WO2019155694A1 - レーザ剥離装置、レーザ剥離方法、及び有機ｅｌディスプレイの製造方法 - Google Patents

レーザ剥離装置、レーザ剥離方法、及び有機ｅｌディスプレイの製造方法 Download PDF

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WO2019155694A1
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laser
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雄一 中田
小田　智也
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Japan Steel Works Ltd
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Japan Steel Works Ltd
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    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/57—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece the laser beam entering a face of the workpiece from which it is transmitted through the workpiece material to work on a different workpiece face, e.g. for effecting removal, fusion splicing, modifying or reforming
    • G—PHYSICS
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    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
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    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00

Definitions

  • the present invention relates to a laser peeling apparatus, a laser peeling method, and a method for manufacturing an organic EL display.
  • the present invention relates to a laser peeling apparatus, a laser peeling method, and an organic EL display manufacturing method for separating a release layer from a substrate using a laser beam.
  • Patent Document 1 discloses a laser peeling apparatus that continuously irradiates a linear laser spot to peel a peeling layer from a substrate.
  • the spot of the laser beam irradiated onto the workpiece is rectangular, the major axis width L of the spot is 10 to 200 mm, and the minor axis width S of the spot is 2 to 30 mm.
  • the ratio L / S of the major axis width L to the minor axis width S of the spot is 1 to 20.
  • the spot of the laser beam applied to the workpiece is rectangular, the major axis width L of the spot is 10 to 200 mm, and the minor axis width S of the spot is 2 to 30 mm.
  • the ratio L / S of the major axis width L to the minor axis width S of the spot is 1 to 20.
  • the spot of the laser beam irradiated to the workpiece is rectangular, and the major axis width L of the spot is 10 to 200 mm.
  • the minor axis width S of the spot is 2 to 30 mm, and the ratio L / S of the major axis width L to the minor axis width S of the spot is 1 to 20.
  • FIG. 4 is a plan view showing the shape of a laser spot in the laser peeling apparatus according to Embodiment 1.
  • FIG. 4 is a plan view showing the shape of a laser spot in the laser peeling apparatus according to Embodiment 1.
  • FIG. It is a perspective view of the laser peeling apparatus which concerns on Embodiment 2.
  • FIG. It is a side view which shows the structure and operation
  • FIG. It is a perspective view of the laser peeling apparatus which concerns on Embodiment 3.
  • FIG. 3 is an enlarged perspective view of an optical path length adjustment unit 21.
  • FIG. 5 is a plan view showing the operation of the optical path length adjustment unit 21.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of an organic EL display.
  • the organic EL display shown in FIG. 1 is an active matrix type display device in which a TFT is disposed in each pixel PX.
  • the organic EL display includes a film 218, a release layer 212, a TFT (Thin Film Transistor) layer 311, an organic layer 312, a color filter layer 313, and a protective layer 214.
  • FIG. 1 shows a top emission type organic EL display in which the protective layer 214 side is the viewing side.
  • the following description shows one configuration example of the organic EL display, and the present embodiment is not limited to the configuration described below. For example, in the present embodiment, it may be used for a bottom emission type organic EL display.
  • the film 218 is a plastic film and can be bent by applying stress.
  • a release layer 212 and a TFT layer 311 are provided over the film 218.
  • the TFT layer 311 includes a TFT 311a disposed in each pixel PX. Further, the TFT layer 311 has wiring (not shown) connected to the TFT 311a.
  • the TFT 311a, wiring, and the like constitute a pixel circuit.
  • the organic layer 312 has an organic EL light emitting element 312a arranged for each pixel PX.
  • the organic EL light emitting element 312a has, for example, a stacked structure in which an anode, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a cathode are stacked.
  • the anode is a metal electrode
  • the cathode is a transparent conductive film such as ITO (Indium Tin Oxide).
  • the organic layer 312 is provided with a partition 312b for separating the organic EL light emitting element 312a between the pixels PX.
  • a color filter layer 313 is provided on the organic layer 312.
  • the color filter layer 313 is provided with a color filter 313a for performing color display. That is, each pixel PX is provided with a resin layer colored in R (red), G (green), or B (blue) as the color filter 313a.
  • R red
  • G green
  • B blue
  • the color filter layer 313 may be omitted in the case of a three-color system in which the organic layer 312 is provided with organic EL light-emitting elements that emit RGB colors.
  • a protective layer 214 is provided on the color filter layer 313.
  • the protective layer 214 is made of a resin material, and is provided to prevent deterioration of the organic EL light emitting element of the organic layer 312.
  • the current flowing through the organic EL light emitting element 312a of the organic layer 312 varies depending on the display signal supplied to the pixel circuit. Therefore, the amount of light emitted from each pixel PX can be controlled by supplying a display signal corresponding to the display image to each pixel PX. Thereby, a desired image can be displayed.
  • FIG. 2 is a cross-sectional flowchart showing an outline of the manufacturing process of the organic EL display.
  • a substrate 211 is prepared (step A).
  • a glass substrate that transmits a laser beam is used as the substrate 211.
  • the peeling layer 212 is formed on the substrate 211 (step B).
  • the release layer 212 for example, polyimide can be used.
  • the circuit element 213 is formed on the peeling layer 212 (process C).
  • the circuit element 213 includes the TFT layer 311, the organic layer 312, and the color filter layer 313 shown in FIG. 1.
  • the circuit element 213 can be formed using a photolithography technique or a film formation technique.
  • a protective layer 214 for protecting the circuit element 213 is formed on the circuit element 213 (step D).
  • the substrate 211 is turned over so that the substrate 211 faces upward (step E), and the release layer 212 is irradiated with the laser beam LB from the substrate 211 side (step F).
  • a square beam can be used as the laser beam LB.
  • the laser beam LB is irradiated from the right side to the left side of the substrate 211.
  • the substrate 211 and the release layer 212 are separated (step G).
  • the film 218 is laminated on the release layer 212 (Step H).
  • the film 218 is a plastic film and can be bent by applying stress. By using such a manufacturing process, a bendable organic EL display can be manufactured.
  • FIG. 3 is a schematic side view of a laser peeling device (laser lift-off device).
  • the laser peeling apparatus 100 includes a laser light source 10, an optical system 20, and a stage 30.
  • a laser beam LB is supplied from the laser light source 10 to the optical system 20.
  • the laser light source 10 for example, a pulse laser generator that generates an excimer laser or an ultraviolet (UV) laser can be used.
  • the optical system 20 includes a lens and a mirror.
  • the stage 30 is a transporter that transports the workpiece 210 arranged on the stage 30 in the transport direction (x-axis direction). For example, the stage 30 injects gas upward from the upper surface and conveys the plate-like workpiece 210 while floating horizontally.
  • the workpiece 210 includes at least a substrate 211 and a release layer 212. Note that illustration of circuit elements and the like formed on the peeling layer 212 is omitted.
  • the workpiece 210 is arranged on the stage 30 so that the substrate 211 is on the upper side so that the laser beam LB is irradiated from the substrate 211 side to the interface between the substrate 211 and the peeling layer 212. Further, the stage 30 is configured to be movable in the vertical direction (direction along the z axis) so that the focal point of the laser beam LB is aligned with the interface between the substrate 211 and the release layer 212.
  • the stage 30 while irradiating the laser beam LB, the stage 30 is moved in the transport direction (x-axis direction) and the work 210 is transported in the transport direction, thereby scanning the laser beam LB on the work 210. be able to.
  • irradiation with the laser beam LB decomposes atomic / molecular bonds in the vicinity of the interface between the substrate 211 and the separation layer 212, so that the substrate 211 and the separation layer 212 can be separated at the interface.
  • FIG. 4 is a plan view showing the shape of a laser spot in the laser peeling apparatus according to the comparative example.
  • a linear laser beam LB with a fixed irradiation position is irradiated while the workpiece 210 is conveyed in the x-axis direction. Since the laser beam LB is pulse-oscillated, a linear laser spot LS is intermittently formed on the workpiece 210 while moving in the negative x-axis direction.
  • an example of the dimension of the line-shaped laser spot LS has a major axis width L of 750 mm and a minor axis width S of 0.39 mm.
  • the laser spots LS are overlapped by 50% in the minor axis direction (x-axis direction). That is, the substrate 211 and the peeling layer 212 in the workpiece 210 are peeled off by irradiating the laser spot LS twice.
  • the laser spot LS in the laser peeling apparatus according to the comparative example has a large major axis width L and a ratio L / S of the major axis width L to the minor axis width S. Therefore, there is a problem that the lens system for forming the laser spot LS becomes larger and longer.
  • the short axis width S of the laser spot LS in the laser peeling apparatus according to the comparative example is small. Therefore, there is a problem that the overlap ratio of the laser spot LS is likely to vary, and the substrate 211 and the peeling layer 212 are not peeled in a region where the predetermined number of irradiation times (two times in the example of FIG. 4) is not reached.
  • FIG. 5 is a graph showing intensity profiles in the major axis direction and the minor axis direction of the laser spot LS in the laser peeling apparatus according to the comparative example.
  • the major axis width L of the laser spot LS is a section where the intensity is constant, and has rising and falling inclined portions at both ends of the section.
  • the major axis width L is 750 mm, while the width W1 of the inclined portion is 17.5 mm.
  • the laser spot LS in the laser peeling apparatus according to the comparative example has a large long axis width L, and thus the width of the inclined portion in the long axis direction also increases. Therefore, when the laser spots LS are adjacently connected in the long axis direction, the laser beam LS is adjacent to each other in the long axis direction, and the inclined portions overlap each other, and the irradiated laser intensity becomes unstable. there were.
  • the minor axis width S is 0.39 mm
  • the width W2 of the inclined portion is 0.09 mm. That is, since the width of the inclined portion in the minor axis direction is extremely small, such a problem does not occur.
  • FIG. 6 is a plan view showing the shape of a laser spot in the laser peeling apparatus according to Embodiment 1.
  • FIG. 6 the shape of the laser spot LS on the workpiece 210 of the laser beam LB irradiated from the laser peeling apparatus according to the first embodiment is a square shape.
  • the laser beam LB having a square laser spot LS is irradiated while being repeatedly scanned in the y-axis direction. Since the laser beam LB is pulse-oscillated, the line-shaped laser spot LS is intermittently formed on the workpiece 210 while moving in the negative y-axis direction.
  • the laser beam LB is scanned in the negative y-axis direction, then moved in the negative x-axis direction, scanned in the positive y-axis direction, and then moved in the negative x-axis direction.
  • the laser spots LS are not overlapped in the major axis direction (x-axis direction) but are overlapped by 50% in the minor axis direction (y-axis direction). That is, the substrate 211 and the peeling layer 212 in the workpiece 210 are peeled off by irradiating the laser spot LS twice.
  • the long axis width L of the rectangular laser spot LS is 10 to 200 mm (that is, 10 mm ⁇ L ⁇ 200 mm), and the ratio L / S of the long axis width L to the short axis width S is 20 or less (that is, L / S ⁇ 20). If L> 200 mm or L / S> 20, the lens system for forming the laser spot LS will be enlarged and lengthened. On the other hand, when L ⁇ 10 mm, the number of scans of the laser beam LB increases, and the productivity decreases.
  • the laser spot LS in the laser peeling apparatus according to Embodiment 1 has a long axis width L of 200 mm or less and a ratio L / S of the long axis width L to the short axis width S of 1 to 20, so that the lens system has a large size. Can be suppressed. Moreover, since the major axis width L is 10 mm or more, it is excellent in productivity.
  • the width of the inclined portion in the major axis direction is preferably 0.1 mm or less.
  • the width of the inclined portion may be further reduced by providing a slit through which the laser beam LB formed by the lens system passes.
  • the short axis width S of the rectangular laser spot LS is 2 to 30 mm (that is, 2 mm ⁇ S ⁇ 30 mm).
  • S ⁇ 2 mm the overlap rate of the laser spot LS tends to vary. Therefore, the substrate 211 and the release layer 212 in the workpiece 210 are not peeled in a region that does not reach the predetermined number of times of irradiation (twice in the example of FIG. 6).
  • S> 30 mm the area of the laser spot LS becomes too large, and it becomes difficult to obtain the laser intensity necessary for peeling.
  • the short axis width S of the laser spot LS in the laser peeling apparatus according to Embodiment 1 is 2 mm or more, unpeeling of the substrate 211 and the peeling layer 212 in the workpiece 210 can be suppressed. Further, since the minor axis width S is 30 mm or less, sufficient laser intensity necessary for peeling can be obtained.
  • the overlap rate of the laser spot LS is 50% of 2 times irradiation, 67% of 3 times irradiation, 75% of 4 times irradiation, 80% of 5 times irradiation, 90% of 10 times irradiation, 20 times irradiation 95% or the like may be adopted.
  • the overlap rate exceeds 80%, the number of irradiations increases too much, and the productivity decreases. That is, the overlap rate is preferably 50 to 80%.
  • FIG. 7 is also a plan view showing the shape of the laser spot in the laser peeling apparatus according to the first embodiment.
  • the shape of the laser spot LS shown in FIG. 7 is the same as the shape of the laser spot LS shown in FIG.
  • the laser beam LB having a square laser spot LS is irradiated while being repeatedly scanned in the x-axis direction. Since the laser beam LB is pulse-oscillated, a linear laser spot LS is intermittently formed on the workpiece 210 while moving in the negative x-axis direction.
  • the laser beam LB is scanned in the negative x-axis direction, then moved in the negative y-axis direction, scanned in the positive x-axis direction, and then moved in the negative y-axis direction.
  • the laser spots LS are not overlapped in the minor axis direction (y-axis direction) but are overlapped by 50% in the major axis direction (x-axis direction). That is, the substrate 211 and the peeling layer 212 in the workpiece 210 are peeled off by irradiating the laser spot LS twice.
  • the laser spot LS may overlap in the minor axis direction, or the laser spot LS may overlap in the major axis direction.
  • FIG. 8 is a perspective view of the laser peeling apparatus according to the second embodiment.
  • the laser peeling apparatus 200 according to the second embodiment also includes the laser light source 10, the optical system 20, and the stage 30, but in FIG. The stage 30 is omitted.
  • the optical system 20 includes mirrors M1 and M2, molded lenses L1 and L2, and movable mirrors MM1 and MM2.
  • the laser beam LB emitted from the laser light source 10 in the negative x-axis direction is reflected by the mirror M1, travels in the positive z-axis direction, and then is reflected by the mirror M2 in the positive y-axis direction. proceed.
  • the laser beam LB emitted from the laser light source 10 is parallel light having a square cross section.
  • the laser beam LB reflected by the mirror M2 is expanded in the x-axis direction by the shaping lens L1, and then converted into parallel light again by the shaping lens L2.
  • the molded lenses L1 and L2 are, for example, cylindrical lenses.
  • the laser beam LB formed by the forming lenses L1 and L2 is reflected by one of the movable mirrors MM1 and MM2, travels in the negative z-axis direction, and is irradiated onto the workpiece 210. At this time, the workpiece 210 is conveyed in the x-axis positive direction.
  • the movable mirror MM1 is mounted on a slider S1 that slides on a y-axis rail YR1 extending in the y-axis direction. That is, the movable mirror MM1 can move in the y-axis direction.
  • the y-axis rail YR1 is provided in parallel with the y-axis rail YR2, and the movable mirror MM1 is provided so as to protrude from the y-axis rail YR1 toward the y-axis rail YR2, that is, in the negative x-axis direction.
  • a pair of columns C1 that support the y-axis rail YR1 are provided at both ends of the y-axis rail YR1.
  • the movable mirror MM1 is mounted on a z-axis rail ZR1 fixed to the slider S1, and can also move in the z-axis direction.
  • the movable mirror MM2 is mounted on a slider S2 that slides on a y-axis rail YR2 extending in the y-axis direction. That is, the movable mirror MM2 can move in the y-axis direction.
  • the movable mirror MM2 is provided so as to protrude from the y-axis rail YR2 toward the y-axis rail YR1, that is, in the positive x-axis direction.
  • a pair of support columns C2 that support the y-axis rail YR2 are provided.
  • the movable mirror MM2 is mounted on a z-axis rail ZR2 fixed to the slider S2, and can also move in the z-axis direction.
  • FIG. 9 is a side view showing the configuration and operation of the movable mirror MM1.
  • FIG. 10 is a front view showing the configuration and operation of the movable mirrors MM1 and MM2.
  • the upper part of FIG. 9 corresponds to the upper part of FIG. 10
  • the lower part of FIG. 9 corresponds to the lower part of FIG.
  • the movable mirror MM1 reflects the laser beam LB traveling in the positive y-axis direction in the negative z-axis direction while moving in the negative y-axis direction. That is, when the movable mirror MM1 moves in the y-axis negative direction along the incident optical axis of the laser beam LB, the laser beam LB reflected by the movable mirror MM1 is also scanned in the y-axis negative direction by the workpiece 210.
  • the stroke ST1 of the movable mirror MM1 is approximately the same as the width (length in the y-axis direction) of the workpiece 210.
  • the incident optical axis of the laser beam LB is parallel to the main surface of the substrate 211 of the workpiece 210 and perpendicular to the conveyance direction (x-axis direction) of the workpiece 210.
  • the movable mirror MM1 when the movable mirror MM1 reaches the end on the y-axis negative direction side of the y-axis rail YR1, it moves in the z-axis positive direction along the z-axis rail ZR1 as shown in the lower part of FIG. 9 and the lower part of FIG. To do.
  • the laser beam LB is irradiated by the movable mirror MM2 standing by at the y-axis positive direction end of the y-axis rail YR2 (not shown in FIG. 9).
  • the movable mirror MM2 In the lower part of FIG. 9, the movable mirror MM2 is shown for easy understanding.
  • the movable mirror MM1 moves in the y-axis positive direction without reflecting the laser beam LB.
  • the movable mirror MM1 reaches the end on the y-axis positive direction side of the y-axis rail YR1, it moves in the z-axis negative direction along the z-axis rail ZR1 and stands by.
  • the movable mirror MM2 reflects the laser beam LB traveling in the positive y-axis direction in the negative z-axis direction while moving in the negative y-axis direction.
  • laser beam LB reflected by movable mirror MM2 is also scanned in negative y-axis direction at workpiece 210.
  • the stroke of the movable mirror MM2 is the same as the stroke ST1 of the movable mirror MM1.
  • the movable mirror MM2 moves in the z-axis positive direction along the z-axis rail ZR2 as shown in the upper part of FIG.
  • the laser beam LB is applied to the movable mirror MM1 waiting at the end on the y-axis positive direction side of the y-axis rail YR1.
  • the movable mirrors MM1 and MM2 alternately repeat the operations shown in the upper part of FIG. 9 and the upper part of FIG. 10 and the operations shown in the lower part of FIG. 9 and the lower part of FIG. That is, the movable mirrors MM1 and MM2 reflect the laser beam LB traveling in the positive y-axis direction in the negative z-axis direction while alternately moving in the negative y-axis direction.
  • the entire surface of the workpiece 210 can be irradiated with the laser beam LB while the workpiece 210 is conveyed at a constant speed.
  • FIG. 11 is a plan view showing a laser spot LS irradiated by the laser peeling apparatus according to the second embodiment.
  • the laser beam LB is scanned in the negative y-axis direction while the workpiece 210 is conveyed in the positive x-axis direction at a constant speed. Therefore, the laser spots LS are sequentially formed in the negative y-axis direction while being shifted in the negative x-axis direction in each column, as indicated by solid arrows.
  • the moving distance in the y-axis direction of the laser spot LS shown in FIG. 11 is equal to the moving distance in the y-axis direction of the movable mirror MM1 shown in FIG. 9 (ie, the stroke ST1).
  • the workpiece 210 is conveyed by the long axis width L.
  • the moving speed of the movable mirrors MM1 and MM2 can be set by the pulse frequency of the laser beam LB and the overlap rate of the laser spot LS.
  • work 210 can be set from the moving speed of movable mirror MM1, MM2.
  • FIG. 12 is a perspective view of the laser peeling apparatus according to the third embodiment.
  • the laser peeling apparatus 300 according to the third embodiment includes an optical path length adjustment unit 21 in addition to the configuration of the laser peeling apparatus 200 according to the second embodiment shown in FIG.
  • the optical path length adjustment unit 21 cancels the change in the optical path length of the laser beam LB due to the movement of the movable mirrors MM1 and MM2, and adjusts the optical path length of the laser beam LB to be constant.
  • the movable mirrors MM1 and MM2 reflect the laser beam LB traveling in the positive y-axis direction in the negative z-axis direction while moving in the negative y-axis direction. Therefore, the optical path length of the laser beam LB becomes shorter as the movable mirrors MM1 and MM2 move in the negative y-axis direction.
  • the optical path length of the laser beam LB is kept constant by the optical path length adjustment unit 21 even when the movable mirrors MM1 and MM2 move in the negative y-axis direction. be able to.
  • the optical path length adjustment unit 21 is provided between the mirror M2 and the molded lens L1.
  • the installation position of the optical path length adjustment unit 21 is not particularly limited as long as it is on the path of the laser beam LB.
  • the configuration other than the optical path length adjusting unit 21 is the same as that of the laser peeling apparatus 200 according to the second embodiment shown in FIG. Description is omitted.
  • FIG. 13 is an enlarged perspective view of the optical path length adjustment unit 21.
  • the optical path length adjustment unit 21 includes an x-axis rail XR, a base B, four fixed mirrors M11, M12, M21, and M22, and two rotary mirrors RM1 and RM2.
  • the x-axis rail XR is a rail extending in the x-axis direction.
  • the x-axis rail XR has a protruding portion that protrudes on both sides in the y-axis direction at the central portion in the x-axis negative direction.
  • the rotating mirror RM1 is fixed to the protruding portion protruding in the negative y-axis direction so as to be rotatable about the z-axis
  • the rotating mirror RM2 is fixed to the protruding portion protruding in the positive y-axis direction so as to be rotatable about the z-axis. ing.
  • the base B is a plate-like member having an I-shape in plan view that extends in the x-axis direction, and is placed on the x-axis rail XR so as to be slidable in the x-axis direction.
  • the fixed mirror M11 is fixed to the protrusion protruding in the y-axis negative direction
  • the fixed mirror M12 is fixed to the protrusion protruding in the y-axis positive direction.
  • the fixed mirror M21 is fixed to the protruding part protruding in the negative y-axis direction
  • the fixed mirror M22 is fixed to the protruding part protruding in the positive y-axis direction.
  • the laser beam LB traveling in the positive y-axis direction is incident on the rotating mirror RM1 and passes through the fixed mirrors M11 and M12 or the fixed mirrors M21 and M22.
  • the light is emitted from the rotating mirror RM2 in the positive y-axis direction.
  • the laser beam LB passes through the fixed mirrors M21 and M22 (see FIG. 13).
  • the laser beam LB is reflected by the rotating mirror RM1 and travels in the positive x-axis direction or the positive x-axis direction. Since the rotating mirror RM1 is rotatable, the laser beam LB traveling in the y-axis positive direction can be reflected in the x-axis positive direction or the x-axis positive direction. In FIG. 12, the laser beam LB is reflected by the rotating mirror RM1 and travels in the positive x-axis direction.
  • the laser beam LB traveling in the positive x-axis direction is reflected by the fixed mirror M21, travels in the positive y-axis direction, reflected by the fixed mirror M22, and negative in the x-axis. After traveling in the direction, the light enters the rotating mirror RM2. Then, the laser beam LB is reflected by the rotating mirror RM2 and travels in the positive y-axis direction.
  • the base B can slide on the x-axis rail XR in the x-axis direction, the distance between the rotating mirror RM1 and the fixed mirror M21 and the distance between the rotating mirror RM2 and the fixed mirror M22. The distance can be changed.
  • the rotating mirrors RM1 and RM2 and the fixed mirrors M21 and M22 move away from each other.
  • the optical path length at 21 is increased.
  • the rotating mirrors RM1 and RM2 and the fixed mirrors M21 and M22 approach each other, so that the optical path length in the optical path length adjustment unit 21 is shortened.
  • the laser beam LB when the laser beam LB is reflected by the rotating mirror RM1 and travels in the x-axis negative direction, the laser beam LB is reflected by the fixed mirror M11 and travels in the y-axis positive direction, and is reflected by the fixed mirror M12 and x After traveling in the positive axial direction, the light enters the rotating mirror RM2. Then, the laser beam LB is reflected by the rotating mirror RM2 and travels in the positive y-axis direction. Since the rotating mirror RM2 is rotatable, the laser beam LB traveling in the positive x-axis direction and the laser beam LB traveling in the negative x-axis direction as shown in FIG. 12 are reflected in the positive y-axis direction. can do.
  • the base B can slide on the x-axis rail XR in the x-axis direction, the distance between the rotating mirror RM1 and the fixed mirror M11, and the distance between the rotating mirror RM2 and the fixed mirror M12. The distance can be changed.
  • the rotation mirrors RM1 and RM2 and the fixed mirrors M11 and M12 move away when the base B moves in the negative x-axis direction.
  • the optical path length at 21 is increased.
  • the rotating mirrors RM1 and RM2 and the fixed mirrors M11 and M12 approach each other, so that the optical path length in the optical path length adjustment unit 21 is shortened.
  • FIG. 14 is a plan view showing the operation of the optical path length adjustment unit 21.
  • the optical path length adjustment unit 21 operates in synchronization with the operations of the movable mirrors MM1 and MM2 described with reference to FIGS. That is, the base B moves in the x-axis direction in synchronization with the movement of the movable mirrors MM1 and MM2 in the negative y-axis direction so that the optical path length of the laser beam LB is kept constant. Details of the operation of the optical path length adjustment unit 21 will be described below with reference to FIG. 9 together with FIG.
  • the movable mirror MM1 starts reflecting the laser beam LB at the y-axis positive direction end of the y-axis rail YR1, as shown on the leftmost side of FIG. Is located closest to the positive x-axis direction.
  • the laser beam LB incident on the rotating mirror RM1 is emitted from the rotating mirror RM2 via the fixed mirrors M11 and M12. Since the base B is located closest to the positive x-axis direction, the rotating mirrors RM1 and RM2 and the fixed mirrors M11 and M12 are closest to each other, and the optical path length in the optical path length adjustment unit 21 is the shortest.
  • the base B when the movable mirror MM1 moves forward in the negative y-axis direction, the base B also moves in the negative x-axis direction synchronously as shown second from the left in FIG.
  • the second state from the left in FIG. 14 is a state in which the base B has reached the x-axis negative direction side most. Therefore, the rotating mirrors RM1 and RM2 and the fixed mirrors M11 and M12 are farthest away, and the optical path length in the optical path length adjustment unit 21 is the longest.
  • the stroke ST2 of the base B is set to 1 ⁇ 2 of the stroke ST1 of the movable mirror MM1 shown in FIG. 9, as shown in FIG. Further, the moving speed of the base B is also 1 ⁇ 2 of the moving speed of the movable mirror MM1.
  • the irradiation target of the laser beam LB is switched from the movable mirror MM1 to the movable mirror MM2, as shown in the lower part of FIG. .
  • the rotating mirrors RM1 and RM2 rotate in the second state from the left in FIG.
  • the laser beam LB incident on the rotating mirror RM1 is switched so as to be emitted from the rotating mirror RM2 via the fixed mirrors M21 and M22.
  • the base B does not move.
  • the optical path length adjustment unit 21 is the shortest. That is, in the optical path length adjustment unit 21, the optical path length in the state shown on the left side in FIG. 14 is equal to the optical path length in the state shown third from the left in FIG.
  • the base B when the movable mirror MM2 moves forward in the negative y-axis direction, the base B also moves in the positive x-axis direction synchronously as shown on the rightmost side of FIG.
  • the state shown on the rightmost side of FIG. 14 is a state in which the base B has reached the x axis positive direction side most. Therefore, the rotation mirrors RM1 and RM2 and the fixed mirrors M21 and M22 are farthest away, and the optical path length in the optical path length adjustment unit 21 is the longest. That is, in the optical path length adjustment unit 21, the optical path length in the second state in FIG. 14 is equal to the optical path length in the rightmost state in FIG.
  • the irradiation target of the laser beam LB is switched from the movable mirror MM2 to the movable mirror MM1, as shown in the upper part of FIG. .
  • the rotating mirrors RM1 and RM2 rotate in the state shown on the rightmost side of FIG. Accordingly, the state shown in the leftmost side of FIG. 14 is restored, and the laser beam LB incident on the rotating mirror RM1 is switched to be emitted from the rotating mirror RM2 via the fixed mirrors M11 and M12.
  • the base B does not move.
  • the optical path length adjustment unit 21 repeats the above operation, so that the optical path length of the laser beam LB can always be kept constant even when the movable mirrors MM1 and MM2 are sequentially moved in the negative y-axis direction.

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Abstract

一実施の形態に係るレーザ剥離装置（１００）は、基板（２１１）と当該基板上に形成された剥離層（２１２）とを備えるワーク（２１０）にレーザビーム（ＬＢ）を照射して剥離層（２１２）を基板（２１１）から剥離するものである。ワーク（２１０）に照射されるレーザビーム（ＬＢ）のスポット（ＬＳ）が方形状であり、スポット（ＬＳ）の長軸幅Ｌが１０～２００ｍｍであり、スポット（ＬＳ）の短軸幅Ｓが２～３０ｍｍであり、スポット（ＬＳ）の短軸幅Ｓに対する長軸幅Ｌの比Ｌ／Ｓが１～２０である。

Description

レーザ剥離装置、レーザ剥離方法、及び有機ＥＬディスプレイの製造方法
　本発明はレーザ剥離装置、レーザ剥離方法、及び有機ＥＬディスプレイの製造方法に関し、例えばレーザビームを用いて基板から剥離層を分離するレーザ剥離装置、レーザ剥離方法、及び有機ＥＬディスプレイの製造方法に関する。
　基板上に形成された剥離層に、基板側からレーザビームを照射して剥離層を基板から剥離するレーザ剥離装置が知られている。特許文献１には、線状のレーザスポットを連続的に照射して基板から剥離層を剥離するレーザ剥離装置が開示されている。
特開２０１５－８９５６５号公報
　発明者は、レーザスポットを連続的に照射して基板から剥離層を剥離するレーザ剥離装置の開発に際し、レーザスポットの形状及び寸法について様々な課題を見出した。
　その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
　一実施の形態に係るレーザ剥離装置は、ワークに照射されるレーザビームのスポットが方形状であり、スポットの長軸幅Ｌが１０～２００ｍｍであり、スポットの短軸幅Ｓが２～３０ｍｍであり、スポットの短軸幅Ｓに対する長軸幅Ｌの比Ｌ／Ｓが１～２０である。
　一実施の形態に係るレーザ剥離方法は、ワークに照射されるレーザビームのスポットが方形状であり、スポットの長軸幅Ｌが１０～２００ｍｍであり、スポットの短軸幅Ｓが２～３０ｍｍであり、スポットの短軸幅Ｓに対する長軸幅Ｌの比Ｌ／Ｓが１～２０である。
　一実施の形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法は、剥離層を基板から剥離する工程において、ワークに照射されるレーザビームのスポットが方形状であり、スポットの長軸幅Ｌが１０～２００ｍｍであり、スポットの短軸幅Ｓが２～３０ｍｍであり、スポットの短軸幅Ｓに対する長軸幅Ｌの比Ｌ／Ｓが１～２０である。
　前記一実施の形態によれば、優れたレーザ剥離装置、レーザ剥離方法、及び有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供することができる。
有機ＥＬディスプレイの一例を示す断面図である。 有機ＥＬディスプレイの製造工程の概要を示す断面フロー図である。 レーザ剥離装置の模式的側面図である。 比較例に係るレーザ剥離装置でのレーザスポットの形状を示す平面図である。 比較例に係るレーザ剥離装置でのレーザスポットＬＳの長軸方向及び短軸方向での強度プロファイルを示すグラフである。 実施の形態１に係るレーザ剥離装置でのレーザスポットの形状を示す平面図である。 実施の形態１に係るレーザ剥離装置でのレーザスポットの形状を示す平面図である。 実施の形態２に係るレーザ剥離装置の斜視図である。 可動ミラーＭＭ１の構成及び動作を示す側面図である。 可動ミラーＭＭ１、ＭＭ２の構成及び動作を示す正面図である。 実施の形態２に係るレーザ剥離装置によって照射されたレーザスポットＬＳを示す平面図である。 実施の形態３に係るレーザ剥離装置の斜視図である。 光路長調整ユニット２１の拡大斜視図である。 光路長調整ユニット２１の動作を示す平面図である。
　以下、具体的な実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。ただし、以下の実施の形態に限定される訳ではない。また、説明を明確にするため、以下の記載及び図面は、適宜簡略化されている。
（実施の形態１）
＜有機ＥＬディスプレイ＞
　まず、図１を参照して、実施の形態１に係る有機ＥＬ（Electroluminescence）ディスプレイの製造方法を用いて製造される有機ＥＬディスプレイの構造について説明する。図１は、有機ＥＬディスプレイの一例を示す断面図である。図１に示す有機ＥＬディスプレイは、各画素ＰＸにＴＦＴが配置されたアクティブマトリクス型の表示装置である。
　有機ＥＬディスプレイは、フィルム２１８、剥離層２１２、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）層３１１、有機層３１２、カラーフィルタ層３１３、及び保護層２１４を備えている。図１では、保護層２１４側が視認側となるトップエミッション方式の有機ＥＬディスプレイを示している。なお、以下の説明は、有機ＥＬディスプレイの一構成例を示すものであり、本実施の形態は、以下に説明される構成に限られるものではない。例えば、本実施の形態では、ボトムエミッション方式の有機ＥＬディスプレイに用いられてもよい。
　フィルム２１８は、プラスチックフィルムであり、応力を加えることにより曲げることができる。フィルム２１８の上には、剥離層２１２、ＴＦＴ層３１１が設けられている。ＴＦＴ層３１１は、各画素ＰＸに配置されたＴＦＴ３１１ａを有している。さらに、ＴＦＴ層３１１は、ＴＦＴ３１１ａに接続される配線（不図示）等を有している。ＴＦＴ３１１ａ、及び配線等が画素回路を構成する。
　ＴＦＴ層３１１の上には、有機層３１２が設けられている。有機層３１２は、画素ＰＸごとに配置された有機ＥＬ発光素子３１２ａを有している。有機ＥＬ発光素子３１２ａは、例えば、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、及び陰極が積層された積層構造を有している。トップエミッション方式の場合、陽極は金属電極であり、陰極はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜である。さらに、有機層３１２には、画素ＰＸ間において、有機ＥＬ発光素子３１２ａを分離するための隔壁３１２ｂが設けられている。
　有機層３１２の上には、カラーフィルタ層３１３が設けられている。カラーフィルタ層３１３は、カラー表示を行うためのカラーフィルタ３１３ａが設けられている。すなわち、各画素ＰＸには、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、又はＢ（青色）に着色された樹脂層がカラーフィルタ３１３ａとして設けられている。有機層３１２から放出された白色光は、カラーフィルタ３１３ａを通過すると、ＲＧＢの色の光に変換される。なお、有機層３１２に、ＲＧＢの各色を発光する有機ＥＬ発光素子が設けられている３色方式の場合、カラーフィルタ層３１３を省略してもよい。
　カラーフィルタ層３１３の上には、保護層２１４が設けられている。保護層２１４は、樹脂材料で構成されており、有機層３１２の有機ＥＬ発光素子の劣化を防ぐために設けられている。
　有機層３１２の有機ＥＬ発光素子３１２ａに流れる電流は、画素回路に供給される表示信号によって変化する。よって、表示画像に応じた表示信号を各画素ＰＸに供給することで、各画素ＰＸでの発光量を制御することができる。これにより、所望の画像を表示することができる。
＜有機ＥＬディスプレイの製造工程＞
　次に、図２を参照して、実施の形態１に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法の概要について説明する。図２は、有機ＥＬディスプレイの製造工程の概要を示す断面フロー図である。
　なお、当然のことながら、図２及びその他の図面に示した右手系ｘｙｚ座標は、構成要素の位置関係を説明するための便宜的なものである。通常、ｚ軸プラス向きが鉛直上向き、ｘｙ平面が水平面であり、図面間で共通である。
　有機ＥＬディスプレイを製造する際は、まず基板２１１を準備する（工程Ａ）。例えば、基板２１１にはレーザビームを透過するガラス基板を用いる。
　次に、基板２１１の上に剥離層２１２を形成する（工程Ｂ）。剥離層２１２には、例えばポリイミドを用いることができる。
　その後、剥離層２１２の上に回路素子２１３を形成する（工程Ｃ）。ここで、回路素子２１３は、図１に示すＴＦＴ層３１１、有機層３１２、カラーフィルタ層３１３を含む。回路素子２１３は、フォトリソグラフィ技術や成膜技術を用いて形成することができる。
　その後、回路素子２１３の上に、回路素子２１３を保護するための保護層２１４を形成する（工程Ｄ）。
　次に、基板２１１が上になるように基板２１１を反転させ（工程Ｅ）、基板２１１側から剥離層２１２にレーザビームＬＢを照射する（工程Ｆ）。レーザビームＬＢには方形ビームを用いることができる。図２に示す場合は、基板２１１をｘ方向に搬送しているので、基板２１１の右側から左側に向かってレーザビームＬＢが照射される。
　その後、基板２１１と剥離層２１２とを分離する（工程Ｇ）。
　最後に、フィルム２１８を剥離層２１２に積層する（工程Ｈ）。例えば、フィルム２１８はプラスチックフィルムであり、応力を加えることにより曲げることができるフィルムである。このような製造工程を用いることで、折り曲げ可能な有機ＥＬディスプレイを製造することができる。
＜レーザ剥離装置の基本構成＞
　次に、図３を参照して、工程Ｆで用いられる実施の形態１に係るレーザ剥離装置の基本構成について説明する。図３は、レーザ剥離装置（レーザリフトオフ装置）の模式的側面図である。図３に示すように、レーザ剥離装置１００は、レーザ光源１０、光学系２０、及びステージ３０を備える。光学系２０には、レーザ光源１０からレーザビームＬＢが供給される。レーザ光源１０には、例えばエキシマレーザや紫外（ＵＶ）レーザを発生させるパルスレーザ発生装置を用いることができる。光学系２０はレンズやミラーから構成されている。
　ステージ３０は、ステージ３０上に配置されたワーク２１０を搬送方向（ｘ軸方向）に搬送する搬送機である。例えば、ステージ３０は、上面から上向きにガスを噴射して、板状のワーク２１０を水平に浮上させながら搬送する。ここで、ワーク２１０は少なくとも基板２１１と剥離層２１２とを備える。なお、剥離層２１２の上に形成されている回路素子等は図示を省略している。ワーク２１０は、基板２１１側から基板２１１と剥離層２１２との界面にレーザビームＬＢが照射されるように、基板２１１が上側になるようにステージ３０上に配置されている。また、ステージ３０は、レーザビームＬＢの焦点が基板２１１と剥離層２１２との界面に合うように上下方向（ｚ軸に沿った方向）に移動可能に構成されている。
　図３に示すように、レーザビームＬＢを照射しながら、ステージ３０を搬送方向（ｘ軸方向）に移動させてワーク２１０を搬送方向に搬送することで、ワーク２１０上においてレーザビームＬＢを走査することができる。このとき、レーザビームＬＢが照射されることで、基板２１１と剥離層２１２との界面付近において原子・分子の結合が分解するため、基板２１１と剥離層２１２とを界面において分離することができる。
＜実施の形態１の比較例に係るレーザ剥離装置でのレーザスポット＞
　次に、図４を参照して、実施の形態１の比較例に係るレーザ剥離装置でのレーザスポットの形状について説明する。図４は、比較例に係るレーザ剥離装置でのレーザスポットの形状を示す平面図である。図４に示すように、ワーク２１０をｘ軸方向に搬送しながら、照射位置が固定されたライン状のレーザビームＬＢを照射する。レーザビームＬＢはパルス発振されているため、ワーク２１０上においてライン状のレーザスポットＬＳがｘ軸負方向に移動しながら間欠的に形成されていく。
　ライン状のレーザスポットＬＳの寸法の一例は、図４に示すように、長軸幅Ｌは７５０ｍｍ、短軸幅Ｓは０．３９ｍｍである。図４の例では、レーザスポットＬＳを短軸方向（ｘ軸方向）において５０％ずつオーバーラップさせている。すなわち、レーザスポットＬＳを２回照射することによって、ワーク２１０における基板２１１と剥離層２１２とを剥離する。
　ここで、比較例に係るレーザ剥離装置でのレーザスポットＬＳは、長軸幅Ｌと短軸幅Ｓに対する長軸幅Ｌの比Ｌ／Ｓとのいずれもが大きい。そのため、レーザスポットＬＳを成形するためのレンズ系が大型化・長大化してしまう問題があった。
　他方、比較例に係るレーザ剥離装置でのレーザスポットＬＳは、短軸幅Ｓが小さい。そのため、レーザスポットＬＳのオーバーラップ率がばらつき易く、所定の照射回数（図４の例では２回）に達しない領域では、基板２１１と剥離層２１２とが未剥離となる問題があった。
　さらに、レンズ系のさらなる大型化・長大化を抑制するために、レーザスポットＬＳを長軸方向にも隣接させて繋ぎ合わせる場合には、以下のような問題があった。
　ここで、図５は、比較例に係るレーザ剥離装置でのレーザスポットＬＳの長軸方向及び短軸方向での強度プロファイルを示すグラフである。図５に示すように、レーザスポットＬＳの長軸幅Ｌは強度が一定の区間であり、その区間の両端に立ち上がり及び立ち下がりの傾斜部を有している。長軸方向では、一例として、長軸幅Ｌが７５０ｍｍであるのに対し、傾斜部の幅Ｗ１は１７．５ｍｍであった。
　このように、比較例に係るレーザ剥離装置でのレーザスポットＬＳは、長軸幅Ｌが大きいため、長軸方向の傾斜部の幅も大きくなる。そのため、レーザスポットＬＳを長軸方向にも隣接させて繋ぎ合わせる場合、レーザスポットＬＳ同士の長軸方向の隣接部では、傾斜部同士が重なり合い、照射されるレーザ強度が不安定になるという問題があった。
　なお、図５に示すように、短軸方向では、一例として、短軸幅Ｓが０．３９ｍｍであるのに対し、傾斜部の幅Ｗ２は０．０９ｍｍであった。すなわち、短軸方向の傾斜部は、幅が極めて小さいため、このような問題は生じない。
＜実施の形態１に係るレーザ剥離装置でのレーザスポット＞
　次に、図６を参照して、実施の形態１に係るレーザ剥離装置でのレーザスポットの形状について説明する。図６は、実施の形態１に係るレーザ剥離装置でのレーザスポットの形状を示す平面図である。図６に示すように、実施の形態１に係るレーザ剥離装置から照射されるレーザビームＬＢのワーク２１０におけるレーザスポットＬＳの形状は方形状である。
　図６に示すように、ワーク２１０の位置を固定した状態で、方形状のレーザスポットＬＳを有するレーザビームＬＢをｙ軸方向に繰り返し走査させながら照射する。レーザビームＬＢはパルス発振されているため、ワーク２１０上においてライン状のレーザスポットＬＳがｙ軸負方向に移動しながら間欠的に形成されていく。
　図６の例では、レーザビームＬＢをｙ軸負方向に走査させた後、ｘ軸負方向に移動し、ｙ軸正方向に走査させた後、ｘ軸負方向に移動することを繰り返している。図６の例では、レーザスポットＬＳを長軸方向（ｘ軸方向）においてはオーバーラップさせずに、短軸方向（ｙ軸方向）において５０％ずつオーバーラップさせている。すなわち、レーザスポットＬＳを２回照射することによって、ワーク２１０における基板２１１と剥離層２１２とを剥離する。
　ここで、方形状のレーザスポットＬＳの長軸幅Ｌは１０～２００ｍｍ（すなわち、１０ｍｍ≦Ｌ≦２００ｍｍ）であり、かつ短軸幅Ｓに対する長軸幅Ｌの比Ｌ／Ｓは２０以下（すなわち、Ｌ／Ｓ≦２０）を満たす。Ｌ＞２００ｍｍ、もしくは、Ｌ／Ｓ＞２０だと、レーザスポットＬＳを成形するためのレンズ系が大型化・長大化してしまう。他方、Ｌ＜１０ｍｍだと、レーザビームＬＢの走査回数が増加し、生産性が低下する。ここで、短軸幅Ｓと長軸幅Ｌとが等しく、Ｌ／Ｓ＝１であってもよい。すなわち、短軸幅Ｓに対する長軸幅Ｌの比Ｌ／Ｓは１～２０（すなわち、１≦Ｌ／Ｓ≦２０）である。
　実施の形態１に係るレーザ剥離装置でのレーザスポットＬＳは、長軸幅Ｌが２００ｍｍ以下かつ短軸幅Ｓに対する長軸幅Ｌの比Ｌ／Ｓが１～２０であるため、レンズ系の大型化・長大化を抑制することができる。また、長軸幅Ｌが１０ｍｍ以上であるため、生産性に優れている。
　また、Ｌ≦２００ｍｍとすることによって、比較例よりも上述の長軸方向の傾斜部の幅を小さくすることができる。そのため、図６に示したレーザスポットＬＳ同士の長軸方向の隣接部において、傾斜部同士が重なり合い、照射されるレーザ強度が不安定になることを抑制することができる。長軸方向の傾斜部の幅は、０．１ｍｍ以下であることが好ましい。
　ここで、レンズ系によって成形されたレーザビームＬＢが通過するスリットを設けることによって、傾斜部の幅をさらに小さくしてもよい。
　方形状のレーザスポットＬＳの短軸幅Ｓは２～３０ｍｍ（すなわち、２ｍｍ≦Ｓ≦３０ｍｍ）である。Ｓ＜２ｍｍだと、レーザスポットＬＳのオーバーラップ率がばらつき易くなる。そのため、所定の照射回数（図６の例では２回）に達しない領域では、ワーク２１０における基板２１１と剥離層２１２とが未剥離となる。他方、Ｓ＞３０ｍｍだと、レーザスポットＬＳの面積が大きくなり過ぎ、剥離に必要なレーザ強度が得られ難くなる。
　実施の形態１に係るレーザ剥離装置でのレーザスポットＬＳは、短軸幅Ｓが２ｍｍ以上であるため、ワーク２１０における基板２１１と剥離層２１２との未剥離を抑制することができる。また、短軸幅Ｓが３０ｍｍ以下であるため、剥離に必要な充分なレーザ強度が得られる。
　レーザスポットＬＳのオーバーラップ率は、２回照射の５０％の他に、３回照射の６７％、４回照射の７５％、５回照射の８０％、１０回照射の９０％、２０回照射の９５％などを採用してもよい。しかしながら、オーバーラップ率が８０％を超えると、照射回数が多くなり過ぎ、生産性が低下する。すなわち、オーバーラップ率は５０～８０％であることが好ましい。
　ここで、図７も、実施の形態１に係るレーザ剥離装置でのレーザスポットの形状を示す平面図である。図７に示したレーザスポットＬＳの形状は、図６に示したレーザスポットＬＳの形状と同じである。図７では、方形状のレーザスポットＬＳを有するレーザビームＬＢをｘ軸方向に繰り返し走査させながら照射する。レーザビームＬＢはパルス発振されているため、ワーク２１０上においてライン状のレーザスポットＬＳがｘ軸負方向に移動しながら間欠的に形成されていく。
　図７の例では、レーザビームＬＢをｘ軸負方向に走査させた後、ｙ軸負方向に移動し、ｘ軸正方向に走査させた後、ｙ軸負方向に移動することを繰り返している。図７の例では、レーザスポットＬＳを短軸方向（ｙ軸方向）においてはオーバーラップさせずに、長軸方向（ｘ軸方向）において５０％ずつオーバーラップさせている。すなわち、レーザスポットＬＳを２回照射することによって、ワーク２１０における基板２１１と剥離層２１２とを剥離する。
　図６、図７に示したように、レーザスポットＬＳを短軸方向にオーバーラップさせても、レーザスポットＬＳを長軸方向にオーバーラップさせてもよい。
（実施の形態２）
＜レーザ剥離装置の詳細構成＞
　次に、図８を参照して、実施の形態２に係るレーザ剥離装置の詳細構成について説明する。図８は、実施の形態２に係るレーザ剥離装置の斜視図である。実施の形態２に係るレーザ剥離装置２００も、図３に示した実施の形態１に係るレーザ剥離装置１００と同様に、レーザ光源１０、光学系２０、及びステージ３０を備えるが、図８では、ステージ３０は省略されている。
　図８に示すように、実施の形態２に係るレーザ剥離装置２００では、光学系２０が、ミラーＭ１、Ｍ２、成形レンズＬ１、Ｌ２、可動ミラーＭＭ１、ＭＭ２を備えている。
　図８に示すように、レーザ光源１０からｘ軸負方向に出射されたレーザビームＬＢは、ミラーＭ１で反射してｚ軸正方向に進行した後、ミラーＭ２で反射してｙ軸正方向に進行する。レーザ光源１０から出射されるレーザビームＬＢは、断面方形状の平行光である。
　図８の例では、ミラーＭ２で反射したレーザビームＬＢは、成形レンズＬ１によってｘ軸方向に拡げられた後、成形レンズＬ２によって再び平行光に変換されている。成形レンズＬ１、Ｌ２は、例えばシリンドリカルレンズである。成形レンズＬ１、Ｌ２によって成形されたレーザビームＬＢは、可動ミラーＭＭ１、ＭＭ２のいずれかで反射してｚ軸負方向に進行し、ワーク２１０に照射される。この際、ワーク２１０はｘ軸正方向に搬送されている。
　図８に示すように、可動ミラーＭＭ１は、ｙ軸方向に延設されたｙ軸レールＹＲ１上をスライドするスライダＳ１に搭載されている。すなわち、可動ミラーＭＭ１はｙ軸方向に移動することができる。ここで、ｙ軸レールＹＲ１はｙ軸レールＹＲ２と平行に設けられており、可動ミラーＭＭ１はｙ軸レールＹＲ１からｙ軸レールＹＲ２に向かって、すなわちｘ軸負方向に突き出すように設けられている。ｙ軸レールＹＲ１の両端には、ｙ軸レールＹＲ１を支持する一対の支柱Ｃ１が設けられている。さらに、可動ミラーＭＭ１は、スライダＳ１に固定されたｚ軸レールＺＲ１に搭載されており、ｚ軸方向にも移動することができる。
　同様に、可動ミラーＭＭ２は、ｙ軸方向に延設されたｙ軸レールＹＲ２上をスライドするスライダＳ２に搭載されている。すなわち、可動ミラーＭＭ２はｙ軸方向に移動することができる。ここで、可動ミラーＭＭ２はｙ軸レールＹＲ２からｙ軸レールＹＲ１に向かって、すなわちｘ軸正方向に突き出すように設けられている。ｙ軸レールＹＲ２の両端には、ｙ軸レールＹＲ２を支持する一対の支柱Ｃ２が設けられている。さらに、可動ミラーＭＭ２は、スライダＳ２に固定されたｚ軸レールＺＲ２に搭載されており、ｚ軸方向にも移動することができる。
　ここで、図８に加えて、図９、図１０を参照しながら、可動ミラーＭＭ１、ＭＭ２の構成及び動作についてさらに詳細に説明する。図９は、可動ミラーＭＭ１の構成及び動作を示す側面図である。図１０は、可動ミラーＭＭ１、ＭＭ２の構成及び動作を示す正面図である。図９の上段は、図１０の上段に対応しており、図９の下段は、図１０の下段に対応している。
　まず、図９の上段、図１０の上段に示すように、可動ミラーＭＭ１は、ｙ軸負方向に移動しながら、ｙ軸正方向に進行するレーザビームＬＢをｚ軸負方向に反射する。すなわち、可動ミラーＭＭ１がレーザビームＬＢの入射光軸に沿ってｙ軸負方向に移動することによって、可動ミラーＭＭ１で反射したレーザビームＬＢもワーク２１０においてｙ軸負方向に走査される。可動ミラーＭＭ１のストロークＳＴ１は、ワーク２１０の幅（ｙ軸方向の長さ）と同程度である。ここで、レーザビームＬＢの入射光軸は、ワーク２１０の基板２１１の主面に平行かつワーク２１０の搬送方向（ｘ軸方向）に垂直である。
　次に、可動ミラーＭＭ１はｙ軸レールＹＲ１のｙ軸負方向側端部に到達すると、図９の下段、図１０の下段に示すように、ｚ軸レールＺＲ１に沿ってｚ軸正方向に移動する。これにより、レーザビームＬＢは、ｙ軸レールＹＲ２（図９では不図示）のｙ軸正方向側端部において待機している可動ミラーＭＭ２によって照射される。なお、図９の下段には、分かり易いように可動ミラーＭＭ２が示されている。
　そして、図９の下段、図１０の下段に示すように、可動ミラーＭＭ１は、レーザビームＬＢを反射せずにｙ軸正方向に移動する。可動ミラーＭＭ１は、ｙ軸レールＹＲ１のｙ軸正方向側端部に到達すると、ｚ軸レールＺＲ１に沿ってｚ軸負方向に移動して待機する。この間、可動ミラーＭＭ２は、ｙ軸負方向に移動しながら、ｙ軸正方向に進行するレーザビームＬＢをｚ軸負方向に反射する。可動ミラーＭＭ２がレーザビームＬＢの入射光軸に沿ってｙ軸負方向に移動することによって、可動ミラーＭＭ２で反射したレーザビームＬＢもワーク２１０においてｙ軸負方向に走査される。可動ミラーＭＭ２のストロークは、可動ミラーＭＭ１のストロークＳＴ１と同じである。
　次に、可動ミラーＭＭ２はｙ軸レールＹＲ２のｙ軸負方向側端部に到達すると、図１０の上段に示すように、ｚ軸レールＺＲ２に沿ってｚ軸正方向に移動する。これにより、図９の上段、図１０の上段に示すように、レーザビームＬＢは、ｙ軸レールＹＲ１のｙ軸正方向側端部において待機している可動ミラーＭＭ１に照射される。
　以上に説明した通り、可動ミラーＭＭ１、ＭＭ２は、図９の上段、図１０の上段に示した動作と、図９の下段、図１０の下段に示した動作とを交互に繰り返す。すなわち、可動ミラーＭＭ１、ＭＭ２は、交互にｙ軸負方向に移動しながら、ｙ軸正方向に進行するレーザビームＬＢをｚ軸負方向に反射する。このような構成によって、ワーク２１０を一定速度で搬送しながら、レーザビームＬＢをワーク２１０の全面に照射することができる。
　図１１は、実施の形態２に係るレーザ剥離装置によって照射されたレーザスポットＬＳを示す平面図である。図１１に示すように、ワーク２１０を一定速度でｘ軸正方向に搬送しながら、レーザビームＬＢをｙ軸負方向に走査する。そのため、レーザスポットＬＳは実線矢印に示すように、それぞれの列において、ｘ軸負方向にずれながらｙ軸負方向に順次形成されていく。
　ここで、図１１に示したレーザスポットＬＳのｙ軸方向の移動距離は、図９に示した可動ミラーＭＭ１のｙ軸方向の移動距離（すなわちストロークＳＴ１）に等しい。可動ミラーＭＭ１、ＭＭ２のいずれかがレーザビームＬＢを反射しながらストロークＳＴ１分だけ移動する間に、ワーク２１０は長軸幅Ｌ分だけ搬送される。ここで、可動ミラーＭＭ１、ＭＭ２の移動速度は、レーザビームＬＢのパルス周波数とレーザスポットＬＳのオーバーラップ率とによって設定することができる。そして、可動ミラーＭＭ１、ＭＭ２の移動速度からワーク２１０の搬送速度を設定することができる。
（実施の形態３）
＜レーザ剥離装置の詳細構成＞
　次に、図１２を参照して、実施の形態３に係るレーザ剥離装置の詳細構成について説明する。図１２は、実施の形態３に係るレーザ剥離装置の斜視図である。実施の形態３に係るレーザ剥離装置３００は、図８に示した実施の形態２に係るレーザ剥離装置２００の構成に加えて、光路長調整ユニット２１を備えている。光路長調整ユニット２１は、可動ミラーＭＭ１、ＭＭ２の移動によるレーザビームＬＢの光路長の変化を相殺し、レーザビームＬＢの光路長が一定になるように調整する。
　実施の形態２に係るレーザ剥離装置２００では、可動ミラーＭＭ１、ＭＭ２が、ｙ軸負方向に移動しながら、ｙ軸正方向に進行するレーザビームＬＢをｚ軸負方向に反射する。そのため、可動ミラーＭＭ１、ＭＭ２がｙ軸負方向へ移動するにつれて、レーザビームＬＢの光路長が短くなる。これに対し、実施の形態３に係るレーザ剥離装置３００では、光路長調整ユニット２１によって、可動ミラーＭＭ１、ＭＭ２がｙ軸負方向へ移動しても、レーザビームＬＢの光路長を一定に維持することができる。
　図１２の例では、光路長調整ユニット２１は、ミラーＭ２と成形レンズＬ１と間に設けられている。光路長調整ユニット２１の設置位置は、レーザビームＬＢの経路上であれば特に限定されない。図１２に示した実施の形態３に係るレーザ剥離装置３００において、光路長調整ユニット２１以外の構成は、図８に示した実施の形態２に係るレーザ剥離装置２００と同様であるため、詳細な説明は省略する。
　以下に、光路長調整ユニット２１の詳細について説明する。図１３は、光路長調整ユニット２１の拡大斜視図である。図１３に示すように、光路長調整ユニット２１は、ｘ軸レールＸＲ、ベースＢ、４つの固定ミラーＭ１１、Ｍ１２、Ｍ２１、Ｍ２２、２つの回転ミラーＲＭ１、ＲＭ２を備えている。
　ｘ軸レールＸＲは、ｘ軸方向に延設されたレールである。ｘ軸レールＸＲは、ｘ軸負方向の中央部に、ｙ軸方向の両側に突出した突出部を有している。ここで、ｙ軸負方向に突出した突出部に回転ミラーＲＭ１がｚ軸周りに回転可能に固定され、ｙ軸正方向に突出した突出部に回転ミラーＲＭ２がｚ軸周りに回転可能に固定されている。
　ベースＢは、ｘ軸方向に延設された平面視Ｉ字状の板状部材であって、ｘ軸レールＸＲ上にｘ軸方向にスライド可能に載置されている。ベースＢのｘ軸負方向の端部では、ｙ軸負方向に突出した突出部に固定ミラーＭ１１が固定され、ｙ軸正方向に突出した突出部に固定ミラーＭ１２が固定されている。ベースＢのｘ軸正方向の端部では、ｙ軸負方向に突出した突出部に固定ミラーＭ２１が固定され、ｙ軸正方向に突出した突出部に固定ミラーＭ２２が固定されている。
　図１２、図１３に示すように、光路長調整ユニット２１では、ｙ軸正方向に進行するレーザビームＬＢが回転ミラーＲＭ１に入射し、固定ミラーＭ１１、Ｍ１２もしくは固定ミラーＭ２１、Ｍ２２を経由して、回転ミラーＲＭ２からｙ軸正方向に出射される。図１２では、レーザビームＬＢが固定ミラーＭ２１、Ｍ２２（図１３参照）を経由している。
　より詳細には、レーザビームＬＢは、回転ミラーＲＭ１で反射してｘ軸正方向又はｘ軸正方向に進行する。回転ミラーＲＭ１は回転可能であるため、ｙ軸正方向に進行するレーザビームＬＢをｘ軸正方向又はｘ軸正方向に反射することができる。図１２では、レーザビームＬＢが回転ミラーＲＭ１で反射してｘ軸正方向に進行している。
　この場合、図１２、図１３に示すように、ｘ軸正方向に進行するレーザビームＬＢは、固定ミラーＭ２１で反射してｙ軸正方向に進行し、固定ミラーＭ２２で反射してｘ軸負方向に進行した後、回転ミラーＲＭ２に入射する。そして、レーザビームＬＢは、回転ミラーＲＭ２で反射してｙ軸正方向に進行する。
　ここで、図１３に示すように、ベースＢはｘ軸レールＸＲ上をｘ軸方向にスライドすることができるため、回転ミラーＲＭ１と固定ミラーＭ２１との距離及び回転ミラーＲＭ２と固定ミラーＭ２２との距離を変化させることができる。
　具体的には、レーザビームＬＢが固定ミラーＭ２１、Ｍ２２を経由する場合、ベースＢがｘ軸正方向に移動すると、回転ミラーＲＭ１、ＲＭ２と固定ミラーＭ２１、Ｍ２２とが遠ざかるため、光路長調整ユニット２１における光路長が長くなる。反対に、ベースＢがｘ軸負方向に移動すると、回転ミラーＲＭ１、ＲＭ２と固定ミラーＭ２１、Ｍ２２とが近づくため、光路長調整ユニット２１における光路長が短くなる。
　一方、レーザビームＬＢが回転ミラーＲＭ１で反射してｘ軸負方向に進行する場合、レーザビームＬＢは、固定ミラーＭ１１で反射してｙ軸正方向に進行し、固定ミラーＭ１２で反射してｘ軸正方向に進行した後、回転ミラーＲＭ２に入射する。そして、レーザビームＬＢは、回転ミラーＲＭ２で反射してｙ軸正方向に進行する。回転ミラーＲＭ２は回転可能であるため、このようにｘ軸正方向に進行するレーザビームＬＢでも、図１２に示したようにｘ軸負方向に進行するレーザビームＬＢでも、ｙ軸正方向に反射することができる。
　ここで、図１３に示すように、ベースＢはｘ軸レールＸＲ上をｘ軸方向にスライドすることができるため、回転ミラーＲＭ１と固定ミラーＭ１１との距離及び回転ミラーＲＭ２と固定ミラーＭ１２との距離を変化させることができる。
　具体的には、レーザビームＬＢが固定ミラーＭ１１、Ｍ１２を経由する場合、ベースＢがｘ軸負方向に移動すると、回転ミラーＲＭ１、ＲＭ２と固定ミラーＭ１１、Ｍ１２とが遠ざかるため、光路長調整ユニット２１における光路長が長くなる。反対に、ベースＢがｘ軸正方向に移動すると、回転ミラーＲＭ１、ＲＭ２と固定ミラーＭ１１、Ｍ１２とが近づくため、光路長調整ユニット２１における光路長が短くなる。
　次に、図１４を参照しながら、光路長調整ユニット２１の動作について説明する。図１４は、光路長調整ユニット２１の動作を示す平面図である。図１４に示すように、光路長調整ユニット２１は、図９、図１０を参照して説明した可動ミラーＭＭ１、ＭＭ２の動作と同期して動作する。すなわち、レーザビームＬＢの光路長を一定に維持するように、可動ミラーＭＭ１、ＭＭ２がｙ軸負方向へ移動するのと同期して、ベースＢがｘ軸方向に移動する。以下に図１４と共に、図９も参照しながら、光路長調整ユニット２１の動作の詳細について説明する。
　まず、図９の上段に示すように、可動ミラーＭＭ１がｙ軸レールＹＲ１のｙ軸正方向側端部においてレーザビームＬＢの反射を開始する際、図１４の最も左側に示すように、ベースＢは最もｘ軸正方向側に位置している。ここで、回転ミラーＲＭ１に入射したレーザビームＬＢが、固定ミラーＭ１１、Ｍ１２を経由して、回転ミラーＲＭ２から出射される。ベースＢが最もｘ軸正方向側に位置しているため、回転ミラーＲＭ１、ＲＭ２と固定ミラーＭ１１、Ｍ１２とが最も近づき、光路長調整ユニット２１における光路長が最も短くなっている。
　次に、図９の上段に示すように、可動ミラーＭＭ１がｙ軸負方向に前進すると、図１４の左から２番目に示すように、ベースＢも同期してｘ軸負方向に移動する。図１４の左から２番目に示す状態は、ベースＢが最もｘ軸負方向側に到達した状態である。そのため、回転ミラーＲＭ１、ＲＭ２と固定ミラーＭ１１、Ｍ１２とが最も遠ざかり、光路長調整ユニット２１における光路長が最も長くなっている。
　ここで、可動ミラーＭＭ１が移動すると、その分光路長が減少する。他方、ベースＢが移動すると、回転ミラーＲＭ１と固定ミラーＭ１１との距離及び回転ミラーＲＭ２と固定ミラーＭ１２との距離がその分増加する。すなわち、ベースＢの移動距離の２倍だけ光路長が増加する。従って、光路長を一定に維持するためには、図１４に示すように、ベースＢのストロークＳＴ２は、図９に示した可動ミラーＭＭ１のストロークＳＴ１の１／２とする。また、ベースＢの移動速度も、可動ミラーＭＭ１の移動速度の１／２とする。
　次に、可動ミラーＭＭ１がｙ軸レールＹＲ１のｙ軸負方向側端部に到達すると、図９の下段に示すように、レーザビームＬＢの照射対象が、可動ミラーＭＭ１から可動ミラーＭＭ２に切り換わる。これと同時に、図１４の左から２番目に示す状態において回転ミラーＲＭ１、ＲＭ２が回転する。これにより、図１４の左から３番目に示すように、回転ミラーＲＭ１に入射したレーザビームＬＢが、固定ミラーＭ２１、Ｍ２２を経由して、回転ミラーＲＭ２から出射されるように切り換わる。この際、ベースＢは移動しない。
　図１４の左から３番目に示す状態では、ベースＢが最もｘ軸負方向側に位置しているため、回転ミラーＲＭ１、ＲＭ２と固定ミラーＭ２１、Ｍ２２とが最も近づき、光路長調整ユニット２１における光路長が最も短くなっている。すなわち、光路長調整ユニット２１において、図１４の最も左側に示す状態の光路長と、図１４の左から３番目に示す状態の光路長とは等しい。
　次に、可動ミラーＭＭ２がｙ軸負方向に前進すると、図１４の最も右側に示すように、ベースＢも同期してｘ軸正方向に移動する。図１４の最も右側に示す状態は、ベースＢが最もｘ軸正方向側に到達した状態である。そのため、回転ミラーＲＭ１、ＲＭ２と固定ミラーＭ２１、Ｍ２２とが最も遠ざかり、光路長調整ユニット２１における光路長が最も長くなっている。すなわち、光路長調整ユニット２１において、図１４の２番目に示す状態の光路長と、図１４の最も右側に示す状態の光路長とは等しい。
　次に、可動ミラーＭＭ２がｙ軸レールＹＲ２のｙ軸負方向側端部に到達すると、図９の上段に示すように、レーザビームＬＢの照射対象が、可動ミラーＭＭ２から可動ミラーＭＭ１に切り換わる。これと同時に、図１４の最も右側に示す状態において回転ミラーＲＭ１、ＲＭ２が回転する。これにより、図１４の最も左側に示す状態に戻り、回転ミラーＲＭ１に入射したレーザビームＬＢが、固定ミラーＭ１１、Ｍ１２を経由して、回転ミラーＲＭ２から出射されるように切り換わる。この際、ベースＢは移動しない。
　光路長調整ユニット２１が以上のような動作を繰り返すことによって、可動ミラーＭＭ１、ＭＭ２が順次ｙ軸負方向へ移動しても、レーザビームＬＢの光路長を常に一定に維持することができる。
　以上、本発明者らによってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
　この出願は、２０１８年２月６日に出願された日本出願特願２０１８－０１８８１４を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
１０　レーザ光源
２０　光学系
２１　光路長調整ユニット
３０　ステージ
１００、２００、３００　レーザ剥離装置
２１０　ワーク
２１１　基板
２１２　剥離層
２１３　回路素子
２１４　保護層
２１８　フィルム
３１１　ＴＦＴ層
３１１ａ　ＴＦＴ
３１２　有機層
３１２ａ　有機ＥＬ発光素子
３１２ｂ　隔壁
３１３　カラーフィルタ層
３１３ａ　カラーフィルタ
Ｂ　ベース
Ｃ１、Ｃ２　支柱
Ｌ１、Ｌ２　成形レンズ
ＬＢ　レーザビーム
ＬＳ　レーザスポット
Ｍ１、Ｍ２　ミラー
Ｍ１１、Ｍ１２、Ｍ２１、Ｍ２２　固定ミラー
ＭＭ１、ＭＭ２　可動ミラー
ＰＸ　画素
ＲＭ１、ＲＭ２　回転ミラー
Ｓ１、Ｓ２　スライダ
ＸＲ　ｘ軸レール
ＹＲ１、ＹＲ２　ｙ軸レール
ＺＲ１、ＺＲ２　ｚ軸レール

Claims (20)

  1. 　基板と当該基板上に形成された剥離層とを備えるワークにレーザビームを照射して前記剥離層を前記基板から剥離するレーザ剥離装置であって、
    　前記ワークに照射される前記レーザビームのスポットが方形状であり、
    　前記スポットの長軸幅Ｌが１０～２００ｍｍであり、
    　前記スポットの短軸幅Ｓが２～３０ｍｍであり、
    　前記スポットの短軸幅Ｓに対する長軸幅Ｌの比Ｌ／Ｓが１～２０である、
    レーザ剥離装置。
  2. 　前記スポットの短軸方向又は長軸方向に、前記スポットをオーバーラップさせながら、前記ワークに複数回ずつ前記レーザビームを照射する、
    請求項１に記載のレーザ剥離装置。
  3. 　前記スポットのオーバーラップ率が５０～８０％である、
    請求項２に記載のレーザ剥離装置。
  4. 　前記ワークを搬送しながら、前記ワークに前記レーザビームを照射する、
    請求項１～３のいずれか一項に記載のレーザ剥離装置。
  5. 　前記基板の主面に平行かつ前記ワークの搬送方向に垂直な方向に進行する前記レーザビームを反射しつつ、前記レーザビームの入射光軸に沿って移動可能な可動ミラーを備え、
    　前記可動ミラーが移動しながら前記レーザビームを反射することによって、前記ワークに前記レーザビームを照射する、
    請求項４に記載のレーザ剥離装置。
  6. 　前記可動ミラーを複数備え、
    　前記可動ミラーの１つが移動しながら前記レーザビームを反射することによって、前記ワークに前記レーザビームを照射した後、前記可動ミラーの他の１つが移動しながら前記レーザビームを反射することによって、前記ワークに前記レーザビームを照射する、
    請求項５に記載のレーザ剥離装置。
  7. 　前記可動ミラーの移動による前記レーザビームの光路長の変化を相殺し、前記光路長が一定になるように調整する光路長調整ユニットをさらに備える、
    請求項５又は６に記載のレーザ剥離装置。
  8. 　基板と当該基板上に形成された剥離層とを備えるワークにレーザビームを照射して前記剥離層を前記基板から剥離するレーザ剥離方法であって、
    　前記ワークに照射される前記レーザビームのスポットが方形状であり、
    　前記スポットの長軸幅Ｌが１０～２００ｍｍであり、
    　前記スポットの短軸幅Ｓが２～３０ｍｍであり、
    　前記スポットの短軸幅Ｓに対する長軸幅Ｌの比Ｌ／Ｓが１～２０である、
    レーザ剥離方法。
  9. 　前記スポットの短軸方向又は長軸方向に、前記スポットをオーバーラップさせながら、前記ワークに複数回ずつ前記レーザビームを照射する、
    請求項８に記載のレーザ剥離方法。
  10. 　前記スポットのオーバーラップ率が５０～８０％である、
    請求項９に記載のレーザ剥離方法。
  11. 　前記ワークを搬送しながら、前記ワークに前記レーザビームを照射する、
    請求項８～１０のいずれか一項に記載のレーザ剥離方法。
  12. 　前記基板の主面に平行かつ前記ワークの搬送方向に垂直な方向に進行する前記レーザビームを反射しつつ、前記レーザビームの入射光軸に沿って移動可能な可動ミラーを備え、
    　前記可動ミラーが移動しながら前記レーザビームを反射することによって、前記ワークに前記レーザビームを照射する、
    請求項１１に記載のレーザ剥離方法。
  13. 　前記可動ミラーを複数備え、
    　前記可動ミラーの１つが移動しながら前記レーザビームを反射することによって、前記ワークに前記レーザビームを照射した後、前記可動ミラーの他の１つが移動しながら前記レーザビームを反射することによって、前記ワークに前記レーザビームを照射する、
    請求項１２に記載のレーザ剥離方法。
  14. 　前記可動ミラーの移動による前記レーザビームの光路長の変化を相殺し、前記光路長が一定になるように調整する、
    請求項１２又は１３に記載のレーザ剥離方法。
  15. 　基板上に剥離層を形成する工程と、
    　前記剥離層上に駆動素子及び有機ＥＬ素子を形成する工程と、
    　前記基板と前記剥離層とを含むワークにレーザビームを照射して前記剥離層を前記基板から剥離する工程と、
    　前記基板から剥離した前記剥離層にフィルムを積層する工程と、を含み、
    　前記剥離層を前記基板から剥離する工程において、
    　前記ワークに照射される前記レーザビームのスポットが方形状であり、
    　前記スポットの長軸幅Ｌが１０～２００ｍｍであり、
    　前記スポットの短軸幅Ｓが２～３０ｍｍであり、
    　前記スポットの短軸幅Ｓに対する長軸幅Ｌの比Ｌ／Ｓが１～２０である、
    有機ＥＬディスプレイの製造方法。
  16. 　前記スポットの短軸方向又は長軸方向に、前記スポットをオーバーラップさせながら、前記ワークに複数回ずつ前記レーザビームを照射する、
    請求項１５に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
  17. 　前記スポットのオーバーラップ率が５０～８０％である、
    請求項１６に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
  18. 　前記ワークを搬送しながら、前記ワークに前記レーザビームを照射する、
    請求項１５～１７のいずれか一項に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
  19. 　前記基板の主面に平行かつ前記ワークの搬送方向に垂直な方向に進行する前記レーザビームを反射しつつ、前記レーザビームの入射光軸に沿って移動可能な可動ミラーを備え、
    　前記可動ミラーが移動しながら前記レーザビームを反射することによって、前記ワークに前記レーザビームを照射する、
    請求項１８に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
  20. 　前記可動ミラーを複数備え、
    　前記可動ミラーの１つが移動しながら前記レーザビームを反射することによって、前記ワークに前記レーザビームを照射した後、前記可動ミラーの他の１つが移動しながら前記レーザビームを反射することによって、前記ワークに前記レーザビームを照射する、
    請求項１９に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
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