WO2020211509A1 - 驱动电路、显示面板及显示面板的制作方法 - Google Patents

Abstract

一种驱动电路、显示面板及显示面板的制作方法，包括：第一开关晶体管(T1)，第一开关晶体管(T1)的第一极被配置为与信号输入端(N)耦接，第一开关晶体管(T1)的第二极被配置为与待驱动器件(L)耦接；发光控制电路(10)，与第一开关晶体管(T1)的栅极耦接，且发光控制电路(10)被配置为根据栅极信号端(GA)和数据信号端(Vdata)的信号，控制第一开关晶体管(T1)的导通时长。

Description

驱动电路、显示面板及显示面板的制作方法

相关申请的交叉引用

本申请要求在2019年04月19日提交中国专利局、申请号为201910319947.1、申请名称为“一种驱动电路、显示面板及显示面板的制作方法”的中国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及驱动电路、显示面板及显示面板的制作方法。

背景技术

随着显示技术的不断发展，显示面板在手机、平板电脑等显示装置中得到了广泛应用。

发明内容

本公开实施例提供的驱动电路，包括：

第一开关晶体管，所述第一开关晶体管的第一极被配置为与信号输入端耦接，所述第一开关晶体管的第二极被配置为与待驱动器件耦接；

发光控制电路，与所述第一开关晶体管的栅极耦接，且所述发光控制电路被配置为根据栅极信号端和数据信号端的信号，控制所述第一开关晶体管的导通时长。

可选地，在本公开实施例中，所述发光控制电路包括：

充放电控制电路，所述充放电控制电路被配置为分别与所述栅极信号端和所述数据信号端耦接，所述充放电控制电路的输出端与电位比较电路的第一输入端耦接；且所述充放电控制电路被配置为响应于所述栅极信号端的信 号，将所述数据信号端的信号提供给所述电位比较电路的第一输入端，以及响应于所述栅极信号端的信号，将接地端的信号提供给所述电位比较电路的第一输入端；

所述电位比较电路，所述电位比较电路的第二输入端被配置为与基准电压端耦接，所述电位比较电路的输出端与所述第一开关晶体管的栅极耦接；且所述电位比较电路被配置为根据所述基准电压端和所述第一输入端接收的信号，控制所述第一开关晶体管的导通时长。

可选地，在本公开实施例中，所述充放电控制电路包括：第二开关晶体管、第三开关晶体管和电容；

所述第二开关晶体管的栅极被配置为与所述栅极信号端耦接，所述第二开关晶体管的第一极被配置为与所述数据信号端耦接，所述第二开关晶体管的第二极与所述电位比较电路的所述第一输入端耦接；

所述电容的第一端与所述电位比较电路的第一输入端耦接，所述电容的第二端与所述接地端耦接；

所述第三开关晶体管的栅极被配置为与所述栅极信号端耦接，所述第三开关晶体管的第一极与所述电容的第一端耦接，所述第三开关晶体管的第二极与所述接地端耦接。

可选地，在本公开实施例中，所述第二开关晶体管为N型开关晶体管，且所述第三开关晶体管为P型开关晶体管；或者，

所述第二开关晶体管为P型开关晶体管，且所述第三开关晶体管为N型开关晶体管。

可选地，在本公开实施例中，所述电位比较电路包括：比较器；

所述比较器的第一输入端与所述充放电控制电路的输出端耦接，所述比较器的第二输入端被配置为与所述基准电压端耦接，所述比较器的输出端与所述第一开关晶体管的栅极耦接。

可选地，在本公开实施例中，所述比较器包括：第四开关晶体管、第五驱动晶体管、第六驱动晶体管、第七开关晶体管、第八开关晶体管、第九开 关晶体管和第十开关晶体管；

所述第四开关晶体管的栅极和第一极均被配置为与第一参考电压端耦接，所述第四开关晶体管的第二极与所述第五驱动晶体管的第一极耦接；

所述第五驱动晶体管的栅极被配置为与所述充放电控制电路的输出端耦接，所述第五驱动晶体管第二极与所述第七开关晶体管的第一极耦接；

所述第六驱动晶体管的栅极被配置为与所述基准电压端耦接，所述第六开关晶体管的第一极与所述第四开关晶体管的第二极耦接，所述第六开关晶体管的第二极与所述第十开关晶体管的栅极耦接；

所述第七开关晶体管的栅极与所述第八开关晶体管的栅极耦接，所述第七开关晶体管的第二极被配置为与第二参考电压端耦接；

所述第八开关晶体管的第一极与所述第六驱动晶体管的第二极耦接，所述第八开关晶体管的第二极被配置为与所述第二参考电压端耦接；

所述第九开关晶体管的栅极和第一极均被配置为与所述第一参考电压端耦接，所述第九开关晶体管的第二极与所述第一开关晶体管的栅极耦接；

所述第十开关晶体管的第一极与所述第一开关晶体管的栅极耦接，所述第十开关晶体管的第二极被配置为与所述第二参考电压端耦接。

可选地，在本公开实施例中，所述驱动电路还包括：像素电路；所述信号输入端与所述像素电路耦接。

本公开实施例还提供了显示面板，包括：

衬底基板，包括多个子像素；

多个发光器件，位于所述衬底基板上，且所述多个子像素中的至少一个设置所述多个发光器件中的至少一个；

多个上述驱动电路，一个所述驱动电路与至少一个所述发光器件耦接。

可选地，在本公开实施例中，还包括位于所述衬底基板的多个硅基微芯片，所述驱动电路位于所述硅基微芯片，每一所述硅基微芯片对应至少一个所述发光器件。

可选地，在本公开实施例中，所述驱动电路位于所述衬底基板上；

一个所述驱动电路电连接一个所述发光器件，且，相互电连接的所述驱动电路和所述发光器件位于同一子像素中。

可选地，在本公开实施例中，所述发光器件包括：有机发光二极管、量子点发光二极管以及微发光二极管中的至少一种。

本公开实施例还提供了上述显示面板的制作方法，包括：

在所述衬底基板的一侧形成所述驱动电路；

在形成有所述驱动电路的所述衬底基板上形成多个发光器件。

可选地，在本公开实施例中，所述形成多个发光器件包括：

采用转印工艺将多个所述发光器件转印至所述衬底基板上。

可选地，在本公开实施例中，所述在所述衬底基板的一侧形成所述驱动电路，包括：

选取多个硅基微芯片；

在所述多个硅基微芯片中的至少一个硅基微芯片上形成至少一个驱动电路；

采用转印工艺将形成有所述驱动电路的所述硅基微芯转印至所述衬底基板。

附图说明

图1为本公开实施例提供的驱动电路的结构示意图；

图2为本公开实施例提供的包括充放电控制电路以及电位比较电路的驱动电路的结构示意图；

图3为本公开实施例提供的包括第二开关晶体管、第三开关晶体管以及电容的充放电控制电路的结构示意图；

图4为本公开实施例提供的包括比较器的电位比较电路的结构示意图；

图5为本公开实施例提供的比较器的具体结构示意图；

图6为本公开实施例提供包括像素电路的驱动电路结构示意图；

图7a为本公开实施例提供的一些显示面板的结构示意图；

图7b为本公开实施例提供的又一些显示面板的结构示意图；

图8为本公开实施例提供的一些显示面板的制作流程示意图；

图9为本公开实施例提供的另一些显示面板的制作流程示意图；

图10为本公开实施例提供的一些显示面板对应的时序示意图。

具体实施方式

为了使得本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整接地端描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应接地端改变。

为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了已知功能和已知部件的详细说明。

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)、量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)、微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)等电致发光二极管具有自发光、低能耗等优点，是当今电致发光显示装置应用研究领域的热点之一。一般电致发光显示装置中采用驱动电路来驱动电致发光二极管发光。然而，微型发光二极管 (Micro LED)存在低电流工作时，色坐标不稳定的问题。

具体地，微发光二极管(Micro LED)由于其高对比度，快速响应，广视角，宽色域，高亮度，低功耗，寿命长，稳定性好等诸多优势，被定义为下一代显示技术。同时，与有机发光二极管(Organic Light Emitted Diode，OLED)相比，Micro LED需要更高的驱动电流，且在低电流下色坐标不稳定，这对像素驱动带来很大的挑战。如果按照通常的LED方式驱动，每个Micro LED采用正负极驱动，对于高分辨率产品将需要引入大量引线。如果采用通常的OLED驱动电路，因为每个Micro LED发光时间压缩为一行，导致LED瞬时电流极大升高，为驱动电路带来困难。而且通常的OLED像素电路无法有效解决Micro LED低电流工作色坐标不稳定的缺点，因此针对Micro LED显示器件，并没有成熟驱动方案。

鉴于此，本公开实施例提供的驱动电路，参见图1，包括：第一开关晶体管T1和发光控制电路10；

第一开关晶体管T1的栅极与发光控制电路10耦接，第一开关晶体管T1的第一极被配置为与信号输入端N耦接，第一开关晶体管T1的第二极配置为与待驱动器件L耦接；

发光控制电路10被配置为根据栅极信号端GA和数据信号端Vdata的信号，控制第一开关晶体管T1的导通时长。

本公开实施例提供的驱动电路，包括：第一开关晶体管T1和发光控制电路；第一开关晶体管T1的栅极与发光控制电路耦接，第一开关晶体管T1的第一极被配置为与信号输入端N耦接，第一开关晶体管T1的第二极配置为与发光二极管耦接；发光控制电路被配置为根据栅极信号端GA和数据信号端Vdata的信号，控制第一开关晶体管T1的导通时长。本公开实施例通过设置发光控制电路，由于发光控制电路可以控制第一开关晶体管T1的导通时长，可以对待驱动器件在一帧时间内的发光时长进行控制。并且，由于不同的发光时长对应不同的灰阶，从而可以通过对发光时长的控制实现对发光颜色的控制，避免待驱动器件在低电流工作时出现色坐标不稳定的问题，同时也无 需引入过多走线，且也无需产生瞬间大电流，从而可以提高驱动电路的稳定性。

在具体实施时，待驱动器件可以为发光器件，则可以向发光器件提供驱动电流以驱动发光器件发光。这样可以通过控制第一开关晶体管的导通时长，控制流入发光器件的驱动电流的时长，以控制发光器件的发光时长。从而可以对发光器件在一帧时间内的发光时长进行控制，由于不同的发光时长可以对应不同的灰阶，进而可以通过对发光时长的控制实现较多灰阶的显示，提高显示效果。当然，在实际应用中，待驱动器件还可以设置为其他器件，在此不作限定。下面均以待驱动器件为发光器件为例进行说明。

在具体实施时，在本公开实施例中，发光器件的第一端与第一开关晶体管T1的第二极电连接，发光器件的第二端与第二电源端ELVSS电连接。其中，发光器件的第一端为其正极，第二端为其负极。并且，发光器件一般为电致发光二极管，例如，发光器件可以为：微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)、有机电致发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)以及量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)中的至少一种。另外，一般发光器件具有发光阈值电压，在发光器件两端的电压大于或等于发光阈值电压时进行发光。在实际应用中，可以根据实际应用环境来设计确定发光器件的具体结构，在此不作限定。

可选地，本公开实施例中的发光器件具体可以为Micro LED。这样可以通过本公开实施例提供的驱动电路改善Micro LED在低电流下色坐标不稳定的问题。

在具体实施时，参见图2所示，发光控制电路10可以包括：充放电控制电路11和电位比较电路12；其中，充放电控制电路11被配置为分别与栅极信号端GA与数据信号端Vdata耦接；且充放电控制电路11的输出端与电位比较电路12的第一输入端耦接。电位比较电路12的第二输入端被配置为与基准电压端Vref耦接，电位比较电路12的输出端与第一开关晶体管T1的栅极耦接。

充放电控制电路11被配置为响应于栅极信号端GA的信号，将数据信号端Vdata的信号提供给电位比较电路12的第一输入端，以及响应于栅极信号端GA的信号，将接地端GND的信号提供给电位比较电路12的第一输入端。这样可以使充放电控制电路11被配置为根据栅极信号端GA和数据信号端Vdata的信号，向电位比较电路输出不同的电位。

电位比较电路12被配置为根据基准电压端Vref和第一输入端接收的信号，控制第一开关晶体管T1的导通时长。这样可以使电位比较电路12根据充放电控制电路11输出的电位，控制第一开关晶体管T1的导通时长。

本公开实施例中，发光控制电路具体可以包括充放电控制电路和电位比较电路，充放电控制电路可以为电位比较电路提供不同的电位，而电位比较电路可以对充放电控制电路输出的电位以及基准电压端Vref输入的电位进行比较，在充放电控制电路输出的电位大于基准电压端Vref输入的电位时，可以输出使第一开关晶体管导通的信号，进而使第一开关晶体管T1导通；在充放电控制电路输出的电位小于基准电压端Vref输入的电位时，使第一开关晶体管T1关闭，进而可以实现对第一开关晶体管T1的导通时长进行控制。

在具体实施时，参见图3所示，充放电控制电路11可以包括：第二开关晶体管T2、第三开关晶体管T3和电容C；其中，第二开关晶体管T2的栅极被配置为与栅极信号端GA耦接，第二开关晶体管T2的第一极被配置为与数据信号端Vdata耦接，第二开关晶体管T2的第二极与电位比较电路的第一输入端耦接；电容C的第一端与电位比较电路的第一输入端耦接，电容C的第二端与接地端GND耦接；第三开关晶体管T3的栅极被配置为与栅极信号端GA耦接，第三开关晶体管T3的第一极与电容C的第一端耦接，第三开关晶体管T3的第二极与接地端GND耦接。

本公开实施例中，发光控制电路具体可以包括第二开关晶体管T2、第三开关晶体管T3和电容C，其中，第二开关晶体管T2和第三开关晶体管T3具体可以为不同类型的开关晶体管。例如，第二开关晶体管T2可以为N型开关晶体管，第三开关晶体管T3可以为P型开关晶体管。或者，也可以是第二开 关晶体管T2可以为P型开关晶体管，第三开关晶体管T3可以为N型开关晶体管。这样可以在第二开关晶体管T2和第三开关晶体管T3耦接于同一栅极信号端GA时，其中的一个导通，另一个关闭。例如，在栅极信号端GA加载高电平信号时，第二开关晶体管T2导通，第三开关晶体管T3断开，这样可以使第二开关晶体管T2将数据信号端Vdata的电压充入到电容C。在栅极信号端GA加载低电平信号时，第二开关晶体管T2断开，第三开关晶体管T3导通，这样可以使第三开关晶体管T3将电容C存储的电位进行放电。

对于不同的驱动电路，由于在同一阶段输入的数据信号可能不同，进而可以使电容C存储的电位不同，在后续放电时，由于不同驱动电路的电容C存储的电位高低不同，进而放电时长不同，相应使电位比较电路的第一输入端保持大于基准电位端Vref的电位的持续时长不同，进而可以最终使不同驱动电路对应的发光二极管的发光时长不同，实现不同的灰阶控制。同样，对于同一驱动电路，其在不同帧时，数据信号端Vdata输入的电位不同时，也可以实现使该驱动电路对应的发光二极管在不同帧时具有不同的灰阶。

在具体实施时，参见图4所示，电位比较电路12可以包括：比较器U；比较器U的第一输入端与充放电控制电路的输出端耦接，比较器U的第二输入端被配置为与基准电压端Vref耦接，比较器U的输出端与第一开关晶体管T1的栅极耦接。

本公开实施例中，电位比较电路具体可以包括比较器U，比较器U根据第一输入端以及第二输入端输入的电位进行比较，进而在充放电控制电路的输出端输出的电位持续大于基准电压端Vref的电位时，可以保持第一开关晶体管T1持续导通，进而实现对第一开关晶体管T1的导通时长的控制。

在具体实施时，参见图5所示，比较器U包括：第四开关晶体管T4、第五驱动晶体管T5、第六驱动晶体管T6、第七开关晶体管T7、第八开关晶体管T8、第九开关晶体管T9和第十开关晶体管T10；其中，

第四开关晶体管T4的栅极和第一极均被配置为与第一参考电压端VGH耦接，第四开关晶体管T4的第二极与第五驱动晶体管T5的第一极耦接；

第五驱动晶体管T5的栅极被配置为与充放电控制电路的输出端耦接，第五驱动晶体管T5第二极与第七开关晶体管T7的第一极耦接；也就是说，第五驱动晶体管T5的栅极作为比较器U的第一输入端VIN。

第六驱动晶体管T6的栅极被配置为与基准电压端Vref耦接，第六开关晶体管T6的第一极与第四开关晶体管T4的第二极耦接，第六开关晶体管T6的第二极与第十开关晶体管T10的栅极耦接；

第七开关晶体管T7的栅极与第八开关晶体管T8的栅极耦接，第七开关晶体管T7的第二极被配置为与第二参考电压端VGL耦接；

第八开关晶体管T8的第一极与第六驱动晶体管T6的第二极耦接，第八开关晶体管T8的第二极被配置为与第二参考电压端VGL耦接；

第九开关晶体管T9的栅极和第一极均被配置为与第一参考电压端VGH耦接，第九开关晶体管T9的第二极与第一开关晶体管T1的栅极耦接；也就是说，第九开关晶体管T9的第二极作为比较器U的输出端Vout。

第十开关晶体管T10的第一极与第一开关晶体管T1的栅极耦接，第十开关晶体管T10的第二极被配置为与第二参考电压端VGL耦接。

本公开实施例中，比较器U具体可以包括第四开关晶体管T4、第五驱动晶体管T5、第六驱动晶体管T6、第七开关晶体管T7、第八开关晶体管T8、第九开关晶体管T9和第十开关晶体管T10，第一参考电压端VGH具体可以为高电平电压端，第二参考电压端VGL具体可以为低电平电压端，第五驱动晶体管T5、第六驱动晶体管T6工作在放大区；第七开关晶体管T7和第八开关晶体管T8特性相同，且栅极相连，故流过第五驱动晶体管T5的电流I5、流过第七开关晶体管T7的电流I7以及流过第八开关晶体管T8的电流I8大致相同，即I5＝I7＝I8。示例性地，第一种情况，当第一输入端VIN的电压vin大于或等于基准电压端Vref的电压vref时，即vin≥vref时，第五驱动晶体管T5的电流I5大于或等于第六驱动晶体管T6的电流I6，即I5≥I6，以及第十开关晶体管的电流I10≤0，即从第十开关晶体管T10输出至第八开关晶体管T8，可认为第十开关晶体管T10不导通，从而输出端Vout的电压与第一参考 电压端VGH的电压大致相同。第二种情况，当第一输入端VIN的电压vin小于基准电压端Vref的电压时，即vin＜vref时，第五驱动晶体管T5的电流I5小于第六驱动晶体管T6的电流I6，即I5＜I6，第十开关晶体管T10的电流I10＞0，即从第八开关晶体管T8输出至第十开关晶体管T10，可认为第十开关晶体管T10导通，从而输出端Vout的电压与第二参考电压端VGL的电压大致相同。因此可以使比较器实现根据第一输入端以及第二输入端输入的电压对第一开关晶体管的导通时长进行控制。

在具体实施时，参见图6所示，驱动电路还可以包括：像素电路20；信号输入端与像素电路20耦接。本公开实施例中，驱动电路还可以包括像素电路，信号输入端与像素电路耦接。这样可以通过像素电路为本公开实施例中的驱动电路的信号输入端输入电流，进而可以实现对发光器件的电流驱动。该像素电路具体可以为OLED的像素电路，即，本公开的显示面板，可以复用OLED的像素电路，制作方法较为简单。当然，在具体实施时，也可以直接为驱动电路的信号输入端提供驱动电流。需要说明的是，通过像素电路为本公开实施例中的驱动电路的信号输入端输入电流时，由于本公开实施例中主要通过驱动电路的数据信号端输入的电压不同来实现灰阶的控制，因此，不同驱动电路的像素电路输入的电流具体可以相同，具体可以通过对像素电路中的数据信号端输入相同的数据电压信号，以保证不同驱动电路对应的像素电路通过信号输入端输入的信号相同。

在具体实施时，像素电路的结构可以与相关技术中的结构大致相同，对于该像素电路的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本公开的限制。

基于同一公开构思，本公开实施例还提供了显示面板，包括：具有多个子像素的衬底基板，位于衬底基板上的多个发光器件，以及位于衬底基板的多个上述的驱动电路。其中，多个子像素中的至少一个设置多个发光器件中的至少一个，一个驱动电路与至少一个发光器件耦接。这样可以采用驱动电路对发光器件进行驱动。

在具体实施时，衬底基板具体可以为玻璃衬底基板。当然，在实际应用中，衬底基板还可以采用其他材质，这可以根据实际应用环境的需求来设计确定，在此不作限定。

在具体实施时，参见图7a所示，显示面板还可以包括位于衬底基板100上的多个硅基微芯片1，驱动电路2位于硅基微芯片1，每一硅基微芯片1对应驱动至少一个发光器件L。示例性地，每一硅基微芯片1对应驱动多个发光器件L。例如，每一硅基微芯片1对应驱动多个Micro LED。这样在具体制作时，可以先在硅基衬底上制作多个驱动电路，形成硅基微芯片1，再将包括多个驱动电路2的硅基微芯片1转印到衬底基板。衬底基板上的子像素可以阵列分布，这样可以使每一个子像素中设置一个Micro LED，以使Micro LED可以呈阵列分布。硅基微芯片1具体可以设置在相邻Micro LED之间的间隙处，例如，一个微芯片包括一行驱动电路2，可以将该硅基微芯片1设置在相邻两行Micro LED之间的间隙处，以对应驱动其中的一行Micro LED进行发光。本公开实施例中，显示面板还包括位于衬底基板的多个硅基微芯片1(Micro Chip)，驱动电路2位于硅基微芯片1，即，该方案引入Micro Chip，采用硅基工艺制程，可以提高晶体管(TFT)等器件的特性，有效解决玻璃基底电子迁移率低，漏电流高等问题。

在具体实施时，参见图7b所示，也可以使驱动电路位于衬底基板100上，以及一个驱动电路电连接一个发光器件，且，相互电连接的驱动电路和发光器件位于同一子像素中。这样可以直接将驱动电路制备于衬底基板上。例如采用相关技术中的制备薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的方法制备驱动电路中的各开关晶体管。从而可以使每一个子像素中设置一个驱动电路和一个发光器件，从而可以使显示面板形成自发光显示面板。不用再额外设置硅基微芯片，进一步降低工艺设计难度和成本。

在具体实施时，显示面板的显示区可以包括多个像素单元，每个像素单元可以包括多个子像素。例如，每个像素单元可以包括红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素，这样可以使显示面板采用红绿蓝实现彩色显示。当然， 在实际应用中，也可以根据实际应用环境的需求进行设计确定，在此不作限定。

基于同一公开构思，本公开实施例还提供如本公开实施例提供的显示面板的制作方法，如图8所示，制作方法包括：

步骤S101、在衬底基板的一侧形成驱动电路；

步骤S102、在形成有驱动电路的衬底基板上形成多个发光器件。

在具体实施时，形成多个发光器件，可以包括：采用转印工艺将多个发光器件转印至衬底基板上。这样可以先采用制备TFT的工艺在衬底基板形成驱动电路，之后，再将发光器件转印至衬底基板上。该种制作本公开实施例显示面板的方法，电路制作部分与相关技术中制备OLED显示面板的方法相近，可以在原有OLED像素电路技术上制备本公开实施例提供的驱动电路，有效解决Micro LED低电流下色坐标不稳定的问题，同时不增加LED工作电流且不会引入过多引线。

在具体实施时，在衬底基板的一侧形成驱动电路，可以包括：

选取多个硅基微芯片；

在多个硅基微芯片中的至少一个硅基微芯片上形成至少一个驱动电路；

采用转印工艺将形成有驱动电路的硅基微芯转印至衬底基板。

这样可以先形成包括多个驱动电路的硅基微芯片，之后再将硅基微芯片、以及发光二极管转印至衬底基板。

示例性地，在具体实施时，如图9所示，制作方法可以包括：

步骤S201、选取多个硅基微芯片；

步骤S202、在多个硅基微芯片中的至少一个硅基微芯片上形成至少一个驱动电路；

步骤S203、采用转印工艺将形成有驱动电路的硅基微芯转印至衬底基板。

步骤S204、采用转印工艺将多个发光器件转印至衬底基板上。

本公开实施例中，在制作显示面板时，可以是先形成包括多个驱动电路的硅基微芯片，再将硅基微芯片、以及发光二极管转印至衬底基板，该种制 作本公开实施例显示面板的方法，通过引入硅基微芯片(Micro Chip)，采用硅基工艺制程，提高晶体管(TFT)器件特性，可以有效解决原玻璃基形成的晶体管电子迁移率低，漏电流高的问题。

以下结合图10所示的时序图，并以图4对应的驱动电路对本公开实施例提供的驱动电路的驱动原理进行详细说明如下：

例如，以发光器件为Micro LED为例，第二开关晶体管T2作为行扫描开关，由行打开信号(即栅极信号端GA的信号)控制其开关，主要负责行选取；电容C作为储存电容，存储数据信号端Vdata的电压；第三开关晶体管T3与第二开关晶体管T1的类型相反，由行打开信号(即栅极信号端GA的信号)控制，主要负责与电容C形成放电回路。U为比较器，其中Vref为基准电压，该电压可调(按实际需求设置)。第一开关晶体管T1为控制发光器件的开关。其中，图10的G1代表第一行子像素中的驱动电路对应电连接的栅极信号端GA的信号，G2代表第二行子像素中的驱动电路对应电连接的栅极信号端GA的信号，G3代表第三行子像素中的驱动电路对应电连接的栅极信号端GA的信号。L1代表第一行的一个子像素中的比较器U的输出端的信号，L2代表第二行的一个子像素中的比较器U的输出端的信号，L3代表第三行的一个子像素中的比较器U的输出端的信号。

以第N帧(即N Fra)为例，整个电路工作过程如下：

ELVDD(也可以是像素电路)以及ELVSS为发光器件L提供固定工作电流I。

在第N帧(即N Fra)中，以第一行中的一个子像素为例，数据信号端Vdata输入第一种电压。G1为高电平，则第一行子像素中的第二开关晶体管T2打开，第三开关晶体管T3关断，数据信号端Vdata给电容C充电，当D点电压高于vref时，比较器U输出高电平，以控制第一开关晶体管T1打开，工作电流I流过Micro LED，以驱动Micro LED发光，从而使子像素发光。在信号G1为高电平的期间，数据信号端Vdata一直给电容C充电，并使电容C电位保持Vdata。当信号G1为低电平时，第二开关晶体管T2关断，第三开 关晶体管T3打开，此时电容C与第三开关晶体管T3形成放电回路，电容C通过第三开关晶体管T3放电。当D点电压放电至低于Vref时，比较器U输出低电平，从而使第一开关晶体管T1关断，Micro LED不发光。因此在时间t01内，该子像素发光。也就是说，该子像素的发光时间为t01。

在第N帧(即N Fra)中，以第二行中的一个子像素为例，数据信号端Vdata输入第二种电压。G2为高电平，则第二行子像素中的第二开关晶体管T2打开，第三开关晶体管T3关断，数据信号端Vdata给电容C充电，当D点电压高于vref时，比较器U输出高电平，以控制第一开关晶体管T1打开，工作电流I流过Micro LED，以驱动Micro LED发光，从而使子像素发光。在信号G1为高电平的期间，数据信号端Vdata一直给电容C充电，并使电容C电位保持Vdata。当信号G1为低电平时，第二开关晶体管T2关断，第三开关晶体管T3打开，此时电容C与第三开关晶体管T3形成放电回路，电容C通过第三开关晶体管T3放电。当D点电压放电至低于Vref时，比较器U输出低电平，从而使第一开关晶体管T1关断，Micro LED不发光。因此在时间t02内，该子像素发光。也就是说，该子像素的发光时间为t02。

在第N帧(即N Fra)中，以第三行中的一个子像素为例，数据信号端Vdata输入第三种电压。G3为高电平，则第三行子像素中的第二开关晶体管T2打开，第三开关晶体管T3关断，数据信号端Vdata给电容C充电，当D点电压高于vref时，比较器U输出高电平，以控制第一开关晶体管T1打开，工作电流I流过Micro LED，以驱动Micro LED发光，从而使子像素发光。在信号G1为高电平的期间，数据信号端Vdata一直给电容C充电，并使电容C电位保持Vdata。当信号G1为低电平时，第二开关晶体管T2关断，第三开关晶体管T3打开，此时电容C与第三开关晶体管T3形成放电回路，电容C通过第三开关晶体管T3放电。当D点电压放电至低于Vref时，比较器U输出低电平，从而使第一开关晶体管T1关断，Micro LED不发光。因此在时间t03内，该子像素发光。也就是说，该子像素的发光时间为t03。

综上，由于不同驱动电路的数据信号端Vdata不同，导致电容C最终充 电并保持电压不同，导致通过第三开关晶体管T3放电时间不同，从而控制第一开关晶体管T1打开时间不同，最终体现为对应的各Micro LED在一帧内发光时间不同。即，如图10所示，t01<t02<t03。

在实际应用中，数据信号端Vdata的电压可以与Micro LED的发光时长有一一对应关系。同时，固定电流下微发光二极管Micro LED不同发光时长最终体现为不同灰阶，从而实现不同画面显示效果。

本公开实施例有益效果如下：

本公开实施例提供的驱动电路、显示面板及显示面板的制作方法，由于发光控制电路可以控制第一开关晶体管T1的导通时长，可以对待驱动器件在一帧时间内的发光时长进行控制。并且，由于不同的发光时长对应不同的灰阶，从而可以通过对发光时长的控制实现对发光颜色的控制，避免待驱动器件在低电流工作时出现色坐标不稳定的问题，同时也无需引入过多走线，且也无需产生瞬间大电流，从而可以提高驱动电路的稳定性。

显然，本领域的技术人员可以对本公开进行各种改动和变型而不脱离本公开的精神和范围。这样，倘若本公开的这些修改和变型属于本公开权利要求及其等同技术的范围之内，则本公开也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (14)

1. 一种驱动电路，包括：

   第一开关晶体管，所述第一开关晶体管的第一极被配置为与信号输入端耦接，所述第一开关晶体管的第二极被配置为与待驱动器件耦接；

   发光控制电路，与所述第一开关晶体管的栅极耦接，且所述发光控制电路被配置为根据栅极信号端和数据信号端的信号，控制所述第一开关晶体管的导通时长。
2. 如权利要求1所述的驱动电路，所述发光控制电路包括：

   充放电控制电路，所述充放电控制电路被配置为分别与所述栅极信号端和所述数据信号端耦接，所述充放电控制电路的输出端与电位比较电路的第一输入端耦接；且所述充放电控制电路被配置为响应于所述栅极信号端的信号，将所述数据信号端的信号提供给所述电位比较电路的第一输入端，以及响应于所述栅极信号端的信号，将接地端的信号提供给所述电位比较电路的第一输入端；

   所述电位比较电路，所述电位比较电路的第二输入端被配置为与基准电压端耦接，所述电位比较电路的输出端与所述第一开关晶体管的栅极耦接；且所述电位比较电路被配置为根据所述基准电压端和所述第一输入端接收的信号，控制所述第一开关晶体管的导通时长。
3. 如权利要求2所述的驱动电路，所述充放电控制电路包括：第二开关晶体管、第三开关晶体管和电容；

   所述第二开关晶体管的栅极被配置为与所述栅极信号端耦接，所述第二开关晶体管的第一极被配置为与所述数据信号端耦接，所述第二开关晶体管的第二极与所述电位比较电路的所述第一输入端耦接；

   所述电容的第一端与所述电位比较电路的第一输入端耦接，所述电容的第二端与所述接地端耦接；

   所述第三开关晶体管的栅极被配置为与所述栅极信号端耦接，所述第三 开关晶体管的第一极与所述电容的第一端耦接，所述第三开关晶体管的第二极与所述接地端耦接。
4. 如权利要求2所述的驱动电路，所述第二开关晶体管为N型开关晶体管，且所述第三开关晶体管为P型开关晶体管；或者，

   所述第二开关晶体管为P型开关晶体管，且所述第三开关晶体管为N型开关晶体管。
5. 如权利要求2-4任一项所述的驱动电路，所述电位比较电路包括：比较器；

   所述比较器的第一输入端与所述充放电控制电路的输出端耦接，所述比较器的第二输入端被配置为与所述基准电压端耦接，所述比较器的输出端与所述第一开关晶体管的栅极耦接。
6. 如权利要求5所述的驱动电路，所述比较器包括：第四开关晶体管、第五驱动晶体管、第六驱动晶体管、第七开关晶体管、第八开关晶体管、第九开关晶体管和第十开关晶体管；

   所述第四开关晶体管的栅极和第一极均被配置为与第一参考电压端耦接，所述第四开关晶体管的第二极与所述第五驱动晶体管的第一极耦接；

   所述第五驱动晶体管的栅极被配置为与所述充放电控制电路的输出端耦接，所述第五驱动晶体管第二极与所述第七开关晶体管的第一极耦接；

   所述第六驱动晶体管的栅极被配置为与所述基准电压端耦接，所述第六开关晶体管的第一极与所述第四开关晶体管的第二极耦接，所述第六开关晶体管的第二极与所述第十开关晶体管的栅极耦接；

   所述第七开关晶体管的栅极与所述第八开关晶体管的栅极耦接，所述第七开关晶体管的第二极被配置为与第二参考电压端耦接；

   所述第八开关晶体管的第一极与所述第六驱动晶体管的第二极耦接，所述第八开关晶体管的第二极被配置为与所述第二参考电压端耦接；

   所述第九开关晶体管的栅极和第一极均被配置为与所述第一参考电压端耦接，所述第九开关晶体管的第二极与所述第一开关晶体管的栅极耦接；

   所述第十开关晶体管的第一极与所述第一开关晶体管的栅极耦接，所述第十开关晶体管的第二极被配置为与所述第二参考电压端耦接。
7. 如权利要求1-6任一项所述的驱动电路，所述驱动电路还包括：像素电路；所述信号输入端与所述像素电路耦接。
8. 一种显示面板，包括：

   衬底基板，包括多个子像素；

   多个发光器件，位于所述衬底基板上，且所述多个子像素中的至少一个设置所述多个发光器件中的至少一个；

   多个如权利要求1-7任一项所述的驱动电路，一个所述驱动电路与至少一个所述发光器件耦接。
9. 如权利要求8所述的显示面板，还包括位于所述衬底基板的多个硅基微芯片，所述驱动电路位于所述硅基微芯片，每一所述硅基微芯片对应至少一个所述发光器件。
10. 如权利要求8所述的显示面板，所述驱动电路位于所述衬底基板上；

    一个所述驱动电路电连接一个所述发光器件，且，相互电连接的所述驱动电路和所述发光器件位于同一子像素中。
11. 如权利要求8-10任一项所述的显示面板，所述发光器件包括：有机发光二极管、量子点发光二极管以及微发光二极管中的至少一种。
12. 一种如权利要求8-11任一项所述的显示面板的制作方法，包括：

    在所述衬底基板的一侧形成所述驱动电路；

    在形成有所述驱动电路的所述衬底基板上形成多个发光器件。
13. 如权利要求12所述的制作方法，所述形成多个发光器件包括：

    采用转印工艺将多个所述发光器件转印至所述衬底基板上。
14. 如权利要求12所述的制作方法，所述在所述衬底基板的一侧形成所述驱动电路，包括：

    选取多个硅基微芯片；

    在所述多个硅基微芯片中的至少一个硅基微芯片上形成至少一个驱动电 路；

    采用转印工艺将形成有所述驱动电路的所述硅基微芯转印至所述衬底基板。

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