WO2020179033A1 - 表示装置、表示装置の製造方法 - Google Patents

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display device
layer
light emitting
film
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昌行 兼弘
仲西　洋平
弘毅 今林
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シャープ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a display device and a method for manufacturing the display device.
  • Patent Document 1 describes that in a top-emission type organic EL display device, a semitransparent metal thin film such as a magnesium-silver alloy or a translucent metal oxidation such as ITO is attached to a second electrode (cathode) which is an upper electrode. A configuration using an object thin film is disclosed.
  • a semitransparent metal thin film such as a magnesium-silver alloy or a translucent metal oxidation such as ITO is attached to a second electrode (cathode) which is an upper electrode.
  • Patent Document 1 when a semi-transparent metal thin film such as a magnesium-silver alloy is used, the light transmittance is low, and a part of the light is reflected to cause a cavity effect, which deteriorates the visual characteristics. Can cause problems. On the other hand, when a translucent metal oxide thin film such as ITO is used, for example, there is a problem that the light emitting layer or the like is damaged during the film formation by sputtering and the light emitting characteristics are deteriorated. ..
  • a display device is a display device including a display region and a frame region around the display region, the display device including a TFT layer and a first electrode, a light emitting layer, and a second electrode. And a sealing layer that includes an organic film and seals the light emitting element layer, the second electrode being common to the plurality of light emitting elements.
  • the electrode includes a mesh-shaped metal nanowire.
  • the present invention it is possible to realize a display device capable of improving viewing angle characteristics while preventing deterioration of light emitting characteristics.
  • FIG. 1A is a schematic diagram showing the configuration of the display device of the first embodiment
  • FIG. 1B is a sectional view showing the configuration of the display device of the first embodiment
  • FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a structure of an EL layer.
  • FIG. 2A is a photograph showing the configuration of the second electrode
  • FIG. 2B is a perspective view showing the configuration of the second electrode
  • FIGS. 4A and 4B are graphs showing the effect of the second electrode (metal nanowire electrode) when the light emitting element has a quantum dot light emitting layer.
  • FIG. 7 is a flowchart showing a method for manufacturing the display device.
  • FIG. 6A is a plan view showing the configuration of the display device according to the first embodiment, and FIG. 6B is a sectional view of the edge.
  • FIG. 7A is a plan view showing Modification 1 of FIG. 6, and FIG. 7B is a sectional view of the edge.
  • FIG. 8A is a plan view showing Modification 2 of FIG. 6, and FIG. 8B is a sectional view of the edge.
  • 9A is a plan view showing Modification 3 of FIG. 6, and FIG. 9B is a cross-sectional view of the edge.
  • FIG. 10A is a schematic perspective view showing the configuration of the second electrode in the second embodiment, and FIG. 10B is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the light emitting element of the second embodiment.
  • FIG. 10C is a graph showing the effect of the configuration of FIGS. 10A and 10B.
  • “same layer” means that they are formed in the same process (film forming step), and “lower layer” means that they are formed in a process prior to the layer to be compared. And “upper layer” means that it is formed in a process after the layer to be compared.
  • FIG. 1 (a) is a schematic view showing the configuration of the display device of the first embodiment
  • FIG. 1 (b) is a cross-sectional view showing the configuration of the display device of the first embodiment
  • FIG. 1 (c) is a cross-sectional view.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing a structure of an EL layer.
  • the barrier layer 3, the TFT layer 4, the top emission type light emitting element layer 5, and the sealing layer 6 are provided in this order on the base material 12, and a plurality of sub-pixels SP are formed in the display area DA.
  • the frame area NA surrounding the display area DA is composed of four edge Fa to Fd, and a terminal portion TA for mounting an electronic circuit board (IC chip, FPC, etc.) is formed on the edge Fd.
  • the terminal portion TA includes a plurality of terminals TM1 and TM2.
  • a driver circuit (not shown) can be formed on each edge Fa to Fd.
  • the base material 12 may be a glass substrate or a flexible substrate including a resin film such as polyimide.
  • a flexible substrate can also be constituted by two layers of resin films and an inorganic insulating film sandwiched between them.
  • a film such as PET may be attached to the lower surface of the base material 12.
  • a flexible substrate may be used as the base material 12 to form the flexible (flexible) display device 2.
  • the barrier layer 3 is a layer that prevents foreign matters such as water and oxygen from entering the TFT layer 4 and the light emitting element layer 5, and is formed by, for example, a CVD method, which is a silicon oxide film, a silicon nitride film, or an oxynitride film. It can be composed of a silicon film or a laminated film thereof.
  • the TFT (thin film) layer 4 has a semiconductor layer (including the semiconductor film 15) above the barrier layer 3 and an inorganic insulating film 16 (gate insulating film) above the semiconductor layer. ), a first metal layer (including the gate electrode GE) above the inorganic insulating film 16, an inorganic insulating film 18 above the first metal layer, and a second metal layer above the inorganic insulating film 18. From the (including the capacitive electrode CE), the inorganic insulating film 20 above the second metal layer, the third metal layer (including the data signal line DL) above the inorganic insulating film 20, and the third metal layer. Also includes an upper planarization film 21.
  • the semiconductor layer is composed of, for example, amorphous silicon, LTPS (low temperature polysilicon), or an oxide semiconductor, and the thin film transistor TR is composed so as to include the gate electrode GE and the semiconductor film 15.
  • the display area DA is provided with a light emitting element X and a pixel circuit for each sub-pixel SP, and the TFT layer 4 is provided with this pixel circuit and wirings connected thereto.
  • the wirings connected to the pixel circuit for example, the scanning signal line GL and the emission control line EM formed in the first metal layer, the initialization power supply line IL formed in the second metal layer, and the third metal layer are formed.
  • the pixel circuit includes a drive transistor that controls the current of the light emitting element, a write transistor that is electrically connected to the scanning signal line, a light emission control transistor that is electrically connected to the light emission control line, and the like.
  • the first metal layer, the second metal layer, and the third metal layer are composed of, for example, a single-layer film or a multi-layer film of a metal containing at least one of aluminum, tungsten, molybdenum, tantalum, chromium, titanium, and copper. To be done.
  • the inorganic insulating films 16, 18, and 20 can be formed of, for example, a silicon oxide (SiOx) film, a silicon nitride (SiNx) film, or a laminated film thereof formed by a CVD method.
  • the flattening film 21 can be made of a coatable organic material such as polyimide or acrylic resin.
  • the light emitting element layer 5 includes a first electrode (anode) 22 above the flattening film 21, an insulating edge cover film 23 covering the edge of the first electrode 22, and an EL (EL) above the edge cover film 23.
  • the electroluminescent layer 24 and the second electrode 25, which is a layer above the EL layer 24, are included.
  • the edge cover film 23 is formed, for example, by applying an organic material such as polyimide or acrylic resin and then patterning it by photolithography.
  • each light emitting element has an island-shaped first electrode 22,
  • the EL layer 24 (including the light emitting layer) and the second electrode 25 are included.
  • the second electrode 25 is a solid common electrode common to a plurality of light emitting elements.
  • the light emitting elements Xr, Xg, and Xb may be, for example, OLEDs (organic light emitting diodes) that include organic layers as light emitting layers, or QLEDs (quantum dot light emitting diodes) that include quantum dot layers as light emitting layers. Good.
  • OLEDs organic light emitting diodes
  • QLEDs quantum dot light emitting diodes
  • the EL layer 24 is formed by stacking a hole injection layer 24a, a hole transport layer 24b, a light emitting layer 24c, an electron transport layer 24d, and an electron injection layer 24e in this order from the lower layer side. Composed of.
  • the EL layer 24 may be provided with an electron blocking layer and a hole blocking layer.
  • the light emitting layer is formed in an island shape in the opening (for each sub pixel) of the edge cover 23 by a vapor deposition method, an inkjet method, or a photolithography method.
  • the other layers are formed in an island shape or a solid shape (common layer). It is also possible to adopt a configuration in which one or more layers out of the hole injection layer, the hole transport layer, the electron transport layer, and the electron injection layer are not formed (described later).
  • FIG. 1 shows a configuration in which the anode (first electrode 22), the EL layer 24, and the cathode (second electrode 25) are provided in this order from the TFT layer 4 side
  • the present invention is not limited to this.
  • the structure may be such that the cathode, the EL layer 24, and the anode are provided in this order from the TFT layer 4 side.
  • the EL layer 24 is configured by stacking an electron injection layer 24e, an electron transport layer 24d, a light emitting layer 24c, a hole transport layer 24b, and a hole injection layer 24a in order from the lower layer side.
  • the FMM fine metal mask is used when forming the organic layer (light emitting layer) of the OLED by vapor deposition.
  • the FMM is a sheet having a large number of openings (for example, made of Invar material), and an organic material passing through one opening forms an island-shaped organic layer (corresponding to one subpixel).
  • the QLED quantum dot layer (light emitting layer) is formed by, for example, applying a solution in which quantum dots are dispersed in a solvent and patterning the QLED using an inkjet method or a photolithography method to form an island-shaped quantum dot layer (one sub). (Corresponding to pixels) can be formed.
  • the first electrode 22 is made of, for example, a stack of ITO (Indium Tin Oxide) and Ag (silver) or an alloy containing Ag, and has light reflectivity.
  • the 2nd electrode 25 (cathode) is comprised so that a metal nanowire (for example, silver nanowire) may be included as mentioned later, and has high light transmittance.
  • the light emitting elements Xr, Xg, and Xb are OLEDs
  • holes and electrons are recombined in the light emitting layer by the driving current between the first electrode 22 and the second electrode 25, and excitons generated thereby transition to the ground state.
  • Light is emitted during the process. Since the second electrode 25 has a high light-transmitting property and the first electrode 22 has a light-reflecting property, the light emitted from the EL layer 24 goes upward and becomes a top emission.
  • the light emitting elements Xr, Xg, and Xb are QLEDs, holes and electrons are recombined in the light emitting layer by the driving current between the first electrode 22 and the second electrode 25, and excitons generated by the recombination generate quantum dots.
  • Light (fluorescence) is emitted in the process of transition from the conduction band level to the valence band level.
  • the light emitting element layer 5 may be formed with a light emitting element (inorganic light emitting diode or the like) other than the above-mentioned OLED and QLED.
  • the sealing layer 6 is transparent, and has an inorganic sealing film 26 formed directly on the second electrode 25 (contacting the second electrode 25), and an organic film 27 above the inorganic sealing film 26. , And an inorganic sealing film 28 that is an upper layer than the organic film 27.
  • the sealing layer 6 covering the light emitting element layer 5 prevents foreign matter such as water and oxygen from penetrating into the light emitting element layer 5.
  • the organic film 27 has a flattening effect and a light-transmitting property, and can be formed, for example, by inkjet coating using an applicable organic material.
  • the inorganic sealing films 26 and 28 are inorganic insulating films, and can be composed of, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or a laminated film thereof formed by a CVD method.
  • the functional film 39 has at least one of an optical compensation function, a touch sensor function, a protection function, and the like.
  • FIG. 2A is a photograph showing the configuration of the second electrode
  • FIG. 2B is a perspective view showing the configuration of the second electrode
  • FIG. 2C is a schematic view of the length of the metal nanowire. It is a figure.
  • FIG. 3 is a graph showing the effect of the first embodiment.
  • the light reflectance (RB) of the second electrode 25 is lower than the light reflectance (Rb) of the silver thin film electrode to be compared in the wavelength region of 380 (nm) to 780 (nm), and is 400 (nm). ) To 780 (nm), it can be seen that it is less than 15%.
  • the second electrode 25 which is the common electrode
  • the mesh-shaped silver nanowire NW it is possible to improve the light extraction efficiency in the top emission structure and obtain good visual characteristics.
  • the number of silver nanowire overlapping layers of the second electrode 25 is 2 to 8 layers, preferably 3 to 6 layers.
  • the diameter ( ⁇ ) of the silver nanowire is 5 to 100 (nm), preferably 10 to 80 (nm), and more preferably 20 to 50 (nm).
  • the length (trace length) of the silver nanowire is 1 to 100 ( ⁇ m), preferably 5 to 50 ( ⁇ m), and more preferably 8 to 30 ( ⁇ m). Note that these values can be obtained by observation with a scanning electron microscope or the like.
  • the electrical resistance (surface resistance) of the silver nanowire is 5 to 200 ( ⁇ /Sq), preferably 10 to 100 ( ⁇ /Sq), and more preferably 10 to 50 ( ⁇ /Sq).
  • the length (average trace length) of the metal nanowire such as the silver nanowire NW may be smaller than the distance (terminal gap width) Pc between the adjacent terminals TM1 and TM2 of the terminal portion, as shown in FIG. 2C. desirable. This makes it possible to prevent the occurrence of a short circuit between the terminals TM1 and TM2 due to the metal nanowire, even if the metal nanowire mixes into the terminal portion when the second electrode is formed.
  • Ag is used as the material of the metal nanowire of the second electrode, but the material is not limited to this. It may be a single metal nanowire made of any one of Au, Al, and Cu, or an alloy nanowire containing two or more of Ag, Au, Al, and Cu.
  • FIG. 4A and 4B are graphs showing the effect of the second electrode (metal nanowire electrode) when the light emitting element has a quantum dot light emitting layer.
  • the characteristics when the quantum dot light emitting layer and the second electrode (metal nanowire electrode) 25 are combined red characteristic FR, green characteristic FR, green.
  • the characteristics FG and blue characteristics FB) are compared with the characteristics (red characteristics Fr, green characteristics Fg, blue characteristics Fb) when the quantum dot light emitting layer and the silver thin film electrode are combined, in all three colors.
  • the Lambersian orientation characteristic is an ideal light distribution characteristic in which the radiant intensity in the angle ⁇ direction is expressed by cos ⁇ times the radiant intensity on the optical axis, with the vertical front as 0 °.
  • the red emission characteristic Ka is between the electrodes.
  • the cavity effect (resonance effect) of the above adversely affects the peak wavelength and shifts to the long wavelength side to exceed 630 nm and increases to a half-value width of 32 nm.
  • the cavity effect hardly appears. Therefore, a larger effect (that is, an effect of improving the viewing angle characteristic) can be obtained by applying it to a QLED in which the cavity effect is adversely affected.
  • the film thickness of each layer between the first electrode 22 and the second electrode 25 is optimized among the light emitting elements Xr, Xg, and Xb. The Lambertian light distribution can be brought close to each other even if they are not matched, and the film thickness of each layer can be made common. Thereby, the display device 2 having excellent viewing angle characteristics can be easily manufactured.
  • FIG. 5 is a flowchart showing a method of manufacturing the display device 2.
  • step S1 the barrier layer 3 and the TFT layer 4 are formed on the base material 12.
  • step S2 the first electrode 22 is formed on the flattening film 21 by the sputtering method and the photolithography method.
  • step S3 the edge cover film 23 is formed.
  • step S4 an HTL layer (hole transport layer) is formed.
  • step S5 a light emitting layer (for example, a quantum dot light emitting layer) is formed.
  • an ETL layer electron transport layer, for example, zinc oxide nanoparticle layer
  • step S7 silver nanowire ink in which silver nanowires are dispersed in a solvent is applied on the ETL layer.
  • the silver nanowire ink may contain a binder agent, a dispersant, and other additives.
  • the applied silver nanowire ink is dried (solvent removal), and a second electrode 25 composed of a mesh-shaped silver nanowire NW as shown in FIG. 2 is formed on the ETL layer.
  • the material (precursor) of the organic film 27 is applied by inkjet so as to directly cover the second electrode 25, and is cured to form the organic film 27.
  • the inorganic sealing film 28 is formed on the organic film 27.
  • the second electrode 25 is formed by applying and drying the silver nanowire ink, the influence on the light emitting layer (for example, the quantum dot light emitting layer) is affected as compared with the case where the sputtering method and the vapor deposition method are used. It has the advantage of being small. As a result, it is possible to prevent the emission characteristics of the display device 2 from deteriorating.
  • the light emitting layer for example, the quantum dot light emitting layer
  • the second electrode 25 composed of the mesh-shaped silver nanowire NW is more flexible than a general Ag thin film or the like, and thus is suitable as a common electrode of the flexible display device 2.
  • FIG. 6A is a plan view showing the configuration of the display device according to the first embodiment
  • FIG. 6B is a sectional view of the edge.
  • a trench TN is formed in the flattening film 21, and banks BK1 and BK2 defining the end portion of the organic film 27 are provided outside the trench TN.
  • the conductive film AW formed in the same layer as the first electrode 22 in FIG. 1 and made of the same material is formed so as to straddle the trench TN and overlap the outer bank BK2.
  • the edge cover film 23 is penetrated, and the second electrode 25 and the conductive film AW are in contact (electrically connected).
  • the power supply trunk line MW in the same layer as the source line SH in FIG. 1) included in the third metal layer is formed so as to overlap the banks BK1 and BK2.
  • the trench TN surrounds the display area DA
  • the bank BK1 surrounds the trench TN
  • the bank BK2 surrounds the bank BK1.
  • the bank BK1 is a liquid stop structure that is formed of the flattening film 21 and the edge cover film 23 and stops the liquid droplets when the organic sealing film 27 is formed.
  • the bank BK2 is a preliminary one for stopping the droplets that have exceeded the bank BK1.
  • the frame-shaped convex portions Qa and Qb (double structure) formed in the same layer as and the same material as the edge cover film 23, and outside the convex portions Qa and Qb.
  • a plurality of photo spacers PS located in the area of the second electrode 25 are provided, and the convex portion Qb defines the end portion of the second electrode 25. That is, when the silver nanowire ink that is the material of the second electrode 25 is applied, the convex portion Qb serves as a liquid stop.
  • the inner convex portion Qa may define the end portion of the second electrode 25 (becomes a liquid stopper).
  • the photo spacer PS is composed of the edge cover film 23 and has a larger film thickness than the convex portions Qa and Qb.
  • the upper surface of the photo spacer PS serves as a mask contact surface when the vapor deposition film is formed on the first electrode 22 (see FIG. 1) (the convex portions Qa and Qb do not contact the mask).
  • the frame-shaped convex portion is not limited to the double structure and may have a single structure.
  • a contact groove CM1 penetrating the edge cover film 23 and the flattening film 21 is formed inside the bank BK1, and a contact groove CM2 penetrating the edge cover film 23 and the flattening film 21 is formed between the bank BK1 and the bank BK2.
  • the power supply trunk line MW is exposed in the contact grooves CM1 and CM2 and contacts the conductive film AW (the power supply trunk line MW and the conductive film AW are electrically connected).
  • the cathode power supply voltage (ELVSS) is supplied from the power supply main wiring MW to the second electrode 25 via the conductive film AW.
  • FIG. 7A is a plan view showing the first modification of FIG. 6, and FIG. 7B is a cross-sectional view of the edge.
  • the bank BK1 may define the end of the second electrode 25. That is, when the silver nanowire ink is applied, the bank BK1 is used as a liquid stop.
  • the edge of the organic film 27 is defined by the bank BK1, the edge is not limited to this, and the edge of the organic film 27 may be defined by the bank BK2.
  • a frame-shaped bank surrounding the bank BK2 may be provided outside the bank BK2 (panel edge side).
  • FIG. 8A is a plan view showing the second modification of FIG. 6, and FIG. 8B is a cross-sectional view of the edge.
  • the trench TN may define the end of the second electrode 25. That is, when the silver nanowire ink is applied, the trench TN is filled with the silver nanowire ink to serve as a liquid stopper.
  • FIG. 9A is a plan view showing Modification 3 of FIG. 6, and FIG. 9B is a cross-sectional view of the edge.
  • a convex portion that defines the end of the second electrode 25 without providing a trench at the center of the edge Fd that includes the terminal portion TA.
  • Qa and Qb may be provided, and the trench TN may define the end of the second electrode 25 on the remaining three edges.
  • the trench TN is provided so as to surround a part of one side along the terminal portion TA and all the other three sides of the four sides of the display area DA, and the trench of the end portion of the second electrode 25 is the above-mentioned.
  • a part is defined by the convex portion Qb and another part is defined by the trench TN.
  • a portion of the end portion of the second electrode 25 along the three sides is defined by a trench TN.
  • FIG. 10A is a schematic perspective view showing the configuration of the second electrode according to the second embodiment
  • FIG. 10B is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the light emitting element according to the second embodiment.
  • FIG. 10C is a graph showing the effect of the configuration of FIGS. 10A and 10B.
  • the second electrode 25 may include silver nanowires and zinc oxide (ZnO) nanoparticles as an electron transport material.
  • ZnO zinc oxide
  • a second electrode 25 in which silver nanowires and zinc oxide nanoparticles are mixed can be obtained by applying and drying the mixed solution in which the silver nanowire dispersion and the zinc oxide nanoparticles dispersion are mixed at a desired ratio and stirred.
  • the silver nanowires NW are arranged three-dimensionally at random, and the silver nanowires NW pass through the gaps between the zinc oxide nanoparticles NP (average particle size 1 to 30 nm).
  • the first electrode 22 (anode), the HTL layer 24b, the light emitting layer 24c (for example, quantum dot light emitting layer) and the second electrode (common cathode) are the same.
  • the structure is provided in order.
  • the contact area between the silver nanowire NW and the zinc oxide nanoparticles NP that is the electron transport material in the second electrode 25 increases, so that the current density increases as shown in FIG.
  • the external quantum effect UB normalized value with respect to the reference value
  • the ETL layer zinc oxide nanoparticles
  • standardized external quantum efficiency of a light emitting element having a general silver thin film cathode It can be seen that it is significantly improved as compared with Ua (standardized value with respect to the standard value).
  • the number of steps can be reduced as compared with the case where the ETL layer and the second electrode (common cathode) are formed in separate steps.
  • the volume ratio of the metal nanowires NW to the ZnO nanoparticles NP is preferably 1/49 to 1/9, and more preferably 1/25 to 1/15.
  • a display device comprising a display area and a frame area around the display area, TFT layer, A light emitting element layer each containing a first electrode, a light emitting layer, and a second electrode, and a plurality of light emitting elements having different emission colors are formed.
  • a sealing layer that includes an organic film and seals the light emitting element layer is provided,
  • the second electrode is an electrode common to the plurality of light emitting elements, and is a display device including mesh-shaped metal nanowires.
  • a flattening film is included in the TFT layer, In the frame region, a trench is formed in the flattening film,
  • the display device according to, for example, the first aspect, wherein a bank defining an end portion of the organic film is provided outside the trench.
  • a convex portion located between the trench and the bank in a plan view is formed in a frame shape so as to surround the display area.
  • the light emitting element layer includes an edge cover film covering the edge of the first electrode on the flattening film.
  • the display device according to any one of aspects 3 to 5, for example, wherein the convex portion is formed of the same layer and the same material as the edge cover film.
  • a conductive film formed in the same layer as the first electrode and made of the same material is provided so as to straddle the trench.
  • a trunk wiring is provided under the flattening film,
  • the flattening film is provided with a contact groove for exposing the trunk wiring on the display region side of the bank.
  • the display device according to any one of aspects 2 to 7, for example, wherein the second electrode is electrically connected to the trunk wiring.
  • a terminal portion including a plurality of terminals is provided in the frame area,
  • the trench is provided so as to surround a part of one side along the terminal portion and all the other three sides of the four sides of the display area.
  • a part of the end portion of the second electrode along the one side is defined by the convex portion, and another portion is defined by the trench.
  • the display device according to, for example, the third aspect, wherein the portion of the end portion of the second electrode along the three sides is defined by the trench.
  • a terminal portion including a plurality of terminals is provided in the frame area, 13.
  • the first electrode is an anode
  • the second electrode is a cathode
  • a method of manufacturing a display device comprising a sealing layer to A method for manufacturing a display device, which comprises a step of forming the second electrode by applying an ink in which metal nanowires are dispersed in a solvent and removing the solvent.

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Abstract

表示領域およびその周囲の額縁領域を備える表示装置であって、ＴＦＴ層と、それぞれが第１電極、発光層、および第２電極を含み、発光色が互いに異なる複数の発光素子が形成された発光素子層と、有機膜を含み、前記発光素子層を封止する封止層と、が設けられ、第２電極（２５）は、前記複数の発光素子に共通する電極であり、メッシュ状の金属ナノワイヤ（ＮＷ）を含む。

Description

表示装置、表示装置の製造方法
　本発明は、表示装置および表示装置の製造方法に関する。
　特許文献１には、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置において、上部電極である第２電極（陰極）に、マグネシウム銀合金等の半透光性の金属薄膜あるいはＩＴＯ等の透光性の金属酸化物薄膜を用いる構成が開示されている。
日本国公開特許公報「特開２０１７－１８３５１０（２０１７年１０月５日）公開」
　特許文献１の構成では、マグネシウム銀合金等の半透光性の金属薄膜を用いた場合には光の透過率が低く、一部の光が反射してキャビティ効果が生じることで視覚特性が悪化するという問題を生じることがある。一方、ＩＴＯ等の透光性の金属酸化物薄膜を用いた場合には、例えば、そのスパッタ成膜時に発光層などへのダメージが生じて、発光特性の低下を招くという問題を生じることがある。
　本発明の一実施形態にかかる表示装置は、表示領域およびその周囲の額縁領域を備える表示装置であって、ＴＦＴ層と、それぞれが第１電極、発光層、および第２電極を含み、発光色が互いに異なる複数の発光素子が形成された発光素子層と、有機膜を含み、前記発光素子層を封止する封止層とが設けられ、前記第２電極は、前記複数の発光素子に共通する電極であり、メッシュ状の金属ナノワイヤを含む。
　本発明の一態様によれば、発光特性が低下するのを防ぎつつ、視角特性を改善することができる表示装置を実現することができる。
図１（ａ）は、実施形態１の表示装置の構成を示す模式図であり、図１（ｂ）は、実施形態１の表示装置の構成を示す断面図であり、図１（ｃ）は、ＥＬ層の構成を示す断面図である。 図２（ａ）は、第２電極の構成を示す写真であり、図２（ｂ）は、第２電極の構成を示す斜視図であり、図２（ｃ）は金属ナノワイヤの長さに関する模式図である。 実施形態１の効果を示すグラフである。 図４（ａ）（ｂ）は、発光素子が量子ドット発光層を有する場合の第２電極（金属ナノワイヤ電極）の効果を示すグラフである。 表示装置の製造方法を示すフローチャートである。 図６（ａ）は、実施形態１の表示装置の構成を示す平面図であり、図６（ｂ）は、辺縁の断面図である。 図７（ａ）は図６の変形例１を示す平面図であり、図７（ｂ）は、辺縁の断面図である。 図８（ａ）は図６の変形例２を示す平面図であり、図８（ｂ）は、辺縁の断面図である。 図９（ａ）は図６の変形例３を示す平面図であり、図９（ｂ）は、辺縁の断面図である。 図１０（ａ）は、実施形態２での第２電極の構成を示す模式的な斜視図であり、図１０（ｂ）は、実施形態２の発光素子の構成を示す模式断面図であり、図１０（ｃ）は、図１０（ａ）（ｂ）の構成の効果を示すグラフである。
　〔実施形態１〕
　以下においては、「同層」とは同一のプロセス（成膜工程）にて形成されていることを意味し、「下層」とは、比較対象の層よりも先のプロセスで形成されていることを意味し、「上層」とは比較対象の層よりも後のプロセスで形成されていることを意味する。
　図１（ａ）は、実施形態１の表示装置の構成を示す模式図であり、図１（ｂ）は、実施形態１の表示装置の構成を示す断面図であり、図１（ｃ）は、ＥＬ層の構成を示す断面図である。
　表示装置２では、基材１２上に、バリア層３、ＴＦＴ層４、トップエミッション型の発光素子層５、および封止層６がこの順に設けられ、表示領域ＤＡに複数のサブ画素ＳＰが形成される。表示領域ＤＡを取り囲む額縁領域ＮＡは４つの辺縁Ｆａ～Ｆｄからなり、辺縁Ｆｄには、電子回路基板（ＩＣチップ、ＦＰＣ等）をマウントするための端子部ＴＡが形成される。端子部ＴＡには、複数の端子ＴＭ１・ＴＭ２が含まれる。各辺縁Ｆａ～Ｆｄにはドライバ回路（図示せず）を形成することができる。
　基材１２は、ガラス基板でもよいし、ポリイミド等の樹脂膜を含む可撓性基板でもよい。２層の樹脂膜およびこれらに挟まれた無機絶縁膜によって可撓性基板を構成することもできる。基材１２の下面にＰＥＴ等のフィルムを貼ってもよい。基材１２に可撓性基板を用い、可撓性を有する（フレキシブルな）表示装置２を形成することもできる。
　バリア層３は、水、酸素等の異物がＴＦＴ層４および発光素子層５に侵入することを防ぐ層であり、例えば、ＣＶＤ法により形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。
　図１（ｂ）に示すように、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）層４は、バリア層３よりも上層の半導体層（半導体膜１５を含む）と、半導体層よりも上層の無機絶縁膜１６（ゲート絶縁膜）と、無機絶縁膜１６よりも上層の第１金属層（ゲート電極ＧＥを含む）と、第１金属層よりも上層の無機絶縁膜１８と、無機絶縁膜１８よりも上層の第２金属層（容量電極ＣＥを含む）と、第２金属層よりも上層の無機絶縁膜２０と、無機絶縁膜２０よりも上層の第３金属層（データ信号線ＤＬを含む）と、第３金属層よりも上層の平坦化膜２１とを含む。
　半導体層は、例えば、アモルファスシリコン、ＬＴＰＳ（低温ポリシリコン）、または酸化物半導体で構成され、ゲート電極ＧＥおよび半導体膜１５を含むように、薄膜トランジスタＴＲが構成される。
　表示領域ＤＡには、サブ画素ＳＰごとに発光素子Ｘおよび画素回路が設けられ、ＴＦＴ層４には、この画素回路およびこれに接続する配線が形成される。画素回路に接続する配線としては、例えば、第１金属層に形成される、走査信号線ＧＬおよび発光制御線ＥＭ、第２金属層に形成される初期化電源線ＩＬ、第３金属層に形成される、データ信号線ＤＬおよび高電圧側電源線ＰＬ等が挙げられる。画素回路には、発光素子の電流を制御する駆動トランジスタ、走査信号線と電気的に接続する書き込みトランジスタ、および発光制御線に電気的に接続する発光制御トランジスタ等が含まれる。
　第１金属層、第２金属層、および第３金属層は、例えば、アルミニウム、タングステン、モリブデン、タンタル、クロム、チタン、および銅の少なくとも１つを含む金属の単層膜あるいは複層膜によって構成される。
　無機絶縁膜１６・１８・２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。平坦化膜２１は、例えば、ポリイミド、アクリル樹脂等の塗布可能な有機材料によって構成することができる。
　発光素子層５は、平坦化膜２１よりも上層の第１電極（陽極）２２と、第１電極２２のエッジを覆う絶縁性のエッジカバー膜２３と、エッジカバー膜２３よりも上層のＥＬ（エレクトロルミネッセンス）層２４と、ＥＬ層２４よりも上層の第２電極２５とを含む。エッジカバー膜２３は、例えば、ポリイミド、アクリル樹脂等の有機材料を塗布した後にフォトリソグラフィよってパターニングすることで形成される。
　発光素子層５には、発光色が互いに異なる、発光素子Ｘｒ（赤色）、発光素子Ｘｇ（緑色）および発光素子Ｘｂ（青色）が形成され、各発光素子が、島状の第１電極２２、ＥＬ層２４（発光層を含む）、および第２電極２５を含む。第２電極２５は、複数の発光素子で共通する、ベタ状の共通電極である。
　発光素子Ｘｒ・Ｘｇ・Ｘｂは、例えば、発光層として有機層を含むＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）であってもよいし、発光層として量子ドット層を含むＱＬＥＤ（量子ドット発光ダイオード）であってもよい。
　ＥＬ層２４は、例えば図１（ｃ）に示すように、下層側から順に、正孔注入層２４ａ、正孔輸送層２４ｂ、発光層２４ｃ、電子輸送層２４ｄ、電子注入層２４ｅを積層することで構成される。ＥＬ層２４に、電子ブロッキング層、正孔ブロッキング層を設けてもよい。発光層は、蒸着法あるいはインクジェット法、フォトリソグラフィ法によって、エッジカバー２３の開口（サブ画素ごと）に、島状に形成される。他の層は、島状あるいはベタ状（共通層）に形成する。また、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のうち１以上の層を形成しない構成とすることもできる（後述）。
　図１では、ＴＦＴ層４側から、陽極（第１電極２２）、ＥＬ層２４、陰極（第２電極２５）の順に設けられる構成を示したが、これに限定されない。ＴＦＴ層４側から、陰極、ＥＬ層２４、陽極の順に設けられる構成でもよい。この場合、ＥＬ層２４は、下層側から順に、電子注入層２４ｅ、電子輸送層２４ｄ、発光層２４ｃ、正孔輸送層２４ｂ、正孔注入層２４ａを積層することで構成される。
　ＯＬＥＤの有機層（発光層）を蒸着形成する場合は、ＦＭＭ（ファインメタルマスク）を用いる。ＦＭＭは多数の開口を有するシート（例えば、インバー材製）であり、１つの開口を通過した有機物質によって島状の有機層（１つのサブ画素に対応）が形成される。
　ＱＬＥＤの量子ドット層（発光層）は、例えば、溶媒中に量子ドットが分散する溶液を塗布し、インクジェット法またはフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることで、島状の量子ドット層（１つのサブ画素に対応）を形成することができる。
　第１電極２２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とＡｇ（銀）あるいはＡｇを含む合金との積層によって構成され、光反射性を有する。第２電極２５（陰極）は、後述のように、金属ナノワイヤ（例えば、銀ナノワイヤ）を含むように構成され、高い光透過性を有する。
　発光素子Ｘｒ・Ｘｇ・ＸｂがＯＬＥＤである場合、第１電極２２および第２電極２５間の駆動電流によって正孔と電子が発光層内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に遷移する過程で光が放出される。第２電極２５が高い透光性を有し、第１電極２２が光反射性であるため、ＥＬ層２４から放出された光は上方に向かい、トップエミッションとなる。
　発光素子Ｘｒ・Ｘｇ・ＸｂがＱＬＥＤである場合、第１電極２２および第２電極２５間の駆動電流によって正孔と電子が発光層内で再結合し、これによって生じたエキシトンが、量子ドットの伝導帯準位（conduction band）から価電子帯準位（valence band）に遷移する過程で光（蛍光）が放出される。
　発光素子層５には、前記のＯＬＥＤ、ＱＬＥＤ以外の発光素子（無機発光ダイオード等）を形成してもよい。
　封止層６は透光性であり、第２電極２５上に直接形成される（第２電極２５と接触する）無機封止膜２６と、無機封止膜２６よりも上層の有機膜２７と、有機膜２７よりも上層の無機封止膜２８とを含む。発光素子層５を覆う封止層６は、水、酸素等の異物の発光素子層５への浸透を防いでいる。
　有機膜２７は、平坦化効果と透光性を有し、塗布可能な有機材料を用いて、例えばインクジェット塗布によって形成することができる。無機封止膜２６・２８は無機絶縁膜であり、例えば、ＣＶＤ法により形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。
　機能フィルム３９は、光学補償機能、タッチセンサ機能、保護機能等の少なくとも１つを有する。
　図２（ａ）は、第２電極の構成を示す写真であり、図２（ｂ）は、第２電極の構成を示す斜視図であり、図２（ｃ）は金属ナノワイヤの長さに関する模式図である。図３は実施形態１の効果を示すグラフである。
　実施形態１では、上部電極である第２電極２５が、図２（ａ）（ｂ）に示すような、メッシュ状の銀ナノワイヤＮＷで構成されるため、図３に示すように、第２電極２５（銀ナノワイヤの直径＝２５ｎｍ、最大重なり層数＝５層）の光透過率（ＣＡ）が、３８０（ｎｍ）～７８０（ｎｍ）の波長領域において、比較対象である銀薄膜電極（厚み２０ｎｍ）の光透過率（Ｃａ）よりも高く、４００（ｎｍ）～７８０（ｎｍ）の波長領域では８０％を越えることがわかる。また、第２電極２５の光反射率（ＲＢ）は、３８０（ｎｍ）～７８０（ｎｍ）の波長領域において、比較対象である銀薄膜電極の光反射率（Ｒｂ）よりも低く、４００（ｎｍ）～７８０（ｎｍ）の波長領域では１５％未満であることがわかる。
　以上から、共通電極である第２電極２５をメッシュ状の銀ナノワイヤＮＷで構成することで、トップエミッション構造における光の取り出し効率の向上、および良好な視覚特性を得ることができる。
　なお、第２電極２５の銀ナノワイヤ重なり層数は、２～８層、好適には３～６層である。銀ナノワイヤの直径（Φ）は、５～１００（ｎｍ）、好適には１０～８０（ｎｍ）、より好適には２０～５０（ｎｍ）である。銀ナノワイヤの長さ（トレース長）は、１～１００（μｍ）、好適には５～５０（μｍ）、より好適には８～３０（μｍ）である。なお、これらの値は走査型電子顕微鏡などの観察により得ることができる。銀ナノワイヤの電気抵抗（表面抵抗）は、５～２００（Ω／Ｓｑ）、好適には１０～１００（Ω／Ｓｑ）、より好適には１０～５０（Ω／Ｓｑ）である。
　銀ナノワイヤＮＷ等の金属ナノワイヤの長さ（平均トレース長）は、図２（ｃ）に示すように、端子部の隣り合う端子ＴＭ１・ＴＭ２間の距離（端子間隙幅）Ｐｃよりも小さいことが望ましい。こうすれば、第２電極形成時に金属ナノワイヤが端子部に混入しても、当該金属ナノワイヤによる端子ＴＭ１・ＴＭ２間の短絡の発生を防止することができる。
　実施形態１では、第２電極の金属ナノワイヤの材料としてＡｇを用いているが、これに限定されない。Ａｕ、Ａｌ、およびＣｕのいずれか１つからなる単一金属のナノワイヤでもよいし、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、およびＣｕのうちの２以上を含む合金のナノワイヤでもよい。
　図４（ａ）（ｂ）は、発光素子が量子ドット発光層を有する場合の第２電極（金属ナノワイヤ電極）の効果を示すグラフである。図４（ａ）に示すように、極角と規格化発光強度の特性について、量子ドット発光層と第２電極（金属ナノワイヤ電極）２５とを組み合わせた場合の特性（赤色の特性ＦＲ、緑色の特性ＦＧ、青色の特性ＦＢ）は、量子ドット発光層と銀薄膜電極とを組み合わせた場合の特性（赤色の特性Ｆｒ、緑色の特性Ｆｇ、青色の特性Ｆｂ）と比較して、３色全てにおいてランバーシアン(Lambertian)配光特性ＦＳに近づいていることがわかる（キャリア注入層、キャリア輸送層および発光層の厚みは色間で共通化している）。ランバーシアン配向特性とは、垂直正面を０°として、角度θ方向の放射強度が光軸上の放射強度のcosθ倍で表される、理想的な配光特性である。
　図４（ｂ）に示すように、量子ドット発光層（赤色発光　例えば、ＰＬピーク波長６２０ｎｍ　半値幅２５ｎｍ）と光反射率の大きな銀薄膜電極とを組み合わせた場合の赤色発光特性Ｋａでは、電極間のキャビティ効果（共振効果）が悪影響となり、ピーク波長が長波長側にシフトして６３０ｎｍを越え、かつ半値幅３２ｎｍと増大するが、上記量子ドット発光層（赤色発光）と第２電極（金属ナノワイヤ電極）とを組み合わせた場合の赤色発光特性ＫＡでは、ピーク波長が適正位置（約６２０ｎｍ）であり、かつ半値幅が約２５ｎｍであり、ほとんど変化していないことがわかる。
　このように、第２電極に高透過率の金属ナノワイヤを用いた場合、キャビティ効果がほとんど発現しない。よって、キャビティ効果が悪影響となるＱＬＥＤに適用することでより大きな効果（つまり、視角特性の改善効果）を得ることができる。また、図４（ａ）に示すように、キャビティ効果がほとんど発現しないことから、第１電極２２および第２電極２５間の各層の膜厚は、発光素子Ｘｒ・Ｘｇ・Ｘｂ間で最適値に合わせなくともランバーシアン配光に近づけることができ、各層の膜厚を共通とすることができる。これにより、視角特性に優れた表示装置２を容易に製造することができる。
　図５は表示装置２の製造方法を示すフローチャートである。ステップＳ１では、基材１２上に、バリア層３およびＴＦＴ層４を形成する。ステップＳ２では、平坦化膜２１上に、第１電極２２を、スパッタ法およびフォトリソグラフィ法を用いて形成する。ステップＳ３では、エッジカバー膜２３を形成する。ステップＳ４では、ＨＴＬ層（正孔輸送層）を形成する。ステップＳ５では、発光層（例えば、量子ドット発光層）を形成する。ステップＳ６では、ＥＴＬ層（電子輸送層、例えば酸化亜鉛ナノ粒子層）を形成する。ステップＳ７では、ＥＴＬ層上に、溶媒に銀ナノワイヤを分散させた銀ナノワイヤインクを塗布する。銀ナノワイヤインクには、バインダ剤、分散剤、その他添加剤が含まれていてもよい。ステップＳ８では、塗布された銀ナノワイヤインクの乾燥（溶媒除去）を行い、ＥＴＬ層上に、図２に示すような、メッシュ状の銀ナノワイヤＮＷで構成された第２電極２５を形成する。ステップＳ９では、第２電極２５を直接覆うように、有機膜２７の材料（前駆体）をインクジェット塗布し、硬化させることで有機膜２７を形成する。ステップＳ１０では、有機膜２７の上層に無機封止膜２８を形成する。
　実施形態１では、第２電極２５を、銀ナノワイヤインクの塗布および乾燥で形成するため、スパッタ法、蒸着法を用いる場合と比較して、発光層（例えば、量子ドット発光層）への影響が小さいというメリットがある。この結果、表示装置２の発光特性が低下するのを防ぐことができる。
　また、メッシュ状の銀ナノワイヤＮＷで構成された第２電極２５は、一般的なＡｇ薄膜等よりも可撓性に優れるため、フレキシブルな表示装置２の共通電極として好適である。
　図６（ａ）は、実施形態１の表示装置の構成を示す平面図であり、図６（ｂ）は、辺縁の断面図である。図６に示すように、額縁領域ＮＡにおいては、平坦化膜２１にトレンチＴＮが形成され、トレンチＴＮよりも外側に、有機膜２７の端部を規定するバンクＢＫ１・ＢＫ２が設けられている。
　図６では、図１の第１電極２２と同層にかつ同材料で形成された導電膜ＡＷが、トレンチＴＮを跨ぎ、かつ外側のバンクＢＫ２と重なるように形成される。トレンチＴＮでは、エッジカバー膜２３が貫かれ、第２電極２５および導電膜ＡＷが接触する（電気的に接続する）。また、第３金属層に含まれる（図１のソース配線ＳＨと同層の）電源幹配線ＭＷが、バンクＢＫ１およびＢＫ２と重なるように形成される。
　平面視においては、トレンチＴＮが表示領域ＤＡを取り囲み、バンクＢＫ１がトレンチＴＮを取り囲み、バンクＢＫ２がバンクＢＫ１を取り囲んでいる。バンクＢＫ１は、平坦化膜２１およびエッジカバー膜２３で形成され、有機封止膜２７形成時の液滴を止める液止め構造物である。バンクＢＫ２は、バンクＢＫ１を越えた液滴を止める予備的なものである。
　平面視におけるトレンチＴＮおよびバンクＢＫ１間には、エッジカバー膜２３と同層にかつ同材料で構成された、枠状の凸部Ｑａ・Ｑｂ（２重構造）と、凸部Ｑａ・Ｑｂの外側に位置する、複数のフォトスペーサＰＳとが設けられ、凸部Ｑｂが第２電極２５の端部を規定する。すなわち、第２電極２５の材料である銀ナノワイヤインクを塗布する際に、凸部Ｑｂが液止めとなる。なお、内側の凸部Ｑａが第２電極２５の端部を規定する（液止めとなる）構成でもよい。フォトスペーサＰＳは、エッジカバー膜２３で構成され、凸部Ｑａ・Ｑｂよりも膜厚が大きい。フォトスペーサＰＳの上面は、第１電極２２（図１参照）上に蒸着膜を形成する際のマスク当て面となる（凸部Ｑａ・Ｑｂはマスクに当接しない）。枠状の凸部は２重構造に限られず、１重構造でもよい。
　バンクＢＫ１の内側には、エッジカバー膜２３および平坦化膜２１を貫通するコンタクト溝ＣＭ１が形成され、バンクＢＫ１およびバンクＢＫ２間には、エッジカバー膜２３および平坦化膜２１を貫通するコンタクト溝ＣＭ２が形成され、コンタクト溝ＣＭ１・ＣＭ２において電源幹配線ＭＷが露出し、導電膜ＡＷと接触する（電源幹配線ＭＷおよび導電膜ＡＷが電気的に接続する）。陰極電源電圧（ＥＬＶＳＳ）は、電源幹配線ＭＷから導電膜ＡＷを介して第２電極２５に供給される。
　図７（ａ）は図６の変形例１を示す平面図であり、図７（ｂ）は、辺縁の断面図である。図７に示すように、バンクＢＫ１が第２電極２５の端部を規定する構成でもよい。すなわち、銀ナノワイヤインクを塗布する際にバンクＢＫ１を液止めとする。有機膜２７のエッジはバンクＢＫ１で規定されているがこれに限定されず、有機膜２７のエッジがバンクＢＫ２で規定されていてもよい。また、バンクＢＫ２の外側（パネルエッジ側）に当該バンクＢＫ２を囲む枠状のバンクを設けてもよい。
　図８（ａ）は図６の変形例２を示す平面図であり、図８（ｂ）は、辺縁の断面図である。図８に示すように、トレンチＴＮが第２電極２５の端部を規定する構成でもよい。すなわち、銀ナノワイヤインクを塗布する際に、トレンチＴＮが銀ナノワイヤインクで充填され、液止めとなる。
　図９（ａ）は図６の変形例３を示す平面図であり、図９（ｂ）は、辺縁の断面図である。図９に示すように、表示領域ＤＡを囲む４つの辺縁のうち、端子部ＴＡを含む辺縁Ｆｄの中央部にはトレンチを設けることなく、第２電極２５の端部を規定する凸部Ｑａ・Ｑｂを設け、残る３つの辺縁では、トレンチＴＮが第２電極２５の端部を規定する構成でもよい。
　すなわち、トレンチＴＮは、表示領域ＤＡの４辺のうち、端子部ＴＡに沿う１辺の一部と、他の３辺のすべてを囲むように設けられ、第２電極２５の端部のうち前記１辺に沿う部分については、一部が凸部Ｑｂで規定され、かつ別の一部がトレンチＴＮで規定され、
第２電極２５の端部のうち前記３辺に沿う部分については、トレンチＴＮで規定される。
　〔実施形態２〕
　図１０（ａ）は、実施形態２での第２電極の構成を示す模式的な斜視図であり、図１０（ｂ）は、実施形態２の発光素子の構成を示す模式断面図であり、図１０（ｃ）は、図１０（ａ）（ｂ）の構成の効果を示すグラフである。図１０（ａ）のように、第２電極２５が、銀ナノワイヤと、電子輸送材料である酸化亜鉛（ＺｎＯ）ナノ粒子とを含む構成でもよい。銀ナノワイヤ分散液と酸化亜鉛ナノ粒子分散液を所望の比率で混合、撹拌した混合液を塗布・乾燥する事で銀ナノワイヤと酸化亜鉛ナノ粒子が混合した第２電極２５が得られる。具体的には、銀ナノワイヤＮＷが三次元的にランダムに配置され、酸化亜鉛ナノ粒子ＮＰ（平均粒径１～３０ｎｍ）の間隙を銀ナノワイヤＮＷが通るような構成とする。実施形態２の発光素子は、図１０（ｂ）のように、第１電極２２（陽極）、ＨＴＬ層２４ｂ、発光層２４ｃ（例えば、量子ドット発光層）および第２電極（共通陰極）がこの順に設けられた構成となる。
　図１０（ａ）の構成では、第２電極２５における、銀ナノワイヤＮＷと電子輸送材料である酸化亜鉛ナノ粒子ＮＰとの接触面積が増大するため、図１０（ｃ）に示すように、電流密度０～５０〔ミリアンペア／平方センチメートル〕の範囲において、実施形態２の発光素子の外部量子効果ＵＢ（基準値に対する規格化値）が、図２（ｂ）に示す構成、つまりＥＴＬ層（酸化亜鉛ナノ粒子層）上に第２電極として銀ナノワイヤ層を形成した発光素子の外部量子効果ＵＡ（各電流密度における基準値＝１）および、一般的な銀薄膜の陰極を有する発光素子の規格化外部量子効率Ｕａ（基準値に対する規格化値）と比較して大幅に向上していることがわかる。
　また、ＥＴＬ層と第２電極（共通陰極）とを別工程で形成する場合と比較して、工程数を削減することができる。
　金属ナノワイヤＮＷが過多であれば発光層への電子輸送能力が低下し、金属ナノワイヤＮＷが過少であれば抵抗値が高くなる。よって、ＺｎＯナノ粒子ＮＰに対する金属ナノワイヤＮＷの体積比は、１／４９～１／９であることが好ましく、１／２５～１／１５であればなお好ましい。
　上述の各実施形態は、例示および説明を目的とするものであり、限定を目的とするものではない。これら例示および説明に基づけば、多くの変形形態が可能になることが、当業者には明らかである。
　〔まとめ〕
　〔態様１〕
　表示領域およびその周囲の額縁領域を備える表示装置であって、
　ＴＦＴ層と、
　それぞれが第１電極、発光層、および第２電極を含み、発光色が互いに異なる複数の発光素子が形成された発光素子層と、
　有機膜を含み、前記発光素子層を封止する封止層と、が設けられ、
　前記第２電極は、前記複数の発光素子に共通する電極であり、メッシュ状の金属ナノワイヤを含む表示装置。
　〔態様２〕
　前記ＴＦＴ層に平坦化膜が含まれ、
　前記額縁領域において、前記平坦化膜にトレンチが形成され、
　前記トレンチよりも外側に、前記有機膜の端部を規定するバンクが設けられている、例えば態様１に記載の表示装置。
　〔態様３〕
　平面視において前記トレンチおよび前記バンクの間に位置する凸部が、前記表示領域を囲むように枠状に形成され、
　前記凸部は、前記第２電極の端部を規定する、例えば態様２に記載の表示装置。
　〔態様４〕
　平面視において前記凸部および前記バンクの間に位置するフォトスペーサを備える、例えば態様３に記載の表示装置。
　〔態様５〕
　前記凸部は前記フォトスペーサよりも膜厚が小さい、例えば態様４に記載の表示装置。
　〔態様６〕
　前記発光素子層は、平坦化膜上の前記第１電極のエッジを覆うエッジカバー膜を含み、
　前記凸部は前記エッジカバー膜と同層にかつ同材料で構成されている、例えば態様３～５のいずれか１つに記載の表示装置。
　〔態様７〕
　前記トレンチを跨ぐように、前記第１電極と同層にかつ同材料で形成された導電膜が設けられ、
　前記導電膜と前記第２電極とが、前記トレンチ内で接している、例えば態様２～６のいずれか１つに記載の表示装置。
　〔態様８〕
　前記額縁領域においては、前記平坦化膜の下層に幹配線が設けられ、
　前記平坦化膜には、前記幹配線を露出させるコンタクト溝が、前記バンクよりも前記表示領域側に設けられ、
　前記第２電極が前記幹配線と電気的に接続する、例えば態様２～７のいずれか１つに記載の表示装置。
　〔態様９〕
　前記バンクは前記第２電極の端部を規定する、例えば態様２に記載の表示装置。
　〔態様１０〕
　前記トレンチは前記第２電極の端部を規定する、例えば態様２に記載の表示装置。
　〔態様１１〕
　前記トレンチは、前記表示領域の全周囲を囲むように枠状に設けられる、例えば態様１０に記載の表示装置。
　〔態様１２〕
　前記額縁領域には複数の端子を含む端子部が設けられ、
　前記トレンチは、前記表示領域の４辺のうち、前記端子部に沿う１辺の一部と、他の３辺すべてを囲むように設けられ、
　前記第２電極の端部のうち前記１辺に沿う部分については、一部が前記凸部で規定され、かつ別の一部が前記トレンチで規定され、
　前記第２電極の端部のうち前記３辺に沿う部分については、前記トレンチで規定される、例えば態様３に記載の表示装置。
　〔態様１３〕
　前記額縁領域には複数の端子を含む端子部が設けられ、
　前記金属ナノワイヤの長さが、隣り合う端子間の距離よりも小さい、例えば態様１～１２のいずれか１つに記載の表示装置。
　〔態様１４〕
　前記有機膜が前記第２電極の上方に形成されている、例えば態様１～１３のいずれか１つに記載の表示装置。
　〔態様１５〕
　前記発光層が量子ドット発光層である、例えば態様１～１４のいずれか１つに記載の表示装置。
　〔態様１６〕
　前記発光層が有機発光層である、例えば態様１～１５のいずれか１つに記載の表示装置。
　〔態様１７〕
　前記第２電極の光透過率が８０％以上である、例えば態様１～１６のいずれか１つに記載の表示装置。
　〔態様１８〕
　前記金属ナノワイヤは、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、およびＣｕの少なくとも１つを含む、例えば態様１～１７のいずれか１つに記載の表示装置。
　〔態様１９〕
　前記第１電極が陽極であり、前記第２電極が陰極であり、
　前記第２電極が電子輸送材料を含む、例えば態様１～１８のいずれか１つに記載の表示装置。
　〔態様２０〕
　前記第２電極は発光層と接する、例えば態様１９に記載の表示装置。
　〔態様２１〕
　前記電子輸送材料は、酸化亜鉛ナノ粒子である、例えば態様１９または２０に記載の表示装置。
　〔態様２２〕
　前記酸化亜鉛ナノ粒子に対する金属ナノワイヤの体積比が、１／４９～１／９である、例えば態様２１に記載の表示装置。
　〔態様２３〕
　ＴＦＴ層と、それぞれが第１電極、発光層、および第２電極を含み、発光色が互いに異なる複数の発光素子が形成された発光素子層と、有機膜を含み、前記発光素子層を封止する封止層とを備える表示装置の製造方法であって、
　金属ナノワイヤを溶媒に分散させたインクを塗布し、前記溶媒を除去することで前記第２電極を形成する工程を含む表示装置の製造方法。
　２　　表示装置
　４　　ＴＦＴ層
　２１　平坦化膜
　２２　第１電極
　２３　エッジカバー膜
　２４　ＥＬ層（発光層を含む）
　２５　第２電極
　ＢＫ１・ＢＫ２　バンク
　Ｘｒ・Ｘｇ・Ｘｂ　発光素子
　Ｑａ・Ｑｂ　凸部
　ＰＳ　フォトスペーサ
　ＴＮ　トレンチ
　ＣＭ　コンタクト溝
　ＡＷ　導電膜
　ＭＷ　電源幹配線
　ＮＷ　銀ナノワイヤ
　ＮＰ　酸化亜鉛ナノ粒子
　ＤＡ　表示領域
　ＮＡ　額縁領域

Claims (23)

  1. 　表示領域およびその周囲の額縁領域を備える表示装置であって、
    　ＴＦＴ層と、
    　それぞれが第１電極、発光層、および第２電極を含み、発光色が互いに異なる複数の発光素子が形成された発光素子層と、
    　有機膜を含み、前記発光素子層を封止する封止層と、が設けられ、
    　前記第２電極は、前記複数の発光素子に共通する電極であり、メッシュ状の金属ナノワイヤを含む表示装置。
  2. 　前記ＴＦＴ層に平坦化膜が含まれ、
    　前記額縁領域において、前記平坦化膜にトレンチが形成され、
    　前記トレンチよりも外側に、前記有機膜の端部を規定するバンクが設けられている請求項１に記載の表示装置。
  3. 　平面視において前記トレンチおよび前記バンクの間に位置する凸部が、前記表示領域を囲むように枠状に形成され、
    　前記凸部は、前記第２電極の端部を規定する請求項２に記載の表示装置。
  4. 　平面視において前記凸部および前記バンクの間に位置するフォトスペーサを備える請求項３に記載の表示装置。
  5. 　前記凸部は前記フォトスペーサよりも膜厚が小さい請求項４に記載の表示装置。
  6. 　前記発光素子層は、平坦化膜上の前記第１電極のエッジを覆うエッジカバー膜を含み、
    　前記凸部は前記エッジカバー膜と同層にかつ同材料で構成されている請求項３～５のいずれか１つに記載の表示装置。
  7. 　前記トレンチを跨ぐように、前記第１電極と同層にかつ同材料で形成された導電膜が設けられ、
    　前記導電膜と前記第２電極とが、前記トレンチ内で接している請求項２～６のいずれか１つに記載の表示装置。
  8. 　前記額縁領域においては、前記平坦化膜の下層に幹配線が設けられ、
    　前記平坦化膜には、前記幹配線を露出させるコンタクト溝が、前記バンクよりも前記表示領域側に設けられ、
    　前記第２電極が前記幹配線と電気的に接続する請求項２～７のいずれか１つに記載の表示装置。
  9. 　前記バンクは前記第２電極の端部を規定する請求項２に記載の表示装置。
  10. 　前記トレンチは前記第２電極の端部を規定する請求項２に記載の表示装置。
  11. 　前記トレンチは、前記表示領域の全周囲を囲むように枠状に設けられる請求項１０に記載の表示装置。
  12. 　前記額縁領域には複数の端子を含む端子部が設けられ、
    　前記トレンチは、前記表示領域の４辺のうち、前記端子部に沿う１辺の一部と、他の３辺すべてを囲むように設けられ、
    　前記第２電極の端部のうち前記１辺に沿う部分については、一部が前記凸部で規定され、かつ別の一部が前記トレンチで規定され、
    　前記第２電極の端部のうち前記３辺に沿う部分については、前記トレンチで規定される請求項３に記載の表示装置。
  13. 　前記額縁領域には複数の端子を含む端子部が設けられ、
    　前記金属ナノワイヤの長さが、隣り合う端子間の距離よりも小さい請求項１～１２のいずれか１つに記載の表示装置。
  14. 　前記有機膜が前記第２電極の上方に形成されている請求項１～１３のいずれか１つに記載の表示装置。
  15. 　前記発光層が量子ドット発光層である請求項１～１４のいずれか１つに記載の表示装置。
  16. 　前記発光層が有機発光層である請求項１～１５のいずれか１つに記載の表示装置。
  17. 　前記第２電極の光透過率が８０％以上である請求項１～１６のいずれか１つに記載の表示装置。
  18. 　前記金属ナノワイヤは、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、およびＣｕの少なくとも１つを含む請求項１～１７のいずれか１つに記載の表示装置。
  19. 　前記第１電極が陽極であり、前記第２電極が陰極であり、
    　前記第２電極が電子輸送材料を含む請求項１～１８のいずれか１つに記載の表示装置。
  20. 　前記第２電極は発光層と接する請求項１９に記載の表示装置。
  21. 　前記電子輸送材料は、酸化亜鉛ナノ粒子である請求項１９または２０に記載の表示装置。
  22. 　前記酸化亜鉛ナノ粒子に対する金属ナノワイヤの体積比が、１／４９～１／９である請求項２１に記載の表示装置。
  23. 　ＴＦＴ層と、それぞれが第１電極、発光層、および第２電極を含み、発光色が互いに異なる複数の発光素子が形成された発光素子層と、有機膜を含み、前記発光素子層を封止する封止層とを備える表示装置の製造方法であって、
    　金属ナノワイヤを溶媒に分散させたインクを塗布し、前記溶媒を除去することで前記第２電極を形成する工程を含む表示装置の製造方法。
     
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