WO2019015072A1 - 一种阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K59/50—OLEDs integrated with light modulating elements, e.g. with electrochromic elements, photochromic elements or liquid crystal elements
Definitions
- the present invention relates to the field of display technologies, and in particular, to an array substrate, a display panel, and a display device.
- the Diode Organic Light Emitting Diode
- the Diode Organic Light Emitting Diode
- transparent display as a new display technology allows viewers to see the background behind the screen through the display screen.
- This novel display effect broadens the application area of the display and can be applied to display devices such as mobile phones, computers, and display windows.
- the inventors of the present application have found in a long-term study that current OLED display panels can only achieve non-transparent display or transparent display.
- the OLED display panel is required to implement different display states. For example, when viewing as a television, the user desires that the OLED display panel is non-transparent; when used as a window, the user desires that the OLED display panel is transparent.
- the present invention provides an array substrate, a display panel, and a display device to solve the technical problem that only one of the non-transparent display or the transparent display can be realized in the OLED display panel in the prior art.
- an array substrate including:
- the pixel region has at least two states under the action of an electric field, the at least two states including a transparent display and a non-transparent display.
- another technical solution adopted by the present invention is to provide a display panel including the above array substrate.
- another technical solution adopted by the present invention is to provide a display device including the above display panel.
- the present invention can display different states of the pixel area under the action of the electric field, including transparent display and non-transparent display, and can realize different states of the display panel in different scenes, and expand the use range of the display panel.
- FIG. 1 is a schematic structural view of an embodiment of an array substrate of the present invention
- FIG. 2 is a circuit diagram of a pixel region of an embodiment of an array substrate of the present invention.
- FIG. 3 is a schematic structural view of a pixel region of an embodiment of an array substrate of the present invention.
- FIG. 4 is a schematic structural view of a pixel region of an embodiment of an array substrate of the present invention.
- FIG. 5 is a schematic structural view of an embodiment of a display panel of the present invention.
- Fig. 6 is a schematic structural view of an embodiment of a display device of the present invention.
- an embodiment of an array substrate of the present invention includes:
- a plurality of scanning lines Gn are described by taking G1-G3 as an example in this embodiment;
- VDn a plurality of first data lines VDn, in the embodiment, VD1-VD4 is taken as an example, and a plurality of scanning lines Gn are arranged to cross each other, thereby defining a plurality of pixel regions 10;
- the pixel region 10 has at least two states under the action of an electric field, and at least two states include a transparent display and a non-transparent display.
- the pixel region 10 includes a first sub-pixel region 101 and a second sub-pixel region 102.
- the first sub-pixel region 101 includes a light emitting element D, a first thin film transistor T1, a second thin film transistor T2, and a storage capacitor Cst, and the light emitting element D Light for emitting a color corresponding to the display content; the first end of the first thin film transistor T1 is connected to the scan line Gn, the second end of the first thin film transistor T1 is connected to the data line VDn, and the third end of the first thin film transistor T1
- the second end of the light-emitting element D is connected to the low-voltage power source VSS; the first end of the second thin film transistor T2 is connected to the third end of the first thin film transistor T1, and the second film is connected to the first end of the light-emitting element D.
- the second end of the transistor T2 is connected to the first end of the light-emitting element D, and the third end of the second thin film transistor T2 is connected
- the storage capacitor Cst is equivalently constituted by the third end of the first thin film transistor T1 and the first end of the light emitting element D.
- the first end of the second thin film transistor T2 is connected between the third end of the first thin film transistor T1 and the first end of the storage capacitor Cst; the second end of the second thin film transistor T2 is connected to the storage capacitor Cst.
- the two ends are between the second end of the light-emitting element D.
- the light emitting element D may be a red light emitting diode, a green light emitting diode, and a blue light emitting diode; the light emitting element D may also be a red light emitting diode, a green light emitting diode, a blue light emitting diode, and a white light emitting diode.
- the array substrate further includes a plurality of second data lines VCn, and the plurality of scan lines Gn are disposed to cross each other;
- the second sub-pixel region 102 includes a color changing element A for converting light transmittance under the action of an electric field, and a light-emitting element D for transparent display or non-transparent display, and a third thin film transistor T3;
- the first end of the third thin film transistor T3 is connected to the second data line VCn, the third end of the third thin film transistor T3 is connected to one end of the color changing element A, and the other end of the color changing element A is connected.
- the array substrate includes a transparent substrate 40, a driving layer 30, and a display layer 20, wherein the driving layer 30 corresponds to a driving circuit of the pixel region 10, including a scanning line Gn, a first data line VDn, and a second data line.
- the driving layer 30 corresponds to a driving circuit of the pixel region 10, including a scanning line Gn, a first data line VDn, and a second data line.
- VCn high voltage power supply VDD, low voltage power supply VSS, first thin film transistor T1 of first sub-pixel region 101, second thin film transistor T2 and storage capacitor Cst, third thin film transistor T3 of second sub-pixel region 102; display layer 20 corresponding The light-emitting element D of the first sub-pixel region 101 and the color-changing element A of the second sub-pixel region.
- the display layer 20 includes a first display area 201 and a second display area 202, wherein the first display area 201 corresponds to the light-emitting element D.
- the red light-emitting area 2011 corresponds to a red light-emitting diode
- green corresponds to a green light emitting diode
- the blue light emitting region 2013 corresponds to a blue light emitting diode
- the second display region 202 corresponds to the color changing element A.
- the light-emitting element D is an OLED (Organic Light-Emitting) Diode, organic light emitting diode).
- the scan line Gn outputs a high level or a low level to the first end of the first thin film transistor T1, that is, the gate of the first thin film transistor T1, and when the scan line Gn outputs a high level, the first thin film transistor T1 leads.
- the data transmitted by the first data line VDn is supplied to the first terminal of the second thin film transistor T2, that is, the gate of the second thin film transistor T2, and is stored in the storage capacitor Cst.
- the data stored in the storage capacitor Cst can maintain the high level of the first end of the second thin film transistor T2 for a period of time, thereby The light-emitting element D is kept lit until the n+1th frame data appears in the display panel.
- the color changing element A may be an oxidation state colored electrochromic device, or may be a reduced state colored electrochromic device, wherein when the oxidation state colored electrochromic device is applied with a voltage, it is transparent; when the oxidation state is colored The electrochromic device is opaque when no voltage is applied; when the reduced state colored electrochromic device is applied with a voltage, it is opaque; when the reduced state colored electrochromic device is not applied with voltage, it is transparent.
- the oxidation state colored electrochromic device may be made of a material such as NiOx (nickel oxide) or IrO2 (cerium oxide).
- the reduced-state colored electrochromic device can be made of materials such as WO3 (tungsten trioxide), MoO3 (molybdenum trioxide), Nb2O5 (niobium pentoxide) or TiO2 (titanium dioxide).
- the color changing element A is a reduced state colored electrochromic device made of WO3, and the driving layer 30 receives the image data, driving the first display area 201 to display normally, when the display panel is required to be opaque, for example, as a television set.
- a DC high voltage power supply is applied to the second data line VCn; when the display panel is required to be in a transparent state, for example, as a window, a DC low voltage power supply is applied to the second data line VCn, thereby realizing that the display panel presents different states according to different scenarios.
- the embodiment of the present invention can display different states of the pixel area under the action of the electric field, including transparent display and non-transparent display, so that the display panel can be presented in different states in different scenes, and the use range of the display panel can be expanded.
- the display panel embodiment of the present invention includes a first substrate 501 and a second substrate 502 disposed in a column, wherein the first substrate 501 is an array substrate, and the array substrate is the array substrate disclosed in the above embodiments. Let me repeat.
- the embodiment of the present invention can display different states of the pixel area under the action of the electric field, including transparent display and non-transparent display, so that the display panel can be presented in different states in different scenes, and the use range of the display panel can be expanded.
- the display device 60 of the present invention includes a display panel 601, which is the display panel disclosed in the above embodiments, and details are not described herein.
- the embodiment of the present invention can display different states of the pixel area under the action of the electric field, including transparent display and non-transparent display, so that the display panel can be presented in different states in different scenes, and the use range of the display panel can be expanded.
Abstract
一种阵列基板、显示面板及显示装置，阵列基板包括多条彼此交叉设置的扫描线（Gn）和第一数据线（VDn），从而定义出多个像素区域（10）；像素区域在电场的作用下至少具有两种状态，包括透明显示和非透明显示。能够实现显示面板在不同场景呈现不同状态，扩大显示面板的使用范围。
Description
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
【背景技术】
随着平面显示装置的蓬勃发展，OLED（Organic Light-Emitting
Diode，有机发光二极管）显示面板与传统的液晶显示面板相比，由于具有响应快、色域广、超薄、自发光、能实现柔性化等特点，已逐渐成为新一代平板显示装置的主流。其中，透明显示作为一种全新的显示技术，可以让观察者透过显示屏幕看到屏幕后方的背景。这种新颖的显示效果拓宽了显示器的应用领域，可以应用于手机、电脑、展示橱窗等显示装置。
本申请的发明人在长期的研究中发现，目前的OLED显示面板只能实现非透明显示或透明显示。而在不同场景下，需要OLED显示面板实现不同的显示状态，例如作为电视观看时，用户希望OLED显示面板为非透明显示；作为橱窗使用时，用户希望OLED显示面板为透明显示。
【发明内容】
本发明提供一种阵列基板、显示面板及显示装置，以解决现有技术中OLED显示面板只能实现非透明显示或透明显示其中一种的技术问题。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种阵列基板，包括：
多条扫描线；
多条第一数据线，与所述多条扫描线彼此交叉设置，从而定义出多个像素区域；
所述像素区域在电场的作用下至少具有两种状态，所述至少两种状态包括透明显示和非透明显示。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种显示面板，包括上述的阵列基板。
为解决上述技术问题，本发明采用的又一个技术方案是：提供一种显示装置，包括上述的显示面板。
本发明通过设置像素区域在电场作用下呈现不同状态，包括透明显示和非透明显示，能够实现显示面板在不同场景呈现不同状态，扩大显示面板的使用范围。
【附图说明】
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：
图1是本发明阵列基板实施例的结构示意图；
图2是本发明阵列基板实施例的像素区域电路示意图；
图3是本发明阵列基板实施例的像素区域结构示意图；
图4是本发明阵列基板实施例的像素区域结构示意图；
图5是本发明显示面板实施例的结构示意图；
图6是本发明显示装置实施例的结构示意图。
【具体实施方式】
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，均属于本发明保护的范围。
参见图1和图2，本发明阵列基板实施例包括：
多条扫描线Gn，在本实施例中以G1-G3为例进行说明；
多条第一数据线VDn，在本实施例中以VD1-VD4为例进行说明，与多条扫描线Gn彼此交叉设置，从而定义出多个像素区域10；
像素区域10在电场的作用下至少具有两种状态，至少两种状态包括透明显示和非透明显示。
其中，像素区域10包括第一子像素区域101和第二子像素区域102，第一子像素区域101包括发光元件D、第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容Cst，发光元件D用于发出对应显示内容的颜色的光；第一薄膜晶体管T1的第一端与扫描线Gn连接，第一薄膜晶体管T1的第二端与数据线VDn连接，第一薄膜晶体管T1的第三端通过存储电容Cst与发光元件D的第一端连接，发光元件D的第二端连接低压电源VSS；第二薄膜晶体管T2的第一端与第一薄膜晶体管T1的第三端连接，第二薄膜晶体管T2的第二端与发光元件D的第一端连接，第二薄膜晶体管T2的第三端连接高压电源VDD；
其中，存储电容Cst由第一薄膜晶体管T1的第三端和发光元件D的第一端等效构成。具体的，第二薄膜晶体管T2的第一端连接在第一薄膜晶体管T1的第三端与存储电容Cst的第一端之间；第二薄膜晶体管T2的第二端连接在存储电容Cst的第二端与发光元件D的第二端之间。
发光元件D可以为红色发光二极管、绿色发光二极管和蓝色发光二极管；发光元件D也可以为红色发光二极管、绿色发光二极管、蓝色发光二极管和白色发光二极管。
阵列基板还包括多条第二数据线VCn，与多条扫描线Gn彼此交叉设置；
第二子像素区域102包括变色元件A和第三薄膜晶体管T3，变色元件A用于在电场的作用下变换透光率，与发光元件D配合实现透明显示或非透明显示；第三薄膜晶体管T3的第一端与扫描线Gn连接，第三薄膜晶体管T3的第二端与第二数据线VCn连接，第三薄膜晶体管T3的第三端与变色元件A的一端连接，变色元件A的另一端接低压电源VSS。
参见图2至图4，阵列基板包括透明基板40、驱动层30和显示层20，其中，驱动层30对应像素区域10的驱动电路，包括扫描线Gn、第一数据线VDn、第二数据线VCn、高压电源VDD、低压电源VSS、第一子像素区域101的第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容Cst、第二子像素区域102的第三薄膜晶体管T3；显示层20对应第一子像素区域101的发光元件D和第二子像素区域的变色元件A。
在本实施例中，显示层20包括第一显示区域201和第二显示区域202，其中，第一显示区域201对应发光元件D，在本实施例中，红色发光区域2011对应红色发光二极管，绿色发光区域2012对应绿色发光二极管，蓝色发光区域2013对应蓝色发光二极管；第二显示区域202对应变色元件A。
可选的，发光元件D为OLED（Organic Light-Emitting
Diode，有机发光二极管）。
具体的，扫描线Gn向第一薄膜晶体管T1的第一端，即第一薄膜晶体管T1的栅极输出高电平或低电平，当扫描线Gn输出高电平时，第一薄膜晶体管T1导通，第一数据线VDn传输的数据提供至第二薄膜晶体管T2的第一端，即第二薄膜晶体管T2的栅极，并存储在存储电容Cst中。在显示面板的图像数据从第n帧切换到第n+1帧的过程中，存储在存储电容Cst中的数据可以将第二薄膜晶体管T2的第一端的高电平保持一段时间，从而可以在显示面板中出现第n+1帧数据之前，使发光元件D保持发光。
可选的，变色元件A可以为氧化态着色电致变色器件，也可以为还原态着色电致变色器件，其中，当氧化态着色电致变色器件加上电压时，为透明；当氧化态着色电致变色器件不加电压时，为不透明；当还原态着色电致变色器件加上电压时，为不透明；当还原态着色电致变色器件不加电压时，为透明。
可选的，氧化态着色电致变色器件可以由NiOx（氧化镍）或IrO2（二氧化铱）等材料制成。还原态着色电致变色器件可以由WO3（三氧化钨）、MoO3（三氧化钼）、Nb2O5（五氧化二铌）或TiO2（二氧化钛）等材料制成。
在本实施例中，变色元件A为WO3制成的还原态着色电致变色器件，驱动层30接收图像数据，驱动第一显示区域201正常显示，当需要显示面板为不透明状态，例如作为电视机使用时，在第二数据线VCn加直流高压电源；当需要显示面板为透明状态，例如作为橱窗使用时，在第二数据线VCn加直流低压电源，从而实现显示面板根据不同场景呈现不同状态。
本发明实施例通过设置像素区域在电场作用下呈现不同状态，包括透明显示和非透明显示，能够实现显示面板在不同场景呈现不同状态，扩大显示面板的使用范围。
参见图5，本发明显示面板实施例包括对列设置的第一基板501和第二基板502，其中第一基板501为阵列基板，该阵列基板为上述实施例所揭示的阵列基板，在此不再赘述。
本发明实施例通过设置像素区域在电场作用下呈现不同状态，包括透明显示和非透明显示，能够实现显示面板在不同场景呈现不同状态，扩大显示面板的使用范围。
参见图6，本发明显示装置60实施例包括显示面板601，该显示面板601为上述实施例所揭示的显示面板，在此不再赘述。
本发明实施例通过设置像素区域在电场作用下呈现不同状态，包括透明显示和非透明显示，能够实现显示面板在不同场景呈现不同状态，扩大显示面板的使用范围。
以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (20)
- 一种显示面板，其中，包括阵列基板；所述阵列基板包括：多条扫描线；多条第一数据线，与所述多条扫描线彼此交叉设置，从而定义出多个像素区域；所述像素区域在电场的作用下至少具有两种显示状态，所述至少两种显示状态包括透明显示和非透明显示；其中，所述像素区域包括：第一子像素区域，所述第一子像素区域包括发光元件，所述发光元件用于发出对应显示内容的颜色的光；第二子像素区域，所述第二子像素区域包括变色元件，用于在电场的作用下变换透光率，与所述发光元件配合实现透明显示或非透明显示；所述变色元件为氧化态着色电致变色器件，当所述氧化态着色电致变色器件加上电压时，为透明；当所述氧化态着色电致变色器件不加电压时，为不透明。
- 根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一子像素区域还包括：第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的第一端与所述扫描线连接，所述第一薄膜晶体管的第二端与所述数据线连接，所述第一薄膜晶体管的第三端通过存储电容与所述发光元件的第一端连接，所述发光元件的第二端连接低压电源，所述存储电容由第一薄膜晶体管的第三端和发光元件的第一端等效构成；所述第二薄膜晶体管的第一端与所述第一薄膜晶体管的第三端连接，所述第二薄膜晶体管的第二端与所述发光元件的第一端连接，所述第二薄膜晶体管的第三端连接高压电源。
- 根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述阵列基板还包括多条第二数据线，与所述多条扫描线彼此交叉设置；所述第二子像素区域还包括：第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的第一端与所述扫描线连接，所述第三薄膜晶体管的第二端与所述第二数据线连接，所述第三薄膜晶体管的第三端与所述变色元件的一端连接，所述变色元件的另一端接低压电源。
- 根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述变色元件为还原态着色电致变色器件，当所述还原态着色电致变色器件加上电压时，为不透明；当所述还原态着色电致变色器件不加电压时，为透明。
- 根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述发光元件为红色发光二极管、绿色发光二极管和蓝色发光二极管；或所述发光元件为红色发光二极管、绿色发光二极管、蓝色发光二极管和白色发光二极管。
- 根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述发光元件为OLED。
- 一种阵列基板，其中，包括：多条扫描线；多条第一数据线，与所述多条扫描线彼此交叉设置，从而定义出多个像素区域；所述像素区域在电场的作用下至少具有两种显示状态，所述至少两种显示状态包括透明显示和非透明显示。
- 根据权利要求7所述的阵列基板，其中，所述像素区域包括：第一子像素区域，所述第一子像素区域包括发光元件，所述发光元件用于发出对应显示内容的颜色的光；第二子像素区域，所述第二子像素区域包括变色元件，用于在电场的作用下变换透光率，与所述发光元件配合实现透明显示或非透明显示。
- 根据权利要求8所述的阵列基板，其中，所述第一子像素区域还包括：第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的第一端与所述扫描线连接，所述第一薄膜晶体管的第二端与所述数据线连接，所述第一薄膜晶体管的第三端通过存储电容与所述发光元件的第一端连接，所述发光元件的第二端连接低压电源，所述存储电容由第一薄膜晶体管的第三端和发光元件的第一端等效构成；所述第二薄膜晶体管的第一端与所述第一薄膜晶体管的第三端连接，所述第二薄膜晶体管的第二端与所述发光元件的第一端连接，所述第二薄膜晶体管的第三端连接高压电源。
- 根据权利要求8所述的阵列基板，其中，所述阵列基板还包括多条第二数据线，与所述多条扫描线彼此交叉设置；所述第二子像素区域还包括：第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的第一端与所述扫描线连接，所述第三薄膜晶体管的第二端与所述第二数据线连接，所述第三薄膜晶体管的第三端与所述变色元件的一端连接，所述变色元件的另一端接低压电源。
- 根据权利要求8所述的阵列基板，其中，所述变色元件为氧化态着色电致变色器件，当所述氧化态着色电致变色器件加上电压时，为透明；当所述氧化态着色电致变色器件不加电压时，为不透明。
- 根据权利要求8所述的阵列基板，其中，所述变色元件为还原态着色电致变色器件，当所述还原态着色电致变色器件加上电压时，为不透明；当所述还原态着色电致变色器件不加电压时，为透明。
- 根据权利要求8所述的阵列基板，其中，所述发光元件为红色发光二极管、绿色发光二极管和蓝色发光二极管；或所述发光元件为红色发光二极管、绿色发光二极管、蓝色发光二极管和白色发光二极管。
- 根据权利要求8所述的阵列基板，其中，所述发光元件为OLED。
- 一种显示装置，其中，包括显示面板，所述显示面板包括阵列基板，所述阵列基板包括：多条扫描线；多条第一数据线，与所述多条扫描线彼此交叉设置，从而定义出多个像素区域；所述像素区域在电场的作用下至少具有两种显示状态，所述至少两种显示状态包括透明显示和非透明显示。
- 根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述像素区域包括：第一子像素区域，所述第一子像素区域包括发光元件，所述发光元件用于发出对应显示内容的颜色的光；第二子像素区域，所述第二子像素区域包括变色元件，用于在电场的作用下变换透光率，与所述发光元件配合实现透明显示或非透明显示。
- 根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述第一子像素区域还包括：第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的第一端与所述扫描线连接，所述第一薄膜晶体管的第二端与所述数据线连接，所述第一薄膜晶体管的第三端通过存储电容与所述发光元件的第一端连接，所述发光元件的第二端连接低压电源，所述存储电容由第一薄膜晶体管的第三端和发光元件的第一端等效构成；所述第二薄膜晶体管的第一端与所述第一薄膜晶体管的第三端连接，所述第二薄膜晶体管的第二端与所述发光元件的第一端连接，所述第二薄膜晶体管的第三端连接高压电源。
- 根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述阵列基板还包括多条第二数据线，与所述多条扫描线彼此交叉设置；所述第二子像素区域还包括：第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的第一端与所述扫描线连接，所述第三薄膜晶体管的第二端与所述第二数据线连接，所述第三薄膜晶体管的第三端与所述变色元件的一端连接，所述变色元件的另一端接低压电源。
- 根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述变色元件为氧化态着色电致变色器件，当所述氧化态着色电致变色器件加上电压时，为透明；当所述氧化态着色电致变色器件不加电压时，为不透明。
- 根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述变色元件为还原态着色电致变色器件，当所述还原态着色电致变色器件加上电压时，为不透明；当所述还原态着色电致变色器件不加电压时，为透明。
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