WO2020194498A1

WO2020194498A1 - 荷電粒子装置、及び、情報取得方法

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Publication number: WO2020194498A1
Application number: PCT/JP2019/012794
Authority: WO
Inventors: 貴行舩津
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Priority date: 2019-03-26
Filing date: 2019-03-26
Publication date: 2020-10-01
Anticipated expiration: 2021-09-26

Abstract

荷電粒子装置は、排気装置と接続可能な管路を有し、物体の面に接する空間の気体を管路を介して排出して、真空領域を形成する真空形成部材と、真空領域を介して荷電粒子ビームを試料に照射する荷電粒子光学系と、荷電粒子ビームが照射された試料から放出された荷電粒子を検出する検出装置と、試料の表面の形状情報と、荷電粒子ビームが照射される位置の情報と、放出された荷電粒子を検出して得られる情報とに基づいて、試料情報を求める制御装置とを備え、真空領域の周囲の真空領域よりも気圧が高い空間の少なくとも一部の気体は、真空形成部材の管路を介して排出され、荷電粒子光学系から照射される荷電粒子ビームの通路は真空領域の少なくとも一部を含む。

Description

荷電粒子装置、及び、情報取得方法

　本発明は、例えば、試料に関する試料情報を取得する荷電粒子装置及び情報取得方法の技術分野に関する。

　特許文献１には、荷電粒子装置の一例として、電子ビームを試料に照射して試料の状態を計測する走査型電子顕微鏡が記載されている。このような計測装置では、試料に関する情報を適切に取得することが課題となる。

米国特許出願公開第２００４／０１４４９２８号明細書

　第１の態様によれば、試料に関する試料情報を取得する荷電粒子装置であって、排気装置と接続可能な管路を有し、物体の面に接する空間の気体を前記管路を介して排出して、真空領域を形成する真空形成部材と、前記真空領域を介して荷電粒子ビームを前記試料に照射する荷電粒子光学系と、前記荷電粒子ビームが照射された前記試料から放出された荷電粒子を検出する検出装置と、前記試料の表面の形状情報と、前記荷電粒子ビームが照射される位置の情報と、前記放出された荷電粒子を検出して得られる情報とに基づいて、前記試料情報を求める制御装置とを備え、前記真空領域の周囲の前記真空領域よりも気圧が高い空間の少なくとも一部の気体は、前記真空形成部材の前記管路を介して排出され、前記荷電粒子光学系から照射される荷電粒子ビームの通路は前記真空領域の少なくとも一部を含む荷電粒子装置が提供される。

　第２の態様によれば、試料に関する試料情報を取得する荷電粒子装置であって、排気装置と接続される第１端と、物体の面と接する第１空間と接続される第２端とを有する管路を備え、前記第１空間の気体を前記管路を介して排出して、前記第１空間と接続される第２空間よりも圧力が低い真空領域を前記第１空間に形成する真空形成部材と、前記真空領域を介して荷電粒子ビームを前記試料に照射する荷電粒子光学系と、前記荷電粒子ビームが照射された前記試料から放出された荷電粒子を検出する検出装置と、前記試料の表面の形状情報と、前記荷電粒子ビームが照射される位置の情報と、前記放出された荷電粒子を検出して得られる情報とに基づいて、前記試料情報を求める制御装置とを備え、前記荷電粒子照射装置から照射される荷電粒子ビームの通路は前記真空領域の少なくとも一部を含む荷電粒子装置が提供される。

　第３の態様によれば、試料に関する試料情報を取得する荷電粒子装置であって、排気装置と接続可能な管路を有し、物体の面の一部と対向した状態で前記管路を介して気体を排出することにより、前記物体の前記面の第１部分に接する第１空間に、前記面の前記第１部分とは異なる第２部分に接する第２空間の圧力より圧力が低い真空領域を形成可能な真空形成部材と、前記真空領域を介して荷電粒子ビームを前記試料に照射する荷電粒子光学系と、前記荷電粒子ビームが照射された前記試料から放出された荷電粒子を検出する検出装置と、前記試料の表面の形状情報と、前記荷電粒子ビームが照射される位置の情報と、前記放出された荷電粒子を検出して得られる情報とに基づいて、前記試料情報を求める制御装置とを備える荷電粒子装置が提供される。

　第４の態様によれば、試料に関する試料情報を取得する荷電粒子装置であって、排気装置と接続可能な管路を有し、物体の面と前記管路の端部とが対向した状態で、前記物体の前記面に接する空間の気体を前記管路を介して排出して、真空領域を形成する真空形成部材と、前記真空領域を介して荷電粒子ビームを前記試料に照射する荷電粒子光学系と、前記荷電粒子ビームが照射された前記試料から放出された荷電粒子を検出する検出装置と、前記試料の表面の形状情報と、前記荷電粒子ビームが照射される位置の情報と、前記放出された荷電粒子を検出して得られる情報とに基づいて、前記試料情報を求める制御装置とを備え、前記荷電粒子光学系から照射される荷電粒子ビームの通路は前記真空領域の少なくとも一部を含む荷電粒子装置が提供される。

　第５の態様によれば、試料に関する試料情報を取得する荷電粒子装置であって、排気装置と接続可能な管路を有し、物体の面に接する空間の気体を前記管路を介して排出して、真空領域を形成する真空形成部材と、前記真空領域を介して荷電粒子ビームを前記試料に照射する荷電粒子光学系と、前記荷電粒子ビームが照射された前記試料から放出された荷電粒子を検出する検出装置と、前記真空領域の真空度、前記真空領域の周辺の空間の気圧及び前記試料の弾性係数のうち少なくとも１つと、前記荷電粒子ビームが照射される位置の情報と、前記放出される荷電粒子を検出して得られる情報とに基づいて、前記試料情報を取得する制御装置とを備え、前記真空領域の周囲の前記真空領域よりも気圧が高い空間の少なくとも一部の気体は、前記真空形成部材の前記管路を介して排出され、前記荷電粒子光学系から照射される荷電粒子ビームの通路は前記真空領域の少なくとも一部を含む荷電粒子装置が提供される。

　第６の態様によれば、試料に関する試料情報を取得する荷電粒子装置であって、排気装置と接続される第１端と、物体の面と接する第１空間と接続される第２端とを有する管路を備え、前記第１空間の気体を前記管路を介して排出して、前記第２端から離れ且つ前記第１空間と接続される第２空間よりも圧力が低い真空領域を前記第１空間に形成する真空形成部材と、前記真空領域を介して荷電粒子ビームを前記試料に照射する荷電粒子光学系と、前記荷電粒子ビームが照射された前記試料から放出された荷電粒子を検出する検出装置と、前記真空領域の真空度、前記真空領域の周辺の空間の気圧及び前記試料の弾性係数のうち少なくとも１つと、前記荷電粒子ビームが照射される位置の情報と、前記放出される荷電粒子を検出して得られる情報とに基づいて、前記試料情報を取得する制御装置とを備え、前記荷電粒子光学系から照射される荷電粒子ビームの通路は前記真空領域の少なくとも一部を含む荷電粒子装置が提供される。

　第７の態様によれば、試料に関する試料情報を取得する荷電粒子装置であって、排気装置と接続可能な管路を有し、物体の面の一部と対向した状態で前記管路を介して気体を排出することにより、前記物体の前記面の第１部分に接する第１空間に、前記面の前記第１部分とは異なる第２部分に接する第２空間の圧力より圧力が低い真空領域を形成可能な真空形成部材と、前記真空領域を介して荷電粒子ビームを前記試料に照射する荷電粒子光学系と、前記真空領域の真空度、前記真空領域の周辺の空間の気圧及び前記試料の弾性係数のうち少なくとも１つと、前記荷電粒子ビームが照射される位置の情報と、前記放出される荷電粒子を検出して得られる情報とに基づいて、前記試料情報を取得する制御装置とを備える荷電粒子装置が提供される。

　第８の態様によれば、試料に関する試料情報を取得する荷電粒子装置であって、排気装置と接続可能な管路を有し、物体の面と前記管路の端部とが対向した状態で、前記物体の前記面に接する空間の気体を前記管路を介して排出して、真空領域を形成する真空形成部材と、前記真空領域を介して荷電粒子ビームを前記試料に照射する荷電粒子光学系と、前記真空領域の真空度、前記真空領域の周辺の空間の気圧及び前記試料の弾性係数のうち少なくとも１つと、前記荷電粒子ビームが照射される位置の情報と、前記放出される荷電粒子を検出して得られる情報とに基づいて、前記試料情報を取得する制御装置とを備え、前記荷電粒子光学系から照射される荷電粒子ビームの通路は前記真空領域の少なくとも一部を含む荷電粒子装置が提供される。

　第９の態様によれば、試料に関する試料情報を取得する情報取得方法であって、物体の面に接する空間の気体を管路を介して排出して、真空領域を形成することと、前記真空領域の周囲の前記真空領域よりも気圧が高い空間の少なくとも一部の気体を、前記管路を介して排出することと、荷電粒子ビームに前記真空領域の少なくとも一部を通過させて前記試料に照射することと、前記荷電粒子ビームが照射された前記試料から放出された荷電粒子を検出することと、前記試料の前記表面の形状情報と、前記荷電粒子ビームの照射位置の情報と、前記放出された荷電粒子を検出して得られる情報とに基づいて、前記試料情報を求めることとを含む情報取得方法が提供される。

　第１０の態様によれば、試料に関する試料情報を取得する情報取得方法であって、排気装置と接続される第１端と、物体の面と接する第１空間と接続される第２端とを有する管路を備え、前記第１空間の気体を前記管路を介して排出して、前記第２端から離れ且つ前記第１空間と接続される第２空間よりも圧力が低い真空領域を前記第１空間に形成することと、荷電粒子ビームに前記真空領域の少なくとも一部を通過させて前記試料に照射することと、前記荷電粒子ビームが照射された前記試料から放出された荷電粒子を検出することと、前記試料の前記表面の形状情報と、前記荷電粒子ビームの照射位置の情報と、前記放出された荷電粒子を検出して得られる情報とに基づいて、前記試料情報を求めることとを含む情報取得方法が提供される。

　第１１の態様によれば、試料に関する試料情報を取得する情報取得方法であって、排気装置と接続可能な管路を介して気体を排出することにより、物体の面の第１部分に接する第１空間に、前記面の前記第１部分とは異なる第２部分に接する第２空間の圧力より圧力が低い真空領域を形成することと、荷電粒子ビームに前記真空領域の少なくとも一部を通過させて前記試料に照射することと、前記荷電粒子ビームが照射された前記試料から放出された荷電粒子を検出することと、前記試料の前記表面の形状情報と、前記荷電粒子ビームの照射位置の情報と、前記放出された荷電粒子を検出して得られる情報とに基づいて、前記試料情報を求めることとを含む情報取得方法が提供される。

　第１２の態様によれば、試料に関する試料情報を取得する情報取得方法であって、排気装置と接続可能な管路の端部と物体の面とが対向した状態で、前記物体の前記面に接する空間の気体を前記管路を介して排出して、真空領域を形成することと、荷電粒子ビームに前記真空領域の少なくとも一部を通過させて前記試料に照射することと、前記荷電粒子ビームが照射された前記試料から放出された荷電粒子を検出することと、前記試料の前記表面の形状情報と、前記荷電粒子ビームの照射位置の情報と、前記放出された荷電粒子を検出して得られる情報とに基づいて、前記試料情報を求めることとを含む情報取得方法が提供される。

　第１３の態様によれば、試料に関する試料情報を取得する方法であって、物体の面に接する空間の気体を管路を介して排出して、真空領域を形成することと、前記真空領域の周囲の前記真空領域よりも気圧が高い空間の少なくとも一部の気体を、前記管路を介して排出することと、荷電粒子ビームに前記真空領域の少なくとも一部を通過させて前記試料に照射することと、前記荷電粒子ビームが照射された前記試料から放出された荷電粒子を検出することと、前記真空領域の真空度、前記真空領域の周辺の空間の気圧及び前記試料の弾性係数のうち少なくとも１つを用いて、前記試料情報を求めることとを含む情報取得方法が提供される。

　第１４の態様によれば、試料に関する試料情報を取得する方法であって、排気装置と接続される第１端と、物体の面と接する第１空間と接続される第２端とを有する管路を備え、前記第１空間の気体を前記管路を介して排出して、前記第２端から離れ且つ前記第１空間と接続される第２空間よりも圧力が低い真空領域を前記第１空間に形成することと、荷電粒子ビームに前記真空領域の少なくとも一部を通過させて前記試料に照射することと、前記荷電粒子ビームが照射された前記試料から放出された荷電粒子を検出することと、前記真空領域の真空度、前記真空領域の周辺の空間の気圧及び前記試料の弾性係数のうち少なくとも１つを用いて、前記試料情報を求めることとを含む情報取得方法が提供される。

　第１５の態様によれば、試料に関する試料情報を取得する方法であって、排気装置と接続可能な管路を介して気体を排出することにより、物体の面の第１部分に接する第１空間に、前記面の前記第１部分とは異なる第２部分に接する第２空間の圧力より圧力が低い真空領域を形成することと、荷電粒子ビームに前記真空領域の少なくとも一部を通過させて前記試料に照射することと、前記荷電粒子ビームが照射された前記試料から放出された荷電粒子を検出することと、前記真空領域の真空度、前記真空領域の周辺の空間の気圧及び前記試料の弾性係数のうち少なくとも１つを用いて、前記試料情報を求めることとを含む情報取得方法が提供される。

　第１６の態様によれば、試料に関する試料情報を取得する方法であって、排気装置と接続可能な管路の端部と物体の面とが対向した状態で、前記物体の前記面に接する空間の気体を前記管路を介して排出して、真空領域を形成することと、荷電粒子ビームに前記真空領域の少なくとも一部を通過させて前記試料に照射することと、前記荷電粒子ビームが照射された前記試料から放出された荷電粒子を検出することと、前記真空領域の真空度、前記真空領域の周辺の空間の気圧及び前記試料の弾性係数のうち少なくとも１つを用いて、前記試料情報を求めることとを含む情報取得方法が提供される。

　第１７の態様によれば、試料の表面に荷電粒子ビームを照射する荷電粒子光学系と、前記荷電粒子ビームが照射された前記試料から放出された荷電粒子を検出する検出装置と、前記荷電粒子光学系の光軸方向に沿った前記荷電粒子光学系と前記試料との相対的な位置関係を変更する位置変更装置とを備え、前記荷電粒子光学系と前記試料との前記光軸方向に沿った相対的な位置関係が第１の状態で前記検出装置により前記荷電粒子を検出し、前記光軸方向に沿った相対的な位置関係が前記第１の状態とは異なる第２の状態で前記検出装置により前記荷電粒子を検出して、前記検出装置の検出結果に基づいて前記試料情報を取得する荷電粒子装置が提供される。

　第１８の態様によれば、試料に関する試料情報を取得する情報取得方法であって、前記試料の表面に荷電粒子光学系を介して荷電粒子ビームを照射することと、前記荷電粒子光学系の光軸方向に沿った前記荷電粒子光学系と前記試料との相対的な位置関係を変更することと、前記荷電粒子光学系と前記試料との前記荷電粒子光学系の光軸方向に沿った相対的な位置関係が第１の状態で前記荷電粒子ビームが照射された前記試料から放出された荷電粒子を検出し、前記光軸方向に沿った相対的な位置関係が前記第１の状態とは異なる第２の状態で前記荷電粒子を検出することと、前記荷電粒子の検出結果に基づいて前記試料情報を求めることとを含む情報取得方法が提供される。

　本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための形態から明らかにされる。

図１は、第１実施形態の走査型電子顕微鏡の構造を示す断面図である。図２は、第１実施形態の走査型電子顕微鏡が備えるビーム照射装置の構造を示す断面図である。図３は、第１実施形態の走査型電子顕微鏡が備えるビーム照射装置の構造を示す斜視図である。図４（ａ）から図４（ｃ）のそれぞれは、試料の表面の形状の一例を示す斜視断面図である。図５（ａ）から図５（ｃ）のそれぞれは、真空領域の形成に起因して試料が変形する過程を示す断面図である。図６（ａ）は、真空領域の形成に起因して変形した試料の像及び構造をそれぞれ示す像情報及び構造情報を示す説明図であり、図６（ｂ）は、変形していない試料の像及び構造をそれぞれ示す像情報及び構造情報を示す説明図である。図７は、試料Ｗに形成されているアライメントマークを示す平面図である。図８（ａ）は、変更する前のビーム位置情報と電子検出情報とを示す説明図であり、図８（ｂ）は、変更した後のビーム位置情報と電子検出情報とを示す説明図である。図９（ａ）は、ビーム位置情報と変更する前の電子検出情報とを示す説明図であり、図９（ｂ）は、ビーム位置情報と変更した後の電子検出情報とを示す説明図である。図１０は、第２変形例における試料情報の生成動作の流れを示すフローチャートである。図１１（ａ）から図１１（ｄ）のそれぞれは、フォーカス位置の初期位置を示す断面図である。図１２（ａ）から図１２（ｂ）のそれぞれは、試料に照射される電子ビームを示す断面図である。図１３は、電子検出器による電子の検出結果から生成される像情報（いわゆる、ＳＥＭ像）を、試料の表面の断面と対応付けて示す平面図である。図１４（ａ）から図１４（ｂ）のそれぞれは、試料に照射される電子ビームを示す断面図である。図１５は、第２変形例で生成される構造情報を、複数の像情報及び試料の表面の断面と対応付けて示す。図１６（ａ）から図１６（ｂ）のそれぞれは、試料に照射される電子ビームを示す断面図である。図１７は、第２実施形態の走査型電子顕微鏡の構造を示す断面図である。図１８は、第２実施形態のステージの構造を示す断面図である。図１９は、第２実施形態のステージの構造を示す平面図である。図２０は、第２実施形態のステージによって変形が抑制された試料を示す断面図である。図２１は、第３実施形態のステージの構造を示す断面図である。図２２は、第４実施形態の走査型電子顕微鏡の構造を示す断面図である。図２３は、第５実施形態の走査型電子顕微鏡の構造を示す断面図である。図２４は、第６実施形態の走査型電子顕微鏡の構造を示す断面図である。図２５は、第１変形例においてステージが試料を保持する様子を示す断面図である。図２６は、第２変形例においてステージが試料を保持する様子を示す断面図である。図２７は、第３変形例においてステージが試料を保持する様子を示す断面図である。

　以下、図面を参照しながら、荷電粒子装置及び情報取得方法の実施形態について説明する。以下では、局所的な真空領域ＶＳＰを介して電子ビームＥＢを試料Ｗに照射して当該試料Ｗに関する情報を取得する（例えば、試料Ｗの状態を計測する）走査型電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）ＳＥＭを用いて、荷電粒子装置及び情報取得方法の実施形態を説明する。試料Ｗは、例えば、半導体基板である。但し、試料Ｗは、半導体基板とは異なる物体であってもよい。試料Ｗは、例えば、直径が約３００ミリメートルであり、厚さが約７５０マイクロメートルから８００マイクロメートルとなる円板状の基板であってもよい。但し、試料Ｗは、任意のサイズを有する任意の形状の基板（或いは、物体）であってもよい。例えば、試料Ｗは、液晶表示素子等のディスプレイのための角形基板やフォトマスクのための角形基板であってもよい。

　また、以下の説明では、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸から定義されるＸＹＺ直交座標系を用いて、走査型電子顕微鏡ＳＥＭを構成する各種構成要素の位置関係について説明する。尚、以下の説明では、説明の便宜上、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれが水平方向（つまり、水平面内の所定方向）であり、Ｚ軸方向が鉛直方向（つまり、水平面に直交する方向であり、実質的には上下方向）であるものとする。更に、＋Ｚ側が上方（つまり、上側）に相当し、－Ｚ側が下方（つまり、下側）に相当するものとする。また、－Ｚ方向を重力方向と称してもよい。尚、Ｚ軸方向は、走査型電子顕微鏡ＳＥＭが備える後述のビーム光学系１１の光軸ＡＸに平行な方向でもある。また、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸周りの回転方向（言い換えれば、傾斜方向）を、それぞれ、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向と称する。

　また、以下の説明では、「ＸＸに関する情報」という文言は、ＸＸを直接的に示す情報のみならず、ＸＸと何らかの関係を有する任意のパラメータを示す情報をも包含するものとする。

　（１）第１実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭａ
　はじめに、第１実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭａについて説明する。

　（１－１）走査型電子顕微鏡ＳＥＭａの構造
　まずは、図１から図３を参照しながら、第１実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭａの構造について説明する。図１は、第１実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭａの構造を示す断面図である。図２は、第１実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭａが備えるビーム照射装置１の構造を示す断面図である。図３は、第１実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭａが備えるビーム照射装置１の構造を示す斜視図である。尚、図面の簡略化のために、図１は、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａの一部の構成要素については、その断面を示していない。

　図１に示すように、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、ビーム照射装置１と、ステージ装置２と、支持フレーム３と、制御装置４と、ポンプ系５と、測定装置６とを備える。更に、ポンプ系５は、真空ポンプ５１と、真空ポンプ５２とを備える。尚、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、少なくともビーム照射装置１と、ステージ装置２と、支持フレーム３とを収容するチャンバを備えていてもよい。また、このチャンバに接続されて、チャンバ内の空間、特に試料Ｗの周囲の空間の温度・湿度を制御する空調機を備えていてもよい。

　ビーム照射装置１は、ビーム照射装置１から下方に向けて電子ビームＥＢを射出可能である。ビーム照射装置１は、ビーム照射装置１の下方に配置されるステージ装置２が保持する試料Ｗに対して電子ビームＥＢを照射可能である。試料Ｗに対して電子ビームＥＢを照射するために、ビーム照射装置１は、図２及び図３に示すように、ビーム光学系１１と、差動排気系１２とを備えている。

　図２に示すように、ビーム光学系１１は、筐体１１１を備えている。筐体１１１は、ビーム光学系１１の光軸ＡＸに沿って延びる（つまり、Ｚ軸に沿って延びる）ビーム通過空間ＳＰｂ１が内部に確保されている円筒状の部材である。ビーム通過空間ＳＰｂ１は、電子ビームＥＢが通過する空間として用いられる。ビーム通過空間ＳＰｂ１を通過する電子ビームＥＢが筐体１１１を通過する（つまり、筐体１１１の外部へ漏れ出す）ことを防止するために及び／又はビーム照射装置１の外部の磁場（いわゆる、外乱磁場）がビーム通過空間ＳＰｂ１を通過する電子ビームＥＢに影響を与えることを防止するために、筐体１１１は、高透磁率材料から構成されていてもよい。高透磁率材料の一例として、パーマロイ及びケイ素鋼の少なくとも一方があげられる。これらの高透磁率材料の比透磁率は１０００以上である。

　ビーム通過空間ＳＰｂ１は、電子ビームＥＢが照射される期間中は、真空空間となる。具体的には、ビーム通過空間ＳＰｂ１には、ビーム通過空間ＳＰｂ１に連通するように（つまり、つながるように）筐体１１１（更には、後述する側壁部材１２２）に形成される配管（つまり、管路）１１８を介して真空ポンプ５１が連結されている。真空ポンプ５１は、ビーム通過空間ＳＰｂ１が真空空間となるように、ビーム通過空間ＳＰｂ１を排気して大気圧よりも減圧する。このため、第１実施形態における真空空間は、大気圧よりも圧力が低い空間を意味していてもよい。特に、真空空間は、電子ビームＥＢの試料Ｗへの適切な照射を妨げないほどにしか気体分子が存在しない空間（言い換えれば、電子ビームＥＢの試料Ｗへの適切な照射を妨げない真空度となる空間）を意味していてもよい。ビーム通過空間ＳＰｂ１は、筐体１１１の下面に形成されたビーム射出口（つまり、開口）１１９を介して、筐体１１１の外部の空間（より具体的には、後述する差動排気系１２のビーム通過空間ＳＰｂ２）に連通している。尚、ビーム通過空間ＳＰｂ１は、電子ビームＥＢが照射されない期間中に真空空間となってもよい。

　ビーム光学系１１は更に、電子銃１１３と、電磁レンズ１１４と、対物レンズ１１５と、偏向器１１６と、電子検出器１１７とを備える。電子銃１１３は、－Ｚ側に向けて電子ビームＥＢを放出する。尚、電子銃１１３の代わりに、光が照射されたとき電子を放出する光電変換面を用いてもよい。電磁レンズ１１４は、電子銃１１３が放出した電子ビームＥＢを制御する。例えば、電磁レンズ１１４は、電子ビームＥＢが所定の光学面（例えば、電子ビームＥＢの光路に交差する仮想面）上に形成する像の回転量（つまり、θＺ方向の位置）、当該像の倍率、及び、結像位置に対応する焦点位置のいずれか一つを制御してもよい。尚、磁場を用いて電子ビームＥＢを制御する電磁レンズの代わりに、電場を用いて電子ビームＥＢを制御する静電レンズを用いてもよい。対物レンズ１１５は、電子ビームＥＢを所定の縮小倍率で試料Ｗの表面（具体的には、電子ビームＥＢが照射される面であり、図１及び図２に示す例では＋Ｚ側を向いている面であって且つＸＹ平面に沿った面）ＷＳｕに結像させる。偏向器１１６は、電子ビームＥＢを偏向して、試料Ｗの表面ＷＳｕでの電子ビームＥＢの照射位置（特に、表面ＷＳｕに沿った方向（例えば、Ｘ軸及びＹ軸の少なくとも一方に沿った方向）における照射位置）を制御する。電子検出器１１７は、例えば、ｐｎ接合又はｐｉｎ接合の半導体を使用した半導体型電子検出装置（つまり、半導体検出装置）である。電子検出器１１７として、例えば、シンチレーター（蛍光物質）と光電子増倍管を組み合わせて使った検出器及びマイクロチャンネルプレート（ｍｉｃｒｏ－ｃｈａｎｎｅｌｐｌａｔｅ、ＭＣＰ）の少なくとも一つが用いられてもよい。電子検出器１１７は、試料Ｗに対する電子ビームＥＢの照射によって生じた電子（つまり、試料Ｗから放出された電子）を検出する。試料Ｗに対する電子ビームＥＢの照射によって生じた電子は、例えば、試料Ｗからの反射電子及び試料Ｗからの散乱電子の少なくとも一方を含む。散乱電子は、２次電子を含んでいてもよい。尚、電子検出器１１７は、後述する差動排気系１２に設けられてもよい。制御装置４は、電子検出器１１７の検出結果に基づいて、試料Ｗに関する情報を取得する（言い換えれば、求める、算出する又は生成する）。

　差動排気系１２は、真空形成部材１２１と、側壁部材１２２とを備える。側壁部材１２２は、真空形成部材１２１から上方に延びる筒状の部材である。側壁部材１２２は、内部に筐体１１１（つまり、ビーム光学系１１）を収容する。側壁部材１２２は、内部にビーム光学系１１を収容した状態でビーム光学系１１と一体化されるが、ビーム光学系１１から分離可能であってもよい。真空形成部材１２１は、ビーム光学系１１の下方（つまり、－Ｚ側）に配置される。真空形成部材１２１は、ビーム光学系１１の下方において、ビーム光学系１１に接続（つまり、連結）される。真空形成部材１２１は、ビーム光学系１１に接続されてビーム光学系１１と一体化されるが、ビーム光学系１１から分離可能であってもよい。真空形成部材１２１の内部には、ビーム通過空間ＳＰｂ２が形成されている。尚、図３は、真空形成部材１２１が、ビーム通過空間ＳＰｂ２の一部であるビーム通過空間ＳＰｂ２－１が形成された真空形成部材１２１－１、ビーム通過空間ＳＰｂ２の一部であるビーム通過空間ＳＰｂ２－２が形成された真空形成部材１２１－２、及び、ビーム通過空間ＳＰｂ２の一部であるビーム通過空間ＳＰｂ２－３が形成された真空形成部材１２１－３が、ビーム通過空間ＳＰｂ２－１からＳＰｂ２－３が連通するように積層された構造を有する例を示しているが、真空形成部材１２１の構造がこの例に限定されることはない。ビーム通過空間ＳＰｂ２は、真空形成部材１２１の上面（図３に示す例では、真空形成部材１２１－３の＋Ｚ側の面）に形成されたビーム射出口（つまり、開口）１２３１を介して、ビーム光学系１１のビーム通過空間ＳＰｂ１に連通している。ビーム通過空間ＳＰｂ２は、ビーム通過空間ＳＰｂ１と共に、真空ポンプ５１によって排気される（つまり、減圧される）。従って、ビーム通過空間ＳＰｂ２は、電子ビームＥＢが照射される期間中は、真空空間となる。ビーム通過空間ＳＰｂ２は、ビーム通過空間ＳＰｂ１からの電子ビームＥＢが通過する空間として用いられる。ビーム通過空間ＳＰｂ１及びＳＰｂ２の少なくとも一方を通過する電子ビームＥＢが真空形成部材１２１及び側壁部材１２２の少なくとも一方を通過する（つまり、差動排気系１２の外部へ漏れ出す）ことを防止するために及び／又はビーム照射装置１の外部の磁場（いわゆる、外乱磁場）がビーム通過空間ＳＰｂ１及びＳＰｂ２の少なくとも一方を通過する電子ビームＥＢに影響を与えることを防止するために、真空形成部材１２１及び側壁部材１２２の少なくとも一方は、高透磁率材料から構成されていてもよい。尚、ビーム通過空間ＳＰｂ２は、電子ビームＥＢが照射されない期間中に真空空間となってもよい。

　真空形成部材１２１は更に、試料Ｗの表面ＷＳｕに対向可能な射出面１２１ＬＳを備える。図３に示す例では、真空形成部材１２１－１が、射出面１２１ＬＳを備えている。ビーム照射装置１は、射出面１２１ＬＳと表面ＷＳｕとの間の間隔Ｄ（つまり、Ｚ軸方向におけるビーム照射装置１と試料Ｗとの間の間隔Ｄ）が所望間隔Ｄ＿ｔａｒｇｅｔ（例えば、１０μｍ以下且つ１μｍ以上）となるように、後述する間隔調整系１４によって、試料Ｗに対して位置合わせされる。尚、間隔Ｄは射出面１２１ＬＳと表面ＷＳｕとのＺ軸方向における距離と称してもよい。また、間隔調整系１４を間隔制御装置と称してもよい。射出面１２１ＬＳには、ビーム射出口（つまり、開口）１２３２が形成されている。尚、真空形成部材１２１は、試料Ｗの表面ＷＳｕに対向可能な射出面１２１ＬＳを備えていなくてもよい。図２に示すように、ビーム通過空間ＳＰｂ２は、ビーム射出口１２３２を介して、真空形成部材１２１の外部のビーム通過空間ＳＰｂ３に連通している。つまり、ビーム通過空間ＳＰｂ１は、ビーム通過空間ＳＰｂ２を介してビーム通過空間ＳＰｂ３に連通している。但し、ビーム通過空間ＳＰｂ２が確保されていなくてもよい。つまり、ビーム通過空間ＳＰｂ１は、ビーム通過空間ＳＰｂ２を介することなくビーム通過空間ＳＰｂ３に直接連通していてもよい。ビーム通過空間ＳＰｂ３は、試料Ｗ上の空間（例えば、局所的な空間）である。ビーム通過空間ＳＰｂ３は、ビーム照射装置１と試料Ｗとの間（具体的には、射出面１２１ＬＳと表面ＷＳｕとの間）において電子ビームＥＢが通過する空間である。ビーム通過空間ＳＰｂ３は、試料Ｗの表面ＷＳｕのうち電子ビームＥＢが照射される照射領域に少なくとも面する（或いは、覆う又は接する）空間である。ビーム通過空間ＳＰｂ３は、ビーム通過空間ＳＰｂ１及びＳＰｂ２と共に、真空ポンプ５１によって排気される（つまり、減圧される）。この場合、ビーム通過空間ＳＰｂ１及びＳＰｂ２のそれぞれは、ビーム通過空間ＳＰｂ３を排気するためにビーム通過空間ＳＰｂ３と真空ポンプ５１とを接続する排気通路（つまり、管路）としても機能可能である。従って、ビーム通過空間ＳＰｂ３は、電子ビームＥＢが照射される期間中は、真空空間となる。このため、電子銃１１３から放出された電子ビームＥＢは、いずれも真空空間であるビーム通過空間ＳＰｂ１からＳＰｂ３の少なくとも一部を介して試料Ｗに照射される。尚、ビーム通過空間ＳＰｂ３は、電子ビームＥＢが照射されない期間中に真空空間となってもよい。

　ビーム通過空間ＳＰｂ３は、ビーム通過空間ＳＰｂ１及びＳＰｂ２よりも真空ポンプ５１から離れた位置にある。ビーム通過空間ＳＰｂ２は、ビーム通過空間ＳＰｂ１よりも真空ポンプ５１から離れた位置にある。このため、ビーム通過空間ＳＰｂ３の真空度は、ビーム通過空間ＳＰｂ１及びＳＰｂ２の真空度よりも低くなる可能性があり、且つ、ビーム通過空間ＳＰｂ２の真空度は、ビーム通過空間ＳＰｂ１の真空度よりも低くなる可能性がある。尚、本実施形態における「空間Ａの真空度よりも空間Ｂの真空度が低い」状態は、「空間Ａの圧力よりも空間Ｂの圧力が高い」ことを意味する。この場合、真空ポンプ５１は、真空度が最も低くなる可能性があるビーム通過空間ＳＰｂ３の真空度を、電子ビームＥＢの試料Ｗへの適切な照射を妨げない真空度にすることができる程度の排気能力を有する。一例として、真空ポンプ５１は、ビーム通過空間ＳＰｂ３の圧力（つまり、気圧）を１×１０^－３パスカル以下に維持する（例えば、概ね１×１０^－３パスカルから１×１０^－４パスカルのオーダーで維持する）ことができる程度の排気能力を有していてもよい。このような真空ポンプ５１として、例えば、主ポンプとして用いられるターボ分子ポンプ（或いは、拡散ポンプ、クライオポンプ及びスパッタイオンポンプの少なくとも一つを含む他の種類の高真空用ポンプ）と補助ポンプとして用いられるドライポンプ（或いは、他の種類の低真空用ポンプ）とが組み合わせられた真空ポンプが用いられてもよい。尚、真空ポンプ５１の排気速度は、ビーム通過空間ＳＰｂ３の圧力（つまり、気圧）を１×１０^－３パスカル以下に維持することができる程度の排気速度［ｍ^３／ｓ］であってもよい。

　但し、ビーム通過空間ＳＰｂ３は、ビーム通過空間ＳＰｂ１及びＳＰｂ２のように何らかの部材（具体的には、筐体１１１及び真空形成部材１２１）によって周囲を取り囲まれた閉鎖空間ではない。つまり、ビーム通過空間ＳＰｂ３は、何らかの部材によって周囲を取り囲まれていない開放空間である。このため、ビーム通過空間ＳＰｂ３が真空ポンプ５１によって減圧されたとしても、ビーム通過空間ＳＰｂ３には、ビーム通過空間ＳＰｂ３の周囲から気体が流入する。その結果、ビーム通過空間ＳＰｂ３の真空度が低下する可能性がある。そこで、差動排気系１２は、ビーム照射装置１と試料Ｗとの間において差動排気を行うことで、ビーム通過空間ＳＰｂ３の真空度を維持する。つまり、差動排気系１２は、ビーム照射装置１と試料Ｗとの間において差動排気を行うことで、ビーム照射装置１と試料Ｗとの間に、周囲と比較して相対的に高い真空度が維持された真空領域ＶＳＰ（例えば、局所的な真空領域ＶＳＰ）を形成する。ビーム照射装置１は、真空領域ＶＳＰがビーム通過空間ＳＰｂ３を含むように、真空領域ＶＳＰを形成する。言い換えれば、差動排気系１２は、ビーム通過空間ＳＰｂ３が真空領域ＶＳＰに含まれるように、差動排気を行う。尚、本実施形態での差動排気は、試料Ｗとビーム照射装置１との間において、一の空間（例えば、ビーム通過空間ＳＰｂ３）と一の空間とは異なる他の空間との間の気圧差が試料Ｗとビーム照射装置１との間の間隙の排気抵抗によって維持されるという性質を利用しながらビーム通過空間ＳＰｂ３を排気することに相当する。ビーム通過空間ＳＰｂ３が試料Ｗの表面ＷＳｕのうちの少なくとも一部（例えば、電子ビームＥＢが照射される照射領域）を覆うことから、真空領域ＶＳＰもまた、試料Ｗの表面ＷＳｕのうちの少なくとも一部（例えば、電子ビームＥＢが照射される照射領域）を局所的に覆う。具体的には、真空形成部材１２１の射出面１２１ＬＳには、ビーム射出口１２３２を取り囲む排気溝（つまり、真空形成部材１２１を貫通しない開口）１２４が形成されている。排気溝１２４には、排気溝１２４に連通するように真空形成部材１２１及び側壁部材１２２に形成される配管（つまり、管路）１２５を介して真空ポンプ５２が連結されている。配管１２５の第１端（つまり、一方の端部）は、真空ポンプ５２に接続され、配管１２５の第２端（つまり、他方の端部であり、実質的には、排気溝１２４を形成する部分）は、射出面１２ＬＳと試料Ｗの表面ＷＳｕとの間の空間に接する。尚、図３は、差動排気系１２が、排気溝１２４から真空ポンプ５２に到達するまでに配管１２５が集約されていく構造を有する例を示している。具体的には、図３は、排気溝１２４が形成されている真空形成部材１２１－１に、環状の排気溝１２４から真空形成部材１２１－１を貫通するように上方に延びる環状の流路１２５－１が形成され、真空形成部材１２１－２に、流路１２５－１に連通するＮ１本（図３に示す例では、４本）の配管１２５－２１及びＮ１本の配管１２５－２１を集約する環状の集約流路１２５－２２が形成され、真空形成部材１２１－３に、集約流路１２５－２２に連通するＮ２（但し、Ｎ２＜Ｎ１）本（図３に示す例では、２本）の配管１２５－３１及びＮ２本の配管１２５－３１を集約する環状の集約流路１２５－３２が形成され、集約流路１２５－３２に配管１２５－４（つまり、側壁部材１２２に形成された配管１２５－４）が連通し、配管１２５－４が真空ポンプ５２に接続される例を示している。尚、図３に示す例では、配管１２５－３１の本数Ｎ２が配管１２５－２１の本数Ｎ１の半分であり、１本の配管１２５－３１はこれと連通する２本の配管１２５－２１からほぼ等距離に位置している。また、配管１２５－３１の本数Ｎ２が配管１２５－４の本数（図３に示す例では、１本）の半分であり、配管１２５－４はこれと連通する２本の配管１２５－３１からほぼ等距離に位置している。よって、それぞれの配管１２５－２１を介した排気経路の長さと圧損はほぼ等しく、排気溝１２４から排気される空気の量は方位に依らず偏らない。但し、配管１２５の構造がこの例に限定されることはない。真空ポンプ５２は、排気溝１２４を介して、ビーム通過空間ＳＰｂ３の周囲の空間を排気する。その結果、差動排気系１２は、ビーム通過空間ＳＰｂ３の真空度を適切に維持することができる。尚、排気溝１２４は１つにつながった環状でなくてもよく、環の一部を複数有する複数の排気溝であってもよい。

　図２に戻って、真空ポンプ５２は、主として、ビーム通過空間ＳＰｂ３の真空度を相対的に高くするために、ビーム通過空間ＳＰｂ３の周囲の空間を排気するために用いられる。このため、真空ポンプ５２は、真空ポンプ５１が維持する真空度よりも低い真空度を維持することができる程度の排気能力を有していてもよい。つまり、真空ポンプ５２の排気能力は、真空ポンプ５１の排気能力よりも低くてもよい。例えば、真空ポンプ５２は、ドライポンプ（或いは、他の種類の低真空用ポンプ）を含む一方でターボ分子ポンプ（或いは、他の種類の高真空用ポンプ）を含んでいない真空ポンプであってもよい。この場合、真空ポンプ５２によって減圧される排気溝１２４及び配管１２５内の空間の真空度は、真空ポンプ５１によって減圧されるビーム通過空間ＳＰｂ１からＳＰｂ３の真空度よりも低くてもよい。尚、真空ポンプ５２の排気速度は、真空ポンプ５１が維持する真空度よりも低い真空度を維持することができる程度の排気速度［ｍ^３／ｓ］であってもよい。

　このようにビーム通過空間ＳＰｂ３を含む真空領域ＶＳＰが形成される一方で、試料Ｗの表面ＷＳｕのうちビーム通過空間ＳＰｂ３に面していない部分（特に、ビーム通過空間ＳＰｂ３から離れた部分）の少なくとも一部は、真空領域ＶＳＰよりも真空度が低い非真空領域に覆われていてもよい。典型的には、試料Ｗの表面ＷＳｕのうちビーム通過空間ＳＰｂ３に面していない部分の少なくとも一部は、大気圧環境下にあってもよい。つまり、試料Ｗの表面ＷＳｕのうちビーム通過空間ＳＰｂ３に面していない部分の少なくとも一部は、大気圧領域に覆われていてもよい。具体的には、差動排気系１２は、ビーム通過空間ＳＰｂ３を含む空間ＳＰ１（図２参照）に真空領域ＶＳＰを形成する。この空間ＳＰ１は、例えば、ビーム射出口１２３２及び排気溝１２４の少なくとも一つに接する空間を含む。空間ＳＰ１は、試料Ｗの表面ＷＳｕのうちビーム射出口１２３２及び排気溝１２４の少なくとも一つの直下に位置する部分に面する（つまり、接する）空間を含む。一方で、空間ＳＰ１の周囲の空間ＳＰ２（つまり、空間ＳＰ１の周囲において空間ＳＰ１に接続する（例えば、流体的に接続する）空間ＳＰ２であり、図２の参照））には、真空領域ＶＳＰが形成されない。つまり、空間ＳＰ２は、空間ＳＰ１よりも圧力が高い空間となる。この空間ＳＰ２は、例えば、ビーム射出口１２３２及び排気溝１２４から離れた空間を含む。空間ＳＰ２は、例えば、試料Ｗの表面ＷＳｕのうち空間ＳＰ１が面する部分とは異なる部分に面する空間を含む。空間ＳＰ２は、空間ＳＰ１を経由することなくビーム射出口１２３２及び排気溝１２４（更には、ビーム通過空間ＳＰｂ２及び配管１２５）に接続することができない空間を含む。空間ＳＰ２は、空間ＳＰ１を経由すればビーム射出口１２３２及び排気溝１２４（更には、ビーム通過空間ＳＰｂ２及び配管１２５）に接続することができる空間を含む。空間ＳＰ２の圧力が空間ＳＰ１の圧力よりも高いがゆえに、空間ＳＰ２から空間ＳＰ１に対して気体が流入する可能性があるが、空間ＳＰ２から空間ＳＰ１に対して流入する気体は、排気溝１２４（更には、ビーム射出口１２３２）を介して、空間ＳＰ１から排出される。つまり、空間ＳＰ２から空間ＳＰ１に対して流入する気体は、配管１２５（更には、ビーム通過空間ＳＰｂ２）を介して、空間ＳＰ１から排出される。このため、空間ＳＰ１に形成される真空領域ＶＳＰの真空度が維持される。このため、真空領域ＶＳＰが局所的に形成される状態は、試料Ｗの表面ＷＳｕ上において真空領域ＶＳＰが局所的に形成される状態（つまり、試料Ｗの表面ＷＳｕに沿った方向において真空領域ＶＳＰが局所的に形成される状態）を意味していてもよい。

　再び図１において、ステージ装置２は、ビーム照射装置１の下方（つまり、－Ｚ側）に配置される。ステージ装置２は、定盤２１と、ステージ２２とを備える。定盤２１は、床等の支持面ＳＦ上に配置される。ステージ２２は、定盤２１上に配置される。ステージ２２と定盤２１との間には、定盤２１の振動のステージ２２への伝達を防止するための不図示の防振装置が設置されている。

　ステージ２２は、試料Ｗを保持可能である。例えば、ステージ２２は、試料Ｗを真空吸着又は静電吸着することで試料Ｗを保持してもよい。ステージ２２は、保持した試料Ｗをリリース可能である。ステージ２２は、制御装置４の制御下で、試料Ｗを保持したまま、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向の少なくとも一つに沿って移動可能である。ステージ２２を移動させるために、ステージ装置２は、ステージ駆動系２３を備えている。ステージ駆動系２３は、例えば、任意のモータ（例えば、リニアモータ等）を用いて、ステージ２２を移動させる。更に、ステージ装置２は、ステージ２２の位置を計測する位置計測装置２４を備えている。位置計測装置２４は、例えば、エンコーダ及びレーザ干渉計のうちの少なくとも一方を含む。尚、ステージ２２が試料Ｗを保持している場合には、制御装置４は、ステージ２２の位置から試料Ｗの位置を特定可能である。尚、ステージ２２は、ビーム照射装置１による電子ビームＥＢの位置と、ステージ２２の位置（ＸＹＺ方向における位置）とを紐付けるための基準マークを備える基準板を有していてもよい。

　ステージ２２がＸＹ平面に沿って移動すると、ＸＹ平面に沿った方向における試料Ｗとビーム照射装置１との相対位置が変わる。このため、ステージ２２がＸＹ平面に沿って移動すると、ＸＹ平面に沿った方向における試料Ｗと試料Ｗの表面ＷＳｕにおける電子ビームＥＢの照射領域との相対位置が変わる。つまり、ステージ２２がＸＹ平面に沿って移動すると、ＸＹ平面に沿った方向（つまり、試料Ｗの表面ＷＳｕに沿った方向）において、電子ビームＥＢの照射領域が試料Ｗの表面ＷＳｕに対して移動する。更に、ステージ２２がＸＹ平面に沿って移動すると、ＸＹ平面に沿った方向における試料Ｗとビーム通過空間ＳＰｂ３及び真空領域ＶＳＰとの相対位置が変わる。つまり、ステージ２２がＸＹ平面に沿って移動すると、ＸＹ平面に沿った方向（つまり、試料Ｗの表面ＷＳｕに沿った方向）において、ビーム通過空間ＳＰｂ３及び真空領域ＶＳＰが試料Ｗの表面ＷＳｕに対して移動する。制御装置４は、試料Ｗの表面ＷＳｕの所望位置に電子ビームＥＢが照射され且つビーム通過空間ＳＰｂ３が設定される（つまり、真空領域ＶＳＰが形成される）ように、ステージ駆動系２３を制御してステージ２２をＸＹ平面に沿って移動させてもよい。

　ステージ２２がＺ軸に沿って移動すると、Ｚ軸に沿った方向における試料Ｗとビーム照射装置１との相対位置が変わる。このため、ステージ２２がＺ軸に沿って移動すると、Ｚ軸に沿った方向における試料Ｗと電子ビームＥＢのフォーカス位置ＦＰとの相対位置が変わる。制御装置４は、試料Ｗの表面ＷＳｕに（或いは、表面ＷＳｕの近傍に）電子ビームＥＢのフォーカス位置ＦＰが設定されるように、ステージ駆動系２３を制御してステージ２２をＺ軸に沿って移動させてもよい。ここで、電子ビームＥＢのフォーカス位置ＦＰは、ビーム光学系１１の結像位置に対応する焦点位置又は電子ビームＥＢのぼけが最も少なくなるようなＺ軸方向の位置であってもよい。

　更に、ステージ２２がＺ軸に沿って移動すると、試料Ｗとビーム照射装置１との間の間隔Ｄが変わる。このため、ステージ駆動系２３は、制御装置４の制御下で、後述する間隔調整系１４と協調しながら、間隔Ｄが所望間隔Ｄ＿ｔａｒｇｅｔとなるようにステージ２２を移動させてもよい。このとき、制御装置４は、位置計測装置２４の計測結果（更には、後述するビーム照射装置１の位置（特に、真空形成部材１２１の位置）を計測する位置計測装置１５の計測結果）に基づいて、実際の間隔Ｄを特定すると共に、特定した間隔Ｄが所望間隔Ｄ＿ｔａｒｇｅｔとなるようにステージ駆動系２３及び間隔調整系１４の少なくとも一方を制御する。このため、位置計測装置１５及び２４は、間隔Ｄを検出する検出装置としても機能し得る。尚、試料ＷのＺ軸方向の厚み（寸法）が既知である場合、制御装置４は、実際の間隔Ｄに代えて又は加えて、ビーム照射装置１と基準面（例えば基準板の表面）とのＺ軸方向における距離に関する情報と、試料ＷのＺ軸方向の厚み（寸法）に関する情報とを用いて、ビーム照射装置１と試料Ｗとの間の間隔Ｄが所望間隔Ｄ＿ｔａｒｇｅｔとなるように、ステージ駆動系２３及び間隔調整系１４のうち少なくとも一方を制御してもよい。

　支持フレーム３は、ビーム照射装置１を支持する。具体的には、支持フレーム３は、支持脚３１と、支持部材３２とを備える。支持脚３１は、支持面ＳＦ上に配置される。支持脚３１と支持面ＳＦとの間には、支持面ＳＦの振動の支持脚３１への伝達を防止する又は低減するための不図示の防振装置が設置されていてもよい。支持脚３１は、例えば、支持面ＳＦから上方に延びる部材である。支持脚３１は、支持部材３２を支持する。支持部材３２は、平面視において、中心に開口３２１が形成された環状のプレート部材である。支持部材３２の上面には、間隔調整系１４を介して、ビーム照射装置１の外面（図１から図３に示す例では、差動排気系１２が備える側壁部材１２２の外面）から外側に延びるフランジ部材１３の下面が連結されている。このとき、ビーム照射装置１は、開口３２１を貫通するように配置される。その結果、支持フレーム３は、ビーム照射装置１を支持部材３２の上面で吊り上げるように支持することができる。この場合、支持フレーム３は、ビーム照射装置１が試料Ｗと衝突することを防ぐようにビーム照射装置１が試料Ｗに向かって移動することを防ぐストッパとして機能してもよい。但し、支持フレーム３は、ビーム照射装置１を支持することができる限りは、図１に示す支持方法とは異なる他の支持方法でビーム照射装置１を支持してもよい。例えば、支持フレーム３を支持脚３１により支える代わりに、吊り下げ支持機構により支えてもよい。この場合、支持フレーム３を収容するチャンバの天板（天井壁）に防振パッドを固定し、防振パッドの下端に一端が接続され、鋼材より成るワイヤの他端を支持フレーム３に接続してもよい。防振パッドは、例えば、エアダンパ及び／又はコイルばねを含んでいてもよい。尚、支持脚３１と支持部材３２との間に、支持面ＳＦの振動の支持部材３２への伝達を防止する又は低減するための不図示の防振装置が設置されていてもよい。

　間隔調整系１４は、少なくともＺ軸に沿ってビーム照射装置１を移動させることで、真空形成部材１２１の射出面１２１ＬＳと試料Ｗの表面ＷＳｕとの間の間隔Ｄ（或いは、真空形成部材１２１の射出面１２１ＬＳから試料Ｗの表面ＷＳｕまでのＺ軸方向の距離）を調整する。例えば、間隔調整系１４は、間隔Ｄが所望間隔Ｄ＿ｔａｒｇｅｔとなるように、ビーム照射装置１をＺ軸方向に沿って移動させてもよい。このような間隔調整系１４として、例えば、モータの駆動力を用いてビーム照射装置１を移動させる駆動系、ピエゾ素子の圧電効果によって発生する力を用いてビーム照射装置１を移動させる駆動系、クーロン力（例えば、少なくとも２つの電極間に発生する静電力）を用いてビーム照射装置１を移動させる駆動系、及び、ローレンツ力（例えば、コイルと磁極との間に発生する電磁力）を用いてビーム照射装置１を移動させる駆動系の少なくとも一つが用いられてもよい。但し、射出面１２１ＬＳと表面ＷＳｕとの間の間隔Ｄを固定したままでよい場合には、間隔調整系１４に代えて、シム等の間隔調整部材が、支持部材３２とフランジ部材１３との間に配置されていてもよい。また、間隔調整系１４は、ビーム照射装置１をＸ軸方向、Ｙ軸方向、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向の少なくとも一つに沿って移動させてもよい。この場合、間隔調整系１４は、位置変更装置と称してもよい。

　間隔調整系１４によって移動可能なビーム照射装置１のＺ方向における位置（特に、真空形成部材１２１のＺ方向における位置）を計測するために、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、位置計測装置１５を備えている。位置計測装置１５は、例えば、エンコーダ及びレーザ干渉計のうちの少なくとも一方を含む。尚、位置計測装置１５は、ビーム照射装置１のＸＹ方向における位置やθＸ方向、θＹ方向における姿勢を計測してもよい。また、ビーム照射装置１のＸＹ方向における位置やθＸ方向、θＹ方向における姿勢を計測する計測装置が位置計測装置１５と別に設けられていてもよい。

　制御装置４は、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａの動作を制御する。例えば、制御装置４は、電子ビームＥＢを試料Ｗに照射するように、ビーム照射装置１を制御する。例えば、制御装置４は、ビーム通過空間ＳＰｂ１からＳＰｂ３を真空空間にするように、ポンプ系５（特に、真空ポンプ５１及び５２）を制御する。尚、このとき、ビーム通過空間ＳＰｂ１、ＳＰｂ２及びＳＰｂ３の真空度は同じでなくてよい。例えば、制御装置４は、試料Ｗの表面ＷＳｕのＸＹ面内の所望位置に電子ビームＥＢが照射されるように、ステージ駆動系２３及び偏向器１１６の少なくとも一方を制御する。例えば、制御装置４は、真空形成部材１２１の射出面１２１ＬＳと試料Ｗの表面ＷＳｕとの間の間隔Ｄが所望間隔Ｄ＿ｔａｒｇｅｔとなるように、間隔調整系１４を制御する。尚、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａの動作を制御するために、制御装置４は、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）、ＤＳＰ（ＤｉｇｉｔａｌＳｉｇｎａｌＰｒｏｃｅｓｓｏｒ）、ＭＣＵ（ＭｉｃｒｏＣｏｎｔｒｏｌＵｎｉｔ）等の演算装置及びメモリ等の記憶装置の少なくとも一方を含んでいてもよい。

　制御装置４は、例えば、試料Ｗの表面ＷＳｕを電子ビームＥＢで走査するように、試料Ｗに対して電子ビームＥＢを照射する。具体的には、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、試料Ｗの表面ＷＳｕの第１面部分に真空領域ＶＳＰが形成されるように、ステージ駆動系２３を制御してステージ２２をＸＹ平面に沿って移動させる。試料Ｗの表面ＷＳｕの第１面部分に真空領域ＶＳＰが形成されるようにステージ２２が移動した後、ビーム照射装置１は、試料Ｗの表面ＷＳｕの第１面部分に電子ビームＥＢを照射する。この際、ビーム照射装置１は、偏向器１１６を用いて電子ビームＥＢを偏向することで、第１面部分を電子ビームＥＢで走査する。ビーム照射装置１が試料Ｗの表面ＷＳｕの第１面部分に電子ビームＥＢを照射している期間中は、ステージ駆動系２３は、ステージ２２をＸＹ平面に沿って移動させなくてもよい。第１面部分の電子ビームＥＢでの走査が完了した後、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、試料Ｗの表面ＷＳｕの第２面部分に真空領域ＶＳＰが形成されるように、ステージ駆動系２３を制御してステージ２２をＸＹ平面に沿って移動させる。試料Ｗの表面ＷＳｕの第２面部分に真空領域ＶＳＰが形成されるようにステージ２２が移動した後、ビーム照射装置１は、試料Ｗの表面ＷＳｕの第２面部分に電子ビームＥＢを照射する。この際、ビーム照射装置１は、偏向器１１６を用いて電子ビームＥＢを偏向することで、第２面部分を電子ビームＥＢで走査する。ビーム照射装置１が試料Ｗの表面ＷＳｕの第２面部分に電子ビームＥＢを照射している期間中もまた、ステージ駆動系２３は、ステージ２２をＸＹ平面に沿って移動させなくてもよい。以降、試料Ｗの表面ＷＳｕのうち電子ビームＥＢを照射するべき対象領域に対する電子ビームＥＢの照射（つまり、走査）が完了するまで同様の処理が繰り返される。

　制御装置４は、更に、上述したように、電子検出器１１７の検出結果に基づいて、試料Ｗに関する情報を生成する（つまり、取得する）。電子検出器１１７は、例えば、試料Ｗに電子ビームＥＢが照射された場合に生じた電子（例えば、反射電子及び散乱電子の少なくとも一方）の量を検出する。このため、電子検出器１１７の検出結果は、試料Ｗに電子ビームＥＢが照射された場合に生じた電子の検出量に関する情報を含んでいてもよい。或いは、電子検出器１１７の検出結果は、電子の検出量に関する情報に加えて又は代えて、試料Ｗに電子ビームＥＢが照射された場合に生じた電子に関する情報（例えば、電子の速度及び入射角度の少なくとも一方に関する情報）を含んでいてもよい。

　例えば、制御装置４は、電子検出器１１７の検出結果に基づいて、試料Ｗの像に関する情報（以降、“像情報”と称する）を生成してもよい。特に、像情報は、試料Ｗの表面ＷＳｕの像に関する情報を含んでいてもよい。具体的には、電子検出器１１７は、ビーム光学系１１が試料Ｗの表面ＷＳｕを電子ビームＥＢで走査している期間中に、電子ビームＥＢが照射された場合に生じた電子を検出する。その結果、表面ＷＳｕの電子ビームＥＢでの走査に合わせて、電子検出器１１７は、例えば、試料Ｗの表面ＷＳｕの第１位置に電子ビームＥＢが照射された場合に生じた電子、試料Ｗの表面ＷＳｕの第２位置に電子ビームＥＢが照射された場合に生じた電子、・・・、及び、試料Ｗの表面ＷＳｕの第Ｋ（但し、Ｋは２以上の整数）位置に電子ビームＥＢが照射された場合に生じた電子を検出する。この場合、制御装置４は、電子検出器１１７の検出結果に基づいて、電子の検出量の分布に関する情報を生成することができる。つまり、制御装置４は、電子検出器１１７の検出結果（つまり、電子の検出結果に関する情報）と、電子ビームＥＢの照射位置に関する情報とに基づいて、電子の検出量に応じた特性を有する像（いわゆるＳＥＭ像であり、第１実施形態では、試料Ｗの表面ＷＳｕの像）に関する像情報を生成することができる。

　像の特性は、コントラスト、輝度及びＳＮ（Ｓｉｇｎａｌ　ｔｏ　Ｎｏｉｓｅ）比の少なくとも一つであってもよい。つまり、像情報が示す像は、電子の検出量に応じたコントラスト分布を有する像であってもよいし、電子の検出量に応じた輝度分布を有する像であってもよいし、電子の検出量に応じたＳＮ比の分布を有する像であってもよい。試料Ｗの表面ＷＳｕの各部分に電子ビームＥＢが照射された場合に生ずる電子の検出量は、試料Ｗの表面ＷＳｕの構造（例えば、３次元構造）に依存する。このため、像情報が示す像は、試料Ｗの表面ＷＳｕの構造に応じたコントラスト分布（或いは、輝度分布又はＳＮ比の分布）を有する像であるとも言える。

　尚、像情報を生成するために用いられる電子ビームＥＢの照射位置に関する情報は、例えば、電子ビームＥＢを偏向して電子ビームＥＢの照射位置を制御する偏向器１１６に流れる励磁電流から特定可能である。つまり、制御装置４は、偏向器１１６に流れる励磁電流と電子ビームＥＢの照射位置との相関関係を規定する相関情報に基づいて、偏向器１１６に流れる励磁電流から、電子ビームＥＢの照射位置に関する情報を特定可能である。但し、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａの使用に伴って、同じ励磁電流を偏向器１１６に流しているにも関わらず、電子ビームＥＢの照射位置が変わってしまう可能性がある。そこで、制御装置４は、定期的に（或いは、所望のタイミングで）、偏向器１１６に流れる励磁電流と電子ビームＥＢの照射位置との相関関係を規定する相関情報を修正してもよい。具体的には、制御装置４は、ステージ２２（或いは、上述した基準板）の特定の位置に形成されたマークに対して電子ビームＥＢを照射するようにビーム照射装置１及びステージ装置２を制御する共に、そのときの励磁電流とステージ２２の位置とに基づいて、相関情報を修正してもよい。

　尚、電子ビームＥＢの照射位置と電子検出器１１７が検出した電子の検出量とが対応関係にあることを考慮すれば、制御装置４は、電子ビームＥＢの照射位置と電子検出器１１７が検出した電子の検出量とに基づいて、ＸＹＺ直交座標系内での電子ビームＥＢの照射位置（ｘ、ｙ、ｚ）と当該照射位置（ｘ、ｙ、ｚ）に電子ビームＥＢが照射された場合に生じた電子の量Ｓとの関係（つまり、上述した電子の検出量の分布の状況）を示す関数Ｓ＝ｓ（ｘ、ｙ、ｚ）を特定してもよい。つまり、制御装置４は、ＸＹＺ直交座標系内での電子の検出量の分布を示す関数Ｓ＝ｓ（ｘ、ｙ、ｚ）を生成してもよい。この場合、制御装置４は、関数ｓ（ｘ、ｙ、ｚ）に基づいて、像情報を生成してもよい。

　このような像情報は、試料Ｗの表面ＷＳｕの構造（例えば、３次元構造）に関する情報を含んでいる。このため、制御装置４は、像情報に基づいて、試料Ｗの表面ＷＳｕの構造（例えば、３次元構造）を特定してもよい。つまり、制御装置４は、像情報に基づいて（つまり、電子検出器１１７の検出結果に基づいて）、試料Ｗの表面ＷＳｕの構造（例えば、３次元構造）に関する構造情報を生成してもよい。構造情報は、表面ＷＳｕを複数の単位面部分に区分した場合において、各単位面部分のＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向における位置に関する情報を含んでいてもよい。構造情報は、各単位面部分の向き（例えば、各単位面部分の法線の向きであり、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸の少なくとも一つに対する各単位面部分の傾斜量と実質的に等価）に関する情報を含んでいてもよい。或いは、構造情報は、表面ＷＳｕの３次元モデルに関する情報（いわゆる、３次元プロファイル情報）を含んでいてもよい。

　尚、本実施形態では、試料Ｗの表面ＷＳｕは理想的には平面であり、制御装置４は、その表面ＷＳｕに形成されている微細な凹凸パターンの構造の像を含む表面ＷＳｕの像に関する像情報（或いは、凹凸パターンの構造を含む表面ＷＳｕの構造に関する構造情報）を生成するものとする。尚、試料Ｗの表面ＷＳｕは平面でなくてもよい。

　一具体例として、図４（ａ）から図４（ｂ）に示すように、試料Ｗの表面ＷＳｕに微細な凹凸構造物ＳＴが形成されている場合には、制御装置４は、凹凸構造物ＳＴの構造を含む試料Ｗの表面ＷＳｕの構造に関する構造情報を生成する。この場合、構造情報は、実質的には、凹凸構造物ＳＴの高さ（つまり、Ｚ軸方向のサイズ）に関する情報、凹凸構造物ＳＴの幅（つまり、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の少なくとも一方のサイズ）に関する情報、及び、凹凸構造物ＳＴの外面の向き（実質的には、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸の少なくとも一つに対する傾斜量と等価）に関する情報の少なくとも一つを含んでいると言える。尚、上述したように試料Ｗが半導体基板である場合には、凹凸構造物ＳＴの一例として、半導体回路を構成する回路パターン（例えば、ラインアンドスペースパターン及び孤立パターンの少なくとも一つ）があげられる。或いは、凹凸構造物ＳＴの他の一例として、半導体回路を構成するために半導体基板に形成されるレジストパターンがあげられる。

　或いは、他の具体例として、図４（ｃ）に示すように、試料Ｗの表面ＷＳｕに凹凸構造物ＳＴが形成されていない場合であっても、制御装置４は、試料Ｗの表面ＷＳｕの構造に関する構造情報を生成してもよい。この場合、構造情報は、実質的には、表面ＷＳｕの粗さに関する情報を含んでいるとも言える。

　（１－２）像情報及び／又は構造情報の生成時に生じ得る技術的問題
　第１実施形態では、試料Ｗの表面ＷＳｕに真空領域ＶＳＰが形成される。この場合、真空領域ＶＳＰの形成に起因して、制御装置４が適切な像情報及び／又は構造情報を生成することができないという技術的問題が生ずる可能性がある。以下、図５（ａ）から図５（ｃ）を参照しながら、このような技術的問題について説明する。尚、以下の説明では、像情報及び構造情報のいずれもが試料Ｗに関する情報であることから、像情報及び構造情報をまとめて“試料情報”と称して説明を進める。

　図５（ａ）に示すように、ステージ２２が試料Ｗを保持する場合には、上述したように、ステージ２２は、試料Ｗを真空吸着又は静電吸着する。その結果、試料Ｗをステージ２２に引き寄せる力が試料Ｗに作用する。例えば、ステージ２２が試料Ｗを真空吸着している場合には、試料Ｗの裏面ＷＳｌに発生する負圧に起因した力が、試料Ｗの裏面ＷＳｌをステージ２２に引き寄せる力（つまり、試料Ｗをステージ２２に引き寄せる力）として作用する。例えば、ステージ２２が試料Ｗを静電吸着している場合には、試料Ｗに発生する静電力が、試料Ｗをステージ２２に引き寄せる力として作用する。従って、ステージ２２は、この真空吸着又は静電吸着に起因して試料Ｗ（特に、試料Ｗの裏面ＷＳｌ）に作用する力Ｆ＿ｈｏｌｄ１を、試料Ｗを保持するための力として用いることで、試料Ｗを保持する。

　図５（ａ）に示す状況下において、図５（ｂ）に示すように、ビーム照射装置１と試料Ｗとの間に真空領域ＶＳＰが形成されるとする。この場合、試料Ｗの表面ＷＳｕのうち真空領域ＶＳＰに面する（つまり、ビーム通過空間ＳＰｂ３に面する）真空面部分ＷＳｕ＿ｖａｃには、真空領域ＶＳＰの形成に起因した力（つまり、真空領域ＶＳＰが試料Ｗの表面ＷＳｕを吸引する力）Ｆ＿ＶＳＰが作用する。更には、試料Ｗの裏面ＷＳｌのうち真空面部分ＷＳｕ＿ｖａｃに対応する真空面部分ＷＳｌ＿ｖａｃには、真空吸着又は静電吸着に起因した力Ｆ＿ｈｏｌｄ１が依然として作用する。試料Ｗが固体であるため、真空面部分ＷＳｕ＿ｖａｃに作用する力Ｆ＿ＶＳＰは、試料Ｗのうち真空領域ＶＳＰに面する（つまり、ビーム通過空間ＳＰｂ３に面する）特定部分Ｗ＿ｖａｃに間接的に作用する。同様に、真空面部分ＷＳｌ＿ｖａｃに作用する力Ｆ＿ｈｏｌｄ１もまた、特定部分Ｗ＿ｖａｃ（或いは、真空面部分ＷＳｕ＿ｖａｃ）に間接的に作用する。つまり、試料Ｗの特定部分Ｗ＿ｖａｃには、真空領域ＶＳＰから試料Ｗに作用する力（つまり、真空領域ＶＳＰが試料Ｗを吸引する力）Ｆ＿ＶＳＰと、ステージ２２から試料Ｗに作用する力（つまり、ステージ２２が試料Ｗを保持する力）Ｆ＿ｈｏｌｄ１とを合算した力Ｆ＿ｖａｃが作用する。このような状況下で、力Ｆ＿ＶＳＰが力Ｆ＿ｈｏｌｄ１よりも大きくなると、特定部分Ｗ＿ｖａｃに作用する力Ｆ＿ｖａｃは、特定部分Ｗ＿ｖａｃを真空領域ＶＳＰに引き寄せる力となる。つまり、真空領域ＶＳＰが形成される前は特定部分Ｗ＿ｖａｃをステージ２２に押し付ける力Ｆ＿ｈｏｌｄ１が作用していた特定部分Ｗ＿ｖａｃには、真空領域ＶＳＰの形成に起因して、特定部分Ｗ＿ｖａｃをステージ２２から引き離す力Ｆ＿ｖａｃが作用する。言い換えれば、特定部分Ｗ＿ｖａｃには、真空領域ＶＳＰの形成に起因して、ステージ２２からビーム照射装置１へと向かう方向に向けて特定部分Ｗ＿ｖａｃを押し出す、又は引き離す（つまり、変位させる）力Ｆ＿ｖａｃが作用する。

　このように真空領域ＶＳＰの形成に起因して特定部分Ｗ＿ｖａｃをステージ２２から引き離す力Ｆ＿ｖａｃが特定部分Ｗ＿ｖａｃに作用すると、図５（ｃ）に示すように、試料Ｗの特定部分Ｗ＿ｖａｃがステージ２２から引き離される可能性がある。一方で、試料Ｗのうち特定部分Ｗ＿ｖａｃ以外の他の部分には、真空領域ＶＳＰが形成されない。このため、試料Ｗのうち特定部分Ｗ＿ｖａｃ以外の他の部分には、依然として当該他の部分をステージ２２に押し付ける力Ｆ＿ｈｏｌｄ１が作用し続ける。つまり、試料Ｗのうち特定部分Ｗ＿ｖａｃ以外の他の部分は、ステージ２２から引き離されにくい。その結果、図５（ｃ）に示すように、試料Ｗが変形してしまう可能性がある。

　試料Ｗは、典型的には、ビーム光学系１１の光軸ＡＸに沿った方向（つまり、Ｚ軸方向であり、鉛直方向）において試料Ｗの少なくとも一部の位置が変わるように変形する。但し、試料Ｗは、ビーム光学系１１の光軸ＡＸに沿った方向に加えて又は代えて、ビーム光学系１１の光軸ＡＸに交差する面に沿った方向において試料Ｗの少なくとも一部の位置が変わるように変形してもよい。例えば、試料Ｗは、ビーム光学系１１の光軸ＡＸに直交する面（つまり、ＸＹ平面であって、水平面と平行な面）に沿った方向において試料Ｗの少なくとも一部の位置が変わるように変形してもよい。

　このように試料Ｗが変形している状況下では、制御装置４は、真空領域ＶＳＰの形成に起因して変形した試料Ｗの表面Ｗｓｕの像に関する像情報を生成する可能性がある。具体的には、制御装置４は、図６（ａ）の左側に示すように、真空領域ＶＳＰの形成に起因した試料Ｗの変形に関する誤差成分（例えば、変形に起因したオフセット成分）を含む像情報を生成する可能性がある。つまり、制御装置４は、本来生成したい又は生成するべき像情報（つまり、真空領域ＶＳＰの形成に起因した試料Ｗの変形に関する誤差成分を含まない理想的な像情報）を生成することができない可能性がある。具体的には、制御装置４は、図６（ｂ）の左側に示すように、変形していない試料Ｗ（つまり、真空領域ＶＳＰがその表面ＷＳｕに形成されていない試料Ｗ）の表面ＷＳｕの像に関する像情報を生成することができない可能性がある。同様に、制御装置４は、真空領域ＶＳＰの形成に起因して変形した試料Ｗの表面Ｗｓｕの構造に関する構造情報を生成する可能性がある。具体的には、制御装置４は、図６（ａ）の右側に示すように、真空領域ＶＳＰの形成に起因した試料Ｗの変形に関する誤差成分を含む構造情報を生成する可能性がある。つまり、制御装置４は、本来生成したい又は生成するべき構造情報（つまり、真空領域ＶＳＰの形成に起因した試料Ｗの変形に関する誤差成分を含まない理想的な構造情報）を生成することができない可能性がある。具体的には、制御装置４は、図６（ｂ）の右側に示すように、変形していない試料Ｗ（つまり、真空領域ＶＳＰがその表面ＷＳｕに形成されていない試料Ｗ）の表面ＷＳｕの構造に関する構造情報を生成することができない可能性がある。

　尚、真空領域ＶＳＰの形成に起因して試料Ｗが変形している場合のみならず、真空領域ＶＳＰの形成とは異なる要因で試料Ｗが変形している場合においても同様の技術的問題が生ずる。つまり、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａが保持している試料Ｗの形状によっては、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、適切な試料情報を生成することができない可能性がある。例えば、電子ビームＥＢが照射されている期間中の試料Ｗの実際の形状が試料Ｗの本来の形状とは異なる場合には、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、適切な試料情報を生成することができない可能性がある。

　そこで、第１実施形態では、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、制御装置４の制御下で、試料Ｗの形状に依存することなく、理想的な形状にある（例えば、変形していない又は本来の形状にある）試料Ｗの像に関する像情報及び／又は理想的な形状にある試料Ｗの構造に関する構造情報を生成することで試料Ｗの形状の違いによる影響を抑制する。具体的には、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、制御装置４の制御下で、真空領域ＶＳＰの形成等に起因して試料Ｗが変形している場合であっても、変形していない（或いは、実際よりも変形の程度が小さい、以下同じ）試料Ｗの像に関する像情報及び／又は変形していない試料Ｗの構造に関する構造情報を生成することで試料Ｗの変形による影響を抑制する変形抑制動作を行う。以下、変形抑制動作について更に説明を進める。

　（１－２）変形抑制動作
　変形抑制動作を行うために、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、まず、試料Ｗの形状（特に、３次元形状）に関する形状情報を生成する。尚、形状情報は、試料Ｗの全体の形状（例えば、試料Ｗの表面ＷＳｕの全体の形状）に関する情報であってもよいし、試料Ｗの一部の形状（例えば、試料Ｗの表面ＷＳｕの一部の形状）に関する情報であってもよい。その後、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、電子ビームＥＢを試料Ｗに照射する。その結果、電子検出器１１７は、電子ビームＥＢが照射された場合に生じた電子を検出する。その後、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、電子検出器１１７の検出結果に基づいて、像情報及び／又は構造情報を生成する。この際、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、電子検出器１１７の検出結果に加えて形状情報にも基づいて、変形していない試料Ｗの像に関する像情報及び／又は変形していない試料Ｗの構造に関する構造情報を生成する。以下、形状情報を生成する動作と、像情報及び／又は構造情報（つまり、試料情報）を生成する動作とについて順に説明する。

　（１－２－１）形状情報を生成する動作
　上述したように、試料Ｗは、ビーム光学系１１の光軸ＡＸに沿った方向（つまり、Ｚ軸方向であり、鉛直方向）において試料Ｗの少なくとも一部の位置が変わるように変形すると共に、ビーム光学系１１の光軸ＡＸに交差する面（例えば、ＸＹ平面であって、水平面と平行な面）に沿った方向において試料Ｗの少なくとも一部の位置が変わるように変形する可能性がある。このため、形状情報もまた、試料Ｗの表面ＷＳｕのＸ軸方向における形状に関するＸ形状情報、試料Ｗの表面ＷＳｕのＹ軸方向における形状に関するＹ形状情報、及び、試料Ｗの表面ＷＳｕのＺ軸方向における形状に関するＺ形状情報を含んでいてもよい。Ｘ形状情報は、表面ＷＳｕの各部分のＸ軸方向における位置に関するＸ位置情報を含んでいてもよい。Ｙ形状情報は、表面ＷＳｕの各部分のＹ軸方向における位置に関するＹ位置情報を含んでいてもよい。Ｚ形状情報は、表面ＷＳｕの各部分のＺ軸方向における位置に関するＺ位置情報を含んでいてもよい。

　試料の表面ＷＳｕの各部分の設計上の位置（つまり、変形していない又は理想的な形状にある試料Ｗの表面ＷＳｕの各部分の位置）は、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａにとって既知の情報である。この場合、形状情報は、試料Ｗの表面ＷＳｕの変形量に関する変形情報を含んでいてもよい。例えば、Ｘ形状情報は、試料Ｗの表面ＷＳｕのＸ軸方向における変形量に関するＸ変形情報を含んでいてもよい。試料Ｗの表面ＷＳｕのＸ軸方向における変形量は、表面ＷＳｕの各部分の実際の位置と設計上の位置との間のＸ軸方向におけるずれ量を示す。同様に、Ｙ形状情報は、試料Ｗの表面ＷＳｕのＹ軸方向における変形量に関するＹ変形情報を含んでいてもよい。試料Ｗの表面ＷＳｕのＹ軸方向における変形量は、表面ＷＳｕの各部分の実際の位置と設計上の位置との間のＹ軸方向におけるずれ量を示す。Ｚ形状情報は、試料Ｗの表面ＷＳｕのＺ軸方向における変形量に関するＺ変形情報を含んでいてもよい。試料Ｗの表面ＷＳｕのＺ軸方向における変形量は、表面ＷＳｕの各部分の実際の位置と設計上の位置との間のＺ軸方向におけるずれ量を示す。

　Ｘ形状情報及びＹ形状情報を生成するために、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、試料Ｗに予め形成されたアライメントマークＡＭを用いてもよい。この場合、試料Ｗ（特に、その表面ＷＳｕ）には、図７に示すように、少なくとも一つのアライメントマークＡＭが形成されている。尚、図７は、５つのアライメントマークＡＭが形成される例を示しているが、アライメントマークＡＭの数が５つに限定されることはないし、その配置位置が図７に示す例に限定されることはない。各アライメントマークＡＭは、Ｘ形状情報を生成するためのＸマーク（例えば、Ｘ軸方向に周期性を有するマーク）と、Ｙ形状情報を生成するためのＹマーク（例えば、Ｙ軸方向に周期性を有するマーク）とを含んでいてもよい。この場合、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、制御装置４の制御下で、アライメントマークＡＭに対して電子ビームＥＢを照射すると共に、アライメントマークＡＭからの反射電子を電子検出器１１７で検出する。この際、合わせて、位置計測系２４は、ステージ２２の位置を計測する。制御装置４は、電子検出器１１７の検出結果（つまり、アライメントマークＡＭからの反射電子の検出結果）と位置計測系２４の計測結果（つまり、ステージ２２の位置の計測結果）とに基づいて、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれにおけるアライメントマークＡＭの位置（つまり、試料Ｗの表面ＷＳｕのうちアライメントマークＡＭが形成されている部分の位置）を特定する。その後、制御装置４は、複数のアライメントマークＡＭの位置に関する情報に対して統計処理（例えば、ＥＧＡ：Ｅｎｈａｎｃｅｄ　Ｇｌｏｂａｌ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔに基づく統計処理）を行うことで、試料Ｗの表面ＷＳｕの各部分のＸ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれにおける位置を推定する。その結果、制御装置４は、推定した位置に基づいて、Ｘ形状情報及びＹ形状情報を生成することができる。

　一方で、Ｚ形状情報を生成するために、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、Ｘ形状情報及びＹ形状情報を生成するための方法とは異なる方法を用いてもよい。例えば、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、Ｚ形状情報を生成するために、走査型顕微鏡ＳＥＭａが備えている測定装置６を用いてもよい。測定装置６は、試料Ｗの表面ＷＳｕのＺ軸方向における形状を測定するために用いられる装置である。測定装置６は、試料Ｗの表面ＷＳｕのＺ軸方向における形状を光学的に測定してもよい。例えば、測定装置６は、試料Ｗの表面ＷＳｕのＺ軸方向における形状を測定するために、いわゆるオートフォーカス法を用いてもよい。この場合、例えば、測定装置６は、試料Ｗに測定光（例えば、可視光及び赤外光の少なくとも一方）を照射する照射光学系（例えば、光源を含む光学系）と、試料Ｗを介した測定光を検出する検出光学系（例えば、光センサを含む光学系）とを備えていてもよい。検出光学系による測定光の検出結果は、制御装置４に出力される。制御装置４は、試料Ｗに測定光を照射してから試料Ｗを介した測定光が検出光学系によって検出されるまでの時間、試料Ｗに照射される測定光と、試料Ｗに照射されて試料Ｗを介した測定光との位相差及び試料Ｗを介した測定光の検出光学系への入射角度のいずれかに基づいて、測定装置６から試料Ｗ（特に、測定光が照射された部分）までの距離を特定可能である。測定装置６の位置が固定されている（つまり、測定装置６の位置が既知の情報である）とすれば、特定した距離は、実質的には、試料Ｗ（特に、測定光が照射された部分）のＺ軸方向の位置と等価である。このため、試料Ｗの表面ＷＳｕの複数個所に離散的に測定光を照射すれば又は試料Ｗの表面ＷＳｕを測定光で走査すれば、制御装置４は、試料Ｗの表面ＷＳｕの各部分のＺ軸方向における位置を推定することができる。その結果、制御装置４は、推定した位置に基づいて、Ｚ形状情報を生成することができる。

　走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、電子ビームＥＢを試料Ｗに照射して試料情報を生成するために走査型電子顕微鏡ＳＥＭａが真空領域ＶＳＰを実際に形成している状態で、形状情報を生成してもよい。つまり、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、試料情報を生成するために走査型電子顕微鏡ＳＥＭａが真空領域ＶＳＰを実際に形成している状態で、アライメントマークＡＭに電子ビームＥＢを照射してＸ形状情報及びＹ形状情報を生成すると共に、測定装置６を用いてＺ形状情報を生成してもよい。

　或いは、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、試料情報を生成するために走査型電子顕微鏡ＳＥＭａが真空領域ＶＳＰを実際に形成する前に、形状情報を生成してもよい。つまり、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、試料情報を生成するために走査型電子顕微鏡ＳＥＭａが真空領域ＶＳＰを実際に形成する前に、アライメントマークＡＭに電子ビームＥＢを照射してＸ形状情報及びＹ形状情報を生成すると共に、測定装置６を用いてＺ形状情報を生成してもよい。但し、この場合には、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、試料情報を生成するために走査型電子顕微鏡ＳＥＭａが実際に形成する真空領域ＶＳＰと特性が同じになる別の真空領域ＶＳＰ’が試料Ｗとビーム照射装置１との間の空間に形成された状態で、形状情報を生成してもよい。つまり、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、形状情報を生成する期間の少なくとも一部において、試料情報を生成するために走査型電子顕微鏡ＳＥＭａが実際に形成する真空領域ＶＳＰとは異なる他の真空領域ＶＳＰ’を形成する。具体的には、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、少なくとも、Ｘ形状情報及びＹ形状情報を生成するためにアライメントマークＡＭに電子ビームＥＢが照射される期間及びＺ形状情報を生成するために計測装置６が測定光を試料Ｗに照射している期間のそれぞれにおいて、他の真空領域ＶＳＰ’を形成する。尚、他の真空領域ＶＳＰ’は、真空領域ＶＳＰが形成された場合における試料Ｗの変形量と他の真空領域ＶＳＰ’が形成された場合における試料Ｗの変形量とが同じになるという条件を満たす真空領域であってもよい。このような他の真空領域ＶＳＰ’の特性（例えば、サイズ及び真空度の分布の少なくとも一方）は、真空領域ＶＳＰの特性と同じであってもよい。

　尚、真空領域ＶＳＰを実際に形成する前に形状情報を生成する場合には、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、試料情報を生成する対象となる試料Ｗとは異なる他の試料Ｗ’の形状に関する形状情報を生成してもよい。つまり、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、試料Ｗに代えて試料Ｗ’をステージ２２が保持した状態で、他の試料Ｗ’に形成されたアライメントマークＡＭに電子ビームＥＢを照射して他の試料Ｗ’のＸ形状情報及びＹ形状情報を生成すると共に、測定装置６を用いて他の試料Ｗ’に測定光を照射して他の試料Ｗ’のＺ形状情報を生成してもよい。この場合であって、他の試料Ｗ’と試料Ｗとの間の個体差が相応に小さければ（或いは、個体差が殆ど又は全くなければ）、他の試料Ｗ’の形状情報を試料Ｗの形状情報として用いても特段の問題は生じない。このような他の試料Ｗ’の特性（例えば、サイズ、厚さ、材質及び弾性係数の少なくとも一つ）は、試料Ｗの特性と同じであってもよい。弾性係数は、縦弾性係数あるいはヤング率である。試料Ｗが等方均質弾性体である場合には、試料Ｗのポアソン比ν及び剛性率（せん断弾性係数（せん断弾性率）、ずれ弾性係数（ずれ弾性率）、横弾性係数、ラメの第二定数）Ｇから算出した値２Ｇ（１＋ν）を弾性係数（縦弾性係数あるいはヤング率）の代わりに使ってもよい。またヤング率、ポアソン比、体積弾性率、剛性率、及び、ラメの第一定数の５つの値は、これらの５つの値のうち２つを用いて残りの３つを表すことができるため、弾性係数（縦弾性係数あるいはヤング率）の代わりに、これらの５つの値のうち２つを代わりに用いてもよい。

　尚、上述した形状情報の生成方法は一具体例に過ぎない。従って、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、その他の方法で形状情報を生成してもよい。以下、形状情報の生成方法の他の具体例について説明する。

　測定装置６は、試料Ｗの表面ＷＳｕのＺ軸方向における形状を測定するために、光学的な方法（例えば、上述したオートフォーカス方法）とは異なる方法を用いてもよい。例えば、測定装置６は、電気的に試料Ｗの表面ＷＳｕのＺ軸方向における形状を測定してもよい。この場合、測定装置６は、静電容量センサを含んでいてもよい。具体的には、測定装置６は、試料Ｗ（或いは、ステージ２２）に配置された電極と、ビーム照射装置１（例えば、ビーム光学系１１又は差動排気系１２）に配置された電極と、これら２つの電極の静電容量（つまり、これら２つの電極から構成されるコンデンサの静電容量）を検出する静電容量センサとを備えていてもよい。制御装置４は、静電容量センサの検出結果（つまり、静電容量）に基づいて、２つの電極の間の距離（つまり、Ｚ軸方向の距離）を算出することができる。２つの電極の間の距離は、実質的には、ビーム照射装置１とステージ２２との間の距離（更には、ビーム照射装置１とステージ２２が保持する試料Ｗとの間の距離）と等価である。このため、制御装置４は、静電容量センサの検出結果に基づいて、Ｚ形状情報を生成することができる。

　走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、Ｚ形状情報を生成するために、Ｘ形状情報及びＹ形状情報を生成するための方法と同じ方法を用いてもよい。例えば、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、測定装置６を用いて、Ｘ形状情報、Ｙ形状情報及びＺ形状情報を生成してもよい。この場合、測定装置６は、試料Ｗの３次元形状を測定可能な装置であってもよい。例えば、測定装置６は、任意の測定方法を用いて、試料Ｗの３次元形状を測定してもよい。測定方法の一例として、光源パターン投影法、光切断法、タイム・オブ・フライト法、モアレトポグラフィ法（具体的には、格子照射法若しくは格子投影法）、ホログラフィック干渉法、オートコリメーション法、ステレオ法、非点収差法、臨界角法及びナイフエッジ法の少なくとも一つがあげられる。この場合、制御装置４は、測定装置６の測定結果に基づいて、Ｘ形状情報、Ｙ形状情報及びＺ形状情報を含む形状情報を生成してもよい。

　走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、制御装置４の制御下で、測定装置６の測定結果（或いは、電子検出器１１７の検出結果）に基づいてＸ形状情報、Ｙ形状情報及びＺ形状情報の少なくとも一つを生成と共に、Ｘ形状情報、Ｙ形状情報及びＺ形状情報の残りを、生成したＸ形状情報、Ｙ形状情報及びＺ形状情報の少なくとも一つに基づいて生成してもよい。例えば、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、測定装置６の測定結果に基づいてＺ形状情報を生成すると共に、生成したＺ形状情報に基づいてＸ形状情報及びＹ形状情報を生成してもよい。この場合、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、生成したＺ形状情報（例えば、試料Ｗの表面ＷＳｕの各部分のＺ軸方向における位置）に基づいて試料Ｗの表面ＷＳｕの各部分のＸ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれにおける位置を推定することで、Ｘ形状情報及びＹ形状情報を生成してもよい。

　上述したように、試料Ｗの変形の原因の一つは、真空領域ＶＳＰが形成されることである。つまり、試料Ｗの変形の原因の一つは、真空領域ＶＳＰから試料Ｗに作用する力である。この場合、真空領域ＶＳＰの形成に起因した試料Ｗの変形の度合いは、真空領域ＶＳＰの真空度に依存する可能性がある。例えば、真空領域ＶＳＰの真空度が高くなるほど（つまり、真空領域ＶＳＰの圧力が低くなるほど）、真空領域ＶＳＰの形成に起因して試料Ｗに作用するＦ＿ＶＳＰが大きくなる。このため、真空領域ＶＳＰの真空度が高くなるほど（つまり、真空領域ＶＳＰの圧力が低くなるほど）、真空領域ＶＳＰの形成に起因して試料Ｗが大きく変形する可能性がある。このため、制御装置４は、測定装置６の測定結果及び電子検出器１１７の検出結果の少なくとも一方に加えて又は代えて、真空領域ＶＳＰの真空度（つまり、圧力）に関する情報に基づいて、形状情報を生成してもよい。この場合、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、測定装置６に加えて又は代えて、真空領域ＶＳＰの真空度（つまり、ビーム通過空間ＳＰｂ３の真空度）を測定可能な測定装置を備えていてもよい。このような測定装置の一例として、真空領域ＶＳＰの圧力を計測可能な圧力センサがあげられる。

　真空領域ＶＳＰの形成に起因した試料Ｗの変形の度合いは、真空領域ＶＳＰの周辺の空間の気圧（例えば、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａを取り巻く環境の気圧）にも影響を受ける可能性がある。具体的には、真空領域ＶＳＰの形成に起因した試料Ｗの変形の度合いは、試料Ｗのうち真空領域ＶＳＰに面する特定部分Ｗ＿ｖａｃ（図５（ａ）から図５（ｃ）参照）以外の部分に面する空間の気圧にも影響を受ける可能性がある。例えば、真空領域ＶＳＰの周辺の空間の気圧が第１の気圧になっている状況下での試料Ｗの変形の度合いは、真空領域ＶＳＰの周辺の空間の気圧が第１の気圧とは異なる第２の気圧になっている状況下での試料Ｗの変形の度合いと異なる可能性がある。このため、制御装置４は、真空領域ＶＳＰの真空度に関する情報に加えて又は代えて、真空領域ＶＳＰの周辺の空間の気圧に関する情報に基づいて、形状情報を生成してもよい。

　真空領域ＶＳＰの形成に起因した試料Ｗの変形の度合いは、試料Ｗの弾性係数にも影響を受ける可能性がある。例えば、試料Ｗの弾性係数が大きくなるほど（つまり、試料Ｗが変形しにくくなるほど）、真空領域ＶＳＰの形成に起因した試料Ｗの変形の度合いは小さくなる可能性がある。例えば、試料Ｗの弾性係数が小さくなるほど（つまり、試料Ｗが変形しやすくなるほど）、真空領域ＶＳＰの形成に起因した試料Ｗの変形の度合いは大きくなる可能性がある。このため、制御装置４は、真空領域ＶＳＰの真空度に関する情報及び真空領域ＶＳＰの周辺の空間の気圧に関する情報の少なくとも一方に加えて又は代えて、試料Ｗの弾性係数に関する情報に基づいて、形状情報を生成してもよい。

　真空領域ＶＳＰの形成に起因した試料Ｗの変形の度合いは、ステージ２２が試料Ｗを保持する力Ｆ＿ｈｏｌｄ１の大きさ（つまり、真空吸着又は静電吸着によって発生する力）にも影響を受ける可能性がある。例えば、ステージ２２が第１の大きさの力Ｆ＿ｈｏｌｄ１－１で試料Ｗを保持している状況下での試料Ｗの変形の度合いは、ステージ２２が第１の大きさとは異なる第２の力Ｆ＿ｈｏｌｄ１－２で試料Ｗを保持している状況下での試料Ｗの変形の度合いと異なる可能性がある。このため、制御装置４は、真空領域ＶＳＰの真空度に関する情報、真空領域ＶＳＰの周辺の空間の気圧に関する情報及び試料Ｗの弾性係数に関する情報の少なくとも一つに加えて又は代えて、ステージ２２が試料Ｗを保持する力Ｆ＿ｈｏｌｄ１の大きさに関する情報に基づいて、形状情報を生成してもよい。

　尚、真空領域ＶＳＰの真空度に関する情報、真空領域ＶＳＰの周辺の空間の気圧に関する情報、試料Ｗの弾性係数に関する情報及びステージ２２が試料Ｗを保持する力Ｆ＿ｈｏｌｄ１の大きさに関する情報の少なくとも一つに基づいて形状情報を生成する場合には、制御装置４は、任意の数値解析手法を用いて試料Ｗの変形を推定すると共に、推定結果に基づいて形状情報を生成してもよい。任意の数値解析手法の一例として、有限要素法があげられる。

　（１－２－２）試料情報を生成する動作
　続いて、生成した形状情報に基づいて試料情報を生成する動作について説明する。第１実施形態では、制御装置４は、上述した電子ビームＥＢの照射位置に関する情報（以降、適宜“ビーム位置情報”と称する）と電子検出器１１７が検出した電子に関する情報（以降、適宜“電子検出情報”と称する）とに加えて、形状情報にも基づいて、試料情報（つまり、像情報及び／又は構造情報）を生成する。

　例えば、制御装置４は、形状情報に基づいてビーム位置情報を変更すると共に、変更した後のビーム位置情報と電子検出情報とに基づいて試料情報を生成する第１の動作を行ってもよい。例えば、図８（ａ）は、変更する前のビーム位置情報と電子検出情報とが対応付けられた情報ブロックの一例を示している。図８（ａ）は、（ｘ＃１、ｙ＃１、ｚ＃１）という位置に電子ビームＥＢが照射された場合に、電子検出器１１７の検出結果がｓ＃１となり（例えば、検出された電子の量がｓ１になり）、（ｘ＃２、ｙ＃２、ｚ＃２）という位置に電子ビームＥＢが照射された場合に、電子検出器１１７の検出結果がｓ＃２となり、・・・、（ｘ＃ｎ、ｙ＃ｎ、ｚ＃ｎ（但し、ｎは２以上の整数））という位置に電子ビームＥＢが照射された場合に、電子検出器１１７の検出結果がｓ＃ｎとなった場合の、ビーム位置情報と電子検出情報とを示している。この場合、第１動作を行う制御装置４は、図８（ｂ）に示すように、ビーム位置情報に含まれる（ｘ＃１、ｙ＃１、ｚ＃１）という照射位置の情報を、形状情報に基づいて（ｘ＃１’、ｙ＃１’、ｚ＃１’）という別の照射位置の情報に変更し、ビーム位置情報に含まれる（ｘ＃２、ｙ＃２、ｚ＃２）という照射位置の情報を、形状情報に基づいて（ｘ＃２’、ｙ＃２’、ｚ＃２’）という別の照射位置の情報に変更し、・・・、ビーム位置情報が示す（ｘ＃ｎ、ｙ＃ｎ、ｚ＃ｎ）という照射位置の情報を、形状情報に基づいて（ｘ＃ｎ’、ｙ＃ｎ’、ｚ＃ｎ’）という別の照射位置の情報に変更する。尚、制御装置４は、ビーム位置情報に含まれる全ての照射位置の情報を必ずしも変更しなくてもよい。つまり、制御装置４は、ビーム位置情報に含まれる照射位置の情報のうちの一部を変更すると共に、ビーム位置情報に含まれる照射位置の情報のうちの残りの一部を変更しなくてもよい。その結果、第１動作では、制御装置４は、図８（ａ）に示すビーム位置情報及び電子検出情報に代えて、図８（ｂ）に示すビーム位置情報及び電子検出情報に基づいて試料情報を生成する。

　第１動作では、制御装置４は、変更する前のビーム位置情報及び電子検出情報に基づいて生成される試料情報よりも、変更した後のビーム位置情報及び電子検出情報に基づいて生成される試料情報の方が、変形していない試料Ｗ（例えば、真空領域ＶＳＰがその表面ＷＳｕに形成されていない試料Ｗ、以下同じ）に関する試料情報に近づくように、ビーム位置情報を変更してもよい。制御装置４は、変更する前のビーム位置情報及び電子検出情報に基づいて生成される試料情報と変形していない試料Ｗに関する試料情報との差分よりも、変更した後のビーム位置情報及び電子検出情報に基づいて生成される試料情報と変形していない試料Ｗに関する試料情報との差分の方が小さくなるように、ビーム位置情報を変更してもよい。制御装置４は、変更した後のビーム位置情報及び電子検出情報に基づいて生成される試料情報が、変形していない試料Ｗに関する試料情報と一致するように、ビーム位置情報を変更してもよい。制御装置４は、変更した後のビーム位置情報及び電子検出情報に基づいて生成される試料情報と、変形していない試料Ｗに関する試料情報との差がなくなるように、ビーム位置情報を変更してもよい。

　上述した条件を満たすようにビーム位置情報を変更するために、制御装置４は、変更した後のビーム位置情報が示す電子ビームＥＢの各照射位置が、形状情報に基づいて定まる所望の位置に設定されるように、ビーム位置情報を変更してもよい。例えば、制御装置４は、変更する前のビーム位置情報が示す電子ビームＥＢの各照射位置よりも、変更した後のビーム位置情報が示す電子ビームＥＢの各照射位置の方が、試料Ｗが変形していない場合において電子ビームＥＢが本来照射されるべきであった位置に近づくように、ビーム位置情報を変更してもよい。例えば、制御装置４は、変更した後のビーム位置情報が示す電子ビームＥＢの各照射位置が、試料Ｗが変形していない場合において電子ビームＥＢが本来照射されるべきであった位置（或いは、その近傍）に設定されるように、ビーム位置情報を変更してもよい。

　或いは、制御装置４は、形状情報に基づいてビーム位置情報を変更することに加えて又は代えて、形状情報に基づいて電子検出情報を変更すると共に、ビーム位置情報と変更した電子検出情報とに基づいて試料情報を生成する第２の動作を行ってもよい。例えば、図９（ａ）は、変更する前のビーム位置情報と電子検出情報とが対応付けられた情報ブロックの一例を示している。尚、説明の便宜上、図９（ａ）に示すビーム位置情報及び電子検出情報は、図８（ａ）に示すビーム位置情報及び電子検出情報と同じである。この場合、第２動作を行う制御装置４は、図９（ｂ）に示すように、電子検出情報に含まれる（ｓ＃１）という電子の検出量の情報を、形状情報に基づいて（ｓ＃１’）という別の電子の検出量の情報に変更し、電子検出情報に含まれる（ｓ＃２）という電子の検出量の情報を、形状情報に基づいて（ｓ＃２’）という別の電子の検出量の情報に変更し、・・・、電子検出情報に含まれる（ｓ＃ｎ）という電子の検出量の情報を、形状情報に基づいて（ｓ＃ｎ’）という別の電子の検出量の情報に変更する。尚、制御装置４は、電子検出情報に含まれる全ての検出量の情報を必ずしも変更しなくてもよい。つまり、制御装置４は、電子検出情報に含まれる全ての検出量の情報のうちの一部を変更すると共に、電子検出情報に含まれる全ての検出量の情報のうちの残りの一部を変更しなくてもよい。その結果、第２動作では、制御装置４は、図９（ａ）に示すビーム位置情報及び電子検出情報に代えて、図９（ｂ）に示すビーム位置情報及び電子検出情報に基づいて試料情報を生成する。

　第２動作では、制御装置４は、ビーム位置情報及び変更する前の電子検出情報に基づいて生成される試料情報よりも、ビーム位置情報及び変更した後の電子検出情報に基づいて生成される試料情報の方が、変形していない試料Ｗに関する試料情報に近づくように、電子検出情報を変更してもよい。制御装置４は、ビーム位置情報及び変更する前の電子検出情報に基づいて生成される試料情報と変形していない試料Ｗに関する試料情報との差分よりも、ビーム位置情報及び変更した後の電子検出情報に基づいて生成される試料情報と変形していない試料Ｗに関する試料情報との差分の方が小さくなるように、電子検出情報を変更してもよい。制御装置４は、ビーム位置情報及び変更した後の電子検出情報に基づいて生成される試料情報が、変形していない試料Ｗに関する試料情報に一致するように、電子検出情報を変更してもよい。制御装置４は、ビーム位置情報及び変更した後の電子検出情報に基づいて生成される試料情報と、変形していない試料Ｗに関する試料情報との差がなくなるように、電子検出情報を変更してもよい。

　上述した条件を満たすように電子検出情報を変更するために、制御装置４は、変更した後の電子検出情報が示す各検出量（或いは、その他の電子の特性に関する情報）が、形状情報に基づいて定まる所望の量に設定されるように、電子検出情報を変更してもよい。例えば、制御装置４は、変更する前の電子検出情報が示す各検出量（具体的には、ある照射位置に電子ビームＥＢが照射された場合に放出された電子の検出量）よりも、変更した後の電子検出情報が示す各検出量の方が、変形していない試料Ｗに電子ビームＥＢが照射された場合に検出されるはずであった電子の検出量に近づくように、電子検出情報を変更してもよい。例えば、制御装置４は、変更した後の電子検出情報が示す電子の検出量が、変形していない試料Ｗに電子ビームＥＢが照射された場合に検出されるはずであった電子の検出量に一致するように、電子検出情報を変更してもよい。

　或いは、制御装置４は、ビーム位置情報及び電子検出情報のいずれか一方を変更することに代えて、ビーム情報及び電子検出情報の双方を変更してもよい。この場合、制御装置４は、変更する前のビーム位置情報及び変更する前の電子検出情報に基づいて生成される試料情報よりも、変更した後のビーム位置情報及び変更した後の電子検出情報に基づいて生成される試料情報の方が、変形していない試料Ｗに関する試料情報に近づくように、ビーム位置情報及び電子検出情報を変更してもよい。制御装置４は、変更する前のビーム位置情報及び変更する前の電子検出情報に基づいて生成される試料情報と変形していない試料Ｗに関する試料情報との差分よりも、変更した後のビーム位置情報及び変更した後の電子検出情報に基づいて生成される試料情報と変形していない試料Ｗに関する試料情報との差分の方が小さくなるように、ビーム位置情報及び電子検出情報を変更してもよい。制御装置４は、変更した後のビーム位置情報及び変更した後の電子検出情報に基づいて生成される試料情報が、変形していない試料Ｗに関する試料情報に一致するように、ビーム位置情報及び電子検出情報を変更してもよい。制御装置４は、変更した後のビーム位置情報及び変更した後の電子検出情報に基づいて生成される試料情報と、変形していない試料Ｗに関する試料情報との差がなくなるように、ビーム位置情報及び電子検出情報を変更してもよい。

　或いは、制御装置４は、ビーム位置情報及び電子検出情報の少なくとも一方を変更することに代えて、ビーム位置情報及び電子検出情報に基づいて試料情報を生成した後に、形状情報に基づいて試料情報を変更してもよい。この際、制御装置４は、変更する前の試料情報よりも、変更した後の試料情報の方が、変形していない試料Ｗに関する試料情報に近づくように、試料情報を変更してもよい。制御装置４は、変更する前の試料情報と変形していない試料Ｗに関する試料情報との差分よりも、変更した後の試料情報と変形していない試料Ｗに関する試料情報との差分の方が小さくなるように、試料情報を変更してもよい。制御装置４は、変更した後の試料情報が、変形していない試料Ｗに関する試料情報と一致するように、試料情報を変更してもよい。制御装置４は、変更した後の試料情報と、変形していない試料Ｗに関する試料情報との差がなくなるように、試料情報を変更してもよい。

　その結果、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、試料Ｗが変形している場合であっても、形状情報に基づいてビーム位置情報、電子検出情報及び試料情報の少なくとも一つを変更することで、試料Ｗが変形していない理想的な状況下で生成されるはずの試料情報を適切に生成することができる。このため、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、試料Ｗの変形の影響を受けていない相対的に高精度な試料情報を取得することができる。つまり、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、試料Ｗの形状によらずに、相対的に高精度な試料情報を取得することができる。

　尚、形状情報は、測定装置６の測定結果及び電子検出器１１７の検出結果を用いることなく、真空領域ＶＳＰの真空度に関する情報、真空領域ＶＳＰの周辺の空間の気圧に関する情報、試料Ｗの弾性係数に関する情報及びステージ２２が試料Ｗを保持する力の大きさに関する情報の少なくとも一つに基づいて生成されてもよいことは上述したとおりである。この場合、真空領域ＶＳＰの真空度に関する情報、真空領域ＶＳＰの周辺の空間の気圧に関する情報、試料Ｗの弾性係数に関する情報及びステージ２２が試料Ｗを保持する力の大きさに関する情報の少なくとも一つは、実質的には、試料Ｗの形状を間接的に示す情報であることも言える。このため、制御装置４は、形状情報に基づいてビーム位置情報、電子検出情報及び試料情報の少なくとも一つを変更することに加えて又は代えて、真空領域ＶＳＰの真空度に関する情報、真空領域ＶＳＰの周辺の空間の気圧に関する情報、試料Ｗの弾性係数に関する情報及びステージ２２が試料Ｗを保持する力の大きさに関する情報の少なくとも一つに基づいてビーム位置情報、電子検出情報及び試料情報の少なくとも一つを変更してもよい。

　（１－３）第１実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭａの変形例
　続いて、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａの変形例について説明する。

　（１－３－１）第１変形例
　上述した説明では、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、試料情報を生成する際に、形状情報に基づいてビーム位置情報を変更している。つまり、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、試料Ｗに電子ビームＥＢを照射してビーム位置情報及び電子検出情報が取得された後に、形状情報に基づいてビーム位置情報を変更している。しかしながら、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、制御装置４の制御下で、電子ビームＥＢを試料Ｗに照射する際に、形状情報に基づいて電子ビームＥＢの照射位置を制御してもよい。具体的には、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、制御装置４の制御下で、電子ビームＥＢを試料Ｗに照射する際に、形状情報に基づいて電子ビームＥＢの照射位置を変更してもよい。尚、電子ビームＥＢの照射位置は、典型的には、偏向器１１６に流れる励磁電流の変更によって変更される。

　例えば、制御装置４は、変更する前の照射位置に電子ビームＥＢが照射された場合に生成される試料情報よりも、変更した後の照射位置に電子ビームＥＢが照射された場合に生成される試料情報の方が、変形していない試料Ｗに関する試料情報に近づくように、電子ビームＥＢの照射位置を制御してもよい。制御装置４は、変更する前の照射位置に電子ビームＥＢが照射された場合に生成される試料情報と変形していない試料Ｗに関する試料情報との差分よりも、変更した後の照射位置に電子ビームＥＢが照射された場合に生成される試料情報と変形していない試料Ｗに関する試料情報との差分の方が小さくなるように、電子ビームＥＢの照射位置を制御してもよい。制御装置４は、変更した後の照射位置に電子ビームＥＢが照射された場合に生成される試料情報が、変形していない試料Ｗに関する試料情報と一致するように、電子ビームＥＢの照射位置を制御してもよい。制御装置４は、変更した後の照射位置に電子ビームＥＢが照射された場合に生成される試料情報と、変形していない試料Ｗに関する試料情報との差がなくなるように、電子ビームＥＢの照射位置を制御してもよい。

　上述した条件を満たすように電子ビームＥＢの照射位置を制御するために、制御装置４は、変更した後の電子ビームＥＢの各照射位置が、形状情報に基づいて定まる所望の位置に設定されるように、電子ビームＥＢの照射位置を変更してもよい。例えば、制御装置４は、変更する前の電子ビームＥＢの各照射位置よりも、変更した後の電子ビームＥＢの各照射位置の方が、試料Ｗが変形していない場合において電子ビームＥＢが本来照射されるべきであった位置に近づくように、ビーム位置情報を変更してもよい。例えば、制御装置４は、変更した後の電子ビームＥＢの各照射位置が、試料Ｗが変形していない場合において電子ビームＥＢが本来照射されるべきであった位置（或いは、その近傍）に設定されるように、電子ビームＥＢの照射位置を変更してもよい。

　その後、制御装置４は、ビーム位置情報と電子検出情報とに基づいて、試料情報（つまり、像情報及び／又は構造情報）を生成する。第１変形例では、電子ビームＥＢを試料Ｗに照射する際に形状情報に基づいて電子ビームＥＢの照射位置が既に制御（つまり、変更）されている。このため、制御装置４は、ビーム位置情報及び電子検出情報を形状情報に基づいて変更しなくてもよい。つまり、第１変形例では、形状情報に基づいて電子ビームＥＢの照射位置が既に制御されているため、ビーム位置情報は、実質的には、形状情報に基づいて変更されたビーム位置情報と等価である。その結果、第１変形例においても、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、試料Ｗの変形の影響を受けていない相対的に高精度な試料情報を取得することができる。

　（１－３－２）第２変形例
　第２変形例では、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、Ｚ軸方向における試料Ｗとビーム照射装置１（例えば、ビーム光学系１１及び差動排気系１２の少なくとも一方）との相対的な位置関係が異なる複数の状況のそれぞれにおいて試料Ｗに電子ビームＥＢを照射することで、試料情報を生成してもよい。具体的には、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、Ｚ軸方向における試料Ｗとビーム照射装置１との相対的な位置関係が第１の状態となる状況下で試料Ｗに電子ビームＥＢを照射してビーム位置情報及び電子検出情報を取得すると共に、Ｚ軸方向における試料Ｗとビーム照射装置１との相対的な位置関係が第１の状態とは異なる第２の状態となる状況下で試料Ｗに電子ビームＥＢを照射してビーム位置情報及び電子検出情報を取得してもよい。その後、制御装置４は、取得した複数のビーム位置情報及び複数の電子検出情報に基づいて、試料情報（特に、構造情報）を生成してもよい。以下、図１０を参照しながら、第２変形例における試料情報の生成動作の流れについて説明する。図１０は、第２変形例における試料情報の生成動作の流れを示すフローチャートである。尚、以下では、説明の便宜上、図４（ｂ）に示す凹凸構造物ＳＴが形成されている試料Ｗに関する試料情報を生成するための動作について説明する。但し、以下に説明する動作は、図４（ｂ）に示す凹凸構造物ＳＴとは異なる凹凸構造物ＳＴが形成されている試料Ｗ又は凹凸構造物ＳＴが形成されていない試料Ｗに関する試料情報を生成するために行われてもよい。

　図１０に示すように、まず、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、制御装置４の制御下で、Ｚ軸方向に沿った電子ビームＥＢのフォーカス位置ＦＰを、初期位置に合わせる（図１０のステップＳ１１）。この場合、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、間隔調整系１４を用いてビーム照射装置１をＺ軸方向に沿って移動させることで、フォーカス位置ＦＰを、初期位置に合わせてもよい。或いは、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、間隔調整系１４を用いることに加えて又は代えて、ステージ駆動系２３を用いてステージ２２をＺ軸方向に沿って移動させることで、フォーカス位置ＦＰを、初期位置に合わせてもよい。或いは、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、間隔調整系１４及びステージ駆動系２３の少なくとも一方を用いることに加えて又は代えて、ビーム照射装置１が備える電磁レンズ１１４を制御することで、フォーカス位置ＦＰを、初期位置に合わせてもよい。

　初期位置は、図１１（ａ）に示すように、Ｚ軸方向において試料Ｗの表面ＷＳｕと同じ位置に設定されていてもよい。或いは、例えば、初期位置は、Ｚ軸方向において試料Ｗの表面ＷＳｕから離れた位置に設定されていてもよい。この場合、例えば、初期位置は、図１１（ｂ）及び図１１（ｃ）のそれぞれに示すように、試料Ｗの表面ＷＳｕから＋Ｚ側にシフトした位置（つまり、ビーム照射装置１に近づくように表面ＷＳｕから離れた位置）に設定されていてもよい。尚、図１１（ｂ）は、初期位置が、試料Ｗの表面ＷＳｕよりも＋Ｚ側にシフトした位置であって且つＺ軸方向において試料Ｗの表面ＷＳｕと凹凸構造物ＳＴの頂部（具体的には、凹凸構造物ＳＴのうち最も＋Ｚ側に位置する部分）ＳＴｐを含む水平面（つまり、ＸＹ平面に平行な面）との間の位置に設定されている例を示しており、図１１（ｃ）は、初期位置が、試料Ｗの表面ＷＳｕよりも＋Ｚ側にシフトした位置であって且つＺ軸方向において凹凸構造物ＳＴの頂部ＳＴｐを含む水平面と同じ位置に設定されている例を示している。或いは、例えば、初期位置は、図１１（ｄ）に示すように、試料Ｗの表面ＷＳｕよりも－Ｚ側にシフトした位置（つまり、ビーム照射装置１から遠ざかるように表面ＷＳｕから離れた位置）に設定されていてもよい。或いは、初期位置は、図１１（ａ）から図１１（ｄ）に示す位置とは異なる位置に設定されていてもよい。

　初期位置は、フォーカス位置ＦＰが初期位置に合わせられている状態で、試料Ｗの表面ＷＳｕ及び凹凸構造物ＳＴの少なくとも一部を、ビーム光学系１１の焦点深度の範囲ＦＤ内に含めることが可能な位置に設定されてもよい。尚、ここで言う「試料Ｗの表面ＷＳｕ及び凹凸構造物ＳＴの少なくとも一部を、ビーム光学系１１の焦点深度の範囲ＦＤ内に含める」ことは、試料Ｗの表面ＷＳｕ及び凹凸構造物ＳＴの少なくとも一部を、ビーム光学系１１の焦点深度の範囲ＦＤの＋Ｚ側の境界を含む水平面とビーム光学系１１の焦点深度の範囲ＦＤの－Ｚ側の境界を含む水平面との間に含める」ことを意味する。この場合、電子ビームＥＢで試料Ｗの表面ＷＳｕを走査するために偏向器１１６が電子ビームＥＢを偏向している期間及び／又はＸＹ平面に沿ってステージ２２が移動する期間の少なくとも一部において、試料Ｗの表面ＷＳｕ及び凹凸構造物ＳＴの少なくとも一部がビーム光学系１１の焦点深度の範囲ＦＤ内に位置することになる。つまり、電子ビームＥＢで試料Ｗの表面ＷＳｕを走査するために偏向器１１６が電子ビームＥＢを偏向している期間及び／又はＸＹ平面に沿ってステージ２２が移動する期間の全体に渡って、試料Ｗの表面ＷＳｕ及び凹凸構造物ＳＴのいずれもがビーム光学系１１の焦点深度の範囲ＦＤ内に位置しない状況は発生しない。このため、試料Ｗの表面ＷＳｕ及び凹凸構造物ＳＴのいずれもがビーム光学系１１の焦点深度の範囲ＦＤ内に位置しない初期位置が用いられる比較例と比較して、試料情報の生成にとって有効な電子ビームＥＢが照射されやすくなる。尚、図１１（ａ）から図１１（ｄ）は、いずれも、フォーカス位置ＦＰが初期位置に設定されている状態で、試料Ｗの表面ＷＳｕ及び凹凸構造物ＳＴの少なくとも一部を、ビーム光学系１１の焦点深度の範囲ＦＤ内に含めることが可能な初期位置の一例を示している。

　その後、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、制御装置４の制御下で、試料Ｗの表面ＷＳｕを電子ビームＥＢで走査する（図１０のステップＳ１２）。その結果、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、電子ビームＥＢの照射位置に関するビーム位置情報と電子検出器１１７の検出結果である電子検出情報とを取得する。

　第２実施形態では、ビーム照射装置１は、図１２（ａ）に示すように、試料Ｗの表面ＷＳｕに対して電子ビームＥＢが斜入射するように、電子ビームＥＢを照射する。例えば、ビーム照射装置１は、試料Ｗの表面ＷＳｕに対して電子ビームＥＢが斜入射するように、ステージ２２に対して位置合わせされていてもよい。例えば、試料Ｗの表面ＷＳｕに対して電子ビームＥＢが斜入射するように、ステージ駆動系２３によってステージ２２の姿勢が制御されてもよい。例えば、試料Ｗの表面ＷＳｕに対して電子ビームＥＢが斜入射するように、不図示の駆動系（或いは、上述した間隔調整系１４）によってビーム照射装置１の姿勢が制御されてもよい。例えば、ビーム照射装置１は、試料Ｗの表面ＷＳｕに対して電子ビームＥＢが斜入射するように、偏向器１１６を制御してもよい。但し、ビーム照射装置１は、図１２（ｂ）に示すように、試料Ｗの表面ＷＳｕに対して電子ビームＥＢが垂直入射するように、電子ビームＥＢを照射してもよい。

　その後、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、制御装置４の制御下で、ステップＳ１２における電子ビームＥＢの照射によって取得されたビーム位置情報及び電子検出情報に基づいて、試料Ｗの表面ＷＳｕの像に関する像情報を生成する（図１０のステップＳ１３）。尚、図１３は、像情報が示す像の一例を概念的に示している。図１３に示すように、像情報が示す像は、試料Ｗの表面ＷＳｕの構造（図４（ｂ）に示す凹凸構造物ＳＴの構造）に応じたコントラスト分布（或いは、輝度分布又はＳＮ比の分布）を有する像になっている。

　図１０のステップＳ１３において像情報を生成する際に、制御装置４は、上述した変形抑制動作を行ってもよい。つまり、図１０のステップＳ１３において、制御装置４は、形状情報に基づいてビーム位置情報、電子検出情報及び像情報の少なくとも一つを変更することで、像情報を生成してもよい。但し、図１０のステップＳ１３において像情報を生成する際に、制御装置４は、上述した変形抑制動作を行わなくてもよい。つまり、図１０のステップＳ１３において、制御装置４は、上述した変形抑制動作を行うことなく像情報を生成してもよい。具体的には、図１０のステップＳ１３において、制御装置４は、形状情報に基づいてビーム位置情報、電子検出情報及び像情報の少なくとも一つを変更することなく像情報を生成してもよい。尚、変形抑制動作を行わない場合には、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは測定装置６を備えていなくてもよいし、試料ＷにアライメントマークＡＭが形成されていなくてもよい。

　その後、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、制御装置４の制御下で、ステージ２２をＺ軸方向に沿って所定移動量Δｍだけ移動させる（図１０のステップＳ１４）。この場合、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、図１４（ａ）に示すように、ステージ２２がビーム照射装置１に近づくようにステージ２２を＋Ｚ側に向けて移動させてもよい。或いは、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、図１４（ｂ）に示すように、ステージ２２がビーム照射装置１から遠ざかるようにステージ２２を－Ｚ側に向けて移動させてもよい。いずれにせよ、ステージ２２は、移動前に位置していた第１位置から、Ｚ軸方向に沿って第１位置から所定移動量Δｍだけシフトした位置である第２位置へと移動する。尚、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）では、ステージ２２が移動する前のステージ２２及び試料Ｗを点線で示し、ステージ２２が移動した後のステージ２２及び試料Ｗを実線で示している。

　所定移動量Δｍは、試料Ｗの表面ＷＳｕに形成されている凹凸構造物ＳＴのＺ軸方向のサイズに基づいて定められていてもよい。例えば、所定移動量Δｍは、凹凸構造物ＳＴのＺ軸方向のサイズよりも小さくてもよい。凹凸構造物ＳＴが上述した回路パターン又はレジストパターンである場合には、所定移動量Δｍは、例えば、数ナノメートルから数十ナノメートルであってもよい。但し、凹凸構造物ＳＴが上述した回路パターン又はレジストパターンでない場合又は凹凸構造物ＳＴが形成されていない場合であっても、所定移動量Δｍは、例えば、数ナノメートルから数十ナノメートルであってもよい。或いは、所定移動量は、例えば、０．１ナノメートルから２マイクロメートルであってもよい。

　走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、フォーカス位置ＦＰを移動させることなく（言い換えれば、フォーカス位置ＦＰを固定したまま）、ステージ２２を移動させる。つまり、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、フォーカス位置ＦＰを初期位置に合わせたまま、ステージ２２を移動させる。その結果、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に示すように、ステージ２２の移動に伴って、Ｚ軸方向においてフォーカス位置ＦＰと試料Ｗとの相対的な位置関係が変化する。つまり、ステージ２２の移動に伴って、Ｚ軸方向においてフォーカス位置ＦＰと試料Ｗの表面ＷＳｕ及び凹凸構造物ＳＴのそれぞれとの相対的な位置関係が変化する。但し、Ｚ軸方向においてフォーカス位置ＦＰと試料Ｗの表面ＷＳｕ及び凹凸構造物ＳＴのそれぞれとの相対的な位置関係が変化する限りは、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、フォーカス位置ＦＰを移動させた上で、ステージ２２を移動させてもよい。

　走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、ステージ２２を移動させた後において、試料Ｗの表面ＷＳｕ及び凹凸構造物ＳＴの少なくとも一部が、ビーム光学系１１の焦点深度の範囲ＦＤ内に含まれるように、ステージ２２を移動させてもよい。この場合、試料Ｗの表面ＷＳｕ及び凹凸構造物ＳＴのいずれもがビーム光学系１１の焦点深度の範囲ＦＤ内に含まれなくなるようにステージ２２が移動する比較例と比較して、試料情報の生成にとって有効な電子ビームＥＢが照射されやすくなる。

　図１０のステップＳ１４においてステージ２２を移動させる際に、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、ビーム光学系１１の光軸ＡＸに交差する方向（例えば、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の少なくとも一つに沿った方向）におけるビーム照射装置１と試料Ｗとの間の相対的な位置関係を維持してもよい。つまり、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、ステージ２２を移動させる前の状態での光軸ＡＸに交差する方向におけるビーム照射装置１と試料Ｗとの間の相対的な位置関係と、ステージ２２を移動させた後の状態での光軸ＡＸに交差する方向におけるビーム照射装置１と試料Ｗとの間の相対的な位置関係とが同じになるように、ステージ２２を移動させてもよい。或いは、図１０のステップＳ１４においてステージ２２を移動させる際に、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、光軸ＡＸに交差する方向におけるビーム照射装置１と試料Ｗとの間の相対的な位置関係を変更してもよい。つまり、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、ステージ２２を移動させる前の状態での光軸ＡＸに交差する方向におけるビーム照射装置１と試料Ｗとの間の相対的な位置関係と、ステージ２２を移動させた後の状態での光軸ＡＸに交差する方向におけるビーム照射装置１と試料Ｗとの間の相対的な位置関係とが異なるように、ステージ２２を移動させてもよい。

　その後、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、制御装置４の制御下で、試料Ｗの表面ＷＳｕを電子ビームＥＢで走査する（図１０のステップＳ１５）。その結果、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、電子ビームＥＢの照射位置に関するビーム位置情報と電子検出器１１７の検出結果である電子検出情報とを取得する。

　その後、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、制御装置４の制御下で、ステップＳ１５における電子ビームＥＢの照射によって取得されたビーム位置情報及び電子検出情報に基づいて、試料Ｗの表面ＷＳｕの像に関する像情報を生成する（図１０のステップＳ１６）。

　このようなＺ軸方向に沿ってステージ２２を移動した後に試料Ｗの表面ＷＳｕを電子ビームＥＢで走査する処理及び試料Ｗへの電子ビームＥＢの照射によって生ずる電子を検出する処理が、試料Ｗの表面ＷＳｕの電子ビームＥＢでの走査を終了すると判定されるまで繰り返される（図１０のステップＳ１７）。つまり、試料Ｗの表面ＷＳｕの電子ビームＥＢでの走査を終了する（例えば、新たな像情報をこれ以上生成しない）と判定されるまでは、試料Ｗの表面ＷＳｕを電子ビームＥＢで走査し且つそれによって生ずる電子を検出する都度ステージ２２をＺ軸方向に沿って所定移動量Δｍだけ移動した上で、試料Ｗの表面ＷＳｕを電子ビームＥＢで再度走査し且つそれによって生ずる電子を検出する処理が繰り返される。尚、試料Ｗの表面ＷＳｕを電子ビームＥＢで走査し且つそれによって生ずる電子を検出する処理がＮ（但し、Ｎは２以上の所定の整数）回以上行われた場合に、試料Ｗの表面ＷＳｕの電子ビームＥＢでの走査を終了すると判定されてもよい。

　その結果、制御装置４は、それぞれが試料Ｗの表面ＷＳｕの構造（特に、３次元形状）に応じた特性を有する複数の像情報を取得することができる。その後、制御装置４は、複数の像情報に基づいて、試料Ｗの表面ＷＳｕの構造に関する構造情報（つまり、試料Ｗの表面ＷＳｕの３次元形状に関する３次元プロファイル情報）を生成する。

　具体的には、まず、上述したように、複数の像情報がそれぞれ示す複数の像は、いずれも、同じ試料Ｗの同じ表面ＷＳｕの構造に応じた特性を有している。一方で、複数の像情報は、Ｚ軸方向においてフォーカス位置ＦＰと試料Ｗとの相対的な位置関係（つまり、フォーカス位置ＦＰと試料Ｗの表面ＷＳｕ及び凹凸構造物ＳＴのそれぞれとの相対的な位置関係）が互いに異なる状況下で取得されている。このため、複数の像情報がそれぞれ示す複数の像は、フォーカス位置ＦＰと試料Ｗとの相対的な位置関係の違いに起因して異なる特性を有する可能性がある。例えば、図１５に示すように、複数の像情報のうちの第１の像情報が示す第１の像の特性は、複数の像情報のうちの第１の像情報とは異なる第２の像情報が示す第２の像の特性と異なる可能性がある。

　特に、複数の像情報は、Ｚ軸方向において凹凸構造物ＳＴの異なる箇所にフォーカス位置ＦＰが合わせられた複数の状況下でそれぞれ取得されている。例えば、図１５に示すように、第１の像情報は、凹凸構造物ＳＴのうちの第１部分ＳＴ１にフォーカス位置ＦＰが合わせられた状況下で取得された像情報である一方で、第２の像情報は、凹凸構造物ＳＴのうちの第１部分ＳＴ１とはＺ軸方向の位置が異なる第２部分ＳＴ２にフォーカス位置ＦＰが合わせられた状況下で取得された像情報である。つまり、第１の像情報は、Ｚ軸方向において試料Ｗの表面ＷＳｕから第１距離ｄ１だけ離れた第１位置ＦＰｓ１にフォーカス位置ＦＰが合わせられた状況下で取得された像情報である一方で、第２の像情報は、Ｚ軸方向において試料Ｗの表面ＷＳｕから第１距離ｄ１とは異なる第２距離ｄ２だけ離れた第２位置ＦＰｓ２にフォーカス位置ＦＰが合わせられた状況下で取得された像情報である。従って、第１像情報は、凹凸構造物ＳＴの第１部分ＳＴ１（或いは、その近傍）の構造を相対的に高精度に示す情報である一方で、第２像情報は、凹凸構造物ＳＴの第２部分ＳＴ２（或いは、その近傍）の構造を相対的に高精度に示す情報である可能性がある。具体的には、第１像情報は、凹凸構造物ＳＴのうち第１部分ＴＳ１を含む第１の構造部分（例えば、第１部分ＳＴ１を中心に＋Ｚ側及び－Ｚ側に広がる所定サイズの空間内に含まれる構造部分）の構造を相対的に高精度に示す情報である一方で、第２像情報は、凹凸構造物ＳＴのうち第２部分ＴＳ１を含む第２の構造部分（例えば、第２部分ＳＴ２を中心に＋Ｚ側及び－Ｚ側に広がる所定サイズの空間内に含まれる構造部分）の構造を相対的に高精度に示す情報である可能性がある。例えば、第１像情報は、第１部分ＳＴ１を含む第１の構造部分に関するスライス画像に関する情報である一方で、第２像情報は、第２部分ＳＴ２を含む第２の構造部分に関するスライス画像に関する情報である可能性がある。つまり、各像情報は、凹凸構造物ＳＴのうちＸＹ平面に平行であって且つ各像情報が取得されたタイミングでフォーカス位置ＦＰが設定されていた位置を通過する仮想的な面が交差する構造部分の構造を相対的に高精度に示す情報である可能性がある。

　従って、制御装置４は、このような複数の像情報を複合的に解析することで、試料Ｗの表面ＷＳｕの構造を相対的に高精度に示す構造情報を生成することができる。つまり、制御装置４は、複数の像情報を複合的に解析することで、試料Ｗの表面ＷＳｕの構造を、単一の像情報に基づいて推定される試料Ｗの表面ＷＳｕの構造よりも高い精度で示す構造情報を生成することができる。尚、構造情報の一例が図１５に示されている。図１５は、試料Ｗの表面ＷＳｕの構造（つまり、表面ＷＳｕの各部分の位置であり、実質的には３次元形状）をＸＹＺ座標系で示す情報が構造情報である例を示している。

　複数の像情報を複合的に解析する処理は、構造情報の生成に寄与する任意の処理を含んでいてもよい。例えば、複数の像情報を複合的に解析する処理は、複数の像情報の特性を比較する処理を含んでいてもよい。複数の像情報を複合的に解析する処理は、複数の像情報の特性の比較結果に基づいて、試料Ｗの表面ＷＳｕの構造を特定する処理を含んでいてもよい。各像情報が凹凸構造物ＳＴのスライス画像に相当する画像を含んでいることを考慮すれば、複数の像情報を複合的に解析する処理は、複数の像情報を合成して試料Ｗの表面ＷＳｕの構造を特定する処理を含んでいてもよい。

　このように、第２変形例では、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、単一の像情報に基づいて構造情報を生成する比較例の走査型電子顕微鏡と比較して、試料Ｗの表面ＷＳｕの構造をより高精度に示す構造情報を生成することができる。つまり、第２変形例では、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、Ｚ軸方向に沿ってステージ２２を移動した後に試料Ｗの表面ＷＳｕを電子ビームＥＢで走査する処理を繰り返さない比較例の走査型電子顕微鏡と比較して、試料Ｗの表面ＷＳｕの構造をより高精度に示す構造情報を生成することができる。

　（１－３－３）第３変形例
　第３変形例では、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、第２変形例と同様に、Ｚ軸方向における試料Ｗとビーム照射装置１との相対的な位置関係が異なる複数の状況のそれぞれにおいて試料Ｗに電子ビームＥＢを照射することで、試料情報を生成する。但し、第３変形例では、走型電子顕微鏡ＳＥＭａは、試料Ｗの表面ＷＳｕを電子ビームＥＢで走査する際に、制御装置４の制御下で、試料Ｗの表面ＷＳｕに対する電子ビームＥＢの入射角度を変更可能である。

　具体的には、第３変形例では、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、図１０のステップＳ１２及びステップＳ１５のそれぞれにおいて、まずは、電子ビームＥＢの入射角度を第１角度に設定した上で、試料Ｗの表面ＷＳｕを電子ビームＥＢで走査すると共に、試料Ｗへの電子ビームＥＢの照射によって生ずる電子を検出する。その後、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、電子ビームＥＢの入射角度を第１角度とは異なる第２角度に設定した上で、試料Ｗの表面ＷＳｕを電子ビームＥＢで再度走査すると共に、試料Ｗへの電子ビームＥＢの照射によって生ずる電子を検出する。その後、必要に応じて、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、電子ビームＥＢの入射角度を更に異なる角度に設定した上で、試料Ｗの表面ＷＳｕを電子ビームＥＢで走査すると共に、試料Ｗへの電子ビームＥＢの照射によって生ずる電子を検出する処理を必要回数だけ繰り返してもよい。

　走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、ステージ駆動系２３を用いてステージ２２の姿勢を制御する（つまり、ステージ２２を、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向の少なくとも一つに沿って移動させる）ことで、電子ビームＥＢの入射角度を変更してもよい。走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、間隔調整系１４を用いてビーム照射装置１の姿勢を制御する（つまり、ビーム照射装置１を、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向の少なくとも一つに沿って移動させる）ことで、電子ビームＥＢの入射角度を変更してもよい。走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、ビーム光学系１１が備える偏向器１１６を制御することで、電子ビームＥＢの入射角度を変更してもよい。

　その結果、第３変形例で取得される複数の像情報は、Ｚ軸方向においてフォーカス位置ＦＰと試料Ｗとの相対的な位置関係が異なり且つ電子ビームＥＢの入射角度が異なる状況下で取得される。この場合においても、制御装置４は、複数の像情報を複合的に解析することで、試料Ｗの表面ＷＳｕの構造に関する構造情報を生成する。特に、制御装置４は、試料Ｗの表面ＷＳｕを電子ビームＥＢで走査する際に電子ビームＥＢの入射角度を変更しない比較例の走査型電子顕微鏡と比較して、試料Ｗの表面ＷＳｕの構造をより高精度に示す構造情報を生成することができる。以下、その理由について、図１６（ａ）及び図１６（ｂ）を参照しながら説明する。

　試料Ｗの表面ＷＳｕに対して第１角度で入射する電子ビームＥＢが試料Ｗに照射される場合において、凹凸構造物ＳＴの表面のうちの一部が、電子ビームＥＢの照射方向に対して平行になる可能性がある。例えば、図１６（ａ）は、試料Ｗの表面ＷＳｕに対して電子ビームＥＢが垂直入射する場合において、凹凸構造物ＳＴの側面ＳＴｓの少なくとも一部が、電子ビームＥＢの照射方向（図１６（ａ）に示す例では、Ｚ軸に沿った方向）に対して平行になる例を示している。この場合、凹凸構造物ＳＴの表面の第１部分に対して電子ビームＥＢが適切に照射されず、結果として、電子検出器１１７の検出結果に、凹凸構造物ＳＴの表面の一部に関する情報が含まれなくなってしまう可能性がある。

　この場合であっても、図１６（ｂ）に示すように、電子ビームＥＢの入射角度が変更されれば、電子ビームＥＢの入射角度が変更される前には電子ビームＥＢが適切に照射されなかった凹凸構造物ＳＴの表面の一部にも、電子ビームＥＢが適切に照射される可能性が高くなる。その結果、入射角度が変更される前には凹凸構造物ＳＴの表面の一部を介した電子が電子検出器１１７に検出されなかった状況において、入射角度が変更された後において、凹凸構造物ＳＴの表面の一部を介した電子が電子検出器１１７に検出される可能性が高くなる。その結果、電子検出器１１７の検出結果に凹凸構造物ＳＴの表面の一部に関する情報が適切に含まれる可能性が高くなる。

　一方で、入射角度を変更した後において、凹凸構造物ＳＴの表面のうちの別の一部が、電子ビームＥＢの照射方向に対して平行になる可能性がある。つまり、入射角度を変更した後において、凹凸構造物ＳＴの表面の別の一部に電子ビームＥＢが適切に照射されなくなる可能性がある。しかしながら、入射角度を変更した後に電子ビームＥＢが適切に照射されなくなった凹凸構造物ＳＴの表面の別の一部には、入射角度が変更される前に電子ビームＥＢが適切に照射されていた可能性が高い。このため、電子ビームＥＢの入射角度が異なる状況下で取得された複数の像情報を利用すれば、試料Ｗの表面ＷＳｕの構造をより高精度に示す構造情報を生成することができる。

　（１－３－４）その他の変形例
　上述した説明では、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、試料Ｗの表面ＷＳｕの電子ビームＥＢでの走査を終了すると判定されるまでは、試料Ｗの表面ＷＳｕを電子ビームＥＢで走査し且つそれによって生ずる電子を検出する都度ステージ２２をＺ軸方向に沿って移動している。しかしながら、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、ステージ２２に加えて又は代えて、ビーム照射装置１をＺ軸方向に沿って移動してもよい。或いは、上述したようにフォーカス位置ＦＰが固定されたままステージ２２（更には、ビーム照射装置１）がＺ軸方向に沿って移動すると、ステージ２２（更には、ビーム照射装置１）の移動に伴ってフォーカス位置ＦＰと試料Ｗとの相対位置が変わる。そうすると、Ｚ軸方向に沿ったステージ２２及びビーム照射装置１の少なくとも一方の移動は、実質的には、フォーカス位置ＦＰの移動と等価である。このため、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、ステージ２２及びビーム照射装置１の少なくとも一方を移動させることに加えて又は代えて、フォーカス位置ＦＰを変更してもよい。つまり、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａは、ステージ２２及びビーム照射装置１の少なくとも一方に加えて又は代えて、フォーカス位置ＦＰを初期位置から移動してもよい。

　（２）第２実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｂ
　続いて、第２実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｂについて説明する。

　（２－１）第２実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｂの全体構造
　はじめに、図１７を参照しながら、第２実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｂの変形例について説明する。図１７は、第２実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｂの構造を示す断面図である。尚、上述した第１実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭａが備える構成要素と同一の構成要素については、同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。

　図１７に示すように、第２実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｂは、第１実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭａと比較して、ポンプ系５に代えてポンプ系５ｂを備えているという点で異なる。更に、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｂは、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａと比較して、ステージ装置２に代えてステージ装置２ｂを備えているという点で異なる。走査型電子顕微鏡ＳＥＭｂのその他の特徴は、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａのその他の特徴と同一であってもよい。

　ポンプ系５ｂは、ポンプ系５と比較して、真空ポンプ５３ｂ及び５４ｂを更に備えているという点で異なる。更に、ステージ装置２ｂは、ステージ装置２と比較して、ステージ２２に代えてステージ２２ｂを備えているという点で異なる。ポンプ系５ｂのその他の特徴は、ポンプ系５のその他の特徴と同一であってもよい。ステージ装置２ｂのその他の特徴は、ステージ装置２のその他の特徴と同一であってもよい。

　（２－２）第２実施形態のステージ２２ｂの構造
　続いて、図１８及び図１９を参照しながら、第２実施形態のステージ２２ｂの構造について説明する。図１８は、第２実施形態のステージ２２ｂの構造を示す断面図である。図１９は、第２実施形態のステージ２２ｂの構造を示す平面図である。

　第２実施形態においても、ステージ２２ｂは、試料Ｗを保持可能である。ステージ２２ｂは、保持した試料Ｗをリリース可能である。試料Ｗをリリース可能に保持するために、ステージ２２ｂは、図１８及び図１９に示すように、底部材２２１ｂと、側壁部材２２２ｂと、複数の支持部材２２３ｂとを備える。底部材２２１ｂは、ＸＹ平面に沿って延びる円板状の（或いは、その他の任意の形状の）部材である。試料Ｗの外形又は輪郭が円形状である場合には、底部材２２１ｂは円板状であってもよく、試料Ｗの外形又は輪郭が矩形状である場合には、底部材２２１ｂは矩形状であってもよい。側壁部材２２２ｂは、底部材２２１ｂの外縁において、底部材２２１ｂから上方（つまり、＋Ｚ側）に突き出るように形成される部材である。側壁部材２２２ｂは、平面視において環状の形状（或いは、その他の任意の形状）を有する部材である。試料Ｗの外形又は輪郭が円形状である場合には、側壁部材２２２ｂは平面視において環状の形状であってもよく、試料Ｗの外形又は輪郭が矩形状である場合には、側壁部材２２２ｂは平面視において矩形状であってもよい。側壁部材２２２ｂの上面（つまり、＋Ｚ側の面）２２２Ｓｕは、底部材２２１ｂの上面２２１Ｓｕよりも上方に位置する。このため、ステージ２２ｂには、底部材２２１ｂと側壁部材２２２ｂとによって囲まれた凹部空間に相当するステージ空間ＳＰｓが形成されている。複数の支持部材２２３ｂの夫々は、側壁部材２２２ｂによって囲まれた領域（つまり、ステージ空間ＳＰｓ）において、底部材２２１ｂから上方（つまり、＋Ｚ側）に突き出るように底部材２２１ｂに形成されるピン状の又は円錐状の若しくは角錐状の部材である。複数の支持部材２２３ｂは、側壁部材２２２ｂによって囲まれた領域において、規則的な（或いは、ランダムな）配列パターンで配列されている。尚、複数の支持部材２２３ｂは、側壁部材２２２ｂによって囲まれた領域において、一様に分布するという規則的な配列パターンで配列されていてもよい。複数の支持部材２２３ｂは、側壁部材２２２ｂによって囲まれた領域における当該領域の中心（重心）からの距離に応じて密度が異なるという規則的な配列パターンで配列されていてもよい。支持部材２２３ｂの上面２２３Ｓｕは、側壁部材２２２ｂの上面２２２Ｓｕと同じ高さに位置する。つまり、支持部材２２３ｂの上面２２３Ｓｕは、側壁部材２２２ｂの上面２２２Ｓｕと同じ平面に位置していてもよい。ステージ２２ｂは、試料Ｗの裏面（つまり、表面ＷＳｕの逆側の面であって、－Ｚ側の面）ＷＳｌが側壁部材２２２ｂの上面２２２Ｓｕ及び複数の支持部材２２３ｂの上面２２３Ｓｕに接触する状態で、試料Ｗを保持する。ステージ２２ｂは、試料Ｗの裏面ＷＳｌがステージ空間ＳＰｓに面する状態で、試料Ｗを保持する。

　底部材２２１ｂの上面２２１Ｓｕには、少なくとも一つの排気口２２４１ｂが形成されている。排気口２２４１ｂには、配管２２５１ｂを介して真空ポンプ５３ｂが連結されている。真空ポンプ５３ｂは、底部材２２１ｂと側壁部材２２２ｂと試料Ｗとによって囲まれたステージ空間ＳＰｓを排気して大気圧よりも減圧可能である。ここで、試料Ｗの表面ＷＳｕ（但し、試料Ｗの表面ＷＳｕのうち上述した局所的な真空領域ＶＳＰに面する真空面部分ＷＳｕ＿ｖａｃを除く）が大気圧にさらされている。このため、ステージ空間ＳＰｓが排気される（つまり、減圧される）と、試料Ｗには、試料Ｗをステージ空間ＳＰｓに引き寄せる負圧が作用する。ステージ２２ｂは、この負圧を利用して試料Ｗを真空吸着することで、試料Ｗを保持する。従って、ステージ２２ｂは、いわゆる真空チャックを利用して試料Ｗを保持するステージであると言える。尚、真空ポンプ５３ｂがステージ空間ＳＰｓを排気している場合に試料Ｗ（特に、試料Ｗの裏面ＷＳｌ）に作用する力は、上述したステージ２２が試料Ｗを保持する力Ｆ＿ｈｏｌｄ１に相当する。

　真空ポンプ５３ｂは、ステージ２２ｂが試料Ｗを真空吸着して保持することができる程度の排気能力を有していればよい。例えば、真空ポンプ５３ｂは、ステージ空間ＳＰｓの圧力を、大気圧（つまり、概ね１×１０^５パスカル程度のオーダーの圧力）よりも小さい圧力（例えば、５×１０^４パスカル程度のオーダーの圧力）に維持することができる程度の排気能力を有していればよい。更に、真空ポンプ５３ｂは、ビーム通過空間ＳＰｂ１からＳＰｂ３を排気する真空ポンプ５１よりも低い排気能力を有していてもよい。つまり、真空ポンプ５３ｂは、試料Ｗの裏面ＷＳｌに面するステージ空間ＳＰｓの圧力を、試料Ｗの表面ＷＳｕに面するビーム通過空間ＳＰｂ３の圧力（つまり、真空領域ＶＳＰの圧力）ほどには低くしなくてもよい程度の排気能力を有していてもよい。尚、真空ポンプ５３ｂの排気速度は、ステージ空間ＳＰｓの圧力を５×１０^４パスカル以下に維持することができる程度の排気速度［ｍ^３／ｓ］であってもよい。

　底部材２２１ｂの上面には更に、少なくとも一つの排気口２２４２ｂが形成されている。排気口２２４２ｂには、配管２２５２ｂを介して真空ポンプ５４ｂが連結されている。真空ポンプ５４ｂは、真空ポンプ５３ｂと同様に、ステージ空間ＳＰｓを排気して大気圧よりも減圧可能である。ステージ空間ＳＰｓが減圧されると、ステージ空間ＳＰｓの圧力と真空領域ＶＳＰの圧力との差は、大気圧と真空領域ＶＳＰの圧力との差よりも小さくなる。この場合、底部材２２１ｂと側壁部材２２２ｂと試料Ｗとは、ステージ空間ＳＰｓの気密性を確保可能な部材（つまり、ステージ空間ＳＰｓを密閉可能な部材であって、ステージ空間ＳＰｓとステージ空間ＳＰｓの外部の空間との間に圧力差を形成可能な部材）として用いられる。真空ポンプ５４ｂは、ビーム通過空間ＳＰｂ１からＳＰｂ３を排気する真空ポンプ５１と同等程度の排気能力を有している。一例として、真空ポンプ５４ｂは、ステージ空間ＳＰｓの圧力を１×１０^－３パスカル以下に維持する（例えば、概ね１×１０^－３パスカルから１×１０^－４パスカルのオーダーで維持する）ことができる程度の排気能力を有していてもよい。尚、真空ポンプ５４ｂの排気速度は、ステージ空間ＳＰｓの圧力を１×１０^－３パスカル以下に維持することができる程度の排気速度［ｍ^３／ｓ］であってもよい。このような真空ポンプ５４ｂとして、例えば、主ポンプとして用いられるターボ分子ポンプ（或いは、拡散ポンプ、クライオポンプ及びスパッタイオンポンプの少なくとも一つを含む他の種類の高真空用ポンプ）と補助ポンプとして用いられるドライポンプ（或いは、他の種類の低真空用ポンプ）とが組み合わせられた真空ポンプが用いられてもよい。このため、真空ポンプ５４ｂがステージ空間ＳＰｓを排気する場合には、真空ポンプ５３ｂがステージ空間ＳＰｓを排気する場合と比較して、試料Ｗの表面ＷＳｕ（特に、局所的な真空領域ＶＳＰに面する真空面部分ＷＳｕ＿ｖａｃ）に対する圧力と、試料Ｗの裏面ＷＳｌに対する圧力との間の差（つまり、圧力差）が小さくなる。つまり、ステージ空間ＳＰｓの圧力と真空領域ＶＳＰの圧力との差が小さくなる。第２実施形態では、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｂは、このように真空ポンプ５４ｂを用いて試料Ｗの表面ＷＳｕ（特に、真空面部分ＷＳｕ＿ｖａｃ）に対する圧力と試料Ｗの裏面ＷＳｌに対する圧力との間の差を小さくすることで、真空領域ＶＳＰの形成に起因した試料Ｗの変形を抑制する。以下、真空ポンプ５４ｂを用いて試料Ｗの表面ＷＳｕ（特に、真空面部分ＷＳｕ＿ｖａｃ）に対する圧力と試料Ｗの裏面ＷＳｌに対する圧力との間の差を小さくすることで、真空領域ＶＳＰの形成に起因した試料Ｗの変形を抑制する動作について更に説明を進める。

　（２－３）真空ポンプ５４ｂを用いて試料Ｗの変形を抑制する動作
　図２０を参照しながら、真空ポンプ５４ｂを用いて試料Ｗの変形を抑制する動作の具体的内容（つまり、試料Ｗの変形を抑制するための具体的方法）について説明する。図２０は、第２実施形態のステージ２２ｂによって変形が抑制された試料Ｗを示す断面図である。

　第２実施形態では、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｂは、制御装置４の制御下で、試料Ｗを保持するために用いられる真空ポンプ５３ｂに加えて又は代えて、真空ポンプ５４ｂを用いてステージ空間ＳＰｓを排気して大気圧よりも減圧することで、試料Ｗの変形を抑制する。具体的には、上述したように、ステージ空間ＳＰｓを減圧する真空ポンプ５４ｂは、真空領域ＶＳＰを形成するための真空ポンプ５１と同等程度の排気能力を有している。このため、真空ポンプ５４ｂがステージ空間ＳＰｓを減圧すると、試料Ｗの裏面ＷＳｌに面するステージ空間ＳＰｓの圧力は、試料Ｗの表面ＷＳｕ（特に、真空面部分ＷＳｕ＿ｖａｃ）に面する真空領域ＶＳＰの圧力と同等程度になる。つまり、試料Ｗの表面ＷＳｕのうちの真空面部分ＷＳｕ＿ｖａｃに作用する圧力は、試料Ｗの裏面ＷＳｌのうちの真空面部分ＷＳｌ＿ｖａｃに作用する圧力と同等程度になる。このため、真空ポンプ５４ｂによる減圧に起因して試料Ｗ（特に、試料Ｗの裏面ＷＳｌ）に作用する力Ｆ＿ｈｏｌｄ２は、真空領域ＶＳＰから試料Ｗに作用する力Ｆ＿ＶＳＰと同じ大きさであって且つ向きが逆向きの力となる。ここで、上述したように、試料Ｗが固体であるため、真空面部分ＷＳｌ＿ｖａｃに作用する力Ｆ＿ｈｏｌｄ２は、特定部分Ｗ＿ｖａｃ（或いは、真空領域ＶＳＰの形成に起因した力Ｆ＿ＶＳＰが作用している真空面部分ＷＳｕ＿ｖａｃ）に間接的に作用する。このため、力Ｆ＿ｈｏｌｄ２は、ビーム照射装置１からステージ２２ｂへと向かう方向に向けて特定部分Ｗ＿ｖａｃ（或いは、真空領域ＶＳＰの形成に起因した力Ｆ＿ＶＳＰが作用している真空面部分ＷＳｕ＿ｖａｃ）を押し出す（つまり、変位させる）力に相当する。このため、真空ポンプ５４ｂがステージ空間ＳＰｓを減圧すると、特定部分Ｗ＿ｖａｃでは、真空領域ＶＳＰから試料Ｗに作用する力Ｆ＿ＶＳＰとステージ空間ＳＰｓから試料Ｗに作用する力Ｆ＿ｈｏｌｄ２とが相殺し合う。尚、図２０では、打ち消し合っている力Ｆ＿ＶＳＰと力Ｆ＿ｈｏｌｄ２とを点線で示している。このため、真空ポンプ５４ｂがステージ空間ＳＰｓを減圧する前に特定部分Ｗ＿ｖａｃに作用していた力Ｆ＿ｖａｃ（つまり、力Ｆ＿ＶＳＰと力Ｆ＿ｈｏｌｄ１とを合算した力）と比較して、真空ポンプ５４ｂがステージ空間ＳＰｓを減圧した後に特定部分Ｗ＿ｖａｃに作用する力Ｆ＿ｖａｃ（つまり、力Ｆ＿ＶＳＰと力Ｆ＿ｈｏｌｄ２とを合算した力）が小さくなる。典型的には、真空ポンプ５４ｂがステージ空間ＳＰｓを減圧した後には、特定部分Ｗ＿ｖａｃには力Ｆ＿ｖａｃが作用しなくなる。つまり、ステージ空間ＳＰｓから試料Ｗに作用する力Ｆ＿ｈｏｌｄ２は、特定部分Ｗ＿ｖａｃに作用する力Ｆ＿ｖａｃを小さくする（或いは、ゼロにする）ことが可能な力に相当する。言い換えれば、ステージ空間ＳＰｓから試料Ｗに作用する力Ｆ＿ｈｏｌｄ２は、真空領域ＶＳＰから試料Ｗに作用する力Ｆ＿ＶＳＰの影響を小さくする（或いは、相殺する）ことが可能な力に相当する。試料Ｗを変形させていた主たる原因が、特定部分Ｗ＿ｖａｃをステージ２２から引き離すように作用していた力Ｆ＿ｖａｃであるため、特定部分Ｗ＿ｖａｃに力Ｆ＿ｖａｃが作用しなくなれば、図２０に示すように、試料Ｗの変形が適切に抑制される。つまり、真空ポンプ５４ｂがステージ空間ＳＰｓを減圧する前と比較して、試料Ｗの表面ＷＳｕの平面度が高くなる（つまり、試料Ｗの表面ＷＳｕが平面に近づく）。

　一方で、真空ポンプ５４ｂが真空ポンプ５１と同等程度の排気能力を有しているがゆえに、真空ポンプ５４ｂの排気能力は、真空ポンプ５３ｂの排気能力よりも高い。このため、真空ポンプ５４ｂがステージ空間ＳＰｓを減圧している場合には、真空ポンプ５４ｂがステージ空間ＳＰｓを減圧していない場合（つまり、真空ポンプ５３がステージ空間ＳＰｓを減圧している）場合と比較して、試料Ｗをステージ空間ＳＰｓに引き寄せる負圧が相対的に大きくなる。このため、試料Ｗは、ステージ２２ｂに対してより強く押し付けられることになる。この場合であっても、試料Ｗの裏面ＷＳｌが側壁部材２２２ｂの上面２２２Ｓｕ及び複数の支持部材２２３ｂの上面２２３Ｓｕによって支持されることに変わりはない。このため、真空ポンプ５４ｂがステージ空間ＳＰｓを減圧することに起因して試料Ｗをステージ空間ＳＰｓに引き寄せる負圧が相対的に大きくなったとしても、当該相対的に大きな負圧に起因して試料Ｗが変形することは殆ど又は全くない。つまり、真空ポンプ５４ｂがステージ空間ＳＰｓを減圧する場合においても、真空ポンプ５３ｂがステージ空間ＳＰｓを減圧する場合と同様に、ステージ２２ｂは、試料Ｗをステージ空間ＳＰｓに引き寄せる負圧を用いて試料Ｗを適切に保持することができる。つまり、ステージ２２ｂは、試料Ｗをステージ空間ＳＰｓに引き寄せる負圧を用いて試料Ｗを適切に保持することができる。

　ビーム照射装置１と試料Ｗとの間に真空領域ＶＳＰが形成されていない場合には、真空領域ＶＳＰの形成に起因して試料Ｗが変形する可能性はない。このため、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｂは、ビーム照射装置１と試料Ｗとの間に局所的な真空領域ＶＳＰが形成されていない期間の少なくとも一部において、真空ポンプ５４ｂを用いてステージ空間ＳＰｓを排気しなくてもよい。一方で、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｂは、ビーム照射装置１と試料Ｗとの間に局所的な真空領域ＶＳＰが形成されている期間中は、真空ポンプ５４ｂを用いてステージ空間ＳＰｓを排気する。但し、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｂは、ビーム照射装置１と試料Ｗとの間に局所的な真空領域ＶＳＰが形成されている期間の少なくとも一部において、真空ポンプ５４ｂを用いてステージ空間ＳＰｓを排気しなくてもよい。例えば、ビーム照射装置１と試料Ｗとの間に局所的な真空領域ＶＳＰが形成されている状況下で試料Ｗの変形が許容される場合には、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｂは、真空ポンプ５４ｂを用いてステージ空間ＳＰｓを排気しなくてもよい。

　（２－４）第２実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｂの変形例
　真空ポンプ５４を用いて試料Ｗの変形が抑制される場合であって、場合によっては依然として試料Ｗが変形している可能性がある。従って、第２実施形態においても、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｂは、第１実施形態の変形抑制動作を行ってもよい。もちろん、第２実施形態において、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｂは、第１実施形態の変形抑制動作を行わなくてもよい。

　上述した第１実施形態では、制御装置４は、真空領域ＶＳＰの形成に起因した試料Ｗの変形の度合いに影響を与える要因（例えば、真空領域ＶＳＰの真空度、真空領域ＶＳＰの周辺の空間の気圧、試料Ｗの弾性係数及びステージ２２が試料Ｗを保持する力の大きさの少なくとも一つ）に関する情報に基づいて形状情報を生成している。一方で、第２実施形態では更に、真空領域ＶＳＰの形成に起因した試料Ｗの変形の度合いは、試料Ｗの裏面ＷＳｌに面するステージ空間ＳＰｓの圧力に影響を受ける可能性がある。例えば、ステージ空間ＳＰｓの圧力が第１の圧力になっている状況下での試料Ｗの変形の度合いは、ステージ空間ＳＰｓの圧力が第１の圧力とは異なる第２の圧力になっている状況下での試料Ｗの変形の度合いと異なる可能性がある。このため、制御装置４は、真空領域ＶＳＰの真空度に関する情報、真空領域ＶＳＰの周辺の空間の気圧に関する情報、試料Ｗの弾性係数に関する情報及びステージ２２が試料Ｗを保持する力の大きさに関する情報の少なくとも一つに加えて又は代えて、ステージ空間ＳＰｓの圧力に関する情報に基づいて、形状情報を生成してもよい。尚、第２実施形態では、ステージ空間ＳＰｓの圧力に起因した力Ｆ＿ｈｏｌｄ２が、ステージ２２が試料Ｗを保持する力として用いられる。このため、ステージ空間ＳＰｓの圧力に関する情報は、ステージ２２が試料Ｗを保持する力の大きさに関する情報に含まれていてもよい。或いは、ステージ空間ＳＰｓは、真空領域ＶＳＰの周辺の空間の一例であるとも言える。ステージ空間ＳＰｓの圧力に関する情報は、真空領域ＶＳＰの周辺の空間の気圧に関する情報に含まれていてもよい。

　或いは、制御装置４は、ステージ空間ＳＰｓの圧力に関する情報に基づいて形状情報を生成すると共に生成した形状情報に基づいてビーム位置情報、電子検出情報及び試料情報の少なくとも一つを変更することに加えて又は代えて、ステージ空間ＳＰｓの圧力に関する情報に基づいて、ビーム位置情報、電子検出情報及び試料情報の少なくとも一つを変更してもよい。

　上述した説明では、支持部材２２３ｂの上面２２３Ｓｕは、側壁部材２２２ｂの上面２２２Ｓｕと同じ高さに位置している。しかしながら、支持部材２２３ｂの上面２２３Ｓｕは、側壁部材２２２ｂの上面２２２Ｓｕと異なる高さに位置していてもよい。例えば、支持部材２２３ｂの上面２２３Ｓｕは、側壁部材２２２ｂの上面２２２Ｓｕよりも高い位置に位置していてもよい。この場合、ステージ２２ｂは、試料Ｗの裏面ＷＳｌが複数の支持部材２２３ｂの上面２２３Ｓｕに接触する（その一方で、側壁部材２２２ｂの上面２２２Ｓｕに接触しない）状態で、試料Ｗを保持してもよい。

　上述した説明では、真空領域ＶＳＰを形成するための真空ポンプ５１と同等程度の排気能力を有する真空ポンプ５４ｂを用いて、ステージ空間ＳＰｓが減圧されている。しかしながら、真空ポンプ５１よりも高い排気能力を有する真空ポンプ５４ｂを用いて、ステージ空間ＳＰｓが減圧されてもよい。つまり、真空ポンプ５４ｂが減圧しているステージ空間ＳＰｓの圧力が、真空ポンプ５１が減圧しているビーム通過空間ＳＰｂ３の圧力（つまり、真空領域ＶＳＰの圧力）よりも低くなってもよい。この場合、試料Ｗ（特に、特定部分Ｗ＿ｖａｃ）には、特定部分Ｗ＿ｖａｃをステージ２２ｂに押し付ける力が作用する。この場合であっても、試料Ｗの裏面ＷＳｌが側壁部材２２２ｂの上面２２２Ｓｕ及び複数の支持部材２２３ｂの上面２２３Ｓｕによって支持されることに変わりはない。このため、真空ポンプ５４ｂが真空ポンプ５１よりも高い排気能力を有していたとしても、そのことに起因して試料Ｗが変形することは殆ど又は全くない。

　或いは、真空ポンプ５１よりも低い排気能力を有する真空ポンプ５４ｂを用いて、ステージ空間ＳＰｓが減圧されてもよい。つまり、真空ポンプ５４ｂが減圧しているステージ空間ＳＰｓの圧力が、真空ポンプ５１が減圧しているビーム通過空間ＳＰｂ３の圧力（つまり、真空領域ＶＳＰの圧力）よりも高くなってもよい。但し、この場合には、真空ポンプ５４ｂがステージ空間ＳＰｓを減圧している場合におけるステージ空間ＳＰｓの圧力が、真空ポンプ５３がステージ空間ＳＰｓを減圧している場合におけるステージ空間ＳＰｓの圧力よりも低くなるように、真空ポンプ５３ｂ及び５４ｂの排気能力が設定される。例えば、真空ポンプ５４ｂは、真空ポンプ５３ｂよりも高い排気能力を有していてもよい。このように真空ポンプ５３ｂ及び５４ｂの排気能力が設定されると、真空ポンプ５４ｂがステージ空間ＳＰｓを減圧する前と比較して（つまり、真空ポンプ５３ｂがステージ空間ＳＰｓを減圧している場合と比較して）、ステージ空間ＳＰｓの真空度が、ビーム通過空間ＳＰｂ３の真空度に近づく。つまり、ステージ空間ＳＰｓの圧力が、真空領域ＶＳＰの圧力に近づく。言い換えれば、ステージ空間ＳＰｓの圧力と真空領域ＶＳＰの圧力との差分（つまり、試料Ｗの裏面ＷＳｌに対する圧力と試料Ｗの表面ＷＳｕに対する圧力との差分）が小さくなる。このため、特定部分Ｗ＿ｖａｃに作用する力Ｆ＿ｖａｃが小さくなる。つまり、真空ポンプ５４ｂがステージ空間ＳＰｓを減圧する前に特定部分Ｗ＿ｖａｃに作用していた力Ｆ＿ｖａｃよりも小さい力Ｆ＿ｖａｃが、特定部分Ｗ＿ｖａｃに作用する。特定部分Ｗ＿ｖａｃに作用していた力Ｆ＿ｖａｃが小さくなれば、試料Ｗの変形の程度が小さくなる。つまり、試料Ｗの変形がある程度は抑制可能である。従って、真空ポンプ５３ｂがステージ空間ＳＰｓを減圧している場合と比較して、ステージ空間ＳＰｓの圧力と真空領域ＶＳＰの圧力との差分（つまり、試料Ｗの裏面ＷＳｌに対する圧力と試料Ｗの表面ＷＳｕに対する圧力との差分）を小さくすることが可能な程度の排気能力を真空ポンプ５４ｂが有している限りは、試料Ｗの変形が抑制可能である。

　上述した説明では、真空領域ＶＳＰを形成するための真空ポンプ５１と同等程度の排気能力を有する真空ポンプ５４ｂを用いて、ステージ空間ＳＰｓが排気されている。しかしながら、真空ポンプ５１を用いて、ステージ空間ＳＰｓが排気されてもよい。この場合であっても、試料Ｗの裏面ＷＳｌに面するステージ空間ＳＰｓの圧力は、試料Ｗの表面ＷＳｕ（特に、真空面部分ＷＳｕ＿ｖａｃ）に面する真空領域ＶＳＰの圧力と同等程度になる。このため、試料Ｗの変形が適切に抑制される。尚、この場合には、ポンプ系５ｂは、真空ポンプ５４ｂを備えていなくてもよい。

　真空ポンプ５１を用いてステージ空間ＳＰｓが排気される場合には、真空ポンプ５１は、配管１１８を介してビーム通過空間ＳＰｂ１からＳＰｂ３に連結され、且つ、配管２２５２ｂを介してステージ空間ＳＰｓに連結される。この場合、配管１１８に、配管１１８を開閉可能な開閉部材（例えば、バルブ）が配置されていてもよい。配管１１８に開閉部材が配置されることに加えて又は代えて、配管２２５２ｂに、配管２２５２ｂを開閉可能な開閉部材（例えば、バルブ）が配置されていてもよい。配管１１８及び２２５２ｂの双方に開閉部材が配置されている場合には、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｂは、真空ポンプ５１の状態を、（ｉ）ビーム通過空間ＳＰｂ１からＳＰｂ３及びステージ空間ＳＰｓの双方を排気する第１状態、（ｉｉ）ビーム通過空間ＳＰｂ１からＳＰｂ３を排気する一方で、ステージ空間ＳＰｓを排気しない第２状態、（ｉｉｉ）ビーム通過空間ＳＰｂ１からＳＰｂ３を排気しない一方で、ステージ空間ＳＰｓを排気する第３状態、及び、（ｉｖ）ビーム通過空間ＳＰｂ１からＳＰｂ３及びステージ空間ＳＰｓの双方を排気しない第４状態との間で切り替えることができる。但し、配管１１８及び２２５２ｂの双方に開閉部材が配置されていない場合であっても、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｂは、真空ポンプ５１の状態を、第１状態と第４状態との間で切り替えることができる。

　真空ポンプ５４ｂがステージ空間ＳＰｓを減圧する前に特定部分Ｗ＿ｖａｃに作用していた力Ｆ＿ｖａｃは、主として、真空領域ＶＳＰに起因した力Ｆ＿ＶＳＰである。そうすると、真空ポンプ５４ｂがステージ空間ＳＰｓを減圧する前に特定部分Ｗ＿ｖａｃに作用していた力Ｆ＿ｖａｃが、真空ポンプ５４ｂによるステージ空間ＳＰｓの減圧によって特定部分Ｗ＿ｖａｃに作用しなくなることを考慮すれば、真空ポンプ５４ｂを用いてステージ空間ＳＰｓを減圧する動作は、真空領域ＶＳＰに起因した力Ｆ＿ＶＳＰを相殺する動作と等価であると言える。つまり、真空ポンプ５４ｂを用いてステージ空間ＳＰｓを減圧する動作は、真空領域ＶＳＰに起因した力Ｆ＿ｖａｃを相殺可能な力Ｆ＿ｃａｎｃｅｌを、上述した力Ｆ＿ｈｏｌｄ２又は上述した力Ｆ＿ｈｏｌｄ２とは別の力として試料Ｗ（特に、少なくとも特定部分Ｗ＿ｖａｃ）に付与する動作と等価であると言える。このため、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｂは、真空ポンプ５４ｂを用いてステージ空間ＳＰｓを減圧する動作に限らず、真空領域ＶＳＰの形成に起因して特定部分Ｗ＿ｖａｃに作用していた力Ｆ＿ＶＳＰを相殺する任意の動作を行うことで、試料Ｗの変形を抑制してもよい。走査型電子顕微鏡ＳＥＭｂは、真空ポンプ５４ｂを用いてステージ空間ＳＰｓを減圧する動作に限らず、真空領域ＶＳＰの形成に起因して特定部分Ｗ＿ｖａｃに作用していた力ＶＳＰを相殺可能な力Ｆ＿ｃａｎｃｅｌを試料Ｗに付与する任意の動作を行うことで、試料Ｗの変形を抑制してもよい。尚、この場合には、制御装置４は、第１実施形態の変形抑制動作を行う際に、力Ｆ＿ｃａｎｃｅｌに関する情報に基づいて形状情報を生成すると共に生成した形状情報に基づいてビーム位置情報、電子検出情報及び試料情報の少なくとも一つを変更してもよいし、力Ｆ＿ｃａｎｃｅｌに関する情報に基づいて、ビーム位置情報、電子検出情報及び試料情報の少なくとも一つを変更してもよい。

　力Ｆ＿ＶＳＰを相殺することが可能な力Ｆ＿ｃａｎｃｅｌは、力Ｆ＿ＶＳＰに応じて定まる力であってもよい。力Ｆ＿ｃａｎｃｅｌの一例として、力Ｆ＿ＶＳＰと比較して、作用する方向が逆向きであって且つ大きさが同じ力があげられる。例えば、上述したように力Ｆ＿ＶＳＰがステージ２２ｂからビーム照射装置１に向かう方向（例えば、＋Ｚ方向）に試料Ｗを変位させるように作用する力であるため、力Ｆ＿ｃａｎｃｅｌは、ビーム照射装置１からステージ２２ｂに向かう方向（例えば、－Ｚ方向）に試料Ｗを変位させるように作用し且つ力Ｆ＿ＶＳＰと同じ大きさの力であってもよい。但し、力Ｆ＿ｃａｎｃｅｌは、力Ｆ＿ＶＳＰに応じて定まる力に限らず、試料Ｗの変形を抑制することが可能な任意の力であってもよいし、試料Ｗの表面ＷＳｕの平面度を高める（つまり、試料Ｗの表面ＷＳｕを平面に近づける）ことが可能な任意の力であってもよい。

　或いは、真空ポンプ５４ｂがステージ空間ＳＰｓを減圧する前に特定部分Ｗ＿ｖａｃに作用していた力Ｆ＿ｖａｃが、真空ポンプ５４ｂによる空間ＳＰｓの減圧によって小さくなる場合には、真空ポンプ５４ｂを用いてステージ空間ＳＰｓを減圧する動作は、特定部分Ｗ＿ｖａｃに作用する力Ｆ＿ｖａｃを小さくする動作と等価であると言える。つまり、真空ポンプ５４ｂを用いてステージ空間ＳＰｓを減圧する動作は、特定部分Ｗ＿ｖａｃに作用する力Ｆ＿ｖａｃを小さくすることが可能な力Ｆ＿ｒｅｄｕｃｅを、上述した力Ｆ＿ｈｏｌｄ２又は上述した力Ｆ＿ｈｏｌｄ２とは別の力として試料Ｗ（特に、少なくとも特定部分Ｗ＿ｖａｃ）に付与する動作と等価であると言える。このため、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｂは、真空ポンプ５４ｂを用いてステージ空間ＳＰｓを減圧する動作に限らず、特定部分Ｗ＿ｖａｃに作用する力Ｆ＿ｖａｃを小さくする任意の動作を行うことで、試料Ｗの変形を抑制してもよい。走査型電子顕微鏡ＳＥＭｂは、真空ポンプ５４ｂを用いてステージ空間ＳＰｓを減圧する動作に限らず、特定部分Ｗ＿ｖａｃに作用する力Ｆ＿ｖａｃを小さくすることが可能な力Ｆ＿ｒｅｄｕｃｅを試料Ｗに付与する任意の動作を行うことで、試料Ｗの変形を抑制してもよい。尚、この場合には、制御装置４は、第１実施形態の変形抑制動作を行う際に、力Ｆ＿ｒｅｄｕｃｅに関する情報に基づいて形状情報を生成すると共に生成した形状情報に基づいてビーム位置情報、電子検出情報及び試料情報の少なくとも一つを変更してもよいし、力Ｆ＿ｒｅｄｕｃｅに関する情報に基づいて、ビーム位置情報、電子検出情報及び試料情報の少なくとも一つを変更してもよい。

　特定部分Ｗ＿ｖａｃに作用する力Ｆ＿ｖａｃを小さくすることが可能な力Ｆ＿ｒｅｄｕｃｅもまた、力Ｆ＿ＶＳＰに応じて定まる力であってもよい。力Ｆ＿ｒｅｄｕｃｅの一例として、力Ｆ＿ＶＳＰと比較して、作用する方向が逆向きであって且つ大きさが異なる力があげられる。例えば、上述したように力Ｆ＿ＶＳＰがステージ２２ｂからビーム照射装置１に向かう方向（例えば、＋Ｚ方向）に試料Ｗを変位させるように作用する力であるため、力Ｆ＿ｒｅｄｕｃｅは、ビーム照射装置１からステージ２２ｂに向かう方向（例えば、－Ｚ方向）に試料Ｗを変位させるように作用し且つ力Ｆ＿ＶＳＰよりも小さい又は大きい力であってもよい。但し、力Ｆ＿ｒｅｄｕｃｅは、力Ｆ＿ＶＳＰに応じて定まる力に限らず、試料Ｗの変形を抑制することが可能な任意の力であってもよいし、試料Ｗの表面ＷＳｕの平面度を高める（つまり、試料Ｗの表面ＷＳｕを平面に近づける）ことが可能な任意の力であってもよい。

　（３）第３実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｃ
　続いて、第３実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｃについて説明する。第３実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｃは、第１実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭａと比較して、ステージ装置２に代えてステージ装置２ｃを備えているという点で異なる。走査型電子顕微鏡ＳＥＭｃのその他の特徴は、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａのその他の特徴と同一であってもよい。ステージ装置２ｃは、ステージ装置２と比較して、ステージ２２に代えてステージ２２ｃを備えているという点で異なる。ステージ装置２ｃのその他の特徴は、ステージ装置２のその他の特徴と同一であってもよい。このため、以下では、図２１を参照しながら、ステージ２２ｃの構造について説明する。

　図２１に示すように、ステージ２２ｃは、ステージ２２と比較して、静電チャック２２５ｃを備えているという点で異なっている。静電チャック２２５ｃは、少なくとも一つの電極を備えている。静電チャック２２５ｃは、制御装置４の制御下で、静電力（つまり、クーロン力）Ｆ＿ｅｌｅｃを発生可能である。静電チャック２２５ｃは、試料Ｗに作用する静電力Ｆ＿ｅｌｅｃを発生可能である。静電チャック２２５ｃは、試料Ｗ（例えば、試料Ｗの裏面ＷＳｌ）を静電チャック２２５ｃに引き寄せる（その結果、ステージ２２ｃに引き寄せる）ように試料Ｗに作用する静電力Ｆ＿ｅｌｅｃを発生可能である。つまり、静電チャック２２５ｃは、試料Ｗからステージ２２ｃに向かう方向に作用する静電力Ｆ＿ｅｌｅｃを発生可能である。静電チャック２２５ｃは、ＸＹ平面内において、試料Ｗに均等に作用する静電力Ｆ＿ｅｌｅｃを発生可能である。ステージ２２ｃは、静電チャック２２５ｃが発生させる静電力Ｆ＿ｅｌｅｃを、試料Ｗを保持するための力Ｆ＿ｈｏｌｄ１として用いる。

　加えて、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｃは、第２実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｂと同様に、真空領域ＶＳＰの形成に起因した試料Ｗの変形を抑制する。具体的には、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｃは、制御装置４の制御下で、静電チャック２２５ｃが発生する静電力Ｆ＿ｅｌｅｃを用いて、試料Ｗの変形を抑制する。つまり、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｃは、静電力Ｆ＿ｅｌｅｃを用いて試料Ｗの変形を抑制するという点において、真空ポンプ５４ｂによるステージ空間ＳＰｓの減圧に起因して発生する負圧（つまり、力Ｆ＿ｈｏｌｄ２）を用いて試料Ｗの変形を抑制する第２走査型電子顕微鏡ＳＥＭｂとは異なる。

　例えば、制御装置４は、試料Ｗの変形を抑制するために、静電チャック２２５ｃが静電力Ｆ＿ｅｌｅｃを付与する前に特定部分Ｗ＿ｖａｃに作用していた力（つまり、力Ｆ＿ＶＳＰ）が相殺されるように、静電チャック２２５ｃが発生する静電力Ｆ＿ｅｌｅｃを制御してもよい。この場合、制御装置４は、静電力Ｆ＿ｅｌｅｃによって力Ｆ＿ＶＳＰが相殺される（つまり、静電力Ｆ＿ｅｌｅｃと力Ｆ＿ＶＳＰとを合算した力Ｆ＿ｖａｃがゼロになる）ように、力Ｆ＿ＶＳＰに応じて静電力Ｆ＿ｅｌｅｃを制御してもよい。言い換えれば、制御装置４は、力Ｆ＿ＶＳＰを相殺可能な静電力Ｆ＿ｅｌｅｃが試料Ｗに作用する（つまり、付与される）ように、静電力Ｆ＿ｅｌｅｃを制御してもよい。この場合、制御装置４は、力Ｆ＿ＶＳＰと比較して、作用する方向が逆向きであって且つ大きさが同じになる静電力Ｆ＿ｅｌｅｃが試料Ｗに作用するように、静電力Ｆ＿ｅｌｅｃを制御してもよい。つまり、制御装置４は、ビーム照射装置１からステージ２２ｃに向かう方向（例えば、－Ｚ方向）に試料Ｗを変位させるように作用し且つ力Ｆ＿ＶＳＰと大きさが同じになる静電力Ｆ＿ｅｌｅｃが試料Ｗに作用するように、静電力Ｆ＿ｅｌｅｃを制御してもよい。このような静電力Ｆ＿ｅｌｅｃが静電チャック２２５ｃによって試料Ｗに付与されると、特定部分Ｗ＿ｖａｃには、真空領域ＶＳＰに起因した力Ｆ＿ＶＳＰ及び静電チャック２２５ｃが発生した静電力Ｆ＿ｅｌｅｃの双方が付与される。このため、静電チャック２２５ｃが静電力Ｆ＿ｅｌｅｃを付与する前に特定部分Ｗ＿ｖａｃに作用していた力Ｆ＿ｖａｃが、静電チャック２２５ｃが静電力Ｆ＿ｅｌｅｃを付与した後には特定部分Ｗ＿ｖａｃに作用しなくなる。このため、特定部分Ｗ＿ｖａｃがステージ２２ｃから引き離されることがなくなる。その結果、試料Ｗの変形が適切に抑制される。尚、このような条件を満たす静電力Ｆ＿ｅｌｅｃは、真空領域ＶＳＰに起因した力Ｆ＿ＶＳＰを相殺可能な上述した力Ｆ＿ｃａｎｃｅｌの一具体例となる。

　或いは、例えば、制御装置４は、試料Ｗの変形を抑制するために、特定部分Ｗ＿ｖａｃに作用する力Ｆ＿ｖａｃが小さくなるように、静電チャック２２５ｃが発生する静電力Ｆ＿ｅｌｅｃを制御してもよい。この場合、制御装置４は、力Ｆ＿ＶＳＰと比較して、作用する方向が逆向きであって且つ大きさが異なる静電力Ｆ＿ｅｌｅｃが試料Ｗに作用するように、静電力Ｆ＿ｅｌｅｃを制御してもよい。つまり、制御装置４は、ビーム照射装置１からステージ２２に向かう方向（例えば、－Ｚ方向）に試料Ｗを変位させるように作用し且つ力Ｆ＿ＶＳＰと大きさが異なる静電力Ｆ＿ｅｌｅｃが試料Ｗに作用するように、静電力Ｆ＿ｅｌｅｃを制御してもよい。このような静電力Ｆ＿ｅｌｅｃが静電チャック２２５ｃによって試料Ｗに付与されると、特定部分Ｗ＿ｖａｃには、真空領域ＶＳＰに起因した力Ｆ＿ＶＳＰ及び静電チャック２２５ｃが発生した静電力Ｆ＿ｅｌｅｃの双方が付与される。このため、静電チャック２２５ｃが静電力Ｆ＿ｅｌｅｃを付与する前に特定部分Ｗ＿ｖａｃに作用していた力Ｆ＿ｖａｃ（つまり、力Ｆ＿ＶＳＰ）と比較して、静電チャック２２５ｃが静電力Ｆ＿ｅｌｅｃを付与した後に特定部分Ｗ＿ｖａｃに作用する力Ｆ＿ｖａｃ（つまり、力Ｆ＿ＶＳＰと力Ｆ＿ｅｌｅｃとを合算した力）が小さくなる。このため、特定部分Ｗ＿ｖａｃがステージ２２ｃから引き離されにくくなる。或いは、仮に特定部分Ｗ＿ｖａｃがステージ２２ｃから引き離されたとしても、その引き離され量（つまり、特定部分Ｗ＿ｖａｃとステージ２２ｃとの間の間隔）が小さくなる。その結果、少なくとも静電チャック２２５ｃが静電力Ｆ＿ｅｌｅｃを付与しない場合と比較すれば、試料Ｗの変形が適切に抑制される。つまり、試料Ｗの変形が相応に抑制される。尚、このような条件を満たす静電力Ｆ＿ｅｌｅｃは、特定部分Ｗ＿ｖａｃに作用する力Ｆ＿ｖａｃを小さくすることが可能な上述した力Ｆ＿ｒｅｄｕｃｅの一具体例となる。

　このようなステージ２２ｃを備える第３実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｃであっても、上述した第２実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｂが享受することが可能な効果と同様の効果を享受することができる。

　尚、静電チャック２２５ｃは、試料Ｗの下面ＷＳｌと接触するように設けられていてもよい。また、静電チャック２２５ｃは、ステージ２２の支持部材２２３における試料Ｗの下面ＷＳｌと接触する部位に設けられていてもよい。

　走査型電子顕微鏡ＳＥＭｃは、静電力Ｆ＿ｅｌｅｃとは異なる種類の力を用いて、試料Ｗの変形を抑制してもよい。つまり、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｃは、静電チャック２２５ｃに加えて又は代えて、試料Ｗの変形を抑制するための力として、静電力Ｆ＿ｅｌｅｃとは異なる種類の力を付与可能な付与装置を備えていてもよい。例えば、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｃは、試料Ｗの裏面ＷＳｌに付着可能であって且つ裏面ＷＳｌに付着したままＺ軸に沿って移動可能なようにステージ２２ｃに配置された移動部材を、付与装置の一例として備えていてもよい。この場合、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｃは、当該移動部材の移動に伴う力を、試料Ｗの変形を抑制するための力として用いてもよい。尚、複数の支持部材２２３の少なくとも一つが、移動部材として用いられてもよい。或いは、例えば、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｃは、試料Ｗの裏面ＷＳｌに対向するようにステージ２２ｃに配置されたベルヌーイチャックを、付与装置の一例として備えていてもよい。この場合、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｃは、ベルヌーイチャックから噴出される気体に起因してベルヌーイチャックと試料Ｗの裏面ＷＳｌとの間に作用する力を、試料Ｗの変形を抑制するための力として用いてもよい。

　尚、力Ｆ＿ｅｌｅｃを制御して試料Ｗの変形が抑制される場合であって、場合によっては依然として試料Ｗが変形している可能性がある。従って、第３実施形態においても、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｃは、第１実施形態の変形抑制動作を行ってもよい。もちろん、第３実施形態において、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｃは、第１実施形態の変形抑制動作を行わなくてもよい。

　上述した第２実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｂもまた、力Ｆ＿ｅｌｅｃを制御して試料Ｗの変形を抑制してもよい。この場合、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｂは、第３実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｃが備える構成要素の少なくとも一部を備えていてもよい。例えば、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｂが備えるステージ２２ｂは、静電チャック２２５ｃを更に備えていてもよい。

　（４）第４実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｄ
　続いて、図２２を参照しながら、第４実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｄについて説明する。図２２は、第４実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｄの構造を示す断面図である。

　図２２に示すように、第４実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｄは、上述した走査型電子顕微鏡ＳＥＭａと比較して、光軸ＡＸが互いに平行な複数のビーム照射装置１（図２２に示す例では、ｋ（但し、ｋは２以上の整数）個のビーム照射装置１＃１から１＃ｋ）を備えている点で異なる。更に、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｄは、上述した走査型電子顕微鏡ＳＥＭａと比較して、複数のビーム照射装置１の位置をそれぞれ計測するための複数の位置計測装置１５（図２２に示す例では、ｋ個の位置計測装置１５＃１から１５＃ｋ）を備えているという点で異なる。更に、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｄは、上述した走査型電子顕微鏡ＳＥＭａと比較して、支持フレーム３に代えて、支持フレーム３ｄを備えているという点で異なる。走査型電子顕微鏡ＳＥＭｄのその他の特徴は、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａのその他の特徴と同一であってもよい。

　支持フレーム３ｄは、上述した支持フレーム３と比較して、支持部材３２に代えて支持部材３２ｄを備えているという点で異なる。支持部材３２ｄは、支持部材３２と比較して、ビーム照射装置１と同じ数の開口３２１（図２２に示す例では、ｋ個の開口３２１＃１から３２１＃ｋ）を備えているという点で異なる。支持部材３２ｄの上面には、ビーム照射装置１と同じ数の間隔調整系１４（図２２に示す例では、ｋ個の間隔調整系１４＃１から１４＃ｋ）を介して、複数のビーム照射装置１の外面から外側に延びる複数のフランジ部材１３（図２２に示す例では、ｋ個のフランジ部材１３＃１から１３＃ｋ）の下面がそれぞれ連結されている。このとき、複数のビーム照射装置１は、複数の開口３２１をそれぞれ貫通するように配置される。その結果、支持フレーム３ｄは、複数のビーム照射装置１を支持部材３２の上面で吊り上げるように支持することができる。支持部材３ｄのその他の特徴は、支持部材３のその他の特徴と同一であってもよい。尚、図２２においては、複数のビーム照射装置１＃１から１＃ｋに共通のポンプ系５を連結したが、ビーム照射装置１＃１から１＃ｋのそれぞれが個別にポンプ系５を備えてもよい。或いは、複数のビーム照射装置１のうち幾つかと連結するポンプ系５を複数備えてもよい。

　このような第４実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｄは、複数のビーム照射装置１から試料Ｗの表面ＷＳｕの複数の領域に対して、複数の電子ビームＥＢをそれぞれ照射することができる。このため、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｄは、試料Ｗの表面ＷＳｕの複数の領域から放出される電子に関する情報を同時に取得することができる。このため、スループットが向上する。それでいて、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｄは、上述した走査型電子顕微鏡ＳＥＭａが享受可能な効果と同様の効果を享受することができる。

　尚、上述した第２実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｂ及び第３実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｃの少なくとも一方もまた、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｄと同様に、複数のビーム照射装置１を備えていてもよい。

　（５）第５実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｅ
　続いて、図２３を参照しながら、第５実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｅについて説明する。図２３は、第５実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｅの構造を示す断面図である。

　図２３に示すように、第５実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｅは、上述した第１実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭａと比較して、光学顕微鏡１７ｅを備えているという点で異なる。走査型電子顕微鏡ＳＥＭｅのその他の構造は、上述した走査型電子顕微鏡ＳＥＭａのその他の構造と同一であってもよい。

　光学顕微鏡１７ｅは、試料Ｗの状態（例えば、試料Ｗの表面ＷＳｕの少なくとも一部の状態）を光学的に計測可能な装置である。つまり、光学顕微鏡１７ｅは、試料Ｗの状態を光学的に計測して、試料Ｗに関する情報を取得可能な装置である。特に、光学顕微鏡１７ｅは、試料Ｗの状態を大気圧環境下で計測可能であるという点で、試料Ｗの状態を真空環境下で計測するビーム照射装置１（特に、電子検出器１１７）とは異なる。

　光学顕微鏡１７ｅは、ビーム照射装置１が電子ビームＥＢを試料Ｗに照射して試料Ｗの状態を計測する前に、試料Ｗの状態を計測する。つまり、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｅは、光学顕微鏡１７ｅを用いて試料Ｗの状態を計測した後に、ビーム照射装置１を用いて試料Ｗの状態を計測する。ここで、光学顕微鏡１７ｅが大気圧環境下で試料Ｗの状態を計測可能であるため、光学顕微鏡１７ｅが試料Ｗの状態を計測している期間中は、ビーム照射装置１は、真空領域ＶＳＰを形成しなくてもよい。一方で、ビーム照射装置１は、光学顕微鏡１７ｅが試料Ｗの状態の計測を完了した後に、真空領域ＶＳＰを形成して試料Ｗに電子ビームＥＢを照射する。

　ステージ２２は、ビーム照射装置１が電子ビームＥＢを試料Ｗに照射する期間中は、ビーム照射装置１が電子ビームＥＢを照射可能な位置に試料Ｗが位置するように移動してもよい。ステージ２２は、電子顕微鏡１７ｅが試料Ｗの状態を計測する期間中は、光学顕微鏡１７ｅが試料Ｗの状態を計測可能な位置試料Ｗが位置するように移動してもよい。ステージ２２は、ビーム照射装置１が電子ビームＥＢを照射可能な位置と、光学顕微鏡１７ｅが計測可能な位置との間で移動してもよい。

　走査型電子顕微鏡ＳＥＭｅは、光学顕微鏡１７ｅを用いた試料Ｗの状態の計測結果に基づいて、ビーム照射装置１を用いて試料Ｗの状態を計測してもよい。例えば、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｅは、まず、光学顕微鏡１７ｅを用いて、試料Ｗのうちの所望領域の状態を計測してもよい。その後、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｅは、光学顕微鏡１７ｅを用いた試料Ｗの所望領域の状態の計測結果に基づいて、ビーム照射装置１を用いて試料Ｗの同じ所望領域の状態（或いは、所望領域とは異なる領域の状態）を計測してもよい。この場合、試料Ｗの所望領域には、ビーム照射装置１を用いた試料Ｗの状態の計測のために利用可能な所定の指標物が形成されていてもよい。所定の指標物の一例として、例えば、試料Ｗとビーム照射装置１との位置合わせに用いられるマーク（例えば、フィデュシャルマーク及びアライメントマークの少なくとも一方）があげられる。

　或いは、上述したように、試料Ｗの表面ＷＳｕには、微細な凹凸パターンが形成されている。例えば、試料Ｗが半導体基板である場合には、微細な凹凸パターンの一例として、レジストが塗布された半導体基板が露光装置によって露光され且つ現像装置によって現像された後に半導体基板に残るレジストパターンがあげられる。この場合、例えば、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｅは、まず、光学顕微鏡１７ｅを用いて、試料Ｗのうちの所望領域に形成された凹凸パターンの状態を計測してもよい。その後、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｅは、光学顕微鏡１７ｅを用いた試料Ｗの所望領域の状態の計測結果（つまり、所望領域に形成された凹凸パターンの状態の計測結果）に基づいて、ビーム照射装置１を用いて試料Ｗの同じ所望領域に形成された凹凸パターンの状態を計測してもよい。例えば、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｅは、光学顕微鏡１７ｅの計測結果に基づいて、凹凸パターンの計測に最適な電子ビームＥＢが照射されるように電子ビームＥＢの特性を制御した上で、ビーム照射装置１を用いて試料Ｗの同じ所望領域に形成された凹凸パターンの状態を計測してもよい。

　このような第５実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｅは、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａが享受可能な効果と同様の効果を享受することができる。加えて、第５実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｅは、光学顕微鏡１７ｅを備えていない比較例の走査型電子顕微鏡と比較して、電子ビームＥＢを用いて試料Ｗの状態をより適切に計測することができる。

　尚、上述した説明では、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｅは、光学顕微鏡１７ｅを用いて試料Ｗの状態を計測した後に、ビーム照射装置１を用いて試料Ｗの状態を計測している。しかしながら、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｅは、光学顕微鏡１７ｅを用いた試料Ｗの状態の計測と、ビーム照射装置１を用いた試料Ｗの状態の計測とを並行して行ってもよい。例えば、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｅは、試料Ｗの所望領域の状態を、光学顕微鏡１７ｅ及びビーム照射装置１を用いて同時に計測してもよい。或いは、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｅは、光学顕微鏡１７ｅを用いた試料Ｗの第１領域の状態の計測と、ビーム照射装置１を用いた試料Ｗの第２領域（但し、第２領域は第１領域とは異なる）の状態の計測とを並行して行ってもよい。

　また、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｅは、光学顕微鏡１７ｅに加えて又は代えて、大気圧環境下で試料Ｗの状態を計測可能な任意の計測装置を備えていてもよい。任意の計測装置の一例として、回折干渉計があげられる。尚、回折干渉計は、例えば、光源光を分岐して計測光及び参照光を生成し、計測光を試料Ｗに照射して発生する反射光（或いは、透過光又は散乱光）と参照光とが干渉することで発生する干渉パターンを検出して試料Ｗの状態を計測する計測装置である。尚、任意の計測装置の他の一例として、スキャトロメータが挙げられる。スキャトロメータは、試料Ｗに計測光を照射して、試料Ｗからの散乱光（回折光等）を受光して試料Ｗの状態を計測する計測装置である。

　また、上述した走査型電子顕微鏡ＳＥＭｅの説明では、第１実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭａが光学顕微鏡１７ｅを備えていることになっている。しかしながら第２実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭａから第４実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｄ（更には、後述する第６実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｆ）のそれぞれが光学顕微鏡１７ｅを備えていてもよい。

　（６）第６実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｆ
　続いて、図２４を参照しながら、第６実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｆについて説明する。図２４は、第６実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｆの構造を示す断面図である。

　図２４に示すように、第６実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｆは、上述した第１実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭａと比較して、チャンバ１８１ｆと、空調機１８２ｆとを備えているという点で異なる。走査型電子顕微鏡ＳＥＭｆのその他の構造は、上述した走査型電子顕微鏡ＳＥＭａのその他の構造と同一であってもよい。

　チャンバ１８１ｆは、少なくともビーム照射装置１と、ステージ装置２と、支持フレーム３とを収容する。但し、チャンバ１８１ｆは、ビーム照射装置１、ステージ装置２及び支持フレーム３の少なくとも一部を収容していなくてもよい。チャンバ１８１ｆは、走査型電子顕微鏡ＳＥＭｆが備えるその他の構成要件（例えば、位置計測装置１５、制御装置４及びポンプ系５の少なくとも一部）を収容していてもよい。

　チャンバ１８１ｆの外部の空間は、例えば、大気圧空間である。チャンバ１８１ｆの内部の空間（つまり、少なくともビーム照射装置１と、ステージ装置２と、支持フレーム３とを収容する空間）もまた、例えば、大気圧空間である。この場合、少なくともビーム照射装置１と、ステージ装置２と、支持フレーム３とは、大気圧空間に配置される。但し、上述したように、チャンバ１８１ｆの内部の大気圧空間内に、ビーム照射装置１が局所的な真空領域ＶＳＰを形成する。

　空調機１８２ｆは、チャンバ１８１ｆの内部の空間に気体（例えば、上述した不活性ガス及びクリーンドライエアーの少なくとも一方）を供給可能である。空調機１８２ｆは、チャンバ１８１ｆの内部の空間から気体を回収可能である。空調機１８２ｆがチャンバ１８１ｆの内部の空間から気体を回収することで、チャンバ１８１ｆの内部の空間の清浄度が良好に保たれる。この際、空調機１８２ｆは、チャンバ１８１ｆの内部の空間に供給する気体の温度及び湿度の少なくとも一方を制御することで、チャンバ１８１ｆの内部の空間の温度及び湿度の少なくとも一方を制御可能である。

　このような第６実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｆは、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａが享受可能な効果と同様の効果を享受することができる。

　尚、上述した走査型電子顕微鏡ＳＥＭｆの説明では、第１実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭａがチャンバ１８１ｆ及び空調機１８２ｆを備えていることになっている。しかしながら第２実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭａから第５実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｅのそれぞれがチャンバ１８１ｆ及び空調機１８２ｆを備えていてもよい。

　（７）第１実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭａから第６実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｆに共通する変形例
　（７－１）第１変形例
　上述した説明では、試料Ｗは、真空領域ＶＳＰが試料Ｗの表面ＷＳｕのうちの一部しか覆うことができない程度に大きいサイズを有している。一方で、第１変形例では、第１変形例においてステージ２２が試料Ｗを保持する様子を示す断面図である図２５に示すように、試料Ｗは、真空領域ＶＳＰが試料Ｗの表面ＷＳｕの全体を覆うことができる程度に小さいサイズを有していてもよい。或いは、試料Ｗは、真空領域ＶＳＰに含まれるビーム通過空間ＳＰｂ３が試料Ｗの表面ＷＳｕの全体を覆うことができる程度に小さいサイズを有していてもよい。この場合、図２５に示すように、差動排気系１２が形成する真空領域ＶＳＰは、試料Ｗの表面ＷＳｕを覆う及び／又は試料Ｗの表面ＷＳｕに面する（つまり、接する）ことに加えて、ステージ２２の表面（例えば、ステージ２２の表面のうち保持面ＨＳとは異なる外周面ＯＳ）の少なくとも一部を覆っていてもよい及び／又はステージ２２の表面（例えば、外周面ＯＳ）の少なくとも一部に面していてもよい。外周面ＯＳは、典型的には、保持面ＨＳの周囲に位置する面を含む。尚、図２５は、説明の便宜上、第１実施形態のビーム照射装置１（つまり、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａ）が、第１変形例で説明しているサイズが小さい試料Ｗに電子ビームＥＢを照射する例を示しているが、第２実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｂから第６実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｆのそれぞれもまた、第１変形例で説明しているサイズが小さい試料Ｗに電子ビームＥＢを照射してもよいことはいうまでもない。

　第１変形例では、第１実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭａから第６実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｆは、ビーム射出装置１の射出面１２１ＬＳと試料Ｗの表面ＷＳｕとの間の間隔Ｄが所望間隔Ｄ＿ｔａｒｇｅｔとなることに代えて、射出面１２１ＬＳとステージ２２の表面（例えば、外周面ＯＳ）との間の間隔Ｄｏ１が所望間隔Ｄ＿ｔａｒｇｅｔとなるように、間隔調整系１４及びステージ駆動系２３の少なくとも一方を制御してもよい。

　（７－２）第２変形例
　第１変形例では、ステージ２２の保持面ＨＳとステージ２２の外周面ＯＳとが同じ高さに位置していた。一方で、第２変形例では、第２変形例においてステージ２２が試料Ｗを保持する様子を示す断面図である図２６に示すように、保持面ＨＳと外周面ＯＳとが異なる高さ（つまり、Ｚ軸方向において異なる位置）に位置していてもよい。図２６は、保持面ＨＳが外周面ＯＳよりも低い位置に位置する例を示しているが、保持面ＨＳが外周面ＯＳよりも高い位置に位置していてもよい。保持面ＨＳが外周面ＯＳよりも低い位置に位置する場合には、ステージ２２には、実質的には、試料Ｗが収容される収容空間（つまり、試料Ｗを収容できるように窪んだ空間）が形成されていると言える。また、図２６は、外周面ＯＳが試料Ｗの表面ＷＳｕよりも高い位置に位置する例を示しているが、外周面ＯＳが表面ＷＳｕよりも低い位置に位置していてもよいし、外周面ＯＳが表面ＷＳｕと同じ高さに位置していてもよい。尚、図２６は、説明の便宜上、第１実施形態のビーム照射装置１（つまり、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａ）が、第２変形例で説明した外周面ＯＳとは高さが異なる保持面ＨＳに保持された試料Ｗに電子ビームＥＢを照射する例を示しているが、第２実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｂから第６実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｆのそれぞれもまた、第２変形例で説明した外周面ＯＳとは高さが異なる保持面ＨＳに保持された試料Ｗに電子ビームＥＢを照射してもよいことはいうまでもない。

　第２変形例では、第１変形例と同様に、試料Ｗは、真空領域ＶＳＰが試料Ｗの表面ＷＳｕの全体を覆うことができる程度に小さいサイズを有していてもよい。この場合、第１変形例と同様に、差動排気系１２が形成する真空領域ＶＳＰは、試料Ｗの表面ＷＳｕを覆う及び／又は試料Ｗの表面ＷＳｕに面することに加えて、ステージ２２の表面（例えば、外周面ＯＳ）の少なくとも一部を覆っていてもよい及び／又はステージ２２の表面（例えば、外周面ＯＳ）の少なくとも一部に面していてもよい。或いは、試料Ｗは、真空領域ＶＳＰが試料Ｗの表面ＷＳｕのうちの一部しか覆うことができない程度に大きいサイズを有していてもよい。この場合、差動排気系１２が形成する真空領域ＶＳＰは、試料Ｗの表面ＷＳｕの一部を覆う及び／又は試料Ｗの表面ＷＳｕの一部に面する一方で、ステージ２２の表面（例えば、外周面ＯＳ）の少なくとも一部を覆っていなくてもよい及び／又はステージ２２の表面（例えば、外周面ＯＳ）の少なくとも一部に面していなくてもよい。

　第２変形例においても、第１変形例と同様に、第１実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭａから第６実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｆは、射出面１２１ＬＳと表面ＷＳｕとの間の間隔Ｄが所望間隔Ｄ＿ｔａｒｇｅｔとなることに代えて、射出面１２１ＬＳとステージ２２の表面（例えば、外周面ＯＳ）との間の間隔Ｄｏ１が所望間隔Ｄ＿ｔａｒｇｅｔとなるように、間隔調整系１４及びステージ駆動系２３の少なくとも一方を制御してもよい。

　（７－３）第３変形例
　第３変形例では、第３変形例においてステージ２２が試料Ｗを保持する様子を示す断面図である図２７に示すように、試料Ｗは、カバー部材２５によって覆われていてもよい。つまり、試料Ｗとビーム照射装置１（特に、射出面１２１ＬＳ）との間にカバー部材２５が配置されている状態で、電子ビームＥＢが試料Ｗに照射されてもよい。この際、カバー部材２５に貫通孔が形成されていてもよく、電子ビームＥＢは、カバー部材２５の貫通孔を介して試料Ｗに照射されてもよい。カバー部材２５は、試料Ｗの表面ＷＳｕに接するように又は表面ＷＳｕとの間に間隙を確保するように試料Ｗの上方に配置されていてもよい。この場合、差動排気系１２は、試料Ｗの表面ＷＳｕの少なくとも一部を覆う真空領域ＶＳＰに代えて、カバー部材２５の表面２５ｓの少なくとも一部を覆う真空領域ＶＳＰを形成してもよい。差動排気系１２は、試料Ｗの表面ＷＳｕに接する真空領域ＶＳＰに代えて、カバー部材２５の表面２５ｓに接する真空領域ＶＳＰを形成してもよい。尚、図２７は、説明の便宜上、第１実施形態のビーム照射装置１（つまり、走査型電子顕微鏡ＳＥＭａ）が、第３変形例で説明したカバー部材２５で覆われた試料Ｗに電子ビームＥＢを照射する例を示しているが、第２実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｂから第６実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｆのそれぞれもまた、第３変形例で説明したカバー部材２５で覆われた試料Ｗに電子ビームＥＢを照射してもよいことはいうまでもない。

　第３変形例では、試料Ｗは、真空領域ＶＳＰが試料Ｗの表面ＷＳｕの全体を覆うことができる程度に小さいサイズを有していてもよいし、真空領域ＶＳＰが試料Ｗの表面ＷＳｕのうちの一部しか覆うことができない程度に大きいサイズを有していてもよい。

　第３変形例では、第１実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭａから第６実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｆは、射出面１２１ＬＳと表面ＷＳｕとの間の間隔Ｄが所望間隔Ｄ＿ｔａｒｇｅｔとなることに代えて、射出面１２１ＬＳとカバー部材２５の表面２５ｓとの間の間隔Ｄｏ２が所望間隔Ｄ＿ｔａｒｇｅｔとなるように、間隔調整系１４及びステージ駆動系２３の少なくとも一方を制御してもよい。

　尚、上述した説明では、真空領域ＶＳＰが形成されることが試料Ｗの変形の原因の一つであることを考慮して、制御装置４は、試料Ｗに面する真空領域ＶＳＰの真空度に関する情報に基づいて、試料Ｗの形状情報を生成している。しかしながら、試料Ｗがカバー部材２５によって覆われる場合は、上述したように真空領域ＶＳＰが試料Ｗに面しない可能性がある。一方で、この場合であっても、カバー部材２５を介して試料Ｗに電子ビームＥＢが照射されることに変わりはないため、カバー部材２５と試料Ｗとの間の空間２５ＳＰには、真空領域ＶＳＰと同程度の真空度を有する（或いは、異なる真空度を有する）他の真空領域が形成される。言い換えれば、空間２５ＳＰは、真空領域ＶＳＰと同程度の真空度を有する（或いは、異なる真空度を有する）真空空間となる。例えば、空間２５ＳＰは、空間２５ＳＰに連通する不図示の排気口を介して排気されることで、真空空間となってもよい。この場合、制御装置４は、真空領域ＶＳＰの真空度に関する情報に加えて又は代えて、空間２５ＳＰの真空度に関する情報に基づいて形状情報を生成してもよい。

　更に、上述した説明では、真空領域ＶＳＰが形成されることが試料Ｗの変形の原因の一つであることを考慮して、制御装置４は、試料Ｗに面する真空領域ＶＳＰの真空度に関する情報に基づいて、ビーム位置情報、電子検出情報及び試料情報の少なくとも一つを変更している。しかしながら、制御装置４は、試料Ｗに面する真空領域ＶＳＰの真空度に関する情報に加えて又は代えて、空間２５ＳＰの真空度に関する情報に基づいて、ビーム位置情報、電子検出情報及び試料情報の少なくとも一つを変更してもよい。

　（７－４）その他の変形例
　上述した説明では、差動排気系１２は、単一の排気機構（具体的には、排気溝１２４及び配管１２５）を備える１段式の差動排気系である。しかしながら、差動排気系１２は、複数の排気機構を備える多段式の差動排気系であってもよい。この場合、真空形成部材１２１の射出面１２１ＬＳには、複数の排気溝１２４が形成され、真空形成部材１２１には、複数の排気溝１２４にそれぞれ連通する複数の配管１２５が形成される。複数の配管１２５は、それぞれ、ポンプ系５が備える複数の真空ポンプ５２に接続される。複数の真空ポンプ５２の排気能力は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。

　走査型電子顕微鏡ＳＥＭａに限らず、電子ビームＥＢを試料Ｗ（或いは、その他の任意の物体）に照射することで任意の電子ビーム装置が、上述した第１実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭａから第６実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｆの少なくとも一つと同様の構造を有していてもよい。つまり、任意の電子ビーム装置が、上述した変形抑制動作等を行ってもよい。任意の電子ビーム装置の一例として、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）及び走査型透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｕｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）があげられる。

　或いは、電子ビーム装置に限らず、電子ビームＥＢとは異なる任意の荷電粒子ビーム又はエネルギビーム（例えば、イオンビーム）を任意の試料Ｗ（或いは、その他の任意の物体）に照射することで任意の試料Ｗの状態を計測可能な任意のビーム装置が上述した第１実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭａから第６実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｆの少なくとも一つと同様の構造を有していてもよい。つまり、荷電粒子ビーム又はエネルギビームを照射可能なビーム光学系を備える任意のビーム装置が、上述した変形抑制動作等を行ってもよい。任意のビーム装置の一例として、集束したイオンビームを試料に照射し加工や観察を行う集束イオンビーム（ＦＩＢ：Ｆｏｃｕｓｅｄ　Ｉｏｎ　Ｂｅａｍ）装置、及び、軟Ｘ線領域（例えば５～１５ｎｍの波長域）のＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を用いてレジストが塗布されたウェハを露光することでウェハにパターンを形成するＥＵＶ露光装置の少なくとも一方があげられる。或いは、ビーム装置に限らず、電子を含む任意の荷電粒子を、ビームとは異なる照射形態で任意の試料Ｗ（或いは、その他の任意の物体）に照射することで任意の試料Ｗの状態を計測可能な任意の照射装置が上述した走査型電子顕微鏡ＳＥＭａと同様の構造を有していてもよい。つまり、荷電粒子を照射（例えば、放出、生成、噴出又は）可能な照射系を備える任意の照射装置が、上述した変形抑制動作等を行ってもよい。

　或いは、ビーム装置に限らず、電子を含む任意の荷電粒子を、ビームとは異なる照射形態で任意の試料Ｗ（或いは、その他の任意の物体）に照射する任意の照射装置が上述した第１実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭａから第６実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｆのうちの少なくとも一つと同様の構造を有していてもよい。つまり、荷電粒子を照射（例えば、放出、生成、噴出又は）可能な照射系を備える任意の照射装置が、上述した変形抑制動作等を行ってもよい。任意の照射装置の一例として、プラズマを用いて物体をエッチングするエッチング装置、及び、プラズマを用いて物体に成膜処理を行う成膜装置（例えば、スパッタリング装置等のＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置、及び、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置の少なくとも一方）の少なくとも一方があげられる。

　或いは、荷電粒子に限らず、任意の物質を照射と異なる形態で任意の試料Ｗ（或いは、その他の任意の物体）に真空下で作用させる任意の真空装置が上述した第１実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭａから第６実施形態の走査型電子顕微鏡ＳＥＭｆのうちの少なくとも一つと同様の構造を有していてもよい。任意の真空装置の一例として、真空中で蒸発又は昇華させた材料の蒸気を試料に到達させて蓄積させる事で膜を形成する真空蒸着装置があげられる。

　上述の各実施形態（各変形例を含む、以下この段落において同じ）の構成要件の少なくとも一部は、上述の各実施形態の構成要件の少なくとも他の一部と適宜組み合わせることができる。上述の各実施形態の構成要件のうちの一部が用いられなくてもよい。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態で引用した全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

　本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う荷電粒子装置及び情報取得方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

　ＳＥＭａ、ＳＥＭｂ、ＳＥＭｃ、ＳＥＭｄ　走査型電子顕微鏡
　１　ビーム照射装置
　１１　ビーム光学系
　１２　差動排気系
　１２１ＬＳ　射出面
　１４　間隔調整系
　２　ステージ装置
　２２　ステージ
　２３　ステージ駆動系
　４　制御装置
　５　ポンプ系
　５１、５２　真空ポンプ
　６　測定装置
　ＳＰｂ１、ＳＰｂ２、ＳＰｂ３　ビーム通過空間
　ＶＳＰ　真空領域
　Ｗ　試料
　ＷＳｕ　表面

Claims

　試料に関する試料情報を取得する荷電粒子装置であって、
　排気装置と接続可能な管路を有し、物体の面に接する空間の気体を前記管路を介して排出して、真空領域を形成する真空形成部材と、
　前記真空領域を介して荷電粒子ビームを前記試料に照射する荷電粒子光学系と、
　前記荷電粒子ビームが照射された前記試料から放出された荷電粒子を検出する検出装置と、
　前記試料の表面の形状情報と、前記荷電粒子ビームが照射される位置の情報と、前記放出された荷電粒子を検出して得られる情報とに基づいて、前記試料情報を求める制御装置と
　を備え、
　前記真空領域の周囲の前記真空領域よりも気圧が高い空間の少なくとも一部の気体は、前記真空形成部材の前記管路を介して排出され、
　前記荷電粒子光学系から照射される荷電粒子ビームの通路は前記真空領域の少なくとも一部を含む荷電粒子装置。
　試料に関する試料情報を取得する荷電粒子装置であって、
　排気装置と接続される第１端と、物体の面と接する第１空間と接続される第２端とを有する管路を備え、前記第１空間の気体を前記管路を介して排出して、前記第１空間と接続される第２空間よりも圧力が低い真空領域を前記第１空間に形成する真空形成部材と、
　前記真空領域を介して荷電粒子ビームを前記試料に照射する荷電粒子光学系と、
　前記荷電粒子ビームが照射された前記試料から放出された荷電粒子を検出する検出装置と、
　前記試料の表面の形状情報と、前記荷電粒子ビームが照射される位置の情報と、前記放出された荷電粒子を検出して得られる情報とに基づいて、前記試料情報を求める制御装置と
　を備え、
　前記荷電粒子照射装置から照射される荷電粒子ビームの通路は前記真空領域の少なくとも一部を含む荷電粒子装置。
　試料に関する試料情報を取得する荷電粒子装置であって、
　排気装置と接続可能な管路を有し、物体の面の一部と対向した状態で前記管路を介して気体を排出することにより、前記物体の前記面の第１部分に接する第１空間に、前記面の前記第１部分とは異なる第２部分に接する第２空間の圧力より圧力が低い真空領域を形成可能な真空形成部材と、
　前記真空領域を介して荷電粒子ビームを前記試料に照射する荷電粒子光学系と、
　前記荷電粒子ビームが照射された前記試料から放出された荷電粒子を検出する検出装置と、
　前記試料の表面の形状情報と、前記荷電粒子ビームが照射される位置の情報と、前記放出された荷電粒子を検出して得られる情報とに基づいて、前記試料情報を求める制御装置と
　を備える荷電粒子装置。
　前記第２空間は、前記第１空間を経ずに前記管路と接続できないが前記第１空間を経ると接続できる
　請求項２又は３に記載の荷電粒子装置。
　試料に関する試料情報を取得する荷電粒子装置であって、
　排気装置と接続可能な管路を有し、物体の面と前記管路の端部とが対向した状態で、前記物体の前記面に接する空間の気体を前記管路を介して排出して、真空領域を形成する真空形成部材と、
　前記真空領域を介して荷電粒子ビームを前記試料に照射する荷電粒子光学系と、
　前記荷電粒子ビームが照射された前記試料から放出された荷電粒子を検出する検出装置と、
　前記試料の表面の形状情報と、前記荷電粒子ビームが照射される位置の情報と、前記放出された荷電粒子を検出して得られる情報とに基づいて、前記試料情報を求める制御装置と
　を備え、
　前記荷電粒子光学系から照射される荷電粒子ビームの通路は前記真空領域の少なくとも一部を含む荷電粒子装置。
　前記形状情報は、前記試料の変形に関する情報を含む
　請求項１から５のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
　前記試料の変形は、前記真空領域の真空により生じる変形である
　請求項６に記載の荷電粒子装置。
　前記試料の変形に関する情報は、前記荷電粒子光学系の光軸と交差する交差面に沿った方向における前記試料の位置の変化を含む
　請求項６又は７に記載の荷電粒子装置。
　前記交差面は水平面と平行である
　請求項８に記載の荷電粒子装置。
　前記試料の変形に関する情報は、前記光軸に沿う方向における前記試料の位置の変化を含む
　請求項６から９のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
　前記光軸に沿う方向は、鉛直方向と平行である
　請求項１０に記載の荷電粒子装置。
　前記試料の変形に関する情報のうち、前記光軸と交差する面に沿った方向における前記試料の位置の変化は、前記光軸に沿う方向における前記試料の位置の変化に基づき算出される
　請求項６から１１のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
　前記形状を測定する測定装置を備える
　請求項１から１２のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
　前記測定装置は、光センサおよび静電容量センサの少なくとも１つを含む
　請求項１３に記載の荷電粒子装置。
　前記測定装置は、反射電子検出器を含み、
　前記測定装置は前記試料に前記荷電粒子ビームを照射して放出される反射電子を前記反射電子検出器により検出することによって前記形状を測定する
　請求項１３又は１４に記載の荷電粒子装置。
　前記測定装置は、前記荷電粒子ビームの前記試料への照射が行われる前記真空領域に、前記試料の前記表面が覆われた状態で、前記試料の前記表面の前記形状を測定する
　請求項１３から１５のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
　前記測定装置は、前記荷電粒子ビームの前記試料への照射が行われる前記真空領域に、前記物体の前記表面の一部が覆われることに先だって、前記真空領域とは別の真空領域で前記物体の前記表面を覆った状態で、前記形状を測定する
　請求項１３から１５のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
　前記形状情報は、前記真空領域の真空度、前記真空領域の周辺の空間の気圧及び前記試料の弾性係数のうち少なくとも１つに基づき算出される
　請求項１から１７のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
　前記周辺の空間の気圧は、前記物体の前記真空領域に面する面とは反対側に位置する前記物体の他方の面に面する裏面側空間の気圧及び前記荷電粒子装置を取り巻く環境の気圧の少なくとも一方を含む
　請求項１８に記載の荷電粒子装置。
　前記物体の前記真空領域に面する面とは反対側に位置する前記物体の他方の面に面する裏面側空間の気圧と前記真空領域の気圧との差を減少することができる気圧調整装置を備える
　請求項１から１９のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
　前記物体のうち前記真空領域の真空の吸引力が作用する部分に、前記吸引力とは逆向きの力を付与する付与装置を備え、
　前記形状情報は、前記力の情報を用いて算出される
　請求項１から２０のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
　前記制御装置は、前記荷電粒子ビームが照射された位置の情報を前記形状情報に基づいて変更して、前記試料情報を取得する
　請求項１から２１のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
　前記制御装置は、前記放出された荷電粒子を検出して得られる情報を前記形状情報に基づいて変更して、前記試料情報を取得する
　請求項１から２２のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
　前記制御装置は、前記形状情報に基づいて、前記荷電粒子ビームを照射する位置を制御する
　請求項１から２３のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
　試料に関する試料情報を取得する荷電粒子装置であって、
　排気装置と接続可能な管路を有し、物体の面に接する空間の気体を前記管路を介して排出して、真空領域を形成する真空形成部材と、
　前記真空領域を介して荷電粒子ビームを前記試料に照射する荷電粒子光学系と、
　前記荷電粒子ビームが照射された前記試料から放出された荷電粒子を検出する検出装置と、
　前記真空領域の真空度、前記真空領域の周辺の空間の気圧及び前記試料の弾性係数のうち少なくとも１つと、前記荷電粒子ビームが照射される位置の情報と、前記放出される荷電粒子を検出して得られる情報とに基づいて、前記試料情報を取得する制御装置と
　を備え、
　前記真空領域の周囲の前記真空領域よりも気圧が高い空間の少なくとも一部の気体は、前記真空形成部材の前記管路を介して排出され、
　前記荷電粒子光学系から照射される荷電粒子ビームの通路は前記真空領域の少なくとも一部を含む荷電粒子装置。
　試料に関する試料情報を取得する荷電粒子装置であって、
　排気装置と接続される第１端と、物体の面と接する第１空間と接続される第２端とを有する管路を備え、前記第１空間の気体を前記管路を介して排出して、前記第２端から離れ且つ前記第１空間と接続される第２空間よりも圧力が低い真空領域を前記第１空間に形成する真空形成部材と、
　前記真空領域を介して荷電粒子ビームを前記試料に照射する荷電粒子光学系と、
　前記荷電粒子ビームが照射された前記試料から放出された荷電粒子を検出する検出装置と、
　前記真空領域の真空度、前記真空領域の周辺の空間の気圧及び前記試料の弾性係数のうち少なくとも１つと、前記荷電粒子ビームが照射される位置の情報と、前記放出される荷電粒子を検出して得られる情報とに基づいて、前記試料情報を取得する制御装置と
　を備え、
　前記荷電粒子光学系から照射される荷電粒子ビームの通路は前記真空領域の少なくとも一部を含む荷電粒子装置。
　試料に関する試料情報を取得する荷電粒子装置であって、
　排気装置と接続可能な管路を有し、物体の面の一部と対向した状態で前記管路を介して気体を排出することにより、前記物体の前記面の第１部分に接する第１空間に、前記面の前記第１部分とは異なる第２部分に接する第２空間の圧力より圧力が低い真空領域を形成可能な真空形成部材と、
　前記真空領域を介して荷電粒子ビームを前記試料に照射する荷電粒子光学系と、
　前記真空領域の真空度、前記真空領域の周辺の空間の気圧及び前記試料の弾性係数のうち少なくとも１つと、前記荷電粒子ビームが照射される位置の情報と、前記放出される荷電粒子を検出して得られる情報とに基づいて、前記試料情報を取得する制御装置と
　を備える荷電粒子装置。
　前記第２空間は、前記第１空間を経ずに前記管路と接続できないが前記第１空間を経ると接続できる
　請求項２６又は２７に記載の荷電粒子装置。
　試料に関する試料情報を取得する荷電粒子装置であって、
　排気装置と接続可能な管路を有し、物体の面と前記管路の端部とが対向した状態で、前記物体の前記面に接する空間の気体を前記管路を介して排出して、真空領域を形成する真空形成部材と、
　前記真空領域を介して荷電粒子ビームを前記試料に照射する荷電粒子光学系と、
　前記真空領域の真空度、前記真空領域の周辺の空間の気圧及び前記試料の弾性係数のうち少なくとも１つと、前記荷電粒子ビームが照射される位置の情報と、前記放出される荷電粒子を検出して得られる情報とに基づいて、前記試料情報を取得する制御装置と
　を備え、
　前記荷電粒子光学系から照射される荷電粒子ビームの通路は前記真空領域の少なくとも一部を含む荷電粒子装置。
　前記周辺の空間の気圧は、前記物体の前記真空領域に面する面とは反対側に位置する前記物体の他方の面に面する裏面側空間の気圧及び前記荷電粒子装置を取り巻く環境の気圧の少なくとも一方を含む
　請求項２５から２９のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
　前記制御装置は、前記試料情報における前記荷電粒子ビームが照射された位置の情報を、前記真空領域の真空度、前記周辺の空間の気圧及び前記試料の弾性係数のうち少なくとも１つに基づいて変更して、前記試料情報を取得する
　請求項２５から３０のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
　前記制御装置は、前記放出された荷電粒子を検出して得られる情報を、前記真空領域の真空度、前記周辺の空間の気圧及び前記試料の弾性係数のうち少なくとも１つに基づいて変更して、前記試料情報を取得する
　請求項２５から３１のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
　前記制御装置は、前記真空領域の真空度、前記周辺の空間の気圧及び前記試料の弾性係数のうち少なくとも１つに基づいて、前記荷電粒子ビームを照射する位置を制御する
　請求項２５から３２のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
　前記荷電粒子ビームが照射された位置の情報の変更によって、前記物体の前記表面が前記真空領域に覆われている場合における前記荷電粒子ビームの照射位置は、前記物体の前記表面が前記真空領域に覆われていない場合における前記荷電粒子ビームの照射位置又はその近傍に変更される
　請求項２２又は３１に記載の荷電粒子装置。
　前記制御装置は、前記放出された荷電粒子の検出量の情報を変更する
　請求項２３又は３２に記載の荷電粒子装置。
　前記放出された荷電粒子の検出量の情報の変更によって、前記物体の前記表面が前記真空領域に覆われている場合における前記荷電粒子ビームの照射位置に対応した前記放出される荷電粒子の検出量は、前記物体の前記表面が前記真空領域に覆われていない場合における前記荷電粒子ビームの照射位置に対応した前記放出される荷電粒子の検出量に変更される
　請求項３５に記載の荷電粒子装置。
　前記荷電粒子ビームを照射する位置の制御によって、前記物体の前記表面が前記真空領域に覆われている場合における前記荷電粒子ビームの照射位置は、前記物体の前記表面が前記真空領域に覆われていない場合における前記荷電粒子ビームの照射位置またはその近傍に変更される
　請求項２４又は３３に記載の荷電粒子装置。
　前記真空領域は、前記物体の前記表面のうちの第１部分を覆い、
　前記真空領域が形成されているとき、前記物体の前記表面のうちの前記第１部分とは異なる第２部分は、前記真空領域よりも真空度が低い非真空領域又は大気圧領域で覆われる
　請求項１から３７のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
　前記物体の前記真空領域が面する面とは反対側に位置する前記物体の他方の面に面する裏面側空間の気圧と前記真空領域の気圧との差を減少することができる気圧調整装置を備え、
　前記制御装置は、前記裏面側空間の気圧を用いて、前記試料情報を求める
　請求項１から３８のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
　前記物体のうち前記真空領域の真空の吸引力が作用する部分に、前記吸引力とは逆向きの力を付与する付与装置を備え、
　前記制御装置は、前記付与装置が付与する力の情報を用いて、前記試料情報を求める
　請求項１から３９のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
　前記物体の前記面の少なくとも一部は、前記真空領域の少なくとも一部に面する
　請求項１から４０のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
　前記物体の前記面の少なくとも一部は、前記真空領域の少なくとも一部に覆われる
　請求項１から４１のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
　前記物体の前記面の一部は、前記真空領域に面し、前記物体の前記面の他の一部は、大気圧領域に面する
　請求項１から４２のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
　前記物体の前記面は、前記試料の表面の少なくとも一部を含む
　請求項１から４３のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
　前記物体の前記面は、前記試料を保持する保持部材の表面の少なくとも一部を含む
　請求項１から４３のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
　前記物体の前記面は、前記試料と前記真空形成部材との間に配置される部材の表面の少なくとも一部を含む
　請求項１から４３のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
　試料に関する試料情報を取得する情報取得方法であって、
　物体の面に接する空間の気体を管路を介して排出して、真空領域を形成することと、
　前記真空領域の周囲の前記真空領域よりも気圧が高い空間の少なくとも一部の気体を、前記管路を介して排出することと、
　荷電粒子ビームに前記真空領域の少なくとも一部を通過させて前記試料に照射することと、
　前記荷電粒子ビームが照射された前記試料から放出された荷電粒子を検出することと、
　前記試料の前記表面の形状情報と、前記荷電粒子ビームの照射位置の情報と、前記放出された荷電粒子を検出して得られる情報とに基づいて、前記試料情報を求めることと
　を含む情報取得方法。
　試料に関する試料情報を取得する情報取得方法であって、
　排気装置と接続される第１端と、物体の面と接する第１空間と接続される第２端とを有する管路を備え、前記第１空間の気体を前記管路を介して排出して、前記第２端から離れ且つ前記第１空間と接続される第２空間よりも圧力が低い真空領域を前記第１空間に形成することと、
　荷電粒子ビームに前記真空領域の少なくとも一部を通過させて前記試料に照射することと、
　前記荷電粒子ビームが照射された前記試料から放出された荷電粒子を検出することと、
　前記試料の前記表面の形状情報と、前記荷電粒子ビームの照射位置の情報と、前記放出された荷電粒子を検出して得られる情報とに基づいて、前記試料情報を求めることと
　を含む情報取得方法。
　試料に関する試料情報を取得する情報取得方法であって、
　排気装置と接続可能な管路を介して気体を排出することにより、物体の面の第１部分に接する第１空間に、前記面の前記第１部分とは異なる第２部分に接する第２空間の圧力より圧力が低い真空領域を形成することと、
　荷電粒子ビームに前記真空領域の少なくとも一部を通過させて前記試料に照射することと、
　前記荷電粒子ビームが照射された前記試料から放出された荷電粒子を検出することと、
　前記試料の前記表面の形状情報と、前記荷電粒子ビームの照射位置の情報と、前記放出された荷電粒子を検出して得られる情報とに基づいて、前記試料情報を求めることと
　を含む情報取得方法。
　前記第２空間は、前記第１空間を経ずに前記管路と接続できないが前記第１空間を経ると接続できる
　請求項４８又は４９に記載の情報取得方法。
　試料に関する試料情報を取得する情報取得方法であって、
　排気装置と接続可能な管路の端部と物体の面とが対向した状態で、前記物体の前記面に接する空間の気体を前記管路を介して排出して、真空領域を形成することと、
　荷電粒子ビームに前記真空領域の少なくとも一部を通過させて前記試料に照射することと、
　前記荷電粒子ビームが照射された前記試料から放出された荷電粒子を検出することと、
　前記試料の前記表面の形状情報と、前記荷電粒子ビームの照射位置の情報と、前記放出された荷電粒子を検出して得られる情報とに基づいて、前記試料情報を求めることと
　を含む情報取得方法。
　試料に関する試料情報を取得する方法であって、
　物体の面に接する空間の気体を管路を介して排出して、真空領域を形成することと、
　前記真空領域の周囲の前記真空領域よりも気圧が高い空間の少なくとも一部の気体を、前記管路を介して排出することと、
　荷電粒子ビームに前記真空領域の少なくとも一部を通過させて前記試料に照射することと、
　前記荷電粒子ビームが照射された前記試料から放出された荷電粒子を検出することと、
　前記真空領域の真空度、前記真空領域の周辺の空間の気圧及び前記試料の弾性係数のうち少なくとも１つを用いて、前記試料情報を求めることと
　を含む情報取得方法。
　試料に関する試料情報を取得する方法であって、
　排気装置と接続される第１端と、物体の面と接する第１空間と接続される第２端とを有する管路を備え、前記第１空間の気体を前記管路を介して排出して、前記第２端から離れ且つ前記第１空間と接続される第２空間よりも圧力が低い真空領域を前記第１空間に形成することと、
　荷電粒子ビームに前記真空領域の少なくとも一部を通過させて前記試料に照射することと、
　前記荷電粒子ビームが照射された前記試料から放出された荷電粒子を検出することと、
　前記真空領域の真空度、前記真空領域の周辺の空間の気圧及び前記試料の弾性係数のうち少なくとも１つを用いて、前記試料情報を求めることと
　を含む情報取得方法。
　試料に関する試料情報を取得する方法であって、
　排気装置と接続可能な管路を介して気体を排出することにより、物体の面の第１部分に接する第１空間に、前記面の前記第１部分とは異なる第２部分に接する第２空間の圧力より圧力が低い真空領域を形成することと、
　荷電粒子ビームに前記真空領域の少なくとも一部を通過させて前記試料に照射することと、
　前記荷電粒子ビームが照射された前記試料から放出された荷電粒子を検出することと、
　前記真空領域の真空度、前記真空領域の周辺の空間の気圧及び前記試料の弾性係数のうち少なくとも１つを用いて、前記試料情報を求めることと
　を含む情報取得方法。
　前記第２空間は、前記第１空間を経ずに前記管路と接続できないが前記第１空間を経ると接続できる
　請求項５３又は５４に記載の情報取得方法。
　試料に関する試料情報を取得する方法であって、
　排気装置と接続可能な管路の端部と物体の面とが対向した状態で、前記物体の前記面に接する空間の気体を前記管路を介して排出して、真空領域を形成することと、
　荷電粒子ビームに前記真空領域の少なくとも一部を通過させて前記試料に照射することと、
　前記荷電粒子ビームが照射された前記試料から放出された荷電粒子を検出することと、
　前記真空領域の真空度、前記真空領域の周辺の空間の気圧及び前記試料の弾性係数のうち少なくとも１つを用いて、前記試料情報を求めることと
　を含む情報取得方法。
　前記荷電粒子ビームを照射する荷電粒子光学系の光軸方向に沿った前記荷電粒子光学系と前記試料との相対的な位置関係を変更することと、
　前記荷電粒子光学系と前記試料との前記荷電粒子光学系の光軸方向に沿った相対的な位置関係が第１の状態で前記荷電粒子を検出し、前記光軸方向に沿った相対的な位置関係が前記第１の状態とは異なる第２の状態で前記荷電粒子を検出することと、
　前記検出結果に基づいて前記試料情報を求めることと
　を含む請求項４７から５６のいずれか一項に記載の情報取得方法。
　前記荷電粒子光学系の光軸方向に沿った前記荷電粒子光学系と前記試料との相対的な位置関係を変更する位置変更装置を備え、
　前記荷電粒子光学系と前記試料との前記光軸方向に沿った相対的な位置関係が第１の状態で前記検出装置により前記荷電粒子を検出し、前記光軸方向に沿った相対的な位置関係が前記第１の状態とは異なる第２の状態で前記検出装置により前記荷電粒子を検出して、前記検出装置の検出結果に基づいて前記試料情報を求める
　請求項１から５７のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
　試料の表面に荷電粒子ビームを照射する荷電粒子光学系と、
　前記荷電粒子ビームが照射された前記試料から放出された荷電粒子を検出する検出装置と、
　前記荷電粒子光学系の光軸方向に沿った前記荷電粒子光学系と前記試料との相対的な位置関係を変更する位置変更装置と
　を備え、
　前記荷電粒子光学系と前記試料との前記光軸方向に沿った相対的な位置関係が第１の状態で前記検出装置により前記荷電粒子を検出し、前記光軸方向に沿った相対的な位置関係が前記第１の状態とは異なる第２の状態で前記検出装置により前記荷電粒子を検出して、前記検出装置の検出結果に基づいて前記試料に関する試料情報を取得する
　荷電粒子装置。
　前記第１の状態における前記荷電粒子光学系と前記試料との、前記光軸と交差する方向における相対的な位置関係は、前記第２の状態における前記荷電粒子光学系と前記試料との、前記光軸と交差する方向における相対的な位置関係と同じである
　請求項５８又は５９に記載の荷電粒子装置。
　前記第１の状態における前記荷電粒子光学系と前記試料との、前記光軸と交差する方向における相対的な位置関係は、前記第２の状態における前記荷電粒子光学系と前記試料との、前記光軸と交差する方向における相対的な位置関係と異なる
　請求項５８又は５９に記載の荷電粒子装置。
　前記検出装置の検出結果に基づいて前記試料の表面の像を生成し、
　前記光軸方向に沿った相対的な位置関係を変更し前記検出装置に前記荷電粒子を検出させることで生成される複数の前記像に基づいて、前記試料情報を生成する
　請求項５８から６１のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
　前記複数の像を合成して、前記試料情報を生成する
　請求項６２に記載の荷電粒子装置。
　前記複数の像の特性の違いに基づいて、前記試料情報を生成する
　請求項６２又は６３に記載の荷電粒子装置。
　前記特性は、輝度、コントラスト及びＳＮ（Ｓｉｇｎａｌ　ｔｏ　Ｎｏｉｓｅ）比の少なくとも一つを含む
　請求項６４に記載の荷電粒子装置。
　前記荷電粒子光学系に対して前記試料の表面が第１位置に位置している状態で前記検出装置に前記荷電粒子を検出させるときの前記荷電粒子ビームのフォーカス位置は、前記荷電粒子光学系に対して前記試料の表面が前記第１位置とは異なる第２位置に位置している状態で前記検出装置に前記荷電粒子を検出させるときの前記荷電粒子ビームのフォーカス位置と同じである
　請求項５８から６５のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
　前記第１及び第２位置の夫々は、前記荷電粒子光学系の焦点深度の範囲内に含まれる
　請求項６６に記載の荷電粒子装置。
　前記光軸方向に沿った前記第１位置と前記第２位置との間の距離は、０．１ナノメートルから２マイクロメートルである
　請求項６６又は６７に記載の荷電粒子装置。
　前記検出装置が前記荷電粒子を検出し前記検出装置の検出結果に基づいて前記試料の表面の像を生成する都度、前記荷電粒子光学系に対して前記試料の表面が前記光軸方向に沿って移動するように前記相対的な位置関係を変更した上で、前記検出装置に前記荷電粒子を再度検出させる
　請求項５８から６８のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
　前記検出装置が前記荷電粒子を検出し前記検出装置の検出結果に基づいて前記試料の表面の像を生成する都度、前記荷電粒子ビームのフォーカス位置を固定したまま前記荷電粒子光学系に対して前記試料の表面が前記光軸方向に沿って移動するように前記相対的な位置関係を変更した上で、前記検出装置に前記荷電粒子を再度検出させる
　請求項５８から６９のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
　前記検出装置が前記荷電粒子を検出し前記検出装置の検出結果に基づいて前記試料の表面の像を生成する都度、前記荷電粒子ビームのフォーカス位置を変更すると共に前記荷電粒子光学系に対して前記試料の表面が前記光軸方向に沿って移動するように前記相対的な位置関係を変更した上で、前記検出装置に前記荷電粒子を再度検出させる
　請求項５８から７０のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
　前記検出装置が前記荷電粒子を検出する都度、前記荷電粒子光学系に対して前記試料の表面が前記光軸方向に沿って所定量ずつ移動するように前記相対的な位置関係を変更する
　請求項６９から７１のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
　前記所定量は、０．１ナノメートルから２マイクロメートルである
　請求項７２に記載の荷電粒子装置。
　前記試料情報は、前記試料の表面の構造に関する構造情報を含む
　請求項５８から７３のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
　前記構造情報は、前記荷電粒子光学系の光軸方向に沿った前記試料の表面の位置に関する情報を含む
　請求項７４に記載の荷電粒子装置。
　前記構造情報は、前記光軸と交差する方向における位置毎の前記荷電粒子光学系の光軸方向に沿った前記試料の表面の位置に関する情報を含む
　請求項７４又は７５に記載の荷電粒子装置。
　前記構造情報は、前記試料の表面の３次元プロファイルに関する情報を含む
　請求項７４から７６のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
　前記荷電粒子光学系は、前記荷電粒子ビームの前記試料の表面への入射角度を変更可能である
　請求項５８から７７のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
　前記荷電粒子光学系は、前記試料の表面に対して前記荷電粒子ビームが斜入射するように前記入射角度を変更する
　請求項７８に記載の荷電粒子装置。
　前記位置変更装置は、前記光軸方向に沿って前記荷電粒子光学系を移動可能な光学系移動装置を含む
　請求項５８から７９のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
　前記位置変更装置は、前記光軸方向に沿って前記試料を移動可能な試料移動装置を含む
　請求項５８から８０のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
　前記荷電粒子光学系は、物体の表面と前記荷電粒子光学系との間における前記荷電粒子ビームの経路に真空領域を形成する真空形成部材を含む
　請求項５８から８１のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
　前記物体の前記面は、前記試料の表面の少なくとも一部を含む
　請求項８２に記載の荷電粒子装置。
　前記物体の前記面は、前記試料を保持する保持部材の表面の少なくとも一部を含む
　請求項８２に記載の荷電粒子装置。
　前記物体の前記面は、前記試料と前記真空形成部材との間に配置される部材の表面の少なくとも一部を含む
　請求項８２に記載の荷電粒子装置。
　前記荷電粒子ビームの経路以外の領域の少なくとも一部は大気圧環境である
　請求項５８から８５のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
　前記荷電粒子光学系を複数有する
　請求項１から３５４６及び５８から８６のいずれか一項に記載の荷電粒子装置。
　前記複数の荷電粒子光学系のそれぞれから前記試料の表面に前記荷電粒子ビームを照射して、前記試料の表面の複数の位置における前記試料情報を取得可能である
　請求項８７に記載の荷電粒子装置。
　前記複数の荷電粒子光学系の光軸は互いに平行である
　請求項８７又は８８に記載の荷電粒子装置。
　試料に関する試料情報を取得する情報取得方法であって、
　前記試料の表面に荷電粒子光学系を介して荷電粒子ビームを照射することと、
　前記荷電粒子光学系の光軸方向に沿った前記荷電粒子光学系と前記試料との相対的な位置関係を変更することと、
　前記荷電粒子光学系と前記試料との前記荷電粒子光学系の光軸方向に沿った相対的な位置関係が第１の状態で前記荷電粒子ビームが照射された前記試料から放出された荷電粒子を検出し、前記光軸方向に沿った相対的な位置関係が前記第１の状態とは異なる第２の状態で前記荷電粒子を検出することと、
　前記荷電粒子の検出結果に基づいて前記試料情報を求めることと
　を含む情報取得方法。