WO2021229968A1 - ガラス板の加工方法、及び加工装置、並びにｅｕｖｌ用マスクブランクの製造方法 - Google Patents

ガラス板の加工方法、及び加工装置、並びにｅｕｖｌ用マスクブランクの製造方法 Download PDF

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WO2021229968A1
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WO
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glass plate
main surface
gas cluster
stage
processing method
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PCT/JP2021/015071
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拓真 奈良
昌彦 田村
哲史 山名
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Ａｇｃ株式会社
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    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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    • G03F1/60—Substrates
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor

Definitions

  • the present disclosure relates to a method for processing a glass plate, a processing device, and a method for manufacturing a mask blank for EUV.
  • the photomask pattern is irradiated with light by an exposure apparatus, and the photomask pattern is transferred to the resist film.
  • EUV light includes soft X-rays and vacuum ultraviolet light, and specifically, light having a wavelength of about 0.2 nm to 100 nm. At present, EUV light having a wavelength of about 13.5 nm is mainly studied as exposure light.
  • Patent Document 1 describes a method for manufacturing a mask blank for EUVL (Extreme Ultra-Violet Lithography).
  • the EUV mask blank includes a glass plate, a reflective film formed on the glass plate, and an absorbent film formed on the reflective film.
  • the EUV mask blank is required to have a high flatness in order to improve the transfer accuracy of fine patterns. Since the flatness of the EUV mask blank is mainly determined by the flatness of the glass plate which is the substrate, high flatness is required for the glass plate.
  • the manufacturing method described in Patent Document 1 includes a preliminary polishing step, a measuring step, and a correction polishing step.
  • the pre-polishing step both main surfaces of the glass plate are pre-polished.
  • the measuring step the maximum thickness distribution and flatness of the glass plate are measured.
  • the correction polishing step the main surface of the glass plate is locally polished based on the measurement result of the measurement step.
  • a gas cluster or the like is used for local polishing of Patent Document 1.
  • the gas cluster is ionized by thermionic collisions, subsequently accelerated by an electric field, irradiated towards the first main surface of the glass plate and locally etching the first main surface. As a result, the first main surface can be flattened.
  • the gas cluster collides not only with the first main surface of the glass plate but also with the peripheral parts of the glass plate.
  • the collision could cause defects in one of the second main surface and the end surface opposite to the first main surface of the glass plate.
  • Defects are caused by, for example, scattered materials.
  • the scattered matter is a gas cluster that has turned around due to a collision with a peripheral component, or a particle that jumps out of the peripheral component due to a collision between the gas cluster and the peripheral component.
  • the material of the particles is the same as the material of the peripheral parts.
  • the defect can also occur in a direct collision of gas clusters.
  • the gas cluster when the first main surface of the glass plate is inclined with respect to the irradiation direction of the gas cluster, the gas cluster also directly collides with the end surface of the glass plate.
  • the gas cluster which is the cause of the defect, and the scattered matter generated by the collision between the gas cluster and the peripheral parts are collectively referred to as a fluid.
  • One aspect of the present disclosure provides a technique capable of suppressing the occurrence of defects in the glass plate due to irradiation of gas clusters.
  • the method for processing a glass plate is to irradiate the first main surface of the glass plate with a beam-shaped gas cluster and to irradiate the irradiation point of the gas cluster on the first main surface of the glass plate.
  • a defect is found in at least one of the second main surface and the end surface of the glass plate opposite to the first main surface in the shielding portion that moves together with the glass plate. It has to block the fluid that is to be formed.
  • FIG. 1 is a flowchart showing a method for manufacturing an EUV mask blank according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of the glass plate provided in S1 of FIG.
  • FIG. 3 is a plan view showing an example of the glass plate of FIG.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a mask blank for EUV according to an embodiment.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of a EUV photomask.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a processing apparatus according to an embodiment.
  • FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view showing the glass plate of FIG. 6, peripheral parts thereof, and a shield plate.
  • FIG. 8 is a diagram showing a glass plate and its peripheral parts as seen through the shield plate of FIG.
  • FIG. 9 is a view of the clamp and spacer of FIG. 7 as viewed from another direction.
  • FIG. 10 is a view of the stage according to the modified example as viewed from the irradiation direction of the gas cluster.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a shielding portion according to a modified example.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view showing a shielding portion according to another modification.
  • the method for producing a mask blank for EUVL has S1 to S7.
  • a glass plate is used to manufacture the mask blank.
  • the glass of the glass plate is preferably quartz glass containing 90% by mass or more of SiO 2.
  • the upper limit of the SiO 2 content in quartz glass is 100% by mass.
  • Quartz glass has a smaller coefficient of linear expansion and smaller dimensional change due to temperature changes than general soda lime glass.
  • Quartz glass may contain TiO 2 in addition to SiO 2. Quartz glass may contain SiO 2 in an amount of 90% by mass to 95% by mass and TiO 2 in an amount of 5% by mass to 10% by mass.
  • Quartz glass may contain trace components other than SiO 2 and TiO 2 , but preferably does not contain trace components.
  • the glass plate 2 has a first main surface 21, a second main surface 22, four end surfaces 23, four first chamfered surfaces 24, and four second surfaces. Includes chamfer 25.
  • the first main surface 21 has a rectangular shape. In the present specification, the rectangular shape includes a shape in which the corners are chamfered. Also, the rectangle includes a square.
  • the second main surface 22 is in the opposite direction to the first main surface 21.
  • the second main surface 22 is also rectangular like the first main surface 21.
  • the end surface 23 is perpendicular to the first main surface 21 and the second main surface 22.
  • the first chamfered surface 24 is formed at the boundary between the first main surface 21 and the end surface 23.
  • the second chamfer surface 25 is formed at the boundary between the second main surface 22 and the end surface 23.
  • the first chamfered surface 24 and the second chamfered surface 25 are so-called C chamfered surfaces in the present embodiment, but may be R chamfered surfaces.
  • the first main surface 21 of the glass plate 2 has a quality assurance area 26 shown by a dot pattern in FIG.
  • the quality assurance region 26 is an region processed to a desired flatness by S1 to S4.
  • the quality assurance region 26 is an region excluding the peripheral region 27 in which the distance L from the end surface 23 is, for example, 5 mm or less when viewed from the direction orthogonal to the first main surface 21.
  • the second main surface 22 of the glass plate 2 also has a quality assurance region and a peripheral region, similarly to the first main surface 21.
  • the first main surface 21 and the second main surface 22 of the glass plate 2 are polished.
  • the first main surface 21 and the second main surface 22 may be simultaneously polished by a double-sided grinding machine, or may be sequentially polished by a single-sided grinding machine.
  • the glass plate 2 is polished while supplying the polishing slurry between the polishing pad and the glass plate 2.
  • the polishing slurry contains an abrasive.
  • the abrasive is, for example, cerium oxide particles.
  • the first main surface 21 and the second main surface 22 may be polished a plurality of times with abrasives of different materials or particle sizes.
  • the abrasive used in S1 is not limited to cerium oxide particles.
  • the abrasive used in S1 may be silicon oxide particles, aluminum oxide particles, zirconium oxide particles, titanium oxide particles, diamond particles, silicon carbide particles, or the like.
  • the surface shapes of the first main surface 21 and the second main surface 22 of the glass plate 2 are measured.
  • a non-contact type measuring machine such as a laser interference type is used so that the surface is not damaged.
  • the measuring machine measures the surface shapes of the quality assurance area 26 of the first main surface 21 and the quality assurance area of the second main surface 22.
  • the first main surface 21 and the second main surface 22 of the glass plate 2 are processed by a beam-shaped gas cluster in order to improve the flatness.
  • the first main surface 21 and the second main surface 22 are sequentially etched by the gas cluster.
  • the order may be either first and is not particularly limited.
  • the gas cluster is ionized by thermionic collision, subsequently accelerated by an electric field, and after neutralization, is irradiated toward the first main surface 21 or the second main surface 22. Due to the collision of the gas cluster, the first main surface 21 or the second main surface 22 is locally etched and flattened. The details of S3 will be described later.
  • the first main surface 21 and the second main surface 22 of the glass plate 2 are finish-polished.
  • the first main surface 21 and the second main surface 22 may be simultaneously polished by a double-sided grinding machine, or may be sequentially polished by a single-sided grinding machine.
  • the glass plate 2 is polished while supplying the polishing slurry between the polishing pad and the glass plate 2.
  • the polishing slurry contains an abrasive.
  • the abrasive is, for example, colloidal silica particles.
  • the reflective film 3 shown in FIG. 4 is formed in the quality assurance region 26 of the first main surface 21 of the glass plate 2.
  • the reflective film 3 reflects EUV light.
  • the reflective film 3 may be, for example, a multilayer reflective film in which high refractive index layers and low refractive index layers are alternately laminated.
  • the high refractive index layer is formed of, for example, silicon (Si)
  • the low refractive index layer is formed of, for example, molybdenum (Mo).
  • a film forming method for the reflective film 3 for example, a sputtering method such as an ion beam sputtering method or a magnetron sputtering method is used.
  • the absorption film 4 shown in FIG. 4 is formed on the reflective film 3 formed in S5.
  • the absorbent film 4 absorbs EUV light.
  • the absorption film 4 is formed of a single metal, an alloy, a nitride, an oxide, an oxynitride or the like containing at least one element selected from, for example, tantalum (Ta), chromium (Cr) and palladium (Pd).
  • a film forming method for the absorbent film 4 for example, a sputtering method is used.
  • the conductive film 5 shown in FIG. 4 is formed in the quality assurance region of the second main surface 22 of the glass plate 2.
  • the conductive film 5 is used for electrostatically adsorbing a photomask with an electrostatic chuck of an exposure apparatus.
  • the conductive film 5 is formed of, for example, chromium nitride (CrN) or the like.
  • CrN chromium nitride
  • S7 is carried out after S5 and S6 in this embodiment, it may be carried out before S5 and S6.
  • the conductive film 5 may be formed in the quality assurance region 26 of the first main surface 21 of the glass plate 2
  • the reflective film 3 may be formed in the quality assurance region 22 of the second main surface 22 of the glass plate 2.
  • the absorbent film 4 is formed on the reflective film 3.
  • the EUV mask blank 1 shown in FIG. 4 can be obtained.
  • the EUV mask blank 1 includes a glass plate 2, a reflective film 3, an absorbing film 4, and a conductive film 5.
  • the EUV mask blank 1 does not have to include the conductive film 5. Further, the EUV mask blank 1 may include yet another film.
  • the EUV mask blank 1 may further contain a low-reflection film.
  • the low-reflection film is formed on the absorption film 4.
  • the low-reflection film is used for inspecting the opening pattern 41 of the absorption film 4 shown in FIG. 5, and has lower reflection characteristics than the absorption film 4 with respect to the inspection light.
  • the low-reflection film is formed of, for example, TaON or TaO.
  • a method for forming a low-reflection film for example, a sputtering method is used.
  • the EUV mask blank 1 may further include a protective film.
  • the protective film is formed between the reflective film 3 and the absorbing film 4.
  • the protective film protects the reflective film 3 so that the reflective film 3 is not etched when the absorbent film 4 is etched to form the opening pattern 41 in the absorbent film 4.
  • the protective film is formed of, for example, Ru, Si, TiO 2 or the like.
  • a method for forming a protective film for example, a sputtering method is used.
  • the EUV photomask is obtained by forming an opening pattern 41 on the absorption film 4.
  • a photolithography method and an etching method are used to form the opening pattern 41. Therefore, the resist film used for forming the opening pattern 41 may be included in the EUV mask blank 1.
  • the processing apparatus 100 is a so-called GCIB (Gas Cruster Ion Beam) processing apparatus.
  • GCIB Gas Cruster Ion Beam
  • the processing device 100 includes a vacuum container 101.
  • the vacuum vessel 101 has a nozzle chamber 102, an ionization / acceleration chamber 103, and a processing chamber 104.
  • the three chambers 102, 103, 104 are connected to each other to form a passage for the gas cluster.
  • the three chambers 102, 103, 104 are exhausted by the three vacuum pumps 105, 106, 107 and maintained at the desired degree of vacuum.
  • the number of chambers and the number of vacuum pumps are not particularly limited.
  • the processing apparatus 100 includes a generation unit 110.
  • the generation unit 110 generates a gas cluster.
  • the generation unit 110 includes, for example, a raw material tank 111, a pressure controller 113, a supply pipe 114, and a nozzle 116.
  • the raw material tank 111 stores the raw material gas (for example, CF 4 gas).
  • the pressure controller 113 controls the supply pressure of the raw material gas supplied from the raw material tank 111 to the nozzle 116 via the supply pipe 114.
  • the nozzle 116 is provided in the nozzle chamber 102 and injects a raw material gas into a vacuum to form a supersonic gas jet 118.
  • the raw material gas is cooled by adiabatic expansion in the gas jet 118.
  • a portion of the gas jet 118 condenses into a gas cluster, each of which is an aggregate of several to several thousand atoms or molecules.
  • Many gas clusters are included near the center of the flow of the gas jet 118. Therefore, according to schema 119, the gas cluster can be efficiently sent out by passing only the vicinity of the center of the flow of the gas jet 118.
  • the raw material gas is not limited to CF 4 gas, but SF 6 gas, Ar gas, O 2 gas, N 2 gas, NF 3 gas, N 2 O gas, CHF 3 gas, C 2 F 6 gas, and C. It may be 3 F 8 gas, C 4 F 6 gas, SiF 4 gas, COF 2 gas, SeF 6 gas, TeF 6 gas, WF 6 gas, or the like. A plurality of gases may be selected from these gases, and a mixed gas may be used as a raw material gas. As the raw material gas, it is preferable that a gas cluster having a large size can be formed and etching can be performed at a high rate, and specifically, a gas containing fluorine is preferable.
  • the processing apparatus 100 includes an ionization unit 120.
  • the ionization unit 120 ionizes at least a part of the gas cluster in the gas jet 118.
  • the ionization unit 120 includes, for example, one or more thermal filaments 124 and a cylindrical electrode 126.
  • Hot filament 124 to generate heat by the power (voltage V F) from the power source 125, which emits thermal electrons.
  • the cylindrical electrode 126 accelerates thermions emitted from the thermal filament 124 and causes the accelerated thermions to collide with the gas cluster. Collision between an electron and a gas cluster emits an electron from a part of the gas cluster, and these gas clusters are positively ionized.
  • a voltage VA from the power supply 127 is applied between the cylindrical electrode 126 and the thermal filament 124.
  • This voltage VA accelerates thermions and collides with gas clusters.
  • the processing apparatus 100 includes an acceleration unit 130.
  • the acceleration unit 130 accelerates the gas cluster ionized by the ionization unit 120 to form the GCIB 128.
  • the acceleration unit 130 includes, for example, a first electrode 132 and a second electrode 134.
  • the second electrode 134 is grounded, and a positive voltage Vs is applied to the first electrode 132 from the power supply 135.
  • the first electrode 132 and the second electrode 134 form an electric field that accelerates the positively ionized gas cluster.
  • the accelerated gas cluster is withdrawn as GCIB 128 from the opening of the second electrode 134.
  • the power supply 136 supplies an acceleration voltage V Acc that biases the ionization unit 120 to the first electrode 132 and the second electrode 134 so that the total GCIB acceleration potential becomes equal to V Acc.
  • V Acc for example 1 kV ⁇ 200 kV, preferably from 1 kV ⁇ 70 kV.
  • the processing apparatus 100 may include a neutralized portion (not shown).
  • the neutralization section neutralizes the GCIB 128 formed by the acceleration section 130 to form a neutral gas cluster. Since the glass plate 2 is irradiated with a neutral gas cluster, it is possible to prevent the glass plate 2 from being charged. Even if the glass plate 2 is irradiated with a positively ionized gas cluster, the glass plate 2 can be etched.
  • the processing device 100 includes an irradiation unit 150.
  • the irradiation unit 150 irradiates the glass plate 2 with the beam-shaped gas cluster 129 and locally etches the glass plate 2.
  • the diameter of the beam of the gas cluster 129 is, for example, 1 mm to 15 mm.
  • the irradiation unit 150 includes, for example, a stage 151, a stage moving mechanism 152, and an aperture 153.
  • the stage 151 is installed in the processing chamber 104 and holds the glass plate 2.
  • the stage moving mechanism 152 two-dimensionally moves the stage 151 in the Y-axis direction and the Z-axis direction in order to move the irradiation point of the gas cluster 129 in the glass plate 2.
  • the etching amount can be controlled and the glass plate 2 can be flattened.
  • the stage moving mechanism 152 can also move the stage 151 in the X-axis direction.
  • the aperture 153 is provided in the middle of the passage of the gas cluster 129, and enhances the uniformity of the strength of the gas cluster 129.
  • the gas cluster 129 passes through the opening of the aperture 153 and irradiates the glass plate 2.
  • the irradiation unit 150 of the processing apparatus 100 will be described with reference to FIGS. 7 to 9.
  • the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction are perpendicular to each other.
  • the X-axis direction and the Y-axis direction are the horizontal direction
  • the Z-axis direction is the vertical direction.
  • the positive direction of the X-axis is the front and the negative direction of the X-axis is the rear.
  • the irradiation direction of the gas cluster 129 indicated by the arrow in FIG. 7 is the positive direction on the X-axis.
  • the irradiation unit 150 irradiates the beam-shaped gas cluster 129 forward, and the irradiated gas cluster 129 locally etches the first main surface 21 of the glass plate 2.
  • the first main surface 21 is arranged toward the rear and is arranged so as to be inclined diagonally upward. Since the first main surface 21 faces diagonally upward, the stage 151 can stably hold the glass plate 2 from below. If the direction of the glass plate 2 is reversed, local etching of the second main surface 22 of the glass plate 2 is naturally possible.
  • the stage 151 is arranged to face the second main surface 22 of the glass plate 2.
  • the stage 151 is arranged in front of the glass plate 2.
  • the stage 151 may hold the glass plate 2 via, for example, the spacer 155.
  • the spacer 155 forms a gap between the stage 151 and the glass plate 2. Compared with the case where the entire second main surface 22 of the glass plate 2 comes into contact with the stage 151, it is possible to suppress the occurrence of contact scratches on the second main surface 22.
  • the spacer 155 may have a tapered tapered surface. If the second chamfer surface 25 of the glass plate 2 is held by the tapered surface of the spacer 155, it does not contact the second main surface 22 at all, so that the occurrence of contact scratches on the second main surface 22 can be reliably prevented. As shown in FIG. 8, a part of the spacer 155 is arranged outside the glass plate 2 when viewed from the irradiation direction of the gas cluster 129.
  • a part of the spacer 155 is arranged outside the glass plate 2 when viewed from the irradiation direction of the gas cluster 129, but the entire spacer 155 can be arranged inside the glass plate 2. .. In that case, the spacer 155 contacts not the second chamfered surface 25 of the glass plate 2 but the peripheral region excluding the quality assurance area of the second main surface 22.
  • the stage 151 may hold the glass plate 2 via the clamp 156.
  • the glass plate 2 can be stably held in a vacuum.
  • the entire clamp 156 is arranged outside the glass plate 2 when viewed from the irradiation direction of the gas cluster 129.
  • the clamp 156 holds, for example, the end surface 23 of the glass plate 2.
  • a plurality of clamps 156 are provided at intervals along the peripheral edge of the glass plate 2.
  • the clamp 156 presses the end surface 23 of the glass plate 2 in the present embodiment, the clamp 156 may press the peripheral region 27 of the first main surface 21 of the glass plate 2. Further, the clamp 156 may hold the first chamfered surface 24 of the glass plate 2. Also in these cases, a part of the clamp 156 is arranged outside the glass plate 2 when viewed from the irradiation direction of the gas cluster 129.
  • the processing apparatus 100 includes a stage 151, a spacer 155, a clamp 156 and the like as peripheral parts of the glass plate 2. At least a part of these peripheral parts is arranged outside the glass plate 2 when viewed from the irradiation direction of the gas cluster 129. Therefore, conventionally, the gas cluster 129 may collide with these peripheral parts as well, and the collision may cause a defect in the end face 23 of the glass plate 2. Further, when the spacer 155 forms a gap between the glass plate 2 and the stage 151, a defect may occur in the second main surface 22 of the glass plate 2.
  • Defects are caused by, for example, scattered materials.
  • the scattered matter is a gas cluster 129 that has changed its direction due to a collision with a peripheral component, or a particle that jumps out of the peripheral component due to a collision between the gas cluster 129 and the peripheral component.
  • the material of the particles is the same as the material of the peripheral parts.
  • Defects may include concave scratches or convex deposits. The scratches are the collision marks of the scattered matter, and the deposits are the scattered matter itself.
  • the defect can also occur in a direct collision of the gas cluster 129.
  • the gas cluster 129 when the first main surface 21 of the glass plate 2 is inclined with respect to the irradiation direction (X-axis direction) of the gas cluster 129, the gas cluster 129 also directly collides with the end surface 23 of the glass plate 2.
  • the gas cluster 129 and the scattered matter generated by the collision between the gas cluster 129 and the peripheral parts, which are the causes of the defects are collectively referred to as a fluid.
  • the irradiation unit 150 of the present embodiment further has a shielding unit 160.
  • the shielding portion 160 moves together with the stage 151 to shield the fluid that is to form a defect in at least one of the second main surface 22 and the end surface 23 of the glass plate 2. Since it blocks the fluid, it is possible to suppress the occurrence of defects. If the defects of the second main surface 22 can be reduced, the time for the subsequent finish polishing of the second main surface 22 can be shortened, and the second main surface 22 having high flatness and few defects can be obtained. This is because if the finish polishing time is too long, the number of defects is reduced, but the flatness is deteriorated.
  • the shielding portion 160 includes, for example, a shielding plate 161.
  • the shield plate 161 is arranged to face the first main surface 21 of the glass plate 2 and is arranged behind the glass plate 2.
  • the shield plate 161 may not be in contact with the glass plate 2 and may form a gap between the shield plate 161 and the glass plate 2.
  • the shield plate 161 is formed in a frame shape as shown by a broken line in FIG. 8 when viewed from the irradiation direction of the gas cluster 129, and is arranged so as to overlap the entire peripheral edge of the glass plate 2.
  • the shield plate 161 can block the gas cluster 129 that directly collides with the end surface 23 of the glass plate 2 before the collision, and can reduce the defects of the end surface 23.
  • the shield plate 161 blocks the gas cluster 129 that collides with the peripheral parts before the collision, defects of the second main surface 22 and the end surface 23 can be reduced.
  • the spacer 155 and the clamp 156 are covered with the shield plate 161.
  • the portion outside the glass plate 2 of the stage 151 and within the first predetermined distance from the peripheral edge of the glass plate 2 when viewed from the irradiation direction of the gas cluster 129 is covered with the shield plate 161.
  • the first predetermined distance is 125% of the distance from the first main surface 21 (rear surface) of the glass plate 2 to the rear surface of the stage 151.
  • the shield plate 161 is arranged outside the quality assurance area 26 so as not to overlap the quality assurance area 26 of the first main surface 21 of the glass plate 2 when viewed from the irradiation direction of the gas cluster 129. This is to flatten the quality assurance area 26.
  • the size of the opening 161a of the shield plate 161 is larger than the size of the quality assurance region 26 when viewed from the irradiation direction of the gas cluster 129.
  • the shield plate 161 of the present embodiment is formed in a frame shape when viewed from the irradiation direction of the gas cluster 129, and is arranged so as to overlap the entire peripheral edge of the glass plate 2, but the technique of the present disclosure is limited to this. Not done.
  • a plurality of shield plates 161 may be arranged at intervals along the peripheral edge of the glass plate 2 when viewed from the irradiation direction of the gas cluster 129. It suffices if the occurrence of defects can be suppressed at least a part of the peripheral edge of the glass plate 2.
  • the material of the shield plate 161 may be any of metal, resin, and ceramic. However, when the gas cluster 129 collides with the shield plate 161, the particles of the shield plate 161 may be scattered on the glass plate 2. Therefore, it is preferable that the material of the shield plate 161 is one that can be removed when the glass plate 2 is washed.
  • the RCA clean includes, for example, SC-1 clean, dilute hydrofluoric acid clean, and SC-2 clean in this order.
  • SC-1 cleaning a mixed aqueous solution of ammonium hydroxide (NH 4 OH) and hydrogen peroxide (H 2 O 2) is used as the cleaning liquid.
  • dilute hydrofluoric acid cleaning dilute hydrofluoric acid is used as the cleaning liquid.
  • SC-2 cleaning a mixed aqueous solution of hydrochloric acid (HCl) and hydrogen peroxide is used as the cleaning liquid.
  • RCA cleans may further include SPM cleans.
  • SPM cleaning a mixed aqueous solution of sulfuric acid (H 2 SO 4 ) and hydrogen peroxide is used as the cleaning liquid.
  • the cleaning of the glass plate may include scrub cleaning.
  • scrubbing the glass plate is scrubbed with a brush or sponge.
  • the scrub wash may be used alone or as part of the RCA wash.
  • Aluminum, copper, iron, nickel, zinc, titanium, stainless steel, or brass is used as the metal that is the material of the shield plate 161. These metals can be removed by RCA cleaning.
  • Resins used as the material of the shield plate 161 include vinyl acetate resin, ethylene / vinyl acetate copolymer resin, isobutene / maleic anhydride copolymer resin, acrylic copolymer resin, styrene / butadiene rubber copolymer, vinyl chloride resin, and chloroprene rubber.
  • Nitrile rubber epoxy resin, modified epoxy resin, silicone resin, modified silicone resin, urethane resin, EVA resin, ABS resin, polypropylene, high density polyethylene, low density polyethylene, polystyrene, polyester, polyamide, polyvinyl chloride, polycarbonate, PET (Poly Ethylene Terephthate), POM (Poly Oxy Methylene), PBT (Poly Butylene Terephthate), polyvinylidene chloride, PVA (Poly Vinyl Alcohol), or a fluororesin is used.
  • PPSU PolyPolysulfone
  • PSU Polysulfone
  • PAR PolyArylate
  • PEI PolyEtherImide
  • PEEK PolyEthelEthelene Sulfide
  • PES PolyEthelSulfone
  • PAI PolyAmideImide
  • LCP Liquid CrystalPolymer
  • PTFE PolyTetraFluoroEthylene
  • PCTFlyFluor PCTFE
  • Ceramics that are the materials of the shield plate 161 include alumina, zirconia, aluminum nitride, silicon carbide, silicon nitride, forsterite, steatite, cordylite, sialon, machinable ceramic, barium titanate, lead zirconate titanate, ferrite, Alternatively, mulite is used.
  • the shielding portion 160 moves together with the stage 151 to shield the fluid that is to form a defect in at least one of the first main surface 21 and the end surface 23 of the glass plate 2. Since it blocks the fluid, it is possible to suppress the occurrence of defects. If the defects of the first main surface 21 can be reduced, the time for the subsequent finish polishing of the first main surface 21 can be shortened, and the first main surface 21 having high flatness and few defects can be obtained. This is because if the finish polishing time is too long, the number of defects is reduced, but the flatness is deteriorated.
  • the stage 151 As described above, the stage 151 is arranged to face the second main surface 22 of the glass plate 2. The stage 151 is arranged in front of the glass plate 2.
  • Stage 151 includes an opening 151a through which the gas cluster 129 passes. As shown in FIG. 10, the opening 151a is arranged so as to overlap the peripheral edge of the glass plate 2 when viewed from the irradiation direction of the gas cluster 129. The collision between the gas cluster 129 and the stage 151 can be suppressed in the vicinity of the peripheral edge of the glass plate 2, and the generation of defects due to the collision can be suppressed.
  • a plurality of openings 151a of the stage 151 may be formed at intervals along the peripheral edge of the glass plate 2.
  • the opening 151a may be arranged between the adjacent spacer 155 and the clamp 156, or may be arranged between two adjacent clamps 156.
  • the gas cluster 129 can also collide with the spacer 155 and the clamp 156.
  • the stage 151 of this modification may be used in combination with the shield plate 161 of the above embodiment.
  • the spacer 155 and the clamp 156 may be covered with the shield plate 161 when viewed from the irradiation direction of the gas cluster 129.
  • a plurality of shield plates 161 may be arranged at intervals along the peripheral edge of the glass plate 2 when viewed from the irradiation direction of the gas cluster 129.
  • the opening 151a of the stage 151 is arranged between the adjacent shield plates 161 when viewed from the irradiation direction of the gas cluster 129.
  • the shielding portion 160 may include a mask 162 that covers the second main surface 22 of the glass plate 2 and a mask 163 that covers the end surface 23 of the glass plate 2.
  • the shielding portion 160 may include at least one of the two masks 162 and 163.
  • the mask 162 covers the second main surface 22 of the glass plate 2 and shields the fluid that is expected to form a defect on the second main surface 22 before the collision with the second main surface 22. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of defects on the second main surface 22.
  • the mask 162 covers the entire second main surface 22 in this modification, but may cover at least a portion within a second predetermined distance from the end surface 23.
  • the second predetermined distance is 200% of the gap between the stage 151 and the glass plate 2 formed by the spacer 155, in other words, the distance from the second main surface 22 (front surface) of the glass plate 2 to the rear surface of the stage 151. It is 200%.
  • the mask 163 covers the end face 23 of the glass plate 2 and shields the fluid that is expected to form a defect in the end face 23 before the collision with the end face 23. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of defects on the end face 23.
  • the mask 163 covers the end face 23 over the entire peripheral edge of the glass plate 2, but the end face 23 may be covered with at least a part of the peripheral edge of the glass plate 2.
  • the materials of the masks 162 and 163 are preferably those that can be removed when the glass plate 2 is washed.
  • the cleaning of the glass plate 2 is, for example, RCA cleaning. Scrub cleaning may be used.
  • the scrub wash may be used alone or as part of the RCA wash.
  • the masks 162 and 163 may have a single layer or a plurality of layers.
  • the masks 162 and 163 preferably include a resin layer as a layer in contact with the glass plate 2.
  • the resin layer may be a single layer or a plurality of layers.
  • the resin layer does not contain filler and powder at least on the contact surface with the glass plate 2. This is because fillers and powders cause dust generation or scratches. It is preferable that the resin layer does not contain the filler and the powder not only on the contact surface with the glass plate 2 but also on the inside.
  • the resin layer can be easily removed by scrubbing.
  • scrubbing the resin layer is scrubbed with a brush or sponge.
  • scrub cleaning an alkaline solution containing a surfactant may be used as the cleaning liquid.
  • the removal efficiency can be improved by the action of alkali. Scrub cleaning and ultrasonic cleaning may be used in combination.
  • the masks 162 and 163 of the present modification may be used in combination with the shield plate 161 of the above embodiment or the stage 151 of the above modification.
  • the shielding portion 160 includes a mask 163 that covers the end surface 23 of the glass plate 2. Since the mask 163 also closes the gap between the glass plate 2 and the stage 151, it is possible to suppress the occurrence of defects on the second main surface 22. According to this modification, since the mask 162 shown in FIG. 12 is unnecessary, it is not necessary to remove the mask 162, and the glass plate 2 can be easily washed.
  • the mask 163 of the present modification may be used in combination with the shield plate 161 of the above embodiment or the stage 151 of the above modification.
  • Examples 1 and 2 below are examples, and example 3 is a comparative example.
  • Example 1 the first main surface 21 of the glass plate 2 was processed by the beam-shaped gas cluster 129 by the processing apparatus 100 shown in FIG.
  • the processing conditions were as follows.
  • Material of glass plate 2 Quartz glass raw material gas containing TiO 2 : CF 4 gas Acceleration voltage V Acc : 60 kV
  • Material of stage 151 Aluminum Shape of stage 151: Shape of FIG. 10
  • Material of shield plate 161 Shape of aluminum shield plate 161: Shape of FIG. 8 Presence / absence of masks 162 and 163: None.
  • Example 1 the gas cluster 129 is restricted from colliding with the stage 151, which is a peripheral component of the glass plate 2, by the shield plate 161. As a result, no deposits of aluminum particles (particles jumping out of the stage 151 due to the collision of the gas cluster 129) were visually confirmed on the second main surface 22 and the end surface 23 of the glass plate 2.
  • Example 2 the first main surface 21 of the glass plate 2 was processed with a beam-shaped gas cluster 129 under the same processing conditions as in Example 1 except that the shield plate 161 was not used.
  • Example 2 in the region where the opening 151a of the stage 151 and the peripheral edge of the glass plate 2 overlap when viewed from the irradiation direction of the gas cluster 129, aluminum particles adhere to the second main surface 22 and the end surface 23 of the glass plate 2. was not visually confirmed. However, in the region where the opening 151a of the stage 151 and the peripheral edge of the glass plate 2 do not overlap when viewed from the irradiation direction of the gas cluster 129, deposits of aluminum particles are formed on the second main surface 22 and the end surface 23 of the glass plate 2. It was slightly confirmed visually.
  • Example 3 the first main surface 21 of the glass plate 2 is formed into a beam-shaped gas cluster 129 under the same processing conditions as in Example 1, except that the shield plate 161 is not used and the stage 151 having no opening 151a is used. Processed with. In Example 3, deposits of aluminum particles were visually confirmed on the second main surface 22 and the end surface 23 of the glass plate 2 over the entire peripheral edge of the glass plate 2.
  • the use of the glass plate processed by the processing method and processing apparatus of the present disclosure is not limited to EUVL.
  • the use of the glass plate may be any use as long as it requires high flatness, and may be, for example, a medical device.
  • the glass composition of the glass plate may be any one according to the use of the glass plate.

Abstract

ガラス板の加工方法は、ビーム状のガスクラスタをガラス板の第１主面に照射することと、前記ガラス板の前記第１主面における前記ガスクラスタの照射点を移動させるべく、前記ガラス板を移動させることと、前記ガラス板と共に移動する遮蔽部で、前記ガラス板の前記第１主面とは反対向きの第２主面及び端面の少なくとも１つに欠陥を形成する予定の流動物を遮ることと、を有する。

Description

ガラス板の加工方法、及び加工装置、並びにＥＵＶＬ用マスクブランクの製造方法
　本開示は、ガラス板の加工方法、及び加工装置、並びにＥＵＶＬ用マスクブランクの製造方法に関する。
　従来から、半導体デバイスの製造には、フォトリソグラフィ技術が用いられている。フォトリソグラフィ技術では、露光装置によって、フォトマスクのパターンに光を照射し、フォトマスクのパターンをレジスト膜に転写する。
　最近では、微細パターンの転写を可能とするため、短波長の露光光、例えば、ＡｒＦエキシマレーザ光、さらにはＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ－Ｖｉｏｌｅｔ）光などの使用が検討されている。
　ここで、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線および真空紫外光を含み、具体的には波長が０．２ｎｍ～１００ｎｍ程度の光のことである。現時点では、露光光として１３．５ｎｍ程度の波長のＥＵＶ光が主に検討されている。
　特許文献１には、ＥＵＶＬ（Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ－Ｖｉｏｌｅｔ　Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）用マスクブランクの製造方法が記載されている。ＥＵＶＬ用マスクブランクは、ガラス板と、ガラス板の上に形成される反射膜と、反射膜の上に形成される吸収膜とを含む。
　ＥＵＶＬ用マスクブランクには、微細パターンの転写精度を向上すべく、高い平坦度が求められる。ＥＵＶＬ用マスクブランクの平坦度は主に基板であるガラス板の平坦度で決まるので、ガラス板には高い平坦度が求められる。
　特許文献１に記載の製造方法は、予備研磨工程と、測定工程と、修正研磨工程とを有する。予備研磨工程では、ガラス板の両主面を予備研磨する。測定工程では、ガラス板の最大板厚分布及び平坦度を測定する。修正研磨工程では、測定工程の測定結果に基づいてガラス板の主面を局所研磨する。
国際公開第２０１１／１１５１３１号
　特許文献１の局所研磨には、ガスクラスタなどが用いられる。ガスクラスタは、熱電子の衝突によってイオン化され、続いて、電界によって加速され、ガラス板の第１主面に向けて照射され、第１主面を局所的にエッチングする。その結果、第１主面を平坦化できる。
　ところで、ガスクラスタは、ガラス板の第１主面だけではなく、ガラス板の周辺部品にも衝突する。その衝突によって、ガラス板の第１主面とは反対向きの第２主面、及び端面のうちの１つに欠陥が生じることがあった。
　欠陥は、例えば、飛散物によって生じる。飛散物は、周辺部品との衝突によって向きを変えたガスクラスタ、又はガスクラスタと周辺部品の衝突によって周辺部品から飛び出す粒子である。粒子の材質は、周辺部品の材質と同じである。
　なお、欠陥は、ガスクラスタの直接の衝突でも生じうる。例えば、ガラス板の第１主面がガスクラスタの照射方向に対して傾斜している場合、ガスクラスタはガラス板の端面にも直接衝突する。
　以下、欠陥の原因である、ガスクラスタ、及びガスクラスタと周辺部品の衝突で生じる飛散物をまとめて、流動物とも呼ぶ。
　本開示の一態様は、ガスクラスタの照射によるガラス板の欠陥の発生を抑制できる、技術を提供する。
　本開示の一態様に係るガラス板の加工方法は、ビーム状のガスクラスタをガラス板の第１主面に照射することと、前記ガラス板の前記第１主面における前記ガスクラスタの照射点を移動させるべく、前記ガラス板を移動させることと、前記ガラス板と共に移動する遮蔽部で、前記ガラス板の前記第１主面とは反対向きの第２主面及び端面の少なくとも１つに欠陥を形成する予定の流動物を遮ることと、を有する。
　本開示の一態様によれば、ガスクラスタの照射によるガラス板の欠陥の発生を抑制できる。
図１は、一実施形態に係るＥＵＶＬ用マスクブランクの製造方法を示すフローチャートである。 図２は、図１のＳ１に供されるガラス板の一例を示す断面図である。 図３は、図２のガラス板の一例を示す平面図である。 図４は、一実施形態に係るＥＵＶＬ用マスクブランクを示す断面図である。 図５は、ＥＵＶＬ用フォトマスクの一例を示す断面図である。 図６は、一実施形態に係る加工装置を示す断面図である。 図７は、図６のガラス板、その周辺部品、及びシールド板を拡大して示す断面図である。 図８は、図７のガスクラスタの照射方向から図７のシールド板を透過して見た、ガラス板、及びその周辺部品を示す図である。 図９は、図７のクランプ及びスペーサを別の方向から見た図である。 図１０は、変形例に係るステージを、ガスクラスタの照射方向から見た図である。 図１１は、変形例に係る遮蔽部を示す断面図である。 図１２は、別の変形例に係る遮蔽部を示す断面図である。
　以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。明細書中、数値範囲を示す「～」は、その前後に記載された数値を下限値及び上限値として含むことを意味する。
　図１に示すように、ＥＵＶＬ（Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ－Ｖｉｏｌｅｔ　Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）用マスクブランクの製造方法は、Ｓ１～Ｓ７を有する。マスクブランクの製造にはガラス板が用いられる。ガラス板のガラスは、ＳｉＯ２を９０質量％以上含む石英ガラスが好ましい。石英ガラスに占めるＳｉＯ２含有量の上限値は、１００質量％である。石英ガラスは、一般的なソーダライムガラスに比べて、線膨張係数が小さく、温度変化による寸法変化が小さい。石英ガラスは、ＳｉＯ２の他に、ＴｉＯ２含んでよい。石英ガラスは、ＳｉＯ２を９０質量％～９５質量％、ＴｉＯ２を５質量％～１０質量％含んでよい。ＴｉＯ２含有量が５質量％～１０質量％であると、室温付近での線膨張係数が略ゼロであり、室温付近での寸法変化がほとんど生じない。石英ガラスは、ＳｉＯ２およびＴｉＯ２以外の微量成分を含んでもよいが、微量成分を含まないことが好ましい。
　ガラス板２は、図２及び図３に示すように、第１主面２１と、第２主面２２と、４つの端面２３と、４つの第１面取面２４と、４つの第２面取面２５とを含む。第１主面２１は、矩形状である。本明細書において、矩形状とは、角に面取加工を施した形状を含む。また、矩形は、正方形を含む。第２主面２２は、第１主面２１とは反対向きである。第２主面２２も、第１主面２１と同様に、矩形状である。端面２３は、第１主面２１及び第２主面２２に対して垂直である。第１面取面２４は、第１主面２１と端面２３の境界に形成される。第２面取面２５は、第２主面２２と端面２３の境界に形成される。第１面取面２４及び第２面取面２５は、本実施形態では、いわゆるＣ面取面であるが、Ｒ面取面であってもよい。
　ガラス板２の第１主面２１は、図３にドット模様で示す品質保証領域２６を有する。品質保証領域２６は、Ｓ１～Ｓ４によって所望の平坦度に加工される領域である。品質保証領域２６は、第１主面２１に直交する方向から見て、例えば端面２３からの距離Ｌが５ｍｍ以内の周縁領域２７を除く領域である。なお、図示しないが、ガラス板２の第２主面２２も、第１主面２１と同様に、品質保証領域と周縁領域とを有する。
　先ず、図１のＳ１では、ガラス板２の第１主面２１及び第２主面２２を研磨する。第１主面２１及び第２主面２２は、両面研磨機で同時に研磨されてもよいし、片面研磨機で順番に研磨されてもよい。Ｓ１では、研磨パッドとガラス板２の間に研磨スラリーを供給しながら、ガラス板２を研磨する。研磨スラリーは、研磨剤を含む。研磨剤は、例えば酸化セリウム粒子である。第１主面２１及び第２主面２２は、異なる材質又は粒度の研磨剤で、複数回研磨されてもよい。
　なお、Ｓ１で用いられる研磨剤は、酸化セリウム粒子には限定されない。例えば、Ｓ１で用いられる研磨剤は、酸化シリコン粒子、酸化アルミニウム粒子、酸化ジルコニウム粒子、酸化チタン粒子、ダイヤモンド粒子、又は炭化珪素粒子などであってもよい。
　次に、図１のＳ２では、ガラス板２の第１主面２１及び第２主面２２の表面形状を測定する。表面形状の測定には、例えば、表面が傷付かないように、レーザ干渉式等の非接触式の測定機が用いられる。測定機は、第１主面２１の品質保証領域２６、及び第２主面２２の品質保証領域の表面形状を測定する。
　次に、図１のＳ３では、Ｓ２の測定結果を参照し、平坦度を向上すべく、ガラス板２の第１主面２１及び第２主面２２をビーム状のガスクラスタで加工する。第１主面２１と第２主面２２は、ガスクラスタで順番にエッチングされる。その順番は、どちらが先でもよく、特に限定されない。
　ガスクラスタは、熱電子の衝突によってイオン化され、続いて、電界によって加速され、更に中性化後に、第１主面２１又は第２主面２２に向けて照射される。ガスクラスタの衝突によって、第１主面２１又は第２主面２２が局所的にエッチングされ、平坦化される。Ｓ３の詳細は、後述する。
　次に、図１のＳ４では、ガラス板２の第１主面２１及び第２主面２２の仕上げ研磨を行う。第１主面２１及び第２主面２２は、両面研磨機で同時に研磨されてもよいし、片面研磨機で順番に研磨されてもよい。Ｓ４では、研磨パッドとガラス板２の間に研磨スラリーを供給しながら、ガラス板２を研磨する。研磨スラリーは、研磨剤を含む。研磨剤は、例えばコロイダルシリカ粒子である。
　次に、図１のＳ５では、ガラス板２の第１主面２１の品質保証領域２６に、図４に示す反射膜３を形成する。反射膜３は、ＥＵＶ光を反射する。反射膜３は、例えば高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層した多層反射膜であってよい。高屈折率層は例えばシリコン（Ｓｉ）で形成され、低屈折率層は例えばモリブデン（Ｍｏ）で形成される。反射膜３の成膜方法としては、例えばイオンビームスパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法などのスパッタリング法が用いられる。
　次に、図１のＳ６では、Ｓ５で形成された反射膜３の上に、図４に示す吸収膜４を形成する。吸収膜４は、ＥＵＶ光を吸収する。吸収膜４は、例えばタンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、パラジウム（Ｐｄ）から選ばれる少なくとも１つの元素を含む単金属、合金、窒化物、酸化物、酸窒化物などで形成される。吸収膜４の成膜方法としては、例えばスパッタリング法が用いられる。
　最後に、図１のＳ７では、ガラス板２の第２主面２２の品質保証領域に、図４に示す導電膜５を形成する。導電膜５は、露光装置の静電チャックでフォトマスクを静電吸着するのに用いられる。導電膜５は、例えば窒化クロム（ＣｒＮ）などで形成される。導電膜５の成膜方法としては、例えばスパッタリング法が用いられる。なお、Ｓ７は、本実施形態ではＳ５及びＳ６の後に実施されるが、Ｓ５及びＳ６の前に実施されてもよい。
　なお、反射膜３と導電膜５の配置は逆でもよい。つまり、導電膜５がガラス板２の第１主面２１の品質保証領域２６に形成され、反射膜３がガラス板２の第２主面２２の品質保証領域に形成されてもよい。吸収膜４は、反射膜３の上に形成される。
　上記Ｓ１～Ｓ７により、図４に示すＥＵＶＬ用マスクブランク１が得られる。ＥＵＶＬ用マスクブランク１は、ガラス板２と、反射膜３と、吸収膜４と、導電膜５とを含む。なお、ＥＵＶＬ用マスクブランク１は、導電膜５を含まなくてもよい。また、ＥＵＶＬ用マスクブランク１は、更に別の膜を含んでもよい。
　例えば、ＥＵＶＬ用マスクブランク１は、更に、低反射膜を含んでもよい。低反射膜は、吸収膜４上に形成される。低反射膜は、図５に示す吸収膜４の開口パターン４１の検査に用いられ、検査光に対して吸収膜４よりも低反射特性を有する。低反射膜は、例えばＴａＯＮまたはＴａＯなどで形成される。低反射膜の成膜方法としては、例えばスパッタリング法が用いられる。
　また、ＥＵＶＬ用マスクブランク１は、更に、保護膜を含んでもよい。保護膜は、反射膜３と吸収膜４との間に形成される。保護膜は、吸収膜４に開口パターン４１を形成すべく吸収膜４をエッチングする際に、反射膜３がエッチングされないように、反射膜３を保護する。保護膜は、例えばＲｕ、Ｓｉ、またはＴｉＯ２などで形成される。保護膜の成膜方法としては、例えばスパッタリング法が用いられる。
　図５に示すように、ＥＵＶＬ用フォトマスクは、吸収膜４に開口パターン４１を形成して得られる。開口パターン４１の形成には、フォトリソグラフィ法およびエッチング法が用いられる。従って、開口パターン４１の形成に用いられるレジスト膜が、ＥＵＶＬ用マスクブランク１に含まれてもよい。
　次に、図６を参照して、図１のＳ３で用いられる加工装置について説明する。加工装置１００は、いわゆるＧＣＩＢ（Ｇａｓ　Ｃｌｕｓｔｅｒ　Ｉｏｎ　Ｂｅａｍ）加工装置である。
　加工装置１００は、真空容器１０１を含む。真空容器１０１は、ノズルチャンバ１０２と、イオン化／加速チャンバ１０３と、処理チャンバ１０４とを有する。３つのチャンバ１０２、１０３、１０４は、互いに接続され、ガスクラスタの通路を形成する。３つのチャンバ１０２、１０３、１０４は、３つの真空ポンプ１０５、１０６、１０７によって排気され、所望の真空度に維持される。なお、チャンバの数、及び真空ポンプの数は、特に限定されない。
　加工装置１００は、生成部１１０を含む。生成部１１０は、ガスクラスタを生成する。生成部１１０は、例えば、原料タンク１１１と、圧力制御器１１３と、供給管１１４と、ノズル１１６とを含む。原料タンク１１１は、原料ガス（例えばＣＦ４ガス）を貯蔵する。圧力制御器１１３は、供給管１１４を介して原料タンク１１１からノズル１１６に供給される原料ガスの供給圧を制御する。ノズル１１６は、ノズルチャンバ１０２内に設けられ、真空中に原料ガスを噴射し、超音速のガスジェット１１８を形成する。
　原料ガスは、ガスジェット１１８内にて、断熱膨張によって冷却される。その結果、ガスジェット１１８の一部は、それぞれが数個から数１０００個の原子又は分子の集合体であるガスクラスタに凝縮する。ガスジェット１１８の流れの中心付近にガスクラスタが多く含まれる。それゆえ、スキーマ１１９によって、ガスジェット１１８の流れの中心付近のみを通過させることにより、ガスクラスタを効率的に送り出せる。
　なお、原料ガスは、ＣＦ４ガスには限定されず、ＳＦ６ガス、Ａｒガス、Ｏ２ガス、Ｎ２ガス、ＮＦ３ガス、Ｎ２Ｏガス、ＣＨＦ３ガス、Ｃ２Ｆ６ガス、Ｃ３Ｆ８ガス、Ｃ４Ｆ６ガス、ＳｉＦ４ガス、ＣＯＦ２ガス、ＳｅＦ６ガス、ＴｅＦ６ガス、又はＷＦ６ガスなどであってもよい。これらのガスから複数のガスが選ばれてもよく、混合ガスが原料ガスとして用いられてもよい。原料ガスは、大きなサイズのガスクラスタを作れ、且つ高いレートでエッチングできるものが好ましく、具体的にはフッ素を含むものが好ましい。
　加工装置１００は、イオン化部１２０を含む。イオン化部１２０は、ガスジェット１１８内のガスクラスタの少なくとも一部をイオン化する。イオン化部１２０は、例えば、１以上の熱フィラメント１２４と、円筒電極１２６とを含む。熱フィラメント１２４は、電源１２５からの電力（電圧ＶＦ）によって発熱し、熱電子を放出する。円筒電極１２６は、熱フィラメント１２４から放出された熱電子を加速し、加速した熱電子をガスクラスタと衝突させる。電子とガスクラスタとの衝突によってガスクラスタの一部から電子が放出され、これらのガスクラスタが正イオン化する。なお、２つ以上の電子が放出され、多価イオン化する場合もある。円筒電極１２６と熱フィラメント１２４の間に、電源１２７からの電圧ＶＡが印加される。この電圧ＶＡ（電界）によって、熱電子が加速され、ガスクラスタと衝突する。
　加工装置１００は、加速部１３０を含む。加速部１３０は、イオン化部１２０でイオン化したガスクラスタを加速し、ＧＣＩＢ１２８を形成する。加速部１３０は、例えば、第１電極１３２と、第２電極１３４とを含む。第２電極１３４は接地され、第１電極１３２には電源１３５から正の電圧Ｖｓが印加される。第１電極１３２および第２電極１３４は、正イオン化したガスクラスタを加速する電界を形成する。加速されたガスクラスタは、第２電極１３４の開口からＧＣＩＢ１２８として引き出される。電源１３６は、第１電極１３２および第２電極１３４に対してイオン化部１２０にバイアスをかける加速電圧ＶＡｃｃを供給し、総ＧＣＩＢ加速電位がＶＡｃｃに等しくなるようにする。ＶＡｃｃは、例えば１ｋＶ～２００ｋＶ、好ましくは１ｋＶ～７０ｋＶである。
　加工装置１００は、不図示の中性化部を含んでもよい。中性化部は、加速部１３０で形成されたＧＣＩＢ１２８を中性化し、中性のガスクラスタを形成する。中性のガスクラスタをガラス板２に照射するので、ガラス板２の帯電を防止できる。なお、正イオン化されたガスクラスタをガラス板２に照射しても、ガラス板２のエッチングは可能である。
　加工装置１００は、照射部１５０を含む。照射部１５０は、ビーム状のガスクラスタ１２９をガラス板２に照射し、ガラス板２を局所的にエッチングする。ガスクラスタ１２９のビームの直径は、例えば１ｍｍ～１５ｍｍである。照射部１５０は、例えば、ステージ１５１と、ステージ移動機構１５２と、アパーチャ１５３とを含む。ステージ１５１は、処理チャンバ１０４内に設置され、ガラス板２を保持する。ステージ移動機構１５２は、ガラス板２におけるガスクラスタ１２９の照射点を移動させるべく、ステージ１５１を２次元的にＹ軸方向及びＺ軸方向に移動させる。移動速度を制御することで、エッチング量を制御でき、ガラス板２を平坦化できる。なお、ステージ移動機構１５２は、ステージ１５１をＸ軸方向にも移動可能である。アパーチャ１５３は、ガスクラスタ１２９の通路の途中に設けられ、ガスクラスタ１２９の強度の均一性を高める。ガスクラスタ１２９は、アパーチャ１５３の開口を通り、ガラス板２に照射される。
　次に、図７～図９を参照して、加工装置１００の照射部１５０について説明する。本明細書において、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、及びＺ軸方向は互いに垂直な方向である。Ｘ軸方向及びＹ軸方向が水平方向、Ｚ軸方向が鉛直方向である。以下の説明において、Ｘ軸正方向が前方、Ｘ軸負方向が後方である。図７に矢印で示すガスクラスタ１２９の照射方向は、Ｘ軸正方向である。
　図７に示すように、照射部１５０は、ビーム状のガスクラスタ１２９を前方に照射し、照射したガスクラスタ１２９でガラス板２の第１主面２１を局所的にエッチングする。第１主面２１は、後方に向けて配置され、且つ斜め上向きに傾斜して配置される。第１主面２１が斜め上に向いているので、ステージ１５１がガラス板２を下方から安定的に保持できる。なお、ガラス板２の向きを逆向きにすれば、ガラス板２の第２主面２２の局所的なエッチングも当然に可能である。
　図９に示すように、ステージ１５１は、ガラス板２の第２主面２２に対向配置される。ステージ１５１は、ガラス板２の前方に配置される。ステージ１５１は、例えばスペーサ１５５を介してガラス板２を保持してもよい。スペーサ１５５は、ステージ１５１とガラス板２の間に隙間を形成する。ガラス板２の第２主面２２の全体がステージ１５１に接触する場合に比べて、第２主面２２の接触傷の発生を抑制できる。
　スペーサ１５５は、先細り状のテーパ面を有してもよい。スペーサ１５５のテーパ面でガラス板２の第２面取面２５を保持すれば、第２主面２２に全く接触しないので、第２主面２２の接触傷の発生を確実に防止できる。スペーサ１５５の一部は、図８に示すようにガスクラスタ１２９の照射方向から見て、ガラス板２の外側に配置される。
　なお、本実施形態ではガスクラスタ１２９の照射方向から見て、スペーサ１５５の一部をガラス板２の外側に配置するが、スペーサ１５５の全体をガラス板２の内側に配置することも可能である。その場合、スペーサ１５５は、ガラス板２の第２面取面２５ではなく、第２主面２２の品質保証領域を除く周縁領域に接触する。
　また、ステージ１５１は、クランプ１５６を介して、ガラス板２を保持してもよい。真空中でガラス板２を安定的に保持できる。クランプ１５６の全体は、ガスクラスタ１２９の照射方向から見て、ガラス板２の外側に配置される。クランプ１５６は、例えばガラス板２の端面２３を押さえる。クランプ１５６は、ガラス板２の周縁に沿って間隔をおいて複数設けられる。
　なお、クランプ１５６は、本実施形態ではガラス板２の端面２３を押さえるが、ガラス板２の第１主面２１の周縁領域２７を押さえてもよい。また、クランプ１５６は、ガラス板２の第１面取面２４を押さえてもよい。これらの場合も、クランプ１５６の一部は、ガスクラスタ１２９の照射方向から見て、ガラス板２の外側に配置される。
　ところで、加工装置１００は、ガラス板２の周辺部品として、ステージ１５１、スペーサ１５５、及びクランプ１５６などを含む。これらの周辺部品の少なくとも一部は、ガスクラスタ１２９の照射方向から見て、ガラス板２の外側に配置される。それゆえ、これらの周辺部品にも、従来、ガスクラスタ１２９が衝突することがあり、その衝突によって、ガラス板２の端面２３に欠陥が生じることがあった。また、スペーサ１５５がガラス板２とステージ１５１の間に隙間を形成する場合、ガラス板２の第２主面２２にも欠陥が生じることがあった。
　欠陥は、例えば、飛散物によって生じる。飛散物は、周辺部品との衝突によって向きを変えたガスクラスタ１２９、又はガスクラスタ１２９と周辺部品の衝突によって周辺部品から飛び出す粒子である。粒子の材質は、周辺部品の材質と同じである。欠陥として、凹状の傷が生じることもあるし、凸状の付着物が生じることもある。傷は飛散物の衝突跡であり、付着物は飛散物そのものである。
　なお、欠陥は、ガスクラスタ１２９の直接の衝突でも生じうる。例えば、ガラス板２の第１主面２１がガスクラスタ１２９の照射方向（Ｘ軸方向）に対して傾斜している場合、ガスクラスタ１２９はガラス板２の端面２３にも直接衝突する。以下、欠陥の原因である、ガスクラスタ１２９、及びガスクラスタ１２９と周辺部品の衝突で生じる飛散物をまとめて、流動物とも呼ぶ。
　図７に示すように、本実施形態の照射部１５０は、遮蔽部１６０を更に有する。遮蔽部１６０は、ステージ１５１と共に移動し、ガラス板２の第２主面２２及び端面２３の少なくとも１つに欠陥を形成する予定の流動物を遮る。流動物を遮るので、欠陥の発生を抑制できる。第２主面２２の欠陥を低減できれば、その後に行われる第２主面２２の仕上げ研磨の時間を短縮でき、平坦度が高く、且つ欠陥の少ない第２主面２２が得られる。仕上げ研磨の時間が長すぎると、欠陥が少なくなる反面、平坦度が悪化してしまうからである。
　遮蔽部１６０は、例えばシールド板１６１を含む。シールド板１６１は、ガラス板２の第１主面２１に対向配置され、ガラス板２の後方に配置される。シールド板１６１は、ガラス板２とは接触しなくてもよく、ガラス板２との間に隙間を形成してもよい。シールド板１６１は、ガスクラスタ１２９の照射方向から見て、図８に破線で示すように、枠状に形成され、ガラス板２の周縁全体に重なるように配置される。シールド板１６１は、ガラス板２の端面２３に直接衝突するガスクラスタ１２９を衝突前に遮り、端面２３の欠陥を低減できる。また、シールド板１６１は、周辺部品に衝突するガスクラスタ１２９を衝突前に遮るので、第２主面２２及び端面２３の欠陥を低減できる。ガスクラスタ１２９の照射方向から見て、スペーサ１５５及びクランプ１５６は、シールド板１６１で覆い隠される。また、ガスクラスタ１２９の照射方向から見て、ステージ１５１のガラス板２よりも外側の部分であって、ガラス板２の周縁から第１所定距離以内の部分は、シールド板１６１で覆い隠される。第１所定距離は、ガラス板２の第１主面２１（後面）からステージ１５１の後面までの距離の１２５％である。
　シールド板１６１は、ガスクラスタ１２９の照射方向から見て、ガラス板２の第１主面２１の品質保証領域２６に重ならないように、品質保証領域２６の外に配置される。品質保証領域２６を平坦化するためである。シールド板１６１の開口１６１ａの大きさは、ガスクラスタ１２９の照射方向から見て、品質保証領域２６の大きさ以上である。
　なお、本実施形態のシールド板１６１は、ガスクラスタ１２９の照射方向から見て、枠状に形成され、ガラス板２の周縁全体に重なるように配置されるが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、シールド板１６１は、ガスクラスタ１２９の照射方向から見て、ガラス板２の周縁に沿って間隔をおいて複数配置されてもよい。ガラス板２の周縁の少なくとも一部で、欠陥の発生を抑制できればよい。
　シールド板１６１の材質は、金属、樹脂、及びセラミックのいずれでもよい。但し、ガスクラスタ１２９がシールド板１６１に衝突する際に、シールド板１６１の粒子がガラス板２に飛散することがある。そこで、シールド板１６１の材質は、ガラス板２の洗浄時に除去可能なものであることが好ましい。
　ガラス板２の洗浄は、例えばＲＣＡ洗浄を含む。ＲＣＡ洗浄は、例えば、ＳＣ－１洗浄と、希フッ酸洗浄と、ＳＣ－２洗浄とをこの順で含む。ＳＣ－１洗浄では、洗浄液として、水酸化アンモニウム（ＮＨ４ＯＨ）と過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）の混合水溶液が用いられる。希フッ酸洗浄では、洗浄液として、希フッ酸が用いられる。ＳＣ－２洗浄では、洗浄液として、塩酸（ＨＣｌ）と過酸化水素の混合水溶液が用いられる。ＲＣＡ洗浄は、更に、ＳＰＭ洗浄を含んでもよい。ＳＰＭ洗浄では、洗浄液として、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）と過酸化水素の混合水溶液が用いられる。
　なお、ガラス板の洗浄は、スクラブ洗浄を含んでもよい。スクラブ洗浄では、ブラシ又はスポンジなどでガラス板を擦り洗いする。スクラブ洗浄は、単独で用いられてもよいし、ＲＣＡ洗浄の一部として用いられてもよい。
　シールド板１６１の材質である金属として、アルミニウム、銅、鉄、ニッケル、亜鉛、チタン、ステンレス、又は真鍮が用いられる。これらの金属は、ＲＣＡ洗浄で除去可能である。
　シールド板１６１の材質である樹脂として、酢酸ビニル樹脂、エチレン・酢酸ビニル共重合樹脂、イソブテン・無水マレイン酸共重合樹脂、アクリル共重合樹脂、スチレン・ブタジエンゴム共重合体、塩化ビニル樹脂、クロロプレンゴム、ニトリルゴム、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変成シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、ＥＶＡ樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリプロピレン、高密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、ポリスチレン、ポリエステル、ポリアミド、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ＰＥＴ（Ｐｏｌｙ　Ｅｔｈｙｌｅｎｅ　Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ＰＯＭ（Ｐｏｌｙ　Ｏｘｙ　Ｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ＰＢＴ（Ｐｏｌｙ　Ｂｕｔｙｌｅｎｅ　Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリ塩化ビニリデン、ＰＶＡ（Ｐｏｌｙ　Ｖｉｎｙｌ　Ａｌｃｏｈｏｌ）、又はフッ素樹脂が用いられる。また、シールド板１６１の材質である樹脂として、ＰＰＳＵ（Ｐｏｌｙ　Ｐｈｅｎｙｌ　Ｓｕｌｆｏｎｅ）、ＰＳＵ（Ｐｏｌｙ　Ｓｕｌｆｏｎｅ）、ＰＡＲ（Ｐｏｌｙ　Ａｒｙｌａｔｅ）、ＰＥＩ（Ｐｏｌｙ　Ｅｔｈｅｒ　Ｉｍｉｄｅ）、ＰＥＥＫ（Ｐｏｌｙ　Ｅｔｈｅｌ　Ｅｔｈｅｌ　Ｋｅｔｏｎ）、ＰＰＳ（Ｐｏｌｙ　Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ　Ｓｕｌｆｉｄｅ）、ＰＥＳ（Ｐｏｌｙ　Ｅｔｈｅｌ　Ｓｕｌｆｏｎｅ）、ＰＡＩ（Ｐｏｌｙ　Ａｍｉｄｅ　Ｉｍｉｄｅ）、ＬＣＰ（Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＰＴＦＥ（Ｐｏｌｙ　Ｔｅｔｒａ　Ｆｌｕｏｒｏ　Ｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ＰＣＴＦＥ（Ｐｏｌｙ　Ｃｈｒｏｒｏ　ＴｒｉＦｌｕｏｒｏ　Ｅｔｈｙｌｅｎｅ）、又はＰＶＤＦ（Ｐｏｌｙ　Ｖｉｎｙｌｉｄｅｎｅ　ＤｉＦｌｕｏｒｉｄｅ）が用いられる。これらの樹脂は、ＲＣＡ洗浄、又はスクラブ洗浄で除去可能である。
　シールド板１６１の材質であるセラミックとして、アルミナ、ジルコニア、窒化アルミ、炭化ケイ素、窒化ケイ素、フォルステライト、ステアタイト、コージライト、サイアロン、マシナブルセラミック、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸鉛、フェライト、又はムライトが用いられる。
　なお、上記の通り、ガラス板２の向きを逆向きにすれば、ガラス板２の第２主面２２の局所的なエッチングも当然に可能である。この場合、遮蔽部１６０は、ステージ１５１と共に移動し、ガラス板２の第１主面２１及び端面２３の少なくとも１つに欠陥を形成する予定の流動物を遮る。流動物を遮るので、欠陥の発生を抑制できる。第１主面２１の欠陥を低減できれば、その後に行われる第１主面２１の仕上げ研磨の時間を短縮でき、平坦度が高く、且つ欠陥の少ない第１主面２１が得られる。仕上げ研磨の時間が長すぎると、欠陥が少なくなる反面、平坦度が悪化してしまうからである。
　次に、図１０を参照して、変形例に係るステージ１５１について説明する。ステージ１５１は、上記の通り、ガラス板２の第２主面２２に対向配置される。ステージ１５１は、ガラス板２の前方に配置される。
　ステージ１５１は、ガスクラスタ１２９を通過させる開口１５１ａを含む。その開口１５１ａは、図１０に示すようにガスクラスタ１２９の照射方向から見て、ガラス板２の周縁に重なるように配置される。ガラス板２の周縁付近にてガスクラスタ１２９とステージ１５１の衝突を抑制でき、その衝突による欠陥の発生を抑制できる。
　ステージ１５１の開口１５１ａは、ガラス板２の周縁に沿って間隔をおいて複数形成されてもよい。開口１５１ａは、隣り合うスペーサ１５５とクランプ１５６の間に配置されてもよいし、隣り合う２つのクランプ１５６の間に配置されてもよい。
　ところで、スペーサ１５５及びクランプ１５６は、少なくとも一部が、ガスクラスタ１２９の照射方向から見て、ガラス板２の外側に配置される。それゆえ、スペーサ１５５及びクランプ１５６にも、ガスクラスタ１２９が衝突しうる。
　そこで、本変形例のステージ１５１は、上記実施形態のシールド板１６１と組み合わせて用いられてもよい。ガスクラスタ１２９の照射方向から見て、スペーサ１５５及びクランプ１５６は、シールド板１６１で覆い隠されてもよい。
　この場合、シールド板１６１は、ガスクラスタ１２９の照射方向から見て、ガラス板２の周縁に沿って間隔をおいて複数配置されてもよい。ガスクラスタ１２９の照射方向から見て、隣り合うシールド板１６１の間には、ステージ１５１の開口１５１ａが配置される。
　次に、図１１を参照して、変形例に係る遮蔽部１６０について説明する。遮蔽部１６０は、ガラス板２の第２主面２２を被覆するマスク１６２、及びガラス板２の端面２３を被覆するマスク１６３を含んでもよい。なお、遮蔽部１６０は、２つのマスク１６２、１６３のうち、少なくとも１つを含めばよい。
　マスク１６２は、ガラス板２の第２主面２２を被覆し、第２主面２２に欠陥を形成する予定の流動物を、第２主面２２との衝突前に遮る。従って、第２主面２２の欠陥の発生を抑制できる。マスク１６２は、本変形例では第２主面２２の全体を覆うが、少なくとも端面２３から第２所定距離以内の部分を覆えばよい。第２所定距離は、スペーサ１５５によって形成されるステージ１５１とガラス板２の隙間の２００％であり、言い換えると、ガラス板２の第２主面２２（前面）からステージ１５１の後面までの距離の２００％である。
　また、マスク１６３は、ガラス板２の端面２３を被覆し、端面２３に欠陥を形成する予定の流動物を、端面２３との衝突前に遮る。従って、端面２３の欠陥の発生を抑制できる。マスク１６３は、本変形例ではガラス板２の周縁全体に亘って端面２３を覆うが、ガラス板２の周縁の少なくとも一部のみで端面２３を覆えばよい。
　マスク１６２、１６３の材質は、ガラス板２の洗浄時に除去可能なものであることが好ましい。ガラス板２の洗浄は、例えばＲＣＡ洗浄などである。スクラブ洗浄が用いられてもよい。スクラブ洗浄は、単独で用いられてもよいし、ＲＣＡ洗浄の一部として用いられてもよい。マスク１６２、１６３は、単層でもよいし、複数層でもよい。
　マスク１６２、１６３は、ガラス板２に接触する層として、樹脂層を含むことが好ましい。樹脂層は、単層でもよいし、複数層でもよい。樹脂層は、少なくともガラス板２との接触面に、フィラー及び粉末を含まない。フィラー及び粉末は、発塵又は傷の原因になるからである。樹脂層は、ガラス板２との接触面だけではなく、内部にも、フィラー及び粉末を含まないことが好ましい。
　樹脂層は、スクラブ洗浄で容易に除去できる。スクラブ洗浄では、ブラシ又はスポンジなどで樹脂層を擦り洗いする。スクラブ洗浄では、洗浄液として、界面活性剤を含むアルカリ性溶液が用いられてもよい。アルカリの作用で除去効率を向上できる。スクラブ洗浄と、超音波洗浄とを併用してもよい。
　なお、本変形例のマスク１６２、１６３は、上記実施形態のシールド板１６１、又は上記変形例のステージ１５１と組み合わせて用いられてもよい。
　次に、図１２を参照して、別の変形例に係る遮蔽部１６０について説明する。遮蔽部１６０は、ガラス板２の端面２３を被覆するマスク１６３を含む。このマスク１６３は、ガラス板２とステージ１５１との隙間をも塞ぐので、第２主面２２の欠陥の発生をも抑制できる。本変形例によれば、図１２に示すマスク１６２が不要であるので、マスク１６２の除去も不要であり、ガラス板２の洗浄が容易である。
　なお、本変形例のマスク１６３は、上記実施形態のシールド板１６１、又は上記変形例のステージ１５１と組み合わせて用いられてもよい。
　以下、実験データについて説明する。下記の例１及び例２が実施例であり、例３が比較例である。
　例１では、図６に示す加工装置１００によってガラス板２の第１主面２１をビーム状のガスクラスタ１２９で加工した。加工条件は、下記の通りであった。
ガラス板２の材質：ＴｉＯ２を含有する石英ガラス
原料ガス：ＣＦ４ガス
加速電圧ＶＡｃｃ：６０ｋＶ
ステージ１５１の材質：アルミニウム
ステージ１５１の形状：図１０の形状
シールド板１６１の材質：アルミニウム
シールド板１６１の形状：図８の形状
マスク１６２、１６３の有無：無。
　例１では、ガスクラスタ１２９がガラス板２の周辺部品であるステージ１５１に衝突するのを、シールド板１６１によって制限した。その結果、ガラス板２の第２主面２２及び端面２３に、アルミニウム粒子（ガスクラスタ１２９の衝突によってステージ１５１から飛び出す粒子）の付着物は目視で確認されなかった。
　例２では、シールド板１６１を使用しなかった点を除き、例１と同じ加工条件で、ガラス板２の第１主面２１をビーム状のガスクラスタ１２９で加工した。例２では、ガスクラスタ１２９の照射方向から見て、ステージ１５１の開口１５１ａとガラス板２の周縁とが重なる領域では、ガラス板２の第２主面２２及び端面２３に、アルミニウム粒子の付着物は目視で確認されなかった。但し、ガスクラスタ１２９の照射方向から見て、ステージ１５１の開口１５１ａとガラス板２の周縁とが重ならない領域では、ガラス板２の第２主面２２及び端面２３に、アルミニウム粒子の付着物が目視で僅かに確認された。
　例３では、シールド板１６１を使用せず、開口１５１ａを有しないステージ１５１を使用した点を除き、例１と同じ加工条件で、ガラス板２の第１主面２１をビーム状のガスクラスタ１２９で加工した。例３では、ガラス板２の周縁全体に亘って、ガラス板２の第２主面２２及び端面２３に、アルミニウム粒子の付着物が目視で確認された。
　例１～例３の結果から、シールド板１６１を使用するか、ステージ１５１に開口１５１ａを形成することで、アルミニウム粒子（ガスクラスタ１２９の衝突によってステージ１５１から飛び出す粒子）の付着を抑制できることが分かる。
　以上、本開示に係るガラス板の加工方法、及び加工装置、並びにＥＵＶＬ用マスクブランクの製造方法について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、及び組み合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。
　例えば、本開示の加工方法及び加工装置で加工される、ガラス板の用途は、ＥＵＶＬには限定されない。ガラス板の用途は、高い平坦度が要求される用途であればよく、例えば医療装置などであってもよい。また、ガラス板のガラス組成は、ガラス板の用途に応じたものであればよい。
　本出願は、２０２０年５月１３日に日本国特許庁に出願した特願２０２０－０８４７２８号に基づく優先権を主張するものであり、特願２０２０－０８４７２８号の全内容を本出願に援用する。
１　　ＥＵＶＬ用マスクブランク
２　　ガラス板
２１　第１主面
２２　第２主面
２３　端面
３　　反射膜
４　　吸収膜
１００　加工装置
１２９　ガスクラスタ
１５０　照射部
１５１　ステージ
１５１ａ　開口
１５２　ステージ移動機構
１５５　スペーサ
１５６　クランプ
１６０　遮蔽部
１６１　シールド板
１６２、１６３　マスク

Claims (12)

  1. 　ビーム状のガスクラスタをガラス板の第１主面に照射することと、
    　前記ガラス板の前記第１主面における前記ガスクラスタの照射点を移動させるべく、前記ガラス板を移動させることと、
    　前記ガラス板と共に移動する遮蔽部で、前記ガラス板の前記第１主面とは反対向きの第２主面及び端面の少なくとも１つに欠陥を形成する予定の流動物を遮ることと、を有する加工方法。
  2. 　前記遮蔽部は、前記ガラス板の前記第１主面に対向配置されるシールド板を含み、
    　前記シールド板は、前記ガスクラスタの照射方向から見て、前記ガラス板の周縁に重なるように配置される、請求項１に記載の加工方法。
  3. 　前記シールド板は、枠状に形成され、前記ガスクラスタの照射方向から見て、前記ガラス板の周縁全体に重なるように配置される、請求項２に記載の加工方法。
  4. 　前記遮蔽部は、前記ガラス板の前記第２主面を被覆するマスク、及び前記ガラス板の前記端面を被覆するマスクの少なくとも１つを含む、請求項１～３のいずれか１項に記載の加工方法。
  5. 　前記ガラス板を保持するステージは、前記ガラス板の前記第２主面に対向配置されており、スペーサを介して前記ガラス板を保持し、
    　前記スペーサは、前記ガラス板と前記ステージの間に隙間を形成する、請求項１～４のいずれか１項に記載の加工方法。
  6. 　前記スペーサの一部は、前記ガスクラスタの照射方向から見て、前記ガラス板の外側に配置される、請求項５に記載の加工方法。
  7. 　前記ガラス板を保持するステージは、前記ガラス板の前記第２主面に対向配置されており、クランプを介して前記ガラス板を保持し、
    　前記クランプの少なくとも一部は、前記ガスクラスタの照射方向から見て、前記ガラス板の外側に配置される、請求項１～６のいずれか１項に記載の加工方法。
  8. 　前記ガラス板を保持するステージは、前記ガラス板の前記第２主面に対向配置されており、前記ガスクラスタを通過させる開口を含み、
    　前記ステージの前記開口は、前記ガスクラスタの照射方向から見て、前記ガラス板の周縁に重なるように配置される、請求項１～７のいずれか１項に記載の加工方法。
  9. 　ビーム状のガスクラスタをガラス板の第１主面に照射することと、
    　前記ガラス板の前記第１主面における前記ガスクラスタの照射点を移動させるべく、前記ガラス板を移動させることと、を有し、
    　前記ガラス板を保持するステージは、前記ガラス板の前記第１主面とは反対向きの第２主面に対向配置されており、前記ガスクラスタを通過させる開口を含み、
    　前記ステージの前記開口は、前記ガスクラスタの照射方向から見て、前記ガラス板の周縁に重なるように配置される、加工方法。
  10. 　請求項１～９のいずれか１項に記載の加工方法を用い、前記ガラス板の前記第１主面を平坦化することと、
    　前記ガラス板の前記第１主面に、ＥＵＶ光を反射する反射膜を形成することと、
    　前記反射膜上に、ＥＵＶ光を吸収する吸収膜を形成することと、
    を有する、ＥＵＶＬ用マスクブランクの製造方法。
  11. 　ガラス板の第１主面にビーム状のガスクラスタを照射する照射部を備え、
    　前記照射部は、
    　前記ガラス板を保持するステージと、
    　前記ガラス板の前記第１主面における前記ガスクラスタの照射点を移動させるべく、前記ステージを移動させるステージ移動機構と、
    　前記ステージと共に移動し、前記ガラス板の前記第１主面とは反対向きの第２主面及び端面の少なくとも１つに欠陥を形成する予定の流動物を遮る遮蔽部と、を有する、加工装置。
  12. 　ガラス板の第１主面にビーム状のガスクラスタを照射する照射部を備え、
    　前記照射部は、
    　前記ガラス板を保持するステージと、
    　前記ガラス板の前記第１主面における前記ガスクラスタの照射点を移動させるべく、前記ステージを移動させるステージ移動機構と、を有し、
    　前記ステージは、前記ガラス板の前記第１主面とは反対向きの第２主面に対向配置されており、前記ガスクラスタを通過させる開口を含み、
    　前記ステージの前記開口は、前記ガスクラスタの照射方向から見て、前記ガラス板の周縁に重なるように配置される、加工装置。
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