WO2020170535A1 - 半導体基板および半導体モジュール - Google Patents

半導体基板および半導体モジュール Download PDF

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Definitions

  • the present technology relates to semiconductor substrates. More specifically, the present invention relates to a semiconductor substrate and a semiconductor module protection structure using a glass substrate.
  • the image sensor Due to the higher functionality and larger size of the image sensor, if it is mounted using an organic substrate or a ceramic substrate as in the past, the image sensor may rise due to warpage, or it may be connected due to the difference in thermal expansion coefficient. The reliability may not be maintained. Therefore, it is required to employ a glass substrate that ensures evenness. On the other hand, since the glass substrate is fragile and is easily damaged by an impact during transportation, it is necessary to protect the outer peripheral portion of the substrate with resin or the like. In this glass substrate, the end face is particularly fragile, and, for example, a manufacturing method for forming a thick protective layer on the end face has been proposed (for example, refer to Patent Document 1).
  • an etching resistant layer is provided, and a space surrounded by the etching resistant layer and the side surface of the glass substrate is filled with a polymer agent for end face protection, so that the protective layer is formed in the direction outside the side surface of the glass substrate. Has formed.
  • this conventional technique requires a step of peeling after forming the etching resistant layer, and the substrate may be warped due to the contraction of the protective layer.
  • the present technology was created in view of such circumstances, and its purpose is to provide a protective structure that appropriately protects the side surface of the glass substrate.
  • a first side surface thereof includes a glass substrate having a plurality of linear portions and a corner portion sandwiched between the linear portions on the side surface, and A semiconductor substrate and a semiconductor module, comprising: a protective material formed on at least a part of a side surface of a glass substrate, wherein the corner portion is inside a straight line connecting ridge lines of the protective material formed in the straight portion. Is. This brings about an effect of protecting the corner portion of the glass substrate by the protective material formed on the straight portion of the glass substrate.
  • the protective material may be discontinuous at the corner portion. That is, it is the protective material formed on the straight portion that provides the function of protecting the corner portion.
  • the protective material may be made of a material having a thixotropy with a thixo ratio of 1 to 6. This brings about the effect that the protective material is applied to the side surface of the glass substrate in a state where it has high viscosity and swells outward.
  • the protective material may be made of a material having heat resistance against the reflow process. This brings about an effect that it is possible to cope with high-temperature treatment several times in the reflow step after applying the protective material. Specifically, it may be made of a material having a heat resistant temperature of 200 degrees or more.
  • the protective material may be made of a material containing epoxy or silicone as a main component.
  • the protective material may have a property of blocking visible light.
  • the first side surface may further include a wiring layer laminated on at least one of the upper surface and the lower surface of the glass substrate.
  • the protective material be formed lower than the thickness of the wiring layer in the thickness direction. This brings about an effect of avoiding the influence of the protective material on the surroundings.
  • the protective material may have a discontinuous portion in the corner portion, and may further include a material different in material from the protective material in the discontinuous portion. This brings about the effect of effectively utilizing the corner portion when fixing the glass substrate in the semiconductor module.
  • FIG. It is a top view showing an example of a semiconductor substrate in a 1st embodiment of this art. It is a top view showing an example of formation of protective material 200 in a 1st embodiment of this art. 7 is a top view showing another example of forming the protective material 200.
  • FIG. It is sectional drawing which shows the example of formation of the protective material 200 of the linear part 101 of the glass substrate 100 in 1st Embodiment of this technique. It is a sectional view showing an example of a semiconductor module in a 2nd embodiment of this art.
  • First embodiment example of forming a protective material on a side surface of a glass substrate
  • Second embodiment example of mounting on a semiconductor module
  • FIG. 1 is a top view showing an example of a semiconductor substrate according to the first embodiment of the present technology.
  • This semiconductor substrate includes a glass substrate 100 having an octagonal plane shape. That is, the glass substrate 100 includes eight straight line portions 101 and a corner portion 102 sandwiched between these straight line portions 101 on the side surface. Although an octagonal planar shape is shown in this example, this is an example and may be an arbitrary shape such as a quadrangle or a hexagon.
  • the protective material 200 is formed on at least a part of the side surface around the glass substrate 100.
  • the protective material 200 is made of a material having thixotropy.
  • the thixotropy is a property in which the viscosity changes with time. A material having thixotropy gradually decreases in viscosity when a force is applied, and gradually increases in viscosity when the force is stopped.
  • the protective material 200 in this embodiment is preferably made of a material having thixotropy with a thixo ratio of 1 to 6. By having such thixotropy, the protective material 200 is formed on the side surface of the glass substrate 100 in a state where it has high viscosity and swells outward.
  • the protective material 200 is formed by applying the protective material 200 to the glass substrate 100 with a dispenser (liquid quantitative discharge device).
  • solder reflow is performed as a post-process after forming the protective material 200 in order to perform solder bonding.
  • the high temperature treatment is performed several times. For example, a temperature of 260 degrees is maintained for 30 seconds. Therefore, it is necessary to prevent the protective material 200 from shrinking in the solder reflow process and the glass substrate 100 from being deformed by the knitting stress associated with the shrinkage.
  • the material of the protective material 200 has heat resistance to the solder reflow process. More specifically, it is desirable that the material of the protective material 200 be a material having a heat resistant temperature (heat deformation temperature) of 200 degrees or more. As such a material, for example, a resin whose main component is epoxy or silicone is assumed.
  • the glass substrate 100 may have a structure in which, for example, glass, an insulating material, or a conductive material is laminated, in addition to a material using glass as a material. In that case, these stacked materials are exposed to the end surface of the substrate, but even in that case, protection by the protective material 200 is applicable.
  • FIG. 2 is a top view showing an example of forming the protective material 200 according to the first embodiment of the present technology.
  • the corner material 102 is coated with the protective material 200, it is apt to be thin due to the surface tension, and the film thickness and shape are likely to be unstable. Further, there is a possibility that the end face becomes convex due to the influence of wet etching used when separating the substrates, and the protective material 200 becomes thinner. Therefore, in this example, the protective material 200 is formed on the linear portion 101 on the side surface of the glass substrate 100, and the corner portion 102 is not formed. That is, the protective material 200 is discontinuous at the corner portion 102. Then, without intentionally forming the protective material 200 on the corner portion 102, the corner portion 102 is protected by the protective material 200 formed on the linear portion 101. However, as will be described later, the protective material 200 may be formed on the corner portion 102 in some cases.
  • a straight line 501 connecting the ridgelines of the protective material 200 formed on the straight line portion 101 of the glass substrate 100 is hypothesized.
  • the ridge line is a straight line that is in contact with the peaks of the protective material 200 formed on the adjacent straight line portions 101, respectively.
  • the corner portion 102 of the glass substrate 100 is inside the straight line 501 (on the center side of the glass substrate 100). Therefore, even if an impact is applied to the glass substrate 100 from a linear object, the corner portion 102 is protected from the impact.
  • FIG. 3 is a top view showing another example of forming the protective material 200.
  • the protective material 200 in the corner portion 102 was discontinuous, but in a in the figure, the protective material 200 is also formed in the corner portion 102. Also in this case, the protective material 200 of the corner portion 102 of the glass substrate 100 is inside the straight line 501. Therefore, also in this case, even if an impact is applied to the glass substrate 100 from a linear object, the impact does not reach the protective material 200 of the corner portion 102, and the glass substrate 100 is protected from the impact.
  • the protective materials 200 formed on the linear portion 101 of the glass substrate 100 are in contact with each other. Further, in c in the figure, the protective materials 200 formed on the linear portion 101 of the glass substrate 100 are closer to each other and integrated with each other. Also in these cases, even if an impact is applied to the glass substrate 100 from a linear object, the corner portion 102 is protected from the impact.
  • the corner portion 102 of the glass substrate 100 is outside the straight line 501 (on the opposite side from the center of the glass substrate 100).
  • the protective material 200 formed on the straight portion 101 cannot protect the corner portion 102, and the corner portion 102 is impacted. ..
  • the example of forming a to c in the figure has the function of this embodiment of protecting the corner portion 102.
  • the protective material 200 of the linear portion 101 is displaced due to variations in manufacturing, or the protective material 200 is applied to the corner portion 102, as long as it is an example of forming a to c in FIG. It functions as the protective material 200 of this embodiment.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of forming the protective material 200 on the linear portion 101 of the glass substrate 100 according to the first embodiment of the present technology.
  • the wiring layer 300 is provided on at least one of the upper surface and the lower surface of the glass substrate 100 and is used as a wiring board.
  • the wiring layer 300 is formed by laminating a polyimide-based insulating material and a metal conductive material. Therefore, the total thickness of the substrate when used as a wiring substrate is the thickness of the glass substrate 100 plus the thickness of the wiring layer 300.
  • the thickness of the glass substrate 100 is assumed to be about 800 ⁇ m.
  • the thickness of the wiring layer 300 is assumed to be about 20 to 40 ⁇ m.
  • the sectional shape of the protective material 200 is a shape that bulges outward along the side surface of the glass substrate 100.
  • the upper end ridge portion 104 and the lower end ridge portion 105 of the glass substrate 100 are the most widened portions. Therefore, if the protective material 200 of the upper edge portion 104 and the lower edge portion 105 is formed to be lower than the height of the wiring layer 300, there will be no practical problem as a wiring board.
  • the thickness of the tip portion 203 of the protective material 200 at the tip portion 103 of the glass substrate 100 be thicker than other portions. .. This is to avoid damage at the end faces.
  • a material having thixotropy is assumed as the protective material 200, it is suitable for obtaining such a shape.
  • the distance from the edge of the wiring layer 300 to the upper edge portion 104 or the lower edge portion 105 of the glass substrate 100 is assumed to be, for example, about 450 to 500 ⁇ m.
  • the distance (B in the figure) from the upper edge 104 or the lower edge 105 of the glass substrate 100 to the tip 103 of the glass substrate 100 is assumed to be, for example, about 200 to 250 ⁇ m.
  • the thickness (C in the figure) of the tip portion 203 of the protective material 200 at the tip portion 103 of the glass substrate 100 is assumed to be, for example, about 200 ⁇ m.
  • the end surface of the glass substrate 100 is projected outward, but, for example, the center portion in the thickness direction has a shape in which it enters the substrate side from both ends in the thickness direction. Good.
  • the corner portion 102 of the glass substrate 100 or the protective material 200 of the corner portion 102 has the ridge lines of the protective material 200 formed on the straight portion 101 of the glass substrate 100. It is formed inside the connecting straight line 501. Accordingly, even if an impact is applied to the glass substrate 100 by a linear object, the corner portion 102 can be protected from the impact.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of a semiconductor module according to the second embodiment of the present technology.
  • This semiconductor module is formed including the semiconductor substrate according to the first embodiment described above. That is, the semiconductor chip 420 is mounted on the upper surface of the glass substrate 100. In this example, a semiconductor module for an image pickup device having an image pickup element (image sensor) as the semiconductor chip 420 is assumed. Each electrode of the semiconductor chip 420 is connected to the wiring layer 300 by a bonding wire 421.
  • a cover glass 450 is arranged on the upper side of the glass substrate 100, that is, on the incident light side.
  • a mold frame 430 is formed around the glass substrate 100 to fix the cover glass 450.
  • the mold frame 430 is fixed at the corner portion 102 of the glass substrate 100 by the fixing material 440. That is, a material different from the protective material 200 is filled in the discontinuous portion of the protective material 200 in the subsequent process.
  • the fixing material 440 is an example of the “material different from the protective material” in the claims.
  • a solder bump or the like is provided on the lower side of the glass substrate 100 and is mounted on the motherboard 410.
  • Another semiconductor chip may be mounted on the motherboard 410. In this way, the semiconductor module is formed.
  • this semiconductor module is supposed to be equipped with an image pickup element as the semiconductor chip 420, it is desirable that the protective material 200 for the glass substrate 100 has a property of blocking visible light. Thereby, it is possible to avoid the influence of the external light on the glass substrate 100 on the semiconductor chip 420.
  • the corner portion 102 of the glass substrate 100 on which the semiconductor chip 420 is mounted or the protective material 200 thereof is the protective material 200 formed on the straight portion 101 of the glass substrate 100. It is formed inside the straight line 501 connecting the ridge lines. Accordingly, even if a linear object impacts the glass substrate 100 of the semiconductor module, the corner portion 102 of the glass substrate 100 can be protected from the impact.
  • the present technology may have the following configurations.
  • the protective material is made of a material having thixotropy with a thixo ratio of 1 to 6.
  • the protective material has a discontinuous portion at the corner portion, The semiconductor module according to (10), further including a material different from the protective material in the discontinuous portion.

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Abstract

半導体モジュールにおけるガラス基板の側面を適切に保護する保護構造を提供する。　半導体モジュールは、ガラス基板を備える。ガラス基板は、複数の直線部と、それら直線部に挟まれたコーナー部とを側面に備える。ガラス基板の側面の少なくとも一部には、保護材が形成される。ガラス基板のコーナー部は、直線部に形成された保護材の稜線同士を結ぶ直線よりも内側（ガラス基板の中心側）にある。これにより、ガラス基板の側面に対する衝撃からコーナー部を保護する。

Description

半導体基板および半導体モジュール
　本技術は、半導体基板に関する。詳しくは、ガラス基板を利用した半導体基板および半導体モジュールの保護構造に関する。
　撮像素子の高機能化および大判化に伴い、従来のように有機基板やセラミック基板を用いて実装した場合には、反りに起因して撮像素子が浮き上がってしまったり、熱膨張率の差から接続信頼性を維持できなくなったりするおそれが生じ得る。そのため、より平坦性が担保されるガラス基板の採用が求められている。一方、ガラス基板は脆弱であり、搬送に伴う衝撃などで破損し易いため、基板外周部を樹脂などによって保護する必要がある。このガラス基板においては、特に端面が脆弱であり、例えば、端面において保護層を厚く形成するための製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２０１５－１３１７４１号公報
　上述の従来技術では、耐エッチング層を設けて、耐エッチング層とガラス基板の側面とに囲まれる空間に端面保護用ポリマー剤を充填することにより、ガラス基板の側面の外側の方向に保護層を形成している。しかしながら、この従来技術では、耐エッチング層を形成した後に剥離する工程が必要になり、また、保護層が収縮することにより基板に反りが生じるおそれがある。
　本技術はこのような状況に鑑みて生み出されたものであり、ガラス基板の側面を適切に保護する保護構造を提供することを目的とする。
　本技術は、上述の問題点を解消するためになされたものであり、その第１の側面は、複数の直線部と上記直線部に挟まれたコーナー部とを側面に備えるガラス基板と、上記ガラス基板の側面の少なくとも一部に形成された保護材とを具備し、上記コーナー部は、上記直線部に形成された上記保護材の稜線同士を結ぶ直線よりも内側にある半導体基板および半導体モジュールである。これにより、ガラス基板の直線部に形成された保護材によってガラス基板のコーナー部を保護するという作用をもたらす。
　また、この第１の側面において、上記保護材は、上記コーナー部において不連続であってもよい。すなわち、コーナー部の保護という作用をもたらすのは、直線部に形成された保護材である。
　また、この第１の側面において、上記保護材は、チクソ比が１乃至６のチクソ性を有する材料からなるものであってもよい。これにより、粘性が高く外側に膨らんだ状態でガラス基板の側面に保護材を塗布するという作用をもたらす。
　また、この第１の側面において、上記保護材は、リフロー工程に対する耐熱性を有する材料からなるものであってもよい。これにより、保護材を塗布した後のリフロー工程における数回に亘る高温下の処理に対応するという作用をもたらす。具体的には、耐熱温度が２００度以上の材料からなるものであってもよい。
　また、この第１の側面において、上記保護材は、エポキシまたはシリコーンを主成分とする材料からなるものであってもよい。
　また、この第１の側面において、上記保護材は、可視光に対して遮光性を有するものであってもよい。これにより、ガラス基板に撮像素子を搭載した場合に、ガラス基板における外光による撮像素子への影響を回避するという作用をもたらす。
　また、この第１の側面において、上記ガラス基板の上面および下面の少なくとも一方に積層される配線層をさらに具備してもよい。この場合、上記保護材は、上記配線層の厚みよりも厚さ方向に低く形成されることが望ましい。これにより、保護材による周囲への影響を回避するという作用をもたらす。
　また、この第１の側面において、上記保護材は、上記コーナー部において不連続部を有し、上記不連続部において上記保護材とは材質の異なる材料をさらに具備してもよい。これにより、半導体モジュールにおいてガラス基板を固定する際に、コーナー部を有効に利用するという作用をもたらす。
本技術の第１の実施の形態における半導体基板の一例を示す上面図である。 本技術の第１の実施の形態における保護材２００の形成例を示す上面図である。 保護材２００の他の形成例を示す上面図である。 本技術の第１の実施の形態におけるガラス基板１００の直線部１０１の保護材２００の形成例を示す断面図である。 本技術の第２の実施の形態における半導体モジュールの一例を示す断面図である。
　以下、本技術を実施するための形態（以下、実施の形態と称する）について説明する。説明は以下の順序により行う。
　１．第１の実施の形態（ガラス基板の側面に保護材を形成する例）
　２．第２の実施の形態（半導体モジュールへの実装例）
　＜１．第１の実施の形態＞
　［半導体基板］
　図１は、本技術の第１の実施の形態における半導体基板の一例を示す上面図である。
　この半導体基板は、八角形の平面形状を有するガラス基板１００を備える。すなわち、ガラス基板１００は、８つの直線部１０１と、これら直線部１０１に挟まれたコーナー部１０２とを側面に備える。なお、この例では八角形の平面形状を示したが、これは一例であり、四角形、六角形など任意の形状であってもよい。
　ガラス基板１００の周囲の側面には、少なくともその一部に保護材２００が形成される。この保護材２００は、チクソ性（thixotropy：擬塑性）を有する材料からなる。チクソ性とは、粘度が時間経過とともに変化する性質である。チクソ性を有する材料は、力を加えると粘度が次第に低くなり、力を停止すると粘度が次第に高くなる。
　この実施の形態における保護材２００としては、チクソ比が１乃至６のチクソ性を有する材料からなることが望ましい。このようなチクソ性を有することにより、保護材２００は、粘性が高く外側に膨らんだ状態でガラス基板１００の側面に形成される。この保護材２００は、ディスペンサ（液体定量吐出装置）によって、ガラス基板１００に対して塗布することにより形成される。
　また、ガラス基板１００においては、はんだ接合を行うために、保護材２００を形成した後工程として、はんだリフローが行われる。このはんだリフロー工程においては、数回に亘り高温下の処理が行われる。例えば、２６０度の温度が３０秒間継続される。そのため、はんだリフロー工程において保護材２００が収縮して、その収縮に伴う編応力によりガラス基板１００が変形することを回避する必要がある。
　したがって、保護材２００の材料としては、はんだリフロー工程に対する耐熱性を有することが望ましい。より具体的には、保護材２００の材料としては、耐熱温度（熱変形温度）が２００度以上の材料からなることが望ましい。そのような材料として、例えば、エポキシ（epoxy）またはシリコーン（silicone）を主成分とする樹脂が想定される。
　なお、ガラス基板１００としては、ガラスを材料として用いたものの他、例えば、ガラス、絶縁材、導電材料を積層した構造であってもよい。その場合、積層されたこれらの材料が基板の端面に露出するが、その場合であっても保護材２００による保護は適用可能である。
　［保護材の形成］
　図２は、本技術の第１の実施の形態における保護材２００の形成例を示す上面図である。
　コーナー部１０２は、保護材２００を塗布したとしても、表面張力により薄くなり易く、また、膜厚や形状が不安定になり易い。また、基板分離の際に用いられるウエットエッチングの影響により端面が凸型になり、さらに保護材２００が薄くなるおそれがある。そこで、この例では、保護材２００は、ガラス基板１００の側面の直線部１０１に形成され、コーナー部１０２は形成されない。すなわち、コーナー部１０２において保護材２００は不連続となっている。そして、コーナー部１０２に保護材２００を敢えて形成せずに、直線部１０１に形成された保護材２００によってコーナー部１０２の保護を図る。ただし、後述するように、コーナー部１０２に保護材２００が形成されていてもよい場合がある。
　ここで、ガラス基板１００の直線部１０１に形成された保護材２００の稜線同士を結ぶ直線５０１を仮想する。稜線とは、隣り合う直線部１０１にそれぞれ形成された保護材２００の山に対して、それぞれ接する直線である。このとき、ガラス基板１００のコーナー部１０２は、直線５０１よりも内側（ガラス基板１００の中心側）にある。したがって、ガラス基板１００に対して直線上の物体から衝撃が加えられても、コーナー部１０２についてはその衝撃から保護されるようになっている。
　図３は、保護材２００の他の形成例を示す上面図である。
　上述の例では、コーナー部１０２における保護材２００が不連続となっていたが、同図におけるａでは、コーナー部１０２にも保護材２００が形成されている。この場合においても、ガラス基板１００のコーナー部１０２の保護材２００は、直線５０１よりも内側にある。したがって、この場合も、ガラス基板１００に対して直線上の物体から衝撃が加えられても、コーナー部１０２の保護材２００にも衝撃が届かず、その衝撃から保護されるようになっている。
　同図におけるｂでは、ガラス基板１００の直線部１０１に形成された保護材２００同士が互いに接している。また、同図におけるｃでは、ガラス基板１００の直線部１０１に形成された保護材２００同士がさらに近くなり、互いに一体化している。これらの場合においても、ガラス基板１００に対して直線上の物体から衝撃が加えられても、コーナー部１０２についてはその衝撃から保護されるようになっている。
　一方、同図におけるｄの場合には、ガラス基板１００のコーナー部１０２は、直線５０１よりも外側（ガラス基板１００の中心から反対側）にある。この場合、ガラス基板１００のコーナー部１０２に対して直線上の物体から衝撃が加えられると、直線部１０１に形成された保護材２００では保護しきれずに、コーナー部１０２に衝撃を及ぼすことになる。
　したがって、同図におけるａ乃至ｃの形成例であれば、コーナー部１０２を保護するという本実施の形態としての作用を奏することがわかる。例えば、製造時のばらつきなどにより、直線部１０１の保護材２００の位置がずれ、または、コーナー部１０２に保護材２００が塗布されたとしても、同図におけるａ乃至ｃの形成例であれば、この実施の形態の保護材２００として機能する。
　［保護材の寸法］
　図４は、本技術の第１の実施の形態におけるガラス基板１００の直線部１０１の保護材２００の形成例を示す断面図である。
　ガラス基板１００を半導体基板として用いる際には、ガラス基板１００の上面および下面の少なくとも一方に配線層３００が設けられ、配線基板として利用されることになる。この配線層３００は、ポリイミド系の絶縁材および金属の導電材料が積層されることにより形成される。したがって、配線基板として利用される際の基板総厚さは、ガラス基板１００の厚さに配線層３００の厚さを加えたものとなる。例えば、ガラス基板１００の厚さとしては、８００μｍ程度が想定される。また、配線層３００の厚さとしては、２０乃至４０μｍ程度が想定される。
　上述のように、保護材２００としてチクソ性を有する材料を想定しているため、保護材２００の断面形状は、ガラス基板１００の側面に沿って外側に膨らんだ形状になる。このとき、高さ方向（厚さ方向）に着目すると、ガラス基板１００の上端稜部１０４および下端稜部１０５が最も広がりのある部分である。したがって、上端稜部１０４および下端稜部１０５の保護材２００が配線層３００の高さよりも低く形成されていれば、配線基板としての実用上の問題は生じない。
　一方、長さ方向（側面方向）に着目すると、ガラス基板１００の先端部１０３における保護材２００の先端部２０３の厚さ（同図におけるＣ）は他の部分よりも厚く形成されることが望ましい。これは、端面における破損を避けるためである。上述のように、保護材２００としてチクソ性を有する材料を想定しているため、このような形状を得ることに適している。
　寸法の一例として、配線層３００の端からガラス基板１００の上端稜部１０４または下端稜部１０５までの距離（同図におけるＡ）は、例えば、４５０乃至５００μｍ程度が想定される。また、ガラス基板１００の上端稜部１０４または下端稜部１０５からガラス基板１００の先端部１０３までの距離（同図におけるＢ）は、例えば、２００乃至２５０μｍ程度が想定される。また、ガラス基板１００の先端部１０３における保護材２００の先端部２０３の厚さ（同図におけるＣ）は、例えば、２００μｍ程度が想定される。
　なお、この例では、ガラス基板１００の端面が外側に突出している形状を示したが、例えば、厚さ方向の中心部が厚さ方向の両端部より基板側に入り込んだ形状を有していてもよい。
　このように、本技術の第１の実施の形態では、ガラス基板１００のコーナー部１０２またはコーナー部１０２の保護材２００が、ガラス基板１００の直線部１０１に形成された保護材２００の稜線同士を結ぶ直線５０１よりも内側に形成される。これにより、ガラス基板１００に対して直線上の物体から衝撃が加えられても、その衝撃からコーナー部１０２を保護することができる。
　＜２．第２の実施の形態＞
　［半導体モジュール］
　図５は、本技術の第２の実施の形態における半導体モジュールの一例を示す断面図である。
　この半導体モジュールは、上述の第１の実施の形態における半導体基板を含んで形成される。すなわち、ガラス基板１００の上面には、半導体チップ４２０が搭載される。この例では、半導体チップ４２０として撮像素子（イメージセンサ）を搭載する撮像装置のための半導体モジュールを想定する。半導体チップ４２０の各電極は、ボンディングワイヤ４２１によって配線層３００に接続される。
　ガラス基板１００の上側、すなわち入射光側には、カバーガラス４５０が配置される。このカバーガラス４５０を固定するために、ガラス基板１００の周囲にはモールドフレーム４３０が形成される。このモールドフレーム４３０は、ガラス基板１００のコーナー部１０２において固定材４４０によって固定される。すなわち、上述の保護材２００が不連続となっている部分に、後工程において保護材２００とは異なる材料が充填される。なお、固定材４４０は、特許請求の範囲に記載の「保護材とは材質の異なる材料」の一例である。
　ガラス基板１００の下側には、はんだバンプ等が設けられ、マザーボード４１０に搭載される。マザーボード４１０にはさらに他の半導体チップが搭載され得る。このようにして、半導体モジュールが形成される。
　この半導体モジュールは、半導体チップ４２０として撮像素子を搭載することを想定しているため、ガラス基板１００の保護材２００としては、可視光に対して遮光性を有することが望ましい。これにより、ガラス基板１００における外光による半導体チップ４２０への影響を回避することができる。
　このように、本技術の第２の実施の形態では、半導体チップ４２０を搭載するガラス基板１００のコーナー部１０２またはその保護材２００が、ガラス基板１００の直線部１０１に形成された保護材２００の稜線同士を結ぶ直線５０１よりも内側に形成される。これにより、半導体モジュールのガラス基板１００に対して直線上の物体から衝撃が加えられても、その衝撃からガラス基板１００のコーナー部１０２を保護することができる。
　なお、上述の実施の形態は本技術を具現化するための一例を示したものであり、実施の形態における事項と、特許請求の範囲における発明特定事項とはそれぞれ対応関係を有する。同様に、特許請求の範囲における発明特定事項と、これと同一名称を付した本技術の実施の形態における事項とはそれぞれ対応関係を有する。ただし、本技術は実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において実施の形態に種々の変形を施すことにより具現化することができる。
　なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって、限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。
　なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
（１）複数の直線部と前記直線部に挟まれたコーナー部とを側面に備えるガラス基板と、
　前記ガラス基板の側面の少なくとも一部に形成された保護材とを具備し、
　前記コーナー部は、前記直線部に形成された前記保護材の稜線同士を結ぶ直線よりも内側にある
半導体基板。
（２）前記保護材は、前記コーナー部において不連続である
前記（１）に記載の半導体基板。
（３）前記保護材は、チクソ比が１乃至６のチクソ性を有する材料からなる
前記（１）または（２）に記載の半導体基板。
（４）前記保護材は、リフロー工程に対する耐熱性を有する材料からなる
前記（１）から（３）のいずれかに記載の半導体基板。
（５）前記保護材は、耐熱温度が２００度以上の材料からなる
前記（１）から（４）のいずれかに記載の半導体基板。
（６）前記保護材は、エポキシまたはシリコーンを主成分とする材料からなる
前記（１）から（５）のいずれかに記載の半導体基板。
（７）前記保護材は、可視光に対して遮光性を有する
前記（１）から（６）のいずれかに記載の半導体基板。
（８）前記ガラス基板の上面および下面の少なくとも一方に積層される配線層をさらに具備する前記（１）から（７）のいずれかに記載の半導体基板。
（９）前記保護材は、前記配線層の厚みよりも厚さ方向に低く形成される
前記（８）に記載の半導体基板。
（１０）複数の直線部と前記直線部に挟まれたコーナー部とを側面に備えるガラス基板と、
　前記ガラス基板の側面の少なくとも一部に形成された保護材とを具備し、
　前記コーナー部は、前記直線部に形成された前記保護材の稜線同士を結ぶ直線よりも前記ガラス基板の内側にある
半導体モジュール。
（１１）前記保護材は、前記コーナー部において不連続部を有し、
　前記不連続部において前記保護材とは材質の異なる材料をさらに具備する
前記（１０）に記載の半導体モジュール。
　１００　ガラス基板
　１０１　ガラス基板の直線部
　１０２　ガラス基板のコーナー部
　１０３　ガラス基板の先端部
　１０４　ガラス基板の上端稜部
　１０５　ガラス基板の下端稜部
　２００　保護材
　２０３　保護材の先端部
　３００　配線層
　４１０　マザーボード
　４２０　半導体チップ
　４２１　ボンディングワイヤ
　４３０　モールドフレーム
　４４０　固定材
　４５０　カバーガラス
　５０１　保護材の稜線同士を結ぶ直線

Claims (11)

  1. 　複数の直線部と前記直線部に挟まれたコーナー部とを側面に備えるガラス基板と、
    　前記ガラス基板の側面の少なくとも一部に形成された保護材とを具備し、
    　前記コーナー部は、前記直線部に形成された前記保護材の稜線同士を結ぶ直線よりも内側にある
    半導体基板。
  2. 　前記保護材は、前記コーナー部において不連続である
    請求項１記載の半導体基板。
  3. 　前記保護材は、チクソ比が１乃至６のチクソ性を有する材料からなる
    請求項１記載の半導体基板。
  4. 　前記保護材は、リフロー工程に対する耐熱性を有する材料からなる
    請求項１記載の半導体基板。
  5. 　前記保護材は、耐熱温度が２００度以上の材料からなる
    請求項１記載の半導体基板。
  6. 　前記保護材は、エポキシまたはシリコーンを主成分とする材料からなる
    請求項１記載の半導体基板。
  7. 　前記保護材は、可視光に対して遮光性を有する
    請求項１記載の半導体基板。
  8. 　前記ガラス基板の上面および下面の少なくとも一方に積層される配線層をさらに具備する請求項１記載の半導体基板。
  9. 　前記保護材は、前記配線層の厚みよりも厚さ方向に低く形成される
    請求項８記載の半導体基板。
  10. 　複数の直線部と前記直線部に挟まれたコーナー部とを側面に備えるガラス基板と、
    　前記ガラス基板の側面の少なくとも一部に形成された保護材とを具備し、
    　前記コーナー部は、前記直線部に形成された前記保護材の稜線同士を結ぶ直線よりも前記ガラス基板の内側にある
    半導体モジュール。
  11. 　前記保護材は、前記コーナー部において不連続部を有し、
    　前記不連続部において前記保護材とは材質の異なる材料をさらに具備する
    請求項１０記載の半導体モジュール。
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