WO2021145082A1 - 固体撮像素子および電子機器 - Google Patents

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孝征 田中
馬場　友彦
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Definitions

  • This technology relates to a solid-state image sensor. More specifically, the present invention relates to a solid-state image sensor and an electronic device having a chip mounting region in which a chip is mounted in addition to a pixel region.
  • an area for mounting a chip may be provided on the substrate in order to add a function.
  • flip-chip mounting using solder bumps is known.
  • a resin having good fluidity called, for example, an underfill resin is filled between the substrate and the chip. Since this resin may flow out to the pixel region or the wire bond pad, a dam region is arranged around the flip chip mounting area.
  • a solid-state image sensor provided with a slit for blocking the outflow of resin in a dam region has been proposed (see, for example, Patent Document 1).
  • This technology was created in view of this situation, and aims to suppress the influence of incident light in the dam region that blocks the outflow of resin from the chip mounting region.
  • the present technology has been made to solve the above-mentioned problems, and the first aspect thereof is a pixel area in which a plurality of pixels are arranged, a chip mounting area in which a chip is mounted, and the chip mounting.
  • a solid-state imaging device and an electronic device that are arranged around the region and include, at least in part, a dam region that has a saw-like shape facing outward. This has the effect of attenuating the reflection of incident light in the dam region.
  • the angle of the protrusion of the saw shape in the dam region is 90 degrees or less. This has the effect of sufficiently attenuating the reflection of incident light due to the saw shape.
  • the pixel region includes a first on-chip lens on the incident light side
  • the dam region includes a second on-chip lens having the same shape as the first on-chip lens.
  • the saw shape in the dam region may have a structure in which the second on-chip lenses are connected to each other. As a result, the basic structure of the dam in the dam area becomes saw-shaped.
  • the size of the saw shape in the dam region may be an integral multiple of the arrangement pitch of the second on-chip lens.
  • an antireflection film formed on the upper surface of the second on-chip lens in the dam region may be further provided. This has the effect of preventing the reflection of incident light.
  • the saw shape in the dam region may be formed on all one side of the dam region, or may be formed on all four sides of the dam region.
  • the saw shape in the dam region may be a dam that blocks the outflow of the light-shielding resin covering the upper surface and the side surface of the chip, and the chip is formed in the chip mounting region. It may be a dam that blocks the outflow of the underfill resin filled in the area where the flip chip is mounted.
  • FIG. 1 is a plan view showing an example of the solid-state image sensor 100 according to the embodiment of the present technology.
  • the solid-state image sensor 100 includes a pixel region 102, a chip mounting region 103, and a dam region 104 on the semiconductor substrate 101.
  • the semiconductor substrate 101 uses, for example, silicon (Si) as a main material as a semiconductor.
  • the pixel region 102 is a region in which a plurality of pixels having a photoelectric conversion unit that generates and stores light charges according to the amount of received light are two-dimensionally arranged in a matrix in the row direction and the column direction.
  • the chip mounting area 103 is an area for mounting, for example, a flip chip on a chip on which a circuit for performing a predetermined signal processing is formed.
  • the dam area 104 is an area arranged around the chip mounting area 103.
  • the dam region 104 is provided with a dam for blocking the outflow of resin from the chip mounting region 103.
  • a plurality of electrode pads 109 are formed on the outer peripheral portion of the solid-state image sensor 100.
  • the electrode pad 109 is used for probe contacts and wire bonding in the inspection process.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of the solid-state image sensor 100 according to the first embodiment of the present technology. The figure shows a portion including an end portion of the pixel region 102 and the chip mounting region 103, and a dam region 104 between them.
  • a photodiode as a photoelectric conversion unit is formed in pixel units in the semiconductor substrate 101, and an OCL (on-chip lens) 122 is formed in pixel units on the upper side of the semiconductor substrate 101.
  • an antireflection film low reflection film
  • LTO Low Temperature Oxide
  • a color filter layer 121 for passing light having a predetermined wavelength such as R (red), G (green), B (blue) is formed between the OCL 122 and the semiconductor substrate 101.
  • OCL122 is formed of, for example, silicon nitride (SiN) or a resin-based material such as a styrene-based resin, an acrylic-based resin, a styrene-acrylic copolymer-based resin, or a siloxane-based resin.
  • the antireflection film material includes silicon nitride (SiN), hafnium oxide (HfO2), aluminum oxide (Al2O3), zirconium oxide (ZrO2), tantalum oxide (Ta2O5), titanium oxide (TiO2), and lanthanum oxide (LA2O3).
  • the chip 130 is flip-chip mounted on the semiconductor substrate 101. Specifically, the electrode portion 139 of the chip 130 and the electrode portion 159 of the semiconductor substrate 101 are electrically connected via the solder bump 155.
  • the gap between the chip 130 and the semiconductor substrate 101 other than the solder bump 155 is filled with the underfill resin 150 to fill the gap.
  • the underfill resin 150 is composed of, for example, a UV (ultraviolet) curable resin, a thermosetting resin, or the like, and is formed by being injected into the gap between the chip 130 and the semiconductor substrate 101 and then cured.
  • the upper surface and side surfaces of the chip 130 and the underfill resin 150 around the chip 130 are covered with a light-shielding resin 160 formed of a black resin or the like having a light-shielding property in order to prevent reflection.
  • the light-shielding resin 160 is also made of a UV (ultraviolet) curable resin, a thermosetting resin, or the like, and is formed by being applied by using a dispenser and then being cured.
  • the color filter layer 121 and the OCL 122 formed in the pixel region 102 are stretched and formed as they are.
  • the pixel area 102 and the dam area 104 are separated by a distance equivalent to 4 pixels, and the OCL 122 and the color filter layer 121 are also formed in the area between the pixel area 102 and the dam area 104. ..
  • the area between the pixel area 102 and the dam area 104 may be omitted, or may be considered as a part of the dam area 104.
  • a slit 141 for damming the underfill resin 150 may be formed as a dam. Since the slit 141 is covered with the light-shielding resin 160, it does not affect the reflection of the incident light.
  • a dam 142 for blocking the light-shielding resin 160 is formed on the outer peripheral portion of the dam region 104.
  • the dam 142 may have a function of blocking the underfill resin 150.
  • the shape of the dam 142 will be described below.
  • FIG. 3 is a plan view showing an example of the shape of the dam 142 in the first embodiment of the present technology. Further, FIG. 4 is a perspective view showing an example of the shape of the dam 142 in the first embodiment of the present technology.
  • the dam 142 has a semicircular cylindrical shape in which the OCL 122 is connected in a straight line, and has a saw shape toward the outside of the dam region 104.
  • This saw shape is provided in at least a part of the dam region 104. For example, it may be provided on a part or all of one side toward the pixel area 102. Further, it may be provided on all four sides.
  • the saw shape (jagged shape) of this dam 142 has a protrusion angle of 90 degrees or less. As a result, the incident light is repeatedly reflected at the opening sandwiched between the protrusions and attenuated. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of flare.
  • this dam 142 has a shape in which OCL 122 is connected in a straight line, the size of this dam 142 is an integral multiple of the arrangement pitch of OCL 122.
  • FIG. 5 is a flow chart showing an example of a method of forming the dam 142 in the first embodiment of the present technology.
  • a circuit such as a light receiving portion and a transfer channel region is formed on the semiconductor substrate 101 to form a transfer electrode, a light shielding film, and the like (step S911). Further, after forming an interlayer insulating film on the entire surface, a flattening film is formed, and a color filter layer 121 is formed on the flattening film (step S912).
  • a lens material layer serving as an OCL 122 or a dam 142 is formed on the upper layer of the color filter layer 121 (step S913).
  • the lens material layer is formed by applying, for example, a resin by spin coating or the like and curing it.
  • a resist is formed on the upper layer of the lens material layer by the pattern of OCL 122 and the dam 142 (step S914). Then, after patterning the resist in the shape of OCL 122 or dam 142 by a photolithography step, for example, the resist is softened by heating and processed into the shape of OCL 122 or dam 142.
  • step S915 the resist and lens material layer in the shape of OCL 122 or dam 142 are etched back.
  • etching for example, anisotropic reactive ion etching (RIE: Reactive Ion Etching) using CF4 / O2 as an etching gas can be used.
  • RIE Reactive Ion Etching
  • the hemispherical shape of the resist is transferred to the lens material layer, and the shapes of the OCL 122 and the dam 142 are formed.
  • the dam 142 having a saw shape toward the outside of the dam region 104 by providing the dam 142 having a saw shape toward the outside of the dam region 104, the reflection of the incident light is attenuated and the occurrence of flare is prevented. can do. As a result, the optical characteristics in the pixel region 102 can be improved.
  • Second Embodiment> In the first embodiment described above, a saw shape is provided in a part of the linear cylindrical shape, but the basic structure of the dam does not have to be linear. This second embodiment describes an example in which the basic structure of the dam has a saw shape. Since the overall configuration of the solid-state image sensor 100 is the same as that of the first embodiment described above, detailed description thereof will be omitted.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing an example of the solid-state image sensor 100 according to the second embodiment of the present technology.
  • the solid-state image sensor 100 in the second embodiment basically has the same cross-sectional structure as the first embodiment described above. However, the structure of the dam 143 for damming the light-shielding resin 160 formed on the outer peripheral portion of the dam region 104 is different. The shape of the dam 143 will be described below.
  • FIG. 7 is a plan view showing an example of the shape of the dam 143 in the second embodiment of the present technology. Further, FIG. 8 is a perspective view showing an example of the shape of the dam 143 in the second embodiment of the present technology.
  • the dam 143 has a shape in which the OCL 122 is connected in a zigzag shape, and has a saw shape toward the outside and the inside of the dam region 104.
  • the saw-shaped dam 143 may be provided in at least a part of the dam region 104, and may have a linear semicircular cylindrical shape in other parts. For example, it may be provided on a part or all of one side toward the pixel area 102. Further, it may be provided on all four sides. Further, the dam 142 of the first embodiment described above may be formed in the linear portion.
  • the saw shape (jagged shape) of this dam 143 has a protrusion angle of 90 degrees or less. As a result, the incident light is repeatedly reflected at the opening sandwiched between the protrusions and attenuated. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of flare.
  • this dam 143 has a shape in which the OCL 122 is connected in a zigzag shape, the saw shape size of the dam 143 is an integral multiple of the arrangement pitch of the OCL 122.
  • the dam 143 in the second embodiment is also formed in the same manner as in the first embodiment described above.
  • the dam 143 having a saw shape toward the outside of the dam region 104 by providing the dam 143 having a saw shape toward the outside of the dam region 104, the reflection of the incident light is attenuated and the occurrence of flare is prevented. can do. As a result, the optical characteristics in the pixel region 102 can be improved.
  • FIG. 9 is a diagram showing a system configuration example of the electronic device 800, which is an application example of the embodiment of the present technology.
  • the electronic device 800 is a mobile terminal having a function as an image pickup device.
  • the electronic device 800 includes an imaging unit 810, a shutter button 830, a power button 840, a control unit 850, a storage unit 860, a wireless communication unit 870, a display unit 880, and a battery 890.
  • the image pickup unit 810 is an image sensor that captures an image of a subject.
  • the image pickup unit 810 includes the above-mentioned solid-state image pickup device 100.
  • the shutter button 830 is a button for instructing the imaging timing in the imaging unit 810 from the outside of the electronic device 800.
  • the power button 840 is a button for instructing the on / off of the power of the electronic device 800 from the outside of the electronic device 800.
  • the control unit 850 is a processing unit that controls the entire electronic device 800.
  • the storage unit 860 is a memory that stores data and programs necessary for the operation of the electronic device 800.
  • the wireless communication unit 870 performs wireless communication with the outside of the electronic device 800.
  • the display unit 880 is a display for displaying an image or the like.
  • the battery 890 is a power supply source that supplies power to each part of the electronic device 800.
  • the present technology can have the following configurations.
  • the pixel region includes a first on-chip lens on the incident light side.
  • the dam region comprises a second on-chip lens having the same shape as the first on-chip lens.
  • the solid-state image sensor according to (1) or (2), wherein the saw shape in the dam region has a structure in which the second on-chip lenses are connected to each other.
  • the solid-state image sensor according to any one of (1) to (7) above, wherein the saw shape in the dam region is a dam that blocks the outflow of a light-shielding resin that covers the upper surface and the side surface of the chip.
  • the saw shape in the dam region is a dam that blocks the outflow of the underfill resin filled in the area where the chip is flip-chip mounted in the chip mounting region, according to the above (1) to (7).
  • the solid-state image sensor according to any one.
  • An electronic device including a solid-state image sensor.
  • Solid-state image sensor 101
  • Semiconductor substrate 102
  • Pixel area 103
  • Chip mounting area 104
  • Dam area 109
  • Electrode pad 121
  • Color filter layer 122
  • On-chip lens (OCL) 130
  • Chip 139
  • Underfill resin 155
  • Solder bump 159
  • Shading resin 800

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Abstract

チップ実装領域からの樹脂の流出を堰き止めるダム領域において入射光の影響を抑制する。　固体撮像素子は、複数の画素が配置された画素領域と、チップが実装されるチップ実装領域とを備える。また、チップ実装領域の周囲には、チップ実装領域からの樹脂の流出を堰き止めるダム領域が配置される。また、ダム領域は、少なくとも一部において外部に向けて鋸形状を有する。また、入射光は、ダム領域の鋸形状において反射を繰り返して吸収され、減衰する。

Description

固体撮像素子および電子機器
　本技術は、固体撮像素子に関する。詳しくは、画素領域に加えて、チップが実装されるチップ実装領域を備える固体撮像素子および電子機器に関する。
　固体撮像素子では、画素領域に加えて、機能を付加するためにチップを実装する領域が基板上に設けられることがある。例えば、半田バンプを利用したフリップチップ実装が知られている。その場合、その接続信頼性を向上させるために、基板とチップの間に例えばアンダーフィル樹脂と呼ばれる流動性のよい樹脂が充填される。この樹脂は、画素領域やワイヤーボンドパッドへ流出するおそれがあるため、フリップチップ実装エリア周辺にダム領域が配置される。例えば、ダム領域において樹脂の流出を堰き止めるスリットを備える固体撮像素子が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２０１８－１４７９７４号公報
　上述の従来技術では、ダム領域の長辺方向が平坦であるため、入射光がスリットの底面や側面に反射して拡散することにより、画素領域においてフレアを発生させて光学特性を劣化させるおそれがある。
　本技術はこのような状況に鑑みて生み出されたものであり、チップ実装領域からの樹脂の流出を堰き止めるダム領域において入射光の影響を抑制することを目的とする。
　本技術は、上述の問題点を解消するためになされたものであり、その第１の側面は、複数の画素が配置された画素領域と、チップが実装されるチップ実装領域と、上記チップ実装領域の周囲に配置されて少なくとも一部において外部に向けて鋸形状を有するダム領域とを具備する固体撮像素子および電子機器である。これにより、ダム領域における入射光の反射を減衰させるという作用をもたらす。
　また、この第１の側面において、上記ダム領域における上記鋸形状は、突起部の角度が９０度以下であることが望ましい。これにより、鋸形状による入射光の反射を十分に減衰させるという作用をもたらす。
　また、この第１の側面において、上記画素領域は、入射光側に第１のオンチップレンズを備え、上記ダム領域は、上記第１のオンチップレンズと同じ形状の第２のオンチップレンズを備え、上記ダム領域における上記鋸形状は、上記第２のオンチップレンズ同士を繋げた構造であるようにしてもよい。これにより、ダム領域におけるダムの基本構造が鋸形状となる。
　また、この第１の側面において、上記ダム領域における上記鋸形状のサイズは、上記第２のオンチップレンズの配置ピッチの整数倍のサイズであってもよい。
　また、この第１の側面において、上記ダム領域の上記第２のオンチップレンズの上面に形成された反射防止膜をさらに具備してもよい。これにより、入射光の反射を防止するという作用をもたらす。
　また、この第１の側面において、上記ダム領域における上記鋸形状は、上記ダム領域の一辺の全部に形成されてもよく、また、上記ダム領域の四辺の全部に形成されてもよい。
　また、この第１の側面において、上記ダム領域における上記鋸形状は、上記チップの上面および側面を覆う遮光樹脂の流出を堰き止めるダムであってもよく、また、上記チップ実装領域において上記チップがフリップチップ実装される範囲に充填されるアンダーフィル樹脂の流出を堰き止めるダムであってもよい。
本技術の実施の形態における固体撮像素子１００の一例を示す平面図である。 本技術の第１の実施の形態における固体撮像素子１００の一例を示す断面図である。 本技術の第１の実施の形態におけるダム１４２の形状の一例を示す平面図である。 本技術の第１の実施の形態におけるダム１４２の形状の一例を示す斜視図である。 本技術の第１の実施の形態におけるダム１４２の形成方法の一例を示す流れ図である。 本技術の第２の実施の形態における固体撮像素子１００の一例を示す断面図である。 本技術の第２の実施の形態におけるダム１４３の形状の一例を示す平面図である。 本技術の第２の実施の形態におけるダム１４３の形状の一例を示す斜視図である。 本技術の実施の形態の適用例である電子機器８００のシステム構成例を示す図である。
　以下、本技術を実施するための形態（以下、実施の形態と称する）について説明する。説明は以下の順序により行う。
　１．第１の実施の形態（直線状のダムの円柱形状の一部に鋸形状を設けた例）
　２．第２の実施の形態（ダムの基本構造が鋸形状を有する例）
　３．適用例（電子機器）
　＜１．第１の実施の形態＞
　［固体撮像素子の平面］
　図１は、本技術の実施の形態における固体撮像素子１００の一例を示す平面図である。
　固体撮像素子１００は、半導体基板１０１の上に画素領域１０２と、チップ実装領域１０３と、ダム領域１０４とを備える。半導体基板１０１は、半導体として例えばシリコン（Ｓｉ）を主材料とするものである。
　画素領域１０２は、受光した光量に応じた光電荷を生成して蓄積する光電変換部を有する複数の画素が、行方向および列方向の行列状に２次元配置された領域である。
　チップ実装領域１０３は、所定の信号処理を行う回路が形成されたチップを、例えばフリップチップ実装するための領域である。
　ダム領域１０４は、チップ実装領域１０３の周囲に配置される領域である。このダム領域１０４には、チップ実装領域１０３からの樹脂の流出を堰き止めるためのダムが設けられる。
　固体撮像素子１００の外周部には、複数の電極パッド１０９が形成される。電極パッド１０９は、検査工程におけるプローブの接点やワイヤーボンディングに利用される。
　［固体撮像素子の断面］
　図２は、本技術の第１の実施の形態における固体撮像素子１００の一例を示す断面図である。同図は、画素領域１０２およびチップ実装領域１０３の端部と、その間のダム領域１０４とを含む部分を示している。
  画素領域１０２では、半導体基板１０１内に光電変換部としてのフォトダイオードが画素単位に形成されるとともに、半導体基板１０１の上側に、ＯＣＬ（オンチップレンズ）１２２が、画素単位に形成されている。ＯＣＬ１２２の上面には、例えば、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜を用いた反射防止膜（低反射膜）が成膜される。また、ＯＣＬ１２２と半導体基板１０１との間には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）等の所定波長の光を通過させるカラーフィルタ層１２１が形成される。
  ＯＣＬ１２２は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、または、スチレン系樹脂、アクリル系樹脂、スチレン－アクリル共重合系樹脂、または、シロキサン系樹脂等の樹脂系材料によって形成される。また、反射防止膜の材料には、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ランタン（ＬＡ２Ｏ３）、酸化プラセオジム（Ｐｒ２Ｏ３）、酸化セリウム（ＣｅＯ２）、酸化ネオジム（Ｎｄ２Ｏ３）、酸化プロメチウム（Ｐｍ２Ｏ３）、酸化サマリウム（Ｓｍ２Ｏ３）、酸化ユウロピウム（Ｅｕ２Ｏ３）、酸化ガドリニウム（Ｇｄ２Ｏ３）、酸化テルビウム（Ｔｂ２Ｏ３）、酸化ジスプロシウム（Ｄｙ２Ｏ３）、酸化ホルミウム（Ｈｏ２Ｏ３）、酸化ツリウム（Ｔｍ２Ｏ３）、酸化イッテルビウム（Ｙｂ２Ｏ３）、酸化ルテチウム（Ｌｕ２Ｏ３）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）などを用いてもよい。
  チップ実装領域１０３には、チップ１３０が半導体基板１０１にフリップチップ実装される。具体的には、チップ１３０の電極部１３９と、半導体基板１０１の電極部１５９が、はんだバンプ１５５を介して、電気的に接続される。
  チップ１３０と半導体基板１０１との間のはんだバンプ１５５以外の隙間には、ギャップを埋めるためにアンダーフィル樹脂１５０が充填される。アンダーフィル樹脂１５０は、例えば、ＵＶ（紫外線）硬化樹脂や熱硬化樹脂などによって構成され、チップ１３０と半導体基板１０１の隙間に注入された後、硬化されることにより形成される。
  チップ１３０の上面および側面と、チップ１３０周辺のアンダーフィル樹脂１５０は、反射を防止するために、遮光性を有する黒色樹脂等により形成される遮光樹脂１６０によって覆われる。この遮光樹脂１６０も、アンダーフィル樹脂１５０と同様に、ＵＶ（紫外線）硬化樹脂や熱硬化樹脂などで構成され、ディスペンサーを用いて塗布した後、硬化されることにより形成される。
  一方、ダム領域１０４には、画素領域１０２に形成されたカラーフィルタ層１２１とＯＣＬ１２２が、そのまま延伸されて形成される。この例では、画素領域１０２とダム領域１０４が４画素相当の距離だけ離れており、その画素領域１０２とダム領域１０４の間の領域にも、ＯＣＬ１２２、および、カラーフィルタ層１２１が形成されている。その画素領域１０２とダム領域１０４の間の領域は、省略されてもよく、また、ダム領域１０４の一部と考えてもよい。
　また、ダム領域１０４には、アンダーフィル樹脂１５０を堰き止めるためのスリット１４１がダムとして形成されてもよい。このスリット１４１は、遮光樹脂１６０によって覆われるため、入射光の反射に影響を与えるものではない。
　ダム領域１０４の外周部分には、遮光樹脂１６０を堰き止めるためのダム１４２が形成される。ただし、このダム１４２がアンダーフィル樹脂１５０を堰き止める機能を有していてもよい。このダム１４２の形状について以下に説明する。
　［ダムの形状］
　図３は、本技術の第１の実施の形態におけるダム１４２の形状の一例を示す平面図である。また、図４は、本技術の第１の実施の形態におけるダム１４２の形状の一例を示す斜視図である。
　ダム１４２は、ＯＣＬ１２２を直線状に繋げた半円の円柱形状において、ダム領域１０４の外部に向けて鋸形状を有するものである。この鋸形状は、ダム領域１０４の少なくとも一部に設けられる。例えば、 画素領域１０２に向かう一辺の一部または全部に設けてもよい。また、四辺の全部に設けてもよい。
　このダム１４２の鋸形状（ギザギザ形状）は、突起部の角度が９０度以下であることが望ましい。これにより、入射光は、突起部に挟まれた開口部で反射を繰り返して、減衰することになる。したがって、フレアの発生を防止することができる。
　また、このダム１４２はＯＣＬ１２２を直線状に繋げた形状であるため、このダム１４２のサイズは、ＯＣＬ１２２の配置ピッチの整数倍のサイズである。
　［ダムの形成方法］
　図５は、本技術の第１の実施の形態におけるダム１４２の形成方法の一例を示す流れ図である。
　半導体基板１０１に受光部や転送チャネル領域等の回路を形成し、転送電極や遮光膜等を形成する（ステップＳ９１１）。さらに、全面に層間絶縁膜を形成した後に、平坦化膜を形成し、その上にカラーフィルタ層１２１を形成する（ステップＳ９１２）。
　カラーフィルタ層１２１の上層には、ＯＣＬ１２２またはダム１４２となるレンズ材層が形成される（ステップＳ９１３）。レンズ材層は、例えば樹脂をスピンコート等により塗布し、硬化させて形成する。
　次に、レンズ材層の上層に、ＯＣＬ１２２およびダム１４２のパターンによりレジストを形成する（ステップＳ９１４）。そして、フォトリソグラフィ工程によりレジストをＯＣＬ１２２またはダム１４２の形状にパターニングした後、例えばレジストを加熱により軟化させ、ＯＣＬ１２２またはダム１４２の形状に加工する。
　そして、ＯＣＬ１２２またはダム１４２の形状のレジストおよびレンズ材層をエッチバックする（ステップＳ９１５）。このエッチングは、例えばＣＦ４／Ｏ２をエッチングガスとして用いる異方性の反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）を利用することができる。
　これにより、レジストの半球形状がレンズ材層に転写され、ＯＣＬ１２２およびダム１４２の形状が形成される。
　このように、本技術の第１の実施の形態によれば、ダム領域１０４の外部に向けて鋸形状を有するダム１４２を設けることにより、入射光の反射を減衰させて、フレアの発生を防止することができる。そして、これにより、画素領域１０２における光学特性を改善することができる。
　＜２．第２の実施の形態＞
　上述の第１の実施の形態では直線状の円柱形状の一部に鋸形状を設けたが、ダムの基本構造は直線状でなくてもよい。この第２の実施の形態は、ダムの基本構造が鋸形状を有する例について説明する。なお、固体撮像素子１００としての全体構成は上述の第１の実施の形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。
　［固体撮像素子の断面］
　図６は、本技術の第２の実施の形態における固体撮像素子１００の一例を示す断面図である。
　この第２の実施の形態における固体撮像素子１００は、基本的には上述の第１の実施の形態と同様の断面構造を備えている。ただし、ダム領域１０４の外周部分に形成される、遮光樹脂１６０を堰き止めるためのダム１４３の構造が異なっている。このダム１４３の形状について以下に説明する。
　［ダムの形状］
　図７は、本技術の第２の実施の形態におけるダム１４３の形状の一例を示す平面図である。また、図８は、本技術の第２の実施の形態におけるダム１４３の形状の一例を示す斜視図である。
　ダム１４３は、ＯＣＬ１２２をジグザグに繋げた形状であり、ダム領域１０４の外部および内部に向けて鋸形状を有するものである。この鋸形状のダム１４３は、ダム領域１０４の少なくとも一部に設けられ、他の部分では直線状の半円の円柱形状であってもよい。例えば、 画素領域１０２に向かう一辺の一部または全部に設けてもよい。また、四辺の全部に設けてもよい。また、直線状の部分には、上述の第１の実施の形態のダム１４２を形成してもよい。
　このダム１４３の鋸形状（ギザギザ形状）は、突起部の角度が９０度以下であることが望ましい。これにより、入射光は、突起部に挟まれた開口部で反射を繰り返して、減衰することになる。したがって、フレアの発生を防止することができる。
　また、このダム１４３はＯＣＬ１２２をジグザグに繋げた形状であるため、このダム１４３の鋸形状のサイズは、ＯＣＬ１２２の配置ピッチの整数倍のサイズである。
　なお、この第２の実施の形態におけるダム１４３も、上述の第１の実施の形態と同様に形成される。
　このように、本技術の第２の実施の形態によれば、ダム領域１０４の外部に向けて鋸形状を有するダム１４３を設けることにより、入射光の反射を減衰させて、フレアの発生を防止することができる。そして、これにより、画素領域１０２における光学特性を改善することができる。
　なお、上述の第１および第２の実施の形態では、１本のダムを配置した例について説明したが、ダムは複数本配置してもよい。
　＜３．適用例＞
　［電子機器］
　図９は、本技術の実施の形態の適用例である電子機器８００のシステム構成例を示す図である。
　電子機器８００は、撮像装置としての機能を備える携帯端末である。この電子機器８００は、撮像部８１０と、シャッタボタン８３０と、電源ボタン８４０と、制御部８５０と、記憶部８６０と、無線通信部８７０と、表示部８８０と、バッテリ８９０とを備える。
　撮像部８１０は、被写体を撮像するイメージセンサである。この撮像部８１０は、上述の固体撮像素子１００を備える。
　シャッタボタン８３０は、撮像部８１０における撮像タイミングを電子機器８００の外部から指示するためのボタンである。電源ボタン８４０は、電子機器８００の電源のオンオフを電子機器８００の外部から指示するためのボタンである。
　制御部８５０は、電子機器８００の全体の制御を司る処理部である。記憶部８６０は、電子機器８００の動作に必要なデータやプログラムを記憶するメモリである。無線通信部８７０は、電子機器８００の外部との無線通信を行うものである。表示部８８０は、画像等を表示するディスプレイである。バッテリ８９０は、電子機器８００の各部に電源を供給する電源供給源である。
　なお、上述の実施の形態は本技術を具現化するための一例を示したものであり、実施の形態における事項と、特許請求の範囲における発明特定事項とはそれぞれ対応関係を有する。同様に、特許請求の範囲における発明特定事項と、これと同一名称を付した本技術の実施の形態における事項とはそれぞれ対応関係を有する。ただし、本技術は実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において実施の形態に種々の変形を施すことにより具現化することができる。
　なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって、限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。
　なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
（１）複数の画素が配置された画素領域と、
 チップが実装されるチップ実装領域と、
 前記チップ実装領域の周囲に配置されて少なくとも一部において外部に向けて鋸形状を有するダム領域と
を具備する固体撮像素子。
（２）前記ダム領域における前記鋸形状は、突起部の角度が９０度以下である
前記（１）に記載の固体撮像素子。
（３）前記画素領域は、入射光側に第１のオンチップレンズを備え、
　前記ダム領域は、前記第１のオンチップレンズと同じ形状の第２のオンチップレンズを備え、
　前記ダム領域における前記鋸形状は、前記第２のオンチップレンズ同士を繋げた構造である
前記（１）または（２）に記載の固体撮像素子。
（４）前記ダム領域における前記鋸形状のサイズは、前記第２のオンチップレンズの配置ピッチの整数倍のサイズである
前記（３）に記載の固体撮像素子。
（５）前記ダム領域の前記第２のオンチップレンズの上面に形成された反射防止膜をさらに具備する
前記（３）または（４）に記載の固体撮像素子。
（６）前記ダム領域における前記鋸形状は、前記ダム領域の一辺の全部に形成される
前記（１）から（５）のいずれかに記載の固体撮像素子。
（７）前記ダム領域における前記鋸形状は、前記ダム領域の四辺の全部に形成される
前記（１）から（５）のいずれかに記載の固体撮像素子。
（８）前記ダム領域における前記鋸形状は、前記チップの上面および側面を覆う遮光樹脂の流出を堰き止めるダムである
前記（１）から（７）のいずれかに記載の固体撮像素子。
（９）前記ダム領域における前記鋸形状は、前記チップ実装領域において前記チップがフリップチップ実装される範囲に充填されるアンダーフィル樹脂の流出を堰き止めるダムである
前記（１）から（７）のいずれかに記載の固体撮像素子。
（１０）複数の画素が配置された画素領域と、チップが実装されるチップ実装領域と、前記チップ実装領域の周囲に配置されて少なくとも一部において外部に向けて鋸形状を有するダム領域とを備える固体撮像素子
を具備する電子機器。
　１００　固体撮像素子
　１０１　半導体基板
　１０２　画素領域
　１０３　チップ実装領域
　１０４　ダム領域
　１０９　電極パッド
　１２１　カラーフィルタ層
　１２２　オンチップレンズ（ＯＣＬ）
　１３０　チップ
　１３９　電極部
　１４１　スリット
　１４２、１４３　ダム
　１５０　アンダーフィル樹脂
　１５５　はんだバンプ
　１５９　電極部
　１６０　遮光樹脂
　８００　電子機器
　８１０　撮像部

Claims (10)

  1.  複数の画素が配置された画素領域と、
     チップが実装されるチップ実装領域と、
     前記チップ実装領域の周囲に配置されて少なくとも一部において外部に向けて鋸形状を有するダム領域と
    を具備する固体撮像素子。
  2. 　前記ダム領域における前記鋸形状は、突起部の角度が９０度以下である
    請求項１記載の固体撮像素子。
  3. 　前記画素領域は、入射光側に第１のオンチップレンズを備え、
    　前記ダム領域は、前記第１のオンチップレンズと同じ形状の第２のオンチップレンズを備え、
    　前記ダム領域における前記鋸形状は、前記第２のオンチップレンズ同士を繋げた構造である
    請求項１記載の固体撮像素子。
  4. 　前記ダム領域における前記鋸形状のサイズは、前記第２のオンチップレンズの配置ピッチの整数倍のサイズである
    請求項３記載の固体撮像素子。
  5. 　前記ダム領域の前記第２のオンチップレンズの上面に形成された反射防止膜をさらに具備する
    請求項３記載の固体撮像素子。
  6. 　前記ダム領域における前記鋸形状は、前記ダム領域の一辺の全部に形成される
    請求項１記載の固体撮像素子。
  7. 　前記ダム領域における前記鋸形状は、前記ダム領域の四辺の全部に形成される
    請求項１記載の固体撮像素子。
  8. 　前記ダム領域における前記鋸形状は、前記チップの上面および側面を覆う遮光樹脂の流出を堰き止めるダムである
    請求項１記載の固体撮像素子。
  9. 　前記ダム領域における前記鋸形状は、前記チップ実装領域において前記チップがフリップチップ実装される範囲に充填されるアンダーフィル樹脂の流出を堰き止めるダムである
    請求項１記載の固体撮像素子。
  10. 　複数の画素が配置された画素領域と、チップが実装されるチップ実装領域と、前記チップ実装領域の周囲に配置されて少なくとも一部において外部に向けて鋸形状を有するダム領域とを備える固体撮像素子
    を具備する電子機器。
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