WO2019243298A1 - Monofazial-solarzelle, solarmodul und herstellungsverfahren für eine monofazial-solarzelle - Google Patents

Monofazial-solarzelle, solarmodul und herstellungsverfahren für eine monofazial-solarzelle Download PDF

Info

Publication number
WO2019243298A1
WO2019243298A1 PCT/EP2019/065954 EP2019065954W WO2019243298A1 WO 2019243298 A1 WO2019243298 A1 WO 2019243298A1 EP 2019065954 W EP2019065954 W EP 2019065954W WO 2019243298 A1 WO2019243298 A1 WO 2019243298A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
sinx
solar cell
range
alox
Prior art date
Application number
PCT/EP2019/065954
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Axel Schwabedissen
Matthias Junghänel
Ingmar HÖGER
Stefan Peters
Original Assignee
Hanwha Q Cells Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hanwha Q Cells Gmbh filed Critical Hanwha Q Cells Gmbh
Publication of WO2019243298A1 publication Critical patent/WO2019243298A1/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/056—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means the light-reflecting means being of the back surface reflector [BSR] type
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators

Definitions

  • the invention relates to a monofacial solar cell, a solar module and a production method for a monofacial solar cell.
  • the invention relates to a monofacial solar cell with a layer stack on the back and a solar module which has such a monofacial solar cell and a production method for the monofacial solar cell.
  • a solar cell usually has a front side and a back side, which can each have layer stacks. It is an electrical one
  • Monofacial solar cells can only be on their front
  • Recycle incident light while bifacial solar cells can take advantage of incident sunlight from two sides.
  • the bifacial solar cell can not only utilize direct incidence of light from the front but also direct or indirect incidence of light from the back, the latter for example in the form of reflected sunlight.
  • a solar cell is known from DE 10 2007 054 384 A1, in which two dielectric layers and one thereon on a substrate such as a wafer
  • the two dielectric layers are an AlOx layer arranged on the substrate and SiNx, SiOx, or SiC layer arranged on the AlOx layer.
  • SiNx, SiOx, or SiC layer arranged on the AlOx layer.
  • the object is achieved by a monofacial solar cell with the features of patent claim 1, a solar module with the features of patent claim 10 and a manufacturing method for a monofacial solar cell with the features of patent claim 11.
  • the invention relates to a monofacial solar cell with a layer stack on the back, in which it is provided according to the invention that the layer stack on the back has an AlOx layer, one or more SiNx layers and one or more SiOxNy layers.
  • the respective SiNx or SiOxNy layers can differ in their refractive index.
  • This layer stack on the back increases the efficiency of the monofacial solar cell. Compared to a monofacial solar cell with a layer stack on the back consisting of an AlOx layer and a SiNx layer, this results in higher efficiency.
  • SiNx and SiOxNy layers Due to the manufacturing process of SiNx and SiOxNy layers, for example in the PECVD process (plasma enhanced chemical vapor deposition process), hydrogen is deposited during the deposition of the layers, i. H. the SiNx layer or SiOxNy layer is hydrogenated, which is represented by the designation SiNx: H layer or SiOxNy layer: H layer.
  • This hydrogen contained in such a layer passivates recombination centers at the SiNx / Si interface or SiOxNy interface and in the volume of the silicon substrate. This will make the
  • the hydrogen content of the SiNx layer is preferably in the range from 10 to 25%, more preferably in the range from 15 to 20%.
  • the hydrogen content of the SiOxNy layer is preferably below 10%.
  • the production of the rear layer stack according to the invention is possible in a PECVD system in one process without ventilation or system change. This can save costs. All layers of the rear side stack are preferred in a pipe PECVD system with a graphite boat as a wafer holder by means of a direct plasma deposited. However, it is also possible to deposit the AlOx by means of “atomic layer deposition” (ALD) or microwave remote plasma, and only to deposit the SiNx and SiOxNy layers in a tube PECVD system.
  • ALD atomic layer deposition
  • the monofacial solar cell is preferably a mono- or multicrystalline
  • the AlOx layer is arranged on a substrate of the solar cell, the SiNx layer is arranged on a side of the AlOx layer facing away from the substrate and the SiOxNy layer is on a side of the SiNx layer facing away from the substrate arranged.
  • the rear of the monofacial solar cell has the following structure: substrate / AlOx layer / SiNx layer / SiOxNy layer.
  • the layers of the layer stack are preferably arranged directly or directly one above the other, i.e. without another intermediate layer.
  • the SiNx layer is preferably a SiNx double layer which has a first SiNx layer and a second SiNx layer.
  • the SiNx layer is preferably a SiNx double layer which has a first SiNx layer and a second SiNx layer.
  • Layer stack therefore four layers.
  • the layer stack preferably consists of these four layers in the following order: AlOx layer / SiNx double layer / SiOxNy layer. It should always be noted here that there is an additional metallization on the back of the solar cell, since it is a monofacial solar cell. That is, a metal layer is also arranged on the SiOxNy layer.
  • a third SiNx layer is arranged on a side of the SiOxNy layer facing away from the substrate. This can further increase the efficiency of the monofacial solar cell.
  • the metal layer arranged on the third SiNx layer is therefore preferably an aluminum layer.
  • the layer stack has four layers.
  • the layer stack preferably consists of the four layers in the following order: AlOx layer / SiNx layer / SiOxNy layer / SiNx layer.
  • the layer stack has five layers. The layer stack preferably consists of the five
  • a refractive index of the first SiNx layer is advantageously smaller than a refractive index of a second SiNx layer, the first SiNx layer being arranged on a side of the second SiNx layer facing away from the substrate and the second SiNx layer on one of the substrate facing away from the AlOx layer.
  • the solar cell preferably has the following structure on the rear: substrate / AlOx layer / second SiNx layer / first SiNx layer / SiOxNy layer or
  • the refractive index of the third SiNx layer is preferably smaller than the refractive index of the second SiNx layer.
  • the refractive index of the third SiNx layer is the same or substantially the same as the refractive index of the first SiNx layer.
  • a refractive index of the SiOxNy layer is smaller than a refractive index of the SiNx layer, i.e. the first, second and third SiNx layers.
  • the refractive index of the SiOxNy layer can be greater than a refractive index of the AlOx layer.
  • the refractive index of the AlOx layer is in the range from 1.5 to 1.7
  • the refractive index of the SiNx layer is in the range from 2.0 to 2.4
  • the refractive index of the SiOxNy layer is in the range from 1, 5 to 1, 9, measured by means of laser or white light / spectral Ellipsometry at a wavelength of 632 nm.
  • a refractive index of the first SiNx layer is preferably in the range from 2.0 to 2.2 and a refractive index of the second SiNx layer in the range of 2 , 2 to 2.4.
  • the layer stack has the third SiNx layer
  • a refractive index of the third SiNx layer is preferably in the range from 2.0 to 2.2. In the range of these values, the monofacial solar cell has a high light coupling and it becomes high
  • a total layer thickness of the layer stack is preferably at least 80 nm, preferably at least 105 nm, more preferably at least 115 nm, even more preferably at least 120 nm.
  • the total layer thickness of the layer stack is preferably in the range from 100 to 210 nm, more preferably in the range from 110 to 140 nm, more preferably at 125 nm. This results in improved resistance to paste corrosion in the production of the monofacial solar cell. In addition, quantitatively more
  • Hydrogen is provided for chemical passivation of the surface and volume.
  • a layer thickness of the SiOxNy layer is preferably greater than a layer thickness of the SiNx layer. If the SiNx layer is a SiNx double layer, a layer thickness of the SiOxNy layer is preferably equal to or greater than the layer thickness of the Sinx double layer. A layer thickness of the AlOx layer is preferably smaller than the layer thickness of the SiNx layer.
  • a thickness of the AlOx layer is in the range from 5 to 20 nm
  • a thickness of the SiNx layer arranged on a side of the AlOx layer facing away from the substrate is in the range from 15 to 70 nm
  • a thickness of the first SiNx layer is preferably in the range from 10 to 40 nm
  • a thickness of the second SiNx layer is in the range of 5 to 30 nm and the thickness of the third SiNx layer is in the range of 5 up to 55 nm.
  • the monofacial solar cell has a high light coupling and a high passivation effect is achieved.
  • the back layer stack consists of the following four layers: one AlOx layer arranged on the substrate, the second one arranged on the side of the AlOx layer facing away from the substrate
  • SiNx layer the first SiNx layer arranged on the side of the SiNx layer facing away from the substrate and the SiOxNy layer arranged on the side of the first SiNx layer facing away from the substrate.
  • the refractive index of the AlOx layer is preferably in the range from 1.5 to 1.7, more preferably at 1.6
  • the refractive index of the second SiNx layer is preferably in the range from 2.2 to 2.4
  • the refractive index of the first SiNx layer in the range from 2.0 to 2.1 and the refractive index of the SiOxNy layer in the range from 1.5 to 1.9 measured as stated above.
  • Layer stack of the following five layers an AlOx layer arranged on the substrate, the second SiNx layer arranged on the side of the AlOx layer facing away from the substrate, the first SiNx layer arranged on the side of the SiNx layer facing away from the substrate, the SiOxNy layer arranged on the side of the first SiNx layer facing away from the substrate and the third SiNx layer arranged on the side of the SiOxNy layer facing away from the substrate.
  • the refractive index of the AlOx layer is preferably in the range from 1.5 to 1.7, more preferably at 1.6
  • the refractive index of the second SiNx layer is preferably in the range from 2.2 to 2.4
  • the back layer stack consists of the following four layers: an AlOx layer arranged on the substrate, the first or second SiNx layer arranged on the side of the AlOx layer facing away from the substrate, that on the side of the substrate SiOxNy layer arranged on the opposite side of the first or second SiNx layer and the third SiNx layer arranged on the side of the SiOxNy layer facing away from the substrate.
  • the first or second SiNx layer arranged on the side of the AlOx layer facing away from the substrate, that on the side of the substrate SiOxNy layer arranged on the opposite side of the first or second SiNx layer and the third SiNx layer arranged on the side of the SiOxNy layer facing away from the substrate.
  • Refractive index of the AlOx layer preferably in the range from 1.5 to 1.7, more preferably at 1.6
  • the refractive index of the second SiNx layer is preferably in the range from 2.2 to 2.4
  • the refractive index is the first and third SiNx layers in the range from 2.0 to 2.1
  • the refractive index of the SiOxNy layer in the range from 1.5 to 1.9, measured as above
  • the expression that the layer stack consists of the layers mentioned means that a further
  • Backside metallization is provided on the back layer stack.
  • the invention further relates to a solar module, comprising a plurality of monofacial solar cells according to one or more of the above embodiments.
  • the efficiency of the solar module is increased.
  • the solar module is preferably monofacial.
  • the invention further relates to a manufacturing method for the monofacial solar cell according to one or more of the described
  • 3 shows a further layer stack according to the invention
  • 4a shows yet another layer stack according to the invention
  • FIG. 4b shows a variant of the layer stack shown in FIG. 4a
  • 5b-5d each show a variant of the layer stack shown in FIG. 5a.
  • the layer stack shows a layer stack according to the prior art. This known layer stack is applied in two layers and on the back of a substrate (not shown).
  • the layer stack consists of an AlOx layer 1, which is arranged on the substrate (not shown), and a first SiNx layer 2, which is arranged on a side of the AlOx layer 1 facing away from the substrate.
  • a metal layer (not shown) is arranged on the SiNx layer 2.
  • the layer stack according to the invention is applied in three layers and on the back to a substrate (not shown).
  • the layer stack has an AlOx layer 1, which is arranged on the substrate (not shown), an SiNx layer 2, which is arranged on a side of the AlOx layer 1 facing away from the substrate, and an SiOxNy layer 4, which is on a side of the SiNx layer 2 facing away from the AlOx layer 1 is arranged.
  • a metal layer of the monofacial solar cell arranged on a side of the SiOxNy layer 4 facing away from the SiNx layer 2 is not shown.
  • the AlOx layer 1 has a refractive index of 1.6, as measured above, and a layer thickness of 16 nm.
  • the SiNx layer 2 has a refractive index of 2.05, as measured above, and a layer thickness of 20 nm.
  • the SiOxNy layer 4 has one
  • FIG. 3 shows a further layer stack according to the invention.
  • the layer stack shown in FIG. 3 corresponds to the rear side shown in FIG. 2
  • the SiNx layer 2 and the SiNx layer 3 form an SiNx double layer 2, 3, which is arranged on a side of the AlOx layer 1 facing away from the substrate.
  • the second SiNx layer 3 has a refractive index of 2.4, as measured above, and a layer thickness of 20 nm.
  • FIG. 4a shows yet another layer stack according to the invention.
  • the layer stack shown in FIG. 4a corresponds to the layer stack shown in FIG. 2 with the difference that a third SiNx layer 5 is also arranged on a side of the SiOxNy layer 4 facing away from the substrate.
  • the third SiNx layer 5 has a refractive index of 2.05, as measured above, and a layer thickness in the range of 20 nm.
  • FIG. 4b shows a variant of the layer stack shown in FIG. 4a.
  • the layer stack shown in FIG. 4b corresponds to the layer stack shown in FIG. 4a with the difference that instead of the SiNx layer 2, an SiNx layer 3 with a refractive index of 2.4, as measured above, and a layer thickness of 20 nm is arranged.
  • FIG. 5a shows yet another layer stack according to the invention.
  • the layer stack shown in FIG. 5a corresponds to the layer stack shown in FIG. 3 with the difference that a third SiNx layer 5 is also arranged on a side of the SiOxNy layer 4 facing away from the substrate.
  • the third SiNx layer 5 has a refractive index of 2.05, as measured above, and a layer thickness in the range of 50 nm.
  • 5b-5d each show a variant of the layer stack shown in FIG. 5a.
  • Fig. 5b shows a rear layer stack according to Fig.5a with the
  • FIG. 5c shows a layer stack on the rear side according to FIG. 5a with the difference that a refractive index of the SiOxNy layer 5 is 1, 5, as measured above.
  • FIG. 5d shows a layer stack on the rear side according to FIG. 5a with the difference that the layer thickness of the SiOxNy layer 5 is 150 nm.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Monofazial-Solarzellemit einem rückseitigen Schichtstapel, wobei der rückseitige Schichtstapel eine AlOx-Schicht (1), eine oder mehrere SiNx-Schichten(2, 3, 5) und eine SiOxNy-Schicht (4) aufweist. Ferner betrifft die Erfindung ein Solarmodul, das mehrere derartige Monofazial-Solarzellenaufweist.Weiterhin betrifft die Erfindung ein Herstellungsverfahren für die Monofazial-Solarzelle, bei dem der rückseitige Schichtstapel aus AlOx-Schicht (1), SiNx-Schicht(en) (2,3, 5) und SiOxNy-Schicht (4) in einer Rohr PECVD Anlage mit einem Graphitboot als Waferhalter abgeschieden werden und die Schichten nacheinander in ein-und demselben Rohr aufgebracht werden.

Description

Monofazial-Solarzelle, Solarmodul und Herstellungsverfahren für eine
Monofazial-Solarzelle
Beschreibung:
Die Erfindung betrifft eine Monofazial-Solarzelle, ein Solarmodul und ein Herstellungsverfahren für eine Monofazial-Solarzelle. Insbesondere betrifft die Erfindung eine Monofazial-Solarzelle mit einem rückseitigen Schichtstapel und ein Solarmodul, das eine derartige Monofazial-Solarzelle aufweist sowie ein Herstellungsverfahren für die Monofazial-Solarzelle.
Eine Solarzelle weist üblicherweise eine Vorderseite und eine Rückseite auf, die jeweils Schichtstapel aufweisen können. Sie ist ein elektrisches
Bauelement, das einfallendes Sonnenlicht direkt in elektrische Energie umwandelt. Monofazial-Solarzellen können nur auf ihre Vorderseite
einfallendes Licht verwerten, während Bifazial-Solarzellen einfallendes Sonnenlicht von zwei Seiten ausnutzen können. Die Bifazial-Solarzelle kann nicht nur einen direkten Lichteinfall über die Vorderseite sondern auch einen direkten oder indirekten Lichteinfall über die Rückseite verwerten, letzteres beispielsweise in Form reflektierten Sonnenlichts.
Aus der DE 10 2007 054 384 A1 ist eine Solarzelle bekannt, bei der auf einem Substrat wie einem Wafer zwei Dielektrikumschichten und darauf eine
Metallisierung angeordnet sind. Die zwei Dielektrikumschichten sind eine auf dem Substrat angeordnete AlOx-Schicht und auf der AlOx-Schicht angeordnete SiNx-, SiOx-, oder SiC-Schicht. Es besteht aber weiterhin ein Bedarf, die Effizienz der Solarzelle zu steigern. Es ist eine Aufgabe der Erfindung eine Solarzelle und ein Solarmodul sowie ein Herstellungsverfahren für eine Solarzelle bereitzustellen, die eine optimierte Effizienz aufweisen. Erfindungsgemäß wird die Aufgabe durch eine Monofazial-Solarzelle mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 , ein Solarmodul mit den Merkmalen des Patentanspruchs 10 und ein Herstellungsverfahren für eine Monofazial- Solarzelle mit den Merkmalen des Patentanspruchs 11 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen und Modifikationen sind in den Unteransprüchen angegeben.
Die Erfindung betrifft eine Monofazial-Solarzelle mit einem rückseitigen Schichtstapel, bei der erfindungsgemäß vorgesehen ist, dass der rückseitige Schichtstapel eine AlOx-Schicht, eine oder mehrere SiNx-Schichten und eine oder mehrere SiOxNy-Schichten aufweist. Die jeweiligen SiNx bzw. SiOxNy Schichten können sich in ihrem Brechungsindex unterscheiden.
Durch diesen rückseitigen Schichtstapel wird die Effizienz der Monofazial- Solarzelle gesteigert. Gegenüber einer Monofazial-Solarzelle mit einem rückseitigen Schichtstapel aus einer AlOx-Schicht und einer SiNx-Schicht ergibt sich eine höhere Effizienz.
Bedingt durch den Herstellungsprozess von SiNx- und SiOxNy-Schichten beispielsweise im PECVD-Verfahren (plasma enhanced Chemical vapor deposition-Verfahren) wird bei der Abscheidung der Schichten Wasserstoff eingelagert, d. h. die SiNx-Schicht bzw. SiOxNy-Schicht wird hydrogenisiert, was durch die Bezeichnung SiNx: H-Schicht bzw. SiOxNy-Schicht: H-Schicht dargestellt wird. Dieser in einer derartigen Schicht enthaltene Wasserstoff passiviert Rekombinationszentren an der SiNx/Si-Grenzfläche bzw. SiOxNy- Grenzfläche und im Volumen des Siliziumsubstrats. Hierdurch wird der
Wirkungsgrad der Solarzelle positiv beeinflusst. Der Wasserstoff-Gehalt der SiNx-Schicht liegt bevorzugt im Bereich von 10 bis 25 %, bevorzugter im Bereich von 15 bis 20 %. Der Wasserstoff-Gehalt der SiOxNy-Schicht liegt bevorzugt unterhalb von 10 %. Die Herstellung des erfindungsgemäßen rückseitigen Schichtstapels ist in einer PECVD-Anlage in einem Prozess ohne Belüftung oder Anlagenwechsel möglich. Dadurch können Kosten gespart werden. Bevorzugt werden alle Schichten des Rückseitenstapels in einer Rohr-PECVD Anlage mit einem Graphitboot als Waferhalter mittels eines direkten Plasmas abgeschieden. Es ist aber auch möglich, das AlOx mittels„Atomic-Layer- Deposition“ (ALD) oder Mikrowellen-Remote-Plasma abzuscheiden, und nur die SiNx- und SiOxNy-Schichten in einer Rohr-PECVD Anlage abzuscheiden.
Die Monofazial-Solarzelle ist bevorzugt eine mono- oder multikristalline
Solarzelle, die ein Siliziumsubstrat aufweist.
In einer bevorzugten Ausführungsform ist die AlOx-Schicht auf einem Substrat der Solarzelle angeordnet, ist die SiNx-Schicht auf einer von dem Substrat abgewandten Seite der AlOx-Schicht angeordnet und ist die SiOxNy-Schicht auf einer von dem Substrat abgewandten Seite der SiNx-Schicht angeordnet. In dieser Ausführungsform weist die Monofazial-Solarzelle rückseitig folgenden Aufbau auf: Substrat/AlOx-Schicht/SiNx-Schicht/SiOxNy-Schicht. Bevorzugt sind die Schichten des Schichtstapels direkt oder unmittelbar übereinander angeordnet, d.h. ohne eine andere Zwischenschicht.
Bevorzugt ist die SiNx-Schicht eine SiNx-Doppelschicht, die eine erste SiNx- Schicht und eine zweite SiNx-Schicht aufweist. Bevorzugt weist der
Schichtstapel daher vier Schichten auf. Bevorzugter besteht der Schichtstapel aus diesen vier Schichten in der folgenden Reihenfolge: AlOx-Schicht/SiNx- Doppelschicht/SiOxNy-Schicht. Hierbei ist immer zu beachten, dass auf der Rückseite der Solarzelle eine zusätzliche Rückseitenmetallisierung vorliegt, da es sich um eine Monofazial-Solarzelle handelt. D.h., auf der SiOxNy-Schicht ist weiterhin eine Metallschicht angeordnet.
In einer bevorzugten Ausführungsform ist eine dritte SiNx-Schicht auf einer von dem Substrat abgewandten Seite der SiOxNy-Schicht angeordnet. Dadurch kann weiterhin die Effizienz der Monofazial-Solarzelle gesteigert werden. Zudem ist die Kompatibilität eines derartigen Schichtstapels mit einer Siebdruckpaste, insbesondere einer Aluminium-Siebdruckpaste, zur Realisierung der
Rückseitenmetallisierung der Monofazial-Solarzelle weiterhin verbessert. Die auf der dritten SiNx-Schicht angeordnete Metallschicht ist daher bevorzugt eine Aluminiumschicht. In einer bevorzugten Ausführungsform weist der Schichtstapel vier Schichten auf. Bevorzugter besteht der Schichtstapel aus den vier Schichten in der folgenden Reihenfolge: AlOx-Schicht/SiNx-Schicht/SiOxNy-Schicht/SiNx- Schicht. In einer anderen bevorzugten Ausführungsform weist der Schichtstapel fünf Schichten auf. Bevorzugter besteht der Schichtstapel aus den fünf
Schichten in der folgenden Reihenfolge: AlOx-Schicht/SiNx- Doppelschicht/SiOxNy-Schicht/SiNx-Schicht. Auch hierbei ist jeweils zu beachten, dass auf der Rückseite der Solarzelle weiterhin eine zusätzliche Rückseitenmetallisierung vorliegt.
Vorteilhafterweise ist ein Brechungsindex der ersten SiNx-Schicht kleiner als ein Brechungsindex einer zweiten SiNx-Schicht, wobei die erste SiNx-Schicht auf einer von dem Substrat abgewandten Seite der zweiten SiNx-Schicht angeordnet ist und die zweite SiNx-Schicht auf einer von dem Substrat abgewandten Seite der AlOx-Schicht angeordnet ist. In dieser Ausführungsform weist die Solarzelle bevorzugt rückseitig folgenden Aufbau auf: Substrat/AlOx- Schicht/zweite SiNx-Schicht/erste SiNx-Schicht/SiOxNy-Schicht oder
Substrat/AlOx-Schicht/zweite SiNx-Schicht/erste SiNx-Schicht/SiOxNy- Schicht/dritte SiNx-Schicht. Der Brechungsindex der dritten SiNx-Schicht ist bevorzugt kleiner als der Brechungsindex der zweiten SiNx-Schicht.
Bevorzugter ist der Brechungsindex der dritten SiNx-Schicht gleich oder im Wesentlichen gleich zu dem Brechungsindex der ersten SiNx-Schicht.
Vorteilhafterweise ist ein Brechungsindex der SiOxNy-Schicht kleiner als ein Brechungsindex der SiNx-Schicht d.h. der ersten, zweiten und dritten SiNx- Schicht. Insbesondere kann der Brechungsindex der SiOxNy-Schicht größer als ein Brechungsindex der AlOx-Schicht sein.
In einer bevorzugten Ausführungsform liegt der Brechungsindex der AlOx- Schicht im Bereich von 1 ,5 bis 1 ,7, liegt der Brechungsindex der SiNx-Schicht im Bereich von 2,0 bis 2,4 und liegt der Brechungsindex der SiOxNy-Schicht im Bereich von 1 ,5 bis 1 ,9, gemessen mittels Laser- oder Weißlicht/Spektral- Ellipsometrie bei einer Wellenlänge von 632 nm. Wenn die SiNx-Schicht eine SiNx-Doppelschicht ist, liegt bevorzugt ein Brechungsindex der ersten SiNx- Schicht im Bereich von 2,0 bis 2,2 und ein Brechungsindex der zweiten SiNx- Schicht im Bereich von 2,2 bis 2,4. Wenn der Schichtstapel die dritte SiNx- Schicht aufweist, liegt bevorzugt ein Brechungsindex der dritten SiNx-Schicht im Bereich von 2,0 bis 2,2. Im Bereich dieser Werte weist die Monofazial- Solarzelle eine hohe Lichteinkopplung auf und es wird eine hohe
Passivierungswirkung erzielt.
Bevorzugt beträgt eine Gesamtschichtdicke des Schichtstapels mindestens 80 nm, bevorzugt mindestens 105nm, bevorzugter mindestens 115nm, noch bevorzugter mindestens 120 nm. Dadurch werden sowohl bei Lichteinfall von der Vorderseite als auch bei Lichteinfall von der Rückseite eine höhere
Leerlaufspannung und ein höherer Wirkungsgrad erzielt. Bevorzugt liegt die Gesamtschichtdicke des Schichtstapels im Bereich von 100 bis 210 nm, bevorzugter im Bereich von 110 bis 140 nm, bevorzugter bei 125 nm. Dadurch ergibt sich eine verbesserte Beständigkeit gegenüber Pastenfraß bei der Herstellung der Monofazial-Solarzelle. Zudem wird quantitativ mehr
Wasserstoff für eine chemische Passivierung der Oberfläche und des Volumen bereitgestellt.
Bevorzugt ist eine Schichtdicke der SiOxNy-Schicht größer als eine Schichtdicke der SiNx-Schicht. Wenn die SiNx-Schicht eine SiNx-Doppelschicht ist, ist bevorzugt eine Schichtdicke der SiOxNy-Schicht gleich oder größer als die Schichtdicke der Sinx-Doppelschicht. Eine Schichtdicke der AlOx-Schicht ist bevorzugt kleiner als die Schichtdicke der SiNx-Schicht. In einer bevorzugten Ausführungsform liegt eine Dicke der AlOx-Schicht im Bereich von 5 bis 20 nm, liegt eine Dicke der auf einer von dem Substrat abgewandten Seite der AlOx- Schicht angeordneten SiNx-Schicht im Bereich von 15 bis 70 nm, und liegt eine Dicke der SiOxNy-Schicht im Bereich von 20 bis 200 nm, bevorzugter im Bereich von 50 bis 170 nm. Bevorzugt liegt eine Dicke der ersten SiNx-Schicht im Bereich von 10 bis 40 nm, liegt eine Dicke der zweiten SiNx-Schicht im Bereich von 5 bis 30 nm und liegt eine Dicke der dritten SiNx-Schicht im Bereich von 5 bis 55 nm. Im Bereich dieser Werte weist die Monofazial-Solarzelle eine hohe Lichteinkopplung auf und es wird eine hohe Passivierungswirkung erzielt.
In einer bevorzugten Ausführungsform besteht der rückseitige Schichtstapel aus folgenden vier Schichten: eine auf dem Substrat angeordnete AlOx-Schicht, die zweite auf der vom Substrat abgewandten Seite der AlOx-Schicht angeordnete
SiNx-Schicht, die erste auf der vom Substrat abgewandten Seite der SiNx- Schicht angeordnete SiNx-Schicht und die auf der vom Substrat abgewandten Seite der ersten SiNx-Schicht angeordnete SiOxNy-Schicht. In dieser
Ausführungsform ist der Brechungsindex der AlOx-Schicht bevorzugt im Bereich von 1 ,5 bis 1 ,7, bevorzugter bei 1 ,6, ist der Brechungsindex der zweiten SiNx- Schicht bevorzugt im Bereich von 2,2 bis 2,4, der Brechungsindex der ersten SiNx-Schicht im Bereich von 2,0 bis 2, 1 , und der Brechungsindex der SiOxNy- Schicht im Bereich von 1 ,5 bis 1 ,9, gemessen wie vorstehend angegeben.
In einer anderen bevorzugten Ausführungsform besteht der rückseitige
Schichtstapel aus folgenden fünf Schichten: eine auf dem Substrat angeordnete AlOx-Schicht, die zweite auf der vom Substrat abgewandten Seite der AlOx- Schicht angeordnete SiNx-Schicht, die erste auf der vom Substrat abgewandten Seite der SiNx-Schicht angeordnete SiNx-Schicht, die auf der vom Substrat abgewandten Seite der ersten SiNx-Schicht angeordnete SiOxNy-Schicht und die dritte auf der vom Substrat abgewandten Seite der SiOxNy-Schicht angeordnete SiNx-Schicht. In dieser Ausführungsform ist der Brechungsindex der AlOx- Schicht bevorzugt im Bereich von 1 ,5 bis 1 ,7, bevorzugter bei 1 ,6, ist der Brechungsindex der zweiten SiNx-Schicht bevorzugt im Bereich von 2,2 bis 2,4, der Brechungsindex der ersten und dritten SiNx-Schicht im Bereich von 2,0 bis 2, 1 , und der Brechungsindex der SiOxNy-Schicht im Bereich von 1 ,5 bis 1 ,9, gemessen wie vorstehend angegeben.
In einer noch weiteren bevorzugten Ausführungsform besteht der rückseitige Schichtstapel aus folgenden vier Schichten: eine auf dem Substrat angeordnete AlOx-Schicht, die erste oder zweite auf der vom Substrat abgewandten Seite der AlOx-Schicht angeordnete SiNx-Schicht, die auf der vom Substrat abgewandten Seite der ersten oder zweite SiNx-Schicht angeordnete SiOxNy- Schicht und die dritte auf der vom Substrat abgewandten Seite der SiOxNy- Schicht angeordnete SiNx-Schicht. In dieser Ausführungsform ist der
Brechungsindex der AlOx-Schicht bevorzugt im Bereich von 1 ,5 bis 1 ,7, bevorzugter bei 1 ,6, ist ggf. der Brechungsindex der zweiten SiNx-Schicht bevorzugt im Bereich von 2,2 bis 2,4, der Brechungsindex der ggf. ersten und der dritten SiNx-Schicht im Bereich von 2,0 bis 2,1 , und der Brechungsindex der SiOxNy-Schicht im Bereich von 1 ,5 bis 1 ,9, gemessen wie vorstehend
angegeben.
Wie vorstehend bereits erwähnt, ist mit dem Ausdruck, dass der Schichtstapel aus den genannten Schichten besteht, gemeint, dass weiterhin eine
Rückseitenmetallisierung auf dem rückseitigen Schichtstapel vorgesehen ist.
Die Erfindung betrifft ferner ein Solarmodul, aufweisend mehrere Monofazial- Solarzellen nach einer oder mehreren der vorstehenden Ausführungsformen.
Die Effizienz des Solarmoduls ist gesteigert. Das Solarmodul ist bevorzugt monofazial ausgebildet.
Die Erfindung betrifft ferner ein Herstellungsverfahren für die Monofazial- Solarzelle entsprechend einer oder mehreren der beschriebenen
Ausführungsformen, bei dem der rückseitige Schichtstapel aus AlOx-Schicht, SiNx-Schicht(en) und SiOxNy-Schicht in einer Rohr PECVD Anlage mit einem Graphitboot als Waferhalter abgeschieden werden und die Schichten
nacheinander in ein- und demselben Rohr aufgebracht werden.
Weitere Eigenschaften und Vorteile der Erfindung werden im Zusammenhang mit den Figuren gezeigt und nachfolgend exemplarisch beschrieben. Es zeigen schematisch und nicht maßstabsgetreu:
Fig. 1 einen Schichtstapel gemäß dem Stand der Technik;
Fig. 2 einen erfindungsgemäßen Schichtstapel;
Fig. 3 einen weiteren erfindungsgemäßen Schichtstapel; Fig. 4a einen noch weiteren erfindungsgemäßen Schichtstapel;
Fig. 4b eine Variante des in Fig. 4a gezeigten Schichtstapels;
Fig. 5a einen noch weiteren erfindungsgemäßen Schichtstapel;
Fig. 5b-5d jeweils eine Variante des in Fig. 5a gezeigten Schichtstapels.
Fig. 1 zeigt einen Schichtstapel gemäß dem Stand der Technik. Dieser bekannte Schichtstapel ist zweischichtig und rückseitig auf ein Substrat (nicht gezeigt) aufgebracht. Der Schichtstapel besteht aus einer AlOx-Schicht 1 , die auf dem Substrat (nicht gezeigt) angeordnet ist, und einer ersten SiNx-Schicht 2, die auf einer vom Substrat abgewandten Seite der AlOx-Schicht 1 angeordnet ist.
Weiterhin ist auf der SiNx-Schicht 2 eine Metallschicht (nicht gezeigt) angeordnet.
Fig. 2 zeigt einen erfindungsgemäßen Schichtstapel. Der erfindungsgemäße Schichtstapel ist dreischichtig und rückseitig auf ein Substrat (nicht gezeigt) aufgebracht. Der Schichtstapel weist eine AlOx-Schicht 1 , die auf dem Substrat (nicht gezeigt) angeordnet ist, eine SiNx-Schicht 2, die auf einer vom Substrat abgewandten Seite der AlOx-Schicht 1 angeordnet ist und eine SiOxNy-Schicht 4 auf, die auf einer von der AlOx-Schicht 1 abgewandten Seite der SiNx-Schicht 2 angeordnet ist. Eine auf der einer von der SiNx-Schicht 2 abgewandten Seite der SiOxNy-Schicht 4 angeordnete Metallschicht der Monofazial-Solarzelle ist nicht gezeigt.
Die AlOx-Schicht 1 weist einen Brechungsindex von 1 ,6, wie vorstehend angegeben gemessen, und eine Schichtdicke von 16 nm auf. Die SiNx-Schicht 2 weist einen Brechungsindex von 2,05, wie vorstehend angegeben gemessen, und eine Schichtdicke von 20 nm auf. Die SiOxNy-Schicht 4 weist einen
Brechungsindex von 1 ,7, wie vorstehend angegeben gemessen, und eine
Schichtdicke von 70 nm auf.
Fig. 3 zeigt einen weiteren erfindungsgemäßen Schichtstapel. Der in Fig. 3 gezeigte Schichtstapel entspricht dem in Fig. 2 gezeigten rückseitigen
Schichtstapel, mit dem Unterschied, dass zwischen der AlOx-Schicht 1 und der SiNx-Schicht 2 eine weitere SiNx-Schicht 3 angeordnet ist. Die SiNx-Schicht 2 und die SiNx-Schicht 3 bilden eine SiNx-Doppelschicht 2, 3, die auf einer vom Substrat abgewandten Seite der AlOx-Schicht 1 angeordnet ist. Die zweite SiNx- Schicht 3 weist einen Brechungsindex von 2,4, wie vorstehend angegeben gemessen, und eine Schichtdicke von 20 nm auf.
Fig. 4a zeigt einen noch weiteren erfindungsgemäßen Schichtstapel. Der in Fig. 4a gezeigte Schichtstapel entspricht dem in Fig. 2 gezeigten Schichtstapel mit dem Unterschied, dass auf einer von dem Substrat abgewandten Seite der SiOxNy-Schicht 4 weiterhin eine dritte SiNx-Schicht 5 angeordnet ist. Die dritte SiNx-Schicht 5 weist einen Brechungsindex von 2,05, wie vorstehend angegeben gemessen, und eine Schichtdicke im Bereich von 20 nm auf.
Fig. 4b zeigt eine Variante des in Fig. 4a gezeigten Schichtstapels. Der in Fig.
4b gezeigte Schichtstapel entspricht dem in Fig. 4a gezeigten Schichtstapel mit dem Unterschied, dass anstelle der SiNx-Schicht 2 eine SiNx-Schicht 3 mit einem Brechungsindex von 2,4, wie vorstehend angegeben gemessen, und einer Schichtdicke von 20 nm angeordnet ist.
Fig. 5a zeigt einen noch weiteren erfindungsgemäßen Schichtstapel. Der in Fig. 5a gezeigte Schichtstapel entspricht dem in Fig. 3 gezeigten Schichtstapel mit dem Unterschied, dass auf einer von dem Substrat abgewandten Seite der SiOxNy-Schicht 4 weiterhin eine dritte SiNx-Schicht 5 angeordnet ist. Die dritte SiNx-Schicht 5 weist einen Brechungsindex von 2,05, wie vorstehend angegeben gemessen, und eine Schichtdicke im Bereich von 50 nm auf.
Fig. 5b-5d zeigt jeweils eine Variante des in Fig. 5a gezeigten Schichtstapels.
Fig. 5b zeigt einen rückseitigen Schichtstapel gemäß Fig.5a mit dem
Unterschied, dass die Schichtdicke der dritten SiNx-Schicht 5 20 nm beträgt. Fig. 5c zeigt einen rückseitigen Schichtstapel gemäß Fig. 5a mit dem Unterschied, dass ein Brechungsindex der SiOxNy-Schicht 5 1 ,5 beträgt, wie vorstehend angegeben gemessen. Fig. 5d zeigt einen rückseitigen Schichtstapel gemäß Fig. 5a mit dem Unterschied, dass die Schichtdicke der SiOxNy-Schicht 5 150 nm beträgt.
Bezugszeichenliste:
1 AlOx-Schicht
2 erste SiNx-Schicht 3 zweite SiNx-Schicht
4 SiOxNy-Schicht
5 dritte SiNx-Schicht

Claims

Patentansprüche:
1. Monofazial-Solarzelle mit einem rückseitigen Schichtstapel, dadurch
gekennzeichnet, dass der rückseitige Schichtstapel eine AlOx-Schicht (1 ), eine oder mehrere SiNx-Schichten (2, 3, 5) und eine SiOxNy-Schicht (4) auf weist.
2. Monofazial-Solarzelle nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die AlOx-Schicht (1 ) auf einem Substrat der Solarzelle angeordnet ist, die SiNx-Schicht (2, 3) auf einer von dem Substrat abgewandten Seite der AlOx-Schicht (1 ) angeordnet ist und die SiOxNy-Schicht (4) auf einer von dem Substrat abgewandten Seite der SiNx-Schicht (2, 3) angeordnet ist.
3. Monofazial-Solarzelle nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die SiNx-Schicht (2, 3) eine SiNx-Doppelschicht ist, die eine erste SiNx-Schicht (2) und eine zweite SiNx-Schicht (3) aufweist.
4. Monofazial-Solarzelle nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass eine dritte SiNx-Schicht (5) auf einer von dem Substrat abgewandten Seite der SiOxNy-Schicht (4) angeordnet ist.
5. Monofazial-Solarzelle nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass ein Brechungsindex der ersten SiNx-Schicht (2) kleiner ist als ein Brechungsindex einer zweiten SiNx-Schicht (3), wobei die erste SiNx- Schicht (2) auf einer von dem Substrat abgewandten Seite der zweiten SiNx-Schicht (3) angeordnet ist und die zweite SiNx-Schicht (3) auf einer von dem Substrat abgewandten Seite der AlOx-Schicht (1 ) angeordnet ist.
6. Monofazial-Solarzelle nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein Brechungsindex der AlOx-Schicht (1 ) im Bereich von 1 ,5 bis 1 ,7 liegt, ein Brechungsindex der SiNx-Schicht (2, 3, 5) im Bereich von 2,0 bis 2,4 liegt und ein Brechungsindex der SiOxNy-Schicht (4) im Bereich von 1 ,5 bis 1 ,9 liegt, gemessen mittels Ellipsometrie bei einer Wellenlänge von 632 nm, wobei bevorzugt ein Brechungsindex der ersten und dritten SiNx-Schicht (2, 5) im Bereich von 2,0 bis 2,2 liegt und ein Brechungsindex der zweiten SiNx-Schicht (3) im Bereich von 2,2 bis 2,4 liegt.
7. Monofazial-Solarzelle nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Gesamtschichtdicke des Schichtstapels mindestens 80 nm, bevorzugt mindestens 105 nm, bevorzugter mindestens 115nm, noch bevorzugter mindestens 120 nm beträgt.
8. Monofazial-Solarzelle nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Dicke der AlOx-Schicht (1 ) im Bereich von 5 bis 20 nm liegt, eine Dicke der auf einer von dem Substrat abgewandten Seite der AlOx-Schicht (1 ) angeordneten SiNx-Schicht (2, 3) im Bereich von 15 bis 70 nm liegt und eine Dicke der SiOxNy-Schicht (4) im Bereich von 20 bis 200 nm liegt.
9. Monofazial-Solarzelle nach einem der vorangehenden Ansprüche 3 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass eine Dicke der ersten SiNx-Schicht (2) im Bereich von 10 bis 40 nm liegt, eine Dicke der zweiten SiNx-Schicht (3) im Bereich von 5 bis 30 nm liegt und eine Dicke der dritten SiNx-Schicht (5) im Bereich von 5 bis 55 nm liegt.
10. Solarmodul, aufweisend mehrere Monofazial-Solarzellen nach einem der vorangehenden Ansprüche.
11. Herstellungsverfahren für eine Monofazial-Solarzelle nach einem der
Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass der rückseitige
Schichtstapel aus AlOx-Schicht (1 ), SiNx-Schicht(en) (2, 3, 5) und SiOxNy- Schicht (4) in einer Rohr PECVD Anlage mit einem Graphitboot als
Waferhalter abgeschieden werden und die Schichten nacheinander in ein- und demselben Rohr aufgebracht werden.
PCT/EP2019/065954 2018-06-20 2019-06-18 Monofazial-solarzelle, solarmodul und herstellungsverfahren für eine monofazial-solarzelle WO2019243298A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102018114800.3 2018-06-20
DE102018114800.3A DE102018114800A1 (de) 2018-06-20 2018-06-20 Monofazial-Solarzelle, Solarmodul und Herstellungsverfahren für eine Monofazial-Solarzelle

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019243298A1 true WO2019243298A1 (de) 2019-12-26

Family

ID=67220772

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2019/065954 WO2019243298A1 (de) 2018-06-20 2019-06-18 Monofazial-solarzelle, solarmodul und herstellungsverfahren für eine monofazial-solarzelle

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102018114800A1 (de)
WO (1) WO2019243298A1 (de)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102020122431B3 (de) * 2020-08-27 2022-02-17 Hanwha Q Cells Gmbh Solarzelle, Solarmodul und Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle
CN113097341B (zh) * 2021-03-31 2023-10-31 通威太阳能（安徽）有限公司 一种PERC电池、其AlOx镀膜工艺、多层AlOx背钝化结构及方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007054384A1 (de) 2007-11-14 2009-05-20 Institut Für Solarenergieforschung Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle mit einer oberflächenpassivierenden Dielektrikumdoppelschicht und entsprechende Solarzelle
US20140000686A1 (en) * 2012-06-29 2014-01-02 Applied Materials, Inc. Film stack and process design for back passivated solar cells and laser opening of contact
US20140227820A1 (en) * 2013-02-08 2014-08-14 Applied Materials, Inc. Passivation layer removal by delivering a split laser pulse
CN206907777U (zh) * 2017-03-10 2018-01-19 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 全背电极太阳电池结构

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI435454B (zh) * 2010-10-25 2014-04-21 Au Optronics Corp 太陽能電池
CN104025304A (zh) * 2012-01-03 2014-09-03 应用材料公司 用于提高si太阳能电池的表面钝化的性能和稳定性的缓冲层

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007054384A1 (de) 2007-11-14 2009-05-20 Institut Für Solarenergieforschung Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle mit einer oberflächenpassivierenden Dielektrikumdoppelschicht und entsprechende Solarzelle
US20140000686A1 (en) * 2012-06-29 2014-01-02 Applied Materials, Inc. Film stack and process design for back passivated solar cells and laser opening of contact
US20140227820A1 (en) * 2013-02-08 2014-08-14 Applied Materials, Inc. Passivation layer removal by delivering a split laser pulse
CN206907777U (zh) * 2017-03-10 2018-01-19 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 全背电极太阳电池结构

Also Published As

Publication number Publication date
DE102018114800A1 (de) 2019-12-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102009056594A1 (de) Antireflexionsbeschichtung sowie Solarzelle und Solarmodul
DE10237515A1 (de) Stapelförmiger photoelektrischer Wandler
DE112006002716T5 (de) Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung
DE102010038796A1 (de) Dünnschichtsolarzelle und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102010003379A1 (de) Mehrschichtiger Dünnfilm für photovoltaische Zelle
DE69634059T2 (de) Integriertes Dünnschicht-Sonnenzellenmodul und Herstellungsverfahren
DE112013001641T5 (de) Solarzelle und Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle
DE3732619C2 (de)
WO2019243298A1 (de) Monofazial-solarzelle, solarmodul und herstellungsverfahren für eine monofazial-solarzelle
DE3851402T2 (de) Integrierte sonnenzelle und herstellungsverfahren.
DE102011088899A1 (de) Rückkontakt-Solarzelle und Verfahren zur Herstellung einer Rückkontakt-Solarzelle
DE212013000122U1 (de) Hybrid-Solarzelle
DE4410220B4 (de) Dünnschicht-Solarzelle
WO2008107156A2 (de) Verfahren zur herstellung einer solarzelle sowie damit hergestellte solarzelle
DE102006016996A1 (de) Herstellungsverfahren für Solarzellen
DE112008003495T5 (de) Verfahren zum Herstellen einer fotovoltaischen Zelle sowie fotovoltaische Zelle
DE102011115581A1 (de) Solarzelle und Verfahren zur Herstellung derselben
DE102010025983A1 (de) Solarzelle mit dielektrischer Rückseitenverspiegelung und Verfahren zu deren Herstellung
DE102018108158B4 (de) Bifazial-Solarzelle, Solarmodul und Herstellungsverfahren für eine Bifazial-Solarzelle
EP1993142A1 (de) Reflektiv beschichtetes Halbleiterbauelement, Verfahren zu dessen Herstellung sowie dessen Verwendung
DE102013219560A1 (de) Photovoltaische Solarzelle und Verfahren zum Herstellen einer metallischen Kontaktierung einer photovoltaischen Solarzelle
DE102020122431B3 (de) Solarzelle, Solarmodul und Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle
WO2020114807A1 (de) Solarzellenstring, solarmodul und verfahren zur herstellung eines solarzellenstrings
DE102008044882A1 (de) Verfahren zur lokalen Kontaktierung und lokalen Dotierung einer Halbleiterschicht
DE102012201284A1 (de) Photovoltaische Solarzelle und Verfahren zum Herstellen einer photovoltaischen Solarzelle

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19737472

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19737472

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1