WO2020173908A1 - Kontrollierte benetzung bei der herstellung von elektronischen bauteilen - Google Patents

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Simon Jerebic
Max Wenzel
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Definitions

  • the present invention relates to a method for producing electronic components, in particular opto-electronic components, in particular LED packages, in particular with the steps of connecting and / or encapsulating components of a component by introducing liquid and / or pasty, non-viscous components Materials.
  • the present invention also relates to devices manufactured accordingly, in particular electronic components, in particular opto-electronic components, for example LED packages.
  • liquid and / or pasty materials with low-viscosity components are used in connection technology, in particular gluing, and / or in encapsulation.
  • stop edges are also known. These can be created on an upper package wall, for example.
  • a suitable "core-pin" design bore core design
  • an inner edge of a package can form a stop edge.
  • thixotropic effect of the binding or encapsulating medium is known in the light-emitting diode production.
  • a method for obtaining at least one electronic component in particular an optoelectronic component, an LED package or a laser component, is proposed with the following steps:
  • a device in particular an electronic component, in particular an optoelectronic component, an LED package or a laser component, wherein a second surface area of the component is formed adjoining a first surface area, the second surface area being made repellent for a first fluid to be applied; and where
  • the first fluid was applied to the first and / or second surface area without additional pressurization, the first surface area being wetted by the first fluid and the second surface area not being covered by the first fluid.
  • Wettability is the behavior of fluids when they come into contact with the surface of solid bodies. Wettability is the associated property of the solid surface. Depending on which fluid is involved, what material the surface is made of and what its properties are, for example in relation to the roughness, the fluid wets the surface to a greater or lesser extent.
  • a drop of fluid applied to a horizontal, flat surface illustrates the wetting and its subdivision.
  • the wettability is dependent on the relationships between the surface tensions involved, which are related to the contact angle via the so-called Young equation and thus make this a measure of the wettability. The smaller the contact angle, the greater the wettability.
  • the fluid on the surface forms a round hood (contact angle less than 90 °). If the surface is moderately inclined, the fluid glides down from the surface like a club. Little or no fluid residues can be observed. Complete wetting
  • the fluid spreads out on the surface in the form of a flat disk (macroscopic contact angle not available). Only when the surface is more steeply inclined does the fluid run down.
  • the fluid disc is elongated and forms a strip in the direction of inclination. Fluid residues stick to the surface, even with the greatest incline. Ideally, it is a monomolecular film and a contact angle of zero.
  • Leaves of plants in contact with water droplets show - depending on the type of leaf - one of the three cases of wetting described above.
  • the lotus flower for example, has very little wetting, which is due to the lotus effect.
  • the lotus effect is the low wettability of a surface, as can be observed in the lotus plant.
  • Viscosity refers to the viscosity of fluids and gases (fluids). The greater the viscosity, the thicker (less flowable) the fluid is; the lower the viscosity, the more fluid (flowable) it is.
  • water at 25 ° C with 0.891 mPa s and at 5 ° C with 1.52 mPa s is low-viscosity.
  • Medium viscosity is here, for example, grape juice in the range of 2 to 5 mPa s.
  • Honey, for example, is highly viscous with around 10,000 mPa s.
  • Low viscosity here means, for example, having a viscosity ⁇ approximately 100 mPa s.
  • Adjacent means in particular that two surface areas along a surface have a common line of contact.
  • a border area can act as a stop area for a first fluid.
  • fluid is preferably used here instead of the word “liquid”.
  • a raw chip After production on a wafer, a raw chip is a semiconductor material which is separated from the latter and which provides an unpackaged electronic component or an unpackaged integrated circuit. Since the semiconductor material is usually in the form of a cube, the terms “dice” or “die” are used in English.
  • DLIP Direct Laser Interference Patterning
  • a cancellation of a lotus flower effect for a subsequent second material is proposed, it being possible to force wetting under pressure.
  • a wetting behavior can be influenced in a targeted manner by means of a local periodic microstructuring. Reference is made here in particular to the lotus blossom effect.
  • An erosive DLIP process can be used here, for example.
  • a second material can be applied or applied under pressure in the areas previously set to have a dewetting effect.
  • a second fluid can be applied to the first surface area, to the second surface area and / or to a surface area of the solidified first fluid.
  • the application of the second fluid, in particular to the second surface area can be carried out by means of overpressure, plasma action and / or compression molding, in particular film-assisted compression molding, wherein the second fluid can wet the second surface area.
  • the provision of the second surface area, which repels the first fluid can be carried out by means of periodic micro- and / or nano-structuring surface structuring of the second surface area, in particular by means of direct laser interference pattern generation (DLIP) Periodicity, in particular in the range from approximately 600 nm to approximately lOOOnm, can be created.
  • DLIP direct laser interference pattern generation
  • the provision of the second surface region that repels the first fluid can be performed using Moth-eye structures and / or the lotus effect and / or by means of the material or a coating of the second surface area are executed.
  • the first fluid can be pasty and / or have at least one low-viscosity component.
  • the first fluid can have an adhesive, in particular a layer adhesive, a solder and / or a casting compound and can in particular be applied in a metered manner.
  • the second fluid can be created like the first fluid.
  • a second fluid can be applied to the second surface area and to a surface area of the solidified first fluid, in particular by means of overpressure PÜ.
  • a first fluid created as a layer adhesive can be applied to the first surface areas without additional pressure being applied, the first surface areas being wetted and the second surface areas remaining unwetted.
  • using the second surface area under additional pressure impingement on the main surface of the raw chip facing away from the substrate can be performed as a contact surface for wire bonding with a second fluid created as solder for a wire connection.
  • a cover layer in particular comprising titanium dioxide, can be applied to the other second fluids, in particular by means of flushing in, spraying on or jetting, on the side of the raw chip, in particular by means of a film-assisted compression molding (FAM), with additional pressurization become.
  • FAM film-assisted compression molding
  • a silicone layer can be attached to a die attached to a substrate on its main surface facing away from the substrate, where the surface of the silicone layer facing away from the substrate is used as a second surface area and the side surface of the silicone layer, the side surface of the die and the side of the substrate facing the die is provided as a first surface area; it can also be an application of the first fluid as a potting, in particular having titanium dioxide, be carried out without additional pressure application on the first surface area, the first surface area being richly wetted and the second surface area (2) remaining unwetted.
  • a second surface area can be provided on the substrate adjacent to a die attaching area, in particular as a wire bond area, the remaining substrate forming the first surface area on the side of the die attaching area; the first fluid, in particular designed as a layer adhesive, can also be applied to the first surface area without additional pressurization, the first surface area being wetted and the second surface area remaining unwetted;
  • a die in particular LED die, can be attached to the first surface area on the die attaching surface on the substrate.
  • wire bonding can be carried out, the second fluid being an adhesive or a solder that can be applied to the second surface area with additional pressure being applied.
  • the second surface area can be provided on an output side of a cavity housing.
  • an electronic component arranged on a substrate in particular a volume emitter, can have first surface areas that are selected to be adjacent to the component on the side of the substrate facing the component and with second surface areas that are on the side facing the component of the substrate are provided at a distance from the component, be provided, wherein a A first fluid created as reflector material can be applied to the first surface areas without additional pressure being applied, these being wetted and the second surface areas remaining unwetted.
  • the reflector material can be attached with a constant thickness between the volume emitter and the respective second surface areas.
  • a drop of a first fluid created as lens material can be applied to a circularly shaped first surface area without additional pressure application, the first surface area being wetted and the outer edge area of the circle remaining unwetted as the second surface area.
  • a protection area in particular for electrical contacts, can be provided as a second surface area, around which a first surface area is arranged and which remains unwetted by the first fluid.
  • a device in particular an electronic component, in particular an optoelectronic component, an LED package or a laser component, which was created according to one of the preceding designs in particular with the following steps, namely connecting and / or encapsulating at least one component of the component, by means of a fluid and / or a pasty, at least one low-viscosity component having material, previously by means of a Processing of a surface area formed by the component, the repellent effect of which was determined when exposed to the fluid or the pasty material and thus the surface area can act as a stop area against the fluid or the pasty material.
  • Figure 1 shows a first representation of the surface design
  • FIG. 2 shows a second representation of effective surface designs
  • FIG. 3 shows a third illustration of proposed surface designs
  • FIG. 4 shows an illustration of an effective cancellation of a non-wettability
  • Figure 5 shows a first embodiment of a proposed solution
  • FIG. 6 shows an exemplary embodiment of a proposed manufacturing method
  • FIG. 7 shows a further illustration of a proposed method or a proposed device
  • FIG. 8 shows an embodiment of a conventional device
  • FIG. 9 shows an illustration of a proposed device
  • FIG. 10 shows a further exemplary embodiment of a proposed device
  • FIG. 11 shows a further exemplary embodiment of a proposed device
  • Figure 12 shows another embodiment of a conventional one
  • FIG. 13 shows a further exemplary embodiment of a proposed device
  • FIG. 14 shows an exemplary embodiment of a proposed manufacturing method.
  • FIG. 1 shows an illustration of effective surface designs.
  • Reference number 1 denotes a first surface area which can be wetted or covered by means of a first fluid 3.
  • a second surface region 2 is formed on a substrate 7 and is adjacent to and adjoining the first surface region. Both surface areas have a common line of contact. All the elements mentioned are part of an electronic component B, in particular an opto-electronic component.
  • the second surface area 2 can, for example, use a so-called "lotus blossom effect" for light-emitting diode applications. This is based on complex micro- and / or nano-structured surface areas.
  • DLIP Direct Laser Interference Patterning
  • the second surface area 2 is designed as a microstructured area which uses the so-called lotus blossom effect in such a way that the second surface area 2 is a surface with a dewetting effect.
  • the first surface area 1 and the second surface area 2 are formed on a substrate which, in particular, has silicone and / or in particular forms LED chip or substrate areas.
  • FIG. 1 shows how a metered volume of liquid material as a configuration of a first fluid 3 wets the first surface area 1 and does not wet the second surface area 2 due to its microstructured design.
  • FIG. 1 shows a device that can be part of an LED package.
  • the second surface area 2 has a structure, specifically in the submicrometer to micrometer range. For example, a correct aspect ratio is important.
  • the aspect ratio is the ratio of a depth or height of a structure to its particularly smallest lateral extent.
  • the aspect ratio is of particular relevance in microtechnology.
  • a 6 mm drill can be used to drill a 60 millimeter deep hole. This hole has an aspect ratio of 10 (: 1).
  • Structures of this type can be produced by means of etching processes or anisotropic structuring processes, as is the case with reactive ions, for example. Wet chemical etching processes can also be used. This can be done in particular in connection with photolithography.
  • the material properties of surface areas and fluids are important.
  • the first fluid 3 for example silicone containing a phosphor, in particular phosphor
  • wetting in the second surface area 2 can be prevented in a targeted manner.
  • a silicone layer that is glued on tends to wet an adjacent second surface area 2.
  • the present invention relates in particular to the wetting behavior in an edge area of the first surface area 1 to be wetted.
  • a more reliable process is to be provided in a global or larger area.
  • a so-called error path should remain behind a clearly defined line.
  • optical coupling-out properties can also be improved.
  • Special suitable materials can result from a particular application.
  • FIG. 2 shows a representation for an effective surface design.
  • Reference symbol 2 denotes a second surface area 2 which is not intended to be wetted by a first fluid 3, in particular without additional pressurization, that is to say in general, in particular, under atmospheric pressure PA / P1.
  • FIG. 2 shows the targeted control of the wettability of polycarbonate substrates as an example of a second surface area 2 by means of the production of hierarchical structures, in particular using what is known as direct laser interference patterning.
  • Figure 3 shows another representation of an effective Vorrich device.
  • Reference numeral 1 denotes a first surface area which was covered or wetted, for example, by the first fluid 3.
  • a second fluid 4 is now applied or applied to the second surface area 2 with additional pressure.
  • the lower representation in FIG. 3 shows how the second fluid 4 covers both the first surface area 1 and the second surface area 2 and has solidified thereon.
  • a high pressure P2 / PÜ is to be applied, with which the second fluid 4 is pressed into the second surface area 2.
  • Mold pressing is particularly suitable for this, in which, for example, 50 to 100 KN is applied to an area of approximately 4x4 square inches. This corresponds approximately to a pressure of in particular 4 MPa.
  • the required pressure can also be provided for the application of a wirebonding.
  • the high pressure in Figure 4 is labeled P2 / PÜ. One can see how the second fluid 4 was pressed into the surface structure of the second surface area.
  • a metered liquid material volume of a second fluid 4 is used.
  • wetting of the first and second surface areas 1 and 2 can be supported in advance.
  • the second fluid 4 can also be provided by the first fluid 3.
  • Wetting takes place under high pressure, for example during compression molding, which results in good adhesion later due to the mechanical anchoring in the micro-level or on the micro-scale in the second surface area 2. In this way, a previous dewetting behavior can be reversed again by means of liquid application under high pressure.
  • FIG. 5 shows an exemplary embodiment of a conventional device or a conventional method.
  • FIG. 5 shows a light-emitting diode structure, an LED blank 9 being formed on a substrate 7, which is covered by a spray coating 11.
  • a phosphor spray coating for example a phosphor spray coating
  • a first fluid 3 was applied by means of TiO 2 jetting or TiO 2 spraying, a surface area of the LED raw chip 9 facing away from the substrate 7 being intended to be uncovered by the first fluid 3.
  • Reference character D denotes areas in which the Ti0 2 is in the example wise light-emitting area of the light emitting diode stretches into it.
  • an optoelectronic component B has de fect areas D which impede the passage of light.
  • a conventional die attach or die attach was carried out, which was followed by a spray coating on which a TiO 2 jetting was carried out.
  • silicone was cured by means of printing forms or compression molding on a specific component on which no laser structuring had been carried out.
  • the defect areas D have tongues or "flashes” or protrusions, which extend into a light-active area of the LED raw chip 9.
  • FIG. 6 shows a device which is improved compared to FIG. 5.
  • the steps die-attach, layer-attach and film- An LED raw chip 9 is applied to a substrate 7 and is covered by means of a spray coating 11, for example by spray coating a conversion material, in particular a luminescent material, for example phosphorus, and again a TiO 2 layer
  • a clear edge area R is now produced by means of the provision of a second surface area 2 to the remaining spray coating 11.
  • the second surface area 2 is microstructured for example by means of microstructuring, in particular by means of DLIP (Direct Laser Interference Patterning) Way, the rest of the area is the Spray coating 11 created as a first surface area 1 remaining.
  • the second surface area 2 is the surface area of the LED raw chip 9 facing away from the substrate 7, via which light is transmitted.
  • the amount of the first fluid 3 to be applied can be specifically determined and metered in such a way that it is just sufficient for the first surface area 1.
  • no tongues of the first fluid 3 or T1O2 slide onto the second surface area 2. The tongues shown in FIG. 5 are therefore no longer present.
  • FIG. 7 shows a continuation of a method according to FIG. 6.
  • a further embodiment of an electronic component B is created by applying a second fluid 4 to the second surface area 2 and in the hardened first fluid 3 to produce a cover layer 13 .
  • the application of the second fluid 4 takes place with the annulment of the non-wettability of the second surface area 2, for example in the case of "compression molding” or compression molding.
  • a supporting plasma can be created.
  • the cover layer 13 can in principle also without additional pressure pressing Cover layer 13 are applied.
  • FIG. 8 shows a further embodiment of a conventional device.
  • a raw chip 9, in particular an LED raw chip is arranged on a substrate 7.
  • an element is fixed by means of an adhesive, which also covers areas of the substrate 7 and bonding areas.
  • These defect areas D are identified in FIG.
  • the die 9 is bonded to a contact wire 15 and encapsulated by a cover layer 13.
  • the cover layer 13 is produced by means of FAM, for example from TiO 2 .
  • FIG. 9 shows an illustration of a device which is improved compared to FIG.
  • a second surface area 2 is provided on the substrate 7 adjacent to a die-loading area and / or on a main surface of the die 9 facing away from the substrate.
  • a first surface area 1 is available as the side surfaces and as the the main surface of the die 9 facing away from the substrate is provided.
  • a first fluid 3, created as a layer of adhesive is applied to the first surface areas 1 without additional pressure impact, the first surface areas 1 being wetted and the second surface 2 remaining unwetted. In this way, leakage of an adhesive can be controlled and in this way subsequent optical losses can be avoided. In this way, a gain in brightness can be provided.
  • FIG. 1 shows an illustration of a device which is improved compared to FIG.
  • an LED raw chip 9 with locally dewetting surface areas 2 can be provided.
  • uncovered NEN substrate areas can also be left uncovered for example on the raw chip 9, for example, pure bonding areas.
  • Contact wires 15 can be electrically connected to these small bonding surfaces (bond pads) by means of a solder, as an example of a second fluid 4.
  • second fluid 4a can be applied by means of FAM under high pressure PÜ or P2 in such a way that a cover layer 13 is formed which finally hardens.
  • optical losses generated due to a disruptive adhesive can be avoided.
  • the reflective material can be prevented from covering bond pads. It can also be avoided that in FIG.
  • a layer comprising silicon and TiCt can also be applied to the surface-structured areas or the two second surface areas 2 under great pressure.
  • FAM for example a layer comprising silicon and TiCt can also be applied to the surface-structured areas or the two second surface areas 2 under great pressure.
  • a lotus blossom effect can be used to set light-absorbing chip and substrate areas for a layer adhesive in a de-wetting manner.
  • There is controlled wetting by means of an adhesive layer on a bond pad area or on a substrate.
  • Second surface areas 2 enable dewetting or a stop function. There are no "floating layers" since the distribution of adhesive can be controlled in a targeted manner.
  • FIG. 10 shows a further embodiment of a proposed device.
  • FIG. 10 shows a raw chip 9 arranged on a substrate 7, on whose surface facing away from the substrate 7 a silicon layer has been applied.
  • the silicone layer applied in contrast to ceramic layers for T1O2 potting, has an inadequate stopping effect.
  • the surface of the silicone layer can be microstructured in such a way that, in contrast to a first wettable surface area 1, a second surface area 2 is generated which repels a first fluid 3 or allows it to roll off.
  • the silicone layer in the second surface area 2 is thus set to be dewetting for, for example, T1O2 potting.
  • T1O2 potting To produce a corre sponding opto-electronic component B, the cancellation of a so-called lotus blossom effect is not required.
  • film-assisted molding (FAM) can be carried out by means of a compression molding step or in the case of strong under-casting. In the case of a device according to FIG. 10, tongues of the first fluid 3 which penetrate into the second surface area 2 can be effectively avoided.
  • the Ti0 2 material remains at an upper edge.
  • the silicone layer can be glued on and surface structured in a simple manner. In this way, a Ti0 2 undercast is made possible up to a defined line in silicone layers, which was traditionally only possible when producing ceramic layers with sharp edges. In this way, a gain in brightness can be achieved.
  • Figure 11 shows a further embodiment of a proposed device.
  • a substrate 1 On a substrate 1 is by means of a Adhesive layer fixed to a raw chip 9.
  • a second surface area 2 was created in a bond pad area. This stops the adhesive applied as the first fluid 3 on the first surface area 1 in the direction of the bond pad.
  • a contact wire 15 By means of a solder as the second fluid 4, a contact wire 15 can be pressed onto the second surface area 2 under high pressure PÜ and thus contacted.
  • the adhesive has also been applied as the first fluid 3.
  • FIG. 11 shows an exemplary embodiment for a general production of dewetting surface areas 2, in particular on light-emitting diode packages.
  • the top sides of cavity housings can be micro- and / or nano-structured in order to avoid overflowing, for example, of a conductive silver adhesive.
  • the substrate 7 can have been pretreated. According to FIG.
  • FIG. 11 shows a substrate 7 with a dewetting area which has been created as the second surface area 2. This can also be used for wire bonding under high pressure PÜ.
  • FIG. 12 shows an illustration of a conventional device.
  • a die 9 is applied to a substrate 7.
  • the die 9 is a volume emitter here.
  • This has reflector material on the left and right.
  • the reflector material is here, for example, Ti0 2 . In this way, a brightness of the volume emitter is impaired.
  • FIG. 13 shows an improvement of the device according to FIG. 12.
  • the shaping of the reflector material here in the case of volume emitters, can be improved by means of dewetting areas or by providing a second surface area 2 in contrast to a first surface area 1.
  • second surface regions 2 of the side of the substrate 7 facing the volume emitter are provided at a distance from the volume emitter or from the die 9.
  • two first surface areas 1 are simultaneously created between the volume emitter and the generated second surface areas 2 to the left and right of the volume emitter. If a metered amount of reflector material is then applied as the first fluid 3 on the first surface areas 1 to the left and right of the volume emitter, a thicker reflector thickness can now develop on the upper side of the volume emitter.
  • a changed "meniscus" of the reflector material can be created in the cross section shown.
  • the surface profile of the reflector thickness changes from concave to convex, since at the top of the In principle, the boundary lines between the first surface area 1 and the second surface area 2 can be varied in such a way that alternative, advantageous surface profiles can be provided
  • Reflector material can be increased Brightness can be generated.
  • a shaping of the reflector material in the case of volume emitters can be provided in a targeted manner.
  • the transition area between the second surface area 2 and the first surface area 1 can be used as a stick edge.
  • dosed lenses can be produced in the form of silicone drops.
  • ring-shaped structures can be created for this purpose.
  • the protection of electrical contact areas can be provided. This results in new design options and increased process stability.
  • a reduction in the stickiness of surfaces can be created. Dirt-repellent surfaces can also be provided. This can be used for processing such as during sawing or singling or in later applications.
  • an improvement in the adhesion of the mold compound (compression molding compound) to the substrate or of wire bond connections can be created when the lotus blossom effect is eliminated. This can be used for a generally better adhesion as well as a reduced risk of delamination.
  • a DLIP (direct laser interference patterning) system can be used to generate second surface areas (not shown).
  • a desired micrometer or submicrometer structure can be produced on a large surface.
  • Different lasers can be integrated into the DLIP system, so that high process speeds, flexible structural geometries and / or the processing of 3D components are possible.
  • two laser beams are superimposed.
  • a structure size in the micrometer or submicrometer range can be set.
  • the superposition results in an interference structure depth in the millimeter to centimeter range.
  • the superposition of the two laser beams defines an overlap volume or interference volume.
  • the structure size is determined by the width of the transition area to the surface area to be processed.
  • a periodic, hexagonally oriented structure on polyethylene (PET) or a periodic line structure on stainless steel can be generated (not shown).
  • FIG. 14 shows an embodiment of a method according to the invention.
  • a first step S1 a second surface area of the component adjoining a first surface area is provided, the second surface area being repellent for a first fluid to be applied is created.
  • the first fluid is applied, in particular a metered amount, to the first and / or second, in particular only to the first, surface area without additional pressurization, the first surface area being wetted by the first fluid and the first fluid is rejected from the second surface area in such a way that it remains uncovered.

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen mindestens eines elektronischen Bauteils, insbesondere eines opto-elektronischen Bauteils, eines LED-Packages oder eines Laserbauteils, mit den Schritten - Bereitstellen (S1) eines an einem ersten Oberflächenbereich (1) angrenzenden zweiten Oberflächenbereich (2) des Bauteils, wobei der zweite Oberflächenbereich für ein aufzubringendes erstes Fluid (3) abweisend geschaffen wird; - Aufbringen (S2) des ersten Fluids (3) ohne zusätzliche Druckbeaufschlagung (PA) auf den ersten und/oder zweiten Oberflächenbereich, wobei der erste Oberflächenbereich (1) von dem ersten Fluid benetzt wird und das erste Fluid von dem zweiten Oberflächenbereich (2) abgewiesen wird. Die Erfindung umfasst zudem entsprechend hergestellte Vorrichtungen.

Description

KONTROLLIERTE BENETZUNG BEI DER HERSTELLUNG VON ELEKTRONISCHEN
BAUTEILEN
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Anmeldung DE 10 2019 104 695.5, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen von elektronischen Bauteilen, insbesondere opto-elektronischen Bauteilen, insbesondere von LED-Packages , insbesondere mit den Schritten Verbinden und/oder Verkapseln von Bestandteilen eines Bauteils, mittels Einbringens flüssiger und/oder pastöser, nie derviskose Komponenten aufweisender Materialien. Die vorlie gende Erfindung betrifft zudem entsprechend hergestellte Vor richtungen, insbesondere elektronische Bauteile, insbesondere opto-elektronische Bauteile beispielsweise LED-Packages.
Beim Aufbau von Leuchtdioden-Packages kommen flüssige und/oder pastöse Materialien mit niederviskosen Bestandteilen bei der Verbindungstechnik, insbesondere Kleben, und/oder beim Verkap seln zum Einsatz.
Es kann zu unkontrollierter und unerwünschter Benetzung der eingebrachten Materialien mit beispielsweise einem Substrat o- der anderen Komponenten im Package kommen.
Herkömmlicherweise wird zur Reduzierung von seitlichem Flash oder Austrieb beziehungsweise von unerwünschten seitlichen Ein dringflächen eine Anpassung der Klebermenge vorgenommen. Des Weiteren ist eine Verwendung von Stoppkanten bekannt. Diese können beispielsweise an einer oberen Package-Wand erzeugt wer den. Bei einem geeigneten „core-pin"-Design (Bohrungskern-De- sign) kann beispielsweise eine Innenkante eines Packages eine Stoppkante ausbilden. Eine weitere Möglichkeit ist die soge nannte Thixotropierung des bindenden oder kapselnden Mediums, um dessen Fließverhalten einzustellen. Auf diese Weise wird gezielt das Fließverhalten des Materials angepasst. Außerhalb der Leuchtdiodenfertigung ist ein sogenanntes Mikrostrukturie- ren DLIP zur Erzeugung antibakterieller Oberflächen mit gezielt schlechter Benetzbarkeit für wässrige Medien bekannt.
Es besteht ein Bedarf ein Verfahren zum Erzeugen von elektro- nischen Bauteilen, insbesondere opto-ele ktronischen Bauteilen, von LED-Packages oder Laserbauteilen, derart bereitzustellen, dass bei einem Bearbeiten von Bestandteilen eines Bauteils, mittels Einbringens einer dosierten Menge eines Fluids ein un kontrolliertes und unerwünschtes Benetzen anderer Bestandteile des Bauteils vermieden wird. Bei flüssigen und/oder pastösen, niederviskose Komponenten aufweisenden Materialien soll ein un kontrolliertes und unerwünschtes Benetzen eines Substrates und/oder anderer Bestandteile des Bauteils mit den eingebrach- ten Materialien vermieden werden.
Dem Bedarf kann durch ein Verfahren gemäß dem Hauptanspruch und durch Vorrichtungen gemäß den Nebenansprüchen entsprochen wer den . Gemäß einem ersten Aspekt wird ein Verfahren zum Erhalten min destens eines elektronischen Bauteils, insbesondere eines opto elektronischen Bauteils, eines LED-Packages oder eines Laser bauteils, mit folgenden Schritten vorgeschlagen:
- Bereitstellen eines an einem ersten Oberflächenbereich an- grenzenden zweiten Oberflächenbereich des Bauteils, wobei der zweite Oberflächenbereich für ein aufzubringendes erstes Fluid abweisend geschaffen ist;
- Aufbringen des ersten Fluids ohne zusätzliche Druckbeauf schlagung auf den ersten und/oder zweiten Oberflächenbereich, wobei der erste Oberflächenbereich von dem ersten Fluid benetzt wird und das erste Fluid von dem zweiten Oberflächenbereich abgewiesen wird.
Gemäß einem zweiten Aspekt wird eine Vorrichtung, insbesondere ein elektronisches Bauteil, insbesondere ein opto-elektroni- sches Bauteil, ein LED-Package oder ein Laserbauteil, vorge schlagen, wobei - an einem ersten Oberflächenbereich angrenzend ein zweiter Oberflächenbereich des Bauteils ausgebildet ist, wobei der zweite Oberflächenbereich für ein aufzubringendes erstes Fluid abweisend geschaffen ist; und wobei
- das erste Fluid ohne zusätzliche Druckbeaufschlagung auf den ersten und/oder zweiten Oberflächenbereich aufgebracht wurde, wobei der erste Oberflächenbereich von dem ersten Fluid benetzt ist und der zweite Oberflächenbereich von dem ersten Fluid un bedeckt ist.
Benetzung ist ein Verhalten von Fluiden bei Kontakt mit der Oberfläche von Festkörpern. Benetzbarkeit ist die zugehörige Eigenschaft der Festkörperoberfläche. Je nachdem, um welche Fluid es sich handelt, aus welchem Material die Oberfläche be- steht und wie deren Beschaffenheit ist, zum Beispiel in Bezug auf die Rauheit, benetzt das Fluid die Oberfläche mehr oder weniger stark.
Ein auf einer horizontalen, ebenen Oberfläche aufgebrachter Fluidtropfen veranschaulicht die Benetzung und ihre Untertei lung. Dabei ist die Benetzbarkeit von den Verhältnissen der beteiligten Oberflächenspannungen abhängig, die über die soge nannte Youngsche Gleichung mit dem Kontaktwinkel in Beziehung stehen und diesen damit zum Maß für die Benetzbarkeit machen. Je kleiner dabei der Kontaktwinkel ist, desto größer ist die Benetzbarkeit .
Um zu beurteilen, ob ein Tropfen sich auf einer Oberfläche ausbreitet, vergleicht man die Kohäsionskräfte innerhalb des Tropfens mit den Adhäsionskräften gegenüber der Oberfläche. Überwiegen die Adhäsionskräfte die Kohäsionskräfte bei weitem, wird der Tropfen sich auf der Oberfläche vollständig ausbreiten, er wird sie vollständig benetzen. Benetzungsarten
Keine Benetzung Das Fluid auf der Oberfläche zieht sich zu einem fast kugelför migen Tropfen zusammen (Kontaktwinkel größer 90°) . Bei leichter Neigung der Oberfläche gleitet der Tropfen ohne jegliche Flu idrückstände herunter, mit anderen Worten: Das Fluid perlt ab. Im Idealfall handelt es sich um einen Kontaktwinkel von 180°. In diesem Fall berührt der Fluidtropfen den Feststoff nur an einem Punkt.
Partielle Benetzung
Das Fluid auf der Oberfläche bildet eine runde Haube (Kontakt winkel kleiner 90°) . Bei mittlerer Neigung der Oberfläche glei tet das Fluid keulenförmig von der Oberfläche herunter. Keine oder wenig Fluidrückstände sind zu beobachten. Vollständige Benetzung
Das Fluid breitet sich auf der Oberfläche in Form einer flachen Scheibe aus (makroskopischer Kontaktwinkel nicht vorhanden) . Erst bei stärkerer Neigung der Oberfläche rinnt das Fluid her unter. Dabei zieht sich die Fluidscheibe in die Länge und bildet einen Streifen in Neigungsrichtung. Fluidreste bleiben an der Oberfläche haften, auch bei stärkster Neigung. Im Idealfall handelt es sich um einen monomolekularen Film und einen Kon taktwinkel von Null. Blätter von Pflanzen in Kontakt mit Wassertropfen zeigen - je nach Blattart - einen der drei oben beschriebenen Fälle der Benetzung. Die Lotosblume zum Beispiel weist nur eine sehr ge ringe Benetzung auf, was auf den Lotoseffekt zurückzuführen ist. Als Lotoseffekt wird die geringe Benetzbarkeit einer Oberfläche bezeichnet, wie sie bei der Lotospflanze beobachtet werden kann. Wasser perlt in Tropfen ab und nimmt dabei auch alle Schmutz partikel auf der Oberfläche mit. Verantwortlich dafür ist eine komplexe mikro- und/oder nanos kopische Architektur der Oberflä che, die die Haftung von Schmutzpartikeln minimiert. Die Viskosität bezeichnet die Zähflüssigkeit oder Zähigkeit von Fluiden und Gasen (Fluiden) . Je größer die Viskosität ist, desto dickflüssiger (weniger fließfähig) ist das Fluid; je niedriger die Viskosität, desto dünnflüssiger (fließfähiger) ist es.
Niederviskos ist hier beispielsweise Wasser bei 25°C mit 0,891 mPa s und bei 5°C mit 1,52 mPa s. Mittelsvis kos ist hier bei spielsweise Traubensaft im Bereich von 2 bis 5 mPa s. Hochviskos ist hier beispielsweise Honig mit circa 10 000 mPa s.
Niederviskos heißt hier beispielsweise eine Zähigkeit < circa 100 mPa s aufweisend.
Angrenzend bedeutet insbesondere, dass zwei Oberflächenbereiche entlang einer Oberfläche eine gemeinsame Berührungslinie auf weisen. Ein Grenzbereich kann als Stoppbereich für ein erstes Fluid wirken.
Anstelle des Wortes „Flüssigkeit" wird hier bevorzugt der Be- griff „Fluid" verwendet.
Rohchip ist ein nach einer Herstellung auf einem Wafer, ein von diesem getrenntes Halbleitermaterial, das ein ungehäustes elektronisches Bauelement oder eine ungehäuste integrierte Schaltung bereitstellt. Da das Halbleitermaterial meist in Wür felform vorliegt, werden im Englischen die Begriffe „dice" oder „die" verwendet.
Es wird ein Ansatz für eine lokale Steuerung einer Benetzung vorgeschlagen. Hierzu werden einzelne Flächenbereiche bei spielsweise mittels DLIP (Direct Laser Interference Patterning) mikrostrukturiert. Darüber hinaus wird eine Aufhebung eines Lo- tusblüteneffekts für ein nachfolgendes zweites Material vorge schlagen, wobei unter Druck eine Benetzung erzwungen werden kann. Mittels einer lokalen periodischen Mikrostrukturierung kann ein Benetzungsverhalten gezielt beeinflusst werden. Hierbei wird insbesondere auf den Lotusblüteneffekt verwiesen. Hierbei kann beispielsweise ein abtragendes DLIP-Verfahren angewendet wer- den .
Ein zweites Material kann unter Druck in den zuvor entnetzend wirkend eingestellten Bereichen appliziert beziehungsweise auf gebracht werden.
Weitere Ausgestaltungen werden in Verbindung mit den Unteran sprüchen beansprucht.
Gemäß einer Ausgestaltung kann ein nach einem Verfestigen des auf einem ersten Oberflächenbereich aufgebrachten ersten Fluids erfolgendes Aufbringen eines zweiten Fluids auf den ersten Ober flächenbereich, auf den zweiten Oberflächenbereich und/oder auf einen Oberflächenbereich des verfestigten ersten Fluids ausge führt werden.
Gemäß einer Ausgestaltung kann das Aufbringen des zweiten Flu ids, insbesondere auf den zweiten Oberflächenbereich, mittels Überdruck, Plasmaeinwirkung und/oder Pressformen, insbesondere Folien unterstütztes Pressformen ausgeführt werden, wobei das zweite Fluid den zweiten Oberflächenbereich benetzen kann.
Gemäß einer Ausgestaltung kann das Bereitstellen des das erste Fluid abweisenden zweiten Oberflächenbereichs mittels periodi schem Mikro- und/oder Nano-Strukturierens ausgeführtes Oberflä- chenstrukturieren des zweiten Oberflächenbereichs, insbesondere mittels direktem Laser-Interferenzmuster-Erzeugen (DLIP) aus geführt werden, wobei insbesondere eine Periodizität, insbeson dere im Bereich von circa 600nm bis circa lOOOnm geschaffen sein kann .
Gemäß einer Ausgestaltung kann das Bereitstellen des das erste Fluid abweisenden zweiten Oberflächenbereichs unter Nutzung von Mottenaugenstrukturen und/oder des Lotoseffekts und/oder mit tels des Materials oder einer Beschichtung des zweiten Oberflä chenbereichs ausgeführt werden.
Gemäß einer Ausgestaltung kann das erste Fluid pastös sein und/oder mindestens eine niederviskose Komponente aufweisen.
Gemäß einer Ausgestaltung kann das erste Fluid einen Kleber, insbesondere einen Schichtkleber, ein Lot und/oder eine Ver gussmasse aufweisen und insbesondere dosiert aufgebracht wer- den.
Gemäß einer Ausgestaltung kann das zweite Fluid gleich dem ers ten Fluid geschaffen sein. Gemäß einer Ausgestaltung kann ein Befestigen eines Rohchips, insbesondere LED- Rohchips, auf einem, insbesondere Silikon aufweisenden, Substrat; ein Anbringen einer Sprühbeschichtung, insbesondere einer Leuchtstoffsprühbeschichtung, beispielsweise einer Phosphorsprühbeschichtung, an den an dem Substrat befes- tigten Rohchip und an das Substrat, an dessen dem Rohchip zu gewandten Seite; ein Bereitstellen der dem Substrat abgewandten sprühbeschichteten Hauptoberfläche des Rohchips als den zweiten Oberflächenbereich ausgeführt werden, wobei der Rest der Sprüh beschichtung mit deren dem Substrat abgewandten Seite den ersten Oberflächenbereich ausbilden kann; es kann weiter ein Aufbrin gen eines, insbesondere Titandioxid aufweisenden, eine Deck schicht bereitstellenden ersten Fluids, insbesondere mittels Einspülen oder Jetting, auf den ersten Oberflächenbereich er folgen, wobei der erste Oberflächenbereich benetzt wird und der zweite Oberflächenbereich unbenetzt verbleibt.
Gemäß einer Ausgestaltung kann ein nach einem Verfestigen des auf dem ersten Oberflächenbereich aufgebrachten ersten Fluids erfolgendes Aufbringen eines zweiten Fluids auf den zweiten Oberflächenbereich und auf einen Oberflächenbereich des verfes tigten ersten Fluids, insbesondere mittels Überdruck PÜ, aus geführt werden. Gemäß einer Ausgestaltung kann ein Befestigen eines Rohchips, insbesondere LED- Rohchips, auf einem Substrat; ein Bereitstel len zweiter Oberflächenbereiche an dem Substrat angrenzend zu einer Rohchipbefestigungsfläche und/oder an einer dem Substrat abgewandten Hauptoberfläche des Rohchips ausgeführt werden, wo bei der erste Oberflächenbereich als die seitlichen Oberflächen und als die dem Substrat abgewandte Hauptoberfläche des Rohchips bereitgestellt werden können; es kann zudem ein Aufbringen eines als Schichtkleber geschaffenen ersten Fluids ohne zusätzliche Druckbeaufschlagung auf die ersten Oberflächenbereiche ausge führt werden, wobei die ersten Oberflächenbereiche benetzt wer den und die zweiten Oberflächenbereiche unbenetzt verbleiben. Gemäß einer Ausgestaltung kann ein unter zusätzlicher Druckbe aufschlagung erfolgendes Verwenden des zweiten Oberflächenbe reichs an der dem Substrat abgewandten Hauptoberfläche des Roh chips als eine Kontaktfläche zum Drahtbonden mit einem als Lot geschaffenen zweiten Fluid für eine Drahtverbindung ausgeführt werden.
Gemäß einer Ausgestaltung kann ein Aufbringen eines, insbeson dere Titandioxid aufweisenden, eine Deckschicht bereitstellen den weiteren zweiten Fluids, insbesondere mittels Einspülen, Anspritzen oder Jetting, an der Seite des Rohchips, insbesondere mittels eines Film unterstützten Pressformens (FAM) , unter zu sätzlicher Druckbeaufschlagung ausgeführt werden.
Gemäß einer Ausgestaltung kann ein Anbringen einer Silikon- Schicht an einem an einem Substrat befestigten Rohchip an dessen dem Substrat abgewandten Hauptoberfläche ausgeführt werden, wo bei die dem Substrat abgewandte Oberfläche der Silikonschicht als ein zweiter Oberflächenbereich und die Seitenoberfläche der Silikonschicht, die Seitenoberfläche des Rohchips und die dem Rohchip zugewandte Seite des Substrats als ein erster Oberflä chenbereich bereitstellt sind; es kann zudem ein Aufbringen des ersten Fluids als Verguss, insbesondere Titandioxid aufweisend, ohne zusätzlicher Druckbeaufschlagung auf den ersten Oberflä chenbereich ausgeführt werden, wobei der erste Oberflächenbe reich benetzt wird und der zweite Oberflächenbereich (2) unbe- netzt verbleibt.
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung kann ein Bereitstellen eines zweiten Oberflächenbereichs an dem Substrat benachbart zu einer Rohchipbefestigungsfläche, insbesondere als ein Drahtbondbe reich ausgeführt werden, wobei das verbleibende Substrat auf der Seite der Rohchipbefestigungsfläche den ersten Oberflächen bereich ausbildet; es kann zudem ein Aufbringen des, insbeson dere als Schichtkleber ausgebildeten, ersten Fluids ohne zu sätzlicher Druckbeaufschlagung auf den ersten Oberflächenbe reich ausgeführt werden, wobei der erste Oberflächenbereich be- netzt wird und der zweite Oberflächenbereich unbenetzt ver bleibt; es kann zudem ein Befestigen eines Rohchips, insbeson dere LED- Rohchips, auf dem ersten Oberflächenbereich an der Rohchipbefestigungsfläche an dem Substrat ausgeführt werden. Gemäß einer weiteren Ausgestaltung kann ein Drahtbonden ausge führt werden, wobei das zweite Fluid ein Kleber oder ein Lot ist, das unter zusätzlicher Druckbeaufschlagung auf den zweiten Oberflächenbereich aufgebracht werden kann. Gemäß einer weiteren Ausgestaltung kann ein Bereitstellen des zweiten Oberflächenbereichs an einer Ausgangseite eines Kavi tätengehäuses ausgeführt werden.
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung kann ein auf einem Substrat angeordnetes elektronisches Bauteil, insbesondere ein Volu menemitter, mit ersten Oberflächenbereichen, die an der dem Bauteil zugewandten Seite des Substrats an das Bauteil angren zend gewählt sind und mit zweiten Oberflächenbereichen, die an der dem Bauteil zugewandten Seite des Substrats in einem Abstand von dem Bauteil bereitgestellt sind, geschaffen sein, wobei ein Aufbringen eines als Reflektormaterial geschaffenen ersten Flu ids ohne zusätzliche Druckbeaufschlagung auf die ersten Ober flächenbereiche ausgeführt werden kann, wobei diese benetzt werden und die zweiten Oberflächenbereiche unbenetzt verblei- ben .
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung kann ein Anbringen des Re flektormaterials mit einer gleichbleibenden Dicke zwischen dem Volumenemitter und den jeweiligen zweiten Oberflächenbereichen ausgeführt werden.
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung kann ein Aufbringen eines als Linsenmaterial geschaffenen Tropfens eines ersten Fluids ohne zusätzliche Druckbeaufschlagung auf einen kreisfömig ge- formten ersten Oberflächenbereich ausgeführt werden, wobei der erste Oberflächenbereich benetzt wird und der Außenrandbereich des Kreises als der zweite Oberflächenbereich unbenetzt ver bleibt . Gemäß einer weiteren Ausgestaltung kann ein Bereitstellen eines Schutzbereiches, insbesondere für elektrische Kontakte, als zweiten Oberflächenbereich ausgeführt werden, um den ein erster Oberflächenbereich angeordnet ist und der von dem ersten Fluid unbenetzt verbleibt.
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung kann mittels Verkleinern der Benetzbarkeit eines Oberflächenbereichs, dessen Klebrigkeit re duziert und eine Schmutzabweisbarkeit bereitgestellt werden. Gemäß einer weiteren Ausgestaltung kann mittels Vergrößern der Benetzbarkeit eines Oberflächenbereichs eine Haftverbesserung für Materialzusammensetzungen, insbesondere an einem Substrat oder an Draht-Verbindungen, bereitgestellt werden. Gemäß einer weiteren Ausgestaltung kann eine Vorrichtung, ins besondere ein elektronisches Bauteil, insbesondere ein opto elektronisches Bauteil, ein LED-Package oder ein Laserbauteil, bereitgestellt werden, das gemäß einem der vorhergehenden Aus gestaltungen insbesondere mit folgenden Schritten geschaffen wurde, und zwar Verbinden und/oder Verkapseln mindestens eines Bestandteils des Bauteils, mittels eines Fluids und/oder eines pastösen, mindestens eine niederviskose Komponente aufweisenden Materials, wobei vorher mittels eines Bearbeitens eines durch das Bauteil gebildeten Oberflächenbereichs, dessen bei einer Beaufschlagung mit dem Fluid oder dem pastösen Material abwei sende Wirkung festgelegt wurde und damit der Oberflächenbereich als Stoppbereich gegen das Fluid oder das pastöse Material wir ken kann.
Die Erfindung wird anhand von Ausführungsbeispielen in Verbin dung mit den Figuren näher beschrieben. Es zeigen:
Figur 1 eine erste Darstellung zur Oberflächengestaltung;
Figur 2 eine zweite Darstellung wirkender Oberflächengestal tungen;
Figur 3 eine dritte Darstellung vorgeschlagener Oberflächen gestaltungen;
Figur 4 eine Darstellung einer wirksamen Aufhebung einer Un- benetzbarkeit ;
Figur 5 ein erstes Ausführungsbeispiel eines vorgeschlagenen
Verfahrens mit einer vorgeschlagenen Vorrichtung; Figur 6 ein Ausführungsbeispiel eines vorgeschlagenen Her stellungsverfahrens ;
Figur 7 eine weitere Darstellung eines vorgeschlagenen Ver fahrens beziehungsweise einer vorgeschlagenen Vor richtung; Figur 8 ein Ausführungsbeispiel einer herkömmlichen Vorrich tung;
Figur 9 eine Darstellung einer vorgeschlagenen Vorrichtung;
Figur 10 ein weiteres Ausführungsbeispiel einer vorgeschlage nen Vorrichtung;
Figur 11 ein weiteres Ausführungsbeispiel einer vorgeschlage nen Vorrichtung;
Figur 12 ein weiteres Ausführungsbeispiel einer herkömmlichen
Vorrichtung;
Figur 13 ein weiteres Ausführungsbeispiel einer vorgeschlage nen Vorrichtung; und
Figur 14 ein Ausführungsbeispiel eines vorgeschlagenen Her stellungsverfahrens .
Figur 1 zeigt eine Darstellung wirksamer Oberflächengestaltun gen. Bezugszeichen 1 kennzeichnet einen ersten Oberflächenbe reich, der mittels eines ersten Fluids 3 benetzt beziehungsweise bedeckt werden kann. Auf einem Substrat 7 ist zudem ein zweiter Oberflächenbereich 2 ausgebildet, der zu dem ersten Oberflä chenbereich benachbart und angrenzend ist. Beide Oberflächen bereiche haben eine gemeinsame Berührungslinie. Alle genannten Elemente sind Bestandteil eines elektronischen Bauelements B, insbesondere eines opto-ele ktronischen Bauelementes. Der zweite Oberflächenbereich 2 kann beispielsweise für Leuchtdioden-An- wendungen einen sogenannten „Lotusblüteneffekt" nutzen. Dieser beruht auf komplexen Mikro- und/oder nanostrukturierten Ober flächenbereichen. Eine derartige Oberflächenbeschaffenheit kann beispielsweise mittels eines DLIP-Mikrostrukturierungsverfah- rens bereitgestellt werden (DLIP = Direct Laser Interference Patterning) . Auf diese Weise ist der zweite Oberflächenbereich 2 als ein mikrostrukturierter Bereich ausgebildet, der den so genannten Lotusblüteneffekt derart nutzt, dass der zweite Ober flächenbereich 2 eine entnetzend wirkende Oberfläche ist. Der erste Oberflächenbereich 1 und der zweite Oberflächenbereich 2 sind auf einem Untergrund ausgebildet, der insbesondere Silikon aufweist und/oder insbesondere LED-Chip- oder Substratbereiche ausbildet. Figur 1 stellt dar, wie ein dosiertes flüssiges Ma terialvolumen als Ausgestaltung eines ersten Fluids 3 den ersten Oberflächenbereich 1 benetzt und den zweiten Oberflächenbereich 2 aufgrund dessen mikrostrukturierter Ausführung nicht benetzt.
Figur 1 zeigt eine Vorrichtung, die Bestandteil eines LED-Pack- ages sein kann. Der zweite Oberflächenbereich 2 weist eine Strukturierung auf, und zwar insbesondere im Submikrometer- bis Mikrometerbereich. Von Bedeutung ist beispielsweise ein rich- tiges Aspektverhältnis.
Als Aspektverhältnis bezeichnet man insbesondere in der Verfah renstechnik das Verhältnis aus einer Tiefe beziehungsweise Höhe einer Struktur zu ihrer insbesondere kleinsten lateralen Aus- dehnung. Generell gilt, je größer das Aspektverhältnis und je kleiner die absolute Größe der Struktur, desto schwieriger ist die Fertigung. Besondere Relevanz hat das Aspektverhältnis in der Mikrotechnologie. Beispielsweise kann mit einem 6-mm-Bohrer ein 60 Millimeter tiefes Loch gebohrt werden. So hat dieses Loch das Aspektverhältnis 10 ( : 1 ) . Erzeugt werden können derartige Strukturierungen mittels Ätzverfahren oder anisotropen Struk turierungsverfahren, wie es beispielsweise das reaktive Ionen ätzen ist. Des Weiteren können nasschemische Ätzverfahren ver wendet werden. Dies kann insbesondere in Verbindung mit Foto- lithografie ausgeführt werden.
Auf diese Weise gibt es zahlreiche Parameter, die für die Er zeugung einer entsprechend abweisenden Oberflächenstrukturie rung berücksichtigt werden müssen.
Zudem sind die Materialeigenschaften von Oberflächenbereichen und Fluiden von Bedeutung. Ist das erste Fluid 3 beispielsweise einen Leuchtstoff, insbesondere Phosphor, aufweisendes Silikon, so ist es möglich, einen klaren Grenzbereich zwischen dem ersten Oberflächenbereich 1 und dem zweiten Oberflächenbereich 2 zu erzeugen. Damit kann die Benetzung in dem zweiten Oberflächen- bereich 2 gezielt verhindert werden. Beispielsweise neigt eine Silikon-Schicht, die aufgeklebt wird, dazu, einen angrenzenden zweiten Oberflächenbereich 2 zu benetzen. Die vorliegende Er findung betrifft insbesondere das Benetzungsverhalten in einem Randbereich des zu benetzenden ersten Oberflächenbereichs 1. Es soll ein sicherer Prozess in einer globalen oder größeren Fläche sicherer bereitgestellt werden. Ein sogenannter Fehlerpfad soll hinter einer klar festgelegten Linie verbleiben. Durch ein Ver meiden von ungewünschten Benetzungen können zusätzlich optische Auskopplungseigenschaften verbessert werden. Spezielle geeig- nete Materialien können sich aus einer jeweiligen Anwendung ergeben .
Figur 2 zeigt eine Darstellung für eine wirksame Oberflächen gestaltung. Bezugs Zeichen 2 bezeichnet einen zweiten Oberflä- chenbereich 2, der durch ein erstes Fluid 3 nicht benetzt werden soll, und zwar insbesondere ohne zusätzliche Druckbeaufschla gung, das heißt im Allgemeinen insbesondere unter Atmosphären druck PA/Pl. Figur 2 zeigt für eine makromolekulare Nanotech nologie die gezielte Steuerung der Benetzbarkeit von Polycar- bonatsubstraten als Bespiel für einen zweiten Oberflächenbe reich 2 mittels der Herstellung von hierarchischen Strukturen insbesondere unter Verwendung des sogenannten Direct Laser In- terference Patternings. Figur 3 zeigt eine weitere Darstellung einer wirksamen Vorrich tung. Bezugszeichen 1 kennzeichnet einen ersten Oberflächenbe reich, der beispielsweise durch das erste Fluid 3 bedeckt be ziehungsweise benetzt wurde. Gemäß Figur 3 wird nun ein zweites Fluid 4 appliziert beziehungsweise auf den zweiten Oberflächen bereich 2 unter zusätzlicher Druckbeaufschlagung aufgebracht. Dabei kann es um das gleiche opto-elektronische Bauelement B handeln, wie es in Figur 1 dargestellt ist. Die untere Darstel lung in Figur 3 zeigt, wie das zweite Fluid 4 sowohl den ersten Oberflächenbereich 1 als auch den zweiten Oberflächenbereich 2 abdeckt, und sich darauf verfestigt hat. Dabei soll ein hoher Druck P2/PÜ aufgebracht werden, mit dem das zweite Fluid 4 in den zweiten Oberflächenbereich 2 gepresst wird. Dafür eignen sich insbesondere ein Mold-Pressen, bei dem beispielsweise 50 bis 100 KN auf eine Fläche von circa 4x4 Quadrat-Zoll aufge bracht wird. Dies entspricht ungefähr einem Druck von insbeson- dere 4 MPa. Der erforderliche Druck kann zudem zur Anwendung eines Wirebondings bereitgestellt werden. Der hohe Druck in Figur 4 ist mit P2/PÜ gekennzeichnet. Man sieht wie das zweite Fluid 4 in die Oberflächenstruktur des zweiten Oberflächenbe reichs eingepresst wurde. Es kommt ein dosiertes flüssiges Ma- terialvolumen eines zweiten Fluids 4 zur Anwendung. Mit einer geeigneten Dosierung kann bereits vorab ein Benetzen des ersten und zweiten Oberflächenbereichs 1 und 2 unterstützt werden. Grundsätzlich kann das zweite Fluid 4 ebenso durch das erste Fluid 3 bereitgestellt sein. Es erfolgt eine Benetzung unter hohem Druck, beispielsweise während eines Kompressions-Mol- dings, wodurch sich eine spätere gute Haftung wegen der mecha nischen Verankerung in der Mikroebene beziehungsweise auf Mik roskala im zweiten Oberflächenbereich 2 ergibt. Auf diese Weise kann ein vorhergehendes Entnetzungsverhalten mittels Flüssig- keitsapplikation unter hohem Druck wieder aufgehoben werden.
Figur 5 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer herkömmlichen Vor richtung beziehungsweise eines herkömmlichen Verfahrens. Fi gur 5 zeigt eine Leuchtdiodenstruktur, wobei auf einem Substrat 7 ein LED-Rohchip 9 ausgebildet ist, der von einer Sprühbe- Schichtung 11 bedeckt ist. Beispielsweise wurde ein Leuchtstoff- Spray-Coating, beispielsweise ein Phosphor-Spray-Coating, aus geführt. Beispielsweise mittels Ti02-Jetting oder TiÜ2-Versprit- zen wurde ein erstes Fluid 3 aufgebracht, wobei ein von dem Substrat 7 abgewandter Oberflächenbereich des LED-Rohchips 9 von dem ersten Fluid 3 unbedeckt sein soll. Bezugszeichen D kennzeichnet Bereiche, in denen das Ti02 sich in den beispiels- weise lichtemittierenden Bereich der Leuchtdiode hineiner streckt. Dabei weist ein optoelektronisches Bauelement B De fektbereiche D auf, die einen Lichtdurchgang behindern. Gemäß Figur 5 wurde ein herkömmlicher Rohchip-Attach bezie hungsweise Die-Attach ausgeführt, dem sich ein Spraycoating an geschlossen hat, auf dem ein Ti02-Jetting ausgeführt wurde. Im Anschluss daran wurde mittels Druckformen beziehungsweise Com- pression-Molding Silikon auf einem konkreten Bauteil, an dem keine Laserstrukturierung durchgeführt worden ist, ausgehärtet. Die Defektbereiche D weisen Zungen beziehungsweise „Flashes" oder Austriebe auf, die sich in einem lichtaktiven Bereich des LED-Rohchips 9 hineinerstrecken. Figur 6 zeigt eine gegenüber Figur 5 verbesserte Vorrichtung. Es werden die Schritte Die-Attach, Layer-Attach und Film-As- sisted-Molding ausgeführt. Auf einem Substrat 7 ist ein LED- Rohchip 9 aufgebracht, der mittels einer Sprühbeschichtung 11 beispielsweise mittels Spraycoating eines Konversionsmaterials, insbesondere einen Leuchtstoff, beispielsweise Phosphor, auf weisend, bedeckt wird. Erneut soll eine Ti02-Schicht angebracht werden. Zur Verbesserung der Vorrichtung gemäß Figur 5 wird nun mittels der Bereitstellung eines zweiten Oberflächenbereichs 2 ein klarer Randbereich R zur restlichen Sprühbeschichtung 11 erzeugt. Der zweite Oberflächenbereich 2 wird beispielsweise mittels Mikrostrukturierens insbesondere mittels DLIP (Direct Laser Interference Patterning) mikrostrukturiert. Auf diese Weise ist der restliche Bereich der Sprühbeschichtung 11 als ein erster Oberflächenbereich 1 verbleibend geschaffen. Der zweite Oberflächenbereich 2 ist der zum Substrat 7 abgewandte Oberflächenbereich des LED-Rohchips 9, über den Licht transmit- tiert wird. Auf diese Weise ist ein unmittelbarer Randbereich R zur verbleibenden Sprühbeschichtung 11 erzeugt. Nach der Sprüh beschichtung erfolgt anschließend ein sogenanntes „Jetting" (Verspritzen) eines entsprechenden Materials, das beispiels weise Ti02 sein kann. Dieses stellt nun das erste Fluid 3 bereit, das einen ersten Oberflächenbereich 1 bedecken soll, den zweiten Oberflächenbereich 2 aber nicht benetzen soll. Ein derartiges Aufbringen erfolgt ohne zusätzliche Druckbeaufschlagung, ins besondere unter Atmosphärendruck PA beziehungsweise Druck Pi. Gemäß einer vorgeschlagenen Vorrichtung beziehungsweise einem vorgeschlagenen Herstellungsverfahren einer Vorrichtung ist nun ein klar definierter Rand beziehungsweise Grenzbereich zwischen dem ersten Oberflächenbereich 1 und dem zweiten Oberflächenbe reich 2 für das erste Fluid 3 erzeugt worden. Aufgrund der Oberflächeneigenschaften des zweiten Oberflächenbereichs 2 bleibt der zweite Oberflächenbereich 2 von dem ersten Fluid 3 unbenetzt. Zudem kann die Menge des aufzutragenden ersten Fluids 3 derart gezielt festgelegt und dosiert sein, dass diese gerade für den ersten Oberflächenbereich 1 ausreichend ist. Im Ergebnis schieben sich keine Zungen des ersten Fluids 3 beziehungsweise des T1O2 auf den zweiten Oberflächenbereich 2. Somit sind die in Figur 5 dargestellten Zungen nicht mehr vorhanden.
Figur 7 zeigt eine Weiterführung eines Verfahrens gemäß Figur 6. Gemäß Figur 7 wird eine weitere Ausführungsform eines elektro- nischen Bauelements B geschaffen, indem auf den zweiten Ober flächenbereich 2 und im gehärteten ersten Fluid 3 ein zweites Fluid 4 zur Erzeugung einer Deckschicht 13 aufgebracht wird. Das Aufbringen des zweiten Fluids 4 erfolgt unter Aufhebung der Unbenetzbarkeit des zweiten Oberflächenbereichs 2 beispiels- weise bei einem „Compression Molding" beziehungsweise Formpres sen. Optional kann ein unterstützendes Plasma geschaffen sein. Bei weiteren Produktvarianten kann die Deckschicht 13 grund sätzlich ebenso ohne zusätzliches Druckpressen der Deckschicht 13 aufgebracht werden.
Mittels einer derartigen vorgeschlagenen Vorrichtung und mit tels eines derartigen vorgeschlagenen Verfahrens können soge nannte Ti02-Zungen in den optisch wirkenden Oberflächenbereich des LED-Rohchips 9 verhindert werden. Auf diese Weise ist ein Gewinn an Helligkeit erzeugbar. Figur 8 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel einer herkömm lichen Vorrichtung. Gemäß Figur 8 ist auf einem Substrat 7 ein Rohchip 9, insbesondere ein LED-Rohchip, angeordnet. Auf einer lichtwirkenden Oberflächenseite des Rohchips 9 ist ein Element mittels eines Klebers fixiert, der zudem Bereiche des Substrats 7 sowie Bondbereiche bedeckt. Diese Defektbereiche D sind in Figur 8 gekennzeichnet. Gemäß Figur 8 ist der Rohchip 9 an einen Kontaktdraht 15 gebondet und von einer Deckschicht 13 eingekap selt. Die Vorrichtung gemäß Figur 8 wurde beispielsweise mittels den Schritten „Die-Attach" (DA) , „Layer-Attach" (LA) und „Film Assisted Molding" (FAM) erzeugt. Nachteiligerweise ist der Kle ber auf dem Rohchip 9 zusätzlich auf das Substrat 7 und auf den Bondflächen herausgedrückt. Auf diese Weise ist ein Lichtpfad des opto-elektronischen Bauelements B beeinträchtigt. Es er- folgt nachteiliger Weise eine Lichtabsorption in einem Bondbe reich und/oder im Substrat. Die Deckschicht 13 wird mittels FAM beispielsweise von Ti02 erzeugt.
Figur 9 zeigt eine Darstellung einer gegenüber Figur 8 verbes- serten Vorrichtung. In einem vorteilhaften Verfahren erfolgt ein Bereitstellen zweiter Oberflächenbereiche 2 an dem Substrat 7 angrenzend zu einer Rohchip-Be festigungs fläche und/oder an einer dem Substrat abgewandten Hauptoberfläche des Rohchips 9. Auf diese Weise ist ein erster Oberflächenbereich 1 als die seitlichen Oberflächen und als die dem Substrat abgewandte Hauptoberfläche des Rohchips 9 bereitgestellt. In einem weite ren Verfahrensschritt erfolgt ein Aufbringen eines als Schicht kleber geschaffenen ersten Fluids 3 ohne zusätzliche Druckbe aufschlagung auf die ersten Oberflächenbereiche 1, wobei die ersten Oberflächenbereiche 1 benetzt werden und die zweiten Oberfläche 2 unbenetzt verbleiben. Auf diese Weise kann ein Auslaufen eines Klebers gesteuert werden und auf diese Weise können spätere optische Verluste vermieden werden. Auf diese Weise ist ein Helligkeitsgewinn bereitstellbar. Gemäß Figur 9 kann ein LED-Rohchip 9 mit lokal entnetzenden Oberflächenberei chen 2 bereitgestellt werden. Zusätzlich zu unbedeckt gehalte- nen Substratbereichen können ebenso reine Bondflächen bei spielsweise auf dem Rohchip 9 unbedeckt erhalten bleiben. Auf diesen kleinen Bondflächen (Bond-Pads) können mittels eines Lots, als Beispiel eines zweiten Fluids 4, Kontaktdrähte 15 elektrisch angeschlossen werden. Abschließend kann mittels FAM unter hohem Druck PÜ beziehungsweise P2 ein weiteres, zweites Fluid 4a derart aufgebracht werden, dass eine Deckschicht 13 gebildet wird, die abschließend aushärtet. Gemäß der Vorrich tung und dem Verfahren gemäß Figur 9 können aufgrund eines störenden Klebers erzeugte optische Verluste vermieden werden. Des Weiteren kann verhindert werden, dass reflektierendes Ma terial Bond-Pads abdeckt. Es kann zudem vermieden werden, dass in Figur 9 links und rechts von einem Rohchip 9 Kleber auf ein Substrat 7 läuft. Mittels Bonding, insbesondere bei zusätzli- eher Anwendung von FAM, kann beispielsweise eine Schicht, die Silikon und TiCt aufweist, unter großem Druck ebenso auf die oberflächenstrukturierten Bereiche beziehungsweise die beiden zweiten Oberflächenbereiche 2 aufgebracht werden. Gemäß Figur 9 kann ein Lotusblüteneffekt genutzt werden, licht absorbierende Chip- und Substratbereiche für einen Schichtkle ber entnetzend einzustellen. Es erfolgt eine kontrollierte Be netzung mittels einer Klebeschicht an einem Bond-Pad-Bereich oder an einem Substrat. Zweite Oberflächenbereiche 2 ermögli- chen eine Entnetzung beziehungsweise eine Stoppfunktion. Es er geben sich keine „schwimmenden Schichten", da eine Kleberver teilung gezielt kontrolliert werden kann. Es ist anschließend auf den mikrostrukturierten zweiten Oberflächenbereichen 2 ein Drahtbonden unter Druck möglich, wobei das zweite Fluid 4 dann ein Lot sein kann. Es ergibt sich danach eine zusätzlich ge steigerte Haftkraft beim Drahtbonden infolge einer Oberflächen vergrößerung mittels einer mikromechanischen Verankerung. Der Lotusblüteneffekt kann für die zweiten Oberflächenbereiche 2 bei einer Ti02-Appli kation unter hohem Druck PÜ bei einem FAM- Prozess aufgehoben werden. Figur 10 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel einer vorge schlagenen Vorrichtung. Figur 10 zeigt einen auf einem Substrat 7 angeordneten Rohchip 9, auf dessen dem Substrat 7 abgewandten Oberfläche eine Silikonschicht aufgebracht worden ist. Herkömm- licherweise ergibt sich der Nachteil, dass die aufgebrachte Silikonschicht im Gegensatz zu keramischen Schichten für T1O2- Verguss eine unzureichende Stoppwirkung aufweisen.
Gemäß weiteren Ausführungen kann die Oberfläche der Silikon- Schicht derart mikrostrukturiert werden, dass im Unterschied zu einem ersten benetzbaren Oberflächenbereich 1 ein zweiter Ober flächenbereich 2 erzeugt wird, der ein erstes Fluid 3 abstößt beziehungsweise abperlen lässt. Damit ist die Silikonschicht in dem zweiten Oberflächenbereich 2 für beispielsweise einem T1O2- Verguss entnetzend eingestellt. Zur Herstellung eines entspre chenden opto-elektronischen Bauelementes B ist die Aufhebung eines sogenannten Lotusblüteneffektes nicht erforderlich. Al lerdings kann mittels eines Compression-Molding-Schrittes oder bei starkem Unterverguss ein Film-Assisted-Molding (FAM) durch- geführt werden. Bei einer Vorrichtung gemäß Figur 10 können Zungen des ersten Fluids 3, die in den zweiten Oberflächenbe reich 2 eindringen, wirksam vermieden werden. Dies kann durch eine großflächige Strukturierung der Silikonschicht bewirkt werden. Das Ti02-Material bleibt an einer Oberkante stehen. Die Silikonschicht kann auf einfache Weise aufgeklebt und oberflä chenstrukturiert werden. Auf diese Weise wird ein Ti02-Undercast bis zu einer definierten Linie bei Silikonschichten ermöglicht, was herkömmlicherweise lediglich bei Erzeugung von Keramik schichten mit scharfen Kanten möglich war. Auf diese Weise kann ein Helligkeitsgewinn bewirkt werden. Zusätzlich ergeben sich neue Designoptionen. Mittels der Bereitstellung der Silikon schicht mit einer entnetzenden Oberfläche zur Meldung von Zungen beziehungsweise „Flash" kann auf einfache Weise ein Ti02-Cast ausgeführt werden.
Figur 11 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel einer vorge schlagenen Vorrichtung. Auf einem Substrat 1 ist mittels einer Klebeschicht ein Rohchip 9 fixiert. Um den Kleber im Bereich einer Rohchip-Befestigungsfläche 17 zu halten, wurde in einem Bond-Pad-Bereich ein zweiter Oberflächenbereich 2 geschaffen. Dieser stoppt den auf dem ersten Oberflächenbereich 1 als das erste Fluid 3 aufgetragenen Kleber in Richtung zu dem Bond-Pad. Mittels eines Lots als das zweite Fluid 4 kann ein Kontaktdraht 15 unter hohem Druck PÜ auf den zweiten Oberflächenbereich 2 aufgepresst und damit ankontaktiert werden. Im ersten Oberflä chenbereich 1 auf der Oberfläche des Substrates 7 ist ebenso als erstes Fluid 3 der Kleber aufgebracht worden.
Gemäß dieser vorgeschlagenen Ausgestaltung kann eine Benetzung durch einen Die-Attach-Kleber auf späteren Bondbereichen ver mieden werden. Der Lotusblüteneffekt beziehungsweise die Unbe- netzbarkeit im zweiten Oberflächenbereich 2 kann mittels Draht bonding unter großem Druck behoben werden. Daraufhin ergibt sich eine bessere Haftkraft eines Drahtbonds, da keine Kleberkonta mination vorliegt und sich zusätzlich eine mikromechanische Verankerung für das Lot ergibt. Figur 11 zeigt ein Ausführungs- beispiel für eine allgemeine Herstellung entnetzender Oberflä chenbereiche 2, insbesondere an Leuchtdioden-Packages . Bei spielsweise können konkret Oberseiten von Kavitätengehäuse mikro- und/oder nanostrukturiert werden, um ein Überlaufen bei spielsweise eines Silberleitklebers zu vermeiden. Gemäß Figur 11 kann das Substrat 7 vorbehandelt worden sein. Gemäß Figur 11 kann ein Druckhalten ausgeführt werden bis beispielsweise das Klebermaterial oder das Bondmaterial verhärtet. Eine Mikro strukturierung kann besonders da ausgeführt werden, wenn sehr hoher Druck aufgebracht werden kann. Gemäß der Ausgestaltung gemäß Figur 11 ergibt sich eine gesteigerte Robustheit für Drahtbond-Verbindungen. Figur 11 zeigt ein Substrat 7 mit einem entnetzenden Bereich, der als zweiter Oberflächenbereich 2 ge schaffen worden ist. Dieser kann zudem für ein Wirebonden unter großem Druck PÜ verwendet werden.
Figur 12 zeigt eine Darstellung einer herkömmlichen Vorrich tung. Auf einem Substrat 7 ist ein Rohchip 9 aufgebracht. Dabei ist der Rohchip 9 hier ein Volumenemitter. Dieser weist links und rechts Reflektormaterial auf. Nachteiligerweise ergibt sich an einer Oberseite eine geringe Dicke des Reflektormaterials, was als Defektbereich D gekennzeichnet ist. Das Reflektormate- rial ist hier beispielsweise Ti02. Auf diese Weise ist eine Helligkeit des Volumenemitters beeinträchtigt.
Figur 13 zeigt eine Verbesserung der Vorrichtung gemäß Figur 12. Gemäß Figur 13 kann die Formung des Reflektormaterials, hier bei Volumenemittern, mittels entnetzender Bereiche beziehungs weise mittels Bereitstellung eines zweiten Oberflächenbereichs 2 im Unterschied zu einem ersten Oberflächenbereich 1 verbessert werden . Gemäß Figur 13 werden zweite Oberflächenbereiche 2 der dem Vo lumenemitter zugewandten Seite des Substrats 7 in einem Abstand zu dem Volumenemitter beziehungsweise zu dem Rohchip 9 bereit gestellt. Dadurch werden zwischen dem Volumenemitter und den erzeugten zweiten Oberflächenbereichen 2 links und rechts des Volumenemitters gleichzeitig zwei erste Oberflächenbereiche 1 geschaffen. Wird nun auf den ersten Oberflächenbereichen 1 links und rechts des Volumenemitters eine dosierte Menge an Reflek tormaterial als erstes Fluid 3 aufgebracht, kann sich nun eine stärkere Reflektordicke an der Oberseite des Volumenemitters ausbilden. Aufgrund der Stoppwirkung durch den entnetzend be reitgestellten zweiten Oberflächenbereich 2 kann in dem darge stellten Querschnitt ein veränderter „Meniskus" des Reflektor materials geschaffen werden. Es verändert sich im dargestellten Querschnitt der Oberflächenverlauf der Reflektordicke von kon- kav zu konvex, da an der Oberseite des Volumenemitters eine dickere Reflektordicke im Vergleich zum Stand der Technik ge schaffen werden kann. Grundsätzlich können die Grenzlinien zwi schen dem erstem Oberflächenbereich 1 und dem zweitem Oberflä chenbereich 2 derart variiert werden, dass alternative vorteil- hafte Oberflächenverläufe bereitgestellt werden können. Auf grund des oben dickeren Reflektormaterials kann eine gesteigerte Helligkeit erzeugt werden. Eine Formung des Reflektormaterials bei Volumenemittern kann gezielt bereitgestellt werden.
Weitere vorteilhafte Ausführungsbeispiele ergeben sich aus ei- ner allgemeinen Herstellung entnetzender Bereiche an Leuchtdi- oden-Packages, wobei beispielsweise Oberseiten von Kavitäten gehäuse entnetzend bereitgestellt werden können, um ein Über laufen zu vermeiden. Daraus ergibt sich eine gesteigerte Pro zessstabilität. Ein Überlaufen (Overflow) bei Volumenguss (Vo- lumencast) kann vermieden werden. Gegebenenfalls kann ebenso eine größere Stabilität bei dosierten Linsen beziehungsweise bei Überverguss erhalten werden, da ein Auslaufen verhindert wird. Deshalb können sich ebenso geringere Farbortsstreuungen ergeben. So können vorteilhaft Package-Flächen mit entnetzenden Eigenschaften bereitgestellt werden, und zwar beispielsweise eine Oberseite zur Vermeidung von Zungen beziehungsweise „Flash" bei Volumenguss.
Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel kann der Übergangsbe- reich zwischen dem zweiten Oberflächenbereich 2 und dem ersten Oberflächenbereich 1 als Stockkante genutzt werden. Beispiels weise können dosierte Linsen in Form von Silikontropfen erzeugt werden. Hierfür können beispielsweise ringförmige Strukturie rungen geschaffen werden. Beispielsweise ist der Schutz von elektrischen Kontaktbereichen bereitstellbar. Auf diese Weise ergeben sich neue Designoptionen sowie eine gesteigerte Pro zessstabilität.
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung kann eine Reduzierung einer Klebrigkeit von Oberflächen geschaffen werden. Ebenso können schmutzabweisende Oberflächen bereitgestellt werden. Dies kann für Prozessierungen wie beispielsweise während eines Sägens o- der eines Vereinzeins oder in späteren Anwendungen genutzt wer den . Gemäß einer weiteren Ausgestaltung kann eine Haftverbesserung von Mold-Compound (Formpressmasse) auf Substrat oder von Draht- bond-Verbindungen bei Aufhebung des Lotusblüteneffekts geschaf fen werden. Dies kann zu einer allgemein besseren Haftung sowie zu einer reduzierten Delaminationsgefahr genutzt werden.
Beispielsweise kann zur Erzeugung von zweiten Oberflächenberei chen ein DLIP- (Direct Laser Interference Patterning, direktes Laser-Interference-Muster-Erzeugen) System eingesetzt werden (nicht gezeigt) . Durch ein solches System kann eine gewünschte Mikrometer- oder Submikrometerstruktur auf einer großen Ober fläche hergestellt werden.
Es können verschiedene Laser in das DLIP-System integriert sein, sodass hohe Prozessgeschwindigkeiten, flexible Strukturgeomet rien und/oder die Bearbeitung von 3D-Bauteilen möglich sind.
Bei einem beispielhaften DLIP-Verfahren werden zwei Laserstrah len überlagert. Durch die Überlagerung der Laserstrahlen kann eine Strukturgröße im Mikrometer- beziehungsweise Submikrome terbereich eingestellt werden. Zudem ergibt sich bei der Über lagerung eine Interferenzstrukturtiefe im Millimeter- bis Zen timeterbereich. Die Überlagerung beider Laserstrahlen definiert ein Überlagerungsvolumen beziehungsweise Interferenzvolumen. Die Strukturgröße wird durch die Breite des Übergangsbereichs zum zu bearbeitenden Oberflächenbereich festgelegt.
Dabei kann beispielsweise eine periodische, hexagonal orien tierte Struktur auf Polyethylen (PET) oder eine periodische Linienstruktur auf Edelstahl erzeugt werden (nicht gezeigt) .
Figur 14 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Verfahrens. Gemäß einem ersten Schritt S1 erfolgt ein Bereit stellen eines an einem ersten Oberflächenbereich angrenzenden zweiten Oberflächenbereich des Bauteils, wobei der zweite Ober flächenbereich für ein aufzubringendes erstes Fluid abweisend geschaffen wird. Mit einem zweiten Schritt S2 erfolgt ein Auf bringen, insbesondere einer dosierten Menge, des ersten Fluids ohne zusätzliche Druckbeaufschlagung auf den ersten und/oder zweiten, insbesondere lediglich auf den ersten, Oberflächenbe- reich, wobei der erste Oberflächenbereich von dem ersten Fluid benetzt wird und das erste Fluid von dem zweiten Oberflächen bereich derart abgewiesen wird, dass dieser unbedeckt verbleibt.
BEZUGSZEICHENLISTE
1 erster Oberflächenbereich
5 2 zweiter Oberflächenbereich
3 erstes Fluid
PA/Pi ohne zusätzliche Druckbeaufschlagung PÜ/P2 mit zusätzlicher Druckbeaufschlagung
4 zweites Fluid
0 4a weiteres zweites Fluid
7 Substrat
9 Rohchip
11 Sprühbeschichtung
13 Deckschicht
5 15 Kontaktdraht
17 Rohchip-Befestigungs fläche
D Defektbereich
B elektronisches Bauelement
R Randbereich

Claims

ANSPRÜCHE
1. Verfahren zum Herstellen mindestens eines elektronischen Bauteils, insbesondere eines opto-elektronischen Bauteils, ei- nes LED-Packages oder eines Laserbauteils, mit den Schritten
- Bereitstellen (Sl) eines an einem ersten Oberflächenbereich (1) angrenzenden zweiten Oberflächenbereich (2) des Bauteils, wobei der zweite Oberflächenbereich für ein aufzubringendes erstes Fluid (3) abweisend geschaffen wird;
- Aufbringen ( S2 ) des ersten Fluids (3) ohne zusätzliche Druck beaufschlagung (PA) auf den ersten und/oder zweiten Oberflä chenbereich, wobei der erste Oberflächenbereich (1) von dem ersten Fluid benetzt wird und das erste Fluid von dem zweiten Oberflächenbereich (2) abgewiesen wird.
2. Verfahren gemäß Anspruch 1,
gekennzeichnet durch
ein nach einem Verfestigen des auf einem ersten Oberflächenbe reich (2) aufgebrachten ersten Fluids (3) erfolgendes Aufbrin- gen eines zweiten Fluids (4) auf den ersten Oberflächenbereich (1), auf den zweiten Oberflächenbereich (2) und/oder auf einen Oberflächenbereich des verfestigten ersten Fluids (3) .
3. Verfahren gemäß Anspruch 2,
gekennzeichnet durch
das Aufbringen des zweiten Fluids (4), insbesondere auf den zweiten Oberflächenbereich, mittels Überdruck (PÜ) , Plasmaein wirkung und/oder Pressformen, insbesondere Folien unterstütztes Pressformen, wobei das zweite Fluid (4) den zweiten Oberflä- chenbereich benetzt.
4. Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche,
gekennzeichnet durch
das Bereitstellen des das erste Fluid abweisenden zweiten Ober flächenbereichs mittels periodischem Mikro- und/oder Nano- Strukturierens ausgeführtes Oberflächenstrukturieren des zwei ten Oberflächenbereichs, insbesondere mittels direktem Laser- Interferenzmuster-Erzeugen (DLIP) , wobei insbesondere eine Pe riodizität, insbesondere im Bereich von circa 600nm bis circa lOOOnm geschaffen wird.
5. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch
das Bereitstellen des das erste Fluid abweisenden zweiten Ober flächenbereichs unter Nutzung von Mottenaugenstrukturen und/o der des Lotoseffekts und/oder mittels des Materials oder einer Beschichtung des zweiten Oberflächenbereichs.
6. Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass
das erste Fluid (3) pastös ist und/oder mindestens eine nieder- viskose Komponente aufweist.
7. Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass
das erste Fluid (3) einen Kleber, insbesondere einen Schicht- kleber, ein Lot und/oder eine Vergussmasse aufweist und insbe sondere dosiert aufgebracht wird.
8. Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass
das zweite Fluid (4) gleich dem ersten Fluid (3) geschaffen ist.
9. Verfahren gemäß Anspruch 2 bis 8,
gekennzeichnet durch
Drahtbonden, wobei das zweite Fluid (4) ein Kleber oder ein Lot ist, das unter zusätzlicher Druckbeaufschlagung (PÜ) auf den zweiten Oberflächenbereich (2) aufgebracht wird.
10. Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass
mittels Verkleinern der Benetzbarkeit eines Oberflächenbe reichs, dessen Klebrigkeit reduziert und eine Schmutzabweisbar- keit bereitgestellt wird.
11. Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass
mittels Vergrößern der Benetzbarkeit eines Oberflächenbereichs eine Haftverbesserung für Materialzusammensetzungen, insbeson dere an einem Substrat oder an Draht-Verbindungen, bereitge stellt wird.
12. Vorrichtung aufweisend mindestens ein elektronisches Bau- teil, insbesondere ein opto-elektronisches Bauteil, ein LED-
Package oder ein Laserbauteil, wobei
- an einem ersten Oberflächenbereich (1) angrenzend ein zweiter Oberflächenbereich (2) des Bauteils ausgebildet ist, wobei der zweite Oberflächenbereich für ein aufzubringendes erstes Fluid (3) abweisend geschaffen ist; und wobei
- das erste Fluid (3) ohne zusätzliche Druckbeaufschlagung (PA) auf den ersten und/oder zweiten Oberflächenbereich aufgebracht wurde, wobei der erste Oberflächenbereich (1) von dem ersten Fluid benetzt ist und der zweite Oberflächenbereich (2) von dem ersten Fluid (3) unbedeckt ist.
13. Vorrichtung gemäß Anspruch 12, gekennzeichnet durch einen Rohchip (9), insbesondere LED- Rohchip, der auf einem, insbesondere Silikon aufweisenden, Substrat (7) befestigt ist; eine Sprühbeschichtung (11), insbesondere einer Leucht stoffsprühbeschichtung, die an den an dem Substrat befestigten Rohchip und an das Substrat, an dessen dem Rohchip zugewandten Seite angebracht ist; wobei
die dem Substrat abgewandte sprühbeschichteten Hauptoberfläche des Rohchips als der zweite Oberflächenbereich (2) bereitge stellt wurde, wobei der Rest der Sprühbeschichtung (11) mit deren dem Substrat abgewandten Seite den ersten Oberflächenbe reich (1) bereitstellt; wobei
ein, insbesondere Titandioxid aufweisendes, eine Deckschicht (13) bereitstellendes erstes Fluid (3), insbesondere mittels Einspülen oder Jetting, auf den ersten Oberflächenbereich (1) aufgebracht wurde, wobei der erste Oberflächenbereich benetzt wurde und der zweite Oberflächenbereich (2) unbenetzt verbleibt.
14. Vorrichtung gemäß Anspruch 12 oder 13,
dadurch gekennzeichnet, dass
nach einem Verfestigen des auf dem ersten Oberflächenbereich (1) aufgebrachten ersten Fluids (3) ein zweites Fluid (4) auf den zweiten Oberflächenbereich (2) und auf einen Oberflächen bereich des verfestigten ersten Fluids (3) aufgebracht wurde, insbesondere mittels zusätzlicher Druckbeaufschlagung (PÜ) .
15. Vorrichtung gemäß einem der vorherigen Ansprüche 12 bis 14, gekennzeichnet durch
einen auf einem Substrat (7) befestigten Rohchip (9), insbeson- dere LED- Rohchip;
zweite Oberflächenbereiche (2) an dem Substrat (7) angrenzend zu einer Rohchipbefestigungsfläche und/oder an einer dem Sub strat abgewandten Hauptoberfläche des Rohchips, wobei der erste Oberflächenbereich (1) durch die seitlichen Oberflächen und als die dem Substrat abgewandte Hauptoberfläche des Rohchips be reitgestellt wird; wobei
ein als Schichtkleber geschaffenes erstes Fluid (3) ohne zu sätzliche Druckbeaufschlagung (PA) auf die ersten Oberflächen bereiche (1) aufgebracht wurde, wobei der erste Oberflächenbe- reich benetzt wurde und die zweiten Oberflächenbereiche unbe netzt verbleiben.
16. Vorrichtung gemäß Anspruch 15,
dadurch gekennzeichnet, dass
der an der dem Substrat abgewandten Hauptoberfläche des Rohchips bereitgestellte zweite Oberflächenbereich (2) als eine Kontakt fläche zum Drahtbonden mit einem als Lot geschaffenen zweiten Fluid (4) für eine Drahtverbindung (15) verwendet wurde, ins besondere mittels zusätzlicher Druckbeaufschlagung (P2) .
17. Vorrichtung gemäß Anspruch 15 oder 16,
dadurch gekennzeichnet, dass ein, insbesondere Titandioxid aufweisendes, eine Deckschicht (13) bereitstellendes weiteres zweites Fluid (4a), insbesondere mittels Einspülen oder Jetting, an der Seite des Rohchips, ins besondere mittels eines Film unterstützten Pressformens (FAM) unter Überdruck (PÜ) aufgebracht wurde.
18. Vorrichtung gemäß einem der vorherigen Ansprüche 12 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass
eine Silikonschicht an einem an einem Substrat befestigten Roh- chip an dessen dem Substrat abgewandten Hauptoberfläche ange bracht wurde, wobei die dem Substrat abgewandte Oberfläche der Silikonschicht als ein zweiter Oberflächenbereich (2) und die Seitenoberfläche der Silikonschicht, die Seitenoberfläche des Rohchips und die dem Rohchip zugewandte Seite des Substrats als ein erster Oberflächenbereich (1) bereitstellt werden; wobei das erste Fluid (3) als Verguss, insbesondere Titandioxid auf weisend, ohne zusätzliche Druckbeaufschlagung (PA) auf den ers ten Oberflächenbereich aufgebracht wurde, wobei der erste Ober flächenbereich benetzt ist und der zweite Oberflächenbereich (2) unbenetzt verbleibt.
19. Vorrichtung gemäß einem der vorherigen Ansprüche 12 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass
ein zweiter Oberflächenbereich (2) an dem Substrat benachbart zu einer Rohchipbefestigungsfläche, insbesondere als ein Draht bondbereich, bereitgestellt wurde, wobei das verbleibende Sub strat auf der Seite der Rohchipbefestigungsfläche den ersten Oberflächenbereich (1) ausbildet; wobei
das, insbesondere als Schichtkleber ausgebildete, erste Fluid ohne zusätzliche Druckbeaufschlagung (PA) auf den ersten Ober flächenbereich aufgebracht wurde, wobei der erste Oberflächen bereich benetzt wurde und der zweite Oberflächenbereich (2) unbenetzt verbleibt; wobei
ein Rohchip (9), insbesondere LED- Rohchip, auf dem ersten Ober flächenbereich an der Rohchipbefestigungsfläche (17) an dem Substrat (7) befestigt ist.
20. Vorrichtung gemäß Anspruch 19,
dadurch gekennzeichnet, dass
zum Drahtbonden das zweite Fluid (4) ein Kleber oder ein Lot ist, das mittels zusätzlicher Druckbeaufschlagung (PÜ) auf den zweiten Oberflächenbereich (2) aufgebracht wurde.
21. Vorrichtung gemäß einem der vorherigen Ansprüche 12 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass
der zweite Oberflächenbereich (2) als eine Ausgangseite eines Kavitätengehäuses ausgebildet ist.
22. Vorrichtung gemäß einem der vorherigen Ansprüche 12 bis 21, gekennzeichnet durch
ein auf einem Substrat angeordnetes elektronisches Bauteil, insbesondere einen Volumenemitter, mit ersten Oberflächenberei chen (1), die an der dem Bauteil zugewandten Seite des Substrats an das Bauteil angrenzend gewählt wurden und mit zweiten Ober flächenbereichen (2) die an der dem Bauteil zugewandten Seite des Substrats in einem Abstand von dem Bauteil bereitgestellt sind; wobei
ein als Reflektormaterial geschaffenes erstes Fluid (3) ohne zusätzliche Druckbeaufschlagung (PA) auf die ersten Oberflä chenbereiche (1) aufgebracht wurde, wobei diese benetzt wurden und die zweiten Oberflächenbereiche (2) unbenetzt verbleiben.
23. Vorrichtung gemäß Anspruch 22,
dadurch gekennzeichnet, dass
das Reflektormaterial mit einer gleichbleibenden Dicke zwischen dem Volumenemitter und den jeweiligen zweiten Oberflächenberei- chen (2) angebracht ist.
24. Vorrichtung gemäß einem der vorherigen Ansprüche 12 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass
ein als Linsenmaterial geschaffener Tropfen eines ersten Fluids (3) ohne zusätzlicher Druckbeaufschlagung (PA) auf einen, ins besondere als Kreis, geformten ersten Oberflächenbereich (1) aufgebracht wurde, wobei der erste Oberflächenbereich benetzt ist und der Außenrandbereich des Kreises als der zweite Ober flächenbereich (2) unbenetzt verbleibt.
25. Vorrichtung gemäß einem der vorherigen Ansprüche 12 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass
ein Schutzbereich, insbesondere für elektrische Kontakte, als zweiter Oberflächenbereich (2), bereitgestellt wurde, um den ein erster Oberflächenbereich (1) angeordnet ist und der von dem ersten Fluid unbenetzt verbleibt.
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