WO2021078584A1 - Verfahren zum abscheiden organischer schichtstrukturen, insbesondere oleds - Google Patents

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WO2021078584A1
WO2021078584A1 PCT/EP2020/078732 EP2020078732W WO2021078584A1 WO 2021078584 A1 WO2021078584 A1 WO 2021078584A1 EP 2020078732 W EP2020078732 W EP 2020078732W WO 2021078584 A1 WO2021078584 A1 WO 2021078584A1
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Dietmar Keiper
Michael BRAST
Dinesh Kanna SUBRAMANIAM
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Apeva Se
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Definitions

  • the invention relates to a method for producing organic layer structures, in particular OLEDs, in an OVPD reactor having at least the following steps: Deposition of a layer structure by feeding an organic vapor generated in a steam generator together with a carrier gas into a process chamber of the OVPD Reactor and condensing the vapor on masked sections of the surface of a substrate and depositing an electrically conductive layer by feeding a metallic vapor generated in a steam generator together with a carrier gas into the same process chamber of the OVPD reactor and condensing the vapor on masked sections of the surface of the substrate.
  • DE 10212923 A1 describes a method for coating a substrate with both organic and metallic layers, wherein the layers can have a layer thickness between 1 and 200 nm and are components of an OLED.
  • US 2019/0006434 A1 describes a system of several layers arranged one above the other, wherein the layers can have one or more OLED layer structures and metal layers.
  • US 10147899 B2 describes an OLED display with a charge generation layer that is doped with ytterbium, samarium, sodium or magnesium.
  • CN 104638190 A describes a multilayer OLED layer structure with a charge generation layer and a cathode, wherein the metallic layers can contain magnesium, aluminum, lithium, ytterbium and samarium.
  • EP 3208861 A1 describes a charge generation layer as a layer structure, the layers comprising lithium and ytterbium.
  • the method known from DE 10212923 A1 be used for depositing a cathode, an anode, charge generation layer (CGL) or a charge generation layer with an intermediate layer.
  • the metals used preferably have an evaporation temperature that is less than 450.degree. C., preferably less than 400.degree.
  • europium, ytterbium, Zinc, sodium, lithium, cesium or magnesium can be considered.
  • other metals can also be used.
  • the electrically conductive layer should preferably be in the range between 1 and 3 nm thick, but can also be> 3 nm, in particular for organic-metallic mixed layers.
  • the method according to the invention relates both to the deposition of individual OLEDs and to the deposition of tandem OLEDs or OLEDs layered on top of one another.
  • two or more electrically conductive layers are deposited in the same process chamber.
  • all process steps for depositing electrically conductive layers in the production of an OLED layer structure are carried out in a single process chamber.
  • Two electrically conductive layers can be deposited directly on top of one another, one electrically conductive layer consisting of a metal with a lower work function than the metal of the other electrically conductive layer.
  • the metal layer with the metal with the lower work function directly adjoins an organic layer.
  • the electrically conductive layer is a cathode or an anode, it is preferably made of zinc.
  • the electrically conductive layer with the low work function can also consist of a mixture of a metal and an organic material, the metal being selected in particular from one of the elements such as magnesium, cesium, ytterbium, europium, lithium or sodium.
  • the process according to the invention is preferably carried out in an OVPD reactor which has a vacuum chamber.
  • the OVPD reactor has a gas inlet element in the form of a showerhead.
  • the showerhead has a gas distribution chamber that is fed from a feed line with an organic steam or a metallic steam.
  • the steam is transported with a carrier gas.
  • the steam enters a process chamber from a gas outlet surface, which is assigned to a heated gas outlet plate.
  • the gas outlet plate has a large number of gas outlet openings.
  • a substrate holder has a substrate support surface which extends parallel to the gas outlet surface and on which the substrate to be coated lies.
  • the process steps for manufacturing the OLED layer structure are preferably carried out one after the other without interruption, preferably in the same chamber but at least with vacuum handling between different deposition chambers.
  • the OLED layer structures are exemplary of organic ones
  • Layer structures in general and this invention is also applicable to organic solar cell layer structures, pervoskite solar cell layer structures and tandem layer structures with combinations of the last two.
  • Fig. 1 schematically the structure of an OLED of a first Ausfer approximately example
  • FIG. 3 shows the structure of an OLED of a third exemplary embodiment
  • 4 shows the structure of an OLED of a fourth exemplary embodiment
  • 5 shows the structure of an OLED of a fifth exemplary embodiment
  • FIG. 6 schematically shows a device for depositing OLEDs.
  • a plurality of layers, from which an OLED is constructed is to be carried out in a process chamber. It is provided that at least one layer deposited by condensation of an organic vapor, in particular an emission layer EML and at least one electrically conductive layer 5, 6, 7, 8, 8 ', 8 ′′ on a substrate 4 or on layers HIL, HTL, EML, ETL, EIL, which have previously been deposited on a substrate 4.
  • the layer sequence can be a hole injection layer HIL, a hole transport layer HTL, an emission layer EML from which electric light is emitted, an electron layer. Contain transport layer ETL and an electron injection layer EIL.
  • the device used to carry out the process and shown in FIG. 6 is an OVPD reactor 10, in the housing of which a gas inlet element 12 is arranged in the form of a showerhead.
  • the gas inlet element 12 has a gas distribution chamber 13 into which a feed line 18 opens, through which process gases can be fed into the gas distribution chamber 13.
  • the gas distribution chamber 13 has a base plate which has a plurality of gas through openings 16.
  • a process chamber 17 extends below the base plate.
  • a supporting surface of a substrate holder 11, on which the substrate 4 to be coated is arranged, extends parallel to the gas outlet surface 15 at a small distance. Through coolant channels 14, the substrate holder 11 can be cooled to a temperature at which vapors, which are fed into the process chamber 17 through the supply line 18, condense on the substrate surface.
  • a further "organic source” is shown with the reference numeral 25, which can be optionally provided.
  • This source provides organic molecules which are fed into the gas distribution chamber 13 through the feed line 18. This can be done with a carrier gas.
  • a shadow mask (not shown) is provided with which the OLEDs can be structured in a grid-like or checkerboard-like manner on the substrate.
  • the gas inlet member 12 can be heated with temperature control means, not shown, to temperatures which are above the condensation temperatures of the vapors used.
  • the gas inlet element 12 is preferably heated to a temperature of at least 350.degree. C., 400.degree. C. or 450.degree. C. or in a temperature range between 350.degree. C. or 450.degree.
  • a first steam generator device has an evaporator 22 for an organic material.
  • An aerosol generator 24 can generate an aerosol consisting of aerosol particles from a powder or a liquid, which is transported by a carrier gas fed into a carrier gas feed line 20 to an evaporator 23, where the aerosol particles evaporate. The steam generated in this way is transported to line 18.
  • a second steam generator 21 has a metal source.
  • the metal source can be a liquid container in which a metal brought into a liquid state by heating.
  • a carrier gas can be fed into the steam generator 21 through a carrier gas feed line 19, with which the vaporized metal is transported through the feed line 18 into the gas inlet element 12.
  • the gas inlet member 12 has a flat gas outlet surface 15 which extends over the entire surface of the substrate 4 to be coated. From the evenly arranged gas outlet openings 16, the vapor transported by the carrier gas flows from either the metal or the organic starting material into the process chamber 17, where the vapor can condense on the masked surface of the substrate 4.
  • the organic layers of an OLED layer structure 2, 3 can be deposited on top of one another.
  • the organic layer structure 2, 3, which consists of a multiplicity of organic layers can be deposited directly on a substrate 4, in particular a substrate 4 in which a conductive anode has previously been deposited on the substrate surface.
  • a hole injection layer HIL then a hole transport layer HTL and then the light-emitting layer EML is deposited.
  • An electron transport layer ETL and an electron injection layer EIL are then deposited on the light-emitting layer EML.
  • the OLED layer structure 2 is then applied in the same process chamber 17 using the measurement generated in the metal vapor source 21.
  • Talldampfs deposited a cathode 5 on the electron injection layer EIL.
  • the cathode can consist of one or a mixture of the following elements: europium, ytterbium, samarium, zinc, sodium, lithium, calcium, cesium or magnesium.
  • the cathode arrangement consists of two layers, both of which are metallic.
  • the uppermost layer 5 can consist of zinc.
  • An intermediate layer 8 made of a material that has a lower output than zinc can be deposited between the layer arranged underneath, made of an organic material, in the exemplary embodiment the electron injection layer EIL, and the cathode 5.
  • the elements ytterbium, europium, lithium, sodium, cesium, magnesium or calcium come into consideration as material.
  • the layer thicknesses of the intermediate layer 8 are in the range between 1 and 3 nm.
  • At least one layer consisting of an organic material and one layer containing a metal are to be deposited directly following one another in the same process chamber 17 of an OVPD reactor 10.
  • all layers of the OLED layer structure 2, 3 are to be deposited in the same process chamber 17.
  • all layers 5, 7, 8, 8 ′′ containing a metal should also be carried out in the same process chamber.
  • FIGS. 3 and 4 show LEDs that are stacked one on top of the other.
  • OLED layer structures 2, 3 deposited one above the other.
  • Each of the two OLED layer structures 2, 3 has a light-emitting layer EML, which can, for example, emit green, blue or red light.
  • EML light-emitting layer
  • an additional LED layer structure can be provided so that a total of three LED layer structures are arranged one above the other, which can emit light in the colors green, blue and red.
  • the above-mentioned cathode 5 has been deposited on the uppermost organic layer.
  • the cathode can consist of one of the above-mentioned metals or a mixture of these metals, namely in particular europium, yt terbium, samarium, zinc, sodium, lithium, calcium, cesium or magnesium.
  • one or two layers 6, 7 are provided. It can be a p-CGL layer 6, which has the function of a hole injection layer.
  • This p-CGL typically consists of HAT-CN or an organic material mixed with ⁇ 10 percent of an organic p-dopant.
  • the layer 7 lying at the bottom can be an n-CGL layer which fulfills the function of an electron injection layer.
  • the n-CGL layer 7 can be an organic material mixed with a metallic n-dopant, in particular ytterbium, magnesium, lithium, sodium, cesium, europium or samarium, or consist of a thin metal layer made of one of these metals or combined with zinc.
  • a metallic n-dopant in particular ytterbium, magnesium, lithium, sodium, cesium, europium or samarium, or consist of a thin metal layer made of one of these metals or combined with zinc.
  • the CGL layer 7 can also consist of a different material, for example zinc.
  • An intermediate layer 8 ′′ can be provided between the CGL layers 6, 7 and the organic layer ETL adjoining them. This intermediate layer can consist of a metal or a mixture of a metal, see above that the layer 8 ′′ has a lower work function than the metal layer
  • another organic intermediate layer 8 ' is inserted into the CGL layer 6, 7, the layer thickness of which is ⁇ 5 nm, preferably 1 to 3 nm, and which enables the diffusion of metals and organic substances To prevent molecules between the layers 6, 7. This increases the service life of the later organic electro-optical Bauelemen tes.
  • the reference number 8 denotes an intermediate layer which is arranged between the cathode 5 and the organic layer EIL adjoining it and consists of a metallic material.
  • the intermediate layers 8, 8 ', 8 " can also consist of a mixture of organic material and metal.
  • all organic layers of the OLED layer structures 2, 3 and all metallic or electrically conductive layers 5, 6, 7, 8, 8 ', 8 " can be deposited in the same process chamber 17 of a single OVPD reactor preferably in the range between 1 nm and 3 nm for layers 8 ', 8 "and preferably ⁇ 10 nm for 5, 6, 7, where 5 can also have values of> 100 nm.
  • only those metals are used whose evaporation temperature is less than 450.degree. C., in particular less than 400.degree. It can be provided that the OVPD reactor can be opened for service purposes, so that air and in particular nitrogen can get into the lines.
  • a flushing step is carried out after such exposure to the inner walls or the volumes of the OVPD reactor or a gas mixing system.
  • the process chamber and the cavities carrying the metallic vapor are flushed with argon, helium or a mixture thereof or another noble gas before metals are deposited.
  • the areas of the system through which alkali metal or lanthanide metals are passed are flushed. This is particularly necessary after contact with air or N2.
  • Alkali metals, metals of the first main group, lithium, sodium or cesium or lanthanide metals, for example ytterbium, europium or samarium and alkaline earth metals, metals of main group II, i.e. magnesium or calcium, are metals with a ge rings Work function required for an ohmic contact between the metal and the organic layer.
  • the noble gas purging is also relevant for effective n-doping of organic semiconductor layers.
  • the aforementioned metals react chemically with nitrogen and can then form metal nitrides. This has to be avoided, since the chemical-physical properties of the layer structure cannot be achieved with these metal nitrides in the way that they could be achieved with pure metals.
  • the method also includes the deposition of a layer structure for an organic solar cell (OPV) consisting of the following layers:
  • ETL Electron Transport Layer
  • the invention further comprises the deposition of the layers for a perovskite solar cell, namely:
  • ETL electron transport layer
  • HTL Hole transport layer
  • the invention further comprises the deposition of the layers for a tandem solar cell, consisting of:
  • the electrically conductive layer is a cathode 5, an anode or a charge generation layer (CGL) 6, 7, in particular an organic tandem layer structure.
  • a method which is characterized in that the organic layer structures are OLEDs.
  • the inert gas is a noble gas, in particular argon or helium , the flushing step being carried out until an N2 content is ⁇ 0.1 ppm.
  • the carrier gas does not contain N2 and in particular is a noble gas, for example argon or helium.
  • a method which is characterized in that the organic layer structure is part of an OLED layer structure or part of a light extraction layer or part of an organic solar cell layer structure or part of a perovskite solar cell layer structure.
  • a method which is characterized in that the evaporation temperature of a metal which is evaporated to form the metallic vapor is less than 450 ° C, in particular less than 400 ° C.
  • the electrically conductive layer is a first electrically conductive layer 5, 6, 7 wholly or partially comprising europium, ytterbium, zinc, sodium, lithium, cesium or magnesium.
  • a method which is characterized in that in the same process chamber 17 several electrically conductive layers 5, 6, 7, 8, 8 ', 8 "are deposited, one of which is a cathode 5 or anode and contains zinc and one other is an intermediate layer 8, 8 ', 8 "containing ytterbium, europium, samarium, sodium, magnesium, lithium or cesium.

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von organischen Schichtstrukturen, insbesondere OLEDs in einem OVPD-Reaktor, aufweisend zumindest die folgenden Schritte: Abscheiden einer organischen Schichtstruktur (2, 3) durch Einspeisen eines in einem Dampferzeuger (22) erzeugten organischen Dampfes zusammen mit einem Trägergas in eine Prozesskammer (17) des OVPD-Reaktors (10) und Kondensieren des Dampfes auf maskierten Abschnitten der Oberfläche eines Substrates (4) und Abscheiden einer elektrisch leitenden Schicht (5, 6, 7, 8, 8', 8'') durch Einspeisen eines in einem Dampferzeuger (21) erzeugten metallischen Dampfes zusammen mit einem Trägergas in dieselbe Prozesskammer (17) des OVPD-Reaktors (10) und Kondensieren des Dampfes auf maskierten Abschnitten der Oberfläche des Substrates. Erfindungsgemäß soll die elektrisch leitende Schicht eine Katode (5), eine Anode oder ein Charge Generation Layer (CGL) (6, 7) einer organischen Tandem-Schichtstruktur sein. Das Metall hat eine Verdampfungstemperatur von weniger als 450°C, insbesondere weniger als 400°C.

Description

Beschreibung
Verfahren zum Abscheiden organischer Schichtstrukturen, insbesondere OLEDs
Gebiet der Technik
[0001] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von organischen Schichtstrukturen, insbesondere OLEDs, in einem OVPD-Reaktor aufweisend zumindest die folgenden Schritte: Abscheiden einer Schichtstruktur durch Einspeisen eines in einem Dampferzeuger erzeugten organischen Dampfes zusammen mit einem Trägergas in eine Prozesskammer des OVPD-Reaktors und Kondensieren des Dampfes auf maskierten Abschnitten der Oberfläche eines Substrates und Abscheiden einer elektrisch leitenden Schicht durch Einspeisen eines in einem Dampferzeuger erzeugten metallischen Dampfes zusammen mit einem Trägergas in dieselbe Prozesskammer des OVPD- Reaktors und Kondensieren des Dampfes auf maskierten Abschnitten der Oberfläche des Substrates.
Stand der Technik
[0002] Die DE 10212923 Al beschreibt ein Verfahren zum Beschichten eines Substrates mit sowohl organischen als auch metallischen Schichten, wobei die Schichten eine Schichtdicke zwischen 1 und 200 nm aufweisen können und Bestandteile eines OLEDs sind.
[0003] Die US 2019/ 0006434 Al beschreibt ein System aus mehreren übereinander angeordneten Schichten, wobei die Schichten ein oder mehrere OLED-Schichtstrukturen und Metallschichten aufweisen können. [0004] Die US 10147899 B2 beschreibt ein OLED-Display mit einem Charge Generation Layer, der mit Ytterbium, Samarium, Natrium oder Magnesium dotiert ist.
[0005] Die CN 104638190 A beschreibt eine mehrschichtige aufgebaute OLED- Schichtstruktur mit einem Charge Generation Lay er und einer Kathode, wobei die metallischen Schichten Magnesium, Aluminium, Lithium, Ytterbium und Samarium enthalten kann.
[0006] Die EP 3208861 Al beschreibt einen Charge Generation Layer als Schichtstruktur, wobei die Schichten Lithium und Ytterbium aufweisen.
Zusammenfassung der Erfindung [0007] Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur
Herstellung von OLEDs anzugeben, bei dem in einer einzigen Prozesskammer möglichst viele der erforderlichen organischen und metallischen Schichten abgeschieden werden.
[0008] Gelöst wird die Aufgabe durch in den Ansprüchen angegebene Erfindung, wobei die Unter ansprüche nicht nur vorteilhafte Weiterbildungen der im Hauptanspruch angegebenen Erfindung, sondern auch eigenständige Lösungen der Aufgabe darstellen.
[0009] Zunächst und im Wesentlichen wird vorgeschlagen, dass das aus der DE 10212923 Al her bekannte Verfahren zum Abscheiden einer Kathode, einer Anode, Charge Generation Layer (CGL) oder einen Charge Generation Layer mit Intermediate Layer verwendet wird. Die verwendeten Metalle haben vorzugsweise eine Ver dampf ungstemperatur, die geringer als 450°C, bevorzugt geringer als 400°C ist. Als Metalle kommen insbesondere Europium, Ytterbium, Zink, Natrium, Lithium, Caesium oder Magnesium in Betracht. Es können aber auch andere Metalle verwendet werden. Die elektrisch leitende Schicht soll bevorzugt im Bereich zwischen 1 und 3 nm dick sein, kann aber auch >3 nm insbesondere für organisch-metallische Mischschichten sein. Das erfindungsgemäße Verfahren betrifft sowohl das Abscheiden einzelner OLEDs als auch das Abscheiden von Tandem-OLEDs oder übereinander geschichteter OLEDs. Es ist aber auch vorgesehen, die OLEDs derart übereinander anzuord nen, dass eine blaue Emissionsschicht, rote Emissionsschicht und grüne Emissi onsschicht übereinander angeordnet sind, wobei zwischen den verschiedenfar bigen Emissionsschichten sowohl weitere organische als auch metallische Schichten angeordnet sind. Es ist ferner von Vorteil, wenn zwei oder mehr elektrisch leitende Schichten in derselben Prozesskammer abgeschieden werden. Von Vorteil ist ferner, wenn sämtliche Prozessschritte zum Abscheiden elektrisch leitender Schichten bei der Fertigung einer OLED-Schichtenstruktur in einer einzigen Prozesskammer durchgeführt werden. Es können zwei elektrisch leitende Schichten unmittelbar aufeinander abgeschieden werden, wobei eine elektrisch leitende Schicht aus einem Metall mit einer geringeren Austrittsarbeit besteht als das Metall der anderen elektrisch leitenden Schicht. Es ist insbesondere vorgesehen, dass die Metallschicht mit dem Metall der geringeren Austrittsarbeit unmittelbar an eine organische Schicht angrenzt. Sofern die elektrisch leitende Schicht eine Kathode oder eine Anode ist, besteht sie bevorzugt aus Zink. Die elektrisch leitende Schicht mit der geringen Aus trittsarbeit kann aber auch aus einer Mischung aus einem Metall und einem organischen Material bestehen, wobei das Metall insbesondere ausgewählt ist aus einem der Elemente wie Magnesium, Cäsium, Ytterbium, Europium, Lithium oder Natrium. Das erfindungsgemäße Verfahren wird bevorzugt in einem OVPD- Reaktor durchgeführt, der eine Vakuumkammer aufweist. Der OVPD-Reaktor besitzt ein Gaseinlassorgan in Form eines Showerheads. Der Showerhead besitzt eine Gasverteilkammer, die von einer Zuleitung mit einem organischen Dampf oder einem metallischem Dampf gespeist wird. Der Dampf wird jeweils mit einem Trägergas transportiert. Der Dampf gelangt aus einer Gasaustrittsfläche, die einer beheizten Gasaustrittsplatte zugeordnet ist, in eine Prozesskammer. Hierzu weist die Gasaustrittsplatte eine Vielzahl von Gasaustrittsöffnungen auf. Ein Substrathalter besitzt eine Substratauflagefläche, die sich parallel zur Gasaustrittsfläche erstreckt und auf der das zu beschichtende Substrat liegt. Die Prozessschritte zur Fertigung der OLED- Schichtenstruktur werden bevorzugt ohne Unterbrechung nacheinander durchgeführt, bevorzugt in der gleichen Kammer aber zumindest mit einem Vakuumhandling zwischen verschiedenen Depositionskammern. [0010] Die OLED-Schichtenstrukturen sind exemplarisch für organische
Schichtenstrukturen im allgemeinen und diese Erfindung ist auch anwendbar für organische Solarzellen-Schichtenstrukturen, Pervoskite Solarzellen- Schichtenstrukturen sowie Tandem-Schichtenstrukturen mit Kombinationen aus den letzten beiden.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen [0011] Im Folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 schematisch den Aufbau einer OLED eines ersten Ausfüh rungsbeispiels,
Fig. 2 den Aufbau einer OLED eines zweiten Ausführungsbeispiels,
Fig. 3 den Aufbau einer OLED eines dritten Ausführungsbeispiels,
Fig. 4 den Aufbau einer OLED eines vierten Ausführungsbeispiel, Fig. 5 den Aufbau einer OLED eines fünften Ausführungsbeispiels und
Fig. 6 schematisch eine Vorrichtung zum Abscheiden von OLEDs.
Beschreibung der Ausführungsformen
[0012] Mit dem erfindungs gern äßen Verfahren soll eine Mehrzahl von Schich ten, aus denen eine OLED aufgebaut ist, in einer Prozesskammer durchgeführt werden. Es ist dabei vorgesehen, dass zumindest eine durch Kondensation ei nes organischen Dampfs abgeschiedene Schicht, insbesondere eine Emissions schicht EML und zumindest eine elektrisch leitende Schicht 5, 6, 7, 8, 8', 8" auf einem Substrat 4 beziehungsweise auf Schichten HIL, HTL, EML, ETL, EIL, die zuvor auf einem Substrat 4 abgeschieden worden sind, abgeschieden wird. Die Schichtenfolge kann eine Löcher-Injektionsschicht HIL, eine Löcher- Transportschicht HTL, eine Emissionsschicht EML, aus der elektrisches Licht emittiert wird, eine Elektronen-Transportschicht ETL und eine Elektronen injektionsschicht EIL enthalten.
[0013] Die zur Durchführung des Verfahrens verwendete, in der Figur 6 dar gestellte Vorrichtung ist ein OVPD-Reaktor 10, in dessen Gehäuse ein Gasein lassorgan 12 in Form eines Showerheads angeordnet ist. Das Gaseinlassorgan 12 besitzt eine Gasverteilkammer 13, in die eine Zuleitung 18 mündet, durch die Prozessgase in die Gasverteilkammer 13 eingespeist werden können. Die Gas verteilkammer 13 besitzt eine Bodenplatte, die eine Vielzahl von Gasdurch trittsöffnungen 16 aufweist. Unterhalb der Bodenplatte erstreckt sich eine Pro zesskammer 17. Zur Prozesskammer 17 weist eine Gasaustrittsfläche 15 der Bo denplatte, in die die Gasdurchtrittsöffnungen 16 münden. In einem geringen Abstand erstreckt sich parallel zur Gasaustrittsfläche 15 eine Auflagefläche ei nes Substrathalters 11, auf dem das zu beschichtende Substrat 4 angeordnet ist. Durch Kühlmittelkanäle 14 kann der Substrathalter 11 auf eine Temperatur ge kühlt werden, bei der Dämpfe, die durch die Zuleitung 18 in die Prozesskam mer 17 eingespeist werden, auf der Substratoberfläche kondensieren.
[0014] Mit der Bezugsziffer 25 ist eine weitere „organic Quelle" dargestellt, die optional vorgesehen sein kann. Mit dieser Quelle werden organische Moleküle bereitgestellt, die durch die Zuleitung 18 in die Gasverteilkammer 13 einge speist werden. Dies kann mit einem Trägergas erfolgen.
[0015] Es ist eine nicht dargestellte Schattenmaske vorgesehen, mit der die OLEDs rasterartig beziehungsweise schachbrettartig auf dem Substrat struktu- riert werden können.
[0016] Das Gaseinlassorgan 12 kann mit nicht dargestellten Temperiermitteln auf Temperaturen geheizt werden, die oberhalb der Kondensationstemperatu ren der verwendeten Dämpfe liegt. Bevorzugt wird das Gaseinlassorgan 12 auf eine Temperatur von mindestens 350°C, 400°C oder 450°C oder in einem Tem- peraturbereich zwischen 350°C oder 450°C temperiert.
[0017] Es sind zumindest zwei, bevorzugt mehr als zwei Dampferzeugerein richtungen vorgesehen, wobei die Dampferzeugereinrichtungen sich in zwei Arten von Dampferzeugereinrichtungen unterscheiden. Eine erste Dampfer zeugereinrichtung weist einen Verdampfer 22 für ein organisches Material auf. Ein Aerosolerzeuger 24 kann aus einem Pulver oder einer Flüssigkeit ein aus Aerosolpartikeln bestehendes Aerosol erzeugen, das mit einem in eine Träger gaszuleitung 20 eingespeisten Trägergas zu einem Verdampfer 23 transportiert wird, wo die Aerosolpartikel verdampfen. Der so erzeugte Dampf wird zur Zu leitung 18 transportiert wird. Ein zweiter Dampferzeuger 21 besitzt eine Me- tallquelle. Die Metallquelle kann ein Flüssigkeitsbehälter sein, in dem sich ein durch Beheizen in einen flüssigen Zustand gebrachtes Metall befindet. Durch eine Trägergaszuleitung 19 kann ein Trägergas in den Dampferzeuger 21 einge speist werden, mit dem das verdampfte Metall durch die Zuleitung 18 in das Gaseinlassorgan 12 transportiert wird. [0018] Das Gaseinlassorgan 12 besitzt eine ebene Gasaustrittsfläche 15, die sich über die gesamte Oberfläche des zu beschichtenden Substrates 4 erstreckt. Aus den gleichmäßig angeordneten Gasaustrittsöffnungen 16 strömt der vom Trä gergas transportierte Dampf entweder des Metalls oder des organischen Aus gangsstoffs in die Prozesskammer 17 ein, wo der Dampf auf der maskierten Oberfläche des Substrates 4 kondensieren kann.
[0019] Mit einem derartigen Verfahren lassen sich die organischen Schichten einer OLED-Schichtstruktur 2, 3 übereinander abscheiden. Beispielsweise kann die organische Schichtstruktur 2, 3, die aus einer Vielzahl organischer Schichten besteht, unmittelbar auf ein Substrat 4, insbesondere ein Substrat 4, bei dem zuvor eine leitende Anode auf die Substratoberfläche abgeschieden worden ist, abgeschieden werden.
[0020] Bei dem in der Figur 1 dargestellten ersten Ausführungsbeispiel wird zunächst eine Löcher-Injektionsschicht HIL, dann eine Löcher-Transportschicht HTL und darauf die lichtemittierende Schicht EML abgeschieden. Auf die licht- emittierende Schicht EML werden sodann eine Elektronen-Transportschicht ETL und eine Elektronen-Injektionsschicht EIL abgeschieden. Diese Schritte können nacheinander in einer einzigen Prozesskammer 17 eines OVPD- Reaktors 10 erfolgen.
[0021] Auf die OLED-Schichtstruktur 2 wird sodann in derselben Prozess- kammer 17 unter Verwendung des in der Metalldampfquelle 21 erzeugten Me- talldampfs eine Kathode 5 auf die Elektronen-Injektionsschicht EIL abgeschie den.
[0022] Die Kathode kann aus einem oder einer Mischung aus den folgenden Elementen bestehen: Europium, Ytterbium, Samarium, Zink, Natrium, Lithium, Calzium, Caesium oder Magnesium.
[0023] Bei dem in der Figur 2 dargestellten zweiten Ausführungsbeispiel be steht die Kathoden- Anordnung aus zwei Schichten, die beide metallisch sind. Die zuoberst liegende Schicht 5 kann aus Zink bestehen. Zwischen der darunter angeordneten Schicht aus einem organischen Material, im Ausführungsbeispiel die Elektronen-Injektionsschicht EIL, und der Kathode 5 kann eine Zwischen schicht 8 aus einem Material abgeschieden sein, das eine geringere Austrittsar beit aufweist als Zink. Als Material kommen insbesondere die Elemente Ytter bium, Europium, Lithium, Natrium, Cäsium, Magnesium oder Calzium in Be tracht. Die Schichtdicken der Zwischenschicht 8 liegen im Bereich zwischen 1 bis 3 nm.
[0024] Erfindungsgemäß soll zumindest eine aus einem organischen Material bestehende Schicht und eine ein Metall enthaltende Schicht unmittelbar aufei nander folgend in derselben Prozesskammer 17 eines OVPD-Reaktors 10 abge schieden werden. Gemäß einer besonders bevorzugten Ausgestaltung sollen sämtliche Schichten der OLED-Schichtstruktur 2, 3 in derselben Prozesskammer 17 abgeschieden werden. Gemäß einer besonders bevorzugten Variante der Er findung sollen zudem sämtliche ein Metall enthaltenden Schichten 5, 7, 8, 8" in derselben Prozesskammer durchgeführt werden.
[0025] Die in den Figuren 3 und 4 dargestellten Ausführungsbeispiele zeigen übereinandergeschichtete LEDs. Bei den Ausführungsbeispielen sind zwei OLED-Schichtstrukturen 2, 3 übereinander abgeschieden. Jede der beiden OLED-Schichtstrukturen 2, 3 besitzt eine lichtemittierende Schicht EML, die beispielsweise grünes, blaues oder rotes Licht emittieren kann. In einem nicht dargestellten Ausführungsbeispiel kann eine zusätzliche LED-Schichtstruktur vorgesehen sein, so dass insgesamt drei LED-Schichtstrukturen übereinander angeordnet sind, die Licht in den Farben grün, blau und rot emittieren können.
[0026] Bei dem in der Figur 3 dargestellten Ausführungsbeispiel ist die oben bereits erwähnte Kathode 5 auf die zuoberst liegende organische Schicht abge schieden worden. Die Kathode kann aus einem der oben genannten Metalle oder aus einer Mischung dieser Metalle, nämlich insbesondere Europium, Yt terbium, Samarium, Zink, Natrium, Lithium, Calzium, Caesium oder Magnesi um bestehen. Zusätzlich sind ein oder zwei Schichten 6, 7 vorgesehen. Es kann sich dabei um eine p-CGL-Schicht 6 handeln, die die Funktion einer Löcher injektionsschicht besitzt. Typischerweise besteht diese p-CGL aus HAT-CN oder einem organischen Material gemischt mit <10 Prozent eines organischen P-Dotanden. Die zuunterst liegende Schicht 7 kann eine n-CGL-Schicht sein, die die Funktion einer Elektronen-Injektionsschicht erfüllt. Die n-CGL-Schicht 7 kann ein organisches Material gemischt mit einem metallischen n-Dotanden, insbesondere Ytterbium, Magnesium, Lithium, Natrium, Cäsium, Europium oder Samarium sein oder aus einer dünnen Metallschicht aus einem von diesen Metallen oder kombiniert mit Zink bestehen.
[0027] Bei dem in der Figur 4 dargestellten Ausführungsbeispiel kann die CGL-Schicht 7 auch aus einem anderen Material, beispielsweise Zink, bestehen. Zwischen den CGL-Schichten 6, 7 und der daran angrenzenden organischen Schicht ETL kann eine Zwischenschicht 8" vorgesehen sein. Diese Zwischen schicht kann aus einem Metall oder einer Mischung eines Metalls bestehen, so dass die Schicht 8" eine geringere Austrittsarbeit aufweist als die Metallschicht
7.
[0028] Bei dem in Figur 5 ausgeführten Beispiel ist in der CGL-Schicht 6, 7 noch eine weitere organische Intermediate Schicht 8' eingefügt, deren Schicht- dicke <5 nm bevorzugt 1 bis 3 nm beträgt und die die Diffusion von Metallen und organischen Molekülen zwischen den Schichten 6, 7 unterbinden soll. Dies erhöht die Lebensdauer des späteren organischen elektro-optischen Bauelemen tes.
[0029] Mit der Bezugsziffer 8 ist hier ebenso wie in der Figur 2 eine zwischen Kathode 5 und der daran angrenzenden organischen Schicht EIL angeordnete Zwischenschicht bezeichnet, die aus einem metallischen Material besteht.
[0030] Die Zwischenschichten 8, 8', 8" können aber auch aus einer Mischung von organischem Material und Metall bestehen.
[0031] Erfindungsgemäß können sämtliche organischen Schichten der OLED- Schichtstrukturen 2, 3 und sämtliche metallische beziehungsweise elektrisch leitende Schichten 5, 6, 7, 8, 8', 8" in derselben Prozesskammer 17 eines einzigen OVPD-Reaktors abgeschieden werden. Die Schichtdicken liegen bevorzugt im Bereich zwischen 1 nm und 3 nm für die Schichten 8', 8" und bevorzugt <10 nm für 5, 6, 7, wobei 5 auch Werte von >100 nm haben kann. [0032] Anders als beim Stand der Technik werden ausschließlich solche Metal le verwendet, deren Verdampfungstemperatur kleiner als 450°C, insbesondere kleiner 400°C ist. [0033] Es kann vorgesehen sein, dass der OVPD-Reaktor zu Servicezwecken geöffnet werden kann, so dass Luft und insbesondere Stickstoff in die Leitun gen gelangen kann. Stickstoff kann auch durch andere Ereignisse in die Leitun gen des OVPD-Reaktors gelangen, durch die der metallische Dampf strömt. Erfindungsgemäß wird nach einer derartigen Beaufschlagung der Innenwände oder der Volumina des OVPD-Reaktors oder eines Gasmischsystems ein Spül schritt durchgeführt. Dabei werden die Prozesskammer und die den metalli schen Dampf führenden Hohlräume vor der Abscheidung von Metallen mit Argon, Helium oder einer Mischung davon oder einem anderen Edelgas ge spült. Es werden insbesondere die Bereiche des Systems gespült, durch die Al kali- oder Lanthanide Metalle geleitet werden. Dies ist insbesondere nach Kon takt mit Luft oder N2 erforderlich. Alkali-Metalle, Metalle der ersten Haupt gruppe, Lithium, Natrium oder Caesium oder Lanthanide Metalle, beispiels weise Ytterbium, Europium oder Samarium sowie Erd- Alkali-Metalle, Metalle der II-Hauptgruppe, also Magnesium oder Kalzium, sind Metalle mit einer ge ringen Austrittsarbeit, die für einen ohmschen Kontakt zwischen dem Metall und der organischen Schicht erforderlich sind. Die Edelgasspülung ist überdies relevant für eine effektive n-Dotierung von organischen Halbleiterschichten. Die zuvor genannten Metalle reagieren chemisch mit Stickstoff und können dann Metall-Nitride bilden. Dies gilt es zu vermeiden, da mit diesen Metall- Nitriden die chemisch-physikalischen Eigenschaften der Schichtstruktur nicht derart erreicht werden können, wie sie mit reinen Metallen erreichbar wären.
[0034] Eine Spülung des Systems mit den Edelgasen wird auch dann bevor zugt vorgenommen, wenn Wasserdampf oder Sauerstoff in Berührung mit den Oberflächen der den Metalldampf leitenden Hohlräumen getreten ist, so dass die Bildung von Metalloxiden vermieden wird. [0035] Ergänzend zu den in den Figuren 1 bis 5 dargestellten Schichtstruktu ren umfasst das Verfahren auch die Abscheidung einer Schichtenstruktur für eine organische Solarzelle (OPV) bestehend aus den folgenden Schichten:
- Kathode - Optionale Schicht 8
Elektronen-Transportschicht (ETL)
- n-Typ Absorberschicht
- p-Typ Absorberschicht
- Anode. [0036] Ferner umfasst die Erfindung das Abscheiden der Schichten für eine perowskite Solarzelle, nämlich:
- Kathode
- Optionale Schicht 8 Elektronen-Transportschicht (ETL) - Perowskit-Adsorptionsschicht
Löchertransportschicht (HTL).
[0037] Ferner umfasst die Erfindung das Abscheiden der Schichten für eine Tandem-Solarzelle, bestehend aus:
- Kathode - Optionale Schicht 8
- CGL-Schicht 6, 7, 8 oder Schichtensystem
- Solarzellenstruktur, entweder aus organischem Material oder Perowskite oder Silizium-basierend
- n- oder p-Kontaktschicht sowie Si- Absorberschicht
- Anode. [0038] Die vorstehenden Ausführungen dienen der Erläuterung der von der Anmeldung insgesamt erfassten Erfindungen, die den Stand der Technik zu mindest durch die folgenden Merkmalskombinationen jeweils auch eigenstän dig weiterbilden, wobei zwei, mehrere oder alle dieser Merkmalskombinatio- nen auch kombiniert sein können, nämlich:
[0039] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die elektrisch leitende Schicht eine Kathode 5, eine Anode oder ein Charge Generation Layer (CGL) 6, 7 insbesondere einer organischen Tandem-Schichtstruktur ist.
[0040] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die organischen Schichtstrukturen OLEDs sind.
[0041] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass vor der Abschei dung des metallischen Dampfs zumindest die den metallischen Dampf führen den Teile 18 oder des Dampferzeugers 21 mit einem Inertgas gespült wird, wo bei das Inertgas ein Edelgas, insbesondere Argon oder Helium ist, wobei der Spülschritt so lange durchgeführt wird, bis ein N2 Gehalt <0,1 ppm ist.
[0042] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass das Trägergas kein N2 enthält und insbesondere ein Edelgas, beispielsweise Argon oder Helium ist.
[0043] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die organische Schichtstruktur ein Teil einer OLED-Schichtstruktur oder ein Teil einer Lichtex- traktionsschicht oder Teil einer organischen Solarzellen-Schichtstruktur oder Teil einer Perowskit-Solarzellen-Schichtstruktur ist. [0044] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die Verdampfungstemperatur eines Metalls, das zu dem metallischen Dampf verdampft wird, kleiner als 450°C, insbesondere kleiner als 400°C ist.
[0045] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die elektrisch leitende Schicht eine erste elektrisch leitende Schicht 5, 6, 7 ganz oder anteilig aufweisend Europium, Ytterbium, Zink, Natrium, Lithium, Caesium oder Magnesium ist.
[0046] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass eine zweite elektrisch leitende Schicht 8, 8', 8" unmittelbar angrenzend an die erste elektrisch leitende Schicht 5, 6, 7 in derselben Prozesskammer 17 abgeschieden wird, wobei die zweite elektrisch leitende Schicht 8, 8" aus einem Metall mit einer geringeren Austrittsarbeit ist als das Metall der ersten elektrisch leitenden Schicht 5, 6, 7.
[0047] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die elektrisch leitende Schicht 5, 6, 7, 8, 8', 8" 1 bis 3 nm dick ist.
[0048] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass in derselben Prozesskammer 17 mehrere elektrisch leitende Schichten 5, 6, 7, 8, 8', 8" abgeschieden werden, von denen eine eine Kathode 5 oder Anode ist und Zink enthält und eine andere eine Zwischenschicht 8, 8', 8" ist, die Ytterbium, Europium, Samarium, Natrium, Magnesium, Lithium oder Caesium enthält.
[0049] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die Zwischenschicht 8, 8', 8" unmittelbar zwischen einer Kathode/ Anode 5 bezie hungsweise eines Charge Generating Layer 6, 7 und der OLED-Schichtstruktur 2, 3 liegt. [0050] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die elektrische Schicht, insbesondere Zwischenschicht 8, 8', 8" eine Mischung aus einem Metall und einem organischen Material ist, wobei das Metall insbesondere ausgewählt ist aus den Elementen Ytterbium, Europium, Lithium, Natrium oder Caesium.
[0051] Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass ein OVPD-Reaktor 10 verwendet wird, der ein Gaseinlassorgan 13 in Form eines Showerheads aufweist, eine Gasaustrittsfläche 15 mit einer Vielzahl von Gasaustritts öffnungen 16 aufweist, die sich parallel zum Substrat 4 erstreckt, und/ oder dass die Quelle 22 des organischen Dampfes einen Aerosolerzeuger 24 und einen Verdampfer 23 zum Verdampfen des von einem Trägergas vom Aerosolerzeuger 24 zum Verdampfer 23 transportierten Aerosols, aufweist und/ oder, dass die Quelle 22 des metallischen Dampfes eine Metallschmelze aufweist.
[0052] Alle offenbarten Merkmale sind (für sich, aber auch in Kombination untereinander) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/ beigefügten Prioritäts unterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender An meldung mit aufzunehmen. Die Unteransprüche charakterisieren, auch ohne die Merkmale eines in Bezug genommenen Anspruchs, mit ihren Merkmalen eigenständige erfinderische Weiterbildungen des Standes der Technik, insbe sondere um auf Basis dieser Ansprüche Teilanmeldungen vorzunehmen. Die in jedem Anspruch angegebene Erfindung kann zusätzlich ein oder mehrere der in der vorstehenden Beschreibung, insbesondere mit Bezugsziffern versehene und/ oder in der Bezugsziffernliste angegebene Merkmale aufweisen. Die Er findung betrifft auch Gestaltungsformen, bei denen einzelne der in der vorste henden Beschreibung genannten Merkmale nicht verwirklicht sind, insbeson- dere soweit sie erkennbar für den jeweiligen Verwendungszweck entbehrlich sind oder durch andere technisch gleichwirkende Mittel ersetzt werden kön nen.
Liste der Bezugszeichen
2 OLED-Schichtstruktur 25 Quelle
3 OLED-Schichtstruktur
4 Substrat
5 erste Schicht (Kathode)
6 erste Schicht (CGL)
7 erste Schicht (CGL)
8 zweite Schicht
8' zweite Schicht, intermediate Schicht
8" zweite Schicht
10 OVPD-Reaktor
11 Substrathalter
12 Gaseinlassorgan
13 Gaseinlassorgan, Gasdurchtritts öffnung, Gasverteilkammer
14 Kühlmittelkanal
15 Gasaustrittsfläche
16 Gasaustrittsöffnung
17 Prozesskammer
18 Zuleitung
19 Trägergaszuleitung
20 Trägergaszuleitung
21 zweiter Dampferzeuger
22 erster Dampferzeuger, Quelle
23 Verdampfer
24 Aerosolerzeuger

Claims

Ansprüche
1. Verfahren zur Herstellung organischer Schichtstrukturen in einem OVPD- Reaktor, aufweisend zumindest die folgenden Schritte:
Abscheiden einer organischen Schichtstruktur (2, 3) durch Einspeisen eines in einem Dampferzeuger (22) erzeugten organischen Dampfes zusammen mit einem Trägergas in eine Prozesskammer (17) des OVPD- Reaktors (10) und Kondensieren des Dampfes auf maskierten Abschnitten der Oberfläche eines Substrates (4) und
Abscheiden einer elektrisch leitenden Schicht (5, 6, 7, 8, 8', 8") durch Einspeisen eines in einem Dampferzeuger (21) erzeugten metallischen Dampfes zusammen mit einem Trägergas in dieselbe Prozesskammer (17) des OVPD-Reaktors (10) und Kondensieren des Dampfes auf maskierten Abschnitten der Oberfläche des Substrates (4), dadurch gekennzeichnet, dass die elektrisch leitende Schicht eine Kathode (5), eine Anode oder ein Charge Generation Layer (CGL) (6, 7) insbesondere einer organischen Tandem-Schichtstruktur ist.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die organi schen Schichtstrukturen OLEDs sind.
3. Verfahren nach einem der vorgehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, dass vor der Abscheidung des metallischen Dampfs zumindest die den metallischen Dampf führenden Teile (18) oder des Dampferzeu gers (21) mit einem Inertgas gespült wird, wobei das Inertgas ein Edelgas, insbesondere Argon oder Helium ist, wobei der Spülschritt so lange durchgeführt wird, bis ein N2 Gehalt <0,1 ppm ist.
4. Verfahren nach einem der vorgehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, dass das Trägergas kein N2 enthält und insbesondere ein Edel gas, beispielsweise Argon oder Helium ist.
5. Verfahren nach einem der vorgehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, dass die organische Schichtstruktur ein Teil einer OLED- Schichtstruktur oder ein Teil einer Lichtextraktionsschicht oder Teil einer organischen Solarzellen-Schichtstruktur oder Teil einer Perowskit- Solarzellen-Schichtstruktur ist.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die
Verdampfungstemperatur eines Metalls, das zu dem metallischen Dampf verdampft wird, kleiner als 450°C, insbesondere kleiner als 400°C ist. 7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrisch leitende Schicht eine erste elektrisch leitende Schicht (5, 6, 7) ganz oder anteilig aufweisend Europium, Ytterbium, Zink, Natrium, Lithium, Caesium oder Magnesium ist. 8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine zweite elektrisch leitende Schicht (8, 8', 8") unmittelbar angrenzend an die erste elektrisch leitende Schicht (5, 6,
7) in derselben Prozesskammer (17) abgeschieden wird, wobei die zweite elektrisch leitende Schicht (8,
8") aus einem Metall mit einer geringeren Austrittsarbeit ist, als das Metall der ersten elektrisch leitenden Schicht (5,
6, 7).
9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrisch leitende Schicht (5, 6, 7, 8, 8', 8") 1 bis 3 nm dick ist.
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in derselben Prozesskammer (17) mehrere elektrisch leitende Schichten (5, 6, 7, 8, 8', 8") abgeschieden werden, von denen eine eine Kathode (5) oder Anode ist und Zink enthält und eine andere eine Zwischenschicht (8, 8', 8") ist, die Ytterbium, Europium, Samarium, Natrium, Magnesium, Lithium oder Caesium enthält.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Zwischenschicht (8, 8', 8") unmittelbar zwischen einer Kathode/ Anode (5) beziehungsweise eines Charge Generating Layer (6, 7) und der OLED- Schichtstruktur (2, 3) liegt.
12. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrische Schicht, insbesondere Zwischenschicht (8, 8', 8") eine Mischung aus einem Metall und einem organischen Material ist, wobei das Metall insbesondere ausgewählt ist aus den Elementen Ytterbium, Europium, Lithium, Natrium oder Caesium.
13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein OVPD-Reaktor (10) verwendet wird, der ein Gaseinlassorgan (13) in Form eines Showerheads aufweist, eine Gasaustrittsfläche (15) mit einer Vielzahl von Gasaustrittsöffnungen (16) aufweist, die sich parallel zum Substrat (4) erstreckt, und/ oder dass die Quelle (22) des organischen Dampfes einen Aerosolerzeuger (24) und einen Verdampfer (23) zum Verdampfen des von einem Trägergas vom Aerosolerzeuger (24) zum Verdampfer (23) transportierten Aerosols, auf weist und/ oder, dass die Quelle (22) des metallischen Dampfes eine Me tallschmelze aufweist.
14. Verfahren, gekennzeichnet durch eines oder mehrere der kennzeichnen den Merkmale eines der vorhergehenden Ansprüche.
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