膨らんだ形状である第2凸状領域と、
前記第2方向における前記第1凸状領域の上端と前記第2凸状領域の上端との間の位置であって、前記受信電極の下に設けられており、前記第1方向に沿って延びて下方向に凹んだ形状である凹状領域と、を有し、
上から見て、前記第1凸状領域の前記上端は、前記第1送信電極と前記受信電極との間に位置し、
上から見て、前記第2凸状領域の前記上端は、前記第2送信電極と前記受信電極との間に位置する、
請求項9~11のいずれか一項に記載の近接センサ。 - 前記第1方向と直交する前記断面において、前記第1凸状領域及び前記第2凸状領域の各々は円弧状の形状である、
請求項12に記載の近接センサ。 - 前記第2送信電極のうち前記第1方向に沿って延びる表面の面積と、前記受信電極のうち前記第1方向に沿って延びる表面の面積との比は、感度に応じて設定されている、
請求項9~13のいずれか一項に記載の近接センサ。 - 前記導体はグランドに接続される、
請求項1~14のいずれか一項に記載の近接センサ。 - 前記第1送信電極は、電気絶縁性を有する第1芯材と、前記第1芯材を覆う第1導電層と、を含み、
前記受信電極は、電気絶縁性を有する第2芯材と、前記第2芯材を覆う第2導電層と、を含む、
請求項1~15のいずれか一項に記載の近接センサ。 - 電気絶縁性を有する基体を更に備え、
前記基体は、前記導体の前記上面と接触している下面と、前記第1送信電極及び前記受信電極が配置された上面と、を含む、
請求項1~16のいずれか一項に記載の近接センサ。 - 上面を有する導体と、
前記導体の前記上面から上方向に離れており、前記上方向と直交する第1方向に沿って延びる受信電極と、
前記導体の前記上面から前記上方向に離れており、前記第1方向に沿って延びる第1送信電極と、
前記導体の前記上面から前記上方向に離れており、前記第1方向に沿って延びる第2送信電極と、を備える相互容量式の近接センサであって、
前記第1送信電極は、前記受信電極に対して、前記上方向及び前記第1方向の両方と直交する第2方向と平行な両方向のうち一方向の側に配置されており、
前記第2送信電極は、前記受信電極に対して、前記第2方向と平行な前記両方向のうち他方向の側に配置されており、
前記導体の前記上面は、
前記第1方向に沿って延びて前記上方向に膨らんだ形状である第1凸状領域と、
前記第1方向に沿って延びて前記上方向に膨らんだ形状である第2凸状領域と、
前記第2方向における前記第1凸状領域の上端と前記第2凸状領域の上端との間の位置であって、前記受信電極の下に設けられており、前記第1方向に沿って延びて下方向に膨らんだ形状である凹状領域と、を有し、
上から見て、前記第1凸状領域の前記上端は、前記第1送信電極と前記受信電極との間に位置し、
上から見て、前記第2凸状領域の前記上端は、前記第2送信電極と前記受信電極との間に位置し、
前記第1方向と直交する断面において前記第1送信電極の上面は前記上方向に膨らんだ形状であり、
前記第1方向と直交する前記断面において前記第2送信電極の上面は前記上方向に膨らんだ形状である、
近接センサ。 - 前記第1方向と直交する前記断面において、前記第1凸状領域及び前記第2凸状領域の各々は円弧状の形状である、
請求項18に記載の近接センサ。 - 前記第1方向と直交する前記断面において、前記第1凸状領域の曲率中心と前記受信電極とを結ぶ第1線分と、前記第1凸状領域の前記曲率中心と前記第1送信電極とを結ぶ第2線分と、がなす角の大きさは、60度以上180度以下である、
請求項19に記載の近接センサ。 - 前記第1方向と直交する前記断面において、前記第2凸状領域の曲率中心と前記受信電極とを結ぶ線分と、前記第2凸状領域の前記曲率中心と前記第2送信電極とを結ぶ線分と、がなす角の大きさは、60度以上180度以下である、
請求項19又は20に記載の近接センサ。 - 前記第1送信電極のうち前記第1方向に沿って延びる表面の面積と、前記受信電極のうち前記第1方向に沿って延びる表面の面積との比は、感度に応じて設定されている、
請求項18~21のいずれか一項に記載の近接センサ。 - 前記導体はグランドに接続される、
請求項18~22のいずれか一項に記載の近接センサ。 - 前記第1送信電極は、電気絶縁性を有する第1芯材と、前記第1芯材を覆う第1導電層と、を含み、
前記受信電極は、電気絶縁性を有する第2芯材と、前記第2芯材を覆う第2導電層とを含み、
前記第2送信電極は、電気絶縁性を有する第3芯材と、前記第3芯材を覆う第3導電層と、を含む、
請求項18~23のいずれか一項に記載の近接センサ。 - 電気絶縁性を有する基体を更に備え、
前記基体は、前記導体の前記上面と接触している下面と、前記第1送信電極、前記第2送信電極及び前記受信電極が配置された上面と、を含む、
請求項18~24のいずれか一項に記載の近接センサ。 - 請求項1~25のいずれか一項に記載の近接センサと、
前記近接センサからの出力に応じて機器を制御する制御信号を出力する出力部と、を備える、
制御システム。 - 請求項1~25のいずれか一項に記載の近接センサと、
前記近接センサからの出力に応じて動作する機能部と、を備える、
機器。
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