WO2020231077A1 - 불요 공진 억제 기능을 가지는 기지국 안테나 방사체 - Google Patents

불요 공진 억제 기능을 가지는 기지국 안테나 방사체 Download PDF

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WO2020231077A1
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balun substrate
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엥흐바야르바양뭉흐
김호용
곽은혁
태재훈
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주식회사 에이스테크놀로지
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    • H01Q9/0407—Substantially flat resonant element parallel to ground plane, e.g. patch antenna
    • H01Q9/045—Substantially flat resonant element parallel to ground plane, e.g. patch antenna with particular feeding means
    • H01Q9/0457—Substantially flat resonant element parallel to ground plane, e.g. patch antenna with particular feeding means electromagnetically coupled to the feed line

Definitions

  • the present invention relates to a base station antenna radiator, and more particularly, to a base station antenna radiator having an unnecessary resonance suppression function.
  • the base station antenna is an antenna installed in the base station that transmits and receives signals to and from terminals within a preset radius.
  • a relatively high frequency band is used for communication, and a multi-band radiation characteristic is required for the base station antenna. For this reason, a plurality of radiators radiating in different frequency bands are placed together in one base station antenna. have.
  • the radiation frequency of the base station antenna is determined by the size of the radiator of the antenna.
  • the power supply and impedance matching are performed by a metal pattern, a problem arises that the boundary between the radiator and the power supply line is ambiguous.
  • a radiator for high-frequency radiation and a radiator for low-frequency radiation are included in one antenna device, due to this ambiguity, a signal radiated from the low-frequency radiator is induced by the high-frequency radiator and resonates.
  • the size of the high-frequency radiator is set appropriately for high-frequency, but unnecessary resonance occurs because the feed pattern and the radiator are combined.
  • a structure using a double reflector has been proposed, but this structure increases the size of the antenna. There was a problem to let you.
  • FIG. 1 is a view showing the structure of a top surface of a balun substrate used in a conventional base station antenna radiator
  • FIG. 2 is a view showing a structure of a lower surface of a balun substrate used in a conventional base station antenna radiator.
  • a feed line 100 is formed on an upper surface of a conventional balun substrate, and the feed line 100 receives a feed signal using a cable or the like.
  • a first feed pattern 200 and a second feed pattern 210 are formed on the lower surface of the balun substrate, and the first feed pattern 200 and the second feed pattern 210 are independently coupled from the feed line 100. Receives ring power and provides a feed signal to the radiator (not shown), and the first end of the first feed pattern 200 and the second feed pattern 210 is electrically connected to the radiator, and the second end is grounded such as a reflector. It is electrically connected to an element with an electric potential.
  • the structure of the conventional balun substrate has a problem of generating unnecessary resonance in a low frequency band in a high frequency radiator.
  • the present invention proposes a base station antenna radiator structure capable of suppressing unwanted resonance in a base station antenna provided with a low-frequency radiator and a high-frequency radiator.
  • the power supply line on the upper surface, the first C-coupling member disposed to be spaced apart from the power supply line, and connected to the first C-coupling member A first inductive filter line having a narrower width than the first C-coupling member is formed, and a third C-coupling member and the first induct opposing the first C-coupling member on a lower surface thereof
  • a first balun substrate on which a third inductive filter line is formed that is electrically connected to the TV filter line through a first via hole and is connected to the third C-coupling member, and is placed perpendicular to the reflector;
  • the first balun substrate and the second balun substrate include a first protrusion protruding upward, and the first protrusion protrudes onto the radiation substrate through a slot formed in the radiation substrate.
  • a first extension part extending along the first protrusion is formed in the first C-coupling member and is electrically connected to the radiation patch.
  • the first substrate and the second substrate include a second protrusion protruding downward, and a third extension part of the third C-coupling member extends along the second protrusion to have the reflector or the ground potential. It is electrically connected to the element.
  • a +45 degree polarized signal is supplied to the feed line of the first balun substrate, and a -45 degree polarized signal is supplied to the feed line of the second balun substrate.
  • a second C-coupling member and the second C-coupling member are spaced apart from the first C-coupling member and have a symmetrical structure with the first C-coupling member on an upper surface of the first balun substrate.
  • a second inductive filter line is further formed that is connected and has a narrower width than the second C-coupling member and has a symmetrical structure with the first inductive filter line.
  • a fourth C-coupling member and the fourth C-coupling member are spaced apart from the third C-coupling member and have a symmetric structure with the third C-coupling member on the lower surface of the first balun substrate,
  • a fourth inductive filter line that is connected, is electrically connected to the second inductive filter line through a second via hole, and has a symmetrical structure with the third inductive filter line is further formed.
  • a power supply line on an upper surface a first C-coupling member disposed to be spaced apart from the power supply line, and the power supply line and the first C-coupling member, and the first C- A second C-coupling member having a symmetrical structure with the coupling member is formed, and the third C-coupling member and the second C-coupling member opposing the first C-coupling member are formed on a lower surface thereof.
  • FIG. 1 is a view showing the top surface structure of a balun substrate used in a conventional base station antenna radiator.
  • FIG. 2 is a view showing the structure of a lower surface of a balun substrate used in a conventional base station antenna radiator.
  • FIG. 3 is a perspective view showing the structure of a base station antenna radiator according to an embodiment of the present invention.
  • FIG 4 is a perspective view of a state in which the upper radiating substrate is removed from the base station antenna radiator according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a view showing a top surface structure of a first balun substrate according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a diagram showing a structure of a lower surface of a first balun substrate according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a view showing a top surface structure of a second balun substrate according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a view showing a lower surface structure of a second balun substrate according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a diagram showing the structure of a base station antenna using a radiator of the base station antenna according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a perspective view showing the structure of a base station antenna radiator according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a perspective view showing a structure of a base station antenna radiator according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 4 is a perspective view illustrating a state in which an upper radiating substrate is removed from the base station antenna radiator according to an embodiment of the present invention.
  • a base station antenna radiator according to an embodiment of the present invention includes a radiation substrate 300, a first balun substrate 310, and a second balun substrate 320.
  • the radiation substrate 300 performs a function of radiating an RF signal in the base station antenna radiator according to an embodiment of the present invention, and at least one radiation patch 325 for radiating the RF signal is formed on the radiation substrate 300. .
  • the radiation patch 325 is formed on the upper surface of the radiation substrate 300, and for example, four radiation patches are formed. It will be apparent to those skilled in the art that the number of radiating patches and the shape of the radiating patches can be variously changed based on the required radiating pattern and resonant frequency.
  • the first balun substrate 310 and the second balun substrate 320 provide a feed signal to the radiation patch 325 and perform impedance matching.
  • the first balun substrate 310 and the second balun substrate 320 are vertically placed on a reflector (not shown) of the base station antenna, and a feed signal is transmitted to the first balun substrate 310 and the second balun substrate 320. Is provided.
  • the first balun substrate 310 and the second balun substrate 320 are vertically placed on a reflecting plate (not shown) so as to cross each other to form a cross shape.
  • a reflecting plate for example, slots for crossing the first balun substrate 310 and the second balun substrate 320 may be formed in a cross shape.
  • the radiation substrate 300 is coupled to the upper portion of the first balun substrate 310 and the second balun substrate 320 and is positioned parallel to the reflector (not shown).
  • Metal patterns for supplying a +45 degree polarized signal and impedance matching are formed on the upper and lower surfaces of the first balun substrate 310 by the radiation patch 325. Further, a metal pattern for supplying a -45 degree polarized signal and impedance matching is formed on the upper and lower surfaces of the second balun substrate 320 by the radiation patch 325.
  • first balun substrate 310 and the second balun substrate 320 have substantially the same type of metal pattern, and if necessary, the structure of the metal pattern formed on both substrates may be different.
  • the radiation patch 325 formed on the radiation substrate 300 simultaneously emits a +45 degree polarized signal and a -45 degree polarized signal provided through the first balun substrate 310 and the second balun substrate 320.
  • the conventional base station antenna radiator as shown in FIG. 1 is a radiator set to emit a high-frequency signal relative to a low-frequency radiator, or a signal radiated from the low-frequency radiator due to various causes is a high-frequency radiator (a base station antenna radiator shown in FIG. 1). There was a problem that unnecessary resonance occurs due to the induced resonance.
  • the main cause of such unnecessary resonance is that the overall length of the metal pattern for power feeding and impedance matching formed on the radiation patch and the balun substrate is similar to the radiation frequency of the low-frequency radiator, resulting in low-frequency resonance.
  • the low-frequency resonance of the high-frequency radiator should be suppressed, but the conventional base station antenna radiator as shown in FIG. 1 has a problem in that the resonance of the low-frequency signal cannot be properly suppressed.
  • the present invention proposes a power supply and impedance matching structure of the balun substrates 310 and 320 capable of suppressing unintended low-frequency resonance in order to solve such a problem, and the proposed power supply and impedance matching structure is a first balun substrate ( 310) and the second balun substrate 320 are formed on upper and lower surfaces.
  • the base station antenna radiator according to the embodiment of the present invention as shown in FIG. 3 and a plurality of low-frequency radiators affecting the radiator of the present invention may be arranged while having an arrangement structure.
  • a phase shifter may be used as each radiator to adjust the phase of the signal to be fed.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating a structure of an upper surface of a first balun substrate according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 6 is a view illustrating a structure of a lower surface of a first balun substrate according to an embodiment of the present invention.
  • a power supply line 304 is formed on the upper surface of the first balun substrate 310.
  • the feed line 304 is electrically connected to the feed point 306.
  • the feed line 306 may partially have different widths, and this structure is for impedance matching.
  • the feed point 306 may be connected to an external cable or a metal pattern that provides a feed signal.
  • the feed point 306 may be connected to the inner core of the coaxial cable.
  • a first C-coupling member 500 and a second C-coupling member 510 are formed on the upper surface of the first balun substrate 310.
  • the first C-coupling member 500 and the second C-coupling member 510 have substantially the same structure. It is preferable that the first C-coupling member 500 and the second C-coupling member 510 are arranged in a horizontally symmetrical shape around a power supply line.
  • the first C-coupling member 500 and the second C-coupling member 510 are disposed to be spaced apart from the power supply line 304.
  • Two first protrusions 520 are formed upwardly on the first balun substrate 310 and four second protrusions 530 are formed downwardly.
  • the number of the protrusions 520 and 530 may be variously changed in consideration of the required characteristics and the size of the radiator.
  • the first C-coupling member 500 and the second C-coupling member 510 include a first extension part 502 and a second extension part 504 extending in the protruding direction of the first protrusion 520. Include.
  • the first protrusion 520 protrudes through a slot formed on the radiation substrate 300, and the extensions 502 and 504 of the first C-coupling member 500 and the second C-coupling member 520 are also It protrudes through the slot.
  • the first extension part 502 and the second extension part 504 are eventually electrically coupled to the radiation patch 325 formed on the radiation substrate 300, which is the first C-coupling member 500 and the second C -Means that the first end of the coupling member 510 is electrically coupled with the radiation patch 325.
  • the second ends of the first C-coupling member 500 and the second C-coupling member 510 are respectively coupled to the first inductive filter line 540 and the second inductive filter line 550 do.
  • the first inductive filter line 540 and the second inductive filter line 550 have a line-shaped metal pattern structure, and the first inductive filter line 540 has a first C -Has a narrower width compared to the coupling member 500, the second inductive filter line 550 has a narrower width compared to the second C-coupling member 510.
  • the first inductive filter line 540 and the second inductive filter line 550 preferably have a symmetrical structure, but are not limited thereto.
  • a first via hole 560 and a second via hole 570 are formed at an end of the first inductive filter line 540 and an end of the second inductive filter line 550, respectively.
  • a first slot 580 is formed in the central portion of the first balun substrate 310, and the first slot 580 is formed for orthogonal coupling between the first balun substrate 310 and the second balun substrate 320.
  • a third C-coupling member 600 and a fourth C-coupling member 610 are formed on the lower surface of the first balun substrate 310.
  • the third C-coupling member 600 and the fourth C-coupling member 610 are respectively formed on the left and right sides of the center of the first balun substrate 310. It is preferable that the third C-coupling member 600 and the fourth C-coupling member 610 have a symmetrical structure.
  • the third C-coupling member 600 on the lower surface of the substrate is positioned opposite the first C-coupling member 500 on the upper surface, and the fourth C-coupling member 610 on the lower surface of the substrate is It is located opposite to the second C-coupling member 510 of.
  • the third C-coupling member 600 includes a third extension 602 extending along the second protrusion 530 of the first balun substrate 310.
  • a third extension 602 extending along the second protrusion 530 of the first balun substrate 310.
  • two third extension parts 602 are shown, but the number of the third extension parts 602 may be changed according to required characteristics.
  • the third extension part 602 may be electrically connected to a reflector (not shown) or another element having a ground potential.
  • the fourth C-coupling member 610 includes a fourth extension part 604 extending along the second protrusion 530 of the first balun substrate 310.
  • the number of fourth extension parts 604 may also be changed according to required characteristics.
  • the fourth extension part 604 may also be electrically connected to a reflector (not shown) or another element having a ground potential.
  • the first C-coupling member 500 and the third C-coupling member 600 positioned opposite to each other operate as one capacitive filter.
  • the second C-coupling member 510 and the fourth C-coupling member 610 positioned to face each other also operate as one capacitive filter.
  • the first C-coupling member 500 operating as a capacitive filter is electrically connected to the radiation patch, and the third C-coupling member 600 opposite thereto is electrically connected to a reflector or an element having a ground potential. It is connected.
  • the second C-coupling member 510 is also directly connected to the radiation patch, and the fourth C-coupling member 610 opposite to the second C-coupling member 510 is electrically connected to a reflector or an element having a ground potential.
  • the structure of the present invention is different from that of the existing radiator of FIGS. 1 and 2 in which one member is connected to the radiator and the reflector.
  • the capacitive filter composed of the first C-coupling member 500 and the third C-coupling member 600 operates as a capacitive filter that passes a feed signal for a frequency band intended by the radiator of the present invention. do.
  • a third inductive filter line 640 and a fourth inductive filter line 650 are coupled to each of the third C-coupling member 600 and the fourth C-coupling member 610.
  • the third inductive filter line 640 is electrically connected to the first inductive filter line 540 on the upper surface through the first via hole 560.
  • the fourth inductive filter line 650 is electrically connected to the second inductive filter line 550 on the upper surface through the second via hole 570.
  • the third inductive filter line 640 has a narrower width than the third C-coupling member 600, and the fourth inductive filter line 650 is narrower than the fourth C-coupling member 610. Have a width.
  • the first inductive filter line 540 and the third inductive filter line 640 that are electrically connected function as one inductive filter, and the second inductive filter line 550 and the fourth inductance are electrically connected.
  • the creative filter line 650 functions as an inductive filter.
  • the resonance in the undesired frequency region is a capacitive filter composed of the first C-coupling member 500 and the third C-coupling member 600 or
  • the second C-coupling member 510 and the fourth C-coupling member 610 may be first blocked by a capacitive filter. However, resonance that is not blocked by only the capacitive filter is blocked by the inductive filter.
  • An inductive filter composed of a first inductive filter line 540 and a third inductive filter line 640 or an inductive filter composed of a second inductive filter line 550 and a fourth inductive filter line 650 The resonant frequency of the low-frequency resonance that may occur in the first balun substrate 310 is changed to a lower frequency, and thus, unnecessary resonance generated by the adjacent low-frequency radiator can be blocked.
  • a capacitive filter including a first C-coupling member 500 and a third C-coupling member 600, a first inductive filter line 540 and a third inductive filter line
  • the inductive filter made of 640 independently provides a feed signal to the radiation patch
  • An inductive filter comprising the inductive filter line 550 and the third inductive filter line 650 independently provides a feed signal to the radiation patch.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating a structure of an upper surface of a second balun substrate according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 8 is a view illustrating a structure of a lower surface of a second balun substrate according to an embodiment of the present invention.
  • the second balun substrate 320 shown in FIGS. 7 and 8 is a substrate for providing a power supply signal of -45 degree polarization, and the shape of the metal pattern formed on the second balun substrate 320 is the first balun substrate ( Since it is substantially the same as the metal pattern formed in 310), a description of the structure and function of the metal pattern will be omitted.
  • the second slot 780 formed in the second balun substrate 320 is formed at a position different from the first slot 580 of the first balun substrate 310.
  • the first balun substrate 310 and the second balun substrate 320 are orthogonally coupled through the first slot 580 and the second slot 780.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating a structure of a base station antenna using a radiator of the base station antenna according to an embodiment of the present invention.
  • a plurality of radiators are arranged on a reflector 900 of a base station antenna.
  • a +45 degree polarized signal and a -45 degree polarized signal are supplied to each of the plurality of radiators forming the array, and a phase shifter may be used to adjust the phase of the signal supplied to each of the plurality of radiators.
  • FIG. 10 is a perspective view showing the structure of a base station antenna radiator according to another embodiment of the present invention.
  • the base station antenna radiator according to another embodiment of the present invention shown in FIG. 10 additionally includes a parasitic patch support unit 1000 and a parasitic patch 1100 as compared to the base station antenna radiator shown in FIG. 3.
  • the parasitic patch 1100 is supported by the parasitic patch support unit 1000 and is disposed on the radiation substrate 300 and spaced apart from the radiation substrate 300.
  • the parasitic patch 1100 is preferably disposed above the central portion of the reflective substrate 300.
  • the parasitic patch 1100 may be disposed to improve isolation between polarizations.
  • the base station antenna radiator of the present invention uses double polarization feed and can improve the cross polarization ratio due to the parasitic patch 1100.
  • each component described as a single type may be implemented in a distributed manner, and similarly, components described as being distributed may also be implemented in a combined form.

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Abstract

불요 공진 억제 기능을 가지는 기지국 안테나 방사체가 제공된다. 개시된 기지국 안테나 방사체는, 상부면에 급전 선로, 상기 급전 선로와 이격되어 배치되는 제1 C-커플링 부재, 상기 제1 C-커플링 부재와 연결되고 상기 제1 C-커플링 부재에 비해 좁은 폭을 가지는 제1 인덕티브 필터 라인이 형성되며, 하부면에 상기 제1 C-커플링 부재에 대향하는 제3 C-커플링 부재 및 상기 제1 인덕티브 필터 라인과 제1 비아홀을 통해 전기적으로 연결되고 상기 제3 C-커플링 부재와 연결되는 제3 인덕티브 필터 라인이 형성되고 반사판에 대해 수직으로 놓여지는 제1 발룬 기판; 상기 제1 발룬 기판과 직교하여 결합되고 상기 반사판에 대해 수직으로 놓여지며 상기 제1 발룬 기판과 실질적으로 동일한 금속 패턴이 형성되는 제2 발룬 기판; 및 상기 제1 발룬 기판 및 상기 제2 발룬 기판상에 배치되어 상기 반사판에 대해 평행하게 놓여지며 상부면에 적어도 하나의 방사 패치가 형성되는 방사 기판을 포함하되, 상기 제1 C-커플링 부재의 종단은 상기 방사 패치와 전기적으로 연결되고, 상기 제3 C-커플링 부재의 종단은 상기 반사판 또는 접지 전위를 가지는 엘리먼트와 전기적으로 연결된다. 개시된 방사체는 저주파 방사체와 고주파 방사체가 함께 구비되는 기지국 안테나에서 불요 공진을 억제할 수 있는 장점이 있다.

Description

불요 공진 억제 기능을 가지는 기지국 안테나 방사체
본 발명은 기지국 안테나 방사체에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 불요 공진 억제 기능을 가지는 기지국 안테나 방사체에 관한 것이다.
기지국 안테나는 기지국에 설치되어 미리 설정된 반경 내에 있는 단말들과 신호를 송수신하는 안테나이다. 5G 시스템이 도입되면서 비교적 높은 주파수 대역이 통신에 사용되면서 기지국 안테나에 대해 다중 밴드 방사 특성이 요구되고 있으며 이로 인해 기지국 안테나에는 서로 다른 주파수 대역으로 방사하는 다수의 방사체가 하나의 기지국 안테나에 함께 배치되고 있다.
기지국 안테나의 방사 주파수는 안테나의 방사체 사이즈에 의해 결정된다. 그런데, 급전 및 임피던스 매칭이 금속 패턴에 의해 이루어질 경우 방사체와 급전 선로의 경계가 모호한 문제가 발생한다. 고주파 방사를 위한 방사체와 저주파 방사를 위한 방사체가 하나의 안테나 장치에 포함될 경우, 이러한 모호성으로 인해 저주파 방사체에서 방사되는 신호가 고주파 방사체에 유기되어 공진하는 문제가 발생하였다.
고주파 방사체의 사이즈는 고주파에 적합하게 설정되지만, 급전 패턴과 방사체가 결합되기에 불요 공진이 발생하며, 이러한 문제를 해소하기 위해 이중 반사판을 사용하는 구조가 제안되기도 하였으나 이러한 구조는 안테나의 사이즈를 증가시키는 문제가 있었다.
도 1은 종래의 기지국 안테나 방사체에 사용되는 발룬 기판의 상부면 구조를 나타낸 도면이고, 도 2는 종래의 기지국 안테나 방사체에 사용되는 발룬 기판의 하부면 구조를 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 종래의 발룬 기판의 상부면에는 급전 선로(100)가 형성되며, 급전 선로(100)는 케이블 등을 이용하여 급전 신호를 제공받는다.
발룬 기판의 하부면에는 제1 급전 패턴(200) 및 제2 급전 패턴(210)이 형성되며, 제1 급전 패턴(200) 및 제2 급전 패턴(210)은 독립적으로 급전 선로(100)로부터 커플링 급전을 받아 방사체(미도시)에 급전 신호를 제공하며, 제1 급전 패턴(200) 및 제2 급전 패턴(210)의 제1 종단은 방사체와 전기적으로 연결되고 제2 종단은 반사판과 같은 접지 전위를 가지는 엘리먼트에 전기적으로 연결된다.
이와 같은 종래의 발룬 기판의 구조는 앞서 설명한 바와 같이 고주파 방사체에서 저주파 대역의 불요 공진을 발생시키는 문제점이 있었다.
본 발명은 저주파 방사체와 고주파 방사체가 함께 구비되는 기지국 안테나에서 불요 공진을 억제할 수 있는 기지국 안테나 방사체 구조를 제안한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 측면에 따르면, 상부면에 급전 선로, 상기 급전 선로와 이격되어 배치되는 제1 C-커플링 부재, 상기 제1 C-커플링 부재와 연결되고 상기 제1 C-커플링 부재에 비해 좁은 폭을 가지는 제1 인덕티브 필터 라인이 형성되며, 하부면에 상기 제1 C-커플링 부재에 대향하는 제3 C-커플링 부재 및 상기 제1 인덕티브 필터 라인과 제1 비아홀을 통해 전기적으로 연결되고 상기 제3 C-커플링 부재와 연결되는 제3 인덕티브 필터 라인이 형성되고 반사판에 대해 수직으로 놓여지는 제1 발룬 기판; 상기 제1 발룬 기판과 직교하여 결합되고 상기 반사판에 대해 수직으로 놓여지며 상기 제1 발룬 기판과 실질적으로 동일한 금속 패턴이 형성되는 제2 발룬 기판; 및 상기 제1 발룬 기판 및 상기 제2 발룬 기판상에 배치되어 상기 반사판에 대해 평행하게 놓여지며 상부면에 적어도 하나의 방사 패치가 형성되는 방사 기판을 포함하되, 상기 제1 C-커플링 부재의 종단은 상기 방사 패치와 전기적으로 연결되고, 상기 제3 C-커플링 부재의 종단은 상기 반사판 또는 접지 전위를 가지는 엘리먼트와 전기적으로 연결되는 기지국 안테나의 방사체가 제공된다.
상기 제1 발룬 기판 및 상기 제2 발룬 기판은 상향으로 돌출되는 제1 돌출부를 포함하고, 상기 제1 돌출부는 상기 방사 기판에 형성된 슬롯을 통해 상기 방사 기판상으로 돌출된다.
상기 제1 C-커플링 부재에는 상기 제1 돌출부를 따라 연장되는 제1 연장부가 형성되어 상기 방사 패치에 전기적으로 연결된다.
상기 제1 기판 및 상기 제2 기판은 하향으로 돌출되는 제2 돌출부를 포함하고, 상기 제2 돌출부를 따라 상기 제3 C-커플링 부재의 제3 연장부가 연장되어 상기 반사판 또는 상기 접지 전위를 가지는 엘리먼트와 전기적으로 연결된다.
상기 제1 발룬 기판의 급전 선로에는 +45도 편파 신호가 급전되고, 상기 제2 발룬 기판의 급전 선로에는 -45도 편파 신호가 급전된다.
상기 제1 발룬 기판의 상부면에는 상기 제1 C-커플링 부재와 이격되며 상기 제1 C-커플링 부재와 대칭 구조를 가지는 제2 C-커플링 부재 및 상기 제2 C-커플링 부재와 연결되고 상기 제2 C-커플링 부재에 비해 좁은 폭을 가지며 상기 제1 인덕티브 필터 라인과 대칭 구조를 가지는 제2 인덕티브 필터 라인이 더 형성된다.
상기 제1 발룬 기판의 하부면에는 상기 제3 C-커플링 부재와 이격되며 상기 제3 C-커플링 부재와 대칭 구조를 가지는 제4 C-커플링 부재 및 상기 제4 C-커플링 부재와 연결되고 제2 비아홀을 통해 상기 제2 인덕티브 필터 라인과 전기적으로 연결되며 상기 제3 인덕티브 필터 라인과 대칭 구조를 가지는 제4 인덕티브 필터 라인이 더 형성된다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 상부면에 급전 선로, 상기 급전 선로와 이격되어 배치되는 제1 C-커플링 부재 및 상기 급전 선로 및 상기 제1 C-커플링 부재와 이격되고 상기 제1 C-커플링 부재와 대칭 구조를 가지는 제2 C-커플링 부재가 형성되며, 하부면에 상기 제1 C-커플링 부재에 대향하는 제3 C-커플링 부재 및 상기 제2 C-커플링 부재에 대향하고 상기 제3 C-커플링 부재와 대칭 구조를 가지는 제4 C-커플링 부재가 형성되며 반사판에 대해 수직으로 놓여지는 제1 발룬 기판; 상기 제1 발룬 기판과 직교하여 결합되고 상기 반사판에 대해 수직으로 놓여지며 상기 제1 발룬 기판과 실질적으로 동일한 금속 패턴이 형성되는 제2 발룬 기판; 및 상기 제1 발룬 기판 및 상기 제2 발룬 기판상에 배치되어 상기 반사판에 대해 평행하게 놓여지며 상부면에 적어도 하나의 방사 패치가 형성되는 방사 기판을 포함하되, 상기 제1 C-커플링 부재의 종단은 상기 방사 패치와 전기적으로 연결되고, 상기 제3 C-커플링 부재의 종단은 상기 반사판 또는 접지 전위를 가지는 엘리먼트와 전기적으로 연결되는 기지국 안테나의 방사체가 제공된다.
본 발명의 저주파 방사체와 고주파 방사체가 함께 구비되는 기지국 안테나에서 불요 공진을 억제할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 종래의 기지국 안테나 방사체에 사용되는 발룬 기판의 상부면 구조를 나타낸 도면.
도 2는 종래의 기지국 안테나 방사체에 사용되는 발룬 기판의 하부면 구조를 나타낸 도면.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기지국 안테나 방사체의 구조를 도시한 사시도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기지국 안테나 방사체에서 상부의 방사 기판을 제거한 상태의 사시도.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 발룬 기판의 상부면 구조를 도시한 도면.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 발룬 기판의 하부면 구조를 도시한 도면.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 발룬 기판의 상부면 구조를 도시한 도면.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 발룬 기판의 하부면 구조를 도시한 도면.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 기지국 안테나의 방사체를 사용하는 기지국 안테나의 구조를 도시한 도면.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기지국 안테나 방사체의 구조를 도시한 사시도.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 따라서 여기에서 설명하는 실시예로 한정되는 것은 아니다.
그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다.
또한 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다.
이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기지국 안테나 방사체의 구조를 도시한 사시도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기지국 안테나 방사체에서 상부의 방사 기판을 제거한 상태의 사시도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기지국 안테나 방사체는 방사 기판(300), 제1 발룬 기판(310) 및 제2 발룬 기판(320)을 포함한다.
방사 기판(300)은 본 발명의 일 실시예에 따른 기지국 안테나 방사체에서 RF 신호의 방사 기능을 수행하며, 방사 기판(300)상에는 RF 신호의 방사를 위한 적어도 하나의 방사 패치(325)가 형성된다.
도 3을 참조하면 방사 패치(325)는 방사 기판(300)의 상부면에 형성되며, 일례로 4개의 방사 패치가 형성되어 있다. 방사 패치의 수 및 방사 패치의 형태는 요구되는 방사 패턴 및 공진 주파수에 기초하여 다양하게 변경될 수 있다는 점은 당업자에게 있어 자명할 것이다.
제1 발룬 기판(310) 및 제2 발룬 기판(320)은 방사 패치(325)에 급전 신호를 제공하고 임피던스 매칭을 수행한다.
제1 발룬 기판(310) 및 제2 발룬 기판(320)은 기지국 안테나의 반사판(미도시)에 수직으로 놓여지며, 제1 발룬 기판(310) 및 제2 발룬 기판(320)으로는 급전 신호가 제공된다.
도 4를 참조하면 제1 발룬 기판(310) 및 제2 발룬 기판(320)은 상호 교차하여 십자 형태를 이루도록 반사판(미도시)상에 수직으로 놓여진다. 일례로, 제1 발룬 기판(310) 및 제2 발룬 기판(320)에는 십자 형태로 교차하기 위한 슬롯이 형성될 수 있다. 한편, 방사 기판(300)은 제1 발룬 기판(310) 및 제2 발룬 기판(320) 상부에 결합되면서 반사판(미도시)과는 평행하게 위치한다.
제1 발룬 기판(310)의 상부면 및 하부면에는 방사 패치(325)로 +45도 편파 신호의 급전 및 임피던스 매칭을 위한 금속 패턴이 형성된다. 또한, 제2 발룬 기판(320)의 상부면 및 하부면에는 방사 패치(325)로 -45도 편파 신호의 급전 및 임피던스 매칭을 위한 금속 패턴이 형성된다.
제1 발룬 기판(310) 및 제2 발룬 기판(320)에는 실질적으로 동일한 형태의 금속 패턴이 형성되는 것이 바람직하며, 필요에 따라 양 기판에 형성되는 금속 패턴의 구조는 다를 수도 있을 것이다.
방사 기판(300)에 형성되는 방사 패치(325)는 제1 발룬 기판(310) 및 제2 발룬 기판(320)을 통해 제공되는 +45도 편파 신호 및 -45도 편파 신호를 동시에 방사한다.
본 발명은 도 3에 도시된 바와 같은 기지국 안테나 방사체와 도 3에 도시된 방사체보다 낮은 대역에서 방사하는 저주파 방사체가 안테나의 반사판상에 함께 존재하는 경우를 가정한다.
도 1에 도시된 바와 같은 종래의 기지국 안테나 방사체는 저주파 방사체에 비해 상대적으로 고주파 신호를 방사하도록 설정된 방사체이나 다양한 원인으로 인해 저주파 방사체에서 방사하는 신호가 고주파 방사체(도 1에 도시된 기지국 안테나 방사체)에 유기되어 불요 공진이 발생하는 문제점이 있었다.
이와 같은 불요 공진의 주요한 원인은 방사패치와 발룬 기판에 형성된 급전 및 임피던스 매칭을 위한 금속 패턴의 전체적인 길이가 저주파 방사체의 방사 주파수와 유사하여 저주파 공진이 발생하는 것이다. 저주파 및 고주파 신호의 간섭을 피하기 위해 고주파 방사체에서의 저주파 공진이 억제되어야 하나 도 1에 도시된 바와 같은 종래의 기지국 안테나 방사체는 저주파 신호의 공진을 적절히 억제하지 못하는 문제점이 있었다.
본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위해 의도되지 않은 저주파 공진을 억제할 수 있는 발룬 기판(310, 320)의 급전 및 임피던스 매칭 구조를 제안하며, 제안되는 급전 및 임피던스 매칭 구조는 제1 발룬 기판(310) 및 제2 발룬 기판(320)의 상부면 및 하부면에 형성된다.
한편, 도 3에 도시된 바와 같은 본 발명의 실시예에 따른 기지국 안테나 방사체와 본 발명의 방사체에 영향을 주는 저주파 방사체는 다수개가 배열 구조를 가지면서 배열될 수 있다. 이때, 각 방사체로는 급전되는 신호의 위상의 조절을 위해 페이즈 쉬프터가 사용될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 발룬 기판의 상부면 구조를 도시한 도면이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 발룬 기판의 하부면 구조를 도시한 도면이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 제1 발룬 기판(310)의 상부면에는 급전 선로(304)가 형성된다. 급전 선로(304)는 급전점(306)과 전기적으로 연결된다. 급전 선로(306)는 부분적으로 서로 다른 폭을 가질 수 있는데, 이와 같은 구조는 임피던스 매칭을 위한 것이다.
급전점(306)은 급전 신호를 제공하는 외부 케이블 또는 금속 패턴과 연결될 수 있다. 예를 들어, 동축 케이블을 통해 급전 신호가 제공되는 경우 급전점(306)은 동축 케이블의 내심과 연결될 수 있다.
제1 발룬 기판(310)의 상부면에는 제1 C-커플링 부재(500) 및 제2 C-커플링 부재(510)가 형성된다. 제1 C-커플링 부재(500) 및 제2 C-커플링 부재(510)는 실질적으로 동일한 구조를 가진다. 제1 C-커플링 부재(500) 및 제2 C-커플링 부재(510)는 급전 선로를 중심으로 좌우 대칭 형태로 배열되는 것이 바람직하다. 제1 C-커플링 부재(500) 및 제2 C-커플링 부재(510)는 급전 선로(304)와 이격되어 배치된다.
제1 발룬 기판(310)에는 상향으로 두 개의 제1 돌출부(520)가 형성되고, 하향으로 4개의 제2 돌출부(530)가 형성된다. 물론, 돌촐부(520, 530)의 개수는 요구되는 특성, 방사체의 사이즈 등을 고려하여 다양하게 변경될 수 있을 것이다.
제1 C-커플링 부재(500) 및 제2 C-커플링 부재(510)는 제1 돌출부(520)의 돌출 방향으로 연장되는 제1 연장부(502) 및 제2 연장부(504)를 포함한다. 제1 돌출부(520)는 방사 기판(300)에 형성된 슬롯을 통해 돌출되며, 제1 C-커플링 부재(500) 및 제2 C-커플링 부재(520)의 연장부(502, 504) 역시 슬롯을 통해 돌출된다.
제1 연장부(502) 및 제2 연장부(504)는 결국 방사 기판(300)에 형성된 방사 패치(325)와 전기적으로 결합되며, 이는 제1 C-커플링 부재(500) 및 제2 C-커플링 부재(510)의 제1 종단이 방사 패치(325)와 전기적으로 결합된다는 것을 의미한다.
한편, 제1 C-커플링 부재(500) 및 제2 C-커플링 부재(510)의 제2 종단은 각각 제1 인덕티브 필터 라인(540) 및 제2 인덕티브 필터 라인(550)과 결합된다.
도 5에 도시된 바와 같이, 제1 인덕티브 필터 라인(540)과 제2 인덕티브 필터 라인(550)은 라인 형태의 금속 패턴 구조를 가지며, 제1 인덕티브 필터 라인(540)은 제1 C-커플링 부재(500)와 비교하여 좁은 폭을 가지고, 제2 인덕티브 필터 라인(550)은 제2 C-커플링 부재(510)와 비교하여 좁은 폭을 가진다.
제1 인덕티브 필터 라인(540)과 제2 인덕티브 필터 라인(550)은 대칭 구조를 가지는 것이 바람직하나 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 인덕티브 필터 라인(540)의 종단 및 제2 인덕티브 필터 라인(550)의 종단에는 각각 제1 비아홀(560) 및 제2 비아홀(570)이 형성된다.
제1 발룬 기판(310)의 중앙부에는 제1 슬롯(580)이 형성되며, 제1 슬롯(580)은 제1 발룬 기판(310)과 제2 발룬 기판(320)의 직교 결합을 위해 형성된다.
도 6을 참조하면, 제1 발룬 기판(310)의 하부면에는 제3 C-커플링 부재(600) 및 제4 C-커플링 부재(610)가 형성된다. 제3 C-커플링 부재(600) 및 제4 C-커플링 부재(610)는 제1 발룬 기판(310)의 중앙을 중심으로 좌측 및 우측에 각각 형성된다. 제3 C-커플링 부재(600)와 제4 C-커플링 부재(610)는 대칭 구조를 가지는 것이 바람직하다.
기판 하부면의 제3 C-커플링 부재(600)는 상부면의 제1 C-커플링 부재(500)와 대향하여 위치하고, 기판 하부면의 제4 C-커플링 부재(610)는 상부면의 제2 C-커플링 부재(510)와 대향하여 위치한다.
제3 C-커플링 부재(600)는 제1 발룬 기판(310)의 제2 돌출부(530)를 따라 연장되는 제3 연장부(602)를 포함한다. 도 6에는 2개의 제3 연장부(602)가 도시되어 있으나 제3 연장부(602)의 개수는 요구되는 특성에 따라 변경될 수 있을 것이다. 제3 연장부(602)는 반사판(미도시) 또는 접지 전위를 가지는 다른 엘리먼트와 전기적으로 연결될 수 있다.
제4 C-커플링 부재(610)는 제1 발룬 기판(310)의 제2 돌출부(530)를 따라 연장되는 제4 연장부(604)를 포함한다. 제4 연장부(604)의 개수 역시 요구되는 특성에 따라 변경될 수 있을 것이다. 제4 연장부(604) 역시 반사판(미도시) 또는 접지 전위를 가지는 다른 엘리먼트와 전기적으로 연결될 수 있다.
서로 대향하여 위치하는 제1 C-커플링 부재(500)와 제3 C-커플링 부재(600)는 하나의 캐패시티브 필터로 동작한다. 서로 대향하여 위치하는 제2 C-커플링 부재(510)와 제4 C-커플링 부재(610) 역시 하나의 캐패시티브 필터로 동작한다.
캐패시티브 필터로 동작하는 제1 C-커플링 부재(500)는 방사 패치와 전기적으로 연결되고, 이와 대향하는 제3 C-커플링 부재(600)는 반사판 또는 접지 전위를 가지는 엘리먼트와 전기적으로 연결되는 것이다. 제2 C-커플링 부재(510) 역시 방사 패치와 직접 연결되고, 이와 대향하는 제4 C-커플링 부재(610)는 반사판 또는 접지 전위를 가지는 엘리먼트와 전기적으로 연결된다.
이와 같은 본원발명의 구조는 하나의 부재가 방사체 및 반사판과 연결되는 도 1 및 도 2의 기존 방사체의 구조와는 상이하다.
제1 C-커플링 부재(500) 및 제3 C-커플링 부재(600)로 이루어지는 캐패시티브 필터는 본 발명의 방사체가 의도하는 주파수 대역에 대한 급전 신호를 통과시키는 캐패시티브 필터로 동작한다.
한편, 제3 C-커플링 부재(600) 및 제4 C-커플링 부재(610)의 각각에는 제3 인덕티브 필터 라인(640) 및 제4 인덕티브 필터 라인(650)이 결합된다. 제3 인덕티브 필터 라인(640)은 제1 비아홀(560)을 통해 상부면의 제1 인덕티브 필터 라인(540)과 전기적으로 연결된다. 제4 인덕티브 필터 라인(650)은 제2 비아홀(570)을 통해 상부면의 제2 인덕티브 필터 라인(550)과 전기적으로 연결된다.
제3 인덕티브 필터 라인(640)은 제3 C-커플링 부재(600)에 비해 좁은 폭을 가지며, 제4 인덕티브 필터 라인(650)은 제4 C-커플링 부재(610)에 비해 좁은 폭을 가진다.
전기적으로 연결되는 제1 인덕티브 필터 라인(540)과 제3 인덕티브 필터 라인(640)은 하나의 인덕티브 필터로 기능하고, 전기적으로 연결되는 제2 인덕티브 필터 라인(550)과 제4 인턱티브 필터 라인(650)은 하나의 인덕티브 필터로 기능한다.
원하지 않는 주파수 영역(본 발명의 안테나가 의도하는 방사 대역에 비해 저주파 영역)에서의 공진은 제1 C-커플링 부재(500) 및 제3 C 커플링 부재(600)로 이루어지는 캐패시티브 필터 또는 제2 C-커플링 부재(510) 및 제4 C-커플링 부재(610)로 이루어지는 캐패시티브 필터에 의해 1차적으로 차단될 수 있다. 그러나, 캐패시티브 필터 만으로 차단되지 않는 공진은 인덕티브 필터에 의해 차단되도록 한다.
제1 인덕티브 필터 라인(540) 및 제3 인덕티브 필터 라인(640)으로 이루어지는 인덕티브 필터 또는 제2 인덕티브 필터 라인(550) 및 제4 인덕티브 필터 라인(650)으로 이루어지는 인덕티브 필터는 제1 발룬 기판(310)에서 발생할 수 있는 저주파 공진의 공진 주파수를 더욱 낮은 영역의 주파수로 변경시키게 되며, 이로 인해 인접한 저주파 방사체로 인해 발생하는 불요 공진을 차단할 수 있게 된다.
도 5 및 도 6에서, 제1 C-커플링 부재(500) 및 제3 C 커플링 부재(600)로 이루어지는 캐패시티브 필터와 제1 인덕티브 필터 라인(540) 및 제3 인덕티브 필터 라인(640)으로 이루어지는 인덕티브 필터가 방사 패치에 독립적으로 급전 신호를 제공하게 되고, 제2 C-커플링 부재(510) 및 제4 C 커플링 부재(610)로 이루어지는 캐패시티브 필터와 제1 인덕티브 필터 라인(550) 및 제3 인덕티브 필터 라인(650)으로 이루어지는 인덕티브 필터가 방사 패치에 독립적으로 급전 신호를 제공하게 된다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 발룬 기판의 상부면 구조를 도시한 도면이고, 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 발룬 기판의 하부면 구조를 도시한 도면이다.
도 7 및 도 8에 도시된 제2 발룬 기판(320)은 -45도 편파의 급전 신호를 제공하기 위한 기판이며, 제2 발룬 기판(320)에 형성되는 금속 패턴의 형태는 제1 발룬 기판(310)에 형성되는 금속 패턴과 실질적으로 동일하므로, 금속 패턴의 구조와 기능에 대한 설명은 생략한다.
다만, 제2 발룬 기판(320)에 형성되는 제2 슬롯(780)은 제1 발룬 기판(310)의 제1 슬롯(580)과는 다른 위치에 형성된다. 제1 슬롯(580) 및 제2 슬롯(780)을 통해 제1 발룬 기판(310)과 제2 발룬 기판(320)은 직교 결합된다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 기지국 안테나의 방사체를 사용하는 기지국 안테나의 구조를 도시한 도면이다.
도 9를 참조하면, 다수의 방사체가 기지국 안테나의 반사판(900)상에 배열된다. 배열을 이루는 다수의 방사체 각각에는 +45도 편파 신호 및 -45도 편파 신호가 급전되며, 다수의 방사체 각각으로 급전되는 신호의 위상을 조절하기 위해 페이즈 쉬프터가 사용될 수 있다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기지국 안테나 방사체의 구조를 도시한 사시도이다.
도 10에 도시된 본 발명의 다른 실시예에 따른 기지국 안테나 방사체는 도 3에 도시된 기지국 안테나 방사체와 비교해볼 때 기생 패치 지지부(1000) 및 기생 패치(1100)를 추가적으로 포함한다.
기생 패치(1100)는 기생 패치 지지부(1000)의 지지를 받으며 방사 기판(300)의 상부에 방사 기판(300)과 이격되어 배치된다. 기생 패치(1100)는 반사 기판(300)의 중앙부의 상부에 배치되는 것이 바람직하다.
기생 패치(1100)는 편파간 격리도를 향상시키기 위해 배치될 수 있다. 본 발명의 기지국 안테나 방사체는 이중 편파 급전을 사용하며, 기생 패치(1100)로 인해 교차 편파 비를 향상시킬 수 있다.
전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.
본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (14)

  1. 상부면에 급전 선로, 상기 급전 선로와 이격되어 배치되는 제1 C-커플링 부재, 상기 제1 C-커플링 부재와 연결되고 상기 제1 C-커플링 부재에 비해 좁은 폭을 가지는 제1 인덕티브 필터 라인이 형성되며,
    하부면에 상기 제1 C-커플링 부재에 대향하는 제3 C-커플링 부재 및 상기 제1 인덕티브 필터 라인과 제1 비아홀을 통해 전기적으로 연결되고 상기 제3 C-커플링 부재와 연결되는 제3 인덕티브 필터 라인이 형성되고 반사판에 대해 수직으로 놓여지는 제1 발룬 기판;
    상기 제1 발룬 기판과 직교하여 결합되고 상기 반사판에 대해 수직으로 놓여지며 상기 제1 발룬 기판과 실질적으로 동일한 금속 패턴이 형성되는 제2 발룬 기판; 및
    상기 제1 발룬 기판 및 상기 제2 발룬 기판상에 배치되어 상기 반사판에 대해 평행하게 놓여지며 상부면에 적어도 하나의 방사 패치가 형성되는 방사 기판을 포함하되,
    상기 제1 C-커플링 부재의 종단은 상기 방사 패치와 전기적으로 연결되고, 상기 제3 C-커플링 부재의 종단은 상기 반사판 또는 접지 전위를 가지는 엘리먼트와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 기지국 안테나의 방사체.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 발룬 기판 및 상기 제2 발룬 기판은 상향으로 돌출되는 제1 돌출부를 포함하고, 상기 제1 돌출부는 상기 방사 기판에 형성된 슬롯을 통해 상기 방사 기판상으로 돌출되도록 하고 상기 제1 C-커플링 부재에는 상기 제1 돌출부를 따라 연장되는 제1 연장부가 형성되어 상기 방사 패치에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 기지국 안테나의 방사체.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 인덕티브 필터 라인은 상기 제1 C-커플링 부재의 또다른 종단으로부터 연장되어 형성되는 것을 특징으로 하는 기지국 안테나의 방사체.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 발룬 기판 및 상기 제2 발룬 기판은 하향으로 돌출되는 제2 돌출부를 포함하고, 상기 제2 돌출부를 따라 상기 제3 C-커플링 부재의 제3 연장부가 연장되어 상기 반사판 또는 상기 접지 전위를 가지는 엘리먼트와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 기지국 안테나의 방사체.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 발룬 기판의 급전 선로에는 +45도 편파 신호가 급전되고, 상기 제2 발룬 기판의 급전 선로에는 -45도 편파 신호가 급전되는 것을 특징으로 하는 기지국 안테나의 방사체.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 발룬 기판의 상부면에는 상기 제1 C-커플링 부재와 이격되며 상기 제1 C-커플링 부재와 대칭 구조를 가지는 제2 C-커플링 부재 및 상기 제2 C-커플링 부재와 연결되고 상기 제2 C-커플링 부재에 비해 좁은 폭을 가지며 상기 제1 인덕티브 필터 라인과 대칭 구조를 가지는 제2 인덕티브 필터 라인이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 기지국 안테나의 방사체.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 발룬 기판의 하부면에는 상기 제3 C-커플링 부재와 이격되며 상기 제3 C-커플링 부재와 대칭 구조를 가지는 제4 C-커플링 부재 및 상기 제4 C-커플링 부재와 연결되고 제2 비아홀을 통해 상기 제2 인덕티브 필터 라인과 전기적으로 연결되며 상기 제3 인덕티브 필터 라인과 대칭 구조를 가지는 제4 인덕티브 필터 라인이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 기지국 안테나의 방사체.
  8. 상부면에 급전 선로, 상기 급전 선로와 이격되어 배치되는 제1 C-커플링 부재 및 상기 급전 선로 및 상기 제1 C-커플링 부재와 이격되고 상기 제1 C-커플링 부재와 대칭 구조를 가지는 제2 C-커플링 부재가 형성되며,
    하부면에 상기 제1 C-커플링 부재에 대향하는 제3 C-커플링 부재 및 상기 제2 C-커플링 부재에 대향하고 상기 제3 C-커플링 부재와 대칭 구조를 가지는 제4 C-커플링 부재가 형성되며 반사판에 대해 수직으로 놓여지는 제1 발룬 기판;
    상기 제1 발룬 기판과 직교하여 결합되고 상기 반사판에 대해 수직으로 놓여지며 상기 제1 발룬 기판과 실질적으로 동일한 금속 패턴이 형성되는 제2 발룬 기판; 및
    상기 제1 발룬 기판 및 상기 제2 발룬 기판상에 배치되어 상기 반사판에 대해 평행하게 놓여지며 상부면에 적어도 하나의 방사 패치가 형성되는 방사 기판을 포함하되,
    상기 제1 C-커플링 부재의 종단은 상기 방사 패치와 전기적으로 연결되고, 상기 제3 C-커플링 부재의 종단은 상기 반사판 또는 접지 전위를 가지는 엘리먼트와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 기지국 안테나의 방사체.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 발룬 기판의 상부면에는 상기 제1 C-커플링 부재와 전기적으로 연결되고 상기 제1 C-커플링 부재에 비해 좁은 폭을 가지는 제1 인덕티브 필터 라인 및 상기 제2 C-커플링 부재와 전기적으로 연결되고 상기 제2 C-커플링 부재에 비해 좁은 폭을 가지며 상기 제1 인덕티브 필터 라인과 대칭 구조를 가지는 제2 인덕티브 필터 라인이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 기지국 안테나의 방사체.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 제1 발룬 기판의 하부면에는 상기 제3 C-커플링 부재와 전기적으로 연결되고 제1 비아홀을 통해 상기 제1 인덕티브 필터 라인과 전기적으로 연결되는 제3 인덕티브 필터 라인 및 상기 제4 C-커플링 부재와 전기적으로 연결되고 제2 비아홀을 통해 상기 제2 인덕티브 필터 라인과 전기적으로 연결되며 상기 제3 인덕티브 필터 라인과 대칭 구조를 가지는 제4 인덕티브 필터 라인이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 기지국 안테나의 방사체.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 제1 발룬 기판 및 상기 제2 발룬 기판은 상향으로 돌출되는 제1 돌출부를 포함하고, 상기 제1 돌출부는 상기 방사 기판에 형성된 슬롯을 통해 상기 방사 기판상으로 돌출되도록 하고, 상기 제1 C-커플링 부재에는 상기 제1 돌출부를 따라 연장되는 제1 연장부가 형성되어 상기 방사 패치에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 기지국 안테나의 방사체.
  12. 제9 항에 있어서,
    상기 제1 인덕티브 필터 라인은 상기 제1 C-커플링 부재의 또다른 종단으로부터 연장되어 형성되는 것을 특징으로 하는 기지국 안테나의 방사체.
  13. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판은 하향으로 돌출되는 제2 돌출부를 포함하고, 상기 제2 돌출부를 따라 상기 제3 C-커플링 부재의 제3 연장부가 연장되어 상기 반사판 또는 상기 접지 전위를 가지는 엘리먼트와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 기지국 안테나의 방사체.
  14. 제8항에 있어서,
    상기 제1 발룬 기판의 급전 선로에는 +45도 편파 신호가 급전되고, 상기 제2 발룬 기판의 급전 선로에는 -45도 편파 신호가 급전되는 것을 특징으로 하는 기지국 안테나의 방사체.
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