WO2020012950A1 - 表示装置 - Google Patents

Abstract

本発明の目的は、表示装置の信頼性を向上することが可能な構成を提供することにある。表示装置は、パッドを有する第１基板と、シールド導電層を有する第２基板と、前記パッドと前記シールド導電層とに接続された導電体と、を含む。前記第１基板は、前記パッドの下に設けられた第１配線を含み、前記パッドは、前記第１配線を覆う様に設けられた有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜の上に設けられた透明導電膜と、を含む。前記透明導電膜は、前記有機絶縁膜の上に設けられた第１透明導電膜と、前記第１透明導電膜に接続された第２透明導電膜と、を含む。前記第１透明導電膜は、平面視において、前記第１配線の上を回避するように設けられ、前記第２透明電極膜は、平面視において、前記第１配線の上、および、前記第１透明電極膜の上を覆う様に設けられる。

Description

表示装置

　本発明は表示装置に関し、特に、ＩＰＳ方式の表示装置に適用可能である。

　ＩＰＳ（Ｉｎ　Ｐｌａｎｅ　Ｓｗｉｔｃｈｉｎ）方式の表示装置では、ノイズ防止のため、対向基板の外側にシールド用透明導電層を形成し、シールド用透明導電層をＴＦＴ基板側に設けたアースパッドに、導電性テープで接続することが行われる（特開２０１７－１４６４５０号公報参照）。

　表示装置の表示パネルは、一般的に、複数の画素が形成された表示領域と、表示領域の外周を囲む様に設けられた額縁領域と、を有する。近年、たとえば、スマートフォンや携帯電話などにおいて、額縁領域を狭くし、表示パネルを上面から見た場合の表示領域の割合を大面積化することが行われている。

特開２０１７－１４６４５０号公報

　ＩＰＳ方式の表示装置において、額縁領域が狭くされた場合、アースパッドの下側に、電源配線、検査用配線などの各種の配線を配置する場合がある。

　アースパッドの下側に、高電位の電源配線が配置された構成において、高温高湿の環境下において、表示装置に電源を供給して動作させる様な通電試験を実施すると、アースパッドの構成に起因して、アースパッドに腐食が発生する場合があることを、発明者は見出した。つまり、アースパッドと電源配線との電位差により、アースパッドと電源配線との間に縦電界が生じる。この縦電界と水分との影響により、アースパッドに腐食が発生する。

　本発明の目的は、表示装置の信頼性を向上することが可能な構成を提供することにある。

　その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

　本発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。

　すなわち、表示装置は、パッドを有する第１基板と、シールド導電層を有する第２基板と、前記パッドと前記シールド導電層とに接続された導電体と、を含む。前記第１基板は、前記パッドの下に設けられた第１配線を含み、前記パッドは、前記第１配線を覆う様に設けられた有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜の上に設けられた透明導電膜と、を含む。前記透明導電膜は、前記有機絶縁膜の上に設けられた第１透明導電膜と、前記第１透明導電膜に接続された第２透明導電膜と、を含む。前記第１透明導電膜は、平面視において、前記第１配線の上を回避するように設けられ、前記第２透明電極膜は、平面視において、前記第１配線の上、および、前記第１透明電極膜の上を覆う様に設けられる。

本実施形態における表示装置ＤＳＰの外観を示す平面図である。 画素ＰＸの基本構成及び表示装置ＤＳＰの等価回路を示す図である。 表示パネルＰＬＮの表示領域ＤＡにおける第１基板ＳＵＢ１の断面図である。 表示パネルＰＬＮの表示領域ＤＡの断面図である。 本実施形態におけるアースパッド付近の断面図である。 導電テープが存在しない状態における表示装置ＤＳＰの外観を示す平面図である。 図６におけるアースパッド付近の平面図である。 図７のＢ－Ｂ線に沿う断面図である。 図７のＣ－Ｃ線に沿う断面図である。 図７のＤ－Ｄ線に沿う断面図である。 図７のＥ－Ｅ線に沿う断面図である。

　以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。

　なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。

　また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

　本実施形態においては、表示装置の一例として、液晶表示装置を開示する。この液晶表示装置は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、パーソナルコンピュータ、テレビ受像装置、車載装置、ゲーム機器等の種々の装置に用いることができる。

　なお、本明細書及び請求の範囲において、図面を説明する際の「上」、「下」などの表現は、着目する構造体と他の構造体との相対的な位置関係を表現している。具体的には、側面から見た場合において、第１基板（アレイ基板）から第２基板（対向基板）に向かう方向を「上」と定義し、その逆の方向を「下」と定義する。

　また、「内側」及び「外側」とは、２つの部位における、表示領域を基準とした相対的な位置関係を示す。すなわち、「内側」とは、一方の部位に対し相対的に表示領域に近い側を指し、「外側」とは、一方の部位に対し相対的に表示領域から遠い側を指す。ただし、ここで言う「内側」及び「外側」の定義は、液晶表示装置を折り曲げていない状態におけるものとする。

　「表示装置」とは、表示パネルを用いて映像を表示する表示装置全般を指す。「表示パネル」とは、電気光学層を用いて映像を表示する構造体を指す。例えば、表示パネルという用語は、電気光学層を含む表示セルを指す場合もあるし、表示セルに対して他の光学部材（例えば、偏光部材、バックライト、タッチパネル等）を装着した構造体を指す場合もある。ここで、「電気光学層」には、技術的な矛盾を生じない限り、液晶層、エレクトロクロミック（ＥＣ）層などが含まれ得る。したがって、後述する実施形態について、表示パネルとして、液晶層を含む液晶パネルを例示して説明するが、上述した他の電気光学層を含む表示パネルへの適用を排除するものではない。

　（表示装置の全体構成例）
　図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの外観を示す平面図である。表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬと、フレキシブルプリント回路基板１と、ＩＣチップ２と、回路基板３と、を備えている。表示パネルＰＮＬは、ＩＰＳ方式の液晶表示パネルであり、第１基板（アレイ基板ともいう）ＳＵＢ１と、第２基板（対向基板ともいう）ＳＵＢ２と、後述する液晶層ＬＣと、シール材ＳＥと、を備えている。

　表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示部（表示領域）ＤＡと、表示部ＤＡを囲む額縁状の非表示部（非表示領域、額縁領域）ＮＤＡと、を備えている。第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１に対向している。第１基板ＳＵＢ１は、第２基板ＳＵＢ２よりも第２方向Ｙに延出した実装部ＭＡを有している。シール材ＳＥは、非表示部ＮＤＡに位置し、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接着するとともに、液晶層ＬＣを封止している。

　表示部ＤＡは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸを備えている。

　フレキシブルプリント回路基板１は、実装部ＭＡに実装され、回路基板３に接続されている。ＩＣチップ２は、フレキシブルプリント回路基板１に実装されている。なお、ＩＣチップ２は、実装部ＭＡに実装されてもよい。ＩＣチップ２は、画像を表示する表示モードにおいて画像表示に必要な信号を出力するディスプレイドライバＤＤを内蔵している。

　本実施形態の表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１の背面側からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型、第２基板ＳＵＢ２の前面側からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型、あるいは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型のいずれであってもよい。

　ＩＰＳ（Ｉｎ　Ｐｌａｎｅ　Ｓｗｉｔｃｈｉｎ）方式の場合、基板主面（ＳＵＢ１、ＳＵＢ２）と平行方向の電界（横電界）によって液晶分子を回転させることによって、液晶層ＬＣの透過率を変えるものであり、優れた視野角特性を有している。ＩＰＳ方式では、基本的には、対向基板ＳＵＢ２には対向電極を形成する必要がない。ここでの基板主面とは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ－Ｙ平面と平行な面である。表示パネルＰＮＬは、また、基板主面の法線に沿った縦電界を利用する表示モード、基板主面に対して斜め方向に傾斜した傾斜電界を利用する表示モード、さらには、上記の横電界、縦電界、及び、傾斜電界を適宜組み合わせて利用する表示モードに対応したいずれの構成を備えていてもよい。

　図１はＩＰＳ方式の液晶表示パネルＰＮＬであり、対向基板ＳＵＢ２の裏面または上側にはシールド導電層（シールド用ＩＴＯ）が形成されている。シールド用ＩＴＯをアース電位あるいは接地電位のような基準電位と接続するために、実装部ＭＡにアースパッドを形成し、このアースパッドと対向基板ＳＵＢ２のシールド用ＩＴＯとを、例えば、導電性部材（導電体）１００で電気的に接続する。導電性部材１００は、導電性テープ、導電性樹脂、導電性ペースト等を利用することができる。導電性テープは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）等の金属のテープの一方の面に、導電性微粒子が分散された粘着材が形成された構成となっている。

　（表示装置の回路構成例）
　図２は、画素ＰＸの基本構成及び表示装置ＤＳＰの等価回路を示す図である。複数の画素ＰＸは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配置されている。複数本の走査線Ｇ（Ｇ１、Ｇ２・・・）は、走査線駆動回路ＧＤに接続されている。複数本の信号線Ｓ（Ｓ１、Ｓ２・・・）は、信号線駆動回路ＳＤに接続されている。複数本の共通電極ＣＥ（ＣＥ１、ＣＥ２・・・）は、コモン電圧（Ｖｃｏｍ）の電圧供給部ＣＤに接続され、複数の画素ＰＸに亘って配置されている。１つの画素ＰＸは、１本の走査線と、１本の信号線と、１本の共通電極ＣＥと、に接続されている。なお、走査線Ｇ及び信号線Ｓは、必ずしも直線的に延出していなくてもよく、それらの一部が屈曲していてもよい。例えば、信号線Ｓは、その一部が屈曲していたとしても、第２方向Ｙに延出しているものとする。

　各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＣ等を備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。走査線Ｇは、第１方向Ｘに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。信号線Ｓは、第２方向Ｙに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。画素電極ＰＥの各々は、共通電極ＣＥと対向し、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって液晶層ＬＣを駆動している。保持容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥと同電位の電極、及び、画素電極ＰＥと同電位の電極の間に形成される。

　（表示領域の断面構成例）
　図３は、表示パネルＰＬＮの表示領域ＤＡにおける第１基板ＳＵＢ１の断面図である。図４は、表示パネルＰＬＮの表示領域ＤＡの断面図である。なお、図３および図４は、例示的に、走査線Ｇ２、信号線Ｓ５、Ｓ６、画素電極ＰＥ１１の等の参照番号を用いて説明するが、それに限定されるわけではない。

　図３を参照し、第１基板ＳＵＢ１は、絶縁基板１０、絶縁膜１１乃至１６、半導体層ＳＣ、第１金属層で形成される走査線（第１金属配線）Ｇ２、第２金属層で形成される信号線（第２金属配線）Ｓ６、第３金属層で形成される金属配線（第３金属配線）ＭＬ６、第１透明導電膜で形成される共通電極（第１透明電極）ＣＥ、第２透明導電膜で形成される画素電極（第２透明電極）ＰＥ１１、配向膜ＡＬ１などを備えている。なお、画素電極ＰＥ１１は後述する図４にて説明する。

　絶縁基板１０は、ガラス基板や可撓性の樹脂基板などの光透過性を有する基板である。絶縁膜１１は、絶縁基板１０の上に位置している。半導体層ＳＣは、絶縁膜１１の上に位置し、絶縁膜１２によって覆われている。半導体層ＳＣは、例えば、多結晶シリコンによって形成されているが、アモルファスシリコンや酸化物半導体によって形成されていてもよい。

　走査線Ｇ２の一部であるゲート電極ＧＥ１は、絶縁膜１２の上に位置し、絶縁膜（無機絶縁膜）１３によって覆われている。なお、図示しない他の走査線も、走査線Ｇ２と同一層に位置している。走査線Ｇ２は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）などの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金などによって形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。一例では、走査線Ｇ２は、モリブデン－タングステン合金によって形成されている。

　信号線Ｓ６は、絶縁膜１３の上に位置し、絶縁膜（第１有機絶縁膜）１４によって覆われている。なお、図示しない他の信号線も、信号線Ｓ６と同一層に位置している。信号線Ｓ６は、上記の金属材料や、上記の金属材料を組み合わせた合金などによって形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。一例では、信号線Ｓ６は、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、及び、チタン（Ｔｉ）がこの順に積層された積層体である。信号線Ｓ６は、絶縁膜１２及び絶縁膜１３を貫通するコンタクトホールＣＨ１を通じて半導体層ＳＣにコンタクトしている。

　金属配線ＭＬ６は、絶縁膜１４の上に位置し、絶縁膜（第２有機絶縁膜）１５によって覆われている。金属配線ＭＬ６は、上記の金属材料や、上記の金属材料を組み合わせた合金などによって形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。一例では、金属配線ＭＬ６は、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、及び、チタン（Ｔｉ）がこの順に積層された積層体、あるいは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、及び、モリブデン（Ｍｏ）がこの順に積層された積層体である。

　共通電極ＣＥは、絶縁膜１５の上に位置し、絶縁膜（無機絶縁膜）１６によって覆われている。共通電極ＣＥは、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成された透明電極である。共通電極ＣＥは、絶縁膜１５を貫通するコンタクトホールＣＨ３を通じて金属配線ＭＬ６にコンタクトしている。配向膜ＡＬ１は、絶縁膜１６の上に位置している。

　絶縁膜１１乃至１３、及び、絶縁膜１６は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物などの無機絶縁材料によって形成された無機絶縁膜であり、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。絶縁膜１４は、例えば、アクリル樹脂などの有機絶縁材料によって形成された有機絶縁膜（第１有機絶縁膜）である。絶縁膜１５は、例えば、アクリル樹脂などの有機絶縁材料によって形成された有機絶縁膜（第２有機絶縁膜）である。なお、絶縁膜１５は、無機絶縁膜であってもよい。絶縁膜１４は、たとえば、２．５μｍ程度の膜厚である。絶縁膜１５は、たとえば、１．５μｍ程度の膜厚である。

　図４を参照し、第１基板ＳＵＢ１において、信号線Ｓ５及びＳ６は、絶縁膜１３の上に位置し、絶縁膜１４によって覆われている。金属配線ＭＬ５及びＭＬ６は、それぞれ信号線Ｓ５及びＳ６の直上に位置している。画素電極ＰＥ１１は、絶縁膜１６の上に位置し、配向膜ＡＬ１によって覆われている。画素電極ＰＥ１１は、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成された透明電極である。

　第２基板ＳＵＢ２は、シールド導電層（シールド用ＩＴＯ）１９、絶縁基板２０、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦＧ、オーバーコート層ＯＣ、配向膜ＡＬ２などを備えている。

　シールド導電層１９は、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成されている。シールド導電層１９は、絶縁基板２０の外側に位置している。絶縁基板２０は、絶縁基板１０と同様に、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する基板である。遮光層ＢＭ及びカラーフィルタＣＦＧは、絶縁基板２０の第１基板ＳＵＢ１と対向する側に位置している。カラーフィルタＣＦＧは、画素電極ＰＥ１１と対向する位置に配置され、その一部が遮光層ＢＭに重なっている。オーバーコート層ＯＣは、緑色用のカラーフィルタＣＦＧを覆っている。オーバーコート層ＯＣは、透明な樹脂によって形成されている。他の赤色用及び青色用のカラーフィルタも、カラーフィルタＣＦＧと同様に、それぞれ画素電極ＰＥと対向する位置に配置され、オーバーコート層ＯＣによって覆われている。配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆っている。配向膜ＡＬ１及び配向膜ＡＬ２は、例えば、水平配向性を呈する材料によって形成されている。

　上述した第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、配向膜ＡＬ１及び配向膜ＡＬ２が対向するように配置されている。図示しないが、メインスペーサ及びサブスペーサは、樹脂材料によって形成され、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間に配置されている。メインスペーサは、配向膜ＡＬ１と配向膜ＡＬ２との間に所定のセルギャップを形成する。セルギャップは、例えば２～５μｍである。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、所定のセルギャップが形成された状態でシール材によって接着されている。

　液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間に位置し、配向膜ＡＬ１と配向膜ＡＬ２との間に保持されている。液晶層ＬＣは、液晶分子ＬＭを備えている。液晶層ＬＣは、ポジ型（誘電率異方性が正）の液晶材料、あるいは、ネガ型（誘電率異方性が負）の液晶材料によって構成されている。

　偏光板ＰＬ１を含む光学素子ＯＤ１は、絶縁基板１０に接着されている。偏光板ＰＬ２を含む光学素子ＯＤ２は、シールド導電層１９に接着されている。なお、光学素子ＯＤ１及び光学素子ＯＤ２は、必要に応じて位相差板、散乱層、反射防止層などを備えていてもよい。

　このような表示パネルＰＮＬにおいては、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成されていないオフ状態において、液晶分子ＬＭは、配向膜ＡＬ１及び配向膜ＡＬ２の間で所定の方向に初期配向している。このようなオフ状態では、照明装置ＩＬから表示パネルＰＮＬに向けて照射された光は、光学素子ＯＤ１及び光学素子ＯＤ２によって吸収され、暗表示となる。一方、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成されたオン状態においては、液晶分子ＬＭは、電界により初期配向方向とは異なる方向に配向し、その配向方向は電界によって制御される。このようなオン状態では、照明装置ＩＬからの光の一部は、光学素子ＯＤ１及び光学素子ＯＤ２を透過し、明表示となる。

　（アースパッドの構成例）
　図５は、本実施形態におけるアースパッド付近の断面図である。図５は、図１のＡ－Ａに沿う断面図であり、アースパッド５０部分の断面図を示している。

　図５において、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２がシール材ＳＥによって接着し、液晶層ＬＣが第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２の間に挟持されている。壁状スペーサＳＰが第２基板ＳＵＢ２の端部に形成されている。第１基板ＳＵＢ１側の層は有機絶縁膜１４、１５のみを記載している。有機絶縁膜１４、１５にはシール材ＳＥとオーバーラップした部分に溝４０が形成されている。外部から水分が有機絶縁膜１４、１５を通して侵入することを防止するためである。

　有機絶縁膜１４は、実装部ＭＡにおいて、アースパッド５０が形成される部分にまで延在している。そして、有機絶縁膜１４の上に接続用透明導電膜６０が形成されることによって、アースパッド５０が形成されている。これにより、アースパッド５０の下も配線領域として使用することができ、実装部ＭＡの面積をその分縮小することができる。図５において、例示的に示されるように、アースパッド５０の下を通過する配線７０が示される。配線７０は、映像信号線の引出し配線、電源用の配線、検査用の配線などを含んでもよい。

　アースパッド５０と第２基板ＳＵＢ２のシールド導電層１９は導電テープ１００によって接続している。アースパッド５０の接続用透明導電膜６０は、配線によって第１基板ＳＵＢ１の実装部ＭＡに設けられた電源供給用の外部接続端子（ＧＮＤ）に接続される。外部接続端子（ＧＮＤ）には、アース電位あるいは接地電位のような基準電位が供給される。

　図６は、導電テープが存在しない状態における表示装置ＤＳＰの外観を示す平面図である。図６は、導電性テープ１００によって、シールド導電層１９とアースパッド５０とを接続する前の状態を示している。図６の実装部ＭＡにおいて、第２基板ＳＵＢ２と隣接する部分において、アースパッド５０が形成されている。アースパッド５０は、有機絶縁膜１４とその上に形成された接続用透明導電膜６０で構成される。その他の構成は、図１で説明したのと同様である。

　図７は、図６におけるアースパッド５０付近の平面図である。図８は、図７のＢ－Ｂ線に沿う断面図である。図９は、図７のＣ－Ｃ線に沿う断面図である。図１０は、図７のＤ－Ｄ線に沿う断面図である。図１１は、図７のＥ－Ｅ線に沿う断面図である。

　図７を参照し、平面視において、アースパッド５０が第２基板ＳＵＢ２と隣接して設けられている。アースパッド５０は、この例では、矩形形状にされているが、他の平面形状でもよい。アースパッド５０は、有機絶縁膜１４の上に接続用透明導電膜６０が形成されたものである。有機絶縁膜１４の下には、第１配線ないし第５配線（７１－７５）が形成されている。

　第１配線７１、第２配線７２、第４配線７４および第５配線７５は、この例では、平面視において、第１方向Ｘに沿って直線状に延在して、アースパッド５０の下側を横断するように設けられている。第３配線７３は、第１方向Ｘに沿って設けられた第１配線部分と第２方向Ｙに沿って設けられた第２配線部分とを有している。第３配線７３の第２方向Ｙに沿って設けられた配線部分は、第４配線７４および第５配線７５の上を通過するように設けられる。したがって、第３配線７３は、平面視において、第４配線７４および第５配線７５と交差する配線である。

　後述されるように、第１ないし第３配線７１－７３は、信号線Ｓ５及びＳ６と同層の配線層により形成される。一方、第４配線７４および第５配線７５は、走査線Ｇ２と同層の配線層により形成される。このように、アースパッド５０の下側に設けられる複数の配線を、複数の配線層を利用して形成するので、アースパッド５０の下側の配線領域に設けられる配線の本数を多くでき、実装部ＭＡの面積をその分縮小することができる。

　第１配線７１は、たとえば、電源電位（Ｖｄｄ）または７Ｖの様な第１参照電位が供給される。第１配線７１は、一例では、走査線Ｇ２の高電位の電圧を供給するための電源配線である。

　第３配線７３は、たとえば、接地電位（ＧＮＤ）または０Ｖの様な、第１参照電位と比較して、低い第２参照電位が供給される。第３配線７３は、一例では、走査線Ｇ２の低電位の電圧を供給するための電源配線である。

　第１配線７１および第３配線７３は、平面視において、第２配線７２、第４および第５配線７４、７５と比較して、比較的太い配線である。電源配線のような比較的太い配線を、アースパッド５０の下側の配線領域に配置するので、実装部ＭＡの面積をその分縮小することができる。

　第６配線７６は、アースパッド５０にアース電位あるいは接地電位のような基準電位を供給するために設けられている。第６配線７６の一端は、アースパッド５０の接続用透明導電膜６０に電気的に接続されている。第６配線７６の他端は第１基板ＳＵＢ１の実装部ＭＡに設けられた外部接続端子（ＧＮＤ）に接続される。外部接続端子（ＧＮＤ）には、アース電位あるいは接地電位のような基準電位が供給される。

　図７において、接続用透明導電膜６０は、第１接続用透明導電膜６１と、第２接続用透明導電膜６２とを含む。第１接続用透明導電膜６１は、共通電極ＣＥと同一層に位置し、共通電極ＣＥと同一材料によって形成されている。第２接続用透明導電膜６２は、画素電極ＰＥ１１と同一層に位置し、画素電極ＰＥ１１と同一材料によって形成されている。第２接続用透明導電膜６２は、第１接続用透明導電膜６１の上に形成され、第１接続用透明導電膜６１と第２接続用透明導電膜６２とは電気的に接続されている。

　この例では、第１接続用透明導電膜６１は、第１電極部６１ａと第２電極部６１ｂとに分割されて設けられる。アースパッド５０の平面視において、第１配線７１の上側に対応するアースパッド５０の領域部分には、第２接続用透明導電膜６２が設けられているが、第１接続用透明導電膜６１は設けられていない。一方、第２ないし第５配線（７２－７５）の上側に対応するアースパッド５０の領域部分には、第２接続用透明導電膜６２および第１接続用透明導電膜６１（６１ａ、６１ｂ）の両方が積層して設けられている。

　平面視において、第１配線７１の第２方向Ｙの幅Ｌ１は、第１電極部６１ａと第２電極部６１ｂとの第２方向Ｙの間隔Ｌ２より狭くなっている（Ｌ１＜Ｌ２）。言い換えるならば、第１電極部６１ａと第２電極部６１ｂとの第２方向Ｙの間隔Ｌ２の間に、幅Ｌ１の第１配線７１が配置されている。つまり、第１接続用透明導電膜６１は、平面視において、第１配線７１の上を回避するように設けられている。そのため、第１接続用透明導電膜６１は、第１電極部６１ａと第２電極部６１ｂとに分割されている。

　また、平面視において、第１配線７１の上側の端部と第１電極部６１ａの下側の端部の間の間隔ｄ１、および、第１配線７１の下側の端部と第２電極部６１ｂの上側の端部の間の間隔ｄ２は、たとえば、５μｍ程度のとするのが好ましい。

　上記では、第１接続用透明導電膜６１を、第１電極部６１ａと第２電極部６１ｂとの２つに分割した例を説明したが、それ限定されない。第１配線７１が第２基板ＳＵＢ２と隣接する位置に、第２基板ＳＵＢ２の端部に沿って設けられる場合、第１接続用透明導電膜６１を分割する必要はない。また、第１配線７１のような高電位の配線が、アースパッド５０の下側の配線領域に、複数設けられる場合、第１接続用透明導電膜６１は２以上に分割することも可能である。

　図８は、図７のＢ－Ｂ線に沿う断面図であり、第１配線７１の配置部分の断面図である。

　第１配線７１は、信号線Ｓ５及びＳ６と同一層に位置し、信号線Ｓ５及びＳ６と同一材料によって形成されている。第１配線７１は、絶縁膜１３の上に形成され、第１配線７１の上は有機絶縁膜１４によって覆われている。有機絶縁膜１４は、無機絶縁材料によって形成された絶縁膜１６によって覆われている。絶縁膜１６の上には、第２接続用透明導電膜６２が設けられている。なお、図８において、第２接続用透明導電膜６２の下に位置する絶縁膜１６は、絶縁膜１６ｂとして示される。絶縁膜１６ｂについては、後述の図１０で説明される。図７に示すように、アースパッド５０の平面視において、第１配線７１の配置部分の全域において、第１接続用透明導電膜６１は設けられず、第２接続用透明導電膜６２のみが設けられる。

　図９は、図７のＣ－Ｃ線に沿う断面図であり、第２配線７２の配置部分の断面図である。

　第２配線７２は、信号線Ｓ５及びＳ６と同一層に位置し、信号線Ｓ５及びＳ６と同一材料によって形成されている。第２配線７２は、絶縁膜１３の上に形成され、第２配線７２の上は有機絶縁膜１４によって覆われている。有機絶縁膜１４の上には、第１接続用透明導電膜６１の第２電極部６１ｂが選択的に設けられる。第２電極部６１ｂの端部の上および第２電極部６１ｂの形成されていない部分の有機絶縁膜１４の上を覆うように、絶縁膜１６が設けられる。第２接続用透明導電膜６２は、第２電極部６１ｂの上および第２電極部６１ｂの端部を覆う絶縁膜１６の上に設けられる。図７に示すように、アースパッド５０の平面視において、第２配線７２の配置部分の全域において、第１接続用透明導電膜６１および第２接続用透明導電膜６２の両方が積層されて設けられる。

　図１０を参照し、第１ないし第３配線７１－７３は絶縁膜１３の上に配置され、第４および第５配線７４、７５は絶縁膜１２の上に配置されている。第１ないし第３配線７１－７３は信号線Ｓ５及びＳ６と同一層に位置し、信号線Ｓ５、Ｓ６と同一材料によって形成されている。第４および第５配線７４、７５は、走査線Ｇ２と同一層に位置し、走査線Ｇ２と同一材料によって形成されている。

　第３ないし第５配線７３－７５の上側には、図７に示すように、第１接続用透明導電膜６１の第１電極部６１ａが設けられている。第２配線７２の上側には、図７および図９に示すように、第１接続用透明導電膜６１の第２電極部６１ｂが設けられている。第１配線７１の上側には、図７および図８で示すように、第１接続用透明導電膜６１が設けられてない。

　第１接続用透明導電膜６１の第１電極部６１ａと第２電極部６１ｂと間には、絶縁膜１６ｂが設けられている。絶縁膜１６ｂは、絶縁膜１６と同層の絶縁膜である。絶縁膜１６ｂは、第１電極部６１ａと第２電極部６１ｂと間から露出する有機絶縁膜１４の表面の上、および、第１電極部６１ａと第２電極部６１ｂの対向する端部の上を覆う様に設けられる。

　第２接続用透明導電膜６２は、第１電極部６１ａ、第２電極部６１ｂおよび絶縁膜１６ｂの上に設けられており、第１電極部６１ａ、第２電極部６１ｂ、および、第２接続用透明導電膜６２が電気的に接続されている。第２接続用透明導電膜６２は、絶縁膜１６、１６ｂに設けられた開口部Ｏ１から露出する第１電極部６１ａの上と、絶縁膜１６、１６ｂに設けられた開口部Ｏ２から露出する第２電極部６１ｂの上と、絶縁膜１６ｂの上と、両側の絶縁膜１６の端部の上と、を覆う様に設けられる。

　アースパッド５０の第１接続用透明導電膜６１および第２接続用透明導電膜６２は、たとえば、次のようにして形成することかできる。

　まず、アースパッド５０の形成領域において、有機絶縁膜１４の上に、共通電極ＣＥの形成と同時に透明導電膜を形成し、形成された透明導電膜をパターニンすることで、第１接続用透明導電膜６１の第１電極部６１ａおよび第２電極部６１ｂを選択的に形成する。

　次に、アースパッド５０の形成領域に絶縁膜１６を形成し、絶縁膜１６をパターニングして、絶縁膜１６に開口部Ｏ１、Ｏ２を形成する。これにより、第１電極部６１ａおよび第２電極部６１ｂを選択的に露出させる。

　その後、アースパッド５０の形成領域に、画素電極ＰＥ１１の形成と同時に透明導電膜を形成し、透明導電膜をパターニングして、第２接続用透明導電膜６２を形成する。

　表示装置ＤＳＰの信頼性の評価および検証を行うため、高温高湿の状態で通電試験を行うことがある。ここで、高温とは８５°Ｃであり、高湿とは相対湿度８５％ＲＨである。通電試験とは、表示装置ＤＳＰに、実動作と同様な電源電位を供給した動作状態で、長時間（例えば、２４０時間）の試験を行うものである。

　図７および図８に示される構成によれば、高電位の電源配線である第１配線７１の上側には、低電位の第１接続用透明導電膜６１が存在せず、絶縁膜１４および１６を介して、第２接続用透明導電膜６２が設けられる。高温高湿の状態で通電試験を行った場合、高電位の第１配線７１の上側に低電位の第１接続用透明導電膜６１が存在しないので、第１接続用透明導電膜６１が縦電界および水分の影響によって腐食されてしまうという問題を解決できる。

　平面視において、比較的太い電源配線である第１配線７１をアースパッド５０の下側の配線領域に設けても、アースパッド５０の腐食を防止できるので、実装部ＭＡの面積をその分縮小することができる。また、これにより、表示装置の額縁領域を狭くすることが可能である。

　図１１は、図７のＥ－Ｅ線に沿う断面図であり、第６配線７６の配置部分の断面図である。第６配線７６は、走査線Ｇ２と同一層に位置し、走査線Ｇ２と同一材料によって形成された配線７６１と、信号線Ｓ５及びＳ６と同一層に位置し、信号線Ｓ５及びＳ６と同一材料によって形成された配線７６２との積層構造となっている。第６配線７６の一端、すなわち、配線７６２の一端は、第１接続用透明導電膜６１の第１電極部６１ａに接続されている。第６配線７６の他端は、実装部ＭＡに設けられた外部接続端子（ＧＮＤ）に接続される。これにより、アースパッド５０に、アース電位あるいは接地電位のような基準電位を供給することができる。

　実施形態によれば、以下の１または複数の効果を得ることができる。

　１）高温高湿の状態で通電試験を行った場合でも、アースパッド５０の腐食を防止できる。

　２）上記１）により、表示装置の信頼性を向上することができる。

　３）アースパッド５０の下側において、配線の数を多くできるので、実装部ＭＡの面積を縮小することができる。

　４）平面視において、比較的太い電源配線である第１配線７１をアースパッド５０の下側の配線領域に設けても、アースパッド５０の腐食を防止できるので、実装部ＭＡの面積を縮小することができる。

　５）上記４）により、表示装置の額縁領域を狭くすることが可能である。

　本発明の実施の形態として上述した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

　本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、上述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

　また、本実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について本明細書記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

　上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。

ＤＳＰ：表示装置
ＰＮＬ：表示パネル
ＳＵＢ１：第１基板（アレイ基板）
ＳＵＢ２：第２基板（対向基板）
１４：有機絶縁膜
１９：シールド導電層
５０：アースパッド
６０：接続用透明導電膜
６１：第１接続用透明導電膜
６１ａ：第１電極部
６１ｂ：第２電極部
６２：第２接続用透明導電膜
７１：第１配線（電源配線）
７２：第２配線
１００：導電体（導電性テープ）

Claims (11)

1. 　パッドを有する第１基板と、
   　シールド導電層を有する第２基板と、
   　前記パッドと前記シールド導電層とに接続された導電体と、を含み、
   　前記第１基板は、前記パッドの下に設けられた第１配線を含み、
   　前記パッドは、
   　　前記第１配線を覆う様に設けられた有機絶縁膜と、
   　　前記有機絶縁膜の上に設けられた透明導電膜と、を含み、
   　前記透明導電膜は、
   　　前記有機絶縁膜の上に設けられた第１透明導電膜と、
   　　前記第１透明導電膜に接続された第２透明導電膜と、を含み、
   　前記第１透明導電膜は、平面視において、前記第１配線の上を回避するように設けられ、
   　前記第２透明導電膜は、平面視において、前記第１配線の上、および、前記第１透明導電膜の上を覆う様に設けられる、
   　表示装置。
2. 　請求項１において、
   　前記第１配線は、電源配線である、表示装置。
3. 　請求項２において、
   　前記電源配線は、高電位の電圧である第１参照電位を供給され、
   　前記パッドは、前記第１参照電位と比較して、低い第２参照電位を供給される、表示装置。
4. 　請求項１において、
   　前記第１配線に隣接して設けられた第２配線を含み、
   　前記第２配線の上には、平面視において、前記第１透明導電膜と前記第２透明導電膜とが配置される、表示装置。
5. 　請求項１において、
   　前記第１透明導電膜は、前記第１基板に設けられる共通電極と同一材料である、表示装置。
6. 　請求項５において、
   　前記第２透明導電膜は、前記第１基板に設けられる画素電極と同一材料である、表示装置。
7. 　請求項６において、
   　前記第１基板は、さらに、
   　　第１有機絶縁膜と、
   　　前記第１有機絶縁膜の上に形成された第２有機絶縁膜と、を有し、
   　前記有機絶縁膜は、前記第１有機絶縁膜と同一材料である、表示装置。
8. 　請求項１において、
   　前記第１透明導電膜は、第１電極部と、第２電極部と、を含み、
   　前記第１配線は、平面視において、前記第１電極部と前記第２電極部との間に配置される、表示装置。
9. 　請求項８において、
   　前記パッドは、さらに、絶縁膜を有し、
   　前記第１電極部と前記第２電極部との間に露出する前記有機絶縁膜の上に、前記絶縁膜が設けられる、表示装置。
10. 　請求項９において、
    　前記第１基板は、前記パッドの下に設けられた複数の配線を含み、
    　前記第１配線は、前記第１基板に設けられる信号線と同一材料であり、
    　前記複数の配線は、前記信号線と同一材料の配線と、前記第１基板に設けられる走査線と同一材料の配線と、を含む、表示装置。
11. 　請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の表示装置において、
    　前記表示装置は、ＩＰＳ方式の液晶表示装置である、表示装置。

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