WO2018105427A1 - 基板上に膜を形成する方法、及び、成膜システム - Google Patents

基板上に膜を形成する方法、及び、成膜システム Download PDF

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WO2018105427A1
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substrate
transfer
chamber
processing chamber
film forming
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PCT/JP2017/042442
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純一 武井
鈴木　直行
哲也 宮下
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東京エレクトロン株式会社
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    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Definitions

  • Embodiments of the present disclosure relate to a method for forming a film on a substrate and a film forming system.
  • a film forming process for forming a film on a substrate is performed.
  • a film forming apparatus used for the film forming process for example, a film forming apparatus described in Patent Document 1 is known.
  • the film forming apparatus described in Patent Document 1 includes a vacuum vessel, a stage, and a target.
  • the stage is configured to be rotatable and is provided in a vacuum vessel.
  • a substrate is mounted on the stage.
  • the target is provided above the stage.
  • particles are released from the target while the stage is rotated. Thereby, a film is formed on the substrate.
  • a method for forming a film on a substrate in a film formation system includes a film forming apparatus and a transfer module.
  • the film forming apparatus includes a chamber main body that provides a processing chamber, and a holder that holds a target provided in the processing chamber.
  • the transfer module includes another chamber body that provides a transfer chamber that can be connected to the processing chamber, and a transfer device for transferring a substrate, and the transfer device provided in the transfer chamber.
  • a method according to one aspect includes a step of transferring a substrate from a transfer chamber to a processing chamber by a transfer device of the transfer module, and a state in which the transfer device of the transfer module moves the substrate linearly in the processing chamber. And releasing the particles from the target to form a film.
  • linear movement of the substrate in the processing chamber is realized by the transfer device of the transfer module provided in the normal film forming system. This eliminates the need for a separate mechanism for linearly moving the substrate within the processing chamber.
  • the method further includes mounting a mask partially covering the substrate on the transport apparatus after the substrate is transported from the transport chamber to the processing chamber and before releasing the particles from the target.
  • a film is formed in a region in the substrate that is exposed from the mask while particles are released from the target.
  • a film forming system in another aspect, includes a film forming apparatus, a transfer module, and a control unit.
  • the transfer module is a module configured to transfer a substrate.
  • the control unit is configured to control the film forming apparatus and the transfer module.
  • the film forming apparatus includes a chamber main body that provides a processing chamber, a holder that holds a target provided in the processing chamber, a power source that is configured to apply a voltage to the holder to release particles from the target, Have
  • the transfer module includes another chamber body that provides a transfer chamber that can be connected to the processing chamber, and a transfer device for transferring a substrate, and the transfer device provided in the transfer chamber.
  • the control unit controls the transfer device to transfer the substrate from the transfer chamber to the processing chamber.
  • control unit controls the transfer apparatus so as to linearly move the substrate mounted on the transfer apparatus in the processing chamber.
  • the control unit controls the transfer device and the power source so as to apply a voltage to the holder in order to release particles from the target in a state where the transfer device linearly moves the substrate within the processing chamber. According to this film forming system, a separate mechanism for linearly moving the substrate in the processing chamber is not required.
  • the film forming apparatus further includes a lift mechanism that supports a mask for partially exposing the substrate in a vertically movable manner.
  • the control unit controls the transfer device to place the substrate in an area below the mask supported by the lift mechanism after the substrate is carried into the processing chamber.
  • the controller controls the lift mechanism to deliver the mask from the lift mechanism to the transfer device so as to partially cover the upper surface of the substrate with the mask before discharging the particles from the target.
  • the film forming apparatus further includes a slit plate provided in the processing chamber.
  • the slit plate is formed with a slit penetrating in the thickness direction.
  • the holder holds a target disposed above the slit plate.
  • the control unit controls the transport device so that the substrate linearly passes through the area below the slit when particles are released from the target.
  • 1 is a diagram schematically showing a film forming system according to an embodiment. It is a figure showing roughly the film deposition system concerning one embodiment.
  • 1 is a diagram schematically illustrating a film forming system according to an embodiment, and is a diagram illustrating a state in which a substrate is carried into a processing chamber. It is a figure showing roughly the film deposition system concerning one embodiment, and is a figure showing the state where the substrate was arranged under the mask.
  • FIG. 1 is a flow diagram illustrating a method of forming a film on a substrate, according to one embodiment.
  • a method MT shown in FIG. 1 is a method of forming a film on a substrate by sputtering.
  • a film forming system including a film forming apparatus and a transfer module is used.
  • FIG. 2 is a diagram schematically showing a film forming system according to an embodiment.
  • a film forming system 100 illustrated in FIG. 2 includes a transfer module 108 and one or more processing modules including a film forming apparatus.
  • the film forming system 100 includes a plurality of processing modules 110a to 110h as one or more processing modules. At least one of the plurality of processing modules 110a to 110h is a film forming apparatus.
  • the other processing module among the plurality of processing modules 110a to 110h may be a film forming apparatus, or may be another substrate processing apparatus.
  • the other substrate processing apparatus may be any substrate processing apparatus such as a plasma etching apparatus or a heat processing apparatus.
  • the film forming system 100 may further include a loader module 102, load lock modules 104 and 106, and a control unit 112.
  • the loader module 102 is a device that transports a substrate in an atmospheric pressure environment.
  • a plurality of platforms 114 are attached to the loader module 102.
  • a container 116 capable of accommodating a plurality of substrates is mounted on each of the plurality of platforms 114.
  • Each of the containers 116 may be, for example, a FOUP (Front-Opening Unified Pod).
  • the loader module 102 provides a chamber 102c.
  • a transfer device 102t is provided in the chamber 102c.
  • the transfer device 102t may include a robot arm for holding the substrate and transferring the substrate.
  • a load lock module 104 and a load lock module 106 are connected to the loader module 102.
  • the transfer device 102t transfers the substrate between the container 116 and the load lock module 104 or between the container 116 and the load lock module 106.
  • the load lock module 104 and the load lock module 106 provide a chamber 104c and a chamber 106c for preliminary decompression, respectively.
  • a transport module 108 is connected to the load lock module 104 and the load lock module 106.
  • the transfer module 108 includes a chamber body 108m and a transfer device 108t.
  • the chamber main body 108m provides its internal space as a transfer chamber 108c that can be depressurized.
  • a transfer device 108t is provided in the transfer chamber 108c.
  • the transfer device 108t is a device that transfers a substrate.
  • the transfer device 108t includes an articulated arm 108a, a support portion 108s, and a drive device 108d.
  • One end of the articulated arm 108a is connected to the driving device 108d.
  • the driving device 108d generates a driving force that moves the other end of the articulated arm 108a.
  • a support portion 108s is coupled to the other end of the articulated arm 108a.
  • the support portion 108s is configured to support a substrate mounted thereon.
  • the support portion 108s is a so-called pick or end effector.
  • a plurality of processing modules 110a to 110h are connected to the transport module 108.
  • the transfer device 108t of the transfer module 108 is provided between any one of the load lock module 104 and the load lock module 106 and any of the plurality of processing modules 110a to 110h, and any two of the plurality of processing modules 110a to 110h. Transport the board between modules. Further, the transfer device 108t of the transfer module 108 is configured to move the substrate linearly in a processing chamber of a film forming apparatus described later.
  • the control unit 112 is configured to control the loader module 102, the transfer module 108, and the plurality of processing modules 110a to 110h.
  • the control unit 112 can be, for example, a computer device having a storage device such as a processor and a memory, an output interface for control signals, and the like.
  • the storage device stores a program for controlling each part of the film forming system 100 and recipe data for performing the method MT in the film forming system 100.
  • the processor operates according to the program and recipe data stored in the storage device, and outputs a control signal for controlling each part of the film forming system 100 to each part.
  • FIG. 3 is a diagram schematically illustrating a film forming apparatus according to an embodiment.
  • a film forming apparatus according to an embodiment is shown partially broken.
  • FIG. 3 shows a part of the transfer module 108 together with the film forming apparatus according to the embodiment.
  • a film forming apparatus 10 shown in FIG. 3 includes a chamber body 12, a holder 14, and a power source 16.
  • the film forming apparatus 10 may further include a slit plate 18 and a lift mechanism 20.
  • the chamber body 12 provides its internal space as a processing chamber 12c.
  • the chamber body 12 has a body 12a and a lid 12b.
  • the main body 12a may have a substantially cylindrical shape.
  • the upper end of the main body 12a is opened.
  • the lid 12b is provided on the upper end of the main body 12a so as to close the opening at the upper end of the main body 12a.
  • An exhaust port 12 e is formed at the bottom of the chamber body 12.
  • An exhaust device 22 is connected to the exhaust port 12e.
  • the exhaust device 22 may include a pressure control device and a decompression pump such as a turbo molecular pump or a dry pump.
  • the chamber body 12 is provided with a port 12i for introducing a gas into the processing chamber 12c.
  • a gas from the gas supply unit, for example, an inert gas is introduced into the processing chamber 12c through the port 12i.
  • An opening 12p is formed in the side wall of the chamber body 12.
  • the opening 12p is provided for loading the substrate W into the processing chamber 12c and unloading the substrate W from the processing chamber 12c.
  • the opening 12p can be opened and closed by a gate valve 12g.
  • the gate valve 12g is interposed between the processing chamber 12c and the transfer chamber 108c.
  • the transfer chamber 108c communicates with the processing chamber 12c when the gate valve 12g is opened. That is, the transfer chamber 108c can be connected to the processing chamber 12c.
  • a slit plate 18 is provided in the processing chamber 12c.
  • the slit plate 18 is a substantially plate-like member.
  • the slit plate 18 extends horizontally in the middle of the processing chamber 12c in the height direction.
  • the edge of the slit plate 18 is fixed to the chamber body 12.
  • the slit plate 18 partitions the processing chamber 12c into a first space S1 and a second space S2.
  • the first space S1 is a part of the processing chamber 12c and is above the slit plate 18.
  • the second space S2 is another part of the processing chamber 12c and is below the slit plate 18.
  • the slit plate 18 has slits 18s.
  • the slit 18s penetrates the slit plate 18 in the plate thickness direction (Z direction in the drawing).
  • the X direction is a horizontal direction.
  • the slit 18s extends long in another horizontal direction, that is, the Y direction, and has, for example, a substantially rectangular planar shape.
  • the Y direction is a longitudinal direction of the slit 18s and is a direction orthogonal to the X direction.
  • the center of the slit 18s in the Y direction substantially coincides with the center of the substrate W in the Y direction during film formation.
  • the width of the slit 18s in the Y direction is longer than the width (maximum width) of the substrate W in the Y direction during film formation.
  • the width of the slit 18s in the X direction is shorter than the width (maximum width) of the substrate W in the X direction during film formation.
  • the holder 14 is provided above the slit plate 18.
  • the holder 14 is made of a conductive material.
  • the holder 14 is attached to the chamber body 12 via an insulating member. In one embodiment, the holder 14 is attached to the lid body 12b via an insulating member.
  • the holder 14 is configured to hold the target 24 arranged in the first space S1. In one embodiment, the holder 14 holds the target 24 so that the target 24 is positioned obliquely above the slit 18s.
  • the target 24 has a substantially rectangular planar shape, for example.
  • the width of the target 24 in the Y direction is larger than the width (maximum width) of the substrate W in the Y direction during film formation.
  • the power source 16 is electrically connected to the holder 14.
  • the power source 16 may be a DC power source when the target 24 is a metal material.
  • the power source 16 is a high frequency power source when the target 24 is a dielectric or an insulator, and is electrically connected to the holder 14 via a matching unit.
  • the film forming apparatus 10 may further include a stage 30, a drive shaft 34, and a drive device 36.
  • the stage 30 is provided in the second space S2.
  • the stage 30 is configured so that a substrate can be mounted thereon.
  • the stage 30 is connected to a drive device 36 via a drive shaft 34.
  • the drive shaft 34 is coupled to the stage 30 at its upper end.
  • the drive shaft 34 extends downward from the upper end coupled to the stage 30 and is connected to the drive device 36 outside the chamber body 12.
  • the drive device 36 moves the stage 30 up and down and / or rotates via the drive shaft 34.
  • the driving device 36 generates a driving force for vertically moving and / or rotating the stage 30.
  • the drive device 36 is, for example, a motor.
  • the stage 30 can be used when a film is formed on the substrate W while rotating the substrate W.
  • the lift mechanism 20 is configured to support the mask MK so as to be movable up and down.
  • the mask MK partially covers the substrate W during film formation on the substrate W.
  • the mask MK has a rectangular shape in plan view and has a circular opening that penetrates the mask MK.
  • the mask MK covers the edge of the substrate W and exposes a region inside the edge of the substrate W from the opening.
  • the mask MK is configured to cover a part of the support unit 108s and the articulated arm 108a of the transfer device 108t in addition to a part of the substrate W.
  • the lift mechanism 20 includes a plurality of lift pins 40, a support body 42, a drive shaft 44, and a drive device 46.
  • the plurality of lift pins 40 extend in the vertical direction (Z direction).
  • the plurality of lift pins 40 support the mask MK at their upper ends.
  • the plurality of lift pins 40 are supported by a support 42 on the lower end side thereof.
  • the support body 42 has a substantially horseshoe shape in plan view.
  • the support 42 is provided so as to surround the drive shaft 34.
  • the support 42 is connected to a drive device 46 via a drive shaft 44.
  • the drive shaft 44 is coupled to the support 42 at the upper end thereof.
  • the drive shaft 44 extends downward from the upper end coupled to the support 42 and is connected to the drive device 46 outside the chamber body 12.
  • the drive device 46 moves the lift pins 40 up and down via the drive shaft 44 and the support body 42.
  • the driving device 46 generates a driving force for vertically moving the plurality of lift pins 40.
  • a plurality of through holes into which the plurality of lift pins 40 are inserted are formed in the stage 30 so that the plurality of lift pins 40 protrude upward from the stage 30 to support the mask MK.
  • the lift mechanism 20 is configured to deliver the mask MK between the lift mechanism 20 and the support portion 108s of the transfer device 108t by the vertical movement thereof.
  • the support part 108s has a plurality of support pins 108p in order to support the mask MK on the support part 108s.
  • the plurality of support pins 108p support the mask MK at their upper ends.
  • the upper ends of the plurality of support pins 108p have the same level as the level of the upper surface of the substrate W mounted on the support unit 108s as the level in the height direction, or a level higher than the level of the upper surface of the substrate W. Have.
  • FIG. 4 is a diagram schematically illustrating a film forming system according to an embodiment, and is a diagram illustrating a state in which a substrate is carried into a processing chamber.
  • FIG. 5 is a diagram schematically illustrating a film forming system according to an embodiment, and is a diagram illustrating a state in which a substrate is disposed below a mask.
  • FIG. 6 is a diagram schematically illustrating a film forming system according to an embodiment, and is a diagram illustrating a state in which a mask is delivered to a transfer device so as to partially cover a substrate.
  • the substrate W taken out from the container 116 enters the transfer chamber 108c of the transfer module 108 via one of the loader module 102 and the load lock modules 104 and 106. Be contained. In the transfer chamber 108c, the substrate W is mounted on and supported by the support unit 108s of the transfer device 108t.
  • the gate valve 12g is opened to allow the transfer chamber 108c and the processing chamber 12c to communicate with each other.
  • the gate valve 12g is opened by the control unit 112 controlling the gate valve 12g.
  • the mask MK is retracted upward in the second space S2.
  • the drive unit 46 of the lift mechanism 20 is controlled by the control unit 112. Accordingly, in step ST2 described later, the substrate W can be moved to an area below the mask MK so that the mask MK does not interfere with the substrate W and the support portion 108s. Note that the retraction of the mask MK upward can be performed at an arbitrary timing as long as it is before execution of a process ST2 described later.
  • step ST1 of the method MT the substrate W mounted on the support portion 108s is transferred from the transfer chamber 108c into the processing chamber 12c through the opening 12p by the transfer device 108t as shown in FIG.
  • the transfer device 108t is controlled by the control unit 112 so as to transfer the substrate W from the transfer chamber 108c into the processing chamber 12c.
  • the mask MK is mounted on the support portion 108s of the transfer device 108t so as to partially cover the substrate W.
  • the transport device 108t is controlled by the control unit 112 so as to place the substrate W in an area below the mask MK as shown in FIG.
  • the drive unit 46 of the lift mechanism 20 is controlled by the control unit 112 in order to deliver the mask MK from the plurality of lift pins 40 of the lift mechanism 20 to the support unit 108s of the transfer device 108t.
  • the plurality of lift pins 40 are moved downward by the control of the driving device 46 by the control unit 112, and the mask MK is transferred from the upper ends of the plurality of lift pins 40 to the support unit 108s of the transport device 108t as shown in FIG. On the support portion 108s, the mask MK is mounted on the plurality of support pins 108p. As shown in FIG. 6, in step ST ⁇ b> 2, the plurality of lift pins 40 are moved downward so that their upper ends are positioned below the stage 30.
  • step ST3 of the method MT film formation on the substrate W is performed.
  • an inert gas for example, a nitrogen gas or a rare gas
  • the pressure of the processing chamber 12c is set to a designated pressure by the exhaust device 22.
  • step ST3 the substrate W partially covered with the mask MK disposed thereon as shown in FIG. 6 is linearly moved along the X direction in the second space S2 of the processing chamber 12c by the transfer device 108t. Moved to. By this movement, the substrate W linearly passes through the area below the slit 18s.
  • the transfer device 108t is controlled by the control unit 112 for the movement of the substrate W in the process ST3.
  • step ST3 a voltage is applied from the power supply 16 to the holder 14 while the substrate W is linearly moved.
  • the power source 16 is controlled by the control unit 112 to apply a voltage to the holder 14.
  • step ST3 since a voltage is applied to the holder 14, the gas is dissociated around the target 24 and ions are attracted to the target 24. When ions collide with the target 24, particles of the constituent material are released from the target 24.
  • step ST3 since the substrate W is linearly moved along the X direction and passes below the slit 18s, the particles emitted from the target 24 and passed through the slit 18s are deposited on the substrate W. As a result, a film is formed on the substrate W. This film is formed in the region of the substrate W exposed from the mask MK.
  • the linear movement of the substrate W in the processing chamber 12c is realized by the transfer device 108t of the transfer module 108 provided in the film forming system 100.
  • film formation on the substrate W is performed in a state where the mask MK is mounted on the support portion 108s. Accordingly, the particles from the target 24 are suppressed from adhering to the edge of the substrate W and the back side of the substrate W. Further, since the mask MK covers a part of the support part 108s and the multi-joint arm 108a of the transfer device 108t, the particles from the target 24 are suppressed from adhering to the support part 108s and a part of the multi-joint arm 108a.
  • the mask MK is placed on the stage 30 from the support portion 108s of the transfer device 108t by using the vertical movement of the stage 30. It is also possible to carry out the method MT after passing and afterwards.
  • the stage 30 is provided with a plurality of pins for receiving the mask MK from the support portion 108s.
  • the mask MK mounted on the support unit 108s is transferred from the transfer chamber 108c into the processing chamber 12c, and is transferred from the support unit 108s to the pins of the stage 30.
  • the support portion 108s is moved from the processing chamber 12c to the transfer chamber 108c. Thereafter, the method MT is executed.
  • the film forming apparatus 10 may not include the lift mechanism 20.
  • the method MT it is also possible to transfer the mask MK onto the stage 30 from the support portion 108s of the transfer device 108t using the vertical movement of the plurality of lift pins 40, and then execute the method MT.
  • the plurality of lift pins 40 are disposed below such that their upper ends are positioned below the stage 30.
  • the mask MK mounted on the support portion 108s is transferred from the transfer chamber 108c into the processing chamber 12c.
  • the plurality of lift pins 40 are raised, and the mask MK is transferred from the support portion 108s onto the upper ends of the plurality of lift pins 40.
  • the support portion 108s is moved from the processing chamber 12c to the transfer chamber 108c.
  • the plurality of lift pins 40 are moved downward, and the mask MK is transferred from the plurality of lift pins 40 onto the stage 30.
  • the method MT is executed.
  • DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Film-forming apparatus, 12 ... Chamber main body, 12c ... Processing chamber, 14 ... Holder, 16 ... Power supply, 18 ... Slit plate, 18s ... Slit, 20 ... Lift mechanism, 40 ... Lift pin, 24 ... Target, 30 ... Stage, DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Film-forming system, 108 ... Transfer module, 108m ... Chamber main body, 108c ... Transfer chamber, 108t ... Transfer apparatus, 108a ... Articulated arm, 108s ... Support part, 110a-110h ... Processing module, 112 ... Control part, MK ...mask.

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Abstract

一実施形態の方法において用いられる成膜システムは、成膜装置及び搬送モジュールを備える。成膜装置は、処理チャンバを提供するチャンバ本体と、処理チャンバ内に設けられたターゲットを保持するホルダと、を有する。搬送モジュールは、処理チャンバに接続可能な搬送チャンバを提供する別のチャンバ本体と、基板を搬送するための搬送装置と、を有する。方法は、搬送装置によって搬送チャンバから処理チャンバに基板を搬送する工程と、搬送装置が処理チャンバ内において基板を支持し、且つ、基板を直線的に移動させている状態で、基板上に膜を形成するためにターゲットから粒子を放出させる工程と、を含む。

Description

基板上に膜を形成する方法、及び、成膜システム
　本開示の実施形態は、基板上に膜を形成する方法、及び、成膜システムに関するものである。
　半導体デバイスといった電子デバイスの製造においては、基板上に膜を形成する成膜処理が行われる。成膜処理に用いられる成膜装置としては、例えば、特許文献１に記載された成膜装置が知られている。
　特許文献１に記載された成膜装置は、真空容器、ステージ、及び、ターゲットを有している。ステージは、回転可能に構成されており、真空容器内に設けられている。ステージ上には基板が搭載される。ターゲットは、ステージの上方に設けられている。この成膜装置では、ステージが回転されつつ、ターゲットから粒子が放出される。これにより、基板上に膜が形成される。
国際公開２０１３／１７９５４４号
　特許文献１に記載の成膜装置とは異なり、処理チャンバ内で基板を直線的に移動させつつ当該基板上に膜を形成することが考えられる。このような基板の直線的な移動のためには、通常、処理チャンバ内において基板を直線的に移動させるための別途の機構が必要となる。しかしながら、このような機構の追加は装置のコストの増加をもたらす。
　一態様においては、成膜システムにおいて基板上に膜を形成する方法が提供される。成膜システムは、成膜装置及び搬送モジュールを備える。成膜装置は、処理チャンバを提供するチャンバ本体と、処理チャンバ内に設けられたターゲットを保持するホルダと、を有する。搬送モジュールは、処理チャンバに接続可能な搬送チャンバを提供する別のチャンバ本体と、基板を搬送するための搬送装置であり、搬送チャンバ内に設けられた該搬送装置と、を有する。一態様に係る方法は、搬送モジュールの搬送装置によって搬送チャンバから処理チャンバに基板を搬送する工程と、搬送モジュールの搬送装置が処理チャンバ内において基板を直線的に移動させている状態で、基板上に膜を形成するためにターゲットから粒子を放出させる工程と、を含む。
　一態様に係る方法では、通常の成膜システムに備えられている搬送モジュールの搬送装置によって、処理チャンバ内での基板の直線的な移動が実現される。したがって、処理チャンバ内において基板を直線的に移動させるための別途の機構が不要となる。
　一実施形態において、方法は、搬送チャンバから処理チャンバに基板が搬送された後、ターゲットから粒子を放出させる前に、基板を部分的に覆うマスクを搬送装置上に搭載する工程を更に含む。この実施形態の方法では、ターゲットから粒子を放出させている間、マスクから露出されている基板内の領域に膜が形成される。
　別の態様においては成膜システムが提供される。成膜システムは、成膜装置、搬送モジュール、及び、制御部を備える。搬送モジュールは、基板の搬送を行うように構成されたモジュールである。制御部は、成膜装置及び搬送モジュールを制御するよう構成されている。成膜装置は、処理チャンバを提供するチャンバ本体と、処理チャンバ内に設けられたターゲットを保持するホルダと、ターゲットから粒子を放出させるためにホルダに電圧を印加するように構成された電源と、を有する。搬送モジュールは、処理チャンバに接続可能な搬送チャンバを提供する別のチャンバ本体と、基板を搬送するための搬送装置であり、搬送チャンバ内に設けられた該搬送装置と、を有する。制御部は、搬送チャンバから処理チャンバに基板を搬送するよう搬送装置を制御する。次いで、制御部は、処理チャンバ内で搬送装置上に搭載された基板を直線的に移動させるよう搬送装置を制御する。制御部は、搬送装置が処理チャンバ内で基板を直線的に移動させている状態で、ターゲットから粒子を放出させるためにホルダに電圧を印加するよう、搬送装置及び電源を制御する。この成膜システムによれば、処理チャンバ内において基板を直線的に移動させるための別途の機構が不要となる。
　一実施形態において、成膜装置は、基板を部分的に露出させるためのマスクを上下動可能に支持するリフト機構を更に備える。制御部は、基板を処理チャンバに搬入した後に、リフト機構によって支持されたマスクの下方のエリアに基板を配置するよう搬送装置を制御する。制御部は、ターゲットから粒子を放出させる前に、基板の上面をマスクによって部分的に覆うためにリフト機構から搬送装置にマスクを受け渡すようリフト機構を制御する。
　一実施形態において、成膜装置は、処理チャンバ内に設けられたスリット板を更に有する。スリット板には、その板厚方向に貫通するスリットが形成されている。ホルダは、スリット板の上方に配置されたターゲットを保持する。制御部は、ターゲットから粒子が放出されているときに、基板がスリットの下方のエリアを直線的に通過するよう搬送装置を制御する。
　以上説明したように、成膜装置の処理チャンバ内において基板を直線的に移動させるための別途の機構が不要となる。
一実施形態に係る、基板上に膜を形成する方法を示す流れ図である。 一実施形態に係る成膜システムを概略的に示す図である。 一実施形態に係る成膜装置を概略的に示す図である。 一実施形態に係る成膜システムを概略的に示す図であり、基板が処理チャンバに搬入された状態を示す図である。 一実施形態に係る成膜システムを概略的に示す図であり、基板がマスクの下方に配置された状態を示す図である。 一実施形態に係る成膜システムを概略的に示す図であり、基板を部分的に覆うように、マスクが搬送装置に受け渡された状態を示す図である。
　以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
　図１は、一実施形態に係る、基板上に膜を形成する方法を示す流れ図である。図１に示す方法ＭＴは、スパッタによって基板上に膜を形成する方法である。この方法ＭＴでは、成膜装置と搬送モジュールを備える成膜システムが利用される。
　図２は、一実施形態に係る成膜システムを概略的に示す図である。図２に示す成膜システム１００は、搬送モジュール１０８、及び、成膜装置を含む一以上の処理モジュールを備えている。図２に示す例では、成膜システム１００は、一以上の処理モジュールとして、複数の処理モジュール１１０ａ～１１０ｈを備えている。複数の処理モジュール１１０ａ～１１０ｈのうち少なくとも一つの処理モジュールは、成膜装置である。複数の処理モジュール１１０ａ～１１０ｈのうち他の処理モジュールは、成膜装置であってもよく、或いは、他の基板処理装置であってもよい。他の基板処理装置は、プラズマエッチング装置、加熱処理装置といった任意の基板処理装置であり得る。一実施形態において、成膜システム１００は、ローダモジュール１０２、ロードロックモジュール１０４，１０６、及び、制御部１１２を更に備え得る。
　ローダモジュール１０２は、大気圧環境下において基板を搬送する装置である。ローダモジュール１０２には、複数の台１１４が取り付けられている。複数の台１１４の各々の上には、複数の基板を収容可能な容器１１６がそれぞれ搭載される。容器１１６の各々は、例えばＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ－Ｏｐｅｎｉｎｇ　Ｕｎｉｆｉｅｄ　Ｐｏｄ）であり得る。
　ローダモジュール１０２は、チャンバ１０２ｃを提供している。チャンバ１０２ｃ内には搬送装置１０２ｔが設けられている。搬送装置１０２ｔは、基板を保持して当該基板を搬送するためのロボットアームを含み得る。このローダモジュール１０２には、ロードロックモジュール１０４及びロードロックモジュール１０６が接続されている。搬送装置１０２ｔは、容器１１６とロードロックモジュール１０４との間、又は、容器１１６とロードロックモジュール１０６との間において基板を搬送する。
　ロードロックモジュール１０４及びロードロックモジュール１０６はそれぞれ、予備減圧のためのチャンバ１０４ｃ及びチャンバ１０６ｃを提供している。ロードロックモジュール１０４及びロードロックモジュール１０６には、搬送モジュール１０８が接続されている。搬送モジュール１０８は、チャンバ本体１０８ｍ、及び、搬送装置１０８ｔを有している。チャンバ本体１０８ｍは、その内部空間を、減圧可能な搬送チャンバ１０８ｃとして提供している。
　搬送チャンバ１０８ｃ内には、搬送装置１０８ｔが設けられている。搬送装置１０８ｔは、基板を搬送する装置である。搬送装置１０８ｔは、一実施形態では、多関節アーム１０８ａ、支持部１０８ｓ、及び、駆動装置１０８ｄを有している。多関節アーム１０８ａの一端は駆動装置１０８ｄに接続されている。駆動装置１０８ｄは、多関節アーム１０８ａの他端を移動させる駆動力を発生する。多関節アーム１０８ａの他端には、支持部１０８ｓが結合されている。支持部１０８ｓは、その上に搭載した基板を支持するよう構成されている。支持部１０８ｓは、所謂ピック、又は、エンドエフェクタである。
　搬送モジュール１０８には、複数の処理モジュール１１０ａ～１１０ｈが接続されている。搬送モジュール１０８の搬送装置１０８ｔは、ロードロックモジュール１０４及びロードロックモジュール１０６の何れかと複数の処理モジュール１１０ａ～１１０ｈの何れかとの間、及び、複数の処理モジュール１１０ａ～１１０ｈのうち任意の二つの処理モジュール間で、基板を搬送する。また、搬送モジュール１０８の搬送装置１０８ｔは、後述する成膜装置の処理チャンバ内において、基板を直線的に移動させるように構成されている。
　制御部１１２は、ローダモジュール１０２、搬送モジュール１０８、及び、複数の処理モジュール１１０ａ～１１０ｈを制御するよう構成されている。制御部１１２は、例えば、プロセッサ、メモリといった記憶装置、制御信号の出力インタフェイス等を有するコンピュータ装置であり得る。記憶装置には、成膜システム１００の各部を制御するためのプログラム及び成膜システム１００において方法ＭＴを実施するためのレシピデータが記憶されている。プロセッサは、記憶装置に記憶されているプログラム及びレシピデータに従って動作し、成膜システム１００の各部を制御するための制御信号を当該各部に出力する。
　以下、図３を参照して成膜システム１００の処理モジュールとして採用される一実施形態の成膜装置について説明する。図３は、一実施形態に係る成膜装置を概略的に示す図である。図３では、一実施形態に係る成膜装置が、部分的に破断されて示されている。また、図３には、一実施形態に係る成膜装置と共に、搬送モジュール１０８の一部が示されている。図３に示す成膜装置１０は、チャンバ本体１２、ホルダ１４、及び、電源１６を備えている。成膜装置１０は、スリット板１８、及び、リフト機構２０を更に備えていてもよい。
　チャンバ本体１２は、その内部空間を処理チャンバ１２ｃとして提供している。一実施形態において、チャンバ本体１２は、本体１２ａ及び蓋体１２ｂを有している。本体１２ａは、略円筒形状を有し得る。本体１２ａの上端は開口されている。蓋体１２ｂは、本体１２ａの上端の開口を閉じるように、本体１２ａの上端の上に設けられている。
　チャンバ本体１２の底部には、排気口１２ｅが形成されている。排気口１２ｅには、排気装置２２が接続されている。排気装置２２は、圧力制御装置、及び、ターボ分子ポンプ、ドライポンプといった減圧ポンプを含み得る。チャンバ本体１２には、処理チャンバ１２ｃにガスを導入するためのポート１２ｉが設けられている。処理チャンバ１２ｃには、ガス供給部からのガス、例えば、不活性ガスがポート１２ｉを介して導入される。
　チャンバ本体１２の側壁には、開口１２ｐが形成されている。開口１２ｐは、処理チャンバ１２ｃ内への基板Ｗの搬入、及び、処理チャンバ１２ｃからの基板Ｗの搬出のために設けられている。開口１２ｐは、ゲートバルブ１２ｇによって開閉可能になっている。このゲートバルブ１２ｇは、処理チャンバ１２ｃと搬送チャンバ１０８ｃとの間に介在している。搬送チャンバ１０８ｃは、ゲートバルブ１２ｇが開かれているときには処理チャンバ１２ｃと連通する。即ち、搬送チャンバ１０８ｃは処理チャンバ１２ｃに接続可能となっている。
　処理チャンバ１２ｃ内には、スリット板１８が設けられている。スリット板１８は、略板状の部材である。スリット板１８は、処理チャンバ１２ｃの高さ方向の中間において水平に延在している。スリット板１８の縁部はチャンバ本体１２に固定されている。スリット板１８は、処理チャンバ１２ｃを第１空間Ｓ１と第２空間Ｓ２に区画している。第１空間Ｓ１は、処理チャンバ１２ｃの一部の空間であり、スリット板１８の上方にある。第２空間Ｓ２は、処理チャンバ１２ｃの別の一部の空間であり、スリット板１８の下方にある。
　スリット板１８には、スリット１８ｓが形成されている。スリット１８ｓは、スリット板１８をその板厚方向（図中では、Ｚ方向）に貫通している。成膜装置１０における成膜時には、基板Ｗは、スリット１８ｓの下方をＸ方向に直線的に移動する。Ｘ方向は、水平な一方向である。スリット１８ｓは、水平な別の一方向、即ちＹ方向に沿って長く延びており、例えば、略矩形の平面形状を有している。Ｙ方向は、スリット１８ｓの長手方向であり、Ｘ方向に直交する方向である。スリット１８ｓのＹ方向における中心は、成膜時における基板ＷのＹ方向における中心と略一致している。Ｙ方向におけるスリット１８ｓの幅は、成膜時における基板ＷのＹ方向の幅（最大幅）よりも長い。一方、Ｘ方向におけるスリット１８ｓの幅は、成膜時における基板ＷのＸ方向の幅（最大幅）よりも短い。
　ホルダ１４は、スリット板１８の上方に設けられている。ホルダ１４は、導電性を有する材料から形成されている。ホルダ１４は、絶縁性の部材を介してチャンバ本体１２に取り付けられている。一実施形態では、ホルダ１４は、絶縁性の部材を介して蓋体１２ｂに取り付けられている。
　ホルダ１４は、第１空間Ｓ１内に配置されたターゲット２４を保持するよう構成されている。ホルダ１４は、一実施形態では、スリット１８ｓに対して斜め上方にターゲット２４が位置するように、当該ターゲット２４を保持する。ターゲット２４は、例えば略矩形の平面形状を有する。一実施形態において、ターゲット２４のＹ方向における幅は、成膜時における基板ＷのＹ方向の幅（最大幅）よりも大きい。
　ホルダ１４には、電源１６が電気的に接続されている。電源１６は、ターゲット２４が金属材料である場合には、直流電源であり得る。電源１６は、ターゲット２４が誘電体又は絶縁体である場合には、高周波電源であり、整合器を介してホルダ１４に電気的に接続される。
　一実施形態において、成膜装置１０は、ステージ３０、駆動軸３４、及び、駆動装置３６を更に備え得る。ステージ３０は、第２空間Ｓ２内に設けられている。ステージ３０は、その上に基板を搭載することが可能であるように構成されている。ステージ３０は、駆動軸３４を介して駆動装置３６に接続されている。駆動軸３４は、その上端においてステージ３０に結合されている。駆動軸３４は、ステージ３０に結合された上端から下方に延びて、チャンバ本体１２の外側で駆動装置３６に接続されている。駆動装置３６は、駆動軸３４を介して、ステージ３０を上下動させ、及び／又は、回転させる。駆動装置３６は、ステージ３０の上下動及び／又は回転のための駆動力を発生する。駆動装置３６は、例えばモータである。このステージ３０は、基板Ｗを回転させつつ当該基板Ｗ上に膜を形成するときに用いることができる。
　リフト機構２０は、マスクＭＫを上下動可能に支持するよう構成されている。マスクＭＫは、基板Ｗに対する成膜時に当該基板Ｗを部分的に覆う。例えば、基板Ｗが円盤形状である場合には、マスクＭＫは、平面視において矩形形状を有し、当該マスクＭＫを貫通する円形の開口を有する。この場合に、マスクＭＫは、基板Ｗのエッジを覆い、開口から基板Ｗのエッジの内側の領域を露出させる。一実施形態において、マスクＭＫは、基板Ｗの一部に加え、搬送装置１０８ｔの支持部１０８ｓ及び多関節アーム１０８ａの一部を覆うように構成されている。
　リフト機構２０は、複数のリフトピン４０、支持体４２、駆動軸４４、及び、駆動装置４６を有している。複数のリフトピン４０は、鉛直方向（Ｚ方向）に延在している。複数のリフトピン４０は、それらの上端においてマスクＭＫを支持する。複数のリフトピン４０は、その下端側において支持体４２によって支持されている。支持体４２は、平面視において略馬蹄形をなしている。支持体４２は、駆動軸３４を囲むように設けられている。支持体４２は、駆動軸４４を介して駆動装置４６に接続されている。駆動軸４４は、その上端において支持体４２に結合されている。駆動軸４４は、支持体４２に結合された上端から下方に延在して、チャンバ本体１２の外側で駆動装置４６に接続されている。駆動装置４６は、駆動軸４４及び支持体４２を介して、複数のリフトピン４０を上下動させる。駆動装置４６は、複数のリフトピン４０の上下動のための駆動力を発生する。なお、複数のリフトピン４０がステージ３０から上方に突き出してマスクＭＫを支持できるように、ステージ３０には、当該複数のリフトピン４０が挿入される複数の貫通孔が形成されている。
　このリフト機構２０は、その上下動により、当該リフト機構２０と搬送装置１０８ｔの支持部１０８ｓとの間で、マスクＭＫを受け渡すようになっている。支持部１０８ｓは、マスクＭＫを、当該支持部１０８ｓ上で支持するために、複数の支持ピン１０８ｐを有している。複数の支持ピン１０８ｐはそれらの上端においてマスクＭＫを支持する。複数の支持ピン１０８ｐの上端は、高さ方向におけるレベルとして、支持部１０８ｓに搭載された基板Ｗの上面のレベルと同一のレベルを有するか、或いは、基板Ｗの上面のレベルよりも高いレベルを有する。
　成膜装置１０と搬送モジュール１０８を有する成膜システム１００では、基板Ｗ上に膜を形成する際に、搬送モジュール１０８の搬送装置１０８ｔにより、処理チャンバ１２ｃ内で基板Ｗを直線的に移動させることができる。以下、図１と共に、図３～図６を参照して、方法ＭＴについて説明し、また、方法ＭＴの実行における成膜システム１００の動作について説明する。図４は、一実施形態に係る成膜システムを概略的に示す図であり、基板が処理チャンバに搬入された状態を示す図である。図５は、一実施形態に係る成膜システムを概略的に示す図であり、基板がマスクの下方に配置された状態を示す図である。図６は、一実施形態に係る成膜システムを概略的に示す図であり、基板を部分的に覆うようにマスクが搬送装置に受け渡された状態を示す図である。
　方法ＭＴの工程ＳＴ１の実行の前には、容器１１６から取り出された基板Ｗが、ローダモジュール１０２、並びに、ロードロックモジュール１０４及び１０６のうち一方を介して、搬送モジュール１０８の搬送チャンバ１０８ｃ内に収容される。搬送チャンバ１０８ｃ内では、基板Ｗは、搬送装置１０８ｔの支持部１０８ｓ上に搭載され、当該支持部１０８ｓによって支持される。
　次いで、搬送チャンバ１０８ｃと処理チャンバ１２ｃとを連通させるために、ゲートバルブ１２ｇが開かれる。ゲートバルブ１２ｇは、制御部１１２による当該ゲートバルブ１２ｇの制御によって開かれる。
　次いで、マスクＭＫが第２空間Ｓ２内で上方に退避される。マスクＭＫが上方に退避している状態については、図４を参照されたい。マスクＭＫの上方への退避においては、リフト機構２０の駆動装置４６が制御部１１２によって制御される。これにより、後述する工程ＳＴ２において、マスクＭＫが基板Ｗ及び支持部１０８ｓに干渉しないように、基板ＷをマスクＭＫの下方のエリアに移動させることが可能となる。なお、マスクＭＫの上方への退避は、後述する工程ＳＴ２の実行前であれば任意のタイミングで行われ得る。
　次いで、方法ＭＴの工程ＳＴ１において、支持部１０８ｓ上に搭載された基板Ｗが、図４に示すように、搬送装置１０８ｔによって搬送チャンバ１０８ｃから開口１２ｐを介して処理チャンバ１２ｃ内に搬送される。この工程ＳＴ１において、搬送装置１０８ｔは、搬送チャンバ１０８ｃから処理チャンバ１２ｃ内に基板Ｗを搬送するよう、制御部１１２によって制御される。
　続く方法ＭＴの工程ＳＴ２では、基板Ｗを部分的に覆うようにマスクＭＫが搬送装置１０８ｔの支持部１０８ｓ上に搭載される。工程ＳＴ２では、まず、図５に示すように基板ＷをマスクＭＫの下方のエリアに配置するよう、搬送装置１０８ｔが制御部１１２によって制御される。工程ＳＴ２では、次いで、リフト機構２０の複数のリフトピン４０から搬送装置１０８ｔの支持部１０８ｓにマスクＭＫを受け渡すために、リフト機構２０の駆動装置４６が制御部１１２によって制御される。制御部１１２による駆動装置４６の制御によって、複数のリフトピン４０が下方に移動し、図６に示すように、マスクＭＫが複数のリフトピン４０の上端から搬送装置１０８ｔの支持部１０８ｓに受け渡される。支持部１０８ｓ上では、マスクＭＫは複数の支持ピン１０８ｐ上に搭載される。なお、図６に示すように、工程ＳＴ２において、複数のリフトピン４０は、それらの上端がステージ３０よりも下方に位置するように、下方へ移動される。
　続く方法ＭＴの工程ＳＴ３では、基板Ｗに対する成膜が行われる。方法ＭＴでは、工程ＳＴ３の実行時を含む期間において、ポート１２ｉから不活性ガス（例えば、窒素ガス又は希ガス）が処理チャンバ１２ｃに供給される。また、排気装置２２によって処理チャンバ１２ｃの圧力が指定された圧力に設定される。
　工程ＳＴ３では、図６に示すようにその上に配置されたマスクＭＫによって部分的に覆われた基板Ｗが、搬送装置１０８ｔによって処理チャンバ１２ｃの第２空間Ｓ２内でＸ方向に沿って直線的に移動される。この移動により、基板Ｗは、スリット１８ｓの下方のエリアを直線的に通過する。工程ＳＴ３における基板Ｗの移動のために、搬送装置１０８ｔは制御部１１２によって制御される。また、工程ＳＴ３では、基板Ｗが直線的に移動されている状態で、電源１６からホルダ１４に電圧が印加される。ホルダ１４に対する電圧の印加のために、電源１６は制御部１１２によって制御される。
　工程ＳＴ３では、ホルダ１４に対して電圧が印加されるので、ターゲット２４の周囲でガスが解離して、イオンがターゲット２４に引き付けられる。イオンがターゲット２４に衝突すると、ターゲット２４からその構成材料の粒子が放出される。また、工程ＳＴ３では、基板ＷがＸ方向に沿って直線的に移動されてスリット１８ｓの下方を通過するので、ターゲット２４から放出されてスリット１８ｓを通過した粒子が基板Ｗ上に堆積する。これにより、基板Ｗに膜が形成される。この膜は、マスクＭＫから露出されている基板Ｗの領域に形成される。
　以上説明したように、基板Ｗに対する成膜の際には、成膜システム１００に備えられている搬送モジュール１０８の搬送装置１０８ｔによって、処理チャンバ１２ｃ内での基板Ｗの直線的な移動が実現される。したがって、処理チャンバ１２ｃ内において基板Ｗを直線的に移動させるための別途の機構が不要となる。
　一実施形態では、マスクＭＫを支持部１０８ｓ上に搭載した状態で、基板Ｗに対する成膜が行われる。したがって、基板Ｗのエッジ及び当該基板Ｗの裏側に、ターゲット２４からの粒子が付着することが抑制される。また、マスクＭＫが搬送装置１０８ｔの支持部１０８ｓ及び多関節アーム１０８ａの一部を覆うので、支持部１０８ｓ及び多関節アーム１０８ａの一部にターゲット２４からの粒子が付着することが抑制される。
　なお、マスクＭＫが処理チャンバ１２ｃ内に存在する状態を前提として実施形態の説明を行ってきたが、ステージ３０の上下動を利用して、搬送装置１０８ｔの支持部１０８ｓからステージ３０上にマスクＭＫを受け渡し、しかる後に、方法ＭＴを実行することも可能である。この例では、支持部１０８ｓからマスクＭＫを受け取るための複数のピンがステージ３０に設けられる。支持部１０８ｓ上に搭載されたマスクＭＫは、搬送チャンバ１０８ｃから処理チャンバ１２ｃ内に搬送され、当該支持部１０８ｓからステージ３０の複数のピン上に受け渡される。そして、支持部１０８ｓが処理チャンバ１２ｃから搬送チャンバ１０８ｃに移動される。しかる後に、方法ＭＴが実行される。なお、この例では、成膜装置１０は、リフト機構２０を備えていなくてもよい。
　また、複数のリフトピン４０の上下動を利用して、搬送装置１０８ｔの支持部１０８ｓからステージ３０上にマスクＭＫを受け渡し、その後、方法ＭＴを実行することも可能である。具体的には、方法ＭＴの実行前に、複数のリフトピン４０が、それらの上端がステージ３０よりも下方に位置するように下方に配置される。次いで、支持部１０８ｓ上に搭載されたマスクＭＫが、搬送チャンバ１０８ｃから処理チャンバ１２ｃ内に搬送される。次いで、複数のリフトピン４０が上昇され、支持部１０８ｓから複数のリフトピン４０の上端の上にマスクＭＫが受け渡される。次いで、支持部１０８ｓが処理チャンバ１２ｃから搬送チャンバ１０８ｃに移動される。そして、複数のリフトピン４０が下方に移動されて、複数のリフトピン４０からステージ３０上にマスクＭＫが受け渡される。しかる後に、方法ＭＴが実行される。
　１０…成膜装置、１２…チャンバ本体、１２ｃ…処理チャンバ、１４…ホルダ、１６…電源、１８…スリット板、１８ｓ…スリット、２０…リフト機構、４０…リフトピン、２４…ターゲット、３０…ステージ、１００…成膜システム、１０８…搬送モジュール、１０８ｍ…チャンバ本体、１０８ｃ…搬送チャンバ、１０８ｔ…搬送装置、１０８ａ…多関節アーム、１０８ｓ…支持部、１１０ａ～１１０ｈ…処理モジュール、１１２…制御部、ＭＫ…マスク。

Claims (5)

  1. 　成膜装置及び搬送モジュールを備える成膜システムにおいて基板上に膜を形成する方法であって、
    　前記成膜装置は、
    　　処理チャンバを提供するチャンバ本体と、
    　　前記処理チャンバ内に設けられたターゲットを保持するホルダと、
    　を有し、
    　前記搬送モジュールは、
    　　前記処理チャンバに接続可能な搬送チャンバを提供する別のチャンバ本体と、
    　　基板を搬送するための搬送装置であり、前記搬送チャンバ内に設けられた該搬送装置と、
    を有し、
    　前記搬送装置によって前記搬送チャンバから前記処理チャンバに基板を搬送する工程と、
    　前記搬送装置が前記処理チャンバ内で前記基板を直線的に移動させている状態で、前記基板上に膜を形成するために前記ターゲットから粒子を放出させる工程と、
    を含む方法。
  2. 　基板を搬送する前記工程と粒子を放出させる前記工程との間において、前記基板を部分的に覆うマスクを前記搬送装置上に搭載する工程を更に含み、
    　粒子を放出させる前記工程では、前記マスクから露出されている前記基板内の領域に膜が形成される、
    請求項１に記載の方法。
  3. 　成膜装置と、
    　基板の搬送を行うように構成された搬送モジュールと、
    　前記成膜装置及び前記搬送モジュールを制御する制御部と、
    を備え、
    　前記成膜装置は、
    　　処理チャンバを提供するチャンバ本体と、
    　　前記処理チャンバ内に設けられたターゲットを保持するホルダと、
    　　前記ターゲットから粒子を放出させるために前記ホルダに電圧を印加するように構成された電源と、
    　を有し、
    　前記搬送モジュールは、
    　　前記処理チャンバに接続可能な搬送チャンバを提供する別のチャンバ本体と、
    　　基板を搬送するための搬送装置であり、前記搬送チャンバ内に設けられた該搬送装置と、
    を有し、
    　前記制御部は、
    　　前記搬送チャンバから前記処理チャンバに基板を搬送するよう前記搬送装置を制御し、
    　　前記搬送装置が前記処理チャンバ内で前記基板を直線的に移動させている状態で、前記ターゲットから粒子を放出させるために前記ホルダに電圧を印加するよう、前記搬送装置及び前記電源を制御する、
    成膜システム。
  4. 　前記成膜装置は、前記基板の上面を部分的に露出させるためのマスクを上下動可能に支持するリフト機構を更に有し、
    　前記制御部は、
    　　前記基板を前記処理チャンバに搬入した後に、前記リフト機構によって支持された前記マスクの下方のエリアに前記基板を配置するよう前記搬送装置を制御し、
    　　前記ターゲットから粒子を放出させる前に、前記基板の上面を前記マスクによって部分的に覆うために前記リフト機構から前記搬送装置に前記マスクを受け渡すよう前記リフト機構を制御する、
    　請求項３に記載の成膜システム。
  5. 　成膜装置は、前記処理チャンバ内に設けられたスリット板を更に有し、該スリット板には、その板厚方向に貫通するスリットが形成されており、
    　前記ホルダは、前記スリット板の上方に配置された前記ターゲットを保持し、
    　前記ターゲットから粒子が放出されているときに、前記制御部は、前記基板が前記スリットの下方のエリアを直線的に通過するよう前記搬送装置を制御する、
    請求項３又は４に記載の成膜システム。
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