WO2020161769A1

WO2020161769A1 - レーザダイオード駆動回路及び通信装置

Info

Publication number: WO2020161769A1
Application number: PCT/JP2019/003856
Authority: WO
Inventors: 遼太小林; 佐々木　雄一; 千春宮崎
Original assignee: 三菱電機株式会社
Priority date: 2019-02-04
Filing date: 2019-02-04
Publication date: 2020-08-13
Also published as: JPWO2020161769A1; JP6861920B2; CN113348638A; US20210336413A1; EP3905550A1; EP3905550A4

Abstract

レーザダイオード駆動回路（２）が、レーザダイオード（１１）と、一端がレーザダイオード（１１）のアノード端子（１１ａ）と接続されている第１の信号線路（１２ａ）及び一端がレーザダイオード（１１）のカソード端子（１１ｂ）と接続されている第２の信号線路（１２ｂ）のそれぞれを有している差動線路（１２）と、一端が直流電源（１３）のプラス側端子（１３ａ）と接続され、他端がアノード端子（１１ａ）と接続されている第１の電源配線（１４ａ）と、一端が直流電源（１３）のマイナス側端子（１３ｂ）と接続され、他端がカソード端子（１１ｂ）と接続されている第２の電源配線（１４ｂ）と、第１の信号線路（１２ａ）に挿入されている第１のコンデンサ（１６ａ）と、第２の信号線路（１２ｂ）に挿入されている第２のコンデンサ（１６ｂ）とを備えている。レーザダイオード駆動回路（２）は、第１のコンデンサ（１６ａ）及び第２のコンデンサ（１６ｂ）のうち、少なくとも１つのコンデンサが、可変コンデンサである。

Description

レーザダイオード駆動回路及び通信装置

　この発明は、レーザダイオードを備えるレーザダイオード駆動回路及び通信装置に関するものである。

　以下の特許文献１には、データ信号に基づく高周波の変調電流を、差動線路を介して、半導体レーザのアノード端子とカソード端子との間に供給する半導体レーザ駆動回路を備える光送信機が開示されている。
　特許文献１に記載された半導体レーザは、半導体レーザ駆動回路から出力された変調電流に基づいて変調レーザ光を出力する。

特開２００５－２５２７８３号公報

　特許文献１に開示されている光送信機の半導体レーザは、電力の供給を受けなければ、変調レーザ光を出力することができない。したがって、半導体レーザは、アノード端子が、第１の電源配線を介して、直流電源のプラス側端子と接続され、カソード端子が、第２の電源配線を介して、直流電源のマイナス側端子と接続されている必要がある。
　光送信機が、第１及び第２の電源配線と差動線路とを有している場合、第１の電源配線と差動線路との間には寄生容量（以下、「第１の寄生容量」と称する）が形成され、第２の電源配線と差動線路との間には寄生容量（以下、「第２の寄生容量」と称する）が形成される。
　第１及び第２の寄生容量が形成されると、第１及び第２の電源配線から、第１の寄生容量を形成する部分又は第２の寄生容量を形成する部分を経由して、差動線路にノイズが誘導される。このとき、第１の寄生容量と第２の寄生容量とが異なる場合、差動線路に誘導されたノイズによって、半導体レーザのアノード端子とカソード端子との間の電位差が変動する。ノイズによって、アノード端子とカソード端子との間の電位差が変動すると、変調電流と変調レーザ光との間の対応関係が崩れて、レーザダイオードが、誤発光又は誤消光してしまうことがあるという課題があった。

　この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、電源配線から、寄生容量を形成する部分を経由して、ノイズが差動線路に誘導されても、レーザダイオードの誤発光及び誤消光のそれぞれを防ぐことができるレーザダイオード駆動回路及び通信装置を得ることを目的とする。

　この発明に係るレーザダイオード駆動回路は、レーザダイオードと、一端がレーザダイオードのアノード端子と接続されている第１の信号線路及び一端がレーザダイオードのカソード端子と接続されている第２の信号線路のそれぞれを有している差動線路と、一端が直流電源のプラス側端子と接続され、他端がアノード端子と接続されている第１の電源配線と、一端が直流電源のマイナス側端子と接続され、他端がカソード端子と接続されている第２の電源配線と、第１の信号線路に挿入されている第１のコンデンサと、第２の信号線路に挿入されている第２のコンデンサとを備え、第１のコンデンサ及び第２のコンデンサのうち、少なくとも１つのコンデンサが、可変コンデンサであるものである。

　この発明によれば、第１のコンデンサ及び第２のコンデンサのうち、少なくとも１つのコンデンサが、可変コンデンサであるように、レーザダイオード駆動回路を構成した。したがって、この発明に係るレーザダイオード駆動回路は、第１及び第２の電源配線から、寄生容量を形成する部分を経由して、ノイズが差動線路に誘導されても、レーザダイオードの誤発光及び誤消光のそれぞれを防ぐことができる。

実施の形態１に係るレーザダイオード駆動回路２を含む通信装置を示す構成図である。実施の形態１に係るレーザダイオード駆動回路２を示す構成図である。差動線路１２を流れるノイズ電流Ｉ_１～Ｉ_４の経路を示す説明図である。図２に示すレーザダイオード駆動回路２が実装されている基板５０の１層目５０ａのパターンを示すパターン図である。図２に示すレーザダイオード駆動回路２が実装されている基板５０の２層目５０ｂのパターンを示すパターン図である。基板５０の外部に設けられている直流電源１３と、第１の電源配線１４ａ及び第２の電源配線１４ｂのうち、基板５０の外部に配線されている部分との配置関係を示す配置図である。図４及び図５に示すレーザダイオード駆動回路２のＡ_１－Ａ_２断面図である。実施の形態１に係る他のレーザダイオード駆動回路２を示す構成図である。実施の形態１に係る他のレーザダイオード駆動回路２を示す構成図である。実施の形態１に係る他のレーザダイオード駆動回路２を示す構成図である。図１０に示すレーザダイオード駆動回路２が実装されている基板５０の１層目５０ａのパターンを示すパターン図である。実施の形態２に係るレーザダイオード駆動回路２を示す構成図である。実施の形態２に係る他のレーザダイオード駆動回路２を示す構成図である。実施の形態２に係る他のレーザダイオード駆動回路２を示す構成図である。実施の形態２に係る他のレーザダイオード駆動回路２を示す構成図である。

　以下、この発明をより詳細に説明するために、この発明を実施するための形態について、添付の図面に従って説明する。

実施の形態１．
　図１は、実施の形態１に係るレーザダイオード駆動回路２を含む通信装置を示す構成図である。
　図２は、実施の形態１に係るレーザダイオード駆動回路２を示す構成図である。
　図１及び図２において、通信装置は、送信機１及びレーザダイオード駆動回路２を備えている。
　送信機１は、データ信号に基づく差動の高周波信号を、差動入出力端子３を介して、レーザダイオード駆動回路２に出力する。
　図１に示す通信装置は、送信機１を備えている。しかし、これは一例に過ぎず、図１に示す通信装置は、送信機１の代わりに、受信機を備えていてもよい。ただし、図１に示す通信装置が、送信機１の代わりに、受信機を備えている場合、レーザダイオード駆動回路２は、後述するレーザダイオード１１（図２参照）の代わりに、光を電気信号に変換する受光素子を備える。

　レーザダイオード駆動回路２は、差動入出力端子３を介して、送信機１と接続されている。
　レーザダイオード駆動回路２は、送信機１から出力された差動の高周波信号に基づいて発光するレーザダイオード１１を備えている。
　差動入出力端子３は、第１の入出力端子３ａと、第２の入出力端子３ｂとを有している。
　図１に示す通信装置では、差動入出力端子３がレーザダイオード駆動回路２の外部に設けられている。しかし、これは一例に過ぎず、差動入出力端子３がレーザダイオード駆動回路２の内部に設けられていてもよい。

　レーザダイオード１１は、アノード端子１１ａ及びカソード端子１１ｂを有している。
　アノード端子１１ａは、第１の信号線路１２ａを介して第１の入出力端子３ａと接続されている。カソード端子１１ｂは、第２の信号線路１２ｂを介して第２の入出力端子３ｂと接続されている。
　レーザダイオード１１は、送信機１から出力された差動の高周波信号に基づいて発光する。

　差動線路１２は、第１の信号線路１２ａ及び第２の信号線路１２ｂを有している。
　第１の信号線路１２ａは、一端がレーザダイオード１１のアノード端子１１ａと接続され、他端が第１の入出力端子３ａと接続されている。
　第１の信号線路１２ａは、送信機１から出力された差動の高周波信号のうち、正極の高周波信号をレーザダイオード１１のアノード端子１１ａまで伝送させる線路である。
　第２の信号線路１２ｂは、一端がレーザダイオード１１のカソード端子１１ｂと接続され、他端が第２の入出力端子３ｂと接続されている。
　第２の信号線路１２ｂは、送信機１から出力された差動の高周波信号のうち、負極の高周波信号をレーザダイオード１１のカソード端子１１ｂまで伝送させる線路である。

　直流電源１３は、直流電力をレーザダイオード１１に供給するための電源である。直流電源１３は、プラス側端子１３ａ及びマイナス側端子１３ｂを有している。
　第１の電源配線１４ａは、一端が直流電源１３のプラス側端子１３ａと接続され、他端がレーザダイオード１１のアノード端子１１ａと接続されている。
　第２の電源配線１４ｂは、一端が直流電源１３のマイナス側端子１３ｂと接続され、他端がレーザダイオード１１のカソード端子１１ｂと接続されている。
　図２に示すレーザダイオード駆動回路２では、直流電源１３がレーザダイオード駆動回路２の外部に設けられている。しかし、これは一例に過ぎず、直流電源１３がレーザダイオード駆動回路２の内部に設けられていてもよい。

　バイアスティ１５ａは、第１のコンデンサ１６ａ及び第１のインダクタ１７ａを備えており、レーザダイオード１１のアノード端子１１ａと接続されている。
　バイアスティ１５ａは、第１の信号線路１２ａにより伝送された正極の高周波信号に、直流電源１３のプラス側端子１３ａから出力されたプラス側の直流電源電流を合成し、電源電流合成後の高周波信号をレーザダイオード１１のアノード端子１１ａに出力する。
　第１のコンデンサ１６ａは、第１の信号線路１２ａに挿入されており、静電容量Ｃ_１を有している。
　第１のコンデンサ１６ａは、静電容量Ｃ_１を変えることができる可変コンデンサである。
　第１のインダクタ１７ａは、第１の電源配線１４ａに挿入されており、インダクタンスＬ_１を有している。
　第１の信号線路１２ａにより伝送された正極の高周波信号が、直流電源１３のプラス側端子１３ａの方に流れないようにするために、第１のインダクタ１７ａが第１の電源配線１４ａに挿入されている。例えば、第１の信号線路１２ａにより伝送された信号が低周波の信号であれば、第１のインダクタ１７ａの代わりに、例えば抵抗が第１の電源配線１４ａに挿入されていてもよい。

　バイアスティ１５ｂは、第２のコンデンサ１６ｂ及び第２のインダクタ１７ｂを備えており、レーザダイオード１１のカソード端子１１ｂと接続されている。
　バイアスティ１５ｂは、第２の信号線路１２ｂにより伝送された負極の高周波信号に、直流電源１３のマイナス側端子１３ｂへ流れるマイナス側の直流電源電流を合成し、電源電流合成後の高周波信号をレーザダイオード１１のカソード端子１１ｂに出力する。
　第２のコンデンサ１６ｂは、第２の信号線路１２ｂに挿入されており、静電容量Ｃ_２を有している。
　第２のコンデンサ１６ｂは、静電容量Ｃ_２の変更ができない固定コンデンサである。
　第２のインダクタ１７ｂは、第２の電源配線１４ｂに挿入されており、インダクタンスＬ_２を有している。
　第２の信号線路１２ｂにより伝送された負極の高周波信号が、直流電源１３のマイナス側端子１３ｂの方に流れないようにするために、第２のインダクタ１７ｂが第２の電源配線１４ｂに挿入されている。第２の信号線路１２ｂにより伝送される信号が低周波の信号であれば、第２のインダクタ１７ｂの代わりに、例えば抵抗が第２の電源配線１４ｂに挿入されていてもよい。

　第１の寄生容量２１は、第１の電源配線１４ａと第１の信号線路１２ａとの間に形成される寄生容量Ｃ_{１４ａ－１２ａ}である。以下、第１の電源配線１４ａと第１の信号線路１２ａとの間において、第１の寄生容量２１が形成される領域を「第１の寄生容量２１を形成する部分」と称する。
　第２の寄生容量２２は、第１の電源配線１４ａと第２の信号線路１２ｂとの間に形成される寄生容量Ｃ_{１４ａ－１２ｂ}である。以下、第１の電源配線１４ａと第２の信号線路１２ｂとの間において、第２の寄生容量２２が形成される領域を「第２の寄生容量２２を形成する部分」と称する。
　第３の寄生容量２３は、第２の電源配線１４ｂと第１の信号線路１２ａとの間に形成される寄生容量Ｃ_{１４ｂ－１２ａ}である。以下、第２の電源配線１４ｂと第１の信号線路１２ａとの間において、第３の寄生容量２３が形成される領域を「第３の寄生容量２３を形成する部分」と称する。
　第４の寄生容量２４は、第２の電源配線１４ｂと第２の信号線路１２ｂとの間に形成される寄生容量Ｃ_{１４ｂ－１２ｂ}である。以下、第２の電源配線１４ｂと第２の信号線路１２ｂとの間において、第４の寄生容量２４が形成される領域を「第４の寄生容量２４を形成する部分」と称する。
　なお、第１の電源配線１４ａと第１の信号線路１２ａとの間、第１の電源配線１４ａと第２の信号線路１２ｂとの間、第２の電源配線１４ｂと第１の信号線路１２ａとの間、及び第２の電源配線１４ｂと第２の信号線路１２ｂとの間は、それぞれ絶縁体で分離されている。絶縁体で分離された信号線路と電源配線との間には、寄生容量が生じる。
　図２に示すレーザダイオード駆動回路２では、第１の寄生容量２１としてのコンデンサ、第２の寄生容量２２としてのコンデンサ、第３の寄生容量２３としてのコンデンサ及び第４の寄生容量２４としてのコンデンサが、実際に配置されている訳ではなく、寄生容量の説明のために記述している。

　次に、図２に示すレーザダイオード駆動回路２の動作について説明する。
　送信機１は、データ信号に基づく差動の高周波信号のうち、正極の高周波信号を第１の入出力端子３ａに出力し、負極の高周波信号を第２の入出力端子３ｂに出力する。
　送信機１から第１の入出力端子３ａに出力された正極の高周波信号は、第１の信号線路１２ａにより伝送されて、バイアスティ１５ａに到達する。
　また、送信機１から第２の入出力端子３ｂに出力された負極の高周波信号は、第２の信号線路１２ｂにより伝送されて、バイアスティ１５ｂに到達する。

　バイアスティ１５ａは、第１の信号線路１２ａにより伝送された正極の高周波信号に、直流電源１３のプラス側端子１３ａから出力されたプラス側の直流電源電流を合成する。
　バイアスティ１５ａは、電源電流合成後の正極の高周波信号をレーザダイオード１１のアノード端子１１ａに出力する。
　バイアスティ１５ｂは、第２の信号線路１２ｂにより伝送された負極の高周波信号に、直流電源１３のマイナス側端子１３ｂへ流れるマイナス側の直流電源電流を合成する。
　バイアスティ１５ｂは、電源電流合成後の負極の高周波信号をレーザダイオード１１のカソード端子１１ｂに出力する。
　バイアスティ１５ａから電源電流合成後の正極の高周波信号がアノード端子１１ａに出力され、バイアスティ１５ｂから電源電流合成後の負極の高周波信号がカソード端子１１ｂに出力されることで、アノード端子１１ａの電位は、カソード端子１１ｂの電位よりも高くなる。

　レーザダイオード１１は、アノード端子１１ａとカソード端子１１ｂとの電位差が、レーザダイオード１１の障壁電圧よりも高ければ発光する。
　レーザダイオード１１は、アノード端子１１ａとカソード端子１１ｂとの電位差が、レーザダイオード１１の障壁電圧以下である場合、発光しない。

　図２に示すレーザダイオード駆動回路２には、第１の信号線路１２ａ、第２の信号線路１２ｂ、第１の電源配線１４ａ及び第２の電源配線１４ｂのそれぞれが配線されている。
　したがって、第１の電源配線１４ａと第１の信号線路１２ａとの間には第１の寄生容量２１が形成され、第１の電源配線１４ａと第２の信号線路１２ｂとの間には第２の寄生容量２２が形成される。
　また、第２の電源配線１４ｂと第１の信号線路１２ａとの間には第３の寄生容量２３が形成され、第２の電源配線１４ｂと第２の信号線路１２ｂとの間には第４の寄生容量２４が形成される。
　第１の寄生容量２１、第２の寄生容量２２、第３の寄生容量２３及び第４の寄生容量２４のそれぞれが形成されることで、図３に示すように、ノイズ電流Ｉ_１～Ｉ_４が差動線路１２を流れる。

　図３は、差動線路１２を流れるノイズ電流Ｉ_１～Ｉ_４の経路を示す説明図である。
　ノイズ電流Ｉ_１は、第１の電源配線１４ａから、第１の寄生容量２１を形成する部分を経由して、第１の信号線路１２ａに誘導されることで発生する。ノイズ電流Ｉ_１の経路は、以下の通りである。
　第１の電源配線１４ａ→第１の寄生容量２１を形成する部分→第１の信号線路１２ａ→レーザダイオード１１のアノード端子１１ａ
　ノイズ電流Ｉ_２は、第１の電源配線１４ａから、第２の寄生容量２２を形成する部分を経由して、第２の信号線路１２ｂに誘導されることで発生する。ノイズ電流Ｉ_２の経路は、以下の通りである。
　第１の電源配線１４ａ→第２の寄生容量２２を形成する部分→第２の信号線路１２ｂ→レーザダイオード１１のカソード端子１１ｂ

　ノイズ電流Ｉ_３は、第２の電源配線１４ｂから、第３の寄生容量２３を形成する部分を経由して、第１の信号線路１２ａに誘導されることで発生する。ノイズ電流Ｉ_３の経路は、以下の通りである。
　第２の電源配線１４ｂ→第３の寄生容量２３を形成する部分→第１の信号線路１２ａ→レーザダイオード１１のアノード端子１１ａ
　ノイズ電流Ｉ_４は、第２の電源配線１４ｂから、第４の寄生容量２４を形成する部分を経由して、第２の信号線路１２ｂに誘導されることで発生する。ノイズ電流Ｉ_４の経路は、以下の通りである。
　第２の電源配線１４ｂ→第４の寄生容量２４を形成する部分→第２の信号線路１２ｂ→レーザダイオード１１のカソード端子１１ｂ

　例えば、第１のコンデンサ１６ａの静電容量Ｃ_１と、第２のコンデンサ１６ｂの静電容量Ｃ_２とが同じである場合において、第１の寄生容量２１と第４の寄生容量２４とが異なる場合、又は、第２の寄生容量２２と第３の寄生容量２３とが異なる場合を想定する。
　あるいは、第１のコンデンサ１６ａの静電容量Ｃ_１と、第２のコンデンサ１６ｂの静電容量Ｃ_２とが同じである場合において、第１の寄生容量２１と第４の寄生容量２４とが異なり、かつ、第２の寄生容量２２と第３の寄生容量２３とが異なる場合を想定する。
　これらの想定の場合、ノイズ電流Ｉ_１，Ｉ_３が第１の信号線路１２ａを流れてアノード端子１１ａに到達し、ノイズ電流Ｉ_２，Ｉ_４が第２の信号線路１２ｂを流れてカソード端子１１ｂに到達すると、アノード端子１１ａとカソード端子１１ｂとの間の電位差が変動することがある。
　ノイズ電流Ｉ_１～Ｉ_４の発生に伴って、アノード端子１１ａとカソード端子１１ｂとの間の電位差が変動した場合、レーザダイオード１１が、誤発光又は誤消光することがある。

　ここで、第１のコンデンサ１６ａの静電容量Ｃ_１と第１の寄生容量２１との合成容量がＧＣ_{１，１４ａ－１２ａ}（以下の式（１）参照）、第２のコンデンサ１６ｂの静電容量Ｃ_２と第４の寄生容量２４との合成容量がＧＣ_{２，１４ｂ－１２ｂ}（以下の式（２）参照）であるとする。
　また、第１のコンデンサ１６ａの静電容量Ｃ_１と第３の寄生容量２３との合成容量がＧＣ_{１，１４ｂ－１２ａ}（以下の式（３）参照）、第２のコンデンサ１６ｂの静電容量Ｃ_２と第２の寄生容量２２との合成容量がＧＣ_{２，１４ａ－１２ｂ}（以下の式（４）参照）であるとする。

　合成容量ＧＣ_{１，１４ａ－１２ａ}と合成容量ＧＣ_{２，１４ｂ－１２ｂ}とが異なる場合、又は、合成容量ＧＣ_{１，１４ｂ－１２ａ}と合成容量ＧＣ_{２，１４ａ－１２ｂ}とが異なる場合、ノイズ電流Ｉ_１とノイズ電流Ｉ_３との和と、ノイズ電流Ｉ_２とノイズ電流Ｉ_４との和との間に差異が生じることがある。
　また、合成容量ＧＣ_{１，１４ａ－１２ａ}と合成容量ＧＣ_{２，１４ｂ－１２ｂ}とが異なり、かつ、合成容量ＧＣ_{１，１４ｂ－１２ａ}と合成容量ＧＣ_{２，１４ａ－１２ｂ}とが異なる場合、ノイズ電流Ｉ_１とノイズ電流Ｉ_３との和と、ノイズ電流Ｉ_２とノイズ電流Ｉ_４との和との間に差異が生じることがある。
　ノイズ電流Ｉ_１とノイズ電流Ｉ_３との和と、ノイズ電流Ｉ_２とノイズ電流Ｉ_４との和との間に差異が生じていれば、アノード端子１１ａとカソード端子１１ｂとの間の電位差が変動することがある。
　一方、合成容量ＧＣ_{１，１４ａ－１２ａ}と合成容量ＧＣ_{２，１４ｂ－１２ｂ}とが等しく、かつ、合成容量ＧＣ_{１，１４ｂ－１２ａ}と合成容量ＧＣ_{２，１４ａ－１２ｂ}とが等しければ、ノイズ電流Ｉ_１とノイズ電流Ｉ_３との和と、ノイズ電流Ｉ_２とノイズ電流Ｉ_４との和とが等しい。ノイズ電流Ｉ_１とノイズ電流Ｉ_３との和と、ノイズ電流Ｉ_２とノイズ電流Ｉ_４との和とが等しければ、ノイズ電流Ｉ_１～Ｉ_４が発生しても、アノード端子１１ａとカソード端子１１ｂとの間の電位差が変動しない。アノード端子１１ａとカソード端子１１ｂとの間の電位差が変動しなければ、レーザダイオード１１の誤発光及び誤消光のそれぞれが発生しない。
　図２に示すレーザダイオード駆動回路２は、合成容量ＧＣ_{１，１４ａ－１２ａ}と合成容量ＧＣ_{２，１４ｂ－１２ｂ}とが等しく、かつ、合成容量ＧＣ_{１，１４ｂ－１２ａ}と合成容量ＧＣ_{２，１４ａ－１２ｂ}とが等しくなるように、可変コンデンサである第１のコンデンサ１６ａの静電容量Ｃ_１が調整される。

　以下、図２に示すレーザダイオード駆動回路２が２層構造の基板５０に実装された場合の構成について説明する。
　図４は、図２に示すレーザダイオード駆動回路２が実装されている基板５０の１層目５０ａのパターンを示すパターン図である。
　図５は、図２に示すレーザダイオード駆動回路２が実装されている基板５０の２層目５０ｂのパターンを示すパターン図である。
　図６は、基板５０の外部に設けられている直流電源１３と、第１の電源配線１４ａ及び第２の電源配線１４ｂのうち、基板５０の外部に配線されている部分との配置関係を示す配置図である。
　図７は、図４及び図５に示すレーザダイオード駆動回路２のＡ_１－Ａ_２断面図である。

　図４から図７において、基板５０の１層目５０ａには、第１のコンデンサ１６ａ、第２のコンデンサ１６ｂ、第１のインダクタ１７ａ及び第２のインダクタ１７ｂが実装されている。
　また、基板５０の１層目５０ａには、第１の信号線路１２ａ、第２の信号線路１２ｂ、第１の電源配線１４ａの一部及び第２の電源配線１４ｂの一部が配線されている。
　さらに、基板５０の１層目５０ａには、レーザダイオード１１の一部が実装されている。
　基板５０の１層目５０ａに配線されている第１の電源配線１４ａは、ビア５１ａの一端と接続されており、ビア５１ａの他端は、基板５０の２層目５０ｂに配線されている導体５２ａと接続されている。
　基板５０の１層目５０ａに配線されている第２の電源配線１４ｂは、ビア５１ｂの一端と接続されており、ビア５１ｂの他端は、基板５０の２層目５０ｂに配線されている導体５２ｂと接続されている。

　第１の電源配線１４ａ－１，１４ａ－２は、第１の電源配線１４ａのうち、基板５０の外部に配線されている部分である。
　第１の電源配線１４ａ－１は、一端が直流電源１３のプラス側端子１３ａと接続され、他端が第１の電源配線１４ａ－２の一端と接続されている。
　第１の電源配線１４ａ－２は、一端が第１の電源配線１４ａ－１の他端と接続され、他端が導体５２ａと接続されている。
　第２の電源配線１４ｂ－１，１４ｂ－２，１４ｂ－３は、第２の電源配線１４ｂのうち、基板５０の外部に配線されている部分である。
　第２の電源配線１４ｂ－１は、一端が直流電源１３のマイナス側端子１３ｂと接続され、他端が第２の電源配線１４ｂ－２の一端と接続されている。
　第２の電源配線１４ｂ－２は、一端が第２の電源配線１４ｂ－１の他端と接続され、他端が第２の電源配線１４ｂ－３の一端と接続されている。
　第２の電源配線１４ｂ－３は、一端が第２の電源配線１４ｂ－２の他端と接続され、他端が導体５２ｂと接続されている。

　図６の配置例では、第１の電源配線１４ａ－２が、第１の信号線路１２ａ及び第２の信号線路１２ｂのそれぞれと平行に配置されており、第１の電源配線１４ａ－２は、第１の信号線路１２ａ及び第２の信号線路１２ｂのそれぞれと電気的に結合する。
　第１の電源配線１４ａ－２と第１の信号線路１２ａとの間の距離が、第１の電源配線１４ａ－２と第２の信号線路１２ｂとの間の距離よりも短いため、第１の電源配線１４ａ－２と第１の信号線路１２ａとの間の結合量は、第１の電源配線１４ａ－２と第２の信号線路１２ｂとの間の結合量よりも大きくなる。

　図６の配置例では、第２の電源配線１４ｂ－１が、第１の信号線路１２ａ及び第２の信号線路１２ｂのそれぞれと平行に配置されており、第２の電源配線１４ｂ－１は、第１の信号線路１２ａ及び第２の信号線路１２ｂのそれぞれと電気的に結合する。
　第２の電源配線１４ｂ－１と第１の信号線路１２ａとの間の距離が、第２の電源配線１４ｂ－１と第２の信号線路１２ｂとの間の距離よりも短いため、第２の電源配線１４ｂ－１と第１の信号線路１２ａとの間の結合量は、第２の電源配線１４ｂ－１と第２の信号線路１２ｂとの間の結合量よりも大きくなる。

　図６の配置例では、第２の電源配線１４ｂ－３が、第１の信号線路１２ａ及び第２の信号線路１２ｂのそれぞれと平行に配置されており、第２の電源配線１４ｂ－３は、第１の信号線路１２ａ及び第２の信号線路１２ｂのそれぞれと電気的に結合する。
　第２の電源配線１４ｂ－３と第１の信号線路１２ａとの間の距離が、第２の電源配線１４ｂ－３と第２の信号線路１２ｂとの間の距離よりも長いため、第２の電源配線１４ｂ－３と第１の信号線路１２ａとの間の結合量は、第２の電源配線１４ｂ－３と第２の信号線路１２ｂとの間の結合量よりも小さくなる。
　ただし、第２の電源配線１４ｂ－３は、第２の電源配線１４ｂ－１と比べて、第１の信号線路１２ａ及び第２の信号線路１２ｂのそれぞれとの間の距離が長いため、第２の電源配線１４ｂ－３と第１の信号線路１２ａとの間の結合量は、第２の電源配線１４ｂ－１と第１の信号線路１２ａとの間の結合量よりも小さくなる。また、第２の電源配線１４ｂ－３と第２の信号線路１２ｂとの間の結合量は、第２の電源配線１４ｂ－１と第２の信号線路１２ｂとの間の結合量よりも小さくなる。ここでは、説明の簡単化のため、第２の電源配線１４ｂ－１の線路長と、第２の電源配線１４ｂ－３の線路長とを無視している。
　よって、第２の電源配線１４ｂ－１と第２の電源配線１４ｂ－３とを足し合わせた電源配線と、第１の信号線路１２ａとの間の結合量は、第２の電源配線１４ｂ－１と第２の電源配線１４ｂ－３とを足し合わせた電源配線と、第２の信号線路１２ｂとの間の結合量よりも大きくなる。

　図６では、第２の電源配線１４ｂ－１と第２の電源配線１４ｂ－３とを足し合わせた電源配線と、第２の信号線路１２ｂとの間の平均の距離は、第１の電源配線１４ａ－２と第１の信号線路１２ａとの間の距離よりも短い配置例を示している。
　図６の配置例では、第２の電源配線１４ｂ－１と第２の電源配線１４ｂ－３とを足し合わせた電源配線と、第２の信号線路１２ｂとの間の結合量は、第１の電源配線１４ａ－２と第１の信号線路１２ａとの間の結合量よりも大きくなる。

　以上より、図６の配置例では、第１の電源配線１４ａと第１の信号線路１２ａとの間に形成される第１の寄生容量２１と、第２の電源配線１４ｂと第２の信号線路１２ｂとの間に形成される第４の寄生容量２４とは異なっている。
　また、第２の電源配線１４ｂと第１の信号線路１２ａとの間に形成される第３の寄生容量２３と、第１の電源配線１４ａと第２の信号線路１２ｂとの間に形成される第２の寄生容量２２とは異なっている。
　よって、第１のコンデンサ１６ａの静電容量Ｃ_１と、第２のコンデンサ１６ｂの静電容量Ｃ_２とが同じであれば、合成容量ＧＣ_{１，１４ａ－１２ａ}と合成容量ＧＣ_{２，１４ｂ－１２ｂ}とが異なり、かつ、合成容量ＧＣ_{１，１４ｂ－１２ａ}と合成容量ＧＣ_{２，１４ａ－１２ｂ}とが異なる。
　図２に示すレーザダイオード駆動回路２では、合成容量ＧＣ_{１，１４ａ－１２ａ}と合成容量ＧＣ_{２，１４ｂ－１２ｂ}とが等しく、かつ、合成容量ＧＣ_{１，１４ｂ－１２ａ}と合成容量ＧＣ_{２，１４ａ－１２ｂ}とが等しくなるように、可変コンデンサである第１のコンデンサ１６ａの静電容量Ｃ_１が調整される。
　図２に示すレーザダイオード駆動回路２は、第１のコンデンサ１６ａの静電容量Ｃ_１が調整されることで、ノイズ電流Ｉ_１～Ｉ_４が発生しても、アノード端子１１ａとカソード端子１１ｂとの間の電位差が変動しなくなる。

　図２に示すレーザダイオード駆動回路２では、第１のコンデンサ１６ａが可変コンデンサであり、第２のコンデンサ１６ｂが固定コンデンサである。しかし、これは一例に過ぎず、例えば、図８に示すように、第１のコンデンサ１６ａが固定コンデンサであり、第２のコンデンサ１６ｂが可変コンデンサであってもよい。
　図８は、実施の形態１に係る他のレーザダイオード駆動回路２を示す構成図である。
　可変コンデンサである第２のコンデンサ１６ｂの静電容量Ｃ_２を調整しても、合成容量ＧＣ_{１，１４ａ－１２ａ}と合成容量ＧＣ_{２，１４ｂ－１２ｂ}とを等しく、かつ、合成容量ＧＣ_{１，１４ｂ－１２ａ}と合成容量ＧＣ_{２，１４ａ－１２ｂ}とを等しくすることができる。
　したがって、第２のコンデンサ１６ｂの静電容量Ｃ_２が調整されても、図２に示すレーザダイオード駆動回路２と同様に、レーザダイオード１１の誤発光及び誤消光のそれぞれを防ぐことができる。

　また、図９に示すように、第１のコンデンサ１６ａ及び第２のコンデンサ１６ｂの双方が、可変コンデンサであってもよい。
　図９は、実施の形態１に係る他のレーザダイオード駆動回路２を示す構成図である。
　第１のコンデンサ１６ａの静電容量Ｃ_１及び第２のコンデンサ１６ｂの静電容量Ｃ_２のそれぞれを調整しても、合成容量ＧＣ_{１，１４ａ－１２ａ}と合成容量ＧＣ_{２，１４ｂ－１２ｂ}とを等しく、かつ、合成容量ＧＣ_{１，１４ｂ－１２ａ}と合成容量ＧＣ_{２，１４ａ－１２ｂ}とを等しくすることができる。
　したがって、第１のコンデンサ１６ａの静電容量Ｃ_１及び第２のコンデンサ１６ｂの静電容量Ｃ_２のそれぞれが調整されても、図２に示すレーザダイオード駆動回路２と同様に、レーザダイオード１１の誤発光及び誤消光のそれぞれを防ぐことができる。

　第１のコンデンサ１６ａの静電容量Ｃ_１及び第２のコンデンサ１６ｂの静電容量Ｃ_２のそれぞれが調整される場合、第１のコンデンサ１６ａの静電容量Ｃ_１のみが調整される場合よりも、合成容量の調整範囲が広くなる。
　具体的には、合成容量ＧＣ_{１，１４ａ－１２ａ}と合成容量ＧＣ_{２，１４ｂ－１２ｂ}との間の差異、又は、合成容量ＧＣ_{１，１４ｂ－１２ａ}と合成容量ＧＣ_{２，１４ａ－１２ｂ}との間の差異が大きい場合、第１のコンデンサ１６ａの静電容量Ｃ_１のみの調整では、合成容量ＧＣ_{１，１４ａ－１２ａ}と合成容量ＧＣ_{２，１４ｂ－１２ｂ}とを等しく、かつ、合成容量ＧＣ_{１，１４ｂ－１２ａ}と合成容量ＧＣ_{２，１４ａ－１２ｂ}とを等しくできないことがある。
　しかし、差異が大きい場合でも、第１のコンデンサ１６ａの静電容量Ｃ_１及び第２のコンデンサ１６ｂの静電容量Ｃ_２のそれぞれを調整することで、合成容量ＧＣ_{１，１４ａ－１２ａ}と合成容量ＧＣ_{２，１４ｂ－１２ｂ}とを等しく、かつ、合成容量ＧＣ_{１，１４ｂ－１２ａ}と合成容量ＧＣ_{２，１４ａ－１２ｂ}とを等しくすることができることがある。

　以上の実施の形態１は、第１のコンデンサ１６ａ及び第２のコンデンサ１６ｂのうち、少なくとも１つのコンデンサが、可変コンデンサであるように、レーザダイオード駆動回路２を構成した。したがって、レーザダイオード駆動回路２は、第１の電源配線１４ａ及び第２の電源配線１４ｂから、寄生容量を形成する部分を経由して、ノイズが差動線路１２に誘導されても、レーザダイオード１１の誤発光及び誤消光のそれぞれを防ぐことができる。

　図１０は、実施の形態１に係る他のレーザダイオード駆動回路２を示す構成図である。
　図１１は、図１０に示すレーザダイオード駆動回路２が実装されている基板５０の１層目５０ａのパターンを示すパターン図である。
　図１０及び図１１において、図２及び図４と同一符号は同一又は相当部分を示している。
　抵抗６１は、一端が第１の信号線路１２ａと接続され、他端が第２の信号線路１２ｂと接続されている。
　保護回路６２は、一端が第１の信号線路１２ａと接続され、他端が第２の信号線路１２ｂと接続されている。
　保護回路６２は、例えば、ツェナーダイオード６２ａ及びツェナーダイオード６２ｂによって実現される。
　ツェナーダイオード６２ａは、アノード端子が第１の信号線路１２ａと接続され、カソード端子がツェナーダイオード６２ｂのカソード端子と接続されている。
　ツェナーダイオード６２ｂは、アノード端子が第２の信号線路１２ｂと接続され、カソード端子がツェナーダイオード６２ａのカソード端子と接続されている。

　抵抗６１は、第１の信号線路１２ａのインピーダンスと、第２の信号線路１２ｂのインピーダンスとの整合に用いられる。
　保護回路６２は、第１の信号線路１２ａを流れる過大のノイズ電流Ｉ_１が、第２の信号線路１２ｂに侵入するのを防ぐのに用いられ、保護回路６２は、第１の信号線路１２ａを流れる過大のノイズ電流Ｉ_３が、第２の信号線路１２ｂに侵入するのを防ぐのに用いられる。
　また、保護回路６２は、第２の信号線路１２ｂを流れる過大のノイズ電流Ｉ_２が、第１の信号線路１２ａに侵入するのを防ぐのに用いられ、保護回路６２は、第２の信号線路１２ｂを流れる過大のノイズ電流Ｉ_４が、第１の信号線路１２ａに侵入するのを防ぐのに用いられる。
　図１０に示すレーザダイオード駆動回路２は、図２に示すレーザダイオード駆動回路２と同様に、レーザダイオードの誤発光及び誤消光のそれぞれを防ぐことができる。また、図１０に示すレーザダイオード駆動回路２は、抵抗６１を備えることで、第１の信号線路１２ａのインピーダンスと、第２の信号線路１２ｂのインピーダンスとの整合を図ることができる。
　図１０に示すレーザダイオード駆動回路２は、保護回路６２を備えることで、第１の信号線路１２ａを流れる過大のノイズ電流Ｉ_１，Ｉ_３が、第２の信号線路１２ｂに侵入するのを防ぎ、第２の信号線路１２ｂを流れる過大のノイズ電流Ｉ_２，Ｉ_４が、第１の信号線路１２ａに侵入するのを防ぐことができる。

実施の形態２．
　実施の形態１のレーザダイオード駆動回路２では、第１のインダクタ１７ａが第１の電源配線１４ａに挿入されている。
　実施の形態２では、第１のインダクタ１７ａ及び第１の可変インダクタ７１ａが、第１の電源配線１４ａに挿入されているレーザダイオード駆動回路２について説明する。

　図１２は、実施の形態２に係るレーザダイオード駆動回路２を示す構成図である。図１２において、図２と同一符号は同一又は相当部分を示すので説明を省略する。
　第１の可変インダクタ７１ａは、第１の電源配線１４ａに挿入されている。
　第１の可変インダクタ７１ａは、インダクタンスＬ_３を有しており、第１のインダクタ１７ａ及び第２のインダクタ１７ｂにおけるそれぞれのコイルの巻線誤差が補償されるように、インダクタンスＬ_３の調整が可能なものである。
　第１の可変インダクタ７１ａは、例えば、コアと巻線の間の位置が調整されて、透磁率が調整されることで、インダクタンスＬ_３が変化する。

　図１２に示すレーザダイオード駆動回路２では、第１の可変インダクタ７１ａの一端が直流電源１３のプラス側端子１３ａと接続され、第１の可変インダクタ７１ａの他端が第１のインダクタ１７ａの一端と接続されている。しかし、これは一例に過ぎず、第１の可変インダクタ７１ａの一端が第１のインダクタ１７ａの他端と接続され、第１の可変インダクタ７１ａの他端がレーザダイオード１１のアノード端子１１ａと接続されていてもよい。

　次に、図１２に示すレーザダイオード駆動回路２の動作について説明する。
　第１のインダクタ１７ａを構成しているコイルは、製造誤差として、巻線誤差を有することがある。
　第２のインダクタ１７ｂを構成しているコイルについても、製造誤差として、巻線誤差を有することがある。
　したがって、第１のインダクタ１７ａのインダクタンスＬ_１が設計上のインダクタンスと異なり、第２のインダクタ１７ｂのインダクタンスＬ_２が設計上のインダクタンスと異なることがある。

　インダクタンスＬ_１，Ｌ_２が設計上のインダクタンスと異なる場合、レーザダイオード１１は、送信機１から出力されたデータ信号に基づく差動の高周波信号通りに、発光しないことがある。
　例えば、第１のインダクタ１７ａの設計上のインダクタンスと第２のインダクタ１７ｂの設計上のインダクタンスとが同じである場合において、第１のインダクタ１７ａ及び第２のインダクタ１７ｂにおけるそれぞれのコイルが巻線誤差を有するものとする。
　そして、それぞれのコイルが巻線誤差を有することで、第１のインダクタ１７ａのインダクタンスＬ_１が、第２のインダクタ１７ｂのインダクタンスＬ_２よりも小さものとする（Ｌ_１＜Ｌ_２）。
　図１２に示すレーザダイオード駆動回路２では、インダクタンスＬ_１と第１の可変インダクタ７１ａのインダクタンスＬ_３との総和（Ｌ_１＋Ｌ_３）が、インダクタンスＬ_２と等しくなるように、第１の可変インダクタ７１ａのインダクタンスＬ_３が調整される。
　第１の可変インダクタ７１ａのインダクタンスＬ_３が調整されることで、第１のインダクタ１７ａ及び第２のインダクタ１７ｂにおけるそれぞれのコイルの巻線誤差が補償される。

　例えば、第１のインダクタ１７ａの設計上のインダクタンスが第２のインダクタ１７ｂの設計上のインダクタンスよりも、ΔＬ_１，２だけ小さい場合において、第１のインダクタ１７ａ及び第２のインダクタ１７ｂにおけるそれぞれのコイルが巻線誤差を有するものとする。
　そして、それぞれのコイルが巻線誤差を有することで、インダクタンスＬ_１が、インダクタンスＬ_２よりも小さく、インダクタンスＬ_１とインダクタンスＬ_２との差分（Ｌ_２－Ｌ_１）がΔＬ_１，２よりも大きいものとする（Ｌ_２－Ｌ_１＞ΔＬ_１，２）。
　図１２に示すレーザダイオード駆動回路２では、インダクタンスＬ_１とインダクタンスＬ_３との総和（Ｌ_１＋Ｌ_３）と、インダクタンスＬ_２との差分（Ｌ_２－（Ｌ_１＋Ｌ_３））がΔＬ_１，２と等しくなるように、第１の可変インダクタ７１ａのインダクタンスＬ_３が調整される。
　第１の可変インダクタ７１ａのインダクタンスＬ_３が調整されることで、第１のインダクタ１７ａ及び第２のインダクタ１７ｂにおけるそれぞれのコイルの巻線誤差が補償される。

　以上の実施の形態２は、第１の電源配線１４ａに挿入されている第１の可変インダクタ７１ａを備え、第１の可変インダクタ７１ａが、第１のインダクタ１７ａ及び第２のインダクタ１７ｂにおけるそれぞれのコイルの巻線誤差が補償されるように、調整可能なものであるように、レーザダイオード駆動回路２を構成した。したがって、レーザダイオード駆動回路２は、第１のインダクタ１７ａ及び第２のインダクタ１７ｂにおけるそれぞれのコイルが巻線誤差を有していても、レーザダイオードの誤発光及び誤消光のそれぞれを防ぐことができる。

　図１２に示すレーザダイオード駆動回路２では、第１の可変インダクタ７１ａが第１の電源配線１４ａに挿入されている。しかし、これは一例に過ぎず、例えば、図１３に示すように、第２の可変インダクタ７１ｂが第２の電源配線１４ｂに挿入されているレーザダイオード駆動回路２であってもよい。
　図１３は、実施の形態２に係る他のレーザダイオード駆動回路２を示す構成図である。
　第２の可変インダクタ７１ｂは、第２の電源配線１４ｂに挿入されている。
　第２の可変インダクタ７１ｂは、インダクタンスＬ_４を有しており、第１のインダクタ１７ａ及び第２のインダクタ１７ｂにおけるそれぞれのコイルの巻線誤差が補償されるように、インダクタンスＬ_４の調整が可能なものである。
　第２の可変インダクタ７１ｂは、例えば、コアと巻線の間の位置が調整されて、透磁率が調整されることで、インダクタンスＬ_４が変化する。

　図１３に示すレーザダイオード駆動回路２では、第２の可変インダクタ７１ｂの一端が直流電源１３のマイナス側端子１３ｂと接続され、第２の可変インダクタ７１ｂの他端が第２のインダクタ１７ｂの一端と接続されている。しかし、これは一例に過ぎず、第２の可変インダクタ７１ｂの一端が第２のインダクタ１７ｂの他端と接続され、第２の可変インダクタ７１ｂの他端がレーザダイオード１１のカソード端子１１ｂと接続されていてもよい。

　例えば、第１のインダクタ１７ａの設計上のインダクタンスと第２のインダクタ１７ｂの設計上のインダクタンスとが同じである場合において、第１のインダクタ１７ａ及び第２のインダクタ１７ｂにおけるそれぞれのコイルが巻線誤差を有するものとする。
　そして、それぞれのコイルが巻線誤差を有することで、第１のインダクタ１７ａのインダクタンスＬ_１が、第２のインダクタ１７ｂのインダクタンスＬ_２よりも大きいものとする（Ｌ_１＞Ｌ_２）。
　図１３に示すレーザダイオード駆動回路２では、インダクタンスＬ_２と第２の可変インダクタ７１ｂのインダクタンスＬ_４との総和（Ｌ_２＋Ｌ_４）が、インダクタンスＬ_１と等しくなるように、第２の可変インダクタ７１ｂのインダクタンスＬ_４が調整される。
　第２の可変インダクタ７１ｂのインダクタンスＬ_４が調整されることで、第１のインダクタ１７ａ及び第２のインダクタ１７ｂにおけるそれぞれのコイルの巻線誤差が補償される。

　例えば、第１のインダクタ１７ａの設計上のインダクタンスが第２のインダクタ１７ｂの設計上のインダクタンスよりも、ΔＬ_１，２だけ大きい場合において、第１のインダクタ１７ａ及び第２のインダクタ１７ｂにおけるそれぞれのコイルが巻線誤差を有するものとする。
　そして、それぞれのコイルが巻線誤差を有することで、インダクタンスＬ_１が、インダクタンスＬ_２よりも大きく、インダクタンスＬ_１とインダクタンスＬ_２との差分（Ｌ_１－Ｌ_２）がΔＬ_１，２よりも大きいものとする（Ｌ_１－Ｌ_２＞ΔＬ_１，２）。
　図１３に示すレーザダイオード駆動回路２では、インダクタンスＬ_２とインダクタンスＬ_４との総和（Ｌ_２＋Ｌ_４）と、インダクタンスＬ_１との差分（Ｌ_１－（Ｌ_２＋Ｌ_４））がΔＬ_１，２と等しくなるように、第２の可変インダクタ７１ｂのインダクタンスＬ_４が調整される。
　第２の可変インダクタ７１ｂのインダクタンスＬ_４が調整されることで、第１のインダクタ１７ａ及び第２のインダクタ１７ｂにおけるそれぞれのコイルの巻線誤差が補償される。

　図１２に示すレーザダイオード駆動回路２では、第１の可変インダクタ７１ａが第１の電源配線１４ａに挿入されている。しかし、これは一例に過ぎず、例えば、図１４に示すように、第１の可変インダクタ７１ａが第１の電源配線１４ａに挿入され、かつ、第２の可変インダクタ７１ｂが第２の電源配線１４ｂに挿入されているレーザダイオード駆動回路２であってもよい。
　図１４は、実施の形態２に係る他のレーザダイオード駆動回路２を示す構成図である。
　レーザダイオード駆動回路２が、第１の可変インダクタ７１ａ及び第２の可変インダクタ７１ｂを備えることで、図１２に示すレーザダイオード駆動回路２よりも、大きな巻線誤差を補償することができる。

　図１２に示すレーザダイオード駆動回路２では、第１の可変インダクタ７１ａが第１の電源配線１４ａに挿入されている。
　第１の可変インダクタ７１ａを第１の電源配線１４ａに挿入する代わりに、第１のインダクタ１７ａとして、可変インダクタを用いるレーザダイオード駆動回路２であってもよい。
　レーザダイオード駆動回路２が、第１のインダクタ１７ａとして、可変インダクタを用いる場合、第１のインダクタ１７ａ及び第２のインダクタ１７ｂにおけるそれぞれのコイルの巻線誤差が補償されるように、第１のインダクタ１７ａのインダクタンスＬ_１が調整される。したがって、第１の可変インダクタ７１ａが第１の電源配線１４ａに挿入されている場合と同様に、それぞれのコイルの巻線誤差を補償することができる。

　また、第１の可変インダクタ７１ａを第１の電源配線１４ａに挿入する代わりに、第２のインダクタ１７ｂとして、可変インダクタを用いるレーザダイオード駆動回路２であってもよい。また、第１の可変インダクタ７１ａを第１の電源配線１４ａに挿入する代わりに、第１のインダクタ１７ａとして、可変インダクタを用い、かつ、第２のインダクタ１７ｂとして、可変インダクタを用いるレーザダイオード駆動回路２であってもよい。
　図１５は、実施の形態２に係る他のレーザダイオード駆動回路２を示す構成図である。
　図１５に示すレーザダイオード駆動回路２では、第１のインダクタ１７ａ及び第２のインダクタ１７ｂの双方が、可変インダクタである。

　図１２から図１５に示すレーザダイオード駆動回路２では、第１のコンデンサ１６ａが可変コンデンサであって、第２のコンデンサ１６ｂが固定コンデンサである。しかし、これは一例に過ぎず、第１のコンデンサ１６ａが固定コンデンサであって、第２のコンデンサ１６ｂが可変コンデンサであってもよい。
　また、第１のコンデンサ１６ａ及び第２のコンデンサ１６ｂの双方が、可変コンデンサであってもよい。

　なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。

　この発明は、レーザダイオードを備えるレーザダイオード駆動回路及び通信装置に適している。

　１　送信機、２　レーザダイオード駆動回路、３　差動入出力端子、３ａ　第１の入出力端子、３ｂ　第２の入出力端子、１１　レーザダイオード、１１ａ　アノード端子、１１ｂ　カソード端子、１２　差動線路、１２ａ　第１の信号線路、１２ｂ　第２の信号線路、１３　直流電源、１３ａ　プラス側端子、１３ｂ　マイナス側端子、１４ａ，１４ａ－１，１４ａ－２　第１の電源配線、１４ｂ，１４ｂ－１，１４ｂ－２，１４ｂ－３　第２の電源配線、１５ａ，１５ｂ　バイアスティ、１６ａ　第１のコンデンサ、１６ｂ　第２のコンデンサ、１７ａ　第１のインダクタ、１７ｂ　第２のインダクタ、２１　第１の寄生容量、２２　第２の寄生容量、２３　第３の寄生容量、２４　第４の寄生容量、５０　基板、５０ａ　１層目、５０ｂ　２層目、５１ａ　ビア、５１ｂ　ビア、５２ａ　導体、５２ｂ　導体、６１　抵抗、６２　保護回路、６２ａ，６２ｂ　ツェナーダイオード、７１ａ　第１の可変インダクタ、７１ｂ　第２の可変インダクタ。

Claims

　レーザダイオードと、
　一端が前記レーザダイオードのアノード端子と接続されている第１の信号線路及び一端が前記レーザダイオードのカソード端子と接続されている第２の信号線路のそれぞれを有している差動線路と、
　一端が直流電源のプラス側端子と接続され、他端が前記アノード端子と接続されている第１の電源配線と、
　一端が前記直流電源のマイナス側端子と接続され、他端が前記カソード端子と接続されている第２の電源配線と、
　前記第１の信号線路に挿入されている第１のコンデンサと、
　前記第２の信号線路に挿入されている第２のコンデンサとを備え、
　前記第１のコンデンサ及び前記第２のコンデンサのうち、少なくとも１つのコンデンサが、可変コンデンサであることを特徴とするレーザダイオード駆動回路。
　前記第１の電源配線と前記第１の信号線路との間に形成される寄生容量が第１の寄生容量、前記第１の電源配線と前記第２の信号線路との間に形成される寄生容量が第２の寄生容量、前記第２の電源配線と前記第１の信号線路との間に形成される寄生容量が第３の寄生容量、前記第２の電源配線と前記第２の信号線路との間に形成される寄生容量が第４の寄生容量であり、
　前記可変コンデンサは、前記第１のコンデンサの静電容量と前記第１の寄生容量との合成容量と、前記第２のコンデンサの静電容量と前記第４の寄生容量との合成容量とが等しく、かつ、前記第１のコンデンサの静電容量と前記第３の寄生容量との合成容量と、前記第２のコンデンサの静電容量と前記第２の寄生容量との合成容量とが等しくなるように、調整可能なものであることを特徴とする請求項１記載のレーザダイオード駆動回路。
　前記第１の電源配線に挿入されている第１のインダクタと、
　前記第２の電源配線に挿入されている第２のインダクタとを備えたことを特徴とする請求項１記載のレーザダイオード駆動回路。
　前記第１の電源配線に挿入されている第１の可変インダクタを備え、
　前記第１の可変インダクタは、前記第１のインダクタ及び前記第２のインダクタにおけるそれぞれのコイルの巻線誤差が補償されるように、調整可能なものであることを特徴とする請求項３記載のレーザダイオード駆動回路。
　前記第２の電源配線に挿入されている第２の可変インダクタを備え、
　前記第２の可変インダクタは、前記第１のインダクタ及び前記第２のインダクタにおけるそれぞれのコイルの巻線誤差が補償されるように、調整可能なものであることを特徴とする請求項３記載のレーザダイオード駆動回路。
　前記第１の電源配線に挿入されている第１の可変インダクタと、
　前記第２の電源配線に挿入されている第２の可変インダクタとを備え、
　前記第１の可変インダクタのインダクタンス及び前記第２の可変インダクタのインダクタンスのそれぞれは、前記第１のインダクタ及び前記第２のインダクタにおけるそれぞれのコイルの巻線誤差が補償されるように、調整可能なものであることを特徴とする請求項３記載のレーザダイオード駆動回路。
　前記第１のインダクタ及び前記第２のインダクタのうち、少なくとも１つのインダクタが、可変インダクタであり、
　前記可変インダクタは、前記第１のインダクタ及び前記第２のインダクタにおけるそれぞれのコイルの巻線誤差が補償されるように、調整可能なものであることを特徴とする請求項３記載のレーザダイオード駆動回路。
　レーザダイオード駆動回路を備える通信装置であり、
　前記レーザダイオード駆動回路は、
　レーザダイオードと、
　一端が前記レーザダイオードのアノード端子と接続されている第１の信号線路及び一端が前記レーザダイオードのカソード端子と接続されている第２の信号線路のそれぞれを有している差動線路と、
　一端が直流電源のプラス側端子と接続され、他端が前記アノード端子と接続されている第１の電源配線と、
　一端が前記直流電源のマイナス側端子と接続され、他端が前記カソード端子と接続されている第２の電源配線と、
　前記第１の信号線路に挿入されている第１のコンデンサと、
　前記第２の信号線路に挿入されている第２のコンデンサとを備え、
　前記第１のコンデンサ及び前記第２のコンデンサのうち、少なくとも１つのコンデンサが、可変コンデンサであることを特徴とする通信装置。