WO2021056876A1 - 显示面板及其制造方法 - Google Patents

显示面板及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2021056876A1
WO2021056876A1 PCT/CN2019/127103 CN2019127103W WO2021056876A1 WO 2021056876 A1 WO2021056876 A1 WO 2021056876A1 CN 2019127103 W CN2019127103 W CN 2019127103W WO 2021056876 A1 WO2021056876 A1 WO 2021056876A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
hardened
inorganic
display panel
inorganic layer
Prior art date
Application number
PCT/CN2019/127103
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
王芳
Original Assignee
武汉华星光电半导体显示技术有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 filed Critical 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
Priority to US16/638,761 priority Critical patent/US11316132B2/en
Publication of WO2021056876A1 publication Critical patent/WO2021056876A1/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Definitions

  • the present disclosure relates to the field of display technology, in particular to a display panel and a manufacturing method thereof.
  • Flexible organic light-emitting diode display technology has the characteristics of bendability and curling, etc., and the product can be made into a variety of bending or curling forms. Therefore, it has attracted much attention from the market and has become the mainstream of display development in the future.
  • organic light emitting diode display panels are very sensitive to water vapor and oxygen, and the aging of electrodes and the quenching of excitons are all direct causes of shortened device life and reduced efficiency. Therefore, the design of the organic light emitting diode display panel becomes more important.
  • Organic light-emitting diode display panels are very sensitive to water vapor and oxygen.
  • the aging of electrodes and the quenching of excitons are all direct causes of shortened device life and reduced efficiency. Therefore, the design of the organic light emitting diode display panel becomes more important.
  • the present disclosure proposes a display panel and a manufacturing method thereof, which achieves the characteristics of a cover window and a packaging structure at the same time, and realizes the effect of ultra-thin packaging.
  • the present invention provides a display panel, which includes: a substrate, a thin film transistor (thin film transistor, TFT) device layer, light emitting device layer and thin film encapsulation layer, wherein the thin film encapsulation layer comprises: a first inorganic layer; a first hardened layer arranged on the first inorganic layer; a second inorganic layer arranged On the first hardened layer; an organic planarization layer is provided on the second inorganic layer; a second hardened layer is provided on the organic planarization layer; a third inorganic layer is provided on the second On the hardened layer; and a third hardened layer disposed on the third inorganic layer.
  • TFT thin film transistor
  • it further includes a dam material layer disposed on the first inorganic layer, the first hardening layer, the second inorganic layer, and the organic planarization layer. Layer, the second hardened layer, the third inorganic layer, and the side edges of the third hardened layer.
  • it further includes a fourth inorganic layer disposed on the third hardened layer; and a fourth hardened layer disposed on the fourth inorganic layer.
  • the fourth hardened layer includes a nano anti-fingerprint layer.
  • the thickness of the second hardened layer is greater than the thickness of the first hardened layer and the thickness of the third hardened layer.
  • the material of the first inorganic layer includes silicon nitride.
  • the material composed of the second inorganic layer includes silicon oxide.
  • the material of the third inorganic layer includes silicon nitride.
  • a touch control layer and a color film layer are further provided between the third hardened layer and the second hardened layer.
  • the thin film encapsulation layer is disposed above the cathode of the light emitting device layer.
  • the present invention also provides a display panel manufacturing method, including: forming a substrate, a TFT device layer, a light emitting device layer and a thin film encapsulation layer, wherein the forming process of the thin film encapsulation layer includes: forming a first inorganic layer; Forming a first hardened layer on the first inorganic layer; forming a second inorganic layer on the first hardened layer; forming an organic planarization layer on the second inorganic layer; on the organic planarization layer Forming a second hardened layer; forming a third inorganic layer on the second hardened layer; and forming a third hardened layer on the third inorganic layer.
  • the method for manufacturing the window-type film packaging structure further includes forming a dam material layer formed on the first inorganic layer, the first hardened layer, and the Side edges of the second inorganic layer, the organic planarization layer, the second hardened layer, the third inorganic layer, and the third hardened layer.
  • it further includes forming a fourth inorganic layer on the third hardened layer.
  • it further includes forming a fourth hardened layer on the fourth inorganic layer.
  • the dam material layer is also formed on the side edges of the fourth inorganic layer and the fourth hardened layer.
  • the fourth hardened layer is formed by coating on the fourth inorganic layer by a coating method and performing UV cross-linking curing.
  • the present invention also provides a display panel, which includes: a metal layer; a connection layer disposed above the metal layer; an organic light emitting diode display device layer disposed above the connection layer; and the thin film
  • the encapsulation layer is arranged above the organic light-emitting diode display device layer, wherein the thin-film encapsulation layer includes: a first inorganic layer; a first hardening layer arranged on the first inorganic layer; a second inorganic layer arranged on the On the first hardened layer; an organic planarization layer, arranged on the second inorganic layer; a second hardened layer, arranged on the organic planarization layer; a third inorganic layer, arranged on the second hardened layer And a third hardened layer disposed on the third inorganic layer.
  • it further includes a dam material layer disposed on the first inorganic layer, the first hardened layer, the second inorganic layer, and the organic flat layer. Side edges of the chemical layer, the second hardened layer, the third inorganic layer, and the third hardened layer.
  • it further includes a fourth inorganic layer disposed on the third hardened layer; and a fourth hardened layer disposed on the fourth inorganic layer.
  • the thickness of the metal layer is more than three times the thickness of the fourth hardened layer.
  • the display panel includes a substrate, a TFT device layer, a light emitting device layer, and a thin film encapsulation layer, wherein the thin film encapsulation layer includes a first inorganic layer; a first hardened layer is disposed on the On the first inorganic layer; the second inorganic layer is arranged on the first hardened layer; the organic planarization layer is arranged on the second inorganic layer; the second hardened layer is arranged on the organic planarized layer
  • the third inorganic layer is arranged on the second hardened layer; and the third hardened layer is arranged on the third inorganic layer, so as to achieve the characteristics of the traditional laminated structure under the protection of the cover window, and further Isolate water vapor and oxygen without corroding the light-emitting device, ensure the display life, simplify the manufacturing process and reduce the production cost, and achieve the effect of ultra-thin packaging.
  • the display panel includes a substrate, a TFT device layer, a light emitting device layer, and a thin film encapsulation layer, wherein the thin film encapsulation layer includes a first inorganic layer; a first hardened layer is disposed on the On the first inorganic layer; the second inorganic layer is arranged on the first hardened layer; the organic planarization layer is arranged on the second inorganic layer; the second hardened layer is arranged on the organic planarized layer
  • the third inorganic layer is arranged on the second hardened layer; and the third hardened layer is arranged on the third inorganic layer, so as to achieve the characteristics of the traditional laminated structure under the protection of the cover window, and further Isolate water vapor and oxygen without corroding the light-emitting device, ensure the display life, simplify the manufacturing process and reduce the production cost, and achieve the effect of ultra-thin packaging.
  • FIG. 1 shows a schematic diagram of the structure of a display panel according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 shows a schematic structural diagram of a display panel according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 3 shows a schematic diagram of the structure of a display panel according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 4 shows a schematic flowchart of a manufacturing method of a display panel according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 5 shows a schematic structural diagram of a display panel according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 1 shows a schematic structural diagram of a display panel according to an embodiment of the present disclosure.
  • the display panel 10 includes a substrate S1, a TFT device layer T1, a light emitting device layer D1, and a thin film encapsulation layer 100, wherein the thin film encapsulation layer 100 includes a first inorganic layer 111, and the first inorganic layer 111 is disposed above the light emitting device layer D1
  • the first hardened layer H1 disposed on the first inorganic layer 111; the second inorganic layer 121 disposed on the first hardened layer H1; the organic planarization layer O1 disposed on the second inorganic layer 121;
  • the second hardened layer H2 on the chemical layer O1; the third inorganic layer 112 arranged on the second hardened layer H2 and the third hardened layer H3 arranged on the third inorganic layer 112.
  • the first inorganic layer 111 includes silicon nitride.
  • the second inorganic layer 121 includes silicon oxide.
  • the third inorganic layer 112 includes silicon nitride.
  • the organic planarization layer O1 is formed by selecting organic silicon with good recovery performance, elasticity, and optical performance, so as to planarize the package structure and enhance the effect of stress relief.
  • the thin film encapsulation layer 100 is disposed above the cathode of the light emitting device layer.
  • the thickness of the second hardened layer H2 is greater than the thickness of the first hardened layer H1 and the thickness of the third hardened layer H3, so that the encapsulation layer not only prevents moisture and oxygen from corroding the light emitting device, The purpose of ensuring the display life, while having the traditional overlay in the cover window (cover window) The protective effect of the lower layer structure.
  • the thickness of the first hardened layer H1 is similar to the thickness of the third hardened layer H3.
  • the thickness of the first hardened layer H1 is 2 ⁇ m.
  • the thickness of the second hardened layer H2 is 5 ⁇ m.
  • the thickness of the third hardened layer H3 is 2 ⁇ m.
  • FIG. 2 shows a schematic structural diagram of a display panel according to an embodiment of the present disclosure.
  • the difference between the window film encapsulation layer 200 of the display panel 20 and the film encapsulation layer 100 is that the film encapsulation layer 200 further includes a fourth inorganic layer 122 disposed on the third hardened layer H3, and a fourth hardened layer H4 is disposed on the Above the fourth inorganic layer 122, the effect of enhancing the strength of the window-type film packaging structure is further achieved.
  • the thickness of the fourth hardened layer H4 is 10 ⁇ m.
  • the fourth hardened layer H4 is formed by a UV cross-linking curing method.
  • the fourth hardened layer H4 includes a nano anti-fingerprint layer, which further achieves the effect of making the surface of the fourth hardening layer H4 smoother and reducing fingerprint residue.
  • the fourth hardened layer H4 further includes a nano-scale antistatic and hydrophobic coating.
  • a touch control layer and a color film layer are further provided between the third hardened layer H3 and the second hardened layer H2.
  • FIG. 3 shows a schematic diagram of the structure of a display panel according to an embodiment of the present disclosure.
  • the display panel 300 also includes a dam material layer DAM.
  • the dam material layer DAM is disposed on the first inorganic layer 111, the first hardened layer H1, the second inorganic layer 121, and the organic planarization layer. O1, the second hardened layer H2, the third inorganic layer 112, the third hardened layer H3, and the side edges of the fourth inorganic layer 122, to further prevent water vapor and oxygen from overflowing.
  • FIG. 4 shows a schematic flow chart of a method for manufacturing a display panel according to an embodiment of the present disclosure.
  • the present invention also provides a method for manufacturing a display panel, including:
  • Process S1 forming a substrate, a TFT device layer, and a light emitting device layer.
  • Process S2 forming a first inorganic layer.
  • Process S3 forming a first hardened layer on the first inorganic layer.
  • Process S4 forming a second inorganic layer on the first hardened layer.
  • Process S5 forming an organic planarization layer on the second inorganic layer.
  • Process S6 disposing a second hardening layer on the organic planarization layer.
  • Process S7 A third inorganic layer is provided on the second hardened layer.
  • Process S8 A third hardened layer is provided on the third inorganic layer.
  • the display panel manufacturing method further includes forming a dam material layer DAM, which is formed on the first inorganic layer 111, the first hardened layer H1, and the second The side edges of the two inorganic layers 121, the organic planarization layer O1, the second hardened layer H2, the third inorganic layer 112, and the third hardened layer H3 achieve the effect of further blocking moisture and oxygen from overflowing.
  • a dam material layer DAM which is formed on the first inorganic layer 111, the first hardened layer H1, and the second The side edges of the two inorganic layers 121, the organic planarization layer O1, the second hardened layer H2, the third inorganic layer 112, and the third hardened layer H3 achieve the effect of further blocking moisture and oxygen from overflowing.
  • it further includes a fourth inorganic layer formed on the third hardened layer H3. After the fourth inorganic layer is formed, a fourth hardened layer is formed on the fourth inorganic layer.
  • the dam material layer DAM is also formed on the side edges of the fourth inorganic layer and the fourth hardened layer.
  • the fourth hardened layer is formed by coating on the fourth inorganic layer by a coating method and performing UV cross-linking and curing.
  • the display panel is also evaluated for silicon-based organic matter.
  • a dam material layer DAM is provided. DAM is formed on the first inorganic layer 111, the first hardened layer H1, the second inorganic layer 121, the organic planarization layer O1, the second hardened layer H2, the third inorganic layer 112 , The side edges of the third hardened layer H3 and the fourth inorganic layer 122; when the silicon-based organic material passes the evaluation, the dam material layer DAM is not provided.
  • FIG. 5 shows a schematic structural diagram of a display panel 50 according to an embodiment of the present disclosure.
  • the present invention further provides a display panel 50, which includes a metal layer M1; a connection layer A1 disposed above the metal layer M1; an organic light emitting diode display device layer D1 disposed above the connection layer; And the thin film encapsulation layer 100 is disposed above the organic light emitting diode display device layer D1.
  • the thin-film encapsulation layer provided in the display panel 50 is not limited to the thin-film encapsulation layer 100, but includes the thin-film encapsulation layer of any of the above-mentioned embodiments.
  • the metal layer M1 By providing the metal layer M1, the overall support of the display panel 50 is achieved, and the effect of restoring the flatness of the display panel 50 after bending is assisted.
  • the thickness of the metal layer M1 is more than three times the thickness of the fourth hardened layer H4.
  • the thickness of the metal layer M1 is 30 ⁇ m.
  • the constituent material of the metal layer M1 includes stainless steel (SUS).
  • the display panel 50 is an organic light emitting diode display panel.
  • the display panel includes a substrate, a TFT device layer, a light emitting device layer, and a thin film encapsulation layer, wherein the thin film encapsulation layer includes a first inorganic layer; a first hardened layer is disposed on the On the first inorganic layer; the second inorganic layer is arranged on the first hardened layer; the organic planarization layer is arranged on the second inorganic layer; the second hardened layer is arranged on the organic planarized layer ; A third inorganic layer, disposed on the second hardened layer; and a third hardened layer, disposed on the third inorganic layer, so as to achieve both the cover window and the package structure characteristics, and achieve the effect of ultra-thin package .

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一种显示面板及其制造方法,所述显示面板包括基板，TFT器件层、发光器件层和薄膜封装层，其中薄膜封装层包括第一无机层；第一硬化层，设置在所述第一无机层上；第二无机层，设置在所述第一硬化层上；有机平坦化层，设置在所述第二无机层上；第二硬化层，设置在所述有机平坦化层上；第三无机层，设置在所述第二硬化层上；以及第三硬化层，设置在所述第三无机层上，从而达到同时具备覆盖窗与封装结构特性，并实现超薄封装的效果。

Description

显示面板及其制造方法 技术领域
本揭示涉及显示技术领域,具体涉及显示面板及其制造方法。
 背景技术
柔性有机发光二极管显示技术因具有可弯折及可卷曲等特点，而能够将产品做成多种弯折或卷曲形态。从而备受市场关注，成为未来显示发展的主流。
为满足柔性显示的发展及更高弯折性能的要求，同时使得触摸层不再单独出现在模组的叠构结构中，研究人员不断努力减薄显示面板结构，以提供市场更加轻薄有利于使用者携带，以及具有较佳弯折特性的显示面板。
但是，有机发光二极管显示面板对水汽和氧气非常敏感，电极的老化、激子的淬灭，无一不是导致器件寿命减短、效率降低的直接原因。因此，有机发光二极管显示面板的设计变得更加重要。
故,有需要提供一种显示面板及其制造方法,以解决现有技术存在的问题。
 技术问题
有机发光二极管显示面板对水汽和氧气非常敏感，电极的老化、激子的淬灭，无一不是导致器件寿命减短、效率降低的直接原因。因此，有机发光二极管显示面板的设计变得更加重要。
 技术解决方案
为解决上述问题,本揭示提出一种显示面板及其制造方法，达到同时具备覆盖窗与封装结构特性，并实现超薄封装的效果。
为达成上述目的，本发明提供一种显示面板，其包括:基板、薄膜晶体管(thin film transistor, TFT)器件层、发光器件层和薄膜封装层，其中所述薄膜封装层包括:第一无机层；第一硬化层，设置在所述第一无机层上；第二无机层，设置在所述第一硬化层上；有机平坦化层，设置在所述第二无机层上；第二硬化层，设置在所述有机平坦化层上；第三无机层，设置在所述第二硬化层上；以及第三硬化层，设置在所述第三无机层上。
于本揭示的一实施例中，还包含坝体材料层，所述坝体材料层设置在所述第一无机层、所述第一硬化层、所述第二无机层、所述有机平坦化层、所述第二硬化层、所述第三无机层及所述第三硬化层的侧边缘。
于本揭示的一实施例中，还包含第四无机层，设置在所述第三硬化层上；以及第四硬化层，设置在所述第四无机层上方。
于本揭示的一实施例中，所述第四硬化层包含纳米抗指纹层。
于本揭示的一实施例中，所述第二硬化层的厚度大于所述第一硬化层的厚度及第三硬化层的厚度。
于本揭示的一实施例中，所述第一无机层构成的材料包含氮化硅。
于本揭示的一实施例中，所述第二无机层构成的材料包含氧化硅。
于本揭示的一实施例中，所述第三无机层构成的材料包含氮化硅。
于本揭示的一实施例中，所述第三硬化层和所述第二硬化层之间还设置有触控层和彩膜层。
于本揭示的一实施例中，所述薄膜封装层设置在所述发光器件层的阴极上方。
为达成上述目的，本发明还提供一种显示面板制造方法，包括:形成基板，TFT器件层，发光器件层及薄膜封装层，其中所述薄膜封装层的形成流程包含:形成第一无机层；在所述第一无机层上形成第一硬化层；在所述第一硬化层上形成第二无机层；在所述第二无机层上形成有机平坦化层；在所述有机平坦化层上形成第二硬化层；在所述第二硬化层上形成第三无机层；以及在所述第三无机层上形成第三硬化层。
于本揭示的一实施例中，所述窗型薄膜封装结构制造方法还包含形成坝体材料层，所述坝体材料层形成在所述第一无机层、所述第一硬化层、所述第二无机层、所述有机平坦化层、所述第二硬化层、所述第三无机层、所述第三硬化层的侧边缘。
于本揭示的一实施例中，还包含在所述第三硬化层上形成第四无机层。
于本揭示的一实施例中，还包含在所述第四无机层上方形成第四硬化层。
于本揭示的一实施例中，其中坝体材料层还形成在所述第四无机层与所述第四硬化层的侧边缘。
于本揭示的一实施例中，其中所述第四硬化层是通过涂布方法涂布于第四无机层上方，并进行UV交联固化形成。
为达成上述目的，本发明还提供一种显示面板，其包括:金属层；连接层，设置在所述金属层上方；有机发光二极管显示装置层，设置在所述连接层上方；以及所述薄膜封装层，设置在所述有机发光二极管显示装置层上方，其中所述薄膜封装层包括:第一无机层；第一硬化层，设置在所述第一无机层上；第二无机层，设置在所述第一硬化层上；有机平坦化层，设置在所述第二无机层上；第二硬化层，设置在所述有机平坦化层上；第三无机层，设置在所述第二硬化层上；以及第三硬化层，设置在所述第三无机层上。
于本揭示的一实施例中，其还包含坝体材料层，所述坝体材料层设置在所述第一无机层、所述第一硬化层、所述第二无机层、所述有机平坦化层、所述第二硬化层、所述第三无机层及所述第三硬化层的侧边缘。
于本揭示的一实施例中，其还包含第四无机层，设置在所述第三硬化层上；以及第四硬化层，设置在所述第四无机层上方。
于本揭示的一实施例中，所述金属层的厚度为所述第四硬化层的厚度的三倍以上。
由于本揭示提供的显示面板及其制造方法,所述显示面板包括基板，TFT器件层、发光器件层和薄膜封装层，其中薄膜封装层包括第一无机层；第一硬化层，设置在所述第一无机层上；第二无机层，设置在所述第一硬化层上；有机平坦化层，设置在所述第二无机层上；第二硬化层，设置在所述有机平坦化层上；第三无机层，设置在所述第二硬化层上；以及第三硬化层，设置在所述第三无机层上，从而达到具备传统叠构中覆盖窗保护下层叠构的特性，更进一步隔绝水汽和氧气不侵蚀发光器件、保证显示寿命，以及简化了制造工艺并减小生产成本，实现超薄封装的效果。
为让本揭示的上述内容能更明显易懂,下文特举优选实施例,并配合所附图式,作详细说明如下：
 有益效果
由于本揭示提供的显示面板及其制造方法,所述显示面板包括基板，TFT器件层、发光器件层和薄膜封装层，其中薄膜封装层包括第一无机层；第一硬化层，设置在所述第一无机层上；第二无机层，设置在所述第一硬化层上；有机平坦化层，设置在所述第二无机层上；第二硬化层，设置在所述有机平坦化层上；第三无机层，设置在所述第二硬化层上；以及第三硬化层，设置在所述第三无机层上，从而达到具备传统叠构中覆盖窗保护下层叠构的特性，更进一步隔绝水汽和氧气不侵蚀发光器件、保证显示寿命，以及简化了制造工艺并减小生产成本，实现超薄封装的效果。
 附图说明
图1显示根据本揭示的一实施例的显示面板的结构示意图。
图2显示根据本揭示的一实施例的显示面板的结构示意图。
图3显示根据本揭示的一实施例的显示面板的结构示意图。
图4显示根据本揭示的一实施例的显示面板制作方法的流程示意图。
图5显示根据本揭示的一实施例的显示面板的结构示意图。
 本发明的最佳实施方式
以下实施例的说明是参考附加的图示,用以例示本揭示可用以实施的特定实施例。本揭示所提到的方向用语,例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本揭示,而非用以限制本揭示。
在图中,结构相似的单元是以相同标号表示。
请参阅图1，图1显示根据本揭示的一实施例的显示面板的结构示意图。其中，显示面板10包括基板S1、TFT器件层T1、发光器件层D1以及薄膜封装层100，其中所述薄膜封装层100包括第一无机层111，第一无机层111设置在发光器件层D1上方；设置在第一无机层111上的第一硬化层H1；设置在第一硬化层H1上的第二无机层121；设置在第二无机层121上的有机平坦化层O1；设置在有机平坦化层O1上的第二硬化层H2；设置在第二硬化层上H2的第三无机层112以及设置在第三无机层112上的第三硬化层H3。
于本揭示的一实施例中，所述第一无机层111包含氮化硅。
于本揭示的一实施例中，所述第二无机层121包含氧化硅。
于本揭示的一实施例中，所述第三无机层112包含氮化硅。
于本揭示的一实施例中，通过选用恢复性能、弹性和光学性能良好的有机硅构成有机平坦化层O1，以达到平坦化封装结构以及加强缓解应力的效果。
于本揭示的一实施例中，薄膜封装层100设置在发光器件层的阴极上方。
于本揭示的一实施例中，第二硬化层H2的厚度大于第一硬化层H1的厚度及第三硬化层H3的厚度，使封装层不仅仅只起到隔绝水汽和氧气不侵蚀发光器件、保证显示寿命的目的，同时具备传统叠构中覆盖窗(cover window)对下层叠构的保护作用。
于本揭示的一实施例中，第一硬化层H1的厚度与第三硬化层H3的厚度相近。
于本揭示的一实施例中，第一硬化层H1的厚度为2μm。
于本揭示的一实施例中，第二硬化层H2的厚度为5μm。
于本揭示的一实施例中，第三硬化层H3的厚度为2μm。
请参阅图2，图2显示根据本揭示的一实施例的显示面板的结构示意图。显示面板20的窗薄膜封装层200与薄膜封装层100的差异在于，薄膜封装层200还包含第四无机层122，设置在所述第三硬化层H3上，以及第四硬化层H4，设置在第四无机层122上方，进一步达到加强窗型薄膜封装结构强度的效果。
于本揭示的一实施例中，第四硬化层H4的厚度为10μm。
于本揭示的一实施例中，第四硬化层H4是通过UV交联固化方法形成。
于本揭示的一实施例中，所述第四硬化层H4包含纳米抗指纹层，进一步达到使第四硬化层H4表面更加平滑，以及减少指纹残留的效果。
于本揭示的一实施例中，所述第四硬化层H4还包含纳米级的抗静电疏水镀层。
于本揭示的一实施例中，所述第三硬化层H3和所述第二硬化层H2之间还设置有触控层和彩膜层。
请参阅图3，图3显示根据本揭示的一实施例的显示面板的结构示意图。在显示面板300中还包含坝体材料层DAM，坝体材料层DAM设置在所述第一无机层111、所述第一硬化层H1、所述第二无机层121、所述有机平坦化层O1、所述第二硬化层H2、所述第三无机层112、所述第三硬化层H3及所述第四无机层122的侧边缘，达到进一步阻隔水汽、氧气溢出。
请参阅图4，图4显示根据本揭示的一实施例的显示面板制造方法的流程示意图。如图所示，本发明还提供一种显示面板制造方法，包括:
流程S1: 形成基板，TFT器件层，发光器件层。
流程S2: 形成第一无机层。
流程S3: 在所述第一无机层上形成第一硬化层。
流程S4: 在所述第一硬化层上形成第二无机层。
流程S5: 在所述第二无机层上形成有机平坦化层。
流程S6: 在所述有机平坦化层上设置第二硬化层。
流程S7: 在所述第二硬化层上设置第三无机层。
流程S8: 在所述第三无机层上设置第三硬化层。
于本揭示的一实施例中，所述显示面板制造方法还包含形成坝体材料层DAM，坝体材料层DAM形成在所述第一无机层111、所述第一硬化层H1、所述第二无机层121、所述有机平坦化层O1、所述第二硬化层H2、所述第三无机层112及所述第三硬化层H3的侧边缘，达到进一步阻隔水汽、氧气溢出的效果。
于本揭示的一实施例中，还包含第四无机层，形成在第三硬化层上H3上，在形成第四无机层后，在第四无机层上方形成第四硬化层。
于本揭示的一实施例中，坝体材料层DAM还形成在所述第四无机层与第四硬化层的侧边缘。
于本揭示的一实施例中，第四硬化层是通过涂布方法涂布于第四无机层上方，并进行UV交联固化的方法形成。
于本揭示的一实施例中，在形成所述第四无机层后还对显示面板进行硅系有机物评估，当所述硅系有机物评估未通过，则设置坝体材料层DAM，坝体材料层DAM形成在所述第一无机层111、所述第一硬化层H1、所述第二无机层121、所述有机平坦化层O1、所述第二硬化层H2、所述第三无机层112、所述第三硬化层H3及所述第四无机层122的侧边缘；当所述硅系有机物评估通过，则不设置所述坝体材料层DAM。
请参阅图5，图5显示根据本揭示的一实施例的显示面板50的结构示意图。如图所示，本发明再提供一种显示面板50，其包括金属层M1；连接层A1，设置在所述金属层M1上方；有机发光二极管显示装置层D1，设置在所述连接层上方；以及所述薄膜封装层100，设置在所述有机发光二极管显示装置层D1上方。
进一步说明，在显示面板50中所设置的薄膜封装层不限于薄膜封装层100，而是包含如上所述的任一种实施例的薄膜封装层。
通过设置金属层M1，达到显示面板50的整体支撑性，辅助显示面板50弯折后恢复平整的效果。
于本揭示的一实施例中，金属层M1的厚度为所述第四硬化层H4的厚度的三倍以上。
于本揭示的一实施例中，金属层M1的厚度为30μm。
于本揭示的一实施例中，金属层M1的构成材料包含不锈钢SUS（Stainless Steel）。
于本揭示的一实施例中，所述显示面板50为有机发光二极管显示面板。
由于本揭示提供的显示面板及其制造方法,所述显示面板包括基板，TFT器件层、发光器件层和薄膜封装层，其中薄膜封装层包括第一无机层；第一硬化层，设置在所述第一无机层上；第二无机层，设置在所述第一硬化层上；有机平坦化层，设置在所述第二无机层上；第二硬化层，设置在所述有机平坦化层上；第三无机层，设置在所述第二硬化层上；以及第三硬化层，设置在所述第三无机层上，从而达到同时具备覆盖窗与封装结构特性，并实现超薄封装的效果。
以上仅是本揭示的优选实施方式,应当指出,对于本领域普通技术人员,在不脱离本揭示原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本揭示的保护范围。

Claims (20)

  1. 一种显示面板，其包括:
    基板，TFT器件层，发光器件层和薄膜封装层，其中所述薄膜封装层包括:
    第一无机层；
    第一硬化层，设置在所述第一无机层上；
    第二无机层，设置在所述第一硬化层上；
    有机平坦化层，设置在所述第二无机层上；
    第二硬化层，设置在所述有机平坦化层上；
    第三无机层，设置在所述第二硬化层上；以及
    第三硬化层，设置在所述第三无机层上。
  2. 如权利要求1所述的显示面板,其还包含坝体材料层，所述坝体材料层设置在所述第一无机层、所述第一硬化层、所述第二无机层、所述有机平坦化层、所述第二硬化层、所述第三无机层及所述第三硬化层的侧边缘。
  3. 如权利要求1所述的显示面板,其还包含第四无机层，设置在所述第三硬化层上；以及
    第四硬化层，设置在所述第四无机层上方。
  4. 如权利要求3所述的显示面板,其中所述第四硬化层包含纳米抗指纹层。
  5. 如权利要求1所述的显示面板,其中所述第二硬化层的厚度大于所述第一硬化层的厚度及第三硬化层的厚度。
  6. 如权利要求1所述的显示面板，其中所述第一无机层构成的材料包含氮化硅。
  7. 如权利要求1所述的显示面板，其中所述第二无机层构成的材料包含氧化硅。
  8. 如权利要求1所述的显示面板，其中所述第三无机层构成的材料包含氮化硅。
  9. 如权利要求1所述的显示面板，其中所述第三硬化层和所述第二硬化层之间还设置有触控层和彩膜层。
  10. 如权利要求1所述的显示面板，其中所述薄膜封装层设置在所述发光器件层的阴极上方。
  11. 一种显示面板制造方法,其包括:
    形成基板，TFT器件层，发光器件层；
    形成薄膜封装层，其中所述薄膜封装层的形成流程包含:
    形成第一无机层；
    在所述第一无机层上形成第一硬化层；
    在所述第一硬化层上形成第二无机层；
    在所述第二无机层上形成有机平坦化层；
    在所述有机平坦化层上形成第二硬化层；
    在所述第二硬化层上形成第三无机层；以及
    在所述第三无机层上形成第三硬化层。
  12. 如权利要求11所述的显示面板制造方法,其还包含形成坝体材料层，所述坝体材料层形成在所述第一无机层、所述第一硬化层、所述第二无机层、所述有机平坦化层、所述第二硬化层、所述第三无机层、所述第三硬化层的侧边缘。
  13. 如权利要求11所述的显示面板制造方法,其还包含在所述第三硬化层上形成第四无机层。
  14. 如权利要求13所述的显示面板制造方法，其还包含在所述第四无机层上方形成第四硬化层。
  15. 如权利要求14所述的显示面板制造方法，其中坝体材料层还形成在所述第四无机层与所述第四硬化层的侧边缘。
  16. 如权利要求13所述的显示面板制造方法，其中所述第四硬化层是通过涂布方法涂布于第四无机层上方，并进行UV交联固化形成。
  17. 一种显示面板，其包括:
    金属层；
    连接层，设置在所述金属层上方；
    有机发光二极管显示装置层，设置在所述连接层上方；以及
    薄膜封装层，设置在所述有机发光二极管显示装置层上方；
    其中所述薄膜封装层包括:
    第一无机层；
    第一硬化层，设置在所述第一无机层上；
    第二无机层，设置在所述第一硬化层上；
    有机平坦化层，设置在所述第二无机层上；
    第二硬化层，设置在所述有机平坦化层上；
    第三无机层，设置在所述第二硬化层上；以及
    第三硬化层，设置在所述第三无机层上。
  18. 如权利要求17所述的显示面板，其还包含坝体材料层，所述坝体材料层设置在所述第一无机层、所述第一硬化层、所述第二无机层、所述有机平坦化层、所述第二硬化层、所述第三无机层及所述第三硬化层的侧边缘。
  19. 如权利要求17所述的显示面板，其还包含第四无机层，
    设置在所述第三硬化层上；以及
    第四硬化层，设置在所述第四无机层上方。
  20. 如权利要求19所述的显示面板，其中所述金属层的厚度为所述第四硬化层的厚度的三倍以上。
PCT/CN2019/127103 2019-09-25 2019-12-20 显示面板及其制造方法 WO2021056876A1 (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/638,761 US11316132B2 (en) 2019-09-25 2019-12-20 Display device with multiple hardening layers and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910911614.8 2019-09-25
CN201910911614.8A CN110729330A (zh) 2019-09-25 2019-09-25 显示面板及其制造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2021056876A1 true WO2021056876A1 (zh) 2021-04-01

Family

ID=69219417

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/CN2019/127103 WO2021056876A1 (zh) 2019-09-25 2019-12-20 显示面板及其制造方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN110729330A (zh)
WO (1) WO2021056876A1 (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160369131A1 (en) * 2015-06-22 2016-12-22 Samsung Display Co., Ltd. Display device
CN107464828A (zh) * 2017-07-10 2017-12-12 武汉天马微电子有限公司 Oled显示面板及显示装置
CN107507846A (zh) * 2017-07-25 2017-12-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled显示器及其制程
CN108269827A (zh) * 2017-01-03 2018-07-10 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 薄膜封装结构、柔性显示面板、及薄膜封装结构制作方法
CN109285958A (zh) * 2017-07-19 2019-01-29 上海和辉光电有限公司 有机发光显示装置及制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160369131A1 (en) * 2015-06-22 2016-12-22 Samsung Display Co., Ltd. Display device
CN108269827A (zh) * 2017-01-03 2018-07-10 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 薄膜封装结构、柔性显示面板、及薄膜封装结构制作方法
CN107464828A (zh) * 2017-07-10 2017-12-12 武汉天马微电子有限公司 Oled显示面板及显示装置
CN109285958A (zh) * 2017-07-19 2019-01-29 上海和辉光电有限公司 有机发光显示装置及制备方法
CN107507846A (zh) * 2017-07-25 2017-12-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled显示器及其制程

Also Published As

Publication number Publication date
CN110729330A (zh) 2020-01-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7671364B2 (en) Thin film transistor substrate for display unit
WO2019037220A1 (zh) 柔性盖板及其制作方法、柔性oled显示装置
WO2018086191A1 (zh) Oled显示器及其制作方法
WO2020000609A1 (zh) 显示面板及其制造方法
WO2017020372A1 (zh) 柔性显示屏的制作方法、柔性玻璃基板及柔性显示屏
US20200044190A1 (en) Method for encapsulating display substrate and display device
US11258038B2 (en) Flexible organic light-emitting diode (OLED) device of reduced stess at bending place and fabrication method thereof
US11322718B2 (en) Flexible display panel and preparation method
CN104681579B (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
JP2019522224A (ja) フレキシブル表示パネル、フレキシブル表示パネルを有するフレキシブル表示装置、並びにその製造方法
WO2019237644A1 (zh) 一种柔性有机发光二极管显示器及其制作方法
KR102116035B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 제조 방법
WO2021068337A1 (zh) 显示面板及显示装置
WO2020206980A1 (zh) 柔性oled显示装置及制备方法
JP2017208254A (ja) 表示装置及びその製造方法
WO2017166330A1 (zh) 石墨烯液晶显示装置、石墨烯发光元件及其制作方法
WO2020228235A1 (zh) 阵列基板及其制备方法、柔性显示面板
WO2020155380A1 (zh) Oled折叠显示屏
WO2019127702A1 (zh) Oled面板及其制作方法
WO2020181569A1 (zh) 显示面板的制作方法、显示面板及电子设备
US10923677B2 (en) Film structure, display device and method for fabricating the film structure
WO2020124805A1 (zh) 显示屏及显示装置
WO2020113829A1 (zh) 一种显示装置及其封装方法
WO2020181587A1 (zh) 显示面板的制作方法、显示面板及电子设备
WO2021159574A1 (zh) 一种柔性显示面板、显示装置及显示装置制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19946959

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19946959

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1