WO2018043340A1 - 圧電振動子 - Google Patents

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spherical
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    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/19—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator consisting of quartz

Definitions

  • the present invention relates to a piezoelectric vibrator, and more particularly, to a piezoelectric vibrator in which a piezoelectric vibration element is held on a substrate by a conductive holding member.
  • Patent Document 1 discloses a piezoelectric device in which a spherical spacer is mixed in an adhesive serving as a holding unit for holding a piezoelectric vibrating piece, and a gap between the substrate and the piezoelectric vibrating piece is secured by the diameter of the spherical spacer. Yes.
  • the adhesive is mixed with metal particles having an outer dimension that is 1 ⁇ 4 or less of the diameter of the spherical spacer to achieve electrical conduction.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and provides a piezoelectric vibrator in which the conductivity of the holding portion of the piezoelectric vibration element is improved while keeping the distance between the piezoelectric vibration element and the main surface of the substrate constant. For the purpose.
  • a piezoelectric vibrator includes a piezoelectric vibration element, a substrate having first and second main surfaces facing each other, and a conductive holding member that holds the piezoelectric vibration element on the first main surface of the substrate.
  • the conductive holding member includes a plurality of metal particles and a plurality of spherical spacers that hold the piezoelectric vibration element at a predetermined interval from the first main surface of the substrate, and the average particle diameter of the spherical spacers Is V ave, and the average particle diameter of the metal particles is W ave , the relationship is W ave ⁇ (2 / ⁇ 3) ⁇ 1 ⁇ ⁇ V ave .
  • the metal particles can sufficiently enter the gap formed by the spherical spacer in the holding portion of the piezoelectric vibration element. Therefore, the conductivity of the holding part is improved.
  • the present invention it is possible to provide a piezoelectric vibrator in which the conductivity of the holding portion of the piezoelectric vibration element is improved while keeping the distance between the piezoelectric vibration element and the main surface of the substrate constant.
  • FIG. 1 is an exploded perspective view of a piezoelectric vibrator according to an embodiment of the present invention.
  • 2 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG.
  • FIG. 3 is a diagram schematically showing a top view of the conductive holding member.
  • the conductive holding member 342 includes an adhesive 400, a plurality of spherical spacers 410, and a plurality of metal particles 420. It is a figure which shows a mode.
  • FIG. 4 is a conceptual diagram for explaining the relationship between the size of the spherical spacer and the size of the metal particles, and specifically shows a state in which one metal particle enters a gap formed by three spherical spacers.
  • FIG. 5 is a conceptual diagram for explaining the relationship between the size of the spherical spacer and the size of the metal particles, and specifically shows a state in which three metal particles enter a gap formed by the three spherical spacers. It is.
  • FIG. 1 is an exploded perspective view of a piezoelectric vibrator according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II in FIG.
  • the piezoelectric vibrator 1 includes a piezoelectric vibration element 100 (Piezoelectric Resonator), a lid member 200, and a substrate 300.
  • the lid member 200 and the substrate 300 are part of the structure of a holder (case or package) for housing the piezoelectric vibration element 100.
  • the piezoelectric vibration element 100 includes a piezoelectric substrate 110 and excitation electrodes (Excitation Electrodes) 120 and 130 (hereinafter referred to as “first excitation electrode 120” and “second excitation electrode 130”) provided on the front and back surfaces of the piezoelectric substrate 110, respectively. Also).
  • excitation electrodes 120 and 130 hereinafter referred to as “first excitation electrode 120” and “second excitation electrode 130”
  • the piezoelectric substrate 110 is formed from a predetermined piezoelectric material, and the material is not particularly limited.
  • the piezoelectric substrate 110 is formed from an artificial crystal having a predetermined crystal orientation (Synthetic Quartz Crystal).
  • the piezoelectric substrate 110 is, for example, an AT-cut crystal piece (Quartz Crystal Element).
  • the AT-cut crystal piece is 35 degrees 15 minutes in the direction from the Y axis to the Z axis around the X axis among the X, Y, and Z axes that are the crystal axes of the artificial quartz.
  • the piezoelectric substrate 110 which is an AT-cut crystal piece has a long side extending along the X axis, a short side extending along the Z ′ axis, and a thickness extending along the Y ′ axis. And has a substantially rectangular shape on the XZ ′ plane.
  • a piezoelectric vibration element using an AT-cut crystal piece has high frequency stability over a wide temperature range, and is excellent in aging characteristics.
  • a piezoelectric vibration element using an AT-cut crystal piece that is, a quartz vibration element
  • the piezoelectric substrate is not limited to the above configuration, and for example, a rectangular AT-cut quartz piece having a long side extending along the Z ′ axis and a short side extending along the X axis is applied. May be.
  • a crystal piece with a cut other than the AT cut such as a BT cut may be used.
  • the material of the piezoelectric substrate is not limited to quartz, and for example, a piezoelectric ceramic such as PZT or other piezoelectric material such as zinc oxide may be used.
  • the piezoelectric vibration element may be, for example, a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems), and specifically, Si-MEMS in which a MEMS is formed on a silicon substrate may be used. Furthermore, the piezoelectric vibration element may be a piezoelectric MEMS using a predetermined piezoelectric material such as AlN, LiTaO 3 , LiNbO 3 , or PZT.
  • the first excitation electrode 120 is formed on the first main surface 112 of the piezoelectric substrate 110, and the second excitation electrode 130 is formed on the second main surface 114 of the piezoelectric substrate 110.
  • the first excitation electrode 120 and the second excitation electrode 130 are a pair of electrodes, and are disposed so as to substantially overlap each other when the XZ ′ plane is viewed in plan.
  • the piezoelectric substrate 110 has a connection electrode 124 electrically connected to the first excitation electrode 120 via the extraction electrode 122, and a connection electrode 134 electrically connected to the second excitation electrode 130 via the extraction electrode 132. And are formed. Specifically, the extraction electrode 122 is extracted from the first excitation electrode 120 toward the short side of the X-axis negative direction side on the first main surface 112 and further passes through the side surface of the piezoelectric substrate 110 on the Z′-axis positive direction side. Thus, the connection electrode 124 formed on the second main surface 114 is connected.
  • the extraction electrode 132 is extracted from the second excitation electrode 130 toward the X-axis negative direction side short side on the second main surface 114 and connected to the connection electrode 134 formed on the second main surface 114.
  • the connection electrodes 124 and 134 are disposed along the short side of the X-axis negative direction, and are electrically held and mechanically held by the substrate 300 via the conductive holding members 340 and 342 (holding portions).
  • the arrangement and pattern shape of the connection electrodes 124 and 134 and the extraction electrodes 122 and 132 are not limited, and may be changed as appropriate in consideration of electrical connection with other members.
  • Each of the electrodes including the first excitation electrode 120 and the second excitation electrode 130 has, for example, a chromium (Cr) layer formed on the surface of the piezoelectric substrate 110 as a base to increase the bonding force, and a gold layer on the surface of the chromium layer.
  • An (Au) layer is formed.
  • the material is not limited.
  • the lid member 200 has a recess that opens to face the first main surface 302 of the substrate 300.
  • the lid member 200 is provided with a side wall portion 202 formed so as to rise from the bottom surface of the recess over the entire circumference of the opening.
  • the side wall portion 202 is an end surface 204 facing the first main surface 302 of the substrate 300. have.
  • the end surface 204 is bonded to the first main surface 302 of the substrate 300 via the bonding material 250.
  • the lid member 200 may have any shape that can accommodate the piezoelectric vibration element 100 in the internal space when bonded to the substrate 300, and the shape is not particularly limited.
  • the material of the lid member 200 is not particularly limited, but may be made of a conductive material such as metal.
  • a shield function can be added by electrically connecting the lid member 200 to the ground potential.
  • the lid member 200 may be made of an alloy (for example, 42 alloy) containing iron (Fe) and nickel (Ni).
  • a surface layer such as a gold (Au) layer may be further formed on the surface of the lid member 200. By forming a gold layer on the surface, it is possible to prevent the lid member 200 from being oxidized.
  • the lid member 200 may be an insulating material or a composite structure of a conductive material and an insulating material.
  • the substrate 300 holds the piezoelectric vibration element 100.
  • the piezoelectric vibration element 100 is held on the first main surface 302 of the substrate 300 through the conductive holding members 340 and 342 so as to be able to be excited.
  • the substrate 300 has a long side extending along the X axis, a short side extending along the Z ′ axis, and a side in the thickness direction extending along the Y ′ axis, and is substantially rectangular on the XZ ′ plane. It has a shape.
  • the substrate 300 is made of, for example, a single layer of insulating ceramic. As another embodiment, the substrate 300 may be formed by stacking and firing a plurality of insulating ceramic sheets.
  • the substrate 300 is preferably made of a heat resistant material.
  • the substrate 300 may have a flat plate shape as shown in FIG. 1, or may have a concave shape opened in a direction facing the lid member 200.
  • connection electrodes 320 and 322, corner electrodes 324 and 326, and extraction electrodes 320a and 322a are formed on the first main surface 302, and side electrodes 330, 332, 334, and 336 are formed on the side surfaces.
  • External electrodes 360, 362, 364, 366 are formed on the main surface 304.
  • connection electrodes 320 and 322 are formed on the first main surface 302 of the substrate 300 along the short side on the X axis negative direction side and spaced from the short side.
  • the connection electrode 320 is connected to the connection electrode 124 of the piezoelectric vibration element 100 via the conductive holding member 340
  • the connection electrode 322 is connected to the connection electrode 134 of the piezoelectric vibration element 100 via the conductive holding member 342.
  • the material of the connection electrodes 320 and 322 is not particularly limited.
  • the connection electrodes 320 and 322 are formed of a laminate of molybdenum (Mo), nickel (Ni), and gold (Au).
  • the conductive holding members 340 and 342 are formed by, for example, thermosetting an adhesive. Details of the configuration of the conductive holding members 340 and 342 will be described later.
  • the extraction electrode 320 a is extracted from the connection electrode 320 toward the side electrode 330 provided at one corner of the substrate 300.
  • the extraction electrode 322a is extracted along the X-axis direction from the connection electrode 322 toward the side electrode 332 provided at the corner of the substrate 300 at the diagonal position of the side electrode 330.
  • corner electrodes 324 and 326 are formed in the remaining corners (corners other than the corners where the extraction electrodes 320a and 322a electrically connected to the connection electrodes 320 and 322 are disposed). .
  • the corner electrodes 324 and 326 are electrodes that are not electrically connected to either the first excitation electrode 120 or the second excitation electrode 130.
  • the plurality of side surface electrodes 330, 332, 334, and 336 are formed on the side surfaces near the respective corners of the substrate 300. Further, the plurality of external electrodes 360, 362, 364, 366 are formed in the vicinity of each corner on the second main surface 304 of the substrate 300. Specifically, the side electrode 330 and the external electrode 360 are arranged at corners on the X axis negative direction and the Z ′ axis positive direction side, and the side electrode 332 and the external electrode 362 are on the X axis positive direction and the Z ′ axis negative direction side.
  • the side electrode 334 and the external electrode 364 are arranged at the corners on the X axis positive direction and the Z ′ axis positive direction side, and the side electrode 336 and the external electrode 366 are arranged on the X axis negative direction and the Z ′ axis negative direction. It is arranged at the corner on the direction side.
  • Side electrodes 330, 332, 334, and 336 are provided to electrically connect the electrodes on the first main surface 302 and the second main surface 304.
  • a corner portion of the substrate 300 has a cut-out side surface formed by cutting a part of the corner portion into a cylindrical curved surface shape (also referred to as a castellation shape).
  • Side electrodes 330, 332, 334, and 336 are formed on the side surfaces.
  • the shape of the corner portion of the substrate 300 is not limited to this, and the shape of the cutout may be a flat shape, or may be a rectangular shape having no cutout and having four corners at right angles in plan view. There may be.
  • External electrodes 360, 362, 364, and 366 are electrodes for electrical connection with a mounting board (not shown).
  • the external electrodes 360, 362, 364, and 366 are electrically connected to side electrodes 330, 332, 334, and 336 formed on the side surfaces of the corresponding corners, respectively.
  • the external electrodes 360, 362, 364, and 366 can be electrically connected to the electrodes on the first main surface 302 side of the substrate 300 via the side electrodes 330, 332, 334, and 336.
  • the external electrode 360 is electrically connected to the first excitation electrode 120 via the side electrode 330, the extraction electrode 320a, the connection electrode 320, and the conductive holding member 340.
  • the external electrode 362 is electrically connected to the second excitation electrode 130 via the side electrode 332, the extraction electrode 322a, the connection electrode 322, and the conductive holding member 342. That is, the external electrodes 360 and 362 are input / output terminals that are electrically connected to the first excitation electrode 120 or the second excitation electrode 130.
  • the remaining external electrodes 364 and 366 are dummy electrodes that are not electrically connected to the first excitation electrode 120 or the second excitation electrode 130 of the piezoelectric vibration element 100.
  • the external electrodes 364 and 366 can be formed at all corners, so that the process of electrically connecting the piezoelectric vibrator 1 to another member is facilitated.
  • the external electrodes 364 and 366 may function as a grounding electrode to which a ground potential is supplied.
  • the lid member 200 when the lid member 200 is made of a conductive material, the lid member 200 can be provided with a shielding function by electrically connecting the lid member 200 to the external electrodes 364 and 366 that are grounding electrodes.
  • each structure of the connection electrode, the corner electrode, the extraction electrode, the side electrode, and the external electrode formed on the substrate 300 is not limited to the above-described example, and various modifications can be applied.
  • the number of external electrodes is not limited to four.
  • only two input / output terminals arranged diagonally may be provided.
  • the side electrodes are not limited to those arranged at the corners, and may be formed on any side surface of the substrate 300 excluding the corners. In this case, as already described, a cut-out side surface in which a part of the side surface is cut into a cylindrical curved surface may be formed, and a side electrode may be formed on the side surface excluding the corners.
  • corner electrodes 324 and 326, the side surface electrodes 334 and 336, and the external electrodes 364 and 366 may not be formed.
  • a through hole penetrating from the first main surface 302 to the second main surface 304 is formed in the substrate 300, and electrical conduction is made from the connection electrode formed on the first main surface 302 to the second main surface 304 by this through hole. You may plan.
  • the bonding material 250 is provided over the entire circumferences of the lid member 200 and the substrate 300, and bonds the end surface 204 of the side wall portion 202 of the lid member 200 and the first main surface 302 of the substrate 300.
  • the material of the bonding material 250 is not limited, but may be, for example, a gold (Au) -tin (Sn) eutectic alloy.
  • the piezoelectric vibration element 100 is hermetically sealed in an internal space (cavity) surrounded by the concave portion of the lid member 200 and the substrate 300.
  • the pressure in the internal space is a vacuum state lower than the atmospheric pressure, thereby reducing a change with time due to oxidation of the first excitation electrode 120 and the second excitation electrode 130.
  • the piezoelectric vibrator 1 an alternating electric field is applied between the pair of first excitation electrode 120 and second excitation electrode 130 in the piezoelectric vibration element 100 via the external electrodes 360 and 362 of the substrate 300.
  • FIG. 3 is a diagram schematically showing a top view of the conductive holding member.
  • the conductive holding member 342 includes an adhesive 400, a plurality of spherical spacers 410, and a plurality of metal particles 420. It is a figure which shows a mode. 3 schematically shows the conductive holding member 342 provided on the connection electrode 322 in a plan view of the substrate 300 (that is, a plan view of the XZ ′ plane). The lid member 200 and the piezoelectric vibration element are shown in FIG. 100 is omitted. In the following description, since the conductive holding member 340 is the same as the conductive holding member 342, detailed description thereof is omitted.
  • the conductive holding member 342 includes an adhesive (binder) 400, a plurality of spherical spacers 410, and a plurality of metal particles 420.
  • the adhesive 400 contains, for example, a resin as a main component.
  • Each of the plurality of spherical spacers 410 is mainly composed of a resin such as rubber having elasticity or plastic such as silicone resin.
  • a silicone resin is used for the plurality of spherical spacers 410.
  • the adhesive 400 and the spherical spacer 410 may be distinguished from each other by using different types of resins, for example.
  • Each of the plurality of spherical spacers 410 has a spherical shape, for example.
  • the spherical shape is not limited to a spherical shape, and includes an elliptical shape, a spherical shape or a shape obtained by slightly deforming an elliptical shape, and the like.
  • the plurality of spherical spacers 410 are not covered with metal, and a silicone resin material that is an insulator is exposed on the surface.
  • Such a spherical spacer 410 has a lower Young's modulus and a lower acoustic impedance than a spherical spacer coated with metal.
  • Each of the plurality of spherical spacers 410 has a particle diameter V, and an average value of the particle diameters V is an average particle diameter V ave .
  • the particle diameter V of the spherical spacer is an equivalent circle diameter obtained from the cross-sectional area of the spherical spacer in an arbitrary cross-sectional view.
  • the cross-sectional view is, for example, a cross-sectional image of the conductive holding member acquired at a magnification of 10,000 times with a scanning ion microscope using a focused ion beam (FIB).
  • the average particle diameter V ave is the particle diameter of a total of 100 spherical spacers selected from 10 particles estimated to have the maximum length in each of the cross-sectional images of 10 conductive holding members having different cross sections. Average value.
  • the spherical spacer before adding to an electroconductive holding member can be measured, you may measure an average particle diameter using the particle size distribution measuring apparatus of a laser diffraction and a scattering method.
  • the definitions of the particle diameter and the average particle diameter are the same in the particle diameter and average particle diameter of metal particles described later.
  • the particle size V of the spherical spacer 410 is such that the surface of the second excitation electrode 130 formed on the second main surface 114 of the piezoelectric vibration element 100 and the surface of the connection electrode 322 formed on the first main surface 302 of the substrate 300.
  • the distance L is equal to or smaller than the distance L (that is, V ⁇ L is satisfied) (see FIG. 2).
  • the piezoelectric vibration element 100 is placed on the surface of the connection electrode 322 with a plurality of spherical spacers 410 interposed therebetween.
  • the piezoelectric vibration element 100 responds to the particle diameter V of the spherical spacer from the surface of the connection electrode 322. It will be held at intervals. Specifically, for example, when the spherical spacers 410 are stacked one stage in the Y′-axis direction as shown in FIG. 2, the piezoelectric vibrating element 100 has an interval corresponding to the particle diameter V of the spherical spacers 410 (for example, 5 About 6 ⁇ m).
  • the piezoelectric vibration element 100 has an interval (for example, about 10 to 11 ⁇ m) corresponding to about twice the particle diameter V of the spherical spacers 410.
  • the spherical spacer 410 may be slightly deformed by being sandwiched between the connection electrode 322 and the piezoelectric vibration element 100, and the length in the Y-axis direction may be shorter than the particle diameter V before bonding. In this way, the distance between the second main surface 114 of the piezoelectric vibration element 100 and the first main surface 302 of the substrate 300 is kept constant, and parasitics generated between the electrodes formed on both the main surfaces. The capacity can be kept constant.
  • the plurality of spherical spacers 410 are provided, for example, on the connection electrode 322 (see FIG. 3).
  • “being spread” is a state in which the surfaces of adjacent spherical spacers among the plurality of spherical spacers 410 are arranged so as to contact each other, as shown in FIG. 3.
  • a plurality of spherical spacer groups constituted by three spherical spacers 410 a, 410 b, 410 c adjacent to each other are arranged on the first main surface of the substrate.
  • a gap is formed in a region surrounded by three spherical spacers 410a to 410c adjacent to each other.
  • the spherical spacer groups are stacked in a plurality of stages in the Y′-axis direction, gaps similar to the gaps are formed between the spherical spacer groups stacked in the Y′-axis direction.
  • Each of the plurality of metal particles 420 is a particle formed by bonding a plurality of metal atoms.
  • the material of the plurality of metal particles 420 is not particularly limited, for example, silver (Ag) or the like is a main component.
  • the plurality of metal particles 420 are cured while being in contact with each other between the adhesives 400, whereby the conductive holding member 342 becomes an adhesive that functions as a holding member while having conductivity.
  • Each of the plurality of metal particles 420 has a particle diameter W, and an average value of the particle diameters W is an average particle diameter W ave .
  • variation (namely, particle diameter distribution) of the particle diameter of the some metal particle 420 can approximate the normal distribution function of standard deviation (sigma), for example.
  • Each of the plurality of metal particles 420 is disposed so as to enter a gap formed by the plurality of spherical spacers 410 spread on the connection electrode 322, and is in contact with each other in the Y′-axis direction. That is, the particle diameter W of the metal particles 420 is smaller than the gap formed by the three spherical spacers 410a to 410c constituting the spherical spacer group. This point will be described with reference to FIGS. In FIGS. 4 and 5, description will be made assuming that both the spherical spacer and the metal particle are spheres circumscribing each other.
  • FIG. 4 is a conceptual diagram for explaining the relationship between the size of the spherical spacer and the size of the metal particles. Specifically, the relationship between the three spherical spacers arranged next to each other on the first main surface 302 of the substrate 300 is shown. It is a figure which shows a mode that one metal particle enters into the formed clearance gap.
  • FIG. 5 is a conceptual diagram for explaining the relationship between the size of the spherical spacer and the size of the metal particles. Specifically, the state in which the three metal particles enter the gap formed by the three spherical spacers.
  • FIG. 4 and 5 are cross sections parallel to the XZ ′ plane when the plurality of spherical spacers are spread evenly as shown in FIG.
  • a cross section of the height is schematically shown. That is, at the height, the gap formed by the plurality of spherical spacers is the narrowest.
  • the radius of the great circle 10a, 10b, 10c of the sphere corresponding to the spherical spacer is R (corresponding to V / 2)
  • the radius of the small circle 20a, 20b, 20c of the sphere corresponding to the metal particle is r ( Equivalent to W / 2).
  • FIG. 4 is a conceptual diagram showing a case where one metal particle enters a gap formed by three spherical spacers in a certain spherical spacer group.
  • the center of the great circle 10a is O
  • the center of the small circle 20a is P
  • the contact point between the great circle 10a and the great circle 10b is Q
  • r ⁇ (2 / ⁇ 3) ⁇ 1 ⁇ ⁇ R (1)
  • some of the plurality of metal particles having the average particle diameter W ave may enter the gap formed by the plurality of spherical spacers having the average particle diameter V ave. it can.
  • the metal particles having a particle diameter W smaller than the average particle diameter W ave For example, the ratio is about half of the entire metal particles contained in the conductive holding member.
  • W ave ⁇ (2 / ⁇ 3) ⁇ 1 ⁇ ⁇ V ave ( ⁇ 0.15 ⁇ V ave ) (3)
  • FIG. 5 is a conceptual diagram showing a case where three metal particles enter a gap formed by three spherical spacers in a certain spherical spacer group.
  • the center of the great circle 10a is O
  • the center of the small circle 20a is P
  • the contact point of the great circle 10a and the great circle 10b is Q
  • the contact point of the great circle 10a and the small circle 20a is S
  • the contact point of the small circle 20a and the small circle 20c Is T
  • the intersection of the straight line OT and the straight line QP U
  • the line segment OQ R
  • the line segment OP (R + r)
  • the line segment PT r.
  • the line segment OT ⁇ ⁇ (R + r) 2 ⁇ r 2 ⁇ from the three square theorem.
  • a part of the plurality of metal particles having an average particle diameter W ave (for example, about half of the whole metal particles included in the conductive holding member) is three. At the same time, it can enter the gap formed by the three spherical spacers having an average particle diameter V ave .
  • W ave ⁇ (5-2 ⁇ 6) ⁇ V ave ( ⁇ 0.10 ⁇ V ave ) (9)
  • the spherical spacer is mixed. Even if it is, the electroconductivity of a conductive holding member can be maintained favorable. Therefore, in the piezoelectric vibrator 1, the conductivity of the conductive holding member (holding portion) that holds the piezoelectric vibration element is improved while keeping the distance between the piezoelectric vibration element 100 and the main surface of the substrate 300 constant. In addition, since it is not necessary to coat the spherical spacer with metal, the manufacturing cost is lower than that of the structure coated with metal.
  • the Young's modulus of the conductive holding members 340 and 342 is smaller and the acoustic impedance is lower than that of the conventional piezoelectric vibrator disclosed in Patent Document 1, for example. .
  • the difference in acoustic impedance between the piezoelectric vibration element 100 and the substrate 300 having a relatively high acoustic impedance and the conductive holding member having a relatively low acoustic impedance increases.
  • the greater the difference in acoustic impedance of each object the greater the reflected wave of vibration at the boundary surface between the objects, and the reduced the transmitted wave.
  • the reflected wave at the boundary surface between the piezoelectric vibration element 100 and the conductive holding members 340 and 342 increases, and the transmitted wave to the substrate 300 decreases. Accordingly, vibration leaking from the piezoelectric vibration element 100 to the substrate 300 via the conductive holding members 340 and 342 is reduced, and a decrease in the CI (Crystal Impedance) value of the piezoelectric vibrator 1 is suppressed.
  • the average particle diameter W ave of the plurality of metal particles may satisfy the following formula (10).
  • at least six metal particles can simultaneously enter the gap formed by the three spherical spacers. Therefore, since the generation of powder bridges of the metal particles is suppressed, the metal particles are more likely to enter the gap, and the conductivity of the conductive holding member is improved.
  • W ave ⁇ [ ⁇ (2 / ⁇ 3) ⁇ 1 ⁇ / 6] ⁇ V ave ( ⁇ 0.03 ⁇ V ave ) (10)
  • the piezoelectric vibration element 100 has one end fixed by conductive holding members 340 and 342 and the other end is free. It may be fixed to the substrate 300 at both ends. That is, one of the connection electrodes 320, 322 is formed on the X axis positive direction side and the other is formed on the X axis negative direction side. Also good.
  • FIG. 2 shows an example in which one spherical spacer is stacked in the height direction (Y′-axis direction), but the number of the spherical spacers is not limited to this, and two steps in the height direction are provided. The above may be stacked.
  • the metal particles in order to simultaneously enter six metal particles into the gap formed by the three spherical spacers, it is necessary to make the metal particles relatively smaller than the spherical spacers.
  • the proportion of the metal particles in the conductive holding member increases.
  • the acoustic impedance of the conductive holding member is increased.
  • the difference in acoustic impedance between the conductive holding member and the piezoelectric vibration element 100 and the substrate 300 tends to be small.
  • the number of metal particles entering the gap formed by the three spherical spacers having an average particle diameter V ave is, for example, up to six.
  • the average particle diameter W ave preferably satisfies the following formula (11). W ave ⁇ [ ⁇ (2 / ⁇ 3) ⁇ 1 ⁇ / 6] ⁇ V ave ( ⁇ 0.03 ⁇ V ave ) (11)
  • the piezoelectric vibrator 1 may not include the lid member 200.
  • the conductive holding members 340 and 342 include a plurality of metal particles 420 and a plurality of spherical spacers 410 that hold the piezoelectric vibration element 100 at a predetermined interval from the first main surface 302 of the substrate 300.
  • the average particle diameter of the spherical spacer 410 is V ave and the average particle diameter of the metal particles 420 is W ave .
  • the relationship is W ave ⁇ (2 / ⁇ 3) ⁇ 1 ⁇ ⁇ V ave .
  • the metal particles 420 sufficiently enter the gap formed by the spherical spacer 410, so that the conductivity of the conductive holding members 340 and 342 is improved. Moreover, since it is not necessary to coat the spherical spacer with metal, the manufacturing cost is low. Further, since spherical spacers that are not covered with metal are used, the Young's modulus of the conductive holding members 340 and 342 is small, and the acoustic impedance is low. Thereby, vibration leaking from the piezoelectric vibration element 100 to the substrate 300 via the conductive holding members 340 and 342 is reduced, and a decrease in the CI value of the piezoelectric vibrator 1 is suppressed.
  • the piezoelectric vibrator 1 When the particle size distribution of the metal particles 420 is approximated to a normal distribution function with a standard deviation ⁇ , the piezoelectric vibrator 1 further has a relationship of W ave + 2 ⁇ ⁇ (2 / ⁇ 3) ⁇ 1 ⁇ ⁇ V ave. You may do it. Thereby, most (for example, about 95% of the total) of the plurality of metal particles 420 can enter the gap formed by the spherical spacer 410. Therefore, the conductivity of the conductive holding members 340 and 342 is further improved.
  • the piezoelectric vibrator 1 may further have a relationship of W ave ⁇ (5-2 ⁇ 6) ⁇ V ave .
  • the metal particles 420 can easily enter the gap formed by the spherical spacer 410. Therefore, the conductivity of the conductive holding members 340 and 342 is further improved.
  • the material of the spherical spacer 410 is not particularly limited, but for example, a resin may be the main component.
  • the spherical spacer 410 may have an insulating surface, for example. Thereby, the spherical spacer 410 has a lower acoustic impedance than the spherical spacer coated with metal. Therefore, vibration leaking from the piezoelectric vibration element 100 to the substrate 300 via the conductive holding members 340 and 342 is reduced, and a decrease in the CI value of the piezoelectric vibrator 1 is suppressed.
  • the material of the metal particles 420 is not particularly limited, but for example, silver may be the main component.
  • the plurality of spherical spacers 410 are arranged on the first main surface 302 of the substrate 300 and have a spherical spacer set constituted by three spherical spacers 410a to 410c adjacent to each other.
  • a plurality of particles that pass through a gap surrounded by the two spherical spacers 410a to 410c and are in contact with each other in the normal direction of the first main surface 302 may be included.
  • the three spherical spacers 410a to 410c may be in contact with each other.
  • a plurality of spherical spacer groups may be arranged on the first main surface 302 of the substrate 300.
  • the piezoelectric vibrator 1 further includes a lid member 200 that is bonded to the substrate 300 and accommodates the piezoelectric vibration element 100. Thereby, the piezoelectric vibration element 100 can be accommodated in the internal space.
  • each embodiment described above is for facilitating understanding of the present invention, and is not intended to limit the present invention.
  • the present invention can be changed / improved without departing from the spirit thereof, and the present invention includes equivalents thereof. That is, those in which the person skilled in the art appropriately changes the design of each embodiment is also included in the scope of the present invention as long as the features of the present invention are included.
  • each element included in each embodiment and its arrangement, material, condition, shape, size, and the like are not limited to those illustrated, and can be changed as appropriate.
  • each element included in each embodiment can be combined as much as technically possible, and combinations thereof are included in the scope of the present invention as long as they include the features of the present invention.
  • Piezoelectric vibrator 100 Piezoelectric vibration element 110 Piezoelectric substrate 120,130 Excitation electrode 122,132 Extraction electrode 124,134 Connection electrode 200 Lid member 250 Bonding material 300 Substrate 320,322 Connection electrode 320a, 322a Extraction electrode 324,326 Corner electrode 330 , 332, 334, 336 Side electrode 340, 342 Conductive holding member 360, 362, 364, 366 External electrode 400 Adhesive 410 Spherical spacer 420 Metal particles 10a, 10b, 10c Large circle 20a, 20b, 20c Small circle

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Abstract

圧電振動子（１）は、圧電振動素子（１００）と、対向する第１及び第２主面を有する基板（３００）と、圧電振動素子を基板の第１主面上に保持する導電性保持部材（３４０，３４２）と、を備え、導電性保持部材は、複数の金属粒子（４２０）と、圧電振動素子を基板の第１主面から所定の間隔をあけて保持する複数の球状スペーサ（４１０）と、を含み、球状スペーサの平均粒子径をＶａｖｅとし、金属粒子の平均粒子径をＷａｖｅとした場合、Ｗａｖｅ＜｛（２／√３）－１｝×Ｖａｖｅの関係を有する。

Description

圧電振動子
　本発明は、圧電振動子に関し、特に、圧電振動素子が導電性保持部材によって基板上に保持された圧電振動子に関する。
　圧電振動子の一態様として、基板の主面に圧電振動素子が載置される構造が知られている。このような構造においては、圧電振動素子に形成された電極と基板に形成された電極との間に発生する寄生容量のばらつきが抑制されるよう、圧電振動素子と基板の主面との距離が一定に保たれることが好ましい。例えば、特許文献１には、圧電振動片を保持する保持部となる接着剤に球状スペーサが混入され、当該球状スペーサの直径により基板と圧電振動片の隙間が確保される圧電デバイスが開示されている。当該接着剤には、球状スペーサの直径の１／４以下である外形寸法の金属粒子が混入されており、電気的導通が図られている。
特開２０１４－１５０４５２号公報
　しかしながら、特許文献１に開示されるような圧電デバイスでは、接着剤において金属粒子が球状スペーサによって形成された隙間に充分に入り込まず、接着剤の導電性が低下する問題がある。
　本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、圧電振動素子と基板主面との距離を一定に保ちつつ、圧電振動素子の保持部の導電性が向上する圧電振動子を提供することを目的とする。
　本発明の一側面に係る圧電振動子は、圧電振動素子と、対向する第１及び第２主面を有する基板と、圧電振動素子を基板の第１主面上に保持する導電性保持部材と、を備え、導電性保持部材は、複数の金属粒子と、圧電振動素子を基板の第１主面から所定の間隔をあけて保持する複数の球状スペーサと、を含み、球状スペーサの平均粒子径をＶａｖｅとし、金属粒子の平均粒子径をＷａｖｅとした場合、Ｗａｖｅ＜｛（２／√３）－１｝×Ｖａｖｅの関係を有する。
　上記構成によれば、圧電振動素子の保持部において、金属粒子が球状スペーサによって形成された隙間に充分に入り込むことができる。従って、当該保持部の導電性が向上する。
　本発明によれば、圧電振動素子と基板主面との距離を一定に保ちつつ、圧電振動素子の保持部の導電性が向上する圧電振動子を提供することができる。
図１は、本発明の一実施形態に係る圧電振動子の分解斜視図である。 図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線断面図である。 図３は、導電性保持部材の上面図を模式的に示した図であり、具体的には導電性保持部材３４２に接着剤４００、複数の球状スペーサ４１０及び複数の金属粒子４２０が含まれた様子を示す図である。 図４は、球状スペーサの大きさと金属粒子の大きさの関係を説明するための概念図であり、具体的には３つの球状スペーサによって形成された隙間に１つの金属粒子が入り込む様子を示す図である。 図５は、球状スペーサの大きさと金属粒子の大きさの関係を説明するための概念図であり、具体的には３つの球状スペーサによって形成された隙間に３つの金属粒子が入り込む様子を示す図である。
　以下に本発明の実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の構成要素は同一又は類似の符号で表している。図面は例示であり、各部の寸法や形状は模式的なものであり、本願発明の技術的範囲を当該実施形態に限定して解するべきではない。
　図１及び図２を参照しつつ、本発明の一実施形態に係る圧電振動子１を説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る圧電振動子の分解斜視図であり、図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線断面図である。
　図１に示されるように、本実施形態に係る圧電振動子１は、圧電振動素子１００（Ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ　Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）と、蓋部材２００と、基板３００と、を備える。蓋部材２００及び基板３００は、圧電振動素子１００を収容するための保持器（ケース又はパッケージ）の構成の一部である。
　圧電振動素子１００は、圧電基板１１０と、圧電基板１１０の表裏面にそれぞれ設けられた励振電極（Ｅｘｃｉｔａｔｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ）１２０，１３０（以下では、「第１励振電極１２０」及び「第２励振電極１３０」ともいう。）と、を含む。
　圧電基板１１０は、所定の圧電材料から形成され、その材料は特に限定されるものではない。図１に示される例では、圧電基板１１０は、所定の結晶方位を有する人工水晶（Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ　Ｑｕａｒｔｚ　Ｃｒｙｓｔａｌ）から形成されている。圧電基板１１０は、例えば、ＡＴカットされた水晶片（Ｑｕａｒｔｚ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｅｌｅｍｅｎｔ）である。ＡＴカットされた水晶片は、人工水晶の結晶軸であるＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸のうち、Ｙ軸及びＺ軸をＸ軸の周りにＹ軸からＺ軸の方向に３５度１５分±１分３０秒分回転させた軸をそれぞれＹ´軸及びＺ´軸とした場合、Ｘ軸及びＺ´軸によって特定される面（以下、「ＸＺ´面」と呼ぶ。他の軸によって特定される面についても同様である。）と平行な面を主面として切り出されたものである。図１に示される例では、ＡＴカットされた水晶片である圧電基板１１０は、Ｘ軸に沿って延びる長辺と、Ｚ´軸に沿って延びる短辺と、Ｙ´軸に沿って延びる厚み方向の辺と、を有しており、ＸＺ´面において略矩形状をなしている。ＡＴカットされた水晶片を用いた圧電振動素子は、広い温度範囲で高い周波数安定性を有し、また、経時変化特性にも優れている。また、ＡＴカットされた水晶片を用いた圧電振動素子（すなわち、水晶振動素子（Ｑｕａｒｔｚ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ））は、主要振動として厚みすべり振動モード（Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ　Ｓｈｅａｒ　Ｍｏｄｅ）を含む。以下、ＡＴカットの軸方向を基準として圧電振動子１の各構成を説明する。
　なお、圧電基板は上記構成に限定されるものではなく、例えば、Ｚ´軸に沿って延びる長辺と、Ｘ軸に沿って延びる短辺とを有する矩形状のＡＴカットされた水晶片を適用してもよい。あるいは、主要振動が厚みすべり振動モードを含んでいれば、例えば、ＢＴカットなどのＡＴカット以外のカットの水晶片であってもよい。また、圧電基板の材料は水晶に限定されるものではなく、例えば、ＰＺＴなどの圧電セラミックや酸化亜鉛などのその他の圧電材料を用いてもよい。また、圧電振動素子は、例えばＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ　Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｓｙｓｔｅｍｓ）であってもよく、具体的には、シリコン基板にＭＥＭＳを形成したＳｉ－ＭＥＭＳを用いてもよい。さらに、圧電振動素子は、ＡｌＮ、ＬｉＴａＯ３、ＬｉＮｂＯ３、ＰＺＴなどの所定の圧電材料を用いた圧電ＭＥＭＳであってもよい。
　第１励振電極１２０は、圧電基板１１０の第１主面１１２に形成され、第２励振電極１３０は、圧電基板１１０の第２主面１１４に形成されている。第１励振電極１２０及び第２励振電極１３０は、一対の電極であり、ＸＺ´面を平面視した場合に略全体が重なり合うように配置されている。
　圧電基板１１０には、第１励振電極１２０に引出電極１２２を介して電気的に接続された接続電極１２４と、第２励振電極１３０に引出電極１３２を介して電気的に接続された接続電極１３４と、が形成される。具体的には、引出電極１２２は、第１主面１１２において第１励振電極１２０からＸ軸負方向側短辺に向かって引き出され、さらに圧電基板１１０のＺ´軸正方向側の側面を通って、第２主面１１４に形成された接続電極１２４に接続される。他方、引出電極１３２は、第２主面１１４において第２励振電極１３０からＸ軸負方向側短辺に向かって引き出され、第２主面１１４に形成された接続電極１３４に接続される。接続電極１２４，１３４はＸ軸負方向側短辺に沿って配置され、導電性保持部材３４０，３４２（保持部）を介して基板３００に電気的導通を図るとともに機械的に保持される。なお、接続電極１２４，１３４及び引出電極１２２，１３２の配置やパターン形状は限定されるものではなく、他の部材との電気的接続を考慮して適宜変更されてもよい。
　第１励振電極１２０及び第２励振電極１３０を含む上記各電極は、例えば、圧電基板１１０の表面に接合力を高めるためクロム（Ｃｒ）層が下地として形成されており、クロム層の表面に金（Ａｕ）層が形成されている。なお、その材料は限定されるものではない。
　図２に示されるように、蓋部材２００は、基板３００の第１主面３０２に対向して開口した凹部を有している。蓋部材２００は、開口の全周に亘って、凹部の底面から立ち上がるように形成された側壁部２０２が設けられており、側壁部２０２は、基板３００の第１主面３０２に対向する端面２０４を有している。端面２０４は、接合材２５０を介して基板３００の第１主面３０２と接合される。なお、蓋部材２００は基板３００に接合されたときに圧電振動素子１００を内部空間に収容することができる形状であればよく、その形状は特に限定されるものではない。蓋部材２００の材質は特に限定されるものではないが、例えば金属などの導電性材料で構成されていてもよい。これによれば、蓋部材２００を接地電位に電気的に接続させることによりシールド機能を付加することができる。蓋部材２００が金属によって形成される場合、例えば、鉄（Ｆｅ）及びニッケル（Ｎｉ）を含む合金（例えば４２アロイ）で形成されてもよい。あるいは、蓋部材２００の表面にさらに金（Ａｕ）層などの表面層が形成されてもよい。表面に金層が形成されることにより、蓋部材２００の酸化防止を図ることができる。あるいは、蓋部材２００は、絶縁材料又は導電材料及び絶縁材料の複合構造であってもよい。
　図１に戻り、基板３００は、圧電振動素子１００を保持するものである。図１に示される例では、圧電振動素子１００が、導電性保持部材３４０，３４２を介して基板３００の第１主面３０２上に励振可能に保持されている。
　基板３００は、Ｘ軸に沿って延びる長辺と、Ｚ´軸に沿って延びる短辺と、Ｙ´軸に沿って延びる厚み方向の辺と、を有しており、ＸＺ´面において略矩形状をなしている。基板３００は、例えば単層の絶縁性セラミックで形成されている。別の実施形態として、基板３００は、複数の絶縁性セラミックシートを積層して焼成することによって形成されてもよい。基板３００は耐熱性材料から構成されることが好ましい。なお、基板３００は、図１に示されるように平板状をなしていてもよく、又は蓋部材２００に対向する向きに開口した凹状をなしていてもよい。
　基板３００には、第１主面３０２に接続電極３２０，３２２、コーナー電極３２４，３２６、及び引出電極３２０ａ，３２２ａが形成され、側面に側面電極３３０，３３２，３３４，３３６が形成され、第２主面３０４に外部電極３６０，３６２，３６４，３６６が形成されている。
　接続電極３２０，３２２は、基板３００の第１主面３０２上において、Ｘ軸負方向側の短辺に沿ってかつ当該短辺から間隔を空けて形成されている。接続電極３２０は導電性保持部材３４０を介して圧電振動素子１００の接続電極１２４と接続され、接続電極３２２は、導電性保持部材３４２を介して圧電振動素子１００の接続電極１３４と接続される。接続電極３２０，３２２の材料は特に限定されないが、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、及び金（Ａｕ）の積層により構成される。なお、導電性保持部材３４０，３４２は、例えば、接着剤が熱硬化されて形成される。導電性保持部材３４０，３４２の構成の詳細については後述する。
　引出電極３２０ａは、接続電極３２０から基板３００の１つの角部に設けられた側面電極３３０に向かって引き出されている。引出電極３２２ａは、接続電極３２２から基板３００における側面電極３３０の対角位置にある角部に設けられた側面電極３３２に向かって、Ｘ軸方向に沿って引き出されている。
　本実施形態においては、残りの角部（接続電極３２０，３２２と電気的に接続された引出電極３２０ａ，３２２ａが配置された角部以外の角部）にコーナー電極３２４，３２６が形成されている。コーナー電極３２４，３２６は、第１励振電極１２０及び第２励振電極１３０のいずれとも電気的に接続されていない電極である。
　複数の側面電極３３０，３３２，３３４，３３６は、それぞれ、基板３００の各角部付近の側面に形成されている。また、複数の外部電極３６０，３６２，３６４，３６６は、それぞれ、基板３００の第２主面３０４上の各角部付近に形成されている。具体的には、側面電極３３０及び外部電極３６０はＸ軸負方向及びＺ´軸正方向側の角部に配置され、側面電極３３２及び外部電極３６２はＸ軸正方向及びＺ´軸負方向側の角部に配置され、側面電極３３４及び外部電極３６４はＸ軸正方向及びＺ´軸正方向側の角部に配置され、側面電極３３６及び外部電極３６６はＸ軸負方向及びＺ´軸負方向側の角部に配置されている。
　側面電極３３０，３３２，３３４，３３６は、第１主面３０２と第２主面３０４の各電極を電気的に接続するために設けられている。図１に示される例では、基板３００の角部は、その一部が円筒曲面状（キャスタレーション形状とも呼ばれる。）に切断して形成された切り欠き側面をなしており、このような切り欠き側面に側面電極３３０，３３２，３３４，３３６が形成されている。なお、基板３００の角部の形状はこれに限定されるものではなく、切り欠きの形状は平面状であってもよく、又は切り欠きがなく、平面視して四隅が直角である矩形状であってもよい。
　外部電極３６０，３６２，３６４，３６６は、実装基板（図示しない）と電気的に接続するための電極である。外部電極３６０，３６２，３６４，３６６は、各々、対応する角部の側面に形成された側面電極３３０，３３２，３３４，３３６に電気的に接続される。これにより、外部電極３６０，３６２，３６４，３６６は、側面電極３３０，３３２，３３４，３３６を介して基板３００の第１主面３０２側の電極に電気的に導通可能となる。
　具体的には、複数の外部電極のうち、外部電極３６０は、側面電極３３０、引出電極３２０ａ、接続電極３２０、及び導電性保持部材３４０を介して第１励振電極１２０に電気的に接続され、外部電極３６２は、側面電極３３２、引出電極３２２ａ、接続電極３２２、及び導電性保持部材３４２を介して第２励振電極１３０に電気的に接続される。すなわち、外部電極３６０，３６２は、第１励振電極１２０又は第２励振電極１３０と電気的に接続される入出力端子である。
　また、残りの外部電極３６４，３６６は、圧電振動素子１００の第１励振電極１２０又は第２励振電極１３０とは電気的に接続されることがないダミー電極である。外部電極３６４，３６６を形成することにより、全ての角部に外部電極を形成することができるため、圧電振動子１を他の部材に電気的に接続する処理工程が容易となる。なお、外部電極３６４，３６６は、接地電位が供給される接地用電極としての機能を有していてもよい。例えば、蓋部材２００が導電性材料からなる場合、蓋部材２００を接地用電極である外部電極３６４，３６６に電気的に接続することにより、蓋部材２００にシールド機能を付与することができる。
　なお、基板３００に形成される接続電極、コーナー電極、引出電極、側面電極、及び外部電極の各構成は上述の例に限定されるものではなく、様々に変形して適用することができる。例えば、外部電極の個数は４つに限るものではなく、例えば対角上に配置された２つの入出力端子のみであってもよい。また、側面電極は角部に配置されたものに限らず、角部を除く基板３００のいずれかの側面に形成されてもよい。この場合、既に説明したとおり、側面の一部を円筒曲面状に切断した切り欠き側面を形成し、角部を除く当該側面に側面電極を形成してもよい。さらに、コーナー電極３２４，３２６、側面電極３３４，３３６、及び外部電極３６４，３６６は形成しなくてもよい。また、基板３００に第１主面３０２から第２主面３０４へ貫通するスルーホールを形成し、このスルーホールによって第１主面３０２に形成した接続電極から第２主面３０４へ電気的導通を図ってもよい。
　接合材２５０は、蓋部材２００及び基板３００のそれぞれの全周に亘って設けられ、蓋部材２００の側壁部２０２の端面２０４と基板３００の第１主面３０２とを接合する。接合材２５０の材料は限定されるものではないが、例えば金（Ａｕ）‐錫（Ｓｎ）共晶合金としてもよい。蓋部材と基板の接合を金属接合とすることにより、蓋部材が導電性材料で構成されている場合、蓋部材と基板との間の電気的導通を図ることができる。また、封止性を向上させることができる。
　蓋部材２００及び基板３００の両者が接合材２５０を介して接合されることによって、圧電振動素子１００が、蓋部材２００の凹部と基板３００とによって囲まれた内部空間（キャビティ）に密封封止される。この場合、内部空間の圧力は大気圧力よりも低圧な真空状態であることが好ましく、これにより第１励振電極１２０及び第２励振電極１３０の酸化による経時変化などが低減される。
　上述の構成により、圧電振動子１においては、基板３００の外部電極３６０，３６２を介して、圧電振動素子１００における一対の第１励振電極１２０及び第２励振電極１３０の間に交番電界が印加される。これにより、厚みすべり振動モードを含む振動モードによって圧電基板１１０が振動し、該振動に伴う共振特性が得られる。
　次に、図２及び図３を参照しつつ、導電性保持部材について詳細に説明する。図３は、導電性保持部材の上面図を模式的に示した図であり、具体的には導電性保持部材３４２に接着剤４００、複数の球状スペーサ４１０及び複数の金属粒子４２０が含まれた様子を示す図である。なお、図３は、接続電極３２２上に設けられた導電性保持部材３４２を基板３００の平面視（すなわち、ＸＺ´面の平面視）を模式的に示しており、蓋部材２００及び圧電振動素子１００が省略されている。また、以下の説明において、導電性保持部材３４０については導電性保持部材３４２と同様であるため、詳細な説明は省略する。
　図２及び図３に示されるように、導電性保持部材３４２は、接着剤（バインダー）４００、複数の球状スペーサ４１０及び複数の金属粒子４２０を含む。なお、接着剤４００は、例えば樹脂を主成分とする。
　複数の球状スペーサ４１０の各々は、例えば、弾力性を有するゴム、又は、シリコーン樹脂などのプラスチック等の樹脂を主成分とする。本実施形態では、複数の球状スペーサ４１０にはシリコーン樹脂が用いられている。接着剤４００及び球状スペーサ４１０がいずれも樹脂を主成分とする場合、接着剤４００及び球状スペーサ４１０は、例えば種類の異なる樹脂が用いられることにより、両者が区別されてもよい。複数の球状スペーサ４１０の各々は、例えば球形状をなす。なお、球形状とは、球形に限られず、楕円形や、球形又は楕円形が多少変形した形状などを含む。本実施形態においては、複数の球状スペーサ４１０は金属により被覆されておらず、表面に絶縁体であるシリコーン樹脂材料が露出している。このような球状スペーサ４１０は、金属により被覆された球状スペーサに比べてヤング率が小さく、音響インピーダンスが低い。
　複数の球状スペーサ４１０は、各々、粒子径Ｖを有し、当該粒子径Ｖの平均値を平均粒子径Ｖａｖｅとする。なお、本明細書において球状スペーサの粒子径Ｖとは、任意の断面視における球状スペーサの断面面積から求められる円相当径のことである。当該断面視は、例えば、集束イオンビーム（ＦＩＢ：Ｆｏｃｕｓｅｄ　Ｉｏｎ　Ｂｅａｍ）を用いた走査イオン顕微鏡による１万倍の倍率にて取得された導電性保持部材の断面画像である。また、平均粒子径Ｖａｖｅとは、断面の異なる１０枚の導電性保持部材の断面画像のそれぞれにおいて、最大長さと推定される１０個の粒子を選択した合計１００個の球状スペーサの粒子径の平均値である。なお、導電性保持部材に添加する前の球状スペーサが測定できる場合、レーザー回折・散乱法の粒子径分布測定装置を用いて平均粒子径を測定してもよい。この粒子径及び平均粒子径についての定義は、後述する金属粒子の粒子径及び平均粒子径においても同様である。
　球状スペーサ４１０の粒子径Ｖは、圧電振動素子１００の第２主面１１４に形成された第２励振電極１３０の表面と、基板３００の第１主面３０２に形成された接続電極３２２の表面との距離Ｌとの関係において、当該距離Ｌと等しいか、又は当該距離Ｌより小さい（すなわち、Ｖ≦Ｌを満たす）（図２参照）。そして、接続電極３２２の表面上に、複数の球状スペーサ４１０を挟んで圧電振動素子１００が載置される。これにより、基板３００の第１主面３０２の法線方向、すなわち図２に示されるＹ´軸方向においては、圧電振動素子１００が接続電極３２２の表面から当該球状スペーサの粒子径Ｖに応じた間隔をあけて保持されることとなる。具体的には、例えば、図２に示されるように球状スペーサ４１０がＹ´軸方向に１段積まれる場合は、圧電振動素子１００は球状スペーサ４１０の粒子径Ｖに相当する間隔（例えば、５～６μｍ程度）をあけて保持される。あるいは、例えば、球状スペーサ４１０がＹ´軸方向に２段積まれる場合は、圧電振動素子１００は球状スペーサ４１０の粒子径Ｖの約２倍に相当する間隔（例えば、１０～１１μｍ程度）をあけて保持される。なお、球状スペーサ４１０は、接続電極３２２と圧電振動素子１００との間に挟まれることによってわずかに変形し、Ｙ軸方向の長さが接着前の粒子径Ｖより短くなっていてもよい。このようにして、圧電振動素子１００の第２主面１１４と基板３００の第１主面３０２との距離が一定に保たれることとなり、当該両主面に形成される電極間に発生する寄生容量の大きさを一定に保つことができる。
　また、ＸＺ´面の平面視においては、複数の球状スペーサ４１０は、例えば接続電極３２２上に敷き詰められて設けられている（図３参照）。ここで、「敷き詰められる」とは、図３に示されるように、複数の球状スペーサ４１０のうち隣り合う球状スペーサの表面が互いに接触するように配置された状態である。この時、図３に示されるように、基板の第１主面上には、互いに隣り合う３つの球状スペーサ４１０ａ，４１０ｂ，４１０ｃにより構成される球状スペーサ組が複数配置されている。また、互いに隣接する３つの球状スペーサ４１０ａ～４１０ｃによって囲まれた領域には隙間が形成される。なお、球状スペーサ組がＹ´軸方向に複数段積まれる場合は、Ｙ´軸方向に積まれた球状スペーサ組の間にも、当該隙間と同様の隙間が形成されることとなる。
　複数の金属粒子４２０の各々は、複数の金属原子が結合してなる粒子である。複数の金属粒子４２０の材料は特に限定されないが、例えば、銀（Ａｇ）等を主成分とする。複数の金属粒子４２０が接着剤４００の間において互いに接触しつつ硬化されることにより、導電性保持部材３４２が導電性を備えつつ保持部材として機能する接着剤となる。複数の金属粒子４２０は、各々、粒子径Ｗを有し、当該粒子径Ｗの平均値を平均粒子径Ｗａｖｅとする。なお、複数の金属粒子４２０の粒子径のばらつき（すなわち、粒子径分布）は、例えば、標準偏差σの正規分布関数に近似できる。複数の金属粒子４２０の各々は、接続電極３２２上に敷き詰められた複数の球状スペーサ４１０によって形成される隙間に入り込むように配置され、Ｙ´軸方向に互いに接触して連なっている。すなわち、金属粒子４２０の粒子径Ｗは、球状スペーサ組を構成する３つの球状スペーサ４１０ａ～４１０ｃによって形成される隙間よりも小さい。この点について、図４及び図５を参照しつつ説明する。なお、図４及び図５では、球状スペーサと金属粒子がいずれもそれぞれに外接する球体であると仮定して説明する。
　図４は、球状スペーサの大きさと金属粒子の大きさの関係を説明するための概念図であり、具体的には、基板３００の第１主面３０２上に並ぶ互いに隣り合う３つの球状スペーサによって形成された隙間に１つの金属粒子が入り込む様子を示す図である。また、図５は、球状スペーサの大きさと金属粒子の大きさの関係を説明するための概念図であり、具体的には３つの球状スペーサによって形成された隙間に３つの金属粒子が入り込む様子を示す図である。なお図４及び図５は、図３に示されるように複数の球状スペーサが均等に敷き詰められた場合に、ＸＺ´面と平行な断面であって、隣接する複数の球状スペーサの表面が互いに接する高さの断面を模式的に示している。すなわち、当該高さでは、複数の球状スペーサによって形成される隙間が最も狭くなる。球状スペーサに相当する球の断面の大円１０ａ，１０ｂ，１０ｃの半径をＲ（Ｖ／２に相当）とし、金属粒子に相当する球の断面の小円２０ａ，２０ｂ，２０ｃの半径をｒ（Ｗ／２に相当）とする。
　図４は、ある球状スペーサ組において、３つの球状スペーサによって形成された隙間に１つの金属粒子が入り込む場合を示した概念図である。大円１０ａの中心をＯ、小円２０ａの中心をＰ、大円１０ａと大円１０ｂとの接点をＱとすると、線分ＯＱ＝Ｒ、線分ＯＰ＝（Ｒ＋ｒ）である。また、三角形ＯＰＱにおいて、角ＯＱＰ＝９０度、角ＯＰＱ＝６０度であるため、線分ＯＱ：線分ＯＰ＝Ｒ：（Ｒ＋ｒ）＝√３：２となる。従って、以下の式（１）が成立する。
ｒ＝｛（２／√３）－１｝×Ｒ・・・（１）
　上記式（１）より、粒子径Ｗの１つの金属粒子が、粒子径Ｖの３つの球状スペーサによって形成された隙間に入り込む条件は、以下の式（２）となる。
Ｗ＜｛（２／√３）－１｝×Ｖ・・・（２）
　従って、以下の式（３）を満たすと、平均粒子径Ｗａｖｅの複数の金属粒子のうち一部の金属粒子が、平均粒子径Ｖａｖｅの複数の球状スペーサによって形成された隙間に入り込むことができる。なお、例えば金属粒子の平均粒子径ＷａｖｅがＷａｖｅ＝｛（２／√３）－１｝×Ｖａｖｅを満たす場合、当該平均粒子径Ｗａｖｅより小さい粒子径Ｗを有する金属粒子が、当該隙間に入り込むことができ、その割合は、例えば導電性保持部材に含まれる金属粒子全体の半分程度である。
Ｗａｖｅ＜｛（２／√３）－１｝×Ｖａｖｅ（≒０．１５×Ｖａｖｅ）・・・（３）
　また、導電性保持部材に含まれる金属粒子の粒子径分布を標準偏差σの正規分布関数に近似した場合、以下の式（４）～（６）をさらに満たすと、平均粒子径Ｗａｖｅの複数の金属粒子のうち大部分（例えば、式（５）を満たす場合は、全体の９５％程度）の金属粒子が、平均粒子径Ｖａｖｅの複数の球状スペーサによって形成された隙間に入り込むことができる。
Ｗａｖｅ＋σ＜｛（２／√３）－１｝×Ｖａｖｅ・・・（４）
Ｗａｖｅ＋２σ＜｛（２／√３）－１｝×Ｖａｖｅ・・・（５）
Ｗａｖｅ＋３σ＜｛（２／√３）－１｝×Ｖａｖｅ・・・（６）
　図５は、ある球状スペーサ組において、３つの球状スペーサによって形成された隙間に３つの金属粒子が入り込む場合を示した概念図である。なお、大円１０ａ，１０ｂ，１０ｃについては円弧の一部が示されている。大円１０ａの中心をＯ、小円２０ａの中心をＰ、大円１０ａと大円１０ｂとの接点をＱ、大円１０ａと小円２０ａの接点をＳ、小円２０ａと小円２０ｃの接点をＴ、直線ＯＴと直線ＱＰの交点をＵとすると、線分ＯＱ＝Ｒ、線分ＯＰ＝（Ｒ＋ｒ）、線分ＰＴ＝ｒである。また、三角形ＰＯＴにおいて、角ＰＴＯ＝９０度であるため、三平方の定理より、線分ＯＴ＝√｛（Ｒ＋ｒ）２―ｒ２｝である。また、三角形ＰＴＵにおいて、角ＰＴＵ＝９０度、角ＰＵＴ＝６０度であるため、線分ＴＵ＝（１／√３）×ｒである。従って、線分ＯＵ＝√｛（Ｒ＋ｒ）２―ｒ２｝＋（１／√３）×ｒである。また、三角形ＯＱＵにおいて、角ＯＱＵ＝９０度、角ＯＵＱ＝６０度であるため、線分ＯＱ：線分ＯＵ＝Ｒ：√｛（Ｒ＋ｒ）２―ｒ２｝＋（１／√３）×ｒ＝√３：２となる。従って、以下の式（７）が成立する。
ｒ＝（５－２√６）×Ｒ・・・（７）
　上記式（７）より、粒子径Ｗの３つの金属粒子が、粒子径Ｖの３つの球状スペーサによって形成された隙間に入り込む条件は、以下の式（８）となる。
Ｗ＜（５－２√６）×Ｖ・・・（８）
　従って、以下の式（９）を満たすと、平均粒子径Ｗａｖｅの複数の金属粒子のうち一部（例えば、導電性保持部材に含まれる金属粒子全体の半分程度）の金属粒子が、３つ同時に平均粒子径Ｖａｖｅの３つの球状スペーサによって形成された隙間に入り込むことができる。
Ｗａｖｅ＜（５－２√６）×Ｖａｖｅ（≒０．１０×Ｖａｖｅ）・・・（９）
　上述の構成により、圧電振動子１においては、例えば特許文献１に開示されるような従来の接着剤に比べて金属粒子が球状スペーサによって形成された隙間に充分に入り込むため、球状スペーサが混入していても導電性保持部材の導電性を良好に維持することができる。従って、圧電振動子１は、圧電振動素子１００と基板３００の主面との距離を一定に保ちつつ、圧電振動素子を保持する導電性保持部材（保持部）の導電性が向上する。また、球状スペーサを金属により被覆する必要がないため、金属により被覆される構成に比べて製造コストが安価となる。
　また、金属により被覆されていない球状スペーサを用いるため、例えば特許文献１に開示されるような従来の圧電振動子に比べ、導電性保持部材３４０，３４２のヤング率が小さく、音響インピーダンスが低くなる。これにより、音響インピーダンスが比較的高い圧電振動素子１００及び基板３００と、音響インピーダンスが比較的低い導電性保持部材との音響インピーダンスの差が大きくなる。ここで、異なる物体間における振動の伝搬は、各物体の音響インピーダンスの差が大きいほど、当該物体間の境界面における振動の反射波が増加し、透過波が減少する。すなわち、圧電振動素子１００から伝搬される振動のうち、圧電振動素子１００と導電性保持部材３４０，３４２との境界面における反射波が増加し、基板３００への透過波が減少する。従って、圧電振動素子１００から導電性保持部材３４０，３４２を介して基板３００に漏出する振動が減少し、圧電振動子１のＣＩ（Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ）値の低下が抑制される。
　さらに、図５に示されるように、金属粒子を、３つの球状スペーサによって形成された隙間に３つの金属粒子が同時に入り込む大きさとすることにより、金属粒子同士が接触して当該隙間に詰まることが軽減される。これにより、図４に示される場合と比較して、金属粒子が当該隙間にさらに入り込みやすくなり、導電性保持部材の導電性が向上する。
　なお、複数の金属粒子の平均粒子径Ｗａｖｅは、以下の式（１０）を満たしていてもよい。これにより、少なくとも６つの金属粒子が３つの球状スペーサによって形成された隙間に同時に入り込むことができる。従って、金属粒子の粉体ブリッジの発生が抑制されるため、金属粒子が当該隙間にさらに入り込みやすくなり、導電性保持部材の導電性が向上する。
Ｗａｖｅ＜［｛（２／√３）－１｝／６］×Ｖａｖｅ（≒０．０３×Ｖａｖｅ）・・・（１０）
　また、図１に示される例では、圧電振動素子１００は、その一方端が導電性保持部材３４０，３４２により固定されており、その他方端が自由となっているが、圧電振動素子１００はその両端において基板３００に固定されていてもよい。すなわち、接続電極３２０，３２２の一方がＸ軸正方向側に形成され、他方がＸ軸負方向側に形成されるなど、基板３００の第１主面３０２上において互いに異なる側に配置されていてもよい。
　また、図２においては、球状スペーサが高さ方向（Ｙ´軸方向）に１段積まれた例が示されているが、球状スペーサの段数はこれに限られず、当該高さ方向に２段以上積まれていてもよい。
　また、３つの球状スペーサによって形成された隙間に、例えば６つの金属粒子が同時に入り込むためには、球状スペーサに比べて金属粒子を相対的に小さくする必要がある。しかしながら、金属粒子を小さくすると、導電性保持部材に占める金属粒子の割合が増加する。この結果、導電性保持部材の音響インピーダンスが高くなる。これにより、導電性保持部材と、圧電振動素子１００及び基板３００との音響インピーダンスの差が小さくなる傾向となる。従って、音響インピーダンスの差の低下を防ぐためには、平均粒子径Ｖａｖｅの３つの球状スペーサによって形成された隙間に入る金属粒子の数が、例えば多くても６つまでとなるよう、金属粒子の平均粒子径Ｗａｖｅは、以下の式（１１）を満たしていることが好ましい。
Ｗａｖｅ≧［｛（２／√３）－１｝／６］×Ｖａｖｅ（≒０．０３×Ｖａｖｅ）・・・（１１）
　また、圧電振動子１は、蓋部材２００を備えていなくてもよい。
　以上、本発明の例示的な実施形態について説明した。圧電振動子１において、導電性保持部材３４０，３４２は、複数の金属粒子４２０と、圧電振動素子１００を基板３００の第１主面３０２から所定の間隔をあけて保持する複数の球状スペーサ４１０を含み、球状スペーサ４１０の平均粒子径をＶａｖｅとし、金属粒子４２０の平均粒子径をＷａｖｅとした場合、Ｗａｖｅ＜｛（２／√３）－１｝×Ｖａｖｅの関係を有する。これにより、金属粒子４２０が球状スペーサ４１０によって形成された隙間に充分に入り込むため、導電性保持部材３４０，３４２の導電性が向上する。また、球状スペーサを金属により被覆する必要がないため、製造コストが安価となる。また、金属により被覆されていない球状スペーサを用いるため、導電性保持部材３４０，３４２のヤング率が小さく、音響インピーダンスが低くなる。これにより、圧電振動素子１００から導電性保持部材３４０，３４２を介して基板３００に漏出する振動が減少し、圧電振動子１のＣＩ値の低下が抑制される。
　また、金属粒子４２０の粒子径分布を標準偏差σの正規分布関数に近似した場合、圧電振動子１は、Ｗａｖｅ＋２σ＜｛（２／√３）－１｝×Ｖａｖｅの関係をさらに有していてもよい。これにより、複数の金属粒子４２０のうち大部分（例えば、全体の９５％程度）の金属粒子が、球状スペーサ４１０によって形成された隙間に入り込むことができる。従って、導電性保持部材３４０，３４２の導電性がさらに向上する。
　また、圧電振動子１は、Ｗａｖｅ＜（５－２√６）×Ｖａｖｅの関係をさらに有していてもよい。これにより、金属粒子４２０が球状スペーサ４１０によって形成された隙間に入り込みやすくなる。従って、導電性保持部材３４０，３４２の導電性がさらに向上する。
　また、球状スペーサ４１０の材料は特に限定されないが、例えば樹脂を主成分としていてもよい。
　また、球状スペーサ４１０は、例えば表面が絶縁体であってもよい。これにより、球状スペーサ４１０は、金属により被覆された球状スペーサに比べて音響インピーダンスが低くなる。従って、圧電振動素子１００から導電性保持部材３４０，３４２を介して基板３００に漏出する振動が減少し、圧電振動子１のＣＩ値の低下が抑制される。
　また、金属粒子４２０の材料は特に限定されないが、例えば銀を主成分としていてもよい。
　また、複数の球状スペーサ４１０は、基板３００の第１主面３０２上に並び、互いに隣り合う３つの球状スペーサ４１０ａ～４１０ｃにより構成される球状スペーサ組を有し、複数の金属粒子４２０は、３つの球状スペーサ４１０ａ～４１０ｃによって囲まれた隙間を通り、第１主面３０２の法線方向に互いに接触して連なる複数の粒子を有していてもよい。
　また、３つの球状スペーサ４１０ａ～４１０ｃは、互いに接触していてもよい。
　また、球状スペーサ組は、基板３００の第１主面３０２上に複数配置されていてもよい。
　また、圧電振動子１は、基板３００に接合され、圧電振動素子１００を収容する蓋部材２００をさらに備える。これにより、圧電振動素子１００を内部空間に収容することができる。
　なお、以上説明した各実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るととともに、本発明にはその等価物も含まれる。すなわち、各実施形態に当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、各実施形態が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、各実施形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
　１　圧電振動子
　１００　圧電振動素子
　１１０　圧電基板
　１２０，１３０　励振電極
　１２２，１３２　引出電極
　１２４，１３４　接続電極
　２００　蓋部材
　２５０　接合材
　３００　基板
　３２０，３２２　接続電極
　３２０ａ，３２２ａ　引出電極
　３２４，３２６　コーナー電極
　３３０，３３２，３３４，３３６　側面電極
　３４０，３４２　導電性保持部材
　３６０，３６２，３６４，３６６　外部電極
　４００　接着剤
　４１０　球状スペーサ
　４２０　金属粒子
　１０ａ，１０ｂ，１０ｃ　大円
　２０ａ，２０ｂ，２０ｃ　小円

Claims (10)

  1. 　圧電振動素子と、
    　対向する第１及び第２主面を有する基板と、
    　前記圧電振動素子を前記基板の前記第１主面上に保持する導電性保持部材と、
    を備え、
    　前記導電性保持部材は、複数の金属粒子と、前記圧電振動素子を前記基板の前記第１主面から所定の間隔をあけて保持する複数の球状スペーサと、を含み、
    　前記球状スペーサの平均粒子径をＶａｖｅとし、前記金属粒子の平均粒子径をＷａｖｅとした場合、
    　Ｗａｖｅ＜｛（２／√３）－１｝×Ｖａｖｅ
    の関係を有する、圧電振動子。
  2. 　前記金属粒子の粒子径分布を標準偏差σの正規分布関数に近似した場合、
    　Ｗａｖｅ＋２σ＜｛（２／√３）－１｝×Ｖａｖｅ
    の関係をさらに有する、請求項１に記載の圧電振動子。
  3. 　Ｗａｖｅ＜（５－２√６）×Ｖａｖｅ
    の関係をさらに有する、請求項１に記載の圧電振動子。
  4. 　前記球状スペーサは樹脂を主成分とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の圧電振動子。
  5. 　前記球状スペーサの少なくとも表面が絶縁体である、請求項１から４のいずれか一項に記載の圧電振動子。
  6. 　前記金属粒子は銀を主成分とする、請求項１から５のいずれか一項に記載の圧電振動子。
  7. 　前記複数の球状スペーサは、前記第１主面上に並び、互いに隣り合う３つの球状スペーサにより構成される球状スペーサ組を有し、
    　前記複数の金属粒子は、前記３つの球状スペーサによって囲まれた隙間を通り、前記第１主面の法線方向に互いに接触して連なる複数の粒子を有する、請求項１から６のいずれか一項に記載の圧電振動子。
  8. 　前記３つの球状スペーサは、互いに接触している、請求項７に記載の圧電振動子。
  9. 　前記球状スペーサ組が、前記第１主面上に複数配置されている、請求項７又は８に記載の圧電振動子。
  10. 　前記基板に接合され、前記圧電振動素子を収容する蓋部材をさらに備える、請求項１から９のいずれか一項に記載の圧電振動子。
     
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220224456A1 (en) * 2021-01-14 2022-07-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and apparatus for transmitting uplink channel in wireless communication system

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6956093B2 (ja) * 2016-08-31 2021-10-27 株式会社村田製作所 圧電振動子
CN109804560B (zh) * 2016-10-11 2023-03-14 株式会社村田制作所 压电振子及其制造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11289233A (ja) * 1998-04-03 1999-10-19 Sii Quartz Techno:Kk 圧電振動子およびその製造方法
JP2000082934A (ja) * 1998-07-01 2000-03-21 Seiko Epson Corp 圧電振動子のマウント構造、このマウント構造を用いた圧電振動子ユニット並びに発振器
JP2005318330A (ja) * 2004-04-28 2005-11-10 Kyocera Kinseki Corp 圧電振動子
JP2007135191A (ja) * 2005-10-12 2007-05-31 Epson Toyocom Corp 圧電デバイス及び、その製造方法
JP2014150452A (ja) * 2013-02-01 2014-08-21 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 圧電デバイス
JP2014170864A (ja) * 2013-03-05 2014-09-18 Ibiden Co Ltd 接合体およびその製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11289233A (ja) * 1998-04-03 1999-10-19 Sii Quartz Techno:Kk 圧電振動子およびその製造方法
JP2000082934A (ja) * 1998-07-01 2000-03-21 Seiko Epson Corp 圧電振動子のマウント構造、このマウント構造を用いた圧電振動子ユニット並びに発振器
JP2005318330A (ja) * 2004-04-28 2005-11-10 Kyocera Kinseki Corp 圧電振動子
JP2007135191A (ja) * 2005-10-12 2007-05-31 Epson Toyocom Corp 圧電デバイス及び、その製造方法
JP2014150452A (ja) * 2013-02-01 2014-08-21 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 圧電デバイス
JP2014170864A (ja) * 2013-03-05 2014-09-18 Ibiden Co Ltd 接合体およびその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220224456A1 (en) * 2021-01-14 2022-07-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and apparatus for transmitting uplink channel in wireless communication system
US12155491B2 (en) * 2021-01-14 2024-11-26 Samsung Electronics Co., Ltd Method and apparatus for transmitting uplink channel in wireless communication system

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