WO2021177620A1 - 측면 배선이 형성된 글라스 기판을 구비한 디스플레이 모듈 및 디스플레이 모듈 제조 방법 - Google Patents

측면 배선이 형성된 글라스 기판을 구비한 디스플레이 모듈 및 디스플레이 모듈 제조 방법 Download PDF

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WO2021177620A1
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glass substrate
display module
connection pads
edge region
tft
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이창준
장경운
조광래
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삼성전자주식회사
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    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
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    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Definitions

  • the present disclosure relates to a display module, and more particularly, to a display module in which side wiring is formed in an edge region of a glass substrate, and a method of manufacturing the display module.
  • the display module to which the micro LED (Micro Light Emitting Diode) is applied is bezel-less that can minimize the inactive area where the image is not displayed in order to minimize the visibility of the seam between each display module when multiple display modules are connected. It is manufactured in a (bezelless) type.
  • a driving circuit for driving a TFT (Thin Film Transistor) circuit formed on the front surface of the glass substrate is disposed on the rear surface of the glass substrate.
  • TFT Thin Film Transistor
  • the present disclosure provides a glass substrate having a TFT (Thin Film Transistor) layer disposed on the front surface and a driving circuit for driving the TFT layer disposed on the rear surface; a plurality of LEDs (Light Emitting Diodes) electrically connected to the TFT layer of the glass substrate; a plurality of first connection pads formed in an edge region of the front surface of the glass substrate and electrically connected to a TFT circuit provided in the TFT layer through wiring; a plurality of second connection pads formed in an edge region of the rear surface of the glass substrate and electrically connected to the driving circuit through wirings; and a plurality of grooves formed in a plurality of recesses disposed at intervals on the side surface of the glass substrate so as to be in a position drawn into the inside of the glass substrate rather than the side surface of the glass substrate to electrically connect the first and second connection pads.
  • TFT Thin Film Transistor
  • first and second connection pads are spaced apart a predetermined distance from the side surface of the glass substrate to the inside of the glass substrate, and the plurality of grooves have both sides in the first and second connection pads, respectively. It provides a display module disposed at a corresponding position.
  • Each of the plurality of recesses has a chamfered surface formed on at least one of an edge in contact with the front surface of the glass substrate and an edge in contact with the rear surface of the glass substrate.
  • the chamfered surface may include a first chamfered surface adjacent to each of the plurality of first connection pads; and a second chamfered surface adjacent to each of the plurality of second connection pads.
  • the number of the plurality of grooves may be equal to or greater than the number of the plurality of first connection pads.
  • a pair of electrodes may be formed in the same direction, and the light emission direction may be opposite to the pair of electrodes.
  • the plurality of side wirings may be respectively formed on the front and rear surfaces of the glass substrate, the inner circumferential surface of the recess, and the first and second chamfered surfaces to form one side wiring.
  • Each of the plurality of side wirings may be formed along an inner circumferential surface of the concave groove so as to be in a position drawn into the inside of the glass substrate rather than the side surface of the glass.
  • the plurality of side wirings may be deposited to cover an edge region of the front surface of the glass substrate, an edge region of the rear surface of the glass substrate, a connection pad of the TFT layer, and an inner peripheral surface of the recess, respectively.
  • the present disclosure provides a method for forming a side wiring of a display module including a glass substrate, the method comprising: forming a TFT layer on the glass substrate; forming a mask covering the TFT layer to expose an edge region of the glass substrate; forming a plurality of grooves at regular intervals in the exposed edge region of the glass substrate; forming a conductive layer on an edge region of the glass substrate exposed including the plurality of grooves; removing the mask; removing the conductive layer formed on the side surface of the glass substrate included in the edge region of the glass substrate to form side wiring on the inner circumferential surface of the plurality of recesses; and transferring a plurality of LEDs onto the TFT layer.
  • the forming of the plurality of grooves may include penetrating an upper surface of the glass substrate that is not covered by the mask in the glass substrate to a lower surface of the glass substrate; and chamfering at least one of the corners of the plurality of grooves in contact with the front surface of the glass substrate and the corners of the plurality of grooves in contact with the rear surface of the glass substrate, respectively, to form a chamfered surface.
  • the conductive layer may be formed to cover an edge region on the front surface of the glass substrate, an edge region on the rear surface of the glass substrate, and a connection pad of the TFT layer.
  • the chamfered surface may include a first chamfered surface adjacent to each of the plurality of first connection pads; and a second chamfered surface adjacent to each of the plurality of second connection pads.
  • the first and second chamfered surfaces may be machined to be adjacent to the first and second connection pads formed on the front and rear surfaces of the glass substrate.
  • the forming of the side wiring may include cutting a portion of an edge region of the glass substrate in a direction parallel to the side surface of the glass substrate.
  • the forming of the side wiring may include removing the conductive layer formed other than the plurality of grooves among the conductive layers formed on the entire side surface of the glass substrate with a laser beam.
  • FIG. 1 is a plan view schematically illustrating a display module according to an embodiment of the present disclosure.
  • Fig. 2 is a schematic diagram showing pixels arranged on a TFT layer
  • FIG 3 is a cross-sectional view schematically illustrating a display module according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 4 is an enlarged view illustrating a portion IV shown in FIG. 1 , and is a view showing side wiring formed on a glass substrate.
  • 5A is a flowchart illustrating a manufacturing process of a display module according to an embodiment of the present disclosure.
  • 5B is a flowchart illustrating a manufacturing process of a display module according to an embodiment of the present disclosure, which is different from the manufacturing process illustrated in FIG. 5A in some steps.
  • 6A to 11B are views sequentially illustrating a manufacturing process of a display module according to an embodiment of the present disclosure shown in FIG. 5B .
  • a “module” or “unit” for a component performs at least one function or operation.
  • a “module” or “unit” may perform a function or operation by hardware, software, or a combination of hardware and software.
  • a plurality of “modules” or a plurality of “units” other than a “module” or “unit” that must be performed in specific hardware or are executed in at least one processor may be integrated into at least one module.
  • the singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise.
  • the expression 'same' used to describe the interval between components, the thickness, shape, direction, etc. of the components is within a predetermined error range and may not be exactly the same.
  • the fact that the thickness of one portion of the side wiring is the same as the thickness of another portion of the side wiring means that it is within a numerical range in consideration of an error range that may occur in the step of forming the side wiring.
  • the same pitch between pixels in the display module means that it is within an error range that may occur when transferring LEDs to a target substrate.
  • the fact that a pair of electrodes may be formed in the same direction means that the directions within a certain range may be the same.
  • a micro light emitting diode (micro LED or ⁇ LED) display panel is one of the flat panel display panels and is composed of a plurality of inorganic light emitting diodes (inorganic LEDs) each of 100 micrometers or less.
  • inorganic LEDs inorganic LEDs
  • LCD liquid crystal display
  • microLED display panels offer better contrast, response time and energy efficiency.
  • OLEDs organic light emitting diodes
  • microLEDs which are inorganic light emitting devices, have good energy efficiency.
  • the TFT constituting the TFT layer (or backplane) in relation to the micro LED is not limited to a specific structure or type, for example, the TFT cited in the present disclosure is a LTPS TFT (Low-temperature polycrystalline TFT). Silicon TFT), oxide TFT, Si TFT (poly silicon, a-silicon), organic TFT, graphene TFT, etc. have.
  • a TFT layer having a TFT (Thin Film Transistor) circuit formed thereon may be disposed on the front surface of the glass substrate, and a driving circuit for driving the TFT circuit of the TFT layer may be disposed on the rear surface.
  • the glass substrate may be formed in a quadrangle type. Specifically, the glass substrate may be formed in a rectangular shape or a square shape.
  • the front surface of the glass substrate on which the TFT layer is disposed may be divided into an active region and a non-active region.
  • the active region may correspond to a region occupied by the TFT layer on one surface of the glass substrate, and the inactive region may correspond to a region included in the edge region on one surface of the glass substrate.
  • the edge region of the glass substrate may be a side surface of the glass substrate. Also, the edge region of the glass substrate may be a region remaining except for regions in which circuits (TFT circuits, driving circuits) are formed on the front and rear surfaces of the glass substrate. Also, the edge region of the glass substrate may include a side surface of the glass substrate, a front portion of the glass substrate adjacent to the side surface, and a portion of the rear surface of the glass substrate.
  • connection pad electrically connected to the TFT circuit through a wiring in the front edge region of the glass substrate, and a connection pad electrically connected to the driving circuit through a wiring in the rear edge region may be formed.
  • Each connection pad may be disposed to be drawn into the inside of the glass substrate by a predetermined distance from the side surface of the glass substrate.
  • the glass substrate may include side wirings electrically interconnecting connection pads respectively formed on the front and rear surfaces of the glass substrate.
  • the side wiring is formed in the groove formed on the side surface of the glass substrate, it may be formed at a position introduced into the inside of the glass substrate rather than the outermost portion of the glass substrate.
  • the side wiring may be formed by forming a conductive layer on the entire side surface of the glass substrate including the groove, and then removing the conductive layer in a portion where the groove is not formed.
  • the recess in which the side wiring is formed may form chamfered surfaces at corners adjacent to the front and rear surfaces of the glass substrate, respectively.
  • a portion connecting the inner circumferential surface of the groove and the bottom surface and the rear surface of the glass substrate adjacent to the groove may be gently formed. Accordingly, since the thickness of a portion of the side wiring formed at the edge of the groove may be the same as the thickness of the other portion of the side wiring, it is possible to fundamentally prevent the side wiring from being disconnected at the edge of the groove.
  • a plurality of pixels may be provided in the TFT layer of the glass substrate.
  • Each pixel may consist of a plurality of sub-pixels, and one sub-pixel may correspond to one micro LED.
  • the TFT layer may include TFT circuitry for driving each pixel.
  • the micro LED may be a semiconductor chip made of an inorganic light emitting material and capable of emitting light by itself when power is supplied.
  • the micro LED may have a flip chip structure in which an anode and a cathode electrode are formed on the same surface and a light emitting surface is formed opposite the electrodes.
  • the display module may form a black matrix between a plurality of micro LEDs arranged on the TFT layer.
  • the black matrix may improve the contrast ratio by preventing light from leaking from the periphery of the micro LEDs adjacent to each other.
  • the display module may further include a touch screen panel disposed on a side where a plurality of micro LEDs emit light, and in this case, may include a touch screen driver for driving the touch screen panel.
  • the display module may further include a rear substrate disposed on the rear surface of the glass substrate and electrically connected through a flexible printed circuit (FPC) or the like.
  • the display module may further include a communication device capable of receiving data.
  • the glass substrate on which the micro LED is mounted and the side wiring is formed may be referred to as a display module.
  • a display module can be installed and applied in electronic products or electric fields that require a wearable device, a portable device, a handheld device, and various displays as a single unit, and a plurality of matrix types Through the assembly arrangement of the PC (personal computer) monitor, high-resolution TV and signage (or digital signage), it can be applied to display devices such as electronic display (electronic display).
  • FIG. 1 is a plan view schematically showing a display module according to an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing pixels arranged on a TFT layer
  • FIG. 3 is a schematic view of a display module according to an embodiment of the present disclosure 4 is an enlarged view showing a portion IV shown in FIG. 1 , and is a view showing side wiring formed on a glass substrate.
  • the display module 100 may include a glass substrate 110 .
  • the glass substrate 110 may include a plurality of micro light emitting diodes (LEDs) 161 , 162 , and 163 transferred on the glass substrate.
  • the glass substrate 110 includes a thin film transistor (TFT) layer 112 formed on the front surface of the glass substrate 110 and a wiring (not shown) electrically connecting circuits (not shown) disposed on the rear surface of the glass substrate 110 . city) may be included.
  • TFT thin film transistor
  • the glass substrate 110 includes an active region 110a that displays an image and an inactive region 110a that cannot display an image on its entire surface.
  • the active area 110a may be divided into a plurality of pixel areas in which a plurality of pixels 150 are respectively arranged.
  • Each pixel region 151 may include a sub-pixel region 152 in which a plurality of pixels, that is, a red LED, a green LED, and a blue LED, are mounted, and a pixel circuit region 153 for driving each sub-pixel.
  • a plurality of micro LEDs 161 , 162 , 163 may be transferred to the pixel circuit region 153 of the TFT layer 112 and electrically connected to the electrodes 154 , 155a , 157a , 159a formed in the TFT layer 112 .
  • the common electrode 154 may be formed in a straight line in consideration of the arrangement of the three LEDs 161 , 162 , and 163 arranged side by side.
  • a pixel driving method of the display module 100 may be an AM (Active Matrix) driving method or a PM (Passive Matrix) driving method.
  • the display module 100 may form a wiring pattern to which each micro LED is electrically connected according to an AM driving method or a PM driving method.
  • the non-active area 110b may include an edge area of the front surface of the glass substrate 110 , and a plurality of connection pads 200 may be disposed at regular intervals.
  • connection pads 200 may be formed in the non-active area 110b at intervals. Each of the plurality of connection pads 200 may be electrically connected to each sub-pixel through a wiring 210 . The plurality of connection pads 200 may be respectively disposed in the front edge region and the rear edge region of the glass substrate 110 .
  • connection pads 200 formed in the non-active region 110b may vary according to the number of pixels implemented on the glass substrate, and may vary according to a driving method of the TFT circuit disposed in the active region 110a. For example, compared to a passive matrix (PM) driving method in which a TFT circuit disposed in the active region 110a drives a plurality of pixels in horizontal and vertical lines, an AM (Active Matrix) driving each pixel individually The drive method may require more wiring and connection pads.
  • PM passive matrix
  • AM Active Matrix
  • FIG. 3 only two sub-pixels 161 and 162 of the micro LEDs 161 , 162 , and 163 which are three sub-pixels included in a unit pixel are displayed for convenience.
  • a plurality of micro LEDs 161 , 162 , and 163 may be partitioned by a black matrix 117 , respectively, and a plurality of micro LEDs 161 , 162 , 163 and black
  • a transparent cover layer 119 for protecting the matrix 117 together may be provided.
  • a touch screen panel (not shown) may be stacked on one surface of the transparent cover layer 119 .
  • the plurality of micro LEDs 161 , 162 , and 163 may be made of an inorganic light emitting material and may be a semiconductor chip capable of emitting light by itself when power is supplied.
  • the plurality of micro LEDs 161 , 162 , and 163 may have a flip chip structure in which an anode and a cathode electrode are formed on the same surface and a light emitting surface is formed opposite the electrodes.
  • the plurality of micro LEDs 161 , 162 , and 163 may have a predetermined thickness and may be a square having the same width and length, or a rectangle having different widths and lengths.
  • Such a micro LED can realize Real HDR (High Dynamic Range), improve luminance and black expression, and provide a high contrast ratio compared to OLED.
  • the size of the micro LED may be 100 ⁇ m or less, or preferably 30 ⁇ m or less.
  • the side wiring 300 formed in the non-active region 110b of the glass substrate 110 may be formed in the recess 310 formed in the side surface 121 of the glass substrate.
  • the width of the non-active area 110b is, for example, approximately 0.5 times the pitch, which is the spacing between pixels in the active area, and when connecting a plurality of display modules, the pitch between pixels at the boundary between adjacent display modules is reduced to within a single display module. This is to maintain the same pitch between pixels.
  • the side wiring 300 includes an inner circumferential surface of the recess 310 and a portion of the front surface 123 (corresponding to the inactive region 110b) and a rear surface 125 (refer to FIG. 6b) of the glass substrate 110 (the side surface 121 of the glass substrate). ) may be formed on the rear portion adjacent to the ).
  • the side wiring 300 is formed to lead to a part of the inactive area on the front surface of the glass substrate, the groove, and a part of the rear surface of the glass substrate, and both ends of the connection pads 200 are respectively disposed on the front and rear surfaces of the glass substrate. ) can be electrically connected to.
  • the front and rear surfaces of the glass substrate on which the connection pads 200 are disposed may refer to edge regions of the glass substrate.
  • the edge region includes a side surface 121 of the glass substrate, a portion of the inactive region 110b of the front surface 123 of the glass substrate adjacent to the side surface 121, and a portion of the rear surface 125 of the glass substrate adjacent to the side surface 121.
  • the side wiring 300 may electrically connect the TFT circuit of the TFT layer 112 formed on the front surface of the glass substrate 110 and the driving circuit formed on the rear surface of the glass substrate 110 .
  • connection pad 200 has one end 201 spaced apart from the side surface 121 of the glass substrate by a predetermined distance L inside the glass substrate, and the other end 203 is connected to a wiring 210 electrically connected to the TFT circuit.
  • the reason that the one end 201 of the connection pad 200 is spaced apart by a predetermined distance L is in consideration of the distance from the recess 310 in which the side wiring 300 is formed.
  • the distance L is preferably in contact with or adjacent to the groove 310 to minimize the length of the side wiring 300 on the front and rear surfaces of the glass substrate.
  • the side wiring 300 is formed in the groove 310 as shown in FIG. 4 so as not to be formed in the outermost portion of the glass substrate 110 , and is not formed in the side surface 121 of the glass substrate other than the groove 310 . In this way, since the side wiring 300 is not formed on the outermost side of the glass substrate 110, the side wiring ( 300) can be protected from scratches and static electricity.
  • the concave groove 310 may have chamfered surfaces 312 formed at respective corners adjacent to the front and rear surfaces of the glass substrate.
  • the chamfered surface 312 may be formed during a hole forming process for forming the concave groove 310 , and may be formed by a separate processing process, for example, grinding after forming the concave through hole processing.
  • the portion connected to the groove 310 on the front surface 123 and the rear surface 125 of the substrate is not sharp and a gentle surface is provided.
  • the thickness of one portion of the side wiring 300 formed at the edge of the recess 310 is not thinner than the thickness of the other portion of the side wiring 300 and may be formed to be the same or similar. Accordingly, it is possible to fundamentally prevent the problem that the side wiring 300 is disconnected at the edge of the recess 310 .
  • the chamfered surface 312 of the concave groove 310 may be formed to be inclined at a predetermined angle with respect to the front or rear surface of the glass substrate 110 , respectively.
  • the groove 310 may be located closer to the connection pad 200 than before the chamfered surface 312 is formed by machining the chamfered surface 312 .
  • one end 201 of the connection pad formed on the front surface 123 of the glass substrate may maintain a distance t close to the chamfer surface 312 .
  • one end 201 of the connection pad may be in contact with the chamfered surface 312 according to the angle or length of the chamfered surface 312 to be machined.
  • the connection pads formed on the rear surface 125 of the glass substrate may also be spaced apart from or contact the chamfer surface in contact with the rear surface 125 of the glass substrate at a close interval t.
  • groove 310 may be formed with a fillet surface (not shown) processed to a predetermined curvature instead of the chamfer surface 312 .
  • the edge of the recess 310 is formed on the edge of the recess 310 by processing the chamfered surface 312 to prevent disconnection of the side wiring 300 .
  • a portion of the side wiring 300 formed on the chamfered surface is formed to have a predetermined thickness (for example, the same thickness as the thickness of the other portion of the side wiring), so that it can suppress the occurrence of disconnection. can be formed.
  • the edge of the concave groove 310 is formed at a substantially right angle, there is a structurally weak problem such as being broken by external impact and processing.
  • the chamfer surface 312 is formed in the recess 310 , the bottom surface of the glass substrate and the chamfer surface in contact with the bottom surface of the glass substrate form an obtuse angle, and the rear surface of the glass substrate and the chamfer surface in contact with the rear surface of the glass substrate are obtuse angles. As a result, it is possible to maintain a structurally stable state.
  • the glass substrate 110 undergoes various processes after forming the side wiring 300 .
  • high heat is often applied to the glass substrate 110 , which causes the glass substrate 110 and the side wiring 300 to thermally expand.
  • the glass substrate 110 and the side wiring 300 are made of different materials, their coefficients of thermal expansion are also different. Accordingly, as the edge of the recess 310 is formed at a right angle due to thermal expansion of the glass substrate 110 and the side wiring 300 , a lot of stress is generated, which may cause the edge of the recess 310 to be damaged. As the edge of the recess 310 is damaged, a part of the side wiring 300 located at the edge of the recess 310 may be disconnected.
  • a mask (not shown) is sequentially formed on the front surface 123 and the rear surface 125 of the glass substrate through a masking process, respectively. do (S2).
  • both edges of the groove 310 are processed through chamfering to form the chamfered surface 312 ( S3 ).
  • a conductive layer (not shown) is deposited on the entire side surface 121 of the glass substrate including the recess 310 and on partial regions of the front and rear surfaces of the glass substrate that are not covered by the mask ( S4 ).
  • the remaining conductive layers except for the conductive layer formed in each groove among the conductive layers formed on the entire side surface 121 of the glass substrate are removed using a laser processing apparatus (not shown) (S5). Specifically, the remaining conductive layer is irradiated with a laser beam and removed to leave the conductive layer in each recess. The conductive layer remaining in each groove without being removed in this way is used as the side wiring 300 .
  • a plurality of micro LEDs are transferred to the TFT layer 112 of the glass substrate (S7) to the display module ( 100) can be formed.
  • FIG. 5B is a flowchart showing a manufacturing process of a display module according to an embodiment of the present disclosure, which is different from the manufacturing process shown in FIG. 5A in some steps, and FIG. 6A is a glass substrate in a state before forming side wiring It is a plan view showing a part of , and FIG. 6B is a side view viewed in the direction of arrow VI shown in FIG. 6A .
  • a glass substrate 110 having a TFT layer 112 formed thereon is prepared (S11).
  • the side wiring 300 is formed at regular intervals in the edge region of the front surface 123 , which is the non-active region 110b .
  • the side wiring 300 is electrically connected to the other end 203 through the TFT circuit provided in the TFT layer 112 and the wiring 210 .
  • One end 201 of the connection pad 200 is spaced apart by a predetermined distance L from the cutting line CL of the glass substrate 110 .
  • the glass substrate 110 is removed from the glass substrate 110 before the micro LED transfer process from the cutting line CL to the portion corresponding to the outermost side 121 of the glass substrate 110 .
  • connection pads identical to those of the above-described connection pads 200 may be formed at regular intervals on the rear surface 125 of the glass substrate.
  • One end of the connection pad formed on the rear surface 125 of the glass substrate may be spaced apart from the cutting line CL by a predetermined distance L, and the other end is electrically connected to the driving circuit disposed on the rear surface 125 of the glass substrate. It may be electrically connected to the wiring.
  • FIG. 7A is a plan view showing a portion of the front surface of a glass substrate on which a mask is formed
  • FIG. 7B is a side view viewed in the direction of arrow VII shown in FIG. 7A .
  • a mask 410 is sequentially formed on the front surface 123 and the rear surface 125 of the glass substrate through a masking process (S12).
  • the mask 410 is formed so as not to have a region 420 in which the side wiring 300 is to be formed on the front surface 123 and the rear surface 125 of the glass substrate. A portion of the connection pad 200 is included in this region 420 , and then the side wiring 300 formed on the glass substrate 110 by a conductive layer deposition process is deposited while covering the connection pad 200 to be connected. Electrical connection with the pad 200 is possible.
  • the horizontal length A1 of the region 420 not covered by the mask 410 is at least greater than the width W of the connection pad 200
  • the vertical length A2 is a portion (preferably) of the connection pad 200 . is sufficient as long as it can include 1/2 or more of the length of the connection pad from one end of the connection pad, and the horizontal and vertical lengths A1 and A2 of the region 420 are between the connection pad 200 and the side wiring 300 . It may be set in consideration of the contact area.
  • the mask 410 is not formed on the side surface 121 of the glass substrate. Accordingly, the mask 410 is formed by two-dimensional (planar) masking, respectively, on the front surface 123 and the rear surface 125 of the glass substrate.
  • FIG. 8A is a plan view showing a part of the front surface of the glass substrate in which a groove is machined on the side surface of the glass substrate and the edge of the groove is chamfered
  • FIG. 8B is a side view viewed from the arrow VIII direction shown in FIG. 8A.
  • both edges of the groove 310 are processed through chamfering to form the chamfered surface 312 . to form (S13).
  • the groove 310 is formed to correspond to the plurality of connection pads 200 of the glass substrate 110, respectively, and the TFT layer formed on the front surface of the glass substrate and the driving circuit disposed on the rear surface of the glass substrate according to the circuit designer's selection It may be additionally formed for wiring (not shown) for a separate electrical connection between
  • the number of the grooves 310 may be the same as or greater than the number of the receiving pads 200 .
  • the concave groove 310 formed by hole processing may have a substantially semicircular cross-section or may be formed in a cylindrical shape.
  • the groove 310 formed in the side surface 121 of the glass substrate may be formed in a direction penetrating the front surface 123 and the rear surface 125 of the glass substrate.
  • the hole processing performed on the side surface 121 of the glass substrate may be formed to have a diameter that includes the cutting line CL.
  • Hole processing may be processed in different ways depending on the diameter of the groove 310 .
  • the diameter of the groove 310 is at least 150 ⁇ m, it can be processed using a drill, and when the diameter of the recess 310 is at least 50 ⁇ m, it can be processed by irradiating a laser beam.
  • the chamfered surface 312 may be formed by chamfering edges where the inner peripheral surface 314 of the concave groove 310 and the front 123 and rear 125 of the glass substrate contact each other.
  • FIG. 9A is a plan view illustrating a portion of the front surface of the glass substrate showing a state in which a conductive layer is deposited on the glass substrate
  • FIG. 9B is a side view viewed in the direction of arrow IX shown in FIG. 9A .
  • the glass substrate 110 has the entire side surface 121 including the groove 310 and a partial region 420 of the front and rear surfaces of the glass substrate that are not covered by the mask 410 .
  • a conductive layer 500 is deposited (S14).
  • the conductive layer 500 is for forming the side wiring 300 , and may be deposited on the glass substrate 110 through sputtering, for example.
  • a conductive layer may be formed with a uniform thickness in a region of the glass substrate 110 that is not covered by the mask 410 .
  • the conductive layer 500 formed on a portion of the front surface 123 and a portion of the rear surface 125 of the glass substrate covers the connection pad 200 .
  • the conductive layer 500 to be deposited on the chamfered surface 312 may be formed to have the same or similar thickness than that deposited on other portions of the glass substrate 110 . Accordingly, it is possible to solve the disconnection of the side wiring 300 at the edge of the recess 310 .
  • the conductive layer 500 is formed on the glass substrate 110 by sputtering, the present disclosure is not limited thereto, and the conductive layer may be formed by any one of methods such as plating, screen printing, and stamping. Even when the conductive layer is formed through these processes, the conductive layer is not formed in the area masked by the glass substrate 110 .
  • FIG. 10A is a plan view showing a portion of the front surface of the glass substrate in a state in which the mask is removed
  • FIG. 10B is a side view viewed from the arrow X direction shown in FIG. 10A .
  • the conductive layer 500 includes a side surface 121 of the glass substrate, a chamfered surface 312 and an inner peripheral surface 314 of the groove, and a part of the front surface 123 and a rear surface ( 125) exists in some.
  • FIG. 11A is a plan view illustrating a portion of the front surface of the glass substrate in a state in which a portion of the glass substrate is removed
  • FIG. 11B is a side view viewed from the arrow direction shown in FIG. 11A .
  • the imaginary cutting line CL displayed on the glass substrate 110 is removed to the outermost side of the glass substrate ( S16 ).
  • the process of removing a part of the glass substrate 110 as described above may be performed by irradiating a laser beam along the cutting line CL. In addition, it is also possible to remove a portion of the glass substrate through a grinding process.
  • the remaining conductive layers are removed from among the conductive layers 500 formed on the side surface 121 of the glass substrate except for the conductive layer formed in the recess 310 .
  • the side wiring 300 in the form of connecting the inner peripheral surface 314 and the chamfered surface 312 of the recess 310, a portion of the front surface 123 of the glass substrate, and a portion of the rear surface 125 of the glass substrate may be provided. have.
  • the side wiring may be formed without removing a part of the glass substrate.
  • the remaining conductive layers excluding the conductive layers formed on the inner peripheral surface of the plurality of recesses 310 among the conductive layers formed on the entire side surface of the glass substrate are irradiated with a laser beam from the side surface of the glass substrate.
  • the conductive layer formed on the inner circumferential surface of the plurality of grooves may form a side wiring.
  • the side wiring 300 is not located at the outermost portion of the glass substrate 110 as the portion formed on the side surface of the glass substrate 110 is formed on the inner circumferential surface 314 of the recess 310 . Accordingly, since the side wiring 300 is not affected by or minimally affected by static electricity applied from the outside, the TFT circuit of the glass substrate can be protected from static electricity, and the side wiring 300 is caused by scratches applied to the side surface of the glass substrate. This disconnection can be prevented.
  • a plurality of micro LEDs are transferred to the TFT layer 112 of the glass substrate (S17) to form the display module 100 can do.
  • the method of transferring the micro LED may be performed through any one of a laser transfer method, a spamming transfer method, or a pick and place method.
  • a plurality of side wirings 300 may be disposed to face an upper edge region and a lower edge region of the glass substrate 110 as shown in FIG. 1 .
  • the present invention is not limited thereto, and the plurality of side wirings 300 may be disposed to face the left edge region and the right edge region of the glass substrate 110 , respectively.
  • the plurality of side wirings 300 are disposed in an edge region of one of the four sides of the glass substrate 110 and an edge region of the other side adjacent to the edge region.
  • the side wiring 300 is formed in the recess 310 introduced into the inside of the glass substrate from the side surface of the glass substrate 110 , an insulating film (not shown) for protecting the side wiring 300 is formed on the glass substrate. It may not be formed on the side 121 of In this case, the insulating layer may cover a portion of the side wiring 300 positioned on the front surface 123 and the rear surface 125 of the glass substrate.
  • the large display device manufactured by interconnecting the display modules 100 can maximize the advantages of the modular display by suppressing the visibility of the core between the display modules 100 .
  • an insulating layer (not shown) may be formed even on the side surface 121 of the glass substrate to a thickness that does not affect the seam.
  • the present disclosure relates to a display module in which side wiring is formed in an edge region of a glass substrate, and a method of manufacturing the display module.

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Abstract

측면 배선이 형성된 글라스 기판을 구비한 디스플레이 모듈 및 디스플레이 모듈 제조 방법이 개시된다. 디스플레이 모듈은, 전면에 TFT 층이 배치되고 후면에 TFT 층을 구동하기 위한 구동 회로가 배치된 글라스 기판과, 글라스 기판의 TFT 층에 전기적으로 연결된 다수의 LED와, 글라스 기판의 전면의 에지 영역에 형성되어 배선을 통해 TFT 층에 구비된 TFT 회로와 전기적으로 연결된 다수의 제1 접속 패드와, 글라스 기판의 후면의 에지 영역에 형성되어 배선을 통해 구동 회로와 전기적으로 연결된 다수의 제2 접속 패드와, 글라스 기판의 측면보다 글라스 기판의 내측으로 인입된 위치에 있도록 글라스 기판의 측면에 간격을 두고 배치되는 다수의 요홈에 형성되어 제1 및 제2 접속 패드를 전기적으로 연결하는 다수의 측면 배선을 포함하며, 제1 및 제2 접속 패드는 글라스 기판의 측면으로부터 글라스 기판의 내측으로 일정 거리 이격되고, 다수의 요홈은 각각 양측이 제1 및 제2 접속 패드에 대응하는 위치에 배치된다.

Description

측면 배선이 형성된 글라스 기판을 구비한 디스플레이 모듈 및 디스플레이 모듈 제조 방법
본 개시는 디스플레이 모듈에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 글라스 기판의 에지 영역에 측면 배선을 형성한 디스플레이 모듈 및 디스플레이 모듈 제조 방법에 관한 것이다.
마이크로 LED(Micro Light Emitting Diode)를 적용한 디스플레이 모듈은 다수의 디스플레이 모듈을 연결하는 경우 각 디스플레이 모듈 간 심(seam)이 시인되는 것을 최소화 하기 위해 영상이 표시되지 않는 비활성 영역을 최소화할 수 있는 베젤리스(bezelless) 타입으로 제작되고 있다.
베젤리스 타입의 디스플레이 모듈을 구현하기 위해, 글라스 기판(glass substrate)의 전면에 형성되는 TFT(Thin Film Transistor) 회로를 구동하기 위한 구동 회로를 글라스 기판의 후면에 배치한다. 이 경우 TFT 회로와 구동 회로를 전기적으로 상호 연결하기 위해, 글라스 기판의 에지 영역에 측면 배선을 형성하거나 글라스 기판의 전면 및 후면을 관통하는 관통홀을 통한 배선 형성이 필수적이다.
종래에는 측면 배선을 형성하기 위해, 도전성 페이스트의 전사, 테이프 혹은 스탬핑을 활용한 마스킹 및 스퍼터링, 도전성 잉크를 사용한 배선의 인쇄, 도전층 형성 후 화학적, 물리적인 방법을 통한 부분적 에칭 등의 공정을 진행하였다. 그런데 이와 같은 측면 배선 공정들은 측면 배선이 글라스 기판의 저면, 측면 및 후면을 따라 입체적으로 형성되어야 하므로 측면 배선을 형성하기 전 3차원 마스킹 공정을 진행하였다. 하지만 3차원 마스킹 공정은 기술 난이도가 높기 때문에 측면 배선 간 미세 피치의 구현 등이 어려워 수율 향상을 기대할 수 없다.
또한 측면 배선은 글라스 기판의 최외곽에 형성되므로 스크래치 및 정전기에 취약하여 이를 위한 추가적인 공정이 필요하다.
또한 관통홀을 이용하여 TFT 회로와 구동 회로 간 전기적인 연결을 수행하는 경우 수십 마이크로미터의 미세한 관통홀의 내부에 강건한 도전층을 형성하는 것이 쉽지 않을 뿐 아니라, 글라스 기판의 전면에 TFT 회로가 형성된 상태에서 관통홀을 가공하고 관통홀 내에 도전층을 형성하는 공정으로 인해 고 비용 발생은 물론 수율을 향상시키기 어려운 문제가 있었다.
본 개시의 목적은, 측면 배선이 글라스 기판의 최외곽으로부터 글라스 기판의 내측으로 인입되는 위치에 측면 배선을 형성한 글라스 기판을 구비하는 디스플레이 모듈과 디스플레이 모듈의 제조 방법을 제공한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 개시는, 전면에 TFT(Thin Film Transistor) 층이 배치되고 후면에 상기 TFT 층을 구동하기 위한 구동 회로가 배치된 글라스 기판; 상기 글라스 기판의 TFT 층에 전기적으로 연결된 다수의 LED(Light Emitting Diode); 상기 글라스 기판의 전면의 에지 영역에 형성되어 배선을 통해 상기 TFT 층에 구비된 TFT 회로와 전기적으로 연결된 다수의 제1 접속 패드; 상기 글라스 기판의 후면의 에지 영역에 형성되어 배선을 통해 상기 구동 회로와 전기적으로 연결된 다수의 제2 접속 패드; 및 상기 글라스 기판의 측면보다 상기 글라스 기판의 내측으로 인입된 위치에 있도록 상기 글라스 기판의 측면에 간격을 두고 배치되는 다수의 요홈에 형성되어 상기 제1 및 제2 접속 패드를 전기적으로 연결하는 다수의 측면 배선;을 포함하며, 상기 제1 및 제2 접속 패드는 상기 글라스 기판의 측면으로부터 상기 글라스 기판의 내측으로 일정 거리 이격되고, 상기 다수의 요홈은 각각 양측이 상기 제1 및 제2 접속 패드에 대응하는 위치에 배치되는 디스플레이 모듈을 제공한다.
상기 다수의 요홈은 각각 상기 글라스 기판의 전면과 접하는 모서리와 상기 글라스 기판의 후면에 접하는 모서리의 적어도 하나에 챔퍼면이 형성된다.
상기 챔퍼면은, 상기 다수의 제1 접속 패드 각각에 인접한 제 1 챔퍼면; 및 상기 다수의 제2 접속 패드 각각에 인접한 제 2 챔퍼면;을 포함할 수 있다.
상기 다수의 요홈의 개수는 상기 다수의 제1 접속 패드의 개수와 같거나 더 많은 개수로 형성될 수 있다.
상기 다수의 LED는 각각 한 쌍의 전극이 동일한 방향으로 형성되고, 발광 방향은 상기 한 쌍의 전극들의 반대 방향일 수 있다.
상기 다수의 측면 배선은 각각, 상기 글라스 기판의 전면과 후면, 상기 요홈의 내주면 및 상기 제1 및 제2 챔퍼면에 형성되어 하나의 측면 배선을 이룰 수 있다.
상기 다수의 측면 배선은 각각, 상기 글라스의 측면보다 상기 글라스 기판의 내측으로 인입된 위치에 있도록 상기 요홈의 내주면을 따라 형성될 수 있다.
상기 다수의 측면 배선은 각각, 상기 글라스 기판의 전면의 에지 영역과, 상기 글라스 기판의 후면의 에지 영역과, 상기 TFT 층의 접속 패드 및 상기 요홈의 내주면을 덮도록 증착 형성될 수 있다.
또한, 본 개시는, 글라스 기판을 포함하는 디스플레이 모듈의 측면 배선 형성 방법에 있어서, 글라스 기판에 TFT 층을 형성하는 단계; 상기 글라스 기판의 에지 영역이 노출되도록 상기 TFT 층을 덮는 마스크를 형성하는 단계; 노출된 상기 글라스 기판의 에지 영역에 일정 간격으로 다수의 요홈을 형성하는 단계; 상기 다수의 요홈을 포함하여 노출된 상기 글라스 기판의 에지 영역에 도전층을 형성하는 단계; 상기 마스크를 제거하는 단계; 상기 글라스 기판의 에지 영역에 포함되는 상기 글라스 기판의 측면에 형성된 도전층을 제거하여 상기 다수의 요홈의 내주면에 측면 배선이 형성되도록 하는 단계; 및 상기 TFT 층 상에 다수의 LED를 전사하는 단계;를 포함하는 디스플레이 모듈의 제조 방법을 제공함으로써, 상기 목적을 달성할 수 있다.
상기 다수의 요홈을 형성하는 단계는, 상기 글라스 기판에서 상기 마스크에 의해 가려지지 않은 상기 글라스 기판의 상면을 상기 글라스 기판의 하면까지 관통하는 단계; 및 상기 글라스 기판의 전면에 각각 접하는 상기 다수의 요홈의 모서리와, 상기 글라스 기판의 후면에 각각 접하는 상기 다수의 요홈의 모서리 중에서 적어도 하나를 챔퍼링하여 챔퍼면을 형성할 수 있다.
상기 도전층은, 상기 글라스 기판의 전면의 에지 영역과, 상기 글라스 기판의 후면의 에지 영역과, 상기 TFT 층의 접속 패드를 덮도록 형성될 수 있다.
상기 챔퍼면은, 상기 다수의 제1 접속 패드 각각에 인접한 제 1 챔퍼면; 및 상기 다수의 제2 접속 패드 각각에 인접한 제 2 챔퍼면;을 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 챔퍼면은 상기 글라스 기판의 전면 및 후면에 형성된 제1 및 제2 접속 패드와 인접하도록 가공할 수 있다.
상기 측면 배선이 형성되도록 하는 단계는, 상기 글라스 기판의 에지 영역의 일부를 상기 글라스 기판의 측면에 평행한 방향으로 커팅할 수 있다.
또한, 상기 측면 배선이 형성되도록 하는 단계는, 상기 글라스 기판의 측면 전체에 형성된 도전층 가운데 상기 다수의 요홈 외에 형성된 도전층을 레이저 빔으로 제거할 수 있다.
도 1은 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 모듈을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 TFT 층 상에 배열된 픽셀을 나타낸 개략도이다.
도 3은 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 모듈을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4는 도 1에 표시된 Ⅳ 부분을 나타낸 확대도로, 글라스 기판에 형성된 측면 배선을 나타낸 도면이다.
도 5a는 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 모듈의 제조 공정을 나타낸 흐름도이다.
도 5b는 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 모듈의 제조 공정을 나타낸 흐름도로서, 도 5a의 도시된 제조 공정과 일부 단계에서 차이가 있는 흐름도다.
도 6a 내지 도 11b는 도 5b에 도시된 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 모듈의 제조 공정을 순차적으로 나타낸 도면들이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 다양한 실시 예를 보다 상세하게 설명한다. 본 명세서에 기재된 실시 예는 다양하게 변형될 수 있다. 특정한 실시 예가 도면에서 묘사되고 상세한 설명에서 자세하게 설명될 수 있다. 그러나, 첨부된 도면에 개시된 특정한 실시 예는 다양한 실시 예를 쉽게 이해하도록 하기 위한 것일 뿐이다. 따라서, 첨부된 도면에 개시된 특정 실시 예에 의해 기술적 사상이 제한되는 것은 아니며, 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 균등물 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성요소들은 상술한 용어에 의해 한정되지는 않는다. 상술한 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 명세서에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
한편, 본 명세서에서 사용되는 구성요소에 대한 "모듈" 또는 "부"는 적어도 하나의 기능 또는 동작을 수행한다. 그리고, "모듈" 또는 "부"는 하드웨어, 소프트웨어 또는 하드웨어와 소프트웨어의 조합에 의해 기능 또는 동작을 수행할 수 있다. 또한, 특정 하드웨어에서 수행되어야 하거나 적어도 하나의 프로세서에서 수행되는 "모듈" 또는 "부"를 제외한 복수의 "모듈들" 또는 복수의 "부들"은 적어도 하나의 모듈로 통합될 수도 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 개시에서, 각 구성을 설명함에 있어 구성 간 간격, 구성의 두께, 형상, 방향 등을 설명할 때 사용하는 '동일하다'는 표현은 소정의 오차 범위 내에 있다는 것으로 완전 동일한 것이 아닐 수 있다. 예를 들면, 측면 배선의 일 부분의 두께가 측면 배선의 다른 부분의 두께와 동일하게 이루어진다는 것은 측면 배선을 형성하는 단계에서 발생할 수 있는 오차 범위를 감안한 수치 범위 내에 있다는 것을 의미한다. 또한, 디스플레이 모듈 내에 픽셀 간 피치가 동일하다는 것은 타겟 기판에 LED 전사 시 발생할 수 있는 오차 범위 내에 있다는 것을 의미한다. 또한, 다수의 LED는 각각 한 쌍의 전극이 동일한 방향으로 형성될 수 있다는 것은 일정 범위 내의 방향은 동일할 수 있음을 의미한다.
그 밖에도, 본 개시를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 개시의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그에 대한 상세한 설명은 축약하거나 생략한다.
본 개시에서, 마이크로 발광 다이오드(마이크로 LED 또는 μLED) 디스플레이 패널은 평판 디스플레이 패널 중 하나로 각각 100 마이크로미터 이하인 복수의 무기 발광 다이오드(inorganic LED)로 구성되어 있다. 백라이트가 필요한 액정 디스플레이(LCD) 패널에 비해 마이크로LED 디스플레이 패널은 더 나은 대비, 응답 시간 및 에너지 효율을 제공한다. 유기발광다이오드(organic LED)와 무기 발광 소자인 마이크로LED는 모두 에너지 효율이 좋지만 마이크로LED는 OLED보다 밝기, 발광효율, 수명이 길다.
본 개시에서, 마이크로 LED 관련하여 TFT 층(또는 백 플레인(backplane))을 구성하는 TFT 는 특정 구조나 타입으로 한정되지 않는다, 예를 들면, 본 개시에서 인용된 TFT는 LTPS TFT(Low-temperature polycrystalline silicon TFT) 외 oxide TFT 및 Si TFT(poly silicon, a-silicon), 유기 TFT, 그래핀 TFT 등으로도 구현될 수 있으며, Si 웨이퍼 CMOS 공정에서 P 타입(or N 타입) MOSFET만 만들어 적용할 수도 있다.
본 개시에서, 글라스 기판은 전면에 TFT(Thin Film Transistor) 회로가 형성된 TFT 층이 배치되고, 후면에 TFT 층의 TFT 회로를 구동하기 위한 구동 회로가 배치될 수 있다. 글라스 기판은 사각형(quadrangle type)으로 형성될 수 있다.　 구체적으로, 글라스 기판은 직사각형(rectangle) 또는 정사각형(square)으로 형성될 수 있다.
본 개시에서, TFT 층이 배치된 글라스 기판의 전면은 활성 영역과 비활성 영역으로 구분될 수 있다. 활성 영역은 글라스 기판의 일면에서 TFT 층이 점유하는 영역에 해당할 수 있고, 비활성 영역은 글라스 기판의 일면에서 에지 영역에 포함되는 영역에 해당할 수 있다.
본 개시에서, 글라스 기판의 에지 영역은 글라스 기판의 측면일 수 있다. 또한 글라스 기판의 에지 영역은 글라스 기판의 전면 및 후면에 회로(TFT 회로, 구동 회로)가 형성된 영역을 제외한 나머지 영역일 수 있다. 또한 글라스 기판의 에지 영역은 글라스 기판의 측면과 이 측면에 인접한 글라스 기판의 전면 일부와 글라스 기판의 후면 일부를 포함할 수 있다.
본 개시에서, 글라스 기판은 전면의 에지 영역에 배선을 통해 TFT 회로와 전기적으로 연결되는 접속 패드와, 후면의 에지 영역에 배선을 통해 구동 회로와 전기적으로 연결되는 접속 패드가 형성될 수 있다. 각 접속 패드는 글라스 기판의 측면으로부터 글라스 기판 내측으로 일정한 거리만큼 인입되어 배치될 수 있다.
본 개시에서, 글라스 기판은 글라스 기판의 전면 및 후면에 각각 형성된 접속 패드들을 전기적으로 상호 연결하는 측면 배선을 포함할 수 있다.
본 개시에서, 측면 배선은 글라스 기판의 측면에 형성된 요홈에 형성됨에 따라 글라스 기판의 최외곽보다 글라스 기판의 내측으로 인입된 위치에 형성될 수 있다. 측면 배선은 요홈을 포함한 글라스 기판의 측면 전체에 도전층을 형성한 후, 요홈이 형성되지 않은 부분의 도전층을 제거함으로써 형성할 수 있다.
본 개시에서, 측면 배선이 형성된 요홈은 글라스 기판의 전면 및 후면에 각각 인접한 모서리들에 챔퍼면을 형성할 수 있다. 요홈에 챔퍼면을 형성함에 따라, 요홈의 내주면과 요홈에 인접한 글라스 기판의 저면 및 후면의 연결되는 부분이 완만하게 형성될 수 있다. 이에 따라 요홈의 모서리에 형성되는 측면 배선의 일 부분의 두께가 측면 배선의 다른 부분의 두께와 동일하게 형성될 수 있으므로 요홈의 모서리 부분에서 측면 배선이 단선되는 것을 원천적으로 방지할 수 있다.
본 개시에서, 글라스 기판의 TFT 층에는 다수의 픽셀이 구비될 수 있다. 각 픽셀은 다수의 서브 픽셀로 이루어질 수 있으며, 하나의 서브 픽셀은 하나의 마이크로 LED에 대응할 수 있다. TFT 층에는 각 픽셀을 구동하기 위한 TFT 회로를 포함할 수 있다. 마이크로 LED는 무기 발광물질로 이루어지고, 전원이 공급되는 경우 스스로 광을 발산할 수 있는 반도체 칩일 수 있다. 또한, 상기 마이크로 LED는 애노드 및 캐소드 전극이 동일 면에 형성되고 발광면이 상기 전극들 반대편에 형성된 플립칩(Flip chip) 구조를 가질 일 수 있다.　
본 개시에서, 디스플레이 모듈은 TFT 층 상에 배열된 다수의 마이크로 LED 사이로 블랙 매트릭스를 형성할 수 있다. 블랙 매트릭스는 서로 인접한 마이크로 LED의 주변부에서 광이 누설하는 것을 차단하여 명암비(Contrast ratio)를 향상시킬 수 있다.
본 개시에서, 디스플레이 모듈은 다수의 마이크로 LED가 발광하는 측에 배치되는 터치 스크린 패널을 더 포함할 수 있으며 이 경우, 터치 스크린 패널을 구동하기 위한 터치 스크린 구동부를 포함할 수 있다. 또한, 디스플레이 모듈은 글라스 기판의 후면에 배치되며 FPC(Flexible Printed Circuit) 등을 통해 전기적으로 연결되는 후방 기판을 더 포함할 수 있다. 또한, 디스플레이 모듈은 데이터를 수신할 수 있는 통신장치를 더 포함할 수 있다.
이와 같이 본 개시에서는 마이크로 LED가 실장되고 측면 배선이 형성된 글라스 기판을 디스플레이 모듈로 칭할 수 있다. 이와 같은 디스플레이 모듈은 단일 단위로 웨어러블 기기(wearable device), 포터블 기기(portable device), 핸드헬드 기기(handheld device) 및 각종 디스플레이가 필요가 전자 제품이나 전장에 설치되어 적용될 수 있으며, 메트릭스 타입으로 복수의 조립 배치를 통해 PC(personal computer)용 모니터, 고해상도 TV 및 사이니지(signage)(또는, 디지털 사이니지(digital signage)), 전광판(electronic display) 등과 같은 디스플레이 장치에 적용될 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 개시의 일 실시 예에 따른 측면 배선이 형성된 글라스 기판을 구비한 디스플레이 모듈을 상세히 설명한다.
도 1은 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 모듈을 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 2는 TFT 층 상에 배열된 픽셀을 나타낸 개략도이고, 도 3은 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 모듈을 개략적으로 나타낸 단면도이고, 도 4는 도 1에 표시된 Ⅳ 부분을 나타낸 확대도로, 글라스 기판에 형성된 측면 배선을 나타낸 도면이다.
도 1내지 도 3을 참조하면, 본 개시에 따른 디스플레이 모듈(100)은 글라스 기판(110)을 포함할 수 있다.
글라스 기판(110)은 글라스 기판 상에 전사된 다수의 마이크로 LED(Micro Light emitting diode)(161, 162, 163)를 포함할 수 있다. 글라스 기판(110)은 글라스 기판(110)의 전면에 형성된 TFT(Thin Film Transistor) 층(112)과, 글라스 기판(110)의 후면 배치된 회로들(미도시)을 전기적으로 연결하는 배선(미도시)을 포함할 수 있다. 글라스 기판(110)은 전면에 영상을 표현하는 활성 영역(110a)과 영상을 표현할 수 없는 비활성 영역(110a)을 포함한다.
활성 영역(110a)은 다수의 픽셀(150)이 각각 배열되는 다수의 픽셀 영역으로 구획될 수 있다.
다수의 픽셀 영역은 다양한 형태로 구획될 수 있으며, 일 예로서 매트릭스 형태로 구획될 수 있다. 각 픽셀 영역(151)은 다수의 화소 즉, 적색 LED, 녹색 LED, 청색 LED가 실장되는 서브 픽셀 영역(152)과, 각 서브 픽셀을 구동하기 위한 픽셀 회로 영역(153)을 포함할 수 있다.
다수의 마이크로 LED(161, 162, 163)는 TFT 층(112)의 픽셀 회로 영역(153)에 전사되며 TFT 층(112)에 형성된 전극들(154, 155a, 157a, 159a)에 전기적으로 연결될 수 있다. 공통 전극(154)은 나란히 배열된 3개의 LED(161, 162, 163)의 배열을 고려하여 직선 형태로 형성될 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 모듈(100)의 픽셀 구동 방식은 AM(Active Matrix) 구동 방식 또는 PM(Passive Matrix) 구동 방식일 수 있다. 디스플레이 모듈(100)은 AM 구동 방식 또는 PM 구동 방식에 따라 각 마이크로 LED가 전기적으로 접속되는 배선의 패턴을 형성할 수 있다.
비활성 영역(110b)은 글라스 기판(110)의 전면의 에지 영역을 포함할 수 있으며, 다수의 접속 패드(200)가 일정한 간격을 두고 배치될 수 있다.
글라스 기판(110)은 도 4와 같이 비활성 영역(110b)에 다수의 접속 패드(200)가 간격을 두고 형성될 수 있다. 다수의 접속 패드(200)는 각각 배선(210)을 통해 각 서브 픽셀과 전기적으로 연결될 수 있다. 다수의 접속 패드(200)는 글라스 기판(110)의 전면의 에지 영역과 후면의 에지 영역에 각각 배치될 수 있다.
비활성 영역(110b)에 형성되는 접속 패드(200)의 개수는 글라스 기판에 구현되는 픽셀의 개수에 따라 달라질 수 있고, 활성 영역(110a)에 배치된 TFT 회로의 구동 방식에 따라 달라질 수 있다. 예를 들면, 활성 영역(110a)에 배치된 TFT 회로가 가로 라인 및 세로 라인으로 다수의 픽셀을 구동하는 PM(Passive Matrix) 구동 방식인 경우에 비해 각 픽셀을 개별적으로 구동하는 AM(Active Matrix) 구동 방식이 더 많은 배선과 접속 패드가 필요할 수 있다.
도 3에서는 편의상 단위 픽셀에 포함되는 3개의 서브 픽셀인 마이크로 LED들(161, 162, 163) 중 2개의 서브 픽셀들(161, 162)만 표시한다.
도 3을 참조하면, 디스플레이 모듈(100)은 다수의 마이크로 LED(161, 162, 163)가 각각 블랙 매트릭스(117)에 의해 구획될 수 있으며, 다수의 마이크로 LED(161, 162, 163)와 블랙 매트릭스(117)를 함께 보호하기 위한 투명 커버층(119)을 구비할 수 있다. 이 경우, 투명 커버층(119)의 일면에는 터치 스크린 패널(미도시)이 적층하여 배치될 수도 있다.
다수의 마이크로 LED(161, 162, 163)는 무기 발광물질로 이루어지고, 전원이 공급되는 경우 스스로 광을 발산할 수 있는 반도체 칩일 수 있다. 또한, 다수의 마이크로 LED(161, 162, 163)는 애노드 및 캐소드 전극이 동일 면에 형성되고 발광면이 상기 전극들 반대편에 형성된 플립칩(Flip chip) 구조를 가질 일 수 있다. 또한, 다수의 마이크로 LED(161, 162, 163)는 소정의 두께를 가지며 폭과 길이가 동일한 정사각형이거나, 폭과 길이가 상이한 직사각형으로 이루어질 수 있다. 이와 같은 마이크로 LED는 Real HDR(High Dynamic Range) 구현이 가능하고 OLED 대비 휘도 및 블랙 표현력 향상 및 높은 명암비를 제공할 수 있다. 마이크로 LED의 크기는 100㎛이하이거나 바람직하게는 30㎛ 이하일 수 있다.
도 4를 참조하면, 글라스 기판(110)의 비활성 영역(110b)에 형성된 측면 배선(300)은 글라스 기판의 측면(121)에 형성된 요홈(310)에 형성될 수 있다.
비활성 영역(110b)의 폭은, 일 예로서 활성 영역의 픽셀 간의 간격인 피치의 대략 0.5배이며, 이는 다수의 디스플레이 모듈을 연결할 때 서로 인접한 디스플레이 모듈 간의 경계에 있는 픽셀 간의 피치를 단일 디스플레이 모듈 내 픽셀 간의 피치와 동일하게 유지하기 위함이다.
요홈(310)은 글라스 기판의 측면(121)으로부터 글라스 기판(110)의 내측으로 소정 깊이만큼 인입되도록 형성될 수 있다. 일 예로서 요홈(310)의 깊이는 디스플레이 모듈 내 픽셀 간의 간격인 피치의 0.2배보다 작으며, 바람직하게는 약 0.125배 내외이다.
측면 배선(300)은 요홈(310)의 내주면과 글라스 기판(110)의 전면(123) 일부(비활성 영역(110b)에 해당) 및 후면(125, 도 6b 참조) 일부(글라스 기판의 측면(121)에 인접한 후면 부분에 해당)에 형성될 수 있다.
이 경우, 측면 배선(300)은 글라스 기판의 전면의 비활성 영역의 일부, 요홈 및 글라스 기판의 후면의 일부로 이어지도록 형성되며, 양단이 각각 글라스 기판의 전면 및 후면에 각각 배치된 접속 패드들(200)에 전기적으로 연결될 수 있다.
여기서 접속 패드들(200)이 배치되는 글라스 기판의 전면 및 후면은 글라스 기판의 에지 영역을 의미할 수 있다. 에지 영역은 글라스 기판의 측면(121)과, 측면(121)에 인접한 글라스 기판의 전면(123)의 비활성 영역(110b)의 일부와, 측면(121)에 인접한 글라스 기판의 후면(125) 일부를 포함할 수 있다.　
이에 따라 측면 배선(300)은 글라스 기판(110)의 전면에 형성된 TFT 층(112)의 TFT 회로와 글라스 기판(110)의 후면에 형성된 구동 회로를 전기적으로 연결할 수 있다.
접속 패드(200)는 일단(201)이 글라스 기판의 측면(121)으로부터 글라스 기판 내측으로 소정 거리(L)만큼 이격되고, 타단(203)이 TFT 회로와 전기적으로 연결되는 배선(210)에 접속될 수 있다.
접속 패드(200)의 일단(201)이 소정 거리(L)로 이격된 것은 측면 배선(300)이 형성되는 요홈(310) 과의 간격을 고려한 것이다. 예를 들면, 상기 거리(L)는 요홈(310)과 닿아 있거나 인접하게 배치되어 글라스 기판의 전면 및 후면 상에서 측면 배선(300)의 길이를 최소화할 수 있는 정도가 바람직하다.
측면 배선(300)은 글라스 기판(110)의 최외곽에 형성되지 않도록 도 4와 같이 요홈(310) 내에 형성되고 요홈(310)이 아닌 글라스 기판의 측면(121)에는 형성되지 않는다. 이와 같이, 측면 배선(300)이 글라스 기판(110)의 최외곽에 형성되지 않게 되므로, 디스플레이 모듈(100)을 제작, 이송, 취급 시에 작업자의 손 또는 작업 기구와의 접촉에 의한 측면 배선(300)을 스크래치 및 정전기로부터 보호할 수 있다.
요홈(310)은 글라스 기판의 전면 및 후면에 각각 인접한 모서리들에 각각 챔퍼면(312)이 형성될 수 있다.
챔퍼면(312)은 요홈(310)을 형성하기 위한 홀 가공 공정 중에 형성될 수 있고, 홀 가공을 통해 요홈을 형성한 후에 별도 처리 공정 예를 들면, 그라인딩 가공으로 형성될 수 있다.
이와 같이 요홈(310)의 모서리들을 가공하여 형성한 챔퍼면(312)에 의해 기판의 전면(123) 및 후면(125)에서 요홈(310)과 연결되는 부분이 날카롭지 않고 완만한 면이 마련된다. 이 경우, 요홈(310)의 모서리에 형성되는 측면 배선(300)의 일 부분의 두께는 측면 배선(300)의 다른 부분의 두께보다 얇지 않고 동일하거나 비슷하게 형성될 수 있다. 따라서, 요홈(310)의 모서리 부분에서 측면 배선(300)이 단선되는 문제를 원천적으로 방지할 수 있다.
요홈(310)의 챔퍼면(312)은 글라스 기판(110)의 전면 또는 후면에 대하여 각각 소정 각도로 경사지게 형성될 수 있다.
이 경우, 요홈(310)은 챔퍼면(312)의 가공에 의해 챔퍼면(312)이 형성되기 전보다 접속 패드(200)와 더 가깝게 위치할 수 있다. 예를 들면, 도 4와 같이 글라스 기판의 전면(123)에 형성된 접속 패드의 일단(201)은 챔퍼면(312)과 가까운 간격(t)을 유지할 수 있다. 또한, 가공되는 챔퍼면(312)의 각도나 길이에 따라서 접속 패드의 일단(201)은 챔퍼면(312)과 접할 수도 있다. 도면에 도시하지는 않았으나, 글라스 기판의 후면(125)에 형성된 접속 패드 역시 글라스 기판의 후면(125)에 접하는 챔퍼면과 가까운 간격(t)으로 이격되거나 접할 수 있다.
또한, 요홈(310)은 챔퍼면(312) 대신에 소정 곡률로 가공된 필렛면(Fillet surface)(미도시)이 형성될 수도 있다.
이와 같이 요홈(310)의 모서리는 측면 배선(300)의 단선을 방지하기 위해 챔퍼면(312)을 가공함에 따라, 요홈(310)의 모서리 상에 측면 배선(300)이 형성될 수 있는 영역을 최대한 넓게 확보할 수 있다. 이에 따라, 챔퍼면에 형성된 측면 배선(300)의 일부는 소정 두께(예를 들면, 측면 배선의 다른 부분의 두께와 동일한 두께)를 가지도록 형성됨에 따라 단선이 발생하는 것을 억제할 수 있는 두께로 형성될 수 있다.
또한, 요홈(310)의 모서리는 대략 직각으로 형성되므로 외부 충격 및 가공에 의해 깨지는 등 구조적으로 취약한 문제가 있다. 본 개시에서는 요홈(310)에 챔퍼면(312)을 형성함에 따라 글라스 기판의 저면과 글라스 기판의 저면에 접하는 챔퍼면이 둔각을 이루고, 글라스 기판의 후면과 글라스 기판의 후면에 접하는 챔퍼면이 둔각을 이룸에 따라 구조적으로 안정적인 상태를 유지할 수 있다.
또한, 글라스 기판(110)은 측면 배선(300)을 형성한 후에 다양한 공정을 거치게 된다. 이러한 공정 중 글라스 기판(110)에는 높은 열이 가해지는 경우가 많고 이로 인해 글라스 기판(110)과 측면 배선(300)이 열팽창하게 된다. 글라스 기판(110)과 측면 배선(300)은 재질이 서로 상이하므로 열팽창률 역시 상이하다. 따라서 글라스 기판(110)과 측면 배선(300)의 열팽창에 의해 요홈(310)의 모서리가 직각으로 형성됨에 따라 많은 스트레스가 발생하고, 이로 인해 요홈(310)의 모서리가 파손될 수 있다. 요홈(310)의 모서리가 파손되면서 요홈(310)의 모서리에 위치한 측면 배선(300)의 일부가 단선될 수 있다. 본 개시에서는 요홈(310)의 모서리를 가공하여 소정 면적을 가지는 챔퍼면(312)을 형성함으로써 요홈(310)의 모서리에 가해지는 스트레스를 완화함으로써 측면 배선(300)의 단선을 최소화하여 제품의 신뢰성을 확보할 수 있다.
이하, 도 5a를 참조하여 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 모듈의 제조 공정을 개략적으로 설명한다.
먼저, 전면에 TFT 층(112)이 형성된 글라스 기판(110)을 준비한 후(S1), 글라스 기판의 전면(123)과 후면(125)에 각각 마스킹 공정을 통해 순차적으로 마스크(미도시)를 형성한다(S2).
이어서, 글라스 기판의 측면(121)에 홀 가공을 통해 요홈(310)을 형성한 후, 챔퍼링을 통해 요홈(310)의 양측 모서리를 가공하여 챔퍼면(312)을 형성한다(S3).
이어서, 요홈(310)을 포함하는 글라스 기판의 측면(121) 전체와 마스크에 의해 가려지지 않은 글라스 기판의 전면 및 후면의 일부 영역에 도전층(미도시)을 증착한다(S4).
이어서, 레이저 가공 장치(미도시)를 이용하여 글라스 기판의 측면(121) 전체에 형성된 도전층 가운데 각 요홈에 형성된 도전층을 제외한 나머지 도전층을 제거한다(S5). 구체적으로, 레이저 빔을 상기 나머지 도전층에 조사하여 제거함으로써 각 요홈 내의 도전층을 남긴다. 이렇게 제거되지 않고 각 요홈에 남은 도전층을 측면 배선(300)으로 사용된다.
이어서, 글라스 기판(110)의 전면(123) 및 후면(125)에 형성된 마스크를 모두 제거한 후(S6), 글라스 기판의 TFT 층(112)에 다수의 마이크로 LED를 전사하여(S7) 디스플레이 모듈(100)을 형성할 수 있다.
이하, 도 5b와 도 6a 내지 도 11b를 참조하여, 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 모듈의 제조 공정을 순차적으로 상세히 설명한다.
도 5b는 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 모듈의 제조 공정을 나타낸 흐름도로서 도 5a의 도시된 제조 공정과 일부 단계에서 차이가 있는 흐름도이고, 도 6a는 측면 배선을 형성하기 전 상태의 글라스 기판의 일부를 나타낸 평면도이고, 도 6b는 도 6a에 표시된 화살표 Ⅵ 방향에서 바라본 측면도이다.
먼저, 전면에 TFT 층(112)이 형성된 글라스 기판(110)을 준비한다(S11). 글라스 기판(110)은 비활성 영역(110b)인 전면(123)의 에지 영역에 일정한 간격을 두고 측면 배선(300)이 형성된다.
측면 배선(300)은 TFT 층(112)에 마련된 TFT 회로와 배선(210)을 통하여 타단(203)이　전기적으로 접속된다. 접속 패드(200)는 일단(201)이 글라스 기판(110)의 커팅 라인(CL)으로부터 소정 거리(L)만큼 이격된다. 글라스 기판(110)은 커팅 라인(CL)부터 글라스 기판(110)의 최외곽인 측면(121)에 해당하는 부분까지 마이크로 LED 전사 공정 전에 글라스 기판(110)으로부터 제거된다.
도면에 도시하지 않았으나, 글라스 기판의 후면(125)에는 전술한 접속 패드(200)와 동일한 접속 패드가 일정한 간격으로 다수 형성될 수 있다. 글라스 기판의 후면(125)에 형성되는 접속 패드는 일단이 커팅 라인(CL)부터 소정 거리(L)이 격될 수 있고, 타단이 글라스 기판의 후면(125)에 배치된 구동 회로에 전기적으로 접속되는 배선과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 7a는 마스크를 형성한 글라스 기판의 전면의 일부를 나타낸 평면도이고, 도 7b는 도 7a에 표시된 화살표 Ⅶ 방향에서 바라본 측면도이다.
도 7a를 참조하면, 글라스 기판의 전면(123)과 후면(125)에 각각 마스킹 공정을 통해 순차적으로 마스크(410)를 형성한다(S12).
　이 경우, 마스크(410)는 글라스 기판의 전면(123) 및 후면(125)에서 측면 배선(300)이 형성될 영역(420)을 가지지 않도록 형성된다. 이 영역(420)에는 접속 패드(200)의 일부가 포함되며, 이후 도전층 증착 공정에 의해 글라스 기판(110)에 형성되는 측면 배선(300)이 접속 패드(200)를 덮는 상태로 증착되어 접속 패드(200)와 전기적인 연결이 가능하게 된다.
마스크(410)에 의해 가려지지 않은 영역(420)의 가로 길이(A1)는 적어도 접속 패드(200)의 폭(W)보다 크고, 세로 길이(A2)는 접속 패드(200)의 일부(바람직하게는 접속 패드의 일단으로부터 접속 패드 길이의 1/2 이상이 포함될 수 있는 길이이면 족하다. 상기 영역(420)의 가로 및 세로 길이(A1, A2)는 접속 패드(200)와 측면 배선(300) 간의 접촉 면적을 고려하여 설정될 수 있다.
도 7b를 참조하면, 마스크(410)는 글라스 기판의 측면(121)에는 형성하지 않는다. 따라서, 마스크(410)는 글라스 기판의 전면(123)과 후면(125) 각각 2차원(평면) 마스킹으로 형성된다.
도 8a는 글라스 기판의 측면에 요홈을 가공하고 요홈의 모서리를 챔퍼링한 글라스 기판의 전면의 일부를 나타낸 평면도이고, 도 8b는 도 8a에 표시된 화살표 Ⅷ 방향에서 바라본 측면도이다.
도 8a 및 도 8b를 참조하면, 글라스 기판의 측면(121)에 홀 가공을 통해 요홈(310)을 형성한 후, 챔퍼링을 통해 요홈(310)의 양측 모서리를 가공하여 챔퍼면(312)을 형성한다(S13).
이때 요홈(310)은 글라스 기판(110)의 복수의 접속 패드(200)에 각각 대응되어 형성되고, 회로 설계자의 선택에 따라 글라스 기판의 전면에 형성된 TFT 층과 글라스 기판의 후면에 배치되는 구동 회로 간의 별도의 전기적 연결을 위한 배선(미도시)을 위해 추가로 형성될 수 있다,
따라서 요홈(310)의 개수는 접수 패드(200)의 개수와 같거나 많을 수 있다.
홀 가공에 의해 형성되는 요홈(310)은 횡단면이 대략 반원 형상으로 형성되거나, 원주 형상으로 형성될 수 있다.
글라스 기판의 측면(121)에 형성되는 요홈(310)은 글라스 기판의 전면(123) 및 후면(125)을 관통하는 방향으로 형성될 수 있다. 이 경우, 글라스 기판의 측면(121)에 수행되는 홀 가공은 커팅 라인(CL)을 포함하는 정도의 직경으로 형성될 수 있다.
홀 가공은 요홈(310)의 직경에 따라 다른 방법으로 가공할 수 있다. 예를 들면, 요홈(310)의 직경이 최하 150㎛인 경우 드릴을 사용하여 가공할 수 있으며, 요홈(310)의 직경이 최하 50㎛인 경우 레이저 빔을 조사하여 가공할 수 있다.
챔퍼면(312)은 요홈(310)의 내주면(314)과 글라스 기판의 전면(123) 및 후면(125)이 각각 접하는 모서리를 챔퍼링 함으로써 형성될 수 있다.
도 9a는 글라스 기판에 도전층을 증착한 상태를 나타낸 글라스 기판의 전면의 일부를 나타낸 평면도이고, 도 9b는 도 9a에 표시된 화살표 Ⅸ 방향에서 바라본 측면도이다.
도 9a 및 도 9b를 참조하면, 글라스 기판(110)은 요홈(310)을 포함하는 측면(121) 전체와 마스크(410)에 의해 가려지지 않은 글라스 기판의 전면 및 후면의 일부 영역(420)에 도전층(500)을 증착한다(S14).
도전층(500)은 측면 배선(300)을 형성하기 위한 것으로, 예를 들면, 스퍼터링을 통해 글라스 기판(110)에 증착 형성될 수 있다.　
글라스 기판(110)에서 마스크(410)의 의해 가려지지 않은 영역에 도전층이 균일한 두께로 형성될 수 있다. 이 경우 글라스 기판의 전면(123) 일부 및 후면(125) 일부에 형성된 도전층(500)은 접속 패드(200)를 덮는다.
챔퍼면(312)에는 증착 형성되는 도전층(500)은 글라스 기판(110)의 다른 부분에 증착되는 두께보다 얇지 않고 동일하거나 비슷한 두께로 형성될 수 있다. 따라서, 요홈(310)의 모서리 부분에서 측면 배선(300)이 단선되는 것을 해결할 수 있다.　
본 개시에서는, 도전층(500)을 스퍼터링을 이용하여 글라스 기판(110)에 형성한 것으로 설명하지만, 이에 제한되지 않고 도금, 스크린 인쇄, 스탬핑 등의 방법 중 어느 하나로 도전층을 형성할 수 있다. 이러한 공정들을 통해 도전층을 형성하는 경우에도 글라스 기판(110)에 마스킹된 영역에는 도전층이 형성되지 않는다.
도 10a는 마스크를 제거한 상태의 글라스 기판의 전면의 일부를 나타낸 평면도이고, 도 10b는 도 10a에 표시된 화살표 X 방향에서 바라본 측면도이다.
도 10a 및 도 10b를 참조하면, 글라스 기판(110)은 전면(123) 및 후면(125)에 형성된 마스크(410)를 모두 제거한다(S15).
마스크(410)가 제거된 상태에서, 도전층(500)은 글라스 기판의 측면(121)과, 요홈의 챔퍼면(312) 및 내주면(314)과, 글라스 기판의 전면(123) 일부 및 후면(125) 일부에 존재한다.
도 11a는 글라스 기판의 일부를 제거한 상태의 글라스 기판의 전면의 일부를 나타낸 평면도이고, 도 11b는 도 11a에 표시된 화살표 방향에서 바라본 측면도이다.
도 11a 및 도 11b를 참조하면, 글라스 기판(110)에 표시된 가상의 커팅 라인(CL)을 기준으로 글라스 기판의 최외곽 측까지 제거한다(S16).　
상기와 같이 글라스 기판(110)의 일부를 제거하는 공정은 커팅 라인(CL)을 따라 레어저 빔을 조사하여 수행될 수 있다. 또한, 그라인딩 공정을 통해 글라스 기판의 일부를 제거하는 것도 가능하다.
이와 같이, 글라스 기판(110)의 일부를 제거하면, 글라스 기판의 측면(121)에 형성된 도전층(500) 가운데 요홈(310)에 형성된 도전층을 제외한 나머지 도전층이 제거된다.
이에 따라, 요홈(310)의 내주면(314) 및 챔퍼면(312), 글라스 기판의 전면(123) 일부, 글라스 기판의 후면(125) 일부를 연결하는 형태의 측면 배선(300)이 마련될 수 있다.
한편, 본 개시에서는 글라스 기판의 일부를 제거하지 않고 측면 배선을 형성할 수 있다. 예를 들면, 마스크(410)를 제거하기 전에 글라스 기판의 측면 전체에 형성된 도전층 가운데 다수의 요홈(310)의 내주면에 형성된 도전층을 제외한 나머지 도전층을 레이저 빔을 조사하여 글라스 기판의 측면으로부터 제거할 수 있다. 이에 따라 다수의 요홈의 내주면에 형성된 도전층은 측면 배선을 이룰 수 있다. 이 경우, 마스크(410)는 레이저 빔을 이용하여 글라스 기판의 측면으로부터 다수의 요홈 외에 존재하는 도전층을 제거한 후에 제거하는 것이 바람직하다.
이와 같이 측면 배선(300)은 글라스 기판(110)의 측면에 형성된 부분은 요홈(310)의 내주면(314)에 형성됨에 따라, 글라스 기판(110)의 최외곽에 위치하지 않는다. 이에 따라, 측면 배선(300)은 외부에서 인가되는 정전기에 영향이 없거나 최소로 받게 되므로 정전기로부터 글라스 기판의 TFT 회로를 보호할 수 있고, 글라스 기판의 측면에 가해지는 스크래치 등에 의해 측면 배선(300)이 단선되는 것을 방지할 수 있다.
상기한 바와 같은 공정을 통해 글라스 기판(110)에 측면 배선(300)을 형성한 후, 글라스 기판의 TFT 층(112)에 다수의 마이크로 LED를 전사하여(S17), 디스플레이 모듈(100)을 형성할 수 있다.
마이크로 LED를 전사하는 방법은 레이저 전사 방법, 스팸핑 전사 방법 또는 픽 앤드 플레이스 방법 중 어느 하나를 통해 수행될 수 있다.
한편, 본 개시에서는 다수의 측면 배선(300)이 도 1과 같이 글라스 기판(110)의 상측의 에지 영역과 하측의 에지 영역에 마주하도록 배치될 수 있다.
하지만, 이에 제한되지 않고, 다수의 측면 배선(300)은 글라스 기판(110)의 좌측의 에지 영역과 우측의 에지 영역에 각각 마주하도록 배치될 수 있다.
또한, 다수의 측면 배선(300)은 글라스 기판(110)의 4변 중 어느 한 변의 에지 영역과 이 에지 영역에 인접한 다른 한 변의 에지 영역에 배치되는 것도 물론 가능하다.
본 개시에서는, 측면 배선(300)을 글라스 기판(110)의 측면으로부터 글라스 기판의 내측으로 인입된 요홈(310)에 형성하므로, 측면 배선(300)을 보호하기 위한 절연막(미도시)을 글라스 기판의 측면(121)에는 형성하지 않을 수도 있다. 이 경우, 절연막은 글라스 기판의 전면(123) 및 후면(125)에 위치한 측면 배선(300)의 일부를 덮을 수 있다.
이에 따라 디스플레이 모듈(100)을 상호 연결하여 제작한 대형 디스플레이 장치는 디스플레이 모듈(100)간 심이 시인되는 것을 억제함으로써 모듈형 디스플레이의 장점을 극대화할 수 있다. 하지만 경우에 따라 글라스 기판의 측면(121)에도 심에 영향을 주지 않는 정도의 두께로 절연막(미도시)을 형성할 수도 있다.
이상에서는 본 개시의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 개시는 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 개시의 요지를 벗어남이 없이 본 개시에 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 개시의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되서는 안될 것이다.
본 개시는 글라스 기판의 에지 영역에 측면 배선을 형성한 디스플레이 모듈 및 디스플레이 모듈 제조 방법에 관한 것이다.

Claims (15)

  1. 전면에 TFT(Thin Film Transistor) 층이 배치되고 후면에 상기 TFT 층을 구동하기 위한 구동 회로가 배치된 글라스 기판;
    상기 글라스 기판의 TFT 층에 전기적으로 연결된 다수의 LED(Light Emitting Diode);
    상기 글라스 기판의 전면의 에지 영역에 형성되어 배선을 통해 상기 TFT 층에 구비된 TFT 회로와 전기적으로 연결된 다수의 제1 접속 패드;
    상기 글라스 기판의 후면의 에지 영역에 형성되어 배선을 통해 상기 구동 회로와 전기적으로 연결된 다수의 제2 접속 패드; 및
    상기 글라스 기판의 측면보다 상기 글라스 기판의 내측으로 인입된 위치에 있도록 상기 글라스 기판의 측면에 간격을 두고 배치되는 다수의 요홈에 형성되어 상기 제1 및 제2 접속 패드를 전기적으로 연결하는 다수의 측면 배선;을 포함하며,
    상기 제1 및 제2 접속 패드는 상기 글라스 기판의 측면으로부터 상기 글라스 기판의 내측으로 일정 거리 이격되고,
    상기 다수의 요홈은 각각 양측이 상기 제1 및 제2 접속 패드에 대응하는 위치에 배치되는 디스플레이 모듈.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 다수의 요홈은 각각 상기 글라스 기판의 전면과 접하는 모서리와 상기 글라스 기판의 후면에 접하는 모서리의 적어도 하나에 챔퍼면이 형성되는 디스플레이 모듈.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 챔퍼면은,
    상기 다수의 제1 접속 패드 각각에 인접한 제 1 챔퍼면; 및
    상기 다수의 제2 접속 패드 각각에 인접한 제 2 챔퍼면;을 포함하는 디스플레이 모듈.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 다수의 요홈의 개수는 상기 다수의 제1 접속 패드의 개수와 같거나 더 많은 개수로 형성되는 디스플레이 모듈.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 다수의 LED는 각각 한 쌍의 전극이 동일한 방향으로 형성되고, 발광 방향은 상기 한 쌍의 전극들의 반대 방향인 디스플레이 모듈.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 다수의 측면 배선은 각각,
    상기 글라스 기판의 전면과 후면, 상기 요홈의 내주면 및 상기 제1 및 제2 챔퍼면에 형성되어 하나의 측면 배선을 이루는 디스플레이 모듈.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 다수의 측면 배선은 각각,
    상기 글라스의 측면보다 상기 글라스 기판의 내측으로 인입된 위치에 있도록 상기 요홈의 내주면을 따라 형성된 디스플레이 모듈.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 다수의 측면 배선은 각각,
    상기 글라스 기판의 전면의 에지 영역과, 상기 글라스 기판의 후면의 에지 영역과, 상기 TFT 층의 접속 패드 및 상기 요홈의 내주면을 덮도록 증착 형성된 디스플레이 모듈.
  9. 글라스 기판을 포함하는 디스플레이 모듈의 측면 배선 형성 방법에 있어서,
    글라스 기판에 TFT 층을 형성하는 단계;
    상기 글라스 기판의 에지 영역이 노출되도록 상기 TFT 층을 덮는 마스크를 형성하는 단계;
    노출된 상기 글라스 기판의 에지 영역에 일정 간격으로 다수의 요홈을 형성하는 단계;
    상기 다수의 요홈을 포함하여 노출된 상기 글라스 기판의 에지 영역에 도전층을 형성하는 단계;
    상기 마스크를 제거하는 단계;
    상기 글라스 기판의 에지 영역에 포함되는 상기 글라스 기판의 측면에 형성된 도전층을 제거하여 상기 다수의 요홈의 내주면에 측면 배선이 형성되도록 하는 단계; 및
    상기 TFT 층 상에 다수의 LED를 전사하는 단계;를 포함하는 디스플레이 모듈의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 다수의 요홈을 형성하는 단계는,
    상기 글라스 기판에서 상기 마스크에 의해 가려지지 않은 상기 글라스 기판의 상면을 상기 글라스 기판의 하면까지 관통하는 단계; 및
    상기 글라스 기판의 전면에 각각 접하는 상기 다수의 요홈의 모서리와, 상기 글라스 기판의 후면에 각각 접하는 상기 다수의 요홈의 모서리 중에서 적어도 하나를 챔퍼링하여 챔퍼면을 형성하는 디스플레이 모듈의 제조 방법.
  11. 제10항 있어서,
    상기 도전층은,
    상기 글라스 기판의 전면의 에지 영역과, 상기 글라스 기판의 후면의 에지 영역과, 상기 TFT 층의 접속 패드를 덮도록 형성되는 디스플레이 모듈의 제조 방법.
  12. 제10항 있어서,
    상기 챔퍼면은,
    상기 다수의 제1 접속 패드 각각에 인접한 제 1 챔퍼면과, 상기 다수의 제2 접속 패드 각각에 인접한 제 2 챔퍼면을 이루는 디스플레이 모듈의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 챔퍼면은 상기 글라스 기판의 전면 및 후면에 형성된 제1 및 제2 접속 패드와 인접하도록 가공하는 디스플레이 모듈의 제조 방법.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 측면 배선이 형성되도록 하는 단계는,
    상기 글라스 기판의 에지 영역의 일부를 상기 글라스 기판의 측면에 평행한 방향으로 커팅하는 디스플레이 모듈의 제조 방법.
  15. 제9항에 있어서,
    상기 측면 배선이 형성되도록 하는 단계는,
    상기 글라스 기판의 측면 전체에 형성된 도전층 가운데 상기 다수의 요홈 외에 형성된 도전층을 레이저 빔으로 제거하는 디스플레이 모듈의 제조 방법.
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