WO2021166491A1 - 検出装置 - Google Patents

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WO2021166491A1
WO2021166491A1 PCT/JP2021/000697 JP2021000697W WO2021166491A1 WO 2021166491 A1 WO2021166491 A1 WO 2021166491A1 JP 2021000697 W JP2021000697 W JP 2021000697W WO 2021166491 A1 WO2021166491 A1 WO 2021166491A1
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WO
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optical fiber
detection
optical
optical sensor
detection device
Prior art date
Application number
PCT/JP2021/000697
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English (en)
French (fr)
Inventor
和己 松永
敏行 日向野
Original Assignee
株式会社ジャパンディスプレイ
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    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B5/00—Measuring for diagnostic purposes; Identification of persons
    • A61B5/02—Detecting, measuring or recording pulse, heart rate, blood pressure or blood flow; Combined pulse/heart-rate/blood pressure determination; Evaluating a cardiovascular condition not otherwise provided for, e.g. using combinations of techniques provided for in this group with electrocardiography or electroauscultation; Heart catheters for measuring blood pressure
    • A61B5/026—Measuring blood flow
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B5/00—Measuring for diagnostic purposes; Identification of persons
    • A61B5/117—Identification of persons
    • A61B5/1171—Identification of persons based on the shapes or appearances of their bodies or parts thereof
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/04—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings formed by bundles of fibres
    • G02B6/06—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings formed by bundles of fibres the relative position of the fibres being the same at both ends, e.g. for transporting images
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device

Definitions

  • the present invention relates to a detection device.
  • Patent Document 1 describes an optical biometric information measuring device that measures a glucose concentration in a subject's body.
  • the optical biometric information measuring device of Patent Document 1 accurately detects biometric information by bringing the optical measuring head into close contact with the arm of the person to be measured.
  • Optical detection devices including biosensors, need to properly guide light to the photosensor element.
  • the detection accuracy may decrease due to vibration or misalignment of the person to be measured.
  • An object of the present invention is to provide a detection device capable of appropriately guiding light to an optical sensor element.
  • the detection device of one aspect of the present invention is configured by bundling a substrate, a plurality of optical sensor elements arranged on the substrate and outputting a signal corresponding to the irradiated light, and a plurality of optical fibers.
  • the optical fiber bundle has a second adhesive layer provided on the second surface of the above, and the elastic coefficient of the optical fiber bundle is lower than the elastic coefficient of at least one of the first adhesive layer and the second adhesive layer.
  • FIG. 1 is a perspective view schematically showing a detection device according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view showing the detection device according to the embodiment.
  • FIG. 3 is a block diagram showing a configuration example of the detection device according to the embodiment.
  • FIG. 4 is a circuit diagram showing a detection element.
  • FIG. 5 is a plan view schematically showing a detection element of the detection device according to the embodiment.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line VI-VI'of FIG.
  • FIG. 7 is a plan view schematically showing the arrangement relationship between the optical fiber bundle and the detection element.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line VIII-VIII'of FIG.
  • FIG. 9 is an enlarged cross-sectional view of one optical fiber of FIG. FIG.
  • FIG. 10 is a plan view schematically showing the arrangement relationship between the optical fiber bundle and the detection element in a state where the position of the object to be detected is displaced.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view taken along the line XI-XI'of FIG.
  • FIG. 12 is a plan view schematically showing the arrangement relationship between the optical fiber bundle and the detection element of the detection device according to the first modification.
  • FIG. 13 is a plan view schematically showing the arrangement relationship between the optical fiber bundle and the detection element of the detection device according to the second modification.
  • FIG. 14 is a side view showing an example of using the biological information measurement of the detection device according to the third modification.
  • FIG. 15 is a side view showing an example of using the biological information measurement of the detection device according to the fourth modification.
  • FIG. 1 is a perspective view schematically showing a detection device according to an embodiment.
  • the detection device 1 includes a sensor unit 10, an optical fiber bundle 50, a first adhesive layer 57, and a second adhesive layer 58.
  • the second adhesive layer 58, the optical fiber bundle 50, the first adhesive layer 57, and the sensor unit 10 are laminated in this order on the object to be detected 100 in the direction perpendicular to the sensor unit 10.
  • the detection device 1 detects the biological information of the object to be detected 100 that comes into contact with the second adhesive layer 58. Specifically, the light L transmitted or reflected through the object to be detected 100 is incident on the optical fiber bundle 50. The light L enters the sensor unit 10 through the plurality of optical fibers 51 of the optical fiber bundle 50. As a result, the sensor unit 10 can detect the light L.
  • the detected body 100 is, for example, a finger, a palm, a wrist, or the like.
  • the sensor unit 10 can detect biological information such as a blood vessel image (blood vessel pattern) of the detected body 100 based on the light L. Further, the sensor unit 10 may detect various information such as a pulse, a pulse wave, and a fingerprint in addition to the detection of the blood vessel image as the information about the living body.
  • the optical fiber bundle 50 is provided on the detected body 100 side of the sensor unit 10 and faces the sensor unit 10.
  • the optical fiber bundle 50 has a plurality of optical fibers 51 and a light absorbing portion 55 provided around the plurality of optical fibers 51.
  • the optical fiber bundle 50 is an optical element formed by bundling a plurality of optical fibers 51 and guiding the optical L to the sensor unit 10.
  • the sensor unit 10 detects the light L via the optical fiber bundle 50.
  • the corresponding detection element 3 see FIG. 2 can detect the light L with high accuracy, and can detect highly accurate information.
  • the configuration of the optical fiber bundle 50 will be described later.
  • the detection device 1 may be provided with a cover member, a lighting device, or the like, if necessary. Further, the detection device 1 may be provided on the display panel.
  • the display panel may be, for example, an organic EL display panel (OLED: Organic Light Emitting Diode) or an inorganic EL display (micro LED, mini LED).
  • the display panel may be a liquid crystal display panel (LCD: Liquid Crystal Display) using a liquid crystal element as a display element, or an electrophoretic display panel (EPD: Electrophoretic Display) using an electrophoretic element as a display element. good.
  • the sensor unit 10 can detect information about the living body of the object to be detected 100 by using the display light emitted from the display panel.
  • FIG. 2 is a plan view showing the detection device according to the embodiment.
  • the detection device 1 includes an array board 2 (board 21), a sensor unit 10, a scanning line drive circuit 15, a signal line selection circuit 16, a detection circuit 48, and a control circuit 102. It has a power supply circuit 103 and.
  • the control board 101 is electrically connected to the board 21 via the wiring board 110.
  • the wiring board 110 is, for example, a flexible printed circuit board or a rigid board.
  • the wiring board 110 is provided with a detection circuit 48.
  • the control board 101 is provided with a control circuit 102 and a power supply circuit 103.
  • the control circuit 102 is, for example, an FPGA (Field Programmable Gate Array).
  • the control circuit 102 supplies a control signal to the sensor unit 10, the scanning line drive circuit 15, and the signal line selection circuit 16 to control the detection operation of the sensor unit 10.
  • the power supply circuit 103 supplies voltage signals such as the power supply potential SVS and the reference potential VR1 (see FIG. 4) to the sensor unit 10, the scanning line drive circuit 15, and the signal line selection circuit 16.
  • the detection circuit 48 may be arranged on the substrate 21.
  • the substrate 21 has a detection region AA and a peripheral region GA.
  • the detection area AA is an area in which the plurality of detection elements 3 included in the sensor unit 10 are provided.
  • the peripheral region GA is a region outside the detection region AA, and is a region in which the detection element 3 is not provided. That is, the peripheral region GA is a region between the outer circumference of the detection region AA and the outer edge of the substrate 21.
  • the plurality of detection elements 3 of the sensor unit 10 are optical sensors each having an optical sensor element 30 as a sensor element.
  • the optical sensor element 30 is a photodiode, and outputs an electric signal corresponding to the light emitted to each. More specifically, the optical sensor element 30 is a PIN (Positive Intrinsic Negative) photodiode.
  • the detection elements 3 are arranged in a matrix in the detection region AA.
  • the optical sensor element 30 included in the plurality of detection elements 3 performs detection according to the gate drive signal supplied from the scanning line drive circuit 15.
  • the plurality of optical sensor elements 30 output an electric signal corresponding to the light emitted to each of them to the signal line selection circuit 16 as a detection signal Vdet.
  • the detection device 1 detects information about the living body based on the detection signals Vdet from the plurality of optical sensor elements 30.
  • the scanning line drive circuit 15 and the signal line selection circuit 16 are provided in the peripheral region GA. Specifically, the scanning line drive circuit 15 is provided in a region extending along the second direction Dy in the peripheral region GA.
  • the signal line selection circuit 16 is provided in a region extending along the first direction Dx in the peripheral region GA, and is provided between the sensor unit 10 and the detection circuit 48.
  • the first direction Dx is one direction in a plane parallel to the substrate 21.
  • the second direction Dy is one direction in a plane parallel to the substrate 21 and is a direction orthogonal to the first direction Dx.
  • the second direction Dy may intersect with the first direction Dx without being orthogonal to each other.
  • the third direction Dz is a direction orthogonal to the first direction Dx and the second direction Dy, and is a normal direction of the substrate 21.
  • FIG. 3 is a block diagram showing a configuration example of the detection device according to the embodiment.
  • the detection device 1 further includes a detection control circuit 11 and a detection unit 40.
  • a part or all of the functions of the detection control circuit 11 are included in the control circuit 102.
  • the detection unit 40 a part or all of the functions other than the detection circuit 48 are included in the control circuit 102.
  • the detection control circuit 11 is a circuit that supplies control signals to the scanning line drive circuit 15, the signal line selection circuit 16, and the detection unit 40, respectively, and controls their operations.
  • the detection control circuit 11 supplies various control signals such as a start signal STV and a clock signal CK to the scanning line drive circuit 15. Further, the detection control circuit 11 supplies various control signals such as the selection signal ASW to the signal line selection circuit 16.
  • the scanning line drive circuit 15 is a circuit that drives a plurality of scanning lines GL (see FIG. 4) based on various control signals.
  • the scan line drive circuit 15 sequentially or simultaneously selects a plurality of scan line GLs and supplies a gate drive signal VGL to the selected scan lines GL. As a result, the scanning line drive circuit 15 selects a plurality of optical sensor elements 30 connected to the scanning line GL.
  • the signal line selection circuit 16 is a switch circuit that sequentially or simultaneously selects a plurality of output signal lines SL (see FIG. 4).
  • the signal line selection circuit 16 is, for example, a multiplexer.
  • the signal line selection circuit 16 connects the selected output signal line SL and the detection circuit 48 based on the selection signal ASW supplied from the detection control circuit 11. As a result, the signal line selection circuit 16 outputs the detection signal Vdet of the optical sensor element 30 to the detection unit 40.
  • the detection unit 40 includes a detection circuit 48, a signal processing circuit 44, a coordinate extraction circuit 45, a storage circuit 46, and a detection timing control circuit 47.
  • the detection timing control circuit 47 controls the detection circuit 48, the signal processing circuit 44, and the coordinate extraction circuit 45 to operate in synchronization with each other based on the control signal supplied from the detection control circuit 11.
  • the detection circuit 48 is, for example, an analog front end circuit (AFE, Analog Front End).
  • the detection circuit 48 is a signal processing circuit having at least the functions of the detection signal amplification circuit 42 and the A / D conversion circuit 43.
  • the detection signal amplifier circuit 42 is a circuit that amplifies the detection signal Vdet, and is, for example, an integrator circuit.
  • the A / D conversion circuit 43 converts the analog signal output from the detection signal amplification circuit 42 into a digital signal.
  • the signal processing circuit 44 is a logic circuit that detects a predetermined physical quantity input to the sensor unit 10 based on the output signal of the detection circuit 48.
  • the signal processing circuit 44 can detect biological information such as a blood vessel image of the detected body 100 based on the signal from the detection circuit 48.
  • the signal processing circuit 44 can also detect, for example, fingerprints and other biological information such as pulse waves, pulses, and blood oxygen saturation based on the signals from the detection circuit 48.
  • the storage circuit 46 temporarily stores the signal calculated by the signal processing circuit 44.
  • the storage circuit 46 may be, for example, a RAM (Random Access Memory), a register circuit, or the like.
  • the coordinate extraction circuit 45 determines the detection coordinates of the detected body 100 (for example, the detection position of the unevenness on the surface of the finger, the blood vessels of the palm or wrist). It is a logic circuit that obtains the detection position).
  • the coordinate extraction circuit 45 combines the detection signals Vdet output from each detection element 3 of the sensor unit 10 to generate two-dimensional information indicating the shape of the unevenness of the finger surface and the blood vessel image.
  • the coordinate extraction circuit 45 may output the detection signal Vdet as the sensor output Vo without calculating the detection coordinates.
  • FIG. 4 is a circuit diagram showing a detection element.
  • the detection element 3 includes an optical sensor element 30, a capacitive element Ca, and a first transistor Tr.
  • the first transistor Tr is provided corresponding to the optical sensor element 30.
  • the first transistor Tr is composed of a thin film transistor, and in this example, it is composed of an n-channel MOS (Metal Oxide Semiconductor) type TFT (Thin Film Transistor).
  • the gate of the first transistor Tr is connected to the scanning line GL.
  • the source of the first transistor Tr is connected to the output signal line SL.
  • the drain of the first transistor Tr is connected to the anode of the optical sensor element 30 and the capacitive element Ca.
  • a power supply signal SVS is supplied from the power supply circuit 103 to the cathode of the optical sensor element 30. Further, the capacitance element Ca is supplied with the reference potential VR1 which is the initial potential of the capacitance element Ca from the power supply circuit 103.
  • the detection device 1 When the detection element 3 is irradiated with light, a current corresponding to the amount of light flows through the optical sensor element 30, which causes an electric charge to be accumulated in the capacitive element Ca. When the first transistor Tr is turned on, a current flows through the output signal line SL according to the electric charge accumulated in the capacitive element Ca. The output signal line SL is connected to the detection circuit 48 via the signal line selection circuit 16. As a result, the detection device 1 can detect a signal corresponding to the amount of light emitted to the optical sensor element 30 for each detection element 3.
  • the scanning line GL and the output signal line SL are connected to a plurality of detection elements 3.
  • the scanning line GL extends in the first direction Dx (see FIG. 2) and is connected to a plurality of detection elements 3 arranged in the first direction Dx.
  • the output signal line SL extends in the second direction Dy and is connected to a plurality of detection elements 3 arranged in the second direction Dy.
  • the first transistor Tr is not limited to the n-type TFT, and may be composed of a p-type TFT. Further, in the detection element 3, a plurality of transistors may be provided corresponding to one optical sensor element 30.
  • FIG. 5 is a plan view schematically showing a detection element of the detection device according to the embodiment.
  • the detection element 3 is a region surrounded by the scanning line GL and the output signal line SL.
  • the scanning line GL includes a first scanning line GLA and a second scanning line GLB.
  • the first scanning line GLA is provided so as to overlap with the second scanning line GLB.
  • the first scanning line GLA and the second scanning line GLB are provided in different layers via insulating layers 22c and 22d (see FIG. 6).
  • the first scanning line GLA and the second scanning line GLB are electrically connected at arbitrary points, and a gate drive signal VGL having the same potential is supplied.
  • At least one of the first scan line GLA and the second scan line GLB is connected to the scan line drive circuit 15.
  • the first scanning line GLA and the second scanning line GLB have different widths, but they may have the same width.
  • the optical sensor element 30 is provided in an area surrounded by the scanning line GL and the output signal line SL.
  • the optical sensor element 30 includes a semiconductor layer 31, an upper electrode 34, and a lower electrode 35.
  • the optical sensor element 30 is, for example, a photodiode made of a PIN photodiode or an organic semiconductor.
  • the upper electrode 34 is connected to the power supply signal line Lvs via the connection wiring 36.
  • the power supply signal line Lvs is a wiring that supplies the power supply signal SVS to the optical sensor element 30.
  • the power supply signal line Lvs overlaps with the output signal line SL and extends in the second direction Dy.
  • the plurality of detection elements 3 arranged in the second direction Dy are connected to a common power supply signal line Lvs. With such a configuration, the opening of the detection element 3 can be increased.
  • the lower electrode 35, the semiconductor layer 31, and the upper electrode 34 have a substantially quadrangular shape in a plan view. However, the shape is not limited to this, and the shapes of the lower electrode 35, the semiconductor layer 31, and the upper electrode 34 can be changed as appropriate.
  • the first transistor Tr is provided near the intersection of the scanning line GL and the output signal line SL.
  • the first transistor Tr includes a semiconductor layer 61, a source electrode 62, a drain electrode 63, a first gate electrode 64A, and a second gate electrode 64B.
  • the semiconductor layer 61 is an oxide semiconductor. More preferably, the semiconductor layer 61 is a transparent amorphous oxide semiconductor (TAOS: Transparent Amorphous Oxide Semiconductor) among the oxide semiconductors.
  • TAOS Transparent Amorphous Oxide Semiconductor
  • the semiconductor layer 61 is not limited to this, and may be a microcrystalline oxide semiconductor, an amorphous oxide semiconductor, polysilicon, low temperature polysilicon (LTPS: Low Temperature Polycrystalline Silicone), or the like.
  • the semiconductor layer 61 is provided along the first direction Dx and intersects the first gate electrode 64A and the second gate electrode 64B in a plan view.
  • the first gate electrode 64A and the second gate electrode 64B are provided as branches from the first scanning line GLA and the second scanning line GLB, respectively. In other words, of the first scanning line GLA and the second scanning line GLB, the portion overlapping the semiconductor layer 61 functions as the first gate electrode 64A and the second gate electrode 64B.
  • aluminum (Al), copper (Cu), silver (Ag), molybdenum (Mo) or an alloy thereof is used for the first gate electrode 64A and the second gate electrode 64B.
  • a channel region is formed in a portion of the semiconductor layer 61 that overlaps with the first gate electrode 64A and the second gate electrode 64B.
  • One end of the semiconductor layer 61 is connected to the source electrode 62 via the contact hole H1.
  • the other end of the semiconductor layer 61 is connected to the drain electrode 63 via the contact hole H2.
  • the portion of the output signal line SL that overlaps with the semiconductor layer 61 is the source electrode 62.
  • the portion of the third conductive layer 67 that overlaps with the semiconductor layer 61 functions as the drain electrode 63.
  • the third conductive layer 67 is connected to the lower electrode 35 via the contact hole H3.
  • the arrangement pitch Px (see FIG. 7) of the detection element 3 (optical sensor element 30) in the first direction Dx is defined by the arrangement pitch of the output signal line SL in the first direction Dx.
  • the arrangement pitch Py (see FIG. 7) of the detection element 3 (optical sensor element 30) in the second direction Dy is defined by the arrangement pitch of the scanning line GL in the second direction Dy.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line VI-VI'of FIG.
  • a cross section along the VI-VI'line and a cross section of the portion of the peripheral region GA including the second transistor TrG are shown.
  • Schematically connected and shown Schematically connected and shown.
  • the cross sections of the portion including the terminal portion 72 of the peripheral region GA are shown schematically connected.
  • the direction from the substrate 21 toward the optical sensor element 30 in the direction perpendicular to the surface of the substrate 21 is defined as “upper” or “upper”.
  • the direction from the optical sensor element 30 toward the substrate 21 is defined as “lower side” or “lower side”.
  • the “planar view” indicates a positional relationship when viewed from a direction perpendicular to the surface of the substrate 21.
  • the substrate 21 is an insulating substrate, and for example, a glass substrate such as quartz or non-alkali glass is used.
  • the array substrate 2 is formed by providing a first transistor Tr, various wirings (scanning line GL and output signal line SL), and an insulating layer on one surface of the substrate 21.
  • the optical sensor element 30 is arranged on the array substrate 2, that is, on one surface side of the substrate 21.
  • the substrate 21 may be a resin substrate or a resin film made of a resin such as polyimide.
  • the insulating layers 22a and 22b are provided on the substrate 21.
  • the insulating layers 22a, 22b, 22c, 22d, 22e, 22f, and 22g are inorganic insulating films, such as silicon oxide (SiO 2 ) and silicon nitride (SiN). Further, each inorganic insulating layer is not limited to a single layer and may be a laminated film.
  • the first gate electrode 64A is provided on the insulating layer 22b.
  • the insulating layer 22c is provided on the insulating layer 22b so as to cover the first gate electrode 64A.
  • the semiconductor layer 61, the first conductive layer 65, and the second conductive layer 66 are provided on the insulating layer 22c.
  • the first conductive layer 65 is provided so as to cover the end portion of the semiconductor layer 61 connected to the source electrode 62.
  • the second conductive layer 66 is provided so as to cover the end portion of the semiconductor layer 61 connected to the drain electrode 63.
  • the insulating layer 22d is provided on the insulating layer 22c so as to cover the semiconductor layer 61, the first conductive layer 65, and the second conductive layer 66.
  • the second gate electrode 64B is provided on the insulating layer 22d.
  • the semiconductor layer 61 is provided between the first gate electrode 64A and the second gate electrode 64B in the direction perpendicular to the substrate 21. That is, the first transistor Tr has a so-called dual gate structure. However, the first transistor Tr may have a bottom gate structure in which the first gate electrode 64A is provided and the second gate electrode 64B is not provided, and the first gate electrode 64A is not provided and only the second gate electrode 64B is provided.
  • the top gate structure may be used.
  • the insulating layer 22e is provided on the insulating layer 22d so as to cover the second gate electrode 64B.
  • the source electrode 62 (output signal line SL) and the drain electrode 63 (third conductive layer 67) are provided on the insulating layer 22e.
  • the drain electrode 63 is a third conductive layer 67 provided on the semiconductor layer 61 via the insulating layers 22d and 22e.
  • the source electrode 62 is electrically connected to the semiconductor layer 61 via the contact hole H1 and the first conductive layer 65.
  • the drain electrode 63 is electrically connected to the semiconductor layer 61 via the contact hole H2 and the second conductive layer 66.
  • the third conductive layer 67 is provided in a region overlapping the optical sensor element 30 in a plan view.
  • the third conductive layer 67 is also provided above the semiconductor layer 61, the first gate electrode 64A, and the second gate electrode 64B. That is, the third conductive layer 67 is provided between the second gate electrode 64B and the lower electrode 35 in the direction perpendicular to the substrate 21.
  • the third conductive layer 67 has a function as a protective layer that protects the first transistor Tr.
  • the second conductive layer 66 extends so as to face the third conductive layer 67 in a region that does not overlap with the semiconductor layer 61. Further, a fourth conductive layer 68 is provided on the insulating layer 22d in a region that does not overlap with the semiconductor layer 61. The fourth conductive layer 68 is provided between the second conductive layer 66 and the third conductive layer 67. As a result, a capacitance is formed between the second conductive layer 66 and the fourth conductive layer 68, and a capacitance is formed between the third conductive layer 67 and the fourth conductive layer 68.
  • the capacitance formed by the second conductive layer 66, the third conductive layer 67, and the fourth conductive layer 68 is the capacitance of the capacitive element Ca shown in FIG.
  • the first organic insulating layer 23a is provided on the insulating layer 22e so as to cover the source electrode 62 (output signal line SL) and the drain electrode 63 (third conductive layer 67).
  • the first organic insulating layer 23a is a flattening layer for flattening irregularities formed by the first transistor Tr and various conductive layers.
  • the optical sensor element 30 is laminated on the first organic insulating layer 23a of the array substrate 2 in the order of the lower electrode 35, the semiconductor layer 31, and the upper electrode 34.
  • the array board 2 is a drive circuit board that drives a sensor for each predetermined detection area.
  • the array substrate 2 includes a substrate 21, a first transistor Tr, a second transistor TrG provided on the substrate 21, various wirings, and the like.
  • the lower electrode 35 is provided on the first organic insulating layer 23a and is electrically connected to the third conductive layer 67 via the contact hole H3.
  • the lower electrode 35 is the anode of the optical sensor element 30 and is an electrode for reading the detection signal Vdet.
  • a metal material such as molybdenum (Mo) or aluminum (Al) is used.
  • the lower electrode 35 may be a laminated film in which a plurality of these metal materials are laminated.
  • the lower electrode 35 may be a conductive material having translucency such as ITO (Indium Tin Oxide).
  • the semiconductor layer 31 is amorphous silicon (a-Si).
  • the semiconductor layer 31 includes an i-type semiconductor layer 32a, an n-type semiconductor layer 32b, and a p-type semiconductor layer 32c.
  • the i-type semiconductor layer 32a, the n-type semiconductor layer 32b, and the p-type semiconductor layer 32c are specific examples of photoelectric conversion elements.
  • the p-type semiconductor layer 32c, the i-type semiconductor layer 32a, and the n-type semiconductor layer 32b are laminated in this order in the direction perpendicular to the surface of the substrate 21.
  • the opposite configuration that is, the n-type semiconductor layer 32b, the i-type semiconductor layer 32a, and the p-type semiconductor layer 32c may be laminated in this order.
  • the semiconductor layer 31 may be a photoelectric conversion element made of an organic semiconductor.
  • the n-type semiconductor layer 32b is doped with impurities in a-Si to form an n + region.
  • impurities are doped in a-Si to form a p + region.
  • the i-type semiconductor layer 32a is, for example, a non-doped intrinsic semiconductor, and has lower conductivity than the n-type semiconductor layer 32b and the p-type semiconductor layer 32c.
  • the upper electrode 34 is the cathode of the optical sensor element 30, and is an electrode for supplying the power supply signal SVS to the photoelectric conversion layer.
  • the upper electrode 34 is a translucent conductive layer such as ITO, and a plurality of upper electrodes 34 are provided for each optical sensor element 30.
  • An insulating layer 22f and an insulating layer 22g are provided on the first organic insulating layer 23a.
  • the insulating layer 22f covers the peripheral edge of the upper electrode 34, and an opening is provided at a position overlapping the upper electrode 34.
  • the connection wiring 36 is connected to the upper electrode 34 at a portion of the upper electrode 34 where the insulating layer 22f is not provided.
  • the insulating layer 22g is provided on the insulating layer 22f so as to cover the upper electrode 34 and the connecting wiring 36.
  • a second organic insulating layer 23b which is a flattening layer, is provided on the insulating layer 22 g.
  • an insulating layer 22h may be further provided on the photodiode.
  • the peripheral region GA is provided with the second transistor TrG of the scanning line drive circuit 15.
  • the second transistor TrG is provided on the same substrate 21 as the first transistor Tr.
  • the second transistor TrG includes a semiconductor layer 81, a source electrode 82, a drain electrode 83, and a gate electrode 84.
  • the semiconductor layer 81 is polysilicon. More preferably, the semiconductor layer 81 is low temperature polysilicon (LTPS).
  • the semiconductor layer 81 is provided on the insulating layer 22a. That is, the semiconductor layer 61 of the first transistor Tr is provided at a position farther from the substrate 21 than the semiconductor layer 81 of the second transistor TrG in the direction perpendicular to the substrate 21.
  • the present invention is not limited to this, and the semiconductor layer 81 may be formed of the same material as the semiconductor layer 61.
  • the gate electrode 84 is provided on the upper side of the semiconductor layer 81 via the insulating layer 22b.
  • the gate electrode 84 is provided in the same layer as the first gate electrode 64A.
  • the second transistor TrG has a so-called top gate structure. However, the second transistor TrG may have a dual gate structure or a bottom gate structure.
  • the source electrode 82 and the drain electrode 83 are provided on the insulating layer 22e.
  • the source electrode 82 and the drain electrode 83 are provided in the same layer as the source electrode 62 and the drain electrode 63 of the first transistor Tr.
  • the contact holes H4 and H5 are provided so as to penetrate the insulating layer 22e from the insulating layer 22b.
  • the source electrode 82 is electrically connected to the semiconductor layer 81 via the contact hole H4.
  • the drain electrode 83 is electrically connected to the semiconductor layer 81 via the contact hole H5.
  • the terminal portion 72 is provided at a position different from the region where the scanning line drive circuit 15 is provided in the peripheral region GA.
  • the terminal portion 72 has a first terminal conductive layer 73, a second terminal conductive layer 74, a third terminal conductive layer 75, and a fourth terminal conductive layer 76.
  • the first terminal conductive layer 73 is provided on the insulating layer 22b in the same layer as the first gate electrode 64A.
  • the contact hole H6 is provided by communicating the insulating layers 22c, 22d, 22e and the first organic insulating layer 23a.
  • the second terminal conductive layer 74, the third terminal conductive layer 75, and the fourth terminal conductive layer 76 are laminated in this order in the contact hole H6 and are electrically connected to the first terminal conductive layer 73.
  • the second terminal conductive layer 74 can be formed in the same process using the same material as the third conductive layer 67 and the like.
  • the third terminal conductive layer 75 can be formed by using the same material as the lower electrode 35 and in the same process.
  • the fourth terminal conductive layer 76 can be formed in the same process using the same materials as the connection wiring 36 and the power supply signal line Lvs (see FIG. 5).
  • terminal portion 72 Although one terminal portion 72 is shown in FIG. 6, a plurality of terminal portions 72 are arranged at intervals. The plurality of terminal portions 72 are electrically connected to the wiring board 110 (see FIG. 2) by, for example, an ACF (Anisotropic Conductive Film) or the like.
  • ACF Anagonal Conductive Film
  • the sensor unit 10 Since the sensor unit 10 has the above configuration, it can appropriately detect the biometric information of the user.
  • the sensor unit 10 is not limited to the structure described above as long as the optical sensor element 30 receives light L and can detect the biometric information of the user. Further, the sensor unit 10 may detect information other than biological information as long as the optical sensor element 30 receives light L and detects information.
  • FIG. 7 is a plan view schematically showing the arrangement relationship between the optical fiber bundle and the detection element.
  • FIG. 7 is a plan view of the optical fiber bundle 50 as viewed from the third direction Dz (sensor unit 10 side), and the detection element 3 (optical sensor element 30) is shown by a dotted line.
  • the optical fiber bundle 50 has a plurality of optical fibers 51 and an absorption unit 55.
  • the plurality of optical fibers 51 are arranged in the first direction Dx and the second direction Dy and provided in a matrix.
  • Each of the plurality of optical fibers 51 forms a light guide path capable of transmitting light L.
  • the light L absorption rate of the light absorbing unit 55 is higher than the light L absorption rate of the plurality of optical fibers 51.
  • the light transmittance of the plurality of optical fibers 51 is higher than the light transmittance of the light L of the light absorbing unit 55.
  • the light absorbing unit 55 is provided around a plurality of optical fibers 51 and is composed of a member that absorbs light L.
  • the light absorption rate of the light absorbing unit 55 is preferably 70% or more and 100% or less, and more preferably 100%.
  • the light absorption rate here refers to the ratio of the difference between the intensity of the incident light Lin and the intensity of the emitted light Lout ((Lin-Lout) / Lin) with respect to the intensity of the incident light Lin.
  • a low elasticity material is used for the light absorbing portion 55 so that the plurality of optical fibers 51 can be deformed.
  • the light absorbing portion 55 is formed of an organic material, more specifically, a polymer material.
  • the first end surface 51a of the plurality of optical fibers 51 is a surface that emits light L to the optical sensor element 30, and each of the first end surfaces 51a is arranged so as to overlap the optical sensor element 30.
  • the diameter DI of the optical fiber 51 is smaller than the arrangement pitch Px of the detection element 3 in the first direction Dx and smaller than the arrangement pitch Py of the detection element 3 in the second direction Dy.
  • the arrangement pitch PFx of the optical fiber 51 in the first direction Dx is equal to the arrangement pitch Px of the detection element 3 (optical sensor element 30) in the first direction Dx.
  • the arrangement pitch PFy of the optical fiber 51 in the second direction Dy is equal to the arrangement pitch Py of the detection element 3 (optical sensor element 30) in the second direction Dy.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line VIII-VIII'of FIG.
  • the optical fiber bundle 50 is a sheet-like member having a first surface 50a and a second surface 50b opposite to the first surface 50a.
  • the first surface 50a of the optical fiber bundle 50 faces the plurality of optical sensor elements 30.
  • the sensor unit 10 is provided with the vertical relationship reversed from the cross-sectional view shown in FIG. 6, and the surface of the array substrate 2 on which the plurality of optical sensor elements 30 are provided is the first surface 50a of the optical fiber bundle 50. Facing.
  • the plurality of optical fibers 51 extend from the first surface 50a to the second surface 50b in the third direction Dz, respectively. That is, the first end surface 51a of the plurality of optical fibers 51 is provided on the first surface 50a of the optical fiber bundle 50, and the second end surface 51b of the plurality of optical fibers 51 is provided on the second surface 50b of the optical fiber bundle 50. Be done.
  • the first end surface 51a is a surface that emits light L to the optical sensor element 30, and the second end surface 51b is a surface that introduces light L into the optical fiber 51.
  • FIG. 9 is an enlarged cross-sectional view of one optical fiber of FIG.
  • the optical fiber 51 has a core glass 52 and a clad glass 53.
  • the clad glass 53 is provided around the core glass 52. Further, the refractive index of the clad glass 53 is lower than that of the core glass 52.
  • Light L incident on the second end surface 51b at an incident angle of ⁇ or less travels in the third direction Dz while repeating total reflection at the interface between the core glass 52 and the clad glass 53, and is emitted from the first end surface 51a. do.
  • the light L incident on the second end surface 51b at an incident angle larger than the angle ⁇ is not totally reflected at the interface between the core glass 52 and the clad glass 53, but is absorbed by the light absorbing portion 55.
  • a plurality of adjacent optical fibers 51 are designated as optical fibers 51-1, 51-2, and 53-1.
  • the optical sensor elements 30-1, 30-2, and 30-3 are provided at positions where they overlap with the optical fibers 51-1, 51-2, and 53-1, respectively.
  • the light L from the portion 100a of the object to be detected 100 at the position overlapping the optical fiber 51-2 is incident on the second end surface 51b of the optical fiber 51-2, and the light L from the region around the portion 100a is the light absorbing portion. Absorbed by 55.
  • the light L emitted from the first end surface 51a of the optical fiber 51-2 is incident on the optical sensor element 30-2 at a position overlapping the optical fiber 51-2, and is incident on the other adjacent optical sensor elements 30-1, 30.
  • the incident on -3 is suppressed. Therefore, the optical fiber 51 can suppress the color mixing of the optical L between the adjacent optical fibers 51, and can improve the detection resolution.
  • the first adhesive layer 57 adheres the first surface 50a of the optical fiber bundle 50 and the insulating layer 22h provided on the outermost surface of the sensor unit 10. That is, the first adhesive layer 57 is provided so as to cover the first end surface 51a and the light absorbing portion 55 of the plurality of optical fibers 51.
  • the first adhesive layer 57 is a translucent adhesive sheet, for example, an optical adhesive film (OCA: Optical Clear Adhesive).
  • OCA optical Clear Adhesive
  • the second adhesive layer 58 is provided in contact with the second surface 50b of the optical fiber bundle 50. That is, the second adhesive layer 58 is provided so as to cover the second end surface 51b and the light absorbing portion 55 of the plurality of optical fibers 51.
  • the object to be detected 100 is in contact with the second adhesive layer 58.
  • the surface of the second adhesive layer 58 is the detection surface of the detection device 1. Since the second adhesive layer 58 is provided, the positions of the second end faces 51b of the plurality of optical fibers 51 and the object to be detected 100 in the plane direction even when a force is applied in the plane direction. The deviation can be suppressed.
  • the ratio of the length DH to the diameter DI of the optical fiber 51 is defined as the aspect ratio of the optical fiber 51.
  • the length DH is the length of the optical fiber 51 in the third direction Dz, and is the length between the first end surface 51a and the second end surface 51b.
  • the aspect ratio of the optical fiber 51 is sufficiently large, for example, about 5 or more and 50 or less.
  • each optical fiber 51 can be elastically deformed.
  • the light absorbing portion 55 is made of a material having a low elastic modulus capable of supporting each optical fiber 51 while being deformed together with each optical fiber 51.
  • the optical fiber bundle 50 can be elastically deformed according to the force applied from the object to be detected 100.
  • FIG. 10 is a plan view schematically showing the arrangement relationship between the optical fiber bundle and the detection element in a state where the position of the object to be detected is displaced.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view taken along the line XI-XI'of FIG. 10 and 11 show a case where the object to be detected 100 is displaced in the first direction Dx in a state of being in contact with the second adhesive layer 58 as compared with FIGS. 7 and 8.
  • the first end surface 51a of the optical fiber 51 is shown by a solid line
  • the second end surface 51b is shown by a dotted line.
  • the second end surface 51b is displaced from the first end surface 51a in a plan view from the third direction Dz.
  • the elastic modulus of the optical fiber bundle 50 is lower than the elastic modulus of the first adhesive layer 57 and the elastic modulus of the second adhesive layer 58. That is, each optical fiber 51 and the light absorbing portion 55 of the optical fiber bundle 50 are more easily deformed than the first adhesive layer 57 and the second adhesive layer 58 by the force applied from the object to be detected 100.
  • the second end surface 51b is displaced in the first direction Dx with respect to the first end surface 51a due to the position shift of the detected body 100 in the first direction Dx.
  • each optical fiber 51 of the bundle 50 is also displaced in the first direction Dx.
  • the position of the first end surface 51a of each optical fiber 51 is fixed by the first adhesive layer 57.
  • the extending direction of each optical fiber 51 is inclined with respect to the third direction Dz.
  • the light absorbing portion 55 is also deformed so as to fill the space between the inclined optical fibers 51.
  • the optical fiber 51 is inclined in a straight line in FIG. 11, it is merely schematically shown, and is deformed so as to be curved according to the aspect ratio and elastic modulus of the optical fiber 51. May be good.
  • the light L from the portion 100a of the detected body 100 is incident on the second end surface 51b of the optical fiber 51-2 and is adjacent to the second end surface 51b.
  • the incident on the second end surface 51b of the optical fibers 51-1 and 51-2 is suppressed.
  • the light L emitted from the first end surface 51a of the optical fiber 51-2 is prevented from being incident on the optical sensor element 30-2 and incident on the adjacent optical sensor elements 30-1 and 30-3.
  • the optical fiber bundle 50 can appropriately guide the light L to the optical sensor element 30. That is, even if the detected body 100 is displaced or vibrated in contact with the second adhesive layer 58, the optical fiber bundle 50 causes the detected body 100 and the plurality of optical sensor elements 30 to be connected. Correspondence is maintained. As a result, blurring of the detected image can be suppressed, and the resolution of detection can be increased.
  • FIGS. 10 and 11 show a case where the object to be detected 100 is displaced in the first direction Dx, but this is merely an example and is not limited thereto. That is, the object to be detected 100 may be displaced in an arbitrary direction parallel to the second surface 50b of the optical fiber bundle 50, and the optical fiber bundle 50 is in contact with the second adhesive layer 58. It can be deformed according to the displacement of 100.
  • the detected body 100 may be displaced or vibrated in the third direction Dz. Even in this case, since the elastic modulus of the optical fiber bundle 50 is low, the optical fiber bundle 50 absorbs the force generated by the displacement of the object to be detected 100 in the third direction Dz and is transmitted from the object to be detected 100. It is possible to suppress that the force of the light is concentrated on the optical sensor element 30. As a result, damage to the optical sensor element 30 can be suppressed.
  • the optical fiber bundle 50 shown in FIGS. 7 to 11 is merely schematically shown for ease of understanding, and the configuration and shape of the optical fiber bundle 50 can be appropriately changed.
  • the optical fiber 51 is arranged so as to have a one-to-one correspondence with the detection element 3 (optical sensor element 30), but is not limited thereto.
  • Two or more optical fibers 51 may be arranged for one detection element 3, or one optical fiber 51 may be arranged for two or more detection elements 3.
  • the plurality of optical fibers 51 are not limited to the configuration in which they are arranged in a matrix in a plan view, and may be arranged in another arrangement such as a triangular lattice.
  • FIG. 12 is a plan view schematically showing the arrangement relationship between the optical fiber bundle and the detection element of the detection device according to the first modification.
  • a plurality of optical fibers 51A are provided so as to overlap one detection element 3.
  • the diameter DI and the arrangement pitches PFx and PFy of the optical fiber 51A are smaller than the arrangement pitches Px and Py of the detection element 3 (optical sensor element 30).
  • optical fibers 51A are provided so as to overlap one detection element 3.
  • the diameter DI of the optical fiber 51A is about 1 ⁇ 2 of the arrangement pitch Px of the detection element 3 in the first direction Dx and about 1 ⁇ 2 of the arrangement pitch Py of the detection element 3 in the second direction Dy.
  • the arrangement pitch PFx of the optical fiber 51A in the first direction Dx is about 1 ⁇ 2 of the arrangement pitch Px of the detection element 3 (optical sensor element 30) in the first direction Dx.
  • the arrangement pitch PFy of the optical fiber 51A in the second direction Dy is about 1 ⁇ 2 of the arrangement pitch Py of the detection element 3 (optical sensor element 30) in the second direction Dy.
  • the plurality of optical fibers 51A are provided so as to overlap with the optical sensor element 30 of one detection element 3. That is, the resolution of the optical fiber bundle 50A is higher than the resolution of the detection element 3. Therefore, the detection device 1A can suppress a decrease in resolution even when the optical fiber bundle 50A is provided between the object to be detected 100 and the detection element 3.
  • the arrangement pitches PFx and PFy of the optical fiber 51A are not limited to 1/2 of the arrangement pitches Px and Py of the detection element 3 (optical sensor element 30).
  • the arrangement pitches PFx and PFy of the optical fiber 51A may be smaller than the arrangement pitches Px and Py of the detection element 3 (optical sensor element 30). More preferably, the arrangement pitch Px and Py of the detection element 3 (optical sensor element 30) may be an integral multiple of the arrangement pitch PFx and PFy of the optical fiber 51A.
  • FIG. 13 is a plan view schematically showing the arrangement relationship between the optical fiber bundle and the detection element of the detection device according to the second modification.
  • one optical fiber 51B is provided so as to overlap the plurality of detection elements 3.
  • the diameter DI and the arrangement pitches PFx and RFy of the optical fiber 51B are larger than the arrangement pitches Px and Py of the detection element 3 (optical sensor element 30).
  • one optical fiber 51B is provided so as to overlap the four detection elements 3.
  • the diameter DI of the optical fiber 51B is about twice the arrangement pitch Px of the detection element 3 in the first direction Dx and about twice the arrangement pitch Py of the detection element 3 in the second direction Dy.
  • the arrangement pitch PFx of the optical fiber 51B in the first direction Dx is about twice the arrangement pitch Px of the detection element 3 (optical sensor element 30) in the first direction Dx.
  • the arrangement pitch PFy of the optical fiber 51B in the second direction Dy is about twice the arrangement pitch Py of the detection element 3 (optical sensor element 30) in the second direction Dy.
  • the area of the optical fiber 51B is increased in the region overlapping the optical sensor element 30 of one detection element 3, and the substantial light transmittance of the optical fiber bundle 50B can be increased. Therefore, the detection device 1B can improve the detection sensitivity.
  • the arrangement pitches PFx, PFy and diameter DI of the optical fiber 51B are not limited to twice the arrangement pitches Px, Py of the detection element 3 (optical sensor element 30).
  • the arrangement pitches PFx, PFy and diameter DI of the optical fiber 51B may be larger than the arrangement pitches Px, Py of the detection element 3 (optical sensor element 30). More preferably, the arrangement pitches PFx and PFy of the optical fiber 51B may be an integral multiple of the arrangement pitches Px and Py of the detection element 3 (optical sensor element 30).
  • FIG. 14 is a side view showing an example of using the biological information measurement of the detection device according to the third modification.
  • the detection device 1C according to the third modification can be used for observing the fingernail epithelial blood flow (for example, blood flow of capillaries) of the fingernail epithelial blood flow of the detected body 100A.
  • the detection device 1C has two light sources 91 and 92.
  • the two light sources 91 and 92 are arranged so as to sandwich the side of the object to be detected 100A.
  • the light L emitted from the light sources 91 and 92 is reflected by the blood vessels of the detected body 100A.
  • the reflected light L travels upward and enters the sensor unit 10 through the optical fiber bundle 50.
  • the second adhesive layer 58 is in contact with the claw of the detected body 100A, the positional relationship between the detected body 100A and the sensor unit 10 is established via each optical fiber 51 of the optical fiber bundle 50. Be maintained.
  • the elastic modulus of the optical fiber bundle 50 is low and it is easily deformed, it is possible to prevent the capillaries and the like from being compressed by the contact of the optical fiber bundle 50, and the blood flow can be observed satisfactorily. be able to.
  • FIG. 15 is a side view showing an example of using the biological information measurement of the detection device according to the fourth modification. As shown in FIG. 15, the detection device 1D according to the fourth modification can be used for observing the vein pattern of the wrist Wr which is the detected body 100B.
  • the substrate 21A of the detection device 1D is made of a deformable and flexible material, and is provided in an annular shape surrounding the wrist Wr.
  • the light sources 91A and 92A are arranged in an arc shape along the substrate 21A provided in an annular shape.
  • the light L emitted from the light sources 91A and 92A is reflected by the blood vessel (vein) of the detected body 100B and is incident on the sensor unit 10.
  • the optical fiber bundle 50 having a low elastic modulus is provided between the sensor unit 10 and the wrist Wr, it is possible to prevent the blood vessels (veins) of the object to be detected 100B from being compressed by the optical fiber bundle 50. ..
  • the detection device 1D can be adopted for, for example, a smart watch or a wearable device.
  • the arrangement of the light sources 91A and 92A in the fourth modification is merely an example, and can be appropriately changed depending on the device on which the detection device 1D is mounted.
  • the configurations of the first modification and the second modification can be combined with the detection devices 1C and 1D of the third modification and the fourth modification described above.
  • Detection element 10 Sensor unit 15 Scan line drive circuit 16 Signal line selection circuit 21, 21A Board 22a, 22b, 22c, 22d, 22e Insulation layer 23a First organic insulation Layer 23b Second organic insulating layer 30, 30-1, 30-2, 30-3 Optical sensor element 31 Semiconductor layer 32a i-type semiconductor layer 32b n-type semiconductor layer 32cp type semiconductor layer 50, 50A, 50B Optical fiber bundle 50a 1st surface 50b 2nd surface 51, 51-1, 51-2, 53-1, 51A, 51B Optical fiber 51a 1st end surface 51b 2nd end surface 55 Absorption part AA Detection area GA peripheral area GL scanning line SL output signal line

Abstract

検出装置（１）は、基板（２１）と、基板（２１）に配列され、照射された光に応じた信号を出力する複数の光センサ素子（３０－１、３０－２、３０－３）と、複数の光ファイバが束ねられて構成され、複数の光センサ素子（３０－１、３０－２、３０－３）と対向する光ファイバ束（５０）と、光ファイバ束（５０）の第１面（５０ａ）と、複数の光センサ素子（３０－１、３０－２、３０－３）とを接着する第１粘着層（５７）と、光ファイバ束（５０）の第１面（５０ａ）と反対側の第２面（５０ｂ）に設けられる第２粘着層（５８）と、を有し、光ファイバ束（５０）の弾性率は、第１粘着層（５７）及び第２粘着層（５８）の少なくとも一方の弾性率よりも低い。

Description

検出装置
　本発明は、検出装置に関する。
　例えば指紋センサや静脈センサ等、生体情報を検出する生体センサが知られている。特許文献１には、被測定者の体内のグルコース濃度を測定する光学式生体情報測定装置が記載されている。特許文献１の光学式生体情報測定装置では、被測定者の腕に光学式測定ヘッドを密着させることで、生体情報を精度良く検出する。
特開２００６－１８１号公報
　生体センサを含む光学式の検出装置は、光センサ素子に光を適切に導く必要がある。特許文献１では、被測定者の振動や位置ずれにより、検出精度が低下する可能性がある。
　本発明は、光センサ素子に光を適切に導くことが可能な検出装置を提供することを目的とする。
　本発明の一態様の検出装置は、基板と、前記基板に配列され、照射された光に応じた信号を出力する複数の光センサ素子と、複数の光ファイバが束ねられて構成され、複数の前記光センサ素子と対向する光ファイバ束と、前記光ファイバ束の第１面と、複数の前記光センサ素子とを接着する第１粘着層と、前記光ファイバ束の前記第１面と反対側の第２面に設けられる第２粘着層と、を有し、前記光ファイバ束の弾性率は、前記第１粘着層及び前記第２粘着層の少なくとも一方の弾性率よりも低い。
図１は、実施形態に係る検出装置を模式的に示す斜視図である。 図２は、実施形態に係る検出装置を示す平面図である。 図３は、実施形態に係る検出装置の構成例を示すブロック図である。 図４は、検出素子を示す回路図である。 図５は、実施形態に係る検出装置の検出素子を模式的に示す平面図である。 図６は、図５のＶＩ－ＶＩ’断面図である。 図７は、光ファイバ束と検出素子との配置関係を模式的に示す平面図である。 図８は、図７のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ’断面図である。 図９は、図８の１つの光ファイバを拡大して示す断面図である。 図１０は、被検出体の位置がずれた状態の、光ファイバ束と検出素子との配置関係を模式的に示す平面図である。 図１１は、図１０のＸＩ－ＸＩ’断面図である。 図１２は、第１変形例に係る検出装置の、光ファイバ束と検出素子との配置関係を模式的に示す平面図である。 図１３は、第２変形例に係る検出装置の、光ファイバ束と検出素子との配置関係を模式的に示す平面図である。 図１４は、第３変形例に係る検出装置の、生体情報測定の使用例を示す側面図である。 図１５は、第４変形例に係る検出装置の、生体情報測定の使用例を示す側面図である。
　発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
　本明細書及び特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
（実施形態）
　図１は、実施形態に係る検出装置を模式的に示す斜視図である。図１に示すように、検出装置１は、センサ部１０と、光ファイバ束５０と、第１粘着層５７と、第２粘着層５８と、を有する。センサ部１０に垂直な方向で、被検出体１００の上に、第２粘着層５８、光ファイバ束５０、第１粘着層５７、センサ部１０の順に積層されている。
　検出装置１は、第２粘着層５８に接触する被検出体１００の生体情報を検出する。具体的には、被検出体１００を透過又は反射した光Ｌは、光ファイバ束５０に入射する。光Ｌは、光ファイバ束５０の複数の光ファイバ５１を通ってセンサ部１０に入射する。これにより、センサ部１０は、光Ｌを検出することができる。被検出体１００は、例えば指、手のひら、手首等である。センサ部１０は、光Ｌに基づいて、被検出体１００の血管像（血管パターン）等の生体情報を検出することができる。また、センサ部１０は、生体に関する情報として、血管像の検出に加え、例えば、脈拍、脈波、指紋等、種々の情報を検出してもよい。
　光ファイバ束５０は、センサ部１０の被検出体１００側に設けられ、センサ部１０に対向している。光ファイバ束５０は、複数の光ファイバ５１と、複数の光ファイバ５１の周囲に設けられた吸光部５５と、を有する。光ファイバ束５０は、複数の光ファイバ５１が束ねられて形成され、光Ｌをセンサ部１０に導く光学素子である。図１においては、センサ部１０は、光ファイバ束５０を介して光Ｌを検出している。光ファイバ束５０を介することで、精度よく対応する検出素子３（図２参照）が光Ｌを検出することができ、精度の高い情報を検出することができる。なお、光ファイバ束５０の構成については後述する。
　検出装置１は、必要に応じて、カバー部材や、照明装置等を備えていてもよい。また、検出装置１は、表示パネルに設けられていてもよい。表示パネルは、例えば、有機ＥＬディスプレイパネル（ＯＬＥＤ：Organic　Light　Emitting　Diode）や無機ＥＬディスプレイ（マイクロＬＥＤ、ミニＬＥＤ）であってもよい。或いは、表示パネルは、表示素子として液晶素子を用いた液晶表示パネル（ＬＣＤ：Liquid　Crystal　Display）や、表示素子として電気泳動素子を用いた電気泳動型表示パネル（ＥＰＤ：Electrophoretic　Display）であってもよい。この場合、センサ部１０は、表示パネルから照射された表示光を利用して、被検出体１００の生体に関する情報を検出することができる。
　図２は、実施形態に係る検出装置を示す平面図である。図２に示すように、検出装置１は、アレイ基板２（基板２１）と、センサ部１０と、走査線駆動回路１５と、信号線選択回路１６と、検出回路４８と、制御回路１０２と、電源回路１０３と、を有する。
　基板２１には、配線基板１１０を介して制御基板１０１が電気的に接続される。配線基板１１０は、例えば、フレキシブルプリント基板やリジット基板である。配線基板１１０には、検出回路４８が設けられている。制御基板１０１には、制御回路１０２及び電源回路１０３が設けられている。制御回路１０２は、例えばＦＰＧＡ（Field　Programmable　Gate　Array）である。制御回路１０２は、センサ部１０、走査線駆動回路１５及び信号線選択回路１６に制御信号を供給して、センサ部１０の検出動作を制御する。電源回路１０３は、電源電位ＳＶＳや基準電位ＶＲ１（図４参照）等の電圧信号をセンサ部１０、走査線駆動回路１５及び信号線選択回路１６に供給する。なお、本実施形態においては、検出回路４８が配線基板１１０に配置される場合を例示したがこれに限られない。検出回路４８は、基板２１の上に配置されても良い。
　基板２１は、検出領域ＡＡと、周辺領域ＧＡとを有する。検出領域ＡＡは、センサ部１０が有する複数の検出素子３が設けられる領域である。周辺領域ＧＡは、検出領域ＡＡの外側の領域であり、検出素子３が設けられない領域である。すなわち、周辺領域ＧＡは、検出領域ＡＡの外周と基板２１の外縁部との間の領域である。
　センサ部１０の複数の検出素子３は、それぞれ、センサ素子として光センサ素子３０を有する光センサである。光センサ素子３０は、フォトダイオードであり、それぞれに照射される光に応じた電気信号を出力する。より具体的には、光センサ素子３０は、ＰＩＮ（Positive　Intrinsic　Negative）フォトダイオードである。検出素子３は、検出領域ＡＡにマトリクス状に配列される。複数の検出素子３が有する光センサ素子３０は、走査線駆動回路１５から供給されるゲート駆動信号に従って検出を行う。複数の光センサ素子３０は、それぞれに照射される光に応じた電気信号を、検出信号Ｖｄｅｔとして信号線選択回路１６に出力する。検出装置１は、複数の光センサ素子３０からの検出信号Ｖｄｅｔに基づいて生体に関する情報を検出する。
　走査線駆動回路１５及び信号線選択回路１６は、周辺領域ＧＡに設けられる。具体的には、走査線駆動回路１５は、周辺領域ＧＡのうち第２方向Ｄｙに沿って延在する領域に設けられる。信号線選択回路１６は、周辺領域ＧＡのうち第１方向Ｄｘに沿って延在する領域に設けられ、センサ部１０と検出回路４８との間に設けられる。
　なお、第１方向Ｄｘは、基板２１と平行な面内の一方向である。第２方向Ｄｙは、基板２１と平行な面内の一方向であり、第１方向Ｄｘと直交する方向である。なお、第２方向Ｄｙは、第１方向Ｄｘと直交しないで交差してもよい。また、第３方向Ｄｚは、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙと直交する方向であり、基板２１の法線方向である。
　図３は、実施形態に係る検出装置の構成例を示すブロック図である。図３に示すように、検出装置１は、さらに検出制御回路１１と検出部４０と、を有する。検出制御回路１１の機能の一部又は全部は、制御回路１０２に含まれる。また、検出部４０のうち、検出回路４８以外の機能の一部又は全部は、制御回路１０２に含まれる。
　検出制御回路１１は、走査線駆動回路１５、信号線選択回路１６及び検出部４０にそれぞれ制御信号を供給し、これらの動作を制御する回路である。検出制御回路１１は、スタート信号ＳＴＶ、クロック信号ＣＫ等の各種制御信号を走査線駆動回路１５に供給する。また、検出制御回路１１は、選択信号ＡＳＷ等の各種制御信号を信号線選択回路１６に供給する。
　走査線駆動回路１５は、各種制御信号に基づいて複数の走査線ＧＬ（図４参照）を駆動する回路である。走査線駆動回路１５は、複数の走査線ＧＬを順次又は同時に選択し、選択された走査線ＧＬにゲート駆動信号ＶＧＬを供給する。これにより、走査線駆動回路１５は、走査線ＧＬに接続された複数の光センサ素子３０を選択する。
　信号線選択回路１６は、複数の出力信号線ＳＬ（図４参照）を順次又は同時に選択するスイッチ回路である。信号線選択回路１６は、例えばマルチプレクサである。信号線選択回路１６は、検出制御回路１１から供給される選択信号ＡＳＷに基づいて、選択された出力信号線ＳＬと検出回路４８とを接続する。これにより、信号線選択回路１６は、光センサ素子３０の検出信号Ｖｄｅｔを検出部４０に出力する。
　検出部４０は、検出回路４８と、信号処理回路４４と、座標抽出回路４５と、記憶回路４６と、検出タイミング制御回路４７と、を備える。検出タイミング制御回路４７は、検出制御回路１１から供給される制御信号に基づいて、検出回路４８と、信号処理回路４４と、座標抽出回路４５と、が同期して動作するように制御する。
　検出回路４８は、例えばアナログフロントエンド回路（ＡＦＥ、Analog　Front　End）である。検出回路４８は、少なくとも検出信号増幅回路４２及びＡ／Ｄ変換回路４３の機能を有する信号処理回路である。検出信号増幅回路４２は、検出信号Ｖｄｅｔを増幅する回路であり、例えば、積分回路である。Ａ／Ｄ変換回路４３は、検出信号増幅回路４２から出力されるアナログ信号をデジタル信号に変換する。
　信号処理回路４４は、検出回路４８の出力信号に基づいて、センサ部１０に入力された所定の物理量を検出する論理回路である。信号処理回路４４は、被検出体１００が検出面（第２粘着層５８）に接触した場合に、検出回路４８からの信号に基づいて被検出体１００の血管像等の生体情報を検出できる。また、信号処理回路４４は、検出回路４８からの信号に基づいて、例えば、指紋や、脈波、脈拍、血中酸素飽和度等の他の生体情報を検出することもできる。
　記憶回路４６は、信号処理回路４４で演算された信号を一時的に保存する。記憶回路４６は、例えばＲＡＭ（Random　Access　Memory）、レジスタ回路等であってもよい。
　座標抽出回路４５は、信号処理回路４４において被検出体１００の接触又は近接が検出されたときに、被検出体１００の検出座標（例えば指の表面の凹凸の検出位置や、掌や手首の血管の検出位置）を求める論理回路である。座標抽出回路４５は、センサ部１０の各検出素子３から出力される検出信号Ｖｄｅｔを組み合わせて、指の表面の凹凸の形状や、血管像を示す二次元情報を生成する。なお、座標抽出回路４５は、検出座標を算出せずにセンサ出力Ｖｏとして検出信号Ｖｄｅｔを出力してもよい。
　次に、検出装置１の回路構成例について説明する。図４は、検出素子を示す回路図である。図４に示すように、検出素子３は、光センサ素子３０と、容量素子Ｃａと、第１トランジスタＴｒと、を含む。第１トランジスタＴｒは、光センサ素子３０に対応して設けられる。第１トランジスタＴｒは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、ｎチャネルのＭＯＳ（Metal　Oxide　Semiconductor）型のＴＦＴ（Thin　Film　Transistor）で構成されている。第１トランジスタＴｒのゲートは走査線ＧＬに接続される。第１トランジスタＴｒのソースは出力信号線ＳＬに接続される。第１トランジスタＴｒのドレインは、光センサ素子３０のアノード及び容量素子Ｃａに接続される。
　光センサ素子３０のカソードには、電源回路１０３から電源信号ＳＶＳが供給される。また、容量素子Ｃａには、電源回路１０３から、容量素子Ｃａの初期電位となる基準電位ＶＲ１が供給される。
　検出素子３に光が照射されると、光センサ素子３０には光量に応じた電流が流れ、これにより容量素子Ｃａに電荷が蓄積される。第１トランジスタＴｒがオンになると、容量素子Ｃａに蓄積された電荷に応じて、出力信号線ＳＬに電流が流れる。出力信号線ＳＬは、信号線選択回路１６を介して検出回路４８に接続される。これにより、検出装置１は、検出素子３ごとに、光センサ素子３０に照射される光の光量に応じた信号を検出できる。
　なお、図４では１つの検出素子３を示しているが、走査線ＧＬ及び出力信号線ＳＬは、複数の検出素子３に接続される。具体的には、走査線ＧＬは、第１方向Ｄｘ（図２参照）に延在し、第１方向Ｄｘに配列された複数の検出素子３と接続される。また、出力信号線ＳＬは、第２方向Ｄｙに延在し、第２方向Ｄｙに配列された複数の検出素子３に接続される。
　なお、第１トランジスタＴｒは、ｎ型ＴＦＴに限定されず、ｐ型ＴＦＴで構成されてもよい。また、検出素子３において、１つの光センサ素子３０に対応して、複数のトランジスタが設けられていてもよい。
　次に、検出装置１の詳細な構成について説明する。図５は、実施形態に係る検出装置の検出素子を模式的に示す平面図である。図５に示すように、検出素子３は、走査線ＧＬと、出力信号線ＳＬとで囲まれた領域である。本実施形態では、走査線ＧＬは、第１走査線ＧＬＡと第２走査線ＧＬＢとを含む。第１走査線ＧＬＡは、第２走査線ＧＬＢと重なって設けられる。第１走査線ＧＬＡと第２走査線ＧＬＢとは、絶縁層２２ｃ、２２ｄ（図６参照）を介して異なる層に設けられている。第１走査線ＧＬＡと第２走査線ＧＬＢとは、任意の箇所で電気的に接続され、同じ電位を有するゲート駆動信号ＶＧＬが供給される。第１走査線ＧＬＡ及び第２走査線ＧＬＢの少なくとも一方が、走査線駆動回路１５に接続される。なお、図５では、第１走査線ＧＬＡと第２走査線ＧＬＢとは異なる幅を有しているが、同じ幅であってもよい。
　光センサ素子３０は、走査線ＧＬと、出力信号線ＳＬとで囲まれた領域に設けられる。光センサ素子３０は、半導体層３１と、上部電極３４と、下部電極３５とを含む。光センサ素子３０は、例えば、ＰＩＮフォトダイオードや有機半導体からなるフォトダイオードである。
　上部電極３４は、接続配線３６を介して電源信号線Ｌｖｓと接続される。電源信号線Ｌｖｓは、電源信号ＳＶＳを光センサ素子３０に供給する配線である。本実施形態では、電源信号線Ｌｖｓは、出力信号線ＳＬと重なって第２方向Ｄｙに延在する。第２方向Ｄｙに配列された複数の検出素子３は、共通の電源信号線Ｌｖｓに接続される。このような構成により、検出素子３の開口を大きくすることができる。下部電極３５、半導体層３１及び上部電極３４は、平面視で略四角形状である。ただし、これに限定されず、下部電極３５、半導体層３１及び上部電極３４の形状は適宜変更できる。
　第１トランジスタＴｒは、走査線ＧＬと出力信号線ＳＬとの交差部の近傍に設けられる。第１トランジスタＴｒは、半導体層６１、ソース電極６２、ドレイン電極６３、第１ゲート電極６４Ａ及び第２ゲート電極６４Ｂを含む。
　半導体層６１は、酸化物半導体である。より好ましくは、半導体層６１は、酸化物半導体のうち透明アモルファス酸化物半導体（ＴＡＯＳ：Transparent　Amorphous　Oxide　Semiconductor）である。第１トランジスタＴｒに酸化物半導体を用いることにより、第１トランジスタＴｒのリーク電流を抑制できる。すなわち、第１トランジスタＴｒは、非選択の検出素子３からのリーク電流を低減できる。このため、検出装置１は、Ｓ／Ｎ比を向上させることができる。ただし、半導体層６１は、これに限定されず、微結晶酸化物半導体、アモルファス酸化物半導体、ポリシリコン、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ：Low　Temperature　Polycrystalline　Silicone）等であってもよい。
　半導体層６１は、第１方向Ｄｘに沿って設けられ、平面視で第１ゲート電極６４Ａ及び第２ゲート電極６４Ｂと交差する。第１ゲート電極６４Ａ及び第２ゲート電極６４Ｂは、それぞれ第１走査線ＧＬＡ及び第２走査線ＧＬＢから分岐して設けられる。言い換えると、第１走査線ＧＬＡ及び第２走査線ＧＬＢのうち、半導体層６１と重なる部分が第１ゲート電極６４Ａ及び第２ゲート電極６４Ｂとして機能する。第１ゲート電極６４Ａ及び第２ゲート電極６４Ｂは、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）又はこれらの合金が用いられる。また、半導体層６１の、第１ゲート電極６４Ａ及び第２ゲート電極６４Ｂと重なる部分にチャネル領域が形成される。
　半導体層６１の一端は、コンタクトホールＨ１を介してソース電極６２と接続される。半導体層６１の他端は、コンタクトホールＨ２を介してドレイン電極６３と接続される。出力信号線ＳＬのうち、半導体層６１と重なる部分がソース電極６２である。また、第３導電層６７のうち、半導体層６１と重なる部分がドレイン電極６３として機能する。第３導電層６７はコンタクトホールＨ３を介して下部電極３５と接続される。このような構成により、第１トランジスタＴｒは、光センサ素子３０と出力信号線ＳＬとの間の接続と遮断とを切り換え可能になっている。
　なお、検出素子３（光センサ素子３０）の第１方向Ｄｘでの配置ピッチＰｘ（図７参照）は、出力信号線ＳＬの第１方向Ｄｘでの配置ピッチで規定される。また、検出素子３（光センサ素子３０）の第２方向Ｄｙでの配置ピッチＰｙ（図７参照）は、走査線ＧＬの第２方向Ｄｙでの配置ピッチで規定される。
　次に検出装置１の層構成について説明する。図６は、図５のＶＩ－ＶＩ’断面図である。図６では、検出領域ＡＡの層構造と周辺領域ＧＡの層構造との関係を示すために、ＶＩ－ＶＩ’線に沿う断面と、周辺領域ＧＡの第２トランジスタＴｒＧを含む部分の断面とを、模式的に繋げて示している。さらに、図６では、周辺領域ＧＡの端子部７２を含む部分の断面を模式的に繋げて示している。
　なお、検出装置１の説明において、基板２１の表面に垂直な方向（第３方向Ｄｚ）において、基板２１から光センサ素子３０に向かう方向を「上側」又は「上」とする。光センサ素子３０から基板２１に向かう方向を「下側」又は「下」とする。また、「平面視」とは、基板２１の表面に垂直な方向から見た場合の位置関係を示す。
　図６に示すように、基板２１は絶縁基板であり、例えば、石英、無アルカリガラス等のガラス基板が用いられる。基板２１の一方の面に、第１トランジスタＴｒ、各種配線（走査線ＧＬ及び出力信号線ＳＬ）及び絶縁層が設けられてアレイ基板２が形成される。光センサ素子３０は、アレイ基板２の上、すなわち、基板２１の一方の面側に配列される。なお、基板２１は、ポリイミド等の樹脂で構成された樹脂基板又は樹脂フィルムであってもよい。
　絶縁層２２ａ、２２ｂは、基板２１の上に設けられる。絶縁層２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ、２２ｅ、２２ｆ、２２ｇは、無機絶縁膜であり、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（ＳｉＮ）等である。また、各無機絶縁層は、単層に限定されず積層膜であってもよい。
　第１ゲート電極６４Ａは、絶縁層２２ｂの上に設けられる。絶縁層２２ｃは、第１ゲート電極６４Ａを覆って絶縁層２２ｂの上に設けられる。半導体層６１、第１導電層６５及び第２導電層６６は、絶縁層２２ｃの上に設けられる。第１導電層６５は、半導体層６１のうちソース電極６２と接続される端部を覆って設けられる。第２導電層６６は、半導体層６１のうちドレイン電極６３と接続される端部を覆って設けられる。
　絶縁層２２ｄは、半導体層６１、第１導電層６５及び第２導電層６６を覆って絶縁層２２ｃの上に設けられる。第２ゲート電極６４Ｂは、絶縁層２２ｄの上に設けられる。半導体層６１は、基板２１に垂直な方向において、第１ゲート電極６４Ａと第２ゲート電極６４Ｂとの間に設けられる。つまり、第１トランジスタＴｒは、いわゆるデュアルゲート構造である。ただし、第１トランジスタＴｒは、第１ゲート電極６４Ａが設けられ、第２ゲート電極６４Ｂが設けられないボトムゲート構造でもよく、第１ゲート電極６４Ａが設けられず、第２ゲート電極６４Ｂのみが設けられるトップゲート構造でもよい。
　絶縁層２２ｅは、第２ゲート電極６４Ｂを覆って絶縁層２２ｄの上に設けられる。ソース電極６２（出力信号線ＳＬ）及びドレイン電極６３（第３導電層６７）は、絶縁層２２ｅの上に設けられる。本実施形態では、ドレイン電極６３は、絶縁層２２ｄ、２２ｅを介して半導体層６１の上に設けられた第３導電層６７である。ソース電極６２は、コンタクトホールＨ１及び第１導電層６５を介して半導体層６１と電気的に接続される。ドレイン電極６３は、コンタクトホールＨ２及び第２導電層６６を介して半導体層６１と電気的に接続される。
　第３導電層６７は、平面視で、光センサ素子３０と重なる領域に設けられる。第３導電層６７は、半導体層６１、第１ゲート電極６４Ａ及び第２ゲート電極６４Ｂの上側にも設けられる。つまり、第３導電層６７は、基板２１に垂直な方向において、第２ゲート電極６４Ｂと下部電極３５との間に設けられる。これにより、第３導電層６７は、第１トランジスタＴｒを保護する保護層としての機能を有する。
　第２導電層６６は、半導体層６１と重ならない領域において、第３導電層６７と対向して延在する。また、半導体層６１と重ならない領域において、絶縁層２２ｄの上に第４導電層６８が設けられる。第４導電層６８は、第２導電層６６と第３導電層６７との間に設けられる。これにより、第２導電層６６と第４導電層６８との間に容量が形成され、第３導電層６７と第４導電層６８との間に容量が形成される。第２導電層６６、第３導電層６７及び第４導電層６８により形成される容量は、図４に示す容量素子Ｃａの容量である。
　第１有機絶縁層２３ａは、ソース電極６２（出力信号線ＳＬ）及びドレイン電極６３（第３導電層６７）を覆って、絶縁層２２ｅの上に設けられる。第１有機絶縁層２３ａは、第１トランジスタＴｒや、各種導電層で形成される凹凸を平坦化する平坦化層である。
　次に、光センサ素子３０の断面構成について説明する。光センサ素子３０は、アレイ基板２の第１有機絶縁層２３ａの上に、下部電極３５、半導体層３１、上部電極３４の順に積層される。アレイ基板２は、所定の検出領域ごとにセンサを駆動する駆動回路基板である。アレイ基板２は、基板２１と、基板２１に設けられた第１トランジスタＴｒ、第２トランジスタＴｒＧ及び各種配線等を有する。
　下部電極３５は、第１有機絶縁層２３ａの上に設けられ、コンタクトホールＨ３を介して第３導電層６７と電気的に接続される。下部電極３５は、光センサ素子３０のアノードであり、検出信号Ｖｄｅｔを読み出すための電極である。下部電極３５は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属材料が用いられる。又は、下部電極３５は、これらの金属材料が複数積層された積層膜であってもよい。下部電極３５は、ＩＴＯ（Indium　Tin　Oxide）等の透光性を有する導電材料であってもよい。
　半導体層３１は、アモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ）である。半導体層３１は、ｉ型半導体層３２ａ、ｎ型半導体層３２ｂ及びｐ型半導体層３２ｃを含む。ｉ型半導体層３２ａ、ｎ型半導体層３２ｂ及びｐ型半導体層３２ｃは、光電変換素子の一具体例である。図６では、基板２１の表面に垂直な方向において、ｐ型半導体層３２ｃ、ｉ型半導体層３２ａ及びｎ型半導体層３２ｂの順に積層されている。ただし、反対の構成、つまり、ｎ型半導体層３２ｂ、ｉ型半導体層３２ａ及びｐ型半導体層３２ｃの順に積層されていてもよい。また半導体層３１は、有機半導体からなる光電変換素子であってもよい。
　ｎ型半導体層３２ｂは、ａ－Ｓｉに不純物がドープされてｎ＋領域を形成する。ｐ型半導体層３２ｃは、ａ－Ｓｉに不純物がドープされてｐ＋領域を形成する。ｉ型半導体層３２ａは、例えば、ノンドープの真性半導体であり、ｎ型半導体層３２ｂ及びｐ型半導体層３２ｃよりも低い導電性を有する。
　上部電極３４は、光センサ素子３０のカソードであり、電源信号ＳＶＳを光電変換層に供給するための電極である。上部電極３４は、例えばＩＴＯ等の透光性導電層であり、光センサ素子３０ごとに複数設けられる。
　第１有機絶縁層２３ａの上に絶縁層２２ｆ及び絶縁層２２ｇが設けられている。絶縁層２２ｆは、上部電極３４の周縁部を覆い、上部電極３４と重なる位置に開口が設けられている。接続配線３６は、上部電極３４のうち、絶縁層２２ｆが設けられていない部分で上部電極３４と接続される。絶縁層２２ｇは、上部電極３４及び接続配線３６を覆って絶縁層２２ｆの上に設けられる。絶縁層２２ｇの上に平坦化層である第２有機絶縁層２３ｂが設けられる。また、有機半導体のフォトダイオードの場合には、さらにその上に絶縁層２２ｈが設けられる場合がある。
　周辺領域ＧＡには、走査線駆動回路１５の第２トランジスタＴｒＧが設けられている。第２トランジスタＴｒＧは、第１トランジスタＴｒと同一の基板２１に設けられる。第２トランジスタＴｒＧは、半導体層８１、ソース電極８２、ドレイン電極８３及びゲート電極８４を含む。
　半導体層８１は、ポリシリコンである。より好ましくは、半導体層８１は、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）である。半導体層８１は、絶縁層２２ａの上に設けられる。つまり、第１トランジスタＴｒの半導体層６１は、基板２１に垂直な方向において、第２トランジスタＴｒＧの半導体層８１よりも基板２１から離れた位置に設けられる。ただし、これに限定されず、半導体層８１は、半導体層６１と同層に、同じ材料で形成されていてもよい。
　ゲート電極８４は、絶縁層２２ｂを介して半導体層８１の上側に設けられる。ゲート電極８４は、第１ゲート電極６４Ａと同層に設けられる。第２トランジスタＴｒＧは、いわゆるトップゲート構造である。ただし、第２トランジスタＴｒＧは、デュアルゲート構造でもよく、ボトムゲート構造でもよい。
　ソース電極８２及びドレイン電極８３は、絶縁層２２ｅの上に設けられる。ソース電極８２及びドレイン電極８３は、第１トランジスタＴｒのソース電極６２及びドレイン電極６３と同層に設けられる。コンタクトホールＨ４、Ｈ５は、絶縁層２２ｂから絶縁層２２ｅを貫通して設けられる。ソース電極８２は、コンタクトホールＨ４を介して半導体層８１と電気的に接続される。ドレイン電極８３は、コンタクトホールＨ５を介して半導体層８１と電気的に接続される。
　端子部７２は、周辺領域ＧＡのうち、走査線駆動回路１５が設けられた領域とは異なる位置に設けられる。端子部７２は、第１端子導電層７３、第２端子導電層７４、第３端子導電層７５及び第４端子導電層７６を有する。第１端子導電層７３は、第１ゲート電極６４Ａと同層に、絶縁層２２ｂの上に設けられる。コンタクトホールＨ６は、絶縁層２２ｃ、２２ｄ、２２ｅ及び第１有機絶縁層２３ａを連通して設けられる。
　第２端子導電層７４、第３端子導電層７５及び第４端子導電層７６は、コンタクトホールＨ６内に、この順で積層され、第１端子導電層７３と電気的に接続される。第２端子導電層７４は、第３導電層６７等と同じ材料を用い、同じ工程で形成できる。また、第３端子導電層７５は、下部電極３５と同じ材料を用い、同じ工程で形成できる。第４端子導電層７６は、接続配線３６及び電源信号線Ｌｖｓ（図５参照）と同じ材料を用い、同じ工程で形成できる。
　なお、図６では１つの端子部７２を示しているが、端子部７２は間隔を有して複数配列される。複数の端子部７２は、例えばＡＣＦ（Anisotropic　Conductive　Film）等により、配線基板１１０（図２参照）と電気的に接続される。
　センサ部１０は、以上のような構成となっているため、ユーザの生体情報を適切に検出できる。ただし、センサ部１０は、光センサ素子３０で光Ｌを受光してユーザの生体情報を検出可能であれば、以上説明した構造に限られない。また、センサ部１０は、光センサ素子３０で光Ｌを受光して情報を検出するものであれば、生体情報以外を検出するものであってもよい。
　次に、光ファイバ束５０の構成について説明する。図７は、光ファイバ束と検出素子との配置関係を模式的に示す平面図である。図７は、光ファイバ束５０を第３方向Ｄｚ（センサ部１０側）から見た平面図であり、検出素子３（光センサ素子３０）を点線で示す。
　図７に示すように、光ファイバ束５０は、複数の光ファイバ５１と、吸光部５５と、を有する。複数の光ファイバ５１は、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙに配列されマトリクス状に設けられる。複数の光ファイバ５１は、それぞれ、光Ｌを透過可能な導光経路を形成する。吸光部５５の光Ｌの吸収率は、複数の光ファイバ５１の光Ｌの吸収率よりも高い。言い換えると、複数の光ファイバ５１の光の透過率は、吸光部５５の光Ｌの透過率より高い。
　吸光部５５は、複数の光ファイバ５１の周囲に設けられ、光Ｌを吸収する部材で構成される。吸光部５５の光の吸収率は、７０％以上１００％以下であることが好ましく、１００％であることがより好ましい。ここでの光の吸収率とは、入射光Ｌｉｎの強度に対する、入射光Ｌｉｎの強度と出射光Ｌｏｕｔの強度との差分の比率（（Ｌｉｎ－Ｌｏｕｔ）／Ｌｉｎ）を指す。吸光部５５は、複数の光ファイバ５１が変形できるように低弾性材料が用いられる。具体的には、吸光部５５は、有機材料、より詳しくは高分子材料で形成される。
　複数の光ファイバ５１の第１端面５１ａは、光センサ素子３０に光Ｌを出射する面であり、第１端面５１ａのそれぞれは、光センサ素子３０に重なって配置される。光ファイバ５１の直径ＤＩは、検出素子３の第１方向Ｄｘでの配置ピッチＰｘよりも小さく、検出素子３の第２方向Ｄｙでの配置ピッチＰｙよりも小さい。光ファイバ５１の第１方向Ｄｘでの配置ピッチＰＦｘは、検出素子３（光センサ素子３０）の第１方向Ｄｘでの配置ピッチＰｘと等しい。光ファイバ５１の第２方向Ｄｙでの配置ピッチＰＦｙは、検出素子３（光センサ素子３０）の第２方向Ｄｙでの配置ピッチＰｙと等しい。これにより、複数の光ファイバ５１は、検出素子３の光センサ素子３０と重なって設けられ、光Ｌを精度良く光センサ素子３０に出射できる。
　図８は、図７のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ’断面図である。図８に示すように、光ファイバ束５０は、第１面５０ａと、第１面５０ａと反対側の第２面５０ｂとを有するシート状の部材である。光ファイバ束５０の第１面５０ａは、複数の光センサ素子３０と対向する。図８では、センサ部１０は、図６に示す断面図と上下関係が反転して設けられ、アレイ基板２の複数の光センサ素子３０が設けられる面が、光ファイバ束５０の第１面５０ａと対向する。
　複数の光ファイバ５１は、それぞれ第１面５０ａから第２面５０ｂまで、第３方向Ｄｚに延在する。つまり、複数の光ファイバ５１の第１端面５１ａは、光ファイバ束５０の第１面５０ａに設けられ、複数の光ファイバ５１の第２端面５１ｂは、光ファイバ束５０の第２面５０ｂに設けられる。第１端面５１ａは、光センサ素子３０に光Ｌを出射する面であり、第２端面５１ｂは、光Ｌを光ファイバ５１に導入する面である。
　図９は、図８の１つの光ファイバを拡大して示す断面図である。図９に示すように、光ファイバ５１は、コアガラス５２と、クラッドガラス５３とを有する。クラッドガラス５３は、コアガラス５２の周囲に設けられる。また、クラッドガラス５３の屈折率は、コアガラス５２の屈折率よりも低い。
　角度θ以下の入射角で、第２端面５１ｂに入射した光Ｌは、コアガラス５２とクラッドガラス５３との界面で全反射を繰り返しつつ、第３方向Ｄｚに進行し、第１端面５１ａから出射する。一方、角度θよりも大きい入射角で、第２端面５１ｂに入射した光Ｌは、コアガラス５２とクラッドガラス５３との界面で全反射せず、吸光部５５に吸収される。
　図８に示すように、隣接する複数の光ファイバ５１を、光ファイバ５１－１、５１－２、５１－３とする。また、光センサ素子３０－１、３０－２、３０－３は、光ファイバ５１－１、５１－２、５１－３のそれぞれと重なる位置に設けられる。光ファイバ５１－２の第２端面５１ｂには、光ファイバ５１－２と重なる位置の被検出体１００の部分１００ａからの光Ｌが入射し、部分１００ａの周囲の領域からの光Ｌは吸光部５５に吸収される。また、光ファイバ５１－２の第１端面５１ａから出射した光Ｌは、光ファイバ５１－２と重なる位置の光センサ素子３０－２に入射し、他の隣接する光センサ素子３０－１、３０－３への入射は抑制される。したがって、光ファイバ５１は、隣接する光ファイバ５１の間で光Ｌの混色を抑制することができ、検出の解像度を高めることができる。
　図８に示すように、第１粘着層５７は、光ファイバ束５０の第１面５０ａと、センサ部１０の最表面に設けられた絶縁層２２ｈとを接着する。つまり、第１粘着層５７は、複数の光ファイバ５１の第１端面５１ａ及び吸光部５５を覆って設けられる。第１粘着層５７は、透光性の粘着シートであり、例えば、光学粘着フィルム（ＯＣＡ：Optical　Clear　Adhesive）である。これにより、被検出体１００が第２粘着層５８に接し、平面方向に力が加えられた場合であっても、第１粘着層５７により、複数の光ファイバ５１の第１端面５１ａと、複数の光センサ素子３０との、平面方向での位置ずれを抑制できる。
　第２粘着層５８は、光ファイバ束５０の第２面５０ｂに接して設けられる。すなわち、第２粘着層５８は、複数の光ファイバ５１の第２端面５１ｂ及び吸光部５５を覆って設けられる。第２粘着層５８には、被検出体１００が接する。言い換えると、第２粘着層５８の表面は、検出装置１の検出面である。第２粘着層５８が設けられているので、平面方向に力が加えられた場合であっても、複数の光ファイバ５１の第２端面５１ｂと、被検出体１００との、平面方向での位置ずれを抑制できる。
　ここで、光ファイバ５１の直径ＤＩに対する長さＤＨの比率（ＤＨ／ＤＩ）を、光ファイバ５１のアスペクト比とする。長さＤＨは、光ファイバ５１の第３方向Ｄｚでの長さであり、第１端面５１ａと第２端面５１ｂとの間の長さである。本実施形態では、光ファイバ５１のアスペクト比は十分に大きく、例えば、５以上５０以下程度である。これにより、各光ファイバ５１は弾性変形可能となっている。また、吸光部５５は、各光ファイバ５１とともに変形しつつ、各光ファイバ５１を支持できる低弾性率材料が用いられる。これにより、光ファイバ束５０は、被検出体１００から加えられる力に応じて弾性変形可能になっている。
　図１０は、被検出体の位置がずれた状態の、光ファイバ束と検出素子との配置関係を模式的に示す平面図である。図１１は、図１０のＸＩ－ＸＩ’断面図である。図１０及び図１１では、図７及び図８に比べて、第２粘着層５８に接した状態で、被検出体１００が第１方向Ｄｘに変位した場合を示す。また、図１０では、理解を容易にするために、光ファイバ５１の第１端面５１ａを実線で示し、第２端面５１ｂを点線で示している。
　図１０に示すように、第３方向Ｄｚからの平面視で、第２端面５１ｂは第１端面５１ａに対して位置がずれている。本実施形態において、光ファイバ束５０の弾性率は、第１粘着層５７の弾性率及び第２粘着層５８の弾性率よりも低い。すなわち、光ファイバ束５０の各光ファイバ５１及び吸光部５５は、被検出体１００から加えられる力により、第１粘着層５７及び第２粘着層５８よりも変形しやすい。これにより、被検出体１００の第１方向Ｄｘでの位置ずれに伴って、第２端面５１ｂは第１端面５１ａに対して第１方向Ｄｘに位置がずれている。
　図１１に示すように、第２粘着層５８に接した状態で被検出体１００が第１方向Ｄｘに変位すると、第２粘着層５８と被検出体１００との間の粘着力により、光ファイバ束５０の各光ファイバ５１の第２端面５１ｂも第１方向Ｄｘに変位する。一方、各光ファイバ５１の第１端面５１ａの位置は、第１粘着層５７により固定されている。これにより、各光ファイバ５１の延在方向は、第３方向Ｄｚに対して傾斜する。また、吸光部５５も、傾斜した光ファイバ５１の間を充填するように変形する。なお、図１１では、光ファイバ５１は、直線状に傾斜しているが、あくまで模式的に示したものであり、光ファイバ５１のアスペクト比や弾性率に応じて、湾曲するように変形してもよい。
　言い換えると、被検出体１００が変位した場合、或いは、振動した場合であっても、複数の光ファイバ５１の第１端面５１ａと、複数の光センサ素子３０との間の、平面方向での位置ずれを抑制できる。また、複数の光ファイバ５１の第２端面５１ｂと、被検出体１００との間の、平面方向での位置ずれを抑制できる。
　したがって、被検出体１００が変位した場合、或いは、振動した場合であっても、被検出体１００の部分１００ａからの光Ｌは、光ファイバ５１－２の第２端面５１ｂに入射し、隣接する光ファイバ５１－１、５１－２の第２端面５１ｂに入射することが抑制される。そして、光ファイバ５１－２の第１端面５１ａから出射した光Ｌは、光センサ素子３０－２に入射し、隣接する光センサ素子３０－１、３０－３に入射することが抑制される。
　このような構成により、光ファイバ束５０は、光センサ素子３０に光Ｌを適切に導くことが可能である。すなわち、第２粘着層５８に接した状態で被検出体１００が変位した場合、或いは、振動した場合であっても、光ファイバ束５０により、被検出体１００と、複数の光センサ素子３０との対応関係が維持される。この結果、検出された画像のブレを抑制することができ、検出の解像度を高めることができる。
　なお、図１０及び図１１では、被検出体１００が第１方向Ｄｘに変位した場合を示したが、あくまで例示であり、これに限定されない。すなわち、被検出体１００は、光ファイバ束５０の第２面５０ｂに平行な任意の方向に変位してもよく、光ファイバ束５０は、第２粘着層５８に接した状態での被検出体１００の変位に応じて変形できる。
　また、被検出体１００は、第３方向Ｄｚに変位又は振動してもよい。この場合であっても、光ファイバ束５０の弾性率が低いので、光ファイバ束５０は、被検出体１００の第３方向Ｄｚでの変位により発生する力を吸収して、被検出体１００からの力が光センサ素子３０に集中して加えられることを抑制することができる。この結果、光センサ素子３０の損傷を抑制することができる。
　図７から図１１に示した光ファイバ束５０は、理解を容易にするために、あくまで模式的に示したものであり、光ファイバ束５０の構成、形状は適宜変更できる。例えば、光ファイバ束５０の厚さ、各光ファイバ５１のアスペクト比、光ファイバ５１の本数、配置等は適宜変更することができる。光ファイバ５１は、検出素子３（光センサ素子３０）と、１対１の対応となるように配置されているが、これに限定されない。１つの検出素子３に対して、２以上の光ファイバ５１が配置されていてもよいし、２以上の検出素子３に対して１つの光ファイバ５１が配置されていてもよい。また、複数の光ファイバ５１は、平面視で、マトリクス状に配置される構成に限定されず、三角格子状等、他の配置であってもよい。
（第１変形例）
　図１２は、第１変形例に係る検出装置の、光ファイバ束と検出素子との配置関係を模式的に示す平面図である。図１２に示すように、第１変形例の検出装置１Ａにおいて、１つの検出素子３に対して、複数の光ファイバ５１Ａが重なって設けられる。光ファイバ５１Ａの直径ＤＩ及び配置ピッチＰＦｘ、ＰＦｙは、検出素子３（光センサ素子３０）の配置ピッチＰｘ、Ｐｙよりも小さい。
　具体的には、１つの検出素子３に対して、４つの光ファイバ５１Ａが重なって設けられる。光ファイバ５１Ａの直径ＤＩは、検出素子３の第１方向Ｄｘでの配置ピッチＰｘの１／２程度であり、検出素子３の第２方向Ｄｙでの配置ピッチＰｙの１／２程度である。光ファイバ５１Ａの第１方向Ｄｘでの配置ピッチＰＦｘは、検出素子３（光センサ素子３０）の第１方向Ｄｘでの配置ピッチＰｘの１／２程度である。光ファイバ５１Ａの第２方向Ｄｙでの配置ピッチＰＦｙは、検出素子３（光センサ素子３０）の第２方向Ｄｙでの配置ピッチＰｙの１／２程度である。
　このように、複数の光ファイバ５１Ａは、１つの検出素子３の光センサ素子３０と重なって設けられる。つまり、光ファイバ束５０Ａの解像度は、検出素子３の解像度よりも高い。このため、検出装置１Ａは、被検出体１００と検出素子３との間に光ファイバ束５０Ａを設けた場合でも、解像度の低下を抑制できる。
　ただし、光ファイバ５１Ａの配置ピッチＰＦｘ、ＰＦｙは、検出素子３（光センサ素子３０）の配置ピッチＰｘ、Ｐｙの１／２に限定されない。光ファイバ５１Ａの配置ピッチＰＦｘ、ＰＦｙは、検出素子３（光センサ素子３０）の配置ピッチＰｘ、Ｐｙよりも小さければよい。より好ましくは、検出素子３（光センサ素子３０）の配置ピッチＰｘ、Ｐｙは、光ファイバ５１Ａの配置ピッチＰＦｘ、ＰＦｙの整数倍であればよい。
（第２変形例）
　図１３は、第２変形例に係る検出装置の、光ファイバ束と検出素子との配置関係を模式的に示す平面図である。図１３に示すように、第２変形例の検出装置１Ｂにおいて、複数の検出素子３に対して、１つの光ファイバ５１Ｂが重なって設けられる。光ファイバ５１Ｂの直径ＤＩ及び配置ピッチＰＦｘ、ＲＦｙは、検出素子３（光センサ素子３０）の配置ピッチＰｘ、Ｐｙよりも大きい。
　具体的には、４つの検出素子３に対して、１つの光ファイバ５１Ｂが重なって設けられる。光ファイバ５１Ｂの直径ＤＩは、検出素子３の第１方向Ｄｘでの配置ピッチＰｘの２倍程度であり、検出素子３の第２方向Ｄｙでの配置ピッチＰｙの２倍程度である。光ファイバ５１Ｂの第１方向Ｄｘでの配置ピッチＰＦｘは、検出素子３（光センサ素子３０）の第１方向Ｄｘでの配置ピッチＰｘの２倍程度である。光ファイバ５１Ｂの第２方向Ｄｙでの配置ピッチＰＦｙは、検出素子３（光センサ素子３０）の第２方向Ｄｙでの配置ピッチＰｙの２倍程度である。
　第２変形例では、１つの検出素子３の光センサ素子３０と重なる領域で、光ファイバ５１Ｂの面積が大きくなり、光ファイバ束５０Ｂの実質的な光の透過率を高めることができる。したがって、検出装置１Ｂは、検出感度を向上させることができる。
　ただし、光ファイバ５１Ｂの配置ピッチＰＦｘ、ＰＦｙ及び直径ＤＩは、検出素子３（光センサ素子３０）の配置ピッチＰｘ、Ｐｙの２倍に限定されない。光ファイバ５１Ｂの配置ピッチＰＦｘ、ＰＦｙ及び直径ＤＩは、検出素子３（光センサ素子３０）の配置ピッチＰｘ、Ｐｙよりも大きければよい。より好ましくは、光ファイバ５１Ｂの配置ピッチＰＦｘ、ＰＦｙは、検出素子３（光センサ素子３０）の配置ピッチＰｘ、Ｐｙの整数倍であればよい。
（第３変形例）
　図１４は、第３変形例に係る検出装置の、生体情報測定の使用例を示す側面図である。図１４に示すように、第３変形例に係る検出装置１Ｃは、被検出体１００Ａである指の爪上皮血流（例えば毛細血管の血流）の観察に使用できる。
　検出装置１Ｃは、２つの光源９１、９２を有する。２つの光源９１、９２は、被検出体１００Ａの側方を挟んで配置される。光源９１、９２から出射された光Ｌは、被検出体１００Ａの血管で反射される。反射された光Ｌは、上側に進行し、光ファイバ束５０を通ってセンサ部１０に入射する。本実施形態では、第２粘着層５８が被検出体１００Ａの爪の上に接することで、光ファイバ束５０の各光ファイバ５１を介して、被検出体１００Ａとセンサ部１０との位置関係が維持される。また、第３変形例では、光ファイバ束５０の弾性率が低く変形しやすいので、光ファイバ束５０の接触により、例えば毛細血管等が圧迫されることを抑制でき、良好に血流を観察することができる。
（第４変形例）
　図１５は、第４変形例に係る検出装置の、生体情報測定の使用例を示す側面図である。図１５に示すように、第４変形例に係る検出装置１Ｄは、被検出体１００Ｂである手首Ｗｒの静脈パターンの観察に使用できる。
　検出装置１Ｄの基板２１Ａは、変形可能な可撓性を有する材料で形成され、手首Ｗｒを取り巻く環状に設けられる。光源９１Ａ、９２Ａは、環状に設けられた基板２１Ａに沿って円弧状に配置される。光源９１Ａ、９２Ａから出射された光Ｌは、被検出体１００Ｂの血管（静脈）で反射され、センサ部１０に入射する。本変形例でも、センサ部１０と手首Ｗｒとの間に低弾性率の光ファイバ束５０が設けられるので、被検出体１００Ｂの血管（静脈）が光ファイバ束５０により圧迫されることを抑制できる。
　また、検出装置１Ｄは、例えば、スマートウォッチやウェアラブルデバイスに採用することができる。第４変形例での光源９１Ａ、９２Ａの配置はあくまで例示であり、検出装置１Ｄが搭載される機器に応じて適宜変更することができる。
　また、第１変形例及び第２変形例の構成は、上述した第３変形例及び第４変形例の検出装置１Ｃ、１Ｄと組み合わせることができる。
　以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。
　１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ　検出装置
　２　アレイ基板
　３　検出素子
　１０　センサ部
　１５　走査線駆動回路
　１６　信号線選択回路
　２１、２１Ａ　基板
　２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ、２２ｅ　絶縁層
　２３ａ　第１有機絶縁層
　２３ｂ　第２有機絶縁層
　３０、３０－１、３０－２、３０－３　光センサ素子
　３１　半導体層
　３２ａ　ｉ型半導体層
　３２ｂ　ｎ型半導体層
　３２ｃ　ｐ型半導体層
　５０、５０Ａ、５０Ｂ　光ファイバ束
　５０ａ　第１面
　５０ｂ　第２面
　５１、５１－１、５１－２、５１－３、５１Ａ、５１Ｂ　光ファイバ
　５１ａ　第１端面
　５１ｂ　第２端面
　５５　吸光部
　ＡＡ　検出領域
　ＧＡ　周辺領域
　ＧＬ　走査線
　ＳＬ　出力信号線

Claims (8)

  1. 　基板と、
    　前記基板に配列され、照射された光に応じた信号を出力する複数の光センサ素子と、
    　複数の光ファイバが束ねられて構成され、複数の前記光センサ素子と対向する光ファイバ束と、
    　前記光ファイバ束の第１面と、複数の前記光センサ素子とを接着する第１粘着層と、
    　前記光ファイバ束の前記第１面と反対側の第２面に設けられる第２粘着層と、を有し、
    　前記光ファイバ束の弾性率は、前記第１粘着層及び前記第２粘着層の少なくとも一方の弾性率よりも低い
    　検出装置。
  2. 　前記第２粘着層には、被検出体が接し、
    　前記第２粘着層に接した状態での前記被検出体の変位に応じて、前記光ファイバ束は変形可能に設けられている
    　請求項１に記載の検出装置。
  3. 　複数の前記光ファイバは、それぞれ、
    　前記第１面に設けられ、前記光センサ素子に光を出射する第１端面と、
    　前記第２面に設けられ、光を前記光ファイバに導入する第２端面とを有し、
    　前記基板に垂直な方向からの平面視で、前記第２端面は前記第１端面に対して位置がずれている
    　請求項１又は請求項２に記載の検出装置。
  4. 　複数の前記光ファイバの配置ピッチは、複数の前記光センサ素子の配置ピッチと等しい
    　請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の検出装置。
  5. 　複数の前記光ファイバの配置ピッチは、複数の前記光センサ素子の配置ピッチよりも小さい
    　請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の検出装置。
  6. 　複数の前記光ファイバの配置ピッチは、複数の前記光センサ素子の配置ピッチよりも大きい
    　請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の検出装置。
  7. 　前記光センサ素子は、
    　前記基板の上に積層されたｐ型半導体層と、ｉ型半導体層と、ｎ型半導体層と、を含む
    　請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の検出装置。
  8. 　複数の前記光ファイバの周囲には、それぞれ前記光ファイバよりも光の吸収率が高い吸光部が設けられる
    　請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の検出装置。
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