WO2019003952A1 - 分配器および合成器 - Google Patents

分配器および合成器 Download PDF

Info

Publication number
WO2019003952A1
WO2019003952A1 PCT/JP2018/022857 JP2018022857W WO2019003952A1 WO 2019003952 A1 WO2019003952 A1 WO 2019003952A1 JP 2018022857 W JP2018022857 W JP 2018022857W WO 2019003952 A1 WO2019003952 A1 WO 2019003952A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
phase adjustment
output
adjustment unit
input
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2018/022857
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
昂 川村
佐藤　正啓
隆徳 岡村
山田　太一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Semiconductor Solutions Corp
Original Assignee
Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Semiconductor Solutions Corp filed Critical Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority to CN201880041741.0A priority Critical patent/CN110809835B/zh
Priority to KR1020197035689A priority patent/KR20200016851A/ko
Priority to US16/626,301 priority patent/US11217871B2/en
Priority to DE112018003343.0T priority patent/DE112018003343B4/de
Publication of WO2019003952A1 publication Critical patent/WO2019003952A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
    • H01P3/08—Microstrips; Strip lines
    • H01P3/088—Stacked transmission lines
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/12—Coupling devices having more than two ports
    • H01P5/16—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port
    • H01P5/19—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port of the junction type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/04—Fixed joints
    • H01P1/047—Strip line joints
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/18—Phase-shifters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/18—Phase-shifters
    • H01P1/184—Strip line phase-shifters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
    • H01P3/08—Microstrips; Strip lines
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/12—Coupling devices having more than two ports
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0296—Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
    • H05K1/0298—Multilayer circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistors, capacitors or inductors

Definitions

  • the present technology relates to a distributor and a combiner, and more particularly to a distributor and a combiner that can realize miniaturization and low loss.
  • Patent Document 1 a proposal has been made to configure a basic Wilkinson multi-splitter by wiring using VIA on a laminated substrate. According to this proposal, since four divisions can be realized by three layers and six divisions by five layers, the wiring length can be made shorter than a distributor realized by connecting two distribution circuits on a substrate in a tournament system.
  • the present technology has been made in view of such a situation, and can achieve miniaturization and low loss.
  • the distributor according to one aspect of the present technology is formed on a substrate and is connected to an external transmission line on the input side, an input branch unit, a distribution line that divides n paths from the input branch unit, and an output of the distribution line An output branch portion connected to the side and dividing the n distributed paths into an internal transmission line and an external transmission line on the output side; a coupling terminal coupling the n distributed paths on the inner side; the output branch And a phase adjustment unit arranged in series with a resistor and adjusting a phase between the connection unit and the coupling terminal, and phase rotation from the input branch to the output branch of each of the n distributed paths
  • the quantity is ⁇ / 2 [rad]
  • the amount of phase rotation from the output branch to the coupling terminal is a real multiple of ⁇ [rad] or ⁇ [rad].
  • the phase adjustment unit is disposed between the output branch unit and the resistor.
  • the phase adjustment unit is disposed between the resistor and the coupling terminal.
  • the phase adjustment unit is composed of a first phase adjustment unit connected to the output branch unit, and a second phase adjustment unit connected to the coupling terminal, and the resistor is the first phase adjustment unit. And the second phase adjustment unit.
  • the characteristic impedance Z 1 of the distribution line is designed as ⁇ (n Z in Z out ), and the resistance value R of the resistor is Z out .
  • the characteristic impedance Z 2 of the phase adjustment unit is designed to be in the range of Z out / 2 ⁇ Z 2 ⁇ 2 * Z out .
  • the phase adjustment unit is realized by a phase adjustment line in which the length from the input branch to the output branch is an integral multiple of ⁇ / 2 or ⁇ / 2.
  • At least one of the distribution line and the phase adjustment unit includes one or more structures for connecting different planes, and the input branch unit and the coupling terminal are positioned on different planes.
  • the input branch portion and the coupling terminal are on the same vertical line, and the distribution line, the phase adjustment portion, and the isolation resistor are arranged n-fold symmetrically with the vertical line as an axis.
  • the combiner is formed on a substrate, connected to an external transmission line on the input side, and an input branch unit that divides the n paths into an internal side and a combined line, and the n paths
  • An output combining unit that combines the combined lines divided into each and is connected to an external transmission line on the output side, a coupling terminal that couples the n paths on the inner side, the input branch unit and the coupling
  • a phase adjustment unit is disposed between the terminal and the resistor in series connection to adjust the phase, and the phase rotation amount from the input branch unit to the output combining unit is n / 2 for each of the n pieces. rad], and the amount of phase rotation from the input branch to the coupling terminal is a real multiple of ⁇ [rad] or ⁇ [rad].
  • the phase adjustment unit is disposed between the input branch unit and the resistor.
  • the phase adjustment unit is disposed between the resistor and the coupling terminal.
  • the phase adjustment unit includes a first phase adjustment unit connected to the input branch unit, and a second phase adjustment unit connected to the coupling terminal, and the resistor is the first phase adjustment unit. And the second phase adjustment unit.
  • the characteristic impedance Z 1 of the combined line is designed as ⁇ (n Z in Z out ), and the resistance value R of the resistor is Z out .
  • the characteristic impedance Z 2 of the phase adjustment unit is designed to be in the range of Z out / 2 ⁇ Z 2 ⁇ 2 * Z out .
  • the phase adjustment unit is realized by a phase adjustment line whose length from the input branch unit to the output combining unit is an integral multiple of ⁇ / 2 or ⁇ / 2.
  • At least one of the combined line and the phase adjusting unit includes one or more structures for connecting different planes, and the output combining unit and the coupling terminal are positioned on different planes.
  • the output combining unit and the coupling terminal are on the same vertical line, and the combined line, the phase adjusting unit, and the resistance are arranged n-fold symmetrically with the vertical line as an axis.
  • an input branch portion formed on a substrate and connected to an external transmission line on the input side, a distribution line that divides a path from the input branch portion into n, and an output side of the distribution line
  • An output branch that divides the n-distributed paths into an external transmission line on the inner side and an output side; a coupling terminal that couples the n-distributed paths on the inner side; and the output branch
  • a phase adjustment unit arranged in series with a resistor and adjusting a phase is provided between the connection terminal and the connection terminal.
  • the amount of phase rotation from the input branch to the output branch of each of the n distributed paths is ⁇ / 2 [rad]
  • the amount of phase rotation from the output branch to the coupling terminal is , ⁇ [rad] or real multiple of ⁇ [rad].
  • an input branch unit formed on a substrate and connected to an external transmission line on the input side and divided into an inner side and a combined line every n paths, and each of the n paths
  • An output combining unit coupled to the external transmission line on the output side, a coupling terminal for coupling the n paths on the inner side, the input branch unit and the coupling terminal
  • a phase adjustment unit arranged in series with a resistor and adjusting the phase.
  • FIG. 6 is an equivalent circuit diagram showing a first configuration example of a distributor / combiner.
  • FIG. 7 is an equivalent circuit diagram showing a second configuration example of a distributor / combiner.
  • FIG. 7 is an equivalent circuit diagram showing a third configuration example of a distributor / combiner. It is a top view which shows the 1st structural example of a distributor / combiner. It is sectional drawing which shows the 1st structural example of a distributor / combiner.
  • FIG. 6 is an equivalent circuit diagram showing a configuration example of the distributor / combiner of FIG. 5; It is a figure showing a simulation result. It is a figure showing a simulation result.
  • FIG. 1 It is a figure which shows the example of the conventional 4 equal divider. It is a top view which shows the 2nd structural example of a distributor / combiner. It is sectional drawing which shows the 2nd structural example of a distributor / combiner. It is a top view which shows the 3rd structural example of a distributor / combiner. It is sectional drawing which shows the 3rd structural example of a distributor / combiner. It is a top view which shows the 4th structural example of a distributor / combiner. It is sectional drawing which shows the 4th structural example of a distributor / combiner. It is a block diagram which shows the structural example of a phase adjustment part.
  • FIG. 1 shows a configuration example of a transmission / reception unit of a signal processing device to which the present technology is applied.
  • FIG. 1 shows a configuration example of the transmission / reception unit 11 which is a front end module (FEM) of the signal processing apparatus.
  • the transmission / reception unit 11 includes amplifiers 21-1 and 21-2, filters 22-1 and 22-2, a switch 23, a distributor / combiner 24, phase shifters 25-1 to 25-4, and antennas 26-1 to 26-4. It consists of 26-4.
  • the amplifier 21-1 amplifies the signal from the signal processing unit and outputs the amplified signal to the filter 22-1.
  • the amplifier 21-2 amplifies the signal from the filter 22-2 and outputs the amplified signal to a signal processing unit (not shown).
  • the filter 22-1 applies a filter process to the signal from the amplifier 21-1 and outputs the signal subjected to the filter process to the switch 23.
  • the filter 22-2 performs filter processing on the signal from the divider / combiner 24 input via the switch 23, and outputs the filtered signal to the amplifier 21-2.
  • the switch 23 When transmitting a signal, the switch 23 selects the terminal on the filter 22-1 side, and outputs the signal from the terminal on the filter 22-1 side to the distributor / combiner 24. Further, when receiving a signal, the switch 23 selects the terminal on the filter 22-2 side, and outputs the signal from the divider / combiner 24 to the terminal on the filter 22-2 side.
  • the divider / combiner 24 combines the signals from the phase shifters 25-1 to 25-4 and outputs the combined signal to the switch 23. Also, the distributor / combiner 24 distributes the signal from the switch 23 and outputs it to the phase shifters 25-1 to 25-4.
  • the phase shifters 25-1 to 25-4 perform phase shift to match the phases of the signals from the antennas 26-1 to 26-4, and output the phase-shifted signals to the distributor / combiner 24.
  • the phase shifters 25-1 to 25-4 respectively perform phase shift to shift the phase of the signal from the divider / combiner 24 little by little and output the phase-shifted signal to the antennas 26-1 to 26-4. Do.
  • the antennas 26-1 to 26-4 are nondirectional antennas, and constitute a four-element antenna array.
  • the antennas 26-1 to 26-4 each receive, for example, a signal from a base station of a radio wave, and output the received signal to the phase shifters 25-1 to 25-4. Also, the antennas 26-1 to 26-4 transmit the signals from the phase shifters 25-1 to 25-4 to the base station of the radio wave, respectively.
  • FIG. 1 shows an example of four elements, other elements such as eight elements may be used. Also, in the example of FIG. 1, the filters 22-1 and 22-2 are disposed between the amplifiers 21-1 and 21-2 and the switch 23, but the divider / combiner 24 and the phase shifter 25- It may be arranged between 1 and 25-4.
  • the amplifiers 21-1 and 21-2 will be collectively referred to as the amplifier 21 and the filters 22-1 and 22-2 will be collectively referred to as the filter 22 unless it is particularly necessary to distinguish.
  • the phase shifters 25-1 to 25-4 are collectively referred to as a phase shifter 25 and the antennas 26-1 to 26-4 are collectively referred to as an antenna 26.
  • FIG. 2 is an equivalent circuit diagram showing a first configuration example of the distributor / combiner 24. As shown in FIG.
  • the distributor / combiner 24 is formed on a substrate.
  • the distributor / combiner 24 includes an input / output terminal 51, an input branch 52, distribution lines 53-1 to 53-4, an output branch 54, phase adjusters 55-1 to 55-4, an isolation resistor 56-1 to 56-4, a coupling terminal 57, and input / output terminals 58-1 to 58-4.
  • distribution lines 53-1 to 53-4 will be collectively referred to as a distribution line 53 and the phase adjustment units 55-1 to 55-8 will be collectively referred to as a phase adjustment unit 55, as appropriate, unless it is particularly necessary to distinguish.
  • the input / output terminals 58-1 to 58-8 are collectively referred to as input / output terminals 58.
  • the input / output terminal 51 inputs a signal from an external transmission line on the input side connected to the switch 23 to the input branch unit 52.
  • the characteristic impedance at the input / output terminal 51 is referred to as an input impedance Z in .
  • the input branch unit 52 connects the external transmission line on the input side and the distribution lines 53-1 to 53-4.
  • Distribution lines 53-1 to 53-4 distribute the path from the input branch 52 into four.
  • “Z 1 , ⁇ / 2” shown in the blocks of the distribution lines 53-1 to 53-4 in FIG. 2 are the characteristic impedance Z 1 of the distribution lines 53-1 to 53-4 and the phase rotation amount ⁇ , respectively. It is / 2 [rad].
  • the amount of phase rotation of the distribution lines 53-1 to 53-4 represents the amount of phase rotation on the path from the input branch 52 to the output branch 54.
  • the output branch unit 54 is connected to the output side of the distribution lines 53-1 to 53-4, and divides the four divided paths into an inner side path and an external transmission line on the output side.
  • the path on the inner side represents a path connected to the phase adjustment units 55-1 to 55-4, the isolation resistors 56-1 to 56-4, and the coupling terminal 57.
  • phase adjustment units 55-1 to 55-4 are disposed in front of isolation resistors 56-1 to 56-4, respectively, and are in series with isolation resistors 56-1 to 56-4. It is connected to the.
  • Z 2 , ⁇ shown in the blocks of the phase adjustment units 55-1 to 55-4 in FIG. 2 are the characteristic impedance Z 2 of the phase adjustment units 55-1 to 55-4 and the phase rotation amount ⁇ , respectively. [rad] (or a real multiple of ⁇ [rad]).
  • the amount of phase rotation of the phase adjusters 55-1 to 55-4 represents the amount of phase rotation on the path from the output branch 54 to the coupling terminal 57.
  • the isolation resistors 56-1 to 56-4 are resistors for obtaining isolation characteristics between terminals.
  • the type of isolation resistor may be any type such as a chip resistor or a thin film resistor.
  • One terminals of the isolation resistors 56-1 to 56-4 are connected to the phase adjustment units 55-1 to 55-4, respectively, and the other terminals are connected to the common coupling terminal 57.
  • the coupling terminal 57 couples the paths on the inner side connected to the isolation resistors 56-1 to 56-4.
  • the input / output terminals 58-1 to 58-4 output the signals from the output branch 54 to external transmission lines connected to the antennas 26-1 to 26-4, respectively.
  • the characteristic impedance at the input / output terminals 58-1 to 58-4 is taken as an output impedance Z out .
  • the amount of phase rotation of the phase adjustment units 55-1 to 55-4 is a real number multiple of ⁇ [rad] or ⁇ [rad], respectively.
  • the upper phase rotation amount is a real multiple of ⁇ [rad] or ⁇ [rad], respectively.
  • the distributor is a Wilkinson distributor.
  • phase adjustment unit 55-1 rotates the phase by a real number multiple of ⁇ [rad] or ⁇ [rad] in series with the isolation resistors 56-1 to 56-4 of the Wilkinson divider. Through 55-4 are added.
  • the characteristic impedance Z 1 of the distribution line 53 is designed to be ⁇ (n Z in Z out ).
  • the resistance value R of the isolation resistor 56 is designed to be Zout .
  • the characteristic impedance Z 2 of the phase adjuster 55-1 to 55-4 what may be a value, but each to affect the frequency band and the wiring area, depending on the input and output impedances and distribution numbers Adjustment is necessary.
  • the characteristic impedance Z 2 of the phase adjuster 55-1 to 55-4, Z out / 2 ⁇ Z 2 ⁇ 2 * Z out that is set to be in a value satisfying the condition, the relative bandwidth of about 10% ( Bandwidth of -20 dB) can be secured.
  • the fractional bandwidth is the frequency resource, which is the ratio of the bandwidth to the center frequency.
  • the signal flow is reversed, and the input side and the output side are opposite to the case of distribution. That is, the input / output terminal 51 is a terminal on the output side, and the input / output terminals 58-1 to 58-4 are terminals on the input side.
  • the output branch 54 is an input branch
  • the distribution line 53 is a combined line
  • the input branch 52 is an output combiner
  • the output branch unit (input branch unit) 54 is connected to the external transmission line on the input side via the input / output terminal 58 Ru.
  • the output branch part (input branch part) 54 divides the path on the inner side and the distribution line (synthetic line) 53 every n paths.
  • An input branch unit (output combining unit) 52 is connected to the output side of a distribution line (combined line) 53 divided into n paths, and connected to an external transmission line on the output side via an input / output terminal 51 Be done.
  • the coupling terminal 57 couples n paths.
  • the phase adjustment unit 55 is disposed between the output branch unit (input branch unit) 54 and the coupling terminal 57 so as to be connected in series with the isolation resistor 56, and adjusts the phase.
  • phase rotation amount on the route from the output branch (input branch) 54 to the input branch (output combining unit) 52 is ⁇ / 2 [rad] for each of the n paths.
  • amount of phase rotation on the path from the output branch (input branch) 54 to the coupling terminal 57 is a real multiple of ⁇ [rad] or ⁇ [rad].
  • FIG. 2 the example in which the phase adjustment unit 55 is disposed in the front stage of the isolation resistor 56 has been described, with the input / output terminal 51 side as the front and the coupling terminal 57 side as the rear.
  • the phase adjustment unit 55 may be disposed not on the front stage of the isolation resistor 56 but on the rear stage of the isolation resistor 56.
  • FIG. 3 is an equivalent circuit diagram showing a second configuration example of the distributor / combiner 24. As shown in FIG.
  • the equivalent circuit diagram of FIG. 3 is the same as the equivalent circuit diagram of FIG. 2 except that the position of the phase adjustment unit 55 and the position of the isolation resistor 56 are different.
  • the other configuration of the equivalent circuit diagram of FIG. 3 is the same as the configuration of the equivalent circuit of FIG. 2, so only different portions will be described.
  • phase adjustment unit 55 connected in series to the isolation resistor 56 is disposed downstream of the isolation resistor 56.
  • the output branch unit 54 is connected to the output side of the distribution line 53, and divides the four divided paths into an inner side path and an external transmission line on the output side.
  • the path on the inner side represents a path connected to the isolation resistor 56, the phase adjustment unit 55, and the coupling terminal 57.
  • the isolation resistor 56 is disposed in the previous stage of the phase adjustment unit 55 and is connected in series to the phase adjustment unit 55.
  • phase adjustment unit 55 One terminal of the phase adjustment unit 55 is connected to the isolation resistor 56, and the other terminal is connected to the common coupling terminal 57.
  • Z 2 , ⁇ shown in the block of the phase adjustment unit 55 in FIG. 3 is the characteristic impedance Z 2 of the phase adjustment unit 55 and the phase rotation amount ⁇ [rad] (or a real multiple of ⁇ [rad]) is there.
  • the isolation resistor 56 is wide, in the arrangement of FIG. 3, the output branch 54 may be wide, which may adversely affect the characteristics of the divider / combiner 24.
  • the isolation resistor 56 may be disposed in the middle of the phase adjustment unit 55.
  • FIG. 4 is an equivalent circuit diagram showing a third configuration example of the distributor / combiner 24. As shown in FIG. 4
  • the equivalent circuit diagram of FIG. 4 is that the phase adjustment units 55-1 to 55-4 are configured by phase adjustment units 55a-1 to 55a-4 and phase adjustment units 55b-1 to 55b-4. It differs from the equivalent circuit diagram of Further, in the equivalent circuit diagram of FIG. 4, isolation resistors 56-1 to 56-4 are disposed between phase adjustment units 55a-1 to 55a-4 and phase adjustment units 55b-1 to 55b-4. The point is different from the equivalent circuit diagram of FIG.
  • the other configuration of the equivalent circuit diagram of FIG. 4 is the same as the configuration of the equivalent circuit of FIG. 2, so only different portions will be described.
  • phase adjustment units 55a-1 to 55a-4 are collectively referred to as a phase adjustment unit 55a
  • phase adjustment units 55b-1 to 55b-4 are collectively referred to as a phase adjustment unit 55b, unless it is particularly necessary to distinguish.
  • the output branch unit 54 is connected to the output side of the distribution line 53, and divides the four divided paths into an inner side path and an external transmission line on the output side.
  • the path on the inner side represents a path connected to the phase adjustment unit 55 a, the isolation resistor 56, the phase adjustment unit 55 b, and the coupling terminal 57.
  • phase adjustment unit 55 a In the path on the inner side, the phase adjustment unit 55 a is disposed in front of the isolation resistor 56.
  • the phase adjustment unit 55 b is disposed downstream of the isolation resistor 56.
  • phase adjustment unit 55a the isolation resistor 56, and the phase adjustment unit 55b are connected in series.
  • Z 2 , ⁇ 1 shown in the block of the phase adjustment unit 55 a of FIG. 4 is the characteristic impedance Z 2 of the phase adjustment unit 55 a and the phase rotation amount ⁇ 1 [rad].
  • Z 2 , ⁇ 2 shown in the block of the phase adjustment unit 55 b of FIG. 4 is the characteristic impedance Z 2 of the phase adjustment unit 55 b and the phase rotation amount ⁇ 2 [rad].
  • One terminal of the phase adjustment unit 55 b is connected to the isolation resistor 56, and the other terminal is connected to the common coupling terminal 57.
  • the position of the isolation resistor 56 may be between the phase adjustment units 55a and 55b, so either of the phase rotation amounts ⁇ 1 and ⁇ 2 may be larger.
  • FIG. 4 shows an equivalent circuit
  • the isolation resistor 56 is described as a lumped constant terminal having no size.
  • the equivalent circuit of FIG. 4 is actually configured to be a real multiple of ⁇ [rad] or ⁇ [rad], including the phase rotation amount of the size of the resistance value R of the isolation resistor 56.
  • the configuration as shown in FIG. 4 can improve the characteristics of the distributor / combiner 24 resulting from the wide width of the output branch 54.
  • various configurations can be selected as the configuration of the distributor / combiner 24 according to the size of the isolation resistor 56 or the arrangement method of the phase adjustment unit 55.
  • FIG. 5 is a plan view schematically showing a structural example of the distributor / combiner 24.
  • FIG. 6 is a plan view schematically showing an example of the layer structure of the distributor / combiner 24.
  • FIG. 5 and 6 the same components as those described above are denoted by the same reference numerals. The same applies to FIG. 11 or later described later.
  • FIG. 5 and FIG. 6 show a four equal distribution having a multi-layer substrate structure in which the distributor / combiner 24 is composed of three wiring layers constituting the first to third layers and one GND layer 81 in order from the bottom. / Shows an example configured as a synthesizer.
  • the GND layer 81 is provided between the first layer and the second layer.
  • phase adjusting units 55-1 to 55-4 are configured as phase adjusting lines 61-1 to 61-4.
  • the external transmission line connected to the input / output terminal 51 is configured as the input transmission line 62
  • the external transmission line connected to the input / output terminals 58-1 to 58-4 is the output transmission line 63-1 to 63. It is configured as -4.
  • Each wiring is realized, for example, by a copper pattern on a FR 4 (Flame Retardant Type 4) substrate.
  • VIA is used for wiring connection between layers.
  • phase adjustment lines 61-1 to 61-4 are collectively referred to as the phase adjustment line 61
  • output transmission lines 63-1 to 63-4 are collectively referred to as the output transmission line 63, unless it is particularly necessary to distinguish.
  • the input branch 52 and the coupling terminal 57 are disposed at the same position in different layers.
  • the phase adjustment line 61 is from the input branch 52 to the output branch 54 so that the length from the input branch 52 to the output branch 54 is ⁇ / 2 or an integral multiple thereof, where ⁇ is the wavelength of the signal.
  • ⁇ is the wavelength of the signal.
  • phase rotation amount in the path indicated by arrow # 11 from output branch 54 to coupling terminal 57 including phase adjustment line 61 and isolation resistor 56 is ⁇ [rad]. Or, it is formed so as to be a real multiple of ⁇ [rad].
  • a path of a part of the input transmission line 62 is disposed in the first layer which is the lowermost layer.
  • An input transmission line 62 is configured by the partial path disposed in the first layer and the VIA 71.
  • the input transmission line 62 is connected to the distribution line 53 of the second layer at the input branching unit 52 via the VIA 71.
  • a partial path of the distribution line 53 is disposed in the second layer.
  • the distribution line 53 is configured by the partial path disposed in the second layer and the VIA 72.
  • the distribution line 53 is connected to the third phase adjustment line 61 and the output transmission line 63 at the output branch 54 via the VIA 72.
  • An output transmission line 63, a phase adjustment line 61, a coupling terminal 57, and an isolation resistor 56 are disposed in the third layer which is the uppermost layer.
  • At least one of the distribution line 53 and the phase adjustment line 61 includes one or more structures (such as VIA) for connecting different planes (layers). Further, the input branch portion 52 and the coupling terminal 57 are located on different planes (layers).
  • the input branch 52 and the coupling terminal 57 are on the same vertical line. Further, as shown in FIG. 5 with the vertical line as an axis, the distribution lines 53-1 to 53-4, the phase adjustment lines 61-1 to 61-4, and the isolation resistors 56-1 to 56-4 are It is arranged in four-fold symmetry.
  • the n-fold symmetry represents an arrangement in which the same shape is obtained even when rotated 360 / n °.
  • FIG. 7 is an equivalent circuit diagram of the divider / combiner 24 having the configuration of FIG. 5 and FIG.
  • the input / output impedance is 50 ⁇
  • the characteristic impedance of the phase adjustment unit 55 as the distribution line 53 and the phase adjustment line 61 is 100 ⁇ .
  • the resistance value of the isolation resistor 56 is 50 ⁇ .
  • a high frequency chip resistor of 0603 size (0.6 mm in length) or the like can be used as the isolation resistor 56.
  • a thin film resistor by vapor deposition or an ink resistor may be used as the isolation resistor 56.
  • ⁇ Simulation result> 8 and 9 are diagrams showing simulation results in the case of the equivalent circuit of FIG.
  • Port1, Port2, and Port3 correspond to the input / output terminal 51, the input / output terminal 58-1, and the input / output terminal 58-2, respectively.
  • the horizontal axis of FIG. 8 indicates the frequency, and the vertical axis indicates the pass characteristic of the signal of each frequency.
  • the pass characteristic in the frequency of the path passing from the input / output terminal 51 which is Port 1 to the input / output terminal 58-1 which is Port 2 is shown by a broken line.
  • the pass characteristic at the frequency of the path passing through the input / output terminal 51 is indicated by a solid line.
  • the former pass characteristic indicated by a broken line overlaps the later pass characteristic indicated by a solid line.
  • the pass characteristics are substantially flat, and it is understood that the pass characteristics at the time of distribution and at the time of combination are good in a wide band.
  • the horizontal axis of FIG. 9 indicates the frequency, and the vertical axis indicates the characteristic of the signal of each frequency.
  • the isolation characteristic between Port 2 and Port 3 is indicated by a solid line.
  • the reflection characteristic of Port 1 is indicated by a broken line, and the reflection characteristic of Port 2 is indicated by a one-dot chain line.
  • the distributor / combiner 24 has the necessary and sufficient characteristics as a four-way divider. It also has the necessary and sufficient characteristics as a 4th class synthesizer.
  • the output from the input branch unit 52 is ⁇ / 4, it can be said that the size and the loss are small.
  • the path is further extended in the conventional 8-equal divider disposed on the substrate, and the length between the input and the output is 3 ⁇ / 4. In the same way as in the 4-distribution case, ⁇ / 4 is sufficient.
  • FIG. 11 is a plan view schematically showing a structural example of the distributor / combiner 24.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view schematically showing an example of the layer structure of the distributor / combiner 24. As shown in FIG.
  • the 11 and 12 each have a multi-layer substrate structure including the distributor / combiner 24 in the order from the bottom, the three wiring layers constituting the first to third layers, the two GND layers 81, and the GND layer 91.
  • An example configured as an 8-equal distribution / combiner is shown.
  • the GND layer 81 is provided between the first layer and the second layer.
  • the GND layer 91 is provided between the second layer and the third layer.
  • phase adjusting units 55-1 to 55-8 are configured as phase adjusting lines 61-1 to 61-8.
  • an external transmission line connected to the input / output terminal 51 is configured as an input transmission line 62.
  • the external transmission lines connected to the input / output terminals 58-1 to 58-8 are configured as output transmission lines 63-1 to 63-8.
  • Each wiring is realized, for example, by a copper pattern on the FR4 substrate.
  • VIA is used for the wiring connection between layers.
  • phase adjustment units 55-1 to 55-8 are collectively referred to as a phase adjustment unit 55, and the input / output terminals 58-1 to 58-8 are collectively referred to as an input / output terminal 58, unless it is particularly necessary to distinguish.
  • the phase adjustment lines 61-1 to 61-8 are collectively referred to as a phase adjustment line 61, and the output transmission lines 63-1 to 63-8 are collectively referred to as an output transmission line 63.
  • the input branch portion 52 and the coupling terminal 57 are arranged at the same position where layers are different.
  • the phase adjustment line 61 is from the input branch 52 to the output branch 54 so that the length from the input branch 52 to the output branch 54 is ⁇ / 2 or an integral multiple thereof, where ⁇ is the wavelength of the signal. Are connected in a substantially parabolic path.
  • a path of a part of the input transmission line 62 is disposed in the first layer which is the lowermost layer.
  • An input transmission line 62 is configured by the partial path disposed in the first layer and the VIA 71.
  • the input transmission line 62 is connected to the distribution line 53 of the second layer at the input branching unit 52 via the VIA 71.
  • a partial path of the distribution line 53 is disposed in the second layer.
  • the distribution line 53 is configured by the partial path disposed in the second layer and the VIA 72.
  • the distribution line 53 is connected to the third phase adjustment line 61 and the output transmission line 63 at the output branch 54 via the VIA 72.
  • An output transmission line 63, a phase adjustment line 61, a coupling terminal 57, and an isolation resistor 56 are disposed in the third layer which is the uppermost layer.
  • At least one of the distribution line 53 and the phase adjustment line 61 includes one or more structures (such as VIA) for connecting different planes (layers), and the input branch portion 52 and the coupling terminal 57 are different. It is located on a plane (layer).
  • structures such as VIA
  • the input branch 52 and the coupling terminal 57 are on the same vertical line. Further, as shown in FIG. 11, with the vertical line as an axis, the distribution lines 53-1 to 53-8, the phase adjustment lines 61-1 to 61-8, and the isolation resistors 56-1 to 56-8 are, It is arranged eight times symmetrically.
  • FIG. 13 is a plan view schematically showing a structural example of the distributor / combiner 24.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view schematically showing an example of the layer structure of the distributor / combiner 24. As shown in FIG.
  • FIGS. 13 and 14 show a GND VIA (GROUND VIA) connected to the GND layer 81 near the VIA connecting the second layer and the third layer in the first structure of the divider / combiner 24 of FIGS. 5 and 6.
  • GND VIA GROUND VIA
  • FIGS. 13 and 14 show a GND VIA (GROUND VIA) connected to the GND layer 81 near the VIA connecting the second layer and the third layer in the first structure of the divider / combiner 24 of FIGS. 5 and 6.
  • GND VIA GROUND VIA
  • the two GND VIAs 101-1 are disposed at a position sandwiching the VIA 72-1 as a center.
  • the two GND VIAs 101-2 are arranged at the center of the VIA 72-2.
  • the two GND VIAs 101-3 are disposed at a position sandwiching the VIA 72-3.
  • the two GND VIAs 101-4 are disposed at a position sandwiching the VIA 72-4.
  • the impedance mismatch due to the VIA can be mitigated, so reflection at the VIA can be suppressed and the pass characteristic can be improved.
  • the GND VIA 101 is disposed near the VIA 72 connecting the second layer and the third layer. May be
  • FIG. 15 is a plan view schematically showing a structural example of the distributor / combiner 24.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view schematically showing an example of the layer structure of the distributor / combiner 24. As shown in FIG.
  • FIG. 15 and 16 show an example in which the layer structure of the distributor / combiner 24 of FIGS. 5 and 6 is changed.
  • the description is abbreviate
  • the input transmission lines 62-1 to 62-4 are replaced with the input transmission lines 121-1 to 121-4, and the output transmission lines 63-1 to 63-4 are output transmissions.
  • the distribution lines 53-1 to 53-4 are replaced with the distribution lines 123-1 to 123-4 instead of the lines 122-1 to 122-4.
  • the distributor / combiner 24 of FIGS. 15 and 16 is otherwise common to the distributor / combiner 24 of FIGS. 5 and 6.
  • the input transmission lines 121-1 to 121-4 are collectively referred to as the input transmission line 121
  • the output transmission lines 122-1 to 122-4 are collectively referred to as the output transmission line 122, unless it is particularly necessary to distinguish.
  • the distribution lines 123-1 to 123-4 are collectively referred to as distribution lines 123.
  • the distributor / combiner 24 shown in FIGS. 15 and 16 has a multi-layered substrate structure including the three wiring layers constituting the first to third layers, the two GND layers 81, and the GND layer 91 in order from the bottom 4
  • An example configured as an equal distribution / combiner is shown.
  • the GND layer 81 is provided between the first layer and the second layer.
  • the GND layer 91 is provided between the second layer and the third layer.
  • the input branch portion 52 and the coupling terminal 57 are arranged at the same position where layers are different.
  • the phase adjustment line 61 is from the input branch 52 to the output branch 54 so that the length from the input branch 52 to the output branch 54 is ⁇ / 2 or an integral multiple thereof, where ⁇ is the wavelength of the signal. Are connected in a substantially parabolic path.
  • phase adjustment line 61 is configured of a partial path and a path connecting the second layer and the third layer.
  • the phase adjustment line 61 is connected to the output transmission line 122 of the second layer at the output branching unit 54 via a path connecting the second layer and the third layer.
  • a part of the path of the input transmission line 121 and the output transmission line 122 are formed by strip lines.
  • the input transmission line 121 is configured by a part of paths and paths connecting the third layer and the second layer.
  • the input transmission line 121 is connected to the distribution line 123 of the third layer at the input branch unit 52 via a path connecting the third layer and the second layer.
  • a part of the distribution line 123 is formed of a microstrip line.
  • the distribution line 123 is configured by a part of paths and vias connecting the third layer and the second layer.
  • the distribution line 123 is connected to the output transmission line 122 of the second layer at the output branch 54 through the via.
  • both the input transmission line 121 and the output transmission line 122 are often 50 ⁇ .
  • the distribution line 123 needs to have a characteristic impedance higher than that of the input transmission line 121 and the output transmission line 122 so as to be 100 ⁇ by four distribution. If these transmission lines are mounted on the same plane, it may be a design with a line width that is difficult to realize.
  • the input transmission line 121 and the output transmission line 122 are designed with strip lines which are likely to have a relatively low impedance.
  • the distribution line 123 can be designed as a microstrip line which has the same line width and higher impedance than the strip line. From the above, it is possible to design with a sufficiently achievable line width.
  • phase adjusting unit 55 may be configured as the phase adjusting line 61.
  • FIG. 17 is a block diagram showing a configuration example of the phase adjustment unit 55. As shown in FIG. 17
  • the phase adjustment unit 55 of FIG. 17 is configured of a transmission line 151 of an arbitrary phase rotation amount ⁇ and a delay circuit configured of a lumped constant.
  • FIG. 17A shows an example in which the lumped constant is an HPF (High Pass Filter) 152 comprising capacitors 161-1 and 161-2 and a coil 162.
  • HPF High Pass Filter
  • FIG. 17B shows an example in which the lumped constant is an LPF (Low Pass Filter) 153 composed of the coils 171-1 and 171-2 and a capacitor 172.
  • LPF Low Pass Filter
  • the impedance characteristics Z 2 in the transmission line 151 whatever good, select the value of the lumped constant for any theta, it is possible consistent.
  • ⁇ [rad] or ⁇ [rad] can be adjusted to real multiples.
  • the phase adjustment unit 55 is not limited to the one described above, and any phase adjustment unit may be used as long as it adjusts the phase.
  • the phase adjustment unit connected in series with the resistor is provided. Therefore, even if the size of the VIA or the resistor is not sufficiently small with respect to the wavelength, the design can be performed without losing the isolation characteristics. It is.
  • the phase adjustment unit since the phase adjustment unit has a size, the degree of freedom in mounting the isolation resistor is increased, so that the substrate can be mounted with a reasonable structure.
  • the present technology is also applied to a distributor / combiner, a distributor, and a synthesizer, and a mobile phone, a smart phone, a tablet terminal, a personal computer, a mobile terminal, and the like including the same.
  • the present technology can also have the following configurations.
  • An input branch connected to an external transmission line on the input side;
  • a distribution line that divides the path from the input branch into n parts;
  • An output branch unit connected to the output side of the distribution line and dividing an n-distributed path into an internal transmission line and an output side external transmission line;
  • a coupling terminal for coupling the n distributed paths on the inner side;
  • a phase adjustment unit arranged in series with a resistor and adjusting a phase between the output branch unit and the coupling terminal;
  • the amount of phase rotation from the input branch to the output branch of each of the n distributed paths is ⁇ / 2 [rad]
  • the amount of phase rotation from the output branch to the coupling terminal is a real multiple of ⁇ [rad] or ⁇ [rad], including the magnitude of the resistance.
  • the phase adjustment unit includes a first phase adjustment unit connected to the output branch unit, and a second phase adjustment unit connected to the coupling terminal.
  • Characteristic impedance Z 2 of the phase adjustment unit Distributor according to (5) which is designed to be Z out / 2 ⁇ Z range of 2 ⁇ 2 * Z out.
  • the phase adjustment unit is realized by a phase adjustment line in which the length from the input branch unit to the output branch unit is an integral multiple of ⁇ / 2 or ⁇ / 2. Distributor described in.
  • At least one of the distribution line and the phase adjustment unit includes one or more structures connecting between different planes, The distributor according to any one of (1) to (7), wherein the input branch portion and the coupling terminal are configured to be located on different planes.
  • the input branch and the coupling terminal are on the same vertical line, The distributor according to (8), wherein the distribution line, the phase adjustment unit, and the isolation resistance are arranged n-fold symmetrically with the vertical line as an axis.
  • the amount of phase rotation from the input branch unit to the output combining unit is ⁇ / 2 [rad] for each of the n pieces,
  • the amount of phase rotation from the input branch to the coupling terminal is a real multiple of ⁇ [rad] or ⁇ [rad].
  • the characteristic impedance Z 1 of the combined line is ⁇ (n Z in Z out ), wherein the resistance value R of the resistor is, the synthesizer according to any one of the above is designed with Z out (10) to (13).
  • Characteristic impedance Z 2 of the phase adjustment unit Synthesizer according to the above (14) which is designed to be Z out / 2 ⁇ Z range of 2 ⁇ 2 * Z out.
  • the phase adjustment unit is realized by a phase adjustment line in which the length from the input branch unit to the output combining unit is an integral multiple of ⁇ / 2 or ⁇ / 2. Any of the above (10) to (15) Synthesizer described in.
  • At least one of the combined line and the phase adjustment unit includes one or more structures for connecting different planes, The combiner according to any one of (10) to (16), wherein the output combining unit and the coupling terminal are configured to be located on different planes. (18) The output combining unit and the coupling terminal are on the same vertical line, The combiner according to (17), wherein the combined line, the phase adjustment unit, and the resistance are arranged n-fold symmetrically with the vertical line as an axis.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)

Abstract

本技術は、小型化および低損失を実現することができるようにする分配器および合成器に関する。 基板に形成される分配／合成器において、分配線路は、入力側の外部伝送線路と接続される入力分岐部からの経路をｎ分配する。出力分岐部は、分配線路の出力側と接続され、ｎ分配された経路を、内部側と出力側の外部伝送線路とに分ける。内部側において、位相調整部は、出力分岐部と、ｎ分配された経路を結合する結合端子との間に、抵抗と直列接続で配置され、位相を調整する。その際、ｎ分配された経路それぞれの入力分岐部から出力分岐部までの位相回転量は、π/2[rad]であり、出力分岐部から結合端子までの位相回転量は、π[rad]またはπ[rad]の実数倍である。本開示は、例えば、信号処理装置のFEMに適用することができる。

Description

分配器および合成器
　本技術は、分配器および合成器に関し、特に、小型化および低損失を実現することができる分配器および合成器に関する。
　基板上で多分配のウィルキンソン分配器を構成するには、従来、２分配器をトーナメント状に接続する手法が取られていた。しかしながら、分配数が多いとトータルの伝送線路長が長くなり、サイズの大型化と損失の増加に繋がっていた。
　そこで、特許文献１においては、積層基板上にVIAを使った配線で基本的なウィルキンソン多分配器を構成する提案がなされた。この提案により、４分割を３層、６分割を５層で実現できるため、基板上に２分配回路をトーナメント方式に接続して実現する分配器よりも配線長を短くすることができた。
特開平１１－９７９５２号公報
　ところで、第５世代移動通信（5G）においては、20GHz以上の高い周波数帯が想定されている。このような高い周波数帯の場合、特許文献１に記載の技術では、分配数を増やすほど積層数が増え、アイソレーション抵抗間を接続する配線となるVIAの長さが長くなってしまう。その結果、5Gで想定される高い周波数で波長に対して無視できなくなり、必要なアイソレーション特性を満たせなくなってしまう恐れがある。
　本技術は、このような状況に鑑みてなされたものであり、小型化および低損失を実現することができるものである。
　本技術の一側面の分配器は、基板に形成され、入力側の外部伝送線路と接続される入力分岐部と、前記入力分岐部からの経路をｎ分配する分配線路と、前記分配線路の出力側と接続され、ｎ分配された経路を、内部側と出力側の外部伝送線路とに分ける出力分岐部と、前記内部側において、前記ｎ分配された経路を結合する結合端子と、前記出力分岐部と前記結合端子との間に、抵抗と直列接続で配置され、位相を調整する位相調整部とを備え、前記ｎ分配された経路それぞれの前記入力分岐部から前記出力分岐部までの位相回転量は、π/2[rad]であり、前記出力分岐部から前記結合端子までの位相回転量は、π[rad]またはπ[rad]の実数倍である。
　前記位相調整部は、前記出力分岐部と前記抵抗との間に配置される。
　前記位相調整部は、前記抵抗と前記結合端子との間に配置される。
　前記位相調整部は、前記出力分岐部と接続される第１の位相調整部と、前記結合端子と接続される第２の位相調整部とで構成され、前記抵抗は、前記第１の位相調整部と前記第２の位相調整部との間に配置される。
　入力インピーダンスZin、出力インピーダンスZout、分配数ｎのとき、前記分配線路の特性インピーダンスZ1が、√(n Zin Zout)、前記抵抗の抵抗値Rが、Zoutで設計されている。
　前記位相調整部の特性インピーダンスZ2が、Zout/2　≦　Z2　≦　2*Zoutの範囲になるように設計されている。
　前記位相調整部が、前記入力分岐部から前記出力分岐部までの長さがλ/2またはλ/2の整数倍となる位相調整線路によって実現されている。
　前記分配線路および前記位相調整部の少なくとも一方に、異なる平面間を接続する構造を１ヶ所以上含み、前記入力分岐部と前記結合端子とが異なる平面上に位置するように構成される。
　前記入力分岐部と前記結合端子が同一鉛直線上にあり、前記鉛直線を軸として、前記分配線路、前記位相調整部、前記アイソレーション抵抗がｎ回対称に配置されている。
　本技術の他の側面の合成器は、基板に形成され、入力側の外部伝送線路と接続され、ｎ本の経路毎に内部側と合成線路とに分ける入力分岐部と、前記ｎ本の経路毎に分けられた合成線路を合成し、出力側の外部伝送線路と接続される出力合成部と、前記内部側において、前記ｎ本の経路を結合する結合端子と、前記入力分岐部と前記結合端子との間に抵抗と直列接続で配置され、位相を調整する位相調整部とを備え、前記ｎ本のそれぞれについて、前記入力分岐部から出力合成部までの位相回転量は、π/2[rad]であり、前記入力分岐部から前記結合端子までの位相回転量は、π[rad]またはπ[rad]の実数倍である。
　前記位相調整部は、前記入力分岐部と前記抵抗との間に配置される。
　前記位相調整部は、前記抵抗と前記結合端子との間に配置される。
　前記位相調整部は、前記入力分岐部と接続される第１の位相調整部と、前記結合端子と接続される第２の位相調整部とで構成され、前記抵抗は、前記第１の位相調整部と前記第２の位相調整部との間に配置される。
　入力インピーダンスZin、出力インピーダンスZout、分配数ｎのとき、前記合成線路の特性インピーダンスZ1が、√(n Zin Zout)、前記抵抗の抵抗値Rが、Zoutで設計されている。
　前記位相調整部の特性インピーダンスZ2が、Zout/2　≦　Z2　≦　2*Zoutの範囲になるように設計されている。
　前記位相調整部が、前記入力分岐部から前記出力合成部までの長さがλ/2またはλ/2の整数倍となる位相調整線路によって実現されている。
　前記合成線路および前記位相調整部の少なくとも一方に、異なる平面間を接続する構造を１ヶ所以上含み、前記出力合成部と前記結合端子とが異なる平面上に位置するように構成される。
　前記出力合成部と前記結合端子が同一鉛直線上にあり、前記鉛直線を軸として、前記合成線路、前記位相調整部、前記抵抗がｎ回対称に配置されている。
　本技術の一側面においては、基板に形成され、入力側の外部伝送線路と接続される入力分岐部と、前記入力分岐部からの経路をｎ分配する分配線路と、前記分配線路の出力側と接続され、ｎ分配された経路を、内部側と出力側の外部伝送線路とに分ける出力分岐部と、前記内部側において、前記ｎ分配された経路を結合する結合端子と、前記出力分岐部と前記結合端子との間に、抵抗と直列接続で配置され、位相を調整する位相調整部とが備えられる。その際、前記ｎ分配された経路それぞれの前記入力分岐部から前記出力分岐部までの位相回転量が、π/2[rad]であり、前記出力分岐部から前記結合端子までの位相回転量が、π[rad]またはπ[rad]の実数倍である。
　本技術の他の側面においては、基板上に形成され、入力側の外部伝送線路と接続され、ｎ本の経路毎に内部側と合成線路とに分ける入力分岐部と、前記ｎ本の経路毎に分けられた合成線路を合成し、出力側の外部伝送線路と接続される出力合成部と、前記内部側において、前記ｎ本の経路を結合する結合端子と、前記入力分岐部と前記結合端子との間に抵抗と直列接続で配置され、位相を調整する位相調整部とが備えられる。その際、前記ｎ本のそれぞれについて、前記入力分岐部から出力合成部までの位相回転量が、π/2[rad]であり、前記入力分岐部から前記結合端子までの位相回転量が、π[rad]またはπ[rad]の実数倍である。
　本技術によれば、特に、小型化および低損失を実現することができる。
　なお、本明細書に記載された効果は、あくまで例示であり、本技術の効果は、本明細書に記載された効果に限定されるものではなく、付加的な効果があってもよい。
本技術を適用した信号処理装置の送受信部の構成例を示すブロック図である。 分配／合成器の第１の構成例を示す等価回路図である。 分配／合成器の第２の構成例を示す等価回路図である。 分配／合成器の第３の構成例を示す等価回路図である。 分配／合成器の第１の構造例を示す平面図である。 分配／合成器の第１の構造例を示す断面図である。 図５の分配／合成器の構成例を示す等価回路図である。 シミュレーション結果を表す図である。 シミュレーション結果を表す図である。 従来の４等分配器の例を示す図である。 分配／合成器の第２の構造例を示す平面図である。 分配／合成器の第２の構造例を示す断面図である。 分配／合成器の第３の構造例を示す平面図である。 分配／合成器の第３の構造例を示す断面図である。 分配／合成器の第４の構造例を示す平面図である。 分配／合成器の第４の構造例を示す断面図である。 位相調整部の構成例を示すブロック図である。
　以下、本開示を実施するための形態（以下実施の形態とする）について説明する。説明は以下の順序で行う。
　１．信号処理装置の一部の構成例
　２．分配／合成器の構成例
　３．分配／合成器の第１の構造例
　４．シミュレーション結果
　５．分配／合成器の第２の構造例
　６．分配／合成器の第３の構造例
　７．分配／合成器の第４の構造例
　８．位相調整部の構成例
　＜信号処理装置の一部の構成例＞
　図１は、本技術を適用した信号処理装置の送受信部の構成例を示している。
　図１には、信号処理装置のうち、Front End Module(FEM)である送受信部１１の構成例が示されている。送受信部１１は、アンプ２１－１および２１－２、フィルタ２２－１および２２－２、スイッチ２３、分配／合成器２４、位相シフト器２５－１乃至２５－４、並びに、アンテナ２６－１乃至２６－４から構成されている。
　アンプ２１－１は、信号処理部からの信号を増幅して、フィルタ２２－１に出力する。アンプ２１－２は、フィルタ２２－２からの信号を増幅して、図示せぬ信号処理部に出力する。
　フィルタ２２－１は、アンプ２１－１からの信号に対して、フィルタ処理を施し、フィルタ処理が施された信号をスイッチ２３に出力する。フィルタ２２－２は、スイッチ２３を介して入力される、分配／合成器２４からの信号に対してフィルタ処理を施し、フィルタ処理が施された信号をアンプ２１－２に出力する。
　スイッチ２３は、信号の送信時、フィルタ２２－１側の端子を選び、フィルタ２２－１側の端子からの信号を分配／合成器２４に出力する。また、スイッチ２３は、信号の受信時、フィルタ２２－２側の端子を選び、分配／合成器２４からの信号をフィルタ２２－２側の端子に出力する。
　分配／合成器２４は、位相シフト器２５－１乃至２５－４からの信号を合成して、スイッチ２３に出力する。また、分配／合成器２４は、スイッチ２３からの信号を分配して、位相シフト器２５－１乃至２５－４に出力する。
　位相シフト器２５－１乃至２５－４は、それぞれアンテナ２６－１乃至２６－４からの信号の位相を合わせる位相シフトを行い、位相シフトを行った信号を分配／合成器２４に出力する。位相シフト器２５－１乃至２５－４は、それぞれ、分配／合成器２４からの信号の位相を少しずつずらす位相シフトを行い、位相シフトを行った信号をアンテナ２６－１乃至２６－４に出力する。
　アンテナ２６－１乃至２６－４は、無指向性アンテナであり、４素子のアンテナアレーを構成している。アンテナ２６－１乃至２６－４は、それぞれ、例えば、無線電波の基地局からの信号を受信し、受信された信号を、位相シフト器２５－１乃至２５－４に出力する。また、アンテナ２６－１乃至２６－４は、それぞれ、位相シフト器２５－１乃至２５－４からの信号を、無線電波の基地局に送信する。
　なお、図１の例においては、４素子の例を示したが、８素子など、他の素子数であってもよい。また、図１の例においては、フィルタ２２－１および２２－２がアンプ２１－１および２１－２とスイッチ２３との間に配置されているが、分配／合成器２４と位相シフト器２５－１乃至２５－４の間に配置されるようにしてもよい。
　以下、特に区別する必要がない場合、アンプ２１－１および２１－２をアンプ２１と総称し、フィルタ２２－１および２２－２をフィルタ２２と総称する。また、位相シフト器２５－１乃至２５－４を位相シフト器２５と総称し、アンテナ２６－１乃至２６－４をアンテナ２６と総称する。
　＜分配／合成器の構成例＞
　図２は、分配／合成器２４の第１の構成例を示す等価回路図である。
　以下、信号の分配の例について説明する。なお、合成の場合、信号の流れは逆となり、入力側、出力側が、分配の場合と反対となる。
　分配／合成器２４は、基板に形成される。分配／合成器２４は、入出力端子５１、入力分岐部５２、分配線路５３－１乃至５３－４、出力分岐部５４、位相調整部５５－１乃至５５－４、アイソレーション抵抗５６－１乃至５６－４、結合端子５７、および入出力端子５８－１乃至５８－４を含むように構成されている。
　以下、適宜、特に区別する必要がない場合、分配線路５３－１乃至５３－４を分配線路５３と総称し、位相調整部５５－１乃至５５－８を位相調整部５５と総称する。入出力端子５８－１乃至５８－８を入出力端子５８と総称する。
　入出力端子５１は、スイッチ２３に接続される入力側の外部伝送線路からの信号を入力分岐部５２に入力する。入出力端子５１における特性インピーダンスを入力インピーダンスZinとする。
　入力分岐部５２は、入力側の外部伝送線路と分配線路５３－１乃至５３－４とを接続する。
　分配線路５３－１乃至５３－４は、入力分岐部５２からの経路を４分配する。図２の分配線路５３－１乃至５３－４のブロックに示されている「Z1，π／２」は、それぞれ、分配線路５３－１乃至５３－４の特性インピーダンスZ1と位相回転量π／２[rad]である。実際には、分配線路５３－１乃至５３－４の位相回転量は、入力分岐部５２から出力分岐部５４までの経路上の位相回転量を表す。
　出力分岐部５４は、分配線路５３－１乃至５３－４の出力側に接続され、４分配された経路を、内部側の経路と出力側の外部伝送線路とに分ける。内部側の経路とは、位相調整部５５－１乃至５５－４、アイソレーション抵抗５６－１乃至５６－４、および結合端子５７に接続される経路を表す。
　内部側の経路において、位相調整部５５－１乃至５５－４は、それぞれ、アイソレーション抵抗５６－１乃至５６－４の前段に配置されており、アイソレーション抵抗５６－１乃至５６－４と直列に接続されている。
　図２の位相調整部５５－１乃至５５－４のブロックに示されている「Z2，π」は、それぞれ、位相調整部５５－１乃至５５－４の特性インピーダンスZ2と位相回転量π[rad]（またはπ[rad]の実数倍）である。実際には、位相調整部５５－１乃至５５－４の位相回転量は、出力分岐部５４から結合端子５７までの経路上の位相回転量を表す。
　アイソレーション抵抗５６－１乃至５６－４は、端子間アイソレーション特性を得るための抵抗器である。なお、アイソレーション抵抗の種類は、チップ抵抗、薄膜抵抗などの、いずれの種類でもよい。
　アイソレーション抵抗５６－１乃至５６－４の一方の端子は、位相調整部５５－１乃至５５－４にそれぞれ接続され、他方の端子は、共通の結合端子５７に接続されている。
　結合端子５７は、アイソレーション抵抗５６－１乃至５６－４に接続された各内部側の経路を結合する。
　入出力端子５８－１乃至５８－４は、出力分岐部５４からの信号を、それぞれ、アンテナ２６－１乃至２６－４に接続される外部伝送線路に出力する。入出力端子５８－１乃至５８－４における特性インピーダンスを、出力インピーダンスZoutとする。
　なお、上記説明においては、位相調整部５５－１乃至５５－４の位相回転量がそれぞれπ[rad]またはπ[rad]の実数倍であるものとして説明したが、詳細には、１つの位相調整部と、１つのアイソレーション抵抗と、（上面から見た）結合端子５７のサイズの半分とを合計した部分、つまり、黒点で示される出力分岐部５４の分岐点から結合素子５７までの経路上の位相回転量が、それぞれ、π[rad]またはπ[rad]の実数倍である。
　また、入出力端子５１、入力分岐部５２、分配線路５３－１乃至５３－４、出力分岐部５４、アイソレーション抵抗５６－１乃至５６－４、結合端子５７、および入出力端子５８から構成される分配器は、ウィルキンソン分配器である。
　すなわち、分配／合成器２４は、ウィルキンソン分配器のアイソレーション抵抗５６－１乃至５６－４に直列に、位相をπ[rad]またはπ[rad]の実数倍だけ回転する位相調整部５５－１乃至５５－４を追加したものである。
　ここで、入力インピーダンスZin、出力インピーダンスZout、分配数ｎのとき、分配線路５３の特性インピーダンスZ1は、√（n Zin Zout）になるように設計される。また、アイソレーション抵抗５６の抵抗値Rは、Zoutになるように設計される。
　なお、位相調整部５５－１乃至５５－４の特性インピーダンスZ2は、それぞれどのような値であってもよいが、周波数帯域や配線面積に影響するため、入出力インピーダンスや分配数に応じて調整が必要である。位相調整部５５－１乃至５５－４の特性インピーダンスZ2を、Zout/2　≦　Z2　≦　2*Zoutの条件を満たす値になるように設定することで、比帯域幅10％程度（-20dB幅）の帯域幅を確保することができる。比帯域幅とは、周波数資源のことであり、帯域幅と中心周波数との比である。
　なお、上述したように、合成の場合は、信号の流れが逆となり、入力側、出力側が、分配の場合と反対となる。すなわち、入出力端子５１は、出力側の端子となり、入出力端子５８－１乃至５８－４は、入力側の端子となる。
　出力分岐部５４は入力分岐部となり、分配線路５３は合成線路となり、入力分岐部５２は出力合成部となる。
　すなわち、合成の場合の役割を括弧内に示して合成の場合の構成について説明すると、出力分岐部（入力分岐部）５４は、入出力端子５８を介して、入力側の外部伝送線路と接続される。出力分岐部（入力分岐部）５４は、ｎ本の経路毎に、内部側の経路と分配線路（合成線路）５３とに分ける。
　入力分岐部（出力合成部）５２は、ｎ本の経路毎に分けられた分配線路（合成線路）５３の出力側に接続され、入出力端子５１を介して、出力側の外部伝送線路と接続される。
　内部側の経路において、結合端子５７は、ｎ本の経路を結合する。位相調整部５５は、出力分岐部（入力分岐部）５４と結合端子５７との間に、アイソレーション抵抗５６と直列に接続されるように配置され、位相を調整する。
　その他の構成は、分配の場合と同様である。合成の場合も、ｎ本の経路のそれぞれについて、出力分岐部（入力分岐部）５４から入力分岐部（出力合成部）５２までの経路上の位相回転量は、π/2[rad]となる。また、出力分岐部（入力分岐部）５４から結合端子５７までの経路上の位相回転量は、π[rad]またはπ[rad]の実数倍である。
　なお、図２においては、入出力端子５１側を前、結合端子５７側を後として、位相調整部５５が、アイソレーション抵抗５６の前段にそれぞれ配置される例を説明した。しかしながら、図２の配置では、アイソレーション抵抗５６の幅が広い場合などに、４つのアイソレーション抵抗５６を共通の結合端子５７に接続しにくいことがあった。
　そこで、次の図３の例に示されるように、位相調整部５５を、アイソレーション抵抗５６の前段ではなく、アイソレーション抵抗５６の後段に配置するようにしてもよい。
　図３は、分配／合成器２４の第２の構成例を示す等価回路図である。
　図３の等価回路図は、位相調整部５５の位置と、アイソレーション抵抗５６の位置とが異なる点を除いて、図２の等価回路図と同じである。図３の等価回路図のその他の構成は、図２の等価回路の構成と同様であるので、異なる部分についてのみ説明する。
　図３の例において、アイソレーション抵抗５６と直列に接続される位相調整部５５は、図２の場合と異なり、アイソレーション抵抗５６の後段に配置されている。
　出力分岐部５４は、分配線路５３の出力側と接続され、４分配された経路を、内部側の経路と出力側の外部伝送線路とに分ける。内部側の経路とは、アイソレーション抵抗５６、位相調整部５５、および結合端子５７に接続される経路を表す。
　内部側の経路において、アイソレーション抵抗５６は、位相調整部５５の前段に配置されており、位相調整部５５と直列に接続されている。
　位相調整部５５の一方の端子は、アイソレーション抵抗５６に接続され、他方の端子は、共通の結合端子５７に接続されている。図３の位相調整部５５のブロックに示されている「Z2，π」は、位相調整部５５の特性インピーダンスZ2と位相回転量π[rad]（またはπ[rad]の実数倍）である。
　図３のような構成にすることで、４つのアイソレーション抵抗５６を共通の結合端子５７に接続する必要がなくなり、実装しやすくなる。しかしながら、アイソレーション抵抗５６の幅が広い場合、図３の配置では、出力分岐部５４の幅が広くなり、これが、分配／合成器２４の特性に悪影響を与えてしまう場合があり得る。
　そこで、次の図４の例に示されるように、アイソレーション抵抗５６を、位相調整部５５の途中に配置するようにしてもよい。
　図４は、分配／合成器２４の第３の構成例を示す等価回路図である。
　図４の等価回路図は、位相調整部５５－１乃至５５－４が、位相調整部５５ａ－１乃至５５ａ－４と位相調整部５５ｂ－１乃至５５ｂ－４で構成される点が、図２の等価回路図と異なる。また、図４の等価回路図は、アイソレーション抵抗５６－１乃至５６－４が、位相調整部５５ａ－１乃至５５ａ－４と位相調整部５５ｂ－１乃至５５ｂ－４の間に配置されている点が、図２の等価回路図と異なる。図４の等価回路図のその他の構成は、図２の等価回路の構成と同様であるので、異なる部分についてのみ説明する。
　以下、特に区別する必要がない場合、位相調整部５５ａ－１乃至５５ａ－４を、位相調整部５５ａと総称し、位相調整部５５ｂ－１乃至５５ｂ－４を、位相調整部５５ｂと総称する。
　出力分岐部５４は、分配線路５３の出力側に接続され、４分配された経路を、内部側の経路と出力側の外部伝送線路とに分ける。内部側の経路とは、位相調整部５５ａ、アイソレーション抵抗５６、位相調整部５５ｂ、および結合端子５７に接続される経路を表す。
　内部側の経路において、位相調整部５５ａは、アイソレーション抵抗５６の前段に配置されている。位相調整部５５ｂは、アイソレーション抵抗５６の後段に配置されている。
　位相調整部５５ａ、アイソレーション抵抗５６、および位相調整部５５ｂは、直列に接続されている。位相調整部５５ａおよび位相調整部５５ｂの特性インピーダンスは、それぞれ、特性インピーダンスZ2である。
　図４の位相調整部５５ａのブロックに示されている「Z2，θ1」は、位相調整部５５ａの特性インピーダンスZ2と位相回転量θ1[rad]である。
　図４の位相調整部５５ｂのブロックに示されている「Z2，θ2」は、位相調整部５５ｂの特性インピーダンスZ2と位相回転量θ2[rad]である。位相調整部５５ｂの一方の端子は、アイソレーション抵抗５６に接続され、他方の端子は、共通の結合端子５７に接続されている。アイソレーション抵抗５６の位置は、位相調整部５５ａおよび５５ｂの間であればよいため、位相回転量θ1、θ2のどちらが大きくてもよい。
　なお、図４は、等価回路を示すものであるため、アイソレーション抵抗５６は、大きさを持たない集中定数端子として記載されている。図４の等価回路は、実際には、アイソレーション抵抗５６の抵抗値Rのサイズの位相回転量も含めて、π[rad]またはπ[rad]の実数倍になるように構成される。
　図４のような構成にすることで、出力分岐部５４の幅が広いことにより生じる分配／合成器２４の特性を改善することができる。
　以上のように、分配／合成器２４の構成として、アイソレーション抵抗５６のサイズまたは位相調整部５５の配置方法に応じて各種の構成を選択可能である。
　＜分配／合成器の第１の構造例＞
　次に、図５および図６を参照して、分配／合成器２４の第１の構造について説明する。
　図５は、分配／合成器２４の構造例を模式的に示す平面図である。図６は、分配／合成器２４の層構造の例を模式的に示す面図である。図５および図６に示す構成のうち、上述した構成と同じ構成には同じ符号を付してある。後述する図１１以降においても同様である。
　図５および図６は、分配／合成器２４を、下から順に第１層乃至第３層を構成する３層の配線層と１層のGND層８１とからなる多層基板構造を有する４等分配／合成器として構成した例を示している。GND層８１は第１層と第２層の間に設けられる。
　図５および図６の例においては、位相調整部５５－１乃至５５－４が、位相調整線路６１－１乃至６１－４として構成されている。また、入出力端子５１に接続される外部伝送線路は、入力伝送線路６２として構成され、入出力端子５８－１乃至５８－４に接続される外部伝送線路は、出力伝送線路６３－１乃至６３－４として構成されている。
　各配線は、例えばFR4（Flame Retardant Type 4）基板上の銅によるパターンで実現される。層間の配線接続にはVIAが用いられる。
　以下、特に区別する必要がない場合、位相調整線路６１－１乃至６１－４を位相調整線路６１と総称し、出力伝送線路６３－１乃至６３－４を出力伝送線路６３と総称する。
　図５の例において、入力分岐部５２と結合端子５７とは、層が異なる同じ位置に配置されている。位相調整線路６１は、入力分岐部５２から出力分岐部５４までの長さが、信号の波長をλとして、λ/2またはその整数倍となるように、入力分岐部５２から出力分岐部５４までを略放物線状の経路で接続するように構成される。
　なお、分配／合成器２４においては、出力分岐部５４から、位相調整線路６１およびアイソレーション抵抗５６を含む結合端子５７までの、矢印＃１１に示される経路における位相回転量が、π[rad]またはπ[rad]の実数倍となるように形成されている。
　図６の断面構造において、最下層である第１層目には、入力伝送線路６２の一部の経路が配置されている。第１層目に配置されている一部の経路と、VIA７１により入力伝送線路６２が構成される。入力伝送線路６２は、VIA７１を介して、入力分岐部５２で第２層目の分配線路５３に接続されている。
　第２層目には、分配線路５３の一部の経路が配置されている。第２層目に配置されている一部の経路と、VIA７２により分配線路５３が構成される。分配線路５３は、VIA７２を介して、出力分岐部５４で第３層目の位相調整線路６１と出力伝送線路６３に接続されている。
　最上層である第３層目には、出力伝送線路６３、位相調整線路６１、結合端子５７、アイソレーション抵抗５６が配置されている。
　このように、分配線路５３と位相調整線路６１の少なくとも一方に、異なる平面（層）間を接続する構造(VIAなど)が1つ以上含まれている。また、入力分岐部５２と結合端子５７が異なる平面（層）上に位置している。
　図６に示されるように、入力分岐部５２と結合端子５７は同一鉛直線上にある。また、その鉛直線を軸として、図５に示されるように、分配線路５３－１乃至５３－４、位相調整線路６１－１乃至６１－４、アイソレーション抵抗５６－１乃至５６－４が、４回対称に配置されている。なお、ｎ回対称とは、360/n°回転しても同じ形になる配置を表す。
　図７は、図５および図６の構成を有するものとした場合の分配／合成器２４の等価回路図である。
　ここで、図７に示されるように、入出力インピーダンスを50Ωとし、分配線路５３、位相調整線路６１としての位相調整部５５の特性インピーダンスを100Ωとする。また、アイソレーション抵抗５６の抵抗値を50Ωとする。この場合、信号の波長をλとして、入力分岐部５２から出力分岐部５４までの経路の長さはλ/4となり、出力分岐部５４から結合端子５７までの経路の長さはλ/2となる。
　例えば、30GHz程度の高周波信号におけるλ/2は、FR4基板上で約2.5mmとなるので、アイソレーション抵抗５６として、0603サイズ（長さ0.6mm）の高周波チップ抵抗などが使用可能である。蒸着による薄膜抵抗やインク抵抗をアイソレーション抵抗５６として用いるようにしてもよい。
　＜シミュレーション結果＞
　図８および図９は、図７の等価回路の場合のシミュレーション結果を表す図である。
　図８および図９において、Port1，Port2，Port3は、それぞれ、入出力端子５１、入出力端子５８－１、入出力端子５８－２に対応する。
　図８の横軸は周波数を示し、縦軸は、各周波数の信号の通過特性を示す。図８の例においては、Port1である入出力端子５１からPort2である入出力端子５８－１までを通る経路の周波数における通過特性が破線で示され、Port2である入出力端子５８－１からPort1である入出力端子５１を通る経路の周波数における通過特性が実線で示されている。破線で示す前者の通過特性は、実線で示す後者の通過特性に重なっている。
　図８に示すように、24GHzから36GHzの帯域においては通過特性がほぼ平坦になっており、分配時、合成時のいずれの通過特性も広い帯域で良好であることがわかる。
　図９の横軸は周波数を示し、縦軸は、各周波数の信号の特性を示す。図９の例においては、Port2とPort3の間のアイソレーション特性が実線で示されている。また、Port1の反射特性が破線で示され、Port2の反射特性が一点鎖線で示されている。
　図９に示すように、30GHzを中心として約4GHzの帯域幅ですべての特性が－20dB以下となることがわかる。
　以上の、図８および図９のシミュレーション結果で示されるように、分配／合成器２４は、４等分配器として必要十分な特性を備えている。また、４等合成器としても必要十分な特性を備えている。
　さらに、基板上に配置される、図１０に示される従来の４等分配器では入出力間の長さがλ/2であるのに対して、本技術によれば、入力分岐部５２から出力分岐部５４までの入出力間の長さがλ/４となるため、小型かつ低損失であるといえる。
　分割数を増やし、例えば８分配とする場合、従来の基板上に配置される８等分配器においてはさらに経路が伸び、入出力間の長さが３λ/４となるが、本技術を用いることで、４分配の場合と同様にλ/４ですむ。
　＜分配／合成器の第２の構造例＞
　次に、図１１および図１２を参照して、分配／合成器２４の第２の構造について説明する。
　図１１は、分配／合成器２４の構造例を模式的に示す平面図である。図１２は、分配／合成器２４の層構造の例を模式的に示す断面図である。
　図１１および図１２は、分配／合成器２４を、下から順に第１層乃至第３層を構成する３層の配線層と２層のGND層８１およびGND層９１からなる多層基板構造を有する８等分配／合成器として構成した例を示している。GND層８１は第１層と第２層の間に設けられる。GND層９１は第２層と第３層の間に設けられる。
　図１１および図１２の例においては、位相調整部５５－１乃至５５－８が、位相調整線路６１－１乃至６１－８として構成されている。また、入出力端子５１に接続される外部伝送線路は、入力伝送線路６２として構成されている。入出力端子５８－１乃至５８－８に接続される外部伝送線路は、出力伝送線路６３－１乃至６３－８として構成されている。
　各配線は、例えば、FR4基板上の銅によるパターンで実現されている。また、層間の配線接続にはVIAが用いられている。
　以下、特に区別する必要がない場合、位相調整部５５－１乃至５５－８は、位相調整部５５と総称し、入出力端子５８－１乃至５８－８は、入出力端子５８と総称する。位相調整線路６１－１乃至６１－８は、位相調整線路６１と総称し、出力伝送線路６３－１乃至６３－８は、出力伝送線路６３と総称する。
　図１１において、入力分岐部５２と結合端子５７とは、層が異なる同じ位置に配置されている。位相調整線路６１は、入力分岐部５２から出力分岐部５４までの長さが、信号の波長をλとして、λ/2またはその整数倍となるように、入力分岐部５２から出力分岐部５４までを略放物線状の経路で接続するように構成される。
　図１２の断面構造において、最下層である第１層目には、入力伝送線路６２の一部の経路が配置されている。第１層目に配置されている一部の経路と、VIA７１により入力伝送線路６２が構成される。入力伝送線路６２は、VIA７１を介して、入力分岐部５２で第２層目の分配線路５３に接続されている。
　第２層目には、分配線路５３の一部の経路が配置されている。第２層目に配置されている一部の経路と、VIA７２により分配線路５３が構成される。分配線路５３は、VIA７２を介して、出力分岐部５４で第３層目の位相調整線路６１と出力伝送線路６３と接続されている。
　最上層である第３層目には、出力伝送線路６３、位相調整線路６１、結合端子５７、アイソレーション抵抗５６が配置されている。
　このように、分配線路５３と位相調整線路６１の少なくとも一方に、異なる平面（層）間を接続する構造(VIAなど)が1つ以上含まれており、入力分岐部５２と結合端子５７が異なる平面（層）上に位置している。
　図１２に示されるように、入力分岐部５２と結合端子５７とが同一鉛直線上にある。また、その鉛直線を軸として、図１１に示されるように、分配線路５３－１乃至５３－８、位相調整線路６１－１乃至６１－８、アイソレーション抵抗５６－１乃至５６－８が、８回対称に配置されている。
　図１１および図１２の場合、入出力インピーダンスが50Ωのとき、分配線路５３の特性インピーダンスは141.4Ω、アイソレーション抵抗の抵抗値は、50Ωで整合する。
　以上のように、GND層９１を第２層と第３層の配線間に設けた構造にすることで、第２層と第３層の配線間の容量結合を除去できる。これにより、配線のインピーダンスが安定し、より良好な特性の分配／合成器を実現できる。
　また、第２層と第３層の配線パターンが重なってもインピーダンス不整合がおきないため、４分割を超える分配数でも構成しやすくなる。
　＜分配／合成器の第３の構造例＞
　次に、図１３および図１４を参照して、分配／合成器２４の第３の構造について説明する。
　図１３は、分配／合成器２４の構造例を模式的に示す平面図である。図１４は、分配／合成器２４の層構造の例を模式的に示す断面図である。
　図１３および図１４は、図５および図６の分配／合成器２４の第１の構造において、第２層と第３層を繋ぐVIA付近に、GND層８１に接続されるGND VIA（GROUND VIA）を配置した例を示している。図１３および図１４の例において、GND VIAが配置される以外は、図５および図６の第１の構造と同じであるので、その説明は省略される。
　図１３に示されるように、２つのGND VIA１０１－１は、VIA７２－１を中心として挟む位置に配置されている。２つのGND VIA１０１－２は、VIA７２－２を中心として挟む位置に配置されている。２つのGND VIA１０１－３は、VIA７２－３を中心として挟む位置に配置されている。２つのGND VIA１０１－４は、VIA７２－４を中心として挟む位置に配置されている。
　以上のように構成することで、VIAによるインピーダンス不整合を緩和できるため、VIAでの反射を抑えられ、通過特性を改善することができる。
　図１３および図１４の例においては、第２層と第３層を繋ぐVIA７２付近にGND VIA１０１を配置した例を説明したが、第１層と第２層を繋ぐVIA７１付近にGND VIA１０１を配置してもよい。
　＜分配／合成器の第４の構造例＞
　次に、図１５および図１６を参照して、分配／合成器２４の第４の構造について説明する。
　図１５は、分配／合成器２４の構造例を模式的に示す平面図である。図１６は、分配／合成器２４の層構造の例を模式的に示す断面図である。
　図１５および図１６は、図５および図６の分配／合成器２４の層構造を変更した例を示している。図１５および図１６の例において、層構造が変更された以外は、図５および図６の構造と同じであるので、その説明は省略される。
　図１５および図１６の分配／合成器２４は、入力伝送線路６２－１乃至６２－４が入力伝送線路１２１－１乃至１２１－４に入れ替わり、出力伝送線路６３－１乃至６３－４が出力伝送線路１２２－１乃至１２２－４に入れ替わり、分配線路５３－１乃至５３－４が分配線路１２３－１乃至１２３－４に入れ替わった点が、図５および図６の分配／合成器２４と異なっている。図１５および図１６の分配／合成器２４は、その他の点は、図５および図６の分配／合成器２４と共通している。
　以下、特に区別する必要がない場合、入力伝送線路１２１－１乃至１２１－４は、入力伝送線路１２１と総称し、出力伝送線路１２２－１乃至１２２－４は、出力伝送線路１２２と総称し、分配線路１２３－１乃至１２３－４は、分配線路１２３と総称する。
　図１５および図１６の分配／合成器２４を、下から順に第１層乃至第３層を構成する３層の配線層と２層のGND層８１およびGND層９１からなる多層基板構造を有する４等分配／合成器として構成した例を示している。GND層８１は第１層と第２層の間に設けられる。GND層９１は第２層と第３層の間に設けられる。
　図１５において、入力分岐部５２と結合端子５７とは、層が異なる同じ位置に配置されている。位相調整線路６１は、入力分岐部５２から出力分岐部５４までの長さが、信号の波長をλとして、λ/2またはその整数倍となるように、入力分岐部５２から出力分岐部５４までを略放物線状の経路で接続するように構成される。
　図１６の断面構造において、最下層である第１層目には、結合端子５７、アイソレーション抵抗５６、位相調整線路６１の一部の経路が配置されている。位相調整線路６１は、一部の経路と、第２層目と第３層目を接続する経路とで構成される。位相調整線路６１は、第２層目と第３層目を接続する経路を介して、出力分岐部５４で、第２層目の出力伝送線路１２２と接続される。
　第２層目には、入力伝送線路１２１の一部の経路と出力伝送線路１２２とがストリップラインで形成されている。入力伝送線路１２１は、一部の経路と、第３層目と第２層目を接続する経路とで構成される。入力伝送線路１２１は、第３層目と第２層目を接続する経路を介して、入力分岐部５２で第３層の分配線路１２３と接続される。
　第３層目には、分配線路１２３の一部の経路がマイクロストリップラインで形成されている。分配線路１２３は、一部の経路と、第３層目と第２層目を接続するビアで構成される。分配線路１２３は、ビアを介して、出力分岐部５４で、第２層目の出力伝送線路１２２と接続される。
　ここで、入力伝送線路１２１および出力伝送線路１２２は共に50Ωとなることが多い。一方、分配線路１２３は、４分配で100Ωとなるように、入力伝送線路１２１および出力伝送線路１２２よりも高い特性インピーダンスが必要となる。これらの伝送線路を同じ平面に実装すると、実現困難な線幅での設計となる場合がある。
　そこで、図１５および図１６の分配／合成器２４においては、入力伝送線路１２１および出力伝送線路１２２が、比較的低インピーダンスになりやすいストリップラインで設計される。分配線路１２３は、同じ線幅で比べるとストリップラインよりも高いインピーダンスとなるマイクロストリップラインで設計できる。以上により、十分実現可能な線幅での設計が可能となる。
　以上においては、位相調整部５５が、位相調整線路６１として構成される場合を説明してきたが、位相調整部５５は、次のように構成するようにしてもよい。
　＜位相調整部の構成例＞
　図１７は、位相調整部５５の構成例を示すブロック図である。
　図１７の位相調整部５５は、任意の位相回転量θの伝送線路１５１および集中定数で構成された遅延回路により構成される。
　図１７のＡには、集中定数が、キャパシタ１６１－１および１６１－２、並びにコイル１６２からなるHPF(High Pass Filter)１５２である例が示されている。
　図１７のＢには、集中定数が、コイル１７１－１および１７１－２、並びにコンデンサ１７２からなるLPF(Low Pass Filter)１５３である例が示されている。
　位相調整部５５においては、伝送線路１５１におけるインピーダンス特性Z2は、何でもよく、任意のθに対して集中定数の値を選び、整合が可能である。
　位相調整部５５の伝送線路１５１がπ[rad]またはπ[rad]の実数倍の位相回転量を持つ長さに調整できない場合にも、LC集中定数による遅延回路を追加することで、位相を、π[rad]またはπ[rad]の実数倍に調整することができる。
　なお、位相調整部５５は、上記説明したものに限らず、位相を調整するものであれば、なんでもよく、位相器であってもよい。
　以上のように、本技術においては、抵抗と直列接続する位相調整部を設けるようにしたので、VIAや抵抗のサイズが波長に対して十分小さくない場合でも、アイソレーション特性を損なわない設計が可能である。
　また、本技術によれば、位相調整部がサイズを有することで、アイソレーション抵抗の実装の自由度が増すため、基板に無理のない構造で実装することができる。
　また、分配数が３以上の分配／合成器においては、図１０に示される従来のウィルキンソン２分配器をトーナメント接続した多分配／合成器よりも小型化、低損失を実現することができる。
　本技術は、分配／合成器、分配器、および合成器、並びに、これらを含む携帯電話機、スマートフォン、タブレット端末、パーソナルコンピュータ、および携帯端末などにも適用される。
　以上、添付図面を参照しながら本開示の好適な実施形態について詳細に説明したが、本開示はかかる例に限定されない。本開示の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本開示の技術的範囲に属するものと了解される。
　なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）
　基板に形成され、
　入力側の外部伝送線路と接続される入力分岐部と、
　前記入力分岐部からの経路をｎ分配する分配線路と、
　前記分配線路の出力側と接続され、ｎ分配された経路を、内部側と出力側の外部伝送線路とに分ける出力分岐部と、
　前記内部側において、前記ｎ分配された経路を結合する結合端子と、
　前記出力分岐部と前記結合端子との間に、抵抗と直列接続で配置され、位相を調整する位相調整部と
　を備え、
　前記ｎ分配された経路それぞれの前記入力分岐部から前記出力分岐部までの位相回転量は、π/2[rad]であり、
　前記出力分岐部から前記結合端子までの位相回転量は、前記抵抗の大きさを含めて、π[rad]またはπ[rad]の実数倍である
　分配器。
（２）
　前記位相調整部は、前記出力分岐部と前記抵抗との間に配置される
　前記（１）に記載の分配器。
（３）
　前記位相調整部は、前記抵抗と前記結合端子との間に配置される
　前記（１）に記載の分配器。
（４）
　前記位相調整部は、前記出力分岐部と接続される第１の位相調整部と、前記結合端子と接続される第２の位相調整部とで構成され、
　前記抵抗は、前記第１の位相調整部と前記第２の位相調整部との間に配置される
　前記（１）に記載の分配器。
（５）
　入力インピーダンスZin、出力インピーダンスZout、分配数ｎのとき、
　前記分配線路の特性インピーダンスZ1が、√(n Zin Zout)、
　前記抵抗の抵抗値Rが、Zoutで設計されている
　前記（１）乃至（４）のいずれかに記載の分配器。
（６）
　前記位相調整部の特性インピーダンスZ2が、
　Zout/2　≦　Z2　≦　2*Zoutの範囲になるように設計されている
　前記（５）に記載の分配器。
（７）
　前記位相調整部が、前記入力分岐部から前記出力分岐部までの長さがλ/2またはλ/2の整数倍となる位相調整線路によって実現されている
　前記（１）乃至（６）のいずれかに記載の分配器。
（８）
　前記分配線路および前記位相調整部の少なくとも一方に、異なる平面間を接続する構造を１ヶ所以上含み、
　前記入力分岐部と前記結合端子とが異なる平面上に位置するように構成される
　前記（１）乃至（７）のいずれかに記載の分配器。
（９）
　前記入力分岐部と前記結合端子が同一鉛直線上にあり、
　前記鉛直線を軸として、前記分配線路、前記位相調整部、前記アイソレーション抵抗がｎ回対称に配置されている
　前記（８）に記載の分配器。
（１０）
　基板に形成され、
　入力側の外部伝送線路と接続され、ｎ本の経路毎に内部側と合成線路とに分ける入力分岐部と、
　前記ｎ本の経路毎に分けられた合成線路を合成し、出力側の外部伝送線路と接続される出力合成部と、
　前記内部側において、前記ｎ本の経路を結合する結合端子と、
　前記入力分岐部と前記結合端子との間に抵抗と直列接続で配置され、位相を調整する位相調整部と
　を備え、
　前記ｎ本のそれぞれについて、前記入力分岐部から出力合成部までの位相回転量は、π/2[rad]であり、
　前記入力分岐部から前記結合端子までの位相回転量は、π[rad]またはπ[rad]の実数倍である
　合成器。
（１１）
　前記位相調整部は、前記入力分岐部と前記抵抗との間に配置される
　前記（１０）に記載の合成器。
（１２）
　前記位相調整部は、前記抵抗と前記結合端子との間に配置される
　前記（１０）に記載の合成器。
（１３）
　前記位相調整部は、前記入力分岐部と接続される第１の位相調整部と、前記結合端子と接続される第２の位相調整部とで構成され、
　前記抵抗は、前記第１の位相調整部と前記第２の位相調整部との間に配置される
　前記（１０）に記載の合成器。
（１４）
　入力インピーダンスZin、出力インピーダンスZout、分配数ｎのとき、
　前記合成線路の特性インピーダンスZ1が、√(n Zin Zout)、
　前記抵抗の抵抗値Rが、Zoutで設計されている
　前記（１０）乃至（１３）のいずれかに記載の合成器。
（１５）
　前記位相調整部の特性インピーダンスZ2が、
　Zout/2　≦　Z2　≦　2*Zoutの範囲になるように設計されている
　前記（１４）に記載の合成器。
（１６）
　前記位相調整部が、前記入力分岐部から前記出力合成部までの長さがλ/2またはλ/2の整数倍となる位相調整線路によって実現されている
　前記（１０）乃至（１５）のいずれかに記載の合成器。
（１７）
　前記合成線路および前記位相調整部の少なくとも一方に、異なる平面間を接続する構造を１ヶ所以上含み、
　前記出力合成部と前記結合端子とが異なる平面上に位置するように構成される
　前記（１０）乃至（１６）のいずれかに記載の合成器。
（１８）
　前記出力合成部と前記結合端子が同一鉛直線上にあり、
　前記鉛直線を軸として、前記合成線路、前記位相調整部、前記抵抗がｎ回対称に配置されている
　前記（１７）に記載の合成器。
　１１　送受信部，　２１－１、２１－２　アンプ，　２２－１、２２－２　フィルタ，　２３　スイッチ，　２４　分配／合成器，　２５－１乃至２５－４　位相シフト器，　２６－１乃至２６－４　アンテナ，　５１　入出力端子，　５２　入力分岐部，　５３，５３－１乃至５３－８　分配線路，　５４　出力分岐部，　５５、５５－１乃至５５－８　位相調整部，　５６，５６－１乃至５６－８　アイソレーション抵抗，　５７　結合端子，　５８、５８－１乃至５８－８　入出力端子，　６１、６１－１乃至６１－８　位相調整線路，　６２　入力伝送線路，　６３，６３－１乃至６３－８　出力伝送線路，　７１，７２　VIA，　８１　GND層，　９１　GND層，　１０１，１０１－１乃至１０１－４　GND VIA ，　１２１　入力伝送線路，　１２２　出力伝送線路，　１２３，１２３－１乃至１２３－４　分配線路，　１５１　伝送線路，　１５２　HPF，１５３　LPF，　１６１－１および１６１－２　コンデンサ，　１６２　コイル，　１７１－１および１７１－２　コイル，　１７２　コンデンサ

Claims (18)

  1. 　基板に形成され、
    　入力側の外部伝送線路と接続される入力分岐部と、
    　前記入力分岐部からの経路をｎ分配する分配線路と、
    　前記分配線路の出力側と接続され、ｎ分配された経路を、内部側と出力側の外部伝送線路とに分ける出力分岐部と、
    　前記内部側において、前記ｎ分配された経路を結合する結合端子と、
    　前記出力分岐部と前記結合端子との間に、抵抗と直列接続で配置され、位相を調整する位相調整部と
    　を備え、
    　前記ｎ分配された経路それぞれの前記入力分岐部から前記出力分岐部までの位相回転量は、π/2[rad]であり、
    　前記出力分岐部から前記結合端子までの位相回転量は、前記抵抗の大きさを含めて、π[rad]またはπ[rad]の実数倍である
    　分配器。
  2. 　前記位相調整部は、前記出力分岐部と前記抵抗との間に配置される
    　請求項１に記載の分配器。
  3. 　前記位相調整部は、前記抵抗と前記結合端子との間に配置される
    　請求項１に記載の分配器。
  4. 　前記位相調整部は、前記出力分岐部と接続される第１の位相調整部と、前記結合端子と接続される第２の位相調整部とで構成され、
    　前記抵抗は、前記第１の位相調整部と前記第２の位相調整部との間に配置される
    　請求項１に記載の分配器。
  5. 　入力インピーダンスZin、出力インピーダンスZout、分配数ｎのとき、
    　前記分配線路の特性インピーダンスZ1が、√(n Zin Zout)、
    　前記抵抗の抵抗値Rが、Zoutで設計されている
    　請求項１に記載の分配器。
  6. 　前記位相調整部の特性インピーダンスZ2が、
    　Zout/2　≦　Z2　≦　2*Zoutの範囲になるように設計されている
    　請求項５に記載の分配器。
  7. 　前記位相調整部が、前記入力分岐部から前記出力分岐部までの長さがλ/2またはλ/2の整数倍となる位相調整線路によって実現されている
    　請求項１に記載の分配器。
  8. 　前記分配線路および前記位相調整部の少なくとも一方に、異なる平面間を接続する構造を１ヶ所以上含み、
    　前記入力分岐部と前記結合端子とが異なる平面上に位置するように構成される
    　請求項１に記載の分配器。
  9. 　前記入力分岐部と前記結合端子が同一鉛直線上にあり、
    　前記鉛直線を軸として、前記分配線路、前記位相調整部、前記抵抗がｎ回対称に配置されている
    　請求項８に記載の分配器。
  10. 　基板に形成され、
    　入力側の外部伝送線路と接続され、ｎ本の経路毎に内部側と合成線路とに分ける入力分岐部と、
    　前記ｎ本の経路毎に分けられた合成線路を合成し、出力側の外部伝送線路と接続される出力合成部と、
    　前記内部側において、前記ｎ本の経路を結合する結合端子と、
    　前記入力分岐部と前記結合端子との間に抵抗と直列接続で配置され、位相を調整する位相調整部と
    　を備え、
    　前記ｎ本のそれぞれについて、前記入力分岐部から出力合成部までの位相回転量は、π/2[rad]であり、
    　前記入力分岐部から前記結合端子までの位相回転量は、π[rad]またはπ[rad]の実数倍である
    　合成器。
  11. 　前記位相調整部は、前記入力分岐部と前記抵抗との間に配置される
    　請求項１０に記載の合成器。
  12. 　前記位相調整部は、前記抵抗と前記結合端子との間に配置される
    　請求項１０に記載の合成器。
  13. 　前記位相調整部は、前記入力分岐部と接続される第１の位相調整部と、前記結合端子と接続される第２の位相調整部とで構成され、
    　前記抵抗は、前記第１の位相調整部と前記第２の位相調整部との間に配置される
    　請求項１０に記載の合成器。
  14. 　入力インピーダンスZin、出力インピーダンスZout、分配数ｎのとき、
    　前記合成線路の特性インピーダンスZ1が、√(n Zin Zout)、
    　前記抵抗の抵抗値Rが、Zoutで設計されている
    　請求項１０に記載の合成器。
  15. 　前記位相調整部の特性インピーダンスZ2が、
    　Zout/2　≦　Z2　≦　2*Zoutの範囲になるように設計されている
    　請求項１４に記載の合成器。
  16. 　前記位相調整部が、前記入力分岐部から前記出力合成部までの長さがλ/2またはλ/2の整数倍となる位相調整線路によって実現されている
    　請求項１０に記載の合成器。
  17. 　前記合成線路および前記位相調整部の少なくとも一方に、異なる平面間を接続する構造を１ヶ所以上含み、
    　前記出力合成部と前記結合端子とが異なる平面上に位置するように構成される
    　請求項１０に記載の合成器。
  18. 　前記出力合成部と前記結合端子が同一鉛直線上にあり、
    　前記鉛直線を軸として、前記合成線路、前記位相調整部、前記抵抗がｎ回対称に配置されている
    　請求項１７に記載の合成器。
PCT/JP2018/022857 2017-06-29 2018-06-15 分配器および合成器 Ceased WO2019003952A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201880041741.0A CN110809835B (zh) 2017-06-29 2018-06-15 分配器和合成器
KR1020197035689A KR20200016851A (ko) 2017-06-29 2018-06-15 분배기 및 합성기
US16/626,301 US11217871B2 (en) 2017-06-29 2018-06-15 Distributor and synthesizer
DE112018003343.0T DE112018003343B4 (de) 2017-06-29 2018-06-15 Verteiler und synthetisierer

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017127020A JP2019012877A (ja) 2017-06-29 2017-06-29 分配器および合成器
JP2017-127020 2017-06-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019003952A1 true WO2019003952A1 (ja) 2019-01-03

Family

ID=64740568

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2018/022857 Ceased WO2019003952A1 (ja) 2017-06-29 2018-06-15 分配器および合成器

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11217871B2 (ja)
JP (1) JP2019012877A (ja)
KR (1) KR20200016851A (ja)
CN (1) CN110809835B (ja)
DE (1) DE112018003343B4 (ja)
WO (1) WO2019003952A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023154038A1 (en) * 2022-02-09 2023-08-17 Fujikura Ltd. Splitter-combiner and cascade connection circuit
US12283733B2 (en) * 2023-04-13 2025-04-22 Radio Wires Inc. Multi-tap transmission line system and methods thereof

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49128142U (ja) * 1973-03-01 1974-11-02
JPS5573119A (en) * 1978-11-27 1980-06-02 Toshiba Corp Distributing compounder
JPH02203604A (ja) * 1989-02-02 1990-08-13 Fujitsu Ltd ３分岐同相ハイブリッド
JPH09321509A (ja) * 1996-03-26 1997-12-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 分配器／合成器
JPH11340712A (ja) * 1998-05-26 1999-12-10 Toshiba Corp 高周波電力分配器
JP2013502874A (ja) * 2009-08-24 2013-01-24 レイセオン カンパニー 多層の放射状電力分割器／結合器

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5021755A (en) * 1989-11-08 1991-06-04 Radio Frequency Systems, Inc. N-way signal splitter with isolated outputs
KR100279490B1 (ko) * 1996-08-12 2001-02-01 김덕용 N-웨이 전력 분배기/합성기
JP3811551B2 (ja) 1997-09-17 2006-08-23 松下電器産業株式会社 高出力電力増幅器
US7164903B1 (en) * 2003-06-10 2007-01-16 Smiths Interconnect Microwave Components, Inc. Integrated N-way Wilkinson power divider/combiner
FI119710B (fi) * 2004-03-22 2009-02-13 Filtronic Comtek Oy Pienikohinaisen vahvistinparin tulojärjestely
JP4056500B2 (ja) * 2004-06-28 2008-03-05 三菱電機株式会社 伝送線路基板および半導体パッケージ
CN101465457B (zh) * 2009-01-15 2012-11-21 电子科技大学 一种高功率宽带四路功率分配、合成器
WO2012003506A2 (en) * 2010-07-02 2012-01-05 Nuvotronics, Llc Three-dimensional microstructures
US8941448B2 (en) * 2011-10-13 2015-01-27 Mediatek Singapore Pte. Ltd. M-way coupler
CN103943930B (zh) 2014-05-13 2016-06-15 苏州博海创业微系统有限公司 一种ltcc多路平衡功分器
CN104051822B (zh) * 2014-05-28 2017-08-25 西安电子科技大学 一种用于四臂螺旋天线馈电的功分移相器

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49128142U (ja) * 1973-03-01 1974-11-02
JPS5573119A (en) * 1978-11-27 1980-06-02 Toshiba Corp Distributing compounder
JPH02203604A (ja) * 1989-02-02 1990-08-13 Fujitsu Ltd ３分岐同相ハイブリッド
JPH09321509A (ja) * 1996-03-26 1997-12-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 分配器／合成器
JPH11340712A (ja) * 1998-05-26 1999-12-10 Toshiba Corp 高周波電力分配器
JP2013502874A (ja) * 2009-08-24 2013-01-24 レイセオン カンパニー 多層の放射状電力分割器／結合器

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
GYSEL: "A NEW N-WAY POWER DIVIDER/COMBINERSUTABLE FOR HIGH- POWER APPLICATIONS", IEEE -MTT-S INTERNATIONAL MICROWAVE SYMPOSIUM, 12 May 1975 (1975-05-12), pages 116 - 118, XP031665948 *

Also Published As

Publication number Publication date
DE112018003343T5 (de) 2020-03-05
JP2019012877A (ja) 2019-01-24
DE112018003343B4 (de) 2026-01-29
CN110809835A (zh) 2020-02-18
US11217871B2 (en) 2022-01-04
US20200161737A1 (en) 2020-05-21
CN110809835B (zh) 2021-11-19
KR20200016851A (ko) 2020-02-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6881675B2 (ja) アンテナモジュール
JP5083987B2 (ja) 不均等３分配器
US20160104934A1 (en) Antenna, antenna package, and communications module
JP2017523670A (ja) 方向性結合器に関連するデバイスおよび方法
US11705614B2 (en) Coupling device and antenna
US10164665B2 (en) HF circuit and HF module
CN111147159B (zh) 校准电路、校准网络和智能天线
CN113745820B (zh) 校准电路板及包含该校准电路板的天线装置
CN112242612A (zh) 贴片天线
CN102945996B (zh) 多层立体巴伦和平衡/不平衡信号转换网络
WO2013026271A1 (en) Phase shifting device
WO2019003952A1 (ja) 分配器および合成器
WO2015052838A1 (ja) 減結合回路
KR101138301B1 (ko) 메타 재질의 영도 전송선로를 이용한 고 전력 분배기
CN101189758A (zh) 用于操纵天线辐射波瓣的装置
WO2021140738A1 (ja) 円偏波アンテナ用給電回路
CN115275613B (zh) 一种基于集总元件的Butler矩阵
CN211980895U (zh) 校准电路板及包含该校准电路板的天线装置
KR102299451B1 (ko) 광대역 특성을 갖는 분배/합성기
CN214849055U (zh) 相位平衡器及基站天线
CN110739517B (zh) 一种一分三路单端-平衡式微波滤波功率分配系统
CN109378592A (zh) 一种具有稳定波束宽度和低副瓣的宽带天线阵列馈电网络
Gatti et al. A dual band reconfigurable power divider for WLAN applications
CN115377670A (zh) 一种移相错位的平板阵列天线
CN109428143B (zh) 基于180°理想反相器的三频平衡式耦合器

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18824529

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20197035689

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 112018003343

Country of ref document: DE

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 112018003343

Country of ref document: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 18824529

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 112018003343

Country of ref document: DE