WO2021100697A1 - ３軸センサ、センサモジュールおよび電子機器 - Google Patents

Abstract

３軸センサは、第１の面と、該第１の面とは反対側の第２の面とを有し、静電容量式の第１のセンシング部を含む第１の検出層と、第１の検出層の第２の面に対向する第１の面を有し、静電容量式の第２のセンシング部を含む第２の検出層と、第１の検出層の第１の面と対向して設けられた第１の導電層と、第１の検出層と第２の検出層の間に設けられた第２の導電層と、第１の検出層と第２の導電層の間に設けられ、第１の検出層と第２の導電層の間を離隔する離隔層と、第１の導電層と第１の検出層の間に設けられ、センサの厚み方向に作用する圧力に応じて弾性変形する第１の変形層と、第２の導電層と第２の検出層の間に設けられ、センサの厚み方向に作用する圧力に応じて弾性変形する第２の変形層とを備える。離隔層の２５％ＣＬＤ値が、第１の変形層の２５％ＣＬＤ値の１０倍以上であり、離隔層の２５％ＣＬＤ値が、第２の変形層の２５％ＣＬＤ値の１０倍以上である。

Description

３軸センサ、センサモジュールおよび電子機器

　本開示は、３軸センサ、センサモジュールおよび電子機器に関する。

　近年、労働人口の減少に伴いロボットによる作業の自動化が様々な場面において検討されている。それに伴い、ロボットの表面に実装することで、表面における物体との接触領域に働く力を検出するセンサが検討されている。接触領域に働く力の方向を検出することが、ロボットの制御では特に重要である。特許文献１では、そのような力の方向を多軸で検出するセンサとして、１軸の圧力センサを各軸方向に配置し、全体として多軸の力ベクトルを検出する機能を備えた多軸力センサが提案されている。

特開２０１６－２０５９４２号公報

　ロボットの行動制御を高度に行うためには、多軸力が、表面のどの部分でどの方向に働いているかを検出できることが望まれる。しかしながら、上述した特許文献１のように、単一の検出軸を持つ圧力センサを複数組み合わせて多軸力を検出しようとすると、センサの構成が複雑になってしまう。

　本開示の目的は、比較的単純な構成を有する３軸センサ、センサモジュールおよび電子機器を提供することにある。

　上述の課題を解決するために、第１の開示は、
　第１の面と、該第１の面とは反対側の第２の面とを有し、静電容量式の第１のセンシング部を含む第１の検出層と、
　第１の検出層の第２の面に対向する第１の面を有し、静電容量式の第２のセンシング部を含む第２の検出層と、
　第１の検出層の第１の面と対向して設けられた第１の導電層と、
　第１の検出層と第２の検出層の間に設けられた第２の導電層と、
　第１の検出層と第２の導電層の間に設けられ、第１の検出層と第２の導電層の間を離隔する離隔層と、
　第１の導電層と第１の検出層の間に設けられ、センサの厚み方向に作用する圧力に応じて弾性変形する第１の変形層と、
　第２の導電層と第２の検出層の間に設けられ、センサの厚み方向に作用する圧力に応じて弾性変形する第２の変形層と
　を備え、
　離隔層の２５％ＣＬＤ値が、第１の変形層の２５％ＣＬＤ値の１０倍以上であり、
　離隔層の２５％ＣＬＤ値が、第２の変形層の２５％ＣＬＤ値の１０倍以上である３軸センサである。

　第２の開示は、
　第１の面と、該第１の面とは反対側の第２の面とを有し、静電容量式の第１のセンシング部を含む第１の検出層と、
　第１の検出層の第１の面に対向する第１の面と、該第１の面とは反対側の第２の面とを有し、静電容量式の第２のセンシング部を含む第２の検出層と、
　第１の検出層と第２の検出層の間に設けられ、第１の検出層と第２の検出層を離隔する離隔層と、
　第１の検出層の第１の面と対向して設けられた第１の導電層と、
　第２の検出層の第２の面と対向して設けられた第２の導電層と、
　第１の導電層と第１の検出層の間に設けられ、センサの厚み方向に作用する圧力に応じて弾性変形する第１の変形層と、
　第２の導電層と第２の検出層の間に設けられ、センサの厚み方向に作用する圧力に応じて弾性変形する第２の変形層と
　を備え、
　離隔層の２５％ＣＬＤ値が、第１の変形層の２５％ＣＬＤ値の１０倍以上であり、
　離隔層の２５％ＣＬＤ値が、第２の変形層の２５％ＣＬＤ値の１０倍以上である３軸センサである。

　第３の開示は、第１の開示または第２の開示の３軸センサを備えるセンサモジュールである。

　第４の開示は、
　第３の開示のセンサモジュールと、
　センサモジュールから出力された第１のセンシング部および第２のセンシング部の出力信号分布に基づき、３軸力を算出する演算部と
　を備える電子機器である。

図１は、本開示の第１の実施形態に係る電子機器の構成の一例を示すブロック図である。 図２は、センサの構成の一例を示す断面図である。 図３は、検出層の構成の一例を示す平面図である。 図４は、検出層の構成の一例を示す断面図である。 図５は、センシング部の構成の一例を示す平面図である。 図６は、複数の引き回し配線の配置の一例を示す平面図である。 図７は、圧力検出時のセンサの動作の一例を説明するための断面図である。 図８は、せん断力検出時のセンサの動作の一例を説明するための断面図である。 図９は、センサに圧力のみが作用している状態における第１の検出層および第２の検出層の出力信号分布の一例を示すグラフである。 図１０は、センサにせん断力が作用している状態における第１の検出層および第２の検出層の出力信号分布の一例を示すグラフである。 図１１は、本開示の第２の実施形態に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。 図１２は、圧力検出時のセンサの動作の一例を説明するための断面図である。 図１３は、せん断力検出時のセンサの動作の一例を説明するための断面図である。 図１４は、本開示の第３の実施形態に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。 図１５は、圧力検出時のセンサの動作の一例を説明するための断面図である。 図１６は、せん断力検出時のセンサの動作の一例を説明するための断面図である。 図１７は、本開示の第４の実施形態に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。 図１８は、圧力検出時のセンサの動作の一例を説明するための断面図である。 図１９は、せん断力検出時のセンサの動作の一例を説明するための断面図である。 図２０は、本開示の第５の実施形態に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。 図２１は、変形例に係るセンサの構成の一例を示す分解斜視図である。 図２２は、変形例に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。 図２３は、変形例に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。 図２４は、変形例に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。 図２５は、変形例に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。 図２６は、変形例に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。 図２７は、応用例に係るロボットハンドの構成の一例を示す概略図である。 図２８は、本開示の第６の実施形態に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。 図２９は、変形例に係るフレキシブルプリント基板の構成の一例を示す平面図である。 図３０は、図２９のＸＸＸ－ＸＸＸ線に沿った断面図である。 図３１は、変形例に係るセンサの構成の一例を示す平面図である。 図３２は、図３１のＸＸＸII－ＸＸＸII線に沿った断面図である。 図３３は、変形例に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。 図３４は、変形例に係るセンサの構成の一例を示す平面図である。 図３５は、図３４のＸＸＸＶ－ＸＸＸＶ線に沿った断面図である。 図３６は、変形例に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。 図３７は、変形例に係るセンサの構成の一例を示す断面図である。

　本開示の実施形態について以下の順序で説明する。なお、以下の実施形態の全図においては、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
　１　第１の実施形態（センサおよびそれを備える電子機器の例）
　２　第２の実施形態（センサの例）
　３　第３の実施形態（センサの例）
　４　第４の実施形態（センサの例）
　５　第５の実施形態（センサの例）
　６　第６の実施形態（センサの例）
　７　変形例
　８　応用例

＜１　第１の実施形態＞
［電子機器の構成］
　図１は、本開示の第１の実施形態に係る電子機器１０の構成の一例を示すブロック図である。電子機器１０は、センサモジュール１１と、電子機器１０の本体であるホスト機器１２とを備える。ホスト機器１２は、メインＣＰＵ（Central Processing Unit）（以下単に「ＣＰＵ」という。）１２Ａと、筐体等の外装材（図示せず）とを備え、この外装材の表面に作用する３軸力をセンサモジュール１１により検出し、検出結果に応じて動作する。

（センサモジュール）
　センサモジュール１１は、３軸センサ（以下単に「センサ」という。）２０と、第１の制御部としてのコントローラＩＣ（Integrated Circuit）（以下単に「ＩＣ」という。）１３Ａと、第２の制御部としてのＩＣ１３Ｂとを備える。センサ２０は、電子機器１０の外装材の表面に設けられている。外装材が曲面を有し、センサ２０がこの曲面に設けられていてもよい。センサ２０は、センサ２０の表面とこの表面に接触した物体との間に作用する３軸力を面分布で検出可能に構成されている。センサ２０は、センサ２０に作用する圧力およびせん断力を静電容量分布として検出し、検出結果をＩＣ１３ＡおよびＩＣ１３Ｂに出力する。

　ＩＣ１３ＡおよびＩＣ１３Ｂは、センサ２０を制御し、センサ２０に作用する圧力およびせん断力に応じた静電容量分布を取得し、その取得結果をホスト機器１２のＣＰＵ１２Ａに出力する。ＣＰＵ１２Ａは、ＩＣ１３ＡおよびＩＣ１３Ｂからの出力信号（静電容量分布）に基づき、センサ２０に加わる３軸力を演算し、その演算結果に基づき、ホスト機器１２の各種制御を実行する。

［センサの構成］
　図２は、センサ２０の構成の一例を示す断面図である。センサ２０は、３軸力分布を検出可能な静電容量式のセンサであり、センサ２０の表面に作用する圧力およびセンサ２０の面内方向のせん断力を検出する。センサ２０は、フィルム状を有する。本開示においては、フィルムには、シートも含まれるものと定義する。センサ２０は、フィルム状を有するため、平面のみならず、曲面にも適用可能である。本明細書において、平坦な状態のセンサ２０の表面の面内において互いに直交する軸をそれぞれＸ軸およびＹ軸といい、平坦な状態のセンサ２０の表面に垂直な軸をＺ軸という。

　センサ２０は、検出層（第１の検出層）２１Ａと、検出層（第２の検出層）２１Ｂと、離隔層２２と、変形層（第１の変形層）２３Ａと、変形層（第２の変形層）２３Ｂと、導電層（第１の導電層）２４Ａと、導電層（第２の導電層）２４Ｂとを備える。センサ２０の各層の間には、図示しない接着層が備えられ、各層が貼り合わされている。但し、隣接する２層のうちの少なくとも一方が接着性を有する場合には、接着層はなくてもよい。センサ２０の両面のうち導電層２４Ａ側の第１の面が、圧力およびせん断力を検出するセンシング面２０Ｓであり、センシング面２０Ｓとは反対側の第２の面が、筐体等の外装材に貼り合わされる裏面である。検出層２１ＡはＩＣ１３Ａに接続され、検出層２１ＢはＩＣ１３Ｂに接続されている。

　検出層２１Ａは、第１の面２１ＡＳ１と、第１の面２１ＡＳ１とは反対側の第２の面２１ＡＳ２とを有する。検出層２１Ｂは、第１の面２１ＡＳ１と対向する第１の面２１ＢＳ１と、第１の面２１ＢＳ１とは反対側の第２の面２１ＢＳ２とを有する。検出層２１Ａと検出層２１Ｂは平行に配置されている。離隔層２２は、検出層２１Ａと検出層２１Ｂの間に設けられている。導電層２４Ａは、検出層２１Ａの第１の面２１ＡＳ１と対向して設けられている。導電層２４Ａは、検出層２１Ａと平行に配置されている。導電層２４Ｂは、検出層２１Ｂの第２の面２１ＢＳ２と対向して設けられている。導電層２４Ｂは、検出層２１Ｂと平行に配置されている。変形層２３Ａは、検出層２１Ａと導電層２４Ａの間に設けられている。変形層２３Ｂは、検出層２１Ｂと導電層２４Ｂの間に設けられている。

（検出層）
　検出層２１Ａおよび検出層２１Ｂは、静電容量方式、より具体的には相互容量方式の検出層である。検出層２１Ａは、可撓性を有する。検出層２１Ａは、センシング面２０Ｓに圧力が作用すると検出層２１Ｂに向けて撓む。検出層２１Ａは、複数のセンシング部（第１のセンシング部）ＳＥ２１を含む。センシング部ＳＥ２１は、センシング面２０Ｓに作用する圧力を検出し、検出結果をＩＣ１３Ａに出力する。具体的には、センシング部ＳＥ２１は、センシング部ＳＥ２１と導電層２４Ａの距離に対応した静電容量を検出し、検出結果をＩＣ１３Ａに出力する。

　検出層２１Ｂは、可撓性を有する。検出層２１Ｂは、センシング面２０Ｓに圧力が作用すると導電層２４Ｂに向けて撓む。検出層２１Ｂは、複数のセンシング部（第２のセンシング部）ＳＥ２２を含む。センシング部ＳＥ２２は、センシング面２０Ｓに作用する圧力を検出し、検出結果をＩＣ１３Ｂに出力する。具体的には、センシング部ＳＥ２２は、センシング部ＳＥ２２と導電層２４Ｂの距離に対応した静電容量を検出し、検出結果をＩＣ１３Ｂに出力する。

　検出層２１Ａに含まれる複数のセンシング部ＳＥ２１の配置ピッチＰ１と、検出層２１Ｂに含まれる複数のセンシング部ＳＥ２２の配置ピッチＰ２とは同一である。せん断力が加えられていない初期状態において、センシング部ＳＥ２２は、センシング部ＳＥ２１に対向する位置に設けられている。すなわち、せん断力が加えられていない初期状態において、センシング部ＳＥ２２とセンシング部ＳＥ２２は、センサ２０の厚さ方向に重なっている。但し、せん断力が加えられていない初期状態において、センシング部ＳＥ２２が、センシング部ＳＥ２１に対向する位置に設けられていない構成とすることも可能である。

　検出層２１Ｂは検出層２１Ａと同様の構成を有するため、以下では、検出層２１Ａの構成についてのみ説明する。

　図３は、検出層２１Ａの構成の一例を示す平面図である。複数のセンシング部ＳＥ２１は、マトリックス状に配列されている。センシング部ＳＥ２１は、例えば正方形状を有する。但し、センシング部ＳＥ２１の形状は特に限定されるものではなく、円形状、楕円形状、正方形状以外の多角形状等であってもよい。

　なお、図３中、符号Ｘ１～Ｘ１０は、Ｘ軸方向におけるセンシング部ＳＥ２１の中心位置を示し、符号Ｙ１～Ｙ１０は、Ｙ軸方向におけるセンシング部ＳＥ２１の中心位置を示す。

　検出層２１Ａの周縁の一部からフィルム状の接続部２１Ａ１が延設されている。接続部２１Ａ１の先端には、センサ基板（図示せず）と接続するための複数の接続端子２１Ａ２が設けられている。センサ基板には、ＩＣ１３ＡおよびＩＣ１３Ｂが設けられている。

　検出層２１Ａと接続部２１Ａ１とは１つのフレキシブルプリント基板（Flexible Printed Circuits：ＦＰＣ）により一体的に構成されていることが好ましい。このように検出層２１Ａと接続部２１Ａ１とが一体的に構成されていることで、センサ２０の部品点数を減らすことができる。また、センサ２０とセンサ基板との接続の衝撃耐久性を向上することができる。

　図４は、検出層２１Ａの構成の一例を示す断面図である。検出層２１Ａは、基材３１と、複数のセンシング部ＳＥ２１と、複数の引き回し配線３２と、複数の引き回し配線３３と、カバーレイフィルム３４Ａと、カバーレイフィルム３４Ｂと、接着層３５Ａと、接着層３５Ｂとを備える。

　基材３１は、第１の面３１Ｓ１と、この第１の面３１Ｓ１とは反対側の第２の面３１Ｓ２とを有する。複数のセンシング部ＳＥ２１および複数の引き回し配線３２は、基材３１の第１の面３１Ｓ１に設けられている。複数の引き回し配線３３は、基材の第２の面３１Ｓ２に設けられている。カバーレイフィルム３４Ａは、複数のセンシング部ＳＥ２１および複数の引き回し配線３２が設けられた基材３１の第１の面３１Ｓ１に接着層３５Ａにより貼り合わされている。カバーレイフィルム３４Ｂは、複数の引き回し配線３３が設けられた基材３１の第２の面３１Ｓ２に接着層３５Ｂにより貼り合わされている。

　基材３１は、可撓性を有する。基材３１は、フィルム状を有する。基材３１Ａは、高分子樹脂を含む。高分子樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、アクリル樹脂（ＰＭＭＡ）、ポリイミド（ＰＩ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエステル、ポリアミド（ＰＡ）、アラミド、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリアクリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン（ＰＰ）、ジアセチルセルロース、ポリ塩化ビニル、エポキシ樹脂、尿素樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、環状オレフィンポリマー（ＣＯＰ）またはノルボルネン系熱可塑性樹脂等が挙げられるが、これらの高分子樹脂に限定されるものではない。

　図５は、センシング部ＳＥ２１の構成の一例を示す平面図である。センシング部ＳＥ２１は、センス電極（受信電極（第１の電極））３６およびパルス電極（送信電極（第２の電極））３７により構成されている。センス電極３６とパルス電極３７は、容量結合を形成可能に構成されている。より具体的には、センス電極３６およびパルス電極３７は、櫛歯状を有し、互いの櫛歯状の部分を噛み合わせるようにして配置されている。

　Ｘ軸方向に隣接するセンス電極３６同士は、接続線３６Ａにより接続されている。各パルス電極３７には引き出し配線３７Ａが設けられ、この引き出し配線３７Ａの先端は、スルーホール３７Ｂを介して引き回し配線３３に接続されている。引き回し配線３３は、Ｙ軸方向に隣接するパルス電極３７同士を接続している。

　図６は、複数の引き回し配線３２および複数の引き回し配線３３の配置の一例を示す平面図である。複数の接続線３６Ａにより接続された複数のセンス電極３６のうち、Ｘ軸方向の一端に位置するセンス電極３６から引き回し配線３２が引き出されている。複数の引き回し配線３２は、基材３１の第１の面３１Ｓ１の周縁部に引き回されて、接続部２１Ａ１を通って接続端子２１Ａ２に接続されている。

　検出層２１Ａは、複数の引き回し配線３８をさらに備える。引き回し配線３８は、引き回し配線３３により接続された複数のパルス電極３７のうち、Ｙ軸方向の一端に位置するパルス電極３７から引き出された引き出し配線３７Ａに接続されている。複数の引き回し配線３８は、複数の引き回し配線３２と共に、基材３１の第１の面３１Ｓ１の周縁部に引き回されて、接続部２１Ａ１を通って接続端子２１Ａ２に接続されている。

　検出層２１Ａは、グランド電極３９Ａとグランド電極３９Ｂとをさらに備える。グランド電極３９Ａとグランド電極３９Ｂは、基準電位に接続されている。グランド電極３９Ａおよびグランド電極３９Ｂは、複数の引き回し配線３２と並行に延設されている。グランド電極３９Ａおよびグランド電極３９Ｂの間に、複数の引き回し配線３２は設けられている。このように複数の引き回し配線３２がグランド電極３９Ａおよびグランド電極３９Ｂの間に設けられていることで、外部ノイズ（外部電場）が複数の引き回し配線３２に入り込むことを抑制することができる。したがって、外部ノイズによるセンサ２０の検出精度の低下または誤検出を抑制することができる。

（離隔層）
　離隔層２２は、検出層２１Ａと検出層２１Ｂの間を離隔する。これにより、検出層２１Ａと検出層２１Ｂの間での電磁的干渉を抑制することができる。離隔層２２は、センシング面２０Ｓの面内方向（すなわちセンサ２０の面内方向）に作用するせん断力により、センシング面２０Ｓの面内方向に弾性変形可能に構成されている。

　離隔層２２は、ゲルを含むことが好ましい。離隔層２２がゲルを含むことで、センシング面２０Ｓに作用する圧力では潰れにくく、センシング面２０Ｓの面内方向に作用するせん断力では弾性変形しやすくなり、離隔層２２として望ましい特性が得られる。ゲルは、例えば、シリコーンゲル、ウレタンゲル、アクリルゲルおよびスチレンゲルからなる群より選択される少なくとも１種の高分子ゲルである。離隔層２２は、図示しない基材により支持されていてもよい。

　離隔層２２の２５％ＣＬＤ（Compression-Load-Deflection）値が、変形層２３Ａの２５％ＣＬＤ値の１０倍以上、好ましくは変形層２３Ａの２５％ＣＬＤ値の３０倍以上、より好ましくは変形層２３Ａの２５％ＣＬＤ値の５０倍以上である。離隔層２２の２５％ＣＬＤ値が変形層２３Ａの２５％ＣＬＤ値の１０倍以上であると、センシング面２０Ｓに圧力が作用したとき、変形層２３Ａが離隔層２２に比べて十分に潰れやすくなるため、センシング部ＳＥ２１の検出感度を向上することができる。

　離隔層２２の２５％ＣＬＤ値が、変形層２３Ｂの２５％ＣＬＤ値の１０倍以上、好ましくは変形層２３Ｂの２５％ＣＬＤ値の３０倍以上、より好ましくは変形層２３Ｂの２５％ＣＬＤ値の５０倍以上である。離隔層２２の２５％ＣＬＤ値が変形層２３Ｂの２５％ＣＬＤ値の１０倍以上であると、センシング面２０Ｓに圧力が作用したときに、変形層２３Ｂが離隔層２２に比べて十分に潰れやすくなるため、センシング部ＳＥ２２の検出感度を向上することができる。

　離隔層２２の２５％ＣＬＤ値は、５００ｋＰａ以下であることが好ましい。離隔層２２の２５％ＣＬＤ値が５００ｋＰａを超えると、センシング面２０Ｓの面内方向（すなわちセンサ２０の面内方向）に作用するせん断力により、センシング面２０Ｓの面内方向に弾性変形し難くなる虞がある。したがって、センサ２０の面内方向のせん断力の検出感度が低下する虞がある。

　離隔層２２、変形層２３Ａおよび変形層２３Ｂの２５％ＣＬＤ値は、ＪＩＳ　Ｋ　６２５４に準拠して測定される。

　離隔層２２の厚みが、好ましくは変形層２３Ａの厚みの２倍以上、より好ましくは変形層２３Ａの厚みの４倍以上、さらにより好ましくは変形層２３Ａの厚みの８倍以上である。離隔層２２の厚みが変形層２３Ａの厚みの２倍以上であると、センシング面２０Ｓの面内方向にせん断力が作用した場合に、離隔層２２が変形層２３Ａに比べて十分にセンシング面２０Ｓの面内方向に変形しやすくなるため、せん断力の検出感度をさらに向上することができる。

　離隔層２２の厚みが、好ましくは変形層２３Ｂの厚みの２倍以上、より好ましくは変形層２３Ｂの厚みの４倍以上、さらにより好ましくは変形層２３Ｂの厚みの８倍以上である。離隔層２２の厚みが変形層２３Ｂの厚みの２倍以上であると、センシング面２０Ｓの面内方向にせん断力が作用した場合に、離隔層２２が変形層２３Ｂに比べて十分にセンシング面２０Ｓの面内方向に変形しやすくなるため、せん断力の検出感度をさらに向上することができる。

　離隔層２２の厚みは、好ましくは１００００μｍ以下、より好ましくは４０００μｍ以下であることが好ましい。離隔層２２の厚みが１００００μｍを超えると、センサ２０を電子機器等に適用し難くなる虞がある。

　離隔層２２、変形層２３Ａおよび変形層２３Ｂの厚みは以下のようにして求められる。まず、センサ２０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して断面を作製し、走査電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope：ＳＥＭ）を用いて断面画像を撮影する。次に、この断面画像を用いて離隔層２２、変形層２３Ａおよび変形層２３Ｂの厚みを測定する。

　離隔層２２の目付量が、好ましくは変形層２３Ａの目付量の１０倍以上、より好ましくは変形層２３Ａの目付量の２５倍以上である。離隔層２２の目付量が変形層２３Ａの目付量の１０倍以上であると、センシング面２０Ｓに圧力が作用したときに、変形層２３Ａが離隔層２２に比べて十分に潰れやすくなるため、センシング部ＳＥ２１の検出感度をさらに向上することができる。

　離隔層２２の目付量が、好ましくは変形層２３Ｂの目付量の１０倍以上、より好ましくは変形層２３Ｂの目付量の２５倍以上である。離隔層２２の目付量が変形層２３Ｂの目付量の１０倍以上であると、センシング面２０Ｓに圧力が作用したときに、変形層２３Ｂが離隔層２２に比べて十分に潰れやすくなるため、センシング部ＳＥ２２の検出感度をさらに向上することができる。

　離隔層２２の目付量は、１０００ｍｇ／ｃｍ^２以下であることが好ましい。離隔層２２の目付量が１０００ｍｇ／ｃｍ^２を超えると、センシング面２０Ｓの面内方向（すなわちセンサ２０の面内方向）に作用するせん断力により、センシング面２０Ｓの面内方向に弾性変形し難くなる虞がある。したがって、センサ２０の面内方向のせん断力の検出感度が低下する虞がある。

　離隔層２２の目付量は以下のようにして求められる。まず、センサ２０から導電層２４Ａ、変形層２３Ａおよび検出層２１Ａを引き剥がす等することにより、離隔層２２の表面を露出させた後、この状態にてセンサ２０の質量Ｍ１を測定する。次に、離隔層２２を溶剤で溶かす等することにより離隔層２２を除去した後、この状態にてセンサ２０の質量Ｍ２を測定する。最後に、下記の式から変形層２３の目付量を求める。
　離隔層２２の目付量［ｍｇ／ｃｍ^２］＝（質量Ｍ１－質量Ｍ２）／（離隔層２２の面積Ｓ１）

　変形層２３Ａの目付量は以下のようにして求められる。まず、センサ２０から導電層２４Ａを引き剥がす等することにより、変形層２３Ａの表面を露出させた後、この状態にてセンサ２０の質量Ｍ３を測定する。次に、変形層２３Ａを溶剤で溶かす等することにより変形層２３Ａを除去した後、この状態にてセンサ２０の質量Ｍ４を測定する。最後に、下記の式から変形層２３Ａの目付量を求める。
　変形層２３Ａの目付量［ｍｇ／ｃｍ^２］＝（質量Ｍ３－質量Ｍ４）／（変形層２３Ａの面積Ｓ２）

　変形層２３Ｂの目付量は以下のようにして求められる。まず、センサ２０から導電層２４Ｂを引き剥がす等することにより、変形層２３Ｂの表面を露出させた後、この状態にてセンサ２０の質量Ｍ５を測定する。次に、変形層２３Ｂを溶剤で溶かす等することにより変形層２３Ｂを除去した後、この状態にてセンサ２０の質量Ｍ６を測定する。最後に、下記の式から変形層２３Ｂの目付量を求める。
　変形層２３Ｂの目付量［ｍｇ／ｃｍ^２］＝（質量Ｍ５－質量Ｍ６）／（変形層２３Ｂの面積Ｓ３）

（導電層）
　導電層２４Ａは、可撓性および伸縮性の少なくとも一方を有する。導電層２４Ａは、センシング面２０Ｓに対して圧力が作用すると、検出層２１Ａに向けて撓む。導電層２４Ｂは、可撓性および伸縮性の少なくとも一方を有していてもよいし、有していなくてもよいが、センサ２０を曲面に装着可能とするためには、可撓性を有することが好ましい。

　導電層２４Ａは、第１の面２４ＡＳ１と、第１の面２４ＡＳ１とは反対側の第２の面２４ＡＳ２とを有する。第２の面２４ＡＳ２は、検出層２１Ａの第１の面２１ＡＳ１と対向する。導電層２４Ｂは、第１の面２４ＢＳ１と、第１の面２４ＢＳ１とは反対側の第２の面２４ＢＳ２とを有する。第１の面２４ＢＳ１は、検出層２１Ｂの第２の面２１ＢＳ２と対向する。

　導電層２４Ａの弾性率は、１０ＭＰａ以下であることが好ましい。導電層２４Ａの弾性率が１０ＭＰａ以下であると、導電層２４Ａの可撓性が向上し、センシング面２０Ｓに圧力が作用したときに、検出層２１Ｂまで圧力が伝わりやすくなり、検出層２１Ｂが変形しやすくなる。したがって、センシング部ＳＥ２２の検出感度を向上することができる。上記弾性率は、ＪＩＳ　Ｋ　７１６１に準拠して測定される。

　導電層２４Ａおよび導電層２４Ｂは、いわゆる接地電極であり、基準電位に接続されている。導電層２４Ａおよび導電層２４Ｂの形状としては、例えば、薄膜状、箔状またはメッシュ状等が挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。導電層２４Ａ、導電層２４Ｂはそれぞれ、図示しない基材により支持されていてもよい。

　導電層２４Ａ、２４Ｂは、電気的導電性を有するものであればよく、例えば、無機系導電材料を含む無機導電層、有機系導電材料を含む有機導電層、または無機系導電材料および有機系導電材料の両方を含む有機－無機導電層等である。無機系導電材料および有機系導電材料は、粒子であってもよい。導電層２４Ａ、２４Ｂは、導電布であってもよい。

　無機系導電材料としては、例えば、金属または金属酸化物等が挙げられる。ここで、金属には、半金属が含まれるものと定義する。金属としては、例えば、アルミニウム、銅、銀、金、白金、パラジウム、ニッケル、錫、コバルト、ロジウム、イリジウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、マンガン、モリブデン、タングステン、ニオブ、タンテル、チタン、ビスマス、アンチモン、鉛等の金属、またはこれらの金属を２種以上含む合金等が挙げられるが、これらの金属に限定されるものではない。合金の具体例としては、ステンレス鋼が挙げられるが、これに限定されるものではない。金属酸化物としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、酸化インジウム、アンチモン添加酸化錫、フッ素添加酸化錫、アルミニウム添加酸化亜鉛、ガリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛、酸化亜鉛－酸化錫系、酸化インジウム－酸化錫系、または酸化亜鉛－酸化インジウム－酸化マグネシウム系等が挙げられるが、これらの金属酸化物に限定されるものではない。

　有機系導電材料としては、例えば、炭素材料、または導電性ポリマー等が挙げられる。炭素材料としては、例えば、カーボンブラック、炭素繊維、フラーレン、グラフェン、カーボンナノチューブ、カーボンマイクロコイル、またはナノホーン等が挙げられるが、これらの炭素材料に限定されるものではない。導電性ポリマーとしては、例えば、置換または無置換のポリアニリン、ポリピロール、またはポリチオフェン等を用いることができるが、これらの導電性ポリマーに限定されるものではない。

　導電層２４Ａ、２４Ｂは、ドライプロセスおよびウエットプロセスのいずれで作製された薄膜であってもよい。ドライプロセスとしては、例えば、スパッタリング法、蒸着法等を用いることができるが、特にこれらに限定されるものではない。

　導電層２４Ａ、２４Ｂがセンサ２０の両面に設けられていることで、外部ノイズ（外部電場）がセンサ２０の両主面側からセンサ２０内に入り込むことを抑制することができる。したがって、外部ノイズによるセンサ２０の検出精度の低下または誤検出を抑制することができる。

（変形層）
　変形層２３Ａは、検出層２１Ａと導電層２４Ａが平行になるように、検出層２１Ａと導電層２４Ａを離隔する。変形層２３Ａの厚みにより、センシング部ＳＥ２１の感度とダイナミックレンジを調整することができる。変形層２３Ａは、センシング面２０Ｓに作用する圧力、すなわちセンサ２０の厚み方向に作用する圧力に応じて弾性変形可能に構成されている。変形層２３Ａは、図示しない基材により支持されていてもよい。

　変形層２３Ｂは、検出層２１Ｂと導電層２４Ｂが平行になるように、検出層２１Ｂと導電層２４Ｂを離隔する。変形層２３Ｂの厚みにより、センシング部ＳＥ２２の感度とダイナミックレンジを調整することができる。変形層２３Ｂは、センシング面２０Ｓに作用する圧力、すなわちセンサ２０の厚み方向に作用する圧力に応じて弾性変形可能に構成されている。変形層２３Ａは、図示しない基材により支持されていてもよい。

　変形層２３Ａと変形層２３Ｂの２５％ＣＬＤ値は、同一またはほぼ同一であってもよい。変形層２３Ａ、２３Ｂは、例えば、発泡樹脂または絶縁性エラストマ等を含む。発泡樹脂は、いわゆるスポンジであり、例えば、発泡ポリウレタン（ポリウレタンフォーム）、発泡ポリエチレン（ポリエチレンフォーム）、発泡ポリオレフィン（ポリオレフィンフォーム）、発泡アクリル（アクリルフォーム）およびスポンジゴム等のうちの少なくとも１種である。絶縁性エラストマは、例えば、シリコーン系エラストマ、アクリル系エラストマ、ウレタン系エラストマおよびスチレン系エラストマ等のうちの少なくとも１種である。

（接着層）
　接着層は、絶縁性を有する接着剤または両面接着フィルムにより構成される。接着剤としては、例えば、アクリル系接着剤、シリコーン系接着剤およびウレタン系接着剤のうちの少なくとも１種を用いることができる。なお、本開示においては、粘着（pressure sensitive adhesion）は接着（adhesion）の一種と定義する。この定義に従えば、粘着層は接着層の一種と見なされる。

［センサの動作］
（圧力検出時のセンサの動作）
　図７は、圧力検出時のセンサ２０の動作の一例について説明するための断面図である。物体４１によりセンシング面２０Ｓが押され、センシング面２０Ｓに圧力が作用すると、導電層２４Ａが、圧力の作用箇所を中心として検出層２１Ａに向けて撓み、変形層２３Ａの一部を押し潰す。これにより、導電層２４Ａと検出層２１Ａの一部が接近する。その結果、検出層２１Ａのうち、導電層２４Ａに接近した部分に含まれる複数のセンシング部ＳＥ２１の電気力線の一部（すなわちセンス電極３６とパルス電極３７の間の電気力線の一部）が導電層２４Ａに流れて、複数のセンシング部ＳＥ２１の静電容量が変化する。

　また、上述のようにして押し潰された変形層２３Ａの一部により、検出層２１Ａの第１の面２１ＡＳ１に圧力が作用し、検出層２１Ａ、離隔層２２および検出層２１Ｂが、圧力の作用箇所を中心として導電層２４Ｂに向けて撓む。これにより、検出層２１Ｂと導電層２４Ｂの一部が接近する。その結果、検出層２１Ｂのうち、導電層２４Ｂに接近した部分に含まれる複数のセンシング部ＳＥ２２の電気力線の一部（すなわちセンス電極３６とパルス電極３７の間の電気力線の一部）が導電層２４Ｂに流れて、複数のセンシング部ＳＥ２２の静電容量が変化する。

　ＩＣ１３Ａは、検出層２１Ａに含まれる複数のセンシング部ＳＥ２１を順次スキャンし、複数のセンシング部ＳＥ２１から出力信号分布、すなわち静電容量分布を取得する。
　同様に、ＩＣ１３Ｂは、検出層２１Ｂに含まれる複数のセンシング部ＳＥ２２を順次スキャンし、複数のセンシング部ＳＥ２１から出力信号分布、すなわち静電容量分布を取得する。ＩＣ１３ＡおよびＩＣ１３Ｂは、取得した出力信号分布をホスト機器１２のＣＰＵ１２Ａに出力する。

　ＣＰＵ１２Ａは、ＩＣ１３Ａから受け取った出力信号分布に基づき、圧力の大きさおよび圧力の作用位置を演算する。ＩＣ１３Ａの出力信号分布に基づき圧力の大きさおよび圧力の作用位置を演算するのは、検出層２１Ａの方が検出層２１Ｂに比べてセンシング面２０Ｓに近く、検出感度が高いためである。但し、ＣＰＵ１２Ａが、ＩＣ１３Ｂから受け取った出力信号分布に基づき、圧力の大きさおよび圧力の作用位置を演算するようにしてもよいし、ＩＣ１３ＡおよびＩＣ１３Ｂの両方から受け取った出力信号分布に基づき、圧力の大きさおよび圧力の作用位置を演算するようにしてもよい。

（せん断力検出時のセンサの動作）
　図８は、せん断力検出時のセンサ２０の動作の一例について説明するための断面図である。物体４１がセンシング面２０Ｓの面内方向に移動し、センサ２０にせん断力が作用すると、センサ２０の面内方向に離隔層２２が弾性変形し、センサ２０の面内方向（Ｘ、Ｙ方向）における検出層２１Ａと検出層２１Ｂの相対位置がずれる。すなわち、センサ２０の面内方向におけるセンシング部ＳＥ２１とセンシング部ＳＥ２２の相対位置がずれる。これにより、検出層２１Ａの出力信号分布（静電容量分布）の重心位置と、検出層２１Ｂの出力信号分布（静電容量分布）の重心位置とが、センサ２０の面内方向（Ｘ、Ｙ方向）にずれる。なお、せん断力を検出するためには、物体４１によりセンシング面２０Ｓに圧力が作用している必用があるが、図８では、この圧力によるセンサ２０の各層の変形は省略している。

　図９は、センサ２０に圧力のみが作用している状態における検出層２１Ａの出力信号分布ＤＢ１および検出層２１Ｂの出力信号分布ＤＢ２の一例を示すグラフである。出力信号分布ＤＢ１および出力信号分布ＤＢ２は、静電容量分布（圧力分布）に対応する。センサ２０に圧力のみが作用している状態では、検出層２１Ａの出力信号分布ＤＢ１および検出層２１Ｂの出力信号分布ＤＢ２の重心位置は一致している。

　図１０は、センサ２０にせん断力が作用している状態における検出層２１Ａの出力信号分布ＤＢ１および検出層２１Ｂの出力信号分布ＤＢ２の一例を示すグラフである。センサ２０にせん断力が作用している状態では、検出層２１Ａの出力信号分布ＤＢ１および検出層２１Ｂの出力信号分布ＤＢ２の重心位置がずれる。

　ＣＰＵ１２Ａは、センサモジュール１１から出力された検出層２１Ａの出力信号分布および検出層２１Ｂの出力信号分布に基づき、３軸力を算出する。より具体的には、ＣＰＵ１２Ａは、検出層２１Ａの出力信号分布ＤＢ１から、検出層２１Ａにおける圧力の重心位置を計算すると共に、検出層２１Ｂの出力信号分布ＤＢ２から、検出層２１Ｂにおける圧力の重心位置を算出する。ＣＰＵ１２Ａは、検出層２１Ａにおける圧力の重心位置と検出層２１Ｂにおける圧力の重心位置の差分から、せん断力の大きさと方向を算出する。

［効果］
　上述したように第１の実施形態に係るセンサ２０では、全体として比較的単純かつ省スペースな構成で３軸力の分布を検出することができる。また、センシング面２０Ｓの有効領域のどの位置でも、３軸力の分布を検出することができる。

　これに対して、上述した特許文献１のように、単一の検出軸を持つ圧力センサを複数組み合わせて多軸力センサを構成し、多軸力を検出しようとすると、構造が複雑になってしまう。また、面分布での検出を行うために、複数の多軸力センサを配列しようとすると、大きな空間を占有することになってしまう。

＜２　第２の実施形態＞
［センサの構成］
　図１１は、本開示の第２の実施形態に係るセンサ２０Ａの構成の一例を示す断面図である。センサ２０Ａは、離隔層２２（図２参照）に代えて、積層構造の離隔層２５を備える点において、第１の実施形態に係るセンサ２０とは異なっている。なお、第２の実施形態において、第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。

（離隔層）
　離隔層２５は、導電層（第３の導電層）２４Ｃ、離隔層（第１の離隔層）２５Ａと、離隔層（第２の離隔層）２５Ｂとを備える。導電層２４Ｃは、離隔層２５Ａと離隔層２５Ｂの間に設けられている。離隔層２５Ａは、検出層２１Ａと導電層２４Ｃの間に設けられ、検出層２１Ａと導電層２４Ｃを離隔する。離隔層２５Ｂは、検出層２１Ｂと導電層２４Ｃの間に設けられ、検出層２１Ｂと導電層２４Ｃを離隔する。離隔層２５Ａおよび離隔層２５Ｂは、センシング面２０Ｓの面内方向（すなわちセンサ２０の面内方向）に作用するせん断力により、センシング面２０Ｓの面内方向に弾性変形可能に構成されている。

　離隔層２５Ａおよび離隔層２５Ｂの材料は、第１の実施形態における離隔層２２と同様である。

　離隔層２５Ａ、離隔層２５Ｂそれぞれの２５％ＣＬＤ値が、変形層２３Ａの２５％ＣＬＤ値の１０倍以上、好ましくは変形層２３Ａの２５％ＣＬＤ値の３０倍以上、より好ましくは変形層２３Ａの２５％ＣＬＤ値の５０倍以上である。離隔層２５Ａ、離隔層２５Ｂそれぞれの２５％ＣＬＤ値が変形層２３Ａの２５％ＣＬＤ値の１０倍以上であると、センシング部ＳＥ２１の検出感度を向上することができる。

　離隔層２５Ａ、離隔層２５Ｂそれぞれの２５％ＣＬＤ値が、変形層２３Ｂの２５％ＣＬＤ値の１０倍以上、好ましくは変形層２３Ｂの２５％ＣＬＤ値の３０倍以上、より好ましくは変形層２３Ｂの２５％ＣＬＤ値の５０倍以上である。離隔層２５Ａ、離隔層２５Ｂそれぞれの２５％ＣＬＤ値が変形層２３Ｂの２５％ＣＬＤ値の１０倍以上であると、センシング部ＳＥ２２の検出感度を向上することができる。

　離隔層２５Ａ、離隔層２５Ｂそれぞれの２５％ＣＬＤ値は、５００ｋＰａ以下であることが好ましい。離隔層２５Ａ、離隔層２５Ｂそれぞれの２５％ＣＬＤ値が５００ｋＰａを超えると、センシング面２０Ｓの面内方向（すなわちセンサ２０Ａの面内方向）に作用するせん断力により、センシング面２０Ｓの面内方向に弾性変形し難くなる虞がある。したがって、センサ２０Ａの面内方向のせん断力の検出感度が低下する虞がある。

　離隔層２５Ａおよび離隔層２５Ｂの２５％ＣＬＤ値は、ＪＩＳ　Ｋ　６２５４に準拠して測定される。

　離隔層２５Ａおよび離隔層２５Ｂの合計の厚みが、好ましくは変形層２３Ａの厚みの２倍以上、より好ましくは変形層２３Ａの厚みの４倍以上、さらにより好ましくは変形層２３Ａの厚みの８倍以上である。離隔層２５Ａおよび離隔層２５Ｂの合計の厚みが変形層２３Ａの厚みの２倍以上であると、せん断力の検出感度をさらに向上することができる。

　離隔層２５Ａおよび離隔層２５Ｂの合計の厚みが、好ましくは変形層２３Ｂの厚みの２倍以上、より好ましくは変形層２３Ｂの厚みの４倍以上、さらにより好ましくは変形層２３Ｂの厚みの８倍以上である。離隔層２５Ａおよび離隔層２５Ｂの合計の厚みが変形層２３Ｂの厚みの２倍以上であると、せん断力の検出感度をさらに向上することができる。

　離隔層２５Ａおよび離隔層２５Ｂの合計の厚みが、好ましくは１００００μｍ以下、より好ましくは４０００μｍ以下であることが好ましい。離隔層２５Ａおよび離隔層２５Ｂの合計の厚みが１００００μｍを超えると、センサ２０Ａを電子機器等に適用し難くなる虞がある。

　離隔層２５Ａおよび離隔層２５Ｂの厚みは、第１の実施形態における離隔層２２の厚みの測定方法と同様して求められる。

　離隔層２５Ａおよび離隔層２５Ｂの合計の目付量が、好ましくは変形層２３Ａの目付量の１０倍以上、より好ましくは変形層２３Ｂの目付量の２５倍以上である。離隔層２５Ａおよび離隔層２５Ｂの合計の目付量が変形層２３Ａの目付量の１０倍以上であると、センシング部ＳＥ２１の検出感度をさらに向上することができる。

　離隔層２５Ａおよび離隔層２５Ｂの合計の目付量が、好ましくは変形層２３Ｂの目付量の１０倍以上、より好ましくは変形層２３Ｂの目付量の２５倍以上である。離隔層２５Ａおよび離隔層２５Ｂの合計の目付量が変形層２３Ｂの目付量の１０倍以上であると、センシング部ＳＥ２２の検出感度をさらに向上することができる。

　離隔層２５Ａおよび離隔層２５Ｂの合計の目付量が、１０００ｍｇ／ｃｍ^２以下であることが好ましい。離隔層２５Ａおよび離隔層２５Ｂの合計の目付量が１０００ｍｇ／ｃｍ^２を超えると、センシング面２０Ｓの面内方向（すなわちセンサ２０Ａの面内方向）に作用するせん断力により、センシング面２０Ｓの面内方向に弾性変形し難くなる虞がある。したがって、センサ２０Ａの面内方向のせん断力の検出感度が低下する虞がある。

　離隔層２５Ａおよび離隔層２５Ｂの目付量は、第１の実施形態における離隔層２２の目付量の測定方法と同様して求められる。

（導電層）
　導電層２４Ｃは、上述のように離隔層２５Ａと離隔層２５Ｂの間に設けられ、検出層２１Ａと検出層２１Ｂの間での電磁的干渉を抑制する。導電層２４Ｃは、可撓性および伸縮性の少なくとも一方を有する。導電層２４Ｃは、センシング面２０Ｓに対して圧力が作用すると、検出層２１Ｂに向けて撓む。導電層２４Ｃの形状および材料は、第１の実施形態における導電層２４Ａと同様である。

［センサの動作］
（圧力検出時のセンサの動作）
　図１２は、圧力検出時のセンサ２０Ａの動作の一例について説明するための断面図である。圧力検出時のセンサ２０Ａの動作は、以下の点以外は、第１の実施形態における圧力検出時のセンサ２０の動作と同様である。物体４１によりセンシング面２０Ｓが押され、押し潰された変形層２３Ａの一部により検出層２１Ａの第１の面２１ＡＳ１に圧力が作用すると、検出層２１Ａ、離隔層２５および検出層２１Ｂが、圧力の作用箇所を中心として導電層２４Ｂに向けて撓む。

（せん断力検出時のセンサの動作）
　図１３は、せん断力検出時のセンサ２０Ａの動作の一例について説明するための断面図である。せん断力検出時のセンサ２０Ａの動作は、以下の点以外は、第１の実施形態における圧力検出時のセンサ２０Ａの動作と同様である。センサ２０にせん断力が作用すると、センサ２０の面内方向に離隔層２５Ａおよび離隔層２５Ｂが弾性変形し、センサ２０の面内方向における検出層２１Ａと検出層２１Ｂの相対位置がずれる。

［効果］
　第２の実施形態に係るセンサ２０Ａは、検出層２１Ａと検出層２１Ｂの間に導電層２４Ｃをさらに備えている。これにより、検出層２１Ａと検出層２１Ｂの間での電磁的干渉をさらに抑制することができる。したがって、センサ２０Ａでは、第１の実施形態に係るセンサ２０よりも検出精度の低下または誤検出を抑制することができる。

＜３　第３の実施形態＞
［センサの構成］
　図１４は、本開示の第３の実施形態に係るセンサ５０の構成の一例を示す断面図である。センサ５０は、検出層（第１の検出層）２１Ａと、検出層（第２の検出層）５１Ｂと、離隔層５２と、変形層（第１の変形層）２３Ａと、変形層（第２の変形層）５３Ｂと、導電層（第１の導電層）２４Ａと、導電層（第２の導電層）５４Ｂと、導電層（第３の導電層）５４Ｃと、接着層５５とを備える。なお、導電層５４Ｃおよび接着層５５は必要に応じて備えられるものであって、なくてもよい。なお、第３の実施形態において、第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。

　検出層５１Ｂと接着層５５の間および導電層５４Ｃと接着層５５の間を除く、センサ５０の各層の間には、図示しない接着層が備えられ、貼り合わされている。但し、隣接する２層のうちの少なくとも一方が接着性を有する場合には、接着層はなくてもよい。

　検出層５１Ｂは、検出層２１Ａの第２の面２１ＡＳ２と対向する第１の面５１ＢＳ１と、第１の面５１ＢＳ１とは反対側の第２の面５１ＢＳ２とを有する。検出層２１Ａと検出層５１Ｂは平行に配置されている。導電層５４Ｂは、検出層２１Ａおよび検出層５１Ｂの間に設けられている。導電層５４Ｂは、検出層２１Ａおよび検出層５１Ｂと平行に配置されている。導電層５４Ｃは、検出層５１Ｂの第２の面５１ＢＳ２と対向して設けられている。導電層５４Ｂは、検出層５１Ｂと平行に配置されている。離隔層５２は、検出層２１Ａと導電層５４Ｂの間に設けられている。接着層５５は、検出層５１Ｂと導電層５４Ｃの間に設けられている。

（検出層）
　検出層５１Ｂは、相互容量方式の検出層である。検出層５１Ｂは、複数のセンシング部（第２のセンシング部）ＳＥ５２を含む。センシング部ＳＥ５２は、センシング面２０Ｓに作用する圧力を検出し、検出結果をＩＣ１３Ｂに出力する。具体的には、センシング部ＳＥ５２は、センシング部ＳＥ５２と導電層５４Ｂの距離に対応した静電容量を検出し、検出結果をＩＣ１３Ｂに出力する。

　検出層５１Ｂの構成は、第１の実施形態における検出層２１Ａと同様である。

（離隔層）
　離隔層５２は、検出層２１Ａと導電層５４Ｂを離隔する。離隔層５２は、センシング面２０Ｓの面内方向（すなわちセンサ５０の面内方向）に作用するせん断力により、センシング面２０Ｓの面内方向に弾性変形可能に構成されている。

　離隔層５２の材料は、第１の実施形態における離隔層２２と同様である。

　離隔層５２の２５％ＣＬＤ値が、変形層２３Ａの２５％ＣＬＤ値の１０倍以上、好ましくは変形層２３Ａの２５％ＣＬＤ値の３０倍以上、より好ましくは変形層２３Ａの２５％ＣＬＤ値の５０倍以上である。離隔層５２の２５％ＣＬＤ値が変形層２３Ａの２５％ＣＬＤ値の１０倍以上であると、センシング部ＳＥ２１の検出感度を向上することができる。

　離隔層５２の２５％ＣＬＤ値が、変形層５３Ｂの２５％ＣＬＤ値の１０倍以上、好ましくは変形層５３Ｂの２５％ＣＬＤ値の３０倍以上、より好ましくは変形層５３Ｂの２５％ＣＬＤ値の５０倍以上である。離隔層５２の２５％ＣＬＤ値が変形層５３Ｂの２５％ＣＬＤ値の１０倍以上であると、センシング部ＳＥ５２の検出感度を向上することができる。

　離隔層５２の２５％ＣＬＤ値は、５００ｋＰａ以下であることが好ましい。離隔層５２の２５％ＣＬＤ値が５００ｋＰａを超えると、センシング面２０Ｓの面内方向（すなわちセンサ５０の面内方向）に作用するせん断力により、センシング面２０Ｓの面内方向に弾性変形し難くなる虞がある。したがって、センサ５０の面内方向のせん断力の検出感度が低下する虞がある。

　離隔層５２および変形層５３Ｂの２５％ＣＬＤ値は、ＪＩＳ　Ｋ　６２５４に準拠して測定される。

　離隔層５２の厚みが、好ましくは変形層２３Ａの厚みの２倍以上、より好ましくは変形層２３Ａの厚みの４倍以上、さらにより好ましくは変形層２３Ａの厚みの８倍以上である。離隔層５２の厚みが変形層２３Ａの厚みの２倍以上であると、せん断力の検出感度をさらに向上することができる。

　離隔層５２の厚みが、好ましくは変形層５３Ｂの厚みの２倍以上、より好ましくは変形層２３Ａの厚みの４倍以上、さらにより好ましくは変形層５３Ｂの厚みの８倍以上である。離隔層５２の厚みが変形層５３Ｂの厚みの２倍以上であると、せん断力の検出感度をさらに向上することができる。

　離隔層５２の厚みは、好ましくは１００００μｍ以下、より好ましくは４０００μｍ以下であることが好ましい。離隔層５２の厚みが１００００μｍを超えると、センサ５０を電子機器等に適用し難くなる虞がある。

　離隔層５２および変形層５３Ｂの厚みは、第１の実施形態における離隔層２２、変形層２３Ａおよび変形層２３Ｂの厚みの測定方法と同様にして求められる。

　離隔層５２の目付量が、好ましくは変形層２３Ａの目付量の１０倍以上、より好ましくは変形層２３Ａの目付量の２５倍以上である。離隔層５２の目付量が変形層２３Ａの目付量の１０倍以上であると、センシング部ＳＥ２１の検出感度をさらに向上することができる。

　離隔層５２の目付量が、好ましくは変形層５３Ｂの目付量の１０倍以上、より好ましくは変形層５３Ｂの目付量の２５倍以上である。離隔層５２の目付量が変形層５３Ｂの目付量の１０倍以上であると、センシング部ＳＥ５２の検出感度をさらに向上することができる。

　離隔層５２の目付量は、１０００ｍｇ／ｃｍ^２以下であることが好ましい。離隔層５２の目付量が１０００ｍｇ／ｃｍ^２を超えると、センシング面２０Ｓの面内方向（すなわちセンサ５０の面内方向）に作用するせん断力により、センシング面２０Ｓの面内方向に弾性変形し難くなる虞がある。したがって、センサ５０の面内方向のせん断力の検出感度が低下する虞がある。

　離隔層５２および変形層５３Ｂの目付量は、第１の実施形態における離隔層２２、変形層２３Ａおよび変形層２３Ｂの目付量の測定方法と同様にして求められる。

（導電層）
　導電層５４Ｂは、可撓性および伸縮性の少なくとも一方を有する。導電層５４Ｂは、センシング面２０Ｓに対して圧力が作用すると、検出層５１Ｂに向けて撓む。導電層５４Ｃは、可撓性および伸縮性の少なくとも一方を有していてもよいし、有していなくてもよいが、センサ５０を曲面に装着可能とするためには、可撓性および伸縮性の少なくとも一方を有することが好ましい。

　導電層５４Ｂは、第１の面５４ＢＳ１と、第１の面５４ＢＳ１とは反対側の第２の面５４ＢＳ２とを有する。第２の面５４ＢＳ２は、検出層５１Ｂの第１の面２１ＢＳ１と対向する。導電層５４Ｃは、第１の面５４ＣＳ１と、第１の面５４ＣＳ１とは反対側の第２の面５４ＣＳ２とを有する。第１の面５４ＣＳ１は、検出層５１Ｂの第２の面２１ＢＳ２と対向する。

　導電層５４Ｂ、導電層５４Ｃは、いわゆる接地電極であり、基準電位に接続されている。導電層５４Ｂおよび導電層５４Ｃの形状および材料は、第１の実施形態における導電層２４Ａと同様である。

（変形層）
　変形層５３Ｂは、検出層５１Ｂと導電層５４Ｂが平行になるように、検出層５１Ｂと導電層５４Ｂを離隔する。変形層５３Ｂの厚みにより、検出層５１Ｂの感度とダイナミックレンジを調整することができる。変形層５３Ｂは、センシング面２０Ｓに作用する圧力、すなわち、すなわちセンサ５０の厚み方向に作用する圧力に応じて弾性変形可能に構成されている。

（接着層）
　接着層５５は、検出層５１Ｂと導電層５４Ｃを貼り合わせると共に、検出層５１Ｂと導電層５４Ｃの間を離隔する。接着層５５の厚みにより、検出層５１Ｂの感度とダイナミックレンジを調整することができる。接着層５５は、例えば、両面に接着層が設けられた基材である。接着層５５が、上記基材が複数積層されて構成されていてもよい。

［センサの動作］
（圧力検出時のセンサの動作）
　図１５は、圧力検出時のセンサ５０の動作の一例について説明するための断面図である。
　物体４１によりセンシング面２０Ｓが押され、センシング面２０Ｓに圧力が作用すると、第１の実施形態に係るセンサ２０の動作と同様にして、導電層２４Ａと検出層２１Ａとの一部が接近し、複数のセンシング部ＳＥ２１の静電容量が変化する。

　また、上述のようにして押し潰された変形層２３Ａの一部により、検出層２１Ａの第１の面２１ＡＳ１に圧力が作用すると、検出層２１Ａおよび離隔層５２および導電層５４Ｂが、圧力の作用箇所を中心として検出層５１Ｂに向けて撓み、変形層５３Ｂの一部を押し潰す。これにより、導電層５４Ｂと検出層５１Ｂの一部が接近する。その結果、検出層５１Ｂのうち、導電層５４Ｂが接近した部分に含まれる複数のセンシング部ＳＥ５２の電気力線の一部（すなわちセンス電極３６とパルス電極３７の間の電気力線の一部）が導電層５４Ｂに流れて、センシング部ＳＥ５２の静電容量が変化する。

（せん断力検出時のセンサの動作）
　図１６は、せん断力検出時のセンサ５０の動作の一例について説明するための断面図である。センサ５０にせん断力が作用すると、センサ５０の面内方向に離隔層５２が弾性変形し、センサ５０の面内方向（Ｘ、Ｙ方向）におけるセンシング部ＳＥ２１とセンシング部ＳＥ５２の相対位置がずれる。これにより、検出層２１Ａの出力信号分布（静電容量分布）の重心位置と、検出層５１Ｂの出力信号分布（静電容量分布）の重心位置とが、センサ５０の面内方向（Ｘ、Ｙ方向）にずれる。

［効果］
　第３の実施形態に係るセンサ５０は、検出層５１Ｂ上に変形層５３Ｂを備える。したがって、検出層２１Ｂの下に変形層２３Ｂを備える第１の実施形態に係るセンサ２０に比べて圧力およびせん断力の検出感度を向上することができる。

＜４　第４の実施形態＞
［センサの構成］
　図１７は、本開示の第４の実施形態に係るセンサ６０の構成の一例を示す断面図である。センサ６０は、検出層（第１の検出層）６１Ａと、検出層（第２の検出層）６１Ｂと、離隔層６２と、変形層（第１の変形層）２３Ａと、変形層（第２の変形層）２３Ｂと、変形層（第３の変形層）６３Ａと、変形層（第４の変形層）６３Ｂと、導電層（第１の導電層）２４Ａと、導電層（第２の導電層）２４Ｂと、導電層（第３の導電層）６４Ａと、導電層（第４の導電層）６４Ｂとを備える。なお、第４の実施形態において、第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。

　導電層６４Ａ、変形層６３Ａ、検出層２１Ａ、変形層２３Ａおよび導電層２４Ａの積層体により、第１のセンサ６０Ａが構成されている。導電層２４Ｂ、変形層２３Ｂ、検出層６１Ｂ、変形層６３Ｂおよび導電層６４Ｂの積層体により、第２のセンサ６０Ｂが構成されている。

　センサ６０の各層の間には、図示しない接着層が備えられ、貼り合わされている。但し、隣接する２層のうちの少なくとも一方が接着性を有する場合には、接着層はなくてもよい。

　検出層６１Ａは、第１の面６１ＡＳ１と、第１の面６１ＡＳ１とは反対側の第２の面６１ＡＳ２とを有する。検出層６１Ｂは、第２の面６１ＡＳ２と対向する第１の面６１ＢＳ１と、第１の面６１ＢＳ１とは反対側の第２の面６１ＢＳ２とを有する。検出層６１Ａと検出層６１Ｂは平行に配置されている。離隔層６２は、検出層６１Ａと検出層２１Ｂの間に設けられている。すなわち、離隔層６２は、第１のセンサ６０Ａと第２のセンサ６０Ｂの間に設けられている。

　導電層２４Ａは、検出層６１Ａの第１の面６１ＡＳ１と対向して設けられている。導電層２４Ａは、検出層６１Ａと平行に配置されている。導電層２４Ｂは、検出層６１Ｂの第２の面２１ＢＳ２と対向して設けられている。導電層２４Ｂは、検出層６１Ｂと平行に配置されている。導電層６４Ａは、検出層６１Ａと離隔層６２の間に設けられている。導電層６４Ａは、検出層６１Ａと平行に配置されている。導電層６４Ｂは、検出層６１Ｂと離隔層６２の間に設けられている。導電層６４Ｂは、検出層６１Ｂと平行に配置されている。変形層２３Ａは、検出層６１Ａと導電層２４Ａの間に設けられている。変形層２３Ｂは、検出層６１Ｂと導電層２４Ｂの間に設けられている。変形層６３Ａは、検出層６１Ａと導電層６４Ａの間に設けられている。変形層６３Ｂは、検出層６１Ｂと導電層６４Ｂの間に設けられている。

（検出層）
　検出層６１Ａおよび検出層６１Ｂは、相互容量方式の検出層である。検出層６１Ａは、可撓性を有する。検出層６１Ａは、センシング面２０Ｓに圧力が作用すると導電層６４Ａに向けて撓む。検出層６１Ａは、複数のセンシング部（第１のセンシング部）ＳＥ６１を含む。センシング部ＳＥ６１は、センシング面２０Ｓに作用する圧力を検出し、検出結果をＩＣ１３Ａに出力する。具体的には、センシング部ＳＥ６１は、センシング部ＳＥ６１と導電層２４Ａの距離、およびセンシング部ＳＥ２１と導電層６４Ａの距離に対応した静電容量を検出し、検出結果をＩＣ１３Ａに出力する。

　検出層６１Ｂは、可撓性を有する。検出層６１Ｂは、センシング面２０Ｓに圧力が作用すると導電層２４Ｂに向けて撓む。検出層６１Ｂは、複数のセンシング部（第２のセンシング部）ＳＥ６２を含む。センシング部ＳＥ６２は、センシング面２０Ｓに作用する圧力を検出し、検出結果をＩＣ１３Ｂに出力する。具体的には、センシング部ＳＥ６２は、センシング部ＳＥ６２と導電層６４Ｂの距離、およびセンシング部ＳＥ６２と導電層２４Ｂの距離に対応した静電容量を検出し、検出結果をＩＣ１３Ｂに出力する。

　検出層６１Ａおよび検出層６１Ｂの構成は、第１の実施形態における検出層２１Ａと同様の構成を有する。

（離隔層）
　離隔層６２は、導電層６４Ａと導電層６４Ｂの間を離隔する。すなわち、離隔層６２は、第１のセンサ６０Ａと第２のセンサ６０Ｂの間を離隔する。離隔層６２は、センシング面２０Ｓの面内方向（すなわちセンサ２０の面内方向）に作用するせん断力により、センシング面２０Ｓの面内方向に弾性変形可能に構成されている。

　離隔層６２の材料は、第１の実施形態における離隔層２２と同様である。

　離隔層６２の２５％ＣＬＤ値が、変形層２３Ａの２５％ＣＬＤ値の１０倍以上、好ましくは変形層２３Ａの２５％ＣＬＤ値の３０倍以上、より好ましくは変形層２３Ａの２５％ＣＬＤ値の５０倍以上である。離隔層６２の２５％ＣＬＤ値が変形層２３Ａの２５％ＣＬＤ値の１０倍以上であると、センシング部ＳＥ６１の検出感度を向上することができる。

　離隔層６２の２５％ＣＬＤ値が、変形層６３Ａの２５％ＣＬＤ値の１０倍以上、好ましくは変形層６３Ａの２５％ＣＬＤ値の３０倍以上、より好ましくは変形層６３Ａの２５％ＣＬＤ値の５０倍以上である。離隔層６２の２５％ＣＬＤ値が変形層６３Ａの２５％ＣＬＤ値の１０倍以上であると、センシング部ＳＥ６１の検出感度を向上することができる。

　離隔層６２の２５％ＣＬＤ値が、変形層２３Ｂの２５％ＣＬＤ値の１０倍以上、好ましくは変形層２３Ｂの２５％ＣＬＤ値の３０倍以上、より好ましくは変形層２３Ｂの２５％ＣＬＤ値の５０倍以上である。離隔層６２の２５％ＣＬＤ値が変形層２３Ｂの２５％ＣＬＤ値の１０倍以上であると、センシング部ＳＥ６２の検出感度を向上することができる。

　離隔層６２の２５％ＣＬＤ値が、変形層６３Ｂの２５％ＣＬＤ値の１０倍以上、好ましくは変形層６３Ｂの２５％ＣＬＤ値の３０倍以上、より好ましくは変形層６３Ｂの２５％ＣＬＤ値の５０倍以上である。離隔層６２の２５％ＣＬＤ値が変形層６３Ｂの２５％ＣＬＤ値の１０倍以上であると、センシング部ＳＥ６２の検出感度を向上することができる。

　離隔層６２の２５％ＣＬＤ値は、５００ｋＰａ以下であることが好ましい。離隔層６２の２５％ＣＬＤ値が５００ｋＰａを超えると、センシング面２０Ｓの面内方向（すなわちセンサ６０の面内方向）に作用するせん断力により、センシング面２０Ｓの面内方向に弾性変形し難くなる虞がある。したがって、センサ６０の面内方向のせん断力の検出感度が低下する虞がある。

　離隔層６２、変形層６３Ａおよび変形層６３Ｂの２５％ＣＬＤ値は、ＪＩＳ　Ｋ　６２５４に準拠して測定される。

　離隔層６２の厚みが、好ましくは変形層２３Ａの厚みの２倍以上、より好ましくは変形層２３Ａの厚みの４倍以上、さらにより好ましくは変形層２３Ａの厚みの８倍以上である。離隔層２２の厚みが変形層２３Ａの厚みの２倍以上であると、せん断力の検出感度をさらに向上することができる。

　離隔層６２の厚みが、好ましくは変形層６３Ａの厚みの２倍以上、より好ましくは変形層６３Ａの厚みの４倍以上、さらにより好ましくは変形層６３Ａの厚みの８倍以上である。離隔層６２の厚みが変形層６３Ａの厚みの２倍以上であると、せん断力の検出感度をさらに向上することができる。

　離隔層６２の厚みが、好ましくは変形層２３Ｂの厚みの２倍以上、より好ましくは変形層２３Ｂの厚みの４倍以上、さらにより好ましくは変形層２３Ｂの厚みの８倍以上である。離隔層６２の厚みが変形層２３Ｂの厚みの２倍以上であると、せん断力の検出感度をさらに向上することができる。

　離隔層６２の厚みが、好ましくは変形層６３Ｂの厚みの２倍以上、より好ましくは変形層６３Ｂの厚みの４倍以上、さらにより好ましくは変形層６３Ｂの厚みの８倍以上である。離隔層６２の厚みが変形層６３Ｂの厚みの２倍以上であると、せん断力の検出感度をさらに向上することができる。

　離隔層６２の厚みは、好ましくは１００００μｍ以下、より好ましくは４０００μｍ以下であることが好ましい。離隔層６２の厚みが１００００μｍを超えると、センサ６０を電子機器等に適用し難くなる虞がある。

　離隔層６２、変形層６３Ａおよび変形層６３Ｂの厚みは、第１の実施形態における離隔層２２、変形層２３Ａおよび変形層２３Ｂの厚みの測定方法と同様にして求められる。

　離隔層６２の目付量が、好ましくは変形層２３Ａの目付量の１０倍以上、より好ましくは変形層２３Ａの目付量の２５倍以上である。離隔層６２の目付量が変形層２３Ａの目付量の１０倍以上であると、センシング部ＳＥ６１の検出感度をさらに向上することができる。

　離隔層６２の目付量が、好ましくは変形層６３Ａの目付量の１０倍以上、より好ましくは変形層６３Ａの目付量の２５倍以上である。離隔層６２の目付量が変形層６３Ａの目付量の１０倍以上であると、センシング部ＳＥ６１の検出感度をさらに向上することができる。

　離隔層６２の目付量が、好ましくは変形層２３Ｂの目付量の１０倍以上、より好ましくは変形層２３Ｂの目付量の２５倍以上である。離隔層６２の目付量が変形層２３Ｂの目付量の１０倍以上であると、センシング部ＳＥ６２の検出感度をさらに向上することができる。

　離隔層６２の目付量が、好ましくは変形層６３Ｂの目付量の１０倍以上、より好ましくは変形層６３Ｂの目付量の２５倍以上である。離隔層６２の目付量が変形層６３Ｂの目付量の１０倍以上であると、センシング部ＳＥ６２の検出感度をさらに向上することができる。

　離隔層６２の目付量は、１０００ｍｇ／ｃｍ^２以下であることが好ましい。離隔層６２の目付量が１０００ｍｇ／ｃｍ^２を超えると、センシング面２０Ｓの面内方向（すなわちセンサ６０の面内方向）に作用するせん断力により、センシング面２０Ｓの面内方向に弾性変形し難くなる虞がある。したがって、センサ６０の面内方向のせん断力の検出感度が低下する虞がある。

　離隔層６２、変形層６３Ａおよび変形層６３Ｂの目付量は、第１の実施形態における離隔層２２、変形層２３Ａおよび変形層２３Ｂの目付量の測定方法と同様にして求められる。

（導電層）
　導電層６４Ａは、可撓性および伸縮性の少なくとも一方を有する。導電層６４Ａは、センシング面２０Ｓに対して圧力が作用すると、検出層６１Ｂに向けて撓む。導電層６４Ｂは、可撓性および伸縮性の少なくとも一方を有する。導電層６４Ｂは、センシング面２０Ｓに対して圧力が作用すると、検出層６１Ｂに向けて撓む。

　導電層６４Ａは、第１の面６４ＡＳ１と、第１の面６４ＡＳ１とは反対側の第２の面６４ＡＳ２とを有する。第１の面６４ＡＳ１は、検出層６１Ａの第２の面６１ＡＳ２と対向する。導電層６４Ｂは、第１の面６４ＢＳ１と、第１の面６４ＢＳ１とは反対側の第２の面６４ＢＳ２とを有する。第２の面６４ＢＳ２は、検出層６１Ｂの第１の面６１ＢＳ１と対向する。

　導電層６４Ａおよび導電層６４Ｂは、いわゆる接地電極であり、基準電位に接続されている。導電層６４Ａおよび導電層６４Ｂの形状および材料は、第１の実施形態における導電層２４Ａの形状および材料と同様である。

（変形層）
　変形層６３Ａは、検出層６１Ａと導電層６４Ａが平行になるように、検出層６１Ａと導電層６２Ａを離隔する。変形層６３Ａの厚みにより、検出層６１Ａの感度とダイナミックレンジを調整することができる。変形層６３Ａは、センシング面２０Ｓに作用する圧力、すなわち、すなわちセンサ６０の厚み方向に作用する圧力に応じて弾性変形可能に構成されている。

　変形層６３Ｂは、検出層６１Ｂと導電層６４Ｂが平行になるように、検出層６１Ｂと導電層６４Ｂを離隔する。変形層６３Ｂの厚みにより、検出層６１Ｂの感度とダイナミックレンジを調整することができる。変形層６３Ｂは、センシング面２０Ｓに作用する圧力、すなわち、すなわちセンサ６０の厚み方向に作用する圧力に応じて弾性変形可能に構成されている。

　変形層６３Ａおよび変形層６３Ｂの材料は、第１の実施形態における変形層２３Ａと同様である。

［センサの動作］
（圧力検出時のセンサの動作）
　図１８は、圧力検出時のセンサ６０の動作の一例について説明するための断面図である。物体４１によりセンシング面２０Ｓが押され、センシング面２０Ｓに圧力が作用すると、第１の実施形態におけるセンサ２０の動作と同様にして、導電層２４Ａと検出層６１Ａの一部が接近する。また、導電層２４Ａにより押し潰された変形層２３Ａの一部により、検出層６１Ａの第１の面６１ＡＳ１に圧力が作用すると、検出層６１Ａが、圧力の作用箇所を中心として導電層６４Ａに向けて撓み、変形層６３Ａの一部を押し潰す。これにより、検出層６１Ａと導電層６４Ａの一部が接近する。

　上述のように導電層２４Ａと検出層６１Ａの一部、および検出層６１Ａと導電層６４Ａの一部が接近することで、検出層６１Ａのうち、導電層２４Ａおよび導電層６４Ａに接近した部分に含まれる複数のセンシング部ＳＥ６１の電気力線の一部（すなわちセンス電極３６とパルス電極３７の間の電気力線の一部）が導電層２４Ａおよび導電層６４Ａに流れて、複数のセンシング部ＳＥ６１の静電容量が変化する。

　上述のようにして押し潰された変形層６３Ａの一部により、導電層６４Ａの第１の面に圧力が作用すると、導電層６４Ａ、離隔層６２および導電層６４Ｂが、圧力の作用箇所を中心として検出層６１Ｂに向けて撓み、変形層６３Ｂの一部を押し潰す。これにより、導電層６４Ｂと検出層６１Ｂの一部が接近する。また、上述のようにして押し潰された変形層６３Ｂの一部により、検出層６１Ｂの第１の面６１ＢＳ１に圧力が作用すると、検出層６１Ｂが、圧力の作用箇所を中心として導電層２４Ｂに向けて撓み、変形層２３Ｂの一部を押し潰す。これにより、検出層６１Ｂと導電層２４Ｂの一部が接近する。

　上述のように導電層６４Ｂと検出層６１Ｂの一部、および検出層６１Ｂと導電層２４Ｂの一部が接近することで、検出層６１Ｂのうち、導電層６４Ｂおよび導電層２４Ｂに接近した部分に含まれる複数のセンシング部ＳＥ６２の電気力線の一部（すなわちセンス電極３６とパルス電極３７の間の電気力線の一部）が導電層６４Ｂおよび導電層２４Ｂに流れて、複数のセンシング部ＳＥ６２の静電容量が変化する。

（せん断力検出時のセンサの動作）
　図１９は、せん断力検出時のセンサ６０の動作の一例について説明するための断面図である。センサ６０にせん断力が作用すると、センサ６０の面内方向に離隔層６２が弾性変形し、センサ６０の面内方向（Ｘ、Ｙ方向）におけるセンシング部ＳＥ６１とセンシング部ＳＥ６２の相対位置がずれる。これにより、検出層６１Ａの出力信号分布（静電容量分布）の重心位置と、検出層６１Ｂの出力信号分布（静電容量分布）の重心位置とが、センサ６０の面内方向（Ｘ、Ｙ方向）にずれる。

［効果］
　第４の実施形態に係るセンサ６０は、検出層６１Ａの第１の面６１ＡＳ１側、第２の面６１ＡＳ２側それぞれに導電層２４Ａ、導電層６４Ａを備える。また、検出層６１Ｂの第１の面６１ＢＳ１側、第２の面６１ＢＳ２側それぞれに導電層２４Ｂ、導電層６４Ｂを備える。したがって、センシング部ＳＥ６１、センシング部ＳＥ６２の検出感度を、第１の実施形態におけるセンシング部ＳＥ２１、センシング部ＳＥ２２の検出感度よりも高めることができる。よって、センサ６０では、第１の実施形態に係るセンサ２０に比べて高い検出感度が得られる。

　また、第４の実施形態に係るセンサ６０は、同一の構造を有する第１のセンサ６０Ａと第２のセンサ６０Ｂとの間に離隔層６２を挟むことで構成することができる。したがって、第１の実施形態に係るセンサ２０と同様に、全体として比較的単純かつ省スペースな構成で３軸力の分布を検出することができる。

＜５　第５の実施形態＞
［センサの構成］
　図２０は、本開示の第５の実施形態に係るセンサ７０の構成の一例を示す断面図である。センサ７０は、検出層７１と、離隔層７２と、変形層７３と、導電層７４Ａと、導電層７４Ｂとを備える。

　検出層７１は、第１の面７１Ｓ１と、第１の面７１Ｓ１とは反対側の第２の面７１Ｓ２とを有する。導電層７４Ａは、検出層７１の第１の面７１Ｓ１と対向して設けられている。導電層７４Ａは、検出層７１と平行に配置されている。導電層７４Ｂは、検出層７１の第２の面７１Ｓ２と対向して設けられている。導電層７４Ｂは、検出層７１と平行に配置されている。離隔層７２は、検出層７１と導電層７４Ａの間に設けられている。変形層７３は、検出層７１と導電層７４Ｂの間に設けられている。

（検出層）
　検出層７１は、相互容量方式の検出層である。検出層７１は、可撓性を有する。検出層７１は、センシング面２０Ｓに圧力が作用すると導電層７４Ｂに向けて撓む。検出層７１は、複数のセンシング部ＳＥ７１を含む。センシング部ＳＥ７１は、センシング面２０Ｓに作用する圧力を検出し、検出結果をＩＣ１３Ａに出力する。具体的には、センシング部ＳＥ７１は、センシング部ＳＥ７１と導電層７４Ｂの距離に対応した静電容量を検出し、検出結果をＩＣ１３Ａに出力する。なお、第５の実施形態においては、図１に示したＩＣ１３Ｂはなくてもよい。

　検出層７１の構成は、第１の実施形態における検出層２１Ａと同様の構成を有する。

（離隔層）
　離隔層７２は、検出層７１と導電層７４Ａが平行になるように、検出層７１と導電層７４Ａの間を離隔する。離隔層７２は、センシング面２０Ｓの面内方向（すなわちセンサ２０の面内方向）に作用するせん断力により、センシング面２０Ｓの面内方向に弾性変形可能に構成されている。

　離隔層７２の材料は、第１の実施形態における離隔層２２と同様である。

　離隔層７２の２５％ＣＬＤ値が、変形層７３の２５％ＣＬＤ値の１０倍以上、好ましくは変形層７３の２５％ＣＬＤ値の３０倍以上、より好ましくは変形層７３の２５％ＣＬＤ値の５０倍以上である。離隔層７２の２５％ＣＬＤ値が変形層７３の２５％ＣＬＤ値の１０倍以上であると、センサ７０の圧力およびせん断力の検出感度を向上することができる。

　離隔層７２の２５％ＣＬＤ値は、５００ｋＰａ以下であることが好ましい。離隔層７２の２５％ＣＬＤ値が５００ｋＰａを超えると、センシング面２０Ｓの面内方向（すなわちセンサ７０の面内方向）に作用するせん断力により、センシング面２０Ｓの面内方向に弾性変形し難くなる虞がある。したがって、センサ７０の面内方向のせん断力の検出感度が低下する虞がある。

　離隔層７２および変形層７３の２５％ＣＬＤ値は、ＪＩＳ　Ｋ　６２５４に準拠して測定される。

　離隔層７２の厚みが、好ましくは変形層７３の厚みの２倍以上、より好ましくは変形層７３の厚みの４倍以上、さらにより好ましくは変形層２３Ａの厚みの８倍以上である。離隔層７２の厚みが変形層７３の厚みの２倍以上であると、センサ７０のせん断力の検出感度をさらに向上することができる。

　離隔層７２の厚みは、好ましくは１００００μｍ以下、より好ましくは４０００μｍ以下であることが好ましい。離隔層７２の厚みが１００００μｍを超えると、センサ７０を電子機器等に適用し難くなる虞がある。

　離隔層７２および変形層７３の厚みは、第１の実施形態における離隔層２２、変形層２３Ａおよび変形層２３Ｂの厚みの測定方法と同様にして求められる。

　離隔層７２の目付量が、好ましくは変形層７３の目付量の１０倍以上、より好ましくは変形層７３の目付量の２５倍以上である。離隔層７２の目付量が変形層７３の目付量の１０倍以上であると、センサ７０の圧力およびせん断力の検出感度をさらに向上することができる。

　離隔層７２の目付量は、１０００ｍｇ／ｃｍ^２以下であることが好ましい。離隔層７２の目付量が１０００ｍｇ／ｃｍ^２を超えると、センシング面２０Ｓの面内方向（すなわちセンサ７０の面内方向）に作用するせん断力により、センシング面２０Ｓの面内方向に弾性変形し難くなる虞がある。したがって、センサ７０の面内方向のせん断力の検出感度が低下する虞がある。

　離隔層７２および変形層７３の目付量は、第１の実施形態における離隔層２２、変形層２３Ａおよび変形層２３Ｂの目付量の測定方法と同様にして求められる。

（導電層）
　導電層７４Ａは、可撓性および伸縮性の少なくとも一方を有する。導電層７４Ａは、センシング面２０Ｓに対して圧力が作用すると、検出層７１に向けて撓む。導電層７４Ｂは、可撓性および伸縮性の少なくとも一方を有していてもよいし、有していなくてもよいが、センサ７０を曲面に装着可能とするためには、可撓性および伸縮性の少なくとも一方を有することが好ましい。

　導電層７４Ａは、第１の面７４ＡＳ１と、第１の面７４ＡＳ１とは反対側の第２の面７４ＡＳ２とを有する。第２の面７４ＡＳ２は、検出層７１の第１の面７１Ｓ１と対向する。導電層７４Ｂは、第１の面７４ＢＳ１と、第１の面７４ＢＳ１とは反対側の第２の面７４ＢＳ２とを有する。第１の面７４ＢＳ１は、検出層７１の第２の面７１Ｓ２と対向する。

　導電層７４Ａおよび導電層７４Ｂは、いわゆる接地電極であり、基準電位に接続されている。導電層７４Ａおよび導電層７４Ｂの形状および材料は、第１の実施形態における導電層２４Ａの形状および材料と同様である。

（変形層）
　変形層７３は、検出層７１と導電層７４Ｂが平行になるように、検出層７１と導電層７４Ｂを離隔する。変形層７３の厚みにより、検出層７１の感度とダイナミックレンジを調整することができる。

　変形層７３は、センシング面２０Ｓに作用する圧力、すなわちセンサ７０の厚み方向に作用する圧力に応じて弾性変形可能に構成されている。変形層７３の材料は、第１の実施形態における変形層２３Ａと同様である。

［センサの動作］
（圧力検出時のセンサの動作）
　物体４１によりセンシング面２０Ｓが押され、センシング面２０Ｓに圧力が作用すると、導電層７４Ａ、離隔層７２および検出層７１が、圧力の作用箇所を中心として導電層７４Ｂに向けて撓み、変形層７３の一部を押し潰す。これにより、検出層７１と導電層７４Ｂの一部が接近する。その結果、検出層７１のうち、導電層７４Ａに接近した部分に含まれる複数のセンシング部ＳＥ７１の電気力線の一部（すなわちセンス電極３６とパルス電極３７の間の電気力線の一部）が導電層７４Ａに流れて、複数のセンシング部ＳＥ７１の静電容量が変化する。

（せん断力検出時のセンサの動作）
　センサ７０にせん断力が作用すると、センサ７０の面内方向に離隔層７２が弾性変形し、センシング面２０Ｓの圧力作用位置がセンサ７０の面内方向にずれる。ＣＰＵ１２Ａが、センサ７０の面内方向における信号分布の変化を時系列的に検出することで、せん断力を検出することができる。

［効果］
　第５の実施形態に係るセンサ５０では、第１の実施形態に係るセンサ２０よりも簡単な構成で３軸力を検出することができる。

＜６　第６の実施形態＞
［センサの構成］
　図２８は、本開示の第６の実施形態に係るセンサ１２０の構成の一例を示す断面図である。センサ１２０は、離隔層７２（図２０参照）に代えて、変形層１２１を備える点において、第５の実施形態に係るセンサ７０とは異なっている。センサ１２０は、導電層７４Ａの第１の面７４ＡＳ１上に外装材１２２を備えていてもよい。なお、第６の実施形態において、第５の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。

　変形層１２１は、第1の実施形態における変形層２３Ａと同様の機能および構成を有する。外装材１２２は、可撓性を有する。外装材１２２は、表面に圧力が作用すると検出層７１に向けて撓む。外装材１２２は、例えば、高分子樹脂層、金属層および金属酸化物層からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。

［センサの動作］
（圧力検出時のセンサの動作）
　物体４１により外装材１２２の表面が押され、センシング面２０Ｓに圧力が作用すると、導電層７４Ａが、圧力の作用箇所を中心として検出層７１に向けて撓み、変形層１２１の一部を押し潰す。これにより、導電層７４Ａと検出層７１の一部が接近する。その結果、検出層７１のうち、導電層７４に接近した部分に含まれる複数のセンシング部ＳＥ７１の電気力線の一部が導電層７４Ａに流れて、複数のセンシング部ＳＥ７１の静電容量が変化する。

　また、上述のようにして押し潰された変形層１２１の一部により、検出層７１の第１の面７１Ｓ１に圧力が作用し、検出層７１が、圧力の作用箇所を中心として導電層７４Ｂに向けて撓む。これにより、検出層７１と導電層７４Ｂの一部が接近する。その結果、検出層７１のうち、導電層７４Ｂに接近した部分に含まれる複数のセンシング部ＳＥ７１の電気力線の一部が導電層７４Ｂに流れて、複数のセンシング部ＳＥ７１の静電容量が変化する。

　ＩＣ１３Ａは、検出層７１に含まれる複数のセンシング部ＳＥ７１を順次スキャンし、複数のセンシング部ＳＥ２１から出力信号分布、すなわち静電容量分布を取得する。ＩＣ１３Ａは、取得した出力信号分布をホスト機器１２のＣＰＵ１２Ａに出力する。ＣＰＵ１２Ａは、ＩＣ１３Ａから受け取った出力信号分布に基づき、圧力の大きさおよび圧力の作用位置を演算する。

　センサモジュール１１が上記センサ１２０を備える場合、センサモジュール１１は、ＩＣ１３Ｂを備えていなくてもよい（図１参照）。

＜６　変形例＞
（変形例１）
　第２の実施形態において、図２１に示すように、離隔層２５Ａおよび離隔層２５Ｂが、センシング面２０Ｓの面内方向に同一のパターンで複数に分割され、分割された各部同士がセンサ２０Ａの厚み方向に重なっていてもよい。これにより、センシング面２０Ｓ内の複数個所において、３軸力を検出することができる。

　同様に、第１の実施形態において、離隔層２２がセンシング面２０Ｓの面内方向に複数に分割されていてもよい。第３の実施形態において離隔層５２がセンシング面２０Ｓの面内方向に複数に分割されていてもよい。第４の実施形態において離隔層６２がセンシング面２０Ｓの面内方向に複数に分割されていてもよい。第５の実施形態において離隔層７２がセンシング面２０Ｓの面内方向に複数に分割されていてもよい。これらの場合にも、センシング面２０Ｓ内の複数個所において、３軸力を検出することができる。

（変形例２）
　第２の実施形態では、検出層２１Ａに含まれる複数のセンシング部ＳＥ２１の配置ピッチＰ１と、検出層２１Ｂに含まれる複数のセンシング部ＳＥ２２の配置ピッチＰ２とが同一である場合について説明したが、図２２に示すように、複数のセンシング部ＳＥ２２の配置ピッチＰ１と、複数のセンシング部ＳＥ２１の配置ピッチＰ２とが異なっていてもよい。

　この場合、複数のセンシング部ＳＥ２２の配置ピッチＰ２が、複数のセンシング部ＳＥ２１の配置ピッチＰ１より大きくなっていると共に、センシング部ＳＥ２２の面積が、センシング部ＳＥ２１の面積より大きくなっていてもよい。センシング面２０Ｓに圧力が作用した場合、下側の検出層２１Ｂは変形層２３Ａや離隔層２５等の複数の層を介して圧力が作用するため、下側の検出層２１Ｂの変形範囲は、上側の検出層２１Ａの変形範囲よりもブロードになる傾向がある。したがって、上述のように、複数のセンシング部ＳＥ２２の配置ピッチＰ２が、複数のセンシング部ＳＥ２１の配置ピッチＰ１より大きくなっていると共に、センシング部ＳＥ２２の面積が、センシング部ＳＥ２１の面積より大きくなっていることで、検出層２１Ｂの感度を向上することができる。ここで、センシング部ＳＥ２１の面積とは、Ｚ軸方向（検出層２１Ａの厚さ方向）からセンシング部ＳＥ２１を平面視したときのセンシング部ＳＥ２１の面積を意味する。また、センシング部ＳＥ２２の面積とは、Ｚ軸方向（検出層２１Ｂの厚さ方向）からセンシング部ＳＥ２２を平面視したときのセンシング部ＳＥ２２の面積を意味する。

　同様に、第１の実施形態において、複数のセンシング部ＳＥ２２の配置ピッチＰ２が、複数のセンシング部ＳＥ２１の配置ピッチＰ１より大きくなっていると共に、センシング部ＳＥ２２の面積が、センシング部ＳＥ２１の面積より大きくなっていてもよい。第３の実施形態において、複数のセンシング部ＳＥ５２の配置ピッチＰ２が、複数のセンシング部ＳＥ２１の配置ピッチＰ１より大きくなっていると共に、センシング部ＳＥ５２の面積が、センシング部ＳＥ２１の面積より大きくなっていてもよい。第４の実施形態において、複数のセンシング部ＳＥ６２の配置ピッチＰ２が、複数のセンシング部ＳＥ６１の配置ピッチＰ１より大きくなっていると共に、センシング部ＳＥ６２の面積が、センシング部ＳＥ６１の面積より大きくなっていてもよい。

（変形例３）
　第１、第２の実施形態において、変形層２３Ａの２５％ＣＬＤ値が、変形層２３Ｂの２５％ＣＬＤ値よりも小さくてもよい。これにより、センシング面２０Ｓに圧力が作用したとき、変形層２３Ａは低圧力範囲（例えば１ｇ以上１００ｇ以下）で潰れ、変形層２３Ｂは高圧力範囲（例えば１００ｇを超え５００ｇ以下）で潰れるようになる。高圧力範囲（第２の圧力範囲）は、低圧力範囲（第１の圧力範囲）より高い範囲に設定される。

　上記構成が採用される場合、検出層２１Ａが、低圧力範囲（例えば１ｇ以上１００ｇ以下）の圧力検出用として用いられ、検出層２１Ｂが、高圧力範囲（例えば１００ｇを超え５００ｇ以下）の圧力検出用として用いられてもよい。

　第３の実施形態において、変形層２３Ａの２５％ＣＬＤ値が、変形層５３Ｂの２５％ＣＬＤ値よりも小さくてもよい。これにより、センシング面２０Ｓに圧力が作用したとき、変形層２３Ａは低圧力範囲（例えば１ｇ以上１００ｇ以下）で潰れ、変形層５３Ｂは高圧力範囲（例えば１００ｇを超え５００ｇ以下）で潰れるようになる。高圧力範囲（第２の圧力範囲）は、低圧力範囲（第１の圧力範囲）より高い範囲に設定される。

　上記構成が採用される場合、検出層２１Ａが、低圧力範囲（例えば１ｇ以上１００ｇ以下）の圧力検出用として用いられ、検出層５１Ｂが、高圧力範囲（例えば１００ｇを超え５００ｇ以下）の圧力検出用として用いられてもよい。

　第４の実施形態において、変形層２３Ａの２５％ＣＬＤ値が、変形層６３Ｂおよび変形層２３Ｂのいずれの２５％ＣＬＤ値よりも小さくてもよい。また、変形層６３Ａの２５％ＣＬＤ値が、変形層６３Ｂおよび変形層２３Ｂのいずれの２５％ＣＬＤ値よりも小さくてもよい。これにより、センシング面２０Ｓに圧力が作用したとき、変形層２３Ａおよび変形層６３Ａは低圧力範囲（例えば１ｇ以上１００ｇ以下）で潰れ、変形層６３Ｂおよび変形層２３Ｂは高圧力範囲（例えば１００ｇを超え５００ｇ以下）で潰れるようになる。高圧力範囲（第２の圧力範囲）は、低圧力範囲（第１の圧力範囲）より高い範囲に設定される。

　上記構成が採用される場合、検出層６１Ａが、低圧力範囲（例えば１ｇ以上１００ｇ以下）の圧力検出用として用いられ、検出層６１Ｂが、高圧力範囲（例えば１００ｇを超え５００ｇ以下）の圧力検出用として用いられてもよい。

（変形例４）
　第１の実施形態において、図２３に示すように、センサ２０が、電極層２４側の表面（センシング面２０Ｓ）に設けられた表面層８１をさらに備えてもよい。表面層８１は、高い摩擦係数を持つ表面を有する高摩擦層である。このようにセンサ２０が表面層８１をさらに備えることで、センサ２０のセンシング面２０Ｓにて物体が滑ることを抑制することができる。したがって、センサ２０のせん断力の検出精度を向上することができる。

　表面層８１が凹凸形状を表面に有することで、高い摩擦係数を持つ表面が実現されていてもよいし、表面層８１がゴム系樹脂（例えばシリコーンゴム）を含むことで、高い摩擦係数を持つ表面が実現されていてもよいし、表面層８１が凹凸形状を表面に有すると共に、表面層８１がゴム系樹脂を含むことで、高い摩擦係数を持つ表面が実現されていてもよい。表面層８１の表面の静止摩擦係数は、センサ２０のセンシング面２０Ｓにて物体が滑ることを抑制する観点から、１以上であることが好ましい。ここで、静止摩擦係数は、株式会社イマダ製の摩擦係数測定治具を用いて、JIS K 7125:1999に準拠して測定される。表面層８１は、電子機器等の外装材であってもよい。

　第２～第５の実施形態においても同様に、センサ２０Ａ、５０、６０、７０が、導電層２４Ａ、７４Ａ側の表面（センシング面２０Ｓ）に設けられた表面層８１をさらに備えてもよい。

（変形例５）
　第１～第４の実施形態において、２つの検出層の大きさが異なっていてもよい。例えば、第１、第２の実施形態において、検出層２１Ａの周縁が、検出層２１Ｂの周縁の内側に位置していてもよい。この場合、センサ２０、２０Ａのエッジ部に物体が当たった場合にも、検出を安定して行うことができる。同様に、第３の実施形態において、検出層２１Ａの周縁が、検出層５１Ｂの周縁の内側に位置していてもよいし、第４の実施形態において、検出層６１Ａの周縁が、検出層６１Ｂの周縁の内側に位置していてもよい。この場合にも、上記と同様の効果を得ることができる。

　図２４は、第２の実施形態において、検出層２１Ａの周縁が検出層２１Ｂの周縁の内側に位置するようにしたセンサ２０Ａの構成の一例を示す。検出層２１Ａ、変形層２３Ａ、導電層２４Ａおよび離隔層２５Ａが第１の積層体８２Ａを構成し、検出層２１Ｂ、変形層２３Ｂ、導電層２４Ｂ、導電層２４Ｃおよび離隔層２５Ｂが第２の積層体８２Ｂを構成していてもよい。第１の積層体８２Ａの周縁が、第２の積層体８２Ｂの周縁の内側に位置していてもよい。

（変形例６）
　第２の実施形態において、図２５に示すように、センサ２０が、導電層２４Ａ側の表面（センシング面２０Ｓ）に設けられたカバー層８３をさらに備えてもよい。カバー層８３は、複数の構造体８３Ａと、保護層８３Ｂとを備える。複数の構造体８３Ａはそれぞれ、複数のセンシング部ＳＥ２１に対応して設けられている。すなわち、複数の構造体８３Ａはそれぞれ、センサ２０Ａの厚さ方向において複数のセンシング部ＳＥ２１、ＳＥ２２に重なるように設けられている。構造体８３Ａは、センシング面２０Ｓを押す押子として機能する。保護層８３Ｂは、複数の構造体８３Ａを覆っている。保護層８３Ｂは、複数の構造体８３Ａを保護し、複数の構造体８３Ａの剥離等を抑制する。

　構造体８３Ａの弾性率は、保護層８３Ｂの弾性率よりも大きい。構造体８３Ａの弾性率は、例えば、１００ＭＰａを超える。保護層８３Ｂの弾性率は、例えば、１００ＭＰａ以下である。上記弾性率は、ＪＩＳ　Ｋ　７１６１に準拠して測定される。

　構造体８３Ａが、センシング面２０Ｓを押す押子として機能するため、センシング面２０Ｓのうちセンシング部ＳＥ２１、ＳＥ２２に対応部分に圧力が集中する。したがって、センサ２０Ａの感度を向上することができる。

　第１、第３～第５の実施形態においても同様に、センサ２０、５０、６０、７０が、導電層２４Ａ、７４Ａ側の表面（センシング面２０Ｓ）に設けられたカバー層８３をさらに備えてもよい。

（変形例７）
　第１～第４の実施形態では、センサ２０、２０Ａ、５０、６０が、２つの検出層を備える場合について説明したが、センサ２０、２０Ａ、５０、６０が３以上の検出層を備えるようにしてもよい。

　図２６は、検出層２１Ａと、検出層２１Ｂと、検出層２１Ｃとを備えるセンサ２０Ｂの構成の一例を示す断面図である。センサ２０Ｂは、検出層２１Ｃと、離隔層２２Ａと、変形層２３Ｃと、導電層２４Ｃとをさらに備える点において、第１の実施形態に係るセンサ２０とは異なっている。なお、変形例７において、第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。

　検出層２１Ｃは、検出層２１Ｂの第２の面２１ＢＳ２と対向する第１の面２１ＣＳ１と、第１の面２１ＣＳ１とは反対側の第２の面２１ＣＳ２とを有する。離隔層２２Ａは、導電層２４Ｂと検出層２１Ｃの間に設けられている。導電層２４Ｃは、検出層２１Ｃの第２の面２１ＣＳ２と対向して設けられている。導電層２４Ｃは、検出層２１Ｃと平行に配置されている。変形層２３Ｃは、検出層２１Ｃと導電層２４Ｃの間に設けられている。

　検出層２１Ｃは、相互容量方式の検出層である。検出層２１Ｃは、可撓性を有する。検出層２１Ｃは、センシング面２０Ｓに圧力が作用すると導電層２４Ｃに向けて撓む。検出層２１Ｃは、複数のセンシング部（第３のセンシング部）ＳＥ２３を含む。センシング部ＳＥ２３は、センシング面２０Ｓに作用する圧力を検出し、検出結果をＩＣ（図示せず）に出力する。具体的には、センシング部ＳＥ２３は、センシング部ＳＥ２３と導電層２４Ｃの距離に対応した静電容量を検出し、検出結果をＩＣに出力する。

　検出層２１Ｃの構成は、第１の実施形態における検出層２１Ａと同様の構成を有する。

　離隔層２２Ａは、導電層２４Ｂと検出層２１Ｃの間を離隔する。
　離隔層２２Ａは、センシング面２０Ｓの面内方向（すなわちセンサ２０Ｂの面内方向）に作用するせん断力により、センシング面２０Ｓの面内方向に弾性変形可能に構成されている。

　離隔層７２の材料は、第１の実施形態における離隔層２２と同様である。

　導電層２４Ｃは、可撓性および伸縮性の少なくとも一方を有していてもよいし、有していなくてもよいが、センサ２０Ｂを曲面に装着可能とするためには、可撓性および伸縮性の少なくとも一方を有することが好ましい。

　導電層２４Ｃは、いわゆる接地電極であり、基準電位に接続されている。導電層２４Ｃの形状および材料は、第１の実施形態における導電層２４Ａの形状および材料と同様であってもよい。

　変形層２３Ｃは、検出層２１Ｃと導電層２４ＣＡ平行になるように、検出層２１Ｃと導電層２４Ｃを離隔する。変形層２３Ｃは、センシング面２０Ｓに作用する圧力、すなわちセンサ２０Ｂの厚み方向に作用する圧力に応じて弾性変形可能に構成されている。

　変形層２３Ｃの材料は、第１の実施形態における変形層２３Ａと同様である。

（変形例８）
　第１～第５の実施形態では、センス電極３６およびパルス電極３７は、櫛歯状を有する場合について説明したが、センス電極３６およびパルス電極３７の形状はこの形状に限定されるものではない。センス電極３６およびパルス電極３７は、例えば、平板状、網状、同心状、螺旋状、放射状またはストライプ状等を有していてもよい。

（変形例９）
　第１～第５の実施形態では、センス電極３６およびパルス電極３７が基材３１の第１の面３１Ｓ１に設けられている場合について説明したが、センス電極３６およびパルス電極３７が基材３１の異なる面に設けられていてもよい。例えば、センス電極３６が基材３１の第１の面３１Ｓ１に設けられ、パルス電極３７が基材３１の第２の面３１Ｓ２に設けられ、センス電極３６とパルス電極３７が基材３１を挟んで対向していてもよい。

（変形例１０）
　第１～第５の実施形態では、検出層２１Ａ、２１Ｂ、５１Ｂ、６１Ａ、６１Ｂ、７１が相互容量方式の検出層である場合について説明したが、検出層２１Ａ、２１Ｂ、５１Ｂ、６１Ａ、６１Ｂ、７１が自己容量方式の検出層であってもよい。この場合、検出層２１Ａ、２１Ｂ、５１Ｂ、６１Ａ、６１Ｂ、７１は、基材と、この基材上に設けられた薄膜状の電極層とを備える。

（変形例１１）
　第１の実施形態では、センサ２０が、３軸力分布を検出可能な静電容量式のセンサである例について説明したが、上記３軸力分布に加えて、空間内におけるセンサ２０の位置を検出可能であってもよい。具体的には例えば、センサ２０が、３次元空間内におけるセンサ２０の位置を検出する位置検出部をさらに備えるようにしてもよい。位置検出部は、３軸力分布を検出する検出層２１Ａ以外の箇所に設けられていることが好ましい。

　図２９は、位置検出部９１を有するフレキシブルプリント基板の構成の一例を示す平面図である。図３０は、図２９のＸＸＸ－ＸＸＸ線に沿った断面図である。フレキシブルプリント基板は、検出層２１Ａと接続部２１Ａ１と位置検出部９１とを備える。

　位置検出部９１は、突出部９１Ａと位置センサ９１Ｂとを備える。突出部９１Ａは、位置センサ９１Ｂを支持するための支持体である。突出部９１Ａは、接続部２１Ａ１から突出されている。突出部９１Ａは、接続部２１Ａ１と同様にフィルム状を有している。突出部９１Ａの一方の主面には、位置センサ９１Ｂを実装するための電極（図示せず）が設けられている。

　位置センサ９１Ｂは、センサ２０の位置を検出し、その取得結果をホスト機器１２のＣＰＵ１２Ａ（図１参照）に出力する。これにより、センサ２０から静電容量分布と共に、センサ２０の位置情報を受けとることができる。したがって、センサ２０がロボットのエンドエフェクタに設けられている場合には、ＣＰＵ１２Ａは、センサ２０から受け取った静電容量分布および位置情報に基づき、３次元空間内におけるエンドエフェクタの位置およびその位置においてエンドエフェクタに作用する圧力等を検出することができる。

　位置センサ９１Ｂは、突出部９１Ａの一方の主面に設けられている。位置センサ９１Ｂは、例えば、はんだ９１Ｃを介して突出部９１Ａの一方の主面に設けられた電極上に実装されている。図３０では、はんだ９１Ｃが、はんだボールである例が示されている。上記電極と複数の接続端子２１Ａ２とが配線（図示せず）により接続されている。

　第２～第６の実施形態においても同様に、センサ２０Ａ、５０、６０、７０、１２０が、位置検出部９１を備えていてもよい。

（変形例１２）
　図３１、図３２に示すように、第１の実施形態におけるセンサ２０の主面（センシング面２０Ｓ）および側面が、カバー層１０１により覆われていてもよい。この場合、センサ２０が設けられた筐体１０２の表面が、センサ２０と共にカバー層１０１により覆われていてもよい。図３３に示すように、第１の実施形態におけるセンサ２０の側面が、カバー層１０１により覆われていてもよい。センサ２０とカバー層１０１とにより防水センサが構成されてもよい。

　カバー層１０１は、水等からセンサ２０を保護するためのものである。カバー層１０１がセンサ２０の主面を覆う場合には、カバー層１０１は、センサ２０の主面に密着していることが好ましい。これにより、カバー層１０１に覆われたセンサ２０に不感領域が発生することを抑制することができる。また、カバー層１０１に覆われたセンサ２０の検出精度が低下することを抑制することもできる。カバー層１０１とセンサ２０の主面とが接着層（図示せず）により貼り合わされていてもよい。同様に、カバー層１０１とセンサ２０の側面とが接着層（図示せず）により貼り合わされていてもよい。

　カバー層１０１は、例えば、自立性を有するプラスチックフィルム、または、自立性を有さず、センサ２０の側面またはセンサ２０の主面および側面に塗布された塗膜である。カバー層１０１が、プラスチックフィルムおよび塗膜の積層体であってもよい。この場合、塗膜は、プラスチックフィルムの内側に設けられていることが好ましい。

　プラスチックフィルムは、センサ２０の形状変化に応じて変形可能なように、伸縮性を有していることが好ましい。プラスチックフィルムは、伸縮性の観点から、エラストマーを含んでいることが好ましい。エラストマーは、発泡体であってもよい。エラストマーは、例えば、合成ゴムを含む。合成ゴムは、例えば、シリコンゴム、ウレタンゴムおよびアクリルゴムからなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。塗膜は、ゲル、グリスおよび接着剤からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。ゲルは、例えば、シリコンゲルおよびウレタンゲルからなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。グリスは、例えば、シリコーン系グリス、フッ素系グリス（例えば、ＰＴＦＥが増ちょう剤として用いられたＰＴＦＥグリス）および炭化水素系グリス（例えば、アピエゾングリス）からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。上述したように、本明細書では、粘着剤は、接着剤の一種と定義される。

　上述のように、センサ２０の側面がカバー層１０１により覆われていることで、水等が変形層２３Ａ、２３Ｂの側面から変形層２３Ａ、２３Ｂ内に含侵することを抑制することができる。したがって、水等の含侵により変形層２３Ａ、２３Ｂが変形しづらくなることが抑制することができる。よって、水等によるセンサ２０の機能低下を抑制することができる。

　変形層２３Ａ、２３Ｂが発泡樹脂を含む場合、発泡樹脂に水等が入り込むと、変形層２３Ａ、２３Ｂがセンシング面２０Ｓの押圧に対して変形しづらくなり、センサ２０の特性が著しく低下する虞がある。したがって、変形層２３Ａ、２３Ｂが発泡樹脂を含む場合、カバー層１０１によりセンサ２０を保護することが特に有効である。

　第２～第６の実施形態におけるセンサ２０Ａ、５０、６０、７０、１２０においても同様に、センサ２０Ａ、５０、６０、７０、１２０の主面および側面がカバー層１０１により覆われていてもよいし、センサ２０Ａ、５０、６０、７０、１２０の側面がカバー層１０１により覆われていてもよい。

（変形例１３）
　図３４、図３５に示すように、第１の実施形態におけるセンサ２０が、封止部１１１Ａと封止部１１１Ｂとを備えるようにしてもよい。封止部１１１Ａは、水等から変形層２３Ａを保護するためのものである。封止部１１１Ｂは、水等から変形層２３Ｂを保護するためのものである。

　封止部１１１Ａは、検出層２１Ａの第１の面２１ＡＳ１の周縁部と、導電層２４Ａの第２の面２４ＡＳ２の周縁部との間に設けられている。封止部１１１Ａは、変形層２３Ａの側面を囲む閉ループ状を有している。封止部１１１Ａが、変形層２３Ａの側面に密着していてもよい。

　封止部１１１Ｂは、検出層２１Ｂの第２の面２１ＡＳ２の周縁部と、導電層２４Ｂの第１の面２４ＢＳ１の周縁部との間に設けられている。封止部１１１Ｂは、変形層２３Ｂの側面を囲む閉ループ状を有している。封止部１１１Ｂが、変形層２３Ｂの側面に密着していてもよい。

　封止部１１１Ａ、１１１Ｂは、例えば、自立性を有するプラスチックフィルム、または、自立性を有さず、変形層２３Ａ、２３Ｂの側面に塗布された塗膜である。封止部１１１Ａ、１１１Ｂが、上記プラスチックフィルムと塗膜との積層体であってもよい。この場合、塗膜は、プラスチックフィルムの内側に設けられていることが好ましい。プラスチックフィルムは、変形例１２におけるプラスチックフィルムと同様の材料を含んでいてもよい。塗膜は、変形例１２における塗膜と同様の材料を含んでいてもよい。

　上述のように、封止部１１１Ａが変形層２３Ａの側面を囲み、かつ、封止部１１１Ｂが変形層２３Ｂの側面を囲むので、変形例１２と同様に、水等によるセンサ２０の機能低下を抑制することができる。

　第２の実施形態（図１１参照）において、封止部１１１Ａが、検出層２１Ａの第１の面２１ＡＳ１の周縁部と、導電層２４Ａの第２の面２４ＡＳ２の周縁部との間に設けられ、変形層２３Ａの側面を囲んでいてもよい。封止部１１１Ｂが、検出層２１Ｂの第２の面２１ＢＳ２と、導電層２４Ｂの第１の面２４ＢＳ１との間に設けられ、変形層２３Ｂの側面を囲んでいてもよい。

　第３の実施形態（図１４参照）において、封止部１１１Ａが、検出層２１Ａの第１の面２１ＡＳ１の周縁部と、導電層２４Ａの第２の面２４ＡＳ２の周縁部との間に設けられ、変形層２３Ａの側面を囲んでいてもよい。封止部１１１Ｂが、検出層５１Ｂの第１の面２１ＢＳ１の周縁部と、導電層５４Ｂの第２の面５４ＢＳ２の周縁部との間に設けられ、変形層５３Ｂの側面を囲んでいてもよい。

　第４の実施形態（図１７参照）において、封止部１１１Ａが、検出層６１Ａの第１の面６１ＡＳ１の周縁部と、導電層２４Ａの第２の面２４ＡＳ２の周縁部との間に設けられ、変形層２３Ａの側面を囲んでいてもよい。封止部１１１Ａが、検出層６１Ａの第２の面６１ＡＳ２の周縁部と、導電層６４Ａの第１の面６４ＡＳ１の周縁部との間に設けられ、変形層６３Ａの側面を囲んでいてもよい。封止部１１１Ｂが、検出層６１Ｂの第１の面６１ＢＳ１の周縁部と、導電層６４Ｂの第２の面６４ＢＳ２の周縁部との間に設けられ、変形層６３Ｂの側面を囲んでいてもよい。封止部１１１Ｂが、検出層６１Ｂの第２の面６１ＢＳ２の周縁部と、導電層２４Ｂの第１の面２４ＢＳ１の周縁部との間に設けられ、変形層２３Ｂの側面を囲んでいてもよい。

　第５の実施形態（図２０参照）において、封止部１１１Ｂが、検出層７１の第２の面７１Ｓ２の周縁部と、導電層７４Ｂの第１の面７４ＢＳ１の周縁部との間に設けられ、変形層７３の側面を囲んでいてもよい。

　第６の実施形態（図２８参照）において、封止部１１１Ａが、検出層７１の第１の面７１Ｓ１の周縁部と、導電層７４Ａの第２の面７４ＡＳ２の周縁部との間に設けられ、変形層１２１の側面を囲んでいてもよい。封止部１１１Ｂが、検出層７１の第２の面７１Ｓ２の周縁部と、導電層７４Ｂの第１の面７４ＢＳ１の周縁部との間に設けられ、変形層７３の側面を囲んでいてもよい。

（変形例１４）
　第６の実施形態におけるセンサ１２０が、図３６に示すように、変形層７３（図２８参照）に代えて、ギャップ層１２３を備えるようにしてもよい。センサ１２０の側面がカバー層１０１により覆われていてもよい。図示を省略するが、センサ１２０の主面（センシング面２０Ｓ）および側面がカバー層１０１により覆われていてもよい。この場合、外装材１２２は、カバー層１０１の内側に設けられていてもよいし、カバー層１０１の外側に設けられていてもよい。

　ギャップ層１２３は、絶縁性を有すると共に、導電層７４Ｂと検出層７１との間を離間するものであり、ギャップ層１２３の厚みによりセンサ２０の初期の静電容量が調整される。ギャップ層１２３がセンシング面２０Ｓに加わる圧力により殆ど弾性変形せずに、導電層７４Ｂと検出層７１との間を離間が略一定に保持されるようにしてもよい。

　ギャップ層１２３は、接着性を有していてもよいし、接着性を有していなくてもよい。ギャップ層１２３が接着性を有する場合には、ギャップ層１２３により、導電層７４Ｂと検出層７１とが貼り合わされる。接着性を有するギャップ層１２３は、例えば、単層の接着層、または基材の両面に接着層が設けられた積層体（例えば両面接着フィルム）により構成される。

　上述のように、センサ１２０が、変形層７３に代えて、ギャップ層１２３を備える場合、検出層７１は、センシング部ＳＥ７１と導電層７４Ａの距離に対応した静電容量を検出し、検出結果をＩＣ１３Ａに出力する。

　上記の例では、センサ１２０の側面がカバー層１０１により覆われていている例について説明したが、センサ１２０が、図３７に示すように、封止部１１１Ａを備えられていてもよい。封止部１１１Ａは、検出層７１の第１の面７１Ｓ１の周縁部と、導電層７４Ａの第２の面７４ＡＳ２の周縁部との間に設けられ、変形層１２１の側面を囲む。カバー層１０１と封止部１１１Ａとが併用されてもよい。

＜７　応用例＞
［電子機器の例］
　第１～第５の実施形態およびそれらの変形例に係るセンサ２０、２０Ａ、２０Ｂ、５０、６０、７０の少なくとも１種は、種々の電子機器に適用可能である。第６の実施形態およびその変形例に係るセンサ１２０の少なくとも１種も、種々の電子機器に適用可能である。例えば、パーソナルコンピュータ、スマートフォン等の携帯電話、テレビ、リモートコントローラ、カメラ、ゲーム機器、ナビゲーションシステム、電子書籍、電子辞書、携帯音楽プレイヤー、キーボード、ウェアラブル端末、ラジオ、ステレオ、医療機器またはロボット等に適用可能である。ウェアラブル端末としては、例えば、スマートウォッチ、ヘッドマウンドディスプレイ、リストバンド、指輪、眼鏡、靴または衣服等が挙げられる。

［電子機器以外の例］
　第１～第５の実施形態およびそれらの変形例に係るセンサ２０、２０Ａ、２０Ｂ、５０、６０、７０の少なくとも１種は、電子機器以外の様々なものにも適用可能である。第６の実施形態およびその変形例に係るセンサ１２０の少なくとも１種も、電子機器以外の様々なものにも適用可能である。例えば、電動工具、冷蔵庫、エアコン、温水器、電子レンジ、食器洗浄器、洗濯機、乾燥機、照明機器または玩具等の電気機器に適用可能である。更に、住宅をはじめとする建築物、建築部材、乗り物、テーブルや机等の家具、製造装置または分析機器等にも適用可能である。建築部材としては、例えば、敷石、壁材、フロアータイルまたは床板等が挙げられる。乗り物としては、例えば、車両（例えば自動車、オートバイ等）、船舶、潜水艦、鉄道車両、航空機、宇宙船、エレベータまたは遊具等が挙げられる。

［ロボットハンドに対する適用例］
　第１～第５の実施形態およびそれらの変形例に係るセンサ２０、２０Ａ、２０Ｂ、５０、６０、７０の少なくとも１種をロボットハンドに適用してもよい。第６の実施形態およびその変形例に係るセンサ１２０の少なくとも１種をロボットハンドに適用してもよい。

　図２７は、センサ１１３－１～１１３－１６を適用したロボットハンド１４０の構成を示す。センサ１１３－１～１１３－１６は、第１～第５の実施形態およびそれらの変形例に係るセンサ２０、２０Ａ、２０Ｂ、５０、６０、７０のいずれかである。センサ１１３－１～１１３－１６は、第６の実施形態およびその変形例に係るセンサ１２０の少なくとも１種であってもよい。

　ロボットハンド１４０を構成する掌には、センサ１１３－１および１１３－２が設けられており、ロボットハンド１４０を構成する親指の指掌面における第１関節より上にはセンサ１１３－３、第１関節と第２関節の間にはセンサ１１３－４が、それぞれ設けられており、人指し指の指掌面における第１関節より上にはセンサ１１３－５、第１関節と第２関節の間にはセンサ１１３－６、第２関節と第３関節の間にはセンサ１１３－７が、それぞれ設けられている。

　さらに、中指の指掌面における第１関節より上にはセンサ１１３－８、第１関節と第２関節の間にはセンサ１１３－９、第２関節と第３関節の間にはセンサ１１３－１０が、それぞれ設けられており、薬指の指掌面における第１関節より上にはセンサ１１３－１１、第１関節と第２関節の間にはセンサ１１３－１２、第２関節と第３関節の間にはセンサ１１３－１３が、それぞれ設けられており、小指の指掌面における第１関節より上にはセンサ１１３－１４、第１関節と第２関節の間にはセンサ１１３－１５、第２関節と第３関節の間にはセンサ１１３－１６が、それぞれ設けられている。

　以下、実施例により本開示を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

　以下の実施例および比較例において、離隔層および変形層（第１の変形層、第２の変形層）の２５％ＣＬＤ、厚みおよび目付量は、第１の実施形態にて説明した測定方法により求められた。

　以下の実施例１～６のセンサは、第３の実施形態に係るセンサ５０に対応するものである。なお、以下の実施例においては、上述の実施形態と対応する部分には同一の符号を付して説明する。

［実施例１～６、比較例１～５］
　以下の部材を積層することにより、センサを作製した。
　第１の導電層：厚み３０μｍの導電布
　第１の変形層：表１に示す２５％ＣＬＤ、厚みおよび目付量のスポンジ
　第１の検出層：厚み１００μｍのＦＰＣ
　離隔層：表１に示す２５％ＣＬＤ、厚みおよび目付量のシリコーンゲル
　第２の導電層：厚み３０μｍの導電布
　第２の変形層：表１に示す２５％ＣＬＤ、厚みおよび目付量のスポンジ
　第１の検出層：厚み１００μｍのＦＰＣ
　接着層：厚み１００μｍの両面テープと厚み３０μｍの両面テープの積層体
　第３の導電層：厚み３０μｍの導電布

　なお、センサの両面のうち第１の導電層側の面がセンシング面となり、第３の導電層側の面が裏面となるように、センサは作製された。

（Ｚ軸方向の検出感度）
　Φ６ｍｍのシリコンゴム打鍵子を用いて、センシング部上をＺ軸方向に１Ｎで押圧したときの検出感度（Ｓ／Ｎ）を求めた。

（ＸＹ軸方向の検出感度）
　Φ６ｍｍのシリコンゴム打鍵子を用いて、センシング部上をＺ軸方向に１Ｎで押圧しつつ、ＸＹ軸方向に１Ｎのせん断力を作用させたときの検出感度（Ｓ／Ｎ）を求めた。

　表１は、実施例１～６、比較例１～５のセンサの構成および評価結果を示す。

　表１において、「変形層」は、第１の変形層および第２の変形層を意味している。

　表１から以下のことがわかる。
　離隔層の２５％ＣＬＤ値が、第１、第２の変形層の２５％ＣＬＤ値の１０倍以上であると、圧力とせん断力を検出することができる。
　圧力とせん断力の両検出感度を向上するためには、離隔層の２５％ＣＬＤ値が、第１、第２の変形層の２５％ＣＬＤ値の５０倍以上であり、離隔層の厚みが、第１、第２の変形層の厚みの８倍以上であり、離隔層の目付量が、第１、第２の変形層の目付量の２５倍以上であることが好ましい。

　以上、本開示の実施形態および変形例について具体的に説明したが、本開示は、上述の実施形態および変形例に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。例えば、上述の実施形態および変形例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。上述の実施形態および変形例の構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。上述の実施形態および変形例で段階的に記載された数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値または下限値は、他の段階の数値範囲の上限値または下限値に置き換えてもよい。上述の実施形態および変形例に例示した材料は、特に断らない限り、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

　また、本開示は以下の構成を採用することもできる。
（１）
　第１の面と、該第１の面とは反対側の第２の面とを有し、静電容量式の第１のセンシング部を含む第１の検出層と、
　前記第１の検出層の前記第２の面に対向する第１の面を有し、静電容量式の第２のセンシング部を含む第２の検出層と、
　前記第１の検出層の前記第１の面と対向して設けられた第１の導電層と、
　前記第１の検出層と前記第２の検出層の間に設けられた第２の導電層と、
　前記第１の検出層と前記第２の導電層の間に設けられ、前記第１の検出層と前記第２の導電層の間を離隔する離隔層と、
　前記第１の導電層と前記第１の検出層の間に設けられ、センサの厚み方向に作用する圧力に応じて弾性変形する第１の変形層と、
　前記第２の導電層と前記第２の検出層の間に設けられ、前記センサの厚み方向に作用する圧力に応じて弾性変形する第２の変形層と
　を備え、
　前記離隔層の２５％ＣＬＤ値が、前記第１の変形層の２５％ＣＬＤ値の１０倍以上であり、
　前記離隔層の２５％ＣＬＤ値が、前記第２の変形層の２５％ＣＬＤ値の１０倍以上である３軸センサ。
（２）
　前記離隔層の厚みが、前記第１の変形層の厚みの２倍以上であり、
　前記離隔層の厚みが、前記第２の変形層の厚みの２倍以上である（１）に記載の３軸センサ。
（３）
　前記離隔層の目付量が、前記第１の変形層の目付量の１０倍以上であり、
　前記離隔層の目付量が、前記第２の変形層の目付量の１０倍以上である（１）または（２）に記載の３軸センサ。
（４）
　前記離隔層は、ゲルを含む（１）から（３）のいずれかに記載の３軸センサ。
（５）
　前記離隔層は、前記第１の面の面内方向に作用するせん断力により、前記センサの面内方向に弾性変形する（１）から（４）のいずれかに記載の３軸センサ。
（６）
　前記第１の検出層、前記第２の検出層はそれぞれ、第１の電極と、第２の電極と、グランド電極とを備え、
　前記第１のセンシング部は、前記第１の検出層に含まれる前記第１の電極および前記第２の電極により構成され、
　前記第２のセンシング部は、前記第２の検出層に含まれる前記第１の電極および前記第２の電極により構成されている（１）から（５）のいずれかに記載の３軸センサ。
（７）
　前記第１の検出層の前記グランド電極、前記第２の検出層の前記グランド電極、前記第１の導電層および前記第２の導電層が、基準電位に接続されている（６）に記載の３軸センサ。
（８）
　前記第１の導電層および前記第２の導電層は、可撓性および伸縮性の少なくとも一方を有する（１）から（７）のいずれかに記載の３軸センサ。
（９）
　前記第１の検出層は、前記第１のセンシング部を複数含み、
　前記第２の検出層は、前記第２のセンシング部を複数含み、
　前記第２のセンシング部の配置ピッチが、前記第１のセンシング部の配置ピッチに比べて大きく、且つ、前記第２のセンシング部の面積が、前記第１のセンシング部の面積に比べて大きい（１）から（８）のいずれかに記載の３軸センサ。
（１０）
　前記第２の変形層の２５％ＣＬＤ値が、前記第１の変形層の２５％ＣＬＤ値に比べて大きい（１）から（９）のいずれかに記載の３軸センサ。
（１１）
　前記第１の導電層側の表面に設けられた表面層をさらに備え、
　前記表面層の表面の静止摩擦係数が１以上である（１）から（１０）のいずれかに記載の３軸センサ。
（１２）
　前記第１の検出層の周縁が、前記第２の検出層の周縁の内側に位置する（１）から（１１）のいずれかに記載の３軸センサ。
（１３）
　前記離隔層が、前記センサの面内方向に複数に分割されている（１）から（１２）のいずれかに記載の３軸センサ。
（１４）
　前記第２の検出層は、該第２の検出層の前記第１の面とは反対側の第２の面を有し、
　前記第２の検出層の前記第２の面と対向して設けられた第３の導電層をさらに備える（１）から（１３）のいずれかに記載の３軸センサ。
（１５）
　第１の面と、該第１の面とは反対側の第２の面とを有し、静電容量式の第１のセンシング部を含む第１の検出層と、
　前記第１の検出層の前記第１の面に対向する第１の面と、該第１の面とは反対側の第２の面とを有し、静電容量式の第２のセンシング部を含む第２の検出層と、
　前記第１の検出層と前記第２の検出層の間に設けられ、前記第１の検出層と前記第２の検出層を離隔する離隔層と、
　前記第１の検出層の前記第１の面と対向して設けられた第１の導電層と、
　前記第２の検出層の前記第２の面と対向して設けられた第２の導電層と、
　前記第１の導電層と前記第１の検出層の間に設けられ、センサの厚み方向に作用する圧力に応じて弾性変形する第１の変形層と、
　前記第２の導電層と前記第２の検出層の間に設けられ、前記センサの厚み方向に作用する圧力に応じて弾性変形する第２の変形層と
　を備え、
　前記離隔層の２５％ＣＬＤ値が、前記第１の変形層の２５％ＣＬＤ値の１０倍以上であり、
　前記離隔層の２５％ＣＬＤ値が、前記第２の変形層の２５％ＣＬＤ値の１０倍以上である３軸センサ。
（１６）
　前記離隔層は、
　第３の導電層と、
　前記第１の検出層と前記第３の導電層の間に設けられ、前記第１の検出層と前記第３の導電層を離隔する第１の離隔層と、
　前記第３の導電層と前記第２の検出層の間に設けられ、前記第３の導電層と前記第２の検出層を離隔する第２の離隔層と
　を備える（１５）に記載の３軸センサ。
（１７）
　前記第１の検出層と前記離隔層の間に設けられた第４の導電層と、
　前記第１の検出層と前記第４の導電層の間に設けられた第３の変形層と、
　前記離隔層と前記第２の検出層の間に設けられた第５の導電層と、
　前記第５の導電層と前記第２の検出層の間に設けられた第４の変形層と
　をさらに備える（１５）に記載の３軸センサ。
（１８）
　（１）から（１７）のいずれかに記載の３軸センサを備えるセンサモジュール。
（１９）
　（１８）に記載のセンサモジュールと、
　前記センサモジュールから出力された前記第１のセンシング部および前記第２のセンシング部の出力信号分布に基づき、３軸力を算出する演算部と
　を備える電子機器。
（２０）
　曲面を有する外装材をさらに備え、
　前記３軸センサは、前記曲面に設けられている（１９）に記載の電子機器。

（２１）
　カバー層をさらに備え、
　前記第１の検出層、前記第２の検出層、前記第１の導電層、前記第２の導電層、前記離隔層、前記第１の変形層および前記第２の変形層が積層体を構成し、
　前記カバー層は、少なくとも前記積層体の側面を覆う（１）から（１７）のいずれかに記載の３軸センサ。
（２２）
　前記第１の導電層と前記第１の検出層の間に設けられ、前記第１の変形層の側面を囲む第１の封止部と、
　前記第２の導電層と前記第２の検出層の間に設けられ、前記第２の変形層の側面を囲む第２の封止部と
　をさらに備える（１）から（１７）のいずれかに記載の３軸センサ。
（２３）
　（１）から（１７）のいずれかに記載の３軸センサと、
　少なくとも前記３軸センサの側面を覆うカバー層と
　を備える防水３軸センサ。

　１０　　電子機器
　１１　　センサモジュール
　１２　　ホスト機器
　１３Ａ、１３Ｂ　　コントローラＩＣ
　２０、２０Ａ、２０Ｂ、５０、６０、７０、１２０　　センサ
　２０Ｓ　　センシング面
　２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ、５１Ｂ、６１Ａ、６１Ｂ、７１　　検出層
　２１Ａ１　　接続部
　２１Ａ２　　接続端子
　２１ＡＳ１、２１ＢＳ１、２１ＣＳ１、３１Ｓ１、５１ＢＳ１、６１ＡＳ１、６１ＢＳ１、７１Ｓ１　　第１の面
　２１ＡＳ２、２１ＢＳ２、２１ＣＳ２、３１Ｓ２、５１ＢＳ２、６１ＡＳ２、６１ＢＳ２、７１Ｓ２　　第２の面
　２２、２５、２５Ａ、２５Ｂ、５２、６２、７２　　離隔層
　２３Ａ、２３Ｂ、５３Ｂ、６３Ａ、６３Ｂ、７３、１２１　　変形層
　２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃ、５４Ｂ、５４Ｃ、６４Ａ、６４Ｂ、７４Ａ、７４Ｂ　　導電層
　３１　　基材
　３２、３３、３８　　複数の引き回し配線
　３４Ａ、３４Ｂ　　カバーレイフィルム
　３５Ａ、３５Ｂ　　接着層
　３６　　センス電極
　３６Ａ　　接続線
　３７　　パルス電極
　３７Ａ　　引き出し配線
　３７Ｂ　　スルーホール
　４１　　物体
　５５　　接着層
　６０Ａ　　第１のセンサ
　６０Ｂ　　第２のセンサ
　８１　　表面層
　８２Ａ　　第１の積層体
　８２Ｂ　　第２の積層体
　８３　　カバー層
　８３Ａ　　構造体
　８３Ｂ　　保護層
　９１　　位置検出部
　９１Ａ　　突出部
　９１Ｂ　　位置センサ
　９１Ｃ　　はんだ
　１０１　　カバー層
　１０２　　筐体
　１１１Ａ、１１１Ｂ　　封止部
　１２２　　外装材
　１２３　　ギャップ層
　ＤＢ１、ＤＢ２　　出力信号分布
　Ｐ１、Ｐ２　　配置ピッチ
　ＳＥ２１、ＳＥ２２、ＳＥ２３、ＳＥ５２、ＳＥ６１、ＳＥ６２、ＳＥ７１　　センシング部

Claims (20)

1. 　第１の面と、該第１の面とは反対側の第２の面とを有し、静電容量式の第１のセンシング部を含む第１の検出層と、
   　前記第１の検出層の前記第２の面に対向する第１の面を有し、静電容量式の第２のセンシング部を含む第２の検出層と、
   　前記第１の検出層の前記第１の面と対向して設けられた第１の導電層と、
   　前記第１の検出層と前記第２の検出層の間に設けられた第２の導電層と、
   　前記第１の検出層と前記第２の導電層の間に設けられ、前記第１の検出層と前記第２の導電層の間を離隔する離隔層と、
   　前記第１の導電層と前記第１の検出層の間に設けられ、センサの厚み方向に作用する圧力に応じて弾性変形する第１の変形層と、
   　前記第２の導電層と前記第２の検出層の間に設けられ、前記センサの厚み方向に作用する圧力に応じて弾性変形する第２の変形層と
   　を備え、
   　前記離隔層の２５％ＣＬＤ値が、前記第１の変形層の２５％ＣＬＤ値の１０倍以上であり、
   　前記離隔層の２５％ＣＬＤ値が、前記第２の変形層の２５％ＣＬＤ値の１０倍以上である３軸センサ。
2. 　前記離隔層の厚みが、前記第１の変形層の厚みの２倍以上であり、
   　前記離隔層の厚みが、前記第２の変形層の厚みの２倍以上である請求項１に記載の３軸センサ。
3. 　前記離隔層の目付量が、前記第１の変形層の目付量の１０倍以上であり、
   　前記離隔層の目付量が、前記第２の変形層の目付量の１０倍以上である請求項１に記載の３軸センサ。
4. 　前記離隔層は、ゲルを含む請求項１に記載の３軸センサ。
5. 　前記離隔層は、前記第１の面の面内方向に作用するせん断力により、前記センサの面内方向に弾性変形する請求項１に記載の３軸センサ。
6. 　前記第１の検出層、前記第２の検出層はそれぞれ、第１の電極と、第２の電極と、グランド電極とを備え、
   　前記第１のセンシング部は、前記第１の検出層に含まれる前記第１の電極および前記第２の電極により構成され、
   　前記第２のセンシング部は、前記第２の検出層に含まれる前記第１の電極および前記第２の電極により構成されている請求項１に記載の３軸センサ。
7. 　前記第１の検出層の前記グランド電極、前記第２の検出層の前記グランド電極、前記第１の導電層および前記第２の導電層が、基準電位に接続されている請求項６に記載の３軸センサ。
8. 　前記第１の導電層および前記第２の導電層は、可撓性および伸縮性の少なくとも一方を有する請求項１に記載の３軸センサ。
9. 　前記第１の検出層は、前記第１のセンシング部を複数含み、
   　前記第２の検出層は、前記第２のセンシング部を複数含み、
   　前記第２のセンシング部の配置ピッチが、前記第１のセンシング部の配置ピッチに比べて大きく、且つ、前記第２のセンシング部の面積が、前記第１のセンシング部の面積に比べて大きい請求項１に記載の３軸センサ。
10. 　前記第２の変形層の２５％ＣＬＤ値が、前記第１の変形層の２５％ＣＬＤ値に比べて大きい請求項１に記載の３軸センサ。
11. 　前記第１の導電層側の表面に設けられた表面層をさらに備え、
    　前記表面層の表面の静止摩擦係数が１以上である請求項１に記載の３軸センサ。
12. 　前記第１の検出層の周縁が、前記第２の検出層の周縁の内側に位置する請求項１に記載の３軸センサ。
13. 　前記離隔層が、前記センサの面内方向に複数に分割されている請求項１に記載の３軸センサ。
14. 　前記第２の検出層は、該第２の検出層の前記第１の面とは反対側の第２の面を有し、
    　前記第２の検出層の前記第２の面と対向して設けられた第３の導電層をさらに備える請求項１に記載の３軸センサ。
15. 　第１の面と、該第１の面とは反対側の第２の面とを有し、静電容量式の第１のセンシング部を含む第１の検出層と、
    　前記第１の検出層の前記第１の面に対向する第１の面と、該第１の面とは反対側の第２の面とを有し、静電容量式の第２のセンシング部を含む第２の検出層と、
    　前記第１の検出層と前記第２の検出層の間に設けられ、前記第１の検出層と前記第２の検出層を離隔する離隔層と、
    　前記第１の検出層の前記第１の面と対向して設けられた第１の導電層と、
    　前記第２の検出層の前記第２の面と対向して設けられた第２の導電層と、
    　前記第１の導電層と前記第１の検出層の間に設けられ、センサの厚み方向に作用する圧力に応じて弾性変形する第１の変形層と、
    　前記第２の導電層と前記第２の検出層の間に設けられ、前記センサの厚み方向に作用する圧力に応じて弾性変形する第２の変形層と
    　を備え、
    　前記離隔層の２５％ＣＬＤ値が、前記第１の変形層の２５％ＣＬＤ値の１０倍以上であり、
    　前記離隔層の２５％ＣＬＤ値が、前記第２の変形層の２５％ＣＬＤ値の１０倍以上である３軸センサ。
16. 　前記離隔層は、
    　第３の導電層と、
    　前記第１の検出層と前記第３の導電層の間に設けられ、前記第１の検出層と前記第３の導電層を離隔する第１の離隔層と、
    　前記第３の導電層と前記第２の検出層の間に設けられ、前記第３の導電層と前記第２の検出層を離隔する第２の離隔層と
    　を備える請求項１５に記載の３軸センサ。
17. 　前記第１の検出層と前記離隔層の間に設けられた第４の導電層と、
    　前記第１の検出層と前記第４の導電層の間に設けられた第３の変形層と、
    　前記離隔層と前記第２の検出層の間に設けられた第５の導電層と、
    　前記第５の導電層と前記第２の検出層の間に設けられた第４の変形層と
    　をさらに備える請求項１５に記載の３軸センサ。
18. 　請求項１に記載の３軸センサを備えるセンサモジュール。
19. 　請求項１８に記載のセンサモジュールと、
    　前記センサモジュールから出力された前記第１のセンシング部および前記第２のセンシング部の出力信号分布に基づき、３軸力を算出する演算部と
    　を備える電子機器。
20. 　曲面を有する外装材をさらに備え、
    　前記３軸センサは、前記曲面に設けられている請求項１９に記載の電子機器。

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