WO2020040508A1 - 양자점 발광다이오드 패키지 및 그 제조 방법 - Google Patents

양자점 발광다이오드 패키지 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
WO2020040508A1
WO2020040508A1 PCT/KR2019/010509 KR2019010509W WO2020040508A1 WO 2020040508 A1 WO2020040508 A1 WO 2020040508A1 KR 2019010509 W KR2019010509 W KR 2019010509W WO 2020040508 A1 WO2020040508 A1 WO 2020040508A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
quantum dot
light
conversion layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/KR2019/010509
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
강상욱
이승준
손호진
양은혜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Korea University Research and Business Foundation
Original Assignee
Korea University Research and Business Foundation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020190079010A external-priority patent/KR102289273B1/ko
Application filed by Korea University Research and Business Foundation filed Critical Korea University Research and Business Foundation
Publication of WO2020040508A1 publication Critical patent/WO2020040508A1/ko
Priority to US17/181,017 priority Critical patent/US11697762B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/811—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions
    • H10H20/812—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions within the light-emitting regions, e.g. having quantum confinement structures
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/84—Coatings, e.g. passivation layers or antireflective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/852—Encapsulations
    • H10H20/854—Encapsulations characterised by their material, e.g. epoxy or silicone resins

Definitions

  • the present application relates to a quantum dot light emitting diode package and a method for manufacturing the same, and more particularly, a light conversion layer including a curable functional group on an inorganic oxide surface, a resin formed by combining a crosslinkable material, and a quantum dot dispersed on the resin. It relates to a quantum dot light emitting diode package comprising a and a method of manufacturing the same.
  • quantum dots have a brightness that is several hundred times higher than that of organic- and inorganic-light emitting bodies.
  • the quantum dots can easily adjust the wavelength of light emitted according to the size.
  • displays or lighting devices that use quantum dots alone, or combine quantum dots with other light emitters are being actively developed.
  • LEDs light emitting diodes
  • quantum dots it may be degraded by water and oxygen, and may be decomposed or photochromic.
  • the light may be deteriorated by light emitted from the light emitting diodes, and the quantum dot film formed by filming the quantum dots is spaced apart from the light emitting diode elements at a predetermined distance, or further including a reflective sheet to prevent deterioration of the quantum dot film.
  • the thickness of the quantum dot-light emitting diode device may be thick, or may have a lower light conversion rate than when the quantum dot film and the light emitting diode are in direct contact.
  • Korean Patent Publication No. 10-1172351 includes (a) manufacturing a photoconversion ink, (b) an upper plastic sheet and a lower plastic sheet using at least one roll presser. Forming a photoconversion material film using the photoconversion ink therebetween to form a photoconversion film, (c) directing a blue light emitting diode to at least one or more sides or lower surfaces of a lower substrate having a light guide plate, (d In the method of manufacturing a white surface light source device comprising the step of laminating the light conversion film on the lower substrate, the step (a), the polymer resin for imparting viscosity to the ink in the primary organic solvent Step, adding a photoconversion material to the first organic solvent containing the polymer resin, at room temperature to the first organic solvent to which the polymer resin and the photoconversion material is added Adding a second organic solvent to prevent the ink from hardening, and heat-treating a solution in which the polymer resin, the photo
  • One technical problem to be solved by the present application is to provide a quantum dot light emitting diode package and a method of manufacturing the same.
  • Another technical problem to be solved by the present application is to provide a quantum dot light emitting diode package including a light conversion layer manufactured by a relatively simple method that is crosslinked with light emitted from the light emitting diode and a method of manufacturing the same.
  • Another technical problem to be solved by the present application is to include an inorganic oxide surface-modified with a curable functional group, a resin consisting of a crosslinkable material bonded to the curable functional group, and a quantum dot uniformly dispersed on the resin, excellent light transmittance
  • the present invention provides a quantum dot light emitting diode package including a light conversion layer having a light emitting method, and a method of manufacturing the same.
  • Another technical problem to be solved by the present application is to provide a quantum dot light emitting diode package and a method of manufacturing the same by converting a part of the light emitted from the light emitting diode to represent white light.
  • the present application provides a quantum dot light emitting diode package.
  • the quantum dot light emitting diode package may include a package body having recessed grooves, a metal substrate disposed on a bottom surface of the recessed groove, a reflective plate disposed on a side surface of the recessed groove, and disposed on the metal substrate. And a light conversion layer covering the light emitting diode, wherein the light conversion layer includes a curable functional group on the surface of an inorganic oxide, a resin formed by combining a crosslinkable material, and a quantum dot dispersed on the resin.
  • the light conversion layer includes a curable functional group on the surface of an inorganic oxide, a resin formed by combining a crosslinkable material, and a quantum dot dispersed on the resin.
  • the light emitting diodes may include flip-chip type light emitting diodes.
  • the light conversion layer may include converting a part of light emitted from the light emitting diode to emit white light.
  • the light emitting diode may include a blue light emitting diode
  • the light conversion layer may include a red light emitting quantum dot and a green light emitting quantum dot.
  • the light emitting diode may include a blue light emitting diode
  • the light conversion layer may include a yellow light emitting quantum dot for converting light emitted from the blue light emitting diode into white light.
  • the photoconversion layer may include at least one quantum dot having an emission peak wavelength in a wavelength longer than that of the light emitting diode.
  • the light conversion layer may further include a light scattering agent.
  • the light scattering agent may include at least one of air bubbles, glass beads, or polymer beads.
  • the present application provides a method of manufacturing a quantum dot light emitting diode package.
  • the method of manufacturing the quantum dot light emitting diode package may include a package body having recessed grooves, a metal substrate disposed on a bottom surface of the recessed groove, a reflector disposed on a side surface of the recessed groove, and the metal substrate.
  • the forming of the light conversion layer may include preparing a quantum dot ink including the quantum dot, an inorganic oxide having a curable functional group, and a crosslinkable material, wherein the quantum dot ink is the light emitting diode formed thereon. Implanting on the concave grooves, and forming the light conversion layer including the quantum dots dispersed in the resin by forming a resin crosslinked with the curable functional group and the crosslinkable material by light emitted from the light emitting diodes. It may include the step.
  • the crosslinkable material may include at least one of oligo acrylate, siloxane-based acrylate, poly silazane, or silicone polymer resin.
  • a method of manufacturing a quantum dot light emitting diode package includes a package body having a recessed groove, a metal substrate disposed on a bottom surface of the recessed groove, a reflective plate disposed on a side surface of the recessed groove, The method may include preparing a preliminary package structure including a light emitting diode disposed on the metal substrate, and forming a light conversion layer covering the light emitting diode.
  • the forming of the light conversion layer may include preparing a quantum dot ink including the quantum dot, an inorganic oxide having a curable functional group, and a crosslinkable material, and depositing the quantum dot ink on the concave groove in which the light emitting diode is formed. Implanting, and forming a resin crosslinked with the curable functional group and the crosslinkable material with light emitted from the light emitting diode, and forming the light conversion layer including the quantum dots dispersed in the resin. can do.
  • the resin may provide light stability and thermal stability to the quantum dots. Accordingly, the quantum dot light emitting diode may have a structure in which the light conversion layer directly contacts the light emitting diode. In addition, the resin may have moisture permeation and anti-oxygen properties. Accordingly, the resin can easily prevent the phenomenon in which the quantum dots are degraded and decomposed by light, heat, moisture, and oxygen.
  • the resin may be easily formed by the light emitted from the light emitting diodes. Accordingly, the process cost of forming the light conversion layer can be easily reduced.
  • FIG. 1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a quantum dot light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a quantum dot light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
  • 3 to 5 are photographs showing a manufacturing process of a quantum dot light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
  • 6 to 9 are photographs showing the results of applying the on-chip using the 0.5W-LED of the quantum dot light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
  • 10 and 11 are photographs showing the results of applying the on-chip using the 8W-LED of the quantum dot light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a photograph of an on-chip application result using a 0.2W blue bare LED of a quantum dot light emitting diode package according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a diagram illustrating light emission spectra obtained at a 20 mA input current of a 0.2W blue bare LED of a quantum dot LED package according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • first, second, and third are used to describe various components, but these components should not be limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Thus, what is referred to as the first component in one embodiment may be referred to as the second component in other embodiments.
  • first component in one embodiment may be referred to as the second component in other embodiments.
  • second component in other embodiments.
  • Each embodiment described and illustrated herein also includes its complementary embodiment.
  • the term 'and / or' is used herein to include at least one of the components listed before and after.
  • FIG. 1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a quantum dot light emitting diode package according to an embodiment of the present invention
  • Figure 2 is a schematic cross-sectional view of a quantum dot light emitting diode package according to an embodiment of the present invention
  • Figure 3 is 2 is a diagram illustrating a coupling structure of a light conversion layer of a quantum dot light emitting diode package according to an embodiment.
  • a package body 110 having recessed grooves, a metal substrate 120 disposed on a bottom surface of the recessed grooves, a reflective plate 130 disposed on side surfaces of the recessed grooves, and A preliminary package structure including a light emitting diode 140 disposed on the metal substrate may be prepared (S110).
  • the package body 110 may have a mounting groove formed on a lower surface thereof.
  • the package body 110 may have an electrode formed on a lower surface thereof.
  • the package body 110 may include an electrode on an opposite surface of the concave groove.
  • the package body 110 may electrically connect the electrode and the light emitting diode 140 provided therein through the mounting groove.
  • the package body 110 may be formed of an insulating material.
  • the insulating material may be at least one selected from an epoxy resin, a polyimide resin, and the like.
  • the metal substrate 120 may be provided between the light emitting diode 140 and the electrode. Accordingly, the metal substrate 120 may facilitate electrical connection between the light emitting diode 140 and the electrode. In this case, the metal substrate 120 may have high thermal conductivity, and thus may easily release heat generated during the operation of the light emitting diode 140. That is, the metal substrate 120 may provide a heat dissipation effect.
  • the metal substrate 120 may include at least one metal selected from copper, aluminum, and the like.
  • the reflective plate 130 may be formed on the side surface of the package body 110.
  • the package body 110 may have a larger cross-sectional area of the opening than the lower surface.
  • the package body 110 may be formed to have an obtuse angle between the lower surface and the side surface. Accordingly, the reflector 130 may easily condense the light emitted from the light emitting diodes 140 provided in the package body 110.
  • the reflector 130 may be formed of a metal material that is opaque and has a high reflectance. Accordingly, as described above, the reflective plate 130 may have high thermal conductivity, thereby easily dissipating heat generated from the light emitting diode 140.
  • the reflector plate 130 may be an aluminum plate.
  • it may be a polyamide-based resin, wherein the polyamide-based resin is at least one of a terephthalic acid unit represented by ⁇ Formula 1> below, a dicarboxylic acid unit represented by ⁇ Formula 2>, etc. It may include a unit of.
  • a, b, and c may have integer values of several tens to tens, and n and m may have integer values of tens to tens of thousands.
  • the light emitting diode 140 may be provided on the metal substrate 120.
  • the light emitting diode 140 may be electrically connected to the metal substrate 120 through any one of a solder ball or a bump structure. That is, the light emitting diodes 140 may be flip-chip type light emitting diodes 140.
  • the light emitting diode 140 when the light emitting diode 140 is the light emitting diode 140 of the wire-bonding type, an insulating material is formed between the light emitting diode 140 and the metal substrate 120. It may further include a layer, the light emitting diode 140 may be electrically connected to the metal substrate 120 through the metal-wire. In this case, the metal-wire may be disconnected, thereby reducing the lifespan of the light emitting diode package.
  • the light emitting diode 140 when the light emitting diode 140 is a flip-chip type light emitting diode, the light emitting diode 140 may be electrically coupled with the metal substrate 120 in a plurality of structures. In addition, the lifespan and heat dissipation characteristics of the LED package may be improved.
  • a light conversion layer 150 covering the light emitting diode 140 may be formed (S120).
  • the light conversion layer 150 may be manufactured by curing the quantum dot ink including the quantum dot 152, an inorganic oxide having a curable functional group 156, and a crosslinkable material 158.
  • the light conversion layer 150 may be prepared by injecting the quantum dot ink into the recessed groove in which the light emitting diodes 140 are formed, and then curing the quantum dot ink with light emitted from the light emitting diodes 140.
  • the step of curing the quantum dot ink may be performed without additional processing equipment for irradiating heat or light energy. Therefore, the light conversion layer 150 may be manufactured in a relatively simple process. In addition, the forming of the light conversion layer 150 does not require the additional process equipment, the process cost can be reduced.
  • the light conversion layer 150 injects the quantum dot ink into the recessed groove in which the light emitting diodes 140 are formed, and then irradiates UV light on the quantum dot ink to cure the quantum dot ink.
  • the ultraviolet light may be uniformly irradiated over the entire area of the quantum dot ink, and thus, the quantum dot ink may be easily cured. That is, the resin 154 surrounding the quantum dot 152 may be easily formed, and accordingly, stability of the quantum dot 152 may be improved.
  • the light conversion layer 150 may include particles of the inorganic oxide 156 and the quantum dot 152. At this time, the average distance between the particles may be 0.3nm or less.
  • the average distance between the particles is more than 0.3nm
  • the average distance between the particles may be larger than the average diameter of the oxygen molecules, and water molecules. Accordingly, the oxygen molecules and the water molecules can easily move between the particles.
  • the light conversion layer 150 may have excellent moisture permeability and oxygen permeation prevention characteristics. Accordingly, the light conversion layer 150 may easily prevent the quantum dot 152 from being decomposed by reacting with the oxygen molecules and the water molecules, thereby exhibiting high light conversion efficiency.
  • the light conversion layer 150 is an additive of at least one of zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrO 2 ), or aluminum oxide (Al 2 O 3 ) to improve the moisture permeability and oxygen permeation prevention properties. It may further include.
  • the light conversion layer 150 may include a resin 154 in which the curable functional group and the crosslinkable material 158 are bonded, and the quantum dots dispersed in the resin 154. 152 may include.
  • the quantum dot 152 is a quantum dot 152 having a core-shell structure including a quantum dot core 152c and a quantum dot shell 152s surrounding the quantum dot core 152c. May be).
  • the quantum dot 152 may be the quantum dot 152 of the core-shell structure, and may be a nanocapsule quantum dot further including a capsule layer bonded to a surface of the quantum dot shell 152s.
  • the nanocapsule quantum dots may be prepared by coating the quantum dot ink on a substrate and then pulverizing and redispersing the quantum dot ink thin film formed by curing.
  • the quantum dot 152 may include a heterogeneous material, and may be formed by doping one material with another material.
  • the quantum dot 152 is at least one of a semiconductor compound of Group 12-16, a Group 13-15 semiconductor compound, a Group 14-16 semiconductor compound, a Group 14 semiconductor compound, or a Group 14 semiconductor material. It may include.
  • the semiconductor compound of Group 12-16 is cadmium sulfur (CdS), cadmium selenium (CdSe), cadmium tellurium (CdTe), zinc sulfur (ZnS), zinc selenium (ZnSe), zinc tellurium (ZnTe) , Zinc oxide (ZnO), mercury sulfur (HgS), mercury selenium (HgSe), or mercury tellurium (HgTe) may be at least one.
  • the semiconductor compound of Group 13-15 is gallium nitrogen (GaN), gallium phosphorus (GaP), gallium arsenide (GaAs), gallium antimony (GaSb), aluminum nitrogen (AlN), aluminum phosphorus (AlP), At least one of aluminum arsenic (AlAs), aluminum antimony (AlSb), indium nitrogen (InN), indium phosphorus (InP), indium arsenic (InAs), or indium antimony (InSb).
  • the semiconductor compound of Group 14-16 may be tin sulfur (SnS), tin selenium (ZnSe), tin tellurium (SnTe), lead sulfur (PbS), lead selenium (PbSe), or lead tellurium (PbTe). ) May be at least one.
  • the semiconductor compound of Group 14 may be either silicon carbon (SiC) or silicon germanium (SiGe).
  • the semiconductor material of Group 14 may be either silicon (Si) or germanium (Ge).
  • the modified inorganic oxide 156 may include a metal element.
  • the modified inorganic oxide 156 may include a curable material combined with the metal element.
  • the curable material may include functional groups capable of bonding with the metal element, and the curable functional groups at both ends. Therefore, the modified inorganic oxide 156 may be manufactured by combining the metal element and the functional group, and at the same time, the curable functional group may be disposed on the surface of the inorganic oxide 156.
  • the inorganic oxide 156 may be at least one of silicon oxide, aluminum oxide, gallium oxide, indium oxide, germanium oxide, tin oxide, palladium oxide, titanium oxide, zirconium oxide, or hafnium oxide.
  • the curable material may be a silane-based crosslinking agent, and the functional group may be an alkylethoxysilyl group.
  • the curable material may be (3-aminopropyl) silanetriol (APST) represented by ⁇ Formula 3> below, 3- (trimethoxysilyl) propyl represented by ⁇ Formula 4> below.
  • APST (3-aminopropyl) silanetriol
  • the crosslinkable material 158 may be a crosslinkable acrylate.
  • the crosslinkable material 158 may include at least one of oligo acrylate, siloxane-based acrylate, or silicone polymer resin.
  • the oligo acrylate is ethylene glycol dimethacrylate (EGDMA) represented by the following ⁇ Formula 13>, tri (ethylene glycol) dimethacrylate (TEGMMA) represented by the following ⁇ Formula 14>, 2- (acryloyloxymethyl) -2-ethylpropane-1,3-diyl diacrylate (AEDA) represented by the following ⁇ Formula 15>, pentaerythritol triacryl represented by the following ⁇ Formula 16> (PETA), trimethylolpropane triacrylate (TMPTA) represented by ⁇ Formula 17> below, dipentaethyltritol acrylate (DPEA), represented by ⁇ Formula 18> below, ⁇ Formula 19> Dipentaerythritol hexaacrylate (DPHA) represented by>, dipentaerythritol pentaacrylate (DPPA) represented by ⁇ Formula 20> below, or trimethylo
  • the siloxane-based acrylate is 3- (trimethoxysilyl) propyl methacrylate (MSPM) represented by the above ⁇ Formula 4>, 3- (trimethoxy represented by the above ⁇ Formula 7>.
  • the silicone polymer resin may be polysilazane represented by ⁇ Formula 22>.
  • R may be an alkyl group selected from methyl, ethyl, propyl, butyl and the like.
  • the quantum dot ink may further include a light scattering agent.
  • the light scattering agent may change a path of light incident to the light conversion layer 150 and diffuse the emitted light.
  • the light scattering agent may include at least one of metal oxide particles, air bubbles, glass beads, or polymer beads.
  • a protective layer may be further formed on the light conversion layer 150.
  • the protective layer may be a thin film covering the light conversion layer 150.
  • the passivation layer may transmit light emitted from the light emitting diodes 140 and the light conversion layer 150.
  • the protective layer may prevent diffusion of the oxygen molecules and the water molecules into the light conversion layer 150. That is, the protective layer may have high light transmittance and moisture permeability and oxygen permeation prevention characteristics.
  • the protective layer may be at least one of polyethylene terephthalate (PET), polyester (PES), polyethylene naphthalate (PEN), polypropylene (PP), or polyethylene (PE).
  • the protective layer has moisture permeability and anti-oxygen resistance, but may further serve as a lens.
  • the protective layer may have any one shape selected from a semicircle, a square pyramid, and the like.
  • the protective layer has a semicircular shape, light emitted from the light conversion layer 150 may be concentrated in the vertical direction of the light conversion layer 150.
  • the passivation layer may easily emit light generated by the light emitting diodes 140 and the light conversion layer 150 to the outside of the light conversion layer 150.
  • the protective layer is at least one of polyethylene terephthalate (PET), polyester (PES), polyethylene naphthalate (PEN), polypropylene (PP), or polyethylene (PE) Can be.
  • the concave groove is formed on the package body 110, the metal substrate 120 disposed on the lower surface of the concave groove, and the concave groove.
  • a quantum dot light emitting diode package including the reflective plate 130, the light emitting diode 140 disposed on the metal substrate 120, and the light conversion layer 150 covering the light emitting diode 140. Can be.
  • the light conversion layer 150 may transmit a portion of the light emitted from the light emitting diode 140, and convert the remaining portion into light having a different wavelength. Accordingly, the light conversion layer 150 may include at least one or more of the quantum dots 152 having a maximum emission peak at a longer wavelength than the wavelength of the maximum emission peak of the light emitting diode 140. Accordingly, the quantum dot light emitting diode package may represent a light emitting color in which light emitted from the light emitting diode 140 and light emitted by being converted and emitted from the light conversion layer 150 are mixed. In this case, the emission color may be white light.
  • the light emitting diode 140 may be a blue light emitting diode
  • the light conversion layer 150 may include a green light emitting quantum dot and a red light emitting quantum dot.
  • the blue light emitting diode may exhibit a maximum emission peak in the range of 440 to 490 nm
  • the green-emitting quantum dot may exhibit a maximum emission peak in the range of 520 to 560 nm
  • the red-emitting quantum dot may be 630. It may exhibit a maximum emission peak in the range of 660nm.
  • the green-emitting quantum dot may convert blue light emitted from the blue light emitting diode to emit green light.
  • the red-emitting quantum dots may emit red light by converting the blue light.
  • the red-emitting quantum dots may convert the blue light to emit the red light.
  • the light conversion layer 150 may include 5% of the green-emitting quantum dots, and 5% of the red-emitting quantum dots.
  • the quantum dot LED package may be mixed with the blue light, the green light emitted by the blue light, and the red light converted by the blue light, and the green light is mixed to emit white light. That is, in the quantum dot light emitting diode package, the tricolor light including the blue light, the green light, and the red light may be mixed with each other to emit the white light. Accordingly, the quantum dot light emitting diode package may have high color reproducibility. That is, the quantum dot light emitting diode may exhibit a high color rendering index (CRI).
  • CRI color rendering index
  • the quantum dot light emitting diode package may include the light emitting diode 140 and the quantum dot 152 having light emission characteristics having a complementary color relationship.
  • the light emitting diodes 140 may be light blue light emitting diodes, and the light conversion layer 150 may include red light emitting quantum dots.
  • the light emitting diode 140 may be a blue light emitting diode, and the light conversion layer 150 may include a yellow light emitting quantum dot.
  • the light conversion layer 150 may include a single material, and thus, the light conversion layer 150 may be easily manufactured.
  • the quantum dot light emitting diode package may include the light emitting diode 140 and the light conversion layer 150 for converting light emitted from the light emitting diode 140 into light having a different wavelength.
  • the light conversion layer 150 includes the curable functional group on the surface of the inorganic oxide 156, the resin 154 formed by combining the crosslinkable material 158, and the quantum dots dispersed on the resin 154. 152 may include.
  • the resin 154 may provide light stability and thermal stability to the quantum dots 152 dispersed therein. Accordingly, the resin 154 may prevent the quantum dot 152 from being degraded by light or heat. Accordingly, the quantum dot light emitting diode package may be manufactured in a structure in which the light emitting diode 140 and the light conversion layer 150 directly contact each other.
  • the resin 154 may have moisture permeation and oxygen permeation prevention properties, and thus, may prevent the quantum dot 152 from being decomposed by reacting with the oxygen molecules and the water molecules. That is, the quantum dot 152 may be improved in stability by the resin 154 surrounding the quantum dot 152.
  • the light conversion layer 150 may be prepared by curing the quantum dot ink mixed with the inorganic oxide 156, the crosslinkable material 158, and the quantum dot 152 surface-modified with the curable functional group. have.
  • the quantum dot ink may be cured by light emitted from the light emitting diodes 140 after the light emitting diodes 140 are coated in the recessed grooves. That is, the step of curing the quantum dot ink can be manufactured without additional equipment, thereby, the manufacturing process of the light conversion layer 150 can be simplified, the cost of the manufacturing process can be reduced.
  • DPPA Dipentaerythritol pentaacrylate
  • 3-methacryloxypropyl trimethoxysilane as the curable material
  • silicon oxide as inorganic oxide (88% of solid content 40%, average particle size 20nm, Illinois) Nalco Corporation, Naperville, Inc., using 'Nalco 2327'
  • CdSe @ ZnS were prepared as the quantum dots.
  • DPPA dipentaerythritol pentaacrylate
  • a second mixture was prepared by mixing 15 g of the 3- (trimethoxysilyl) propyl methacrylate (MSPM) with the first mixture.
  • the third mixture was lightly vacuum distilled to a pressure range of 80 to 120 mmHg at a temperature in the range of 50 to 54 ° C. to remove most of the water and methanol contained in the third mixture to prepare a dried product.
  • IPA isopropyl alcohol
  • distilled water was diluted with a mixed solvent mixed in a weight ratio of 14: 1 to a solid content of 50%.
  • the mixed solvent was again provided to the mixture of 50% of the solid content and diluted to 25% of the solid content.
  • the red-emitting quantum dots in chloroform solvent were dispersed using the acryloyl poroline (ACMO).
  • a quantum dot solution according to Experimental Examples 1 to 4 was mixed by mixing a solution having the quantum dots dispersed therein and 1.5 g of the (1-hydroxycyclohexyl) (phenyl) methanone (HCPM) in a mixture having a solid content of 25%. Prepared.
  • the quantum dot solution according to Experimental Example 1 described above was coated on a polyethylene terephthalate (PET) substrate to a thickness of 2.5 mm.
  • PET polyethylene terephthalate
  • the coated substrate was flash dried in an air circulation oven at a temperature of 60 ° C. for 2.5 minutes to remove most of the isopropyl alcohol.
  • a high pressure mercury lamp (using 'QC 1202' of Fiji Industries, Plainfield, Ill.) was provided to cure the dried coating.
  • the curing conditions are 20m / min, 400V, 100mJ / cm 2 , and air atmosphere.
  • the bulk capsule structure was made transparent on the substrate.
  • a microcapsule quantum dot was prepared through a grinding process.
  • the nanocapsule quantum dots were prepared by providing the quantum dot microcapsules in the dichlorobenzene solvent.
  • Quantum dots Quantum Dots (Modified Inorganic Oxide + Crosslinkable Material) Comparative Example 1 - - Comparative Example 2 - - Experimental Example 1 CdSe @ ZnS 1: 1 Experimental Example 2 CdSe @ ZnS 1:10 Experimental Example 3 CdSe @ ZnS 1:10 Experimental Example 4 CdSe @ ZnS 1:10 Experimental Example 5 Nanocapsule quantum dotCdSe @ ZnS @ capsule 1:10
  • FIG. 4 to 6 are photographs illustrating a manufacturing process of a quantum dot light emitting diode package according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • the package main body is described above.
  • An electrode was included on the opposite side of the recess.
  • the package body further includes a structure for connecting the electrodes.
  • the structure has a structure in which a plurality of the light emitting diodes may be provided and the anode and the cathode of the light emitting diodes are connected in parallel.
  • the structure was manufactured by soldering wires such that the same poles were connected in parallel. After the soldering process, power is connected to both ends of the wire, and electrical energy may be provided through the anode and the cathode of the light emitting diode.
  • a package main body on which the metal electrode and the light emitting diode were formed was provided on the structure. After the package body was provided, as shown in b) of FIG. 5, the quantum dot ink was provided to cover the light emitting diodes.
  • the plurality of light emitting diodes were provided with the quantum dot ink. After providing the quantum dot ink, as shown in Fig. 6B, the light emitting diodes were operated and at the same time the quantum dot ink was cured.
  • the quantum dot light emitting diode package shown in FIG. 7 may not include the light conversion layer. That is, before the step of forming the light conversion layer, the manufactured quantum dot light emitting diode package may be manufactured. Referring to FIGS. 8 and 10, a result according to the concentration of the quantum dot in the quantum dot ink may be confirmed. In this case, the quantum dot ink may include a red light emitting quantum dot. As shown in (a) of FIG. 8 and (a) of FIG. 10, it can be seen that all of the light emitting diodes display red color. On the contrary, as shown in FIGS.
  • the quantum dot ink is the same.
  • the quantum dot light emitting diode package manufactured by different methods of curing the quantum dot ink was photographed.
  • the quantum dot light emitting diode package (Experimental Example 3) shown in (b) of FIG. 10 coated the quantum dot ink and then operated the light emitting diode to cure the quantum dot ink. It was confirmed that the light emission colors of the quantum dot light emitting diode packages shown in FIGS. 9 and 10 were substantially the same in all areas. Accordingly, it was confirmed that the quantum dot light emitting diode package may be easily manufactured by a simple process of operating the light emitting diode after applying the quantum dot ink and without pretreatment such as ultraviolet irradiation.
  • the concentration of the quantum dot ink is the same, but the quantum dot of the quantum dot light emitting diode package illustrated in FIG. 11 may further include a capsule layer on a surface thereof. That is, the quantum dot light emitting diode package (Experimental Example 3) shown in FIG. 10 includes the quantum dots of the core-shell structure, and the quantum dot light emitting diode package (Experimental Example 5) shown in FIG. 11 is the core-shell structure of the The quantum dot surface may further include a capsule layer. Accordingly, the quantum dot light emitting diode package according to Experimental Example 5 may include the quantum dot of the core-shell structure having a lower concentration than the quantum dot light emitting diode package according to Experimental Example 3.
  • the quantum dot light emitting diode package using the quantum dot ink according to Experimental Example 5 is the quantum dot light emitting diode package using the quantum dot ink according to Experimental Example 3 It can be seen that the color is closer to that of the quantum dot light emitting diode package using the quantum dot ink according to Comparative Example 1 shown in FIG.
  • Fig. 10B and Fig. 11B the same results as in Figs. 10A and 10B can be confirmed.
  • FIG. 12 before and after light emission of the quantum dot light emitting diode package before the light conversion layer is manufactured is taken.
  • FIG. 13A FIG.
  • a red light emitting quantum dot of a core-shell structure and the quantum dot ink having a ratio of the modified inorganic oxide and the crosslinkable material in a ratio of 1:10 are injected onto the concave groove shown in FIG. 12. It became.
  • FIG. 13B the light emitting diodes were operated to cure the quantum dot ink.
  • the quantum dot light emitting diode package (Experimental Example 4) has a high power of the light emitting diode, and thus, the quantum dot ink It was confirmed that the evaporation according to. Therefore, it was confirmed that the quantum dot ink is easily cured at a low power of 0.5W.
  • FIG. 14 is a photograph photographing an on-chip application result using a 0.2W blue bare LED of a quantum dot LED package according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 15 is 0.2W of a quantum dot LED package according to an embodiment of the present invention. The emission spectrum obtained from the 20 mA input current of the blue bare LED is shown.
  • the quantum dot light emitting diode package having the same quantum dot ink composition ratio as in Experimental Example 3 and Example 4 described above with reference to Table 1 and including a blue light emitting diode of 0.2 W was photographed. That is, the quantum dot ink of the quantum dot light emitting diode package is cured by a 0.2 W blue light emitting diode.
  • the blue light emitting diode of 0.2 W has an emission peak at about 380 nm.
  • the quantum dot light emitting diode package included the light conversion layer having the red-emitting quantum dot having an emission peak at about 620 nm, and accordingly, the quantum dot light emitting diode package included an emission peak of the blue light emitting diode, and the red light. It was confirmed that all the emission peaks of the light-emitting quantum dots were shown.
  • the quantum dot light emitting diode package and the method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention can be utilized in various industrial fields such as living lighting, automotive lighting, architectural lighting, agricultural and fishery lighting, medical and beauty instruments, traffic lights and the like.

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

양자점 발광다이오드 패키지에 있어서, 오목홈이 형성된 패키지 본체, 상기 오목홈의 하부면 상에 배치된 금속 기판, 상기 오목홈의 측면 상에 배치된 반사판, 상기 금속 기판 상에 배치된 발광다이오드, 및 상기 발광다이오드를 덮는 광변환층을 포함하되, 상기 광변환층은, 무기산화물 표면의 경화성 관능기와, 가교성 물질이 결합되어 형성된 레진, 및 상기 레진 상에 분산된 양자점을 포함할 수 있다.

Description

양자점 발광다이오드 패키지 및 그 제조 방법
본 출원은 양자점 발광다이오드 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 무기산화물 표면의 경화성 관능기와, 가교성 물질이 결합되어 형성된 레진, 및 상기 레진 상에 분산된 양자점으로 구성된 광변환층을 포함하는 양자점 발광다이오드 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 양자점은 유기-발광체 및 무기-발광체보다 수 백배 이상의 높은 휘도를 가진다. 또한, 양자점은 크기에 따라 발광되는 빛의 파장을 비교적으로 용이하게 조절할 수 있다. 이러한 양자점의 장점을 활용하기 위해, 양자점을 단독으로 사용하거나, 양자점을 다른 발광체와 결합한 디스플레이, 또는 조명소자가 활발하게 개발 중이다. 특히, 현재 주로 사용되는 발광다이오드(LED)의 경우, 색재현의 한계가 있어, 양자점과의 결합이 필수적이라고 할 수 있다.
하지만, 양자점의 경우, 수분, 산소에 의해 열화되어 분해되거나, 광변색될 수 있다. 또한, 발광다이오드에서 방출되는 빛에 의해서도 열화될 수 있어, 양자점을 필름화시킨 양자점 필름을 발광다이오드 소자와 일정 거리를 두고 이격시키거나, 반사시트를 더 포함하여, 양자점 필름의 열화를 방지하고 있다. 그러나, 이 경우, 양자점-발광다이오드 소자의 두께가 두꺼워지거나, 직접적으로 양자점 필름과 발광다이오드가 접촉하는 경우보다 낮은 광변환율을 가질 수 있다. 이에 따라, 양자점 필름과 발광다이오드가 직접적으로 접촉하되, 발광다이오드에서 방출되는 높은 광속(light flux) 및 작동 시간의 경과에 따라 발생되는 높은 열 에너지에 견딜 수 있는 양자점 필름 소재의 개발이 요구되고 있다.
예를 들어, 대한민국 등록 특허 공보 10-1172351(출원번호 10-2010-0013006)에는 (a) 광변환 잉크를 제조하는 단계, (b) 적어도 하나 이상의 롤 압착기를 이용하여 상부 플라스틱 시트와 하부 플라스틱 시트 사이에 상기 광변환 잉크를 이용한 광변환 물질막을 형성하여 광변환 필름을 형성하는 단계, (c) 도광판을 구비한 하부기판의 적어도 하나 이상의 측면 또는 하부면에 청색 발광다이오드를 직접하는 단계, (d) 상기 하부기판 상에 상기 광변환 필름을 적층하는 단계를 포함하는 백색 면광원 장치 제조 방법에 있어서, 상기 (a) 단계는, 잉크에 점성을 부여하기 위한 고분자 수지를 제 1차 유기용매에 녹이는 단계, 상기 고분자 수지가 포함된 제 1차 유기용매에 광변환 물질을 첨가하는 단계, 상기 고분자 수지 및 광변환 물질이 첨가된 제 1차 유기용매에 상온에서 잉크가 굳지 않도록 해주는 제 2차 유기용매를 첨가하는 단계, 및 상기 고분자 수지, 광변환 물질, 제 1차 유기용매 및 제 2차 유기용매가 혼합된 용액을 열처리하여 제 2차 유기 용매를 휘발시키는 단계를 포함하되, 상기 광변환 물질은 유기물 다이, 양자점 또는 무기물 형광체 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 백색 면광원 장치 제조방법이 개시된다.
본 출원이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는 양자점 발광다이오드 패키지 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 출원이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는 발광다이오드에서 방출되는 빛으로 가교되는 비교적으로 단순한 방법으로 제조된 광변환층을 포함하는 양자점 발광다이오드 패키지 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 출원이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는 경화성 관능기로 표면 개질된 무기산화물, 상기 경화성 관능기와 결합된 가교성 물질로 구성된 레진, 및 상기 레진 상에 균일하게 분산된 양자점을 포함하고, 우수한 광투과성을 갖는 광변환층을 포함하는 양자점 발광다이오드 패키지 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 출원이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는 발광다이오드에서 방출되는 빛 중에서 일부를 변환시켜 백색광을 나타내는 양자점 발광다이오드 패키지 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 출원이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 상술된 것에 제한되지 않는다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 출원은, 양자점 발광다이오드 패키지를 제공한다.
일 실시 예에 따르면, 상기 양자점 발광다이오드 패키지는 오목홈이 형성된 패키지 본체, 상기 오목홈의 하부면 상에 배치된 금속 기판, 상기 오목홈의 측면 상에 배치된 반사판, 상기 금속 기판 상에 배치된 발광다이오드, 및 상기 발광다이오드를 덮는 광변환층을 포함하되, 상기 광변환층은, 무기산화물 표면의 경화성 관능기와, 가교성 물질이 결합되어 형성된 레진, 및 상기 레진 상에 분산된 양자점을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 발광다이오드는, 플립-칩 타입의 발광다이오드를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 광변환층은, 상기 발광다이오드에서 방출되는 빛 중의 일부를 변환시켜 백색광을 방출하는 것을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 발광다이오드는, 청색 발광다이오드를 포함하고, 상기 광변환층은, 적색 발광 양자점 및 녹색 발광 양자점을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 발광다이오드는, 청색 발광다이오드를 포함하고, 상기 광변환층은, 상기 청색 발광다이오드에서 방출되는 빛을 백색광으로 변환시키는 황색 발광 양자점을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 광변환층은, 상기 발광다이오드의 발광 피크 파장보다 장파장의 영역에서 발광 피크 파장을 갖는 적어도 하나 이상의 양자점을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 양자점은, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InP, InAs, 또는 InSb 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 광변환층은, 광산란제를 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 광산란제는, 에어 버블, 유리 비드 또는 중합체 비드 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 출원은, 양자점 발광다이오드 패키지의 제조 방법을 제공한다.
일 실시 예에 따르면, 상기 양자점 발광다이오드 패키지의 제조 방법은 오목홈이 형성된 패키지 본체, 상기 오목홈의 하부면 상에 배치된 금속 기판, 상기 오목홈의 측면 상에 배치된 반사판, 및 상기 금속 기판 상에 배치된 발광다이오드를 포함하는 예비 패키지 구조체를 준비하는 단계, 및 상기 예비 패키지 구조체의 상기 발광다이오드를 덮는 광변환층을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 광변환층은, 무기산화물 표면의 경화성 관능기와, 가교성 물질이 결합되어 형성된 레진, 및 상기 레진 상에 분산된 양자점을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 광변환층을 형성하는 단계는, 상기 양자점, 경화성 관능기를 갖는 무기산화물, 및 가교성 물질을 포함하는 양자점 잉크를 준비하는 단계, 상기 양자점 잉크를 상기 발광다이오드가 형성된 상기 오목홈 상에 주입하는 단계, 및 상기 발광다이오드에서 방출되는 빛으로 상기 경화성 관능기, 및 상기 가교성 물질이 가교된 레진을 형성하고, 상기 레진 내에 분산된 상기 양자점을 포함하는 상기 광변환층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 가교성 물질은, 올리고 아크릴레이트, 실록잔계 아크릴레이트, 폴리 실라잔, 또는 실리콘 고분자 수지 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른, 상기 양자점 발광다이오드 패키지의 제조 방법은, 오목홈이 형성된 패키지 본체, 상기 오목홈의 하부면 상에 배치된 금속 기판, 상기 오목홈의 측면 상에 배치된 반사판, 및 상기 금속 기판 상에 배치된 발광다이오드를 포함하는 예비 패키지 구조체를 준비하는 단계, 및 상기 발광다이오드를 덮는 광변환층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
이 때, 상기 광변환층을 형성하는 단계는 상기 양자점, 경화성 관능기를 갖는 무기산화물, 및 가교성 물질을 포함하는 양자점 잉크를 준비하는 단계, 상기 양자점 잉크를 상기 발광다이오드가 형성된 상기 오목홈 상에 주입하는 단계, 및 상기 발광다이오드에서 방출되는 빛으로 상기 경화성 관능기, 및 상기 가교성 물질이 가교된 레진을 형성하고, 상기 레진 내에 분산된 상기 양자점을 포함하는 상기 광변환층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 레진은 상기 양자점에 광안정성 및 열안정성을 제공할 수 있다. 이에 따라, 상기 양자점 발광다이오드는 상기 발광다이오드 상에 상기 광변환층이 직접적으로 맞닿는 구조를 가질 수 있다. 또한, 상기 레진은 투습 및 투산소 방지 특성을 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 레진은 상기 양자점이 광, 열, 수분 및 산소에 의해 열화되어 분해되는 현상을 용이하게 방지할 수 있다.
또한, 상기 레진은 상기 발광다이오드에서 방출되는 빛에 의해 용이하게 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 광변환층을 형성하는 단계의 공정비용이 용이하게 절감될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 양자점 발광다이오드 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 양자점 발광다이오드 패키지의 개략적인 단면도이다.
도 3 내지 도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 양자점 발광다이오드 패키지의 제조 공정을 촬영한 사진이다.
도 6 내지 도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 양자점 발광다이오드 패키지의 0.5W-LED를 이용한 온-칩 적용결과를 촬영한 사진이다.
도 10 및 도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 양자점 발광다이오드 패키지의 8W-LED를 이용한 온-칩 적용결과를 촬영한 사진이다.
도 12 및 도 13은 본 발명의 실시 예에 따른 양자점 발광다이오드 패키지의 8W-LED를 이용한 온-칩 적용결과를 촬영한 사진이다.
도 14는 본 발명의 실시 예에 따른 양자점 발광다이오드 패키지의 0.2W 청색 Bare LED를 이용한 온-칩 적용결과를 촬영한 사진이다.
도 15는 본 발명의 실시 예에 따른 양자점 발광다이오드 패키지의 0.2W 청색 Bare LED의 20mA 입력 전류에서 얻은 발광스펙트럼을 나타내는 도면이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시 예에 제 1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시 예에서는 제 2 구성요소로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.
명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다.
또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 양자점 발광다이오드 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이고, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 양자점 발광다이오드 패키지의 개략적인 단면도이고, 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 양자점 발광다이오드 패키지의 광변환층의 결합 구조를 나타내는 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 오목홈이 형성된 패키지 본체(110), 상기 오목홈의 하부면 상에 배치된 금속 기판(120), 상기 오목홈의 측면 상에 배치된 반사판(130), 및 상기 금속 기판 상에 배치된 발광다이오드(140)를 포함하는 예비 패키지 구조체가 준비될 수 있다(S110).
상기 패키지 본체(110)는 하부면 상에 장착용 홈이 형성될 수 있다. 또한, 상기 패키지 본체(110)는 아랫면에 전극이 형성될 수 있다. 다시 말하면, 상기 패키지 본체(110)는 상기 오목홈의 반대면 상에 전극을 포함할 수 있다. 상기 패키지 본체(110)는 상기 장착용 홈을 통해 상기 전극, 및 내부에 제공되는 발광다이오드(140)를 전기적으로 연결할 수 있다. 이에 따라, 상기 패키지 본체(110)는 절연성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 절연성 물질은 에폭시계 수지, 폴리이미드계 수지 등에서 선택되는 적어도 어느 하나일 수 있다.
상기 금속 기판(120)은 상기 발광다이오드(140), 및 상기 전극 사이에 제공될 수 있다. 이에 따라, 상기 금속 기판(120)은 상기 발광다이오드(140), 및 상기 전극 사이에 전기적인 접속을 용이하게 할 수 있다. 이 때, 상기 금속 기판(120)은 열전도성이 높을 수 있고, 이에 따라, 상기 발광다이오드(140)의 동작 과정에서 발생하는 열을 용이하게 방출시킬 수 있다. 즉, 상기 금속 기판(120)은 방열 효과를 제공할 수 있다. 예를 들어, 상기 금속 기판(120)은 구리, 알루미늄 등에서 선택되는 적어도 어느 하나의 금속을 포함할 수 있다.
상기 반사판(130)은 상기 패키지 본체(110)의 측면 상에 형성될 수 있다. 이 때, 상기 패키지 본체(110)는 하부면에 비해 개구부의 단면적이 더 클 수 있다. 다시 말하면, 상기 패키치 본체(110)는 하부면과 측면 사이에 둔각을 갖도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 반사판(130)은 상기 패키지 본체(110) 내부에 제공된 상기 발광다이오드(140)에서 방출되는 빛을 용이하게 집광시킬 수 있다.
구체적으로, 상기 반사판(130)은 불투명하고 높은 반사율을 갖는 금속 물질로 형성될 수 있다. 이에 따라, 상술된 바와 같이, 상기 반사판(130)은 높은 열전도성을 가져, 상기 발광다이오드(140)에서 발생하는 열을 용이하게 방출할 수 있다. 예를 들어, 상기 반사판(130)은 알루미늄판일 수 있다. 또는 다른 예를 들어, 폴리아미드계 수지일 수 있고, 상기 폴리아미드계 수지는 아래의 <화학식 1>로 표기되는 테레프탈산 단위, 아래의 <화학식 2>로 표기되는 디카르복실산 단위 등에서 적어도 어느 하나의 단위를 포함할 수 있다.
<화학식 1>
Figure PCTKR2019010509-appb-I000001
<화학식 2>
Figure PCTKR2019010509-appb-I000002
여기서, a, b, 및 c는 수 내지 수십의 정수 값을 갖고, n 및 m은 수 십 내지 수 만의 정수 값을 가질 수 있다.
상기 발광다이오드(140)는 상기 금속 기판(120) 상에 제공될 수 있다. 이 때, 상기 발광다이오드(140)는 솔더-볼(solder-ball) 또는 범프(bump) 중에서 어느 하나의 구조체를 통해, 상기 금속 기판(120)과 전기적으로 접속할 수 있다. 즉, 상기 발광다이오드(140)는 플립-칩 타입의 상기 발광다이오드(140)일 수 있다.
만약, 상술된 바와 달리, 상기 발광다이오드(140)가 와이어-본딩(wire-bonding) 타입의 상기 발광다이오드(140)인 경우, 상기 발광다이오드(140) 및 상기 금속 기판(120) 사이에 절연 물질층을 더 포함할 수 있고, 상기 발광다이오드(140)는 상기 금속 기판(120)과 금속-와이어를 통해 전기적으로 접속될 수 있다. 이 경우, 상기 금속-와이어가 단선될 수 있고, 이에 따라, 발광다이오드 패키지의 수명이 감소할 수 있다.
하지만, 상술된 바와 같이, 발광다이오드(140)가 플립-칩 타입의 발광다이오드인 경우, 상기 발광다이오드(140)는 다수의 구조체로 상기 금속 기판(120)과 전기적으로 결합될 수 있고, 이에 따라, 상기 발광다이오드 패키지의 수명 및 방열 특성이 향상될 수 있다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 상기 발광다이오드(140)를 덮는 광변환층(150)이 형성될 수 있다(S120).
일 실시 예에 따르면, 상기 광변환층(150)은 양자점(152), 경화성 관능기를 갖는 무기산화물(156), 및 가교성 물질(158)을 포함하는 양자점 잉크를 경화시켜 제조될 수 있다. 구체적으로, 상기 광변환층(150)은 상기 양자점 잉크를 상기 발광다이오드(140)가 형성된 오목홈 상에 주입한 후, 상기 발광다이오드(140)에서 방출되는 빛으로 상기 양자점 잉크를 경화시켜 제조될 수 있다. 즉, 상기 양자점 잉크를 경화시키는 단계는 열 또는 광 에너지를 조사해주기 위한 추가적인 공정 장비없이 수행될 수 있다. 따라서, 상기 광변환층(150)은 비교적 간단한 공정으로 제조될 수 있다. 또한, 상기 광변환층(150)을 형성하는 단계는 추가적인 상기 공정 장비가 필요없어, 상기 공정 비용이 절감될 수 있다.
일 변형 예에 따르면, 상기 광변환층(150)은 상기 양자점 잉크를 상기 발광다이오드(140)가 형성된 오목홈 상에 주입한 후, 상기 양자점 잉크 상에 자외선을 조사하여, 상기 양자점 잉크를 경화시켜 제조될 수 있다. 이 때, 상기 자외선은 상기 양자점 잉크의 전영역에 걸쳐 균일하게 조사될 수 있고, 이에 따라, 상기 양자점 잉크는 용이하게 경화될 수 있다. 즉, 상기 양자점(152)을 감싸는 상기 레진(154)이 용이하게 형성될 수 있고, 이에 따라, 상기 양자점(152)의 안정성이 향상될 수 있다.
이에 따라, 상기 광변환층(150)은 상기 무기산화물(156)과 상기 양자점(152)의 입자를 포함할 수 있다. 이 때, 상기 입자 간의 평균 거리는 0.3nm 이하일 수 있다.
만약, 상술된 바와 달리, 상기 입자 간의 평균 거리가 0.3nm 초과인 경우, 상기 입자 간의 평균 거리는 산소 분자, 및 물 분자의 평균 직경보다 클 수 있다. 이에 따라, 상기 입자 사이로 상기 산소 분자, 및 상기 물 분자가 용이하게 이동할 수 있다.
하지만, 상술된 바와 같이, 상기 입자 간의 평균 거리가 0.3nm 이하인 경우, 상기 산소 분자, 및 상기 물 분자의 평균 직경보다 작을 수 있다. 이에 따라, 상기 광변환층(150)은 우수한 투습, 및 투산소 방지 특성을 가질 수 있다. 따라서, 상기 광변환층(150)은 상기 양자점(152)이 상기 산소 분자, 및 상기 물 분자와 반응하여 분해되는 현상을 용이하게 방지하여, 높은 광변환효율을 나타낼 수 있다. 이 때, 상기 광변환층(150)은 상기 투습 및 투산소 방지 특성을 향상시키기 위한 아연 산화물(ZnO), 지르코늄 산화물(ZrO2), 또는 알루미늄 산화물(Al2O3) 중에서 적어도 어느 하나의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
구체적으로, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 광변환층(150)은 상기 경화성 관능기, 및 상기 가교성 물질(158)이 결합된 레진(154), 및 상기 레진(154) 내에 분산된 상기 양자점(152)을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 양자점(152)은 양자점 코어(152c), 상기 양자점 코어(152c)를 감싸는 양자점 쉘(152s)로 구성된 코어-쉘 구조의 상기 양자점(152)일 수 있다.
다른 실시 예에 따르면, 상기 양자점(152)은 상기 코어-쉘 구조의 상기 양자점(152)이되, 상기 양자점 쉘(152s)의 표면에 결합된 캡슐층을 더 포함하는 나노캡슐양자점일 수 있다. 구체적으로, 상기 나노캡슐양자점은 상기 양자점 잉크를 기재 상에 코팅한 후, 경화시켜 형성된 양자점 잉크 박막을 분쇄, 및 재분산시켜 제조될 수 있다.
또 다른 실시 예에 따르면, 상기 양자점(152)은 이종 물질을 포함하되, 하나의 물질이 다른 하나의 물질에 도핑되어 형성될 수 있다.
구체적으로, 상기 양자점(152)은 12-16족의 반도체 화합물, 13-15족의 반도체 화합물, 14-16족의 반도체 화합물, 14족의 반도체 화합물 또는 14족의 반도체 물질 중에서 적어도 어느 하나의 물질을 포함할 수 있다.
예를 들어, 12-16족의 상기 반도체 화합물은 카드뮴황(CdS), 카드뮴셀레늄(CdSe), 카드뮴텔루륨(CdTe), 아연황(ZnS), 아연셀레늄(ZnSe), 아연텔루륨(ZnTe), 아연산화물(ZnO), 수은황(HgS), 수은셀레늄(HgSe), 또는 수은텔루륨(HgTe) 중에서 적어도 어느 하나일 수 있다.
다른 예를 들어, 13-15족의 상기 반도체 화합물은 갈륨질소(GaN), 갈륨인(GaP), 갈륨비소(GaAs), 갈륨안티몬(GaSb), 알루미늄질소(AlN), 알루미늄인(AlP), 알루미늄비소(AlAs), 알루미늄안티몬(AlSb), 인듐질소(InN), 인듐인(InP), 인듐비소(InAs), 또는 인듐안티몬(InSb) 중에서 적어도 어느 하나일 수 있다.
또 다른 예를 들어, 14-16족의 상기 반도체 화합물은 주석황(SnS), 주석셀레늄(ZnSe), 주석텔루륨(SnTe), 납황(PbS), 납셀레늄(PbSe), 또는 납텔루륨(PbTe) 중에서 적어도 어느 하나일 수 있다.
또 다른 예를 들어, 14족의 상기 반도체 화합물은 실리콘탄소(SiC), 또는 실리콘저마늄(SiGe) 중에서 어느 하나일 수 있다.
또 다른 예를 들어, 14족의 상기 반도체 물질은 실리콘(Si) 또는 저마늄(Ge) 중에서 어느 하나일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 개질된 상기 무기산화물(156)은 금속 원소를 포함할 수 있다. 또한, 개질된 상기 무기산화물(156)은 상기 금속 원소와 결합된 경화성 물질을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 경화성 물질은 상기 금속 원소와 결합할 수 있는 작용기, 및 상기 경화성 관능기를 양끝단에 포함할 수 있다. 따라서, 개질된 상기 무기산화물(156)은 상기 금속 원소, 및 상기 작용기가 결합하여 제조될 수 있고, 동시에, 상기 무기산화물(156) 표면에 상기 경화성 관능기가 배치될 수 있다.
예를 들어, 상기 무기산화물(156)은 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 산화물, 저마늄 산화물, 주석 산화물, 팔라듐 산화물, 티타늄 산화물, 지르코늄 산화물, 또는 하프늄 산화물 중에서 적어도 어느 하나일 수 있다.
또한, 예를 들어, 상기 경화성 물질은 실란계 가교제일 수 있고, 상기 작용기는 알킬에톡시실릴기일 수 있다. 구체적으로 예를 들어, 상기 경화성 물질은 아래의 <화학식 3>로 표기되는 (3-아미노프로필)실란트리올(APST), 아래의 <화학식 4>로 표기되는 3-(트리메톡시실릴)프로필 메타아크릴레이트(MSPM), 아래의 <화학식 5>으로 표기되는 3-(트리에톡시실릴)프로판-1-아민(TESPA), 아래의 <화학식 6>로 표기되는 트리에틸(트리플루오로페틸)실란(TETFS), 아래의 <화학식 7>로 표기되는 3-(트리메톡시실릴)프로필 메타아크릴레이트(MAPTMS), 아래의 <화학식 8>으로 표기되는 2-(트리하이드록시실릴)에틸 메타아크릴레이트(HSEM), 아래의 <화학식 9>로 표기되는 3-(트리에톡시실릴)프로판-1-아민(TEOSPA), 아래의 <화학식 10>로 표기되는 트리메톡시(비닐)실란(VTMS), 아래의 <화학식 11>로 표기되는 N-(3-(트리에톡시실릴)프로필)아크릴아마이트(ALPTMS) 또는 아래의 <화학식 12>으로 표기되는 (트리에톡시실릴)메틸 아크릴레이트(AMTMS) 중에서 적어도 어느 하나일 수 있다.
<화학식 3>
Figure PCTKR2019010509-appb-I000003
<화학식 4>
Figure PCTKR2019010509-appb-I000004
<화학식 5>
Figure PCTKR2019010509-appb-I000005
<화학식 6>
Figure PCTKR2019010509-appb-I000006
<화학식 7>
Figure PCTKR2019010509-appb-I000007
<화학식 8>
Figure PCTKR2019010509-appb-I000008
<화학식 9>
Figure PCTKR2019010509-appb-I000009
<화학식 10>
Figure PCTKR2019010509-appb-I000010
<화학식 11>
Figure PCTKR2019010509-appb-I000011
<화학식 12>
Figure PCTKR2019010509-appb-I000012
일 실시 예에 따르면, 상기 가교성 물질(158)은 가교성 아크릴레이트일 수 있다. 구체적으로 예를 들어, 상기 가교성 물질(158)은 올리고 아크릴레이트, 실록잔계 아크릴레이트, 또는 실리콘 고분자 수지 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 올리고 아크릴레이트는 아래의 <화학식 13>로 표기되는 에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트(EGDMA), 아래의 <화학식 14>로 표기되는 트리(에틸렌 글리콜) 디메타크릴레이트(TEGMMA), 아래의 <화학식 15>으로 표기되는 2-(아크릴로일옥시메틸)-2-에틸프로판-1,3-디일 디아크릴레이트(AEDA), 아래의 <화학식 16>로 표기되는 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트(PETA), 아래의 <화학식 17>로 표기되는 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트(TMPTA), 아래의 <화학식 18>으로 표기되는 디펜타에티트리톨 아크릴레이트(DPEA), 아래의 <화학식 19>로 표기되는 디펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트(DPHA), 아래의 <화학식 20>로 표기되는 디펜타에리트리톨 펜타아크릴레이트(DPPA), 또는 아래의 <화학식 21>로 표기되는 트리메틸올프로판 에톡실레이트 트리아크릴레이트(TMPET) 중에서 적어도 어느 하나일 수 있다.
<화학식 13>
Figure PCTKR2019010509-appb-I000013
<화학식 14>
Figure PCTKR2019010509-appb-I000014
<화학식 15>
Figure PCTKR2019010509-appb-I000015
<화학식 16>
Figure PCTKR2019010509-appb-I000016
<화학식 17>
Figure PCTKR2019010509-appb-I000017
<화학식 18>
Figure PCTKR2019010509-appb-I000018
<화학식 19>
Figure PCTKR2019010509-appb-I000019
<화학식 20>
Figure PCTKR2019010509-appb-I000020
<화학식 21>
Figure PCTKR2019010509-appb-I000021
다른 예를 들어, 실록잔계 아크릴레이트는 상기의 <화학식 4>로 표기되는 3-(트리메톡시실릴)프로필 메타아크릴레이트(MSPM), 상기의 <화학식 7>로 표기되는 3-(트리메톡시실릴)프로필 메타아크릴레이트(MAPTMS), 상기의 <화학식 8>으로 표기되는 2-(트리하이드록시실릴)에틸 메타아크릴레이트(HSEM), 상기의 <화학식 12>으로 표기되는 (트리에톡시실릴)메틸 아크릴레이트(AMTMS) 중에서 적어도 어느 하나일 수 있다.
또 다른 예를 들어, 실리콘 고분자 수지일 수 있다. 구체적으로 예를 들어, 상기 실리콘 고분자 수지는 <화학식 22>으로 표기되는 폴리실라잔일 수 있다.
<화학식 22>
Figure PCTKR2019010509-appb-I000022
여기서, R은 메틸, 에틸, 프로필, 부틸 등에서 선택되는 알킬기일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 양자점 잉크는 광산란제를 더 포함할 수 있다. 상기 광산란제는 상기 광변환층(150)으로 입사되는 빛의 경로를 변화시키고, 방출되는 빛을 확산시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 광산란제는 금속 산화물 입자, 에어 버블, 유리 비드 또는 중합체 비드 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 광변환층(150) 상에 보호층이 더 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층은 상기 광변환층(150)을 덮는 박막일 수 있다. 이 때, 상기 보호층은 상기 발광다이오드(140), 및 상기 광변환층(150)에서 방출되는 빛을 투과시킬 수 있다. 또한, 상기 보호층은 상기 광변환층(150)으로 상기 산소 분자, 및 상기 물 분자의 확산을 방지할 수 있다. 즉, 상기 보호층은 높은 광투과도와 투습 및 투산소 방지 특성을 가질 수 있다. 구체적으로 예를 들어, 상기 보호층은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에스터(PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리프로필렌(PP), 또는 폴리에틸렌(PE) 중에서 적어도 어느 하나일 수 있다.
다른 예를 들어, 상술된 바와 같이, 상기 보호층은 투습 및 투산소 방지 특성을 갖되, 렌즈의 역할을 더 수행할 수 있다. 이에 따라, 상기 보호층은 반원, 사각뿔 등에서 선택되는 어느 하나의 형태를 가질 수 있다. 상기 보호층이 반원의 형태를 갖는 경우, 상기 광변환층(150)으로부터 방출되는 빛은 상기 광변환층(150)의 수직 방향으로 집중될 수 있다. 또한, 상기 보호층은 상기 발광다이오드(140), 및 상기 광변환층(150)에서 생성된 빛을 상기 광변환층(150) 외부로 용이하게 발산시킬 수 있다. 구체적으로 예를 들어, 상술된 바와 같이, 상기 보호층은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에스터(PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리프로필렌(PP), 또는 폴리에틸렌(PE) 중에서 적어도 어느 하나일 수 있다.
상술된 바에 따라, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 오목홈이 형성된 상기 패키지 본체(110), 상기 오목홈의 하부면 상에 배치된 상기 금속 기판(120), 상기 오목홈의 측면 상에 배치된 상기 반사판(130), 상기 금속 기판(120) 상에 배치된 상기 발광다이오드(140), 및 상기 발광다이오드(140)를 덮는 상기 광변환층(150)을 포함하는 양자점 발광다이오드 패키지가 형성될 수 있다.
상기 광변환층(150)은 상기 발광다이오드(140)에서 방출되는 빛 중에서 일부를 투과시키고, 나머지 일부를 다른 파장의 빛으로 변환시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 광변환층(150)은 상기 발광다이오드(140)의 최대 발광 피크의 파장보다 장파장에서 최대 발광 피크를 갖는 적어도 하나 이상의 상기 양자점(152)을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 양자점 발광다이오드 패키지는 상기 발광다이오드(140)에서 방출되는 빛, 및 상기 광변환층(150)에서 변환되어 방출되는 빛이 혼합된 발광색을 나타낼 수 있다. 이 때, 상기 발광색은 백색광일 수 있다.
구체적으로 예를 들어, 상기 발광다이오드(140)는 청색 발광다이오드일 수 있고, 상기 광변환층(150)은 녹색-발광 양자점, 및 적색-발광 양자점을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 청색 발광 다이오드는 440 내지 490nm의 범위에서 최대 발광 피크를 나타낼 수 있고, 상기 녹색-발광 양자점은 520 내지 560nm의 범위에서 최대 발광 피크를 나타낼 수 있고, 상기 적색-발광 양자점은 630 내지 660nm의 범위에서 최대 발광 피크를 나타낼 수 있다.
상술된 바와 같이, 상기 녹색-발광 양자점은 상기 청색 발광다이오드에서 방출되는 청색광을 변환시켜 녹색광을 방출할 수 있다. 상기 적색-발광 양자점은 상기 청색광을 변환시켜 적색광을 방출할 수 있다. 또한, 상기 적색-발광 양자점은 상기 청색광을 변환시켜 상기 적색광을 방출할 수 있다. 구체적으로 예를 들어, 상기 광변환층(150)은 5%의 상기 녹색-발광 양자점, 및 5%의 적색-발광 양자점을 포함할 수 있다.
따라서, 상기 양자점 발광다이오드 패키지는 상기 청색광, 상기 청색광이 변환되어 방출되는 상기 녹색광, 상기 청색광 및 상기 녹색광이 변환되어 방출되는 상기 적색광이 혼합되어, 백색광이 방출될 수 있다. 즉, 상기 양자점 발광다이오드 패키지는 상기 청색광, 상기 녹색광, 및 상기 적색광을 포함하는 삼색광이 서로 혼합되어 상기 백색광이 방출될 수 있다. 이에 따라, 상기 양자점 발광다이오드 패키지는 높은 색재현도를 가질 수 있다. 즉, 상기 양자점 발광다이오드는 높은 연색지수(CRI)를 나타낼 수 있다.
다른 예를 들어, 상기 양자점 발광다이오드 패키지는 보색 관계의 발광 특성을 갖는 상기 발광다이오드(140), 및 상기 양자점(152)을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 발광다이오드(140)는 하늘색 발광다이오드일 수 있고, 상기 광변환층(150)은 적색-발광 양자점을 포함할 수 있다. 또는, 상기 발광다이오드(140)는 청색 발광다이오드일 수 있고, 상기 광변환층(150)은 황색-발광 양자점을 포함할 수 있다. 이 때, 상기 광변환층(150)은 단일 물질을 포함할 수 있고, 이에 따라, 상기 광변환층(150)은 용이하게 제조될 수 있다.
상술된 바에 따라, 상기 양자점 발광다이오드 패키지는 상기 발광다이오드(140), 및 상기 발광다이오드(140)에서 방출되는 빛을 다른 파장의 빛으로 변환시키는 상기 광변환층(150)을 포함할 수 있다.
상기 광변환층(150)은 상기 무기산화물(156) 표면의 상기 경화성 관능기와, 상기 가교성 물질(158)이 결합되어 형성된 상기 레진(154), 및 상기 레진(154) 상에 분산된 상기 양자점(152)을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 레진(154)은 내부에 분산된 상기 양자점(152)에 광안정성 및 열안정성을 제공할 수 있다. 이에 따라, 상기 레진(154)은 상기 양자점(152)이 광 또는 열에 의해 열화되는 현상을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 양자점 발광다이오드 패키지는 상기 발광다이오드(140), 및 상기 광변환층(150)이 직접적으로 맟닿는 구조로 제조될 수 있다. 또한, 상기 레진(154)은 투습 및 투산소 방지 특성을 가질 수 있고, 이에 따라, 상기 양자점(152)이 상기 산소 분자, 및 물 분자와 반응하여 분해되는 현상을 방지할 수 있다. 즉, 상기 양자점(152)은 상기 양자점(152)을 감싸는 상기 레진(154)에 의해 안정성이 향상될 수 있다.
또한, 상기 광변환층(150)은 상기 경화성 관능기로 표면 개질된 상기 무기산화물(156), 상기 가교성 물질(158), 및 상기 양자점(152)이 혼합된 상기 양자점 잉크를 경화시켜 제조될 수 있다. 이 때, 상기 양자점 잉크는 상기 발광다이오드(140)가 형성된 오목홈 내에 도포된 이후, 상기 발광다이오드(140)에서 방출되는 빛에 의해 경화될 수 있다. 즉, 상기 양자점 잉크를 경화시키는 단계는 추가적인 장비없이 제조될 수 있고, 이에 따라, 상기 광변환층(150)의 제조 공정이 단순화될 수 있고, 상기 제조 공정의 비용이 절감될 수 있다.
이하, 본 발명의 구체적인 실험 예에 따른 양자점 발광다이오드 패키지의 제조 방법 및 특성 평가 결과가 설명된다.
실험 예 1 내지 4에 따른 양자점 잉크의 제조
상기 가교성 물질로 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트(DPPA), 상기 경화성 물질로 3-메타아크릴 옥시프로필 트리메톡시실란, 무기 산화물로 실리콘 산화물(고형분 40%의 88%, 평균 입경 20nm, 일리노이주 나퍼빌 소재의 날코 코포레이션 사의 '날코 2327'을 사용), 및 상기 양자점으로 CdSe@ZnS를 준비하였다.
상기 디펜타에리트리톨 펜타아크릴레이트(DPPA) 65g을 49℃의 온도에서 가열한 후, 상기 실리콘 산화물 100g을 첨가하여 제1 혼합물을 제조하였다.
상기 제1 혼합물에 상기 3-(트리메톡시실릴)프로필 메타아크릴레이트(MSPM) 15g을 혼합하여 제2 혼합물을 제조하였다.
상기 제2 혼합물에 상기 광안정제인 상기 2(3)-t-부틸-4-하이드록시톨루엔(BHT) 0.3g 및 또 다른 상기 광안정제인 페노티아진 0.04g를 첨가하여 제3 혼합물을 제조하였다.
상기 제3 혼합물을 50 내지 54℃의 온도 범위에서 80 내지 120mmHg의 압력 범위로 약하게 진공 증류하여, 상기 제3 혼합물에 포함된 대부분의 물 및 메탄올을 제거하여 건조된 생성물을 제조하였다.
상기 건조 공정이 종료될 즈음, 이소프로필알코올(IPA) 및 증류수를 14:1의 중량비로 혼합된 혼합 용매로 고형분 함량이 50%가 되도록 희석시켰다.
상기 고형분 햠량 50%의 혼합물에 상기 혼합 용매를 다시 제공하여, 고형분 햠량이 25%가 되도록 희석시켰다.
클로로포름 용매에 적색-발광의 상기 양자점을 상기 아크릴로일 포르폴린(ACMO)을 사용하여 분산시켰다.
고형분 함량 25%의 혼합물에 상기 양자점이 분산된 용액, 및 상기 (1-하이드록시사이클로헥실)(페닐)메타논(HCPM) 1.5g을 혼합하여, 실험 예 1 내지 실험 예 4에 따른 양자점 용액을 제조하였다.
실험 예 5에 따른 양자점 용액의 제조
상술된 실험 예 1에 따른 양자점 용액을 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재 상게 2.5mm 두께로 코팅하였다.
코팅된 상기 기재를 공기 순환 오븐에서 60℃의 온도로 2.5분 동안 플래쉬 건조시켜, 대부분의 상기 이소프로필알코올을 제거하여 제거시켰다.
상기 건조 공정 이후, 고압 수은 램프(일리노이주 플래인필드 소재의 피피지 인더스트리즈의 'QC 1202'를 사용)를 제공하여, 건조된 상기 코팅을 경화시켰다. 이 때, 상기 경화 조건은 20m/min, 400V, 100mJ/cm2, 및 공기 분위기이다.
상기 경화 공정 이후, 상기 기재 상에 투명한 상기 벌크 캡슐 구조체가 제조되었다.
상기 벌크 캡슐 구조체를 필름 스크래핑 공정으로 상기 기재 상에서 제거한 후, 분쇄과정을 거쳐 마이크로캡슐양자점이 제조되었다.
상기 양자점 마이크로캡슐을 상기 디클로로벤젠 용매 내에 제공하여, 나노캡슐양자점이 제조되었다.
다시 상술된 실험 예 1과 동일하게 제조하되, 상기 CdSe@ZnS 양자점 대신 상기 나노캡슐양자점을 제공하여, 실험 예 5에 따른 양자점 잉크를 제조하였다.
상술된 실험 예 1 내지 실험 예 5에 따른 양자점 잉크의 조성비가 아래의 <표 1>에 작성되었다.
양자점 양자점 : (개질된 무기산화물+가교성 물질)
비교 예 1 - -
비교 예 2 - -
실험 예 1 CdSe@ZnS 1:1
실험 예 2 CdSe@ZnS 1:10
실험 예 3 CdSe@ZnS 1:10
실험 예 4 CdSe@ZnS 1:10
실험 예 5 나노캡슐양자점CdSe@ZnS@capsule 1:10
도 4 내지 도 6는 본 발명의 실시 예에 따른 양자점 발광다이오드 패키지의 제조 공정을 촬영한 사진이다.도 4을 참조하면, 도 1 및 도 2를 참조하여 상술된 바와 같이, 상기 패키지 본체는 상기 오목홈의 반대면 상에 전극을 포함하였다. 이에 따라, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 패키지 본체는 상기 전극을 연결하는 구조체를 더 포함하였다. 상기 구조체는 다수의 상기 발광다이오드가 제공될 수 있고, 상기 발광다이오드의 양극, 및 음극이 병렬 연결되는 구조를 가졌다. 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이, 상기 구조체는 동일한 극끼리 병렬 연결되도록 전선을 납땜하여 제조하였다. 상기 납땜 공정 이후, 상기 전선의 양단에 전원을 연결하여, 상기 발광다이오드의 상기 양극, 및 상기 음극을 통해 전기 에너지가 제공될 수 있다.
도 5의 (a)에 도시된 바와 같이, 상기 구조체 상에 상기 금속 전극, 및 상기 발광다이오드가 형성된 패키지 본체가 제공되었다. 상기 패키지 본체가 제공된 이후, 도 5의 b)에 도시된 바와 같이, 상기 발광다이오드를 덮도록 상기 양자점 잉크가 제공되었다.
도 6의 (a)에 도시된 바와 같이, 다수의 상기 발광다이오드에 상기 양자점 잉크가 제공되었다. 상기 양자점 잉크를 제공한 후에, 도 6의 (b)에 도시된 바와 같이, 상기 발광다이오드가 작동되고 동시에 상기 양자점 잉크가 경화되었다.
도 7 내지 도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 양자점 발광다이오드 패키지의 0.5W-LED를 이용한 온-칩 적용결과를 촬영한 사진이다.
도 7 내지 도 11을 참조하면, 0.5W의 발광다이오드를 포함하는 상기 양자점 발광다이오드 패키지의 온-칩 테스트 결과를 나타낼 수 있다. 도 6 내지 도 10에 도시된 비교 예 1, 실험 예 1 내지 실험 예 3, 및 실험 예 5에 따른 양자점 잉크의 경화 조건이 아래의 <표 2>에 작성되었다.
경화조건
비교 예 1 -
실험 예 1 0.5W LED 경화
실험 예 2 uv 경화
실험 예 3 0.5W LED 경화
실험 예 5 0.5W LED 경화
도 7에 도시된 상기 양자점 발광다이오드 패키지(비교 예 1)는 상기 광변환층을 포함하지 않을 수 있다. 즉, 상기 광변환층을 형성하는 단계 전까지, 제조된 상기 양자점 발광다이오드 패키지일 수 있다.도 8 및 도 10을 참조하면, 상기 양자점 잉크 내의 상기 양자점의 농도에 따른 결과를 확인할 수 있다. 이 때, 상기 양자점 잉크는 적색 발광 양자점을 포함할 수 있다. 도 8의 (a) 및 도 10의 (a)에 도시된 바와 같이, 상기 발광다이오드를 작동시키기 전에는 모두 적색을 나타내는 것을 알 수 있다. 반면, 도 8의 (b) 및 도 10의 (b)에 도시된 바와 같이, 상기 발광다이오드를 작동시키는 경우, 상기 양자점의 농도가 높을수록, 상기 양자점 발광다이오드 패키지의 발광색이 적색에 가까운 것을 알 수 있다. 이에 따라, 상기 광변환층은 상기 발광다이오드에서 방출되는 빛 중에서 일부는 투과시키고, 나머지 일부는 상기 양자점에서 흡수하는 것을 알 수 있다.도 9 및 도 10을 참조하면, 상기 양자점 잉크는 동일하되, 상기 양자점 잉크를 경화시키는 방법을 달리하여 제조된 상기 양자점 발광다이오드 패키지가 촬영되었다. 도 9의 (b)에 도시된 상기 양자점 발광다이오드 패키지(실험 예 2)는 상기 양자점 잉크에 자외선을 조사하여, 경화시킨 후, 상기 발광다이오드를 작동시켰다. 반면, 도 10의 (b)에 도시된 상기 양자점 발광다이오드 패키지(실험 예 3)는 상기 양자점 잉크를 코팅한 후, 상기 발광다이오드를 작동시켜, 상기 양자점 잉크를 경화시켰다. 도 9 및 도 10에 도시된 상기 양자점 발광다이오드 패키지의 발광색이 전영역에서 실질적으로 동일한 것을 확인하였다. 이에 따라, 상기 양자점 발광다이오드 패키지는 상기 양자점 잉크를 도포한 후, 상기 자외선 조사와 같은 전처리없이, 상기 발광다이오드를 작동시키는 단순한 공정으로도 용이하게 제조될 수 있음을 확인하였다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 상기 양자점 잉크의 농도는 동일하되, 도 11에 도시된 상기 양자점 발광다이오드 패키지의 상기 양자점은 표면에 캡슐층을 더 포함할 수 있다. 즉, 도 10에 도시된 상기 양자점 발광다이오드 패키지(실험 예 3)는 코어-쉘 구조의 상기 양자점을 포함하고, 도 11에 도시된 상기 양자점 발광다이오드 패키지(실험 예 5)는 코어-쉘 구조의 상기 양자점 표면에 캡슐층을 더 포함할 수 있다. 이에 따라, 실험 예 5에 따른 양자점 발광다이오드 패키지는 실험 예 3에 따른 양자점 발광다이오드 패키지보다 낮은 농도의 코어-쉘 구조의 상기 양자점을 포함할 수 있다. 따라서, 도 10의 (a) 및 도 11의 (a)에 도시된 바와 같이, 실험 예 5에 따른 양자점 잉크를 이용한 상기 양자점 발광다이오드 패키지는 실험 예 3에 따른 양자점 잉크를 이용한 상기 양자점 발광다이오드 패키지3)보다 도 7에 도시된 비교 예 1에 따른 양자점 잉크를 이용한 양자점 발광다이오드 패키지와 더 가까운 색을 나타내는 것을 알 수 있다. 또한, 도 10의 (b) 및 도 11의 (b)에서도, 도 10의 (a) 및 도 10의 (b)와 실질적으로 동일한 결과를 확인할 수 있다.
도 12 및 도 13은 본 발명의 실시 예에 따른 양자점 발광다이오드 패키지의 8W-LED를 이용한 온-칩 적용결과를 촬영한 사진이다.
도 12 및 도 13을 참조하면, 도 7 및 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 양자점 발광다이오드 패키지의 온-칩 테스트 결과를 나타내되, 상기 발광다이오드의 전력이 10W인 것을 사용하여, 상기 온-칩 테스트 결과를 촬영하였다. 도 12 및 도 13에 도시된 비교 예 2, 및 실험 예 4에 따른 양자점 잉크의 경화 조건이 아래의 <표 3>에 작성되었다.
경화조건
비교 예 2 -
실험 예 4 10W LED 경화
도 12를 참조하면, 도 7을 참조하여 상술된 바와 같이, 상기 광변환층이 제조되기 전의 상기 양자점 발광다이오드 패키지의 발광 전과 후가 촬영되었다.도 13의 (a)를 참조하면, 도 10을 참조하여 상술된 바와 같이, 코어-쉘 구조의 적색 발광 양자점, 및 개질된 상기 무기산화물과 상기 가교성 물질의 비율이 1:10인 상기 양자점 잉크가 상기 도 12에 도시된 상기 오목홈 상에 주입되었다. 도 13의 (b)에 도시된 바와 같이, 상기 발광다이오드를 작동시켜, 상기 양자점 잉크를 경화시켰다. 이 때, 도 10을 참조하여 상술된 상기 양자점 발광다이오드 패키지(실험 예 3)과 달리, 상기 양자점 발광다이오드 패키지(실험 예 4)는 상기 발광다이오드의 전력이 높고, 이에 따라, 상기 양자점 잉크가 시간에 따라 증발되는 것을 확인하였다. 따라서, 상기 양자점 잉크는 0.5W의 저전력에서 용이하게 경화되는 것을 확인하였다.
도 14는 본 발명의 실시 예에 따른 양자점 발광다이오드 패키지의 0.2W 청색 Bare LED를 이용한 온-칩 적용결과를 촬영한 사진이고, 도 15는 본 발명의 실시 예에 따른 양자점 발광다이오드 패키지의 0.2W 청색 Bare LED의 20mA 입력 전류에서 얻은 발광스펙트럼을 나타내는 도면이다.
도 14를 참조하면, <표 1>을 참조하여 상술된 실험 예 3 및 실험 예 4와 동일한 상기 양자점 잉크 조성비를 갖되, 0.2W의 청색 발광 다이오드를 포함하는 상기 양자점 발광다이오드 패키지가 촬영되었다. 즉, 상기 양자점 발광다이오드 패키지는 0.2W의 청색 발광 다이오드에 의해 상기 양자점 잉크가 경화되었다.
도 15를 참조하면, 도 14를 참조하여 제조된 상기 양자점 발광다이오드 패키지의 발광 스펙트럼이 확인되었다.
도 15에 도시된 바와 같이, 온-칩 되기 전, 0.2W의 상기 청색 발광다이오드는 약 380nm에서 발광 피크를 갖는 것을 알 수 있다.
반면, 상기 양자점 발광다이오드 패키지는 약 620nm에서 발광 피크를 갖는 상기 적색-발광 양자점을 갖는 상기 광변환층을 포함하였고, 이에 따라, 상기 양자점 발광다이오드 패키지는 상기 청색 발광다이오드의 발광 피크, 및 상기 적색-발광 양자점의 발광 피크를 모두 나타내는 것을 확인하였다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.
본 발명의 실시 예에 따른 양자점 발광다이오드 패키지 및 그 제조 방법은, 생활용 조명, 자동차용 조명, 건축용 조명, 농업 및 어업용 조명, 의료 및 미용 기구, 신호등 등 다양한 산업 분야에 활용될 수 있다.

Claims (12)

  1. 오목홈이 형성된 패키지 본체;
    상기 오목홈의 하부면 상에 배치된 금속 기판;
    상기 오목홈의 측면 상에 배치된 반사판;
    상기 금속 기판 상에 배치된 발광다이오드; 및
    상기 발광다이오드를 덮는 광변환층을 포함하되,
    상기 광변환층은,
    무기산화물 표면의 경화성 관능기와, 가교성 물질이 결합되어 형성된 레진; 및
    상기 레진 상에 분산된 양자점을 포함하는 양자점 발광다이오드 패키지.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 발광다이오드는, 플립-칩 타입의 발광다이오드를 포함하는 양자점 발광다이오드 패키지.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 광변환층은, 상기 발광다이오드에서 방출되는 빛 중의 일부를 변환시켜 백색광을 방출하는 것을 포함하는 양자점 발광다이오드 패키지.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 발광다이오드는, 청색 발광다이오드를 포함하고,
    상기 광변환층은, 적색 발광 양자점 및 녹색 발광 양자점을 포함하는 양자점 발광다이오드 패키지.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 발광다이오드는, 청색 발광다이오드를 포함하고,
    상기 광변환층은, 상기 청색 발광다이오드에서 방출되는 빛을 백색광으로 변환시키는 황색 발광 양자점을 포함하는 양자점 발광다이오드 패키지.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 광변환층은, 상기 발광다이오드의 발광 피크 파장보다 장파장의 영역에서 발광 피크 파장을 갖는 적어도 하나 이상의 양자점을 포함하는 양자점 발광다이오드 패키지.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 양자점은, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InP, InAs, 또는 InSb 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 양자점 발광다이오드 패키지.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 광변환층은, 광산란제를 더 포함하는 양자점 발광다이오드 패키지.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 광산란제는, 에어 버블, 유리 비드 또는 중합체 비드 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 양자점 발광다이오드 패키지.
  10. 오목홈이 형성된 패키지 본체, 상기 오목홈의 하부면 상에 배치된 금속 기판, 상기 오목홈의 측면 상에 배치된 반사판, 및 상기 금속 기판 상에 배치된 발광다이오드를 포함하는 예비 패키지 구조체를 준비하는 단계; 및
    상기 예비 패키지 구조체의 상기 발광다이오드를 덮는 광변환층을 형성하는 단계를 포함하되,
    상기 광변환층은, 무기산화물 표면의 경화성 관능기와, 가교성 물질이 결합되어 형성된 레진, 및 상기 레진 상에 분산된 양자점을 포함하는 양자점 발광다이오드 패키지의 제조 방법.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 광변환층을 형성하는 단계는,
    상기 양자점, 경화성 관능기를 갖는 무기산화물, 및 가교성 물질을 포함하는 양자점 잉크를 준비하는 단계;
    상기 양자점 잉크를 상기 발광다이오드가 형성된 상기 오목홈 상에 주입하는 단계; 및
    상기 발광다이오드에서 방출되는 빛으로 상기 경화성 관능기, 및 상기 가교성 물질이 가교된 레진을 형성하고, 상기 레진 내에 분산된 상기 양자점을 포함하는 상기 광변환층을 형성하는 단계를 포함하는 양자점 발광다이오드 패키지의 제조 방법.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 가교성 물질은, 올리고 아크릴레이트, 실록잔계 아크릴레이트, 폴리 실라잔, 또는 실리콘 고분자 수지 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 양자점 발광다이오드 패키지의 제조 방법.
PCT/KR2019/010509 2018-08-22 2019-08-19 양자점 발광다이오드 패키지 및 그 제조 방법 Ceased WO2020040508A1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US17/181,017 US11697762B2 (en) 2018-08-22 2021-02-22 Organic-inorganic hybrid coating layer, quantum dot nanocapsule, quantum dot light emitting diode package, and method of fabricating the same

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2018-0097935 2018-08-22
KR20180097935 2018-08-22
KR1020190079010A KR102289273B1 (ko) 2018-08-22 2019-07-01 양자점 발광다이오드 패키지 및 그 제조 방법
KR10-2019-0079010 2019-07-01

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2019/010507 Continuation WO2020040506A1 (ko) 2018-08-22 2019-08-19 유-무기 하이브리드 코팅층 및 그 제조 방법

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2019/010508 Continuation WO2020040507A1 (ko) 2018-08-22 2019-08-19 양자점 나노캡슐 및 그 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2020040508A1 true WO2020040508A1 (ko) 2020-02-27

Family

ID=69593337

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2019/010509 Ceased WO2020040508A1 (ko) 2018-08-22 2019-08-19 양자점 발광다이오드 패키지 및 그 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
WO (1) WO2020040508A1 (ko)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080066692A (ko) * 2005-10-28 2008-07-16 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 무기산화물 투명 분산액과 무기산화물 입자 함유 수지조성물, 발광소자 밀봉용 조성물 및 발광소자,하드코트막과 광학 기능막 및 광학 부품, 그리고무기산화물 입자 함유 수지 조성물의 제조 방법
KR20120067541A (ko) * 2010-12-16 2012-06-26 삼성엘이디 주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR20150027701A (ko) * 2013-08-29 2015-03-12 세종대학교산학협력단 양자점-무기입자 응집체 및 이를 포함하는 광학요소
US20160315229A1 (en) * 2015-04-23 2016-10-27 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Light emitting diode package utilizing quantum dots
KR20180044461A (ko) * 2016-10-21 2018-05-03 희성전자 주식회사 양자점을 포함하는 발광 다이오드 패키지

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080066692A (ko) * 2005-10-28 2008-07-16 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 무기산화물 투명 분산액과 무기산화물 입자 함유 수지조성물, 발광소자 밀봉용 조성물 및 발광소자,하드코트막과 광학 기능막 및 광학 부품, 그리고무기산화물 입자 함유 수지 조성물의 제조 방법
KR20120067541A (ko) * 2010-12-16 2012-06-26 삼성엘이디 주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR20150027701A (ko) * 2013-08-29 2015-03-12 세종대학교산학협력단 양자점-무기입자 응집체 및 이를 포함하는 광학요소
US20160315229A1 (en) * 2015-04-23 2016-10-27 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Light emitting diode package utilizing quantum dots
KR20180044461A (ko) * 2016-10-21 2018-05-03 희성전자 주식회사 양자점을 포함하는 발광 다이오드 패키지

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2020027369A1 (ko) 표시 장치
WO2010002221A2 (ko) 파장변환형 발광다이오드 칩 및 이를 구비한 발광장치
WO2013039293A1 (en) Light emitting device package
WO2013069924A1 (en) Light emitting device
WO2013009007A2 (en) Optical member, display device having the same and method of fabricating the same
WO2013032128A1 (en) Optical member, display device, and light emitting device having the same
WO2020004927A1 (ko) 양자점 필름의 제조방법, 이로써 제조된 양자점 필름, 및 이를 포함하는 파장변환 시트 및 디스플레이
WO2013069878A1 (en) Optical sheet, display device and light emitting device having the same
WO2016200225A1 (ko) 양자점 또는 염료를 함유하는 대면적 필름 및 이의 제조 방법
WO2015060693A1 (ko) Led 봉지재
WO2016072803A1 (ko) 파장변환입자, 파장변환입자의 제조방법, 및 파장변환입자를 포함하는 발광 소자
WO2016056837A1 (ko) 발광 장치
WO2013162337A1 (en) Light emitting device and light emitting device package
WO2017191966A1 (ko) 반도체 소자 패키지
JP2021523530A (ja) 共鳴エネルギー移動に基づく量子ドットｌｅｄ設計
WO2017074035A1 (ko) 발광소자 패키지, 및 이를 포함하는 조명시스템
WO2014084639A1 (ko) 발광 다이오드
KR102289273B1 (ko) 양자점 발광다이오드 패키지 및 그 제조 방법
WO2019112126A1 (ko) 색 변환 패널 및 색 변환 패널의 제조 방법
WO2015111814A1 (ko) 발광소자, 발광소자 패키지, 라이트 유닛
WO2022149863A1 (ko) 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 모듈
WO2014148792A1 (ko) 무기 코팅층 및 고분자 코팅층을 포함하는 색변환 필름 및 이의 제조방법
WO2024090759A1 (ko) 양자점 잉크 조성물, 이를 이용한 장치 및 이를 포함하는 디스플레이 소자
WO2021020695A2 (ko) 하이브리드 파장변환체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 발광장치
WO2017026858A1 (ko) 발광소자 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19851243

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19851243

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1