WO2020043467A1 - Optoelektronische leuchtvorrichtung, optoelektronische beleuchtungseinrichtung und herstellungsverfahren - Google Patents

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Daniel Leisen
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Definitions

  • the present invention relates to an optoelectronic lighting device, an optoelectronic lighting device and a method for producing at least one optoelectronic lighting device or an optoelectronic lighting device.
  • An optoelectronic lighting device comprises:
  • At least one light-emitting semiconductor component in particular an LED (from Light Emitting Diode) or an LED chip, the semiconductor component having an exit region for light on at least one surface side,
  • LED from Light Emitting Diode
  • LED chip the semiconductor component having an exit region for light on at least one surface side
  • a carrier for the semiconductor component the semiconductor component being arranged on an upper side of the carrier, at least one functional layer, in particular a conversion layer for converting light emerging from the exit region into light with at least one other wavelength, the functional layer being arranged above the exit region and / or next to the exit region, and an enclosure for the functional layer, the Surround surrounds the functional layer seen in a circumferential direction, the circumferential direction running parallel to the upper side of the support around the functional layer.
  • the functional layer can be a conversion layer.
  • the conversion layer can have, for example, phosphor, for example phosphorus, and in particular consist of a silicone-phosphor mixture. More generally, the functional layer can be any layer which is arranged as a layer directly above the light-emitting semiconductor component.
  • the light-emitting semiconductor component can in particular be a surface emitter whose exit region for light lies on the upper side of the light-emitting semiconductor component facing away from the carrier.
  • the functional layer can lie directly above the exit area for light and thus be in contact with the exit area.
  • the light-emitting semiconductor component can also be a volume emitter which has an exit region for light on the upper side facing away from the carrier.
  • the light-emitting semiconductor part can have an exit region for light on at least one lateral surface which runs perpendicular to the carrier surface.
  • the functional layer can also be arranged in the plane of the side surface and thus be provided next to the semiconductor component.
  • light should not only mean light in the visible wavelength range, but more generally any electromagnetic radiation that can be emitted by a light-emitting semiconductor component.
  • light is also intended to mean electromagnetic radiation in the infrared or ultraviolet wavelength range.
  • the optoelectronic lighting device can in particular have exactly one light-emitting optoelectronic semiconductor component.
  • a particularly compact design of the Leuchtvor direction is therefore possible.
  • the surround surrounds the functional layer as seen in the circumferential direction.
  • the socket thus forms an edge surrounding the functional layer, by means of which the functional layer can be protected against influences from the environment, for example against oxygen or moisture. Since a functional or conversion layer can contain luminescent material, this luminescent material can be protected from moisture and / or oxygen, for example, by the edging.
  • the enclosure can surround the functional layer in such a way that the functional layer, viewed in a direction parallel to the upper side of the support, is arranged completely inside the enclosure.
  • the functional layer can be particularly well protected against influences which act on the optoelectronic lighting device from the side.
  • the bezel can have a circumferential border in the circumferential direction, in the middle of which a continuous opening is provided, the bezel surrounding the functional layer such that the center of the border lies above the exit region of the semiconductor component and the functional layer the Opening at least partially and preferably completely filled.
  • the wording that the center of the border lies above the exit region of the semiconductor component is to be understood in particular in such a way that the center of the border is seen along a straight line that runs perpendicular to the top of the carrier, lies above the center of the exit region of the optoelectronic semiconductor component or with the middle collapses.
  • the geometric center of the volume emitter can also be meant as the center.
  • the border can thus form an outer edge area around the functional layer. Since the center of the border lies above the exit area of the semiconductor component, the functional layer, for example a conversion layer, is located above the exit area.
  • the light from the optoelectronic semiconductor component can thus get into the functional layer.
  • the light can continue from the functional layer to the top of the optoelectronic lighting device facing away from the carrier and can be emitted to the outside there.
  • the light can pass through the border which is transparent to the light and can be emitted to the outside on at least one lateral surface of the lighting device.
  • the border of the border can have at least one outside, which lies on a lateral surface of the Leuchtvor direction. The outside of the border can thus form part of the lateral surface of the lighting device.
  • a single optoelectronic lighting device can be produced from a coherent, matrix-like arrangement of such optoelectronic lighting devices.
  • the matrix-like, optoelectronic lighting devices are separated from one another. This can be done by means of a severing process, for example by means of a cutting process, wherein a separation takes place in levels that run perpendicular to the upper side of the carrier.
  • the lateral surfaces of the isolated lighting devices are then in the parting planes. If the border of the border is on the side of the top of the lighting device, this means that in the layer level of the functional layer there is no separation by the functional layer, but rather by the border of the border.
  • At least one outer side of a border of the border does not lie on a lateral surface of the lighting device, but at least one edge layer, in particular made of a potting material, is formed between the outer side and the lateral surface.
  • the edge layer can be at least partially transparent. The border can thus be constructed in a material-saving and cost-effective manner and can be set back towards the rear over the lateral surface.
  • the bezel may have a refractive index that is between the refractive index of the conversion material and air. The coupling-out efficiency can thereby be increased.
  • the border can be made of a transparent material.
  • the bezel can be formed from a material that includes or consists of silicone and / or glass.
  • the enclosure can be made of a material such as is used, for example, to form dams in electrical or optoelectronic components.
  • the material can be, for example, a viscous, hardening silicone that can be applied using a dispenser.
  • the functional layer can be flat on its upper side facing away from the upper side of the carrier or have a depression in the middle of the upper side.
  • the top deepened in the middle can be designed especially for reflector shaping. As a result, light can be directed outwards in an improved manner to the lateral surfaces of the lighting device.
  • At least one further layer can be provided over the top of the functional layer.
  • at least one layer arranged over the functional layer can have silicone and / or titanium dioxide (T1O2) and in particular consist of silicon mixed with titanium dioxide.
  • the light-emitting semiconductor component can be surrounded on its lateral surfaces by a filler material, for example a silicon material, which can be mixed with titanium dioxide.
  • a filler material for example a silicon material, which can be mixed with titanium dioxide.
  • the top of the semiconductor device and the top of the filler material can form a flat surface on which the functional layer and the bezel can be arranged.
  • the border can also protrude at least partially into the filler material.
  • At least one cover layer can be provided over the functional layer and the border.
  • the cover layer can be made light-tight. It can thus be opaque to the light it produces. Light emission through the deck Layer through and thus on the top of the lighting device can be avoided.
  • the cover layer can support an emission on the lateral surfaces of the lighting device.
  • the border is preferably made of a transparent material, so that the light can pass through the border and exit on a lateral surface of the lighting device.
  • the cover layer can be designed to be reflective toward the functional layer. Light can therefore be reflected at the interface between the cover layer and the functional layer from the cover layer back into the functional layer. If the functional layer is a conversion layer, this can improve the efficiency of the conversion.
  • a reflective cover layer can act as a type of light guide in order to prevent light from escaping upwards and to direct the light outwards through the enclosure which is at least partially transparent to the light. The light can thus emerge from a lateral upper surface of the lighting device.
  • the cover layer can preferably have a convex, outwardly curved curvature on its underside facing the functional layer. As a result, the cover layer can act in an improved manner as a reflector in order to direct the light towards the lateral outer sides of the device.
  • the invention also relates to an optoelectronic lighting device, in particular an LED panel, comprising:
  • each luminous point being arranged in a matrix-like manner on an upper side of the carrier device, each luminous point comprising at least one and preferably exactly one light-emitting semiconductor component, which has an exit area for light on at least one surface side,
  • a functional layer above and / or next to the exit areas of the plurality of luminous dots in particular a conversion layer for converting light from the semiconductor components into light with at least one other wavelength
  • a plurality of surrounds for the functional layer each surround having a circumferential circumferential direction Has a border, in the middle of which a continuous opening is provided
  • borders are arranged or formed at least in the plane of the functional layer in such a way that the center of a respective border is at least approximately above a respective luminous point and the border surrounds a region of the functional layer above and / or next to the respective luminous point,
  • the area of the functional layer at least partially and preferably completely fills the opening of the respective enclosure.
  • the optoelectronic lighting device can in particular be regarded as a matrix-like arrangement of optoelectronic lighting devices, it being possible for the optoelectronic lighting devices to be produced from the optoelectronic lighting device by means of a singulation process.
  • a matrix-like arrangement of optoelectronic lighting devices is understood in particular to mean an array-like arrangement in which the lighting devices are arranged in a plurality of columns or rows. Accordingly, an arrangement was understood as a matrix-like arrangement of the light points, in which the light points are arranged in an array in several columns or rows.
  • the borders can subdivide the functional layer according to the matrix-like arrangement of the luminous dots into individual areas, the center of each border being at least approximately above a respective luminous point for each area and the border surrounding the functional layer above and / or next to it surrounds the respective luminous point.
  • the areas of the functional layer can in particular lie in the openings of the surrounds, with adjacent areas of the functional layer being separated from one another by a border encircling a respective area.
  • the invention also relates to a method for producing at least one optoelectronic lighting device or an optoelectronic lighting device, in particular a lighting device according to the invention or an optoelectronic lighting device according to the invention, the method:
  • a carrier device a plurality of luminous dots being arranged in a matrix-like manner on an upper side of the carrier device, each luminous dot comprising at least one and preferably exactly one light-emitting semiconductor component which has an exit region for light on at least one surface side,
  • a functional layer in particular a conversion layer for converting light from the semiconductor components into light with at least one other wavelength, and a large number of enclosures are provided in a layer plane above and / or next to the exit regions of the plurality of luminous dots,
  • At least one cover layer is provided over the functional layer and the bezels,
  • each border of the plurality of borders has a circumferential circumference, in the middle of which a through opening is provided, the borders being arranged or formed in such a way that the center of the border of a respective border is at least approximately above a respective luminous point and the borders subdivide the functional layer into individual areas above and / or next to the luminous points.
  • the plurality of borders is first arranged or formed in the layer plane provided for the functional layer and only then is the functional layer formed, in particular in the openings of the borders.
  • the functional layer can also be formed first and then the plurality of mounts in the layer level of the functional layer is arranged or formed, in particular by pressing the plurality of mounts into the functional layer.
  • the plurality of borders is preferably formed in a lattice structure, in particular from a transparent material.
  • the lattice structure can be formed from a solid material. The lattice structure can thus be pressed into the functional layer, in particular as long as the functional layer has not hardened.
  • the plurality of bezels can be formed by applying a flowable material, particularly a viscous material.
  • the multitude of borders for example comparable to a dam, can be formed by means of a dispensing process.
  • the functional layer can then be formed in the intermediate regions of the borders.
  • the light points of the plurality of light points are separated.
  • the borders lie on the outside of an isolated light spot and thus on the outside of an optoelectronic lighting device formed by the isolation. It can thereby be achieved that the functional layer in the case of an isolated optoelectronic lighting device lies within a frame. The functional layer can thus be protected from the surroundings by the surrounding enclosure.
  • FIG. 1 shows a cross-sectional view of a first variant of an optoelectronic lighting device according to the invention
  • FIG. 2 shows a cross-sectional view of a second variant of an optoelectronic lighting device according to the invention
  • FIG. 3 shows a cross-sectional view of a third variant of an optoelectronic lighting device according to the invention
  • FIG. 4 shows a cross-sectional view of a fourth variant of an optoelectronic lighting device according to the invention
  • FIG. 5 shows a cross-sectional view of a fifth variant of an optoelectronic lighting device according to the invention
  • FIG. 6 shows a cross-sectional view of a first variant of an optoelectronic lighting device according to the invention
  • FIG. 7 shows a plan view of the optoelectronic lighting device from FIG. 6,
  • FIG. 8 shows a plan view of a second variant of an optoelectronic lighting device according to the invention
  • FIG. 9 shows a plan view of a third variant of an optoelectronic lighting device according to the invention
  • FIG. 10 shows a cross-sectional view of a not according to the invention
  • the optoelectronic lighting device 21 shown in FIG. 1 comprises a light-emitting and optoelectronic semiconductor component 23 designed in the form of an LED or an LED chip, the underside of which is arranged on the upper side 25 of a carrier 27.
  • the semiconductor component 23 has an exit region 31 for light on its upper surface side 29.
  • a filler layer 33 is arranged laterally next to the semiconductor component 23 and is formed, for example, from silicon mixed with titanium dioxide.
  • the filler layer 33 and the upper surface side 29 form a flat surface.
  • a functional layer 37 is arranged above the exit region 31 of the semiconductor component 23.
  • the functional layer 37 can in particular be a conversion Act layer, which is suitable for converting light emerging from the exit region 31 into light with at least one other wavelength.
  • Such a conversion layer can have, for example, phosphor embedded in a matrix.
  • an enclosure 39 is also provided for the functional layer 37.
  • the bezel 39 surrounds the functional layer 37 in a circumferential direction U, which runs parallel to the upper side 25 of the support around the functional layer 37.
  • the bezel 39 lies laterally above the outlet region 31 of the semiconductor component 23, so that the bezel 39 has at least essentially no negative effect on the emission properties of the semiconductor component 23.
  • the border 39 lies on the side filler layer 33 and forms with the functional layer 37 a flat upper surface on which a cover layer 41 is arranged.
  • the cover layer 41 can, for example, be made of a silicone material which is mixed with titanium dioxide.
  • the border 39 can be formed from a transparent material, which has, for example, a silicone and / or glass or consists thereof.
  • the casing 39 can be arranged on the upper side of the filling layer 33 after the filling layer 33 has been formed in the form of a solid body.
  • the functional layer 37 can then be formed in the central opening 43 enclosed by the border 39.
  • the bezel 39 can be formed from a viscous material, similar to a dam, for example by means of a dispensing process, on the top of the filler layer 33. After the viscous liquid material has hardened, it can then be returned to the material enclosed opening 43, the functional layer 37 are formed.
  • the border 39 comprises a border 45 which extends in the circumferential direction U and which, for example, has a rectangular cross section in the exemplary embodiment shown and in the center of which is the continuous opening 43 which he already mentioned.
  • the border 45 can also have a square, polygonal or circular cross section as seen in a plane of the circumferential direction U. Other cross-sectional shapes are also possible.
  • the bezel 39 or the border 45 has an outer side 47 which faces away from the opening 43 and lies on a lateral surface of the lighting device 21.
  • those outer surfaces are characterized which are perpendicular to the support surface 25 upwards.
  • the outer side 47 thus lies on an outer surface of the lighting device, whereas the functional layer 37 lies against the inside of the enclosure 39.
  • the filling layer 33 is thus protected against influences from the environment. Aging processes, which are caused, for example, by moisture, can thereby be avoided or at least reduced at the filling layer 33.
  • the cover layer 41 can be designed to be light-tight, so that the light cannot exit upwards through the cover layer 41.
  • the border 39 can be made of a transparent material, so that the light can be emitted through one of the lateral outer sides 47 to the outside
  • the cover layer 41 can be designed reflecting towards the functional layer 37. Light can be reflected back into the functional layer 37 at the interface between the cover layer 41 and the functional layer 37. If the functional layer 37 is a conversion layer, this can improve the efficiency of the conversion.
  • the reflective cover layer 41 can act as a kind of light guide. The same can apply to the filling layer 33.
  • the inter mediate cover layer 41 and fill layer 33 back and forth reflected light can be directed to the lateral outer sides 47 in an improved manner.
  • the second variant of an optoelectronic lighting device 21 according to the invention shown in FIG. 2 differs from the variant according to FIG. 1 in that the border 45 projects into the filling layer 33.
  • the underside of the border 45 can also rest on the top side 25 of the carrier.
  • the border 39 can thereby form a type of stop edge for the filling layer 33.
  • the filling layer 33 can be formed first, for example, and then the border 39, which is made of a solid and preferably transparent material, can be pressed into the filling layer 33 from above.
  • the bezel 39 can first be applied to the carrier top 25, and then the opening 43 of the bezel 39 can be filled with the filler layer 33, in particular such that the filler layer 33 and the upper surface side 29 of the LED 23 form a flat surface.
  • the functional layer 37 can in turn be formed on this surface.
  • the third variant shown in FIG. 3 of an optoelectronic lighting device 21 according to the invention differs from the exemplary embodiment according to FIG. 1 in particular in that the top side of the functional layer 37 is not flat, but instead has a recess 49 in the middle of the top side.
  • the depression 49 can in particular be configured such that the top of the functional layer 37 has a concave curvature.
  • the underside of the overlying cover layer 41 has a convex curvature.
  • the interface between the functional layer 37 and the cover layer 41 can act as a kind of reflector for the light reflected on the underside of the cover layer 41 and reflect the light outwards to the side.
  • the light emitted upwards on the upper side 29 of the component 23 can thus be deflected outwards, for example by 90 degrees, and reach the outside through the transparent border 39.
  • a conversion of the light into light with a different wavelength can take place in the functional layer 37.
  • the interface can therefore form a kind of reflector 51.
  • the coupling-out efficiency of the light generated in the lighting device 21 on the surfaces 47 of the bezel 39 can be improved as a result.
  • the cover layer 41 can also be made light-tight, while the border 39 is transparent.
  • the underside of the cover layer 41 facing the functional layer 37 can be designed as a reflector.
  • the underside can be mirrored.
  • the fourth variant of a light device 21 according to the invention according to FIG. 4 differs from the variant according to FIG. 3 in particular in that a further, so-called intermediate layer 55 is provided below the cover layer 41.
  • the intermediate layer 55 can, for example, be a transparent layer.
  • the intermediate layer 55 can also be regarded as a further cover layer over the functional layer 37. As mentioned above with reference to FIG. 1 for the cover layer 41, it can also be made light-tight and reflective towards the functional layer 37. This can an exclusive coupling of light on a lateral upper surface 47 can be realized.
  • the fifth variant of an optoelectronic lighting device 21 according to the invention according to FIG. 5 differs from the variant according to FIG. 4 in that the outer side 47 of the border 45 of the casing 39 is not on a lateral outer side of the lighting device 21, but between the outer side 47 and one an edge layer 59 is formed on the lateral surface 57 of the lighting device 21.
  • the edge layer 59 is formed by the intermediate layer 55 lying above it, which extends in the layer plane 35 of the functional layer 37, as shown in FIG. 5, between the outside 47 of the border 45 and the lateral surface 57 of the lighting device 21.
  • the intermediate layer 55 and thus in particular also the edge layer 59 can be designed from a, in particular transparent, potting material.
  • the first variant of an optoelectronic lighting device 61 according to the invention shown in cross section in FIG. 6 and in plan view in FIG. 7, comprises a carrier device 63, on the upper side 65 of which a multiplicity of luminous dots 67 are arranged in a matrix.
  • Each luminous point 67 comprises at least one light-emitting semiconductor component, compare the semiconductor component 23 in FIGS. 1 to 5.
  • a filler layer 33 is formed between the luminous points 67.
  • a functional layer 37 is arranged above the exit regions of the at least one semiconductor component of a light spot 67, which is in particular a conversion layer for converting light from the semiconductor components into light with at least one other wavelength. Furthermore, a plurality of borders 39 are provided at least in the layer plane 35 of the functional layer 37.
  • Each border 39 has a border 45 running in a circumferential direction U, in FIG the middle of which a through opening 43 is provided.
  • the surrounds 39 are arranged at least in the plane of the functional layer 35 in such a way that the center of a respective frame is at least approximately above a respective luminous point 67 and the border 39 surrounds a region of the functional layer 37 above the respective luminous point 67, the region the functional layer 37 fills the opening 43 of the respective enclosure 39.
  • the surrounds 39 subdivide the functional layer 37 accordingly in accordance with the matrix-like arrangement of the luminous points 67 into individual regions 69, the center of a respective surround 39 being at least approximately above the respective luminous point 67 for each region 69 and the border 45 the region 69 of the functional layer 37 surrounds over the respective light point 67.
  • a plurality of lighting devices 21 according to FIG. 1 can be produced from the lighting device 61 according to FIGS. 6 and 7 by means of a separating process.
  • the carrier device 63 and the layers lying above it are severed in parting planes E running perpendicular to the upper side 65 of the carrier device 63.
  • These parting planes E run at least essentially centrally through the borders 39 or the borders 45. This ensures that the outer sides 47 of the borders 45 in the isolated lighting devices 21 lie on the lateral surfaces of the individual lighting devices 21, as shown in FIG. 1.
  • the functional layer 37 of a singular lighting device 21 can thus be protected from influences of the environment by the surround 39 surrounding it.
  • a cut along the planes E can take place, for example, using sawing processes in which water cooling is used Use can come.
  • the border 39 protects the functional layer 37 of the lighting devices 21 during the sawing process, for example, from moisture due to the water cooling. Since a sawing process is not carried out directly on the material of the functional layer 37, there is no mechanical damage to the functional layer 37.
  • the lighting devices 61 of FIGS. 8 and 9 are constructed similarly to the lighting device of FIGS. 6 and 7. However, in the lighting device 61 of FIG. 8, the openings 43 of the borders 45 do not have a square cross section, but a hexagonal cross section, in particular with at least essentially equally long pages.
  • the borders 39 or the borders 45 are connected - as in the variant according to FIGS. 6 and 7. In a singling process and corresponding cuts along the planes E, adjacent borders 39 are cut.
  • the coherent borders 39 form a type of lattice structure 71 which can be designed, for example, as a solid, in particular transparent, body.
  • the lattice structure 71 can be placed on the top of the filler layer 33 during the manufacture of the lighting device 61 or can also be partially pressed into it (cf. the variant according to FIG. 2).
  • the borders 39 are separated from one another.
  • the border 45 of a respective border 39 has at least approximately a circular cross section.
  • the borders 45 can be formed individually, for example by means of a dispensing process in which the borders 39 or the borders 45 are formed with the application of a viscous material which hardens. The separation can in turn be carried out by severing at the separation planes E. In relation to the layer plane 35 (cf. FIG. 6), a separation takes place in the region of the interstices between the borders 39. These interstices can be filled with an edge layer, cf. the edge layer 59 in FIG. 5. By means of separation, lighting devices according to FIG. 5 can thus be formed from the lighting device 61 of FIG. 9.
  • the embodiment of an optoelectronic lighting device shown in FIG. 10, which is not according to the invention, has no border 39.
  • the functional layer 37 thus extends to the lateral outer sides of the lighting device. Influences from the environment can thus have a direct effect on the functional layer 37 and possibly accelerate an aging process.

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

Es wird eine optoelektronische Leuchtvorrichtung beschrieben mit: genau einem lichtemittierenden, optoelektronischen Halbleiterbauteil (23), insbesondere eine LED oder ein LED-Chip, wobei das Halbleiterbauteil (23) an wenigstens einer Oberflächenseite (29) einen Austrittsbereich (31) für Licht aufweist, einem Träger (27) für das Halbleiterbauteil (23), wobei das Halbleiterbauteil (23) auf einer Oberseite (25) des Trägers (27) angeordnet ist, wenigstens einer Funktionsschicht (37), insbesondere eine Konversionsschicht zur Konversion von aus dem Austrittsbereich ausgetretenem Licht in Licht mit wenigstens einer anderen Wellenlänge, wobei die Funktionsschicht (37) oberhalb des Austrittsbereichs (31) und/oder neben dem Austrittsbereich (31) angeordnet ist, und einer Einfassung (39) für die Funktionsschicht (37), wobei die Einfassung (39) die Funktionsschicht (37) in einer Umfangsrichtung (U) gesehen umgibt, wobei die Umfangsrichtung (U) parallel zur Trägeroberseite (25) um die Funktionsschicht (37) herum verläuft.

Description

OPTOELEKTRONISCHE LEUCHTVORRICHTUNG , OPTOELEKTRONISCHE BE LEUCHTUNGSEINRICHTUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN
Die vorliegende Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2018 121 338.7, deren Offenba rungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Die vorliegende Erfindung betrifft eine optoelektronische Leuchtvorrichtung, eine optoelektronische Beleuchtungseinrich tung sowie ein Verfahren zur Herstellung von wenigstens einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung oder einer optoelektroni schen Beleuchtungseinrichtung.
Die DE 10 2012 102 114 Al beschreibt eine optoelektronische Leuchtvorrichtung, deren emittiertes Licht effizient genutzt werden kann.
Eine zu lösende Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht da rin, eine optoelektronische Leuchtvorrichtung bereitzustellen, die auf einfache Weise hergestellt werden kann und unempfindlich gegenüber Einflüssen (wie z.B. Feuchte) der Umgebung ist.
Die Aufgabe wird durch eine optoelektronische Leuchtvorrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.
Eine erfindungsgemäße optoelektronische Leuchtvorrichtung um fasst :
wenigstens ein lichtemittierendes Halbleiterbauteil, insbesondere eine LED (von Light Emitting Diode) oder einen LED- Chip, wobei das Halbleiterbauteil an wenigstens einer Oberflä chenseite einen Austrittsbereich für Licht aufweist,
einen Träger für das Halbleiterbauteil, wobei das Halbleiterbauteil auf einer Oberseite des Trägers angeordnet ist, wenigstens eine Funktionsschicht, insbesondere eine Konversionsschicht zur Konversion von aus dem Austrittsbereich ausgetretenem Licht in Licht mit wenigstens einer anderen Wel lenlänge, wobei die Funktionsschicht oberhalb des Austrittsbe- reichs und/oder neben dem Austrittsbereich angeordnet ist, und eine Einfassung für die Funktionsschicht, wobei die Einfassung die Funktionsschicht in einer Umfangsrichtung gese hen umgibt, wobei die Umfangsrichtung parallel zur Trägerober seite um die Funktionsschicht herum verläuft.
Bei der Funktionsschicht kann es sich um eine Konversionsschicht handeln. Die Konversionsschicht kann zum Beispiel Leuchtstoff, zum Beispiel Phosphor, aufweisen und insbesondere aus einem Silikon-Leuchtstoff-Gemisch bestehen. Allgemeiner kann es sich bei der Funktionsschicht um jedwede Schicht handeln, die als Schichtlage direkt oberhalb des lichtemittierenden Halbleiter bauteils angeordnet ist.
Bei dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil kann es sich ins- besondere um einen Oberflächenemitter handeln, dessen Aus trittsbereich für Licht an der vom Träger abgewandten Oberseite des lichtemittierenden Halbleiterbauteils liegt. Die Funktions schicht kann direkt oberhalb des Austrittsbereichs für Licht liegen und somit in Kontakt mit dem Austrittsbereich sein.
Bei dem lichtemittierenden Halbleiterbauteil kann es sich auch um einen Volumenemitter handeln, der einen Austrittsbereich für Licht an der vom Träger abgewandten Oberseite aufweist. Alter nativ oder zusätzlich kann das lichtemittierende Halbleiterteil einen Austrittsbereich für Licht an wenigstens einer seitlichen Oberfläche aufweisen, die senkrecht zur Trägeroberfläche ver läuft. Die Funktionsschicht kann dabei auch in der Ebene der seitlichen Oberfläche angeordnet und somit neben dem Halblei terbauteil vorgesehen sein. Mit Licht soll im Rahmen der vorliegenden Offenbarung nicht nur Licht im sichtbaren Wellenlängenbereich gemeint sein, sondern allgemeiner jedwede elektromagnetische Strahlung, die von einem lichtemittierenden Halbleiterbauteil abgestrahlt werden kann. Insbesondere soll unter Licht auch elektromagnetische Strahlung im infraroten oder ultravioletten Wellenlängenbereich gemeint sein .
Die optoelektronische Leuchtvorrichtung kann insbesondere genau ein lichtemittierendes optoelektronisches Halbleiterbauteil aufweisen. Eine besonders kompakte Ausgestaltung der Leuchtvor richtung ist daher möglich.
Bei der optoelektronischen Leuchtvorrichtung umgibt die Einfas- sung die Funktionsschicht in Umfangsrichtung gesehen. Die Ein fassung bildet somit einen um die Funktionsschicht umlaufenden Rand, durch den die Funktionsschicht vor Einflüssen der Umge bung, zum Beispiel vor Sauerstoff oder Feuchtigkeit, geschützt werden kann. Da eine Funktions- bzw. Konversionsschicht Leucht- Stoff enthalten kann, kann dieser Leuchtstoff zum Beispiel durch die Einfassung vor Feuchtigkeit und/oder Sauerstoff geschützt werden .
Die Einfassung kann die Funktionsschicht derart umgeben, dass die Funktionsschicht in einer Richtung parallel zur Trägerober seite gesehen vollständig innerhalb der Einfassung angeordnet ist. Dadurch kann die Funktionsschicht besonders gut gegen Ein flüsse, die von der Seite her auf die optoelektronische Leucht vorrichtung einwirken, geschützt werden.
Die Einfassung kann eine in der Umfangsrichtung umlaufende Um randung aufweisen, in deren Mitte eine durchgehende Öffnung vorgesehen ist, wobei die Einfassung die Funktionsschicht der art umgibt, dass die Mitte der Umrandung über dem Austrittsbe- reich des Halbleiterbauteils liegt und die Funktionsschicht die Öffnung zumindest teilweise und bevorzugt vollständig ausfüllt. Die Formulierung, dass die Mitte der Umrandung über dem Aus trittsbereich des Halbleiterbauteils liegt, ist insbesondere so zu verstehen, dass die Mitte der Umrandung längs einer Geraden gesehen, die senkrecht zur Trägeroberseite verläuft, über der Mitte des Austrittsbereichs des optoelektronischen Halbleiter bauteils liegt oder mit der Mitte zusammenfällt. Bei einem Vo lumenemitter mit einem Austrittsbereich an wenigstens einer seitlichen Oberfläche kann als Mitte auch die geometrische Mitte des Volumenemitters gemeint sein.
Die Umrandung kann somit einen äußeren Randbereich um die Funk tionsschicht bilden. Da die Mitte der Umrandung über dem Aus trittsbereich des Halbleiterbauteils liegt, befindet sich über dem Austrittsbereich die Funktionsschicht, zum Beispiel eine Konversionsschicht. Das Licht aus dem optoelektronischen Halb leiterbauteil kann somit in die Funktionsschicht gelangen. Das Licht kann von der Funktionsschicht weiter zur vom Träger ab gewandten Oberseite der optoelektronischen Leuchtvorrichtung gelangen und dort nach außen abgestrahlt werden. Das Licht kann alternativ oder zusätzlich durch die für das Licht transparente Umrandung gelangen und an wenigstens einer seitlichen Oberflä che der Leuchtvorrichtung nach außen abgestrahlt werden. Die Umrandung der Einfassung kann wenigstens eine Außenseite aufweisen, welche an einer seitlichen Oberfläche der Leuchtvor richtung liegt. Die Außenseite der Umrandung kann somit einen Teil der seitlichen Oberfläche der Leuchtvorrichtung bilden. Eine einzelne optoelektronische Leuchtvorrichtung kann aus ei- ner zusammenhängenden, matrixartigen Anordnung von derartigen optoelektronischen Leuchtvorrichtungen hergestellt werden. Beim Vereinzeln der optoelektronischen Leuchtvorrichtungen werden die matrixartigen, optoelektronischen Leuchtvorrichtungen von einander getrennt. Dies kann mittels eines Durchtrennvorgangs, beispielsweise mittels eines Schneidvorgangs, erfolgen, wobei eine Durchtrennung in Ebenen erfolgt, die senkrecht zur Trä geroberseite verlaufen. Die seitlichen Oberflächen der verein zelten Leuchtvorrichtungen liegen dann in den Trennebenen. Wenn nun die Umrandung der Einfassung an der seitlichen Oberseite der Leuchtvorrichtung liegt, bedeutet dies, dass in der Schicht ebene der Funktionsschicht keine Durchtrennung durch die Funk tionsschicht, sondern durch die Umrandung der Einfassung erfolgt ist. Dies hat zum Beispiel den Vorteil, dass während des Durch trennvorgangs die Funktionsschicht nicht mit einem Schneidwerk- zeug in Berührung kommt und somit keine Bereiche oder Partikel aus der Funktionsschicht herausgerissen oder beschädigt werden können. Eine derartige Beschädigung könnte beispielsweise im Falle einer Konversionsschicht bei feuchteempfindlichen und/o der oberflächenbeschichteten Leuchtstoffen zu Alterungsproble- men führen. Ferner könnte eine derartige Beschädigung an einer Lichtaustrittsfläche eine sehr raue Oberfläche erzeugen, was sich negativ auf die Bauteileffizienz auswirkt.
Nach einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung liegt we- nigstens eine Außenseite einer Umrandung der Einfassung nicht an einer seitlichen Oberfläche der Leuchtvorrichtung, sondern zwischen der Außenseite und der seitlichen Oberfläche ist we nigstens eine Randschicht, insbesondere aus einem Vergussmate rial, ausgebildet. Die Randschicht kann dabei wenigstens teil- weise transparent ausgestaltet sein. Die Einfassung kann somit materialsparend und kostengünstig ausgebildet werden und gegen über der seitlichen Oberfläche nach hinten zurückversetzt sein.
Die Einfassung kann einen Brechungsindex aufweisen, der zwischen dem Brechungsindex des Konversionsmaterials und Luft liegt. Die Auskoppeleffizienz kann dadurch erhöht werden.
Die Einfassung kann aus einem transparenten Material ausgebil det sein. Die Einfassung kann aus einem Material ausgebildet sein, das Silikon und/oder Glas aufweist oder daraus besteht. Die Einfassung kann aus einem Material ausgestaltet sein, wie es beispielsweise zur Bildung von Dämmen in elektrischen oder optoelektronischen Bauteilen verwendet wird. Bei dem Material kann es sich beispielsweise um ein zähflüssiges, aushärtendes Silikon handeln, welches mittels eines Dispensers aufgetragen werden kann.
Die Funktionsschicht kann an ihrer von der Trägeroberseite ab gewandten Oberseite flach ausgebildet sein oder in der Mitte der Oberseite eine Vertiefung aufweisen. Die in der Mitte ver tiefte Oberseite kann insbesondere zur Reflektorformung ausge staltet sein. Dadurch kann Licht in verbesserter Weise nach außen zu den seitlichen Oberflächen der Leuchtvorrichtung ge lenkt werden.
Über der Oberseite der Funktionsschicht kann wenigstens eine weitere Schicht vorgesehen sein. Insbesondere kann wenigstens eine über der Funktionsschicht angeordnete Schicht Silikon und/oder Titandioxid (T1O2) aufweisen und insbesondere aus mit Titandioxid versetztem Silikon bestehen.
Das lichtemittierende Halbleiterbauteil kann an seinen seitli chen Oberflächen von einem Füllmaterial, beispielsweise ein Si likonmaterial, welches mit Titandioxid versetzt sein kann, um- geben sein. Die Oberseite des Halbleiterbauteils sowie die Ober seite des Füllmaterials können eine ebene Oberfläche bilden, auf der die Funktionsschicht und die Einfassung angeordnet wer den können. Die Einfassung kann auch zumindest teilweise in das Füllmaterial hineinragen.
Insbesondere kann wenigstens eine Deckschicht über der Funkti onsschicht und der Einfassung vorgesehen sein. Die Deckschicht kann lichtdicht ausgestaltet sein. Sie kann somit für das er zeugte Licht intransparent sein. Lichtemission durch die Deck- Schicht hindurch und somit an der Oberseite der Leuchtvorrich tung lässt sich dadurch vermeiden. Dagegen kann die Deckschicht eine Emission an den seitlichen Oberflächen der Leuchtvorrich tung unterstützen. Dabei ist die Einfassung vorzugsweise aus einem transparenten Material ausgestaltet, so dass das Licht durch die Einfassung hindurchtreten und an einer seitlichen Oberfläche der Leuchtvorrichtung austreten kann.
Die Deckschicht kann zur Funktionsschicht hin reflektierend ausgestaltet sein. Licht kann daher an der Grenzfläche zwischen der Deckschicht und der Funktionsschicht von der Deckschicht zurück in die Funktionsschicht reflektiert werden. Wenn es sich bei der Funktionsschicht um eine Konversionsschicht handelt, kann dadurch die Effizienz der Konversion verbessert werden.
Außerdem kann eine reflektierende Deckschicht als eine Art Lichtleiter wirken, um ein Austreten von Licht nach oben zu verhindern und um das Licht durch die für das Licht zumindest teilweise transparente Einfassung hindurch gewissermaßen nach außen zu lenken. Das Licht kann somit an einer seitlichen Ober fläche der Leuchtvorrichtung austreten.
Vorzugsweise kann die Deckschicht an ihrer zur Funktionsschicht weisenden Unterseite eine konvexe, nach außen gewölbte Krümmung aufweisen. Dadurch kann die Deckschicht in verbesserter Weise als Reflektor wirken, um das Licht hin zu den seitlichen Außen seiten der Vorrichtung zu lenken.
Die Erfindung betrifft auch eine optoelektronische Beleuch- tungseinrichtung, insbesondere ein LED-Panel, umfassend:
eine Trägereinrichtung, wobei auf einer Oberseite der Trägereinrichtung eine Vielzahl von Leuchtpunkten matrixartig angeordnet ist, wobei jeder Leuchtpunkt wenigstens ein und be vorzugt genau ein lichtemittierendes Halbleiterbauteil umfasst, das an wenigstens einer Oberflächenseite einen Austrittsbereich für Licht aufweist,
eine Funktionsschicht über und/oder neben den Aus trittsbereichen der Vielzahl von Leuchtpunkten, insbesondere eine Konversionsschicht zur Konversion von Licht der Halblei terbauteile in Licht mit wenigstens einer anderen Wellenlänge, eine Vielzahl von Einfassungen für die Funktions schicht, wobei jede Einfassung eine in einer Umfangsrichtung umlaufende Umrandung aufweist, in deren Mitte eine durchgehende Öffnung vorgesehen ist,
vorzugsweise wenigstens eine Deckschicht über der Funktionsschicht und den Einfassungen,
wobei die Einfassungen zumindest in der Ebene der Funktionsschicht derart angeordnet oder ausgebildet sind, dass sich die Mitte einer jeweiligen Einfassung zumindest annähernd über einem jeweiligen Leuchtpunkt befindet und die Umrandung einen Bereich der Funktionsschicht über und/oder neben dem je weiligen Leuchtpunkt umgibt,
wobei der Bereich der Funktionsschicht die Öffnung der jeweiligen Einfassung zumindest teilweise und vorzugsweise vollständig ausfüllt.
Die optoelektronische Beleuchtungseinrichtung kann insbesondere als eine matrixartige Anordnung von optoelektronischen Leucht vorrichtungen betrachtet werden, wobei die optoelektronischen Leuchtvorrichtungen aus der optoelektronischen Beleuchtungsein richtung durch einen Vereinzelungsvorgang hergestellt werden können. Als matrixartige Anordnung von optoelektronischen Leuchtvorrichtungen wird dabei insbesondere eine arrayartige Anordnung verstanden, bei der die Leuchtvorrichtungen in meh reren Spalten bzw. Reihen angeordnet sind. Dementsprechend wird als matrixartige Anordnung der Leuchtpunkte eine Anordnung ver standen, bei der die Leuchtpunkte arrayartig in mehreren Spalten bzw. Reihen angeordnet sind. Die Einfassungen können die Funktionsschicht entsprechend der matrixartigen Anordnung der Leuchtpunkte matrixartig in ein zelne Bereiche unterteilen, wobei sich für jeden Bereich die Mitte einer jeweiligen Einfassung zumindest annähernd über ei- nem jeweiligen Leuchtpunkt befindet und die Umrandung den Be reich der Funktionsschicht über und/oder neben dem jeweiligen Leuchtpunkt umgibt. Die Bereiche der Funktionsschicht können insbesondere in den Öffnungen der Einfassungen liegen, wobei benachbarte Bereiche der Funktionsschicht um eine um einen je- weiligen Bereich umlaufende Umrandung voneinander getrennt sind.
Die Erfindung betrifft außerdem ein Verfahren zur Herstellung von wenigstens einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung oder einer optoelektronischen Beleuchtungseinrichtung, insbesondere eine erfindungsgemäße Leuchtvorrichtung oder eine erfindungs gemäße optoelektronische Beleuchtungseinrichtung, wobei bei dem Verfahren :
eine Trägereinrichtung bereitgestellt wird, wobei auf einer Oberseite der Trägereinrichtung matrixartig eine Vielzahl von Leuchtpunkten angeordnet ist, wobei jeder Leuchtpunkt we nigstens ein und bevorzugt genau ein lichtemittierendes Halb leiterbauteil umfasst, das an wenigstens einer Oberflächenseite einen Austrittsbereich für Licht aufweist,
in einer Schichtebene über und/oder neben den Aus trittsbereichen der Vielzahl von Leuchtpunkten eine Funktions schicht, insbesondere eine Konversionsschicht zur Konversion von Licht der Halbleiterbauteile in Licht mit wenigstens einer anderen Wellenlänge, und eine Vielzahl von Einfassungen vorge- sehen werden,
bevorzugt über der Funktionsschicht und den Einfas sungen wenigstens eine Deckschicht vorgesehen wird,
wobei jede Einfassung der Vielzahl von Einfassungen eine in einer Umfangsrichtung umlaufende Umrandung aufweist, in deren Mitte eine durchgehende Öffnung vorgesehen ist, wobei die Einfassungen derart angeordnet oder ausge bildet werden, dass sich die Mitte der Umrandung einer jewei ligen Einfassung zumindest annähernd über einen jeweiligen Leuchtpunkt befindet und die Einfassungen die Funktionsschicht in einzelne Bereiche über und/oder neben den Leuchtpunkten un terteilen .
Nach einer bevorzugten Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Ver fahrens wird zuerst die Vielzahl von Einfassungen in der für die Funktionsschicht vorgesehenen Schichtebene angeordnet oder ausgebildet und erst danach wird die Funktionsschicht gebildet, insbesondere in den Öffnungen der Einfassungen.
Umgekehrt kann auch zuerst die Funktionsschicht gebildet werden und danach wird die Vielzahl von Einfassungen in der Schicht ebene der Funktionsschicht angeordnet oder ausgebildet, insbe sondere durch Eindrücken der Vielzahl von Einfassungen in die Funktionsschicht . Vorzugsweise ist die Vielzahl von Einfassungen in einer Git terstruktur, insbesondere aus einem transparenten Material aus gebildet. Die Gitterstruktur kann aus einem festen Material gebildet sein. Die Gitterstruktur lässt sich somit in die Funk tionsschicht eindrücken, insbesondere solange die Funktions- Schicht nicht ausgehärtet ist.
Die Vielzahl von Einfassungen kann durch Aufbringen eines fließ fähigen Materials, insbesondere eines zähflüssigen Materials, gebildet werden. Die Vielzahl von Einfassungen kann, zum Bei- spiel vergleichbar einem Damm, mittels eines Dispensverfahrens gebildet werden. Nach dem Aushärten des fließfähigen Materials kann anschließend die Funktionsschicht in den Zwischenbereichen der Einfassungen ausgebildet werden. Insbesondere kann vorge sehen sein, dass die Leuchtpunkte der Vielzahl von Leuchtpunkten vereinzelt werden. Bei der Vereinzelung der Leuchtpunkte ist bevorzugt vorgesehen, dass in der Schichtebene der Funktions schicht keine Durchtrennung der Funktionsschicht, sondern aus schließlich eine Durchtrennung der Einfassungen erfolgt. Die Einfassungen liegen dadurch an der Außenseite eines vereinzel- ten Leuchtpunkts und somit an der Außenseite einer durch die Vereinzelung gebildeten optoelektronischen Leuchtvorrichtung. Dadurch kann erreicht werden, dass die Funktionsschicht bei einer vereinzelten optoelektronischen Leuchtvorrichtung inner halb einer Einfassung liegt. Die Funktionsschicht kann somit von der umliegenden Einfassung vor Einflüssen der Umgebung ge schützt werden.
Im Folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Figuren näher erläutert. Es zei- gen, jeweils schematisch,
Figur 1 eine Querschnittsansicht einer ersten Variante einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Leuchtvorrich tung,
Figur 2 eine Querschnittsansicht einer zweiten Variante einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Leuchtvorrich tung, Figur 3 eine Querschnittsansicht einer dritten Variante einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Leuchtvorrich tung,
Figur 4 eine Querschnittsansicht einer vierten Variante einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Leuchtvorrich tung,
Figur 5 eine Querschnittsansicht einer fünften Variante einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Leuchtvorrich tung, Figur 6 eine Querschnittsansicht einer ersten Variante einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Beleuchtungsein richtung,
Figur 7 eine Draufsicht auf die optoelektronische Beleuch tungseinrichtung der Fig. 6,
Figur 8 eine Draufsicht auf eine zweite Variante einer erfin dungsgemäßen optoelektronischen Beleuchtungseinrich tung,
Figur 9 eine Draufsicht auf eine dritte Variante einer erfin dungsgemäßen optoelektronischen Beleuchtungseinrich tung, und Figur 10 eine Querschnittsansicht einer nicht erfindungsgemäßen
Variante einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Leuchtvorrichtung .
Die in Figur 1 dargestellte optoelektronische Leuchtvorrich- tung 21 umfasst ein in Form einer LED oder eines LED-Chips ausgestaltetes, lichtemittierendes und optoelektronisches Halb leiterbauteil 23, dessen Unterseite auf der Oberseite 25 eines Trägers 27 angeordnet ist. Das Halbleiterbauteil 23 weist an seiner oberen Oberflächenseite 29 einen Austrittsbereich 31 für Licht auf.
Seitlich neben dem Halbleiterbauteil 23 ist eine Füllschicht 33 angeordnet, die zum Beispiel aus mit Titandioxid versetztem Silikon ausgebildet ist. Bei dem dargestellten Beispiel gemäß Figur 1 bilden die Füllschicht 33 und die obere Oberflächen seite 29 eine ebene Oberfläche. In der darüberliegenden Schicht ebene 35 ist eine Funktionsschicht 37 oberhalb des Austritts bereichs 31 des Halbleiterbauteils 23 angeordnet. Bei der Funk tionsschicht 37 kann es sich insbesondere um eine Konversions- Schicht handeln, welche zur Konversion von aus dem Austritts bereich 31 ausgetretenem Licht in Licht mit wenigstens einer anderen Wellenlänge geeignet ist. Eine derartige Konversions schicht kann beispielsweise in einer Matrix eingebetteten Leuchtstoff aufweisen.
Bei der Leuchtvorrichtung 21 ist außerdem eine Einfassung 39 für die Funktionsschicht 37 vorgesehen. Die Einfassung 39 umgibt die Funktionsschicht 37 in einer Umfangsrichtung U, die parallel zur Trägeroberseite 25 um die Funktionsschicht 37 herum ver läuft. Wie die Darstellung der Figur 1 zeigt, liegt die Einfas sung 39 seitlich oberhalb des Austrittsbereichs 31 des Halblei terbauteils 23, sodass die Einfassung 39 sich zumindest im We sentlichen nicht negativ auf die Emissionseigenschaften des Halbleiterbauteils 23 auswirkt. Die Einfassung 39 liegt auf der seitlichen Füllschicht 33 auf und bildet mit der Funktions schicht 37 eine ebene obere Oberfläche, auf welcher eine Deck schicht 41 angeordnet ist. Die Deckschicht 41 kann beispiels weise aus einem Silikonmaterial ausgestaltet sein, das mit Ti- tandioxid versetzt ist.
Die Einfassung 39 kann aus einem transparenten Material ausge bildet sein, das zum Beispiel ein Silikon und/oder Glas aufweist oder daraus besteht.
Die Einfassung 39 kann zum Beispiel nach dem Ausbilden der Füllschicht 33 in Form eines festen Körpers auf der Oberseite der Füllschicht 33 angeordnet werden. In der von der Einfassung 39 umschlossenen, mittigen Öffnung 43 kann sodann die Funkti- onsschicht 37 ausgebildet werden. Alternativ kann die Einfas sung 39 aus einem zähflüssigen Material, ähnlich einem Damm, zum Beispiel mittels eines Dispensverfahrens, auf der Oberseite der Füllschicht 33 gebildet werden. Nach dem Aushärten des zäh flüssigen Materials kann dann wieder in der von dem Material umschlossenen Öffnung 43 die Funktionsschicht 37 ausgebildet werden .
Wie sich aus Figur 1 ergibt, umfasst die Einfassung 39 eine in der Umfangsrichtung U umlaufende Umrandung 45, welche bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel zum Beispiel einen rechtecki gen Querschnitt aufweist und in deren Mitte die bereits er wähnte, durchgehende Öffnung 43 liegt. Die Umrandung 45 kann in einer Ebene der Umfangsrichtung U gesehen auch einen quadrati- sehen, vieleckigen oder kreisförmigen Querschnitt aufweisen. Auch andere Querschnittsformen sind möglich.
Wie ferner aus Figur 1 gesehen werden kann, weist die Einfas sung 39 bzw. die Umrandung 45 eine Außenseite 47 auf, die von der Öffnung 43 abgewandt ist und an einer seitlichen Oberfläche der Leuchtvorrichtung 21 liegt. Als seitliche Oberflächen der Leuchtvorrichtung 21 werden diejenigen äußeren Oberflächen be zeichnet, welche senkrecht zur Trägeroberfläche 25 nach oben verlaufen .
Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß Figur 1 liegt somit die Au ßenseite 47 an einer Außenfläche der Leuchtvorrichtung, wohin gegen die Funktionsschicht 37 innerhalb der Einfassung 39 liegt. Die Füllschicht 33 ist somit vor Einflüssen der Umgebung ge- schützt. Alterungsprozesse, die zum Beispiel durch Feuchtigkeit hervorgerufen werden, können dadurch an der Füllschicht 33 ver mieden oder zumindest reduziert werden.
Die Deckschicht 41 kann lichtdicht ausgestaltet sein, so dass das Licht nicht durch die Deckschicht 41 hindurch nach oben austreten kann. Die Einfassung 39 kann dagegen aus einem trans parenten Material ausgestaltet sein, so dass das Licht durch eine der seitlichen Außenseiten 47 nach außen abgestrahlt werden kann Die Deckschicht 41 kann zur Funktionsschicht 37 hin reflektie rend ausgestaltet sein. Licht kann an der Grenzfläche zwischen der Deckschicht 41 und der Funktionsschicht 37 in die Funkti onsschicht 37 zurückreflektiert werden. Wenn es sich bei der Funktionsschicht 37 um eine Konversionsschicht handelt, kann dadurch die Effizienz der Konversion verbessert werden.
Die reflektierende Deckschicht 41 kann als eine Art Lichtleiter wirken. Gleiches kann für die Füllschicht 33 gelten. Das zwi schen Deckschicht 41 und Füllschicht 33 hin und her reflektierte Licht kann dabei in verbesserter Weise zu den seitlichen Außen seiten 47 gelenkt werden.
Die in Figur 2 gezeigte zweite Variante einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Leuchtvorrichtung 21 unterscheidet sich von der Variante gemäß Figur 1 dadurch, dass die Umrandung 45 in die Füllschicht 33 hineinragt. In einer Abwandlung kann die Unterseite der Umrandung 45 auch auf der Trägeroberseite 25 aufliegen. Die Einfassung 39 kann dadurch eine Art Stoppkante für die Füllschicht 33 bilden.
Zur Herstellung der Leuchtvorrichtung gemäß Figur 2 kann bei spielsweise zuerst die Füllschicht 33 ausgebildet werden, und anschließend kann die aus einem festen und vorzugsweise trans parenten Material ausgestaltete Einfassung 39 von oben her in die Füllschicht 33 eingedrückt werden. Gemäß einem anderen Bei spiel kann zuerst die Einfassung 39 auf die Trägeroberseite 25 aufgebracht werden, und anschließend kann die Öffnung 43 der Einfassung 39 mit der Füllschicht 33 gefüllt werden, insbeson dere derart, dass die Füllschicht 33 und die obere Oberflächen- Seite 29 der LED 23 eine ebene Oberfläche bilden. Auf dieser Oberfläche kann wiederum, wie in Figur 2 dargestellt, die Funk tionsschicht 37 gebildet werden.
Die in Figur 3 dargestellte dritte Variante einer erfindungs- gemäßen optoelektronischen Leuchtvorrichtung 21 unterscheidet sich von dem Ausführungsbeispiel gemäß Figur 1 insbesondere dadurch, dass die Oberseite der Funktionsschicht 37 nicht flach ausgebildet ist, sondern in der Mitte der Oberseite eine Ver tiefung 49 aufweist. Die Vertiefung 49 kann insbesondere derart ausgestaltet sein, dass die Oberseite der Funktionsschicht 37 eine konkave Krümmung aufweist. Dementsprechend weist die Un terseite der darüber liegenden Deckschicht 41 eine konvexe Krüm mung auf. Die Grenzfläche zwischen der Funktionsschicht 37 und der Deckschicht 41 kann als eine Art Reflektor für das an der Unterseite der Deckschicht 41 reflektierte Licht wirken und das Licht zur Seite hin nach außen reflektieren. Das an der Ober seite 29 des Bauteils 23 nach oben abgestrahlte Licht kann somit, zum Beispiel um 90 Grad, nach außen umgelenkt und durch die transparente Einfassung 39 hindurch nach außen gelangen. In der Funktionsschicht 37 kann dabei eine Konversion des Lichts in Licht mit einer anderen Wellenlänge erfolgen. Die Grenzfläche kann daher eine Art Reflektor 51 bilden. Die Auskoppeleffizienz des in der Leuchtvorrichtung 21 erzeugten Lichts an den seit lichen Oberflächen 47 der Einfassung 39 kann dadurch verbessert werden. Die Deckschicht 41 kann auch lichtdicht ausgestaltet sein, während die Einfassung 39 transparent ist. Außerdem kann die der Funktionsschicht 37 zugewandte Unterseite der Deck schicht 41 als Reflektor ausgestaltet sein. Die Unterseite kann zum Beispiel verspiegelt sein.
Die vierte Variante einer erfindungsgemäßen Leuchtvorrich tung 21 gemäß Figur 4 unterscheidet sich von der Variante gemäß Figur 3 insbesondere dadurch, dass unterhalb der Deckschicht 41 noch eine weitere, sogenannte Zwischenschicht 55 vorgesehen ist. Bei der Zwischenschicht 55 kann es sich zum Beispiel um eine transparente Schicht handeln. Die Zwischenschicht 55 kann auch als weitere Deckschicht über der Funktionsschicht 37 angesehen werden. Sie kann, wie vorstehend in Bezug auf Fig. 1 für die Deckschicht 41 erwähnt wurde, auch lichtdicht und zur Funkti- onsschicht 37 hin reflektierend ausgebildet sein. Dadurch kann eine ausschließliche Lichtauskopplung an einer seitlichen Ober fläche 47 realisiert werden.
Die fünfte Variante einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Leuchtvorrichtung 21 gemäß Figur 5 unterscheidet sich von der Variante gemäß Figur 4 dadurch, dass die Außenseite 47 der Umrandung 45 der Einfassung 39 nicht an einer seitlichen Außen seite der Leuchtvorrichtung 21 liegt, sondern dass zwischen der Außenseite 47 und einer seitlichen Oberfläche 57 der Leuchtvor- richtung 21 eine Randschicht 59 ausgebildet ist. Die Rand schicht 59 wird in dem dargestellten Beispiel von der darüber liegenden Zwischenschicht 55 gebildet, die sich in der Schicht ebene 35 der Funktionsschicht 37 wie in Figur 5 dargestellt zwischen der Außenseite 47 der Umrandung 45 und der seitlichen Oberfläche 57 der Leuchtvorrichtung 21 erstreckt. Die Zwischen schicht 55 und somit insbesondere auch die Randschicht 59 können aus einem, insbesondere transparenten, Vergussmaterial ausge staltet sein. Die in Figur 6 im Querschnitt und in Fig. 7 in Draufsicht dar gestellte erste Variante einer erfindungsgemäßen optoelektro nischen Beleuchtungseinrichtung 61 umfasst eine Trägereinrich tung 63, auf deren Oberseite 65 eine Vielzahl von Leuchtpunkten 67 matrixartig angeordnet ist. Jeder Leuchtpunkt 67 umfasst dabei wenigstens ein lichtemittierendes Halbleiterbauteil, ver gleiche das Halbleiterbauteil 23 in den Figuren 1 bis 5. Zwi schen den Leuchtpunkten 67 ist eine Füllschicht 33 ausgebildet. Über den Austrittsbereichen des wenigstens einen Halbleiterbau teils eines Leuchtpunkts 67 ist eine Funktionsschicht 37 ange- ordnet, bei der es sich insbesondere um eine Konversionsschicht zur Konversion von Licht der Halbleiterbauteile in Licht mit wenigstens einer anderen Wellenlänge handelt. Ferner ist eine Vielzahl von Einfassungen 39 zumindest in der Schichtebene 35 der Funktionsschicht 37 vorgesehen. Jede Einfassung 39 weist eine in einer Umlaufrichtung U umlaufende Umrandung 45 auf, in deren Mitte eine durchgehende Öffnung 43 vorgesehen ist. Die Einfassungen 39 sind zumindest in der Ebene der Funktionsschicht 35 derart angeordnet, dass sich die Mitte einer jeweiligen Ein fassung zumindest annähernd über einem jeweiligen Leuchtpunkt 67 befindet und die Umrandung 39 einen Bereich der Funktions schicht 37 über dem jeweiligen Leuchtpunkt 67 umgibt, wobei der Bereich der Funktionsschicht 37 die Öffnung 43 der jeweiligen Einfassung 39 ausfüllt.
Die Einfassungen 39 unterteilen die Funktionsschicht 37 ent sprechend der matrixartigen Anordnung der Leuchtpunkte 67 somit in einzelne Bereiche 69, wobei sich für jeden Bereich 69 die Mitte einer jeweiligen Einfassung 39 zumindest annähernd über dem jeweiligen Leuchtpunkt 67 befindet und die Umrandung 45 den Bereich 69 der Funktionsschicht 37 über dem jeweiligen Leucht punkt 67 umgibt.
Aus der Beleuchtungseinrichtung 61 gemäß den Figuren 6 und 7 können mehrere Leuchtvorrichtungen 21 gemäß Figur 1 durch einen Vereinzelungsvorgang hergestellt werden. Dabei erfolgt eine Durchtrennung der Trägereinrichtung 63 sowie den darüber lie genden Schichten in senkrecht zur Oberseite 65 der Trägerein richtung 63 verlaufenden Trennebenen E. Diese Trennebenen E verlaufen zumindest im Wesentlichen mittig durch die Einfassun gen 39 bzw. die Umrandungen 45 hindurch. Dadurch wird erreicht, dass die Außenseiten 47 der Umrandungen 45 bei den vereinzelten Leuchtvorrichtungen 21 an den seitlichen Oberflächen der ver einzelten Leuchtvorrichtungen 21 liegen, wie Fig. 1 zeigt. Die Funktionsschicht 37 einer vereinzelten Leuchtvorrichtung 21 kann somit durch die sie umgebende Einfassung 39 vor Einflüssen der Umgebung geschützt werden.
Eine Durchtrennung längs der Ebenen E kann zum Beispiel anhand von Sägeprozessen erfolgen, bei denen eine Wasserkühlung zum Einsatz kommen kann. Die Einfassung 39 schützt die Funktions schicht 37 der Leuchtvorrichtungen 21 während des Sägevorgangs zum Beispiel vor Feuchtigkeit durch die Wasserkühlung. Da ein Sägevorgang nicht direkt an dem Material der Funktionsschicht 37 durchgeführt wird, entstehen an der Funktionsschicht 37 außer dem keine mechanischen Beschädigungen.
Die Beleuchtungseinrichtungen 61 der Figuren 8 und 9 sind ähn lich aufgebaut wie die Beleuchtungseinrichtung der Figuren 6 und 7. Allerdings weisen bei der Beleuchtungseinrichtung 61 der Figur 8 die Öffnungen 43 der Umrandungen 45 keinen quadratischen Querschnitt auf, sondern einen sechseckigen Querschnitt, ins besondere mit zumindest im Wesentlichen gleich langen Seiten. Bei der Variante der Figur 8 hängen die Einfassungen 39 bzw. die Umrandungen 45 - wie bei der Variante gemäß den Figuren 6 und 7 - zusammen. Bei einem Vereinzelungsvorgang und entspre chenden Durchtrennungen längs der Ebenen E werden dabei anei nander angrenzende Einfassungen 39 durchtrennt. Die zusammenhängenden Einfassungen 39 bilden, wie die Figuren 7 und 8 zeigen, eine Art Gitterstruktur 71, die zum Beispiel als fester, insbesondere transparenter, Körper ausgestaltet sein kann. Die Gitterstruktur 71 kann bei der Herstellung der Beleuchtungseinrichtung 61 auf die Oberseite der Füllschicht 33 gelegt oder auch teilweise in diese eingedrückt werden (vgl. die Variante gemäß Fig. 2) .
Bei der Beleuchtungseinrichtung 61 gemäß der Figur 9 sind die Einfassungen 39 voneinander getrennt. Die Umrandung 45 einer jeweiligen Einfassung 39 weist zumindest näherungsweise einen kreisförmigen Querschnitt auf. Die Umrandungen 45 können ein zeln gebildet sein, zum Beispiel mittels eines Dispensverfah rens, bei welchem die Einfassungen 39 bzw. die Umrandungen 45 unter Aufbringung eines zähflüssigen Materials gebildet werden, welches aushärtet. Die Vereinzelung kann wiederum mittels Durchtrennung an den Trennebenen E erfolgen. Bezogen auf die Schichtebene 35 (vgl. Fig. 6) erfolgt dabei eine Durchtrennung im Bereich der Zwi schenräume zwischen den Einfassungen 39. Diese Zwischenräume können mit einer Randschicht gefüllt sein, vgl. die Randschicht 59 in Fig. 5. Durch Vereinzelung können aus der Beleuchtungs einrichtung 61 der Fig. 9 somit Leuchtvorrichtungen gemäß Fig. 5 gebildet werden. Die in Figur 10 gezeigte, nicht erfindungsgemäße Ausgestaltung einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung weist, im Gegensatz zu den Leuchtvorrichtungen gemäß der Figuren 1 bis 5, keine Einfassung 39 auf. Die Funktionsschicht 37 erstreckt sich somit bis an die seitlichen Außenseiten der Leuchtvorrichtung. Ein- flüsse aus der Umgebung können sich somit direkt auf die Funk tionsschicht 37 auswirken und möglicherweise einen Alterungs vorgang beschleunigen.
BEZUGSZEICHENLISTE
21 optoelektronische Leuchtvorrichtung
23 lichtemittierendes Halbleiterbauteil, LED 25 Trägeroberseite
27 Träger
29 Oberflächenseite
31 Austrittsbereich
33 Füllschicht
35 Schichtebene
37 FunktionsSchicht
39 Einfassung
41 Deckschicht
43 Öffnung
45 Umrandung
47 Außenseite der Umrandung
49 Vertiefung
51 Reflektor
53 Oberseite
55 Zwischenschicht
57 seitliche Oberfläche
59 Randschicht
61 optoelektronische Beleuchtungseinrichtung 63 Trägereinrichtung
65 Oberseite
67 Leuchtpunkte
69 Funktionsschichtbereich
71 GitterStruktur
U Umfangsriehtung
E Trennebene

Claims

ANSPRÜCHE
1. Optoelektronische Leuchtvorrichtung mit
genau einem lichtemittierenden, optoelektronischen Halbleiterbauteil (23) , insbesondere eine LED oder ein LED-Chip, wobei das Halbleiterbauteil (23) an wenigstens einer Oberflächenseite (29) einen Austrittsbereich (31) für Licht aufweist,
einem Träger (27) für das Halbleiterbauteil (23), wo bei das Halbleiterbauteil (23) auf einer Oberseite (25) des Trägers (27) angeordnet ist,
wenigstens einer Funktionsschicht (37), insbesondere eine Konversionsschicht zur Konversion von aus dem Aus trittsbereich ausgetretenem Licht in Licht mit wenigstens einer anderen Wellenlänge, wobei die Funktionsschicht (37) oberhalb des Austrittsbereichs (31) und/oder neben dem Austrittsbereich (31) angeordnet ist, und
einer Einfassung (39) für die Funktionsschicht (37), wobei die Einfassung (39) die Funktionsschicht (37) in einer Umfangsrichtung (U) gesehen umgibt, wobei die Um fangsrichtung (U) parallel zur Trägeroberseite (25) um die Funktionsschicht (37) herum verläuft.
2. Optoelektronische Leuchtvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass
die Einfassung (39) die Funktionsschicht (37) derart umgibt, dass die Funktionsschicht (37) in einer Richtung parallel zur Trägeroberseite (25) gesehen vollständig in nerhalb der Einfassung (39) angeordnet ist.
3. Optoelektronische Leuchtvorrichtung nach Anspruch 1 oder
2,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Einfassung (39) eine in der Umfangsrichtung (U) um laufende Umrandung (45) aufweist, in deren Mitte eine durchgehende Öffnung (43) vorgesehen ist, wobei die Ein fassung (39) die Funktionsschicht (37) derart umgibt, dass die Mitte der Umrandung (45) über dem Austrittsbe reich (31) des Halbleiterbauteils (23) und/oder über der Mitte des Halbleiterbauteils (23) liegt und die Funkti onsschicht (37) die Öffnung (43) zumindest teilweise und bevorzugt vollständig ausfüllt.
4. Optoelektronische Leuchtvorrichtung nach einem der vor hergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass
eine Umrandung (45) der Einfassung (39) wenigstens eine Außenseite (47) aufweist, welche an einer seitlichen Oberfläche (57) der Leuchtvorrichtung (21) liegt, wobei, insbesondere, die seitliche Oberfläche (57) und/oder die
Außenseite (47) der Umrandung (45) zumindest im Wesent lichen senkrecht zur Trägeroberseite (25) verläuft.
5. Optoelektronische Leuchtvorrichtung nach einem der vor- hergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass
wenigstens eine Außenseite (47) einer Umrandung (45) der Einfassung (39) nicht an einer seitlichen Oberfläche (57) der Leuchtvorrichtung (21) liegt, sondern zwischen der Außenseite (47) und der seitlichen Oberfläche (57) we nigstens eine Randschicht (59) , insbesondere aus einem Vergussmaterial, ausgebildet ist.
6. Optoelektronische Leuchtvorrichtung nach einem der vor hergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Einfassung (39) einen Brechungsindex aufweist, der zwischen dem Brechungsindex des Konversionsmaterials und
Luft liegt.
7. Optoelektronische Leuchtvorrichtung nach einem der vor hergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Einfassung (39) aus einem transparenten Material und/oder einem Material ausgebildet ist, das Silikon und/oder Glas aufweist oder daraus besteht.
8. Optoelektronische Leuchtvorrichtung nach einem der vor hergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Funktionsschicht (37) an ihrer von der Trägerober seite (25) abgewandten Oberseite flach ausgebildet ist oder in der Mitte der Oberseite eine Vertiefung (49) aufweist, insbesondere zur Ausbildung eines Reflektors (51) .
9. Optoelektronische Leuchtvorrichtung nach einem der vor hergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass
wenigstens eine Deckschicht (41) über der Funktions schicht (37) und der Einfassung (39) vorgesehen ist, wo bei, bevorzugt, die Deckschicht lichtdicht ist und/oder zur Funktionsschicht (37) hin reflektierend ausgestaltet ist .
10. Optoelektronische Beleuchtungseinrichtung, umfassend:
eine Trägereinrichtung (63), wobei auf einer Ober seite (65) der Trägereinrichtung (63) eine Vielzahl von Leuchtpunkten (67) matrixartig angeordnet ist, wobei je der Leuchtpunkt (67) genau ein lichtemittierendes Halb leiterbauteil (23) umfasst, das an wenigstens einer Ober flächenseite (29) einen Austrittsbereich (31) für Licht aufweist, eine Funktionsschicht (37, 69) über und/oder neben den Austrittsbereichen (31) der Vielzahl von Leuchtpunk ten (67), insbesondere eine Konversionsschicht zur Kon version von Licht der Halbleiterbauteile (23) in Licht mit wenigstens einer anderen Wellenlänge,
eine Vielzahl von Einfassungen (39) für die Funkti onsschicht (37, 69), wobei jede Einfassung (39) eine in einer Umfangsrichtung (U) umlaufende Umrandung (45) auf weist, in deren Mitte eine durchgehende Öffnung (43) vor- gesehen ist,
optional wenigstens eine Deckschicht (41) über der Funktionsschicht (37) und den Einfassungen (39),
wobei die Einfassungen (39) zumindest in der Ebene (35) der Funktionsschicht (37, 69) derart angeordnet oder ausgebildet sind, dass sich die Mitte einer jeweiligen
Einfassung (39) zumindest annähernd über einem jeweiligen Leuchtpunkt (67) befindet und die Umrandung (45) einen Bereich (69) der Funktionsschicht (37) über und/oder ne ben dem jeweiligen Leuchtpunkt (67) umgibt, wobei der Bereich (69) der Funktionsschicht (37) die Öffnung (43) der jeweiligen Einfassung (39) zumindest teilweise und vorzugsweise vollständig ausfüllt.
11. Optoelektronische Beleuchtungseinrichtung nach Anspruch 10,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Einfassungen (39) die Funktionsschicht (37) entspre chend der matrixartigen Anordnung der Leuchtpunkte (67) matrixartig in einzelne Bereiche (69) unterteilen, wobei sich für jeden Bereich (69) die Mitte einer jeweiligen
Einfassung (39) zumindest annähernd über einem jeweiligen Leuchtpunkt (67) befindet und die Umrandung (45) den Be reich (69) der Funktionsschicht (37) über dem jeweiligen Leuchtpunkt (67) umgibt.
12. Verfahren zur Herstellung von wenigstens einer optoelekt ronischen Leuchtvorrichtung oder einer optoelektroni schen Beleuchtungseinrichtung, insbesondere eine Leucht vorrichtung (21) nach einem der Ansprüche 1 bis 9 oder eine optoelektronische Beleuchtungseinrichtung (61) nach
Anspruch 10 oder 11, wobei bei dem Verfahren:
eine Trägereinrichtung (63) bereitgestellt wird, wo bei auf einer Oberseite (65) der Trägereinrichtung (63) matrixartig eine Vielzahl von Leuchtpunkten (67) ange- ordnet ist, wobei jeder Leuchtpunkt (67) wenigstens ein lichtemittierendes Halbleiterbauteil (23), insbesondere genau ein lichtemittierendes Halbleiterbauteil (23) , um fasst, das an wenigstens einer Oberflächenseite (29) ei nen Austrittsbereich (31) für Licht aufweist,
in einer Schichtebene (35) über und/oder neben den
Austrittsbereichen (31) der Vielzahl von Leuchtpunkten (67) eine Funktionsschicht (37), insbesondere eine Kon versionsschicht zur Konversion von Licht der Halbleiter bauteile (23) in Licht mit wenigstens einer anderen Wel- lenlänge, und eine Vielzahl von Einfassungen (39) vorge sehen werden,
optional wenigstens eine Deckschicht (41) über der Funktionsschicht (37) und den Einfassungen (39) vorgese hen wird,
wobei jede Einfassung (39) der Vielzahl von Einfas sungen (39) eine in einer Umfangsrichtung (U) umlaufende Umrandung (45) aufweist, in deren Mitte eine durchgehende Öffnung (43) vorgesehen ist, wobei die Einfassungen (39) derart angeordnet oder ausgebildet werden, dass sich die Mitte der Umrandung (45) einer jeweiligen Einfassung (39) zumindest annähernd über einem jeweiligen Leuchtpunkt (67) befindet und die Einfassungen (39) die Funktions schicht (37) in einzelne Bereiche (69) über und/oder ne ben den Leuchtpunkten (67) unterteilen.
13. Verfahren nach Anspruch 12,
dadurch gekennzeichnet, dass
zuerst die Vielzahl von Einfassungen (39) , insbesondere in der Schichtebene (35), angeordnet oder ausgebildet wird und erst danach die Funktionsschicht (37) gebildet wird, insbesondere in den Öffnungen (43) der Einfassungen (39) , oder umgekehrt, dass zuerst die Funktionsschicht (37) gebildet wird und danach die Vielzahl von Einfas sungen (39) , insbesondere in der Schichtebene (35) , an- geordnet oder ausgebildet wird, insbesondere durch Ein drücken der Vielzahl von Einfassungen (39) in die Funk tionsschicht (37).
14. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Vielzahl von Einfassungen (39) in einer Gitterstruk tur (71), insbesondere aus einem transparenten Material, ausgebildet ist.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 14,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Vielzahl von Einfassungen (39) durch Aufbringen eines fließfähigen Materials gebildet wird, insbesondere mit tels eines Dispensverfahrens, und anschließend die Funk- tionsschicht (37) gebildet wird.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 15,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Leuchtpunkte (67) der Vielzahl von Leuchtpunkten ver- einzelt werden, indem die Trägereinrichtung (63) und die darauf angeordneten Schichten an zwischen den Leuchtpunk ten (67) liegenden Ebenen (E) , die senkrecht zur Ober seite (65) der Trägereinrichtung (63) verlaufen, durch trennt werden, wobei keine der Ebenen (E) durch die Funk tionsschicht (37) verläuft, sondern ausschließlich durch die Einfassungen (39) oder durch einen Zwischenbereich zwischen benachbarten Einfassungen (39) .
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