KR20180044461A - 양자점을 포함하는 발광 다이오드 패키지 - Google Patents

양자점을 포함하는 발광 다이오드 패키지 Download PDF

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Abstract

본 발명은 양자점을 포함하는 광변환층을 완전히 밀폐하도록 구성된 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는, 오목홈이 형성된 패키지 본체; 상기 오목홈의 저면에 실장된 플립칩 (flip chip) 타입의 발광 다이오드; 상기 발광 다이오드와 상기 오목홈의 내주면을 완전히 덮도록 도포되어 형성된 레진층; 상기 레진층 상에서 상기 오목홈에 수용되도록 배치되고, 양자점을 포함하여 상기 발광 다이오드에서 방출된 광의 파장을 변환하는 광변환층; 및 상기 광변환층 상에서 상기 레진층과 함께 상기 광변환층을 밀폐하는 보호층; 을 포함한다.
본 발명의 발광 다이오드 패키지에 따르면, 양자점을 포함하는 광변환층을 완전히 밀폐하도록 개선된 구조의 발광 다이오드 패키지를 구성하여, 열, 산소, 수분과 같은 외부 환경 요인으로부터 양자점을 보호함으로써, 양자점의 수명 및 광변환 효율이 향상된 양자점 발광 다이오드 패키지를 제공할 수 있다.

Description

양자점을 포함하는 발광 다이오드 패키지 {Light emitting diode package comprising quantum dots}
본 발명은 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 양자점을 포함하는 광변환층을 완전히 밀폐하도록 구성된 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.
본 발명은 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 양자점을 포함하는 광변환층을 완전히 밀폐하도록 구성된 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.
양자점은 광화학 반응에 의해 분해되지 않는 안정한 입자이며, 일반 형광체에 비해 100~1000배 정도 흡광력이 뛰어나다. 또한 양자점은 양자점의 에너지 밴드 갭을 조절하여 방출되는 빛의 파장을 자유롭게 조절할 수 있다는 이점이 있다. 이러한 양자점을 형광체로 사용하여, 고휘도와 우수한 색채 재현성을 갖는 빛을 방출하도록 제조된 광원장치가 다양하게 개발되고 있다.
양자점과 광원을 조합하는 방식은 다양하게 이루어질 수 있다. 대표적으로 발광 다이오드를 몰딩하는 레진에 양자점을 포함시켜, 발광 다이오드로부터 방출되는 빛이 양자점에서 변환될 수 있도록 구성된 양자점 발광 다이오드 패키지가 상용화되고 있다.
도 1은 종래의 양자점 발광 다이오드 패키지를 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 양자점 발광 다이오드 패키지 (10, 10') 는 패키지 본체 (11), 발광 다이오드 (12), 발광 다이오드에 전원을 공급하는 와이어 (13), 레진 (14), 레진 (14) 에 분산된 양자점 (15) 을 포함한다.
양자점 (15) 이 도 1의 (a)와 같이 레진 (14) 의 전체적인 부분에 분산되어 포함되는 경우, 열, 산소 및 수분에 취약한 양자점 (15) 이 쉽게 손상되게 되어 광변환 효율이 떨어지게 된다는 문제점이 있다. 특히, 발광 다이오드 (12) 와 인접한 영역에 포함되는 양자점 (15) 은, 발광 다이오드 (12) 에서 발생되는 열에 의해 쉽게 손상되곤 한다.
이에, 도 1의 (b)와 같이 양자점 (15) 과 발광 다이오드 (12) 사이에 버퍼층 (16) 을 배치하여, 양자점 (15) 이 발광 다이오드 (12) 로부터 발생되는 열에 의해 손상됨을 방지하는 방법이 제안되었다 (관련 특허문헌 1 참조). 공기층 또는 레진층으로 이루어진 버퍼층 (16) 을 배치하여 양자점 (15) 과 발광 다이오드 (12) 가 이격되도록 함으로써, 열에 의한 양자점 (15) 의 손상을 줄일 수 있다.
한편, 발광 다이오드 패키지의 제조시 약 150℃ 에서 1~2시간 동안 레진을 경화하게 되는데, 이때 패키지 본체의 내벽과 양자점을 포함하는 층 사이에 미세한 균열이 발생할 수 있다. 이 미세한 균열을 따라 산소 및 수분이 침투하게 되어 양자점이 산소 및 수분에 노출되어 손상되곤 한다.
이와 같이, 양자점이 열에 의해 손상되는 것을 방지하기 위하여 다양한 방법이 제안되고 있으며, 양자점이 산소 및 수분에 의해 손상되는 것을 방지하기 위하여 산소 및 수분 차단력이 우수한 고분자 수지를 사용하여 몰딩을 수행하는 등의 다양한 방법이 제안되고 있다.
하지만, 종래의 발광 다이오드 패키지는 양자점을 열, 산소, 수분으로부터 완전히 보호하기에 한계점이 있는 구조를 가지며, 이를 개선하기 위한 근본적인 방안이 필요한 실정이다.
1. 한국 특허등록 제 1442146 호 (발명의 명칭 : 광원 유닛, 이를 포함하는 액정 표시 장치 및 이의 제조방법)
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서 본 발명에서 해결하고자 하는 과제는, 산소 및 수분의 차단특성과 방열 효과가 우수한 양자점 발광 다이오드를 제공함에 있다. 즉, 열, 산소, 수분과 같은 외부 환경 요인으로부터 양자점을 보호하여, 양자점의 수명 및 광변환 효율을 개선할 수 있는 양자점 발광 다이오드를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제는 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는, 오목홈이 형성된 패키지 본체; 상기 오목홈의 저면에 실장된 플립칩 (flip chip) 타입의 발광 다이오드; 상기 발광 다이오드와 상기 오목홈의 내주면을 완전히 덮도록 도포되어 형성된 레진층; 상기 레진층 상에서 상기 오목홈에 수용되도록 배치되고, 양자점을 포함하여 상기 발광 다이오드에서 방출된 광의 파장을 변환하는 광변환층; 및 상기 광변환층 상에서 상기 레진층과 함께 상기 광변환층을 밀폐하는 보호층; 을 포함한다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 상기 발광 다이오드는, 청색 발광 다이오드고, 상기 광변환층은, 상기 청색 발광 다이오드에서 방출된 청색광을 백색광으로 변환하도록 구성된 하나의 종류 이상의 양자점을 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 레진층은 폴리이미드, 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리실라잔, 실리콘, 에폭시 및 실록잔계 고분자 수지 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 광변환층은, 광산란제를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 발광 다이오드 패키지에 따르면, 양자점을 포함하는 광변환층을 완전히 밀폐하도록 개선된 구조의 발광 다이오드 패키지를 구성하여, 열, 산소, 수분과 같은 외부 환경 요인으로부터 양자점을 보호함으로써, 양자점의 수명 및 광변환 효율이 향상된 양자점 발광 다이오드 패키지를 제공할 수 있다.
도 1은 종래의 양자점 발광 다이오드 패키지를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 발광 다이오드 패키지를 도시한 단면도이다.
도 3은 도 2의 양자점 발광 다이오드 패키지에서 보호층의 다른 배치예를 도시한 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층"위(on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 당업자가 충분히 이해할 수 있듯이 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명에 따른 양자점 발광 다이오드 패키지에 대해 자세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 단면도이고, 도 3은 도 2의 발광 다이오드 패키지에서 보호층의 다른 배치예를 도시한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 실시예의 발광 다이오드 패키지 (100) 는, 패키지 본체 (110), 발광 다이오드 (120), 레진층 (130), 광변환층 (140) 및 보호층 (150) 을 포함하여 구성된다.
패키지 본체 (110) 는 발광 다이오드 패키지 (100) 의 전체적인 틀을 이루며, 발광 다이오드 (120) 및 양자점 (141, 142) 을 수용하는 오목홈이 형성되어 있다.
여기서, 오목홈은 패키지 본체 (110) 의 상면이 안으로 만입되어 형성되며, 오목홈의 저면 (111) 은 발광 다이오드 (120) 가 실장될 수 있도록 평평하게 형성될 수 있다. 오목홈의 상부는 개구되어 발광 다이오드 (120) 가 외부로 노출되며, 이러한 오목홈은 저면 (111) 으로부터 개구부까지의 경사면 (112) 을 포함한다. 이 경사면 (112) 은 발광 다이오드 (120) 를 둘러싸는 벽면이 되며, 발광 다이오드 (120) 로부터 방출된 빛을 개구부 방향으로 집광시킬 수 있도록 한다.
발광 다이오드 (120) 는 오목홈의 저면 (111) 에 실장된다. 바람직하게, 발광 다이오드 (120) 는 오목홈의 저면 (111) 의 중앙부에 위치하도록 실장될 수 있다.
발광 다이오드 (120) 는, 패키지 본체 (110) 에 전기적으로 연결시키는 경우 금속 와이어와 같은 연결 구조물이 불필요한 와이어리스 (wireless) 의 플립칩 (flip chip) 타입의 발광 다이오드이다. 발광 다이오드 (120) 는 솔더볼 또는 범프 (bump) 에 의해 본딩부 (121) 가 형성됨으로써 오목홈의 저면 (111) 에 융착되어 전극 (미도시) 과 전기적으로 접속된다.
본딩부 (121) 는 전기 접속을 위하여 금속으로 형성된다.
금속은 다른 물질에 비해 열전도성이 뛰어나므로, 본딩부 (121) 가 발광 다이오드 (120) 에서 발생한 열을 오목홈의 저면 (111) 방향으로 방출시킬 수 있다. 따라서, 본 발명의 발광 다이오드 패키지 (100) 와 같이 플립칩 타입의 발광 다이오드 (120) 를 사용하는 경우, 종래의 발광 다이오드 패키지 (10) 에 비해 개선된 방열 효과를 기대할 수 있다.
나아가, 종래의 발광 다이오드 패키지 (10) 와 같이 금속 와이어 (13) 를 이용하여 발광 다이오드 (12) 와 전극을 전기적으로 연결하면, 와이어 (13) 가 단선되는 등의 문제로 생산 시 불량률이 높아지거나 제조 후 발광 다이오드 패키지 (10) 수명이 단축되는 등의 문제가 있었다. 하지만, 본 발명의 발광 다이오드 패키지 (100) 와 같이 플립칩 타입의 발광 다이오드를 사용하는 경우, 와이어 (13) 대신 본딩부 (121) 를 통해 전극과 연결되는 구조이므로, 상술한 불량 등을 예방할 수 있어, 전기 접속의 안전성을 향상시킬 수 있다.
발광 다이오드 (120) 는 약 440nm 내지 490nm의 파장의 청색광을 방출하는 GaN 계열의 반도체 발광 다이오드 일 수 있다.
다만, 반드시 청색 발광 다이오드에 제한되는 것은 아니고, 후술할 양자점 (141, 142) 과의 조합에 따라 발광 다이오드 패키지 (100) 에서 백색광을 방출할 수 있는 것이라면 공지의 발광 다이오드에서 선택적으로 채용될 수 있음은 물론이다.
레진층 (130) 은 발광 다이오드 (120) 와 오목홈의 내주면을 완전히 덮도록 형성된다. 즉, 레진층 (130) 은 발광 다이오드 (120) 의 상부와 오목홈의 저면 (111), 오목홈의 경사면 (112) 을 완전히 덮도록 레진이 도포되고 경화되어 형성된다. 여기서, 완전히 덮도록 레진이 도포된다는 것은, 광변환층 (140) 이 발광 다이오드 (120) 또는 오목홈의 내주면과 접하지 않도록 레진층 (130) 이 형성되는 것을 의미한다.
레진층 (130) 은 양자점 (141, 142) 을 포함하는 광변환층 (140) 이 발광 다이오드 (120) 와 직접 닿지 않도록 하고, 외부의 산소 및 수분과 접촉하지 않도록 후술할 보호층 (150) 과 함께 광변환층 (140) 을 밀폐하도록 구성된다.
레진층 (130) 을 형성하는 레진은 산소 및 수분의 차단 특성이 우수하여, 양자점 (141, 142) 을 외부 환경으로부터 보호하는데 적합한 것으로 선택되는 것이 바람직하다.
이러한 레진은 폴리이미드, 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리실라잔, 실리콘, 에폭시 및 실록잔계 고분자 수지 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 나아가 레진층 (130) 을 형성하는 레진은 경화 후 원자간 평균 거리가 0.2nm 내지 0.3nm로 형성되는 것으로 형성되는 것이 바람직하다. 통상, 산소 분자 직경은 약 0.32nm이고, 물 분자의 직경은 약 0.33nm이므로, 레진층 (130) 을 형성하는 레진은 산소 분자 및 물 분자 보다 원자간 평균 거리가 작은 것으로 형성됨으로써, 산소 및 수분이 양자점 (141, 142) 을 포함하는 광변환층 (140) 으로 침투되는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.
다만, 레진은 상술한 바에 한정되는 것은 아니고, 외부로부터 산소 및 수분을 효과적으로 차단할 수 있는 것이라면 예시된 물질 이외에도 선택될 수 있음은 물론이다.
또한, 레진층 (130) 은 발광 다이오드 (120) 로부터 방출되는 광을 투과시킬 수 있도록 광 투과성이 높은 레진으로 형성되는 것이 바람직하다.
레진층 (130) 은 오목홈의 저면 (111) 및 경사면 (112) 을 따라 상술한 종류의 레진이 디스펜싱 (dispensing) 됨으로써 형성될 수 있다. 디스펜싱 공정 이외에도, 레진이 오목홈의 저면 (111) 및 경사면 (112) 을 따라 균일하게 도포될 수 있도록 하는 공지된 임의의 공정이 적용될 수 있음은 물론이다.
광변환층 (140) 은 양자점 (141, 142) 이 광 투과성이 높은 매트릭스 (143) 에 분산되어 형성된다. 매트릭스 (143) 는 실리콘계 재질의 투명한 수지로 형성되어, 양자점 (141, 142) 이 균일하게 분산되도록 할 수 있다.
광변환층 (140) 은 양자점 (141, 142) 을 포함함으로써 발광 다이오드 (120) 에서 방출된 광의 파장을 변환한다. 발광 다이오드 (120) 에서 방출되는 광의 일부는 양자점 (141, 142) 을 통과하지 않고 그대로 방출되고, 일부는 양자점 (141, 142) 을 통과하여 파장이 변환된다. 발광 다이오드 (120) 에서 방출된 광과, 발광 다이오드 (120) 에서 방출되어 양자점 (141, 142) 에서 변환된 광이 서로 혼합되어, 광변환층 (140) 을 통해 백색광이 방출될 수 있다.
여기서 양자점 (141, 142) 은 청색의 발광 다이오드 (120) 에서 방출된 광을 백색광으로 변환할 수 있는 적색 발광 양자점 (141) 및 녹색 발광 양자점 (142) 의 조합일 수 있다.
발광 다이오드 (120) 에서 방출된 약 440nm 내지 490nm의 파장의 청색광은 적색 발광 양자점 (141) 을 통과하여 약 630㎚ 내지 660㎚ 사이의 파장대의 적색광으로 변환될 수 있고, 녹색 발광 양자점 (142) 를 통과하여 약 520㎚ 내지 560㎚ 사이의 파장대의 녹색광으로 변환될 수 있다. 따라서, 발광 다이오드 (120) 로부터 방출된 청색광, 양자점 (141, 142) 을 통과하여 변환된 적색광, 녹색광이 혼합되어 광변환층 (140) 을 통해 백색광이 방출될 수 있다.
이러한 양자점 (141, 142) 은 주기율표 상의 II-VI족, III-V족, IV-VI족, IV족 반도체 물질 또는 이들의 화합물로 형성된다.
II-VI족 반도체 화합물은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe 또는 이들의 조합의 이원소 화합물일 수 있다. III-V족 반도체 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 또는 이들의 조합의 이원소 화합물일 수 있다. IV-VI족 반도체 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 또는 이들의 조합의 이원소 화합물일 수 있다. IV족 원소 또는 화합물은 Si, Ge, SiC, SiGe 또는 이들의 조합일 수 있다. 그 밖에도 반도체 화합물은 주기율표 상의 II-VI족, III-V족, IV-VI족, IV족 원소를 포함하는 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물 등일 수 있다. 나아가 양자점 (141, 142) 은 상술한 것에 한정되는 것은 아니고, 당업자에게 공지된 임의의 반도체 물질 또는 화합물일 수 있다.
양자점 (141, 142) 은 단일 층의 반도체 물질일 수도 있고, 코어 (core) 와 코어를 둘러싸는 쉘 (shell) 의 이중 층의 반도체 물질일 수도 있다. 광변환층 (140) 에 포함되는 양자점 (141, 142) 의 구조는 특별히 제한되지 않는다.
나아가, 본 실시예에서 광변환층 (140) 에 포함되는 양자점 (141, 142) 이 두 종류이고, 적색 발광 양자점 (141) 과 녹색 발광 양자점 (142) 인 것으로 설명하였지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 청색의 발광 다이오드 (120) 로부터 방출되는 광이 백색광으로 변환될 수 있도록 하는 단일한 종류의 황색 양자점일 수도 있고, 발광 다이오드 (120) 가 청색이 아닌 다른 색의 파장을 방출하는 발광 다이오드로 선택된다면, 이에 대응하여 최종적으로 백색광을 방출할 수 있는 다양한 양자점으로 선택될 수도 있다.
한편, 광변환층 (140) 은 입사되는 광의 경로를 변화시키고 출사되는 광을 확산시킬 수 있는 광산란제 (미도시) 를 더 포함할 수 있다. 광산란제는 금속 산화물 입자, 에어 버블, 유리 비드 또는 중합체 비드로 형성된 것일 수 있으며, 이들이 혼합된 혼합물로 형성된 것일 수 있다.
보호층 (150) 은 레진층 (130) 과 함께 광변환층 (140) 을 외부로부터 밀폐하도록 구성된다.
보호층 (150) 은 도 2와 같이 광변환층 (140) 과 패키지 본체 (110) 의 상측을 덮도록 형성될 수도 있고, 도 3과 같이 패키지 본체 (110) 의 오목홈 내에 수용되어 광변환층 (140) 상에서 오목홈의 개구부를 채우도록 형성될 수도 있다. 또한, 보호층 (150) 은 도 2 및 도 3에 도시된 바에 한정되지 않고, 상술한 레진층 (130) 과 함께 광변환층 (140) 을 외부로부터 완전히 밀폐되도록 할 수 있다면 다양한 구조로 광변환층 (140) 을 덮도록 형성될 수 있음은 물론이다.
보호층 (150) 은 레진층 (130) 을 형성하는 레진과 동일한 소재로 형성될 수 있다.
이로써 보호층 (150) 은 외부로부터 광변환층 (140) 으로의 산소 및 수분을 차단함과 동시에 광변환층 (140) 에서 방출되는 광을 외부로 방출할 수 있다.
보호층 (150) 은 레진층 (130) 과 동일하게 디스펜싱 공정으로 형성될 수도 있지만, 레진층 (130) 의 형성 방법과는 달리, 별도의 보호층 (150) 필름이 형성된 후 광변환층 (140) 또는 패키지 본체 (110) 상에 접착됨으로써 형성될 수도 있다.
한편, 보호층 (150) 은 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 광이 최종적으로 방출되는 상면이 평평하게 형성될 수도 있지만, 상면이 외측으로 볼록한 형상을 이루도록 형성될 수도 있다. 보호층 (150) 이 외측으로 볼록한 형상을 이루도록 형성되는 경우, 광변환층 (140) 을 밀폐하는 효과 이외에도 방출되는 빛의 광 지향성을 조절할 수 있도록 하는 효과도 기대할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100 ... 발광 다이오드 패키지
110 ... 패키지 본체
111 ... 오목홈의 저면
112 ... 오목홈의 경사면
120 ... 플립칩 발광 다이오드
121 ... 본딩부
130 ... 레진층
140 ... 광변환층
141, 142 ... 양자점
143 ... 매트릭스
150 ... 보호층

Claims (4)

  1. 오목홈이 형성된 패키지 본체;
    상기 오목홈의 저면에 실장된 플립칩 (flip chip) 타입의 발광 다이오드;
    상기 발광 다이오드와 상기 오목홈의 내주면을 완전히 덮도록 도포되어 형성된 레진층;
    상기 레진층 상에서 상기 오목홈에 수용되도록 배치되고, 양자점을 포함하여 상기 발광 다이오드에서 방출된 광의 파장을 변환하는 광변환층; 및
    상기 광변환층 상에서 상기 레진층과 함께 상기 광변환층을 밀폐하는 보호층; 을 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 발광 다이오드는, 청색 발광 다이오드고,
    상기 광변환층은, 상기 청색 발광 다이오드에서 방출된 청색광을 백색광으로 변환하도록 구성된 하나의 종류 이상의 양자점을 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 패키지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 레진층은 폴리이미드, 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리실라잔, 실리콘, 에폭시 및 실록잔계 고분자 수지 중 적어도 하나를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 패키지.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 광변환층은, 광산란제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 패키지.
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