WO2019124477A1 - 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法、硬化膜、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜及び電子部品 - Google Patents

感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法、硬化膜、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜及び電子部品 Download PDF

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WO2019124477A1
WO2019124477A1 PCT/JP2018/046905 JP2018046905W WO2019124477A1 WO 2019124477 A1 WO2019124477 A1 WO 2019124477A1 JP 2018046905 W JP2018046905 W JP 2018046905W WO 2019124477 A1 WO2019124477 A1 WO 2019124477A1
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WO
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group
film
photosensitive resin
resin composition
cured film
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Application number
PCT/JP2018/046905
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English (en)
French (fr)
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米田　聡
榎本　哲也
篤太郎 吉澤
Original Assignee
日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/12—Unsaturated polyimide precursors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor

Definitions

  • the present invention relates to a photosensitive resin composition, a method for producing a patterned cured film, a cured film, an interlayer insulating film, a cover coat layer, a surface protective film, and an electronic component.
  • multi-die fanout wafer level package (multi-die fanout wafer level package) is a package manufactured by collectively sealing a plurality of dies in one package, which has been proposed conventionally It is attracting attention because it can be expected to achieve lower cost and higher performance than certain fan-out wafer level packages (made by sealing one die in one package).
  • Patent Document 3 has a polyimide precursor composition containing a polyamic acid, a thermal base generator that generates a primary or secondary amine by heating at 200 ° C. or less, and a solvent. It is disclosed.
  • Patent Document 4 discloses a thermosetting resin composition containing a specific acidic compound, and a thermal base generator containing at least one selected from ammonium salts having an anion having an pKa of 0 to 4 and an ammonium cation. There is.
  • Patent Document 5 discloses a polyimide precursor resin composition containing a photobase generator that generates a primary or secondary amine having an alcoholic hydroxyl group and a polyimide precursor in order to improve the low temperature curing properties of the polyimide. It is done.
  • Patent Document 6 discloses a resin composition containing a compound which produces an imidazole derivative by light irradiation or heating, and a polyimide precursor, an epoxy crosslinking agent, polyurethane or polyurea.
  • the curing temperature is lowered to suppress thermal loss of the electronic component. Is required.
  • the cured film is required to have high chemical solution resistance to chemical solutions such as organic solvents, strong acids and strong bases.
  • CSP chip size packaging
  • the cured film is in contact with flux in the reflow process of solder bumps. Required
  • a resin composition satisfying all of these has not been obtained.
  • An object of the present invention is a photosensitive resin composition capable of forming a cured film having high sensitivity, high chemical resistance and flux resistance, and excellent adhesion and elongation at break properties even when cured at a low temperature of 200 ° C. or less It is to provide a thing.
  • the present inventors have found that the sensitivity is obtained by combining a specific polyimide precursor, a polymerizable compound having an aliphatic cyclic skeleton, a thermal base generator and a photopolymerization initiator.
  • the present inventors have found that a cured film satisfying all the above-described properties can be obtained even when cured at a high temperature and a low temperature of 200 ° C. or less, and the present invention has been completed.
  • the following photosensitive resin composition and the like are provided. 1.
  • the photosensitive resin composition as described in 1 whose said (A) component is a polyimide precursor which has a structural unit represented by following formula (1).
  • X 1 is a tetravalent aromatic group.
  • Y 1 is a divalent aromatic group.
  • R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, the following formula (2) And at least one of R 1 and R 2 is a group represented by the following formula (2): —COOR 1 group and —CONH— The groups are in the ortho position to each other, and the -COOR 2 and -CO- groups are in the ortho position to each other).
  • R 3 to R 5 each independently represent a hydrogen atom or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 3 carbon atoms, m is an integer of 1 to 10, and * is a bond. is there.) 3.
  • the photosensitive resin composition according to 1 or 2 wherein the component (B) contains a compound represented by any one of the following formulas (11) to (14).
  • R 11 to R 14 each independently represent an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms or a group represented by the following formula (15). At least one R 11 is a group represented by the following formula (15), b is an integer from 1 to 12, and at least one R 12 is represented by the following formula (15) C is an integer of 1 to 16 and at least one R 13 is a group represented by the following formula (15) d is an integer of 1 to 16 and at least one R 14 is It is a group represented by the following formula (15). (In the formula (15), R 15 ⁇ R 17 are each independently, a is .l is a hydrogen atom or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 3 carbon atoms is an integer of 0-10.
  • R 21 and R 22 , R 23 and R 24 , R 25 and R 29 , and R 26 and R 27 may combine with each other to form a ring
  • X n- is a compound represented by any one of the following formulas (23) to (26)
  • R 31 to R 33 each independently represent a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms
  • R 34 is an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or an aromatic group having 6 to 10 carbon atoms
  • R 35 is a hydroxyl group or a mercapto group e to h are each independently 1 It is an integer of ⁇ 4.) 7.
  • the component (C) contains a phenol-derived structure or an orthophthalic acid-derived structure as the anion, and as the cation, a 1,5-diazabicyclo [4.3.0] non-5-ene-derived structure or a 1,8-diazabicyclo 5.4.0]
  • the manufacturing method of the pattern cured film of 8 whose temperature of the said heat processing is 200 degrees C or less.
  • a cured film obtained by curing the photosensitive resin composition according to any one of 10.1 to 7. 11.
  • the cured film as described in 10 which is a pattern cured film.
  • An electronic component comprising the interlayer insulating film, the cover coat layer or the surface protective film according to 13.12.
  • a photosensitive resin composition capable of forming a cured film having high sensitivity and excellent in chemical resistance, flux resistance, adhesiveness, and elongation at break characteristics even when cured at a low temperature of 200 ° C. or less. it can.
  • a method for producing a patterned cured film using the photosensitive resin composition, a cured film of the photosensitive resin composition, an interlayer insulating film produced using the cured film, etc., and the interlayer insulating film etc. Electronic parts can be provided.
  • a or B may include either A or B, and may include both.
  • the term "process” is included in the term if the intended function of the process is achieved, even if it can not be clearly distinguished from other processes, not only the independent process. .
  • a numerical range indicated using “to” indicates a range including numerical values described before and after “to” as the minimum value and the maximum value, respectively.
  • the content of each component in the composition is the total amount of the plurality of substances present in the composition unless otherwise specified. means.
  • the exemplified materials may be used alone or in combination of two or more unless otherwise specified.
  • the "(meth) acrylic group” in the present specification means "acrylic group” and "methacrylic group”.
  • the photosensitive resin composition of the present invention comprises (A) a polyimide precursor having a polymerizable unsaturated bond (hereinafter, also referred to as “component (A)”), and (B) a polymerizable compound having an aliphatic cyclic skeleton. (Hereafter also referred to as “(B) component”), (C) thermal base generator (hereinafter referred to as “(C) component”), and (D) photopolymerization initiator (hereinafter "(D) Component (also referred to as component).
  • the photosensitive resin composition of the present invention is preferably a negative photosensitive resin composition.
  • the photosensitive resin composition of the present invention has excellent photosensitive properties because it has the above-mentioned components, and the chemical resistance, flux resistance, and the like are equivalent to the cured film obtained at the time of high temperature curing even when cured at 200 ° C. or less. It is possible to form a cured film having adhesion properties and elongation at break. In addition, a cured film can be formed which exhibits high adhesion even after a durability test under high temperature and humidity conditions. Each component will be described below.
  • Component (A) Polyimide precursor having a polymerizable unsaturated bond
  • the component (A) is not particularly limited as long as it is a polyimide precursor having a polymerizable unsaturated bond, but the transmittance when i-line is used as a light source during patterning is high, and it is at the time of low temperature curing of 200 ° C. or less. Also preferred are polyimide precursors which exhibit high cured film properties. Examples of the polymerizable unsaturated bond include a double bond between carbon atoms.
  • the component (A) is preferably a polyimide precursor having a structural unit represented by the following formula (1).
  • X 1 is a tetravalent aromatic group.
  • Y 1 is a divalent aromatic group.
  • R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, the following formula (2) Or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms, and at least one of R 1 and R 2 is a group represented by the following formula (2): —COOR 1 group and —CONH The-groups are in the ortho position to each other and the -COOR 2 and -CO- groups are in the ortho position to each other).
  • R 3 to R 5 each independently represent a hydrogen atom or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 3 carbon atoms.
  • M is an integer of 1 to 10 (preferably an integer of 2 to 10) , More preferably an integer of 2 to 5, further preferably 2 or 3.) * is a bond, specifically, * is a group represented by formula (2) R 1 or R 2 is bonded to the oxygen atom to which it is bonded.)
  • the tetravalent aromatic group of X 1 in the formula (1) may be a tetravalent aromatic hydrocarbon group (having a carbon number of 6 to 20, for example), and a tetravalent aromatic heterocyclic group (atom The number may be, for example, 5 to 20).
  • X 1 is preferably a tetravalent aromatic hydrocarbon group.
  • Examples of the tetravalent aromatic hydrocarbon group of X 1 include, but are not limited to, the groups shown below. (Wherein, Z 1 and Z 2 are each independently a divalent group or a single bond not conjugated with the benzene ring to which each is bonded. Z 3 is an ether bond (—O—) or a sulfide bond (— S-)))
  • the divalent group of Z 1 and Z 2 is preferably —O—, —S—, a methylene group, a bis (trifluoromethyl) methylene group, or a difluoromethylene group, and more preferably —O—.
  • Z 3 is preferably -O-.
  • the divalent aromatic group of Y 1 in the formula (1) may be a divalent aromatic hydrocarbon group (with a carbon number of 6 to 20, for example), and a divalent aromatic heterocyclic group (atom The number may be, for example, 5 to 20).
  • Y 1 is preferably a divalent aromatic hydrocarbon group.
  • Examples of the divalent aromatic hydrocarbon group of Y 1 include, but not limited to, groups represented by the following formula (3).
  • R 41 to R 48 each independently represent a hydrogen atom, a monovalent aliphatic hydrocarbon group, or a monovalent organic group having a halogen atom.
  • a methyl group is preferable as the monovalent aliphatic hydrocarbon group (preferably having a carbon number of 1 to 10, more preferably a carbon number of 1 to 6) of R 41 to R 48 .
  • the monovalent organic group having a halogen atom (preferably a fluorine atom) of R 41 to R 48 is a monovalent aliphatic hydrocarbon group having a halogen atom (preferably having a carbon number of 1 to 10, more preferably a carbon number of 1). -6) is preferable, and a trifluoromethyl group is preferable.
  • R 42 and R 43 may be a monovalent aliphatic hydrocarbon group (eg, methyl group), and R 41 and R 44 to R 48 may be hydrogen atoms.
  • the aliphatic hydrocarbon group having 1 to 4 (preferably 1 or 2) carbon atoms of R 1 and R 2 in the formula (1) includes a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, a 2-propyl group, an n- A butyl group etc. are mentioned.
  • R 1 and R 2 are a group represented by Formula (2), and preferably, both R 1 and R 2 are groups represented by Formula (2).
  • Examples of the aliphatic hydrocarbon group having 1 to 3 carbon atoms (preferably 1 or 2) of R 3 to R 5 in the formula (2) include methyl group, ethyl group, n-propyl group and 2-propyl group. Be Methyl is preferred.
  • the polyimide precursor having a structural unit represented by the formula (1) is, for example, a tetracarboxylic acid dianhydride represented by the following formula (4) and a diamino compound represented by the following formula (5):
  • the reaction is carried out in an organic solvent such as N-methyl pyrrolidone to produce a polyamic acid, a compound represented by the following formula (6) is added, and the reaction is carried out in an organic solvent to introduce an ester group wholly or partially It can be manufactured by doing.
  • X 1 is a group corresponding to X 1 of the formula (1).
  • Equation in (5), Y 1 is as defined in formula (1).
  • Equation (6), R 3 to R 5 and m are as defined in the formula (2).
  • the tetracarboxylic acid dianhydride represented by Formula (4) and the diamino compound represented by Formula (5) may be used singly or in combination of two or more.
  • the content of the structural unit represented by the formula (1) is preferably 50% mol or more, more preferably 80 mol% or more, and 90 mol% or more with respect to the total structural units of the component (A). More preferable.
  • the upper limit is not particularly limited, and may be 100 mol%.
  • the component (A) may have a structural unit other than the structural unit represented by the formula (1).
  • structural units other than structural unit represented by Formula (1) the structural unit etc. which are represented by following formula (7) are mentioned.
  • X 2 is a tetravalent aromatic group.
  • Y 2 is a divalent aromatic group.
  • R 51 and R 52 each independently represent a hydrogen atom or a carbon number of 1 to 4) Aliphatic hydrocarbon groups of -COOR 51 and -CONH- groups are in ortho position to each other, and -COOR 52 and -CO- groups are in ortho position to each other)
  • Examples of the tetravalent aromatic group of X 2 in the formula (7) include the same groups as the tetravalent aromatic group of X 1 of the formula (1).
  • Examples of the divalent aromatic group of Y 2 include the same groups as the divalent aromatic group Y 1 of the formula (1).
  • Examples of the aliphatic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms of R 51 and R 52 include the same groups as the aliphatic hydrocarbon groups having 1 to 4 carbon atoms of R 1 and R 2 in the formula (1).
  • content of structural units other than structural unit represented by Formula (1) is less than 50 mol% with respect to all the structural units of (A) component.
  • Structural units other than structural unit represented by Formula (1) may be used individually by 1 type, and may combine 2 or more types.
  • component (A) the proportion of carboxy groups esterified with the group represented by formula (2) is 50 mol% or more with respect to all carboxy groups and all carboxy esters in the polyimide precursor Preferably, 60 to 100 mol% is more preferable, and 70 to 90 mol% is more preferable.
  • the molecular weight of the component (A) is not particularly limited, but it is preferably 10,000 to 200,000 in number average molecular weight.
  • the number average molecular weight is determined by gel permeation chromatography and determined by conversion using a standard polystyrene calibration curve.
  • the photosensitive resin composition of the present invention can impart hydrophobicity to the obtained cured film, and can suppress the decrease in adhesion between the cured film and the substrate under high temperature and high humidity conditions.
  • the number of ring carbon atoms of the aliphatic cyclic skeleton is preferably 4 to 15, and more preferably 5 to 12.
  • the component (B) preferably has a polymerizable unsaturated double bond-containing group, and in order to improve the crosslink density and photosensitivity and to suppress the swelling of the pattern after development, the polymerizable unsaturated double bond is contained. It is preferred to have two or three groups.
  • the component (B) is preferably a compound having a (meth) acrylic group that can be polymerized by a photopolymerization initiator.
  • Examples of the component (B) include, but are not limited to, the compounds represented by the following formulas (11) to (14).
  • R 11 to R 14 each independently represent an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms or a group represented by the following formula (15).
  • R 11 is a group represented by the following formula (15): b is an integer of 1 to 12; Preferably, two or three R 12 s are a group represented by the following formula (15) c is an integer of 1 to 16 and at least one (preferably two or three) R 13 s Is a group represented by the following formula (15), d is an integer of 1 to 16, and at least one (preferably two) R 14 is a group represented by the following formula (15).
  • R 13 in the formula (13) can be coupled to any substitution position of the aliphatic cyclic skeleton, R 14 in formula (14) It can be coupled to any substitution position of aliphatic cyclic skeleton.
  • R 15 ⁇ R 17 independently is an aliphatic hydrocarbon group of a hydrogen atom or a C 1 ⁇ 3 .l is an integer of 0 to 10 (preferably 0, 1 or 2 *) Is a bond.
  • Equation (11) - (14) The R 11 ⁇ aliphatic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms R 14 of, R 1 and aliphatic hydrocarbons having 1-4 carbon atoms R 2 of formula (1)
  • the same groups as the groups can be mentioned.
  • Examples of the aliphatic hydrocarbon group having 1-3 carbon atoms R 15 ⁇ R 17 of formula (15), R 3 ⁇ same groups as the aliphatic hydrocarbon group having 1-3 carbon atoms R 5 of formula (2) Can be mentioned.
  • the content of the component (B) is preferably 1 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A), more preferably 5 to 50 parts by mass from the viewpoint of improving the hydrophobicity of the cured film Preferably, it is 5 to 30 parts by mass. When it is within the above range, a practical relief pattern is easily obtained, and it is easy to suppress the residual residue after development of the unexposed area.
  • the thermal base generator is a compound which generates a base by heat.
  • the component (C) is preferably a compound having a base generation temperature between 100 ° C. and 200 ° C. in differential scanning calorimetry.
  • the base generation temperature is preferably 200 ° C. or less, more preferably 180 ° C. or less. Moreover, 100 degreeC or more is preferable and, as for base generation temperature, 110 degreeC or more is more preferable.
  • the base generation temperature is 200 ° C. or less, a base is generated without any problem even when the photosensitive resin composition is cured at a low temperature of 200 ° C. or less, and the addition effect can be sufficiently exhibited.
  • the base generation temperature is 100 ° C. or more, a photosensitive resin composition excellent in stability and handling can be obtained without generating a base during storage or in the process of forming a photosensitive resin film.
  • the base generation temperature is determined using differential scanning calorimetry as follows. That is, a thermal base generator and a polyimide precursor (polymer I synthesized in Synthesis Example 1 of the present application) are uniformly mixed in tetrahydrofuran (THF, manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) at a mass ratio of 10:90, It is applied on a glass substrate and dried at 80 ° C. for 10 minutes to give a sample. This sample is put in a metal pan and heated to 300 ° C. at 10 ° C./min, and the peak temperature of the heat of reaction of the polyimide precursor at that time is measured to determine the base generation temperature of the thermal base generator.
  • THF tetrahydrofuran
  • the peak temperature attributed to the reaction of the polyimide precursor and the base is taken as the temperature at which the base and the polyimide precursor have reacted, that is, the base generation temperature.
  • the lowest temperature peak among the observed peaks is attributed to the reaction between the polyimide precursor and the base.
  • the peak temperature to be read may be exothermic or endothermic depending on the type of reaction between the polyimide precursor and the base.
  • the base generated from the component (C) is preferably an organic base, more preferably a primary amine, a secondary amine or a tertiary amine, and still more preferably an organic strong base such as amidine or guanidine.
  • the boiling point (1 atm) of the base generated from the component (C) is preferably 100 ° C. or more, more preferably 140 ° C. or more.
  • the component (C) is preferably a compound having an ionic structure containing an anion and a cation.
  • the anion of the compound having an ionic structure is preferably an anion selected from the group consisting of a carboxylate anion, a phenol anion, a phosphate anion and a sulfate anion.
  • carboxylic acid anions or phenol anions are preferable. That is, the heat base generator is preferably a salt with a carboxylic acid anion or a salt with a phenol anion.
  • the number of the functional groups (carboxy group, phenolic hydroxyl group, phosphoric acid group and sulfuric acid group) in the anion may be one or two or more.
  • R 31 to R 33 each independently represent a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms
  • R 34 is an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or an aromatic group having 6 to 10 carbon atoms
  • R 35 is a hydroxyl group or a mercapto group e to h are each independently 1 It is an integer of ⁇ 4 (preferably 1 or 2).
  • the aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms as R 31 to R 34 is an alkyl group (for example, a methyl group, an ethyl group, an n-butyl group, an isopropyl group, an ethylhexyl group, an octyl group etc.), or the alkyl
  • the alkylene group etc. which removed one or two hydrogen atoms from group, etc. are mentioned.
  • Examples of the aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms include phenyl group and naphthyl group.
  • R 21 to R 29 each independently represent a hydrogen atom, a monovalent organic group or a divalent organic group.
  • R 21 and R 22 , R 23 and R 24 , R 25 and R 29 , and R 26 and R 27 may bond to each other to form a ring).
  • Examples of the monovalent or divalent organic group of R 21 to R 29 include aliphatic hydrocarbon groups (for example, having 1 to 10 carbon atoms) or aromatic groups (for example, 6 to 10 carbon atoms).
  • aliphatic hydrocarbon group for example, the alkyl group (for example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group) or the alkylene group etc. which removed one hydrogen atom from the said alkyl group are mentioned.
  • R 21 and R 22 , R 23 and R 24 , R 25 and R 29 , and R 26 and R 27 combine with each other to form a ring
  • an aliphatic ring non-aromatic hydrocarbon ring And aromatic rings and heterocyclic rings.
  • the ring may be a single ring or multiple rings.
  • the linking group may be -CO-, -O-, -NH-, or a divalent aliphatic group (eg, an alkyl group)
  • a linking group of The ring is, for example, a 4- to 8-membered ring, preferably a 5- to 7-membered ring.
  • the ring include, for example, pyrrolidine ring, pyrrole ring, piperidine ring, pyridine ring, imidazole ring, pyrazole ring, oxazole ring, thiazole ring, pyrazine ring, morpholine ring, thiazine ring, indole ring, isoindole ring, benzo
  • examples thereof include an imidazole ring, a purine ring, a quinoline ring, an isoquinoline ring, a quinoxaline ring, a cinnoline ring, and a carbazole ring.
  • a compound represented by the following formula (21) or (22) is preferable.
  • R 21 to R 29 are as described in the above formulas (27) and (28).
  • X n- is an anion obtained by removing n hydrogen atoms from the compound represented by any one of the above formulas (23) to (26).
  • n is an integer of 1 to 4 (preferably 1 or 2).
  • a photosensitive resin composition When a photosensitive resin composition is cured at a low temperature of 200 ° C. or less as a cation of a compound having an ion type structure, 1,8- from the viewpoint of obtaining a cured film having excellent chemical resistance and flux resistance.
  • the structure derived from diazabicyclo [5.4.0] undec-7-ene or the structure derived from 1,5-diazabicyclo [4.3.0] non-5-ene is preferable, and 1,8-diazabicyclo [5.4.0].
  • Undec-7-ene derived structures are particularly preferred.
  • the anion moiety is a structure derived from phenol or orthophthalic acid
  • the base species to be generated is a 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undec-7-ene derived structure or 1,5 -Diazabicyclo [4.3.0] non-5-ene derived structures are preferred, and 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undec-7-ene derived structures are particularly preferred.
  • the thermal base generator having this combination is likely to generate a strong organic base upon heating at 100 ° C. to 200 ° C.
  • the content of the component (C) is preferably 1 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A).
  • the amount is more preferably 1 to 20 parts by mass, and still more preferably 1 to 10 parts by mass from the viewpoint of improving the chemical resistance of the cured film and the film forming property. When it is in this range, a practical relief pattern is easily obtained, and it is easy to suppress debris after development of the unexposed area.
  • (D) component: photopolymerization initiator examples include oxime compounds, acyl phosphine oxide compounds, and acyl dialkoxymethane compounds. From the viewpoint of sensitivity, oxime compounds are preferred. As an oxime compound, the compound represented by following formula (31) is preferable.
  • R 61 represents an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, a cycloalkyl group having 4 to 10 carbon atoms, a phenyl group or a tolyl group
  • R 62 represents It is an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a cycloalkyl group having 4 to 10 carbon atoms, a phenyl group or a tolyl group.
  • R 61 and R 62 are each preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a cycloalkyl group having 4 to 6 carbon atoms, a phenyl group or a tolyl group, and an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a carbon number of 4 to 6
  • the cycloalkyl group of 6 is more preferably a cycloalkyl group, a phenyl group or a tolyl group, and still more preferably a methyl group, a cyclopentyl group, a phenyl group or a tolyl group.
  • R 63 represents a substituted or unsubstituted benzoyl group, a substituted or unsubstituted fluorenyl group or a substituted or unsubstituted carbazolyl group, and a compound represented by the compounds represented by the formulas (34) to (40) described later It is preferable that it is a group corresponding to R 63 of 31).
  • the substituted or unsubstituted fluorenyl group or the substituted or unsubstituted carbazolyl group (hereinafter, also referred to as an optional substituent), a phenylthio group, an ethyloloxy group, a carbon number 1 to 20 alkyl group (for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group), optionally halogenated (preferably fluorinated) 1 to 20 carbon atoms (preferably 1 to 10, more preferably 1) And the alkoxy group of the above 8), 2,2-dimethyl-1,3-dioxolan-4-yl) methoxy group, benzoyl group and the like.
  • the optional substituent may further have any of the above-mentioned optional substituents.
  • R 61 and R 62 are the same as in formula (31) above.
  • R 64 is —H, —OH, —COOH, —O (CH 2 ) OH, —O (CH 2 ) 2 OH, —COO (CH 2 ) OH, or —COO (CH 2 ) 2 OH, -H, -O (CH 2) OH , -O (CH 2) 2 OH, -COO (CH 2) OH, or -COO (CH 2) is preferably from 2 OH, -H, -O (CH 2 ) 2 OH or -COO (CH 2 ) 2 OH is more preferred.
  • R 61 and R 62 are the same as in formula (31) above.
  • R 65 is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, preferably an ethyl group.
  • R 66 is an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or an organic group having an acetal bond, and corresponds to R 66 of the formula (33) possessed by a methyl group or a compound represented by the formula (37) described later It is preferably a substituent.
  • i is an integer of 1 to 3, preferably 1 or 2.
  • the compound represented by following formula (34) and following formula (35) is mentioned, for example.
  • the compound represented by the following formula (34) is available as IRGACURE OXE-01 (manufactured by BASF Japan Ltd.).
  • the compound represented by following formula (36) or (37) is mentioned, for example, IRGACURE OXE-02 (made by BASF Japan KK), Adeka optomer N- It is available as 1919 (made by ADEKA Co., Ltd.).
  • the content of the component (D) is preferably 0.1 to 20 parts by mass, more preferably 0.1 to 10 parts by mass, still more preferably 0.1 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A). 5 parts by mass. Within the above range, photocrosslinking tends to be the same in the film thickness direction, and a practical relief pattern can be easily obtained.
  • the photosensitive resin composition of the present invention may further contain (E) a thermal polymerization initiator (hereinafter, also referred to as “component (E)”).
  • component (E) is not decomposed by heating (drying) for removing the solvent at the time of film formation of the photosensitive resin film, and is decomposed by heating at the time of curing to generate radicals, and the components (B)
  • the compound which promotes the polymerization reaction of (A) component and (B) component is preferable. Therefore, a compound having a decomposition point of 110 ° C. or more and 200 ° C. or less is preferable, and a compound having a decomposition point of 110 ° C. or more and 175 ° C. or less is more preferable from the viewpoint of promoting the polymerization reaction at lower temperatures.
  • component (E) bis (1-phenyl-1-methylethyl) peroxide and the like can be mentioned.
  • the content of the component (E) is preferably 0.5 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A), and 1 for securing good flux resistance
  • the amount is more preferably 20 parts by mass, and still more preferably 1 to 10 parts by mass from the viewpoint of suppressing the decrease in solubility due to decomposition during drying.
  • the photosensitive resin composition of the present invention usually contains a solvent.
  • the following compounds may be mentioned as the solvent.
  • esters for example, ethyl acetate, n-butyl acetate, isobutyl acetate, amyl formate, isoamyl acetate, isobutyl acetate, butyl propionate, isopropyl butyrate, ethyl butyrate, butyl butyrate, methyl lactate, ethyl lactate, ⁇ -butyrolactone, ⁇ -caprolactone ⁇ -valerolactone, alkyl oxyacetate (eg methyl oxyacetate, ethyl oxyacetate, butyl oxyacetate (eg methyl methoxyacetate, ethyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, methyl ethoxyacetate, ethyl ethoxyacetate etc)) 3-hydroxypropionic acid alkyl
  • the photosensitive resin composition of the present invention may contain, in addition to the components described above, a coupling agent, a surfactant or a leveling agent, a rust inhibitor, a polymerization inhibitor, and the like.
  • the coupling agent is usually reacted and crosslinked with the component (A) in the heat treatment after development, or the coupling agent is polymerized in the heat treatment step. Thereby, the adhesiveness of the cured film obtained and a board
  • a silane coupling agent As a coupling agent, a silane coupling agent is preferable.
  • Preferred silane coupling agents include compounds having a urea bond (—NH—CO—NH—).
  • the compound represented by following formula (41) is more preferable at the point which is excellent in adhesive expression at the time of hardening at low temperature.
  • R 71 and R 72 each independently represent an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. J is an integer of 1 to 10, and k is an integer of 1 to 3).
  • Specific examples of the compound represented by the formula (41) include ureidomethyltrimethoxysilane, ureidomethyltriethoxysilane, 2-ureidoethyltrimethoxysilane, 2-ureidoethyltriethoxysilane, 3-ureidopropyltrimethoxysilane And 3-ureidopropyltriethoxysilane, 4-ureidobutyltrimethoxysilane, 4-ureidobutyltriethoxysilane and the like, with preference given to 3-ureidopropyltriethoxysilane.
  • silane coupling agent As a silane coupling agent, you may use the silane coupling agent which has a hydroxyl group or glycidyl group. When a silane coupling agent having a hydroxy group or a glycidyl group and a silane coupling agent having a urea bond in the molecule are used in combination, it is possible to further improve the adhesion of the cured film to the substrate at low temperature curing.
  • silane coupling agent having a hydroxy group or a glycidyl group, methylphenylsilanediol, ethylphenylsilanediol, n-propylphenylsilanediol, isopropylphenylsilanediol, n-butylphenylsilanediol, isobutylphenylsilanediol, tert- Butylphenylsilanediol, diphenylsilanediol, ethylmethylphenylsilanol, n-propylmethylphenylsilanol, isopropylmethylphenylsilanol, n-butylmethylphenylsilanol, isobutylmethylphenylsilanol, tert-butylmethylphenylsilanol, ethyl n-propyl group,
  • R 73 represents a monovalent organic group having a hydroxy group or a glycidyl group
  • R 74 and R 75 each independently represent an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms
  • o is 1 P is an integer of 1 to 10
  • p is an integer of 1 to 3.
  • the silane coupling agent having a hydroxy group or glycidyl group preferably further contains a nitrogen atom, and a silane coupling agent having an amino group or an amido bond is preferable.
  • a silane coupling agent having an amino group bis (2-hydroxymethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, bis (2-hydroxymethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, bis (2-glycidoxy) And methyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, bis (2-hydroxymethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane and the like.
  • R 76- (CH 2 ) q -CO-NH- (CH 2 ) r -Si (OR 77 ) 3 (43) (In formula (43), R 76 is a hydroxy group or a glycidyl group, q and r are each independently an integer of 1 to 3, and R 77 is a methyl group, an ethyl group or a propyl group.)
  • the content of the silane coupling agent is preferably 0.1 to 20 parts by mass, more preferably 1 to 10 parts by mass, with respect to 100 parts by mass of the component (A). More preferably, it is 10 parts by mass.
  • surfactant or leveling agent By including the surfactant or the leveling agent, coating properties (for example, suppression of striation (uneven film thickness)) and developability can be improved.
  • surfactant or leveling agent for example, polyoxyethylene uralyl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octyl phenol ether etc. may be mentioned, and as a commercial product, trade name “Megafax” F171 ",” F173 "," R-08 “(above, made by DIC Corporation), trade name” Flolard FC430 ",” FC431 “(above, 3 M Japan Co., Ltd.), trade name” organosiloxane polymer KP341 ", Examples include “KBM303", “KBM403", and “KBM803” (above, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).
  • the content of the surfactant or leveling agent is preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.05 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A).
  • 0.05 to 3 parts by mass is more preferable.
  • a rust inhibitor By containing a rust inhibitor, it is possible to suppress corrosion of the copper and copper alloy and to prevent discoloration.
  • a triazole derivative, a tetrazole derivative, etc. are mentioned, for example.
  • the content of the rust inhibitor is preferably 0.01 to 10 parts by mass, and more preferably 0.1 to 5 parts by mass, with respect to 100 parts by mass of component (A). 3 parts by mass is more preferred.
  • Polymerization inhibitor By containing a polymerization inhibitor, good storage stability can be ensured.
  • a radical polymerization inhibitor As a polymerization inhibitor, a radical polymerization inhibitor, a radical polymerization inhibitor, etc. are mentioned.
  • the polymerization inhibitor include p-methoxyphenol, diphenyl-p-benzoquinone, benzoquinone, hydroquinone, pyrogallol, phenothiazine, resorcinol, orthodinitrobenzene, paradinitrobenzene, metadinitrobenzene, phenanthraquinone, N-phenyl-2- Naphthylamine, cuperone, 2,5-toluquinone, tannic acid, parabenzylaminophenol, nitrosamines and the like can be mentioned.
  • the content of the polymerization inhibitor is 0 based on 100 parts by mass of the component (A) from the viewpoint of the storage stability of the photosensitive resin composition and the heat resistance of the resulting cured film. .01 to 30 parts by mass is preferable, 0.01 to 10 parts by mass is more preferable, and 0.05 to 5 parts by mass is more preferable.
  • the photosensitive resin composition of the present invention essentially comprises the components (A) to (D), and the component (E), a coupling agent, a surfactant, a leveling agent, a rust inhibitor and It may consist of one or more components selected from the group consisting of polymerization inhibitors, and may contain other unavoidable impurities as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • the photosensitive resin composition of the present invention Or 100% by mass excluding the solvent, (A) to (D) components, (A) to (E) components or (A) to (D) components, and selected from the group consisting of (E) components, a coupling agent, a surfactant, a leveling agent, a rust inhibitor and a polymerization inhibitor And one or more components.
  • the cured film of the present invention can be obtained by curing the above-mentioned photosensitive resin composition.
  • the cured film of the present invention may be used as a patterned cured film or may be used as a cured film having no pattern.
  • the thickness of the cured film of the present invention is preferably 5 to 20 ⁇ m.
  • Method for producing patterned cured film In the method for producing a patterned cured film of the present invention, the step of applying the photosensitive resin composition described above onto a substrate and drying to form a photosensitive resin film, pattern exposure of the photosensitive resin film, and And a step of developing the resin film after the pattern exposure using an organic solvent to obtain a pattern resin film, and a step of heat-treating the pattern resin film. Thereby, a pattern cured film can be obtained.
  • the method for producing a cured film having no pattern includes, for example, the steps of forming the photosensitive resin film described above and a heat treatment step. Furthermore, the process may be provided with exposure.
  • the substrate examples include glass substrates, semiconductor substrates such as Si substrates (silicon wafers), TiO 2 substrates, metal oxide insulator substrates such as SiO 2 substrates, silicon nitride substrates, copper substrates, copper alloy substrates and the like.
  • the coating method is not particularly limited, but can be performed using a spinner or the like.
  • Drying can be performed using a hot plate, an oven or the like.
  • the drying temperature is preferably 90 to 150 ° C., and from the viewpoint of securing the dissolution contrast, 90 to 120 ° C. is more preferable in order to suppress the reaction of the components (A) and (D).
  • the drying time is preferably 30 seconds to 5 minutes. Drying may be performed twice or more. Thereby, the photosensitive resin film which formed the above-mentioned photosensitive resin composition in the shape of a film can be obtained.
  • the thickness of the photosensitive resin film is preferably 5 to 100 ⁇ m, more preferably 8 to 50 ⁇ m, and still more preferably 10 to 30 ⁇ m.
  • a predetermined pattern is exposed through a photomask.
  • the actinic rays to be irradiated may be ultraviolet rays such as i rays, visible rays, radiation and the like, and i rays are preferable.
  • the exposure device a parallel exposure device, a projection exposure device, a stepper, a scanner exposure device or the like can be used.
  • a patterned resin film By developing, a patterned resin film (patterned resin film) can be obtained.
  • the organic solvent used as a developing solution can use the good solvent of a photosensitive resin film independently, or can mix and use a good solvent and a poor solvent suitably.
  • Good solvents include N-methylpyrrolidone, N-acetyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, dimethylsulfoxide, gamma butyrolactone, ⁇ -acetyl-gammabutyrolactone, cyclopentanone, cyclohexanone Etc.
  • Examples of poor solvents include toluene, xylene, methanol, ethanol, isopropanol, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether and water.
  • a surfactant may be added to the developer.
  • the addition amount is preferably 0.01 to 10 parts by mass, and more preferably 0.1 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the developer.
  • the development time can be, for example, twice the time until the photosensitive resin film is immersed and dissolved.
  • the development time varies depending on the component (A) used, but is preferably 10 seconds to 15 minutes, more preferably 10 seconds to 5 minutes, and further preferably 20 seconds to 5 minutes from the viewpoint of productivity.
  • washing may be performed with a rinse solution.
  • a rinse solution distilled water, methanol, ethanol, isopropanol, toluene, xylene, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether etc. may be used alone or in combination as appropriate, or may be used in combination in stages Good.
  • the polyimide precursor of the component (A) may undergo dehydration ring closure reaction in the heat treatment step to form a corresponding polyimide.
  • the temperature of the heat treatment is preferably 250 ° C. or less, more preferably 120 to 250 ° C., and even more preferably 200 ° C. or less or 150 to 200 ° C. By being within the above range, damage to the substrate or device can be suppressed to a low level, devices can be produced with high yield, and energy saving of the process can be realized.
  • the heat treatment time is preferably 5 hours or less, and more preferably 30 minutes to 3 hours. By being within the above range, the crosslinking reaction or the dehydration ring closure reaction can sufficiently proceed.
  • the atmosphere of the heat treatment may be in the air or in an inert atmosphere such as nitrogen, but from the viewpoint of preventing the oxidation of the pattern resin film, a nitrogen atmosphere is preferable.
  • Examples of the apparatus used for the heat treatment include a quartz tube furnace, a hot plate, rapid thermal annealing, a vertical diffusion furnace, an infrared curing furnace, an electron beam curing furnace, a microwave curing furnace and the like.
  • the cured film of the present invention can be used as a passivation film, a buffer coat film, an interlayer insulating film, a cover coat layer or a surface protective film.
  • FIG. 1 is a manufacturing process diagram of a semiconductor device having a multilayer wiring structure which is an electronic component according to an embodiment of the present invention.
  • a semiconductor substrate 1 such as a Si substrate having a circuit element is covered with a protective film 2 such as a silicon oxide film except for a predetermined portion of the circuit element, and the first conductor layer 3 is exposed on the exposed circuit element. It is formed. Thereafter, an interlayer insulating film 4 is formed on the semiconductor substrate 1.
  • a photosensitive resin layer 5 such as a chlorinated rubber type or phenol novolac type is formed on the interlayer insulating film 4, and a window 6A is provided to expose the interlayer insulating film 4 in a predetermined portion by a known photolithographic technique.
  • the interlayer insulating film 4 in which the window 6A is exposed is selectively etched to provide the window 6B. Then, the photosensitive resin layer 5 is removed using an etching solution which corrodes the photosensitive resin layer 5 without corroding the first conductor layer 3 exposed from the window 6B.
  • the second conductor layer 7 is formed and electrically connected to the first conductor layer 3 using a known photolithographic technique. In the case of forming a multilayer wiring structure of three or more layers, the above steps can be repeated to form each layer.
  • the window 6C is opened by pattern exposure to form the surface protective film 8.
  • the surface protective film 8 protects the second conductor layer 7 from external stress, ⁇ rays and the like, and the obtained semiconductor device is excellent in reliability.
  • the interlayer insulating film can also be formed using the photosensitive resin composition of the present invention.
  • Synthesis Example 1 (Synthesis of Polymer I) 7.07 g of 3,3 ', 4,4'-diphenylethertetracarboxylic acid dianhydride (ODPA) and 4.12 g of 2,2'-dimethylbiphenyl-4,4'-diamine (DMAP) with N-methylpyrrolidone It was dissolved in 30 g of (NMP) and stirred at 30 ° C. for 4 hours, and then stirred overnight at room temperature to obtain a polyamic acid. Thereto was added 9.45 g of trifluoroacetic anhydride under water cooling, and the mixture was stirred at 45 ° C. for 3 hours, and 7.08 g of 2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA) was added.
  • ODPA 3,3 ', 4,4'-diphenylethertetracarboxylic acid dianhydride
  • DMAP 2,2'-dimethylbiphenyl-4,4'-diamine
  • NMP 2,2'
  • polymer I a polyimide precursor
  • GPC gel permeation chromatography
  • the number average molecular weight of the polymer I was 40,000.
  • Measuring device Detector L4000UV manufactured by Hitachi Ltd. Pump: L6000 manufactured by Hitachi Ltd.
  • esterification rate of Polymer I (the reaction rate of the carboxyl group in the structural unit derived from ODPA and HEMA) was calculated by performing NMR measurement under the following conditions. The esterification rate was 80% based on all carboxy groups (the remaining 20% were carboxy groups).
  • Examples 1 to 5 and Comparative Example 1 [Preparation and evaluation of photosensitive resin composition] (Preparation of photosensitive resin composition) Photosensitive resin compositions of Examples 1 to 5 and Comparative Example 1 were prepared with the components and blending amounts shown in Table 1. The compounding amounts in Table 1 are each parts by mass of the components (B) to (E) and the solvent per 100 parts by mass of the polymer I. The components used are as follows.
  • C1 “U-CAT SA1” (San-Apro Co., Ltd., a phenol salt of 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undec-7-ene, a compound represented by the following formula, base generation temperature: 152 ° C., Base generated: 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undec-7-ene, boiling point of base: 240 ° C.
  • D1 component: photopolymerization initiator
  • D1 “IRUGCURE OXE 02” (manufactured by BASF Japan Ltd., ethanone, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl]-, 1- (0-acetyloxime)
  • D2 "PDO" (Lambuson, 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime)
  • E1 "Percumyl D” (manufactured by NOF Corporation, bis (1-phenyl-1-methylethyl) peroxide, a compound represented by the following formula)
  • the sensitivity of the obtained photosensitive resin composition was evaluated as follows. The results are shown in Table 1.
  • the obtained photosensitive resin composition is spin-coated on a silicon wafer using a coating apparatus "Act 8" (manufactured by Tokyo Electron Ltd.), dried at 100 ° C. for 2 minutes, and then dried at 110 ° C. for 2 minutes. A photosensitive resin film having a dry film thickness of 13 ⁇ m was formed. The photosensitive resin film thus obtained was immersed in cyclopentanone and twice the time to dissolution was set as development time.
  • a photosensitive resin film is produced in the same manner as described above, and an i-line stepper "FPA-3000iW" (manufactured by Canon Inc.) is used to obtain 50 mJ of i-line at 100 to 600 mJ / cm 2. Exposure was performed by irradiating a predetermined pattern with a dose of 2 cm 2 / cm 2 . The resin film after exposure was subjected to paddle development with “Act 8” using cyclopentanone for the above-mentioned development time, and then rinsed with propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) to obtain a patterned resin film.
  • PMEA propylene glycol monomethyl ether acetate
  • the film thickness of the obtained pattern resin film was divided by the film thickness of the photosensitive resin film before exposure to obtain a percentage to calculate the residual film ratio.
  • the exposure amount capable of forming a patterned resin film having a residual film rate of 80% or more was evaluated as the sensitivity.
  • the photosensitive resin composition obtained by (Preparation of photosensitive resin composition) is spin-coated on a Cu-plated wafer using a coating apparatus "Act 8" (manufactured by Tokyo Electron Ltd.) and dried at 100 ° C. for 2 minutes Thereafter, it was dried at 110 ° C. for 2 minutes to form a photosensitive resin film.
  • An exposure of 500 mJ / cm 2 was performed on the obtained photosensitive resin film using a proximity exposure machine "Mask Aligner MA8" (manufactured by SUSS MicroTec Corp.).
  • the resin film after exposure was cured under the same conditions as (Production of a patterned cured film) to obtain a cured film.
  • the photosensitive resin composition obtained in (Preparation of photosensitive resin composition) is applied to a 625 ⁇ m-thick 6-inch silicon wafer using a coating apparatus “Act 8” (manufactured by Tokyo Electron Ltd.) and cured. It spin-coated so that a film thickness might be about 10 micrometers.
  • An exposure of 500 mJ / cm 2 was performed on the obtained photosensitive resin film using a proximity exposure machine "Mask Aligner MA8" (manufactured by SUSS MicroTec Corp.).
  • the resultant was heat-cured at 175 ° C. for 2 hours in a nitrogen atmosphere using a vertical diffusion furnace manufactured by Koyo Thermo System Co., Ltd. to obtain a cured film.
  • the photosensitive resin compositions of Examples 1 to 5 have high sensitivity and can form a cured film excellent in chemical solution resistance, flux resistance, adhesiveness, and elongation at break.
  • the photosensitive resin composition of the present invention can be used for an interlayer insulating film, a cover coat layer, a surface protective film, etc., and the interlayer insulating film, the cover coat layer or a surface protective film of the present invention should be used for electronic parts etc. Can.

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Abstract

（Ａ）重合性の不飽和結合を有するポリイミド前駆体と、（Ｂ）脂肪族環状骨格を有する重合性化合物と、（Ｃ）熱塩基発生剤と、（Ｄ）光重合開始剤と、を含む感光性樹脂組成物。

Description

感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法、硬化膜、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜及び電子部品
　本発明は、感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法、硬化膜、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜及び電子部品に関する。
　従来、半導体素子の表面保護膜及び層間絶縁膜には、優れた耐熱性、電気特性及び機械特性等を併せ持つポリイミドやポリベンゾオキサゾールが用いられている。近年、これらの樹脂自身に感光特性を付与した感光性樹脂組成物が用いられており、これを用いるとパターン硬化膜の製造工程が簡略化でき、煩雑な製造工程を短縮できる（例えば、特許文献１参照）。
　近年、コンピュータの高性能化を支えてきたトランジスタの微細化はスケーリング則の限界に直面しており、さらなる高性能化や高速化のために半導体素子を３次元的に積層する積層デバイス構造が注目を集めている。積層デバイス構造の中でも、マルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ（Ｍｕｌｔｉ－ｄｉｅ　Ｆａｎｏｕｔ　Ｗａｆｅｒ　Ｌｅｖｅｌ　Ｐａｃｋａｇｉｎｇ）は、１つのパッケージの中に複数のダイを一括封止して製造するパッケージであり、従来から提案されているファンアウトウエハレベルパッケージ（１つのパッケージの中に１つのダイを封止して製造する）よりも低コスト化及び高性能化が期待できるため注目を集めている。
　マルチダイファンアウトウエハレベルパッケージの作製においては、高性能なダイの保護や耐熱性の低い封止材を保護し、歩留まりを向上させる観点から、ポリイミドやポリベンゾオキサゾール等の樹脂の低温硬化性が強く求められている（例えば、特許文献２参照）。
　従来の樹脂組成物として、例えば、特許文献３には、ポリアミック酸と、２００℃以下の加熱によって１級又は２級アミンを発生する熱塩基発生剤と、溶剤とを含むポリイミド前駆体組成物が開示されている。特許文献４には、特定の酸性化合物、及びｐＫａ１が０～４のアニオンとアンモニウムカチオンとを有するアンモニウム塩から選ばれる少なくとも一種を含む熱塩基発生剤を含む熱硬化性樹脂組成物が開示されている。
　特許文献５には、ポリイミドの低温硬化性を向上させるために、アルコール性水酸基を有する１級又は２級アミンを生じる光塩基発生剤とポリイミド前駆体とを含有するポリイミド前駆体樹脂組成物が開示されている。特許文献６には、光照射又は加熱によりイミダゾール誘導体を生じる化合物と、ポリイミド前駆体、エポキシ架橋剤、ポリウレタン又はポリ尿素とを含む樹脂組成物が開示されている。
特開２００９－２６５５２０号公報 国際公開第２００８／１１１４７０号公報 特開２００７－５６１９６号公報 国際公開第２０１５／１９９２１９号公報 特開２０１２－１０２２３７号公報 特開２０１３－１３９５６６号公報
　ポリイミド前駆体やポリアミドイミド前駆体の硬化膜を再配線層に用いる場合、微細なパターニングを行うために高解像度であることに加え、電子部品の熱的損失を抑えるために硬化温度を低くすることが求められる。また、集積度、機能向上及びチップサイズ矮小化に伴い、パッケージを多層配線化するため、硬化膜には有機溶剤、強酸及び強塩基等の薬液に対する高い薬液耐性が求められる。さらに、高密度実装が可能なＣＳＰ（チップサイズパッケージング）等は硬化膜がハンダバンプに接触する構造であるため、ハンダバンプのリフロー工程等において硬化膜がフラックスに接触することから、高い耐フラックス性が要求される。
　しかしながら、これらを全て満足する樹脂組成物は得られていなかった。
　本発明の目的は、感度が高く、２００℃以下の低温で硬化した場合であっても、薬液耐性及びフラックス耐性が高く、さらに接着性及び破断伸び特性に優れる硬化膜を形成できる感光性樹脂組成物を提供することである。また、当該感光性樹脂組成物を用いたパターン硬化膜の製造方法、当該感光性樹脂組成物の硬化膜、当該硬化膜を用いて作製された層間絶縁膜等、及び当該層間絶縁膜等を含む電子部品を提供することである。
　本発明者らは、上記問題に鑑みて鋭意検討を重ねた結果、特定のポリイミド前駆体、脂肪族環状骨格を有する重合性化合物、熱塩基発生剤及び光重合開始剤を組み合わせることで、感度が高く、かつ２００℃以下の低温で硬化した場合においても、上述した特性を全て満足する硬化膜が得られることを見出し、本発明を完成させた。
　本発明によれば、以下の感光性樹脂組成物等が提供される。
１．（Ａ）重合性の不飽和結合を有するポリイミド前駆体と、
　（Ｂ）脂肪族環状骨格を有する重合性化合物と、
　（Ｃ）熱塩基発生剤と、
　（Ｄ）光重合開始剤と、
　を含む感光性樹脂組成物。
２．前記（Ａ）成分が、下記式（１）で表される構造単位を有するポリイミド前駆体である、１に記載の感光性樹脂組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
 （式（１）中、Ｘ１は４価の芳香族基である。Ｙ１は２価の芳香族基である。Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、下記式（２）で表される基又は炭素数１～４の脂肪族炭化水素基であり、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方は下記式（２）で表される基である。－ＣＯＯＲ１基と－ＣＯＮＨ－基とは、互いにオルト位置にあり、－ＣＯＯＲ２基と－ＣＯ－基とは、互いにオルト位置にある。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
 （式（２）中、Ｒ３～Ｒ５は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～３の脂肪族炭化水素基である。ｍは１～１０の整数である。＊は結合手である。）
３．前記（Ｂ）成分が、下記式（１１）～（１４）のいずれかで表される化合物を含む、１又は２に記載の感光性樹脂組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
 （式（１１）～（１４）中、Ｒ１１～Ｒ１４は、それぞれ独立に、炭素数１～４の脂肪族炭化水素基又は下記式（１５）で表される基である。ａは１～１０の整数であり、少なくとも１つのＲ１１は下記式（１５）で表される基である。ｂは１～１２の整数であり、少なくとも１つのＲ１２は下記式（１５）で表される基である。ｃは１～１６の整数であり、少なくとも１つのＲ１３は下記式（１５）で表される基である。ｄは１～１６の整数であり、少なくとも１つのＲ１４は下記式（１５）で表される基である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
 （式（１５）中、Ｒ１５～Ｒ１７は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～３の脂肪族炭化水素基である。ｌは０～１０の整数である。＊は結合手である。）
４．前記（Ｃ）成分が、示差走査熱量測定による測定において、１００℃から２００℃の間に塩基発生温度を有する化合物を含む、１～３のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
５．前記（Ｃ）成分が、アニオンとカチオンを含むイオン型構造を有する化合物を含む、１～４のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
６．前記（Ｃ）成分が、下記式（２１）又は（２２）で表される化合物を含む、５に記載の感光性樹脂組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
 （式（２１）及び（２２）中、Ｒ２１～Ｒ２９は、それぞれ独立に、水素原子、１価の有機基又は２価の有機基である。Ｒ２１とＲ２２、Ｒ２３とＲ２４、Ｒ２５とＲ２９、及びＲ２６とＲ２７は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｘｎ－は、下記式（２３）～（２６）のいずれかで表される化合物からｎ個の水素原子を除いたアニオンである。ｎは１～４の整数である。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
 （式（２３）～（２６）中、Ｒ３１～Ｒ３３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の脂肪族炭化水素基又は炭素数６～１０の芳香族炭化水素基である。Ｒ３４は、炭素数１～１０の脂肪族炭化水素基又は炭素数６～１０の芳香族基である。Ｒ３５は、水酸基又はメルカプト基である。ｅ～ｈは、それぞれ独立に、１～４の整数である。）
７．前記（Ｃ）成分が、前記アニオンとしてフェノール由来構造又はオルトフタル酸由来構造を含み、前記カチオンとして１，５－ジアザビシクロ［４．３．０］ノン－５－エン由来構造又は１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ－７－エン由来構造を含む、５又は６に記載の感光性樹脂組成物。
８．１～７のいずれかに記載の感光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成する工程と、
　前記感光性樹脂膜をパターン露光して、樹脂膜を得る工程と、
　前記パターン露光後の樹脂膜を、有機溶剤を用いて現像し、パターン樹脂膜を得る工程と、
　前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程と、
　を含むパターン硬化膜の製造方法。
９．前記加熱処理の温度が２００℃以下である８に記載のパターン硬化膜の製造方法。
１０．１～７のいずれかに記載の感光性樹脂組成物を硬化した硬化膜。
１１．パターン硬化膜である１０に記載の硬化膜。
１２．１０又は１１に記載の硬化膜を用いて作製された層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜。
１３．１２に記載の層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜を含む電子部品。
　本発明によれば、感度が高く、２００℃以下の低温で硬化した場合であっても、薬液耐性、フラックス耐性、接着性及び破断伸び特性に優れる硬化膜を形成できる感光性樹脂組成物が提供できる。また、当該感光性樹脂組成物を用いたパターン硬化膜の製造方法、当該感光性樹脂組成物の硬化膜、当該硬化膜を用いて作製された層間絶縁膜等、及び当該層間絶縁膜等を含む電子部品が提供できる。
本発明の一実施形態に係る電子部品の製造工程を示す概略図である。
　以下に、本発明の感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法、硬化膜、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜及び電子部品の実施の形態を詳細に説明する。尚、以下の実施の形態により本発明が限定されるものではない。
　本明細書において「Ａ又はＢ」とは、ＡとＢのどちらか一方を含んでいればよく、両方とも含んでいてもよい。本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。本明細書において「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書において組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。本明細書において、例示材料は特に断らない限り単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。本明細書における「（メタ）アクリル基」とは、「アクリル基」及び「メタクリル基」を意味する。
［感光性樹脂組成物］
　本発明の感光性樹脂組成物は、（Ａ）重合性の不飽和結合を有するポリイミド前駆体（以下、「（Ａ）成分」ともいう。）、（Ｂ）脂肪族環状骨格を有する重合性化合物（以下、「（Ｂ）成分」ともいう。）、（Ｃ）熱塩基発生剤（以下、「（Ｃ）成分」ともいう。）、及び（Ｄ）光重合開始剤（以下、「（Ｄ）成分」ともいう。）を含有する。本発明の感光性樹脂組成物は、好ましくはネガ型感光性樹脂組成物である。
　本発明の感光性樹脂組成物は、上記の成分を有するため優れた感光特性を有し、２００℃以下で硬化を行っても、高温硬化時に得られる硬化膜と同等の薬液耐性、フラックス耐性、接着性及び破断伸び特性を有する硬化膜を形成できる。また、高温多湿条件での耐久性試験後も高接着性を示す硬化膜を形成できる。
　以下、各成分について説明する。
（（Ａ）成分：重合性の不飽和結合を有するポリイミド前駆体）
　（Ａ）成分は、重合性の不飽和結合を有するポリイミド前駆体であれば特に制限はされないが、パターニング時の光源にｉ線を用いた場合の透過率が高く、２００℃以下の低温硬化時にも高い硬化膜特性を示すポリイミド前駆体が好ましい。
　重合性の不飽和結合としては、炭素原子間の二重結合等が挙げられる。
　（Ａ）成分は、好ましくは下記式（１）で表される構造単位を有するポリイミド前駆体である。これにより、ｉ線の透過率が高く、２００℃以下の低温で硬化を行った場合であっても良好な硬化膜を形成できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
 （式（１）中、Ｘ１は４価の芳香族基である。Ｙ１は２価の芳香族基である。Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、下記式（２）で表される基、又は炭素数１～４の脂肪族炭化水素基であり、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方は下記式（２）で表される基である。－ＣＯＯＲ１基と－ＣＯＮＨ－基とは、互いにオルト位置にあり、－ＣＯＯＲ２基と－ＣＯ－基とは、互いにオルト位置にある。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
 （式（２）中、Ｒ３～Ｒ５は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～３の脂肪族炭化水素基である。ｍは１～１０の整数（好ましくは２～１０の整数、より好ましくは２～５の整数、さらに好ましくは２又は３）である。＊は結合手であり、具体的には、＊は、式（２）で表される基であるＲ１又はＲ２が結合する酸素原子と結合する。）
　式（１）のＸ１の４価の芳香族基は、４価の芳香族炭化水素基（炭素数は例えば６～２０）であってもよく、４価の芳香族複素環式基（原子数は例えば５～２０）であってもよい。Ｘ１は４価の芳香族炭化水素基が好ましい。
　Ｘ１の４価の芳香族炭化水素基としては、例えば以下に示す基が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
 （式中、Ｚ１及びＺ２は、それぞれ独立に、各々が結合するベンゼン環と共役しない２価の基又は単結合である。Ｚ３は、エーテル結合（－Ｏ－）又はスルフィド結合（－Ｓ－）である。）
　Ｚ１及びＺ２の２価の基は、－Ｏ－、－Ｓ－、メチレン基、ビス（トリフルオロメチル）メチレン基、又はジフルオロメチレン基であることが好ましく、－Ｏ－がより好ましい。
　Ｚ３は、－Ｏ－が好ましい。
　式（１）のＹ１の２価の芳香族基は、２価の芳香族炭化水素基（炭素数は例えば６～２０）であってもよく、２価の芳香族複素環式基（原子数は例えば５～２０）であってもよい。Ｙ１は２価の芳香族炭化水素基が好ましい。
　Ｙ１の２価の芳香族炭化水素基としては、例えば下記式（３）で表される基が挙げられるが、これに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
 （式（３）中、Ｒ４１～Ｒ４８は、それぞれ独立に、水素原子、１価の脂肪族炭化水素基又はハロゲン原子を有する１価の有機基である。）
　Ｒ４１～Ｒ４８の１価の脂肪族炭化水素基（好ましくは炭素数１～１０、より好ましくは炭素数１～６）としてはメチル基が好ましい。
　Ｒ４１～Ｒ４８のハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）を有する１価の有機基は、ハロゲン原子を有する１価の脂肪族炭化水素基（好ましくは炭素数１～１０、より好ましくは炭素数１～６）が好ましく、トリフルオロメチル基が好ましい。
　式（３）において、例えば、Ｒ４２及びＲ４３が１価の脂肪族炭化水素基（例えばメチル基）であり、Ｒ４１及びＲ４４～Ｒ４８が水素原子であってもよい。
　式（１）のＲ１及びＲ２の炭素数１～４（好ましくは１又は２）の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、２－プロピル基、ｎ－ブチル基等が挙げられる。
　式（１）において、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方が式（２）で表される基であり、好ましくはＲ１及びＲ２の両方が式（２）で表される基である。
　式（２）のＲ３～Ｒ５の炭素数１～３（好ましくは１又は２）の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、２－プロピル基等が挙げられる。メチル基が好ましい。
　式（１）で表される構造単位を有するポリイミド前駆体は、例えば、下記式（４）で表されるテトラカルボン酸二無水物と、下記式（５）で表されるジアミノ化合物とを、Ｎ－メチルピロリドン等の有機溶剤中にて反応させてポリアミド酸を製造し、下記式（６）で表される化合物を加え、有機溶剤中で反応させて全体的又は部分的にエステル基を導入することで製造することができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
 （式（４）中、Ｘ１は式（１）のＸ１に対応する基である。式（５）中、Ｙ１は式（１）で定義した通りである。式（６）中、Ｒ３～Ｒ５及びｍは式（２）で定義した通りである。）
　式（４）で表されるテトラカルボン酸二無水物及び式（５）で表されるジアミノ化合物は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。
　式（１）で表される構造単位の含有量は、（Ａ）成分の全構造単位に対して、５０％モル以上であることが好ましく、８０モル％以上がより好ましく、９０モル％以上がさらに好ましい。上限は特に限定されず、１００モル％でもよい。
　（Ａ）成分は、式（１）で表される構造単位以外の構造単位を有してもよい。式（１）で表される構造単位以外の構造単位としては、下記式（７）で表される構造単位等が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
 （式（７）中、Ｘ２は４価の芳香族基である。Ｙ２は２価の芳香族基である。Ｒ５１及びＲ５２は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～４の脂肪族炭化水素基である。－ＣＯＯＲ５１基と－ＣＯＮＨ－基とは、互いにオルト位置にあり、－ＣＯＯＲ５２基と－ＣＯ－基とは、互いにオルト位置にある。）
　式（７）のＸ２の４価の芳香族基としては、式（１）のＸ１の４価の芳香族基と同じ基が挙げられる。Ｙ２の２価の芳香族基としては、式（１）のＹ１の２価の芳香族基と同じ基が挙げられる。Ｒ５１及びＲ５２の炭素数１～４の脂肪族炭化水素基としては、式（１）のＲ１及びＲ２の炭素数１～４の脂肪族炭化水素基と同じ基が挙げられる。
　式（１）で表される構造単位以外の構造単位の含有量は、（Ａ）成分の全構造単位に対して５０モル％未満であることが好ましい。
　式（１）で表される構造単位以外の構造単位は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせてもよい。
　（Ａ）成分において、ポリイミド前駆体中の全カルボキシ基及び全カルボキシエステルに対して、式（２）で表される基でエステル化されたカルボキシ基の割合が、５０モル％以上であることが好ましく、６０～１００モル％がより好ましく、７０～９０モル％がより好ましい。
　（Ａ）成分の分子量に特に制限はないが、数平均分子量で１０，０００～２００，０００であることが好ましい。
　数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法によって測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算することによって求める。
（（Ｂ）成分：脂肪族環状骨格を有する重合性化合物）
　本発明の感光性樹脂組成物は、（Ｂ）成分を含むことにより、得られる硬化膜に疎水性を付与でき、高温多湿条件下での硬化膜と基板間の接着性低下を抑制できる。
　脂肪族環状骨格の環形成炭素数は、好ましくは４～１５であり、より好ましくは５～１２である。
　（Ｂ）成分は、重合性の不飽和二重結合含有基を有することが好ましく、架橋密度及び光感度の向上、現像後のパターンの膨潤の抑制のため、重合性の不飽和二重結合含有基を２つ又は３つ有することが好ましい。
　（Ｂ）成分は、光重合開始剤により重合可能な（メタ）アクリル基を有する化合物であることが好ましい。
　（Ｂ）成分としては、例えば下記式（１１）～（１４）で表される化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
 （式（１１）～（１４）中、Ｒ１１～Ｒ１４は、それぞれ独立に、炭素数１～４の脂肪族炭化水素基又は下記式（１５）で表される基である。ａは１～１０の整数であり、少なくとも１つ（好ましくは２つ又は３つ）のＲ１１は下記式（１５）で表される基である。ｂは１～１２の整数であり、少なくとも１つ（好ましくは２つ又は３つ）のＲ１２は下記式（１５）で表される基である。ｃは１～１６の整数であり、少なくとも１つ（好ましくは２つ又は３つ）のＲ１３は下記式（１５）で表される基である。ｄは１～１６の整数であり、少なくとも１つ（好ましくは２つ）のＲ１４は下記式（１５）で表される基である。式（１３）においてＲ１３は脂肪族環状骨格の全ての置換位置に結合可能であり、式（１４）においてＲ１４は脂肪族環状骨格の全ての置換位置に結合可能である。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
 （式（１５）中、Ｒ１５～Ｒ１７は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～３の脂肪族炭化水素基である。ｌは０～１０の整数（好ましくは０、１又は２）である。＊は結合手である。）
　式（１１）～（１４）のＲ１１～Ｒ１４の炭素数１～４の脂肪族炭化水素基としては、式（１）のＲ１及びＲ２の炭素数１～４の脂肪族炭化水素基と同じ基が挙げられる。
　式（１５）のＲ１５～Ｒ１７の炭素数１～３の脂肪族炭化水素基としては、式（２）のＲ３～Ｒ５の炭素数１～３の脂肪族炭化水素基と同じ基が挙げられる。
　（Ｂ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、１～５０質量部が好ましく、硬化膜の疎水性向上の観点から、より好ましくは５～５０質量部であり、さらに好ましくは５～３０質量部である。上記範囲内である場合、実用的なレリ－フパターンが得られやすく、未露光部の現像後残滓を抑制しやすい。
（（Ｃ）成分：熱塩基発生剤）
　熱塩基発生剤とは、熱によって塩基を発生する化合物である。
　（Ｃ）成分は、示差走査熱量測定において１００℃から２００℃の間に塩基発生温度を有する化合物が好ましい。
　塩基発生温度は２００℃以下が好ましく、１８０℃以下がより好ましい。また、塩基発生温度は１００℃以上が好ましく、１１０℃以上がより好ましい。
　塩基発生温度が２００℃以下であれば、感光性樹脂組成物を２００℃以下の低温で硬化した場合でも問題なく塩基が発生し、添加効果を十分発現することができる。塩基発生温度が１００℃以上であれば、保存中や感光性樹脂膜の作成過程において塩基が生じることなく、安定性やハンドリングに優れた感光性樹脂組成物とすることができる。
　塩基発生温度は、示差走査熱量測定を用いて以下のように決定する。即ち、熱塩基発生剤とポリイミド前駆体（本願合成例１で合成したポリマーＩ）とを、質量比１０：９０でテトラヒドロフラン（ＴＨＦ、東京化成工業株式会社製）中で均一に混合し、これをガラス基板上に塗布し、８０℃で１０分間乾燥させてサンプルとする。このサンプルを金属パンにいれ、１０℃／分で３００℃まで加熱し、その際のポリイミド前駆体の反応熱のピーク温度を測定することで熱塩基発生剤の塩基発生温度を決定する。具体的に、測定されたピークの中で、ポリイミド前駆体と塩基の反応に帰属されるピーク温度を塩基とポリイミド前駆体が反応した温度、即ち塩基発生温度とする。観測されるピークの中で最も低温側のピークをポリイミド前駆体と塩基の反応によるものと帰属する。読み取るピーク温度はポリイミド前駆体と塩基の反応の種類により、発熱の場合もあるし、吸熱の場合もある。
　（Ｃ）成分から発生する塩基は有機塩基であることが好ましく、１級アミン、２級アミン又は３級アミンがより好ましく、アミジン、グアニジン等の有機強塩基がさらに好ましい。また、（Ｃ）成分から発生する塩基の沸点（１気圧）は１００℃以上であることが好ましく、１４０℃以上であることがより好ましい。
　（Ｃ）成分としては、アニオンとカチオンを含むイオン型構造を有する化合物が好ましい。
　イオン型構造を有する化合物のアニオンとしては、カルボン酸アニオン、フェノールアニオン、リン酸アニオン及び硫酸アニオンからなる群から選択されるアニオンが好ましい。また、塩基発生温度の観点から、カルボン酸アニオン又はフェノールアニオンが好ましい。即ち、熱塩基発生剤はカルボン酸アニオンとの塩又はフェノールアニオンとの塩が好ましい。
　また、アニオン中の上記官能基（カルボキシ基、フェノール性水酸基、リン酸基及び硫酸基）の数は１つであってもよいし、２つ以上であってもよい。
　アニオンとなりうる化合物として、下記式（２３）～（２６）で表される化合物が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
 （式（２３）～（２６）中、Ｒ３１～Ｒ３３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の脂肪族炭化水素基又は炭素数６～１０の芳香族炭化水素基である。Ｒ３４は、炭素数１～１０の脂肪族炭化水素基又は炭素数６～１０の芳香族基である。Ｒ３５は、水酸基又はメルカプト基である。ｅ～ｈは、それぞれ独立に、１～４の整数（好ましくは１又は２）である。）
　Ｒ３１～Ｒ３４の炭素数１～１０の脂肪族炭化水素基としては、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ－ブチル基、イソプロピル基、エチルヘキシル基、オクチル基等）、または当該アルキル基から水素原子を一個または二個除いたアルキレン基等が挙げられる。炭素数６～１０の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
　イオン型構造を有する化合物のカチオンとなる化合物としては、下記式（２７）又は（２８）で表される化合物が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
 （式（２７）及び（２８）中、Ｒ２１～Ｒ２９は、それぞれ独立に、水素原子、１価の有機基又は２価の有機基である。Ｒ２１とＲ２２、Ｒ２３とＲ２４、Ｒ２５とＲ２９、及びＲ２６とＲ２７は、互いに結合して環を形成してもよい。）
　Ｒ２１～Ｒ２９の１価又は２価の有機基としては、脂肪族炭化水素基（炭素数は例えば１～１０）又は芳香族基（炭素数は例えば６～１０）が挙げられる。脂肪族炭化水素基としては、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基）、又は当該アルキル基から水素原子を１つ除いたアルキレン基等が挙げられる。
　Ｒ２１とＲ２２、Ｒ２３とＲ２４、Ｒ２５とＲ２９、及びＲ２６とＲ２７が互いに結合して環を形成する場合の環としては、脂肪族環（非芳香性の炭化水素環）、芳香環、複素環等が挙げられる。環は単環であってもよく、複環であってもよい。
　上記の基が結合して環を形成する場合、連結基を含んでもよく、当該連結基としては、－ＣＯ－、－Ｏ－、－ＮＨ－、２価の脂肪族基（例えば、アルキル基から水素原子を２個除いた基）、２価の芳香族環基（例えば、ベンゼン等の芳香族炭化水素基から水素原子を２個除いた基）及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる２価の連結基が挙げられる。当該環は、例えば４～８員環であり、好ましくは５～７員環である。
　環の具体例としては、例えば、ピロリジン環、ピロール環、ピペリジン環、ピリジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピラジン環、モルホリン環、チアジン環、インドール環、イソインドール環、ベンゾイミダゾール環、プリン環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、シンノリン環、カルバゾール環等が挙げられる。
　（Ｃ）成分としては、下記式（２１）又は（２２）で表される化合物が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
 　式（２１）及び（２２）中、Ｒ２１～Ｒ２９は、上記式（２７）及び（２８）で述べた通りである。Ｘｎ－は、上記式（２３）～（２６）のいずれかで表される化合物からｎ個の水素原子を除いたアニオンである。ｎは１～４の整数（好ましくは１又は２）である。
　イオン型構造を有する化合物のカチオンとして、感光性樹脂組成物を２００℃以下の低温で硬化した場合に、優れた薬液耐性、耐フラックス性を有する硬化膜が得られるという観点から、１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ－７－エン由来構造又は１，５－ジアザビシクロ［４．３．０］ノン－５－エン由来構造が好ましく、１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ－７－エン由来構造が特に好ましい。
　（Ｃ）成分としては、アニオン部がフェノール又はオルトフタル酸由来の構造であり、発生する塩基種としては、１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ－７－エン由来構造又は１，５－ジアザビシクロ［４．３．０］ノン－５－エン由来構造が好ましく、１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ－７－エン由来構造が特に好ましい。
　この組み合わせを有する熱塩基発生剤は、１００℃から２００℃の加熱において有機強塩基を発生しやすい。
　（Ｃ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、１～５０質量部が好ましい。硬化膜の薬液耐性向上や成膜性の観点から、より好ましくは１～２０質量部、さらに好ましくは１～１０質量部である。この範囲内である場合、実用的なレリーフパターンが得られやすく、未露光部の現像後残滓を抑制しやすい。
（（Ｄ）成分：光重合開始剤）
　光重合開始剤としては、オキシム化合物、アシルホスフィンオキサイド化合物、アシルジアルコキシメタン化合物等が挙げられる。感度の観点から、オキシム化合物が好ましい。オキシム化合物としては、下記式（３１）で表される化合物が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
 　式（３１）中、Ｒ６１は、炭素数１～１２のアルキル基、炭素数１～１２のアルコキシ基、炭素数４～１０のシクロアルキル基、フェニル基又はトリル基であり、Ｒ６２は、炭素数１～１２のアルキル基、炭素数４～１０のシクロアルキル基、フェニル基又はトリル基である。Ｒ６１及びＲ６２は、炭素数１～８のアルキル基、炭素数４～６のシクロアルキル基、フェニル基又はトリル基であることが好ましく、炭素数１～４のアルキル基、炭素数４～６のシクロアルキル基、フェニル基又はトリル基であることがより好ましく、メチル基、シクロペンチル基、フェニル基又はトリル基であることがさらに好ましい。
　Ｒ６３は、置換若しくは無置換のベンゾイル基、置換若しくは無置換のフルオレニル基又は置換若しくは無置換のカルバゾリル基であり、後述する式（３４）～（４０）で表される化合物が有する、式（３１）のＲ６３に対応する基であることが好ましい。
　置換若しくは無置換のベンゾイル基、置換若しくは無置換のフルオレニル基又は置換若しくは無置換のカルバゾリル基の置換基（以下、任意の置換基ともいう。）としては、フェニルチオ基、エチロールオキシ基、炭素数１～２０のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基）、ハロゲン化（好ましくはフッ素化）されていてもよい炭素数１～２０（好ましくは１～１０、より好ましくは１～８）のアルコキシ基、２，２－ジメチル－１，３－ジオキソラン－４－イル）メトキシ基、ベンゾイル基等が挙げられる。
　任意の置換基は、さらに上述の任意の置換基を有してもよい。
　光重合開始剤としては、光硬化性を向上させる観点から、下記式（３２）又は式（３３）で表される化合物であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
 　式（３２）中、Ｒ６１及びＲ６２は上記式（３１）と同じである。
　Ｒ６４は、－Ｈ、－ＯＨ、－ＣＯＯＨ、－Ｏ（ＣＨ２）ＯＨ、－Ｏ（ＣＨ２）２ＯＨ、－ＣＯＯ（ＣＨ２）ＯＨ、又は－ＣＯＯ（ＣＨ２）２ＯＨであり、－Ｈ、－Ｏ（ＣＨ２）ＯＨ、－Ｏ（ＣＨ２）２ＯＨ、－ＣＯＯ（ＣＨ２）ＯＨ、又は－ＣＯＯ（ＣＨ２）２ＯＨであることが好ましく、－Ｈ、－Ｏ（ＣＨ２）２ＯＨ、又は－ＣＯＯ（ＣＨ２）２ＯＨであることがより好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000026
 　式（３３）中、Ｒ６１及びＲ６２は上記式（３１）と同じである。
　Ｒ６５は、炭素数１～６のアルキル基であり、エチル基であることが好ましい。Ｒ６６は、炭素数１～１２のアルキル基、又はアセタール結合を有する有機基であり、メチル基又は後述する式（３７）で表される化合物が有する、式（３３）のＲ６６に対応する置換基であることが好ましい。ｉは１～３の整数であり、１又は２であることが好ましい。
　上記式（３２）で表される化合物としては、例えば、下記式（３４）及び下記式（３５）で表される化合物が挙げられる。下記式（３４）で表される化合物はＩＲＧＡＣＵＲＥ　ＯＸＥ－０１（ＢＡＳＦジャパン株式会社製）として入手可能である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000027
　上記式（３３）で表される化合物としては、例えば、下記式（３６）又は（３７）で表される化合物が挙げられ、ＩＲＧＡＣＵＲＥ　ＯＸＥ－０２（ＢＡＳＦジャパン株式会社製）、アデカオプトマーＮ－１９１９（株式会社ＡＤＥＫＡ製）として入手可能である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000028
　また、光重合開始剤として、下記式（３８）～（４０）で表される化合物を用いることもできる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000029
　（Ｄ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、０．１～２０質量部が好ましく、より好ましくは０．１～１０質量部であり、さらに好ましくは０．１～５質量部である。上記範囲内の場合、光架橋が膜厚方向で同程度となりやすく、実用的なレリ－フパターンを得やすくなる。
（（Ｅ）成分：熱重合開始剤）
　本発明の感光性樹脂組成物は、さらに（Ｅ）熱重合開始剤（以下、「（Ｅ）成分」ともいう。）を含んでもよい。
　（Ｅ）成分としては、感光性樹脂膜の成膜時に溶剤を除去するための加熱（乾燥）では分解せず、硬化時の加熱により分解してラジカルを発生し、（Ｂ）成分同士、又は（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の重合反応を促進する化合物が好ましい。そのため、（Ｅ）成分は、分解点が１１０℃以上２００℃以下の化合物が好ましく、より低温で重合反応を促進する観点から、１１０℃以上１７５℃以下の化合物がより好ましい。
　（Ｅ）成分としては、ビス（１－フェニル－１－メチルエチル）ペルオキシド等が挙げられる。
　（Ｅ）成分を含有する場合、（Ｅ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、０．５～２０質量部が好ましく、良好な耐フラックス性の確保のために１～２０質量部がより好ましく、乾燥時の分解による溶解性低下の抑制の観点から、１～１０質量部がさらに好ましい。
（溶剤）
　本発明の感光性樹脂組成物は、通常、溶剤を含む。溶剤としては以下の化合物が挙げられる。
　エステル類として、例えば、酢酸エチル、酢酸－ｎ－ブチル、酢酸イソブチル、ギ酸アミル、酢酸イソアミル、酢酸イソブチル、プロピオン酸ブチル、酪酸イソプロピル、酪酸エチル、酪酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ―ブチロラクトン、ε－カプロラクトンδ－バレロラクトン、オキシ酢酸アルキル（例えば、オキシ酢酸メチル、オキシ酢酸エチル、オキシ酢酸ブチル（例えば、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル等））、３－オキシプロピオン酸アルキルエステル類（例えば、３－オキシプロピオン酸メチル、３－オキシプロピオン酸エチル等（例えば、３－メトキシプロピオン酸メチル、３－メトキシプロピオン酸エチル、３－エトキシプロピオン酸メチル、３－エトキシプロピオン酸エチル等））、２－オキシプロピオン酸アルキルエステル類（例えば、２－オキシプロピオン酸メチル、２－オキシプロピオン酸エチル、２－オキシプロピオン酸プロピル等（例えば、２－メトキシプロピオン酸メチル、２－メトキシプロピオン酸エチル、２－メトキシプロピオン酸プロピル、２－エトキシプロピオン酸メチル、２－エトキシプロピオン酸エチル））、２－オキシ－２－メチルプロピオン酸メチル及び２－オキシ－２－メチルプロピオン酸エチル（例えば、２－メトキシ－２－メチルプロピオン酸メチル、２－エトキシ－２－メチルプロピオン酸エチル等）、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、２－オキソブタン酸メチル、２－オキソブタン酸エチルなど；エーテル類として、例えば、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート等；ケトン類として、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、２－ヘプタノン、３－ヘプタノン、Ｎ－メチル－２－ピロリドン等；芳香族炭化水素類として、例えば、トルエン、キシレン、アニソール、リモネン等；スルホキシド類としてジメチルスルホキシド等；及びＮ，Ｎ－ジメチルアセトアミド等が挙げられる。
　溶剤の含有量は特に限定されないが、一般的に、（Ａ）成分１００質量部に対して５０～１０００質量部である。
（他の成分）
　本発明の感光性樹脂組成物は、上記成分以外に、カップリング剤、界面活性剤又はレベリング剤、防錆剤、重合禁止剤等を含有してもよい。
（カップリング剤）
　カップリング剤は、通常、現像後の加熱処理において、（Ａ）成分と反応して架橋するか、又は加熱処理する工程においてカップリング剤自身が重合する。これにより、得られる硬化膜と基板との接着性をより向上させることができる。
　カップリング剤としてはシランカップリング剤が好ましい。
　好ましいシランカップリング剤としては、ウレア結合（－ＮＨ－ＣＯ－ＮＨ－）を有する化合物が挙げられる。これにより、２００℃以下の低温下で硬化を行った場合も基板との接着性をさらに高めることができる。
　低温での硬化を行った際の接着性の発現に優れる点で、下記式（４１）で表される化合物がより好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
 （式（４１）中、Ｒ７１及びＲ７２は、それぞれ独立に、炭素数１～５のアルキル基である。ｊは１～１０の整数であり、ｋは１～３の整数である。）
　式（４１）で表される化合物の具体例としては、ウレイドメチルトリメトキシシラン、ウレイドメチルトリエトキシシラン、２－ウレイドエチルトリメトキシシラン、２－ウレイドエチルトリエトキシシラン、３－ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン、４－ウレイドブチルトリメトキシシラン、４－ウレイドブチルトリエトキシシラン等が挙げられ、好ましくは３－ウレイドプロピルトリエトキシシランである。
　シランカップリング剤として、ヒドロキシ基又はグリシジル基を有するシランカップリング剤を用いてもよい。ヒドロキシ基又はグリシジル基を有するシランカップリング剤、及び分子内にウレア結合を有するシランカップリング剤を併用すると、さらに低温硬化時の硬化膜の基板への接着性を向上することができる。
　ヒドロキシ基又はグリシジル基を有するシランカップリング剤としては、メチルフェニルシランジオール、エチルフェニルシランジオール、ｎ－プロピルフェニルシランジオール、イソプロピルフェニルシランジオール、ｎ－ブチルフェニルシランジオール、イソブチルフェニルシランジオール、ｔｅｒｔ－ブチルフェニルシランジオール、ジフェニルシランジオール、エチルメチルフェニルシラノール、ｎ－プロピルメチルフェニルシラノール、イソプロピルメチルフェニルシラノール、ｎ－ブチルメチルフェニルシラノール、イソブチルメチルフェニルシラノール、ｔｅｒｔ－ブチルメチルフェニルシラノール、エチルｎ－プロピルフェニルシラノール、エチルイソプロピルフェニルシラノール、ｎ－ブチルエチルフェニルシラノール、イソブチルエチルフェニルシラノール、ｔｅｒｔ－ブチルエチルフェニルシラノール、メチルジフェニルシラノール、エチルジフェニルシラノール、ｎ－プロピルジフェニルシラノール、イソプロピルジフェニルシラノール、ｎ－ブチルジフェニルシラノール、イソブチルジフェニルシラノール、ｔｅｒｔ－ブチルジフェニルシラノール、フェニルシラントリオール、１，４－ビス（トリヒドロキシシリル）ベンゼン、１，４－ビス（メチルジヒドロキシシリル）ベンゼン、１，４－ビス（エチルジヒドロキシシリル）ベンゼン、１，４－ビス（プロピルジヒドロキシシリル）ベンゼン、１，４－ビス（ブチルジヒドロキシシリル）ベンゼン、１，４－ビス（ジメチルヒドロキシシリル）ベンゼン、１，４－ビス（ジエチルヒドロキシシリル）ベンゼン、１，４－ビス（ジプロピルヒドロキシシリル）ベンゼン、１，４－ビス（ジブチルヒドロキシシリル）ベンゼン、及び下記式（４２）で表わされる化合物等が挙げられる。中でも、特に、基板との接着性をより向上させるため、式（４２）で表される化合物が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000031
 （式（４２）中、Ｒ７３はヒドロキシ基又はグリシジル基を有する１価の有機基であり、Ｒ７４及びＲ７５は、それぞれ独立に、炭素数１～５のアルキル基である。ｏは１～１０の整数であり、ｐは１～３の整数である。）
　式（４２）で表される化合物としては、ヒドロキシメチルトリメトキシシラン、ヒドロキシメチルトリエトキシシラン、２－ヒドロキシエチルトリメトキシシラン、２－ヒドロキシエチルトリエトキシシラン、３－ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、３－ヒドロキシプロピルトリエトキシシラン、４－ヒドロキシブチルトリメトキシシラン、４－ヒドロキシブチルトリエトキシシラン、グリシドキシメチルトリメトキシシラン、グリシドキシメチルトリエトキシシラン、２－グリシドキシエチルトリメトキシシラン、２－グリシドキシエチルトリエトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、４－グリシドキシブチルトリメトキシシラン、４－グリシドキシブチルトリエトキシシラン等が挙げられる。
　ヒドロキシ基又はグリシジル基を有するシランカップリング剤は、さらに、窒素原子を含むことが好ましく、アミノ基又はアミド結合を有するシランカップリング剤が好ましい。
　アミノ基を有するシランカップリング剤としては、ビス（２－ヒドロキシメチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、ビス（２－ヒドロキシメチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、ビス（２－グリシドキシメチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、ビス（２－ヒドロキシメチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
　アミド結合を有するシランカップリング剤としては、下記式（４３）で表される化合物等が挙げられる。
Ｒ７６－（ＣＨ２）ｑ－ＣＯ－ＮＨ－（ＣＨ２）ｒ－Ｓｉ（ＯＲ７７）３　（４３）
（式（４３）中、Ｒ７６はヒドロキシ基又はグリシジル基であり、ｑ及びｒは、それぞれ独立に、１～３の整数であり、Ｒ７７はメチル基、エチル基又はプロピル基である。）
　シランカップリング剤を用いる場合、シランカップリング剤の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、０．１～２０質量部が好ましく、１～１０質量部がより好ましく、０．３～１０質量部がさらに好ましい。
（界面活性剤又はレベリング剤）
　界面活性剤又はレベリング剤を含むことで、塗布性（例えばストリエーション（膜厚のムラ）の抑制）及び現像性を向上させることができる。
　界面活性剤又はレベリング剤としては、例えば、ポリオキシエチレンウラリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル等が挙げられ、市販品としては、商品名「メガファックスＦ１７１」、「Ｆ１７３」、「Ｒ－０８」（以上、ＤＩＣ株式会社製）、商品名「フロラードＦＣ４３０」、「ＦＣ４３１」（以上、スリーエム　ジャパン株式会社製）、商品名「オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１」、「ＫＢＭ３０３」、「ＫＢＭ４０３」、「ＫＢＭ８０３」（以上、信越化学工業株式会社製）等が挙げられる。
　界面活性剤又はレベリング剤を含む場合、界面活性剤又はレベリング剤の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して０．０１～１０質量部が好ましく、０．０５～５質量部がより好ましく、０．０５～３質量部がさらに好ましい。
（防錆剤）
　防錆剤を含むことで、銅及び銅合金の腐食の抑制や変色の防止ができる。
　防錆剤としては、例えば、トリアゾール誘導体及びテトラゾール誘導体等が挙げられる。
　防錆剤を用いる場合、防錆剤の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して０．０１～１０質量部が好ましく、０．１～５質量部がより好ましく、０．５～３質量部がさらに好ましい。
（重合禁止剤）
　重合禁止剤を含有することで、良好な保存安定性を確保することができる。
　重合禁止剤としては、ラジカル重合禁止剤、ラジカル重合抑制剤等が挙げられる。
　重合禁止剤としては、例えば、ｐ－メトキシフェノール、ジフェニル－ｐ－ベンゾキノン、ベンゾキノン、ハイドロキノン、ピロガロール、フェノチアジン、レゾルシノール、オルトジニトロベンゼン、パラジニトロベンゼン、メタジニトロベンゼン、フェナントラキノン、Ｎ－フェニル－２－ナフチルアミン、クペロン、２，５－トルキノン、タンニン酸、パラベンジルアミノフェノール、ニトロソアミン類等が挙げられる。
　重合禁止剤を含有する場合、重合禁止剤の含有量としては、感光性樹脂組成物の保存安定性及び得られる硬化膜の耐熱性の観点から、（Ａ）成分１００質量部に対して、０．０１～３０質量部が好ましく、０．０１～１０質量部がより好ましく、０．０５～５質量部がさらに好ましい。
　本発明の感光性樹脂組成物は、溶剤を除いて、本質的に、（Ａ）～（Ｄ）成分、並びに、（Ｅ）成分、カップリング剤、界面活性剤、レベリング剤、防錆剤及び重合禁止剤からなる群から選択される１以上の成分からなってもよく、本発明の効果を損なわない範囲で他に不可避不純物を含んでもよい。
　本発明の感光性樹脂組成物の、例えば、８０質量％以上、９０質量％以上、９５質量％以上、９８質量％以上、９９質量％以上、９９．５質量％以上、９９．９質量％以上又は１００質量％が、溶剤を除いて、
（Ａ）～（Ｄ）成分、
（Ａ）～（Ｅ）成分、又は
（Ａ）～（Ｄ）成分、並びに、（Ｅ）成分、カップリング剤、界面活性剤、レベリング剤、防錆剤及び重合禁止剤からなる群から選択される１以上の成分からなっていてもよい。
［硬化膜］
　本発明の硬化膜は、上述の感光性樹脂組成物の硬化することで得ることができる。本発明の硬化膜は、パターン硬化膜として用いてもよく、パターンがない硬化膜として用いてもよい。本発明の硬化膜の膜厚は、５～２０μｍが好ましい。
［パターン硬化膜の製造方法］
　本発明のパターン硬化膜の製造方法では、上述の感光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成する工程と、感光性樹脂膜をパターン露光して、樹脂膜を得る工程と、パターン露光後の樹脂膜を、有機溶剤を用いて現像し、パターン樹脂膜を得る工程と、パターン樹脂膜を加熱処理する工程と、を含む。これにより、パターン硬化膜を得ることができる。
　パターンがない硬化膜を製造する方法は、例えば、上述の感光性樹脂膜を形成する工程と加熱処理する工程とを備える。さらに、露光する工程を備えてもよい。
　基板としては、ガラス基板、Ｓｉ基板（シリコンウエハ）等の半導体基板、ＴｉＯ２基板、ＳｉＯ２基板等の金属酸化物絶縁体基板、窒化ケイ素基板、銅基板、銅合金基板などが挙げられる。
　塗布方法に特に制限はないが、スピナー等を用いて行うことができる。
　乾燥は、ホットプレート、オーブン等を用いて行うことができる。
　乾燥温度は９０～１５０℃が好ましく、溶解コントラスト確保の観点から、（Ａ）成分と（Ｄ）成分の反応を抑制するために９０～１２０℃がより好ましい。
　乾燥時間は、３０秒間～５分間が好ましい。
　乾燥は、２回以上行ってもよい。
　これにより、上述の感光性樹脂組成物を膜状に形成した感光性樹脂膜を得ることができる。
　感光性樹脂膜の膜厚は、５～１００μｍが好ましく、８～５０μｍがより好ましく、１０～３０μｍがさらに好ましい。
　パターン露光は、例えばフォトマスクを介して所定のパターンに露光する。
　照射する活性光線は、ｉ線等の紫外線、可視光線、放射線などが挙げられるが、ｉ線であることが好ましい。
　露光装置としては、平行露光機、投影露光機、ステッパ、スキャナ露光機等を用いることができる。
　現像することで、パターン形成された樹脂膜（パターン樹脂膜）を得ることができる。一般的に、ネガ型感光性樹脂組成物を用いた場合には、未露光部を現像液で除去する。
　現像液として用いる有機溶剤は、感光性樹脂膜の良溶媒を単独で、又は良溶媒と貧溶媒を適宜混合して用いることができる。
　良溶媒としては、Ｎ－メチルピロリドン、Ｎ－アセチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ガンマブチロラクトン、α－アセチル－ガンマブチロラクトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等が挙げられる。
　貧溶媒としては、トルエン、キシレン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル及び水等が挙げられる。
　現像液に界面活性剤を添加してもよい。添加量としては、現像液１００質量部に対して、０．０１～１０質量部が好ましく、０．１～５質量部がより好ましい。
　現像時間は、例えば感光性樹脂膜を浸漬して溶解するまでの時間の２倍とすることができる。
　現像時間は、用いる（Ａ）成分によっても異なるが、１０秒間～１５分間が好ましく、１０秒間～５分間より好ましく、生産性の観点からは、２０秒間～５分間がさらに好ましい。
　現像後、リンス液により洗浄を行ってもよい。
　リンス液としては、蒸留水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、トルエン、キシレン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル等を単独又は適宜混合して用いてもよく、また段階的に組み合わせて用いてもよい。
　パターン樹脂膜を加熱処理することにより、パターン硬化膜を得ることができる。
　（Ａ）成分のポリイミド前駆体が、加熱処理工程によって、脱水閉環反応を起こし、対応するポリイミドとなってもよい。
　加熱処理の温度は、２５０℃以下が好ましく、１２０～２５０℃がより好ましく、２００℃以下又は１５０～２００℃がさらに好ましい。
　上記範囲内であることにより、基板やデバイスへのダメージを小さく抑えることができ、デバイスを歩留り良く生産することが可能となり、プロセスの省エネルギー化を実現することができる。
　加熱処理の時間は、５時間以下が好ましく、３０分間～３時間がより好ましい。上記範囲内であることにより、架橋反応又は脱水閉環反応を充分に進行することができる。
　加熱処理の雰囲気は大気中であっても、窒素等の不活性雰囲気中であってもよいが、パターン樹脂膜の酸化を防ぐことができる観点から、窒素雰囲気下が好ましい。
　加熱処理に用いられる装置としては、石英チューブ炉、ホットプレート、ラピッドサーマルアニール、縦型拡散炉、赤外線硬化炉、電子線硬化炉、マイクロ波硬化炉等が挙げられる。
［層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜、電子部品］
　本発明の硬化膜は、パッシベーション膜、バッファーコート膜、層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜等として用いることができる。
　上記パッシベーション膜、バッファーコート膜、層間絶縁膜、カバーコート層及び表面保護膜等からなる群から選択される１以上を用いて、信頼性の高い、半導体装置、多層配線板、各種電子デバイス等の電子部品などを製造することができる。
　本発明の電子部品である半導体装置の製造工程の一例を、図面を参照して説明する。
　図１は、本発明の一実施形態に係る電子部品である多層配線構造の半導体装置の製造工程図である。
　図１において、回路素子を有するＳｉ基板等の半導体基板１は、回路素子の所定部分を除いてシリコン酸化膜等の保護膜２などで被覆され、露出した回路素子上に第１導体層３が形成される。その後、前記半導体基板１上に層間絶縁膜４が形成される。
　次に、塩化ゴム系、フェノールノボラック系等の感光樹脂層５が、層間絶縁膜４上に形成され、公知の写真食刻技術によって所定部分の層間絶縁膜４が露出するように窓６Ａが設けられる。
　窓６Ａが露出した層間絶縁膜４は、選択的にエッチングされ、窓６Ｂが設けられる。
　次いで、窓６Ｂから露出した第１導体層３を腐食することなく、感光樹脂層５を腐食するようなエッチング溶液を用いて感光樹脂層５が除去される。
　さらに公知の写真食刻技術を用いて、第２導体層７を形成し、第１導体層３との電気的接続を行う。
　３層以上の多層配線構造を形成する場合には、上述の工程を繰り返して行い、各層を形成することができる。
　次に、上述の感光性樹脂組成物を用いて、パターン露光により窓６Ｃを開口し、表面保護膜８を形成する。表面保護膜８は、第２導体層７を外部からの応力、α線等から保護するものであり、得られる半導体装置は信頼性に優れる。
　尚、前記例において、層間絶縁膜を本発明の感光性樹脂組成物を用いて形成することも可能である。
　以下、実施例及び比較例に基づき、本発明について具体的に説明する。尚、本発明は下記実施例に限定されるものではない。
合成例１（ポリマーＩの合成）
　３，３’，４，４’－ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物（ＯＤＰＡ）７．０７ｇと２，２’－ジメチルビフェニル－４，４’－ジアミン（ＤＭＡＰ）４．１２ｇとをＮ－メチルピロリドン（ＮＭＰ）３０ｇに溶解し、３０℃で４時間撹拌し、その後室温下で一晩撹拌してポリアミド酸を得た。そこに水冷下で無水トリフルオロ酢酸を９．４５ｇ加え、４５℃で３時間撹拌し、メタクリル酸２－ヒドロキシエチル（ＨＥＭＡ）７．０８ｇを加えた。この反応液を蒸留水に滴下し、沈殿物をろ別して集め、減圧乾燥することによってポリイミド前駆体を得た（以下、ポリマーＩとする）。
　ゲルパーミエーションクロマトグラフ（ＧＰＣ）法を用いて、標準ポリスチレン換算により、以下の条件で数平均分子量を求めた。ポリマーＩの数平均分子量は４０，０００であった。
　数平均分子量は、０．５ｍｇのポリマーＩに対して溶剤［テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）／ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）＝１／１（容積比）］１ｍＬを加えた溶液を用いて測定した。
測定装置：検出器　株式会社日立製作所製Ｌ４０００ＵＶ
ポンプ：株式会社日立製作所製Ｌ６０００
　　　　株式会社島津製作所製Ｃ－Ｒ４Ａ　Ｃｈｒｏｍａｔｏｐａｃ
測定条件：カラムＧｅｌｐａｃｋ　ＧＬ－Ｓ３００ＭＤＴ－５×２本
溶離液：ＴＨＦ／ＤＭＦ＝１／１（容積比）
　　　　ＬｉＢｒ（０．０３ｍｏｌ／Ｌ）、Ｈ３ＰＯ４（０．０６ｍｏｌ／Ｌ）
流速：１．０ｍＬ／分、検出器：ＵＶ２７０ｎｍ
　また、ポリマーＩのエステル化率（ＯＤＰＡに由来する構造単位中のカルボキシ基とＨＥＭＡとの反応率）を、以下の条件でＮＭＲ測定を行って算出した。エステル化率は、全カルボキシ基に対して８０％であった（残り２０％はカルボキシ基であった）。
測定機器：ブルカー・バイオスピン社製　ＡＶ４００Ｍ
磁場強度：４００ＭＨｚ
基準物質：テトラメチルシラン（ＴＭＳ）
溶剤：ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）
実施例１～５及び比較例１
［感光性樹脂組成物の調製及び評価］
（感光性樹脂組成物の調製）
　表１に示す成分及び配合量にて、実施例１～５及び比較例１の感光性樹脂組成物を調製した。表１の配合量は、１００質量部のポリマーＩに対する（Ｂ）～（Ｅ）成分及び溶剤の各質量部である。
　用いた成分は以下の通りである。
（（Ａ）成分：重合性の不飽和結合を有するポリイミド前駆体）
ポリマーＩ：合成例１で得られたポリマーＩ
（（Ｂ）成分：脂肪族環状骨格を有する重合性化合物）
Ｂ１：「Ａ－ＤＣＰ」（新中村化学工業株式会社製、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート、下記式で表される化合物）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000032
（（Ｃ）成分：熱塩基発生剤）
Ｃ１：「Ｕ－ＣＡＴ　ＳＡ１」（サンアプロ株式会社製、１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ－７－エンのフェノール塩、下記式で表される化合物、塩基発生温度：１５２℃、発生する塩基：１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ－７－エン、塩基の沸点：２４０℃（１気圧））
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000033
 Ｃ２：「Ｕ－ＣＡＴ　ＳＡ８１０」（サンアプロ株式会社製、ビス（１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ－７－エン）のオルトフタル酸塩、下記式で表される化合物、塩基発生温度：１７６℃、発生する塩基：１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ－７－エン、塩基の沸点：２４０℃（１気圧））
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000034
（（Ｄ）成分：光重合開始剤）
Ｄ１：「ＩＲＵＧＣＵＲＥ　ＯＸＥ　０２」（ＢＡＳＦジャパン株式会社製、エタノン，１－［９－エチル－６－（２－メチルベンゾイル）－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］－，１－（０－アセチルオキシム））
Ｄ２：「ＰＤＯ」（ランブソン社製、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（ｏ－エトキシカルボニル）オキシム）
（（Ｅ）成分：熱重合開始剤）
Ｅ１：「パークミルＤ」（日本油脂株式会社製、ビス（１－フェニル－１－メチルエチル）ペルオキシド、下記式で表される化合物）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000035
（溶剤）
ＮＭＰ：Ｎ－メチルピロリドン
（感度の評価）
　得られた感光性樹脂組成物について下記のように感度を評価した。結果を表１に示す。
　得られた感光性樹脂組成物を、塗布装置「Ａｃｔ８」（東京エレクトロン株式会社製）を用いて、シリコンウエハ上にスピンコートし、１００℃で２分間乾燥後、１１０℃で２分間乾燥して乾燥膜厚が１３μｍの感光性樹脂膜を形成した。得られた感光性樹脂膜をシクロペンタノンに浸漬して溶解するまでの時間の２倍を現像時間と設定した。
　上記と同様に感光性樹脂膜を作製し、得られた感光性樹脂膜に、ｉ線ステッパ「ＦＰＡ－３０００ｉＷ」（キヤノン株式会社製）を用いて、１００～６００ｍＪ／ｃｍ２のｉ線を５０ｍＪ／ｃｍ２刻みの照射量で所定のパターンに照射して露光を行った。露光後の樹脂膜を、「Ａｃｔ８」により、シクロペンタノンを用いて上記現像時間でパドル現像した後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）でリンス洗浄を行い、パターン樹脂膜を得た。得られたパターン樹脂膜の膜厚を露光前の感光性樹脂膜の膜厚で除し、百分率とすることで残膜率を算出した。残膜率８０％以上のパターン樹脂膜を形成できる露光量を感度として評価した。
［パターン硬化膜の製造及び評価］
（パターン硬化膜の製造）
　（感度の評価）と同様にして得られたパターン樹脂膜を、縦型拡散炉「μ－ＴＦ」（光洋サーモシステム社製）を用いて、窒素雰囲気下、１７５℃で２時間加熱し、パターン硬化膜（硬化後膜厚１０μｍ）を得た。
（薬液耐性の評価）
　得られたパターン硬化膜を、７０℃に加熱した剥離液「Ｄｙｎａｓｔｒｉｐ７７００」（Ｄｙｎａｌｏｙ株式会社製）に、３０分浸漬した。その後、パターン硬化膜を冷却し、アセトンで洗浄し、乾燥した。
　乾燥後のパターン硬化膜の膜厚を測定し、「（剥離液浸漬前の膜厚）－（乾燥後のパターン硬化膜の膜厚）」の絶対値を剥離液浸漬前の膜厚で除して百分率にすることで、膜厚変化率を算出し、以下のように評価した。結果を表１に示す。
○：膜厚変化率が４％未満
△：膜厚変化率が４～１０％
×：膜厚変化率が１０％超
（フラックス耐性の評価）
　（パターン硬化膜の製造）で得られたパターン硬化膜に水溶性フラックス「ＷＳ－６００」（アレントジャパン株式会社製）を塗布し、ホットプレート上で、２４５℃で１分間加熱した。冷却後、６０℃に加熱した水で水洗してフラックスを除去し、乾燥させた。乾燥後のパターン硬化膜の膜厚を測定し、（フラックス浸漬前のパターン硬化膜の膜厚－乾燥後のパターン硬化膜の膜厚）の絶対値をフラックス浸漬前のパターン硬化膜の膜厚で除して百分率にすることで膜厚変化率を算出し、以下のように評価した。結果を表１に示す。「－」は評価を行っていないことを示す。
○：膜厚変化率が５％未満
×：膜厚変化率が５％以上
　また、乾燥後のパターン硬化膜を光学顕微鏡で観察してパターンのダメージを以下のように評価した。結果を表１に示す。
○：クラック、しわ及びパターン形状変化のいずれも観察されず、パターンの表面荒れがないか、又は比較的少ない。
×：クラック、しわ、パターン形状変化及びパターン表面の激しい荒れの少なくとも１つが観察された。
（硬化膜の製造１）
　（感光性樹脂組成物の調製）で得られた感光性樹脂組成物を、塗布装置「Ａｃｔ８」（東京エレクトロン株式会社製）を用いてＣｕめっきウエハ上にスピンコートし、１００℃で２分間乾燥後、１１０℃で２分間乾燥して感光性樹脂膜を形成した。得られた感光性樹脂膜にプロキシミティ露光機「マスクアライナーＭＡ８」（ズース・マイクロテック社製）を用いて５００ｍＪ／ｃｍ２の露光を行った。露光後の樹脂膜について、（パターン硬化膜の製造）と同じ条件で硬化して硬化膜を得た。
（初期の接着性評価）
　得られた硬化膜の表面にアルミニウム製スタッドの先端にあるエポキシ樹脂層を固定して、１２０℃のオーブン中で１時間加熱してエポキシ樹脂層と硬化膜を接着した。その後、薄膜密着強度測定装置「ロミュラス」（ＱＵＡＤ　Ｇｒｏｕｐ社製）を用いてスタッドを引張り、剥離時の剥離モードを観察し、初期の接着性を以下のように評価した。結果を表１に示す。「－」は評価を行っていないことを示す。
○：凝集破壊が発生した（硬化膜とＣｕめっきウエハとの間での剥離はなかった）
×：硬化膜とＣｕめっきウエハとの間で剥離した
（ＰＣＴ処理後の接着性評価）
　また、上記と同様にして得られた硬化膜を、飽和型プレッシャークッカ装置（株式会社平山製作所製）に配置し、温度１２１℃、相対湿度１００％の条件で、３００時間処理した（ＰＣＴ処理）。ＰＣＴ処理後に硬化膜を取り出し、上記と同様にして接着性を評価した。結果を表１に示す。「－」は評価を行っていないことを示す。
　凝集破壊が発生した場合、硬化膜の凝集破壊強さよりも、硬化膜とＣｕめっきウエハの接着強さが強いことを示す。
（硬化膜の製造２）
　（感光性樹脂組成物の調製）で得られた感光性樹脂組成物を、塗布装置「Ａｃｔ８」（東京エレクトロン株式会社製）を用いて厚さ６２５μｍの６インチシリコンウエハに塗布して、硬化後膜厚が約１０μｍとなるようにスピンコートした。得られた感光性樹脂膜にプロキシミティ露光機「マスクアライナーＭＡ８」（ズース・マイクロテック社製）を用いて５００ｍＪ／ｃｍ２の露光を行った。これを、光洋サーモシステム株式会社製縦型拡散炉を用いて、窒素雰囲気下、１７５℃で２時間加熱硬化して、硬化膜を得た。
（破断伸び率の評価）
　次に、４．９％フッ酸水溶液を用いて硬化膜を剥離し、水洗、乾燥した。得られた硬化膜について以下のように破断伸び率を測定した。
　（破断時の硬化膜の長さ－測定前の硬化膜の長さ）の絶対値を測定前の硬化膜の長さで除して百分率とし、５回測定の平均値を破断伸び率（％）とし、以下のように評価した。結果を表１に示す。
○：破断伸び率が３５％以上
×：破断伸び率が３５％未満
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000036
　表１より、実施例１～５の感光性樹脂組成物は感度が高く、薬液耐性、フラックス耐性、接着性及び破断伸び特性に優れる硬化膜を形成できることが分かる。
　本発明の感光性樹脂組成物は、層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜等に用いることができ、本発明の層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜は、電子部品等に用いることができる。
　上記に本発明の実施形態及び／又は実施例を幾つか詳細に説明したが、当業者は、本発明の新規な教示及び効果から実質的に離れることなく、これら例示である実施形態及び／又は実施例に多くの変更を加えることが容易である。従って、これらの多くの変更は本発明の範囲に含まれる。
　この明細書に記載の文献、及び本願のパリ条約による優先権の基礎となる出願の内容を全て援用する。

Claims (13)

  1. 　（Ａ）重合性の不飽和結合を有するポリイミド前駆体と、
    　（Ｂ）脂肪族環状骨格を有する重合性化合物と、
    　（Ｃ）熱塩基発生剤と、
    　（Ｄ）光重合開始剤と、
    　を含む感光性樹脂組成物。
  2. 　前記（Ａ）成分が、下記式（１）で表される構造単位を有するポリイミド前駆体である、請求項１に記載の感光性樹脂組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     （式（１）中、Ｘ１は４価の芳香族基である。Ｙ１は２価の芳香族基である。Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、下記式（２）で表される基又は炭素数１～４の脂肪族炭化水素基であり、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方は下記式（２）で表される基である。－ＣＯＯＲ１基と－ＣＯＮＨ－基とは、互いにオルト位置にあり、－ＣＯＯＲ２基と－ＣＯ－基とは、互いにオルト位置にある。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
     （式（２）中、Ｒ３～Ｒ５は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～３の脂肪族炭化水素基である。ｍは１～１０の整数である。＊は結合手である。）
  3. 　前記（Ｂ）成分が、下記式（１１）～（１４）のいずれかで表される化合物を含む、請求項１又は２に記載の感光性樹脂組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
     （式（１１）～（１４）中、Ｒ１１～Ｒ１４は、それぞれ独立に、炭素数１～４の脂肪族炭化水素基又は下記式（１５）で表される基である。ａは１～１０の整数であり、少なくとも１つのＲ１１は下記式（１５）で表される基である。ｂは１～１２の整数であり、少なくとも１つのＲ１２は下記式（１５）で表される基である。ｃは１～１６の整数であり、少なくとも１つのＲ１３は下記式（１５）で表される基である。ｄは１～１６の整数であり、少なくとも１つのＲ１４は下記式（１５）で表される基である。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
     （式（１５）中、Ｒ１５～Ｒ１７は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～３の脂肪族炭化水素基である。ｌは０～１０の整数である。＊は結合手である。）
  4. 　前記（Ｃ）成分が、示差走査熱量測定による測定において、１００℃から２００℃の間に塩基発生温度を有する化合物を含む、請求項１～３のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
  5. 　前記（Ｃ）成分が、アニオンとカチオンを含むイオン型構造を有する化合物を含む、請求項１～４のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
  6. 　前記（Ｃ）成分が、下記式（２１）又は（２２）で表される化合物を含む、請求項５に記載の感光性樹脂組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
     （式（２１）及び（２２）中、Ｒ２１～Ｒ２９は、それぞれ独立に、水素原子、１価の有機基又は２価の有機基である。Ｒ２１とＲ２２、Ｒ２３とＲ２４、Ｒ２５とＲ２９、及びＲ２６とＲ２７は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｘｎ－は、下記式（２３）～（２６）のいずれかで表される化合物からｎ個の水素原子を除いたアニオンである。ｎは１～４の整数である。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
     （式（２３）～（２６）中、Ｒ３１～Ｒ３３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の脂肪族炭化水素基又は炭素数６～１０の芳香族炭化水素基である。Ｒ３４は、炭素数１～１０の脂肪族炭化水素基又は炭素数６～１０の芳香族基である。Ｒ３５は、水酸基又はメルカプト基である。ｅ～ｈは、それぞれ独立に、１～４の整数である。）
  7. 　前記（Ｃ）成分が、前記アニオンとしてフェノール由来構造又はオルトフタル酸由来構造を含み、前記カチオンとして１，５－ジアザビシクロ［４．３．０］ノン－５－エン由来構造又は１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ－７－エン由来構造を含む、請求項５又は６に記載の感光性樹脂組成物。
  8. 　請求項１～７のいずれかに記載の感光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成する工程と、
    　前記感光性樹脂膜をパターン露光して、樹脂膜を得る工程と、
    　前記パターン露光後の樹脂膜を、有機溶剤を用いて現像し、パターン樹脂膜を得る工程と、
    　前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程と、
    　を含むパターン硬化膜の製造方法。
  9. 　前記加熱処理の温度が２００℃以下である請求項８に記載のパターン硬化膜の製造方法。
  10. 　請求項１～７のいずれかに記載の感光性樹脂組成物を硬化した硬化膜。
  11. 　パターン硬化膜である請求項１０に記載の硬化膜。
  12. 　請求項１０又は１１に記載の硬化膜を用いて作製された層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜。
  13. 　請求項１２に記載の層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜を含む電子部品。
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