WO2020095389A1

WO2020095389A1 - 医療装置、残熱判定方法、及び残熱判定プログラム

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Publication number: WO2020095389A1
Application number: PCT/JP2018/041364
Authority: WO
Inventors: 敏文桂木; ダニロレガスピ; 林田　剛史
Original assignee: オリンパス株式会社
Priority date: 2018-11-07
Filing date: 2018-11-07
Publication date: 2020-05-14
Also published as: JP6952204B2; CN112135575A; JPWO2020095389A1; US20210038295A1

Abstract

医療装置は、供給された電力に応じて、生体組織を処置するための処置エネルギを当該生体組織に対して付与するエンドエフェクタ７と、エンドエフェクタ７の温度の指標となる指標値を算出し、指標値と閾値とを比較し、指標値と閾値との比較結果に基づいて、エンドエフェクタの残熱レベルを判定するプロセッサ３６と、を備える。

Description

医療装置、残熱判定方法、及び残熱判定プログラム

　本発明は、医療装置、残熱判定方法、及び残熱判定プログラムに関する。

　従来、生体組織における処置の対象となる部位（以下、対象部位と記載）に対してエンドエフェクタから処置エネルギを付与することによって当該対象部位を処置する医療装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
　特許文献１に記載の医療装置では、エンドエフェクタは、電力の供給に応じて発熱するヒータと、一対の高周波電極とを備える。そして、当該医療装置では、ヒータに電力を供給することによってエンドエフェクタから対象部位に対して処置エネルギである熱エネルギを付与する。また、当該医療装置では、一対の高周波電極間に電力を供給することによってエンドエフェクタから対象部位に対して処置エネルギである高周波エネルギを付与する。

国際公開第２０１３／０８８８９１号

　ところで、対象部位を封止するために必要な第１の温度は、当該対象部位を切開するために必要な第２の温度よりも低い温度である。
　そして、特許文献１に記載の医療装置を用いて、対象部位を切開した後、当該対象部位とは異なる他の対象部位を封止する場合には、以下の問題が生じる虞がある。
　対象部位を第２の温度で加熱することによって当該対象部位を切開するための電力をエンドエフェクタに供給した場合には、当該切開が完了した後、当該エンドエフェクタは、残熱レベルが高い状態となっている。この状態において、当該対象部位とは異なる他の対象部位を第１の温度で加熱することによって当該他の対象部位を封止するための電力をエンドエフェクタに供給した場合には、当該エンドエフェクタの残熱レベルが高いため、当該他の対象部位は、第１の温度以上の温度で過加熱されてしまう、という問題がある。

　本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、生体組織の過加熱を回避することができる医療装置、残熱判定方法、及び残熱判定プログラムを提供することを目的とする。

　上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る医療装置は、供給された電力に応じて、生体組織を処置するための処置エネルギを当該生体組織に対して付与するエンドエフェクタと、前記エンドエフェクタの温度の指標となる指標値を算出し、前記指標値と閾値とを比較し、前記指標値と前記閾値との比較結果に基づいて、前記エンドエフェクタの残熱レベルを判定する少なくとも１つのプロセッサと、を備える。

　本発明に係る残熱判定方法は、医療装置のプロセッサが実行する残熱判定方法であって、エンドエフェクタの温度の指標となる指標値を算出し、前記指標値と閾値とを比較し、前記指標値と前記閾値との比較結果に基づいて、前記エンドエフェクタの残熱レベルを判定する。

　本発明に係る残熱判定プログラムは、医療装置のプロセッサに実行させる残熱判定プログラムであって、当該残熱判定プログラムは、前記プロセッサに以下の実行を指示する：エンドエフェクタの温度の指標となる指標値を算出し、前記指標値と閾値とを比較し、前記指標値と前記閾値との比較結果に基づいて、前記エンドエフェクタの残熱レベルを判定する。

　本発明に係る医療装置、残熱判定方法、及び残熱判定プログラムによれば、生体組織の過加熱を回避することができる。

図１は、本実施の形態に係る処置システムを示す図である。図２は、把持部を示す図である。図３は、制御装置の構成を示すブロック図である。図４は、残熱判定方法を示すフローチャートである。図５は、残熱判定方法を示すフローチャートである。図６は、残熱判定方法の実行時における対象部位のインピーダンスの挙動を示す図である。図７は、対象部位の種類の判定方法を説明する図である。図８は、対象部位の種類の判定方法を説明する図である。図９は、高周波制御の第１のフェーズを示すフローチャートである。図１０は、第１のフェーズの実行時における出力電力、出力電圧、及び生体組織のインピーダンスの挙動を示す図である。図１１は、高周波制御の第２のフェーズを示すフローチャートである。図１２は、対象部位の大きさの判定方法を説明する図である。図１３は、対象部位の大きさの判定方法を説明する図である。図１４は、熱制御を示すフローチャートである。図１５は、本実施の形態の変形例１を示す図である。図１６は、本実施の形態の変形例１を示す図である。図１７は、本実施の形態の変形例２を示す図である。図１８は、本実施の形態の変形例３を示す図である。

　以下に、図面を参照して、本発明を実施するための形態（以下、実施の形態）について説明する。なお、以下に説明する実施の形態によって本発明が限定されるものではない。さらに、図面の記載において、同一の部分には同一の符号を付している。

　〔処置システムの概略構成〕
　図１は、本実施の形態に係る処置システム１を示す図である。
　処置システム１は、本発明に係る医療装置に相当する。この処置システム１は、生体組織における処置の対象となる部位（以下、対象部位と記載）に対して処置エネルギを付与することによって、当該対象部位を処置する。ここで、本実施の形態では、当該処置エネルギとして、高周波エネルギ及び熱エネルギを採用している。また、処置システム１によって実行可能とする処置は、対象部位の切開を行う第１の処置、及び対象部位の封止を行う第２の処置の２つの処置である。
　この処置システム１は、図１に示すように、処置具２と、制御装置３とを備える。

　〔処置具の構成〕
　処置具２は、例えば、腹壁を通した状態で対象部位を処置するための外科医療用処置具である。この処置具２は、図１に示すように、ハンドル５と、シャフト６と、把持部７とを備える。
　ハンドル５は、術者が手で持つ部分である。そして、このハンドル５には、図１に示すように、操作ノブ５１と、インターフェース５２とが設けられている。
　インターフェース５２は、ハンドル５から外部に露出した状態で設けられ、術者による切開制御モード及び封止制御モードの設定操作を受け付ける。このインターフェース５２は、図１に示すように、第１，第２のスイッチ５２１，５２２を備える。
　第１のスイッチ５２１は、術者による切開制御モードの設定操作を受け付ける。そして、第１のスイッチ５２１は、電気ケーブルＣ（図１）を経由することによって、制御装置３に対して当該設定操作に応じた操作信号を出力する。
　第２のスイッチ５２２は、術者による封止制御モードの設定操作を受け付ける。そして、第２のスイッチ５２２は、電気ケーブルＣを経由することによって、制御装置３に対して当該設定操作に応じた操作信号を出力する。

　シャフト６は、略円筒形状を有し、一端がハンドル５に対して接続されている（図１）。また、シャフト６の他端には、把持部７が取り付けられている。そして、このシャフト６の内部には、術者による操作ノブ５１の操作に応じて、把持部７を構成する第１，第２の把持部材８，９（図１）を開閉させる開閉機構（図示略）が設けられている。また、このシャフト６の内部には、電気ケーブルＣ（図１）がハンドル５を経由することによって一端側から他端側まで配設されている。

　〔把持部の構成〕
　なお、以下で記載する「先端側」は、把持部７の先端側であって、図１中、左側を意味する。また、以下で記載する「基端側」は、把持部７のシャフト６側であって、図１中、右側を意味する。
　図２は、把持部７を示す図である。
　把持部７は、対象部位を把持した状態で当該対象部位を処置する部分であり、本発明に係るエンドエフェクタに相当する。この把持部７は、図１または図２に示すように、第１，第２の把持部材８，９を備える。
　第１，第２の把持部材８，９は、術者による操作ノブ５１の操作に応じて、矢印Ｒ１（図２）方向に開閉可能に構成されている。

　〔第１の把持部材の構成〕
　第１の把持部材８は、第２の把持部材９に対向する位置に配設されている。この第１の把持部材８は、図２に示すように、第１のジョー１０と、第１の支持部材１１と、処置部１２とを備える。
　第１のジョー１０は、シャフト６の一部を先端側に延在させた部分であり、把持部７の先端から基端に向かう長手方向に延在する長尺状に形成されている。この第１のジョー１０は、例えば、ステンレスやチタン等の金属材料によって構成されている。そして、第１のジョー１０は、第１の支持部材１１及び処置部１２を支持する。
　第１の支持部材１１は、把持部７の長手方向に延在する長尺状の平板であり、例えばＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）等の低い熱伝導率を有する樹脂材料等によって構成されている。そして、第１の支持部材１１は、第１のジョー１０と処置部１２との間に配設される。

　処置部１２は、制御装置３による制御の下、高周波エネルギ及び熱エネルギを発生する。この処置部１２は、図２に示すように、伝熱板１３と、ヒータ１４（図３参照）とを備える。
　伝熱板１３は、把持部７の長手方向に延在する平板であり、例えば、銅等の導電性材料によって構成されている。
　この伝熱板１３において、第２の把持部材９側の面は、第１，第２の把持部材８，９によって対象部位を把持した状態で、当該対象部位に接触する。そして、当該面は、ヒータ１４からの熱を対象部位に伝達する。すなわち、当該面は、対象部位に対して熱エネルギを付与する第１の把持面１３１（図２）として機能する。本実施の形態では、第１の把持面１３１は、第１，第２の把持部材８，９によって対象部位を把持した状態で当該第１，第２の把持部材８，９が互いに対向する方向Ａ１（図２）に対して直交する平坦面によって構成されている。また、伝熱板１３において、第１の把持面１３１と表裏をなす背面１３２も同様に、方向Ａ１に対して直交する平坦面によって構成されている。
　また、伝熱板１３には、電気ケーブルＣを構成する一対の高周波用リード線Ｃ１，Ｃ１´（図３参照）の一方の高周波用リード線Ｃ１が接続されている。
　なお、第１の把持面１３１及び背面１３２は、平坦面によってそれぞれ構成されているが、これに限らず、凸形状や凹形状等のその他の形状によってそれぞれ構成しても構わない。後述する第２の把持面９３１も同様である。

　ヒータ１４は、例えば、シートヒータであり、伝熱板１３における背面１３２に配設されている。このヒータ１４は、具体的な図示は省略したが、ポリイミド等の絶縁材料によって形成されたシート状の基板に、電気抵抗パターンが蒸着等によって形成されたものである。
　当該電気抵抗パターンは、例えば、ヒータ１４の外縁形状に倣うＵ字形状に沿って形成されている。また、当該電気抵抗パターンの両端には、電気ケーブルＣを構成する一対の発熱用リード線Ｃ２，Ｃ２´（図３参照）が接続されている。また、当該電気抵抗パターンには、制御装置３による制御の下、一対の発熱用リード線Ｃ２，Ｃ２´を経由することによって電力が供給される。これによって、当該電気抵抗パターンは、発熱する。

　〔第２の把持部材の構成〕
　第２の把持部材９は、図２に示すように、第２のジョー９１と、第２の支持部材９２と、対向板９３とを備える。
　第２のジョー９１は、把持部７の長手方向に延在する長尺形状を有する。そして、第２のジョー９１は、基端側が支点Ｐ０（図２）を中心としてシャフト６に対して回動可能に軸支され、回動することによって第１の把持部材８に対して開閉する。
　なお、本実施の形態では、第１の把持部材８（第１のジョー１０）がシャフト６に固定され、第２の把持部材９（第２のジョー９１）がシャフト６に軸支された構成としているが、これに限らない。例えば、第１，第２の把持部材８，９の双方がシャフト６に軸支され、それぞれ回動することによって第１，第２の把持部材８，９が開閉する構成を採用しても構わない。また、例えば、第１の把持部材８がシャフト６に軸支され、第２の把持部材９がシャフト６に固定され、第１の把持部材８が回動することによって第２の把持部材９に対して開閉する構成を採用しても構わない。

　第２の支持部材９２は、例えばＰＥＥＫ等の低い熱伝導率を有する樹脂材料等によって構成され、第２のジョー９１と対向板９３との間に配設されている。
　対向板９３は、銅等の導電性材料によって構成され、第２の支持部材９２における第１の把持部材８に対向する面上に固定されている。
　この対向板９３において、第１の把持部材８側の面は、第１の把持面１３１との間で対象部位を把持する第２の把持面９３１として機能する。また、対向板９３には、他方の高周波用リード線Ｃ１´が接続されている。

　〔制御装置の構成〕
　図３は、制御装置３の構成を示すブロック図である。
　制御装置３は、電気ケーブルＣを経由することによって、処置具２の動作を統括的に制御する。この制御装置３は、図３に示すように、高周波エネルギ出力部３１と、第１のセンサ３２と、熱エネルギ出力部３３と、第２のセンサ３４と、報知部３５と、プロセッサ３６と、メモリ３７とを備える。
　高周波エネルギ出力部（ジェネレータ）３１は、プロセッサ３６による制御の下、一対の高周波用リード線Ｃ１，Ｃ１´を経由することによって、伝熱板１３及び対向板９３に高周波電力を供給する。これによって、伝熱板１３と対向板９３との間に把持された対象部位には、高周波電流が流れる。言い換えれば、伝熱板１３と対向板９３との間に把持された対象部位には、高周波エネルギが付与される。すなわち、伝熱板１３及び対向板９３は、本発明に係る高周波電極としてそれぞれ機能する。
　第１のセンサ３２は、高周波エネルギ出力部３１から伝熱板１３及び対向板９３に供給されている電圧値及び電流値を検出する。そして、第１のセンサ３２は、当該検出した電圧値及び電流値に応じた信号をプロセッサ３６に出力する。

　熱エネルギ出力部（ジェネレータ）３３は、プロセッサ３６による制御の下、一対の発熱用リード線Ｃ２，Ｃ２´を経由することによって、ヒータ１４を構成する電気抵抗パターンに電力を供給する。これによって、当該電気抵抗パターンは、発熱する。そして、伝熱板１３と対向板９３との間に把持された対象部位には、当該電気抵抗パターンの熱が当該伝熱板１３から伝達される。言い換えれば、伝熱板１３と対向板９３との間に把持された対象部位には、熱エネルギが付与される。
　第２のセンサ３４は、熱エネルギ出力部３３からヒータ１４に供給されている電圧値及び電流値を検出する。そして、第２のセンサ３４は、当該検出した電圧値及び電流値に応じた信号をプロセッサ３６に出力する。

　報知部３５は、プロセッサ３６による制御の下、所定の情報を報知する。この報知部３５としては、例えば、点灯や点滅、あるいは、点灯した際の色により所定の情報を報知するＬＥＤ（Light　Emitting　Diode）、所定の情報を表示する表示装置、所定の情報を音声で出力するスピーカ等を例示することができる。

　プロセッサ３６は、例えば、ＣＰＵ（Central　Processing　Unit）やＦＰＧＡ（Field-Programmable　Gate　Array）等であり、メモリ３７に記憶されたプログラムにしたがって、処置システム１全体の動作を制御する。なお、プロセッサ３６の詳細な機能については、後述する「プロセッサが実行する制御方法」において説明する。
　メモリ３７は、プロセッサ３６が実行するプログラム（本発明に係る残熱判定プログラムを含む）や、当該プロセッサ３６の処理に必要な情報等を記憶する。

　〔プロセッサが実行する制御方法〕
　次に、プロセッサ３６が実行する制御方法について説明する。
　以下では、プロセッサ３６が実行する制御方法として、残熱判定方法、高周波制御、及び熱制御を順に説明する。

　〔残熱判定方法〕
　先ず、プロセッサ３６が実行する残熱判定方法について説明する。
　図４及び図５は、残熱判定方法を示すフローチャートである。図６は、残熱判定方法の実行時における対象部位のインピーダンスの挙動を示す図である。図７及び図８は、対象部位ＬＴの種類の判定方法を説明する図である。具体的に、図７は、伝熱板１３及び対向板９３によって対象部位ＬＴを把持した状態を模式的に示した図である。図８は、サイズの小さいＳサイズ血管、サイズの大きいＬサイズ血管、及び脂肪組織における初期インピーダンスＺ０の分布をそれぞれ示した図である。

　術者は、処置具２を手で持ち、当該処置具２の先端部分（把持部７及びシャフト６の一部）を、例えば、トロッカ等を用いて腹壁を通してから腹腔内に挿入する。そして、術者は、操作ノブ５１を操作することによって、把持部７により対象部位ＬＴ（図７）を把持する。この状態において、プロセッサ３６は、一対の高周波用リード線Ｃ１，Ｃ１´を経由することによって、高周波エネルギ出力部３１から伝熱板１３及び対向板９３に微小な高周波電力を供給する（ステップＳ１Ａ）。これによって、伝熱板１３と対向板９３とに把持された対象部位ＬＴには、検知電流が流れる。
　ここで、当該微小な高周波電力とは、伝熱板１３と対向板９３とに把持された対象部位ＬＴが熱変性しない程度の電力を意味する。

　ステップＳ１Ａの後、プロセッサ３６は、第１のセンサ３２によって検出された電圧値及び電流値に基づいて、対象部位ＬＴのインピーダンスの算出を開始する（ステップＳ１Ｂ）。そして、プロセッサ３６は、算出した対象部位ＬＴのインピーダンスを順次、メモリ３７に記憶する。当該対象部位ＬＴのインピーダンスは、本発明に係る指標値及び熱変性レベルに相当する。すなわち、プロセッサ３６は、後述する対象部位ＬＴへの高周波エネルギの付与（ステップＳ２Ｅ）、及び後述する対象部位ＬＴへの熱エネルギの付与（ステップＳ３Ｂ）の前に、本発明に係る指標値を算出している。
　なお、以下では、説明の便宜上、最初に算出された対象部位ＬＴのインピーダンス、すなわち、最初にメモリ３７に記憶した対象部位ＬＴのインピーダンスを初期インピーダンスＺ０（図６）とする。また、当該対象部位ＬＴのインピーダンスの算出及びメモリ３７への記憶は、後述する第１，第２のフェーズにおいても継続する。
　ステップＳ１Ｂの後、プロセッサ３６は、術者によって第２のスイッチ５２２への封止制御モードの設定操作がなされたか否かを常時、監視する（ステップＳ１Ｃ）。

　ところで、プロセッサ３６は、術者によって第１のスイッチ５２１への切開制御モードの設定操作がなされた場合には、以下の処理を実行する。
　プロセッサ３６は、対象部位ＬＴを切開するために、高周波エネルギ出力部３１及び熱エネルギ出力部３３の双方を動作させる。そして、高周波エネルギ出力部３１は、一対の高周波用リード線Ｃ１，Ｃ１´を経由することによって、伝熱板１３及び対向板９３に比較的に高い高周波電力を供給する。また、熱エネルギ出力部３３は、一対の発熱用リード線Ｃ２，Ｃ２´を経由することによって、ヒータ１４を構成する電気抵抗パターンに比較的に高い電力を供給する。これによって、伝熱板１３及び対向板９３の温度は、対象部位ＬＴを切開可能とする例えば３００℃程度の第２の温度まで上昇する。また、切開制御モードの実行を終了した時点から時間が経過するにしたがって、伝熱板１３及び対向板９３の温度は低減していく。

　そして、伝熱板１３及び対向板９３の残熱がない場合には、対象部位ＬＴを把持しただけでは、当該対象部位ＬＴのインピーダンスは初期インピーダンスＺ０から変化しない。
　一方、伝熱板１３及び対向板９３の残熱がある場合には、対象部位ＬＴは、当該残熱によって変性する。すなわち、対象部位ＬＴのインピーダンスは、図６に示すように、当該残熱によって、次第に減少する。また、当該残熱が比較的に大きい場合には、対象部位ＬＴのインピーダンスは、極小値Ｚminとなった後、増加に転じる。
　すなわち、初期インピーダンスＺ０からの変化量Ｚch（図６）によって、残熱レベルを判定することが可能となる。

　術者によって第２のスイッチ５２２への封止制御モードの設定操作がなされた場合（ステップＳ１Ｃ：Ｙｅｓ）には、プロセッサ３６は、封止制御モードを実行する。
　先ず、プロセッサ３６は、メモリ３７に記憶した対象部位ＬＴの複数のインピーダンスのうち、最新のインピーダンスと初期インピーダンスＺ０とを読み出す。そして、プロセッサ３６は、当該初期インピーダンスＺ０から当該最新のインピーダンスへの変化量Ｚchが残熱判定閾値Ｚj１よりも小さいか否かを判断する（ステップＳ１Ｄ）。

　変化量Ｚchが残熱判定閾値Ｚj１よりも小さいと判断した場合（ステップＳ１Ｄ：Ｙｅｓ）には、プロセッサ３６は、伝熱板１３及び対向板９３の残熱レベルを「残熱なし」と判定する（ステップＳ１Ｅ）。そして、プロセッサ３６は、当該判定結果をメモリ３７に記憶する。この後、プロセッサ３６は、ステップＳ１Ｋに移行する。
　一方、変化量Ｚchが残熱判定閾値Ｚj１以上であると判断した場合（ステップＳ１Ｄ：Ｎｏ）には、プロセッサ３６は、メモリ３７に記憶した対象部位ＬＴの複数のインピーダンスを参照し、対象部位ＬＴのインピーダンスが極小値Ｚminに達したか否かを判断する（ステップＳ１Ｆ）。

　対象部位ＬＴのインピーダンスが極小値Ｚminに達したと判断した場合（ステップＳ１Ｆ：Ｙｅｓ）には、プロセッサ３６は、伝熱板１３及び対向板９３の残熱レベルを「大」と判定する（ステップＳ１Ｇ）。そして、プロセッサ３６は、当該判定結果をメモリ３７に記憶する。この後、プロセッサ３６は、ステップＳ１Ｋに移行する。
　一方、対象部位ＬＴのインピーダンスが極小値Ｚminに達していないと判断した場合（ステップＳ１Ｆ：Ｎｏ）には、プロセッサ３６は、変化量Ｚchが残熱判定閾値Ｚj２よりも小さいか否かを判断する（ステップＳ１Ｈ）。なお、残熱判定閾値Ｚj２は、残熱判定閾値Ｚj１よりも大きい値である。

　変化量Ｚchが残熱判定閾値Ｚj２よりも小さいと判断した場合（ステップＳ１Ｈ：Ｙｅｓ）には、プロセッサ３６は、伝熱板１３及び対向板９３の残熱レベルを「小」と判定する（ステップＳ１Ｉ）。そして、プロセッサ３６は、当該判定結果をメモリ３７に記憶する。この後、プロセッサ３６は、ステップＳ１Ｋに移行する。
　一方、変化量Ｚchが残熱判定閾値Ｚj２以上であると判断した場合（ステップＳ１Ｈ：Ｎｏ）には、プロセッサ３６は、伝熱板１３及び対向板９３の残熱レベルを「中」と判定する（ステップＳ１Ｊ）。そして、プロセッサ３６は、当該判定結果をメモリ３７に記憶する。この後、プロセッサ３６は、ステップＳ１Ｋに移行する。

　以上のように、プロセッサ３６は、第２のスイッチ５２２への封止制御モードの設定操作（ステップＳ１Ｃ：Ｙｅｓ）の後に、残熱レベルの判定（ステップＳ１Ｅ，Ｓ１Ｇ，Ｓ１Ｉ，Ｓ１Ｊ）を実行する。すなわち、プロセッサ３６は、封止制御モードにおいて、後述する対象部位ＬＴへの高周波エネルギの付与（ステップＳ２Ｅ）、及び後述する対象部位ＬＴへの熱エネルギの付与（ステップＳ３Ｂ）の前に、残熱レベルの判定（ステップＳ１Ｅ，Ｓ１Ｇ，Ｓ１Ｉ，Ｓ１Ｊ）を実行する。

　ところで、対象部位ＬＴの初期インピーダンスＺ０は、以下の式（１）で決まる。なお、式（１）において、ρは、対象部位ＬＴの抵抗率である。Ｓは、図７に示すように、対象部位ＬＴの断面積である。ｄは、対象部位ＬＴの厚さである。

　ここで、対象部位ＬＴが脂肪組織である場合には、抵抗率ρが大きいため、初期インピーダンスＺ０は、大きくなる。また、対象部位ＬＴが血管組織の場合には、血管組織のサイズによらず、抵抗率ρは同等である。さらに、伝熱板１３及び対向板９３によって把持されるため、厚さｄも同等となる。但し、血管組織のサイズが大きいほど、断面積Ｓが大きくなるため、初期インピーダンスＺ０は、小さくなる。
　すなわち、初期インピーダンスＺ０が判別閾値Ｒ０ｆ（図８）よりも大きければ、対象部位ＬＴが脂肪組織であるか血管組織であるかを判別することができる。但し、図８に示すように、血管組織のサイズが大きいほど、初期インピーダンスＺ０が小さくなる傾向はあるものの、Ｓサイズ血管とＬサイズ血管との初期インピーダンスＺ０の分布に重なりがあるため、初期インピーダンスＺ０を用いても、血管組織のサイズを判別することはできない。なお、Ｌサイズ血管の初期インピーダンスＺ０の分布よりも大きい判別閾値Ｒ０１（図８）を用いれば、当該判別閾値Ｒ０１よりも大きく、判別閾値Ｒ０ｆよりも小さい初期インピーダンスＺ０を有する対象部位ＬＴは、明らかにＳサイズ血管であると判別することができる。

　そして、プロセッサ３６は、以下に示すステップＳ１Ｋを実行する。
　プロセッサ３６は、メモリ３７に記憶した初期インピーダンスＺ０を読み出す。そして、プロセッサ３６は、当該読み出した初期インピーダンスＺ０が判別閾値Ｒ０１よりも大きく、判別閾値Ｒ０ｆよりも小さいか否か、すなわち、対象部位ＬＴがＳサイズ血管であるか否かを判別する。

　対象部位ＬＴがＳサイズ血管ではないと判別した場合（ステップＳ１Ｋ：Ｎｏ）には、プロセッサ３６は、ステップＳ２，Ｓ３において高周波制御及び熱制御を開始する。
　一方、対象部位ＬＴがＳサイズ血管であると判別した場合（ステップＳ１Ｋ：Ｙｅｓ）には、プロセッサ３６は、メモリ３７に記憶した残熱レベルの判定結果を参照し、当該判定結果に基づいて、伝熱板１３及び対向板９３の残熱レベルが「大」であるか否かを判断する（ステップＳ１Ｌ）。

　残熱レベルが「大」ではないと判断した場合（ステップＳ１Ｌ：Ｎｏ）には、プロセッサ３６は、ステップＳ２，Ｓ３において、高周波制御及び熱制御を開始する。
　一方、残熱レベルが「大」であると判断した場合（ステップＳ１Ｌ：Ｙｅｓ）には、プロセッサ３６は、警告を示す情報を報知部３５に報知させる（ステップＳ１Ｍ）。すなわち、プロセッサ３６は、残熱レベルが特定のレベルを超えた場合に、警告を示す情報を報知部３５に報知させる。そして、プロセッサ３６は、本制御フローを終了する。すなわち、プロセッサ３６は、残熱レベルが特定のレベルを超えた場合に、把持部７への電力の供給を禁止することによって、高周波制御及び熱制御（ステップＳ２，Ｓ３）を実行しない。これによって、特に温度に敏感なＳサイズ血管について、過加熱されてしまうことを適切に回避することができる。

　〔高周波制御〕
　次に、プロセッサ３６が実行する高周波制御（ステップＳ２）について説明する。当該高周波制御（ステップＳ２）は、第１，第２のフェーズの２つに分かれている。以下では、高周波制御（ステップＳ２）として、第１，第２のフェーズを順に説明する。

　〔第１のフェーズ〕
　図９は、高周波制御の第１のフェーズを示すフローチャートである。図１０は、第１のフェーズの実行時における出力電力、出力電圧、及び対象部位ＬＴのインピーダンスの挙動を示す図である。なお、図１０では、説明の便宜上、伝熱板１３及び対向板９３の残熱レベルが「残熱なし」の場合での出力電力、出力電圧、及び対象部位ＬＴのインピーダンスの挙動を示している。
　第１のフェーズは、高周波エネルギ出力部３１から伝熱板１３及び対向板９３への出力電圧の供給を開始するとともに、当該出力電圧を上昇させていくことによって、対象部位ＬＴを均一に加熱するフェーズである。

　先ず、プロセッサ３６は、メモリ３７に記憶した初期インピーダンスＺ０を読み出す。そして、プロセッサ３６は、当該読み出した初期インピーダンスＺ０が判別閾値Ｒ０ｆよりも大きいか否か、すなわち、対象部位ＬＴが脂肪組織であるか否かを判別する（ステップＳ２Ａ）。

　対象部位ＬＴが脂肪組織ではないと判別した場合（ステップＳ２Ａ：Ｎｏ）には、プロセッサ３６は、第１のフェーズにおいて、対象部位ＬＴに対して高周波エネルギを付与する最小出力時間を６００[msec]に設定する（ステップＳ２Ｂ）。この後、プロセッサ３６は、ステップＳ２Ｄに移行する。
　一方、対象部位ＬＴが脂肪組織であると判別した場合（ステップＳ２Ａ：Ｙｅｓ）には、プロセッサ３６は、第１のフェーズにおいて、対象部位ＬＴに対して高周波エネルギを付与する最小出力時間を１０００[msec]に設定する（ステップＳ２Ｃ）。この後、プロセッサ３６は、ステップＳ２Ｄに移行する。
　なお、ステップＳ２Ｂ，Ｓ２Ｃにおいて、最小出力時間は、ステップＳ２Ｃによって設定される最小出力時間の方がステップＳ２Ｂによって設定される最小出力時間よりも大きければ、上述した時間に限らない。

　そして、プロセッサ３６は、以下に示すステップＳ２Ｄを実行する。
　プロセッサ３６は、第１のフェーズにおいて、高周波エネルギ出力部３１から伝熱板１３及び対向板９３に供給する出力電圧の上昇の傾きを設定する。
　ところで、第１のフェーズにおいて、高周波エネルギ出力部３１から伝熱板１３及び対向板９３に供給する出力電圧を急激に上昇させると、対象部位ＬＴの温度が急激に上昇してしまう。すなわち、対象部位ＬＴを均一に加熱することができない。そして、対象部位ＬＴに温度ムラが生じることによって、対象部位ＬＴの封止性能が悪化してしまう。

　そこで、プロセッサ３６は、ステップＳ２Ｄにおいて、メモリ３７に記憶した初期インピーダンスＺ０と残熱レベルの判定結果とに基づいて、初期インピーダンスＺ０の逆数と残熱レベルの逆数とにそれぞれ比例する形で出力電圧の上昇の傾きを設定する。すなわち、プロセッサ３６は、小さい対象部位ＬＴほど温度上昇に敏感なため、当該小さい対象部位ＬＴほど出力電圧の上昇の傾きを緩やかに設定する。なお、初期インピーダンスＺ０だけでは血管組織のサイズの同定には至らないものの、Ｓサイズ血管は、Ｌサイズ血管よりも初期インピーダンスＺ０が大きいことは事実である（図８）。このため、プロセッサ３６は、初期インピーダンスＺ０が大きいほど、出力電圧の上昇の傾きを緩やかに設定する。また、プロセッサ３６は、伝熱板１３及び対向板９３の残熱による対象部位ＬＴの急激な温度上昇を避けるために、残熱レベルが高いほど、出力電圧の上昇の傾きを緩やかに設定する。すなわち、プロセッサ３６は、残熱レベルが高いほど、伝熱板１３及び対向板９３に供給する電力を抑制する。また、プロセッサ３６は、封止制御モードにおいて、残熱レベルの判定結果に基づいて、伝熱板１３及び対向板９３に供給する電力を調整する。ここで、出力電圧の上昇の傾きは、本発明に係る制御目標値に相当する。すなわち、プロセッサ３６は、残熱レベルの判定結果に基づいて、本発明に係る制御目標値を変更する。

　ステップＳ２Ｄの後、プロセッサ３６は、高周波エネルギ出力部３１から伝熱板１３及び対向板９３への出力電圧の供給を開始する（ステップＳ２Ｅ）。すなわち、対象部位ＬＴに対する高周波エネルギの付与が開始される。なお、開始当初に供給される出力電圧は、対象部位ＬＴの種類及び大きさによらず、全て同一の初期電圧Ｖ０（図１０）である。これによって、対象部位ＬＴに高周波電流が流れ、当該対象部位ＬＴが加熱される。

　ステップＳ２Ｅの後、プロセッサ３６は、第１のセンサ３２によって検出された電圧値及び電流値に基づいて、高周波エネルギ出力部３１から伝熱板１３及び対向板９３に供給されている出力電力の算出を開始する（ステップＳ２Ｆ）。そして、プロセッサ３６は、算出した出力電力を順次、メモリ３７に記憶する。
　ステップＳ２Ｆの後、プロセッサ３６は、ステップＳ２Ｄにおいて設定した出力電圧の上昇の傾きを参照し、図１０に示すように、高周波エネルギ出力部３１から伝熱板１３及び対向板９３に供給する出力電圧を上昇させる（ステップＳ２Ｇ）。

　ここで、高周波エネルギの付与を開始した（ステップＳ２Ｅ）後の、対象部位ＬＴのインピーダンスの挙動は、図１０に示す通りである。
　すなわち、対象部位ＬＴのインピーダンスは、当該対象部位ＬＴを加熱すると減少していき、当該対象部位ＬＴの水分が沸騰状態に達したときに極小値Ｚminをとる。また、対象部位ＬＴのインピーダンスは、当該対象部位ＬＴの加熱をさらに続けると、当該対象部位ＬＴの水分が蒸発するため、増加に転じる。
　すなわち、極小値Ｚminからの対象部位ＬＴのインピーダンスの上昇値ＶＩ（図１０）が所定の閾値を超えた場合に、加熱状態から乾燥状態に移行したことを判断することができる。

　ステップＳ２Ｇの後、プロセッサ３６は、メモリ３７に記憶した対象部位ＬＴの複数のインピーダンスのうち、極小値Ｚminと最新のインピーダンスとを読み出す。そして、プロセッサ３６は、極小値Ｚminから当該最新のインピーダンスへの上昇値ＶＩが所定の閾値を超えたか否かを判断する（ステップＳ２Ｈ）。
　上昇値ＶＩが所定の閾値を超えていないと判断した場合（ステップＳ２Ｈ：Ｎｏ）には、プロセッサ３６は、ステップＳ２Ｇに戻る。
　一方、上昇値ＶＩが所定の閾値を超えたと判断した場合（ステップＳ２Ｈ：Ｙｅｓ）には、プロセッサ３６は、高周波エネルギの付与を開始（ステップＳ２Ｅ）してからの経過時間がステップＳ２Ｂ，Ｓ２Ｃによって設定した最小出力時間を超えたか否かを判断する（ステップＳ２Ｉ）。

　経過時間が最小出力時間を超えていないと判断した場合（ステップＳ２Ｉ：Ｎｏ）には、プロセッサ３６は、ステップＳ２Ｇに戻る。
　一方、経過時間が最小出力時間を超えたと判断した場合（ステップＳ２Ｉ：Ｙｅｓ）には、プロセッサ３６は、第１のフェーズを終了し、第２のフェーズに移行する。

　〔第２のフェーズ〕
　図１１は、高周波制御の第２のフェーズを示すフローチャートである。図１２及び図１３は、対象部位ＬＴの大きさの判定方法を説明する図である。具体的に、図１２は、Ｓサイズ血管及びＬサイズ血管における極小値Ｚminの分布をそれぞれ示した図である。図１３は、Ｓサイズ血管及びＬサイズ血管における出力電力のピーク値Ｐｐの分布をそれぞれ示した図である。
　第２のフェーズは、高周波エネルギ出力部３１から伝熱板１３及び対向板９３に供給する出力電圧を一定にすることによって、対象部位ＬＴを深部まで乾燥させるフェーズである。

　先ず、プロセッサ３６は、メモリ３７に記憶した初期インピーダンスＺ０を読み出す。そして、プロセッサ３６は、当該読み出した初期インピーダンスＺ０が判別閾値Ｒ０ｆよりも大きいか否かを判断する（ステップＳ２Ｊ）。
　初期インピーダンスＺ０が判別閾値Ｒ０ｆよりも大きいと判断した場合（ステップＳ２Ｊ：Ｙｅｓ）には、プロセッサ３６は、対象部位ＬＴが脂肪組織であると判定する（ステップＳ２Ｋ）。そして、プロセッサ３６は、当該判定結果（以下、組織の判別結果と記載）をメモリ３７に記憶する。この後、プロセッサ３６は、ステップＳ２Ｒに移行する。
　一方、初期インピーダンスＺ０が判別閾値Ｒ０ｆ以下であると判断した場合（ステップＳ２Ｊ：Ｎｏ）には、プロセッサ３６は、メモリ３７に記憶した残熱レベルの判定結果を参照し、当該判定結果に基づいて、伝熱板１３及び対向板９３の残熱レベルが「大」であるか否かを判断する（ステップＳ２Ｌ）。

　ところで、上述したように、初期インピーダンスＺ０では、Ｓサイズ血管であるかＬサイズ血管であるかを判別することができない。また、極小値Ｚminについても、図１２に示すように、血管組織のサイズが大きいほど、極小値Ｚminが小さくなる傾向はあるものの、Ｓサイズ血管とＬサイズ血管との極小値Ｚminの分布に重なりがあるため、極小値Ｚminを用いても、血管組織のサイズを判別することはできない。
　ここで、第１のフェーズにおける出力電力のピーク値Ｐｐ（図１０）を用いると、血管組織のサイズを判別可能であることが実験的に分かっている。すなわち、図１３に示すように、ピーク値Ｐｐが判別閾値Ｐｊよりも小さければ、対象部位ＬＴがＳサイズ血管であると判別することができる。一方、ピーク値Ｐｐが判別閾値Ｐｊ以上であれば、対象部位ＬＴがＬサイズ血管であると判別することができる。ピーク値Ｐｐには、極小値Ｚminと、当該極小値Ｚminに到達するまでの時間（出力電圧の大きさ）との双方の情報が含まれている。単に沸騰状態のインピーダンス（極小値Ｚmin）だけでなく、当該沸騰状態に至るまでの時間等の情報も包含したパラメータであったことが、ピーク値Ｐｐによって血管組織のサイズを判別可能とする理由と推測する。

　残熱レベルが「大」ではないと判断した場合（ステップＳ２Ｌ：Ｎｏ）には、プロセッサ３６は、メモリ３７に記憶した複数の出力電力のうち、ピーク値Ｐｐを読み出す。そして、プロセッサ３６は、当該読み出したピーク値Ｐｐが判別閾値Ｐｊよりも小さいか否かを判断する（ステップＳ２Ｍ）。

　ピーク値Ｐｐが判別閾値Ｐｊよりも小さいと判断した場合（ステップＳ２Ｍ：Ｙｅｓ）には、プロセッサ３６は、対象部位ＬＴがＳサイズ血管であると判定する（ステップＳ２Ｎ）。そして、プロセッサ３６は、当該判定結果（以下、組織の判別結果と記載）をメモリ３７に記憶する。この後、プロセッサ３６は、ステップＳ２Ｒに移行する。
　一方、ピーク値Ｐｐが判別閾値Ｐｊ以上であると判断した場合（ステップＳ２Ｍ：Ｎｏ）には、プロセッサ３６は、対象部位ＬＴがＬサイズ血管であると判定する（ステップＳ２Ｏ）。そして、プロセッサ３６は、当該判定結果（以下、組織の判別結果と記載）をメモリ３７に記憶する。この後、プロセッサ３６は、ステップＳ２Ｒに移行する。

　一方、残熱レベルが「大」であると判断した場合（ステップＳ２Ｌ：Ｙｅｓ）には、プロセッサ３６は、メモリ３７に記憶した対象部位の複数のインピーダンスのうち、初期インピーダンスＺ０を読み出す。そして、プロセッサ３６は、当該読み出した初期インピーダンスＺ０が判別閾値Ｒ０１よりも大きいか否かを判断する（ステップＳ２Ｐ）。

　初期インピーダンスＺ０が判別閾値Ｒ０１よりも大きいと判断した場合（ステップＳ２Ｐ：Ｙｅｓ）には、プロセッサ３６は、対象部位ＬＴがＳサイズ血管であると判定する（ステップＳ２Ｑ）。そして、プロセッサ３６は、当該判定結果（以下、組織の判別結果と記載）をメモリ３７に記憶する。この後、プロセッサ３６は、ステップＳ２Ｒに移行する。
　一方、初期インピーダンスＺ０が判別閾値Ｒ０１以下であると判断した場合（ステップＳ２Ｐ：Ｎｏ）には、プロセッサ３６は、ステップＳ２Ｏに移行し、対象部位ＬＴがＬサイズ血管であると判定する。
　すなわち、プロセッサ３６は、伝熱板１３及び対向板９３の残熱レベルが「大」である場合には、ピーク値Ｐｐではなく、初期インピーダンスＺ０を用いて、血管組織のサイズを判別する。
　なお、ステップＳ２Ｐでは、初期インピーダンスＺ０と判別閾値Ｒ０１とを比較することによって血管組織のサイズを判別していたが、これに限らない。例えば、初期インピーダンスＺ０が判別閾値Ｒ０１よりも大きいという第１の条件と、極小値Ｚminが所定の閾値よりも大きいという第２の条件の双方を満足した場合に対象部位ＬＴがＳサイズ血管であると判定し、当該第１，第２の条件の双方を満足しない場合に対象部位ＬＴがＬサイズ血管であると判定しても構わない。

　そして、プロセッサ３６は、以下に示すステップＳ２Ｒを実行する。
　プロセッサ３６は、メモリ３７に記憶した残熱レベルの判定結果、及び組織の判別結果と、メモリ３７に予め記憶された第１の参照情報とを参照し、第２のフェーズにおける高周波制御パラメータを設定する。当該第１の参照情報としては、例えば、以下の表１に示す情報を例示することができる。

　第１の参照情報は、表１に示すように、残熱レベルの判定結果（「残熱なし」、「小」、「中」、及び「大」）と、組織の判別結果（「脂肪組織」、「Ｌサイズ血管」、及び「Ｓサイズ血管」）と、第２のフェーズにおける高周波制御パラメータとが関連付けられた情報である。
　ここで、第２のフェーズにおける高周波制御パラメータは、表１に示すように、閾値Ｒadd[Ω]と、後述する定電圧制御（ステップＳ２Ｓ）を実行する出力時間[msec]及び出力電圧[V]との３つのパラメータである。当該閾値Ｒaddは、後述する定電圧制御（ステップＳ２Ｓ）を開始してからの対象部位ＬＴのインピーダンスの上昇値と比較される閾値である。当該出力電圧[V]は、表１に示すように、残熱レベルの判定結果が「残熱なし」、「小」、「中」、「大」になるにしたがって、すなわち、残熱レベルが高くなるにしたがって、小さい値が設定されている。すなわち、プロセッサ３６は、残熱レベルが高いほど、伝熱板１３及び対向板９３に供給する電力を抑制する。また、プロセッサ３６は、封止制御モードにおいて、残熱レベルの判定結果に基づいて、伝熱板１３及び対向板９３に供給する電力を調整する。そして、高周波制御パラメータは、本発明に係る制御目標値に相当する。すなわち、プロセッサ３６は、残熱レベルの判定結果に基づいて、本発明に係る制御目標値を変更する。また、残熱レベルの判定結果が「大」であり、組織の判別結果が「Ｓサイズ血管」である場合には、ステップＳ１Ｍにおいて警告を示す情報が報知され、対象部位ＬＴに対して高周波エネルギが付与されないため、３つの高周波制御パラメータの値が設定されていない。

　なお、閾値Ｒadd、出力時間、及び出力電圧の値は、表１に示した値に限らず、残熱レベルの判定結果が「大」、「中」、「小」、「残熱なし」になるにしたがって、すなわち、残熱レベルが低くなるにしたがって、小さくなっておらず、組織の判別結果が「脂肪組織」、「Ｌサイズ血管」、「Ｓサイズ血管」になるにしたがって大きくなっていなければ、その他の値を採用しても構わない。
　そして、プロセッサ３６は、ステップＳ２Ｒにおいて、例えば、残熱レベルの判定結果が「大」であり、組織の判別結果が「Ｌサイズ血管」である場合には、閾値Ｒaddを２９０[Ω]に設定し、出力時間を２６００[msec]に設定し、出力電圧を４０[V]に設定する。

　ステップＳ２Ｒの後、プロセッサ３６は、ステップＳ２Ｒにおいて設定した出力電圧を高周波エネルギ出力部３１から伝熱板１３及び対向板９３に供給する定電圧制御を実行する（ステップＳ２Ｓ）。
　ステップＳ２Ｓの後、プロセッサ３６は、メモリ３７に記憶した対象部位ＬＴの複数のインピーダンスのうち、定電圧制御（ステップＳ２Ｓ）の開始時点のインピーダンスと最新のインピーダンスを読み出す。そして、プロセッサ３６は、当該開始時点のインピーダンスから当該最新のインピーダンスへの上昇値がステップＳ２Ｒにおいて設定した閾値Ｒaddを超えたか否かを判断する（ステップＳ２Ｔ）。
　上昇値が閾値Ｒaddを超えていないと判断した場合（ステップＳ２Ｔ：Ｎｏ）には、プロセッサ３６は、ステップＳ２Ｓに戻り、定電圧制御を継続する。
　一方、上昇値が閾値Ｒaddを超えたと判断した場合（ステップＳ２Ｔ：Ｙｅｓ）には、プロセッサ３６は、定電圧制御（ステップＳ２Ｓ）を開始してからの経過時間がステップＳ２Ｒにおいて設定した出力時間を超えたか否かを判断する（ステップＳ２Ｕ）。

　経過時間が出力時間を超えていないと判断した場合（ステップＳ２Ｕ：Ｎｏ）には、プロセッサ３６は、ステップＳ２Ｓに戻り、定電圧制御を継続する。
　一方、経過時間が出力時間を超えたと判断した場合（ステップＳ２Ｕ：Ｙｅｓ）には、プロセッサ３６は、高周波エネルギ出力部３１から伝熱板１３及び対向板９３への出力電圧の供給を停止する（ステップＳ２Ｖ）。そして、プロセッサ３６は、本制御フローを終了する。

　〔熱制御〕
　次に、プロセッサ３６が実行する熱制御（ステップＳ３）について説明する。なお、熱制御（ステップＳ３）は、上述した高周波制御（ステップＳ２）と同時に実行される。
　図１４は、熱制御を示すフローチャートである。
　先ず、プロセッサ３６は、メモリ３７に記憶した残熱レベルの判定結果と、メモリ３７に予め記憶された第２の参照情報とを参照し、熱制御パラメータを設定する（ステップＳ３Ａ）。当該第２の参照情報としては、例えば、以下の表２に示す情報を例示することができる。

　第２の参照情報は、表２に示すように、残熱レベルの判定結果（「残熱なし」、「小」、「中」、及び「大」）と、熱制御パラメータとが関連付けられた情報である。
　ここで、熱制御パラメータは、表２に示すように、後述する熱エネルギの付与（ステップＳ３Ｂ）の開始時点を遅らせる遅延時間[s]である。そして、熱制御パラメータは、本発明に係る制御目標値に相当する。すなわち、プロセッサ３６は、残熱レベルの判定結果に基づいて、本発明に係る制御目標値を変更する。残熱レベルの判定結果が「大」である場合には、後述する熱エネルギの付与（ステップＳ３Ｂ）を実行しないため、「出力しない」旨の情報が設定されている。
　なお、遅延時間の値は、表２に示した値に限らず、残熱レベルの判定結果が「大」、「中」、「小」、「残熱なし」になるにしたがって、すなわち、残熱レベルが低くなるにしたがって、大きくなっていなければ、その他の値を採用しても構わない。
　そして、プロセッサ３６は、ステップＳ３Ａにおいて、例えば、残熱レベルの判定結果が「中」である場合には、遅延時間を１[s]に設定する。

　ステップＳ３Ａの後、プロセッサ３６は、ステップＳ３Ａにおいて設定した熱制御パラメータを参照し、熱エネルギ出力部３３からヒータ１４を構成する電気抵抗パターンへの出力電圧の供給を開始する（ステップＳ３Ｂ）。すなわち、対象部位ＬＴに対する熱エネルギの付与が開始される。これによって、伝熱板１３から対象部位ＬＴに熱が伝達され、当該対象部位ＬＴが加熱される。

　具体的に、プロセッサ３６は、ステップＳ３Ｂにおいて、以下の処理を実行する。
　プロセッサ３６は、第２のセンサ３４によって検出された電圧値及び電流値に基づいて、ヒータ１４を構成する電気抵抗パターンの抵抗値を算出する。また、プロセッサ３６は、予め実験により算出された当該電気抵抗パターンの抵抗値と温度との関係を用いて、当該電気抵抗パターンの抵抗値を温度（以下、ヒータ温度と記載）に換算する。そして、プロセッサ３６は、当該ヒータ温度を把握しながら、当該ヒータ温度を目標温度とするために必要な出力電圧を熱エネルギ出力部３３から当該電気抵抗パターンに供給する。すなわち、プロセッサ３６はフィードバック制御を実行する。
　ここで、プロセッサ３６は、残熱レベルの判定結果が「残熱なし」または「小」であり、ステップＳ３Ａにおいて設定した熱制御パラメータ（遅延時間）が０[s]であった場合には、当初の開始時点で対象部位ＬＴに対して熱エネルギの付与を開始する。また、プロセッサ３６は、残熱レベルの判定結果が「中」であり、ステップＳ３Ａにおいて設定した熱制御パラメータ（遅延時間）が１[s]であった場合には、当初の開始時点から１[s]だけ遅れた時点から対象部位ＬＴに対して熱エネルギの付与を開始する。さらに、プロセッサ３６は、残熱レベルの判定結果が「大」であり、ステップＳ３Ａにおいて設定した熱制御パラメータ（遅延時間）が「出力しない」旨の情報であった場合には、対象部位ＬＴに対して熱エネルギを付与しない。すなわち、プロセッサ３６はステップＳ３Ｂを実行しない。

　ステップＳ３Ｂの後、プロセッサ３６は、高周波制御（ステップＳ２）の終了条件を満足したか否かを常時、監視する（ステップＳ３Ｃ）。言い換えれば、プロセッサ３６は、上述したステップＳ２Ｕにおいて「Ｙｅｓ」と判断したか否かを常時、監視する。
　そして、プロセッサ３６は、高周波制御（ステップＳ２）の終了条件を満足したと判断（ステップＳ３Ｃ：Ｙｅｓ）するまで、対象部位ＬＴに対する熱エネルギの付与を継続する。また、高周波制御（ステップＳ２）の終了条件を満足したと判断した場合（ステップＳ３Ｃ：Ｙｅｓ）には、プロセッサ３６は、熱エネルギ出力部３３からヒータ１４を構成する電気抵抗パターンへの出力電圧の供給を停止する（ステップＳ３Ｄ）。そして、プロセッサ３６は、本制御フローを終了する。
　以上の高周波制御（ステップＳ２）及び熱制御（ステップＳ３）によって、対象部位ＬＴは、封止するために必要な例えば１００℃～２００℃程度の第１の温度で加熱される。これによって、対象部位ＬＴは、封止される。

　以上説明した本実施の形態によれば、以下の効果を奏する。
　本実施の形態に係る処置システム１では、プロセッサ３６は、対象部位ＬＴへの高周波エネルギ及び熱エネルギの付与（ステップＳ２Ｅ，Ｓ３Ｂ）の前に、伝熱板１３及び対向板９３の温度の指標となる対象部位ＬＴのインピーダンスを算出する（ステップＳ１Ｂ）。また、プロセッサ３６は、当該対象部位ＬＴのインピーダンスに基づいて、伝熱板１３及び対向板９３の残熱レベルを判定する（ステップＳ１Ｅ，Ｓ１Ｇ，Ｓ１Ｉ，Ｓ１Ｊ）。そして、プロセッサ３６は、当該残熱レベルの判定結果に基づいて、報知部３５からの警告を示す情報の報知（ステップＳ１Ｍ）、及び把持部７に対して供給する電力の調整（ステップＳ２Ｄ，Ｓ２Ｒ，Ｓ３Ａ）を実行する。
　したがって、伝熱板１３及び対向板９３の残熱レベルが高い状態において、対象部位ＬＴを封止する際に、当該対象部位ＬＴが過加熱されてしまうことを回避することができる。すなわち、生体組織への熱侵襲、対象部位ＬＴの誤切開、及び対象部位ＬＴの封止性能への悪影響等が生じることを回避することができる。

　特に、伝熱板１３及び対向板９３の温度の指標となる指標値として、対象部位ＬＴのインピーダンスを採用している。
　このため、例えばヒータ温度によって残熱レベルを判定する構成と比較して、実際に伝熱板１３及び対向板９３の残熱による対象部位ＬＴの影響の度合い（熱変性レベル）を当該対象部位ＬＴのインピーダンスによって確認することができる。すなわち、対象部位ＬＴが過加熱されてしまうか否かを適切に判断することができる。

　本実施の形態に係る処置システム１では、プロセッサ３６は、第２のスイッチ５２２への封止制御モードの設定操作（ステップＳ１Ｃ：Ｙｅｓ）の後に、残熱レベルの判定（ステップＳ１Ｅ，Ｓ１Ｇ，Ｓ１Ｉ，Ｓ１Ｊ）を実行する。すなわち、プロセッサ３６は、封止制御モードにおいて、対象部位ＬＴへの高周波エネルギ及び熱エネルギの付与（ステップＳ２Ｅ，Ｓ３Ｂ）の前に、残熱レベルの判定（ステップＳ１Ｅ，Ｓ１Ｇ，Ｓ１Ｉ，Ｓ１Ｊ）を実行する。
　このため、伝熱板１３及び対向板９３の残熱によって影響を受け易い封止制御モードにおいて、上述した処理（ステップＳ１Ｍ，Ｓ２Ｄ，Ｓ２Ｒ，Ｓ３Ａ）を実行することによって、対象部位ＬＴが過加熱されてしまうことを適切に回避することができる。

　本実施の形態に係る処置システム１では、プロセッサ３６は、残熱レベルが高いほど、伝熱板１３及び対向板９３に供給する電力を抑制する（ステップＳ２Ｄ，Ｓ２Ｒ）。また、プロセッサ３６は、封止制御モードにおいて、残熱レベルの判定結果に基づいて、伝熱板１３及び対向板９３に供給する電力を調整する（ステップＳ２Ｄ，Ｓ２Ｒ）。
　このため、対象部位ＬＴが過加熱されてしまうことを適切に回避することができる。

　本実施の形態に係る処置システム１では、プロセッサ３６は、残熱レベルが特定のレベルを超えた場合に、警告を示す情報を報知部３５に報知させる。また、プロセッサ３６は、把持部７への電力の供給を禁止する。
　このため、対象部位ＬＴが過加熱されてしまうことを理由として当該対象部位ＬＴに対して高周波エネルギ及び熱エネルギを付与することができないことを術者に認識させながら、当該対象部位ＬＴが過加熱されてしまうことを確実に回避することができる。

　本実施の形態に係る処置システム１では、プロセッサ３６は、対象部位ＬＴに対して検知電流を流すことによって、対象部位ＬＴの種類及び大きさ（「脂肪組織」、「Ｓサイズ血管」、「Ｌサイズ血管」）を判定する（ステップＳ２Ｋ，Ｓ２Ｎ，Ｓ２Ｏ）。そして、プロセッサ３６は、残熱レベルの判定結果と組織の判別結果とに基づいて、伝熱板１３及び対向板９３に対して供給する電力を調整する（ステップＳ２Ｒ）。
　このため、特に温度に敏感なＳサイズ血管について、過加熱されてしまうことを適切に回避することができる。

（その他の実施形態）
　ここまで、本発明を実施するための形態を説明してきたが、本発明は上述した実施の形態によってのみ限定されるべきものではない。
　図１５及び図１６は、本実施の形態の変形例１を示す図である。具体的に、図１５は、切開制御モードの実行中及び実行後におけるヒータ温度の挙動を示す図である。図１６は、残熱レベルの判定に用いる閾値を示す図である。
　上述した実施の形態において、伝熱板１３及び対向板９３の残熱レベルを判定する残熱判定方法は、図４及び図５に示した制御フローに限らない。
　ヒータ温度は、図１５に示すように、切開制御モードの実行を開始すると、次第に上昇する。そして、ヒータ温度は、対象部位ＬＴを切開するために必要な３００℃程度の第２の温度に制御される。また、ヒータ温度は、切開制御モードの実行を終了すると、当該終了した時点Ｔ１（図１５）から時間が経過するにしたがって、低減していく。
　そこで、プロセッサ３６は、当該時点Ｔ１からの経過時間を計測する。そして、プロセッサ３６は、当該測定した経過時間が閾値Ｔｈ１（図１５）を超えた場合には、伝熱板１３及び対向板９３の残熱レベルを「残熱なし」と判定する。一方、プロセッサ３６は、当該測定した経過時間が閾値Ｔｈ１以下である場合には、当該残熱レベルを「残熱あり」と判定する。すなわち、プロセッサ３６は、切開制御モードを実行した後に、残熱レベルを判定する。

　なお、本変形例１では、切開制御モードの実行を終了した時点Ｔ１からの経過時間を計測していたが、これに限らず、ヒータ温度が第２の温度になった後の経過時間を計測しても構わない。そして、当該経過時間と閾値Ｔｈ１とを比較することによって、上述したように残熱レベルを判定しても構わない。
　また、上述した実施の形態において説明した変化量Ｚｃｈと残熱判定閾値Ｚj１，Ｚj２との比較結果と、本変形例１における経過時間と閾値Ｔｈ１との比較結果とに基づいて、残熱レベルを判定しても構わない。すなわち、残熱判定閾値Ｚj１，Ｚj２は、本発明に係る第２の閾値に相当する。また、閾値Ｔｈ１は、本発明に係る第１の閾値に相当する。
　さらに、本変形例１では、当該残熱レベルを「残熱なし」及び「残熱あり」の２つのレベルとしているが、これに限らず、閾値Ｔｈ１を複数、設けることにより、当該残熱レベルを３つ以上のレベルとしても構わない。また、上述した実施の形態においても同様に、当該残熱レベルは、「残熱なし」、「小」、「中」、及び「大」の４つのレベルとしているが、これに限らず、２つ、３つ、あるいは、５つ以上のレベルとしても構わない。

　ここで、切開制御モードを実行している継続時間や、切開制御モードを連続して実行した回数が多いほど、図１５に一点鎖線で示したように、切開制御モードの実行を終了した時点Ｔ１からのヒータ温度の低減量は、少なくなる。
　そこで、図１６に示すように、閾値Ｔｈ１として、切開制御モードを実行している継続時間や、切開制御モードを連続して実行した回数が多いほど、大きい閾値Ｔｈ１を用いても構わない。

　図１７は、本実施の形態の変形例２を示す図である。具体的に、図１７は、切開制御モードを実行した後、封止制御モードを実行した場合におけるヒータ温度の挙動を示す図である。
　上述した実施の形態において、伝熱板１３及び対向板９３の残熱レベルを判定する残熱判定方法は、図４及び図５に示した制御フローに限らず、ヒータ温度に基づいて、当該残熱レベルを判定しても構わない。すなわち、当該ヒータ温度は、本発明に係る指標値に相当する。
　例えば、図１７に示すように、切開制御モードを実行した後、封止制御モードの実行を開始する時点Ｔ２におけるヒータ温度が対象部位ＬＴを封止するために必要な１００～２００℃程度の第１の温度を超えている場合を想定する。この場合には、プロセッサ３６は、伝熱板１３及び対向板９３の残熱レベルを「残熱あり」と判定する。一方、プロセッサ３６は、時点Ｔ２におけるヒータ温度が第１の温度以下である場合には、当該残熱レベルを「残熱なし」と判定する。
　なお、本変形例２では、当該残熱レベルを「残熱なし」及び「残熱あり」の２つのレベルとしているが、ヒータ温度と比較する基準温度を複数、設けることにより、当該残熱レベルを３つ以上のレベルとしても構わない。

　図１８は、本実施の形態の変形例３を示す図である。具体的に、図１８は、切開制御モードの実行中におけるヒータ温度の挙動を示す図である。
　上述した実施の形態において、図１８に示すように、切開制御モードの実行を開始してからの経過時間が閾値Ｔｈ２を超えた場合に、当該切開制御モードにおけるヒータ温度の目標温度を３００℃程度の第２の温度から当該第２の温度よりも低い２５０℃程度の第３の温度に変更しても構わない。
　これによって、切開制御モードの実行を終了した後の伝熱板１３及び対向板９３の残熱そのものを低減することができる。

　上述した実施の形態において、第２の参照情報は、表２に示した情報に限らず、以下の表３に示した情報を採用しても構わない。

　第２の参照情報は、表３に示すように、残熱レベルの判定結果（「残熱なし」、「小」、「中」、及び「大」）と、熱制御パラメータが関連付けられた情報である。
　ここで、熱制御パラメータは、表３に示すように、ステップＳ３Ｂにおいて、熱エネルギ出力部３３からヒータ１４を構成する電気抵抗パターンに出力電圧を供給する際のデューティ比[%]である。そして、熱制御パラメータは、本発明に係る制御目標値に相当する。すなわち、プロセッサ３６は、残熱レベルの判定結果に基づいて、本発明に係る制御目標値を変更する。残熱レベルの判定結果が「大」である場合には、熱エネルギの付与（ステップＳ３Ｂ）を実行しないため、「出力しない」旨の情報が設定されている。
　なお、デューティ比の値は、表３に示した値に限らず、残熱レベルの判定結果が「大」、「中」、「小」、「残熱なし」になるにしたがって、すなわち、残熱レベルが低くなるにしたがって、小さくなっていなければ、その他の値を採用しても構わない。

　そして、プロセッサ３６は、ステップＳ３Ｂにおいて、以下の処理を実行する。
　プロセッサ３６は、残熱レベルの判定結果が「残熱なし」または「小」であり、ステップＳ３Ａにおいて設定した熱制御パラメータ（デューティ比）が１００[%]であった場合には、ヒータ温度を目標温度とするために必要な出力電圧を熱エネルギ出力部３３からヒータ１４を構成する電気抵抗パターンに継続して供給する。また、プロセッサ３６は、残熱レベルの判定結果が「中」であり、ステップＳ３Ａにおいて設定した熱制御パラメータ（デューティ比）が５０[%]であった場合には、ヒータ温度を目標温度とするために必要な出力電圧を熱エネルギ出力部３３から当該電気抵抗パターンに当該デューティ比にしたがって間欠的に供給する。さらに、プロセッサ３６は、残熱レベルの判定結果が「大」であり、ステップＳ３Ａにおいて設定した熱制御パラメータ（デューティ比）が「出力しない」旨の情報であった場合には、対象部位ＬＴに対して熱エネルギを出力しない。すなわち、プロセッサ３６はステップＳ３Ｂを実行しない。

　また、第２の参照情報は、表２，表３に示した情報に限らず、以下の表４に示した情報を採用しても構わない。

　第２の参照情報は、表４に示すように、残熱レベルの判定結果（「残熱なし」、「小」、「中」、及び「大」）と、熱制御パラメータが関連付けられた情報である。
　ここで、熱制御パラメータは、表４に示すように、ステップＳ３Ｂにおいて用いるヒータ温度の目標温度[℃]である。そして、熱制御パラメータは、本発明に係る制御目標値に相当する。すなわち、プロセッサ３６は、残熱レベルの判定結果に基づいて、本発明に係る制御目標値を変更する。残熱レベルの判定結果が「大」である場合には、熱エネルギの付与（ステップＳ３Ｂ）を実行しないため、「出力しない」旨の情報が設定されている。
　なお、目標温度の値は、表４に示した値に限らず、残熱レベルの判定結果が「大」、「中」、「小」、「残熱なし」になるにしたがって、すなわち、残熱レベルが低くなるにしたがって、小さくなっていなければ、その他の値を採用しても構わない。

　そして、プロセッサ３６は、ステップＳ３Ｂにおいて、以下の処理を実行する。
　プロセッサ３６は、残熱レベルの判定結果が「残熱なし」または「小」であり、ステップＳ３Ａにおいて設定した熱制御パラメータ（目標温度）が１２０[℃]であった場合には、ヒータ温度を１２０[℃]とするために必要な出力電圧を熱エネルギ出力部３３からヒータ１４を構成する電気抵抗パターンに供給する。また、プロセッサ３６は、残熱レベルの判定結果が「中」であり、ステップＳ３Ａにおいて設定した熱制御パラメータ（目標温度）が８０[℃]であった場合には、ヒータ温度を８０[℃]とするために必要な出力電圧を熱エネルギ出力部３３から当該電気抵抗パターンに供給する。さらに、プロセッサ３６は、残熱レベルの判定結果が「大」であり、ステップＳ３Ａにおいて設定した熱制御パラメータ（目標温度）が「出力しない」旨の情報であった場合には、対象部位ＬＴに対して熱エネルギを出力しない。すなわち、プロセッサ３６はステップＳ３Ｂを実行しない。
　以上のように、プロセッサ３６は、残熱レベルが高いほど、ヒータ１４を構成する電気抵抗パターンに供給する電力を抑制する。また、プロセッサ３６は、封止制御モードにおいて、残熱レベルの判定結果に基づいて、当該電気抵抗パターンに供給する電力を調整する。

　上述した実施の形態では、本発明に係るプロセッサを１つのみのプロセッサ３６で構成していたが、これに限らず、２つ以上のプロセッサとしても構わない。
　上述した実施の形態において、残熱レベルを判定（ステップＳ１Ｅ，Ｓ１Ｇ，Ｓ１Ｉ，Ｓ１Ｊ）した後、報知部３５に当該残熱レベルを示す情報を報知させても構わない。
　上述した実施の形態において、残熱レベルの判定結果に基づいて、対象部位ＬＴに対して付与する処置エネルギとして熱エネルギ及び高周波エネルギの少なくとも一方を選択する構成を採用しても構わない。例えば、プロセッサ３６は、残熱レベルが第１のレベルの場合には、対象部位ＬＴに対して付与する処置エネルギとして熱エネルギ及び高周波エネルギの双方を選択する。一方、プロセッサ３６は、残熱レベルが第１のレベルよりも高い第２のレベルの場合には、対象部位ＬＴに対して付与する処置エネルギとして熱エネルギ及び高周波エネルギの一方を選択する。

　上述した実施の形態では、対象部位ＬＴに対して付与する処置エネルギとして、熱エネルギ及び高周波エネルギを採用していたが、これに限らず、超音波エネルギを採用しても構わない。なお、「対象部位ＬＴに対して超音波エネルギを付与する」とは、対象部位ＬＴに対して超音波振動を付与することを意味する。ここで、当該超音波エネルギを採用した場合には、残熱レベルの判定結果に基づいて、変更する制御目標値としては、以下の制御目標値を例示することができる。
　例えば、制御目標値としては、上述した実施の形態で説明した熱制御（ステップＳ３）で用いた熱制御パラメータと同様に、超音波エネルギの付与の開始時点を遅らせる遅延時間を例示することができる。また、例えば、制御目標値としては、超音波振動による振幅を例示することができる。

　１　処置システム
　２　処置具
　３　制御装置
　５　ハンドル
　６　シャフト
　７　把持部
　８　第１の把持部材
　９　第２の把持部材
　１０　第１のジョー
　１１　第１の支持部材
　１２　処置部
　１３　伝熱板
　１４　ヒータ
　３１　高周波エネルギ出力部
　３２　第１のセンサ
　３３　熱エネルギ出力部
　３４　第２のセンサ
　３５　報知部
　３６　プロセッサ
　３７　メモリ
　５１　操作ノブ
　５２　インターフェース
　９１　第２のジョー
　９２　第２の支持部材
　９３　対向板
　１３１　第１の把持面
　１３２　背面
　５２１　第１のスイッチ
　５２２　第２のスイッチ
　９３１　第２の把持面
　Ａ１　方向
　Ｃ　電気ケーブル
　Ｃ１，Ｃ１´　高周波用リード線
　Ｃ２，Ｃ２´　発熱用リード線
　ＬＴ　対象部位
　Ｐ０　支点
　Ｐｊ　判別閾値
　Ｐｐ　ピーク値
　Ｒ０１，Ｒ０ｆ　判別閾値
　Ｒ１　矢印
　Ｒadd　閾値
　Ｔ１　切開制御モードの実行を終了した時点
　Ｔ２　封止制御モードの実行を開始する時点
　Ｔｈ１，Ｔｈ２　閾値
　Ｖ０　初期電圧
　ＶＩ　上昇値
　Ｚ０　初期インピーダンス
　Ｚch　変化量
　Ｚj１，Ｚj２　残熱判定閾値
　Ｚmin　極小値

Claims

　供給された電力に応じて、生体組織を処置するための処置エネルギを当該生体組織に対して付与するエンドエフェクタと、
　前記エンドエフェクタの温度の指標となる指標値を算出し、
　前記指標値と閾値とを比較し、
　前記指標値と前記閾値との比較結果に基づいて、前記エンドエフェクタの残熱レベルを判定する少なくとも１つのプロセッサと、を備える医療装置。
　前記処置エネルギの付与の開始操作を受け付けるインターフェースをさらに備え、
　前記プロセッサは、
　前記インターフェースへの開始操作の後に、前記残熱レベルを判定する、請求項１に記載の医療装置。
　前記プロセッサは、
　前記生体組織を第１の温度で加熱することによって当該生体組織を封止するための前記電力を前記エンドエフェクタに対して供給する封止制御モードと、
　前記生体組織を前記第１の温度よりも高い第２の温度で加熱することによって当該生体組織を切開するための前記電力を前記エンドエフェクタに対して供給する切開制御モードと、をそれぞれ実行可能とする、請求項１に記載の医療装置。
　前記プロセッサは、
　前記切開制御モードを実行した後に、前記残熱レベルを判定する、請求項３に記載の医療装置。
　前記プロセッサは、
　前記封止制御モードにおいて、前記残熱レベルを判定する、請求項３に記載の医療装置。
　前記プロセッサは、
　前記エンドエフェクタに接触することによって前記生体組織が熱変性した熱変性レベルを前記指標値として算出する、請求項１に記載の医療装置。
　前記熱変性レベルは、
　前記生体組織のインピーダンスである、請求項６に記載の医療装置。
　前記プロセッサは、
　前記切開制御モードを実行することによって、前記エンドエフェクタが前記生体組織を封止するために必要な第１の温度よりも高い第２の温度になった後の経過時間を前記指標値として算出する、請求項３に記載の医療装置。
　前記経過時間は、
　前記切開制御モードを完了してからの経過時間である、請求項８に記載の医療装置。
　前記閾値は、
　前記経過時間と比較される第１の閾値と、
　前記エンドエフェクタに接触することによって前記生体組織が熱変性した熱変性レベルと比較される第２の閾値と、を備え、
　前記プロセッサは、
　前記熱変性レベルを前記指標値として算出し、
　前記経過時間と前記第１の閾値とを比較し、
　前記熱変性レベルと前記第２の閾値とを比較し、
　前記経過時間と前記第１の閾値との比較結果、及び前記熱変性レベルと前記第２の閾値との比較結果に基づいて、前記残熱レベルを判定する、請求項８に記載の医療装置。
　前記閾値は、
　前記切開制御モードを実行している継続時間、及び前記切開制御モードを連続して実行した回数の少なくともいずれかに応じて複数設けられ、
　前記プロセッサは、
　複数の前記閾値のうち前記継続時間及び前記回数の少なくともいずれかに応じた閾値と前記経過時間とを比較する、請求項８に記載の医療装置。
　前記エンドエフェクタは、
　前記電力の供給に応じて発熱するヒータを備え、
　当該医療装置は、
　前記ヒータに対して前記電力を供給することによって前記エンドエフェクタから前記生体組織に対して前記処置エネルギである熱エネルギを付与する熱エネルギ出力部をさらに備え、
　前記プロセッサは、
　前記ヒータの抵抗値を計測し、当該抵抗値に基づく当該ヒータの温度を前記指標値として算出する、請求項１に記載の医療装置。
　前記エンドエフェクタは、
　前記電力の供給に応じて発熱するヒータと、
　一対の高周波電極と、を備え、
　当該医療装置は、
　前記ヒータに対して前記電力を供給することによって前記エンドエフェクタから前記生体組織に対して前記処置エネルギである熱エネルギを付与する熱エネルギ出力部と、
　前記一対の高周波電極間に前記電力を供給することによって前記エンドエフェクタから前記生体組織に対して前記処置エネルギである高周波エネルギを付与する高周波エネルギ出力部と、をさらに備える、請求項１に記載の医療装置。
　前記プロセッサは、
　前記残熱レベルを示す情報を報知部に報知させる、請求項１に記載の医療装置。
　前記プロセッサは、
　前記残熱レベルの判定結果に基づいて、報知部からの警告を示す情報の報知、及び当該エンドエフェクタに対して供給する前記電力の調整の少なくとも一方を実行する、請求項１に記載の医療装置。
　前記プロセッサは、
　前記残熱レベルが高いほど、前記エンドエフェクタに供給する前記電力を抑制する、請求項１５に記載の医療装置。
　前記プロセッサは、
　前記残熱レベルが特定のレベルを超えた場合に、前記エンドエフェクタへの前記電力の供給を禁止する、請求項１５に記載の医療装置。
　前記プロセッサは、
　前記残熱レベルが特定のレベルを超えた場合に、前記警告を示す情報を前記報知部に報知させる、請求項１５に記載の医療装置。
　前記プロセッサは、
　前記生体組織を第１の温度で加熱することによって当該生体組織を封止するための前記電力を前記エンドエフェクタに対して供給する封止制御モードと、
　前記生体組織を前記第１の温度よりも高い第２の温度で加熱することによって当該生体組織を切開するための前記電力を前記エンドエフェクタに対して供給する切開制御モードと、をそれぞれ実行可能とし、
　前記封止制御モードにおいて、前記残熱レベルの判定結果に基づいて、前記エンドエフェクタに対して供給する前記電力を調整する、請求項１５に記載の医療装置。
　前記プロセッサは、
　前記残熱レベルの判定結果に基づいて、前記封止制御モードにおける制御目標値を変更する、請求項１９に記載の医療装置。
　前記プロセッサは、
　前記生体組織の種類及び大きさの少なくとも一方を判定し、
　前記封止制御モードを実行する際に、前記残熱レベルの判定結果と前記生体組織の種類及び大きさの少なくとも一方の判定結果とに基づいて、前記エンドエフェクタに対して供給する前記電力を調整する、請求項１９に記載の医療装置。
　前記エンドエフェクタは、
　一対の高周波電極を備え、
　当該医療装置は、
　前記一対の高周波電極間に前記電力を供給することによって前記エンドエフェクタから前記生体組織に対して前記処置エネルギである高周波エネルギを付与する高周波エネルギ出力部をさらに備え、
　前記プロセッサは、
　前記高周波エネルギ出力部の動作を制御し、前記エンドエフェクタから前記生体組織に対して検知電流を流すことによって当該生体組織の種類及び大きさの少なくとも一方を判定する、請求項２１に記載の医療装置。
　前記エンドエフェクタは、
　前記電力の供給に応じて発熱するヒータと、
　一対の高周波電極と、を備え、
　当該医療装置は、
　前記ヒータに対して前記電力を供給することによって前記エンドエフェクタから前記生体組織に対して前記処置エネルギである熱エネルギを付与する熱エネルギ出力部と、
　前記一対の高周波電極間に前記電力を供給することによって前記エンドエフェクタから前記生体組織に対して前記処置エネルギである高周波エネルギを付与する高周波エネルギ出力部と、をさらに備え、
　前記プロセッサは、
　前記封止制御モードにおいて、前記残熱レベルの判定結果に基づいて、前記生体組織に対して付与する前記処置エネルギとして前記熱エネルギ及び前記高周波エネルギの少なくとも一方を選択する、請求項１９に記載の医療装置。
　前記プロセッサは、
　前記残熱レベルが第１のレベルである場合には、前記生体組織に対して付与する前記処置エネルギとして前記熱エネルギ及び前記高周波エネルギの双方を選択し、
　前記残熱レベルが前記第１のレベルよりも高い第２のレベルである場合には、前記生体組織に対して付与する前記処置エネルギとして前記熱エネルギ及び前記高周波エネルギの一方を選択する、請求項２３に記載の医療装置。
　医療装置のプロセッサが実行する残熱判定方法であって、
　エンドエフェクタの温度の指標となる指標値を算出し、
　前記指標値と閾値とを比較し、
　前記指標値と前記閾値との比較結果に基づいて、前記エンドエフェクタの残熱レベルを判定する残熱判定方法。
　医療装置のプロセッサに実行させる残熱判定プログラムであって、
　当該残熱判定プログラムは、前記プロセッサに以下の実行を指示する：
　エンドエフェクタの温度の指標となる指標値を算出し、
　前記指標値と閾値とを比較し、
　前記指標値と前記閾値との比較結果に基づいて、前記エンドエフェクタの残熱レベルを判定する残熱判定プログラム。