WO2020129299A1 - 積層シート及びその使用方法 - Google Patents

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威範 柳井
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Definitions

  • the present invention relates to a laminated sheet and a method of using the laminated sheet.
  • the coreless build-up method is a method in which insulating layers and wiring layers are alternately laminated (build-up) to form a multilayer without using a so-called core substrate.
  • the coreless build-up method it has been proposed to use a copper foil with a carrier so that the support and the multilayer printed wiring board can be easily separated.
  • an insulating resin layer is attached to a carrier surface of a copper foil with a carrier to form a support, and a photoresist is formed on the ultrathin copper layer side of the copper foil with a carrier.
  • a method for manufacturing a device mounting package substrate is disclosed.
  • Patent Document 1 a copper foil with a carrier in which the thickness of the ultrathin copper layer is 1 ⁇ m or less is desired. Therefore, in order to reduce the thickness of the ultrathin copper layer, it has been proposed to form the ultrathin copper layer by a vapor phase method such as sputtering.
  • a vapor phase method such as sputtering.
  • Patent Document 2 International Publication No. 2017/150283
  • a carrier in which a release layer, an antireflection layer, and an ultrathin copper layer for example, a film thickness of 300 nm
  • Patent Document 3 International Publication No.
  • an intermediate layer for example, an adhesion metal layer and a peeling auxiliary layer
  • a peeling layer and an ultrathin copper layer for example, a film thickness of 300 nm
  • a carrier such as a glass sheet.
  • a copper foil with a carrier formed by sputtering by providing an intermediate layer made of a predetermined metal to provide excellent stability of mechanical peel strength of the carrier, and by making the antireflection layer exhibit a desirable dark color, an image can be obtained. It has also been taught to improve visibility in inspections (eg, automated image inspection (AOI)).
  • AOI automated image inspection
  • a metal peeling layer is formed on the main surface of a support made of glass or a silicon wafer, an insulating resin layer is formed thereon, and a metal peeling layer is formed thereon.
  • the rewiring layer With the recent reduction in size and weight of electronic devices, it is desired that the rewiring layer have a wiring pattern in which the line/space (L/S) is extremely highly miniaturized.
  • a rewiring layer is formed by the above-mentioned build-up method or the like on a copper foil with a carrier provided with an ultrathin copper layer having a reduced thickness as shown in Patent Documents 2 and 3. It is possible to do it.
  • the copper foil with a carrier has a function of peeling the carrier, it has an advantage that the carrier that has served as a support can be easily peeled off from the laminate including the rewiring layer.
  • the present inventors have recently provided a layered structure in which an insulating film is interposed between conductive films on a carrier with a peeling function, so that the above layered structure can be formed even though it is in the form of a laminated sheet useful for forming a rewiring layer. It has been found that it functions as a capacitor and can efficiently perform electrical inspection of a rewiring layer that will be formed later.
  • an object of the present invention is to provide a laminated sheet which is a sheet form useful for forming a redistribution layer and which can efficiently perform an electrical inspection of a redistribution layer formed later.
  • Carrier with peeling function A first conductive film provided on the carrier with a peeling function, An insulating film provided on the first conductive film, A second conductive film provided on the insulating film; A laminated sheet comprising A stack in which the second conductive film is used for forming a redistribution layer, and the first conductive film, the insulating film, and the second conductive film function as a capacitor for performing an electrical inspection of the redistribution layer.
  • Seats are provided.
  • a method of using a laminated sheet which is performed by measuring (mainly impedance or capacitance).
  • a method for manufacturing a semiconductor package which includes the step of using the laminated sheet.
  • the laminated sheet 10 of the present invention includes a carrier 12 with a peeling function, a first conductive film 14, an insulating film 16, and a second conductive film 18 in this order.
  • the first conductive film 14 is provided on the carrier 12 with a peeling function.
  • the insulating film 16 is provided on the first conductive film 14.
  • the second conductive film 18 is provided on the insulating film 16 and used for forming the redistribution layer 20. Then, the first conductive film 14, the insulating film 16, and the second conductive film 18 function as a capacitor for performing an electrical inspection of the redistribution layer 20.
  • the laminated sheet 10 may have the functional layer 13 between the carrier 12 with a peeling function and the first conductive film 14.
  • Each of the above-mentioned various layers may be a single layer or a plurality of layers. Further, the above-mentioned various layers may be sequentially provided on both surfaces of the carrier 12 with a peeling function so as to be vertically symmetrical.
  • the layer structure in which the insulating film 16 is interposed between the first conductive film 14 and the second conductive film 18 on the carrier 12 with peeling function a form of a laminated sheet useful for forming the redistribution layer 20.
  • the first conductive film 14, the insulating film 16, and the second conductive film 18 function as a capacitor, so that the electrical inspection of the redistribution layer 20 formed by using the second conductive film 18 is efficiently performed. It becomes possible.
  • the rewiring layer means a layer including an insulating layer and a wiring layer formed inside and/or on the surface of the insulating layer.
  • the chip electrodes arranged on the semiconductor chip and the terminals arranged on the printed wiring board at a pitch larger than the chip electrodes can be electrically connected.
  • the redistribution layer 20 may be formed according to a known method and is not particularly limited.
  • the rewiring layer 20 can be formed by alternately laminating the insulating layers and the wiring layers to form a multilayer by the build-up method described above.
  • the carrier 12 with a peeling function includes a carrier 12a and a peeling functional film 12b provided on the first conductive film 14 (the functional layer 13 if present) side of the carrier 12a.
  • the peeling functional film 12b is a layer that allows the carrier 12a to be peeled from the first conductive film 14. That is, the carrier 12a may have the peeling function by itself and thus may constitute the carrier 12 with the peeling function by itself, but typically, the peeling functional film 12b is provided on the first conductive film 14 side of the carrier 12a. By providing, the peeling function is given afterwards.
  • the laminated sheet 10 employs the carrier 12 with a peeling function, after the formation of the rewiring layer 20, the carrier functioning as a support can be easily peeled and removed from the rewiring layer 20. You can If desired, the laminated sheet 10 may have an intermediate layer (not shown) between the carrier 12a and the peeling functional film 12b.
  • the total thickness of the laminated sheet 10 is not particularly limited, but is preferably 500 ⁇ m or more and 3000 ⁇ m or less, more preferably 700 ⁇ m or more and 2500 ⁇ m or less, further preferably 900 ⁇ m or more and 2000 ⁇ m or less, and particularly preferably 1000 ⁇ m or more and 1700 ⁇ m or less.
  • the size of the laminated sheet 10 is not particularly limited, but it is preferably 10 cm square or more, more preferably 20 cm square or more, and further preferably 25 cm square or more.
  • the upper limit of the size of the laminated sheet 10 is not particularly limited, but 1000 cm square in the case of a sheet piece, and 1250 cm in width ⁇ 3000 m in length in the case of a roll shape is mentioned as one guideline of the upper limit.
  • the above-mentioned layers are preferably present over the entire size of the laminated sheet 10. Further, the laminated sheet 10 has a sheet form that can be handled by itself before and after the formation of the rewiring layer.
  • the material of the carrier 12a may be glass, ceramics, resin, or metal.
  • the form of the carrier 12a may be any of sheet, film, plate, and foil. Further, the carrier 12a may be a laminate of these sheets, films, plates, foils and the like.
  • the carrier 12a may be a glass plate, a ceramic plate, a metal plate, or the like that can function as a rigid support, or may be a metal foil, a resin film, or the like that does not have rigidity.
  • Preferred examples of the metal of the carrier 12a include copper, titanium, nickel, stainless steel, aluminum and the like.
  • Preferred examples of ceramics include alumina, zirconia, silicon nitride, aluminum nitride, and various fine ceramics.
  • the resin include PET resin, PEN resin, aramid resin, polyimide resin, nylon resin, liquid crystal polymer, polyether ether ketone resin, polyamide resin, polyamide imide resin, polyether sulfone resin, polyphenylene sulfide resin, and PTFE resin. , ETFE resin and the like. More preferably, the thermal expansion coefficient (CTE) is less than 25 ppm/K (typically 1.0 ppm/K or more and 23 ppm/K or less) from the viewpoint of preventing warpage of the coreless support due to heating when mounting an electronic element.
  • CTE thermal expansion coefficient
  • the carrier 12a preferably has a Vickers hardness of 100 HV or more, more preferably 150 HV or more and 2500 HV or less.
  • the carrier 12a is preferably composed of a resin film, glass or ceramics, more preferably glass or ceramics, and particularly preferably glass. For example, a glass sheet.
  • the carrier 12a When glass is used as the carrier 12a, it is lightweight, has a low coefficient of thermal expansion, has a high insulating property, is rigid, and has a flat surface, so that it has the advantages that the surface of the second conductive film 18 can be extremely smooth. Further, when the carrier is glass, it has a surface flatness (coplanarity) advantageous when mounting an electronic element, and has chemical resistance in desmear and various plating steps in the manufacturing process of the redistribution layer 20. In addition, there is an advantage in that a chemical separation method can be adopted at the time of separating the laminated body with the rewiring layer.
  • the glass constituting the carrier 12a include quartz glass, borosilicate glass, alkali-free glass, soda lime glass, aluminosilicate glass, and a combination thereof, and alkali-free glass is particularly preferable.
  • Alkali-free glass is a glass that contains silicon dioxide, aluminum oxide, boron oxide, and an alkaline earth metal oxide such as calcium oxide or barium oxide as a main component, and further contains boric acid and does not substantially contain an alkali metal. That is.
  • This alkali-free glass has a low thermal expansion coefficient within a wide temperature range from 0° C. to 350° C.
  • the thickness of the carrier is preferably 100 ⁇ m or more and 2000 ⁇ m or less, more preferably 300 ⁇ m or more and 1800 ⁇ m or less, and further preferably 400 ⁇ m or more and 1100 ⁇ m or less. When the thickness is within such a range, it is possible to realize the thinning of the rewiring layer 20 and the reduction of the warp that occurs when the electronic component is mounted, while ensuring an appropriate strength that does not hinder the handling. ..
  • the surface of the carrier 12a on the side of the first conductive film 14 preferably has an arithmetic average roughness Ra of 0.1 nm or more and 70 nm or less, which is measured using a laser microscope according to JIS B 0601-2001, and more It is preferably 0.5 nm or more and 60 nm or less, more preferably 1.0 nm or more and 50 nm or less, particularly preferably 1.5 nm or more and 40 nm or less, and most preferably 2.0 nm or more and 30 nm or less.
  • the intermediate layer provided between the carrier 12a and the peeling function film 12b may have a one-layer structure or a two-layer structure or more if desired.
  • the intermediate layer is the first intermediate layer provided directly on the carrier 12a and the first intermediate layer provided adjacent to the peeling function film 12b. 2 intermediate layers.
  • the first intermediate layer is preferably a layer composed of at least one metal selected from the group consisting of Ti, Cr, Al, and Ni from the viewpoint of ensuring adhesion with the carrier 12a.
  • the first intermediate layer may be a pure metal or an alloy.
  • the thickness of the first intermediate layer is preferably 5 nm or more and 500 nm or less, more preferably 10 nm or more and 300 nm or less, further preferably 18 nm or more and 200 nm or less, and particularly preferably 20 nm or more and 100 nm or less.
  • the second intermediate layer is preferably a layer made of Cu from the viewpoint of controlling the peel strength with the peeling functional film 12b to a desired value.
  • the thickness of the second intermediate layer is preferably 5 nm or more and 500 nm or less, more preferably 10 nm or more and 400 nm or less, further preferably 15 nm or more and 300 nm or less, and particularly preferably 20 nm or more and 200 nm or less.
  • Another intervening layer may be present between the first intermediate layer and the second intermediate layer, and examples of the constituent material of the intervening layer include Ti, Cr, Mo, Mn, W and Ni. Examples thereof include alloys of Cu with at least one metal selected from the group.
  • the intermediate layer has a single-layer structure, the above-described first intermediate layer may be directly used as the intermediate layer, or the first intermediate layer and the second intermediate layer may be replaced with a single intermediate alloy layer. May be.
  • This intermediate alloy layer has a content of at least one metal selected from the group consisting of Ti, Cr, Mo, Mn, W, Al and Ni of 1.0 at% or more, and a Cu content of 30 at. It is preferably composed of a copper alloy having a content of at least %.
  • the thickness of the intermediate alloy layer is preferably 5 nm or more and 500 nm or less, more preferably 10 nm or more and 400 nm or less, further preferably 15 nm or more and 300 nm or less, and particularly preferably 20 nm or more and 200 nm or less.
  • the thickness of each layer described above is a value measured by analyzing a cross section of the layer with an energy dispersive X-ray spectroscopic analyzer (TEM-EDX) of a transmission electron microscope.
  • TEM-EDX energy dispersive X-ray spectroscopic analyzer
  • the metal forming the intermediate layer may contain unavoidable impurities resulting from the raw material components and the film forming process.
  • the presence of oxygen contaminated due to the exposure is allowed.
  • the intermediate layer is preferably a layer formed by a vapor phase method such as sputtering.
  • the intermediate layer may be manufactured by any method, but a layer formed by a magnetron sputtering method using a metal target is particularly preferable in that the uniformity of the film thickness distribution can be improved.
  • the peeling function film 12b provided as desired is a layer that enables or facilitates peeling of the carrier 12a.
  • the release functional film 12b may be either an organic release layer or an inorganic release layer.
  • organic components used in the organic release layer include nitrogen-containing organic compounds, sulfur-containing organic compounds, and carboxylic acids.
  • nitrogen-containing organic compounds include triazole compounds and imidazole compounds.
  • examples of the inorganic component used in the inorganic release layer include at least one of Cu, Ti, Al, Nb, Zr, Cr, W, Ta, Co, Ag, Ni, In, Sn, Zn, Ga and Mo. The above metal oxides, carbon layers and the like can be mentioned.
  • the peeling functional film 12b is preferably a layer mainly containing carbon from the viewpoint of ease of peeling and film forming property, and more preferably a layer mainly containing carbon or hydrocarbons, and further preferably Is made of amorphous carbon which is a hard carbon film.
  • the peeling functional film 12b (that is, the carbon layer) preferably has a carbon concentration measured by XPS of 60 atom% or more, more preferably 70 atom% or more, further preferably 80 atom% or more, particularly preferably It is 85 atomic% or more.
  • the upper limit of the carbon concentration is not particularly limited and may be 100 atom %, but 98 atom% or less is realistic.
  • the peeling functional film 12b may contain unavoidable impurities (for example, oxygen, carbon, hydrogen and the like derived from ambient environment such as atmosphere). Further, metal atoms may be mixed into the peeling function film 12b (particularly the carbon layer) due to the film forming method of the first conductive film 14 and the like to be laminated later. Carbon has low mutual diffusivity and reactivity with carriers, and prevents the formation of metal bonds between the copper foil layer and the bonding interface due to high temperature heating even when subjected to press working at a temperature exceeding 300°C. Thus, it is possible to maintain a state in which the carrier can be easily peeled off and removed.
  • unavoidable impurities for example, oxygen, carbon, hydrogen and the like derived from ambient environment such as atmosphere.
  • metal atoms may be mixed into the peeling function film 12b (particularly the carbon layer) due to the film forming method of the first conductive film 14 and the like to be laminated later.
  • Carbon has low mutual diffusivity and reactivity with carriers, and prevent
  • the peeling function film 12b is also preferably a layer formed by a vapor phase method such as sputtering from the viewpoint of suppressing excessive impurities in the amorphous carbon and the continuous productivity with the formation of the intermediate layer described above. ..
  • the thickness of the peeling function film 12b is preferably 1 nm or more and 20 nm or less, and more preferably 1 nm or more and 10 nm or less. This thickness is a value measured by analyzing the layer cross section with an energy dispersive X-ray spectroscopic analyzer (TEM-EDX) of a transmission electron microscope.
  • TEM-EDX energy dispersive X-ray spectroscopic analyzer
  • the functional layer 13 provided as desired is not particularly limited as long as it imparts a desired function such as a function of controlling the peel strength with the carrier with a peeling function 12 to a desired value.
  • the functional layer 13 is preferably a layer composed of at least one metal selected from the group consisting of Ti, Cu, Ni, Ta, W, Al, Co, Fe, Mo, Cr, Ag and Si. It may be a pure metal or an alloy.
  • the metal forming the functional layer 13 may contain inevitable impurities due to the raw material components, the film forming process, and the like.
  • the functional layer 13 is exposed to the atmosphere after being formed, the presence of oxygen mixed in due to the exposure is allowed.
  • the thickness of the functional layer 13 is preferably 10 nm or more and 500 nm or less, more preferably 30 nm or more and 300 nm or less, further preferably 50 nm or more and 250 nm or less, and particularly preferably 80 nm or more and 200 nm or less.
  • the first conductive film 14 is a layer having conductivity and corresponds to an electrode portion in the capacitor.
  • the first conductive film 14 is preferably a metal film or a conductive polymer film from the viewpoint of imparting desired conductivity.
  • the first conductive film 14 is made of Al, Ag, Cu, Ni, Ti or Ta from the viewpoint of realizing excellent conductivity and stability while reducing the cost.
  • the first conductive film 14 when the first conductive film is a conductive polymer film, the first conductive film 14 preferably contains a polythiophene-based polymer, a polyacetylene-based polymer, a polyaniline-based polymer, a polypyrrole-based polymer, or a combination thereof.
  • the thickness of the first conductive film 14 is preferably 5 nm or more and 1000 nm or less, more preferably 10 nm or more and 800 nm or less, further preferably 12 nm or more and 500 nm or less, and particularly preferably 15 nm or more and 400 nm or less.
  • the first conductive film 14 is preferably a layer formed by a vapor phase method such as sputtering from the viewpoint of improving the uniformity of the film thickness distribution and the continuous productivity with the formation of other layers. ..
  • the insulating film 16 is a layer having an insulating property and corresponds to an insulator (dielectric) portion in the capacitor.
  • the insulating film 16 is an oxide film, a nitride film, a carbonized film, a fluoride film, an insulating resin film (for example, epoxy) from the viewpoint of ensuring the adhesiveness with the first conductive film 14 and the adhesiveness with the second conductive film 18.
  • Resin film polyimide resin film, ethylene resin film, phenol resin film, polypropylene terephthalate (PPT) resin film, acrylonitrile-butadiene-styrene copolymerization (ABS) resin film, nylon resin film, polybutylene terephthalate (PBT) resin film), Or a combination thereof, more preferably an oxide film, a nitride film, a carbonized film, a fluoride film, an epoxy resin film, a polyimide resin film, an ethylene resin film, a phenol resin film, a polypropylene terephthalate (PPT) resin film, Acrylonitrile/butadiene/styrene copolymer (ABS) resin film, nylon resin film, polybutylene terephthalate (PBT) resin film, or a combination thereof, more preferably oxide film, nitride film, carbonized film, fluoride film, epoxy resin film , Polyimide resin film, ethylene resin film, Poly
  • preferable oxide film include SiO x film, AlO x film, TiO x film, ZrO x film, NbO x film, and TaO x film, and particularly preferred are SiO x film, AlO x film, and TaO x film. Is.
  • Examples of preferable nitride film include SiN x film, AlN x film, TiN x film, ZrN x film, NbN x film, TaN x film, CrN x film and VN x film, and particularly preferably SiN x film, An AlN x film and a TiN x film.
  • Examples of preferable carbonized film include TiC film, ZrC film, VC film, MoC film, NbC film, TaC film, NiC film, and CrC film, and particularly preferable are TiC film, ZrC film, and MoC film.
  • the dielectric constant (relative permittivity) of the insulating film 16 is preferably 2 or more at a frequency of 1 MHz, more preferably 2.5 or more, further preferably 3.5 or more. , Particularly preferably 4.0 or more.
  • the upper limit of the dielectric constant is not particularly limited, but it is typically 100 or less, and more typically 50 or less.
  • the thickness of the insulating film 16 is preferably 0.1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less, more preferably 0.3 ⁇ m or more and 8.0 ⁇ m or less, still more preferably 0.5 ⁇ m or more and 5.0 ⁇ m or less, and particularly preferably 0. It is 8 ⁇ m or more and 3.0 ⁇ m or less. This thickness is a value measured by analyzing the layer cross section with an energy dispersive X-ray spectroscopic analyzer (TEM-EDX) of a transmission electron microscope.
  • the withstand voltage strength of the insulating film 16 is preferably 1.0 ⁇ 10 4 V/cm or more, more preferably 2.0 ⁇ 10 4 V/cm or more, and further preferably 5.0 ⁇ 10 4 V/cm.
  • the insulating film 16 is preferably formed by a chemical vapor deposition (CVD) method, a sputtering method, a vapor deposition method, a slit coater method, a spin coater method, a spray method, or a combination thereof. Accordingly, these film forming methods can be appropriately selected.
  • CVD chemical vapor deposition
  • the second conductive film 18 is a layer having conductivity and corresponds to an electrode portion in the capacitor.
  • the second conductive film 18 is used to form the redistribution layer 20. Therefore, the second conductive film 18 is preferably a seed layer for forming the redistribution layer 20.
  • the second conductive film 18 is preferably a metal film.
  • the second conductive film 18 is made of a transition element of Group 4, Group 5, Group 6, Group 9, Group 10 or Group 11, Al, Fe, Mg, Mn, Zn, In, Sn. Or a metal composed of a combination thereof (for example, an alloy or an intermetallic compound), more preferably Al, Ag, Cu, Ni, Ti, Ta, Fe, Co, Mo, Mg, Mn, Zn.
  • the metal forming the second conductive film 18 may include inevitable impurities caused by the raw material components and the film forming process.
  • the second conductive film 18 may be manufactured by any method, for example, a wet film forming method such as an electroless plating method or an electrolytic plating method, or a physical vapor deposition (PVD) such as sputtering or vacuum evaporation. It may be a layer formed by a method, chemical vapor deposition, or a combination thereof.
  • the particularly preferable second conductive film 18 is a layer formed by a physical vapor deposition (PVD) method such as a sputtering method or a vacuum evaporation method, from the viewpoint of easily adapting to a fine pitch due to ultra-thinning, and most preferably sputtering. It is a layer manufactured by the method.
  • PVD physical vapor deposition
  • the second conductive film 18 is preferably a non-roughening layer, but as long as it does not hinder the formation of the wiring pattern at the time of manufacturing the rewiring layer 20, preliminary roughening, soft etching treatment or cleaning treatment, The secondary roughening may be caused by the redox treatment.
  • the thickness of the second conductive film 18 is not particularly limited, it is preferably 10 nm or more and 1000 nm or less, more preferably 20 nm or more and 900 nm or less, and further preferably 30 nm or more and 700 nm or less in order to cope with the above-described fine pitch.
  • This thickness is a value measured by analyzing the layer cross section with an energy dispersive X-ray spectroscopic analyzer (TEM-EDX) of a transmission electron microscope. It is preferable that the second conductive film having a thickness within such a range is manufactured by a sputtering method from the viewpoint of in-plane uniformity of the film thickness and productivity in a sheet shape or a roll shape.
  • TEM-EDX energy dispersive X-ray spectroscopic analyzer
  • the surface of the second conductive film 18 opposite to the insulating film 16 is measured using a laser microscope according to JIS B 0601-2001, and is 1.0 nm or more and 100 nm or less. It is preferable to have an arithmetic mean roughness Ra of 2.0 nm or more, more preferably 2.0 nm or more and 40 nm or less, further preferably 3.0 nm or more and 35 nm or less, particularly preferably 4.0 nm or more and 30 nm or less, and most preferably 5.0 nm or more and 15 nm. It is as follows.
  • the line/space (L/S) in the redistribution layer 20 manufactured using the laminated sheet 10 is 13 ⁇ m or less/13 ⁇ m or less (for example, from 12 ⁇ m/12 ⁇ m to 2 ⁇ m/2 ⁇ m). ) Is suitable for forming a wiring pattern that is highly miniaturized to such a degree.
  • Each of the first conductive film 14 and the second conductive film 18 is selected from the group consisting of Al, Ag, Cu, Ni, Ti, Ta, Fe, Co, Mo, Mg, Mn, Zn, Cr, In and Sn. It is preferable that the insulating film 16 is at least one metal selected from the group consisting of an oxide film, a nitride film, an epoxy resin film, and a polyimide resin film. More preferably, each of the first conductive film 14 and the second conductive film 18 is at least one metal selected from the group consisting of Al, Cu, Ti, and Mo, and the insulating film 16 is an oxide film. It is at least one selected from the group consisting of an epoxy resin film and a polyimide resin film.
  • the first conductive film 14, the insulating film 16, and the second conductive film 18 are layers that function as capacitors for performing the electrical inspection of the redistribution layer 20. It is possible to impart more suitable properties (such as capacitance and withstand voltage strength) to the capacitor.
  • the carrier 12a described above is prepared, and an intermediate layer (for example, a first intermediate layer and a second intermediate layer) is optionally provided on the carrier 12a, and a release functional film 12b is optionally provided. It can be manufactured by forming the functional layer 13, the first conductive film 14, the insulating film 16, and the second conductive film 18 as desired.
  • Each of the intermediate layer (if present), the peeling functional film 12b (if present), the functional layer 13 (if present), the first conductive film 14 and the second conductive film 18 is formed with a fine pitch by ultra-thinning. From the viewpoint of easily adapting to chemical conversion, the physical vapor deposition (PVD) method is preferably used.
  • Examples of the physical vapor deposition (PVD) method include a sputtering method, a vacuum deposition method, and an ion plating method.
  • the film thickness can be controlled in a wide range from 0.05 nm to 5000 nm, and a wide width or area.
  • the sputtering method is most preferable from the viewpoint that the film thickness uniformity can be secured over the entire range.
  • the film formation by the physical vapor deposition (PVD) method may be performed according to known conditions using a known vapor phase film forming apparatus and is not particularly limited.
  • the sputtering method may be various known methods such as magnetron sputtering, two-pole sputtering method, opposed target sputtering method, etc. It is preferable in terms of high price. Sputtering may be performed by either DC (direct current) or RF (high frequency) power source. Further, a plate-type target whose target shape is widely known can be used, but it is preferable to use a cylindrical target from the viewpoint of target usage efficiency.
  • the insulating film 16 is preferably formed by a chemical vapor deposition (CVD) method, a sputtering method, a vapor deposition method, a slit coater method, a spin coater method, a spray method, or a combination thereof.
  • CVD chemical vapor deposition
  • a sputtering method a vapor deposition method
  • a slit coater method a spin coater method
  • a spray method or a combination thereof.
  • all layers of the intermediate layer (when present), the peeling functional film 12b (when present), the functional layer 13 (when present), the first conductive film 14, the insulating film 16 and the second conductive film 18 are formed.
  • the manufacturing efficiency is significantly increased.
  • the vapor phase method (preferably, each layer) of the intermediate layer (if present), the peeling functional film 12b (if present), the functional layer 13 (if present), the first conductive film 14, and the second conductive film 18 is preferable.
  • the film formation by the sputtering method) and the film formation of the insulating film 16 by the above method will be described.
  • the film formation of the first intermediate layer by a vapor phase method includes at least one selected from the group consisting of Ti, Cr, Al and Ni. It is preferable to use magnetron sputtering in a non-oxidizing atmosphere using a target made of a metal in terms of improving the film thickness distribution uniformity. The target purity is preferably 99.9 wt% or higher. As a gas used for sputtering, it is preferable to use an inert gas such as argon gas. The flow rate of the argon gas may be appropriately determined according to the sputtering chamber size and the film forming conditions and is not particularly limited.
  • the pressure during film formation is preferably in the range of 0.1 Pa or more and 20 Pa or less.
  • This pressure range may be set by adjusting the film-forming power and the flow rate of the argon gas according to the apparatus structure, capacity, vacuum pump exhaust capacity, film-forming power supply rated capacity, and the like.
  • the sputtering power is film thickness uniformity of the film formation, in consideration of productivity and the like may be appropriately set within a range of 0.05 W / cm 2 or more 10.0 W / cm 2 or less per unit area of the target.
  • the film formation of the second intermediate layer by the vapor phase method is preferably performed by magnetron sputtering in a non-oxidizing atmosphere using a copper target in terms of improving the film thickness distribution uniformity.
  • the purity of the copper target is preferably 99.9 wt% or higher.
  • an inert gas such as argon gas.
  • the flow rate of the argon gas may be appropriately determined according to the sputtering chamber size and the film forming conditions and is not particularly limited.
  • the pressure during film formation is preferably in the range of 0.1 Pa or more and 20 Pa or less.
  • This pressure range may be set by adjusting the film-forming power and the flow rate of the argon gas according to the apparatus structure, capacity, vacuum pump exhaust capacity, film-forming power supply rated capacity, and the like. Further, the sputtering power is film thickness uniformity of the film formation, in consideration of productivity and the like may be appropriately set within a range of 0.05 W / cm 2 or more 10.0 W / cm 2 or less per unit area of the target.
  • the intermediate layer uses an alloy target of Cu and at least one metal selected from the group consisting of Ti, Cr, Mo, Mn, W, Al and Ni, and
  • the magnetron sputtering is preferably performed in an oxidizing atmosphere in order to improve the uniformity of film thickness distribution.
  • the purity of the copper target is preferably 99.9 wt% or higher.
  • an inert gas such as argon gas.
  • the flow rate of the argon gas may be appropriately determined according to the sputtering chamber size and the film forming conditions and is not particularly limited.
  • the pressure during film formation is preferably in the range of 0.1 Pa or more and 20 Pa or less.
  • This pressure range may be set by adjusting the film-forming power and the flow rate of the argon gas according to the apparatus structure, capacity, vacuum pump exhaust capacity, film-forming power supply rated capacity, and the like.
  • the sputtering power is film thickness uniformity of the film formation, in consideration of productivity and the like may be appropriately set within a range of 0.05 W / cm 2 or more 10.0 W / cm 2 or less per unit area of the target.
  • the peeling functional film 12b is preferably formed by a vapor phase method in an inert atmosphere such as argon using a carbon target.
  • the carbon target is preferably composed of graphite, but may contain unavoidable impurities (for example, oxygen and carbon derived from the ambient environment such as the atmosphere).
  • the purity of the carbon target is preferably 99.99 wt% or more, more preferably 99.999 wt% or more.
  • the pressure during film formation is preferably in the range of 0.1 Pa or more and 2.0 Pa or less.
  • This pressure range may be set by adjusting the film-forming power and the flow rate of the argon gas according to the apparatus structure, capacity, vacuum pump exhaust capacity, film-forming power supply rated capacity, and the like. Further, the sputtering power is film thickness uniformity of the film formation, in consideration of productivity and the like may be appropriately set within a range of 0.05 W / cm 2 or more 10.0 W / cm 2 or less per unit area of the target.
  • the first conductive film 14 and the second conductive film 18 are formed by a vapor phase method from Al, Ag, Cu, Ni, Ti, Ta, Fe, Co, Mo, Mg, Mn, Zn, Cr, In and Sn. It is preferable to carry out magnetron sputtering in a non-oxidizing atmosphere by using a target composed of at least one metal selected from the group consisting of the following, because the film thickness distribution uniformity can be improved.
  • the target purity is preferably 99.9 wt% or higher.
  • As a gas used for sputtering it is preferable to use an inert gas such as argon gas.
  • the flow rate of the argon gas may be appropriately determined according to the sputtering chamber size and the film forming conditions and is not particularly limited.
  • a stage cooling mechanism may be provided during sputtering.
  • the pressure during film formation is preferably in the range of 0.1 Pa or more and 20 Pa or less. This pressure range may be set by adjusting the film-forming power and the flow rate of the argon gas according to the apparatus structure, capacity, vacuum pump exhaust capacity, film-forming power supply rated capacity, and the like.
  • the sputtering power is film thickness uniformity of the film formation, in consideration of productivity and the like may be appropriately set within a range of 0.05 W / cm 2 or more 10.0 W / cm 2 or less per unit area of the target.
  • the insulating film 16 is formed by at least one selected from the group consisting of oxides, nitrides, carbides, fluorides, epoxy resins, polyimide resins, ethylene resins, phenol resins, PPT resins, ABS resins, nylon resins and PBT resins. It is preferable to use one of them by a chemical vapor deposition (CVD) method, a sputtering method, an evaporation method, a slit coater method, a spin coater method, or a spray method, and depending on the material of the insulating film 16 to be used, these are used.
  • the film forming method may be appropriately selected.
  • the conditions of each film forming method are not particularly limited, and known conditions may be adopted as they are, or known conditions may be appropriately adjusted according to the material of the insulating film 16.
  • the redistribution layer 20 can be manufactured using the laminated sheet 10 of the present invention. Then, the first conductive film 14, the insulating film 16, and the second conductive film 18 function as a capacitor, so that the electrical inspection of the manufactured redistribution layer 20 can be efficiently performed.
  • the method of using the laminated sheet 10 includes (1) a rewiring layer forming step and (2) a rewiring layer electrical inspection step.
  • the rewiring layer 20 is formed using the laminated sheet 10 of the present invention.
  • the redistribution layer 20 can be formed by processing the second conductive film 18.
  • the second conductive film 18 is included in a part of the redistribution layer 20.
  • the rewiring layer 20 ′ may be formed on the second conductive film 18 without processing the second conductive film 18 itself.
  • the redistribution layer 20′ can be formed.
  • the second conductive film 18 itself does not form the redistribution layer 20′, it is preferable to remove the second conductive film 18 by flash etching or the like after peeling the carrier 12 with a peeling function.
  • the method of forming the redistribution layer 20 is not particularly limited, and known methods shown in Patent Documents 2 to 4 can be adopted, for example.
  • a photoresist layer is formed in a predetermined pattern on the surface of the second conductive film 18 in the laminated sheet 10.
  • the photoresist is preferably a photosensitive film, for example a photosensitive dry film.
  • the photoresist layer may be provided with a predetermined wiring pattern by exposure and development.
  • An electrolytic copper plating layer is formed on the exposed surface of the second conductive film 18 (that is, the portion not masked with the photoresist layer).
  • the electrolytic copper plating may be performed by a known method and is not particularly limited. Then, the photoresist layer is peeled off. As a result, the electrolytic copper plating layer remains in a wiring pattern shape, and the second conductive film 18 in a portion where the wiring pattern is not formed is exposed. The unnecessary portion of the second conductive film 18 is removed by flash etching to form a first wiring layer. After that, an insulating layer and an n-th wiring layer (n is an integer of 2 or more) are alternately formed on the surface of the laminated sheet 10 on which the first wiring layer is formed. In this way, the coreless support having the rewiring layer 20, which is a layer including the insulating layer and the wiring layer formed inside and/or on the surface of the insulating layer, can be obtained.
  • the electrical characteristics mainly impedance or capacitance
  • the carrier with peeling function 12 may be peeled and removed from the rewiring layer 20 in advance.
  • the process of mounting the chip after forming the redistribution layer 20 in this way is a method called the RDL-First method. According to this method, the wiring layer on the surface of the coreless support and each build-up wiring layer to be laminated thereafter can be electrically inspected before mounting the chip, so that the defective portion of each wiring layer can be avoided. , Chips can be mounted only on non-defective parts.
  • the RDL-First method is economically advantageous in comparison with the Chip-First method, which is a method of sequentially laminating wiring layers on the surface of the chip, in that waste of the chip can be avoided.
  • the first conductive film 14, the insulating film 16 and the second conductive film 18 function as a capacitor, it is possible to efficiently perform the electrical inspection.
  • the electronic element mounted on the redistribution layer 20 that is assumed as an optional step include a semiconductor element, a chip capacitor, a resistor, and the like.
  • methods for mounting electronic elements include a flip chip mounting method and a die bonding method.
  • the flip-chip mounting method is a method of joining the mounting pad of the electronic element and the rewiring layer 20.
  • NCF Non-Conductive Film
  • the die bonding adhesion method is a method of adhering the surface of the electronic element opposite to the mounting pad surface to the rewiring layer 20. For this adhesion, it is preferable to use a paste or film which is a resin composition containing a thermosetting resin and a heat conductive inorganic filler.

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Abstract

再配線層の形成に有用なシート形態でありながら、後に形成される再配線層の電気検査を効率良く行うことが可能な、積層シートが提供される。この積層シートは、剥離機能付キャリアと、剥離機能付キャリア上に設けられる第１導電膜と、第１導電膜上に設けられる絶縁膜と、絶縁膜上に設けられる第２導電膜とを備えた積層シートであって、第２導電膜が再配線層の形成に用いられ、かつ、第１導電膜、絶縁膜及び第２導電膜が再配線層の電気検査を行うためのキャパシタとして機能する。

Description

積層シート及びその使用方法
　本発明は、積層シート及びその使用方法に関する。
　近年、プリント配線板の実装密度を上げて小型化するために、プリント配線板の多層化が広く行われるようになってきている。このような多層プリント配線板は、携帯用電子機器の多くで、軽量化や小型化を目的として利用されている。そして、この多層プリント配線板には、層間絶縁層の更なる厚さの低減、及び配線板としてのより一層の軽量化が要求されている。
　このような要求を満たす技術として、コアレスビルドアップ法を用いた多層プリント配線板の製造方法が採用されている。コアレスビルドアップ法とは、いわゆるコア基板を用いることなく、絶縁層と配線層とを交互に積層（ビルドアップ）して多層化する方法である。コアレスビルドアップ法においては、支持体と多層プリント配線板との剥離を容易に行えるように、キャリア付銅箔を使用することが提案されている。例えば、特許文献１（特開２００５－１０１１３７号公報）には、キャリア付銅箔のキャリア面に絶縁樹脂層を貼り付けて支持体とし、キャリア付銅箔の極薄銅層側にフォトレジスト加工、パターン電解銅めっき、レジスト除去等の工程により第一の配線導体を形成した後、ビルドアップ配線層を形成し、キャリア付支持基板を剥離し、極薄銅層を除去することを含む、半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法が開示されている。
　また、特許文献１に示されるような埋め込み回路の微細化のため、極薄銅層の厚さを１μｍ以下としたキャリア付銅箔が望まれる。そこで、極薄銅層の厚さ低減を実現するため、スパッタリング等の気相法により極薄銅層を形成することが提案されている。例えば、特許文献２（国際公開第２０１７／１５０２８３号）には、ガラスシート等のキャリア上に、剥離層、反射防止層、及び極薄銅層（例えば膜厚３００ｎｍ）がスパッタリングにより形成されたキャリア付銅箔が開示されている。また、特許文献３（国際公開第２０１７／１５０２８４号）には、ガラスシート等のキャリア上に、中間層（例えば密着金属層及び剥離補助層）、剥離層及び極薄銅層（例えば膜厚３００ｎｍ）がスパッタリングにより形成されたキャリア付銅箔が開示されている。特許文献２及び３には、所定の金属で構成される中間層を介在させることでキャリアの機械的剥離強度の優れた安定性をもたらすことや、反射防止層が望ましい暗色を呈することで、画像検査（例えば自動画像検査（ＡＯＩ））における視認性を向上させることも教示されている。
　とりわけ、電子デバイスのより一層の小型化及び省電力化に伴い、半導体チップ及びプリント配線板の高集積化及び薄型化へのニーズが高まっている。かかるニーズを満たす次世代パッケージング技術として、ＦＯ－ＷＬＰ（Ｆａｎ－Ｏｕｔ　Ｗａｆｅｒ　Ｌｅｖｅｌ　Ｐａｃｋａｇｉｎｇ）やＰＬＰ（Ｐａｎｅｌ　Ｌｅｖｅｌ　Ｐａｃｋａｇｉｎｇ）の採用が近年検討されている。そして、ＦＯ－ＷＬＰやＰＬＰにおいても、コアレスビルドアップ法の採用が検討されている。そのような工法の一つとして、コアレス支持体表面に配線層及び必要に応じてビルドアップ配線層を形成し、さらに必要に応じて支持体を剥離した後に、チップの実装を行う、ＲＤＬ－Ｆｉｒｓｔ（Ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ　Ｌａｙｅｒ－Ｆｉｒｓｔ）法と呼ばれる工法がある。例えば、特許文献４（特開２０１５－３５５５１号公報）には、ガラス又はシリコンウエハからなる支持体の主面への金属剥離層の形成、その上への絶縁樹脂層の形成、その上へのビルドアップ層を含む再配線層（Ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ　Ｌａｙｅｒ）の形成、その上への半導体集積回路の実装及び封止、支持体の除去による剥離層の露出、剥離層の除去による２次実装パッドの露出、並びに２次実装パッドの表面への半田バンプの形成、並びに２次実装を含む、半導体装置の製造方法が開示されている。
　ところで、複数の配線を表面に有する製品（中間製品を含む）の電気検査を、インピーダンス測定によって行うことが提案されている。例えば、特許文献５（特開２０１３－１５２１０９号公報）には、二つ以上の異なる周波数の電力を用いて配線間のインピーダンスを算出し、算出された二つ以上のインピーダンスの周波数に応じた変位量によって当該配線間の絶縁状態の良否を判定する絶縁検査方法が開示されている。すなわち、配線間の絶縁状態が良好な場合には、配線間の静電容量のみの影響を受けた電気信号が検出され、配線間の絶縁状態が不良な場合には、配線間の静電容量の影響と抵抗（短絡状態）の影響を受けた電気信号が検出される。したがって、かかる方法によれば、複数の異なる周波数によるインピーダンス値を算出することで、静電容量の影響及び抵抗の影響を受けているか否かを検出可能であるとされている。
特開２００５－１０１１３７号公報 国際公開第２０１７／１５０２８３号 国際公開第２０１７／１５０２８４号 特開２０１５－３５５５１号公報 特開２０１３－１５２１０９号公報
　近年の電子機器の更なる小型軽量化に伴い、再配線層にはライン／スペース（Ｌ／Ｓ）が極めて高度に微細化された配線パターンを有することが望まれる。かかる要求に対応するため、特許文献２及び３に示されるような、厚さが低減された極薄銅層を備えたキャリア付銅箔上に、上述したビルドアップ法等で再配線層を形成することが考えられる。特に、キャリア付銅箔は、キャリアを剥離する機能を有するため、支持体としての役目を果たしたキャリアを、再配線層を含む積層体から容易に引き剥がせるとの利点を有する。一方、かかる配線パターンの微細化に起因して、自動画像検査（ＡＯＩ）等の画像検査によって不良品の判別を行うことが困難な状況となってきている。この点、再配線層の検査を電気検査によって行うことができれば好都合であるが、従来のキャリア付銅箔ではそのような電気検査は困難であった。
　本発明者らは、今般、剥離機能付キャリア上に導電膜間に絶縁膜が介在する層構成を設けることで、再配線層の形成に有用な積層シートの形態でありながら、上記層構成がキャパシタとして機能して、後に形成される再配線層の電気検査を効率良く行うことが可能になるとの知見を得た。
　したがって、本発明の目的は、再配線層の形成に有用なシート形態でありながら、後に形成される再配線層の電気検査を効率良く行うことが可能な、積層シートを提供することにある。
　本発明の一態様によれば、
　剥離機能付キャリアと、
　前記剥離機能付キャリア上に設けられる第１導電膜と、
　前記第１導電膜上に設けられる絶縁膜と、
　前記絶縁膜上に設けられる第２導電膜と、
を備えた積層シートであって、
　前記第２導電膜が再配線層の形成に用いられ、かつ、前記第１導電膜、前記絶縁膜及び前記第２導電膜が前記再配線層の電気検査を行うためのキャパシタとして機能する、積層シートが提供される。
　本発明の他の一態様によれば、
　前記積層シートの前記第２導電膜を加工して再配線層を形成する、又は前記第２導電膜上に再配線層を形成する工程と、
　前記再配線層に対して電気検査を行う工程と、
を含み、前記電気検査が、前記再配線層と前記第１導電膜との間に電圧を加えて、前記第１導電膜、前記絶縁膜及び前記第２導電膜をキャパシタとして機能させ、電気特性（主としてインピーダンス又は静電容量）を測定することにより行われる、積層シートの使用方法が提供される。
　本発明の他の一態様によれば、前記積層シートの使用方法の工程を含む、半導体パッケージの製造方法が提供される。
本発明の積層シートの一態様を示す断面模式図である。 再配線層の電気検査の一例を示す断面模式図である。
　積層シート
　本発明の積層シートが図１に模式的に示される。図１に示されるように、本発明の積層シート１０は、剥離機能付キャリア１２と、第１導電膜１４と、絶縁膜１６と、第２導電膜１８とをこの順に備えたものである。第１導電膜１４は、剥離機能付キャリア１２上に設けられる。絶縁膜１６は、第１導電膜１４上に設けられる。第２導電膜１８は絶縁膜１６上に設けられ、再配線層２０の形成に用いられる。そして、第１導電膜１４、絶縁膜１６及び第２導電膜１８が再配線層２０の電気検査を行うためのキャパシタとして機能する。所望により、積層シート１０は、剥離機能付キャリア１２と第１導電膜１４との間に機能層１３を有していてもよい。上述の各種層はそれぞれ単層であってもよいし、複数の層からなるものであってもよい。また、剥離機能付キャリア１２の両面に上下対称となるように上述の各種層を順に備えてなる構成としてもよい。このように、剥離機能付キャリア１２上に第１導電膜１４及び第２導電膜１８間に絶縁膜１６が介在する層構成を設けることで、再配線層２０の形成に有用な積層シートの形態でありながら、第１導電膜１４、絶縁膜１６及び第２導電膜１８がキャパシタとして機能し、それにより、第２導電膜１８を用いて形成された再配線層２０の電気検査を効率良く行うことが可能となる。
　本発明において、再配線層とは、絶縁層と当該絶縁層の内部及び／又は表面に形成された配線層とを含む層を意味する。この再配線層を介して、例えば半導体チップ上に配置されたチップ電極と、プリント配線板上にチップ電極よりも大きいピッチで配置された端子とを電気的に接続することができる。再配線層２０の形成は、公知の手法に従って行えばよく、特に限定されない。例えば、前述したビルドアップ法により、絶縁層と配線層とを交互に積層して多層化することで再配線層２０を形成することができる。
　図１に示されるように、剥離機能付キャリア１２は、キャリア１２ａと、キャリア１２ａの第１導電膜１４（存在する場合には機能層１３）側に設けられる剥離機能膜１２ｂとを備えることが好ましい。剥離機能膜１２ｂは、第１導電膜１４からキャリア１２ａを剥離可能とする層である。すなわち、キャリア１２ａは、それ自体が剥離機能を有することで、単独で剥離機能付キャリア１２を構成してもよいが、典型的には、キャリア１２ａの第１導電膜１４側に剥離機能膜１２ｂを設けることで、事後的に剥離機能が付与される。いずれにしても、積層シート１０は剥離機能付キャリア１２を採用しているので、再配線層２０の形成後、支持体としての役目を果たしたキャリアを再配線層２０から容易に剥離除去することができる。所望により、積層シート１０には、キャリア１２ａと剥離機能膜１２ｂとの間に中間層（図示せず）が存在してもよい。
　積層シート１０全体の厚さは特に限定されないが、好ましくは５００μｍ以上３０００μｍ以下、より好ましくは７００μｍ以上２５００μｍ以下、さらに好ましくは９００μｍ以上２０００μｍ以下、特に好ましくは１０００μｍ以上１７００μｍ以下である。積層シート１０のサイズは特に限定されないが、好ましくは１０ｃｍ角以上、より好ましくは２０ｃｍ角以上、さらに好ましくは２５ｃｍ角以上である。積層シート１０のサイズの上限は特に限定されないが、シート片の場合は１０００ｃｍ角が、ロール状の場合は幅１２５０ｃｍ×長さ３０００ｍが上限の１つの目安として挙げられる。積層シート１０の上記サイズの全域にわたって上述した各層が存在しているのが好ましい。また、積層シート１０は、再配線層の形成前後において、それ自体単独でハンドリング可能なシート形態である。
　キャリア１２ａの材質はガラス、セラミックス、樹脂、及び金属のいずれであってもよい。また、キャリア１２ａの形態はシート、フィルム、板、及び箔のいずれであってもよい。また、キャリア１２ａはこれらのシート、フィルム、板、及び箔等が積層されたものであってもよい。例えば、キャリア１２ａはガラス板、セラミックス板、金属板等といった剛性を有する支持体として機能し得るものであってもよいし、金属箔や樹脂フィルム等といった剛性を有しない形態であってもよい。キャリア１２ａの金属の好ましい例としては、銅、チタン、ニッケル、ステンレススチール、アルミニウム等が挙げられる。セラミックスの好ましい例としては、アルミナ、ジルコニア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、その他各種ファインセラミックス等が挙げられる。樹脂の好ましい例としては、ＰＥＴ樹脂、ＰＥＮ樹脂、アラミド樹脂、ポリイミド樹脂、ナイロン樹脂、液晶ポリマー、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ＰＴＦＥ樹脂、ＥＴＦＥ樹脂等が挙げられる。より好ましくは、電子素子を搭載する際の加熱に伴うコアレス支持体の反り防止の観点から、熱膨張係数（ＣＴＥ）が２５ｐｐｍ／Ｋ未満（典型的には１．０ｐｐｍ／Ｋ以上２３ｐｐｍ／Ｋ以下）の材料であり、そのような材料の例としては上述したような各種樹脂（特にポリイミド樹脂、液晶ポリマー等の低熱膨張樹脂）、ガラス及びセラミックス等が挙げられる。また、ハンドリング性やチップ実装時の平坦性確保の観点から、キャリア１２ａはビッカース硬度が１００ＨＶ以上であるのが好ましく、より好ましくは１５０ＨＶ以上２５００ＨＶ以下である。これらの特性を満たす材料として、キャリア１２ａは樹脂フィルム、ガラス又はセラミックスで構成されるのが好ましく、より好ましくはガラス又はセラミックスで構成され、特に好ましくはガラスで構成される。例えばガラスシートである。ガラスをキャリア１２ａとして用いた場合、軽量で、熱膨脹係数が低く、絶縁性が高く、剛直で表面が平坦なため、第２導電膜１８の表面を極度に平滑にできる等の利点がある。また、キャリアがガラスである場合、電子素子搭載時に有利な表面平坦性（コプラナリティ）を有している点、再配線層２０の製造工程におけるデスミアや各種めっき工程において耐薬品性を有している点、再配線層付積層体分離時に化学的分離法が採用できる点等の利点がある。キャリア１２ａを構成するガラスの好ましい例としては、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラス、及びそれらの組合せが挙げられ、特に好ましくは無アルカリガラスである。無アルカリガラスは、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ホウ素、及び酸化カルシウムや酸化バリウム等のアルカリ土類金属酸化物を主成分とし、更にホウ酸を含有する、アルカリ金属を実質的に含有しないガラスのことである。この無アルカリガラスは、０℃から３５０℃までの広い温度帯域において熱膨脹係数が３ｐｐｍ／Ｋ以上５ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲で低く安定しているため、電子素子として半導体チップを搭載した際、ガラスの反りを最小限にできるとの利点がある。キャリアの厚さは１００μｍ以上２０００μｍ以下が好ましく、より好ましくは３００μｍ以上１８００μｍ以下、更に好ましくは４００μｍ以上１１００μｍ以下である。このような範囲内の厚さであると、ハンドリングに支障を来たさない適切な強度を確保しながら再配線層２０の薄型化、及び電子部品搭載時に生じる反りの低減を実現することができる。
　キャリア１２ａの第１導電膜１４側の表面は、レーザー顕微鏡を用いてＪＩＳ　Ｂ　０６０１－２００１に準拠して測定される、０．１ｎｍ以上７０ｎｍ以下の算術平均粗さＲａを有するのが好ましく、より好ましくは０．５ｎｍ以上６０ｎｍ以下、さらに好ましくは１．０ｎｍ以上５０ｎｍ以下、特に好ましくは１．５ｎｍ以上４０ｎｍ以下、最も好ましくは２．０ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。このように算術平均粗さが小さいほど、第２導電膜１８の絶縁膜１６と反対側の表面（第２導電膜１８の外側表面）において望ましく低い算術平均粗さＲａをもたらすことができ、それにより、第２導電膜１８を用いて形成される再配線層２０において、ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）が１３μｍ以下／１３μｍ以下（例えば１２μｍ／１２μｍから２μｍ／２μｍまで）といった程度にまで高度に微細化された配線パターンを形成するのに適したものとなる。
　所望によりキャリア１２ａと剥離機能膜１２ｂとの間に設けられる中間層は、１層構成であってもよいし、２層以上の構成であってもよい。中間層が２層以上の層で構成される場合には、中間層は、キャリア１２ａ直上に設けられた第１中間層と、第１中間層の剥離機能膜１２ｂに隣接して設けられた第２中間層とを含む。第１中間層は、キャリア１２ａとの密着性を確保する点から、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｌ及びＮｉからなる群から選択される少なくとも１種の金属で構成される層であるのが好ましい。第１中間層は、純金属であってもよいし、合金であってもよい。第１中間層の厚さは５ｎｍ以上５００ｎｍ以下であるのが好ましく、より好ましく１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下、さらに好ましくは１８ｎｍ以上２００ｎｍ以下、特に好ましくは２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。第２中間層は、剥離機能膜１２ｂとの剥離強度を所望の値に制御する点から、Ｃｕで構成される層であるのが好ましい。第２中間層の厚さは５ｎｍ以上５００ｎｍ以下であるのが好ましく、より好ましく１０ｎｍ以上４００ｎｍ以下、さらに好ましくは１５ｎｍ以上３００ｎｍ以下、特に好ましくは２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。第１中間層と第２中間層との間には、別の介在層が存在していてもよく、介在層の構成材料の例としては、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｗ及びＮｉからなる群から選択される少なくとも１種の金属とＣｕとの合金等が挙げられる。一方、中間層が１層構成の場合には、上述した第１中間層を中間層としてそのまま採用してもよいし、第１中間層及び第２中間層を、１層の中間合金層で置き換えてもよい。この中間合金層は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｗ、Ａｌ及びＮｉからなる群から選択される少なくとも１種の金属の含有量が１．０ａｔ％以上であり、かつ、Ｃｕ含有量が３０ａｔ％以上である銅合金で構成されるのが好ましい。中間合金層の厚さは５ｎｍ以上５００ｎｍ以下であるのが好ましく、より好ましくは１０ｎｍ以上４００ｎｍ以下、さらに好ましくは１５ｎｍ以上３００ｎｍ以下、特に好ましくは２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。なお、上述した各層の厚さは、層断面を透過型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分光分析器（ＴＥＭ－ＥＤＸ）で分析することにより測定される値とする。中間層を構成する金属は原料成分や成膜工程等に起因する不可避不純物を含んでいてもよい。また、特に制限されるものではないが、中間層の成膜後に大気に暴露される場合、それに起因して混入する酸素の存在は許容される。中間層はスパッタリング等の気相法により形成された層であるのが好ましい。中間層は、いかなる方法で製造されたものであってもよいが、金属ターゲットを用いたマグネトロンスパッタリング法により形成された層であるのが膜厚分布の均一性を向上できる点で特に好ましい。
　所望により設けられる剥離機能膜１２ｂは、キャリア１２ａの剥離を可能ないし容易とする層である。剥離機能膜１２ｂは、有機剥離層及び無機剥離層のいずれであってもよい。有機剥離層に用いられる有機成分の例としては、窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物、カルボン酸等が挙げられる。窒素含有有機化合物の例としては、トリアゾール化合物、イミダゾール化合物等が挙げられる。一方、無機剥離層に用いられる無機成分の例としては、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｏ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｍｏの少なくとも一種類以上の金属酸化物、炭素層等が挙げられる。これらの中でも特に、剥離機能膜１２ｂは主として炭素を含んでなる層であるのが剥離容易性や膜形成性の点等から好ましく、より好ましくは主として炭素又は炭化水素からなる層であり、さらに好ましくは硬質炭素膜であるアモルファスカーボンからなる。この場合、剥離機能膜１２ｂ（すなわち炭素層）はＸＰＳにより測定される炭素濃度が６０原子％以上であるのが好ましく、より好ましくは７０原子％以上、さらに好ましくは８０原子％以上、特に好ましくは８５原子％以上である。炭素濃度の上限値は特に限定されず１００原子％であってもよいが、９８原子％以下が現実的である。剥離機能膜１２ｂ（特に炭素層）は不可避不純物（例えば雰囲気等の周囲環境に由来する酸素、炭素、水素等）を含みうる。また、剥離機能膜１２ｂ（特に炭素層）には後に積層される第１導電膜１４等の成膜手法に起因して金属原子が混入しうる。炭素はキャリアとの相互拡散性及び反応性が小さく、３００℃を超える温度でのプレス加工等を受けても、銅箔層と接合界面との間での高温加熱による金属結合の形成を防止して、キャリアの引き剥がし除去が容易な状態を維持することができる。この剥離機能膜１２ｂもスパッタリング等の気相法により形成された層であるのがアモルファスカーボン中の過度な不純物を抑制する点、前述の中間層の成膜との連続生産性の点などから好ましい。剥離機能膜１２ｂの厚さは１ｎｍ以上２０ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。この厚さは、層断面を透過型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分光分析器（ＴＥＭ－ＥＤＸ）で分析することにより測定される値とする。
　所望により設けられる機能層１３は、剥離機能付キャリア１２との剥離強度を所望の値に制御する機能等の所望の機能を付与するものであれば特に限定されない。機能層１３は、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｗ、Ａｌ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｓｉからなる群から選択される少なくとも１種の金属で構成される層であるのが好ましく、純金属であってもよいし、合金であってもよい。機能層１３を構成する金属は原料成分や成膜工程等に起因する不可避不純物を含んでいてもよい。また、特に制限されるものではないが、機能層１３の成膜後に大気に暴露される場合、それに起因して混入する酸素の存在は許容される。機能層１３の厚さは１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であるのが好ましく、より好ましくは３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下、さらに好ましくは５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下、特に好ましくは８０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。
　第１導電膜１４は、導電性を有する層であり、キャパシタにおける電極部分に相当する。第１導電膜１４は、所望の導電性を付与する点から、金属膜又は導電性ポリマー膜であるのが好ましい。第１導電膜１４が金属膜の場合には、コストの低減を図りつつ優れた導電性及び安定性を実現する観点から、第１導電膜１４は、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ｓｎ又はそれらの組合せ（例えば合金や金属間化合物）で構成される金属を含むのが好ましく、より好ましくはＣｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｍｏ又はそれらの組合せ、さらに好ましくはＣｕ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｍｏ又はそれらの組合せ、特に好ましくはＣｕ、Ｔｉ、Ｍｏ又はそれらの組合せを含む。一方、第１導電膜が導電性ポリマー膜の場合には、第１導電膜１４は、ポリチオフェン系ポリマー、ポリアセチレン系ポリマー、ポリアニリン系ポリマー、ポリピロール系ポリマー、又はそれらの組合せを含むのが好ましく、より好ましくはポリチオフェン系ポリマー、ポリアセチレン系ポリマー、ポリアニリン系ポリマー、又はそれらの組合せ、さらに好ましくはポリチオフェン系ポリマー、ポリアセチレン系ポリマー、又はそれらの組合せ、特に好ましくはポリチオフェン系ポリマーである。第１導電膜１４の厚さは５ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であるのが好ましく、より好ましく１０ｎｍ以上８００ｎｍ以下、さらに好ましくは１２ｎｍ以上５００ｎｍ以下、特に好ましくは１５ｎｍ以上４００ｎｍ以下である。この厚さは、層断面を透過型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分光分析器（ＴＥＭ－ＥＤＸ）で分析することにより測定される値とする。第１導電膜１４は、スパッタリング等の気相法により形成された層であるのが膜厚分布の均一性を向上できる点や、他の層の成膜との連続生産性の点などから好ましい。
　絶縁膜１６は、絶縁性を有する層であり、キャパシタにおける絶縁体（誘電体）部分に相当する。絶縁膜１６は、第１導電膜１４との密着性、及び第２導電膜１８との密着性を担保する観点から、酸化膜、窒化膜、炭化膜、フッ化膜、絶縁樹脂膜（例えばエポキシ樹脂膜、ポリイミド樹脂膜、エチレン樹脂膜、フェノール樹脂膜、ポリプロピレンテレフタレート（ＰＰＴ）樹脂膜、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合（ＡＢＳ）樹脂膜、ナイロン樹脂膜、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）樹脂膜）、又はそれらの組合せであるのが好ましく、より好ましくは酸化膜、窒化膜、炭化膜、フッ化膜、エポキシ樹脂膜、ポリイミド樹脂膜、エチレン樹脂膜、フェノール樹脂膜、ポリプロピレンテレフタレート（ＰＰＴ）樹脂膜、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合（ＡＢＳ）樹脂膜、ナイロン樹脂膜、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）樹脂膜、又はそれらの組合せ、さらに好ましくは酸化膜、窒化膜、炭化膜、フッ化膜、エポキシ樹脂膜、ポリイミド樹脂膜、エチレン樹脂膜、フェノール樹脂膜、ポリプロピレンテレフタレート（ＰＰＴ）樹脂膜、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合（ＡＢＳ）樹脂膜、又はそれらの組合せ、特に好ましくは酸化膜、窒化膜、炭化膜、フッ化膜、エポキシ樹脂膜、ポリイミド樹脂膜、エチレン樹脂膜、フェノール樹脂膜、又はそれらの組合せである。好ましい酸化膜の例としては、ＳｉＯｘ膜、ＡｌＯｘ膜、ＴｉＯｘ膜、ＺｒＯｘ膜、ＮｂＯｘ膜、ＴａＯｘ膜が挙げられ、特に好ましくはＳｉＯｘ膜、ＡｌＯｘ膜、及びＴａＯｘ膜である。好ましい窒化膜の例としては、ＳｉＮｘ膜、ＡｌＮｘ膜、ＴｉＮｘ膜、ＺｒＮｘ膜、ＮｂＮｘ膜、ＴａＮｘ膜、ＣｒＮｘ膜、ＶＮｘ膜が挙げられ、特に好ましくはＳｉＮｘ膜、ＡｌＮｘ膜、及びＴｉＮｘ膜である。好ましい炭化膜の例としては、ＴｉＣ膜、ＺｒＣ膜、ＶＣ膜、ＭｏＣ膜、ＮｂＣ膜、ＴａＣ膜、ＮｉＣ膜、ＣｒＣ膜が挙げられ、特に好ましくはＴｉＣ膜、ＺｒＣ膜、及びＭｏＣ膜である。好ましいフッ化膜の例としては、ＣａＦｘ膜、ＡｇＦｘ膜、ＣｏＦｘ膜、ＮｉＦｘ膜が挙げられ、特に好ましくはＣａＦｘ膜、及びＮｉＦｘ膜である。キャパシタの静電容量を向上する観点から、絶縁膜１６の誘電率（比誘電率）は、周波数１ＭＨｚにおいて２以上であるのが好ましく、より好ましくは２．５以上、さらに好ましくは３．５以上、特に好ましくは４．０以上である。誘電率の上限値は特に限定されるものではないが、典型的には１００以下であり、より典型的には５０以下である。また、絶縁膜１６の厚さは０．１μｍ以上１０μｍ以下であるのが好ましく、より好ましくは０．３μｍ以上８．０μｍ以下、さらに好ましくは０．５μｍ以上５．０μｍ以下、特に好ましくは０．８μｍ以上３．０μｍ以下である。この厚さは、層断面を透過型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分光分析器（ＴＥＭ－ＥＤＸ）で分析することにより測定される値とする。絶縁膜１６の耐電圧強度は１．０×１０４Ｖ／ｃｍ以上であるのが好ましく、より好ましくは２．０×１０４Ｖ／ｃｍ以上、さらに好ましくは５．０×１０４Ｖ／ｃｍ以上、特に好ましくは１．０×１０５Ｖ／ｃｍ以上である。こうすることで、上記高電圧を加えられた際に、絶縁膜１６を含むキャパシタの破壊を効果的に防止ないし抑制できるため、電気検査をより確実に行うことが可能となる。絶縁膜１６は、化学気相堆積（ＣＶＤ）法、スパッタリング法、蒸着法、スリットコーター法、スピンコーター法、スプレー法、又はそれらの組合せにより形成するのが好ましく、採用する絶縁膜１６の材質に応じて、これらの成膜手法を適宜選択することができる。
　第２導電膜１８は、導電性を有する層であり、キャパシタにおける電極部分に相当する。また、第２導電膜１８は、再配線層２０の形成に用いられるものである。したがって、第２導電膜１８は、再配線層２０を形成するためのシード層であるのが好ましい。この観点から、第２導電膜１８は金属膜であるのが好ましい。この場合、第２導電膜１８は、第４族、第５族、第６族、第９族、第１０族若しくは第１１族の遷移元素、Ａｌ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、又はそれらの組合せ（例えば合金や金属間化合物）で構成される金属を含むのが好ましく、より好ましくはＡｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ｓｎ又はそれらの組合せ、より好ましくはＡｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ｓｎ又はそれらの組合せ、さらに好ましくはＡｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｒ又はそれらの組合せ、特に好ましくはＣｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ又はそれらの組合せ、最も好ましくはＣｕを含む。第２導電膜１８を構成する金属は原料成分や成膜工程に起因する不可避不純物を含んでいてもよい。
　第２導電膜１８は、いかなる方法で製造されたものであってもよく、例えば、無電解めっき法及び電解めっき法等の湿式成膜法、スパッタリング及び真空蒸着等の物理気相堆積（ＰＶＤ）法、化学気相成膜、又はそれらの組合せにより形成した層であってよい。特に好ましい第２導電膜１８は、極薄化によるファインピッチ化に対応しやすい観点から、スパッタリング法や真空蒸着等の物理気相堆積（ＰＶＤ）法により形成された層であり、最も好ましくはスパッタリング法により製造された層である。また、第２導電膜１８は、無粗化の層であるのが好ましいが、再配線層２０製造時の配線パターン形成に支障を来さないかぎり予備的粗化やソフトエッチング処理や洗浄処理、酸化還元処理により二次的な粗化が生じたものであってもよい。第２導電膜１８の厚さは特に限定されないが、上述したようなファインピッチ化に対応するためには、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは２０ｎｍ以上９００ｎｍ以下、さらに好ましくは３０ｎｍ以上７００ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以上６００ｎｍ以下、特により好ましくは７０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、最も好ましくは１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下である。この厚さは、層断面を透過型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分光分析器（ＴＥＭ－ＥＤＸ）で分析することにより測定される値とする。このような範囲内の厚さの第２導電膜はスパッタリング法により製造されるのが成膜厚さの面内均一性や、シート状やロール状での生産性の観点で好ましい。
　第２導電膜１８の絶縁膜１６と反対側の表面（第２導電膜１８の外側表面）が、レーザー顕微鏡を用いてＪＩＳ　Ｂ　０６０１－２００１に準拠して測定される、１．０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の算術平均粗さＲａを有するのが好ましく、より好ましくは２．０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、さらに好ましくは３．０ｎｍ以上３５ｎｍ以下、特に好ましくは４．０ｎｍ以上３０ｎｍ以下、最も好ましくは５．０ｎｍ以上１５ｎｍ以下である。このように算術平均粗さが小さいほど、積層シート１０を用いて製造される再配線層２０において、ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）が１３μｍ以下／１３μｍ以下（例えば１２μｍ／１２μｍから２μｍ／２μｍまで）といった程度にまで高度に微細化された配線パターンの形成を形成するのに適したものとなる。
　第１導電膜１４及び第２導電膜１８の各々が、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｉｎ及びＳｎからなる群から選択される少なくとも１種の金属であり、かつ、絶縁膜１６が酸化膜、窒化膜、エポキシ樹脂膜及びポリイミド樹脂膜からなる群から選択される少なくとも１種であるのが好ましい。より好ましくは、第１導電膜１４及び第２導電膜１８の各々が、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍｏからなる群から選択される少なくとも１種の金属であり、かつ、絶縁膜１６が酸化膜、エポキシ樹脂膜及びポリイミド樹脂膜からなる群から選択される少なくとも１種である。前述したとおり、第１導電膜１４、絶縁膜１６及び第２導電膜１８は再配線層２０の電気検査を行うためのキャパシタとして機能する層であるところ、上記組合せとすることにより、電気検査を行うのにより好適な性質（例えば静電容量や耐電圧強度等）を当該キャパシタに付与することができる。
　積層シートの製造方法
　本発明による積層シート１０は、上述したキャリア１２ａを用意し、キャリア１２ａ上に、所望により中間層（例えば第１中間層及び第２中間層）、所望により剥離機能膜１２ｂ、所望により機能層１３、第１導電膜１４、絶縁膜１６、及び第２導電膜１８を形成することにより製造することができる。中間層（存在する場合）、剥離機能膜１２ｂ（存在する場合）、機能層１３（存在する場合）、第１導電膜１４及び第２導電膜１８の各層の形成は、極薄化によるファインピッチ化に対応しやすい観点から、物理気相堆積（ＰＶＤ）法により行われるのが好ましい。物理気相堆積（ＰＶＤ）法の例としては、スパッタリング法、真空蒸着法、及びイオンプレーティング法が挙げられるが、０．０５ｎｍから５０００ｎｍまでといった幅広い範囲で膜厚制御できる点、広い幅ないし面積にわたって膜厚均一性を確保できる点等から、最も好ましくはスパッタリング法である。物理気相堆積（ＰＶＤ）法による成膜は公知の気相成膜装置を用いて公知の条件に従って行えばよく特に限定されない。例えば、スパッタリング法を採用する場合、スパッタリング方式は、マグネトロンスパッタリング、２極スパッタリング法、対向ターゲットスパッタリング法等、公知の種々の方法であってよいが、マグネトロンスパッタリングが、成膜速度が速く生産性が高い点で好ましい。スパッタリングはＤＣ（直流）及びＲＦ（高周波）のいずれの電源で行ってもよい。また、ターゲット形状も広く知られているプレート型ターゲットを使用することができるが、ターゲット使用効率の観点から円筒形ターゲットを用いることが望ましい。一方、絶縁膜１６の形成は、化学気相堆積（ＣＶＤ）法、スパッタリング法、蒸着法、スリットコーター法、スピンコーター法、スプレー法、又はそれらの組合せにより行うのが好ましい。この点、中間層（存在する場合）、剥離機能膜１２ｂ（存在する場合）、機能層１３（存在する場合）、第１導電膜１４、絶縁膜１６及び第２導電膜１８の全ての層をスパッタリング法により形成することで、製造効率が格段に高くなる。以下、中間層（存在する場合）、剥離機能膜１２ｂ（存在する場合）、機能層１３（存在する場合）、第１導電膜１４、及び第２導電膜１８の各層の気相法（好ましくはスパッタリング法）による成膜、並びに絶縁膜１６の上記方法による成膜について説明する。
　中間層が第１中間層及び第２中間層の２層構成の場合、第１中間層の気相法による成膜は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｌ及びＮｉからなる群から選択される少なくとも１種の金属で構成されるターゲットを用い、非酸化性雰囲気下でマグネトロンスパッタリングにより行われるのが膜厚分布均一性を向上できる点で好ましい。ターゲットの純度は９９．９ｗｔ％以上が好ましい。スパッタリングに用いるガスとしては、アルゴンガス等の不活性ガスを用いるのが好ましい。アルゴンガスの流量はスパッタリングチャンバーサイズ及び成膜条件に応じて適宜決定すればよく特に限定されない。また、異常放電やプラズマ照射不良などの稼働不良なく、連続的に成膜する観点から成膜時の圧力は０．１Ｐａ以上２０Ｐａ以下の範囲で行うことが好ましい。この圧力範囲は、装置構造、容量、真空ポンプの排気容量、成膜電源の定格容量等に応じ、成膜電力、アルゴンガスの流量を調整することで設定すればよい。また、スパッタリング電力は成膜の膜厚均一性、生産性等を考慮してターゲットの単位面積あたり０．０５Ｗ／ｃｍ２以上１０．０Ｗ／ｃｍ２以下の範囲内で適宜設定すればよい。
　第２中間層の気相法による成膜は、銅ターゲットを用い、非酸化性雰囲気下でマグネトロンスパッタリングにより行われるのが膜厚分布均一性を向上できる点で好ましい。銅ターゲットの純度は９９．９ｗｔ％以上が好ましい。スパッタリングに用いるガスとしては、アルゴンガス等の不活性ガスを用いるのが好ましい。アルゴンガスの流量はスパッタリングチャンバーサイズ及び成膜条件に応じて適宜決定すればよく特に限定されない。また、異常放電やプラズマ照射不良などの稼働不良なく、連続的に成膜する観点から成膜時の圧力は０．１Ｐａ以上２０Ｐａ以下の範囲で行うことが好ましい。この圧力範囲は、装置構造、容量、真空ポンプの排気容量、成膜電源の定格容量等に応じ、成膜電力、アルゴンガスの流量を調整することで設定すればよい。また、スパッタリング電力は成膜の膜厚均一性、生産性等を考慮してターゲットの単位面積あたり０．０５Ｗ／ｃｍ２以上１０．０Ｗ／ｃｍ２以下の範囲内で適宜設定すればよい。
　中間層が中間合金層である場合、中間層は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｗ、Ａｌ及びＮｉからなる群から選択される少なくとも１種の金属と、Ｃｕとの合金ターゲットを用い、非酸化性雰囲気下でマグネトロンスパッタリングにより行われるのが膜厚分布均一性を向上できる点で好ましい。銅ターゲットの純度は９９．９ｗｔ％以上が好ましい。スパッタリングに用いるガスとしては、アルゴンガス等の不活性ガスを用いるのが好ましい。アルゴンガスの流量はスパッタリングチャンバーサイズ及び成膜条件に応じて適宜決定すればよく特に限定されない。また、異常放電やプラズマ照射不良などの稼働不良なく、連続的に成膜する観点から成膜時の圧力は０．１Ｐａ以上２０Ｐａ以下の範囲で行うことが好ましい。この圧力範囲は、装置構造、容量、真空ポンプの排気容量、成膜電源の定格容量等に応じ、成膜電力、アルゴンガスの流量を調整することで設定すればよい。また、スパッタリング電力は成膜の膜厚均一性、生産性等を考慮してターゲットの単位面積あたり０．０５Ｗ／ｃｍ２以上１０．０Ｗ／ｃｍ２以下の範囲内で適宜設定すればよい。
　剥離機能膜１２ｂの気相法による成膜は、カーボンターゲットを用いてアルゴン等の不活性雰囲気下で行われるのが好ましい。カーボンターゲットはグラファイトで構成されるのが好ましいが、不可避不純物（例えば雰囲気等の周囲環境に由来する酸素や炭素）を含みうる。カーボンターゲットの純度は９９．９９ｗｔ％以上が好ましく、より好ましくは９９．９９９ｗｔ％以上である。また、異常放電やプラズマ照射不良などの稼働不良なく、連続的に成膜する観点から成膜時の圧力は０．１Ｐａ以上２．０Ｐａ以下の範囲で行うことが好ましい。この圧力範囲は、装置構造、容量、真空ポンプの排気容量、成膜電源の定格容量等に応じ、成膜電力、アルゴンガスの流量を調整することで設定すればよい。また、スパッタリング電力は成膜の膜厚均一性、生産性等を考慮してターゲットの単位面積あたり０．０５Ｗ／ｃｍ２以上１０．０Ｗ／ｃｍ２以下の範囲内で適宜設定すればよい。
　第１導電膜１４及び第２導電膜１８の気相法による成膜は、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｉｎ及びＳｎからなる群から選択される少なくとも１種の金属で構成されるターゲットを用い、非酸化性雰囲気下でマグネトロンスパッタリングにより行われるのが膜厚分布均一性を向上できる点で好ましい。ターゲットの純度は９９．９ｗｔ％以上が好ましい。スパッタリングに用いるガスとしては、アルゴンガス等の不活性ガスを用いるのが好ましい。アルゴンガスの流量はスパッタリングチャンバーサイズ及び成膜条件に応じて適宜決定すればよく特に限定されない。第１導電膜１４及び第２導電膜１８の気相成膜時の温度上昇を避けるため、スパッタリングの際、ステージの冷却機構を設けてもよい。また、異常放電やプラズマ照射不良などの稼働不良なく、連続的に成膜する観点から成膜時の圧力は０．１Ｐａ以上２０Ｐａ以下の範囲で行うことが好ましい。この圧力範囲は、装置構造、容量、真空ポンプの排気容量、成膜電源の定格容量等に応じ、成膜電力、アルゴンガスの流量を調整することで設定すればよい。また、スパッタリング電力は成膜の膜厚均一性、生産性等を考慮してターゲットの単位面積あたり０．０５Ｗ／ｃｍ２以上１０．０Ｗ／ｃｍ２以下の範囲内で適宜設定すればよい。
　絶縁膜１６の成膜は、酸化物、窒化物、炭化物、フッ化物、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、エチレン樹脂、フェノール樹脂、ＰＰＴ樹脂、ＡＢＳ樹脂、ナイロン樹脂及びＰＢＴ樹脂からなる群から選択される少なくとも１種を用いて、化学気相堆積（ＣＶＤ）法、スパッタリング法、蒸着法、スリットコーター法、スピンコーター法、又はスプレー法により行うのが好ましく、採用する絶縁膜１６の材質に応じて、これらの成膜方法を適宜選択すればよい。各成膜方法の条件は特に限定されず、公知の条件をそのまま採用してもよいし、絶縁膜１６の材質に合わせて公知の条件を適宜調整してもよい。
　積層シートの使用方法
　本発明の積層シート１０を用いて再配線層２０を製造することができる。そして、第１導電膜１４、絶縁膜１６及び第２導電膜１８がキャパシタとして機能することで、製造した再配線層２０の電気検査を効率良く行うことができる。以下、本発明の積層シート１０の好ましい使用方法について説明する。この積層シート１０の使用方法は、（１）再配線層の形成工程と、（２）再配線層の電気検査工程とを含む。
（１）再配線層の形成工程
　本発明の積層シート１０を用いて再配線層２０を形成する。再配線層２０の形成は、第２導電膜１８を加工することにより行うことができる。この場合、第２導電膜１８は再配線層２０の一部に含まれる。あるいは、第２導電膜１８自体には加工を施さず、第２導電膜１８上に再配線層２０’を形成してもよい。この点、例えば第２導電膜１８上にさらなる金属層（例えば銅層）を積層して、当該金属層を加工することにより再配線層２０’を形成することができる。この場合、第２導電膜１８自体は再配線層２０’を構成しないため、剥離機能付キャリア１２を剥離した後に、フラッシュエッチング等により第２導電膜１８を除去するのが好ましい。
　再配線層２０の形成手法は、特に限定されず、例えば特許文献２から特許文献４に示される公知の手法を採用することができる。以下、本発明の積層シート１０を用いた再配線層２０の形成手法の一例を説明する。まず、積層シート１０における第２導電膜１８の表面にフォトレジスト層を所定のパターンで形成する。フォトレジストは感光性フィルムであるのが好ましく、例えば感光性ドライフィルムである。フォトレジスト層は、露光及び現像により所定の配線パターンを付与すればよい。第２導電膜１８の露出表面（すなわちフォトレジスト層でマスキングされていない部分）に電気銅めっき層を形成する。電気銅めっきは公知の手法により行えばよく、特に限定されない。次いで、フォトレジスト層を剥離する。その結果、電気銅めっき層が配線パターン状に残り、配線パターンを形成しない部分の第２導電膜１８が露出する。この第２導電膜１８の不要部分をフラッシュエッチングにより除去して、第１配線層を形成する。その後、積層シート１０の第１配線層が形成された面に絶縁層及び第ｎ配線層（ｎは２以上の整数）を交互に形成する。こうして、絶縁層と当該絶縁層の内部及び／又は表面に形成された配線層とを含む層である再配線層２０が形成されたコアレス支持体を得ることができる。
（２）再配線層の電気検査工程
　第２導電膜１８を用いて形成した再配線層２０に対して、電気検査を行う。この電気検査は、図２に示されるように、再配線層２０と第１導電膜１４との間に電圧を加えて、第１導電膜１４、絶縁膜１６及び第２導電膜１８をキャパシタとして機能させ、電気特性（主としてインピーダンス又は静電容量）を測定することにより行えばよい。より具体的には、例えば特許文献５に示されるような公知の手法に基づいて、二つ以上の異なる周波数の電力を用いて配線間のインピーダンスを測定し、算出された二つ以上のインピーダンスの周波数に応じた変位量によって当該配線間の絶縁状態の良否を判定することができる。また、第１導電膜１４に電気検査用プローブを当接する等して電気特性（主としてインピーダンス又は静電容量）を測定する場合には、第１導電膜１４を露出させるために、必要に応じて再配線層２０から剥離機能付キャリア１２を予め剥離除去してもよい。
　上記電気検査後、必要に応じて、再配線層２０上にチップ等の電子素子を搭載する工程を行い、半導体パッケージを製造するのが好ましい。また、公知の手法により第１導電膜１４及び絶縁膜１６を除去してもよい。前述したように、このように再配線層２０を形成した後にチップの実装を行うプロセスはＲＤＬ－Ｆｉｒｓｔ法と呼ばれる手法である。この工法によれば、チップの実装を行う前にコアレス支持体表面の配線層やその後に積層される各ビルドアップ配線層の電気検査を行うことができるため、各配線層の不良部分を避けて、良品部分にのみチップを実装できる。その結果、ＲＤＬ－Ｆｉｒｓｔ法はチップの無駄使いを回避できる点で、チップの表面に配線層を逐次積層する工法であるＣｈｉｐ－Ｆｉｒｓｔ法等と比較すると経済的に有利である。このとき、第１導電膜１４、絶縁膜１６及び第２導電膜１８がキャパシタとして機能するため、効率良く電気検査を行うことが可能となる。また、任意工程として想定される再配線層２０上に搭載される電子素子の例としては、半導体素子、チップコンデンサ、抵抗体等が挙げられる。電子素子搭載の方式の例としては、フリップチップ実装方式、ダイボンディング方式等が挙げられる。フリップチップ実装方式は、電子素子の実装パッドと、再配線層２０との接合を行う方式である。この実装パッド上には柱状電極（ピラー）やはんだバンプ等が形成されてもよく、実装前に再配線層２０表面に封止樹脂膜であるＮＣＦ（Ｎｏｎ－Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ）等を貼り付けてもよい。接合は、はんだ等の低融点金属を用いて行われるのが好ましいが、異方導電性フィルム等を用いてもよい。ダイボンディング接着方式は、再配線層２０に対して、電子素子の実装パッド面と反対側の面を接着する方式である。この接着には、熱硬化樹脂と熱伝導性の無機フィラーを含む樹脂組成物である、ペーストやフィルムを用いるのが好ましい。

Claims (17)

  1. 　剥離機能付キャリアと、
    　前記剥離機能付キャリア上に設けられる第１導電膜と、
    　前記第１導電膜上に設けられる絶縁膜と、
    　前記絶縁膜上に設けられる第２導電膜と、
    を備えた積層シートであって、
    　前記第２導電膜が再配線層の形成に用いられ、かつ、前記第１導電膜、前記絶縁膜及び前記第２導電膜が前記再配線層の電気検査を行うためのキャパシタとして機能する、積層シート。
  2. 　前記剥離機能付キャリアが、キャリアと、前記キャリアの前記第１導電膜側に設けられ、前記第１導電膜から前記キャリアを剥離可能とする剥離機能膜とを備えた、請求項１に記載の積層シート。
  3. 　前記第１導電膜が金属膜又は導電性ポリマー膜である、請求項１又は２に記載の積層シート。
  4. 　前記第１導電膜が、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｉｎ及びＳｎからなる群から選択される少なくとも１種の金属を含む金属膜である、請求項３に記載の積層シート。
  5. 　前記第１導電膜が、ポリチオフェン系ポリマー、ポリアセチレン系ポリマー、ポリアニリン系ポリマー及びポリピロール系ポリマーからなる群から選択される少なくとも１種を含む導電性ポリマー膜である、請求項３に記載の積層シート。
  6. 　前記第１導電膜の厚さが５ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である、請求項１～５のいずれか一項に記載の積層シート。
  7. 　前記第２導電膜が前記再配線層を形成するためのシード層である、請求項１～６のいずれか一項に記載の積層シート。
  8. 　前記第２導電膜が金属膜である、請求項１～７のいずれか一項に記載の積層シート。
  9. 　前記第２導電膜が、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｉｎ及びＳｎからなる群から選択される少なくとも１種の金属を含む金属膜である、請求項１～８のいずれか一項に記載の積層シート。
  10. 　前記第２導電膜の厚さが１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である、請求項１～９のいずれか一項に記載の積層シート。
  11. 　前記絶縁膜の誘電率が周波数１ＭＨｚにおいて２以上である、請求項１～１０のいずれか一項に記載の積層シート。
  12. 　前記絶縁膜の厚さが０．１μｍ以上１０μｍ以下である、請求項１～１１のいずれか一項に記載の積層シート。
  13. 　前記絶縁膜の耐電圧強度が１．０×１０４Ｖ／ｃｍ以上である、請求項１～１２のいずれか一項に記載の積層シート。
  14. 　前記絶縁膜が、酸化膜、窒化膜、炭化膜、フッ化膜、エポキシ樹脂膜、ポリイミド樹脂膜、エチレン樹脂膜、フェノール樹脂膜、ＰＰＴ樹脂膜、ＡＢＳ樹脂膜、ナイロン樹脂膜及びＰＢＴ樹脂膜からなる群から選択される少なくとも１種である、請求項１～１３のいずれか一項に記載の積層シート。
  15. 　前記第１導電膜及び前記第２導電膜の各々が、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｉｎ及びＳｎからなる群から選択される少なくとも１種の金属であり、かつ、前記絶縁膜が酸化膜、窒化膜、エポキシ樹脂膜及びポリイミド樹脂膜からなる群から選択される少なくとも１種である、請求項１～１４のいずれか一項に記載の積層シート。
  16. 　請求項１～１５のいずれか一項に記載の積層シートの前記第２導電膜を加工して再配線層を形成する、又は前記第２導電膜上に再配線層を形成する工程と、
    　前記再配線層に対して電気検査を行う工程と、
    を含み、前記電気検査が、前記再配線層と前記第１導電膜との間に電圧を加えて、前記第１導電膜、前記絶縁膜及び前記第２導電膜をキャパシタとして機能させ、電気特性を測定することにより行われる、積層シートの使用方法。
  17. 　請求項１６に記載の工程を含む、半導体パッケージの製造方法。

     
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20240178228A (ko) * 2023-06-21 2024-12-30 가부시키가이샤 니혼 마이크로닉스 전기적 접속 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007242888A (ja) * 2006-03-08 2007-09-20 Sony Corp 半導体パッケージ製造方法
US20120097944A1 (en) * 2010-10-26 2012-04-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. TEST STRUCTURES FOR THROUGH SILICON VIAS (TSVs) OF THREE DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUIT (3DIC)
JP2013152109A (ja) * 2012-01-24 2013-08-08 Nidec-Read Corp 絶縁検査装置及び絶縁検査方法
WO2017150283A1 (ja) * 2016-02-29 2017-09-08 三井金属鉱業株式会社 キャリア付銅箔及びその製造方法、並びに配線層付コアレス支持体及びプリント配線板の製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7206450B2 (en) * 2002-04-25 2007-04-17 Microsoft Corporation Compression of bi-level images with explicit representation of ink clusters
US6794273B2 (en) * 2002-05-24 2004-09-21 Fujitsu Limited Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2004311912A (ja) * 2002-12-06 2004-11-04 Sony Corp 回路基板モジュール及びその製造方法
JP4273895B2 (ja) 2003-09-24 2009-06-03 日立化成工業株式会社 半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法
JP4063240B2 (ja) * 2004-04-21 2008-03-19 日本電気株式会社 半導体装置搭載基板とその製造方法、並びに半導体パッケージ
TWI569705B (zh) * 2011-03-30 2017-02-01 三井金屬礦業股份有限公司 多層印刷配線板的製造方法及以該製造方法所得之多層印刷配線板
US9721854B2 (en) * 2012-12-05 2017-08-01 International Business Machines Corporation Structure and method for in-line defect non-contact tests
JP2015035551A (ja) 2013-08-09 2015-02-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
WO2017149811A1 (ja) 2016-02-29 2017-09-08 三井金属鉱業株式会社 キャリア付銅箔、並びに配線層付コアレス支持体及びプリント配線板の製造方法
JP6766507B2 (ja) * 2016-08-02 2020-10-14 味の素株式会社 樹脂組成物

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007242888A (ja) * 2006-03-08 2007-09-20 Sony Corp 半導体パッケージ製造方法
US20120097944A1 (en) * 2010-10-26 2012-04-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. TEST STRUCTURES FOR THROUGH SILICON VIAS (TSVs) OF THREE DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUIT (3DIC)
JP2013152109A (ja) * 2012-01-24 2013-08-08 Nidec-Read Corp 絶縁検査装置及び絶縁検査方法
WO2017150283A1 (ja) * 2016-02-29 2017-09-08 三井金属鉱業株式会社 キャリア付銅箔及びその製造方法、並びに配線層付コアレス支持体及びプリント配線板の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20240178228A (ko) * 2023-06-21 2024-12-30 가부시키가이샤 니혼 마이크로닉스 전기적 접속 장치
KR102862888B1 (ko) * 2023-06-21 2025-09-23 가부시키가이샤 니혼 마이크로닉스 전기적 접속 장치

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