WO2022024239A1

WO2022024239A1 - 発光素子及び当該発光素子の駆動方法

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Publication number: WO2022024239A1
Application number: PCT/JP2020/028977
Authority: WO
Inventors: 博久山田; 吉裕上田; 真澄久保; 真樹山本
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2020-07-29
Filing date: 2020-07-29
Publication date: 2022-02-03
Also published as: US20230284473A1

Abstract

発光素子（１００）では、第１電極（２）、発光層（４）、及び第２電極（６）がこの順に配置される。そして、第１電極（２）と発光層（４）との間、及び／又は、第２電極（６）と発光層（４）との間に電荷輸送層が配置される。第３電極（８）の少なくとも一部は、発光層（４）と重畳する。そして、第３電極（８）は、電荷輸送層と発光層（４）との間に配置される。

Description

発光素子及び当該発光素子の駆動方法

　本発明の一態様は、発光層を備えた発光素子に関する。

　近年、発光層を備えた発光素子であるＥＬ（Electro-Luminescence，エレクトロルミネッセンス）素子に関して、様々な技術が提案されている。例えば、特許文献１には、有機ＥＬ（ＥＬ素子の一例）を備えた光デバイスが開示されている。特許文献１には、有機ＥＬの発光層内のキャリアバランスを調整することにより、光デバイスを長寿命化できることが示されている。

国際公開公報「ＷＯ２００８／０３５４０６Ａ１」

フリッカーヘルスマネジメント株式会社サイト、［online］、[２０２０年４月２８日検索]，インターネット＜http://www.fhm.co.jp/fhm/fhmsystem.html＞

　後述するように、ＥＬ素子では、発光層とキャリア輸送層との界面に、余剰キャリアが蓄積しうる。そして、余剰キャリアの蓄積は、ＥＬ素子の性能を低下させうる。しかしながら、従来の技術（例：特許文献１の技術）では、余剰キャリアの蓄積に対処するための具体的な手法については、特に考慮されていない。

　上記課題に鑑み、本発明の一態様は、信頼性の高い発光素子を提供することを目的としている。

　前記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る発光素子では、第１電極、発光層、及び第２電極がこの順に配置され、前記第１電極と前記発光層との間、及び／又は、前記第２電極と前記発光層との間に電荷輸送層が配置され、少なくとも一部が前記発光層と重畳するように第３電極が設けられ、前記第３電極は前記電荷輸送層と前記発光層との間に配置される。

　また、前記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る発光素子では、第１電極、発光層及び第２電極がこの順に配置され、前記第１電極と前記発光層との間、及び／又は、前記第２電極と前記発光層との間に電荷輸送層が配置され、少なくとも一部が前記発光層と重畳するように第３電極が設けられ、前記発光素子は、前記発光層の駆動用の電源と前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続するための回路と、前記回路を開閉する第１スイッチと、前記第３電極と前記回路との電気的な接続を開閉する第２スイッチと、を備える。

　また、前記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る発光素子では、第１電極、発光層及び第２電極がこの順に配置され、前記第１電極と前記発光層との間、及び／又は、前記第２電極と前記発光層との間に電荷輸送層が配置され、少なくとも一部が前記発光層と重畳するように第３電極及び第４電極が設けられ、前記第３電極は、前記第１電極側の前記電荷輸送層と前記発光層との間に配置され、前記第４電極は、前記第２電極側の前記電荷輸送層と前記発光層との間に配置され、前記発光素子は、前記発光層の駆動用の電源と前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続するための回路と、前記回路を開閉する第１スイッチと、前記第３電極と前記第４電極との電気的な接続を開閉する第２スイッチと、を備える。

　また、前記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る発光素子の駆動方法は、第１電極、発光層及び第２電極がこの順に配置され、前記第１電極と前記発光層との間、及び／又は、前記第２電極と前記発光層との間に電荷輸送層が配置され、少なくとも一部が前記発光層と重畳するように形成された第３電極、及び、前記発光層の駆動用の電源と前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続するための回路が設けられる発光素子の駆動方法であって、前記回路を開閉する第１工程と、前記第３電極と前記回路との電気的な接続を開閉する第２工程と、を含む。

　また、前記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る発光素子の駆動方法は、第１電極、発光層及び第２電極がこの順に配置され、前記第１電極と前記発光層との間、及び／又は、前記第２電極と前記発光層との間に電荷輸送層が配置され、少なくとも一部が前記発光層と重畳するように第３電極及び第４電極が設けられ、前記第３電極は前記第１電極側の前記電荷輸送層と前記発光層との間に配置され、前記第４電極は前記第２電極側の前記電荷輸送層と前記発光層との間に配置され、前記発光層の駆動用の電源と前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続するための回路を備える発光素子の駆動方法であって、前記回路を開閉する第１工程と、前記第３電極と前記第４電極との電気的な接続を開閉する第３工程と、を含む。

　本発明の一態様によれば、信頼性の高い発光素子を提供できる。

実施形態１の発光素子の要部の構成を説明する図である。実施形態１の発光素子の製造工程の流れを説明する図である。実施形態１の発光素子の製造工程の流れを説明する図である。実施形態１の発光素子の製造工程の流れを説明する図である。実施形態１における、駆動回路と第１～第３電極との関係について説明する図である。比較例について説明する図である。公知のフリッカーテストの結果の一例を示す図である。実施形態１の発光素子における各発光部と第３電極との位置関係を説明する図である。一変形例に係る発光素子における各発光部と第３電極との位置関係を説明する図である。別の変形例に係る発光素子における各発光部と第３電極との位置関係を説明する図である。さらに別の変形例に係る発光素子における各発光部と第３電極との位置関係を説明する図である。実施形態２の発光素子の要部の構成を説明する図である。実施形態２の発光素子の製造工程の流れを説明する図である。実施形態２の発光素子の製造工程の流れを説明する図である。実施形態２における、駆動回路と第１～第３電極との関係について説明する図である。実施形態３の発光素子の製造工程の流れを説明する図である。実施形態３の発光素子の製造工程の流れを説明する図である。実施形態３の発光素子の製造工程の流れを説明する図である。実施形態３における、駆動回路と第１～第３電極との関係について説明する図である。実施形態４の発光素子の製造工程の流れを説明する図である。実施形態４の発光素子の製造工程の流れを説明する図である。実施形態４の発光素子の製造工程の流れを説明する図である。実施形態４における、駆動回路と第１～第４電極との関係について説明する図である。実施形態５の発光素子の製造工程の流れを説明する図である。実施形態５の発光素子の製造工程の流れを説明する図である。実施形態５の発光素子の製造工程の流れを説明する図である。実施形態６の発光素子の製造工程の流れを説明する図である。実施形態６の発光素子の製造工程の流れを説明する図である。実施形態７の発光素子の製造工程の流れを説明する図である。実施形態７の発光素子の製造工程の流れを説明する図である。

　〔実施形態１〕
　以下、実施形態１の発光素子１００について説明する。発光素子１００は、ＥＬ素子の一例である。発光素子１００が備える各部材のうち、実施形態１とは関係しない部材については説明を省略する。簡潔化のため、公知技術と同様の事項についても、説明を適宜省略する。

　本明細書において以下に述べる各数値は、単なる一例であることに留意されたい。本明細書では、任意の２つの数Ａ及びＢについての「Ａ～Ｂ」という記載は、特に明示されない限り、「Ａ以上かつＢ以下」を意味する。また、各図面は、各部材の形状、構造、及び位置関係を概略的に説明するものであり、必ずしもスケール通りに描かれていないことに留意されたい。

　（発光素子１００の構成）
　図１は、発光素子１００の要部の構成を説明する図である。本明細書では、以下に述べる基板１から第１電極２（又は第２電極６）に向かう方向を、上方向と称する。また、上方向とは逆の方向を、下方向と称する。図１のＺ方向は、上下方向を指す。Ｚ方向の正の向きは、上方向である。

　発光素子１００は、下側から上側へと、基板１、第１電極２、正孔注入／輸送層３、発光層４、電子注入／輸送層５、及び第２電極６を、この順に備える。さらに、発光素子１００は、後に詳述する第３電極８を備える。

　基板１は、例えばガラス基板である。基板１上には、不図示のＴＦＴ（Thin Film Transistor，薄膜トランジスタ）基板が設けられている。ＴＦＴ基板内には、ＴＦＴのアレイが形成されている。

　第１電極２は、ＴＦＴ基板上に設けられている。第１電極２は、公知の導電性材料を含んでいる。図１の例では、第１電極２は、アノード（陽極）である。第１電極２は、正孔注入／輸送層３と電気的に接続されている。図１の例では、正孔注入／輸送層３は、第１電極２上に設けられている。

　正孔注入／輸送層３は、正孔注入層（Hole Injection Layer，ＨＩＬ）及び正孔輸送層（Hole Transport Layer，ＨＴＬ）を総称的に表す。図１の例では、正孔注入／輸送層３は、正孔注入層３ａ及び正孔輸送層３ｂをこの順に備える。

　発光層４は、ＥＬによって発光する層である。発光層４は、正孔輸送層３ｂ上に設けられている。図１の例では、発光層４は、（ｉ）赤色光を発する赤色発光部４Ｒ（第１発光部）、（ｉｉ）緑色光を発する緑色発光部４Ｇ（第２発光部）、及び、（ｉｉｉ）青色光を発する青色発光部４Ｂ（第３発光部）を有している。発光素子１００は、赤色発光部４Ｒと緑色発光部４Ｇと青色発光部４Ｂとを分離する（離間させる）ように形成されたバンク７０をさらに備える。

　赤色発光部４Ｒは赤色（Ｒ）サブ画素に、緑色発光部４Ｇは緑色（Ｇ）サブ画素に、青色発光部４Ｂは青色（Ｂ）サブ画素に、それぞれ対応する。発光素子１００における１つの画素（ＲＧＢ画素）は、１つのＲサブ画素と１つのＧサブ画素と１つのＢサブ画素によって構成されている。

　実施形態１では、発光層４が、不図示のＱＤ（Quantum Dot，量子ドット）蛍光体粒子を含んでいる場合を例示する。従って、赤色発光部４Ｒは赤色ＱＤ蛍光体粒子を、緑色発光部４Ｇは緑色ＱＤ蛍光体粒子を、青色発光部４Ｂは青色ＱＤ蛍光体粒子を、それぞれ含んでいる。

　このように、実施形態１では、発光素子１００がＱＬＥＤ（Quantum dot Light Emitting Diode，量子ドット発光ダイオード）である場合が例示されている。但し、発光素子１００は、ＥＬ素子であればよく、必ずしもＱＬＥＤに限定されない。例えば、発光素子１００は、ＯＬＥＤ（Organic LED，有機ＬＥＤ）であってもよい。この場合、発光層４は、有機ＥＬ層として形成される。

　電子注入／輸送層５は、電子注入層（Electron Injection Layer，ＥＩＬ）及び電子輸送層（Electron Transport Layer，ＥＴＬ）を総称的に表す。図１の例では、電子注入／輸送層５は、第３電極８上に設けられている。

　なお、本明細書では、正孔注入／輸送層３及び電子注入／輸送層５を、総称的に「電荷輸送層」（あるいは、キャリア輸送層）と称する。図１に示される通り、正孔注入／輸送層３は、第１電極２と発光層４との間に配置されている。これに対し、後述の図４に示される通り、電子注入／輸送層５（より詳細には、電子輸送層５ｂ）は、第２電極６と発光層４との間に配置されている。このように、電荷輸送層は、第１電極２と発光層４との間、及び／又は、第２電極６と発光層４との間に配置されていればよい。

　第２電極６は、公知の導電性材料を含んでいる。図１の例では、第２電極６は、カソード（陰極）である。第２電極６は、電子注入／輸送層５と電気的に接続されている。図１の例では、第２電極６は、電子注入／輸送層５上に設けられている。

　第３電極８は、発光層４と電気的に接続されるように配置されている。第３電極８は、電荷輸送層と発光層４との間に配置されていればよい。図１の例では、第３電極８は、発光層４と接するように配置されている。より具体的には、第３電極８は、発光層４上に設けられている。図１に示される通り、第３電極８は、バンク７０の少なくとも一部を覆っている。なお、図１におけるｄ３は、第３電極８の厚さ（膜厚）を表す。

　第３電極８の材料（第３電極材料）は、公知の導電性材料である。例えば、第３電極材料は、光透過性を有する導電性材料であってよい。一例として、第３電極材料は、少なくともＴｉＯ_２（二酸化チタン）又はＡＺＯ（アルミニウム亜鉛酸化物）を含む化合物であることが好ましい。従って、例えば第３電極８は、少なくともＴｉＯ_２もしくはＡＺＯを含む化合物からなる。

　第３電極材料の例としては、（ｉ）ＴｉＯ_２、（ｉｉ）ＴｉＯ_２の一部をニオブに置き換えた化合物、又は、（ｉｉｉ）ＡＺＯを挙げることができる。実施形態１では、第３電極材料は、ＴｉＯ_２の一部をニオブに置き換えた化合物である。なお、当該化合物の抵抗率は、１０^－４Ω・ｃｍ程度である。

　ｄ３は、５～２０ｎｍであることが好ましい。その理由は、次の（１）～（２）の通りである。

　（１）第３電極８の面内において導電性を確保するためには、ｄ３をある程度大きく（例えば５ｎｍ以上）に設定することが好ましい。ｄ３が過小である場合（例えば５ｎｍ未満の場合）、第３電極材料を成膜した結果、島状の第３電極８が形成されてしまうことが懸念される。この場合、第３電極８の面内において導電性を確保することが困難である。

　（２）ｄ３が過大である場合（例えば２０ｎｍよりも大きい場合）、発光層４へのキャリア注入が困難となることが懸念される。これに対し、ｄ３が過大でない場合（例えば２０ｎｍ以下の場合）、トンネル電流等によって発光層４へのキャリア注入が可能となる。

　（発光素子１００の製造工程）
　図２～図４は、発光素子１００の製造工程（工程１Ａ～７Ａ）の流れを説明する図である。図２には工程１Ａ～３Ａが、図３には工程４Ａ～５Ａが、図４には工程６Ａ～７Ａが、それぞれ示されている。図２～図４には、各工程における発光素子１００の断面図及び上面図が示されている。なお、図２～図４では、基板１の図示が省略されている。

　実施形態１では、赤色発光部４Ｒと緑色発光部４Ｇと青色発光部４Ｂとが、第１方向に沿って、この順番に繰り返して配列されるように、発光素子１００が製造されるものとする。図２～図４におけるＹ方向（上面図における紙面の上下方向）は、第１方向の一例である。実施形態１におけるＹ方向は、基板１に平行である。図２～図４におけるＹ方向は、上述のＺ方向及び以下に述べるＸ方向と直交している。

　また、実施形態１では、赤色発光部４Ｒ、緑色発光部４Ｇ、及び青色発光部４Ｂのそれぞれが、第２方向に沿って複数個配列されるように、発光素子１００が製造されるものとする（後述の図８も参照）。第２方向は、第１方向に交差する方向である。図２～図４におけるＸ方向（上面図における紙面の左右方向）は、第２方向の一例である。図２～図４におけるＸ方向は、Ｚ方向及びＹ方向と直交している。従って、実施形態１におけるＸ方向は、基板１に平行である。このように、実施形態１では、説明の便宜上、ＸＹＺ直交座標系を例示する。但し、発光素子１００の各部の位置関係は、実施形態１において例示されるＸＹＺ直交座標系に限定されないことに留意されたい。例えば、第１方向及び第２方向は、基板１と必ずしも平行でなくともよい。また、第１方向と第２方向とは、必ずしも直交していなくともよい。

　（工程１Ａ）
　まず、不図示のＴＦＴ基板上に、第１電極２（アノード）を形成する。第１電極２の形成は、例えば蒸着及びスパッタリングによって行われる。この点については、第３電極８及び第２電極６の形成においても同様である。

　第１電極２の形成後、バンク７０を形成する。バンク７０の材料は、例えばポリイミドである。バンク７０の幅（バンク幅）は、例えば１～１．５μｍである。そして、バンク７０の形成後、第１電極２上に正孔注入／輸送層３を形成する。具体的には、まず、第１電極２上に、正孔注入層３ａを形成する。続いて、正孔注入層３ａ上に正孔輸送層３ｂを形成する。

　一例として、正孔注入／輸送層３の形成は、蒸着及びスパッタリングによって行われてよい。別の例として、正孔注入／輸送層３の形成は、正孔注入材料及び／又は正孔輸送材料のコロイド溶液を塗布することによって行われてもよい。当該正孔注入材料及び／又は正孔輸送材の材料例としては、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（poly(ethylenedioxythiophene)/polystyrenesulfonate）又はＴＦＢ（poly((9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4-(N-(4-s-butylphenl))diphenyl-amine)）を挙げることができる。

　（工程２Ａ）
　公知の成膜手法を用いて、正孔注入／輸送層３上に、発光層４（より詳細には、赤色発光部４Ｒ、緑色発光部４Ｇ、及び青色発光部４Ｂ）を形成する。赤色発光部４Ｒ、緑色発光部４Ｇ、及び青色発光部４Ｂは、バンク７０によって離間されている。

　（工程３Ａ）
　発光層４上に、第３電極８を形成する。そして、第３電極８の形成後、当該第３電極８上に、レジスト７１（より詳細には、フォトレジスト）を形成する。

　（工程４Ａ）
　レジスト７１を選択的に除去する。工程４Ａでは、バンク７０上に堆積しているレジスト７１の一部が除去される。すなわち、バンク幅よりも狭い幅の範囲にて、レジスト７１の一部が除去される。レジスト７１の除去は、例えばフォトリソグラフィによって行われる。図３では、参考のため、工程４Ａの上面図に対するａ－ａ断面図がさらに示されている。

　（工程５Ａ）
　第３電極８を選択的に除去する。工程５Ａでは、工程４Ａにおけるレジスト７１の除去範囲と同じ幅の範囲にて、第３電極８の一部が除去される。第３電極８の除去は、例えばアッシングによって行われる。なお、バンク７０がアッシングによってダメージを受けても差し支えはない。バンク７０は、発光層４のＥＬに関与しない部材であるためである。

　（工程６Ａ）
　工程５Ａの完了後、残留しているレジスト７１を除去する。そして、レジスト７１の除去後、電子輸送層５ｂを形成する。図４に示される通り、電子輸送層５ｂは、第３電極８及びバンク７０の上面を覆う。図４における電子輸送層５ｂは。電子注入／輸送層５の一例である。

　一例として、電子輸送層５ｂの形成は、蒸着及びスパッタリングによって行われてよい。別の例として、電子輸送層５ｂの形成は、電子輸送材料のナノ粒子を含むコロイド溶液を塗布することによって行われてもよい。当該ナノ粒子の材料例としては、ＺｎＯを挙げることができる。

　（工程７Ａ）
　電子輸送層５ｂ上に、第２電極６を形成する。なお、第２電極６の形成に先立ち、必要に応じて、バンク７０上の電子輸送層５ｂを、例えばアッシングによって選択に除去してもよい。図４では、参考のため、工程７Ａの上面図に対するｂ－ｂ断面図がさらに示されている。

　（駆動回路９０）
　発光素子１００は、発光層４を駆動（発光制御）するための駆動回路９０をさらに備えていることが好ましい。図５は、駆動回路９０と第１～第３電極との関係について説明する図である。図５に示されるように、駆動回路９０は、電源Ｅ、スイッチＳ１（第１スイッチ）、及びスイッチＳ２（第２スイッチ）を備える。以下の説明では、例えばスイッチＳ１を、単にＳ１とも略記する。

　電源Ｅは、発光層４を駆動するための電源（例：直流電源）である。発光素子１００では、電源Ｅの陽極は、アノード（第１電極２）に電気的に接続されている。電源Ｅの陰極は、Ｓ１を介して、カソード（第２電極６）に電気的に接続されている。また、電源Ｅの陰極は、Ｓ２を介して、第３電極８に電気的に接続されている。実施形態１では、駆動回路９０は、各スイッチの開閉を制御するスイッチング制御回路（不図示）を含んでいる。

　駆動回路９０のうち、電源Ｅと第１電極２と第２電極６とを電気的に接続するための回路を、メイン回路と称する。Ｓ１は、メイン回路を開閉するスイッチである。図５の「発光時」に示されるように、Ｓ１がＯＮ（閉）の場合、電源Ｅと第１電極２と第２電極６とが電気的に接続される。これにより、発光層４を発光させることができる。なお、図５に示されている通り、発光時にはＳ２はＯＦＦ（開）される。従って、発光時には、第３電極８は、メイン回路と電気的に接続されていない。

　スイッチＳ２は、第３電極８とメイン回路との電気的な接続を切り替える（開閉する）スイッチである。図５の「キャリア解放時」に示されるように、Ｓ２がＯＮの場合、第３電極８とメイン回路とが電気的に接続される。なお、キャリア解放時にはＳ１はＯＦＦされる。このように、キャリア解放時には、発光層４の発光が停止されている。後述するように、キャリア解放時には、発光層４に蓄積した余剰キャリアを解放できると想定される。

　以下の説明では、便宜上、「Ｓ１：ＯＮ、Ｓ２：ＯＦＦ」の状態を、第１状態（あるいは、発光状態）とも称する。これに対し、「Ｓ１：ＯＦＦ、Ｓ２：ＯＮ」の状態を、第２状態（あるいは、キャリア解放状態）とも称する。Ｓ１・Ｓ２のそれぞれの開閉状態を交互に変化させることにより、第１状態と第２状態とを切り替えることができる。

　なお、本発明の一態様に係る発光素子の駆動方法に関し、メイン回路を開閉する工程を、第１工程とも称する。これに対し、第３電極８とメイン回路との電気的な接続を開閉する工程を、第２工程とも称する。第１状態と第２状態との切り替えは、第１工程と第２工程との切り替えと読み替えることができる。

　（比較例）
　発光素子１００の効果の説明に先立ち、比較例について述べる。比較例の発光素子は、従来の発光素子（より具体的には、ＥＬ素子）の一例である。比較例の発光素子は、発光素子１００とは異なり、第３電極を有していない。このため、比較例では、発光素子１００とは異なり、第１状態と第２状態との切り替えが行うことができない。

　図６は、比較例について説明する図である。なお、図６の「ＥＭＬ」は、発光層を表す。一般的な発光素子（ＥＬ素子）では、第１電極と第２電極とが電気的に接続されることにより、キャリアが発光層に注入され、当該発光層に発光が生じる。それゆえ、発光素子の発光時には、発光層とキャリア輸送層との界面に、余剰キャリアが蓄積しうる。図６の例では、ＥＭＬとＥＴＬの界面に、余剰キャリアとしての正孔が蓄積している。

　余剰キャリアが蓄積した場合、発光層内のキャリア注入バランスが崩れるため、発光素子の性能低下（例：発光効率の低下及び輝度の低下）が生じうる。また、蓄積した余剰キャリアは、発光層又は当該発光層と隣接する機能層（例：キャリア輸送層）に劣化を生じさせうる。

　（発光素子１００における第１状態と第２状態との切り替え）
　図５を再び参照し、発光素子１００における第１状態と第２状態との切り替えについて説明する。図５に示される通り、発光素子１００は、比較例の発光素子とは異なり、発光層４（ＥＭＬ）と電子輸送層５ｂ（ＥＴＬ）との間に、第３電極８を有している。

　図５の「発光時」に示されるように、第１状態では、第１電極２と第２電極６とが電気的に接続されている。このため、第１状態では、発光層４と第３電極８との界面（発光層４の、電子輸送層５ｂ側の界面）に、余剰キャリアとしての正孔が蓄積しうる。

　これに対し、図５の「キャリア解放時」に示されるように、第２状態では、第１電極２と第２電極６とは、電気的に接続されていない。その替わり、第２状態では、第１電極２と第３電極８とが電気的に接続されている。このため、第２状態では、第３電極８及びＳ２を介して、発光層４の前記界面に蓄積した余剰キャリア（正孔）を解放できると想定される。

　なお、図５を参照した上述の例では、第３電極８は、電子輸送層５ｂと同じ材料（例：ＴｉＯ_２）によって形成されている。また、第３電極８の厚さは、５～２０ｎｍである。この場合、第３電極８は、（ｉ）第１状態では電子輸送層５ｂと同じ機能を有し、（ｉｉ）第２状態では電極として機能する。

　（効果）
　以上のように、発光素子１００によれば、比較例とは異なり、第３電極８によって、余剰キャリアを解放することが可能であると想定される。具体的には、第１状態と第２状態とを切り替えつつ、発光素子１００を駆動することにより、蓄積された余剰キャリアを解放できると想定される。

　それゆえ、発光層４内のキャリア注入バランスを保ちつつ、当該発光層４を発光させることができるので、発光素子１００の性能低下を防止できる。すなわち、発光素子１００によれば、従来よりも高性能な発光素子を実現できる。加えて、第１状態と第２状態とを切り替えつつ、発光素子１００を駆動することにより、発光層４及び各機能層の劣化を防止することもできる。その結果、発光素子１００の信頼性を向上させることもできる。このように、発光素子１００によれば、信頼性の高い発光素子を提供できる。

　（第１状態と第２状態との切り替えの周波数）
　図７は、公知のフリッカーテストの結果の一例を示すグラフである（出典：非特許文献１）。図７のフリッカー閾値（縦軸）は、「ある点滅刺激の明るさ（横軸）において、人間が当該点滅刺激を視認できるフリッカー周波数（点滅周波数）の上限値」を意味する。

　図７によれば、一般的な点滅刺激の明るさの範囲において、フリッカー閾値は４０Ｈｚよりも低い。そこで、実施形態１では、４０Ｈｚ以上の周波数で、第１状態と第２状態との切り替えが行われることが好ましい。すなわち、実施形態１では、Ｓ１とＳ２とは、４０Ｈｚ以上の周波数（スイッチング周波数）で交互にスイッチングされることが好ましい。

　スイッチング周波数を４０Ｈｚ以上に設定すれば、第１状態と第２状態との切り替えに伴って発生するフリッカーは、ユーザにほぼ視認されないと期待される。それゆえ、フリッカーがユーザにもたらす悪影響（例：不快感）を低減しつつ、余剰キャリアを解放できると想定される。加えて、スイッチング周波数を４０Ｈｚ以上に設定すれば、余剰キャリアの蓄積時間を十分に小さくできるので、発光層４及び各機能層の劣化をより確実に防止できる。その結果、発光素子１００の信頼性をさらに向上させることができる。

　（発光素子１００における各発光部と第３電極との位置関係）
　図８は、発光素子１００における各発光部と第３電極との位置関係を説明する図である。上述の図４にも示されている通り、発光素子１００では、赤色発光部４Ｒと緑色発光部４Ｇと青色発光部４Ｂとは、Ｙ方向（第１方向）に沿ってこの順番に繰り返して配列されている。そして、図８に示される通り、発光素子１００では、赤色発光部４Ｒ、緑色発光部４Ｇ、及び青色発光部４Ｂのそれぞれは、Ｘ方向（第２方向）に沿って複数個配列されている。

　図８の例では、Ｘ方向が各発光部の長辺方向であり、Ｙ方向が各発光部の短辺方向である。図８の例では、赤色発光部４Ｒ、緑色発光部４Ｇ、及び青色発光部４Ｂのそれぞれのサイズは等しい。このため、赤色発光部４Ｒ、緑色発光部４Ｇ、及び青色発光部４Ｂはそれぞれ、同一のアスペクト比（短辺の長さに対する長辺の長さの比率）を有している。従って、図８の例における赤色発光部４Ｒ、緑色発光部４Ｇ、及び青色発光部４Ｂはいずれも、特定発光部（後述）に該当する。

　図８に示されるように、発光素子１００において、第３電極８は、赤色発光部４Ｒと緑色発光部４Ｇと青色発光部４Ｂとを横切るように、Ｙ方向に沿って形成されている（上述の図３も参照）。さらに、第３電極８は、（ｉ）赤色発光部４Ｒと緑色発光部４Ｇとの間、（ｉｉ）緑色発光部４Ｇと青色発光部４Ｂとの間、及び、（ｉｉｉ）青色発光部４Ｂと赤色発光部４Ｒとの間において、バンク７０の少なくとも一部を覆うように形成されている。図８に示されるように第３電極８を形成することにより、赤色発光部４Ｒと緑色発光部４Ｇと青色発光部４Ｂとに対して、同時に余剰キャリアの解放を行うことができると想定される。

　〔変形例〕
　図９は、発光素子１００の一変形例としての発光素子１００Ｖにおける、各発光部と第３電極との位置関係を説明する図である。図９は、図８と対になる図である。発光素子１００Ｖにおける赤色発光部４Ｒ、緑色発光部４Ｇ、及び青色発光部４Ｂのサイズ及び配置は、発光素子１００と同様である。

　但し、発光素子１００Ｖでは、発光素子１００とは異なり、Ｘ方向（第２方向）に沿って、第３電極８が形成されている。より具体的には、発光素子１００Ｖでは、第３電極８は、（ｉ）複数個の赤色発光部４Ｒ、（ｉｉ）複数個の緑色発光部４Ｇ、及び、（ｉｉｉ）複数個の青色発光部４Ｂを横切るように形成されている。さらに、発光素子１００Ｖでは、第３電極８は、（ｉ）複数個の赤色発光部４Ｒの間、（ｉｉ）複数個の緑色発光部４Ｇの間、及び、（ｉｉｉ）複数個の青色発光部４Ｂの間において、バンク７０の少なくとも一部を覆うように形成されている。

　図９に示されるように第３電極８を形成することにより、赤色発光部４Ｒと緑色発光部４Ｇと青色発光部４Ｂとに対して、個別に余剰キャリアの解放を行うことができると想定される。一般に、発光部内の余剰キャリアの蓄積傾向は、当該発光部の材料（より詳細には、当該材料のエネルギー準位）に依存する。従って、赤色発光部４Ｒと緑色発光部４Ｇと青色発光部４Ｂとでは、余剰キャリアの蓄積しやすさが異なると考えられる。図９の構成によれば、各発光部の材料の違いを考慮し、各発光部に対して個別に余剰キャリアの解放を行うことができると想定される。

　〔変形例〕
　図１０は、発光素子１００の別の変形例としての発光素子１００Ｐにおける、各発光部と第３電極との位置関係を説明する図である。発光素子１００Ｐの赤色発光部、緑色発光部、及び青色発光部をそれぞれ、赤色発光部４ＲＰ（第１発光部）、緑色発光部４ＧＰ（第２発光部）、及び青色発光部４ＢＰ（第３発光部）と称する。

　発光素子１００Ｐでは、発光素子１００とは異なり、赤色発光部４ＲＰ、緑色発光部４ＧＰ、及び青色発光部４ＢＰはそれぞれ、異なる形状を有している。より具体的には、赤色発光部４ＲＰ、緑色発光部４ＧＰ、及び青色発光部４ＢＰは、それぞれ異なるアスペクト比を有している。

　以下、第１～第３発光部（赤色発光部４ＲＰ、緑色発光部４ＧＰ、及び青色発光部４ＢＰ）のうち、最大のアスペクト比を有する発光部を、特定発光部と称する。また、第１～第３発光部のうち、特定発光部と除いた発光部を、非特定発光部と称する。図１０の例では、第１～第３発光部のうち、第２発光部（緑色発光部４ＧＰ）が、最大のアスペクト比を有している。このように、図１０における緑色発光部４ＧＰは、特定発光部の一例である。また、図１０における赤色発光部４ＲＰ（第１発光部）及び青色発光部４ＢＰ（第３発光部）は、非特定発光部の一例である。

　本発明の一態様に係る発光素子において、Ｘ方向（第２方向）は、「特定発光部の長辺方向」として定義されてよい。この場合、Ｙ方向（第１方向）は、「Ｘ方向（第２方向）に交差する方向」として定義されてよい。この場合、例えば、Ｙ方向は、「特定発光部の短辺方向」として定義されてよい。

　発光素子１００Ｑでは、あるＸ方向の位置では、Ｙ方向に沿って、赤色発光部４ＲＰと緑色発光部４ＧＰと青色発光部４ＢＰとが、Ｙ方向に沿って、この順番に繰り返して配列されている。また、別のＸ方向の位置では、Ｙ方向に沿って、青色発光部４ＢＰと緑色発光部４ＧＰと赤色発光部４ＲＰとが、この順番に繰り返して配列されている。

　図１１は、発光素子１００のさらに別の変形例としての発光素子１００Ｑにおける、各発光部と第３電極との位置関係を説明する図である。発光素子１００Ｑの赤色発光部、緑色発光部、及び青色発光部をそれぞれ、赤色発光部４ＲＱ（第１発光部）、緑色発光部４ＧＱ（第２発光部）、及び青色発光部４ＢＱ（第３発光部）と称する。

　図１１の例では、第１～第３発光部のうち、第３発光部（青色発光部４ＢＱ）が、最大のアスペクト比を有している。このように、図１１における青色発光部４ＢＱは、特定発光部の別の例である。また、図１１における赤色発光部４ＲＱ（第１発光部）及び緑色発光部４ＧＱ（第２発光部）は、非特定発光部の別の例である。

　発光素子１００Ｑでは、あるＸ方向の位置では、赤色発光部４ＲＰと青色発光部４ＢＰとが、Ｙ方向に沿って、この順番に繰り返して配列されている。また、別のＸ方向の位置では、緑色発光部４ＧＱと青色発光部４ＢＰとが、Ｙ方向に沿って、この順番に繰り返して配列されている。

　図１０及び図１１に示されるように、本発明の一態様に係る発光素子では、第１～第３発光部のうちの少なくとも２つの発光部（すなわち、少なくとも２色の発光部）が、Ｙ方向（第１方向）に沿って繰り返して配列されていてもよい。

　本発明の一態様に係る発光素子では、第３電極は、上記少なくとも２つの発光部を横切るように、Ｙ方向に沿って形成されていることが好ましい（例えば、図１１を参照）。第３電極は、第１発光部と第２発光部と第３発光部とを横切るように、Ｙ方向に沿って形成されていることがより好ましい（例えば、図１０を参照）。

　〔実施形態２〕
　図１２は、実施形態２の発光素子２００の要部の構成を説明する図である。発光素子２００は、発光素子１００の第３電極８に替えて、第３電極２８を備えている。後述する通り、第３電極２８は、互いに平行に延伸する複数の線状部２８０（第１線状部）を有している。

　上述の通り、第３電極８は、平板状の電極であった。これに対し、第３電極２８は、発光層４の一部を覆う線状の電極である。このように、実施形態２では、第３電極の形状が実施形態１とは異なる。本発明の一態様における第３電極は、その少なくとも一部が発光層４と重畳するように設けられていればよい。

　（発光素子２００の製造工程）
　図１３～図１４は、発光素子２００の製造工程（工程１Ｂ～５Ｂ）の流れを説明する図である。図１３には工程１Ｂ～３Ｂが、図１４には工程４Ｂ～５Ｂが、それぞれ示されている。

　（工程１Ｂ～２Ｂ）
　工程１Ａ～２Ａと同様であるため、説明を省略する。

　（工程３Ｂ）
　発光層４上に、線状部２８０を有する第３電極２８を形成する。第３電極２８の形成は、例えばメタルマスクを用いたスパッタリングによって行われてよい。図１３の例では、線状部２８０は、Ｙ方向に沿って形成されている。工程３Ｂの説明図におけるｄ３は、第３電極２８の厚さ（換言すれば、線状部２８０の厚さ）を表す。実施形態１と同様に、ｄ３は、５～２０ｎｍであることが好ましい。また、ｗ３は、線状部２８０の幅（線幅）を表す。

　（工程４Ｂ）
　工程３Ｂの完了後、電子輸送層５ｂを形成する。図１４に示される通り、電子輸送層５ｂは、第３電極２８及びバンク７０の上面を覆う。

　（工程５Ｂ）
　電子輸送層５ｂ上に、第２電極６を形成する。

　（発光素子２００における余剰キャリアの解放）
　図１５は、実施形態２における、駆動回路９０と第１～第３電極との関係について説明する図である。図１５に示される通り、発光素子２００における、電源Ｅと第１～第３電極との接続関係の極性は、発光素子１００の場合と同様である。従って、発光素子２００では、第３電極２８は、Ｓ２を介して、電源Ｅの陰極に電気的に接続されている。

　発光素子２００においても、発光素子１００と同様に、駆動回路９０によって第１状態と第２状態との切り替えを行うことができる。発光素子２００では、第２状態において、第３電極２８及びＳ２を介して、発光層４の界面に蓄積した余剰キャリア（正孔）を解放できると想定される。それゆえ、発光素子２００においても、発光素子１００と同様の効果を奏する。すなわち、発光素子２００によっても、信頼性の高い発光素子を提供できる。

　（発光素子２００の効果）
　さらに、上述の通り、発光素子２００では、発光素子１００とは異なり、第３電極（例：第３電極２８）は、発光層４の一部を覆うように形成されている。言い換えれば、発光素子２００では、発光素子１００とは異なり、第３電極によって覆われていない開口部が、各サブ画素内に設けられている。それゆえ、発光素子２００では、発光素子１００に比べ、発光層４から発せられた光が、第３電極によって遮られにくくなる。

　また、開口部から前記光を出射させることができるので、第３電極材料として金属材料を用いることもできる。一例として、第３電極２８は、少なくともＴｉＯ_２もしくはＡＺＯを含む化合物、もしくは、金、白金、銀、コバルト、ニッケル、チタン、アルミニウム、及びクロムのうちの少なくとも一種以上の金属もしくはこれらの合金からなる。

　なお、上述のｗ３（線状部２８０の幅）は、０．５～２０μｍであることが好ましい。ｗ３の下限値０．５μｍは、線状部２８０の量産性を考慮して設定された数値である。ｗ３が０．５μｍよりも小さい場合、線状部２８０が微細であるので、当該線状部２８０の量産性が低下しうる。

　また、ｗ３の上限値２０μｍは、各サブ画素の開口率を考慮して設定された数値である。一例として、各サブ画素の面積が１００００μｍ^２である場合（より具体的には、各サブ画素のサイズが縦１００μｍ×横１００μｍである場合）を考える。この場合、ｗ３を２０μｍに設定すれば、開口率は０．８となる。ｗ３を２０μｍよりも大きく設定した場合、開口率が０．８を下回るので、発光素子２００の光取り出し効率が低下しうる。

　なお、線状部２８０の本数は、１～４０本であることが好ましい。当該本数の上限値である４０本は、各サブ画素の開口率を考慮して設定された数値である。ｗ３が０．５μｍである場合に、面積１００００μｍ^２のサブ画素において、開口率を０．８以上にするためには、線状部２８０の本数を４０本以内にする必要がある。

　〔変形例〕
　ｗ３は、非発光領域（バンク）上においては、発光領域（各発光部）上に比べて、大きく設定されてもよい。これにより、発光素子２００の光取出効率を維持しつつ、第３電極２８による余剰キャリア解放作用を促進できる。

　〔実施形態３〕
　図１６～図１８は、実施形態３の発光素子３００の製造工程（工程１Ｃ～７Ｃ）の流れを説明する図である。図１６には工程１Ｃ～３Ｃが、図１７には工程４Ｃ～５Ｃが、図１８には工程６Ｃ～７Ｃが、それぞれ示されている。以下の説明では、簡単のため、発光素子３００が発光素子１００と同様の第３電極（第３電極８）を有する場合を例示する。従って、工程１Ｃ～７Ｃはそれぞれ、上述の工程１Ａ～７Ａに対応する。但し、当然ながら、発光素子３００は、第３電極８に替えて、第３電極２８を有していてもよい。

　図１８に示されるように、発光素子３００は、発光素子１００の第１電極２及び第２電極６に替えて、第１電極２Ｖ及び第２電極６Ｖを備えている。第１電極２Ｖはカソードであり、第２電極６Ｖはアノードである。つまり、発光素子３００では、発光素子１００に対し、アノードとカソードとの位置が逆転している。これに伴い、発光素子３００では、アノードとカソードとに関連する各機能層の位置についても、発光素子１００とは逆転している。

　（工程１Ｃ）
　まず、不図示のＴＦＴ基板上に、第１電極２Ｖ（カソード）を形成する。そして、第１電極２Ｖの形成後、バンク７０を形成する。続いて、バンク７０の形成後、第１電極２Ｖ上に電子輸送層５ｂを形成する。

　（工程２Ｃ）
　公知の成膜手法を用いて、電子輸送層５ｂ上に、発光層４を形成する。

　（工程３Ｃ～５Ｃ）
　工程３Ａ～５Ａと同様であるため、説明を省略する。

　（工程６Ｃ）
　工程５Ｃの完了後、残留しているレジスト７１を除去する。そして、レジスト７１の除去後、正孔注入／輸送層３を形成する。図１８に示される通り、正孔注入／輸送層３は、第３電極８及びバンク７０の上面を覆う。

　（工程７Ｃ）
　正孔注入／輸送層３上に、第２電極６Ｖ（アノード）を形成する。なお、第２電極６Ｖの形成に先立ち、必要に応じて、バンク７０上の正孔注入／輸送層３を、例えばアッシングによって選択に除去してもよい。図１８では、参考のため、工程７Ｃの上面図に対するｂ－ｂ断面図がさらに示されている。

　（発光素子３００における余剰キャリアの解放）
　図１９は、実施形態３における、駆動回路９０と第１～第３電極との関係について説明する図である。図１９は、図５と対になる図である。図１９に示される通り、発光素子３００では、アノード（第１電極２Ｖ）が、電源Ｅの陰極に電気的に接続されている。そして、カソード（第２電極６Ｖ）が、Ｓ１を介して、電源Ｅの陽極に電気的に接続されている。また、第３電極８は、Ｓ２を介して、電源Ｅの陽極に電気的に接続されている。このように、発光素子３００では、電源Ｅと第１～第３電極との接続関係の極性が、発光素子１００の場合とは反転している。

　発光素子３００においても、発光素子１００と同様に、駆動回路９０によって第１状態と第２状態との切り替えを行うことができる。図１９の「発光時」に示されるように、第１状態では、第１電極２Ｖと第２電極６Ｖとが電気的に接続されている。このため、第１状態では、発光層４と第３電極８との界面（発光層４の、正孔注入／輸送層３側の界面）に、余剰キャリアとしての電子が蓄積しうる。

　これに対し、図１９の「キャリア解放時」に示されるように、第２状態では、第１電極２Ｖと第２電極６Ｖとは、電気的に接続されていない。その替わり、第２状態では、第１電極２Ｖと第３電極８とが電気的に接続されている。このため、第２状態では、第３電極８及びＳ２を介して、発光層４の前記界面に蓄積した余剰キャリア（電子）を解放できると想定される。

　以上のように、発光素子３００においても、発光素子１００と同様の効果を奏する。すなわち、発光素子３００によっても、信頼性の高い発光素子を提供できる。

　〔実施形態４〕
　図２０～図２２は、実施形態４の発光素子４００の製造工程（工程１Ｄ～７Ｄ）の流れを説明する図である。図２０には工程１Ｄ～３Ｄが、図２１には工程４Ｄ～５Ｄが、図２２には工程６Ｄ～７Ｄが、それぞれ示されている。なお、図２０～図２２では、図２～図４とは異なり、基板１が図示されている。

　図２２に示されるように、発光素子４００は、発光素子１００～３００とは異なり、第４電極４８をさらに備える。本発明の一態様に係る第４電極は、上述の第３電極と対になる電極である。実施形態４では、発光素子４００が第３電極２８を有している場合を例示する。但し、発光素子４００は、第３電極２８に替えて、第３電極８を有していてもよい。この場合、発光素子４００は、第３電極８と同様の形状の第４電極を有していればよい。本発明の一態様における第４電極は、その少なくとも一部が発光層４と重畳するように設けられていればよい。実施形態４の例では、第４電極４８は、発光層４と接する。

　（工程１Ｄ）
　不図示のＴＦＴ基板上に、第１電極２（アノード）を形成する。

　（工程２Ｄ）
　第１電極２の形成後、バンク７０を形成する。なお、実施形態４では、実施形態１とは異なり、赤色発光部４Ｒと緑色発光部４Ｇと青色発光部４Ｂとが、Ｘ方向（上面図における、紙面の左右方向）に沿ってこの順番に繰り返して配列されるように、発光素子４００が製造される。従って、図２０～図２２におけるＸ方向は、第１方向の別の例である。加えて、実施形態４では、Ｙ方向（上面図における、紙面の上下方向）に沿って、赤色発光部４Ｒ、緑色発光部４Ｇ、及び青色発光部４Ｂのそれぞれが複数個配列されるように、発光素子４００が製造される。従って、図２０～図２２におけるＹ方向は、第２方向の別の例である。発光素子４００では、Ｘ方向に沿って繰り返して配列された赤色発光部４Ｒと緑色発光部４Ｇと青色発光部４Ｂとを分離するように、Ｙ方向に沿ったバンク７０が形成される。

　（工程３Ｄ）
　バンク７０の形成後、第１電極２上に正孔注入／輸送層３を形成する。実施形態１と同様に、まず、第１電極２上に、正孔注入層３ａを形成する。続いて、正孔注入層３ａ上に正孔輸送層３ｂを形成する。

　（工程４Ｄ）
　正孔輸送層３ｂ上に、第３電極２８を形成する。線状部２８０は、Ｙ方向に沿って（換言すれば、バンク７０に沿って）形成されている。なお、図２１の工程４Ｄの説明図におけるｄ３は、第３電極２８の厚さ（換言すれば、線状部２８０の厚さ）を表す。また、ｗ３は、線状部２８０の幅を表す。

　（工程５Ｄ）
　正孔輸送層３ｂ上に、発光層４を形成する。

　（工程６Ｄ）
　発光層４上に、第４電極４８を形成する。第４電極４８は、第３電極２８と同様の方法によって形成されてよい。実施形態４では、第４電極４８は、第３電極２８と同様の形状を有する。すなわち、第４電極４８は、互いに平行に延伸する複数の線状部４８０（第２線状部）を有する。図２２の例では、線状部４８０は、Ｙ方向に沿って形成されている。従って、線状部２８０と線状部４８０とは、互いに平行である。なお、図２２の工程６Ｄの説明図におけるｄ４は、第４電極４８の厚さ（換言すれば、線状部４８０の厚さ）を表す。また、ｗ４は、線状部４８０の幅を表す。

　なお、第４電極４８の好適な材料は、第３電極２８と同様である。従って、例えば、第４電極４８は、白金、銀、コバルト、ニッケル、チタン、アルミニウム、及びクロムのうちの少なくとも一種以上の金属もしくはこれらの合金からなる。

　また、第４電極４８の好適な各種寸法は、第３電極２８と同様である。従って、ｄ４は、５～２０ｎｍであることが好ましい。加えて、ｗ４は、０．５～２０μｍであることが好ましい。

　（工程７Ｄ）
　第４電極４８の形成後、発光層４上に電子輸送層５ｂを形成する。その後、電子輸送層５ｂ上に、第２電極６（カソード）を形成する。

　（駆動回路９０Ｖ）
　発光素子４００は、駆動回路９０に替えて、駆動回路９０Ｖをさらに備えていることが好ましい。図２３は、駆動回路９０Ｖと第１～第４電極との関係について説明する図である。図２３に示されるように、駆動回路９０Ｖは、駆動回路９０のＳ２に替えて、スイッチＳ２Ｖを備える。Ｓ２Ｖは、実施形態４における第２スイッチである。

　Ｓ２Ｖは、第３電極２８と第４電極４８との電気的な接続を切り替える（開閉する）スイッチである。図２３の例では、第３電極２８と第４電極４８とは、Ｓ２Ｖを介して、互いに電気的に接続されている。発光素子４００では、発光素子１００とは異なり、第３電極２８は電源Ｅとは電気的に接続されていない。

　他方、図２３の「発光時」に示されるように、Ｓ１がＯＮの場合、発光層４が発光する。発光時には、Ｓ２ＶはＯＦＦされている。このため、第３電極２８と第４電極４８とは電気的に接続されていない。他方、図２３の「キャリア解放時」に示されるように、Ｓ２ＶがＯＮの場合、第３電極２８と第４電極４８とが電気的に接続される。図２３の例では、第３電極２８と第４電極４８とが等電位となる。実施形態１と同様に、キャリア解放時にはＳ１はＯＦＦされている。このように、キャリア解放時には、発光層４の発光が停止されている。

　実施形態４では、「Ｓ１：ＯＮ、Ｓ２Ｖ：ＯＦＦ」の状態を、第１状態（あるいは、発光状態）とも称する。これに対し、「Ｓ１：ＯＦＦ、Ｓ２Ｖ：ＯＮ」の状態を、第３状態とも称する。第３状態は、実施形態４におけるキャリア解放状態である。Ｓ１・Ｓ２Ｖのそれぞれの開閉状態を交互に変化させることにより、第１状態と第３状態とを切り替えることができる。

　なお、本発明の一態様に係る発光素子の駆動方法に関し、第３電極２８と第４電極４８との電気的な接続を開閉する工程を、第３工程とも称する。第１状態と第３状態との切り替えは、第１工程と第３工程との切り替えと読み替えることができる。

　（発光素子４００における第１状態と第３状態との切り替え）
　図２３に示されるように、発光素子４００は、発光層４（ＥＭＬ）と正孔輸送層３ｂ（ＨＴＬ）との間に、第３電極２８を有している。そして、発光素子４００は、発光層４と電子輸送層５ｂ（ＥＴＬ）との間に、第４電極４８をさらに有している。そして、図２３の「発光時」に示される通り、第１状態では、第１電極２と第２電極６とが電気的に接続される。このため、第１状態では、発光層４と第３電極２８との界面（発光層４の、正孔輸送層３ｂ側の界面）に、余剰キャリアとしての電子が蓄積しうる。また、第１状態では、発光層４と第４電極４８との界面（発光層４の、電子輸送層５ｂ側の界面）に、余剰キャリアとしての正孔が蓄積しうる。

　これに対し、図２３の「キャリア解放時」に示されるように、第３状態では、第１電極２と第２電極６とは電気的に接続されていない。その替わり、第３状態では、第３電極２８と第４電極４８とが電気的に接続されている。その結果、第３状態において、（ｉ）発光層４と第３電極２８との界面に蓄積された電子を第３電極２８から引き出すとともに、（ｉｉ）発光層４と第４電極４８との界面に蓄積された正孔を第４電極４８から引き出すことができる。

　（発光素子４００の効果）
　発光素子４００によれば、第４電極４８を設けることによって、電子及び正孔の両方を解放できると想定される。すなわち、発光素子４００によれば、発光素子１００～３００とは異なり、正負いずれの極性の余剰キャリアをも解放できると想定される。それゆえ、発光素子１００～３００に比べ、より効果的に発光層４内のキャリア注入バランスを保つことが可能となる。その結果、さらに高性能な発光素子を実現できる。また、発光素子の信頼性をさらに高めることもできる。このように、発光素子４００によれば、さらに信頼性の高い発光素子を提供できる。

　加えて、発光素子４００では、発光素子１００～３００とは異なり、余剰キャリアを解放するための電源が不要である。このため、発光素子４００によれば、発光素子１００～３００に比べ、より低い電力によって余剰キャリアを解放できると想定される。すなわち、発光素子４００は、発光素子の省電力化により好適である。

　なお、実施形態１と同様の論旨により、発光素子４００においても、４０Ｈｚ以上の周波数で、第１状態と第３状態との切り替えが行われることが好ましい。すなわち、実施形態４では、Ｓ１とＳ２Ｖとは、４０Ｈｚ以上の周波数で交互にスイッチングされることが好ましい。

　〔実施形態５〕
　図２４～図２６は、実施形態５の発光素子５００の製造工程（工程１Ｅ～７Ｅ）の流れを説明する図である。図２４には工程１Ｅ～３Ｅが、図２５には工程４Ｅ～５Ｅが、図２６には工程６Ｅ～７Ｅが、それぞれ示されている。

　図２６に示されるように、発光素子５００は、発光素子４００とは異なり、第１電極２Ｖ（カソード）及び第２電極６Ｖ（アノード）を備えている。つまり、発光素子５００では、発光素子４００に対し、アノードとカソードとの位置が逆転している。これに伴い、発光素子５００では、アノードとカソードとに関連する各機能層の位置についても、発光素子４００とは逆転している。

　（工程１Ｅ）
　不図示のＴＦＴ基板上に、第１電極２Ｖ（カソード）を形成する。

　（工程２Ｅ）
　工程２Ｄと同様であるため、説明を省略する。

　（工程３Ｅ）
　バンク７０の形成後、第１電極２上に電子輸送層５ｂを形成する。

　（工程４Ｅ）
　電子輸送層５ｂ上に、第３電極２８を形成する。

　（工程５Ｅ）
　電子輸送層５ｂ上に、発光層４を形成する。

　（工程６Ｅ）
　工程６Ｄと同様であるため、説明を省略する。

　（工程７Ｅ）
　第４電極４８の形成後、発光層４上に正孔注入／輸送層３を形成する。その後、正孔注入／輸送層３上に、第２電極６Ｖ（アノード）を形成する。

　（発光素子５００の効果）
　発光素子５００によっても、発光素子４００と同様の効果を奏する。本発明の一態様に係る発光素子において、（ｉ）第３電極は第１電極側の電荷輸送層と発光層との間に配置され、かつ、（ｉｉ）第４電極は第２電極側の電荷輸送層と発光層との間に配置されていればよい。このように、本発明の一態様に係る発光素子では、発光層を挟むように、第３電極と第４電極とが配置されていればよい。

　例えば、上述の発光素子４００では、（ｉ）第３電極２８は第１電極２側の電荷輸送層（正孔注入／輸送層３）と発光層４との間に配置されており、かつ、（ｉｉ）第４電極４８は第２電極６側の電荷輸送層（電子輸送層５ｂ）と発光層４との間に配置されている。これに対し、発光素子５００では、（ｉ）第３電極２８は第１電極２Ｖ側の電荷輸送層（電子輸送層５ｂ）と発光層４との間に配置されており、（ｉｉ）第４電極４８は第２電極６Ｖ側の電荷輸送層（正孔注入／輸送層３）と発光層４との間に配置されている。発光素子４００・５００のいずれの構成においても、発光層４を挟むように、第３電極２８と第４電極４８とが配置されている。

　〔実施形態６〕
　図２７～図２８は、実施形態６の発光素子６００の製造工程（工程１Ｆ～７Ｆ）の流れを説明する図である。発光素子６００は、発光素子４００の一変形例である。発光素子６００は、第３電極２８及び第４電極４８に替えて、第３電極２８Ｖ及び第４電極４８Ｖを備える。発光素子６００によっても、発光素子４００と同様の効果を奏する。

　工程１Ｆ～３Ｆについては、工程１Ｄ～７Ｄと同様であるため、説明及び図示を省略する。このため、図２７には工程４Ｆ～５Ｆが、図２８には工程６Ｆ～７Ｆが、それぞれ示されている。

　（工程４Ｆ）
　工程３Ｆの後、正孔輸送層３ｂ上に、第３電極２８Ｖを形成する。第３電極２８Ｖは、各発光部（赤色発光部４Ｒ、緑色発光部４Ｇ、及び青色発光部４Ｂのそれぞれ）に対応する正孔輸送層３ｂの外周の少なくとも３辺を取り囲むように形成される。図２７の例では、第３電極２８Ｖは、各発光部に対応する正孔輸送層３ｂの外周の４辺を取り囲む。

　（工程５Ｆ）
　正孔輸送層３ｂ上及び第３電極２８Ｖ上に、発光層４を形成する。実施形態６における第３電極２８Ｖは、各発光部の外周の４辺を取り囲む。

　（工程６Ｆ）
　発光層４上に、第４電極４８Ｖを形成する。図２８の例では、第４電極４８Ｖは、第３電極２８Ｖと同様の形状を有する。すなわち、第４電極４８Ｖは、各発光部の外周の４辺を取り囲む。但し、第３電極２８Ｖ及び第４電極４８Ｖはいずれも、各発光部の外周の少なくとも３辺を取り囲んでいればよい。

　第３電極２８Ｖ及び第４電極４８Ｖの厚さは、５～２０ｎｍであることが好ましい。なお、第３電極２８Ｖ及び第４電極４８Ｖはそれぞれ、互いに平行に延伸する複数の線状部（第１線状部及び第２線状部）を有していてよい。この場合、第１線状部及び第２線状部のそれぞれの幅は、０．５～５μｍであることが好ましい。当該幅の下限値０．５μｍは、第３電極２８Ｖ及び第４電極４８Ｖの量産性を考慮して設定された数値である。また、当該幅の上限値５μｍは、各サブ画素の開口率（０．８）を考慮して設定された数値である。

　（工程７Ｆ）
　第４電極４８Ｖの形成後、発光層４上に電子輸送層５ｂを形成する。その後、電子輸送層５ｂ上に、第２電極６を形成する。

　〔実施形態７〕
　図２９～図３０は、実施形態７の発光素子７００の製造工程（工程１Ｇ～７Ｇ）の流れを説明する図である。発光素子７００は、発光素子５００の一変形例である。発光素子７００は、第３電極２８及び第４電極４８に替えて、第３電極２８Ｖ及び第４電極４８Ｖを備える。発光素子７００によっても、発光素子５００と同様の効果を奏する。

　工程１Ｇ～３Ｇについては、工程１Ｅ～７Ｅと同様であるため、説明及び図示を省略する。このため、図２９には工程４Ｇ～５Ｇが、図３０には工程６Ｇ～７Ｇが、それぞれ示されている。

　（工程４Ｇ）
　工程３Ｇの後、電子輸送層５ｂ上に、第３電極２８Ｖを形成する。図３０の例では、第３電極２８Ｖは、各発光部に対応する電子輸送層５ｂの外周の４辺を取り囲む。

　（工程５Ｇ）
　電子輸送層５ｂ上及び第３電極２８Ｖ上に、発光層４を形成する。実施形態６における第３電極２８Ｖは、各発光部の外周の４辺を取り囲む。

　（工程６Ｇ）
　上述の工程６Ｆと同様であるため、説明を省略する。

　（工程７Ｇ）
　第４電極４８Ｖの形成後、発光層４上に正孔注入／輸送層３を形成する。その後、正孔注入／輸送層３上に、第２電極６Ｖを形成する。

　〔まとめ〕
　態様１の発光素子では、第１電極、発光層、及び第２電極がこの順に配置され、前記第１電極と前記発光層との間、及び／又は、前記第２電極と前記発光層との間に電荷輸送層が配置され、少なくとも一部が前記発光層と重畳するように第３電極が設けられ、前記第３電極は前記電荷輸送層と前記発光層との間に配置される。

　態様２の発光素子では、前記第３電極は前記発光層と接する。

　態様３の発光素子では、前記発光層が、第１発光部、第２発光部、及び第３発光部を有し、前記第１発光部、前記第２発光部、及び前記第３発光部のうち、最大のアスペクト比を有する発光部を特定発光部と称し、前記特定発光部の長辺方向に交差する方向を第１方向と称し、前記第１発光部、前記第２発光部、及び前記第３発光部のうち、少なくとも２つの発光部が、前記第１方向に沿って繰り返して配列され、前記第３電極は、上記少なくとも２つの発光部を横切るように前記第１方向に沿って形成される。

　態様４の発光素子では、前記第１発光部と前記第２発光部と前記第３発光部とが前記第１方向に沿ってこの順番に繰り返して配列され、前記第３電極は、前記第１発光部と前記第２発光部と前記第３発光部とを横切るように前記第１方向に沿って形成される。

　態様５の発光素子は、前記第１発光部と前記第２発光部と前記第３発光部とを分離するように形成されたバンクをさらに備え、前記第３電極は、前記第１発光部と前記第２発光部との間、前記第２発光部と前記第３発光部との間、及び、前記第３発光部と前記第１発光部との間の前記バンクの少なくとも一部を覆うように形成される。

　態様６の発光素子では、前記発光層が、第１発光部、第２発光部、及び第３発光部を有し、前記第１発光部、前記第２発光部、及び前記第３発光部のうち、最大のアスペクト比を有する発光部を特定発光部と称し、前記特定発光部の長辺方向に交差する方向を第１方向と称し、前記第１発光部と前記第２発光部と前記第３発光部とが前記第１方向に沿ってこの順番に繰り返して配列され、前記第１発光部は、前記第１方向と交差する第２方向に沿って繰り返して複数個配列され、前記第２発光部は、前記第２方向に沿って繰り返して複数個配列され、及び、前記第３発光部は、前記第２方向に沿って繰り返して複数個配列され、前記第３電極は、前記複数個の第１発光部、前記複数個の第２発光部、及び前記複数個の第３発光部を横切るように前記第２方向に沿って形成される。

　態様７の発光素子は、前記第１発光部と前記第２発光部と前記第３発光部とを分離するように形成されたバンクをさらに備え、前記第３電極は、前記複数個の第１発光部の間、前記複数個の第２発光部の間、及び、前記複数個の第３発光部の間の前記バンクの少なくとも一部を覆うように形成される。

　態様８の発光素子では、前記第３電極及び前記電荷輸送層は、前記発光層の前記第１電極側に配置される。

　態様９の発光素子では、前記第３電極及び前記電荷輸送層は、前記発光層の前記第２電極側に配置される。

　態様１０の発光素子では、前記第３電極は、少なくともＴｉＯ_２もしくはＡＺＯを含む化合物からなる。

　態様１１の発光素子では、前記第３電極の膜厚が５ｎｍ以上かつ２０ｎｍ以下である。

　態様１２の発光素子では、前記第３電極は、前記発光層の一部を覆って線状に形成される。

　態様１３の発光素子では、前記第３電極は、少なくともＴｉＯ_２もしくはＡＺＯを含む化合物、もしくは、金、白金、銀、コバルト、ニッケル、チタン、アルミニウム、及びクロムのうちの少なくとも一種以上の金属もしくはこれらの合金からなる。

　態様１４の発光素子では、前記第３電極は、互いに平行に延伸する複数の線状部を有し、前記線状部の幅が０．５μｍ以上かつ２０μｍ以下であり、前記線状部の膜厚が５ｎｍ以上かつ２０ｎｍ以下である。

　態様１５の発光素子では、第１電極、発光層及び第２電極がこの順に配置され、前記第１電極と前記発光層との間、及び／又は、前記第２電極と前記発光層との間に電荷輸送層が配置され、少なくとも一部が前記発光層と重畳するように第３電極が設けられ、前記発光素子は、前記発光層の駆動用の電源と前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続するための回路と、前記回路を開閉する第１スイッチと、前記第３電極と前記回路との電気的な接続を開閉する第２スイッチと、を備える。

　態様１６の発光素子では、前記第１スイッチと前記第２スイッチとが、４０Ｈｚ以上の周波数で交互にスイッチングされる。

　態様１７の発光素子では、前記第３電極は前記発光層と接する。

　態様１８の発光素子では、前記発光層が、第１発光部、第２発光部、及び第３発光部を有し、前記第１発光部、前記第２発光部、及び前記第３発光部のうち、最大のアスペクト比を有する発光部を特定発光部と称し、前記特定発光部の長辺方向に交差する方向を第１方向と称し、前記第１発光部、前記第２発光部、及び前記第３発光部のうち、少なくとも２つの発光部が、前記第１方向に沿って繰り返して配列され、前記第３電極は、上記少なくとも２つの発光部を横切るように前記第１方向に沿って形成される。

　態様１９の発光素子では、前記第１発光部と前記第２発光部と前記第３発光部とが前記第１方向に沿ってこの順番に繰り返して配列され、前記第３電極は、前記第１発光部と前記第２発光部と前記第３発光部とを横切るように前記第１方向に沿って形成される。

　態様２０の発光素子は、前記第１発光部と前記第２発光部と前記第３発光部とを分離するように形成されたバンクをさらに備え、前記第３電極は、前記第１発光部と前記第２発光部との間、前記第２発光部と前記第３発光部との間、及び、前記第３発光部と前記第１発光部との間の前記バンクの少なくとも一部を覆うように形成される。

　態様２１の発光素子では、前記発光層が、第１発光部、第２発光部、及び第３発光部を有し、前記第１発光部、前記第２発光部、及び前記第３発光部のうち、最大のアスペクト比を有する発光部を特定発光部と称し、前記特定発光部の長辺方向に交差する方向を第１方向と称し、前記第１発光部と前記第２発光部と前記第３発光部とが前記第１方向に沿ってこの順番に繰り返して配列され、前記第１発光部は、前記第１方向と交差する第２方向に沿って繰り返して複数個配列され、前記第２発光部は、前記第２方向に沿って繰り返して複数個配列され、及び、前記第３発光部は、前記第２方向に沿って繰り返して複数個配列され、前記第３電極は、前記複数個の第１発光部、前記複数個の第２発光部、及び前記複数個の第３発光部を横切るように前記第２方向に沿って形成される。

　態様２２の発光素子は、前記第１発光部と前記第２発光部と前記第３発光部とを分離するように形成されたバンクをさらに備え、前記第３電極は、前記複数個の第１発光部の間、前記複数個の第２発光部の間、及び、前記複数個の第３発光部の間の前記バンクの少なくとも一部を覆うように形成される。

　態様２３の発光素子では、前記第３電極及び前記電荷輸送層は、前記発光層の前記第１電極側に配置される。

　態様２４の発光素子では、前記第３電極及び前記電荷輸送層は、前記発光層の前記第２電極側に配置される。

　態様２５の発光素子では、前記第３電極は、少なくともＴｉＯ_２もしくはＡＺＯを含む化合物からなる。

　態様２６の発光素子では、前記第３電極の膜厚が５ｎｍ以上かつ２０ｎｍ以下である。

　態様２７の発光素子では、前記第３電極は、前記発光層の一部を覆って線状に形成される。

　態様２８の発光素子では、前記第３電極は、少なくともＴｉＯ_２もしくはＡＺＯを含む化合物、もしくは、金、白金、銀、コバルト、ニッケル、チタン、アルミニウム、及びクロムのうちの少なくとも一種以上の金属もしくはこれらの合金からなる。

　態様２９の発光素子では、前記第３電極は、互いに平行に延伸する複数の線状部を有し、前記線状部の幅が０．５μｍ以上かつ２０μｍ以下であり、前記線状部の膜厚が５ｎｍ以上かつ２０ｎｍ以下である。

　態様３０の発光素子では、前記第３電極が、前記第１電極側の前記電荷輸送層と前記発光層との間に配置されており、前記発光素子は、前記第２電極側の前記電荷輸送層と前記発光層との間に配置された第４電極をさらに備える。

　態様３１の発光素子では、前記発光層が、第１発光部、第２発光部、及び第３発光部を有し、前記第１発光部、前記第２発光部、及び前記第３発光部のうち、最大のアスペクト比を有する発光部を特定発光部と称し、前記特定発光部の長辺方向に交差する方向を第１方向と称し、前記第１発光部と前記第２発光部と前記第３発光部とが前記第１方向に沿ってこの順番に繰り返して配列され、前記発光素子は、前記第１方向と交差する第２方向に沿って繰り返して複数個配列された第１発光部と、前記第２方向に沿って繰り返して複数個配列された第２発光部と、前記第２方向に沿って繰り返して複数個配列された第３発光部とを分離するように前記第２方向に沿って形成されたバンクをさらに備え、前記第３電極と前記第４電極とが、前記バンクに沿って前記発光層の一部を覆う線状に形成される。

　態様３２の発光素子では、前記第３電極と前記第４電極とは、金、白金、銀、コバルト、ニッケル、チタン、アルミニウム、及びクロムのうちの少なくとも一種以上の金属もしくはこれらの合金からなる。

　態様３３の発光素子では、前記第３電極及び前記第４電極の膜厚が５ｎｍ以上かつ２０ｎｍ以下である。

　態様３４の発光素子では、前記第３電極及び前記第４電極は、互いに平行に延伸する複数の第１線状部及び複数の第２線状部を有し、前記第１線状部の幅及び前記第２線状部の幅が、０．５μｍ以上かつ２０μｍ以下である。

　態様３５の発光素子では、前記発光層が、第１発光部、第２発光部、及び第３発光部を有し、前記第３電極及び前記第４電極が、前記第１発光部、前記第２発光部、及び前記第３発光部の外周の少なくとも３辺を取り囲むように設けられている。

　態様３６の発光素子では、前記第３電極及び前記第４電極は、互いに平行に延伸する複数の第１線状部及び複数の第２線状部を有し、前記第１線状部の幅及び前記第２線状部の幅が、０．５μｍかつ以上５μｍ以下である。

　態様３７の発光素子では、第１電極、発光層及び第２電極がこの順に配置され、前記第１電極と前記発光層との間、及び／又は、前記第２電極と前記発光層との間に電荷輸送層が配置され、少なくとも一部が前記発光層と重畳するように第３電極及び第４電極が設けられ、前記第３電極は、前記第１電極側の前記電荷輸送層と前記発光層との間に配置され、前記第４電極は、前記第２電極側の前記電荷輸送層と前記発光層との間に配置され、前記発光素子は、前記発光層の駆動用の電源と前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続するための回路と、前記回路を開閉する第１スイッチと、前記第３電極と前記第４電極との電気的な接続を開閉する第２スイッチと、を備える。

　態様３８の発光素子では、前記第１スイッチと前記第２スイッチとが、４０Ｈｚ以上の周波数で交互にスイッチングされる。

　態様３９の発光素子では、前記発光層が、第１発光部、第２発光部、及び第３発光部を有し、前記第１発光部、前記第２発光部、及び前記第３発光部のうち、最大のアスペクト比を有する発光部を特定発光部と称し、前記特定発光部の長辺方向に交差する方向を第１方向と称し、前記第１発光部と前記第２発光部と前記第３発光部とが前記第１方向に沿ってこの順番に繰り返して配列され、前記発光素子は、前記第１方向と交差する第２方向に沿って繰り返して複数個配列された第１発光部と、前記第２方向に沿って繰り返して複数個配列された第２発光部と、前記第２方向に沿って繰り返して複数個配列された第３発光部とを分離するように前記第２方向に沿って形成されたバンクをさらに備え、前記第３電極と前記第４電極とが、前記バンクに沿って前記発光層の一部を覆う線状に形成される。

　態様４０の発光素子では、前記第３電極と前記第４電極とは、金、白金、銀、コバルト、ニッケル、チタン、アルミニウム、及びクロムのうちの少なくとも一種以上の金属もしくはこれらの合金からなる。

　態様４１の発光素子では、前記第３電極及び前記第４電極の膜厚が５ｎｍ以上かつ２０ｎｍ以下である。

　態様４２の発光素子では、前記第３電極及び前記第４電極は、互いに平行に延伸する複数の第１線状部及び複数の第２線状部を有し、前記第１線状部の幅及び前記第２線状部の幅が、０．５μｍ以上かつ２０μｍ以下である。

　態様４３の発光素子では、前記発光層が、第１発光部、第２発光部、及び第３発光部を有し、前記第３電極及び前記第４電極が、前記第１発光部、前記第２発光部、及び前記第３発光部の外周の少なくとも３辺を取り囲むように設けられている。

　態様４４の発光素子では、前記第３電極及び前記第４電極は、互いに平行に延伸する複数の第１線状部及び複数の第２線状部を有し、前記第１線状部の幅及び前記第２線状部の幅が、０．５μｍかつ以上５μｍ以下である。

　態様４５の発光素子の駆動方法は、第１電極、発光層及び第２電極がこの順に配置され、前記第１電極と前記発光層との間、及び／又は、前記第２電極と前記発光層との間に電荷輸送層が配置され、少なくとも一部が前記発光層と重畳するように形成された第３電極、及び、前記発光層の駆動用の電源と前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続するための回路が設けられる発光素子の駆動方法であって、前記回路を開閉する第１工程と、前記第３電極と前記回路との電気的な接続を開閉する第２工程と、を含む。

　態様４６の発光素子の駆動方法は、前記第１工程と前記第２工程とを４０Ｈｚ以上の周波数で切り替えながら実行する。

　態様４７の発光素子の駆動方法は、第１電極、発光層及び第２電極がこの順に配置され、前記第１電極と前記発光層との間、及び／又は、前記第２電極と前記発光層との間に電荷輸送層が配置され、少なくとも一部が前記発光層と重畳するように第３電極及び第４電極が設けられ、前記第３電極は前記第１電極側の前記電荷輸送層と前記発光層との間に配置され、前記第４電極は前記第２電極側の前記電荷輸送層と前記発光層との間に配置され、前記発光層の駆動用の電源と前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続するための回路を備える発光素子の駆動方法であって、前記回路を開閉する第１工程と、前記第３電極と前記第４電極との電気的な接続を開閉する第３工程と、を含む。

　態様４８の発光素子の駆動方法は、前記第１工程と前記第３工程とを４０Ｈｚ以上の周波数で切り替えながら実行する。

　〔付記事項〕
　本発明の一態様は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の一態様の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。

　１　基板
　２　第１電極（アノード）
　２Ｖ　第１電極（カソード）
　３　正孔注入／輸送層（電荷輸送層）
　３ａ　正孔注入層
　３ｂ　正孔輸送層
　４　発光層
　４Ｒ　赤色発光部（第１発光部，特定発光部）
　４Ｇ　緑色発光部（第２発光部，特定発光部）
　４Ｂ　青色発光部（第３発光部，特定発光部）
　４ＲＰ　赤色発光部（第１発光部）
　４ＧＰ　緑色発光部（第２発光部，特定発光部）
　４ＢＰ　青色発光部（第３発光部）
　４ＲＱ　赤色発光部（第１発光部）
　４ＧＱ　緑色発光部（第２発光部）
　４ＢＱ　青色発光部（第３発光部，特定発光部）
　５　電子注入／輸送層（電荷輸送層）
　５ｂ　電子輸送層
　６　第２電極（カソード）
　６Ｖ　第２電極（アノード）
　８、２８、２８Ｖ　第３電極
　４８、４８Ｖ　第４電極
　７０　バンク
　９０、９０Ｖ　駆動回路（回路）
　１００、１００Ｖ、１００Ｐ、１００Ｑ、２００、３００、４００、５００、６００、７００　発光素子
　２８０　線状部（第１線状部）
　４８０　線状部（第２線状部）
　Ｅ　電源
　Ｓ１　スイッチ（第１スイッチ）
　Ｓ２、Ｓ２Ｖ　スイッチ（第２スイッチ）
　Ｘ方向（第２方向，第１方向）
　Ｙ方向（第１方向，第２方向）
　ｄ３　第３電極の厚さ（第１線状部の厚さ）
　ｄ４　第４電極の厚さ（第２線状部の厚さ）
　ｗ３　第１線状部の幅
　ｗ４　第２線状部の幅

Claims

　第１電極、発光層、及び第２電極がこの順に配置され、
　前記第１電極と前記発光層との間、及び／又は、前記第２電極と前記発光層との間に電荷輸送層が配置され、
　少なくとも一部が前記発光層と重畳するように第３電極が設けられ、
　前記第３電極は前記電荷輸送層と前記発光層との間に配置される、
　発光素子。
　前記第３電極は前記発光層と接する、請求項１に記載の発光素子。
　前記発光層が、第１発光部、第２発光部、及び第３発光部を有し、
　前記第１発光部、前記第２発光部、及び前記第３発光部のうち、最大のアスペクト比を有する発光部を特定発光部と称し、
　前記特定発光部の長辺方向に交差する方向を第１方向と称し、
　前記第１発光部、前記第２発光部、及び前記第３発光部のうち、少なくとも２つの発光部が、前記第１方向に沿って繰り返して配列され、
　前記第３電極は、上記少なくとも２つの発光部を横切るように前記第１方向に沿って形成される、請求項１又は２に記載の発光素子。
　前記第１発光部と前記第２発光部と前記第３発光部とが前記第１方向に沿ってこの順番に繰り返して配列され、
　前記第３電極は、前記第１発光部と前記第２発光部と前記第３発光部とを横切るように前記第１方向に沿って形成される、請求項３に記載の発光素子。
　前記第１発光部と前記第２発光部と前記第３発光部とを分離するように形成されたバンクをさらに備え、
　前記第３電極は、前記第１発光部と前記第２発光部との間、前記第２発光部と前記第３発光部との間、及び、前記第３発光部と前記第１発光部との間の前記バンクの少なくとも一部を覆うように形成される、請求項３又は４に記載の発光素子。
　前記発光層が、第１発光部、第２発光部、及び第３発光部を有し、
　前記第１発光部、前記第２発光部、及び前記第３発光部のうち、最大のアスペクト比を有する発光部を特定発光部と称し、
　前記特定発光部の長辺方向に交差する方向を第１方向と称し、
　前記第１発光部と前記第２発光部と前記第３発光部とが前記第１方向に沿ってこの順番に繰り返して配列され、
　前記第１発光部は、前記第１方向と交差する第２方向に沿って繰り返して複数個配列され、前記第２発光部は、前記第２方向に沿って繰り返して複数個配列され、及び、前記第３発光部は、前記第２方向に沿って繰り返して複数個配列され、
　前記第３電極は、前記複数個の第１発光部、前記複数個の第２発光部、及び前記複数個の第３発光部を横切るように前記第２方向に沿って形成される、請求項１又は２に記載の発光素子。
　前記第１発光部と前記第２発光部と前記第３発光部とを分離するように形成されたバンクをさらに備え、
　前記第３電極は、前記複数個の第１発光部の間、前記複数個の第２発光部の間、及び、前記複数個の第３発光部の間の前記バンクの少なくとも一部を覆うように形成される、請求項６に記載の発光素子。
　前記第３電極及び前記電荷輸送層は、前記発光層の前記第１電極側に配置される、請求項１から７の何れか一項に記載の発光素子。
　前記第３電極及び前記電荷輸送層は、前記発光層の前記第２電極側に配置される、請求項１から７の何れか一項に記載の発光素子。
　前記第３電極は、少なくともＴｉＯ_２もしくはＡＺＯを含む化合物からなる、請求項１から９の何れか一項に記載の発光素子。
　前記第３電極の膜厚が５ｎｍ以上かつ２０ｎｍ以下である、請求項１から１０の何れか一項に記載の発光素子。
　前記第３電極は、前記発光層の一部を覆って線状に形成される、請求項１から１１の何れか一項に記載の発光素子。
　前記第３電極は、少なくともＴｉＯ_２もしくはＡＺＯを含む化合物、もしくは、金、白金、銀、コバルト、ニッケル、チタン、アルミニウム、及びクロムのうちの少なくとも一種以上の金属もしくはこれらの合金からなる、請求項１２に記載の発光素子。
　前記第３電極は、互いに平行に延伸する複数の線状部を有し、
　前記線状部の幅が０．５μｍ以上かつ２０μｍ以下であり、前記線状部の膜厚が５ｎｍ以上かつ２０ｎｍ以下である、請求項１２又は１３に記載の発光素子。
　第１電極、発光層及び第２電極がこの順に配置され、
　前記第１電極と前記発光層との間、及び／又は、前記第２電極と前記発光層との間に電荷輸送層が配置され、
　少なくとも一部が前記発光層と重畳するように第３電極が設けられ、
　前記発光層の駆動用の電源と前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続するための回路と、
　前記回路を開閉する第１スイッチと、
　前記第３電極と前記回路との電気的な接続を開閉する第２スイッチと、
　を備える発光素子。
　前記第１スイッチと前記第２スイッチとが、４０Ｈｚ以上の周波数で交互にスイッチングされる、請求項１５に記載の発光素子。
　前記第３電極は前記発光層と接する、請求項１５又は１６に記載の発光素子。
　前記発光層が、第１発光部、第２発光部、及び第３発光部を有し、
　前記第１発光部、前記第２発光部、及び前記第３発光部のうち、最大のアスペクト比を有する発光部を特定発光部と称し、
　前記特定発光部の長辺方向に交差する方向を第１方向と称し、
　前記第１発光部、前記第２発光部、及び前記第３発光部のうち、少なくとも２つの発光部が、前記第１方向に沿って繰り返して配列され、
　前記第３電極は、上記少なくとも２つの発光部を横切るように前記第１方向に沿って形成される、請求項１５から１７の何れか一項に記載の発光素子。
　前記第１発光部と前記第２発光部と前記第３発光部とが前記第１方向に沿ってこの順番に繰り返して配列され、
　前記第３電極は、前記第１発光部と前記第２発光部と前記第３発光部とを横切るように前記第１方向に沿って形成される、請求項１８に記載の発光素子。
　前記第１発光部と前記第２発光部と前記第３発光部とを分離するように形成されたバンクをさらに備え、
　前記第３電極は、前記第１発光部と前記第２発光部との間、前記第２発光部と前記第３発光部との間、及び、前記第３発光部と前記第１発光部との間の前記バンクの少なくとも一部を覆うように形成される、請求項１８又は１９に記載の発光素子。
　前記発光層が、第１発光部、第２発光部、及び第３発光部を有し、
　前記第１発光部、前記第２発光部、及び前記第３発光部のうち、最大のアスペクト比を有する発光部を特定発光部と称し、
　前記特定発光部の長辺方向に交差する方向を第１方向と称し、
　前記第１発光部と前記第２発光部と前記第３発光部とが前記第１方向に沿ってこの順番に繰り返して配列され、
　前記第１発光部は、前記第１方向と交差する第２方向に沿って繰り返して複数個配列され、前記第２発光部は、前記第２方向に沿って繰り返して複数個配列され、及び、前記第３発光部は、前記第２方向に沿って繰り返して複数個配列され、
　前記第３電極は、前記複数個の第１発光部、前記複数個の第２発光部、及び前記複数個の第３発光部を横切るように前記第２方向に沿って形成される、請求項１５から１７の何れか一項に記載の発光素子。
　前記第１発光部と前記第２発光部と前記第３発光部とを分離するように形成されたバンクをさらに備え、
　前記第３電極は、前記複数個の第１発光部の間、前記複数個の第２発光部の間、及び、前記複数個の第３発光部の間の前記バンクの少なくとも一部を覆うように形成される、請求項２１に記載の発光素子。
　前記第３電極及び前記電荷輸送層は、前記発光層の前記第１電極側に配置される、請求項１５から２２の何れか一項に記載の発光素子。
　前記第３電極及び前記電荷輸送層は、前記発光層の前記第２電極側に配置される、請求項１５から２２の何れか一項に記載の発光素子。
　前記第３電極は、少なくともＴｉＯ_２もしくはＡＺＯを含む化合物からなる、請求項１５から２４の何れか一項に記載の発光素子。
　前記第３電極の膜厚が５ｎｍ以上かつ２０ｎｍ以下である、請求項１５から２５の何れか一項に記載の発光素子。
　前記第３電極は、前記発光層の一部を覆って線状に形成される、請求項１５から２６の何れか一項に記載の発光素子。
　前記第３電極は、少なくともＴｉＯ_２もしくはＡＺＯを含む化合物、もしくは、金、白金、銀、コバルト、ニッケル、チタン、アルミニウム、及びクロムのうちの少なくとも一種以上の金属もしくはこれらの合金からなる、請求項２７に記載の発光素子。
　前記第３電極は、互いに平行に延伸する複数の線状部を有し、
　前記線状部の幅が０．５μｍ以上かつ２０μｍ以下であり、前記線状部の膜厚が５ｎｍ以上かつ２０ｎｍ以下である、請求項２７又は２８に記載の発光素子。
　前記第３電極が、前記第１電極側の前記電荷輸送層と前記発光層との間に配置されており、
　前記第２電極側の前記電荷輸送層と前記発光層との間に配置された第４電極をさらに備える、請求項１に記載の発光素子。
　前記発光層が、第１発光部、第２発光部、及び第３発光部を有し、
　前記第１発光部、前記第２発光部、及び前記第３発光部のうち、最大のアスペクト比を有する発光部を特定発光部と称し、
　前記特定発光部の長辺方向に交差する方向を第１方向と称し、
　前記第１発光部と前記第２発光部と前記第３発光部とが前記第１方向に沿ってこの順番に繰り返して配列され、
　前記第１方向と交差する第２方向に沿って繰り返して複数個配列された第１発光部と、前記第２方向に沿って繰り返して複数個配列された第２発光部と、前記第２方向に沿って繰り返して複数個配列された第３発光部とを分離するように前記第２方向に沿って形成されたバンクをさらに備え、
　前記第３電極と前記第４電極とが、前記バンクに沿って前記発光層の一部を覆う線状に形成される、請求項３０に記載の発光素子。
　前記第３電極と前記第４電極とは、金、白金、銀、コバルト、ニッケル、チタン、アルミニウム、及びクロムのうちの少なくとも一種以上の金属もしくはこれらの合金からなる、請求項３０又は３１に記載の発光素子。
　前記第３電極及び前記第４電極の膜厚が５ｎｍ以上かつ２０ｎｍ以下である、請求項３０から３２の何れか一項に記載の発光素子。
　前記第３電極及び前記第４電極は、互いに平行に延伸する複数の第１線状部及び複数の第２線状部を有し、
　前記第１線状部の幅及び前記第２線状部の幅が、０．５μｍ以上かつ２０μｍ以下である、請求項３０から３３の何れか一項に記載の発光素子。
　前記発光層が、第１発光部、第２発光部、及び第３発光部を有し、
　前記第３電極及び前記第４電極が、前記第１発光部、前記第２発光部、及び前記第３発光部の外周の少なくとも３辺を取り囲むように設けられている、請求項３０から３３の何れか一項に記載の発光素子。
　前記第３電極及び前記第４電極は、互いに平行に延伸する複数の第１線状部及び複数の第２線状部を有し、
　前記第１線状部の幅及び前記第２線状部の幅が、０．５μｍかつ以上５μｍ以下である、請求項３５に記載の発光素子。
　第１電極、発光層及び第２電極がこの順に配置され、
　前記第１電極と前記発光層との間、及び／又は、前記第２電極と前記発光層との間に電荷輸送層が配置され、
　少なくとも一部が前記発光層と重畳するように第３電極及び第４電極が設けられ、
　前記第３電極は、前記第１電極側の前記電荷輸送層と前記発光層との間に配置され、
　前記第４電極は、前記第２電極側の前記電荷輸送層と前記発光層との間に配置され、
　前記発光層の駆動用の電源と前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続するための回路と、
　前記回路を開閉する第１スイッチと、
　前記第３電極と前記第４電極との電気的な接続を開閉する第２スイッチと、
　を備える発光素子。
　前記第１スイッチと前記第２スイッチとが、４０Ｈｚ以上の周波数で交互にスイッチングされる、請求項３７に記載の発光素子。
　前記発光層が、第１発光部、第２発光部、及び第３発光部を有し、
　前記第１発光部、前記第２発光部、及び前記第３発光部のうち、最大のアスペクト比を有する発光部を特定発光部と称し、
　前記特定発光部の長辺方向に交差する方向を第１方向と称し、
　前記第１発光部と前記第２発光部と前記第３発光部とが前記第１方向に沿ってこの順番に繰り返して配列され、
　前記第１方向と交差する第２方向に沿って繰り返して複数個配列された第１発光部と、前記第２方向に沿って繰り返して複数個配列された第２発光部と、前記第２方向に沿って繰り返して複数個配列された第３発光部とを分離するように前記第２方向に沿って形成されたバンクをさらに備え、
　前記第３電極と前記第４電極とが、前記バンクに沿って前記発光層の一部を覆う線状に形成される、請求項３７又は３８に記載の発光素子。
　前記第３電極と前記第４電極とは、金、白金、銀、コバルト、ニッケル、チタン、アルミニウム、及びクロムのうちの少なくとも一種以上の金属もしくはこれらの合金からなる、請求項３７又は３８に記載の発光素子。
　前記第３電極及び前記第４電極の膜厚が５ｎｍ以上かつ２０ｎｍ以下である、請求項３７から４０の何れか一項に記載の発光素子。
　前記第３電極及び前記第４電極は、互いに平行に延伸する複数の第１線状部及び複数の第２線状部を有し、
　前記第１線状部の幅及び前記第２線状部の幅が、０．５μｍ以上かつ２０μｍ以下である、請求項３７から４１の何れか一項に記載の発光素子。
　前記発光層が、第１発光部、第２発光部、及び第３発光部を有し、
　前記第３電極及び前記第４電極が、前記第１発光部、前記第２発光部、及び前記第３発光部の外周の少なくとも３辺を取り囲むように設けられている、請求項３７又は３８に記載の発光素子。
　前記第３電極及び前記第４電極は、互いに平行に延伸する複数の第１線状部及び複数の第２線状部を有し、
　前記第１線状部の幅及び前記第２線状部の幅が、０．５μｍかつ以上５μｍ以下である、請求項４３に記載の発光素子。
　第１電極、発光層及び第２電極がこの順に配置され、前記第１電極と前記発光層との間、及び／又は、前記第２電極と前記発光層との間に電荷輸送層が配置され、少なくとも一部が前記発光層と重畳するように形成された第３電極、及び、前記発光層の駆動用の電源と前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続するための回路が設けられる発光素子の駆動方法であって、
　前記回路を開閉する第１工程と、
　前記第３電極と前記回路との電気的な接続を開閉する第２工程と、
　を含む発光素子の駆動方法。
　前記第１工程と前記第２工程とを４０Ｈｚ以上の周波数で切り替えながら実行する、請求項４５に記載の発光素子の駆動方法。
　第１電極、発光層及び第２電極がこの順に配置され、前記第１電極と前記発光層との間、及び／又は、前記第２電極と前記発光層との間に電荷輸送層が配置され、少なくとも一部が前記発光層と重畳するように第３電極及び第４電極が設けられ、前記第３電極は前記第１電極側の前記電荷輸送層と前記発光層との間に配置され、前記第４電極は前記第２電極側の前記電荷輸送層と前記発光層との間に配置され、前記発光層の駆動用の電源と前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続するための回路を備える発光素子の駆動方法であって、
　前記回路を開閉する第１工程と、
　前記第３電極と前記第４電極との電気的な接続を開閉する第３工程と、
　を含む発光素子の駆動方法。
　前記第１工程と前記第３工程とを４０Ｈｚ以上の周波数で切り替えながら実行する、請求項４７に記載の発光素子の駆動方法。