WO2020217353A1

WO2020217353A1 - 加工装置、加工方法及び加工システム

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Publication number: WO2020217353A1
Application number: PCT/JP2019/017483
Authority: WO
Inventors: 白石　雅之; 健太須藤; 陽介立崎; 麦小笠原
Original assignee: 株式会社ニコン
Priority date: 2019-04-24
Filing date: 2019-04-24
Publication date: 2020-10-29
Also published as: EP3960359A1; JP7355103B2; JPWO2020217353A1; US20220203477A1; TW202045288A; EP3960359A4; JP2023160932A

Abstract

加工装置は、物体の表面に加工光を照射して物体を加工する加工装置において、第１加工光を照射して表面に第１照射領域を形成し、第２加工光を照射して表面に第１照射領域と少なくとも一部が重なる第２照射領域を形成する光照射装置を備え、光照射装置は、第１及び第２照射領域の重なり状態を変更可能な変更部材を有する。

Description

加工装置、加工方法及び加工システム

　本発明は、加工光を照射して物体を加工可能な加工装置、加工方法及び加工システムの技術分野に関する。

　物体を加工可能な加工装置として、特許文献１には、物体の表面にレーザ光線を照射して構造を形成する加工装置が記載されている。この種の加工装置では、物体に構造を適切に形成することが要求されている。

米国特許第４，９９４，６３９号

　第１の態様によれば、物体の表面に加工光を照射して前記物体を加工する加工装置において、第１加工光を照射して前記表面に第１照射領域を形成すると共に、第２加工光を照射して前記表面に前記第１照射領域と少なくとも一部が重なる第２照射領域を形成する光照射装置を備え、前記光照射装置は、前記第１及び第２照射領域の重なり状態を変更可能な変更部材を有する加工装置が提供される。

　第２の態様によれば、物体の表面に加工光を照射して前記物体を加工する加工方法において、第１加工光を照射して前記表面に第１照射領域を形成することと、第２加工光を照射して前記表面に前記第１照射領域と一部が重なる第２照射領域を形成することと、前記第１及び第２照射領域の重なり状態を変更することとを含む加工方法が提供される。

　第３の態様によれば、物体に加工光を照射して前記物体を加工する加工装置であって、入射光を、第１光と第２光とに分岐する第１光学系と、前記第１光学系からの前記第１光を、第３光として前記第１光学系に戻す第２光学系と、前記第１光学系からの前記第２光を、第４光として前記第１光学系に戻す第３光学系とを備え、前記第１光学系は、前記第２光学系からの前記第３光及び前記第３光学系からの前記第４光を、前記物体の表面上の異なる位置に照射される複数の前記加工光として射出する加工システムが提供される。

　第４の態様によれば、物体に複数の加工光を照射して前記物体を加工する光照射装置と、所望のパターン構造が前記物体に形成されるように、前記物体の表面上での前記複数の加工光の照射位置の相対的な位置関係を変更する照射位置変更装置とを備える加工装置が提供される。

　第５の態様によれば、物体に加工光を照射して所望方向に延在するパターン構造を前記物体に形成するように前記物体を加工する加工システムであって、前記物体の表面に沿った第１方向における前記加工光の照射位置と前記物体の表面との相対位置を変更するように可動する第１可動装置と、前記物体の表面に沿っており且つ前記第１の方向に交差する第２の方向における前記加工光の照射位置と前記物体の表面との相対位置を変更するように可動すると共に、前記第１可動装置よりも重い及び／又は大きい第２可動装置とを備え、前記所望方向に延びる軸と前記第１方向に延びる軸とがなす第１角度が、前記所望方向に延びる軸と前記第２方向に延びる軸とがなす第２角度よりも小さくなるように、前記第１及び第２可動装置が前記表面に対して位置合わせされている加工システムが提供される。

　第６の態様によれば、物体に加工光を照射して前記物体の表面に所望方向に延在するパターン構造を形成するように前記物体を加工する加工装置と、前記パターン構造が形成された前記物体をシミュレートするシミュレーションモデルから生成される前記パターン構造に関するパターン情報に基づいて、前記パターン構造を形成するように前記加工装置を制御する制御装置とを備える加工システムが提供される。

　第７の態様によれば、物体の表面に加工光を照射する光照射装置と、前記物体の表面における前記加工光の目標照射位置と前記表面との相対位置を変更する位置変更装置とを備え、前記光照射装置及び前記位置変更装置を用いて、前記表面に沿った第１軸に沿って前記加工光を前記表面上で走査させる第１動作と、前記第１軸に交差し且つ前記表面に沿った第２軸に沿って前記加工光と前記表面との相対位置を変更する第２動作とを交互に繰り返し、前記第１動作は、前記第１軸に沿った第１の方向に向かって前記目標照射位置が前記表面に対して相対的に移動するように前記加工光を前記表面上で走査させる第１スキャン動作と、前記第１軸に沿っており且つ前記第１の方向とは逆向きの第２の方向に向かって前記目標照射位置が前記表面に対して相対的に移動するように前記加工光を前記表面上で走査させる第２スキャン動作とを含む加工システムが提供される。

　第８の態様によれば、光源からの加工光を物体の表面に照射して前記表面を加工する加工システムにおいて、前記光源からの前記加工光の光路に配置される第１光学系と、前記光源からの前記加工光の光路に配置され、前記加工光を前記表面に集光する第２光学系とを備え、前記第１及び第２光学系を介した前記加工光の収斂位置におけるビーム断面の大きさは、前記第２光学系を介した加工光の収斂位置におけるビーム断面の大きさよりも大きい加工システムが提供される。

図１は、第１実施形態の加工システムの全体構造を模式的に示す断面図である。図２（ａ）及び図２（ｂ）のそれぞれは、加工対象物の表面に形成された塗装膜の加工の様子を模式的に示す断面図である。図３は、第１実施形態の加工システムが備える光照射装置を模式的に示す斜視図である。図４は、マルチビーム光学系の構造を示す断面図である。図５（ａ）は、マルチビーム光学系が射出する複数の加工光が所定の光学面上に形成するビームスポットを示す平面図であり、図５（ｂ）は、マルチビーム光学系が射出する複数の加工光が塗装膜上に形成するビームスポットを示す平面図である。図６（ａ）は、第１実施形態の加工システムが形成するリブレット構造の断面を示す断面図であり、図６（ｂ）は、本実施形態の加工システムが形成するリブレット構造を示す斜視図である。図７（ａ）及び図７（ｂ）のそれぞれは、リブレット構造が形成される加工対象物の一例である航空機を示す正面図であり、図６（ｃ）は、リブレット構造が形成される加工対象物の一例である航空機を示す側面図である。図８は、塗装膜ＳＦの表面に設定される複数の加工ショット領域を示す平面図である。図９は、リブレット構造を形成するための加工動作の一工程を行う加工装置を示す断面図である。図１０（ａ）は、リブレット構造を形成するための加工動作の一工程を行う加工装置を示す断面図であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）に示す加工動作の一工程が行われている塗装膜の表面を示す平面図である。図１１は、スキャン動作とステップ動作とが繰り返される期間中の加工光の走査軌跡（つまり、目標照射領域の移動軌跡）を示す平面図である。図１２は、リブレット構造を形成するための加工動作の一工程を行う加工装置を示す断面図である。図１３（ａ）は、リブレット構造を形成するための加工動作の一工程を行う加工装置を示す断面図であり、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）に示す加工動作の一工程が行われている塗装膜の表面を示す平面図である。図１４は、リブレット構造を形成するための加工動作の一工程を行う加工装置を示す断面図である。図１５は、リブレット構造を形成するための加工動作の一工程を行う加工装置を示す断面図である。図１６は、リブレット構造を形成するための加工動作の一工程を行う加工装置を示す断面図である。図１７は、リブレット構造を形成するための加工動作の一工程を行う加工装置を示す断面図である。図１８は、リブレット構造を形成するための加工動作の一工程を行う加工装置を示す断面図である。図１９は、リブレット構造を形成するための加工動作の一工程を行う加工装置を示す断面図である。図２０は、マルチビーム光学系の他の例を模式的に示す断面図である。図２１は、第２実施形態の光照射装置が備える複数のマルチビーム光学系を示す断面図である。図２２（ａ）は、複数のマルチビーム光学系のそれぞれが光源光を複数の加工光に分割する様子を模式的に示す断面図であり、図２２（ｂ）は、複数のマルチビーム光学系のそれぞれが射出する複数の加工光ＥＬｋが所定の光学面上に形成するビームスポットを示す平面図である。図２３は、第３実施形態のマルチビーム光学系を示す断面図である。図２４（ａ）は、反射ミラーが移動する前のマルチビーム光学系を示す断面図であり、図２４（ｂ）は、図２４（ａ）に示す状態にあるマルチビーム光学系から射出する複数の加工光が塗装膜上で形成する複数のビームスポットを示す平面図であり、図２４（ｃ）は、反射ミラーが移動した後のマルチビーム光学系を示す断面図であり、図２４（ｄ）は、図２４（ｃ）に示す状態にあるマルチビーム光学系から射出する複数の加工光が塗装膜上で形成する複数のビームスポットを示す平面図である。図２５（ａ）は、反射ミラーが移動する前における複数の照射領域の位置関係を示す平面図であり、図２５（ｂ）は、図２５（ａ）に示す複数の照射領域が設定された場合に形成される凹状構造を示す断面図であり、図２５（ｃ）は、反射ミラーが移動した後における複数の照射領域の位置関係を示す平面図であり、図２５（ｄ）は、図２５（ｃ）に示す複数の照射領域が設定された場合に形成される凹状構造を示す断面図である。図２６（ａ）は、部分的に重なっている複数の照射領域の位置関係を示す平面図であり、図２６（ｂ）は、図２６（ａ）に示す複数の照射領域が設定された場合に形成される凹状構造を示す断面図である。図２７（ａ）は、部分的に重なっていない４つの照射領域の位置関係を示す平面図であり、図２７（ｂ）は、図２７（ａ）に示す複数の照射領域が設定された場合に形成される凹状構造を示す断面図であり、図２７（ｃ）は、部分的に重なっている４つの照射領域の位置関係を示す平面図であり、図２７（ｄ）は、図２７（ｃ）に示す複数の照射領域が設定された場合に形成される凹状構造を示す断面図であり、図２７（ｅ）は、部分的に重なっている４つの照射領域の位置関係を示す平面図であり、図２７（ｆ）は、図２７（ｃ）に示す複数の照射領域が設定された場合に形成される凹状構造を示す断面図である。図２８は、第４実施形態の光照射装置を示す斜視図である。図２９（ａ）は、リレー光学系を介して塗装膜に照射される加工光を示す断面図であり、図２９（ｂ）は、リレー光学系を介することなく塗装膜に照射される加工光を示す断面図である。図３０は、第５実施形態の強度調整装置を示す断面図である。図３１は、複数の加工光の強度と波長板の回転角度との関係を示すグラフである。図３２は、第６実施形態の強度調整装置を示す断面図である。図３３（ａ）から図３３（ｃ）のそれぞれは、強度調整装置及びマルチビーム光学系を介して光源光が複数の加工光に分岐される過程を、その過程で生成される光の強度及び当該光が塗装膜上に形成するビームスポットと共に示している。図３４（ａ）から図３４（ｃ）のそれぞれは、強度調整装置を介することなくマルチビーム光学系によって光源光が複数の加工光に分岐される過程を、その過程で生成される光の強度及び当該光が塗装膜上に形成するビームスポットと共に示している。図３５は、第７実施形態のマルチビーム光学系を示す斜視図である。図３６は、第７実施形態のマルチビーム光学系が光源光を複数の加工光ＥＬｋに分岐する過程を示す斜視図である。図３７は、第７実施形態のマルチビーム光学系が光源光を複数の加工光ＥＬｋに分岐する過程を示す斜視図である。図３８は、第７実施形態のマルチビーム光学系が光源光を複数の加工光ＥＬｋに分岐する過程を示す斜視図である。図３９は、第７実施形態のマルチビーム光学系が光源光を複数の加工光ＥＬｋに分岐する過程を示す斜視図である。図４０は、第７実施形態のマルチビーム光学系の他の例を示す斜視図である。図４１は、第８実施形態のマルチビーム光学系を示す斜視図である。図４２（ａ）及び図４２（ｂ）のそれぞれは、第８実施形態のマルチビーム光学系が備える偏光ビームスプリッタと反射プリズムとの位置関係を示す平面図である。図４３（ａ）は、Ｙ軸方向がスキャン方向に設定された場合における塗装膜上での目標照射領域の移動軌跡を示す平面図であり、図４３（ｂ）は、図４３（ａ）に示す状況下で加工システムが形成するリブレット構造を示す斜視図であり、図４３（ｃ）は、Ｘ軸方向がスキャン方向に設定された場合における塗装膜上での目標照射領域の移動軌跡を示す平面図であり、図４３（ｄ）は、図４３（ｃ）に示す状況下で加工システムが形成するリブレット構造を示す斜視図である。図４４は、光照射装置を移動させるための駆動系の一例を示す断面図である。図４５は、加工対象物を移動させるためのステージ装置の一例を示す断面図である。図４６は、第１０実施形態の光照射装置の構造の一例を示す断面図である。図４７（ａ）は、拡大光学系を介して塗装膜に照射される加工光のＸＺ平面に沿った断面を、加工光のＸＹ平面に沿った断面と関連付けて示す断面図であり、図４７（ｂ）は、拡大光学系を介することなく塗装膜に照射される加工光のＸＺ平面に沿った断面を、加工光のＸＹ平面に沿った断面と関連付けて示す断面図である図４８（ａ）は、拡大光学系を備えていない比較例の加工システムが、塗装膜を相対的に細かい微細度で加工可能な波長を有する加工光を用いて、塗装膜を相対的に粗い微細度で加工する様子を示す断面図であり、図４８（ｂ）は、拡大光学系を備えている第１０実施形態の加工システムが、塗装膜を相対的に細かい微細度で加工可能な波長を有する加工光を用いて、塗装膜を相対的に粗い微細度で加工する様子を示す断面図である。図４９は、複数の加工光を重ね合わせる様子を示す断面図である。図５０は、ＮＡ調整光学素子を含む光学系から塗装膜に照射される加工光及びＮＡ調整光学素子を含まない光学系から塗装膜に照射される加工光を示す断面図である。図５１は、第１０実施形態の光照射装置の構造の他の一例を示す断面図である。図５２は、目標照射領域の移動軌跡の一例を示す平面図である。図５３は、目標照射領域の移動軌跡の一例を示す平面図である。図５４は、目標照射領域の移動軌跡の一例を示す平面図である。図５５は、第１の基準を満たすように移動方向が設定された場合の目標照射領域の移動軌跡の一例を示す平面図である。図５６は、第２の基準を満たすように移動方向が設定された場合の目標照射領域の移動軌跡の一例を示す平面図である。図５７は、第３の基準を満たすように移動方向が設定された場合の目標照射領域の移動軌跡の一例を示す平面図である。図５８は、図５７に示す加工領域における目標照射領域ＥＡの移動方向が、第１の基準を満たすように設定された場合の目標照射領域の移動軌跡の一例を示す平面図である。図５９は、第４の基準を満たすように移動方向が設定された場合の目標照射領域の移動軌跡の一例を示す平面図である。図６０は、図５９に示す加工領域における目標照射領域ＥＡの移動方向が、第１の基準を満たすように設定された場合の目標照射領域の移動軌跡の一例を示す平面図である。図６１は、スキャン動作とステップ動作とが繰り返される期間中の加工光の走査軌跡（つまり、目標照射領域の移動軌跡）の変形例を示す平面図である。図６２は、複数回の目標照射領域のスキャンを行う際に、目標照射領域の位置を各回ごとに変える一例を示す平面図である。図６３（ａ）は複数の目標照射領域の大きさを変える一例を示す平面図、図６３（ｂ）は複数の加工光の集光位置を互いに変える一例を示す断面図である。図６４（ａ）から図６４（ｃ）のそれぞれは、リブレット構造の断面を示す断面図である。図６５（ａ）から図６５（ｈ）のそれぞれは、複数回の目標照射領域のスキャンを行う際に、目標照射領域の位置を各回ごとに変える一例を示す図である。

　以下、図面を参照しながら、加工装置、加工方法及び加工システムの実施形態について説明する。以下では、加工光ＥＬｋを用いて加工対象物Ｓの表面に形成された塗装膜ＳＦを加工する加工システムＳＹＳを用いて、加工装置、加工方法及び加工システムの実施形態を説明する。但し、本発明が以下に説明する実施形態に限定されることはない。

　また、以下の説明では、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸から定義されるＸＹＺ直交座標系を用いて、加工システムＳＹＳを構成する各種構成要素の位置関係について説明する。尚、以下の説明では、説明の便宜上、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれが水平方向（つまり、水平面内の所定方向）であり、Ｚ軸方向が鉛直方向（つまり、水平面に直交する方向であり、実質的には上下方向）であるものとする。また、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸周りの回転方向（言い換えれば、傾斜方向）を、それぞれ、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向と称する。ここで、Ｚ軸方向を重力方向としてもよい。また、ＸＹ平面を水平方向としてもよい。

　（１）第１実施形態の加工システムＳＹＳａ
　初めに、第１実施形態の加工システムＳＹＳ（以降、第１実施形態の加工システムＳＹＳを、“加工システムＳＹＳａ”と称する）について説明する。

　（１－１）加工システムＳＹＳａの構造
　初めに、図１を参照しながら、第１実施形態の加工システムＳＹＳａの構造について説明する。図１は、第１実施形態の加工システムＳＹＳａの構造を模式的に示す断面図である。

　図１に示すように、加工システムＳＹＳは、加工対象物Ｓの表面に形成された（例えば、塗布された）塗装膜ＳＦを加工する。加工対象物Ｓは、例えば、金属であってもよいし、合金（例えば、ジュラルミン等）であってもよいし、樹脂（例えば、ＣＦＲＰ（Ｃａｒｂｏｎ　Ｆｉｂｅｒ　Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ　Ｐｌａｓｔｉｃ）等）であってもよいし、ガラスであってもよいし、それ以外の任意の材料から構成される物体であってもよい。塗装膜ＳＦは、加工対象物Ｓの表面を覆う塗料の膜である。このため、塗装膜ＳＦは、塗料層と称してもよい。加工対象物Ｓは、塗装膜ＳＦに対する基材となる。塗装膜ＳＦの厚みは、例えば数十マイクロメートルから数百マイクロメートルであるが、その他の任意のサイズであってもよい。塗装膜ＳＦを構成する塗料は、例えば、樹脂性の塗料を含んでいてもよいし、それ以外の種類の塗料を含んでいてもよい。樹脂製の塗料は、例えば、アクリル系の塗料（例えば、アクリルポリオールを含む塗料）、ポリウレタン系の塗料（例えば、ポリウレタンポリオールを含む塗料）、ポリエステル系の塗料（例えば、ポリエステルポリオールを含む塗料）、ビニル系の塗料、フッ素系の塗料（例えば、フッ素系ポリオールを含む塗料）、シリコン系の塗料及びエポキシ系の塗料のうちの少なくとも一つを含んでいてもよい。

　図１は、水平面（つまり、ＸＹ平面）に沿った表面を有する加工対象物Ｓ上に加工システムＳＹＳａ（特に、加工システムＳＹＳａが備える後述の加工装置１）が配置されている例を示している。しかしながら、加工システムＳＹＳａは、水平面に沿った表面を有する加工対象物Ｓ上に配置されるとは限らない。例えば、図５等を参照しながら後に詳述するように、加工システムＳＹＳａは、水平面に交差する表面を有する加工対象物Ｓ上に配置されてもよい。加工システムＳＹＳａは、加工対象物Ｓから吊り下がるように配置されてもよい。この場合には、Ｘ軸方向及びＹ軸方向は、便宜上、加工対象物Ｓの表面に沿った方向（典型的には、平行な方向）として定義されてもよく、Ｚ軸方向は、便宜上、加工対象物Ｓの表面に交差する方向（典型的には、直交する方向）として定義されてもよい。

　加工システムＳＹＳａは、塗装膜ＳＦを加工するために、塗装膜ＳＦに対して加工光ＥＬｋを照射する。加工光ＥＬｋは、塗装膜ＳＦに照射されることで塗装膜ＳＦを加工可能である限りは、どのような種類の光であってもよい。一例として、加工光ＥＬｋは、レーザ光であってもよい。更に、加工光ＥＬｋは、塗装膜ＳＦに照射されることで塗装膜ＳＦを加工可能である限りは、どのような波長の光であってもよい。第１実施形態では、加工光ＥＬｋが不可視光（例えば、赤外光及び紫外光の少なくとも一方等）である例を用いて説明を進める。つまり、第１実施形態では、加工光ＥＬｋが、可視光の波長帯域よりも短い波長帯域に含まれる波長の光、及び、可視光の波長帯域よりも長い波長帯域に含まれる波長の光の少なくとも一方である例を用いて説明を進める。但し、加工光ＥＬｋは、可視光であってもよい。

　ここで、図２（ａ）及び図２（ｂ）を参照しながら、加工光ＥＬｋを用いた塗装膜ＳＦの加工の様子について説明する。図２（ａ）及び図２（ｂ）のそれぞれは、加工対象物Ｓの表面に形成された塗装膜ＳＦの加工の様子を模式的に示す断面図である。

　図２（ａ）に示すように、加工システムＳＹＳａは、塗装膜ＳＦの表面に設定される目標照射領域ＥＡに対して加工光ＥＬｋを照射する。尚、目標照射領域ＥＡは、加工システムＳＹＳａが加工光ＥＬｋを照射することが予定されている領域である。図２（ａ）に示すように、目標照射領域ＥＡに加工光ＥＬｋが照射されると、目標照射領域ＥＡと重なる塗装膜ＳＦ（つまり、目標照射領域ＥＡの－Ｚ側に位置する塗装膜）の一部が加工光ＥＬｋによって蒸発する。このとき、塗装膜ＳＦの厚み方向において、目標照射領域ＥＡに重なる塗装膜ＳＦの全てが蒸発しない。つまり、塗装膜ＳＦの厚み方向において、目標照射領域ＥＡに重なる塗装膜ＳＦの一部（具体的には、塗装膜ＳＦのうち目標照射領域ＥＡに相対的に近い部分）が蒸発する一方で、目標照射領域ＥＡに重なる塗装膜ＳＦの他の一部（具体的には、塗装膜ＳＦのうち目標照射領域ＥＡから相対的に遠い部分）が蒸発しない。言い換えれば、塗装膜ＳＦは、塗装膜ＳＦから加工対象物Ｓが露出しない程度にしか蒸発しない。このため、加工光ＥＬｋの特性は、塗装膜ＳＦから加工対象物Ｓが露出しない程度にしか塗装膜ＳＦを蒸発させることがない所望の特性に設定されていてもよい。加工光ＥＬｋの特性は、加工光ＥＬｋの照射によって加工対象物Ｓに影響を与えない所望の特性に設定されていてもよい。加工光ＥＬｋの特性は、加工光ＥＬｋの照射によって塗装膜ＳＦのみに影響を与える所望の特性に設定されていてもよい。尚、加工光ＥＬｋの特性は、加工光ＥＬｋの波長、塗装膜ＳＦの表面に対して加工光ＥＬｋから伝達される単位時間当たりの及び／又は単位面積当たりのエネルギー量、塗装膜ＳＦの表面における加工光ＥＬｋの強度分布、塗装膜ＳＦの表面に対する加工光ＥＬｋの照射時間、及び、塗装膜ＳＦの表面における加工光ＥＬｋのサイズ（一例として、スポット径及び面積の少なくとも一方）の少なくとも一つを含んでいてもよい。

　このとき、塗装膜ＳＦに照射される加工光ＥＬｋのエネルギーは、加工光ＥＬｋの照射によって加工対象物Ｓに影響を与えないように定められる。加工光ＥＬｋのエネルギーは、加工光ＥＬｋが塗装膜ＳＦを貫通して加工対象物Ｓに到達しないように定められる。言い換えると、加工光ＥＬｋのエネルギーは、加工光ＥＬｋの照射によって塗装膜ＳＦのみに影響を与えるように定められる。

　その結果、塗装膜ＳＦが蒸発した部分では、塗装膜ＳＦが除去される。一方で、塗装膜ＳＦが蒸発しなかった部分では、塗装膜ＳＦがそのまま残留する。つまり、図２（ｂ）に示すように、加工光ＥＬｋが照射された部分において、塗装膜ＳＦが部分的に除去される。その結果、図２（ｂ）に示すように、加工光ＥＬｋが照射された部分において、加工光ＥＬｋが照射されていない部分と比較して、塗装膜ＳＦの厚みが薄くなる。言い換えれば、図２（ｂ）に示すように、加工対象物Ｓの表面上には、加工光ＥＬｋが照射されていないがゆえに相対的に厚いままの塗装膜ＳＦと、加工光ＥＬｋが照射されたがゆえに相対的に薄くなった塗装膜ＳＦとが存在することになる。つまり、加工光ＥＬｋの照射により、塗装膜ＳＦの厚みが少なくとも部分的に調整される。加工光ＥＬｋの照射により、厚さ方向（図２（ｂ）に示す例では、Ｚ軸方向）において塗装膜ＳＦの一部が除去される。その結果、塗装膜ＳＦの表面に、塗装膜ＳＦが相対的に薄い部分に相当する凹部（言い換えれば、溝部）Ｃが形成される。従って、本実施形態における「塗装膜ＳＦを加工する動作」は、塗装膜ＳＦの厚みを調整する動作、塗装膜ＳＦの一部を除去する動作、及び、塗装膜ＳＦに凹部Ｃを形成する動作の少なくとも一つを含む。

　塗装膜ＳＦは、加工光ＥＬｋを吸収することで蒸発する。つまり、塗装膜ＳＦは、加工光ＥＬｋのエネルギーが塗装膜ＳＦに伝達されることで、例えば光化学的に分解されて除去される。尚、加工光ＥＬｋがレーザ光である場合には、加工光ＥＬｋのエネルギーが塗装膜ＳＦに伝達されることで塗装膜ＳＦ等が光化学的に分解されて除去される現象を、レーザーアブレーションと称することもある。このため、塗装膜ＳＦは、加工光ＥＬｋを吸収可能な材料を含んでいる。具体的には、例えば、塗装膜ＳＦは、加工光ＥＬｋに関する吸収率（例えば、加工光ＥＬｋが不可視光である場合には、可視光の波長帯域とは異なる波長を含む波長帯域の光に関する吸収率）が所定の第１吸収閾値以上となる材料を含んでいてもよい。逆に言えば、塗装膜ＳＦによる吸収率が所定の第１吸収閾値以上となる波長帯域の光成分が、加工光ＥＬｋとして用いられてもよい。

　塗装膜ＳＦを構成する材料は、色素（具体的には、例えば、顔料及び染料の少なくとも一方）を含んでいてもよい。塗装膜ＳＦが色素を含む場合には、当該色素は、可視光の照射時に所望色を呈する色素であってもよい。その結果、このような色素を含む塗装膜ＳＦは、所望色を呈することとなる。この場合、当該色素は、塗装膜ＳＦが所望色を呈するように、可視光の波長帯域のうち塗装膜ＳＦによって反射されることで所望色の光として人間に認識される波長を含む第１波長帯域の光成分の吸収率と、可視光のうち第１波長帯域とは異なる第２波長帯域の光成分の吸収率とが異なるという特性を有していてもよい。例えば、色素は、第１波長帯域の光成分の吸収率が第２波長帯域の光成分の吸収率よりも小さくなるという特性を有していてもよい。例えば、色素は、第１波長帯域の光成分の吸収率が所定の第２吸収閾値（但し、第２吸収閾値は、第１吸収閾値よりも小さい）以下になり、且つ、第２波長帯域の光成分の吸収率が所定の第３吸収閾値（但し、第３吸収閾値は、第２吸収閾値よりも大きい）以上になるという特性を有していてもよい。このような不可視光である加工光ＥＬｋを相応に吸収可能である一方で所望色を呈する色素の一例として、例えば、ウクライナ国キエフに所在するスペクトラムインフォ社製の近赤外線吸収色素（一例として、テトラフルオロホウ素化４－（（Ｅ）－２－｛（３Ｅ）－２－クロロ－３－［２－（２，６－ジフェニル－４Ｈ－チオピラン－４－イリデン）エチリデン］シクロヘキサ－１－エン－１－イル｝ビニル）－２，６－ジフェニルチオピリリウム）があげられる。尚、塗装膜ＳＦが透明である場合、塗装膜ＳＦは色素を含んでいなくてもよい。

　或いは、塗装膜ＳＦが色素を含む場合には、当該色素は、可視光に対して透明な色素であってもよい。その結果、このような色素を含む塗装膜ＳＦは、透明な膜（いわゆる、クリアコート）となる。尚、ここでいう「透明な膜」は、可視光の波長帯域のうちの少なくとも一部の波長帯域の光成分が通過することが可能な膜を意味していてもよい。この場合、当該色素は、塗装膜ＳＦが透明になるように、可視光をあまり吸収しない（つまり、相応に反射する）という特性を有していてもよい。例えば、色素は、可視光の吸収率が所定の第４吸収閾値よりも小さくなるという特性を有していてもよい。このような不可視光である加工光ＥＬｋを相応に吸収可能である一方で可視光に対して透明になる色素の一例として、例えば、スペクトラムインフォ社製の近赤外線吸収色素（一例として、テトラフルオロホウ素化６－クロロ－２－［（Ｅ）－２－（３－｛（Ｅ）－２－［６－クロロ－１－エチルベンゾ［ｃｄ］インドール－２（１Ｈ）－イリデン］エチリデン｝－２－フェニル－１－シクロペンテン－１－イル)エテニル］－１－エチルベンゾ［ｃｄ］インドリウム）があげられる。

　再び図１において、塗装膜ＳＦを加工するために、加工システムＳＹＳａは、加工装置１と、制御装置２とを備えている。更に、加工装置１は、光照射装置１１と、駆動系１２と、収容装置１３と、支持装置１４と、駆動系１５と、排気装置１６と、気体供給装置１７とを備える。

　光照射装置１１は、制御装置２の制御下で、塗装膜ＳＦに対して加工光ＥＬｋを照射可能である。加工光ＥＬｋを照射するために、光照射装置１１は、光照射装置１１の構造を示す斜視図である図３に示すように、光源光ＥＬｓを射出可能な光源１１０と、フォーカスレンズ１１１と、マルチビーム光学系１１２と、ガルバノミラー１１３と、ｆθレンズ１１４とを備える。

　光源１１０は、光源光ＥＬｏを射出する。光源光ＥＬｏは、例えば、加工光ＥＬｋと同じ特性（例えば、種類、波長及びエネルギーの少なくとも一つ）を有する光であるが、加工光ＥＬｋと異なる特性を有する光であってもよい。光源１１０は、例えば、パルス光を光源光ＥＬｏとして射出する。パルス光の発光時間幅（以下、“パルス幅”と称する）が短くなるほど、加工精度（例えば、後述するリブレット構造の形成精度）が向上する。従って、光源１１１１は、パルス幅が相対的に短いパルス光を、光源光ＥＬｏとして射出してもよい。例えば、光源１１１１は、パルス幅が１０００ナノ秒以下となるパルス光を、光源光ＥＬｏとして射出してもよい。

　フォーカスレンズ１１１は、１以上のレンズで構成され、その少なくとも一部のレンズの光軸方向に沿った位置を調整することで、光源光ＥＬｏの集光位置（つまり、光照射装置１１の焦点位置）を調整するための光学素子である。

　マルチビーム光学系１１２は、光源１１１からの光源光ＥＬｏを複数の加工光ＥＬｋに分岐（言い換えれば、分離又は分割）する。光源光ＥＬｏを複数の加工光ＥＬｋに分岐するために、マルチビーム光学系１１２は、マルチビーム光学系１１２の構造を示す断面図である図４に示すように、偏光ビームスプリッタ１１２１と、１／４波長板１１２２と、反射ミラー１１２３と、１／４波長板１１２４と、反射ミラー１１２５とを備える。

　光源１１１からの光源光ＥＬｏは、偏光ビームスプリッタ１１２１の分離面１１２１１に入射する。光源光ＥＬｏのうちのｓ偏光ＥＬｓ１は、分離面１１２１１において反射される。一方で、光源光ＥＬｏのうちのｐ偏光ＥＬｐ２は、分離面１１２１１を通過する。つまり、偏光ビームスプリッタ１１２１は、光源光ＥＬｏを、ｓ偏光ＥＬｓ１とｐ偏光ＥＬｐ２とに分岐する。

　偏光ビームスプリッタ１１２１によって反射されたｓ偏光ＥＬｓ１は、１／４波長板１１２２を通過する。その結果、ｓ偏光ＥＬｓ１は、円偏光ＥＬｃ１に変換される。１／４波長板１１２２を通過した円偏光ＥＬｃ１は、反射ミラー１１２３の反射面１１２３１によって反射される。反射ミラー１１２３によって反射された円偏光ＥＬｃ１は、１／４波長板１１２２を再度通過して、ｐ偏光ＥＬｐ１に変換される。１／４波長板１１２２を通過したｐ偏光ＥＬｐ１は、偏光ビームスプリッタ１１２１の分離面１１２１１に入射する。

　一方で、偏光ビームスプリッタ１１２１を通過したｐ偏光ＥＬｐ２は、１／４波長板１１２４を通過する。その結果、ｐ偏光ＥＬｐ２は、円偏光ＥＬｃ２に変換される。１／４波長板１１２４を通過した円偏光ＥＬｃ２は、反射ミラー１１２５の反射面１１２５１によって反射される。反射ミラー１１２５によって反射された円偏光ＥＬｃ２は、１／４波長板１１２４を再度通過して、ｓ偏光ＥＬｓ２に変換される。１／４波長板１１２４を通過したｓ偏光ＥＬｓ２は、偏光ビームスプリッタ１１２１の分離面１１２１１に入射する。

　分離面１１２１１に入射したｐ偏光ＥＬｐ１は、分離面１１２１１を通過する。分離面１１２１１を通過したｐ偏光ＥＬｐ１は、複数の加工光ＥＬｋのうちの一つとしてマルチビーム光学系１１２からガルバノミラー１１３に向けて射出される。一方で、分離面１１２１１に入射したｓ偏光ＥＬｓ２は、分離面１１２１１によって反射される。分離面１１２１１によって反射されたｓ偏光ＥＬｓ２は、複数の加工光ＥＬｋのうちの一つとしてマルチビーム光学系１１２からガルバノミラー１１３に向けて射出される。つまり、偏光ビームスプリッタ１１２１は、光源光ＥＬｏをｓ偏光ＥＬｓ１及びｐ偏光ＥＬｐ２に分岐する光学系として機能するだけでなく、異なる方向から偏光ビームスプリッタ１１２１に入射してくるｐ偏光ＥＬｐ１及びｓ偏光ＥＬｓ２を、ガルバノミラー１１３に向かう複数の加工光ＥＬｋとして合流させる光学系としても機能する。

　ここで、図４に示すように、反射ミラー１１２３の反射面１１２３１に対する円偏光ＥＬｃ１の入射角度が、反射ミラー１１２５の反射面１１２５１に対する円偏光ＥＬｃ２の入射角度とは異なるものとなるように、反射ミラー１１２３及び１１２５が位置合わせされている。つまり、反射ミラー１１２３の反射面１１２３１と円偏光ＥＬｃ１の進行方向に沿った軸とがなす角度が、反射ミラー１１２５の反射面１１２５１と円偏光ＥＬｃ２の進行方向に沿った軸とがなす角度とは異なるものとなるように、反射ミラー１１２３及び１１２５が位置合わせされている。図４は、反射面１１２３１に対して円偏光ＥＬｃ１が垂直入射する一方で、反射面１１２５１に対して円偏光ＥＬｃ２が斜入射するように、反射ミラー１１２３及び１１２５が位置合わせされている例を示している。その結果、分離面１１２１１を通過したｐ偏光ＥＬｐ１の進行方向に沿った軸と、分離面１１２１１によって反射されたｓ偏光ＥＬｓ２の進行方向に沿った軸とが交差することになる。つまり、マルチビーム光学系１１２から射出される複数の加工光ＥＬｋの進行方向にそれぞれ沿った複数の軸が交差することになる。この場合、反射ミラー１１２３及び１１２５は、複数の加工光ＥＬｋの進行方向を互いに異ならせる光学系として機能させることが可能である。その結果、図５（ａ）に示すように、複数の加工光ＥＬｋの進行方向に交差する光学面上においては、複数の加工光ＥＬｋが異なる位置を通過する。つまり、複数の加工光ＥＬｋの進行方向に交差する光学面上においては、複数の加工光ＥＬｋが複数のビームスポットをそれぞれ形成する。その結果、このような複数の加工光ＥＬｋが塗装膜ＳＦに照射されると、図５（ｂ）に示すように、塗装膜ＳＦ上において、複数の加工光ＥＬｋが複数のビームスポット（つまり、照射領域）をそれぞれ形成する。つまり、マルチビーム光学系１１２は、塗装膜ＳＦ上の異なる位置にそれぞれ照射される複数の加工光ＥＬｋを射出する。その結果、塗装膜ＳＦに、複数の加工光ＥＬｋが同時に照射される。つまり、塗装膜ＳＦ上には、複数の目標照射領域ＥＡが同時に設定される。

　再び図３において、ガルバノミラー１１３は、複数の加工光ＥＬｋの光路上に配置される。ガルバノミラー１１３は、マルチビーム光学系１１２とｆθレンズ１１４との間に配置される。ガルバノミラー１１３は、マルチビーム光学系１１２が射出する複数の加工光ＥＬｋが塗装膜ＳＦの表面を走査する（つまり、複数の加工光ＥＬｋがそれぞれ照射される複数の目標照射領域ＥＡが塗装膜ＳＦの表面を移動する）ように、複数の加工光ＥＬｋを偏向する。尚、ガルバノミラー１１３によって、マルチビーム光学系１１２が射出する複数の加工光ＥＬｋが塗装膜ＳＦの表面を掃引してもよい。ガルバノミラー１１３は、Ｘ走査ミラー１１３Ｘと、Ｙ走査ミラー１１３Ｙとを備える。Ｙ走査ミラー１１３Ｙは、マルチビーム光学系１１２が射出する複数の加工光ＥＬｋをＸ走査ミラー１１３Ｘに向けて反射する。Ｙ走査ミラー１１３Ｙは、θＸ方向（つまり、Ｘ軸周りの回転方向）に揺動又は回転可能である。Ｙ走査ミラー１１３Ｙの揺動又は回転により、複数の加工光ＥＬｋは、塗装膜ＳＦの表面をＹ軸方向に沿って走査する。Ｙ走査ミラー１１３Ｙの揺動又は回転により、複数の加工光ＥＬｋは、塗装膜ＳＦの表面をＹ軸方向に沿って掃引される。Ｙ走査ミラー１１３Ｙの揺動又は回転により、複数の加工光ＥＬｋが塗装膜ＳＦの表面をＹ軸方向に沿って走査するように、複数の加工光ＥＬｋの進行方向が変更される。Ｙ走査ミラー１１３Ｙの揺動又は回転により、複数の目標照射領域ＥＡは、塗装膜ＳＦ上をＹ軸方向に沿って移動する。Ｙ走査ミラー１１３Ｙは、複数の目標照射領域ＥＡと塗装膜ＳＦとの間のＹ軸方向に沿った相対的な位置関係を変更する。Ｘ走査ミラー１１３Ｘは、Ｙ走査ミラー１１３Ｙが反射した複数の加工光ＥＬｋをｆθレンズ１１４に向けて反射する。Ｘ走査ミラー１１３Ｘは、θＹ方向（つまり、Ｙ軸周りの回転方向）に揺動又は回転可能である。Ｘ走査ミラー１１３Ｘの揺動又は回転により、複数の加工光ＥＬｋは、塗装膜ＳＦの表面をＸ軸方向に沿って走査する。Ｘ走査ミラー１１３Ｘの揺動又は回転により、複数の加工光ＥＬｋは、塗装膜ＳＦの表面をＸ軸方向に沿って掃引される。Ｘ走査ミラー１１３Ｘの揺動又は回転により、複数の加工光ＥＬｋが塗装膜ＳＦの表面をＸ軸方向に沿って走査するように、複数の加工光ＥＬｋの進行方向が変更される。Ｘ走査ミラー１１３Ｘの揺動又は回転により、複数の目標照射領域ＥＡは、塗装膜ＳＦ上をＸ軸方向に沿って移動する。Ｘ走査ミラー１１３Ｘは、複数の目標照射領域ＥＡと塗装膜ＳＦとの間のＸ軸方向に沿った相対的な位置関係を変更する。尚、ガルバノミラー１１３は、塗装膜ＳＦの表面上において目標照射領域ＥＡを移動させる（つまり、変位させる）ことが可能であるがゆえに、変位部材と称してもよい。

　ｆθレンズ１１４は、ガルバノミラー１１３からの複数の加工光ＥＬｋの光路上に配置される。ｆθレンズ１１４は、ガルバノミラー１１３からの複数の加工光ＥＬｋを塗装膜ＳＦ上に集光するための光学素子である。ｆθレンズ１１４は、光照射装置１１が備える光学素子のうち光照射装置１１の最も光射出側に位置する（言い換えれば、塗装膜ＳＦに最も近い、又は、複数の加工光ＥＬｋの光路の終端に位置する）終端光学素子である。ｆθレンズ１１４は、光照射装置１１に対して脱着可能なように構成されていてもよい。その結果、光照射装置１１から古いｆθレンズ１１４を取り外した後に、光照射装置１１に別のｆθレンズ１１４を取り付けることが可能となる。但し、光照射装置１１は、ｆθレンズ１１４よりも光射出側に設けられた光学素子（例えば、カバーレンズ等）を備えていてもよい。ｆθレンズ１１４よりも光射出側に設けられた光学素子（例えば、カバーレンズ等）が、光照射装置１１に対して脱着可能なように構成されていてもよい。

　再び図１において、駆動系１２は、制御装置２の制御下で、光照射装置１１を、塗装膜ＳＦに対して（つまり、塗装膜ＳＦが表面に形成された加工対象物Ｓに対して）移動させる。つまり、駆動系１２は、光照射装置１１と塗装膜ＳＦとの相対的な位置関係を変更するように、光照射装置１１を塗装膜ＳＦに対して移動させる。光照射装置１１と塗装膜ＳＦとの間の相対的な位置関係が変更されると、複数の加工光ＥＬｋがそれぞれ照射される複数の目標照射領域ＥＡと塗装膜ＳＦとの間の相対的な位置関係もまた変更される。このため、駆動系１２は、複数の目標照射領域ＥＡと塗装膜ＳＦとの相対的な位置関係を変更するように、光照射装置１１を塗装膜ＳＦに対して移動させるとも言える。

　駆動系１２は、塗装膜ＳＦの表面に沿って、光照射装置１１を移動させてもよい。図１に示す例では、塗装膜ＳＦの表面は、Ｘ軸及びＹ軸のうち少なくとも一方に平行な平面であるため、駆動系１２は、Ｘ軸及びＹ軸の少なくとも一方に沿って、光照射装置１１を移動させてもよい。その結果、塗装膜ＳＦ上で目標照射領域ＥＡがＸ軸及びＹ軸の少なくとも一方に沿って移動する。駆動系１２は、塗装膜ＳＦの厚み方向（つまり、塗装膜ＳＦの表面に交差する方向）に沿って、光照射装置１１を移動させてもよい。図１に示す例では、塗装膜ＳＦの厚み方向は、Ｚ軸に沿った方向であるため、駆動系１２は、Ｚ軸方向に沿って、光照射装置１１を移動させてもよい。駆動系１２は、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸の少なくとも一つに加えて、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向（つまり、Ｚ軸周りの回転方向）の少なくとも一つに沿って、光照射装置１１を移動させてもよい。

　駆動系１２は、光照射装置１１を支持すると共に、当該支持している光照射装置１１を移動させる。この場合、駆動系１２は、例えば、光照射装置１１を支持する第１支持部材と、当該第１支持部材を移動させる第１移動機構とを備えていてもよい。

　収容装置１３は、天井部材１３１と、隔壁部材１３２とを備えている。天井部材１３１は、光照射装置１１の＋Ｚ側に配置される。天井部材１３１は、ＸＹ平面に沿った板状の部材である。天井部材１３１は、支持部材１３３を介して駆動系１２を支持する。天井部材１３１の－Ｚ側の面の外縁（或いは、その近傍）には、隔壁部材１３２が配置されている。隔壁部材１３２は、天井部材１３１から－Ｚ側に向かって延伸する筒状（例えば、円筒状の又は矩形筒状の）の部材である。天井部材１３１と隔壁部材１３２とによって囲まれた空間は、光照射装置１１及び駆動系１２を収容するための収容空間ＳＰとなる。従って、上述した駆動系１２は、収容空間ＳＰ内で光照射装置１１を移動させる。更に、収容空間ＳＰは、光照射装置１１と塗装膜ＳＦとの間の空間（特に、加工光ＥＬｋの光路を含む空間）を含んでいる。より具体的には、収容空間ＳＰは、光照射装置１１が備える終端光学素子（例えば、ｆθレンズ１１２３）と塗装膜ＳＦとの間の空間（特に、加工光ＥＬｋの光路を含む空間）を含んでいる。

　天井部材１３１及び隔壁部材１３２のそれぞれは、加工光ＥＬｋを遮光可能な部材である。つまり、天井部材１３１及び隔壁部材１３２のそれぞれは、加工光ＥＬｋの波長に対して不透明である。その結果、収容空間ＳＰ内を伝搬する加工光ＥＬｋが収容空間ＳＰの外部（つまり、収容装置１３の外部）に漏れ出てくることはない。尚、天井部材１３１及び隔壁部材１３２のそれぞれは、加工光ＥＬｋを減光可能な部材であってもよい。つまり、天井部材１３１及び隔壁部材１３２のそれぞれは、加工光ＥＬｋの波長に対して半透明であってもよい。更に、天井部材１３１及び隔壁部材１３２のそれぞれは、加工光ＥＬｋの照射によって発生した不要物質を透過させない（つまり、遮蔽可能な）部材である。不要物質の一例として、塗装膜ＳＦの蒸気及びヒュームの少なくとも一方があげられる。その結果、収容空間ＳＰ内で発生した不要物質が収容空間ＳＰの外部（つまり、収容装置１３の外部）に漏れ出てくることはない。

　隔壁部材１３２の端部（具体的には、塗装膜ＳＦ側の端部であり、図１に示す例では、－Ｚ側の端部）１３４は、塗装膜ＳＦの表面に接触可能である。端部１３４が塗装膜ＳＦに接触する場合には、収容装置１３（つまり、天井部材１３１及び隔壁部材１３２）は、塗装膜ＳＦと協働して収容空間ＳＰの密閉性を維持する。端部１３４は、塗装膜ＳＦと接触した場合に、塗装膜ＳＦの表面の形状に応じてその形状（特に、端部１３４のうち塗装膜ＳＦに接触する接触面（図１に示す例では、－Ｚ側の面）の形状、以下同じ）を変化させることが可能である。例えば、表面が平面形状の塗装膜ＳＦに端部１３４が接触する場合には、端部１３４の形状は、塗装膜ＳＦと同様に平面形状になる。例えば、表面が曲面形状の塗装膜ＳＦに端部１３４が接触する場合には、端部１３４の形状は、塗装膜ＳＦと同様に曲面形状になる。その結果、端部１３４が塗装膜ＳＦの表面の形状に応じてその形状を変化させることができない場合と比較して、収容空間ＳＰの密閉性が向上する。形状を変化させることが可能な端部１３４の一例として、ゴム等の弾性を有する部材（言い換えれば、柔軟な部材）から形成されている端部１３４があげられる。尚、形状を変化させることが可能な端部１３４として、例えば弾性を有する構造である蛇腹状の端部１３４ａが用いられてもよい。

　端部１３４は、塗装膜ＳＦに接触した状態で塗装膜ＳＦに付着可能であってもよい。例えば、端部１３４は、塗装膜ＳＦに吸着可能な吸着機構を備えていてもよい。端部１３４が塗装膜ＳＦに付着すると、端部１３４が塗装膜ＳＦに付着していない場合と比較して、収容空間ＳＰの密閉性がより一層向上する。但し、端部１３４が塗装膜ＳＦに付着可能でなくてもよい。この場合であっても、端部１３４が塗装膜ＳＦに接触する限りは、収容空間ＳＰの密閉性が相応に維持されることに変わりはない。

　隔壁部材１３２は、制御装置２の制御下で動作する不図示の駆動系（例えば、アクチュエータ）によって、Ｚ軸方向に沿って伸縮可能な部材である。例えば、隔壁部材１３２は、蛇腹状の部材（いわゆる、ベローズ）であってもよい。この場合、隔壁部材１３２は、蛇腹部分の伸縮によって伸縮可能である。或いは、例えば、隔壁部材１３２は、異なる径を有する複数の中空状の円筒部材が組み合わせられたテレスコピックパイプを備えていてもよい。この場合、隔壁部材１３２は、複数の円筒部材の相対的な移動によって伸縮可能である。隔壁部材１３２の状態は、少なくとも、隔壁部材１３２がＺ軸方向に沿って伸びることでＺ軸方向の長さが相対的に長い第１伸長状態と、隔壁部材１３２がＺ軸方向に沿って縮小することでＺ軸方向の長さが相対的に短い第１縮小状態とに設定可能である。

　隔壁部材１３２が第１伸長状態にある場合には、端部１３４は、塗装膜ＳＦに接触可能な第１接触状態にある。一方で、隔壁部材１３２が第１縮小状態にある場合には、端部１３４は、塗装膜ＳＦに接触しない第１非接触状態にある。つまり、隔壁部材１３２が第１縮小状態にある場合には、端部１３４は、塗装膜ＳＦから＋Ｚ側に離れている第１非接触状態にある。尚、端部１３４の状態を第１接触状態と第１非接触状態との間で切り換えるための構成は、隔壁部材１３２を伸縮する構成には限定されない。例えば、収容装置１３自体を±Ｚ方向に沿って移動可能な構成とすることで、端部１３４の状態を第１接触状態と第１非接触状態との間で切り換えてもよい。

　収容装置１３は更に、検出装置１３５を備えている。検出装置１３５は、収容空間ＳＰ内の不要物質（つまり、加工光ＥＬｋの照射によって発生した物質）を検出する。検出装置１３５の検出結果は、後に詳述するように、隔壁部材１３２の状態を第１伸長状態から第１縮小状態へと変える際に制御装置２によって参照される。

　支持装置１４は、収容装置１３を支持する。収容装置１３が駆動系１２及び光照射装置１１を支持しているため、支持装置１４は、実質的には、収容装置１３を介して駆動系１２及び光照射装置１１を支持している。収容装置１３を支持するために、支持装置１４は、梁部材１４１と、複数の脚部材１４２とを備えている。梁部材１４１は、収容装置１３の＋Ｚ側に配置される。梁部材１４１は、ＸＹ平面に沿って延伸する梁状の部材である。梁部材１４１は、支持部材１４３を介して収容装置１３を支持する。梁部材１４１には、複数の脚部材１４２が配置されている。脚部材１４２は、梁部材１４１から－Ｚ側に向かって延伸する棒状の部材である。

　脚部材１４２の端部（具体的には、塗装膜ＳＦ側の端部であり、図１に示す例では、－Ｚ側の端部）１４４は、塗装膜ＳＦの表面に接触可能である。その結果、支持装置１４は、塗装膜ＳＦによって（つまり、加工対象物Ｓによって）支持される。つまり、支持装置１４は、端部１４４が塗装膜ＳＦに接触した状態で（言い換えれば、支持装置１４が塗装膜Ｓによって支持された状態で）収容装置１３を支持する。端部１４４は、収容装置１３の端部１３４と同様に、塗装膜ＳＦと接触した場合に、塗装膜ＳＦの表面の形状に応じてその形状（特に、端部１４４のうち塗装膜ＳＦに接触する接触面（図１に示す例では、－Ｚ側の面）の形状、以下同じ）を変化させることが可能であってもよい。端部１４４は、塗装膜ＳＦに接触した状態で塗装膜ＳＦに付着可能であってもよい。例えば、端部１４４は、塗装膜ＳＦに吸着可能な吸着機構を備えていてもよい。端部１４４が塗装膜ＳＦに付着すると、端部１４４が塗装膜ＳＦに付着していない場合と比較して、支持装置１４の安定性が向上する。但し、端部１４４が塗装膜ＳＦに付着可能でなくてもよい。

　梁部材１４１は、制御装置２の制御下で動作する駆動系１５によって、Ｘ軸及びＹ軸の少なくとも一方に沿って（或いは、ＸＹ平面に沿った任意の方向に沿って）伸縮可能な部材である。例えば、梁部材１４１は、異なる径を有する複数の筒部材が組み合わせられたテレスコピックパイプを備えていてもよい。この場合、梁部材１４１は、複数の筒部材の相対的な移動によって伸縮可能である。

　脚部材１４２は、制御装置２の制御下で動作する駆動系１５によって、Ｚ軸方向に沿って伸縮可能な部材である。例えば、脚部材１４２は、異なる径を有する複数の筒部材が組み合わせられたテレスコピックパイプを備えていてもよい。この場合、脚部材１４２は、複数の筒部材の相対的な移動によって伸縮可能である。脚部材１４２の状態は、少なくとも、脚部材１４２がＺ軸方向に沿って伸びることでＺ軸方向の長さが相対的に長い第２伸長状態と、脚部材１４２がＺ軸方向に沿って縮小することでＺ軸方向の長さが相対的に短い第２縮小状態とに設定可能である。脚部材１４２が第２伸長状態にある場合には、端部１４４は、塗装膜ＳＦに接触可能な第２接触状態にある。一方で、脚部材１４２が第２縮小状態にある場合には、端部１４４は、塗装膜ＳＦに接触しない第２非接触状態にある。つまり、脚部材１４２が第２縮小状態にある場合には、端部１４４は、塗装膜ＳＦから＋Ｚ側に離れている第２非接触状態にある。

　駆動系１５は、制御装置２の制御下で、支持装置１４を塗装膜ＳＦに対して（つまり、塗装膜ＳＦが表面に形成された加工対象物Ｓに対して）移動させる。つまり、駆動系１５は、支持装置１４と塗装膜ＳＦとの相対的な位置関係を変更するように、支持装置１４を塗装膜ＳＦに対して移動させる。支持装置１４が収容装置１３を支持しているため、駆動系１５は、実質的には、支持装置１４を移動させることで、収容装置１３を塗装膜ＳＦに対して移動させる。つまり、駆動系１５は、実質的には、収容装置１３と塗装膜ＳＦとの相対的な位置関係を変更するように、支持装置１４を塗装膜ＳＦに対して移動させる。更に、収容装置１３は、駆動系１２を介して光照射装置１１を支持している。このため、駆動系１５は、実質的には、支持装置１４を移動させることで、光照射装置１１を塗装膜ＳＦに対して移動させることができる。つまり、駆動系１５は、実質的には、光照射装置１１と塗装膜ＳＦとの相対的な位置関係を変更するように、支持装置１４を塗装膜ＳＦに対して移動させることができる。言い換えれば、駆動系１５は、実質的には、複数の目標照射領域ＥＡと塗装膜ＳＦとの相対的な位置関係を変更するように、支持装置１４を塗装膜ＳＦに対して移動させることができる。

　駆動系１５は、支持装置１４を移動させるために、制御装置２の制御下で、梁部材１４１を伸縮させる。更に、駆動系１５は、支持装置１４を移動させるために、制御装置２の制御下で、複数の脚部材１４２を伸縮させる。尚、駆動系１５による支持装置１４の移動態様については、図８から図１７を参照しながら後に詳述する。

　排気装置１６は、排気管１６１を介して収容空間ＳＰに連結されている。排気装置１６は、収容空間ＳＰ内の気体を排気可能である。特に、排気装置１６は、収容空間ＳＰ内の気体を排気することで、加工光ＥＬｋの照射によって発生した不要物質を、収容空間ＳＰから収容空間ＳＰの外部に吸引可能である。特に、この不要物質が加工光ＥＬｋの光路上に存在する場合、塗装膜ＳＦに対する加工光ＥＬｋの照射に影響を与える可能性がある。このため、排気装置１６は特に、光照射装置１１の終端光学素子と塗装膜ＳＦとの間の加工光ＥＬｋの光路を含む空間から、当該空間内の気体と共に不要物質を吸引する。排気装置１６が収容空間ＳＰから吸引した不要物質は、フィルタ１６２を介して加工システムＳＹＳの外部へと排出される。フィルタ１６２は、不要物質を吸着する。尚、フィルタ１６２は、着脱可能であってもよいし、交換可能であってもよい。

　気体供給装置１７は、吸気管１７１を介して収容空間ＳＰに連結されている。気体供給装置１７は、収容空間ＳＰに気体を供給可能である。収容空間ＳＰに供給する気体としては、大気、ＣＤＡ（クリーン・ドライ・エア）及び不活性ガスの少なくとも一つがあげられる。不活性ガスの一例として、窒素ガスがあげられる。第１実施形態では、気体供給装置１７はＣＤＡを供給するものとする。このため、収容空間ＳＰは、ＣＤＡによってパージされた空間となる。収容空間ＳＰに供給されたＣＤＡの少なくとも一部は、排気装置１６によって吸引される。排気装置１６が収容空間ＳＰから吸引したＣＤＡは、フィルタ１６２を通過して加工システムＳＹＳａの外部へと排出される。

　気体供給装置１７は特に、図３に示すｆθレンズ１１４の収容空間ＳＰ側の光学面１１４１（つまり、光照射装置１１の終端光学素子の収容空間ＳＰ側の光学面）にＣＤＡ等の気体を供給する。光学面１１４１は、収容空間ＳＰに面しているがゆえに、加工光ＥＬｋの照射によって発生した不要物質にさらされる可能性がある。その結果、光学面１１４１に不要物質が付着してしまう可能性がある。更に、加工光ＥＬｋが光学面１１４１を通過するがゆえに、光学面１１４１通過する加工光ＥＬｋによって光学面１１４１に付着した不要物質が焼き付けられる（つまり、固着してしまう）可能性がある。光学面１１４１に付着した（更には、固着した）不要物質は、光学面１１４１の汚れとなって加工光ＥＬｋの特性に影響を与えかねない。しかるに、光学面１１４１にＣＤＡ等の気体が供給されると、光学面１１４１と不要物質との接触が防止される。このため、光学面１１４１への汚れの付着が防止される。従って、気体供給装置１７は、光学面１１４１への汚れの付着を防止する付着防止装置としても機能する。更には、光学面１１４１に汚れが付着（更には、固着）してしまった場合であっても、光学面１１４１に供給されたＣＤＡによって汚れが除去される（例えば、吹き飛ばされる）可能性がある。従って、気体供給装置１７は、光学面１１４１に付着した汚れを除去する付着防止装置としても機能し得る。

　制御装置２は、加工システムＳＹＳａの全体の動作を制御する。特に、制御装置２は、後に詳述するように、所望の形状の凹部Ｃが所望の位置に形成されるように、光照射装置１１、駆動系１２、収容装置１３及び駆動系１５を制御する。

　制御装置２は、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）（或いは、ＣＰＵに加えて又は代えてＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ））と、メモリとを含んでいてもよい。制御装置２は、ＣＰＵがコンピュータプログラムを実行することで、加工システムＳＹＳａの動作を制御する装置として機能する。このコンピュータプログラムは、制御装置２が行うべき後述する動作を制御装置２（例えば、ＣＰＵ）に行わせる（つまり、実行させる）ためのコンピュータプログラムである。つまり、このコンピュータプログラムは、加工システムＳＹＳａに後述する動作を行わせるように制御装置２を機能させるためのコンピュータプログラムである。ＣＰＵが実行するコンピュータプログラムは、制御装置２が備えるメモリ（つまり、記録媒体）に記録されていてもよいし、制御装置２に内蔵された又は制御装置２に外付け可能な任意の記憶媒体（例えば、ハードディスクや半導体メモリ）に記録されていてもよい。或いは、ＣＰＵは、実行するべきコンピュータプログラムを、ネットワークインタフェースを介して、制御装置２の外部の装置からダウンロードしてもよい。

　制御装置２は、加工システムＳＹＳａの内部に設けられていなくてもよく、例えば、加工システムＳＹＳａ外にサーバ等として設けられていてもよい。この場合、制御装置２と加工システムＳＹＳａとは、有線及び／又は無線のネットワーク（或いは、データバス及び／又は通信回線）で接続されていてもよい。有線のネットワークとして、例えばＩＥＥＥ１３９４、ＲＳ－２３２ｘ、ＲＳ－４２２、ＲＳ－４２３、ＲＳ－４８５及びＵＳＢの少なくとも一つに代表されるシリアルバス方式のインタフェースを用いるネットワークが用いられてもよい。有線のネットワークとして、パラレルバス方式のインタフェースを用いるネットワークが用いられてもよい。有線のネットワークとして、１０ＢＡＳＥ－Ｔ、１００ＢＡＳＥ－ＴＸ及び１０００ＢＡＳＥ－Ｔの少なくとも一つに代表されるイーサネット（登録商標）に準拠したインタフェースを用いるネットワークが用いられてもよい。無線のネットワークとして、電波を用いたネットワークが用いられてもよい。電波を用いたネットワークの一例として、ＩＥＥＥ８０２．１ｘに準拠したネットワーク（例えば、無線ＬＡＮ及びＢｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）の少なくとも一方）があげられる。無線のネットワークとして、赤外線を用いたネットワークが用いられてもよい。無線のネットワークとして、光通信を用いたネットワークが用いられてもよい。この場合、制御装置２と加工システムＳＹＳａとはネットワークを介して各種の情報の送受信が可能となるように構成されていてもよい。また、制御装置２は、ネットワークを介して加工システムＳＹＳａにコマンドや制御パラメータ等の情報を送信可能であってもよい。加工システムＳＹＳａは、制御装置２からのコマンドや制御パラメータ等の情報を、上記ネットワークを介して受信する受信装置を備えていてもよい。或いは、制御装置２が行う処理のうちの一部を行う第１制御装置が加工システムＳＹＳａの内部に設けられている一方で、制御装置２が行う処理のうちの他の一部を行う第２制御装置が加工システムＳＹＳａの外部に設けられていてもよい。

　尚、ＣＰＵが実行するコンピュータプログラムを記録する記録媒体としては、ＣＤ－ＲＯＭ、ＣＤ－Ｒ、ＣＤ－ＲＷやフレキシブルディスク、ＭＯ、ＤＶＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ－ＲＡＭ、ＤＶＤ－Ｒ、ＤＶＤ＋Ｒ、ＤＶＤ－ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ及びＢｌｕ－ｒａｙ（登録商標）等の光ディスク、磁気テープ等の磁気媒体、光磁気ディスク、ＵＳＢメモリ等の半導体メモリ、及び、その他プログラムを格納可能な任意の媒体の少なくとも一つが用いられてもよい。記録媒体には、コンピュータプログラムを記録可能な機器（例えば、コンピュータプログラムがソフトウェア及びファームウェア等の少なくとも一方の形態で実行可能な状態に実装された汎用機器又は専用機器）が含まれていてもよい。更に、コンピュータプログラムに含まれる各処理や機能は、制御装置２（つまり、コンピュータ）がコンピュータプログラムを実行することで制御装置２内に実現される論理的な処理ブロックによって実現されてもよいし、制御装置２が備える所定のゲートアレイ（ＦＰＧＡ、ＡＳＩＣ）等のハードウェアによって実現されてもよいし、論理的な処理ブロックとハードウェアの一部の要素を実現する部分的ハードウェアモジュールとが混在する形式で実現してもよい。

　（１－２）加工システムＳＹＳａによる加工動作の具体例
　（１－２－１）加工動作によって形成される構造の具体例
　図２を用いて説明したように、第１実施形態では、加工システムＳＹＳａは、塗装膜ＳＦに凹部Ｃを形成する。凹部Ｃは、塗装膜ＳＦのうち加工光ＥＬｋが実際に照射された部分に形成される。このため、塗装膜ＳＦ上で加工光ＥＬｋが実際に照射される位置（つまり、加工光ＥＬｋが照射されることが予定されている目標照射領域ＥＡが設定される位置）を適切に設定すれば、塗装膜ＳＦの所望位置に凹部Ｃが形成可能となる。つまり、加工対象物Ｓ上に、塗装膜ＳＦによる構造を形成可能となる。

　具体的には、加工システムＳＹＳａは、上述したように、ガルバノミラー１１３及び駆動系１２の少なくとも一方を用いて、目標照射領域ＥＡに塗装膜ＳＦの表面を移動させる。加工システムＳＹＳａは、塗装膜ＳＦの表面を目標照射領域ＥＡが移動する期間中に、塗装膜ＳＦの表面のうち加工光ＥＬｋを実際に照射するべき領域（つまり、加工するべき領域）に目標照射領域ＥＡが重なるタイミングで加工光ＥＬｋを照射する。一方で、加工システムＳＹＳａは、塗装膜ＳＦの表面を目標照射領域ＥＡが移動する期間中に、塗装膜ＳＦの表面のうち加工光ＥＬｋを実際に照射するべき領域に目標照射領域ＥＡが重ならないタイミングでは加工光ＥＬｋを照射しない。つまり、加工システムＳＹＳａは、塗装膜ＳＦの表面を目標照射領域ＥＡが移動する期間中に、塗装膜ＳＦの表面のうち加工光ＥＬｋを実際に照射するべきでない領域（つまり、加工すべきでない領域）に目標照射領域ＥＡが重なるタイミングでは加工光ＥＬｋを照射しない。その結果、加工対象物Ｓ上に、塗装膜ＳＦのうち加工光ＥＬｋが実際に照射された領域のパターンに応じた塗装膜ＳＦによる構造が形成される。

　第１実施形態では、加工システムＳＹＳａは、制御装置２の制御下で、このような塗装膜ＳＦによる構造の一例であるリブレット構造を加工対象物Ｓ上に形成する。リブレット構造は、塗装膜ＳＦの表面の流体に対する抵抗（特に、摩擦抵抗、乱流摩擦抵抗）を低減可能な構造である。リブレット構造が形成された加工対象物Ｓの表面の流体に対する抵抗は、リブレット構造が形成されていない加工対象物Ｓの表面の流体に対する抵抗よりも小さくなる。このため、リブレット構造は、加工対象物Ｓの表面の流体に対する抵抗を低減可能な構造であるとも言える。尚、ここでいう流体とは、塗装膜ＳＦの表面に対して相対的に流れている媒質（気体、液体）であればよい。例えば、静止している加工対象物ＳＦに対して流れている媒質、及び、移動している加工対象物ＳＦの周囲に分布する静止している媒質のそれぞれは、流体の一例である。

　リブレット構造の一例が図６（ａ）及び図６（ｂ）に示されている。図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、リブレット構造は、例えば、第１の方向（図６（ａ）及び図６（ｂ）に示す例では、Ｙ軸方向）に沿って凹部Ｃを連続的に形成することで形成される凹状構造ＣＰ１（つまり、第１の方向に沿って延伸するように直線状に形成された凹状構造ＣＰ１）が、第１の方向に交差する第２方向（図６（ａ）及び図６（ｂ）に示す例では、Ｘ軸方向）に沿って複数配列された構造である。つまり、リブレット構造は、例えば、第１の方向に沿って延びる複数の凹状構造ＣＰ１が、第１の方向に交差する第２方向に周期方向を有する構造である。隣り合う２つの凹状構造ＣＰ１の間には、周囲から突き出た凸状構造ＣＰ２が実質的に存在する。従って、リブレット構造は、例えば、第１の方向（例えば、Ｙ軸方向）に沿って直線状に延伸する凸状構造ＣＰ２が、第１の方向に交差する第２方向（例えば、Ｘ軸方向）に沿って複数配列された構造であるとも言える。つまり、リブレット構造は、例えば、第１の方向に沿って延びる複数の凸状構造ＣＰ２が、第１の方向に交差する第２方向に周期方向を有する構造であるとも言える。図６（ａ）及び図６（ｂ）に示されるリブレット構造は、周期的な構造である。

　隣り合う２つの凹状構造ＣＰ１の間隔（つまり、凹状構造ＣＰ１の配列ピッチＰ１）は、例えば、数ミクロンから数百ミクロンであるが、その他のサイズであってもよい。更に、各凹状構造ＣＰ１の深さ（つまり、Ｚ軸方向の深さ）Ｄは、例えば、数ミクロンから数百ミクロンであるが、その他のサイズであってもよい。各凹状構造ＣＰ１の深さＤは、凹状構造ＣＰ１の配列ピッチＰ１以下であってもよい。各凹状構造ＣＰ１の深さＤは、凹状構造ＣＰ１の配列ピッチＰ１の半分以下であってもよい。各凹状構造ＣＰ１のＺ軸を含む断面（具体的には、ＸＺ平面に沿った断面）の形状は、お椀型の曲線形状であるが、三角形であってもよいし、四角形であってもよいし、五角形以上の多角形であってもよい。

　隣り合う２つの凸状構造ＣＰ２の間隔（つまり、凸状構造ＣＰ２の配列ピッチＰ２）は、例えば、数ミクロンから数百ミクロンであるが、その他のサイズであってもよい。更に、各凸状構造ＣＰ２の高さ（つまり、Ｚ軸方向の高さ）Ｈは、例えば、数ミクロンから数百ミクロンであるが、その他のサイズであってもよい。各凸状構造ＣＰ２の高さＨは、凸状構造ＣＰ２の配列ピッチＰ２以下であってもよい。各凸状構造ＣＰ２の高さＨは、凸状構造ＣＰ２の配列ピッチＰ２の半分以下であってもよい。各凸状構造ＣＰ２のＺ軸を含む断面（具体的には、ＸＺ平面に沿った断面）の形状は、斜面が曲線となる山形の形状であるが、三角形であってもよいし、四角形であってもよいし、五角形以上の多角形であってもよい。また、各凸状構造ＣＰ２は稜線を有していてもよい。

　尚、加工システムＳＹＳａが形成するリブレット構造自体は、例えば、日本機械学会編『機械工学便覧基礎編　α４流体工学』第５章に記述されるような既存のリブレット構造であってもよいため、リブレット構造そのものについての詳細な説明は省略する。

　このようなリブレット構造は、上述したように、リブレット構造が形成された加工対象物Ｓの表面の流体に対する抵抗を低減可能である。このため、加工対象物Ｓは、流体に対する抵抗を低減することが望まれる物体（例えば、構造体）であってもよい。例えば、加工対象物Ｓは、少なくとも一部が流体（例えば、気体及び液体の少なくとも一方）内を進むように移動可能な物体（つまり、移動体）を含んでいてもよい。具体的には、例えば、加工対象物Ｓは、図７（ａ）から図７（ｃ）に示すように、航空機ＰＬの機体（例えば、胴体ＰＬ１、主翼ＰＬ２、垂直尾翼ＰＬ３及び水平尾翼ＰＬ４のうち少なくとも１つ）を含んでいてもよい。この場合、図７（ａ）及び図７（ｃ）に示すように、加工装置１（或いは、加工システムＳＹＳａ、以下この段落において同じ）は、支持装置１４により航空機ＰＬの機体上で自立していてもよい。或いは、支持装置１４の脚部材１４２の端部１４４が塗装膜ＳＦに付着可能であるがゆえに、図７（ｂ）に示すように、加工装置１は、支持装置１４により航空機ＰＬの機体から吊り下がる（つまり、ぶら下がる）ように航空機ＰＬの機体に付着してもよい。更に、支持装置１４の脚部材１４２の端部１４４が塗装膜ＳＦに付着可能であり且つ収容装置１３の隔壁部材１３２の端部１３４が塗装膜ＳＦに付着可能であるがゆえに、加工装置１は、塗装膜ＳＦの表面が上方を向いている状態で水平面に対して傾斜している場合であっても、塗装膜ＳＦ上で自立可能である。更には、加工装置１は、塗装膜ＳＦの表面が下方を向いている状態で水平面に対して傾斜している場合であっても、塗装膜ＳＦから吊り下がるように塗装膜ＳＦに付着可能である。いずれの場合であっても、光照射装置１１は、駆動系１２により及び／又は支持装置１４の移動により、機体の表面に沿って移動可能である。従って、加工システムＳＹＳは、航空機の機体のような加工対象物Ｓ（つまり、表面が曲面となる、表面が水平面に対して傾斜している又は表面が下方を向いている加工対象物Ｓ）にも、塗装膜ＳＦによるリブレット構造を形成可能である。

　その他、例えば、加工対象物Ｓは、自動車の車体及び空力パーツの少なくとも一方を含んでいてもよい。例えば、加工対象物Ｓは、船舶の船体を含んでいてもよい。例えば、加工対象物Ｓは、ロケットの機体を含んでいてもよい。例えば、加工対象物Ｓは、タービン（例えば、水力タービン及び風力タービン等の少なくとも一つであり、特にそのタービンブレード）を含んでいてもよい。例えば、加工対象物Ｓは、少なくとも一部が流体内を進むように移動可能な物体を構成する部品を含んでいてもよい。例えば、加工対象物Ｓは、流動している流体内に少なくとも一部が固定される物体を含んでいてもよい。具体的には、例えば、加工対象物Ｓは、川又は海の中に設置される橋桁を含んでいてもよい。例えば、加工対象物Ｓは、内部を流体が流れる配管を含んでいてもよい。この場合、配管の内壁が上述した加工対象物Ｓの表面となり得る。

　尚、ここにあげた加工対象物Ｓの一例は、比較的に大きな物体（例えば、数メートルから数百メートルのオーダーのサイズの物体）である。この場合、図７（ａ）から図７（ｃ）に示すように、光照射装置１１の大きさは、加工対象物Ｓの大きさよりも小さい。しかしながら、加工対象物Ｓは、どのようなサイズの物体であってもよい。例えば、加工対象物Ｓは、キロメートル、センチメートル、ミリメートル又はマイクロメートルのオーダーのサイズの物体であってもよい。

　上述したリブレット構造の特性は、加工対象物Ｓがどのような物体であるかに応じて、摩擦の低減効果が適切に得られるような適切な特性に設定されてもよい。つまり、上述したリブレット構造の特性は、加工対象物Ｓがどのような物体であるかに応じて、摩擦の低減効果が適切に得られるように最適化されてもよい。より具体的には、リブレット構造の特性は、使用中の（つまり、運用中）の加工対象物Ｓの周囲に分布する流体の種類、加工対象物Ｓの流体に対する相対速度、及び、加工対象物Ｓの形状等の少なくとも一つに応じて、摩擦の低減効果が適切に得られる適切な特性に設定されてもよい。更に、上述したリブレット構造の特性は、加工対象物Ｓがどのような物体であり且つその物体のどの部分にリブレット構造が形成されるかに応じて、摩擦の低減効果が適切に得られるような適切な特性に設定されてもよい。例えば、加工対象物Ｓが航空機ＰＬの機体である場合には、胴体ＰＬ１に形成されるリブレット構造の特性と、主翼ＰＬ２に形成されるリブレット構造の特性とが異なっていてもよい。

　リブレット構造の特性は、リブレット構造のサイズを含んでいてもよい。リブレット構造のサイズは、凹状構造ＣＰ１の配列ピッチＰ１、各凹状構造ＣＰ１の深さＤ、凸状構造ＣＰ２の配列ピッチＰ２、各凸状構造ＣＰ２の高さＨ等の少なくとも一つを含んでいてもよい。リブレット構造の特性は、リブレット構造の形状（例えば、Ｚ軸を含む断面（具体的には、ＸＺ平面に沿った断面）の形状）を含んでいてもよい。リブレット構造の特性は、リブレット構造の延伸方向（つまり、凹状構造ＣＰ１の延伸方向）を含んでいてもよい。リブレット構造の特性は、リブレット構造の形成位置を含んでいてもよい。

　リブレット構造の特性は、加工対象物Ｓをシミュレートするシミュレーションモデルに基づいて決定されてもよい。特に、リブレット構造の特性は、流体内を移動する加工対象物Ｓをシミュレートする（言い換えれば、移動する加工対象物Ｓの周囲の流体の流れをシミュレートする）シミュレーションモデルに基づいて決定されてもよい。具体的には、制御装置２（或いは、シミュレーションモデルに基づく演算を行うその他の演算装置）は、流体シミュレーションモデルに基づいて、摩擦の低減効果が適切に得られるリブレット構造の特性を決定してもよい。つまり、制御装置２（或いは、シミュレーションモデルに基づく演算を行うその他の演算装置）は、流体シミュレーションモデルに基づいて、摩擦の低減効果が適切に得られるように、リブレット構造の特性を最適化してもよい。その後、制御装置２は、決定した（つまり、最適化された）リブレット構造の特性に関するリブレット情報に基づいて、決定した特性を有するリブレット構造を形成するように加工装置１を制御してもよい。リブレット情報は、例えば、どのようなサイズ、形状及び延伸方向の凹状構造ＣＰ１を、加工対象物Ｓのどの位置に形成するかを示す情報を含んでいてもよい。リブレット情報は、例えば、どのようなサイズ、形状及び延伸方向の凹状構造ＣＰ１を、加工対象物Ｓのどの位置に形成するかを、シミュレーションモデルと対応付けて示す情報を含んでいてもよい。

　尚、マルチビーム光学系１１２を備える加工システムＳＹＳａに限らず、加工対象物Ｓを加工してリブレット構造を形成する任意の加工システムにおいて、リブレット構造の特性は、加工対象物Ｓをシミュレートするシミュレーションモデルに基づいて決定されてもよい。つまり、加工対象物Ｓを加工してリブレット構造を形成する任意の加工システムにおいて、流体シミュレーションモデルに基づいて摩擦の低減効果が適切に得られるようにリブレット構造の特性が最適化され、最適化されたリブレット構造の特性に関するリブレット情報に基づいて最適化された特性を有するリブレット構造が形成されてもよい。

　（１－２－２）加工動作の流れ
　続いて、図８から図１９を参照しながら、リブレット構造を形成するための加工動作の流れについて説明する。

　まず、上述したように、複数の加工光ＥＬｋは、ガルバノミラー１１３によって偏向される。リブレット構造を形成するためには、ガルバノミラー１１３は、塗装膜ＳＦの表面上で複数の目標照射領域ＥＡをＹ軸方向に沿って移動させながら所望のタイミングで複数の加工光ＥＬｋのそれぞれを対応する目標照射領域ＥＡに照射するスキャン動作と、塗装膜ＳＦの表面上で複数の目標照射領域ＥＡを少なくともＸ軸方向に沿って所定量だけ移動させるステップ動作とを交互に繰り返すように、複数の加工光ＥＬｋを偏向する。この場合、Ｙ軸を、スキャン軸と称してもよいし、Ｘ軸を、ステップ軸と称してもよい。

　ここで、塗装膜ＳＦに対して光照射装置１１を静止させたままガルバノミラー１１３の制御で複数の加工光ＥＬｋを走査させることができる塗装膜ＳＦの表面上の領域のサイズには限界がある。従って、第１実施形態では、図８に示すように、制御装置２は、塗装膜ＳＦの表面（特に、塗装膜ＳＦのうちリブレット構造を形成するべき領域）に、複数の加工ショット領域ＳＡを設定してもよい。各加工ショット領域ＳＡは、塗装膜ＳＦに対して光照射装置１１を静止させたままガルバノミラー１１３の制御で複数の加工光ＥＬｋを走査させることができる塗装膜ＳＦ上の領域に相当する。各加工ショット領域ＳＡの形状は四角形であるが、その形状は任意である。

　制御装置２は、ガルバノミラー１１３によって偏向される複数の加工光ＥＬｋを一の加工ショット領域ＳＡ（例えばＳＡ１）の少なくとも一部に照射するように光照射装置１１を制御することで、当該一の加工ショット領域ＳＡ（ＳＡ１）にリブレット構造を形成する。その後、制御装置２は、塗装膜ＳＦに対して光照射装置１１を移動させるように駆動系１２及び１５の少なくとも一方を制御することで、光照射装置１１を、他の加工ショット領域ＳＡ（例えばＳＡ２）に複数の加工光ＥＬｋを照射することが可能な位置に配置する。その後、制御装置２は、ガルバノミラー１１３によって偏向される複数の加工光ＥＬｋを他の加工ショット領域ＳＡ（ＳＡ２）の少なくとも一部に照射するように光照射装置１１を制御することで、当該他の加工ショット領域ＳＡにリブレット構造を形成する。制御装置２は以下の動作を全ての加工ショット領域ＳＡ１からＳＡ１６を対象に繰り返すことで、リブレット構造を形成する。

　制御装置２は、各加工ショット領域ＳＡにリブレット構造を形成する際には、上述したシミュレーションモデルに基づいて最適化されたリブレット構造の特性に関するリブレット情報から、各加工ショット領域ＳＡに形成されるべきリブレット構造の特性に相当する情報を取得し、当該取得した情報に基づいて各加工ショット領域ＳＡに最適化された特性を有するリブレット構造を各加工ショット領域ＳＡに形成する。

　以下、図８に示す加工ショット領域ＳＡ１からＳＡ４にリブレット構造を形成する動作を例にあげて説明を続ける。以下では、Ｘ軸方向に沿って隣接する２つの加工ショット領域ＳＡが収容空間ＳＰ内に位置する例を用いて説明をする。しかしながら、収容空間ＳＰ内に任意の数の加工ショット領域ＳＡが位置する場合においても、同様の動作が行われることに変わりはない。また、以下に示すリブレット構造を形成する動作は、あくまで一例であって、加工システムＳＹＳは、以下に示す動作とは異なる動作を行ってリブレット構造を形成してもよい。要は、加工システムＳＹＳは、複数の加工光ＥＬｋを加工対象物Ｓに照射して加工対象物Ｓにリブレット構造を形成することができる限りは、どのような動作を行ってもよい。

　図９に示すように、まず、制御装置２は、収容空間ＳＰ内に加工ショット領域ＳＡ１及びＳＡ２が位置する第１収容位置に収容装置１３が配置されるように、駆動系１５を制御して塗装膜ＳＦに対して支持装置１４を移動させる。つまり、制御装置２は、収容装置１３により加工ショット領域ＳＡ１及びＳＡ２が覆われるように、支持装置１４が支持する収容装置１３を移動させる。更に、制御装置２は、光照射装置１１が加工ショット領域ＳＡ１に複数の加工光ＥＬｋを照射することが可能な第１照射位置に配置されるように、駆動系１２を制御して塗装膜ＳＦに対して光照射装置１１を移動させる。収容装置１３が第１収容位置に配置され且つ光照射装置１１が第１照射位置に配置された後は、隔壁部材１３２は、第１伸長状態になる。従って、隔壁部材１３２の端部１３４は、塗装膜ＳＦに接触し且つ付着する。同様に、複数の脚部材１４２は、第２伸長状態になる。従って、複数の脚部材１４２の端部１４４は、塗装膜ＳＦに接触し且つ付着する。

　その後、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示すように、制御装置２は、複数の加工光ＥＬｋが加工ショット領域ＳＡ１を走査するように、光照射装置１１（特に、ガルバノミラー１１３）を制御する。具体的には、制御装置２は、上述したスキャン動作を行うために、加工ショット領域ＳＡ１内のある領域を複数の加工光ＥＬｋがＹ軸方向に沿って走査するように、ガルバノミラー１１３のＹ走査ミラー１１３Ｙを制御する。スキャン動作が行われている間は、光源１１０は、光源光ＥＬｏを射出する。その結果、スキャン動作が行われている間は、マルチビーム光学系１１２は、複数の加工光ＥＬｋを射出する。その後、制御装置２は、上述したステップ動作を行うために、ガルバノミラー１１３のＸ走査ミラー１１３Ｘを単位ステップ量だけ回転させる。ステップ動作が行われている間は、光源１１０は、光源光ＥＬｏを射出しない。その結果、ステップ動作が行われている間は、マルチビーム光学系１１２は、複数の加工光ＥＬｋを射出しない。その後、制御装置２は、上述したスキャン動作を行うために、加工ショット領域ＳＡ１内のある領域を複数の加工光ＥＬｋがＹ軸方向に沿って走査するように、ガルバノミラー１１３のＹ走査ミラー１１３Ｙを制御する。このように、制御装置２は、スキャン動作とステップ動作とを交互に繰り返して加工ショット領域ＳＡ１の全体（或いは、加工ショット領域ＳＡ１のうちリブレット構造を形成するべき一部の領域）を複数の加工光ＥＬｋが走査するように、ガルバノミラー１１３を制御する。尚、ステップ動作が行われている間において、光源１１０から光源光ＥＬｏを射出して複数の加工光ＥＬｋを射出してもよい。

　第１実施形態では、スキャン動作とステップ動作とが繰り返される期間中の加工光ＥＬｋの走査軌跡（つまり、目標照射領域ＥＡの移動軌跡）を示す平面図である図１１に示すように、加工装置１は、加工ショット領域ＳＡ内に設定される複数のスキャン領域ＳＣＡに対して順にスキャン動作を行う。図１１は、加工ショット領域ＳＡ内に６個のスキャン領域ＳＣＡ＃１からＳＣＡ＃６が設定される例を示している。各スキャン領域ＳＣＡは、１回のスキャン動作（つまり、ステップ動作を挟まない一連のスキャン動作）で照射される複数の加工光ＥＬｋによって走査される領域である。各スキャン領域ＳＣＡは、１回のスキャン動作で複数の目標照射領域ＥＡが移動する領域である。この場合、１回のスキャン動作で、目標照射領域ＥＡは、各スキャン領域ＳＣＡのスキャン開始位置ＳＣ＿ｓｔａｒｔからスキャン終了位置ＳＣ＿ｅｎｄに向かって移動する。このようなスキャン領域ＳＣＡは、典型的には、Ｙ軸方向（つまり、複数の加工光ＥＬｋの走査方向）に沿って延びる領域となる。複数のスキャン領域ＳＣＡは、Ｘ軸方向（つまり、複数の加工光ＥＬｋの走査方向に交差する方向）に沿って並ぶ。

　この場合、加工システムＳＹＳａは、例えば、ある加工ショット領域ＳＡに設定される複数のスキャン領域ＳＣＡのうち最も＋Ｘ側又は最も－Ｘ側に位置する一のスキャン領域ＳＣＡからスキャン動作を開始する。例えば、図１１は、加工システムＳＹＳａが、最も－Ｘ側に位置するショット領域ＳＣＡ＃１からスキャン動作を開始する例を示している。この場合、制御装置２は、スキャン領域ＳＣＡ＃１のスキャン開始位置ＳＣ＿ｓｔａｒｔ＃１（例えば、スキャン領域ＳＣＡ＃１内の－Ｙ側の端部又はその近傍）に対して加工光ＥＬｋを照射可能となるように、ガルバノミラー１１３を制御する。つまり、制御装置２は、スキャン領域ＳＣＡ＃１のスキャン開始位置ＳＣ＿ｓｔａｒｔ＃１に目標照射領域ＥＡが設定されるように、ガルバノミラー１１３を制御する。その後、加工システムＳＹＳａは、スキャン領域ＳＣＡ＃１に対してスキャン動作を行う。具体的には、制御装置２は、スキャン領域ＳＣＡ＃１のスキャン開始位置ＳＣ＿ｓｔａｒｔ＃１からスキャン領域ＳＣＡ＃１のスキャン終了位置ＳＣ＿ｅｎｄ＃１（例えば、スキャン領域ＳＣＡ＃１内の＋Ｙ側の端部又はその近傍）に向かって複数の目標照射領域ＥＡが移動するように、ガルバノミラー１１３を制御する。更に、制御装置２は、所望のタイミングで複数の加工光ＥＬｋのそれぞれが対応する目標照射領域ＥＡに照射されるように光照射装置１１を制御する。その結果、複数の加工光ＥＬｋによってスキャン領域ＳＣＡ＃１が走査される。尚、図１１では、図面の簡略化のために、各スキャン領域ＳＣＡ内における１つの目標照射領域ＥＡの移動軌跡を示しているが、実際には、各スキャン領域ＳＣＡ内で複数の目標照射領域ＥＡが移動する。つまり、図１１では、図面の簡略化のために、各スキャン領域ＳＣＡ内における１つの加工光ＥＬｋの走査軌跡を示しているが、実際には、各スキャン領域ＳＣＡは複数の加工光ＥＬｋによって走査される。

　スキャン領域ＳＣＡ＃１に対するスキャン動作が完了した後、加工システムＳＹＳａは、スキャン領域ＳＣＡ＃１とは異なる他のスキャン領域ＳＣＡに対してスキャン動作を行うために、ステップ動作を行う。具体的には、制御装置２は、スキャン領域ＳＣＡ＃１に対してＸ軸方向に沿って隣接するスキャン領域ＳＣＡ＃２のスキャン開始位置ＳＣ＿ｓｔａｒｔ＃２（例えば、スキャン領域ＳＣＡ＃２内の－Ｙ側の端部又はその近傍）に対して加工光ＥＬｋを照射可能となるように、ガルバノミラー１１３を制御する。つまり、制御装置２は、スキャン領域ＳＣＡ＃２のスキャン開始位置ＳＣ＿ｓｔａｒｔ＃２に目標照射領域ＥＡが設定されるように、ガルバノミラー１１３を制御する。その結果、図１１に示すように、目標照射位置ＥＡは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに沿って移動する。この際、Ｘ軸方向における目標照射位置ＥＡの移動量は、Ｘ軸方向におけるスキャン領域ＳＣＡのサイズと同じであってもよい。Ｙ軸方向における目標照射位置ＥＡの移動量は、Ｙ軸方向におけるスキャン領域ＳＣＡのサイズと同じであってもよい。

　その後、加工システムＳＹＳａは、スキャン領域ＳＣＡ＃２に対してスキャン動作を行う。具体的には、制御装置２は、スキャン領域ＳＣＡ＃２のスキャン開始位置ＳＣ＿ｓｔａｒｔ＃２からスキャン領域ＳＣＡ＃２のスキャン終了位置ＳＣ＿ｅｎｄ＃２（例えば、スキャン領域ＳＣＡ＃２内の＋Ｙ側の端部又はその近傍）に向かって複数の目標照射領域ＥＡが移動するように、ガルバノミラー１１３を制御する。更に、制御装置２は、所望のタイミングで複数の加工光ＥＬｋのそれぞれが対応する目標照射領域ＥＡに照射されるように光照射装置１１を制御する。その結果、複数の加工光ＥＬｋによってスキャン領域ＳＣＡ＃２が走査される。

　以降、スキャン領域ＳＣＡ＃３からＳＣＡ＃６に対するスキャン動作が完了するまで、同様の動作が繰り返される。

　図１１に示す例では、スキャン動作による加工光ＥＬｋの走査方向は、＋Ｙ軸方向に固定されている。スキャン動作による目標照射領域ＥＡの移動方向は、＋Ｙ軸方向に固定されている。つまり、図１１に示す例では、加工ショット領域ＳＡ内で複数回行われるスキャン動作による加工光ＥＬｋの走査方向（つまり、目標照射領域ＥＡの移動方向、以下同じ）は、互いに同じになる。複数のスキャン領域ＳＣＡをそれぞれ走査する複数の加工光ＥＬｋの走査方向は、互いに同じになる。複数のスキャン領域ＳＣＡ内での目標照射領域ＥＡの移動方向は、互いに同じになる。具体的には、スキャン領域ＳＣＡ＃１に対して行われるスキャン動作による加工光ＥＬｋの走査方向と、スキャン領域ＳＣＡ＃２に対して行われるスキャン動作による加工光ＥＬｋの走査方向と、・・・、スキャン領域ＳＣＡ＃６に対して行われるスキャン動作による加工光ＥＬｋの走査方向とは互いに同一である。但し、後に変形例において説明するように、一のスキャン領域ＳＣＡに対して行われるスキャン動作による加工光ＥＬｋの走査方向と、他のスキャン領域ＳＣＡに対して行われるスキャン動作による加工光ＥＬｋの走査方向とが異なっていてもよい。一のスキャン領域ＳＣＡに対して行われるスキャン動作による加工光ＥＬｋの走査方向が、スキャン動作の途中で変わってもよい。

　このようなスキャン動作とステップ動作との繰り返しによって、加工ショット領域ＳＡ１にリブレット構造が形成される。尚、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示すように、加工光ＥＬｋが走査する領域の幅（つまり、加工ショット領域ＳＡの幅、特にＸ軸方向の幅）は、光照射装置１１の幅（特に、Ｘ軸方向の幅）よりも大きい。

　制御装置２は、光照射装置１１が加工光ＥＬｋを照射している期間中は、複数の脚部材１４２が第２伸長状態のまま維持されるように、駆動系１５を制御する。その結果、複数の脚部材１４２の端部１４４は、塗装膜ＳＦに付着し続ける。その結果、支持装置１４の安定性が向上するため、支持装置１４の不安定性に起因して加工光ＥＬｋの目標照射領域ＥＡが塗装膜ＳＦ上で意図せずにずれてしまう可能性が小さくなる。但し、光照射装置１１が光ＥＬを照射している期間の少なくとも一部において、支持装置１４が塗装膜ＳＦ上で自立可能（或いは、塗装膜ＳＦから吊り下がるように塗装膜ＳＦに付着可能）である限りは、複数の脚部材１４２の一部が第２縮小状態にあってもよい。

　制御装置２は、光照射装置１１が加工光ＥＬｋを照射している期間中は、隔壁部材１３２が第１伸長状態のまま維持されるように、隔壁部材１３２を伸縮させる不図示の駆動系を制御する。その結果、隔壁部材１３２の端部１３４は、塗装膜ＳＦに付着し続ける。その結果、収容空間ＳＰの密閉性が維持されるため、収容空間ＳＰ内を伝搬する加工光ＥＬｋが収容空間ＳＰの外部（つまり、収容装置１３の外部）に漏れ出てくることはない。更には、収容空間ＳＰ内で発生した不要物質が収容空間ＳＰの外部（つまり、収容装置１３の外部）に漏れ出てくることはない。

　尚、塗装膜ＳＦに付着しているはずの端部１３４の少なくとも一部が、何らかの要因によって塗装膜ＳＦから離れてしまう事態が生ずる可能性がある。この場合に光照射装置１１が加工光ＥＬｋを照射し続けると、加工光ＥＬｋ及び不要物質の少なくとも一方が収容装置１３の外部に漏れ出てしまう可能性がある。そこで、制御装置２は、光照射装置１１が加工光ＥＬｋを照射している期間中に端部１３４の少なくとも一部が塗装膜ＳＦから離れたことを検出した場合には、加工光ＥＬｋの照射を停止するように光照射装置１１を制御してもよい。

　その後、図１２に示すように、制御装置２は、光照射装置１１が、第１照射位置から、光照射装置１１が加工ショット領域ＳＡ２に複数の加工光ＥＬｋを照射することが可能な第２照射位置へと移動するように、駆動系１２を制御する。光照射装置１１が移動している期間中は、制御装置２は、光照射装置１１が加工光ＥＬｋを照射しないように、光照射装置１１を制御する。

　その後、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に示すように、制御装置２は、複数の加工光ＥＬｋが加工ショット領域ＳＡ２を走査するように、光照射装置１１（特に、ガルバノミラー１１３）を制御する。具体的には、制御装置２は、上述したスキャン動作と上述したステップ動作とを交互に繰り返して加工ショット領域ＳＡ２の全体（或いは、加工ショット領域ＳＡ２のうちリブレット構造を形成するべき一部の領域）を複数の加工光ＥＬｋが走査するように、光照射装置１１（特に、ガルバノミラー１１３）を制御する。その結果、加工ショット領域ＳＡ２にリブレット構造が形成される。尚、加工ショット領域ＳＡ１内のリブレット構造を構成する複数の凹部ＣＰ１は、加工ショット領域ＳＡ１に隣接する加工ショット領域ＳＡ２（或いは、その他の加工ショット領域ＳＡ）内のリブレット構造を構成する複数の凹部ＣＰ１のそれぞれと、互いに連続に連結されるように形成されてもよい。或いは、加工ショット領域ＳＡ１内のリブレット構造を構成する複数の凹部ＣＰ１は、加工ショット領域ＳＡ２内のリブレット構造を構成する複数の凹部ＣＰ１のそれぞれと、互いに連結されないように形成されてもよい。例えば、加工ショット領域ＳＡ内で加工光ＥＬｋを走査した結果として形成される１本の凹部ＣＰ１の連続長は、加工ショット領域ＳＡのサイズ（特に、加工光ＥＬｋの走査方向であるＹ軸方向のサイズ）に依存する。従って、加工ショット領域ＳＡのサイズが、リブレット構造が上述した機能を果たしうる連続長を実現できるだけのサイズとなる場合には、加工ショット領域ＳＡ１内のリブレット構造を構成する複数の凹部ＣＰ１は、加工ショット領域ＳＡ２内のリブレット構造を構成する複数の凹部ＣＰ１のそれぞれと、互いに連結されないように形成されてもよい。一例として、加工対象物Ｓが航空機である場合には、リブレット構造が上述した機能を果たしうる連続長は、航空機の使用時（典型的には、巡航時）における対気速度と乱流現象の周波数とに基づく演算によれば、およそ数ｍｍとなる。このため、Ｙ軸方向のサイズがおよそ数ｍｍよりも大きい加工ショット領域ＳＡを塗装膜ＳＦの表面に設定することができる場合には、加工ショット領域ＳＡ１内のリブレット構造を構成する複数の凹部ＣＰ１は、加工ショット領域ＳＡ２内のリブレット構造を構成する複数の凹部ＣＰ１のそれぞれと、互いに連結されないように形成されてもよい。

　加工ショット領域ＳＡ２にリブレット構造が形成された時点で、収容空間ＳＰには、リブレット構造が未だ形成されていない加工ショット領域ＳＡが残っていない。このため、駆動系１２によって収容空間ＳＰ内で光照射装置１１を移動させるだけでは、光照射装置１１は、未だリブレット構造が形成されていない加工ショット領域ＳＡに複数の加工光ＥＬｋを照射してリブレット構造を形成することができない。そこで、リブレット構造が未だ形成されていない加工ショット領域ＳＡが収容空間ＳＰに残っていない状態になった場合には、制御装置２は、支持装置１４を移動させることで（つまり、収容装置１３を移動させることで）、リブレット構造が未だ形成されていない加工ショット領域ＳＡが収容空間ＳＰ内に新たに位置するように、駆動系１５を制御する。

　具体的には、まず、図１４に示すように、制御装置２は、隔壁部材１３２の状態が第１伸長状態から第１縮小状態に切り替わるように、隔壁部材１３２を伸縮させる不図示の駆動系を制御する。その結果、隔壁部材１３２の端部１３４が塗装膜ＳＦから離れる。尚、支持装置１４が移動する期間中は、制御装置２は、光照射装置１１が加工光ＥＬｋを照射しないように、光照射装置１１を制御する。このため、端部１３４が塗装膜ＳＦから離れたとしても、加工光ＥＬｋ及び不要物質の少なくとも一方が収容装置１３の外部に漏れ出てくる可能性はない。

　但し、収容空間ＳＰに存在していた不要物質は、上述した排気装置１６によって収容空間ＳＰの外部に吸引されるものの、何らかの要因によって、収容空間ＳＰに存在していた不要物質の全てが排気装置１６によって吸引されていない（つまり、収容空間ＳＰに不要物質が残留してしまう）可能性がある。この場合には、端部１３４が塗装膜ＳＦから離れると、不要物質が収容装置１３の外部に漏れ出てくる可能性がある。このため、制御装置２は、収容空間ＳＰ内の不要物質を検出する検出装置１３５の検出結果に基づいて、隔壁部材１３２を第１伸長状態から第１縮小状態へと切り替えるか否かを判定してもよい。収容空間ＳＰに不要物質が残留している場合には、制御装置２は、隔壁部材１３２を第１伸長状態から第１縮小状態へと切り替えなくてもよい。この場合、排気装置１６によって、収容空間ＳＰに残留している不要物質が吸引され続ける。一方で、収容空間ＳＰに不要物質が残留していない場合には、制御装置２は、隔壁部材１３２を第１伸長状態から第１縮小状態へと切り替えてもよい。

　更に、制御装置２は、複数の脚部材１４２のうち支持装置１４の移動（特に、後述するように、縮小していた梁部材１４１の伸長）に伴って塗装膜ＳＦに対して移動する少なくとも一部の脚部材１４２の状態が、第２伸長状態から第２縮小状態に切り替わるように、駆動系１５を制御する。縮小していた梁部材１４１の伸長に伴って塗装膜ＳＦに対して移動する脚部材１４２は、典型的には、複数の脚部材１４２のうち支持装置１４の移動方向（つまり、収容装置１３の移動方向）の前方側に位置する脚部材１４２である。図１４に示す例では、支持装置１４が＋Ｘ側に向かって移動し、支持装置１４の移動方向の前方側に位置する脚部材１４２は、＋Ｘ側に位置する脚部材１４２である。以下、支持装置１４の移動方向の前方側に位置する脚部材１４２を、“前方脚部材１４２”と称する。その結果、前方脚部材１４２の端部１４４が塗装膜ＳＦから離れる。

　その後、図１５に示すように、制御装置２は、収容装置１３が、第１収容位置から、収容空間ＳＰ内に加工ショット領域ＳＡ３及ＳＡ４が位置する第２収容位置へと移動するように、駆動系１５を制御する。具体的には、制御装置２は、支持装置１４の移動方向に沿って梁部材１４１が伸長するように、駆動系１５を制御する。その結果、梁部材１４１は、収容装置１３を支持したまま（更には、収容装置１３が支持する光照射装置１１を支持したまま）伸長する。更に、支持装置１４の移動と並行して、制御装置２は、光照射装置１１が、第２照射位置から、光照射装置１１が加工ショット領域ＳＡ３に複数の加工光ＥＬｋを照射することが可能な第３照射位置へと移動するように、駆動系１２を制御する。

　支持装置１４が移動している（つまり、縮小していた梁部材１４１が伸びている）期間中は、制御装置２は、隔壁部材１３２が第１縮小状態のまま維持されるように、隔壁部材１３２を伸縮させる不図示の駆動系を制御する。その結果、隔壁部材１３２の端部１３４と塗装膜ＳＦとの接触によって支持装置１４の移動（つまり、収容装置１３の移動）が妨げられることはない。更には、支持装置１４の移動中に端部１３４と塗装膜ＳＦとの接触によって塗装膜ＳＦが傷つけられることはない。但し、端部１３４と塗装膜ＳＦとの接触によって支持装置１４の移動が妨げられることがない場合には、支持装置１４が移動している期間の少なくとも一部において、端部１３４の少なくとも一部が塗装膜ＳＦに接触していてもよい。支持装置１４の移動中に端部１３４と塗装膜ＳＦとの接触によって塗装膜ＳＦが傷つけられることがない場合には、支持装置１４が移動している期間の少なくとも一部において、端部１３４の少なくとも一部が塗装膜ＳＦに接触していてもよい。

　更に、支持装置１４が移動している期間中は、制御装置２は、前方脚部材１４２が第２縮小状態のまま維持されるように、駆動系１５を制御する。その結果、前方脚部材１４２の端部１４４と塗装膜ＳＦとの接触によって支持装置１４の移動（つまり、収容装置１３の移動）が妨げられることはない。更には、支持装置１４の移動中に端部１４４と塗装膜ＳＦとの接触によって塗装膜ＳＦが傷つけられることはない。但し、端部１４４と塗装膜ＳＦとの接触によって支持装置１４の移動が妨げられることがない場合には、支持装置１４が移動している期間の少なくとも一部において、端部１４４の少なくとも一部が塗装膜ＳＦに接触していてもよい。支持装置１４の移動中に端部１４４と塗装膜ＳＦとの接触によって塗装膜ＳＦが傷つけられることがない場合には、支持装置１４が移動している期間の少なくとも一部において、端部１４４の少なくとも一部が塗装膜ＳＦに接触していてもよい。

　更に、支持装置１４が移動している期間中は、制御装置２は、複数の脚部材１４２のうち前方脚部材１４２以外の他の脚部材１４２が第１伸長状態のまま維持されるように、駆動系１５を制御する。その結果、前方脚部材１４２の端部１４４が塗装膜ＳＦから離れたとしても、前方脚部材１４２以外の他の脚部材１４２の端部１４４が塗装膜ＳＦに接触している。このため、複数の脚部材１４２の全ての端部１４４が塗装膜ＳＦに接触している場合と同様に、支持装置１４が塗装膜ＳＦ上で自立可能（或いは、塗装膜ＳＦから吊り下がるように塗装膜ＳＦに付着可能）であることに変わりはない。

　更に、支持装置１４が移動している期間中は、制御装置２は、光照射装置１１が加工光ＥＬｋを照射しないように、光照射装置１１を制御する。

　収容装置１３が第２収容位置に配置された後、図１６に示すように、制御装置２は、隔壁部材１３２が第１縮小状態から第１伸長状態に切り替わるように、隔壁部材１３２を伸縮させる不図示の駆動系を制御する。その結果、隔壁部材１３２の端部１３４が塗装膜ＳＦに接触し且つ付着する。更に、制御装置２は、前方脚部材１４２が第２縮小状態から第２伸長状態に切り替わるように、駆動系１５を制御する。その結果、前方脚部材１４２の端部１４４が塗装膜ＳＦに接触し且つ付着する。ここで、隔壁部材１３２の伸長動作と前方脚部材１４２の伸長動作とは同時に行われてもよいし、時間差をもって行われてもよい。

　その後、図１７に示すように、制御装置２は、複数の脚部材１４２のうち支持装置１４の移動（特に、後述するように、伸長していた梁部材１４１の縮小）に伴って塗装膜ＳＦに対して移動する少なくとも一部の脚部材１４２の状態が、第２伸長状態から第２縮小状態に切り替わるように、駆動系１５を制御する。伸長していた梁部材１４１の縮小に伴って塗装膜ＳＦに対して移動する脚部材１４２は、典型的には、複数の脚部材１４２のうち支持装置１４の移動方向の後方側に位置する脚部材１４２である。図１７に示す例では、支持装置１４の移動方向の後方側に位置する脚部材１４２は、－Ｘ側に位置する脚部材１４２である。以下、支持装置１４の移動方向の後方側に位置する脚部材１４２を、“後方脚部材１４２”と称する。その結果、後方脚部材１４２の端部１４４が塗装膜ＳＦから離れる。

　その後、図１８に示すように、制御装置２は、支持装置１４の移動方向に沿って伸長していた梁部材１４１が縮小するように、駆動系１５を制御する。

　梁部材１４１の縮小が完了した後、図１９に示すように、制御装置２は、後方脚部材１４２が第２縮小状態から第２伸長状態に切り替わるように、駆動系１５を制御する。その結果、後方脚部材１４２の端部１４４が塗装膜ＳＦに接触して付着する。

　その後は、制御装置２は、複数の加工光ＥＬｋが加工ショット領域ＳＡ１及びＳＡ２を走査する場合と同様に、複数の加工光ＥＬｋが加工ショット領域ＳＡ３及びＳＡ４を走査するように、光照射装置１１を制御する。以下、同様の動作が繰り返されることで、塗装膜ＳＦの表面（特に、塗装膜ＳＦのうちリブレット構造を形成するべき領域）に複数の加工光ＥＬｋが照射される。その結果、加工対象物Ｓ上に、塗装膜ＳＦによるリブレット構造が形成される。

　（１－３）加工システムＳＹＳａの技術的効果
　以上説明したように、第１実施形態の加工システムＳＹＳａは、加工光ＥＬｋを加工対象物Ｓ（特に、その表面に形成された塗装膜ＳＦ）に照射することで、加工対象物Ｓの表面に、塗装膜ＳＦによるリブレット構造を形成することができる。このため、加工システムＳＹＳａは、加工対象物Ｓの表面をエンドミル等の切削工具で削り取ることでリブレット構造を形成する加工装置と比較して、比較的容易に且つ相対的に短時間でリブレット構造を形成することができる。

　更に、加工システムＳＹＳａは、複数の加工光ＥＬｋを同時に照射して複数の凹状構造ＣＰ１を同時に形成することができる。このため、単一の加工光ＥＬｋを照射して一度に単一の凹状構造ＣＰ１しか形成することができない加工システムと比較して、リブレット構造の形成に関するスループットが向上する。

　更に、加工システムＳＹＳａは、ガルバノミラー１１３で複数の加工光ＥＬｋを偏向して、塗装膜ＳＦを相対的に高速に走査することができる。このため、リブレット構造の形成に関するスループットが向上する。

　更に、加工システムＳＹＳａは、加工対象物Ｓを直接的に加工することに代えて、加工対象物Ｓの表面に形成されている塗装膜ＳＦを加工することで、加工対象物Ｓの表面にリブレット構造を形成することができる。このため、リブレット構造を形成するための特別な材料を加工対象物Ｓの表面（つまり、塗装膜ＳＦの表面）に新たに付加する（例えば、貼り付ける）ことでリブレット構造を形成する加工システムと比較して、リブレット構造の形成に起因した加工対象物Ｓの重量の増加が回避可能である。

　更に、加工システムＳＹＳａは、加工対象物Ｓを直接的に加工しないがゆえに、リブレット構造を比較的容易に再形成することができる。具体的には、リブレット構造の再形成の際には、まずは、塗装膜ＳＦによるリブレット構造が一旦剥離され、その後、新たな塗装膜ＳＦが塗布される。その後、加工システムＳＹＳａは、新たに塗布された塗装膜ＳＦを加工することで、新たなリブレット構造を形成することができる。従って、リブレット構造の劣化（例えば、破損等）に対して、リブレット構造の再形成によって相対的に容易に対処可能となる。

　更に、加工システムＳＹＳａは、加工対象物Ｓを直接的に加工しないがゆえに、直接の加工が困難な又はリブレット構造がもともと形成されていない加工対象物Ｓの表面にもリブレット構造を形成することができる。つまり、加工対象物Ｓの表面に塗装膜ＳＦが塗布された後に加工システムＳＹＳａが塗装膜ＳＦを加工すれば、リブレット構造を比較的容易に形成可能である。

　尚、加工対象物Ｓに塗装膜ＳＦを塗布した後に塗装膜ＳＦを加工する場合には、加工対象物Ｓを加工する加工動作は、加工対象物Ｓに塗装膜ＳＦを塗布する（つまり、形成する）動作と、塗装膜ＳＦを加工する（例えば、塗装膜ＳＦを部分的に除去する）動作とを含んでいてもよい。加工対象物Ｓに塗装膜ＳＦを塗布する動作は、加工システムＳＹＳａによって行われてもよい。この場合、加工システムＳＹＳａは、加工対象物Ｓに塗装膜ＳＦを塗布するための塗布装置を備えていてもよい。加工対象物Ｓに塗装膜ＳＦを塗布する動作は、加工システムＳＹＳａの外部で行われてもよい。例えば、加工対象物Ｓに塗装膜ＳＦを塗布する動作は、加工システムＳＹＳａの外部の塗布装置によって行われてもよい。

　更に、加工システムＳＹＳａは、塗装膜ＳＦによるリブレット構造を形成することができる。塗装膜ＳＦは、通常は、外部環境（例えば、熱、光、及び風等の少なくとも一つ）に対して相対的に高い耐久性を有している。このため、加工システムＳＹＳａは、相対的に高い耐久性を有するリブレット構造を、比較的容易に形成することができる。

　更に、第１実施形態では、光照射装置１１の終端光学素子と塗装膜ＳＦとの間における加工光ＥＬｋの光路が収容空間ＳＰ内に含まれている。このため、加工光ＥＬｋの光路が収容空間ＳＰに含まれていない（つまり、開放空間に開放されている）加工システムと比較して、塗装膜ＳＦに照射された加工光ＥＬｋ（或いは、当該加工光ＥＬｋの塗装膜ＳＦからの散乱光ないしは反射光等）が加工システムＳＹＳａの周囲へ伝搬する（言い換えれば、散乱してしまう）ことを適切に防止可能である。更には、加工光ＥＬｋの照射によって発生した不要物質が加工システムＳＹＳａの周囲へ伝搬する（言い換えれば、飛散してしまう）ことを適切に防止可能である。

　更に、第１実施形態では、塗装膜ＳＦ上を移動可能な支持装置１４によって光照射装置１１が支持されている。このため、加工システムＳＹＳａは、相対的に広範囲に広がる塗装膜ＳＦを比較的容易に加工することができる。つまり、加工システムＳＹＳａは、加工対象物Ｓの表面の相対的に広い範囲に渡って塗装膜ＳＦによるリブレット構造を形成することができる。更には、加工システムＳＹＳａは、加工対象物Ｓを移動させなくてもよいため、相対的に大きな又は重い加工対象物Ｓの表面にも、相対的に容易にリブレット構造を形成することができる。

　更に、加工システムＳＹＳａは、排気装置１６を用いて、加工光ＥＬｋの照射によって発生した不要物質を、収容空間ＳＰの外部に吸引可能である。このため、塗装膜ＳＦへの加工光ＥＬｋの照射が、不要物質によって妨げられることは殆どない。このため、排気装置１６を備えていない（つまり、塗装膜ＳＦへの加工光ＥＬｋの照射が不要物質によって妨げられる可能性がある）加工システムと比較して、加工光ＥＬｋの照射精度が向上する。その結果、リブレット構造の形成精度が向上する。

　更に、加工システムＳＹＳａは、気体供給装置１７を用いて、ｆθレンズ１１４の光学面１１４１（つまり、光照射装置１１の終端光学素子の収容空間ＳＰ側の光学面）への汚れの付着を防止することができる。このため、気体供給装置１７を備えていない加工装置と比較して、塗装膜ＳＦへの加工光ＥＬｋの照射が、光学面１１４１に付着してしまった汚れによって妨げられる可能性が小さくなる。このため、加工光ＥＬｋの照射精度が向上する。その結果、リブレット構造の形成精度が向上する。

　更に、第１実施形態では、マルチビーム光学系１１２は、偏光ビームスプリッタ１１２１を用いて、光源光ＥＬｏを複数の加工光ＥＬｋに分岐する。このため、マルチビーム光学系１１２は、光源光ＥＬｏを複数の加工光ＥＬｋに分岐する過程でのエネルギーロス（例えば、光の減衰）を抑制することができる。その結果、加工システムＳＹＳａは、光源光ＥＬｏを複数の加工光ＥＬｋに分岐する過程でのエネルギーロスが抑制されない場合と比較して、相対的に強度の高い複数の加工光ＥＬｋを塗装膜ＳＦに照射して加工対象物Ｓを加工することができる。従って、相対的に強度の低い複数の加工光ＥＬｋを塗装膜ＳＦに照射して加工対象物Ｓを加工する場合と比較して、リブレット構造の形成に関するスループットが向上する。

　但し、光源光ＥＬｏを複数の加工光ＥＬｋに分岐することができる限りは、加工システムＳＹＳａは、偏光ビームスプリッタ１１２１を備えていないマルチビーム光学系を用いて光源光ＥＬｏを複数の加工光ＥＬｋに分岐してもよい。例えば、加工システムＳＹＳａは、マルチビーム光学系の他の例の構造を示す断面図である図２０に示すように、光源光ＥＬｏを第１光ＥＬ１及び第２光ＥＬ２（例えば、状態が異なる又は同じ第１光ＥＬ１及び第２光ＥＬ２）に分岐する光学素子（例えば、ビームスプリッタ、ハーフミラー及びダイクロイックミラーの少なくとも一つ）を含む光学系１１２１’と、光学系１１２１’からの第１光ＥＬ１を、第３光ＥＬ３として光学系１１２１’に戻す光学素子（例えば、反射ミラー等の反射光学素子及びレンズ等の屈折光学素子の少なくとも一方）を含む光学系１１２３’と、光学系１１２１’からの第２光ＥＬ２を、第４光ＥＬ４として光学系１１２１’に戻す光学素子（例えば、反射ミラー等の反射光学素子及びレンズ等の屈折光学素子の少なくとも一方）を含む光学系１１２５’とを備え、光学系１１２１’が、光学系１１２３’からの第３光ＥＬ３及び光学系１１２５’からの第４光ＥＬ４を合流させて複数の加工光ＥＬｋとしてガルバノミラー１１３に向けて射出するマルチビーム光学系１１２’を用いて、光源光ＥＬｏを複数の加工光ＥＬｋに分岐してもよい。この場合においても、マルチビーム光学系１１２’から射出される複数の加工光ＥＬｋの進行方向にそれぞれ沿った複数の軸が交差するように、光学系１１２１’、光学系１１２３’及び光学系１１２５’が位置合わせされていてもよい。尚、上述したマルチビーム光学系１１２が備える偏光ビームスプリッタ１１２１は、光学系１１２１’の一具体例に相当する。上述したマルチビーム光学系１１２が備える１／４波長板１１２２及び反射ミラー１１２３は、光学系１１２３’の一具体例に相当する。上述したマルチビーム光学系１１２が備える１／４波長板１１２４及び反射ミラー１１２５は、光学系１１２５’の一具体例に相当する。

　更に、第１実施形態では、偏光ビームスプリッタ１１２１は、光源光ＥＬｏをｓ偏光ＥＬｓ１及びｐ偏光ＥＬｐ２に分岐する光学系として機能するだけでなく、異なる方向から偏光ビームスプリッタ１１２１に入射してくるｐ偏光ＥＬｐ１及びｓ偏光ＥＬｓ２を、ガルバノミラー１１３に向かう複数の加工光ＥＬｋとして合流させる光学系としても機能する。このため、光源光ＥＬｏをｓ偏光ＥＬｓ１及びｐ偏光ＥＬｐ２に分岐する光学系（例えば、偏光ビームスプリッタ）と、ｐ偏光ＥＬｐ１及びｓ偏光ＥＬｓ２を複数の加工光ＥＬｋとして合流させる光学系（例えば、偏光ビームスプリッタ）とを別個に備える場合と比較して、マルチビーム光学系１１２の小型化が可能となる。

　（２）第２実施形態の加工システムＳＹＳｂ
　続いて、第２実施形態の加工システムＳＹＳ（以降、第２実施形態の加工システムＳＹＳを、“加工システムＳＹＳｂ”と称する）について説明する。第２実施形態の加工システムＳＹＳｂは、光源光ＥＬｏを３つ以上の加工光ＥＬｋに分岐可能であるという点で、光源光ＥＬｏを２つ加工光ＥＬｋに分岐する上述した第１実施形態の加工システムＳＹＳとは異なる。加工システムＳＹＳｂは、光源光ＥＬｏを３つ以上の加工光ＥＬｋに分岐するために、上述した加工システムＳＹＳａと比較して、光照射装置１１に代えて光照射装置１１ｂを備えているという点で異なる。光照射装置１１ｂは、光照射装置１１と比較して、複数のマルチビーム光学系１１２を備えているという点で異なっている。第１変形例の加工システムＳＹＳａのその他の特徴は、上述した加工システムＳＹＳのその他の特徴と同じであってもよい。

　複数のマルチビーム光学系１１２は、図２１に示すように、光路に沿って直列に多段接続される。つまり、複数のマルチビーム光学系１１２は、一のマルチビーム光学系１１２が射出する複数の加工光ＥＬｋが、一のマルチビーム光学系１１２の次段に接続される他のマルチビーム光学系１１２に複数の光源光ＥＬｏとして入射するように配置されている。

　更に、図２１に示すように、一のマルチビーム光学系１１２と当該一のマルチビーム光学系１１２の次段に接続される他のマルチビーム光学系１１２との間の光路上には、波長板１１５ｂが配置されている。従って、一のマルチビーム光学系１１２が射出する複数の加工光ＥＬｋは、波長板１１５ｂを介して、他のマルチビーム光学系１１２に複数の光源光ＥＬｏとして入射する。

　波長板１１５ｂは、波長板１１５ｂを通過する各加工光ＥＬｋの偏光状態を変更可能な光学素子である。波長板１１５ｂは、例えば１／４波長板であるが、その他の種類の波長板（例えば、１／２波長板、１／８波長板及び１波長板の少なくとも一つ）であってもよい。例えば、波長板１１５ｂは、各加工光ＥＬｋを円偏光（或いは、直線偏光以外の偏光又は非偏光）に変換可能であってもよい。波長板１１５ｂが１／４波長板である場合には、波長板１１５ｂは、直線偏光である各加工光ＥＬｋを円偏光に変換可能である。或いは、波長板１１５ｂが１／４波長板でない場合であっても、波長板１１５ｂの特性が適切に設定されれば、波長板１１５ｂは、各加工光ＥＬｋを円偏光（或いは、直線偏光以外の偏光又は非偏光）に変換可能である。例えば、波長板１１５ｂの板厚が、各加工光ＥＬｋの偏光状態を所望状態に変更することが可能な所望の板厚に設定されていてもよい。例えば、波長板１１５ｂの光学軸の方向が、各加工光ＥＬｋの偏光状態を所望状態に変更することが可能な所望の方向に設定されていてもよい。その結果、一のマルチビーム光学系１１２が射出する各加工光ＥＬｋは、偏光状態が変更された後に、入射光ＥＬｉとして他のマルチビーム光学系１１２に入射する。他のマルチビーム光学系１１２は、入射してくる光源光ＥＬｏを複数の加工光ＥＬｋに分岐する場合と同様に、入射してくる複数の入射光ＥＬｉのそれぞれを、複数の加工光ＥＬｋに分岐する。このため、他のマルチビーム光学系１１２が射出する加工光ＥＬｋの数は、一のマルチビーム光学系１１２が射出する加工光ＥＬｋの数よりも多くなる。具体的には、他のマルチビーム光学系１１２が射出する加工光ＥＬｋの数は、一のマルチビーム光学系１１２が射出する加工光ＥＬｋの数の２倍になる。

　図２１は、３つのマルチビーム光学系１１２（具体的には、マルチビーム光学系１１２＃１から１１２＃３）が光路に沿って直列に多段接続される一例を示している。この場合、光源１１０からの光源光ＥＬｏ＃１は、まずマルチビーム光学系１１２＃１に入射する。マルチビーム光学系１１２＃１は、図２１及び光源光ＥＬｏの様子を示す断面図である図２２（ａ）に示すように、光源光ＥＬｏ＃１を、２つの加工光ＥＬｋ＃１（つまり、ｐ偏光ＥＬｐ１＃１及びｓ偏光ＥＬｓ２＃１）に分岐する。尚、図２２（ｂ）は、２つの加工光ＥＬｋ＃１に交差する光学面上において２つの加工光ＥＬｋ＃１が形成するビームスポットを示している。マルチビーム光学系１１２＃１が射出する２つの加工光ＥＬｋ＃１は、マルチビーム光学系１１２＃１とマルチビーム光学系１１２＃１の次段に接続されるマルチビーム光学系１１２＃２との間の光路上に配置される波長板１１５ｂ＃１を通過する。その結果、２つの加工光ＥＬｋ＃１は、ｐ偏光及びｓ偏光とは異なる２つの入射光ＥＬｉ＃２１及びＥＬｉ＃２２にそれぞれ変換される。

　波長板１１５ｂ＃１を通過した２つの入射光ＥＬｉ＃２１及びＥＬｉ＃２２は、マルチビーム光学系１１２＃２に入射する。マルチビーム光学系１１２＃２は、図２１及び図２２（ａ）に示すように、入射光ＥＬｉ＃２１を、２つの加工光ＥＬｋ＃２１（つまり、ｐ偏光ＥＬｐ１＃２１及びｓ偏光ＥＬｓ２＃２１）に分岐する。更に、マルチビーム光学系１１２＃２は、図２１及び図２２（ａ）に示すように、入射光ＥＬｉ＃２２を、２つの加工光ＥＬｋ＃２２（つまり、ｐ偏光ＥＬｐ１＃２２及びｓ偏光ＥＬｓ２＃２２）に分岐する。従って、マルチビーム光学系１１２＃２は、４つの加工光ＥＬｋ＃２１及びＥＬｋ＃２２を射出する。尚、図２２（ｂ）は、４つの加工光ＥＬｋ＃２１及びＥＬｋ＃２２に交差する光学面上において４つの加工光ＥＬｋ＃２１及びＥＬｋ＃２２が形成するビームスポットを示している。マルチビーム光学系１１２＃２が射出する４つの加工光ＥＬｋ＃２１及びＥＬｋ＃２２は、マルチビーム光学系１１２＃２とマルチビーム光学系１１２＃２の次段に接続されるマルチビーム光学系１１２＃３との間の光路上に配置される波長板１１５ｂ＃２を通過する。その結果、２つの加工光ＥＬｋ＃２１の偏光状態が変更され、且つ、２つの加工光ＥＬｋ＃２２の偏光状態が変更される。

　波長板１１５ｂ＃２を通過した４つの入射光ＥＬｉ＃３１からＥＬｉ＃３４は、マルチビーム光学系１１２＃３に入射する。マルチビーム光学系１１２＃３は、図２１及び図２２（ａ）に示すように、入射光ＥＬｉ＃３１を、２つの加工光ＥＬｋ＃３１（つまり、ｐ偏光ＥＬｐ１＃３１及びｓ偏光ＥＬｓ２＃３１）に分岐する。更に、マルチビーム光学系１１２＃３は、図２１及び図２２（ａ）に示すように、入射光ＥＬｉ＃３２を、２つの加工光ＥＬｋ＃３２（つまり、ｐ偏光ＥＬｐ１＃３２及びｓ偏光ＥＬｓ２＃３２）に分岐する。更に、マルチビーム光学系１１２＃３は、図２１及び図２２（ａ）に示すように、入射光ＥＬｉ＃３３を、２つの加工光ＥＬｋ＃３３（つまり、ｐ偏光ＥＬｐ１＃３３及びｓ偏光ＥＬｓ２＃３３）に分岐する。更に、マルチビーム光学系１１２＃３は、図２１及び図２２（ａ）に示すように、入射光ＥＬｉ＃３４を、２つの加工光ＥＬｋ＃３４（つまり、ｐ偏光ＥＬｐ１＃３４及びｓ偏光ＥＬｓ２＃３４）に分岐する。従って、マルチビーム光学系１１２＃４は、８つの加工光ＥＬｋ＃３１からＥＬｋ＃３４を射出する。

　このように、第２実施形態の加工システムＳＹＳｂは、上述した第１実施形態の加工システムＳＹＳａよりも多くの数の複数の加工光ＥＬｋを塗装膜ＳＦに同時に照射することができる。具体的には、加工システムＳＹＳｂがＮ（但し、Ｎは２以上の整数）段接続されたＮ個のマルチビーム光学系１１２を備えている場合には、加工システムＳＹＳｂは、上述した加工システムＳＹＳａの２＾（Ｎ－１）倍の数の複数の加工光ＥＬｋを塗装膜ＳＦに同時に照射することができる。つまり、加工システムＳＹＳｂは、２＾Ｎ本の加工光ＥＬｋを塗装膜ＳＦに同時に照射することができる。このため、リブレット構造の形成に関するスループットが向上する。

　尚、一のマルチビーム光学系１１２が射出する２つの加工光ＥＬｋ（特に、同じ光源光ＥＬｏから分岐されるｐ偏光ＥＬｐ１及びｓ偏光ＥＬｓ２）の進行方向に沿った２つの軸がなす角度（つまり、当該２つの軸が交差する角度）は、一のマルチビーム光学系１１２の次段に接続される他のマルチビーム光学系１１２が射出する２つの加工光ＥＬｋ（特に、同じ光源光ＥＬｏから分岐されるｐ偏光ＥＬｐ１及びｓ偏光ＥＬｓ２）の進行方向に沿った２つの軸がなす角度と同じであってもよい。図２２に示す例では、マルチビーム光学系１１２＃１が射出する２つの加工光ＥＬｋ＃１の進行方向に沿った２つの軸がなす角度θ＃１は、マルチビーム光学系１１２＃２が射出する２つの加工光ＥＬｋ＃２１の進行方向に沿った２つの軸がなす角度θ＃２及びマルチビーム光学系１１２＃２が射出する２つの加工光ＥＬｋ＃２２の進行方向に沿った２つの軸がなす角度θ＃２と同じであってもよい。同様に、マルチビーム光学系１１２＃２が射出する２つの加工光ＥＬｋ＃２１の進行方向に沿った２つの軸がなす角度θ＃２及びマルチビーム光学系１１２＃２が射出する２つの加工光ＥＬｋ＃２２の進行方向に沿った２つの軸がなす角度θ＃２は、マルチビーム光学系１１２＃３が射出する２つの加工光ＥＬｋ＃３１の進行方向に沿った２つの軸がなす角度θ＃３、マルチビーム光学系１１２＃３が射出する２つの加工光ＥＬｋ＃３２の進行方向に沿った２つの軸がなす角度θ＃３、マルチビーム光学系１１２＃３が射出する２つの加工光ＥＬｋ＃３３の進行方向に沿った２つの軸がなす角度θ＃３及びマルチビーム光学系１１２＃３が射出する２つの加工光ＥＬｋ＃３４の進行方向に沿った２つの軸がなす角度θ＃３と同じであってもよい。

　或いは、一のマルチビーム光学系１１２が射出する２つの加工光ＥＬｋの進行方向に沿った２つの軸がなす角度は、一のマルチビーム光学系１１２の次段に接続される他のマルチビーム光学系１１２が射出する２つの加工光ＥＬｋの進行方向に沿った２つの軸がなす角度と異なっていてもよい。図２２に示す例では、２つの加工光ＥＬｋ＃１の進行方向に沿った２つの軸がなす角度θ＃１は、２つの加工光ＥＬｋ＃２１の進行方向に沿った２つの軸がなす角度θ＃２及び２つの加工光ＥＬｋ＃２２の進行方向に沿った２つの軸がなす角度θ＃２と異なっていてもよい。同様に、２つの加工光ＥＬｋ＃２１の進行方向に沿った２つの軸がなす角度θ＃２及び２つの加工光ＥＬｋ＃２２の進行方向に沿った２つの軸がなす角度θ＃２は、２つの加工光ＥＬｋ＃３１の進行方向に沿った２つの軸がなす角度θ＃３、２つの加工光ＥＬｋ＃３２の進行方向に沿った２つの軸がなす角度θ＃３、２つの加工光ＥＬｋ＃３３の進行方向に沿った２つの軸がなす角度θ＃３及び２つの加工光ＥＬｋ＃３４の進行方向に沿った２つの軸がなす角度θ＃３と異なっていてもよい。

　この場合、一のマルチビーム光学系１１２が射出する２つの加工光ＥＬｋの進行方向に沿った２つの軸がなす角度は、一のマルチビーム光学系１１２の次段に接続される他のマルチビーム光学系１１２が射出する２つの加工光ＥＬｋの進行方向に沿った２つの軸がなす角度よりも小さくてもよい。つまり、相対的に前段に配置されるマルチビーム光学系１１２が射出する２つの加工光ＥＬｋの進行方向に沿った２つの軸がなす角度は、相対的に後段に配置されるマルチビーム光学系１１２が射出する２つの加工光ＥＬｋの進行方向に沿った２つの軸がなす角度よりも小さくてもよい。図２２に示す例では、２つの加工光ＥＬｋ＃１の進行方向に沿った２つの軸がなす角度θ＃１は、２つの加工光ＥＬｋ＃２１の進行方向に沿った２つの軸がなす角度θ＃２及び２つの加工光ＥＬｋ＃２２の進行方向に沿った２つの軸がなす角度θ＃２よりも小さくてもよい。同様に、２つの加工光ＥＬｋ＃２１の進行方向に沿った２つの軸がなす角度θ＃２及び２つの加工光ＥＬｋ＃２２の進行方向に沿った２つの軸がなす角度θ＃２は、２つの加工光ＥＬｋ＃３１の進行方向に沿った２つの軸がなす角度θ＃３、２つの加工光ＥＬｋ＃３２の進行方向に沿った２つの軸がなす角度θ＃３、２つの加工光ＥＬｋ＃３３の進行方向に沿った２つの軸がなす角度θ＃３及び２つの加工光ＥＬｋ＃３４の進行方向に沿った２つの軸がなす角度θ＃３よりも小さくてもよい。その結果、相対的に前段に配置されるマルチビーム光学系１１２が射出する２つの加工光ＥＬｋの進行方向に沿った２つの軸がなす角度が、相対的に後段に配置されるマルチビーム光学系１１２が射出する２つの加工光ＥＬｋの進行方向に沿った２つの軸がなす角度よりも大きくなる場合と比較して、ｆθレンズ１１４での複数の加工光ＥＬｋのケラレが発生する可能性が小さくなる。但し、相対的に前段に配置されるマルチビーム光学系１１２が射出する２つの加工光ＥＬｋの進行方向に沿った２つの軸がなす角度は、相対的に後段に配置されるマルチビーム光学系１１２が射出する２つの加工光ＥＬｋの進行方向に沿った２つの軸がなす角度よりも大きくなってもよい。

　（３）第３実施形態の加工システムＳＹＳｃ
　続いて、第３実施形態の加工システムＳＹＳ（以降、第３実施形態の加工システムＳＹＳを、“加工システムＳＹＳｃ”と称する）について説明する。第３実施形態の加工システムＳＹＳｃは、上述した第１実施形態の加工システムＳＹＳａと比較して、マルチビーム光学系１１２に代えてマルチビーム光学系１１２ｃを備えているという点で異なる。加工システムＳＹＳｃのその他の特徴は、上述した加工システムＳＹＳａのその他の特徴と同じであってもよい。従って、以下では、図２３を参照しながら、第３実施形態のマルチビーム光学系１１２ｃについて説明する。図２３は、第３実施形態のマルチビーム光学系１１２ｃの構造を示す断面図である。

　図２３に示すように、マルチビーム光学系１１２ｃは、上述したマルチビーム光学系１１２と比較して、駆動系１１２６ｃを備えているという点で異なっている。マルチビーム光学系１１２ｃのその他の特徴は、上述したマルチビーム光学系１１２のその他の特徴と同じであってもよい。

　駆動系１１２６ｃは、制御装置２の制御下で、反射ミラー１１２５を移動可能である。駆動系１１２６ｃは、反射ミラー１１２５に入射してくる円偏光ＥＬｃ２に対して反射ミラー１１２５を移動可能である。具体的には、駆動系１１２６ｃは、反射ミラー１１２５に入射してくる円偏光ＥＬｃ２に交差する（典型的には、直交する）面に沿った軸周りに反射ミラー１１２５が回転するように、反射ミラー１１２５を移動可能である。駆動系１１２６ｃは、反射ミラー１１２５に入射してくる円偏光ＥＬｃ２に交差する面に沿った単一の軸周りに反射ミラー１１２５が回転するように、反射ミラー１１２５を移動可能であってもよい。或いは、駆動系１１２６ｃは、反射ミラー１１２５に入射してくる円偏光ＥＬｃ２に交差する面に沿っており且つ互いに交差する（典型的には、直交する）２つの軸周りに反射ミラー１１２５が回転するように、反射ミラー１１２５を移動可能であってもよい。

　反射ミラー１１２５が移動すると、反射ミラー１１２５の反射面１１２５１に対する円偏光ＥＬｃ２の入射角度が変わる。反射ミラー１１２５の反射面１１２５１に対する円偏光ＥＬｃ２の入射角度が変わると、分離面１１２１１を通過したｐ偏光ＥＬｐ１の進行方向に対して、分離面１１２１１によって反射されたｓ偏光ＥＬｓ２の進行方向が変わる。ｐ偏光ＥＬｐ１の進行方向に対してｓ偏光ＥＬｓ２の進行方向が変わると、ｐ偏光ＥＬｐ１の進行方向に沿った軸とｓ偏光ＥＬｓ２の進行方向に沿った軸とが交差する交差角度が変わる。つまり、マルチビーム光学系１１２ｃが射出する複数の加工光ＥＬｋの進行方向に沿った複数の軸が交差する交差角度が変わる。この場合、反射ミラー１１２３及び１１２５は、複数の加工光ＥＬｋの進行方向に沿った複数の軸が交差する交差角度（つまり、複数の加工光ＥＬｋの進行方向がなす角度）変える光学系として機能可能である。複数の加工光ＥＬｋの進行方向に沿った複数の軸が交差する交差角度が変わると、複数の加工光ＥＬｋの進行方向に交差する光学面上において複数の加工光ＥＬｋがそれぞれ形成する複数のビームスポットの位置関係（特に、光学面に沿った方向における相対的な位置関係）が変わる。つまり、複数の加工光ＥＬｋの進行方向に沿った複数の軸が交差する交差角度が変わると、塗装膜ＳＦ上において複数の加工光ＥＬｋがそれぞれ形成する複数のビームスポットの位置関係（特に、塗装膜ＳＦに沿った方向における相対的な位置関係）が変わる。言い換えれば、複数の加工光ＥＬｋの進行方向に沿った複数の軸が交差する交差角度が変わると、塗装膜ＳＦ上に設定される複数の目標照射領域ＥＡの位置関係（特に、塗装膜ＳＦの表面に沿った方向における相対的な位置関係）が変わる。従って、駆動系１１２６ｃは、反射ミラー１１２５を移動して、塗装膜ＳＦ上に設定される複数の目標照射領域ＥＡの位置関係を変更可能である。

　一例として、図２４（ａ）は、駆動系１１２６ｃが反射ミラー１１２５を所望量だけ移動させる前における（例えば、反射ミラー１１２５が初期位置にある）マルチビーム光学系１１２ｃを示している。図２４（ａ）に示す状態にあるマルチビーム光学系１１２ｃが射出する複数の加工光ＥＬｋは、塗装膜ＳＦ上において、図２４（ｂ）に示す複数のビームスポットをそれぞれ形成する。一方で、図２４（ｃ）は、図２４（ａ）に示す状態にある反射ミラー１１２５を駆動系１１２６ｃが所望量だけ移動させた後におけるマルチビーム光学系１１２ｃを示している。図２４（ｃ）に示すように、駆動系１１２６ｃが反射ミラー１１２５を移動させると、駆動系１１２６ｃが反射ミラー１１２５を移動させる前と比較して、反射ミラー１１２５の反射面１１２５１に対する円偏光ＥＬｃ２の入射角度、及び、ｐ偏光ＥＬｐ１の進行方向に沿った軸とｓ偏光ＥＬｓ２の進行方向に沿った軸とが交差する交差角度（つまり、マルチビーム光学系１１２ｃが射出する複数の加工光ＥＬｋの進行方向に沿った複数の軸が交差する交差角度）が変わることが分かる。図２４（ｃ）に示す状態にあるマルチビーム光学系１１２ｃが射出する複数の加工光ＥＬｋは、塗装膜ＳＦ上において、図２４（ｄ）に示す複数のビームスポットをそれぞれ形成する。図２４（ｄ）に示すように、駆動系１１２６ｃが反射ミラー１１２５を移動させると、駆動系１１２６ｃが反射ミラー１１２５を移動させる前と比較して、塗装膜ＳＦ上において複数の加工光ＥＬｋがそれぞれ形成する複数のビームスポットの位置関係（つまり、塗装膜ＳＦ上における複数の目標照射領域ＥＡの位置関係）が変わることが分かる。特に、反射ミラー１１２５が移動するがゆえに、移動する反射ミラー１１２５を介した加工光ＥＬｋに相当するｓ偏光ＥＬｓ２が形成するビームスポットが、移動しない反射ミラー１１２３を介した加工光ＥＬｋに相当するｐ偏光ＥＬｐ１が形成するビームスポットに対して移動することで、複数の目標照射領域ＥＡの位置関係が変わる。

　上述したように、駆動系１１２６ｃは、単一の軸周りに反射ミラー１１２５が回転するように、反射ミラー１１２５を移動可能であってもよい。この場合、駆動系１１２６ｃは、反射ミラー１１２５を移動して、塗装膜ＳＦに沿った単一の方向において、複数の目標照射領域ＥＡの位置関係を変更可能である。例えば、駆動系１１２６ｃは、反射ミラー１１２５を移動して、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のいずれか一方において、複数の目標照射領域ＥＡの位置関係を変更可能である。或いは、上述したように、駆動系１１２６ｃは、複数の軸周りに反射ミラー１１２５が回転するように、反射ミラー１１２５を移動可能であってもよい。この場合、駆動系１１２６ｃは、反射ミラー１１２５を移動して、塗装膜ＳＦに沿った複数の方向のそれぞれにおいて、複数の目標照射領域ＥＡの位置関係を変更可能である。例えば、駆動系１１２６ｃは、反射ミラー１１２５を移動して、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれにおいて、複数の目標照射領域ＥＡの位置関係を変更可能である。

　駆動系１１２６ｃは、制御装置２の制御下で、所望の特性を有するリブレット構造が形成されるように、反射ミラー１１２５を移動してもよい。つまり、駆動系１１２６ｃは、制御装置２の制御下で、所望の特性を有するリブレット構造が形成されるように、複数の目標照射領域ＥＡの位置関係を変更してもよい。以下、Ｙ軸方向に沿って延伸する凹状構造ＣＰ１がＸ軸方向に沿って複数配列されたリブレット構造（図６（ａ）及び図６（ｂ）参照）を形成する場合における駆動系１１２６ｃの動作の一例について、説明する。

　駆動系１１２６ｃは、反射ミラー１１２５を移動して、複数の凹状構造ＣＰ１が配列されるＸ軸方向（つまり、各凹状構造ＣＰ１が延びるＹ軸方向に交差する方向）において、複数の目標照射領域ＥＡの位置関係を変更してもよい。この場合、複数の目標照射領域ＥＡの位置関係の変更に伴って、例えば、複数の凹状構造ＣＰ１の配列ピッチＰ１（更には、凸状構造ＣＰ２の配列ピッチＰ２）が変更可能である。従って、駆動系１１２６ｃは、複数の凹状構造ＣＰ１の配列ピッチＰ１が所望のピッチとなるように、反射ミラー１１２５を移動してもよい。例えば、図２５（ａ）は、駆動系１１２６ｃが反射ミラー１１２５を所望量だけ移動させる前における（例えば、反射ミラー１１２５が初期位置にある場合における）複数の目標照射領域ＥＡの位置関係を示している。図２５（ａ）に示すように複数の目標照射領域ＥＡが設定されると、加工対象物Ｓには、図２５（ｂ）に示すように、配列ピッチＰ１が所定の第１ピッチｐ１となる凹状構造ＣＰ１が形成される。一方で、図２５（ｃ）は、駆動系１１２６ｃが反射ミラー１１２５を所望量だけ移動させた後における複数の目標照射領域ＥＡの位置関係を示している。図２５（ｃ）は、Ｘ軸に沿って複数の目標照射領域ＥＡが離れるように反射ミラー１１２５が移動した例を示している。この場合、加工対象物Ｓには、図２５（ｄ）に示すように、配列ピッチＰ１が上述した第１ピッチｐ１よりも大きい所定の第２ピッチｐ２となる凹状構造ＣＰ１が形成される。或いは、説明の簡略化のために図示しないものの、Ｘ軸に沿って複数の目標照射領域ＥＡが近づくように反射ミラー１１２５が移動した場合には、加工対象物Ｓには、配列ピッチＰ１が上述した第１ピッチｐ１よりも小さい所定の第３ピッチｐ３となる凹状構造ＣＰ１が形成される。

　駆動系１１２６ｃは、反射ミラー１１２５を移動して、複数の凹状構造ＣＰ１が延伸するＹ軸に沿った方向において、複数の目標照射領域ＥＡの位置関係を変更してもよい。駆動系１１２６ｃは、反射ミラー１１２５を移動して、Ｘ軸及びＹ軸の双方に交差する方向において、複数の目標照射領域ＥＡの位置関係を変更してもよい。この場合においても、複数の目標照射領域ＥＡの位置関係の変更に伴って、リブレット構造の特性が変更可能である。

　駆動系１１２６ｃは、反射ミラー１１２５を移動して複数の目標照射領域ＥＡの位置関係を変更する際に、図２６（ａ）に示すように、複数の目標照射領域ＥＡのうちの少なくとも２つを少なくとも部分的に重ねてもよい。複数の目標照射領域ＥＡのうちの少なくとも２つが少なくとも部分的に重なる場合には、図２６（ｂ）に示すように、ある１つの凹部Ｃが２つ以上の加工光ＥＬｋの照射によって形成される。従って、駆動系１１２６ｃは、複数の加工光ＥＬｋのうちの少なくとも２つを用いて同じ凹部Ｃ（つまり、凹状構造ＣＰ１）を形成するように、反射ミラー１１２５を移動してもよい。

　特に、複数の目標照射領域ＥＡのうちの少なくとも２つが少なくとも部分的に重なる場合には、複数の目標照射領域ＥＡが重ならない場合と比較して、塗装膜ＳＦ上における複数の加工光ＥＬｋの強度分布が変わる。その結果、複数の目標照射領域ＥＡのうちの少なくとも２つが少なくとも部分的に重なる場合には、複数の目標照射領域ＥＡが重ならない場合と比較して、形成されるリブレット構造の特性が変わる。このため、駆動系１１２６ｃは、塗装膜ＳＦ上における複数の加工光ＥＬｋの強度分布が、所望の特性を有するリブレット構造を形成可能な所望の強度分布となるように、反射ミラー１１２５を移動して複数の目標照射領域ＥＡのうちの少なくとも２つを少なくとも部分的に重ねてもよい。駆動系１１２６ｃは、塗装膜ＳＦ上における複数の加工光ＥＬｋの強度分布が、所望の特性を有するリブレット構造を形成可能な所望の強度分布となるように、反射ミラー１１２５を移動して複数の目標照射領域ＥＡのうちの少なくとも２つの重なり状態を変更してもよい。尚、ここで言う重なり状態の変更は、少なくとも２つの目標照射領域ＥＡが少なくとも部分的に重なっている状態で少なくとも２つの目標照射領域ＥＡの重なり状態を変更することのみならず、少なくとも２つの目標照射領域ＥＡの状態を、少なくとも部分的に重なっている状態と重なっていない状態との間で変更すること、及び、少なくとも２つの目標照射領域ＥＡが重なっていない状態で少なくとも２つの目標照射領域ＥＡの相対位置を変更することをも含んでいてもよい。例えば、塗装膜ＳＦ上における複数の加工光ＥＬｋの強度分布が変わると、リブレット構造のサイズ（特に、凹状構造ＣＰ１の深さＤ及び凸状構造ＣＰ２の高さＨの少なくとも一方）が変わる可能性がある。従って、駆動系１１２６ｃは、リブレット構造のサイズが所望のサイズとなるように、反射ミラー１１２５を移動してもよい。例えば、塗装膜ＳＦ上における複数の加工光ＥＬｋの強度分布が変わると、リブレット構造の形状が変わる可能性がある。従って、駆動系１１２６ｃは、リブレット構造の形状が所望の形状となるように、反射ミラー１１２５を移動してもよい。

　尚、上述した説明では、マルチビーム光学系１１２ｃは、反射ミラー１１２５を移動させる駆動系１１２６ｃを備えている。しかしながら、マルチビーム光学系１１２ｃは、駆動系１１２６ｃに加えて又は代えて、反射ミラー１１２３を移動させる駆動系を備えていてもよい。この駆動系は、駆動系１１２６ｃが反射ミラー１１２５を移動させる移動態様と同様の移動態様で、反射ミラー１１２３を移動させることが可能であってもよい。この場合であっても、上述した効果と同様の効果が享受可能である。

　上述した説明では、マルチビーム光学系１１２ｃは、反射ミラー１１２５を制御装置２の制御下で移動させる駆動系１１２６ｃを備えている。しかしながら、押し引きネジ等のメカニカルな構成を用いて手動で反射ミラー１１２５を移動（回転）させてもよい。

　また、上述した説明では、加工システムＳＹＳｃは、反射ミラー１１２５を移動して塗装膜ＳＦ上での複数の目標照射領域ＥＡの位置関係を変更している。しかしながら、加工システムＳＹＳｂは、反射ミラー１１２５を移動する方法とは異なる方法で、塗装膜ＳＦ上での複数の目標照射領域ＥＡの位置関係を変更してもよい。例えば、加工システムＳＹＳｃは、マルチビーム光学系１１２ｃがレンズ等の屈折光学素子を備えている場合には、当該屈折光学素子を用いて、塗装膜ＳＦ上での複数の目標照射領域ＥＡの位置関係を変更してもよい。例えば、加工システムＳＹＳｃは、屈折光学素子を移動して（例えば、ある軸回りに回転させて）複数の加工光ＥＬｋの少なくとも一つの進行方向を変えることで、複数の目標照射領域ＥＡの位置関係を変更してもよい。例えば、加工システムＳＹＳｃは、屈折光学素子の屈折率を変更して複数の加工光ＥＬｋの少なくとも一つの進行方向を変えることで、複数の目標照射領域ＥＡの位置関係を変更してもよい。屈折率が可変な屈折光学素子の一例として、液晶レンズがあげられる。

　更に、上述した加工システムＳＹＳｃは、マルチビーム光学系１１２ｃ（特に、偏光ビームスプリッタ１１２１）を用いて、複数の加工光ＥＬｋを塗装膜ＳＦに照射している。しかしながら、複数の加工光ＥＬｋを塗装膜ＳＦに照射するための方法として、マルチビーム光学系１１２ｃ（特に、偏光ビームスプリッタ１１２１）を用いない方法もまた存在する。例えば、光照射装置１１が複数の光源１１０を備えている場合には、加工システムＳＹＳｃは、マルチビーム光学系１１２ｃ（特に、偏光ビームスプリッタ１１２１）を用いることなく、複数の光源１１０がそれぞれ射出する複数の光源光ＥＬｏを、複数の加工光ＥＬｋとして塗装膜ＳＦに照射可能である。このようなマルチビーム光学系１１２ｃを用いることなく複数の加工光ＥＬｋを塗装膜ＳＦに照射する場合においても、加工システムＳＹＳｃは、複数の目標照射領域ＥＡの位置関係を変更してもよい。

　また、上述した説明では、加工システムＳＹＳｃは、単一のマルチビーム光学系１１２ｃを備えている。つまり、上述した説明では、２つの加工光ＥＬｋを塗装膜ＳＦに同時に照射する加工システムＳＹＳｃを用いて説明を進めた。しかしながら、加工システムＳＹＳｃは、第２実施形態の加工システムＳＹＳｂと同様に、複数のマルチビーム光学系１１２を備えていてもよい。つまり、加工システムＳＹＳｃは、３つ以上（典型的には、２＾Ｎ本の）加工光ＥＬｋを塗装膜ＳＦに同時に照射してもよい。言い換えれば、加工システムＳＹＳｃは、第２実施形態の加工システムＳＹＳｂに特有の構成要件（具体的には、３つ以上の加工光ＥＬｋの照射に関する構成要件）を備えていてもよい。この場合には、加工システムＳＹＳｃが備える複数のマルチビーム光学系１１２のうちの少なくとも一つが、第３実施形態で説明したマルチビーム光学系１１２ｃであってもよい。この場合であっても、加工システムＳＹＳｃは、塗装膜ＳＦ上において複数の加工光ＥＬｋがそれぞれ形成する複数のビームスポットの位置関係（つまり、塗装膜ＳＦ上における複数の目標照射領域ＥＡの位置関係）を変更することができる。

　一例として、少なくとも一つがマルチビーム光学系１１２ｃである２つのマルチビーム光学系１１２を備える加工システムＳＹＳｃは、塗装膜ＳＦに対して４つの加工光ＥＬｋを同時に照射可能である。つまり、加工システムＳＹＳｃは、図２１に示すマルチビーム光学系１１２＃２が射出する４つの加工光ＥＬｋを塗装膜ＳＦに対して同時に照射可能である。この場合、図２７（ａ）に示すように、加工システムＳＹＳｃは、４つの加工光ＥＬｋがそれぞれ照射される４つの目標照射領域ＥＡが互いに重ならないように、反射ミラー１１２５を移動してもよい。その結果、図２７（ｂ）に示すように、加工システムＳＹＳｃは、４つの加工光ＥＬｋを塗装膜ＳＦに同時に照射して、４本の凹状構造ＣＰ１を同時に形成してもよい。或いは、図２７（ｃ）に示すように、加工システムＳＹＳｃは、目標照射領域ＥＡが２つずつ部分的に重なるように、反射ミラー１１２５を移動してもよい。その結果、図２７（ｄ）に示すように、加工システムＳＹＳｃは、４つの加工光ＥＬｋを塗装膜ＳＦに同時に照射して、２本の凹状構造ＣＰ１を同時に形成してもよい。或いは、図２７（ｅ）に示すように、加工システムＳＹＳｃは、４つの目標照射領域ＥＡが部分的に重なるように、反射ミラー１１２５を移動してもよい。その結果、図２７（ｆ）に示すように、加工システムＳＹＳｃは、４つの加工光ＥＬｋを塗装膜ＳＦに同時に照射して、１本の凹状構造ＣＰ１を形成してもよい。

　尚、第３実施形態の
　（４）第４実施形態の加工システムＳＹＳｄ
　続いて、第４実施形態の加工システムＳＹＳ（以降、第４実施形態の加工システムＳＹＳを、“加工システムＳＹＳｄ”と称する）について説明する。第４実施形態の加工システムＳＹＳｃは、上述した第１実施形態の加工システムＳＹＳａと比較して、光照射装置１１に代えて光照射装置１１ｄを備えているという点で異なる。加工システムＳＹＳｄのその他の特徴は、上述した加工システムＳＹＳａのその他の特徴と同じであってもよい。従って、以下では、図２８を参照しながら、第４実施形態の光照射装置１１ｄについて説明する。図２８は、第４実施形態の光照射装置１１ｄの構造を示す断面図である。

　図２８に示すように、第４実施形態の光照射装置１１ｄは、上述した光照射装置１１と比較して、リレー光学系１１６ｄを更に備えているという点で異なる。光照射装置１１ｄのその他の特徴は、上述した光照射装置１１等のその他の特徴と同じであってもよい。

　リレー光学系１１６ｄは、マルチビーム光学系１１２とガルバノミラー１１３との間における複数の加工光ＥＬｋの光路上に配置される。従って、マルチビーム光学系１１２が射出した複数の加工光ＥＬｋは、リレー光学系１１６ｄを介してガルバノミラー１１３に入射する。リレー光学系１１６ｄは、リレー光学系１１６ｄの後側焦点面（言い換えれば、射出側焦点面）がｆθレンズ１１４の入射面（その近傍を含む）に位置するように、ｆθレンズ１１４に対して位置合わせされている。

　リレー光学系１１６ｄは、複数の加工光ＥＬｋをガルバノミラー１１３に導く光学系である。リレー光学系１１６ｄは、図２９（ａ）及び図２９（ｂ）に示すように、リレー光学系１１６ｄを通過した複数の加工光ＥＬｋをそれぞれ構成する複数の光束がｆθレンズ１１４の瞳面において通過する位置の差が、リレー光学系１１６ｄを通過していない複数の加工光ＥＬｋをそれぞれ構成する複数の光束がｆθレンズ１１４の瞳面において通過する位置の差よりも小さくすることが可能な所望の光学特性を有している。尚、図２９（ａ）は、マルチビーム光学系１１２及びリレー光学系１１６ｄの双方を通過した複数の加工光ＥＬｋをそれぞれ構成する複数の光束がｆθレンズ１１４の瞳面において通過する位置を示している。一方で、図２９（ｂ）は、マルチビーム光学系１１２を通過する一方でリレー光学系１１６ｄを通過していない複数の加工光ＥＬｋをそれぞれ構成する複数の光束がｆθレンズ１１４の瞳面において通過する位置を示している。

　複数の加工光ＥＬｋをそれぞれ構成する複数の光束がｆθレンズ１１４の瞳面において通過する位置の差が小さくなればなるほど、ｆθレンズ１１４による加工光ＥＬｋのケラレが発生する可能性が小さくなる。従って、加工システムＳＹＳｄは、複数の加工光ＥＬｋを適切に塗装膜ＳＦに照射することができる。

　更に、複数の加工光ＥＬｋをそれぞれ構成する複数の光束がｆθレンズ１１４の瞳面において通過する位置の差が小さくなればなるほど、複数の加工光ＥＬｋが結像する像面（例えば、塗装膜ＳＦの表面又はその近傍）に対する複数の加工光ＥＬｋの入射角度の差が小さくなる。なぜならば、瞳面での光が通過する位置の差は、像面での光の入射角度の差と等価であるからである。このため、複数の加工光ＥＬｋをそれぞれ構成する複数の光束がｆθレンズ１１４の瞳面において通過する位置の差が小さくなればなるほど、加工システムＳＹＳｄが複数の加工光ＥＬｋを塗装膜ＳＦに照射する状態が、テレセントリックな光学系を介して複数の加工光ＥＬｋを塗装膜ＳＦに照射する状態に近づく。従って、加工システムＳＹＳｄは、複数の加工光ＥＬｋを適切に塗装膜ＳＦに照射することができる。

　リレー光学系１１６ｄは、光照射装置１１ｄのマルチビーム光学系１１２の反射ミラー１１２３及び１１２５のそれぞれの反射面１１２３１及び１１２５１と、ｆθレンズ１１４の瞳面とを光学的に共役にする光学系であってもよい。また、複数のマルチビーム光学系１１２を用いる場合には、リレー光学系１１６ｄは、複数のマルチビーム光学系１１２のうちいずれか一つの反射ミラーの反射面とｆθレンズ１１４の瞳面とを光学的に共役にしてもよい。例えば、リレー光学系１１６ｄは、複数のマルチビーム光学系１１２のうちいずれか一つの反射ミラー１１２３又は１１２５の反射面１１２３１又は１１２５１とｆθレンズ１１４の瞳面とを光学的に共役にしてもよい。リレー光学径１１６ｄは、光路において、最も光源１１０側のマルチビーム光学系１１２の反射ミラーの反射面と、最もｆθレンズ１１４側のマルチビーム光学系１１２の反射ミラーの反射面との間とｆθレンズ１１４の瞳面とを光学的に共役にしてもよい。例えば、リレー光学径１１６ｄは、光路において、複数のマルチビーム光学系１１２のうち最も光源１１０側のマルチビーム光学系１１２の反射ミラー１１２３又は１１２５の反射面１１２３１又は１１２５１と、複数のマルチビーム光学系１１２のうち最もｆθレンズ１１４側のマルチビーム光学系１１２の反射ミラー１１２３又は１１２５の反射面１１２３１又は１１２５１との間の光学面と、ｆθレンズ１１４の瞳面とを光学的に共役にしてもよい。

　尚、第４実施形態の加工システムＳＹＳｄは、上述した第２実施形態の加工システムＳＹＳｂから第３実施形態の加工システムＳＹＳｃの少なくとも一つに特有の構成要件を備えていてもよい。第３実施形態の加工システムＳＹＳｃに特有の構成要件は、複数の目標照射領域ＥＡの位置関係の変更に関する構成要件（例えば、駆動系１１２６ｃ）を含む。

　（５）第５実施形態の加工システムＳＹＳｅ
　続いて、第５実施形態の加工システムＳＹＳ（以降、第５実施形態の加工システムＳＹＳを、“加工システムＳＹＳｅ”と称する）について説明する。第５実施形態の加工システムＳＹＳｅは、上述した第１実施形態の加工システムＳＹＳａと比較して、光照射装置１１に代えて光照射装置１１ｅを備えているという点で異なる。光照射装置１１ｅは、光照射装置１１と比較して、強度調整装置１１７ｅを備えているという点で異なる。加工システムＳＹＳｅのその他の特徴は、上述した加工システムＳＹＳａのその他の特徴と同じであってもよい。従って、以下では、図３０を参照しながら、第５実施形態の光照射装置１１ｅが備える強度調整装置１１７ｅについて説明する。図３０は、第５実施形態の強度調整装置１１７ｅを示す断面図である。

　強度調整装置１１７ｅは、マルチビーム光学系１１２が射出する複数の加工光ＥＬｋの少なくとも一つの強度を調整する。例えば、強度調整装置１１７ｅは、マルチビーム光学系１１２が射出する複数の加工光ＥＬｋの強度が同じになる（つまり、揃う）ように、複数の加工光ＥＬｋの少なくとも一つの強度を調整してもよい。或いは、例えば、強度調整装置１１７ｅは、マルチビーム光学系１１２が射出する複数の加工光ＥＬｋのうちの少なくとも２つの強度が異なるものとなるように、複数の加工光ＥＬｋの少なくとも一つの強度を調整してもよい。尚、強度調整装置１１７ｅは、マルチビーム光学系１１２が射出する複数の加工光ＥＬｋの強度比を調整してもよい。

　複数の加工光ＥＬｋの少なくとも一つの強度を調整するために、強度調整装置１１７ｅは、図３０に示すように、例えば、強度センサ１１７１ｅと、強度センサ１１７２ｅと、波長板１１７３ｅと、駆動系１１７４ｅとを備えていてもよい。

　強度センサ１１７１ｅは、反射ミラー１１２３に配置されている。強度センサ１１７１ｅは、反射ミラー１１２３に入射してくる円偏光ＥＬｃ１の強度を検出可能な検出装置である。円偏光ＥＬｃ１の強度は、分離面１１２１１で反射したｓ偏光ＥＬｓ１の強度に比例する。なぜならば、ｓ偏光ＥＬｓ１は、１／４波長板１１２２を通過して円偏光ＥＬｃ１に変換されるからである。従って、強度センサ１１７１ｅは、円偏光ＥＬｃ１の強度を検出して、ｓ偏光ＥＬｓ１の強度を間接的に検出可能な検出装置であるとも言える。更に、円偏光ＥＬｃ１の強度は、加工光ＥＬｋとして射出されるｐ偏光ＥＬｐ１の強度に比例する。なぜならば、円偏光ＥＬｃ１は、１／４波長板１１２２を通過してｐ偏光ＥＬｐ１に変換されるからである。従って、強度センサ１１７１ｅは、円偏光ＥＬｃ１の強度を検出して、ｐ偏光ＥＬｐ１の強度（つまり、複数の加工光ＥＬｋのうちの一つの強度）を間接的に検出可能な検出装置であるとも言える。尚、強度センサ１１７１ｅは、反射ミラー１１２３の反射面を透過する漏れ光を検出してもよい。この場合には、強度センサ１１７１ｅは、反射ミラー１１２３の裏面側に配置されていてもよい。

　強度センサ１１７２ｅは、反射ミラー１１２５に配置されている。強度センサ１１７２ｅは、反射ミラー１１２５に入射してくる円偏光ＥＬｃ２の強度を検出可能な検出装置である。円偏光ＥＬｃ２の強度は、分離面１１２１１を通過したｐ偏光ＥＬｐ２の強度に比例する。なぜならば、ｐ偏光ＥＬｐ２は、１／４波長板１１２４を通過して円偏光ＥＬｃ２に変換されるからである。従って、強度センサ１１７２ｅは、円偏光ＥＬｃ２の強度を検出して、ｐ偏光ＥＬｐ２の強度を間接的に検出可能な検出装置であるとも言える。更に、円偏光ＥＬｃ２の強度は、加工光ＥＬｋとして射出されるｓ偏光ＥＬｓ２の強度に比例する。なぜならば、円偏光ＥＬｃ２は、１／４波長板１１２４を通過してｓ偏光ＥＬｓ２に変換されるからである。従って、強度センサ１１７２ｅは、円偏光ＥＬｃ２の強度を検出して、ｓ偏光ＥＬｓ２の強度（つまり、複数の加工光ＥＬｋのうちの一つの強度）を間接的に検出可能な検出装置であるとも言える。尚、強度センサ１１７２ｅは、反射ミラー１１２５の反射面を透過する漏れ光を検出してもよい。この場合には、強度センサ１１７２ｅは、反射ミラー１１２５の裏面側に配置されていてもよい。

　波長板１１７３ｅは、光源１１０と偏光ビームスプリッタ１１２１との間における光源光ＥＬｏの光路上に配置されている。このため、第４変形例では、光源光ＥＬｏは、波長板１１７３ｅを介して偏光ビームスプリッタ１１２１に入射する。波長板１１７３ｅは、波長板１１７３ｅを通過する光源光ＥＬｏの偏光状態を変更する。波長板１１７３ｅは、例えば１／２波長板であるが、その他の種類の波長板（例えば、１／４波長板、１／８波長板及び１波長板の少なくとも一つ）であってもよい。

　駆動系１１７４ｅは、制御装置２の制御下で、波長板１１７３ｅを移動可能である。具体的には、駆動系１１７４ｅは、光源光ＥＬｏの進行方向に沿った軸周りに波長板１１７３ｅが回転するように、波長板１１７３ｅを移動可能である。波長板１１７３ｅの光学軸を含む面は、通常、光源光ＥＬｏの進行方向に対して交差する。このため、駆動系１１７４ｅは、光源光ＥＬｏの進行方向に沿った軸周りに波長板１１７３ｅの光学軸を含む面が回転するように、波長板１１７３ｅを移動可能であるとも言える。

　波長板１１７３ｅが回転すると、波長板１１７３ｅを通過した光源光ＥＬｏの偏光状態が変わる。特に、波長板１１７３ｅが回転すると、波長板１１７３ｅを通過した光源光ＥＬｏに含まれるｐ偏光及びｓ偏光の強度比が変わる。波長板１１７３ｅを通過した光源光ＥＬｏに含まれるｐ偏光及びｓ偏光の強度比が変わると、偏光ビームスプリッタ１１２１の分離面１１２１１で反射されるｓ偏光ＥＬｓ１及び分離面１１２１１を通過するｐ偏光ＥＬｐ１の強度比が変わる。ｓ偏光ＥＬｓ１及びｐ偏光ＥＬｐ２の強度比が変わると、ｓ偏光ＥＬｓ１から変換される加工光ＥＬｋ（つまり、ｐ偏光ＥＬｐ１）及びｐ偏光ＥＬｐ２から変換される加工光ＥＬｋ（ｓ偏光ＥＬｓ２）の強度比が変わる。つまり、図３１に示すように、波長板１１７３ｅが回転すると、その回転角度に応じて、マルチビーム光学系１１２が射出する複数の加工光ＥＬｋの強度比が変わる。複数の加工光ＥＬｋの強度比が変わると、複数の加工光ＥＬｋのそれぞれの強度もまた変わる。

　このため、駆動系１１７４ｅは、制御装置２の制御下で、波長板１１７３ｅを通過した光源光ＥＬｏに含まれるｐ偏光及びｓ偏光の強度比が所望の比率となるように波長板１１７３ｅを回転させることで、マルチビーム光学系１１２が射出する複数の加工光ＥＬｋの強度比を所望の比率に設定することができる。つまり、駆動系１１７４ｅは、制御装置２の制御下で、波長板１１７３ｅを通過した光源光ＥＬｏに含まれるｐ偏光及びｓ偏光のそれぞれの強度が所望の強度となるように波長板１１７３ｅを回転させることで、マルチビーム光学系１１２が射出する複数の加工光ＥＬｋのそれぞれの強度を所望の強度に設定することができる。具体的には、制御装置２は、強度センサ１１７１ｅ及び１１７２ｅの検出結果に基づいて、円偏光ＥＬｃ１及びＥＬｃ２の強度（更には、強度比）を特定することができる。円偏光ＥＬｃ１及びＥＬｃ２の強度（更には、強度比）は、複数の加工光ＥＬｋの強度（更には、強度比）と等価であることは上述したとおりである。このため、制御装置２は、強度センサ１１７１ｅ及び１１７２ｅの検出結果に基づいて、複数の加工光ＥＬｋの強度が所望の強度になるように及び／又は複数の加工光ＥＬｋの強度比が所望の比率になるように、駆動系１１７４ｅを制御して波長板１１７３ｅを回転させることができる。

　例えば、駆動系１１７４ｅは、制御装置２の制御下で、強度センサ１１７１ｅ及び１１７２ｅの検出結果から特定可能な円偏光ＥＬｃ１及びＥＬｃ２の強度が同じになるように、波長板１１７３ｅを回転させてもよい。この場合、マルチビーム光学系１１２が射出する複数の加工光ＥＬｋの強度が同じになる（つまり、揃う）。その結果、加工システムＳＹＳｅは、強度が揃っている複数の加工光ＥＬｋを照射して、特性が同じになる複数の凹状構造ＣＰ１を同時に形成することができる。或いは、例えば、駆動系１１７４ｅは、制御装置２の制御下で、強度センサ１１７１ｅ及び１１７２ｅの検出結果から特定可能な円偏光ＥＬｃ１及びＥＬｃ２の強度が異なるものとなるように、波長板１１７３ｅを回転させてもよい。この場合、マルチビーム光学系１１２が射出する複数の加工光ＥＬｋの強度が異なるものとなる。その結果、加工システムＳＹＳｅは、強度が異なる複数の加工光ＥＬｋを照射して、特性が異なる複数の凹状構造ＣＰ１を同時に形成することができる。

　尚、上述した説明では、強度センサ１１７１ｅは、円偏光ＥＬｃ１の強度を検出している。しかしながら、強度センサ１１７１ｅは、円偏光ＥＬｃ１から変換され且つ加工光ＥＬｋとして射出されるｐ偏光ＥＬｐ１の強度を検出してもよい。強度センサ１１７１ｅは、円偏光ＥＬｃ１に変換されるｓ偏光ＥＬｓ１の強度を検出してもよい。同様に、上述した説明では、強度センサ１１７２ｅは、円偏光ＥＬｃ２の強度を検出している。しかしながら、強度センサ１１７２ｅは、円偏光ＥＬｃ２から変換され且つ加工光ＥＬｋとして射出されるｓ偏光ＥＬｓ２の強度を検出してもよい。強度センサ１１７２ｅは、円偏光ＥＬｃ２に変換されるｐ偏光ＥＬｐ２の強度を検出してもよい。

　尚、上述した説明では、波長板１１７３ｅを制御装置２の制御下で移動（回転）させる駆動系１１７４ｅを備えている。しかしながら、メカニカルな機構を用いて手動で波長板１１７３ｅを移動（回転）させてもよい。

　また、上述した説明では、強度センサ１１７１ｅ及び１１７２ｅを反射ミラー１１２３及び１１２５に設けている。しかしながら、強度センサ１１７１ｅ及び１１７２ｅは、ｆθレンズ１１４の射出側に設けられていてもよい。この場合、一つの強度センサをｆθレンズ１１４の光軸と交差する面内で移動可能に設けてもよい。尚、加工システムＳＹＳｅは強度センサ１１７１ｅ及び１１７２ｅを備えていなくてもよい。

　第５実施形態の加工システムＳＹＳｅは、上述した第２実施形態の加工システムＳＹＳｂから第４実施形態の加工システムＳＹＳｄの少なくとも一つに特有の構成要件を備えていてもよい。第４実施形態の加工システムＳＹＳｄに特有の構成要件は、リレー光学系１１６ｄに関する構成要件を含む。

　（６）第６実施形態の加工システムＳＹＳｆ
　続いて、第６実施形態の加工システムＳＹＳ（以降、第６実施形態の加工システムＳＹＳを、“加工システムＳＹＳｆ”と称する）について説明する。第６実施形態の加工システムＳＹＳｆは、上述した加工システムＳＹＳａと比較して、光照射装置１１に代えて光照射装置１１ｆを備えているという点で異なる。光照射装置１１ｆは、光照射装置１１と比較して、強度調整装置１１７ｆを備えているという点で異なる。第６実施形態の加工システムＳＹＳｆのその他の特徴は、上述した加工システムＳＹＳａのその他の特徴と同じであってもよい。従って、以下では、図３２を参照しながら、第６実施形態の光照射装置１１ｆが備える強度調整装置１１７ｆについて説明する。図３２は、強度調整装置１１７ｆの構造を示す断面図である。

　強度調整装置１１７ｆは、第５実施形態の強度調整装置１１７ｅと同様に、マルチビーム光学系１１２が射出する複数の加工光ＥＬｋの少なくとも一つの強度を調整する。強度調整装置１１７ｆは、光源１１０と偏光ビームスプリッタ１１２１との間における光源光ＥＬｏの光路上に配置されている。このため、第６実施形態では、光源光ＥＬｏは、強度調整装置１１７ｆを介して偏光ビームスプリッタ１１２１に入射する。

　複数の加工光ＥＬｋの少なくとも一つの強度を調整するために、強度調整装置１１７ｆは、図３２に示すように、例えば、偏光ビームスプリッタ１１７１ｆと、１／４波長板１１７２ｆと、反射ミラー１１７３ｆと、１／４波長板１１７４ｆと、反射ミラー１１７５ｆと、波長板１１７６ｆとを備える。

　光源１１１からの光源光ＥＬｏは、偏光ビームスプリッタ１１７１ｆの分離面１１７１１ｆに入射する。光源光ＥＬｏのうちのｓ偏光ＥＬｓ０１は、分離面１１７１１ｆにおいて反射される。一方で、光源光ＥＬｏのうちのｐ偏光ＥＬｐ０２は、分離面１１７１１ｆを通過する。つまり、偏光ビームスプリッタ１１７１ｆは、光源光ＥＬｏを、ｓ偏光ＥＬｓ０１とｐ偏光ＥＬｐ０２とに分岐する。

　偏光ビームスプリッタ１１７１ｆによって反射されたｓ偏光ＥＬｓ０１は、１／４波長板１１７２ｆを通過する。その結果、ｓ偏光ＥＬｓ０１は、円偏光ＥＬｃ０１に変換される。１／４波長板１１７２ｆを通過した円偏光ＥＬｃ０１は、反射ミラー１１７３ｆの反射面１１７３１ｆによって反射される。反射ミラー１１７３ｆによって反射された円偏光ＥＬｃ０１は、１／４波長板１１７２ｆを再度通過して、ｐ偏光ＥＬｐ０１に変換される。１／４波長板１１７２ｆを通過したｐ偏光ＥＬｐ０１は、偏光ビームスプリッタ１１７１ｆの分離面１１７１１ｆに入射する。

　一方で、偏光ビームスプリッタ１１７１ｅを通過したｐ偏光ＥＬｐ０２は、１／４波長板１１７４ｆを通過する。その結果、ｐ偏光ＥＬｐ０２は、円偏光ＥＬｃ０２に変換される。１／４波長板１１７４ｆを通過した円偏光ＥＬｃ０２は、反射ミラー１１７５ｆの反射面１１７５１ｆによって反射される。反射ミラー１１７５ｆによって反射された円偏光ＥＬｃ０２は、１／４波長板１１７４ｆを再度通過して、ｓ偏光ＥＬｓ０２に変換される。１／４波長板１１７４ｆを通過したｓ偏光ＥＬｓ０２は、偏光ビームスプリッタ１１７１ｆの分離面１１７１１ｆに入射する。

　分離面１１７１１ｆに入射したｐ偏光ＥＬｐ０１は、分離面１１７１１ｆを通過する。一方で、分離面１１７１１ｆに入射したｓ偏光ＥＬｓ０２は、分離面１１７１１ｆによって反射される。ここで、図３２に示すように、反射ミラー１１７３ｆの反射面１１７３１ｆに対する円偏光ＥＬｃ０１の入射角度が、反射ミラー１１７５ｆの反射面１１７５１ｆに対する円偏光ＥＬｃ０２の入射角度とは同じになるように、反射ミラー１１７３ｆ及び１１７５ｆが位置合わせされている。つまり、反射ミラー１１７３ｆの反射面１１７３１ｆと円偏光ＥＬｃ０１の進行方向に沿った軸とがなす角度が、反射ミラー１１７５ｆの反射面１１７５１ｆと円偏光ＥＬｃ０２の進行方向に沿った軸とがなす角度と同じになるように、反射ミラー１１７３ｆ及び１１７５ｆが位置合わせされている。図３２は、反射面１１７３１ｆに対して円偏光ＥＬｃ０１が垂直入射し、且つ、反射面１１７５１ｆに対して円偏光ＥＬｃ０２が垂直入射するように、反射ミラー１１７３ｆ及び１１７５ｆが位置合わせされている例を示している。その結果、分離面１１７１１ｆを通過したｐ偏光ＥＬｐ０１の進行方向に沿った軸と、分離面１１７１１ｆによって反射されたｓ偏光ＥＬｓ０２の進行方向に沿った軸とが平行になる。つまり、分離面１１７１１ｆを通過したｐ偏光ＥＬｐ０１の進行方向と、分離面１１７１１ｆによって反射されたｓ偏光ＥＬｓ０２の進行方向とが揃う。言い換えれば、分離面１１７１１ｆを通過したｐ偏光ＥＬｐ０１の光路と、分離面１１７１１ｆによって反射されたｓ偏光ＥＬｓ０２の光路とが重なり合う。従って、偏光ビームスプリッタ１１７１ｆは、ｐ偏光ＥＬｐ０１に相当する射出光ＥＬｇ０１とｓ偏光ＥＬｓ０２に相当する射出光ＥＬｇ０２とが重なった合成光ＥＬｇを射出する。つまり、射出光ＥＬｇ０１及びＥＬｇ０２という２本の光を射出する偏光ビームスプリッタ１１７１ｆは、実質的には、射出光ＥＬｇ０１及びＥＬｇ０２が合成された実質的に１本の合成光ＥＬｇを射出する。尚、図３２では、説明の便宜上、分離面１１７１１ｆを通過したｐ偏光ＥＬｐ０１の光路（つまり、射出光ＥＬｇ０１の光路）と、分離面１１７１１ｆによって反射されたｓ偏光ＥＬｓ０２の光路（つまり、射出光ＥＬｇ０２の光路）とがわずかにずらして記載してあるが、実際は、この２つの光路は重なり合っている。

　偏光ビームスプリッタ１１７１ｆが射出した合成光ＥＬｇは、波長板１１７６ｆに入射する。波長板１１７６ｅは、波長板１１７６ｅを通過する合成光ＥＬｇの偏光状態（つまり、合成光ＥＬｇを構成する２本の合成光ＥＬｇ０１及びＥＬｇ０２のそれぞれの偏光状態）を変更可能な光学素子である。波長板１１７６ｆは、例えば１／４波長板であるが、その他の種類の波長板（例えば、１／２波長板、１／８波長板及び１波長板の少なくとも一つ）であってもよい。例えば、波長板１１７６ｆは、合成光ＥＬｇを円偏光（或いは、直線偏光以外の偏光又は非偏光）に変換可能であってもよい。波長板１１７６ｆが１／４波長板である場合には、波長板１１７６ｆは、直線偏光である合成光ＥＬｇを円偏光に変換可能である。或いは、波長板１１７６ｆが１／４波長板でない場合であっても、波長板１１７６ｆの特性が適切に設定されれば、波長板１１７６ｆは、合成光ＥＬｇを円偏光（或いは、直線偏光以外の偏光又は非偏光）に変換可能である。例えば、波長板１１７６ｆの板厚が、合成光ＥＬｇの偏光状態を所望状態に変更することが可能な所望の板厚に設定されていてもよい。例えば、波長板１１７６ｆの光学軸の方向が、合成光ＥＬｇの偏光状態を所望状態に変更することが可能な所望の方向に設定されていてもよい。

　波長板１１７６ｆを通過した光は、新たな光源光ＥＬｏ’としてマルチビーム光学系１１２に入射する。このため、新たな光源光ＥＬｏ’は、射出光ＥＬｇ０１の偏光状態を波長板１１７６ｆで偏向することで得られる光源光ＥＬｏ０１’と射出光ＥＬｇ０２の偏光状態を波長板１１７６ｆで偏向することで得られる光源光ＥＬｏ０２’とが重なった光に相当する。このような駆動光ＥＬｏ’がマルチビーム光学系１１２に入射する場合においても、上述した駆動光ＥＬｏがマルチビーム光学系１１２に入射する場合と同様に、マルチビーム光学系１１２は、光源光ＥＬｏ’を複数の加工光ＥＬｋに分岐する。

　尚、図３２から分かるように、強度調整装置１１７ｆが備える偏光ビームスプリッタ１１７１ｆ、１／４波長板１１７２ｆ、反射ミラー１１７３ｆ、１／４波長板１１７４ｆ及び反射ミラー１１７５ｆは、それぞれ、マルチビーム光学系１１２が備える偏光ビームスプリッタ１１２１、１／４波長板１１２２、反射ミラー１１２３、１／４波長板１１２４及び反射ミラー１１２５と同じ機能を有している。但し、強度調整装置１１７ｆは、反射ミラー１１７３ｆに対する円偏光ＥＬｃ０１の入射角度と反射ミラー１１７５ｆに対する円偏光ＥＬｃ０２の入射角度とは同じになるという点で、反射ミラー１１２３に対する円偏光ＥＬｃ１の入射角度と反射ミラー１１２５に対する円偏光ＥＬｃ２の入射角度とは異なるマルチビーム光学系１１２とは異なる。更には、強度調整装置１１７ｆが備える波長板１１７６ｆは、第２実施形態で説明した波長板１１５ｂ（つまり、２つのマルチビーム光学系１１２の間の光路に配置される波長板１１５ｂ）と同じ機能を有している。従って、強度調整装置１１７ｆは、第２実施形態の加工システムＳＹＳｂが備える最上段の（つまり、光源１１０に最も近い）マルチビーム光学系１１２及び当該最上段のマルチビーム光学系１１２が射出する加工光ＥＬｋが通過する波長板１１５ｂを含む光学系（但し、反射ミラー１１２３に対する円偏光ＥＬｃ１の入射角度と反射ミラー１１２５に対する円偏光ＥＬｃ２の入射角度とが同じになるように、反射ミラー１１２３及び１１２５が位置合わせされている）と等価であると言える。

　このような強度調整装置１１７ｆを介して光源光ＥＬｏがマルチビーム光学系１１２に入射すると、マルチビーム光学系１１２が射出する複数の加工光ＥＬｋの強度が同じになる（つまり、揃う）。以下の、その技術的理由について、図３３（ａ）から図３３（ｃ）を参照しながら説明する。図３３（ａ）から図３３（ｃ）のそれぞれは、強度調整装置１１７ｆ及びマルチビーム光学系１１２を介して光源光ＥＬｏが複数の加工光ＥＬｋに分岐される過程を、その過程で生成される光の強度及び当該光が塗装膜ＳＦ（或いは、所定の光学面）上に形成するビームスポットと共に示している。但し、図３３（ａ）は、光源１１０が射出する光源光ＥＬｏに強度が揃ったｐ偏光ＥＬｐ０２及びｓ偏光ＥＬｓ０１が含まれている場合において光源光ＥＬｏが複数の加工光ＥＬｋに分岐される過程を示している。図３３（ｂ）は、光源１１０が射出する光源光ＥＬｏにｐ偏光ＥＬｐ０２よりも強度が低いｓ偏光ＥＬｓ０１が含まれている場合において光源光ＥＬｏが複数の加工光ＥＬｋに分岐される過程を示している。図３３（ｃ）は、光源１１０が射出する光源光ＥＬｏにｐ偏光ＥＬｐ０２よりも強度が高いｓ偏光ＥＬｓ０１が含まれている場合において光源光ＥＬｏが複数の加工光ＥＬｋに分岐される過程を示している。

　図３３（ａ）から図３３（ｃ）に示すように、強度調整装置１１７ｆは、まず、偏光ビームスプリッタ１１７１ｆを用いて、光源光ＥＬｏをｐ偏光ＥＬｐ０２とｓ偏光ＥＬｓ０１とに分岐する。この場合、図３３（ａ）に示す例では、分岐されたｐ偏光ＥＬｐ０２及びｓ偏光ＥＬｓ０１の強度は揃っている。尚、ここで言う強度は、塗装膜ＳＦ上での単位面積当たりの強度を意味するものとする。このため、図３３（ａ）に示す例では、分岐されたｐ偏光ＥＬｐ０２及びｓ偏光ＥＬｓ０１が仮に塗装膜ＳＦに照射されると仮定すると、分岐されたｐ偏光ＥＬｐ０２及びｓ偏光ＥＬｓ０１が形成するビームスポットは概ね同じ大きさになる。一方で、図３３（ｂ）及び図３３（ｃ）のそれぞれに示す例では、分岐されたｐ偏光ＥＬｐ０２及びｓ偏光ＥＬｓ０１の強度は揃っていない。このため、図３３（ｂ）及び図３３（ｃ）のそれぞれに示す例では、分岐されたｐ偏光ＥＬｐ０２及びｓ偏光ＥＬｓ０１が仮に塗装膜ＳＦに照射されると仮定すると、分岐されたｐ偏光ＥＬｐ０２及びｓ偏光ＥＬｓ０１が形成するビームスポットは異なる大きさになる。

　その後、強度調整装置１１７ｆは、１／４波長板１１７２ｆ及び１１７４ｆ並びに反射ミラー１１７３ｆ及び１１７５ｆを用いて、分岐したｐ偏光ＥＬｐ０２及びｓ偏光ＥＬｓ０１を、ｓ偏光ＥＬｓ０２及びｐ偏光ＥＬｐ０１（つまり、射出光ＥＬｇ０１及びＥＬｇ０２）に変換する。図３３（ａ）に示す例では、ｐ偏光ＥＬｐ０２及びｓ偏光ＥＬｓ０１の強度が揃っているがゆえに、ｐ偏光ＥＬｐ０２及びｓ偏光ＥＬｓ０１からそれぞれ生成される射出光ＥＬｇ０１及びＥＬｇ０２の強度もまた揃っている。一方で、図３３（ｂ）及び図３３（ｃ）のそれぞれに示す例では、ｐ偏光ＥＬｐ０２及びｓ偏光ＥＬｓ０１の強度が揃っていないがゆえに、ｐ偏光ＥＬｐ０２及びｓ偏光ＥＬｓ０１からそれぞれ生成される射出光ＥＬｇ０１及びＥＬｇ０２の強度もまた揃っていない。

　その後、強度調整装置１１７ｆは、偏光ビームスプリッタ１１７１ｆを用いて、射出光ＥＬｇ０１及びＥＬｇ０２を合成して合成光ＥＬｇを生成し、その後、波長板１１７６ｅを用いて、合成光ＥＬｇを新たな光源光ＥＬｏ’に変換する。新たな光源光ＥＬｏ’は、射出光ＥＬｇ０１の偏光状態を波長板１１７６ｆで変更することで得られる光源光ＥＬｏ０１’と射出光ＥＬｇ０２の偏光状態を波長板１１７６ｆで変更することで得られる光源光ＥＬｏ０２’とが重なった光である。

　その後、マルチビーム光学系１１２は、新たな光源光ＥＬｏ’を複数の加工光ＥＬｋに分岐する。具体的には、光源光ＥＬｏ’が光源光ＥＬｏ０１’及びＥＬｏ０２’が重なった光であるため、マルチビーム光学系１１２は、光源光ＥＬｏ０１’を複数の加工光ＥＬｋ０１に分岐すると共に、光源光ＥＬｏ０２’を複数の加工光ＥＬｋ０２に分岐する。但し、光源光ＥＬｏ０１’及びＥＬｏ０２’が重なっている（つまり、光源光ＥＬｏ０１’の光路と光源光ＥＬｏ０２’の光路とが重なっている）ため、複数の加工光ＥＬｋ０１と複数の加工光ＥＬｋ０２ともまたそれぞれ重なり合う。その結果、図３３（ａ）から図３３（ｃ）に示すように、マルチビーム光学系１１２が射出する複数の加工光ＥＬｋのそれぞれは、加工光ＥＬｋ０１と加工光ＥＬｋ０２とが合成された光となる。このため、光源光ＥＬｏに含まれるｓ偏光ＥＬｓ０１及びｐ偏光ＥＬｐ０２の強度比がどのような場合であっても、複数の加工光ＥＬｋの強度が揃う。つまり、ｓ偏光ＥＬｓ０１及びｐ偏光ＥＬｐ０２の強度が揃っている場合及びｓ偏光ＥＬｓ０１及びｐ偏光ＥＬｐ０２の強度が揃っていない場合のいずれにおいても、複数の加工光ＥＬｋの強度が揃う。

　尚、比較例として、図３４（ａ）から図３４（ｃ）は、強度調整装置１１７ｆを介することなくマルチビーム光学系１１２によって光源光ＥＬｏが複数の加工光ＥＬｋに分岐される過程を、その過程で生成される光の強度及び当該光が塗装膜ＳＦ（或いは、所定の光学面）上に形成するビームスポットと共に示している。特に、図３４（ａ）は、光源光ＥＬｏに強度が揃ったｐ偏光ＥＬｐ２及びｓ偏光ＥＬｓ１が含まれている場合において光源光ＥＬｏが複数の加工光ＥＬｋに分岐される過程を示している。図３４（ｂ）は、光源光ＥＬｏにｐ偏光ＥＬｐ２よりも強度が低いｓ偏光ＥＬｓ１が含まれている場合において光源光ＥＬｏが複数の加工光ＥＬｋに分岐される過程を示している。図３４（ｃ）は、光源光ＥＬｏにｐ偏光ＥＬｐ２よりも強度が高いｓ偏光ＥＬｓ１が含まれている場合において光源光ＥＬｏが複数の加工光ＥＬｋに分岐される過程を示している。図３４（ａ）に示すように、光源光ＥＬｏに強度が揃ったｐ偏光ＥＬｐ０２及びｓ偏光ＥＬｓ０１が含まれている場合には、強度調整装置１１７ｆを用いなくても、マルチビーム光学系１１２が射出する複数の加工光ＥＬｋの強度が揃う。一方で、図３４（ｂ）及び図３４（ｃ）に示すように、光源光ＥＬｏに強度が揃っていないｐ偏光ＥＬｐ０２及びｓ偏光ＥＬｓ０１が含まれている場合には、強度調整装置１１７ｆを用いなければ、マルチビーム光学系１１２が射出する複数の加工光ＥＬｋの強度が揃わなくなる。従って、第６実施形態で説明した強度調整装置１１１７ｆは、光源光ＥＬｏに強度が揃っていないｐ偏光ＥＬｐ０２及びｓ偏光ＥＬｓ０１が含まれている状況下でマルチビーム光学系１１２が射出する複数の加工光ＥＬｋの強度を揃えたい場合に特に有用である。

　尚、光源１１０の特性によっては、光源１１０が射出する光源光ＥＬｏの強度を変えると、当該光源光ＥＬｏの偏光状態（例えば、偏光方向及び楕円率）が変わる場合がある。更には、光源１１０の特性によっては、光源１１０が光源光ＥＬｏを射出している期間中に、当該光源光ＥＬｏの偏光状態が変わる場合がある。特に、光源１１０が光源光ＥＬｏを射出し始めてから所定時間が経過するまでの期間中に、当該光源光ＥＬｏの偏光状態が変わる可能性が相対的に高い。このように光源光ＥＬｏの偏光状態が変わる場合であっても、第６実施形態の強度調整装置１１７ｆは、光源光ＥＬｏの偏光状態の変化に応じた特別な処理を行うことなく、マルチビーム光学系１１２が射出する複数の加工光ＥＬｋの強度を揃えることができる。尚、上述した第５実施形態の強度調整装置１１７ｅであっても、光源光ＥＬｏの偏光状態の変化に合わせて波長板１１７３ｅを回転させれば、マルチビーム光学系１１２が射出する複数の加工光ＥＬｋの強度を揃える又は複数の加工光ＥＬｋのそれぞれの強度を所望の強度に設定することができる。

　尚、第６実施形態の加工システムＳＹＳｆは、上述した第２実施形態の加工システムＳＹＳｂから第５実施形態の加工システムＳＹＳｅの少なくとも一つに特有の構成要件を備えていてもよい。第５実施形態の加工システムＳＹＳｅに特有の構成要件は、強度調整装置１１７ｅに関する構成要件を含む。

　（７）第７実施形態の加工システムＳＹＳｇ
　続いて、第７実施形態の加工システムＳＹＳ（以降、第７実施形態の加工システムＳＹＳを、“加工システムＳＹＳｇ”と称する）について説明する。第７実施形態の加工システムＳＹＳｇは、上述した第２実施形態の加工システムＳＹＳｂと同様に、光源光ＥＬｏを３つ以上の加工光ＥＬｋに分岐する。但し、第７実施形態の加工システムＳＹＳｇは、単一のマルチビーム光学系１１２ｇを用いて光源光ＥＬｏを３つ以上の加工光ＥＬｋに分岐するという点で、複数のマルチビーム光学系１１２を多段接続して光源光ＥＬｏを３つ以上の加工光ＥＬｋに分岐する上述した加工システムＳＹＳｂとは異なる。第７実施形態の加工システムＳＹＳｇのその他の特徴は、上述した加工システムＳＹＳｂのその他の特徴と同じであってもよい。従って、以下では、図３５から図３９を参照しながら、第７実施形態のマルチビーム光学系１１２ｇについて説明する。尚、図３５は、光源光ＥＬｏを１６本の加工光ＥＬｋに分岐するマルチビーム光学系１１２ｇの構造の一例を示しているが、光源光ＥＬｏを３つ以上の加工光ＥＬｋに分岐することができる限りは、マルチビーム光学系１１２ｇの構造は、図３５に示す構造に限定されない。

　図３５に示すように、マルチビーム光学系１１２ｇは、偏光ビームスプリッタ１１２１ｇと、１／４波長板１１２２ｇと、反射ミラー１１２３ｇ－１と、反射ミラー１１２３ｇ－２と、反射ミラー１１２３ｇ－３と、１／４波長板１１２４ｇと、反射ミラー１１２５ｇ－１と、反射ミラー１１２５ｇ－２と、反射ミラー１１２５ｇ－３と、波長板１１２６ｇ－１と、反射プリズム（或いは、その他任意の反射光学素子であって、例えば再帰反射ミラー）１１２７ｇ－１と、波長板１１２６ｇ－２と、反射プリズム（或いは、その他任意の反射光学素子であって、例えば再帰反射ミラー）１１２７ｇ－２と、反射ミラー１１２８ｇとを備えている。

　図３６に示すように、光源１１１からの光源光ＥＬｏ＃１は、偏光ビームスプリッタ１１２１ｇの分離面１１２１１ｇに入射する。この際、図３６に示す例では、光源光ＥＬｏ＃１は、１／４波長板１１２６ｇ－２を介して偏光ビームスプリッタ１１２１ｇに入射しているが、１／４波長板１１２６ｇ－２を介することなく偏光ビームスプリッタ１１２１ｇに入射してもよい。光源光ＥＬｏ＃１のうちのｓ偏光ＥＬｓ１＃１は、分離面１１２１１ｇにおいて反射される。一方で、光源光ＥＬｏ＃１のうちのｐ偏光ＥＬｐ２＃１は、分離面１１２１１ｇを通過する。

　偏光ビームスプリッタ１１２１ｇによって反射されたｓ偏光ＥＬｓ１＃１は、１／４波長板１１２４ｇを通過する。その結果、ｓ偏光ＥＬｓ１＃１は、円偏光ＥＬｃ１＃１に変換される。１／４波長板１１２４ｇを通過した円偏光ＥＬｃ１＃１は、反射ミラー１１２５ｇ－１の反射面１１２５１ｇ－１によって反射される。反射ミラー１１２５ｇ－１によって反射された円偏光ＥＬｃ１＃１は、１／４波長板１１２４ｇを再度通過して、ｐ偏光ＥＬｐ１＃１に変換される。１／４波長板１１２４ｇを通過したｐ偏光ＥＬｐ１＃１は、偏光ビームスプリッタ１１２１ｇの分離面１１２１１ｇに入射する。一方で、偏光ビームスプリッタ１１２１ｇを通過したｐ偏光ＥＬｐ２＃１は、１／４波長板１１２２ｇを通過する。その結果、ｐ偏光ＥＬｐ２＃１は、円偏光ＥＬｃ２＃１に変換される。１／４波長板１１２２ｇを通過した円偏光ＥＬｃ２＃１は、反射ミラー１１２３ｇ－１の反射面１１２３１ｇ－１によって反射される。反射ミラー１１２３ｇ－１によって反射された円偏光ＥＬｃ２＃１は、１／４波長板１１２２ｇを再度通過して、ｓ偏光ＥＬｓ２＃１に変換される。１／４波長板１１２２ｇを通過したｓ偏光ＥＬｓ２＃１は、偏光ビームスプリッタ１１２１ｇの分離面１１２１１ｇに入射する。

　分離面１１２１１ｇに入射したｐ偏光ＥＬｐ１＃１は、分離面１１２１１ｇを通過する。一方で、分離面１１２１１ｇに入射したｓ偏光ＥＬｓ２＃１は、分離面１１２１１ｇによって反射される。ここで、反射ミラー１１２５ｇ－１の反射面１１２５１ｇ－１に対する円偏光ＥＬｃ１＃１の入射角度が、反射ミラー１１２３ｇの反射面１１２３１ｇ－１に対する円偏光ＥＬｃ２＃１の入射角度とは異なるものとなるように、反射ミラー１１２３ｇ－１及び１１２５ｇ－１が位置合わせされている。その結果、分離面１１２１１ｇを通過したｐ偏光ＥＬｐ１＃１の進行方向に沿った軸と、分離面１１２１１ｇによって反射されたｓ偏光ＥＬｓ２＃１の進行方向に沿った軸とが交差することになる。このため、分離面１１２１１ｇを通過したｐ偏光ＥＬｐ１＃１及び分離面１１２１１ｇで反射したｓ偏光ＥＬｓ２＃１は、それぞれ、射出光ＥＬｅ＃２１及びＥＬｅ＃２２として、偏光ビームスプリッタ１１２１ｇから波長板１１２６ｇ－１に向けて射出される。この段階では、まずは、光源光ＥＬｏが２つの射出光ＥＬｅ＃２１及びＥＬｅ＃２２に分岐される。

　その後、図３７に示すように、偏光ビームスプリッタ１１２１ｇから射出された２つの射出光ＥＬｅ＃２１及びＥＬｅ＃２２のそれぞれは、波長板１１２６ｇ－１を通過し、反射プリズム１１２７ｇ－１によって反射され、波長板１１２６ｇ－１を再度通過する。波長板１１２６ｇ－１を２回通過した２つの射出光ＥＬｅ＃２１及びＥＬｅ＃２２は、それぞれ、２つの入射光ＥＬｉ＃２１及びＥＬｉ＃２２として偏光ビームスプリッタ１１２１ｇの分離面１１２１１ｇに入射する。つまり、波長板１１２６ｇ－１及び反射プリズム１１２７ｇ－１は、偏光ビームスプリッタ１１２１ｇから射出される射出光ＥＬｅを、偏光ビームスプリッタ１１２１ｇに入射する入射光ＥＬｉに変換する（更には、変換した入射光ＥＬｉを偏光ビームスプリッタ１１２１ｇに戻す）光学系として機能する。反射プリズム１１２７ｇ－１は、互いに交差する複数の反射面を持つ直角プリズムとすることができる。

　波長板１１２６ｇ－１は、波長板１１２６ｇ－１を通過する射出光ＥＬｅ＃２１及びＥＬｅ＃２２のそれぞれの偏光状態を変更する。波長板１１２６ｇ－１は、例えば１／４波長板であるが、その他の種類の波長板（例えば、１／２波長板、１／８波長板及び１波長板の少なくとも一つ）であってもよい。第７実施形態では特に、波長板１１２６ｇ－１は、２つの射出光ＥＬｅ＃２１及びＥＬｅ＃２２のそれぞれの偏光状態を変更して入射光ＥＬｉ＃２１及びＥＬｉ＃２２のそれぞれ（つまり、波長板１１２６ｇ－１を２回通過した射出光ＥＬｅ＃２１及びＥＬｅ＃２２のそれぞれ）が円偏光（或いは、直線偏光以外の偏光又は非偏光）となるように、その特性が設定されている。尚、波長板１１２６ｇ－１の特性の一例として、波長板１１２６ｇ－１の板厚、波長板１１２６ｇ－１の光学軸の方向、及び、波長板１１２６ｇ－１と反射プリズム１１２７ｇ－１との相対位置（特に、波長板１１２６ｇ－１の光学軸と反射プリズム１１２７ｇ－１の移送軸との相対的な方位の関係）の少なくとも一つがあげられる。ここで、反射プリズム１１２７ｇ－１の移送軸は、反射プリズム１１２７ｇ－１が互いに交差する２つの反射面を持つ直角プリズムである場合には、２つの反射面の稜線と直交する方向に伸びた軸としてもよいし、２つの反射面のうち一方の反射面から他方の反射面に向かう光の進行方向に沿った軸としてもよい。また、反射プリズム１１２７ｇ－１の移送軸は、反射プリズム１１２７ｇ－１への入射光の（入射面上での）入射位置と当該入射光が反射プリズム１１２７ｇ－１から射出される際の（射出面上での）射出位置とを結ぶ軸としてもよい。

　入射光ＥＬｉ＃２１のうちのｓ偏光ＥＬｓ１＃２１は、分離面１１２１１ｇにおいて反射される。一方で、入射光ＥＬｉ＃２１のうちのｐ偏光ＥＬｐ２＃２１は、分離面１１２１１ｇを通過する。同様に、入射光ＥＬｉ＃２２のうちのｓ偏光ＥＬｓ１＃２２は、分離面１１２１１ｇにおいて反射される。一方で、入射光ＥＬｉ＃２２のうちのｐ偏光ＥＬｐ２＃２２は、分離面１１２１１ｇを通過する。

　偏光ビームスプリッタ１１２１ｇによって反射されたｓ偏光ＥＬｓ１＃２１及びＥＬｓ１＃２２は、１／４波長板１１２２ｇを通過する。その結果、ｓ偏光ＥＬｓ１＃２１及びＥＬｓ１＃２２は、それぞれ、円偏光ＥＬｃ１＃２１及びＥＬｃ１＃２２に変換される。１／４波長板１１２２ｇを通過した円偏光ＥＬｃ１＃２１及びＥＬｃ１＃２２のそれぞれは、反射ミラー１１２３ｇ－２の反射面１１２３１ｇ－２によって反射される。反射ミラー１１２３ｇ－２によって反射された円偏光ＥＬｃ１＃２１及びＥＬｃ＃２２は、１／４波長板１１２２ｇを再度通過して、それぞれ、ｐ偏光ＥＬｐ１＃２１及びＥＬｐ１＃２２に変換される。１／４波長板１１２２ｇを通過したｐ偏光ＥＬｐ１＃２１及びＥＬｐ１＃２２は、偏光ビームスプリッタ１１２１ｇの分離面１１２１１ｇに入射する。一方で、偏光ビームスプリッタ１１２１ｇを通過したｐ偏光ＥＬｐ２＃２１及びＥＬｐ２＃２２は、１／４波長板１１２４ｇを通過する。その結果、ｐ偏光ＥＬｐ２＃２１及びＥＬｐ２＃２２は、それぞれ、円偏光ＥＬｃ２＃２１及びＥＬｃ２＃２２に変換される。１／４波長板１１２４ｇを通過した円偏光ＥＬｃ２＃２１及びＥＬｃ２＃２２は、反射ミラー１１２５ｇ－１の反射面１１２５１ｇ－１によって反射される。反射ミラー１１２５ｇ－１によって反射された円偏光ＥＬｃ２＃２１及びＥＬｃ２＃２２は、１／４波長板１１２４ｇを再度通過して、それぞれ、ｓ偏光ＥＬｓ２＃２１及びＥＬｓ２＃２２に変換される。１／４波長板１１２４ｇを通過したｓ偏光ＥＬｓ２＃２１及びＥＬｓ＃２２は、偏光ビームスプリッタ１１２１ｇの分離面１１２１１ｇに入射する。

　分離面１１２１１ｇに入射したｐ偏光ＥＬｐ１＃２１及びＥＬｐ１＃２２は、分離面１１２１１ｇを通過する。一方で、分離面１１２１１ｇに入射したｓ偏光ＥＬｓ２＃２１及びＥＬｓ２＃２２は、分離面１１２１１ｇによって反射される。ここで、反射ミラー１１２３ｇ－２の反射面１１２３１ｇ－２に対する円偏光ＥＬｃ１＃２１及びＥＬｃ１＃２２の入射角度が、反射ミラー１１２５ｇ－１の反射面１１２５１ｇ－１に対する円偏光ＥＬｃ２＃２１及びＥＬｃ２＃２２の入射角度とはそれぞれ異なるものとなるように、反射ミラー１１２３ｇ－２及び１１２５ｇ－１が位置合わせされている。その結果、分離面１１２１１ｇを通過したｐ偏光ＥＬｐ１＃２１及びＥＬｐ１＃２２の進行方向に沿った軸と、分離面１１２１１ｇによって反射されたｓ偏光ＥＬｓ２＃２１及びＥＬｓ２＃２２の進行方向に沿った軸とがそれぞれ交差することになる。このため、分離面１１２１１ｇを通過したｐ偏光ＥＬｐ１＃２１及びＥＬｐ１＃２２並びに分離面１１２１１ｆで反射したｓ偏光ＥＬｓ２＃２１及びＥＬｓ２＃２２は、それぞれ、射出光ＥＬｅ＃３１からＥＬｅ＃３４として、偏光ビームスプリッタ１１２１ｇから波長板１１２６ｇ－２に向けて射出される。このように、図３７に示す過程では、２つの入射光ＥＬｉ＃２１及びＥＬｉ＃２２が、４つの射出光ＥＬｅ＃３１からＥＬｅ＃３４に分岐される。つまり、この段階では、光源光ＥＬｏは、４つの射出光ＥＬｅ＃３１からＥＬｅ＃３４に分岐される。

　図３６及び図３７から分かるように、図３６に示す過程での光路（つまり、光源光ＥＬｏが２つの射出光ＥＬｅ＃２１及びＥＬｅ＃２２に分岐される過程での光路）と、図３７に示す過程での光路（つまり、２つの射出光ＥＬｅ＃２１及びＥＬｅ＃２２が４つの射出光ＥＬｅ＃３１からＥＬｅ＃３４に分岐される過程での光路）とは、重なることはない。言い換えれば、図３６に示す過程での光路と図３７に示す過程での光路とは、光学的に分離されている。つまり、図３７に示す過程では、光は、図３６に示す過程で光が伝搬する光路（つまり、空間）とは異なる光路を伝搬する。但し、図３６に示す過程での光路と図３７に示す過程での光路とが少なくとも部分的に重なっていてもよい。

　その後、図３８に示すように、偏光ビームスプリッタ１１２１ｇから射出された４つの射出光ＥＬｅ＃３１からＥＬｅ＃３４のそれぞれは、波長板１１２６ｇ－２を通過し、反射プリズム１１２７ｇ－２によって反射され、波長板１１２６ｇ－２を再度通過する。波長板１１２６ｇ－２を２回通過した４つの射出光ＥＬｅ＃３１からＥＬｅ＃３４は、それぞれ、４つの入射光ＥＬｉ＃３１からＥＬｉ＃３４として偏光ビームスプリッタ１１２１ｇの分離面１１２１１ｇに入射する。つまり、波長板１１２６ｇ－２及び反射プリズム１１２７ｇ－２は、偏光ビームスプリッタ１１２１ｇから射出される射出光ＥＬｅを、偏光ビームスプリッタ１１２１ｇに入射する入射光ＥＬｉに変換する（更には、変換した入射光ＥＬｉを偏光ビームスプリッタ１１２１ｆに戻す）光学系として機能する。反射プリズム１１２７ｇ－２は、互いに交差する複数の反射面を持つ直角プリズムとすることができる。

　波長板１１２６ｇ－２は、波長板１１２６ｇ－２を通過する射出光ＥＬｅ＃３１からＥＬｅ＃３４のそれぞれの偏光状態を変更する。波長板１１２６ｇ－２は、例えば１／４波長板であるが、その他の種類の波長板（例えば、１／２波長板、１／８波長板及び１波長板の少なくとも一つ）であってもよい。第７実施形態では特に、波長板１１２６ｇ－２は、４つの射出光ＥＬｅ＃３１からＥＬｅ＃３４のそれぞれの偏光状態を変更して入射光ＥＬｉ＃３１からＥＬｉ＃３４のそれぞれ（つまり、波長板１１２６ｇ－２を２回通過した射出光ＥＬｅ＃３１からＥＬｅ＃３４のそれぞれ）が円偏光（或いは、直線偏光以外の偏光又は非偏光）となるように、その特性が設定されている。尚、波長板１１２６ｇ－２の特性の一例として、波長板１１２６ｇ－２の板厚、波長板１１２６ｇ－２の光学軸の方向、及び、波長板１１２６ｇ－２と反射プリズム１１２７ｇ－２との相対位置（特に、波長板１１２６ｇ－２の光学軸と反射プリズム１１２７ｇ－２の移送軸との相対的な方位の関係）の少なくとも一つがあげられる。ここで、反射プリズム１１２７ｇ－２の移送軸は、反射プリズム１１２７ｇ－２が互いに交差する２つの反射面を持つ直角プリズムである場合には、２つの反射面の稜線と直交する方向に伸びた軸としてもよいし、２つの反射面のうち一方の反射面から他方の反射面に向かう光の進行方向に沿った軸としてもよい。また、反射プリズム１１２７ｇ－２の移送軸は、反射プリズム１１２７ｇ－２への入射光の（入射面上での）入射位置と当該入射光が反射プリズム１１２７ｇ－２から射出される際の（射出面上での）射出位置とを結ぶ軸としてもよい。

　入射光ＥＬｉ＃３１からＥＬｉ＃３４にそれぞれ含まれるｓ偏光ＥＬｓ１＃３１からＥＬｓ１＃３４は、分離面１１２１１ｇにおいて反射される。一方で、入射光ＥＬｉ＃３１からＥＬｉ＃３４にそれぞれ含まれるｐ偏光ＥＬｐ２＃３１からＥＬｐ２＃３４は、分離面１１２１１ｇを通過する。

　偏光ビームスプリッタ１１２１ｇによって反射されたｓ偏光ＥＬｓ１＃３１からＥＬｓ１＃３４は、１／４波長板１１２４ｇを通過する。その結果、ｓ偏光ＥＬｓ１＃３１からＥＬｓ１＃３４は、それぞれ、円偏光ＥＬｃ１＃３１からＥＬｃ１＃３４に変換される。１／４波長板１１２４ｇを通過した円偏光ＥＬｃ１＃３１からＥＬｃ１＃３４のそれぞれは、反射ミラー１１２５ｇ－２の反射面１１２５１ｇ－２によって反射される。反射ミラー１１２５ｇ－２によって反射された円偏光ＥＬｃ１＃３１からＥＬｃ＃３４は、１／４波長板１１２４ｇを再度通過して、それぞれ、ｐ偏光ＥＬｐ１＃３１からＥＬｐ１＃３４に変換される。１／４波長板１１２４ｇを通過したｐ偏光ＥＬｐ１＃３１からＥＬｐ１＃３４は、偏光ビームスプリッタ１１２１ｇの分離面１１２１１ｇに入射する。一方で、偏光ビームスプリッタ１１２１ｇを通過したｐ偏光ＥＬｐ２＃３１からＥＬｐ２＃３４は、１／４波長板１１２２ｇを通過する。その結果、ｐ偏光ＥＬｐ２＃３１からＥＬｐ２＃３４は、それぞれ、円偏光ＥＬｃ２＃３１からＥＬｃ２＃３４に変換される。１／４波長板１１２２ｇを通過した円偏光ＥＬｃ２＃３１からＥＬｃ２＃３４は、反射ミラー１１２３ｇ－３の反射面１１２３１ｇ－３によって反射される。反射ミラー１１２３ｇ－３によって反射された円偏光ＥＬｃ２＃３１からＥＬｃ２＃３４は、１／４波長板１１２２ｇを再度通過して、それぞれ、ｓ偏光ＥＬｓ２＃３１からＥＬｓ２＃３４に変換される。１／４波長板１１２２ｇを通過したｓ偏光ＥＬｓ２＃３１からＥＬｓ＃３４は、偏光ビームスプリッタ１１２１ｇの分離面１１２１１ｇに入射する。

　分離面１１２１１ｇに入射したｐ偏光ＥＬｐ１＃３１からＥＬｐ１＃３４は、分離面１１２１１ｇを通過する。一方で、分離面１１２１１ｇに入射したｓ偏光ＥＬｓ２＃３１からＥＬｓ２＃３４は、分離面１１２１１ｇによって反射される。ここで、反射ミラー１１２５ｇ－２の反射面１１２５１ｇ－２に対する円偏光ＥＬｃ１＃３１からＥＬｃ１＃３４の入射角度が、反射ミラー１１２３ｇ－３の反射面１１２３１ｇ－３に対する円偏光ＥＬｃ２＃３１からＥＬｃ２＃３４の入射角度とは異なるものとなるように、反射ミラー１１２３ｇ－３及び１１２５ｇ－２が位置合わせされている。その結果、分離面１１２１１ｇを通過したｐ偏光ＥＬｐ１＃３１からＥＬｐ１＃３４の進行方向に沿った軸と、分離面１１２１１ｇによって反射されたｓ偏光ＥＬｓ２＃３１からＥＬｓ２＃３４の進行方向に沿った軸とがそれぞれ交差することになる。このため、分離面１１２１１ｇを通過したｐ偏光ＥＬｐ１＃３１からＥＬｐ１＃３４並びに分離面１１２１１ｇで反射したｓ偏光ＥＬｓ２＃３１からＥＬｓ２＃３４は、それぞれ、射出光ＥＬｅ＃４１からＥＬｅ＃４８として、偏光ビームスプリッタ１１２１ｇから波長板１１２６ｇ－１に向けて射出される。このように、図３８に示す過程では、４つの入射光ＥＬｉ＃３１からＥＬｉ＃３４が、８つの射出光ＥＬｅ＃４１からＥＬｅ＃４８に分岐される。つまり、この段階では、光源光ＥＬｏは、８つの射出光ＥＬｅ＃４１からＥＬｅ＃４８に分岐される。

　図３６乃至図３８から分かるように、図３６及び図３７のそれぞれに示す過程での光路と、図３８に示す過程での光路（つまり、４つの射出光ＥＬｅ＃３１からＥＬｅ＃３４が８つの射出光ＥＬｅ＃４１からＥＬｅ＃４８に分岐される過程での光路）とは、重なることはない。但し、図３８に示す過程での光路と図３６から図３７の少なくとも一つに示す過程の少なくとも一方での光路とが少なくとも部分的に重なっていてもよい。

　その後、図３９に示すように、偏光ビームスプリッタ１１２１ｇから射出された８つの射出光ＥＬｅ＃４１からＥＬｅ＃４８のそれぞれは、波長板１１２６ｇ－１を通過し、反射プリズム１１２７ｇ－１によって反射され、波長板１１２６ｇ－１を再度通過する。波長板１１２６ｇ－１を２回通過した８つの射出光ＥＬｅ＃４１からＥＬｅ＃４８は、それぞれ、８つの入射光ＥＬｉ＃４１からＥＬｉ＃４８として偏光ビームスプリッタ１１２１ｇの分離面１１２１１ｇに入射する。波長板１１２６ｇ－１は、８つの射出光ＥＬｅ＃４１からＥＬｅ＃４１のそれぞれの偏光状態を変更して入射光ＥＬｉ＃４１からＥＬｉ＃４８のそれぞれ（つまり、波長板１１２６ｆ－１を２回通過した射出光ＥＬｅ＃４１からＥＬｅ＃４８のそれぞれ）が円偏光（或いは、直線偏光以外の偏光又は非偏光）となるように、その特性が設定されている。

　入射光ＥＬｉ＃４１からＥＬｉ＃４８にそれぞれ含まれるｓ偏光ＥＬｓ１＃４１からＥＬｓ１＃４８は、分離面１１２１１ｇにおいて反射される。一方で、入射光ＥＬｉ＃４１からＥＬｉ＃４８にそれぞれ含まれるｐ偏光ＥＬｐ２＃４１からＥＬｐ２＃４８は、分離面１１２１１ｇを通過する。

　偏光ビームスプリッタ１１２１ｇによって反射されたｓ偏光ＥＬｓ１＃４１からＥＬｓ１＃４８は、１／４波長板１１２２ｇを通過する。その結果、ｓ偏光ＥＬｓ１＃４１からＥＬｓ１＃４８は、それぞれ、円偏光ＥＬｃ１＃４１からＥＬｃ１＃４８に変換される。１／４波長板１１２２ｇを通過した円偏光ＥＬｃ１＃４１からＥＬｃ１＃４８のそれぞれは、反射ミラー１１２３ｇ－３の反射面１１２３１ｇ－３によって反射される。反射ミラー１１２３ｇ－３によって反射された円偏光ＥＬｃ１＃４１からＥＬｃ＃４８は、１／４波長板１１２２ｇを再度通過して、それぞれ、ｐ偏光ＥＬｐ１＃４１からＥＬｐ１＃４８に変換される。１／４波長板１１２２ｇを通過したｐ偏光ＥＬｐ１＃４１からＥＬｐ１＃４８は、偏光ビームスプリッタ１１２１ｇの分離面１１２１１ｇに入射する。一方で、偏光ビームスプリッタ１１２１ｇを通過したｐ偏光ＥＬｐ２＃４１からＥＬｐ２＃４８は、１／４波長板１１２４ｇを通過する。その結果、ｐ偏光ＥＬｐ２＃４１からＥＬｐ２＃４８は、それぞれ、円偏光ＥＬｃ２＃４１からＥＬｃ２＃４８に変換される。１／４波長板１１２４ｇを通過した円偏光ＥＬｃ２＃４１からＥＬｃ２＃４８は、反射ミラー１１２５ｇ－３の反射面１１２５１ｇ－３によって反射される。反射ミラー１１２５ｇ－３によって反射された円偏光ＥＬｃ２＃４１からＥＬｃ２＃４８は、１／４波長板１１２４ｇを再度通過して、それぞれ、ｓ偏光ＥＬｓ２＃４１からＥＬｓ２＃４８に変換される。１／４波長板１１２４ｇを通過したｓ偏光ＥＬｓ２＃４１からＥＬｓ＃４８は、偏光ビームスプリッタ１１２１ｇの分離面１１２１１ｇに入射する。

　分離面１１２１１ｇに入射したｐ偏光ＥＬｐ１＃４１からＥＬｐ１＃４８は、分離面１１２１１ｇを通過する。一方で、分離面１１２１１ｇに入射したｓ偏光ＥＬｓ２＃４１からＥＬｓ２＃４８は、分離面１１２１１ｇによって反射される。ここで、反射ミラー１１２３ｇ－３の反射面１１２３１ｇ－３に対する円偏光ＥＬｃ１＃４１からＥＬｃ１＃４８の入射角度が、反射ミラー１１２５ｇ－３の反射面１１２５１ｇ－３に対する円偏光ＥＬｃ２＃４１からＥＬｃ２＃４８の入射角度とは異なるものとなるように、反射ミラー１１２３ｇ－３及び１１２５ｇ－３が位置合わせされている。その結果、分離面１１２１１ｇを通過したｐ偏光ＥＬｐ１＃４１からＥＬｐ１＃４８の進行方向に沿った軸と、分離面１１２１１ｇによって反射されたｓ偏光ＥＬｓ２＃４１からＥＬｓ２＃４８の進行方向に沿った軸とがそれぞれ交差することになる。このため、分離面１１２１１ｇを通過したｐ偏光ＥＬｐ１＃４１からＥＬｐ１＃４８並びに分離面１１２１１ｇで反射したｓ偏光ＥＬｓ２＃４１からＥＬｓ２＃４８は、それぞれ、射出光ＥＬｅ＃００１からＥＬｅ＃０１６として、偏光ビームスプリッタ１１２１ｇから反射ミラー１１２８ｇに向けて射出される。このように、図３９に示す過程では、８つの入射光ＥＬｉ＃４１からＥＬｉ＃４８が、１６本の射出光ＥＬｅ＃００１からＥＬｅ＃０１６に分岐される。つまり、この段階では、光源光ＥＬｏは、１６本の射出光ＥＬｅ＃００１からＥＬｅ＃０１６に分岐される。

　図３６乃至図３９から分かるように、図３６から図３８のそれぞれに示す過程での光路と、図３９に示す過程での光路（つまり、８つの射出光ＥＬｅ＃４１からＥＬｅ＃４８が１６本の射出光ＥＬｅ＃００１からＥＬｅ＃０１６に分岐される過程での光路）とは、重なることはない。但し、図３９に示す過程での光路と図３６から図３８の少なくとも一つに示す過程での光路とが少なくとも部分的に重なっていてもよい。

　反射ミラー１１２８ｇは、１６本の射出光ＥＬｅ＃００１からＥＬｅ＃０１６を、１６本の加工光ＥＬｋとして、ガルバノミラー１１３に向けて反射する。従って、マルチビーム光学系１１２ｇは、光源光ＥＬｏを１６本の加工光ＥＬｋに分岐した上で、当該１６本の加工光ＥＬｋをガルバノミラー１１３に向けて射出可能である。

　このように、第７実施形態の加工システムＳＹＳｇは、第２実施形態の加工システムＳＹＳｂと同様に、２＾Ｎ本の加工光ＥＬｋを塗装膜ＳＦに同時に照射することができる。このため、リブレット構造の形成に関するスループットが向上する。更に、第７実施形態の加工システムＳＹＳｇは、単一のマルチビーム光学系１１２ｇを用いて、光源光ＥＬｏを３本以上の加工光ＥＬｋに分岐することができる。このため、マルチビーム光学系１１２ｇの小型化が可能となる。

　加えて、第７実施形態の加工システムＳＹＳｇは、偏光ビームスプリッタ１１２１ｇから射出されるｐ偏光又はｓ偏光を偏光ビームスプリッタ１１２１ｇへ戻すための光学素子として、複数の反射ミラー１１２３ｇ－１から１１２３ｇ－３及び１１２５ｇ－１から１１２５ｇ－３を別個に備えている。例えば、加工システムＳＹＳｇは、光源光ＥＬｏを２つの射出光ＥＬｉ＃２１からＥＬｉ＃２２に分岐する過程（図３６参照）で偏光ビームスプリッタ１１２１ｇから射出されるｐ偏光又はｓ偏光を偏光ビームスプリッタ１１２１ｇへ戻す反射ミラー１１２３ｇ－１及び１１２５ｇ－１と、２つの射出光ＥＬｉ＃２１からＥＬｉ＃２２を４つの射出光ＥＬｉ＃３１からＥＬｉ＃３４に分岐する過程（図３７参照）で偏光ビームスプリッタ１１２１ｇから射出されるｐ偏光又はｓ偏光を偏光ビームスプリッタ１１２１ｇへ戻す反射ミラー１１２３ｇ－２及び１１２５ｇ－１と、４つの射出光ＥＬｉ＃３１からＥＬｉ＃３４を８つの射出光ＥＬｉ＃４１からＥＬｉ＃４８に分岐する過程（図３８参照）で偏光ビームスプリッタ１１２１ｇから射出されるｐ偏光又はｓ偏光を偏光ビームスプリッタ１１２１ｇへ戻す反射ミラー１１２３ｇ－３及び１１２５ｇ－２と、８つの射出光ＥＬｉ＃４１からＥＬｉ＃４８を１６本の射出光ＥＬｉ＃００１からＥＬｉ＃０１６に分岐する過程（図３９参照）で偏光ビームスプリッタ１１２１ｇから射出されるｐ偏光又はｓ偏光を偏光ビームスプリッタ１１２１ｇへ戻す反射ミラー１１２３ｇ－３及び１１２５ｇ－３とを備えている。この場合、仮に加工システムＳＹＳｇが第３実施形態で説明した駆動系１１２６ｃ等を備えていれば、反射ミラー１１２３ｇ－１から１１２３ｇ－３及び１１２５ｇ－１から１１２５ｇ－３のうちの少なくとも一つを、反射ミラー１１２３ｇ－１から１１２３ｇ－３及び１１２５ｇ－１から１１２５ｇ－３のうちの残りとは別個に移動可能となる。このため、複数の加工光ＥＬｋのビームスポットの位置（つまり、複数の目標照射領域ＥＡの位置）の調整に関する自由度が向上する。

　尚、光源光ＥＬｏを２つの射出光ＥＬｉ＃２１からＥＬｉ＃２２に分岐する過程（図３６参照）では、加工システムＳＹＳｇは、反射ミラー１１２３ｇ－１及び１１２５ｇ－１の少なくとも一方を移動させれば、複数の加工光ＥＬｋのビームスポットの位置を調整することができる。２つの射出光ＥＬｉ＃２１からＥＬｉ＃２２を４つの射出光ＥＬｉ＃３１からＥＬｉ＃３４に分岐する過程（図３７参照）では、加工システムＳＹＳｇは、反射ミラー１１２３ｇ－２及び１１２５ｇ－１の少なくとも一方を移動させれば、複数の加工光ＥＬｋのビームスポットの位置を調整することができる。４つの射出光ＥＬｉ＃３１からＥＬｉ＃３４を８つの射出光ＥＬｉ＃４１からＥＬｉ＃４８に分岐する過程（図３８参照）では、加工システムＳＹＳｇは、反射ミラー１１２３ｇ－３及び１１２５ｇ－２の少なくとも一方を移動させれば、複数の加工光ＥＬｋのビームスポットの位置を調整することができる。８つの射出光ＥＬｉ＃４１からＥＬｉ＃４８を１６本の射出光ＥＬｉ＃００１からＥＬｉ＃０１６に分岐する過程（図３９参照）では、加工システムＳＹＳｇは、反射ミラー１１２３ｇ－３及び１１２５ｇ－３の少なくとも一方を移動させれば、複数の加工光ＥＬｋのビームスポットの位置を調整することができる。この場合、反射ミラー１１２３ｇ－１、１１２３ｇ－２、１１２５ｇ－２及び１１２５ｇ－３が移動可能であれば、反射ミラー１１２３ｇ－３及び１１２５ｇ－１が移動可能でなくても、全ての過程において複数の加工光ＥＬｋのビームスポットの位置が調整可能となる。

　但し、図４０に示すように、加工システムＳＹＳｇは、反射ミラー１１２３ｇ－１から１１２３ｇ－３に代えて、反射ミラー１１２３ｇ－１から１１２３ｇ－３として機能する単一の反射ミラー１１２３ｇを備えていてもよい。同様に、図４０に示すように、加工システムＳＹＳｇは、反射ミラー１１２５ｇ－１から１１２５ｇ－３に代えて、反射ミラー１１２５ｇ－１から１１２５ｇ－３として機能する単一の反射ミラー１１２５ｇを備えていてもよい。

　第７実施形態の加工システムＳＹＳｇは、上述した第２実施形態の加工システムＳＹＳｂから第６実施形態の加工システムＳＹＳｆの少なくとも一つに特有の構成要件を備えていてもよい。第６実施形態の加工システムＳＹＳｆに特有の構成要件は、強度調整装置１１７ｆに関する構成要件を含む。

　（８）第８実施形態の加工システムＳＹＳｈ
　続いて、第８実施形態の加工システムＳＹＳ（以降、第８実施形態の加工システムＳＹＳを、“加工システムＳＹＳｈ”と称する）について説明する。第８実施形態の加工システムＳＹＳｈは、上述した第７実施形態の加工システムＳＹＳｇと同様に、単一のマルチビーム光学系１１２ｈを用いて光源光ＥＬｏを３つ以上の加工光ＥＬｋに分岐するという点で同じである。但し、第８実施形態のマルチビーム光学系１１２ｈの構造を示す斜視図である図４１に示すように、第８実施形態のマルチビーム光学系１１２ｈは、上述したマルチビーム光学系１１２ｇと比較して、波長板１１２６ｇ－１及び１１２６ｇ－２を備えていなくてもよいという点で異なる。第８実施形態のマルチビーム光学系１１２ｈのその他の構造は、上述したマルチビーム光学系１１２ｇのその他の構造と同じであってもよい。

　つまり、上述した第７実施形態の加工システムＳＹＳｇは、偏光ビームスプリッタ１１２１ｇから射出される射出光ＥＬｅを、偏光ビームスプリッタ１１２１ｇに入射する入射光ＥＬｉに変換する（更には、変換した入射光ＥＬｉを偏光ビームスプリッタ１１２１ｇに戻す）光学系として、波長板１１２６ｇ－１及び反射プリズム１１２７ｇ－１を含む光学系と、波長板１１２６ｇ－２及び反射プリズム１１２７ｇ－２を含む光学系とのそれぞれを備えている。一方で、第８実施形態の加工システムＳＹＳｈは、偏光ビームスプリッタ１１２１ｇから射出される射出光ＥＬｅを、偏光ビームスプリッタ１１２１ｇに入射する入射光ＥＬｉに変換する光学系として、波長板１１２６ｇ－１を含むことなく反射プリズム１１２７ｇ－１を含む光学系と、波長板１１２６ｇ－２を含むことなく反射プリズム１１２７ｇ－２を含む光学系とのそれぞれを備えている。

　但し、第８実施形態では、反射プリズム１１２７ｇ－１の移送軸ＡＸ７ｇ－１が、偏光ビームスプリッタ１１２１ｇから反射プリズム１１２７ｇ－１に入射する射出光ＥＬｅの偏光面に対して２２．５度の角度をなすように、反射プリズム１１２７ｇ－１が偏光ビームスプリッタ１１２１ｇに対して位置合わせされる。射出光ＥＬｅの偏光面の方向は、偏光ビームスプリッタ１１２１ｇの透過偏光方位（又は反射偏光方位）ＡＸ１ｇに依存して定まる。従って、反射プリズム１１２７ｇ－１の移送軸ＡＸ７ｇ－１と光ビームスプリッタ１１２１ｇの透過偏光方位（又は反射偏光方位）ＡＸ１ｇとの関係を示す図４２（ａ）に示すように、反射プリズム１１２７ｇ－１の移送軸ＡＸ７ｇ－１が、偏光ビームスプリッタ１１２１ｇの透過偏光方位（又は反射偏光方位）ＡＸ１ｇに対して２２．５度の角度をなすように、反射プリズム１１２７ｇ－１が偏光ビームスプリッタ１１２１ｇに対して位置合わせされていてもよい。その結果、マルチビーム光学系１１２ｈが波長板１１２６ｇ－１を備えていない場合であっても、反射プリズム１１２７ｇ－１によって反射された射出光ＥＬｅは、円偏光（或いは、直線偏光以外の偏光又は非偏光）となる入射光ＥＬｉに変換される。

　同様に、反射プリズム１１２７ｇ－２の移送軸ＡＸ７ｇ－２が、偏光ビームスプリッタ１１２１ｇから反射プリズム１１２７ｇ－２に入射する射出光ＥＬｅの偏光面に対して２２．５度の角度をなすように、反射プリズム１１２７ｇ－２が偏光ビームスプリッタ１１２１ｇに対して位置合わせされる。射出光ＥＬｅの偏光面の方向は、偏光ビームスプリッタ１１２１ｇの透過偏光方位（反射偏光方位）ｇＡＸ１ｇに依存して定まる。従って、反射プリズム１１２７ｇ－２の移送軸ＡＸ７ｇ－２と偏光ビームスプリッタ１１２１ｇの透過偏光方位（又は反射偏光方位）ＡＸ１ｇとの関係を示す図４２（ｂ）に示すように、反射プリズム１１２７ｇ－２の移送軸ＡＸ７ｇ－２が、偏光ビームスプリッタ１１２１ｇの透過偏光方位（又は反射偏光方位）ＡＸ１ｇに対して２２．５度の角度をなすように、反射プリズム１１２７ｇ－２が偏光ビームスプリッタ１１２１ｇに対して位置合わせされていてもよい。その結果、このような反射プリズム１１２７ｇ－２によって反射された射出光ＥＬｅは、円偏光（或いは、直線偏光以外の偏光又は非偏光）となる入射光ＥＬｉに変換される。

　このような第８実施形態の加工システムＳＹＳｈは、第７実施形態の加工システムＳＹＳｇが享受可能な効果と同様の効果を享受することができる。更に、波長板１１２６ｇ－１及び１１２６ｇ－２が不要となるため、加工システムＳＹＳｈの小型化が可能となる。

　（９）第９実施形態の加工システムＳＹＳｉ
　続いて、第９実施形態の加工システムＳＹＳ（以降、第９実施形態の加工システムＳＹＳを、“加工システムＳＹＳｉ”と称する）について説明する。第９実施形態の加工システムＳＹＳｉは、上述した加工システムＳＹＳａの構造と同一であってもよい。更に、第９実施形態の加工システムＳＹＳｉは、上述した加工システムＳＹＳａと同様に、複数の加工光ＥＬｋがＸ軸及びＹ軸のいずれか一方に沿って塗装膜ＳＦを走査するスキャン動作と、塗装膜ＳＦ上で複数の目標照射領域ＥＡをＸ軸及びＹ軸のいずれか他方に沿って所定量だけ移動させるステップ動作とを交互に繰り返してリブレット構造を形成する。但し、第９実施形態の加工システムＳＹＳｉは、上述した加工システムＳＹＳａと比較して、以下の点で異なっている。

　具体的には、第９実施形態の加工システムＳＹＳｉ（特に、制御装置２）は、リブレット構造を構成する凹状構造ＣＰ１の延伸方向とスキャン動作によって複数の加工光ＥＬｋが塗装膜ＳＦを走査する方向（以降、“スキャン方向”と称する）とを揃える。つまり、加工システムＳＹＳｉは、凹状構造ＣＰ１の延伸方向とスキャン方向とを平行にする。言い換えれば、加工システムＳＹＳｉは、凹状構造ＣＰ１の延伸方向とスキャン方向とがなす角度をゼロ度に設定する。

　加工システムＳＹＳｉ（特に、制御装置２）は更に、スキャン方向を、ガルバノミラー１１３の特性（つまり、Ｘ走査ミラー１１３Ｘ及びＹ走査ミラー１１３Ｙの特性）に基づいて決定する。具体的には、例えば、加工システムＳＹＳｉは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のうちガルバノミラー１１３の特性に基づいて選択される一の方向を、スキャン方向として決定する。この場合、加工システムＳＹＳｉは、スキャン動作を行っている期間中に、Ｘ走査ミラー１１３Ｘ及びＹ走査ミラー１１３Ｙのうち決定された一の方向に沿って複数の加工光ＥＬｋを塗装膜ＳＦ上で走査させることが可能な一方のミラーで複数の加工光ＥＬｋを偏向する。例えば、Ｘ軸方向がスキャン方向として決定された場合には、加工システムＳＹＳｉは、スキャン動作を行っている期間中に、Ｘ走査ミラー１１３Ｘで複数の加工光ＥＬｋを偏向して、Ｘ軸に沿って複数の加工光ＥＬｋを塗装膜ＳＦ上で走査させる。例えば、Ｙ軸方向がスキャン方向として決定された場合には、加工システムＳＹＳｉは、スキャン動作を行っている期間中に、Ｙ走査ミラー１１３Ｙで複数の加工光ＥＬｋを偏向して、Ｙ軸に沿って複数の加工光ＥＬｋを塗装膜ＳＦ上で走査させる。

　ガルバノミラー１１３の特性は、Ｘ走査ミラー１１３Ｘ及びＹ走査ミラー１１３Ｙの質量を含んでいてもよい。例えば、Ｘ走査ミラー１１３Ｘ及びＹ走査ミラー１１３Ｙは、加工光ＥＬｋを偏向するために、相対的に高速に回転（或いは、揺動）する。ここで、スキャン動作が行われている期間中に加工光ＥＬｋを偏向するミラーは、ステップ動作が行われている期間中に加工光ＥＬｋを偏光するミラーよりも高速に回転する。なぜならば、ステップ動作は、スキャン動作によって加工光ＥＬｋが塗装膜ＳＦをスキャン方向に沿って走査した後に、当該加工光ＥＬｋの照射位置である目標照射領域ＥＡを、スキャン方向に交差する（典型的には、直交する）ステップ方向に所定量だけ移動させる動作であるからである。一般的には、相対的に重いミラーを高速に回転させることよりも、相対的に軽いミラーを高速に回転させることの方が容易である。従って、加工システムＳＹＳｉは、Ｘ走査ミラー１１３Ｘ及びＹ走査ミラー１１３Ｙのうち質量が軽い方のミラーが加工光ＥＬｋを走査する方向を、スキャン方向として決定してもよい。つまり、加工システムＳＹＳｉは、Ｘ走査ミラー１１３Ｘの方がＹ走査ミラー１１３Ｙよりも軽い場合には、Ｘ軸方向を、スキャン方向として決定してもよい。一方で、加工システムＳＹＳｉは、Ｙ走査ミラー１１３Ｙの方がＸ走査ミラー１１３Ｘよりも軽い場合には、Ｙ軸方向を、スキャン方向として決定してもよい。

　ガルバノミラー１１３の特性は、Ｘ走査ミラー１１３Ｘ及びＹ走査ミラー１１３Ｙのサイズを含んでいてもよい。具体的には、一般的には、相対的に大きいミラーを高速に回転させることよりも、相対的に小さいミラーを高速に回転させることの方が容易である。従って、加工システムＳＹＳｉは、Ｘ走査ミラー１１３Ｘ及びＹ走査ミラー１１３Ｙのうちサイズが小さい方のミラーが加工光ＥＬｋを走査する方向を、スキャン方向として決定してもよい。つまり、加工システムＳＹＳｉは、Ｘ走査ミラー１１３Ｘの方がＹ走査ミラー１１３Ｙよりも小さい場合には、Ｘ軸方向を、スキャン方向として決定してもよい。一方で、加工システムＳＹＳｉは、Ｙ走査ミラー１１３Ｙの方がＸ走査ミラー１１３Ｘよりも小さい場合には、Ｙ軸方向を、スキャン方向として決定してもよい。尚、上述したように、マルチビーム光学系１１２からの加工光ＥＬｋは、Ｙ走査ミラー１１３Ｙで反射された後にＸ走査ミラー１１３Ｘで反射される。つまり、Ｙ走査ミラー１１３Ｙは、マルチビーム光学系１１２からの光路が変わらない加工光ＥＬｋ（つまり、相対的に狭い範囲を伝搬する加工光ＥＬｋ）を反射する一方で、Ｘ走査ミラー１１３Ｘは、Ｙ走査ミラー１１３Ｙの回転に起因してＹ走査ミラー１１３Ｙからの光路が変わる加工光ＥＬｋ（つまり、相対的に広い範囲を伝搬する加工光ＥＬｋ）を反射する。このため、通常は、Ｘ走査ミラー１１３Ｘは、Ｙ走査ミラー１１３Ｙよりも大きくなる可能性が高い。

　ガルバノミラー１１３の特性は、Ｘ走査ミラー１１３Ｘ及びＹ走査ミラー１１３Ｙを回転させるために必要なモーメント（つまり、力）の大きさを含んでいてもよい。具体的には、回転させるために必要なモーメントが相対的に大きいミラーを高速に回転させることよりも、回転させるために必要なモーメントが相対的に小さいミラーを高速に回転させることの方が容易である。従って、加工システムＳＹＳｉは、Ｘ走査ミラー１１３Ｘ及びＹ走査ミラー１１３Ｙのうち回転させるために必要なモーメントが小さい方のミラーが加工光ＥＬｋを走査する方向を、スキャン方向として決定してもよい。つまり、加工システムＳＹＳｉは、Ｘ走査ミラー１１３Ｘを回転させるために必要なモーメントの方がＹ走査ミラー１１３Ｙを回転させるために必要なモーメントよりも小さい場合には、Ｘ軸方向を、スキャン方向として決定してもよい。一方で、加工システムＳＹＳｉは、Ｙ走査ミラー１１３Ｙを回転させるために必要なモーメントの方がＸ走査ミラー１１３Ｘを回転させるために必要なモーメントよりも小さい場合には、Ｙ軸方向を、スキャン方向として決定してもよい。

　尚、Ｘ走査ミラー１１３Ｘ及びＹ走査ミラー１１３Ｙの質量は、Ｘ走査ミラー１１３Ｘ及びＹ走査ミラー１１３Ｙを回転させるために必要なモーメントに影響を与える一つの要因である可能性がある。このため、Ｘ走査ミラー１１３Ｘ及びＹ走査ミラー１１３Ｙの質量に基づいてスキャン方向を決定する動作は、Ｘ走査ミラー１１３Ｘ及びＹ走査ミラー１１３Ｙを回転させるために必要なモーメントに基づいてスキャン方向を決定する動作の一具体例であるとも言える。更に、Ｘ走査ミラー１１３Ｘ及びＹ走査ミラー１１３Ｙの大きさは、Ｘ走査ミラー１１３Ｘ及びＹ走査ミラー１１３Ｙを回転させるために必要なモーメントに影響を与える一つの要因である可能性がある。このため、Ｘ走査ミラー１１３Ｘ及びＹ走査ミラー１１３Ｙの大きさに基づいてスキャン方向を決定する動作は、Ｘ走査ミラー１１３Ｘ及びＹ走査ミラー１１３Ｙを回転させるために必要なモーメントに基づいてスキャン方向を決定する動作の一具体例であるとも言える。

　スキャン方向は、上述したように、ステップ方向に交差（典型的には、直交）する。このため、スキャン方向が決定されると、ステップ方向もまた実質的に決定される。従って、Ｘ走査ミラー１１３Ｘ及びＹ走査ミラー１１３Ｙの特性に基づいてスキャン方向を決定する動作は、Ｘ走査ミラー１１３Ｘ及びＹ走査ミラー１１３Ｙの特性に基づいてステップ方向を決定する動作と等価であるとも言える。

　第９実施形態では、加工システムＳＹＳｉは、加工対象物Ｓの加工（つまり、凹状構造ＣＰ１の形成）に先立って、スキャン方向を決定する（或いは設定する）と共に、決定したスキャン方向と形成しようとしている凹状構造ＣＰ１の延伸方向とが揃うように、加工対象物Ｓに対して加工装置１を位置合わせしてもよい。具体的には、加工システムＳＹＳｉは、まずは、スキャン方向を決定する。尚、ガルバノミラー１１３の特性が時間の経過と共に変わりにくい場合には、スキャン方向が予め決定されていてもよい。更に、加工システムＳＹＳｉは、上述したシミュレーションモデルに基づいて最適化されたリブレット構造の特性に関するリブレット情報から、加工対象物Ｓ（具体的には、上述した加工ショット領域ＳＡ）に形成されるべきリブレット構造の延伸方向（つまり、凹状構造ＣＰ１の延伸方向）を特定する。その後、加工システムＳＹＳｉは、決定したスキャン方向と特定した凹状構造ＣＰ１の延伸方向とが揃うように（平行となるように）、加工対象物Ｓに対して加工装置１（特に、加工光ＥＬｋを加工対象物Ｓに照射する光照射装置１１）を位置合わせする。この場合、例えば、駆動系１２が光照射装置１１を移動させることで、加工対象物Ｓに対して加工装置１が位置合わせされてもよい。例えば、駆動系１５が光照射装置１１を支持する支持装置１４を移動させることで、加工対象物Ｓに対して加工装置１が位置合わせされてもよい。典型的には、加工システムＳＹＳｉは、塗装膜ＳＦに交差する軸まわり（具体的には、Ｚ軸まわり）に光照射装置１１を回転させることで、スキャン方向と特定した凹状構造ＣＰ１の延伸方向とが揃うように（平行となるように）加工対象物Ｓに対して加工装置１が位置合わせしてもよい。

　例えば、図４３（ａ）は、Ｙ軸方向がスキャン方向に決定（設定）された場合における塗装膜ＳＦ上での複数の目標照射領域ＥＡの移動軌跡（つまり、複数の加工光ＥＬｋの走査軌跡）を示している。この場合には、加工システムＳＹＳｉは、図４３（ｂ）に示すように、Ｙ軸に沿って延伸する凹状構造ＣＰ１を形成することで、加工対象物Ｓ上において所望方向に延伸する凹状構造ＣＰ１を形成する。従って、凹状構造ＣＰ１の形成に先立って、加工装置１は、Ｙ軸に沿って延伸する凹状構造ＣＰ１を形成することで加工対象物Ｓ上において所望方向に延伸する凹状構造ＣＰ１が形成されるように、加工対象物Ｓに対して位置合わせされる。一方で、例えば、図４３（ｃ）は、Ｘ軸方向がスキャン方向に決定（設定）された場合における塗装膜ＳＦ上での複数の目標照射領域ＥＡの移動軌跡を示している。この場合には、加工システムＳＹＳｉは、図４３（ｄ）に示すように、Ｘ軸に沿って延伸する凹状構造ＣＰ１を形成することで、加工対象物Ｓ上において所望方向に延伸する凹状構造ＣＰ１を形成する。この場合、凹状構造ＣＰ１の形成に先立って、加工装置１は、Ｘ軸に沿って延伸する凹状構造ＣＰ１を形成することで加工対象物Ｓ上において所望方向に延伸する凹状構造ＣＰ１が形成されるように、加工対象物Ｓに対して位置合わせされる。

　このように加工対象物Ｓに対して加工装置１が位置合わせされると、スキャン方向に沿った軸と凹状構造ＣＰ１の延伸方向に沿った軸とがなす角度は、ステップ方向に沿った軸と凹状構造ＣＰ１の延伸方向に沿った軸とがなす角度よりも小さくなっていく。最終的には、スキャン方向に沿った軸と凹状構造ＣＰ１の延伸方向に沿った軸とがなす角度がゼロ度になるように、加工対象物Ｓに対して加工装置１が位置合わせされる。但し、スキャン方向に沿った軸と凹状構造ＣＰ１の延伸方向に沿った軸とがなす角度が必ずしもゼロ度になるまで、加工対象物Ｓに対して加工装置１が位置合わせされていなくてもよい。例えば、スキャン方向に沿った軸と凹状構造ＣＰ１の延伸方向に沿った軸とがなす角度が実質的にゼロ度であるとみなす（つまり、スキャン方向と凹状構造ＣＰ１とが実質的に平行であるとみなす）ことができる程度に、加工対象物Ｓに対して加工装置１が位置合わせされてもよい。例えば、スキャン方向に沿った軸と凹状構造ＣＰ１の延伸方向に沿った軸とがなす角度が、ステップ方向に沿った軸と凹状構造ＣＰ１の延伸方向に沿った軸とがなす角度よりも小さくなる程度に、加工対象物Ｓに対して加工装置１が位置合わせされてもよい。

　このように、第９実施形態の加工システムＳＹＳｉは、スキャン方向と凹状構造ＣＰ１の延伸方向とを揃えることができる。このため、加工システムＳＹＳｉは、スキャン動作を行っている期間中に光源１１０から光源光ＥＬｏを連続的に射出させ続ければ、スキャン方向に沿って延伸する凹状構造ＣＰ１を形成することができる。つまり、加工システムＳＹＳｉは、スキャン動作を行っている期間中に光源１１０からの光源光ＥＬｏの照射のオン及びオフを切り替える制御を行うことなく、スキャン方向に沿って延伸する凹状構造ＣＰ１を形成することができる。従って、加工システムＳＹＳｉは、比較的容易に、所望方向に延伸する凹状構造ＣＰ１を形成することができる。

　更に、第９実施形態の加工システムＳＹＳｉは、ガルバノミラー１１３の特性に基づいてスキャン方向を決定することができる。その結果、加工システムＳＹＳｉは、ガルバノミラー１１３の特性に基づいてスキャン方向を決定しない場合と比較して、ガルバノミラー１１３を回転させるための負荷を過度に増加させることなく、リブレット構造を形成することができる。

　尚、加工システムＳＹＳｉは、ガルバノミラー１１３で加工光ＥＬｋを偏向することに加えて又は代えて、光照射装置１１を移動させる（特に、塗装膜ＳＦに対して移動させる）ことで、複数の加工光ＥＬｋを塗装膜ＳＦの表面上で走査させてもよい。尚、加工システムＳＹＳｉに限らず、上述した加工システムＳＹＳａからＳＹＳｈのそれぞれもまた、ガルバノミラー１１３で加工光ＥＬｋを偏向することに加えて又は代えて、光照射装置１１を移動させることで、複数の加工光ＥＬｋを塗装膜ＳＦの表面上で走査させてもよい。

　この場合、例えば、加工システムＳＹＳｉは、駆動系１２を制御して、塗装膜ＳＦの表面を加工光ＥＬｋが走査するように光照射装置１１を塗装膜ＳＦに対して相対的に移動させてもよい。このように光照射装置１１を移動させる駆動系１２は、例えば、駆動系１２の構造を示す断面図である図４４に示すように、Ｘ軸に沿って加工光ＥＬｋを加工対象物Ｓ上で走査させるように光照射装置１１をＸ軸方向に沿って移動させる駆動装置１２Ｘと、Ｙ軸に沿って加工光ＥＬｋを加工対象物Ｓ上で走査させるように光照射装置１１をＹ軸方向に沿って移動させる駆動装置１２Ｙとを備えていてもよい。尚、駆動装置１２Ｘは、例えば、支持部材１３３によって支持され且つＸ軸方向に延びるＸガイド部材１２１Ｘと、Ｘガイド部材１２１Ｘに沿って移動可能なＸ可動子１２２Ｘと、Ｘ可動子１２２Ｘに連結されたＸステージ１２３Ｘとを備えていてもよい。駆動装置１２Ｙは、例えば、Ｘステージ１２３Ｘによって支持され且つＹ軸方向に延びるＹガイド部材１２１Ｙと、Ｙガイド部材１２１Ｙに沿って移動可能であって且つ光照射装置１１に連結されたＹ可動子１２２Ｙとを備えていてもよい。このような駆動装置１２Ｘ及び１２Ｙによれば、Ｘ可動子１２２ＸがＸガイド部材１２１Ｘに沿って移動すると、Ｘ可動子１２２Ｘに連結されたＸステージ１２３ＸがＹガイド部材１２１Ｙ及びＹ可動子１２２Ｙを介して支持する光照射装置１１がＸ軸に沿って移動する。更に、Ｙ可動子１２２ＹがＹガイド部材１２１Ｙに沿って移動すると、Ｙ可動子１２２Ｘに連結された光照射装置１１がＹ軸に沿って移動する。この場合、加工システムＳＹＳｉは、駆動装置１２Ｘ及び駆動装置１２Ｙの特性に基づいてスキャン方向を決定してもよい。例えば、加工システムＳＹＳｉは、駆動装置１２Ｘが駆動装置１２Ｙよりも軽い場合、駆動装置１２Ｘが駆動装置１２Ｙよりも小さい場合、及び／又は、駆動装置１２Ｘを可動させる（例えば、Ｘ可動子１２２Ｘ及びＸステージ１２３Ｘを移動させる）ために必要な力が駆動装置１２Ｙを可動させる（例えば、Ｙ可動子１２２Ｙを移動させる）ために必要な力よりも小さい場合には、Ｘ軸方向をスキャン方向に決定してもよい。例えば、加工システムＳＹＳｉは、駆動装置１２Ｙが駆動装置１２Ｘよりも軽い場合、駆動装置１２Ｙが駆動装置１２Ｘよりも小さい場合、及び／又は、駆動装置１２Ｙを可動させるために必要な力が駆動装置１２Ｘを可動させるために必要な力よりも小さい場合には、Ｙ軸方向をスキャン方向に決定してもよい。尚、図４４に示す例では、駆動装置１２Ｘが駆動装置１２Ｙを介して光照射装置１１をＸ軸に沿って移動させるがゆえに、駆動装置１２Ｘは、光照射装置１１を移動させるためには、駆動装置１２Ｙも合わせて移動させる必要がある。一方で、駆動装置１２Ｙが駆動装置１２Ｘを介することなく光照射装置１１をＹ軸に沿って移動させるがゆえに、駆動装置１２Ｙは、光照射装置１１を移動させるためには、駆動装置１２Ｘを移動させなくてもよい。従って、図４４に示す例では、通常は、駆動装置１２Ｙを可動させるために必要な力が駆動装置１２Ｘを可動させるために必要な力よりも小さくなる可能性が高い。尚、支持部材１３３は、航空機等の格納庫の構造物の一部であってもよく、この構造物に取り付けられるものであってもよい。

　或いは、例えば、加工対象物Ｓのサイズがそれほど大きくない（例えば、上述した航空機等ほどには大きくない）場合には、加工システムＳＹＳｉは、ガルバノミラー１１３で加工光ＥＬｋを偏向することに加えて又は代えて、加工対象物Ｓを移動させる（特に、光照射装置１１に対して移動させる）ことで、複数の加工光ＥＬｋを塗装膜ＳＦの表面上でてもよい。尚、加工システムＳＹＳｉに限らず、上述した加工システムＳＹＳａからＳＹＳｈのそれぞれもまた、ガルバノミラー１１３で加工光ＥＬｋを偏向することに加えて又は代えて、加工対象物Ｓを移動させることで、複数の加工光ＥＬｋを塗装膜ＳＦの表面上で走査させてもよい。

　この場合、加工システムＳＹＳｉは、加工対象物Ｓを保持したまま移動可能なステージ装置３を備えており、且つ、制御装置２は、当該ステージ装置３を制御して、塗装膜ＳＦの表面を加工光ＥＬｋが走査するように光照射装置１１に対して塗装膜ＳＦを相対的に移動させてもよい。尚、このようなステージ装置３は、例えば、ステージ装置３の構造を示す断面図である図４５に示すように、Ｘ軸に沿って加工光ＥＬｋを加工対象物Ｓ上で走査させるように加工対象物ＳをＸ軸方向に沿って移動させるように可動するステージ装置３Ｘと、Ｙ軸に沿って加工光ＥＬｋを加工対象物Ｓ上で走査させるように加工対象物ＳをＹ軸方向に沿って移動させるように可動するステージ装置３Ｙとを備えていてもよい。尚、ステージ装置３Ｘは、例えば、定盤等の支持部材３９によって支持され且つＸ軸方向に延びるＸガイド部材３１Ｘと、Ｘガイド部材３１Ｘに沿って移動可能なＸ可動子３２Ｘと、Ｘ可動子３２Ｘに連結されたＸステージ３３Ｘとを備えていてもよい。ステージ装置３Ｙは、例えば、Ｘステージ３３Ｘによって支持され且つＹ軸方向に延びるＹガイド部材３１Ｙと、Ｙガイド部材３１Ｙに沿って移動可能なＹ可動子３２Ｙと、Ｙ可動子に連結され且つ加工対象物Ｓを保持可能なＹステージ３３Ｙとを備えていてもよい。このようなステージ装置３Ｘ及び３Ｙによれば、Ｘ可動子３２ＸがＸガイド部材３１Ｘに沿って移動すると、Ｘ可動子３２Ｘに連結されたＸステージ３３ＸによってＹガイド部材３１Ｙ、Ｙ可動子３２Ｙ及びＹステージ３３Ｙを介して支持される加工対象物ＳがＸ軸に沿って移動する。更に、Ｙ可動子３２ＹがＹガイド部材３１Ｙに沿って移動すると、Ｙ可動子３２ＸによってＹステージ３３Ｘを介して支持される光照射装置１１がＹ軸に沿って移動する。この場合、加工システムＳＹＳｉは、ステージ装置３Ｘ及びステージ装置３Ｙの特性に基づいてスキャン方向を決定してもよい。例えば、加工システムＳＹＳｉは、ステージ装置３Ｘがステージ装置３Ｙよりも軽い場合、ステージ装置３Ｘがステージ装置３Ｙよりも小さい場合、及び／又は、ステージ装置３Ｘを可動させる（例えば、Ｘ可動子３２Ｘ及びＸステージ３３Ｘを移動させる）ために必要な力がステージ装置３Ｙを可動させる（例えば、Ｙ可動子３２Ｙ及びＹステージ３３Ｙを移動させる）ために必要な力よりも小さい場合には、Ｘ軸方向をスキャン方向に決定してもよい。例えば、加工システムＳＹＳｉは、ステージ装置３Ｙがステージ装置３Ｘよりも軽い場合、ステージ装置３Ｙがステージ装置３Ｘよりも小さい場合、及び／又は、ステージ装置３Ｙを可動させるために必要な力がステージ装置３Ｘを可動させるために必要な力よりも小さい場合には、Ｙ軸方向をスキャン方向に決定してもよい。尚、図４５に示す例では、ステージ装置３Ｘがステージ装置３Ｙを介して加工対象物ＳをＸ軸に沿って移動させるがゆえに、ステージ装置３Ｘは、加工対象物Ｓを移動させるためには、ステージ装置３Ｙも合わせて移動させる必要がある。一方で、ステージ装置３Ｙがステージ装置３Ｘを介することなく加工対象物ＳをＹ軸に沿って移動させるがゆえに、ステージ装置３Ｙは、加工対象物Ｓを移動させるためには、ステージ装置３Ｘを移動させなくてもよい。従って、図４５に示す例では、通常は、ステージ装置３Ｙを可動させるために必要な力がステージ装置３Ｘを可動させるために必要な力よりも小さくなる可能性が高い。尚、加工対象物Ｓのサイズが大きい（例えば、上述した航空機等ほどのサイズ）場合であっても、図４５に示す例に従って加工対象物Ｓを移動させてもよい。

　ガルバノミラー１１３、駆動系１２及びステージ装置３は、いずれも、加工光ＥＬｋを加工対象物Ｓ上で走査させるための装置であると言える。つまり、ガルバノミラー１１３、駆動系１２及びステージ装置３は、いずれも、塗装膜ＳＦの表面で目標照射領域ＥＡを移動させるための装置であると言える。このため、加工システムＳＹＳｉは、加工光ＥＬｋを加工対象物Ｓ上で走査させるように可動する（つまり、物理的に動く）可動装置の特性に基づいてスキャン方向を決定しているとも言える。この場合、例えば、加工システムＳＹＳｉは、Ｘ軸及びＹ軸のいずれか一方に沿って加工光ＥＬｋを加工対象物Ｓ上で走査させるように可動する第１可動装置がＸ軸及びＹ軸のいずれか他方に沿って加工光ＥＬｋを加工対象物Ｓ上で走査させるように可動する第２可動装置がよりも軽い場合には、Ｘ軸及びＹ軸のいずれか一方をスキャン方向に決定してもよい。例えば、加工システムＳＹＳｉは、Ｘ軸及びＹ軸のいずれか一方に沿って加工光ＥＬｋを加工対象物Ｓ上で走査させるように可動する第１可動装置がＸ軸及びＹ軸のいずれか他方に沿って加工光ＥＬｋを加工対象物Ｓ上で走査させるように可動する第２可動装置がよりも小さい場合には、Ｘ軸及びＹ軸のいずれか一方をスキャン方向に決定してもよい。例えば、加工システムＳＹＳｉは、Ｘ軸及びＹ軸のいずれか一方に沿って加工光ＥＬｋを加工対象物Ｓ上で走査させるように可動する第１可動装置を可動させるために必要な力がＸ軸及びＹ軸のいずれか他方に沿って加工光ＥＬｋを加工対象物Ｓ上で走査させるように可動する第２可動装置を可動させるために必要な力よりも小さい場合には、Ｘ軸及びＹ軸のいずれか一方をスキャン方向に決定してもよい。

　また、マルチビーム光学系１１２を備える加工システムＳＹＳｉ等に限らず、加工対象物Ｓを加工してリブレット構造を形成する任意の加工システムが、スキャン方向と凹状構造ＣＰ１とを揃えてもよい。同様に、加工対象物Ｓを加工してリブレット構造を形成する任意の加工システムが、加工光ＥＬｋを加工対象物Ｓ上で走査させるように可動する可動装置の特性に基づいてスキャン方向を決定してもよい。つまり、加工システムＳＹＳｉは、マルチビーム光学系１１２を備えていなくてもよい。この場合、第３実施形態において説明したいように、加工システムＳＹＳｉは、複数の加工光ＥＬｋを塗装膜ＳＦに照射するために、複数の光源１１０を備えていてもよい。

　第９実施形態の加工システムＳＹＳｉは、上述した第２実施形態の加工システムＳＹＳｂから第８実施形態の加工システムＳＹＳｈの少なくとも一つに特有の構成要件を備えていてもよい。第７実施形態の加工システムＳＹＳｇに特有の構成要件は、マルチビーム光学系１１２ｇに関する構成要件を含む。第８実施形態の加工システムＳＹＳｇに特有の構成要件は、マルチビーム光学系１１２ｈに関する構成要件を含む。

　（１０）第１０実施形態の加工システムＳＹＳｊ
　続いて、第１０実施形態の加工システムＳＹＳ（以降、第１０実施形態の加工システムＳＹＳを、“加工システムＳＹＳｊ”と称する）について説明する。

　（１０－１）加工システムＳＹＳｊの構造
　初めに、第１０実施形態の加工システムＳＹＳｊの構造について説明する。第１０実施形態の加工システムＳＹＳｊは、上述した加工システムＳＹＳａと比較して、光照射装置１１に代えて光照射装置１１ｊを備えているという点で異なる。第１０実施形態の加工システムＳＹＳｊのその他の特徴は、上述した加工システムＳＹＳａのその他の特徴と同じであってもよい。従って、以下では、図４６を参照しながら、第１０実施形態の光照射装置１１ｊについて説明する。図４６は、第１０実施形態の光照射装置１１ｊの構造を示す斜視図である。

　図４６に示すように、光照射装置１１ｊは、上述した光照射装置１１と比較して、拡大光学系１１８１ｊを更に備えているという点で異なる。光学系１１２ｂのその他の特徴は、光学系１１２のその他の特徴と同一であってもよい。

　拡大光学系１１８１ｊは、複数の加工光ＥＬｋの光路上に配置される。このため、第１０実施形態では、加工システムＳＹＳｊは、拡大光学系１１８１ｊを介して複数の加工光ＥＬｋを塗装膜ＳＦに照射する。図４６は、拡大光学系１１８１ｊが、マルチビーム光学系１１２とガルバノミラー１１３との間における複数の加工光ＥＬｋの光路上に配置される例を示している。但し、拡大光学系１１８１ｊは、図４６に示す位置とは異なる位置に配置されていてもよい。

　拡大光学系１１８１ｊは、拡大光学系１１８１ｊを介して塗装膜ＳＦに照射される加工光ＥＬｋの特性を、拡大光学系１１８１ｊを介することなく塗装膜ＳＦに照射される加工光ＥＬｋの特性とは異なるものにするという特性を有する。より具体的には、拡大光学系１１８１ｊは、拡大光学系１１８１ｊとｆθレンズ１１４とを介して塗装膜ＳＦに照射される加工光ＥＬｋの特性を、拡大光学系１１８１ｊを介さない一方でｆθレンズ１１４を介して塗装膜ＳＦに照射される加工光ＥＬｋの特性とは異なるものにするという特性を有する。

　拡大光学系１１８１ｊが変える加工光ＥＬｋの特性は、加工光ＥＬｋが最も収斂している収斂位置（つまり、フォーカス位置）ＢＦ（後述する図４７（ａ）及び図４７（ｂ）参照）における加工光ＥＬｋのビーム断面の大きさを含んでいてもよい。尚、加工光ＥＬｋのビーム断面は、加工光ＥＬｋの進行方向に交差する面（つまり、光学系１１２ｂの光軸に交差する面）における加工光ＥＬｋのビーム断面を意味する。このようなビーム断面は、典型的には、円形（楕円形を含む）となるため、以降、ビーム断面の大きさを表す指標の一例として、“ビーム径φ（後述する図４７（ａ）及び図４７（ｂ）参照）”を用いる。尚、ここで言うビーム径φは、加工光ＥＬｋの進行方向に交差する面（つまり、光学系１１２ｂの光軸に交差する面）内において加工光ＥＬｋの強度が所定閾値以上となる領域の径を意味していてもよい。この場合、拡大光学系１１８１ｊは、拡大光学系１１８１ｊとｆθレンズ１１４とを介して塗装膜ＳＦに照射される加工光ＥＬｋの収斂位置ＢＦにおけるビーム径φを、拡大光学系１１８１ｊを介さない一方でｆθレンズ１１４を介して塗装膜ＳＦに照射される加工光ＥＬｋの収斂位置ＢＦにおけるビーム径φとは異なるものにするという特性を有する。以降、拡大光学系１１８１ｊとｆθレンズ１１４とを介して塗装膜ＳＦに照射される加工光ＥＬｋの収斂位置ＢＦにおけるビーム径φを、“ビーム径φａ”と称する。また、拡大光学系１１８１ｊを介さない一方でｆθレンズ１１４を介して塗装膜ＳＦに照射される加工光ＥＬｋの収斂位置ＢＦにおけるビーム径φを、“ビーム径φｂ”と称する。

　第１０実施形態では特に、拡大光学系１１８１ｊは、ビーム径φａをビーム径φｂよりも大きくするという特性を有する。つまり、拡大光学系１１８１ｊは、拡大光学系１１８１ｊとｆθレンズ１１４とを介して塗装膜ＳＦに照射される加工光ＥＬｋの収斂位置ＢＦにおけるビーム断面の大きさを、拡大光学系１１８１ｊを介さない一方でｆθレンズ１１４を介して塗装膜ＳＦに照射される加工光ＥＬｋの収斂位置ＢＦにおけるビーム断面の大きさよりも大きくするという特性を有する。具体的には、拡大光学系１１８１ｊを介して塗装膜ＳＦに照射される加工光ＥＬｋのＸＺ平面に沿った断面を、加工光ＥＬｋのＸＹ平面に沿った断面と関連付けて示す断面図である図４７（ａ）に示すように、ビーム径φａは、第１の径φ１となる。一方で、拡大光学系１１８１ｊを介することなく塗装膜ＳＦに照射される加工光ＥＬｋのＸＺ平面に沿った断面を、加工光ＥＬｋのＸＹ平面に沿った断面と関連付けて示す断面図である図４７（ｂ）に示すように、ビーム径φｂは、第１の径φ１よりも小さい第２の径φ２となる。つまり、拡大光学系１１８１ｊは、加工光ＥＬｋの収斂位置ＢＦにおけるビーム径φを広げるための光学系として機能可能である。

　拡大光学系１１８１ｊが変える加工光ＥＬｋの特性は、収斂位置ＢＦの近傍における加工光ＥＬｋのビーム径φの変化率（特に、加工光ＥＬｋの進行方向に沿った方向における変化率）を含んでいてもよい。つまり、拡大光学系１１８１ｊが変える加工光ＥＬｋの特性は、収斂位置ＢＦの近傍に相当する領域内での、加工光ＥＬｋの進行方向に沿った方向における加工光ＥＬｋのビーム径φの変化率を含んでいてもよい。ここで言う収斂位置ＢＦの近傍に相当する領域は、光照射装置１１ｊの光学系（具体的には、フォーカスレンズ１１１、マルチビーム光学系１１２、ガルバノミラー１１３、ｆθレンズ１１４及び拡大光学系１１８１ｊを含む光学系）の焦点深度（ＤＯＦ：Ｄｅｐｔｈ　ｏｆ　Ｆｏｃｕｓ）の範囲内に収まる領域を意味していてもよい。つまり、収斂位置ＢＦの近傍に相当する領域は、その領域内に塗装膜ＳＦが配置された場合に塗装膜ＳＦを加工可能な強度分布を有する加工光ＥＬｋが照射される領域を意味していてもよい。

　第１０実施形態では特に、拡大光学系１１８１ｊは、ビーム径φａの変化率をビーム径φｂの変化率よりも小さくするという特性を有する。具体的には、図４７（ａ）及び図４７（ｂ）に示すように、加工光ＥＬｋのビーム径φは、収斂位置ＢＦから加工光ＥＬｋの進行方向（図４７（ａ）及び図４７（ｂ）に示す例では、Ｚ軸方向）に沿って離れるにつれて大きくなるように変化する。この場合、図４７（ａ）に示すように、収斂位置ＢＦにおけるビーム径φａに対する収斂位置ＢＦから所定距離離れた位置におけるビーム径φａの変化率（言い換えれば、差分）が相対的に小さくなる。一方で、図４７（ｂ）に示すように、収斂位置ＢＦにおけるビーム径φｂに対する収斂位置ＢＦから同じ所定距離離れた位置におけるビーム径φｂの変化率（言い換えれば、差分）が相対的に大きくなる。つまり、拡大光学系１１８１ｊは、収斂位置ＢＦの近傍におけるビーム径φの変化率を小さくするための光学系として機能可能である。

　このような拡大光学系１１８１ｊを備えている加工システムＳＹＳｊは、塗装膜ＳＦを相対的に細かい微細度で加工可能な波長を有する加工光ＥＬｋを用いて、塗装膜ＳＦを相対的に粗い微細度で加工することができるという技術的効果を有する。以下、このような第１０実施形態の加工システムＳＹＳｊが享受可能な技術的効果について、図４８（ａ）及び図４８（ｂ）を参照しながら説明する。図４８（ａ）は、拡大光学系１１８１ｊを備えていない比較例の加工システムが、塗装膜ＳＦを相対的に細かい微細度で加工可能な波長を有する加工光ＥＬｋを用いて、塗装膜ＳＦを相対的に粗い微細度で加工する様子を示す断面図である。図４８（ｂ）は、拡大光学系１１８１ｊを備えている第１０実施形態の加工システムＳＹＳｊが、塗装膜ＳＦを相対的に細かい微細度で加工可能な波長を有する加工光ＥＬｋを用いて、塗装膜ＳＦを相対的に粗い微細度で加工する様子を示す断面図である。

　拡大光学系１１８１ｊを備えていない比較例の加工システムは、拡大光学系１１８１ｊを介することなく加工光ＥＬｋを塗装膜ＳＦに照射する。このため、図２５（ａ）に示すように、収斂位置ＢＦにおける加工光ＥＬｋのビーム径φ（つまり、ビーム径φｂ）は、相対的に小さい第１の径φ１１となる。通常、フォーカスレンズ１１２１は、収斂位置ＢＦが塗装膜ＳＦの表面（或いは、その近傍）に位置するように加工光ＥＬｋの収斂位置ＢＦを調整する。この場合、塗装膜ＳＦの表面における加工光ＥＬｋのビーム径φは、概ね第１の径φ１１となる。塗装膜ＳＦの表面における加工光ＥＬｋのビーム径φが小さくなるほど、塗装膜ＳＦはより細かい微細度で加工可能となる。そうすると、この場合、比較例の加工システムは、１回の加工光ＥＬｋの照射（つまり、１回のスキャン動作）で相対的に広い幅を有する凹状構造ＣＰ１を形成することが困難である。つまり、比較例の加工システムは、塗装膜ＳＦの表面におけるビーム径φが相対的に小さい１本の加工光ＥＬｋの照射（つまり、１回のスキャン動作）で相対的に広い幅を有する凹状構造ＣＰ１を形成することが困難である。このため、比較例の加工システムは、相対的に広い幅を有する１本の凹状構造ＣＰ１（つまり、相対的に大きい配列ピッチＰ１の凹状構造ＣＰ１）を形成するために、相対的に狭い幅を有する複数の凹状構造ＣＰ１を互いに部分的に重複するように形成する必要がある。つまり、比較例の加工システムは、本来であれば相対的に狭い幅を有する複数本の凹状構造ＣＰ１を同時にそれぞれ形成するように照射される複数の加工光ＥＬｋを、相対的に広い幅を有する１本の凹状構造ＣＰ１を形成するために用いる必要がある。その結果、相対的に粗い微細度で塗装膜ＳＦを加工するために必要な時間が相対的に長くなる（つまり、スループットが悪化する）可能性がある。

　一方で、加工光ＥＬｋのビーム径φは、収斂位置ＢＦから加工光ＥＬｋの進行方向（図４８（ａ）及び図４８（ｂ）に示す例では、Ｚ軸方向）に沿って離れれば離れるほど大きくなる。このため、比較例の加工システムにおいても、図４８（ａ）に示すように収斂位置ＢＦからＺ軸方向に沿って離れた位置ＤＦに塗装膜ＳＦが位置するように駆動系１２が光照射装置１１をＺ軸方向に沿って移動させれば、塗装膜ＳＦ上での加工光ＥＬｋのビーム径φは、相対的に広い幅を有する凹状構造ＣＰ１を形成するのに適した第２の径φ１２（但し、第２の径φ１２は、第１の径φ１１よりも大きい）になる。その結果、比較例の加工システムは、塗装膜ＳＦの表面におけるビーム径φが相対的に大きい１本の加工光ＥＬｋの照射（つまり、１回のスキャン動作）で相対的に広い幅を有する凹状構造ＣＰ１を形成することができるようになる。しかしながら、この場合には、図４８（ａ）に示すように、相対的に広い幅を有する凹状構造ＣＰ１を形成することが可能な焦点深度の範囲が相対的に狭くなってしまう。具体的には、図４８（ａ）に示すように、相対的に広い幅を有する凹状構造ＣＰ１を形成することが可能な焦点深度の範囲は、相対的に狭い第１の範囲ＤＯＦ＃１に制限される。なぜならば、比較例における加工システムでは、収斂位置ＢＦ及び位置ＤＦのそれぞれの近傍における加工光ＥＬｋのビーム径φの変化率（特に、加工光ＥＬｋの進行方向に沿った方向における変化率）が相対的に大きいからである。具体的には、加工光ＥＬｋのビーム径φの変化率が相対的に大きい場合には、位置ＤＦを基点に収斂位置ＢＦから離れる方向に相対的に少ない移動量だけ塗装膜ＳＦが移動しただけで、加工光ＥＬｋから塗装膜ＳＦに対して単位時間当たりに及び／又は単位面積当たりに伝達されるエネルギー量が相対的に大きく減少してしまう。その結果、加工光ＥＬｋによって塗装膜ＳＦを蒸発させることができなくなる。また、加工光ＥＬｋのビーム径φの変化率が相対的に大きい場合には、位置ＤＦを基点に収斂位置ＢＦに近づく方向に相対的に少ない移動量だけ塗装膜ＳＦが移動しただけで、塗装膜ＳＦの表面上における加工光ＥＬｋのビーム径φが相対的に急激に小さくなる。その結果、塗装膜ＳＦの表面上における加工光ＥＬｋのビーム径φが、相対的に広い幅を有する凹状構造ＣＰ１を形成することができなくなるまで小さくなってしまう。

　他方で、第１０実施形態では、拡大光学系１１８１ｊを介して加工光ＥＬｋが塗装膜ＳＦに照射される。このため、図４８（ｂ）に示すように、加工システムＳＹＳｊが照射する加工光ＥＬｋの収斂位置ＢＦにおけるビーム径φ（つまり、φａ）は、比較例の加工システムが照射する加工光ＥＬｋの収斂位置ＢＦにおけるビーム径φ（つまり、図４８（ａ）に示す第１の径φ１１）よりも大きくなる。例えば、第１０実施形態では、加工光ＥＬｋの収斂位置ＢＦにおけるビーム径φは、相対的に広い幅を有する凹状構造ＣＰ１を形成するのに適した径φ１２にまで拡大する。逆に言えば、拡大光学系１１８１ｊの特性は、加工光ＥＬｋの収斂位置ＢＦにおけるビーム径φを、相対的に広い幅を有する凹状構造ＣＰ１を形成するのに適した径φ１２にまで拡大することが可能な所望特性にされている。

　更には、第１０実施形態では、拡大光学系１１８１ｊを介して加工光ＥＬｋが塗装膜ＳＦに照射されるがゆえに、収斂位置ＢＦの近傍におけるビーム径φの変化率は、比較例の加工システムが照射する加工光ＥＬｋの収斂位置ＢＦの近傍におけるビーム径φの変化率よりも小さくなる。このため、第１０実施形態では、比較例と比較して、相対的に広い幅を有する凹状構造ＣＰ１を形成することが可能な焦点深度の範囲が広くなる。このため、収斂位置ＢＦを基点に収斂位置ＢＦから離れる方向に塗装膜ＳＦが移動すると、加工光ＥＬｋから塗装膜ＳＦに対して単位時間当たりに及び／又は単位面積当たりに伝達されるエネルギー量は相対的に緩やかに減少するに過ぎない（つまり、急激に減少することはない）。その結果、加工光ＥＬｋによって塗装膜ＳＦを蒸発させることができなくなる可能性は相対的に小さい。このため、図４８（ｂ）に示すように、相対的に広い幅を有する凹状構造ＣＰ１を形成することが可能な焦点深度の範囲は、比較例における第１の範囲ＤＯＦ＃１よりも広い第２の範囲ＤＯＦ＃２にまで広がる。

　このように、第１０実施形態の加工システムＳＹＳｊは、塗装膜ＳＦを相対的に細かい微細度で加工可能な波長を有する加工光ＥＬｋを用いて、塗装膜ＳＦを相対的に粗い微細度で加工することができる。更には、加工システムＳＹＳｊは、相対的に広い幅を有する凹状構造ＣＰ１を形成することが可能な焦点深度の範囲を過度に狭くしてしまうことはない。このため、Ｚ軸方向における塗装膜ＳＦと光照射装置１１ｊとの相対位置の変動に対する耐性が強くなる。つまり、Ｚ軸方向における塗装膜ＳＦと光照射装置１１ｊとの相対位置が変動したとしても、加工システムＳＹＳｊが塗装膜ＳＦを適切に加工できる可能性が高くなる。更には、加工システムＳＹＳｊは、上述した加工システムＳＹＳａが享受可能な効果と同様の効果もまた享受可能である。

　（１０－２）拡大光学系１１８１ｊの具体例
　続いて、拡大光学系１１８１ｊの具体例について説明する。

　（１０－２－１）拡大光学系１１８１ｊの第１具体例
　拡大光学系１１８１ｊは、ソフトフォーカスレンズ（つまり、軟焦点レンズ）を含んでいてもよい。ソフトフォーカスレンズは、ソフトフォーカスレンズを拡大光学系１１８１ｊとして含まない光照射装置１１の光学系を介した加工光ＥＬｋの収斂位置ＢＦにおけるビーム径φ（つまり、ビーム径φｂ）と比較して、ソフトフォーカスレンズを拡大光学系１１８１ｊとして含む光照射装置１１ｊの光学系を介した加工光ＥＬｋの収斂位置ＢＦにおけるビーム径φ（つまり、ビーム径φａ）を拡大可能な光学素子である。更に、ソフトフォーカスレンズは、ソフトフォーカスレンズを拡大光学系１１８１ｊとして含まない光照射装置１１の光学系の焦点深度と比較して、ソフトフォーカスレンズを拡大光学系１１８１ｊとして含む光照射装置１１ｊの光学系の焦点深度を広げることが可能な光学素子である。光照射装置１１の光学系の焦点深度が広がるほど収斂位置ＢＦの近傍における加工光ＥＬｋのビーム径φの変化率が小さくなるがゆえに、ソフトフォーカスレンズは、ビーム径φｂの変化率と比較してビーム径φの変化率ａを小さくすることが可能な光学素子であると言える。このため、ソフトフォーカスレンズは、拡大光学系１１８１ｊとして機能可能である。

　ソフトフォーカスレンズは、例えば、複数のレンズを含む。ソフトフォーカスレンズは、複数のレンズを介して、複数のレンズを通過する加工光ＥＬｋに対して縦収差（典型的には、球面収差）を付与する。ソフトフォーカスレンズは、加工光ＥＬｋに縦収差（典型的には、球面収差）を付与することで、加工光ＥＬｋの特性２を上述した態様で変える。尚、ソフトフォーカスレンズは、加工光ＥＬｋに対して球面収差を付与するものには限定されない。

　（１０－２－２）拡大光学系１１８１ｊの第２具体例
　ソフトフォーカスレンズが加工光ＥＬｋに球面収差を付与することで加工光ＥＬｋの特性を上述した態様で変えていることを考慮すると、拡大光学系１１８１ｊは、ソフトフォーカスレンズに加えて又は代えて、加工光ＥＬｋに球面収差を付与する収差付与光学素子を含んでいてもよい。或いは、収差付与光学素子は、球面収差に加えて又は変えて、光学系１１２ｂの光軸（特に、拡大光学系１１８１ｊの光軸）に対して回転対称な収差を加工光ＥＬｋに対して付与してもよい。この場合、収差付与光学素子は、球面収差又は光照射装置１１ｊの光学系の光軸（特に、拡大光学系１１８１ｊの光軸）に対して回転対称な収差を加工光ＥＬｋに対して付与することで、加工光ＥＬｋの特性を上述した態様で変える。このため、収差付与光学素子の特性（特に、加工光ＥＬｋに対する収差の付与に関する特性）は、収差付与光学素子を含む拡大光学系１１８１ｊを介して塗装膜ＳＦに照射される加工光ＥＬｋの特性を、収差付与光学素子を含む拡大光学系１１８１ｊを介することなく塗装膜ＳＦに照射される加工光ＥＬｋの特性とは異なるものにすることが可能な所望特性に設定されている。

　（１０－２－３）拡大光学系１１８１ｊの第３具体例
　拡大光学系１１８１ｊは、ソフトフォーカスレンズ及び収差付与光学素子の少なくとも一方に加えて又は代えて、粗面光学素子を含んでいてもよい。粗面光学素子は、表面の少なくとも一部が粗面となっている光学素子であってもよい。粗面光学素子は、表面の少なくとも一部が光を散乱させることが可能な散乱面となっている光学素子であってもよい。粗面光学素子は、微小な凹凸が表面に形成された光学素子であってもよい。このような粗面光学素子の一例として、すりガラス、つや消しガラス、オパールガラス及びレモンスキン板のうち少なくとも一つがあげられる。尚、レモンスキン板は、すりガラスを酸で処理してその凹凸を滑らかにしたものである。

　粗面光学素子は、粗面となっている、散乱面となっている及び／又は凹凸が形成された表面を介して粗面光学素子に入射した加工光ＥＬｋを実質的には拡散させる。粗面光学素子は、加工光ＥＬｋを拡散させることで、加工光ＥＬｋの特性を上述した態様で変える。このため、粗面光学素子の特性（特に、加工光ＥＬｋの拡散に関する特性）は、粗面光学素子を含む拡大光学系１１８１ｊを介して塗装膜ＳＦに照射される加工光ＥＬｋの特性を、粗面光学素子を含む拡大光学系１１８１ｊを介することなく塗装膜ＳＦに照射される加工光ＥＬｋの特性とは異なるものにすることが可能な所望特性に設定されている。

　（１０－２－４）拡大光学系１１８１ｊの第４具体例
　粗面光学素子が加工光ＥＬｋを拡散させることで加工光ＥＬｋの特性を上述した態様で変えていることを考慮すると、拡大光学系１１８１ｊは、ソフトフォーカスレンズ、収差付与光学素子及び粗面光学素子の少なくとも一つに加えて又は代えて、加工光ＥＬｋを拡散可能な拡散光学素子を含んでいてもよい。このような拡散光学素子の一例として、拡散板、乳白色の樹脂及び和紙の少なくとも一つがあげられる。

　拡散光学素子は、加工光ＥＬｋを拡散させることで、加工光ＥＬｋの特性を上述した態様で変える。このため、拡散光学素子の特性（特に、加工光ＥＬｋの拡散に関する特性）は、拡散光学素子を含む拡大光学系１１８１ｊを介して塗装膜ＳＦに照射される加工光ＥＬｋの特性を、拡散光学素子を含む拡大光学系１１８１ｊを介することなく塗装膜ＳＦに照射される加工光ＥＬｋの特性とは異なるものにすることが可能な所望特性に設定されている。

　（１０－３）マルチビーム光学系１１２による拡大光学系１１８１ｊの代替
　上述したように、本来であれば相対的に狭い幅を有する複数本の凹状構造ＣＰ１を同時にそれぞれ形成するように照射される複数の加工光ＥＬｋを、相対的に広い幅を有する１本の凹状構造ＣＰ１を形成するために用いる方法は、加工システムＳＹＳｊのスループットの悪化につながる。しかしながら、この方法によれば、塗装膜ＳＦを相対的に細かい微細度で加工可能な波長を有する加工光ＥＬｋを用いて、塗装膜ＳＦを相対的に粗い微細度で加工することができることに変わりはない。つまり、加工システムＳＹＳｊは、本来であれば相対的に狭い幅を有する複数本の凹状構造ＣＰ１を同時にそれぞれ形成するように照射される複数の加工光ＥＬｋを、相対的に広い幅を有する１本の凹状構造ＣＰ１を形成するために用いてもよい。

　この場合、マルチビーム光学系１１２は、複数の加工光ＥＬｋを重ね合わせてもよい。具体的には、複数の加工光ＥＬｋを重ね合わせる様子を示す断面図である図４９の左側に示すように、マルチビーム光学系１１２は、複数の加工光ＥＬｋ（図４９に示す例では、加工光ＥＬｋ＃１からＥＬｋ＃ｎ）を重ね合わせる。その結果、図４９の右側に示すように、光照射装置１１ｊ（特に、マルチビーム光学系１１２）からは、複数の加工光ＥＬｋが重なることであたかも１本の光としてみなすことが可能な加工光ＥＬｋｊが射出される。その結果、マルチビーム光学系１１２が射出する加工光ＥＬｋｊの収斂位置ＢＦにおけるビーム径φは、光源１１０が射出する加工光ＥＬｋの収斂位置ＢＦにおけるビーム径φよりも大きくなる。図４９に示す例では、光源１１０が射出する加工光ＥＬｋの収斂位置ＢＦにおけるビーム径φが上述した第１の径φ１である一方で、マルチビーム光学系１１２が射出する加工光ＥＬｋｊの収斂位置ＢＦにおけるビーム径φは、第１の径φ１よりも大きい上述した第２の径φ２になっている。

　尚、マルチビーム光学系１１２が複数の加工光ＥＬｋを重ね合わせることで加工光ＥＬｊが生成される場合には、光照射装置１１ｊは、拡大光学系１１８１ｊを備えていなくてもよい。或いは、拡大光学系１１８１ｊが、マルチビーム光学系１１２が射出する複数の加工光ＥＬｋを重ね合わせることが可能な合成光学素子を含んでいてもよい。また、マルチビーム光学系１１２によって複数の加工光ＥＬｋを重ね合わせて加工光ＥＬｊを生成する場合に、拡大光学系１１８１ｊを併用してもよい。

　但し、複数の加工光ＥＬｋが重ね合わせられることで加工光ＥＬｊが生成される場合には、加工光ＥＬｊの収斂位置ＢＦの近傍におけるビーム径φの変化率が、加工光ＥＬｋの収斂位置ＢＦの近傍におけるビーム径φの変化率よりも小さくならない可能性がある。このため、複数の加工光ＥＬｋが重ね合わせられることで加工光ＥＬｊが生成される場合には、光照射装置１１ｊは、加工光ＥＬｊの収斂位置ＢＦの近傍におけるビーム径φの変化率を、加工光ＥＬｋの収斂位置ＢＦの近傍におけるビーム径φの変化率よりも小さくすることが可能な変化率調整光学素子を含んでいてもよい。

　このような変化率調整光学素子の一例として、光照射装置１１ｊの光学系（特に、マルチビーム光学系１１２又は拡大光学系１１８１ｊ）の開口数を調整するためのＮＡ（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ　Ａｐｅｒｔｕｒｅ：開口数）調整光学素子があげられる。ＮＡ調整光学素子は、ＮＡ調整光学素子を含む光学系の開口数を、ＮＡ調整光学素子を含まない光学系の開口数よりも小さくするという特性を有する。その結果、ＮＡ調整光学素子を含む光学系から塗装膜ＳＦに照射される加工光ＥＬｊ及びＮＡ調整光学素子を含まない光学系から塗装膜ＳＦに照射される加工光ＥＬｊを示す断面図である図５０に示すように、ＮＡ調整光学素子を含む光学系から塗装膜ＳＦに照射される加工光ＥＬｊの収斂位置ＢＦの近傍におけるビーム径φの変化率は、ＮＡ調整光学素子を含まない光学系から塗装膜ＳＦに照射される加工光ＥＬｊの収斂位置ＢＦの近傍におけるビーム径φの変化率よりも小さくなる。

　（１０－４）拡大光学系１１８１ｊの状態制御
　拡大光学系１１８１ｊの状態は、拡大光学系１１８１ｊが加工光ＥＬｋの光路上に位置する状態と、拡大光学系１１８１ｊが加工光ＥＬｋの光路上に位置しない状態（つまり、加工光ＥＬｋが拡大光学系１１８１ｊを介することなく塗装膜ＳＦに照射される状態）との間で切り替えられてもよい。拡大光学系１１８１ｊが加工光ＥＬｋの光路上に位置する状態は、加工光ＥＬｋが拡大光学系１１８１ｊを介して塗装膜ＳＦに照射される状態と等価である。拡大光学系１１８１ｊが加工光ＥＬｋの光路上に位置しない状態は、加工光ＥＬｋが拡大光学系１１８１ｊを介することなく塗装膜ＳＦに照射される状態と等価である。このため、拡大光学系１１８１ｊの状態は、加工光ＥＬｋが拡大光学系１１８１ｊを介して塗装膜ＳＦに照射される状態と、加工光ＥＬｋが拡大光学系１１８１ｊを介することなく塗装膜ＳＦに照射される状態との間で切り替えられるとも言える。

　拡大光学系１１８１ｊの状態を切り替えるために、光照射装置１１ｊは、第１０実施形態における光照射装置１１ｊの他の例を示す斜視図である図５１に示すように、駆動系１１８２ｊを備えていてもよい。駆動系１１８２ｊは、制御装置２の制御下で、拡大光学系１１８１ｊを移動させる。例えば、駆動系１１８２ｊは、光照射装置１１ｊが備える光学系の光軸（特に、拡大光学系１１８１ｊの光軸）に交差する方向に沿って拡大光学系１１８１ｊを移動させる。例えば、駆動系１１８２ｊを、加工光ＥＬｋの光路上に位置する拡大光学系１１８１ｊを、拡大光学系１１８１ｊが加工光ＥＬｋの光路上に位置しなくなるまで移動させる。例えば、駆動系１１８２ｊを、加工光ＥＬｋの光路上に位置していない拡大光学系１１８１ｊを、拡大光学系１１８１ｊが加工光ＥＬｋの光路上に位置するようになるまで移動させる。つまり、駆動系１１８２ｊにより、拡大光学系１１８１ｊは、加工光ＥＬｋの光路に対して挿脱可能であってもよい。

　このような拡大光学系１１８１ｊの状態の切り替えに伴って、加工システムＳＹＳｊの状態は、拡大光学系１１８１ｊを介して加工光ＥＬｋを塗装膜ＳＦに照射される第１状態と、拡大光学系１１８１ｊを介することなく加工光ＥＬｋを塗装膜ＳＦに照射される第２状態との間で切り替えられる。第１状態にある加工システムＳＹＳｊは、収斂位置ＢＦの近傍におけるビーム径φが相対的に大きい加工光ＥＬｋ（図４８（ａ）参照）を用いて塗装膜ＳＦを加工することができる。つまり、第１状態にある加工システムＳＹＳｊは、相対的に粗い微細度で塗装膜ＳＦを加工することができる。一方で、第２状態にある加工システムＳＹＳｊは、収斂位置ＢＦの近傍におけるビーム径φが相対的に小さい加工光ＥＬｋ（図４８（ｂ）参照）を用いて塗装膜ＳＦを加工することができる。つまり、第２状態にある加工システムＳＹＳｊは、相対的に細かい微細度で塗装膜ＳＦを加工することができる。

　このため、制御装置２は、加工対象物Ｓの加工に要求される微細度に関する条件を含む加工対象物Ｓの加工条件に基づいて加工システムＳＹＳｊの状態（つまり、拡大光学系１１８１ｊの状態）を切り替えてもよい。つまり、制御装置２は、塗装膜ＳＦ又は塗装膜ＳＦ’の加工条件に基づいて加工システムＳＹＳｊの状態（つまり、拡大光学系１１８１ｊの状態）を切り替えてもよい。例えば、制御装置２は、加工対象物Ｓの加工条件が第１の条件＃１ｂである場合には、加工システムＳＹＳｊの状態が第１及び第２状態のいずれか一方になるように、拡大光学系１１８１ｊの状態を制御してもよい。例えば、制御装置２は、加工対象物Ｓの加工条件が第１の条件＃１ｂとは異なる第２の条件＃２ｂであるである場合には、加工システムＳＹＳｊの状態が第１及び第２状態のいずれか他方になるように、拡大光学系１１８１ｊの状態を制御してもよい。例えば、制御装置２は、加工対象物Ｓの加工に要求される微細度が第１の微細度＃１１ｂである場合には、加工システムＳＹＳｊの状態が第１及び第２状態のいずれか一方になるように、拡大光学系１１８１ｊの状態を制御してもよい。例えば、制御装置２は、加工対象物Ｓの加工に要求される微細度が第１の微細度＃１１ｂとは異なる第２の微細度＃１２ｂである場合には、加工システムＳＹＳｊの状態が第１及び第２状態のいずれか他方になるように、拡大光学系１１８１ｊの状態を制御してもよい。

　具体的には、例えば、制御装置２は、加工対象物Ｓの加工に要求される微細度が第１の微細度＃２１ｂである場合には、加工システムＳＹＳｊの状態が第１状態になるように、拡大光学系１１８１ｊの状態を制御してもよい。例えば、制御装置２は、加工対象物Ｓの加工に要求される微細度が第１の微細度＃２１ｂよりも細かい第２の微細度＃２２ｂである場合には、加工システムＳＹＳｊの状態が第２状態になるように、拡大光学系１１８１ｊの状態を制御してもよい。或いは、例えば、制御装置２は、加工対象物Ｓの加工に要求される微細度が第１の微細度＃３１ｂである場合には、加工システムＳＹＳｊの状態が第２状態になるように、拡大光学系１１８１ｊの状態を制御してもよい。例えば、制御装置２は、加工対象物Ｓの加工に要求される微細度が第１の微細度＃３１ｂよりも粗い第２の微細度＃３２ｂである場合には、加工システムＳＹＳｊの状態が第１状態になるように、拡大光学系１１８１ｊの状態を制御してもよい。

　例えば、制御装置２は、第１の配列ピッチＰ１＃１１ｂの凹状構造ＣＰ１及び／又は第１の配列ピッチＰ２＃１１ｂの凸状構造ＣＰ２を形成する場合には、加工システムＳＹＳｊの状態が第１状態になるように、拡大光学系１１８１ｊの状態を制御してもよい。例えば、制御装置２は、第１の配列ピッチＰ１＃１１ｂよりも小さい第２の配列ピッチＰ１＃１２ｂの凹状構造ＣＰ１及び／又は第１の配列ピッチＰ２＃１１ｂよりも小さい第２の配列ピッチＰ２＃１２ｂの凸状構造ＣＰ２を形成する場合には、加工システムＳＹＳｊの状態が第２状態になるように、拡大光学系１１８１ｊの状態を制御してもよい。或いは、例えば、制御装置２は、第１の配列ピッチＰ１＃２１ｂの凹状構造ＣＰ１及び／又は第１の配列ピッチＰ２＃２１ｂの凸状構造ＣＰ２を形成する場合には、加工システムＳＹＳｊの状態が第２状態になるように、拡大光学系１１８１ｊの状態を制御してもよい。例えば、制御装置２は、第１の配列ピッチＰ１＃２１ｂよりも大きい第２の配列ピッチＰ１＃２２ｂの凹状構造ＣＰ１及び／又は第１の配列ピッチＰ２＃２１ｂよりも大きい第２の配列ピッチＰ２＃２２ｂの凸状構造ＣＰ２を形成する場合には、加工システムＳＹＳｊの状態が第２状態になるように、拡大光学系１１８１ｊの状態を制御してもよい。

　例えば、制御装置２は、第１の幅＃１１１ｂを有する凹状構造ＣＰ１及び／又は第１の幅＃２１１ｂを有する凸状構造ＣＰ２を形成する場合には、加工システムＳＹＳｊの状態が第１状態になるように、拡大光学系１１８１ｊの状態を制御してもよい。例えば、制御装置２は、第１の幅＃１１１ｂよりも狭い第２を有する幅＃１１２ｂの凹状構造ＣＰ１及び／又は第１の幅＃２１１ｂよりも狭い第２の幅＃２１２ｂを有する凸状構造ＣＰ２を形成する場合には、加工システムＳＹＳｊの状態が第２状態になるように、拡大光学系１１８１ｊの状態を制御してもよい。或いは、例えば、制御装置２は、第１の幅＃１２１ｂを有する凹状構造ＣＰ１及び／又は第１の幅＃２２１ｂを有する凸状構造ＣＰ２を形成する場合には、加工システムＳＹＳｊの状態が第２状態になるように、拡大光学系１１８１ｊの状態を制御してもよい。例えば、制御装置２は、第１の幅＃１２１ｂよりも広い第２を有する幅＃１２２ｂの凹状構造ＣＰ１及び／又は第１の幅＃２２１ｂよりも広い第２の幅＃２２２ｂを有する凸状構造ＣＰ２を形成する場合には、加工システムＳＹＳｊの状態が第１状態になるように、拡大光学系１１８１ｊの状態を制御してもよい。

　このように拡大光学系１１８１ｊの状態を切替可能な加工システムＳＹＳｊは、拡大光学系１１８１ｊの状態が切り替えることができない加工システムと比較して、塗装膜ＳＦをより適切に加工することができる。具体的には、加工システムＳＹＳｊは、加工対象物Ｓの加工に要求される微細度の大小に関わらず塗装膜ＳＦを適切に加工することができる。

　尚、拡大光学系１１８１ｊは、アフォーカル光学系であってもよい。また、拡大光学系１１８１ｊの倍率（アフォーカル光学系の場合は角倍率）は変更可能であってもよい。拡大光学系１１８１ｊは変倍光学系、又はズーム光学系であってもよい。尚、拡大光学系１１８１ｊの倍率は拡大倍率には限定されず、等倍であってもよく、縮小倍率であってもよい。

　尚、マルチビーム光学系１１２を備える加工システムＳＹＳｊ等に限らず、加工対象物Ｓを加工してリブレット構造を形成する任意の加工システムが、拡大光学系１１８１ｊを備えていてもよい。同様に、加工対象物Ｓを加工してリブレット構造を形成する任意の加工システムが、拡大光学系１１８１ｊを移動させる駆動系１１８２ｊを備えていてもよい。つまり、加工システムＳＹＳｊは、マルチビーム光学系１１２を備えていなくてもよい。

　第１０実施形態の加工システムＳＹＳｊは、上述した第２実施形態の加工システムＳＹＳｂから第９実施形態の加工システムＳＹＳｉの少なくとも一つに特有の構成要件を備えていてもよい。第９実施形態の加工システムＳＹＳｉに特有の構成要件は、スキャン方向の決定に関する構成要件を含む。

　（１１）第１１実施形態の加工システムＳＹＳｋ
　続いて、第１１実施形態の加工システムＳＹＳ（以降、第１１実施形態の加工システムＳＹＳを、“加工システムＳＹＳｋ”と称する）について説明する。第１１実施形態の加工システムＳＹＳｋは、上述した加工システムＳＹＳａの構造と同一であってもよい。更に、第９実施形態の加工システムＳＹＳｋは、上述した加工システムＳＹＳａと同様に、複数の加工光ＥＬｋがＸ軸及びＹ軸のいずれか一方に沿って塗装膜ＳＦを走査するスキャン動作と、塗装膜ＳＦ上で複数の目標照射領域ＥＡをＸ軸及びＹ軸のいずれか他方に沿って所定量だけ移動させるステップ動作とを交互に繰り返してリブレット構造を形成する。但し、第１１実施形態の加工システムＳＹＳｋは、上述した加工システムＳＹＳａと比較して、以下の点で異なっている。

　具体的には、加工システムＳＹＳａでは、図１１に示したように、加工ショット領域ＳＡ内で複数回行われるスキャン動作による加工光ＥＬｋの走査方向（つまり、目標照射領域ＥＡの移動方向、以下同じ）は、互いに同じになる。つまり、加工ショット領域ＳＡ内に設定される複数のスキャン領域ＳＣＡをそれぞれ走査する複数の加工光ＥＬｋの走査方向は、互いに同じになる。複数のスキャン領域ＳＣＡ内での目標照射領域ＥＡの移動方向は、互いに同じになる。一方で、第１１実施形態の加工システムＳＹＳｋは、スキャン動作による加工光ＥＬｋの走査方向を変更してもよい。加工システムＳＹＳｋは、スキャン動作による目標照射領域ＥＡの移動方向を変更してもよい。つまり、制御装置２は、加工対象物Ｓを加工する期間中に、スキャン動作による加工光ＥＬｋの走査方向を変更するように、加工装置１を制御してもよい。制御装置２は、加工対象物Ｓを加工する期間中に、スキャン動作による目標照射領域ＥＡの移動方向を変更するように、加工装置１を制御してもよい。尚、目標照射領域ＥＡの移動方向と加工光ＥＬｋの走査方向とは同じになるため、以下の説明では、特段の説明がない限りは、目標照射領域ＥＡの移動方向に関する説明は、加工光ＥＬｋの走査方向に関する説明として取り扱ってもよい。

　目標照射領域ＥＡの移動方向を変更する場合、加工システムＳＹＳｋは、スキャン動作として、塗装膜ＳＦの表面上において目標照射領域ＥＡを一の方向（例えば、－Ｙ側から＋Ｙ側に向かう方向であり、以降“＋Ｙ方向”と称する）に向かって移動させながら所望のタイミングで目標照射領域ＥＡに加工光ＥＬｋを照射するスキャン動作（以降、“スキャン動作（＋Ｙ）”と称する）と、塗装膜ＳＦの表面上において目標照射領域ＥＡを一の方向とは逆向きの他の方向（例えば、＋Ｙ側から－Ｙ側に向かう方向であり、以降“－Ｙ方向”と称する）に向かって移動させながら所望のタイミングで目標照射領域ＥＡに加工光ＥＬｋを照射するスキャン動作（以降、“スキャン動作（－Ｙ）”と称する）とを行う。この場合、加工装置１は、加工対象物Ｓを加工する期間中にスキャン動作（＋Ｙ）とスキャン動作（－Ｙ）とをそれぞれ少なくとも１回以上行うことになる。

　加工システムＳＹＳｋは、複数のスキャン領域ＳＣＡのうちの一のスキャン領域ＳＣＡ内での目標照射領域ＥＡの移動方向と、他のスキャン領域ＳＣＡ内での目標照射領域ＥＡの移動方向とが異なるものとなるように、目標照射領域ＥＡの移動方向を変更してもよい。具体的には、加工システムＳＹＳｋは、一のスキャン領域ＳＣＡに対して、スキャン動作（＋Ｙ）及びスキャン動作（－Ｙ）のいずれか一方を行い、その後、ステップ動作を行い、その後、他のスキャン領域ＳＣＡに対して、スキャン動作（＋Ｙ）及びスキャン動作（－Ｙ）のいずれか他方を行う。

　一例として、目標照射領域ＥＡの移動軌跡の一例を示す平面図である図５２に示すように、加工システムＳＹＳｋは、スキャン領域ＳＣＡ＃１に対して、スキャン動作（＋Ｙ）を行う。その結果、スキャン領域ＳＣＡ＃１内において目標照射領域ＥＡがＹ軸方向に沿って且つ－Ｙ側から＋Ｙ側に向かって移動する。この場合、スキャン領域ＳＣＡ＃１の－Ｙ側の端部が、スキャン領域ＳＣＡ＃１のスキャン開始位置ＳＣ＿ｓｔａｒｔ＃１となり、スキャン領域ＳＣＡ＃１の＋Ｙ側の端部が、スキャン領域ＳＣＡ＃１のスキャン終了位置ＳＣ＿ｅｎｄ＃１となる。加工システムＳＹＳｋは、スキャン領域ＳＣＡ＃１内において目標照射領域ＥＡが移動する期間中に、所望のタイミングで加工光ＥＬｋを照射する。その後、加工システムＳＹＳｋは、スキャン領域ＳＣＡ＃１に対してＸ軸方向に沿って隣接するスキャン領域ＳＣＡ＃２に対してスキャン動作を行うために、ステップ動作を行う。つまり、加工システムＳＹＳｋは、目標照射領域ＥＡがスキャン領域ＳＣＡ＃１のスキャン終了位置ＳＣ＿ｅｎｄ＃１からスキャン領域ＳＣＡ＃２のスキャン開始位置ＳＣ＿ｓｔａｒｔ＃２へと移動するように、ステップ動作を行う。この際、スキャン領域ＳＣＡ＃２ではスキャン動作（－Ｙ）が行われるため、スキャン領域ＳＣＡ＃２の＋Ｙ側の端部が、スキャン領域ＳＣＡ＃２のスキャン開始位置ＳＣ＿ｓｔａｒｔ＃２となる。その後、加工システムＳＹＳｋは、スキャン領域ＳＣＡ＃２に対して、スキャン動作（－Ｙ）を行う。その結果、スキャン領域ＳＣＡ＃２内において目標照射領域ＥＡがＹ軸方向に沿って且つ＋Ｙ側から－Ｙ側に向かって移動する。この場合、スキャン領域ＳＣＡ＃２の－Ｙ側の端部が、スキャン領域ＳＣＡ＃２のスキャン終了位置ＳＣ＿ｅｎｄ＃２となる。加工装置１は、スキャン領域ＳＣＡ＃２内において目標照射領域ＥＡが移動する期間中に、所望のタイミングで加工光ＥＬｋを照射する。

　図５２に示す例では、スキャン終了位置ＳＣ＿ｅｎｄ＃１となるスキャン領域ＳＣＡ＃１の＋Ｙ側の端部からスキャン開始位置ＳＣ＿ｓｔａｒｔ＃２となるスキャン領域ＳＣＡ＃２の＋Ｙ側の端部までの距離は、スキャン領域ＳＣＡ＃１の＋Ｙ側の端部からスキャン領域ＳＣＡ＃２の＋Ｙ側の端部（つまり、目標照射領域ＥＡの移動方向が変更されない場合にスキャン開始位置ＳＣ＿ｓｔａｒｔ＃２となる位置であり、図１１参照）までの距離よりも短くなる。このため、図５２に示す例では、目標照射領域ＥＡの移動方向が変更される場合におけるステップ動作による目標照射領域ＥＡの移動量は、目標照射領域ＥＡの移動方向が変更されない場合におけるステップ動作による目標照射領域ＥＡの移動量（図１１参照）よりも少なくなる。その結果、目標照射領域ＥＡを移動させるために動作するガルバノミラー１１３の負荷が低減される。

　例えば、加工システムＳＹＳｋは、一のスキャン領域ＳＣＡのうちの第１部分内での目標照射領域ＥＡの移動方向と、同じ一のスキャン領域ＳＣＡうちの第２部分内での目標照射領域ＥＡの移動方向とが異なるものとなるように、目標照射領域ＥＡの移動方向を変更してもよい。この場合、加工システムＳＹＳｋは、一のスキャン領域ＳＣＡに対して、スキャン動作（＋Ｙ）及びスキャン動作（－Ｙ）の双方を行う。

　一例として、目標照射領域ＥＡの移動軌跡の一例を示す平面図である図５３に示すように、一のスキャン領域ＳＣＡに対して、スキャン動作（＋Ｙ）及びスキャン動作（－Ｙ）の双方が行われる場合には、一のスキャン領域ＳＣＡ内において、各スキャン動作で加工光ＥＬｋが実際に照射されることが予定されている領域である加工領域ＦＡが複数設定される。図５３に示す例では、一のスキャン領域ＳＣＡ内に加工領域ＦＡ＃１及びＦＡ＃２が設定される。従って、この例では、加工システムＳＹＳｋは、加工領域ＦＡ＃１に対してスキャン動作（＋Ｙ）及びスキャン動作（－Ｙ）のいずれか一方を行い、加工領域ＦＡ＃２に対してスキャン動作（＋Ｙ）及びスキャン動作（－Ｙ）のいずれか他方を行う。例えば、加工領域ＦＡ＃１に対してスキャン動作（＋Ｙ）を行う場合には、加工領域ＦＡ＃１の－Ｙ側の端部が加工領域ＦＡ＃１の加工開始位置Ｆ＿ｓｔａｒｔ＃１になり、加工領域ＦＡ＃１の＋Ｙ側の端部が加工領域ＦＡ＃１の加工終了位置Ｆ＿ｅｎｄ＃１になる。その結果、加工領域ＦＡ＃１内において目標照射領域ＥＡがＹ軸方向に沿って且つ－Ｙ側から＋Ｙ側に向かって移動する。加工システムＳＹＳｋは、加工領域ＦＡ＃１内において目標照射領域ＥＡが移動する期間中に、所望のタイミングで加工光ＥＬｋを照射する。その後、加工システムＳＹＳｋは、加工領域ＦＡ＃１とは異なる加工領域ＦＡ＃２に対してスキャン動作（－Ｙ）を行う。この場合、加工領域ＦＡ＃２の＋Ｙ側の端部が加工領域ＦＡ＃２の加工開始位置Ｆ＿ｓｔａｒｔ＃２になり、加工領域ＦＡ＃２の－Ｙ側の端部が加工領域ＦＡ＃２の加工終了位置Ｆ＿ｅｎｄ＃２になる。このため、加工システムＳＹＳｋは、ガルバノミラー１１３を用いて、目標照射領域ＥＡを、加工領域ＦＡ＃１の加工終了位置Ｆ＿ｅｎｄ＃１から加工領域ＦＡ＃２の加工開始位置Ｆ＿ｓｔａｒｔ＃２へと向かうように、Ｙ軸方向に沿って且つ－Ｙ側から＋Ｙ側に向かって移動させる。尚、図５３は、説明の便宜上、目標照射領域ＥＡがＹ軸方向のみならずＸ軸方向にも沿って移動しているかのように目標移動領域ＥＡの移動軌跡を描画しているが、実際には、目標移動領域ＥＡは、Ｘ軸方向に沿って移動していなくてもよい。この際、加工システムＳＹＳｋは、加工光ＥＬｋを照射しない。尚、加工光ＥＬｋを照射することなく目標照射領域ＥＡをＹ軸方向に沿って移動させる動作は、目標照射領域ＥＡを少なくともＸ軸方向に沿って移動させる動作ではないがゆえに、ステップ動作ではない。第１１実施形態では、この動作を、説明の便宜上、“スキャン動作（非照射）”と称する。従って、図５３に示す例では、加工システムＳＹＳｋは、スキャン動作を行い、その後、ステップ動作を行うことなくスキャン動作（非照射）を行い、その後、スキャン動作を行っていると言える。つまり、図５３に示す例では、加工システムＳＹＳｋは、スキャン動作を行う都度、ステップ動作を行うことなくスキャン動作（非照射）を行った上で、再度スキャン動作を行っていると言える。その後、加工システムＳＹＳｋは、加工領域ＦＡ＃２に対して、スキャン動作（－Ｙ）を行う。その結果、加工領域ＦＡ＃２内において目標照射領域ＥＡがＹ軸方向に沿って且つ＋Ｙ側から－Ｙ側に向かって移動する。加工システムＳＹＳｋは、加工領域ＦＡ＃２内において目標照射領域ＥＡが移動する期間中に、所望のタイミングで加工光ＥＬｋを照射する。スキャン領域ＳＣＡに更に加工領域ＦＡが含まれている場合には、加工システムＳＹＳｋは、同様の動作を繰り返す。この場合、加工システムＳＹＳｋは、同じスキャン領域ＳＣＡ内でスキャン動作（＋Ｙ）とスキャン動作（－Ｙ）とをそれぞれ少なくとも１回以上行うことになる。スキャン領域ＳＣＡに対するスキャン動作が完了した後（つまり、スキャン領域ＳＣＡに含まれる複数の加工領域ＦＡに対してそれぞれ行われる複数のスキャン動作が完了した後）には、ステップ動作が行われた後に、別のスキャン領域ＳＣＡに対してスキャン動作が行われる。

　尚、一のスキャン領域ＳＣＡに対して、スキャン動作（＋Ｙ）及びスキャン動作（－Ｙ）のいずれか一方が行われる（つまり、スキャン動作（＋Ｙ）及びスキャン動作（－Ｙ）のいずれか他方が行われない）場合であっても、一のスキャン領域ＳＣＡ内において、各スキャン動作で加工光ＥＬｋが実際に照射される領域である加工領域ＦＡが複数設定されてもよい。例えば、上述したように、加工システムＳＹＳｋは、スキャン領域ＳＣＡ内において目標照射領域ＥＡが移動する期間中に、所望のタイミングで加工光ＥＬｋを照射する。つまり、加工システムＳＹＳｋは、スキャン領域ＳＣＡのうち加工光ＥＬｋを実際に照射するべき領域に目標照射領域ＥＡが重なるタイミングで加工光ＥＬｋを照射する一方で、スキャン領域ＳＣＡのうち加工光ＥＬｋを実際に照射するべき領域に目標照射領域ＥＡが重ならないタイミングでは加工光ＥＬｋを照射しない。この場合、スキャン領域ＳＣＡのうち加工光ＥＬｋを実際に照射するべき領域が、実質的には加工領域ＦＡに相当する。このため、目標照射領域ＥＡの移動軌跡の一例を示す平面図である図５４に示すように、一のスキャン領域ＳＣＡに対して、スキャン動作（＋Ｙ）及びスキャン動作（－Ｙ）のいずれか一方が行われる場合であっても、一のスキャン領域ＳＣＡ内において複数の加工領域ＦＡが設定されてもよい。但し、この場合には、各加工領域ＦＡ内において目標移動領域ＥＡの移動方向は同じである。各加工領域ＦＡ内において目標移動領域ＥＡの移動方向は同じになるという点を除いて、図５４に示すスキャン動作の流れは、図５３に示すスキャン動作の流れと同一であってもよい。

　制御装置２は、所定の基準を満たすように、各スキャン領域ＳＣＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向を設定してもよい。具体的には、制御装置２は、各スキャン領域ＳＣＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向を、＋Ｙ方向及び－Ｙ方向のうち所定の基準を満たすいずれか一方又は双方の方向に設定してもよい。この場合、加工システムＳＹＳｋは、各スキャン領域ＳＣＡにおいて、スキャン動作（＋Ｙ）及びスキャン動作（－Ｙ）のうち所定の基準を満たすいずれか一方又は双方のスキャン動作を行う。

　例えば、制御装置２は、複数のスキャン領域ＳＣＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向が全て同じである場合（上述した図１１参照）と比較して、各スキャン領域ＳＣＡに対してスキャン動作を行うために行われるステップ動作による目標照射領域ＥＡの移動量が少なくなるというステップ移動量基準を満たすように、各スキャン領域ＳＣＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向を設定してもよい。例えば、制御装置２は、ステップ移動量基準を満たすように目標照射領域ＥＡの移動方向が設定されなかった場合と比較して、各スキャン領域ＳＣＡに対してスキャン動作を行うために行われるステップ動作による目標照射領域ＥＡの移動量が少なくなるというステップ移動量基準を満たすように、各スキャン領域ＳＣＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向を設定してもよい。例えば、制御装置２は、各スキャン領域ＳＣＡに対してスキャン動作を行うために行われるステップ動作による目標照射領域ＥＡの移動量が最少となるというステップ移動量基準を満たすように、各スキャン領域ＳＣＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向を設定してもよい。

　ステップ動作による目標照射領域ＥＡの移動量が少なくなればなるほど、ステップ動作に要する時間が短くなる。このため、例えば、制御装置２は、複数のスキャン領域ＳＣＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向が全て同じである場合と比較して、各スキャン領域ＳＣＡに対してスキャン動作を行うために行われるステップ動作に要する時間が短くなるというステップ移動時間基準を満たすように、各スキャン領域ＳＣＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向を設定してもよい。例えば、制御装置２は、ステップ移動時間基準を満たすように目標照射領域ＥＡの移動方向が設定されなかった場合と比較して、各スキャン領域ＳＣＡに対してスキャン動作を行うために行われるステップ動作に要する時間が短くなるというステップ移動量基準を満たすように、各スキャン領域ＳＣＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向を設定してもよい。例えば、制御装置２は、各スキャン領域ＳＣＡに対してスキャン動作を行うために行われるステップ動作に要する時間が最短となるというステップ移動時間基準を満たすように、各スキャン領域ＳＣＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向を設定してもよい。

　例えば、制御装置２は、複数のスキャン領域ＳＣＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向が全て同じである場合と比較して、各スキャン領域ＳＣＡに対して行われるスキャン動作による目標照射領域ＥＡの移動量が少なくなるというスキャン移動量基準を満たすように、各スキャン領域ＳＣＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向を設定してもよい。例えば、制御装置２は、スキャン移動量基準を満たすように目標照射領域ＥＡの移動方向が設定されなかった場合と比較して、各スキャン領域ＳＣＡに対して行われるスキャン動作による目標照射領域ＥＡの移動量が少なくなるというスキャン移動量基準を満たすように、各スキャン領域ＳＣＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向を設定してもよい。例えば、制御装置２は、各スキャン領域ＳＣＡに対して行われるスキャン動作による目標照射領域ＥＡの移動量が最少となるというスキャン移動量基準を満たすように、各スキャン領域ＳＣＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向を設定してもよい。

　スキャン動作による目標照射領域ＥＡの移動量が少なくなればなるほど、スキャン動作に要する時間が短くなる。このため、例えば、制御装置２は、複数のスキャン領域ＳＣＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向が全て同じである場合と比較して、各スキャン領域ＳＣＡに対してスキャン動作を行うために要する時間が短くなるというスキャン移動時間基準を満たすように、各スキャン領域ＳＣＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向を設定してもよい。例えば、制御装置２は、スキャン移動時間基準を満たすように目標照射領域ＥＡの移動方向が設定されなかった場合と比較して、各スキャン領域ＳＣＡに対して行われるスキャン動作に要する時間が短くなるというスキャン移動時間基準を満たすように、各スキャン領域ＳＣＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向を設定してもよい。例えば、制御装置２は、各スキャン領域ＳＣＡに対してスキャン動作を行うために要する時間が最短となるというスキャン移動時間基準を満たすように、各スキャン領域ＳＣＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向を設定してもよい。

　例えば、制御装置２は、複数のスキャン領域ＳＣＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向が全て同じである場合と比較して、各スキャン領域ＳＣＡに対して行われるスキャン動作（非照射）による目標照射領域ＥＡの移動量が少なくなるというスキャン移動量基準（非照射）を満たすように、各スキャン領域ＳＣＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向を設定してもよい。例えば、制御装置２は、スキャン移動量基準（非照射）を満たすように目標照射領域ＥＡの移動方向が設定されなかった場合と比較して、各スキャン領域ＳＣＡに対して行われるスキャン動作（非照射）による目標照射領域ＥＡの移動量が少なくなるというスキャン移動量基準（非照射）を満たすように、各スキャン領域ＳＣＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向を設定してもよい。例えば、制御装置２は、各スキャン領域ＳＣＡに対して行われるスキャン動作（非照射）による目標照射領域ＥＡの移動量が最少となるというスキャン移動量基準（非照射）を満たすように、各スキャン領域ＳＣＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向を設定してもよい。

　スキャン動作（非照射）による目標照射領域ＥＡの移動量が少なくなればなるほど、スキャン動作（非照射）に要する時間が短くなる。このため、例えば、制御装置２は、複数のスキャン領域ＳＣＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向が全て同じである場合と比較して、各スキャン領域ＳＣＡに対してスキャン動作（非照射）を行うために要する時間が短くなるというスキャン移動時間基準（非照射）を満たすように、各スキャン領域ＳＣＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向を設定してもよい。例えば、制御装置２は、スキャン移動時間基準（非照射）を満たすように目標照射領域ＥＡの移動方向が設定されなかった場合と比較して、各スキャン領域ＳＣＡに対して行われるスキャン動作（非照射）に要する時間が短くなるというスキャン移動時間基準（非照射）を満たすように、各スキャン領域ＳＣＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向を設定してもよい。例えば、制御装置２は、各スキャン領域ＳＣＡに対してスキャン動作（非照射）を行うために要する時間が最短となるというスキャン移動時間基準（非照射）を満たすように、各スキャン領域ＳＣＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向を設定してもよい。

　目標照射領域ＥＡの移動量が少なくなればなるほど、加工ショット領域ＳＡを加工するために要する時間が短くなる。このため、塗装膜ＳＦを加工するために必要な時間もまた短くなる。つまり、加工対象物Ｓの加工に関するスループットが向上する。

　制御装置２は、所望のタイミングで、各スキャン領域ＳＣＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向を設定してもよい。例えば、制御装置２は、加工対象物Ｓの加工を開始する前に、各スキャン領域ＳＣＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向を設定してもよい。例えば、制御装置２は、加工対象物Ｓの加工を開始した後に、各スキャン領域ＳＣＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向を設定してもよい。例えば、制御装置２は、一の加工ショット領域ＳＡの加工を開始する前に、一の加工ショット領域ＳＡ内の各スキャン領域ＳＣＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向を設定してもよい。例えば、制御装置２は、一の加工ショット領域ＳＡの加工を開始した後に、一の加工ショット領域ＳＡ内の各スキャン領域ＳＣＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向を設定してもよい。例えば、制御装置２は、各スキャン領域ＳＣＡの加工を開始する前に、各スキャン領域ＳＣＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向を設定してもよい。

　以下、目標照射領域ＥＡの移動方向を設定する基準の具体例について説明する。

　（６－１）第１の基準
　制御装置２は、スキャン動作（＋Ｙ）及びスキャン動作（－Ｙ）のいずれか一方を行い、その後、ステップ動作を行い、スキャン動作（＋Ｙ）及びスキャン動作（－Ｙ）のいずれか他方を行い、その後、ステップ動作を行うという第１基準動作が繰り返されるという第１の基準が満たされるように、目標照射領域ＥＡの移動方向を設定してもよい。つまり、制御装置２は、一のスキャン領域ＳＣＡに対してスキャン動作（＋Ｙ）及びスキャン動作（－Ｙ）のいずれか一方を行い、その後、ステップ動作を行い、その後、他のスキャン領域ＳＣＡに対してスキャン動作（＋Ｙ）及びスキャン動作（－Ｙ）のいずれか他方を行う動作が繰り返されるという第１の基準が満たされるように、目標照射領域ＥＡの移動方向を設定してもよい。

　第１の基準を満たすように移動方向が設定された場合の目標照射領域ＥＡの移動軌跡の一例が図５５に示されている。図５５に示す例では、加工システムＳＹＳｋは、まず、スキャン領域ＳＣＡ＃１に対してスキャン動作（＋Ｙ）を行う。その後、加工システムＳＹＳｋは、ステップ動作を行った後、Ｘ軸方向に沿ってスキャン領域ＳＣＡ＃１に隣接する未加工のスキャン領域ＳＣＡ＃１に対してスキャン動作（－Ｙ）を行う。その後、加工システムＳＹＳｋは、ステップ動作を行った後、Ｘ軸方向に沿ってスキャン領域ＳＣＡ＃２に隣接する未加工のスキャン領域ＳＣＡ＃３に対してスキャン動作（＋Ｙ）を行う。その後、加工システムＳＹＳｋは、ステップ動作を行った後、Ｘ軸方向に沿ってスキャン領域ＳＣＡ＃３に隣接する未加工のスキャン領域ＳＣＡ＃４に対してスキャン動作（－Ｙ）を行う。その後、加工システムＳＹＳｋは、ステップ動作を行った後、Ｘ軸方向に沿ってスキャン領域ＳＣＡ＃４に隣接する未加工のスキャン領域ＳＣＡ＃５に対してスキャン動作（＋Ｙ）を行う。その後、加工システムＳＹＳｋは、ステップ動作を行った後、Ｘ軸方向に沿ってスキャン領域ＳＣＡ＃５に隣接する未加工のスキャン領域ＳＣＡ＃６に対してスキャン動作（－Ｙ）を行う。

　このように第１の基準を満たすように移動方向が設定された場合には、複数のスキャン領域ＳＣＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向が全て同じである場合と比較して、目標照射領域ＥＡのステップ動作における移動量が少なくなる。その理由は、図５３を用いて既に説明したように、一のスキャン領域ＳＣＡにおけるスキャン終了位置ＳＣ＿ｅｎｄと一のスキャン領域ＳＣＡにおけるスキャン開始位置ＳＣ＿ｓｔａｒｔまでの距離に関して、第１の基準を満たすように目標照射領域ＥＡの移動方向が設定された場合の方が、複数のスキャン領域ＳＣＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向が全て同じである場合（図９参照）よりも短くなるからである。従って、第１の基準は、ステップ移動量基準及びステップ移動時間基準のそれぞれの一例であると言える。

　また、第１の基準は、各スキャン領域ＳＣＡに対してスキャン動作を行うために行われるステップ動作による目標照射領域ＥＡの移動量を最少にすることが可能な基準の一例であるとも言える。つまり、第１の基準は、各スキャン領域ＳＣＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向を、＋Ｙ方向及び－Ｙ方向のうち、各スキャン領域ＳＣＡに対してスキャン動作を行うために行われるステップ動作による目標照射領域ＥＡの移動量を少なくすることが可能ないずれか一方の方向に設定するという基準の一例であるとも言える。例えば、スキャン領域ＳＣＡ＃２における目標照射領域ＥＡの移動方向が－Ｙ方向である場合の方（図５５）が、スキャン領域ＳＣＡ＃２における目目標照射領域ＥＡの移動方向が＋Ｙ方向である場合（図１１参照）よりも、スキャン領域ＳＣＡ＃２に対してスキャン動作を行うために行われるステップ動作による目標照射領域ＥＡの移動量が少なくなる。このため、制御装置２は、スキャン領域ＳＣＡ＃２における目標照射領域ＥＡの移動方向を、＋Ｙ方向ではなく－Ｙ方向に設定する。

　（６－２）第２の基準
　制御装置２は、各加工ショット領域ＳＡを加工する期間中にスキャン動作（＋Ｙ）及びスキャン動作（－Ｙ）の双方が少なくとも１回行われるという第２の基準が満たされるように、目標照射領域ＥＡの移動方向を設定してもよい。第２の基準を満たすように移動方向が設定された場合の目標照射領域ＥＡの移動軌跡の一例が図５６に示されている。図５６に示す例では、加工システムＳＹＳｋは、まず、スキャン領域ＳＣＡ＃１に対してスキャン動作（＋Ｙ）を行う。その後、加工システムＳＹＳｋは、ステップ動作を行った後、Ｘ軸方向に沿ってスキャン領域ＳＣＡ＃１に隣接する未加工のスキャン領域ＳＣＡ＃１に対してスキャン動作（＋Ｙ）を行う。その後、加工システムＳＹＳｋは、ステップ動作を行った後、Ｘ軸方向に沿ってスキャン領域ＳＣＡ＃２に隣接する未加工のスキャン領域ＳＣＡ＃３に対してスキャン動作（＋Ｙ）を行う。その後、加工システムＳＹＳｋは、ステップ動作を行った後、Ｘ軸方向に沿ってスキャン領域ＳＣＡ＃３に隣接する未加工のスキャン領域ＳＣＡ＃４に対してスキャン動作（－Ｙ）を行う。その後、加工システムＳＹＳｋは、ステップ動作を行った後、Ｘ軸方向に沿ってスキャン領域ＳＣＡ＃４に隣接する未加工のスキャン領域ＳＣＡ＃５に対してスキャン動作（－Ｙ）を行う。その後、加工システムＳＹＳｋは、ステップ動作を行った後、Ｘ軸方向に沿ってスキャン領域ＳＣＡ＃５に隣接する未加工のスキャン領域ＳＣＡ＃６に対してスキャン動作（－Ｙ）を行う。

　このように第２の基準を満たすように移動方向が設定された目標照射領域ＥＡのステップ動作における移動量もまた、複数のスキャン領域ＳＣＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向が全て同じである場合におけるステップ動作による目標照射領域ＥＡの移動量よりも少なくなる。なぜならば、少なくとも１回のステップ動作（具体的に、目標照射領域ＥＡの移動方向が変更されるタイミングで行われるステップ動作であり、図５６に示す例では、スキャン領域ＳＣＡ＃３に対するスキャン動作が完了してからスキャン領域ＳＣＡ＃４に対するスキャン動作を開始するまでに行われるステップ動作）における目標照射領域ＥＡの移動量が、複数のスキャン領域ＳＣＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向が全て同じである場合に行われる１回のステップ動作による目標照射領域ＥＡの移動量（図１１参照）よりも少なくなるからである。従って、第２の基準は、ステップ移動量基準及びステップ移動時間基準のそれぞれの一例であると言える。

　（６－３）第３の基準
　各スキャン領域ＳＣＡに単一の加工領域ＦＡが設定されている場合には、制御装置２は、一のスキャン領域ＳＣＡ内の一の加工領域ＦＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向を、一のスキャン領域ＳＣＡに先立ってスキャン動作が行われた他のスキャン領域ＳＣＡ内の他の加工領域ＦＡに対するスキャン動作が完了した時点での加工光ＥＬｋの照射位置（つまり、加工終了位置Ｆ＿ｅｎｄ）と一の加工領域ＦＡとの位置関係に応じて定まる第３の基準を満たすように設定してもよい。つまり、制御装置２は、一のスキャン領域ＳＣＡ内の一の加工領域ＦＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向を、一のスキャン領域ＳＣＡに隣接する他のスキャン領域ＳＣＡ内の他の加工領域ＦＡに対するスキャン動作が完了した時点での加工光ＥＬｋの照射位置（つまり、加工終了位置Ｆ＿ｅｎｄ）と一の加工領域ＦＡとの位置関係に応じて定まる第３の基準を満たすように設定してもよい。

　例えば、制御装置２は、一の加工領域ＦＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向を、他の加工領域ＦＡの加工終了位置Ｆ＿ｅｎｄと一の加工領域ＦＡの＋Ｙ側の端部及び－Ｙ側の端部との位置関係に応じて定まる第３の基準を満たすように設定してもよい。この場合、第３の基準は、一の加工領域ＦＡの＋Ｙ側の端部及び－Ｙ側の端部のうち他の加工領域ＦＡの加工終了位置Ｆ＿ｅｎｄに近い方の端部からスキャン動作が開始されるという基準であってもよい。第３の基準は、一の加工領域ＦＡの＋Ｙ側の端部及び－Ｙ側の端部のうち他の加工領域ＦＡの加工終了位置Ｆ＿ｅｎｄに近い一方の端部が一の加工領域ＦＡの加工開始位置Ｆ＿ｓｔａｒｔに設定され、一の加工領域ＦＡの＋Ｙ側の端部及び－Ｙ側の端部のうち他の加工領域ＦＡの加工終了位置Ｆ＿ｅｎｄから遠い方の端部が一の加工領域ＦＡの加工終了位置Ｆ＿ｅｎｄに設定されるという基準であってもよい。

　以下、このような第３の基準を満たすように設定される目標照射領域ＥＡの移動方向について、図５７を参照しながら説明する。図５７は、第３の基準を満たすように移動方向が設定された場合の目標照射領域ＥＡの移動軌跡の一例を示す平面図である。

　図５７は、加工ショット領域ＳＡに５つのスキャン領域ＳＣＡ＃１からスキャン領域ＳＣＡ＃５が設定され、且つ、スキャン領域ＳＣＡ＃１からスキャン領域ＳＣＡ＃５に加工領域ＦＡ＃１から加工領域ＦＡ＃５がそれぞれ設定されている例を示している。この場合、加工システムＳＹＳｋは、まず、スキャン領域ＳＣＡ＃１に対してスキャン動作を行う。図５７に示す例では、加工システムＳＹＳｋは、スキャン領域ＳＣＡ＃１に対してスキャン動作（＋Ｙ）を行っている。つまり、図５７に示す例では、加工領域ＦＡ＃１の－Ｙ側の端部が加工領域ＦＡ＃１の加工開始位置Ｆ＿ｓｔａｒｔ＃１に設定され、加工領域ＦＡ＃１の＋Ｙ側の端部が加工領域ＦＡ＃１の加工終了位置Ｆ＿ｅｎｄ＃１に設定されている。

　その後、加工システムＳＹＳｋは、スキャン領域ＳＣＡ＃１に対してＸ軸方向に沿って隣接するスキャン領域ＳＣＡ＃２内の加工領域ＦＡ＃２に対してスキャン動作を行う。この際、スキャン領域ＳＣＡ＃２（加工領域ＦＡ＃２）における目標照射領域ＥＡの移動方向は、スキャン領域ＳＣＡ＃１（加工領域ＦＡ＃１）に対するスキャン動作が完了した時点での加工光ＥＬｋの照射位置（つまり、加工終了位置Ｆ＿ｅｎｄ＃１）と加工領域ＦＡ＃２との位置関係に応じて定まる第３の基準を満たすように予め設定される。具体的には、加工領域ＦＡ＃２の－Ｙ側の端部よりも、加工領域ＦＡ＃２の＋Ｙ側の端部の方が、加工領域ＦＡ＃１の加工終了位置Ｆ＿ｅｎｄ＃１に近い。このため、加工領域ＦＡ＃２の＋Ｙ側の端部が、加工領域ＦＡ＃２の加工開始位置Ｆ＿ｓｔａｒｔ＃２に設定され、加工領域ＦＡ＃２の－Ｙ側の端部が、加工領域ＦＡ＃２の加工終了位置Ｆ＿ｅｎｄ＃２に設定されている。このため、スキャン領域ＳＣＡ＃２（加工領域ＦＡ＃２）における目標照射領域ＥＡの移動方向は、－Ｙ方向に設定される。つまり、加工領域ＦＡ＃２の＋Ｙ側の端部からスキャン動作が開始されるように、スキャン領域ＳＣＡ＃２（加工領域ＦＡ＃２）における目標照射領域ＥＡの移動方向が設定される。

　このため、加工システムＳＹＳｋは、まずは、目標照射領域ＥＡが加工領域ＦＡ＃１の加工終了位置Ｆ＿ｅｎｄ＃１から加工領域ＦＡ＃２の加工開始位置Ｆ＿ｓｔａｒｔ＃２まで移動するように、ステップ動作を行う。その後、加工システムＳＹＳｋは、加工領域ＦＡ＃２に対してスキャン動作（－Ｙ）を行う。

　その後、加工システムＳＹＳｋは、スキャン領域ＳＣＡ＃２に対してＸ軸方向に沿って隣接するスキャン領域ＳＣＡ＃３内の加工領域ＦＡ＃３に対してスキャン動作を行う。この場合、加工領域ＦＡ＃３の－Ｙ側の端部よりも、加工領域ＦＡ＃３の＋Ｙ側の端部の方が、加工領域ＦＡ＃２の加工終了位置Ｆ＿ｅｎｄ＃２に近い。このため、加工領域ＦＡ＃３の＋Ｙ側の端部が、加工領域ＦＡ＃３の加工開始位置Ｆ＿ｓｔａｒｔ＃３に設定され、加工領域ＦＡ＃３の－Ｙ側の端部が、加工領域ＦＡ＃３の加工終了位置Ｆ＿ｅｎｄ＃３に設定される。スキャン領域ＳＣＡ＃３（加工領域ＦＡ＃３）における目標照射領域ＥＡの移動方向が、－Ｙ方向に設定される。このため、加工システムＳＹＳｋは、まずは、目標照射領域ＥＡが加工領域ＦＡ＃２の加工終了位置Ｆ＿ｅｎｄ＃２から加工領域ＦＡ＃３の加工開始位置Ｆ＿ｓｔａｒｔ＃３まで移動するように、ステップ動作を行う。その後、加工システムＳＹＳｋは、加工領域ＦＡ＃３に対してスキャン動作（－Ｙ）を行う。

　その後、加工システムＳＹＳｋは、スキャン領域ＳＣＡ＃３に対してＸ軸方向に沿って隣接するスキャン領域ＳＣＡ＃４内の加工領域ＦＡ＃４に対してスキャン動作を行う。この場合、加工領域ＦＡ＃４の＋Ｙ側の端部よりも、加工領域ＦＡ＃４の－Ｙ側の端部の方が、加工領域ＦＡ＃３の加工終了位置Ｆ＿ｅｎｄ＃３に近い。このため、加工領域ＦＡ＃４の－Ｙ側の端部が、加工領域ＦＡ＃４の加工開始位置Ｆ＿ｓｔａｒｔ＃４に設定され、加工領域ＦＡ＃４の＋Ｙ側の端部が、加工領域ＦＡ＃４の加工終了位置Ｆ＿ｅｎｄ＃４に設定される。スキャン領域ＳＣＡ＃４（加工領域ＦＡ＃４）における目標照射領域ＥＡの移動方向が、＋Ｙ方向に設定される。このため、加工システムＳＹＳｋは、まずは、目標照射領域ＥＡが加工領域ＦＡ＃３の加工終了位置Ｆ＿ｅｎｄ＃３から加工領域ＦＡ＃４の加工開始位置Ｆ＿ｓｔａｒｔ＃４まで移動するように、ステップ動作を行う。その後、加工システムＳＹＳｋは、加工領域ＦＡ＃４に対してスキャン動作（＋Ｙ）を行う。

　その後、加工システムＳＹＳｋは、スキャン領域ＳＣＡ＃４に対してＸ軸方向に沿って隣接するスキャン領域ＳＣＡ＃５内の加工領域ＦＡ＃５に対してスキャン動作を行う。この場合、加工領域ＦＡ＃５の－Ｙ側の端部よりも、加工領域ＦＡ＃５の＋Ｙ側の端部の方が、加工領域ＦＡ＃４の加工終了位置Ｆ＿ｅｎｄ＃４に近い。このため、加工領域ＦＡ＃５の＋Ｙ側の端部が、加工領域ＦＡ＃５の加工開始位置Ｆ＿ｓｔａｒｔ＃５に設定され、加工領域ＦＡ＃５の－Ｙ側の端部が、加工領域ＦＡ＃５の加工終了位置Ｆ＿ｅｎｄ＃５に設定される。スキャン領域ＳＣＡ＃５（加工領域ＦＡ＃５）における目標照射領域ＥＡの移動方向が、－Ｙ方向に設定されている。このため、加工システムＳＹＳｋは、まずは、目標照射領域ＥＡが加工領域ＦＡ＃４の加工終了位置Ｆ＿ｅｎｄ＃４から加工領域ＦＡ＃５の加工開始位置Ｆ＿ｓｔａｒｔ＃５まで移動するように、ステップ動作を行う。その後、加工システムＳＹＳｋは、加工領域ＦＡ＃５に対してスキャン動作（－Ｙ）を行う。

　このように第３の基準を満たすように移動方向が設定された目標照射領域ＥＡのステップ動作における移動量もまた、複数のスキャン領域ＳＣＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向が全て同じである場合におけるステップ動作による目標照射領域ＥＡの移動量よりも少なくなる。従って、第３の基準は、ステップ移動量基準及びステップ移動時間基準のそれぞれの一例であると言える。

　尚、図５８は、図５７に示す加工領域ＦＡ＃１からＦＡ＃５における目標照射領域ＥＡの移動方向が、第１の基準を満たすように設定された場合の目標照射領域ＥＡの移動軌跡を示している。図５７及び図５８から分かるように、第３の基準を満たすように目標照射領域ＥＡの移動方向が設定される場合には、第１の基準を満たすように目標照射領域ＥＡの移動方向が設定される場合よりもステップ動作による目標照射領域ＥＡの移動量及び移動時間が短くなる可能性がある。

　但し、各スキャン領域ＳＣＡと各スキャン領域ＳＣＡ内の加工領域ＦＡとが一致する（つまり、各スキャン領域ＳＣＡの全体が加工領域ＦＡになる）場合には、第３の基準を満たすように設定される目標照射領域ＥＡの移動方向は、第１の基準を満たすように設定される目標照射領域ＥＡの移動方向と同じになり得る。

　（６－４）第４の基準
　一のスキャン領域ＳＣＡに複数の加工領域ＦＡが設定されている場合には、制御装置２は、各加工領域ＦＡのそれぞれの移動方向を、直前のスキャン動作が完了した時点での加工光ＥＬｋの照射位置に最も近い端部を有する加工領域ＦＡから順にスキャン動作が行われ、且つ、各加工領域ＦＡ内では、直前のスキャン動作が完了した時点での加工光ＥＬｋの照射位置に近い方の端部から直前のスキャン動作が完了した時点での加工光ＥＬｋの照射位置から遠い方の端部に向かって目標照射領域ＥＡが移動するという第４の基準を満たすように設定してもよい。

　以下、このような第４の基準を満たすように設定される目標照射領域ＥＡの移動方向について、図５９を参照しながら説明する。図５９は、第４の基準を満たすように移動方向が設定された場合の目標照射領域ＥＡの移動軌跡の一例を示す平面図である。

　図５９は、加工ショット領域ＳＡに５つのスキャン領域ＳＣＡ＃１からスキャン領域ＳＣＡ＃５が設定され、スキャン領域ＳＣＡ＃１からスキャン領域ＳＣＡ＃４に加工領域ＦＡ＃１から加工領域ＦＡ＃４がそれぞれ設定され、且つ、スキャン領域ＳＣＡ＃５に３つの加工領域ＦＡ＃５１からＦＡ＃５３が設定されている例を示している。尚、スキャン領域ＳＣＡ＃１からスキャン領域ＳＣＡ＃４に加工領域ＦＡ＃１から加工領域ＦＡ＃４については、図５７に示す加工領域ＦＡ＃１からＦＡ＃４と同一であるものとする。このため、スキャン領域ＳＣＡ＃１からＳＣＡ＃４（加工領域ＦＡ＃１からＦＡ＃４）に対するスキャン動作の説明については、図５７に示すスキャン動作と同一であるため、その説明を省略する。

　スキャン領域ＳＣＡ＃４（加工領域ＦＡ＃４）に対するスキャン動作が完了した後、加工システムＳＹＳｋは、スキャン領域ＳＣＡ＃５内の加工領域ＦＡ＃５１からＦＡ＃５３に対して順にスキャン動作を行う。ここで、加工領域ＦＡ＃５１の－Ｙ側の端部及び＋Ｙ側の端部、加工領域ＦＡ＃５２の－Ｙ側の端部及び＋Ｙ側の端部並びに加工領域ＦＡ＃５３の－Ｙ側の端部よりも、加工領域ＦＡ＃５３の＋Ｙ側の端部の方が、直前のスキャン動作が完了した時点での加工光ＥＬｋの照射位置である加工領域ＦＡ＃４の加工終了位置Ｆ＿ｅｎｄ＃４に近い。このため、スキャン領域ＳＣＡ＃５では、まず加工領域ＦＡ＃５３に対してスキャン動作が行われる。上述したように、加工領域ＦＡ＃５３における目標照射領域ＥＡの移動方向は、加工終了位置Ｆ＿ｅｎｄ＃４に近い方の端部から加工終了位置Ｆ＿ｅｎｄ＃４から遠い方の端部に向かう方向となるように予め設定される。つまり、加工領域ＦＡ＃５３の＋Ｙ側の端部が、加工領域ＦＡ＃５３の加工開始位置Ｆ＿ｓｔａｒｔ＃５３に設定され、加工領域ＦＡ＃５３の－Ｙ側の端部が、加工領域ＦＡ＃５３の加工終了位置Ｆ＿ｅｎｄ＃５３に設定される。つまり、加工領域ＦＡ＃５３における目標照射領域ＥＡの移動方向は、－Ｙ方向に設定される。

　このため、加工システムＳＹＳｋは、まずは、目標照射領域ＥＡが加工領域ＦＡ＃４の加工終了位置Ｆ＿ｅｎｄ＃４から加工領域ＦＡ＃５３の加工開始位置Ｆ＿ｓｔａｒｔ＃５３まで移動するように、ステップ動作を行う。その後、加工システムＳＹＳｋは、加工領域ＦＡ＃５３に対してスキャン動作（－Ｙ）を行う。

　その後、加工システムＳＹＳｋは、スキャン領域ＳＣＡ＃５内の未加工の加工領域ＦＡ＃５１からＦＡ＃５２に対してスキャン動作を行う。ここで、加工領域ＦＡ＃５１の－Ｙ側の端部及び＋Ｙ側の端部、並びに、加工領域ＦＡ＃５２の－Ｙ側の端部よりも、加工領域ＦＡ＃５２の＋Ｙ側の端部の方が、直前のスキャン動作が完了した時点での加工光ＥＬｋの照射位置である加工領域ＦＡ＃５３の加工終了位置Ｆ＿ｅｎｄ＃５３に近い。このため、スキャン領域ＳＣＡ＃５では、加工領域ＦＡ＃５３の次に、加工領域ＦＡ＃５２に対してスキャン動作が行われる。上述したように、加工領域ＦＡ＃５２における目標照射領域ＥＡの移動方向は、加工終了位置Ｆ＿ｅｎｄ＃５３に近い方の端部から加工終了位置Ｆ＿ｅｎｄ＃５３から遠い方の端部に向かう方向となるように予め設定される。つまり、加工領域ＦＡ＃５２の＋Ｙ側の端部が、加工領域ＦＡ＃５２の加工開始位置Ｆ＿ｓｔａｒｔ＃５２に設定され、加工領域ＦＡ＃５２の－Ｙ側の端部が、加工領域ＦＡ＃５２の加工終了位置Ｆ＿ｅｎｄ＃５２に設定される。つまり、加工領域ＦＡ＃５２における目標照射領域ＥＡの移動方向は、－Ｙ方向に設定されている。

　このため、加工システムＳＹＳｋは、まずは、目標照射領域ＥＡが加工領域ＦＡ＃５３の加工終了位置Ｆ＿ｅｎｄ＃５３から加工領域ＦＡ＃５２の加工開始位置Ｆ＿ｓｔａｒｔ＃５２まで移動するように、ステップ動作を行う。その後、加工システムＳＹＳｋは、加工領域ＦＡ＃５２に対してスキャン動作（－Ｙ）を行う。

　その後、加工システムＳＹＳｋは、スキャン領域ＳＣＡ＃５内の未加工の加工領域ＦＡ＃５１に対してスキャン動作を行う。加工領域ＦＡ＃５１における目標照射領域ＥＡの移動方向は、直前のスキャン動作が完了した時点での加工光ＥＬｋの照射位置である加工領域ＦＡ＃５２の加工終了位置Ｆ＿ｅｎｄ＃５２に近い方の端部から加工終了位置Ｆ＿ｅｎｄ＃５２から遠い方の端部に向かう方向となるように予め設定されている。つまり、加工領域ＦＡ＃５１の＋Ｙ側の端部が、加工領域ＦＡ＃５１の加工開始位置Ｆ＿ｓｔａｒｔ＃５１に設定され、加工領域ＦＡ＃５１の－Ｙ側の端部が、加工領域ＦＡ＃５１の加工終了位置Ｆ＿ｅｎｄ＃５１に設定されている。つまり、加工領域ＦＡ＃５１における目標照射領域ＥＡの移動方向は、－Ｙ方向に設定されている。

　このため、加工システムＳＹＳｋは、まずは、目標照射領域ＥＡが加工領域ＦＡ＃５２の加工終了位置Ｆ＿ｅｎｄ＃５２から加工領域ＦＡ＃５１の加工開始位置Ｆ＿ｓｔａｒｔ＃５１まで移動するように、ステップ動作を行う。その後、加工システムＳＹＳｋは、加工領域ＦＡ＃５１に対してスキャン動作（－Ｙ）を行う。

　このように第４の基準を満たすように移動方向が設定された目標照射領域ＥＡのステップ動作における移動量もまた、複数のスキャン領域ＳＣＡにおける目標照射領域ＥＡの移動方向が全て同じである場合におけるステップ動作による目標照射領域ＥＡの移動量よりも少なくなる。従って、第４の基準は、ステップ移動量基準及びステップ移動時間基準のそれぞれの一例であると言える。

　また、第４の基準を満たすように目標照射領域ＥＡの移動方向が設定された場合には、場合によっては、スキャン動作（非照射）による目標照射領域ＥＡのおける移動量が少なくなる可能性がある。例えば、図６０は、図５９に示す加工領域ＦＡ＃１からＦＡ＃４及びＦＡ＃５１からＦＡ＃５３における目標照射領域ＥＡの移動方向が、第１の基準を満たすように設定された場合の目標照射領域ＥＡの移動軌跡を示している。図５９及び図６０から分かるように、第４の基準を満たすように目標照射領域ＥＡの移動方向が設定される場合には、第１の基準を満たすように目標照射領域ＥＡの移動方向が設定される場合と比較して、特にスキャン領域ＳＣＡ＃５内で行われるスキャン動作（非照射）による目標照射領域ＥＡの移動量及び移動時間が短くなる可能性がある。従って、第４の基準は、スキャン移動量基準（非照射）及びスキャン移動時間基準（非照射）のそれぞれの一例であると言える。

　尚、マルチビーム光学系１１２を備える加工システムＳＹＳｋに限らず、加工対象物Ｓを加工してリブレット構造を形成する任意の加工システムが、スキャン方向と凹状構造ＣＰ１とを揃えてもよい。同様に、加工対象物Ｓを加工してリブレット構造を形成する任意の加工システムが、目標照射領域ＥＡの移動方向を変更してもよい。つまり、加工システムＳＹＳｋは、マルチビーム光学系１１２を備えていなくてもよい。

　第１１実施形態の加工システムＳＹＳｋは、上述した第２実施形態の加工システムＳＹＳｂから第１０実施形態の加工システムＳＹＳｊの少なくとも一つに特有の構成要件を備えていてもよい。第１０実施形態の加工システムＳＹＳｊに特有の構成要件は、拡大ビーム光学系１１８１ｊに関する構成要件を含む。

　（１２）その他の変形例
　上述した説明では、加工システムＳＹＳは、複数の加工光ＥＬｋを塗装膜ＳＦの表面上で走査させるために、ガルバノミラー１１３で加工光ＥＬｋを偏向している。しかしながら、加工装置１は、ガルバノミラー１１３で加工光ＥＬｋを偏向することに加えて又は代えて、塗装膜ＳＦに対して光照射装置１１を相対的に移動させることで、複数の加工光ＥＬｋを塗装膜ＳＦの表面上で走査させてもよい。つまり、制御装置２は、駆動系１２を制御して、塗装膜ＳＦの表面を加工光ＥＬｋが走査するように光照射装置１１を塗装膜ＳＦに対して相対的に移動させてもよい。

　駆動系１２が光照射装置１１を塗装膜ＳＦに対して相対的に移動させる目的の一つは、上述したように加工光ＥＬｋを塗装膜ＳＦの表面上で走査させることである。このため、光照射装置１１が移動しなくても加工光ＥＬｋによる塗装膜ＳＦの走査が実現できる場合には、光照射装置１１は移動しなくてもよい。つまり、加工システムＳＹＳは、駆動系１２を備えていなくてもよい。

　駆動系１２が光照射装置１１を塗装膜ＳＦに対して相対的に移動させる目的の一つは、収容装置１３の収容空間ＳＰに複数の加工ショット領域ＳＡが収容される場合において、収容装置１３及び支持装置１４を移動させることなく、複数の加工ショット領域ＳＡを順に加工光ＥＬｋで走査するためである。このため、収容空間ＳＰに単一の加工ショット領域ＳＡが収容される場合には、光照射装置１１は移動しなくてもよい。つまり、加工システムＳＹＳは、駆動系１２を備えていなくてもよい。

　上述した説明では、加工装置１は、収容装置１３と、支持装置１４と、駆動系１５と、排気装置１６と、気体供給装置１７とを備えている。しかしながら、加工装置１は、加工対象物Ｓを加工可能である限りは、収容装置１３、支持装置１４、駆動系１５、排気装置１６及び気体供給装置１７の少なくとも一つを備えていなくてもよい。加工装置１は、加工対象物Ｓを加工可能である限りは、収容装置１３、支持装置１４、駆動系１５、排気装置１６及び気体供給装置１７の少なくとも一部を備えていなくてもよい。更に、上述した収容装置１３、支持装置１４、駆動系１５、排気装置１６及び気体供給装置１７のそれぞれの構造は一例に過ぎず、加工装置１は、上述した構造とは異なる構造を有する収容装置１３、支持装置１４、駆動系１５、排気装置１６及び気体供給装置１７の少なくとも一つを備えてもよい。

　上述した説明では、加工システムＳＹＳは、加工対象物Ｓの表面上に、塗装膜ＳＦによるリブレット構造を形成している。しかしながら、加工システムＳＹＳは、加工対象物Ｓの表面上に、任意の形状を有する塗装膜ＳＦによる任意の構造を形成してもよい。この場合であっても、形成するべき構造に応じた走査軌跡に沿って塗装膜ＳＦの表面を加工光ＥＬｋが走査するように制御装置２が光照射装置１１等を制御すれば、任意の形状を有する任意の構造が形成可能である。任意の構造の一例としては、規則的又は不規則的に形成されたマイクロ・ナノメートルオーダの微細テクスチャ構造（典型的には、凹凸構造）があげられる。このような微細テクスチャ構造は、流体（気体及び／又は液体）による抵抗を低減させる機能を有するサメ肌構造及びディンプル構造の少なくとも一方を含んでいてもよい。微細テクスチャ構造は、撥液機能及びセルフクリーニング機能の少なくとも一方を有する（例えば、ロータス効果を有する）ハスの葉表面構造を含んでいてもよい。微細テクスチャ構造は、液体輸送機能を有する微細突起構造（米国特許公開第２０１７／００４４００２号公報参照）、親液性機能を有する凹凸構造、防汚機能を有する凹凸構造、反射率低減機能及び撥液機能の少なくとも一方を有するモスアイ構造、特定波長の光のみを干渉で強めて構造色を呈する凹凸構造、ファンデルワールス力を利用した接着機能を有するピラーアレイ構造、空力騒音低減機能を有する凹凸構造、及び、液滴捕集機能を有するハニカム構造等の少なくとも一つを含んでいてもよい。

　上述した説明では、加工システムＳＹＳは、加工光ＥＬｋの照射によって塗装膜ＳＦを蒸発させることで、塗装膜ＳＦを除去している。しかしながら、加工システムＳＹＳは、加工光ＥＬｋの照射によって塗装膜ＳＦを蒸発させることに加えて又は代えて、加工光ＥＬｋの照射によって塗装膜ＳＦの性質を変えることで塗装膜ＳＦを除去してもよい。例えば、加工システムＳＹＳは、加工光ＥＬｋの照射によって塗装膜ＳＦを溶融させ、溶融させた塗装膜ＳＦを除去することで塗装膜ＳＦを除去してもよい。例えば、加工システムＳＹＳは、加工光ＥＬｋの照射によって塗装膜ＳＦを脆くし、脆くした塗装膜ＳＦを剥離することで塗装膜ＳＦを除去してもよい。上述した説明では、加工システムＳＹＳは、加工対象物Ｓの表面に形成された塗装膜ＳＦをアブレーション加工している。しかしながら、加工システムＳＹＳは、加工対象物Ｓの表面に形成された塗装膜ＳＦの一部を熱加工によって除去してもよい。

　上述した説明では、加工システムＳＹＳは、塗装膜ＳＦを除去することで凹部Ｃ（或いは、凹状構造ＣＰ１、又は、当該凹状構造ＣＰ１によるリブレット構造等の任意の構造）を形成している。つまり、加工システムＳＹＳは、塗装膜ＳＦを部分的に薄くするように塗装膜ＳＦを加工している。しかしながら、加工システムＳＹＳは、塗装膜ＳＦを部分的に薄くすることに加えて又は代えて、塗装膜ＳＦを部分的に厚くするように塗装膜ＳＦを加工してもよい。つまり、加工システムＳＹＳは、塗装膜ＳＦを除去することで凹部Ｃを形成することに加えて又は代えて、塗装膜ＳＦを付加することで凸部（或いは、凸状構造ＣＰ２又は、当該凸状構造ＣＰ２による任意の構造）を形成してもよい。例えば、加工システムＳＹＳは、塗装膜ＳＦの第１部分に加工光ＥＬｋを照射することで第１部分の塗装膜ＳＦを除去し、その後、除去した塗装膜ＳＦを塗装膜ＳＦの第２部分に定着させることで、当該第２部分における塗装膜ＳＦを相対的に厚くしてもよい（つまり、第２部分に凸部を形成してもよい）。

　上述した説明では、加工システムＳＹＳは、加工対象物Ｓの表面に形成された塗装膜ＳＦを加工している。しかしながら、加工システムＳＹＳは、加工対象物Ｓの表面に形成された、塗装膜ＳＦ以外の任意の被膜を加工してもよい。或いは、加工システムＳＹＳは、複数の層が積層された構造体を加工してもよい。具体的には、加工システムＳＹＳは、構造体を構成する複数の層のうちの少なくとも一つの層（典型的には、最も表面側の層を含む少なくとも一つの層）を加工してもよい。加工システムＳＹＳは、構造体を構成する複数の層のうちの少なくとも一つの層を加工して、当該層による構造を形成してもよい。この場合、加工される少なくとも一つの層が上述した塗装膜ＳＦの相当し、当該少なくとも一つの層以外の他の層が加工対象物Ｓに相当する。或いは、加工システムＳＹＳは、加工対象物Ｓそのものを加工してもよい。つまり、加工システムＳＹＳは、表面に塗装膜ＳＦ又は任意の被膜が形成されていない加工対象物Ｓを加工してもよい。

　上述した説明では、加工システムＳＹＳは、加工対象物Ｓの表面の流体に対する抵抗を低減させるためのリブレット構造を加工対象物Ｓに形成している。しかしながら、加工システムＳＹＳは、表面の流体に対する抵抗を低減させるためのリブレット構造とは異なるその他の構造を加工対象物Ｓに形成してもよい。例えば、加工システムＳＹＳは、流体と加工対象物Ｓの表面とが相対的に移動するときに発生する騒音を低減するためのリブレット構造を加工対象物Ｓに形成してもよい。例えば、加工システムＳＹＳは、加工対象物Ｓの表面上の流体の流れに対して渦を発生する構造を加工対象物Ｓに形成してもよい。例えば、加工システムＳＹＳは、加工対象物Ｓの表面に疎水性を与えるための構造を加工対象物Ｓに形成してもよい。

　上述した説明では、光源光ＥＬｏを複数の加工光ＥＬｋに分岐するマルチビーム光学系１１２は、加工対象物Ｓを加工する加工システムＳＹＳが備えている。しかしながら、光（特に、複数の光）を用いて所望の動作を行う任意の装置が、上述したマルチビーム光学系１１２（或いは、その変形例）を備えていてもよい。この場合、任意の装置は、マルチビーム光学系１１２が射出する複数の光（つまり、複数の加工光ＥＬｋ）を用いて所望の動作を行ってもよい。尚、任意の装置の一例として、計測対象物に対して光を照射して計測対象物の特性を計測する計測装置、及び、露光対象物（例えば、レジストが塗布された基板）に対して光を照射して露光対象物を露光する露光装置の少なくとも一つがあげられる。

　上述した説明では、複数のスキャン領域ＳＣＡは互いに重畳していないが、複数のスキャン領域を互いに重畳させてもよい。図６１は、加工ショット領域ＳＡ内に設定される、互いに重畳したスキャン領域ＳＣＡ＃１及びＳＣＡ＃２を示している。各スキャン領域ＳＣＡは、１回のスキャン動作（つまり、ステップ動作を挟まない一連のスキャン動作）で照射される加工光ＥＬｋによって走査される領域である。各スキャン領域ＳＣＡは、１回のスキャン動作で複数の目標照射領域ＥＡが移動する領域である。この場合、１回のスキャン動作で、目標照射領域ＥＡは、各スキャン領域ＳＣＡのスキャン開始位置ＳＣ＿ｓｔａｒｔからスキャン終了位置ＳＣ＿ｅｎｄに向かって移動する。このようなスキャン領域ＳＣＡは、典型的には、Ｙ軸方向（つまり、加工光ＥＬｋの走査方向）に沿って延びる領域となる。複数のスキャン領域ＳＣＡは、Ｘ軸方向（つまり、加工光ＥＬｋの走査方向に交差する方向）に沿って並ぶ。

　この場合、加工システムは、例えば、ある加工ショット領域ＳＡに設定される複数のスキャン領域ＳＣＡのうち最も＋Ｘ側又は最も－Ｘ側に位置する一のスキャン領域ＳＣＡからスキャン動作を開始する。例えば、図６１は、加工システムＳＹＳが、最も－Ｘ側に位置するショット領域ＳＣＡ＃１からスキャン動作を開始する例を示している。

　スキャン領域ＳＣＡ＃１に対するスキャン動作が完了した後、加工システムは、スキャン領域ＳＣＡ＃１と一部重畳するスキャン領域ＳＣＡ＃２に対してスキャン動作を行うために、ステップ動作を行う。具体的には、制御装置２は、スキャン領域ＳＣＡ＃１に対してＸ軸方向に沿って隣接するスキャン領域ＳＣＡ＃２のスキャン開始位置ＳＣ＿ｓｔａｒｔ＃２（例えば、スキャン領域ＳＣＡ＃２内の－Ｙ側の端部又はその近傍）に対して加工光ＥＬｋを照射可能となるように、ガルバノミラー１１３を制御する。このとき、制御装置２は、スキャン領域ＳＣＡ＃１とスキャン領域ＳＣＡ＃２とがスキャン方向（Ｙ軸方向）と交差する方向（典型的にはＸ軸方向）において一部重畳するように、スキャン領域ＳＣＡ＃２のスキャン開始位置ＳＣ＿ｓｔａｒｔ＃２に目標照射領域ＥＡを設定する。

　このように、複数の目標照射領域ＥＡのうちの少なくとも２つが少なくとも部分的に重なる場合は、複数の目標照射領域ＥＡのうちの少なくとも２つが同時に重なる場合と、複数の目標照射領域ＥＡのうちの少なくとも２つが時間差をおいて重なる場合（例えば、複数の目標照射領域ＥＡのうちの少なくとも２つが、時間差をおいて塗装膜ＳＦ上の少なくとも部分的に同じ位置に位置する場合）とを含む。

　尚、このとき、スキャン領域ＳＣＡ＃１とスキャン領域ＳＣＡ＃２とをスキャン方向（Ｙ軸方向）と交差する方向（典型的にはＸ軸方向）において全部重畳させてもよい。

　また、光源１１０がパルス光を光源光ＥＬｏとして射出する場合、複数のパルス光のうち一のパルス光と別のパルス光とを塗装膜ＳＦ上において互いにオーバーラップさせてもよい。別の言い方をすると、複数のパルス光のうち一のパルス光が向かう目標照射領域ＥＡと、別のパルス光が向かう目標照射領域ＥＡとが互いに重畳していてもよい。ここで、異なるパルス光による複数の目標照射領域ＥＡ同士の重なり状態は変更可能であってもよい。

　また、複数回のスキャン動作によって１つのスキャン領域を走査（掃引）してもよい。この場合、光源１１０がパルス光を射出するとき、図６２（ａ）から図６２（ｃ）に示すように、１回目の加工光ＥＬｋによる目標照射領域ＥＡ１と、２回目の加工光ＥＬｋによる目標照射領域ＥＡ２と、３回目の加工光ＥＬｋによる目標照射領域ＥＡ３とを互いに異なる位置に設定してもよい。より詳細には、スキャン方向において、１回目の加工光ＥＬｋによる目標照射領域ＥＡ１と、２回目の加工光ＥＬｋによる目標照射領域ＥＡ２と、３回目の加工光ＥＬｋによる目標照射領域ＥＡ３とを互いに異ならせてもよい。言い換えると、複数回の目標照射領域ＥＡのスキャンを行う際に、各回の目標照射領域ＥＡのスキャン方向の位置を互いに異ならせてもよい。尚、複数回の目標照射領域ＥＡのスキャンを行う際に、各回の目標照射領域ＥＡのスキャン方向は互いに同じであってもよい。これにより、全ての目標照射領域ＥＡ１からＥＡ３が同じ位置に重なっていた場合に形成される凹部ＣＰ１（図６２（ｄ）参照）に比べて、目標照射領域ＥＡ１からＥＡ３が異なる位置に設定した場合に形成される凹部ＣＰ１（図６２（ｅ）参照）の側面の粗さをより平滑にすることができる。

　上述した説明では、塗装膜ＳＦ上の複数の目標照射領域ＥＡの大きさは同一であった。しかしながら、図６３（ａ）に示すように、複数の目標照射領域ＥＡの大きさが互いに異なっていてもよい。また、上述した説明では、複数の加工光ＥＬｋの光軸方向（Ｚ軸方向）の集光位置は、互いに同じ位置であった。しかしながら、図６３（ｂ）に示すように、１つの加工光ＥＬｋが集光される面ＣＳの光軸方向（Ｚ軸方向）の位置と、他の加工光ＥＬｋが集光される位置とを異ならせてもよい。

　上述した説明では、加工光ＥＬｋの照射によって形成されるリブレットの断面形状はＵ次形状であった。しかしながら、リブレットの断面形状は、様々な形状であってもよい。例えば、図６４（ａ）に示すように、リブレットの断面形状は、逆台形状の凹部ＣＰ１と台形状の凸部ＣＰ２とを持つ形状であってもよい。例えば、図６４（ｂ）に示すように、リブレットの断面形状は、逆三角形状の凹部ＣＰ１と三角形状の凸部ＣＰ２とを持つ形状、例えば、図６４（ｃ）に示すように、リブレットの断面形状は、逆台形状の凹部ＣＰ１と三角形状の凸部ＣＰ２とを持つ形状であってもよい。このような形状は、複数の加工光ＥＬｋの重なり状態を変えることによって得ることができる。

　上述した説明では、複数回の目標照射領域のスキャンを行う際に、各回の目標照射領域ＥＡのスキャン方向の位置を互いに異ならせていた。しかしながら、複数回の目標照射領域ＥＡのスキャンを行う際に、塗装膜ＳＦ（加工対象物Ｓ）上における各回の目標照射領域ＥＡのスキャン方向と交差する方向の位置を互いに異ならせてもよい。図６５（ａ）から（ｈ）を参照して説明する。図６５（ａ）は、１回目の加工光ＥＡによる目標照射領域ＥＡ１をスキャン方向（図中左右方向）に走査（掃引）した状態を示す図であり、この目標照射領域ＥＡ１の走査により、塗装膜ＳＦには、図６５（ｂ）に示す凹部ＣＰ１１が形成される。そして、図６５（ｃ）に示すように、１回目の目標照射領域ＥＡ１の走査軌跡に対して、塗装膜ＳＦ上におけるスキャン方向と交差する方向で、目標照射領域ＥＡ１と一部重畳するように、目標照射領域ＥＡ２を走査（掃引）させると、図６５（ｄ）に示すように、塗装膜ＳＦ上に、凹部ＣＰ１１よりも幅の広い凹部ＦＣＰ１２が形成される。

　次に、図６５（ｅ）に示すように、２回目の目標照射領域ＥＡ２の走査軌跡に対して、塗装膜ＳＦ上におけるスキャン方向と交差する方向で、目標照射領域ＥＡ２と隣接するように（重畳しないように）、目標照射領域ＥＡ３を走査（掃引）させると、図２５（ｆ）に示すように、凹部ＣＰ１２の隣に凹部ＣＰ１３が形成されると共に、凹部ＣＰ１２と凹部ＣＰ１３との間に凸部ＣＰ２１が形成される。そして、図６５（ｇ）に示すように、３回目の目標照射領域ＥＡ３の走査軌跡に対して、塗装膜ＳＦ上におけるスキャン方向と交差する方向で、目標照射領域ＥＡ３と一部重畳するように、目標照射領域ＥＡ４を走査（掃引）させると、図６５（ｈ）に示すように、塗装膜ＳＦ上に、凹部ＣＰ１３よりも幅の広い凹部ＦＣＰ１４が形成される。

　尚、図６５（ａ）から図６５（ｈ）までに示した例では、複数回の目標照射領域ＥＡ１からＥＡ４の走査を非同時に行ったが、同時に行ってもよい。

　（１３）付記
　以上説明した実施形態に関して、更に以下の付記を開示する。
［付記１］
　物体に加工光を照射して前記物体を加工する加工システムであって、
　入射光を、第１光と第２光とに分岐する第１光学系と、
　前記第１光学系からの前記第１光を、第３光として前記第１光学系に戻す第２光学系と、
　前記第１光学系からの前記第２光を、第４光として前記第１光学系に戻す第３光学系と
　を備え、
　前記第１光学系は、前記第２光学系からの前記第３光及び前記第３光学系からの前記第４光を、前記物体の表面上の異なる位置に照射される複数の前記加工光として射出する
　加工システム。
［付記２］
　前記第１光学系から射出される前記第３光の進行方向に沿った軸と前記第１光学系から射出される前記第４光の進行方向に沿った軸とは交差する
　付記１に記載の加工システム。
［付記３］
　物体に加工光を照射して前記物体を加工する加工システムであって、
　入射光を、第１光と第２光とに分岐する第１光学系と、
　前記第１光学系からの前記第１光を、第３光として前記第１光学系に戻す第２光学系と、
　前記第１光学系からの前記第２光を、第４光として前記第１光学系に戻す第３光学系と
　を備え、
　前記第１光学系は、前記第２光学系からの前記第３光及び前記第３光学系からの前記第４光を、複数の前記加工光として射出し、
　前記第１光学系から射出される前記第３光の進行方向に沿った軸と前記第１光学系から射出される前記第４光の進行方向に沿った軸とは交差する
　加工システム。
［付記４］
　前記第１光学系から射出される前記第３光の進行方向に沿った軸と前記第１光学系から射出される前記第４光の進行方向に沿った軸とが交差するように、前記第１光から前記第４光の少なくとも一つを反射及び／又は屈折させる光学素子を更に備える
　付記１から３のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記５］
　前記第１光学系から射出される前記第３光の進行方向に沿った軸と前記第１光学系から射出される前記第４光の進行方向に沿った軸とが交差する交差角度を変更する交差角度変更装置を更に備える
　付記１から４のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記６］
　前記交差角度変更装置を用いて前記交差角度を変更して、前記物体の表面上での前記複数の加工光の照射位置の相対的な位置関係を変更する
　付記５に記載の加工システム。
［付記７］
　所望のパターン構造が前記物体に形成されるように、前記物体の表面上での前記複数の加工光の照射位置の相対的な位置関係を変更する照射位置変更装置を更に備える
　付記１から６のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記８］
　前記パターン構造は、一の方向に延在する凸状構造又は凹状構造が、前記一の方向に交差する他の方向に沿って複数配列された周期構造を含み、
　前記照射位置変更装置は、前記物体の表面に交差する方向における前記凸状構造及び前記凹状構造の少なくとも一方の高さ、前記物体の表面に沿った方向における前記凸状構造及び前記凹状構造の少なくとも一方の幅、前記物体の表面に交差する軸を含む前記凸状構造及び前記凹状構造の少なくとも一方の断面の形状、並びに、前記凸状構造及び前記凹状構造の少なくとも一方の配列ピッチの少なくとも一つに基づいて、前記物体の表面上での前記複数の加工光の照射位置の相対的な位置関係を変更する
　付記７に記載の加工システム。
［付記９］
　前記照射位置変更装置は、前記一の方向における前記複数の加工光の照射位置の相対的な位置関係を変更する
　付記８に記載の加工システム。
［付記１０］
　前記照射位置変更装置を用いて前記複数の加工光の照射位置の相対的な位置関係を変更して、前記複数の加工光のうちの少なくとも２つの加工光で同じ前記凸状構造又は前記凹状構造を形成する
　付記９に記載の加工システム。
［付記１１］
　前記照射位置変更装置を用いて前記複数の加工光のうちの少なくとも２つの加工光の照射位置を前記物体の表面上において少なくとも部分的に重複させて、前記少なくとも２つの加工光で同じ前記凸状構造又は前記凹状構造を形成する
　付記１０に記載の加工システム。
［付記１２］
　前記照射位置変更装置は、前記複数の加工光のうちの少なくとも２つの加工光の照射位置が前記物体の表面上において少なくとも部分的に重複するように、前記複数の加工光の照射位置の相対的な位置関係を変更する
　付記７から１１のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記１３］
　前記第１光学系は、前記入射光のうちの第１の状態にある光成分を反射する一方で、前記入射光のうちの前記第１の状態とは異なる第２の状態にある光成分を透過する第１光学面を備えており、前記第１光学面を用いて、前記入射光を、前記第１の状態にある前記第１光と前記第２の状態にある前記第２光とに分岐し、
　前記第２光学系は、前記第１光学系からの前記第１光を前記第２の状態にある光に変換して、変換した光を前記第３光として前記第１光学面に戻し、
　前記第３光学系は、前記第１光学系からの前記第２光を前記第１の状態にある光に変換して、変換した光を前記第４光として前記第１光学面に戻し、
　前記第１光学系は、前記第１光学面を透過した前記第２光学系からの前記第３光及び前記第１光学面で反射した前記第３光学系からの前記第４光を、前記複数の加工光として射出する
　付記１から１２のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記１４］
　物体に加工光を照射して前記物体を加工する加工システムであって、
　入射光のうちの第１の状態にある第１光を反射する一方で、前記入射光のうちの前記第１の状態とは異なる第２の状態にある第２光を透過する第１光学面を有する第１光学系と、
　前記第１光学系からの前記第１光を前記第２の状態にある第３光に変換して、前記第３光を前記第１光学面に戻す第２光学系と、
　前記第１光学系からの前記第２光を前記第１の状態にある第４光に変換して、前記第４光を前記第１光学面に戻す第３光学系と
　を備え、
　前記第１光学系は、前記第１光学面を透過した前記第２光学系からの前記第３光及び前記第１光学面で反射した前記第３光学系からの前記第４光を、前記物体の表面上の異なる位置に照射される複数の加工光として射出する
　加工システム。
［付記１５］
　前記第１の状態は、ｓ偏光及びｐ偏光のいずれか一方となる状態を含み、
　前記第２の状態は、ｓ偏光及びｐ偏光のいずれか他方となる状態を含む
　付記１３又は１４に記載の加工システム。
［付記１６］
　前記第１光学系は、偏光ビームスプリッタを含み、
　前記第２光学系は、光を反射する第１反射面を有する第１反射光学素子、及び、前記第１光学面と前記第１反射面との間の光路上に配置される第１の１／４波長板を含み、
　前記第３光学系は、光を反射する第２反射面を有する第２反射光学素子、及び、前記第１光学面と前記第２反射面との間の光路上に配置される第２の１／４波長板を含む
　付記１５に記載の加工システム。
［付記１７］
　前記第１光学系からの光の前記第１反射面に対する第１入射角度と、前記第１光学系からの光の前記第２反射面に対する第２入射角度とが異なる
　付記１６に記載の加工システム。
［付記１８］
　前記第１光学系からの光の前記第１反射面に対する第１入射角度及び前記第１光学系からの光の前記第２反射面に対する第２入射角度の少なくとも一方を変更する入射角度変更装置を更に備える
　付記１６又は１７に記載の加工システム。
［付記１９］
　前記入射角度変更装置を用いて前記第１及び第２入射角度の少なくとも一方を変更して、前記第１光学系から射出される前記第３光の進行方向に沿った軸と前記第１光学系から射出される前記第４光の進行方向に沿った軸とが交差する交差角度を変更する
　付記１８に記載の加工システム。
［付記２０］
　前記入射角度変更装置を用いて前記第１及び第２入射角度の少なくとも一方を変更して、前記物体の表面上での前記複数の加工光の照射位置の相対的な位置関係を変更する
　付記１８又は１９に記載の加工システム。
［付記２１］
　前記入射角度変更装置は、前記第１及び第２反射面の少なくとも一方を移動して、前記第１及び第２入射角度の少なくとも一方を変更する
　付記１８から２０のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記２２］
　前記第１光学系から射出される前記複数の加工光を前記物体の表面に集光する第４光学系と、
　前記第１光学系と前記第４光学系との間における前記複数の加工光の光路上に配置される第５光学系と
　を更に備え、
　前記第５光学系が配置されている場合には、前記第５光学系が配置されていない場合と比較して、前記第４光学系の瞳面上で前記複数の加工光がそれぞれ通過する複数の領域のずれが少なくなる
　付記１から２１のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記２３］
　前記第５光学系の射出側焦点面は、前記第４光学系の入射面に設定される
　付記２２に記載の加工システム。
［付記２４］
　前記第４光学系は、ガルバノスキャナとｆθレンズとを含み、
　前記第５光学系の射出側焦点面は、ｆθレンズの入射面に設定される
　付記２２又は２３に記載の加工システム。
［付記２５］
　それぞれが前記第１、第２及び第３光学系を備える第１の光学ユニット及び第２の光学ユニットを備えており、
　前記第１の光学ユニットから射出される前記複数の加工光のそれぞれが、前記第２の光学ユニットに前記入射光として入射する
　付記１から２４のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記２６］
　前記第１の光学ユニットと前記第２の光学ユニットとの間における光路上に、前記第１の光学ユニットから射出される前記複数の加工光の偏光状態を変更する変換光学素子を更に備える
　付記２５に記載の加工システム。
［付記２７］
　前記変換光学素子は、波長板を含む
　付記２６に記載の加工システム。
［付記２８］
　前記第１の光学ユニットから射出される前記第３光の進行方向に沿った軸と前記第１の光学ユニットから射出される前記第４光の進行方向に沿った軸とが交差する交差角度は、前記第２の光学ユニットから射出される前記第３光の進行方向に沿った軸と前記第２の光学ユニットから射出される前記第４光の進行方向に沿った軸とが交差する交差角度よりも小さい
　付記２５から２７のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記２９］
　前記第１光学系が射出する前記複数の加工光のうちの少なくとも一つの強度を調整する調整装置を更に備える
　付記１から２８のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記３０］
　前記調整装置は、前記第１光学系が射出する前記複数の加工光の強度が同じになるように、前記前記複数の加工光の強度を調整する
　付記２９に記載の加工システム。
［付記３１］
　前記調整装置は、前記第１光学系が射出する前記複数の加工光の強度が異なるものとなるように、前記前記複数の加工光の強度を調整する
　付記２９に記載の加工システム。
［付記３２］
　前記調整装置は、前記入射光が前記第１光学系に入射する前に通過する通過光学系を含む
　付記２９から３１のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記３３］
　前記通過光学系は、波長板を含む
　付記３２に記載の加工システム。
［付記３４］
　前記調整装置は、前記第１光学系からの前記第１光及び前記第２光の強度を検出する検出装置と、前記検出結果に基づいて、前記入射光の進行方向に沿った軸周りに前記波長板を回転駆動する駆動装置とを含む
　付記３３に記載の加工システム。
［付記３５］
　前記駆動装置は、前記検出結果に基づいて、前記入射光の進行方向に交差する面内での前記波長板の光学軸の方向が、前記第１光学系から前記加工光として射出される前記第３光の強度を第１所望強度とし且つ前記第１光学系から前記加工光として射出される前記第４光の強度を第２所望強度とすることが可能な所望方向となるように、前記波長板を回転駆動する
　付記３４に記載の加工システム。
［付記３６］
　前記通過光学系は、
　前記第１光学系に入射する前の前記入射光を、第５光と第６光とに分岐する第６光学系と、
　前記第６光学系からの前記第５光を、第７光として前記第６光学系に戻す第７光学系と、
　前記第６光学系からの前記第６光を、第８光として前記第６光学系に戻す第８光学系と
　を含み、
　前記第６光学系は、前記第７光学系からの前記第７光及び前記第８光学系からの前記第８光を合成した光を、前記第１光学系に入射する前記入射光として射出し、
　前記第６光学系からの前記第７光の進行方向に沿った軸と前記第６光学系からの前記第８光の進行方向に沿った軸とは平行である
　付記３２から３５のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記３７］
　前記第６光学系は、前記第１光学系に入射する前の前記入射光のうちの第１の状態にある光成分を反射する一方で、前記入射光のうちの前記第１の状態とは異なる第２の状態にある光成分を透過する第２光学面を備え、前記第２光学面を用いて、前記第１光学系に入射する前の前記入射光を、前記第１の状態にある前記第５光と前記第２の状態にある前記第６光とに分岐し、
　前記第７光学系は、前記第６光学系からの前記第５光を前記第２の状態にある光に変換して、変換した光を前記第７光として前記第２光学面に戻し、
　前記第８光学系は、前記第６光学系からの前記第６光を前記第１の状態にある光に変換して、変換した光を前記第８光として前記第２光学面に戻し、
　前記第６光学系は、前記第７光学系からの前記第７光及び前記第８光学系からの前記第８光を前記第２光学面を介して合成して、前記第１光学系に入射する前記入射光として射出する
　付記３６に記載の加工システム。
［付記３８］
　前記第１の状態は、ｓ偏光及びｐ偏光のいずれか一方となる状態を含み、
　前記第２の状態は、ｓ偏光及びｐ偏光のいずれか他方となる状態を含む
　付記３７に記載の加工システム。
［付記３９］
　前記第６光学系は、偏光ビームスプリッタを含み、
　前記第７光学系は、光を反射する第３反射面を有する第３反射光学素子、及び、前記第２光学面と前記第３反射面との間の光路上に配置される第３の１／４波長板を含み、
　前記第８光学系は、光を反射する第４反射面を有する第４反射光学素子、及び、前記第２光学面と前記第４反射面との間の光路上に配置される第４の１／４波長板を含む
　付記３７又は３８に記載の加工システム。
［付記４０］
　前記第１光学系から射出される前記複数の加工光を、複数の前記入射光としてそれぞれ前記第１光学系に戻す第９光学系を更に備える
　付記１から３９のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記４１］
　前記第９光学系は、前記第１光学系から射出される前記複数の加工光のそれぞれの偏光状態を変更し、偏光状態が変更された光を前記入射光として前記第１光学系に戻す
　付記４０に記載の加工システム。
［付記４２］
　前記第９光学系は、光を反射する第５反射面を有する第５反射光学素子、及び、前記第１光学面と前記第５反射面との間の光路上に配置される波長板を含む
　付記４０又は４１に記載の加工システム。
［付記４３］
　前記波長板は、前記第１光学系から射出される前記複数の加工光のそれぞれの偏光状態を変更して、偏光状態が変更された光を前記入射光として前記第１光学系に戻すことが可能な特性を有する
　付記４２に記載の加工システム。
［付記４４］
　前記第９光学系は、光を反射する第５反射面を有し且つ光学軸が前記第１光学系から射出される前記複数の加工光の偏光面に対して交差する位置関係にある第５反射光学素子を含む
　付記４０又は４１に記載の加工システム。
［付記４５］
　前記第５反射光学素子の光学軸は、前記第１光学系から射出される前記複数の加工光の偏光面に対して２２．５度の角度で交差する位置関係にある
　付記４４に記載の加工システム。
［付記４６］
　前記第１光学系は、第１の前記入射光を複数の第１の前記加工光に分岐して前記第９光学系に射出し、
　前記第９光学系は、前記複数の第１の加工光を複数の第２の前記入射光として前記第１光学系に戻し、
　前記第１光学系は、前記複数の第２の入射光の夫々を複数の第２の前記加工光に分岐して射出し、
　前記第１光学系内において、前記第１の入射光を前記複数の第１の加工光に分岐する過程での光路と、前記複数の第２の入射光を前記複数の第２の加工光に分岐する過程での光路とは、光学的に分離されている
　付記４０から４５のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記４７］
　前記第２光学系は、前記第１の入射光を前記複数の第１の加工光に分岐する過程での第１光路中に配置され且つ前記第１光路で前記第１光を前記第３光として前記第１光学系に戻す光学素子と、前記複数の第２の入射光を前記複数の第２の加工光に分岐する過程での第２光路中に配置され且つ前記第２光路で前記第１光を前記第３光として前記第１光学系に戻す光学素子とを別個に備えている
　付記４０から４６のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記４８］
　前記第２光学系は、前記第１の入射光を前記複数の第１の加工光に分岐する過程での第１光路中に配置され且つ前記第１光路で前記第１光を前記第３光として前記第１光学系に戻すと共に、前記複数の第２の入射光を前記複数の第２の加工光に分岐する過程での第２光路中に配置され且つ前記第２光路で前記第１光を前記第３光として前記第１光学系に戻す光学素子を備えている
　付記４０から４６のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記４９］
　前記第３光学系は、前記第１の入射光を前記複数の第１の加工光に分岐する過程での第３光路中に配置され且つ前記第３光路で前記第２光を前記第４光として前記第１光学系に戻す光学素子と、前記複数の第２の入射光を前記複数の第２の加工光に分岐する過程での第４光路中に配置され且つ前記第４光路で前記第２光を前記第４光として前記第１光学系に戻す光学素子とを別個に備えている
　付記４０から４８のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記５０］
　前記第３光学系は、前記第１の入射光を前記複数の第１の加工光に分岐する過程での第３光路中に配置され且つ前記第３光路で前記第２光を前記第４光として前記第１光学系に戻すと共に、前記複数の第２の入射光を前記複数の第２の加工光に分岐する過程での第４光路中に配置され且つ前記第４光路で前記第２光を前記第４光として前記第１光学系に戻す光学素子を備えている
　付記４０から４９のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記５１］
　前記第９光学系からの前記複数の入射光が入射した前記第１光学系は、前記第９光学系から前記第１光学系に入射する前記入射光の数よりも多い数の前記加工光を射出する
　付記４０から５０のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記５２］
　前記第９光学系からの前記複数の入射光が入射した前記第１光学系は、前記第９光学系から前記第１光学系に入射する前記入射光の数の２倍の数の前記加工光を射出する
　付記４０から５１のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記５３］
　物体に複数の加工光を照射して前記物体を加工する光照射装置と、
　所望のパターン構造が前記物体に形成されるように、前記物体の表面上での前記複数の加工光の照射位置の相対的な位置関係を変更する照射位置変更装置と
　を備える加工システム。
［付記５４］
　前記パターン構造は、一の方向に延在する凸状構造又は凹状構造が、前記一の方向に交差する他の方向に沿って複数配列された周期構造を含み、
　前記照射位置変更装置は、前記物体の表面に交差する方向における前記凸状構造及び前記凹状構造の少なくとも一方の高さ、前記物体の表面に沿った方向における前記凸状構造及び前記凹状構造の少なくとも一方の幅、前記物体の表面に交差する軸を含む前記凸状構造及び前記凹状構造の少なくとも一方の断面の形状、並びに、前記凸状構造及び前記凹状構造の少なくとも一方の配列ピッチの少なくとも一つに基づいて、前記物体の表面上での前記複数の加工光の照射位置の相対的な位置関係を変更する
　付記５３に記載の加工システム。
［付記５５］
　前記照射位置変更装置は、前記一の方向における前記複数の加工光の照射位置の相対的な位置関係を変更する
　付記５４に記載の加工システム。
［付記５６］
　前記照射位置変更装置を用いて前記複数の加工光の照射位置の相対的な位置関係を変更して、前記複数の加工光のうちの少なくとも２つの加工光で同じ前記凸状構造又は前記凹状構造を形成する
　付記５４又は５５に記載の加工システム。
［付記５７］
　前記照射位置変更装置を用いて前記複数の加工光のうちの少なくとも２つの加工光の照射位置を前記物体の表面上において少なくとも部分的に重複させて、前記少なくとも２つの加工光で同じ前記凸状構造又は前記凹状構造を形成する
　付記５６に記載の加工システム。
［付記５８］
　前記照射位置変更装置は、前記複数の加工光のうちの少なくとも２つの加工光の照射位置が前記物体の表面上において少なくとも部分的に重複するように、前記複数の加工光の照射位置の相対的な位置関係を変更する
　付記５３から５７のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記５９］
　前記加工システムは、所望方向に延在するパターン構造を前記物体に形成するように前記物体を加工し、
　前記物体の表面に沿った第１方向における前記加工光の照射位置と前記物体の表面との相対位置を変更するように可動する第１可動装置と、前記物体の表面に沿っており且つ前記第１の方向に交差する第２の方向における前記加工光の照射位置と前記物体の表面との相対位置を変更するように可動すると共に、前記第１可動装置よりも重い及び／又は大きい第２可動装置とを更に備え、
　前記所望方向に延びる軸と前記第１方向に延びる軸とがなす第１角度が、前記所望方向に延びる軸と前記第２方向に延びる軸とがなす第２角度よりも小さくなるように、前記第１及び第２可動装置が前記表面に対して位置合わせされている
　付記１から５８のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記６０］
　物体に加工光を照射して所望方向に延在するパターン構造を前記物体に形成するように前記物体を加工する加工システムであって、
　前記物体の表面に沿った第１方向における前記加工光の照射位置と前記物体の表面との相対位置を変更するように可動する第１可動装置と、
　前記物体の表面に沿っており且つ前記第１の方向に交差する第２の方向における前記加工光の照射位置と前記物体の表面との相対位置を変更するように可動すると共に、前記第１可動装置よりも重い及び／又は大きい第２可動装置と
　を備え、
　前記所望方向に延びる軸と前記第１方向に延びる軸とがなす第１角度が、前記所望方向に延びる軸と前記第２方向に延びる軸とがなす第２角度よりも小さくなるように、前記第１及び第２可動装置が前記表面に対して位置合わせされている
　加工システム。
［付記６１］
　前記第１角度が前記第２角度よりも小さくなるように、前記表面と前記第１及び第２可動装置との相対位置を変更する相対位置変更装置を更に備える
　付記５９又は６０に記載の加工システム。
［付記６２］
　前記相対位置変更装置は、前記表面に交差する軸周りに沿った方向における前記表面と前記第１及び第２可動装置との相対位置を変更する
　付記６１に記載の加工システム。
［付記６３］
　前記相対位置変更装置を用いて、前記第１角度が前記第２角度よりも小さくなるように前記第１及び第２可動装置が前記表面に対して位置合わせされている
　付記６１又は６２に記載の加工システム。
［付記６４］
　前記第１角度が前記第２角度よりも小さくなることは、前記所望方向に延びる軸が前記第１方向に延びる軸に平行になることを含む
　付記５９から６３のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記６５］
　前記第１角度が前記第２角度よりも小さくなることは、前記第１角度がゼロ度になることを含む
　付記５９から６４のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記６６］
　前記加工システムは、所望方向に延在するパターン構造を前記物体に形成するように前記物体を加工し、
　前記物体の表面に沿った第１方向における前記加工光の照射位置と前記物体の表面との相対位置を変更するように可動する第１可動装置と、前記物体の表面に沿っており且つ前記第１の方向に交差する第２の方向における前記加工光の照射位置と前記物体の表面との相対位置を変更するように可動すると共に、可動に要する力が前記第１可動装置よりも大きい第２可動装置とを備え、
　前記所望方向と前記第１及び第２方向の少なくとも一方との相対位置に基づいて、前記表面と前記第１及び第２可動装置との相対位置を変更する相対位置変更装置と
　を更に備える付記１から６５のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記６７］
　物体に加工光を照射して所望方向に延在するパターン構造を前記物体に形成するように前記物体を加工する加工システムであって、
　前記物体の表面に沿った第１の方向における前記加工光の照射位置と前記物体の表面との相対位置を変更するように可動する第１可動装置と、
　前記物体の表面に沿っており且つ前記第１の方向に交差する第２の方向における前記加工光の照射位置と前記物体の表面との相対位置を変更するように可動すると共に、可動に要する力が前記第１可動装置よりも大きい第２可動装置と、
　前記所望方向と前記第１及び第２方向の少なくとも一方との相対位置に基づいて、前記表面と前記第１及び第２可動装置との相対位置を変更する相対位置変更装置と
　を備える加工システム。
［付記６８］
　前記第２可動装置は、前記第１可動装置よりも重い及び／又は大きい
　付記６６又は６７に記載の加工システム。
［付記６９］
　前記相対位置変更装置は、前記所望方向に延びる軸と前記第１方向に延びる軸とがなす第１角度及び前記所望方向に延びる軸と前記第２方向に延びる軸とがなす第２角度の少なくとも一方に基づいて、前記表面と前記第１及び第２可動装置との相対位置を変更する
　付記６６から６８のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記７０］
　前記相対位置変更装置は、前記第１角度が前記第２角度よりも小さくなるように、前記表面と前記第１及び第２可動装置との相対位置を変更する
　付記６９に記載の加工システム。
［付記７１］
　前記第１角度が前記第２角度よりも小さくなることは、前記所望方向に延びる軸が前記第１方向に延びる軸に平行になることを含む
　付記７０に記載の加工システム。
［付記７２］
　前記第１角度が前記第２角度よりも小さくなることは、前記第１角度がゼロ度になることを含む
　付記７０又は７１のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記７３］
　前記相対位置変更装置は、前記表面に交差する軸周りに沿った方向における前記表面と前記第１及び第２可動装置との相対位置を変更する
　付記６６から７２のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記７４］
　前記第１可動装置は、前記加工光を偏向するように可動して前記第１方向における前記加工光の照射位置と前記物体の表面との相対位置を変更する第１偏向装置を含み、
　前記第２可動装置は、前記加工光を偏向するように可動して前記第２方向における前記加工光の照射位置と前記物体の表面との相対位置を変更する第２偏向装置を含む
　付記５９から７３のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記７５］
　前記第１偏向装置としての第１ミラー及び前記第２偏向装置としての第２ミラーを含むガルバノスキャナを備えている
　付記７４に記載の加工システム。
［付記７６］
　前記第１可動装置は、前記加工光を照射する光照射装置及び前記物体の少なくとも一方を前記第１方向に沿って移動させるように可動して前記第１方向における前記加工光の照射位置と前記物体の表面との相対位置を変更する第１移動装置を含み、
　前記第２可動装置は、前記光照射装置及び前記物体の少なくとも一方を前記第２方向に沿って移動させるように可動して前記第２方向における前記加工光の照射位置と前記物体の表面との相対位置を変更する第２移動装置を含む
　付記５９から７５のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記７７］
　前記物体に加工光を照射して前記物体の表面に所望方向に延在するパターン構造を形成するように前記物体を加工する加工装置と
　前記パターン構造が形成された前記物体をシミュレートするシミュレーションモデルから生成される前記パターン構造に関するパターン情報に基づいて、前記パターン構造を形成するように前記加工装置を制御する制御装置と
　を更に備える付記１から７６のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記７８］
　物体に加工光を照射して前記物体の表面に所望方向に延在するパターン構造を形成するように前記物体を加工する加工装置と
　前記パターン構造が形成された前記物体をシミュレートするシミュレーションモデルから生成される前記パターン構造に関するパターン情報に基づいて、前記パターン構造を形成するように前記加工装置を制御する制御装置と
　を備える加工システム。
［付記７９］
　前記パターン構造は、所望方向に延在する凸状構造又は凹状構造が、前記所望方向に交差する他の方向に沿って複数配列された周期構造を含む
　付記７７又は７８に記載の加工システム。
［付記８０］
　前記パターン構造は、前記物体の流体に対する摩擦抵抗を低減可能なリブレット構造を含む
　付記７７から７９のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記８１］
　前記シミュレーションモデルは、前記流体内に位置する前記物体をシミュレートする流体シミュレーションモデルを含む
　付記８０に記載の加工システム。
［付記８２］
　前記パターン情報は、前記シミュレーションモデルに基づいて前記物体に最適化された前記パターン構造に関する情報を含む
　付記７７から８１のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記８３］
　前記パターン情報は、前記物体の表面に交差する方向における前記パターン構造の高さ、前記物体の表面に沿った方向における前記パターン構造の幅、前記パターン構造の配列ピッチ、前記パターン構造の形状、及び、前記パターン構造が延在する前記所望方向の少なくとも一つに関する構造情報を含む
　付記７７から８２のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記８４］
　前記パターン情報は、前記パターン構造を前記物体の表面上のどの位置に形成するかを示す位置情報を含む
　付記７７から８３のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記８５］
　物体に加工光を照射して前記物体を加工する加工方法であって、
　光学系を用いて、入射光を第１光と第２光とに分岐することと、
　前記第１光を、第３光として前記光学系に戻すことと、
　前記第２光を、第４光として前記光学系に戻すことと、
　前記光学系を用いて、前記第３光及び前記第４光を、前記物体の表面上の異なる位置に照射される複数の前記加工光として射出することと
　を含む加工方法。
［付記８６］
　物体に加工光を照射して前記物体を加工する加工方法であって、
　光学系を用いて、入射光を第１光と第２光とに分岐することと、
　前記第１光を、第３光として前記光学系に戻すことと、
　前記第２光を、第４光として前記光学系に戻すことと、
　前記光学系を用いて、前記第３光及び前記第４光を、複数の前記加工光として射出することと
　を含み、
　前記光学系から射出される前記第３光の進行方向に沿った軸と前記光学系から射出される前記第４光の進行方向に沿った軸とは交差する
　加工方法。
［付記８７］
　物体に加工光を照射して前記物体を加工する加工方法であって、
　入射光のうちの第１の状態にある第１光を反射する一方で、前記入射光のうちの前記第１の状態とは異なる第２の状態にある第２光を透過する光学面を用いて、前記入射光を前記第１光と前記第２光とに分岐することと、
　前記光学面からの前記第１光を前記第２の状態にある第３光に変換して、前記第３光を前記光学面に戻すことと、
　前記光学面からの前記第２光を前記第１の状態にある第４光に変換して、前記第４光を前記光学面に戻すことと、
　前記光学面を用いて、前記第３光及び前記第４光を、前記物体の表面上の異なる位置に照射される複数の加工光として射出することと
　を含む加工方法。
［付記８８］
　物体に複数の加工光を照射して前記物体を加工することと、
　所望のパターン構造が前記物体に形成されるように、前記物体の表面上での前記複数の加工光の照射位置の相対的な位置関係を変更することと
　を含む加工方法。
［付記８９］
　物体に加工光を照射して所望方向に延在するパターン構造を前記物体に形成するように前記物体を加工する加工方法であって、
　前記物体の表面に沿った第１方向における前記加工光の照射位置と前記物体の表面との相対位置を変更するように可動する第１可動装置を用いて、前記第１方向における前記加工光の照射位置と前記物体の表面との相対位置を変更することと、
　前記物体の表面に沿っており且つ前記第１の方向に交差する第２の方向における前記加工光の照射位置と前記物体の表面との相対位置を変更するように可動すると共に、前記第１可動装置よりも重い及び／又は大きい第２可動装置を用いて、前記第２方向における前記加工光の照射位置と前記物体の表面との相対位置を変更することと、
　前記所望方向に延びる軸と前記第１方向に延びる軸とがなす第１角度が、前記所望方向に延びる軸と前記第２方向に延びる軸とがなす第２角度よりも小さくなるように、前記第１及び第２可動装置を前記表面に対して位置合わせすることと
　を含む加工方法。
［付記９０］
　物体に加工光を照射して所望方向に延在するパターン構造を前記物体に形成するように前記物体を加工する加工方法であって、
　前記物体の表面に沿った第１方向における前記加工光の照射位置と前記物体の表面との相対位置を変更するように可動する第１可動装置を用いて、前記第１方向における前記加工光の照射位置と前記物体の表面との相対位置を変更することと、
　前記物体の表面に沿っており且つ前記第１の方向に交差する第２の方向における前記加工光の照射位置と前記物体の表面との相対位置を変更するように可動すると共に、前記第１可動装置よりも重い及び／又は大きい第２可動装置を用いて、前記第２方向における前記加工光の照射位置と前記物体の表面との相対位置を変更することと、
　前記所望方向に延びる軸と前記第１方向に延びる軸とがなす第１角度及び前記所望方向に延びる軸と前記第２方向に延びる軸とがなす第２角度に基づいて、前記表面と前記第１及び第２可動装置との相対位置を変更することと
　を含む加工方法。
［付記９１］
　物体に加工光を照射して前記物体の表面に所望方向に延在するパターン構造を形成するように前記物体を加工する加工方法であって
　パターン構造が形成された物体をシミュレートするシミュレーションモデルから生成される前記パターン構造に関するパターン情報を取得することと、
　前記パターン情報に基づいて、前記パターン構造を形成するように前記物体を加工することと
　を含む加工方法。
［付記９２］
　付記１から８４のいずれか一項に記載の加工システムを用いて前記物体を加工する加工方法。
［付記９３］
　物体の表面に加工光を照射する光照射装置と、
　前記物体の表面における前記加工光の目標照射位置と前記表面との相対位置を変更する位置変更装置と
　を備え、
　前記光照射装置及び前記位置変更装置を用いて、前記表面に沿った第１軸に沿って前記加工光を前記表面上で走査させる第１動作と、前記第１軸に交差し且つ前記表面に沿った第２軸に沿って前記加工光と前記表面との相対位置を変更する第２動作とを交互に繰り返し、
　前記第１動作は、前記第１軸に沿った第１の方向に向かって前記目標照射位置が前記表面に対して相対的に移動するように前記加工光を前記表面上で走査させる第１スキャン動作と、前記第１軸に沿っており且つ前記第１の方向とは逆向きの第２の方向に向かって前記目標照射位置が前記表面に対して相対的に移動するように前記加工光を前記表面上で走査させる第２スキャン動作とを含む
　加工システム。
［付記９４］
　前記第１動作と前記第２動作とを繰り返す期間中に、前記第１及び第２スキャン動作のそれぞれを少なくとも１回以上行う
　付記９３に記載の加工システム。
［付記９５］
　前記第１スキャン動作と、前記第２動作と、前記第２スキャン動作と、前記第２動作とをこの順に行う
　付記９３又は９４に記載の加工システム。
［付記９６］
　前記第１スキャン動作と、前記第２動作と、前記第２スキャン動作と、前記第２動作とをこの順に行う動作を繰り返す
　付記９３から９５のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記９７］
　前記表面のうち前記第１軸に沿って延びる第１スキャン領域に対して前記第１スキャン動作を行い、
　前記第１スキャン領域に対する前記第１スキャン動作が完了した後に、前記表面のうち前記第１軸に沿って延び且つ前記第１スキャン領域とは前記第２軸に沿った位置が異なる第２スキャン領域に対して前記加工光が照射可能となるように、前記第２動作を行い、
　前記第２スキャン領域に対して前記加工光が照射可能となるように前記第２動作を行った後に、前記第２スキャン領域に対して前記第２スキャン動作を行い、
　前記第２スキャン領域に対する前記第２スキャン動作が完了した後に、前記表面のうち前記第１軸に沿って延び且つ前記第１及び第２スキャン領域とは前記第２軸に沿った位置が異なる第３スキャン領域に対して前記加工光が照射可能となるように、前記第２動作を行い、
　前記第３スキャン領域に対して前記加工光が照射可能となるように前記第２動作を行った後に、前記第３スキャン領域に対して前記第１スキャン動作を行う
　付記９３から９６のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記９８］
　前記表面のうち前記第１軸に沿って延びるスキャン領域内で複数回の前記第１スキャン動作を行う
　付記９３から９７のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記９９］
　前記第１スキャン動作を１回行った後に、前記第２動作を行うことなく前記第１スキャン動作を再度行い、
　複数回の前記第１スキャン動作が完了した後に、前記第２動作を行う
　付記９８に記載の加工システム。
［付記１００］
　前記第１スキャン動作を１回行う都度、前記目標照射位置と前記表面との相対位置を前記第１軸に沿って変更した上で、前記第１スキャン動作を再度行う
　付記９８又は９９に記載の加工システム。
［付記１０１］
　前記表面のうち前記第１軸に沿って延びる第１スキャン領域の一部に対して前記第１スキャン動作を１回行い、
　前記第１スキャン動作を１回行う都度、前記目標照射位置と前記表面との相対位置を前記第１軸に沿って変更した上で、前記第１スキャン領域の他の一部に対して前記第１スキャン動作を再度行い、
　前記第１スキャン領域に対する複数回の前記第１スキャン動作が完了した後に、前記表面のうち前記第１軸に沿って延び且つ前記第１スキャン領域とは前記第２軸に沿った位置が異なる第２スキャン領域に対して前記加工光が照射可能となるように、前記第２動作を行う
　付記９８から１００のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記１０２］
　前記表面のうち前記第１軸に沿って延びるスキャン領域内で、前記第１及び第２スキャン動作のうちのいずれか一方を行う
　付記９３から１０１のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記１０３］
　前記表面のうち前記第１軸に沿って延びるスキャン領域内で、前記第１及び第２スキャン動作の双方を行う
　付記９３から１０１のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記１０４］
　前記表面のうち前記第１軸に沿って延びるスキャン領域に対して、前記第１及び第２スキャン動作のうち、前記スキャン領域に対する前記第１動作に先立って行われる前記第２動作による前記目標照射位置と前記表面との相対位置の変更量を少なくすることが可能ないずれか一方の動作を行って前記第１動作を開始する
　付記９３から１０３のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記１０５］
　記表面のうち前記第１軸に沿って延びるスキャン領域に対して、前記第１及び第２スキャン動作のうち、前記スキャン領域に対する前記第１動作に先立って行われる前記第２動作に要する時間を短くすることが可能ないずれか一方の動作を行って前記第１動作を開始する
　付記９３から１０４のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記１０６］
　前記表面のうち前記第１軸に沿って延びる第１のスキャン領域に対する前記スキャン動作が完了した時点で前記加工光が照射されていた照射完了地点と、前記表面のうち前記第１軸に沿って延び且つ前記第１のスキャン領域とは前記第２軸に沿った位置が異なる第２のスキャン領域内において前記加工光が照射されることが予定されている照射予定領域との間の位置関係に基づいて、前記第１スキャン動作で前記照射予定領域に前記加工光を照射するか又は前記第２スキャン動作で前記照射予定領域に前記加工光を照射するかが決定される
　付記９３から１０５のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記１０７］
　前記照射予定領域は、前記第１軸に沿って延びた領域であり、
　前記照射完了位置と、前記照射予定領域の一方の端部及び他方の端部との間の位置関係に基づいて、前記第１スキャン動作で前記照射予定領域に前記加工光を照射するか又は前記第２スキャン動作で前記照射予定領域に前記加工光を照射するかが決定される
　付記１０６に記載の加工システム。
［付記１０８］
　前記第１及び第２スキャン動作のうち、前記一方の端部及び前記他方の端部のうちの前記照射完了位置に近い方から、前記一方の端部及び前記他方の端部のうちの前記照射完了位置から遠い方に向かって前記加工光を前記照射予定領域内で走査させることが可能な方の動作によって、前記照射加工領域に前記加工光を照射する
　付記１０７に記載の加工システム。
［付記１０９］
　前記一方の端部の方が前記他方の端部よりも前記照射完了位置に近い場合には、前記第１及び第２スキャン動作のうち、前記一方の端部から前記他方の端部に向かう方向に向かって前記加工光を前記照射予定領域内で走査させることが可能な方の動作によって前記加工領域に前記加工光を照射し、
　前記他方の端部の方が前記一方の端部よりも前記照射完了位置に近い場合には、前記第１及び第２スキャン動作のうち、前記他方の端部から前記一方の端部に向かう方向に向かって前記加工光を前記照射予定領域内で走査させることが可能な方の動作によって前記加工領域に前記加工光を照射する
　付記１０７又は１０８に記載の加工システム。
［付記１１０］
　前記一方の端部から前記他方の端部に向かう方向が前記第１の方向であり、
　前記他方の端部から前記一方の端部に向かう方向が前記第２の方向であり、
　前記一方の端部の方が前記他方の端部よりも前記照射完了位置に近い場合には、前記第１スキャン動作によって前記照射予定領域に前記加工光を照射し、
　前記他方の端部の方が前記一方の端部よりも前記照射完了位置に近い場合には、前記第２スキャン動作によって前記照射予定領域に前記加工光を照射し、
　付記１０７から１０９のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記１１１］
　前記第２のスキャン領域内に複数の前記照射予定領域が設定されており、
　前記複数の照射予定領域のうち前記照射完了位置に最も近い一の端部を有する一の照射予定領域から前記加工光の照射を開始する
　付記１０８から１１０のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記１１２］
　前記第２のスキャン領域内に複数の前記照射予定領域が設定されており、
　前記第１及び第２スキャン動作のうち、前記一の照射予定領域の前記一の端部から、前記一の端部とは別の前記一の照射予定領域の他の端部に向かって、前記加工光を前記一の照射予定領域内で走査させることが可能な方の動作によって前記一の照射予定領域に前記加工光を照射する
　付記１１１に記載の加工システム。
［付記１１３］
　前記一の照射予定領域に対する前記第１動作が完了した後、前記複数の照射予定領域のうち前記一の照射予定領域に対する前記第１動作が完了した時点で前記加工光が照射されていた一の照射完了地点に最も近い端部を有する他の照射予定領域に前記加工光を照射する
　付記１１２に記載の加工システム。
［付記１１４］
　前記加工光を前記物体に照射することによって前記物体の一部の厚みを変更する
　付記９３から１１３のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記１１５］
　前記加工光を前記物体に照射することによって前記物体の一部を除去する
　付記９３から１１４のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記１１６］
　前記物体の表面に前記加工光を照射することで所定形状の構造を形成する
　付記９３から１１５のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記１１７］
　前記物体の表面の流体に対する摩擦抵抗を低減するための構造を形成する
　付記９３から１１６のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記１１８］
　前記物体の表面に周期的な構造を形成する
　付記９３から１１７のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記１１９］
　物体の表面に加工光を照射することと、
　前記物体の表面における前記加工光の目標照射位置と前記表面との相対位置を変更することと
　を備え、
　前記表面に沿った第１軸に沿って前記加工光を前記表面上で走査させる第１動作と、前記第１軸に交差し且つ前記表面に沿った第２軸に沿って前記加工光と前記表面との相対位置を変更する第２動作とを交互に繰り返し、
　前記第１動作は、前記第１軸に沿った第１の方向に向かって前記目標照射位置が前記表面に対して相対的に移動するように前記加工光を前記表面上ｂで走査させる第１スキャン動作と、前記第１軸に沿っており且つ前記第１の方向とは逆向きの第２の方向に向かって前記目標照射位置が前記表面に対して相対的に移動するように前記加工光を前記表面上で走査させる第２スキャン動作とを含む
　を含む、流体中を移動する移動体の加工方法。
［付記１２０］
　光源からの加工光を物体の表面に照射して前記表面を加工する加工システムにおいて、
　前記光源からの前記加工光の光路に配置される第１光学系と、
　前記光源からの前記加工光の光路に配置され、前記加工光を前記表面に集光する第２光学系と
　を備え、
　前記第１及び第２光学系を介した前記加工光の収斂位置におけるビーム断面の大きさは、前記第２光学系を介した加工光の収斂位置におけるビーム断面の大きさよりも大きい
　加工システム。
［付記１２１］
　前記第１光学系の光軸に関して回転対称な収差によって、前記第１及び第２光学系を介した前記加工光の収斂位置におけるビーム断面の大きさを、前記第２光学系を介した加工光の収斂位置におけるビーム断面の大きさよりも大きくする
　付記１２０に記載の加工システム。
［付記１２２］
　前記第１光学系の前記回転対称な収差は、球面収差を含む
　付記１２１に記載の加工システム。
［付記１２３］
　前記光照射装置は、複数の前記加工光を前記表面に照射し、
　前記第１光学系は、前記表面内において前記複数の加工光を部分的に重ね合わせる
　付記１２０から１２２のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記１２４］
　前記光照射装置は、前記複数の加工光を同時に前記表面に照射する
　付記１２３に記載の加工システム。
［付記１２５］
　前記光照射装置は、前記複数の加工光のうち第１加工光を前記表面に照射した後に、前記複数の加工光のうち前記第１加工光と異なる第２加工光を前記表面に照射する
　付記１２３又は１２４に記載の加工システム。
［付記１２６］
　前記第１光学系は、前記加工光を散乱させる散乱面を含む
　付記１２０から１２５のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記１２７］
　前記第１光学系を介することなく前記物体の表面に照射される前記加工光と比較して、前記第１及び第２光学系を介して前記物体の表面に照射される前記加工光の、前記加工光の収斂位置の近傍において、前記光学系の光軸に交差する前記加工光の断面のサイズの、前記光軸に沿った方向における変化量が少なくなっている
　付記１２０から１２６のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記１２８］
　光源からの加工光を物体の表面に照射して前記表面を加工する加工システムにおいて、
　前記光源からの前記加工光の光路に配置される第１光学系と、
　前記光源からの前記加工光の光路に配置され、前記加工光を前記表面に集光する第２光学系と
　を備え、
　前記光学系を介することなく前記物体の表面に照射される前記加工光と比較して、前記光学系を介して前記物体の表面に照射される前記加工光は、前記加工光の収斂位置の近傍において、前記光学系の光軸に交差する面に沿った前記加工光のビーム径の前記光軸に沿った方向における変化量が小さい
る加工システム。
［付記１２９］
　前記第１光学系は、前記加工光の前記光路に対して挿脱可能である
　付記１２０から１２８のいずれか一項に記載の加工システム。
［付記１３０］
　光源から加工光を射出することと、
　前記光源からの前記加工光を、第１光学系に入射させることと、
　前記加工光を第２光学系を用いて物体上に集光することと
　を含み、
　前記第１光学系を介することなく前記物体の表面に照射される前記加工光と比較して、前記第１及び第２光学系を介して前記物体の表面に照射される前記加工光の、前記加工光の収斂位置におけるビーム径が大きくなる
　流体中を移動する移動体の加工方法。
［付記１３１］
　光源から加工光を射出することと、
　前記光源からの前記加工光を、第１光学系に入射させることと、
　前記加工光を第２光学系を用いて物体上に集光することと
　を含み、
　前記第１光学系を介することなく前記物体の表面に照射される前記加工光と比較して、前記第１及び第２光学系を介して前記物体の表面に照射される前記加工光は、前記加工光の収斂位置の近傍において、前記光学系の光軸に交差する面に沿った前記加工光のビーム径の前記光軸に沿った方向における変化量が小さい
　流体中を移動する移動体の加工方法。
［付記１３２］
　物体の表面に加工光を照射して前記物体を加工する加工装置において、
　前記表面に第１加工光が照射される第１照射領域を形成し、第２加工光が照射される第２照射領域を形成する光照射装置を備え、
　前記光照射装置は、前記第１及び第２照射領域が互いに重なるように前記第１及び第２加工光を照射する
　加工装置。
［付記１３３］
　前記第１照射領域は、前記表面における第１方向に沿って走査される
　付記１３２に記載の加工装置。
［付記１３４］
　前記第２照射領域は、前記表面における第２方向に沿って走査される
　付記１３３に記載の加工装置。
［付記１３５］
　前記第１照射領域と前記第２照射領域とは、前記第１方向又は前記第２方向において少なくとも一部が重畳する
　付記１３４に記載の加工装置。
［付記１３６］
　前記第１照射領域と前記第２照射領域とは、前記表面上における前記第１方向又は前記第２方向と交差する第３方向において少なくとも一部が重畳する
　付記１３４又は１３５に記載の加工装置。
［付記１３７］
　前記第１方向と前記第２方向とは同一又は平行である
　付記１３４から１３６に記載の加工装置。
［付記１３８］
　前記光照射装置は、前記第１加工光と前記第２加工光とを前記表面に非同時に照射する
　付記１３２から１３７のいずれかに記載の加工装置。
［付記１３９］
　前記光照射装置は、前記第１加工光を前記表面に照射した後、前記第２加工光を前記表面に照射する
　付記１３２から１３８のいずれかに記載の加工装置。
［付記１４０］
　前記光照射装置は、前記第１加工光と前記第２加工光とを前記表面に同時に照射する
　付記１３２から１３７のいずれかに記載の加工装置。

　上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。上述の各実施形態の要件のうちの一部が用いられなくてもよい。上述の各実施形態の要件は、適宜他の実施形態の要件と置き換えることができる。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態で引用した装置等に関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

　また、本発明は、請求の範囲及び明細書全体から読み取るこのできる発明の要旨又は思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う加工装置、加工方法、加工システム及び移動体の加工方法もまた本発明の技術思想に含まれる。

　１　加工装置
　１１　光照射装置
　１１１　光源
　１１２　マルチビーム光学系
　１１２１　偏光ビームスプリッタ
　１１２２、１１２４　１／４波長板
　１１２３、１１２５　反射ミラー
　１１２６ｃ　駆動系
　１１３　ガルバノミラー
　１１４　ｆθレンズ
　１１５ｂ　波長板
　１１７ｅ　強度調整装置
　１１７１ｅ、１１７２ｅ　強度センサ
　１１７３ｅ　波長板
　１１７４ｅ　駆動系
　１１７ｆ
　１１７１ｆ　偏光ビームスプリッタ
　１１７２ｆ、１１７４ｆ　１／４波長板
　１１７３ｆ、１１７５ｆ　反射ミラー
　１１７６ｆ　波長板
　１１８１ｊ　拡大光学系
　１１８２ｊ　駆動系
　２　制御装置
　Ｃ　凹部
　ＣＰ１　凹状構造
　ＥＡ　照射領域
　ＥＬｋ　加工光
　ＥＬｏ　光源光
　Ｓ　加工対象物
　ＳＦ　塗装膜
　ＳＹＳ　加工システム
　ＳＡ　加工ショット領域
　ＳＣＡ　スキャン領域
　ＦＡ　加工領域
　ＳＣ＿ｓｔａｒｔ　スキャン開始位置
　ＳＣ＿ｅｎｄ　スキャン終了位置
　Ｆ＿ｓｔａｒｔ　加工開始位置
　Ｆ＿ｅｎｄ　加工終了位置

Claims

　物体の表面に加工光を照射して前記物体を加工する加工装置において、
　第１加工光を照射して前記表面に第１照射領域を形成し、第２加工光を照射して前記表面に前記第１照射領域と少なくとも一部が重なる第２照射領域を形成する光照射装置を備え、
　前記光照射装置は、前記第１及び第２照射領域の重なり状態を変更可能な変更部材を有する
　加工装置。
　前記第１及び第２加工光を照射して前記物体の表面に凹部を形成する
　請求項１に記載の加工装置。
　前記光照射装置は、前記第１及び第２照射領域を前記物体の表面に沿った一の方向に移動させる変位部材を有し、
　前記物体の表面に前記一の方向に伸びた一つ又は複数の凹部を形成する
　請求項１又は２に記載の加工装置。
　前記変更部材は、前記物体の表面において前記一の方向と交差する他の方向における前記第１及び第２照射領域の相対的な位置関係を変更する
　請求項３に記載の加工装置。
　前記変位部材により、前記第１及び第２照射領域を前記一の方向に移動させることによって、前記一つの凹部が形成され、
　前記変更部材により重なり状態を変更することにより、前記他の方向における前記凹部の幅を調整する
　請求項４に記載の加工装置。
　前記変位部材により、前記第１及び第２照射領域を前記一の方向に移動させることによって、前記一つの凹部が形成され、
　前記変更部材により重なり状態を変更することにより、前記凹部の深さを調整する
　請求項４又は５に記載の加工装置。
　前記変位部材により、前記第１及び第２照射領域を前記一の方向に移動させることによって、前記複数の凹部として、第１凹部と第２凹部が形成され、
　前記変更部材により前記他の方向における前記第１及び第２照射領域の相対的な位置関係を変更することにより、前記他の方向における前記第１凹部と前記第２凹部の間隔を調整する
　請求項４に記載の加工装置。
　前記変位部材は、前記第１及び第２照射領域を前記物体の表面において前記一の方向と交差する他の方向に移動させ、
　前記物体の表面に、前記他の方向に周期方向を持つ複数の凹部を形成する
　請求項３から７のいずれか一項に記載の加工装置。
　前記光照射装置は、
　入射光を、第１光と第２光とに分岐する第１光学系と、
　前記第１光学系からの前記第１光を、第３光として前記第１光学系に戻す第２光学系と、
　前記第１光学系からの前記第２光を、第４光として前記第１光学系に戻す第３光学系と
　を備え、
　前記第１光学系を介した前記第２光学系からの前記第３光は、前記第１加工光として前記表面に照射され、
　前記第１光学系を介した前記第３光学系からの前記第４光は、前記第２加工光として前記表面に照射される
　請求項１から８のいずれか一項に記載の加工装置。
　前記第２及び第３光学系のうち少なくとも一方の光学系は、前記第１光学系を介した前記第２光学系からの前記第３光と前記第１光学系を介した前記第３光学系からの前記第４光との進行方向とを互いに異ならせる
　請求項９に記載の加工装置。
　前記第２及び第３光学系のうち少なくとも一方の光学系は、前記第１光学系を介した前記第２光学系からの前記第３光の進行方向と前記第１光学系を介した前記第３光学系からの前記第４光の進行方向とのなす角度を変える
　請求項９又は１０に記載の加工装置。
　前記変更部材は、前記第２及び第３光学系のうち少なくとも一方の光学系を含む
　請求項１１に記載の加工装置。
　前記光照射装置は、前記第１光学系を介した前記第２光学系からの前記第３光と、前記第１光学系を介した前記第２光学系からの前記第４光との光路に配置され、前記第３及び第４光を集光する第４光学系を備える
　請求項９から１２のいずれか一項に記載の加工装置。
　前記光照射装置は、前記第１光学系と前記第４光学系との間に配置され、前記第３光と前記第４光との進行方向を変える第５光学系を備える
　請求項１３に記載の加工装置。
　前記光照射装置は、前記第１及び第２照射領域を前記物体の表面に沿った一の方向に移動させる変位部材を有し、
　前記変位部材は前記第５光学系を含む
　請求項１４に記載の加工装置。
　物体の表面に加工光を照射して前記物体を加工する加工方法において、
　第１加工光を照射して前記表面に第１照射領域を形成することと、
　第２加工光を照射して前記表面に前記第１照射領域と一部が重なる第２照射領域を形成することと、
　前記第１及び第２照射領域の重なり状態を変更することと
　を含む加工方法。
　物体に加工光を照射して前記物体を加工する加工装置であって、
　入射光を、第１光と第２光とに分岐する第１光学系と、
　前記第１光学系からの前記第１光を、第３光として前記第１光学系に戻す第２光学系と、
　前記第１光学系からの前記第２光を、第４光として前記第１光学系に戻す第３光学系と
　を備え、
　前記第１光学系は、前記第２光学系からの前記第３光及び前記第３光学系からの前記第４光を、前記物体の表面上の異なる位置に照射される複数の前記加工光として射出する
　加工システム。
　物体に複数の加工光を照射して前記物体を加工する光照射装置と、
　所望のパターン構造が前記物体に形成されるように、前記物体の表面上での前記複数の加工光の照射位置の相対的な位置関係を変更する照射位置変更装置と
　を備える加工装置。
　物体に加工光を照射して所望方向に延在するパターン構造を前記物体に形成するように前記物体を加工する加工システムであって、
　前記物体の表面に沿った第１方向における前記加工光の照射位置と前記物体の表面との相対位置を変更するように可動する第１可動装置と、
　前記物体の表面に沿っており且つ前記第１の方向に交差する第２の方向における前記加工光の照射位置と前記物体の表面との相対位置を変更するように可動すると共に、前記第１可動装置よりも重い及び／又は大きい第２可動装置と
　を備え、
　前記所望方向に延びる軸と前記第１方向に延びる軸とがなす第１角度が、前記所望方向に延びる軸と前記第２方向に延びる軸とがなす第２角度よりも小さくなるように、前記第１及び第２可動装置が前記表面に対して位置合わせされている
　加工システム。
　物体に加工光を照射して前記物体の表面に所望方向に延在するパターン構造を形成するように前記物体を加工する加工装置と、
　前記パターン構造が形成された前記物体をシミュレートするシミュレーションモデルから生成される前記パターン構造に関するパターン情報に基づいて、前記パターン構造を形成するように前記加工装置を制御する制御装置と
　を備える加工システム。
　物体の表面に加工光を照射する光照射装置と、
　前記物体の表面における前記加工光の目標照射位置と前記表面との相対位置を変更する位置変更装置と
　を備え、
　前記光照射装置及び前記位置変更装置を用いて、前記表面に沿った第１軸に沿って前記加工光を前記表面上で走査させる第１動作と、前記第１軸に交差し且つ前記表面に沿った第２軸に沿って前記加工光と前記表面との相対位置を変更する第２動作とを交互に繰り返し、
　前記第１動作は、前記第１軸に沿った第１の方向に向かって前記目標照射位置が前記表面に対して相対的に移動するように前記加工光を前記表面上で走査させる第１スキャン動作と、前記第１軸に沿っており且つ前記第１の方向とは逆向きの第２の方向に向かって前記目標照射位置が前記表面に対して相対的に移動するように前記加工光を前記表面上で走査させる第２スキャン動作とを含む
　加工システム。
　光源からの加工光を物体の表面に照射して前記表面を加工する加工システムにおいて、
　前記光源からの前記加工光の光路に配置される第１光学系と、
　前記光源からの前記加工光の光路に配置され、前記加工光を前記表面に集光する第２光学系と
　を備え、
　前記第１及び第２光学系を介した前記加工光の収斂位置におけるビーム断面の大きさは、前記第２光学系を介した加工光の収斂位置におけるビーム断面の大きさよりも大きい
　加工システム。