WO2022038694A1

WO2022038694A1 - 表示装置およびその製造方法

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Publication number: WO2022038694A1
Application number: PCT/JP2020/031202
Authority: WO
Inventors: 柏張; 浩司安川; 時由梅田; 猶基植竹
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2020-08-19
Filing date: 2020-08-19
Publication date: 2022-02-24
Also published as: US20230309334A1

Abstract

表示装置（１）は、各画素（Ｐ）における発光素子（ＥＳ）の発光層（４３）とその下方の陽極（４１）との間に、複数の発光素子に共通する正孔輸送層（４２）を備えている。正孔輸送層は、発光層に正孔を輸送する正孔輸送部（４２ｂ）と、隣り合う画素における発光素子の間の部分に形成され、隣り合う画素における発光素子間の正孔の輸送をブロッキングする隣接画素正孔ブロッキング部（４２ａ）と、を備えている。

Description

表示装置およびその製造方法

　本開示は、表示装置およびその製造方法に関する。

　従来、発光素子を備えた自発光型の表示装置の製造において、正孔輸送層あるいは電子輸送層を、複数の画素に共通する共通層として形成する方法が用いられている（例えば、特許文献１参照）。

日本国公開特許公報「特開２００３－１４２２７７号公報」

Sung Huh，外５名, UV/Ozone-Oxidized Large-Scale Graphene Platform with Large Chemical Enhancement in Surface-Enhanced Raman Scattering, American Chemical Society, ACSNANO, VOL. 5, No.12, ２０１１年１１月９日, p.9799-9806 Sasha Stankovich, 外８名, Synthesis of graphene-based nanosheets via chemical reduction of exfoliated graphite oxide, Carbon, Volume 45, ２００７年６月７日, p.1558-1565 Yonglai Zhang, 外８名, Direct imprinting of microcircuits on graphene oxides film by femtosecond laser reduction, Nano Today (2010) 5, p15-20

　上述したように、正孔輸送層あるいは電子輸送層を複数の画素に共通する共通層として形成することで、例えば、工程数を削減して製造にかかるコストを削減することができる。

　また、正孔輸送層あるいは電子輸送層を複数の画素に共通する共通層として形成することで、外部からの水、酸素等の異物の浸透を防ぐことができ、より信頼性が高い表示装置を得ることができる。

　しかしながら、正孔輸送層あるいは電子輸送層を、複数の画素に共通する共通層として形成した場合、一つの画素（発光素子）が点灯しているとき、上記共通層を介して、隣接する画素（発光素子）の発光層にもキャリアが輸送されることで、当該隣接する発光素子も点灯する、光学的なクロストークが発生する。このようなクロストークは、表示装置の表示品位低下の原因となる。

　本開示は、上記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、キャリアを輸送する、複数の画素に共通して形成された共通層を備えるにも拘らず、クロストークが生じない自発光型の表示装置およびその製造方法を提供することにある。

　上記の課題を解決するために、本開示の一態様に係る表示装置は、複数の画素を有する表示装置であって、支持体と、薄膜トランジスタ層と、発光素子層と、上記発光素子層を封止する封止層とを、この順に備え、上記発光素子層は、発光色が互いに異なる複数の発光素子を備え、上記複数の発光素子は、それぞれ、上記画素に対応して形成されており、上記複数の発光素子は、それぞれ、下部電極と、上部電極と、上記下部電極と上記上部電極との間に形成された発光層とを備えるともに、上記発光層と上記下部電極との間に形成される第１のキャリア輸送層、および、上記発光層と上記上部電極との間に形成される第２のキャリア輸送層、のうち少なくとも上記第１のキャリア輸送層を備え、上記下部電極および上記発光層は、上記画素毎に島状に形成されており、上記発光素子が備える上記キャリア輸送層のうち少なくとも上記第１のキャリア輸送層は、上記複数の画素における発光素子に共通して形成された共通層であり、かつ、上記画素毎に、それぞれの上記発光素子における上記発光層と重畳して形成され、該発光層にキャリアを輸送するキャリア輸送部と、隣り合う上記画素における上記発光素子の間の部分に形成され、隣り合う上記画素における上記発光素子間のキャリアの輸送をブロッキングする隣接画素キャリアブロッキング部と、を備えている。

　上記の課題を解決するために、本開示の一態様に係る表示装置の製造方法は、本開示の一態様に係る上記表示装置の製造方法であって、上記下部電極を形成する工程と、上記第１のキャリア輸送層を形成する工程と、上記発光層を形成する工程と、上記上部電極を形成する工程と、を含む。

　本開示の一態様によれば、キャリアを輸送する、複数の画素に共通して形成された共通層を備えるにも拘らず、クロストークが生じない自発光型の表示装置およびその製造方法を提供することができる。

実施形態１に係る表示装置における画素の概略構成の一例を示す断面図である。実施形態１に係る表示装置の概略構成の一例を、一部を拡大して示す平面図である。実施形態１に係る表示装置の製造工程を工程順に示すフローチャートである。実施形態１に係る表示装置における発光素子層の形成工程の一部を、工程順に示す断面図である。実施形態１に係る表示装置における発光素子層の形成工程の一部を、工程順に示す他の断面図である。レーザ照射によるポリイミドの熱反応を示す図である。図２に示すＢ－Ｂ’線矢視断面の一部を示す断面図である。従来の表示装置の課題を説明するための断面図である。実施形態１に係る発光素子の積層構造の他の一例を模式的に示す図である。実施形態１の変形例２に係る表示装置における発光素子層の形成工程の一部を工程順に示す断面図である。実施形態１の変形例３に係る表示装置における発光素子層の形成工程の一部の一例を工程順に示す断面図である。実施形態１の変形例４に係る表示装置における発光素子層の形成工程の一部の他の一例を工程順に示す断面図である。実施形態１の変形例５に係る表示装置における発光素子層の形成工程の一部の他の一例を工程順に示す断面図である。実施形態２に係る表示装置における画素の概略構成の一例を示す断面図である。実施形態２に係る表示装置における発光素子層の形成工程の一部を、工程順に示す断面図である。実施形態２の変形例１に係る表示装置における発光素子層の形成工程の一部の他の一例を工程順に示す断面図である。実施形態２の変形例２に係る表示装置における発光素子層の形成工程の一部の他の一例を工程順に示す断面図である。実施形態２の変形例３に係る表示装置における発光素子層の形成工程の一部の他の一例を工程順に示す断面図である。実施形態３に係る表示装置における画素の概略構成の一例を示す断面図である。実施形態３に係る表示装置における発光素子層の形成工程の一部を、工程順に示す断面図である。実施形態３に係る表示装置における発光素子層の形成工程の一部を、工程順に示す他の断面図である。実施形態３に係る発光素子の積層構造の他の一例を模式的に示す図である。実施形態３に係る表示装置における発光素子層の形成工程の一部を、工程順に示すさらに他の断面図である。

　〔実施形態１〕
　本発明の実施の一形態について、図１～図１３に基づいて説明すれば、以下の通りである。

　（表示装置の概略構成）
　図２は、本実施形態に係る表示装置１の概略構成の一例を、一部を拡大して示す平面図である。

　図２に示すように、表示装置１は、複数の画素Ｐを含む表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡを取り囲むように表示領域ＤＡの周囲に設けられた額縁領域ＮＤＡとを備えている。

　額縁領域ＮＤＡは、非表示領域であり、端子部ＴＳと、表示領域ＤＡとの間に設けられた折り曲げ部ＺＳとを有する。端子部ＴＳには、例えば、ＩＣ（集積回路）チップおよびＦＰＣ（フレキシブル印刷回路基板）等の、図示しない電子回路基板が設けられている。

　表示部ＤＡには、複数の走査信号線および複数のデータ信号線を含む複数の配線が設けられている。走査信号線は、行方向に延設されている。データ信号線は、列方向に延設されている。表示装置１は、フルカラーのアクティブマトリクス型の表示装置であり、これら走査信号線とデータ信号線との交点に対応して、画素Ｐが複数設けられている。

　表示装置１は、表示領域ＤＡの一部の領域Ｌを拡大して示すように、画素Ｐとして、例えば、赤色（Ｒ）の画素ＲＰ、緑色（Ｇ）の画素ＧＰ、青色（Ｂ）の画素ＢＰを有している。なお、本実施形態では、これら画素ＲＰ、画素ＧＰ、画素ＢＰを特に区別する必要がない場合、これら画素ＲＰ、画素ＧＰ、および画素ＢＰを総称して単に「画素Ｐ」と称する。

　以下では、表示装置１が、これら画素ＲＰ、画素ＧＰ、画素ＢＰを備えているものとして説明を行う。但し、上記例示は一例であり、表示装置１は、ＲＧＢ以外の画素Ｐを備えていてもよい。

　また、図２では、画素Ｐが、一例として、青色の画素ＢＰをベースとする所謂ペンタイル配列を有している場合を例に挙げて図示している。このため、図２に示す表示装置１では、画素ＢＰは列方向に一直線に並んでいるものの、画素ＲＰと画素ＧＰとは、列方向に交互に並んでいる。但し、表示装置１の画素配列は、ペンタイル配列に限定されるものではなく、例えばストライプ配列等、他の配列であってもよい。

　図１は、本実施形態に係る表示装置１における画素Ｐの概略構成の一例を示す断面図である。なお、図１は、図２に示すＡ－Ａ’線矢視断面図である。

　表示装置１は、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置と称される自発光型の表示装置である。図１に示すように、各画素Ｐには、ＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）または有機ＥＬ素子と称される、それぞれが自発光型の発光素子ＥＳが形成されている。以下、表示装置１が、発光素子ＥＳとしてＯＬＥＤを備えた有機ＥＬ表示装置（ＯＬＥＤディスプレイ）である場合を例に挙げて説明する。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではなく、上記表示装置１は、発光素子ＥＳとしてＱＬＥＤ（量子ドット発光ダイオード）を備えたＱＬＥＤディスプレイであってもよい。また、上記表示装置１は、発光素子ＥＳとして無機ＥＬを備えた無機ＥＬ表示装置であってもよい。

　赤色の画素ＲＰには、発光素子ＥＳとして、発光色が赤色の発光素子ＲＥＳ（赤色発光素子）が設けられている。緑色の画素ＧＰには、発光素子ＥＳとして、発光色が緑色の発光素子ＧＥＳ（緑色発光素子）が設けられている。青色の画素ＢＰには、発光素子ＥＳとして、発光色が青色の発光素子ＢＥＳ（青色発光素子）が設けられている。このため、表示領域ＤＡには、発光色が互いに異なる複数の発光素子ＥＳが設けられている。なお、本実施形態では、これら発光素子ＲＥＳ、発光素子ＧＥＳ、発光素子ＢＥＳを特に区別する必要がない場合、これら発光素子ＲＥＳ、発光素子ＧＥＳ、発光素子ＢＥＳを総称して単に「発光素子ＥＳ」と称する。また、発光素子ＥＳにおける各層についても、発光素子ＲＥＳと発光素子ＧＥＳと発光素子ＢＥＳとで特に区別する必要がない場合、同様に総称するものとする。

　図１に示すように、表示装置１は、基板２と、薄膜トランジスタ層３と、発光素子層４と、封止層５とを、この順に備えている。

　基板２は、薄膜トランジスタ層３から封止層５までの各層を支持する支持体である。基板２は、例えば、ガラス、石英、セラミックス等の無機材料からなる無機基板であってもよく、ポリエチレンテレフタレート、ポリカルバゾール、ポリイミド等の樹脂を主成分とする可撓性基板であってもよい。例えば、２層のポリイミド膜およびこれらに挟まれた無機膜によって基板２を構成することもできる。また、基板２には、アルミニウム、鉄等の金属からなる金属基板の表面に、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化リシコン（ＳｉＮｘ）、有機絶縁材料等の絶縁膜をコーティングした基板を用いてもよい。また、基板２には、Ａｌ等を含む金属基板の表面に陽極酸化等の方法で絶縁化処理を施した基板等を用いてもよい。

　なお、表示装置１が、発光素子ＥＳの上方（つまり、発光素子ＥＳにおける基板２とは反対側）から光を射出するトップエミッション型の表示装置である場合、使用する基板２は特に限定されない。しかしながら、表示装置１が、発光素子ＥＳの下方（つまり、基板２の裏面側）から光を射出するボトムエミッション型の表示装置である場合には、基板２としては、透明または半透明の透光性基板が用いられる。

　薄膜トランジスタ層３には、発光素子層４における各発光素子ＥＳを制御する画素回路および該画素回路に接続する配線３２が形成されている。配線３２は、前述した複数の走査信号線および複数のデータ信号線を含んでいる。画素回路は、表示領域ＤＡに、各画素Ｐに対応して、画素Ｐ毎に設けられている。

　画素回路は、階調電圧による発光素子ＥＳへの電流制御を行う。画素回路の構成は、各画素Ｐにおける発光素子ＥＳを個々に駆動させることができれば、特に限定されるものではない。各画素回路には、各画素Ｐにおける発光素子ＥＳの下部電極に接続された薄膜トランジスタを含む複数の薄膜トランジスタ３１がそれぞれ設けられている。なお、薄膜トランジスタの構成は従来からよく知られている。したがって、薄膜トランジスタ３１における各層の図示並びに説明は省略する。

　これら複数の薄膜トランジスタ３１および複数の配線３２は、平坦化膜３３で覆われている。薄膜トランジスタ層３は、これら複数の薄膜トランジスタ３１および複数の配線３２と、これら複数の薄膜トランジスタ３１および複数の配線３２を覆う平坦化膜３３と、を備えている。

　平坦化膜３３には、発光素子ＥＳにおける下部電極を薄膜トランジスタ３１に電気的に接続するためのコンタクトホール３３ａが設けられている。これにより、薄膜トランジスタ３１は、上記コンタクトホール３３ａを介して、発光素子ＥＳに電気的に接続されている。平坦化膜３３は、例えば、ポリイミド樹脂やアクリル樹脂等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。

　発光素子層４は、上述した複数の発光素子ＥＳ（具体的には、発光素子ＲＥＳ・ＧＥＳ・ＢＥＳ）を備えている。発光素子ＥＳは、上述したように、各画素Ｐに対応して、画素Ｐ毎に形成されている。

　発光素子ＥＳは、自発光素子である。本実施形態に係る発光素子ＥＳは、陰極４５と、陽極４１と陰極４５との間に設けられた発光層（以下、「ＥＭＬ」と記す）４３とを備えている。陽極４１とＥＭＬ４３との間には、キャリア輸送層として、正孔輸送層（以下、「ＨＴＬ」と記す）４２が設けられている。陰極４５とＥＭＬ４３との間には、キャリア輸送層として、電子輸送層（以下、「ＥＴＬ」と記す）４４が設けられている。

　なお、以下では、下部電極とＥＭＬ４３との間に設けられたキャリア輸送層を「第１のキャリア輸送層」と称し、上部電極とＥＭＬ４３との間に設けられたキャリア輸送層を「第２のキャリア輸送層」と称する。したがって、本実施形態では、ＨＴＬ４２が第１のキャリア輸送層であり、ＥＴＬ４４が第２のキャリア輸送層である。

　また、以下では、発光素子ＥＳにおける陽極４１と陰極４５との間の層を総称して機能層と称する。図１に示す発光素子ＥＳは、機能層として、ＨＴＬ４２、ＥＭＬ４３、およびＥＴＬ４４を備えている。

　図１に示す発光素子ＥＳは、下部電極が陽極４１であり、上部電極が陰極４５である。下部電極である陽極４１は、各画素Ｐに対応して、画素Ｐ毎（言い替えれば、発光素子ＥＳ毎）に島状にパターン形成された画素電極（パターン陽極）である。一方、上部電極である陰極４５は、全画素Ｐに共通（言い替えれば、全発光素子ＥＳに共通）して設けられた共通電極（共通陰極）である。

　陽極４１は、平坦化膜３３上に、該平坦化膜３３に隣接して形成されている。陽極４１のエッジ（パターンエッジ）は、エッジカバーと称されるバンクＢＫによって覆われている。

　発光素子層４は、陽極４１、バンクＢＫ、ＨＴＬ４２、ＥＭＬ４３、ＥＴＬ４４、陰極４５が、薄膜トランジスタ層３側からこの順に積層された構成を有している。

　バンクＢＫは、陽極４１と陰極４５との短絡を防止するための絶縁層である。バンクＢＫは、各画素Ｐにおける発光素子ＥＳを分離する素子分離膜（画素分離膜とも言う）としても機能する。バンクＢＫには、画素Ｐ毎に開口部ＢＫａが設けられている。このバンクＢＫの開口部ＢＫａが、各画素Ｐの発光領域となる。バンクＢＫは、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。

　陽極４１は導電性材料からなり、ＨＴＬ４２に正孔を注入する正孔注入層（ＨＩＬ）の機能を有する。陰極４５は導電性材料からなり、ＥＴＬ４４に電子を注入する電子注入層（ＥＩＬ）の機能を有する。

　陽極４１および陰極４５のうち、少なくとも、光の取出し面側となる電極は光透過性を有している必要がある。一方、光の取出し面と反対側の電極は、光透過性を有していてもよいし、光反射性を有していてもよい。

　例えば、表示装置１をトップエミッション型の表示装置とする場合、上部電極である陰極４５を光透過性材料からなる光透過性電極で形成し、下部電極である陽極４１を、光反射性材料からなる光反射電極で形成する。一方、表示装置１をボトムエミッション型の表示装置とする場合、上部電極である陰極４５を光反射性材料からなる光反射電極で形成し、下部電極である陽極４１を光透過性材料からなる光透過性電極で形成する。

　なお、上記光透過性電極としては、透明電極あるいは半透明電極が用いられる。上記透明電極には、例えば、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）等が用いられる。上記半透明電極には、例えば、マグネシウム銀合金等の光透過性を有する金属薄膜が用いられる。上記光反射性電極には、例えば、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）等の金属、あるいは、これら金属を含む合金等が用いられる。なお、透光性材料と光反射性材料との積層体とすることで、光反射性を有する電極としてもよい。

　ＨＴＬ４２は、陽極４１からＥＭＬ４３に正孔を輸送する層である。ＥＴＬ４４は、陰極４５からＥＭＬ４３に電子を輸送する層である。ＨＴＬ４２およびＥＴＬ４４は、全画素Ｐに共通（言い替えれば、全発光素子ＥＳに共通）して設けられた共通層である。

　但し、これらＨＴＬ４２およびＥＴＬ４４のうち、ＨＴＬ４２は、キャリア輸送部としての正孔輸送部４２ｂと、隣接画素キャリアブロッキング部としての隣接画素正孔ブロッキング部４２ａと、を備えている。

　正孔輸送部４２ｂは、正孔輸送性を有している。正孔輸送部４２ｂは、発光素子ＥＳ毎に、それぞれの発光素子ＥＳにおけるＥＭＬ４３と重畳して設けられ、該ＥＭＬ４３に、キャリアとして正孔を輸送する。

　隣接画素正孔ブロッキング部４２ａは、隣り合う画素Ｐにおける発光素子ＥＳの間の部分に設けられ、隣り合う画素Ｐにおける発光素子ＥＳ間の正孔の輸送をブロッキングする。なお、隣接画素正孔ブロッキング部４２ａは、隣り合う画素Ｐにおける発光素子ＥＳ間の正孔の輸送をブロッキングできるように、隣り合う画素Ｐにおける正孔輸送部４２ｂ同士の間に設けられていれば、その大きさは、特に限定されるものではない。

　正孔輸送部４２ｂと隣接画素正孔ブロッキング部４２ａとは、例えば、全画素Ｐに共通して設けられた共通層の少なくとも一部を化学反応により変成することで形成することができる。このようにして形成された正孔輸送部４２ｂと隣接画素正孔ブロッキング部４２ａとは、互いに化学的に結合されており、同一層内に互いに一体的に形成されている。また、正孔輸送部４２ｂと隣接画素正孔ブロッキング部４２ａとは、上述したように全画素Ｐに共通して設けられた共通層の少なくとも一部を化学反応により変成してなることで、好適には、実質的に同一の厚みを有している。

　正孔輸送部４２ｂは、正孔輸送性材料で構成される。一方、隣接画素正孔ブロッキング部４２ａは、正孔の輸送をブロッキングする正孔ブロッキング材料で構成される。上記正孔ブロッキング材料は、有機絶縁材料であってもよく、電子輸送性材料であってもよい。

　正孔輸送部４２ｂは、正孔輸送性材料を成膜することで形成されていてもよく、有機絶縁材料あるいは電子輸送性材料を化学反応により正孔輸送性材料に転化（変成）させることで形成されていてもよい。したがって、正孔輸送部４２ｂは、隣接画素正孔ブロッキング部４２ａに用いられている正孔ブロッキング材料を化学反応により変成することで形成されていてもよい。

　隣接画素正孔ブロッキング部４２ａは、有機絶縁材料あるいは電子輸送性材料を成膜することで形成されていてもよく、有機絶縁材料あるいは正孔輸送性材料を化学反応により電子輸送性材料に転化（変成）させることで形成されていてもよい。

　但し、本実施形態は、これに限定されるものではない。正孔輸送部４２ｂと隣接画素正孔ブロッキング部４２ａとは、それぞれ別々の材料でパターン形成されていてもよい。

　正孔輸送部４２ｂと隣接画素正孔ブロッキング部４２ａとを別々の材料でパターン形成する場合、上記パターン形成は、例えば、以下の方法により行うことができる。

　例えば、上記正孔輸送部４２ｂおよび隣接画素正孔ブロッキング部４２ａの材料が粉体（固体）である場合、上記パターン形成方法としては、（１）ＦＭＭ（ファインメタルマスク）を用いて塗分け蒸着する方法、（２）インクジェット法、（３）画素ＲＰ、画素ＧＰ、画素ＢＰに応じたパターンを有するシリコンゴムを用いて、これら画素内にそれぞれ上記材料を転写する方法、等が挙げられる。

　上記正孔輸送部４２ｂおよび隣接画素正孔ブロッキング部４２ａの材料が液体である場合、上記パターン形成方法としては、上記（２）の方法、上記（３）の方法、並びに、（４）上記材料を基板全面に塗布後、フォトリソグラフィーを行う方法、（５）上記材料を基板全面に塗布後、レーザ加工を行う方法、等が挙げられる。

　また、正孔輸送部４２ｂと隣接画素正孔ブロッキング部４２ａとを別々にパターン形成する場合に正孔輸送部４２ｂおよび隣接画素正孔ブロッキング部４２ａのうち少なくとも一方が材料の転化（変成）を伴う場合、該材料の転化（変成）は、該材料の転化（変成）を伴うパターンの形成後に行われてもよく、正孔輸送部４２ｂおよび隣接画素正孔ブロッキング部４２ａの両パターンの形成後に行われてもよい。また、成膜とパターニングとが別々に行われる場合、上記材料の転化（変成）は、パターニング後に行われてもよく、成膜後、パターン形成を行う前に行われてもよい。

　上述したように共通層の少なくとも一部を化学反応により変成することで正孔輸送部４２ｂと隣接画素正孔ブロッキング部４２ａとを形成する場合、正孔輸送部４２ｂと隣接画素正孔ブロッキング部４２ａとは、共有結合により、互いに化学的に結合される。

　一方、正孔輸送部４２ｂと隣接画素正孔ブロッキング部４２ａとを、それぞれ別々の材料でパターン形成する場合、正孔輸送部４２ｂと隣接画素正孔ブロッキング部４２ａとは、例えば、材料の化学物質の間の分子間力（ファンデルワールス力）あるいは水素結合等により互いに化学的に結合されて、一体化した一つの層となる。そして、この場合にも、同一層内において隣り合う正孔輸送部４２ｂ間に、これら正孔輸送部４２ｂと一体的に形成された隣接画素正孔ブロッキング部４２ａが設けられる。

　上記正孔輸送性材料としては、例えば、グラフェンオキサイド、チオシアン酸銅（ＣｕＳＣＮ）、酸化タングステン（ＷＯ_３－ｘ）等の無機正孔輸送性材料；２，６－ビス（９Ｈ－カルバゾイル－９－イル）ピリジン、４，４’－ビス（３－エチル－Ｎ－カルバゾイル）－１，１’－ビフェニル、４－（ジベンジルアミノ）ベンズアルデヒド－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルヒドラゾン、９，９’－［２，２’－ジメチル（１，１’－ビフェニル）－４，４’－ジイル］ビス－９Ｈ－カルバゾール、２，２’－ジメチル－Ｎ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル）－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン、９，９’－ジメチル－Ｎ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－９Ｈ－フルオレン－２，７－ジアミン、Ｎ，Ｎ’－ジ（２－ナフチル－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル）－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（フェニル－ｍ－トリルアミノ）フェニル］ビフェニル－４，４’－ジアミン、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ジ－ｐ－トリルベンゼン－１，４－ジアミン、Ｎ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン、Ｎ４，Ｎ４’－ビス｛４－［ビス（３－メチルフェニル）アミノ］フェニル｝－Ｎ４，Ｎ４’－ジフェニル－（１，１’－ビフェニル）－４，４’－ジアミン（「ＤＮＴＰＤ」）、３－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（「ＤＰＴＰＣｚ」）、９－（２－エチルヘキシル）－Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ－テトラキス（４－メトキシフェニル）－９Ｈ－カルバゾール－２，７－ジアミン（「ＥＨ４４」）、塩化インジウム(III)フタロシアニン、ポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）－ベンジジン］（「Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ」）、２，８－ビス（ジフェニルホスフィンオキシド）ジベンゾフラン（「ＰＰＦ」）、４，４’，４''，４'''－シランテトライルテトラキス（Ｎ，Ｎ－ビス（４－メトキシフェニル）アニリン（「Ｓｉ－ＯＭｅＴＰＡ」）、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－（９Ｈ）キサンチン］－２，７－ジアミン、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－（９Ｈ）キサンチン］－２，２’－７，７’－テトラミン、２，４，６－トリス［３－（カルバゾール－９－イル）フェニル］トリアジン（「ＴＣＰＺ」）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（４－メトキシフェニル）ベンジジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（３－メチルフェニル）－３，３’－ジメチルベンジジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（２－ナフチル）ベンジジン、テトラ－Ｎ－フェニルベンジジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラフェニルナフタレン－２，６－ジアミン、ポリ［（９，９－ジクチルフルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－｛４，４’－［Ｎ－（４－ｓｅｃ－ブチルフェニル）ジフェニルアミン］｝（「ＴＦＢ」）、チタニルフタロシアニン、１，３，５－トリス［（３－メチルフェニル）フェニルアミノ］ベンゼン、４，４’，４''－トリス［２－ナフチル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン、バナジルフタロシアニン、４，４’－シクロヘキシリデンビス［Ｎ，Ｎ－ビス（４－メチルフェニル）ベンゼンアミン］、ジピラジノ［２，３－ｆ：２’，３’－ｈ］キノキサリン－２，３，６，７，１０，１１－ヘキサカルボニトリル、スズ（ＩＶ）２，３－ナフロシアニン二塩化物、Ｎ２，Ｎ２，Ｎ２’，Ｎ２’，Ｎ７，Ｎ７，Ｎ７’，Ｎ７’－オクタキス（４－メトキシフェニル）－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２，２’，７，７’－テトラミン（「スピロ－ＭｅＯＴＤ」）、チタニルフタロシアニン、１，３，５－トリス（２－９－エチルカバジル－３）エチレン）ベンゼン、トリス（４－カルバゾイル－９－イルフェニル）アミン、トリス［４－（ジエチルアミノ）フェニル］アミン、１，３，５－トリス（ジフェニルアミノ）ベンゼン、４，４’，４''－トリス［フェニル（ｍ－トルイル）アミノ］トリフェニルアミン、４，４’－ビス（Ｎ－カルバゾリル）－１，１’－ビフェニル、１，３－ビス（Ｎ－カルバゾリル）ベンゼン、１，４－ビス（Ｎ－カルバゾリル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルベンジジン、ポリ（Ｎ－エチル－２－ビニルカルバゾール）、ポリ［ビス（４－フェニル）（２，４，６－トリメチルフェニル）アミン］、ポリ（９－ビニルカルバゾール）、ポリ（１－ビニルナフタレン）、ポリ（２－ビニルナフタレン）、ポリ（銅フタロシアニン）、および銅（II）フタロシアニン等の有機正孔輸送性材料；からなる群より選ばれる少なくとも一種の正孔輸送性材料が挙げられる。なお、上記正孔輸送性材料が無機正孔輸送性材料である場合、該無機正孔輸送性材料は、ナノ粒子であってもよい。

　上記有機絶縁材料には、パターニング可能な公知の感光性樹脂を使用することができる。上記有機絶縁材料としては、例えば、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリアクリロニトリル（ＰＡＮ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリイソプレン、ノボラック樹脂、およびポリアクリルアミドからなる群より選ばれる少なくとも一種の樹脂が挙げられる。

　上記電子輸送性材料としては、例えば、グラフェン、酸化スズ（ＩＶ）、酸化亜鉛等の無機電子輸送性材料；トリス（２，４，６－トリメチル－３－（ピリジン－３－イル）フェニル）ボラン（「３ＴＰＹＭＢ」）、４，６－ビス（３，５－ジ（ピリジン－３－イル）フェニル）－２－メチルピリミジン（「Ｂ３ＰＹＭＰＭ」）、１，３－ビス（３，５－ジピリド－３－イルフェニル）ベンゼン（「Ｂ３ＰｙＰＢ」）、２，７－ビス（２，２’－ビピリジン－５－イル）トリフェニレン（「ＢＰｙ－ＴＰ２」）、８－キノリノレートリチウム、ポリ［（９，９－ビス（３’－（（Ｎ，Ｎ－ジメチル）－Ｎ－エチルアンモニウム）－プロピル）－２，７－フルオレン）－ａｌｔ－２，７－（９，９－ジオクチルフルオレン）］ジブロミド（「ＰＦＮ－Ｂｒ」）、ポリ［（９，９－ビス（３’－（Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノ）プロピル）－２，７－フルオレン）－ａｌｔ－２，７－（９，９－ジオクチルフルオレン）］（「ＰＦＮ－ＤＯＦ」）、（１，３，５－トリアジン－２，４，６－トリイル）トリス（ベンゼン－３，１－ジイル）トリス（ジフェニルホスフィンオキサイド）（「ＰＯ－Ｔ２Ｔ」）、２，５，８，１１－テトラキス（１，１－ジメチルエチル）ペリレン（「ＴＢＰｅ」）、１，３，５－トリス（３－ピリジル－３－フェニル）ベンゼン（「ＴｍＰｙＰＢ」）、１，３，５－トリス（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール－２－イル）ベンゼン（「ＴＰＢｉ」）、ジフェニル［４－（トリフェニルシリル）フェニル］ホスフィンオキサイド（「ＴＳＰＯ１」）、３，５－ジフェニル－４－（１－ナフチル）－１Ｈ－－１，２，４－トリアゾール、トリス（８－ヒドロキシキノリン）アルミニウム、２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（「バソクプロイン」）、４．７－ジフェニル－１．１０－フェナントロリン（「バソフェナントロリン」）、２，５－ビス（１－ナフチル）－１，３，５－オキサジアゾール、ビス（８－ヒドロキシ－２－メチルキノリン）－（４－フェニルフェノキシ）アルミニウム、３，５－ビス（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－フェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール、２－（４－ビフェニリル）－５－フェニル－１，３，４－オキサジアゾール、３－（ビフェニル－４－イル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－フェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール、２－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－５－（４－ビフェニリル）－１，３，４－オキサジアゾール等の有機電子輸送性材料；からなる群より選ばれる少なくとも一種の電子輸送性材料が挙げられる。なお、上記電子輸送性材料が無機電子輸送性材料である場合、該無機電子輸送性材料は、ナノ粒子であってもよい。

　なお、上記電子輸送性材料が無機電子輸送性材料である場合、該無機電子輸送性材料は、ナノ粒子であってもよい。

　また、上記隣接画素正孔ブロッキング部４２ａが電子輸送性材料からなる場合、該電子輸送性材料は、有機絶縁材料から誘導されるグラフェン（誘導グラフェン）であってもよい。例えば、ＰＩ、ＰＥＩ、ＰＡＮ等の有機絶縁材料は、十分な耐熱性を有するとともに、炭素を含み、例えばレーザ光に曝露することによって、グラフェンに転化する。なお、有機絶縁材料としてＰＡＮを用いる場合、徐々に加熱することで、ＰＡＮがグラフェン化する。

　レーザ源は、特に限定されるものではなく、有機絶縁膜を構成する有機絶縁材料（樹脂）の吸収波長に適合するレーザ励起波長を有するレーザ源であればよい。

　上記レーザ源としては、例えば、ＣＯ_２レーザ、固体レーザ、気相レーザ、赤外線レーザ、紫外線レーザ、可視レーザ等が挙げられる。なお、これらレーザ源は、複数組みあわせて使用することができる。上記レーザ源は、種々の波長において用いることができる。また、上記レーザ源は、種々の出力範囲にて操作することができる。上記レーザ源は、種々のパルス幅（パルス時間幅）を有する。

　有機絶縁膜が、例えばＰＩ、ＰＥＩ、あるいはＰＡＮである場合、レーザ源には、ＣＯ_２レーザが好適に用いられる。この場合、各画素Ｐ内にのみレーザ光を選択的に照射するためのレーザスクライビングは、ＣＯ_２レーザカッタシステムに組み込むことができる。ＣＯ_２レーザカッタシステムは、レーザヘッドの画素Ｐへのアライメント、レーザ強度設定、スキャンレート強度設定等を行うことができる。

　また、前述したように、正孔輸送部４２ｂは、例えば、上記正孔ブロッキング材料を化学反応により変成することで形成することができる。例えば、上記正孔ブロッキング材料がグラフェンである場合、グラフェンは、電子輸送性を示すが、酸化反応により、正孔輸送性を示すグラフェンオキサイドに転化する。

　グラフェンは、例えば、下記構造式（１）で示される構造を有している。また、グラフェンオキサイドは、例えば、下記構造式（２）で示される構造を有している。

　なお、前述したようにレーザ照射によってＰＩ等の有機絶縁膜から変換した（言い替えれば、転化させた）グラフェン膜は、フレーク状の単体のグラフェンがランダムに重なり合うとともに、フレーク状の単体のグラフェン同士が互いに接触している部分が化学的に結合することで互いに繋がっている構造を有する。

　また、上記グラフェン膜を酸化させてなるグラフェンオキサイド膜は、フレーク状の単体のグラフェンオキサイドがランダムに重なり合うとともに、フレーク状の単体のグラフェンオキサイド同士が互いに接触している部分が化学的に結合することで互いに繋がっている構造を有する。

　グラフェンを酸化させてグラフェンオキサイドを得る方法としては、例えば、Ｓｔａｕｄｅｎｍａｉｅｒ法、Ｂｒｏｄｉｅ法、Ｈｏｆｍａｎｎ法、Ｈｕｍｍｅｒｓ法、Ｔｏｕｒ法等が挙げられる。これらの方法のなかでも、反応時間、簡易性、毒性等を総合的に考慮して、Ｔｏｕｒ法が生産に適していると考えられる。

　グラフェンは、例えば、Ｈ_２ＳＯ_４（硫酸）にＫＭｎＯ_４（過マンガン酸カリウム）を溶解させてなる溶液に曝すことでグラフェンオキサイドとなる。

　また、グラフェンは、ＵＶ（紫外線）によって引き起こされたＯ_３（オゾン）を用いるＵＶ／Ｏ_３処理により酸素をドープすることで、グラフェンオキサイドとなる（例えば非特許文献１参照）。

　したがって、例えば、上記有機絶縁材料または電子輸送性材料からなる共通層の一部を正孔輸送性材料に転化させることで、同一層内に、該正孔輸送性材料からなる正孔輸送部４２ｂと、正孔輸送性材料に転化させていない上記有機絶縁材料または上記電子輸送性材料からなる隣接画素正孔ブロッキング部４２ａとを一体的に形成することができる。

　また、上述したように、上記隣接画素正孔ブロッキング部４２ａが例えば有機絶縁材料から誘導されるグラフェンである場合、上記有機絶縁材料を正孔輸送性材料と電子輸送性材料とに転化させることで、同一層内に、正孔輸送性材料からなる正孔輸送部４２ｂと、電子輸送性材料からなる隣接画素正孔ブロッキング部４２ａとを一体的に形成することができる。このように、隣接画素正孔ブロッキング部４２ａを構成する正孔ブロッキング材料は、正孔輸送性材料に転化（変成）させる前の正孔ブロッキング材料と同じであってもよく、異なっていてもよい。

　また、前述したように、隣接画素正孔ブロッキング部４２ａは、例えば、正孔輸送性材料を化学反応により変成することで形成してもよい。例えば、グラフェンオキサイドは、上述したように正孔輸送性を示すが、還元することでグラフェン（還元型グラフェンオキサイド）に転化する。グラフェンオキサイドから還元されたグラフェン（還元型グラフェンオキサイド）は、欠陥を有するものの、電子輸送性（例えば、約２×１０^２Ｓ／ｍ）を有している（例えば、非特許文献２参照）。

　グラフェンオキサイドの還元方法としては、例えば、グラフェンオキサイドを高温に加熱して酸素含有基を脱離させる加熱還元法、還元剤を用いた化学的還元法等が知られている。

　化学的還元法としては、例えば、次式（３）に示すように、還元剤としてヒドラジン（Ｎ_２Ｈ_４）を用いた還元方法が挙げられる（例えば、非特許文献２参照）。なお、次式は、化学的還元法の一例として、グラフェンオキサイドとヒドラジンとの反応スキームを示している。なお、図示の便宜上、次式において、グラフェンオキサイドは、ヒドラジンとの反応に関与する部分のみを記載している。

　また、グラフェンオキサイドの還元には、還元剤として、ヒドラジンに代えて、水素化ホウ素ナトリウム（ＮａＢＨ_４）、アスコルビン酸、ヨウ化水素（ＨＩ）等を用いることができることも知られている。グラフェンオキサイドは、水溶液中でも薄膜の状態でも還元が可能である。

　また、グラフェンオキサイドは、フェムト秒レーザを照射することでグラフェンに還元されることも知られている（例えば非特許文献３参照）。

　したがって、正孔輸送性材料である例えばグラフェンオキサイドからなる共通層の一部を電子輸送性材料に転化させることで、同一層内に、該電子輸送性材料からなる隣接画素正孔ブロッキング部４２ａと、電子輸送性材料に転化させていないグラフェンオキサイドからなる正孔輸送部４２ｂとを一体的に形成してもよい。

　上記ＨＴＬ４２の厚みは、光路長の調整のため、３０ｎｍ以上であることがより好ましい。また、上記ＨＴＬ４２の厚みは、製造コスト削減のため、３００ｎｍ以下であることがより好ましい。

　なお、正孔輸送部４２ｂと隣接画素正孔ブロッキング部４２ａとは、前述したように実質的に同一の厚みを有していることが好ましいが、互いの厚みが異なっていても構わない。正孔輸送部４２ｂが、有機絶縁材料を化学反応により変成することで形成される場合、変成されていない有機絶縁材料からなる部分の厚みが０．５～３ｎｍの範囲内であれば、トンネル効果によりＥＭＬ４３に正孔を輸送することが可能である。このため、正孔輸送部４２ｂは、ＨＴＬ４２の厚みが、トンネル効果を発現しない３ｎｍを超える厚みを有し、変成されていない有機絶縁材料からなる部分の厚みが、トンネル効果を発現する０．５～３ｎｍの範囲内であれば、ＨＴＬ４２の表面にのみ設けられていても構わない。

　一方、図１に示す発光素子ＥＳにおいて、ＥＴＬ４４は、全画素Ｐに共通（言い替えれば、全発光素子ＥＳに共通）の電子輸送性材料で形成されている。この場合、ＥＴＬ４４には、公知の電子輸送性材料を用いることができる。上記電子輸送性材料としては、特に限定されるものではなく、例えば、前記例示の電子輸送性材料からなる群より選ばれる少なくとも一種の電子輸送性材料を用いることができる。

　この場合、ＥＴＬ４４の厚みは、従来と同様に設定することが可能である。ＥＴＬ４４の厚みは、例えば、３０ｎｍ以下の範囲内に設定される。ＥＴＬ４４の厚みが３０ｎｍを超えると、移動度が遅くなって、表示装置１の駆動電圧が上がる傾向がある。

　ＥＭＬ４３は、陽極４１から注入された正孔（ｈ^＋）と陰極４５から注入された電子（ｅ^－）とを再結合させて光を出射する機能を有する層である。

　発光素子ＥＳがＯＬＥＤである場合、発光素子ＥＳは、陽極４１と陰極４５との間の駆動電流によって正孔と電子とがＥＭＬ４３内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に遷移する過程で光を放出する。なお、発光素子ＥＳがＱＬＥＤである場合、陽極４１と陰極４５との間の駆動電流によって正孔と電子とがＥＭＬ４３内で再結合し、これによって生じたエキシトンが、量子ドットの伝導帯準位から価電子帯準位に遷移する過程で光（蛍光もしくは燐光）が放出される。但し、発光素子ＥＳは、ＯＬＥＤ、ＱＬＥＤ以外の発光素子（例えば無機発光ダイオード等）であってもよい。

　ＥＭＬ４３は、ＨＴＬ４２上に、各画素Ｐに対応して、少なくともバンクＢＫの開口部ＢＫａを覆うように、画素Ｐ毎（言い替えれば、発光素子ＥＳ毎）に島状にパターン形成されている。

　発光素子ＥＳがＯＬＥＤである場合、ＥＭＬ４３は、例えば、低分子蛍光色素、金属錯体等の有機発光材料で形成される。なお、上記有機発光材料は、燐光発光材料であってもよく、蛍光発光材料であってもよい。また、ＥＭＬ４３は、正孔および電子の輸送を担うホスト材料と、発光材料として発光を担う発光ドーパント材料との２成分系で形成されていてもよく、発光材料単独で形成されていてもよい。

　なお、発光素子ＥＳがＱＬＥＤである場合、ＥＭＬ４３は、発光材料として、例えば、ナノサイズの量子ドット（半導体ナノ粒子）を含む。上記量子ドットには、公知の量子ドットを用いることができる。上記量子ドットは、例えば、Ｃｄ（カドミウム）、Ｓ（硫黄）、Ｔｅ（テルル）、Ｓｅ（セレン）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｉｎ（インジウム）、Ｎ（窒素）、Ｐ（リン）、Ａｓ（ヒ素）、Ｓｂ（アンチモン）、アルミニウム（Ａｌ）、Ｇａ（ガリウム）、Ｐｂ（鉛）、Ｓｉ（ケイ素）、Ｇｅ（ゲルマニウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、からなる群より選択される少なくとも一種の元素で構成されている少なくとも一種の半導体材料を含んでいてもよい。また、上記量子ドットは、二成分コア型、三成分コア型、四成分コア型、コアシェル型またはコアマルチシェル型であってもよい。また、上記量子ドットは、上記元素の少なくとも一種がドープされたナノ粒子を含んでいてもよく、組成傾斜した構造を備えていてもよい。

　図１に示すように、発光素子ＲＥＳは、陽極４１Ｒ、ＨＴＬ４２Ｒ、ＥＭＬ４３Ｒ、ＥＴＬ４４、陰極４５を備えている。発光素子ＧＥＳは、陽極４１Ｇ、ＨＴＬ４２Ｇ、ＥＭＬ４３Ｇ、ＥＴＬ４４、陰極４５を備えている。発光素子ＢＥＳは、陽極４１Ｂ、ＨＴＬ４２Ｂ、ＥＭＬ４３Ｂ、ＥＴＬ４４、陰極４５を備えている。ＨＴＬ４２Ｒは、画素ＲＰにおける、ＨＴＬ４２の正孔輸送部４２ｂである。ＨＴＬ４２Ｇは、画素ＧＰにおける、ＨＴＬ４２の正孔輸送部４２ｂである。ＨＴＬ４２Ｂは、画素ＢＰにおける、ＨＴＬ４２の正孔輸送部４２ｂである。

　封止層５は、発光素子層４への水、酸素等の異物の浸透を防ぐ層である。封止層５は、例えば、上部電極（本実施形態では陰極４５）を覆う無機封止膜５１と、無機封止膜５１よりも上層の有機バッファ膜５２と、有機バッファ膜５２よりも上層の無機封止膜５３と、を含む。

　無機封止膜５１および無機封止膜５３は、透光性無機絶縁膜であり、例えば、ＣＶＤ（化学気相成長）法によって形成された、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等の無機絶縁膜で構成することができる。有機バッファ膜５２は、平坦化効果のある透光性有機絶縁膜であり、アクリル等の塗布可能な有機材料によって構成することができる。有機バッファ膜５２は、例えばインクジェット塗布によって形成することができるが、液滴を止めるための図示しないバンクを、額縁領域ＮＤＡに設けてもよい。

　封止層５上には、図示しない機能フィルムが設けられる。機能フィルムは、例えば、光学補償機能、タッチセンサ機能、保護機能の少なくとも１つを有する。

　（表示装置１の製造方法）
　次に、表示装置１の製造方法について説明する。

　図３は、表示装置１の製造工程を工程順に示すフローチャートである。

　図３に示すように、本実施形態に係る表示装置１の製造工程では、まず、基板２上に、複数の薄膜トランジスタ３１および配線３２と、これら薄膜トランジスタ３１および配線３２を覆う平坦化膜３３と、を備えた薄膜トランジスタ層３を形成する（ステップＳ１）。次いで、薄膜トランジスタ層３上に、発光素子層４を形成する（ステップＳ２）。次いで、発光素子層４上に、該発光素子層４を覆うように封止層５を形成する（ステップＳ３）。前述したように、無機封止膜５１および無機封止膜５３の形成には、例えばＣＶＤ法を用いることができる。また、有機バッファ膜５２の形成には、例えばインクジェット法等の塗布法を用いることができる。次いで、上記基板２、薄膜トランジスタ層３、発光素子層４、封止層５を含む積層体を分断し、複数の個片を得る（ステップＳ４）。次いで、得られた個片に、図示しない機能フィルムを貼り付ける（ステップＳ５）。次いで、複数の画素Ｐが形成された表示領域ＤＡよりも外側の額縁領域ＮＤＡの一部（端子部ＴＳ）に、図示しない電子回路基板（例えば、ＩＣチップおよびＦＰＣ）をマウントする（ステップＳ６）。これにより、本実施形態に係る表示装置１が製造される。なお、ステップＳ１～Ｓ６は、表示装置製造装置（ステップＳ１～Ｓ３の各工程を行う成膜装置を含む）が行う。

　また、表示装置１としてフレキシブルな表示装置を製造する場合、上記ステップＳ１の前に、透光性の支持基板（例えば、マザーガラス）上に樹脂層を形成する工程と、該樹脂層上にバリア層を形成する工程と、をさらに備えていてもよい。この場合、ステップＳ１では、上記バリア層上に、薄膜トランジスタ層３を形成する。また、ステップＳ３において封止層５を形成した後、該封止層５上に、上面フィルムを貼り付ける。その後、レーザ光の照射等によって支持基板を上記樹脂層から剥離し、上記樹脂層の下面に、下面フィルムを貼り付ける。その後、ステップＳ４で、上記下面フィルム、樹脂層、バリア層、薄膜トランジスタ層３、発光素子層４、封止層５、上記上面フィルムを含む積層体を分断し、複数の個片を得る。

　図４および図５は、それぞれ、ステップＳ２における発光素子層４の形成工程の一部を工程順に示す断面図である。図５は、図４に示す製造工程の後の製造工程を示している。なお、図４および図５は、図２に示すＢ－Ｂ’線矢視断面の一部に対応する断面を示している。ステップＳ２は、図４に示すステップＳ１１～ステップＳ１４および図５に示すステップＳ１５～ステップＳ１８を備えている。

　以下では、共通層として全画素Ｐに共通して設けられた有機絶縁膜の少なくとも一部を化学反応により変成することで正孔輸送部４２ｂと隣接画素正孔ブロッキング部４２ａとを形成する場合を例に挙げて説明する。

　ステップＳ２では、まず、図４にＳ１１で示すように、薄膜トランジスタ層３における平坦化膜３３上に、下部電極として、陽極４１を、画素Ｐ毎に島状にパターン形成する（ステップＳ１１、下部電極を形成する工程）。陽極４１の形成には、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、印刷法等、陽極の形成方法として従来公知の各種方法を用いることができる。

　次いで、図４にＳ１２で示すように、上記平坦化膜３３上に、各画素Ｐにおける陽極４１のパターンエッジを覆うように、画素分離膜となるバンクＢＫを形成する（ステップＳ１２）。バンクＢＫは、上記平坦化膜３３上に、陽極４１を覆うように、例えば、ポリイミド、アクリル等の有機材料を塗布した後にフォトリソグラフィーによってパターニングすることで形成することができる。

　次いで、図４にＳ１３で示すように、陽極４１およびバンクＢＫ上に、化学反応により最終的に正孔輸送性を示す材料に転化する有機絶縁材料を、全画素Ｐに渡ってベタ状に成膜することで、有機絶縁膜１１１を形成する（ステップＳ１３、第１成膜工程）。

　上記有機絶縁膜１１１としては、前述したように、例えば、ＰＩ、ＰＥＩ、ＰＡＮ等の有機絶縁材料からなる樹脂膜が挙げられる。前述したように、これら有機絶縁材料は、十分な耐熱性を有するとともに、炭素を含み、レーザ光に曝露することによって、グラフェンに転化する。グラフェンは、電子輸送性を示すが、酸化反応により、正孔輸送性を示すグラフェンオキサイドに転化する。

　以下では、上記有機絶縁膜１１１に、上述したようにレーザ光に曝露することでグラフェンに転化するグラフェン前駆体材料となる樹脂を使用する場合を例に挙げて説明する。

　有機絶縁膜１１１は、例えばスピンコート法等の公知の薄膜形成技術で、ＰＩ前駆体、ＰＥＩ前駆体、あるいはＰＡＮ前駆体等の樹脂前駆体を塗布し、熱あるいは光(例えば、紫外光）で硬化させることにより、成膜することができる。

　次いで、図４にＳ１４で示すように、各画素Ｐ内（具体的には、バンクＢＫの開口部ＢＫａ内）にのみレーザ光を選択的に照射する。

　本実施形態では、一例として、有機絶縁膜１１１に例えばＰＩを使用し、レーザ源にＣＯ_２レーザを用いたレーザシステムを使用した。また、一例として、パルス時間幅は約１４μｓ、レーザ励起波長は１０．６μｍ、ビームサイズ幅は約１２０μｍ、レーザ出力は２．４Ｗ以上、５．４Ｗ以下の範囲内、スキャンレートは３．５インチｓ^－１、１インチあたりのパルス数は１０００ｐ．ｐ．ｉとした。

　図６は、レーザ照射によるＰＩの熱反応を示す図である。図６に示すように、レーザ照射によるＰＩの熱反応により、ＰＩのヘテロ原子ボンド(例えば、Ｃ＝Ｏ結合、Ｃ－Ｎ結合)が切断されて、残りの芳香族化合物が再結合し、グラフェンを形成する。

　本実施形態によれば、このように、各画素Ｐ内（具体的には、バンクＢＫの開口部ＢＫａ内）にのみレーザ光を照射することにより、各画素Ｐ内の有機絶縁膜１１１をグラフェンに転化させる。これにより、各画素Ｐ内に、グラフェン膜１１２を形成するとともに、隣り合う画素Ｐ間に、これら画素Ｐにおける発光素子ＥＳ間の正孔の輸送をブロッキングする、有機絶縁膜１１１からなる隣接画素正孔ブロッキング部４２ａを形成する（ステップＳ１４、第１変成工程、第１キャリア輸送部変成工程）。

　次いで、図５にＳ１５で示すように、グラフェン膜１１２を酸化させてグラフェンオキサイド膜１１３に変換する（ステップＳ１５、第１変成工程、第１キャリア輸送部変成工程）。前述したように、グラフェンオキサイドは、グラフェンを酸化することによって形成することができる。

　前述したように、グラフェンは、例えば、Ｈ_２ＳＯ_４にＫＭｎＯ_４を溶解させてなる溶液に曝すことでグラフェンオキサイドとなる。

　例えば、ステップＳ１４で得られた基板に形成されているグラフェンが１０ｇの場合、Ｈ_２ＳＯ_４とＨ_３ＰＯ_４（リン酸）とを９：１の割合で含む溶液１３２０ｍＬにＫＭｎＯ_４６０ｇを混合させた混合液に上記基板を浸漬し、上記基板を１２時間回転させる。上記基板の表面が常温に戻った後、該基板を、０℃の３０％過酸化水素水に浸漬し、約５分後、水、３０％の塩酸、エタノールで洗浄する。最後に、上記基板を、真空チャンバで８～１２時間乾燥する。これにより、ステップＳ１４で得られた基板に形成されているグラフェン膜１１２を、グラフェンオキサイド膜１１３に変換することができる。

　但し、上記方法は、一例であって、本実施形態は、上記方法に限定さない。例えば、グラフェン膜１１２が形成された基板を、酸化剤を含む溶液に浸漬する代わりに、グラフェン膜１１２が形成された基板に酸化剤を含む溶液を供給することで、グラフェン膜１１２と酸化剤とを接触させてもよい。

　グラフェンオキサイドは正孔輸送性を有する。このため、本実施形態によれば、上記工程により、各画素Ｐ内に、グラフェンオキサイド膜１１３からなる正孔輸送部４２ｂを形成することができる。

　次いで、図５にＳ１６で示すように、上記隣接画素正孔ブロッキング部４２ａおよび上記正孔輸送部４２ｂが設けられたＨＴＬ４２上に、画素Ｐ毎に、ＥＭＬ４３を形成する（ステップＳ１６、発光層を形成する工程）。このとき、ＥＭＬ４３は、各画素Ｐに対応して、少なくともバンクＢＫの開口部ＢＫａを覆うように、画素Ｐ毎（言い替えれば、発光素子ＥＳ毎）に島状に形成される。ＥＭＬ４３の形成方法としては、発光素子ＥＳに要求される微細なパターンの形成が可能な方法であれば特に限定されるものではない。ＥＭＬ４３の形成方法としては、例えば蒸着法、インクジェット法等、従来、ＥＭＬの形成方法として知られている各種方法を用いることができる。

　次いで、図５にＳ１７で示すように、ＥＭＬ４３上にＥＴＬ４４を形成する（ステップＳ１７、第２のキャリア輸送層を形成する工程）。なお、本実施形態では、ＥＴＬ４４を、図１に示すように全画素Ｐに共通して設けられた共通層としたが、本実施形態は、これに限定されるものではない。ＥＴＬ４４は、ＥＭＬ４３同様、各画素Ｐに対応して、少なくともバンクＢＫの開口部ＢＫａを覆うように、画素Ｐ毎（言い替えれば、発光素子ＥＳ毎）に島状に形成してもよい。ＥＴＬ４４の形成方法としては、例えば蒸着法、インクジェット法等、従来、ＥＴＬの形成方法として知られている各種方法を用いることができる。

　次いで、図５にＳ１８で示すように、上記ＥＴＬ４４上に、上部電極として陰極４５を形成する（ステップＳ８、上部電極を形成する工程）。陰極４５の形成には、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、印刷法等、陰極の形成方法として従来公知の各種方法を用いることができる。

　これにより、平坦化膜３３上に、複数の発光素子ＥＳを含む発光素子層４が形成される。

　（効果）
　次に、本実施形態に係る表示装置１による効果について、図７および図８を参照して以下に説明する。

　図７は、図２に示すＢ－Ｂ’線矢視断面の一部を示す断面図である。図８は、従来の表示装置の課題を説明するための断面図である。図８は、従来の表示装置における、図７に示す断面に対応する部分の断面を示している。なお、図８中、図７に示す構成要素と同じ機能を有する構成要素については、同じ符号を付記し、その詳細な説明を省略する。

　以下では、従来の課題として、ＨＴＬ４２に着目して説明する。図８に示すように、ＨＴＬ４２が複数の発光素子ＥＳに共通して設けられている場合、例えば、発光素子ＢＥＳが点灯しているとき、ＨＴＬ４２を介して、発光素子ＢＥＳから、該発光素子ＢＥＳに隣り合う例えば発光素子ＲＥＳにも正孔（ｈ^＋）が輸送される。前述したように、陰極４５およびＥＴＬ４４のうち、少なくとも陰極４５は、全画素Ｐに共通して設けられた共通層である。したがって、発光素子ＢＥＳが点灯しているとき、該発光素子ＢＥＳに隣り合う例えば発光素子ＲＥＳにも、陰極４５およびＥＴＬ４４のうち、少なくとも陰極４５を介して電子が輸送される。このため、上述したように発光素子ＢＥＳが点灯しているとき、ＨＴＬ４２を介して、隣接する画素ＲＰの発光素子ＲＥＳに正孔が輸送されると、該発光素子ＲＥＳのＥＭＬ４３Ｒにおいて、発光素子ＢＥＳから輸送された正孔と電子とが再結合し、発光素子ＲＥＳが弱く光る。このように、一つの発光素子ＥＳが点灯しているとき、ＨＴＬ４２を介して、隣接する画素ＰのＥＭＬ４３にホールが輸送されると、該隣接する画素Ｐの発光素子ＥＳが、弱い光ながら点灯する。なお、図８では、上述したように、発光素子ＢＥＳが光っているときに、該発光素子ＢＥＳに隣り合う画素ＲＰの発光素子ＲＥＳが弱く光っている場合を例に挙げて図示している。しかしながら、このとき、上記発光素子ＢＥＳに隣り合う画素ＧＰの発光素子ＧＥＳも同様に弱く光る。このような現象は、光学的なクロストークと呼ばれ、表示品位低下の原因となっている。

　一方、本実施形態に係る表示装置１は、図７に示すように、隣り合う画素Ｐにおける発光素子ＥＳ間に、該隣り合う画素Ｐにおける発光素子ＥＳ間の正孔の輸送をブロッキングする隣接画素正孔ブロッキング部４２ａが設けられている。このため、図７に示すように、隣り合う画素Ｐにおける発光素子ＥＳへの正孔の輸送がブロッキングされる。したがって、本実施形態によれば、クロストークが生じない表示装置１を提供することができる。

　また、本実施形態によれば、正孔輸送部４２ｂと隣接画素正孔ブロッキング部４２ａとは、共通層であるＨＴＬ４２の一部である。本実施形態に係るＨＴＬ４２および該ＨＴＬ４２を備えた表示装置１は、ＨＴＬ４２を画素Ｐ毎に島状に形成する場合と比較して、加工プロセスが簡素であり、製造に係る費用を大幅に削減することができる。

　特に、グラフェン前駆体として用いられる有機絶縁材料は、従来の正孔輸送材料に比べて安価であり、また、最終的に形成されるグラフェンオキサイドは、温度安定性並びに化学的安定性が高い。このため、本実施形態によれば、従来の正孔輸送材料で形成された表示装置よりも信頼性が高い表示装置１を提供することができる。また、グラフェンおよびグラフェンオキサイドは、キャリア輸送性が速い。このため、本実施形態によれば、表示装置１の駆動電圧並びに消費電力を低減することが可能であり、表示装置１の表示時間並びに待機時間を長くすることができる。

　また、従来ＨＴＬに用いられている有機材料は、材料同士の密着性が低い場合がある。しかしながら、本実施形態によれば、上述したように、正孔輸送部４２ｂと隣接画素正孔ブロッキング部４２ａとは、共通層であるＨＴＬ４２の一部であり、互いに化学結合しており、同一層内に互いに一体的に形成されている。このため、本実施形態によれば、正孔輸送部４２ｂと隣接画素正孔ブロッキング部４２ａとにおける材料同士の密着性が高く、外部からの水、酸素等の異物の浸透を防ぐことができる。このため、本実施形態によれば、より信頼性が高い表示装置１を提供することができる。

　（変形例１）
　図９は、本実施形態に係る発光素子ＥＳの積層構造の他の一例を模式的に示す図である。

　図９に示すように、発光素子ＥＳは、薄膜トランジスタ層３側から、陽極４１、ＨＴＬ４２、ＥＭＬ４３、陰極４５の順に積層された構成を有していてもよい。この場合にも、上述した効果と同様の効果を得ることができる。

　（変形例２）
　図５では、Ｓ１５で示すように、隣接画素正孔ブロッキング部４２ａが、有機絶縁膜１１１の一部であり、該有機絶縁膜１１１に用いられる有機絶縁材料（樹脂）からなる場合を例に挙げて説明した。しかしながら、前述したように、隣接画素正孔ブロッキング部４２ａを構成する正孔ブロッキング材料は、電子輸送性材料であってもよい。図１０は、本変形例に係る表示装置１における発光素子層４の形成工程の一部を、工程順に示す断面図である。図１０は、図４に示す製造工程の後の製造工程の一部を工程順に示している。なお、図１０でも、図２に示すＢ－Ｂ’線矢視断面の一部に対応する断面を示している。

　本変形例では、図１０にＳ１５で示すように、ステップＳ１１～ステップＳ１４の後、図５に示すステップＳ１５と同じステップＳ１５を行う。

　次いで、図１０にＳ２１で示すように、有機絶縁膜１１１からなる隣接画素正孔ブロッキング部４２ａにレーザ光を照射することにより、隣接画素正孔ブロッキング部４２ａ内の有機絶縁膜１１１をグラフェン膜１１４に転化させる（ステップＳ２１、第１変成工程、第１隣接画素正孔ブロッキング部変成工程）。これにより、電子輸送性を有するグラフェン膜１１４からなる隣接画素正孔ブロッキング部４２ａを形成する。

　なお、隣接画素正孔ブロッキング部４２ａ内の有機絶縁膜１１１をグラフェン膜１１４に転化させる方法は、図４に示すステップＳ１４において、各画素Ｐ内（具体的には、バンクＢＫの開口部ＢＫａ内）の有機絶縁膜１１１をグラフェン膜１１２に転化させる方法と同じである。したがって、隣接画素正孔ブロッキング部４２ａ内の有機絶縁膜１１１をグラフェン膜１１４に転化させる方法については、その説明を省略する。

　次いで、図１０にＳ１６で示すように、図５に示すステップＳ１６と同じステップＳ１６を行い、上記隣接画素正孔ブロッキング部４２ａおよび上記正孔輸送部４２ｂが設けられたＨＴＬ４２上に、画素Ｐ毎に、ＥＭＬ４３を形成する。その後、図５に示すステップＳ１７およびステップＳ１８を行うことで、隣接画素正孔ブロッキング部４２ａが電子輸送性材料からなる発光素子ＥＳを備えた発光素子層４が形成される。

　（変形例３）
　変形例２では、有機絶縁材料を、化学反応により、正孔輸送性材料および電子輸送性材料にそれぞれ変成することで、正孔輸送性材料からなる正孔輸送部４２ｂと、電子輸送性材料からなる隣接画素正孔ブロッキング部４２ａとを形成した。しかしながら、本実施形態は、これに限定されるものではない。

　本変形例では、正孔輸送性材料からなる膜の一部を化学反応により電子輸送膜に転化（変成）させることで、正孔輸送性材料からなる正孔輸送部４２ｂと、電子輸送性材料からなる隣接画素正孔ブロッキング部４２ａとを形成する場合を例に挙げて説明する。

　図１１は、本変形例に係る表示装置１における発光素子層４の形成工程の一部を、工程順に示す断面図である。図１１は、図４に示すステップＳ１２の後の製造工程の一部を示している。なお、図１１でも、図２に示すＢ－Ｂ’線矢視断面の一部に対応する断面を示している。

　図１１に示す例では、図４に示すステップＳ１１～ステップＳ１２の後、図１１にＳ２２で示すように、陽極４１およびバンクＢＫ上に、化学反応により電子輸送性を示す材料に転化する正孔輸送性材料からなる正孔輸送膜を、全画素Ｐに渡ってベタ状に形成する（ステップＳ２２、第１成膜工程）。

　上記正孔輸送性材料としては、例えば、グラフェンオキサイドが挙げられる。前述したように、グラフェンオキサイドは、還元することで、電子輸送性を示すグラフェン（還元型グラフェンオキサイド）に転化する。

　以下では、上記正孔輸送膜がグラフェンオキサイド膜１２１である場合を例に挙げて説明する。グラフェンオキサイド膜１２１の形成方法としては、公知の各種方法を用いることができ、特に限定されない。グラフェンオキサイド膜１２１は、例えば、グラフェンオキサイドを溶媒に溶解させた溶液を、スピンコート法、スプレー塗布法等の公知の塗布法で塗布して乾燥させることでして形成することができる。また、グラフェンオキサイド膜１２１は、前述したようにグラフェンを酸化してなる膜であってもよい。例えば、陽極４１およびバンクＢＫ上に、図４に示すステップＳ１３と同様にして有機絶縁膜１１１を形成した後、該有機絶縁膜１１１にレーザを照射してグラフェン化した後、さらに酸化させることで、グラフェンオキサイド膜１２１を形成してもよい。また、後述する変形例４で示すように、グラフェンを成長させることで形成されたグラフェン膜を酸化させてもよい。

　次いで、図１１にＳ２３で示すように、例えばフェムト秒レーザを照射する等して、隣り合う画素Ｐにおける発光素子ＥＳ間のグラフェンオキサイド膜１２１を選択的に還元する。これにより各発光素子ＥＳ間のグラフェンオキサイド膜１２１を、グラフェン膜１２２（還元型グラフェンオキサイド膜）に転化させる（ステップＳ２３、第１変成工程）。これにより、電子輸送性を有するグラフェン膜１２２からなる隣接画素正孔ブロッキング部４２ａと、正孔輸送性を有するグラフェンオキサイド膜１２１からなる正孔輸送部４２ｂとを有するＨＴＬ４２を形成する。

　次いで、図１１にＳ１６で示すように、図５に示すステップＳ１６と同じステップＳ１６を行い、上記隣接画素正孔ブロッキング部４２ａおよび上記正孔輸送部４２ｂが設けられたＨＴＬ４２上に、画素Ｐ毎に、ＥＭＬ４３を形成する。その後、図５に示すステップＳ１７およびステップＳ１８を行うことで、隣接画素正孔ブロッキング部４２ａが電子輸送性材料からなる発光素子ＥＳを備えた発光素子層４が形成される。

　なお、本変形例では、上述したように、グラフェンオキサイド膜１２１の還元に、例えばフェムト秒レーザを用いる場合を例に挙げて説明した。しかしながら、グラフェンオキサイド膜１２１の一部を選択的に還元することができれば、グラフェンオキサイド膜１２１の還元方法は、特に限定されるものではない。

　（変形例４）
　本変形例では、電子輸送性材料からなる膜の一部を化学反応により正孔輸送膜に転化（変成）させることで、正孔輸送性材料からなる正孔輸送部４２ｂと、電子輸送性材料からなる隣接画素正孔ブロッキング部４２ａとを形成する場合を例に挙げて説明する。

　図１２は、本変形例に係る表示装置１における発光素子層４の形成工程の一部の一例を、工程順に示す断面図である。図１２は、図４に示すステップＳ１２の後の製造工程の一部を示している。なお、図１２でも、図２に示すＢ－Ｂ’線矢視断面の一部に対応する断面を示している。

　図１２に示す例では、図４に示すステップＳ１１～ステップＳ１２の後、図１２にＳ２４で示すように、陽極４１およびバンクＢＫ上に、化学反応により正孔輸送性を示す材料に転化する電子輸送性材料からなる電子輸送膜を、全画素Ｐに渡ってベタ状に形成する（ステップＳ２４、第１成膜工程）。

　上記電子輸送性材料としては、例えば、グラフェンが挙げられる。前述したように、グラフェンは、酸化することで、正孔輸送性を示すグラフェンオキサイドに転化する。

　以下では、上記電子輸送膜がグラフェン膜１３１である場合を例に挙げて説明する。グラフェン膜１３１の形成方法としては、公知の各種方法を用いることができ、特に限定されない。グラフェン膜１３１は、例えば、前述したように有機絶縁膜から誘導される膜であってもよい。例えば、陽極４１およびバンクＢＫ上に、図４に示すステップＳ１３と同様にして有機絶縁膜１１１を形成した後、該有機絶縁膜１１１全体にレーザを照射してグラフェン化することで、グラフェン膜１３１を形成してもよい。また、グラフェン膜１３１は、例えば、リモートマイクロ波プラズマによる、成膜原料ガスとしての炭素含有ガスの解離により、被処理基板上にグラフェンを成長させることで、被処理基板上に直接成膜することもできる。なお、触媒上に成長させたグラフェン膜上にサポートを形成し、触媒をエッチング除去してグラフェン膜をターゲット基板に転写した後、サポートを除去することでグラフェン膜を形成することも可能である。

　次いで、グラフェン膜１３１の一部を選択的に酸化させて、各画素Ｐ内（具体的には、バンクＢＫの開口部ＢＫａ内）のグラフェン膜１３１を、グラフェンオキサイド膜１３２に転化させる。

　具体的には、例えば、図１２にＳ２５で示すように、フォトリソグラフィーにより、各発光素子ＥＳ間のグラフェン膜１３１を覆うとともに、バンクＢＫの開口部ＢＫａ内のグラフェン膜１３１を露出させるマスク開口ＭＡを有する、例えばＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）からなるマスクＭを、グラフェン膜１３１上に形成する（ステップＳ２５、第１変成工程）。

　次いで、図１２にＳ２６で示すように、グラフェン膜１３１における、マスク開口ＭＡから露出している部分を、例えば、ＵＶ／Ｏ_３処理する。これにより、グラフェン膜１３１における、マスク開口ＭＡから露出している部分を選択的に酸化させて、選択的にグラフェンオキサイド膜１３２に転化させる（ステップＳ２６、第１変成工程）。

　その後、図１２にＳ２７で示すように、マスクＭを除去する（ステップＳ２７、第１変成工程）。マスクＭの除去には例えばアセトン等を用いることができる。これにより、電子輸送性を有するグラフェン膜１３１からなる隣接画素正孔ブロッキング部４２ａと、正孔輸送性を有するグラフェンオキサイド膜１３２からなる正孔輸送部４２ｂとを形成する。

　次いで、図１２にＳ１６で示すように、図５に示すステップＳ１６と同じステップＳ１６を行い、上記隣接画素正孔ブロッキング部４２ａおよび上記正孔輸送部４２ｂが設けられたＨＴＬ４２上に、画素Ｐ毎に、ＥＭＬ４３を形成する。その後、図５に示すステップＳ１７およびステップＳ１８を行うことで、隣接画素正孔ブロッキング部４２ａが電子輸送性材料からなる発光素子ＥＳを備えた発光素子層４が形成される。

　なお、本変形例では、上述したように、グラフェン膜１３１の酸化に、例えばＵＶ／Ｏ_３処理を用いる場合を例に挙げて説明した。しかしながら、グラフェン膜１３１の一部を選択的に酸化することができれば、グラフェン膜１３１の酸化方法は、特に限定されるものではない。

　グラフェンを酸化させてグラフェンオキサイドを得る方法としては、前述した、公知の各種方法を用いることができる。隣り合う、バンクＢＫの開口部ＢＫａ間に、グラフェン膜１３１が残存するように酸化条件が設定されていれば、酸化方法は特に限定されない。グラフェン膜１３１の部分酸化は、例えば、マスクを用いて、酸化剤を含む溶液を選択的にグラフェン膜１３１に滴下することで行われてもよい。また、部分酸化に先立って、例えばグラフェン膜１３１にＵＶ等を部分的に照射する等して、グラフェン膜１３１の表面を部分的に改質してもよい。グラフェン膜１３１の表面を部分的に改質して、部分的に撥水性あるいは親水性を付与することで、酸化領域を制御することができる。

　（変形例５）
　隣接画素正孔ブロッキング部４２ａと正孔輸送部４２ｂとは、化学的に結合することで最終的に１つの層となるようにパターン形成されていてもよい。本変形例では、正孔輸送部４２ｂと隣接画素正孔ブロッキング部４２ａとを、それぞれ別々の材料でパターン形成する場合を例に挙げて説明する。

　図１３は、本変形例に係る表示装置１における発光素子層４の形成工程の一部を、工程順に示す断面図である。図１３は、図４に示すステップＳ１２の後の製造工程の一部を示している。なお、図１３でも、図２に示すＢ－Ｂ’線矢視断面の一部に対応する断面を示している。

　図１３に示す例では、図４に示すステップＳ１１～ステップＳ１２の後、図１３にＳ２８で示すように、隣り合う画素Ｐ間のバンクＢＫ上に、隣接画素正孔ブロッキング部４２ａとして、正孔ブロッキング材料からなる膜１４１をパターン形成する（ステップＳ２８、キャリア輸送部をパターン形成する工程）。上記正孔ブロッキング材料からなる膜１４１は、有機絶縁材料であってもよく、電子輸送性材料であってもよい。この場合、上記有機絶縁材料あるいは上記電子輸送性材料には、前述した各種材料を用いることができる。

　上記正孔ブロッキング材料からなる膜１４１をパターン形成する方法としては、特に限定されるものではなく、例えば、前述した（１）～（５）のパターン形成方法を用いることができる。

　なお、上記正孔ブロッキング材料からなる膜１４１がグラフェン膜である場合、該グラフェン膜は、有機絶縁膜をグラフェン化してなる膜であってもよいし、グラフェンオキサイド膜を還元してなるグラフェン膜（還元型グラフェンオキサイド膜）であってもよい。

　上記正孔ブロッキング材料からなる膜１４１が有機絶縁膜をグラフェン化してなる膜である場合、パターン形成した有機絶縁膜をグラフェン化してもよいし、ベタ状の有機絶縁膜をグラフェン化した後、得られたグラフェン膜をパターニングしてもよい。

　例えば、図４に示すステップＳ１３の後、ステップＳ１３で形成したベタ状の有機絶縁膜１１１全体をグラフェン化してからパターニングしてもよいし、ベタ状の有機絶縁膜１１１をパターニングした後、グラフェン化してもよい。

　また、パターン形成した有機絶縁膜をグラフェン化する場合、例えば、ソフトナノインプリント方法により、ＰＩ等の有機絶縁材料をバンクＢＫ上に成膜し、その後、レーザ照射により、上記有機絶縁材料をグラフェンに変成してもよい。

　同様に、上記正孔ブロッキング材料からなる膜１４１がグラフェンオキサイド膜を還元してなる還元型グラフェンオキサイド膜である場合、パターン形成したグラフェンオキサイド膜を還元してグラフェン化してもよい。また、ベタ状のグラフェンオキサイド膜全体を還元した後、得られた還元型グラフェンオキサイド膜をパターニングしてもよい。

　一例として、水溶液中での還元方法を以下に示す。例えば、まず、グラフェンオキサイド膜（１００ｍｇ）が形成された基板を、水（最小１００ｍＬ）中に浸漬する。次いで、ヒドラジン（１．００ｍＬ、３２．１ｍｍｏｌ）を水に溶解し、１００℃で２４時間加熱して還元反応を行う。なお、上記還元反応中は、気体となったヒドラジンを循環させ、グラフェンオキサイドとの還元反応を継続化させるため、コンデンサを使用することが望ましい。その後、上記基板を、例えば、１００ｍＬの水で５回洗浄した後、１００ｍＬのメタノールで５回洗浄する。洗浄後、真空加熱環境下で、約時間乾燥を行う。これにより、還元型グラフェンオキサイド膜を形成することができる。なお、上述したように、グラフェンオキサイド膜は、予めパターン化されていてもよく、還元後にパターン化してもよい。

　上記パターニングには、フォトリソグラフィー、レーザ加工等、公知のパターニング技術を用いることができる。

　本変形例では、このように正孔ブロッキング材料からなる膜１４１をパターン形成した後、図１３にＳ２９で示すように、正孔輸送部４２ｂとして、正孔輸送性材料からなる膜１４２をパターン形成する（ステップＳ２９、隣接画素キャリアブロッキング部をパターン形成する工程）。このとき、正孔輸送性材料からなる膜１４２は、各画素Ｐ内（具体的には、正孔ブロッキング材料からなる膜１４１で囲まれた領域）に、陽極４１を覆うようにパターン形成される。上記正孔輸送性材料には、前述した各種材料を用いることができる。

　正孔輸送性材料からなる膜１４２をパターン形成する方法としては、特に限定されるものではない。この場合にも、例えば、前述した（１）～（５）のパターン形成方法を用いることができる。

　これにより、上記正孔ブロッキング材料からなる膜１４１からなる隣接画素正孔ブロッキング部４２ａと、上記正孔輸送性材料からなる膜１４２からなる正孔輸送部４２ｂとが形成される。

　次いで、図１３にＳ１６で示すように、図５に示すステップＳ１６と同じステップＳ１６を行い、上記隣接画素正孔ブロッキング部４２ａおよび上記正孔輸送部４２ｂが設けられたＨＴＬ４２上に、画素Ｐ毎に、ＥＭＬ４３を形成する。その後、図５に示すステップＳ１７およびステップＳ１８を行うことで、隣接画素正孔ブロッキング部４２ａが電子輸送性材料からなる発光素子ＥＳを備えた発光素子層４が形成される。

　本変形例で形成された正孔ブロッキング材料からなる膜１４１からなる隣接画素正孔ブロッキング部４２ａと、上記正孔輸送性材料からなる膜１４２からなる正孔輸送部４２ｂとは、それぞれの接触部において、互いに化学的に結合する。このため、上記の方法によれば、同一層内に、隣接画素正孔ブロッキング部４２ａと、正孔輸送部４２ｂとが一体的に形成されたＨＴＬ４２を形成することができる。

　なお、本変形例では、隣接画素正孔ブロッキング部４２ａをパターン形成した後、正孔輸送部４２ｂをパターン形成する場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本変形例は、これに限定されるものではなく、正孔輸送部４２ｂをパターン形成した後、隣接画素正孔ブロッキング部４２ａをパターン形成してもよい。

　（変形例６）
　また、本実施形態では、表示装置１が、赤色、緑色及び青色の光をそれぞれ発光する３種類の発光素子ＲＥＳ・ＧＥＳ・ＢＥＳを備えた場合を一例に挙げて説明した。しかしながら、本実施形態は、これに限定されることはなく、それぞれ異なる色の光を発光する４種類以上の発光素子を備えていてもよく、２種類の発光素子を備えていてもよい。

　〔実施形態２〕
　本発明の実施の他の形態について、図１４～図１８に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施形態では、実施形態１との相異点について説明する。説明の便宜上、実施形態１で説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。

　図１４は、本実施形態に係る表示装置１における画素Ｐの概略構成の一例を示す断面図である。本実施形態に係る表示装置１の概略構成の一例を、一部を拡大して示す平面図は、図２と同じである。図１４は、図２に示すＡ－Ａ’線矢視断面図に相当する。

　図１４に示す表示装置１は、以下に示す点を除けば、実施形態１に係る表示装置１と同じ構成を有している。図１４に示す表示装置１は、ＥＴＬ４４が、キャリア輸送部としての電子輸送部４４ｂと、隣接画素キャリアブロッキング部としての隣接画素電子ブロッキング部４４ａと、を備えている。すなわち、本実施形態に係る表示装置１は、ＨＴＬ４２およびＥＴＬ４４が、それぞれ、キャリア輸送部と、隣接画素キャリアブロッキング部と、を備えている。

　電子輸送部４４ｂは、電子輸送性を有している。電子輸送部４４ｂは、発光素子ＥＳ毎に、それぞれの発光素子ＥＳにおけるＥＭＬ４３と重畳して設けられ、該ＥＭＬ４３に、キャリアとして電子を輸送する。

　隣接画素電子ブロッキング部４４ａは、隣り合う画素Ｐにおける発光素子ＥＳの間の部分に設けられ、隣り合う画素Ｐにおける発光素子ＥＳ間の電子の輸送をブロッキングする。なお、隣接画素電子ブロッキング部４４ａは、隣り合う画素Ｐにおける発光素子ＥＳ間の電子の輸送をブロッキングできるように、隣り合う画素Ｐにおける電子輸送部４４ｂ同士の間に設けられていれば、その大きさは、特に限定されるものではない。

　電子輸送部４４ｂと隣接画素電子ブロッキング部４４ａとは、例えば、全画素Ｐに共通して設けられた共通層の少なくとも一部を化学反応により変成することで形成することができる。このようにして形成された電子輸送部４４ｂと隣接画素電子ブロッキング部４４ａとは、互いに化学的に結合されており、同一層内に互いに一体的に形成されている。また、電子輸送部４４ｂと隣接画素電子ブロッキング部４４ａとは、上述したように全画素Ｐに共通して設けられた共通層の少なくとも一部を化学反応により変成してなることで、好適には、実質的に同一の厚みを有している。

　電子輸送部４４ｂは、電子輸送性材料で構成される。一方、隣接画素電子ブロッキング部４４ａは、電子の輸送をブロッキングする電子ブロッキング材料で構成される。上記電子ブロッキング材料としては、例えば、有機絶縁材料を用いることができる。なお、上記電子ブロッキング材料は、正孔輸送性材料であってもよい。

　電子輸送部４４ｂは、電子輸送性材料を成膜することで形成されていてもよく、有機絶縁材料あるいは正孔輸送性材料を化学反応により電子輸送性材料に転化（変成）させることで形成されていてもよい。したがって、電子輸送部４４ｂは、隣接画素電子ブロッキング部４４ａに用いられている電子ブロッキング材料を化学反応により変成することで形成されていてもよい。

　隣接画素電子ブロッキング部４４ａは、有機絶縁材料あるいは正孔輸送性材料を成膜することで形成されていてもよく、有機絶縁材料あるいは電子輸送性材料を化学反応により正孔輸送性材料に転化（変成）させることで形成されていてもよい。

　但し、本実施形態は、これに限定されるものではない。電子輸送部４４ｂと隣接画素電子ブロッキング部４４ａとは、それぞれ別々の材料でパターン形成されていてもよい。

　電子輸送部４４ｂと隣接画素電子ブロッキング部４４ａとを別々の材料でパターン形成する場合、上記パターン形成は、例えば、以下の方法により行うことができる。

　例えば、上記電子輸送部４４ｂおよび隣接画素電子ブロッキング部４４ａの材料が粉体（固体）である場合、上記パターン形成方法としては、（１）ＦＭＭ（ファインメタルマスク）を用いて塗分け蒸着する方法、（２）インクジェット法、（３）画素ＲＰ、画素ＧＰ、画素ＢＰに応じたパターンを有するシリコンゴムを用いて、これら画素内にそれぞれ上記材料を転写する方法、等が挙げられる。

　上記電子輸送部４４ｂおよび隣接画素電子ブロッキング部４４ａの材料が液体である場合、上記パターン形成方法としては、上記（２）の方法、上記（３）の方法、並びに、（４）上記材料を基板全面に塗布後、フォトリソグラフィーを行う方法、（５）レーザ加工を行う方法、等が挙げられる。

　また、電子輸送部４４ｂと隣接画素電子ブロッキング部４４ａとを別々にパターン形成する場合に電子輸送部４４ｂおよび隣接画素電子ブロッキング部４４ａのうち少なくとも一方が材料の転化（変成）を伴う場合、該材料の転化（変成）は、該材料の転化（変成）を伴うパターンの形成後に行われてもよく、電子輸送部４４ｂおよび隣接画素電子ブロッキング部４４ａの両パターンの形成後に行われてもよい。また、成膜とパターニングとが別々に行われる場合、上記材料の転化（変成）は、パターニング後に行われてもよく、成膜後、パターン形成を行う前に行われてもよい。

　上述したように共通層の少なくとも一部を化学反応により変成することで電子輸送部４４ｂと隣接画素電子ブロッキング部４４ａとを形成する場合、電子輸送部４４ｂと隣接画素電子ブロッキング部４４ａとは、共有結合により、互いに化学的に結合される。

　一方、電子輸送部４４ｂと隣接画素電子ブロッキング部４４ａとを、それぞれ別々の材料でパターン形成する場合、電子輸送部４４ｂと隣接画素電子ブロッキング部４４ａとは、例えば、材料の化学物質の間の分子間力（ファンデルワールス力）あるいは水素結合等により互いに化学的に結合されて、一体化した一つの層となる。そして、この場合にも、同一層内において隣り合う電子輸送部４４ｂ間に、これら電子輸送部４４ｂと一体的に形成された隣接画素電子ブロッキング部４４ａが設けられる。

　上記電子輸送性材料としては、例えば、実施形態１で例示した電子輸送性材料からなる群より選ばれる少なくとも一種の電子輸送性材料を用いることができる。

　上記有機絶縁材料としては、例えば、実施形態１で例示した有機絶縁材料からなる群より選ばれる少なくとも一種の有機絶縁材料を用いることができる。

　上記正孔輸送性材料としては、例えば、実施形態１で例示した正孔輸送性材料からなる群より選ばれる少なくとも一種の正孔輸送性材料を用いることができる。

　前述したように、電子輸送部４４ｂは、例えば、上記電子ブロッキング材料を化学反応により変成することで形成することができる。実施形態１で説明したように、ＰＩ、ＰＥＩ、ＰＡＮ等の有機絶縁材料は、十分な耐熱性を有するとともに、炭素を含み、レーザ光に曝露することによって、グラフェンに転化する。また、実施形態１で説明したように、グラフェンオキサイドは、還元することで、グラフェン（還元型グラフェンオキサイド）に転化する。したがって、上記電子輸送性材料は、有機絶縁材料から誘導されるグラフェン（誘導グラフェン）であってもよく、グラフェンオキサイドを還元してなるグラフェン（還元型グラフェンオキサイド）であってもよい。

　また、前述したように、隣接画素電子ブロッキング部４４ａは、例えば、電子輸送材料を化学反応により変成することで形成してもよい。実施形態１で説明したように、グラフェンは、電子輸送性を示すが、酸化反応により、正孔輸送性を示すグラフェンオキサイドに転化する。

　したがって、例えば、上記有機絶縁材料または上記正孔輸送性材料からなる共通層の一部を電子輸送性材料に転化させることで、同一層内に、該電子輸送性材料からなる電子輸送部４４ｂと、電子輸送性材料に転化させていない上記有機絶縁材料または上記正孔輸送性材料からなる隣接画素電子ブロッキング部４４ａとを一体的に形成することができる。

　また、例えば、上記電子輸送性材料からなる共通層の一部を正孔輸送性材料に転化させることで、同一層内に、電子輸送性材料からなる隣接画素電子ブロッキング部４４ａと、正孔輸送性材料に転化させていない上記電子輸送性材料からなる電子輸送部４４ｂとを一体的に形成することができる。

　上記ＥＴＬ４４の厚みは、電子と正孔とのキャリアバランスを調整するため、１ｎｍ以上であることがより好ましい。また、上記ＥＴＬ４４の厚みが３０ｎｍを超えると、電子の移動度が遅くなり、表示装置１の駆動電圧が高くなる傾向がある。このため、上記ＥＴＬ４４の厚みは、３０ｎｍ以下であることがより好ましい。

　なお、電子輸送部４４ｂと隣接画素電子ブロッキング部４４ａとは、前述したように実質的に同一の厚みを有していることが好ましいが、互いの厚みが異なっていても構わない。電子輸送部４４ｂが、有機絶縁材料を化学反応により変成することで形成される場合、変成されていない有機絶縁材料からなる部分の厚みが０．５～３ｎｍの範囲内であれば、トンネル効果によりＥＭＬ４３に電子を輸送することが可能である。このため、電子輸送部４４ｂは、ＥＴＬ４４の厚みが、トンネル効果を発現しない３ｎｍを超える厚みを有し、変成されていない有機絶縁材料からなる部分の厚みが、トンネル効果を発現する０．５～３ｎｍの範囲内であれば、ＥＴＬ４４の表面にのみ設けられていても構わない。

　図１４に示すように、本実施形態に係る発光素子ＲＥＳは、陽極４１Ｒ、ＨＴＬ４２Ｒ、ＥＭＬ４３Ｒ、ＥＴＬ４４Ｒ、陰極４５を備えている。発光素子ＧＥＳは、陽極４１Ｇ、ＨＴＬ４２Ｇ、ＥＭＬ４３Ｇ、ＥＴＬ４４Ｇ、陰極４５を備えている。発光素子ＢＥＳは、陽極４１Ｂ、ＨＴＬ４２Ｂ、ＥＭＬ４３Ｂ、ＥＴＬ４４Ｂ、陰極４５を備えている。ＥＴＬ４４Ｒは、画素ＲＰにおける、ＥＴＬ４４の電子輸送部４４ｂである。ＥＴＬ４４Ｇは、画素ＧＰにおける、ＥＴＬ４４の電子輸送部４４ｂである。ＥＴＬ４４Ｂは、画素ＢＰにおける、ＥＴＬ４４の電子輸送部４４ｂである。

　（表示装置１の製造方法）
　次に、表示装置１の製造方法について、実施形態１と異なる部分について説明する。

　図１５は、図５に示すステップＳ１５の後の製造工程の一部を工程順に示す他の断面図である。なお、図１５でも、図２に示すＢ－Ｂ’線矢視断面の一部に対応する断面を示している。

　以下では、共通層として全画素Ｐに共通して設けられた有機絶縁膜の少なくとも一部を化学反応により変成することで電子輸送部４４ｂと隣接画素電子ブロッキング部４４ａとを形成する場合を例に挙げて説明する。

　本実施形態では、図１５にＳ１６で示すように、ステップＳ１１～ステップＳ１４の後、図５に示すステップＳ１６と同じステップＳ１６を行う。本実施形態では、図５に示すステップＳ１７およびステップＳ１８に代えて、以下のステップＳ３１～ステップＳ３３を行う。

　つまり、本実施形態では、上記ステップＳ１６の後、まず、図１５にＳ３１で示すように、ＥＭＬ４３を覆うように、ＨＴＬ４２上に、化学反応により電子輸送性を示す材料に転化する有機絶縁材料を、全画素Ｐに渡ってベタ状に成膜する。これにより、ベタ状の有機絶縁膜１１５を形成する（ステップＳ３１、第２成膜工程）。

　以下では、上記有機絶縁膜１１５に、レーザ光に曝露することでグラフェンに転化するグラフェン前駆体材料となる樹脂を使用する場合を例に挙げて説明する。有機絶縁膜１１５には、有機絶縁膜１１１と同じ材料を使用することができる。この場合、有機絶縁膜１１５を成膜する方法は、ステップＳ１３において有機絶縁膜１１１を成膜する方法と同じである。したがって、ここでは、有機絶縁膜１１５の成膜方法についての説明を省略する。

　次いで、図１５にＳ３２で示すように、各画素Ｐ内（具体的には、バンクＢＫの開口部ＢＫａ内）にのみレーザ光を選択的に照射することにより、各画素Ｐ内の有機絶縁膜１１５をグラフェンに転化させる。これにより、各画素Ｐ内に、グラフェン膜１１６を形成するとともに、隣り合う画素Ｐ間に、これら画素Ｐにおける発光素子ＥＳ間の電子の輸送をブロッキングする、有機絶縁膜１１５からなる隣接画素電子ブロッキング部４４ａを形成する（ステップＳ３２、第２変成工程、第２キャリア輸送部変成工程）。

　次いで、図１５にＳ３３で示すように、上記隣接画素電子ブロッキング部４４ａおよび上記電子輸送部４４ｂが設けられたＥＴＬ４４上に、上部電極として陰極４５を形成する（ステップＳ３３、上部電極を形成する工程）。なお、ＥＴＬ４４上に陰極４５を形成する方法は、図５に示すステップＳ１８において、ＥＴＬ４４上に陰極４５を形成する方法と同じである。

　これにより、平坦化膜３３上に、複数の発光素子ＥＳを含む発光素子層４が形成される。このように、表示装置１は、ＨＴＬ４２およびＥＴＬ４４が、それぞれ、キャリア輸送部と、隣接画素キャリアブロッキング部と、を備えていてもよい。

　（変形例１）
　図１５では、Ｓ３２で示すように、隣接画素電子ブロッキング部４４ａが、有機絶縁膜１１５の一部であり、該有機絶縁膜１１５に用いられる有機絶縁材料（樹脂）からなる場合を例に挙げて説明した。しかしながら、前述したように、隣接画素電子ブロッキング部４４ａを構成する電子ブロッキング材料は、正孔輸送性材料であってもよい。

　本変形例では、正孔輸送性材料からなる膜の一部を化学反応により電子輸送膜に転化（変成）させることで、正孔輸送性材料からなる隣接画素電子ブロッキング部４４ａと電子輸送性材料からなる電子輸送部４４ｂとを形成する場合を例に挙げて説明する。

　図１６は、本変形例に係る表示装置１における発光素子層４の形成工程の一部を、工程順に示す断面図である。図１６は、図５に示すステップＳ１５の後の製造工程の一部を示している。なお、図１６でも、図２に示すＢ－Ｂ’線矢視断面の一部に対応する断面を示している。

　図１６に示す例では、図１５に示すステップＳ１６と同じステップＳ１６の後、図１６にＳ４１で示すように、ＥＭＬ４３を覆うように、ＨＴＬ４２上に、化学反応により電子輸送性を示す材料に転化する正孔輸送性材料からなる正孔輸送膜を、全画素Ｐに渡ってベタ状に形成する（ステップＳ４１、第２成膜工程）。

　上記正孔輸送性材料としては、前述したように、例えば、グラフェンオキサイドが挙げられる。以下では、上記正孔輸送膜がグラフェンオキサイド膜１５１である場合を例に挙げて説明する。この場合、グラフェンオキサイド膜１５１を成膜する方法は、実施形態１のステップＳ２２においてグラフェンオキサイド膜１２１を成膜する方法と同じである。したがって、ここでは、グラフェンオキサイド膜１５１の成膜方法についての説明を省略する。

　次いで、図１６にＳ４２で示すように、例えばフェムト秒レーザを照射する等して、各画素Ｐ内（具体的には、バンクＢＫの開口部ＢＫａ内）のグラフェンオキサイド膜１５１を選択的に還元する。これにより、各画素Ｐ内のグラフェンオキサイド膜１５１を、グラフェン膜１５２（還元型グラフェンオキサイド膜）に転化させる（ステップＳ４２、第２成膜工程、第２キャリア輸送部変成工程）。これにより、正孔輸送性を有するグラフェンオキサイド膜１５１からなる隣接画素電子ブロッキング部４４ａと、電子輸送性を有するグラフェン膜１５２からなる電子輸送部４４ｂとを形成する。

　次いで、図１６にＳ３３で示すように、図１５に示すステップＳ３３と同じステップＳ３３を行い、上記隣接画素電子ブロッキング部４４ａおよび上記電子輸送部４４ｂが設けられたＥＴＬ４４上に、上部電極として陰極４５を形成する。これにより、本変形例に係る発光素子層４が形成される。

　なお、本変形例では、上述したように、グラフェンオキサイド膜１５１の還元に、例えばフェムト秒レーザを用いる場合を例に挙げて説明した。しかしながら、グラフェンオキサイド膜１５１の一部を選択的に還元することができれば、グラフェンオキサイド膜１５１の還元方法は、特に限定されるものではない。

　（変形例２）
　本変形例では、電子輸送性材料からなる膜の一部を化学反応により正孔輸送膜に転化（変成）させることで、正孔輸送性材料からなる隣接画素電子ブロッキング部４４ａと電子輸送性材料からなる電子輸送部４４ｂとを形成する場合を例に挙げて説明する。

　図１７は、本変形例に係る表示装置１における発光素子層４の形成工程の一部の一例を、工程順に示す断面図である。図１７は、図５に示すステップＳ１５の後の製造工程の一部を示している。なお、図１７でも、図２に示すＢ－Ｂ’線矢視断面の一部に対応する断面を示している。

　図１７に示す例では、図１５に示すステップＳ１６と同じステップＳ１６の後、図１７にＳ４３で示すように、ＥＭＬ４３を覆うように、ＨＴＬ４２上に、化学反応により正孔輸送性を示す材料に転化する電子輸送性材料からなる電子輸送膜を、全画素Ｐに渡ってベタ状に形成する（ステップＳ４３、第２成膜工程）。

　上記電子輸送性材料としては、前述したように、例えば、グラフェンが挙げられる。以下では、上記電子輸送膜がグラフェン膜１６１である場合を例に挙げて説明する。この場合、グラフェン膜１６１を成膜する方法は、実施形態１のステップＳ２４においてグラフェン膜１３１を成膜する方法と同じである。したがって、ここでは、グラフェン膜１６１の成膜方法についての説明を省略する。

　次いで、グラフェン膜１６１の一部を選択的に酸化させて、隣り合う画素Ｐにおける発光素子ＥＳ間のグラフェン膜１６１を、グラフェンオキサイド膜１６２に転化させる。

　具体的には、例えば、図１７にＳ４４で示すように、フォトリソグラフィーにより、バンクＢＫの開口部ＢＫａ内のグラフェン膜１３１を覆うとともに、各発光素子ＥＳ間のグラフェン膜１６１を露出させる開口部ＭＡを有する、例えばＰＭＭＡからなるマスクＭを、グラフェン膜１６１上に形成する（ステップＳ４４、第２変成工程）。

　次いで、図１７にＳ４５で示すように、グラフェン膜１６１における、マスク開口ＭＡから露出している部分を、例えば、ＵＶ／Ｏ_３処理する。これにより、グラフェン膜１６１における、マスク開口ＭＡから露出している部分を選択的に酸化させて、選択的にグラフェンオキサイド膜１６２に転化させる（ステップＳ４５、第２変成工程）。

　その後、図１７にＳ４６で示すように、マスクＭを除去する（ステップＳ４６、第２変成工程）。マスクＭの除去には例えばアセトン等を用いることができる。これにより、正孔輸送性を有するグラフェンオキサイド膜１６２からなる隣接画素電子ブロッキング部４４ａと、電子輸送性を有するグラフェン膜１６１からなる電子輸送部４４ｂとを形成する。

　次いで、図１７にＳ３３で示すように、図１５に示すステップＳ３３と同じステップＳ３３を行い、上記隣接画素電子ブロッキング部４４ａおよび上記電子輸送部４４ｂが設けられたＥＴＬ４４上に、上部電極として陰極４５を形成する。これにより、本変形例に係る発光素子層４が形成される。

　なお、本変形例では、上述したように、グラフェン膜１６１の酸化に、例えばＵＶ／Ｏ_３処理を用いる場合を例に挙げて説明した。しかしながら、グラフェン膜１６１の一部を選択的に酸化することができれば、グラフェン膜１６１の酸化方法は、特に限定されるものではない。

　（変形例３）
　隣接画素電子ブロッキング部４４ａと電子輸送部４４ｂとは、化学的に結合することで最終的に１つの層となるようにパターン形成されていてもよい。本変形例では、隣接画素電子ブロッキング部４４ａと電子輸送部４４ｂとを、それぞれ別々の材料でパターン形成する場合を例に挙げて説明する。

　図１８は、本変形例に係る表示装置１における発光素子層４の形成工程の一部を、工程順に示す断面図である。図１８は、図５に示すステップＳ１５２の後の製造工程の一部を示している。なお、図１８でも、図２に示すＢ－Ｂ’線矢視断面の一部に対応する断面を示している。

　図１８に示す例では、図１５に示すステップＳ１６と同じステップＳ１６の後、図１８にＳ４７で示すように、隣り合う画素Ｐ間のバンクＢＫ上に、隣接画素電子ブロッキング部４４ａとして、電子ブロッキング材料からなる膜１７１をパターン形成する（ステップＳ４７、キャリア輸送部をパターン形成する工程）。上記電子ブロッキング材料からなる膜１７１は、有機絶縁材料であってもよく、正孔輸送性材料であってもよい。この場合、上記有機絶縁材料あるいは上記正孔輸送性材料には、前述した各種材料を用いることができる。

　上記電子ブロッキング材料からなる膜１７１をパターン形成する方法としては、特に限定されるものではなく、例えば、前述した（１）～（５）のパターン形成方法を用いることができる。

　なお、上記電子ブロッキング材料からなる膜１７１が、例えば、グラフェン膜を酸化してなるグラフェンオキサイド膜である場合、パターン形成したグラフェン膜を酸化してもよいし、ベタ状のグラフェン膜を酸化した後、得られたグラフェンオキサイド膜をパターニングしてもよい。同様に、上記電子ブロッキング材料からなる膜１７１が、例えば、有機絶縁膜をグラフェン化した後、得られたグラフェン膜を酸化してなるグラフェンオキサイド膜である場合、有機絶縁膜のグラフェン化並びにグラフェン膜の酸化とパターニングとの順番は、特に限定されない。例えば、有機絶縁膜のグラフェン化並びにグラフェン膜の酸化は、有機絶縁膜のパターニング後に行われてもよく、有機絶縁膜のグラフェン化並びにグラフェン膜の酸化後に、得られたグラフェンオキサイド膜をパターニングしてもよい。また、有機絶縁膜のグラフェン化と、グラフェン膜の酸化との間で、グラフェン膜のパターニングが行われてもよい。

　本変形例では、このように電子ブロッキング材料からなる膜１７１をパターン形成した後、図１８にＳ４８で示すように、電子輸送部４４ｂとして、電子輸送性材料からなる膜１７２をパターン形成する（ステップＳ４８、隣接画素キャリアブロッキング部をパターン形成する工程）。このとき、電子輸送性材料からなる膜１７２は、各画素Ｐ内（具体的には、電子ブロッキング材料からなる膜１７１で囲まれた領域）に、ＥＭＬ４３を覆うようにパターン形成される。上記電子輸送性材料には、前述した各種材料を用いることができる。

　電子輸送性材料からなる膜１７２をパターン形成する方法としては、特に限定されるものではない。この場合にも、例えば、前述した（１）～（５）のパターン形成方法を用いることができる。

　これにより、上記電子ブロッキング材料からなる膜１７１からなる隣接画素電子ブロッキング部４４ａと、上記電子輸送性材料からなる膜１７２からなる電子輸送部４４ｂとが形成される。

　本変形例で形成された電子ブロッキング材料からなる膜１７１からなる隣接画素電子ブロッキング部４４ａと、上記電子輸送性材料からなる膜１７２からなる電子輸送部４４ｂとは、それぞれの接触部において、互いに化学的に結合する。このため、上記の方法によれば、同一層内に、隣接画素電子ブロッキング部４４ａと、電子輸送部４４ｂとが一体的に形成されたＥＴＬ４４を形成することができる。

　なお、本変形例では、隣接画素電子ブロッキング部４４ａをパターン形成した後、電子輸送部４４ｂをパターン形成する場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本変形例は、これに限定されるものではなく、電子輸送部４４ｂをパターン形成した後、隣接画素電子ブロッキング部４４ａをパターン形成してもよい。

　〔実施形態３〕
　本発明の実施の他の形態について、図１９～図２３に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施形態では、実施形態１、２との相異点について説明する。説明の便宜上、実施形態１、２で説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。

　図１９は、本実施形態に係る表示装置１における画素Ｐの概略構成の一例を示す断面図である。本実施形態に係る表示装置１の概略構成の一例を、一部を拡大して示す平面図は、図２と同じである。図１９は、図２に示すＡ－Ａ’線矢視断面図に相当する。

　図１９に示す表示装置１は、以下に示す点を除けば、実施形態１に係る表示装置１と同じ構成を有している。図１９に示す表示装置１の発光素子層４は、陰極４５、バンクＢＫ、ＥＴＬ４４、ＥＭＬ４３、ＨＴＬ４２、陽極４１が、薄膜トランジスタ層３側からこの順に積層された構成を有している。このため、本実施形態では、ＥＴＬ４４が第１のキャリア輸送層であり、ＨＴＬ４２が第２のキャリア輸送層である。図１９に示すように、実施形態１、２において、発光素子ＥＳにおける陽極４１から陰極４５までの積層順は、逆であってもよい。

　なお、実施形態１で説明したように、陽極４１および陰極４５のうち、少なくとも、光の取出し面側となる電極は光透過性を有している必要がある。一方、光の取出し面と反対側の電極は、光透過性を有していてもよいし、光反射性を有していてもよい。

　したがって、本実施形態では、例えば、表示装置１をトップエミッション型の表示装置とする場合、上部電極である陽極４１を光透過性材料からなる光透過性電極で形成し、下部電極である陰極４５を、光反射性材料からなる光反射電極で形成する。一方、表示装置１をボトムエミッション型の表示装置とする場合、上部電極である陽極４１を光反射性材料からなる光反射電極で形成し、下部電極である陰極４５を光透過性材料からなる光透過性電極で形成する。

　図１９に示す表示装置１は、ＥＴＬ４４およびＨＴＬ４２のうち、ＥＴＬ４４が、キャリア輸送部としての電子輸送部４４ｂと、隣接画素キャリアブロッキング部としての隣接画素電子ブロッキング部４４ａと、を備えている。

　なお、電子輸送部４４ｂおよび隣接画素電子ブロッキング部４４ａは、実施形態２で説明した電子輸送部４４ｂおよび隣接画素電子ブロッキング部４４ａと同じである。このため、本実施形態では、その説明を省略する。

　なお、本実施形態において、ＨＴＬ４２には、公知の正孔輸送性材料を用いることができる。上記正孔輸送性材料としては、例えば、実施形態１で例示した正孔輸送性材料からなる群より選ばれる少なくとも一種の正孔輸送性材料を用いることができる。

　図１９に示す発光素子ＲＥＳは、陰極４５Ｒ、ＥＴＬ４４Ｒ、ＥＭＬ４３Ｒ、ＨＴＬ４２、陽極４１を備えている。発光素子ＧＥＳは、陰極４５Ｇ、ＥＴＬ４４Ｇ、ＥＭＬ４３Ｇ、ＨＴＬ４２、陽極４１を備えている。発光素子ＢＥＳは、陰極４５Ｂ、ＥＴＬ４４Ｂ、ＥＭＬ４３Ｂ、ＨＴＬ４２、陽極４１を備えている。

　（発光素子層４の形成工程）
　以下では、実施形態１との相違点として、発光素子層４の形成工程について説明する。
図２０および図２１は、それぞれ、ステップＳ２における発光素子層４の形成工程の一部を工程順に示す断面図である。図２０は、図２０に示す製造工程の後の製造工程を示している。なお、図２０および図２１は、図２に示すＢ－Ｂ’線矢視断面の一部に対応する断面を示している。ステップＳ２は、図２０に示すステップＳ５１～ステップＳ５４および図２１に示すステップＳ５５～ステップＳ５７を備えている。

　ステップＳ２では、まず、図２０にＳ５１で示すように、薄膜トランジスタ層３における平坦化膜３３上に、下部電極として、陰極４５を、画素Ｐ毎に島状にパターン形成する（ステップＳ５１、下部電極を形成する工程）。陰極４５の形成には、実施形態１に係る陰極４５の形成方法と同様の方法を用いることができる。

　次いで、図２０にＳ５２で示すように、上記平坦化膜３３上に、各画素Ｐにおける陰極４５のパターンエッジを覆うように、画素分離膜となるバンクＢＫを形成する（ステップＳ５２）。バンクＢＫの形成には、実施形態１に係るバンクＢＫの形成方法と同様の方法を用いることができる。

　次いで、図２０にＳ５３で示すように、陰極４５およびバンクＢＫ上に、化学反応により電子輸送性を示す材料に転化する有機絶縁材料を、全画素Ｐに渡ってベタ状に成膜することで、有機絶縁膜１１５を形成する（ステップＳ５３、第１成膜工程）。

　以下では、上記有機絶縁膜１１５に、実施形態２と同じ、レーザ光に曝露することでグラフェンに転化するグラフェン前駆体材料となる樹脂を使用する場合を例に挙げて説明する。この場合、有機絶縁膜１１５を成膜する方法は、実施形態２のステップＳ３１と同じである。

　次いで、図２０にＳ５４で示すように、各画素Ｐ内（具体的には、バンクＢＫの開口部ＢＫａ内）にのみレーザ光を選択的に照射することにより、各画素Ｐ内の有機絶縁膜１１５をグラフェンに転化させる。これにより、各画素Ｐ内に、グラフェン膜１１６を形成するとともに、隣り合う画素Ｐ間に、これら画素Ｐにおける発光素子ＥＳ間の電子の輸送をブロッキングする、有機絶縁膜１１５からなる隣接画素電子ブロッキング部４４ａを形成する（ステップＳ５４、第１変成工程）。

　次いで、図２１にＳ５５で示すように、上記隣接画素電子ブロッキング部４４ａおよび上記電子輸送部４４ｂが設けられたＥＴＬ４４上に、画素Ｐ毎に、ＥＭＬ４３を形成する（ステップＳ５５、発光層を形成する工程）。ＥＭＬ４３の形成には、実施形態１に係るＥＭＬ４３の形成方法と同様の方法を用いることができる。

　次いで、図２１にＳ５６で示すように、ＥＭＬ４３上にＨＴＬ４２を形成する（ステップＳ５６、第２のキャリア輸送層を形成する工程）。なお、本実施形態では、ＨＴＬ４２を、図１６に示すように全画素Ｐに共通して設けられた共通層としたが、本実施形態は、これに限定されるものではない。本実施形態において、ＨＴＬ４２は、ＥＭＬ４３同様、各画素Ｐに対応して、少なくともバンクＢＫの開口部ＢＫａを覆うように、画素Ｐ毎（言い替えれば、発光素子ＥＳ毎）に島状に形成してもよい。ＨＴＬ４２の形成方法としては、例えば蒸着法、インクジェット法等、従来、ＨＴＬの形成方法として知られている各種方法を用いることができる。

　次いで、図２１にＳ５７で示すように、上記ＨＴＬ４２上に、上部電極として陽極４１を形成する（ステップＳ５７、上部電極を形成する工程）。陽極４１の形成には、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、印刷法等、陰極の形成方法として従来公知の各種方法を用いることができる。

　（効果）
　本実施形態に係る表示装置１は、図１９に示すように、隣り合う画素Ｐにおける発光素子ＥＳ間に、該隣り合う画素Ｐにおける発光素子ＥＳ間の電子の輸送をブロッキングする隣接画素電子ブロッキング部４４ａが設けられている。このため、本実施形態では、隣り合う画素Ｐにおける発光素子ＥＳへの電子の輸送がブロッキングされる。したがって、本実施形態によれば、クロストークが生じない表示装置１を提供することができる。

　また、本実施形態によれば、電子輸送部４４ｂと隣接画素電子ブロッキング部４４ａとは、共通層であるＥＴＬ４４の一部である。本実施形態に係るＥＴＬ４４および該ＥＴＬ４４を備えた表示装置１は、ＥＴＬ４４を画素Ｐ毎に島状に形成する場合と比較して、加工プロセスが簡素であり、製造に係る費用を大幅に削減することができる。

　特に、グラフェン前駆体として用いられる有機絶縁材料は、従来の電子輸送材料に比べて安価であり、また、温度安定性並びに化学的安定性が高い。このため、本実施形態によれば、従来の電子輸送材料で形成された表示装置よりも信頼性が高い表示装置１を提供することができる。また、前述したように、グラフェンおよびグラフェンオキサイドは、キャリア輸送性が速い。このため、本実施形態によれば、表示装置１の駆動電圧並びに消費電力を低減することが可能であり、表示装置１の表示時間並びに待機時間を長くすることができる。

　また、従来ＥＴＬに用いられている有機材料は、材料同士の密着性が低い場合がある。しかしながら、本実施形態によれば、上述したように、電子輸送部４４ｂと隣接画素電子ブロッキング部４４ａとは、共通層であるＥＴＬ４４の一部であり、互いに化学結合しており、同一層内に互いに一体的に形成されている。このため、本実施形態によれば、電子輸送部４４ｂと隣接画素電子ブロッキング部４４ａとにおける材料同士の密着性が高く、外部からの水、酸素等の異物の浸透を防ぐことができる。このため、本実施形態によれば、より信頼性が高い表示装置１を提供することができる。

　（変形例１）
　図２２は、本実施形態に係る発光素子ＥＳの積層構造の他の一例を模式的に示す図である。

　図２２に示すように、発光素子ＥＳは、薄膜トランジスタ層３側から、陰極４５、ＥＴＬ４４、ＥＭＬ４３、陽極４１の順に積層された構成を有していてもよい。この場合にも、上述した効果と同様の効果を得ることができる。

　（変形例２）
　本実施形態でも、表示装置１は、ＥＴＬ４４およびＨＴＬ４２が、それぞれ、キャリア輸送部と、隣接画素キャリアブロッキング部と、を備えていてもよい。

　図２３は、図２０に示すステップＳ５４の後の製造工程の一部を工程順に示す他の断面図である。なお、図２０でも、図２に示すＢ－Ｂ’線矢視断面の一部に対応する断面を示している。

　本変形例では、図２０にＳ５５で示すように、ステップＳ５１～ステップＳ５４の後、図２１に示すステップＳ５５と同じステップＳ５５を行う。本実施形態では、図２１に示すステップＳ５６～ステップＳ５７に代えて、以下のステップＳ６１～ステップＳ６４を行う。

　つまり、本実施形態では、上記ステップＳ５５の後、まず、図２３にＳ６１で示すように、ＥＭＬ４３を覆うように、ＥＴＬ４４上に、化学反応により最終的に正孔輸送性を示す材料に転化する有機絶縁材料を、全画素Ｐに渡ってベタ状に成膜する。これにより、ベタ状の有機絶縁膜１１１を形成する（ステップＳ６１）。

　以下では、上記有機絶縁膜１１１に、実施形態１と同じ有機絶縁材料を使用する場合を例に挙げて説明する。この場合、有機絶縁膜１１１を成膜する方法は、実施形態１のステップＳ１３と同じである。

　次いで、図２３にＳ６２で示すように、各画素Ｐ内（具体的には、バンクＢＫの開口部ＢＫａ内）にのみレーザ光を選択的に照射することにより、各画素Ｐ内の有機絶縁膜１１１をグラフェンに転化させる。これにより、各画素Ｐ内に、グラフェン膜１１２を形成するとともに、隣り合う画素Ｐ間に、これら画素Ｐにおける発光素子ＥＳ間の正孔の輸送をブロッキングする、有機絶縁膜１１１からなる隣接画素正孔ブロッキング部４２ａを形成する（ステップＳ６２）。

　次いで、図２３にＳ６３で示すように、グラフェン膜１１２を酸化させてグラフェンオキサイド膜１１３に変換する（ステップＳ６３）。これにより、各画素Ｐ内に、グラフェンオキサイド膜１１３からなる正孔輸送部４２ｂを形成することができる。この場合、グラフェン膜１１２を酸化させてグラフェンオキサイド膜１１３に変換する方法は、例えば、実施形態１のステップＳ１５と同じである。

　次いで、図２３にＳ６４で示すように、上記隣接画素正孔ブロッキング部４２ａおよび上記正孔輸送部４２ｂが設けられたＨＴＬ４２上に、上部電極として陽極４１を形成する（ステップＳ６４）。陽極４１の形成には、図２１に示すステップＳ５７と同様の方法を用いることができる。

　（変形例３）
　なお、本実施形態でも、ＨＴＬ４２は、実施形態１に示す変形例と同様の変形を行うことができる。したがって、ＨＴＬ４２は、例えば、図１０に示すステップＳ１５およびステップＳ２１に示す方法、図１１に示すステップＳ２２～Ｓ２３に示す方法、あるいは、図１２に示すステップＳ２４～Ｓ２７に示す方法、あるいは、図１３に示すステップＳ２８～Ｓ２９に示す方法で形成することができる。また、本実施形態でも、ＥＴＬ４４は、実施形態２に示す変形例と同様の変形を行うことができる。したがって、ＥＴＬ４４は、例えば、図１６に示すステップＳ４１～Ｓ４２に示す方法、あるいは、図１７に示すステップＳ４３～Ｓ４６に示す方法、あるいは、図１８に示すステップＳ４７～Ｓ４８に示す方法で形成することができる。

　本開示は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本開示の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。

　１　　表示装置
　２　　基板（支持体）
　３　　薄膜トランジスタ層
　４　　発光素子層
　５　　封止層
　３１　　薄膜トランジスタ
　３３　　平坦化膜
　４１、４１Ｒ、４１Ｇ、４１Ｂ　　陽極
　４２、４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂ　　ＨＴＬ（正孔輸送層）
　４２ａ　　隣接画素正孔ブロッキング部
　４２ｂ　　正孔輸送部
　４３、４３Ｒ、４３Ｇ、４３Ｂ　　ＥＭＬ
　４４、４４Ｒ、４４Ｇ、４４Ｂ　　ＥＴＬ
　４４ａ　　隣接画素電子ブロッキング部
　４４ｂ　　電子輸送部
　４５、４５Ｒ、４５Ｇ、４５Ｂ　　陰極
　１１１、１１５　　有機絶縁膜
　１１２、１１４、１１６、１２２、１３１、１５２、１６１　　グラフェン膜
　１１３、１２１、１３２、１５１、１６２　　グラフェンオキサイド膜
　１４１　　正孔ブロッキング材料からなる膜
　１４２　　正孔輸送性材料からなる膜
　１７１　　電子ブロッキング材料からなる膜
　１７２　　電子輸送性材料からなる膜
　ＢＫａ　　開口部

Claims

　複数の画素を有する表示装置であって、
　支持体と、薄膜トランジスタ層と、発光素子層と、上記発光素子層を封止する封止層とを、この順に備え、
　上記発光素子層は、発光色が互いに異なる複数の発光素子を備え、
　上記複数の発光素子は、それぞれ、上記画素に対応して形成されており、
　上記複数の発光素子は、それぞれ、下部電極と、上部電極と、上記下部電極と上記上部電極との間に形成された発光層とを備えるともに、上記発光層と上記下部電極との間に形成される第１のキャリア輸送層、および、上記発光層と上記上部電極との間に形成される第２のキャリア輸送層、のうち少なくとも上記第１のキャリア輸送層を備え、
　上記下部電極および上記発光層は、上記画素毎に島状に形成されており、
　上記発光素子が備える上記キャリア輸送層のうち少なくとも上記第１のキャリア輸送層は、上記複数の画素における発光素子に共通して形成された共通層であり、かつ、上記画素毎に、それぞれの上記発光素子における上記発光層と重畳して形成され、該発光層にキャリアを輸送するキャリア輸送部と、隣り合う上記画素における上記発光素子の間の部分に形成され、隣り合う上記画素における上記発光素子間のキャリアの輸送をブロッキングする隣接画素キャリアブロッキング部と、を備えていることを特徴とする表示装置。
　上記キャリア輸送部と上記隣接画素キャリアブロッキング部とは、同一層内に互いに一体的に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
　上記キャリア輸送部と上記隣接画素キャリアブロッキング部とは、互いに化学的に結合されていることを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
　上記下部電極は陽極であり、
　上記上部電極は陰極であり、
　上記第１のキャリア輸送層は正孔輸送層であることを特徴とする請求項１～３の何れか１項に記載の表示装置。
　上記第１のキャリア輸送層の上記キャリア輸送部は、正孔輸送部であり、グラフェンオキサイド、チオシアン酸銅、酸化タングステン、２，６－ビス（９Ｈ－カルバゾイル－９－イル）ピリジン、４，４’－ビス（３－エチル－Ｎ－カルバゾイル）－１，１’－ビフェニル、４－（ジベンジルアミノ）ベンズアルデヒド－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルヒドラゾン、９，９’－［２，２’－ジメチル（１，１’－ビフェニル）－４，４’－ジイル］ビス－９Ｈ－カルバゾール、２，２’－ジメチル－Ｎ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル）－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン、９，９’－ジメチル－Ｎ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－９Ｈ－フルオレン－２，７－ジアミン、Ｎ，Ｎ’－ジ（２－ナフチル－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル）－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（フェニル－ｍ－トリルアミノ）フェニル］ビフェニル－４，４’－ジアミン、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ジ－ｐ－トリルベンゼン－１，４－ジアミン、Ｎ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン、Ｎ４，Ｎ４’－ビス｛４－［ビス（３－メチルフェニル）アミノ］フェニル｝－Ｎ４，Ｎ４’－ジフェニル－（１，１’－ビフェニル）－４，４’－ジアミン、３－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール、９－（２－エチルヘキシル）－Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ－テトラキス（４－メトキシフェニル）－９Ｈ－カルバゾール－２，７－ジアミン、塩化インジウム(III)フタロシアニン、ポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）－ベンジジン］、２，８－ビス（ジフェニルホスフィンオキシド）ジベンゾフラン、４，４’，４''，４'''－シランテトライルテトラキス（Ｎ，Ｎ－ビス（４－メトキシフェニル）アニリン、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－（９Ｈ）キサンチン］－２，７－ジアミン、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－（９Ｈ）キサンチン］－２，２’－７，７’－テトラミン、２，４，６－トリス［３－（カルバゾール－９－イル）フェニル］トリアジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（４－メトキシフェニル）ベンジジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（３－メチルフェニル）－３，３’－ジメチルベンジジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（２－ナフチル）ベンジジン、テトラ－Ｎ－フェニルベンジジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラフェニルナフタレン－２，６－ジアミン、ポリ［（９，９－ジクチルフルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－｛４，４’－［Ｎ－（４－ｓｅｃ－ブチルフェニル）ジフェニルアミン］｝、チタニルフタロシアニン、１，３，５－トリス［（３－メチルフェニル）フェニルアミノ］ベンゼン、４，４’，４''－トリス［２－ナフチル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン、バナジルフタロシアニン、４，４’－シクロヘキシリデンビス［Ｎ，Ｎ－ビス（４－メチルフェニル）ベンゼンアミン］、ジピラジノ［２，３－ｆ：２’，３’－ｈ］キノキサリン－２，３，６，７，１０，１１－ヘキサカルボニトリル、スズ（ＩＶ）２，３－ナフロシアニン二塩化物、Ｎ２，Ｎ２，Ｎ２’，Ｎ２’，Ｎ７，Ｎ７，Ｎ７’，Ｎ７’－オクタキス（４－メトキシフェニル）－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２，２’，７，７’－テトラミン、チタニルフタロシアニン、１，３，５－トリス（２－９－エチルカバジル－３）エチレン）ベンゼン、トリス（４－カルバゾイル－９－イルフェニル）アミン、トリス［４－（ジエチルアミノ）フェニル］アミン、１，３，５－トリス（ジフェニルアミノ）ベンゼン、４，４’，４''－トリス［フェニル（ｍ－トルイル）アミノ］トリフェニルアミン、４，４’－ビス（Ｎ－カルバゾリル）－１，１’－ビフェニル、１，３－ビス（Ｎ－カルバゾリル）ベンゼン、１，４－ビス（Ｎ－カルバゾリル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルベンジジン、ポリ（Ｎ－エチル－２－ビニルカルバゾール）、ポリ［ビス（４－フェニル）（２，４，６－トリメチルフェニル）アミン］、ポリ（９－ビニルカルバゾール）、ポリ（１－ビニルナフタレン）、ポリ（２－ビニルナフタレン）、ポリ（銅フタロシアニン）、および銅（II）フタロシアニンからなる群より選ばれる少なくとも一種の正孔輸送性材料で構成されていることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
　上記正孔輸送部がグラフェンオキサイドで構成されていることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
　上記第１のキャリア輸送層の上記隣接画素キャリアブロッキング部は、隣り合う上記画素における上記発光素子間の正孔の輸送をブロッキングする隣接画素正孔ブロッキング部であり、有機絶縁材料で構成されていることを特徴とする請求項４～６の何れか１項に記載の表示装置。
　上記有機絶縁材料は、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアクリロニトリル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリビニルアルコール、ポリイソプレン、ノボラック樹脂、およびポリアクリルアミドからなる群より選ばれる少なくとも一種の樹脂であることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
　上記有機絶縁材料は、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアクリロニトリル、ポリビニルアルコールからなる群より選ばれる少なくとも一種の樹脂であることを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
　上記第１のキャリア輸送層の上記隣接画素キャリアブロッキング部は、隣り合う上記画素における上記発光素子間の正孔の輸送をブロッキングする隣接画素正孔ブロッキング部であり、電子輸送性材料で構成されていることを特徴とする請求項４～６の何れか１項に記載の表示装置。
　上記電子輸送性材料は、グラフェン、酸化スズ（ＩＶ）、酸化亜鉛、トリス（２，４，６－トリメチル－３－（ピリジン－３－イル）フェニル）ボラン、４，６－ビス（３，５－ジ（ピリジン－３－イル）フェニル）－２－メチルピリミジン、１，３－ビス（３，５－ジピリド－３－イルフェニル）ベンゼン、２，７－ビス（２，２’－ビピリジン－５－イル）トリフェニレン、８－キノリノレートリチウム、ポリ［（９，９－ビス（３’－（（Ｎ，Ｎ－ジメチル）－Ｎ－エチルアンモニウム）－プロピル）－２，７－フルオレン）－ａｌｔ－２，７－（９，９－ジオクチルフルオレン）］ジブロミド、ポリ［（９，９－ビス（３’－（Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノ）プロピル）－２，７－フルオレン）－ａｌｔ－２，７－（９，９－ジオクチルフルオレン）］、（１，３，５－トリアジン－２，４，６－トリイル）トリス（ベンゼン－３，１－ジイル）トリス（ジフェニルホスフィンオキサイド）、２，５，８，１１－テトラキス（１，１－ジメチルエチル）ペリレン、１，３，５－トリス（３－ピリジル－３－フェニル）ベンゼン、１，３，５－トリス（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール－２－イル）ベンゼン、ジフェニル［４－（トリフェニルシリル）フェニル］ホスフィンオキサイド、３，５－ジフェニル－４－（１－ナフチル）－１Ｈ－－１，２，４－トリアゾール、トリス（８－ヒドロキシキノリン）アルミニウム、２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン、４．７－ジフェニル－１．１０－フェナントロリン、２，５－ビス（１－ナフチル）－１，３，５－オキサジアゾール、ビス（８－ヒドロキシ－２－メチルキノリン）－（４－フェニルフェノキシ）アルミニウム、３，５－ビス（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－フェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール、２－（４－ビフェニリル）－５－フェニル－１，３，４－オキサジアゾール、３－（ビフェニル－４－イル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－フェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール、２－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－５－（４－ビフェニリル）－１，３，４－オキサジアゾールからなる群より選ばれる少なくとも一種の電子輸送性材料であることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
　上記電子輸送性材料がグラフェンであることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
　上記上部電極と上記発光層との間に、上記第２のキャリア輸送層を備え、
　上記第２のキャリア輸送層は、電子輸送層であり、該電子輸送層は、上記複数の画素における発光素子に共通して形成された共通層であることを特徴とする請求項４～１２の何れか１項に記載の表示装置。
　上記電子輸送層は、グラフェン、酸化スズ（ＩＶ）、酸化亜鉛、トリス（２，４，６－トリメチル－３－（ピリジン－３－イル）フェニル）ボラン、４，６－ビス（３，５－ジ（ピリジン－３－イル）フェニル）－２－メチルピリミジン、１，３－ビス（３，５－ジピリド－３－イルフェニル）ベンゼン、２，７－ビス（２，２’－ビピリジン－５－イル）トリフェニレン、８－キノリノレートリチウム、ポリ［（９，９－ビス（３’－（（Ｎ，Ｎ－ジメチル）－Ｎ－エチルアンモニウム）－プロピル）－２，７－フルオレン）－ａｌｔ－２，７－（９，９－ジオクチルフルオレン）］ジブロミド、ポリ［（９，９－ビス（３’－（Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノ）プロピル）－２，７－フルオレン）－ａｌｔ－２，７－（９，９－ジオクチルフルオレン）］、（１，３，５－トリアジン－２，４，６－トリイル）トリス（ベンゼン－３，１－ジイル）トリス（ジフェニルホスフィンオキサイド）、２，５，８，１１－テトラキス（１，１－ジメチルエチル）ペリレン、１，３，５－トリス（３－ピリジル－３－フェニル）ベンゼン、１，３，５－トリス（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール－２－イル）ベンゼン、ジフェニル［４－（トリフェニルシリル）フェニル］ホスフィンオキサイド、３，５－ジフェニル－４－（１－ナフチル）－１Ｈ－－１，２，４－トリアゾール、トリス（８－ヒドロキシキノリン）アルミニウム、２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン、４．７－ジフェニル－１．１０－フェナントロリン、２，５－ビス（１－ナフチル）－１，３，５－オキサジアゾール、ビス（８－ヒドロキシ－２－メチルキノリン）－（４－フェニルフェノキシ）アルミニウム、３，５－ビス（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－フェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール、２－（４－ビフェニリル）－５－フェニル－１，３，４－オキサジアゾール、３－（ビフェニル－４－イル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－フェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール、２－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－５－（４－ビフェニリル）－１，３，４－オキサジアゾールからなる群より選ばれる少なくとも一種の電子輸送性材料で構成されていることを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
　上記電子輸送層は、上記画素毎に、それぞれの上記発光素子における上記発光層と重畳して形成され、該発光層に電子を輸送する電子輸送部と、隣り合う上記画素における上記発光素子の間の部分に形成され、隣り合う上記画素における上記発光素子間の電子の輸送をブロッキングする隣接画素電子ブロッキング部と、を備えていることを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
　上記電子輸送部は、グラフェン、酸化スズ（ＩＶ）、酸化亜鉛、トリス（２，４，６－トリメチル－３－（ピリジン－３－イル）フェニル）ボラン、４，６－ビス（３，５－ジ（ピリジン－３－イル）フェニル）－２－メチルピリミジン、１，３－ビス（３，５－ジピリド－３－イルフェニル）ベンゼン、２，７－ビス（２，２’－ビピリジン－５－イル）トリフェニレン、８－キノリノレートリチウム、ポリ［（９，９－ビス（３’－（（Ｎ，Ｎ－ジメチル）－Ｎ－エチルアンモニウム）－プロピル）－２，７－フルオレン）－ａｌｔ－２，７－（９，９－ジオクチルフルオレン）］ジブロミド、ポリ［（９，９－ビス（３’－（Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノ）プロピル）－２，７－フルオレン）－ａｌｔ－２，７－（９，９－ジオクチルフルオレン）］、（１，３，５－トリアジン－２，４，６－トリイル）トリス（ベンゼン－３，１－ジイル）トリス（ジフェニルホスフィンオキサイド）、２，５，８，１１－テトラキス（１，１－ジメチルエチル）ペリレン、１，３，５－トリス（３－ピリジル－３－フェニル）ベンゼン、１，３，５－トリス（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール－２－イル）ベンゼン、ジフェニル［４－（トリフェニルシリル）フェニル］ホスフィンオキサイド、３，５－ジフェニル－４－（１－ナフチル）－１Ｈ－－１，２，４－トリアゾール、トリス（８－ヒドロキシキノリン）アルミニウム、２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン、４．７－ジフェニル－１．１０－フェナントロリン、２，５－ビス（１－ナフチル）－１，３，５－オキサジアゾール、ビス（８－ヒドロキシ－２－メチルキノリン）－（４－フェニルフェノキシ）アルミニウム、３，５－ビス（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－フェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール、２－（４－ビフェニリル）－５－フェニル－１，３，４－オキサジアゾール、３－（ビフェニル－４－イル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－フェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール、２－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－５－（４－ビフェニリル）－１，３，４－オキサジアゾールからなる群より選ばれる少なくとも一種の電子輸送性材料で構成されていることを特徴とする請求項１５に記載の表示装置。
　上記電子輸送性材料がグラフェンであることを特徴とする請求項１６に記載の表示装置。
　上記隣接画素電子ブロッキング部は、有機絶縁材料で構成されていることを特徴とする請求項１５～１７の何れか１項に記載の表示装置。
　上記有機絶縁材料は、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアクリロニトリル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリビニルアルコール、ポリイソプレン、ノボラック樹脂、およびポリアクリルアミドからなる群より選ばれる少なくとも一種の樹脂であることを特徴とする請求項１８に記載の表示装置。
　上記有機絶縁材料は、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアクリロニトリルからなる群より選ばれる少なくとも一種の樹脂であることを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
　上記隣接画素電子ブロッキング部は、正孔輸送性材料で構成されていることを特徴とする請求項１５～１７の何れか１項に記載の表示装置。
　上記正孔輸送性材料は、グラフェンオキサイド、チオシアン酸銅、酸化タングステン、２，６－ビス（９Ｈ－カルバゾイル－９－イル）ピリジン、４，４’－ビス（３－エチル－Ｎ－カルバゾイル）－１，１’－ビフェニル、４－（ジベンジルアミノ）ベンズアルデヒド－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルヒドラゾン、９，９’－［２，２’－ジメチル（１，１’－ビフェニル）－４，４’－ジイル］ビス－９Ｈ－カルバゾール、２，２’－ジメチル－Ｎ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル）－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン、９，９’－ジメチル－Ｎ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－９Ｈ－フルオレン－２，７－ジアミン、Ｎ，Ｎ’－ジ（２－ナフチル－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル）－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（フェニル－ｍ－トリルアミノ）フェニル］ビフェニル－４，４’－ジアミン、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ジ－ｐ－トリルベンゼン－１，４－ジアミン、Ｎ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン、Ｎ４，Ｎ４’－ビス｛４－［ビス（３－メチルフェニル）アミノ］フェニル｝－Ｎ４，Ｎ４’－ジフェニル－（１，１’－ビフェニル）－４，４’－ジアミン、３－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール、９－（２－エチルヘキシル）－Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ－テトラキス（４－メトキシフェニル）－９Ｈ－カルバゾール－２，７－ジアミン、塩化インジウム(III)フタロシアニン、ポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）－ベンジジン］、２，８－ビス（ジフェニルホスフィンオキシド）ジベンゾフラン、４，４’，４''，４'''－シランテトライルテトラキス（Ｎ，Ｎ－ビス（４－メトキシフェニル）アニリン、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－（９Ｈ）キサンチン］－２，７－ジアミン、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－（９Ｈ）キサンチン］－２，２’－７，７’－テトラミン、２，４，６－トリス［３－（カルバゾール－９－イル）フェニル］トリアジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（４－メトキシフェニル）ベンジジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（３－メチルフェニル）－３，３’－ジメチルベンジジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（２－ナフチル）ベンジジン、テトラ－Ｎ－フェニルベンジジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラフェニルナフタレン－２，６－ジアミン、ポリ［（９，９－ジクチルフルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－｛４，４’－［Ｎ－（４－ｓｅｃ－ブチルフェニル）ジフェニルアミン］｝、チタニルフタロシアニン、１，３，５－トリス［（３－メチルフェニル）フェニルアミノ］ベンゼン、４，４’，４''－トリス［２－ナフチル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン、バナジルフタロシアニン、４，４’－シクロヘキシリデンビス［Ｎ，Ｎ－ビス（４－メチルフェニル）ベンゼンアミン］、ジピラジノ［２，３－ｆ：２’，３’－ｈ］キノキサリン－２，３，６，７，１０，１１－ヘキサカルボニトリル、スズ（ＩＶ）２，３－ナフロシアニン二塩化物、Ｎ２，Ｎ２，Ｎ２’，Ｎ２’，Ｎ７，Ｎ７，Ｎ７’，Ｎ７’－オクタキス（４－メトキシフェニル）－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２，２’，７，７’－テトラミン、チタニルフタロシアニン、１，３，５－トリス（２－９－エチルカバジル－３）エチレン）ベンゼン、トリス（４－カルバゾイル－９－イルフェニル）アミン、トリス［４－（ジエチルアミノ）フェニル］アミン、１，３，５－トリス（ジフェニルアミノ）ベンゼン、４，４’，４''－トリス［フェニル（ｍ－トルイル）アミノ］トリフェニルアミン、４，４’－ビス（Ｎ－カルバゾリル）－１，１’－ビフェニル、１，３－ビス（Ｎ－カルバゾリル）ベンゼン、１，４－ビス（Ｎ－カルバゾリル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルベンジジン、ポリ（Ｎ－エチル－２－ビニルカルバゾール）、ポリ［ビス（４－フェニル）（２，４，６－トリメチルフェニル）アミン］、ポリ（９－ビニルカルバゾール）、ポリ（１－ビニルナフタレン）、ポリ（２－ビニルナフタレン）、ポリ（銅フタロシアニン）、および銅（II）フタロシアニンからなる群より選ばれる少なくとも一種の正孔輸送性材料であることを特徴とする請求項２１に記載の表示装置。
　上記正孔輸送性材料がグラフェンオキサイドであることを特徴とする請求項２２に記載の表示装置。
　上記下部電極は陰極であり、
　上記上部電極は陽極であり、
　上記第１のキャリア輸送層は電子輸送層であることを特徴とする請求項１～３の何れか１項に記載の表示装置。
　上記第１のキャリア輸送層の上記キャリア輸送部は、電子輸送部であり、グラフェン、酸化スズ（ＩＶ）、酸化亜鉛、トリス（２，４，６－トリメチル－３－（ピリジン－３－イル）フェニル）ボラン、４，６－ビス（３，５－ジ（ピリジン－３－イル）フェニル）－２－メチルピリミジン、１，３－ビス（３，５－ジピリド－３－イルフェニル）ベンゼン、２，７－ビス（２，２’－ビピリジン－５－イル）トリフェニレン、８－キノリノレートリチウム、ポリ［（９，９－ビス（３’－（（Ｎ，Ｎ－ジメチル）－Ｎ－エチルアンモニウム）－プロピル）－２，７－フルオレン）－ａｌｔ－２，７－（９，９－ジオクチルフルオレン）］ジブロミド、ポリ［（９，９－ビス（３’－（Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノ）プロピル）－２，７－フルオレン）－ａｌｔ－２，７－（９，９－ジオクチルフルオレン）］、（１，３，５－トリアジン－２，４，６－トリイル）トリス（ベンゼン－３，１－ジイル）トリス（ジフェニルホスフィンオキサイド）、２，５，８，１１－テトラキス（１，１－ジメチルエチル）ペリレン、１，３，５－トリス（３－ピリジル－３－フェニル）ベンゼン、１，３，５－トリス（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール－２－イル）ベンゼン、ジフェニル［４－（トリフェニルシリル）フェニル］ホスフィンオキサイド、３，５－ジフェニル－４－（１－ナフチル）－１Ｈ－－１，２，４－トリアゾール、トリス（８－ヒドロキシキノリン）アルミニウム、２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン、４．７－ジフェニル－１．１０－フェナントロリン、２，５－ビス（１－ナフチル）－１，３，５－オキサジアゾール、ビス（８－ヒドロキシ－２－メチルキノリン）－（４－フェニルフェノキシ）アルミニウム、３，５－ビス（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－フェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール、２－（４－ビフェニリル）－５－フェニル－１，３，４－オキサジアゾール、３－（ビフェニル－４－イル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－フェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール、２－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－５－（４－ビフェニリル）－１，３，４－オキサジアゾールからなる群より選ばれる少なくとも一種の電子輸送性材料で構成されていることを特徴とする請求項２４に記載の表示装置。
　上記電子輸送部がグラフェンで構成されていることを特徴とする請求項２５に記載の表示装置。
　上記第１のキャリア輸送層の上記隣接画素キャリアブロッキング部は、隣り合う上記画素における上記発光素子間の電子の輸送をブロッキングする隣接画素電子ブロッキング部であり、有機絶縁材料で構成されていることを特徴とする請求項２４～２６の何れか１項に記載の表示装置。
　上記有機絶縁材料は、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアクリロニトリル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリビニルアルコール、ポリイソプレン、ノボラック樹脂、およびポリアクリルアミドからなる群より選ばれる少なくとも一種の樹脂であることを特徴とする請求項１８に記載の表示装置。
　上記有機絶縁材料は、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアクリロニトリルからなる群より選ばれる少なくとも一種の樹脂であることを特徴とする請求項２８に記載の表示装置。
　上記第１のキャリア輸送層の上記隣接画素キャリアブロッキング部は、隣り合う上記画素における上記発光素子間の電子の輸送をブロッキングする隣接画素電子ブロッキング部であり、正孔輸送性材料で構成されていることを特徴とする請求項２４～２６の何れか１項に記載の表示装置。
　上記正孔輸送性材料は、グラフェンオキサイド、チオシアン酸銅、酸化タングステン、２，６－ビス（９Ｈ－カルバゾイル－９－イル）ピリジン、４，４’－ビス（３－エチル－Ｎ－カルバゾイル）－１，１’－ビフェニル、４－（ジベンジルアミノ）ベンズアルデヒド－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルヒドラゾン、９，９’－［２，２’－ジメチル（１，１’－ビフェニル）－４，４’－ジイル］ビス－９Ｈ－カルバゾール、２，２’－ジメチル－Ｎ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル）－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン、９，９’－ジメチル－Ｎ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－９Ｈ－フルオレン－２，７－ジアミン、Ｎ，Ｎ’－ジ（２－ナフチル－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル）－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（フェニル－ｍ－トリルアミノ）フェニル］ビフェニル－４，４’－ジアミン、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ジ－ｐ－トリルベンゼン－１，４－ジアミン、Ｎ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン、Ｎ４，Ｎ４’－ビス｛４－［ビス（３－メチルフェニル）アミノ］フェニル｝－Ｎ４，Ｎ４’－ジフェニル－（１，１’－ビフェニル）－４，４’－ジアミン、３－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール、９－（２－エチルヘキシル）－Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ－テトラキス（４－メトキシフェニル）－９Ｈ－カルバゾール－２，７－ジアミン、塩化インジウム(III)フタロシアニン、ポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）－ベンジジン］、２，８－ビス（ジフェニルホスフィンオキシド）ジベンゾフラン、４，４’，４''，４'''－シランテトライルテトラキス（Ｎ，Ｎ－ビス（４－メトキシフェニル）アニリン、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－（９Ｈ）キサンチン］－２，７－ジアミン、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－（９Ｈ）キサンチン］－２，２’－７，７’－テトラミン、２，４，６－トリス［３－（カルバゾール－９－イル）フェニル］トリアジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（４－メトキシフェニル）ベンジジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（３－メチルフェニル）－３，３’－ジメチルベンジジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（２－ナフチル）ベンジジン、テトラ－Ｎ－フェニルベンジジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラフェニルナフタレン－２，６－ジアミン、ポリ［（９，９－ジクチルフルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－｛４，４’－［Ｎ－（４－ｓｅｃ－ブチルフェニル）ジフェニルアミン］｝、チタニルフタロシアニン、１，３，５－トリス［（３－メチルフェニル）フェニルアミノ］ベンゼン、４，４’，４''－トリス［２－ナフチル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン、バナジルフタロシアニン、４，４’－シクロヘキシリデンビス［Ｎ，Ｎ－ビス（４－メチルフェニル）ベンゼンアミン］、ジピラジノ［２，３－ｆ：２’，３’－ｈ］キノキサリン－２，３，６，７，１０，１１－ヘキサカルボニトリル、スズ（ＩＶ）２，３－ナフロシアニン二塩化物、Ｎ２，Ｎ２，Ｎ２’，Ｎ２’，Ｎ７，Ｎ７，Ｎ７’，Ｎ７’－オクタキス（４－メトキシフェニル）－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２，２’，７，７’－テトラミン、チタニルフタロシアニン、１，３，５－トリス（２－９－エチルカバジル－３）エチレン）ベンゼン、トリス（４－カルバゾイル－９－イルフェニル）アミン、トリス［４－（ジエチルアミノ）フェニル］アミン、１，３，５－トリス（ジフェニルアミノ）ベンゼン、４，４’，４''－トリス［フェニル（ｍ－トルイル）アミノ］トリフェニルアミン、４，４’－ビス（Ｎ－カルバゾリル）－１，１’－ビフェニル、１，３－ビス（Ｎ－カルバゾリル）ベンゼン、１，４－ビス（Ｎ－カルバゾリル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルベンジジン、ポリ（Ｎ－エチル－２－ビニルカルバゾール）、ポリ［ビス（４－フェニル）（２，４，６－トリメチルフェニル）アミン］、ポリ（９－ビニルカルバゾール）、ポリ（１－ビニルナフタレン）、ポリ（２－ビニルナフタレン）、ポリ（銅フタロシアニン）、および銅（II）フタロシアニンからなる群より選ばれる少なくとも一種の正孔輸送性材料であることを特徴とする請求項３０に記載の表示装置。
　上記正孔輸送性材料がグラフェンオキサイドであることを特徴とする請求項３１に記載の表示装置。
　上記上部電極と上記発光層との間に、上記第２のキャリア輸送層を備え、
　上記第２のキャリア輸送層は、正孔輸送層であり、該正孔輸送層は、上記複数の画素における発光素子に共通して形成された共通層であることを特徴とする請求項２４～３２の何れか１項に記載の表示装置。
　上記正孔輸送層は、グラフェンオキサイド、チオシアン酸銅、酸化タングステン、２，６－ビス（９Ｈ－カルバゾイル－９－イル）ピリジン、４，４’－ビス（３－エチル－Ｎ－カルバゾイル）－１，１’－ビフェニル、４－（ジベンジルアミノ）ベンズアルデヒド－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルヒドラゾン、９，９’－［２，２’－ジメチル（１，１’－ビフェニル）－４，４’－ジイル］ビス－９Ｈ－カルバゾール、２，２’－ジメチル－Ｎ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル）－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン、９，９’－ジメチル－Ｎ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－９Ｈ－フルオレン－２，７－ジアミン、Ｎ，Ｎ’－ジ（２－ナフチル－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル）－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（フェニル－ｍ－トリルアミノ）フェニル］ビフェニル－４，４’－ジアミン、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ジ－ｐ－トリルベンゼン－１，４－ジアミン、Ｎ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン、Ｎ４，Ｎ４’－ビス｛４－［ビス（３－メチルフェニル）アミノ］フェニル｝－Ｎ４，Ｎ４’－ジフェニル－（１，１’－ビフェニル）－４，４’－ジアミン、３－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール、９－（２－エチルヘキシル）－Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ－テトラキス（４－メトキシフェニル）－９Ｈ－カルバゾール－２，７－ジアミン、塩化インジウム(III)フタロシアニン、ポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）－ベンジジン］、２，８－ビス（ジフェニルホスフィンオキシド）ジベンゾフラン、４，４’，４''，４'''－シランテトライルテトラキス（Ｎ，Ｎ－ビス（４－メトキシフェニル）アニリン、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－（９Ｈ）キサンチン］－２，７－ジアミン、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－（９Ｈ）キサンチン］－２，２’－７，７’－テトラミン、２，４，６－トリス［３－（カルバゾール－９－イル）フェニル］トリアジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（４－メトキシフェニル）ベンジジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（３－メチルフェニル）－３，３’－ジメチルベンジジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（２－ナフチル）ベンジジン、テトラ－Ｎ－フェニルベンジジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラフェニルナフタレン－２，６－ジアミン、ポリ［（９，９－ジクチルフルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－｛４，４’－［Ｎ－（４－ｓｅｃ－ブチルフェニル）ジフェニルアミン］｝、チタニルフタロシアニン、１，３，５－トリス［（３－メチルフェニル）フェニルアミノ］ベンゼン、４，４’，４''－トリス［２－ナフチル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン、バナジルフタロシアニン、４，４’－シクロヘキシリデンビス［Ｎ，Ｎ－ビス（４－メチルフェニル）ベンゼンアミン］、ジピラジノ［２，３－ｆ：２’，３’－ｈ］キノキサリン－２，３，６，７，１０，１１－ヘキサカルボニトリル、スズ（ＩＶ）２，３－ナフロシアニン二塩化物、Ｎ２，Ｎ２，Ｎ２’，Ｎ２’，Ｎ７，Ｎ７，Ｎ７’，Ｎ７’－オクタキス（４－メトキシフェニル）－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２，２’，７，７’－テトラミン、チタニルフタロシアニン、１，３，５－トリス（２－９－エチルカバジル－３）エチレン）ベンゼン、トリス（４－カルバゾイル－９－イルフェニル）アミン、トリス［４－（ジエチルアミノ）フェニル］アミン、１，３，５－トリス（ジフェニルアミノ）ベンゼン、４，４’，４''－トリス［フェニル（ｍ－トルイル）アミノ］トリフェニルアミン、４，４’－ビス（Ｎ－カルバゾリル）－１，１’－ビフェニル、１，３－ビス（Ｎ－カルバゾリル）ベンゼン、１，４－ビス（Ｎ－カルバゾリル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルベンジジン、ポリ（Ｎ－エチル－２－ビニルカルバゾール）、ポリ［ビス（４－フェニル）（２，４，６－トリメチルフェニル）アミン］、ポリ（９－ビニルカルバゾール）、ポリ（１－ビニルナフタレン）、ポリ（２－ビニルナフタレン）、ポリ（銅フタロシアニン）、および銅（II）フタロシアニンからなる群より選ばれる少なくとも一種の正孔輸送性材料で構成されていることを特徴とする請求項３３に記載の表示装置。
　上記正孔輸送層は、上記画素毎に、それぞれの上記発光素子における上記発光層と重畳して形成され、該発光層に正孔を輸送する正孔輸送部と、隣り合う上記画素における上記発光素子の間の部分に形成され、隣り合う上記画素における上記発光素子間の正孔の輸送をブロッキングする隣接画素正孔ブロッキング部と、を備えていることを特徴とする請求項３３に記載の表示装置。
　上記正孔輸送部は、グラフェンオキサイド、チオシアン酸銅、酸化タングステン、２，６－ビス（９Ｈ－カルバゾイル－９－イル）ピリジン、４，４’－ビス（３－エチル－Ｎ－カルバゾイル）－１，１’－ビフェニル、４－（ジベンジルアミノ）ベンズアルデヒド－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルヒドラゾン、９，９’－［２，２’－ジメチル（１，１’－ビフェニル）－４，４’－ジイル］ビス－９Ｈ－カルバゾール、２，２’－ジメチル－Ｎ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル）－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン、９，９’－ジメチル－Ｎ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－９Ｈ－フルオレン－２，７－ジアミン、Ｎ，Ｎ’－ジ（２－ナフチル－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル）－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（フェニル－ｍ－トリルアミノ）フェニル］ビフェニル－４，４’－ジアミン、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ジ－ｐ－トリルベンゼン－１，４－ジアミン、Ｎ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン、Ｎ４，Ｎ４’－ビス｛４－［ビス（３－メチルフェニル）アミノ］フェニル｝－Ｎ４，Ｎ４’－ジフェニル－（１，１’－ビフェニル）－４，４’－ジアミン、３－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール、９－（２－エチルヘキシル）－Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ－テトラキス（４－メトキシフェニル）－９Ｈ－カルバゾール－２，７－ジアミン、塩化インジウム(III)フタロシアニン、ポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）－ベンジジン］、２，８－ビス（ジフェニルホスフィンオキシド）ジベンゾフラン、４，４’，４''，４'''－シランテトライルテトラキス（Ｎ，Ｎ－ビス（４－メトキシフェニル）アニリン、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－（９Ｈ）キサンチン］－２，７－ジアミン、スピロ［９Ｈ－フルオレン－９，９’－（９Ｈ）キサンチン］－２，２’－７，７’－テトラミン、２，４，６－トリス［３－（カルバゾール－９－イル）フェニル］トリアジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（４－メトキシフェニル）ベンジジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（３－メチルフェニル）－３，３’－ジメチルベンジジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（２－ナフチル）ベンジジン、テトラ－Ｎ－フェニルベンジジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラフェニルナフタレン－２，６－ジアミン、ポリ［（９，９－ジクチルフルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－｛４，４’－［Ｎ－（４－ｓｅｃ－ブチルフェニル）ジフェニルアミン］｝、チタニルフタロシアニン、１，３，５－トリス［（３－メチルフェニル）フェニルアミノ］ベンゼン、４，４’，４''－トリス［２－ナフチル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン、バナジルフタロシアニン、４，４’－シクロヘキシリデンビス［Ｎ，Ｎ－ビス（４－メチルフェニル）ベンゼンアミン］、ジピラジノ［２，３－ｆ：２’，３’－ｈ］キノキサリン－２，３，６，７，１０，１１－ヘキサカルボニトリル、スズ（ＩＶ）２，３－ナフロシアニン二塩化物、Ｎ２，Ｎ２，Ｎ２’，Ｎ２’，Ｎ７，Ｎ７，Ｎ７’，Ｎ７’－オクタキス（４－メトキシフェニル）－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２，２’，７，７’－テトラミン、チタニルフタロシアニン、１，３，５－トリス（２－９－エチルカバジル－３）エチレン）ベンゼン、トリス（４－カルバゾイル－９－イルフェニル）アミン、トリス［４－（ジエチルアミノ）フェニル］アミン、１，３，５－トリス（ジフェニルアミノ）ベンゼン、４，４’，４''－トリス［フェニル（ｍ－トルイル）アミノ］トリフェニルアミン、４，４’－ビス（Ｎ－カルバゾリル）－１，１’－ビフェニル、１，３－ビス（Ｎ－カルバゾリル）ベンゼン、１，４－ビス（Ｎ－カルバゾリル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルベンジジン、ポリ（Ｎ－エチル－２－ビニルカルバゾール）、ポリ［ビス（４－フェニル）（２，４，６－トリメチルフェニル）アミン］、ポリ（９－ビニルカルバゾール）、ポリ（１－ビニルナフタレン）、ポリ（２－ビニルナフタレン）、ポリ（銅フタロシアニン）、および銅（II）フタロシアニンからなる群より選ばれる少なくとも一種の正孔輸送性材料で構成されていることを特徴とする請求項３５に記載の表示装置。
　上記正孔輸送性材料がグラフェンオキサイドであることを特徴とする請求項３６に記載の表示装置。
　上記隣接画素正孔ブロッキング部は、有機絶縁材料で構成されていることを特徴とする請求項３５～３７の何れか１項に記載の表示装置。
　上記有機絶縁材料は、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアクリロニトリル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリビニルアルコール、ポリイソプレン、ノボラック樹脂、およびポリアクリルアミドからなる群より選ばれる少なくとも一種の樹脂であることを特徴とする請求項３８に記載の表示装置。
　上記有機絶縁材料は、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアクリロニトリルからなる群より選ばれる少なくとも一種の樹脂であることを特徴とする請求項３９に記載の表示装置。
　上記隣接画素正孔ブロッキング部は、電子輸送性材料で構成されていることを特徴とする請求項３５～３７の何れか１項に記載の表示装置。
　上記電子輸送性材料は、グラフェン、酸化スズ（ＩＶ）、酸化亜鉛、トリス（２，４，６－トリメチル－３－（ピリジン－３－イル）フェニル）ボラン、４，６－ビス（３，５－ジ（ピリジン－３－イル）フェニル）－２－メチルピリミジン、１，３－ビス（３，５－ジピリド－３－イルフェニル）ベンゼン、２，７－ビス（２，２’－ビピリジン－５－イル）トリフェニレン、８－キノリノレートリチウム、ポリ［（９，９－ビス（３’－（（Ｎ，Ｎ－ジメチル）－Ｎ－エチルアンモニウム）－プロピル）－２，７－フルオレン）－ａｌｔ－２，７－（９，９－ジオクチルフルオレン）］ジブロミド、ポリ［（９，９－ビス（３’－（Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノ）プロピル）－２，７－フルオレン）－ａｌｔ－２，７－（９，９－ジオクチルフルオレン）］、（１，３，５－トリアジン－２，４，６－トリイル）トリス（ベンゼン－３，１－ジイル）トリス（ジフェニルホスフィンオキサイド）、２，５，８，１１－テトラキス（１，１－ジメチルエチル）ペリレン、１，３，５－トリス（３－ピリジル－３－フェニル）ベンゼン、１，３，５－トリス（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール－２－イル）ベンゼン、ジフェニル［４－（トリフェニルシリル）フェニル］ホスフィンオキサイド、３，５－ジフェニル－４－（１－ナフチル）－１Ｈ－－１，２，４－トリアゾール、トリス（８－ヒドロキシキノリン）アルミニウム、２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン、４．７－ジフェニル－１．１０－フェナントロリン、２，５－ビス（１－ナフチル）－１，３，５－オキサジアゾール、ビス（８－ヒドロキシ－２－メチルキノリン）－（４－フェニルフェノキシ）アルミニウム、３，５－ビス（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－フェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール、２－（４－ビフェニリル）－５－フェニル－１，３，４－オキサジアゾール、３－（ビフェニル－４－イル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－フェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール、２－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－５－（４－ビフェニリル）－１，３，４－オキサジアゾールからなる群より選ばれる少なくとも一種の電子輸送性材料であることを特徴とする請求項４１に記載の表示装置。
　上記電子輸送性材料がグラフェンであることを特徴とする請求項４２に記載の表示装置。
　請求項１に記載の表示装置の製造方法であって、
　上記下部電極を形成する工程と、
　上記第１のキャリア輸送層を形成する工程と、
　上記発光層を形成する工程と、
　上記上部電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
　上記第１のキャリア輸送層を形成する工程は、
　上記複数の発光素子に共通するように、上記複数の画素に共通する第１の膜を成膜する第１成膜工程と、
　上記第１の膜の少なくとも一部を化学反応により変成する第１変成工程と、を含むことを特徴とする請求項４４に記載の表示装置の製造方法。
　上記第１成膜工程では、上記第１の膜として、有機絶縁材料からなる膜を形成するとともに、
　上記第１変成工程は、上記第１のキャリア輸送層の上記キャリア輸送部となる部分の上記有機絶縁材料を化学反応により変成する第１キャリア輸送部変成工程を含むことを特徴とする請求項４５に記載の表示装置の製造方法。
　上記下部電極を形成する工程では、上記下部電極として陽極を形成し、
　上記上部電極を形成する工程では、上記上部電極として陰極を形成し、
　上記第１キャリア輸送部変成工程では、上記第１のキャリア輸送層の上記キャリア輸送部となる部分の上記有機絶縁材料を正孔輸送性材料に変成することで、上記第１のキャリア輸送層の上記キャリア輸送部として正孔輸送部を形成するとともに、上記第１のキャリア輸送層の上記隣接画素キャリアブロッキング部として隣接画素正孔ブロッキング部を形成することを特徴とする請求項４６に記載の表示装置の製造方法。
　上記有機絶縁材料は、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアクリロニトリルからなる群より選ばれる少なくとも一種の樹脂であり、
　上記第１キャリア輸送部変成工程は、
　上記第１のキャリア輸送層の上記正孔輸送部となる部分の上記有機絶縁材料にレーザを照射することで、上記有機絶縁材料をグラフェンに変成する工程と、
　上記グラフェンを酸化してグラフェンオキサイドに変成する工程と、を含むことを特徴とする請求項４７に記載の表示装置の製造方法。
　上記第１変成工程は、
　上記第１の膜における、上記第１のキャリア輸送層の上記隣接画素正孔ブロッキング部となる部分の上記有機絶縁材料にレーザを照射することで、上記第１のキャリア輸送層の上記隣接画素正孔ブロッキング部の上記有機絶縁材料をグラフェンに変成する第１隣接画素正孔ブロッキング部変成工程をさらに含むことを特徴とする請求項４８に記載の表示装置の製造方法。
　上記下部電極を形成する工程では、上記下部電極として陰極を形成し、
　上記上部電極を形成する工程では、上記上部電極として陽極を形成し、
　上記第１キャリア輸送部変成工程では、上記第１のキャリア輸送層の上記キャリア輸送部となる部分の上記有機絶縁材料を電子輸送性材料に変成することで、上記第１のキャリア輸送層の上記キャリア輸送部として電子輸送部を形成するとともに、上記第１のキャリア輸送層の上記隣接画素キャリアブロッキング部として隣接画素電子ブロッキング部を形成することを特徴とする請求項４６に記載の表示装置の製造方法。
　上記有機絶縁材料は、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアクリロニトリルからなる群より選ばれる少なくとも一種の樹脂であり、
　上記第１キャリア輸送部変成工程では、
　上記第１のキャリア輸送層の上記電子輸送部となる部分の上記有機絶縁材料にレーザを照射することで、上記有機絶縁材料をグラフェンに変成することを特徴とする請求項５０に記載の表示装置の製造方法。
　上記下部電極を形成する工程では、上記下部電極として陽極を形成し、
　上記上部電極を形成する工程では、上記上部電極として陰極を形成し、
　上記第１成膜工程では、上記第１の膜として、正孔輸送性材料からなる膜を形成するとともに、
　上記第１変成工程では、上記第１のキャリア輸送層の上記隣接画素キャリアブロッキング部となる部分の上記正孔輸送性材料を化学反応により電子輸送性材料に変成することで、上記第１のキャリア輸送層の上記隣接画素キャリアブロッキング部として隣接画素正孔ブロッキング部を形成するとともに、上記第１のキャリア輸送層の上記キャリア輸送部として正孔輸送部を形成することを特徴とする請求項４５に記載の表示装置の製造方法。
　上記正孔輸送性材料がグラフェンオキサイドであり、
　上記第１変成工程では、上記第１のキャリア輸送層の上記隣接画素正孔ブロッキング部となる部分の上記グラフェンオキサイドを還元してグラフェンに変成することを特徴とする請求項５２に記載の表示装置の製造方法。
　上記下部電極を形成する工程では、上記下部電極として陽極を形成し、
　上記上部電極を形成する工程では、上記上部電極として陰極を形成し、
　上記第１成膜工程では、上記第１の膜として、電子輸送性材料からなる膜を形成するとともに、
　上記第１変成工程では、上記第１のキャリア輸送層の上記キャリア輸送部となる部分の上記電子輸送性材料を化学反応により正孔輸送性材料に変成することで、上記第１のキャリア輸送層の上記キャリア輸送部として正孔輸送部を形成するとともに、上記第１のキャリア輸送層の上記隣接画素キャリアブロッキング部として隣接画素正孔ブロッキング部を形成することを特徴とする請求項４５に記載の表示装置の製造方法。
　上記電子輸送性材料がグラフェンであり、
　上記第１変成工程では、上記第１のキャリア輸送層の上記正孔輸送部となる部分の上記グラフェンを酸化してグラフェンオキサイドに変成することを特徴とする請求項５４に記載の表示装置の製造方法。
　上記下部電極を形成する工程では、上記下部電極として陰極を形成し、
　上記上部電極を形成する工程では、上記上部電極として陽極を形成し、
　上記第１成膜工程では、上記第１の膜として、電子輸送性材料からなる膜を形成するとともに、
　上記第１変成工程では、上記第１のキャリア輸送層の上記隣接画素キャリアブロッキング部となる部分の上記電子輸送性材料を化学反応により正孔輸送性材料に変成することで、上記第１のキャリア輸送層の上記隣接画素キャリアブロッキング部として隣接画素電子ブロッキング部を形成するとともに、上記第１のキャリア輸送層の上記キャリア輸送部として電子輸送部を形成することを特徴とする請求項４５に記載の表示装置の製造方法。
　上記電子輸送性材料がグラフェンであり、
　上記第１変成工程では、上記第１のキャリア輸送層の上記隣接画素電子ブロッキング部となる部分の上記グラフェンを酸化してグラフェンオキサイドに変成することを特徴とする請求項５６に記載の表示装置の製造方法。
　上記下部電極を形成する工程では、上記下部電極として陰極を形成し、
　上記上部電極を形成する工程では、上記上部電極として陽極を形成し、
　上記第１成膜工程では、上記第１の膜として、正孔輸送性材料からなる膜を形成するとともに、
　上記第１変成工程では、上記第１のキャリア輸送層の上記キャリア輸送部となる部分の上記正孔輸送性材料を化学反応により電子輸送性材料に変成することで、上記第１のキャリア輸送層の上記キャリア輸送部として電子輸送部を形成するとともに、上記第１のキャリア輸送層の上記隣接画素キャリアブロッキング部として隣接画素電子ブロッキング部を形成することを特徴とする請求項４５に記載の表示装置の製造方法。
　上記正孔輸送性材料がグラフェンオキサイドであり、
　上記第１変成工程では、上記第１のキャリア輸送層の上記電子輸送部となる部分の上記グラフェンオキサイドを還元してグラフェンに変成することを特徴とする請求項５８に記載の表示装置の製造方法。
　上記第１のキャリア輸送層を形成する工程は、
　上記第１のキャリア輸送層の上記キャリア輸送部をパターン形成する工程と、
　上記第１のキャリア輸送層の上記隣接画素キャリアブロッキング部をパターン形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項４４に記載の表示装置の製造方法。
　上記発光層を形成する工程と、上記上部電極を形成する工程との間に、
　第２のキャリア輸送層を形成する工程を含み、
　上記第２のキャリア輸送層を形成する工程は、
　上記複数の発光素子に共通するように、上記複数の画素に共通する第２の膜を成膜する第２成膜工程と、
　上記第２の膜の少なくとも一部を化学反応により変成する第２変成工程と、を含むことを特徴とする請求項４４～６０の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
　上記発光層を形成する工程と、上記上部電極を形成する工程との間に、
　第２のキャリア輸送層を形成する工程を含み、
　上記第２のキャリア輸送層を形成する工程は、
　上記第２のキャリア輸送層の上記キャリア輸送部をパターン形成する工程と、
　上記第２のキャリア輸送層の上記隣接画素キャリアブロッキング部をパターン形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項４４～６０の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。