WO2019003927A1 - 波長変換部材及び光源 - Google Patents

波長変換部材及び光源 Download PDF

Info

Publication number
WO2019003927A1
WO2019003927A1 PCT/JP2018/022656 JP2018022656W WO2019003927A1 WO 2019003927 A1 WO2019003927 A1 WO 2019003927A1 JP 2018022656 W JP2018022656 W JP 2018022656W WO 2019003927 A1 WO2019003927 A1 WO 2019003927A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
wavelength conversion
conversion member
protective layer
phosphor
zno
Prior art date
Application number
PCT/JP2018/022656
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
幸彦 杉尾
濱田　貴裕
鈴木　信靖
純久 長崎
Original Assignee
パナソニックＩｐマネジメント株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by パナソニックＩｐマネジメント株式会社 filed Critical パナソニックＩｐマネジメント株式会社
Priority to EP18823925.5A priority Critical patent/EP3647836A4/en
Priority to US16/623,043 priority patent/US20210149097A1/en
Priority to CN201880042910.2A priority patent/CN110799863B/zh
Priority to JP2019526787A priority patent/JP6982745B2/ja
Publication of WO2019003927A1 publication Critical patent/WO2019003927A1/ja

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/28—Interference filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7706—Aluminates
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • F21K9/64—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction using wavelength conversion means distinct or spaced from the light-generating element, e.g. a remote phosphor layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/206—Filters comprising particles embedded in a solid matrix
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/14—Protective coatings, e.g. hard coatings
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B2207/00—Coding scheme for general features or characteristics of optical elements and systems of subclass G02B, but not including elements and systems which would be classified in G02B6/00 and subgroups
    • G02B2207/113—Fluorescence
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating

Definitions

  • the present disclosure relates to a wavelength conversion member and a light source.
  • the wavelength conversion member has phosphor particles embedded in a matrix.
  • the light of the light emitting element is irradiated to the phosphor particles as excitation light, and light of a wavelength longer than the wavelength of the excitation light is emitted from the phosphor.
  • attempts have been made to increase the brightness and power of the light.
  • Patent Document 1 discloses an LED sealing resin body in which a phosphor is dispersed in a silicone resin.
  • Patent Document 2 discloses a wavelength conversion member in which glass is used as a matrix material.
  • Patent Document 3 discloses a wavelength conversion member in which zinc oxide (ZnO) is used as a material of a matrix. ZnO is superior in heat resistance to silicone resins and the like. ZnO is an inorganic material having a refractive index close to the refractive index of many phosphors, and also has excellent transparency and thermal conductivity. According to the wavelength conversion member of Patent Document 3, light scattering at the interface between the phosphor particles and the ZnO matrix can be suppressed, and high light output can be achieved.
  • the wavelength conversion member of Patent Document 3 has room for improvement from the viewpoint of reliability.
  • An object of the present disclosure is to provide a wavelength conversion member having high reliability.
  • the present disclosure includes a phosphor layer having a matrix containing ZnO, phosphor particles embedded in the matrix, and at least one selected from the group consisting of ZnCl 2 , ZnS, and ZnSO 4 , and a phosphor And a first protective layer covering the layer.
  • a wavelength conversion member having high reliability can be provided.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a wavelength conversion member according to a first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a wavelength conversion member according to a second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a wavelength conversion member according to a third embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a reflection-type light source using the wavelength conversion member of the present disclosure.
  • FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a lighting device using the light source of the present disclosure.
  • FIG. 6 is a laser microscope image of the wavelength conversion member of Sample 1.
  • FIG. 7 is a laser microscope image of the wavelength conversion member of sample 2.
  • FIG. 6 is a laser microscope image of the wavelength conversion member of Sample 1.
  • FIG. 8 is a graph showing the result of analyzing the wavelength conversion member of sample 2 by the electron beam microanalyzer.
  • FIG. 9 is a graph showing changes in CIE chromaticity coordinates of light emitted from the wavelength conversion member of Sample 3.
  • FIG. 10 is a graph showing changes in CIE chromaticity coordinates of light emitted from the wavelength conversion member of Sample 5.
  • FIG. 11 is a graph showing changes in CIE chromaticity coordinates of light emitted from the wavelength conversion member of sample 6.
  • ZnO contained in the matrix may react with a corrosive gas in the air.
  • the reaction between ZnO and the corrosive gas proceeds over time.
  • the chromaticity of the light emitted from the wavelength conversion member may change with time.
  • the wavelength conversion member according to the first aspect of the present disclosure is A phosphor layer having a matrix containing ZnO and phosphor particles embedded in the matrix, and at least one selected from the group consisting of ZnCl 2 , ZnS, and ZnSO 4 , and covering the phosphor layer And a first protective layer.
  • the first protective layer suppresses the permeation of corrosive gases in the air. Therefore, ZnO contained in the matrix of the phosphor layer hardly reacts with the corrosive gas. That is, it is possible to suppress the progress of the reaction between ZnO and the corrosive gas with time. Thereby, the temporal change of the chromaticity of the light emitted from the wavelength conversion member is sufficiently suppressed. That is, the wavelength conversion member has high reliability.
  • the first protective layer of the wavelength conversion member according to the first aspect is in contact with the phosphor layer. According to the second aspect, it is possible to sufficiently suppress the temporal change of the chromaticity of the light emitted from the wavelength conversion member.
  • ZnO of the wavelength conversion member according to the first or second aspect is ZnO c-axis oriented polycrystalline. According to the third aspect, light scattering in the phosphor layer is further suppressed. Therefore, high light output can be achieved in the wavelength conversion member.
  • the phosphor layer of the wavelength conversion member according to any one of the first to third aspects further includes filler particles.
  • the wavelength conversion member emits light having the required chromaticity.
  • the thickness of the first protective layer of the wavelength conversion member according to any one of the first to fourth aspects is in the range of 0.5 to 20 ⁇ m. According to the fifth aspect, high luminous efficiency can be achieved because the first protective layer is sufficiently thin.
  • the wavelength conversion member according to any one of the first to fifth aspects includes at least one selected from the group consisting of a silicone resin, an organic-inorganic hybrid material and glass, It further comprises a second protective layer covering the body layer.
  • the strength of the wavelength conversion member is improved by the second protective layer.
  • the second protective layer can further suppress the permeation of corrosive gas.
  • a light source includes: a light emitting element; and the wavelength conversion member according to any one of the first to sixth aspects, which receives fluorescence from the light emitting element and emits excitation light. It is
  • the seventh aspect it is possible to provide a light source in which temporal change in chromaticity of light is sufficiently suppressed. That is, the light source has high reliability.
  • the wavelength conversion member 100 includes a substrate 10, a phosphor layer 20 and a first protective layer 30.
  • the substrate 10 supports the phosphor layer 20 and the first protective layer 30.
  • the phosphor layer 20 is disposed on the substrate 10.
  • the phosphor layer 20 covers the entire surface of the substrate 10.
  • the phosphor layer 20 may only partially cover the surface of the substrate 10.
  • the lower surface of the phosphor layer 20 is in contact with the upper surface of the substrate 10.
  • the first protective layer 30 is disposed on the phosphor layer 20.
  • the phosphor layer 20 is disposed between the substrate 10 and the first protective layer 30. That is, in the thickness direction of the wavelength conversion member 100, the substrate 10, the phosphor layer 20, and the first protective layer 30 are arranged in this order.
  • the first protective layer 30 covers the entire surface of the phosphor layer 20.
  • the first protective layer 30 may only partially cover the surface of the phosphor layer 20.
  • the lower surface of the first protective layer 30 is in contact with the upper surface of the phosphor layer 20.
  • the phosphor layer 20 has a matrix 21 and phosphor particles 22.
  • the phosphor layer 20 may further have filler particles 23.
  • a matrix 21 is present between each particle.
  • Each particle is embedded in a matrix 21. In other words, each particle is dispersed in the matrix 21.
  • the wavelength conversion member 100 When the wavelength conversion member 100 is irradiated with excitation light having a first wavelength band, the wavelength conversion member 100 converts part of the excitation light into light having a second wavelength band and emits the light.
  • the wavelength conversion member 100 emits light having a wavelength longer than that of the excitation light.
  • the second wavelength band is a band different from the first wavelength band. However, a part of the second wavelength band may overlap the first wavelength band.
  • the light emitted from the wavelength conversion member 100 may include not only the light emitted from the phosphor particles 22 but also the excitation light itself.
  • the substrate 10 has a substrate body 11 and a thin film 12.
  • the thickness of the substrate 10 is, for example, larger than the thickness of the phosphor layer 20.
  • the substrate body 11 is selected from the group consisting of sapphire (Al 2 O 3 ), gallium nitride (GaN), aluminum nitride (AlN), silicon, aluminum, glass, quartz (SiO 2 ), silicon carbide (SiC) and zinc oxide Containing at least one of
  • the substrate body 11 may or may not be translucent to, for example, excitation light and light emitted from the phosphor particles 22.
  • the substrate body 11 may have a mirror-polished surface.
  • the surface of the substrate body 11 may be coated with an antireflective film, a dichroic mirror, a metal reflection film, a reflection enhancing film, a protective film, or the like.
  • the antireflective film is a film for preventing reflection of excitation light.
  • the dichroic mirror can be constituted by a dielectric multilayer film.
  • the metal reflection film is a film for reflecting light, and is made of a metal material such as silver or aluminum.
  • the reflection increasing film may be constituted by a dielectric multilayer film.
  • the protective film may be a film for physically or chemically protecting these films.
  • the thin film 12 functions as a base layer for forming the phosphor layer 20.
  • the thin film 12 functions as a seed crystal in the crystal growth process of the matrix 21. That is, the thin film 12 is a single crystal thin film or a polycrystalline thin film.
  • the matrix 21 is composed of ZnO single crystal or ZnO polycrystal
  • the thin film 12 may be a ZnO single crystal thin film or a ZnO polycrystal thin film.
  • the substrate body 11 can exhibit the function of a seed crystal, the thin film 12 may be omitted.
  • the matrix 21 made of crystalline ZnO can be formed directly on the substrate body 11.
  • phosphor particles 22 are dispersed in a matrix 21.
  • the phosphor particles 22 are separated from one another.
  • the filler particles 23 are also separated from the phosphor particles 22.
  • the phosphor particles 22 may be in contact with each other, and the filler particles 23 may be in contact with the phosphor particles 22.
  • a plurality of filler particles 23 may be in contact with the phosphor particles 22.
  • the phosphor particles 22 and the filler particles 23 may be stacked like stone walls.
  • the phosphor particles 22 receive excitation light and emit fluorescence.
  • the material of the phosphor particles 22 is not particularly limited.
  • Various fluorescent materials can be used as the material of the phosphor particles 22.
  • Y 3 Al 5 O 12 Ce (YAG), Y 3 (Al, Ga) 5 O 12 : Ce (GYAG), Lu 3 Al 5 O 12 : Ce (LuAG), (Si, Al) 6 (O, N) 8 : Eu ( ⁇ -SiAlON), (La, Y) 3 Si 6 N 11 : Ce (LYSN), La 3 Si 6 N 11 : Ce (LSN), Lu 2 CaMg 2 Si 3 O 12 : Ce (LCMS), Sr 2 SiO 4 : Eu, (Ba, Sr) Si 2 O 2 N 2 : Eu, Ca 3 Sc 2 Si 3 O 12 : Ce, CaSi 2 O 2 N 2 : Eu, etc.
  • the phosphor particles 22 may include a plurality of types of phosphor particles having different compositions.
  • the material of the phosphor particles 22 is selected according to the chromaticity of the light to be emitted from the wavelength conversion member 100.
  • the average particle size of the phosphor particles 22 is, for example, in the range of 0.1 to 50 ⁇ m.
  • the average particle size of the phosphor particles 22 can be identified, for example, by the following method. First, the cross section of the wavelength conversion member 100 is observed with a scanning electron microscope. In the obtained electron microscope image, the area of a specific phosphor particle 22 is calculated by image processing. The diameter of a circle having the same area as the calculated area is regarded as the particle size (diameter of the particle) of that specific phosphor particle 22. The particle diameter of an arbitrary number (for example, 50) of phosphor particles 22 is calculated, and the average value of the calculated values is regarded as the average particle diameter of phosphor particles 22.
  • the shape of the phosphor particles 22 is not limited.
  • the shape of the phosphor particles 22 may be spherical, scaly, or fibrous.
  • the method of measuring the average particle diameter is not limited to the above method.
  • the matrix 21 contains ZnO.
  • ZnO is suitable as the material of the matrix 21 in terms of transparency and thermal conductivity.
  • ZnO has high thermal conductivity. Therefore, when ZnO is used as the material of the matrix 21, the heat of the phosphor layer 20 can be easily dissipated to the outside (mainly the substrate 10).
  • the matrix 21 may contain ZnO as a main component.
  • the “main component” means a component contained in the matrix 21 in the largest proportion by weight.
  • the matrix 21 may be substantially made of ZnO. “Consisting essentially of” means excluding other components that alter the essential characteristics of the mentioned compound. However, the matrix 21 may contain impurities in addition to ZnO.
  • ZnO as a material of the matrix 21 is ZnO single crystal or c-axis oriented ZnO polycrystal.
  • ZnO has a wurtzite crystal structure.
  • the “c-axis oriented ZnO” means that a plane parallel to the main surface (the surface having the largest area) of the substrate 10 is the c-plane.
  • the ZnO polycrystal oriented in the c-axis contains a plurality of columnar crystal grains oriented in the c-axis. There are few crystal grain boundaries in the c-axis direction in ZnO polycrystalline oriented in the c-axis. “The columnar crystal grains are oriented in the c-axis” means that the growth of ZnO in the c-axis direction is faster than the growth of ZnO in the a-axis direction, and longitudinally elongated ZnO crystal grains are formed on the substrate 10 Means to The c-axis of the ZnO crystal grain is parallel to the normal direction of the substrate 10.
  • the inclination of the c-axis of the ZnO crystal grain with respect to the normal direction of the substrate 10 is 4 ° or less.
  • the inclination of c axis is 4 degrees or less
  • the distribution of the inclination of c axis is 4 degrees or less, and the inclination of c axis of all crystal grains is always 4 degrees or less. It does not mean.
  • “Inclination of c-axis” can be evaluated by the half-width by the X-ray rocking curve method of c-axis. In detail, the half value width by the X-ray rocking curve method of c axis is 4 degrees or less.
  • Patent Document 3 discloses in detail a matrix composed of ZnO polycrystals oriented in the c-axis.
  • the filler particles 23 are dispersed in the matrix 21.
  • the filler particles 23 do not emit fluorescent light or emit only fluorescent light of negligible intensity.
  • the material, shape and addition amount of the filler particles 23 are appropriately adjusted in accordance with the required chromaticity.
  • the filler particles 23 are, for example, inorganic particles, and typically contain a metal oxide.
  • the filler particles 23 may be substantially made of a metal oxide. Many of the metal oxides are suitable as the material of the filler particles 23 because they are chemically stable and emit little fluorescence.
  • the filler particles 23 include at least one selected from Al 2 O 3 particles, SiO 2 particles, and TiO 2 particles.
  • the average particle size of the filler particles 23 is, for example, in the range of 0.1 to 20 ⁇ m.
  • the average particle size of the filler particles 23 is smaller than, for example, the average particle size of the phosphor particles 22.
  • the ratio (D2 / D1) of the average particle diameter D2 of the filler particles 23 to the average particle diameter D1 of the phosphor particles 22 is, for example, in the range of 0.01 to 0.90.
  • the average particle size of the filler particles 23 can be measured by the same method as the average particle size of the phosphor particles 22.
  • the shape of the filler particles 23 may be spherical, scaly, or fibrous.
  • the volume of the phosphor particles 22 is defined as V1.
  • the volume of the filler particle 23 is defined as V2. At this time, the value of V2 / (V1 + V2) is, for example, in the range of 0.1 to 0.9.
  • the first protective layer 30 includes at least one selected from the group consisting of ZnCl 2 , ZnS, and ZnSO 4 . These compounds hardly react with corrosive gases in the air.
  • the corrosive gas is, for example, a gas containing at least one selected from the group consisting of H 2 S, Cl 2 , NO 2 and SO 2 .
  • the first protective layer 30 hardly reacts with the corrosive gas.
  • the first protective layer 30 suppresses the permeation of corrosive gas. Therefore, ZnO contained in the matrix 21 hardly reacts with the corrosive gas. That is, it is possible to suppress the progress of the reaction between ZnO and the corrosive gas with time. Thereby, the temporal change of the chromaticity of the light emitted from the wavelength conversion member 100 is sufficiently suppressed. That is, the wavelength conversion member 100 has high reliability.
  • the first protective layer 30 may contain at least one selected from the group consisting of ZnCl 2 , ZnS and ZnSO 4 as a main component.
  • the first protective layer 30 may contain any one selected from the group consisting of ZnCl 2 , ZnS, and ZnSO 4 as a main component.
  • the first protective layer 30 may consist essentially of at least one selected from the group consisting of ZnCl 2 , ZnS, and ZnSO 4 .
  • the first protective layer 30 may contain impurities in addition to these compounds.
  • the thickness of the first protective layer 30 is smaller than the thickness of the phosphor layer 20, for example.
  • the thickness of the first protective layer 30 is, for example, in the range of 0.5 to 20 ⁇ m.
  • the thickness of the first protective layer 30 may be 2.0 ⁇ m or less, or 1.3 ⁇ m or less.
  • the fact that the wavelength conversion member 100 includes the first protective layer 30 can be confirmed by performing elemental analysis on the surface of the wavelength conversion member 100. Elemental analysis can be performed, for example, by an electron beam microanalyzer. The fact that the wavelength conversion member 100 includes the first protective layer 30 may be confirmed by observing the surface of the wavelength conversion member 100 with a laser microscope. The thickness of the first protective layer 30 can be measured, for example, by an electron beam microanalyzer.
  • a mixed sol containing a precursor such as zinc alkoxide, phosphor particles 22 and filler particles 23 is prepared.
  • the mixed sol is applied to the substrate 10 so that a coating film is formed on the substrate 10.
  • a printing method is mentioned as a formation method of a coating film.
  • the phosphor layer 20 is obtained by gelling the coating film and baking it.
  • the matrix 21 can be formed on the substrate 10 by a solution growth method.
  • the substrate 10 is prepared.
  • a crystalline ZnO thin film is formed on the substrate body 11 as a thin film 12.
  • a vacuum film forming method such as an electron beam vapor deposition method, a reactive plasma vapor deposition method, a sputtering method, and a pulsed laser storage method is used.
  • the thin film 12 may be a ZnO single crystal thin film or a ZnO polycrystalline thin film.
  • a layer including phosphor particles 22 and filler particles 23 is formed on the substrate 10 (on the thin film 12).
  • a dispersion liquid containing phosphor particles 22 and filler particles 23 is prepared.
  • the substrate 10 is placed in the dispersion, and the phosphor particles 22 and the filler particles 23 are deposited on the substrate 10 using electrophoresis. Thereby, a layer including the phosphor particles 22 and the filler particles 23 can be formed on the substrate 10.
  • the substrate 10 may be disposed in a dispersion, and the phosphor particles 22 and the filler particles 23 may be precipitated to form a layer including the phosphor particles 22 and the filler particles 23 on the substrate 10.
  • a layer containing the phosphor particles 22 and the filler particles 23 can also be formed on the substrate 10 using a coating solution containing the phosphor particles 22 and the filler particles 23 by a thin film forming method such as a printing method.
  • a matrix 21 is formed between particles by a solution growth method using a solution containing Zn.
  • Solution growth methods include chemical bath deposition under atmospheric pressure, hydrothermal synthesis under superatmospheric pressure, electrolytic deposition with voltage or current applied ( electrochemical deposition) and the like are used.
  • a solution for crystal growth for example, an aqueous solution of zinc nitrate containing hexamethylenetetramine is used.
  • a crystalline matrix 21 is epitaxially grown on the thin film 12.
  • the phosphor layer 20 is obtained.
  • the phosphor layer 20 is placed under an atmosphere of sample gas.
  • the sample gas contains at least one selected from the group consisting of H 2 S, Cl 2 and SO 2 .
  • ZnO contained in the matrix 21 reacts with the sample gas.
  • the first protective layer 30 is formed.
  • the formed first protective layer 30 is in close contact with the surface of the phosphor layer 20. In other words, almost no gap is formed between the first protective layer 30 and the phosphor layer 20. Thereby, the reflection of light is suppressed at the interface between the first protective layer 30 and the phosphor layer 20.
  • the first protective layer 30 is, for example, transparent and hardly absorbs visible light.
  • the first protective layer 30 suppresses the permeation of the sample gas. Therefore, after the first protective layer 30 is formed, ZnO contained in the matrix 21 hardly reacts with the sample gas.
  • the concentration of each of H 2 S, Cl 2 and SO 2 in the sample gas may be in the range of 0.005 to 10 vol ppm.
  • the period for which the phosphor layer 20 and the sample gas should be in contact may be in the range of 1 to 50 days.
  • the temperature of the sample gas when the sample gas is in contact with the phosphor layer 20 may be in the range of 1 to 50.degree.
  • the first protective layer 30 may be produced by depositing on the phosphor layer 20 at least one selected from the group consisting of ZnCl 2 , ZnS, and ZnSO 4 . Examples of methods for depositing these compounds include sputtering, ion plating, electron beam evaporation, vacuum evaporation, chemical vapor deposition, and chemical vapor deposition.
  • the wavelength conversion member 110 according to the second embodiment includes the second protective layer 40. Except for the second protective layer 40, the structure of the wavelength conversion member 110 is the same as the structure of the wavelength conversion member 100 of the first embodiment. Therefore, the same referential mark may be given to the element common to the wavelength conversion member 100 of Embodiment 1, and the wavelength conversion member 110 of this embodiment, and those description may be abbreviate
  • the second protective layer 40 is disposed on the phosphor layer 20 and the first protective layer 30. Specifically, in the thickness direction of the wavelength conversion member 110, the substrate 10, the phosphor layer 20, the first protective layer 30, and the second protective layer 40 are arranged in this order. The second protective layer 40 covers the entire surface of the phosphor layer 20. The second protective layer 40 may only partially cover the surface of the phosphor layer 20. In the wavelength conversion member 110, the upper surface of the first protective layer 30 is in contact with the lower surface of the second protective layer 40. The second protective layer 40 may not be disposed on the first protective layer 30. The second protective layer 40 may be disposed between the phosphor layer 20 and the first protective layer 30.
  • the second protective layer 40 includes at least one selected from the group consisting of silicone resin, organic-inorganic hybrid material and glass.
  • the strength of the wavelength conversion member 110 is improved by the second protective layer 40.
  • the second protective layer 40 can further suppress the permeation of corrosive gas.
  • the second protective layer 40 may contain, as a main component, at least one selected from the group consisting of silicone resins, organic-inorganic hybrid materials, and glass.
  • the organic-inorganic hybrid material may be, for example, polysilsesquioxane having a siloxane bond.
  • the second protective layer 40 may be substantially made of glass.
  • the thickness of the second protective layer 40 is smaller than the thickness of the phosphor layer 20, for example.
  • the thickness of the second protective layer 40 is, for example, in the range of 0.5 to 20 ⁇ m.
  • the method for producing the second protective layer 40 is not particularly limited.
  • the second protective layer 40 contains a silicone resin
  • the second protective layer 40 can be produced by the following method. First, a dispersion containing a silicone resin is prepared. The dispersion is applied to the first protective layer 30 such that a coating is formed on the first protective layer 30. By drying the coating, the second protective layer 40 is formed.
  • the second protective layer 40 contains an organic-inorganic hybrid material
  • the second protective layer 40 can be produced by the following method. First, polysilsesquioxane is dissolved in benzyl alcohol to prepare a dispersion containing these. The dispersion is applied to the first protective layer 30 such that a coating is formed on the first protective layer 30. The second protective layer 40 is obtained by thermally curing the coating.
  • the second protective layer 40 contains glass
  • the second protective layer 40 can be produced by the following method. First, a sol containing a precursor such as silicon alkoxide is prepared. The sol is applied to the first protective layer 30 such that a coating is formed on the first protective layer 30. The second protective layer 40 is obtained by gelling the coating and baking.
  • the preparation of the first protective layer 30 is selected from, for example, the group consisting of ZnCl 2 , ZnS, and ZnSO 4. It is performed by depositing at least one on the second protective layer 40.
  • the wavelength conversion member 120 includes a phosphor layer 20, a first protective layer 31, and a second protective layer 41.
  • the material of the first protective layer 31 is the same as the first protective layer 30 described in the previous embodiment.
  • the material of the second protective layer 41 is the same as the second protective layer 40 described in the previous embodiment.
  • the second protective layer 41 has a plurality of pinholes 45.
  • the pinhole 45 is a through hole which penetrates the second protective layer 41 in the thickness direction.
  • a plurality of pinholes 45 overlap the top surface of the phosphor layer 20. In the plurality of pinholes 45, the plurality of first protective layers 31 are disposed on the phosphor layer 20.
  • the plurality of first protective layers 31 are in contact with the phosphor layer 20 through the plurality of pinholes 45.
  • the lower surfaces of the second protective layer 41 and the plurality of first protective layers 31 are in contact with the upper surface of the phosphor layer 20.
  • the thickness of each of the plurality of first protective layers 31 is smaller than the thickness of the second protective layer 41.
  • the diameters of the plurality of pinholes 45 in plan view may each be in the range of 1.0 nm to 1.0 ⁇ m.
  • the diameters of the plurality of pinholes 45 can be measured, for example, by observing the surface of the second protective layer 41 with an electron microscope.
  • each of the second protective layer 41 and the plurality of first protective layers 31 can be manufactured as follows. First, the second protective layer 41 is disposed on the phosphor layer 20. For the preparation of the second protective layer 41, the method described above can be used. The second protective layer 41 produced by the above-described method usually has a plurality of pinholes 45. A plurality of pinholes 45 may be formed by irradiating the second protective layer 41 with an ion beam. The phosphor layer 20 is exposed to the outside through the plurality of pinholes 45.
  • the phosphor layer 20 on which the second protective layer 41 is disposed is placed under an atmosphere of a sample gas.
  • ZnO contained in the matrix 21 reacts with the sample gas.
  • the plurality of first protective layers 31 are formed in the plurality of pinholes 45 of the second protective layer 41.
  • the light source 200 of the present embodiment includes the wavelength conversion member 100 and the light emitting element 51.
  • the phosphor layer 20 of the wavelength conversion member 100 is located between the light emitting element 51 and the substrate 10 of the wavelength conversion member 100.
  • the light source 200 is a reflective light source.
  • the wavelength conversion member 110 described with reference to FIG. 2 and the wavelength conversion member 120 described with reference to FIG. 3 can also be used. It is also possible to use a combination of these wavelength conversion members 100, 110 and 120 for the light source 200.
  • the light emitting element 51 emits excitation light.
  • the light emitting element 51 is typically a semiconductor light emitting element.
  • the semiconductor light emitting element is, for example, a light emitting diode (LED), a super luminescent diode (SLD) or a laser diode (LD).
  • the light emitting element 51 may be configured by one LD or may be configured by a plurality of LDs.
  • the plurality of LDs may be optically coupled.
  • the light emitting element 51 emits, for example, blue-violet light.
  • blue-violet light is light having a peak wavelength in the range of 380-420 nm.
  • the light source 200 further includes an optical system 50.
  • the optical system 50 may be located on the optical path of the excitation light emitted from the light emitting element 51.
  • the optical system 50 includes optical components such as a lens, a mirror, and an optical fiber.
  • the illumination device 300 of the present embodiment includes a light source 200 and an optical component 55.
  • the optical component 55 is a component for guiding light emitted from the light source 200 to the front, and more specifically, is a reflector.
  • the optical component 55 has, for example, a metal film of Al, Ag or the like or an Al film in which a protective film is formed on the surface.
  • a filter 56 may be provided in front of the light source 200. The filter 56 absorbs or scatters the blue light so that the coherent blue light from the light emitting element of the light source 200 does not go out directly.
  • the lighting device 300 may be a so-called reflector type or a projector type.
  • the lighting device 300 is, for example, a headlamp for a vehicle.
  • Example 1 a crystalline ZnO thin film was formed on the substrate body.
  • a substrate body As a substrate body, an Ag mirror with a protective film (manufactured by Keihin Light Film Industry Co., Ltd.) was used.
  • the protective film was SiO 2 .
  • Phosphor particles were placed on the ZnO thin film.
  • the material of the phosphor particles was YAG (manufactured by Nemoto Special Chemical Co., Ltd.).
  • a crystalline ZnO matrix was produced on the ZnO thin film by a solution growth method. Thereby, a phosphor layer containing phosphor particles embedded in a ZnO matrix was formed.
  • a solution for crystal growth an aqueous solution of zinc nitrate containing hexamethylenetetramine was used. The concentration of hexamethylenetetramine in the aqueous solution was 0.10 mol / L. The concentration of zinc nitrate in the aqueous solution was 0.10 mol / L. Thus, the wavelength conversion member of sample 1 was obtained.
  • sample 2 A phosphor layer was produced on the substrate by the same method as Sample 1. Next, the phosphor layer was placed under an atmosphere of sample gas.
  • the sample gas contained H 2 S, Cl 2 and SO 2 .
  • the concentration of H 2 S in the sample gas was 0.01 vol ppm.
  • the concentration of Cl 2 in the sample gas was 0.01 vol ppm.
  • the concentration of SO 2 in the sample gas was 0.2 vol ppm.
  • the temperature of the sample gas was 25.degree.
  • the humidity of the sample gas was 75% RH.
  • the phosphor layer and the sample gas were in contact for 10 days. Thus, the wavelength conversion member of sample 2 was obtained.
  • the wavelength conversion member of sample 2 was analyzed by an electron beam microanalyzer.
  • JXA-8900R manufactured by JEOL Ltd.
  • the analysis results are shown in FIG.
  • a graph showing the detection result of S atoms and a graph showing the detection results of Cl atoms are displayed side by side.
  • the horizontal axis of the graph indicates the distance from the detection unit of the electron beam microanalyzer in the thickness direction of the wavelength conversion member.
  • the vertical axis of the graph indicates the strength of the detection signal.
  • S atoms and Cl atoms were detected in the range surrounded by the broken line.
  • the range surrounded by the broken line was 1.3 ⁇ m. That is, the first protective layer of the wavelength conversion member of sample 2 had a thickness of 1.3 ⁇ m.
  • Example 3 The wavelength conversion member of Sample 3 was obtained by the same method as Sample 2 except that the composition of the phosphor layer was changed.
  • Al 2 O 3 particles were added to the phosphor layer as filler particles.
  • the volume ratio of phosphor particles to filler particles was adjusted so as to obtain the required chromaticity of light.
  • the ratio of the volume of phosphor particles to the total value of the volume of phosphor particles and the volume of filler particles was 65 vol%.
  • the ratio of the volume of filler particles to the total value of the volume of phosphor particles and the volume of filler particles was 35 vol%.
  • excitation light was irradiated to the obtained wavelength conversion member.
  • An LD was used as an excitation light source.
  • the wavelength of the excitation light was 447 nm.
  • the energy density of the excitation light was 13.9 kW / mm 2 .
  • the luminous intensity of the light emitted from the wavelength conversion member and the CIE chromaticity coordinates of the light were measured by a luminance meter.
  • a luminance meter an imaging color luminance meter LumiCam 1300 (manufactured by Instrument Systems) was used.
  • the color temperature of light was calculated based on the obtained CIE chromaticity coordinates.
  • the temperature of the surface of the phosphor layer contained in the wavelength conversion member was measured by infrared thermography.
  • FLIR T640 manufactured by FLIR Systems Japan
  • the first protective layer was formed on the phosphor layer by the same method as Sample 3, except that the composition of the phosphor layer was changed. Specifically, the volume ratio of phosphor particles to filler particles was adjusted to obtain the required chromaticity of light. The ratio of the volume of phosphor particles to the total value of the volume of phosphor particles and the volume of filler particles was 50 vol%. The ratio of the volume of filler particles to the total value of the volume of phosphor particles and the volume of filler particles was 50 vol%. Next, a sol containing tetraethyl orthosilicate was prepared. The sol was applied to the first protective layer so that a coating was formed on the first protective layer.
  • the coating was gelled and baked to cure the coating, thereby producing a second protective layer on the first protective layer. Baking was performed at 160 ° C. for 3 hours.
  • the second protective layer was made of glass.
  • the wavelength conversion member of sample 4 was obtained. Excitation light was irradiated to the wavelength conversion member of sample 4 by the same method as sample 3. At this time, the emission intensity of the light emitted from the wavelength conversion member, the CIE chromaticity coordinates of the light, the color temperature of the light, and the temperature of the surface of the phosphor particles contained in the wavelength conversion member were measured or calculated. The obtained results are shown in Table 1.
  • Example 5 A phosphor layer was produced on the substrate by the same method as Sample 1 except that the composition of the phosphor layer was changed. In detail, Al 2 O 3 particles were added to the phosphor layer as filler particles. The volume ratio of phosphor particles to filler particles was adjusted so as to obtain the required chromaticity of light. The ratio of the volume of phosphor particles to the total value of the volume of phosphor particles and the volume of filler particles was 50 vol%. The ratio of the volume of filler particles to the total value of the volume of phosphor particles and the volume of filler particles was 50 vol%. Next, a second protective layer was produced on the phosphor layer. The preparation of the second protective layer was performed by the same method as Sample 4.
  • the phosphor layer was placed under an atmosphere of sample gas.
  • the composition of the sample gas, the temperature of the sample gas, the humidity of the sample gas, and the period of contact with the sample gas were the same as those of the sample 2.
  • the plurality of first protective layers were formed on the phosphor layer in the plurality of pinholes of the second protective layer.
  • the wavelength conversion member of sample 5 was obtained.
  • Excitation light was irradiated to the wavelength conversion member of sample 5 by the same method as sample 3.
  • the emission intensity of the light emitted from the wavelength conversion member, the CIE chromaticity coordinates of the light, the color temperature of the light, and the temperature of the surface of the phosphor particles contained in the wavelength conversion member were measured or calculated. The obtained results are shown in Table 1.
  • Example 6 The wavelength conversion member of Sample 6 was obtained by the same method as Sample 1 except that the composition of the phosphor layer was changed. In detail, Al 2 O 3 particles were added to the phosphor layer as filler particles. The volume ratio of phosphor particles to filler particles was adjusted so as to obtain the required chromaticity of light. The ratio of the volume of phosphor particles to the total value of the volume of phosphor particles and the volume of filler particles was 65 vol%. The ratio of the volume of filler particles to the total value of the volume of phosphor particles and the volume of filler particles was 35 vol%. Excitation light was irradiated to the wavelength conversion member of sample 6 by the same method as sample 3.
  • Example 7 a mixed sol containing tetraethyl orthosilicate, phosphor particles and filler particles was prepared.
  • the material of the phosphor particles was YAG (manufactured by Nemoto Special Chemical Co., Ltd.).
  • the filler particles were Al 2 O 3 particles.
  • the mixed sol was applied to the substrate such that a coating film was formed on the substrate.
  • an Ag mirror with a protective film manufactured by Keihin Light Film Industry Co., Ltd.
  • the phosphor layer was formed by drying and baking the coating film.
  • the phosphor layer of the wavelength conversion member of Sample 7 had a glass matrix, not a ZnO matrix.
  • the glass matrix contained silicone as a main component.
  • the ratio of the volume of phosphor particles to the total value of the volume of phosphor particles and the volume of filler particles was 50 vol%.
  • the ratio of the volume of filler particles to the total value of the volume of phosphor particles and the volume of filler particles was 50 vol%.
  • Excitation light was irradiated to the wavelength conversion member of sample 7 by the same method as sample 3. At this time, the emission intensity of the light emitted from the wavelength conversion member, the CIE chromaticity coordinates of the light, the color temperature of the light, and the temperature of the surface of the phosphor particles contained in the wavelength conversion member were measured or calculated. The obtained results are shown in Table 1.
  • Each of the wavelength conversion members of Samples 3 to 7 was placed under the corrosive gas atmosphere.
  • the corrosive gases contained H 2 S, Cl 2 , NO 2 and SO 2 .
  • the concentration of H 2 S in the corrosive gas was 0.01 vol ppm.
  • the concentration of Cl 2 in the corrosive gas was 0.01 vol ppm.
  • the concentration of NO 2 in the corrosive gas was 0.2 vol ppm.
  • the concentration of SO 2 in the corrosive gas was 0.2 vol ppm.
  • the temperature of the corrosive gas was 25.degree.
  • the humidity of the corrosive gas was 75% RH.
  • the wavelength conversion member was in contact with the corrosive gas for 10 days.
  • the wavelength conversion members of Samples 3 to 7 were irradiated with excitation light.
  • the CIE chromaticity coordinates of the light emitted from the wavelength conversion member were measured by a luminance meter.
  • the color temperature of light was calculated based on the obtained CIE chromaticity coordinates. The obtained results are shown in Table 1.
  • FIGS. 9 to 11 show changes in CIE chromaticity coordinates of light emitted from the wavelength conversion members of Samples 3, 5 and 6, respectively.
  • the square marks indicate the CIE chromaticity coordinates of the light emitted from the wavelength conversion member before contacting with the corrosive gas.
  • the circles indicate the CIE chromaticity coordinates of the light emitted from the wavelength conversion member after being in contact with the corrosive gas.
  • the color temperature range of 4500 to 6500 K is surrounded by a frame.
  • the dotted lines show the relationship between the chromaticity of the light emitted from the black body and the color temperature.
  • the chromaticity of the light emitted from the wavelength conversion member of sample 3 hardly changed before and after the contact with the corrosive gas. That is, the wavelength conversion member of sample 3 had high reliability. Similar to sample 3, the wavelength conversion member of sample 4 also had high reliability.
  • the change in color temperature of light before and after contacting with the corrosive gas was within the range of 1000K. That is, the wavelength conversion member of sample 5 had sufficient reliability in practical use.
  • the chromaticity of the light emitted from the wavelength conversion member of sample 6 changed significantly before and after the contact with the corrosive gas.
  • the reliability of the wavelength conversion member of sample 6 was inferior to the wavelength conversion members of samples 3 to 5.
  • the temperature (150 ° C.) of the surface of the phosphor contained in the wavelength conversion member of Sample 7 was higher than in Samples 3 to 6.
  • the emission intensity of the light emitted from the wavelength conversion member is reduced.
  • the emission intensity of the light emitted from the wavelength conversion member of sample 7 was lower than that of samples 3 to 6.
  • the light source of the present disclosure includes, for example, general lighting devices such as ceiling lights, spotlights, illuminations for stadiums, special lighting devices such as lighting for studios, lighting devices for vehicles such as headlamps, projectors such as projectors and head-up displays It can be used for Further, the light source of the present disclosure includes, for example, lights for endoscopes; imaging devices such as digital cameras, cellular phones, and smartphones, monitors for personal computers (PCs), notebook personal computers, televisions, personal digital assistants (PDX), It can be used as a light source in a liquid crystal display device such as a smartphone, a tablet PC, a mobile phone and the like.
  • general lighting devices such as ceiling lights, spotlights, illuminations for stadiums
  • special lighting devices such as lighting for studios
  • lighting devices for vehicles such as headlamps
  • projectors such as projectors and head-up displays
  • the light source of the present disclosure includes, for example, lights for endoscopes; imaging devices such as digital cameras, cellular phones, and smartphones, monitors for

Abstract

高い信頼性を有する波長変換部材を提供する。本開示の波長変換部材（１００）は、ＺｎＯを含むマトリクス（２１）と、マトリクス（２１）に埋め込まれた蛍光体粒子（２２）とを有する蛍光体層（２０）と、ＺｎＣｌ2、ＺｎＳ及びＺｎＳＯ4からなる群より選ばれる少なくとも１つを含み、蛍光体層（２０）を被覆している第１保護層（３０）と、を備える。例えば、第１保護層（３０）が蛍光体層（２０）に接している。例えば、ＺｎＯは、ｃ軸に配向したＺｎＯ多結晶である。

Description

波長変換部材及び光源
　本開示は、波長変換部材及び光源に関する。
　近年、発光素子及び波長変換部材を備えた光源が開発されている。波長変換部材は、マトリクスに埋め込まれた蛍光体粒子を有する。発光素子の光が励起光として蛍光体粒子に照射され、励起光の波長よりも長い波長の光が蛍光体から放射される。このタイプの光源において、光の輝度及び出力を高めるための試みがなされている。
　特許文献１は、シリコーン樹脂に蛍光体が分散しているＬＥＤ封止樹脂体を開示している。特許文献２は、マトリクスの材料としてガラスが使用された波長変換部材を開示している。特許文献３は、マトリクスの材料として酸化亜鉛（ＺｎＯ）が使用された波長変換部材を開示している。ＺｎＯは、シリコーン樹脂などに比べて、耐熱性に優れている。ＺｎＯは、多くの蛍光体の屈折率に近い屈折率を有する無機材料であるとともに、優れた透光性及び熱伝導性を有する。特許文献３の波長変換部材によれば、蛍光体粒子とＺｎＯマトリクスとの界面での光散乱が抑制され、高い光出力が達成されうる。
国際公開第２０１１／１１１２９３号 特開２０１１－１６８６２７号公報 国際公開第２０１３／１７２０２５号
　特許文献３の波長変換部材は、信頼性の観点から改良の余地を有する。
　本開示は、高い信頼性を有する波長変換部材を提供することを目的とする。
　すなわち、本開示は、ＺｎＯを含むマトリクスと、マトリクスに埋め込まれた蛍光体粒子とを有する蛍光体層と、ＺｎＣｌ2、ＺｎＳ及びＺｎＳＯ4からなる群より選ばれる少なくとも１つを含み、かつ蛍光体層を被覆している第１保護層と、を備えた、波長変換部材を提供する。
　本開示の技術によれば、高い信頼性を有する波長変換部材を提供できる。
図１は、本開示の実施形態１にかかる波長変換部材の概略断面図である。 図２は、本開示の実施形態２にかかる波長変換部材の概略断面図である。 図３は、本開示の実施形態３にかかる波長変換部材の概略断面図である。 図４は、本開示の波長変換部材を用いた反射型光源の概略断面図である。 図５は、本開示の光源を用いた照明装置の概略構成図である。 図６は、サンプル１の波長変換部材のレーザー顕微鏡画像図である。 図７は、サンプル２の波長変換部材のレーザー顕微鏡画像図である。 図８は、電子線マイクロアナライザによって、サンプル２の波長変換部材を分析した結果を示すグラフである。 図９は、サンプル３の波長変換部材から放射された光のＣＩＥ色度座標の変化を示すグラフである。 図１０は、サンプル５の波長変換部材から放射された光のＣＩＥ色度座標の変化を示すグラフである。 図１１は、サンプル６の波長変換部材から放射された光のＣＩＥ色度座標の変化を示すグラフである。
　（本開示の基礎となった知見）
　特許文献３の波長変換部材において、マトリクスに含まれたＺｎＯは、空気中の腐食性ガスと反応することがある。ＺｎＯと腐食性ガスとの反応は、経時的に進行する。上記の反応が経時的に進行することによって、波長変換部材から放射された光の色度が経時変化することがある。
　本開示の第１態様にかかる波長変換部材は、
　ＺｎＯを含むマトリクスと、マトリクスに埋め込まれた蛍光体粒子とを有する蛍光体層と、ＺｎＣｌ2、ＺｎＳ及びＺｎＳＯ4からなる群より選ばれる少なくとも１つを含み、かつ蛍光体層を被覆している第１保護層と、を備えたものである。
　第１態様によれば、第１保護層は、空気中の腐食性ガスの透過を抑制する。そのため、蛍光体層のマトリクスに含まれたＺｎＯは、腐食性ガスとほとんど反応しない。すなわち、ＺｎＯと腐食性ガスとの反応が経時的に進行することを抑制できる。これにより、波長変換部材から放射された光の色度の経時変化が十分に抑制される。すなわち、波長変換部材は、高い信頼性を有する。
　本開示の第２態様において、例えば、第１態様にかかる波長変換部材の前記第１保護層が蛍光体層に接している。第２態様によれば、波長変換部材から放射された光の色度の経時変化を十分に抑制することができる。
　本開示の第３態様において、例えば、第１又は第２態様にかかる波長変換部材のＺｎＯは、ｃ軸に配向したＺｎＯ多結晶である。第３態様によれば、蛍光体層内における光散乱がより抑制される。そのため、波長変換部材において、高い光出力を達成できる。
　本開示の第４態様において、例えば、第１～第３態様のいずれか１つにかかる波長変換部材の蛍光体層は、フィラー粒子をさらに有する。第４態様によれば、波長変換部材は、必要とする色度を有する光を放射する。
　本開示の第５態様において、例えば、第１～第４態様のいずれか１つにかかる波長変換部材の第１保護層の厚さは、０．５～２０μｍの範囲にある。第５態様によれば、第１保護層が十分に薄いため、高い発光効率を達成できる。
　本開示の第６態様において、例えば、第１～第５態様のいずれか１つにかかる波長変換部材は、シリコーン樹脂、有機無機ハイブリット材料及びガラスからなる群より選ばれる少なくとも１つを含み、蛍光体層を被覆している第２保護層をさらに備える。第６態様によれば、第２保護層によって、波長変換部材の強度が向上する。第２保護層によって、腐食性ガスの透過をさらに抑制することもできる。
　本開示の第７態様にかかる光源は、発光素子と、発光素子から照射された励起光を受けて蛍光を放射する第１～第６態様のいずれか１つにかかる波長変換部材と、を備えたものである。
　第７態様によれば、光の色度の経時変化が十分に抑制された光源を提供できる。すなわち、光源は、高い信頼性を有する。
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら説明する。本開示は、以下の実施形態に限定されない。
　（実施形態１）
　図１に示すように、本実施形態１にかかる波長変換部材１００は、基板１０、蛍光体層２０及び第１保護層３０を備えている。基板１０は、蛍光体層２０及び第１保護層３０を支持している。蛍光体層２０は、基板１０の上に配置されている。蛍光体層２０は、基板１０の表面全体を被覆している。蛍光体層２０は、基板１０の表面を部分的に被覆しているだけでもよい。蛍光体層２０の下面は、基板１０の上面に接している。
　第１保護層３０は、蛍光体層２０の上に配置されている。基板１０と第１保護層３０との間に蛍光体層２０が配置されている。すなわち、波長変換部材１００の厚さ方向において、基板１０、蛍光体層２０及び第１保護層３０がこの順番で並んでいる。第１保護層３０は、蛍光体層２０の表面全体を被覆している。第１保護層３０は、蛍光体層２０の表面を部分的に被覆しているだけでもよい。第１保護層３０の下面は、蛍光体層２０の上面に接している。
　蛍光体層２０は、マトリクス２１及び蛍光体粒子２２を有する。蛍光体層２０は、さらに、フィラー粒子２３を有していてもよい。マトリクス２１は、各粒子間に存在している。各粒子は、マトリクス２１に埋め込まれている。言い換えれば、各粒子は、マトリクス２１に分散されている。
　第１の波長帯域を有する励起光が波長変換部材１００に照射されたとき、波長変換部材１００は、励起光の一部を第２の波長帯域を有する光に変換して放射する。波長変換部材１００は、励起光の波長よりも長い波長の光を放射する。第２の波長帯域は、第１の波長帯域と異なる帯域である。ただし、第２の波長帯域の一部が第１の波長帯域に重なっていてもよい。波長変換部材１００から放射された光には、蛍光体粒子２２から放射された光だけでなく、励起光そのものが含まれていてもよい。
　基板１０は、基板本体１１及び薄膜１２を有する。基板１０の厚さは、例えば、蛍光体層２０の厚さよりも大きい。基板本体１１は、サファイア（Ａｌ2Ｏ3）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリコン、アルミニウム、ガラス、石英（ＳｉＯ2）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）及び酸化亜鉛からなる群より選ばれる少なくとも１つを含む。基板本体１１は、例えば、励起光及び蛍光体粒子２２から放射された光に対して透光性を有していてもよいし、有していなくてもよい。基板本体１１は、鏡面研磨された表面を有していてもよい。
　基板本体１１の表面は、反射防止膜、ダイクロイックミラー、金属反射膜、増反射膜、保護膜などに被覆されていてもよい。反射防止膜は、励起光の反射を防止するための膜である。ダイクロックミラーは、誘電体多層膜によって構成されうる。金属反射膜は、光を反射させるための膜であり、銀、アルミなどの金属材料で作られている。増反射膜は、誘電体多層膜によって構成されうる。保護膜は、これらの膜を物理的又は化学的に保護するための膜でありうる。
　薄膜１２は、蛍光体層２０を形成するための下地層として機能する。蛍光体層２０のマトリクス２１が結晶質であるとき、薄膜１２は、マトリクス２１の結晶成長過程における種結晶として機能する。つまり、薄膜１２は、単結晶薄膜又は多結晶薄膜である。マトリクス２１がＺｎＯ単結晶又はＺｎＯ多結晶によって構成されているとき、薄膜１２は、ＺｎＯ単結晶薄膜又はＺｎＯ多結晶薄膜でありうる。ただし、基板本体１１が種結晶の機能を発揮できる場合、薄膜１２は省略されていてもよい。例えば、基板本体１１が結晶質のＧａＮ又は結晶質のＺｎＯによって構成されているとき、結晶質のＺｎＯによって構成されたマトリクス２１を基板本体１１の上に直接形成することができる。
　蛍光体層２０において、蛍光体粒子２２は、マトリクス２１に分散されている。図１において、蛍光体粒子２２は、互いに離れている。フィラー粒子２３も蛍光体粒子２２から離れている。ただし、蛍光体粒子２２が互いに接していてもよいし、フィラー粒子２３が蛍光体粒子２２に接していてもよい。蛍光体粒子２２に複数のフィラー粒子２３が接していてもよい。蛍光体粒子２２及びフィラー粒子２３は、石垣のように積まれていてもよい。
　蛍光体粒子２２は、励起光を受けて蛍光を放射する。蛍光体粒子２２の材料は、特に限定されない。種々の蛍光物質が蛍光体粒子２２の材料として使用されうる。具体的には、Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ（ＹＡＧ）、Ｙ3（Ａｌ，Ｇａ）5Ｏ12：Ｃｅ（ＧＹＡＧ）、Ｌｕ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ（ＬｕＡＧ）、（Ｓｉ，Ａｌ）6（Ｏ，Ｎ）8：Ｅｕ（β－ＳｉＡｌＯＮ）、（Ｌａ，Ｙ）3Ｓｉ6Ｎ11：Ｃｅ（ＬＹＳＮ）、Ｌａ3Ｓｉ6Ｎ11：Ｃｅ（ＬＳＮ）、Ｌｕ2ＣａＭｇ2Ｓｉ3Ｏ12：Ｃｅ（ＬＣＭＳ）、Ｓｒ2ＳｉＯ4：Ｅｕ、（Ｂａ，Ｓｒ）Ｓｉ2Ｏ2Ｎ2：Ｅｕ、Ｃａ3Ｓｃ2Ｓｉ3Ｏ12：Ｃｅ、ＣａＳｉ2Ｏ2Ｎ2：Ｅｕなどの蛍光物質が使用されうる。蛍光体粒子２２は、互いに異なる組成を有する複数の種類の蛍光体粒子を含んでいてもよい。蛍光体粒子２２の材料は、波長変換部材１００から放射されるべき光の色度に応じて選択される。
　蛍光体粒子２２の平均粒径は、例えば、０．１～５０μｍの範囲にある。蛍光体粒子２２の平均粒径は、例えば、次の方法によって特定することができる。まず、波長変換部材１００の断面を走査電子顕微鏡で観察する。得られた電子顕微鏡像において、特定の蛍光体粒子２２の面積を画像処理によって算出する。算出された面積と同じ面積を有する円の直径をその特定の蛍光体粒子２２の粒径（粒子の直径）とみなす。任意の個数（例えば５０個）の蛍光体粒子２２の粒径をそれぞれ算出し、算出値の平均値を蛍光体粒子２２の平均粒径とみなす。本開示において、蛍光体粒子２２の形状は限定されない。蛍光体粒子２２の形状は、球状であってもよく、鱗片状であってもよく、繊維状であってもよい。本開示において、平均粒径の測定方法は上記の方法に限定されない。
　マトリクス２１は、ＺｎＯを含む。ＺｎＯは、透明性及び熱伝導性の観点から、マトリクス２１の材料に適している。ＺｎＯは、高い熱伝導性を有する。そのため、ＺｎＯがマトリクス２１の材料として使用されているとき、蛍光体層２０の熱を外部（主に基板１０）に容易に逃がすことができる。マトリクス２１は、ＺｎＯを主成分として含んでいてもよい。「主成分」とは、マトリクス２１に重量比で最も多く含まれた成分を意味する。マトリクス２１は、実質的にＺｎＯからなっていてもよい。「実質的に～からなる」は、言及された化合物の本質的特徴を変更する他の成分を排除することを意味する。ただし、マトリクス２１は、ＺｎＯの他に不純物を含んでいてもよい。
　マトリクス２１の材料としてのＺｎＯは、詳細には、ＺｎＯ単結晶又はｃ軸に配向したＺｎＯ多結晶である。ＺｎＯは、ウルツ鉱型の結晶構造を有する。「ｃ軸に配向したＺｎＯ」とは、基板１０の主面（最も広い面積を有する面）に平行な面がｃ面であることを意味する。マトリクス２１がｃ軸に配向したＺｎＯ多結晶を含むとき、蛍光体層２０の内部において光散乱が抑制され、高い光出力を達成できる。
　ｃ軸に配向したＺｎＯ多結晶は、ｃ軸に配向した複数の柱状の結晶粒を含む。ｃ軸に配向したＺｎＯ多結晶において、ｃ軸方向の結晶粒界が少ない。「柱状の結晶粒がｃ軸に配向している」とは、ｃ軸方向のＺｎＯの成長がａ軸方向のＺｎＯの成長よりも速く、基板１０の上に縦長のＺｎＯ結晶粒が形成されていることを意味する。ＺｎＯ結晶粒のｃ軸は、基板１０の法線方向に平行である。あるいは、基板１０の法線方向に対するＺｎＯ結晶粒のｃ軸の傾きが４°以下である。ここで、「ｃ軸の傾きが４°以下」とは、ｃ軸の傾きの分布が４°以下という意味であって、全ての結晶粒のｃ軸の傾きが４°以下であることを必ずしも意味しない。「ｃ軸の傾き」は、ｃ軸のＸ線ロッキングカーブ法による半値幅で評価できる。詳細には、ｃ軸のＸ線ロッキングカーブ法による半値幅が４°以下である。特許文献３（国際公開第２０１３／１７２０２５号）は、ｃ軸に配向したＺｎＯ多結晶によって構成されたマトリクスを詳しく開示している。
　蛍光体層２０において、フィラー粒子２３は、マトリクス２１に分散されている。フィラー粒子２３に励起光が照射されたとき、フィラー粒子２３は、蛍光の光を放射しないか、無視できる強度の蛍光の光のみを放射する。フィラー粒子２３の材料、形状及び添加量は、必要とする色度に応じて適宜調節される。
　フィラー粒子２３は、例えば無機粒子であり、典型的には金属酸化物を含む。フィラー粒子２３は、実質的に金属酸化物からなっていてもよい。金属酸化物の多くは、化学的に安定であり、蛍光を殆ど放射しないので、フィラー粒子２３の材料として適している。一例において、フィラー粒子２３は、Ａｌ2Ｏ3粒子、ＳｉＯ2粒子及びＴｉＯ2粒子から選ばれる少なくとも１つを含む。
　フィラー粒子２３の平均粒径は、例えば、０．１～２０μｍの範囲にある。フィラー粒子２３の平均粒径は、例えば、蛍光体粒子２２の平均粒径よりも小さい。蛍光体粒子２２の平均粒径Ｄ１に対するフィラー粒子２３の平均粒径Ｄ２の比率（Ｄ２／Ｄ１）は、例えば、０．０１～０．９０の範囲にある。フィラー粒子２３の平均粒径は、蛍光体粒子２２の平均粒径と同じ方法によって測定されうる。フィラー粒子２３の形状は、球状であってもよく、鱗片状であってもよく、繊維状であってもよい。蛍光体粒子２２の体積をＶ１と定義する。フィラー粒子２３の体積をＶ２と定義する。このとき、Ｖ２／（Ｖ１＋Ｖ２）の値は、例えば、０．１～０．９の範囲にある。
　第１保護層３０は、ＺｎＣｌ2、ＺｎＳ及びＺｎＳＯ4からなる群より選ばれる少なくとも１つを含む。これらの化合物は、空気中の腐食性ガスとほとんど反応しない。腐食性ガスとは、例えば、Ｈ2Ｓ、Ｃｌ2、ＮＯ2及びＳＯ2からなる群より選ばれる少なくとも１つを含むガスである。第１保護層３０は、腐食性ガスとほとんど反応しない。第１保護層３０は、腐食性ガスの透過を抑制する。そのため、マトリクス２１に含まれたＺｎＯは、腐食性ガスとほとんど反応しない。すなわち、ＺｎＯと腐食性ガスとの反応が経時的に進行することを抑制できる。これにより、波長変換部材１００から放射された光の色度の経時変化が十分に抑制される。すなわち、波長変換部材１００は、高い信頼性を有する。
　第１保護層３０は、ＺｎＣｌ2、ＺｎＳ及びＺｎＳＯ4からなる群より選ばれる少なくとも１つを主成分として含んでいてもよい。第１保護層３０は、ＺｎＣｌ2、ＺｎＳ及びＺｎＳＯ4からなる群より選ばれるいずれか１つを主成分として含んでいてもよい。第１保護層３０は、実質的にＺｎＣｌ2、ＺｎＳ及びＺｎＳＯ4からなる群より選ばれる少なくとも１つからなっていてもよい。ただし、第１保護層３０は、これらの化合物の他に不純物を含んでいてもよい。
　第１保護層３０の厚さは、例えば、蛍光体層２０の厚さよりも小さい。第１保護層３０の厚さは、例えば、０．５～２０μｍの範囲にある。第１保護層３０が薄ければ薄いほど、高い発光効率を達成できる。第１保護層３０の厚さは、２．０μｍ以下であってもよく、１．３μｍ以下であってもよい。
　波長変換部材１００が第１保護層３０を備えていることは、波長変換部材１００の表面について元素分析を行うことによって確認できる。元素分析は、例えば、電子線マイクロアナライザによって実施できる。波長変換部材１００が第１保護層３０を備えていることは、波長変換部材１００の表面をレーザー顕微鏡で観察することによって確認できることがある。第１保護層３０の厚さは、例えば、電子線マイクロアナライザによって測定できる。
　次に、波長変換部材１００の製造方法を説明する。
　まず、亜鉛アルコキシドなどの前駆体、蛍光体粒子２２及びフィラー粒子２３を含む混合ゾルを調製する。基板１０の上に塗膜が形成されるように、基板１０に混合ゾルを塗布する。塗膜の形成方法としては、印刷法が挙げられる。塗膜をゲル化させ、焼成することによって、蛍光体層２０が得られる。
　マトリクス２１がＺｎＯ単結晶又はｃ軸に配向したＺｎＯ多結晶である場合、溶液成長法によって基板１０の上にマトリクス２１を形成することができる。まず、基板１０を準備する。基板本体１１の上に薄膜１２として結晶性のＺｎＯ薄膜を形成する。ＺｎＯ薄膜を形成する方法としては、電子ビーム蒸着法、反応性プラズマ蒸着法、スパッタリング法、パルスレーザ蓄積法などの真空成膜法が用いられる。薄膜１２は、ＺｎＯ単結晶薄膜又はＺｎＯ多結晶薄膜でありうる。次に、基板１０の上（薄膜１２の上）に蛍光体粒子２２及びフィラー粒子２３を含む層を形成する。例えば、蛍光体粒子２２及びフィラー粒子２３を含む分散液を調製する。基板１０を分散液中に配置し、電気泳動法を用いて蛍光体粒子２２及びフィラー粒子２３を基板１０の上に堆積させる。これにより、蛍光体粒子２２及びフィラー粒子２３を含む層を基板１０の上に形成することができる。基板１０を分散液中に配置し、蛍光体粒子２２及びフィラー粒子２３を沈降させることによって基板１０の上に蛍光体粒子２２及びフィラー粒子２３を含む層を形成することもできる。蛍光体粒子２２及びフィラー粒子２３を含む塗布液を用い、印刷法などの薄膜形成方法によって蛍光体粒子２２及びフィラー粒子２３を含む層を基板１０の上に形成することもできる。
　次に、Ｚｎを含有する溶液を使用した溶液成長法によって、粒子間にマトリクス２１を形成する。これにより、蛍光体層２０が得られる。溶液成長法には、大気圧下で行われる化学溶液析出法（chemical bath deposition）、大気圧以上の圧力下で行う水熱合成法（hydrothermal synthesis）、電圧又は電流を印加する電解析出法（electrochemical deposition）などが用いられる。結晶成長用の溶液として、例えば、ヘキサメチレンテトラミンを含有する硝酸亜鉛の水溶液が用いられる。結晶質のマトリクス２１は、薄膜１２の上にエピタキシャル成長する。これによって、蛍光体層２０が得られる。
　次に、蛍光体層２０を試料ガスの雰囲気下に置く。試料ガスは、Ｈ2Ｓ、Ｃｌ2及びＳＯ2からなる群より選ばれる少なくとも１つを含む。蛍光体層２０の表面付近において、マトリクス２１に含まれたＺｎＯが試料ガスと反応する。これにより、第１保護層３０が形成される。このとき、形成された第１保護層３０は、蛍光体層２０の表面と密着している。言い換えると、第１保護層３０と蛍光体層２０との間に、隙間がほとんど形成されない。これにより、第１保護層３０と蛍光体層２０との界面において、光の反射が抑制される。第１保護層３０は、例えば、透明であり、可視光をほとんど吸収しない。すなわち、上記の方法によって作製された波長変換部材１００によれば、高い光出力が達成される。第１保護層３０は、試料ガスの透過を抑制する。そのため、第１保護層３０が形成されたあとに、マトリクス２１に含まれたＺｎＯは、試料ガスとほとんど反応しない。
　試料ガスにおけるＨ2Ｓ、Ｃｌ2及びＳＯ2のそれぞれの濃度は、０．００５～１０ｖｏｌ　ｐｐｍの範囲にあってもよい。蛍光体層２０と試料ガスとを接触させるべき期間は、１～５０日間の範囲にあってもよい。試料ガスと蛍光体層２０とを接触させるときの試料ガスの温度は、１～５０℃の範囲にあってもよい。
　第１保護層３０は、ＺｎＣｌ2、ＺｎＳ及びＺｎＳＯ4からなる群より選ばれる少なくとも１つを蛍光体層２０に堆積させることによって作製されてもよい。これらの化合物を堆積させる方法としては、スパッタリング法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、化学蒸着法、化学的気相法などが挙げられる。
　（実施形態２）
　図２に示すように、本実施形態２にかかる波長変換部材１１０は、第２保護層４０を備えている。第２保護層４０を除き、波長変換部材１１０の構造は、実施形態１の波長変換部材１００の構造と同じである。したがって、実施形態１の波長変換部材１００と本実施形態の波長変換部材１１０とで共通する要素には同じ参照符号を付し、それらの説明を省略することがある。すなわち、以下の各実施形態に関する説明は、技術的に矛盾しない限り、相互に適用されうる。さらに、技術的に矛盾しない限り、各実施形態は、相互に組み合わされてもよい。
　第２保護層４０は、蛍光体層２０及び第１保護層３０の上に配置されている。詳細には、波長変換部材１１０の厚さ方向において、基板１０、蛍光体層２０、第１保護層３０及び第２保護層４０がこの順番で並んでいる。第２保護層４０は、蛍光体層２０の表面全体を被覆している。第２保護層４０は、蛍光体層２０の表面を部分的に被覆しているだけでもよい。波長変換部材１１０において、第１保護層３０の上面が第２保護層４０の下面に接している。第２保護層４０は、第１保護層３０の上に配置されていなくてもよい。第２保護層４０は、蛍光体層２０と第１保護層３０との間に配置されていてもよい。
　第２保護層４０は、シリコーン樹脂、有機無機ハイブリット材料及びガラスからなる群より選ばれる少なくとも１つを含む。第２保護層４０によって、波長変換部材１１０の強度が向上する。第２保護層４０によって、腐食性ガスの透過をさらに抑制することもできる。第２保護層４０は、シリコーン樹脂、有機無機ハイブリット材料及びガラスからなる群より選ばれる少なくとも１つを主成分として含んでいてもよい。有機無機ハイブリッド材料は、例えばシロキサン結合を有するポリシルセスキオキサンであってもよい。第２保護層４０は、実質的にガラスからなっていてもよい。第２保護層４０の厚さは、例えば、蛍光体層２０の厚さよりも小さい。第２保護層４０の厚さは、例えば、０．５～２０μｍの範囲にある。
　第２保護層４０を作製する方法は、特に限定されない。例えば、第２保護層４０がシリコーン樹脂を含む場合、次の方法によって、第２保護層４０を作製できる。まず、シリコーン樹脂を含む分散液を調製する。第１保護層３０の上に塗膜が形成されるように、第１保護層３０に分散液を塗布する。塗膜を乾燥させることによって、第２保護層４０が形成される。
　第２保護層４０が有機無機ハイブリッド材料を含む場合、次の方法によって、第２保護層４０を作製できる。まず、ベンジルアルコールにポリシルセスキオキサンを溶解させ、これらを含む分散液を調製する。第１保護層３０の上に塗膜が形成されるように、第１保護層３０に分散液を塗布する。塗膜を熱硬化させることによって、第２保護層４０が得られる。
　第２保護層４０がガラスを含む場合、次の方法によって、第２保護層４０を作製できる。まず、シリコンアルコキシドなどの前駆体を含むゾルを調製する。第１保護層３０の上に塗膜が形成されるように、第１保護層３０にゾルを塗布する。塗膜をゲル化させ、焼成することによって、第２保護層４０が得られる。
　第２保護層４０が蛍光体層２０と第１保護層３０との間に配置されているとき、第１保護層３０の作製は、例えば、ＺｎＣｌ2、ＺｎＳ及びＺｎＳＯ4からなる群より選ばれる少なくとも１つを第２保護層４０の上に堆積させることによって行われる。
　（実施形態３）
　図３に示すように、本実施形態にかかる波長変換部材１２０は、蛍光体層２０、第１保護層３１及び第２保護層４１を備えている。第１保護層３１の材料は、先の実施形態で説明した第１保護層３０と同じである。第２保護層４１の材料は、先の実施形態で説明した第２保護層４０と同じである。第２保護層４１は、複数のピンホール４５を有する。ピンホール４５は、第２保護層４１をその厚さ方向に貫通している貫通孔である。複数のピンホール４５が蛍光体層２０の上面に重なっている。複数のピンホール４５内において、複数の第１保護層３１が蛍光体層２０の上に配置されている。言い換えると、複数のピンホール４５を通じて、複数の第１保護層３１が蛍光体層２０に接している。第２保護層４１及び複数の第１保護層３１のそれぞれの下面が蛍光体層２０の上面と接している。波長変換部材１２０において、複数の第１保護層３１のそれぞれの厚さは、第２保護層４１の厚さに比べて小さい。
　平面視での複数のピンホール４５の直径は、それぞれ、１．０ｎｍ～１．０μｍの範囲にあってもよい。複数のピンホール４５の直径は、例えば、第２保護層４１の表面を電子顕微鏡で観察することによって測定できる。
　波長変換部材１２０において、第２保護層４１及び複数の第１保護層３１のそれぞれは、次のようにして作製できる。まず、蛍光体層２０の上に第２保護層４１を配置する。第２保護層４１の作製には、上述した方法を利用できる。上述した方法によって作製された第２保護層４１は、通常、複数のピンホール４５を有している。第２保護層４１に対して、イオンビームを照射することによって、複数のピンホール４５を形成してもよい。複数のピンホール４５を通じて、蛍光体層２０が外部に露出している。
　次に、第２保護層４１が配置された蛍光体層２０を試料ガスの雰囲気下に置く。外部に露出している蛍光体層２０の表面付近において、マトリクス２１に含まれたＺｎＯが試料ガスと反応する。これにより、第２保護層４１の複数のピンホール４５内において、複数の第１保護層３１が形成される。
　（光源の実施形態）
　図４に示すように、本実施形態の光源２００は、波長変換部材１００及び発光素子５１を備えている。発光素子５１と波長変換部材１００の基板１０との間に波長変換部材１００の蛍光体層２０が位置している。光源２００は、反射型光源である。波長変換部材１００に代えて、図２を参照して説明した波長変換部材１１０及び図３を参照して説明した波長変換部材１２０も使用可能である。これらの波長変換部材１００，１１０及び１２０の組み合わせを光源２００に使用することも可能である。
　発光素子５１は、励起光を放射する。発光素子５１は、典型的には、半導体発光素子である。半導体発光素子は、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、スーパールミネッセントダイオード（ＳＬＤ）又はレーザーダイオード（ＬＤ）である。
　発光素子５１は、１つのＬＤによって構成されていてもよく、複数のＬＤによって構成されていてもよい。複数のＬＤは、光学的に結合されていてもよい。発光素子５１は、例えば、青紫光を放射する。本開示において、青紫光は、３８０～４２０ｎｍの範囲のピーク波長を有する光である。
　光源２００は、光学系５０をさらに備えている。発光素子５１から放射された励起光の光路上に光学系５０が位置していてもよい。光学系５０は、レンズ、ミラー、光ファイバーなどの光学部品を含む。
　（照明装置の実施形態）
　図５に示すように、本実施形態の照明装置３００は、光源２００及び光学部品５５を備えている。光学部品５５は、光源２００から放射された光を前方に導くための部品であり、具体的には、リフレクタである。光学部品５５は、例えば、Ａｌ、Ａｇなどの金属膜又は表面に保護膜が形成されたＡｌ膜を有する。光源２００の前方には、フィルタ５６が設けられていてもよい。フィルタ５６は、光源２００の発光素子からのコヒーレントな青色光が直接外部に出ないように、青色光を吸収又は散乱させる。照明装置３００は、いわゆるリフレクタータイプであってもよく、プロジェクタータイプであってもよい。照明装置３００は、例えば、車両用ヘッドランプである。
　本開示を実施例に基づき、具体的に説明する。ただし、本開示は、以下の実施例によって何ら限定されるものではない。
　（サンプル１）
　まず、基板本体の上に、結晶性のＺｎＯ薄膜を形成した。基板本体としては、保護膜付きＡｇミラー（京浜光膜工業社製）を用いた。保護膜は、ＳｉＯ2であった。ＺｎＯ薄膜の上に、蛍光体粒子を配置した。蛍光体粒子の材料は、ＹＡＧ（根本特殊化学社製）であった。
　次に、溶液成長法によって、ＺｎＯ薄膜の上に結晶質のＺｎＯマトリクスを作製した。これにより、ＺｎＯマトリクスに埋め込まれた蛍光体粒子を含む蛍光体層が形成された。結晶成長用の溶液としては、ヘキサメチレンテトラミンを含有する硝酸亜鉛の水溶液を用いた。水溶液におけるヘキサメチレンテトラミンの濃度は、０．１０ｍｏｌ／Ｌであった。水溶液における硝酸亜鉛の濃度は、０．１０ｍｏｌ／Ｌであった。このようにして、サンプル１の波長変換部材を得た。
　（サンプル２）
　サンプル１と同じ方法によって、基板の上に蛍光体層を作製した。次に、蛍光体層を試料ガスの雰囲気下に置いた。試料ガスは、Ｈ2Ｓ、Ｃｌ2及びＳＯ2を含んでいた。試料ガスにおけるＨ2Ｓの濃度は、０．０１ｖｏｌ　ｐｐｍであった。試料ガスにおけるＣｌ2の濃度は、０．０１ｖｏｌ　ｐｐｍであった。試料ガスにおけるＳＯ2の濃度は、０．２ｖｏｌ　ｐｐｍであった。試料ガスの温度は、２５℃であった。試料ガスの湿度は、７５％ＲＨであった。蛍光体層と試料ガスとを１０日間接触させた。このようにして、サンプル２の波長変換部材を得た。
　（レーザー顕微鏡による観察）
　サンプル１及び２のそれぞれの波長変換部材の表面をレーザー顕微鏡によって観察した。レーザー顕微鏡としては、ＬＥＸＴ　ＯＬＳ４１００（オリンパス社製）を用いた。得られたレーザー顕微鏡画像を図６及び７に示す。図６及び７からわかるとおり、サンプル２の波長変換部材の表面は、サンプル１の波長変換部材の表面と異なっていた。このことから、サンプル２の波長変換部材は、第１保護層を備えていることが推察される。
　（電子線マイクロアナライザによる分析）
　サンプル２の波長変換部材を電子線マイクロアナライザによって分析した。電子線マイクロアナライザとしては、ＪＸＡ－８９００Ｒ（日本電子社製）を用いた。分析結果を図８に示す。図８では、Ｓ原子の検出結果を示すグラフと、Ｃｌ原子の検出結果を示すグラフとを並べて表示している。グラフの横軸は、波長変換部材の厚さ方向における電子線マイクロアナライザの検出部からの距離を示している。グラフの縦軸は、検出信号の強度を示している。図８からわかるとおり、破線で囲まれた範囲において、Ｓ原子及びＣｌ原子が検出された。破線で囲まれた範囲は、１．３μｍであった。すなわち、サンプル２の波長変換部材の第１保護層は、１．３μｍの厚さを有していた。
　（サンプル３）
　蛍光体層の組成を変更したことを除き、サンプル２と同じ方法によって、サンプル３の波長変換部材を得た。詳細には、フィラー粒子としてＡｌ2Ｏ3粒子を蛍光体層に添加した。必要とする光の色度が得られるように、蛍光体粒子とフィラー粒子との体積比を調節した。蛍光体粒子の体積とフィラー粒子の体積との合計値に対する蛍光体粒子の体積の比率は、６５ｖｏｌ％であった。蛍光体粒子の体積とフィラー粒子の体積との合計値に対するフィラー粒子の体積の比率は、３５ｖｏｌ％であった。次に、得られた波長変換部材に励起光を照射した。励起光源としては、ＬＤを用いた。励起光の波長は、４４７ｎｍであった。励起光のエネルギー密度は、１３．９ｋＷ／ｍｍ2であった。このとき、波長変換部材から放射された光の発光強度及び光のＣＩＥ色度座標を輝度計によって測定した。輝度計としては、イメージング色彩輝度計ＬｕｍｉＣａｍ１３００（Instrument Systems社製）を用いた。得られたＣＩＥ色度座標に基づいて、光の色温度を算出した。さらに、波長変換部材に含まれた蛍光体層の表面の温度を赤外線サーモグラフィによって測定した。赤外線サーモグラフィとしては、ＦＬＩＲ　Ｔ６４０（フリアーシステムズジャパン社製）を用いた。得られた結果を表１に示す。
　（サンプル４）
　蛍光体層の組成を変更したことを除き、サンプル３と同じ方法によって、蛍光体層の上に第１保護層を作製した。詳細には、必要とする光の色度が得られるように、蛍光体粒子とフィラー粒子との体積比を調節した。蛍光体粒子の体積とフィラー粒子の体積との合計値に対する蛍光体粒子の体積の比率は、５０ｖｏｌ％であった。蛍光体粒子の体積とフィラー粒子の体積との合計値に対するフィラー粒子の体積の比率は、５０ｖｏｌ％であった。次に、オルトケイ酸テトラエチルを含むゾルを調製した。第１保護層の上に塗膜が形成されるように、第１保護層にゾルを塗布した。塗膜をゲル化させ、焼成することによって塗膜を硬化させ、第１保護層の上に第２保護層を作製した。焼成は、１６０℃で３時間実施した。第２保護層は、ガラスでできていた。このようにして、サンプル４の波長変換部材を得た。サンプル３と同じ方法によって、サンプル４の波長変換部材に励起光を照射した。このとき、波長変換部材から放射された光の発光強度、光のＣＩＥ色度座標、光の色温度、及び、波長変換部材に含まれた蛍光体粒子の表面の温度を測定又は算出した。得られた結果を表１に示す。
　（サンプル５）
　蛍光体層の組成を変更したことを除き、サンプル１と同じ方法によって、基板の上に蛍光体層を作製した。詳細には、フィラー粒子としてＡｌ2Ｏ3粒子を蛍光体層に添加した。必要とする光の色度が得られるように、蛍光体粒子とフィラー粒子との体積比を調節した。蛍光体粒子の体積とフィラー粒子の体積との合計値に対する蛍光体粒子の体積の比率は、５０ｖｏｌ％であった。蛍光体粒子の体積とフィラー粒子の体積との合計値に対するフィラー粒子の体積の比率は、５０ｖｏｌ％であった。次に、蛍光体層の上に第２保護層を作製した。第２保護層の作製は、サンプル４と同じ方法によって行った。次に、蛍光体層を試料ガスの雰囲気下に置いた。試料ガスの組成、試料ガスの温度、試料ガスの湿度及び試料ガスと接触させた期間は、サンプル２と同じであった。これにより、第２保護層の複数のピンホール内において、複数の第１保護層が蛍光体層の上に形成された。このようにして、サンプル５の波長変換部材を得た。サンプル３と同じ方法によって、サンプル５の波長変換部材に励起光を照射した。このとき、波長変換部材から放射された光の発光強度、光のＣＩＥ色度座標、光の色温度、及び、波長変換部材に含まれた蛍光体粒子の表面の温度を測定又は算出した。得られた結果を表１に示す。
　（サンプル６）
　蛍光体層の組成を変更したことを除き、サンプル１と同じ方法によって、サンプル６の波長変換部材を得た。詳細には、フィラー粒子としてＡｌ2Ｏ3粒子を蛍光体層に添加した。必要とする光の色度が得られるように、蛍光体粒子とフィラー粒子との体積比を調節した。蛍光体粒子の体積とフィラー粒子の体積との合計値に対する蛍光体粒子の体積の比率は、６５ｖｏｌ％であった。蛍光体粒子の体積とフィラー粒子の体積との合計値に対するフィラー粒子の体積の比率は、３５ｖｏｌ％であった。サンプル３と同じ方法によって、サンプル６の波長変換部材に励起光を照射した。このとき、波長変換部材から放射された光の発光強度、光のＣＩＥ色度座標、光の色温度、及び、波長変換部材に含まれた蛍光体粒子の表面の温度を測定又は算出した。得られた結果を表１に示す。
　（サンプル７）
　まず、オルトケイ酸テトラエチル、蛍光体粒子及びフィラー粒子を含む混合ゾルを調製した。蛍光体粒子の材料は、ＹＡＧ（根本特殊化学社製）であった。フィラー粒子は、Ａｌ2Ｏ3粒子であった。次に、基板の上に塗膜が形成されるように、基板に混合ゾルを塗布した。基板としては、保護膜付きＡｇミラー（京浜光膜工業社製）を用いた。次に、塗膜を乾燥及び焼成することによって、蛍光体層を形成した。これにより、サンプル７の波長変換部材を得た。サンプル７の波長変換部材の蛍光体層は、ＺｎＯマトリクスではなく、ガラスマトリクスを有していた。ガラスマトリクスは、シリコーンを主成分として含んでいた。蛍光体粒子の体積とフィラー粒子の体積との合計値に対する蛍光体粒子の体積の比率は、５０ｖｏｌ％であった。蛍光体粒子の体積とフィラー粒子の体積との合計値に対するフィラー粒子の体積の比率は、５０ｖｏｌ％であった。サンプル３と同じ方法によって、サンプル７の波長変換部材に励起光を照射した。このとき、波長変換部材から放射された光の発光強度、光のＣＩＥ色度座標、光の色温度、及び、波長変換部材に含まれた蛍光体粒子の表面の温度を測定又は算出した。得られた結果を表１に示す。
　（色温度の経時変化）
　サンプル３～７のそれぞれの波長変換部材を腐食性ガスの雰囲気下に置いた。腐食性ガスは、Ｈ2Ｓ、Ｃｌ2、ＮＯ2及びＳＯ2を含んでいた。腐食性ガスにおけるＨ2Ｓの濃度は、０．０１ｖｏｌ　ｐｐｍであった。腐食性ガスにおけるＣｌ2の濃度は、０．０１ｖｏｌ　ｐｐｍであった。腐食性ガスにおけるＮＯ2の濃度は、０．２ｖｏｌ　ｐｐｍであった。腐食性ガスにおけるＳＯ2の濃度は、０．２ｖｏｌ　ｐｐｍであった。腐食性ガスの温度は、２５℃であった。腐食性ガスの湿度は、７５％ＲＨであった。波長変換部材と腐食性ガスとを１０日間接触させた。
　腐食性ガスと接触させたあとに、サンプル３～７のそれぞれの波長変換部材に励起光を照射した。このとき、波長変換部材から放射された光のＣＩＥ色度座標を輝度計によって測定した。得られたＣＩＥ色度座標に基づいて、光の色温度を算出した。得られた結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１において、蛍光体の表面の温度が１００℃以下であり、かつ、腐食性ガスと接触する前後における光の色温度の変化が１０００Ｋの範囲内である場合、波長変換部材の特性が実用上十分（○）であると判断した。蛍光体の表面の温度、又は、光の色温度の変化が上記の条件を満たさない場合、波長変換部材の特性が不十分（×）であると判断した。
　図９～１１は、それぞれ、サンプル３、５及び６の波長変換部材から放射された光のＣＩＥ色度座標の変化を示している。図９～１１のそれぞれのグラフにおいて、四角の印は、腐食性ガスと接触する前の波長変換部材から放射された光のＣＩＥ色度座標を示している。丸印は、腐食性ガスと接触した後の波長変換部材から放射された光のＣＩＥ色度座標を示している。４５００～６５００Ｋの色温度の範囲が枠線によって囲まれている。点線は、黒体から放射された光の色度と色温度との関係を示している。
　図９からわかるとおり、サンプル３の波長変換部材から放射された光の色度は、腐食性ガスとの接触の前後で、ほとんど変化しなかった。すなわち、サンプル３の波長変換部材は、高い信頼性を有していた。サンプル３と同じように、サンプル４の波長変換部材も、高い信頼性を有していた。
　図１０からわかるとおり、サンプル５の波長変換部材において、腐食性ガスと接触する前後における光の色温度の変化は、１０００Ｋの範囲内であった。すなわち、サンプル５の波長変換部材は、実用上十分な信頼性を有していた。
　図１１からわかるとおり、サンプル６の波長変換部材から放射された光の色度は、腐食性ガスとの接触の前後で、大きく変化した。サンプル６の波長変換部材の信頼性は、サンプル３～５の波長変換部材に比べて劣っていた。
　表１の結果からわかるとおり、サンプル７の波長変換部材に含まれた蛍光体の表面の温度（１５０℃）は、サンプル３～６と比べて高かった。蛍光体の表面の温度が高い場合、波長変換部材から放射された光の発光強度が低下する。サンプル７の波長変換部材から放射された光の発光強度は、サンプル３～６と比べて低かった。
　本開示の光源は、例えば、シーリングライトなどの一般照明装置、スポットライト、スタジアム用照明、スタジオ用照明などの特殊照明装置、ヘッドランプなどの車両用照明装置、プロジェクタ、ヘッドアップディスプレイなどの投影装置に用いることができる。また、本開示の光源は、例えば、内視鏡用ライト；デジタルカメラ、携帯電話機、スマートフォンなどの撮像装置、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）用モニター、ノート型パーソナルコンピュータ、テレビ、携帯情報端末（ＰＤＸ）、スマートフォン、タブレットＰＣ、携帯電話などの液晶ディスプレイ装置などにおける光源として用いることができる。
１０　　基板
１１　　基板本体
１２　　薄膜
２０　　蛍光体層
２１　　マトリクス
２２　　蛍光体粒子
２３　　フィラー粒子
３０，３１　　第１保護層
４０，４１　　第２保護層
４５　　ピンホール
５０　　光学系
５１　　発光素子
５５　　光学部品
５６　　フィルタ
１００，１１０，１２０　　波長変換部材
２００　　光源
３００　　照明装置

Claims (7)

  1. 　ＺｎＯを含むマトリクスと、前記マトリクスに埋め込まれた蛍光体粒子とを有する蛍光体層と、
    　ＺｎＣｌ2、ＺｎＳ及びＺｎＳＯ4からなる群より選ばれる少なくとも１つを含み、前記蛍光体層を被覆している第１保護層と、
    　を備えた、波長変換部材。
  2. 　前記第１保護層が前記蛍光体層に接している、請求項１に記載の波長変換部材。
  3. 　前記ＺｎＯは、ｃ軸に配向したＺｎＯ多結晶である、請求項１又は２に記載の波長変換部材。
  4. 　前記蛍光体層は、フィラー粒子をさらに有する、請求項１～３のいずれか１項に記載の波長変換部材。
  5. 　前記第１保護層の厚さは、０．５～２０μｍの範囲にある、請求項１～４のいずれか１項に記載の波長変換部材。
  6. 　シリコーン樹脂、有機無機ハイブリッド材料及びガラスからなる群より選ばれる少なくとも１つを含み、前記蛍光体層を被覆している第２保護層をさらに備えた、請求項１～５のいずれか１項に記載の波長変換部材。
  7. 　発光素子と、
    　前記発光素子から照射された励起光を受けて蛍光を放射する請求項１～６のいずれか１項に記載の波長変換部材と、
    　を備えた、光源。
PCT/JP2018/022656 2017-06-29 2018-06-14 波長変換部材及び光源 WO2019003927A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP18823925.5A EP3647836A4 (en) 2017-06-29 2018-06-14 WAVELENGTH CONVERSION ELEMENT AND LIGHT SOURCE
US16/623,043 US20210149097A1 (en) 2017-06-29 2018-06-14 Wavelength conversion member and light source
CN201880042910.2A CN110799863B (zh) 2017-06-29 2018-06-14 波长转换构件及光源
JP2019526787A JP6982745B2 (ja) 2017-06-29 2018-06-14 波長変換部材及び光源

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-127638 2017-06-29
JP2017127638 2017-06-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019003927A1 true WO2019003927A1 (ja) 2019-01-03

Family

ID=64741546

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2018/022656 WO2019003927A1 (ja) 2017-06-29 2018-06-14 波長変換部材及び光源

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20210149097A1 (ja)
EP (1) EP3647836A4 (ja)
JP (1) JP6982745B2 (ja)
CN (1) CN110799863B (ja)
WO (1) WO2019003927A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11597879B2 (en) 2020-09-30 2023-03-07 Nichia Corporation Wavelength converter and light emitting device
US11867380B2 (en) 2020-07-22 2024-01-09 Nichia Corporation Wavelength conversion member and light emitting device

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2576578A (en) * 2018-08-24 2020-02-26 Luxvici Ltd Lighting apparatus

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009256573A (ja) * 2008-03-26 2009-11-05 Kanazawa Inst Of Technology 衝突励起型ｅｌ用蛍光体、衝突励起型ｅｌ用蛍光体薄膜の製造方法、薄膜ｅｌ素子、薄膜ｅｌディスプレイ及び薄膜ｅｌランプ
JP2011168627A (ja) 2010-02-16 2011-09-01 National Institute For Materials Science 波長変換部材、その製造方法、および、それを用いた発光器具
WO2011111293A1 (ja) 2010-03-10 2011-09-15 パナソニック株式会社 Ｌｅｄ封止樹脂体、ｌｅｄ装置およびｌｅｄ装置の製造方法
WO2012077656A1 (ja) * 2010-12-09 2012-06-14 三井金属鉱業株式会社 ＺｎＯ化合物被覆硫黄含有蛍光体
WO2012137552A1 (ja) * 2011-04-05 2012-10-11 三井金属鉱業株式会社 発光デバイス
WO2013172025A1 (ja) 2012-05-16 2013-11-21 パナソニック株式会社 波長変換素子およびその製造方法ならびに波長変換素子を用いたｌｅｄ素子および半導体レーザ発光装置
JP2015008278A (ja) * 2013-05-31 2015-01-15 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 波長変換素子、波長変換素子を備えた発光装置、発光装置を備えた車両、および波長変換素子の製造方法
JP2017028251A (ja) * 2015-07-23 2017-02-02 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 波長変換部材、光源装置、照明装置車両、および波長変換部材の製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI531094B (zh) * 2013-05-17 2016-04-21 Daxin Materials Corp And a light-emitting device for a light-emitting device

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009256573A (ja) * 2008-03-26 2009-11-05 Kanazawa Inst Of Technology 衝突励起型ｅｌ用蛍光体、衝突励起型ｅｌ用蛍光体薄膜の製造方法、薄膜ｅｌ素子、薄膜ｅｌディスプレイ及び薄膜ｅｌランプ
JP2011168627A (ja) 2010-02-16 2011-09-01 National Institute For Materials Science 波長変換部材、その製造方法、および、それを用いた発光器具
WO2011111293A1 (ja) 2010-03-10 2011-09-15 パナソニック株式会社 Ｌｅｄ封止樹脂体、ｌｅｄ装置およびｌｅｄ装置の製造方法
WO2012077656A1 (ja) * 2010-12-09 2012-06-14 三井金属鉱業株式会社 ＺｎＯ化合物被覆硫黄含有蛍光体
WO2012137552A1 (ja) * 2011-04-05 2012-10-11 三井金属鉱業株式会社 発光デバイス
WO2013172025A1 (ja) 2012-05-16 2013-11-21 パナソニック株式会社 波長変換素子およびその製造方法ならびに波長変換素子を用いたｌｅｄ素子および半導体レーザ発光装置
JP2015008278A (ja) * 2013-05-31 2015-01-15 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 波長変換素子、波長変換素子を備えた発光装置、発光装置を備えた車両、および波長変換素子の製造方法
JP2017028251A (ja) * 2015-07-23 2017-02-02 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 波長変換部材、光源装置、照明装置車両、および波長変換部材の製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3647836A4

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11867380B2 (en) 2020-07-22 2024-01-09 Nichia Corporation Wavelength conversion member and light emitting device
US11597879B2 (en) 2020-09-30 2023-03-07 Nichia Corporation Wavelength converter and light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
CN110799863B (zh) 2021-11-30
EP3647836A1 (en) 2020-05-06
JP6982745B2 (ja) 2021-12-17
CN110799863A (zh) 2020-02-14
JPWO2019003927A1 (ja) 2020-04-30
EP3647836A4 (en) 2020-07-15
US20210149097A1 (en) 2021-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10794569B2 (en) Wavelength conversion member, light source and lighting device
TWI597349B (zh) 複合波長變換粉體、含有複合波長變換粉體的樹脂組成物及發光裝置
US7795797B2 (en) Phosphor with laminated coating, its manufacture method and light emitting device using the same
RU2493635C2 (ru) Сид с частицами в герметике для повышенного извлечения света и нежелтого цвета в выключенном состоянии
US20160077415A1 (en) Wavelength conversion member, light emitting device, projector, and method of manufacturing wavelength conversion member
JP2017028251A (ja) 波長変換部材、光源装置、照明装置車両、および波長変換部材の製造方法
US20180347785A1 (en) Light-emitting device
JP6982745B2 (ja) 波長変換部材及び光源
US11130909B2 (en) Wavelength conversion member, light source, illumination device, and method for manufacturing wavelength conversion member
JPWO2019065193A1 (ja) 波長変換部材及び光源
KR102544954B1 (ko) 인광체 변환 led
US11946606B2 (en) Wavelength conversion member, light source device using same, projector and vehicle
CN113195971B (zh) 波长转换构件、光学装置及投影器
JP2021009171A (ja) 波長変換部材、光源、蛍光体粒子及び波長変換部材の製造方法
JP5407931B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
US20220100068A1 (en) Wavelength conversion member and projector
US11105482B2 (en) Light source device, projector, and vehicle
TW201925421A (zh) 被覆螢光體及其製造方法、螢光體片及發光裝置
CN113207302B (zh) 波长转换构件、光学装置、投影器及波长转换构件的制造方法
JP2016028170A (ja) 被覆蛍光体の製造方法、被覆蛍光体及び白色光源

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18823925

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2019526787

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2018823925

Country of ref document: EP

Effective date: 20200129