WO2018226036A1 - 유기 발광 소자 - Google Patents

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WO2018226036A1
WO2018226036A1 PCT/KR2018/006459 KR2018006459W WO2018226036A1 WO 2018226036 A1 WO2018226036 A1 WO 2018226036A1 KR 2018006459 W KR2018006459 W KR 2018006459W WO 2018226036 A1 WO2018226036 A1 WO 2018226036A1
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unsubstituted
formula
light emitting
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허동욱
이동훈
허정오
장분재
차용범
한미연
양정훈
윤희경
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주식회사 엘지화학
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    • H—ELECTRICITY
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    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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    • H10K50/18—Carrier blocking layers
    • H10K50/181—Electron blocking layers

Definitions

  • the present specification relates to an organic light emitting device.
  • organic light emitting phenomenon refers to a phenomenon of converting electrical energy into light energy using an organic material.
  • An organic light emitting device using an organic light emitting phenomenon usually has a structure including an anode, a cathode, and an organic material layer therebetween.
  • the organic material layer is often formed of a multi-layered structure composed of different materials to increase the efficiency and stability of the organic light emitting device, for example, it may be made of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer.
  • the present specification provides an organic light emitting device.
  • the anode Cathode; And an emission layer provided between the anode and the cathode.
  • An electron control layer provided between the light emitting layer and the cathode and including a compound represented by Formula 1 below;
  • an organic light emitting device further comprises an electron blocking layer provided between the light emitting layer and the anode, and comprising a compound represented by the following formula (3):
  • L 1 is a direct bond; Substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,
  • n is an integer from 0 to 3
  • g1 is an integer of 1 to 6, when g1 is 2 or more, the G1s are the same as or different from each other,
  • L'1 to L'3 are the same as or different from each other, and each independently a direct bond; Substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,
  • n'1 to n'3 are each an integer of 1 to 4, when n'1 to n'3 are each an integer of 2 or more, the structures in parentheses are the same as or different from each other,
  • Ar'1 to Ar'3 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group, represented by the formula (4) or 5,
  • At least one of Ar'1 to Ar'3 is represented by the following formula (4),
  • R'1 to R'8 and R'9 is a site bonded to one of L'1 to L'3 of Formula 3,
  • the organic light emitting diode according to the exemplary embodiment of the present specification may improve efficiency, low driving voltage, and / or lifespan characteristics.
  • FIG. 1 illustrates an organic light emitting device 10 according to an exemplary embodiment of the present specification.
  • FIG. 2 illustrates an organic light emitting device 11 according to another exemplary embodiment of the present specification.
  • FIG 3 illustrates an organic light emitting device 12 according to another exemplary embodiment of the present specification.
  • FIG. 4 shows HOMO energy levels measured using an optoelectronic spectrometer for compound E1 of Preparation Example 1-1 according to one embodiment of the present specification.
  • FIG. 5 illustrates HOMO energy levels measured using an optoelectronic spectrometer for compound E2 of Preparation Example 1-2 according to one embodiment of the present specification.
  • FIG. 6 shows HOMO energy levels measured using a photoelectron spectrometer for compound [ET-1-J].
  • FIG. 7 illustrates LUMO energy levels calculated from wavelengths measured through photoluminescence (PL) of Compound E1 of Preparation Example 1-1 according to one embodiment of the present specification.
  • FIG. 8 illustrates LUMO energy levels calculated from wavelengths measured through photoluminescence (PL) of Compound E2 of Preparation Example 1-2 according to one embodiment of the present specification.
  • FIG. 9 shows LUMO energy levels calculated from wavelengths measured via photoluminescence (PL) for compound [ET-1-J].
  • FIG. 10 is a diagram showing the 3D structure of a molecule using Chem 3D Pro with respect to compound E9 of Preparation Example 1-9 according to one embodiment of the present specification.
  • FIG. 11 illustrates a 3D structure of a molecule of Chem 3D Pro with respect to compound E18 of Preparation Example 1-18 according to one embodiment of the present specification.
  • FIG. 13 shows the 3D structure of a molecule using Chem 3D Pro for compound [ET-1-I].
  • FIG. 14 shows HOMO energy levels measured using an optoelectronic spectrometer for compound F1 of Preparation Example 2-1 according to one embodiment of the present specification.
  • FIG. 15 shows HOMO energy levels measured using a photoelectron spectrometer for compound [HT-1-B].
  • FIG. 16 illustrates LUMO energy levels calculated from wavelengths measured through photoluminescence (PL) of Compound F1 of Preparation Example 2-1 according to one embodiment of the present specification.
  • FIG. 17 shows LUMO energy levels calculated from wavelengths measured via photoluminescence (PL) for compound [HT-1-B].
  • the present specification is an anode; Cathode; And an emission layer provided between the anode and the cathode.
  • An electron control layer provided between the light emitting layer and the cathode and including a compound represented by Chemical Formula 1;
  • an organic light emitting device further comprises an electron blocking layer provided between the light emitting layer and the anode, the compound represented by the formula (3).
  • the organic light emitting device may improve driving voltage, efficiency, and / or lifespan characteristics by adjusting the energy level between each layer by adjusting materials included in the electron adjusting layer and the electron blocking layer. have.
  • the compound represented by Chemical Formula 1 is included in the electron control layer in a nonlinear structure, and thus, the efficiency of the organic light emitting device may be improved, and the driving voltage and lifetime characteristics may be improved.
  • the substituent Ar1 in the structure of the compound represented by Formula 1 has a substituent of an electron depletion structure, the polarity of the molecule may be designed to be close to nonpolar, so that the compound represented by Formula 1 is an electron control layer. It is possible to form an amorphous layer during fabrication of the organic light-emitting device included in the. Therefore, the organic light emitting diode according to the exemplary embodiment of the present specification may improve efficiency, low driving voltage, and lifespan characteristics.
  • energy level means the energy size. Therefore, the energy level is interpreted to mean the absolute value of the energy value. For example, a low or deep energy level means that the absolute value increases in the negative direction from the vacuum level.
  • HOMO highest occupied molecular orbital
  • LUMO lowest unoccupied molecular orbital
  • the HOMO energy level means the distance from the vacuum level to the HOMO.
  • LUMO energy level means the distance from a vacuum level to LUMO.
  • the bandgap means a difference in energy level between HOMO and LUMO, that is, HOMO-LUMO gap (Gap).
  • the LUMO energy level of the blue light emitting layer is 2.8 eV ⁇ 0.2 eV
  • the HOMO energy level of the blue light emitting layer is 5.7 eV to 5.9 eV
  • the HOMO energy level of the compound represented by Formula 1 may be 6.0 eV or more.
  • the triplet energy level of the compound represented by Formula 1 may be 2.5 eV or more.
  • the bandgap of the compound represented by Formula 1 may be 3.0 eV or more.
  • the electron mobility is high, the driving voltage is low when the organic light emitting device is used, and the HOMO energy level is 6.0 eV or more due to the excellent hole blocking effect. High efficiency and long life.
  • the HOMO energy level of the compound represented by Formula 3 may be 5.5 eV or more.
  • the bandgap of the compound represented by Formula 3 may be 3.0 eV or more.
  • the HOMO energy level is 5.5 eV or more, so that the barrier with the light emitting layer is lowered and the electron mobility is high. , High efficiency and long life.
  • the HOMO energy level may be measured using an atmospheric photoelectron spectrometer (manufactured by RIKEN KEIKI Co., Ltd .: AC3), and the LUMO energy level may be calculated as a wavelength value measured through photoluminescence (PL). Can be.
  • substituted means that a hydrogen atom bonded to a carbon atom of the compound is replaced with another substituent, and the position to be substituted is not limited to a position where the hydrogen atom is substituted, that is, a position where a substituent can be substituted, if two or more substituted , Two or more substituents may be the same or different from each other.
  • R 201 and R 202 are the same as or different from each other, and each independently an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group.
  • a substituent to which two or more substituents are linked may be a biphenyl group. That is, the biphenyl group may be an aryl group or may be interpreted as a substituent to which two phenyl groups are linked.
  • the halogen group may be fluorine, chlorine, bromine or iodine.
  • the alkyl group may be linear or branched chain, carbon number is not particularly limited, but is preferably 1 to 30. Specifically, it is preferable that it is C1-C20. More specifically, it is preferable that it is C1-C10.
  • Specific examples include methyl groups; Ethyl group; Profile group; n-propyl group; Isopropyl group; Butyl group; n-butyl group; Isobutyl group; tert-butyl group; sec-butyl group; 1-methylbutyl group; 1-ethylbutyl group; Pentyl group; n-pentyl group; Isopentyl group; Neopentyl group; tert-pentyl group; Hexyl group; n-hexyl group; 1-methylpentyl group; 2-methylpentyl group; 3,3-dimethylbutyl group; 2-ethylbutyl group; Heptyl group; n-heptyl group; 1-methylhexyl group; Octyl group; n-octyl group; tert-octyl group; 1-methylheptyl group; 2-ethylhexyl group; 2-propylpentyl
  • the cycloalkyl group is not particularly limited, but is preferably 3 to 30 carbon atoms, more preferably 3 to 20 carbon atoms.
  • the alkoxy group may be linear, branched or cyclic.
  • carbon number of an alkoxy group is not specifically limited, It is preferable that it is C1-C30. Specifically, it is preferable that it is C1-C20. More specifically, it is preferable that it is C1-C10.
  • the amine group is -NH 2 ; Alkylamine group; N-alkylarylamine group; Arylamine group; N-aryl heteroaryl amine group; It may be selected from the group consisting of an N-alkylheteroarylamine group and a heteroarylamine group, carbon number is not particularly limited, but is preferably 1 to 30.
  • amine group examples include methylamine group; Dimethylamine group; Ethylamine group; Diethylamine group; Phenylamine group; Naphthylamine group; Biphenylamine group; Anthracenylamine group; 9-methylanthracenylamine group; Diphenylamine group; N-phenylnaphthylamine group; Ditolylamine group; N-phenyltolylamine group; Triphenylamine group; N-phenylbiphenylamine group; N-phenylnaphthylamine group; N-biphenyl naphthylamine group; N-naphthylfluorenylamine group; N-phenylphenanthrenylamine group; N-biphenylphenanthrenylamine group; N-phenyl fluorenyl amine group; N-phenylterphenylamine group; N-phenanthrenyl fluorenyl amine group; N-pheny
  • the N-alkylarylamine group means an amine group in which an alkyl group and an aryl group are substituted for N of the amine group.
  • the N-arylheteroarylamine group means an amine group in which an aryl group and a heteroaryl group are substituted for N in the amine group.
  • the N-alkylheteroarylamine group means an amine group in which an alkyl group and a heteroaryl group are substituted for N in the amine group.
  • the alkyl group in the alkylamine group, the N-arylalkylamine group, the alkylthioxy group, the alkyl sulfoxy group, and the N-alkylheteroarylamine group is the same as the example of the alkyl group described above.
  • the alkyl thioxy group is methyl thioxy group; Ethyl thioxy group; tert-butyl thioxy group; Hexylthioxy group; Octylthioxy group, and the like
  • alkyl sulfoxy groups include mesyl; Ethyl sulfoxide; Profile sulfoxy group; Butyl sulfoxy group, etc., but is not limited thereto.
  • the alkenyl group may be linear or branched chain, the carbon number is not particularly limited, but is preferably 2 to 30.
  • Specific examples include vinyl groups; 1-propenyl group; Isopropenyl group; 1-butenyl group; 2-butenyl group; 3-butenyl group; 1-pentenyl group; 2-pentenyl group; 3-pentenyl group; 3-methyl-1-butenyl group; 1,3-butadienyl group; Allyl group; 1-phenylvinyl-1-yl group; 2-phenylvinyl-1-yl group; 2,2-diphenylvinyl-1-yl group; 2-phenyl-2- (naphthyl-1-yl) vinyl-1-yl group; 2, 2-bis (diphenyl- 1-yl) vinyl- 1-yl group; Stilbenyl group; Styrenyl group and the like, but is not limited thereto.
  • the silyl group may be represented by the formula of -SiRaRbRc, wherein Ra, Rb and Rc are each hydrogen; Substituted or unsubstituted alkyl group; Or a substituted or unsubstituted aryl group.
  • the silyl group is specifically trimethylsilyl group; Triethylsilyl group; t-butyldimethylsilyl group; Vinyl dimethylsilyl group; Propyldimethylsilyl group; Triphenylsilyl group; Diphenylsilyl group; Phenylsilyl group and the like, but is not limited thereto.
  • the boron group may be -BR 100 R 101 , wherein R 100 and R 101 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Halogen group; Nitrile group; A substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms; A substituted or unsubstituted linear or branched alkyl group having 1 to 30 carbon atoms; Substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic aryl group having 6 to 30 carbon atoms; And it may be selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic heteroaryl group having 2 to 30 carbon atoms.
  • the phosphine oxide group is specifically a diphenylphosphine oxide group; And dinaphthylphosphine oxide groups, but are not limited thereto.
  • the aryl group is not particularly limited, but preferably has 6 to 30 carbon atoms, and more preferably 6 to 20 carbon atoms.
  • the aryl group may be monocyclic or polycyclic.
  • the aryl group is a monocyclic aryl group
  • carbon number is not particularly limited, but is preferably 6 to 30 carbon atoms.
  • the monocyclic aryl group includes a phenyl group; Biphenyl group; Terphenyl group and the like, but is not limited thereto.
  • Carbon number is not particularly limited when the aryl group is a polycyclic aryl group. It is preferable that it is C10-30.
  • the polycyclic aryl group naphthyl group; Anthracenyl group; Phenanthryl group; Triphenyl group; Pyrenyl group; Phenenyl group; Perrylenyl group; Chrysenyl group; A fluorenyl group may be used, but the present invention is not limited thereto.
  • the fluorenyl group may be substituted, and adjacent groups may combine with each other to form a ring.
  • adjacent means a substituent substituted on an atom directly connected to an atom to which the substituent is substituted, a substituent positioned closest to the substituent, or another substituent substituted on an atom to which the substituent is substituted.
  • two substituents substituted at the ortho position in the benzene ring and two substituents substituted at the same carbon in the aliphatic ring may be interpreted as "adjacent" groups.
  • the aryl group in the aryloxy group, arylthioxy group, aryl sulfoxy group, N-arylalkylamine group, N-arylheteroarylamine group, and arylphosphine group is the same as the examples of the aryl group described above.
  • the aryloxy group is phenoxy group; p-toryloxy group; m-toryloxy group; 3,5-dimethylphenoxy group; 2,4,6-trimethylphenoxy group; p-tert-butylphenoxy group; 3-biphenyloxy group; 4-biphenyloxy group; 1-naphthyloxy group; 2-naphthyloxy group; 4-methyl-1-naphthyloxy group; 5-methyl-2-naphthyloxy group; 1-anthryloxy group; 2-anthryloxy group; 9-anthryloxy group; 1-phenanthryloxy group; 3-phenanthryloxy group; 9-phenanthryloxy group etc.
  • an aryl thioxy group it is a phenyl thioxy group; 2-methylphenyl thioxy group; 4-tert- butylphenyl thioxy group, and the like; examples of the aryl sulfoxy group include benzene sulfoxy group
  • examples of the arylamine group include a substituted or unsubstituted monoarylamine group and a substituted or unsubstituted diarylamine group.
  • the aryl group in the arylamine group may be a monocyclic aryl group, may be a polycyclic aryl group.
  • the arylamine group including two or more aryl groups may simultaneously include a monocyclic aryl group, a polycyclic aryl group, or a monocyclic aryl group and a polycyclic aryl group.
  • the aryl group in the arylamine group may be selected from the examples of the aryl group described above.
  • the heteroaryl group includes one or more atoms other than carbon, that is, heteroatoms, and specifically, the heteroatoms may include one or more atoms selected from the group consisting of O, N, Se, S, and the like.
  • carbon number is not specifically limited, It is preferable that it is C2-C30, It is more preferable that it is C2-C20,
  • the said heteroaryl group may be monocyclic or polycyclic.
  • heteroaryl group examples include thiophenyl group; Furanyl group; Pyrrole group; Imidazolyl group; Thiazolyl group; Oxazolyl group; Oxadiazolyl group; Pyridinyl group; Bipyridinyl group; Pyrimidinyl groups; Triazinyl group; Triazolyl group; Acridil group; Pyridazinyl group; Pyrazinyl group; Quinolinyl group; Quinazolinyl group; Quinoxalinyl group; Phthalazinyl group; Pyridopyrimidinyl group; Pyridopyrazinyl groups; Pyrazinopyrazinyl group; Isoquinolinyl group; Indolyl group; Carbazolyl group; Benzoxazolyl group; Benzimidazolyl group; Benzothiazolyl group; Benzocarbazolyl group; Benzothiophene group; Dibenzothiophene group; Benzofuranyl group;
  • examples of the heteroarylamine group include a substituted or unsubstituted monoheteroarylamine group, a substituted or unsubstituted diheteroarylamine group, or a substituted or unsubstituted triheteroarylamine group.
  • the heteroarylamine group including two or more heteroaryl groups may simultaneously include a monocyclic heteroaryl group, a polycyclic heteroaryl group, or a monocyclic heteroaryl group and a polycyclic heteroaryl group.
  • the heteroaryl group in the heteroarylamine group may be selected from the examples of the heteroaryl group described above.
  • heteroaryl group in the N-arylheteroarylamine group and the N-alkylheteroarylamine group are the same as the examples of the heteroaryl group described above.
  • the arylene group refers to a divalent group having two bonding positions in the aryl group.
  • the description of the aforementioned aryl group can be applied except that they are each divalent.
  • the heteroarylene group means a divalent group having two bonding positions in the heteroaryl group.
  • the description of the aforementioned heteroaryl group can be applied except that they are each divalent.
  • the heterocyclic group may be monocyclic or polycyclic, may be aromatic, aliphatic or a condensed ring of aromatic and aliphatic, and may be selected from examples of the heteroaryl group.
  • examples of heterocyclic groups include hydroacridinyl groups (eg, ) And a heterocyclic structure including a sulfonyl group, such as , Etc.
  • a “ring” means a substituted or unsubstituted hydrocarbon ring; Or a substituted or unsubstituted hetero ring.
  • the hydrocarbon ring may be an aromatic, aliphatic or a condensed ring of aromatic and aliphatic, and may be selected from examples of the cycloalkyl group or aryl group except for the above-mentioned monovalent one.
  • the aromatic ring may be monocyclic or polycyclic, and may be selected from examples of the aryl group except that it is not monovalent.
  • the heterocycle includes one or more atoms other than carbon and heteroatoms, and specifically, the heteroatoms may include one or more atoms selected from the group consisting of O, N, Se, and S, and the like.
  • the heterocycle may be monocyclic or polycyclic, and may be aromatic, aliphatic or a condensed ring of aromatic and aliphatic, and may be selected from examples of the heteroaryl group or heterocyclic group except that it is not monovalent.
  • L1 is a direct bond; Arylene group; Or a heteroarylene group.
  • L1 is a direct bond; Substituted or unsubstituted phenylene group; A substituted or unsubstituted biphenylene group; Substituted or unsubstituted naphthalene group; Substituted or unsubstituted terphenylene group; A substituted or unsubstituted quarterphenylene group; Substituted or unsubstituted anthracenylene group; Substituted or unsubstituted phenanthrenylene group; Substituted or unsubstituted triphenylenylene group; Substituted or unsubstituted pyrenylene group; A substituted or unsubstituted fluorenylene group; A substituted or unsubstituted spirocyclopentanefluorenylene group; Substituted or unsubstituted dibenzofuranylene group
  • L1 is a direct bond; Phenylene group; Biphenylene group; Naphthalene group; Terphenylene group; Pyrimidinylene group; Divalent furan group; Or a divalent thiophene group.
  • L1 is a direct bond; Or represented by one of the following structural formulae.
  • Ar1 is a nitrile group; Substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; Substituted or unsubstituted alkoxy group; Substituted or unsubstituted aryloxy group; Substituted or unsubstituted alkylthioxy group; Substituted or unsubstituted arylthioxy group; Substituted or unsubstituted alkyl sulfoxy group; Substituted or unsubstituted aryl sulfoxy group; Substituted or unsubstituted amine group; Substituted or unsubstituted aryl phosphine group; Substituted or unsubstituted phosphine oxide group; Substituted or unsubstituted aryl group; Sub
  • Ar1 is a nitrile group; Substituted or unsubstituted alkoxy group; Substituted or unsubstituted phosphine oxide group; Substituted or unsubstituted silyl group; Substituted or unsubstituted aryl group; Substituted or unsubstituted monocyclic heterocyclic group; Substituted or unsubstituted tricyclic or more heterocyclic group; Substituted or unsubstituted bicyclic heterocyclic group containing two or more N; Substituted or unsubstituted isoquinolinyl group; Or a structure represented by any one selected from Chemical Formula 2 and the following Chemical Formulas 6 to 15.
  • Ar1 is a nitrile group; Substituted or unsubstituted alkoxy group; Substituted or unsubstituted phosphine oxide group; Substituted or unsubstituted aryl group; Or a structure represented by any one selected from Chemical Formula 2 and the following Chemical Formulas 6 to 15.
  • Ar1 is a nitrile group; An alkoxy group unsubstituted or substituted with a halogen group; Phosphine oxide groups unsubstituted or substituted with aryl groups; An aryl group unsubstituted or substituted with a nitrile group; Or a structure represented by any one selected from Chemical Formula 2 and the following Chemical Formulas 6 to 15.
  • Ar1 is a nitrile group; A methoxy group substituted with a fluoro group; Phosphine oxide groups unsubstituted or substituted with a phenyl group, terphenyl group, or naphthyl group; A phenyl group unsubstituted or substituted with a nitrile group; Terphenyl groups unsubstituted or substituted with a nitrile group; Or a structure represented by any one selected from Chemical Formula 2 and the following Chemical Formulas 6 to 15.
  • Ar1 may be represented by the following Chemical Formula 1a.
  • Ar1 is represented by any one selected from Chemical Formula 2 and the following Chemical Formulas 6 to 15.
  • X1 is N or CR11
  • X2 is N or CR12
  • X3 is N or CR13
  • X4 is N or CR14
  • X5 is N or CR15
  • X6 is N or CR16
  • X7 is N or CR17
  • X8 Is N or CR18
  • X9 is N or CR19
  • X10 is N or CR20
  • At least two of X1 to X3 are N, at least one of X4 to X7 is N,
  • Y1 is O; S; NQ1; Or CQ2Q3, Y2 is O; S; NQ4; Or CQ5Q6, Y3 is O; S; Or NQ7,
  • Any one of G2 to G4 and R11 to R13, any one of G5 to G8, any one of G9 to G15, any one of G16 to G21, any one of G22 to G27, any one of G28 to G33 and R14 to R17, Any one of G34 to G42, any one of G43 to G47, any one of G48, G49, R18 and R19, and any one of G50 to G61 is a moiety bound to L1 of Chemical Formula 1,
  • G1 is hydrogen; Or an aryl group.
  • G1 is hydrogen; Or a phenyl group.
  • Formula 2 is represented by any one selected from formulas 2-1 to 2-4.
  • any one of G2 to G4 and R11 to R13 is a site bonded to L1 of the formula (1), the rest are the same as or different from each other, and each independently Hydrogen; Substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group.
  • any one of G2 to G4 and R11 to R13 is a site bonded to L1 of the formula (1), the rest are the same as or different from each other, and each independently Hydrogen; A heterocyclic group substituted with a nitrile group, an aryl group, an alkyl group or an aryl group unsubstituted or substituted with a heterocyclic group unsubstituted or substituted with an aryl group; Or a heteroaryl group.
  • any one of G2 to G4 and R11 to R13 is a site bonded to L1 of the formula (1), the rest are the same as or different from each other, and each independently Hydrogen;
  • any one of G2 to G4 and R11 to R13 is a site bonded to L1 of the formula (1), the rest are the same as or different from each other, and each independently Hydrogen; Phenyl group, terphenyl group, carbazolyl group, quinolinyl group, phenoxazinyl group, phenothiazinyl group, triphenylenyl group, fluoranthhenyl group, pyridinyl group, dibenzothiophenyl group, dibenzofuranyl group, benzocarbazolyl A phenyl group unsubstituted or substituted with a dihydrophenazinyl group substituted with a group, a phenyl group, or a dihydroacridinyl group substituted with a methyl group; Nitrile group; Or a biphenyl group unsubstituted or substituted with a carbazolyl group; Terphenyl group, terphenyl group, carbazolyl
  • Chemical Formula 6 may be represented by the following Chemical Formula 6a or 6b.
  • HOMO energy is deeper than 6.1eV, serves as an electron control layer smoothly, the electron mobility is high organic emission
  • the driving voltage is low, and high efficiency and long life can be achieved.
  • Ar1 is represented by Formula 6a or 6b, the above effect is maximized.
  • HOMO energy is deeper than 6.1 eV, and thus serves as an electron control layer smoothly, and the electron mobility is high, so that the driving voltage is low, high efficiency and long life. Show characteristics.
  • any one of G5 to G8 is a moiety bonded to L1 of the formula (1), the rest are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Or a substituted or unsubstituted aryl group.
  • any one of G5 to G8 is a moiety bonded to L1 of the formula (1)
  • the rest are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Phenyl group; Or a naphthyl group.
  • any one of G9 to G15 is a site bonded to L1 of the general formula (1), the remainder is the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Or a substituted or unsubstituted aryl group.
  • any one of G9 to G15 is a site bonded to L1 of the general formula (1), the remainder is the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Or an aryl group.
  • any one of G9 to G15 is a site bonded to L1 of the general formula (1), the remainder is the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Or a phenyl group.
  • any one of G16 to G21 is a moiety bonded to L1 of the general formula (1), and the others are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Or a substituted or unsubstituted aryl group.
  • any one of G16 to G21 is a moiety bonded to L1 of the general formula (1), and the others are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Or an aryl group.
  • any one of G16 to G21 is a moiety bonded to L1 of the general formula (1), and the others are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Phenyl group; Biphenyl group; Or a naphthyl group.
  • any one of G22 to G27 is a moiety bonded to L1 of the general formula (1), the remaining are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Or an aryl group.
  • any one of G22 to G27 is a moiety bonded to L1 of the general formula (1), the remaining are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Or a phenyl group.
  • any one of G28 to G33 and R14 to R17 is a moiety bonded to L1 of the formula (1), the rest are the same as or different from each other, and each independently Hydrogen.
  • the formula 11 is represented by any one selected from formulas 11-1 to 11-8.
  • any one of G34 to G42 is a moiety bonded to L1 of the general formula (1), and the others and Q1 to Q3 are the same as or different from each other, and each independently Hydrogen.
  • any one of G43 to G47 is a moiety bonded to L1 of Chemical Formula 1, and the others and Q4 to Q6 are the same as or different from each other, and each independently Hydrogen; Substituted or unsubstituted alkyl group; Or a substituted or unsubstituted aryl group.
  • any one of G43 to G47 is a moiety bonded to L1 of Chemical Formula 1, and the others and Q4 to Q6 are the same as or different from each other, and each independently Hydrogen; Alkyl groups; Or an aryl group.
  • any one of G43 to G47 is a moiety bonded to L1 of Chemical Formula 1, and the others and Q4 to Q6 are the same as or different from each other, and each independently Hydrogen; Methyl group; Or a phenyl group.
  • Chemical Formula 13 is represented by any one selected from Chemical Formulas 13-1 to 13-4.
  • any one of G48, G49, R18 and R19 is a site bonded to L1 of the formula (1), the rest and Q7 are the same as or different from each other, Independently hydrogen; Or a substituted or unsubstituted aryl group.
  • any one of G48, G49, R18 and R19 is a site bonded to L1 of the formula (1), the rest and Q7 are the same as or different from each other, Independently hydrogen; Or an aryl group.
  • any one of G48, G49, R18 and R19 is a site bonded to L1 of the formula (1), the rest and Q7 are the same as or different from each other, Independently hydrogen; Or a phenyl group.
  • Chemical Formula 14 is represented by any one selected from Chemical Formulas 14-1 to 14-9.
  • the G50 to G61 And R20 except for the portion bonded to Formula 1 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group.
  • the G50 to G61 And R20 except for the portion bonded to Formula 1 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Or a substituted or unsubstituted aryl group.
  • the G50 to G61 And R20 except for the portion bonded to Formula 1 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Or a phenyl group.
  • G50 to G61 R20 and the other than the moiety bonded to Formula 1 are the same as or different from each other, and are each independently hydrogen.
  • m is an integer of 1.
  • Chemical Formula 1 is represented by any one selected from the following Chemical Formulas 1-1 to 1-4.
  • L 1, Ar 1, R 1, and n are the same as in the above Formula 1.
  • R1 is hydrogen
  • the electron mobility of a compound depends on the orientation on the 3D structure of the molecule, and when it is a more horizontal structure, the electron mobility is enhanced.
  • the compound represented by Chemical Formula 1 in which one -L1-Ar1 is substituted is stronger than the compound in which two -L1-Ar1 is substituted, and thus the electron mobility is increased due to the strong horizontal structural tendency of the molecule.
  • the heterocyclic compound represented by Chemical Formula 1 is used in an organic light emitting device, the driving voltage is low, and high efficiency and long lifespan are effected (see APPLIED PHYSICS LETTERS 95, 243303 (2009)).
  • 10 and 11 show 3D structures of compounds E9 and E18 according to one embodiment of the present specification, it can be seen that the molecules of the compounds have a horizontal structure, and the compound used as a compound of Comparative Example of the present specification.
  • 12 and 13 illustrating 3D structures of ET-1-E and ET-1-I, the A-axis and the B-axis are almost perpendicular, respectively, indicating that the molecules deviate greatly from the horizontal structure.
  • compounds E9 and E18 according to one embodiment of the present specification have a horizontal structure due to the difference in orientation on the 3D structure of the molecule, than the compounds ET-1-E and ET-1-I, and thus, When the compound represented by 1 is used in the organic light emitting device, it can be seen that there is an excellent effect in terms of driving voltage, efficiency and lifetime.
  • Formula 1 may be represented by any one selected from the following compounds.
  • the L'1 to L'3 are the same as or different from each other, and each independently a direct bond; A substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 2 to 30 carbon atoms.
  • the L'1 to L'3 are the same as or different from each other, and each independently a direct bond; A substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 20 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 2 to 20 carbon atoms.
  • the L'1 to L'3 are the same as or different from each other, and each independently a direct bond; Substituted or unsubstituted phenylene group; A substituted or unsubstituted biphenylene group; Substituted or unsubstituted terphenylene group; Substituted or unsubstituted naphthalene group; Or a substituted or unsubstituted fluorenylene group.
  • the L'1 to L'3 are the same as or different from each other, and each independently a direct bond; Phenylene group; Biphenylene group; Terphenylene group; Naphthalene group; Or a fluorenylene group unsubstituted or substituted with a methyl group.
  • the L'1 to L'3 are the same as or different from each other, and each independently a direct bond; Phenylene group; Biphenylene group; Or a terphenylene group.
  • Ar'1 to Ar'3 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 30 carbon atoms, it is represented by the formula (4) or 5, at least one of Ar'1 to Ar'3 is represented by the formula (4).
  • Ar'1 to Ar'3 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms, represented by Formula 4 or 5, and at least one of Ar'1 to Ar'3 is represented by Formula 4.
  • Ar'1 to Ar'3 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 30 carbon atoms, it is represented by the formula (4) or 5, at least one of Ar'1 to Ar'3 is represented by the formula (4).
  • Ar'1 to Ar'3 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms, represented by Formula 4 or 5, and at least one of Ar'1 to Ar'3 is represented by Formula 4.
  • Ar'1 to Ar'3 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group, represented by Formula 4 or 5, at least one of Ar'1 to Ar'3 is represented by Formula 4, and at least one of Ar'1 to Ar'3 is It is represented by the formula (5).
  • Ar'1 to Ar'3 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 30 carbon atoms, represented by Formula 4 or 5, at least one of Ar'1 to Ar'3 is represented by Formula 4, and Ar'1 to Ar'3 At least one of is represented by the formula (5).
  • Ar'1 to Ar'3 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms, represented by Formula 4 or 5, at least one of Ar'1 to Ar'3 is represented by Formula 4, and Ar'1 to Ar'3 At least one of is represented by the formula (5).
  • Ar'1 to Ar'3 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group, represented by Formula 4 or 5, at least one of Ar'1 to Ar'3 is represented by Formula 4, and at least one of Ar'1 to Ar'3 is It is represented by the formula (5).
  • At least one of Ar'1 to Ar'3 is represented by Formula 4
  • at least one of Ar'1 to Ar'3 is represented by Formula 5, and the rest is substituted or It is an unsubstituted aryl group.
  • At least one of Ar'1 to Ar'3 is represented by Formula 4
  • at least one of Ar'1 to Ar'3 is represented by Formula 5, and the rest is substituted or It is an unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms.
  • At least one of Ar'1 to Ar'3 is represented by Formula 4
  • at least one of Ar'1 to Ar'3 is represented by Formula 5, and the rest is substituted or It is an unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms.
  • At least one of Ar'1 to Ar'3 is represented by Formula 4
  • at least one of Ar'1 to Ar'3 is represented by Formula 5, and the remaining aryl groups to be.
  • At least one of Ar'1 to Ar'3 is represented by Formula 4
  • at least one of Ar'1 to Ar'3 is represented by Formula 5, and the rest is substituted or Unsubstituted phenyl group
  • a substituted or unsubstituted biphenyl group Substituted or unsubstituted terphenyl group; Or a substituted or unsubstituted fluorenyl group.
  • At least one of Ar'1 to Ar'3 is represented by Formula 4
  • at least one of Ar'1 to Ar'3 is represented by Formula 5, and the rest are phenyl groups; Biphenyl group; Terphenyl group; Or a fluorenyl group unsubstituted or substituted with an alkyl group.
  • Formula 3 may be represented by any one selected from the following compounds.
  • the organic material layer may further include one or more organic material layers selected from a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer and an electron injection layer.
  • the electron transport layer, the electron injection layer or the layer for simultaneously injecting and transporting electrons may further include an n-type dopant.
  • An organic light emitting device an anode; Cathode; And a light emitting layer provided between the anode and the cathode, provided between the light emitting layer and the cathode, an electron control layer including the compound represented by Formula 1, and between the light emitting layer and the anode.
  • the method may further include an electron blocking layer including the compound represented by Formula 3, and may further include one or more organic material layers selected from a hole transport layer, a hole injection layer, an electron transport layer, and an electron injection layer.
  • the structure of the organic light emitting device is not limited thereto, and may include fewer or more organic layers.
  • An organic light emitting device an anode; Cathode; And an emission layer provided between the anode and the cathode, an electron control layer disposed between the emission layer and the cathode and comprising a compound represented by Formula 1, and between the emission layer and the anode, Further comprising an electron blocking layer comprising a compound represented by 3, comprising at least one organic material layer selected from an electron transport layer and an electron injection layer between the light emitting layer and the cathode, a hole transport layer and a hole between the light emitting layer and the anode It may include one or more organic material layer selected from the injection layer. However, the structure of the organic light emitting device is not limited thereto, and may include fewer or more organic layers.
  • an organic light emitting device an anode; Cathode; And an emission layer provided between the anode and the cathode, an electron control layer disposed between the emission layer and the cathode and comprising a compound represented by Formula 1, and between the emission layer and the anode, Further comprising an electron blocking layer comprising a compound represented by 3, may comprise an electron transport layer provided between the cathode and the electron control layer, the electron transport layer may further comprise an n-type dopant material,
  • the weight ratio of the material used for the electron transport layer and the n-type dopant material may be 1: 100 to 100: 1, specifically 1:10 to 10: 1, more specifically 1: 1.
  • the n-type dopant material may be LiQ, but is not limited thereto.
  • An organic light emitting device an anode; Cathode; And an emission layer provided between the anode and the cathode, an electron control layer disposed between the emission layer and the cathode and comprising a compound represented by Formula 1, and between the emission layer and the anode,
  • the method may further include an electron blocking layer including the compound represented by 3, and further include a hole transport layer provided between the anode and the electron blocking layer.
  • the structure of the organic light emitting device is not limited thereto, and may include fewer or more organic layers.
  • An organic light emitting device an anode; Cathode; And an emission layer provided between the anode and the cathode, an electron control layer disposed between the emission layer and the cathode and comprising a compound represented by Formula 1, and between the emission layer and the anode,
  • the method may further include an electron blocking layer including the compound represented by 3, and further include a hole injection layer provided between the anode and the electron blocking layer.
  • the structure of the organic light emitting device is not limited thereto, and may include fewer or more organic layers.
  • An organic light emitting device an anode; Cathode; And an emission layer provided between the anode and the cathode, an electron control layer disposed between the emission layer and the cathode and comprising a compound represented by Formula 1, and between the emission layer and the anode, Further comprising an electron blocking layer comprising a compound represented by 3, further comprising a hole transport layer provided between the anode and the electron blocking layer, further comprising a hole injection layer provided between the anode and the hole transport layer can do.
  • the structure of the organic light emitting device is not limited thereto, and may include fewer or more organic layers.
  • An organic light emitting device an anode; Cathode; And an emission layer provided between the anode and the cathode, the emission layer including a host material and a dopant material, and an electron regulation layer including the compound represented by Formula 1 between the emission layer and the cathode, and the emission layer and the emission layer.
  • an electron blocking layer provided between the anode and the compound represented by the formula (3)
  • an electron transport layer comprising an n-type dopant material provided between the cathode and the electron control layer
  • the method may further include a hole transport layer provided between the electron blocking layer, and a hole injection layer provided between the anode and the hole transport layer.
  • the structure of the organic light emitting device is not limited thereto, and may include fewer or more organic layers.
  • the organic material layer of the organic light emitting device of the present specification may be formed of a single layer structure, but may be formed of a multilayer structure in which two or more organic material layers are stacked.
  • the structure of the organic light emitting device of the present specification may have a structure as shown in FIGS. 1 to 3, but is not limited thereto.
  • 1 illustrates a structure of an organic light emitting device 10 in which an anode 30, a light emitting layer 40, an electron transport layer 80, and a cathode 50 are sequentially stacked on a substrate 20.
  • 1 is an exemplary structure of an organic light emitting device according to an exemplary embodiment of the present specification, and may further include another organic material layer.
  • the anode 30, the hole injection layer 60, the hole transport layer 70, the light emitting layer 40, the electron transport layer 80, the electron injection layer 90, and the cathode 50 are sequentially disposed on the substrate 20.
  • the structure of the organic light-emitting element 11 stacked thereon is illustrated. 2 is an exemplary structure according to an exemplary embodiment of the present specification, and may further include another organic material layer.
  • 3 the anode 30, the hole injection layer 60, the hole transport layer 70, the electron blocking layer 101, the light emitting layer 40, the electron control layer 100, the electron transport layer 80 on the substrate 20
  • the structure of the organic light emitting device 12 in which the electron injection layer 90 and the cathode 50 are sequentially stacked is illustrated.
  • 3 is an exemplary structure according to an exemplary embodiment of the present specification, and may further include another organic material layer.
  • the n-type dopant may be a metal complex, and the like, and an alkali metal such as Li, Na, K, Rb, Cs, or Fr; Alkaline earth metals such as Be, Mg, Ca, Sr, Ba or Ra; Rare earth metals such as La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Tb, Th, Dy, Ho, Er, Em, Gd, Yb, Lu, Y or Mn; Alternatively, a metal compound including at least one metal among the above metals may be used, but is not limited thereto, and those known in the art may be used.
  • an alkali metal such as Li, Na, K, Rb, Cs, or Fr
  • Alkaline earth metals such as Be, Mg, Ca, Sr, Ba or Ra
  • Rare earth metals such as La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Tb, Th, Dy, Ho, Er, Em, Gd, Yb, Lu, Y or Mn
  • the organic light emitting device of the present specification may be manufactured by materials and methods known in the art, except that at least one layer of the organic material layer includes the compound represented by Formula 1 or the compound represented by Formula 3 of the present specification. Can be.
  • the organic material layers may be formed of the same material or different materials.
  • the organic light emitting device of the present specification may be manufactured by sequentially stacking an anode, an organic material layer, and a cathode on a substrate. At this time, by using a physical vapor deposition (PVD) such as sputtering (e-beam evaporation), metal or conductive metal oxides or alloys thereof are deposited on the substrate. It can be prepared by forming an anode, forming an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron control layer and an electron transport layer thereon, and then depositing a material that can be used as a cathode thereon.
  • PVD physical vapor deposition
  • an organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and an anode material on a substrate.
  • the compound represented by Chemical Formula 1 or Chemical Formula 3 may be formed as an organic material layer by a solution coating method as well as a vacuum deposition method in the manufacture of the organic light emitting device.
  • the solution coating method means spin coating, dip coating, doctor blading, inkjet printing, screen printing, spray method, roll coating, etc., but is not limited thereto.
  • anode material a material having a large work function is generally preferred to facilitate hole injection into the organic material layer.
  • anode materials that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, gold or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO); Combinations of metals and oxides such as ZnO: Al or SnO 2 : Sb; Conductive polymers such as poly (3-methylthiophene), poly [3,4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene] (PEDOT), polypyrrole and polyaniline, and the like, but are not limited thereto.
  • the cathode material is generally a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer.
  • Specific examples of the cathode materials include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead or alloys thereof; Multilayer structure materials such as LiF / Al or LiO 2 / Al, Mg / Ag, and the like, but are not limited thereto.
  • the hole injection layer is a layer for injecting holes from the electrode, and has a capability of transporting holes to the hole injection material, has an effect of hole injection at the anode, excellent hole injection effect to the light emitting layer or the light emitting material, and produced in the light emitting layer
  • the compound which prevents the movement of an exciton to an electron injection layer or an electron injection material, and is excellent in a thin film formation ability is preferable.
  • the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injection material is between the work function of the anode material and the HOMO of the surrounding organic material layer.
  • hole injection material examples include metal porphyrin, oligothiophene, arylamine-based organic material, hexanitrile hexaazatriphenylene-based organic material, quinacridone-based organic material, and perylene-based Organic materials, anthraquinone, and polyaniline and polythiophene-based conductive polymers, but are not limited thereto.
  • the hole transport layer is a layer that receives holes from the hole injection layer and transports holes to the light emitting layer.
  • the hole transport material is a material capable of transporting holes from the anode or the hole injection layer to the light emitting layer.
  • the material is suitable. Specific examples thereof include an arylamine-based organic material, a conductive polymer, and a block copolymer having a conjugated portion and a non-conjugated portion together, but are not limited thereto.
  • the electron blocking layer is a layer for preventing excess electrons passing through the light emitting layer from moving toward the hole transport layer.
  • the electron blocking material is preferably a material having a lower Unoccupied Molecular Orbital (LUMO) level than the transport layer, and may be selected as an appropriate material in consideration of the energy level of the surrounding layer.
  • LUMO Unoccupied Molecular Orbital
  • an arylamine-based organic material may be used as the electron blocking layer, but is not limited thereto.
  • the electron blocking layer comprises a compound represented by the above formula (1).
  • the light emitting material of the light emitting layer is a material capable of emitting light in the visible region by transporting and combining holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and a material having good quantum efficiency with respect to fluorescence or phosphorescence is preferable.
  • Specific examples thereof include 8-hydroxyquinoline aluminum complex (Alq 3 ); Carbazole series compounds; Dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzoquinoline-metal compound; Benzoxazole, benzothiazole and benzimidazole series compounds; Poly (p-phenylenevinylene) (PPV) -based polymers; Spiro compounds; Polyfluorene; Rubrene and the like, but are not limited thereto.
  • the light emitting layer may include a host material and a dopant material.
  • the host material is a condensed aromatic ring derivative or a hetero ring-containing compound.
  • the condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, and fluoranthene compounds
  • heterocyclic-containing compounds include carbazole derivatives, dibenzofuran derivatives, and ladders. Type furan compounds, pyrimidine derivatives, and the like, but is not limited thereto.
  • the dopant material examples include aromatic amine derivatives, styrylamine compounds, boron complexes, fluoranthene compounds, and metal complexes.
  • the aromatic amine derivatives are condensed aromatic ring derivatives having a substituted or unsubstituted arylamino group, and include pyrene, anthracene, chrysene, and periplanthene having an arylamino group, and a styrylamine compound may be substituted or unsubstituted.
  • At least one arylvinyl group is substituted with the substituted arylamine, and one or two or more substituents selected from the group consisting of an aryl group, silyl group, alkyl group, cycloalkyl group and arylamino group are substituted or unsubstituted.
  • substituents selected from the group consisting of an aryl group, silyl group, alkyl group, cycloalkyl group and arylamino group are substituted or unsubstituted.
  • styrylamine, styryldiamine, styryltriamine, styryltetraamine and the like but is not limited thereto.
  • the metal complex includes, but is not limited to, an iridium complex, a platinum complex, and the like.
  • the electron control layer is a layer that blocks the flow of holes from the light emitting layer to the cathode and controls the performance of the entire device by adjusting the electrons flowing into the light emitting layer.
  • the electron adjusting material a compound having the ability to prevent the inflow of holes from the light emitting layer to the cathode and to control the electrons injected into the light emitting layer or the light emitting material is preferable.
  • the electron control material an appropriate material may be used according to the configuration of the organic material layer used in the device.
  • the electron adjusting layer is positioned between the light emitting layer and the cathode, and is preferably provided in direct contact with the light emitting layer.
  • the electron transport layer is a layer that receives electrons from the electron injection layer and transports electrons to the light emitting layer.
  • the electron transporting material a material capable of injecting electrons well from the cathode and transferring them to the light emitting layer, Suitable. Specific examples thereof include Al complexes of 8-hydroxyquinoline; Complexes including Alq 3 ; Organic radical compounds; Hydroxyflavone-metal complexes and the like, but are not limited thereto.
  • the electron transport layer can be used with any desired cathode material as used in accordance with the prior art.
  • suitable cathode materials are conventional materials having a low work function followed by an aluminum or silver layer. Specifically cesium, barium, calcium, ytterbium and samarium, followed by an aluminum layer or silver layer in each case.
  • the electron injection layer is a layer that injects electrons from an electrode, has an ability to transport electrons, has an electron injection effect from a cathode, an electron injection effect with respect to a light emitting layer or a light emitting material, and the hole injection of excitons generated in the light emitting layer
  • the compound which prevents the movement to a layer and is excellent in thin film formation ability is preferable.
  • fluorenone anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, preorenylidene methane, anthrone and the like and derivatives thereof, metal Complex compounds, nitrogen-containing five-membered ring derivatives, and the like, but are not limited thereto.
  • the hole blocking layer is a layer for preventing the cathode from reaching the cathode, and may be generally formed under the same conditions as the hole injection layer. Specifically, there are oxadiazole derivatives, triazole derivatives, phenanthroline derivatives, BCP, aluminum complexes, and the like, but are not limited thereto.
  • Examples of the metal complex compound include 8-hydroxyquinolinato lithium, bis (8-hydroxyquinolinato) zinc, bis (8-hydroxyquinolinato) copper, bis (8-hydroxyquinolinato) manganese, Tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris (2-methyl-8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris (8-hydroxyquinolinato) gallium, bis (10-hydroxybenzo [h] Quinolinato) beryllium, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinato) chlorogallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) ( o-cresolato) gallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) (1-naphtolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinato) (2-naphtolato) gallium, It is not limited to this.
  • the organic light emitting device may be a top emission type, a bottom emission type, or a double side emission type according to a material used.
  • the compound represented by Formula 1 or Formula 3 may be included in an organic solar cell or an organic transistor in addition to the organic light emitting device.
  • a glass substrate coated with a thin film of ITO (indium tin oxide) at a thickness of 1,000 ⁇ was placed in distilled water in which detergent was dissolved and ultrasonically cleaned.
  • ITO indium tin oxide
  • Fischer Co. product was used as a detergent
  • distilled water filtered secondly as a filter of Millipore Co. product was used as distilled water.
  • ultrasonic washing was performed twice with distilled water for 10 minutes.
  • ultrasonic washing with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, methanol dried and transported to a plasma cleaner.
  • the substrate was cleaned for 5 minutes using an oxygen plasma, and then the substrate was transferred to a vacuum evaporator.
  • the following compound [HI-A] was thermally vacuum deposited to a thickness of 600 kPa on the prepared ITO transparent electrode to form a hole injection layer.
  • Hexanitrile hexaazatriphenylene (HAT) 50 kPa of the following formula and the following compound [HT-A] (500 kPa) were sequentially vacuum deposited on the hole injection layer to form a hole transport layer.
  • the light emitting layer was formed by vacuum depositing the following compounds [BH] and [BD] at a weight ratio of 25: 1 on the electron blocking layer with a film thickness of 200 GPa.
  • [Compound E1] was vacuum deposited on the light emitting layer to form an electron control layer having a thickness of 50 GPa.
  • the following [Compound ET-1-J] and the following Compound [LiQ] (Lithiumquinolate) were vacuum-deposited on a weight ratio of 1: 1 to form an electron transport layer having a thickness of 300 kPa.
  • the cathode was formed by sequentially depositing lithium fluoride (LiF) and aluminum at a thickness of 1,000 ⁇ on the electron transport layer sequentially.
  • the deposition rate of the organic material was maintained at 0.4 to 0.9 ⁇ / sec
  • the lithium fluoride of the cathode was maintained at a deposition rate of 0.3 ⁇ / sec
  • the aluminum was 2 ⁇ / sec.
  • An organic light-emitting device was manufactured by maintaining -7 to 5 ⁇ 10 -8 torr.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-1, except that compound E2 was used instead of compound E1 in Experimental Example 1-1.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-1, except that compound E3 was used instead of compound E1 in Experimental Example 1-1.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-1, except that compound E4 was used instead of compound E1 in Experimental Example 1-1.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-1, except that compound E5 was used instead of compound E1 in Experimental Example 1-1.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-1, except that compound E6 was used instead of compound E1 in Experimental Example 1-1.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-1, except that compound E7 was used instead of compound E1 in Experimental Example 1-1.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-1, except that compound E8 was used instead of compound E1 in Experimental Example 1-1.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-1, except that compound E9 was used instead of compound E1 in Experimental Example 1-1.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-1, except that compound E10 was used instead of compound E1 in Experimental Example 1-1.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-1, except that compound E11 was used instead of compound E1 in Experimental Example 1-1.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-1, except that compound E12 was used instead of compound E1 in Experimental Example 1-1.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-1, except that compound E13 was used instead of compound E1 in Experimental Example 1-1.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-1, except that compound E14 was used instead of compound E1 in Experimental Example 1-1.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-1, except that compound E15 was used instead of compound E1 in Experimental Example 1-1.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-1, except that compound E16 was used instead of compound E1 in Experimental Example 1-1.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-1, except that compound E17 was used instead of compound E1 in Experimental Example 1-1.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-1, except that compound E18 was used instead of compound E1 in Experimental Example 1-1.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-1, except that compound E19 was used instead of compound E1 in Experimental Example 1-1.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-1, except that compound E20 was used instead of compound E1 in Experimental Example 1-1.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-1, except that compound E21 was used instead of compound E1 in Experimental Example 1-1.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-1, except that compound E22 was used instead of compound E1 in Experimental Example 1-1.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-1, except that compound E23 was used instead of compound E1 in Experimental Example 1-1.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-1, except that compound F2 was used instead of compound F1 in Experimental Example 1-1.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-2, except that compound F2 was used instead of compound F1 in Experimental Example 1-2.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Experimental Example 1-3 except for using the compound F2 instead of the compound F1 in Experimental Example 1-3.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-4, except that compound F2 was used instead of compound F1 in Experimental Example 1-4.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-5, except that compound F2 was used instead of compound F1 in Experimental Example 1-5.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-6, except that compound F2 was used instead of compound F1 in Experimental Example 1-6.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-7, except that compound F2 was used instead of compound F1 in Experimental Example 1-7.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-8, except that compound F2 was used instead of compound F1 in Experimental Example 1-8.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-9, except that compound F2 was used instead of compound F1 in Experimental Example 1-9.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Experimental Example 1-10 except for using the compound F2 instead of the compound F1 in Experimental Example 1-10.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-11, except that compound F2 was used instead of compound F1 in Experimental Example 1-11.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Experimental Example 1-12 except for using the compound F2 instead of the compound F1 in Experimental Example 1-12.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-13, except that compound F2 was used instead of compound F1 in Experimental Example 1-13.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-14, except that compound F2 was used instead of compound F1 in Experimental Example 1-14.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-15, except that compound F2 was used instead of compound F1 in Experimental Example 1-15.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-16, except that compound F2 was used instead of compound F1 in Experimental Example 1-16.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-17, except that compound F2 was used instead of compound F1 in Experimental Example 1-17.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-18, except that compound F2 was used instead of compound F1 in Experimental Example 1-18.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-19, except that compound F2 was used instead of compound F1 in Experimental Example 1-19.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-20, except that compound F2 was used instead of compound F1 in Experimental Example 1-20.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-21, except that compound F2 was used instead of compound F1 in Experimental Example 1-21.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-22, except that compound F2 was used instead of compound F1 in Experimental Example 1-22.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-23, except that compound F2 was used instead of compound F1 in Experimental Example 1-23.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Experimental Example 1-1 except for using the compound ET-1-A instead of the compound E1 in Experimental Example 1-1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Experimental Example 1-1 except for using the compound ET-1-B instead of the compound E1 in Experimental Example 1-1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Experimental Example 1-1 except for using the compound ET-1-C instead of the compound E1 in Experimental Example 1-1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Experimental Example 1-1 except for using the compound ET-1-D instead of the compound E1 in Experimental Example 1-1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Experimental Example 1-1 except for using the compound ET-1-E instead of the compound E1 in Experimental Example 1-1.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-1, except that compound ET-1-F was used instead of compound E1 in Experimental Example 1-1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Experimental Example 1-1 except for using the compound ET-1-G instead of the compound E1 in Experimental Example 1-1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Experimental Example 1-1 except for using the compound ET-1-H instead of the compound E1 in Experimental Example 1-1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Experimental Example 1-1 except for using the compound ET-1-I instead of the compound E1 in Experimental Example 1-1.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-1, except that compound ET-1-J was used instead of compound E1 in Experimental Example 1-1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Experimental Example 1-1 except for using the compound ET-1-K instead of the compound E1 in Experimental Example 1-1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Experimental Example 1-2 except for using the compound HT-1-A instead of the compound F1 in Experimental Example 1-2.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-2, except that compound HT-1-B was used instead of compound F1 in Experimental Example 1-2.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-2, except that compound HT-1-C was used instead of compound F1 in Experimental Example 1-2.
  • the organic light emitting device was manufactured by the same method as Experimental Example 1-2, except that compound HT-1-D was used instead of compound F1 in Experimental Example 1-2.
  • Example 1-2 the hole transport layer by vacuum deposition of hexanitria hexaazatriphenylene (HAT) 50 ⁇ and the compound [HT-A] (600 ⁇ ) of the above formula on the hole injection layer without the electron blocking layer.
  • HAT hexanitria hexaazatriphenylene
  • HT-A 600 ⁇
  • An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Experimental Example 1-1, except that E was formed.
  • a hole transport layer was formed by sequentially vacuum depositing 50 hexa of hexanitria hexaazatriphenylene (HAT) of the formula and the compound [HT-A] (600 ms) on the hole injection layer without the electron blocking layer.
  • HAT hexanitria hexaazatriphenylene
  • HT-A hexaazatriphenylene
  • FIG. 10 and FIG. 11 showing the 3D structures of the compounds E9 and E18 according to the exemplary embodiment of the present specification
  • FIG. 12 and FIG. 13 showing the 3D structures of the compounds ET-1-E and ET-1-I.
  • the heterocyclic compound represented by Formula 1 according to one embodiment of the present specification has a more horizontal structure according to the difference in orientation on the 3D structure of the molecule.
  • the compound in which only one heteroaryl group is substituted in the spiro fluorene xanthene skeleton has a horizontal level of the molecule Due to the strong structural propensity, the electron mobility is increased, so the driving voltage is low in the organic light emitting device, and high efficiency and long lifespan are obtained.
  • the structure of Formula 1 including spiro fluorene xanthene does not include N, depending on the position of the quinoline to the spiro fluorene xanthene It can be seen that the structure of Formula 1 in which the benzene ring is bonded to spiro fluorene xanthene shows superior characteristics in the organic light emitting device as compared to the compound in which the benzene ring containing N is bonded to spiro fluorene xanthene.
  • the compound of Formula 3 in which the carbazole is substituted in the meta direction is used as the electron blocking layer. In this case, it can be seen that the organic light emitting device exhibits excellent efficiency and lifespan characteristics.
  • the organic light emitting device of the formula (1) compared to the structure in which at least one of the electron blocking layer and the electron control layer is not formed It can be seen that the organic light emitting device including the electron control layer including the compound and the electron blocking layer including the compound of Formula 3 exhibit excellent efficiency and lifespan characteristics.
  • the heterocyclic compound represented by Formula 1 has excellent thermal stability, and may exhibit excellent properties by having a deep HOMO level of 6.0 eV or higher, high triplet energy (ET), and hole stability.
  • the electron blocking layer is composed of Formula 3
  • the HOMO energy is formed to 5.5 eV or more to facilitate the injection of the electroporation into the light emitting layer.
  • the heterocyclic compound represented by Formula 1 and / or Formula 3 has a low driving voltage and high efficiency, and may improve stability of the device by hole stability of the compound.
  • the HOMO level was measured using an atmospheric photoelectron spectrometer (manufactured by RIKEN KEIKI Co., Ltd .: AC3).
  • the LUMO level was calculated as a wavelength value measured through photoluminescence (PL).
  • the compounds E1 and E2 have a deep HOMO energy level of 6.0 eV or more, specifically, 6.1 eV or more. It can be seen that the bandgaps of the compounds E1 and E2 are also 3.0 eV or more. Therefore, when the compound represented by the formula (1) is used in the electron control layer (hole blocking layer), it can be seen that the high electron mobility can exhibit excellent characteristics in terms of driving voltage, efficiency and lifetime when used in the organic light emitting device. .
  • compound F1 has a HOMO energy of 5.5 eV or more, and when composed of an electron blocking layer, it is possible to smoothly inject holes into the light emitting layer.

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Abstract

본 명세서는 애노드; 캐소드; 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 구비된 발광층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 발광층과 상기 캐소드 사이에 구비되고, 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 전자조절층, 및 상기 발광층과 상기 애노드 사이에 구비되고, 화학식 3으로 표시되는 화합물을 포함하는 전자차단층을 더 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.

Description

유기 발광 소자
본 출원은 2017년 06월 08일 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제 10-2017-0071681호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 명세서는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 애노드와 캐소드 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 애노드에서는 정공이, 캐소드에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다.
상기와 같은 유기 발광 소자를 위한 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.
본 명세서는 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 애노드; 캐소드; 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 구비된 발광층을 포함하는 유기 발광 소자로서,
상기 발광층과 상기 캐소드 사이에 구비되고, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 전자조절층, 및
상기 발광층과 상기 애노드 사이에 구비되고, 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 포함하는 전자차단층을 더 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다:
[화학식 1]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000001
상기 화학식 1에 있어서,
R1은 수소; 중수소; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; -C(=O)NC(=O)R; -C(=O)R; -C(=O)NRR'; -C(=O)0R; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고, R 및 R'은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기이며,
L1은 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기고,
Ar1은 수소; 중수소; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; -C(=O)NC(=O)R; -C(=O)R; -C(=O)NRR'; -C(=O)0R; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 단환의 헤테로고리기; 치환 또는 비치환된 3환 이상의 헤테로고리기; N을 2개 이상 포함하는 치환 또는 비치환된 2환의 헤테로고리기; 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기; 또는 하기 화학식 2로 표시되는 구조이고, R 및 R'은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기이며,
m은 1 내지 4의 정수이고, n은 0 내지 3의 정수이고, 1 ≤ n+m ≤ 4이고,
m 및 n이 각각 2 이상의 정수인 경우, 2 이상의 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하고,
[화학식 2]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000002
상기 화학식 2에 있어서,
G1은 수소; 중수소; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; C(=O)NC(=O)R; -C(=O)R; -C(=O)NRR'; -C(=O)0R; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고, R 및 R'은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기이며,
g1은 1 내지 6의 정수이고, g1이 2 이상인 경우, 상기 G1은 서로 같거나 상이하고,
*은 상기 화학식 1의 L1에 결합되는 부위이고,
[화학식 3]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000003
상기 화학식 3에 있어서,
L'1 내지 L'3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,
n'1 내지 n'3은 각각 1 내지 4의 정수이고, n'1 내지 n'3이 각각 2 이상의 정수인 경우, 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하고,
Ar'1 내지 Ar'3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, 하기 화학식 4 또는 5로 표시되고,
Ar'1 내지 Ar'3 중 적어도 하나는 하기 화학식 4로 표시되고,
[화학식 4]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000004
[화학식 5]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000005
상기 화학식 4 및 5에 있어서,
R'1 내지 R'8 중 어느 하나 및 R'9는 상기 화학식 3의 L'1 내지 L'3 중 하나에 결합되는 부위이고,
R'1 내지 R'9 중 상기 화학식 3의 L'1 내지 L'3 중 하나에 결합되는 부분을 제외한 나머지 및 R'10 내지 R'21은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; -C(=O)NC(=O)R; -C(=O)R; -C(=O)NRR'; -C(=O)0R; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고, R 및 R'은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는 효율의 향상, 낮은 구동전압 및/또는 수명 특성의 향상이 가능하다.
도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따르는 유기 발광 소자(10)를 도시한 것이다.
도 2는 본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르는 유기 발광 소자(11)를 도시한 것이다.
도 3은 본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르는 유기 발광 소자(12)를 도시한 것이다.
도 4는 본 명세서의 일 실시상태에 따르는 제조예 1-1의 화합물 E1에 대하여, 광전자 분광장치를 이용하여 측정한 HOMO 에너지 준위를 도시한 것이다.
도 5는 본 명세서의 일 실시상태에 따르는 제조예 1-2의 화합물 E2에 대하여, 광전자 분광장치를 이용하여 측정한 HOMO 에너지 준위를 도시한 것이다.
도 6은 화합물 [ET-1-J]에 대하여, 광전자 분광장치를 이용하여 측정한 HOMO 에너지 준위를 도시한 것이다.
도 7은 본 명세서의 일 실시상태에 따르는 제조예 1-1의 화합물 E1에 대하여, 포토루미너센스(photoluminescence; PL)를 통하여 측정된 파장값으로 계산된 LUMO 에너지 준위를 도시한 것이다.
도 8은 본 명세서의 일 실시상태에 따르는 제조예 1-2의 화합물 E2에 대하여, 포토루미너센스(photoluminescence; PL)를 통하여 측정된 파장값으로 계산된 LUMO 에너지 준위를 도시한 것이다.
도 9는 화합물 [ET-1-J]에 대하여, 포토루미너센스(photoluminescence; PL)를 통하여 측정된 파장값으로 계산된 LUMO 에너지 준위를 도시한 것이다.
도 10은 본 명세서의 일 실시상태에 따르는 제조예 1-9의 화합물 E9에 대하여, Chem 3D Pro를 이용하여 분자의 3D 구조를 도시한 것이다.
도 11은 본 명세서의 일 실시상태에 따르는 제조예 1-18의 화합물 E18에 대하여, Chem 3D Pro를 이용하여 분자의 3D 구조를 도시한 것이다.
도 12는 화합물 [ET-1-E]에 대하여, Chem 3D Pro를 이용하여 분자의 3D 구조를 도시한 것이다.
도 13은 화합물 [ET-1-I]에 대하여, Chem 3D Pro를 이용하여 분자의 3D 구조를 도시한 것이다.
도 14는 본 명세서의 일 실시상태에 따르는 제조예 2-1의 화합물 F1에 대하여, 광전자 분광장치를 이용하여 측정한 HOMO 에너지 준위를 도시한 것이다.
도 15는 화합물 [HT-1-B]에 대하여, 광전자 분광장치를 이용하여 측정한 HOMO 에너지 준위를 도시한 것이다.
도 16은 본 명세서의 일 실시상태에 따르는 제조예 2-1의 화합물 F1에 대하여, 포토루미너센스(photoluminescence; PL)를 통하여 측정된 파장값으로 계산된 LUMO 에너지 준위를 도시한 것이다.
도 17은 화합물 [HT-1-B]에 대하여, 포토루미너센스(photoluminescence; PL)를 통하여 측정된 파장값으로 계산된 LUMO 에너지 준위를 도시한 것이다.
이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 명세서는 애노드; 캐소드; 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 구비된 발광층을 포함하는 유기 발광 소자로서,
상기 발광층과 상기 캐소드 사이에 구비되고, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 전자조절층, 및
상기 발광층과 상기 애노드 사이에 구비되고, 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 포함하는 전자차단층을 더 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는, 전자조절층과 전자차단층에 포함되는 물질을 조절하여, 각 층간의 에너지 준위를 조절함에 따라 구동전압, 효율 및/또는 수명 특성을 향상시킬 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 비선형 구조로 전자조절층에 포함되어, 유기 발광 소자에서 효율의 향상, 낮은 구동전압 및 수명 특성의 향상 등이 가능하다. 또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 구조에서 치환기 Ar1이 전자 공핍 구조의 치환기를 가짐으로 분자의 극성(dipole moment)을 무극성에 가깝게 설계할 수 있기 때문에 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 전자조절층에 포함하는 유기 발광 소자의 제작 시 무정형(amorphous)한 층의 형성을 가능하게 한다. 따라서, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는 효율의 향상, 낮은 구동전압 및 수명 특성의 향상 등이 가능하다.
특히, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 스피로 플루오렌 잔텐(코어구조) 중 하나의 벤젠에만 치환기를 갖고, 특히 n=0, m=1인 경우 전술한 전자적 특성을 가질 뿐만 아니라, 입체적으로 수평적인 구조를 갖기 때문에, 이와 같은 물질로 유기물층 형성시 전자이동도가 강화된다. 반면, 화학식 1의 코어구조에 2개 이상의 벤젠고리가 치환되는 경우, 상기와 같은 수평적인 구조를 가질 수 없으므로, 본 발명의 화합물에 비하여 전자이동도가 낮다.
본 명세서에 있어서, "에너지 준위"는 에너지 크기를 의미하는 것이다. 따라서 에너지 준위는 해당 에너지 값의 절대값을 의미하는 것으로 해석된다. 예컨대, 에너지 준위가 낮거나 깊다는 것은 진공 준위로부터 마이너스 방향으로 절대값이 커지는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, HOMO(highest occupied molecular orbital)란, 전자가 결합에 참여할 수 있는 영역에서 가장 에너지가 높은 영역에 있는 분자궤도함수(최고 점유 분자 오비탈)를 의미하고, LUMO(lowest unoccupied molecular orbital)란, 전자가 반결합영역 중 가장 에너지가 낮은 영역에 있는 분자궤도함수(최저 비점유 분자 오비탈)를 의미하고, HOMO 에너지 준위란 진공 준위로부터 HOMO까지의 거리를 의미한다. 또한, LUMO 에너지 준위란 진공 준위로부터 LUMO까지의 거리를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 밴드갭(bandgap)이란, HOMO와 LUMO의 에너지 준위 차이, 즉, HOMO-LUMO 갭(Gap)을 의미한다.
일반적으로 유기 발광 소자의 전자조절층의 경우 HOMO 에너지 준위는 낮을수록(6.0eV 이상) 성능이 좋아지고, LUMO 에너지 준위는 발광층의 LUMO 에너지 준위에 인접할수록 성능이 좋아진다. (일반적으로, 청색 발광층의 LUMO 에너지 준위는 2.8eV ± 0.2eV)
또한, 전자차단층의 경우, LUMO 에너지 준위가 높을수록 성능이 좋아지고, HOMO 에너지 준위는 발광층의 HOMO 에너지 준위와 차이가 크지 않아야 좋은 성능을 기대할 수 있다. (일반적으로, 청색 발광층의 HOMO 에너지 준위는 5.7eV ~ 5.9eV)
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 HOMO 에너지 준위는 6.0eV 이상일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 삼중항(triplet) 에너지 준위는 2.5eV 이상일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 밴드갭(bandgap)이 3.0eV 이상일 수 있다.
상기의 범위를 만족하는 화학식 1로 표시되는 화합물을 전자조절층에 사용하는 경우, 전자이동도가 높아 유기 발광 소자에 이용시 구동전압이 낮고, 6.0eV 이상의 HOMO 에너지 준위를 가져 우수한 정공차단 효과로 인하여 고효율 및 장수명의 특성을 보인다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물의 HOMO 에너지 준위는 5.5eV 이상일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물의 밴드갭(bandgap)이 3.0eV 이상일 수 있다.
상기의 범위를 만족하는 화학식 3으로 표시되는 화합물을 전자차단층에 사용하는 경우, 5.5eV 이상의 HOMO 에너지 준위를 가져 발광층과의 장벽이 낮아지고 전자이동도가 높아 유기 발광 소자에 이용시 구동전압이 낮고, 고효율 및 장수명의 특성을 보인다.
본 명세서에 있어서, HOMO 에너지 준위는 대기하 광전자 분광장치(RIKEN KEIKI Co., Ltd. 제조: AC3)를 이용하여 측정할 수 있고, LUMO 에너지 준위는 photoluminescence(PL)을 통하여 측정된 파장값으로 계산할 수 있다.
본 명세서에 있어서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본 명세서에 있어서 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 "치환"이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; -C(=O)NC(=O)R201; -C(=O)R201; -C(=O)NR201R202; -C(=O)0R201; 히드록시기; 알킬기; 시클로알킬기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 알케닐기; 실릴기; 붕소기; 아민기; 아릴포스핀기; 포스핀옥사이드기; 아릴기; 및 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다. 여기서, R201 및 R202는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기이다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 바이페닐기일 수 있다. 즉, 바이페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 할로겐기는 플루오르, 염소, 브롬 또는 요오드가 될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로 탄소수 1 내지 20인 것이 바람직하다. 더 구체적으로는 탄소수 1 내지 10인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸기; 에틸기; 프로필기; n-프로필기; 이소프로필기; 부틸기; n-부틸기; 이소부틸기; tert-부틸기; sec-부틸기; 1-메틸부틸기; 1-에틸부틸기; 펜틸기; n-펜틸기; 이소펜틸기; 네오펜틸기; tert-펜틸기; 헥실기; n-헥실기; 1-메틸펜틸기; 2-메틸펜틸기; 3,3-디메틸부틸기; 2-에틸부틸기; 헵틸기; n-헵틸기; 1-메틸헥실기; 옥틸기; n-옥틸기; tert-옥틸기; 1-메틸헵틸기; 2-에틸헥실기; 2-프로필펜틸기; n-노닐기; 2,2-디메틸헵틸기; 1-에틸프로필기; 1,1-디메틸프로필기; 이소헥실기; 2-메틸펜틸기; 4-메틸헥실기; 5-메틸헥실기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 30인 것이 바람직하며, 탄소수 3 내지 20인 것이 더 바람직하다. 구체적으로 시클로프로필기; 시클로부틸기; 시클로펜틸기; 3-메틸시클로펜틸기; 2,3-디메틸시클로펜틸기; 시클로헥실기; 3-메틸시클로헥실기; 4-메틸시클로헥실기; 2,3-디메틸시클로헥실기; 3,4,5-트리메틸시클로헥실기; 4-tert-부틸시클로헥실기; 시클로헵틸기; 시클로옥틸기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로 탄소수 1 내지 20인 것이 바람직하다. 더 구체적으로 탄소수 1 내지 10인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시기; 에톡시기; n-프로폭시기; 이소프로폭시기; i-프로필옥시기; n-부톡시기; 이소부톡시기; tert-부톡시기; sec-부톡시기; n-펜틸옥시기; 네오펜틸옥시기; 이소펜틸옥시기; n-헥실옥시기; 3,3-디메틸부틸옥시기; 2-에틸부틸옥시기; n-옥틸옥시기; n-노닐옥시기; n-데실옥시기; 벤질옥시기; p-메틸벤질옥시기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아민기는 -NH2; 알킬아민기; N-알킬아릴아민기; 아릴아민기; N-아릴헤테로아릴아민기; N-알킬헤테로아릴아민기 및 헤테로아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 30인 것이 바람직하다. 아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기; 디메틸아민기; 에틸아민기; 디에틸아민기; 페닐아민기; 나프틸아민기; 바이페닐아민기; 안트라세닐아민기; 9-메틸안트라세닐아민기; 디페닐아민기; N-페닐나프틸아민기; 디톨릴아민기; N-페닐톨릴아민기; 트리페닐아민기; N-페닐바이페닐아민기; N-페닐나프틸아민기; N-바이페닐나프틸아민기; N-나프틸플루오레닐아민기; N-페닐페난트레닐아민기; N-바이페닐페난트레닐아민기; N-페닐플루오레닐아민기; N-페닐터페닐아민기; N-페난트레닐플루오레닐아민기; N-바이페닐플루오레닐아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, N-알킬아릴아민기는 아민기의 N에 알킬기 및 아릴기가 치환된 아민기를 의미한다.
본 명세서에 있어서, N-아릴헤테로아릴아민기는 아민기의 N에 아릴기 및 헤테로아릴기가 치환된 아민기를 의미한다.
본 명세서에 있어서, N-알킬헤테로아릴아민기는 아민기의 N에 알킬기 및 헤테로아릴기가 치환된 아민기를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 알킬아민기, N-아릴알킬아민기, 알킬티옥시기, 알킬술폭시기, N-알킬헤테로아릴아민기 중의 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다. 구체적으로 알킬티옥시기로는 메틸티옥시기; 에틸티옥시기; tert－부틸티옥시기; 헥실티옥시기; 옥틸티옥시기 등이 있고, 알킬술폭시기로는 메실; 에틸술폭시기; 프로필술폭시기; 부틸술폭시기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 비닐기; 1-프로페닐기; 이소프로페닐기; 1-부테닐기; 2-부테닐기; 3-부테닐기; 1-펜테닐기; 2-펜테닐기; 3-펜테닐기; 3-메틸-1-부테닐기; 1,3-부타디에닐기; 알릴기; 1-페닐비닐-1-일기; 2-페닐비닐-1-일기; 2,2-디페닐비닐-1-일기; 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일기; 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일기; 스틸베닐기; 스티레닐기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 실릴기는 -SiRaRbRc의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 Ra, Rb 및 Rc는 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기; 트리에틸실릴기; t-부틸디메틸실릴기; 비닐디메틸실릴기; 프로필디메틸실릴기; 트리페닐실릴기; 디페닐실릴기; 페닐실릴기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 붕소기는 -BR100R101일 수 있으며, 상기 R100 및 R101은 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 포스핀옥사이드기는 구체적으로 디페닐포스핀옥사이드기; 디나프틸포스핀옥사이드기 등이 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 30인 것이 바람직하며, 탄소수 6 내지 20인 것이 더 바람직하다. 상기 아릴기는 단환식 또는 다환식일 수 있다.
상기 아릴기가 단환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로 단환식 아릴기로는 페닐기; 바이페닐기; 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 아릴기가 다환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나. 탄소수 10 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로 다환식 아릴기로는 나프틸기; 안트라세닐기; 페난트릴기; 트리페닐기; 파이레닐기; 페날레닐기; 페릴레닐기; 크라이세닐기; 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 플루오레닐기는 치환될 수 있으며, 인접한 기들이 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,
Figure PCTKR2018006459-appb-I000006
,
Figure PCTKR2018006459-appb-I000007
,
Figure PCTKR2018006459-appb-I000008
,
Figure PCTKR2018006459-appb-I000009
,
Figure PCTKR2018006459-appb-I000010
,
Figure PCTKR2018006459-appb-I000011
,
Figure PCTKR2018006459-appb-I000012
및
Figure PCTKR2018006459-appb-I000013
등이 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, "인접한" 기는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 가깝게 위치한 치환기, 또는 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 벤젠고리에서 오르토(ortho)위치로 치환된 2개의 치환기 및 지방족 고리에서 동일 탄소에 치환된 2개의 치환기는 서로 "인접한" 기로 해석될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 아릴옥시기, 아릴티옥시기, 아릴술폭시기, N-아릴알킬아민기, N-아릴헤테로아릴아민기 및 아릴포스핀기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다. 구체적으로 아릴옥시기로는 페녹시기; p-토릴옥시기; m-토릴옥시기; 3,5-디메틸페녹시기; 2,4,6-트리메틸페녹시기; p-tert-부틸페녹시기; 3-바이페닐옥시기; 4-바이페닐옥시기; 1-나프틸옥시기; 2-나프틸옥시기; 4-메틸-1-나프틸옥시기; 5-메틸-2-나프틸옥시기; 1-안트릴옥시기; 2-안트릴옥시기; 9-안트릴옥시기; 1-페난트릴옥시기; 3-페난트릴옥시기; 9-페난트릴옥시기 등이 있고, 아릴티옥시기로는 페닐티옥시기; 2－메틸페닐티옥시기; 4－tert－부틸페닐티옥시기 등이 있으며, 아릴술폭시기로는 벤젠술폭시기; p－톨루엔술폭시기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노아릴아민기, 치환 또는 비치환된 디아릴아민기가 있다. 상기 아릴아민기 중의 아릴기는 단환식 아릴기일 수 있고, 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 아릴기가 2 이상을 포함하는 아릴아민기는 단환식 아릴기, 다환식 아릴기, 또는 단환식 아릴기와 다환식 아릴기를 동시에 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 아릴아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 탄소가 아닌 원자, 즉 이종원자를 1 이상 포함하는 것으로서, 구체적으로 상기 이종원자는 O, N, Se 및 S 등으로 이루어진 군에서 선택되는 원자를 1 이상 포함할 수 있다. 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 30인 것이 바람직하며, 탄소수 2 내지 20인 것이 더 바람직하고, 상기 헤테로아릴기는 단환식 또는 다환식일 수 있다. 헤테로아릴기의 예로는 티오페닐기; 퓨라닐기; 피롤기; 이미다졸릴기; 티아졸릴기; 옥사졸릴기; 옥사디아졸릴기; 피리디닐기; 바이피리디닐기; 피리미디닐기; 트리아지닐기; 트리아졸릴기; 아크리딜기; 피리다지닐기; 피라지닐기; 퀴놀리닐기; 퀴나졸리닐기; 퀴녹살리닐기; 프탈라지닐기; 피리도피리미디닐기; 피리도피라지닐기; 피라지노피라지닐기; 이소퀴놀리닐기; 인돌릴기; 카바졸릴기; 벤즈옥사졸릴기; 벤즈이미다졸릴기; 벤조티아졸릴기; 벤조카바졸릴기; 벤조티오펜기; 디벤조티오펜기; 벤조퓨라닐기; 페난쓰롤리닐기(phenanthroline); 이소옥사졸릴기; 티아디아졸릴기; 페노티아지닐기; 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노헤테로아릴아민기, 치환 또는 비치환된 디헤테로아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 트리헤테로아릴아민기가 있다. 상기 헤테로아릴기가 2 이상을 포함하는 헤테로아릴아민기는 단환식 헤테로아릴기, 다환식 헤테로아릴기, 또는 단환식 헤테로아릴기와 다환식 헤테로아릴기를 동시에 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 헤테로아릴아민기 중의 헤테로아릴기는 전술한 헤테로아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서에 있어서, N-아릴헤테로아릴아민기 및 N-알킬헤테로아릴아민기 중의 헤테로아릴기의 예시는 전술한 헤테로아릴기의 예시와 같다.
본 명세서에 있어서, 아릴렌기는 아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기의 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴렌기는 헤테로아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴기의 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 헤테로고리기는 단환 또는 다환일 수 있으며, 방향족, 지방족 또는 방향족과 지방족의 축합고리일 수 있으며, 상기 헤테로아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다. 이외에도 헤테로고리기의 예로서, 하이드로아크리디닐기(예컨대,
Figure PCTKR2018006459-appb-I000014
) 및 술포닐기를 포함하는 헤테로고리 구조, 예컨대,
Figure PCTKR2018006459-appb-I000015
,
Figure PCTKR2018006459-appb-I000016
등이 있다.
본 명세서에 있어서, 인접한 기가 서로 결합하여 형성되는 치환 또는 비치환된 고리에서, "고리"는 치환 또는 비치환된 탄화수소고리; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 탄화수소고리는 방향족, 지방족 또는 방향족과 지방족의 축합고리일 수 있으며, 상기 1가가 아닌 것을 제외하고 상기 시클로알킬기 또는 아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 방향족고리는 단환 또는 다환일 수 있으며, 1가가 아닌 것을 제외하고 상기 아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 헤테로고리는 탄소가 아닌 원자, 이종원자를 1 이상 포함하는 것으로서, 구체적으로 상기 이종 원자는 O, N, Se 및 S 등으로 이루어진 군에서 선택되는 원자를 1 이상 포함할 수 있다. 상기 헤테로고리는 단환 또는 다환일 수 있으며, 방향족, 지방족 또는 방향족과 지방족의 축합고리일 수 있으며, 1가가 아닌 것을 제외하고 상기 헤테로아릴기 또는 헤테로고리기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, L1은 직접결합; 아릴렌기; 또는 헤테로아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, L1은 직접결합; 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기; 치환 또는 비치환된 나프탈렌기; 치환 또는 비치환된 터페닐렌기; 치환 또는 비치환된 쿼터페닐렌기; 치환 또는 비치환된 안트라세닐렌기; 치환 또는 비치환된 페난트레닐렌기; 치환 또는 비치환된 트라이페닐레닐렌기; 치환 또는 비치환된 파이레닐렌기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기; 치환 또는 비치환된 스피로사이클로펜탄플루오레닐렌기; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐렌기; 치환 또는 비치환된 2가의 디벤조티오펜기; 치환 또는 비치환된 카바졸릴렌기; 치환 또는 비치환된 피리디닐렌기; 치환 또는 비치환된 2가의 퓨란기; 또는 치환 또는 비치환된 2가의 티오펜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, L1은 직접결합; 페닐렌기; 바이페닐렌기; 나프탈렌기; 터페닐렌기; 피리미디닐렌기; 2가의 퓨란기; 또는 2가의 티오펜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, L1은 직접결합; 또는 하기의 구조식들 중 하나로 표시될 수 있다.
Figure PCTKR2018006459-appb-I000017
상기 구조들 중에서
Figure PCTKR2018006459-appb-I000018
는 주쇄에 결합되는 부위이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, Ar1은 니트릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 단환의 헤테로고리기; 치환 또는 비치환된 3환 이상의 헤테로고리기; N을 2개 이상 포함하고, 치환 또는 비치환된 2환의 헤테로고리기; 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기; 또는 상기 화학식 2 및 하기 화학식 6 내지 15 중 선택되는 어느 하나로 표시되는 구조이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, Ar1은 니트릴기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 단환의 헤테로고리기; 치환 또는 비치환된 3환 이상의 헤테로고리기; N을 2개 이상 포함하는 치환 또는 비치환된 2환의 헤테로고리기; 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기; 또는 상기 화학식 2 및 하기 화학식 6 내지 15 중 선택되는 어느 하나로 표시되는 구조이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, Ar1은 니트릴기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 상기 화학식 2 및 하기 화학식 6 내지 15 중 선택되는 어느 하나로 표시되는 구조이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, Ar1은 니트릴기; 할로겐기로 치환 또는 비치환된 알콕시기; 아릴기로 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 니트릴기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 상기 화학식 2 및 하기 화학식 6 내지 15 중 선택되는 어느 하나로 표시되는 구조이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, Ar1은 니트릴기; 플루오로기로 치환된 메톡시기; 페닐기, 터페닐기, 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 니트릴기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 니트릴기로 치환 또는 비치환된 터페닐기; 또는 상기 화학식 2 및 하기 화학식 6 내지 15 중 선택되는 어느 하나로 표시되는 구조이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, Ar1은 하기 화학식 1a로 표시될 수 있다.
[화학식 1a]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000019
상기 화학식 1a에 있어서,
G2 내지 G4, R12 및 R13 중 어느 하나는 상기 화학식 1의 L1에 결합되는 부위이며, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; -C(=O)NC(=O)R; -C(=O)R; -C(=O)NRR'; -C(=O)0R; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고, R 및 R'은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, Ar1은 상기 화학식 2 및 하기 화학식 6 내지 15 중 선택되는 어느 하나로 표시된다.
[화학식 6]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000020
[화학식 7]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000021
[화학식 8]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000022
[화학식 9]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000023
[화학식 10]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000024
[화학식 11]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000025
[화학식 12]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000026
[화학식 13]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000027
[화학식 14]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000028
[화학식 15]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000029
상기 화학식 6 내지 15에 있어서,
X1은 N 또는 CR11이고, X2는 N 또는 CR12이고, X3는 N 또는 CR13이고, X4는 N 또는 CR14이고, X5는 N 또는 CR15이고, X6는 N 또는 CR16이고, X7는 N 또는 CR17이고, X8은 N 또는 CR18이고, X9는 N 또는 CR19이고, X10은 N 또는 CR20이고
X1 내지 X3 중 적어도 두 개는 N이고, X4 내지 X7 중 적어도 하나는 N이고,
Y1은 O; S; NQ1; 또는 CQ2Q3이고, Y2는 O; S; NQ4; 또는 CQ5Q6이고, Y3는 O; S; 또는 NQ7이고,
G2 내지 G4 및 R11 내지 R13 중 어느 하나, G5 내지 G8 중 어느 하나, G9 내지 G15 중 어느 하나, G16 내지 G21 중 어느 하나, G22 내지 G27 중 어느 하나, G28 내지 G33 및 R14 내지 R17 중 어느 하나, G34 내지 G42 중 어느 하나, G43 내지 G47 중 어느 하나, G48, G49, R18 및 R19 중 어느 하나, 및 G50 내지 G61 중 어느 하나는 상기 화학식 1의 L1에 결합되는 부위이고,
G2 내지 G61 및 R11 내지 R19 중 상기 화학식 1의 L1에 결합되는 부위를 제외한 나머지, R20 및 Q1 내지 Q7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; -C(=O)NC(=O)R; -C(=O)R; -C(=O)NRR'; -C(=O)0R; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고, R 및 R'은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 2에 있어서, G1은 수소; 또는 아릴기이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 2에 있어서, G1은 수소; 또는 페닐기이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 2는 하기 화학식 2-1 내지 2-4 중 선택되는 어느 하나로 표시된다.
[화학식 2-1]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000030
[화학식 2-2]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000031
[화학식 2-3]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000032
[화학식 2-4]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000033
상기 화학식 2-1 내지 2-4에 있어서, G1 및 g1의 정의는 상기 화학식 2와 동일하고, *는 상기 화학식 1의 L1에 결합되는 부위이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 6에 있어서, G2 내지 G4 및 R11 내지 R13 중 어느 하나는 상기 화학식 1의 L1에 결합되는 부위이며, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 6에 있어서, G2 내지 G4 및 R11 내지 R13 중 어느 하나는 상기 화학식 1의 L1에 결합되는 부위이며, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 니트릴기, 아릴기, 알킬기로 치환된 헤테로고리기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 6에 있어서, G2 내지 G4 및 R11 내지 R13 중 어느 하나는 상기 화학식 1의 L1에 결합되는 부위이며, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 아릴기, 알킬기로 치환된 헤테로고리기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 니트릴기 또는 헤테로고리기로 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 터페닐기; 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 알킬기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 트리페닐레닐기; 페난트레닐기; 페날레닐기; 피리디닐기; 디벤조퓨라닐기; 또는 디벤조티오페닐기이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 6에 있어서, G2 내지 G4 및 R11 내지 R13 중 어느 하나는 상기 화학식 1의 L1에 결합되는 부위이며, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 페닐기, 터페닐기, 카바졸릴기, 퀴놀리닐기, 페녹사지닐기, 페노티아지닐기, 트리페닐레닐기, 플루오란테닐기, 피리디닐기, 디벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 벤조카바졸릴기, 페닐기로 치환된 디하이드로페나지닐기, 또는 메틸기로 치환된 디하이드로아크리디닐기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 니트릴기; 또는 카바졸릴기로 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 터페닐기; 페닐기, 피리디닐기 또는 디벤조퓨라닐기로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 메틸기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 트리페닐레닐기; 페난트레닐기; 페날레닐기; 피리디닐기; 디벤조퓨라닐기; 또는 디벤조티오페닐기이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 6은 하기 화학식 6a 또는 6b로 표시될 수 있다.
[화학식 6a]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000034
[화학식 6b]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000035
상기 화학식 6a 및 6b에 있어서, G2 내지 G4 및 R13의 정의는 상기 화학식 6에서 정의한 바와 동일하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 6에서 X1 내지 X3 중 적어도 두개가 N인 경우, HOMO 에너지가 6.1eV 이상으로 깊어, 전자조절층으로의 역할을 원활히 수행하며, 전자이동도가 높아 유기 발광 소자에 이용시 구동전압이 낮고, 고효율 및 장수명 소자를 이룰 수 있다. 구체적으로, 상기 Ar1이 화학식 6a 또는 화학식 6b로 표시되는 경우 상기의 효과가 극대화된다.
특히, 상기 Ar1이 화학식 6b인 트리아진기의 경우 HOMO 에너지가 6.1eV 이상으로 깊어, 전자조절층의 역할을 원활히 수행하며, 전자이동도가 높아 유기 발광 소자에 이용시 구동전압이 낮고, 고효율 및 장수명의 특성을 보인다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 7에 있어서, G5 내지 G8 중 어느 하나는 상기 화학식 1의 L1에 결합되는 부위이며, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 7에 있어서, G5 내지 G8 중 어느 하나는 상기 화학식 1의 L1에 결합되는 부위이며, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 아릴기이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 7에 있어서, G5 내지 G8 중 어느 하나는 상기 화학식 1의 L1에 결합되는 부위이며, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 페닐기; 또는 나프틸기이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 8에 있어서, G9 내지 G15 중 어느 하나는 상기 화학식 1의 L1에 결합되는 부위이며, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 8에 있어서, G9 내지 G15 중 어느 하나는 상기 화학식 1의 L1에 결합되는 부위이며, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 아릴기이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 8에 있어서, G9 내지 G15 중 어느 하나는 상기 화학식 1의 L1에 결합되는 부위이며, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 페닐기이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 9에 있어서, G16 내지 G21 중 어느 하나는 상기 화학식 1의 L1에 결합되는 부위이며, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 9에 있어서, G16 내지 G21 중 어느 하나는 상기 화학식 1의 L1에 결합되는 부위이며, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 아릴기이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 9에 있어서, G16 내지 G21 중 어느 하나는 상기 화학식 1의 L1에 결합되는 부위이며, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 페닐기; 바이페닐기; 또는 나프틸기이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 10에 있어서, G22 내지 G27 중 어느 하나는 상기 화학식 1의 L1에 결합되는 부위이며, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 아릴기이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 10에 있어서, G22 내지 G27 중 어느 하나는 상기 화학식 1의 L1에 결합되는 부위이며, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 페닐기이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 11에 있어서, G28 내지 G33 및 R14 내지 R17 중 어느 하나는 상기 화학식 1의 L1에 결합되는 부위이며, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 11은 하기 화학식 11-1 내지 11-8 중 선택되는 어느 하나로 표시된다.
[화학식 11-1]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000036
[화학식 11-2]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000037
[화학식 11-3]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000038
[화학식 11-4]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000039
[화학식 11-5]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000040
[화학식 11-6]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000041
[화학식 11-7]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000042
[화학식 11-8]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000043
상기 화학식 11-1 내지 11-8에 있어서, G28 내지 G33 및 R14 내지 R17의 정의는 상기 화학식 11에서 정의한 바와 동일하다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 12에 있어서, G34 내지 G42 중 어느 하나는 상기 화학식 1의 L1에 결합되는 부위이며, 나머지 및 Q1 내지 Q3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 13에 있어서, G43 내지 G47 중 어느 하나는 상기 화학식 1의 L1에 결합되는 부위이며, 나머지 및 Q4 내지 Q6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 13에 있어서, G43 내지 G47 중 어느 하나는 상기 화학식 1의 L1에 결합되는 부위이며, 나머지 및 Q4 내지 Q6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 알킬기; 또는 아릴기이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 13에 있어서, G43 내지 G47 중 어느 하나는 상기 화학식 1의 L1에 결합되는 부위이며, 나머지 및 Q4 내지 Q6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 메틸기; 또는 페닐기이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 13에 있어서, Y2가 NQ4인 경우, 상기 G43 및 Q4는 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 13에 있어서, Y2가 NQ4인 경우, 상기 G43 및 Q4는 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 헤테로고리를 형성한다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 13은 하기 화학식 13-1 내지 13-4 중 선택되는 어느 하나로 표시된다.
[화학식 13-1]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000044
[화학식 13-2]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000045
[화학식 13-3]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000046
[화학식 13-4]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000047
상기 화학식 13-1 내지 13-4에 있어서, G43 내지 G47 중 어느 하나는 상기 화학식 1의 L1에 결합되는 부위이며, 나머지 및 Q4 내지 Q6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; -C(=O)NC(=O)R; -C(=O)R; -C(=O)NRR'; -C(=O)0R; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고, R 및 R'은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 14에 있어서, G48, G49, R18 및 R19 중 어느 하나는 상기 화학식 1의 L1에 결합되는 부위이며, 나머지 및 Q7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 14에 있어서, G48, G49, R18 및 R19 중 어느 하나는 상기 화학식 1의 L1에 결합되는 부위이며, 나머지 및 Q7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 아릴기이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 14에 있어서, G48, G49, R18 및 R19 중 어느 하나는 상기 화학식 1의 L1에 결합되는 부위이며, 나머지 및 Q7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 페닐기이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 화학식 14는 하기 화학식 14-1 내지 14-9 중 선택되는 어느 하나로 표시된다.
[화학식 14-1]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000048
[화학식 14-2]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000049
[화학식 14-3]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000050
[화학식 14-4]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000051
[화학식 14-5]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000052
[화학식 14-6]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000053
[화학식 14-7]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000054
[화학식 14-8]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000055
[화학식 14-9]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000056
상기 화학식 14-1 내지 14-9에 있어서, G48, G49, R18, R19 및 Q7의 정의는 상기 화학식 14에서 정의한 바와 동일하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 15에 있어서, 상기 G50 내지 G61 중 상기 화학식 1에 결합되는 부위를 제외한 나머지 및 R20은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 15에 있어서, 상기 G50 내지 G61 중 상기 화학식 1에 결합되는 부위를 제외한 나머지 및 R20은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 15에 있어서, 상기 G50 내지 G61 중 상기 화학식 1에 결합되는 부위를 제외한 나머지 및 R20은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서 상기 화학식 15에 있어서, 상기 G50 내지 G61 중 상기 화학식 1에 결합되는 부위를 제외한 나머지 및 R20은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 m은 1의 정수이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 내지 1-4 중 선택되는 어느 하나로 표시된다.
[화학식 1-1]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000057
[화학식 1-2]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000058
[화학식 1-3]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000059
[화학식 1-4]
Figure PCTKR2018006459-appb-I000060
상기 화학식 1-1 내지 1-4에 있어서,
L1, Ar1, R1 및 n의 정의는 상기 화학식 1과 동일하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1은 수소이다.
일반적으로 화합물의 전자이동도는, 분자의 3D 구조상에서의 배향성(orientation)에 따라 달라지고, 보다 수평적 구조(horizontal structure)일 때, 전자이동도가 강화된다. 본 명세서의 일 실시상태에 따른 -L1-Ar1이 1개 치환된 화학식 1로 표시되는 화합물은, -L1-Ar1이 2개 치환된 화합물에 비하여, 분자의 수평적 구조 성향이 강하여 전자이동도가 높아지는 장점이 있다. 이에 따라, 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 유기 발광 소자에 이용시, 구동전압이 낮고, 높은 효율 및 장수명의 효과가 있다.(APPLIED PHYSICS LETTERS 95, 243303 (2009) 참조)
본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물 E9 및 E18의 3D 구조를 나타낸 도 10 및 도 11에 의하면, 상기 화합물들의 분자는 수평적 구조를 가지고 있음을 확인할 수 있고, 본 명세서의 비교예 화합물로 사용한 화합물 ET-1-E 및 ET-1-I의 3D 구조를 나타낸 도 12 및 도 13에 의하면, 각각 A축과 B축이 거의 수직을 이루고 있어 분자가 수평적 구조에서 크게 벗어나 있음을 확인할 수 있다. 결과적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물 E9 및 E18이 화합물 ET-1-E 및 ET-1-I보다, 분자의 3D 구조상에서의 배향성 차이에 의해 수평적 구조를 가지고, 이로 인하여, 화학식 1로 표시되는 화합물을 유기 발광 소자에 이용시, 구동전압, 효율 및 수명 면에서 우수한 효과가 있음을 알 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중 선택되는 어느 하나로 표시될 수 있다.
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본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L'1 내지 L'3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L'1 내지 L'3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L'1 내지 L'3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기; 치환 또는 비치환된 터페닐렌기; 치환 또는 비치환된 나프탈렌기; 또는 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L'1 내지 L'3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 페닐렌기; 바이페닐렌기; 터페닐렌기; 나프탈렌기; 또는 메틸기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L'1 내지 L'3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 페닐렌기; 바이페닐렌기; 또는 터페닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar'1 내지 Ar'3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기이거나, 상기 화학식 4 또는 5로 표시되고, Ar'1 내지 Ar'3 중 적어도 하나는 상기 화학식 4로 표시된다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar'1 내지 Ar'3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기이거나, 상기 화학식 4 또는 5로 표시되고, Ar'1 내지 Ar'3 중 적어도 하나는 상기 화학식 4로 표시된다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar'1 내지 Ar'3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기이거나, 상기 화학식 4 또는 5로 표시되고, Ar'1 내지 Ar'3 중 적어도 하나는 상기 화학식 4로 표시된다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar'1 내지 Ar'3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기이거나, 상기 화학식 4 또는 5로 표시되고, Ar'1 내지 Ar'3 중 적어도 하나는 상기 화학식 4로 표시된다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar'1 내지 Ar'3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, 상기 화학식 4 또는 5로 표시되고, Ar'1 내지 Ar'3 중 적어도 하나는 상기 화학식 4로 표시되고, Ar'1 내지 Ar'3 중 적어도 하나는 상기 화학식 5로 표시된다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar'1 내지 Ar'3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기이거나, 상기 화학식 4 또는 5로 표시되고, Ar'1 내지 Ar'3 중 적어도 하나는 상기 화학식 4로 표시되고, Ar'1 내지 Ar'3 중 적어도 하나는 상기 화학식 5로 표시된다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar'1 내지 Ar'3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴기이거나, 상기 화학식 4 또는 5로 표시되고, Ar'1 내지 Ar'3 중 적어도 하나는 상기 화학식 4로 표시되고, Ar'1 내지 Ar'3 중 적어도 하나는 상기 화학식 5로 표시된다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar'1 내지 Ar'3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, 상기 화학식 4 또는 5로 표시되고, Ar'1 내지 Ar'3 중 적어도 하나는 상기 화학식 4로 표시되고, Ar'1 내지 Ar'3 중 적어도 하나는 상기 화학식 5로 표시된다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar'1 내지 Ar'3 중 적어도 하나는 상기 화학식 4로 표시되고, Ar'1 내지 Ar'3 중 적어도 하나는 상기 화학식 5로 표시되고, 나머지는 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar'1 내지 Ar'3 중 적어도 하나는 상기 화학식 4로 표시되고, Ar'1 내지 Ar'3 중 적어도 하나는 상기 화학식 5로 표시되고, 나머지는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar'1 내지 Ar'3 중 적어도 하나는 상기 화학식 4로 표시되고, Ar'1 내지 Ar'3 중 적어도 하나는 상기 화학식 5로 표시되고, 나머지는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar'1 내지 Ar'3 중 적어도 하나는 상기 화학식 4로 표시되고, Ar'1 내지 Ar'3 중 적어도 하나는 상기 화학식 5로 표시되고, 나머지는 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar'1 내지 Ar'3 중 적어도 하나는 상기 화학식 4로 표시되고, Ar'1 내지 Ar'3 중 적어도 하나는 상기 화학식 5로 표시되고, 나머지는 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 치환 또는 비치환된 터페닐기; 또는 치환 또는 비치환된 플루오레닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar'1 내지 Ar'3 중 적어도 하나는 상기 화학식 4로 표시되고, Ar'1 내지 Ar'3 중 적어도 하나는 상기 화학식 5로 표시되고, 나머지는 페닐기; 바이페닐기; 터페닐기; 또는 알킬기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R'1 내지 R'9 중 상기 화학식 3의 L'1 내지 L'3 중 하나에 결합되는 부분을 제외한 나머지 및 R'10 내지 R'21은 각각 독립적으로 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3은 하기 화합물 중 선택되는 어느 하나로 표시될 수 있다.
Figure PCTKR2018006459-appb-I000095
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 및 전자주입층 중 선택되는 1 이상의 유기물층을 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 전자수송층, 전자주입층 또는 전자주입 및 전자수송을 동시에 하는 층은 n형 도펀트를 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는, 애노드; 캐소드; 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 구비된 발광층을 포함하고, 상기 발광층과 상기 캐소드 사이에 구비되고, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 전자조절층, 및 상기 발광층과 상기 애노드 사이에 구비되고, 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 포함하는 전자차단층을 더 포함하고, 그 외, 정공수송층, 정공주입층, 전자수송층 및 전자주입층 중 선택되는 1 이상의 유기물층을 더 포함할 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고, 더 적거나 많은 수의 유기물층을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는, 애노드; 캐소드; 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 구비된 발광층을 포함하고, 상기 발광층과 상기 캐소드 사이에 구비되고 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 전자조절층, 및 상기 발광층과 상기 애노드 사이에 구비되고 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 포함하는 전자차단층을 더 포함하고, 상기 발광층과 상기 캐소드 사이에 전자수송층 및 전자주입층 중 선택되는 1 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 발광층과 상기 애노드 사이에 정공수송층 및 정공주입층 중 선택되는 1 이상의 유기물층을 포함할 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고, 더 적거나 많은 수의 유기물층을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는, 애노드; 캐소드; 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 구비된 발광층을 포함하고, 상기 발광층과 상기 캐소드 사이에 구비되고 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 전자조절층, 및 상기 발광층과 상기 애노드 사이에 구비되고 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 포함하는 전자차단층을 더 포함하고, 상기 캐소드와 상기 전자조절층 사이에 구비되는 전자수송층을 포함할 수 있고, 상기 전자수송층은 n형 도펀트 물질을 더 포함할 수 있고, 이때 전자수송층에 사용되는 물질과 n형 도펀트 물질의 중량비는 1:100 내지 100:1일 수 있고, 구체적으로는 1:10 내지 10:1일 수 있고, 더 구체적으로는 1:1일 수 있다. 이 때 n형 도펀트 물질은 LiQ 일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는, 애노드; 캐소드; 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 구비된 발광층을 포함하고, 상기 발광층과 상기 캐소드 사이에 구비되고 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 전자조절층, 및 상기 발광층과 상기 애노드 사이에 구비되고 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 포함하는 전자차단층을 더 포함하고, 상기 애노드와 상기 전자차단층 사이에 구비되는 정공수송층을 더 포함할 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고, 더 적거나 많은 수의 유기물층을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는, 애노드; 캐소드; 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 구비된 발광층을 포함하고, 상기 발광층과 상기 캐소드 사이에 구비되고 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 전자조절층, 및 상기 발광층과 상기 애노드 사이에 구비되고 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 포함하는 전자차단층을 더 포함하고, 상기 애노드와 상기 전자차단층 사이에 구비되는 정공주입층을 더 포함할 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고, 더 적거나 많은 수의 유기물층을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는, 애노드; 캐소드; 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 구비된 발광층을 포함하고, 상기 발광층과 상기 캐소드 사이에 구비되고 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 전자조절층, 및 상기 발광층과 상기 애노드 사이에 구비되고 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 포함하는 전자차단층을 더 포함하고, 상기 애노드와 상기 전자차단층 사이에 구비되는 정공수송층을 더 포함하고, 상기 애노드와 상기 정공수송층 사이에 구비되는 정공주입층을 더 포함할 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고, 더 적거나 많은 수의 유기물층을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는, 애노드; 캐소드; 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 구비되고 호스트 물질 및 도펀트 물질을 포함한 발광층을 포함하고, 상기 발광층과 상기 캐소드 사이에 구비되고 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 전자조절층, 및 상기 발광층과 상기 애노드 사이에 구비되고 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 포함하는 전자차단층을 더 포함하고, 상기 캐소드와 상기 전자조절층 사이에 구비되는 n형 도펀트 물질을 포함한 전자수송층을 더 포함하고, 상기 애노드와 상기 전자차단층 사이에 구비되는 정공수송층을 더 포함하고, 상기 애노드와 상기 정공수송층 사이에 구비되는 정공주입층을 더 포함할 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고, 더 적거나 많은 수의 유기물층을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자의 구조는 도 1 내지 도 3에 나타난 것과 같은 구조를 가질 수 있으나 이에만 한정되는 것은 아니다.
도 1에는 기판(20) 위에 애노드(30), 발광층(40), 전자수송층(80) 및 캐소드(50)가 순차적으로 적층된 유기 발광 소자(10)의 구조가 예시되어 있다. 상기 도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 예시적인 구조이며, 다른 유기물층을 더 포함할 수 있다.
도 2에는 기판(20) 위에 애노드(30), 정공주입층(60), 정공수송층(70), 발광층(40), 전자수송층(80), 전자주입층(90) 및 캐소드(50)가 순차적으로 적층된 유기 발광 소자(11)의 구조가 예시되어 있다. 상기 도 2는 본 명세서의 실시상태에 따른 예시적인 구조이며, 다른 유기물층을 더 포함할 수 있다.
도 3에는 기판(20) 위에 애노드(30), 정공주입층(60), 정공수송층(70), 전자차단층(101), 발광층(40), 전자조절층(100), 전자수송층(80), 전자주입층(90) 및 캐소드(50)가 순차적으로 적층된 유기 발광 소자(12)의 구조가 예시되어 있다. 상기 도 3은 본 명세서의 실시상태에 따른 예시적인 구조이며, 다른 유기물층을 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 n형 도펀트는 금속착체 등일 수 있고, 알칼리금속, 예컨대 Li, Na, K, Rb, Cs 또는 Fr; 알칼리 토금속, 예컨대 Be, Mg, Ca, Sr, Ba 또는 Ra; 희토류 금속, 예컨대 La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Tb, Th, Dy, Ho, Er, Em, Gd, Yb, Lu, Y 또는 Mn; 또는 상기 금속들 중 1 이상의 금속을 포함하는 금속 화합물을 사용할 수 있으며, 상기에 한정되는 것은 아니며, 당기술분야에 알려져 있는 것들을 사용할 수 있다.
본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 본 명세서의 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 또는 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.
상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다.
예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 애노드, 유기물층 및 캐소드를 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 물리 증착 방법(PVD: Physical Vapor Deposition)을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 애노드를 형성하고, 그 위에 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자조절층 및 전자수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 캐소드로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 캐소드 물질부터 유기물층, 애노드 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다. 또한, 상기 화학식 1 또는 화학식 3으로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
상기 애노드 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 애노드 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 캐소드 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 캐소드 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al, Mg/Ag과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 애노드에서의 정공 주입효과, 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 엑시톤의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 애노드 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다.
상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로는 애노드나 정공주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 전자 차단층은 발광층을 통과한 과잉 전자가 정공 수송층 방향으로 이동하는 것을 방지하는 층이다. 상기 전자 차단 물질로는 정송 수송층보다 낮은 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital) 준위를 가지는 물질이 바람직하며, 주변 층의 에너지 준위를 고려하여 적절한 물질로 선택될 수 있다. 일 실시상태에 있어서, 전자 차단층으로는 아릴아민 계열의 유기물이 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시상태에 있어서, 상기 전자 차단층은 전술한 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다.
상기 발광층의 발광 물질로는 정공수송층과 전자수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조퀴놀린-금속 화합물; 벤즈옥사졸, 벤조티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌; 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로 고리 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 파이렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로 고리 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스티릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아미노기를 갖는 파이렌, 안트라센, 크라이센, 페리플란텐 등이 있으며, 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 전자 조절층은 발광층으로부터 정공이 캐소드로 유입되는 것을 차단하고 발광층으로 유입되는 전자를 조절하여 소자 전체의 성능을 조절하는 층이다. 전자 조절 물질로는 발광층으로부터 캐소드로의 정공의 유입을 방지하고, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 주입되는 전자를 조절하는 능력을 갖는 화합물이 바람직하다. 전자 조절 물질로는 소자 내 사용되는 유기물층의 구성에 따라 적절한 물질을 사용할 수 있다. 상기 전자 조절층은 발광층과 캐소드 사이에 위치하며, 바람직하게는 발광층에 직접 접하여 구비된다.
상기 전자수송층은 전자주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로, 전자 수송 물질로는 캐소드로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨이고, 각 경우 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따른다.
상기 전자주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자를 수송하는 능력을 갖고, 캐소드로부터의 전자주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 엑시톤의 정공주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 정공차단층은 정공의 캐소드 도달을 저지하는 층으로, 일반적으로 정공주입층과 동일한 조건으로 형성될 수 있다. 구체적으로 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, BCP, 알루미늄 착물 (aluminum complex) 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1 또는 화학식 3으로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자 외에도 유기 태양 전지 또는 유기 트랜지스터에 포함될 수 있다.
이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
<합성예>
<제조예 1-1> 화합물 E1의 합성
Figure PCTKR2018006459-appb-I000096
상기 화합물 4,4,5,5-테트라메틸-2-(스피로[플루오렌-9,9'-잔텐]-2'-일)-1,3,2-디옥사보로란 (10.0g, 21.8mmol)과 2-([1,1'-비페닐]-4-일)-4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진 (7.5g, 21.8mmol)을 테트라하이드로퓨란(100ml)에 완전히 녹인 후 탄산칼륨(9.0g, 65.4mmol)을 물 50ml에 용해시켜 첨가하고, 테트라키스트리페닐-포스피노팔라듐 (756mg, 0.65mmol)을 넣은 후, 8시간동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후, 탄산칼륨 용액을 제거하여 상기의 흰색 고체를 걸렀다. 걸러진 흰색의 고체를 테트라하이드로퓨란과 에틸아세테이트로 각각 2번씩 세척하여 상기 화합물 E1 (12.6g, 수율 90%)을 제조하였다.
MS[M+H]+= 640
<제조예 1-2> 화합물 E2의 합성
Figure PCTKR2018006459-appb-I000097
제조예 1-1에서 상기 화합물 2-([1,1'-비페닐]-4-일)-4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진 대신 2-(3-브로모페닐)-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진을 사용한 것을 제외하고, 상기 제조예 1-1과 동일한 방법으로 상기 화합물 E2를 제조하였다.
MS[M+H]+= 640
<제조예 1-3> 화합물 E3의 합성
Figure PCTKR2018006459-appb-I000098
제조예 1-1에서 상기 화합물 2-([1,1'-비페닐]-4-일)-4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진 대신 4-(6-클로로피리딘-3-일)-2,6-디페닐피리미딘을 사용한 것을 제외하고, 상기 제조예 1-1과 동일한 방법으로 상기 화합물 E3을 제조하였다.
MS[M+H]+= 640
<제조예 1-4> 화합물 E4의 합성
Figure PCTKR2018006459-appb-I000099
제조예 1-1에서 상기 화합물 2-([1,1'-비페닐]-4-일)-4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진 대신 2-(4-클로로페닐)-4-페닐퀴나졸린을 사용한 것을 제외하고, 상기 제조예 1-1과 동일한 방법으로 상기 화합물 E4를 제조하였다.
MS[M+H]+= 613
<제조예 1-5> 화합물 E5의 합성
Figure PCTKR2018006459-appb-I000100
제조예 1-1에서 상기 화합물 4,4,5,5-테트라메틸-2-(스피로[플루오렌-9,9'-잔텐]-2'-일)-1,3,2-디옥사보로란 대신 4,4,5,5-테트라메틸-2-(스피로[플루오렌-9,9'-잔텐]-3'-일)-1,3,2-디옥사보로란을 사용하고, 상기 화합물 2-([1,1'-비페닐]-4-일)-4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진 대신 2-클로로-4-(4-(디벤조[b,d]퓨란-4-일)페닐)-6-페닐-1,3,5-트리아진을 사용한 것을 제외하고, 상기 제조예 1-1과 동일한 방법으로 상기 화합물 E5를 제조하였다.
MS[M+H]+= 730
<제조예 1-6> 화합물 E6의 합성
Figure PCTKR2018006459-appb-I000101
제조예 1-5에서 상기 화합물 2-클로로-4-(4-(디벤조[b,d]퓨란-4-일)페닐)-6-페닐-1,3,5-트리아진 대신 2-(4-클로로페닐)-4-페닐-6-(피리딘-2-일)피리미딘을 사용한 것을 제외하고, 상기 제조예 1-5와 동일한 방법으로 상기 화합물 E6을 제조하였다.
MS[M+H]+= 640
<제조예 1-7> 화합물 E7의 합성
Figure PCTKR2018006459-appb-I000102
제조예 1-5에서 상기 화합물 2-클로로-4-(4-(디벤조[b,d]퓨란-4-일)페닐)-6-페닐-1,3,5-트리아진 대신 2-(4-브로모페닐)-1-페닐-1H-벤조[d]이미다졸을 사용한 것을 제외하고, 상기 제조예 1-5와 동일한 방법으로 상기 화합물 E7을 제조하였다.
MS[M+H]+= 601
<제조예 1-8> 화합물 E8의 합성
Figure PCTKR2018006459-appb-I000103
제조예 1-1에서 상기 화합물 4,4,5,5-테트라메틸-2-(스피로[플루오렌-9,9'-잔텐]-2'-일)-1,3,2-디옥사보로란 대신 4,4,5,5-테트라메틸-2-(스피로[플루오렌-9,9'-잔텐]-4'-일)-1,3,2-디옥사보로란을 사용하고, 2-([1,1'-비페닐]-4-일)-4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진 대신 2-([1,1'-비페닐]-4-일)-4-(4-클로로페닐)-6-페닐-1,3,5-트리아진을 사용한 것을 제외하고, 상기 제조예 1-1과 동일한 방법으로 상기 화합물 E8을 제조하였다.
MS[M+H]+= 716
<제조예 1-9> 화합물 E9의 합성
Figure PCTKR2018006459-appb-I000104
제조예 1-8에서 상기 화합물 2-([1,1'-비페닐]-4-일)-4-(4-클로로페닐)-6-페닐-1,3,5-트리아진 대신 2-브로모-1,10-페난트롤린을 사용한 것을 제외하고, 상기 제조예 1-8과 동일한 방법으로 상기 화합물 E9를 제조하였다.
MS[M+H]+= 511
<제조예 1-10> 화합물 E10의 합성
Figure PCTKR2018006459-appb-I000105
제조예 1-1에서 상기 화합물 2-([1,1'-비페닐]-4-일)-4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진 대신 9-(4-(4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진-2-일)페닐)-9H-카바졸을 사용한 것을 제외하고, 상기 제조예 1-1과 동일한 방법으로 상기 화합물 E10을 제조하였다.
MS[M+H]+= 729
<제조예 1-11> 화합물 E11의 합성
Figure PCTKR2018006459-appb-I000106
제조예 1-5에서 상기 화합물 2-클로로-4-(4-(디벤조[b,d]퓨란-4-일)페닐)-6-페닐-1,3,5-트리아진 대신 2-클로로-4-페닐-6-(3-(트리페닐렌-2-일)페닐)-1,3,5-트리아진을 사용한 것을 제외하고, 상기 제조예 1-5와 동일한 방법으로 상기 화합물 E11을 제조하였다.
MS[M+H]+= 790
<제조예 1-12> 화합물 E12의 합성
Figure PCTKR2018006459-appb-I000107
제조예 1-8에서 상기 화합물 2-([1,1'-비페닐]-4-일)-4-(4-클로로페닐)-6-페닐-1,3,5-트리아진 대신 2-클로로-4-페닐-6-(4-(피리딘-2-일)페닐)-1,3,5-트리아진을 사용한 것을 제외하고, 상기 제조예 1-8과 동일한 방법으로 상기 화합물 E12를 제조하였다.
MS[M+H]+= 641
<제조예 1-13> 화합물 E13의 합성
Figure PCTKR2018006459-appb-I000108
제조예 1-8에서 상기 화합물 2-([1,1'-비페닐]-4-일)-4-(4-클로로페닐)-6-페닐-1,3,5-트리아진 대신 9-(4-(6-클로로-2-페닐피리딘-4-일)페닐)-9H-카바졸을 사용한 것을 제외하고, 상기 제조예 1-8과 동일한 방법으로 상기 화합물 E13을 제조하였다.
MS[M+H]+= 728
<제조예 1-14> 화합물 E14의 합성
Figure PCTKR2018006459-appb-I000109
제조예 1-1에서 상기 화합물 2-([1,1'-비페닐]-4-일)-4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진 대신 2-클로로-4-(4-(디벤조[b,d]싸이오펜-3-일)페닐)-6-페닐-1,3,5-트리아진을 사용한 것을 제외하고, 상기 제조예 1-1과 동일한 방법으로 상기 화합물 E14를 제조하였다.
MS[M+H]+= 746
<제조예 1-15> 화합물 E15의 합성
Figure PCTKR2018006459-appb-I000110
제조예 1-8에서 상기 화합물 2-([1,1'-비페닐]-4-일)-4-(4-클로로페닐)-6-페닐-1,3,5-트리아진 대신 2-([1,1'-비페닐]-4-일)-4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진을 사용한 것을 제외하고, 제조예 1-8과 동일한 방법으로 상기 화합물 E15를 제조하였다.
MS[M+H]+= 640
<제조예 1-16> 화합물 E16의 합성
Figure PCTKR2018006459-appb-I000111
각 출발물질을 상기 반응식과 같이 하는 것을 제외하고는, 제조예 1-1과 동일한 방법으로 상기 화합물 E16을 제조하였다.
MS[M+H]+= 536
<제조예 1-17> 화합물 E17의 합성
Figure PCTKR2018006459-appb-I000112
]
각 출발물질을 상기 반응식과 같이 하는 것을 제외하고는, 제조예 1-1과 동일한 방법으로 상기 화합물 E17을 제조하였다.
MS[M+H]+= 477
<제조예 1-18> 화합물 E18의 합성
Figure PCTKR2018006459-appb-I000113
각 출발물질을 상기 반응식과 같이 하는 것을 제외하고는, 제조예 1-1과 동일한 방법으로 상기 화합물 E18을 제조하였다.
MS[M+H]+= 537
<제조예 1-19> 화합물 E19의 합성
Figure PCTKR2018006459-appb-I000114
각 출발물질을 상기 반응식과 같이 하는 것을 제외하고는, 제조예 1-1과 동일한 방법으로 상기 화합물 E19를 제조하였다.
MS[M+H]+= 487
<제조예 1-20> 화합물 E20의 합성
Figure PCTKR2018006459-appb-I000115
각 출발물질을 상기 반응식과 같이 하는 것을 제외하고는, 제조예 1-1과 동일한 방법으로 상기 화합물 E20을 제조하였다.
MS[M+H]+= 460
<제조예 1-21> 화합물 E21의 합성
Figure PCTKR2018006459-appb-I000116
각 출발물질을 상기 반응식과 같이 하는 것을 제외하고는, 제조예 1-1과 동일한 방법으로 상기 화합물 E21을 제조하였다.
MS[M+H]+= 562
<제조예 1-22> 화합물 E22의 합성
Figure PCTKR2018006459-appb-I000117
각 출발물질을 상기 반응식과 같이 하는 것을 제외하고는, 제조예 1-1과 동일한 방법으로 상기 화합물 E22을 제조하였다.
MS[M+H]+= 716
<제조예 1-23> 화합물 E23의 합성
Figure PCTKR2018006459-appb-I000118
각 출발물질을 상기 반응식과 같이 하는 것을 제외하고는, 제조예 1-1과 동일한 방법으로 상기 화합물 E23을 제조하였다.
MS[M+H]+= 716
<제조예 2-1> 화합물 F1의 합성
Figure PCTKR2018006459-appb-I000119
각 출발물질을 상기 반응식과 같이 하고, 소듐-t-부톡사이드(1.4eq)을 자일렌(Xylene)에 넣고 가열교반한뒤 80℃에서 [비스(트라이-t-부틸포스핀)]팔라듐 2mmol%을 넣었다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후, 클로로포름과 에틸아세테이트를 이용해 재결정하여 화합물 F1을 제조하였다.
MS[M+H]+= 729
<제조예 2-2> 화합물 F2의 합성
Figure PCTKR2018006459-appb-I000120
각 출발물질을 상기 반응식과 같이 하는 것을 제외하고는, 제조예 2-1과 동일한 방법으로 상기 화합물 F2을 제조하였다.
MS[M+H]+= 729
<실험예 1-1>
ITO(indium tin oxide)가 1,000Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀러포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.
이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 화합물 [HI-A]를 600Å의 두께로 열 진공증착하여 정공주입층을 형성하였다. 상기 정공주입층 위에 하기 화학식의 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌 (hexaazatriphenylene; HAT) 50Å 및 하기 화합물 [HT-A] (500Å)를 순차적으로 진공증착하여 정공수송층을 형성하였다.
이어서, 상기 정공수송층 위에 상기 [화합물 F1]을 진공증착하여 100Å의 두께로 전자차단층을 형성하였다.
상기 전자차단층 위에 막 두께 200Å으로 하기 화합물 [BH]와 [BD]를 25:1의 중량비로 진공증착하여 발광층을 형성하였다.
상기 발광층 위에 상기 [화합물 E1]를 진공증착하여 50Å의 두께로 전자조절층을 형성하였다. 상기 전자조절층 위에 하기 [화합물 ET-1-J] 및 하기 화합물 [LiQ](Lithiumquinolate)를 1:1 중량비로 진공증착하여 300Å의 두께로 전자수송층을 형성하였다. 상기 전자수송층 위에 순차적으로 10Å 두께로 리튬 플루오라이드(LiF)와 1,000Å 두께로 알루미늄을 증착하여 캐소드를 형성하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4 내지 0.9 Å/sec를 유지하였고, 캐소드의 리튬플루오라이드는 0.3 Å/sec, 알루미늄은 2 Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 1 Х 10-7 내지 5 Х 10-8torr를 유지하여, 유기 발광 소자를 제작하였다.
Figure PCTKR2018006459-appb-I000121
Figure PCTKR2018006459-appb-I000122
Figure PCTKR2018006459-appb-I000123
<실험예 1-2>
상기 실험예 1-1에서 화합물 E1 대신 상기 화합물 E2를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-3>
상기 실험예 1-1에서 화합물 E1 대신 상기 화합물 E3을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-4>
상기 실험예 1-1에서 화합물 E1 대신 상기 화합물 E4를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-5>
상기 실험예 1-1에서 화합물 E1 대신 상기 화합물 E5를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-6>
상기 실험예 1-1에서 화합물 E1 대신 상기 화합물 E6을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-7>
상기 실험예 1-1에서 화합물 E1 대신 상기 화합물 E7을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-8>
상기 실험예 1-1에서 화합물 E1 대신 상기 화합물 E8을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-9>
상기 실험예 1-1에서 화합물 E1 대신 상기 화합물 E9를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-10>
상기 실험예 1-1에서 화합물 E1 대신 상기 화합물 E10을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-11>
상기 실험예 1-1에서 화합물 E1 대신 상기 화합물 E11을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-12>
상기 실험예 1-1에서 화합물 E1 대신 상기 화합물 E12를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-13>
상기 실험예 1-1에서 화합물 E1 대신 상기 화합물 E13을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-14>
상기 실험예 1-1에서 화합물 E1 대신 상기 화합물 E14를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-15>
상기 실험예 1-1에서 화합물 E1 대신 상기 화합물 E15를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-16>
상기 실험예 1-1에서 화합물 E1 대신 상기 화합물 E16을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-17>
상기 실험예 1-1에서 화합물 E1 대신 상기 화합물 E17을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-18>
상기 실험예 1-1에서 화합물 E1 대신 상기 화합물 E18을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-19>
상기 실험예 1-1에서 화합물 E1 대신 상기 화합물 E19를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-20>
상기 실험예 1-1에서 화합물 E1 대신 상기 화합물 E20을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-21>
상기 실험예 1-1에서 화합물 E1 대신 상기 화합물 E21을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-22>
상기 실험예 1-1에서 화합물 E1 대신 상기 화합물 E22를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-23>
상기 실험예 1-1에서 화합물 E1 대신 상기 화합물 E23을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-24>
상기 실험예 1-1에서 화합물 F1 대신 상기 화합물 F2를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-25>
상기 실험예 1-2에서 화합물 F1 대신 상기 화합물 F2를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-2와 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-26>
상기 실험예 1-3에서 화합물 F1 대신 상기 화합물 F2를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-3과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-27>
상기 실험예 1-4에서 화합물 F1 대신 상기 화합물 F2를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-4와 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-28>
상기 실험예 1-5에서 화합물 F1 대신 상기 화합물 F2를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-5와 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-29>
상기 실험예 1-6에서 화합물 F1 대신 상기 화합물 F2를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-6과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-30>
상기 실험예 1-7에서 화합물 F1 대신 상기 화합물 F2를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-7과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-31>
상기 실험예 1-8에서 화합물 F1 대신 상기 화합물 F2를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-8과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-32>
상기 실험예 1-9에서 화합물 F1 대신 상기 화합물 F2를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-9와 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-33>
상기 실험예 1-10에서 화합물 F1 대신 상기 화합물 F2를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-10과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-34>
상기 실험예 1-11에서 화합물 F1 대신 상기 화합물 F2를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-11과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-35>
상기 실험예 1-12에서 화합물 F1 대신 상기 화합물 F2를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-12와 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-36>
상기 실험예 1-13에서 화합물 F1 대신 상기 화합물 F2를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-13과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-37>
상기 실험예 1-14에서 화합물 F1 대신 상기 화합물 F2를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-14와 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-38>
상기 실험예 1-15에서 화합물 F1 대신 상기 화합물 F2를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-15와 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-39>
상기 실험예 1-16에서 화합물 F1 대신 상기 화합물 F2를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-16과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-40>
상기 실험예 1-17에서 화합물 F1 대신 상기 화합물 F2를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-17과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-41>
상기 실험예 1-18에서 화합물 F1 대신 상기 화합물 F2를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-18과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-42>
상기 실험예 1-19에서 화합물 F1 대신 상기 화합물 F2를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-19와 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-43>
상기 실험예 1-20에서 화합물 F1 대신 상기 화합물 F2를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-20과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-44>
상기 실험예 1-21에서 화합물 F1 대신 상기 화합물 F2를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-21과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-45>
상기 실험예 1-22에서 화합물 F1 대신 상기 화합물 F2를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-22와 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-46>
상기 실험예 1-23에서 화합물 F1 대신 상기 화합물 F2를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-23과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 1-1>
상기 실험예 1-1에서 화합물 E1 대신 상기 화합물 ET-1-A를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 1-2>
상기 실험예 1-1에서 화합물 E1 대신 상기 화합물 ET-1-B를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 1-3>
상기 실험예 1-1에서 화합물 E1 대신 상기 화합물 ET-1-C를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 1-4>
상기 실험예 1-1에서 화합물 E1 대신 상기 화합물 ET-1-D를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 1-5>
상기 실험예 1-1에서 화합물 E1 대신 상기 화합물 ET-1-E를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 1-6>
상기 실험예 1-1에서 화합물 E1 대신 상기 화합물 ET-1-F를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 1-7>
상기 실험예 1-1에서 화합물 E1 대신 상기 화합물 ET-1-G를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 1-8>
상기 실험예 1-1에서 화합물 E1 대신 상기 화합물 ET-1-H를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 1-9>
상기 실험예 1-1에서 화합물 E1 대신 상기 화합물 ET-1-I를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 1-10>
상기 실험예 1-1에서 화합물 E1 대신 상기 화합물 ET-1-J를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 1-11>
상기 실험예 1-1에서 화합물 E1 대신 상기 화합물 ET-1-K를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 1-12>
상기 실험예 1-2에서 화합물 F1 대신 상기 화합물 HT-1-A를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-2과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 1-13>
상기 실험예 1-2에서 화합물 F1 대신 상기 화합물 HT-1-B를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-2과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 1-14>
상기 실험예 1-2에서 화합물 F1 대신 상기 화합물 HT-1-C를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-2과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 1-15>
상기 실험예 1-2에서 화합물 F1 대신 상기 화합물 HT-1-D를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-2과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 1-16>
상기 실험예 1-1에서 전자조절층 없이 상기 화합물 ET-1-J 및 LiQ를 1:1 중량비로 진공증착하여 350Å의 두께로 전자수송층을 형성한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 1-17>
상기 실험예 1-2에서 전자차단층 없이 정공주입층 위에 상기 화학식의 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌 (hexaazatriphenylene; HAT) 50Å 및 상기 화합물 [HT-A] (600Å)를 순차적으로 진공증착하여 정공수송층을 형성한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 1-18>
상기 실험예 1-1에서 전자차단층 없이 정공주입층 위에 상기 화학식의 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌 (hexaazatriphenylene; HAT) 50Å 및 상기 화합물 [HT-A] (600Å)를 순차적으로 진공증착하여 정공수송층을 형성하고, 전자조절층 없이 상기 화합물 ET-1-J 및 LiQ를 1:1 중량비로 진공증착하여 350Å의 두께로 전자수송층을 형성한 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
전술한 실험예 1-1 내지 1-46 및 비교예 1-1 내지 1-18의 방법으로 제조한 유기 발광 소자를 10mA/cm2의 전류밀도에서 구동전압과 발광 효율을 측정하였고, 20mA/cm2의 전류밀도에서 초기 휘도 대비 90%가 되는 시간(T90)을 측정하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
화합물(전자조절층) 화합물(전자차단층) 전압(V@10mA/cm2) 효율(cd/A@10mA/cm2) 색좌표(x,y) 수명(h)T90 at 20mA/cm2
실험예 1-1 E1 F1 3.65 5.73 (0.142, 0.097) 219
실험예 1-2 E2 F1 3.62 5.75 (0.142, 0.096) 211
실험예 1-3 E3 F1 3.65 5.81 (0.142, 0.096) 202
실험예 1-4 E4 F1 3.81 5.56 (0.142, 0.096) 178
실험예 1-5 E5 F1 3.70 5.66 (0.142, 0.096) 230
실험예 1-6 E6 F1 3.72 5.68 (0.142, 0.098) 212
실험예 1-7 E7 F1 3.82 5.53 (0.142, 0.102) 170
실험예 1-8 E8 F1 3.65 3.77 (0.142, 0.096) 220
실험예 1-9 E9 F1 3.79 5.54 (0.142, 0.096) 160
실험예 1-10 E10 F1 3.75 5.65 (0.142, 0.096) 227
실험예 1-11 E11 F1 3.66 3.66 (0.142, 0.096) 208
실험예 1-12 E12 F1 3.64 5.65 (0.142, 0.096) 219
실험예 1-13 E13 F1 3.67 5.79 (0.142, 0.096) 211
실험예 1-14 E14 F1 3.70 5.61 (0.142, 0.096) 240
실험예 1-15 E15 F1 3.65 5.74 (0.142, 0.096) 226
실험예 1-16 E16 F1 3.69 5.67 (0.142, 0.097) 231
실험예 1-17 E17 F1 3.72 5.53 (0.142, 0.096) 165
실험예 1-18 E18 F1 3.71 5.54 (0.142, 0.096) 166
실험예 1-19 E19 F1 3.76 5.69 (0.142, 0.096) 200
실험예 1-20 E20 F1 3.83 5.51 (0.142, 0.096) 161
실험예 1-21 E21 F1 3.84 5.57 (0.142, 0.097) 177
실험예 1-22 E22 F1 3.69 5.82 (0.142, 0.096) 199
실험예 1-23 E23 F1 3.71 5.71 (0.142, 0.097) 207
실험예 1-24 E1 F2 3.62 5.70 (0.142, 0.097) 224
실험예 1-25 E2 F2 3.61 5.73 (0.142, 0.096) 216
실험예 1-26 E3 F2 3.67 5.79 (0.142, 0.096) 208
실험예 1-27 E4 F2 3.82 5.50 (0.142, 0.096) 183
실험예 1-28 E5 F2 3.71 5.61 (0.142, 0.096) 235
실험예 1-29 E6 F2 3.74 5.63 (0.142, 0.098) 219
실험예 1-30 E7 F2 3.84 5.51 (0.142, 0.102) 178
실험예 1-31 E8 F2 3.61 3.74 (0.142, 0.096) 231
실험예 1-32 E9 F2 3.81 5.51 (0.142, 0.096) 167
실험예 1-33 E10 F2 3.77 5.63 (0.142, 0.096) 230
실험예 1-34 E11 F2 3.67 3.62 (0.142, 0.096) 218
실험예 1-35 E12 F2 3.65 5.61 (0.142, 0.096) 225
실험예 1-36 E13 F2 3.68 5.75 (0.142, 0.096) 219
실험예 1-37 E14 F2 3.72 5.58 (0.142, 0.096) 247
실험예 1-38 E15 F2 3.66 5.71 (0.142, 0.096) 230
실험예 1-39 E16 F2 3.70 5.63 (0.142, 0.097) 238
실험예 1-40 E17 F2 3.74 5.50 (0.142, 0.096) 165
실험예 1-41 E18 F2 3.73 5.51 (0.142, 0.096) 169
실험예 1-42 E19 F2 3.78 5.76 (0.142, 0.096) 306
실험예 1-43 E20 F2 3.85 5.59 (0.142, 0.096) 268
실험예 1-44 E21 F2 3.86 5.64 (0.142, 0.097) 279
실험예 1-45 E22 F2 3.70 5.89 (0.142, 0.096) 302
실험예 1-46 E23 F2 3.73 5.79 (0.142, 0.097) 310
비교예 1-1 ET-1-A F1 4.71 3.68 (0.142, 0.096) 75
비교예 1-2 ET-1-B F1 4.78 3.89 (0.142, 0.098) 79
비교예 1-3 ET-1-C F1 4.89 3.70 (0.142, 0.097) 83
비교예 1-4 ET-1-D F1 4.65 3.90 (0.142, 0.096) 55
비교예 1-5 ET-1-E F1 4.92 3.41 (0.142, 0.097) 65
비교예 1-6 ET-1-F F1 4.60 4.12 (0.142, 0.097) 41
비교예 1-7 ET-1-G F1 5.34 3.00 (0.142, 0.097) 60
비교예 1-8 ET-1-H F1 5.38 3.02 (0.142, 0.097) 52
비교예 1-9 ET-1-I F1 5.48 3.01 (0.142, 0.097) 50
비교예 1-10 ET-1-J F1 5.40 3.79 (0.142, 0.096) 70
비교예 1-11 ET-1-K F1 4.90 4.00 (0.142, 0.096) 88
비교예 1-12 E2 HT-1-A 4.02 4.11 (0.142, 0.097) 90
비교예 1-13 E2 HT-1-B 4.01 4.15 (0.142, 0.096) 150
비교예 1-14 E2 HT-1-C 3.88 5.55 (0.142, 0.096) 77
비교예 1-15 E2 HT-1-D 3.87 5.57 (0.142, 0.096) 68
비교예 1-16 - F1 4.55 4.22 (0.142, 0.096) 50
비교예 1-17 E2 - 3.90 5.31 (0.142, 0.097) 111
비교예 1-18 - - 5.33 3.65 (0.142, 0.097) 81
상기 표 1의 결과로부터, 실험예 1-1 내지 1-46 과 비교예 1-1, 1-2, 1-3, 1-5, 1-7, 1-8, 1-9를 비교하면, 상기 화학식 1과 같이 스피로 플루오렌 잔텐 골격에 헤테로아릴기가 하나만 치환된 화합물은 스피로 플루오렌 잔텐 골격에 두 개 이상의 치환기를 가지는 화합물에 비하여 유기 발광 소자에서 구동전압, 효율 및 수명면에서 우수한 특성을 나타내는 것을 확인할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물 E9 및 E18의 3D 구조를 나타낸 도 10 및 도 11에 의하면, 상기 화합물들의 분자는 수평적 구조를 가지고 있음을 확인할 수 있고, 화합물 ET-1-E 및 ET-1-I의 3D 구조를 나타낸 도 12 및 도 13에 의하면, 각각 A축과 B축이 거의 수직을 이루고 있어 분자가 수평적 구조에서 크게 벗어나 있음을 확인할 수 있다.
결과적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물 E9 및 E18의 3D 구조를 나타낸 도 10 및 도 11과 화합물 ET-1-E 및 ET-1-I의 3D 구조를 나타낸 도 12 및 도 13을 비교하면, 분자의 3D 구조상에서의 배향성(orientation) 차이에 따라 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물이 보다 수평적 구조를 가지는 것을 알 수 있다. 따라서, 실험예 1-1 내지 1-46의 상기 화학식 1과 같이 스피로 플루오렌 잔텐 골격에 헤테로아릴기가 하나만 치환된 화합물은 스피로 플루오렌 잔텐 골격에 두 개 이상의 치환기를 가지는 화합물에 비하여, 분자의 수평적 구조 성향이 강하여 전자이동도가 높아짐으로 인해 유기 발광 소자에서 구동전압이 낮고 높은 효율 및 장수명의 효과가 있다.
또한, 실험예 1-1 내지 1-46과 비교예 1-4 및 1-6을 비교하면, 스피로 플루오렌 잔텐을 포함하는 상기 화학식 1의 구조는 스피로 플루오렌기를 포함하는 구조에 비하여 유기 발광 소자에서 우수한 특성을 나타내는 것을 확인할 수 있다.
또한, 실험예 1-16, 1-39와 비교예 1-11을 비교하면, 스피로 플루오렌 잔텐을 포함하는 상기 화학식 1의 구조는 스피로 플루오렌 잔텐에 퀴놀린의 결합 위치에 따라, N이 포함되지 않은 벤젠고리가 스피로 플루오렌 잔텐에 결합한 상기 화학식 1의 구조는, N을 포함하는 벤젠고리가 스피로 플루오렌 잔텐에 결합한 화합물에 비하여, 유기 발광 소자에서 우수한 특성을 나타내는 것을 확인할 수 있다.
실험예 1-1 내지 1-46과 비교예 1-12, 1-13을 비교하면, 전자차단층으로 카바졸 치환기가 없는 화합물과 대비하여, 카바졸 치환기가 있는 화학식 3의 화합물을 전자차단층으로 사용하는 경우, 유기 발광 소자에서 우수한 효율 및 수명특성을 나타내는 것을 확인할 수 있다.
실험예 1-1 내지 1-46과 비교예 1-12, 1-14를 비교하면, 전자차단층으로 디벤조퓨란기가 치환되지 않은 화합물과 대비하여, 디벤조퓨란기가 치환된 화학식 3의 화합물을 전자차단층으로 사용하는 경우, 유기 발광 소자에서 우수한 효율 및 수명특성을 나타내는 것을 확인할 수 있다.
또한, 비교예 1-14, 1-15의 카바졸이 파라방향으로 치환된 화합물을 전자차단층으로 사용하는 것과 대비하여, 카바졸이 메타방향으로 치환된 화학식 3의 화합물을 전자차단층으로 사용하는 경우, 유기 발과 소자에서 우수한 효율 및 수명특성을 나타내는 것을 확인할 수 있다.
또한, 실험예 1-1 내지 1-46과 비교예 1-16 내지 1-18을 비교하면, 유기 발광소자에서 전자차단층 및 전자조절층 중 적어도 하나가 성막되지 않은 구조에 비하여, 화학식 1의 화합물을 포함하는 전자조절층 및 화학식 3의 화합물을 포함하는 전자차단층을 포함하는 유기 발광 소자에서 우수한 효율, 수명특성을 나타내는 것을 확인할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물은 열적 안정성이 우수하고, 6.0eV 이상의 깊은 HOMO 준위, 높은 삼중항 에너지(ET), 및 정공 안정성을 가져 우수한 특성을 나타낼 수 있다.
특히, 실험예에서 상기 화학식 1에서 Ar1이 트리아진기 또는 피리미딘기인 경우, HOMO 에너지가 6.1eV 이상으로 깊어 특히 전자조절층(정공차단층)으로의 역할을 원활히 수행하며, 전자이동도가 높아 유기 발광 소자에 이용시 구동전압, 효율 및 수명 면에서 우수한 특성을 나타낼 수 있다. 구체적으로 실험예 1-1 내지 1-3, 1-5, 1-6, 1-8, 1-10 내지 1-15, 1-22 내지 1-26, 1-28, 1-29, 1-31, 1-33 내지 1-38, 1-45, 1-46에서 Ar1이 피리딘기(N 1개)인 실험예 1-21, 1-44의 경우에 비해 구동전압, 효율 및/또는 수명 면에서 우수한 특성을 나타내는 것을 확인할 수 있었다.
또한, 화학식 3으로 전자차단층이 구성되는 경우 HOMO 에너지가 5.5eV 이상으로 형성되어 발광층으로의 전공주입을 원활히 한다.(하기 실험예 2 참조)
이에 따라, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화학식 1 및/또는 화학식 3으로 표시되는 헤테로고리 화합물은 낮은 구동전압 및 높은 효율을 가지며, 화합물의 정공 안정성에 의하여 소자의 안정성을 향상시킬 수 있다.
<실험예 2>
본 명세서의 일 실시상태에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물에 해당하는 하기 화합물 E1 및 화합물 E2, 화학식 3으로 표시되는 화합물에 해당하는 하기 화합물 F1, 비교예 화합물 ET-1-J 및 HT-1-B의 HOMO 에너지 및 LUMO 에너지 값을 하기 표 2에 나타내었다.
Figure PCTKR2018006459-appb-I000124
본 명세서의 실시예에서 상기 HOMO 준위는 대기하 광전자 분광장치(RIKEN KEIKI Co., Ltd. 제조: AC3)를 이용하여 측정하였다.
본 명세서의 실시예에 상기 LUMO 준위는 photoluminescence(PL)을 통하여 측정된 파장값으로 계산하였다.
화합물 HOMO (eV) LUMO (eV)
E1 6.20 2.70
E2 6.16 2.92
ET-1-J 5.70 2.87
F1 5.62 2.57
HT-1-B 5.43 2.30
상기 화합물 E1 및 E2는 HOMO 에너지 준위가 6.0eV 이상으로 깊고, 구체적으로는 6.1eV 이상으로 깊다. 상기 화합물 E1 및 E2의 밴드갭 역시 3.0eV 이상인 것을 확인할 수 있다. 따라서, 화학식 1로 표시되는 화합물을 전자조절층(정공차단층)에 사용하는 경우, 전자이동도가 높아 유기 발광 소자에 이용시 구동전압, 효율 및 수명 면에서 우수한 특성을 나타낼 수 있음을 알 수 있다.
또한, 화합물 F1은 HOMO 에너지가 5.5eV 이상으로 형성되어, 전자차단층으로 구성되는 경우, 발광층으로의 전공주입을 원활히 할 수 있다.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 발명의 범주에 속한다.
<부호의 설명>
10, 11, 12: 유기 발광 소자
20: 기판
30: 애노드
40: 발광층
50: 캐소드
60: 정공주입층
70: 정공수송층
80: 전자수송층
90: 전자주입층
100: 전자조절층
101: 전자차단층

Claims (14)

  1. 애노드; 캐소드; 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 구비된 발광층을 포함하는 유기 발광 소자로서,
    상기 발광층과 상기 캐소드 사이에 구비되고, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 전자조절층, 및
    상기 발광층과 상기 애노드 사이에 구비되고, 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 포함하는 전자차단층을 더 포함하는 유기 발광 소자:
    [화학식 1]
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000125
    상기 화학식 1에 있어서,
    R1은 수소; 중수소; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; -C(=O)NC(=O)R; -C(=O)R; -C(=O)NRR'; -C(=O)0R; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고, R 및 R'은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기이며,
    L1은 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기고,
    Ar1은 수소; 중수소; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; -C(=O)NC(=O)R; -C(=O)R; -C(=O)NRR'; -C(=O)0R; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 단환의 헤테로고리기; 치환 또는 비치환된 3환 이상의 헤테로고리기; N을 2개 이상 포함하는 치환 또는 비치환된 2환의 헤테로고리기; 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기; 또는 하기 화학식 2로 표시되는 구조이고, R 및 R'은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기이며,
    m은 1 내지 4의 정수이고, n은 0 내지 3의 정수이고, 1 ≤ n+m ≤ 4이고,
    m 및 n이 각각 2 이상의 정수인 경우, 2 이상의 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하고,
    [화학식 2]
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000126
    상기 화학식 2에 있어서,
    G1은 수소; 중수소; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; -C(=O)NC(=O)R; -C(=O)R; -C(=O)NRR'; -C(=O)0R; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고, R 및 R'은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기이며,
    g1은 1 내지 6의 정수이고, g1이 2 이상인 경우, 상기 G1은 서로 같거나 상이하고,
    *은 상기 화학식 1의 L1에 결합되는 부위이고,
    [화학식 3]
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000127
    상기 화학식 3에 있어서,
    L'1 내지 L'3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,
    n'1 내지 n'3은 각각 1 내지 4의 정수이고, n'1 내지 n'3이 각각 2 이상의 정수인 경우, 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하고,
    Ar'1 내지 Ar'3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, 하기 화학식 4 또는 5로 표시되고,
    Ar'1 내지 Ar'3 중 적어도 하나는 하기 화학식 4로 표시되고,
    [화학식 4]
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000128
    [화학식 5]
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000129
    상기 화학식 4 및 5에 있어서,
    R'1 내지 R'8 중 어느 하나 및 R'9는 상기 화학식 3의 L'1 내지 L'3 중 하나에 결합되는 부위이고,
    R'1 내지 R'9 중 상기 화학식 3의 L'1 내지 L'3 중 하나에 결합되는 부분을 제외한 나머지 및 R'10 내지 R'21은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; -C(=O)NC(=O)R; -C(=O)R; -C(=O)NRR'; -C(=O)0R; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고, R 및 R'은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기이다.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 L1은 직접결합; 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기; 치환 또는 비치환된 나프탈렌기; 치환 또는 비치환된 터페닐렌기; 치환 또는 비치환된 쿼터페닐렌기; 치환 또는 비치환된 안트라세닐렌기; 치환 또는 비치환된 페난트레닐렌기; 치환 또는 비치환된 트라이페닐레닐렌기; 치환 또는 비치환된 파이레닐렌기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기; 치환 또는 비치환된 스피로사이클로펜탄플루오레닐렌기; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐렌기; 치환 또는 비치환된 2가의 디벤조티오펜기; 치환 또는 비치환된 카바졸릴렌기; 치환 또는 비치환된 피리디닐렌기; 치환 또는 비치환된 2가의 퓨란기; 또는 치환 또는 비치환된 2가의 티오펜기인 것인 유기 발광 소자.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 Ar1은 니트릴기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 단환의 헤테로고리기; 치환 또는 비치환된 3환 이상의 헤테로고리기; N을 2개 이상 포함하는 치환 또는 비치환된 2환의 헤테로고리기; 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기; 또는 상기 화학식 2로 표시되는 구조인 것인 유기 발광 소자.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 Ar1은 상기 화학식 2 및 하기 화학식 6 내지 15 중 선택되는 어느 하나로 표시되는 것인 유기 발광 소자:
    [화학식 6]
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000130
    [화학식 7]
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000131
    [화학식 8]
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000132
    [화학식 9]
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000133
    [화학식 10]
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000134
    [화학식 11]
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000135
    [화학식 12]
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000136
    [화학식 13]
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000137
    [화학식 14]
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000138
    [화학식 15]
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000139
    상기 화학식 6 내지 15에 있어서,
    X1은 N 또는 CR11이고, X2는 N 또는 CR12이고, X3는 N 또는 CR13이고, X4는 N 또는 CR14이고, X5는 N 또는 CR15이고, X6는 N 또는 CR16이고, X7는 N 또는 CR17이고, X8은 N 또는 CR18이고, X9는 N 또는 CR19이고, X10은 N 또는 CR20이고
    X1 내지 X3 중 적어도 두 개는 N이고, X4 내지 X7 중 적어도 하나는 N이고,
    Y1은 O; S; NQ1; 또는 CQ2Q3이고, Y2는 O; S; NQ4; 또는 CQ5Q6이고, Y3는 O; S; 또는 NQ7이고,
    G2 내지 G4 및 R11 내지 R13 중 어느 하나, G5 내지 G8 중 어느 하나, G9 내지 G15 중 어느 하나, G16 내지 G21 중 어느 하나, G22 내지 G27 중 어느 하나, G28 내지 G33 및 R14 내지 R17 중 어느 하나, G34 내지 G42 중 어느 하나, G43 내지 G47 중 어느 하나, G48, G49, R18 및 R19 중 어느 하나, 및 G50 내지 G61 중 어느 하나는 상기 화학식 1의 L1에 결합되는 부위이고,
    G2 내지 G61 및 R11 내지 R19 중 상기 화학식 1의 L1에 결합되는 부위를 제외한 나머지, R20 및 Q1 내지 Q7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; -C(=O)NC(=O)R; -C(=O)R; -C(=O)NRR'; -C(=O)0R; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고, R 및 R'은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기이다.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 내지 1-4 중 선택되는 어느 하나로 표시되는 것인 유기 발광 소자:
    [화학식 1-1]
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000140
    [화학식 1-2]
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000141
    [화학식 1-3]
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000142
    [화학식 1-4]
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000143
    상기 화학식 1-1 내지 1-4에 있어서,
    L1, Ar1, R1 및 n의 정의는 상기 화학식 1과 동일하다.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 Ar'1 내지 Ar'3 중 적어도 하나는 상기 화학식 4로 표시되고, 상기 Ar'1 내지 Ar'3 중 적어도 하나는 상기 화학식 5로 표시되고, 나머지는 치환 또는 비치환된 아릴기인 것인 유기 발광 소자.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 L'1 내지 L'3은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기; 치환 또는 비치환된 터페닐렌기; 치환 또는 비치환된 나프탈렌기; 또는 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기인 것인 유기 발광 소자.
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 R'1 내지 R'9 중 상기 화학식 3의 L'1 내지 L'3 중 하나에 결합되는 부분을 제외한 나머지 및 R'10 내지 R'21은 각각 독립적으로 수소인 것인 유기 발광 소자.
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중 선택되는 어느 하나인 것인 유기 발광 소자:
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000144
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000145
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000146
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000147
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000148
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000149
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000150
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000151
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000152
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000153
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000154
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000155
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000156
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000157
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000158
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000159
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000160
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000161
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000162
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000163
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000164
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000165
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000166
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000167
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000168
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000169
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000170
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000171
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000172
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000173
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000174
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000175
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000176
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000177
    .
  10. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 3은 하기 화합물 중 선택되는 어느 하나인 것인 유기 발광 소자:
    Figure PCTKR2018006459-appb-I000178
    .
  11. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 HOMO 에너지 준위는 6.0eV 이상이고, 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물의 HOMO 에너지 준위는 5.5eV 이상인 것인 유기 발광 소자.
  12. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 삼중항(triplet) 에너지 준위는 2.5eV 이상인 것인 유기 발광 소자.
  13. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 밴드갭(bandgap)이 3.0eV 이상이고, 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물의 밴드갭(bandgap)이 3.0eV 이상인 것인 유기 발광 소자.
  14. 청구항 1에 있어서, 정공주입층, 정공수송층, 전자차단층, 정공차단층, 전자수송층 및 전자주입층 중 선택되는 1 이상의 유기물층을 더 포함하는 것인 유기 발광 소자.
PCT/KR2018/006459 2017-06-08 2018-06-07 유기 발광 소자 WO2018226036A1 (ko)

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