WO2018186397A1 - 光電変換素子、光センサ、撮像素子、および、化合物 - Google Patents

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film
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知昭 吉岡
野村　公篤
英治 福▲崎▼
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    • Y02E10/549—Organic PV cells

Definitions

  • the present invention relates to a photoelectric conversion element, an optical sensor, an imaging element, and a compound.
  • a planar solid-state imaging device in which photodiodes (PD: photodiode) are two-dimensionally arranged and a signal charge generated in each PD is read by a circuit is widely used.
  • a color solid-state imaging device a structure in which a color filter that transmits light of a specific wavelength is arranged on the light incident surface side of the flat solid-state imaging device is generally used.
  • a single color filter that regularly transmits blue (B) light, green (G) light, and red (R) light is arranged on each PD arranged two-dimensionally.
  • a plate-type solid-state imaging device is well known.
  • Patent Document 1 discloses a photoelectric conversion element having a photoelectric conversion film containing the following compound.
  • This inventor produced a photoelectric conversion element using the compound (for example, the compound mentioned above) concretely indicated by patent documents 1, and the responsiveness of the obtained photoelectric conversion element, and a photoelectric conversion film are
  • the photoelectric conversion efficiency in the case of a thin film also referred to as “photoelectric conversion efficiency in a thin film”
  • an object of the present invention is to provide a photoelectric conversion element that exhibits excellent responsiveness and excellent photoelectric conversion efficiency when the photoelectric conversion film is a thin film.
  • Another object of the present invention is to provide an optical sensor including a photoelectric conversion element and an imaging element. Furthermore, this invention also makes it a subject to provide the compound applied to the said photoelectric conversion element.
  • the present inventors have found that the above problems can be solved by using a photoelectric conversion film containing a compound having a predetermined structure and an n-type organic semiconductor, and to complete the present invention. It came. That is, the above problems can be solved by the following means.
  • the photoelectric conversion according to the above (1) or (2), wherein the compound represented by formula (1) described later is a compound represented by any of formulas (3) to (6) described later element.
  • Y a1 , Y a2 , Y b1 , Y b2 , Y c1 , Y c2 , Y c3 , Y c4 , Y d1 , Y d2 , Y d3 , and Y d4 are each independently an oxygen atom, or
  • Z a1 , Z a2 , Z b1 , Z b2 , Z c1 , Z c2 , Z c3 , Z c4 , Z d1 , Z d2 , Z d3 , and Z d4 represent CR 26
  • R 26 represents The photoelectric conversion element as described in said (3) or (4) showing a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, or heteroaryl group.
  • (6) The photoelectric conversion element according to any one of (3) to (5), wherein M is Zn in formulas (3) to (6) described later.
  • the present invention it is possible to provide a photoelectric conversion element that exhibits excellent responsiveness and excellent photoelectric conversion efficiency when the photoelectric conversion film is a thin film.
  • the optical sensor containing a photoelectric conversion element and an image pick-up element can also be provided.
  • the compound applied to the said photoelectric conversion element can also be provided.
  • a substituent for a substituent or the like that does not specify substitution or non-substitution, a substituent (preferably, substituent W described later) is further added to the group as long as the intended effect is not impaired. May be substituted.
  • the expression “alkyl group” corresponds to an alkyl group that may be substituted by a substituent (preferably, substituent W).
  • a numerical range represented by using “to” means a range including numerical values described before and after “to” as a lower limit value and an upper limit value.
  • the characteristic point compared with the prior art of the present invention is that a compound represented by the formula (1) described later (also referred to as “specific compound”) is used.
  • This specific compound has a specific cyclic structure introduced at a specific position.
  • characteristics of the photoelectric conversion element having a photoelectric conversion film containing the specific compound (responsiveness and photoelectric conversion efficiency in a thin film) ) Has improved.
  • a conjugated system is expanded by introducing a predetermined cyclic structure into a pyromethene moiety.
  • the specific compound has a three-dimensional structure and is excellent in charge transport characteristics, and therefore has high responsiveness.
  • the specific compound has a high extinction coefficient ( ⁇ ) and a high internal quantum efficiency of photoelectric conversion, it is considered that the photoelectric conversion efficiency in a thin film is excellent.
  • FIG. 1A the cross-sectional schematic diagram of one Embodiment of the photoelectric conversion element of this invention is shown.
  • a photoelectric conversion element 10a shown in FIG. 1A includes a conductive film (hereinafter also referred to as a lower electrode) 11 that functions as a lower electrode, an electron blocking film 16A, and a photoelectric conversion that includes a compound represented by formula (1) described later.
  • the film 12 and a transparent conductive film (hereinafter also referred to as an upper electrode) 15 functioning as an upper electrode are stacked in this order.
  • FIG. 1B shows a configuration example of another photoelectric conversion element.
  • FIGS. 1A and 1B has a configuration in which an electron blocking film 16A, a photoelectric conversion film 12, a hole blocking film 16B, and an upper electrode 15 are stacked on the lower electrode 11 in this order. Note that the stacking order of the electron blocking film 16A, the photoelectric conversion film 12, and the hole blocking film 16B in FIGS. 1A and 1B may be changed as appropriate according to the application and characteristics.
  • the photoelectric conversion element 10 a it is preferable that light is incident on the photoelectric conversion film 12 through the upper electrode 15. Moreover, when using the photoelectric conversion element 10a (or 10b), a voltage can be applied. In this case, it is preferable that the lower electrode 11 and the upper electrode 15 form a pair of electrodes, and a voltage of 1 ⁇ 10 ⁇ 5 to 1 ⁇ 10 7 V / cm is applied between the pair of electrodes. From the viewpoint of performance and power consumption, the applied voltage is more preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 4 to 1 ⁇ 10 7 V / cm, and further preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 3 to 5 ⁇ 10 6 V / cm. . Note that the voltage application method is preferably such that in FIG.
  • the electron blocking film 16A side becomes the cathode and the photoelectric conversion film 12 side becomes the anode.
  • the photoelectric conversion element 10a (or 10b) is used as an optical sensor, or when it is incorporated into an image sensor, a voltage can be applied by the same method.
  • the photoelectric conversion element 10a (or 10b) can be suitably applied to an optical sensor application and an imaging element application.
  • FIG. 2 the cross-sectional schematic diagram of another embodiment of the photoelectric conversion element of this invention is shown.
  • the photoelectric conversion element 200 shown in FIG. 2 is a hybrid photoelectric conversion element including an organic photoelectric conversion film 209 and an inorganic photoelectric conversion film 201.
  • the organic photoelectric conversion film 209 includes a compound represented by the formula (1) described later.
  • the inorganic photoelectric conversion film 201 has an n-type well 202, a p-type well 203, and an n-type well 204 on a p-type silicon substrate 205.
  • Blue light is photoelectrically converted at the pn junction formed between the p-type well 203 and the n-type well 204 (B pixel), and the pn junction formed between the p-type well 203 and the n-type well 202 is converted into a pn junction.
  • the red light is photoelectrically converted (R pixel). Note that the conductivity types of the n-type well 202, the p-type well 203, and the n-type well 204 are not limited to these.
  • a transparent insulating layer 207 is disposed on the inorganic photoelectric conversion film 201.
  • a transparent pixel electrode 208 divided for each pixel is disposed on the insulating layer 207, and an organic photoelectric conversion film 209 that absorbs green light and performs photoelectric conversion is disposed on the insulating layer 207 in a single pixel configuration.
  • an electron blocking film 212 is arranged in a single sheet common to each pixel, on which a transparent common electrode 210 of a single sheet is arranged, and a transparent protective film 211 is arranged on the uppermost layer.
  • the stacking order of the electron blocking film 212 and the organic photoelectric conversion film 209 may be opposite to that shown in FIG. 2, and the common electrode 210 may be divided for each pixel.
  • the organic photoelectric conversion film 209 constitutes a G pixel that detects green light.
  • the pixel electrode 208 is the same as the lower electrode 11 of the photoelectric conversion element 10a shown in FIG. 1A.
  • the common electrode 210 is the same as the upper electrode 15 of the photoelectric conversion element 10a illustrated in FIG. 1A.
  • Blue light having a short wavelength is photoelectrically converted mainly in the shallow part of the semiconductor substrate (inorganic photoelectric conversion film) 201 (near the pn junction formed between the p-type well 203 and the n-type well 204) to generate photocharges.
  • the signal is output to the outside.
  • Red light having a long wavelength is photoelectrically converted mainly in the deep part of the semiconductor substrate (inorganic photoelectric conversion film) 201 (near the pn junction formed between the p-type well 203 and the n-type well 202), and photocharge is generated.
  • a signal is output to the outside.
  • CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor
  • CCD signal readout circuit
  • MOS Metal-Oxide-Semiconductor
  • the pixel electrode 208 is connected to a corresponding green signal charge accumulation region by a vertical wiring.
  • the photoelectric conversion film 12 (or the organic photoelectric conversion film 209) is a film containing a compound represented by the formula (1) as a photoelectric conversion material. By using this compound, a photoelectric conversion element showing excellent responsiveness and excellent photoelectric conversion efficiency in a thin film can be obtained.
  • the compound represented by Formula (1) will be described in detail.
  • * represents a binding site.
  • R 1 to R 12 each independently represents a hydrogen atom or a substituent.
  • the definition of the said substituent is synonymous with the substituent W mentioned later.
  • R 1 to R 12 are each a hydrogen atom in that the response of the photoelectric conversion element and / or the photoelectric conversion efficiency in a thin film is more excellent (hereinafter, also simply referred to as “the effect of the present invention is more excellent”).
  • An alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group is preferable.
  • X 1 and X 2 each independently represent a nitrogen atom or CR 14 .
  • R 14 represents a hydrogen atom or a substituent.
  • the definition of the said substituent is synonymous with the substituent W mentioned later.
  • CR 14 is preferable as X 1 and X 2 in that the effect of the present invention is more excellent.
  • R 14 is preferably a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group, and more preferably a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group.
  • the alkyl group, aryl group, and heteroaryl group represented by R 14 may have a substituent.
  • the substituent include a substituent W (for example, an alkyl group and a halogen atom) described later.
  • M represents a divalent metal atom.
  • the divalent metal atom represented by M include Zn, Cu, Fe, Co, Ni, Au, Ag, Ir, Ru, Rh, Pd, Pt, Mn, Mg, Ti, Be, Ca, Ba, Cd, Hg, Pb, Sn, etc. are mentioned.
  • the divalent metal atom represented by M is preferably Zn, Cu, Co, Ni, Pt, Pd, Mg, or Ca, and more preferably Zn.
  • R 1 and R 2 , R 5 and R 6 , R 7 and R 8 , and R 11 and R 12 is bonded to the structure represented by formula (2) To form a ring.
  • R 1 and R 2 is bonded to the structure represented by formula (2) to form a ring.
  • one of R 1 and R 2 is substituted with Y 1
  • R 1 and R 2 the other is substituted Z 1.
  • the resulting compound is represented as follows.
  • At least one pair of R 1 and R 2 and R 5 and R 6 is combined with the structure represented by the formula (2) to form a ring in terms of more excellent effects of the present invention, and R It is preferable that at least one pair of 7 and R 8 and R 11 and R 12 is bonded to the structure represented by the formula (2) to form a ring.
  • the compound represented by the formula (1) has a structure represented by a plurality of formulas (2)
  • the plurality of Y 1 may be different from each other
  • the plurality of Z 1 may be different from each other
  • the plurality of R 13 may be different from each other.
  • R 2 and R 3 are not bonded to each other to form a ring. Further, R 4 and R 5 are not bonded to each other to form a ring. Also, R 8 and R 9 do not combine with each other to form a ring. Further, R 10 and R 11 are not bonded to each other to form a ring.
  • R 15 to R 19 each independently represents a hydrogen atom or a substituent.
  • the definition of the said substituent is synonymous with the substituent W mentioned later.
  • R 15 to R 19 are preferably a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group, and more preferably a hydrogen atom.
  • Z 1 represents a nitrogen atom or represents CR 20.
  • CR 20 is preferable as Z 1 in that the effect of the present invention is more excellent.
  • R 20 represents a hydrogen atom or a substituent.
  • the definition of the said substituent is synonymous with the substituent W mentioned later.
  • R 20 a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group is preferable, and a hydrogen atom is more preferable because the effect of the present invention is more excellent.
  • R 13 represents a hydrogen atom or a substituent.
  • the definition of the said substituent is synonymous with the substituent W mentioned later.
  • R 13 a hydrogen atom, a halogen atom, an alkoxy group (particularly a methoxy group), an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group is preferable, and an alkyl group, or An aryl group is more preferred.
  • R 20 when Z 1 represents CR 20 , R 20 may be bonded to R 13 to form a ring.
  • the ring formed may be an aromatic ring or a non-aromatic ring, and is preferably an aromatic ring. In the case of an aromatic ring, it may be an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocyclic ring.
  • the ring formed may be a single ring or a condensed ring composed of two or more rings.
  • the ring to be formed may be substituted with a substituent (preferably a substituent W described later).
  • the molecular weight of the compound represented by the formula (1) is not particularly limited, but is preferably 400 to 1200. When the molecular weight is 1200 or less, the vapor deposition temperature does not increase and the compound is hardly decomposed. When the molecular weight is 400 or more, the glass transition point of the deposited film is not lowered, and the heat resistance of the photoelectric conversion element is improved.
  • the compound represented by the formula (1) is preferably a compound represented by any one of the formulas (3) to (6) from the viewpoint that the effect of the present invention is more excellent.
  • the compound represented by the formula (3) and the compound represented by the formula (4) correspond to the compound represented by the formula (1) having the structure represented by the two formulas (2).
  • the compound represented by 5) and the compound represented by formula (6) correspond to the compound represented by formula (1) having a structure represented by four formulas (2).
  • R a1 to R a12 , R b1 to R b12 , R c1 to R c10 , and R d1 to R d10 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, Or represents a heteroaryl group.
  • R a4 and R a10 in formula (3), R b4 and R b10 in formula (4), R c3 and R c8 in formula (5), and R d3 and R d8 in formula (6) are each independently preferably a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group.
  • R a4 and R a10 in formula (3), R b4 and R b10 in formula (4), R c3 and R c8 in formula (5), and in formula (6) may have a substituent.
  • the substituent include a substituent W (for example, an alkyl group and a halogen atom) described later.
  • R a2 and R a8 a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group is preferable, and a hydrogen atom is more preferable in that the effect of the present invention is more excellent.
  • R a5 and R a11 are preferably a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group, more preferably a hydrogen atom or an alkyl group, and even more preferably a hydrogen atom.
  • R a1 , R a3 , R a6 , R a7 , R a9 and R a12 are preferably a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group. , An alkyl group, or an aryl group is more preferable.
  • R b2 and R b8 are preferably a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group, and more preferably a hydrogen atom, in that the effect of the present invention is more excellent.
  • R b5 and R b11 are preferably a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group, more preferably a hydrogen atom or an alkyl group, and even more preferably a hydrogen atom.
  • R b1 , R b3 , R b6 , R b7 , R b9 , and R b12 a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group is preferable in that the effect of the present invention is more excellent. , An alkyl group, or an aryl group is more preferable.
  • R c2 , R c4 , R c7 , and R c9 are preferably a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group, and a hydrogen atom, An alkyl group is more preferable, and a hydrogen atom is more preferable.
  • R c1 , R c5 , R c6 , and R c10 are preferably a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group, and more preferably an alkyl group. .
  • R d2 , R d4 , R d7 , and R d9 are preferably a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group in terms of more excellent effects of the present invention, and a hydrogen atom, or An alkyl group is more preferable, and a hydrogen atom is more preferable.
  • R d1 , R d5 , R d6 , and R d10 a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group is preferable, and an alkyl group is more preferable in that the effect of the present invention is more excellent. .
  • M in the formulas (3) to (6) represents Zn, Cu, Co, Ni, Pt, Pd, Mg, or Ca.
  • Zn is preferable in that the effect of the present invention is more excellent.
  • Y a1 , Y a2 , Y b1 , Y b2 , Y c1 , Y c2 , Y c3 , Y c4 , Y d1 , Y d2 , Y d3 , and Y d4 are each independently an oxygen atom, sulfur atom, selenium It represents an atom, NR 21 , CR 22 R 23 , or —CR 24 ⁇ CR 25 —.
  • Y a1 , Y a2 , Y b1 , Y b2 , Y c1 , Y c2 , Y c3 , Y c4 , Y d1 , Y d2 , Y d3 , and Y d4 are the points where the effect of the present invention is more excellent.
  • each independently preferably represents an oxygen atom or a sulfur atom.
  • R 21 to R 25 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group. Among these, as R 21 to R 25 , a hydrogen atom is more preferable in that the effect of the present invention is more excellent.
  • Z a1 , Z a2 , Z b1 , Z b2 , Z c1 , Z c2 , Z c3 , Z c4 , Z d1 , Z d2 , Z d3 , and Z d4 each independently represent a nitrogen atom or CR 26 Represents.
  • Z a1 , Z a2 , Z b1 , Z b2 , Z c1 , Z c2 , Z c3 , Z c4 , Z d1 , Z d2 , Z d3 , and Z d4 in that the effect of the present invention is more excellent.
  • Is preferably CR 26 .
  • R 26 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group. Among these, as R 26 , a hydrogen atom or an alkyl group is preferable, and a hydrogen atom is more preferable because the effect of the present invention is more excellent.
  • Z a1 represents CR 26
  • R 26 and R a6 may be bonded to each other to form a ring.
  • Z a2 represents CR 26
  • R 26 and R a12 may be bonded to each other to form a ring.
  • Z b1 represents CR 26
  • R 26 and R b6 may be bonded to each other to form a ring.
  • Z b2 represents CR 26
  • R 26 and R b12 may be bonded to each other to form a ring.
  • Z c1 represents CR 26
  • R 26 and R c1 may be bonded to each other to form a ring.
  • Z c2 represents CR 26
  • R 26 and R c5 may be bonded to each other to form a ring.
  • Z c3 represents CR 26
  • R 26 and R c6 may be bonded to each other to form a ring.
  • Z c4 represents CR 26
  • R 26 and R c10 may be bonded to each other to form a ring.
  • Z d1 represents CR 26
  • R 26 and R d1 may be bonded to each other to form a ring.
  • Z d2 represents CR 26
  • R 26 and R d5 may be bonded to each other to form a ring.
  • Z d3 represents CR 26
  • R 26 and R d6 may be bonded to each other to form a ring.
  • Z d4 represents CR 26
  • R 26 and R d10 may be bonded to each other to form a ring.
  • the ring formed above may be an aromatic ring or a non-aromatic ring, and is preferably an aromatic ring. In the case of an aromatic ring, it may be an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocyclic ring.
  • the ring formed may be a single ring or a condensed ring composed of two or more rings.
  • the ring to be formed may be substituted with a substituent (preferably, a substituent W described later).
  • the molecular weight of the compound represented by formula (3) or (4) is not particularly limited, but is preferably 1200 or less. When the molecular weight is 1200 or less, the vapor deposition temperature does not increase and the compound is hardly decomposed.
  • the lower limit of the molecular weight is not particularly limited, but is preferably 400 or more. When the molecular weight is 400 or more, the glass transition point of the deposited film is not lowered, and the heat resistance of the photoelectric conversion element is improved.
  • the molecular weight of the compound represented by the formula (5) or (6) is not particularly limited, but is preferably 1200 or less. When the molecular weight is 1200 or less, the vapor deposition temperature does not increase and the compound is hardly decomposed.
  • the lower limit of the molecular weight is not particularly limited, but is preferably 500 or more. When the molecular weight is 500 or more, the glass transition point of the deposited film is not lowered, and the heat resistance of the photoelectric conversion element is improved.
  • the compound represented by any one of the formulas (3) to (6) is preferably a compound represented by any one of the formulas (7) to (10) in that the effect of the present invention is more excellent.
  • R a1 to R a12 , R b1 to R b12 , R c1 to R c10 , and R d1 to R d10 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, Or represents a heteroaryl group.
  • Y a1 , Y a2 , Y b1 , Y b2 , Y c1 , Y c2 , Y c3 , Y c4 , Y d1 , Y d2 , Y d3 , and Y d4 are each independently an oxygen atom, sulfur atom, selenium It represents an atom, NR 21 , CR 22 R 23 , or —CR 24 ⁇ CR 25 —.
  • Z a1 , Z a2 , Z b1 , Z b2 , Z c1 , Z c2 , Z c3 , Z c4 , Z d1 , Z d2 , Z d3 , and Z d4 each independently represent a nitrogen atom or CR 26 Represents.
  • R 21 to R 26 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group.
  • Z a1 represents CR 26
  • R 26 and R a6 may be bonded to each other to form a ring.
  • Z a2 represents CR 26
  • R 26 and R a12 may be bonded to each other to form a ring.
  • Z b1 represents CR 26
  • R 26 and R b6 may be bonded to each other to form a ring.
  • Z b2 represents CR 26
  • R 26 and R b12 may be bonded to each other to form a ring.
  • Z c1 represents CR 26
  • R 26 and R c1 may be bonded to each other to form a ring.
  • Z c2 represents CR 26
  • R 26 and R c5 may be bonded to each other to form a ring.
  • Z c3 represents CR 26
  • R 26 and R c6 may be bonded to each other to form a ring.
  • Z c4 represents CR 26
  • R 26 and R c10 may be bonded to each other to form a ring.
  • Z d1 represents CR 26
  • R 26 and R d1 may be bonded to each other to form a ring.
  • Z d2 represents CR 26
  • R 26 and R d5 may be bonded to each other to form a ring.
  • Z d3 represents CR 26
  • R 26 and R d6 may be bonded to each other to form a ring.
  • Z d4 represents CR 26
  • R 26 and R d10 may be bonded to each other to form a ring.
  • Formula (7) corresponds to the case where M represents Zn in Formula (3).
  • Formula (8) corresponds to the case where M represents Zn in Formula (4).
  • Formula (9) corresponds to the case where M represents Zn in Formula (5).
  • Formula (10) corresponds to the case where M represents Zn in Formula (6).
  • the preferred range of each substituent is the same as described above.
  • substituent W it describes about the substituent W in this specification.
  • substituent W include a halogen atom (a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom), an alkyl group (including a cycloalkyl group, a bicycloalkyl group, and a tricycloalkyl group), an alkenyl group.
  • cycloalkenyl group and bicycloalkenyl group alkynyl group, aryl group, heterocyclic group (may be referred to as heterocyclic group), cyano group, hydroxy group, nitro group, carboxy group, alkoxy group, aryl Oxy group, silyloxy group, heterocyclic oxy group, acyloxy group, carbamoyloxy group, alkoxycarbonyloxy group, aryloxycarbonyloxy group, amino group (including anilino group), ammonio group, acylamino group, aminocarbonylamino group, alkoxy Carbonylamino group, aryloxy Rubonylamino group, sulfamoylamino group, alkyl or arylsulfonylamino group, mercapto group, alkylthio group, arylthio group, heterocyclic thio group, sulfamoyl group, sulfo group, alkyl or aryls
  • substituent W may be further substituted with the substituent W.
  • a halogen atom may be substituted on the alkyl group. The details of the substituent W are described in paragraph [0023] of JP-A-2007-234651.
  • the alkyl group possessed by the specific compound preferably has 1 to 10 carbon atoms and 1 carbon atom. To 6 are more preferable, and those having 1 to 4 carbon atoms are more preferable.
  • the alkyl group may be linear, branched, or cyclic.
  • the alkyl group may be substituted with a substituent (preferably, a substituent W).
  • alkyl group examples include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, a t-butyl group, an n-hexyl group, and a cyclohexyl group.
  • the number of carbon atoms in the aryl group of the specific compound is not particularly limited. In terms of superiority, 6 to 30 carbon atoms are preferable, 6 to 18 carbon atoms are more preferable, and 6 carbon atoms are more preferable.
  • the aryl group may be a monocyclic structure or a condensed ring structure in which two or more rings are condensed (fused ring structure). In addition, the aryl group may be substituted with a substituent (preferably, a substituent W).
  • aryl group examples include a phenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a pyrenyl group, a phenanthrenyl group, a methylphenyl group, a dimethylphenyl group, a biphenyl group, and a fluorenyl group.
  • a phenyl group, a naphthyl group, or An anthryl group is preferred.
  • the number of carbon atoms in the heteroaryl group (monovalent aromatic heterocyclic group) possessed by the specific compound is Although not particularly limited, 3 to 30 is preferable and 3 to 18 is more preferable in that the effect of the present invention is more excellent.
  • the heteroaryl group may be substituted with a substituent (preferably, a substituent W).
  • a heteroaryl group has a heteroatom other than a carbon atom and a hydrogen atom.
  • hetero atom examples include a nitrogen atom, a sulfur atom, an oxygen atom, a selenium atom, a tellurium atom, a phosphorus atom, a silicon atom, and a boron atom, and a nitrogen atom, a sulfur atom, or an oxygen atom is preferable.
  • the number of heteroatoms contained in the heteroaryl group is not particularly limited and is usually about 1 to 10, preferably 1 to 4, and more preferably 1 to 2.
  • the number of ring members of the heteroaryl group is not particularly limited, but is preferably 3 to 8, more preferably 5 to 7, and still more preferably 5 to 6.
  • the heteroaryl group may be a monocyclic structure or a condensed ring structure in which two or more rings are condensed.
  • an aromatic hydrocarbon ring having no hetero atom for example, a benzene ring
  • heteroaryl groups include pyridyl, quinolyl, isoquinolyl, acridinyl, phenanthridinyl, pteridinyl, pyrazinyl, quinoxalinyl, pyrimidinyl, quinazolyl, pyridazinyl, cinnolinyl, phthalazinyl, Triazinyl group, oxazolyl group, benzoxazolyl group, thiazolyl group, benzothiazolyl group, imidazolyl group, benzoimidazolyl group, pyrazolyl group, indazolyl group, isoxazolyl group, benzisoxazolyl group, isothiazolyl group, benzoisothiazolyl group, oxadiazolyl Group,
  • the compound represented by the formula (1) has an ionization potential of -5.0 to a single film from the viewpoint of matching the stability when used as a p-type organic semiconductor and the energy level of an n-type organic semiconductor.
  • a compound that is ⁇ 6.0 eV is preferred.
  • the compound represented by the formula (1) is particularly useful as a material for a photoelectric conversion film used in an optical sensor, an imaging device, or a photovoltaic cell.
  • the compound represented by the formula (1) often functions as a p-type organic semiconductor in the photoelectric conversion film.
  • the compound represented by the formula (1) can also be used as a coloring material, a liquid crystal material, an organic semiconductor material, a charge transport material, a pharmaceutical material, and a fluorescent diagnostic material.
  • the photoelectric conversion film contains an n-type organic semiconductor as a component other than the compound represented by the above-described formula (1).
  • An n-type organic semiconductor is an acceptor organic semiconductor material (compound) and refers to an organic compound having a property of easily accepting electrons. More specifically, an n-type organic semiconductor refers to an organic compound having a higher electron affinity when two organic compounds are used in contact with each other.
  • n-type organic semiconductor examples include condensed aromatic carbocyclic compounds (for example, naphthalene derivatives, anthracene derivatives, phenanthrene derivatives, tetracene derivatives, pyrene derivatives, perylene derivatives, and fluoranthene derivatives); nitrogen atoms, oxygen atoms, and 5- to 7-membered heterocyclic compounds having at least one sulfur atom (for example, pyridine, pyrazine, pyrimidine, pyridazine, triazine, quinoline, quinoxaline, quinazoline, phthalazine, cinnoline, isoquinoline, pteridine, acridine, phenazine, phenanthroline, Tetrazole, pyrazole, imidazole, thiazole, etc.); polyarylene compounds; fluorene compounds; cyclopentadiene compounds; silyl compounds; and nitrogen-containing heterocyclic compounds as ligand
  • dye as an n-type organic semiconductor.
  • the molecular weight of the n-type organic semiconductor is preferably 200 to 1200, more preferably 200 to 900.
  • the n-type organic semiconductor may be colorless or have an absorption maximum wavelength and / or an absorption waveform close to that of the compound represented by the formula (1).
  • the absorption maximum wavelength of the n-type organic semiconductor is 400 nm or less, or 500 to 600 nm.
  • the photoelectric conversion film preferably has a bulk heterostructure formed by mixing the compound represented by the above formula (1) and the n-type organic semiconductor.
  • the bulk heterostructure is a layer in which the compound represented by the formula (1) and the n-type organic semiconductor are mixed and dispersed in the photoelectric conversion film.
  • the photoelectric conversion film having a bulk heterostructure can be formed by either a wet method or a dry method. The bulk heterostructure is described in detail in paragraphs [0013] to [0014] of JP-A-2005-303266.
  • the film thickness in terms of a single layer of the compound represented / (the film thickness in terms of a single layer of the compound represented by the formula (1) + the film thickness in terms of a single layer of an n-type organic semiconductor) ⁇ 100) is 20 -80% by volume is preferable, 30-70% by volume is more preferable, and 40-60% by volume is more preferable.
  • a photoelectric converting film is substantially comprised from the compound represented by Formula (1), and an n-type organic semiconductor.
  • substantially means that the total content of the compound represented by the formula (1) and the n-type organic semiconductor is 95% by mass or more with respect to the total mass of the photoelectric conversion film.
  • the photoelectric conversion film containing the compound represented by the formula (1) is a non-light-emitting film, and has a characteristic different from that of an organic electroluminescent element (OLED: Organic Light Emitting Diode).
  • OLED Organic Light Emitting Diode
  • the non-light-emitting film is intended for a film having an emission quantum efficiency of 1% or less, and the emission quantum efficiency is preferably 0.5% or less, more preferably 0.1% or less.
  • the photoelectric conversion film can be formed mainly by a dry film forming method.
  • the dry film-forming method include vapor deposition (particularly, vacuum deposition), sputtering, ion plating, physical vapor deposition such as MBE (Molecular Beam Epitaxy), and plasma polymerization.
  • CVD Chemical Vapor Deposition
  • vacuum deposition is preferred.
  • the production conditions such as the degree of vacuum and the vapor deposition temperature can be set according to conventional methods.
  • the thickness of the photoelectric conversion film is preferably 10 to 1000 nm, more preferably 50 to 800 nm, still more preferably 50 to 500 nm, and particularly preferably 50 to 300 nm.
  • the electrodes are made of a conductive material.
  • the conductive material include metals, alloys, metal oxides, electrically conductive compounds, and mixtures thereof. Since light is incident from the upper electrode 15, the upper electrode 15 is preferably transparent to the light to be detected.
  • the material constituting the upper electrode 15 include antimony or fluorine doped tin oxide (ATO: Fluorine doped Tin Oxide, FTO: tin oxide, zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO).
  • Indium Tin Oxide and conductive metal oxides such as indium zinc oxide (IZO); Metal thin films such as gold, silver, chromium and nickel, and these metals and conductive metal oxides And organic conductive materials such as polyaniline, polythiophene, and polypyrrole, and the like.
  • a conductive metal oxide is preferable from the viewpoints of high conductivity and transparency.
  • the sheet resistance is preferably 100 to 10,000 ⁇ / ⁇ .
  • the degree of freedom in the range of film thickness that can be made thin is great.
  • the thickness of the upper electrode (transparent conductive film) 15 decreases, the amount of light absorbed decreases, and the light transmittance generally increases.
  • An increase in light transmittance is preferable because it increases light absorption in the photoelectric conversion film and increases the photoelectric conversion ability.
  • the thickness of the upper electrode 15 is preferably 5 to 100 nm, and more preferably 5 to 20 nm.
  • the lower electrode 11 may have transparency, or conversely, may have no transparency and reflect light.
  • the material constituting the lower electrode 11 include tin oxide doped with antimony or fluorine (ATO, FTO), tin oxide, zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO).
  • Conductive metal oxides such as gold, silver, chromium, nickel, titanium, tungsten, and aluminum, oxides of these metals, or conductive compounds such as nitrides (for example, titanium nitride ( TiN)); a mixture or laminate of these metals and conductive metal oxides; and organic conductive materials such as polyaniline, polythiophene, and polypyrrole.
  • the method for forming the electrode is not particularly limited, and can be appropriately selected depending on the electrode material. Specifically, wet methods such as a printing method and a coating method; physical methods such as a vacuum deposition method, a sputtering method, and an ion plating method; and chemical methods such as a CVD method and a plasma CVD method. , Etc.
  • wet methods such as a printing method and a coating method
  • physical methods such as a vacuum deposition method, a sputtering method, and an ion plating method
  • chemical methods such as a CVD method and a plasma CVD method.
  • Etc When the material of the electrode is ITO, methods such as an electron beam method, a sputtering method, a resistance heating vapor deposition method, a chemical reaction method (sol-gel method, etc.), and a coating of a dispersion of indium tin oxide can be given.
  • the photoelectric conversion element of the present invention preferably has one or more intermediate layers in addition to the photoelectric conversion film between the conductive film and the transparent conductive film.
  • An example of the intermediate layer is a charge blocking film.
  • the charge blocking film include an electron blocking film and a hole blocking film. Below, each film
  • the electron blocking film contains an electron donating compound.
  • polymer material examples include polymers such as phenylene vinylene, fluorene, carbazole, indole, pyrene, pyrrole, picoline, thiophene, acetylene, and diacetylene, or derivatives thereof.
  • polymers such as phenylene vinylene, fluorene, carbazole, indole, pyrene, pyrrole, picoline, thiophene, acetylene, and diacetylene, or derivatives thereof.
  • the electron blocking film may be composed of a plurality of films.
  • the electron blocking film may be made of an inorganic material.
  • an inorganic material has a dielectric constant larger than that of an organic material, when the inorganic material is used for an electron blocking film, a large voltage is applied to the photoelectric conversion film, and the photoelectric conversion efficiency is increased.
  • inorganic materials that can serve as an electron blocking film include calcium oxide, chromium oxide, chromium oxide copper, manganese oxide, cobalt oxide, nickel oxide, copper oxide, gallium copper oxide, strontium copper oxide, niobium oxide, molybdenum oxide, and indium oxide. Examples thereof include copper, silver indium oxide, and iridium oxide.
  • the hole blocking film contains an electron accepting compound.
  • the electron-accepting compound include 1,3-bis (4-tert-butylphenyl-1,3,4-oxadiazolyl) phenylene (OXD-7) and other oxadiazole derivatives; anthraquinodimethane derivatives; diphenylquinone derivatives Bathocuproine, bathophenanthroline, and derivatives thereof; triazole compound; tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum complex; bis (4-methyl-8-quinolinato) aluminum complex; distyrylarylene derivative; and silole compound; Etc. Further, compounds described in paragraphs [0056] to [0057] of JP-A 2006-1000076 are listed.
  • the method for producing the charge blocking film is not particularly limited, and examples thereof include a dry film forming method and a wet film forming method.
  • the dry film forming method include a vapor deposition method and a sputtering method.
  • the vapor deposition may be either physical vapor deposition (PVD: Physical vapor deposition) or chemical vapor deposition (CVD), and physical vapor deposition such as vacuum vapor deposition is preferred.
  • Examples of the wet film forming method include an inkjet method, a spray method, a nozzle printing method, a spin coating method, a dip coating method, a casting method, a die coating method, a roll coating method, a bar coating method, and a gravure coating method. From the viewpoint of precision patterning, the ink jet method is preferable.
  • the thickness of the charge blocking film is preferably 3 to 200 nm, more preferably 5 to 100 nm, and still more preferably 5 to 30 nm.
  • the photoelectric conversion element may further have a substrate.
  • substrate used in particular is not restrict
  • the position of the substrate is not particularly limited, but usually, a conductive film, a photoelectric conversion film, and a transparent conductive film are laminated in this order on the substrate.
  • the photoelectric conversion element may further have a sealing layer.
  • the performance of a photoelectric conversion material may be significantly degraded due to the presence of degradation factors such as water molecules. Therefore, the entire photoelectric conversion film is made of a ceramic such as dense metal oxide, metal nitride, and metal nitride oxide that does not penetrate water molecules, or a sealing layer such as diamond-like carbon (DLC). The above deterioration can be prevented by covering and sealing.
  • the sealing layer may be selected and manufactured according to the description in paragraphs [0210] to [0215] of JP2011-082508A.
  • the photoelectric conversion element of the present invention is preferably used as an optical sensor.
  • the photoelectric conversion element may be used alone, or may be used as a line sensor in which the photoelectric conversion elements are arranged linearly or a two-dimensional sensor arranged on a plane.
  • the photoelectric conversion element of the present invention converts optical image information into an electrical signal by using an optical system and a drive unit like a scanner in a line sensor, and optical image information like an imaging module in a two-dimensional sensor. Is imaged on a sensor by an optical system and converted into an electrical signal to function as an image sensor.
  • An image sensor is an element that converts optical information of an image into an electric signal.
  • a plurality of photoelectric conversion elements are arranged on a matrix in the same plane, and an optical signal is converted into an electric signal in each photoelectric conversion element (pixel). That can be output to the outside of the imaging device for each pixel sequentially. Therefore, one pixel is composed of one photoelectric conversion element and one or more transistors.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of an image sensor for explaining an embodiment of the present invention.
  • This imaging device is mounted on an imaging device such as a digital camera and a digital video camera, an imaging module such as an electronic endoscope, and a mobile phone.
  • This imaging element has a plurality of photoelectric conversion elements having the configuration as shown in FIG. 1A and a circuit board on which a readout circuit for reading a signal corresponding to the charge generated in the photoelectric conversion film of each photoelectric conversion element is formed.
  • a plurality of photoelectric conversion elements are arranged one-dimensionally or two-dimensionally on the same surface above the circuit board.
  • a substrate 101 includes a substrate 101, an insulating layer 102, a connection electrode 103, a pixel electrode (lower electrode) 104, a connection portion 105, a connection portion 106, a photoelectric conversion film 107, and a counter electrode.
  • the pixel electrode 104 has the same function as the lower electrode 11 of the photoelectric conversion element 10a shown in FIG. 1A.
  • the counter electrode 108 has the same function as the upper electrode 15 of the photoelectric conversion element 10a illustrated in FIG. 1A.
  • the photoelectric conversion film 107 has the same configuration as the layer provided between the lower electrode 11 and the upper electrode 15 of the photoelectric conversion element 10a illustrated in FIG. 1A.
  • the substrate 101 is a glass substrate or a semiconductor substrate such as Si.
  • An insulating layer 102 is formed on the substrate 101.
  • a plurality of pixel electrodes 104 and a plurality of connection electrodes 103 are formed on the surface of the insulating layer 102.
  • the photoelectric conversion film 107 is a layer common to all the photoelectric conversion elements provided on the plurality of pixel electrodes 104 so as to cover them.
  • the counter electrode 108 is one electrode provided on the photoelectric conversion film 107 and common to all the photoelectric conversion elements.
  • the counter electrode 108 is formed up to the connection electrode 103 disposed outside the photoelectric conversion film 107, and is electrically connected to the connection electrode 103.
  • connection unit 106 is a plug that is embedded in the insulating layer 102 and electrically connects the connection electrode 103 and the counter electrode voltage supply unit 115.
  • the counter electrode voltage supply unit 115 is formed on the substrate 101 and applies a predetermined voltage to the counter electrode 108 through the connection unit 106 and the connection electrode 103.
  • the power supply voltage is boosted by a booster circuit such as a charge pump to supply the predetermined voltage.
  • the readout circuit 116 is provided on the substrate 101 corresponding to each of the plurality of pixel electrodes 104, and reads out a signal corresponding to the charge collected by the corresponding pixel electrode 104.
  • the readout circuit 116 is configured by, for example, a CCD, a CMOS circuit, or a TFT (Thin FilmTransistor) circuit, and is shielded from light by a light shielding layer (not shown) disposed in the insulating layer 102.
  • the readout circuit 116 is electrically connected to the corresponding pixel electrode 104 via the connection unit 105.
  • the buffer layer 109 is formed on the counter electrode 108 so as to cover the counter electrode 108.
  • the sealing layer 110 is formed on the buffer layer 109 so as to cover the buffer layer 109.
  • the color filter 111 is formed at a position facing each pixel electrode 104 on the sealing layer 110.
  • the partition 112 is provided between the color filters 111 and is for improving the light transmittance of the color filter 111.
  • the light shielding layer 113 is formed in a region other than the region where the color filter 111 and the partition 112 on the sealing layer 110 are provided, and prevents light from entering the photoelectric conversion film 107 formed outside the effective pixel region. To do.
  • the protective layer 114 is formed on the color filter 111, the partition 112, and the light shielding layer 113, and protects the entire image sensor 100.
  • the imaging device 100 when light is incident, the light is incident on the photoelectric conversion film 107, and charges are generated here. Holes in the generated charges are collected by the pixel electrode 104, and a voltage signal corresponding to the amount is output to the outside of the image sensor 100 by the readout circuit 116.
  • the manufacturing method of the image sensor 100 is as follows.
  • the connection portions 105 and 106, the plurality of connection electrodes 103, the plurality of pixel electrodes 104, and the insulating layer 102 are formed on the circuit board on which the common electrode voltage supply portion 115 and the readout circuit 116 are formed.
  • the plurality of pixel electrodes 104 are arranged on the surface of the insulating layer 102 in a square lattice pattern, for example.
  • the photoelectric conversion film 107 is formed on the plurality of pixel electrodes 104 by, for example, a vacuum deposition method.
  • the counter electrode 108 is formed on the photoelectric conversion film 107 under vacuum by, for example, sputtering.
  • the buffer layer 109 and the sealing layer 110 are sequentially formed on the counter electrode 108 by, for example, a vacuum deposition method.
  • the protective layer 114 is formed, and the imaging element 100 is completed.
  • Compound (A-1) and Compound (A-2) were synthesized according to the method described in Jornal of American Chemical Society, 2008, 130, 1550-1551.
  • Trifluoroacetic acid (3.3 mL) was added to compound (A-1) (554 mg, 3.35 mmol), and the resulting mixture was reacted at 45 ° C. for 10 minutes.
  • Compound (A-2) (500 mg, 3.35 mmol) was added to the mixture, and phosphorus oxychloride (1.1 mL) was further added. The resulting mixture was reacted at 45 ° C. for 15 minutes. After the mixture was allowed to cool, the mixture was added to a saturated aqueous sodium bicarbonate solution (100 mL), and the resulting mixture was stirred for 10 minutes. The solid precipitated in the mixture was filtered off and the resulting solid was washed with water.
  • compounds (D-2) to (D-11) and comparative compound (R-4) were also synthesized using the same reaction. Further, 1 H NMR (solvent: CDCl 3 ) spectra of the compounds (D-5) and (D-7) are shown in FIGS. 5 and 6, respectively.
  • the comparative compound (R-1) used as a comparative example was purchased from Luminescence Technology.
  • the comparative compound (R-2) was synthesized according to the method described in Organic Biomolecular Chemistry, 2010, 8, 4546-4553.
  • the comparative compound (R-3) was synthesized according to the method described in Journal of American Chemical Society, 2008, 130, 1550-1551.
  • a photoelectric conversion element having the configuration shown in FIG. 1A was produced using the obtained compound.
  • the compound (D-1) is used as the case where the compound (D-1) is used.
  • an amorphous ITO film is formed on a glass substrate by a sputtering method to form a lower electrode 11 (thickness: 30 nm), and molybdenum oxide (MoO x ) is vacuum-deposited on the lower electrode 11.
  • a molybdenum oxide layer was formed as the electron blocking film 16A.
  • the compound (D-1) and the following compound (N-1) are vacuum deposited on the molybdenum oxide layer 16A so as to be 50 nm and 50 nm, respectively, in terms of a single layer.
  • the photoelectric conversion film 12 having a 100 nm bulk heterostructure was formed by co-evaporation by the method. Further, an amorphous ITO film was formed on the photoelectric conversion film 12 by sputtering to form an upper electrode 15 (transparent conductive film) (thickness: 10 nm).
  • a SiO film is formed as a sealing layer on the upper electrode 15 by a vacuum deposition method, and then an aluminum oxide (Al 2 O 3 ) layer is formed thereon by an ALCVD (Atomic Layer Chemical Vapor Deposition) method. Was made.
  • This element is referred to as an element (A).
  • the relative value of the rise time is “A” when the relative value is less than 3 with respect to the comparative compound (R-1), “B” when 3 or less and less than 5, and “C” when 5 or less and less than 10.
  • the case of 10 or more was designated as “D”.
  • the results are shown in Table 1. Practically, “A” or “B” is preferable, and “A” is more preferable.
  • a photoelectric conversion element for evaluating the photoelectric conversion efficiency in a thin film was produced in the same manner except that the film thickness of the photoelectric conversion film was changed. Specifically, the compound (D-1) and the compound (N-1) are co-deposited on the molybdenum oxide layer 16A by a vacuum deposition method so as to be 30 nm and 30 nm, respectively, in terms of a single layer, A photoelectric conversion film 12 having a bulk heterostructure of 60 nm was formed to obtain a photoelectric conversion element. Photoelectric conversion elements were similarly prepared for each of the compounds (D-2) to (D-11) and the comparative compounds (R-1) to (R-4). The obtained photoelectric conversion element was designated as an element (B).
  • a voltage of 3 V was applied to the element (B), and the maximum photoelectric conversion efficiency was measured.
  • the relative value of the maximum photoelectric conversion efficiency of each element (B) was determined.
  • the case where the relative value of the photoelectric conversion efficiency of the element (B) is 1.1 or more is “A”
  • the case where it is 1.0 or more and less than 1.1 is “B”
  • the case where “C” was less than 0.9 was designated as “D”.
  • the results are shown in Table 1. Practically, “A” or “B” is preferable, and “A” is more preferable.
  • An image sensor similar to that shown in FIG. 3 was produced. That is, after depositing amorphous TiN 30 nm on the CMOS substrate by sputtering, patterning is performed by photolithography so that one pixel exists on each photodiode (PD) on the CMOS substrate to form the lower electrode. After the film formation of the electron blocking material, it was produced in the same manner as the element (A) and the element (B). The responsiveness evaluation with the obtained image sensor and the evaluation of the photoelectric conversion efficiency when the photoelectric conversion film is a thin film are performed in the same manner, and the same results as in Table 1 are obtained. I found out that
  • Photoelectric conversion element 11 Conductive film (lower electrode) 12 Photoelectric conversion film 15 Transparent conductive film (upper electrode) 16A Electron blocking film 16B Hole blocking film 100 Pixel separation type imaging device 101 Substrate 102 Insulating layer 103 Connection electrode 104 Pixel electrode (lower electrode) 105 connecting portion 106 connecting portion 107 photoelectric conversion film 108 counter electrode (upper electrode) 109 Buffer layer 110 Sealing layer 111 Color filter (CF) DESCRIPTION OF SYMBOLS 112 Partition 113 Light shielding layer 114 Protective layer 115 Counter electrode voltage supply part 116 Read-out circuit 200 Photoelectric conversion element (hybrid type photoelectric conversion element) 201 Inorganic photoelectric conversion film 202 n-type well 203 p-type well 204 n-type well 205 p-type silicon substrate 207 insulating layer 208 pixel electrode 209 organic photoelectric conversion film 210 common electrode 211 protective film 212 electron blocking film

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Abstract

本発明は、優れた応答性、および、光電変換膜が薄膜である場合において優れた光電変換効率を示す光電変換素子、光電変換素子を有する、光センサおよび撮像素子、ならびに、化合物を提供する。本発明の光電変換素子は、導電性膜、光電変換膜、および、透明導電性膜をこの順で有する光電変換素子であって、光電変換膜が、式（２）で表される構造を有する式（１）で表される化合物を有する。

Description

光電変換素子、光センサ、撮像素子、および、化合物
　本発明は、光電変換素子、光センサ、撮像素子、および、化合物に関する。
　従来、固体撮像素子としては、フォトダイオード（ＰＤ：photodiode）を２次元的に配列し、各ＰＤで発生した信号電荷を回路で読み出す平面型固体撮像素子が広く用いられている。
　カラー固体撮像素子を実現するには、平面型固体撮像素子の光入射面側に、特定の波長の光を透過するカラーフィルタを配した構造が一般的である。現在、２次元的に配列した各ＰＤ上に、青色（Ｂ：blue）光、緑色（Ｇ：green）光、および、赤色（Ｒ：red）光を透過するカラーフィルタを規則的に配した単板式固体撮像素子がよく知られている。しかし、この単板式固体撮像素子においては、カラーフィルタを透過しなかった光が利用されず光利用効率が悪い。
　これらの欠点を解決するため、近年、有機光電変換膜を信号読み出し用基板上に配置した構造を有する光電変換素子の開発が進んでいる。このような有機光電変換膜を使用した光電変換素子として、例えば、特許文献１では、以下のような化合物を含む光電変換膜を有する光電変換素子が開示されている。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
米国特許出願公開第２０１４／００９７４１６号明細書
　近年、撮像素子、および、光センサ等の性能向上の要求に伴い、これらに使用される光電変換素子に求められる諸特性に関してもさらなる向上が求められている。
　例えば、応答性のより一層の向上が求められている。
　また、光電変換素子においては、光電変換膜の薄膜化を進めた場合（例えば、光電変換膜を１００ｎｍよりも薄くした場合）でも良好な光電変換効率を維持できることが求められている。
　本発明者は、特許文献１で具体的に開示されている化合物（例えば、上述した化合物）を用いて光電変換素子を作製し、得られた光電変換素子の応答性、および、光電変換膜が薄膜である場合の光電変換効率（「薄膜時の光電変換効率」とも称する）について検討したところ、その特性は必ずしも昨今求められるレベルに達しておらず、さらなる向上が必要であることを見出した。
　本発明は、上記実情を鑑みて、優れた応答性、および、光電変換膜が薄膜である場合において優れた光電変換効率を示す光電変換素子を提供することを課題とする。
　また、本発明は、光電変換素子を含む光センサ、および、撮像素子を提供することも課題とする。さらに、本発明は、上記光電変換素子に適用される化合物を提供することも課題とする。
　本発明者は、上記課題について鋭意検討した結果、所定の構造を有する化合物、および、ｎ型有機半導体を含む光電変換膜を使用することにより上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
　すなわち、以下に示す手段により上記課題を解決し得る。
　（１）　導電性膜、光電変換膜、および、透明導電性膜をこの順で有する光電変換素子であって、上記光電変換膜が、後述する式（１）で表される化合物、および、ｎ型有機半導体を含む、光電変換素子。
　（２）　後述する式（１）中、Ｍが、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｇ、または、Ｃａを表す、上記（１）に記載の光電変換素子。
　（３）　後述する式（１）で表される化合物が、後述する式（３）～（６）のいずれかで表される化合物である、上記（１）または（２）に記載の光電変換素子。
　（４）　Ｙａ１、Ｙａ２、Ｙｂ１、Ｙｂ２、Ｙｃ１、Ｙｃ２、Ｙｃ３、Ｙｃ４、Ｙｄ１、Ｙｄ２、Ｙｄ３、および、Ｙｄ４が、それぞれ独立に、酸素原子、または、硫黄原子を表す、上記（３）に記載の光電変換素子。
　（５）　Ｚａ１、Ｚａ２、Ｚｂ１、Ｚｂ２、Ｚｃ１、Ｚｃ２、Ｚｃ３、Ｚｃ４、Ｚｄ１、Ｚｄ２、Ｚｄ３、および、Ｚｄ４が、ＣＲ２６を表し、Ｒ２６は、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基を表す、上記（３）または（４）に記載の光電変換素子。
　（６）　後述する式（３）～（６）中、ＭがＺｎである、上記（３）～（５）のいずれかに記載の光電変換素子。
　（７）　後述する式（３）～（６）のいずれかで表される化合物の分子量が１２００以下である、上記（３）～（６）のいずれかに記載の光電変換素子。
　（８）　上記ｎ型有機半導体の分子量が２００～１２００である、上記（１）～（７）のいずれかに記載の光電変換素子。
　（９）　上記光電変換膜がバルクへテロ構造を有する、上記（１）～（８）のいずれかに記載の光電変換素子。
　（１０）　上記導電性膜と上記透明導電性膜の間に、上記光電変換膜の他に１種以上の中間層を有する、上記（１）～（９）のいずれかに記載の光電変換素子。
　（１１）　上記（１）～（１０）のいずれかに記載の光電変換素子を含む光センサ。
　（１２）　上記（１）～（１０）のいずれかに記載の光電変換素子を含む撮像素子。
　（１３）　後述する式（７）～（１０）のいずれかで表される化合物。
　本発明によれば、優れた応答性、および、光電変換膜が薄膜である場合において優れた光電変換効率を示す光電変換素子を提供することができる。
　また、本発明によれば、光電変換素子を含む光センサ、および、撮像素子を提供することもできる。さらに、本発明によれば、上記光電変換素子に適用される化合物を提供することもできる。
光電変換素子の一構成例を示す断面模式図である。 光電変換素子の一構成例を示す断面模式図である。 ハイブリッド型光電変換素子の１画素分の断面模式図である。 撮像素子の１画素分の断面模式図である。 化合物（Ｄ－１）の１Ｈ ＮＭＲ（Nuclear Magnetic Resonance）チャートである。 化合物（Ｄ－５）の１Ｈ ＮＭＲ（Nuclear Magnetic Resonance）チャートである。 化合物（Ｄ－７）の１Ｈ ＮＭＲ（Nuclear Magnetic Resonance）チャートである。
　以下に、本発明の光電変換素子の好適実施形態について説明する。
　なお、本明細書において置換、または、無置換を明記していない置換基等については、目的とする効果を損なわない範囲で、その基にさらに置換基（好ましくは、後述する置換基Ｗ）が置換していてもよい。例えば、「アルキル基」という表記は、置換基（好ましくは、置換基Ｗ）が置換していてもよいアルキル基に該当する。
　また、本明細書において「～」を用いて表される数値範囲は、「～」前後に記載される数値を下限値、および、上限値として含む範囲を意味する。
　本発明の従来技術と比較した特徴点としては、後述する式（１）で表される化合物（「特定化合物」とも称する）を使用している点が挙げられる。この特定化合物には、特定の位置に特定の環状構造が導入されており、その結果、この特定化合物を含む光電変換膜を有する光電変換素子の特性（応答性、および、薄膜時の光電変換効率）が向上している。
　このメカニズムの詳細は定かではないが、以下のように推測される。まず、特定化合物においては、所定の環状構造がピロメテン部分に導入されることにより共役系が拡張されている。また、特定化合物は三次元的な構造を有し、電荷輸送特性に優れるため応答性が高い。さらに、特定化合物は、吸光係数（ε）が高く、光電変換の内部量子効率も高いため、薄膜時の光電変換効率が優れると考えられる。
　以下に、本発明の光電変換素子の好適実施形態について図面を参照して説明する。図１に、本発明の光電変換素子の一実施形態の断面模式図を示す。
　図１Ａに示す光電変換素子１０ａは、下部電極として機能する導電性膜（以下、下部電極とも記す）１１と、電子ブロッキング膜１６Ａと、後述する式（１）で表される化合物を含む光電変換膜１２と、上部電極として機能する透明導電性膜（以下、上部電極とも記す）１５とがこの順に積層された構成を有する。
　図１Ｂに別の光電変換素子の構成例を示す。図１Ｂに示す光電変換素子１０ｂは、下部電極１１上に、電子ブロッキング膜１６Ａと、光電変換膜１２と、正孔ブロッキング膜１６Ｂと、上部電極１５とがこの順に積層された構成を有する。なお、図１Ａ、および、図１Ｂ中の電子ブロッキング膜１６Ａ、光電変換膜１２、および、正孔ブロッキング膜１６Ｂの積層順は、用途、および、特性に応じて、適宜変更してもよい。
　光電変換素子１０ａ（または、１０ｂ）では、上部電極１５を介して光電変換膜１２に光が入射されることが好ましい。
　また、光電変換素子１０ａ（または、１０ｂ）を使用する場合には、電圧を印加できる。この場合、下部電極１１と上部電極１５とが一対の電極をなし、この一対の電極間に、１×１０－５～１×１０７Ｖ／ｃｍの電圧を印加することが好ましい。性能、および、消費電力の点から、印加される電圧としては、１×１０－４～１×１０７Ｖ／ｃｍがより好ましく、１×１０－３～５×１０６Ｖ／ｃｍがさらに好ましい。
　なお、電圧印加方法については、図１Ａ、および、図１Ｂにおいて、電子ブロッキング膜１６Ａ側が陰極となり、光電変換膜１２側が陽極となるように印加することが好ましい。光電変換素子１０ａ（または、１０ｂ）を光センサとして使用した場合、また、撮像素子に組み込んだ場合も、同様の方法により電圧を印加できる。
　後段で、詳述するように、光電変換素子１０ａ（または、１０ｂ）は光センサ用途、および、撮像素子用途に好適に適用できる。
　また、図２に、本発明の光電変換素子の別の実施形態の断面模式図を示す。
　図２に示される光電変換素子２００は、有機光電変換膜２０９と無機光電変換膜２０１とを備えるハイブリッド型の光電変換素子である。なお、有機光電変換膜２０９は、後述する式（１）で表される化合物を含む。
　無機光電変換膜２０１は、ｐ型シリコン基板２０５上に、ｎ型ウェル２０２、ｐ型ウェル２０３、および、ｎ型ウェル２０４を有する。
　ｐ型ウェル２０３とｎ型ウェル２０４との間に形成されるｐｎ接合にて青色光が光電変換され（Ｂ画素）、ｐ型ウェル２０３とｎ型ウェル２０２との間に形成されるｐｎ接合にて赤色光が光電変換される（Ｒ画素）。なお、ｎ型ウェル２０２、ｐ型ウェル２０３、および、ｎ型ウェル２０４の導電型は、これらに限るものではない。
　さらに、無機光電変換膜２０１の上には透明な絶縁層２０７が配置されている。
　絶縁層２０７の上には、画素毎に区分けした透明な画素電極２０８が配置され、その上に、緑色光を吸収して光電変換する有機光電変換膜２０９が各画素共通に一枚構成で配置され、その上に、電子ブロッキング膜２１２が各画素共通に一枚構成で配置され、その上に、一枚構成の透明な共通電極２１０が配置され、最上層に、透明な保護膜２１１が配置されている。電子ブロッキング膜２１２と有機光電変換膜２０９との積層順は図２とは逆であってもよく、共通電極２１０は、画素毎に区分けして配置されてもよい。
　有機光電変換膜２０９は、緑色光を検出するＧ画素を構成する。
　画素電極２０８は、図１Ａに示した光電変換素子１０ａの下部電極１１と同じである。共通電極２１０は、図１Ａに示した光電変換素子１０ａの上部電極１５と同じである。
　この光電変換素子２００に被写体からの光が入射すると、入射光の内の緑色光が有機光電変換膜２０９に吸収されて光電荷が発生し、この光電荷は、画素電極２０８から図示しない緑色信号電荷蓄積領域に流れ蓄積される。
　有機光電変換膜２０９を透過した青色光と赤色光との混合光が無機光電変換膜２０１内に侵入する。波長の短い青色光は主として半導体基板（無機光電変換膜）２０１の浅部（ｐ型ウェル２０３とｎ型ウェル２０４との間に形成されるｐｎ接合付近）にて光電変換されて光電荷が発生し、信号が外部に出力される。波長の長い赤色光は主として半導体基板（無機光電変換膜）２０１の深部（ｐ型ウェル２０３とｎ型ウェル２０２との間に形成されるｐｎ接合付近）で光電変換されて光電荷が発生し、信号が外部に出力される。
　なお、光電変換素子２００を撮像素子に使用する場合、ｐ型シリコン基板２０５の表面部には、信号読出回路（ＣＣＤ：Charge Coupled Device）型であれば電荷転送路、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）型であればＭＯＳ（Metal-Oxide-Semiconductor）トランジスタ回路、または、緑色信号電荷蓄積領域が形成される。また、画素電極２０８は、縦配線により対応の緑色信号電荷蓄積領域に接続される。
　以下に、本発明の光電変換素子を構成する各層の形態について詳述する。
［光電変換膜］
（式（１）で表される化合物）
　光電変換膜１２（または、有機光電変換膜２０９）は、光電変換材料として式（１）で表される化合物を含む膜である。この化合物を使用することにより、優れた応答性、および、優れた薄膜時における光電変換効率を示す、光電変換素子が得られる。
　以下、式（１）で表される化合物について詳述する。なお、式（２）中、＊は結合部位を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
　式（１）中、Ｒ１～Ｒ１２は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を表す。上記置換基の定義は、後述する置換基Ｗと同義である。
　中でも、光電変換素子の応答性および／または薄膜時の光電変換効率がより優れる点（以後、単に「本発明の効果がより優れる点」とも称する）で、Ｒ１～Ｒ１２としては、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基が好ましい。
　式（１）中、Ｘ１およびＸ２は、それぞれ独立に、窒素原子、または、ＣＲ１４を表す。Ｒ１４は、水素原子、または、置換基を表す。上記置換基の定義は、後述する置換基Ｗと同義である。
　中でも、本発明の効果がより優れる点で、Ｘ１およびＸ２としては、ＣＲ１４が好ましい。
　また、本発明の効果がより優れる点で、Ｒ１４としては、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基が好ましく、水素原子、アルキル基、または、アリール基がより好ましい。
　なお、上述したように、Ｒ１４で表されるアルキル基、アリール基、および、ヘテロアリール基は、置換基を有していてもよい。置換基としては、後述する置換基Ｗ（例えば、アルキル基、および、ハロゲン原子等）が挙げられる。
　式（１）中、Ｍは、２価の金属原子を表す。Ｍが表す２価の金属原子としては、例えばＺｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｂａ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｐｂ、および、Ｓｎ等が挙げられる。中でも、Ｍが表す２価の金属原子としては、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｇ、または、Ｃａが好ましく、Ｚｎがより好ましい。
　式（１）中、Ｒ１とＲ２、Ｒ５とＲ６、Ｒ７とＲ８、および、Ｒ１１とＲ１２のうち、少なくとも一組は、式（２）で表される構造と結合して環を形成する。
　例えば、Ｒ１とＲ２の組が、式（２）で表される構造と結合して環を形成する場合、Ｒ１およびＲ２の一方がＹ１に置換され、Ｒ１およびＲ２の他方がＺ１に置換される。より具体的には、Ｒ１とＲ２の一組が式（２）で表される構造と結合して環を形成する場合、得られる化合物は以下のように表される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
　中でも、本発明の効果がより優れる点で、Ｒ１とＲ２およびＲ５とＲ６の少なくとも一方の組が式（２）で表される構造と結合して環を形成し、かつ、Ｒ７とＲ８およびＲ１１とＲ１２の少なくとも一方の組が式（２）で表される構造と結合して環を形成することが好ましい。
　なお、式（１）で表される化合物が、複数の式（２）で表される構造を有している場合、複数のＹ１はそれぞれ異なっていてもよく、複数のＺ１はそれぞれ異なっていてもよく、複数のＲ１３はそれぞれ異なっていてもよい。
　なお、Ｒ２とＲ３とが互いに結合して環を形成することはない。また、Ｒ４とＲ５とが互いに結合して環を形成することもない。また、Ｒ８とＲ９とが互いに結合して環を形成することもない。さらに、Ｒ１０とＲ１１とが互いに結合して環を形成することもない。
　式（２）中、Ｙ１は、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、ＮＲ１５、ＣＲ１６Ｒ１７、または、－ＣＲ１８＝ＣＲ１９－を表す。中でも、本発明の効果がより優れる点で、Ｙ１としては、酸素原子、または、硫黄原子が好ましい。
　Ｒ１５～Ｒ１９は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を表す。上記置換基の定義は、後述する置換基Ｗと同義である。中でも、本発明の効果がより優れる点で、Ｒ１５～Ｒ１９としては、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基が好ましく、水素原子がより好ましい。
　式（２）中、Ｚ１は、窒素原子、または、ＣＲ２０を表す。中でも、本発明の効果がより優れる点で、Ｚ１としては、ＣＲ２０が好ましい。
　Ｒ２０は、水素原子、または、置換基を表す。上記置換基の定義は、後述する置換基Ｗと同義である。中でも、本発明の効果がより優れる点で、Ｒ２０としては、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基が好ましく、水素原子がより好ましい。
　式（２）中、Ｒ１３は水素原子、または、置換基を表す。上記置換基の定義は、後述する置換基Ｗと同義である。中でも、本発明の効果がより優れる点で、Ｒ１３としては、水素原子、ハロゲン原子、アルコキシ基（特にメトキシ基）、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基が好ましく、アルキル基、または、アリール基がより好ましい。
　式（２）中、Ｚ１がＣＲ２０を表す場合、Ｒ２０はＲ１３と互いに結合して環を形成してもよい。形成される環は、芳香族環であっても、非芳香族環であってもよく、芳香族環が好ましい。芳香族環の場合、芳香族炭化水素環であっても、芳香族複素環であってもよい。形成される環は、単環であっても、２つ以上の環からなる縮環であってもよい。また、形成される環には、置換基（好ましくは、後述する置換基Ｗ）が置換していてもよい。
　式（１）で表される化合物の分子量は特に制限されないが、４００～１２００が好ましい。分子量が１２００以下であれば、蒸着温度が高くならず、化合物の分解が起こりにくい。分子量が４００以上であれば、蒸着膜のガラス転移点が低くならず、光電変換素子の耐熱性が向上する。
　本発明の効果がより優れる点で、式（１）で表される化合物としては、式（３）～（６）のいずれかで表される化合物が好ましい。
　なお、式（３）で表される化合物および式（４）で表される化合物は２つの式（２）で表される構造を有する式（１）で表される化合物に相当し、式（５）で表される化合物および式（６）で表される化合物は４つの式（２）で表される構造を有する式（１）で表される化合物に相当する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
　式（３）～（６）中、Ｒａ１～Ｒａ１２、Ｒｂ１～Ｒｂ１２、Ｒｃ１～Ｒｃ１０、および、Ｒｄ１～Ｒｄ１０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基を表す。
　中でも、本発明の効果がより優れる点で、式（３）中のＲａ４およびＲａ１０、式（４）中のＲｂ４およびＲｂ１０、式（５）中のＲｃ３およびＲｃ８、ならびに、式（６）中のＲｄ３およびＲｄ８としては、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、または、アリール基が好ましい。
　なお、上述したように、式（３）中のＲａ４およびＲａ１０、式（４）中のＲｂ４およびＲｂ１０、式（５）中のＲｃ３およびＲｃ８、ならびに、式（６）中のＲｄ３およびＲｄ８で表されるアルキル基、アリール基、および、ヘテロアリール基は、置換基を有していてもよい。置換基としては、後述する置換基Ｗ（例えば、アルキル基、および、ハロゲン原子等）が挙げられる。
　式（３）において、本発明の効果がより優れる点で、Ｒａ２およびＲａ８としては、水素原子、アルキル基、または、アリール基が好ましく、水素原子がより好ましい。
　また、本発明の効果がより優れる点で、Ｒａ５およびＲａ１１としては、水素原子、アルキル基、または、アリール基が好ましく、水素原子、または、アルキル基がより好ましく、水素原子がさらに好ましい。
　また、本発明の効果がより優れる点で、Ｒａ１、Ｒａ３、Ｒａ６、Ｒａ７、Ｒａ９、および、Ｒａ１２としては、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基が好ましく、アルキル基、または、アリール基がより好ましい。
　式（４）において、本発明の効果がより優れる点で、Ｒｂ２およびＲｂ８としては、水素原子、アルキル基、または、アリール基が好ましく、水素原子がより好ましい。
　また、本発明の効果がより優れる点で、Ｒｂ５およびＲｂ１１としては、水素原子、アルキル基、または、アリール基が好ましく、水素原子、または、アルキル基がより好ましく、水素原子がさらに好ましい。
　また、本発明の効果がより優れる点で、Ｒｂ１、Ｒｂ３、Ｒｂ６、Ｒｂ７、Ｒｂ９、および、Ｒｂ１２としては、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基が好ましく、アルキル基、または、アリール基がより好ましい。
　式（５）において、本発明の効果がより優れる点で、Ｒｃ２、Ｒｃ４、Ｒｃ７、および、Ｒｃ９としては、水素原子、アルキル基、または、アリール基が好ましく、水素原子、または、アルキル基がより好ましく、水素原子がさらに好ましい。
　また、本発明の効果がより優れる点で、Ｒｃ１、Ｒｃ５、Ｒｃ６、および、Ｒｃ１０としては、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基が好ましく、アルキル基がより好ましい。
　式（６）において、本発明の効果がより優れる点で、Ｒｄ２、Ｒｄ４、Ｒｄ７、および、Ｒｄ９としては、水素原子、アルキル基、または、アリール基が好ましく、水素原子、または、アルキル基がより好ましく、水素原子がさらに好ましい。
　また、本発明の効果がより優れる点で、Ｒｄ１、Ｒｄ５、Ｒｄ６、および、Ｒｄ１０としては、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基が好ましく、アルキル基がより好ましい。
　式（３）～（６）中のＭは、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｇ、または、Ｃａを表す。中でも、本発明の効果がより優れる点で、Ｚｎが好ましい。
　Ｙａ１、Ｙａ２、Ｙｂ１、Ｙｂ２、Ｙｃ１、Ｙｃ２、Ｙｃ３、Ｙｃ４、Ｙｄ１、Ｙｄ２、Ｙｄ３、および、Ｙｄ４は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、ＮＲ２１、ＣＲ２２Ｒ２３、または、－ＣＲ２４＝ＣＲ２５－を表す。中でも、本発明の効果がより優れる点で、Ｙａ１、Ｙａ２、Ｙｂ１、Ｙｂ２、Ｙｃ１、Ｙｃ２、Ｙｃ３、Ｙｃ４、Ｙｄ１、Ｙｄ２、Ｙｄ３、および、Ｙｄ４は、それぞれ独立に、酸素原子、または、硫黄原子を表すことが好ましい。
　Ｒ２１～Ｒ２５は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基を表す。中でも、本発明の効果がより優れる点で、Ｒ２１～Ｒ２５としては、水素原子がより好ましい。
　Ｚａ１、Ｚａ２、Ｚｂ１、Ｚｂ２、Ｚｃ１、Ｚｃ２、Ｚｃ３、Ｚｃ４、Ｚｄ１、Ｚｄ２、Ｚｄ３、および、Ｚｄ４は、それぞれ独立に、窒素原子、または、ＣＲ２６を表す。中でも、本発明の効果がより優れる点で、Ｚａ１、Ｚａ２、Ｚｂ１、Ｚｂ２、Ｚｃ１、Ｚｃ２、Ｚｃ３、Ｚｃ４、Ｚｄ１、Ｚｄ２、Ｚｄ３、および、Ｚｄ４としては、ＣＲ２６が好ましい。
　Ｒ２６は、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基を表す。中でも、本発明の効果がより優れる点で、Ｒ２６としては、水素原子、または、アルキル基が好ましく、水素原子がより好ましい。
　Ｚａ１がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲａ６とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚａ２がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲａ１２とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚｂ１がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲｂ６とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚｂ２がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲｂ１２とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚｃ１がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲｃ１とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚｃ２がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲｃ５とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚｃ３がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲｃ６とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚｃ４がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲｃ１０とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚｄ１がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲｄ１とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚｄ２がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲｄ５とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚｄ３がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲｄ６とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚｄ４がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲｄ１０とは互いに結合して環を形成してもよい。
　上記で形成される環は、芳香族環であっても、非芳香族環であってもよく、芳香族環が好ましい。芳香族環の場合、芳香族炭化水素環であっても、芳香族複素環であってもよい。形成される環は、単環であっても、２つ以上の環からなる縮環であってもよい。形成される環には、置換基（好ましくは、後述する置換基Ｗ）が置換していてもよい。
　式（３）または（４）で表される化合物の分子量は特に制限されないが、１２００以下が好ましい。分子量が１２００以下であれば、蒸着温度が高くならず、化合物の分解が起こりにくい。分子量の下限は特に制限されないが、４００以上が好ましい。分子量が４００以上であれば、蒸着膜のガラス転移点が低くならず、光電変換素子の耐熱性が向上する。
　式（５）または（６）で表される化合物の分子量は特に制限されないが、１２００以下が好ましい。分子量が１２００以下であれば、蒸着温度が高くならず、化合物の分解が起こりにくい。分子量の下限は特に制限されないが、５００以上が好ましい。分子量が５００以上であれば、蒸着膜のガラス転移点が低くならず、光電変換素子の耐熱性が向上する。
　本発明の効果がより優れる点で、式（３）～（６）のいずれかで表される化合物としては、式（７）～（１０）のいずれか表される化合物が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
　式（７）～（１０）中、Ｒａ１～Ｒａ１２、Ｒｂ１～Ｒｂ１２、Ｒｃ１～Ｒｃ１０、および、Ｒｄ１～Ｒｄ１０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基を表す。Ｙａ１、Ｙａ２、Ｙｂ１、Ｙｂ２、Ｙｃ１、Ｙｃ２、Ｙｃ３、Ｙｃ４、Ｙｄ１、Ｙｄ２、Ｙｄ３、および、Ｙｄ４は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、ＮＲ２１、ＣＲ２２Ｒ２３、または、－ＣＲ２４＝ＣＲ２５－を表す。Ｚａ１、Ｚａ２、Ｚｂ１、Ｚｂ２、Ｚｃ１、Ｚｃ２、Ｚｃ３、Ｚｃ４、Ｚｄ１、Ｚｄ２、Ｚｄ３、および、Ｚｄ４は、それぞれ独立に、窒素原子、または、ＣＲ２６を表す。Ｒ２１～Ｒ２６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基を表す。Ｚａ１がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲａ６とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚａ２がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲａ１２とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚｂ１がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲｂ６とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚｂ２がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲｂ１２とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚｃ１がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲｃ１とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚｃ２がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲｃ５とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚｃ３がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲｃ６とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚｃ４がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲｃ１０とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚｄ１がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲｄ１とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚｄ２がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲｄ５とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚｄ３がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲｄ６とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚｄ４がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲｄ１０とは互いに結合して環を形成してもよい。
　式（７）は、式（３）中、ＭがＺｎを表す場合に相当する。同様に、式（８）は、式（４）中、ＭがＺｎを表す場合に相当する。式（９）は、式（５）中、ＭがＺｎを表す場合に相当する。式（１０）は、式（６）中、ＭがＺｎを表す場合に相当する。
　各置換基の好適な範囲は、上述したのと同様である。
　本明細書における置換基Ｗについて記載する。
　置換基Ｗとしては、例えば、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、および、ヨウ素原子等）、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、および、トリシクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、および、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、複素環基（ヘテロ環基といってもよい）、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基（アニリノ基を含む）、アンモニオ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルまたはアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルまたはアリールスルフィニル基、アルキルまたはアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリールまたはヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、ヒドラジノ基、ウレイド基、ボロン酸基（－Ｂ（ＯＨ）２）、ホスファト基（－ＯＰＯ（ＯＨ）２）、スルファト基（－ＯＳＯ３Ｈ）、および、その他の公知の置換基が挙げられる。
　また、置換基Ｗは、さらに置換基Ｗで置換されていてもよい。例えば、アルキル基にハロゲン原子が置換していてもよい。
　なお、置換基Ｗの詳細については、特開２００７－２３４６５１号公報の段落［００２３］に記載される。
　なお、特定化合物（式（１）で表される化合物、式（３）～（６）のいずれかで表される化合物）が有するアルキル基としては、炭素数１～１０が好ましく、炭素数１～６がより好ましく、炭素数１～４がさらに好ましい。アルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状、および、環状のいずれであってもよい。また、アルキル基には、置換基（好ましくは、置換基Ｗ）が置換していてもよい。
　アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｉ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ヘキシル基、および、シクロへキシル基等が挙げられる。
　特定化合物（式（１）で表される化合物、式（３）～（６）のいずれかで表される化合物）が有するアリール基中の炭素数は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、炭素数６～３０が好ましく、炭素数６～１８がより好ましく、炭素数６がさらに好ましい。アリール基は、単環構造であっても、２つ以上の環が縮環した縮環構造（縮合環構造）であってもよい。また、アリール基には、置換基（好ましくは、置換基Ｗ）が置換していてもよい。
　アリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基、フェナントレニル基、メチルフェニル基、ジメチルフェニル基、ビフェニル基、および、フルオレニル基等が挙げられ、フェニル基、ナフチル基、または、アントリル基が好ましい。
　特定化合物（式（１）で表される化合物、式（３）～（６）のいずれかで表される化合物）が有するヘテロアリール基（１価の芳香族複素環基）中の炭素数は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、３～３０が好ましく、３～１８がより好ましい。ヘテロアリール基には、置換基（好ましくは、置換基Ｗ）が置換していてもよい。
　ヘテロアリール基は、炭素原子、および、水素原子以外にヘテロ原子を有する。ヘテロ原子としては、例えば、窒素原子、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、テルル原子、リン原子、ケイ素原子、および、ホウ素原子が挙げられ、窒素原子、硫黄原子、または、酸素原子が好ましい。
　ヘテロアリール基が有するヘテロ原子の数は特に制限されず、通常、１～１０程度であり、１～４が好ましく、１～２がより好ましい。
　ヘテロアリール基の環員数は特に制限されないが、３～８が好ましく、５～７がより好ましく、５～６がさらに好ましい。なお、ヘテロアリール基は、単環構造であっても、２つ以上の環が縮環した縮環構造であってもよい。縮環構造の場合、ヘテロ原子を有さない芳香族炭化水素環（例えば、ベンゼン環）が含まれていてもよい。
　ヘテロアリール基としては、例えば、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、アクリジニル基、フェナントリジニル基、プテリジニル基、ピラジニル基、キノキサリニル基、ピリミジニル基、キナゾリル基、ピリダジニル基、シンノリニル基、フタラジニル基、トリアジニル基、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、インダゾリル基、イソオキサゾリル基、ベンゾイソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、フリル基、ベンゾフリル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾフリル基、ジベンゾチエニル基、ピロリル基、インドリル基、イミダゾピリジニル基、および、カルバゾリル基等が挙げられる。
　以下に、式（１）で表される化合物を例示する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
　式（１）で表される化合物は、ｐ型有機半導体として使用する際の安定性とｎ型有機半導体とのエネルギー準位のマッチングの点で、単独膜でのイオン化ポテンシャルが－５．０～－６．０ｅＶである化合物であることが好ましい。
　式（１）で表される化合物は、光センサ、撮像素子、または、光電池に用いる光電変換膜の材料として特に有用である。なお、通常、式（１）で表される化合物は、光電変換膜内でｐ型有機半導体として機能する場合が多い。また、式（１）で表される化合物は、着色材料、液晶材料、有機半導体材料、電荷輸送材料、医薬材料、および、蛍光診断薬材料としても用いることもできる。
（ｎ型有機半導体）
　光電変換膜は、上述した式（１）で表される化合物以外の他の成分として、ｎ型有機半導体を含む。
　ｎ型有機半導体は、アクセプタ性有機半導体材料（化合物）であり、電子を受容しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは、ｎ型有機半導体は、２つの有機化合物を接触させて用いたときに電子親和力の大きい方の有機化合物をいう。
　ｎ型有機半導体としては、例えば、縮合芳香族炭素環化合物（例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、および、フルオランテン誘導体）；窒素原子、酸素原子、および、硫黄原子の少なくとも１つを有する５～７員環のヘテロ環化合物（例えば、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、キノリン、キノキサリン、キナゾリン、フタラジン、シンノリン、イソキノリン、プテリジン、アクリジン、フェナジン、フェナントロリン、テトラゾール、ピラゾール、イミダゾール、および、チアゾール等）；ポリアリーレン化合物；フルオレン化合物；シクロペンタジエン化合物；シリル化合物；ならびに、含窒素ヘテロ環化合物を配位子として有する金属錯体等が挙げられる。
　なお、ｎ型有機半導体として、有機色素を用いてもよい。例えば、シアニン色素、スチリル色素、ヘミシアニン色素、メロシアニン色素（ゼロメチンメロシアニン（シンプルメロシアニン）を含む）、ロダシアニン色素、アロポーラー色素、オキソノール色素、ヘミオキソノール色素、スクアリウム色素、クロコニウム色素、アザメチン色素、クマリン色素、アリーリデン色素、アントラキノン色素、トリフェニルメタン色素、アゾ色素、アゾメチン色素、メタロセン色素、フルオレノン色素、フルギド色素、ペリレン色素、フェナジン色素、フェノチアジン色素、キノン色素、ジフェニルメタン色素、ポリエン色素、アクリジン色素、アクリジノン色素、ジフェニルアミン色素、キノフタロン色素、フェノキサジン色素、フタロペリレン色素、ジオキサン色素、ポルフィリン色素、クロロフィル色素、フタロシアニン色素、および、金属錯体色素等が挙げられる。
　上記ｎ型有機半導体の分子量としては、２００～１２００が好ましく、２００～９００がより好ましい。
　一方で、図２に示したような形態の場合には、ｎ型有機半導体は無色、または、式（１）で表される化合物に近い吸収極大波長、および／または、吸収波形を持つことが望ましく、具体的な数値としては、ｎ型有機半導体の吸収極大波長が４００ｎｍ以下、または、５００～６００ｎｍが望ましい。
　光電変換膜は、上記式（１）で表される化合物と、ｎ型有機半導体とが混合された状態で形成されるバルクヘテロ構造を有することが好ましい。バルクヘテロ構造は、光電変換膜内で、式（１）で表される化合物とｎ型有機半導体とが混合、分散している層である。バルクヘテロ構造を有する光電変換膜は、湿式法、および、乾式法のいずれでも形成できる。なお、バルクへテロ構造については、特開２００５－３０３２６６号公報の段落［００１３］～［００１４］等において詳細に説明されている。
　光電変換素子の応答性の点から、式（１）で表される化合物とｎ型有機半導体との合計の含有量に対する式（１）で表される化合物の含有量（＝式（１）で表される化合物の単層換算での膜厚／（式（１）で表される化合物の単層換算での膜厚＋ｎ型有機半導体の単層換算での膜厚）×１００）は、２０～８０体積％が好ましく、３０～７０体積％がより好ましく、４０～６０体積％がさらに好ましい。
　なお、光電変換膜は、実質的に、式（１）で表される化合物とｎ型有機半導体から構成されることが好ましい。実質的とは、光電変換膜全質量に対して、式（１）で表される化合物およびｎ型有機半導体の合計含有量が９５質量％以上であることを意図する。
　式（１）で表される化合物を含む光電変換膜は非発光性膜であり、有機電界発光素子（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）とは異なる特徴を有する。非発光性膜とは発光量子効率が１％以下の膜を意図し、発光量子効率は０．５％以下が好ましく、０．１％以下がより好ましい。
（成膜方法）
　光電変換膜は、主に、乾式成膜法により成膜できる。乾式成膜法の具体例としては、蒸着法（特に、真空蒸着法）、スパッタ法、イオンプレーティング法、および、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法等の物理気相成長法、ならびに、プラズマ重合等のＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法が挙げられる。中でも、真空蒸着法が好ましい。真空蒸着法により光電変換膜を成膜する場合、真空度、および、蒸着温度等の製造条件は常法に従って設定できる。
　光電変換膜の厚みは、１０～１０００ｎｍが好ましく、５０～８００ｎｍがより好ましく、５０～５００ｎｍがさらに好ましく、５０～３００ｎｍが特に好ましい。
［電極］
　電極（上部電極（透明導電性膜）１５と下部電極（導電性膜）１１）は、導電性材料から構成される。導電性材料としては、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、および、これらの混合物等が挙げられる。
　上部電極１５から光が入射されるため、上部電極１５は検知したい光に対し透明であることが好ましい。上部電極１５を構成する材料としては、例えば、アンチモンまたはフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ：Antimony Tin Oxide、ＦＴＯ：Fluorine doped Tin Oxide）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）、および、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ：Indium zinc oxide）等の導電性金属酸化物；金、銀、クロム、および、ニッケル等の金属薄膜、これらの金属と導電性金属酸化物との混合物、または、積層物；ならびに、ポリアニリン、ポリチオフェン、および、ポリピロール等の有機導電性材料、等が挙げられる。中でも、高導電性、および、透明性等の点から、導電性金属酸化物が好ましい。
　通常、導電性膜をある範囲より薄くすると、急激な抵抗値の増加をもたらすが、本実施形態にかかる光電変換素子を組み込んだ固体撮像素子では、シート抵抗は、好ましくは１００～１００００Ω／□でよく、薄膜化できる膜厚の範囲の自由度は大きい。また、上部電極（透明導電性膜）１５は厚みが薄いほど吸収する光の量は少なくなり、一般に光透過率が増す。光透過率の増加は、光電変換膜での光吸収を増大させ、光電変換能を増大させるため、好ましい。薄膜化に伴う、リーク電流の抑制、薄膜の抵抗値の増大、および、透過率の増加を考慮すると、上部電極１５の膜厚は、５～１００ｎｍが好ましく、５～２０ｎｍがより好ましい。
　下部電極１１は、用途に応じて、透明性を持たせる場合と、逆に透明性を持たせず光を反射させる場合とがある。下部電極１１を構成する材料としては、例えば、アンチモンまたはフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、および、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物；金、銀、クロム、ニッケル、チタン、タングステン、および、アルミ等の金属、これらの金属の酸化物、または、窒化物等の導電性化合物（一例として窒化チタン（ＴｉＮ）を挙げる）；これらの金属と導電性金属酸化物との混合物、または、積層物；ならびに、ポリアニリン、ポリチオフェン、および、ポリピロール、等の有機導電性材料等が挙げられる。
　電極を形成する方法は特に制限されず、電極材料に応じて適宜選択できる。具体的には、印刷方式、および、コーティング方式等の湿式方式；真空蒸着法、スパッタ法、および、イオンプレーティング法等の物理的方式；ならびに、ＣＶＤ、および、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式、等が挙げられる。
　電極の材料がＩＴＯの場合、電子ビーム法、スパッタ法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法（ゾル－ゲル法等）、および、酸化インジウムスズの分散物の塗布等の方法が挙げられる。
［電荷ブロッキング膜：電子ブロッキング膜、正孔ブロッキング膜］
　本発明の光電変換素子は、導電性膜と透明導電性膜の間に、光電変換膜の他に１種以上の中間層を有していることも好ましい。上記中間層としては、電荷ブロッキング膜が挙げられる。光電変換素子がこの膜を有することにより、得られる光電変換素子の特性（光電変換効率、および、応答性等）がより優れる。電荷ブロッキング膜としては、電子ブロッキング膜と正孔ブロッキング膜とが挙げられる。以下に、それぞれの膜について詳述する。
（電子ブロッキング膜）
　電子ブロッキング膜は、電子供与性化合物を含む。具体的には、低分子材料では、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－（１，１’－ビフェニル）－４，４’－ジアミン（ＴＰＤ）、および、４，４’－ビス［Ｎ－（ナフチル）－Ｎ－フェニル－アミノ］ビフェニル（α－ＮＰＤ）等の芳香族ジアミン化合物；ポルフィリン、テトラフェニルポルフィリン銅、フタロシアニン、銅フタロシアニン、および、チタニウムフタロシアニンオキサイド等のポルフィリン化合物；オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、テトラヒドロイミダゾール、ポリアリールアルカン、ブタジエン、４，４’，４’’－トリス（Ｎ－（３－メチルフェニル）Ｎ－フェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ－ＭＴＤＡＴＡ）、トリアゾール誘導体、オキサジザゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、ならびに、シラザン誘導体等が挙げられる。高分子材料としては、フェニレンビニレン、フルオレン、カルバゾール、インドール、ピレン、ピロール、ピコリン、チオフェン、アセチレン、および、ジアセチレン等の重合体、または、その誘導体が挙げられる。また、特許第５５９７４５０号の段落［００４９］～［００６３］に記載の化合物、特開２０１１－２２５５４４号公報の段落［０１１９］～［０１５８］に記載の化合物、および、特開２０１２－９４６６０号公報の段落［００８６］～［００９０］に記載の化合物等が挙げられる。
　なお、電子ブロッキング膜は、複数膜で構成してもよい。
　電子ブロッキング膜は、無機材料で構成されていてもよい。一般的に、無機材料は有機材料よりも誘電率が大きいため、無機材料を電子ブロッキング膜に用いた場合に、光電変換膜に電圧が多くかかるようになり、光電変換効率が高くなる。電子ブロッキング膜となりうる無機材料としては、例えば、酸化カルシウム、酸化クロム、酸化クロム銅、酸化マンガン、酸化コバルト、酸化ニッケル、酸化銅、酸化ガリウム銅、酸化ストロンチウム銅、酸化ニオブ、酸化モリブデン、酸化インジウム銅、酸化インジウム銀、および、酸化イリジウム等が挙げられる。
（正孔ブロッキング膜）
　正孔ブロッキング膜は、電子受容性化合物を含む。
　電子受容性化合物としては、１，３－ビス（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル－１，３，４－オキサジアゾリル）フェニレン（ＯＸＤ－７）等のオキサジアゾール誘導体；アントラキノジメタン誘導体；ジフェニルキノン誘導体；バソクプロイン、バソフェナントロリン、および、これらの誘導体；トリアゾール化合物；トリス（８－ヒドロキシキノリナート）アルミニウム錯体；ビス（４－メチル－８－キノリナート）アルミニウム錯体；ジスチリルアリーレン誘導体；ならびに、シロール化合物、等が挙げられる。また、特開２００６－１００７６７号公報の段落［００５６］～［００５７］に記載の化合物等が挙げられる。
　電荷ブロッキング膜の製造方法は特に制限されず、乾式成膜法、および、湿式成膜法が挙げられる。乾式成膜法としては、蒸着法、および、スパッタ法が挙げられる。蒸着は、物理蒸着（ＰＶＤ：Physical Vapor Deposition）、および、化学蒸着（ＣＶＤ）のいずれでもよく、真空蒸着等の物理蒸着が好ましい。湿式成膜法としては、インクジェット法、スプレー法、ノズルプリント法、スピンコート法、ディップコート法、キャスト法、ダイコート法、ロールコート法、バーコート法、および、グラビアコート法等が挙げられ、高精度パターニングの点からは、インクジェット法が好ましい。
　電荷ブロッキング膜（電子ブロッキング膜、および、正孔ブロッキング膜）の厚みは、それぞれ、３～２００ｎｍが好ましく、５～１００ｎｍがより好ましく、５～３０ｎｍがさらに好ましい。
［基板］
　光電変換素子は、さらに基板を有していてもよい。使用される基板の種類は特に制限されず、半導体基板、ガラス基板、および、プラスチック基板が挙げられる。
　なお、基板の位置は特に制限されないが、通常、基板上に導電性膜、光電変換膜、および、透明導電性膜をこの順で積層する。
［封止層］
　光電変換素子は、さらに封止層を有していてもよい。光電変換材料は水分子等の劣化因子の存在で顕著にその性能が劣化してしまうことがある。そこで、水分子を浸透させない緻密な金属酸化物、金属窒化物、および、金属窒化酸化物等のセラミクス、または、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ：Diamond-like Carbon）等の封止層で光電変換膜全体を被覆して封止することで、上記劣化を防止できる。
　なお、封止層としては、特開２０１１－０８２５０８号公報の段落［０２１０］～［０２１５］に記載に従って、材料の選択、および、製造を行ってもよい。
［光センサ］
　光電変換素子の用途として、例えば、光電池、および、光センサが挙げられるが、本発明の光電変換素子は光センサとして用いることが好ましい。光センサとしては、上記光電変換素子単独で用いてもよいし、上記光電変換素子を直線状に配したラインセンサ、または、平面上に配した２次元センサとして用いてもよい。本発明の光電変換素子は、ラインセンサでは、スキャナー等の様に光学系、および、駆動部を用いて光画像情報を電気信号に変換し、２次元センサでは、撮像モジュールのように光画像情報を光学系でセンサ上に結像させ電気信号に変換することで撮像素子として機能する。
［撮像素子］
　次に、光電変換素子１０ａを備えた撮像素子の構成例を説明する。
　なお、以下に説明する構成例において、すでに説明した部材等と同等な構成、または、作用を有する部材等については、図中に同一符号、または、相当符号を付すことにより、説明を簡略化、または、省略する。
　撮像素子とは画像の光情報を電気信号に変換する素子であり、複数の光電変換素子が同一平面状でマトリクス上に配置されており、それぞれの光電変換素子（画素）において光信号を電気信号に変換し、その電気信号を画素ごとに逐次撮像素子外に出力できるものをいう。そのために、画素ひとつあたり、一つの光電変換素子、一つ以上のトランジスタから構成される。
　図３は、本発明の一実施形態を説明するための撮像素子の概略構成を示す断面模式図である。この撮像素子は、デジタルカメラ、および、デジタルビデオカメラ等の撮像装置、ならびに、電子内視鏡、および、携帯電話機等の撮像モジュール等に搭載される。
　この撮像素子は、図１Ａに示したような構成の複数の光電変換素子と、各光電変換素子の光電変換膜で発生した電荷に応じた信号を読み出す読み出し回路が形成された回路基板とを有し、回路基板上方の同一面上に、複数の光電変換素子が一次元状、または、二次元状に配列された構成となっている。
　図３に示す撮像素子１００は、基板１０１と、絶縁層１０２と、接続電極１０３と、画素電極（下部電極）１０４と、接続部１０５と、接続部１０６と、光電変換膜１０７と、対向電極（上部電極）１０８と、緩衝層１０９と、封止層１１０と、カラーフィルタ（ＣＦ：Color Filter）１１１と、隔壁１１２と、遮光層１１３と、保護層１１４と、対向電極電圧供給部１１５と、読み出し回路１１６とを備える。
　画素電極１０４は、図１Ａに示した光電変換素子１０ａの下部電極１１と同じ機能を有する。対向電極１０８は、図１Ａに示した光電変換素子１０ａの上部電極１５と同じ機能を有する。光電変換膜１０７は、図１Ａに示した光電変換素子１０ａの下部電極１１、および、上部電極１５間に設けられる層と同じ構成である。
　基板１０１は、ガラス基板、または、Ｓｉ等の半導体基板である。基板１０１上には絶縁層１０２が形成されている。絶縁層１０２の表面には複数の画素電極１０４と複数の接続電極１０３が形成されている。
　光電変換膜１０７は、複数の画素電極１０４の上にこれらを覆って設けられた全ての光電変換素子で共通の層である。
　対向電極１０８は、光電変換膜１０７上に設けられた、全ての光電変換素子で共通の１つの電極である。対向電極１０８は、光電変換膜１０７よりも外側に配置された接続電極１０３の上にまで形成されており、接続電極１０３と電気的に接続されている。
　接続部１０６は、絶縁層１０２に埋設されており、接続電極１０３と対向電極電圧供給部１１５とを電気的に接続するためのプラグである。対向電極電圧供給部１１５は、基板１０１に形成され、接続部１０６、および、接続電極１０３を介して対向電極１０８に所定の電圧を印加する。対向電極１０８に印加すべき電圧が撮像素子の電源電圧よりも高い場合は、チャージポンプ等の昇圧回路によって電源電圧を昇圧して上記所定の電圧を供給する。
　読み出し回路１１６は、複数の画素電極１０４のそれぞれに対応して基板１０１に設けられており、対応する画素電極１０４で捕集された電荷に応じた信号を読出すものである。読み出し回路１１６は、例えば、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ回路、または、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）回路等で構成されており、絶縁層１０２内に配置された図示しない遮光層によって遮光されている。読み出し回路１１６は、それに対応する画素電極１０４と接続部１０５を介して電気的に接続されている。
　緩衝層１０９は、対向電極１０８上に、対向電極１０８を覆って形成されている。封止層１１０は、緩衝層１０９上に、緩衝層１０９を覆って形成されている。カラーフィルタ１１１は、封止層１１０上の各画素電極１０４と対向する位置に形成されている。隔壁１１２は、カラーフィルタ１１１同士の間に設けられており、カラーフィルタ１１１の光透過率を向上させるためのものである。
　遮光層１１３は、封止層１１０上のカラーフィルタ１１１、および、隔壁１１２を設けた領域以外に形成されており、有効画素領域以外に形成された光電変換膜１０７に光が入射することを防止する。保護層１１４は、カラーフィルタ１１１、隔壁１１２、および、遮光層１１３上に形成されており、撮像素子１００全体を保護する。
　このように構成された撮像素子１００では、光が入射すると、この光が光電変換膜１０７に入射し、ここで電荷が発生する。発生した電荷のうちの正孔は、画素電極１０４で捕集され、その量に応じた電圧信号が読み出し回路１１６によって撮像素子１００外部に出力される。
　撮像素子１００の製造方法は、次の通りである。
　対向電極電圧供給部１１５と読み出し回路１１６が形成された回路基板上に、接続部１０５、および、１０６、複数の接続電極１０３、複数の画素電極１０４、ならびに、絶縁層１０２を形成する。複数の画素電極１０４は、絶縁層１０２の表面に例えば正方格子状に配置する。
　次に、複数の画素電極１０４上に、光電変換膜１０７を例えば真空蒸着法によって形成する。次に、光電変換膜１０７上に例えばスパッタ法により対向電極１０８を真空下で形成する。次に、対向電極１０８上に緩衝層１０９、封止層１１０を順次、例えば真空蒸着法によって形成する。次に、カラーフィルタ１１１、隔壁１１２、および、遮光層１１３を形成後、保護層１１４を形成して、撮像素子１００を完成する。
　以下に実施例を示すが、本発明はこれらに制限されるものではない。
（化合物（Ｄ－１）の合成）
　化合物（Ｄ－１）は、以下のスキームに従って、合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
　化合物（Ａ－１）および化合物（Ａ－２）はＪｏｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｍｅｒｉｃａｎ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｓｏｃｉｅｔｙ，２００８，１３０，１５５０－１５５１に記載の方法に従って合成した。
　化合物（Ａ－１）（５５４ｍｇ、３．３５ｍｍｏｌ）にトリフルオロ酢酸（ＴＦＡ）（３．３ｍＬ）を加え、得られた混合液を４５℃で１０分間反応させた。混合液に化合物（Ａ－２）（５００ｍｇ、３．３５ｍｍｏｌ）を添加し、さらにオキシ塩化リン（１．１ｍＬ）を添加した。得られた混合液を、４５℃で１５分間反応させた。混合液を放冷した後、混合液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液（１００ｍＬ）に添加して、得られた混合液を１０分間撹拌した。混合液中に析出した固体をろ別して、得られた固体を水で洗浄した。洗浄後の固体を８０℃で真空乾燥して、化合物（Ａ－３）を得た。
　得られた化合物（Ａ－３）（６３０ｍｇ）を、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（３４ｍＬ）、および、メタノール（ＭｅＯＨ）（３４ｍＬ）の混合液に溶解させ、さらに、この混合液に酢酸亜鉛二水和物（Ｚｎ（ＯＡｃ）２）（４４１ｍｇ、２．０１ｍｍｏｌ）を添加した。混合液を室温で３０分間反応させた。混合液を濃縮し、得られた粗体をシリカゲルカラム（溶離液：クロロホルム）で精製し、さらに、精製された化合物をメタノールから再結晶することで化合物（Ｄ－１）（２３１ｍｇ、０．４１ｍｍｏｌ、収率２４％）を得た。
　得られた化合物（Ｄ－１）はＮＭＲ（Nuclear Magnetic Resonance）、ＭＳ（Mass Spectrometry）により同定した。
　１Ｈ　ＮＭＲスペクトル（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）を図４に示す。
　ＭＳ（ＥＳＩ＋）ｍ／ｚ：５６７．１（［Ｍ＋Ｈ］＋）
　以下、化合物（Ｄ－２）～（Ｄ－１１）、および、比較化合物（Ｒ－４）も同様の反応を用いて合成した。
　また、化合物（Ｄ－５）および（Ｄ－７）の１Ｈ　ＮＭＲ（溶媒：ＣＤＣｌ３）スペクトルを、それぞれ、図５および図６に示す。
　なお、比較例として用いた比較化合物（Ｒ－１）は、Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社より購入した。
　比較化合物（Ｒ－２）はＯｒｇａｎｉｃ　Ｂｉｏｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，２０１０，８，４５４６－４５５３に記載の方法に従って合成した。
　比較化合物（Ｒ－３）はＪｏｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｍｅｒｉｃａｎ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｓｏｃｉｅｔｙ，２００８，１３０，１５５０－１５５１に記載の方法に従って合成した。
　以下に、得られた化合物（Ｄ－１）～（Ｄ－１１）、および、比較化合物（Ｒ－１）～（Ｒ－４）の構造を具体的に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
＜光電変換素子の作製＞
　得られた化合物を用いて図１Ａの形態の光電変換素子を作製した。以下では、化合物（Ｄ－１）を用いた場合について詳述する。
　具体的には、ガラス基板上に、アモルファス性ＩＴＯをスパッタ法により成膜して、下部電極１１（厚み：３０ｎｍ）を形成し、さらに下部電極１１上に酸化モリブデン（ＭｏＯＸ）を真空蒸着法により成膜して、電子ブロッキング膜１６Ａとして酸化モリブデン層（厚み：１０ｎｍ）を形成した。
　さらに、基板の温度を２５℃に制御した状態で、酸化モリブデン層１６Ａ上に化合物（Ｄ－１）と下記化合物（Ｎ－１）とをそれぞれ単層換算で５０ｎｍ、５０ｎｍとなるように真空蒸着法により共蒸着して成膜し、１００ｎｍのバルクヘテロ構造を有する光電変換膜１２を形成した。
　さらに、光電変換膜１２上に、アモルファス性ＩＴＯをスパッタ法により成膜して、上部電極１５（透明導電性膜）（厚み：１０ｎｍ）を形成した。上部電極１５上に、真空蒸着法により封止層としてＳｉＯ膜を形成した後、その上にＡＬＣＶＤ（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition）法により酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）層を形成し、光電変換素子を作製した。この素子を素子（Ａ）とする。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
　上記化合物（Ｄ－１）を、化合物（Ｄ－２）～（Ｄ－１１）、および、比較化合物（Ｒ－１）～（Ｒ－４）のそれぞれに変更した以外は、上記と同様の手順に従って、各例の光電変換素子（素子（Ａ））を作製した。
＜評価＞
（応答性の評価）
　得られた光電変換素子（素子（Ａ））を用いて、以下の応答性の評価を実施した。
　具体的には、素子（Ａ）に２．０×１０５Ｖ／ｃｍの強度となるように電圧を印加した。その後、ＬＥＤ（light emitting diode）を瞬間的に点灯させて上部電極（透明導電性膜）側から光を照射し、そのときの光電流をオシロスコープで測定して、０から９７％信号強度までの立ち上がり時間を計り、比較化合物（Ｒ－１）を用いて作製した素子（Ａ）の立ち上がり時間を１０としたときの相対値を求めた。
　なお、立ち上がり時間の相対値が比較化合物（Ｒ－１）に対して、３未満の場合を「Ａ」、３以上５未満の場合を「Ｂ」、５以上１０未満の場合を「Ｃ」、１０以上の場合を「Ｄ」とした。結果を表１に示す。実用上、「Ａ」または「Ｂ」が好ましく、「Ａ」がより好ましい。
（薄膜時の光電変換効率の評価）
　前述した＜光電変換素子の作製＞において、光電変換膜の膜厚を変更した以外は同様にして、薄膜時の光電変換効率を評価するための光電変換素子を作製した。具体的には、酸化モリブデン層１６Ａ上に化合物（Ｄ－１）と化合物（Ｎ－１）とをそれぞれ単層換算で３０ｎｍ、３０ｎｍとなるように真空蒸着法により共蒸着して成膜し、６０ｎｍのバルクヘテロ構造を有する光電変換膜１２を形成して、光電変換素子を得た。
　化合物（Ｄ－２）～（Ｄ－１１）、および、比較化合物（Ｒ－１）～（Ｒ－４）のそれぞれでも同様に光電変換素子を作製した。得られた光電変換素子を、素子（Ｂ）とした。
　素子（Ｂ）に３Ｖの電圧を印加し、光電変換効率の最大値を測定した。比較化合物（Ｒ－１）の素子（Ａ）の値を１として、各素子（Ｂ）の光電変換効率の最大値の相対値を求めた。
　素子（Ｂ）の光電変換効率の相対値が、１．１以上の場合を「Ａ」、１．０以上１．１未満の場合を「Ｂ」、０．９以上１．０未満の場合を「Ｃ」、０．９未満の場合を「Ｄ」とした。結果を表１に示す。実用上、「Ａ」または「Ｂ」が好ましく、「Ａ」がより好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000016
　上記表１に示すように、式（１）で表される化合物を有する光電変換素子は、優れた応答性、および、優れた薄膜時の光電変換効率を両立できることが確認された。
　所定の化合物を用いていない比較例１～４では、所望の効果は得られなかった。
なお、比較例１で用いられた比較化合物（Ｒ－１）は、特許文献１で具体的に開示されている化合物に該当する。
＜撮像素子の作製＞
　図３に示す形態と同様の撮像素子を作製した。すなわち、ＣＭＯＳ基板上に、アモルファス性ＴｉＮ　３０ｎｍをスパッタ法により成膜後、フォトリソグラフィーによりＣＭＯＳ基板上のフォトダイオード（ＰＤ）の上にそれぞれ１つずつ画素が存在するようにパターニングして下部電極とし、電子ブロッキング材料の成膜以降は素子（Ａ）、および、素子（Ｂ）と同様に作製した。得られた撮像素子での応答性評価、および、光電変換膜が薄膜である場合の光電変換効率の評価も同様に行い、表１と同様な結果が得られ、撮像素子においても優れた性能を示すことが分かった。
　１０ａ、１０ｂ　　光電変換素子
　１１　　導電性膜（下部電極）
　１２　　光電変換膜
　１５　　透明導電性膜（上部電極）
　１６Ａ　　電子ブロッキング膜
　１６Ｂ　　正孔ブロッキング膜
　１００　　画素分離型撮像素子
　１０１　　基板
　１０２　　絶縁層
　１０３　　接続電極
　１０４　　画素電極（下部電極）
　１０５　　接続部
　１０６　　接続部
　１０７　　光電変換膜
　１０８　　対向電極（上部電極）
　１０９　　緩衝層
　１１０　　封止層
　１１１　　カラーフィルタ（ＣＦ）
　１１２　　隔壁
　１１３　　遮光層
　１１４　　保護層
　１１５　　対向電極電圧供給部
　１１６　　読み出し回路
　２００　　光電変換素子（ハイブリッド型の光電変換素子）
　２０１　　無機光電変換膜
　２０２　　ｎ型ウェル
　２０３　　ｐ型ウェル
　２０４　　ｎ型ウェル
　２０５　　ｐ型シリコン基板
　２０７　　絶縁層
　２０８　　画素電極
　２０９　　有機光電変換膜
　２１０　　共通電極
　２１１　　保護膜
　２１２　　電子ブロッキング膜
 

Claims (13)

  1. 　導電性膜、光電変換膜、および、透明導電性膜をこの順で有する光電変換素子であって、
    　前記光電変換膜が、式（１）で表される化合物、および、ｎ型有機半導体を含む、光電変換素子。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
    　式（１）および（２）中、Ｒ１～Ｒ１３は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を表す。Ｘ１およびＸ２は、それぞれ独立に、窒素原子、または、ＣＲ１４を表す。Ｍは、２価の金属原子を表す。Ｒ１とＲ２、Ｒ５とＲ６、Ｒ７とＲ８、および、Ｒ１１とＲ１２のうち、少なくとも一組は、式（２）で表される構造と結合して環を形成する。式（２）中、Ｙ１は、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、ＮＲ１５、ＣＲ１６Ｒ１７、または、－ＣＲ１８＝ＣＲ１９－を表す。Ｚ１は、窒素原子、または、ＣＲ２０を表す。Ｒ１４～Ｒ２０は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を表す。＊は結合部位を表す。Ｚ１がＣＲ２０を表す場合、Ｒ２０とＲ１３とは互いに結合して環を形成してもよい。
  2. 　Ｍが、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｇ、または、Ｃａを表す、請求項１に記載の光電変換素子。
  3. 　前記式（１）で表される化合物が、下記式（３）～（６）のいずれかで表される化合物である、請求項１または２に記載の光電変換素子。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
    　式（３）～（６）中、Ｒａ１～Ｒａ１２、Ｒｂ１～Ｒｂ１２、Ｒｃ１～Ｒｃ１０、および、Ｒｄ１～Ｒｄ１０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基を表す。Ｍは、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｇ、または、Ｃａを表す。Ｙａ１、Ｙａ２、Ｙｂ１、Ｙｂ２、Ｙｃ１、Ｙｃ２、Ｙｃ３、Ｙｃ４、Ｙｄ１、Ｙｄ２、Ｙｄ３、および、Ｙｄ４は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、ＮＲ２１、ＣＲ２２Ｒ２３、または、－ＣＲ２４＝ＣＲ２５－を表す。Ｚａ１、Ｚａ２、Ｚｂ１、Ｚｂ２、Ｚｃ１、Ｚｃ２、Ｚｃ３、Ｚｃ４、Ｚｄ１、Ｚｄ２、Ｚｄ３、および、Ｚｄ４は、それぞれ独立に、窒素原子、または、ＣＲ２６を表す。Ｒ２１～Ｒ２６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基を表す。Ｚａ１がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲａ６とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚａ２がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲａ１２とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚｂ１がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲｂ６とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚｂ２がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲｂ１２とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚｃ１がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲｃ１とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚｃ２がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲｃ５とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚｃ３がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲｃ６とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚｃ４がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲｃ１０とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚｄ１がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲｄ１とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚｄ２がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲｄ５とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚｄ３がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲｄ６とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚｄ４がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲｄ１０とは互いに結合して環を形成してもよい。
  4. 　Ｙａ１、Ｙａ２、Ｙｂ１、Ｙｂ２、Ｙｃ１、Ｙｃ２、Ｙｃ３、Ｙｃ４、Ｙｄ１、Ｙｄ２、Ｙｄ３、および、Ｙｄ４が、それぞれ独立に、酸素原子、または、硫黄原子を表す、請求項３に記載の光電変換素子。
  5. 　Ｚａ１、Ｚａ２、Ｚｂ１、Ｚｂ２、Ｚｃ１、Ｚｃ２、Ｚｃ３、Ｚｃ４、Ｚｄ１、Ｚｄ２、Ｚｄ３、および、Ｚｄ４が、ＣＲ２６を表し、
    　Ｒ２６は、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基を表す、請求項３または４に記載の光電変換素子。
  6. 　ＭがＺｎである、請求項３～５のいずれか１項に記載の光電変換素子。
  7. 　前記式（３）～（６）のいずれかで表される化合物の分子量が１２００以下である、請求項３～６のいずれか１項に記載の光電変換素子。
  8. 　前記ｎ型有機半導体の分子量が２００～１２００である、請求項１～７のいずれか１項に記載の光電変換素子。
  9. 　前記光電変換膜がバルクへテロ構造を有する、請求項１～８のいずれか１項に記載の光電変換素子。
  10. 　前記導電性膜と前記透明導電性膜の間に、前記光電変換膜の他に１種以上の中間層を有する、請求項１～９のいずれか１項に記載の光電変換素子。
  11. 　請求項１～１０のいずれか１項に記載の光電変換素子を含む光センサ。
  12. 　請求項１～１０のいずれか１項に記載の光電変換素子を含む撮像素子。
  13. 　式（７）～（１０）のいずれかで表される化合物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
    　式（７）～（１０）中、Ｒａ１～Ｒａ１２、Ｒｂ１～Ｒｂ１２、Ｒｃ１～Ｒｃ１０、および、Ｒｄ１～Ｒｄ１０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基を表す。Ｙａ１、Ｙａ２、Ｙｂ１、Ｙｂ２、Ｙｃ１、Ｙｃ２、Ｙｃ３、Ｙｃ４、Ｙｄ１、Ｙｄ２、Ｙｄ３、および、Ｙｄ４は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、ＮＲ２１、ＣＲ２２Ｒ２３、または、－ＣＲ２４＝ＣＲ２５－を表す。Ｚａ１、Ｚａ２、Ｚｂ１、Ｚｂ２、Ｚｃ１、Ｚｃ２、Ｚｃ３、Ｚｃ４、Ｚｄ１、Ｚｄ２、Ｚｄ３、および、Ｚｄ４は、それぞれ独立に、窒素原子、または、ＣＲ２６を表す。Ｒ２１～Ｒ２６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、または、ヘテロアリール基を表す。Ｚａ１がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲａ６とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚａ２がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲａ１２とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚｂ１がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲｂ６とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚｂ２がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲｂ１２とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚｃ１がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲｃ１とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚｃ２がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲｃ５とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚｃ３がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲｃ６とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚｃ４がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲｃ１０とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚｄ１がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲｄ１とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚｄ２がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲｄ５とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚｄ３がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲｄ６とは互いに結合して環を形成してもよい。Ｚｄ４がＣＲ２６を表す場合、Ｒ２６とＲｄ１０とは互いに結合して環を形成してもよい。
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