WO2018163330A1 - エネルギー源装置 - Google Patents

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WO2018163330A1
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heater
processor
power
temperature
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PCT/JP2017/009278
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禎嘉 高見
本田　吉隆
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オリンパス株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to an energy source device used together with a treatment instrument including a bipolar electrode and a heater.
  • US2009 / 0248002A1 discloses a treatment instrument that can grasp a treatment target such as a living tissue between a pair of grasping pieces, and an energy source device that supplies electric energy to the treatment instrument.
  • a treatment target such as a living tissue between a pair of grasping pieces
  • an energy source device that supplies electric energy to the treatment instrument.
  • an electrode is provided on each gripping piece, and a heater is provided on at least one of the gripping pieces.
  • the energy source device outputs high frequency power to an electrode (bipolar electrode) and outputs heater power to the heater.
  • a high-frequency current flows between the electrodes through the treatment target to be grasped, and heat generated by the heater is applied to the treatment subject to be grasped. That is, both the high-frequency current and the heater heat are applied to the treatment target.
  • the energy source device detects the state of the treatment target using the high-frequency power, and controls the output of the high-frequency power based on the detected state of the treatment target.
  • the heater heat may affect the detection of the state of the treatment target using the high frequency power.
  • the heater heat also affects the output control of the high frequency power based on the state of the treatment target.
  • the object of the present invention is to appropriately detect the state of the treatment target even when both the high-frequency power and the heater power are output to the treatment tool, and output the high-frequency power based on the state of the treatment target. Is to provide an energy source apparatus that is appropriately controlled.
  • an aspect of the present invention includes an end effector capable of grasping a treatment target between a pair of grasping pieces, and the end effector includes the heater and a bipolar electrode.
  • An energy source device used together with a tool, wherein high-frequency power is output to the bipolar electrode, thereby causing a high-frequency current to flow between the bipolar electrodes through the treatment target and outputting heater power to the heater.
  • the energy output source for generating heat by the heater and the output control for causing the heater to reach the target temperature and maintaining the target temperature with respect to the output to the heater and for the output based on the target temperature
  • a parameter related to at least one of the temperature of the heater and the output to the heater In the control, a parameter related to at least one of the temperature of the heater and the output to the heater.
  • a processor that detects a meter and sets a threshold value used to determine whether to stop or decrease the output to the bipolar electrode in a state where the treatment target is denatured by applying the high-frequency current based on the detected
  • FIG. 1 is a schematic view showing a treatment system according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a block diagram schematically showing a configuration for supplying electrical energy from the energy source device according to the first embodiment to the treatment instrument.
  • FIG. 3 is a flowchart illustrating processing performed by the processor of the energy source device according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic diagram illustrating an example of a change in the temperature of the heater over time when the processor according to the first embodiment performs processing.
  • FIG. 5 is a schematic diagram showing an example of a change over time of the heater power output from the heater power supply when the temperature of the heater changes over time as shown in FIG. 4 in the first embodiment.
  • FIG. 1 is a schematic view showing a treatment system according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a block diagram schematically showing a configuration for supplying electrical energy from the energy source device according to the first embodiment to the treatment instrument.
  • FIG. 3 is a flowchart illustrating processing performed by the processor of the energy source device according to the
  • FIG. 6 is a schematic diagram illustrating an example of a target impedance trajectory that is set when the heater temperature changes with time as in FIG. 4 in the first embodiment.
  • FIG. 7 is a schematic diagram illustrating an example of a change over time in the high-frequency power output from the high-frequency power source when the heater temperature changes over time as in FIG. 4 in the first embodiment.
  • FIG. 1 is a diagram showing a treatment system 1 of the present embodiment.
  • the treatment system 1 includes a treatment tool 2 and an energy source device 3 that supplies electrical energy to the treatment tool 2.
  • the energy source device 3 is used together.
  • the treatment instrument 2 includes a shaft 5, and the shaft 5 has a longitudinal axis C as a central axis.
  • a holdable housing 6 is connected to one end side (base end side) of the shaft 5 in the direction along the longitudinal axis C.
  • An end effector 7 is provided at the end of the shaft 5 opposite to the side where the housing 6 is located, that is, at the tip of the shaft 5.
  • a grip 11 is provided on the housing 6, and a handle 12 is rotatably attached. When the handle 12 is rotated with respect to the housing 6, the handle 12 is opened or closed with respect to the grip 11.
  • the end effector 7 includes a pair of gripping pieces 15 and 16, and in the treatment instrument 2, the movable member 13 extends along the longitudinal axis C through the inside or outside of the shaft 5.
  • One end (front end) of the movable member 13 is connected to the end effector 7, and the other end (base end) of the movable member 13 is coupled to the handle 12 inside the housing 6.
  • the handle 12 By opening or closing the handle 12 with respect to the grip 11, the movable member 13 moves along the longitudinal axis C of the shaft 5, and the space between the pair of gripping pieces 15 and 16 is opened or closed. Thereby, it becomes possible to grip a living tissue such as a blood vessel as a treatment target between the gripping pieces 15 and 16.
  • one of the gripping pieces 15, 16 is integrated with the shaft 5 or fixed to the shaft 5, and the other of the gripping pieces 15, 16 is rotatably attached to the tip of the shaft 5. In another embodiment, both the gripping pieces 15 and 16 are rotatably attached to the distal end portion of the shaft 5.
  • an operation member such as a rotary knob is attached to the housing 6. In this case, by rotating the operating member with respect to the housing 6, the shaft 5 and the end effector 7 are rotated around the longitudinal axis C with respect to the housing 6.
  • One end of a cable 17 is connected to the housing 6.
  • the other end of the cable 17 is detachably connected to the energy source device 3.
  • the treatment system 1 is provided with a foot switch 18 as an operation member separate from the treatment instrument 2.
  • the foot switch 18 is electrically connected to the energy source device 3.
  • An operation for outputting electrical energy from the energy source device 3 to the treatment instrument 2 is input by the foot switch 18.
  • an operation button or the like attached to the housing 6 is provided as an operation member instead of or in addition to the foot switch 18. Then, electric energy is output from the energy source device 3 to the treatment instrument 2 by an operation with the operation member.
  • FIG. 2 is a diagram showing a configuration for supplying electrical energy (high-frequency power P and heater power P ′ described later in the present embodiment) from the energy source device 3 to the treatment instrument 2.
  • the electrode 21 is provided on the grasping piece 15, and the electrode 22 is provided on the grasping piece 16.
  • the electrodes 21 and 22 are bipolar electrodes provided on the end effector 7.
  • a heater 23 is provided as a heating element on at least one of the gripping pieces 15 and 16.
  • the energy source device 3 includes a processor (controller) 25 and a storage medium 26.
  • the processor 25 is formed from an integrated circuit including a CPU (Central Processing Unit), an ASIC (Application Specific Integrated Circuit), or an FPGA (Field Programmable Gate Array). Only one processor 25 may be provided in the energy source device 3, or a plurality of processors 25 may be provided in the energy source device 3.
  • the processing in the processor 25 is performed according to a program stored in the processor 25 or the storage medium 26.
  • the storage medium 26 stores a processing program used by the processor 25, parameters, functions, tables, and the like used in the calculation by the processor 25.
  • the processor 25 detects whether or not an operation is input through an operation member such as the foot switch 18.
  • the energy source device 3 includes a high frequency power source 31 as an energy output source.
  • the high-frequency power source 31 includes a waveform generator, a conversion circuit, a transformer, and the like, and converts power from a battery power source or an outlet power source into high-frequency power P.
  • the high-frequency power source 31 is electrically connected to the electrode 21 of the gripping piece 15 through the electric supply path 32 and is electrically connected to the electrode 22 of the gripping piece 16 through the electric supply path 33.
  • Each of the electricity supply paths 32 and 33 extends through the inside of the cable 17, the inside of the housing 6, and the inside of the shaft 5, and is formed by electrical wiring or the like.
  • the high frequency power supply 31 can output the converted high frequency power P.
  • the high frequency power P output from the high frequency power supply 31 is supplied to the electrodes 21 and 22 through the electric supply paths 32 and 33, whereby the electrodes (bipolar electrodes).
  • a high-frequency current flows through the treatment object between 21 and 22.
  • the electrodes 21 and 22 have different potentials with respect to each other.
  • the processor 25 controls the output from the high frequency power supply 31 to the electrodes 21 and 22 as described later.
  • a current detection circuit 35 and a voltage detection circuit 36 are provided on the electrical path of the high frequency power P output from the high frequency power supply 31 to the electrodes 21 and 22.
  • the current detection circuit 35 detects the current value of the output current I from the high frequency power supply 31, and the voltage detection circuit 36 outputs the output voltage V from the high frequency power supply 31.
  • the voltage value of is detected.
  • the analog signal indicating the current value detected by the current detection circuit 35 and the analog signal indicating the voltage value detected by the voltage detection circuit 36 are converted into a digital signal by an A / D converter (not shown) or the like. Then, the converted digital signal is transmitted to the processor 25.
  • the processor 25 acquires information on the output current I and the output voltage V from the high frequency power supply 31.
  • the processor 25 detects the impedance of the electrical path of the high-frequency power P output from the high-frequency power source 31 to the electrodes 21 and 22 based on the acquired output current I and output voltage V, and makes the impedance of the electrical path of the high-frequency power P Based on this, the impedance (tissue impedance) Z of the treatment target to be grasped is detected.
  • the processor 25 detects the power value of the high-frequency power P, that is, the power value of the output power from the high-frequency power supply 31 to the electrodes 21 and 22 based on the acquired output current I and output voltage V.
  • the processor 25 controls the output from the high frequency power supply 31 as described later, using the acquired output current I and output voltage V, and the detected impedance Z and high frequency power P.
  • the energy source device 3 includes a heater power supply 41 as an energy output source.
  • the heater power supply 41 includes a conversion circuit, a transformer, and the like, and converts electric power from a battery power supply or an outlet power supply into heater electric power P ′.
  • the heater power supply 41 is electrically connected to the heater 23 via the electric supply paths 42 and 43.
  • Each of the electric supply paths 42 and 43 extends through the inside of the cable 17, the inside of the housing 6, and the inside of the shaft 5, and is formed by electrical wiring or the like.
  • the heater power supply 41 can output the converted heater power P ′.
  • the output heater power P ′ is DC power or AC power. Heat is generated in the heater 23 by supplying the heater power P ′ output from the heater power supply 41 to the heater 23 through the electric supply paths 42 and 43.
  • the heater heat generated by the heater 23 is applied to the treatment target.
  • the treatment target is denatured.
  • the processor 25 controls the output from the heater power supply 41 to the heater 23 as described below.
  • a current detection circuit 45 and a voltage detection circuit 46 are provided in the electrical path of the heater power P ′ output from the heater power supply 41 to the heater 23.
  • the current detection circuit 45 detects the current value of the output current I ′ from the heater power supply 41
  • the voltage detection circuit 46 outputs from the heater power supply 41.
  • the voltage value of the voltage V ′ is detected.
  • the analog signal indicating the current value detected by the current detection circuit 45 and the analog signal indicating the voltage value detected by the voltage detection circuit 46 are converted into a digital signal by an A / D converter (not shown) or the like. Then, the converted digital signal is transmitted to the processor 25.
  • the processor 25 acquires information on the output current I ′ and the output voltage V ′ from the heater power supply 41.
  • the processor 25 detects the impedance of the electric path of the heater power P ′ output from the heater power supply 41 to the heater 23 based on the acquired output current I ′ and the output voltage V ′, and detects the electric path of the heater power P ′.
  • the resistance R of the heater 23 is detected based on the impedance.
  • the resistance R of the heater 23 changes corresponding to the temperature T of the heater 23, and a function or a table indicating the relationship between the temperature T of the heater 23 and the resistance R is stored in the storage medium 26 or the like. .
  • the processor 25 detects the temperature T of the heater 23 based on the detected resistance R and the relationship between the stored temperature T and the resistance R. Further, the processor 25 detects the power value of the heater power P ′, that is, the power value of the output power from the heater power supply 41 to the heater 23 based on the acquired output current I ′ and output voltage V ′. The processor 25 uses the acquired output current I ′ and output voltage V ′, and the detected temperature T (resistance R) and heater power P ′ to output the output from the high frequency power supply 31 and the output from the heater power supply 41 later. Control like this.
  • the treatment tool 2 is connected to the energy source device 3 via the cable 17. Then, the operator holds the housing 6 and inserts the end effector 7 into the body cavity such as the abdominal cavity. Then, the handle 12 is closed with respect to the grip 11 in a state where a treatment target such as a living tissue is positioned between the gripping pieces 15 and 16. Thereby, the space between the gripping pieces 15 and 16 is closed, and the treatment target is gripped between the gripping pieces 15 and 16.
  • FIG. 3 is a flowchart showing processing performed by the processor 25 of the energy source device 3.
  • the processor 25 determines whether or not an operation is input with an operation member such as the foot switch 18, that is, whether or not an operation input with the operation member is ON or OFF (S ⁇ b> 101). If no operation is input (S101-No), the process returns to S101. That is, the processor 25 stands by until an operation is input with the operation member.
  • the processor 25 starts the output of the high frequency power P from the high frequency power supply 31 to the electrodes 21 and 22, and the heater power P from the heater power supply 41 to the heater 23. The output of 'is started.
  • the processor 25 when the output of the high-frequency power P is started, the processor 25 outputs the high-frequency power P from the high-frequency power source 31 in a state where the power value is constant at the fixed value P0 (S102). At this time, the output current I and the output voltage V from the high frequency power supply 31 are adjusted so that the power value of the high frequency power P, that is, the power value of the output power from the high frequency power supply 31 is constant at a fixed value P0.
  • the processor 25 performs PID control at the target temperature T0 regarding the output from the heater power supply 41 to the heater 23 (S103). That is, with respect to the output to the heater 23, output control is performed in which the temperature T of the heater 23 reaches the target temperature T0 and is maintained at the target temperature T0.
  • the processor 25 detects the resistance R of the heater 23 based on the output current I ′ and the output voltage V ′ from the heater power supply 41 as described above, and based on the detected resistance R. The temperature T of the heater 23 is detected.
  • the processor 25 detects the temperature deviation between the target temperature T0 and the temperature T of the heater 23, the time integral value of the temperature deviation (integrated value of the temperature deviation), and the time differential value of the temperature deviation (time variation rate of the temperature deviation). ,
  • the output power from the heater 23 (heater power P ′), the output current I ′, and the output voltage V ′ are adjusted so that the temperature T reaches the target temperature T0 and the temperature T is maintained at the target temperature T0. .
  • the processor 25 outputs the heater power P ′ from the heater power supply 41 with a large power value.
  • the processor 25 causes the heater power supply 41 to output the heater power P ′ with a small power value.
  • the processor 25 uses, as a parameter related to the temperature T of the heater 23, the rate of increase ⁇ over time until the target temperature T0 is reached. It detects (S104).
  • the increase rate ⁇ of the temperature T changes in accordance with the tissue volume (tissue volume) of the treatment target including the thickness of the blood vessel, the wetness of the treatment target, and the like. That is, the rate of increase (rising speed) ⁇ changes corresponding to the state of the treatment target including the heat load of the treatment target.
  • the heat load of the treatment target indicates the difficulty in increasing the temperature of the treatment target.
  • the processor 25 sets the threshold value Zth ( ⁇ ) of the impedance Z used for determining the stop of the output from the high frequency power supply 31 to the electrodes 21 and 22 based on the increase rate ⁇ detected as a parameter (S105).
  • the threshold value Zth ( ⁇ ) is calculated using a function or table indicating the relationship between the detected increase rate ⁇ and the increase rate ⁇ of the temperature T stored in the storage medium 26 and the like and the threshold value Zth of the impedance Z. Calculated.
  • the threshold value Zth of the impedance Z is set to be larger as the increase rate ⁇ of the temperature T is smaller.
  • the threshold value Zth is an absolute value based on zero.
  • the processor 25 detects the initial value Ze of the impedance Z simultaneously with the start of output from the high frequency power supply 31 or immediately after the start of output. Then, a threshold value Zth is set as a relative value with respect to the initial value Ze. Even after the increase rate ⁇ of the temperature T is calculated and the threshold value Zth of the impedance Z is set, the processor 25 relates to the output from the heater power supply 41 to the heater 23 at the above-mentioned target temperature T0. Control is performed (S106).
  • the processor 25 sets a target trajectory that increases with time at a constant increase rate ⁇ for the impedance Z to be treated. Then, the processor 25 switches the output from the high-frequency power supply 31 so that the impedance Z changes along the target trajectory. That is, the processor 25 controls the output of the high frequency power P from the high frequency power supply 31 to the electrodes 21 and 22 so that the impedance Z changes with time along the target trajectory of the increase rate ⁇ (S107). At this time, the output power (high-frequency power P ′), the output current I, and the output voltage V from the high-frequency power supply 31 are adjusted so that the impedance Z increases at a constant increase rate ⁇ .
  • the processor 25 sets the increase rate ⁇ , which is the target value of the target trajectory of the impedance Z, to a fixed value ⁇ 0.
  • the treatment target is denatured by the application of the high frequency current.
  • the processor 25 detects the impedance Z based on the output current I and the output voltage V from the high frequency power supply 31. (S108).
  • the impedance Z increases with time due to heat resulting from the high frequency current.
  • the moisture to be treated is somewhat affected by the heat caused by the heater heat and the high-frequency current. Dehydrated. For this reason, after a certain time has elapsed since the start of output control from the high-frequency power supply 31 based on the target trajectory of the impedance Z, the impedance Z increases with time due to continuous application of the high-frequency current.
  • the processor 25 detects whether or not the detected impedance Z is equal to or greater than a set threshold value Zth ( ⁇ ) (S109). If the impedance Z is smaller than the threshold value Zth ( ⁇ ) (S109-No), the process returns to S106. And the process after S106 is performed sequentially. Therefore, the processor 25 moves from the high frequency power supply 31 to the electrodes (bipolar electrodes) 21 and 22 until the impedance Z reaches the threshold value Zth ( ⁇ ), that is, until the condition based on the set threshold value Zth ( ⁇ ) is satisfied.
  • the treatment target is continuously denatured by applying a high-frequency current.
  • the processor 25 stops the output from the high frequency power supply 31 to the electrodes 21 and 22 (S110). At this time, the processor 25 may stop the output from the heater power supply 41 to the heater 23 in response to the output stop to the electrodes 21 and 22, or may continue the output from the heater power supply 41 to the heater 23. . When the output to the heater 23 is continued, the processor 25 outputs the output from the heater power supply 41 based on the elapse of a certain time from the stop of the output to the electrodes 21 and 22 or the operation of an operator or the like. Stop.
  • the processor 25 does not need to continue the PID control at the target temperature T0.
  • the processor 25 reduces the temperature T of the heater 23 to the target temperature Ta0 lower than the target temperature T0 in response to the stop of the output to the electrodes 21 and 22, and maintains the target temperature Ta0.
  • the output of the heater power P ′ to may be controlled.
  • the target temperature Ta0 is set to a low temperature that does not denature the treatment target, for example.
  • FIG. 4 shows an example of a change over time in the temperature T of the heater 23 when the processor 25 performs processing as described above
  • FIG. 5 shows a change in the temperature T of the heater 23 over time as shown in FIG.
  • An example of a change with time of the heater power P ′ output from the heater power supply 41 to the heater 23 is shown.
  • 6 shows an example of the target trajectory of the impedance Z to be set when the temperature T of the heater 23 changes with time as shown in FIG. 4
  • FIG. 7 shows the heater 23 as shown in FIG.
  • the horizontal axis indicates the time t with reference to the output start from the heater power supply 41.
  • the vertical axis represents the temperature T of the heater 23
  • the vertical axis represents the heater power P ′
  • the vertical axis represents the treatment target impedance Z
  • the vertical axis represents the high frequency power P in FIG. 7.
  • changes with time are shown for three states (organizational states) X1 to X3. In the states X1 to X3, due to the amount of tissue to be treated and / or the wetness of the treatment target, the heat loads of the treatment targets are different from each other.
  • the amount of tissue of the treatment target such as a thin blood vessel as the treatment target is small and / or the treatment target is dry. For this reason, in the state X1, compared with the state X2, the heat load of treatment object is small. Further, in the state X3, compared to the state X2, the tissue amount of the treatment target such as a thick blood vessel as the treatment target is large and / or the treatment target is wet. For this reason, in the state X3, compared with the state X2, the heat load of treatment object is large. 4 to 7, the change with time in the state X1 is indicated by a solid line, the change with time in the state X2 is indicated by a one-dot chain line, and the change with time in the state X3 is indicated by a broken line.
  • the increase rate ⁇ of the temperature T until the target temperature T0 is reached is smaller as the heat load to be treated is larger.
  • the increase rate ⁇ 1 of the temperature T in the state X1 is larger than the increase rate ⁇ 2 of the temperature T in the state X2
  • the increase rate ⁇ 3 of the temperature T in the state X3 is The increase rate ⁇ 2 of the temperature T in the state X2 is small.
  • the processor 25 increases the output from the heater power supply 41. For this reason, the heater power P ′ increases with time until the temperature T approaches the target temperature T0 to some extent.
  • the temperature deviation between the target temperature T0 and the temperature T decreases. Further, it is necessary to suppress overshoot in which the temperature T exceeds the target temperature T0. Therefore, when the temperature T approaches the target temperature T0 to some extent, the processor 25 reduces the output from the heater power supply 41.
  • the heater power P ′ decreases with time. Since the heater power P ′ changes with time as described above, for example, the temperature T reaches the target temperature T0 until the temperature T reaches the target temperature T0 after the temperature T approaches the target temperature T0 to some extent. Immediately before, the heater power P ′ becomes the peak power P′p. When the peak power P′p is reached, the heater power P ′ is switched from a state where the heater power P ′ increases over time to a state where it decreases over time.
  • the peak power P′p of the heater power P ′ increases as the heat load to be treated increases.
  • the peak power P′p1 of the heater power P ′ in the state X1 is smaller than the peak power P′p2 of the heater power P ′ in the state X2, and in the state X3.
  • the peak power P′p3 of the heater power P ′ is larger than the peak power P′p2 in the state X2.
  • the integrated value W ′ of the heater power P ′ between two certain time points is treated similarly to the peak power P′p.
  • the larger the target heat load the greater.
  • the integrated value of the heater power P ′ from the start of output until the peak power P′p is reached increases as the heat load to be treated increases.
  • the arrival time Y from the start of output of the heater power P ′ to the peak power P′p is longer.
  • the arrival time Y1 up to the peak power P′p1 in the state X1 is shorter than the arrival time Y2 up to the peak power P′p2 in the state X2, and in the state X3.
  • the arrival time Y3 until the peak power P′p3 is longer than the arrival time Y2 in the state X2.
  • the temperature T of the heater 23 rises even if the output heater power P ′ is small to some extent.
  • the heater power P ′ gradually increases by the PID control at the target temperature T0 until the peak power P′p is reached immediately after the start of the output of the heater power P ′. .
  • the heater power P ′ gradually decreases even after the heater power P ′ reaches the peak power P′p.
  • the heat load to be treated is large, such as when the amount of tissue is large, the temperature T of the heater 23 is unlikely to rise unless the output heater power P ′ is increased to some extent.
  • the heater power P ′ increases rapidly by the PID control at the target temperature T0 until the peak power P′p is reached immediately after the start of the output of the heater power P ′. . Then, after the heater power P ′ reaches the peak power P′p, the processor 25 abruptly decreases the heater power P ′ in order to suppress overshoot in which the temperature T exceeds the target temperature T0. As described above, the heater power P ′ changes corresponding to the heat load of the treatment target. Therefore, the increase rate ⁇ of the heater power P ′ until reaching the peak power P′p increases as the heat load of the treatment target increases. large.
  • the increase rate ⁇ 1 of the heater power P ′ in the state X1 is smaller than the increase rate ⁇ 2 of the heater power P ′ in the state X2, and the heater power P in the state X3.
  • the increase rate ⁇ 3 of ′ is larger than the increase rate ⁇ 2 in the state X2.
  • the reduction rate ⁇ 1 of the heater power P ′ in the state X1 is smaller than the reduction rate ⁇ 2 of the heater power P ′ in the state X2, and the reduction rate ⁇ 3 of the heater power P ′ in the state X3 is in the state X2. Is larger than the decrease rate ⁇ 2.
  • the processor 25 sets the threshold value Zth of the impedance Z that is used to determine whether to stop the output to the electrodes 21 and 22.
  • the threshold value Zth ( ⁇ 1) of the impedance Z set in the state X1 is smaller than the threshold value Zth ( ⁇ 2) of the impedance Z set in the state X2.
  • the threshold value Zth ( ⁇ 3) of the impedance Z set in the state X3 is larger than the threshold value Zth ( ⁇ 2) set in the state X2.
  • the high frequency power P is calculated by the processor 25 based on the target trajectory of the impedance Z that increases at a constant increase rate ⁇ (fixed value ⁇ 0). Output control is performed.
  • the output control of the high-frequency power P based on the target trajectory of the impedance Z the larger the set threshold value Zth ( ⁇ ), the longer the arrival time to the threshold value Zth ( ⁇ ) of the impedance Z. Therefore, in the control in which the output of the high-frequency power P is stopped based on the impedance Z reaching the threshold value Zth ( ⁇ ), the output from the high-frequency power source 31 is stopped as the set threshold value Zth ( ⁇ ) is larger.
  • the output time from the high frequency power supply 31 is long. Therefore, as the set threshold value Zth ( ⁇ ) is larger, the time during which the high-frequency current is applied to the treatment target is longer.
  • the output time from the high frequency power supply 31 in the state X1 is shorter than the output time from the high frequency power supply 31 in the state X2, and the output time from the high frequency power supply 31 in the state X3 is short.
  • the output time is longer than the output time from the high frequency power supply 31 in the state X2.
  • the output high-frequency power P is larger as the heat load to be treated is larger. Therefore, in the output control of the high-frequency power P based on the target trajectory of the impedance Z described above, the higher the heat load on the treatment target, the larger the high-frequency current flowing through the treatment target.
  • the higher the heat load on the treatment target the larger the high-frequency current flowing through the treatment target.
  • the output high-frequency power P in the output control of the high-frequency power P based on the target trajectory of the impedance Z, the output high-frequency power P is smaller in the state X1 than in the state X2, and in the state X3, the state X2
  • the high frequency power P to be output is larger than
  • the output high-frequency power P increases with time while the impedance Z is low.
  • the output high-frequency power P changes from a state that increases with time to a state that decreases with time, and until the output of the high-frequency power P is stopped, Decreases over time.
  • the high frequency power supply 31 before the increase rate ⁇ is detected, the high frequency power supply 31 is in a state where the power value of the high frequency power P is constant at the fixed value P0 in any of the states X1 to X3. The output from is controlled.
  • control for causing the heater 23 to reach the target temperature T0 and maintaining it at the target temperature T0 is performed with respect to the output to the heater 23.
  • the temperature of the heater 23 is controlled.
  • an increase rate ⁇ until the temperature T reaches the target temperature T0 is detected.
  • the rate of increase ⁇ of the temperature T changes according to the amount of tissue and the degree of wetness of the treatment target, and thus changes according to the state of the treatment target including the heat load of the treatment target. Therefore, by detecting the increase rate ⁇ , the state of the treatment target is appropriately detected even when both the high-frequency power P and the heater power P ′ are supplied to the treatment instrument 2.
  • the threshold value Zth of the impedance Z used for determining the output stop from the high frequency power supply 31 in a state where the treatment target is denatured by the high frequency current is based on the detected increase rate ⁇ of the temperature T. Based on the setting and the impedance Z reaching the threshold value Zth, the output of the high-frequency power P is stopped. Since the threshold value Zth of the impedance Z is set based on the increase rate ⁇ , the threshold value Zth is set to an appropriate value corresponding to the state of the treatment target.
  • the output time of the high frequency power P becomes an appropriate length corresponding to the state of the treatment target, and the treatment target
  • the time during which the high-frequency current is applied that is, the time during which the treatment target is denatured by the heat caused by the high-frequency current also has an appropriate length corresponding to the state of the treatment target. Therefore, in this embodiment, even when both the high frequency power P and the heater power P ′ are supplied to the treatment instrument 2, the output of the high frequency power P is appropriately controlled based on the state of the treatment target.
  • the rate of increase ⁇ of the temperature T is detected in the output control from the heater power supply 41 based on the target temperature T0, and the output to the electrodes 21 and 22 is stopped based on the detected rate of increase ⁇ .
  • the threshold value Zth of the impedance Z used for determination is set, it is not limited to this.
  • the processor 25 performs the peak power P ′ of the heater power P ′ described above.
  • the integrated value W ′ of the heater power P ′ is detected as a parameter related to the output to the heater 23.
  • the integrated value W ′ of the heater power P ′ is an integrated value between two time points until the peak power P′p is reached, and an integrated value between two time points including the peak power P′p. , And any of the integrated values between two points in time after reaching the peak power P′p.
  • the processor 25 replaces the process of S105 with the high frequency power supply 31 based on the above-described parameter (any of P′p, Y, ⁇ , ⁇ , and W ′) related to the detected output to the heater 23.
  • each of the peak power P′p, the arrival time Y, the increase rate ⁇ , the decrease rate ⁇ , and the integrated value W ′ changes in accordance with the tissue amount of the treatment target, the wetness of the treatment target, and the like. Therefore, it changes corresponding to the state of the treatment target including the heat load of the treatment target.
  • each of these parameters P′p, Y, ⁇ , ⁇ , W ′
  • the processor 25 increases the threshold value Zth of the impedance Z as the parameter (any of P′p, Y, ⁇ , ⁇ , and W ′) related to the detected output to the heater 23 increases.
  • the output of the high-frequency power P is stopped based on the fact that the impedance Z has reached the set threshold value Zth.
  • the treatment tool 2 by detecting a parameter (any of P′p, Y, ⁇ , ⁇ , and W ′) related to the output to the heater 23, the treatment tool 2 is supplied with the high frequency power P and the heater power P ′. Even in the state where both are supplied, the state of the treatment target is appropriately detected. Further, since the threshold value Zth of the impedance Z is set based on the parameter (any one of P′p, Y, ⁇ , ⁇ , and W ′), the threshold value Zth is set to an appropriate value corresponding to the state of the treatment target. Is done.
  • the output time of the high-frequency power P is an appropriate length corresponding to the state of the treatment target also in this modification.
  • the time during which the high frequency current is applied to the treatment target that is, the time during which the treatment target is denatured by the heat resulting from the high frequency current also has an appropriate length corresponding to the state of the treatment target. Therefore, also in this modified example, in the state where both the high frequency power P and the heater power P ′ are supplied to the treatment instrument 2, the output of the high frequency power P is appropriately controlled based on the state of the treatment target.
  • the processor 25 detects a plurality of ⁇ , ⁇ , W ′). Then, the processor 25 outputs the output from the high frequency power supply 31 to the electrodes 21 and 22 based on the detected plurality of parameters (any two or more of ⁇ , P′p, Y, ⁇ , ⁇ , and W ′).
  • a threshold value Zth of impedance Z used for determination of stop is set.
  • the processor 25 adds parameters ( ⁇ , P′p, Y, ⁇ , ⁇ , W) in addition to parameters (any one of ⁇ , P′p, Y, ⁇ , ⁇ , W ′).
  • the threshold value Zth is set based on the impedance Z before any one of 'is detected.
  • the processor 25 detects the impedance Z based on the output from the high-frequency power supply 31 before the parameter (any one of ⁇ , P′p, Y, ⁇ , ⁇ , and W ′) is detected. To do.
  • the initial value Ze of the impedance Z and / or the parameter (any of ⁇ , P′p, Y, ⁇ , ⁇ , W ′) is the same as the output start from the high frequency power supply 31 or immediately after the output start.
  • a change with time of the impedance Z from the initial value Ze until it is detected is detected.
  • the threshold value Zth is set based on the change rate ⁇ of the temperature T and the change with time of the impedance Z, the parameters ( ⁇ , P′p, Y, ⁇ , If the change in the impedance Z before any one of ⁇ and W ′ is detected is different, the set threshold value Zth is different.
  • the threshold value Zth of the impedance Z is used to determine whether to stop the output from the high-frequency power supply 31 to the electrodes 21 and 22, but this is not restrictive.
  • the processor 25 outputs the time to the electrodes 21 and 22 from the start of the output control of the high-frequency power P based on the target trajectory of the impedance Z instead of the process of S105 for setting the threshold value Zth of the impedance Z.
  • a threshold value Qth is set.
  • the processor 25 controls the parameter ( ⁇ ) related to the temperature T of the heater 23 and the parameter (P′p, p) related to the output to the heater 23 in the output control from the heater power supply 41 based on the target temperature T0.
  • the processor 25 sets a threshold value Qth of the output time Q to the electrodes 21 and 22 based on the detected parameter (any one of ⁇ , P′p, Y, ⁇ , ⁇ , and W ′).
  • the processor 25 sets the threshold value Qth of the output time Q to be longer as the heat load to be treated is larger. Therefore, when detecting the increase rate ⁇ of the temperature T as a parameter related to the temperature T, the processor 25 sets the threshold value Qth longer as the increase rate ⁇ is smaller.
  • the processor 25 sets the threshold value Qth longer as the peak power P′p is larger.
  • the processor 25 uses the threshold value Qth of the set output time Q to the electrodes 21 and 22. Determine whether to stop the output. At this time, when the output time Q to the electrodes 21 and 22 from the start of the output control of the high-frequency power P based on the target trajectory of the impedance Z is shorter than the threshold value Qth, the processor 25 performs the same processing as the processing of S106 to S108. Is continuously performed, the output to the electrodes 21 and 22 is continued, and the treatment target is continuously denatured by applying a high-frequency current.
  • the processor 25 continues the output from the high frequency power supply 31 to the electrodes (bipolar electrodes) 21 and 22 until the output time Q reaches the threshold value Qth, that is, until the condition based on the set threshold value Qth is satisfied.
  • the processor 25 performs the same process as S110 and stops the output from the high frequency power supply 31 to the electrodes 21 and 22.
  • the threshold value Qth of the output time Q from the start of the output control of the high frequency power P based on the target trajectory of the impedance Z is a parameter (any one of ⁇ , P′p, Y, ⁇ , ⁇ , W ′). Therefore, the threshold value Qth is set to an appropriate value corresponding to the state of the treatment target. For this reason, by stopping the output of the high-frequency power P based on the fact that the output time Q has reached the threshold value Qth, this modification also causes the time during which the high-frequency current is applied to the treatment target, that is, the high-frequency current. The time for which the treatment target is denatured by heat becomes an appropriate length corresponding to the state of the treatment target. Therefore, also in this modified example, in the state where both the high frequency power P and the heater power P ′ are supplied to the treatment instrument 2, the output of the high frequency power P is appropriately controlled based on the state of the treatment target.
  • the processor 25 uses parameters ( ⁇ , P′p, Y, ⁇ , and so on) instead of the threshold value Qth of the output time Q from the start of the output control of the high-frequency power P based on the target trajectory of the impedance Z.
  • Threshold value Qath is set for output time Qa from the start of output of high-frequency power P based on either ⁇ or W ′. Therefore, in the embodiment in which the threshold value (Qth; Qath) is set for the output time (Q; Qa), the processor 25 is based on the parameter (any one of ⁇ , P′p, Y, ⁇ , ⁇ , and W ′).
  • a threshold value (Qth; Qath) is set for an output time (Q; Qa) from a certain time after the start of output from the high-frequency power supply 31.
  • the processor 25 determines the threshold value Zth of the impedance Z and the threshold value of the output time (Q; Qa) based on the parameter (any one of ⁇ , P′p, Y, ⁇ , ⁇ , and W ′). Both (Qth; Qath) are set.
  • the processor 25 stops the output of the high-frequency power P based on the impedance Z reaching the threshold value Zth or the output time (Q; Qa) reaching the threshold value (Qth; Qath).
  • the increase rate ⁇ that is the target value is set to the fixed value ⁇ 0, but this is not limited thereto. It is not a thing.
  • the processor 25 sets an increase rate ⁇ of the impedance Z in the target trajectory based on the detected parameter (any one of ⁇ , P′p, Y, ⁇ , ⁇ , and W ′). Then, based on the set increase rate ⁇ , the processor 25 sets a target trajectory for the impedance Z.
  • the target trajectory of the impedance Z that is set is different.
  • the increase rate ⁇ of the target trajectory is set to be larger as the heat load of the treatment target is larger. Therefore, when detecting the increase rate ⁇ of the temperature T as a parameter related to the temperature T, the processor 25 sets the increase rate ⁇ to be larger as the increase rate ⁇ is smaller. Further, when the peak power P′p of the heater power P ′ is detected as a parameter related to the output to the heater 23, the processor 25 sets the increase rate ⁇ larger as the peak power P′p is larger.
  • the process of S107 that performs output control of the high-frequency power P based on the target trajectory is performed.
  • the processor 25 performs constant voltage control for setting the output voltage V to a constant voltage value Va, and sets the output power (high frequency power P) from the high frequency power supply 31 to a constant power value Pa.
  • constant power control or constant current control for setting the output current I to a constant current value Ia is performed.
  • the processor 25 sets the voltage value Va, which is the target value, to the fixed value Va0 regardless of the detected parameter (any one of ⁇ , P′p, Y, ⁇ , ⁇ , and W ′).
  • the voltage value Va may be set based on the detected parameter (any one of ⁇ , P′p, Y, ⁇ , ⁇ , and W ′).
  • the processor 25 increases the voltage value Va as the heat load to be treated increases. Set. For example, when detecting the increase rate ⁇ of the temperature T as a parameter related to the temperature T, the processor 25 sets the voltage value Va larger as the increase rate ⁇ is smaller.
  • the processor 25 sets the power value Pa, which is a target value, to a fixed value Pa0 regardless of the detected parameter (any one of ⁇ , P′p, Y, ⁇ , ⁇ , and W ′).
  • the power value Pa may be set based on the detected parameter (any one of ⁇ , P′p, Y, ⁇ , ⁇ , and W ′).
  • the processor 25 increases the power value Pa as the heat load to be treated increases. Set a larger value.
  • the processor 25 sets the current value Ia, which is a target value, to a fixed value Ia0 regardless of the detected parameter (any one of ⁇ , P′p, Y, ⁇ , ⁇ , and W ′).
  • the current value Ia may be set based on the detected parameter (any one of ⁇ , P′p, Y, ⁇ , ⁇ , and W ′).
  • the processor 25 increases the current value Ia as the heat load to be treated increases. Set a larger value.
  • the treatment target is dehydrated to some extent when a certain amount of time has elapsed since the start of any of the above-described constant voltage control, constant power control, and constant current control. For this reason, after a certain amount of time has elapsed since the start of any of the constant voltage control, constant power control, and constant current control, the impedance Z increases with time due to continuous application of the high-frequency current.
  • the processor 25 performs the above-described constant voltage control based on the impedance Z, Switches between constant power control and constant current control. In this case, the processor 25 switches between constant voltage control, constant power control, and constant current control based on the switching value Zs1 and the switching value Zs2 larger than the switching value Zs1. For example, in a state where the impedance Z is smaller than the switching value Zs1, the processor 25 performs the above-described constant current control for the output from the high frequency power supply 31.
  • the processor 25 performs the above-described constant power control on the output from the high frequency power supply 31.
  • the processor 25 performs the above-described constant voltage control on the output from the high frequency power supply 31.
  • the threshold value Zth of the impedance Z is set, the threshold value Zth is set to be larger than the switching values Zs1 and Zs2.
  • the processor 25 increases the output voltage V from the high frequency power supply 31 at a constant increase rate.
  • a target trajectory that increases with time is set by ⁇ .
  • the processor 25 controls the output from the high frequency power supply 31 so that the output voltage V is along the target trajectory.
  • the increase rate ⁇ of the output voltage V may be a fixed value ⁇ 0 or may be set based on the detected parameter (any one of ⁇ , P′p, Y, ⁇ , ⁇ , and W ′). Good.
  • the processor 25 When setting the increase rate ⁇ of the output voltage V based on the parameter (any one of ⁇ , P′p, Y, ⁇ , ⁇ , and W ′), the processor 25 increases the target as the heat load to be treated increases.
  • the increase rate ⁇ which is a value is set large.
  • a value (start point value) Vst of the output voltage V at the start point of the target trajectory at the start of output from the high frequency power supply 31 based on the target trajectory is defined.
  • the value Vst of the output voltage V at the start point of the target trajectory may be a fixed value Vst0, and the detected parameter (any of ⁇ , P′p, Y, ⁇ , ⁇ , W ′).
  • the processor 25 determines that the thermal load to be treated is The larger the value is, the larger the starting value Vst that is the target value is set.
  • the processor 25 causes the processor 25 to The output control from the high frequency power supply 31 is switched to the constant voltage control at the voltage value Va.
  • the output from the high frequency power supply 31 is started simultaneously with or immediately after the start of the output from the heater power supply 41, and any one of the parameters ( ⁇ , P′p, Y, ⁇ , ⁇ , W ′) is started.
  • the processor 25 starts output to the heater 23 and detects a parameter (any one of ⁇ , P′p, Y, ⁇ , ⁇ , and W ′), and then supplies the output to the electrodes 21 and 22. May be started.
  • the processor 25 instead of the process of S102, the processor 25 maintains the output stop from the high frequency power supply 31.
  • the processor 25 controls the output from the high frequency power supply 31 so that the impedance Z is along the target trajectory described above, and the high frequency current is applied.
  • the treatment subject is denatured.
  • the processor 25 stops the output from the high-frequency power supply 31 by satisfying the predetermined condition based on the threshold value Zth of the impedance Z or the threshold value (Qth; Qath) of the output time (Q; Qa). . That is, the output of the high-frequency power P is continued until the predetermined condition based on the threshold value Zth or the threshold value (Qth; Qath) is satisfied, and the treatment target is continuously denatured by the application of the high-frequency current.
  • the output from the high frequency power supply 31 is stopped by satisfying a predetermined condition based on the threshold value Zth of the impedance Z or the threshold value (Qth; Qath) of the output time (Q; Qa).
  • the processor 25 reduces the output from the high-frequency power source 31 by satisfying the predetermined condition based on the threshold value Zth of the impedance Z or the threshold value (Qth; Qath) of the output time (Q; Qa).
  • the high-frequency current flowing through the treatment object is reduced to such an extent that the treatment object is not denatured.
  • the processor 25 stops the output from the high frequency power supply 31 based on the passage of a certain amount of time from the decrease in the output to the electrodes 21 and 22 or the operation of an operator or the like.
  • the energy output source (31, 41) of the energy source device (3) outputs the high frequency power (P) to the bipolar electrode (21, 22), thereby the bipolar electrode (21, 22).
  • a high-frequency current is passed through the treatment target between and the heater power (P ′) is output to the heater (23) to generate heat in the heater (23).
  • the processor (25) controls the output to the heater (23) so that the heater (23) reaches the target temperature (T0) and is maintained at the target temperature (T0), and at the target temperature (T0).
  • a parameter ( ⁇ ; P′p; Y; ⁇ ; ⁇ ; W ′) related to at least one of the temperature (T) of the heater (23) and the output to the heater (23) is detected.
  • the processor (25) sets a threshold value (Zth; Qth; Qath) that is used to determine whether the output to the bipolar electrodes (21, 22) is stopped or lowered in a state where the treatment target is denatured by applying a high-frequency current.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention in the implementation stage.
  • the embodiments may be appropriately combined as much as possible, and in that case, the combined effect can be obtained.
  • the above embodiments include inventions at various stages, and various inventions can be extracted by appropriately combining a plurality of disclosed constituent elements.

Abstract

エネルギー源装置は、バイポーラ電極及びヒータを備える処置具と一緒に用いられる。前記エネルギー源装置のプロセッサは、前記ヒータへの出力に関して前記ヒータを目標温度に到達させ、かつ、前記目標温度で維持する出力制御を行うとともに、前記目標温度に基づく出力制御において前記ヒータの温度及び前記ヒータへの出力の少なくとも一方に関連するパラメータを検出する。前記プロセッサは、検出した前記パラメータに基づいて、前記バイポーラ電極への出力の停止又は低下の判断に用いられる閾値を設定する。

Description

エネルギー源装置
　本発明は、バイポーラ電極及びヒータを備える処置具と一緒に用いられるエネルギー源装置に関する。
　ＵＳ２００９／０２４８００２Ａ１には、一対の把持片の間で生体組織等の処置対象を把持可能な処置具、及び、その処置具に電気エネルギーを供給するエネルギー源装置が開示されている。この処置具では、把持片のそれぞれに電極が設けられるとともに、把持片の少なくとも一方にヒータが設けられる。エネルギー源装置は、電極（バイポーラ電極）に高周波電力を出力するとともに、ヒータにヒータ電力を出力する。これにより、把持される処置対象を通して電極の間で高周波電流が流れるとともに、ヒータで発生した熱が把持される処置対象に付与される。すなわち、高周波電流及びヒータ熱の両方が、処置対象に付与される。
　ＵＳ２００９／０２４８００２Ａ１では、エネルギー源装置は、高周波電力を用いて処置対象の状態を検出し、検出した処置対象の状態に基づいて、高周波電力の出力を制御する。ここで、処置対象に高周波電流及びヒータ熱の両方が付与されている状態では、高周波電力を用いた処置対象の状態の検出において、ヒータ熱が影響を及ぼす可能性がある。高周波電力を用いた状態の検出にヒータ熱が影響を及ぼす場合、処置対象の状態に基づく高周波電力の出力制御にもヒータ熱が影響を及ぼす。
　本発明の目的とするところは、処置具に高周波電力及びヒータ電力の両方を出力している状態でも、処置対象の状態が適切に検出され、かつ、処置対象の状態に基づいて高周波電力の出力が適切に制御されるエネルギー源装置を提供することにある。
　前記目的を達成するため、本発明のある態様は、一対の把持片の間で処置対象を把持可能なエンドエフェクタを備え、前記エンドエフェクタはヒータ及びバイポーラ電極を備える処置具の使用時に、前記処置具と一緒に用いられるエネルギー源装置であって、前記バイポーラ電極に高周波電力を出力することにより、前記バイポーラ電極の間で前記処置対象を通して高周波電流を流すとともに、前記ヒータにヒータ電力を出力することにより、前記ヒータで熱を発生させるエネルギー出力源と、前記ヒータへの出力に関して前記ヒータを目標温度に到達させ、かつ、前記目標温度で維持する出力制御を行うとともに、前記目標温度に基づく前記出力制御において前記ヒータの温度及び前記ヒータへの前記出力の少なくとも一方に関連するパラメータを検出し、前記高周波電流の付与によって前記処置対象を変性させている状態において前記バイポーラ電極への前記出力の停止又は低下の判断に用いられる閾値を、検出した前記パラメータに基づいて設定するプロセッサと、を備える。
図１は、第１の実施形態に係る処置システムを示す概略図である。 図２は、第１の実施形態に係るエネルギー源装置から処置具に電気エネルギーを供給する構成を概略的に示すブロック図である。 図３は、第１の実施形態に係るエネルギー源装置のプロセッサによって行われる処理を示すフローチャートである。 図４は、第１の実施形態に係るプロセッサが処理を行う場合のヒータの温度の経時的変化の一例を示す概略図である。 図５は、第１の実施形態において図４のようにヒータの温度が経時的に変化した場合での、ヒータ電源から出力されるヒータ電力の経時的変化の一例を示す概略図である。 図６は、第１の実施形態において図４のようにヒータの温度が経時的に変化した場合での、設定されるインピーダンスの目標軌道の一例を示す概略図である。 図７は、第１の実施形態において図４のようにヒータの温度が経時的に変化した場合での、高周波電源から出力される高周波電力の経時的変化の一例を示す概略図である。
　（第１の実施形態）　
　本発明の第１の実施形態について、図１乃至図７を参照して説明する。
　図１は、本実施形態の処置システム１を示す図である。図１に示すように、処置システム１は、処置具２と、処置具２へ電気エネルギーを供給するエネルギー源装置３と、を備える。処置具２の使用時には、エネルギー源装置３が一緒に使用される。処置具２は、シャフト５を備え、シャフト５は、中心軸として長手軸Ｃを有する。長手軸Ｃに沿う方向についてシャフト５の一端側（基端側）には、保持可能なハウジング６が連結される。また、シャフト５においてハウジング６が位置する側とは反対側の端部、すなわち、シャフト５の先端部には、エンドエフェクタ７が設けられる。ハウジング６には、グリップ１１が設けられるとともに、ハンドル１２が回動可能に取付けられる。ハンドル１２がハウジング６に対して回動することにより、ハンドル１２がグリップ１１に対して開く又は閉じる。
　エンドエフェクタ７は、一対の把持片１５，１６を備え、処置具２では、シャフト５の内部又は外部を通って、長手軸Ｃに沿って可動部材１３が延設される。可動部材１３の一端（先端）は、エンドエフェクタ７に接続され、可動部材１３の他端（基端）は、ハウジング６の内部においてハンドル１２に連結される。ハンドル１２をグリップ１１に対して開く又は閉じることにより、可動部材１３がシャフト５の長手軸Ｃに沿って移動し、一対の把持片１５，１６の間が開く又は閉じる。これにより、把持片１５，１６の間で血管等の生体組織を処置対象として把持可能となる。なお、ある実施例では、把持片１５，１６の一方がシャフト５と一体又はシャフト５に対して固定され、把持片１５，１６の他方がシャフト５の先端部に回動可能に取付けられる。また、別のある実施例では、把持片１５，１６の両方がシャフト５の先端部に回動可能に取付けられる。また、ある実施例では、ハウジング６に回転ノブ等の操作部材（図示しない）が取付けられる。この場合、操作部材をハウジング６に対して回転することにより、シャフト５及びエンドエフェクタ７がハウジング６に対して長手軸Ｃの軸回りに回転する。
　ハウジング６には、ケーブル１７の一端が接続される。ケーブル１７の他端は、エネルギー源装置３に分離可能に接続される。また、処置システム１には、処置具２とは別体の操作部材としてフットスイッチ１８が設けられる。フットスイッチ１８は、エネルギー源装置３に電気的に接続される。フットスイッチ１８によって、エネルギー源装置３から処置具２に電気エネルギーを出力させる操作が入力される。なお、ある実施例では、フットスイッチ１８の代わりに、又は、フットスイッチ１８に加えて、ハウジング６に取付けられる操作ボタン等が操作部材として設けられる。そして、操作部材での操作によって、エネルギー源装置３から処置具２に電気エネルギーが出力される。
　図２は、エネルギー源装置３から処置具２に電気エネルギー（本実施形態では後述の高周波電力Ｐ及びヒータ電力Ｐ´）を供給する構成を示す図である。図２に示すように、処置具２では、把持片１５に電極２１が設けられ、把持片１６に電極２２が設けられる。電極２１，２２は、エンドエフェクタ７に設けられるバイポーラ電極である。また、エンドエフェクタ７では、把持片１５，１６の少なくとも一方に、発熱体としてヒータ２３が設けられる。
　エネルギー源装置３は、プロセッサ（コントローラ）２５及び記憶媒体２６を備える。プロセッサ２５は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）又はＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等を含む集積回路等から形成される。プロセッサ２５は、エネルギー源装置３において１つのみ設けられてもよく、エネルギー源装置３において複数設けられてもよい。プロセッサ２５での処理は、プロセッサ２５又は記憶媒体２６に記憶されたプログラムに従って行われる。また、記憶媒体２６には、プロセッサ２５で用いられる処理プログラム、及び、プロセッサ２５での演算で用いられるパラメータ、関数及びテーブル等が記憶される。プロセッサ２５は、フットスイッチ１８等の操作部材において操作が入力されたか否かを、検出する。
　エネルギー源装置３は、エネルギー出力源として高周波電源３１を備える。高周波電源３１は、波形生成器、変換回路及び変圧器等を備え、バッテリー電源又はコンセント電源等からの電力を高周波電力Ｐに変換する。高周波電源３１は、電気供給路３２を介して把持片１５の電極２１に電気的に接続されるとともに、電気供給路３３を介して把持片１６の電極２２に電気的に接続される。電気供給路３２，３３のそれぞれは、ケーブル１７の内部、ハウジング６の内部及びシャフト５の内部を通って延設され、電気配線等から形成される。高周波電源３１は、変換された高周波電力Ｐを出力可能である。把持片１５，１６の間で処置対象が把持された状態では、高周波電源３１から出力された高周波電力Ｐが電気供給路３２，３３を通して電極２１，２２に供給されることにより、電極（バイポーラ電極）２１，２２の間で処置対象を通して高周波電流が流れる。この際、電極２１，２２は、互いに対して異なる電位を有する。処置対象に処置エネルギーとしてある程度の大きさの高周波電流が付与されることにより、高周波電流に起因する熱によって、処置対象が変性される。フットスイッチ１８等で操作が入力されると、プロセッサ２５は、後述のようにして、高周波電源３１から電極２１，２２への出力を制御する。
　高周波電源３１から電極２１，２２へ出力される高周波電力Ｐの電気経路には、電流検出回路３５及び電圧検出回路３６が設けられる。高周波電源３１から高周波電力Ｐが出力されている状態において、電流検出回路３５は、高周波電源３１からの出力電流Ｉの電流値を検出し、電圧検出回路３６は、高周波電源３１からの出力電圧Ｖの電圧値を検出する。そして、電流検出回路３５で検出された電流値を示すアナログ信号、及び、電圧検出回路３６で検出された電圧値を示すアナログ信号は、Ａ／Ｄ変換器（図示しない）等でデジタル信号に変換され、変換されたデジタル信号がプロセッサ２５に伝達される。これにより、プロセッサ２５は、高周波電源３１からの出力電流Ｉ及び出力電圧Ｖに関する情報を取得する。プロセッサ２５は、取得した出力電流Ｉ及び出力電圧Ｖに基づいて、高周波電源３１から電極２１，２２へ出力される高周波電力Ｐの電気経路のインピーダンスを検出し、高周波電力Ｐの電気経路のインピーダンスに基づいて、把持される処置対象のインピーダンス（組織インピーダンス）Ｚを検出する。また、プロセッサ２５は、取得した出力電流Ｉ及び出力電圧Ｖに基づいて、高周波電力Ｐの電力値、すなわち、高周波電源３１から電極２１，２２への出力電力の電力値を検出する。プロセッサ２５は、取得した出力電流Ｉ及び出力電圧Ｖ、及び、検出したインピーダンスＺ及び高周波電力Ｐを用いて、高周波電源３１からの出力を後述のように制御する。
　エネルギー源装置３は、エネルギー出力源としてヒータ電源４１を備える。ヒータ電源４１は、変換回路及び変圧器等を備え、バッテリー電源又はコンセント電源等からの電力をヒータ電力Ｐ´に変換する。ヒータ電源４１は、電気供給路４２，４３を介してヒータ２３に電気的に接続される。電気供給路４２，４３のそれぞれは、ケーブル１７の内部、ハウジング６の内部及びシャフト５の内部を通って延設され、電気配線等から形成される。ヒータ電源４１は、変換されたヒータ電力Ｐ´を出力可能である。ここで、出力されるヒータ電力Ｐ´は、直流電力又は交流電力である。ヒータ電源４１から出力されたヒータ電力Ｐ´が電気供給路４２，４３を通してヒータ２３に供給されることにより、ヒータ２３で熱が発生する。把持片１５，１６の間で処置対象が把持された状態では、ヒータ２３で発生したヒータ熱は、処置対象に付与される。処置対象に処置エネルギーとしてある程度の熱量のヒータ熱が付与されることにより、処置対象が変性される。フットスイッチ１８等で操作が入力されると、プロセッサ２５は、後述のようにして、ヒータ電源４１からヒータ２３への出力を制御する。
　ヒータ電源４１からヒータ２３へ出力されるヒータ電力Ｐ´の電気経路には、電流検出回路４５及び電圧検出回路４６が設けられる。ヒータ電源４１からヒータ電力Ｐ´が出力されている状態において、電流検出回路４５は、ヒータ電源４１からの出力電流Ｉ´の電流値を検出し、電圧検出回路４６は、ヒータ電源４１からの出力電圧Ｖ´の電圧値を検出する。そして、電流検出回路４５で検出された電流値を示すアナログ信号、及び、電圧検出回路４６で検出された電圧値を示すアナログ信号は、Ａ／Ｄ変換器（図示しない）等でデジタル信号に変換され、変換されたデジタル信号がプロセッサ２５に伝達される。これにより、プロセッサ２５は、ヒータ電源４１からの出力電流Ｉ´及び出力電圧Ｖ´に関する情報を取得する。プロセッサ２５は、取得した出力電流Ｉ´及び出力電圧Ｖ´に基づいて、ヒータ電源４１からヒータ２３へ出力されるヒータ電力Ｐ´の電気経路のインピーダンスを検出し、ヒータ電力Ｐ´の電気経路のインピーダンスに基づいてヒータ２３の抵抗Ｒを検出する。ここで、ヒータ２３の抵抗Ｒは、ヒータ２３の温度Ｔに対応して変化し、記憶媒体２６等には、ヒータ２３の温度Ｔと抵抗Ｒとの関係を示す関数又はテーブル等が記憶される。プロセッサ２５は、検出した抵抗Ｒ、及び、記憶された温度Ｔと抵抗Ｒとの関係に基づいて、ヒータ２３の温度Ｔを検出する。また、プロセッサ２５は、取得した出力電流Ｉ´及び出力電圧Ｖ´に基づいて、ヒータ電力Ｐ´の電力値、すなわち、ヒータ電源４１からヒータ２３への出力電力の電力値を検出する。プロセッサ２５は、取得した出力電流Ｉ´及び出力電圧Ｖ´、及び、検出した温度Ｔ（抵抗Ｒ）及びヒータ電力Ｐ´を用いて、高周波電源３１からの出力及びヒータ電源４１からの出力を後述のように制御する。
　次に、エネルギー源装置３及び処置システム１の作用及び効果について説明する。処置システム１を用いて処置を行う際には、処置具２を、ケーブル１７を介してエネルギー源装置３に接続する。そして、術者は、ハウジング６を保持し、腹腔等の体腔の内部にエンドエフェクタ７を挿入する。そして、把持片１５，１６の間に生体組織等の処置対象が位置する状態で、ハンドル１２をグリップ１１に対して閉じる。これにより、把持片１５，１６の間が閉じ、把持片１５，１６の間で処置対象が把持される。処置対象が把持される状態においてフットスイッチ１８等の操作部材で操作が入力されることにより、後述するように、高周波電源３１からの電極２１，２２への出力、及び、ヒータ電源４１からヒータ２３への出力が制御される。電極２１，２２に高周波電力Ｐが供給されることにより、前述のように処置対象に高周波電流が流れ、ヒータ２３にヒータ電力Ｐ´が供給されることにより、前述のようにヒータ２３で発生した熱が処置対象に付与される。そして、高周波電流及びヒータ熱を処置エネルギーとして用いて、処置対象が処置される。
　図３は、エネルギー源装置３のプロセッサ２５によって行われる処理を示すフローチャートである。図３に示すように、プロセッサ２５は、フットスイッチ１８等の操作部材で操作が入力されたか否か、すなわち、操作部材での操作入力がＯＮかＯＦＦかを判断する（Ｓ１０１）。操作が入力されていない場合は（Ｓ１０１－Ｎｏ）、処理はＳ１０１に戻る。すなわち、プロセッサ２５は、操作部材で操作が入力されるまで、待機する。操作部材で操作が入力されると（Ｓ１０１－Ｙｅｓ）、プロセッサ２５は、高周波電源３１から電極２１，２２への高周波電力Ｐの出力を開始させるとともに、ヒータ電源４１からヒータ２３へのヒータ電力Ｐ´の出力を開始させる。本実施形態では、高周波電力Ｐの出力が開始されると、プロセッサ２５は、電力値が固定値Ｐ０で一定になる状態で高周波電源３１から高周波電力Ｐを出力させる（Ｓ１０２）。この際、高周波電力Ｐの電力値、すなわち高周波電源３１からの出力電力の電力値が固定値Ｐ０で一定になる状態に、高周波電源３１からの出力電流Ｉ及び出力電圧Ｖが調整される。
　また、ヒータ電源４１からヒータ電力Ｐ´の出力が開始されると、プロセッサ２５は、ヒータ電源４１からヒータ２３への出力に関して、目標温度Ｔ０でのＰＩＤ制御を行う（Ｓ１０３）。すなわち、ヒータ２３への出力に関して、ヒータ２３の温度Ｔを目標温度Ｔ０に到達させ、かつ、目標温度Ｔ０で維持する出力制御が行われる。目標温度Ｔ０でのＰＩＤ制御では、プロセッサ２５は、前述のようにヒータ電源４１からの出力電流Ｉ´及び出力電圧Ｖ´に基づいて、ヒータ２３の抵抗Ｒを検出し、検出した抵抗Ｒに基づくヒータ２３の温度Ｔを検出する。そして、プロセッサ２５は、目標温度Ｔ０とヒータ２３の温度Ｔとの温度偏差、温度偏差の時間積分値（温度偏差の積算値）、及び、温度偏差の時間微分値（温度偏差の時間変化率）に基づいて、ヒータ２３からの出力電力（ヒータ電力Ｐ´）、出力電流Ｉ´及び出力電圧Ｖ´を調整し、温度Ｔを目標温度Ｔ０に到達させるとともに、温度Ｔを目標温度Ｔ０で維持する。例えば、目標温度Ｔ０と温度Ｔとの温度偏差が大きい状態では、プロセッサ２５は、ヒータ電源４１から大きい電力値でヒータ電力Ｐ´を出力させる。そして、目標温度Ｔ０と温度Ｔとの温度偏差が小さい状態、及び、温度偏差がゼロの状態では、プロセッサ２５は、ヒータ電源４１から小さい電力値でヒータ電力Ｐ´を出力させる。
　目標温度Ｔ０に基づくヒータ電源４１からヒータ２３への出力制御において、プロセッサ２５は、ヒータ２３の温度Ｔに関連するパラメータとして、目標温度Ｔ０に到達するまでの温度Ｔの経時的な上昇率αを検出する（Ｓ１０４）。温度Ｔの上昇率αは、血管の太さ等を含む処置対象の組織量（tissue volume）、及び、処置対象の濡れ度等に対応して変化する。すなわち、上昇率（上昇速度）αは、処置対象の熱負荷を含む処置対象の状態に対応して変化する。ここで、処置対象の熱負荷は、処置対象の温度の上昇し難さを示す。処置対象に同一の熱量が付与された場合、熱負荷が大きいほど、処置対象の温度が上昇し難い。そして、プロセッサ２５は、パラメータとして検出した上昇率αに基づいて、高周波電源３１から電極２１，２２への出力の停止の判断に用いられるインピーダンスＺの閾値Ｚｔｈ（α）を設定する（Ｓ１０５）。この際、検出された上昇率α、及び、記憶媒体２６等に記憶される温度Ｔの上昇率αとインピーダンスＺの閾値Ｚｔｈとの関係を示す関数又はテーブルを用いて、閾値Ｚｔｈ（α）が算出される。本実施形態では、温度Ｔの上昇率αが小さいほど、インピーダンスＺの閾値Ｚｔｈを大きく設定する。なお、ある実施例では、閾値Ｚｔｈは、ゼロを基準とする絶対値である。また、別のある実施例では、高周波電源３１からの出力開始と同時又は出力開始の直後に、プロセッサ２５は、インピーダンスＺの初期値Ｚｅを検出する。そして、初期値Ｚｅに対する相対値として閾値Ｚｔｈを設定する。そして、温度Ｔの上昇率αが算出され、かつ、インピーダンスＺの閾値Ｚｔｈが設定された後においても、プロセッサ２５は、ヒータ電源４１からヒータ２３への出力に関して、前述した目標温度Ｔ０でのＰＩＤ制御を行う（Ｓ１０６）。
　また、温度Ｔの上昇率αが検出されると、プロセッサ２５は、処置対象のインピーダンスＺについて、一定の増加率βで経時的に増加する目標軌道を設定する。そして、プロセッサ２５は、目標軌道に沿ってインピーダンスＺが変化する状態に、高周波電源３１からの出力を切替える。すなわち、プロセッサ２５は、増加率βの目標軌道に沿ってインピーダンスＺが経時的に変化する状態に、高周波電源３１から電極２１，２２への高周波電力Ｐの出力を制御する（Ｓ１０７）。この際、インピーダンスＺが一定の増加率βで増加する状態に、高周波電源３１からの出力電力（高周波電力Ｐ´）、出力電流Ｉ及び出力電圧Ｖが調整される。本実施形態では、プロセッサ２５は、インピーダンスＺの目標軌道の目標値である増加率βを、固定値β０に設定する。インピーダンスＺの目標軌道に基づく高周波電力Ｐの出力制御が行われている状態では、高周波電流の付与によって処置対象が変性される。また、インピーダンスＺの目標軌道に基づいて高周波電源３１からの出力制御が行われている状態では、プロセッサ２５は、高周波電源３１からの出力電流Ｉ及び出力電圧Ｖに基づいて、インピーダンスＺを検出する（Ｓ１０８）。なお、ある程度水分が脱水された処置対象において継続して高周波電流が付与されると、高周波電流に起因する熱によって、インピーダンスＺが経時的に増加する。また、本実施形態では、インピーダンスＺの目標軌道に基づく高周波電源３１からの出力制御の開始からある程度の時間が経過した時点では、処置対象の水分は、ヒータ熱及び高周波電流に起因する熱によってある程度脱水される。このため、インピーダンスＺの目標軌道に基づく高周波電源３１からの出力制御の開始からある程度の時間が経過した時点以後では、高周波電流の継続的な付与によって、インピーダンスＺが経時的に増加する。
　インピーダンスＺの目標軌道に基づく高周波電源３１からの出力制御が行われている状態において、プロセッサ２５は、検出したインピーダンスＺが設定された閾値Ｚｔｈ（α）以上か否かを検出する（Ｓ１０９）。インピーダンスＺが閾値Ｚｔｈ（α）より小さい場合は（Ｓ１０９－Ｎｏ）、処理は、Ｓ１０６に戻る。そして、Ｓ１０６以降の処理が、順次に行われる。このため、プロセッサ２５は、インピーダンスＺが閾値Ｚｔｈ（α）に到達するまで、すなわち、設定された閾値Ｚｔｈ（α）に基づく条件を満たすまで、高周波電源３１から電極（バイポーラ電極）２１，２２への出力を継続させ、高周波電流の付与によって継続して処置対象を変性させる。インピーダンスＺが閾値Ｚｔｈ（α）以上の場合は（Ｓ１０９－Ｙｅｓ）、プロセッサ２５は、高周波電源３１から電極２１，２２への出力を停止させる（Ｓ１１０）。この際、プロセッサ２５は、電極２１，２２への出力停止に対応させてヒータ電源４１からヒータ２３への出力を停止させてもよく、ヒータ電源４１からヒータ２３への出力を継続させてもよい。なお、ヒータ２３への出力が継続される場合は、電極２１，２２への出力停止からある程度の時間の経過、又は、術者等の操作に基づいて、プロセッサ２５は、ヒータ電源４１からの出力を停止させる。また、ヒータ２３への出力が継続される場合、プロセッサ２５は、目標温度Ｔ０でのＰＩＤ制御を継続する必要はない。例えば、プロセッサ２５は、電極２１，２２への出力停止に対応させて、ヒータ２３の温度Ｔを目標温度Ｔ０より低い目標温度Ｔａ０まで低下させ、かつ、目標温度Ｔａ０で維持する状態に、ヒータ２３へのヒータ電力Ｐ´の出力を制御してもよい。この場合、目標温度Ｔａ０は、例えば処置対象を変性させない程度の低い温度に設定される。
　図４は、前述のようにプロセッサ２５が処理を行う場合のヒータ２３の温度Ｔの経時的変化の一例を示し、図５は、図４のようにヒータ２３の温度Ｔが経時的に変化した場合での、ヒータ電源４１からヒータ２３へ出力されるヒータ電力Ｐ´の経時的変化の一例を示す。また、図６は、図４のようにヒータ２３の温度Ｔが経時的に変化した場合での、設定されるインピーダンスＺの目標軌道の一例を示し、図７は、図４のようにヒータ２３の温度Ｔが経時的に変化した場合での、高周波電源３１から電極２１，２２へ出力される高周波電力Ｐの経時的変化の一例を示す。図４乃至図７のそれぞれでは、横軸に、ヒータ電源４１からの出力開始を基準とする時間ｔを示す。また、図４では縦軸にヒータ２３の温度Ｔを、図５では縦軸にヒータ電力Ｐ´を、図６では縦軸に処置対象のインピーダンスＺを、図７では縦軸に高周波電力Ｐを、それぞれ示す。そして、図４乃至図７のそれぞれでは、３つの状態（組織状態）Ｘ１～Ｘ３について、経時的変化を示す。状態Ｘ１～Ｘ３では、処置対象の組織量及び／又は処置対象の濡れ度に起因して、処置対象の熱負荷が互いに対して異なる。ここで、状態Ｘ１では、状態Ｘ２に比べ、処置対象である血管が細い等の処置対象の組織量が少ない、及び／又は、処置対象が乾いている。このため、状態Ｘ１では、状態Ｘ２に比べて処置対象の熱負荷が小さい。また、状態Ｘ３では、状態Ｘ２に比べ、処置対象である血管が太い等の処置対象の組織量が多い、及び／又は、処置対象が濡れている。このため、状態Ｘ３では、状態Ｘ２に比べて処置対象の熱負荷が大きい。図４乃至図７のそれぞれでは、状態Ｘ１での経時的変化を実線で、状態Ｘ２での経時的変化を一点鎖線で、状態Ｘ３での経時的変化を破線で、それぞれ示す。
　前述のようにヒータ電源４１からの出力について目標温度Ｔ０でのＰＩＤ制御が行われる場合、処置対象の熱負荷が大きいほど、目標温度Ｔ０に到達するまでの温度Ｔの上昇率αは小さい。実際に、図４乃至図７の一例では、状態Ｘ１での温度Ｔの上昇率α１は、状態Ｘ２での温度Ｔの上昇率α２に比べて大きく、状態Ｘ３での温度Ｔの上昇率α３は、状態Ｘ２での温度Ｔの上昇率α２に比べて小さい。
　また、目標温度Ｔ０でのＰＩＤ制御が行われる場合、ヒータ電力Ｐ´の出力が開始されてから温度Ｔが目標温度Ｔ０にある程度近づくまでは、目標温度Ｔ０と温度Ｔとの温度偏差が大きいため、プロセッサ２５は、ヒータ電源４１からの出力を上昇させる。このため、温度Ｔが目標温度Ｔ０にある程度近づくまでは、ヒータ電力Ｐ´が経時的に増加する。そして、温度Ｔが目標温度Ｔ０にある程度近づくと、目標温度Ｔ０と温度Ｔとの温度偏差が小さくなる。また、温度Ｔが目標温度Ｔ０を超えるオーバーシュートを、抑制する必要がある。したがって、温度Ｔが目標温度Ｔ０にある程度近づくと、プロセッサ２５は、ヒータ電源４１からの出力を低下させる。このため、温度Ｔが目標温度Ｔ０にある程度近づくと、ヒータ電力Ｐ´が経時的に減少する。前述のようにヒータ電力Ｐ´が経時的に変化するため、温度Ｔが目標温度Ｔ０にある程度近づいてから温度Ｔが目標温度Ｔ０に到達するまでの間、例えば温度Ｔが目標温度Ｔ０に到達する直前において、ヒータ電力Ｐ´は、ピーク電力Ｐ´ｐとなる。ピーク電力Ｐ´ｐになった時点において、ヒータ電力Ｐ´は、経時的に増加する状態から経時的に減少する状態に切替わる。
　前述のようにヒータ電源４１からの出力について目標温度Ｔ０でのＰＩＤ制御が行われる場合、処置対象の熱負荷が大きいほど、ヒータ電源４１からの出力が高い。したがって、処置対象の熱負荷が大きいほど、ヒータ電力Ｐ´のピーク電力Ｐ´ｐが大きい。実際に、図４乃至図７の一例では、状態Ｘ１でのヒータ電力Ｐ´のピーク電力Ｐ´ｐ１は、状態Ｘ２でのヒータ電力Ｐ´のピーク電力Ｐ´ｐ２に比べて小さく、状態Ｘ３でのヒータ電力Ｐ´のピーク電力Ｐ´ｐ３は、状態Ｘ２でのピーク電力Ｐ´ｐ２に比べて大きい。また、ヒータ電力Ｐ´がピーク電力Ｐ´ｐからある程度減少した時点より前においては、２つのある時点の間のヒータ電力Ｐ´の積算値Ｗ´は、ピーク電力Ｐ´ｐと同様に、処置対象の熱負荷が大きいほど、大きい。例えば、出力開始からピーク電力Ｐ´ｐに到達するまでの間のヒータ電力Ｐ´の積算値は、処置対象の熱負荷が大きいほど、大きい。また、処置対象の熱負荷が大きいほど、温度Ｔの上昇率αが小さいため、ヒータ電力Ｐ´の出力開始からピーク電力Ｐ´ｐまでの到達時間Ｙは長い。実際に、図４乃至図７の一例では、状態Ｘ１でのピーク電力Ｐ´ｐ１までの到達時間Ｙ１は、状態Ｘ２でのピーク電力Ｐ´ｐ２までの到達時間Ｙ２に比べて短く、状態Ｘ３でのピーク電力Ｐ´ｐ３までの到達時間Ｙ３は、状態Ｘ２での到達時間Ｙ２に比べて長い。
　また、組織量が少ない場合等の処置対象の熱負荷が小さい場合は、出力されるヒータ電力Ｐ´がある程度小さくても、ヒータ２３の温度Ｔが上昇する。このため、処置対象の熱負荷が小さい場合、目標温度Ｔ０でのＰＩＤ制御によって、ヒータ電力Ｐ´の出力開始の直後からピーク電力Ｐ´ｐに到達するまで、ヒータ電力Ｐ´は緩やかに増加する。そして、ヒータ電力Ｐ´がピーク電力Ｐ´ｐに到達した後も、ヒータ電力Ｐ´は緩やかに減少する。一方、組織量が多い場合等の処置対象の熱負荷が大きい場合は、出力されるヒータ電力Ｐ´をある程度大きくしないと、ヒータ２３の温度Ｔが上昇し難い。このため、処置対象の熱負荷が大きい場合、目標温度Ｔ０でのＰＩＤ制御によって、ヒータ電力Ｐ´の出力開始の直後からピーク電力Ｐ´ｐに到達するまで、ヒータ電力Ｐ´は急激に増加する。そして、ヒータ電力Ｐ´がピーク電力Ｐ´ｐに到達した後は、温度Ｔが目標温度Ｔ０を超えるオーバーシュートを抑制するため、プロセッサ２５は、ヒータ電力Ｐ´を急激に減少させる。処置対象の熱負荷に対応して前述のようにヒータ電力Ｐ´が変化するため、処置対象の熱負荷が大きいほど、ピーク電力Ｐ´ｐに到達するまでのヒータ電力Ｐ´の増加率γが大きい。そして、処置対象の熱負荷が大きいほど、ピーク電力Ｐ´ｐに到達した後のヒータ電力Ｐ´の減少率εが大きい。実際に、図４乃至図７の一例では、状態Ｘ１でのヒータ電力Ｐ´の増加率γ１は、状態Ｘ２でのヒータ電力Ｐ´の増加率γ２に比べて小さく、状態Ｘ３でのヒータ電力Ｐ´の増加率γ３は、状態Ｘ２での増加率γ２に比べて大きい。そして、状態Ｘ１でのヒータ電力Ｐ´の減少率ε１は、状態Ｘ２でのヒータ電力Ｐ´の減少率ε２に比べて小さく、状態Ｘ３でのヒータ電力Ｐ´の減少率ε３は、状態Ｘ２での減少率ε２に比べて大きい。
　また、処置対象の熱負荷が大きいほど、温度Ｔの上昇率αが小さいため、プロセッサ２５は、電極２１，２２への出力の停止の判断に用いられるインピーダンスＺの閾値Ｚｔｈを大きく設定する。実際に、状態Ｘ１で設定されるインピーダンスＺの閾値Ｚｔｈ（α１）は、状態Ｘ２で設定されるインピーダンスＺの閾値Ｚｔｈ（α２）に比べて、小さい。そして、状態Ｘ３で設定されるインピーダンスＺの閾値Ｚｔｈ（α３）は、状態Ｘ２で設定される閾値Ｚｔｈ（α２）に比べて、大きい。
　前述のように本実施形態では、温度Ｔの上昇率αが検出されると、プロセッサ２５によって、一定の増加率β（固定値β０）で増加するインピーダンスＺの目標軌道に基づいて、高周波電力Ｐの出力制御が行われる。インピーダンスＺの目標軌道に基づく高周波電力Ｐの出力制御では、設定された閾値Ｚｔｈ（α）が大きいほど、インピーダンスＺの閾値Ｚｔｈ（α）までの到達時間が長い。このため、インピーダンスＺの閾値Ｚｔｈ（α）への到達に基づいて高周波電力Ｐの出力が停止される制御では、設定された閾値Ｚｔｈ（α）が大きいほど、高周波電源３１からの出力が停止されるまでの時間が長く、高周波電源３１からの出力時間が長い。したがって、設定された閾値Ｚｔｈ（α）が大きいほど、高周波電流が処置対象に付与される時間が長い。実際に、図４乃至図７の一例では、状態Ｘ１での高周波電源３１からの出力時間は、状態Ｘ２での高周波電源３１からの出力時間に比べて短く、状態Ｘ３での高周波電源３１からの出力時間は、状態Ｘ２での高周波電源３１からの出力時間に比べて長い。
　また、前述したインピーダンスＺの目標軌道に基づく高周波電力Ｐの出力制御では、処置対象の熱負荷が大きいほど、出力される高周波電力Ｐは大きい。したがって、前述したインピーダンスＺの目標軌道に基づく高周波電力Ｐの出力制御では、処置対象の熱負荷が大きいほど、処置対象に流れる高周波電流が大きい。実際に、図４乃至図７の一例では、インピーダンスＺの目標軌道に基づく高周波電力Ｐの出力制御において、状態Ｘ１では状態Ｘ２に比べて、出力される高周波電力Ｐが小さく、状態Ｘ３では状態Ｘ２に比べて、出力される高周波電力Ｐが大きい。なお、前述したインピーダンスＺの目標軌道に基づく高周波電力Ｐの出力制御では、インピーダンスＺが低い間は、出力される高周波電力Ｐは、経時的に増加する。そして、インピーダンスＺがある程度まで上昇すると、出力される高周波電力Ｐは、経時的に増加する状態から経時的に減少する状態になり、高周波電力Ｐの出力が停止されるまで、高周波電力Ｐは、経時的に減少する。また、図４乃至図７の一例では、上昇率αが検出される前は、状態Ｘ１～Ｘ３のいずれにおいても、高周波電力Ｐの電力値が固定値Ｐ０で一定になる状態に、高周波電源３１からの出力が制御される。
　前述のように本実施形態では、ヒータ２３への出力に関してヒータ２３を目標温度Ｔ０に到達させ、かつ、目標温度Ｔ０で維持する制御が行われ、目標温度Ｔ０に基づく制御において、ヒータ２３の温度Ｔに関連するパラメータとして温度Ｔが目標温度Ｔ０に到達するまでの上昇率αを検出する。ここで、温度Ｔの上昇率αは、前述のように、処置対象の組織量及び濡れ度に対応して変化するため、処置対象の熱負荷を含む処置対象の状態に対応して変化する。したがって、上昇率αを検出することにより、処置具２に高周波電力Ｐ及びヒータ電力Ｐ´の両方が供給されている状態でも、処置対象の状態が適切に検出される。
　また、本実施形態では、高周波電流によって前記処置対象を変性させている状態において高周波電源３１からの出力停止の判断に用いられるインピーダンスＺの閾値Ｚｔｈが、検出した温度Ｔの上昇率αに基づいて設定され、インピーダンスＺが閾値Ｚｔｈに到達したことに基づいて、高周波電力Ｐの出力が停止される。上昇率αに基づいてインピーダンスＺの閾値Ｚｔｈが設定されるため、閾値Ｚｔｈは、処置対象の状態に対応した適切な値に設定される。このため、インピーダンスＺが閾値Ｚｔｈに到達したことに基づいて高周波電力Ｐの出力を停止することにより、高周波電力Ｐの出力時間は、処置対象の状態に対応した適切な長さになり、処置対象に高周波電流が付与される時間、すなわち、処置対象が高周波電流に起因する熱によって変性される時間も、処置対象の状態に対応した適切な長さになる。したがって、本実施形態では、処置具２に高周波電力Ｐ及びヒータ電力Ｐ´の両方が供給されている状態でも、処置対象の状態に基づいて高周波電力Ｐの出力が適切に制御される。
　（変形例）　
　なお、第１の実施形態では、目標温度Ｔ０に基づくヒータ電源４１からの出力制御において温度Ｔの上昇率αを検出し、検出した上昇率αに基づいて電極２１，２２への出力の停止の判断に用いられるインピーダンスＺの閾値Ｚｔｈを設定するが、これに限るものではない。ある変形例では、目標温度Ｔ０に基づくヒータ電源４１からの出力制御において、温度Ｔの上昇率αを検出するＳ１０４の処理の代わりに、プロセッサ２５は、前述したヒータ電力Ｐ´のピーク電力Ｐ´ｐ、ピーク電力Ｐ´ｐまでの到達時間Ｙ、ピーク電力Ｐ´ｐに到達するまでのヒータ電力Ｐ´の増加率γ、ピーク電力Ｐ´ｐに到達した後のヒータ電力Ｐ´の減少率ε及びヒータ電力Ｐ´の積算値Ｗ´のいずれかを、ヒータ２３への出力に関連するパラメータとして検出する。ここで、ヒータ電力Ｐ´の積算値Ｗ´は、ピーク電力Ｐ´ｐに到達するまでの２つのある時点の間の積算値、ピーク電力Ｐ´ｐを含む２つのある時点の間の積算値、及び、ピーク電力Ｐ´ｐに到達した後の２つのある時点の間の積算値のいずれであってもよい。そして、プロセッサ２５は、Ｓ１０５の処理の代わりに、検出したヒータ２３への出力に関連する前述のパラメータ（Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に基づいて、高周波電源３１から電極２１，２２への出力の停止の判断に用いられるインピーダンスＺの閾値Ｚｔｈを設定する。
　前述のように、ピーク電力Ｐ´ｐ、到達時間Ｙ、増加率γ、減少率ε及び積算値Ｗ´のそれぞれは、処置対象の組織量、及び、処置対象の濡れ度等に対応して変化するため、処置対象の熱負荷を含む処置対象の状態に対応して変化する。ただし、前述のように、これらのパラメータ（Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´）のそれぞれは、処置対象の熱負荷が大きいほど、大きい。したがって、本変形例では、プロセッサ２５は、検出したヒータ２３への出力に関連するパラメータ（Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）が大きいほど、インピーダンスＺの閾値Ｚｔｈを大きく設定する。そして、本変形例でも、インピーダンスＺが設定された閾値Ｚｔｈに到達したことに基づいて、高周波電力Ｐの出力が停止される。
　本変形例では、ヒータ２３への出力に関連するパラメータ（Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）を検出することにより、処置具２に高周波電力Ｐ及びヒータ電力Ｐ´の両方が供給されている状態でも、処置対象の状態が適切に検出される。また、パラメータ（Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に基づいてインピーダンスＺの閾値Ｚｔｈが設定されるため、閾値Ｚｔｈは、処置対象の状態に対応した適切な値に設定される。このため、インピーダンスＺが閾値Ｚｔｈに到達したことに基づいて高周波電力Ｐの出力を停止することにより、本変形例でも、高周波電力Ｐの出力時間は、処置対象の状態に対応した適切な長さになり、処置対象に高周波電流が付与される時間、すなわち、高周波電流に起因する熱によって処置対象が変性される時間も、処置対象の状態に対応した適切な長さになる。したがって、本変形例でも、処置具２に高周波電力Ｐ及びヒータ電力Ｐ´の両方が供給されている状態において、処置対象の状態に基づいて高周波電力Ｐの出力が適切に制御される。
　また、ある変形例では、目標温度Ｔ０に基づくヒータ電源４１からの出力制御において、ヒータ２３の温度Ｔに関連するパラメータ（α）及びヒータ２３への出力に関連するパラメータ（Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´）の中の複数を、プロセッサ２５は検出する。そして、プロセッサ２５は、検出した複数のパラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´の中のいずれか２以上）に基づいて、高周波電源３１から電極２１，２２への出力の停止の判断に用いられるインピーダンスＺの閾値Ｚｔｈを設定する。
　また、ある変形例では、プロセッサ２５は、パラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に加えて、パラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）が検出される前のインピーダンスＺに基づいて、閾値Ｚｔｈを設定する。本変形例では、プロセッサ２５は、パラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）が検出される前において、高周波電源３１からの出力に基づいて、インピーダンスＺを検出する。この際、高周波電源３１からの出力開始と同時又は出力開始の直後のインピーダンスＺの初期値Ｚｅ、及び／又は、パラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）が検出されるまでの初期値ＺｅからのインピーダンスＺの経時的変化等が、検出される。例えば、温度Ｔの上昇率α及びインピーダンスＺの経時的な変化に基づいて閾値Ｚｔｈが設定される場合は、上昇率αが同一であっても、パラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）が検出される前のインピーダンスＺの変化が異なると、設定される閾値Ｚｔｈが異なる。
　また、前述の実施形態等では、高周波電源３１から電極２１，２２への出力の停止の判断にインピーダンスＺの閾値Ｚｔｈが用いられるが、これに限るものではない。ある変形例では、プロセッサ２５は、インピーダンスＺの閾値Ｚｔｈを設定するＳ１０５の処理等の代わりに、インピーダンスＺの目標軌道に基づく高周波電力Ｐの出力制御の開始からの電極２１，２２への出力時間Ｑについて、閾値Ｑｔｈを設定する。本変形例でも、プロセッサ２５は、目標温度Ｔ０に基づくヒータ電源４１からの出力制御において、ヒータ２３の温度Ｔに関連するパラメータ（α）及びヒータ２３への出力に関連するパラメータ（Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´）のいずれかを検出する。そして、プロセッサは、検出したパラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に基づいて、電極２１，２２への出力時間Ｑの閾値Ｑｔｈを設定する。本変形例では、処置対象の熱負荷が大きいほど、プロセッサ２５は、出力時間Ｑの閾値Ｑｔｈを長く設定する。したがって、温度Ｔに関連するパラメータとして温度Ｔの上昇率αを検出する場合は、プロセッサ２５は、上昇率αが小さいほど、閾値Ｑｔｈを長く設定する。また、ヒータ２３への出力に関連するパラメータとしてヒータ電力Ｐ´のピーク電力Ｐ´ｐを検出する場合は、プロセッサ２５は、ピーク電力Ｐ´ｐが大きいほど、閾値Ｑｔｈを長く設定する。
　また、本変形例では、閾値Ｚｔｈに基づいて高周波電力Ｐの出力停止を判断するＳ１０９の処理の代わりに、プロセッサ２５は、設定された出力時間Ｑの閾値Ｑｔｈを用いて、電極２１，２２への出力停止の判断を行う。この際、インピーダンスＺの目標軌道に基づく高周波電力Ｐの出力制御の開始からの電極２１，２２への出力時間Ｑが閾値Ｑｔｈより短い場合は、プロセッサ２５は、Ｓ１０６～Ｓ１０８の処理と同様の処理を継続して行い、電極２１，２２への出力を継続させ、高周波電流の付与によって処置対象を継続して変性させる。したがって、プロセッサ２５は、出力時間Ｑが閾値Ｑｔｈに到達するまで、すなわち、設定された閾値Ｑｔｈに基づく条件を満たすまで、高周波電源３１から電極（バイポーラ電極）２１，２２への出力を継続させる。出力時間Ｑが閾値Ｑｔｈ以上の場合は、プロセッサ２５は、Ｓ１１０と同様の処理を行い、高周波電源３１から電極２１，２２への出力を停止させる。
　本変形例では、インピーダンスＺの目標軌道に基づく高周波電力Ｐの出力制御の開始からの出力時間Ｑの閾値Ｑｔｈがパラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に基づいて設定されるため、閾値Ｑｔｈは、処置対象の状態に対応した適切な値に設定される。このため、出力時間Ｑが閾値Ｑｔｈに到達したことに基づいて高周波電力Ｐの出力を停止することにより、本変形例でも、処置対象に高周波電流が付与される時間、すなわち、高周波電流に起因する熱によって処置対象が変性される時間が、処置対象の状態に対応した適切な長さになる。したがって、本変形例でも、処置具２に高周波電力Ｐ及びヒータ電力Ｐ´の両方が供給されている状態において、処置対象の状態に基づいて高周波電力Ｐの出力が適切に制御される。
　なお、ある変形例では、プロセッサ２５は、インピーダンスＺの目標軌道に基づく高周波電力Ｐの出力制御の開始からの出力時間Ｑの閾値Ｑｔｈの代わりに、パラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に基づいて、高周波電力Ｐの出力開始時からの出力時間Ｑａについて閾値Ｑａｔｈを設定する。したがって、出力時間（Ｑ；Ｑａ）について閾値（Ｑｔｈ；Ｑａｔｈ）が設定される実施例では、プロセッサ２５は、パラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に基づいて、高周波電源３１からの出力開始時以後のある時点からの出力時間（Ｑ；Ｑａ）について、閾値（Ｑｔｈ；Ｑａｔｈ）を設定する。
　また、ある変形例では、プロセッサ２５は、パラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に基づいて、インピーダンスＺの閾値Ｚｔｈ及び出力時間（Ｑ；Ｑａ）の閾値（Ｑｔｈ；Ｑａｔｈ）の両方を設定する。本変形例では、プロセッサ２５は、インピーダンスＺが閾値Ｚｔｈに到達したこと、又は、出力時間（Ｑ；Ｑａ）が閾値（Ｑｔｈ；Ｑａｔｈ）に到達したことに基づいて、高周波電力Ｐの出力を停止させる。
　また、前述の実施形態等では、インピーダンスＺが増加率βで増加する目標軌道に基づく高周波電力Ｐの出力制御において、目標値である増加率βは固定値β０に設定されるが、これに限るものではない。ある変形例では、プロセッサ２５は、検出したパラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に基づいて、目標軌道におけるインピーダンスＺの増加率βを設定する。そして、設定された増加率βに基づいて、プロセッサ２５は、インピーダンスＺの目標軌道を設定する。このため、検出したパラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）の大きさが異なると、設定されるインピーダンスＺの目標軌道が異なる。ここで、目標軌道の増加率βは、処置対象の熱負荷が大きいほど、大きく設定される。したがって、温度Ｔに関連するパラメータとして温度Ｔの上昇率αを検出する場合は、プロセッサ２５は、上昇率αが小さいほど、増加率βを大きく設定する。また、ヒータ２３への出力に関連するパラメータとしてヒータ電力Ｐ´のピーク電力Ｐ´ｐを検出する場合は、プロセッサ２５は、ピーク電力Ｐ´ｐが大きいほど、増加率βを大きく設定する。
　また、ある変形例では、パラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）が検出されると、目標軌道に基づいて高周波電力Ｐの出力制御を行うＳ１０７の処理の代わりに、プロセッサ２５は、高周波電源３１からの出力について、出力電圧Ｖを一定の電圧値Ｖａにする定電圧制御、高周波電源３１からの出力電力（高周波電力Ｐ）を一定の電力値Ｐａにする定電力制御、及び、出力電流Ｉを一定の電流値Ｉａにする定電流制御のいずれかを行う。定電圧制御を行う場合、プロセッサ２５は、検出したパラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に関係なく目標値である電圧値Ｖａを固定値Ｖａ０に設定してもよく、検出したパラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に基づいて電圧値Ｖａを設定してもよい。パラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に基づいて電圧値Ｖａを設定する場合は、プロセッサ２５は、処置対象の熱負荷が大きいほど、電圧値Ｖａを大きく設定する。例えば、温度Ｔに関連するパラメータとして温度Ｔの上昇率αを検出する場合は、プロセッサ２５は、上昇率αが小さいほど、電圧値Ｖａを大きく設定する。
　同様に、定電力制御を行う場合、プロセッサ２５は、検出したパラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に関係なく目標値である電力値Ｐａを固定値Ｐａ０に設定してもよく、検出したパラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に基づいて電力値Ｐａを設定してもよい。そして、パラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に基づいて電力値Ｐａを設定する場合は、プロセッサ２５は、処置対象の熱負荷が大きいほど、電力値Ｐａを大きく設定する。同様に、定電流制御を行う場合、プロセッサ２５は、検出したパラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に関係なく目標値である電流値Ｉａを固定値Ｉａ０に設定してもよく、検出したパラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に基づいて電流値Ｉａを設定してもよい。そして、パラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に基づいて電流値Ｉａを設定する場合は、プロセッサ２５は、処置対象の熱負荷が大きいほど、電流値Ｉａを大きく設定する。なお、本変形例でも、前述の定電圧制御、定電力制御及び定電流制御のいずれかの開始からある程度の時間が経過した時点では、処置対象はある程度脱水される。このため、定電圧制御、定電力制御及び定電流制御のいずれかの開始からある程度の時間が経過した時点以後では、高周波電流の継続的な付与によって、インピーダンスＺが経時的に増加する。
　また、ある変形例では、パラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）が検出された後において、プロセッサ２５は、インピーダンスＺに基づいて、前述の定電圧制御、定電力制御及び定電流制御の間を切替える。この場合、プロセッサ２５は、切替え値Ｚｓ１及び切替え値Ｚｓ１より大きい切替え値Ｚｓ２に基づいて、定電圧制御、定電力制御及び定電流制御の間を切替える。例えば、インピーダンスＺが切替え値Ｚｓ１より小さい状態では、プロセッサ２５は、高周波電源３１からの出力について前述の定電流制御を行う。また、インピーダンスＺが切替え値Ｚｓ１以上で、かつ、切替え値Ｚｓ２より小さい状態では、プロセッサ２５は、高周波電源３１からの出力について前述の定電力制御を行う。そして、インピーダンスＺが切替え値Ｚｓ２以上の状態では、プロセッサ２５は、高周波電源３１からの出力について前述の定電圧制御を行う。なお、本変形例において、インピーダンスＺの閾値Ｚｔｈが設定される場合は、閾値Ｚｔｈは、切替え値Ｚｓ１，Ｚｓ２より大きく設定される。
　また、ある変形例では、パラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）が検出されると、プロセッサ２５は、高周波電源３１からの出力電圧Ｖについて一定の増加率ηで経時的に増加する目標軌道を設定する。そして、プロセッサ２５は、出力電圧Ｖが目標軌道に沿う状態に、高周波電源３１からの出力を制御する。ここで、出力電圧Ｖの増加率ηは、固定値η０であってもよく、検出したパラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に基づいて設定されてもよい。パラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に基づいて出力電圧Ｖの増加率ηを設定する場合は、プロセッサ２５は、処置対象の熱負荷が大きいほど、目標値である増加率ηを大きく設定する。また、目標軌道に基づく高周波電源３１からの出力の開始時である目標軌道の始点での出力電圧Ｖの値（始点値）Ｖｓｔを、規定する。本変形例では、目標軌道の始点での出力電圧Ｖの値Ｖｓｔは、固定値Ｖｓｔ０であってもよく、検出したパラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に基づいて設定されてもよい。パラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に基づいて出力電圧Ｖの目標軌道での始点値Ｖｓｔを設定する場合は、プロセッサ２５は、処置対象の熱負荷が大きいほど、目標値である始点値Ｖｓｔを大きく設定する。また、ある変形例では、出力電圧Ｖが一定の増加率ηで増加する目標軌道に基づく高周波電源３１からの出力制御を行っている状態において、所定の条件を満たすことにより、プロセッサ２５は、前述した電圧値Ｖａでの定電圧制御に高周波電源３１からの出力制御を切替える。
　また、前述の実施形態等では、ヒータ電源４１からの出力開始と同時又は直後に高周波電源３１からの出力が開始され、パラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）が検出される前において高周波電源３１から高周波電力Ｐが出力されているが、これに限るものではない。ある変形例では、プロセッサ２５は、ヒータ２３への出力を開始させ、かつ、パラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）を検出した後に、電極２１，２２への出力を開始させてもよい。この場合、Ｓ１０２の処理の代わりに、プロセッサ２５は、高周波電源３１からの出力停止を維持する。本変形例では、高周波電源３１からの出力が開始されると、プロセッサ２５は、例えば、インピーダンスＺが前述した目標軌道に沿う状態に、高周波電源３１からの出力を制御し、高周波電流の付与によって処置対象を変性させる。本変形例でも、インピーダンスＺの閾値Ｚｔｈ又は出力時間（Ｑ；Ｑａ）の閾値（Ｑｔｈ；Ｑａｔｈ）に基づく前述の所定の条件を満たすことにより、プロセッサ２５は、高周波電源３１からの出力を停止させる。すなわち、閾値Ｚｔｈ又は閾値（Ｑｔｈ；Ｑａｔｈ）に基づく前述の所定の条件を満たすまで、高周波電力Ｐの出力が継続され、高周波電流の付与によって処置対象が継続して変性される。
　また、前述の実施形態等では、インピーダンスＺの閾値Ｚｔｈ又は出力時間（Ｑ；Ｑａ）の閾値（Ｑｔｈ；Ｑａｔｈ）に基づく所定の条件を満たすことにより、高周波電源３１からの出力が停止されるが、これに限るものではない。ある変形例では、インピーダンスＺの閾値Ｚｔｈ又は出力時間（Ｑ；Ｑａ）の閾値（Ｑｔｈ；Ｑａｔｈ）に基づく前述の所定の条件を満たすことにより、プロセッサ２５は、高周波電源３１からの出力を低下させ、処置対象を変性させない程度まで処置対象に流れる高周波電流を減少させる。本変形例では、電極２１，２２への出力低下からある程度の時間の経過、又は、術者等の操作に基づいて、プロセッサ２５は、高周波電源３１からの出力を停止させる。
　前述の実施形態等では、エネルギー源装置（３）のエネルギー出力源（３１，４１）は、バイポーラ電極（２１，２２）に高周波電力（Ｐ）を出力することにより、バイポーラ電極（２１，２２）の間で処置対象を通して高周波電流を流すとともに、ヒータ（２３）にヒータ電力（Ｐ´）を出力することにより、ヒータ（２３）で熱を発生させる。プロセッサ（２５）は、ヒータ（２３）への出力に関してヒータ（２３）を目標温度（Ｔ０）に到達させ、かつ、目標温度（Ｔ０）で維持する出力制御を行うとともに、目標温度（Ｔ０）に基づく出力制御においてヒータ（２３）の温度（Ｔ）及びヒータ（２３）への出力の少なくとも一方に関連するパラメータ（α；Ｐ´ｐ；Ｙ；γ；ε；Ｗ´）を検出する。そして、プロセッサ（２５）は、高周波電流の付与によって処置対象を変性させている状態においてバイポーラ電極（２１，２２）への出力の停止又は低下の判断に用いられる閾値（Ｚｔｈ；Ｑｔｈ；Ｑａｔｈ）を、検出したパラメータ（α；Ｐ´ｐ；Ｙ；γ；ε；Ｗ´）に基づいて、設定する。
　なお、本願発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、各実施形態は可能な限り適宜組み合わせて実施してもよく、その場合組み合わせた効果が得られる。更に、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適当な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。

Claims (7)

  1. 　一対の把持片の間で処置対象を把持可能なエンドエフェクタを備え、前記エンドエフェクタはヒータ及びバイポーラ電極を備える処置具の使用時に、前記処置具と一緒に用いられるエネルギー源装置であって、
    　前記バイポーラ電極に高周波電力を出力することにより、前記バイポーラ電極の間で前記処置対象を通して高周波電流を流すとともに、前記ヒータにヒータ電力を出力することにより、前記ヒータで熱を発生させるエネルギー出力源と、
    　前記ヒータへの出力に関して前記ヒータを目標温度に到達させ、かつ、前記目標温度で維持する出力制御を行うとともに、前記目標温度に基づく前記出力制御において前記ヒータの温度及び前記ヒータへの前記出力の少なくとも一方に関連するパラメータを検出し、前記高周波電流の付与によって前記処置対象を変性させている状態において前記バイポーラ電極への前記出力の停止又は低下の判断に用いられる閾値を、検出した前記パラメータに基づいて設定するプロセッサと、
    　を具備するエネルギー源装置。
  2. 　前記プロセッサは、前記ヒータへの前記出力を開始させ、かつ、前記パラメータを検出した後に、前記バイポーラ電極への前記出力を開始させるとともに、設定された前記閾値に基づく条件を満たすまで、前記バイポーラ電極への前記出力を継続させることにより、前記高周波電流の前記付与によって継続して前記処置対象を変性させる、請求項１のエネルギー源装置。
  3. 　前記プロセッサは、前記パラメータが小さいほど前記閾値を大きく設定する、請求項１のエネルギー源装置。
  4. 　前記プロセッサは、前記パラメータとして、前記目標温度に到達するまでの前記ヒータの前記温度の上昇率を検出する、請求項３のエネルギー源装置。
  5. 　前記プロセッサは、前記パラメータが大きいほど前記閾値を大きく設定する、請求項１のエネルギー源装置。
  6. 　前記プロセッサは、前記パラメータとして、前記ヒータへ出力される前記ヒータ電力のピーク電力、前記ピーク電力までの到達時間、前記ピーク電力に到達するまでの前記ヒータ電力の増加率、前記ピーク電力に到達した後の前記ヒータ電力の減少率、及び、前記ヒータ電力の積算値の少なくとも１つを検出する、請求項５のエネルギー源装置。
  7. 　前記プロセッサは、前記処置対象のインピーダンス、及び、前記バイポーラ電極への出力時間の少なくとも一方について、前記閾値を設定する、請求項１のエネルギー源装置。
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