WO2021241355A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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浩司 山本
克也 大門
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株式会社村田製作所
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Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave device having a structure in which a support substrate, an intermediate layer and a piezoelectric film are laminated.
  • An object of the present invention is to provide an elastic wave device that is less likely to deteriorate in characteristics due to a higher-order mode.
  • the elastic wave device includes a support substrate, an intermediate layer provided on the support substrate, a piezoelectric film laminated on the intermediate layer, and an IDT electrode provided on the piezoelectric film.
  • a plurality of cavities are provided between the support substrate and the intermediate layer and at least one of the intermediate layers, and the plurality of cavities are connected to the IDT electrode when viewed in a plan view. It is provided at an overlapping position.
  • FIG. 1 (a) and 1 (b) are a front sectional view of the elastic wave device according to the first embodiment of the present invention and a schematic plan view showing the electrode structure thereof.
  • FIG. 2 is a partially enlarged cross-sectional view for explaining a main part of the elastic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a partially enlarged front sectional view for explaining a cavity portion in a first modification of the elastic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a partially enlarged front sectional view for explaining a cavity portion in a second modification of the elastic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a partially enlarged front sectional view for explaining a cavity portion in a third modification of the elastic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a front sectional view of the elastic wave device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a partially enlarged front sectional view for explaining a main part of the elastic wave device according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a partially enlarged front sectional view for explaining a main part of the elastic wave device according to the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a front sectional view of the elastic wave device according to the fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 1A is a front sectional view of the elastic wave device according to the first embodiment of the present invention
  • FIG. 1B is a schematic plan view showing the electrode structure thereof.
  • the elastic wave device 1 has a support substrate 2.
  • the intermediate layer 3 and the piezoelectric film 6 are laminated on the support substrate 2 in this order.
  • the intermediate layer 3 has a hypersonic film 4 laminated on the support substrate 2 and a low sound velocity film 5 provided between the hypersonic film 4 and the piezoelectric film 6.
  • An IDT electrode 7 and reflectors 8 and 9 are provided on the piezoelectric film 6. As shown in FIG. 1 (b), reflectors 8 and 9 are provided on both sides of the IDT electrode 7 in the elastic wave propagation direction. As a result, elastic wave resonators are constructed.
  • the support substrate 2 is made of silicon.
  • the support substrate 2 can be made of various insulating materials and semiconductor materials.
  • Such materials include silicon, aluminum nitride, aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, crystal, alumina, zirconia, cozilite, mulite, steatite, forsterite, magnesia, etc. And at least one material selected from the group consisting of diamond.
  • the piezoelectric film 6 is made of a lithium tantalate film, specifically, a LiTaO3 film.
  • the piezoelectric film 6 may be made of another piezoelectric material such as lithium niobate (LiNbO3).
  • the hypersonic film 4 is made of a hypersonic material.
  • the high sound velocity material means a material in which the sound velocity of the propagating bulk wave is higher than the sound velocity of the elastic wave propagating in the piezoelectric film 6.
  • Examples of such high-frequency materials include aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, silicon nitride, silicon, sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, crystal, alumina, zirconia, cozilite, mulite, steatite, and fol.
  • Various materials such as sterite, magnesia, DLC (diamond-like carbon) film or diamond, a medium containing the above-mentioned material as a main component, and a medium containing a mixture of the above-mentioned materials as a main component can be mentioned.
  • the bass sound film 5 is made of a bass sound material.
  • the low sound velocity material means a material in which the sound velocity of the propagating bulk wave is lower than the sound velocity of the bulk wave propagating in the piezoelectric film 6.
  • Examples of such a low sound velocity material include silicon oxide, glass, silicon nitride, tantalum oxide, a compound obtained by adding fluorine, carbon, boron, hydrogen, or a silanol group to silicon oxide, and a medium containing the above material as a main component.
  • Various materials such as can be mentioned.
  • the hypersonic film 4 is made of silicon nitride
  • the low sound velocity film 5 is made of silicon oxide.
  • the IDT electrode 7 and the reflectors 8 and 9 are made of various metals such as Al, Cu, Au, W and Mo or alloys mainly composed of these metals. Further, the IDT electrode 7 and the reflectors 8 and 9 may be made of a laminated body of a plurality of metal films.
  • the feature of the elastic wave device 1 is between the support substrate 2 and the intermediate layer 3, more specifically, between the support substrate 2 and the hypersonic film 4 (the interface between the support substrate 2 and the hypersonic film 4).
  • a plurality of cavities 10 are provided. When a cavity is provided at the interface, the support substrate 2 and the hypersonic film 4 are provided across the cavity in the region where the cavity is provided, and the support substrate 2 is provided. The interface between and the hypersonic film 4 does not exist.
  • the elastic wave device 1 the elastic wave is excited by applying an AC voltage to the IDT electrode 7.
  • the intermediate layer 3 composed of the hypersonic film 4 and the low sound velocity film 5 is arranged between the support substrate 2 and the piezoelectric film 6. Therefore, the elastic wave is confined in the piezoelectric film 6. Therefore, good resonance characteristics can be obtained.
  • the propagating wave is reflected by the support substrate, and the response in the higher order mode tends to appear. Therefore, as described above, when used as a resonator of a passband type filter, spurious may occur outside the passband.
  • the plurality of cavity portions 10 are provided at positions where they overlap with the IDT electrode 7 via the intermediate layer 3 and the piezoelectric film 6 when viewed in a plan view. Therefore, a part of the wave propagating to the support substrate side (arrow A in FIG. 2) is diffusely reflected as shown by arrows B1 to 3. Therefore, the response by the higher-order mode can be suppressed. Therefore, when the elastic wave device 1 is used as a resonator of the bandpass type filter, spurious due to the higher-order mode can be suppressed. Therefore, it is possible to provide a bandpass type filter having excellent filter characteristics such as attenuation frequency characteristics.
  • the method of forming the cavity 10 is not particularly limited.
  • a method of forming a hypersonic film 4 after forming a recess by etching or mechanically polishing the upper surface of the support substrate 2 can be appropriately used.
  • FIG. 3 is a partially enlarged front sectional view for explaining a cavity portion in a first modification of the elastic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • the plurality of cavities 10A to 10C have different shapes from each other. As described above, in the present invention, when a plurality of cavities are provided, at least one cavities having different shapes may be provided. Further, the term "different shape of the cavity” includes not only the case where the cross-sectional shape of the cavity is different but also the case where the size of the cavity is different.
  • the cavity portions 10, 10A to 10C are provided so as to reach the support substrate 2 side and the hypersonic film 4 side in a part between the support substrate 2 and the hypersonic film 4. Was there.
  • the cavity portion 10D does not reach the inside of the support substrate 2 from between the support substrate 2 and the hypersonic film 4, and has a high sound velocity. It may be provided so as to reach only the inside of the membrane 4.
  • the cavity portion 10E is provided so as to reach only the support substrate 2 side from between the support substrate 2 and the hypersonic film 4 without reaching the inside of the hypersonic film 4. May be good.
  • the cavity provided between the support substrate and the intermediate layer is provided in a part between the support substrate and the intermediate layer in a cross-sectional view, and the support substrate side and the intermediate layer are provided in the stacking direction from between the cavities. It may be provided so as to reach at least one of the sides.
  • FIG. 6 is a front sectional view of the elastic wave device according to the second embodiment of the present invention.
  • the elastic wave device 21 a plurality of cavity portions 22 are provided in the hypersonic film 4.
  • the elastic wave device 21 is the same as the elastic wave device 1. Therefore, the description of the same part will be omitted by assigning the same reference number.
  • the cavity 22 in the elastic wave device 21 is provided in the intermediate layer 3, more specifically, in the hypersonic film 4 so as to penetrate the hypersonic film 4. Further, as shown in FIG. 6, the extending directions of the plurality of cavities 22 are not all the same, and the plurality of cavities 22 having different extending directions are provided. However, the extending directions of the plurality of cavities 22 may be parallel to each other. By providing the plurality of cavity portions 22 in the hypersonic film 4 in this way, it is possible to diffusely reflect the waves propagating in the stacking direction. Therefore, the response by the higher-order mode can be effectively suppressed.
  • the cavity 22 is provided so as to reach both between the hypersonic film 4 and the low sound velocity film 5 and between the hypersonic film 4 and the support substrate 2.
  • the plurality of cavity portions 22 may be provided so as to reach only one of the space between the support substrate 2 and the hypersonic film 4 and the space between the hypersonic film 4 and the low sound velocity film 5. Further, the plurality of cavity portions 22 may be located in the hypersonic film 4 or in the low sound velocity film 5 without reaching between the above.
  • FIG. 7 is a partially enlarged front sectional view for explaining a main part of the elastic wave device according to the third embodiment of the present invention.
  • the cavity 22 includes a cavity provided between the hypersonic film 4 and the hyposonic film 5 and between the hypersonic film 4 and the support substrate 2, and the hypersonic film 4 and the low sound velocity film 5. It includes a cavity provided so as to reach only between and.
  • the filler 32 is provided so as to fill a part of the cavity 22. Specifically, among the cavity portions 22, one of the cavity portions in the cavity portion provided so as to reach between the high sound velocity film 4 and the low sound velocity film 5 and between the high sound velocity film 4 and the support substrate 2.
  • the filler 32 is provided in the portion, and in the cavity portion provided so as to reach only between the high sound velocity film 4 and the low sound velocity film 5, the filler 32 is provided in the entire cavity portion.
  • the filler 32 is configured such that a part of the low sound velocity film 5 enters the cavity 22 when the low sound velocity film 5 is formed.
  • the filler 32 may be made of a material other than the material constituting the low sound velocity film 5.
  • the filler may be filled in a part or all of the plurality of cavities 22. Even in that case, the propagating wave can be diffusely reflected, and the response due to the higher-order mode can be suppressed.
  • FIG. 8 is a partially enlarged front sectional view for explaining a main part of the elastic wave device according to the fourth embodiment of the present invention.
  • the cavity 22 is provided in the hypersonic film 4.
  • the cavity 22 includes a cavity provided between the hypersonic film 4 and the hypersonic film 5 and between the support substrate 2 and the hypersonic film 4, and the support substrate 2 and the hypersonic film 4. It includes a cavity provided so as to reach only between.
  • the filler 42 has entered the inside of the cavity 22.
  • the filler 42 is provided so as to enter the cavity 22 from between the support substrate 2 and the hypersonic film 4.
  • the filler 42 is provided by the material constituting the support substrate 2 entering the cavity 22.
  • the filler 42 filled in at least a part of the cavity 22 may be made of a material constituting the support substrate 2. Even in this case, since the plurality of cavity portions 22 are provided, the propagating wave can be diffusely reflected. Therefore, the response by the higher-order mode can be suppressed.
  • FIG. 9 is a front sectional view of the elastic wave device according to the fifth embodiment of the present invention.
  • the support substrate 2A is a hypersonic support substrate made of a hypersonic material.
  • the high sound velocity film 4 is not provided, and the low sound velocity film 5 is directly laminated on the support substrate 2A.
  • the cavity 10 is provided in a part between the low sound velocity film 5 as an intermediate layer and the support substrate 2A.
  • the main mode to be used is effectively confined in the piezoelectric film 6.
  • the plurality of cavities 10 it is possible to suppress the higher-order mode. Therefore, even in the elastic wave device 51, when it is used as a resonator of the passband type filter, spurious outside the passband can be suppressed.
  • the intermediate layer when a support substrate made of a high sound velocity material is used as in the elastic wave device 51, the intermediate layer may be composed of only a low sound velocity film.

Abstract

高次モードによる特性の劣化が生じ難い、弾性波装置を提供する。　支持基板２上に中間層３及び圧電膜６がこの順序で積層されており、圧電膜６上にＩＤＴ電極７が設けられており、支持基板２と中間層３との間及び中間層３内の少なくとも一方に複数個の空洞部１０が設けられている、弾性波装置１。

Description

弾性波装置
　本発明は、支持基板、中間層及び圧電膜が積層されている構造を有する弾性波装置に関する。
　従来、支持基板と圧電膜との間に中間層が設けられている弾性波装置が種々提案されている。下記の特許文献１に記載の弾性波装置では、支持基板上に、高音速膜、低音速膜及び圧電膜がこの順序で積層されている。圧電膜上にＩＤＴ電極が設けられている。
国際公開第２０１２／０８６６３９号
　特許文献１に記載のような弾性波装置では、圧電膜から支持基板側に向かって進行する波が、支持基板により反射され、高次モードによる応答が生じがちであった。そのため、この弾性波装置を帯域通過型フィルタに用いた場合、通過帯域外にスプリアスが発生することがあった。その結果、フィルタ特性が劣化するおそれがあった。
　本発明の目的は、高次モードによる特性の劣化が生じ難い、弾性波装置を提供することにある。
　本発明に係る弾性波装置は、支持基板と、前記支持基板上に設けられた中間層と、前記中間層上に積層されている圧電膜と、前記圧電膜上に設けられたＩＤＴ電極と、を備え、前記支持基板と前記中間層との間及び前記中間層内の少なくとも一方に複数個の空洞部が設けられており、前記複数個の空洞部は、平面視したときに前記ＩＤＴ電極と重なる位置に設けられている。
　本発明によれば、高次モードによる特性の劣化が生じ難い、弾性波装置を提供することができる。
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図及びその電極構造を示す模式的平面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の要部を説明するための部分拡大断面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の第１の変形例における空洞部を説明するための部分拡大正面断面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の第２の変形例における空洞部を説明するための部分拡大正面断面図である。 図５は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の第３の変形例における空洞部を説明するための部分拡大正面断面図である。 図６は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。 図７は、本発明の第３の実施形態に係る弾性波装置の要部を説明するための部分拡大正面断面図である。 図８は、本発明の第４の実施形態に係る弾性波装置の要部を説明するための部分拡大正面断面図である。 図９は、本発明の第５の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図であり、図１（ｂ）は、その電極構造を示す模式的平面図である。
　弾性波装置１は、支持基板２を有する。支持基板２上に、中間層３及び圧電膜６がこの順序で積層されている。中間層３は、支持基板２上に積層された高音速膜４と、高音速膜４と圧電膜６との間に設けられた低音速膜５とを有する。
　圧電膜６上に、ＩＤＴ電極７及び反射器８，９が設けられている。図１（ｂ）に示すように、ＩＤＴ電極７の弾性波伝搬方向両側に反射器８，９が設けられている。それによって、弾性波共振子が構成されている。
　支持基板２は、シリコンからなる。もっとも、支持基板２は、様々な絶縁性材料や半導体材料により構成することができる。このような材料としては、シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料を挙げることができる。
　圧電膜６は、タンタル酸リチウム膜、ここでは、具体的にＬｉＴａＯ３膜からなる。もっとも、圧電膜６は、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）等の他の圧電材料からなるものであってもよい。
　高音速膜４は、高音速材料からなる。高音速材料とは、伝搬するバルク波の音速が、圧電膜６を伝搬する弾性波の音速よりも高い材料をいう。このような高音速材料としては、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、シリコン、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶、アルミナ、ジルコニア、コ－ジライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜またはダイヤモンド、上記材料を主成分とする媒質、上記材料の混合物を主成分とする媒質等の様々な材料を挙げることができる。
　低音速膜５は、低音速材料からなる。低音速材料とは、伝搬するバルク波の音速が、圧電膜６を伝搬するバルク波の音速よりも低い材料をいう。このような低音速材料としては、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、また、酸化ケイ素にフッ素や炭素やホウ素、水素、あるいはシラノール基を加えた化合物、上記材料を主成分とする媒質等の様々な材料を挙げることができる。
　本実施形態では、高音速膜４は窒化ケイ素からなり、低音速膜５は酸化ケイ素からなる。
　ＩＤＴ電極７及び反射器８，９は、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｗ、Ｍｏ等の様々な金属もしくはこれらの金属を主体とする合金からなる。また、ＩＤＴ電極７及び反射器８，９は、複数の金属膜の積層体からなるものであってもよい。
　弾性波装置１の特徴は、支持基板２と中間層３との間、より具体的には、支持基板２と高音速膜４との間（支持基板２と高音速膜４との界面）に、複数の空洞部１０が設けられていることにある。なお、界面に空洞部が設けられている場合には、当該空洞部が設けられている領域においては空洞部を挟んで、支持基板２と高音速膜４とが設けられることとなり、支持基板２と高音速膜４との界面は存在しないこととなる。
　弾性波装置１では、ＩＤＴ電極７に交流電圧を印加することにより、弾性波が励振される。ここで、上記高音速膜４及び低音速膜５からなる中間層３が支持基板２と圧電膜６との間に配置されている。そのため、弾性波は、圧電膜６内に閉じ込められる。従って、良好な共振特性を得ることができる。
　他方、ＩＤＴ電極７を励振した場合、使用するメインモード以外のモードの波も励振される。そして、このようなメインモード以外の波も、深さ方向、すなわち圧電膜６から支持基板２側に向かって伝搬する。
　従来の弾性波装置では、伝搬してきた波が支持基板で反射されて、高次モードによる応答が表れがちであった。そのため、前述したように、帯域通過型フィルタの共振子として用いた場合、通過帯域外にスプリアスが生じることがあった。
　これに対して、弾性波装置１では、平面視した場合に、上記複数の空洞部１０がＩＤＴ電極７と、中間層３および圧電膜６を介して重なる位置に設けられている。そのため、支持基板側へ伝搬してきた波の一部（図２の矢印Ａ）は、矢印Ｂ１～３で示すように乱反射されることになる。そのため、高次モードによる応答を抑制することができる。よって、弾性波装置１を帯域通過型フィルタの共振子として用いた場合、上記高次モードによるスプリアスを抑制することができる。従って、減衰量周波数特性等のフィルタ特性に優れた帯域通過型フィルタを提供することが可能となる。
　なお、空洞部１０の形成方法は特に限定されない。例えば、支持基板２の上面をエッチングや機械的に研磨することにより凹部を形成した後に、高音速膜４を成膜する方法などを適宜用いることができる。
　図３は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の第１の変形例における空洞部を説明するための部分拡大正面断面図である。
　複数の空洞部１０Ａ～１０Ｃは、互いに異なる形状とされている。このように、本発明において、複数の空洞部が設けられている場合、形状が異なる少なくとも１つの空洞部を有していてもよい。また、空洞部の形状が異なるとは、空洞部の断面形状が異なる場合の外、空洞部の大きさが異なるものも広く含むものとする。
　また、図２及び図３では、空洞部１０，１０Ａ～１０Ｃは、支持基板２と高音速膜４との間の一部において、支持基板２側及び高音速膜４側に至るように設けられていた。
　これに対して、図４に示す空洞部の第２の変形例のように、空洞部１０Ｄは、支持基板２と高音速膜４との間から、支持基板２内には至らず、高音速膜４内のみに至るように設けられていてもよい。
　さらに、図５に示すように、空洞部１０Ｅは、支持基板２と高音速膜４との間から、高音速膜４内には至らず、支持基板２側にのみ至るように設けられていてもよい。
　すなわち、支持基板と中間層との間に設けられる空洞部は、断面視において支持基板と中間層との間の一部に設けられており、かつ該間から積層方向において支持基板側及び中間層側の少なくとも一方に至るように設けられていればよい。
　図６は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。弾性波装置２１では、高音速膜４内に複数の空洞部２２が設けられている。その他の構成は、弾性波装置２１は、弾性波装置１と同様とされている。従って、同一部分については、同一の参照番号を付することによりその説明を省略する。
　弾性波装置２１における空洞部２２は、中間層３内、より具体的には、高音速膜４を貫くように高音速膜４内に設けられている。また、複数の空洞部２２の延びる方向は、図６に示すように、全て同一ではなく、延びる方向が異なる複数の空洞部２２が設けられている。もっとも、複数の空洞部２２の延びる方向は互いに平行であってもよい。このように、高音速膜４内に複数の空洞部２２を設けることによっても、積層方向において伝搬してきた波を乱反射させることができる。よって、高次モードによる応答を効果的に抑制することができる。
　弾性波装置２１では、空洞部２２は、高音速膜４と低音速膜５との間及び高音速膜４と支持基板２との間の双方に至るように設けられていた。もっとも、複数の空洞部２２は、支持基板２と高音速膜４との間及び高音速膜４と低音速膜５との間の一方にのみ至るように設けられていてもよい。さらに、複数の空洞部２２は、上記各間に至らず、高音速膜４内、または低音速膜５内に位置していてもよい。
　図７は、本発明の第３の実施形態に係る弾性波装置の要部を説明するための部分拡大正面断面図である。弾性波装置３１では、複数の空洞部２２が高音速膜４に設けられている。空洞部２２には、高音速膜４と低音速膜５との間及び高音速膜４と支持基板２との間に至るように設けられた空洞部と、高音速膜４と低音速膜５との間のみに至るように設けられた空洞部とが含まれている。
　空洞部２２内において、充填材３２が空洞部２２の一部を充填するように設けられている。具体的には、空洞部２２のうち、高音速膜４と低音速膜５との間及び高音速膜４と支持基板２との間に至るように設けられた空洞部においては空洞部の一部に充填材３２が設けられ、高音速膜４と低音速膜５との間のみに至るように設けられた空洞部においては空洞部の全部に充填材３２が設けられている。本実施形態では、この充填材３２は、低音速膜５の成膜に際し、低音速膜５の一部が空洞部２２内に入り込むことにより構成されている。もっとも、充填材３２は、低音速膜５を構成する材料以外の材料で構成されていてもよい。
　このように、本発明では、複数の空洞部２２の一部または全部に充填材が充填されていてもよい。その場合においても、伝搬してきた波を乱反射させることができ、高次モードによる応答を抑制することができる。
　図８は、本発明の第４の実施形態に係る弾性波装置の要部を説明するための部分拡大正面断面図である。弾性波装置４１では、空洞部２２が高音速膜４内に設けられている。空洞部２２には、高音速膜４と低音速膜５との間及び支持基板２と高音速膜４との間に至るように設けられた空洞部と、支持基板２と高音速膜４との間のみに至るように設けられた空洞部とが含まれている。
　弾性波装置４１では、充填材４２が空洞部２２の内部に入り込んでいる。充填材４２は、支持基板２と高音速膜４との間から空洞部２２内に入り込むように設けられている。この充填材４２は、支持基板２を構成している材料が、空洞部２２に入り込むことにより設けられている。このように、空洞部２２の少なくとも一部に充填される充填材４２は、支持基板２を構成する材料からなるものであってもよい。この場合においても、複数の空洞部２２が設けられているため、伝搬してきた波を乱反射させることができる。従って、高次モードによる応答を抑制することができる。
　図９は、本発明の第５の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。弾性波装置５１では、支持基板２Ａが、高音速材料からなる高音速支持基板である。そして、高音速膜４が設けられておらず、支持基板２Ａ上に低音速膜５が直接積層されている。空洞部１０は、中間層としての低音速膜５と、支持基板２Ａとの間の一部に設けられている。
　弾性波装置５１において、利用するメインモードが圧電膜６内に効果的に閉じ込められる。他方、複数の空洞部１０が設けられていることにより、高次モードの抑制を図ることができる。従って、弾性波装置５１においても、帯域通過型フィルタの共振子として用いた場合、通過帯域外のスプリアスを抑制することができる。
　弾性波装置５１のように、本発明では、高音速材料からなる支持基板を用いた場合、中間層は低音速膜のみにより構成されていてもよい。
１，２１，３１，４１，５１…弾性波装置
２，２Ａ…支持基板
３…中間層
４…高音速膜
５…低音速膜
６…圧電膜
７…ＩＤＴ電極
８，９…反射器
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ，２２…空洞部
３２，４２…充填材

Claims (13)

  1. 　支持基板と、
    　前記支持基板上に設けられた中間層と、
    　前記中間層上に設けられた圧電膜と、
    　前記圧電膜上に設けられたＩＤＴ電極と、
    を備え、
    　前記支持基板と前記中間層との間及び前記中間層内の少なくとも一方に複数個の空洞部が設けられており、
    　前記複数個の空洞部は、平面視したときに前記ＩＤＴ電極と重なる位置に設けられている、弾性波装置。
  2. 　前記複数個の空洞部が、形状が異なる空洞部を含む、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記空洞部が、前記支持基板と前記中間層との間に設けられている、請求項１または２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記空洞部が、前記中間層内に設けられている、請求項１または２に記載の弾性波装置。
  5. 　前記中間層が、伝搬するバルク波の音速が前記圧電膜を伝搬する弾性波の音速よりも高い高音速材料からなる高音速膜と、前記高音速膜と前記圧電膜との間に設けられており、伝搬するバルク波の音速が前記圧電膜を伝搬するバルク波の音速よりも低い低音速材料からなる低音速膜とを有する、請求項１～４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  6. 　前記中間層が、伝搬するバルク波の音速が前記圧電膜を伝搬するバルク波の音速よりも低い低音速材料からなる低音速膜であり、前記支持基板が、伝搬するバルク波の音速が前記圧電膜を伝搬する弾性波の音速よりも高い高音速材料からなる高音速支持基板である、請求項１～４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  7. 　前記空洞部が、前記高音速膜内に設けられている、請求項５に記載の弾性波装置。
  8. 　前記空洞部が、前記低音速膜と前記高音速膜との間及び前記高音速膜と前記支持基板との間の少なくとも一方に至っている、請求項５に記載の弾性波装置。
  9. 　前記空洞部が、前記低音速膜と前記高音速膜との間及び前記高音速膜と前記支持基板との間のうち、前記低音速膜と前記高音速膜との間のみに至っている、請求項８に記載の弾性波装置。
  10. 　前記空洞部の少なくとも一部に充填された充填材をさらに有する、請求項９に記載の弾性波装置。
  11. 　前記空洞部が、前記低音速膜と前記高音速膜との間及び前記高音速膜と前記支持基板との間に至っている、請求項８に記載の弾性波装置。
  12. 　前記空洞部の少なくとも一部に充填された充填材をさらに有する、請求項１１に記載の弾性波装置。
  13. 　前記低音速膜の一部が、前記充填材として前記空洞部に入り込んでいる、請求項１０または１２に記載の弾性波装置。
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